DE102016116132A1

DE102016116132A1 - Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen desselben

Info

Publication number: DE102016116132A1
Application number: DE102016116132.2A
Authority: DE
Inventors: Nina Riegel; Daniel Riedel; Thomas Wehlus; Arne Fleissner; Armin Heinrichsdobler
Original assignee: Osram Oled GmbH
Current assignee: Osram Oled GmbH
Priority date: 2016-08-30
Filing date: 2016-08-30
Publication date: 2018-03-01

Abstract

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein optoelektronisches Bauelement (100a, 100b bereitgestellt, das einen elektrisch aktiven Bereich (110) mit mindestens einer ersten Schicht (112), einer auf oder über der ersten Schicht (112) angeordneten zweiten Schicht (114) aufweist. Zwischen der ersten Schicht (112) und der zweiten Schicht (114) ist mindestens eine Soll-Trennstelle (116a, 116b) angeordnet. Die Soll-Trennstelle ist derart ausgebildet, dass eine inhomogene Trennung beim Trennen der Soll-Trennstelle ausgebildet wird

Description

Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zum Herstellen desselben.
Optoelektronische Bauelemente auf organischer Basis, sogenannte organische optoelektronische Bauelemente, finden zunehmend verbreitete Anwendung. Beispielsweise halten organische Leuchtdioden (organic light emitting diode – OLED) zunehmend Einzug in die Allgemeinbeleuchtung, beispielsweise als Flächenlichtquellen. Ein optoelektronisches Bauelement mit einer organischen Leuchtdiode als Emissionseinheit weist eine Vielzahl von (organischen) Schichten auf. Diese Schichten zeigen an den vielfältigen Grenzflächen unterschiedliche Haftungskoeffizienten.
Wie in 7A veranschaulicht ist, weist ein herkömmliches optoelektronisches Bauelement 700a einen Träger 720, einen elektrisch aktiven Bereich 710, eine erste Elektrode 742, eine zweite Elektrode 744, eine Schichtenstruktur 740 mit mehreren organischen Schichten, eine Verkapselung 730, Randkontaktstreifen 748a, Mittelkontaktstreifen 748b, eine um den Kontaktstreifen ausgebildete Resistschicht 738, beispielweise einen Durchbruch 736 zwischen der ersten Elektrode 742 und der zweiten Elektrode 744, einen Kontaktabschnitt 746 zum externen elektrischen Kontaktieren und eine Kammstruktur bzw. einen Randbereich 732 auf. 7B veranschaulicht das herkömmliche optoelektronische Bauelement 700b der 7A nach einem Auftrennen bzw. Abtrennen der zweiten Elektrode 744 und der Verkapselung 730 vom optoelektronischen Bauelement 700a, beispielsweise zu Analysezwecken. Das optoelektronische Bauelement 700a löst sich in der Regel an der Schicht mit dem geringsten Haftungskoeffizienten. Häufig ist diese Schicht zwischen der obersten organischen Schicht der Schichtenstruktur 740 und der zweiten Elektrode 744, die als Kathode ausgebildet ist, angeordnet. Dadurch wird jedoch eine Analyse der Schichtenstruktur 740 ermöglicht (reverse engineering).
Bekannt sind vollflächige Verklebungen bzw. Laminationen von optoelektronischen Bauelementen, um eine derartige Analyse zu verhindern. Hierbei wird das Auftrennen des optoelektronischen Bauelementes mittels vollflächiger Verklebung der Schichtenstruktur mit der Verkapselungsstruktur erschwert.
Die Aufgabe der Erfindung ist es ein optoelektronisches Bauelement bereitzustellen, das eine Schichtenstruktur aufweist, deren Struktur eine Analyse des Aufbaus des optoelektronischen Bauelements durch Auftrennen bzw. Zerlegen der Schichtstruktur erschwert oder unmöglich macht.
Die Struktur, die eine Analyse erschwert oder unmöglich macht, sollte zudem derart ausgebildet sein, dass deren Vorhandensein leicht nachweisbar ist (mit oder ohne Auftrennen des Schichtstapels), so dass die Verwendung des Verfahrens durch Wettbewerber nachgewiesen werden kann.
Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements bereitzustellen, dessen Aufbau eine Analyse der Schichtenstruktur durch Auftrennen des optoelektronischen Bauelements erschwert oder unmöglich macht.
In verschiedenen Aspekten wird ein optoelektronisches Bauelement bereitgestellt, das einen elektrisch aktiven Bereich aufweist. Der elektrisch aktive Bereich weist mindestens eine erste Schicht und eine auf oder über der ersten Schicht angeordnete zweite Schicht auf. Weiterhin ist mindestens eine Soll-Trennstelle im Bereich der ersten Schicht und der zweiten Schicht bzw. zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht angeordnet. Die Soll-Trennstelle ist derart ausgebildet, dass eine inhomogene Trennung beim Trennen der Soll-Trennstelle ausgebildet wird.
Die Soll-Trennstelle im Bereich der ersten Schicht und der zweiten Schicht ist als Soll-Trennstelle im Bereich zwischen einer Grenzfläche der ersten Schicht und einer Grenzfläche der zweiten Schicht zu verstehen.
Die Soll-Trennstelle bildet einen Bereich zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht aus, der einen geringen Widerstand hinsichtlich eines Trennverfahrens aufweist als wenigstens die Bereiche zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht, die an die Soll-Trennstelle angrenzen. Dies bewirkt eine inhomogene Trennung der ersten Schicht von der zweiten Schicht. Durch das Auftrennen wird eine lateral inhomogene Oberfläche ausgebildet, die eine Analyse des Aufbaus des elektrisch aktiven Aufbaus erschwert. Eine Analyse wird beispielsweise dadurch erschwert, dass herkömmliche Messmethoden ein Signal erzeugen, das abhängig von der Zusammensetzung des Materials innerhalb eines Messflecks (foot print) ist. Bei der Auswertung des erfassten Signals wird herkömmlich davon ausgegangen, dass die Eigenschaften der Oberfläche innerhalb der Fläche des Messflecks homogen sind. Mittels der Soll-Trennstelle kann somit durch das Auftrennen und somit durch den unzulässigen Analyseversuch, eine Inhomogenität der Oberfläche erzeugt werden, die den tatsächlichen Aufbau des elektrisch aktiven Bereichs verfälscht bzw. verschleiert.
Die mittels der Soll-Trennstelle erzeugte Inhomogenität kann ein zusammenhängender Bereich oder mehrere zusammenhängende Bereiche sein. Die Soll-Trennstelle sollte derart ausgebildet sein, abhängig von der konkreten Ausgestaltung der ersten und zweiten Schicht, dass die Soll-Trennstelle eine für diese Schichten herkömmlich verwendete Analyseverfahren eine inhomogene Oberfläche erzeugt bezüglich herkömmlicher Verfahren zum Auftrennen des elektrisch aktiven Bereichs bzw. herkömmlicher Verfahren zum Freilegen des elektrisch aktiven Bereichs, beispielweise falls dieser von einer Verkapselungsstruktur bedeckt ist.
In einer Weiterbildung weist die inhomogene Trennung ein Teil der ersten Schicht auf der zweiten Schicht und/oder ein Teil der zweiten Schicht auf der ersten Schicht auf.
Anschaulich ist somit im Bereich der Soll-Trennstelle die Adhäsion der zweiten Schicht mit der ersten Schicht größer als die Kohäsion der ersten Schicht bzw. die Kohäsion der zweiten Schicht. Die Soll-Trennstelle ist somit eine horizontale Soll-Trennstelle und die Inhomogenität der Oberfläche die unvollständig abgelöste Schicht. Dies ermöglicht zudem einer inhomogen rauen Oberfläche, die zusätzlich eine Analyse erschweren kann.
In noch einer Weiterbildung ist das optoelektronische Bauelement ein organisches lichtemittierendes Bauelement, eine Solarzelle und/oder einen Fotodetektor.
In noch einer Weiterbildung sind mehrere Soll-Trennstellen zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht angeordnet. Weiterhin sind zwei nebeneinander liegende Soll-Trennstellen mit einem lateralen Abstand in einem Bereich von ungefähr 0,01 mm bis ungefähr 3,0 mm angeordnet.
Dies bewirkt eine inhomogene Auftrennung der ersten Schicht von der zweiten Schicht derart, dass eine Analyse des Schichtaufbaus mittels üblich verwendeter Analysenmethoden erschwert ist.
In noch einer Weiterbildung weist das optoelektronische Bauelement eine Materialschicht auf. Die Materialschicht ist zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht angeordnet. Die Materialschicht verstärkt oder vermindert die Adhäsion zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht.
Der Einsatz einer Materialschicht bewirkt eine Veränderung bzw. Verringerung oder Erhöhung der Haftung bzw. Adhäsion zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht. Eine Verstärkung der Adhäsion mittels der Materialschicht kann ein Ausbilden einer Soll-Trennstelle neben der Materialschicht, beispielsweise innerhalb der ersten Schicht oder der zweiten Schicht, bewirken. Eine Verringerung der Adhäsion mittels der Materialschicht kann ein Ausbilden einer Soll-Trennstelle in dem Bereich bzw. unter oder über der Materialschicht, beispielsweise in der gleichen Ebene wie die Materialschicht, bewirken.
In noch einer Weiterbildung ist die Materialschicht flächenhaft ausgebildet. Weiterhin weist die Materialschicht eine Dicke in einem Bereich zwischen ungefähr 0,2 nm und ungefähr 400 nm auf.
In noch einer Weiterbildung weisen die erste Schicht und die zweite Schicht eine gemeinsame Grenzfläche auf. Die Soll-Trennstelle bewirkt dadurch eine Erleichterung des Versuchs, die Grenzfläche zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht freizulegen.
In noch einer Weiterbildung weist der elektrisch aktive Bereich mehrere Schichten und mehreren Soll-Trennstellen auf. Ein Teil der Soll-Trennstellen ist zwischen unterschiedlichen Schichten der mehreren Schichten angeordnet.
