CN103563116A - 光电子器件和用于制造光电子器件的方法 - Google Patents

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Abstract

在不同的实施例中提出一种光电子器件（500）。光电子器件（500）能够具有：光电子器件（500）的至少一个层（100，200，300）；在光电子器件（500）的层（100，200，300）上的至少一个粘结剂（504）；和在至少一个粘结剂（504）上的覆盖件（506）；其中至少一个粘结剂（504）仅在衬底（502）之上的和/或层（100，200，300）之上的子区域（508）中硬化。

Description

光电子器件和用于制造光电子器件的方法
技术领域
本发明涉及一种光电子器件和一种用于制造光电子器件的方法。
背景技术
至今为止，有机发光二极管（OLED），尤其堆叠的有机发光二极管是相对于衬底表面上的粗糙度或在工艺制造期间嵌入到有机发光二极管的层中的微粒或层中的不均匀性等易受影响的。这种微粒能够在相应的有机发光二极管中造成所谓的潜在的短路（也称为热点（Hotspots）），此外所述短路首先还不能被检测，即例如不具有在红外光谱学中的标志或不具有升高的电背景信号。然而，这种热点之后能够在OLED运行中造成OLED的故障。
为了避免堆叠的OLED的这种自发的短路，将通常具有若干100nm的层厚度的厚的掺杂的空穴传导层（英语：hole injection layer（HIL），也称作空穴运输层），英语：hole transport layer（HTL））通常设为所谓的短路保护层（英语：shorts protection layer）。由此，应当使微粒等平坦化。然而，对此适合的材料还是非常昂贵的并且是显著的成本要素。通常适用的是，HIL层越厚，OLED的抗短路能力越强。
发明内容
在不同的实施例中，通过新型方法或新型工艺来降低光电子器件的、例如有机发光二极管（OLED）的、例如薄层封装的OLED的短路行为，以实现例如后侧技术（例如覆盖叠层、例如玻璃叠层）。由于根据不同的实施例的新的方法/工艺的适应性提供了新的可能性，以用于实现有效的耦合输出层或用于影响光电子器件（例如OLED）的，例如顶部发射的OLED的放射特性（或吸收特性），以及用于改进在光电子器件（例如OLED）中的热量分布或热量管理。
在不同的实施例中，提供光电子器件。光电子器件能够具有光电子器件的至少一个层；在光电子器件的层上的至少一个粘结剂；和在粘结剂上的覆盖件；其中至少一个粘结剂仅在衬底之上的和/或在层之上的子区域中硬化。
在一个设计方案中，子区域能够具有粘结剂的边缘区域。
在另一设计方案中，边缘区域能够是粘结剂的环周结构的至少一部分。
在另一设计方案中，子区域能够至少部分地横向地设置在光电子器件的有源区域之外。在不同的实施例中，光电子器件的位于由光电子器件发射的光或由光电子器件接收的光的光路中的区域能够作为有源区域。
在另一设计方案中，至少一个粘结剂能够具有不同粘度的多种粘结剂。
在另一设计方案中，在粘结剂中能够设有具有与粘结剂的折射率不同的微粒。
在另一设计方案中，粘结剂能够具有比覆盖件更低的折射率。
在另一设计方案中，能够在覆盖件的至少一个表面上设有光学折射层。
在不同的实施例中，折射层理解为具有的层，例如以若干微米数量级的周期性结构。在不同的实施例中，折射层能够具有透镜，棱锥体，或截锥结构。
在另一设计方案中，子区域能够至少部分地包围设有液态的非粘性的材料或液态的粘结剂。
在另一设计方案中，光电子器件能够设立为发光二极管或具有发光二极管，例如有机发光二极管。
在另一设计方案中，层能够是光电子器件的封装层。
在另一设计方案中，覆盖件能够具有玻璃或薄膜或者是玻璃或薄膜。
在不同的实施例中，提供一种用于制造光电子器件的方法，其中所述方法具有：借助于至少一个粘结剂将覆盖件施加到光电子器件的层上；以及仅在光电子器件的衬底之上的和/或在层之上的或仅层之外的子区域中改变至少一个粘结剂的粘度。
在一个设计方案中，粘度能够借助于光辐照来改变。
在另一设计方案中，借助于紫外光辐照来进行所述光辐照。
附图说明
本发明的实施例在附图中示出，并且在下文中被详细地阐述。
附图示出：
图1示出根据不同的实施例的未封装的且不具有覆盖件的一个光电子器件的横截面视图；
图2示出根据不同的实施例的未封装的且不具有覆盖件的一个光电子器件的横截面视图；
图3示出根据不同的实施例的未封装的且不具有覆盖件的一个光电子器件的横截面视图；
图4A至4E示出在制造根据图1的光电子器件期间在不同的时间点的所述光电子器件的横截面视图；
图5示出根据不同的实施例的具有覆盖件的光电子器件的横截面视图；
图6示出根据图5的光电子器件的俯视图；
图7A至7C示出原理横截面视图，借助于所述视图示出在粘结剂常规地整面地硬化时光电子器件的可能的损坏；
图8A至8C示出原理横截面视图，借助于所述视图示出根据不同的实施例的具有仅在子区域中硬化的粘结剂的光电子器件的叠层；
图9示出根据不同的实施例的具有覆盖件的光电子器件的横截面视图；
图10示出根据图9的光电子器件的俯视图；
图11A和11B示出根据不同实施例的光电子器件的横截面视图（图11A）和相应的放射轮廓线（图11B）；
图12A和12B示出根据不同的实施例的光电子器件的横截面视图（图12A）和相应的放射轮廓线（图12B）；以及
图13示出用于制造根据不同的实施例的光电子器件的方法的流程图。
具体实施方式
在下文中的详细的描述中参考附图，所述附图形成所述描述的一部分并且其中为了图解说明示出特定的能够实施本发明的实施形式。在此方面，相关于所描述的附图的定向使用方向术语：如“上”、“下”、“前”、“后”、“前面”、“后面”等。因为，实施形式的组件能够定位在多个不同的方位中，所以方向术语用于图解说明，并且不以任何方式受限制。可以理解的是，能够使用其他的实施形式并且能够进行逻辑的改变，而不脱离本发明的保护范围。可以理解的是，只要不特定地进行另外的说明，在此所描述的不同的示例的实施形式的特征就能够彼此组合。因此，下面的详细说明不理解为受限制的意义，并且本发明的保护范围通过附加的权利要求来限定。
