KR102234462B1 - 전자 컴포넌트를 프로세싱하기 위한 방법 및 전자 컴포넌트 어레인지먼트 - Google Patents
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Abstract
전자 컴포넌트(130)를 프로세싱하기 위한 방법(200)이 다양한 실시예들에서 개시된다. 상기 방법은 하기의 단계들: 미리결정된 분리 지점들(304)이 제공되는 평면적 구조물(128)을 전자 컴포넌트(130) 상에 적용하는 단계(204); 및 이 컴포넌트에 적용된 평면적 구조물(128)의 일부(306, 404)를 제거하는 단계(208)를 포함하고, 이 제거하는 단계(208)는 미리결정된 분리 지점들(304)에서 평면적 구조물(128)을 분리시키는 단계를 포함한다.
Description
다양한 실시예들에서, 전자 컴포넌트를 프로세싱하기 위한 방법 및 전자 컴포넌트 어레인지먼트가 제공된다.
유기 기반의 광전자 컴포넌트들, 예컨대, 유기 발광 다이오드(OLED:organic light emitting diode)가 범용 조명에서 점점 더 폭넓게 사용되고 있다. 유기 광전자 컴포넌트, 예컨대, OLED는 통상적으로 캐리어 상에서, 유기 기능 층 시스템이 그 사이에 있는 애노드와 캐소드를 포함한다. 유기 기능 층 시스템은, 전류 흐름을 지향시키기 위하여, 예컨대, 전자기 방사선이 생성되는 하나 또는 복수의 에미터 층(들), 하나 또는 복수의 전하 생성 층 구조물(들) ―각각은 전하 생성을 위한 둘 또는 그 초과의 전하 생성 층(CGL:charge generating layer)들로 구성됨―, 및 정공 수송 층(HTL:hole transport layer)(들)으로서 또한 표기되는 하나 또는 복수의 전자 차단 층(들), 및 전자 수송 층(ETL:electron transport laye)(들)으로서 또한 표기되는 하나 또는 복수의 정공 차단 층(들)을 포함할 수 있다.
유기 발광 다이오드들의 통상적인 캐리어들은, 후면에서 캐비티 유리와 접착력 있게 본딩되는 유리 기판들이다. 접착성 연결부를 관통하는 수분을 바인딩(binding)하기 위하여, 캐비티 유리에서 게터(getter)가 접착력 있게 본딩될 수 있다. 추가의 통상적인 캐리어들에서, 유리 기판의 후면 상에 박막 캡슐화부가 형성되고, 여기서 내스크래치 보호부로서의 추가 유리가 OLED의 후면 상에 라미네이팅된다. OLED들에 대한 양쪽 타입들의 캐리어들은 통상적으로, 스크라이브 앤드 브레이크(scribe and break) 설치에 의하여 개별 디바이스들을 형성하기 위해, 플레이트 레벨로 싱귤레이팅(singulating)될 수 있다. 이는, 유리 기판이 전면에서 그리고 후면에서 대응하게 스크라이빙되고, 추후에, "스크라이브 휠"에 의하여, 특정 힘으로, 대응하는 브레이킹 또는 싱귤레이팅 에지들 또는 싱귤레이팅 라인들에서 브레이킹되는 절차에 의해 수행된다.
통상적인 방법들에서는, 내스크래치 보호부로서의 플라스틱 필름, 또는 금속 필름이 캐리어의 후면 상에 전체 영역에 걸쳐 라미네이팅된다. 캐리어 및 라미네이팅된 필름 ―각각은 상이한 재료들을 포함함― 을 포함하는 이러한 기판은 하이브리드 OLED로 또한 지칭된다. 하이브리드 OLED의 경우, 싱귤레이션을 위한 통상적인 방법이 더 이상 기능하지 않는데, 그 이유는 유리 및 플라스틱 필름들 또는 금속 필름들이 스크라이브 휠에 의하여 동시에 싱귤레이팅될 수 없기 때문이다. "탄성 재료"로서의 플라스틱 필름이 예컨대, 스크라이빙 동안 휘거나 또는 스프링 백(spring back)되며, 그 결과, 이 플라스틱 필름은 실제로는, 스크라이빙된 위치에서 분리되지 않는다.
하나의 통상적인 방법에서는, 상이한 재료들이 하나의 프로세스에서 레이저에 의하여 분리된다. 유리 기판과 커버 유리 사이의 OLED의 경우, OLED의 콘택 영역들은 통상적으로 노출된다. 대응하는 높은 레이저 전력들에서는 또는 특정 파장 범위들에서는, 분리 프로세스가 유리 기판과 이 유리 기판 상의 커버 유리 사이에서 선택력이 있지 않다. 이는, 유리 기판 및/또는 커버 유리를 전면에 그리고/또는 후면에, 콘택 영역들을 노출시키기 위한 상이한 포지션들에서 컷팅하는 것을 더욱 어렵게 만든다. 또한, 이 방법은 값비싼 레이저 시스템의 조달, 그리고 또한, 레이저 시스템의 보통 매우 비용-집약적인 유지보수를 요구한다.
추가의 통상적인 방법에서는, OLED에 적용되도록 의도되는 금속 필름들이, OLED 개별 디바이스들에, 그 위에서의 라미네이션 이전 형상으로 트리밍(trimming)되고, 추후에, OLED들 상에 캐리어의 대응하는 포지션들에서 개별적으로 접착력 있게 본딩/라미네이팅된다. 이러한 방법은 순차적으로 수행되고, 그리고 수동 프로세스로서, 개별 필름 피스(piece)들의 품질 및 정렬에 관한 결함들에 의해 크게 영향받는다. 또한, 입자들이 필름과 OLED 사이에 개별 필름 피스들의 프로세싱 동안 점점 더 통합될 수 있다. 그 결과, 필름 피스들의 개별 프로세싱은 단락들의 위험, 그리고 OLED의 (박막) 캡슐화부에 대한 손상의 위험을 증가시킨다. 그러므로, 필름 피스들의 개별 적용은 대량 제조에 적절하지 않다.
다양한 실시예들에서, 전자 컴포넌트들, 예컨대, 유기 발광 다이오드의 하이브리드 캐리어들을 단순한 방식으로 그리고 통상적인/기존의 방법들로 싱귤레이팅하는 것을 가능하게 하는, 전자 컴포넌트를 프로세싱하기 위한 방법 및 전자 컴포넌트 어레인지먼트가 제공된다. 또한, 이로써, 전자 컴포넌트들의 하이브리드 캐리어들 상의 콘택 영역들을 더욱 간단히 노출시키는 것이 가능하다. 또한, 이로써, 예컨대, OLED들의 경우, 유리 기판 및 커버 유리를 포함하고, 그리고 커플링-인/커플링-아웃 산란 필름(coupling-in/-out scattering film)이 전면 상에 전체 영역에 걸쳐 가능한 한 일찍 플레이트 레벨로 적용되는 광전자 컴포넌트들을 싱귤레이팅하는 것이 가능하다.
다양한 실시예들에서, 전자 컴포넌트를 프로세싱하기 위한 방법이 제공되며, 이 방법은: 미리결정된 분리 위치들이 제공된 평면형 구조물을 전자 컴포넌트에 적용하는 단계; 및 적용된 평면형 구조물의 일부를 제거하는 단계를 포함하고, 여기서 제거하는 단계는 미리결정된 분리 위치들에서 평면형 구조물을 분리시키는 단계를 포함한다.
