KR20140021052A - 광전자 컴포넌트 및 광전자 컴포넌트를 생산하기 위한 방법 - Google Patents
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Abstract
다양한 예시적인 실시예들에서, 광전자 컴포넌트(500)가 제공된다. 광전자 컴포넌트(500)는 광전자 컴포넌트(500)의 적어도 하나의 층(100, 200, 300); 상기 광전자 컴포넌트(500)의 층(100, 200, 300) 상의 적어도 하나의 접착제(504); 및 상기 적어도 하나의 접착제(504) 상의 커버(506)를 포함하고, 상기 적어도 하나의 접착제(504)는 기판(502) 위의 및/또는 층(100, 200, 300) 위의 부분적인 영역(508)에서만 경화된다.
Description
본 발명은 광전자 컴포넌트 및 광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 방법에 관한 것이다.
OLED(organic light emitting diodes), 특히 적층된 유기 발광 다이오드들은 지금까지는 프로세싱 동안 유기 발광 다이오드들의 층들 내로 통합되는 층들 등에서의 불균일성들(inhomogeneities) 또는 미립자들 또는 기판 표면상의 거칠기에 영향을 받기 쉬웠다. 이러한 미립자들은 각각의 유기 발광 다이오드들에서 이른바 잠재적 단락들(latent short circuits)(또한 핫스폿들로서 지정됨)을 야기할 수 있고, 이는 초기에 그 중에서 아직 감지될 수 없을 수 있는데, 즉, 예를 들어, 적외선 분광법(infrared spectroscopy)에서 어떠한 시그니처(signature)도 갖지 않거나 증가된 전기 배경 신호를 갖지 않는다. 그러나 이러한 핫스폿들은 추후에 OLED의 동작 동안 OLED의 장애들을 야기할 수 있다.
적층된 OLED들의 이러한 임의의 단락들을 방지하기 위해, 이른바 쇼트 보호 층으로서 보통 수백 nm의 두께를 갖는 두꺼운 도핑된 홀 도체층(HIL(hole injection layer), HTL(hole transport layer)로서 또한 지정됨)을 제공하는 것이 통상적이다. 미립자들 등은 그에 의해 레벨(level)링 되도록 의도된다. 그러나 그에 적합한 물질들은 여전히 매우 고가이고 상당한 비용 팩터를 구성한다. 더 두꺼운 HIL일 수록 OLED의 단락 저항이 더 뛰어나다는 것이 일반적으로 참을 고수한다.
다양한 실시예들에서, 광전자 컴포넌트, 예를 들어, 박막 캡슐화 OLED와 같은 OLED(organic light emitting diode)의 단락 행동은 예를 들어, 후면-측 기술(예를 들어, 커버 라미메니션(cover lamination), 예를 들어, 유리 라미네이션)을 실현하기 위한 신규한 방법 또는 신규한 프로세스에 의해 감소된다. 다양한 실시예들에 따른 새로운 방법/프로세스를 적응시킴으로써, 유효 커플링-아웃 층들(effective coupling-out layers)을 실현하기 위해, 또는 예를 들어, 상부 발광 OLED의 경우에 광전자 컴포넌트의(예를 들어, OLED의) 방출 특성(또는 흡수 특성)에 영향을 주기 위해, 그리고 광전자 컴포넌트(예를 들어, OLED)의 열 분배 또는 열 관리를 개선하기 위한 새로운 가능성들이 제공된다.
다양한 실시예들에서, 광전자 컴포넌트가 제공된다. 광전자 컴포넌트는 광전자 컴포넌트의 적어도 하나의 층; 광전자 컴포넌트의 층 위에 적어도 하나의 접착제; 및 접착제 위에 커버를 포함하고, 적어도 하나의 접착제는 기판 위의 및/또는 상기 층 위의 부분적인 영역에서만 경화된다.
일 구성에서, 상기 부분적인 영역은 접착제의 에지 영역을 포함할 수 있다.
다른 구성에서, 에지 영역은 접착제의 원주 구조(circumferential structure)의 적어도 일 부분일 수 있다.
다른 구성에서, 부분적인 영역은 상기 광전자 컴포넌트의 활성 영역 외측에서 적어도 부분적으로 측면으로 배열될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 활성 영역은 광전자 컴포넌트에 의해 방출된 광 또는 광전자 컴포넌트에 의해 수신된 광의 빔 경로에 놓이는 광전자 컴포넌트의 부분일 수 있다.
다른 구성에서, 적어도 하나의 접착제는 상이한 점도(viscosity)의 복수의 접착제들을 포함할 수 있다.
다른 구성에서, 미립자들이 상기 접착제에 제공될 수 있고, 상기 미립자들은 상기 접착제와 상이한 굴절률을 갖는다.
다른 구성에서, 접착제는 상기 커버보다 낮은 굴절률을 가질 수 있다.
다른 구성에서, 광학적 굴절 층이 상기 커버의 적어도 하나의 표면 상에 제공될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 굴절층은 예를 들어, 복수의 마이크로미터들의 크기 단위의 주기적인 구조를 갖는 층을 의미하도록 이해될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 굴절층은 렌즈들, 피라미드들, 또는 원 뿔대 구조들을 포함할 수 있다.
다른 구성에서, 부분적인 영역은 액체 비-접착 물질 또는 액체 접착제가 제공되는 영역을 적어도 부분적으로 둘러쌀 수 있다.
다른 구성에서, 광전자 컴포넌트는 발광 다이오드로서, 예를 들어, 유기 발광 다이오드로서 설계되거나 또는 이를 포함할 수 있다.
다른 구성에서, 층은 광전자 컴포넌트)의 캡슐화 층(encapsulation layer)일 수 있다.
다른 구성에서, 커버는 유리 또는 필름을 포함하거나, 또는 이들일 수 있다.
다양한 실시예들에서, 광전자 컴포넌트를 생산하기 위한 방법이 제공되며, 이 방법은 적어도 하나의 접착제에 의해 광전자 컴포넌트의 층에 커버를 적용하는 단계; 및 상기 광전자 컴포넌트의 기판 위의 및/또는 상기 층 위의 부분적인 영역(508)에서만 또는 상기 층의 외측에서만 적어도 하나의 접착제의 점도를 변동시키는 단계를 포함한다.
일 구성에서, 점도는 광 조사에 의해 변동될 수 있다.
다른 구성에서, 광 조사는 자외선 광에 의한 조사에 의해 달성될 수 있다.
본 발명의 실시예들은 도면들에서 예시되고 아래에서 더 상세히 설명된다.
도 1은 다양한 실시예들에 따라 커버를 갖지 않고 캡슐화되지 않은 광전자 컴포넌트의 단면도.
도 2는 다양한 실시예들에 따라 커버를 갖지 않고 캡슈화되지 않은 광전자 컴포넌트의 단면도.
도 3은 다양한 실시예들에 따라 커버를 갖지 않고 캡슐화되지 않은 광전자 컴포넌트의 단면도.
도 4a 내지 도 4e는 그의 생산 동안 시간적으로 상이한 지점들에서 도 1에 따른 광전자 컴포넌트의 단면도들.
도 5는 다양한 실시예들에 따라 커버를 갖는 광전자 컴포넌트의 단면도.
도 6은 도 5에 따른 광전자 컴포넌트의 평면도.
도 7a 내지 도 7c는 전체 영역에 걸친 접착제의 종래의 경화 동안 광전자 컴포넌트에 대한 가능한 손상이 예시되는 기본적인 단면도들.
도 8a 내지 8c는 다양한 실시예들에 따라 부분적인 영역에서만 접착제의 경화를 갖는 광전자 컴포넌트의 라미네이션이 예시되는 기본적인 단면도들.
도 9는 다양한 실시예들에 따라 커버를 갖는 광전자 컴포넌트의 단면도.
도 10은 도 9에 따른 광전자 컴포넌트의 평면도.
도 11a 및 도 11b는 다양한 실시예들 따른 광전자 컴포넌트의 단면도(도 11a) 및 연관된 방출 프로파일(도 11b)을 도시하는 도면.
도 12a 및 도 12b는 다양한 실시예들에 따른 광전자 컴포넌트의 단면도(도 12a) 및 연관된 방출 프로파일(도 12b)을 도시하는 도면.
도 13은 다양한 실시예들에 따라 광전자 컴포넌트를 생산하기 위한 방법을 예시하는 흐름도.
도 2는 다양한 실시예들에 따라 커버를 갖지 않고 캡슈화되지 않은 광전자 컴포넌트의 단면도.
도 3은 다양한 실시예들에 따라 커버를 갖지 않고 캡슐화되지 않은 광전자 컴포넌트의 단면도.
도 4a 내지 도 4e는 그의 생산 동안 시간적으로 상이한 지점들에서 도 1에 따른 광전자 컴포넌트의 단면도들.
도 5는 다양한 실시예들에 따라 커버를 갖는 광전자 컴포넌트의 단면도.
도 6은 도 5에 따른 광전자 컴포넌트의 평면도.
도 7a 내지 도 7c는 전체 영역에 걸친 접착제의 종래의 경화 동안 광전자 컴포넌트에 대한 가능한 손상이 예시되는 기본적인 단면도들.
도 8a 내지 8c는 다양한 실시예들에 따라 부분적인 영역에서만 접착제의 경화를 갖는 광전자 컴포넌트의 라미네이션이 예시되는 기본적인 단면도들.
도 9는 다양한 실시예들에 따라 커버를 갖는 광전자 컴포넌트의 단면도.
도 10은 도 9에 따른 광전자 컴포넌트의 평면도.
도 11a 및 도 11b는 다양한 실시예들 따른 광전자 컴포넌트의 단면도(도 11a) 및 연관된 방출 프로파일(도 11b)을 도시하는 도면.