在本文的范围中，使用术语“连接”、“联接”以及“耦合”以用于描述直接的且间接的连接、直接的或间接的联接以及直接的或间接的耦合。在附图中，只要是适宜的，相同的或相似的元件设有相同的附图标记。
在不同的实施例中，提供光电子器件。
在不同的实施例中，光电子器件能够构成为有机发光二极管（organic light emitting diode，OLED），构成为有机光电二极管（organic photodiode，OPD），构成为有机太阳能电池（organic solarcell，OSC），或构成为有机晶体管，例如构成为有机薄膜晶体管（organicthin film transistor，OTFT）。在不同的实施例中，光电子器件能够是集成电路的一部分。此外，能够设有多个光电子器件，例如安装在共同的壳体中。多个光电子器件能够彼此并排地和/或彼此相叠地堆叠地设置。
图1示出有机发光二极管100作为根据不同实施例的一个光电子器件的执行方案。在图1中，有机发光二极管100是还未被封装的并且也不设有覆盖件，例如保护覆盖件，如其在下文中还详细阐述。
有机发光二极管100形式的光电子器件100能够具有衬底102。衬底102例如能够用作用于电子元件或层，例如光电子元件的载体元件。例如，衬底102能够具有玻璃，石英，和/或半导体材料或任意其他适合的材料或由其构成。此外，衬底102能够具有塑料薄膜或带有一个或带有多个塑料薄膜的叠层板或由其构成。塑料能够具有一个或多个聚烯烃（例如具有高密度或低密度的聚乙烯（PE）或聚丙烯（PP））或由其构成。此外，塑料能够具有聚氯乙烯（PVC）、聚苯乙烯（PS）、聚酯和/或聚碳酸酯（PC）、聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚醚砜（PES）和/或聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）或由其构成。此外，衬底102例如能够具有金属薄膜，例如铝薄膜、不锈钢薄膜、铜薄膜或组合物或其上的层堆叠。衬底102能够具有一种或多种上述材料。衬底102能够构成为半透明的，例如透明的，部分半透明的，例如部分透明的。
在不同的实施例中，术语“半透明的层”能够理解为，对于光能穿透的层，例如对于由光电子器件产生的、例如一个或多个波长范围的光、例如对于在一个波长范围中的可见光（例如至少在380nm至780nm波长范围的子范围中）能穿透的层。例如，在不同的实施例中，术语“半透明的层”能够理解为基本上将所有的耦合输入到结构（例如层）中的光量也从所述结构（例如层）中耦合输出。
在不同的实施例中，术语“透明的层”能够理解为对于光能穿透的层（例如至少在380nm至780nm波长范围的子范围中），其中耦合输入到结构（例如层）中的光基本上也以没有散射或光转换的情况下从所述结构（例如层）中耦合输出。
在衬底102上或上方，能够施加电极104（例如以第一电极层104的形式）。第一电极104（在下文中也称作下电极104）能够由导电的材料构成或是导电的材料，例如由金属或透明导电氧化物（transparentconductive oxide，TCO）或相同的或不同的金属的和/或相同的或不同的TCO的多个层的层堆叠构成。透明导电氧化物是透明的、导电的材料，例如金属氧化物，例如氧化锌、氧化锡、氧化镉、氧化钛、氧化铟或铟锡氧化物（ITO）。除了二元的金属氧化物，例如ZnO、SnO2或In2O3之外，三元的金属氧化物，例如Zn2SnO4、CdSnO3、ZnSnO3、MgIn2O4、GaInO3、Zn2In2O5或In4Sn3O12或不同的透明导电氧化物的混合物也属于TCO族。此外，TCO不强制性对应于化学计量的组成并且还能够是p掺杂的或n掺杂的。第一电极104能够构成为阳极，即构成为空穴注入的材料。
在不同的实施例中，第一电极104能够由金属的层的组合的层堆叠构成在TCO的层上，或反之亦然。一个示例是施加在铟锡氧化物层（ITO）上的银层（在ITO上的Ag）。在不同的实施例中，第一电极104能够具有金属（例如Ag、Pt、Au、Mg）或所描述的材料的金属合金（例如AgMg合金）。在不同的实施例中，第一电极104能够具有AlZnO或类似的材料。
在不同的实施例中，第一电极104能够具有例如能够用作阴极材料、即用作电子注入的材料的金属。另外，在不同的实施例中，例如Al、Ba、In、Ag、Au、Mg、Ca或Li以及所述材料的化合物、组合物或合金能够设作为阴极材料。
在不同的实施例中，有机发光二极管100能够设立为所谓的顶部发射体和/或所谓的底部发射体。在不同的实施例中，顶部发射体能够理解为有机发光二极管，其中将光从有机发光二极管向上、例如穿过第二电极放射。在不同的实施例中，底部发射体能够理解为有机发光二极管100，其中将光从有机发光二极管100向下，例如穿过衬底和第一电极放射。
在衬底102上或上方，能够施加第一电极104（例如以第一电极层104的形式）。第一电极104（在下文中也称为下电极104）能够由导电材料构成或是导电材料，例如由金属或导电透明氧化物（transparentconductive oxide，TCO）或相同的或不同的金属的和/或相同的或不同的TCO的多个层的层堆叠构成。透明导电氧化物是透明的、导电的材料，例如金属氧化物，例如氧化锌、氧化锡、氧化镉、氧化钛、氧化铟或铟锡氧化物（ITO）。除了二元的金属氧化物，例如ZnO、SnO2或In2O3之外，三元的金属氧化物，例如Zn2SnO4、CdSnO3、ZnSnO3、MgIn2O4、GaInO3、Zn2In2O5或In4Sn3O12或不同的透明导电氧化物的混合物也属于TCO族。此外，TCO不强制性对应于化学计量的组成并且还能够是p掺杂的或n掺杂的。
在不同的实施例中，第一电极104能够具有金属；例如Ag、Pt、Au、Mg、Al、Ba、In、Ag、Au、Mg、Ca、Sm或Li，以及所述材料的化合物、组合物或合金。
在不同的实施例中，第一电极104能够由金属的层的组合的层堆叠构成在TCO的层上，或反之亦然。一个示例是施加在铟锡氧化物层（ITO）上的银层（在ITO上的Ag）或ITO-Ag-ITO多层。