Dies bewirkt, dass der Schichtaufbau des elektrisch aktiven Bereichs, der versucht wird mittels üblich verwendeter Analysenmethode zu untersuchen, verschleiert wird.
In noch einer Weiterbildung weist der elektrisch aktive Bereich einen optisch aktiven Bereich mit einem ersten Schichtaufbau auf. Der optisch aktive Bereich ist lichtemittierend. Weiterhin weist der elektrisch aktive Bereich einen optisch nicht-aktiven Bereich mit einem zweiten Schichtaufbau auf. Der erste Schichtaufbau ist unterschiedlich von dem zweiten Schichtaufbau.
Die Abweichung von erstem Schichtaufbau zu zweitem Schichtaufbau ermöglicht eine Verfälschung der Analyse des Schichtaufbaus des elektrisch optisch aktiven Bereichs, beispielsweise für den Fall, dass der optisch nicht-aktive Bereich analysiert wird.
In einer Weiterbildung ist der optisch nicht-aktive Bereich frei von Soll-Trennstellen. Mit anderen Worten: die mindestens eine Soll-Trennstell ist im optisch aktiven Bereich und/oder im Übergang zwischen dem optisch aktiven Bereich und dem optisch nicht-aktiven Bereich angeordnet.
Dies bewirkt eine homogene Trennung des optisch nicht-aktiven Bereichs. Dadurch wird der optisch nicht-aktive Bereich als bevorzugter Analysebereich impliziert. Mittels der unterschiedlichen Schichtaufbauten von optisch aktiven Bereich und optisch nicht-aktiven Bereich in Synergie mit der inhomogenen Oberfläche des optisch aktiven Bereichs nach Auftrennen, wird die Analyse des optisch aktiven Bereichs zusätzlich erschwert.
In einem weiteren Aspekt wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements bereitgestellt. Das Verfahren zum Herstellen weist ein Ausbilden eines elektrisch aktiven Bereichs auf. Das Ausbilden des elektrisch aktiven Bereichs weist ein Ausbilden einer ersten Schicht, ein Ausbilden einer zweiten Schicht auf oder über der ersten Schicht und ein Ausbilden mindestens einer Soll-Trennstelle im Bereich zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht auf. Die Soll-Trennstelle ist derart ausgebildet, dass eine inhomogene Trennung beim Trennen der Soll-Trennstelle ausgebildet wird.
In noch einer Weiterbildung weist das Verfahren zum Herstellen ein Ausbilden von mehreren Soll-Trennstellen zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht auf. Die Soll-Trennstellen sind jeweils mit einem lateralen Abstand in einem Bereich von ungefähr 0,01 mm bis ungefähr 3,0 mm angeordnet.
In noch einer Weiterbildung wird die mindestens eine Soll-Trennstelle mittels einer Materialschicht zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht ausgebildet. Die Materialschicht verstärkt oder vermindert die Adhäsion zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht.
Eine Verstärkung der Adhäsion mittels der Materialschicht kann ein Ausbilden einer Soll-Trennstelle neben der Materialschicht bewirken, beispielsweise innerhalb der ersten Schicht oder der zweiten Schicht. Eine Verringerung der Adhäsion mittels der Materialschicht kann ein Ausbilden einer Soll-Trennstelle in dem Bereich bzw. unter oder über der Materialschicht, beispielsweise in der gleichen Ebene wie die Materialschicht, bewirken.
In noch einer Weiterbildung wird der elektrisch aktive Bereich mit einem optisch aktiven Bereich mit einem ersten Schichtaufbau und einem optisch nicht-aktiven Bereich mit einem zweiten Schichtaufbau ausgebildet. Der optisch aktive Bereich wird lichtemittierend ausgebildet. Weiterhin wird der erste Schichtaufbau unterschiedlich zu dem zweiten Schichtaufbau ausgebildet.
Die Abweichung von erstem Schichtaufbau zu zweitem Schichtaufbau ermöglicht eine Verfälschung der Analyse des Schichtaufbaus des elektrisch optisch aktiven Bereichs, beispielsweise für den Fall, dass der optisch nicht-aktive Bereich analysiert wird.
In einer Weiterbildung wird der optisch nicht-aktive Bereich frei von Soll-Trennstellen ausgebildet. Mit anderen Worten: die mindestens eine Soll-Trennstell wird im optisch aktiven Bereich und/oder im Übergang zwischen optisch aktivem und optisch nicht-aktivem Bereich ausgebildet.
Dies bewirkt eine homogene Trennung des optisch nicht-aktiven Bereichs, beispielsweise eine homogene Trennung des optisch nicht-aktiven Bereichs von der Verkapselungsstruktur oder von dem optisch aktiven Bereich. Dadurch wird der optisch nicht-aktive Bereich als bevorzugter Analysebereich impliziert. Mittels der unterschiedlichen Schichtaufbauten von optisch aktiven Bereich und optisch nicht-aktiven Bereich in Synergie mit der inhomogenen Oberfläche des optisch aktiven Bereichs nach Auftrennen, wird die Analyse des optisch aktiven Bereichs zusätzlich erschwert.
In verschiedenen Weiterbildungen weist das Verfahren zum Herstellen des organischen, lichtemittierenden Bauelements gleiche Merkmale auf wie das organische, lichtemittierende Bauelement und umgekehrt.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.
Es zeigen:
1A, 1B eine schematische Querschnittansicht und eine detaillierte, schematische Querschnittansicht eines optoelektronischen Bauelements gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen;
2A eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelements gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen;
2B eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelements nach Trennen der Soll-Trennstelle gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen;
3A eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelements gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen;
3B eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelements nach Trennen der Soll-Trennstelle gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen;
4A eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelements gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen;
4B eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelements nach Trennen der Soll-Trennstelle gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen;
5A eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelements gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen;
5B eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelements nach Trennen der Soll-Trennstelle gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen;
6 ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen;
7A eine schematische Querschnittsansicht eines herkömmlichen optoelektronischen Bauelements; und
7B eine schematische Querschnittsansicht eines herkömmlichen optoelektronischen Bauelements nach Trennen der Soll-Trennstelle.
In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser Beschreibung bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. Da Komponenten von Ausführungsbeispielen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsbeispiele benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert. In den Figuren sind identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.
Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe "verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.
Eine Soll-Trennstelle ist ein Bereich einer Struktur, der einen geringeren Widerstand hinsichtlich eines Trennverfahrens aufweist als wenigstens die Bereiche der Struktur, die an die Soll-Trennstelle angrenzen. Die Ausgestaltung der Soll-Trennstelle kann von dem verwendeten Verfahren zum Trennen der Soll-Trennstelle abhängig sein.
Werden beim Trennen der ersten Schicht von der zweiten Schicht (oder umgekehrt) Grenzflächen innerhalb der ersten Schicht und/oder der zweiten Schicht und neben der Soll-Trennstelle ausgebildet, so handelt es sich bei diesen Grenzflächen ebenfalls um Trennstellen. Diese Trennstellen sind jedoch keine Soll-Trennstellen im obigen Sinne.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem optoelektronischen Bauelement ein Bauelement verstanden werden, das mittels eines Halbleiterbauelementes elektromagnetische Strahlung emittiert oder absorbiert. Ein organisch optoelektronisches Bauelement kann ein, zwei oder mehr optoelektronische Bauelemente aufweisen. Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem optoelektronischen Bauelement eine Ausführung eines elektronischen Bauelementes verstanden werden, wobei das optoelektronische Bauelement einen optisch aktiven Bereich aufweist. Optional kann eine optoelektronische Baugruppe auch ein, zwei oder mehr elektronische Bauelemente aufweisen. Ein elektronisches Bauelement kann beispielsweise ein aktives und/oder ein passives Bauelement aufweisen. Ein aktives elektronisches Bauelement kann beispielsweise eine Rechen-, Steuer- und/oder Regeleinheit und/oder einen Transistor aufweisen. Ein passives elektronisches Bauelement kann beispielsweise einen Kondensator, einen Widerstand, eine Diode oder eine Spule aufweisen.
Ein optoelektronisches Bauelement kann ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement oder ein elektromagnetische Strahlung absorbierendes Bauelement sein.
Ein elektromagnetische Strahlung absorbierendes Bauelement kann beispielsweise eine Solarzelle oder ein Fotodetektor sein.
Ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Halbleiter-Bauelement sein und/oder als eine elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als eine organische elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als ein elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor oder als ein organischer elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor ausgebildet sein. Die Strahlung kann beispielsweise Licht im sichtbaren Bereich, UV-Licht und/oder Infrarot-Licht sein. In diesem Zusammenhang kann das elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement beispielsweise als Licht emittierende Diode (light emitting diode, LED), als organische lichtemittierende Diode (organic light emitting diode, OLED), als lichtemittierender Transistor oder als organischer lichtemittierender Transistor ausgebildet sein. Das lichtemittierende Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von lichtemittierenden Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse.
Ein organisch optoelektronisches Bauelement weist ein organisches funktionelles Schichtensystem auf, welches synonym auch als organische funktionelle Schichtenstruktur bezeichnet wird. Die organische funktionelle Schichtenstruktur weist einen organischen Stoff oder ein organisches Stoffgemisch auf oder ist daraus gebildet, der/das beispielsweise zum Bereitstellen einer elektromagnetischer Strahlung aus einem bereitgestellten elektrische Strom oder zum Bereitstellen eines elektrischen Stromes aus einer bereitgestellten elektromagnetischen Strahlung eingerichtet ist. Die Strahlung kann beispielsweise Licht im sichtbaren Bereich, UV-Licht und/oder Infrarot-Licht sein. Eine organische Leuchtdiode ist als ein sogenannter Top-Emitter und/oder ein sogenannter Bottom-Emitter ausgebildet. Bei einem Bottom-Emitter wird elektromagnetische Strahlung aus dem elektrisch aktiven Bereich durch das Substrat emittiert. Bei einem Top-Emitter wird elektromagnetische Strahlung aus der Oberseite des elektrisch aktiven Bereichs emittiert und nicht durch den Substrat.