방법의 하나의 구성에서, 평면형 구조물은 플렉서블한 방식으로, 예컨대, 기계적으로 플렉서블한 방식으로, 예컨대, 가역적으로 구부릴 수 있는 방식으로 형성될 수 있다.
방법의 하나의 구성에서, 평면형 구조물은 필름, 예컨대, 금속 필름, 플라스틱 필름 또는 얇은 유리일 수 있거나 또는 이들을 포함할 수 있다.
방법의 하나의 구성에서, 평면형 구조물은, 이 평면형 구조물이 하기의 효과들: 열 전도; 전자기 방사선의 산란, 반사, 필터링 및/또는 흡수; 예컨대, 도파관 및/또는 광학 캐비티로서, 전자기 방사선의 가이딩; 예컨대, 물, 산소, UV 방사선에 대비한 보호부로서, 전자 컴포넌트에 손상을 주는 물질들 및 필드들에 대한 장벽 효과; 전자 컴포넌트로부터의/전자 컴포넌트로의 전자기 방사선의 커플링-아웃 또는 커플링-인; 예컨대, 고광택 코팅부로서, 전자 컴포넌트의 광학 외관의 변경; 및/또는 예컨대, 전자 컴포넌트의 스크래칭, 스트라이킹(striking), 구부림에 대한 기계적 보호 중 하나의 효과를 갖는 방식으로 형성될 수 있다.
방법의 하나의 구성에서, 평면형 구조물은 접착식으로(in a self-adhesive fashion) 형성될 수 있다. 그 결과, 전자 컴포넌트는 평면형 구조물에 의하여 표면에 단단히 고정될 수 있다. 단단히 연결시키고 단단히 고정시키는 것은, 단단한 연결부, 다시 말해, 응집성, 확실한 록킹(positively locking) 및/또는 힘-록킹(force-locking) 연결부를 형성하는 것을 의미하는 것으로 이해된다. 단단한 연결 수단은, 제1 바디와 제2 바디 사이에 단단한 연결부가 형성되게 하는 수단 또는 매체, 예컨대, 접착제 또는 클립이다.
방법의 하나의 구성에서, 평면형 구조물은 대략 10 ㎛ 내지 대략 500 ㎛ 범위의 두께를 가질 수 있다.
방법의 하나의 구성에서, 전자 컴포넌트는 광전자 컴포넌트를 포함할 수 있다.
방법의 하나의 구성에서, 광전자 컴포넌트는 유기 발광 다이오드를 포함할 수 있다.
방법의 하나의 구성에서, 광전자 컴포넌트는 솔라 셀 및/또는 포토검출기를 포함할 수 있다.
방법의 하나의 구성에서, 전자 컴포넌트는 둘 또는 그 초과의 전자 컴포넌트 유닛들을 포함할 수 있고, 여기서 평면형 구조물은 이러한 둘 또는 그 초과의 전자 컴포넌트 유닛들 상에 또는 그 위에 적용된다.
방법의 하나의 구성에서, 적어도 하나의 미리결정된 분리 위치가 두 개의 전자 컴포넌트 유닛들 사이에 형성될 수 있다.
방법의 하나의 구성에서, 적용된 평면형 구조물의 제거된 일부는 두 개의 전자 컴포넌트 유닛들 사이의 싱귤레이션 구역으로부터 제거될 수 있다.
방법의 하나의 구성에서, 전자 컴포넌트는 전기 콘택 구역을 포함할 수 있고, 여기서 적용된 평면형 구조물의 제거된 경로는 이 전기 콘택 구역으로부터 제거된다.
방법의 하나의 구성에서, 제거하는 단계는 광전자 컴포넌트로부터, 적용된 평면형 구조물의 제거될 일부를 빼내는(pulling off) 단계를 더 포함할 수 있다. 제거될 일부는 예컨대 일체로 빼내질 수 있다.
방법의 하나의 구성에서, 전자 컴포넌트는 캐리어 상에 형성될 수 있고, 여기서 평면형 구조물이 전자 컴포넌트 상에 또는 그 위에 적용되고, 그리고/또는 평면형 구조물이 전자 컴포넌트를 등지는 캐리어의 그 면 상에 또는 그 위에 적용된다.
방법의 하나의 구성에서, 평면형 구조물을 적용하는 단계는 평면형 구조물을 전자 컴포넌트에 응집력 있게 연결시키는 단계를 포함할 수 있다.
방법의 하나의 구성에서, 응집성 연결부는 양면 접착제 테이프; 액체 접착제; UV-경화성(curable) 접착제 및/또는 압력-감지 접착제에 의하여 형성될 수 있다.
방법의 하나의 구성에서, 평면형 구조물은 전자 컴포넌트 상에 라미네이팅될 수 있다.
방법의 하나의 구성에서, 응집성 연결부를 형성하기 위한 수단이 전자 컴포넌트 및/또는 평면형 구조물 상에 또는 그 위에 구조화된 방식으로 적용될 수 있거나, 또는 적용 프로세스 이후에 구조화된다.
방법의 하나의 구성에서, 평면형 구조물의 제거될 일부와 전자 컴포넌트 사이의 구역은 단단한 연결 수단이 없는 채로 남아 있을 수 있다.
방법의 하나의 구성에서, 응집성 연결부를 형성하기 위한 수단은, 제거되지 않을 평면형 구조물과 전자 컴포넌트 사이의 구역에서와 비교할 때, 평면형 구조물의 제거될 일부와 전자 컴포넌트 사이에 더 낮은 접착력 및/또는 응집력을 가질 수 있다.
방법의 하나의 구성에서, 캐리어 및 평면형 구조물은 하기의 특성들: 산, 염기 또는 용매(solvent)에 대한 화학적 저항성; 싱귤레이션 방법에 대한 기계적 변형 저항성 중 적어도 하나에서 상이할 수 있다. 평면형 구조물을 포함하는 전자 컴포넌트의 싱귤레이션은 물리적 방법, 예컨대, 워터젯 컷팅(water jet cutting), 또는 플라즈마 컷팅; 기계적 방법, 예컨대, 소잉(sawing); 광학적 방법, 예컨대, 레이저 절제(laser ablation); 화학적 방법, 예컨대, 용해(dissolution) 또는 에칭; 및/또는 이들 방법들의 결합, 예컨대, 화학기계적 연마(polishing)에 의하여 수행될 수 있다. 그러나, 전자 컴포넌트의 캐리어 및 평면형 구조물은 그들의 특성들 때문에 상기 방법들에 대하여 상이한 감도들을 가질 수 있다. 예로서, 캐리어는 언급된 방법들 중 하나의 방법에 의해 싱귤레이팅될 수 있고, 여기서 평면형 구조물은 이 방법에 대해, 미리결정된 분리 위치가 없는 구역에서 둔감한데, 즉 분할되지 않는다.
방법의 하나의 구성에서, 미리결정된 분리 위치 및 평면형 구조물은 하기의 특성들: 산, 염기 또는 용매에 대한 화학적 저항성; 싱귤레이션 방법에 대한 기계적 변형 저항성 중 적어도 하나에서 상이할 수 있다.
방법의 하나의 구성에서, 캐리어 및 평면형 구조물은 상이한 재료를 포함할 수 있다.
