CN105409030A - 用于加工电子器件的方法和电子器件装置 - Google Patents

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Abstract

在不同的实施例中提供一种用于加工电子器件(130)的方法(200)，所述方法具有：将设有预定分离部位(304)的面状结构(128)施加(204)到电子器件(130)上；以及移除(208)所施加的面状结构(128)的一部分(306，404)，其中移除(208)包括：在预定分离部位(304)处分离面状结构(128)。

Description

用于加工电子器件的方法和电子器件装置
技术领域
在不同的实施方式中提供一种用于加工电子器件的方法和一种电子器件装置。
背景技术
有机光电子器件、例如有机发光二极管(“organiclightemittingdiode”-OLED)越来越广泛地应用在普通照明中。有机光电子器件、例如OLED，通常在载体上具有阳极和阴极与位于其间的有机功能层系统。有机功能层系统例如能够具有：一个或多个发射体层，在所述发射体层中产生电磁辐射；一个或多个载流子对生成层结构，所述载流子对生成层结构分别由两个或更多个用于生成载流子对的载流子对生成层(“chargegeneratinglayer”-CGL)以及一个或多个也称为空穴传输层(“holetransportlayer”-HTL)的电子阻挡层还有一个或多个也称为电子传输层(“electrontransportlayer”-ETL)的空穴阻挡层构成，以便定向电通流。
有机发光二极管的常规的载体是玻璃衬底，所述玻璃衬底在背侧上与空腔玻璃粘接。在空腔玻璃中，能够粘入吸气剂，以便结合穿过粘结剂连接部侵入的湿气。在其它常规的载体中，在玻璃衬底的背侧上构成有薄膜封装部，其中另一玻璃作为防划保护部层压到OLED的背侧上。用于OLED的这两种类型的载体通常借助于划线和折断设施(scribeandbreak)从板级分割成单独构件。这通过如下方式进行：借助于在相应的折断或分割边或分割线处具有特定力的“划刻轮”，相应地在前侧和在背侧划刻并且紧接着折断玻璃衬底。
在常规的方法中，在载体的背侧上整面地层压作为防划保护部的塑料薄膜或金属薄膜。这种由分别由不同的材料构成的层压的薄膜和载体构成的衬底也称为混合OLED。常规的用于分割的方法在混合OLED中不再起作用，因为借助于划刻轮不能够同时分割玻璃和塑料薄膜或金属薄膜。作为“弹性材料”的塑料薄膜例如在划刻时屈服或者弹性回复，使得在被划刻的部位处不引起塑料薄膜的实际分离。
在常规的方法中，不同的材料借助于激光在一个工艺中分离。在OLED中，在玻璃衬底和盖玻璃之间通常露出OLED的接触面。在激光功率相应高的情况下或者在特定的波长范围中，玻璃衬底和盖玻璃之间在玻璃衬底上的分离过程不是选择性的。由此使在前侧或背侧上在不同的位置处切割玻璃衬底或盖玻璃以使接触面露出变得困难。此外，该方法需要购置昂贵的激光系统并且通常也需要非常成本密集的维护。
在另一个常规的方法中，应施加到OLED上的金属薄膜在层压成为OLED单独构件和单独结构形状之前适当地被切割并且紧接着在载体的相应的位置处单独地被粘接/层压到OLED上。这种方法依次地进行并且作为手动工艺在各个薄膜件的质量和定向方面是有严重缺陷的。此外，在加工各个薄膜件时，颗粒越来越多地添加到薄膜和OLED之间。由此，对薄膜件的单独加工提高了短路的危险和OLED的(薄膜)封装部受损的危险。因此，单独地施加薄膜件不适合于批量生产。
发明内容
在不同的实施方式中，提供一种用于加工电子器件的方法和一种电子器件装置，借助所述方法和所述电子器件装置可行的是，以简单的方式并且以常规的/现有的方法分割电子器件的、例如有机发光二极管的混合载体。此外，由此可以更简单地使电子器件的混合载体上的接触面露出。此外，由此可以分割光电子器件，所述光电子器件具有玻璃衬底和盖玻璃并且其中例如在OLED中，在前侧上的板层面上已经整面地施加有耦合输入/耦合输出散射薄膜。
在不同的实施方式中，提供一种用于加工电子器件的方法，所述方法具有：将设有预定分离部位的面状结构施加到电子器件上；并且移除所施加的面状结构的一部分，其中所述移除包括：在预定分离部位处分离面状结构。
在所述方法的一个设计方案中，面状结构能够柔性地构成，例如机械柔性地构成，例如可逆弯曲地构成。
在所述方法的一个设计方案中，面状结构能够具有薄膜或者是薄膜，例如金属薄膜、塑料薄膜或者薄玻璃。
在所述方法的一个设计方案中，面状结构能够构成为，使得其具有下述作用中的一种：热传导；散射、反射、过滤和/或吸收电磁辐射；传导电磁辐射，例如作为波导和/或光学腔；在损伤电子器件的物质和场方面的阻挡作用，例如作为防止水、氧、UV辐射作用的保护；电磁辐射离开/进入电子器件的耦合输出或者耦合输入；改变电子器件的光学外观，例如作为高光泽覆层；和/或机械保护，例如在电子器件的划伤、碰撞、弯曲方面的机械保护。
在所述方法的一个设计方案中，面状结构自粘接地构成。由此能够借助于面状结构将电子器件配合地固定在表面上。将配合的连接和配合的固定理解为构成配合的连接、即材料配合的、形状配合的和/或力配合的连接。配合的连接机构是如下机构或介质，借助于所述机构或介质在第一体部和第二体部之间构成配合的连接，例如借助于粘结剂或者夹具。
在所述方法的一个设计方案中，面状结构能够具有在大约10μm至大约500μm的范围中的厚度。
在所述方法的一个设计方案中，电子器件能够具有光电子器件。
在所述方法的一个设计方案中，光电子器件能够具有有机发光二极管。
在所述方法的一个设计方案中，光电子器件能够具有太阳能电池和/或光电检测器。
在所述方法的一个设计方案中，电子器件能够具有两个或更多个电子器件单元，其中面状结构施加在两个或更多个电子器件单元上或上方。
在所述方法的一个设计方案中，在两个电子器件单元之间能够构成至少一个预定分离部位。
在所述方法的一个设计方案中，所施加的面状结构的被移除的部分能够从两个电子器件单元之间的分割区域中移除。
在所述方法的一个设计方案中，电子器件能够具有电接触区域，其中所施加的面状结构的被移除的部分从电接触区域处移除。
在所述方法的一个设计方案中，移除还包括：将所施加的面状结构的被移除的部分从光电子器件脱去。待移除的部分例如能够成件地脱去。
在所述方法的一个设计方案中，电子器件能够在载体上构成，其中面状结构施加到电子器件上或上方和/或其中面状结构施加在载体的背离电子器件的一侧上或上方。
在所述方法的一个设计方案中，施加面状结构能够具有：将面状结构与电子器件材料配合地连接。
在所述方法的一个设计方案中，构成材料配合的连接能够借助于如下方案构成：双侧的粘胶带；液态粘结剂；可UV硬化的粘结剂和/或压敏的粘结剂。
在所述方法的一个设计方案中，面状结构能够层压到电子器件上。
在所述方法的一个设计方案中，用于构成材料配合的连接的机构能够以结构化的方式施加在电子器件和/或面状结构上或上方或者在施加之后结构化。
在所述方法的一个设计方案中，在面状结构的待移除的部分和电子器件之间的区域能够保持没有配合的连接机构。
在所述方法的一个设计方案中，用于构成在面状结构的待移除的部分和电子器件之间的材料配合的连接的机构与在不需移除的面状结构和电子器件之间的区域中相比具有更小的粘附性和/或内聚性。
在所述方法的一个设计方案中，载体和面状结构的区别能够在于下述特性中的至少一个：关于酸、碱或溶剂的化学抗性；关于分割方法的机械变形阻力。分割具有面状结构的电子器件能够借助于：物理方法、例如水射流切割或者等离子切割；机械方法、例如锯割；光学方法、例如激光烧蚀；化学方法、例如钎焊或刻蚀；和/或这些方法的组合、例如化学机械研磨来进行。然而，电子器件的面状结构和载体由于其特性关于所提到的方法能够是不同程度敏感的。载体例如能够借助所提到的方法中的一种来分割，其中面状结构对于该方法而言在不具有预定分离部位的区域中是不敏感的、即不被分开。
在所述方法的一个设计方案中，预定分离部位和面状结构的区别能够在于下述特性中的至少一个：关于酸、碱或者溶剂的化学抗性；关于分割方法的机械变形阻力。
在所述方法的一个设计方案中，载体和面状结构能够具有不同的材料。
在所述方法的一个设计方案中，载体和面状结构能够具有相同的材料，但是不同地构成。借助于不同的制造方法，材料上相同的结构区别在于物理特性，例如具有不同的密度或者结晶度。由此能够以不同的方式加工、例如分开面状结构和载体。
在不同的实施方式中提供一种电子器件装置，所述电子器件装置具有：在载体上的电子器件；和面状结构，其中面状结构具有在载体上的面状结构和/或在电子器件上的面状结构，并且其中面状结构具有预定分离部位，其中面状结构构成为，使得面状结构的一部分在分离预定分离部位之后可以从电子器件装置移除。
