KR101650029B1 - 발광 컴포넌트들과 발광 컴포넌트를 제조하기 위한 방법 - Google Patents

발광 컴포넌트들과 발광 컴포넌트를 제조하기 위한 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 다양한 예시적 실시예들에서 발광 컴포넌트(100)에 관한 것이고, 상기 발광 컴포넌트(100)는 제1 전극(104), 상기 제1 전극(104) 상의 또는 그 위의 유기 전기루미네선트 층 구조물(106), 상기 유기 전기루미네선트 층 구조물(106) 상의 또는 그 위의 제2 전극(112), 및 상기 제2 전극(112) 상의 또는 그 위의 미러 층 구조물(114)을 포함하고, 여기서 상기 미러 층 구조물(114)은 적어도 1*10-3W/K의 측면 열 전도율을 갖는다.

Description

발광 컴포넌트들과 발광 컴포넌트를 제조하기 위한 방법{LIGHT-EMITTING COMPONENTS AND METHOD FOR PRODUCING A LIGHT-EMITTING COMPONENT}
본 발명은 발광 컴포넌트들과 발광 컴포넌트를 제조하기 위한 방법들에 관한 것이다.
대면적 유기 발광 다이오드(OLED)들 상에서, 온도 및 휘도(luminance)의 상당히 고르지 못한 분배가 보통 발생한다. 고르지 못한 분배는 첫째로, 매력적이지 못한 발광 이미지(luminous image)를 야기한다. 둘째로, 밝기(brightness) 및 온도 피크들이 OLED의 발광 영역의 개별 구역들의 강화된 노화를 유발한다. 더욱 균일한 온도 분배가 발광 이미지의 균질성을 개선할 수 있고, OLED의 수명을 증가시킬 수 있다.
마이크로캐비티 효과들의 결과로서, OLED들은 시야각에 걸쳐 방출된 광의 색 변이(color shift)를 갖는다. 상기 색 변이는 제품 관점으로부터 바람직하지 않다.
요즈음에 상업적으로 이용가능한 OLED들(예컨대, Osram으로부터의 명칭 ORBEOS를 갖는 OLED들)은 측면 온도 구배들을 보상하기 위한 어떠한 디바이스도 아직까지 포함하지 않는다. 적절하다면, 종래의 OLED의 설계는 소위 버스바들을 쓰고, 상기 버스바들은 일차로 더욱 균일한 전류 분배를 제공하고, 이차 효과로서, 이것이 불충분하더라도, 측면 온도 분배의 약간의 개선을 유발한다.
또한, 유기 발광 다이오드에서, 방열(radiation)을 통한 열 소실을 이용하는 컴포넌트 아키텍처가 알려져 있고, 상기 컴포넌트 아키텍처는 열적 접촉 층, 금속 플레이트 및 방열 층으로 구성된다(Cok et al., Journal of the SID 13/10, 2005, pages 849 et seq.).
OLED에서의 색 각도 왜곡의 양상을 방지하기 위하여, 지금까지 추구된 방식들은 산란 필름들 또는 산란 포일들을 적용하는 것, OLED의 층 시퀀스를 최적화하는 것 그리고 하단 접촉부의 광학 투명도를 증가시키는 것을 포함한다.
또한, 유기 발광 다이오드의 경우, 색 각도 왜곡을 감소시키기 위해, 반투명 상단 접촉부와 후면(원격 캐비티로서 또한 표기됨)에 적용된 미러의 결합을 제공하는 것이 알려져 있다(Proc Int Disp Workshops - Vol. 11, "White Multi-Photon Emission OLED without optical interference", pages 1293 to 1296(2004)).
다양한 실시예들은 발광 컴포넌트를 제공한다. 발광 컴포넌트는, 제1 전극; 상기 제1 전극 상의 또는 그 위의 유기 전기루미네선트(electroluminescent) 층 구조물; 상기 유기 전기루미네선트 층 구조물 상의 또는 그 위의 제2 전극; 및 상기 제2 전극 상의 또는 그 위의 미러 층 구조물 ― 여기서, 상기 미러 층 구조물은 적어도 1*10-3W/K의 측면 열 전도도를 가짐 ― 을 포함할 수 있다. 다양한 실시예들에서, 층의 측면 열 전도도는 층 재료의 특정 열 전도율과 층 두께의 곱을 의미하는 것으로 이해된다. 미러 층 구조물이 복수의 층들로 구성된다면, 다양한 실시예들에서, 측면 열 전도도는 개별 측면 열 전도도들의 합이다.
하나의 구성에서, 발광 컴포넌트는 상기 제2 전극 상의 또는 그 위의 광학 반투명 층 구조물을 더 포함할 수 있다. 상기 미러 층 구조물은 상기 광학 반투명 층 구조물 상에 또는 그 위에 배열될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 용어 "반투명" 또는 "반투명 층"은 층이 광, 예컨대 하나 또는 그 초과의 파장 범위들에서 예컨대 발광 컴포넌트에 의해 생성된 광, 예컨대 가시광의 파장 범위(예컨대, 적어도, 380㎚ 내지 780㎚의 파장 범위의 부분 범위)의 광에 투과적임을 의미하는 것으로 이해될 수 있다. 예로서, 다양한 실시예들에서, 용어 "반투명 층"은 실질상 구조물(예컨대, 층)로 커플링(coupling)되는 광의 전체량이 상기 구조물(예컨대, 층)로부터 또한 커플링 아웃(coupling out)되고, 여기서 광의 일부는 이 경우 산란될 수 있음을 의미하는 것으로 이해되어야 한다.
다양한 실시예들에서, 용어 "투명" 또는 "투명 층"은 층이 (예컨대, 적어도, 380㎚ 내지 780㎚의 파장 범위의 부분 범위의) 광에 투과적이고, 여기서 구조물(예컨대, 층)로 커플링되는 광이 실질상 산란 또는 광 변환 없이 상기 구조물(예컨대, 층)로부터 또한 커플링 아웃됨을 의미하는 것으로 이해될 수 있다. 결과적으로, 다양한 실시예들에서, "투명"은 "반투명"의 특별한 경우로서 간주되어야 한다.
예컨대 발광 단색 또는 방출 스펙트럼-제한된 전자 컴포넌트가 제공될 것으로 의도되는 경우에 대해, 광학 반투명 층 구조물이 적어도, 원하는 단색 광의 파장 범위의 부분 범위에서 또는 제한된 방출 스펙트럼에 대해 반투명한 것으로 충분하다.
하나의 구성에서, 제2 전극은 광학 반투명 층 구조물이 유기 전기루미네선트 층 구조물에 광학적으로 커플링되도록 설계될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 예로서, 각각의 전극(예컨대, 제1 전극 및/또는 제2 전극, 예컨대 캐소드)만이 반투명한 것으로서 형성된 전극으로서 제공된다.
"원격 캐비티"의 개념이 그 자체로 알려져 있더라도, 다양한 실시예들에서, 예시적으로, 발광 컴포넌트, 예컨대 OLED에서의 열 분배를 개선시키기 위해 충분히 높은 측면 열 전도도를 갖는 미러 층 구조물이 제공된다. 다양한 실시예들에서, 종래 기술과 비교할 때, 공통 층 구조물에서의 측면 열 분배의 장점들과 반투명 층 및 미러 층 구조물의 광학 기능의 결합이 제공된다.
다양한 실시예들은 발광 컴포넌트를 제공한다. 발광 컴포넌트는 적어도 1*10-3W/K의 측면 열 전도도를 갖는 미러 층 구조물; 상기 미러 층 구조물 상의 또는 그 위의 유기 전기루미네선트 층 구조물; 및 상기 유기 전기루미네선트 층 구조물 상의 또는 그 위의 전극을 포함할 수 있다.
하나의 구성에서, 미러 층 구조물은 제1 전극을 형성할 수 있고; 그리고 상기 전극은 제2 전극을 형성할 수 있다.
다른 구성에서, 발광 컴포넌트는 상기 미러 층 구조물 상에 또는 그 위에 배열된 제1 전극을 더 포함할 수 있다. 상기 전극은 제2 전극을 형성할 수 있다.
다른 구성에서, 발광 컴포넌트는 상기 미러 층 구조물과 상기 제1 전극 사이에 제1 광학 반투명 층 구조물을 더 포함할 수 있다.
제1 광학 반투명 층 구조물은 광-산란 입자들을 포함할 수 있다.
다른 구성에서, 발광 컴포넌트는 상기 제2 전극 상에 또는 그 위에 캡슐화 층 구조물을 더 포함할 수 있다.
다른 구성에서, 발광 컴포넌트는 상기 제2 전극 상에 또는 그 위에 제2 광학 반투명 층 구조물을 더 포함할 수 있다.
제2 광학 반투명 층 구조물은 광-산란 입자들을 포함할 수 있다.
다른 구성에서, 미러 층 구조물은 적어도 1㎛의 층 두께를 가질 수 있다.
다양한 실시예들은 발광 컴포넌트를 제조하기 위한 방법을 제공한다. 방법은 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에 또는 그 위에 유기 전기루미네선트 층 구조물을 형성하는 단계; 상기 유기 전기루미네선트 층 구조물 상에 또는 그 위에 제2 전극을 형성하는 단계; 및 상기 제2 전극 상에 또는 그 위에 미러 층 구조물을 형성하는 단계 ― 여기서, 상기 미러 층 구조물은 적어도 1*10-3W/K의 측면 열 전도도를 가짐 ― 를 포함할 수 있다.