在不同的实施例中，替选于或除了上述材料以外，第一电极能够设有下述材料中的一种或多种：由金属纳米线和纳米颗粒，例如Ag构成的网络；由碳纳米管构成的网络；石墨颗粒或石墨层；由半导体纳米线构成的网络。
此外，所述电极能够具有导电的聚合物或过渡金属氧化物或透明导电氧化物。
对于发光器件100放射穿过衬底的光的情况，第一电极104和衬底102能够构成为半透明的或透明的。在此情况下，能够对于第一电极104由金属构成的情况，第一电极104例如能够具有小于或等于大约25nm的层厚度，例如小于或等于大约20nm的层厚度，例如小于或等于大约18nm的层厚度。此外，第一电极104例如能够具有大于或等于大约10nm的层厚度、例如大于或等于大约15nm的层厚度。在不同的实施例中，第一电极104能够具有在大约10nm至大约25nm的范围中的层厚度，例如在大约10nm至大约18nm的范围中的层厚度，例如在大约15nm至大约18nm的范围中的层厚度。
此外，对于第一电极104是半透明的或透明的情况和对于第一电极104由透明导电氧化物（TCO）构成的情况，第一电极104例如具有在大约50nm至大约500nm的范围中的层厚度，例如在大约75nm至大约250nm的范围中的层厚度，例如在大约100nm至大约150nm的范围中的层厚度。
此外，对于第一电极104是半透明的或透明的情况和对于第一电极104由例如能够与导电聚合物组合的例如由Ag构成的金属纳米线所构成的网络、能够与导电聚合物组合的由碳纳米管构成的网络或由石墨层和复合材料构成的情况，第一电极104例如具有在大约1nm至大约500nm的范围中的层厚度，例如在大约10nm至大约400nm的范围中的层厚度，例如在大约40nm至大约250nm的范围中的层厚度。
对于发光器件100将光仅向上放射的情况，第一电极104也能够设立为不透明的或能反射的。在此情况下，第一电极104例如能够具有大于或等于大约40nm的层厚度，例如大于或等于大约50nm的层厚度。
第一电极104能够构成为阳极，即构成为空穴注入的电极或构成为阴极，即构成为电子注入的阴极。
第一电极104能够具有第一电端子，能够将第一电势（由能量源（未示出）提供）（例如电流源或电压源）施加到所述第一电端子上。替选地，第一电势能够施加到衬底102上或是施加在衬底102上的，并且此外然后间接地被输送给第一电极104或是输送给第一电极104的。第一电势例如能够是接地电势或不同预设的参考电势。
此外，光电子器件100能够具有有机功能层结构106，所述层结构施加在第一电极104上或上方或者是施加在第一电极104上或上方的。
有机功能层结构106能够包含一个或多个发射体层108，例如具有发荧光的和/或发磷光的发射体，以及一个或多个空穴传导层110。
用于在根据不同的实施例的光电子器件100中能够用于发射体层108的发射体材料的示例，包含有机的或有机金属的化合物，如聚芴、聚噻吩和聚苯（例如2或2,5取代的聚对苯乙炔）的衍生物以及金属络合物，例如铱络合物如发蓝色磷光的FIrPic（双（3,5-二氟-2-（2-吡啶）苯基-（2-羧基吡啶）-铱III），发绿色磷光的Ir（ppy）3（三（2-苯基吡啶）铱III），发红色磷光的Ru（dtb-bpy）3*2（PF6）（三[4,4’-二-叔丁基-（2,2’）二吡啶]钌（III）络合物）以及发蓝色荧光的DPAVBi（4,4-二[4-（二-对-甲苯氨基）苯乙烯基]联苯基），发绿色荧光的TTPA（9,10-二[N,N-二-（对甲苯基）氨基]蒽）和发红色荧光的DCM2（4-二氰基甲基）-2-甲基-6-久洛尼定基-9-烯基-4H-吡喃）作为非聚合物的发射体。这种非聚合物的发射体例如能够借助于热蒸镀来沉积。此外，能够使用聚合物发射体，所述聚合物发射体尤其能够借助于湿法化学的方法，例如旋涂（Spin Coating）或狭缝模具式涂布（Slot Dye Coating）来沉积。
发射体材料能够以适合的方式嵌入基体材料中。
应当注意的是，在其他的实施例中同样设有其他适合的发射体材料。
光电子器件100的发射体层108的发射体材料例如能够选择为，使得光电子器件100发射白光。发射体层108能够具有不同颜色（例如蓝色和黄色或蓝色、绿色和红色）发射的发射体材料，替选地发射体层108也能够由多个子层构造，如发蓝色荧光的发射体层108或发蓝色磷光的发射体层108、发绿色磷光的发射体层108和发红色磷光的发射体层108。通过混合不同的颜色，能够得出具有白色的色彩印象的光。替选地，也能够提出，由所述层产生的初级发射的光路中设置有转换材料，所述转换材料至少部分地吸收初级辐射并且发射不同波长的次级辐射，使得从（还不是白色的）初级辐射通过将初级辐射与次级辐射进行组合来得出白色的色彩印象。
通常，有机功能层结构106能够具有一个或多个功能层。一个或多个功能层能够具有有机聚合物、有机低聚物、有机单体、有机的小的非聚合物的分子（“小分子”）或这些材料的组合。例如，有机功能层结构106具有构成为或者是空穴运输层110的一个或多个功能层，使得例如在是OLED的情况下能够实现将空穴有效地注入到电致发光的层中或电致发光的区域中。替选地，在不同的实施例中，有机的电致发光的层结构能够具有一个或多个功能层，所述功能层能够构成为电子运输层（未示出）和/或构成为电子注入层（未示出），使得例如在是OLED的情况下，能够实现将电子有效地注入到电致发光的层中或电致发光的区域中。作为用于空穴运输层110的材料，例如能够使用叔胺、咔唑衍生物（Carbazoderivate）、导电的聚苯胺或聚乙烯二氧噻吩。在不同的实施例中，一个或多个功能层能够构成为电致发光的层。
在不同的实施例中，能够将空穴运输层110例如以沉积的方式施加在第一电极104上或上方，并且能够将发射体层108例如以沉积的方式施加在空穴运输层110上或上方。