在一个设计方案中，面状结构能够柔性地构成，例如机械柔性地构成，例如可逆弯曲地构成。
在一个设计方案中，面状结构能够具有薄膜或是薄膜。
在一个设计方案中，面状结构能够构成为，使得所述面状结构具有下述作用中的一种：热传导；散射；反射、过滤和/或吸收电磁辐射；传导电磁辐射，例如作为波导和/或光学腔；在损伤电子器件的物质和场方面的阻挡作用，作为防止水、氧、UV辐射作用的保护；电磁辐射离开/进入电子器件的耦合输出或者耦合输入；改变电子器件的光学外观，例如作为高光泽覆层；和/或机械保护，例如在电子器件的划伤、碰撞、弯曲方面的机械保护。
在一个设计方案中，预定分离部位和面状结构的区别能够在于下述特性中的至少一个：关于酸、碱或溶剂的化学抗性；关于分割方法的机械变形阻力。
在一个设计方案中，用于构成在面状结构的待移除的部分和电子器件之间的材料配合的连接的机构与在不需移除的面状结构和电子器件之间的区域中相比具有更小的粘附性和/或内聚性。
在一个设计方案中，面状结构能够具有在大约10μm至大约500μm的范围中的厚度。
在一个设计方案中，电子器件能够具有光电子器件。
在一个设计方案中，光电子器件能够具有有机发光二极管。
在一个设计方案中，光电子器件能够具有太阳能电池和/或光电检测器。
在一个设计方案中，电子器件能够具有两个或更多个电子器件单元，其中面状结构构成在两个或更多个电子器件单元上或上方。
在一个设计方案中，在两个电子器件单元之间能够构成至少一个预定分离部位。
在一个设计方案中，所施加的面状结构的可移除的部分在两个电子器件单元之间的分割区域上方构成。借助于分离预定分离部位，关于在被分离的预定分离部位的区域中分割电子器件单元，例如通过面状结构在分割电子器件单元时不再需要被切断的方式而已经能够减小电子器件的阻力。
借助于两个电子器件单元之间的两个或更多个预定分离部位，能够在两个电子器件单元之间构成如下区域，所述区域在移除面状结构在这些预定分离部位之间的部分之后不具有面状结构。由此在该区域中能够简化器件单元的分割和/或使其变得容易。
在一个设计方案中，电子器件能够具有电接触区域，其中所施加的面状结构的可移除的部分在电接触区域上方构成。
在一个设计方案中，面状结构能够构成为，使得面状结构的可移除的部分可以成件被移除的方式构成。
在一个设计方案中，面状结构能够材料配合地与电子器件连接。
在一个设计方案中，能够借助于如下方案构成材料配合的连接：双侧的粘胶带；液态粘结剂；可UV硬化的粘结剂和/或对于压敏的粘结剂。
在一个设计方案中，面状结构能够层压到电子器件上。
在一个设计方案中，用于构成材料配合的连接的机构能够在电子器件和/或面状结构上或上方结构化地构成。
在一个设计方案中，面状结构的待移除的部分和电子器件之间的区域不具有配合的连接机构。
在一个设计方案中，载体和面状结构的区别能够在于下述特性中的至少一个：关于酸、碱或溶剂的化学抗性；关于分割方法的机械变形阻力。
在一个设计方案中，载体和面状结构能够具有不同的材料。
在一个设计方案中，载体和面状结构能够具有相同的材料，但是不同地构成。
附图说明
本发明的实施例在附图中示出并且在下文中详细阐述。
附图示出：
图1示出根据不同的实施例的具有面状结构的电子器件装置的示意性的横截面视图；
图2示出用于加工电子器件装置的方法的图表；
图3A至F示出根据不同的实施例的在用于加工的方法中的光电子器件装置的示意图；
图4A至C示出根据不同的实施例的在用于加工的方法中的光电子器件装置的示意图；以及
图5A至F示出根据不同的实施例的在用于加工的方法中的光电子器件装置的示意图。
具体实施方式
在下面详细的描述中参考附图，所述附图形成所述描述的一部分，并且在所述附图中示出能够实施本发明的具体的实施方式以用于说明。在此方面，相关于所描述的一个(多个)附图的定向而使用方向术语例如“上”、“下”、“前”、“后”、“前部”、“后部”等等。因为实施方式的组成部分能够以多个不同的定向来定位，所以方向术语仅用于说明并且不以任何方式受到限制。要理解的是，能够使用其他的实施方式并且能够进行结构上的或逻辑上的改变，而不偏离本发明的保护范围。要理解的是，只要没有特殊地另外说明，就能够将在此描述的不同的示例性的实施方式的特征互相组合。因此，下面详细的描述不能够理解为受限制的意义，并且本发明的保护范围通过附上的权利要求来限定。
在本说明书的范围内，术语“连接”、“联接”以及“耦联”用于描述直接的和间接的连接、直接的或间接的联接以及直接的或间接的耦联。在附图中，只要是适当的，相同的或相似的元件就设有相同的附图标记。
在具有多个电子器件单元的电子器件中，在考虑单个的电子器件单元的情况下使用术语电子器件。
预定分离部位是结构的如下区域，所述区域关于分离方法与至少所述结构的邻接于预定分离部位的区域相比具有更小的阻力。预定分离部位的所述设计方案能够与所使用的用于分离预定分离部位的方法相关。
在用于分离预定分离部位的机械方法中，预定分离部位与所述结构的邻接于预定分离部位的区域相比能够具有更小的机械阻力。通过预定分离部位由另一种材料和/或另一种方法构成为使得预定分离部位具有更小的硬度的方式，能够构成更小的机械阻力。此外或者替代于此，预定分离部位能够被结构化，例如具有凹处、空腔或者穿孔。由此能够减小可在预定分离部位中被移除的材料的份额，由此减小机械阻力。
在用于分离的化学方法中，预定分离部位与所述结构的邻接于预定分离部位的区域相比能够具有更高的可溶性。通过预定分离部位由另一种材料和/或另一种方法构成为使得预定分离部位关于溶剂、酸或者碱具有更高的可溶性的方式，能够构成更高的化学可溶性。此外或者替代于此，预定分离部位能够被结构化，例如具有凹处、空腔或者穿孔。由此能够减小可在预定分离部位中移除的材料的份额。
第一体部与第二体部的连接能够是形状配合的、力配合的和/或材料配合的。所述连接能够可脱离地构成，即可逆地构成。在不同的设计方案中，可逆的、配合的连接例如能够作为螺丝连接、夹紧装置、锁定连接实现和/或借助于夹具和/或固定销实现。然而所述连接也能够不可脱离地构成、即不可逆地构成。不可逆的连接在此仅能够借助于破坏连接机构来分离。在不同的设计方案中，不可逆的、配合的连接例如能够作为铆接连接、粘接连接或者钎焊连接来实现。
在材料配合的连接中，第一体部能够借助于原子力和/或分子力与第二体部连接。材料配合的连接通常能够是不可脱离的连接。在不同的设计方案中，材料配合的连接例如能够作为粘接连接、焊料连接例如玻璃焊料或者金属焊料的焊料连接或者作为熔焊连接实现。材料配合的连接例如能够是能导电的粘结剂键合(anisotropicconductivefilmbonding(各向异性导电薄膜键合)，ACF-键合)。材料配合的连接能够借助于摩擦焊接工艺(超声焊-USbonding)、借助于UV辐射的硬化或者液态的材料配合的连接机构的干燥来进行。
能够将阻挡层理解为如下层或层结构，所述层或层结构适合于相对化学污染物或大气物质、例如相对于水(湿气)和氧形成阻挡。换句话说，第一阻挡层104构成为，使得其不能够或者至多仅极其小份额地由能够损伤光电子器件的物质、例如水、氧或者溶剂穿过。阻挡层能够构成为单独的层、层堆或者层结构。在构成为层堆的阻挡层中，阻挡层具有多个彼此叠加构成的子层。在构成为层结构的阻挡层中，阻挡层具有多个彼此叠加构成的子层，其中子层能够在横向上被结构化。
图1示出根据不同的实施例的具有面状结构的电子器件装置的示意性的横截面视图。
接下来，以在载体102上的、具有面状结构128的光电子器件130为例详细描述电子器件装置100的实施例。
光电子器件能够具有气密密封的衬底、电有源区域106和封装结构。
气密密封的衬底能够具有载体102和第一阻挡层104。
电有源区域106能够具有第一电极110、有机功能层结构112和第二电极114。
有机功能层结构112能够具有第一有机功能层结构单元116、中间层118和第二有机功能层结构单元120。
封装结构能够具有第二阻挡层108、粘结剂层122和覆盖部124。
光电子器件130为了接收和/或提供电磁辐射能够构建为，使得从所接收的电磁辐射中产生电能和/或从所提供的电能中产生电磁辐射。
光电子器件130能够构成为有机发光二极管130、有机光电检测器130或者有机太阳能电池。
有机发光二极管130能够构成为所谓的顶部发射体或者底部发射体。
顶部发射体和/或底部发射体也能够光学透明地或者光学半透明地构成。
