CN103262271A

CN103262271A - 用于制造光电子器件的方法和光电子器件

Info

Publication number: CN103262271A
Application number: CN2011800615231A
Authority: CN
Inventors: 丹尼尔·斯特芬·塞茨
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Ams Osram International GmbH
Priority date: 2010-12-20
Filing date: 2011-12-14
Publication date: 2013-08-21
Also published as: US20130270542A1; JP2014503966A; KR20130119462A; DE102010063511A1; WO2012084630A1; EP2656403A1

Abstract

在不同的实施例中提供用于制造光电子器件（200）的方法（900）。所述方法（900）能够具有：在第一电极层（204）上或上方形成（902）有机功能层结构（206）；在有机功能层结构（206）上或上方形成（904）第二电极层（214）；并且在光电子器件（200）的至少一个层中在至少一个预设位置上形成（906）相应的层的材料的局部改变结构（214）。

Description

用于制造光电子器件的方法和光电子器件

技术领域

本发明涉及一种用于制造光电子器件的方法和一种光电子器件。

背景技术

在有机发光二极管中，由所述有机发光二极管产生的光部分地直接从有机发光二极管中耦合输出。其余的光分布到不同的损耗通道中，如同在图1中的有机发光二极管100的示图中示出。图1示出具有玻璃衬底102和设置在所述玻璃衬底上的由铟锡氧化物（ITO）制成的透明的第一电极层104的有机发光二极管100。在第一电极层104上设置有第一有机层106，在所述第一有机层上设置有发射层108。在发射层108上设置有第二有机层110。此外，在第二有机层110上设置有由金属制成的第二电极层112。电源114耦联于第一电极层104和第二电极层112，使得为了产生光而引导电流通过设置在电极层104、112之间的层结构。第一箭头116表示到第二电极层112中的表面等离子体中的电能传送。另一个损耗通道能够在光发射路径中以吸收损耗的形式被观察到（借助于第二箭头118表示）。从有机发光二极管100中耦合输出的光例如是下述光的一部分：所述光由于所产生的光的一部分在玻璃衬底102与空气的边界面上反射（借助于第三箭头122表示）以及由于所产生的光的一部分在第一电极层104和玻璃衬底102之间的边界面上的反射（借助于第四箭头124表示）而形成。所产生的光的从玻璃衬底102耦合输出的部分在图1中借助于第五箭头120表示。因此，直观地，例如存在下述损耗通道：在玻璃衬底102中的光损耗、在有机层106、110中的光损耗以及在金属阴极（第二电极层112）上产生的表面等离子体。这些光部分不能够容易地从有机发光二极管100中耦合输出。

为了耦合输出衬底模式波（Substratmoden）通常在有机发光二极管的衬底的下侧上施加所谓的耦合输出膜，所述耦合输出膜能够借助于光学散射或借助于微透镜将光从衬底中耦合输出。此外，已知的是，直接使露出的衬底表面结构化。然而，借助这种方法对有机发光二极管的外观造成显著影响。由此，得出乳白色的衬底表面。

目前，对于有机发光二极管的有机层中的光的耦合输出存在不同的解决方法，然而，这些解决方法中还没有达到实现成熟产品。

此外，这些解决方法是：

·将周期性的结构引入到有机发光二极管（光子晶体）的有源层中。然而，所述周期性的结构具有极其强的波长相关性，因为光子晶体仅能够将特定的波长耦合输出。

·将高折射率的衬底用于将有机层的光直接耦合输入到衬底中。该解决方法由于高折射率的衬底的高成本而是极其昂贵的。此外，高折射率的衬底依赖于微透镜、散射膜（分别具有高折射率）或表面结构化部的形式的其他耦合输出辅助件。

发明内容

不同的实施例能够实现在光电子器件之内、例如在有机发光二极管之内制造结构，借助所述结构例如不仅能够将衬底中的光而且能够将光电子器件的一个或多个有机层中的光耦合输出。例如，能够借助于局部加热（例如熔化）相应的材料来制造结构，其中应例如借助于激光器内部雕刻来形成所述结构。

在不同的实施例中，提供用于制造光电子器件的方法。所述方法能够包括：在第一电极层上或上方形成有机功能层结构；在有机功能层结构上或上方形成第二电极层；以及在光电子器件的层的至少一个中在至少一个预设的位置上形成相应的层的材料的局部改变结构。