방법의 하나의 구성에서, 캐리어 및 평면형 구조물은 동일한 재료를 포함할 수 있지만, 상이하게 형성될 수 있다. 상이한 제조 방법들에 의하여, 물질적으로 동일한 구조물들이 물리적 특성들에서 상이할 수 있는데, 예컨대, 상이한 밀도 또는 결정도를 가질 수 있다. 그 결과, 평면형 구조물 및 캐리어는 상이한 방식들로 프로세싱, 예컨대, 분할될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 전자 컴포넌트 어레인지먼트가 제공되고, 이 전자 컴포넌트 어레인지먼트는: 캐리어 상의 전자 컴포넌트; 및 평면형 구조물을 포함하며, 이 평면형 구조물은 캐리어 상의 평면형 구조물 및/또는 전자 컴포넌트 상의 평면형 구조물을 포함하고, 평면형 구조물은 미리결정된 분리 위치들을 포함하며, 평면형 구조물은, 미리결정된 분리 위치들을 분리시키는 프로세스 이후에 전자 컴포넌트 어레인지먼트로부터 평면형 구조물의 일부가 제거 가능한 방식으로 형성된다.
하나의 구성에서, 평면형 구조물은 플렉서블한 방식으로, 예컨대, 기계적으로 플렉서블한 방식으로, 예컨대, 가역적으로 구부릴 수 있는 방식으로 형성될 수 있다.
하나의 구성에서, 평면형 구조물은 필름일 수 있거나 또는 필름을 포함할 수 있다.
하나의 구성에서, 평면형 구조물은, 이 평면형 구조물이 하기의 효과들: 열 전도; 전자기 방사선의 산란, 반사, 필터링 및/또는 흡수; 예컨대, 도파관 및/또는 광학 캐비티로서, 전자기 방사선의 가이딩; 예컨대, 물, 산소, UV 방사선에 대비한 보호부로서, 전자 컴포넌트에 손상을 주는 물질들 및 필드들에 대한 장벽 효과; 전자 컴포넌트로부터의/전자 컴포넌트로의 전자기 방사선의 커플링-아웃 또는 커플링-인; 예컨대, 고광택 코팅부로서, 전자 컴포넌트의 광학 외관의 변경; 및/또는 예컨대, 전자 컴포넌트의 스크래칭, 스트라이킹, 구부림에 대한 기계적 보호 중 하나의 효과를 갖는 방식으로 형성될 수 있다.
하나의 구성에서, 미리결정된 분리 위치 및 평면형 구조물은 하기의 특성들: 산, 염기 또는 용매에 대한 화학적 저항성; 싱귤레이션 방법에 대한 기계적 변형 저항성 중 적어도 하나에서 상이할 수 있다.
하나의 구성에서, 응집성 연결부를 형성하기 위한 수단은, 제거되지 않을 평면형 구조물과 전자 컴포넌트 사이의 구역에서와 비교할 때, 평면형 구조물의 제거될 일부와 전자 컴포넌트 사이에 더 낮은 접착력 및/또는 응집력을 가질 수 있다.
하나의 구성에서, 평면형 구조물은 대략 10 ㎛ 내지 대략 500 ㎛ 범위의 두께를 가질 수 있다.
하나의 구성에서, 전자 컴포넌트는 광전자 컴포넌트를 포함할 수 있다.
하나의 구성에서, 광전자 컴포넌트는 유기 발광 다이오드를 포함할 수 있다.
하나의 구성에서, 광전자 컴포넌트는 솔라 셀 및/또는 포토검출기를 포함할 수 있다.
하나의 구성에서, 전자 컴포넌트는 둘 또는 그 초과의 전자 컴포넌트 유닛들을 포함할 수 있고, 여기서 평면형 구조물은 이러한 둘 또는 그 초과의 전자 컴포넌트 유닛들 상에 또는 그 위에 형성된다.
하나의 구성에서, 적어도 하나의 미리결정된 분리 위치가 두 개의 전자 컴포넌트 유닛들 사이에 형성될 수 있다.
하나의 구성에서, 적용된 평면형 구조물의 제거 가능한 일부는 두 개의 전자 컴포넌트 유닛들 사이의 싱귤레이션 구역 위에 형성될 수 있다. 미리결정된 분리 위치들을 분리시키는 것에 의하여, 분리되는 미리결정된 분리 위치의 구역에서는, 예컨대, 평면형 구조물이 전자 컴포넌트 유닛들의 싱귤레이션 동안 더 이상 절단될 필요가 없다는 사실 때문에, 전자 컴포넌트 유닛들의 싱귤레이션에 대한 전자 컴포넌트의 저항성을 감소시키는 것이 이미 가능하다.
두 개의 전자 컴포넌트 유닛들 사이의 둘 또는 그 초과의 미리결정된 분리 위치들을 이용하여, 상기 미리결정된 분리 위치들 사이의 평면형 구조물의 일부의 제거 이후에 평면형 구조물이 없는 구역을 두 개의 전자 컴포넌트 유닛들 사이에 형성하는 것이 가능하다. 이로써, 상기 구역에서, 컴포넌트 유닛들의 싱귤레이션을 단순화하고 그리고/또는 용이하게 하는 것이 가능하다.
하나의 구성에서, 전자 컴포넌트는 전기 콘택 구역을 포함할 수 있고, 여기서 적용된 평면형 구조물의 제거 가능한 일부는 이 전기 콘택 구역 위에 형성된다.
하나의 구성에서, 평면형 구조물의 제거 가능한 일부가 일체로 제거 가능하게, 이 제거 가능한 일부가 형성되는 방식으로, 평면형 구조물은 형성될 수 있다.
하나의 구성에서, 평면형 구조물은 전자 컴포넌트에 응집력 있게 연결될 수 있다.
하나의 구성에서, 응집성 연결부는 양면 접착제 테이프; 액체 접착제; UV-경화성 접착제 및/또는 압력-감지 접착제에 의하여 형성될 수 있다.
하나의 구성에서, 평면형 구조물은 전자 컴포넌트 상에 라미네이팅될 수 있다.
하나의 구성에서, 응집성 연결부를 형성하기 위한 수단이 전자 컴포넌트 및/또는 평면형 구조물 상에 또는 그 위에 구조화된 방식으로 형성될 수 있다.
하나의 구성에서, 평면형 구조물의 제거될 일부와 전자 컴포넌트 사이의 구역에는 응집성 연결 수단이 없을 수 있다.
하나의 구성에서, 캐리어 및 평면형 구조물은 하기의 특성들: 산, 염기 또는 용매에 대한 화학적 저항성, 싱귤레이션 방법에 대한 기계적 변형 저항성 중 적어도 하나에서 상이할 수 있다.
하나의 구성에서, 캐리어 및 평면형 구조물은 상이한 재료를 포함할 수 있다.
하나의 구성에서, 캐리어 및 평면형 구조물은 동일한 재료를 포함할 수 있지만, 상이하게 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예들은 도면들에서 예시되고 그리고 아래에서 더 상세하게 설명된다.
도면들에서:
도 1은 다양한 실시예들에 따른, 평면형 구조물을 포함하는 전자 컴포넌트 어레인지먼트의 개략적인 단면도를 도시한다;
도 2는 전자 컴포넌트 어레인지먼트를 프로세싱하기 위한 방법에 대한 다이어그램을 도시한다;
도 3a-도 3f는 다양한 실시예들에 따라, 프로세싱하기 위한 방법에서, 광전자 컴포넌트 어레인지먼트들의 개략적인 예시들을 도시한다;
도 4a-도 4c는 다양한 실시예들에 따라, 프로세싱하기 위한 방법에서, 광전자 컴포넌트 어레인지먼트들의 개략적인 예시들을 도시한다; 그리고
도 5a-도 5f는 다양한 실시예들에 따라, 프로세싱하기 위한 방법에서, 광전자 컴포넌트 어레인지먼트들의 개략적인 예시들을 도시한다.