Im Rahmen dieser Beschreibung umfasst der Begriff „Material“ ein organisches Material, ein anorganisches Material, und/oder ein organisch-anorganisches (hybrides) Material. Weiterhin kann im Rahmen dieser Beschreibung unter einem Materialgemisch etwas verstanden werden, was Bestandteile aus zwei oder mehr verschiedenen Materialien besteht, deren Bestandteile beispielsweise sehr fein verteilt sind. Der Begriff „Stoff“ kann synonym zum Begriff „Material“ verwendet werden.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einer inhomogenen Trennung verstanden werden, dass die Trennung zwischen zwei Schichten ungleichmäßig oder uneinheitlich erfolgt, so dass eine uneinheitliche Oberfläche der Schichten bzw. eine unvollständig abgelöste Schicht erhalten wird. Die inhomogene Trennung kann auch als ein inhomogenes Trennungsbild bzw. eine inhomogene Oberflächen- bzw. Grenzflächenstruktur bezeichnet werden.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einer inhomogenen Adhäsion verstanden werden, dass die Haftung bzw. die Adhäsionsarbeit zwischen zwei Schichten an der Grenzfläche uneinheitlich ist. Die Adhäsionsarbeit wird im Rahmen dieser Beschreibung mit der Bedeutung verwendet, dass es sich um die Arbeit handelt, die verrichtet werden muss, um zwei angrenzende Teilchen verschiedener Körper, beispielsweise eine erste Schicht von einer zweiten Schicht, zu trennen.
Der Begriff Adhäsion wird im Rahmen dieser Beschreibung gleich bedeutend mit dem Begriff Adhäsionsarbeit verwendet. Die Adhäsion kann auch als Haftung bezeichnet werden.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen, wenn die Soll-Trennstelle zwischen einer ersten Schicht und einer zweiten Schicht angeordnet ist, wird die Adhäsion zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht mittels des Abziehens gebrochen. Alternativ wenn die Soll-Trennstelle innerhalb einer Schicht angeordnet ist, wird gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen die Kohäsion zwischen den Teilchen der Schicht mittels des Abziehens gebrochen.
Unter einem optisch aktiven Bereich eines elektrisch aktiven Bereichs gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen wird der Bereich des optoelektronischen Bauelements verstanden, in dem ein elektrischer Strom zum Betrieb des optoelektronischen Bauelements fließt und in dem elektromagnetische Strahlung erzeugt oder absorbiert wird.
1A, 1B zeigen schematischen Querschnittansichten eines optoelektronischen Bauelements 100a, 100b gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen.
Wie in 1A veranschaulicht ist, weist das optoelektronische Bauelement 100a einen elektrisch aktiven Bereich 110 mit mindestens einer ersten Schicht 112 und einer auf oder über der ersten Schicht 112 angeordneten zweiten Schicht 114 auf. Die erste Schicht 112 und die zweite Schicht 114 sind in einer Schichtenstruktur 140 in dem elektrisch aktiven Bereich 110 angeordnet. Weiterhin ist mindestens eine Soll-Trennstelle 116a, 116b im Bereich der ersten Schicht 112 und der zweiten Schicht 114 angeordnet, beispielsweise zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht.
Die Soll-Trennstelle bildet einen Bereich zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht oder innerhalb der ersten Schicht und/oder der zweiten Schicht, der einen geringen Widerstand hinsichtlich eines Trennverfahrens aufweist als wenigstens die Bereiche zwischen der ersten Schicht du der zweiten Schicht oder innerhalb der ersten Schicht und/oder der zweiten Schicht, die an die Soll-Trennstelle angrenzen. Mit anderen Worten: Die Soll-Trennstelle ist in einem Bereich zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht angeordnet und bewirkt eine Veränderung bzw. Verringerung der Haftung bzw. Adhäsion zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht oder eine Verringerung der Kohäsion innerhalb der ersten Schicht und/oder der zweiten Schicht. Eine Veränderung der Haftung bzw. Adhäsion ist beispielsweise mittels einer Klemmung, einer Rastverbindung oder einer Strukturierung der Grenzfläche gebildet. Alternativ oder zusätzlich ist die Veränderung der Adhäsion beispielsweise mittels mindestens einer Materialschicht 118a, 118b gebildet.
Dies bewirkt eine inhomogene Trennung der ersten Schicht von der zweiten Schicht. Durch das Auftrennen wird eine lateral inhomogene Oberfläche ausgebildet, die eine Analyse des Aufbaus des elektrisch aktiven Aufbaus erschwert. Eine Analyse wird beispielsweise dadurch erschwert, dass herkömmliche Messmethoden ein Signal erzeugen, das abhängig von der Zusammensetzung des Materials innerhalb eines Messflecks (foot print) ist. Bei der Auswertung des erfassten Signals wird herkömmlich davon ausgegangen, dass die Eigenschaften der Oberfläche innerhalb der Fläche des Messflecks homogen sind. Mittels der Soll-Trennstelle kann somit durch das Auftrennen und somit durch den unzulässigen Analyseversuch, eine Inhomogenität der Oberfläche erzeugt werden, die den tatsächlichen Aufbau des elektrisch aktiven Bereichs verfälscht bzw. verschleiert.
Die mittels der Soll-Trennstelle erzeugte Inhomogenität kann ein zusammenhängender Bereich oder mehrere zusammenhängende Bereich sein. Die Soll-Trennstelle sollte derart ausgebildet sind, abhängig von der konkreten Ausgestaltung der ersten und zweiten Schicht, dass die Soll-Trennstelle eine für diese Schichten herkömmlich verwendete Analyseverfahren inhomogene Oberfläche erzeugt bezüglich herkömmlicher Verfahren zum Auftrennen des elektrisch aktiven Bereichs bzw. herkömmlicher Verfahren zum Freilegen des elektrisch aktiven Bereichs, beispielweise falls dieser von einer Verkapselungsstruktur bedeckt ist.
Die erste Schicht 112 und die zweite Schicht 114 können gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein. Beispielsweise sind die erste Schicht und die zweite Schicht unabhängig voneinander eine organisch funktionelle Schicht oder eine Elektrode.
In verschiedenem Ausführungsbeispielen weist das optoelektronische Bauelement mehrere Soll-Trennstellen auf. In 1A sind zwei Soll-Trennstellen 116a, 116b zwischen der ersten Schicht 112 und der zweiten Schicht 114 dargestellt.
Die mehreren Soll-Trennstellen sind beispielsweise lateral zueinander verteilt zwischen der ersten Schicht 112 und der zweiten Schicht 114 angeordnet. Beispielsweise weist das optoelektronische Bauelement mehrere Schichten in der Schichtenstruktur 140 auf und wenigstens ein Teil der mehreren Soll-Trennstellen sind lateral zwischen mindestens zwei Schichten der Schichtenstruktur 140 angeordnet. Alternativ oder zusätzlich sind die mehreren Soll-Trennstellen lateral zwischen mehreren, beispielsweise allen, Schichten der Schichtenstruktur 140 angeordnet.
Die mehreren Soll-Trennstellen sind beispielsweise unstrukturiert zwischen der ersten Schicht 112 und der zweiten Schicht 114 angeordnet, wie sie im Folgenden noch näher erläutert werden. Alternativ sind die mehreren Soll-Trennstellen beispielsweise strukturiert zwischen der ersten Schicht 112 und der zweiten Schicht 114 angeordnet, wie sie im Folgenden noch näher erläutert werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen weisen die erste Schicht 112 und die zweite Schicht 114 eine gemeinsame Grenzfläche auf. Beispielsweise wenn die erste Schicht und die zweite Schicht eine gemeinsame Grenzfläche aufweisen, stellt die Soll-Trennstelle eine Stelle an dieser Grenzfläche dar, an der die Adhäsion zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht im Vergleich zu der restlichen Grenzfläche geschwächt ist. Dadurch wird eine inhomogene Grenzfläche bezüglich ihres Widerstands hinsichtlich eines Entfernens der zweiten Schicht von der ersten Schicht (oder umgekehrt) ausgebildet.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen sind die Soll-Trennstellen mit einem lateralen Abstand d in einem Bereich von ungefähr 0,01 mm bis ungefähr 3,0 mm angeordnet.
Dies bewirkt, dass beim Abziehen der zweiten Schicht von der ersten Schicht, in dem Bereich, in dem die Soll-Trennstelle angeordnet ist, die zweite Schicht leichter, d.h. mit einem geringeren Kraftaufwand, von der ersten Schicht entfernt wird. In den Bereichen zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht, die an die Soll-Trennstelle(n) angrenzen, ist die zweite Schicht schwerer, d.h. mittels eines größeren Kraftaufwands, von der ersten Schicht entfernbar. Dies ermöglicht, dass beim Trennen der Soll-Trennstellen zum Analysieren des Aufbaus des optoelektronischen Bauelements, beispielsweise mittels eines Auftrennens, eine inhomogene bzw. chaotische Trennung der zweiten Schicht von der ersten Schicht erhalten wird. Dies bewirkt eine erschwerte Analyse der Schichtenstruktur des elektrisch aktiven Bereichs, beispielsweise mittels in dem Bereich von Wettbewerbern üblich verwendeten Analysenmethoden. Üblich verwendete Analysenmethode für optoelektronische Bauelemente sind beispielsweise Ionenfeinstrahlschnitt (Focused-Ion-Beam (FIB) Method) oder Time-of-Flight Sekundärionen-Massenspektrometrie (Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry (TOF-SIMS)).
In verschiedenem Ausführungsbeispielen weist das optoelektronische Bauelement mindestens eine Materialschicht 118a, 118b auf. Die Materialschicht ist zwischen der ersten Schicht 112 und der zweiten Schicht 114 angeordnet. Mittels der Materialschicht 118a, 118b ist in verschiedenen Ausführungsbeispielen mindestens eine Soll-Trennstelle realisiert.