도 12a 및 도 12b는 다양한 실시예들에 따른 광전자 컴포넌트의 단면도(도 12a) 및 연관된 방출 프로파일(도 12b)을 도시하는 도면.
도 13은 다양한 실시예들에 따라 광전자 컴포넌트를 생산하기 위한 방법을 예시하는 흐름도.
다음의 상세한 설명에서, 본 설명의 부분을 형성하고 본 발명이 구현될 수 있는 특정한 실시예들은 예시 목적을 위해 도시하는 첨부 도면들에 대한 참조가 이루어진다. 이에 관하여, 예를 들어, "상부에서", "하부에서", "앞에서", "뒤에서", "앞", "뒤" 등과 같은 방향성 용어는 기술된 도면(들)의 배향에 관하여 이용된다. 실시예들의 컴포넌트 부분들이 다수의 상이한 배향들로 위치될 수 있으므로, 방향성 용어는 예시를 위해 역할하며 어떠한 방식으로든 제한적이지 않다. 다른 실시예들이 이용될 수 있고, 구조적 또는 논리적 변경들이 본 발명의 보호의 범위로부터 벗어남 없이 이루어질 수 있다는 것은 말할 필요도 없다. 여기서 기술된 다양한 실시예들의 특징들은 달리 구체적으로 표시되지 않으면 서로 조합될 수 있다는 것은 말할 필요도 없다. 그러므로 다음의 상세된 설명은 제한적인 의미로 해석되어선 안 되고 본 발명의 보호의 범위는 첨부된 청구항들에 의해 정의된다.
본 설명의 맥락에서, 용어 "접속된" 및 "결합된"은 직접적 및 간접적 접속과 직접적 또는 간접적 결합 둘 다를 기술하는데 이용된다. 도면들에서, 동일하거나 유사한 엘리먼트들에는 이것이 편리한 한, 동일한 참조 부호들이 제공된다.
다양한 실시예들에서, 광전자 컴포넌트가 제공된다.
다양한 실시예들에서, 광전자 컴포넌트는 OLED(organic light emitting diode)로서, OPD(organic photodiode)로서, OSC(organic solar cell)로서, 또는 유기 트랜지스터로서, 예를 들어, OTFT(organic thin film transistor)로서 임베딩될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 광전자 컴포넌트는 집적 회로의 부분일 수 있다. 또한, 복수의 광전자 컴포넌트들은 예를 들어, 공통 하우징에 수용되는 방식으로 제공될 수 있다. 복수의 광전자 컴포넌트들은 서로 함께 및/또는 하나가 다른 하나 위에 적층되는 방식으로 배열된다.
도 1은 다양한 실시예들에 따른 광전자 컴포넌트의 구현으로서 유기 발광 다이오드(100)를 도시한다. 도 1의 유기 발광 다이오드(100)는 아래에서 훨씬 더상세히 설명될 바와 같이, 여전히 캡슐화되어있지 않거나, 또는 커버, 예를 들어, 보호 커버가 아직 제공되지 않는다.
유기 발광 다이오드(100)의 형태의 광전자 컴포넌트(100)는 기판(102)을 가질 수 있다. 기판(102)은 예를 들어, 전자 엘리먼트들 또는 층들 예를 들어, 광전자 엘리먼트들로서 역할할 수 있다. 예로서, 기판(102)은 유리, 석영 및/또는 반도체 물질 또는 임의의 다른 적합한 물질을 포함하거나 이로부터 형성될 수 있다. 또한, 기판(102)은 플라스틱 필름 또는 하나를 포함하거나 복수의 플라스틱 필름들을 포함하는 라미네이트를 포함하거나 이로부터 형성될 수 있다. 플라스틱은 하나 이상의 폴리올레핀들(예를 들어, 높은 또는 낮은 밀도 PE(polyethylene) 또는 PP(polypropylene))을 포함하거나 이로부터 형성될 수 있다. 또한, 플라스틱은 PVC(polyvinyl chloride), PS(polystyrene), 폴리에스테르 및/또는 PC(polycarbonate), PET(polyethylene terephthalate), PES(polyether sulfone) 및/또는 PEN(polyethylene naphthalate)을 포함하거나 이로부터 형성될 수 있다. 또한, 기판(102)은 금속 필름, 예를 들어, 알루미늄 필름, 높은-등급 철 필름, 구리 필름 또는 그 상의 조합 또는 층 스택을 포함할 수 있다. 기판(102)은 위에 언급된 물질들 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 기판(102)은 반투명, 예를 들어, 투명한, 부분적으로 반투명한, 예를 들어, 부분적으로 투명한 것으로서 실현될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 용어 "반투명 층"은 층이 광, 예를 들어, 하나 이상의 파장의 범위들에서, 예를 들어, 광전자 컴포넌트에 의해 생성된 광, 예를 들어, 가시광 파장 범위의 광(예를 들어, 적어도 380nm 내지 780nm의 파장 범위의 부분적인 범위에서)에 대해 투과적이다. 예로서, 다양한 실시예들에서, 용어 "반투명 층"은 실질적으로 구조(예를 들어, 층) 내로 결합되는 광의 전체양이 또한 구조로부터 커플링 아웃(coupling out)된다는 것을 의미하도록 이해되어야 한다.
다양한 실시예들에서, 용어 "투명 층"은 층이 광에 대해 투과적(예를 들어, 적어도 380nm 내지 780nm의 파장 범위의 부분적인 범위에서)임을 의미하도록 이해될 것이며, 여기서 구조(예를 들어, 층) 내로 결합되는 광은 또한 실질적으로 분산(scattering) 또는 광 변환 없이 구조(예를 들어, 층)로부터 커플링 아웃된다.
제 1 전극(104)(예를 들어, 제 1 전극 층(104)의 형태)은 기판(102) 상에 또는 위에 적용될 수 있다. 제 1 전극(104)(이하 하부 전극(104)으로서 또한 지정됨)은 예를 들어, 금속 또는 TCO(transparent conductive oxide) 또는 동일하거나 상이한 금속 또는 금속들 및/또는 동일하거나 상이한 TCO들의 복수의 층들을 포함하는 층 스택과 같이 전기 전도성 물질이거나 이로부터 형성될 수 있다. 투명한 전도성 산화물들은 투명한 전도성 물질들, 예를 들어, 아연 산화물, 주석 산화물, 카드뮴 산화물, 티타늄 산화물, 인듐 산화물 또는 인듐 주석 산화물(ITO)과 같은 예를 들어, 금속 산화물들이다. 예를 들어, ZnO, SnO2, 또는 In2O3와 같은 이진 금속-산소 화합물들과 함께, 예를 들어, Zn2SnO4, CdSnO3, ZnSnO3, MgIn2O4, GaInO3, Zn2In2O5 또는 In4Sn3O12와 같은 3진 금속-산화물 화합물들, 또는 상이한 투명한 전도성 산화물들의 혼합물들이 TCO들의 그룹에 또한 속한다. 또한, TCO들은 반드시 화학량론적 합성(stoichiometric composition)에 대응할 필요는 없고 추가로 p-도핑 및 n-도핑될 수 있다. 제 1 전극(104)은 애노드로서, 다시 말해서 홀-주입 물질로서 실현될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 제 1 전극(104)은 TCO의 층 상의 금속의 층의 조합의 층 스택에 의해 형성될 수 있거나, 또는 그 반대도 가능하다. 일 예는 이듐 주석 산화물 층(ITO) 상에 적용되는 은 층(ITO 상의 Ag)이다. 다양한 실시예들에서, 제 1 전극(104)은 금속(예를 들어, Ag, Pt, Au, Mg)을 포함할 수 있거나, 또는 기술된 물질의 금속 합금(예를 들어, AgMg 합금)을 포함할 수 있다. 다양한 실시예들에서, 제 1 전극(104)은 AlZnO 또는 유사한 물질들을 포함할 수 있다.
다양한 실시예들에서, 제 1 전극(104)은 예를 들어, 캐소드 물질로서, 다시 말해 전자-주입 물질로서 역할할 수 있는 금속을 포함할 수 있다. 다양한 실시예들에서, 그중에서도, 예를 들어, Al, Ba, In, Ag, Au, Mg, Ca 또는 Li 및 이들 물질들의 화합물, 조합들 또는 합금들이 캐소드 물질로서 제공될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 유기 발광 다이오드(100)는 이른바 상부 이미터로서 및/또는 이른바 하부 이미터로서 설계될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 상부 이미터는 유기 발광 다이오드로부터의 광이 예를 들어, 제 2 전극을 통해 상부 쪽으로 방출되는 유기 발광 다이오드를 의미하도록 이해될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 하부 이미터는 유기 발광 다이오드(100)로부터의 광이 예를 들어, 기판 및 제 1 전극을 통해 하부 쪽으로 방출되는 유기 발광 다이오드(100)를 의미하도록 이해될 수 있다.
제 1 전극(104)(예를 들어, 제 1 전극 층(104)의 형태)은 기판(102) 상에 또는 위에 적용될 수 있다. 제 1 전극(104)(이하 하부 전극(104)으로서 또한 지정됨)은 예를 들어, 금속 또는 투명 전도성 산화물(TCO) 또는 동일하거나 상이한 금속 또는 금속들 및/또는 동일하거나 상이한 TCO들의 복수의 층들을 포함하는 측 스택과 같이 전기 전도성 물질이거나 이로부터 형성될 수 있다. 투명한 전도성 산화물들은 예를 들어, 아연 산화물, 주석 산화물, 카드뮴 산화물, 티타늄 산화물, 인듐 산화물 또는 인듐 주석 산화물(ITO)과 같이, 투명한 전도성 물질들, 예를 들어, 금속 산화물들이다. 예를 들어, ZnO, SnO2, 또는 In2O3와 같은 이진 금속-산소 화합물들과 함께, 예를 들어, AlZnO, Zn2SnO4, CdSnO3, ZnSnO3, MgIn2O4, GaInO3, Zn2In2O5 또는 In4Sn3O12와 같은 3진 금속-산화물 화합물들, 또는 상이한 전도성 산화물들의 혼합물들이 TCO들의 그룹에 또한 속한다. 또한, TCO들은 반드시 화학량론적 합성(stoichiometric composition)에 대응할 필요는 없고 추가로 p-도핑 및 n-도핑될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 제 1 전극(104)은 금속; 예를 들어, Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ag, Au, Mg, Ca, Sm 또는 Li, 이들 물질들의 화합물, 조합들 또는 합금들을 포함할 수 있다.