载体102能够具有玻璃、石英和/或半导体材料或任意其他适合的材料或由其形成。此外，载体能够具有塑料薄膜或具有带有一个或多个塑料薄膜的叠层或者由其形成。塑料能够具有一种或多种聚烯烃(例如具有高密度或低密度的聚乙烯(PE)或聚丙烯(PP))或者由其形成。此外，塑料能够具有聚氯乙烯(PVC)、聚苯乙烯(PS)、聚酯和/或聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜(PES)和/或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或者由其形成。
载体102能够具有金属或者由其形成，例如铜、银、金、铂、铁，例如金属化合物、例如钢。
载体102能够半透明地或者甚至透明地构成。
载体102能够具有机械刚性的区域和/或机械柔性的区域或者如此构成。
在一个实施例中，载体102能够构成为用于光电子器件130的电磁辐射的波导，例如关于光电子器件130的所提供的电磁辐射是透明的或者半透明的。
第一阻挡层104能够具有下述材料中的一种或者由其形成：氧化铝、氧化锌、氧化锆、氧化钛、氧化铪、氧化钽、氧化镧、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、铟锡氧化物、铟锌氧化物、掺杂铝的氧化锌、聚(对亚苯基对苯二甲酰胺)、尼龙66以及其混合物和合金。
第一阻挡层104能够借助于下述方法中的一种构成：原子层沉积法(AtomicLayerDeposition(ALD))、例如等离子增强原子层沉积法(PlasmaEnhancedAtomicLayerDeposition(PEALD))或者无等离子的原子层沉积法(plasmalessatomiclayerdeposition(PLALD))；化学气相沉积法(ChemicalVaporDeposition(CVD))、例如等离子增强气相沉积法(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition(PECVD))或者无等离子的气相沉积法(ChemicalVaporDeposition(PLCVD))；或者替选地借助于其它适当的沉积法。
在具有多个子层的第一阻挡层104中，所有子层能够借助于原子层沉积法形成。仅具有ALD层的层序列也能够称为“纳米叠层”。
在具有多个子层的第一阻挡层104中，第二阻挡层108的一个或多个子层能够借助于作为原子层沉积法的另一种沉积法来沉积，例如借助于气相沉积法。
第一阻挡层104能够具有大约0.1nm(一个原子层)至大约1000nm的层厚度，例如根据一个设计方案大约10nm至大约100nm的层厚度、例如根据一个设计方案大约40nm。
第一阻挡层104能够具有一种或多种高折射的材料，例如一种或多种高折射率的材料、例如具有至少为2的折射率的材料。
此外应指出的是，在不同的实施例中也能够完全弃用第一阻挡层104，例如对于载体102构成为是气密密封的这种情况。
电有源区域106能够被理解为光电子器件130的如下区域，在所述区域中流动有用于运行光电子器件130的电流。
第一电极110能够由能导电的材料形成或是由其形成的，例如由金属、透明导电氧化物(transparentconductiveoxide,TCO)、由金属纳米线或微粒、例如由银构成的网络；由碳纳米管构成的网络；石墨烯微粒和石墨烯层；由半传导的纳米线构成的网络；能导电的聚合物或者过渡金属氧化物；或者相同金属或不同金属的和/或相同TCO或不同TCO的多个层的层堆。
第一电极110能够具有下述材料中的一种作为金属：Ag、Pt、Au、Mg、Al、Ba、In、Ca、Sm或Li以及这些材料的化合物、组合或者合金。
第一电极110能够具有下述材料中的一种作为透明导电氧化物：例如金属氧化物：例如氧化锌、氧化锡、氧化镉、氧化钛、氧化铟或者铟锡氧化物(ITO)。除了二元的金属氧化物例如ZnO、SnO2或In2O3以外，三元的金属氧化物例如AlZnO、Zn2SnO4、CdSnO3、ZnSnO3、Mgln2O4、GaInO3、Zn2In2O5或In4Sn3O12或不同的透明导电氧化物的混合物也属于TCO族并且能够在不同的实施例中使用。此外，TCO不强制符合化学计量的组分并且还能够是p型掺杂的或n型掺杂的，或能够是传导空穴的(p型TCO)或者传导电子的(n型TCO)。
第一电极110能够由TCO的层上的金属层组合的层堆形成，或者反之亦然。一个实例是银层，所述银层施加在铟锡氧化物层(ITO)上(Ag在ITO上)或者是ITO-Ag-ITO复层。
第一电极110能够具有小于或等于大约25nm的层厚度、例如小于或等于大约20nm的层厚度、例如小于或等于大约18nm的层厚度。此外，第一电极110例如能够具有大于或等于大约10nm的层厚度、例如大于或等于大约15nm的层厚度、例如在大约10nm至大约25nm的范围中的层厚度、例如在大约10nm至大约18nm的范围中的层厚度、例如在大约15nm至大约18nm的范围中的层厚度。
此外，对于第一电极110由透明导电氧化物(TCO)形成的情况而言，第一电极110例如具有在大约50nm至大约500nm范围内的层厚度、例如在大约75nm至大约250nm范围内的层厚度、例如在大约100nm至大约150nm范围内的层厚度。
此外，第一电极110能够具有下述结构中的一种或者由其形成：由与能传导的聚合物组合的金属纳米线、例如由Ag构成的网络；由与能传导的聚合物组合的碳纳米管构成的网络；或者石墨烯层和复合材料。在这种情况下，第一电极110能够具有在大约1nm至大约500nm的范围中的层厚度、例如在大约10nm至大约400nm的范围中的层厚度、在大约40nm至大约250nm的范围中的层厚度。
第一电极110能够构成为阳极、即注入空穴的电极，或者构成为阴极、即注入电子的电极。
第一电极110能够具有第一电端子，第一电势可施加到所述第一电端子上。第一电势能够由能量源(未示出)提供、例如由电流源或者电压源提供。替选地，第一电势能够施加到能导电的载体102上并且能够通过载体102间接地给第一电极110输送电。第一电势例如能够是接地电势或者不同预设的参考电势。
在图1中示出具有第一有机功能层结构单元116和第二有机功能层结构单元120的光电子器件130。但是在不同的实施例中，有机功能层结构112也能够具有一个或多于两个的有机功能层结构，例如3、4、5、6、7、8、9、10或者甚至更多、例如15个或更多、例如70个有机功能层结构。
第一有机功能层结构单元116和可选的其它的有机功能层结构能够相同地或者不同地构成，例如具有相同的或者不同的发射体材料。第二有机功能层结构单元120，或者其它的有机功能层结构单元能够如接下来将描述的第一有机功能层结构单元116的设计方案中的一个那样构成。
第一有机功能层结构单元116能够具有空穴注入层、空穴传输层、发射体层、电子传输层和电子注入层。
在有机功能层结构单元112中能够设有所提到的层中的一个或多个，其中相同的层能够具有物理接触部，能够仅彼此电连接或者甚至能够彼此电绝缘地构成，例如能够彼此并排地设置。所提到的层中的各个层能够是可选的。
空穴注入层能够在第一电极110上或上方构成。空穴注入层能够具有下述材料中的一种或多种或者由其形成：HAT-CN、Cu(I)pFBz、MoOx、WOx、VOx、ReOx、F4-TCNQ、NDP-2、NDP-9、Bi(III)pFBz、F16CuPc；NPB(N,N′-双(萘-1-基)-N,N′-双(苯基)-联苯胺)；β-NPB(N,N’-双(萘-2-基)-N,N′-双(苯基)-联苯胺)；TPD(N-N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-双(苯基)-联苯胺)；Spiro-TPD(N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-双(苯基)-联苯胺)；Spiro-NPB(N,N’-双(萘-1-基)-N,N’-双(苯基)-螺环)；DMFL-TPDN,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-双(苯基)-9,9-二甲基-芴)；DMFL-NPB(N,N’-双(萘-1-基)-N,N’-双(苯基)-9,9-二甲基-芴)；DPFL-TPD(N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-双(苯基)-9,9-二甲基-芴)；DPEL-NPB(N,N’-双(萘-1-基)-N,N’-双(苯基)-9,9-二苯基-芴)；Spiro-TAD(2,2’,7,7’-四(n，n-二苯基氨基)-9,9’-螺二芴)；9,9-双[4-(N,N-双-联苯-4-基-氨基)苯基]-9Η-芴；9,9-双[4-(N,N-双-萘-2-基-氨基)苯基]-9Η-芴；9,9-双[4-(N,N’-双-萘-2-基-N,N’-双-苯基-氨基)苯基]-9Η-芴；N,N’-双(萘-9-基)-N,N’-双(苯基)-联苯胺；2,7-双[N,N-双(9，9-螺二芴-2-基)氨基]-9,9-螺二芴；2,2’-双[N,N-双(联苯-4-基)氨基]9,9-螺二芴；2,2’-双[N,N-双-苯基-氨基]9,9-螺二芴；双-[4-(N,N-联甲苯-氨基)-苯基]环己烷；2,2’,7,7′-四(N,N-双-甲苯基)氨基-螺二芴，和/或N,N,N’,N’-四-萘-2-基-联苯胺。