Die Materialschicht 118a, 118b verstärkt oder vermindert die Adhäsion bzw. Adhäsionsarbeit zwischen der ersten Schicht 112 und der zweiten Schicht 114. Dies bewirkt eine lokale Veränderung der Haftung zwischen der ersten Schicht 112 und der zweiten Schicht 114. Die veränderte Haftung im Bereich der Materialschicht 118a, 118b kann auch eine Änderung der Adhäsion und/oder Kohäsion der ersten Schicht und/oder zweiten Schicht neben der Soll-Trennstelle bewirken. Mit anderen Worten: die Materialschicht ist derart ausgebildet und angeordnet, dass die Adhäsion der Grenzfläche zwischen der ersten Schicht 112 und der zweiten Schicht 114 inhomogen ist. Dadurch bildet die Materialschicht 118a, 118b im Bereich der Materialschicht 118a, 118b oder im Bereich neben der Materialschicht 118a, 118b die Soll-Trennstelle 116a, 116b aus. Mit anderen Worten: Die durch der Materialschicht 118a, 118b entstandene Soll-Trennstelle 116a, 116b ist beispielsweise in einem Bereich angeordnet, in der die Materialschicht 118a, 118b ausgebildet ist. Alternativ ist die durch der Materialschicht 118a, 118b entstandene Soll-Trennstelle 116a, 116b beispielsweise in einem Bereich angeordnet, der neben, unter oder über der Materialschicht 118a, 118b angeordnet ist. Beispielsweise wenn die Materialschicht 118a, 118b die Haftung zwischen der ersten Schicht 112 und der zweiten Schicht 114 verstärkt (auch als haftungsverstärkenden Materialschicht bezeichnet), kann eine Soll-Trennstelle 116a, 116b, in einem Bereich angeordnet sein, der neben bzw. horizontal oder vertikal versetzt zu der Materialschicht 118a, 118b angeordnet ist. Alternativ bildet sich eine Soll-Trennstelle 116a, 116b beispielsweise in dem Bereich der Materialschicht 118a, 118b, wenn die Materialschicht 118a, 118b die Haftung zwischen der ersten Schicht 112 und der zweiten Schicht 114 vermindert (auch als haftungsvermindernde Materialschicht bezeichnet).
Die Materialschicht ist beispielsweise derart ausgebildet, dass sie eine verstärkte Adhäsion zwischen der ersten Schicht 112 und der zweiten Schicht 114 ermöglicht. Mit anderen Worten: die Materialschicht ist derart ausgebildet, dass ein Teil der ersten Schicht auf der zweiten Schicht oder ein Teil der zweiten Schicht auf der ersten Schicht über dem Bereich, in dem die Materialschicht angeordnet ist, verbleibt. Alternativ ist die Materialschicht beispielsweise derart ausgebildet, dass sie eine geringere Adhäsion zwischen der ersten Schicht 112 und der zweiten Schicht 114 ermöglicht bzw. bewirkt. Mit anderen Worten: die Materialschicht ist derart ausgebildet, dass ein Teil der ersten Schicht auf der zweiten Schicht oder ein Teil der zweiten Schicht auf der ersten Schicht neben dem Bereich, in dem die Materialschicht angeordnet ist, verbleibt.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen ist die Materialschicht 118a, 118b eine haftungsverstärkende Schicht. Mit anderen Worten: die Materialschicht 118a, 118b verstärkt die Adhäsion bzw. erhöht die Haftung zwischen mindestens zwei Schichten der Schichtenstruktur bzw. des elektrisch aktiven Bereichs. Die haftungsverstärkende Schicht weist beispielsweise eine chemische Verbindung oder eine Verbindung auf oder ist daraus gebildet, die eine molekulare Bindung ermöglicht. Dies kann beispeilweise über eine oberflächliche Redoxreation erreicht werden. In diesem Fall ist die haftungsvermittelnde Schicht ein Oxidations- bzw. Reduktionsmittel. Alternativ kann die haftungsvermittlende Schicht eine polare Verbindung sein, die eine elektrostatische Anziehung auf die benachbarte Schicht ausübt. Die chemische Verbindung ist beispielsweise ein Cyanacrylat, ein ungesättigtes Polyester, ein Polyimid oder ein Polysulfide. Beispiele von Verbindungen, die eine molekulare Bindung ermöglichen, sind Oxidations- oder Reduktionsmittel.
Alternativ ist die Materialschicht 118a, 118b eine haftungsvermindernde Schicht. Mit anderen Worten: die Materialschicht 118a, 118b vermindert die Adhäsion bzw. verringert die Haftung zwischen mindestens zwei Schichten der Schichtenstruktur bzw. des elektrisch aktiven Bereichs. Die haftungsvermindernde Schicht ist beispielsweise eine perfluorierte Verbindung.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen sind die Materialschicht 118a, 118b lateral flächenhaft zwischen mindestens zwei Schichten der Schichtenstruktur bzw. des elektrisch aktiven Bereichs angeordnet. Alternativ oder zusätzlich ist die Materialschicht 118a, 118b lateral zwischen allen Schichten der Schichtenstruktur angeordnet. Alternativ oder zusätzlich ist die Materialschicht 118a, 118b lateral willkürlich zwischen mindestens zwei Schichten der Schichtenstruktur angeordnet. Alternativ oder zusätzlich ist die Materialschicht 118a, 118b als eine geschlossene, zusammenhängende Schicht ausgebildet. Alternativ oder zusätzlich ist die Materialschicht 118a, 118b als strukturierte Schicht mit mehreren, nicht-zusammenhängenden Bereichen ausgebildet.
Alternativ oder zusätzlich weist die Materialschicht 118a, 118b eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 0,5 nm bis ungefähr 100 nm auf. Alternativ oder zusätzlich weist die Materialschicht 118a, 118b eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 20 nm auf, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 2 nm bis ungefähr 10 nm, beispielsweise wenn die Materialschicht zwischen der Elektrode und der im Kontakt mit der Elektrode liegenden Schicht der Schichtenstruktur angeordnet ist. Alternativ oder zusätzlich weist die Materialschicht 118a, 118b, wenn sie an derjenigen Grenzfläche mit dem geringsten Haftungskoeffizienten angeordnet ist, eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 0,2 nm bis ungefähr 2 nm auf, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 0,5 nm bis ungefähr 1 nm. Dies bewirkt eine nicht-flächenhafte Belegung der Grenzfläche, d.h. eine nicht-einheitliche Grenzfläche zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht. Dies ermöglicht, wenn die Materialschicht eine haftungsverstärkende Materialschicht ist, dass sich die Schichtenstruktur an einer anderen Stelle auftrennt, als an den Bereichen ohne haftungsverstärkende Materialschicht. Dies führt zu einer inhomogenen Zerlegung bzw. Trennung des optoelektronischen Bauelements. Dies bewirkt nach Fertigstellung des optoelektronischen Bauelementes eine erschwerte Analyse des Schichtaufbaus des elektrisch aktiven Bereichs.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen ist die Materialschicht 118a, 118b derart ausgebildet, dass sie einen geringen bzw. keinen wesentlichen Einfluss auf die elektrischen und/oder optischen Eigenschaften des optoelektronischen Bauelements im Betrieb aufweist. Die Materialschicht 118a, 118b ist beispielsweise derart dünn und nicht-flächig, d.h. lokalisiert oder punktual, ausgebildet, dass der Strom im Mittel flächig durch den optisch aktiven Bereich des optoelektronischen Bauelements fließen kann.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen erfolgt ein Nachweis des Vorhandenseins von haftungsverändernden Schichten beispielsweise über das spezifische, inhomogene Trennungsbild. Alternativ oder zusätzlich können Markerelemente in dem optoelektronischen Bauelement eingesetzt werden. Dadurch wird bei Analysenmethoden eine spezifische Signatur hinterlassen, beispielsweise eine spezifische Fragmentbildung bei Massenspektrometrie oder schwere Elemente für Energiedispersive Röntgenspektroskopie (Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX)). Die Markerelemente können beispielsweise in der Materialschicht eingebettet sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist das optoelektronische Bauelement 100a in dem elektrisch aktiven Bereich 110 einen optisch aktiven Bereich und einen optisch nicht-aktiven Bereich (nicht dargestellt) auf. Der optisch aktive Bereich weist einen ersten Schichtaufbau der Schichtenstruktur auf. Der optisch nicht-aktive Bereich weist einen zweiten Schichtaufbau der Schichtenstruktur auf. Der erste Schichtaufbau ist unterschiedlich zu dem zweiten Schichtaufbau.
Weitere Merkmale des optoelektronischen Bauelements 100a gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen werden im Folgenden noch näher erläutert. In verschiedene Ausführungsbeispielen können optional in dem elektrisch aktiven Bereich 106 der Träger 120 und die Verkapselung 130 enthalten sein.
1B zeigt eine schematische detaillierte Querschnittansicht 100b des Bereichs des optoelektronischen Bauelements 100a, in dem die Soll-Trennstellen 116a, 166b angeordnet sind gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen.
1B veranschaulicht in einer detaillierten Ansicht das optoelektronische Bauelement 110a nach einem Abziehen der zweiten Schicht von der ersten Schicht 112. Wie in 1B veranschaulicht ist, verbleiben mehrere Teile der ersten Schicht 112 auf der zweiten Schicht 114. Die erste Schicht 112 und die zweite Schicht 114 sind an den Soll-Trennstellen 116a, 116b getrennt. Die Trennung zwischen der ersten Schicht 112 und der zweiten Schicht 114 ist in dem Bereich erfolgt, in dem die Materialschicht 118a, 118b angeordnet ist. Die in 1B verwendete Materialschicht 118a, 118b ist eine haftungsvermindernde Materialschicht. Die Materialschicht 118a, 118b bewirkt eine geringere Haftung zwischen der ersten Schicht 112 und der zweiten Schicht 114 in den Bereichen der Soll-Trennstellen 116a, 116b, als in den Bereichen zwischen der ersten Schicht 112 und der zweiten Schicht 114 ohne haftungsvermindernde Materialschicht an der Grenzfläche der ersten Schicht 112 und der zweiten Schicht 114. Mit anderen Worten: Die Adhäsion zwischen der ersten Schicht 112 und der zweiten Schicht 114 an der Grenzfläche ohne Materialschicht 118a, 118b ist größer als die Adhäsion zwischen der ersten Schicht 112 und der zweiten Schicht 114 an der Grenzfläche mit Materialschicht 118a, 118b.