在一个设计方案中，能够借助于局部加热相应的层的材料在至少一个预设的位置上形成局部改变结构，例如多个局部改变结构。

在又一个设计方案中，能够应用激光器进行相应的层的材料的局部加热。

在又一个设计方案中，能够应用激光器进行相应的层的材料的局部加热，使得对相应的层进行激光器内部雕刻。

在又一个设计方案中，能够在第一电极层中或在第二电极层中形成局部改变结构（或多个局部改变结构）。

在又一个设计方案中，所述方法还能够具有在衬底上或上方形成第一电极层；和/或在第二电极层上或上方形成覆盖层。

在又一个设计方案中，能够在衬底中形成局部改变结构（或多个局部改变结构）。

在又一个设计方案中，能够在覆盖层中形成局部改变结构（或多个局部改变结构）。

在又一个设计方案中，所述方法还能够具有在衬底上或上方形成光学透明的中间层（所述中间层必要时在形成一个或多个局部改变结构时成为光学半透明的中间层），其中第一电极层在光学透明的中间层（或必要时光学半透明的中间层）上或上方形成；和/或在第二电极层上或上方形成封装层。

术语“半透明的层”能够在不同的实施例中理解成，层对于光、例如对于例如一个或多个波长范围的由光电子器件产生的光、例如对于可见光的波长范围中的光（例如，至少在380nm至780nm的波长范围的子区域中）是可穿透的。例如将术语“半透明的层”在不同的实施例中能够理解成，基本上将耦合输入到结构（例如层）中的全部光量也从结构（例如层）中耦合输出。

术语“透明的层”能够在不同的实施例中理解成，层对于光是可穿透的（例如至少在380nm至780nm的波长范围的子区域中），其中耦合输入到结构（例如层）中的光基本上在没有散射或光转换的情况下也从结构（例如层）中耦合输出。

在又一个设计方案中，能够在光学透明的中间层中形成局部改变结构（或多个局部改变结构），对此光学透明的中间层变成光学半透明的中间层。

在又一个设计方案中，能够在封装层中形成局部改变结构（或多个局部改变结构）。

在又一个设计方案中，其中形成有局部改变结构（或多个局部改变结构）的层能够形成为具有至少1μm的层厚度。

在不同的设计方案中，也能够在光电子器件的两个层的边界面上形成局部改变结构（或多个局部改变结构）。在这种设计方案中，在所述两个层的边界面上的总层厚度能够至少为1μm，局部改变结构（或多个局部改变结构）应形成在所述两个层的边界面上。

在又一个设计方案中，局部改变结构（或多个局部改变结构）能够形成为具有在次微米范围中的大小。

在多个局部改变结构形成为具有在次微米范围中的大小的设计方案中，局部改变结构能够以非周期性的、换言之随机的样式形成，也就是说没有规则的顺序。

在又一个设计方案中，局部改变结构（或多个局部改变结构）能够形成为具有至少一微米的大小。

在多个局部改变结构形成为具有至少一微米的大小的设计方案中，局部改变结构能够以规则的、例如周期性的样式形成。

在又一个设计方案中，局部确定性结构（例如光学透镜结构）能够形成为（多个）局部改变结构。

在不同的实施例中提供光电子器件。光电子器件能够具有第一电极层；在第一电极层上或上方的有机功能层结构；和在有机功能层结构上或上方的第二电极层；其中光电子器件的层的至少一个在至少一个预设的位置上具有相应的层的材料的局部改变结构。

在一个设计方案中，能够在第一电极层或第二电极层中形成局部改变结构。

在又一个设计方案中，光电子器件还能够具有衬底，其中第一电极层设置在衬底上或上方；和/或具有在第二电极层上或上方的覆盖层。

在又一个设计方案中，能够在衬底中和/或在覆盖层中形成局部改变结构。

在又一个设计方案中，光电子器件还能够具有在衬底上或上方的光学透明的中间层（或光学半透明的中间层），其中第一电极层设置在光学透明的中间层（或光学半透明的中间层）上或上方；和/或具有在第二电极层上或上方的封装层。

在又一个设计方案中，能够在光学透明的中间层（或光学半透明的中间层）中形成局部改变结构（或多个局部改变结构）。

在又一个设计方案中，具有局部改变结构（或多个局部改变结构）的层能够具有至少1μm的层厚度。

在不同的设计方案中，也能够在光电子器件的两个层的边界面处形成局部改变结构（或多个局部改变结构）。在这种设计方案中，能够所述两个层的层厚度的总和能够为至少1μm，在所述两个层的边界面上应形成有局部改变结构（或多个局部改变结构）。