하나의 구성에서, 상기 방법은 상기 제2 전극 상에 또는 그 위에 광학 반투명 층 구조물을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 미러 층 구조물은 상기 광학 반투명 층 구조물 상에 또는 그 위에 형성될 수 있다.
다양한 실시예들은 발광 컴포넌트를 제조하기 위한 방법을 제공한다. 상기 방법은 적어도 1*10-3W/K의 측면 열 전도도를 갖는 미러 층 구조물을 형성하는 단계; 상기 미러 층 구조물 상에 또는 그 위에 유기 전기루미네선트 층 구조물을 형성하는 단계; 및 상기 유기 전기루미네선트 층 구조물 상에 또는 그 위에 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
하나의 구성에서, 미러 층 구조물은 제1 전극을 형성할 수 있고, 상기 전극은 제2 전극을 형성할 수 있다.
다른 구성에서, 상기 방법은 상기 미러 층 구조물 상에 또는 그 위에 배열된 제1 전극을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 전극은 제2 전극을 형성할 수 있다.
다른 구성에서, 상기 방법은 상기 미러 층 구조물과 상기 제1 전극 사이에 제1 광학 반투명 층 구조물을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
다른 구성에서, 상기 제1 광학 반투명 층 구조물은 광-산란 입자들을 포함할 수 있거나, 또는 상기 제1 광학 반투명 층 구조물은 이로써 형성될 수 있다.
다른 구성에서, 상기 방법은 상기 제2 전극 상에 또는 그 위에 캡슐화 층 구조물을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
다른 구성에서, 상기 방법은 상기 제2 전극 상에 또는 그 위에 제2 광학 반투명 층 구조물을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
다른 구성에서, 광-산란 입자들은 상기 제2 광학 반투명 층 구조물 내에 포함될 수 있거나 또는 상기 제2 광학 반투명 층 구조물 내에 형성될 수 있다.
다른 구성에서, 상기 미러 층 구조물은 적어도 1㎛의 층 두께로 형성될 수 있다.
다른 구성에서, 발광 컴포넌트는 유기 발광 다이오드로서 또는 유기 발광 트랜지스터로서 설계될 수 있다.
본 발명의 실시예들은 도면들에서 예시되고, 아래에서 더욱 상세히 설명된다.
도 1은 다양한 실시예들에 따른 발광 컴포넌트의 단면도를 도시한다.
도 2는 다양한 실시예들에 따른 발광 컴포넌트의 단면도를 도시한다.
도 3은 다양한 실시예들에 따른 발광 컴포넌트의 단면도를 도시한다.
도 4a 내지 도 4f는 발광 컴포넌트의 제조 동안 상이한 시점들에서 다양한 실시예들에 따른 상기 발광 컴포넌트를 도시한다.
도 5는 다양한 실시예들에 따라 발광 컴포넌트를 제조하기 위한 방법을 예시하는 흐름 차트를 도시한다.
도 6은 다양한 실시예들에 따라 발광 컴포넌트를 제조하기 위한 방법을 예시하는 흐름 차트를 도시한다.
아래의 상세한 설명에서, 동반된 도면들이 참조되고, 상기 도면들은 이 설명의 일부를 형성하고, 예시를 위해, 본 발명이 구현될 수 있는 특정 실시예들을 도시한다. 이 점에서, 예컨대, "상단에", "하단에", "앞쪽에", "뒤쪽에", "앞", "뒤" 등과 같은 방향 용어는 설명된 도면(들)의 배향에 대하여 사용된다. 실시예들의 컴포넌트 부분들이 다수의 상이한 배향들로 포지셔닝될 수 있기 때문에, 방향 용어는 예시를 위해 제공되고, 어쨌든 조금도 제약적이지 않다. 본 발명의 보호 범위로부터 벗어남 없이, 다른 실시예들이 사용될 수 있고 구조적 또는 논리적 변경들이 이루어질 수 있음은 말할 필요가 없다. 여기에 설명되는 다양한 실시예들의 피처들이, 구체적으로 그렇지 않다고 표시되지 않는 한, 서로 결합될 수 있음은 말할 필요가 없다. 그러므로, 아래의 상세한 설명은 제약적인 의미로 해석되어서는 안되며, 본 발명의 보호 범위는 첨부된 청구항들에 의해 정의된다.
이러한 설명의 맥락에서, 용어들 "연결된" 및 "커플링된"은 직접 및 간접 연결과 직접 또는 간접 커플링 둘 다를 설명하기 위해 사용된다. 도면들에서, 동일하거나 또는 유사한 엘리먼트들에는, 이것이 편리한 한, 동일한 참조 부호들이 제공된다.
다양한 실시예들에서, 발광 컴포넌트는 유기 발광 다이오드(OLED)로서 또는 유기 발광 트랜지스터로서 구현될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 발광 컴포넌트는 집적 회로의 일부일 수 있다. 또한, 복수의 발광 컴포넌트들이 예컨대 공통 하우징 내에 수용되는 방식으로 제공될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 예시적으로, 발광 컴포넌트, 예컨대 유기 발광 다이오드(OLED)의 경우, (측면) 열 분배를 위해 후면 미러가 사용된다.
도 1은 다양한 실시예들에 따른 발광 컴포넌트의 구현으로서 유기 발광 다이오드(100)를 도시한다.
유기 발광 다이오드(100) 형태의 발광 컴포넌트(100)는 기판(102)을 가질 수 있다. 기판(102)은 전자 엘리먼트들 또는 층들, 예컨대 발광 엘리먼트들을 위한 예컨대 캐리어 엘리먼트로서의 역할을 할 수 있다. 예로서, 기판(102)은 유리, 석영, 및/또는 반도체 재료 또는 임의의 다른 적절한 재료를 포함할 수 있거나, 또는 이들로부터 형성될 수 있다. 또한, 기판(102)은, 플라스틱 필름 또는 라미네이트 ― 하나 또는 복수의 플라스틱 필름들을 포함함 ― 를 포함할 수 있거나, 또는 이들로부터 형성될 수 있다. 플라스틱은 하나 또는 그 초과의 폴리올레핀들(예컨대, 높거나 또는 낮은 밀도 폴리에틸렌(PE) 또는 폴리프로필렌(PP))을 포함할 수 있거나, 또는 이들로부터 형성될 수 있다. 또한, 플라스틱은 폴리비닐 클로라이드(PVC), 폴리스티렌(PS), 폴리에스테르 및/또는 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에스테르 설폰(PES) 및/또는 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN)를 포함할 수 있거나, 또는 이들로부터 형성될 수 있다. 또한, 기판(102)은 예컨대 금속 필름, 예컨대 알루미늄 필름, 고급 스틸 필름, 구리 필름 또는 이들의 결합 또는 이들의 층 스택을 포함할 수 있다. 기판(102)은 위에서 언급된 재료들 중 하나 또는 그 초과를 포함할 수 있다. 기판(102)은 반투명한 것으로서 구현될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 유기 발광 다이오드는 소위 상단 에미터로서 그리고/또는 소위 하단 에미터로서 설계될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 상단 에미터는, 광이 유기 발광 다이오드로부터 예컨대 제2 전극을 통해 상단 쪽으로 방출되는 유기 발광 다이오드인 것으로 이해될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 하단 에미터는, 광이 유기 발광 다이오드로부터 예컨대 기판 및 제1 전극을 통해 하단 쪽으로 방출되는 유기 발광 다이오드인 것으로 이해될 수 있다.
(예컨대, 제1 전극 층(104) 형태의) 제1 전극(104)은 기판(102) 상에 또는 그 위에 적용될 수 있다. 제1 전극(104)(이후에, 하단 전극(104)으로서 또한 표기됨)은, 예컨대 금속 또는 투명한 전도성 산화물(TCO), 또는 동일하거나 또는 상이한 금속 또는 금속들 및/또는 동일하거나 또는 상이한 TCO들의 복수의 층들을 포함하는 층 스택과 같은 전기 전도성 재료로부터 형성될 수 있다. 투명한 전도성 산화물들은 투명한 전도성 재료들, 예컨대 아연 산화물, 주석 산화물, 카드뮴 산화물, 티타늄 산화물, 인듐 산화물, 또는 인듐 주석 산화물(ITO)과 같은 예컨대 금속 산화물들이다. 예컨대 ZnO, SnO2, 또는 In2O3와 같은 2원계 금속-산소 화합물들과 함께, 예컨대 AlZnO, Zn2SnO4, CdSnO3, ZnSnO3, MgIn2O4, GaInO3, Zn2In2O5 또는 In4Sn3O12, 또는 상이한 투명한 전도성 산화물들의 혼합물들과 같은 3원계 금속-산소 화합물들이 TCO들의 그룹에 또한 속한다. 또한, TCO들이 반드시 화학량론 조성에 대응하는 것은 아니며, 추가로 p-도핑 또는 n-도핑될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 제1 전극(104)은 금속; 예컨대 Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ag, Au, Mg, Ca, Sm 또는 Li, 그리고 이러한 재료들의 화합물들, 결합들 또는 합금들을 포함할 수 있다.
다양한 실시예들에서, 제1 전극(104)은 TCO 층 상에 금속 층의 결합의 층 스택에 의해 또는 그 반대로 형성될 수 있다. 하나의 예는, 인듐 주석 산화물 층(ITO) 상에 적용된 은 층(ITO 상에 Ag), 또는 ITO-Ag-ITO 다층들이다.