在不同的实施例中，有机功能层结构106（即例如空穴运输层110和发射体层108的厚度的总和）能够具有最大大约1.5μm的层厚度，例如最大大约1.2μm的层厚度，例如最大大约1μm的层厚度，例如最大大约800nm的层厚度，例如最大大约500nm的层厚度，例如最大大约400nm的层厚度，例如最大大约300nm的层厚度。在不同的实施例中，有机功能层结构106例如能够具有多个直接彼此叠加地设置的有机发光二极管（OLED）的堆叠，其中每个OLED例如能够具有最大大约1.5μm的层厚度，例如最大大约1.2μm的层厚度，例如最大大约1μm的层厚度，例如最大大约800nm的层厚度，例如最大大约500nm的层厚度，例如最大大约400nm的层厚度，例如最大大约300nm的层厚度。在不同的实施例中，有机功能层结构106例如能够具有三个或四个直接彼此叠加设置的OLED的堆叠，在此情况下，有机功能层结构106例如能够具有最大大约3μm的层厚度。
通常，光电子器件100能够可选地具有例如设置在一个或多个发射体层108上或上方的其他的有机功能层，所述有机功能层用于改进光电子器件100的功能性进而改进效率。
在有机功能层结构106上或上方或者必要时在一个或多个其他的有机功能层上或上方能够施加第二电极112（例如以第二电极层112的形式）。
在不同的实施例中，第二电极112具有与第一电极104相同的材料或由其构成，其中在不同的实施例中金属是特别适合的。
在不同的实施例中，第二电极112例如能够具有小于或等于大约50nm的层厚度，例如小于或等于大约45nm的层厚度，例如小于或等于大约40nm的层厚度，例如小于或等于大约35nm的层厚度，例如小于或等于大约30nm的层厚度，例如小于或等于大约25nm的层厚度，例如小于或等于大约20nm的层厚度，例如小于或等于大约15nm的层厚度，例如小于或等于大约10nm的层厚度。
第二电极112通常能够以与第一电极104类似的方式，或以不同于所述第一电极104的方式被构成或是如此构成的。在不同的实施例中，第二电极112能够由一种或多种材料并且以相应的层厚度（根据第二电极是否应被构成为能反射的、半透明的或透明的）构成或是如此构成的，如在上文中结合第一电极104所描述。
在不同的实施例中，第二电极112（也能够称为覆盖接触部（Deckkontakt）112）能够构成为半透明的或透明的。
然而，在不同的实施例中，第二电极112能够具有任意更大的层厚度，当第二电极112半透明地或透明地构成时，具有例如至少1μm的层厚度。
第二电极112能够具有第二电端子，由能量源提供的第二电势（不同于第一电势）能够施加到第二电端子上。第二电势例如能够具有下述值：其与第一电势的差具有在大约1.5V至大约20V的范围中的值，例如在大约2.5V至大约15V的范围中的值，例如在大约5V至大约10V的范围中的值。
在不同的实施例中，在第二电极112上或上方施加有镜面层结构114。
在不同的实施例中，镜面层结构114具有最小1μm的层厚度。
在不同的实施例中，镜面层结构114具有一个或多个金属膜。
镜面那层结构114的一个或多个金属膜能够（分别）具有在大约5nm至大约5000nm的范围中的层厚度，例如具有在大约15nm至大约1000nm的范围中的层厚度，例如具有在大约50nm至大约300nm的范围中的层厚度，使得镜面层结构114具有在大约10nm至大约5000nm的范围中的总层结构厚度，例如具有在大约15nm至大约1000nm的范围中的层厚度，例如具有在大约50nm至大约300nm的范围中的层厚度。
对于所述情况而言，能够将所有如上文中针对第二电极112所列出的材料用于镜面层结构114。因此，也能够例如设有掺杂的金属氧化物化合物，如ITO、IZO或AZO，所述化合物能够借助于低损坏的沉积工艺来沉积，例如借助于“面部靶溅射（Facial Target Sputtering）”。
镜面层结构114能够具有一个或多个镜面。如果镜面层结构114具有多个镜面，那么相应的镜面借助于相应的介电层彼此分开。
在不同的实施例中，也能够略去镜面层结构114并且其功能由第二电极112提供。
在不同的实施例中能够设有例如用于改进附着性或可加工性的附加的层。
此外，有机发光二极管100还能够具有一个或多个封装层（未示出），例如一个或多个薄层封装层，所述薄层封装层例如能够在后端工艺处理期间被施加。
在不同的实施例中，通过光电子器件的、例如OLED的光学半透明的、例如光学透明的接地接触部（也称为第一电极）放射光（在此情况下，光电子器件设立为“底部发射体”）。
图2示出一种有机发光二极管200作为根据不同的实施例的一个光电子器件的实施方式。
根据图2，有机发光二极管200在多个方面与根据图1的有机发光二极管100相同，因此在下文中仅详细阐述根据图2的有机发光二极管200与根据图1的有机发光二极管100的不同之处；在根据图2的有机发光二极管200的其余元件方面，参考根据图1的有机发光二极管100的上述实施方案。
不同于根据图1的有机发光二极管100，在根据图2的有机发光二极管200中，镜面层结构202不构成在第二电极112上或上方，而是构成在第一电极104之下。
在这些实施例中，能量源连接到第一电极104的第一电端子上并且连接到第二电极112的第二电端子上。
根据图2的有机发光二极管200能够构成为顶部发射体或者是构成为顶部发射体的。
在不同的实施例中，根据图2的有机发光二极管200直观地是表面发射的OLED。在所述实施例中，两个接触部（也就是说第一电极104和第二电极112）是半透光的，例如半透明的。
此外，在根据图2的有机发光二极管200中，将封装层结构204，例如薄层封装204形式的封装层结构设置在第二电极112上或上方。
因此，在不同的实施例中，衬底侧发射的光电子器件（例如衬底侧发射的OLED）直观地转印刷到表面侧发射的光电子器件（例如表面侧发射的OLED），如其在图2或图3中示出。在此，外部的金属镜面能够设置在光学半透明的、例如透明的接地接触部之下或者是设置在其之下的。在此情况下，光例如穿过光学半透明的、例如透明的覆盖接触部（例如第二电极）离开OLED进而该OLED例如构成为顶部发射体。
在不同的实施例中，镜面层结构，例如厚的金属镜面能够直接施加到衬底102上，并且同时形成下接触部，即光电子器件300的、例如OLED300的第一电极302。这种光电子器件300在图3中示出。
根据图3的光电子器件300的其余的层堆叠与根据图2的光电子器件200的层堆叠相同。
应当指出的是，在替选的实施例的范围中，有机发光二极管也能够具有任意其他适合的结构。