空穴注入层能够具有在大约10nm至大约1000nm的范围中的层厚度、例如在大约30nm至大约300nm的范围中的层厚度、例如在大约50nm至大约200nm的范围中的层厚度。
在空穴注入层上或上方能够构成有空穴传输层。空穴传输层能够具有下述材料中的一种或多种或者由其形成：NPB(N,N’-双(萘-1-基)-N,N’-双(苯基)-联苯胺)；β-NPB(N,N’-双(萘-2-基)-N,N’-双(苯基)-联苯胺)；TPD(N-N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-双(苯基)-联苯胺)；Spiro-TPD(N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-双(苯基)-联苯胺)；Spiro-NPB(N,N’-双(萘-1-基)-N,N’-双(苯基)-螺环)；DMFL-TPDN,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-双(苯基)-9,9-二甲基-芴)；DMFL-NPB(N,N’-双(萘-1-基)-N,N’-双(苯基)-9,9-二甲基-芴)；DPFL-TPD(N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-双(苯基)-9,9-二甲基-芴)；DPEL-NPB(N,N’-双(萘-1-基)-N,N’-双(苯基)-9,9-二苯基-芴)；Spiro-TAD(2,2’,7,7’-四(n,n-二苯基氨基)-9,9’-螺二芴)；9,9-双[4-(N,N-双-联苯-4-基-氨基)苯基]-9Η-芴；9,9-双[4-(N,N-双-萘-2-基-氨基)苯基]-9Η-芴；9,9-双[4-(N,N’-双-萘-2-基-N,N’-双-苯基-氨基)苯基]-9Η-芴；N,N’-双(萘-9-基)-N,N’-双(苯基)-联苯胺；2,7-双[N,N-双(9，9-螺二芴-2-基)氨基]-9,9-螺二芴；2,2’-双[N,N-双(联苯-4-基)氨基]9,9-螺二芴；2,2’-双[N,N-双-苯基-氨基]9,9-螺二芴；双-[4-(N,N-联甲苯-氨基)-苯基]环己烷；2,2’,7,7’-四(N,N-双-甲苯基)氨基-螺二芴；和N,N,N,N’-四-萘-2-基-联苯胺。
空穴传输层能够具有在大约5nm至大约50nm的范围中的层厚度、例如在大约10nm至大约30nm的范围中、例如在大约20nm。
在空穴传输层上或上方能够构成有发射体层。
有机功能层结构单元116、120的每个能够分别具有一个或多个发射体层，例如具有发荧光的和/或发磷光的发射体。
有机功能层结构单元116、120通常能够具有一个或多个电致发光层和/或一个或多个光致发光层。
一个或多个电致发光层能够具有有机聚合物、有机低聚物、有机单体、有机的非聚合物的小分子(“smallmolecules”)或者这些材料的组合。
光电子器件130在发射体层中能够具有下述材料中的一种或者多种或者由其形成：有机的或有机金属的化合物，如聚芴、聚噻吩和聚亚苯基的衍生物(例如2-或2,5-取代的聚-对-亚苯基乙烯撑)；以及金属络合物，例如铱络合物，如发蓝色磷光的FIrPic(双(3,5-二氟-2-(2-吡啶基)苯基-(2-羧基吡啶基)-铱III)、发绿色磷光的Ir(ppy)3(三(2-苯基吡啶)铱III)、发红色磷光的Ru(dtb-bpy)3*2(PF6))(三[4,4’-二-叔-丁基-(2,2’)-联吡啶]钌(III)络合物)、以及发蓝色荧光的DPAVBi(4,4-双[4-(二-对-甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯)、发绿色荧光的TTPA(9,10-双[N,N-二-(对-甲苯基)-氨基]蒽)和发红色荧光的DCM2(4-二氰基亚甲基)-2-甲基-6-久洛尼定基-9-烯基-4H-吡喃)作为非聚合物发射体。这种非聚合物发射体例如能够借助于热蒸镀沉积。此外，能够使用聚合物发射体，所述聚合物发射体尤其能够借助于湿法化学法、例如旋涂法(也称作SpinCoating)来沉积。发射体材料能够以适合的方式嵌入在基体材料中，例如工程陶瓷或者聚合物、例如环氧化物；或者硅酮。
在不同的实施例中，发射体层能够具有在大约5nm至大约50nm的范围中的、例如在大约10nm至大约30nm的范围中的、例如为大约20nm的层厚度。
发射体材料例如能够被选择为，使得光电子器件130发射白光。(多个)发射体层能够具有多个不同色地(例如蓝色和黄色或者蓝色、绿色和红色)发射的发射体材料，替选地，(多个)发射体层也能够由多个子层构成，如发蓝色荧光的发射体层或者发蓝色磷光的发射体层，发绿色磷光的发射体层和发红色磷光的发射体层。借助不同颜色的混合，能够实现具有白色的色彩印象的光的发射。替选地，也能够提出，在通过这些层产生的初级发射的射束路径中设置有转换材料，所述转换材料至少部分地吸收初级辐射并且发射其他波长的次级辐射，使得从(还不是白色的)初级辐射中通过将初级辐射和次级辐射组合得到白色的色彩印象。
不同的有机功能层结构单元116、120的发射体材料也能够被选择为或是被选择成，使得虽然各个发射体材料发射不同颜色的光(例如蓝色、绿色或者红色或者任意其它颜色组合，例如任意其它互补的颜色组合)，但是例如整体上由所有有机功能层结构发射的并且从OLED向外发射的全部光是预设颜色的光，例如白光。
有机功能层结构单元116能够具有一个或多个电致发光层，所述电致发光层构成为空穴传输层，使得例如在这种情况下实现到电致发光层或者电致发光区域中的有效的空穴注入。
作为用于空穴传输层的材料例如能够使用叔胺、咔唑衍生物、传导性的聚苯胺和/或聚乙烯二氧噻吩。
此外，有机功能层结构单元116能够具有一个或多个发射体层，所述发射体层构成为电子传输层，使得例如实现到电致发光层或者电致发光区域中的有效的电子注入。
此外，在发射体层上或上方能够构成、例如沉积电子传输层。
电子传输层能够具有下述材料中的一种或多种或者由其形成：NET-18；2,2’,2”-(1,3,5-苯取代基(-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)；2-(4-联苯基)-5-(4-叔-丁基)-1,3,4-恶二唑，2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-菲咯啉(BCP)；8-羟基喹啉-锂，4-(萘-1-基)-3,5-联苯-4H-1,2,4-三唑；1,3-双[2-(2,2’-双吡啶-6-基)-1,3,4-恶二唑-5-基]苯；4,7-联苯-1,10-菲咯啉(BPhen)；3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔-丁基苯基-1,2,4-三唑；双(2-甲基-8-喹啉)-4-苯基苯酚)铝；6,6’-双[5-(联苯-4-基)-1,3,4-恶二唑-2-基]-2,2’-双吡啶基；2-苯基-9,10-双(萘-2-基)-蒽；2,7-双[2-(2,2’-双吡啶-6-基)-1,3,4-恶二唑-5-基]-9,9-二甲基芴；1,3-双[2-(4-叔-丁基苯基)-1,3,4-恶二唑-5-基]苯；2-(萘-2-基)-4,7-联苯-1,10-菲咯啉；2,9-双(萘-2-基)-4,7-联苯-1,10-菲咯啉；三(2,4,6-三甲基-3(吡啶-3-基)苯基)硼烷；1-甲基-2-(4-(萘-2-基)苯基)-1H-咪唑[4,5-f][1,10]菲咯啉；苯基-双芘基膦氧化物；萘四碳酸酐或其酰亚胺；芘四碳酸酐或其酰亚胺；和基于具有硅杂环戊二烯的噻咯的材料。
电子传输层能够具有在大约5nm至大约50nm的范围中的、例如在大约10nm至大约30nm的范围中的、例如为大约20nm的层厚度。