도 1은 다양한 실시예들에 따른, 평면형 구조물을 포함하는 전자 컴포넌트 어레인지먼트의 개략적인 단면도를 도시한다;
도 2는 전자 컴포넌트 어레인지먼트를 프로세싱하기 위한 방법에 대한 다이어그램을 도시한다;
도 3a-도 3f는 다양한 실시예들에 따라, 프로세싱하기 위한 방법에서, 광전자 컴포넌트 어레인지먼트들의 개략적인 예시들을 도시한다;
도 4a-도 4c는 다양한 실시예들에 따라, 프로세싱하기 위한 방법에서, 광전자 컴포넌트 어레인지먼트들의 개략적인 예시들을 도시한다; 그리고
도 5a-도 5f는 다양한 실시예들에 따라, 프로세싱하기 위한 방법에서, 광전자 컴포넌트 어레인지먼트들의 개략적인 예시들을 도시한다.
하기의 상세한 설명에서, 본 설명의 일부를 형성하고, 본 발명이 구현될 수 있는 특정 실시예들을 예시의 목적들을 위해 도시하는 첨부 도면들에 대한 참조가 이루어진다. 이와 관련하여, 예컨대, "상부에서", "하부에서", "전방에서", "후방에서", "전방", "후방" 등과 같은 방향 용어는 설명된 도면(들)의 배향에 대하여 사용된다. 실시예들의 컴포넌트 부분들이 다수의 상이한 배향들로 포지셔닝될 수 있기 때문에, 방향 용어는 예시를 위해 제공되고, 어떠한 방식으로도 전혀 제한적이지 않다. 본 발명의 보호 범위로부터 벗어남 없이, 다른 실시예들이 사용될 수 있고 구조적 또는 논리적 변경들이 이루어질 수 있음은 말할 필요도 없다. 본원에서 설명된 다양한 실시예들의 특징들은, 구체적으로 달리 표시되지 않는 한, 서로 조합될 수 있음은 말할 필요도 없다. 그러므로, 하기의 상세한 설명은 제한적인 의미로 해석되지 않아야 하고, 본 발명의 보호 범위는 첨부된 청구항들에 의해 정의된다.
이러한 설명의 맥락에서, 용어들 "연결" 및 "커플링"은 직접적인 그리고 간접적인 연결과, 직접적인 또는 간접적인 커플링 모두를 설명하는데 사용된다. 도면들에서는, 이것이 편리하다면, 동일하거나 또는 유사한 엘리먼트들에는 동일한 참조 부호들이 제공된다.
복수의 전자 컴포넌트 유닛들을 포함하는 전자 컴포넌트의 경우, 용어 전자 컴포넌트는, 개별 전자 컴포넌트 유닛을 고려할 때 사용된다.
미리결정된 분리 위치는, 적어도 이 미리결정된 분리 위치에 인접한 구조물의 구역들보다, 분리 방법에 대하여 더 낮은 저항성을 갖는 구조물의 구역이다. 미리결정된 분리 위치의 구성은, 미리결정된 분리 위치를 분리시키기 위해 사용되는 방법에 따라 좌우될 수 있다.
미리결정된 분리 위치를 분리시키기 위한 기계적 방법의 경우, 미리결정된 분리 위치는, 이 미리결정된 분리 위치에 인접한 구조물의 구역들보다 더 낮은 기계적 저항성을 가질 수 있다. 미리결정된 분리 위치가 더 낮은 경도(hardness)를 갖는 방식으로, 상이한 재료로부터 그리고/또는 상이한 방법에 의해 형성되는 미리결정된 분리 위치 때문에, 더 낮은 기계적 저항성이 형성될 수 있다. 부가하여 또는 대신에, 미리결정된 분리 위치는 구조화될 수 있는데, 예컨대, 컷아웃, 캐비티들 또는 천공들을 가질 수 있다. 그 결과, 미리결정된 분리 위치에서 제거 가능한 재료의 그 비율이 감소될 수 있고, 그 결과, 기계적 저항성이 감소된다.
분리시키기 위한 화학적 방법의 경우, 미리결정된 분리 위치는, 이 미리결정된 분리 위치에 인접한 구조물의 구역들보다 더 높은 용해도를 가질 수 있다. 미리결정된 분리 위치가 용매, 산 또는 염기에 대하여 더 높은 용해도를 갖는 방식으로, 상이한 재료로부터 그리고/또는 상이한 방법에 의해 형성되는 미리결정된 분리 위치 때문에, 더 높은 화학적 용해도가 형성될 수 있다. 부가하여 또는 대신에, 미리결정된 분리 위치는 구조화될 수 있는데, 예컨대, 컷아웃, 캐비티들 또는 천공들을 가질 수 있다. 그 결과, 미리결정된 분리 위치에서 제거 가능한 재료의 그 비율이 감소될 수 있다.
제1 바디의 제2 바디에 대한 연결부는 확실한 록킹, 힘-록킹 및/또는 응집성일 수 있다. 연결부는 릴리스 가능한(releasable) 것으로서, 즉, 가역적인 것으로서 형성될 수 있다. 다양한 구성들에서, 가역적인 단단한 연결부는 예컨대, 나사 연결부, 클램핑, 래칭 연결부로서 그리고/또는 클립들 및/또는 홀딩 핀들에 의하여 구현될 수 있다. 그러나, 연결부들은 또한, 릴리스 불가능한(non-releasable) 것으로서, 즉, 비가역적인 것으로서 형성될 수 있다. 이 경우, 릴리스 불가능한 연결부는 연결 수단이 파괴되는 것에 의해서만 분리될 수 있다. 다양한 구성들에서, 비가역적인 단단한 연결부는 예컨대, 리베트형 연결부(riveted connection), 접착력 있게 본딩된 연결부 또는 용매 연결부(solvent connection)로서 구현될 수 있다.
응집성 연결부의 경우, 원자 및/또는 분자 힘들에 의하여 제1 바디가 제2 바디에 연결될 수 있다. 응집성 연결부들은 종종 릴리스 불가능한 연결부들일 수 있다. 다양한 구성들에서, 응집성 연결부는 예컨대, 접착력 있게 본딩된 연결부로서, 예컨대 유리 땜납 또는 금속 땜납의 납땜된 연결부로서, 또는 용접된 연결부로서 구현될 수 있다. 응집성 연결부는 예컨대, 전기 전도성 접착제 본드(ACF(anisotropic conductive film) 본딩)일 수 있다. 응집성 연결부는 마찰 용접 프로세스(초음파 본딩 ― US(ultrasonic) 본딩), UV 방사선을 이용한 경화 또는 액체 응집성 연결 수단의 건조에 의하여 수행될 수 있다.
장벽 층은, 화학적 불순물들 및/또는 대기 물질들에 대한, 예컨대, 물(수분) 및 산소에 대한 장벽을 형성하기에 적절한 층 또는 층 구조물을 의미하는 것으로 이해될 수 있다. 다시 말해, 제1 장벽 층(104)은, 광전자 컴포넌트에 손상을 줄 수 있는 물질들, 예컨대, 물, 산소 또는 용매가 상기 제1 장벽 층을 관통할 수 없거나 또는 기껏해야 상기 물질들의 매우 작은 비율들이 상기 장벽 층을 관통할 수 있는 방식으로 형성된다. 장벽 층은 개별 층, 층 스택 또는 층 구조물로서 형성될 수 있다. 층 스택으로서 형성된 장벽 층의 경우, 장벽 층은 하나가 다른 하나 위에 형성되는 복수의 부분 층들을 갖는다. 층 구조물로서 형성된 장벽 층의 경우, 장벽 층은 하나가 다른 하나 위에 형성되는 복수의 부분 층들을 갖고, 여기서 부분 층들은 측방향으로 구조화될 수 있다.