다양한 실시예들에서, 제1 전극은 전술된 재료들에 대한 대안으로서 또는 그에 부가하여, 아래의 재료들: 금속성 나노와이어들 및 나노입자들, 예컨대 Ag로 구성된 네트워크들; 탄소 나노튜브들로 구성된 네트워크들; 그라핀 입자들 및 그라핀 층들; 반도성 나노와이어들로 구성된 네트워크들 중 하나 또는 복수를 제공할 수 있다.
또한, 상기 전극들은 전도성 폴리머들 또는 전이 금속 산화물들 또는 투명한 전도성 산화물들을 포함할 수 있다.
발광 컴포넌트(100)가 기판을 통해 광을 방출하는 경우에 대해, 제1 전극(104)과 기판(102)은 반투명 또는 투명한 것으로서 형성될 수 있다. 이 경우, 제1 전극(104)이 금속으로부터 형성되는 경우에 대해, 제1 전극(104)은 예컨대 대략 25㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께, 예컨대 대략 20㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께, 예컨대 대략 18㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께를 가질 수 있다. 또한, 제1 전극(104)은 예컨대 대략 10㎚와 동일하거나 또는 그 초과의 층 두께, 예컨대 대략 15㎚와 동일하거나 또는 그 초과의 층 두께를 가질 수 있다. 다양한 실시예들에서, 제1 전극(104)은 대략 10㎚ 내지 대략 25㎚의 범위의 층 두께, 예컨대 대략 10㎚ 내지 대략 18㎚의 범위의 층 두께, 예컨대 대략 15㎚ 내지 대략 18㎚의 범위의 층 두께를 가질 수 있다.
또한, 반투명 또는 투명한 제1 전극(104)의 경우에 대해 그리고 제1 전극(104)이 투명 전도성 산화물(TCO)로부터 형성되는 경우에 대해, 제1 전극(104)은 예컨대 대략 50㎚ 내지 대략 500㎚의 범위의 층 두께, 예컨대 대략 75㎚ 내지 대략 250㎚의 범위의 층 두께, 예컨대 대략 100㎚ 내지 대략 150㎚의 범위의 층 두께를 가질 수 있다.
또한, 반투명 또는 투명한 제1 전극(104)의 경우에 대해 그리고 제1 전극(104)이 예컨대, 전도성 폴리머들과 결합될 수 있는 금속성 나노와이어들로 구성된, 예컨대 Ag로 구성된 네트워크, 전도성 폴리머들과 결합될 수 있는 탄소 나노튜브들로 구성된 네트워크, 또는 그라핀 층들 및 합성물(composite)들로부터 형성되는 경우에 대해, 제1 전극(104)은 예컨대 대략 1㎚ 내지 대략 500㎚의 범위의 층 두께, 예컨대 대략 10㎚ 내지 대략 400㎚의 범위의 층 두께, 예컨대 대략 40㎚ 내지 대략 250㎚의 범위의 층 두께를 가질 수 있다.
발광 컴포넌트(100)가 오로지 상단 쪽으로 광을 방출하는 경우에 대해, 제1 전극(104)은 또한 불투명 또는 반사적인 것으로서 설계될 수 있다. 이 경우, 제1 전극(104)은 대략 40㎚와 동일하거나 또는 그 초과의 층 두께, 예컨대 대략 50㎚와 동일하거나 또는 그 초과의 층 두께를 가질 수 있다.
제1 전극(104)은 애노드로서, 다시 말해 홀-주입 전극으로서, 또는 캐소드, 다시 말해 전자-주입 전극으로서 형성될 수 있다.
제1 전극(104)은 제1 전기 단자를 가질 수 있고, (에너지 스토어(미도시)(예컨대, 전류원 또는 전압원)에 의해 제공되는) 제1 전기 전위가 상기 제1 전기 단자에 인가될 수 있다. 대안적으로, 제1 전기 전위는 기판(102)에 인가될 수 있고, 그런 다음 상기 기판을 통해 제1 전극(104)에 간접적으로 피딩될 수 있다. 제1 전기 전위는 예컨대 접지 전위 또는 어떤 다른 미리정의된 기준 전위일 수 있다.
또한, 발광 컴포넌트(100)는 유기 전기루미네선트 층 구조물(106)을 가질 수 있고, 상기 유기 전기루미네선트 층 구조물(106)은 제1 전극(104) 상에 또는 그 위에 적용된다.
유기 전기루미네선트 층 구조물(106)은 하나 또는 복수의 에미터 층들(108) ― 예컨대, 형광성 및/또는 인광성 에미터들을 포함함 ― 과 하나 또는 복수의 홀-전도 층들(110)을 포함할 수 있다. 다양한 실시예들에서, 전자-전도 층들(미도시)이 대안적으로 또는 부가하여 제공될 수 있다.
에미터 층(들)(108)에 대한 다양한 실시예들에 따라 발광 컴포넌트(100) 내에서 사용될 수 있는 에미터 재료들의 예들은, 넌-폴리메트릭 에미터들로서, 폴리플루오렌, 폴리티오펜 및 폴리페닐렌(예컨대, 2- 또는 2,5-치환된 폴리-p-페닐렌 비닐렌) 및 금속 착물들, 예컨대 이리듐 착물들, 예컨대 청색 인광성 FIrPic(bis(3,5-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl)iridium Ⅲ), 녹색 인광성 Ir(ppy)3(tris(2-phenylpyridine)iridium Ⅲ), 적색 인광성 Ru(dtb-bpy)3*2(PF6)(tris[4,4'-di-tert-butyl-(2,2')-bipyridine]ruthenium(Ⅲ) 착물) 및 청색 형광성 DPAVBi(4,4-bis[4-(di-p-tolylamino)styryl]biphenyl), 녹색 형광성 TTPA(9,10-bis[N,N-di-(p-tolyl)amino]anthracene) 및 적색 형광성 DCM2(4-dicyanomethylene)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4H-pyran)의 유도체들과 같은 유기 또는 유기금속성 화합물들을 포함한다. 그러한 넌-폴리메트릭 에미터들은 예컨대 열적 증발에 의하여 증착될 수 있다. 또한, 폴리머 에미터들을 사용하는 것이 가능하고, 상기 폴리머 에미터들은 특히, 예컨대 스핀 코팅과 같은 습식-화학 방법들에 의하여 증착될 수 있다.
에미터 재료들은 적절한 방식으로 매트릭스 재료 내에 매립될 수 있다.
다른 실시예들에서 다른 적절한 에미터 재료들이 마찬가지로 제공됨이 주의되어야 한다.
발광 컴포넌트(100)의 에미터 층(들)(108)의 에미터 재료들은 예컨대 발광 컴포넌트(100)가 백색광을 방출하도록 선택될 수 있다. 에미터 층(들)(108)은 상이한 색들(예컨대, 청색과 황색, 또는 청색, 녹색과 적색)로 방출하는 복수의 에미터 재료들을 포함할 수 있고; 대안적으로, 에미터 층(들)(108)은 복수의 부분 층들, 예컨대 청색 형광성 에미터 층(108) 또는 청색 인광성 에미터 층(108), 녹색 인광성 에미터 층(108)과 적색 인광성 에미터 층(108)으로부터 또한 구성될 수 있다. 상이한 색들을 혼합함으로써, 백색 인상(impression)을 갖는 광의 방출이 생길 수 있다. 대안적으로, 상기 층들에 의해 생성되는 일차 방출의 빔 경로 내에 컨버터 재료를 배열하는 것이 또한 제공될 수 있고, 상기 컨버터 재료는 적어도 부분적으로 일차 방사선을 흡수하고 상이한 파장을 갖는 이차 방사선을 방출하여, 일차 방사선과 이차 방사선의 결합 때문에 (아직 백색이 아닌) 일차 방사선으로부터 백색 인상이 생긴다.
유기 전기루미네선트 층 구조물(106)은 일반적으로, 하나 또는 복수의 전기루미네선트 층들을 포함할 수 있다. 하나 또는 복수의 전기루미네선트 층들은 유기 폴리머들, 유기 올리고머들, 유기 단위체들, 유기 소형 넌-폴리메트릭 분자들("소분자들") 또는 이러한 재료들의 결합을 포함할 수 있다. 예로서, 유기 전기루미네선트 층 구조물(106)은, 예컨대 OLED의 경우 전기루미네선트 층 또는 전기루미네선트 구역 안으로의 유효한 홀 주입을 가능케 하기 위하여, 홀 수송 층(110)으로서 구현되는 하나 또는 복수의 전기루미네선트 층들을 포함할 수 있다. 대안적으로, 다양한 실시예들에서, 유기 전기루미네선트 층 구조물은, 예컨대 OLED의 경우 전기루미네선트 층 또는 전기루미네선트 구역 안으로의 유효한 전자 주입을 가능케 하기 위하여, 전자 수송 층으로서 구현되는 하나 또는 복수의 기능 층들을 포함할 수 있다. 예로서, 삼급 아민(tertiary amine)들, 카바조(carbazo) 유도체들, 전도성 폴리아닐린 또는 폴리에틸렌 다이옥시티오펜(dioxythiophene)이 홀 수송 층(110)을 위한 재료로서 사용될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 하나 또는 복수의 전기루미네선트 층들이 전기루미네선트 층으로서 구현될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 홀 수송 층(110)은 제1 전극(104) 상에 또는 그 위에 적용, 예컨대 증착될 수 있고, 에미터 층(108)은 홀 수송 층(110) 상에 또는 그 위에 적용, 예컨대 증착될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 유기 전기루미네선트 층 구조물(106)(다시 말해, 예컨대 홀 수송 층(들)(110)과 에미터 층(들)(108)의 두께들의 합)은 최대 대략 1.5㎛의 층 두께, 예컨대 최대 대략 1.2㎛의 층 두께, 예컨대 최대 대략 1㎛의 층 두께, 예컨대 최대 대략 800㎚의 층 두께, 예컨대 최대 대략 500㎚의 층 두께, 예컨대 최대 대략 400㎚의 층 두께, 예컨대 최대 대략 300㎚의 층 두께를 가질 수 있다. 다양한 실시예들에서, 유기 전기루미네선트 층 구조물(106)은 예컨대 하나의 층 위에 다른 층이 바로 배열되는 복수의 유기 발광 다이오드(OLED)들의 스택을 가질 수 있고, 여기서 각각의 OLED는 예컨대 최대 대략 1.5㎛의 층 두께, 예컨대 최대 대략 1.2㎛의 층 두께, 예컨대 최대 대략 1㎛의 층 두께, 예컨대 최대 대략 800㎚의 층 두께, 예컨대 최대 대략 500㎚의 층 두께, 예컨대 최대 대략 400㎚의 층 두께, 예컨대 최대 대략 300㎚의 층 두께를 가질 수 있다. 다양한 실시예들에서, 유기 전기루미네선트 층 구조물(106)은 예컨대, 하나의 층 위에 다른 층이 바로 배열되는 세 개 또는 네 개의 OLED들의 스택을 가질 수 있고, 상기 경우 예컨대 유기 전기루미네선트 층 구조물(106)은 최대 대략 3㎛의 층 두께를 가질 수 있다.