在电子传输层上或者上方能够构成电子注入层。电子注入层能够具有下述材料中的一种或多种或者由其形成：NDN-26、MgAg、Cs2CO3、Cs3PO4、Na、Ca、K、Mg、Cs、Li、LiF；2,2’,2”-(1,3,5-苯取代基)-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)；2-(4-联苯基)-5-(4-叔-丁基)-1,3,4-恶二唑，2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-菲咯啉(BCP)；8-羟基喹啉-锂，4-(萘-1-基)-3,5-联苯-4H-1,2,4-三唑；1,3-双[2-(2,2’-双吡啶-6-基)-1,3,4-恶二唑-5-基]苯；4,7-联苯-1,10-菲咯啉(BPhen)；3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔-丁基苯基-1,2,4-三唑；双(2-甲基-8-喹啉)-4-苯基苯酚)铝；6,6’-双[5-(联苯-4-基)-1,3,4-恶二唑-2-基]-2,2’-双吡啶基；2-苯基-9,10-双(萘-2-基)-蒽；2,7-双[2-(2,2’-双吡啶-6-基)-1,3,4-恶二唑-5-基]-9,9-二甲基芴；1,3-双[2-(4-叔-丁基苯基)-1,3,4-恶二唑-5-基]苯；2-(萘-2-基)-4,7-联苯-1,10-菲咯啉；2,9-双(萘-2-基)-4,7-联苯-1,10-菲咯啉；三(2,4,6-三甲基-3(吡啶-3-基)苯基)硼烷；1-甲基-2-(4-(萘-2-基)苯基)-1H-咪唑[4,5-f][1,10]菲咯啉；苯基-双芘基膦氧化物；萘四碳酸酐或其酰亚胺；芘四碳酸酐或其酰亚胺；和基于具有硅杂环戊二烯的噻咯的材料。
电子注入层能够具有在大约5nm至大约200nm的范围中的、例如在大约20nm至大约50nm的范围中的、例如为大约30nm的层厚度。
在具有两个或者更多个有机功能层结构单元116、120的有机功能层结构112中，第二有机功能层结构单元120能够在第一功能层结构单元116之上或旁边构成。在有机功能层结构单元116、120之间能够构成中间层118。
在不同的实施例中，中间层118能够根据第一电极110的设计方案之一构成为中间电极118。中间电极118能够与外部电压源电连接。外部电压源能够在中间电极118处例如提供第三电势。然而，中间电极118例如通过中间电极具有浮动电势的方式而也能够不具有外部的电端子。
在不同的实施例中，中间层118能够构成为载流子对生成层结构118(所谓的电荷生成层，CGL)。载流子对生成层结构118能够具有一个或多个传导电子的载流子对生成层和一个或多个传导空穴的载流子对生成层。(多个)传导电子的载流子对生成层和(多个)传导空穴的载流子对生成层能够分别由本征传导性的材料或基体中的掺杂材料形成。载流子对生成层结构118关于(多个)传导电子的载流子对生成层和(多个)传导空穴的载流子对生成层的能级应构成为，使得在传导电子的载流子对生成层与传导空穴的载流子对生成层的边界面处能够进行电子和空穴的分离。载流子对生成层结构118还能够在相邻的层之间具有中间层结构，所述中间层结构作用为扩散阻挡部。
在设有多于两个的有机功能层结构的实施例中，在各两个有机功能层结构之间能够设有各一个载流子对生成层结构。
每个有机功能层结构单元116、120例如能够具有最大大约1.5μm的层厚度、例如最大大约1.2μm的层厚度、具有最大大约1μm的层厚度、例如最大大约800nm的层厚度、例如最大大约500nm的层厚度、例如最大大约400nm的层厚度、例如最大大约300nm的层厚度。
光电子器件130能够可选地具有另外的有机功能层，例如设置在一个或多个发射体层上或上方或者设置在一个或多个电子传输层上或上方的另外的有机功能层。另外的有机功能层例如能够是内部的或外部的耦合输入/耦合输出结构，所述耦合输入/耦合输出结构进一步改进光电子器件130的功能进而改进效率。
在有机功能层结构112上或上方或者必要时能够在一个或多个另外的有机功能层上或上方构成第二电极114。
第二电极114能够根据第一电极110的设计方案中的一个构成，其中第一电极110和第二电极114能够相同或不同地构成。在不同的实施例中，金属是尤其适合的。
第二电极114能够构成为阳极、即构成为注入空穴的电极，或构成为阴极、即构成为注入电子的电极。
第二电极114能够具有第二电端子，第二电势可以施加到所述第二电端子上。第二电势能够由与第一电势和/或可选的第三电势相同的或不同的能量源提供。第二电势能够与第一电势和/或可选的第三电势不同。
第二电势例如能够具有如下值，使得与第一电势的差具有在大约1.5V至大约20V的范围中的值、例如在大约2.5V至大约15V的范围中的值、例如大约3V至大约12V的范围中的值。
第二阻挡层108也能够称作为薄层封装部。第二阻挡层108能够根据第一阻挡层104的设计方案中的一个构成。
此外需要指出的是：在不同的实施例中也能够完全地弃用第二阻挡层108。在这种设计方案中，光电子器件130例如能够具有另一封装结构，由此第二阻挡层108能够变得是可选的，例如是覆盖部124，例如空腔玻璃封装部或金属封装部。
此外，在不同的实施例中还能够附加地在光电子器件130中构成一个或多个耦合输入/耦合输出层，例如在(未示出的)载体102上或上方的外部的耦合输出薄膜，或者在光电子器件130的层横截面中的(未示出的)内部的耦合输出层。耦合输入/耦合输出层能够具有基体和分布在其中的散射中心，其中耦合输入/耦合输出层的平均折射率大于提供电磁辐射的层的平均折射率。此外，在不同的实施例中能够附加地在光电子器件130中设有一个或多个抗反射层(例如与第二阻挡层108组合)。
在不同的实施例中，在第二阻挡层108上或上方能够设有由粘结剂122构成的层，借助于所述由粘结剂构成的层，覆盖部124例如配合地连接在、例如粘贴在第二阻挡层108上。
由粘结剂122构成的层能够透明地或者半透明地构成。
由透明的粘结剂122构成的层例如能够具有散射电磁辐射的颗粒、例如散射光的颗粒。由此，由粘结剂122构成的层能够作用为散射层并且引起色角畸变和耦合输出效率的改进。
能够将介电的散射颗粒设为散射光的颗粒，所述介电的散射颗粒例如由金属氧化物，如氧化硅(SiO2)、氧化锌(ZnO)、氧化锆(ZrO2)、铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)、氧化镓(Ga2Ox)、氧化铝或氧化钛构成。其他颗粒也能够是适合的，只要其具有与由粘结剂122和/或保护漆122构成的层的基体的有效折射率不同的折射率，所述基体例如为气泡、丙烯酸酯或玻璃空心球。此外，例如能够将：金属的纳米颗粒；金属、如金、银；铁纳米颗粒等设为散射光的颗粒。
由粘结剂122构成的层能够具有大于1μm的层厚度、例如几μm的层厚度。在不同的实施例中，粘结剂能够具有层压粘结剂或者是这种层压粘结剂。
粘结剂122能够构建成，使得其折射率小于覆盖部124的折射率。这种粘结剂例如能够是低折射的粘结剂、例如折射率大约为1.3的丙烯酸酯。然而，粘结剂122也能够是高折射的粘结剂，所述高折射的粘结剂例如具有高折射的、非散射性的颗粒并且具有层厚度取平均的折射率，所述层厚度取平均的折射率大约对应于有机功能层结构112的平均的折射率，例如在大约1.7至大约2.0的范围中。
此外，能够设有多个不同的、形成粘结剂层序列的粘结剂。
在不同的实施例中，在第二电极114和由粘结剂122构成的层之间还能够施加电绝缘层(未示出)或者在其间是施加有电绝缘层的，所述电绝缘层例如是SiN，例如具有在大约300nm至大约1.5μm范围中的层厚度，例如具有在大约500nm至大约1μm范围中的层厚度，以便例如在湿法化学工艺期间保护电不稳定的材料。
此外应指出的是，在不同的实施例中也能够完全弃用粘结剂122，例如在覆盖部124被施加到第二阻挡层108上的设计方案中，例如由玻璃构成的覆盖部124，所述覆盖部借助于例如等离子喷涂构成。
在电有源区域106上或上方还能够设置有所谓的吸气层或吸气结构、即横向结构化的吸气层(未示出)。
吸气层能够具有如下材料或由其形成，所述材料吸收并且结合对于电有源区域106有害的物质。吸气层例如能够具有沸石衍生物或由其形成。吸气层能够构成为是半透明的、透明的或不透明的。吸气层能够具有大于大约1μm的层厚度、例如几μm的层厚度。
在不同的实施例中，吸气层能够具有层压粘结剂或者嵌入在由粘结剂122构成的层中。
在由粘结剂122构成的层上或上方能够构成覆盖部124。覆盖部124能够借助于由粘结剂122构成的层与电有源区域106配合地连接并且保护其免受有害物质影响。覆盖部124例如能够是玻璃覆盖部124、金属薄膜覆盖部124或密封的塑料薄膜覆盖部124。玻璃覆盖部124例如借助浆料连接(英语是glassfritbonding玻璃浆料键合/glasssoldering玻璃焊接/sealglassbonding密封玻璃键合)借助于常规的玻璃焊料连接在有机光电子器件130的几何边缘区域中与第二阻挡层108或电有源区域106配合地连接。