图4A至图4F示出在制造根据不同实施例的光电子器件100期间在不同时间点的所述光电子器件。
图4A示出在制造光电子器件100期间的第一时间点400的所述光电子器件100。
在此时间点，第一电极104被施加到衬底102上，例如以沉积的方式，例如借助于CVD法（化学气相沉积，chemical vapor deposition）或借助于PVD法（物理气相沉积，physical vapor deposition，例如溅射、离子增强的沉积法或热蒸镀），替选地借助于电镀法；浸入沉积法（Tauchabscheideverfahren）；旋涂法（spin coating）；印刷；刮涂；或喷射。
在不同的实施例中，作为CVD法能够使用等离子增强化学气相沉积（plasma enhanced chemical vapor deposition，PE-CVD）。在此，在上面应当施加有待施加的层的元件之上和/或周围的体积中能够产生等离子体，其中至少两种气态的起始化合物被输送给所述体积，所述起始化合物在等离子体中被离子化并且被激发以相互反应。通过产生等离子体能够是可行的是，能够将元件表面热到以便实现例如介电层的产生的温度相对于不具有等离子体的CVD法降低。当元件、例如待形成的发光电子器件在高于最高温度的温度下被损坏时，这例如能够是有利的。根据不同的实施例，在待形成的发光电子器件中，最高温度例如能够为大约120℃，使得例如施加介电层的温度能够小于或等于120℃并且例如小于或等于80℃。
图4B示出在制造光电子器件100期间的第二时间点402的所述光电子器件。
在此时间点，一个或多个空穴传导层110被施加到第一电极104上，例如以沉积的方式，例如借助于CVD法（化学气相沉积，chemicalvapor deposition）或借助于PVD法（物理气相沉积，physical vapordeposition，例如溅射，离子增强沉积法或热蒸镀），替选地借助于电镀法；浸入沉积法；旋涂法（spin coating）；印刷；刮涂；或喷射。
图4C示出在制造光电子器件100期间的第三时间点404的所述光电子器件。
在此时间点，一个或多个发射体层108被施加到一个或多个空穴传导层110上，例如以沉积的方式，例如借助于CVD法（化学气相沉积，chemical vapor deposition）或借助于PVD法（物理气相沉积，physical vapor deposition，例如溅射，离子增强沉积法或热蒸镀），替选地借助于电镀法；浸入沉积法；旋涂法（spin coating）；印刷；刮涂；或喷射。
图4D示出在制造光电子器件100期间的第四时间点406的所述光电子器件。
在此时间点，第二电极112被施加到一个或多个其他的有机功能层（当其存在时）上或施加到一个或多个发射体层108上，例如以沉积的方式，例如借助于CVD法（化学气相沉积，chemical vapor deposition）或借助于PVD法（物理气相沉积，physical vapor deposition，例如溅射，离子增强沉积法或热蒸镀），替选地借助于电镀法；浸入沉积法；旋涂法（spin coating）；印刷；刮涂；或喷射。
图4E示出在制造光电子器件100期间的第五时间点408的所述光电子器件。
在此时间点，具有上文所描述的横向的导热性的镜面层结构114被施加到第二电极112上，例如借助于CVD法（化学气相沉积，chemicalvapor deposition）或借助于PVD法（物理气相沉积，physical vapordeposition，例如溅射，离子增强沉积法或热蒸镀），替选地借助于电镀法；浸入沉积法；旋涂法（spin coating）；印刷；刮涂；或喷射。
图5示出根据不同的实施例的具有覆盖件的光电子器件500的横截面视图。
如在图5中示出，在不同的实施例中，光电子器件500能够具有载体502，例如衬底502。载体502能够具有任意的、例如电绝缘的材料。在不同的实施例中，载体502也能够由衬底102构成。在不同的实施例中，载体502能够由在上文中结合衬底102所描述的材料构成。
（还不完整的）光电子器件（必要时已经设有薄层封装），例如有机发光二极管100、200、300被施加，例如被固定，例如被粘贴在载体502上或被沉积在所述载体502上。
在不同的实施例中，将覆盖件506、例如玻璃覆盖件506借助于粘结剂504固定，例如粘贴或例如叠层在（还不完整的）光电子器件上，例如在有机发光二极管100、200、300上。因此，直观地，粘结剂504被施加在有机发光二极管100、200、300上，例如施加在有机发光二极管100、200、300的上部露出的层上并且覆盖件506被施加，例如被安置在粘结剂504上。在不同的实施例中，覆盖件能够由电绝缘的薄膜，例如塑料薄膜，导电的薄膜，例如金属薄膜等构成。
在不同的实施例中，粘结剂504能够具有一种或多种下述材料或由其构成：聚合物材料，例如由环氧树脂、丙烯酸酯、含氟聚合物、全氟聚合物、PFPE-（甲基）丙烯酸酯、硅树脂、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、MMA+PMMA、乙烯-醋酸乙烯酯（EVA）、聚酯、聚氨酯等组成。
首先，粘结剂504在施加时是液态的，例如明胶状的或胶冻状的，并且具有在大约0.001Pa*s至3000Pa*s的范围中的粘度，例如在大约1Pa*s至500Pa*s的范围中的粘度，例如在大约20Pa*s至60Pa*s的范围中的粘度（其中所给出的值是在室温下的典型值）。之后，粘结剂504的一部分或所有的粘结剂504（例如当粘结剂仅存在于子区域中，并且例如在下文中还更详细阐述的内部区域用另一材料填充时）在其粘度方面进行改变，例如被硬化，例如被叠层，如在下文中再更详细阐述。