Die Kohäsion der ersten Schicht 112 kann kleiner sein als die Adhäsion zwischen der ersten Schicht 112 und der zweiten Schicht 114 in den Bereichen, in denen keine Materialschicht angeordnet ist. Dies kann bewirken, dass mindestens ein Teil der ersten Schicht 112 auf der zweiten Schicht verbleibt, wenn die erste Schicht 112 und die zweite Schicht voneinander getrennt werden.
Dies bewirkt eine inhomogene Trennung der ersten Schicht 112 und der zweiten Schicht 114. Dadurch ist die Analyse des Schichtaufbaus durch Auftrennen des optoelektronischen Bauelements erschwert oder unmöglich.
2A zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelements 200a gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. Das optoelektronische Bauelement 300a kann beispielsweise gemäß einem der oben beschriebenen Ausführungsbeispiele ausgebildet sein.
Das optoelektronische Bauelement 200a weist einen Träger 220, einen elektrisch aktiven Bereich 210, eine erste Elektrode 242, eine zweite Elektrode 244, eine Schichtenstruktur 240 mit mehreren Schichten 212, 214, eine Verkapselung 230, Randkontaktstreifen 248a, Mittelkontaktstreifen 248b, eine Resistschicht 238, um die Kontaktstreifen elektrisch zu isolieren, beispielweise im Durchbruch 236 zwischen der ersten Elektrode 242 und der zweiten Elektrode 244; einen Kontaktabschnitt 246 und eine Kammstruktur bzw. einen Randbereich 232 auf, wie im Folgenden noch näher erläutert wird.
Wie in 2A veranschaulicht ist, weist das optoelektronische Bauelement 200a ferner Materialschichten 218a, 218b, die mehrere Soll-Trennstellen (nicht dargestellt) ausbilden. Die Soll-Trennstellen und die Materialschicht können beispielsweise gemäß einem der oben beschriebenen Ausführungsbeispiele ausgebildet sein.
In 2A sind haftungsverstärkende Materialschichten 218a, 218b dargestellt. Die Materialschicht 218a weist mehrere Materialschichten auf und ist zwischen der in Kontakt mit der zweiten Elektrode liegenden Schicht 212a der Schichtenstruktur 240 und der zweiten Elektrode 214a, 244 angeordnet. Die Materialschicht 218b weist beispielweise mehrere Materialschichten auf und ist zwischen einer ersten Schicht 212b der Schichtenstruktur 240 und einer zweiten Schicht 214b der Schichtenstruktur 240 angeordnet. Diese Materialschichten sind lateral voneinander in einem Abstand von ungefähr 0,01 mm bis ungefähr 3,0 mm angeordnet.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen sind die Materialschichten 218a, 218b unstrukturiert ausgebildet. Beispielsweise sind die Materialschichten 218a, 218b flächenhaft ausgebildet. Die Materialschichten 218a, 218b weisen beispielsweise eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 0,5 nm bis ungefähr 400 nm auf. Beispielsweise weist die Materialschicht 218a, die außerhalb der Schichtenstruktur 240 angeordnet ist, eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 20 nm, beispielsweise von ungefähr 12 nm bis ungefähr 15 nm. Beispielsweise weist die Materialschicht 218a, die innerhalb der Schichtenstruktur 240 angeordnet ist, eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 0,5 nm bis ungefähr 10 nm, beispielsweise von ungefähr 1 nm bis ungefähr 5 nm. Beispielsweise ist die Materialschicht 218b zwischen allen Schichten der Schichtenstruktur 240 angeordnet.
Dies bewirkt, dass der Schichtaufbau des optoelektronischen Bauelements verschleiert wird und die Analyse des Schichtaufbaus des optoelektronischen Bauelements mittels üblich verwendeter Analysenmethoden verhindert wird.
In verschiedenen Ausführungsbeispiel ist das optoelektronische Bauelement 200a ein organisches lichtemittierendes Bauelement, eine Solarzelle und/oder einen Fotodetektor.
Der Träger 220 kann transluzent oder transparent ausgebildet sein. Der Träger 220 dient als Trägerelement für elektronische Elemente oder Schichten, beispielsweise lichtemittierende Elemente. Der Träger 220 kann beispielsweise Kunststoff, Metall, Glas, Quarz und/oder ein Halbleitermaterial aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Träger 220 kann mechanisch rigide oder mechanisch flexibel ausgebildet sein.
Auf dem Träger 220 ist der elektrisch aktive Bereich 210 ausgebildet. Der elektrisch aktive Bereich kann einen optisch aktiven Bereich aufweisen. Der elektrisch und optisch aktive Bereich ist beispielsweise der Bereich des optoelektronischen Bauelements 200a, in dem elektrischer Strom zum Betrieb des optoelektronischen Bauelements 200a fließt und/oder in dem elektromagnetische Strahlung erzeugt oder absorbiert wird.
Der elektrisch aktive Bereich 210 ist beispielsweise der Bereich des optoelektronischen Bauelements 200a, der die erste Elektrode 242, die zweite Elektrode 244 und Schichtenstrukturen 240 aufweist, die zwischen der ersten Elektrode 242 und der zweiten Elektrode 244 angeordnet ist, wie sie im Folgenden näher beschrieben werden.
Die oben beschriebene erste Schicht und zweite Schicht des elektrisch aktiven Bereichs können beliebige Schichten des elektrisch aktiven Bereichs sein, beispielsweise zwei Schichten der Schichtenstruktur; die Elektroden oder eine Schicht der Schichtenstruktur und eine der Elektroden.
Die erste Elektrode 242 (beispielsweise in Form einer ersten Elektrodenschicht) ist von dem ersten Kontaktabschnitt 246 mittels der elektrischen Isolierungsbarriere 236 elektrisch isoliert. Ein zweiter Kontaktabschnitt 248a ist mit der ersten Elektrode 242 elektrisch gekoppelt. Die erste Elektrode 242 kann als Anode oder als Kathode ausgebildet sein. Die erste Elektrode 242 kann transluzent oder transparent ausgebildet sein. Die erste Elektrode 242 weist ein elektrisch leitfähiges Material auf, beispielsweise Metall und/oder ein leitfähiges transparentes Oxid (transparent conductive oxide, TCO), beispielsweise Indium-Zinn-Oxid-Schicht (ITO).
Auf oder über der ersten Elektrode 242 ist die Schichtenstruktur 240 aufgebracht, beispielsweise eine organische funktionelle Schichtenstruktur, die als optoelektronische Schichtenstruktur ausgebildet sein kann. Die Schichtenstruktur 240 kann auch als eine organische funktionelle bzw. elektrolumineszente Schichtenstruktur ausgebildet werden. Die Schichtenstruktur 240 weist beispielsweise eine, zwei oder mehr Schichten auf.
Die Schichten der Schichtenstruktur können Emitterschichten sein oder aufweisen, beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder phosphoreszierenden Emittern. Die Schichtenstruktur kann ferner Ladungsträgerinjektionsschichten und Ladungsträgertransportschichten aufweisen, wobei die Ladungsträger Elektronen oder Löcher sein können. Die Reihenfolge der Schichten der Schichtenstruktur entspricht einer herkömmlichen bzw. üblichen Reihenfolge. Eine oder mehrere Schicht/en der Schichtenstruktur kann einen oder mehrere organische Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein. Daher kann die Schichtenstruktur auch als organisch funktionelle Schichtenstruktur oder organisches Schichtensystem bezeichnet werden. Jede der Schichten der Schichtenstruktur kann die oben genannte erste bzw. zweite Schicht sein.
Über der Schichtenstruktur ist die zweite Elektrode 244 des elektrisch aktiven Bereichs 210 ausgebildet (beispielsweise in Form einer zweite Elektrodenschicht), die elektrisch mit dem zweite Kontaktabschnitt 246 gekoppelt ist. Die zweite Elektrode 244 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 242 ausgebildet, wobei die erste Elektrode 242 und die zweite Elektrode 244 gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein können. Die erste Elektrode 242 dient beispielsweise als Anode oder Kathode des elektrisch aktiven Bereichs 210. Die zweite Elektrode 244 dient korrespondierend zu der ersten Elektrode als Kathode bzw. Anode des elektrisch aktiven Bereichs.
Das optoelektronische Bauelement 200a weist Kontaktstreifen auf, die Randkontaktstreifen 248a oder Mittelkontaktstreifen 248b sein können. Die Kontaktstreifen 248a, 248b sind beispielsweise Kontaktabschnitte oder elektrische Sammelschiene. Die elektrische Sammelschiene kann zur Erhöhung der lateralen Stromverteilung in dem optoelektronischen Bauelement 220a eingerichtet sein, beispielsweise falls die erste Elektrode 242 und/oder die zweite Elektrode 244 einen elektrischen Flächenwiderstand aufweisen/aufweist, der ein großflächiges Ausbilden des optisch aktiven Bereichs verhindern würde. Die Kontaktstreifen 248a, 248b sind in dem elektrischen Bereich 210 angeordnet. Die Kontaktstreifen 248a, 248b sind mit einer Resistschicht 238 (auch als elektrische Isolierungsbarriere bezeichnet) bedeckt bzw. umgeben. Dadurch wird ein optisch nicht-aktiver Bereich auf oder über den Kontaktstreifen gebildet.
Über der zweiten Elektrode 244 und teilweise über dem ersten Kontaktabschnitt 246 kann optional eine Verkapselung 230 vorgesehen sein. Die Verkapselung 230 verkapselt den elektrisch aktiven Bereich. Die Verkapselungsschicht 230 kann als Dünnschichtverkapselung oder als Barrieredünnschicht ausgebildet sein. Die Verkapselungsschicht 230 bildet eine Barriere gegenüber chemischen Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff.