다양한 실시예들에서, 제 1 전극(104)은 TCO의 층 상의 금속 층의 조합의 측 스택에 의해 형성될 수 있거나, 또는 그 반대도 가능하다. 일 예는 인듐 주석 산화물(ITO) 상에 적용된 은 층(ITO 상의 Ag) 또는 ITO-Ag-ITO 다중층들이다.
다양한 실시예들에서, 제 1 전극은 상술한 물질들에 대안적으로 또는 부가적으로, 다음의 물질들: 예를 들어, Ag로 구성된 금속성 나노와이어들 및 나노입자들의 네트워크들; 탄소 나노튜브들의 네트워크들; 그래핀 미립자들 및 그래핀 층들; 반도체 나노와이어들의 네트워크들 중 하나 이상을 제공할 수 있다.
또한, 이들 전극들은 전도성 폴리머들, 천이 금속 산화물들 또는 전도성 투명 산화물들을 포함할 수 있다.
발광 컴포넌트(100)가 기판을 통해 광을 방출하는 경우에 대해, 제 1 전극(104) 및 기판(102)은 반투명 또는 투명으로서 실현될 수 있다. 이 경우에, 제 1 전극(104)이 금속으로부터 형성되는 경우에 대해, 제 1 전극(104)은 예를 들어, 대략 25nm 미만의 층 두께, 예를 들어, 대략 20nm 이하의 층 두께, 예를 들어, 대략 18nm 이하의 층 두께를 가질 수 있다. 또한, 제 1 전극(104)은 예를 들어, 대략 10nm 이상의 층 두께, 예를 들어, 대략 15nm 이상의 층 두께를 가질 수 있다. 다양한 실시예들에서, 제 1 전극(104)은 대략 10 nm 내지 대략 25nm 범위의 층 두께, 예를 들어, 대략 10nm 내지 대략 18nm 범위의 층 두께, 예를 들어, 대략 15nm 내지 대략 18nm 범위의 층 두께를 가질 수 있다.
또한, 반투명 또는 투명 제 1 전극(104)의 경우에 대해 그리고 제 1 전극(104)이 투명 전도성 산화물(TCO)로부터 형성되는 경우에 대해, 제 1 전극(104)은 예를 들어, 대략 50nm 내지 대략 500nm 범위의 층 두께, 예를 들어, 대략 75nm 내지 대략 250nm 범위의 층 두께, 예를 들어, 대략 100nm 내지 대략 150nm 범위의 층 두께를 가질 수 있다.
또한, 반투명 또는 투명 제 1 전극(104)에 대해 그리고 제 1 전극(104)이 예를 들어, 전도성 폴리머들과 조합될 수 있는, Ag로 구성되는, 예를 들어, 금속성 나노와이어들의 네트워크, 전도성 폴리머들과 조합될 수 있는 탄소 나노튜브들의 네트워크, 또는 그래핀 층들 및 합성물들로부터 형성되는 경우에 대해, 제 1 전극(104)은 예를 들어, 대략 1nm 내지 대략 500nm 범위의 층 두께, 예를 들어, 대략 10nm 내지 대략 400nm 범위의 층 두께, 예를 들어, 대략 40nm 내지 대략 250nm 범위의 층 두께를 가질 수 있다.
발광 컴포넌트(100)가 상부쪽으로 배타적으로 광을 방출하는 경우에 대해, 제 1 전극(104)은 또한 불투명 또는 반사성으로서 설계될 수 있다. 이 경우에, 제 1 전극(104)은 예를 들어, 대략 40nm 이상의 층 두께, 예를 들어, 대략 50nm 이상의 층 두께를 가질 수 있다.
제 1 전극(104)은 애노드로서, 다시 말해 홀-주입 전극으로서, 또는 캐소드로서, 다시 말해 전자 주입으로서 실현될 수 있다.
제 1 전극(104)은 제 1 전기 전위(에너지 소스(도시되지 않음)에 의해 제공됨(예를 들어, 전류 소스 또는 전압 소스))가 적용될 수 있는 제 1 전기 접속을 가질 수 있다. 대안적으로, 제 1 전기 전위는 기판(102)이 될 수 있거나 이에 적용되었을 수 있고 이어서 기판(102)을 통해 간접적으로 제 1 전극(104)에 공급되거나 공급되었을 수 있다. 제 1 전기 전위는 예를 들어, 접지 전위 또는 몇몇 다른 미리 정의된 기준 전위일 수 있다.
또한, 광전자 컴포넌트(100)는 제 1 전극(104) 상에 또는 그 위에 적용되거나 적용되었을 유기 기능층 구조(106)를 가질 수 있다.
유기 기능층 구조(106)는 형광성 및/또는 인광성 이미터들을 포함하는 하나 또는 복수의 이미터 층들(108) 및 하나 또는 복수의 홀-전도 층들(110)을 포함할 수 있다.
이미터 층(들)(108)에 대한 다양한 실시예들에 따라 광전자 컴포넌트(100)에서 이용될 수 있는 이미터 물질들의 예들은 비-폴리머적 이미터들로서 폴리플루오렌, 폴리티오펜 및 폴리페닐렌(예를 들어, 2- 또는 2,5-치환된 폴리-피-페닐렌 비닐렌)의 유도체(derivative)들과 같은 유기 또는 유기금속성 화합물 및 금속 착물(metal complex)들, 예를 들어, 청색 인광 FIrPic(bis(3,5-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl)-iridium III), 녹색 인광 Ir(ppy)3(tris(2-phenylpyridine)iridium III), 적색 인광 Ru (dtb-bpy)3*2(PF6)(tris[4,4'-di-tert-butyl-(2,2')-bipyridine]ruthenium (III) complex) 및 청색 형광 DPAVBi(4,4-bis[4-(di-p-tolylamino)styryl]biphenyl), 녹색 형광 TTPA (9,10-bis[N,N-di-(p-tolyl)-amino]anthracene) 및 적색 형광 DCM2(4-dicyanomethylene)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4H-pyran)과 같은 이리듐 착물들을 포함한다.
이러한 비-폴리머적 이미터들은 예를 들어, 열 증발(thermal evaporation)에 의해 증착될 수 있다. 또한, 예를 들어, 특히 스핀 코팅 또는 슬롯 다이 코팅과 같은 습식-화학적 방법들에 의해 증착될 수 있는 폴리머 이미터들을 이용하는 것이 가능하다.
이미터 물질들은 적합한 방식으로 매트릭스 물질에 임베딩될 수 있다.
다른 적합한 이미터 물질들이 마찬가지로 다른 실시예들에서 제공된다는 것이 주목되어야 한다.
광전자 컴포넌트(100)의 이미터 층(들)(108)의 이미터 물질들은 예를 들어, 광전자 컴포넌트(100)가 백색 광을 방출하도록 선택될 수 있다. 이미터 층(들)(108)은 상이한 컬러들(예를 들어, 청색 및 황색 또는 청색, 녹색 및 적색)을 방출하는 복수의 이미터 물질들을 포함할 수 있고; 대안적으로 이미터 층(들)(108)은 또한 청색 형광 이미터 층(108) 또는 청색 인광 이미터 층(108), 녹색 형광 이미터 층(108) 및 적색 형광 이미터 층(108)과 같이 복수의 부분적인 층들로부터 구성될 수 있다. 상이한 컬러들을 혼합함으로써, 백색 컬러 임프레션(impression)을 갖는 광의 방출이 발생할 수 있다. 대안적으로, 백색 컬러 임프레션이 주 및 보조 방사의 조합에 의해 (아직 백색이 아닌) 주 방사로부터 발생하도록, 상기 층들에 의해 생성된 주 방출의 빔 경로에 변환기 물질(변환기 물질은 적어도 부분적으로 주 방사를 흡수하고 상이한 파장을 갖는 보조 방사를 방출)을 배열하기 위한 프로비전(provision)이 또한 이루어질 수 있다.