例如，在不同的实施例中预设的叠层工艺的范围中，覆盖件506，例如玻璃覆盖件506（例如在整面地）被叠层到有机发光二极管100、200、300上，例如叠层到所述发光二极管的背侧上。为了使粘结剂504硬化，粘结剂504整面地被施加到有机发光二极管100、200、300上并且通常整面地用紫外辐射来曝光（见图7A至图7C）。在所述过程中，例如使粘结剂504聚合。在此，粘结剂504通常收缩几个百分比或者根据所使用的粘结剂504相应地膨胀。然而，所述过程能够引发有机发光二极管100、200、300（例如包括其必要时预设的薄层封装）和粘结剂504之间的边界面上的机械应力。因此，嵌入的颗粒例如能够被压入到有机发光二极管100、200、300中或从中抽出。在有机发光二极管100、200、300运行时，这能够造成整个光电子构件的短路。如果材料在运行期间不同地膨胀，那么这能够造成类似的特性。图7A以第一视图700示出还未硬化的粘结剂504，其中颗粒702包含在粘结剂504中和/或有机发光二极管100、200、300中。图7A以第二视图710示出借助于整面的UV曝光硬化的粘结剂712，所述粘结剂由于UV曝光而收缩或膨胀。由此，在有机发光二极管100、200、300和粘结剂712之间的边界面上产生机械应力，所述机械应力作用到颗粒702上（在图7B中借助于箭头714来表示）。在运行时，有机发光二极管100、200、300变热并且又引发机械应力。有机物能够从有机发光二极管100、200、300中抽出或压入到有机发光二极管100、200、300中（在图7C中以具有升高的机械应力的区域722的第三视图720表示），这能够造成短路或也能够造成例如封装层的脱层，用闪电符号716表示。
再参考图5，在光电子器件500中，粘结剂504仅在衬底502之上的和/或有机发光二极管100、200、300之上的、例如在层之上的子区域中硬化。在不同的实施例中，子区域是载体502之上的、有机发光二极管100、200、300旁边的区域。在此情况下，直观地例如将粘结剂504的边缘区域508硬化，相反地，粘结剂504的由粘结剂504的边缘区域508基本上完全包围的内部区域510的粘度保持基本上不改变进而还保持为液态地、例如明胶状地或胶冻状地构成（见例如图6中的俯视图，其中未示出覆盖件506）。借助于虚线示出的有机发光二极管100、200、300表示为：所述有机发光二极管被粘结剂504完全覆盖。直观地，在不同的实施例中，粘结剂504的边缘区域508能够具有粘结剂504的环周区域或由所述环周区域构成。
应当指出的是，在不同的实施例中，边缘区域510能够横向地延伸至有机发光二极管100、200、300的边缘，使得能够除了有机发光二极管100、200、300以外不存在液态的粘结剂504，而是粘结剂504的被硬化的部分直接横向地连接到有机发光二极管100、200、300上。
此外，在不同的实施例中能够提出，边缘区域部分地或完全地也在有机发光二极管100、200、300之上进而在光电子器件500的有源区域之上延伸，其中然而有机发光二极管100、200、300之上的进而光电子器件500的有源区域之上的内部区域具有粘结剂504，所述粘结剂的粘度保持基本上不变进而还保持为液态地、例如明胶状地或胶冻状地构成。
因此，直观地在不同的实施例中，粘结剂504即整面地施加到载体502和/或有机发光二极管100、200、300和/或覆盖件506上，然而例如光电子器件500的边缘区域、例如边缘区域510的之上的（例如光电子器件500的有源面之外的）粘结剂504的仅一个子区域被硬化，例如曝光，例如借助于UV光曝光。然而，也能够将其他波长范围中的光，例如将还更小波长的光用于硬化粘结剂504。应当指出的是，在替选的实施例中，同样能够使用其他方法用于在子区域中硬化粘结剂504，例如借助于电热源（未示出）局部地加热。通过仅在衬底或有机发光二极管100、200、300之上的子区域中局部地硬化粘结剂，粘结剂504保持其在粘结剂504被硬化的、在例如光电子器件500的有源区域中的子区域之外的明胶式或胶冻式的稠度。
直观地，图5示出光电子器件500，例如OLED500，具有在光电子器件500、例如OLED500的有源区域中的未被硬化的粘结剂和玻璃叠层。在粘结剂504的边缘区域中，粘结剂504被硬化进而建立载体502和覆盖件506、例如覆盖玻璃506之间的（粘结）连接。因此，防止覆盖件506、例如覆盖玻璃506相对于载体502滑落。
存在于粘结剂504中的、或已经在有机发光二极管100、200、300的各个层的蒸镀期间被引入到有机发光二极管100、200、300中的颗粒802，现在根据不同的实施例不再被压入到有机发光二极管100、200、300中或从中抽出。
图8A至8C示出原理横截面视图，借助于所述原理横截面视图示出根据不同的实施例的具有仅在子区域中硬化的粘结剂的光电子器件的叠层。如在图8A的第一视图800中示出，为了局部地硬化粘结剂504，将粘结剂504整面地施加到有机发光二级管100、200、300上，并且仅在子区域中整面地硬化，例如用紫外辐射来曝光（见图8B中的第二视图810），其中在图8B中示出的子区域不被硬化进而其粘度保持基本上不变（在图8B中用812标出）。在所述过程中，使粘结剂504例如在被曝光的子区域中聚合。在此，粘结剂504通常在被曝光的子区域中收缩几个百分比或根据所使用的粘结剂504相应地膨胀。因为粘结剂504的在图8B中示出的区域812然而不被硬化，所以在此区域中相对于常规的处理方式不产生机械应力或至少仅产生降低的机械应力。因此，嵌入的颗粒802同样不承受机械应力或仅承受降低的机械应力。在有机发光二极管100、200、300运行时，仅对于颗粒802从有机发光二极管100、200、300中被抽出的情况，粘结剂504的仍为液态的部分812能够流入所形成的材料空隙中（也称为缺陷部位822，见图8C中的第三视图820）并且填充所述材料空隙。因为，粘结剂504在不同的实施例中电绝缘地构成，所以粘结剂504直观地将缺陷部位822困住或隔离。在其周围形成一种场地（Hof），其中存在较少的粘结剂材料。
通过在光电子器件的内部区域510中的、例如在有源区域中的液态的、例如明胶状的或胶冻状的介质，能够将在已经存在的热点处形成的热量更好地向外导出，因为介质是可运动的（液态的）进而能够进行更好的热交换（可能地也通过对流）。此外，根据不同的实施例，能够防止覆盖件506、例如也称为覆盖玻璃506的玻璃覆盖件506在短路部位处脱层，这在硬化的粘结剂504中通常通过材料在短路部位处突然地蒸发而引起。根据不同的实施例，脱层的区域（显著）大于原本的短路区域。这例如在透明的器件中具有的缺点是，这种脱层部位不仅在断开的状态下对光电子器件的、例如OLED的外观产生负面影响或在接通的状态下造成大面积的不发光的区域（例如在若干cm2的区域中）。