在又一个设计方案中，局部改变结构（或多个局部改变结构）能够具有在次微米的范围中的大小。

在多个局部改变结构形成为具有在次微米的范围中的大小的设计方案中，多个局部改变结构能够以非周期性的、换言之随机的样式形成，也就是以没有规则的顺序形成。

在又一个设计方案中，局部确定性的结构（例如光学透镜结构）能够形成为（多个）局部改变结构。

需要指出的是，一个或多个局部改变结构能够构成为，使得其几乎不能由人眼观察到，但是尽管如此，光的一部分仍散射，以便因此改进光的耦合输出。

附图说明

本发明的实施例在附图中示出并且在下文中详细阐明。

附图示出：

图1示出常规的有机发光二极管的视图；

图2示出根据不同实施例的有机发光二极管；

图3示出根据不同实施例的有机发光二极管；

图4示出根据不同实施例的有机发光二极管；

图5示出根据不同实施例的有机发光二极管；

图6示出根据不同实施例的有机发光二极管；

图7示出根据不同实施例的有机发光二极管；

图8示出根据不同实施例的有机发光二极管；以及

图9示出流程图，其中示出用于制造根据不同实施例的光电子器件的方法。

具体实施形式

在下文的详细描述中参考附图，所述附图形成所述描述的一部分并且在所述附图中为了说明示出能够实施本发明的具体的实施形式。在这方面，关于所描述的附图的定向使用方向术语，例如“上部”、“下部”、“前部”、“后部”、“正面”、“后面”等。因为实施形式的部件能够定位在多个不同的取向中，方向术语用于说明并且绝不以任何方式受限。要理解的是，能够使用其他的实施形式并且能够对其进行结构的或逻辑的改变，而没有脱离本发明的保护范围。要理解的是，只要没有专门地另作说明，其中描述的不同的示例性的实施形式的特征就能够相互组合。因此，下面的详细描述不能够理解成限制性的意义，并且本发明的保护范围通过所附的权利要求来限定。只要是有利的，相同的或相似的元件在附图中就设有相同的附图标记。

在本说明书的范围中，术语“连接”“联接”以及“耦联”用于描述直接的和间接的连接、直接的或间接的联接以及直接的或间接的耦联。只要是有利的，在图中相同的或相似的元件设有相同的附图标记。

在不同的实施例中，光电子器件能够构成为有机发光二极管（organic light emitting diode，OLED）、有机光电二极管（organicphotodiode，OPD）、有机太阳能电池（organic solar cell，OSC）或有机晶体管，例如有机薄膜晶体管（organic thin film transistor，OTFT）。光电子器件能够在不同的实施例中是集成电路的一部分。此外，能够设有多个光电子器件，例如安置在同一壳体中。

图2示出作为根据不同实施例的光电子器件的执行方案的有机发光二极管200。

有机发光二极管200的形式的光电子器件能够具有衬底202。衬底202例如能够用作用于电子元件或层、例如光电子元件的承载元件。例如衬底202能够具有玻璃、石英和/或半导体材料或任意其他适合的材料或者由其构成。此外，衬底202能够具有塑料膜或带有一层或多层塑料膜的叠层或者由其构成。所述塑料能够具有一种或多种聚烯烃（例如带有高或低密度的聚乙烯（PE）或聚丙烯（PP））或由其构成。此外，塑料能够具有聚氯乙烯（PVC）、聚苯乙烯（PS）、聚酯和/或聚碳酸酯（PC）、聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚醚砜（PES）和/或聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）或由其构成。此外，衬底202例如能够具有金属膜，例如铝膜、不锈钢膜、铜膜或组合物或其上的层堆。衬底202能够具有上述材料中的一种或多种。衬底202能够构造成透明的、半透明的、部分半透明的、部分透明的或不透明的。