발광 컴포넌트(100)는 선택적으로, 예컨대 하나 또는 복수의 에미터 층들(108) 상에 또는 그 위에 배열된, 추가 유기 기능 층들을 일반적으로 포함할 수 있고, 상기 추가 유기 기능 층들은 발광 컴포넌트(100)의 기능 및 그에 따른 효율성을 추가로 개선시키기 위해 제공된다.
(예컨대, 제2 전극 층(112) 형태의) 제2 전극(112)은 유기 전기루미네선트 층 구조물(106) 상에 또는 그 위에, 또는 적절하다면, 하나 또는 복수의 추가 유기 기능 층들 상에 또는 그 위에 적용될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 제2 전극(112)은 제1 전극(104)과 동일한 재료들을 포함할 수 있거나 또는 이들로부터 형성될 수 있고, 다양한 실시예들에서 금속들이 특히 적절하다.
다양한 실시예들에서, 제2 전극(112)은 예컨대 대략 50㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께, 예컨대 대략 45㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께, 예컨대 대략 40㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께, 예컨대 대략 35㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께, 예컨대 대략 30㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께, 예컨대 대략 25㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께, 예컨대 대략 20㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께, 예컨대 대략 15㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께, 예컨대 대략 10㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께를 가질 수 있다.
제2 전극(112)은 일반적으로, 제1 전극(104)과 유사한 방식으로 또는 제1 전극(104)과 상이하게 형성될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 제2 전극(112)은, 제1 전극(104)과 관련하여 위에서 설명된 바와 같이, 상기 재료들 중 하나 또는 그 초과로부터, 그리고 (제2 전극이 반사적인 것으로서 형성되도록 의도되는지, 반투명한 것으로서 형성되도록 의도되는지 또는 투명한 것으로서 형성되도록 의도되는지에 따라) 각각의 층 두께로 형성될 수 있다.
이러한 층 두께들의 경우, 아래에 훨씬 더 상세히 설명되는 부가 캐비티가 하나 또는 복수의 전기루미네선트 층 구조물들에 의해 형성된 마이크로캐비티(마이크로캐비티들)에 광학적으로 커플링된다.
제2 전극(112)은 애노드로서, 다시 말해 홀-주입 전극으로서, 또는 캐소드, 다시 말해 전자-주입 전극으로서 형성될 수 있다.
제2 전극(112)은 제2 전기 단자를 가질 수 있고, 에너지 소스에 의해 제공되는 (제1 전기 전위와 상이한) 제2 전기 전위가 상기 제2 전기 단자에 인가될 수 있다. 제2 전기 전위는 예컨대, 제1 전기 전위에 대한 차이가 대략 1.5V 내지 대략 20V의 범위의 값, 예컨대 대략 2.5V 내지 대략 15V의 범위의 값, 예컨대 대략 5V 내지 대략 10V의 범위의 값을 갖도록, 값을 가질 수 있다.
광학 반투명 층 구조물(114)이 제2 전극(112) 상에 또는 그 위에 제공될 수 있다. 광학 반투명 층 구조물(114)은 선택적으로 부가 광-산란 입자들을 포함할 수 있다.
광학 반투명 층 구조물(114)은 임의적 재료, 원리적으로, 예컨대 유전체 재료, 예컨대 유기 매트릭스를 형성하는 예컨대 유기 재료로부터 형성될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 광학 반투명 층 구조물(114)은 적어도, 380㎚ 내지 780㎚의 파장 범위의 부분 범위의 방사선에 반투명하고, 예컨대 투명하다.
다양한 실시예들에서, 미러 층 구조물(116)이 광학 반투명 층 구조물(114) 상에 또는 그 위에 적용된다. 예시적으로, 광학 반투명 층 구조물(114)과 미러 층 구조물(116)은, 예컨대 하나의 광학 액티브 매체 또는 복수의 광학 액티브 매체를 갖는 발광 컴포넌트(100), 예컨대 OLED의 마이크로캐비티에 광학적으로 커플링된(다시 말해, 예시적으로, 상기 마이크로캐비티의 외부에 있는) 캐비티, 예컨대 마이크로캐비티를 공동으로 형성한다.
다양한 실시예들에서, 미러 층 구조물(116)은 적어도 1㎛의 층 두께를 갖는다. 또한, 미러 층 구조물(116)은 적어도 1*10-3W/K의 측면 열 전도도를 가질 수 있다.
이를 위해, 예컨대, 이 실시예에서, "외부" 캐비티의 광학 반투명 층 구조물(114)은 OLED 마이크로캐비티의 반투명(translucent)(투명(transparent) 또는 반투명(semitransparent))한 제2 전극(112)과 접촉된다. "외부" 캐비티는 OLED를 통한 전류 수송에 참여하지 않거나 또는 단지 사소하게 참여하고; 다르게 말하면, 전기 전류가 "외부" 캐비티를 통해 그리고 그에 따라 광학 반투명 층 구조물(114) 및 미러 층 구조물(116)을 통해 흐르지 않거나, 또는 무시할 수 있게 작은 전기 전류만이 "외부" 캐비티를 통해 그리고 그에 따라 광학 반투명 층 구조물(114) 및 미러 층 구조물(116)을 통해 흐른다.
위에서 이미 설명된 바와 같이, "외부" 캐비티, 그리고 이 경우 특히 광학 반투명 층 구조물(114)은, 다양한 실시예들에서, 적절한 유기 매트릭스로 "필링(filling)"될 수 있거나 또는 그러한 유기 매트릭스에 의해 형성될 수 있다. "외부" 캐비티는 두 개의 미러들 또는 미러 층 구조물들(116)을 가질 수 있고, 그들 중 적어도 하나는 반투명하거나, 투명하거나 또는 반투명하다. 반투명하거나, 투명하거나 또는 반투명한 미러(또는 반투명하거나, 투명하거나 또는 반투명한 미러 층 구조물)는 OLED 마이크로캐비티의 반투명하거나, 투명하거나 또는 반투명한 제2 전극(112)과 동일할 수 있다(이러한 실시예들이 도면들에서 예시되고; 그러나, 대안적 실시예들에서, 부가의 반투명하거나, 투명하거나 또는 반투명한 미러 층 구조물이 제2 전극(112)과 광학 반투명 층 구조물(114) 사이에 또한 제공될 수 있다).
다양한 실시예들에서, 저분자량 유기 화합물들("소분자들")이 유기 매트릭스를 위한 재료로서 제공될 수 있고, 예컨대 alpha-NPD 또는 1-TNATA와 같이 진공 내에서 예컨대 기상 증착에 의하여 적용될 수 있다. 대안적 실시예들에서, 유기 매트릭스는, 예컨대 광학 투명 폴리메트릭 매트릭스(에폭시드들, 폴리메틸 메타크릴레이트, PMMA, EVA, 폴리에스테르, 폴리우레탄들 등등)를 형성하는 폴리메트릭 재료들로부터 형성될 수 있거나 또는 이들로 구성될 수 있고, 습식-화학 방법(예컨대, 스핀 코팅 또는 프린팅)에 의하여 적용될 수 있다. 부가하여, 이러한 재료들은 굴절률을 적응시키기 위한 첨가제들을 포함할 수 있다. 다양한 실시예들에서, 예컨대, 유기 전기루미네선트 층 구조물(106) 내에서 또한 사용될 수 있는 바와 같은 임의의 유기 재료가 유기 매트릭스를 위해 사용될 수 있다. 또한, 대안적 실시예들에서, 광학 반투명 층 구조물(114)은 예컨대 저온 증착 방법에 의하여(예컨대, 가스 위상으로부터)(즉, 예컨대 대략 100℃와 동일하거나 또는 그 미만의 온도에서) 무기 반도체 재료, 예컨대 SiN, SiO2, GaN 등을 포함할 수 있거나 또는 이들에 의해 형성될 수 있다. 다양한 실시예들에서, OLED 기능 층들(106, 108, 110) 및 광학 반투명 층 구조물(114)의 굴절률들은 가능한 한 많이 서로 적응될 수 있고, 여기서 광학 반투명 층 구조물(114)은 높은 굴절률 폴리머들, 예컨대 최대 n=1.7의 굴절률을 갖는 폴리이미드들 또는 최대 n=1.74의 굴절률을 갖는 폴리우레탄을 또한 포함할 수 있다.