覆盖部124和/或由粘结剂122构成的层能够具有1.55的折射率(例如在波长为633nm的情况下)。
面状结构128具有至少一个面状结构128，所述至少一个面状结构在载体102上或上方构成。载体102上方的面状结构128例如能够在覆盖部124上构成。
面状结构128能够具有两个或更多个面状结构。面状结构128例如能够具有第一面状结构和第二面状结构。
在第一面状结构和第二面状结构之间能够构成载体102、覆盖部124、电有源区域106和/或光电子器件130。
面状结构128能够构成为内部的和/或外部的耦合输出结构。
面状结构128能够在其施加和/或构成在载体上或上方之前、期间或者之后被结构化。
在一个设计方案中，面状结构128能够以成件地施加或构成在载体上或上方。
在一个设计方案中，面状结构能够作为呈溶液、悬浮液、分散体或者膏形式的预先结构施加在载体102上或上方。预先结构例如能够以结构化的方式施加，例如借助于掩模工艺施加。预先结构随后能够硬化或交联，例如硬化或交联为漆。由此面状结构128能够在载体02上或上方构成。
在一个设计方案中，面状结构128在施加时被结构化或者借助于以结构化的方式施加来结构化。呈薄膜形式的面状结构128例如能够在施加在载体102上或上方之前被结构化，例如穿孔。呈覆层形式的面状结构128例如能够以结构化的方式构成或者在硬化和/或交联之后才被结构化，其中所述覆层在施加到载体上或上方之后硬化和/或交联。面状结构128能够在施加之后被结构化，例如序列地借助于激光器或者掩模工艺结构化，或者在配合的连接期间/之后结构化，例如通过冲洗掉未交联的面状结构128结构化。
面状结构128能够构成为薄膜或者交联的覆层。
呈薄膜形式的面状结构128例如能够是塑料薄膜、金属薄膜或者薄玻璃。
呈塑料薄膜形式的面状结构128能够具有下述材料中的一种：聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚酰亚胺(PI)。
呈金属薄膜形式的面状结构128能够具有下述材料中的一种或者由其形成：铝、铜、锡(锡箔)或者合金、例如钢、例如SUS。
呈薄玻璃形式的面状结构128例如能够具有厚度直至大约125μm的钠钙玻璃或者薄的玻璃覆层、例如覆有玻璃的金属薄膜或者覆有玻璃的塑料薄膜。
面状结构128能够构成为热传导结构，例如构成为热传导薄膜。面状结构128作为热传导结构能够具有传导热的层或者由传导热的材料形成。能够将如下结构理解为是传导热的，所述结构具有大于大约1000μW/K、例如大于大约5000μW/K、例如大于大约20000μW/K的值作为其厚度d和其导热系数k的积。层的厚度例如能够小于大约10mm、例如小于大约2mm、例如小于大约100μm。热传导结构例如能够具有石墨烯层、例如覆有石墨烯的薄膜，例如铝薄膜、铜薄膜或者覆有铝或者铜的薄膜。
面状结构128能够构成为关于光和/或水气密密封的结构，例如构成为阻挡薄膜、例如呈具有阻挡层的塑料薄膜或者金属薄膜的形式。面状结构的阻挡层例如能够根据第一阻挡层104的设计方案中的一个构成。
面状结构128能够构成为耦合输出薄膜或者耦合输入薄膜，例如根据粘结剂层122的设计方案中的一个具有散射光的颗粒。
面状结构128例如通过面状结构128具有吸收UV的物质或者由其形成的方式能够构成为UV防护部，例如下述物质中的一种：TiO2、CeO2、Bi2O3、ZnO、SnO2、发光物质、吸收UV的玻璃颗粒和/或适合的吸收UV的金属纳米颗粒，其中发光物质、玻璃颗粒和/或纳米颗粒吸收在UV范围中的电磁辐射。
面状结构128例如通过面状结构128与载体102、覆盖部124和/或光电子器件130相比具有更大的硬度的方式而能够构成为防划保护部。
面状结构128例如通过面状结构128具有高光泽覆层和/或彩色颜料的方式而能够改变光电子器件130的彩色外观。
面状结构128作为交联的覆层例如能够由塑料形成，所述塑料在施加到光电子器件130上之后交联并且可选地结构化。换句话说，面状结构128能够具有交联的聚合物或者硅酮。
具有不同材料的气密密封的载体和面状结构128构成所谓的混合载体126。气密密封的载体能够是本身气密密封的载体，例如由金属、玻璃或者陶瓷构成的载体102，或者具有第一阻挡层104的载体102。
图2示出用于加工电子器件装置的方法的图表。
所述方法能够具有：提供202载体与电子器件或者多个电子器件单元。
该提供例如能够具有：构成根据图1的描述的光电子器件130的设计方案中的一个的光电子器件。此外，两个或更多个相同的或不同电子器件单元、例如根据图1的光电子器件130的设计方案中的一个的光电子器件并排地在共同的载体上或上方构成。
所述方法能够具有：在载体上或在载体上方施加204面状结构。施加204面状结构能够具有：施加薄膜或者构成可交联的面状覆层。
构成为薄膜的面状结构例如能够是层压薄膜、例如塑料、塑料薄膜、覆层的塑料薄膜、金属薄膜、热传导薄膜。
面状结构能够在施加之前被结构化或者在施加之后被结构化。结构化的面状结构例如能够具有预定分离部位，例如在电子器件的接触区域的区域中和/或在两个相邻的电子器件单元之间的区域中具有预定分离部位。
施加204面状结构能够具有：在载体的背离电子器件的一侧上施加204面状结构；或者在载体上方在电子器件的侧上、即在电子器件上施加面状结构。
施加204面状结构能够具有：在载体上或上方整面地施加面状结构。
然而，施加204面状结构也包括：在载体的各个区域上或上方施加面状结构。
所述方法能够具有：将面状结构与载体配合地连接206。
构成为薄膜的面状结构的配合的连接206例如能够是材料配合的，例如是层压。层压例如能够借助于液体粘结剂的硬化或者可UV硬化的粘结剂的UV硬化。
薄膜与载体或者电子器件的配合的连接例如通过配合的连接机构以结构化的方式来施加和/或硬化的方式而能够以结构化的方式进行。此外，能够借助于不同的配合的连接机构和/或不同的配合的连接在面状结构中构成不同的区域。当配合的连接机构能够以不同的程度硬化或者交联时，借助于配合的连接机构例如能够构成不同的配合的连接。由此，配合的连接在面状结构的结构化的区域中能够具有不同的内聚力和/或粘附力。面状结构的待移除的部分例如能够与载体和/或电子器件配合地连接，使得可移除的部分与面状结构的应保留在载体上或电子器件上的部分相比具有与载体或电子器件的更小的粘附力。为此，层压薄膜的不同的区域例如能够印制有不同附着力的粘结剂，或仅在附着区域中设有粘结剂，由此薄膜在紧接着应被移除的区域中能够容易地移除。
构成为可交联的覆层的面状结构的配合的连接206例如能够是覆层的交联。
所述方法能够包括：至少从载体上方的区域移除208面状结构的一部分。面状结构的待移除的部分能够在如下区域上方被移除，对于所述区域而言，从外部接近或接触应是可行的。面状结构的待移除的部分例如能够从电子器件中移除，在所述电子器件中构成有电接触区域；从载体中移除，在所述载体中设有分割区域。
接触区域能够构成用于将电子器件与外部的电压源接触。
分割区域能够设置在两个电子器件单元之间以分割电子器件单元。移除208面状结构的一部分能够包括：分离或溶解预定分离部位。
移除208面状结构的一部分还能够具有：使面状结构的一部分从载体或电子器件中成件地剥离，例如脱去，例如在一个工艺步骤中脱去。
为了简化移除208面状结构的一部分，面状结构的待移除的部分在配合地连接206时能够不与载体或者电子器件配合地连接。为此，例如通过在该区域中不施加粘结剂或者粘结剂不硬化的方式，在面状结构和载体或电子器件之间在面状结构的待移除的部分的区域中能够不构成配合的连接。
此外，所述方法能够具有：分割多个电子器件单元和/或电接触电子器件。分割多个电子器件单元能够在载体的区域中进行，在所述区域上面状结构的部分已被移除。这具有下述优点：在材料不同的载体和面状结构中，分割设备仅需构建用于切断载体的材料，因为面状结构已经被移除。对于电子器件的电接触而言，优点在于：接触区域以限定的方式被露出。
图3A至F示出根据不同实施例的在用于加工的方法中的光电子器件装置的示意图。
所提供的电子器件300在载体102上能够具有一个电子器件130或者多个电子器件单元130。具有多个电子器件单元130n的电子器件300能够具有多个相同的或者不同的电子器件，其中n是整数并且各个电子器件单元以连续的编号表示(在图3A中示出：n＝6)。