유기 기능층 구조(106)는 일반적으로 하나 또는 복수의 기능층들을 포함할 수 있다. 하나 또는 복수의 층들은 폴리머들, 유기 올리고머들, 유기 모노머들, 유기 작은 비-폴리머 분자들("작은 분자들") 또는 이들 물질들의 조합을 포함할 수 있다. 예로서, 유기 기능층 구조(106)는 예를 들어, OLED의 경우에 전자발광 층 또는 전자발광 영역 내로의 유효 홀 주입을 가능하게 하기 위해, 홀 이송층(110)으로서 실현되는 하나 또는 복수의 기능층들을 포함할 수 있다. 대안적으로, 다양한 실시예들에서, 유기 전자발광층 구조는 예를 들어, OLED의 경우에 전자발광 층 또는 전자발광 영역 내로 유효 전자 주입을 가능하게 하기 위해, 전자 이송층(도시되지 않음)으로서, 및/또는 전자 주입층(도시되지 않음)으로서 실현되는 하나 또는 복수의 기능층들을 포함할 수 있다. 예로서, 차 아민들(tertiary amines), 카르바조 유도체들(carbazo derivatives), 전도성 폴리아닐린 또는 폴리에틸렌 다이옥시오핀(polyethylene dioxythiophene)이 홀 이송층(110)에 대한 물질로서 이용될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 하나 또는 복수의 기능층들은 전자발광층으로서 실현될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 홀 이송층(110)이 예를 들어, 제 1 전극(104) 상에 또는 위에 적용되고, 예를 들어, 증착되고 이미터 층(108)은 홀 이송층(110) 상에 또는 위에 적용되고 예를 들어, 증착될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 유기 기능층 구조(106)(다시 말해, 예를 들어, 홀 이송 층(들)(110) 및 이미터 층(들)(108)의 두께의 합)는 대략 1.5㎛의 최대의 층 두께, 예를 들어, 대략 1.2㎛의 최대의 층 두께, 예를 들어, 대략 1㎛의 최대의 층 두께, 예를 들어, 대략 800nm의 최대의 층 두께, 예를 들어, 대략 500nm의 최대의 층 두께, 예를 들어, 대략 400nm의 최대의 층 두께, 예를 들어, 대략 300nm의 최대의 층 두께를 가질 수 있다. 다양한 실시예들에서, 유기 기능층 구조(106)는 예를 들어, 하나가 다른 하나 위에 직접 배열되는 복수의 유기 발광 다이오드들(OLED들)의 스택을 가질 수 있고, 여기서 각각의 OLED는 예를 들어, 대략 1.5㎛의 최대의 층 두께, 예를 들어, 대략 1.2㎛의 최대의 층 두께, 예를 들어, 대략 1㎛의 최대의 층 두께, 예를 들어, 대략 800nm의 최대의 층 두께, 예를 들어, 대략 500nm의 최대의 층 두께, 예를 들어, 대략 400nm의 최대의 층 두께, 예를 들어, 대략 300nm의 최대의 층 두께를 가질 수 있다. 다양한 예시적인 실시예들에서, 유기 기능층 구조(106)는 예를 들어, 하나가 다른 하나 위에 직접 배열되는 3개 또는 4개의 OLED들의 스택을 가질 수 있으며, 이 경우, 예를 들어, 유기 기능층 구조(106)는 대략 3㎛의 최대의 층 두께를 가질 수 있다.
광전자 컴포넌트(100)는 선택적으로는 일반적으로 예를 들어, 광전자 컴포넌트(100)의 기능 및 그에 따른 효율을 추가로 개선하도록 역할하는, 하나 또는 복수의 이미터 층들(108) 상에 또는 위에 배열된 추가의 유기 기능층들을 포함할 수 있다.
제 2 전극(112)(예를 들어, 제 2 전극 층(112)의 형태임)이 유기 기능층 구조(106) 상에 또는 위에, 또는 적절한 경우 하나 또는 복수의 추가의 유기 기능층들 상에 또는 위에 적용될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 제 2 전극(112)은 제 1 전극(104)과 동일한 물질을 포함하거나 이로부터 형성될 수 있으며, 특히 다양한 실시예들에서 금속이 적합하다.
다양한 실시예들에서, 제 2 전극(112)은 예를 들어, 대략 50nm 이하의 층 두께, 예를 들어, 대략 45nm 이하의 층 두께, 예를 들어, 대략 40nm 이하의 층 두께, 예를 들어, 대략 35nm 이하의 층 두께, 예를 들어, 대략 30nm 이하의 층 두께, 예를 들어, 대략 25nm 이하의 층 두께, 예를 들어, 대략 20nm 이하의 층 두께, 예를 들어, 대략 15nm 이하의 층 두께, 예를 들어, 대략 10nm 이하의 층 두께를 가질 수 있다.
제 2 전극(112)은 일반적으로 제 1 전극(104)과 유사한 방식으로, 또는 제 1 전극(104)과 상이하게 실현되거나 실현되었을 수 있다. 다양한 실시예들에서, 제 2 전극(112)은 제 1 전극(104)과 관련하여 위에서 기술된 바와 같이 (제 2 전극이 반사적, 반투명 또는 투명으로서 실현되도록 의도되는지 여부에 의존하여) 각각의 층 두께를 갖고 하나 또는 복수의 물질들로부터 형성되거나 형성되었을 수 있다.
다양한 실시예들에서, 제 2 전극(112)(상부 접촉(112)으로서 또한 지정될 수 있음)은 약간 투명 또는 투명으로서 실현될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 그러나 제 2 전극(112)은 제 2 전극(112)이 반투명 또는 투명으로서 실현되는 경우 임의의 더 큰 층 두께, 예를 들어, 적어도 1㎛의 층 두께를 가질 수 있다.
제 2 전극(112)은 제 2 에너지 소스에 의해 제공되는 (제 1 전기 전위와 상이한) 제 2 전기 전위가 적용될 수 있는 제 2 전기 접속을 가질 수 있다. 제 2 전기 전위는 예를 들어, 제 1 전기 전위에 대한 차이가 대략 1.5 V 내지 대략 20 V의 범위의 값, 예를 들어, 대략 2.5 V 내지 대략 15 V의 범위의 값, 대략 5 V 내지 대략 10 V의 범위의 값을 갖도록 하는 값을 가질 수 있다.
다양한 실시예들에서, 미러 층 구조(114)가 제 2 전극(112) 상에 또는 위에 적용된다.
다양한 실시예들에서, 미러 층 구조(114)가 적어도 1㎛의 층 두께를 갖는다.
다양한 실시예들에서, 미러 층 구조(114)는 하나 또는 복수의 금속 필름들을 포함할 수 있다.
미러 층 구조(114)의 하나 또는 복수의 금속 필름들은 (각각의 경우에) 대략 5nm 내지 대략 5000nm의 범위의 층 두께, 예를 들어, 대략 15nm 내지 대략 1000nm의 범위의 층 두께, 예를 들어, 대략 50nm 내지 대략 300nm의 범위의 층 두께를 가질 수 있어서, 미리 층 구조(114)는 대략 10nm 내지 대략 5000nm의 범위의 총 층 구조 두께, 예를 들어, 대략 15nm 내지 대략 1000nm의 범위의 층 두께, 예를 들어, 대략 50nm 내지 대략 300nm의 범위의 층 두께를 갖는다.
이 경우에 대해, 제 2 전극(112)에 대해 위에서 언급된 것과 같은 모든 그러한 물질들이 미러 층 구조(114)를 위해 이용하는 것이 가능하다. 이에 따라 예로서, ITO, IZO 또는 AZO와 같은 도핑된 금속-산화물 화합물들(doped metal-oxidic compounds)이 또한 제공될 수 있으며, 이는 예를 들어, "안면 타겟 스퍼터링(facial target sputtering)"에 의해서와 같이 저-손상 증착 기술에 의해 증착될 수 있다.
미러 층 구조(114)는 하나 또는 복수의 미러들을 포함할 수 있다. 미러 층 구조(114)가 복수의 미러들을 포함하는 경우, 각각의 미러들은 각각의 유전체 층에 의해 서로로부터 분리된다.
다양한 실시예들에서, 미러 층 구조(114)는 또한 생략될 수 있고 그의 기능은 제 2 전극(112)에 의해 제공될 수 있다.
예를 들어, 접착제 및/또는 가공성을 개선하기 위한 부가적인 층들이 다양한 실시예들에서 제공될 수 있다.
또한, 유기 발광 다이오드(100)는 또한 예를 들어, 라인 프로세스의 백 엔드(back end)의 맥락에서 적용될 수 있는 하나 또는 복수의 갭슐화 층들(도시되지 않음), 예를 들어, 하나 또는 복수의 박막 캡슐화 층들을 포함할 수 있다.
다양한 실시예들에서, 광은 광전자 컴포넌트, 예를 들어, OLED의 광학적으로 반투명한, 예를 들어, 광학적으로 투명한 하부 접촉(제 1 전극으로서 또한 지정됨)을 통해 방출된다(이 경우에, 광전자 컴포넌트는 "하부 이미터"로서 지정됨).
도 2는 다양한 실시예들에 따른 광전자 컴포넌트의 구현으로서 유기 발광 다이오드(200)를 도시한다.
도 2에 따른 유기 발광 다이오드(200)는 다수의 양상들에서 도 1에 따른 유기 발광 다이오드(100)와 동일하며, 그러한 이유로, 도 2에 따른 유기 발광 다이오드(200)와 도 1에 따른 유기 발광 다이오드(100) 간의 차이만이 아래에서 보다 상세히 설명될 것이고; 도 2에 따른 유기 발광 다이오드(200)의 잔여 엘리먼트들에 관해, 도 1에 따른 유기 발광 다이오드(100)에 관한 위의 설명을 참조한다.
도 1에 따른 유기 발광 다이오드(100)에 대조적으로, 도 2에 따른 유기 발광 다이오드(200)의 경우에, 미러 층 구조(202)는 제 2 전극(112) 상에 또는 위에 형성되는 것이 아니라, 오히려 제 1 전극(104) 아래 형성된다.
이들 실시예들에서, 에너지 소스는 제 1 전극(104)의 제 1 전기 접속에 그리고 제 2 전극(112)의 제 2 전기 접속에 접속된다.
도 2에 따른 유기 발광 다이오드(200)는 상부 이미터이거나 이로서 실현될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 도 2에 따른 유기 발광 다이오드(200)는 예시적으로 표면 방출 OLED이다. 양자의 접촉들(즉, 제 1 전극(104) 및 제 2 전극(112))은 이 실시예에서, 약간 투명(semitranslucent), 예를 들어, 반투명이다.
또한, 도 2에 따른 유기 발광 다이오드(200)에서, 예를 들어, 박막 캡슐화(204)의 형태의 캡슐화 층 구조(204)는 제 2 전극(112) 상에 또는 그 위에 배열된다.