在衬底202上或上方能够施加有第一电极204（例如第一电极层204的形式）。第一电极204（在下文中也称作下部电极204）能够由能导电的材料构成或是能导电的材料，例如由金属或透明导电氧化物（transparent conductive oxide，TCO）或者相同的或不同的金属或多种金属和/或相同的或不同的TCO的多个层的层堆构成。透明导电氧化物是透明的、能导电的材料，例如金属氧化物，例如为氧化锌、氧化锡、氧化镉、氧化钛、氧化铟或铟锡氧化物（ITO）。除例如为ZnO、SnO₂或In₂O₃的二元金属氧化合物之外，例如为Zn₂SnO₄、CdSnO₃、ZnSnO₃、MgIn₂O₄、GaInO₃、Zn₂In₂O₅或In₄Sn₃O₁₂的三元金属氧化合物或不同透明导电氧化物的混合物也属于TCO组。此外，TCO不强制性地对应于化学计量学的成分并且还能够是p掺杂或n掺杂的。第一电极204能够构成为阳极，即构成为空穴注入的材料。

在不同的实施例中，第一电极层204能够由金属层在TCO层上的、或者相反的组合的层堆构成。一个实例是施加在铟锡氧化物层（ITO）上的银层（ITO上的Ag）。在不同的实施例中，第一电极层204能够具有金属（例如Ag、Pt、Au、Mg）或所描述的材料的金属合金（例如AgMg合金）。在不同的实施例中，第一电极层204能够具有AlZnO或类似材料。

在不同的实施例中，第一电极204能够具有金属，所述金属例如能够用作阴极材料，即用作电子注入的材料。此外，在不同的实施例中例如能够将Al、Ba、In、Ag、Au、Mg、Ca或Li以及这些材料的化合物、组合物或合金设为阴极材料。

对于将光电子器件200设计成底部发射体的情况，第一电极204（尤其是第一金属电极204）例如具有小于或等于大约25nm的层厚度、例如小于或等于大约20nm的层厚度、例如小于或等于大约18nm的层厚度。此外，第一电极204例如能够具有大于或等于大约10nm的层厚度、例如大于或等于大约15nm的层厚度。在不同的实施例中，第一电极204能够具有大约10nm至大约25nm范围中的层厚度、例如大约10nm至大约18nm范围中的层厚度、例如大约15nm至大约18nm范围中的层厚度。

对于将光电子器件200设计成顶部发射体的情况，因此第一电极204例如能够具有大于或等于大约40nm的层厚度、例如大于或等于大约50nm的层厚度。

此外，光电子器件200能够具有有机功能层结构206，所述有机功能层结构已施加在或被施加在第一电极204上或上方。

有机功能层结构206能够包含例如具有荧光的和/或磷光的发射体的一个或多个发射层208，以及一个或多个空穴传导层210。

能够在根据不同实施例的光电子器件中用于（多个）发射层208的发射体材料的实例包括有机的或有机金属的化合物，例如聚芴、聚噻吩和聚苯的衍生物（例如，2-或2,5-取代的聚对苯乙炔）以及金属络合物，例如铱络合物，如发蓝色磷光的FIrPic（双（3,5-二氟-2-（2-吡啶基）苯基-（2-羧基吡啶基）-合铱III）、发绿色磷光的Ir(ppy)₃（三（2-苯基吡啶）合铱III）、发红色磷光的Ru(dtb-bpy)₃*2(PF₆)（三[4,4’-二-四-丁基-（2,2’）-二吡啶]合钌（III）络合物）以及发蓝色荧光的DPAVBi（4,4-双[4-（二-对-甲苯氨基）苯乙烯基]联苯）、发绿色荧光的TTPA（9,10-双[N,N-二-（对-甲苯基）-氨基]蒽和发红色荧光的DCM2（4-二氰亚甲基）-2-甲基-6-久洛尼定基-9-烯基-四氢-吡喃）作为非聚合物的发射体。这些非聚合物的发射体例如能够借助于热蒸镀来沉积。此外，能够使用聚合物发射体，所述聚合物发射体尤其能够借助于湿法化学法、例如旋涂来沉积。

发射体材料能够以适合的方式嵌在基体材料中。

光电子器件200的（多个）发射层208的发射体材料例如能够选择成，使得光电子器件200发射白光。（多个）发射层208能够具有发射不同颜色（例如蓝色和黄色或者蓝色、绿色和红色）的多种发射体材料，替选地，（多个）发射层208也能够由多个子层构成，例如发蓝色荧光的发射层208或发蓝色磷光的发射层208、发绿色磷光的发射层208和发红色磷光的发射层208构成。通过混合不同的颜色，能够引起发射具有白色色彩印象的光。替选地，也能够设为，在通过这些层产生的初级发射的光路中设置至少部分地吸收初级辐射并且发射另一波长的次级辐射的转换材料，使得由（还不是白色的）初级辐射通过将初级辐射和次级辐射进行组合而得出白色的色彩印象。