Weiterhin kann die Verkapselung eine Abdeckung und eine Klebstoffschicht aufweisen. Beim Auftrennen bzw. Analysieren des optoelektronischen Bauelementes wird der elektrisch aktive Bereich freigelegt, indem die Verkapselung 230 entfernt wird. Beim Entfernen der Verkapselung kann auch ein Teil des elektrisch aktiven Bereichs entfernt werden, wodurch mittels Trennens der Soll-Trennstellen eine inhomogene Analyseoberfläche ausgebildet wird.
2B zeigt eine schematische Querschnittansicht 200b des optoelektronischen Bauelements 200a nach Auftrennen des optoelektronischen Bauelements 200a.
Wie in 2B veranschaulicht ist, wurden nach Auftrennen des optoelektronischen Bauelements Teile der Schicht 212a, an den Stellen der Grenzfläche, die frei von Materialschichten waren, von der Schicht 214a abgetrennt. Teile der Schicht 212b, an den Stellen der Grenzfläche, in den die Materialschicht angeordnet war, sind mit der Schicht 214b verbunden geblieben. Teile der Schicht 212b, an den Stellen der Grenzfläche ohne Materialschicht, wurden von der Schicht 214b abgetrennt. Es zeigt sich somit eine inhomogene Trennung des optoelektronischen Bauelements zwischen den Schichten 212a, 214a, 212b, 214b.
3A zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelements 300a gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. Das optoelektronische Bauelement 300a kann beispielsweise gemäß einem der oben beschriebenen Ausführungsbeispiele ausgebildet sein.
Wie in 3A veranschaulicht ist, kann das optoelektronische Bauelement 300a mehrere Materialschichten 318a, 318b, 318c, 318d, 318e, 318f, 318g aufweisen, die zwischen mindestens der ersten Schicht 312 und der zweiten Schicht 314, und/oder zwischen der zweiten Schicht 314 und einer dritten Schicht 316, beispielsweise zwischen allen Schichten, der Schichtenstruktur 240 ausgebildet sind.
In 3A sind haftungsverstärkende Materialschichten 318a, 318b, 318c, 318d, 318e, 318f, 318g dargestellt. Die Soll-Trennstellen (nicht dargestellt) sind an den Stellen angeordnet, die neben oder über den Materialschichten 318a, 318b, 318c, 318d, 318e, 318f, 318g angeordnet sind. Die Soll-Trennstellen und die Materialschicht 318a, 318b, 318c, 318d, 318e, 318f, 318g können beispielsweise gemäß einem der oben beschriebenen Ausführungsbeispiele ausgebildet sein.
Die Materialschichten 318a, 318b, 318c, 318d, 318e, 318f, 318g weisen beispielsweise jeweils mehrere Materialschichten auf, wobei diese Materialschichten lateral voneinander in einem Abstand von ungefähr 0,01 mm bis ungefähr 3,0 mm angeordnet.
Beispielsweise weisen die Materialschichten 318a, 318b, 318c, 318d, 318e, 318f, 318g, die innerhalb der Schichtenstruktur 240 angeordnet sind, eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 0,2 nm bis ungefähr 2 nm, beispielsweise von ungefähr 0,4 nm bis ungefähr 1 nm. Die Materialschichten 318a, 318b, 318c, 318d, 318e, 318f, 318g können beispielsweise derart dünn sein, dass sie keine geschlossene Schicht zwischen zwei Schichten der Schichtenstruktur 240 bilden. Dies führt zu nanoskaligen Haftungsbereichen zwischen zwei Schichten der Schichtenstruktur 240. Alternativ oder zusätzlich ist die Materialschicht 218b lateral willkürlich zwischen mindestens zwei Schichten der Schichtenstruktur 240 angeordnet.
Dies bewirkt, dass der Haftbereich zwischen zwei Schichten, beispielsweise zwischen der ersten Schicht 312 und der zweiten Schicht 314 nicht deckungsgleich ist mit dem Haftbereich zwischen zwei weiteren Schichten, beispielsweise zwischen der zweiten Schicht 314 und der dritten Schicht 316.
3B zeigt eine schematische Querschnittansicht 300b des optoelektronischen Bauelements 300a nach einem Auftrennen des optoelektronischen Bauelements 300a.
Wie in 3B veranschaulicht ist, ist nach einem Auftrennen des optoelektronischen Bauelements, an den Stellen, in den die Materialschichten 318a, 318b, 318c, 318d, 318e, 318f, 318g angeordnet waren, die Schichten 312, 314, 316 zusammen gehaftet geblieben. An den Stellen, die frei von Materialschichten 318a, 318b, 318c, 318d, 318e, 318f, 318g waren, wurden die erste Schicht 312 von der zweiten Schicht 314 und die zweite Schicht 314 von der dritten Schicht 316 getrennt. Es zeigt sich eine inhomogene Trennung des optoelektronischen Bauelements zwischen der ersten Schicht 312 und der zweiten Schicht 314 und zwischen der zweiten Schicht 314 und der dritten Schicht 316 und zwischen der dritten Schicht 316 und der zweiten Elektrode 244. Dadurch ist die Analyse der Schichtenstruktur mit herkömmlichen bzw. üblichen Analysemethoden erschwert bzw. unmöglich.
4A zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelements 400a gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. Das optoelektronische Bauelement 400a kann beispielsweise gemäß einem der oben beschriebenen Ausführungsbeispiele ausgebildet sein.
Wie in 4A veranschaulicht ist, weist das optoelektronische Bauelement 400a mehrere Materialschichten 418a, 418b, 418c auf, die zwischen mindestens zwei Schichten bzw. zwischen einer ersten Schicht 412 und einer zweiten Schicht 414 und/oder zwischen der zweiten Schicht 414 und einer dritten Schicht 416 und/oder der dritten Schicht 416 und einer vierten Schicht 417 der Schichtenstruktur 240 ausgebildet sind. Die Materialschicht 418a ist zwischen der vierten Schicht 417 und der dritten Schicht 416 der Schichtenstruktur 240 angeordnet. Die Materialschicht 418b ist zwischen der dritten Schicht 416 und der zweiten Schicht 414 der Schichtenstruktur 240 angeordnet. Die Materialschicht 418c ist zwischen der ersten Schicht 412 und der zweiten Schicht 414 der Schichtenstruktur 240 angeordnet.
In 4A sind haftungsvermindernde Materialschichten 418a, 418b, 418c dargestellt. Die Soll-Trennstellen (nicht dargestellt) sind an den Stellen angeordnet, in denen die Materialschichten 418a, 418b, 418c angeordnet sind. Die Soll-Trennstellen und die Materialschicht 418a, 418b, 418c können beispielsweise gemäß einem der oben beschriebenen Ausführungsbeispiele ausgebildet sein.
4B zeigt eine schematische Querschnittansicht 400b des optoelektronischen Bauelements 400a nach Auftrennen des optoelektronischen Bauelements 400a.
Wie in 4B veranschaulicht ist, wurden nach einem Auftrennen des optoelektronischen Bauelements 400a, an den Stellen, in den die Materialschichten 418a, 418b, 418c angeordnet waren, die erste Schicht 212 von der zweiten Schicht 414 und/oder die zweite Schicht 414 von der dritten Schicht 416 und/oder die dritte Schicht von der vierten Schicht 417 aufgetrennt. Es zeigt sich eine inhomogene Trennung des optoelektronischen Bauelements zwischen den Schichten 412, 414, 416, 417. Dadurch ist die Analyse der Schichtenstruktur mit herkömmlichen bzw. üblichen Analysemethoden erschwert bzw. unmöglich.
5A zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelements 500a gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. Das optoelektronische Bauelement 500a kann beispielsweise gemäß einem der oben beschriebenen Ausführungsbeispiele ausgebildet sein.
Wie in 5A veranschaulicht ist, weist das optoelektronische Bauelement 500a bzw. der elektrisch aktive Bereich einen optisch aktiven Bereich 510a mit einem ersten Schichtaufbau auf. Der erste Schichtaufbau weist mehrere Schichten, beispielsweise eine erste Schicht 512a, eine zweite Schicht 514a, und eine dritte Schicht 516a auf. Weiterhin weist das optoelektronische Bauelement 500a bzw. der elektrisch aktive Bereich einen optisch nicht-aktiven Bereich 510b mit einem zweiten Schichtaufbau auf. Der zweite Schichtaufbau 510b weist mehrere Schichten, beispielsweise eine erste Schicht 512b, eine zweite Schicht 514b, und eine dritte Schicht 516b auf.
Der erste Schichtaufbau des optisch aktiven Bereichs 510a weicht von dem zweiten Schichtaufbau des optisch nicht-aktiven Bereichs ab. Mit anderen Worten: Der erste Schichtaufbau des optisch aktiven Bereichs 510a und der zweite Schichtaufbau des optisch nicht-aktiven Bereichs 510b sind unterschiedlich. Die Anzahl an Schichten in dem ersten Schichtaufbau kann der Anzahl an Schichten in dem zweiten Schichtaufbau gleich sein.
Der optisch nicht-aktive Bereich mit dem zweiten Schichtaufbau ist auf oder über den Randkontaktstreifen 248a angeordnet. Alternativ oder zusätzlich ist der optisch nicht-aktive Bereich mit dem zweiten Schichtaufbau auf oder über den Mittelkontaktstreifen 248b angeordnet (nicht dargestellt).