图9示出根据不同的实施例的具有覆盖件的光电子器件900的横截面视图；以及图10示出根据图9的光电子器件的俯视图。
在不同的实施例中，能够提出，不仅使用一个粘结剂504，而是使用例如具有彼此不同的粘度的多种不同的粘结剂902、904。在不同的实施例中，粘结剂902、904能够具有不同的硬化特性，使得所述粘结剂是可选地能硬化的；因此，第一粘结剂902在用一个波长或能量的光辐照时已经能够硬化，其中第二粘结剂904还未硬化。因此，第一粘结剂902例如（仅在没有曝光掩模的情况下）能够被硬化，并且第二粘结剂904的粘度保持基本上不变，然而无论如何还未完全地被硬化。在不同的实施例中，第一粘结剂902设置在载体502之上的子区域中，例如设置在载体502或覆盖件506的边缘区域中并且例如横向地包围第二粘结剂904，使得硬化的第一粘结剂902直观地形成用于容纳（不（完全地）硬化的）第二粘结剂904的容纳区域。应当指出的是，在一个替选的设计方案中，第一粘结剂902的仅一部分也能够完全地被硬化和/或第二粘结剂904的一部分也能够完全地被硬化。
在不同的实施例中，第一粘结剂902能够具有一种或多种下述材料或由其构成：聚合物材料，其例如由环氧树脂、丙烯酸酯、含氟聚合物、全氟聚合物、PFPE-（甲基）丙烯酸酯、硅树脂、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、MMA+PMMA、乙烯-醋酸乙烯酯（EVA）、聚酯、聚氨酯等组成。此外，在不同的实施例中，第二粘结剂904能够具有一种或多种下述材料或由其构成：聚合物材料，其例如由环氧树脂、丙烯酸酯、含氟聚合物、全氟聚合物、PFPE-（甲基）丙烯酸酯、硅树脂、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、MMA+PMMA、乙烯-醋酸乙烯酯（EVA）、聚酯、聚氨酯等组成。
因此，在不同的实施例中，能够将用于例如在光电子器件的边缘处的粘结区域的和在光电子器件的内部区域中的、例如在光电子器件的有源区域中的作为“填充材料”的不同的材料（例如不同的粘结剂）相互组合。因此，第一粘结剂902例如能够在边缘处通过分散工艺构成，并且第二粘结剂904例如能够以不同的粘度，例如借助于印刷工艺施加在光电子器件的内部区域中，例如在光电子器件的有源区域中。
替选地，代替第二粘结剂904能够设有另一液态的、例如明胶状或胶冻状的材料，例如，在光电子器件的内部区域中，例如在光电子器件的有源区域中，例如以被第一粘结剂902包围的方式设有凝胶，通常是液体、油、硅树脂等。
因此，在光电子器件的内部区域中，例如在光电子器件的有源区域中，能够引入能够不借助于光（例如不借助于UV光），通常不以第一粘结剂902硬化的方式来硬化的材料，由此阻止在之后的运行中的第二粘结剂904的或替选于此设有的液态材料的之后的硬化。
在不同的实施例中，在内部区域中，通常在粘结剂504、902被硬化或是硬化的子区域之外，例如在有源区域中，以适当的方式设有散射颗粒或散射材料。然后，在不同的实施例中，在边缘区域处借助于硬化的粘结剂504、902、直观地通过所形成的粘结边缘进行覆盖件506的固定。通过散射颗粒能够将光在所述层之内散射，进而能够将所述光更有效地耦合输出。
此外，在不同的实施例中提出，在光电子器件的内部区域中，例如在光电子器件的有源区域中使用具有更低的折射率的液体，例如油，或硅树脂等。在不同的实施例中，结合以特殊的结构构成的覆盖件，例如以特殊的结构构成的覆盖玻璃，能够以这种方式改变并且例如有针对性地调节光电子器件的、例如OLED的放射轮廓线。在此，以特殊的结构构成的覆盖件，例如以特殊的结构构成的覆盖玻璃能够具有比液体，例如油，或硅树脂等更高的折射率。
图11A和图11B示出根据不同的实施例的光电子器件1100的横截面视图（图11A）并且以第一图表1150示出相应的放射轮廓线1152（图11B）。光电子器件1100类似于根据图5的光电子器件500或类似于根据图9的光电子器件900，因此在下文中仅阐述一些不同之处。鉴于其余特征的方面，参考根据图5的光电子器件500的或根据图9的光电子器件900的实施方案。如在图11A中示出，覆盖件506的、例如覆盖玻璃506的或覆盖薄膜506的露出的表面1102例如具有透镜结构1104。此外，在内部区域中的材料具有的折射率小于覆盖件506的材料的折射率。这造成放射轮廓线1152变窄，如图11B中所示出。
图12A和图12B示出根据不同的实施例的光电子器件1200的横截面视图（图12A）和以第二图表1250示出的相应的放射轮廓线1252（图12B）。光电子器件1200类似于根据图5的光电子器件500和根据图9的光电子器件900，因此在下文中仅阐述一些不同之处。鉴于其余特征的方面，参考根据图5的光电子器件500的或根据图9的光电子器件900的实施方案。如在图12A中示出的，覆盖件506的、例如覆盖玻璃506的或覆盖薄膜506的朝粘结剂504、904定向的表面1202例如具有透镜结构1204。此外，在内部区域中的材料具有的折射率小于覆盖件506的材料的折射率。这引起所谓的“蝠翼型”放射轮廓线1252，如在图12B中所示出。
因此，直观地在不同的实施例中，在用于光电子器件、例如OLED的射束成形的内部区域中使用更低折射率的粘结材料或相应更低折射率的液体。
此外，在不同的实施例中能够提出，将导热的颗粒例如玻璃或石墨颗粒引入到未硬化的粘结剂或液体中，例如油，或硅树脂等中，因此能够进一步提高层的导热性，这能够引起光电子器件、例如有机发光二极管100、200、300的有源层的更好的散热。
在不同的实施例中，以常规的方法造成短路的热点能够被减少或减少其作用。甚至在不同的实施例中，能够检测到未必引起光电子器件失效的热点。这能够引起在制造这种光电子器件、例如OLED时的总产量的改进进而引起制造成本的潜在的降低。