电子器件130或电子器件单元130n例如能够根据图1的描述的设计方案中的一个构成，例如构成为有机发光二极管，构成为有机太阳能电池，构成为有机光电检测器、有机发光电池(organiclightemittingcell-OLEC)、显示器。此外，电子器件130能够具有微机电系统(microelectromechanicalsystem-MEMS)或者是微机电系统。
电子器件300例如能够具有多个发射光的有机发光二极管130n，所述有机发光二极管构建为所谓的底部发射体。作为载体102，电子器件300例如能够具有玻璃载体。
电子器件130能够借助于电接触区域302与外部的电压源电连接。电接触区域302例如能够与图1的描述的光电子器件130的一个设计方案的电极110、118、114连接。电子器件130能够具有两个或更多个电接触区域302，例如三个用于如下电路的电接触区域302，所述电路具有晶体管、晶闸管或者根据图1的一个设计方案的具有三个电极110、118、114的光电子器件130。
在所提供的电子器件300的载体102上或在载体102上方、即在电子器件130上，能够施加或构成面状结构128。面状结构128能够被结构化，例如具有预定分离部位304(在图3B中借助于虚线304示出)。
在玻璃载体102上的有机发光二极管130n的在上文中所提到的实例中，面状结构128例如能够构成为有机发光二极管130n的光学无源的背侧上的防划保护部或者是构成为所述防划部的，并且保护有机发光二极管130防止机械损伤和侵入的湿气。作为防划保护部的面状结构128例如能够构成为防划保护薄膜，例如构成为金属薄膜、塑料薄膜或者阻挡薄膜。在构成第二阻挡层108之后(参见图1的描述)，面状结构128例如能够整面地在第二阻挡层108上构成。面状结构128例如能够作为防划保护薄膜128层压到第二阻挡层108上。
在防划保护薄膜128中，预定分离部位304设置在有机发光二极管130n的电接触区域302的区域中和/或相邻的发光二极管130n之间的分割区域、例如预定分离部位304中。预定分离部位304能够设计特定地选择，使得防划保护薄膜128借助于穿孔线304被划分为电接触区域302上的区域和有机发光二极管130的发射光的区域的区域。
如果预定分离部位304已经在面状结构中构成，那么面状结构128能够关于这些预定分离部位和电子器件单元130n定向并且紧接着与载体102和/或电子器件单元配合地连接(在图3C中示出，使得预定分离部位128定向在相邻的电子器件单元130n之间)。由此构成电子器件装置310。
在上文中所提到的实例中，防划保护薄膜128的层压能够整面地在电子器件300的平面上、即在板层面上进行。
在不同的实施例中，在面状结构128与电子器件300配合地连接之后才能够构成预定分离部位304。
在上文中所提到的实例中，预定分离部位304能够在防划保护薄膜128层压到有机发光二极管130上之后例如借助于冲压法或者激光结构化来构成。
紧接着，能够从载体102上方的区域中移除面状结构128的部分306，使得载体102上方的面状结构128的至少一部分被保留。面状结构128的移除的部分306例如能够成件地(在图3D中作为面状结构128的错开部分示出)被移除，例如被脱去。移除面状结构128的部分例如能够通过如下方式实现：预定分离部位304在移除之前被分离。所述分离例如能够借助于弹道露出、机械的力作用或者借助于化学移除来进行。
弹道露出例如能够借助于以颗粒、分子、原子、离子、电子和/或光子轰击待露出的区域来实现。以光子来轰击例如能够构成为波长在大约200nm至大约1700nm的范围中的激光，例如以聚焦的方式构成，例如具有在大约10μm至大约2000μm的范围中的聚焦直径，例如以脉冲的方式构成，例如具有在大约100fs至大约0.5ms的范围中的脉冲持续期间，例如以大约50mW至大约1000mW的功率，例如以大约100kW/cm2至大约10GW/cm2的功率密度并且例如以在大约100Hz至大约1000Hz的范围中的重复速率构成。
机械力作用例如能够借助于尖锐棱边的工具实现。
化学移除例如能够是以溶剂溶解预定分离部位或者刻蚀预定分离部位。
在移除面状结构的部分306之后，电子器件装置310关于所提供的电子器件300的区别在于，面状结构128的一部分保留在载体102上和/或电子器件上。
在上文中所提到的实例中，在进行防划保护薄膜128的预定分离部位304的层压和分离之后，防划保护薄膜128的一部分能够被脱去，例如从接触面302和/或分割区域308中脱去。(多个)有机发光二极管130的光学有源区域的背侧上的防划保护薄膜128保持未受损伤。
面状结构128的被移除的部分306例如能够露出分割区域308(在图3E中借助于点划线示出)和/或露出电子器件130的或电子器件单元130n的接触区域(参见图5)。
通过分割区域308例如没有面状结构128的方式，分割设备312能够在切断载体102的材料方面构建。借助于露出分割区域308，因此能够减小分割设备312的磨损和/或实际首先实现分割。分割设备312例如能够具有激光器或者划刻轮或者是激光器或者划刻轮(在图3E中示出)。
借助于分割电子器件单元130n，构成多个具有面状结构128的电子器件130(在图3F中借助于分开示出的电子器件314示出)。所述分割例如能够借助于沿着分割区域折断或者锯割载体102来进行。
在上文中所提到的实例中，玻璃载体102能够借助于划刻轮308在划刻和折断方法中分开，使得具有多个电子器件单元130n的电子器件装置310被分为单独构件。这在玻璃载体102厚的情况下例如也是可行的。如果在玻片中的一个上施加有薄膜，那么这种玻璃载体102在借助于玻璃覆盖部(参见图1的描述)来封装的有机发光二极管130中借助于划刻轮难以分开或者仅可以差的质量分开。
图4A至C示出根据不同的实施例的在用于加工的方法中的光电子器件装置的示意图。
在一个实施例中，面状结构128构成为薄膜并且施加到载体102上方的电子器件130上，其中紧接着移除面状结构128的一部分——在图4A中在侧视图中借助于面状结构128的成件地被移除的部分306示出。
面状结构128例如能够是：塑料薄膜，例如由PEN、PET、PC、PI构成，其可选地具有阻挡层；金属薄膜和/或热传导薄膜；例如根据在上文中提到的设计方案中的一个构成。
载体102能够是玻璃或者具有玻璃，例如钠钙玻璃，例如具有大于大约1mm的厚度，例如根据在上文中所提到的设计方案中的一个。
在构成为光电子器件130、例如构成为顶部发射体的电子器件单元130n中，载体102能够由金属形成或者具有金属。为了因此使光耦合输入到光电子器件中或者耦合输出，面状结构128应是透明的或者半透明的。
面状结构128能够以结构化的方式或者整面地施加到载体102上或载体102上方。
在载体102上方施加或者构成面状结构128时，面状结构128能够施加或者构成在载体102和/或电子器件130上。
电子器件130能够是光电子器件130，所述光电子器件构成为所谓的底部发射体、顶部发射体或者透明的器件。在将有机发光二极管加工为顶部发射体或者透明的有机发光二极管时，所述方法例如能够在将防划保护薄膜、阻挡薄膜或者UV防护薄膜例如施加在有机发光二极管的光学无源侧上时应用。
此外，能够在载体102的背离电子器件单元130n的一侧上将另一个面状结构施加在载体102上(在图4B中借助于附图标记402示出)。另一个面状结构能够以结构化的方式或者整面地施加在载体102上。从另一面状结构402中能够移除一部分(在图4B中借助于附图标记404示出)以便露出需要从外部接触的区域。
除了面状结构128的在上文中提到的设计方案，另一面状结构402能够构成为耦合输出薄膜402，例如根据在上文中所提到的设计方案中的一个构成为塑料薄膜，其具有散射颗粒、UV防护部、防划保护部和/或具有高光泽覆层。
在不同的实施例中，能够在电子器件单元130n上方施加防划保护部(在图4C中借助于附图标记406表示)。防划保护部406例如能够是玻璃或者漆并且例如与电子器件130相比具有更大的硬度。防划保护部406例如能够根据覆盖部124的设计方案中的一个(参见图1的描述)构成。
除了防划保护部406，根据在上文中提到的设计方案中的一个，能够在载体102的背离电子器件单元130的一侧上施加另一面状结构402或者是施加有另一面状结构的。
借助于所述方法200，能够分割有机发光二极管130n，所述有机发光二极管具有玻璃载体102和玻璃覆盖部406，并且其中在光耦合输出侧上已经在板层面上层压有散射或UV薄膜402。因此在板层面上、即在电子器件300的平面上，已经能够将穿孔的散射薄膜402层压在“光耦合输出侧”上。如果在分割区域(参见图3的描述)中散射薄膜402在分割之前再次被移除，那么这种电子器件300能够以常规的划刻折断法来分割。如果不从分割区域移除面状结构402，那么具有面状结构402的载体102不能够被分割。对此的原因类似于在图3的描述中的视图为：面状结构402不能够被划刻。