다양한 실시예들에서, 첨가제들이 폴리머들 내에 제공될 수 있다. 그러므로, 예시적으로, 적절한 첨가제들을 보통의 굴절률을 갖는 폴리메트릭 매트릭스 안으로 혼합함으로써 높은 굴절률 폴리머 매트릭스가 달성될 수 있다. 적절한 첨가제들은 예컨대 티타늄 산화물 또는 지르코늄 산화물 나노입자들, 또는 티타늄 산화물 또는 지르코늄 산화물을 포함하는 화합물들이다.
다양한 실시예들에서, 예컨대 습식-화학 프로세스 동안, 전기적으로 불안정한 재료들을 보호하기 위하여, 예컨대 대략 30㎚ 내지 대략 1.5㎛의 범위의 층 두께, 예컨대 대략 200㎚ 내지 대략 1㎛의 범위의 층 두께를 갖는 전기 절연 층, 예컨대 SiN이 또한 제2 반투명 전극(112)과 광학 반투명 층 구조물(114) 사이에 적용될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 장벽 박막 층/박막 캡슐화부가 선택적으로 또한 형성될 수 있다.
이 출원의 맥락에서, "장벽 박막 층" 또는 "장벽 박막"은, 예컨대, 화학적 불순물들 또는 대기 물질들에 대비하여, 특히 물(수분)과 산소에 대비하여 장벽을 형성하기에 적절한 층 또는 층 구조물을 의미하는 것으로 이해될 수 있다. 다시 말해, 장벽 박막 층은, 물, 산소 또는 용제와 같은 OLED-손상 물질들이 상기 장벽 박막 층을 관통할 수 없도록 또는 상기 물질들 중 기껏해야 매우 작은 비율들이 상기 장벽 박막 층을 관통할 수 있도록 형성된다. 장벽 박막 층의 적절한 구성들은 예컨대 특허 출원들 DE 10 2009 014 543, DE 10 2008 031 405, DE 10 2008 048 472 및 DE 2008 019 900에서 발견될 수 있다.
하나의 구성에 따라, 장벽 박막 층은 개별 층으로서(다르게 말하면, 단일 층으로서) 형성될 수 있다. 대안적 구성에 따라, 장벽 박막 층은 하나의 부분 층이 다른 부분 층의 위에 형성되는 복수의 부분 층들을 포함할 수 있다. 다시 말해, 하나의 구성에 따라, 장벽 박막 층은 층 스택으로서 형성될 수 있다. 장벽 박막 층 또는 장벽 박막 층의 하나 또는 복수의 부분 층들은 예컨대 적절한 증착 방법에 의하여, 예컨대 하나의 구성에 따라 원자층 증착(ALD) 방법, 예컨대 플라즈마 강화 원자층 증착(PEALD) 방법 또는 무 플라즈마 원자층 증착(PLALD) 방법에 의하여, 또는 다른 구성에 따라 화학 기상 증착(CVD) 방법, 예컨대 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD) 방법 또는 무 플라즈마 화학 기상 증착(PLCVD) 방법에 의하여, 또는 대안적으로 다른 적절한 증착 방법들에 의하여 형성될 수 있다.
원자층 증착(ALD) 방법을 이용함으로써, 매우 얇은 층들이 증착되는 것이 가능하다. 특히, 원자층 범위의 층 두께들을 갖는 층들이 증착될 수 있다.
하나의 구성에 따라, 복수의 부분 층들을 갖는 장벽 박막 층의 경우, 부분 층들 전부가 원자층 증착 방법에 의하여 형성될 수 있다. ALD 층들만을 포함하는 층 시퀀스가 "나노라미네이트"로서 또한 표기될 수 있다.
대안적 구성에 따라, 복수의 부분 층들을 포함하는 장벽 박막 층의 경우, 장벽 박막 층의 하나 또는 복수의 부분 층들은 원자층 증착 방법과 상이한 증착 방법에 의하여, 예컨대 기상 증착 방법에 의하여 증착될 수 있다.
하나의 구성에 따라, 장벽 박막 층은 대략 0.1㎚(하나의 원자층) 내지 대략 1000㎚의 층 두께, 예컨대 하나의 구성에 따라 대략 10㎚ 내지 대략 100㎚의 층 두께, 예컨대 하나의 구성에 따라 대략 40㎚를 가질 수 있다.
장벽 박막 층이 복수의 부분 층들을 포함하는 하나의 구성에 따라, 부분 층들 전부가 동일한 층 두께를 가질 수 있다. 다른 구성에 따라, 장벽 박막 층의 개별 부분 층들은 상이한 층 두께들을 가질 수 있다. 다시 말해, 부분 층들 중 적어도 하나는 하나 또는 그 초과의 다른 부분 층들과 상이한 층 두께를 가질 수 있다.
하나의 구성에 따라, 장벽 박막 층 또는 장벽 박막 층의 개별 부분 층들은 반투명 또는 투명 층으로서 형성될 수 있다. 다시 말해, 장벽 박막 층(또는 장벽 박막 층의 개별 부분 층들)은 반투명 또는 투명 재료(또는 반투명하거나 또는 투명한 재료 결합)로 구성될 수 있다.
하나의 구성에 따라, 장벽 박막 층 또는 (복수의 부분 층들을 갖는 층 스택의 경우) 장벽 박막 층의 하나 또는 복수의 부분 층들은 아래의 재료들 중 하나를 포함할 수 있거나 또는 아래의 재료들 중 하나로 구성될 수 있다: 알루미늄 산화물, 아연 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물, 하프늄 산화물, 탄탈럼 산화물, 란타늄 산화물, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 알루미늄-도핑된 아연 산화물, 그리고 그 혼합물들 및 합금들.
다양한 실시예들에서, 광학 반투명 층 구조물(114)은 대략 10㎚ 내지 대략 200㎛의 범위의 층 두께, 예컨대 대략 100㎚ 내지 대략 100㎛의 범위의 층 두께, 예컨대 대략 500㎚ 내지 대략 50㎛의 범위의 층 두께, 예컨대 1㎛ 내지 25㎛를 가질 수 있다.
다양한 실시예들에서, 광학 반투명 층 구조물(114)은 접착제를 더 포함할 수 있거나 또는 접착제로부터 또한 형성될 수 있고, 여기서 접착제는 선택적으로 부가 산란 입자들을 또한 포함할 수 있다. 다양한 실시예들에서, 광학 반투명 층 구조물(114)(예컨대, 접착제로 구성된 층)은 1㎛를 초과하는 층 두께, 예컨대 수㎛의 층 두께를 가질 수 있다.
다양한 실시예들에서, 예컨대 습식-화학 프로세스 동안, 전기적으로 불안정한 재료들을 보호하기 위하여, 예컨대 대략 300㎚ 내지 대략 1.5㎛의 범위의 층 두께, 예컨대 대략 500㎚ 내지 대략 1㎛의 범위의 층 두께를 갖는 전기 절연 층, 예컨대 SiN이 또한 제2 전극(112)과 광학 반투명 층 구조물(114) 사이에 적용될 수 있다.
본질적으로 완성된 발광 컴포넌트의 외면 상에 BEOL(back-end-of-line) 프로세스에 의해 적용된 캐비티와 비교할 때, 다양한 실시예들에서 FEOL(front-end-of-line) 프로세스들에서 "외부" 캐비티를 또한 형성하는 이러한 어레인지먼트의 하나의 가능한 장점은, OLED 하단 접촉부(예컨대, 제1 전극(104)) 또는 OLED 상단 접촉부(예컨대, 제2 전극(112))의 플라스몬(plasmon)들로의 광학 반투명 층 구조물(114)의 강한 광학 커플링에서 볼 수 있다.
다양한 실시예들에서, 미러 층 구조물(116)(또는, 적절하다면, 광학 반투명 층 구조물(114) 아래에, 제2 반투명 전극(112) 상에 또는 그 위에 제공될 수 있는 미러 층 구조물)은, 바람직한 높은 투과율의 경우에 대해, 하나 또는 복수의 얇은 금속 필름들(예컨대, Ag, Mg, Sm, Ca, 그리고 이러한 재료들의 다층들 및 합금들)을 포함할 수 있다. 상기 하나 또는 복수의 금속 필름들은 (각각의 경우) 대략 10㎚ 내지 대략 70㎚의 범위의 층 두께, 예컨대 대략 14㎚ 내지 대략 30㎚의 범위의 층 두께, 예컨대 대략 15㎚ 내지 대략 25㎚의 범위의 층 두께를 가질 수 있다. 이 경우에 대해, 제2 반투명 전극(112)에 대해 위에서 언급된 바와 같은 그러한 재료들 전부를, 미러 층 구조물(116)(또는, 적절하다면, 광학 반투명 층 구조물(114) 아래에, 제2 전극(112) 상에 또는 그 위에 제공될 수 있는 미러 층 구조물)에 대해 사용하는 것이 가능하다. 이 점에서, 예로서, 예컨대 "페이셜 타켓 스퍼터링"에 의해서와 같이 저-손상 증착 기술에 의하여 증착될 수 있는, ITO, IZO 또는 AZO와 같은 도핑된 금속-산화물 화합물들을 제공하는 것이 또한 가능하다.