有机功能层结构206通常能够具有一个或多个功能层。所述一个或多个功能层能够具有有机的聚合物、有机的低聚物、有机的单体、有机的非聚合物的小分子（“small molecules”）或这些材料的组合。有机功能层结构206例如能够具有一个或多个功能层，所述一个或多个功能层构造成空穴运输层210，使得例如在OLED的情况下能够实现到电致发光层或电致发光区域中的有效的空穴注入。作为用于空穴传输层210的材料例如能够使用叔胺、咔唑衍生物、传导的聚苯胺或聚乙烯二氧噻吩。在不同的实施例中能够将一个或多个功能层构造成电致发光层。

在不同的实施例中，例如能够将空穴运输层210施加、例如沉积在第一电极204上或上方，并且发射层208能够施加、例如沉积在空穴传输层210上或上方。

光电子器件200通常能够具有用于进一步地改进光电子器件200的功能性进而效率的其他有机功能层。

光电子器件200能够构造成“底部发射体”和/或“顶部发射体”。

在不同的实施例中，有机功能层结构206能够具有最大大约1.5μm的层厚度、例如最大大约1.2μm的层厚度、例如最大大约1μm的层厚度、例如最大大约800nm的层厚度、例如最大大约500nm的层厚度、例如最大大约400nm的层厚度、例如最大大约300nm的层厚度。在不同的实施例中，有机功能层结构206例如能够具有多个直接叠置的OLED的堆，其中每个OLED例如能够具有最大大约1.5μm的层厚度、例如最大大约1.2μm的层厚度、例如最大大约1μm的层厚度、例如最大大约800nm的层厚度、例如最大大约500nm的层厚度、例如最大大约400nm的层厚度、例如最大大约300nm的层厚度。在不同的实施例中，有机功能层结构206例如能够具有三个或四个直接叠置的OLED的堆，在这种情况下例如有机功能层结构206能够具有最大大约3μm的层厚度。

在有机功能层结构206上或上方能够施加有第二电极212（例如以第二电极层212的形式）。

在不同的实施例中，第二电极212能够具有与第一电极204相同的材料或由其构成，其中在不同的实施例中金属是尤其适合的。

在不同的实施例中，第二电极212例如能够具有小于或等于大约50nm的层厚度、例如小于或等于大约45nm的层厚度、例如小于或等于大约40nm的层厚度、例如小于或等于大约35nm的层厚度、例如小于或等于大约30nm的层厚度、例如小于或等于大约25nm的层厚度、例如小于或等于大约20nm的层厚度、例如小于或等于大约15nm的层厚度、例如小于或等于大约10nm的层厚度。在不同的实施例中，第二电极212能够具有任意更大的层厚度。

如同在图2中示出的，为了在衬底（例如玻璃衬底）202之内耦合输出衬底模式波，在至少一个预设的位置上（或者在多个预设的位置上）（分别）设有衬底202的材料的局部改变结构。在不同的实施例中，（多个）局部改变结构以雕刻的形式形成，例如以衬底内部雕刻的形式形成。在不同的实施例中，（多个）局部改变结构以非周期性结构的形式形成。所述（多个）局部改形结构散射例如由发射层208产生的、被引导到衬底202中光。所述设计方案的优点是，衬底202的表面（例如玻璃表面）如之前一样保留其镜面印象。由此，能够附加地改进光电子器件202的“关断状态表现”（“Off-State-Appearance”）。一个或多个局部改变结构能够在衬底202之内预设的或预先限定的位置上（在下面描述的实施例中必要时在光电子器件的一个或多个其他层中）形成，使得形成期望的、人工制造的散射结构（相应的层的材料中的不归因于非确定性且不期望的不规则性的不规则性）。一个或多个局部改变结构能够全部具有相同的大小或不同的大小。在一个或多个层中多个局部改变结构的设置能够是随机的、换言之非周期性的。替选地，局部改变结构能够以预设的（例如周期性的）样式设置或者是以预设的（例如周期性的）样式设置的。此外，能够借助于多个局部改变结构在一个或多个层中形成局部确定性的结构、例如透镜结构。