此外，通过不同的实施例能够降低HIL层厚度，由此通过降低材料消耗得出成本节约。
在不同的实施例中，在光学透明的OLED构件中，HIL层厚度的减少具有对于透明度的正面影响，因为由于更低的总层厚度能够降低在OLED之内的吸收，并且透明度能够移入到酒精效应的第一宽的最大值中。
根据不同的实施例，有机光电子器件的、例如OLED的有机层在有源面中不由UV光损坏，这能够引起有机光电子器件的、例如OLED的老化特性的改进。
通过在根据不同的实施例的光电子器件的、例如发光二极管的、例如OLED的有源区域中使用具有更好导热性的材料，能够使亮度分布均匀化；此外能够改进在大面积的构件中的亮度时效。
通过在根据不同的实施例的光电子器件、例如发光二极管、例如OLED的有源区域之内引入适合的散射层，例如在顶部发射的OLED中能够改进耦合输出。但是在透明的OLED中，在不同的实施例中提出，引入由眼睛还不能感受到的散射颗粒的小的浓度。
根据不同的实施例，通过使用具有特殊的折射率的液体/油/硅树脂等并且与具有特殊结构的覆盖玻璃/薄膜结合此外可行的是，对光电子器件的、例如发光二极管的、例如OLED的放射特性产生影响。
如上文所描述的，根据不同的实施例，在一方面对于在光电子器件的边缘处的或在覆盖件506的边缘处的粘结剂和另一方面对于在光电子器件的内部区域中的、例如在光电子器件的有源区域中的介质使用两种不同的材料时，能够将光学凝胶用作介质。为此，在不同的实施例中例如能够将印刷工艺（例如利用模板或刮板等）用于在光电子器件的内部区域中的、例如有源区域中的介质，并且在边缘处将分散工艺用于粘结剂504。
在不同的实施例中，如上面已经描述的，将液体或凝胶设作介质以用于改进光学耦合输出或用于避免短路。此外，能够使用改进导热率进而提高光电子器件的、例如OLED的使用寿命的材料。
图13示出流程图1300，其中示出用于制造根据不同的实施例的光电子器件的方法。
所述方法能够具有：在1302中，将覆盖件借助于至少一个粘结剂施加到光电子器件的层上。在此，例如能够首先将粘结剂施加到覆盖件的表面上，并且然后能够将覆盖件借助于粘结剂以朝载体定向的方式施加到光电子器件（例如在前端制程工艺中制成的发光二极管，例如有机发光二极管）的层和载体上。替选地，首先能够将粘结剂施加到光电子器件（例如在前端制程工艺中制成的发光二极管，例如有机发光二极管）的层和载体上，然后能够将覆盖件施加到粘结剂上。
此外，所述方法能够具有：在1304中，将至少一个粘结剂的粘度仅在光电子器件的衬底之上的和/或在层之上的子区域中改变。
在不同的实施例中，能够借助于光辐照来改变粘度。在不同的实施例中，能够借助于紫外光辐照来进行光辐照。

Claims (16)

1.一种光电子器件（500），具有：
-所述光电子器件（500）的至少一个层（100，200，300）；
-在所述光电子器件（500）的所述层（100，200，300）上的至少一个粘结剂（504）；和
-在至少一个所述粘结剂（504）上的覆盖件（506）；
-其中至少一个所述粘结剂（504）的仅在衬底（502）之上和/或所述层（100，200，300）之上的子区域（508）中硬化。
2.根据权利要求1所述的光电子器件（500），
其中所述子区域（508）具有至少一个所述粘结剂（504）的边缘区域（508）。
3.根据权利要求2所述的光电子器件（500），
其中所述边缘区域（508）是至少一个所述粘结剂（504）的环周结构（508）的至少一部分。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的光电子器件（500），
其中所述子区域（508）至少部分地横向地设置在所述光电子器件（500）的有源区域之外。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的光电子器件（500），
其中至少一个所述粘结剂（504）具有不同粘度的多种粘结剂。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的光电子器件（500），
其中所述子区域（508）至少部分地包围设有液态的非粘性的材料或液态的粘结剂的区域（510）。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的光电子器件（500），
其中在所述粘结剂（504）中设有微粒，所述微粒具有与所述粘结剂（504）不同的折射率。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的光电子器件（500），
其中所述粘结剂（504）具有比所述覆盖件（506）更低的折射率。
9.根据权利要求1至8中的任一项所述的光电子器件（500），
其中在所述覆盖件（506）的至少一个表面上设有光学折射层。
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的光电子器件（500），
所述光电子器件设立为发光二极管。
11.根据权利要求10所述的光电子器件（500），
所述光电子器件设立为有机发光二极管。
12.根据权利要求1至11中的任一项所述的光电子器件（500），
其中所述层（100，200，300）具有所述光电子器件（500）的封装层或由其构成。
13.根据权利要求1至9中的任一项所述的光电子器件（500），
其中所述覆盖件具有玻璃或薄膜或由玻璃或薄膜构成。
14.一种用于制造光电子器件（500）的方法，其中所述方法具有：
-借助于至少一个粘结剂（504）将覆盖件施加到所述光电子器件（500）的层（100，200，300）上；以及
-仅在所述光电子器件（500）的衬底（502）之上的和/或在所述层（100，200，300）之上的子区域（508）中改变至少一个粘结剂（504）的粘度。
15.根据权利要求14所述的方法，
其中借助于光辐照来改变所述粘度。
16.根据权利要求15所述的方法，
其中借助于紫外光辐照来进行所述光辐照。
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