다양한 실시예들에서, 미러 층 구조물(116)(또는, 적절하다면, 광학 반투명 층 구조물(114) 아래에, 제2 반투명 전극(112) 상에 또는 그 위에 제공될 수 있는 미러 층 구조물)은, 유기 발광 다이오드(100)가 상단 에미터로서 형성되는지 그리고/또는 하단 에미터로서 형성되는지에 따라, 반사적 또는 반투명 또는 투명 또는 반투명할 수 있다. 재료들은 제1 전극에 대해 위에서 언급된 바와 같은 재료들로부터 선택될 수 있다. 층 두께들 역시, 유기 발광 다이오드(100)의 바람직한 실시예에 따라, 제1 전극에 대해 위에서 설명된 바와 같은 범위들 내에서 선택될 수 있다. 대안적으로 또는 부가하여, 미러 층 구조물(116)(또는, 적절하다면, 광학 반투명 층 구조물(114) 아래에, 제2 반투명 전극(112) 상에 또는 그 위에 제공될 수 있는 미러 층 구조물)은 하나 또는 복수의 유전체 미러들을 가질 수 있다.
이 경우에 대해, 제2 전극(112)에 대해 위에서 언급된 바와 같은 그러한 재료들 전부를, 미러 층 구조물(116)(또는, 적절하다면, 광학 반투명 층 구조물(114) 아래에, 제2 전극(112) 상에 또는 그 위에 제공될 수 있는 미러 층 구조물)에 대해 사용하는 것이 가능하다. 이 점에서, 예로서, 예컨대 "페이셜 타켓 스퍼터링"에 의해서와 같이 저-손상 증착 기술에 의하여 증착될 수 있는, ITO, IZO 또는 AZO와 같은 도핑된 금속-산화물 화합물들을 제공하는 것이 또한 가능하다.
다양한 실시예들에서, 미러 층 구조물(116)은, 미러 층 구조물(116)의 재료들 및/또는 미러 층 구조물(116)의 개별 층들 또는 전체 미러 층 구조물(116)의 층 두께의 적절한 선택을 통해 바람직한 최소 측면 열 전도도를 가질 수 있다.
예로서, 미러 층 구조물(116)은 동일하거나 또는 상이한 층 두께들을 갖는 복수의 상이한 금속들의 스택을 가질 수 있다. 이 점과 관련하여, 예로서, 미러 층 구조물(116)은 대략 10㎚ 내지 대략 70㎚의 범위의 층 두께, 예컨대 대략 14㎚ 내지 대략 30㎚의 범위의 층 두께, 예컨대 대략 15㎚ 내지 대략 25㎚의 범위의 층 두께를 갖는 구리로 구성된 층, 그리고 부가하여, 대략 10㎚ 내지 대략 70㎚의 범위의 층 두께, 예컨대 대략 14㎚ 내지 대략 30㎚의 범위의 층 두께, 예컨대 대략 15㎚ 내지 대략 25㎚의 범위의 층 두께를 갖는 알루미늄으로 구성된 층을 포함할 수 있다. 다양한 실시예들에서, 미러 층 구조물(116)은 대략 3㎛의 층 두께를 갖는 구리로 구성된 층, 그리고 부가하여 대략 5㎛의 층 두께를 갖는 알루미늄으로 구성된 층을 포함할 수 있다. 다양한 실시예들에서, 미러 층 구조물(116)은 대략 2㎛의 층 두께를 갖는 알루미늄으로 구성된 층, 그리고 부가하여 대략 5㎛의 층 두께를 갖는 은으로 구성된 층을 포함할 수 있다. 다양한 실시예들에서, 미러 층 구조물(116)은 대략 3㎛의 층 두께를 갖는 구리로 구성된 층, 그리고 부가하여 대략 2㎛의 층 두께를 갖는 은으로 구성된 층을 포함할 수 있다.
미러 층 구조물(116)은 하나 또는 복수의 미러들을 가질 수 있다. 미러 층 구조물(116)이 복수의 미러들을 갖는다면, 각각의 미러들은 각각의 유전체 층에 의하여 서로 분리된다.
미러 층 구조물(116)의 하나 또는 복수의 금속 필름들은 (각각의 경우) 대략 2㎚ 내지 대략 1㎚의 범위의 층 두께, 예컨대 대략 200㎚ 내지 대략 100㎛의 범위의 층 두께, 예컨대 대략 1㎛ 내지 대략 10㎛의 범위의 층 두께를 가질 수 있다.
또한, 유기 발광 다이오드(100)는 또한 캡슐화 층들을 가질 수 있고, 상기 캡슐화 층들은 예컨대 BEOL(back-end-of-line) 프로세스의 환경에서 적용될 수 있고, 여기서 다양한 실시예들에서 외부 캐비티가 FEOL(front-end-of-line) 프로세스의 환경에서 형성됨이 주의되어야 한다.
또한, 커버 층(118), 예컨대 유리(118)가 선택적으로 미러 층 구조물(116) 상에 또는 그 위에 적용될 수 있다.
다양한 실시예들은 개선된, 예컨대 최적화된 (예컨대 측면) 온도 분배 및 개선된 시야각 의존성을 갖는 발광 컴포넌트, 예컨대 OLED를 위한 단순화된 구성 및 FEOL(front-end-of-line) 프로세스를 제공한다. 다양한 실시예들에서, 이는, 예컨대 투명 또는 반투명 상단 접촉부(제2 전극으로서 또한 표기됨) 그리고/또는 적절하다면 발광 컴포넌트, 예컨대 OLED의 박막 캡슐화부를 이용함으로써 달성된다. 또한, 이는, 대안적으로 또는 부가하여, 광학적으로 반투명한, 예컨대 광학적으로 투명한 접착제에 의하여 높은 반사율 및 높은 열 전도도를 갖는 후면 미러의 라미네이션에 의하여 달성될 수 있다. 사용되는 접착제는 예컨대 에폭시드들, 폴리메틸 메타크릴레이트, PMMA, EVA, 폴리에스테르, 폴리우레탄들, 페놀-포름알데히드 수지 접착제들, 실리콘들, 실레인-가교 폴리머 접착제들, 폴리이미드 접착제들일 수 있고; 이러한 접착제들은 부가하여, 굴절률을 적응시키기 위한 접착제들을 포함할 수 있다.
다양한 실시예들에서, 광은 발광 컴포넌트, 예컨대 OLED의 광학적으로 반투명한, 예컨대 광학적으로 투명한 하단 접촉부(제1 전극으로서 또한 표기됨)를 통해 방출된다(이 경우, 발광 컴포넌트는 "하단 에미터"로서 설계된다).
후면 미러, 즉 일반적으로 미러 층 구조물(예컨대, 미러 층 구조물(116))은, 가장 단순한 경우, 충분한 층 두께(예컨대, 적어도 1㎛의 층 두께)의 금속으로 기상-증착된 유리 플레이트를 포함할 수 있거나 또는 상기 유리 플레이트로 구성될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 높은 반사율 및 높은 열 전도도의 결합을 갖는, 예컨대 Ag, Al과 같은 금속들 또는 하나 또는 복수의 금속 합금들이 사용될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 미러 층 구조물 내의 하나 또는 복수의 부가 유전체 층들에 의하여, 미러 층 구조물(예컨대, 후면 미러)의 반사율이 증가될 수 있고, 상기 미러 층 구조물의 부식이 억제될 수 있다.
접착력 및/또는 가공성을 개선시키기 위한 부가 층들이 다양한 실시예들에서 제공될 수 있다.
발광 컴포넌트, 예컨대 OLED 상의 반투명한, 예컨대 투명한 상단 접촉부는 얇은 금속 층들(예컨대, Ag, Cu, Au, Sm, Ca, Ba, Mg, 또는 이들의 합금들), 또는 반투명한, 예컨대 투명한 전기 전도성 금속 산화물들(ITO, AZO 등), 또는 이 둘의 결합(예컨대 ITO-Ag-ITO와 같은 소위 TCO-얇은 금속-TCO)을 포함할 수 있거나 또는 이들로 구성될 수 있다.
접착제와 함께 미러 층 구조물과 OLED의 반투명한, 예컨대 투명한 상단 접촉부는 패시브(전기적으로 동작되지 않음) 외부 광학 캐비티를 형성할 수 있다.
외부 광학 캐비티를 OLED 캐비티에 커플링함으로써, 그러한 OLED의 색 각도 왜곡을 개선하는 것이 가능하다.
발광 컴포넌트, 예컨대 OLED의 측면 온도 구배들은 미러 층 구조물의 열 전도율에 의해 보상된다.
다양한 실시예들에서, 광-산란 입자들이 접착제의 층(접착제 층으로서 또한 표기됨) 안으로 또한 매립될 수 있고, 상기 입자들은 색 각도 왜곡 및 커플링-아웃 효율성의 추가 개선을 유도할 수 있다. 다양한 실시예들에서, 제공되는 광-산란 입자들은 예컨대 실리콘 산화물(SiO2), 아연 산화물(ZnO), 지르코늄 산화물(ZrO2), 인듐 주석 산화물(ITO) 또는 인듐 아연 산화물(IZO), 갈륨 산화물(Ga2Oa), 알루미늄 산화물 또는 티타늄 산화물과 같은 예컨대 금속 산화물들과 같은 예컨대 유전체 산란 입자들일 수 있다. 다른 입자들이 반투명 층 구조물의 매트릭스의 유효 굴절률과 상이한 굴절률을 갖는다면, 상기 다른 입자들, 예컨대 에어 버블들, 아크릴레이트, 또는 중공 유리 구슬(hollow glass bead)들이 또한 적절할 수 있다. 또한, 예컨대 금속성 나노입자들, 금, 은, 철 나노입자들과 같은 금속들 등등이 광-산란 입자들로서 제공될 수 있다.