결과적으로, 다양한 실시예들에서, 예시적으로 도 2 또는 도 3에서 예시되는 바와 같이 기판 측 상에서 방출하는 광전자 컴포넌트(예를 들어, 기판 측 상에서 방출하는 OLED)는 표면 측 상에서 방출하는 광전자 컴포넌트(예를 들어, 표면 측 상에서 방출하는 OLED)로 전치(transpose)된다. 이 경우에, 외부 금속 미러는 광학적으로 반투명, 예를 들어, 투명한 하부 접촉 아래에 있거나 또는 배열되었을 수 있다. 이 경우에, 광은 예를 들어, 광학적으로 반투명한, 예를 들어, 투명한 상부 접촉(예를 들어, 제 2 전극)을 통해 OLED를 떠나게 되고 이에 따라 예를 들어, 상부 이미터로서 실현된다.
다양한 실시예들에서, 미러 층 구조, 예를 들어, 두꺼운 금속 미러는 기판(102)에 직접적으로 적용될 수 있고, 동시에 더 낮은 접촉, 즉 예를 들어, OLED(300)의 광전자 컴포넌트(300)의 제 1 전극(302)을 형성한다. 이러한 광전자 컴포넌트(300)는 도 3에서 예시된다.
도 3에 따른 광전자 컴포넌트(300)의 잔여 스택층은 도 2에 따른 광전자 컴포넌트(200)의 층 스택과 동일하다.
대안적인 실시예들의 맥락에서, 유기 발광 다이오드는 또한 원하는 임의의 다른 적합한 구성을 가질 수 있다는 것이 주목되어야 한다.
도 4a 내지 도 4f는 그의 생산 동안 시간적으로 상이한 지점들에서 다양한 실시예들에 따른 광전자 컴포넌트(100)를 도시한다. 다른 광전자 컴포넌트들(200, 300)은 대응하는 방식으로 생성될 수 있다.
도 4a는 그의 생산 동안 시간의 제 1 지점(400)에서 광전자 컴포넌트(100)를 도시한다.
시간의 이 지점에서, 제 1 전극(104)은 기판(102)에 적용되고, 예를 들어, CVD(chemical vapor deposition) 방법에 의해 또는 PVD(physical vapor deposition) 방법(예를 들어, 스퍼터링, 이온 원조 증착 방법 또는 열 증발)에 의해, 대안적으로 도금 방법; 딥 코팅 방법(dip coating method); 스핀 코팅 방법; 프린팅 블레이드 코팅(printing blade coating); 또는 스프레잉(sprayin)에 의해 예를 들어, 증착된다.
다양한 실시예들에서, PE-CVD(plasma enhanced chemical vapor deposition) 방법은 CVD 방법으로서 이용될 수 있다. 이 경우에, 플라즈마는 적용될 층이 적용되도록 의도되는 엘리먼트 위에 및/또는 주위에 임의의 용적(in a volume)으로 생성될 수 있으며, 여기서 적어도 2개의 가스 시작 화합물들이 그 용적에 공급되고 상기 화합물은 플라즈마에서 이온화되고 서로 반응하도록 여기된다. 플라즈마의 생성은 유전체 층을 생성하는 것을 가능하게 하기 위해 엘리먼트의 표면이 가열되는 온도가 예를 들어, 무플라즈마(plasmaless) CVD 방법에 비해 낮춰질 수 있다는 것을 가능하게 할 수 있다. 그것은 예를 들어, 엘리먼트, 예를 들어, 형성될 발광 전자 컴포넌트가 최대 온도 초과의 온도에서 손상되는 경우 유리할 수 있다. 다양한 실시예들에 따라 형성되는 발광 전자 컴포넌트의 경우에, 최대 온도는 대략 120℃일 수 있어서, 예를 들어, 유전체 층이 적용되는 온도는 120℃ 미만, 예를 들어, 80℃ 미만이 될 수 있다.
도 4b는 그의 생산 동안 시간의 제 2 지점(402)에서 광전자 컴포넌트(100)를 도시한다. 시간의 이 지점에서, 하나 또는 복수의 홀 전도층들(110)이 제 1 전극(104)에 적용되고, 예를 들어, CVD(chemical vapor deposition) 방법에 의해 또는 PVD(physical vapor deposition) 방법(예를 들어, 스퍼터링, 이온 원조 증착 방법 또는 열 증발)에 의해, 대안적으로 도금 방법; 딥 코팅 방법(dip coating method); 스핀 코팅 방법; 프린팅 블레이드 코팅(printing blade coating); 또는 스프레잉(sprayin)에 의해 예를 들어, 증착된다.
도 4c는 그의 생산 동안 시간의 제 3 지점(404)에서 광전자 컴포넌트(100)를 도시한다.
시간의 이 지점에서, 하나 또는 복수의 이미터 층들(108)이 하나 또는 복수의 홀 전도층들(110)에 적용되고, 예를 들어, CVD(chemical vapor deposition) 방법에 의해 또는 PVD(physical vapor deposition) 방법(예를 들어, 스퍼터링, 이온 원조 증착 방법 또는 열 증발)에 의해, 대안적으로 도금 방법; 딥 코팅 방법; 스핀 코팅 방법; 프린팅 블레이드 코팅; 또는 스프레잉에 의해 예를 들어, 증착된다.
도 4d는 그의 생산 동안 시간의 제 4 지점(406)에서 광전자 컴포넌트(100)를 도시한다.
시간의 이 지점에서, 제 2 전극(112)은 하나 또는 복수의 추가의 유기 기능층들(존재하는 경우) 또는 하나 또는 복수의 이미터 층들(108)에 적용되고, 예를 들어, CVD(chemical vapor deposition) 방법에 의해 또는 PVD(physical vapor deposition) 방법(예를 들어, 스퍼터링, 이온 원조 증착 방법 또는 열 증발)에 의해, 대안적으로 도금 방법; 딥 코팅 방법; 스핀 코팅 방법; 프린팅 블레이드 코팅; 또는 스프레잉에 의해 예를 들어, 증착된다.
도 4e는 그의 생산 동안 시간의 제 5 지점(408)에서 광전자 컴포넌트(100)를 도시한다.
시간의 이 지점에서, 위에서 기술된 측면 열 전도율을 갖는 미러 층 구조(114)가 제 2 전극(112)에 적용되고, 예를 들어, CVD(chemical vapor deposition) 방법에 의해 또는 PVD(physical vapor deposition) 방법(예를 들어, 스퍼터링, 이온 원조 증착 방법 또는 열 증발)에 의해, 대안적으로 도금 방법; 딥 코팅 방법; 스핀 코팅 방법; 프린팅 블레이드 코팅; 또는 스프레잉에 의해 예를 들어, 증착된다.
도 5는 다양한 실시예들에 따라 커버를 갖는 광전자 컴포넌트(500)의 단면도를 도시한다.
도 5에서 예시되는 바와 같이, 다양한 실시예들에서, 광전자 컴포넌트(500)는 캐리어(502), 예를 들어, 기판(502)을 포함한다. 캐리어(502)는 임의의, 예를 들어, 전기 절연성 물질을 포함할 수 있다. 다양한 실시예들에서, 캐리어(502)는 기판(102)에 의해 또한 형성될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 캐리어(502)는 기판(102)과 관련하여 위에서 기술된 것과 같은 물질로부터 형성될 수 있다.
(여전히 불완전한) 광전자 컴포넌트(박박 캡슐화가 적절히 이미 제공되는 경우), 예를 들어, 유기 발광 다이오드(100, 200, 300)가 캐리어(502) 상에 적용되고, 예를 들어, 고정되고, 예를 들어, 접착제로 본딩되거나 그 상에 증착된다.
다양한 실시예들에서, 커버(506), 예를 들어, 유리 커버(506)는 (여전히 불완전한) 광전자 컴포넌트 상에서, 예를 들어, 유기 발광 다이오드(100, 200, 300) 상에서 접착제(504)에 의해 고정되고, 예를 들어, 접착제로 본딩되고, 예를 들어, 라미네이트된다. 결과적으로, 예시적으로 접착제(504)는 유기 발광 다이오드(100, 200, 300) 상에, 예를 들어, 유기 발광 다이오드(100, 200, 300)의 상위 노출된 층 상에 적용되고 커버(506)는 접착제(504) 상에 적용되고, 예를 들어, 배치된다. 다양한 실시예들에서, 커버는 전기 절연성 막, 예를 들어, 플라스틱막, 전기 전도성 막, 예를 들어, 금속 막 등에 의해 형성될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 접착제(504)는 다음의 물질들: 예를 들어, 에폭시 수지들, 아클릴레이트들, 플루오로폴리머들, 퍼플루오로폴리에테르들, PEPE(meth)아크릴레이트들, 실리콘들, 폴리메틸, 메타크릴레이트(PMMA), MMA+PMMA, 에틸렌 비닐 아세테이트(EVA), 폴리에스테르, 폴리우레탄들 등 중 하나 또는 복수개로 구성되거나 이를 포함할 수 있다.
접착제(504)는 그것이 적용되면, 초기에 액체, 예를 들어, 겔(gel)-유사 또는 젤리-유사이며, 대략 0.001 Pa*s 내지 3000 Pa*s 범위, 예를 들어, 대략 1 Pa*s 내지 500 Pa*s 범위, 예를 들어, 대략 20 Pa*s 내지 60 Pa*s 범위의 점도를 갖는다(여기서 표시된 값들은 실내 온도의 통상적인 값들임). 추후에, 접착제(506)의 부분 또는 전체 접착제(504)(예를 들어, 접착제가 부분적인 영역에만 위치되고 예를 들어, 아래에서 훨씬 더 자세히 설명되는 내부 영역은 상이한 물질로 충진됨)는 그의 점도의 견지에서 변경되고, 예를 들어, 아래에서 훨씬 더 자세히 설명되는 바와 같이 예를 들어, 경화되고, 예를 들어, 라미네이트된다.