如果局部改变结构具有次微米范围中的大小，那么在不同的实施例中设为，将局部改变结构以非周期性的样式设置。如果局部改变结构具有至少1μm的大小，那么在不同的实施例中设为，将局部改变结构以周期性的样式设置。然而需要指出的是，也对于局部改变结构具有至少1μm的大小的情况，局部改变结构能够设置成是非周期性的。

有机发光二极管200能够构成为或已构成为底部发射体或顶部和底部发射体。

图3示出作为根据不同实施例的光电子器件的执行方案的有机发光二极管300。

不同于根据图2的有机发光二极管200的是，在根据图3所述的有机发光二极管300中，在衬底202中不设有内部雕刻。有机发光二极管300构成为顶部发射体。此外，有机发光二极管300具有覆盖层302，所述覆盖层例如由玻璃或其他适合的材料制成，例如由下述材料中的一种制成：石英、半导体材料、塑料膜或具有一层或多层塑料膜的叠层。塑料能够具有一种或多种聚烯烃（例如聚丙烯（PP）或带有高或低密度的聚乙烯（PE））或由其构成。此外，所述塑料能够具有聚氯乙烯（PVC）、聚苯乙烯（PS）、聚酯和/或聚碳酸酯（PC）、聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚醚砜（PES）和/或聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）或由其形成。覆盖层302能够构造成半透明的，例如透明的，部分半透明的，例如部分透明的。

覆盖层302能够具有大约1μm至大约50μm的范围中、例如大约5μm至大约40μm的范围中、例如大约10μm至大约25μm的范围中的层厚度。

在根据图3的有机发光二极管300中将一个或多个局部改变结构设在覆盖层302中并且在那形成如示例性地在上文中结合图2描述的散射中心。因此，在顶部侧发射的有机发光二极管300中，例如通过使覆盖层302（例如覆盖玻璃）具有一个或多个（例如以内部雕刻的形式的）局部改变结构而能够改进光耦合输出。

在不同的实施例中，此外能够设为，将一个或多个局部改变结构必要时引入覆盖层302（例如覆盖玻璃）中和/或衬底202中，由此也在透明的有机发光二极管中能够实现光耦合输出的改进，而没有过强地影响有机发光二极管的相应的层的透明度。

图4示出作为根据不同实施例的光电子器件的执行方案的有机发光二极管400。

根据图4的有机发光二极管400构成为顶部和底部发射体并且不仅在衬底202中而且在覆盖层302中分别具有如示例性地在上文中结合图2描述的一个或多个局部改变结构402、404。

为了将引导到有机发光二极管（例如，有机发光二极管500）的有机层中的模式波耦合输出，衬底202和/或覆盖层302设有、例如内部雕刻有一个或多个局部改变结构也许能够是不足够的，因为由于通常基于所使用的材料而存在的在具有大约n=1.7至大约n=2的范围中的折射率（例如具有大约n=1.8至大约n=2的范围中的折射率，例如具有大约n=1.7至大约n=1.8的范围中的折射率）的有机层（例如有机功能层结构206的层）（例如包括第一电极204，例如阳极）和例如具有n=1.5的折射率的衬底202（对于玻璃衬底的情况）之间的折射率突变，至少部分的光没有到达衬底202（例如玻璃衬底202）中。所述方面能够借助于局部改变结构以不同的方式应对。

因此，如同在作为根据不同实施例的光电子器件的执行方案的有机发光二极管500（见图5）中示出的，例如，能够将（例如由氮化硅和/或氧化钛制成的）透明的、高折射率的层502或多个透明的、高折射率的层的堆502设在衬底202和第一电极204、例如阳极204之间。能够将一个或多个局部改变结构设在透明的、高折射率的层502中（或者设在多个透明的、高折射率的层的堆502中）。例如，透明的、高折射率的层502（或多个透明的、高折射率的层的堆502）能够被内部雕刻或是内部雕刻的。出自有机功能层结构206的层的光能够在透明的、高折射率的层502中（或在多个透明的、高折射率的层的堆502中）散射，由此能够耦合输出所述光。在此，例如也能够将雕刻（通常是一个或多个局部改变结构）设在第一电极（阳极）204/高反射率的层502之间的边界面上或设在衬底202/高反射率的层502之间的边界面上。在这两种情况下，同样都散射光。