Das optoelektronische Bauelement 500a weist ferner mehrere Materialschichten 518a, 518b, 518c auf. Die Materialschicht 518a ist zwischen der dritten Schichten 516a des elektrisch aktiven Bereichs 210 und der zweiten Elektrode 244 angeordnet. Die Materialschicht 518b ist zwischen der ersten Schicht 512a und der zweiten Schicht 514a des optisch aktiven Bereichs 510a des elektrisch aktiven Bereichs 210 angeordnet. Die Materialschichten 518a, 518b sind haftungsverstärkende Materialschichten. Der optisch aktive Bereich 510a des optoelektronischen Bauelements 500a kann weitere haftungsverstärkende Materialschichten zwischen mehreren Schichten bzw. allen Schichten aufweisen. Die Soll-Trennstellen (nicht dargestellt) in dem optisch aktiven Bereich 510a sind an den Stellen angeordnet, die neben, unter oder über den Materialschichten 518a, 518b angeordnet sind. Die Soll-Trennstellen und die Materialschicht 518a, 518b können beispielsweise gemäß einem der oben beschriebenen Ausführungsbeispiele ausgebildet sein.
Die Materialschicht 518c ist im Übergang zwischen optisch aktivem und optisch nicht-aktivem Bereich angeordnet. Mit anderen Worten: Die Materialschicht 518c ist zwischen der Schichtenstruktur des optisch aktiven Bereichs 510a und der Schichtenstruktur des optisch nicht-aktiven Bereichs 510b angeordnet, beispielsweise zwischen der ersten Schicht 512a des optisch aktiven Bereichs und der Schicht ersten 512b des optisch nicht-aktiven Bereichs, beispielsweise zwischen der zweiten Schicht 514a des optisch aktiven Bereichs und der zweiten Schicht 514b des optisch nicht-aktiven Bereichs, beispielsweise zwischen der Schicht dritten 516a des optisch aktiven Bereichs und der dritten Schicht 516b des optisch nicht-aktiven Bereichs. Die Materialschicht 518c ist eine haftungsvermindernde Materialschicht. Die Soll-Trennstellen (nicht dargestellt) zwischen dem optisch aktiven Bereich 510a und dem optisch nicht-aktiven Bereich sind an den Stellen angeordnet, in den Materialschichten 518c angeordnet ist. Der optisch nicht-aktive Bereich 510b des optoelektronischen Bauelements 500a ist beispielsweise frei von der Materialschicht zwischen den Schichten der Schichtenstruktur mit dem zweiten Schichtaufbau. Mit anderen Worten: Der optisch nicht-aktive Bereich 510b ist frei von Soll-Trennstellen zwischen den Schichten der Schichtenstruktur. Im nicht-aktiven Bereich kann somit eine Schichtstruktur komplett analysiert werden, wobei der Schichtaufbau in diesem Bereich unterschiedlich sein kann zu dem Schichtaufbau im aktiven Bereich. Die Soll-Trennstellen und die Materialschicht 518c können beispielsweise gemäß einem der oben beschriebenen Ausführungsbeispiele ausgebildet sein.
5B zeigt eine schematische Querschnittansicht 500b des optoelektronischen Bauelements 500a nach einem Auftrennen des optoelektronischen Bauelements 500a.
Wie in 5B veranschaulicht ist, wurden nach dem Auftrennen des optoelektronischen Bauelements 500a, Teile der Schicht 516a, an den Stellen der Grenzfläche, die frei von Materialschichten waren, von der Schicht 518a abgetrennt.
Teile der Schicht 516a, an den Stellen der Grenzfläche, in denen die Materialschicht angeordnet war, sind auf der Schicht 518a verbunden geblieben.
Teile der Schicht 512a, an den Stellen der Grenzfläche, die frei von Materialschichten waren, sind von der Schicht 514a abgetrennt.
Teile der Schicht 512a, an den Stellen der Grenzfläche, in den die Materialschicht angeordnet war, sind auf der Schicht 514a zusammen verbunden geblieben.
Es zeigt sich somit eine inhomogene Trennung des optisch aktiven Bereichs 510a des optoelektronischen Bauelements 500a zwischen den Schichten 512a, 514a, 516a, 518a. Dadurch ist die Analyse der Schichtenstruktur des optisch aktiven Bereichs 510a mit herkömmlichen bzw. üblichen Analysemethoden erschwert bzw. unmöglich.
Weiterhin zeigt 5B, dass die Schichten der Schichtenstruktur des optisch nicht-aktiven Bereichs 510b zusammen verbunden geblieben sind. Der optisch nicht-aktive Bereich 510b wurde von der zweiten Elektrode 244 und dem optisch aktiven Bereich 510a, an den Grenzflächen im Übergang zwischen dem optisch aktiven Bereich und dem optisch nicht-aktiven Bereich, d.h. an den die Materialschicht 518c angeordnet war, abgetrennt. Dadurch ist eine Analyse des Schichtaufbaus des optisch nicht-aktiven Bereichs erleichtert. Da der zweite Schichtaufbau des optisch nicht-aktiven Bereichs 510b von dem ersten Schichtaufbau des optisch aktiven Bereichs 510a abweicht, führt die Analyse des Schichtaufbaus des optisch nicht-aktiven Bereichs 510b zu einem falschen Analyseergebnissen.
6 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens 600 zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes 100 gemäß verschiedener Ausführungsbeispiele. Das optoelektronische Bauelement kann im Wesentlichen gemäß einem der oben beschriebenen Ausführungsbeispiele ausgebildet werden.
Das Verfahren 600 zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements weist ein Ausbilden eines elektrisch aktiven Bereichs, ein Ausbilden 602 einer ersten Schicht, ein Ausbilden 604 einer zweiten Schicht auf oder über der ersten Schicht und ein Ausbilden 606 mindestens einer Soll-Trennstelle im Bereich der ersten Schicht und der zweiten Schicht bzw. zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht auf. Die Soll-Trennstelle ist derart ausgebildet, dass eine inhomogene Trennung beim Trennen der Soll-Trennstelle ausgebildet wird Die Soll-Trennstelle kann im Wesentlichen gemäß einem der oben beschriebenen Ausführungsbeispiele ausgebildet werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist das Verfahren 600 ein Ausbilden von mehreren Soll-Trennstellen zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht. Die Soll-Trennstellen sind derart ausgebildet, dass sie jeweils mit einem lateralen Abstand in einem Bereich von ungefähr 0,01 mm bis ungefähr 3,0 mm angeordnet.
Dies bewirkt eine inhomogene Auftrennung der ersten Schicht von der zweiten Schicht derart, dass eine Analyse des Schichtaufbaus mittels üblich verwendeter Analysenmethoden erschwert ist.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird die mindestens eine Soll-Trennstelle mittels einer Materialschicht zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht ausgebildet. Die Materialschicht verstärkt oder vermindert die Adhäsion zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht. Die Materialschicht kann im Wesentlichen gemäß einem der oben beschriebenen Ausführungsbeispiele ausgebildet werden.
Der Einsatz einer Materialschicht bewirkt eine Veränderung bzw. Verringerung oder Erhöhung der Haftung bzw. Adhäsion zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht. Eine Verstärkung der Adhäsion mittels der Materialschicht kann ein Ausbilden einer Soll-Trennstelle neben der Materialschicht bewirken. Eine Verringerung der Adhäsion mittels der Materialschicht kann ein Ausbilden einer Soll-Trennstelle in dem Bereich bzw. unter oder über der Materialschicht bewirken.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird der elektrisch aktive Bereich mit einem optisch aktiven Bereich mit einem ersten Schichtaufbau und einen optisch nicht-aktiven Bereich mit einem zweiten Schichtaufbau ausgebildet. Alternativ oder zusätzlich wird der optisch aktive Bereich als licht-emittierend ausgebildet. Weiterhin wird der erste Schichtaufbau unterschiedlich von dem zweiten Schichtaufbau ausgebildet.
Die Abweichung von erstem Schichtaufbau zu zweitem Schichtaufbau ermöglicht eine Verfälschung der Analyse des Schichtaufbaus des elektrisch optisch aktiven Bereichs, beispielsweise für den Fall, dass der optisch nicht-aktive Bereich analysiert wird.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird der optisch nicht-aktive Bereich frei von Soll-Trennstellen ausgebildet.
Dies bewirkt eine homogene Trennung des optisch nicht-aktiven Bereichs. Dadurch wird der optisch nicht-aktive Bereich als bevorzugter Analysebereich impliziert. Mittels der unterschiedlichen Schichtaufbauten von optisch aktiven Bereich und optisch nicht-aktiven Bereich in Synergie mit der Inhomogenen Oberfläche des optisch aktiven Bereichs nach Auftrennen, wird die Analyse des optisch aktiven Bereichs zusätzlich erschwert.
Die Erfindung ist nicht auf die angegebenen Ausführungsbeispiele beschränkt. Beispielsweise kann mehrere unterschiedliche nebeneinander oder übereinander angeordnete optoelektronische Bauelemente in Form eines Displays verwendet werden.
Gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel kann ein optoelektronisches Bauelement aufweisen: einen elektrisch aktiven Bereich mit:

– mindestens einer ersten Schicht,
– einer auf oder über der ersten Schicht angeordneten zweiten Schicht,

Gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel kann das optoelektronische Bauelement gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel derart ausgestaltet sein, dass die inhomogene Trennung ein Teil der ersten Schicht auf der zweiten Schicht aufweist und/oder ein Teil der zweiten Schicht auf der ersten Schicht aufweist.
Gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel kann das optoelektronische Bauelement gemäß dem ersten oder zweiten Ausführungsbeispiel derart ausgestaltet sein, dass das optoelektronische Bauelement ein organisch Licht-emittierendes Bauelement, eine Solarzelle und/oder einen Fotodetektor ist.
Gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel kann das optoelektronische Bauelement gemäß den ersten bis dritten Ausführungsbeispielen derart ausgestaltet sein, dass mehrere Soll-Trennstellen zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht angeordnet sind, wobei zwei nebeneinander liegende Soll-Trennstellen mit einem lateralen Abstand in einem Bereich von ungefähr 0,01 mm bis ungefähr 3,0 mm angeordnet.
Gemäß einem fünften Ausführungsbeispiel kann das optoelektronische Bauelement gemäß den ersten bis vierten Ausführungsbeispielen derart ausgestaltet sein, dass eine Materialschicht zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht angeordnet ist, wobei die Materialschicht die Adhäsion zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht verstärkt oder vermindert.