예를 들어, 다양한 실시예들에 따라 제공된 라미네이션 프로세스의 맥락에서, 커버(506), 예를 들어, 유리 커버(506)는 유기 발광 다이오드(100, 200, 300) 상에 예를 들어, 그의 후면측 상에 라미네이트(예를 들어, 전체 영역에 걸쳐서)된다. 접착제(504)를 경화하는 목적을 위해, 접착제(504)는 전체 영역에 걸쳐서, 유기 발광 다이오드(100, 200, 300)에 적용되고 자외선 방사를 통해 전체 영역에 걸쳐서 종래 방식으로 노출된다(도 7a 내지 도 7c). 접착제(504)는 예를 들어, 이 프로세스 동안 폴리머화(polymerize)된다. 이 경우에, 접착제(504)는 일반적으로 이용되는 접착제(504)에 의존하여 적은 퍼센트만큼 수축하거나 알맞게 팽창한다. 그러나, 이 프로세스는 유기 발광 다이오드(100, 200, 300)(예를 들어, 가능하게 제공된 그의 박막 캡슐화를 포함함) 및 접착제(504) 간의 계면에 기계적 응력들을 유도할 수 있다. 임베딩된 미립자들은 이에 따라 예를 들어, 유기 발광 다이오드(100, 200, 300) 내로 눌러지거나 외부로 튀어나온다. 유기 발광 다이오드(100, 200, 300)의 동작 동안, 이는 전체 광전자 컴포넌트의 단락을 야기할 수 있다. 물질들이 동작 동안 상이하게 팽창하는 경우, 이는 유사한 행동을 야기할 수 있다. 도 7a는 제 1 도면(700)에서, 아직 경화되지 않은 접착제(504), 접착제(504) 및/또는 유기 발광 다이오드(100, 200, 300)에 포함되는 미립자(702)를 도시한다. 도 7a는 제 2 도면(710)에서, 전체-영역 UV 노출에 의해 경화되는 접착제(712)를 도시하며, 상기 접착제는 UV 노출 때문에 수축 또는 팽창한다. 미립자들(702)에 작용(도 7b에서 화살표(714)에 의해 표시됨)하는 접착제(712)와 유기 발광 다이오드(100, 200, 300) 간의 계면에서 기계적 응력들을 발생시킨다. 동작 동안, 유기 발광 다이오드(100, 200, 300)는 가열되고 결국 기계적 응력들을 유도한다. 유기 물질은 유기 발광 다이오드(100, 200, 300) 외부로 튀어나오거나 또는 유기 발광 다이오드(100, 200, 300) 내로 눌러지며(증가되는 기계적 부하의 영역(722)과 함께 제 3 도(720)의 도 7c에서 표시됨), 이는 번개 기호(716)에 의해 표시되는, 예를 들어, 캡슐화 층(들)의 디라미네이션(delamination)에 대한 단락 또는 그 밖의 것을 야기할 수 있다.
도 5를 재차 참조하면, 광전자 컴포넌트(500)의 경우에, 접착제(504)는 기판(502) 위의 및/또는 유기 발광 다이오드(100, 2000, 300) 위의, 예를 들어, 층 위의 부분적인 영역에서만 경화된다. 다양한 실시예들에서, 부분적인 영역은 유기 발광 다이오드(100, 200, 300)를 따른 캐리어(602) 위의 영역이다. 이 경우에, 예시적으로는, 예를 들어, 접착제(504)의 에지 영역(508)이 경화되는 반면에, 접착제(504)의 내부 영역(510)(상기 내부 영역은 실질적으로 접착제(504)의 에지 영역(508)에 의해 완전히 둘러싸이지 않음)은 그의 점도의 견지에서 실질적으로 변경되지 않은 채로 남아 있고, 이에 따라 액체, 예를 들어, 겔-유사 또는 젤리-유사로서 실현된 채로 유지된다(예를 들어, 커버(506)가 도시되지 않은 도 6의 평면도를 참조). 점선들에 의해 예시되는 유기 발광 다이오드(100, 200, 300)는 그것이 접착제(504)에 의해 완전히 커버되지 않음을 표시한다. 예시적으로는, 다양한 실시예들에서, 접착제(504)의 에지 영역(508)은 접착제(504)의 원주 영역을 포함하거나 그에 의해 형성될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 에지 영역(510)은 유기 발광 다이오드(100, 200, 300)의 에지까지 측면으로 연장할 수 있어서, 어떠한 액체 접착제(504)도 유기 발광 다이오드(100, 200, 300)를 따라 위치되지 않고, 오히려 직접적으로 접착제(504)의 경화된 부분은 유기 발광 다이오드(100, 200, 300)에 측면으로 인접하게 된다는 것이 주의되어야 한다.
또한, 다양한 실시예들에서, 에지 영역이 유기 발광 다이오드(100, 200, 300) 위에서 그리고 이에 따라 광전자 컴포넌트(500)의 활성 영역 위에서 또한 부분적으로 또는 완전히 연장하며, 그러나, 여기서 유기 발광 다이오드(100, 200, 300)위의 그리고 이에 따라 광전자 컴포넌트(500)의 활성 영역 위의 내부 영역은 그의 점도의 견지에서 실질적으로 변경되지 않은 채로 남아있고, 이에 따라 액체, 예를 들어, 겔-유사 또는 젤리-유사로서 실현된 채로 남아있는 접착제(504)를 갖는다.
결과적으로, 예시적으로는, 다양한 실시예들에 따라, 접착제(504)는 전체 영역에 걸쳐서, 캐리어(502) 및/또는 유기 발광 다이오드(100, 200, 300) 및/또는 커버(506)에 적용되지만, 접착제(504)의 단지 부분적인 영역, 예를 들어, 광전자 컴포넌트(500)의 에지 영역 위, 예를 들어, 에지 영역(510)(예를 들어, 광전자 컴포넌트(500)의 활성 영역 외측)은 경화되고, 예를 들어, 노출되고, 예를 들어, UV 광에 의해 노출된다. 그러나 접착제(504)를 경화하기 위해 상이한 파장 범위의 광, 예를 들어, 훨씬 더 짧은 파장들을 갖는 광을 이용하는 것이 또한 가능하다. 대안적인 실시예들에서, 부분적인 영역에서 접착제(504)를 경화하기 위한 다른 방법들이 마찬가지로 예를 들어, 전기 열 소스(도시되지 않음)에 의한 국부적인 가열을 위해 이용될 수 있다. 단지 기판 또는 유기 발광 다이오드(100, 200, 300) 위의 부분적인 영역의 접착제의 국부적인 경화의 결과로서, 접착제(504)는 접착제(504)가 예를 들어, 광전자 컴포넌트(500)의 활성 영역에서 경화되는 부분적인 영역 외측에서 그의 겔-유사 또는 젤리-유사 일관성을 유지한다.
예시적으로는, 도 5는 광전자 컴포넌트(500), 예를 들어, OLED(500)의 활성 영역에서 유리 라미네이션 및 비-경화된 접착제를 갖는 광전자 컴포넌트(500), 예를 들어, OLED(500)를 도시한다. 접착제(504)의 에지 영역에서, 접착제(504)는 경화되고 이에 따라 캐리어(502)와 커버(506), 예를 들어, 커버 유리(506) 간의 (접착성-) 본딩 접속을 설정한다. 캐리어(506)에 대한 커버(506), 예를 들어, 커버 유리(506)의 미끄러짐이 이에 따라 방지된다.
다양한 실시예들에 따라 지금 유기 발광 다이오드(100, 2000, 300)의 개별 층들의 기상 증착 동안 유기 발광 다이오드(100, 200, 300) 내로 이미 도입되었거나 접착제(504)에 위치되는 미립자들(802)은 더 이상 유기 발광 다이오드(100, 200, 300) 내로 눌러지거나 이로부터 철회되지 않는다.
도 8a 내지 도 8c는 다양한 실시예들에 따라 부분적인 영역에서만 접착제의 경화를 갖는 광전자 컴포넌트의 라미네이션이 예시되는 기본적인 단면도들을 도시한다. 도 8a의 제 1 도면(800)에서 예시되는 바와 같이, 접착제(504)의 국부적인 경화의 목적을 위해서, 접착제(504)는 전체 영역에 걸쳐서 유기 발광 다이오드(100, 200, 300) 에 적용되고 전체 영역 위에서 부분적인 영역에서만 경화되고, 예를 들어, 자외선 방사선에 노출되며(도 8b의 제 2 도면(810) 참조), 여기서 도 8b에서 도시된 부분적인 영역은 경화되지 않고, 이에 따라 실질적으로 그의 점도의 견지에서 변경되지 않은 채로 유지된다(도 8b의 812에 의해 지정됨). 접착제(504)는 예를 들어, 이 프로세스 동안 노출된 부분적인 영역에서 폴리머화된다. 이 경우에, 접착제(504)는 일반적으로 이용된 접착제(504)에 의존하여 노출된 부분적인 영역에서 몇 퍼센트만큼 수축하거나 대응적으로 팽창한다. 그러나 도 8b에서 예시된 접착제(504)의 영역(812)이 경화되기 때문에, 전혀 없거나 또는 적어도 단지 감소된 기계적 응력들이 종래의 프로시저에 비교해서 거기서 발생한다. 결과적으로 임베딩된 미립자들(802)은 마찬가지로 전혀 없거나 또는 단지 감소된 기계적 응력들을 받는다. 유기 발광 다이오드(100, 200, 300)의 동작 동안, 미립자들(802)이 유기 발광 다이오드(100, 200, 300) 외부로 튀어나오는 경우에 대해서 조차, 접착제(504)의 여전히 액체 부분(812)은 결과적인 물질 갭(결함 위치(822)로서 또한 지정됨, 도 8c의 제 3 도면(820) 참조) 내로 유동할 수 있고, 이로 충진된다. 접착제(504)가 다양한 실시예들에서 전기적으로 절연성으로서 실현되기 때문에, 접착제(504)는 예시적으로는 결합 위치(822)를 덮거나 절연시킨다. 더 적은 접착 물질이 존재하는 헤일로(halo)의 타입이 그 주위에서 발생한다.