도 1은 다양한 실시예들에 따른, 평면형 구조물을 포함하는 전자 컴포넌트 어레인지먼트의 개략적인 단면도를 도시한다.
전자 컴포넌트 어레인지먼트(100)의 실시예들은, 평면형 구조물(128)을 갖는 캐리어(102) 상의 광전자 컴포넌트(130)의 예에 기초하여, 아래에서 더 상세하게 설명된다.
광전자 컴포넌트는 밀폐식 불침투성 기판, 전기 액티브 구역(106) 및 캡슐화 구조물을 포함할 수 있다.
밀폐식 불침투성 기판은 캐리어(102) 및 제1 장벽 층(104)을 포함할 수 있다.
전기 액티브 구역(106)은 제1 전극(110), 유기 기능 층 구조물(112) 및 제2 전극(114)을 포함할 수 있다.
유기 기능 층 구조물(112)은 제1 유기 기능 층 구조물 유닛(116), 중간 층(118) 및 제2 유기 기능 층 구조물 유닛(120)을 포함할 수 있다.
캡슐화 구조물은 제2 장벽 층(108), 접착제 층(122) 및 커버(124)를 포함할 수 있다.
광전자 컴포넌트(130)는, 전기 에너지가 흡수된(taked up) 전자기 방사선으로부터 생성되고 그리고/또는 전자기 방사선이 제공된 전기 에너지로부터 생성되는 방식으로, 전자기 방사선을 흡수하고 그리고/또는 제공하기 위해 설계될 수 있다.
광전자 컴포넌트(130)는, 유기 발광 다이오드(130), 유기 포토검출기(130) 또는 유기 솔라 셀로서 형성될 수 있다.
유기 발광 다이오드(130)는 소위 상부 에미터 또는 하부 에미터로서 형성될 수 있다.
상부 에미터 및/또는 하부 에미터는 또한, 광학적으로 투명하거나 또는 광학적으로 불투명한 것으로서 형성될 수 있다.
캐리어(102)는 유리, 석영, 및/또는 반도체 재료 또는 임의의 적절한 재료로 형성될 수 있거나 또는 이들을 포함할 수 있다. 또한, 캐리어는 플라스틱 필름으로 형성되거나 또는 이를 포함할 수 있거나, 또는 하나의 플라스틱 필름을 포함하거나 또는 복수의 플라스틱 필름들을 포함하는 라미네이트로 형성되거나 또는 이를 포함할 수 있다. 플라스틱은 하나 또는 복수의 폴리올레핀들(예컨대, 고밀도 또는 저밀도 폴리에틸렌(PE) 또는 폴리프로필렌(PP))로 형성되거나 또는 이를 포함할 수 있다. 또한, 플라스틱은 폴리염화비닐(PVC), 폴리스티렌(PS), 폴리에스테르 및/또는 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에테르술폰(PES) 및/또는 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN)로 형성되거나 또는 이를 포함할 수 있다.
캐리어(102)는 금속, 예컨대, 구리, 은, 금, 백금, 철, 예컨대, 금속 화합물, 예컨대, 강철로 형성되거나 또는 이를 포함할 수 있다.
캐리어(102)는 반투명하거나 또는 심지어 투명한 것으로서 구현될 수 있다.
캐리어(102)는 기계적으로 휘지 않는(rigid) 구역 및/또는 기계적으로 플렉서블한 구역을 가질 수 있거나 또는 이러한 방식으로 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 캐리어(102)는 광전자 컴포넌트(130)의 전자기 방사선에 대한 도파관으로서 형성될 수 있는데, 예컨대, 광전자 컴포넌트(130)의 제공된 전자기 방사선에 대하여 투명하거나 또는 반투명할 수 있다.
제1 장벽 층(104)은 하기의 재료들: 알루미늄 산화물, 아연 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물, 하프늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 란타늄 산화물, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 알루미늄-도핑 아연 산화물, 폴리(p-페닐렌 테레프탈아미드), 나일론 66, 및 이들의 혼합물들 및 합금들 중 하나의 재료로 형성되거나 또는 이를 포함할 수 있다.
제1 장벽 층(104)은 하기의 방법들: 원자 층 증착(ALD:atomic layer deposition) 방법, 예컨대, 플라즈마 강화 원자 층 증착(PEALD:plasma enhanced atomic layer deposition) 방법 또는 플라즈마리스 원자 층 증착(PLALD:plasmaless atomic layer deposition) 방법; 화학 기상 증착(CVD:chemical vapor deposition) 방법, 예컨대, 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD:plasma enhanced chemical vapor deposition) 방법 또는 플라즈마리스 화학 기상 증착(PLCVD:plasmaless chemical vapor deposition) 방법 중 하나의 방법에 의하여; 또는 대안적으로 다른 적절한 증착 방법들에 의하여 형성될 수 있다.
복수의 부분 층들을 포함하는 제1 장벽 층(104)의 경우, 부분 층들 전부가 원자 층 증착 방법에 의하여 형성될 수 있다. ALD 층들만을 포함하는 층 시퀀스가 또한 "나노라미네이트"로서 표기될 수 있다.
복수의 부분 층들을 포함하는 제1 장벽 층(104)의 경우, 제2 장벽 층(108)의 하나 또는 복수의 부분 층들이 원자 층 증착 방법과는 상이한 증착 방법에 의하여, 예컨대, 기상 증착 방법에 의하여 증착될 수 있다.
제1 장벽 층(104)은 대략 0.1 ㎚(하나의 원자 층) 내지 대략 1000 ㎚의 층 두께, 예컨대, 하나의 구성에 따라 대략 10 ㎚ 내지 대략 100 ㎚의 층 두께, 예컨대, 하나의 구성에 따라 대략 40 ㎚를 가질 수 있다.
제1 장벽 층(104)은 하나 또는 복수의 고 굴절률 재료들, 예컨대, 고 굴절률을 갖는, 예컨대, 적어도 2의 굴절률을 갖는 하나 또는 복수의 재료들을 포함할 수 있다.
또한, 다양한 실시예들에서, 예컨대, 캐리어(102)가 밀폐식 불침투성 방식으로 형성되는 경우에 대해, 제1 장벽 층(104)이 또한 완전히 생략될 수 있음이 언급되어야 한다.
전기 액티브 구역(106)은 광전자 컴포넌트(130)의 동작을 위한 전류가 흐르는, 광전자 컴포넌트(130)의 그 구역으로서 이해될 수 있다.
제1 전극(110)은 전기 전도성 재료로, 예컨대, 금속, 투명 전도성 산화물(TCO:transparent conductive oxide), 금속성 나노와이어들 및 나노입자들로 구성된, 예컨대, Ag로 구성된 네트워크들; 탄소 나노튜브들로 구성된 네트워크들; 그래핀 입자들 및 그래핀 층들; 반도체 나노와이어들로 구성된 네트워크들; 전기 전도성 폴리머, 또는 전이 금속 산화물들, 또는 동일한 금속 또는 상이한 금속들 및/또는 동일한 TCO 또는 상이한 TCO들의 복수의 층들의 층 스택으로 형성될 수 있다.