图5A至F示出根据不同的实施例的在用于加工的方法中的光电子器件装置的示意图。
在不同的实施例中，能够借助于用于加工电子器件的方法200露出电子器件130的电接触区域，例如在电子器件130的光学无源的背侧上露出。
为此，所提供的电子器件300在载体上具有一个电子器件130或者多个电子器件单元130n(在图5A中示出)，如结合图3A所描述的那样。面状结构128或电子器件300能够根据在上文中所描述的设计方案中的一个构成或者是根据其构成的。
电子器件300例如能够具有多个发射光的有机发光二极管130n，所述有机发光二极管构建为所谓的底部发射体。有机发光二极管130在光学无源的背侧上能够具有接触区域，所述接触区域构建用于电接触有机发光二极管130。
面状结构128能够施加或构成到电子器件300上，在所述面状结构中构成预定分离部位304或是构成有预定分离部位304的。面状结构128能够构成为，使得预定分离部位304围绕面状结构的待移除的部分(在图5B中借助于附图标记306示出)。
面状结构128例如能够在有机发光二极管130的光学无源侧上构成为防划保护部并且保护有机发光二极管免受机械损伤。作为防划保护部的面状结构128例如能够构成为防划保护薄膜。在防划保护薄膜中能够在有机发光二极管130n的接触区域的区域中设有预定分离部位、例如穿孔线。
面状结构128能够关于电子器件130或电子器件单元130n和/或接触区域302的结构和设置构成或施加。为此，面状结构128能够定向或构成为，使得面状结构128在接触区域302上方的待移除的部分306在图5C中借助于接触区域302上方的待移除的区域306示出。
面状结构128的待移除的部分306能够在从电子器件300分离预定分离部位128之后从电子器件130的接触区域302移除，例如分别成件地移除——在图5D中借助于错开示出的待移除的区域306示出。待移除的区域306例如能够借助于覆有粘结剂的辊子成件地从电子器件300处移除。
除了移除接触区域302上方的面状结构128，面状结构128也能够可选地从分割区域308移除(参见图3的描述)。换句话说：分割载体和面状结构能够分别在同一部位处进行。
在一些情况下，在不从载体102的分割区域308中移除面状结构128的情况下，分割电子器件单元130n能够是可行的(在图5E中通过分割区域308上方的面状结构128示出)。这当面状结构128和载体102关于分割方法大致具有类似的化学特性和/或物理特性时例如能够是上述情况。换句话说：面状结构128和载体102能够构成为，使得它们能够同时被切断，以至于从分割区域308中移除面状结构128变得可选。所述分割能够根据在上文中所提到的设计方案中的一个来进行。
在分割电子器件单元130n之后，被分割的电子器件构成有露出的接触区域(在图5F中借助于单独的电子器件314示出)。所述分割根据在上文中所提到的设计方案中的一个进行。
在不同的实施方式中，提供一种用于加工电子器件的方法和一种电子器件装置，借助于所述方法和所述电子器件装置可行的是，以简单的方式并且以常规的/现有的方法分割电子器件的、例如有机发光二极管的混合载体。此外由此可行的是，更简单地露出电子器件的混合载体上的接触面。此外由此可行的是，分割光电子器件，所述光电子器件具有玻璃衬底和盖玻璃，并且其中在前侧上已经在板层面上整面地施加有耦合输出/耦合输出薄膜，例如在OLED中。
由此，衬底和背侧工艺由不同的材料构成的混合OLED可借助于标准分割法来分割，所述混合OLED借助于基于划刻技术的划刻和折断可能完全无法分割。与激光分离法相比，因此可选择性地在期望的部位处分割例如衬底和例如衬底的背侧上的薄膜，使得OLED的接触面在从衬底的背侧处移除薄膜时不受损。
在散射薄膜被层压到OLED上以提高耦合输出的光的份额的OLED中，散射薄膜的层压已经能够在板层面上进行而代替如之前那样在单独构件层面上进行。在制造OLED的工业化和自动化方面由此能够实现明显的成本降低。
此外，由此在制造OLED时能够以极其简单的方式露出OLED的接触区域。分割OLED的衬底和衬底上的薄膜能够在相同的部位处进行，由此能够考虑激光分割，所述激光分割在其它情况下由于缺少选择性是不适合的。

Claims (15)

1.一种用于加工电子器件(130)的方法(200)，所述方法(200)具有：
·将设有预定分离部位(304)的面状结构(128)施加(204)到所述电子器件(130)上；以及
·移除(208)所施加的所述面状结构(128)的一部分(306，404)，其中所述移除(208)包括：在所述预定分离部位(304)处分离所述面状结构(128)。
2.根据权利要求1所述的方法(200)，
其中所述面状结构(128)柔性地构成。
3.根据权利要求1或2所述的方法(200)，
其中所述面状结构(128)具有薄膜或者是薄膜。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法(200)，
其中所述电子器件(130)具有光电子器件(130)、尤其有机发光二极管(130)、太阳能电池(130)和/或光电检测器(130)。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法(200)，
其中所述电子器件(130)具有两个或更多个电子器件单元(130n)，其中所述面状结构(128)施加在两个或更多个所述电子器件单元(130n)上或上方。
6.根据权利要求5所述的方法(200)，
其中在两个电子器件单元(130n)之间构成至少一个预定分离部位(304)。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法(200)，
其中所述电子器件(130)具有电接触区域(302)，其中所施加的所述面状结构(128)的被移除的部分(306，404)从所述电接触区域(302)中移除。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法(200)，
其中所述移除(208)还包括：从所述电子器件(130)中脱去所施加的所述面状结构(128)的待移除的部分(306，404)。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法(200)，
其中所述电子器件(130)在载体(102)上构成，其中面状结构(128)施加到所述电子器件(130)上或上方，和/或其中面状结构(402)施加到所述载体(102)的背离所述电子器件的一侧上或上方。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法(200)，
其中施加(204)所述面状结构(128)具有将所述面状结构(128)与所述电子器件材料配合地连接(206)。
11.根据权利要求10所述的方法(200)，
其中将用于构成所述材料配合的连接的机构以结构化的方式施加在所述电子器件(130)和/或所述面状结构(128)上或上方，或者在施加之后进行结构化。
12.根据权利要求10或11所述的方法(200)，
其中用于构成在所述面状结构(128)的待移除的部分(306)和所述电子器件(130)之间的所述材料配合的连接的机构与在不需移除的面状结构(128)和所述电子器件(130)之间的区域中相比具有更小的粘附力和/或内聚力。
13.根据权利要求10或11所述的方法(200)，
其中所述面状结构(128)的待移除的部分(306，404)和所述电子器件(130)之间的区域保持不具有配合的连接机构。
14.一种电子器件装置(100，310)，具有：
·在载体(102)上的电子器件(130)；和
·面状结构(128)，
·其中所述面状结构(128)具有在所述载体(102)上的面状结构(402)和/或在所述电子器件(130)上的面状结构(128)，并且
·其中所述面状结构(128)具有预定分离部位(304)，其中所述面状结构(128)构成为，使得在分离所述预定分离部位(304)之后能够从所述电子器件装置(100，310)中移除所述面状结构(128)的部分(306，404)。
15.根据权利要求14所述的电子器件装置(100，310)，
其中所述电子器件(130)具有两个或更多个电子器件单元(130n)，其中所述面状结构(128)在两个或更多个所述电子器件单元(130n)上或上方构成，并且其中在两个电子器件单元(130n)之间构成至少一个预定分离部位(304)。
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