在不同的实施例中，透明的、高折射率的层502能够具有大约1μm至50μm的范围中、例如大约5μm至大约40μm的范围中、例如大约10μm至大约25μm的范围中的层厚度。

因此，在不同的实施例中，根据图5的有机发光二极管500基本上与根据图2的有机发光二极管200相同，仅在衬底202和第一电极204之间具有一个或多个附加的层，也就是例如具有透明的、高折射率的层502（或多个透明的、高折射率的层的堆502）。此外，在该情况下，衬底不必（但是可选地可以）设有一个或多个局部改变结构，而是设有透明的、高折射率的层502（或多个透明的、高折射率的层的堆502）（在图5中由附图标记504示出）。

如果透明的、高折射率的层502是不期望的，那么例如第一电极204（例如阳极）和衬底202之间的边界面602能够设有或被设有一个或多个局部改变结构（在图6中的有机发光二极管600中以附图标记604表示），例如设有内部雕刻、例如设有激光内部雕刻，以便在所述边界面602上产生光散射。因此，直观地，例如衬底202和透明的阳极204之间的过渡部被内部雕刻，以便使在高折射率（例如阳极204）和低折射率（例如衬底202）之间的边界面602结构化，因此能够在那散射光。

因此，在不同的实施例中，根据图6的有机发光二极管600基本上与根据图2的有机发光二极管200相同，仅在第一电极204（例如阳极）和衬底202之间的边界面602上具有一个或多个局部改变结构。需要指出的是，在根据图6的有机发光二极管600中的另一个执行方案中，也能够在衬底202中设有一个或多个局部改变结构。

图7还示出根据不同实施例的有机发光二极管700。

在不同的实施例中能够设为，在顶部发射的有机发光二极管700或透明的有机发光二极管的情况下，在由高折射率的材料（例如具有大约n=1.7至大约n=2的范围中的折射率（例如具有大约n=1.8至大约n=2的范围中的折射率、例如具有大约n=1.7至大约n=1.8的范围中的折射率）的材料）制成的因此透明的第二电极（例如阴极）之间的薄膜封装层702设有足够的层厚度（例如至少1μm）并且所述薄膜封装层702设有一个或多个局部改变结构（在图7中以附图标记704表示）。在不同的实施例中，也能够设有例如施加在薄膜封装层702上的（尽可能高折射率的）层。

在不同的实施例中，将表述“封装”或“封装件”例如理解成，提供相对于湿气和/或氧的阻隔，使得有机功能层结构不能够由这些物质穿透。

因此，在不同的实施例中，根据图7的有机发光二极管700与根据图4的有机发光二极管400基本上相同，其中一个或多个局部改变结构仅包含在或也包含在薄膜封装层702中。

在不同的实施例中，薄膜封装层702能够具有下述材料中的一种或多种或由其制成：材料或材料的混合物或材料的层的堆，例如SiO₂；Si₃N₄；SiON（这些材料例如借助于CVD法（化学气相沉积法）来沉积）；Al₂O₃；ZrO₂；TiO₂；Ta₂O₅；SiO₂；ZnO；和/或HfO₂（这些材料例如借助于ALD法（原子层沉积法）来沉积）；或者这些材料的组合。

图8还示出根据不同实施例的有机发光二极管800。

在不同的实施例中能够设为，（在该情况下透明的）第一电极204设有一个或多个局部改变结构（在图8中以附图标记802表示）。

在不同的实施例中，也能够在有机发光二极管中、通常在光电子器件中设有多个雕刻的层的组合。也能够设为，一个或多个层仅以小尺寸雕刻，以便在同时提高光耦合输出的情况下得到光电子器件的透明度。

例如，（在使用一个或多个激光器的情况下）内部雕刻的技术能够实现：在层内写入或构成任意结构。在不同的实施例中，这例如尤其能够是散射的层，替选地或附加地，也能够在光电子器件的一个或多个层之内写入或构成能够引起透镜效应的三维的结构。由此也可能的是，建立用于最终应用的特殊效应，例如有机发光二极管的发光图像中的明亮发光的文字。

因为例如本身全部光学半透明的、例如透明的材料能够设为用于激光内部雕刻，衬底202或覆盖层302不必一定由玻璃制成。同样也可能的是，所述衬底例如由塑料或其他半透明的、例如透明的材料制成或具有这些材料。