제1 전극(110)은 금속으로서 하기의 재료들: Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ca, Sm 또는 Li, 그리고 이들 재료들의 화합물들, 결합들 또는 합금들 중 하나의 재료를 포함할 수 있다.
제1 전극(110)은 투명 전도성 산화물로서 하기의 재료들: 예컨대, 금속 산화물들: 예컨대, 아연 산화물, 주석 산화물, 카드뮴 산화물, 티타늄 산화물, 인듐 산화물, 또는 인듐 주석 산화물(ITO:indium tin oxide) 중 하나의 재료를 포함할 수 있다. 이원 금속-산소 화합물(binary metal-oxygen compound)들, 이를테면, 예컨대, ZnO, SnO2, 또는 In2O3와 함께, 삼원 금속-산소 화합물들, 이를테면, 예컨대, AlZnO, Zn2SnO4, CdSnO3, ZnSnO3, MgIn2O4, GaInO3, Zn2In2O5 또는 In4Sn3O12, 또는 상이한 투명 전도성 산화물들의 혼합물들이 또한 TCO들의 그룹에 속하고, 그리고 다양한 실시예들에서 사용될 수 있다. 또한, TCO들이 반드시 화학량론적 조성물(stoichiometric composition)에 대응하는 것은 아니며, 또한, p-도핑 또는 n-도핑될 수 있거나, 또는 정공-전도성(p-TCO) 또는 전자-전도성(n-TCO)일 수 있다.
제1 전극(110)은 TCO 층 상에 금속 층의 결합의 층 스택에 의해 형성될 수 있거나, 또는 그 반대일 수 있다. 하나의 예는, 인듐 주석 산화물(ITO) 층 상에 적용된 은 층(ITO 상에 Ag) 또는 ITO-Ag-ITO 다층들이다.
제1 전극(110)은 대략 25 ㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께, 예컨대, 대략 20 ㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께, 예컨대, 대략 18 ㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께를 가질 수 있다. 또한, 제1 전극(110)은 예컨대, 대략 10 ㎚와 동일하거나 또는 그 초과의 층 두께, 예컨대, 대략 15 mm와 동일하거나 또는 그 초과의 층 두께, 예컨대, 대략 10 ㎚ 내지 대략 25 ㎚ 범위의 층 두께, 예컨대, 대략 10 ㎚ 내지 대략 18 ㎚ 범위의 층 두께, 예컨대, 대략 15 ㎚ 내지 대략 18 ㎚ 범위의 층 두께를 가질 수 있다.
또한, 제1 전극(110)이 투명 전도성 산화물(TCO)로 형성되는 경우에 대해, 제1 전극(110)은 예컨대, 대략 50 ㎚ 내지 대략 500 ㎚ 범위의 층 두께, 예컨대, 대략 75 ㎚ 내지 대략 250 ㎚ 범위의 층 두께, 예컨대, 대략 100 ㎚ 내지 대략 150 ㎚ 범위의 층 두께를 가질 수 있다.
또한, 제1 전극(110)은 하기의 구조물들: 전도성 폴리머들과 결합되는 금속성 나노와이어들로 구성된, 예컨대, Ag로 구성된 네트워크; 전도성 폴리머들과 결합되는 탄소 나노튜브들로 구성된 네트워크; 또는 그래핀 층들 및 컴포지트(composite)들 중 하나로 형성되거나 또는 이를 포함할 수 있다. 이들 경우들에서, 제1 전극(110)은 대략 1 ㎚ 내지 대략 500 ㎚ 범위의 층 두께, 예컨대, 대략 10 ㎚ 내지 대략 400 ㎚ 범위의 층 두께, 예컨대, 대략 40 ㎚ 내지 대략 250 ㎚ 범위의 층 두께를 가질 수 있다.
제1 전극(110)은 애노드로서, 다시 말해, 정공-주입 전극으로서, 또는 캐소드로서, 다시 말해, 전자-주입 전극으로서 형성될 수 있다.
제1 전극(110)은 제1 전기 단자를 가질 수 있고, 이 제1 전기 단자에 제1 전기 전위가 인가될 수 있다. 제1 전기 전위는 에너지 소스(미도시), 예컨대, 전류원 또는 전압원에 의해 제공될 수 있다. 대안적으로, 제1 전기 전위는 전기 전도성 캐리어(102)에 인가될 수 있고, 제1 전극(110)은 캐리어(102)를 통해 간접적으로, 전기적으로 공급받을 수 있다. 제1 전기 전위는 예컨대, 접지 전위 또는 어떤 다른 미리정의된 기준 전위일 수 있다.
도 1은 제1 유기 기능 층 구조물 유닛(116) 및 제2 유기 기능 층 구조물 유닛(120)을 포함하는 광전자 컴포넌트(130)를 예시한다. 그러나, 다양한 실시예들에서, 유기 기능 층 구조물(112)은 또한 하나 또는 둘을 초과하는 유기 기능 층 구조물들, 예컨대, 3개, 4개, 5개, 6개, 7개, 8개, 9개, 10개, 또는 심지어 그 초과, 예컨대, 15개 또는 그 초과, 예컨대, 70개를 포함할 수 있다.
제1 유기 기능 층 구조물 유닛(116) 및 선택적으로 추가 유기 기능 층 구조물들은 동일하게 또는 상이하게 형성될 수 있는데, 예컨대, 동일한 또는 상이한 에미터 재료를 포함할 수 있다. 제2 유기 기능 층 구조물 유닛(120), 또는 추가 유기 기능 층 구조물 유닛들은, 제1 유기 기능 층 구조물 유닛(116)의 하기에서 설명되는 구성들 중 하나의 구성처럼 형성될 수 있다.
제1 유기 기능 층 구조물 유닛(116)은 정공 주입 층, 정공 수송 층, 에미터 층, 전자 수송 층 및 전자 주입 층을 포함할 수 있다.
유기 기능 층 구조물 유닛(112)에서는, 하나 또는 복수의 언급된 층들이 제공될 수 있고, 여기서 동일한 층들은 물리적 콘택을 가질 수 있거나, 서로 전기적으로만 연결될 수 있거나, 또는 심지어, 서로 전기적으로 절연되는 방식으로 형성될 수 있는데, 예컨대, 서로 나란히 배열될 수 있다. 언급된 층들의 개별 층들은 선택적일 수 있다.