내부 영역(510) 예를 들어, 광전자 컴포넌트의 활성 영역에서 액체, 예를 들어, 겔-유사 또는 젤리 유사 매체의 결과로서, 이미 존재하는 핫 스폿에서 발생하는 열은 매체가 이동 가능하기 때문에(액체) 외부로 더 잘 소산될 수 있고 더 나은 열 교환이 이에 따라 발생할 수 있다(가능하게는 또한 대류에 의해). 또한, 다양한 실시예들에 따라, 커버(506), 예를 들어, 유리 커버(506)의 디라미네이션은 또한 커버 유리(506)로서 지정되고 경화된 접착제(504)를 통해 단락된 위치들에서 물질들의 급격한 증발에 의해 야기될 수 있는 단락된 위치에서 방지된다. 다양한 실시예들에 따라, 디라미네이션의 영역은 실제 단락 영역보다 (상당히) 더 크다 . 이는 투명한 컴포넌트들의 경우에, 예를 들어, 이러한 디라미네이션 위치들이 스위치-오프 상태에서 광전자 컴포넌트, 예를 들어, OLED의 외관에 악영향을 주고 스위치-온 상태에서 큰-영역(예를 들어, 수 cm2의 범위)의 비-발광 영역들을 야기할 수 있다는 단점을 갖는다.
도 9는 다양한 실시예들에 따라 커버를 갖는 광전자 컴포넌트(900)의 단면도를 도시하고 도 10은 도 9에 따른 광전자 컴포넌트(900)의 평면도를 도시한다.
다양한 실시예들에서, 단지 하나만의 접착제(504)가 아니라, 예를 들어, 서로 상이한 점도들을 갖는 복수의 상이한 접착제들(902, 904)을 이용하기 위한 프로비전이 이루어질 수 있다. 다양한 예시적인 실시예들에서, 접착제들(902, 904)은 상이한 경화 특성들을 가질 수 있어서, 이들은 예를 들어, 선택적으로 경화 가능하고; 이에 따라 예로서, 제 1 접착제(902)는 제 2 접착제(904)가 아직 경화되지 않는 파장 또는 에너지를 갖는 광으로 조사 시에 이미 경화할 수 있다. 따라서, 예로서(심지어 노출 마스크 없이) 제 1 접착제(902)가 경화될 수 있고 제 2 접착제(904)는 그의 점도들의 견지에서 실질적으로 변경되지 않은 채로 남아있을 수 있지만, 어느 경우에도, 아직 완전히 경화되진 않는다. 다양한 실시예들에서, 제 1 접착제(902)는 캐리어(502) 위의 부분적인 영역, 예를 들어, 캐리어(502)의 에지 영역 또는 커버(506)에 배열되고 예를 들어, 제 2 접착제(904)를 측면으로 둘러싸서, 경화된 제 1 접착제(902)는 예시적으로는 (아직 (완전히) 경화되지 않은) 제 2 접착제(904)를 수용하기 위한 리셉터클(receptacle) 영역을 형성한다. 대안적인 구성에서, 제 1 접착제(902)의 단지 부분만이 또한 완전히 경화될 수 있고 및/또는 제 2 접착제(904)의 부분이 또한 완전히 경화될 수 있다는 것이 주목되어야 한다.
다양한 실시예들에서, 제 1 접착제(902)는 다음을 물질들: 예를 들어, 에폭시 수지, 아크릴레이트, 플루오로폴리머들, 퍼플루오로폴리에테르들, PFPE(meth) 아크릴레이트들, 실리콘들, 폴리메틸 메스아클릴레이트(PMMA), MMA+PMMA, EVA(ethylene vinyl acetate), 폴리에스테르, 폴리우레탄들 등으로 구성된 풀리머 물질들 중 하나 또는 복수로 구성되거나 이를 포함할 수 있다. 또한, 다양한 예시적인 실시예들에서, 제 2 접착제(904)는 다음을 물질들: 예를 들어, 에폭시 수지, 아크릴레이트, 플루오로폴리머들, 퍼플루오로폴리에테르들, PFPE(meth) 아크릴레이트들, 실리콘들, 폴리메틸 메스아클릴레이트(PMMA), MMA+PMMA, EVA(ethylene vinyl acetate), 폴리에스테르, 폴리우레탄들 등으로 구성된 풀리머 물질들 중 하나 또는 복수로 구성되거나 이를 포함할 수 있다.
결과적으로, 다양한 실시예들에서, 광전자 컴포넌트의 내부 영역에서, 예를 들어, 광전자 컴포넌트의 활성 영역에서 "충진 물질"로서 그리고 예를 들어, 광전자 컴포넌트의 에지에서 접착 영역에 대한 상이한 물질들(예를 들어, 상이한 접착제들)을 조합하는 것이 가능하다. 따라서, 예로서, 분배 프로세스에 의해 에지에서 제 1 접착제(902)를 형성하는 것이 가능하고 예를 들어, 상이한 점도를 갖는 광전자 컴포넌트의 내부 영역, 예를 들어, 광전자 컴포넌트의 활성 영역에서 제 2 접착제(904)는 예를 들어, 인쇄 프로세스에 의해 적용될 수 있다.
대안적으로, 제 2 접착제(904) 대신, 몇몇 다른 액체, 예를 들어, 겔-유사 또는 젤리-유사 물질이 제공될 수 있으며, 예를 들어, 겔, 일반적으로 액체, 오일, 실리콘 등은 예를 들어, 제 1 접착제(902)에 의해 둘러싸이는 방식으로 광전자 컴포넌트의 내부 영역에, 예를 들어, 광전자 컴포넌트의 활성 영역에 제공될 수 있다.
결과적으로, 광전자 컴포넌트의 내부 영역, 예를 들어, 광전자 컴포넌트의 활성 영역에서, 일반적으로 제 1 접착제(902)가 경화되는 방식이 아닌 방식으로 광에 의해 경화될 수 없는(예를 들어, UV 광에 의해 경화될 수 없는) 물질이 도입되며, 그 결과, 제 2 접착제(904) 또는 대안으로서 거기에 제공된 액체 물질의 추후의 경화는 추후의 동작 동안 방지된다.
다양한 실시예들에서, 일반적으로 접착제(504, 902)가 경화되거나 경화된 부분적인 영역 외부의 내부 영역에서, 예를 들어, 활성 영역에서, 스캐터링 미립자들 또는 스캐터링 물질들은 적합한 방식으로 제공될 수 있다. 다양한 예시적인 실시예들에서, 커버(506)는 이어서 경화된 접착제(504, 902)에 의해, 예시적으로는 형성된 접착 에지에 의해 에지 영역에 대해 고정된다. 스캐터링 미립자들에 의해, 광은 이 층 내에서 스캐터링되고 그에 의해 보다 효율적으로 외부로 결합될 수 있다.
또한, 다양한 실시예들에서, 광전자 컴포넌트 내부 영역, 예를 들어, 광전자 컴포넌트의 활성 영역에서 더 낮은 굴절률을 갖는 액체, 예를 들어, 오일 또는 실리콘 등에 대한 프로비전이 이루어진다. 특정한 구조로 실현되는 커버, 예를 들어, 특정한 구조로 실현되는 커버 유리와 관련하여, 다양한 예시적인 실시예들에서, 이러한 방식으로 광전자 컴포넌트, 예를 들어, OLED의 방출 프로파일은 변동될 수 있고, 예를 들어, 타겟팅된 방식으로 세팅된다. 이 경우에, 특정한 구조로 실현되는 커버, 예를 들어, 특정한 구조로 실현되는 커버 유리는 액체, 예를 들어, 오일 또는 실리콘 등보다 더 높은 굴절률을 가질 수 있다.
도 11a 및 도 11b는 다양한 실시예들에 따른 광전자 컴포넌트(1100)(도 11A)의 단면도를 및 제 1 도(1150)(도 11b)에서 예시된 연관된 방출 프로파일(1152)을 도시한다. 도 5에 따른 광전자 컴포넌트(500) 또는 광전자 컴포넌트(1100)는 도 9에 따른 광전자 컴포넌트(900)와 유사하며, 그러한 이유로 단지 몇개의 차이들만이 아래에서 설명된다. 잔여 특징들에 관해, 도 5에 따른 광전자 컴포넌트(500) 또는 도 9에 따른 광전자 컴포넌트(900)에 관한 설명들에 대한 참조가 이루어진다. 도 11a에서 예시된 바와 같이, 커버(506) 예를 들어, 유리 필름(506)의 노출된 표면(1102)은 예를 들어, 렌즈 구조(1104)를 갖는다. 또한, 내부 영역의 물질은 커버(506)의 물질의 굴절률보다 낮은 굴절률을 갖는다. 이는 도 11b에서 예시된 바와 같은 좁아진 방출 프로파일(1152)을 야기한다.
도 12a 및 도 12b는 다양한 실시예들에 따른 광전자 컴포넌트(1200)(도 12a)의 단면도 및 제 2 도면(1250)(도 12b)에서 예시된 연관된 방출 프로파일(1252)을 도시한다. 광전자 컴포넌트(1200)는 도 5에 따른 광전자 컴포넌트(500) 또는 도 9에 따른 광전자 컴포넌트(900)와 유사하며, 그러한 이유로 단지 몇개의 차이점들만이 아래에서 설명된다. 잔여 특징들에 관해, 도 5에 따른 광전자 컴포넌트(500) 또는 도 9에 따른 광전자 컴포넌트(900)에 관한 설명들에 대한 참조가 이루어진다. 도 12a에서 예시되는 바와 같이, 커버(506), 예를 들어, 커버 유리(506) 또는 접착제(504) 쪽으로 지향되는 커버 필름(506)의 표면(1202)은 예를 들어, 렌즈 구조(1204)를 갖는다. 또한, 내부 영역의 물질은 커버(506)의 물질의 굴절률보다 낮은 굴절률을 갖는다. 이는 도 12b에서 예시되는 바와 같이 이른바 "배트윙(batwing)" 방출 프로파일(1252)을 야기한다.