Gemäß einem sechsten Ausführungsbeispiel kann das optoelektronische Bauelement gemäß den ersten bis fünften Ausführungsbeispielen derart ausgestaltet sein, dass die Materialschicht flächenhaft ist und eine Dicke in einem Bereich zwischen ungefähr 0,2 nm und ungefähr 20 nm, vorzugsweise zwischen ungefähr 1 nm und ungefähr 10 nm aufweist.
Gemäß einem siebten Ausführungsbeispiel kann das optoelektronische Bauelement gemäß den ersten bis sechsten Ausführungsbeispielen derart ausgestaltet sein, dass die erste Schicht und die zweite Schicht eine gemeinsame Grenzfläche aufweisen.
Gemäß einem achten Ausführungsbeispiel kann das optoelektronische Bauelement gemäß den ersten bis sechsten Ausführungsbeispielen derart ausgestaltet sein, dass der elektrisch aktive Bereich mehrere Schichten und mehrere Soll-Trennstellen aufweist, wobei ein Teil der mehreren Soll-Trennstellen zwischen unterschiedlichen Schichten der mehreren Schichten angeordnet ist.
Gemäß einem neunten Ausführungsbeispiel kann das optoelektronische Bauelement gemäß den ersten bis achten Ausführungsbeispielen derart ausgestaltet sein, dass der elektrisch aktive Bereich einen optisch aktiven Bereich mit einem ersten Schichtaufbau und einen optisch nicht-aktiven Bereich mit einen zweiten Schichtaufbau aufweist, wobei der optisch aktive Bereich licht-emittierend ist und der erste Schichtaufbau unterschiedlich von dem zweiten Schichtaufbau ist.
Gemäß einem zehnten Ausführungsbeispiel kann das optoelektronische Bauelement gemäß dem neunten Ausführungsbeispiel derart ausgestaltet sein, dass der optisch nicht-aktive Bereich frei von Soll-Trennstellen ist.
Gemäß einem elften Ausführungsbeispiel kann ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements, aufweisen:

– Ausbilden eines elektrisch aktiven Bereichs mit:
– Ausbilden einer ersten Schicht,
– Ausbilden einer zweiten Schicht auf oder über der ersten Schicht,
– Ausbilden mindestens einer Soll-Trennstelle im Bereich der ersten Schicht und der zweiten Schicht,

Gemäß einem zwölften Ausführungsbeispiel kann das Verfahren gemäß dem elften Ausführungsbeispiel derart ausgestaltet sein, dass es ein Ausbilden von mehreren Soll-Trennstellen zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht aufweist, wobei die Soll-Trennstellen jeweils mit einem lateralen Abstand in einem Bereich von ungefähr 0,01 mm bis ungefähr 3 3,0 mm angeordnet.
Gemäß einem dreizehnten Ausführungsbeispiel kann das Verfahren gemäß den elften bis zwölften Ausführungsbeispielen derart ausgestaltet sein, dass die mindestens eine Soll-Trennstelle mittels einer Materialschicht zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht ausgebildet wird, wobei die Materialschicht die Adhäsion zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht verstärkt oder vermindert.
Gemäß einem vierzehnten Ausführungsbeispiel kann das Verfahren gemäß den elften bis dreizehnten Ausführungsbeispielen derart ausgestaltet sein, dass der elektrisch aktive Bereich mit einem optisch aktiven Bereich mit einem ersten Schichtaufbau und einen optisch nicht-aktiven Bereich mit einem zweiten Schichtaufbau ausgebildet wird, wobei der optisch aktive Bereich licht-emittierend ausgebildet wird und der erste Schichtaufbau unterschiedlich von dem zweiten Schichtaufbau ausgebildet wird.
Gemäß einem fünfzehnten Ausführungsbeispiel kann das Verfahren gemäß dem vierzehnten Ausführungsbeispiel derart ausgestaltet sein, dass der optisch nicht-aktive Bereich frei von Soll-Trennstellen ausgebildet wird.
Bezugszeichenliste

100a, 100b, 200a, 200b, 300a, 300b, 400a, 400b, 500a, 500b, 700a, 700b: optoelektronisches Bauelement
110, 210, 710: elektrisch aktiver Bereich
112, 114, 212a, 214a, 212b, 214b, 312, 314, 316, 412, 414, 416, 417, 512a, 514a, 516a, 512b, 514b, 516b: Schicht
116a, 116b: Soll-Trennstelle
118a, 118b, 218a, 218b, 318a, 318b, 318c, 318d, 318e, 318f, 318g, 418a, 418b, 418c, 518a, 518b, 518c: Materialschicht
120, 220, 720: Träger
130, 230, 730: Verkapselung
140, 240, 740: Schichtenstruktur
232, 732: Kammstruktur, Randbereich
236, 736: Durchbruch
238, 738: Resistschicht
242, 244, 742, 744: Elektrode
246, 746: Kontaktabschnitt
248a, 248b, 748a, 748b: Kontaktstreifen
600: Verfahren
602, 604, 606, 608: Verfahrensschritte

Claims

Optoelektronisches Bauelement (100a, 100b), aufweisend: einen elektrisch aktiven Bereich (110) mit: – mindestens einer ersten Schicht (112), – einer auf oder über der ersten Schicht (112) angeordneten zweiten Schicht (114), wobei mindestens eine Soll-Trennstelle (116a, 116b) im Bereich der ersten Schicht (112) und der zweiten Schicht (114) angeordnet ist, wobei die Soll-Trennstelle derart ausgebildet ist, dass eine inhomogene Trennung beim Trennen der Soll-Trennstelle ausgebildet wird.
Optoelektronisches Bauelement (100a, 100b) nach Anspruch 1, wobei die inhomogene Trennung ein Teil der ersten Schicht (114) auf der zweiten Schicht (112) aufweist und/oder ein Teil der zweiten Schicht (114) auf der ersten Schicht (112) aufweist.
Optoelektronisches Bauelement (100a, 100b) nach Anspruch 1 oder 2, wobei das optoelektronische Bauelement ein organisch Licht-emittierendes Bauelement, eine Solarzelle und/oder einen Fotodetektor ist.
Optoelektronisches Bauelement (100a, 100b) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei mehrere Soll-Trennstellen (116a, 116b) zwischen der ersten Schicht (112) und der zweiten Schicht (114) angeordnet sind, wobei zwei nebeneinander liegende Soll-Trennstellen (116a, 116b) mit einem lateralen Abstand (d) in einem Bereich von ungefähr 0,01 mm bis ungefähr 3,0 mm angeordnet.
Optoelektronisches Bauelement (100a, 100b) nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei eine Materialschicht (118a, 118b) zwischen der ersten Schicht (112) und der zweiten Schicht (114) angeordnet ist, wobei die Materialschicht (118a, 118b) die Adhäsion zwischen der ersten Schicht (112) und der zweiten Schicht (114) verstärkt oder vermindert.
Optoelektronisches Bauelement (100a, 100b) nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Materialschicht (118a, 118b) flächenhaft ist und eine Dicke in einem Bereich zwischen ungefähr 0,2 nm und ungefähr 20 nm, vorzugsweise zwischen ungefähr 1 nm und ungefähr 10 nm aufweist.
Optoelektronisches Bauelement (100a, 100b) nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die erste Schicht (112) und die zweite Schicht (114) eine gemeinsame Grenzfläche aufweisen.
Optoelektronisches Bauelement (100a, 100b) nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei der elektrisch aktive Bereich (110) mehrere Schichten und mehrere Soll-Trennstellen aufweist, wobei ein Teil der mehreren Soll-Trennstellen zwischen unterschiedlichen Schichten der mehreren Schichten angeordnet ist.
Optoelektronisches Bauelement (100a, 100b) nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei der elektrisch aktive Bereich (210) einen optisch aktiven Bereich (510a) mit einem ersten Schichtaufbau und einen optisch nicht-aktiven Bereich (510b) mit einen zweiten Schichtaufbau aufweist, wobei der optisch aktive Bereich (510a) licht-emittierend ist und der erste Schichtaufbau unterschiedlich von dem zweiten Schichtaufbau ist.
Optoelektronisches Bauelement (100a, 100b) nach Anspruch 9, wobei der optisch nicht-aktive Bereich (510b) frei von Soll-Trennstellen ist.
Verfahren (600) zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements, aufweisend: – Ausbilden eines elektrisch aktiven Bereichs mit: – Ausbilden (602) einer ersten Schicht, – Ausbilden (604) einer zweiten Schicht auf oder über der ersten Schicht, – Ausbilden (606) mindestens einer Soll-Trennstelle im Bereich der ersten Schicht und der zweiten Schicht, wobei die Soll-Trennstelle derart ausgebildet ist, dass eine inhomogene Trennung beim Trennen der Soll-Trennstelle ausgebildet wird.
Verfahren (600) nach Anspruch 11, aufweisend: Ausbilden von mehreren Soll-Trennstellen zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht, wobei die Soll-Trennstellen jeweils mit einem lateralen Abstand in einem Bereich von ungefähr 0,01 mm bis ungefähr 3,0 mm angeordnet.
Verfahren (600) nach Anspruch 11 oder Anspruch 12, wobei die mindestens eine Soll-Trennstelle mittels einer Materialschicht zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht ausgebildet wird, wobei die Materialschicht die Adhäsion zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht verstärkt oder vermindert.
Verfahren (600) nach einem der Ansprüche 11 bis 13, wobei der elektrisch aktive Bereich mit einem optisch aktiven Bereich mit einem ersten Schichtaufbau und einen optisch nicht-aktiven Bereich mit einem zweiten Schichtaufbau ausgebildet wird, wobei der optisch aktive Bereich licht-emittierend ausgebildet wird und der erste Schichtaufbau unterschiedlich von dem zweiten Schichtaufbau ausgebildet wird.
Verfahren (600) nach Anspruch 14, wobei der optisch nicht-aktive Bereich frei von Soll- Trennstellen ausgebildet wird.