정공 주입 층은 제1 전극(110) 상에 또는 그 위에 형성될 수 있다. 정공 주입 층은 하기의 재료들: HAT-CN, Cu(I)pFBz, MoOx, WOx, VOx, ReOx, F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9, Bi(III)pFBz, F16CuPc; NPB (N,N'-비스(나프탈렌-1-일)-N,N'-비스(페닐)벤지딘); 베타-NPB N,N'-비스(나프탈렌-2-일)-N,N'-비스(페닐)-벤지딘); TPD (N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-비스(페닐)벤지딘); 스피로 TPD (N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-비스(페닐)벤지딘); 스피로-NPB (N,N'-비스(나프탈렌-1-일)-N,N'-비스(페닐)스피로); DMFL-TPD N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-비스(페닐)-9,9-디메틸플루오렌); DMFL-NPB (N,N'-비스(나프탈렌-1-일)-N,N'-비스(페닐)-9,9-디메틸플루오렌); DPFL-TPD (N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-비스(페닐)-9,9-디페닐플루오렌); DPFL-NPB (N,N'-비스(나프탈렌-1-일)-N,N'-비스(페닐)-9,9-디페닐플루오렌); 스피로-TAD (2,2',7,7'-테트라키스(n,n-디페닐아미노)-9,9'-스피로비플루오렌); 9,9-비스[4-(N,N-비스비페닐-4-일-아미노)페닐]-9H-플루오렌; 9,9-비스[4-(N,N-비스나프탈렌-2-일-아미노)페닐]-9H-플루오렌; 9,9-비스[4-(N,N'-비스나프탈렌-2-일-N,N'-비스페닐아미노)페닐]-9H-플루오렌; N,N'-비스(페난트렌-9-일)-N,N'-비스(페닐)벤지딘; 2,7-비스[N,N-비스(9,9-스피로비플루오렌-2-일)아미노)-9,9-스피로비플루오렌; 2,2'-비스[N,N-비스(비페닐-4-일)아미노]9,9-스피로비플루오렌; 2,2'-비스(N,N-디페닐아미노)9,9-스피로비플루오렌; 디-[4-(N,N-디톨릴아미노)페닐]사이클로헥세인; 2,2',7,7'-테트라(N,N-디톨릴)아미노스피로비플루오렌; 및/또는 N,N,N',N'-테트라-나프탈렌-2-일-벤지딘 중 하나 또는 복수의 재료들로 형성되거나 또는 이를 포함할 수 있다.
정공 주입 층은 대략 10 ㎚ 내지 대략 1000 ㎚ 범위, 예컨대, 대략 30 ㎚ 내지 대략 300 ㎚ 범위, 예컨대, 대략 50 ㎚ 내지 대략 200 ㎚ 범위의 층 두께를 가질 수 있다.
정공 수송 층은 정공 주입 층 상에 또는 그 위에 형성될 수 있다. 정공 수송 층은 하기의 재료들: NPB (N,N'-비스(나프탈렌-1-일)-N,N'-비스(페닐)벤지딘); 베타-NPB N,N'-비스(나프탈렌-2-일)-N,N'-비스(페닐)벤지딘); TPD (N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-비스(페닐)벤지딘); 스피로 TPD (N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-비스(페닐)벤지딘); 스피로-NPB (N,N'-비스(나프탈렌-1-일)-N,N'-비스(페닐)스피로); DMFL-TPD N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-비스(페닐)-9,9-디메틸플루오렌); DMFL-NPB (N,N'-비스(나프탈렌-1-일)-N,N'-비스(페닐)-9,9-디메틸플루오렌); DPFL-TPD (N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-비스(페닐)-9,9-디페닐플루오렌); DPFL-NPB (N,N'-비스(나프탈렌-1-일)-N,N'-비스(페닐)-9,9-디페닐플루오렌); 스피로-TAD (2,2',7,7'-테트라키스(n,n-디페닐아미노)-9,9'-스피로비플루오렌); 9,9-비스[4-(N,N-비스비페닐-4-일-아미노)페닐]-9H-플루오렌; 9,9-비스[4-(N,N'-비스나프탈렌-2-일아미노)페닐]-9H-플루오렌; 9,9-비스[4-(N,N'-비스나프탈렌-2-일-N-N'-비스페닐아미노)-페닐]-9H-플루오렌; N,N'-비스(페난트렌-9-일)-N,N'-비스(페닐)벤지딘; 2,7-비스[N,N-비스(9,9-스피로비플루오렌-2-일)아미노]-9,9-스피로비플루오렌; 2,2'-비스[N,N-비스(비페닐-4-일)아미노]9,9-스피로비플루오렌; 2,2'-비스(N,N-디페닐아미노)9,9-스피로비플루오렌; 디-[4-(N,N-디톨릴아미노)페닐]사이클로헥세인; 2,2',7,7'-테트라(N,N-디톨릴)아미노스피로비플루오렌; 및 N,N,N',N'-테트라나프탈렌-2-일-벤지딘 중 하나 또는 복수의 재료들로 형성되거나 또는 이를 포함할 수 있다.
정공 수송 층은 대략 5 ㎚ 내지 대략 50 ㎚ 범위, 예컨대, 대략 10 ㎚ 내지 대략 30 ㎚ 범위, 예컨대, 대략 20 ㎚의 층 두께를 가질 수 있다.
에미터 층이 정공 수송 층 상에 또는 그 위에 형성될 수 있다.
유기 기능 층 구조물 유닛들(116, 120) 각각은, 각각의 경우, 예컨대 형광성 및/또는 인광성 에미터들을 포함하는 하나 또는 복수의 에미터 층들을 포함할 수 있다.
유기 기능 층 구조물 유닛들(116, 120)은 일반적으로, 하나 또는 복수의 전자발광(electroluminescent) 층(들) 및/또는 하나 또는 복수의 포토발광(photoluminescent) 층(들)을 포함할 수 있다.
하나 또는 복수의 전자발광 층들은 유기 폴리머들, 유기 올리고머들, 유기 모노머들, 유기 소형 넌-폴리머 분자들("소분자들") 또는 이들 재료들의 결합을 포함할 수 있다.
광전자 컴포넌트(130)는 에미터 층에서, 넌-폴리메릭 에미터들로서, 하기의 재료들: 유기 또는 유기금속성 화합물들, 이를테면, 폴리플루오렌, 폴리티오펜 및 폴리페닐렌(예컨대, 2- 또는 2,5-치환 폴리-p-페닐렌 비닐렌) 및 금속 착물(metal complex)들, 예컨대, 이리듐 착물들의 유도체들, 이를테면, 청색 인광성 FIrPic (비스(3,5-디플루오로-2-(2-피리딜)페닐(2-카르복시피리딜) 이리듐 III), 녹색 인광성 Ir(ppy)3 (트리스(2-페닐피리딘)이리듐 III), 적색 인광성 Ru (dtb-bpy)*2(PF6) (트리스[4,4'-디-터트-부틸-(2,2')-비피리딘]-루테늄(III) 착물) 및 청색 형광성 DPAVBi (4,4-비스[4-(디-p-톨릴아미노)스티릴]비페닐), 녹색 형광성 TTPA (9,10-비스[N,N-디(p-톨릴)아미노]안트라센) 및 적색 형광성 DCM2 (4-디시아노메틸렌)-2-메틸-6-줄로리딜-9-에닐-4H-피란) 중 하나 또는 복수의 재료들로 형성되거나 또는 이를 포함할 수 있다. 이러한 넌-폴리메릭 에미터들은 예컨대, 열적 증발(thermal evaporation)에 의하여 증착될 수 있다. 또한, 예컨대, 습식-화학 방법, 이를테면, 예컨대, 스핀코팅 방법에 의하여 증착될 수 있는 폴리머 에미터들이 사용될 수 있다. 에미터 재료들은 적절한 방식으로 매트릭스 재료, 예컨대, 기술적 세라믹 또는 폴리머, 예컨대, 에폭시; 또는 실리콘에 임베딩될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 제1 에미터 층은 대략 5 ㎚ 내지 대략 50 ㎚ 범위, 예컨대 대략 10 ㎚ 내지 대략 30 ㎚ 범위, 예컨대, 대략 20 ㎚의 층 두께를 가질 수 있다.