결과적으로, 예시적으로는, 다양한 실시예들에 딸, 낮은 굴절률 접착제 및 대응하는 낮은 굴절률 액체는 광전자 컴포넌트, 예를 들어, OLED의 빔 형상화를 위해 내부 영역에서 이용된다.
또한, 다양한 실시예들에서, 유리 또는 그래파이트 미립자들과 같은 열 전도성 미립자들을 예를 들어, 비-경화된 접착제 또는 액체, 예를 들어, 오일 또는 실리콘 등 내로 도입하기 위한 프로비전이 이루어질 수 있으며, 그에 의해 층의 열 전도율은 추가로 증가될 수 있으며, 이는 광전자 컴포넌트, 예를 들어, 유기 발광 다이오드(100, 200, 300)의 활성 층들로부터 열의 증가된 소산을 야기할 수 있다.
다양한 실시예들에서 따라, 종래의 방법들에 있어서 단락을 야기했던 핫스폿들은 그의 효과의 견지에서 감소되거나 완화될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 핫스폿들이 검출될 수 있지만, 이들은 반드시 광전자 컴포넌트의 장애를 야기하도록 요구되지 않는다. 이는 광전자 컴포넌트, 예를 들어, OLED의 생산 동안 전체 수율의 개선 및 이에 따라 생산 비용의 잠재적인 감소를 야기할 수 있다.
또한, HIL 층 두께는 다양한 실시예들에 의해 감소될 수 있으며, 이에 따라 물질 소비의 감소에 의한 비용 절감을 발생시킨다.
광학적으로 투명한 OLED 컴포넌트들의 경우에, 다양한 실시예들에서 HIL 층 두께의 감소는 투명도에 관하여 양호한 영향을 갖는데, 그 이유는 더 작은 총 층 두께의 결과로서, OLED 내의 흡수가 감소될 수 있고, 투명도는 애탈론(etalon) 효과의 제 1 와이드 최대치(wide maximum)내로 푸시될 수 있다.
다양한 실시예들에 따라, 활성 영역에서 유기 광전자 컴포넌트, 예를 들어, OLED의 유기층들은 UV 광을 통해 손상되지 않고, 이는 유기 광전자 컴포넌트, 예를 들어, OLED의 에이징 행동(aging behavior)의 개선을 야기할 수 있다.
다양한 예시적인 실시예들에 따라 광전자 컴포넌트, 예를 들어, 발광 다이오드, 예를 들어, OLED의 활성 영역에서 더 양호한 열 전도율을 갖는 물질을 이용함으로써, 휘도 분포를 균질화하는 것이 가능하고; 또한 대-면적 컴포넌트의 경우에 휘도 에이징을 개선하는 것이 가능하다.
다양한 예시적인 실시예들에 따라 광전자 컴포넌트, 예를 들어, 발광 다이오드, 예를 들어, OLED의 활성 영역 내에 적합한 스캐터링 층들 도입함으로써, 예를 들어, 상부 방출 OLED들의 경우에, 커플링-아웃을 개선하는 것이 가능하다. 그러나 투명 OLED들의 경우에, 마찬가지로 다양한 실시예들에서, 눈에 의해 여전히 지각되지 않은 스캐터링 미립자들의 낮은 농도를 도입하기 위한 프로비전이 이루어진다.
특정한 굴절률을 갖는 액체들/오일들/실리콘들 등을 이용함으로써 그리고 다양한 실시예들에 따라 특정한 구조를 갖는 커버 유리들/필름들과 조합하여, 광전자 컴포넌트, 예를 들어, 발광 다이오드, 예를 들어, OLED의 방출 특성에 영향을 주는 것이 또한 가능하다.
위에서 기술된 바와 같이, 한편으로 커버(506)의 에지의 광전자 컴포넌트의 에지에서 접착제에 대한 상이한 실시예들에 다라 2개의 상이한 물질들의 이용을 통해, 다른 한편으로, 내부 영역, 예를 들어, 광전자 컴포넌트의 활성 영역에서의 매체들에 대해, 광학 겔은 매체로서 이용될 수 있다. 이 목적을 위해, 다양한 실시예들에서, 예로서, 에 지에서 접착제(504)에 대한 분배 프로세스 및 내부 영역, 예를 들어, 광전자 컴포넌트의 활성 영역에서 그리고 접착제(504)에 대한 분배 프로세스 매체에 대해 프린팅 프로세스(예를 들어, 스텐실 또는 닥터 블레이드(doctor blade) 등)를 이용하는 것이 가능하다.
매체로서, 다양한 실시예들에서, 위에서 기술된 바와 같이, 광학적 커플링-아웃을 개선하기 위해 또는 단락들을 방지하기 위해 액체 또는 겔이 제공된다. 또한, 열 전도율을 개선하고 이에 따라 광전자 컴포넌트, 예를 들어, OLED의 수명을 증가시키는 물질들을 이용하는 것이 가능하다.
도 13은 다양한 실시예들에 따라 광전자 컴포넌트를 생산하기 위한 방법을 예시하는 흐름도(1300)를 도시한다.
이 방법은 1302에서 적어도 하나의 접착제에 의해 광전자 컴포넌트의 층에 커버를 적용하는 것을 포함할 수 있다. 이 경우에, 예로서, 우선 접착제가 커버의 표면에 적용되고 이어서 캐리어 쪽으로 지향된 접착제를 갖는 커버는 캐리어 및 광전자 컴포넌트(예를 들어, 발광 다이오드, 예를 들어, 라인 프로세스의 프론트 엔드(front end)에서 완성된 유기 발광 다이오드)의 층에 적용될 수 있다. 대안적으로, 우선, 접착제는 캐리어 및 광전자 컴포넌트(예를 들어, 발광 다이오드, 예를 들어, 라인 프로세스의 프론트 엔드에서 완성된 유기 발광 다이오드)의 층에 적용되고 이어서 커버가 접착제에 적용될 수 있다.
또한, 이 방법은 1304에서 광전자 컴포넌트의 기판 위의 및/또는 층 위의 부분적인 영역에서 단지 적어도 하나의 접착제의 점도를 변동시키는 것을 포함할 수 있다.
다양한 실시예들에서, 점도는 광 조사에 의해 변동될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 광 조사는 자외선 광에 의한 조사에 의해 달성될 수 있다.
Claims (16)
- 광전자 컴포넌트(500)로서,
상기 광전자 컴포넌트(500)의 적어도 하나의 층(100, 200, 300);
상기 광전자 컴포넌트(500)의 층(100, 200, 300) 상의 적어도 하나의 접착제(504); 및
상기 적어도 하나의 접착제(504) 상의 커버(506)
를 포함하고,
상기 적어도 하나의 접착제(504)는 기판(502) 위의 및/또는 층(100, 200, 300) 위의 부분적인 영역(508)에서만 경화되는,
광전자 컴포넌트(500). - 제 1 항에 있어서,
상기 부분적인 영역(508)은 상기 적어도 하나의 접착제(504)의 에지 영역(508)을 포함하는,
광전자 컴포넌트(500). - 제 2 항에 있어서,
상기 에지 영역(508)은 상기 적어도 하나의 접착제(504)의 원주 구조(circumferential structure)(508)의 적어도 일 부분인,
광전자 컴포넌트(500). - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 부분적인 영역(508)은 상기 광전자 컴포넌트(500)의 활성 영역 외측에서 적어도 부분적으로 측면으로 배열되는,
광전자 컴포넌트(500). - 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 접착제(504)는 상이한 점도(viscosity)의 복수의 접착제들을 포함하는,
광전자 컴포넌트(500). - 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 부분적인 영역(508)은 액체 비-접착 물질 또는 액체 접착제가 제공되는 영역(510)을 적어도 부분적으로 둘러싸는,
광전자 컴포넌트(500). - 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
미립자들이 상기 접착제(504)에 제공되고, 상기 미립자들은 상기 접착제(504)와 상이한 굴절률을 갖는,
광전자 컴포넌트(500). - 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 접착제(504)는 상기 커버(506)보다 낮은 굴절률을 갖는,
광전자 컴포넌트(500). - 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
광학적 굴절 층이 상기 커버(506)의 적어도 하나의 표면 상에 제공되는,
광전자 컴포넌트(500). - 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
발광 다이오드로서 설계되는,
광전자 컴포넌트(500). - 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
유기 발광 다이오드로서 설계되는,
광전자 컴포넌트(500). - 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 층(100, 200, 300)은 상기 광전자 컴포넌트(500)의 캡슐화 층(encapsulation layer)을 포함하거나, 또는 그에 의해 형성되는,
광전자 컴포넌트(500). - 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 커버는 유리 또는 필름을 포함하거나, 이들로 구성되는,
광전자 컴포넌트(500). - 광전자 컴포넌트(500)를 생산하기 위한 방법으로서,
적어도 하나의 접착제(504)에 의해 광전자 컴포넌트(500)의 층(100, 200, 300)에 커버를 적용하는 단계; 및
상기 광전자 컴포넌트(500)의 기판(502) 위의 및/또는 상기 층(100, 200, 300) 위의 부분적인 영역(508)에서만 적어도 하나의 접착제(504)의 점도를 변동시키는 단계
를 포함하는,
광전자 컴포넌트(500)를 생산하기 위한 방법. - 제 14 항에 있어서,
상기 점도는 광 조사에 의해 변동되는,
광전자 컴포넌트(500)를 생산하기 위한 방법. - 제 15 항에 있어서,
상기 광 조사는 자외선 광에 의한 조사에 의해 달성되는,
광전자 컴포넌트(500)를 생산하기 위한 방법.
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