도 2는 다양한 실시예들에 따른 발광 컴포넌트의 구현으로서 유기 발광 다이오드(200)를 도시한다.
도 2에 따른 유기 발광 다이오드(200)는 많은 양상들에서 도 1에 따른 유기 발광 다이오드(100)와 동일하고, 이러한 이유로, 도 2에 따른 유기 발광 다이오드(200)와 도 1에 따른 유기 발광 다이오드(100) 사이의 차이들만이 아래에 더욱 상세히 설명되고; 도 2에 따른 유기 발광 다이오드(200)의 나머지 엘리먼트들에 대하여, 도 1에 따른 유기 발광 다이오드(100)에 관한 위의 설명들이 참조된다.
도 1에 따른 유기 발광 다이오드(100)에 대조적으로, 도 2에 따른 유기 발광 다이오드(200)의 경우, 미러 층 구조물(202)과 광학 반투명 층 구조물(204)이 제2 전극(112) 상에 또는 그 위에 형성되는 것이 아니라, 제1 전극(104) 아래에 형성된다.
이러한 실시예들에서, 에너지 소스는 제1 전극(104)의 제1 전기 단자 및 제2 전극(112)의 제2 전기 단자에 연결된다.
도 2에 따른 유기 발광 다이오드(200)는 상단 에미터로서 형성될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 도 2에 따른 유기 발광 다이오드(200)는 예시적으로, 기판 면 상에 "원격" 캐비티 방식을 이용하는 표면 방출 OLED이다. 이 실시예에서, 접촉부들(즉, 제1 전극(104) 및 제2 전극(112)) 둘 다는 반투명(semitranslucent), 예컨대 반투명(semitransparent)하다.
또한, 도 2에 따른 유기 발광 다이오드(200)에서, 예컨대 박막 캡슐화부(206) 형태의 캡슐화 층 구조물(206)이 제2 전극(112) 상에 또는 그 위에 배열된다. 또한, (선택적으로 부가 광-산란 입자들을 포함하는) 접착제로 구성된 층(208)이 캡슐화 층 구조물(206) 상에 또는 그 위에 있을 수 있고, 예컨대 제2 광학 반투명 층 구조물(208)이 제2 전극(112) 상에 또는 그 위에 있을 수 있다.
또한, 커버 층(118), 예컨대 유리(118)가 선택적으로, 제2 광학 반투명 층 구조물(208) 상에 또는 그 위에 적용될 수 있다.
그러므로, 다양한 실시예들에서 기판 면 상에서 방출하는 발광 컴포넌트(예컨대, 기판 면 상에서 방출하는 OLED)는 도 2 또는 도 3에서 예시된 바와 같은 표면 측(surface side)에서 방출하는 발광 컴포넌트(예컨대, 표면 측에서 방출하는 OLED)로 트랜스퍼된다. 이 경우, 외부 금속 미러가 광학적으로 반투명한, 예컨대 투명한 하단 접촉부 아래에 배열될 수 있다. 이 경우, 광은 예컨대 광학적으로 반투명한, 예컨대 투명한 상단 접촉부(예컨대, 제2 전극)를 통해 OLED를 떠나고, 그러므로 상기 OLED는 예컨대 상단 에미터로서 설계된다.
미러 층 구조물, 예컨대 금속 미러의 어레인지먼트는 다양한 방식들로, 예컨대 아래의 방식들 중 하나로 초래될 수 있다:
1) 충분히 두꺼운 미러 층 구조물, 예컨대 금속 층과 적절하다면 하나 또는 복수의 유전체 보조 층들을 기판의 밑면에 적용한다.
2) 미러 층 구조물, 예컨대 금속 포일을 기판의 밑면에 접착 본딩시킨다.
3) 충분히 두꺼운 미러 층 구조물, 예컨대 충분히 두꺼운 금속 미러를 기판에 기상-증착시키고, 두꺼운 광학적으로 반투명한, 예컨대 투명한 층 또는 층 구조물을 적용하고, 뒤이어 발광 컴포넌트, 예컨대 OLED의 광학적으로 반투명한, 예컨대 투명한 하단 접촉부를 증착시킨다. 두꺼운 광학적으로 반투명한, 예컨대 투명한 층 또는 층 구조물은 가장 매끄러운 가능한 표면을 가져야 한다. 이러한 이유로, 다양한 실시예들은 CVD(chemical vapor deposition) 프로세스에 의하여 두꺼운 SiN 층을 증착시키는 것을 제공할 수 있다. 이러한 층은, 상기 층이 매우 높은 굴절률(예컨대, 대략 n=1.8)을 갖고, 그 결과 외부 패시브 캐비티의 효과가 여전히 추가로 강화된다는 부가 장점을 가질 수 있다.
1.) 및 2.)에 따른 프로세스들의 경우, 기판과 함께 미러 층 구조물과 광학적으로 반투명한, 예컨대 투명한 OLED의 하단 접촉부는 외부 패시브 캐비티를 형성한다.
외부 패시브 캐비티가 극도로 얇거나 또는 심지어 보이지 않는 제한적인 경우, 두꺼운 미러 층 구조물, 예컨대 두꺼운 금속 미러는 기판에 직접 적용될 수 있고 동시에 하부 접촉부, 즉 발광 컴포넌트(300), 예컨대 OLED(300)의 제1 전극(302)을 형성할 수 있다. 그러한 발광 컴포넌트(300)는 도 3에서 예시된다.
도 3에 따른 발광 컴포넌트(300)의 층 스택의 나머지는 도 2에 따른 발광 컴포넌트(200)의 층 스택과 동일하다.
도 4a 내지 도 4f는 발광 컴포넌트(100)의 제조 동안 상이한 시점들에서 다양한 실시예들에 따른 상기 발광 컴포넌트(100)를 도시한다. 다른 발광 컴포넌트들(200, 300)은 대응하는 방식으로 제조될 수 있다.
도 4a는 발광 컴포넌트(100)의 제조 동안 제1 시점(400)에서 상기 발광 컴포넌트(100)를 도시한다.
이 시점에서, 제1 전극(104)이 기판(102)에 적용되는데, 예컨대 CVD(chemical vapor deposition) 방법에 의하여 또는 PVD(physical vapor deposition) 방법(예컨대 스퍼터링, 이온-보조 증착 방법 또는 열적 증발)에 의하여, 대안적으로 도금 방법; 딥 코팅 방법; 스핀 코팅 방법; 프린팅; 블레이드 코팅; 또는 스프레잉에 의하여, 상기 기판 상에 예컨대 증착된다.
다양한 실시예들에서, 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PE-CVD:plasma enhanced chemical vapor deposition) 방법이 CVD 방법으로서 사용될 수 있다. 이 경우, 엘리먼트 ― 적용될 층이 상기 엘리먼트에 적용되도록 의도됨 ― 둘레 그리고/또는 그 위의 체적에서 플라즈마가 생성될 수 있고, 여기서 적어도 두 개의 기체 출발 화합물들이 체적에 피딩되고, 상기 화합물들은 상기 플라즈마 내에서 이온화되고, 서로 반응하도록 여기된다. 플라즈마의 생성은, 예컨대 유전체 층을 제조하는 것을 가능하게 하기 위하여 엘리먼트의 표면이 가열되어야 할 온도가 무 플라즈마 CVD 방법과 비교할 때 감소될 수 있음을 가능하게 할 수 있다. 상기는, 예컨대, 엘리먼트, 예컨대 형성될 발광 전자 컴포넌트가 최대 온도를 초과하는 온도에서 손상받을 경우 유리할 수 있다. 최대 온도는 예컨대 다양한 실시예들에 따라 형성될 발광 전자 컴포넌트의 경우 대략 120℃일 수 있고, 그래서 예컨대 유전체 층이 적용되는 온도는 120℃와 동일하거나 또는 그 미만일 수 있고 예컨대 80℃와 동일하거나 또는 그 미만일 수 있다.
도 4b는 발광 컴포넌트(100)의 제조 동안 제2 시점(402)에서 상기 발광 컴포넌트(100)를 도시한다.
이 시점에서, 하나 또는 복수의 홀-전도 층들(110)이 제1 전극(104)에 적용되는데, 예컨대 CVD(chemical vapor deposition) 방법에 의하여 또는 PVD(physical vapor deposition) 방법(예컨대 스퍼터링, 이온-보조 증착 방법 또는 열적 증발)에 의하여, 대안적으로 도금 방법; 딥 코팅 방법; 스핀 코팅 방법; 프린팅; 블레이드 코팅; 또는 스프레잉에 의하여, 상기 제1 전극 상에 예컨대 증착된다.
도 4c는 발광 컴포넌트(100)의 제조 동안 제3 시점(404)에서 상기 발광 컴포넌트(100)를 도시한다.
이 시점에서, 하나 또는 복수의 에미터 층들(108)이 하나 또는 복수의 홀-전도 층들(110)에 적용되는데, 예컨대 CVD(chemical vapor deposition) 방법에 의하여 또는 PVD(physical vapor deposition) 방법(예컨대 스퍼터링, 이온-보조 증착 방법 또는 열적 증발)에 의하여, 대안적으로 도금 방법; 딥 코팅 방법; 스핀 코팅 방법; 프린팅; 블레이드 코팅; 또는 스프레잉에 의하여, 상기 홀-전도 층(들) 상에 예컨대 증착된다.