因此，在不同的实施例中设为，将衬底模式波和/或其他层的模式波、例如第一电极的模式波（例如ITO模式波）和/或有机物、也就是有机层结构的模式波耦合输出；这些模式波也称作ITO/有机物模式波。

在不同的实施例中能够在层的边界面附近形成在几nm之内的雕刻（然而应不损坏边界层，除了有意地使边界面结构化的实施例之外）。

图9示出流程图900，其中示出用于制造根据不同实施例的光电子器件的方法。

在不同的实施例中，能够根据所述方法在902中将有机功能层结构形成在第一电极层上或上方。此外，能够在904中将第二电极层形成在有机功能层结构上或上方。最终，能够在906中在光电子器件的层的至少一个中在至少一个预设的位置上形成相应的层的材料的局部改变结构。

局部改变结构能够借助于对相应的层的材料结构的局部损坏来形成，例如借助于局部地加热材料，使得出现例如不可逆转的损坏，所述损坏在层中形成光散射结构。对此，例如能够使用激光器内部雕刻的技术。

在激光器内部雕刻的范围中，在不同的实施例中能够使用产生和发射一定波长的光的激光器，在所述波长中待雕刻的层是透明的。

Claims

1.用于制造光电子器件（200）的方法（900），其中所述方法包括：

·在第一电极层（204）上或上方形成（902）有机功能层结构（206）；

·在所述有机功能层结构（206）上或上方形成（904）第二电极层（212）；以及

·在所述光电子器件（200）的层中的至少一个中在至少一个预设位置上形成（906）相应的所述层的材料的局部改变结构（214）。

2.根据权利要求1所述的方法（900），

其中在至少一个预设位置上借助于局部地加热相应的所述层的材料来形成局部改变结构（214）。

3.根据权利要求2所述的方法（900），

其中应用激光器进行相应的所述层的材料的局部加热，优选地使得对相应的所述层执行激光器内部雕刻。

4.根据权利要求1至3之一所述的方法（900），

其中在所述第一电极层（204）或在所述第二电极层（212）中形成局部改变结构（802）。

5.根据权利要求1至4之一所述的方法（900），所述方法还具有：

·在衬底（202）上或上方形成所述第一电极层（204）；和/或在所述第二电极层（212）上或上方形成覆盖层（302）；

·其中优选地在所述衬底（202）中和/或在所述覆盖层（302）中形成局部改变结构（214，304）。

6.根据权利要求5所述的方法（900），所述方法还具有：

·在所述衬底（202）上或上方形成光学半透明的中间层（502），其中在所述光学半透明的中间层（502）上或上方形成所述第一电极层（204）；和/或在所述第二电极层（212）上或上方形成封装层（702）；

·其中优选地在所述光学半透明的中间层（502）中和/或在所述封装层（702）中形成局部改变结构（504，704）。

7.根据权利要求1至6之一所述的方法（900），其中形成有局部改变结构的层形成为具有至少1μm的层厚度。

8.根据权利要求1至7之一所述的方法（900），

·其中所述局部改变结构形成为具有在次微米的范围中的大小；或者

·其中所述局部改变结构形成为具有至少一微米的大小。

9.光电子器件（200），具有：

·第一电极层（204）；

·在所述第一电极层（204）上或上方的有机功能层结构（206）；和

·在所述有机功能层结构（206）上或上方的第二电极层（212）；

·其中所述光电子器件（200）的层中的至少一个在至少一个预设位置上具有相应的所述层的材料的局部改变结构（214）。

10.根据权利要求9所述的光电子器件（200），其中在所述第一电极层（204）中或在所述第二电极层（212）中形成局部改变结构（802）。

11.根据权利要求9或10所述的光电子器件（200），

·还具有衬底（202），其中所述第一电极层（204）设置在所述衬底（202）上或上方；和/或在所述第二电极层（212）上或上方的覆盖层（302）；

12.根据权利要求9至11之一所述的光电子器件（200），还具有：

·在所述衬底（202）上或上方的光学半透明的中间层（502），其中所述第一电极层（204）设置在所述光学半透明的中间层（502）上或上方；和/或在所述第二电极层（212）上或上方的封装层（702）；

13.根据权利要求9至12之一所述的光电子器件（200），

其中具有局部改变结构的层具有至少1μm的层厚度。

14.根据权利要求9至13之一所述的光电子器件（200），

·其中所述局部改变结构具有在次微米范围中的大小；或者

·其中所述局部改变结构具有至少一微米的大小。