도 4d는 발광 컴포넌트(100)의 제조 동안 제4 시점(406)에서 상기 발광 컴포넌트(100)를 도시한다.
이 시점에서, 제2 전극(112)이 하나 또는 복수의 추가 유기 기능 층들(존재한다면) 또는 하나 또는 복수의 에미터 층들(108)에 적용되는데, 예컨대 CVD(chemical vapor deposition) 방법에 의하여 또는 PVD(physical vapor deposition) 방법(예컨대 스퍼터링, 이온-보조 증착 방법 또는 열적 증발)에 의하여, 대안적으로 도금 방법; 딥 코팅 방법; 스핀 코팅 방법; 프린팅; 블레이드 코팅; 또는 스프레잉에 의하여, 상기 층(들) 상에 예컨대 증착된다.
도 4e는 발광 컴포넌트(100)의 제조 동안 제5 시점(408)에서 상기 발광 컴포넌트(100)를 도시한다.
이 시점에서, 예컨대 CVD(chemical vapor deposition) 방법에 의하여 또는 PVD(physical vapor deposition) 방법(예컨대 스퍼터링, 이온-보조 증착 방법 또는 열적 증발)에 의하여, 대안적으로 도금 방법; 딥 코팅 방법; 스핀 코팅 방법; 프린팅; 블레이드 코팅; 또는 스프레잉에 의하여, 광학 반투명 층 구조물(114)이 제2 전극(112)에 적용된다.
도 4f는 발광 컴포넌트(100)의 제조 동안 제6 시점(410)에서 상기 발광 컴포넌트(100)를 도시한다.
이 시점에서, 예컨대 CVD(chemical vapor deposition) 방법에 의하여 또는 PVD(physical vapor deposition) 방법(예컨대 스퍼터링, 이온-보조 증착 방법 또는 열적 증발)에 의하여, 대안적으로 도금 방법; 딥 코팅 방법; 스핀 코팅 방법; 프린팅; 블레이드 코팅; 또는 스프레잉에 의하여, 위에서 설명된 측면 열 전도도를 갖는 미러 층 구조물(116)이 광학 반투명 층 구조물(114)에 적용된다.
그런 다음, 커버 층(118)이 또한 선택적으로 적용되고, 이로써 도 1에 따른 발광 컴포넌트(100)가 완성된다.
도 5는 다양한 실시예들에 따라 발광 컴포넌트를 제조하기 위한 방법을 예시하는 흐름 차트(500)를 도시한다.
다양한 실시예들에서, 502에서, 제1 전극이 예컨대 기판 상에 또는 그 위에 형성된다. 또한, 504에서, 유기 전기루미네선트 층 구조물이 상기 제1 전극 상에 또는 그 위에 형성되고, 506에서, 제2 반투명 전극이 상기 유기 전기루미네선트 층 구조물 상에 또는 그 위에 형성된다. 또한, 508에서, 미러 층 구조물이 제2 전극 상에 또는 그 위에 형성되고, 여기서 상기 미러 층 구조물은 적어도 1*10-3W/K의 측면 열 전도도를 갖는다.
도 6은 다양한 실시예들에 따라 발광 컴포넌트를 제조하기 위한 방법을 예시하는 흐름 차트(600)를 도시한다.
다양한 실시예들에서, 602에서, 적어도 1*10-3W/K의 측면 열 전도도를 갖는 미러 층 구조물이 형성된다. 또한, 604에서, 유기 전기루미네선트 층 구조물이 상기 미러 층 구조물 상에 또는 그 위에 형성된다. 606에서, 전극이 상기 유기 전기루미네선트 층 구조물 상에 또는 그 위에 형성될 수 있다.
다양한 실시예들의 하나의 장점은, 발광 컴포넌트, 예컨대 OLED 내에서 방출 색의 시야각 의존성 그리고 또한 열 분배를 동시에 개선, 예컨대 최적화하는 단순한 프로세스의 가능성에서 볼 수 있다.
미러 층 구조물(예시적으로, 열 분배 층으로서 또한 표기될 수 있음)(다양한 실시예들에서, 예컨대 Ag, Al 미러들)을 후면 유리에 적용함으로써, 예컨대 두꺼운 알루미늄 캐소드의 직접 기상 증착 동안 OLED 안으로 들어가는 열을 방지하는 것이 가능하다.
다양한 실시예들에서, 접착제는 라미네이션 접착제를 포함할 수 있거나 또는 라미네이션 접착제일 수 있다. 다양한 실시예들에서, 광-산란 입자들이 접착제 안으로 도입될 수 있다.

Claims (15)

  1. 발광 컴포넌트로서,
    마이크로캐비티(microcavity) ― 상기 마이크로캐비티는 제1 전극, 상기 제1 전극 상의 또는 그 위의 유기 전기루미네선트(electroluminescent) 층 구조물, 및 상기 유기 전기루미네선트 층 구조물 상의 또는 그 위의 반투명한 제2 전극을 포함함 ―;
    상기 반투명한 제2 전극 상의 또는 그 위의 미러 층 구조물 ― 상기 미러 층 구조물은 적어도 1*10-3W/K의 측면 열 전도도를 가짐 ―; 및
    상기 반투명한 제2 전극과 상기 미러 층 구조물 사이의 광학 반투명 층 구조물
    을 포함하고,
    상기 광학 반투명 층 구조물과 상기 미러 층 구조물은 공동으로(jointly) 상기 마이크로캐비티에 광학적으로 커플링된 캐비티로 형성되는,
    발광 컴포넌트.
  2. 삭제
  3. 발광 컴포넌트로서,
    적어도 1*10-3W/K의 측면 열 전도도를 갖는 미러 층 구조물;
    마이크로캐비티 ― 상기 마이크로캐비티는 반투명한 제1 전극, 상기 미러 층 구조물 상의 또는 그 위의 유기 전기루미네선트 층 구조물, 및 상기 유기 전기루미네선트 층 구조물 상의 또는 그 위의 제2 전극을 포함함 ―; 및
    상기 미러 층 구조물과 상기 반투명한 제1 전극 사이의 광학 반투명 층 구조물
    을 포함하고,
    상기 광학 반투명 층 구조물과 상기 미러 층 구조물은 공동으로 상기 마이크로캐비티에 광학적으로 커플링된 캐비티로 형성되는,
    발광 컴포넌트.
  4. 삭제
  5. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 광학 반투명 층 구조물은 산란 입자들을 포함하는,
    발광 컴포넌트.
  6. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 제2 전극 상에 또는 그 위에, 그리고/또는 상기 제1 전극 아래에 캡슐화 층 구조물을 더 포함하는,
    발광 컴포넌트.
  7. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 제2 전극 상에 또는 그 위에 제2 광학 반투명 층 구조물을 더 포함하는,
    발광 컴포넌트.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제2 광학 반투명 층 구조물은 광-산란 입자들을 포함하는,
    발광 컴포넌트.
  9. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 미러 층 구조물은 적어도 1㎛의 층 두께를 갖는,
    발광 컴포넌트.
  10. 발광 컴포넌트를 제조하기 위한 방법으로서,
    마이크로캐비티를 형성하는 단계 ― 상기 마이크로캐비티를 형성하는 단계는 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극 상에 또는 그 위에 유기 전기루미네선트 층 구조물을 형성하는 단계, 및 상기 유기 전기루미네선트 층 구조물 상에 또는 그 위에 제2 반투명 전극을 형성하는 단계를 포함함 ―;
    상기 제2 반투명 전극 상에 또는 그 위에 미러 층 구조물을 형성하는 단계 ― 상기 미러 층 구조물은 적어도 1*10-3W/K의 측면 열 전도도를 가짐 ―; 및
    상기 제2 반투명 전극 상에 또는 그 위에 광학 반투명 층 구조물을 형성하는 단계
    를 포함하고,
    상기 미러 층 구조물은 상기 광학 반투명 층 구조물 상에 또는 그 위에 형성되며, 상기 광학 반투명 층 구조물과 상기 미러 층 구조물은 공동으로 상기 마이크로캐비티에 광학적으로 커플링된 캐비티로 형성되는,
    발광 컴포넌트를 제조하기 위한 방법.
  11. 삭제
  12. 발광 컴포넌트를 제조하기 위한 방법으로서,
    적어도 1*10-3W/K의 측면 열 전도도를 갖는 미러 층 구조물을 형성하는 단계;
    마이크로캐비티를 형성하는 단계 ― 상기 마이크로캐비티를 형성하는 단계는 제1 반투명 전극을 형성하는 단계, 상기 미러 층 구조물 상에 또는 그 위에 유기 전기루미네선트 층 구조물을 형성하는 단계, 및 상기 유기 전기루미네선트 층 구조물 상에 또는 그 위에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함함 ―; 및
    상기 미러 층 구조물 상에 또는 그 위에 광학 반투명 층 구조물을 형성하는 단계
    를 포함하고,
    상기 제1 반투명 전극이 상기 광학 반투명 층 구조물 상에 또는 그 위에 형성되며, 상기 광학 반투명 층 구조물과 상기 미러 층 구조물은 공동으로 상기 마이크로캐비티에 광학적으로 커플링된 캐비티로 형성되는,
    발광 컴포넌트를 제조하기 위한 방법.
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
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