에미터 재료들은 예컨대, 광전자 컴포넌트(130)가 백색광(white light)을 방출하는 방식으로 선택될 수 있다. 에미터 층(들)은 상이한 색들(예컨대, 청색과 황색, 또는 청색, 녹색과 적색)로 방출하는 복수의 에미터 재료들을 포함할 수 있고; 대안적으로, 에미터 층(들)은 또한, 복수의 부분 층들, 예컨대, 청색 형광성 에미터 층 또는 청색 인광성 에미터 층, 녹색 인광성 에미터 층 및 적색 인광성 에미터 층으로 구성될 수 있다. 상이한 색들을 혼합시키는 것에 의하여, 백색 인상(white color impression)을 갖는 광의 방출이 야기될 수 있다. 대안적으로, 상기 층들에 의해 생성된 일차 방출의 빔 경로에 컨버터 재료를 배열하기 위한 프로비전이 또한 이루어질 수 있고, 이 컨버터 재료가 적어도 부분적으로, 일차 방사선을 흡수하고 상이한 파장을 갖는 이차 방사선을 방출하여, 이에 따라 일차 방사선과 이차 방사선의 결합 때문에 (아직 백색이 아닌) 일차 방사선으로부터 백색 인상이 나온다.
또한, 상이한 유기 기능 층 구조물 유닛들(116, 120)의 에미터 재료들은, 비록 개별 에미터 재료들이 상이한 색들(예컨대, 청색, 녹색 또는 적색 또는 임의의 다른 색 결합들, 예컨대, 임의의 다른 보색 결합들)의 광을 방출하더라도, 예컨대, 유기 기능 층 구조물들 전부에 의해 전체적으로 방출되고 OLED에 의해 바깥쪽을 향하여 방출되는 전체 광이 미리정의된 색의 광, 예컨대, 백색광이 되는 방식으로 선택될 수 있다.
유기 기능 층 구조물 유닛(116)이 정공 수송 층으로서 구현된 하나 또는 복수의 전자발광 층들을 포함할 수 있어, 예컨대, 그 경우, 전자발광 층 또는 전자발광 구역으로의 유효 정공 주입이 가능해진다.
예로서, 삼차 아민들, 카르바졸 유도체들, 전도성 폴리아닐린 또는 폴리에틸렌 디옥시티오펜이 정공 수송 층을 위한 재료로서 사용될 수 있다.
또한, 유기 기능 층 구조물 유닛(116)이 전자 수송 층으로서 구현된 하나 또는 복수의 에미터 층들을 포함할 수 있어, 예컨대, 전자발광 층 또는 전자발광 구역으로의 유효 전자 주입이 가능해진다.
또한, 전자 수송 층이 에미터 층 상에 또는 그 위에 형성, 예컨대, 증착될 수 있다.
전자 수송 층은 하기의 재료들: NET-18; 2,2',2''-(1,3,5-벤진트릴)트리스(1-페닐-1-H-벤즈이미다졸); 2-(4-비페닐일)-5-(4-터트-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸, 2,9-디메틸-4,7-디페닐-1,10-페난트롤린 (BCP); 8-히드록시퀴놀리놀라토 리튬; 4-(나프탈렌-1-일)-3,5-디페닐-4H-1,2,4-트리아졸; 1,3-비스[2-(2,2'-비피리딘-6-일)-1,3,4-옥사디아조-5-일]-벤젠; 4,7-디페닐-1,10-페난트롤린 (BPhen); 3-(4-비페닐일)-4-페닐-5-터트-부틸페닐-1,2,4-트리아졸; 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이트)-4-(페닐페놀라토)알루미늄; 6,6'-비스[5-(비페닐-4-일)-1,3,4-옥사디아조-2-일]-2,2'-비피리딜; 2-페닐-9,10-디(나프탈렌-2-일)안트라센; 2,7-비스[2-(2,2'-비피리딘-6-일)-1,3,4-옥사디아조-5-일]-9,9-디메틸플루오렌; 1,3-비스[2-(4-터트-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아조-5-일]벤젠; 2-(나프탈렌-2-일)-4,7-디페닐-1,10-페난트롤린; 2,9-비스(나프탈렌-2-일)-4,7-디페닐-1,10-페난트롤린; 트리스(2,4,6-트리메틸-3-(피리딘-3-일)페닐)보란; 1-메틸-2-(4-나프탈렌-2-일)페닐)-1H-이미다조[4,5-f] [1,10]페난트롤린; 페닐-디피렌일포스핀 산화물; 나프탈렌테트라카르복실 디안히드리드 또는 이들의 이미드들; 페릴렌테트라카르복실 디안히드리드 또는 이들의 이미드들; 및 실라사이클로펜타디엔 유닛을 포함하는 실롤들에 기초하는 물질들 중 하나 또는 복수의 재료들로 형성되거나 또는 이를 포함할 수 있다.
전자 수송 층은 대략 5 ㎚ 내지 대략 50 ㎚ 범위, 예컨대, 대략 10 ㎚ 내지 대략 30 ㎚ 범위, 예컨대, 대략 20 ㎚의 층 두께를 가질 수 있다.
전자 주입 층이 전자 수송 층 상에 또는 그 위에 형성될 수 있다. 전자 주입 층은 하기의 재료들: NDN-26, MgAg, Cs2CO3, Cs3PO4, Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, LiF; 2,2',2''-(1,3,5-벤진트릴)트리스(1-페닐-1-H-벤즈이미다졸); 2-(4-비페닐일)-5-(4-터트-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸, 2,9-디메틸-4,7-디페닐-1,10-페난트롤린 (BCP); 8-히드록시퀴놀리놀라토 리튬, 4-(나프탈렌-1-일)-3,5-디페닐-4H-1,2,4-트리아졸; 1,3-비스[2-(2,2'-비피리딘-6-일)-1,3,4-옥사디아조-5-일)벤젠; 4,7-디페닐-1,10-페난트롤린 (BPhen); 3-(4-비페닐일)-4-페닐-5-터트-부틸페닐-1,2,4-트리아졸; 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이트)-4-(페닐페놀라토)알루미늄; 6,6'-비스(5-(비페닐-4-일)-1,3,4-옥사디아조-2-일]-2,2'-비피리딜; 2-페닐-9,10-디(나프탈렌-2-일)안트라센; 2,7-비스[2-(2,2'-비피리딘-6-일)-1,3,4-옥사디아조-5-일]-9,9-디메틸플루오렌; 1,3-비스[2-(4-터트-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아조-5-일]벤젠; 2-(나프탈렌-2-일)-4,7-디페닐-1,10-페난트롤린; 2,9-비스(나프탈렌-2-일)-4,7-디페닐-1,10-페난트롤린; 트리스(2,4,6-트리메틸-3-(피리딘-3-일)페닐)보란; 1-메틸-2-(4-(나프탈렌-2-일)페닐)-1H-이미다조[4,5-f] [1,10]페난트롤린; 페닐디피렌일포스핀 산화물; 나프탈렌테트라카르복실 디안히드리드 또는 이들의 이미드들; 페릴렌테트라카르복실 디안히드리드 또는 이들의 이미드들; 및 실라사이클로펜타디엔 유닛을 포함하는 실롤들에 기초하는 물질들 중 하나의 또는 복수의 재료들로 형성되거나 또는 이를 포함할 수 있다.
전자 주입 층은 대략 5 ㎚ 내지 대략 200 ㎚ 범위, 예컨대, 대략 20 ㎚ 내지 대략 50 ㎚ 범위, 예컨대, 대략 30 ㎚의 층 두께를 가질 수 있다.
둘 또는 그 초과의 유기 기능 층 구조물 유닛들(116, 120)을 포함하는 유기 기능 층 구조물(112)의 경우, 제2 유기 기능 층 구조물 유닛(120)이 제1 기능 층 구조물 유닛들(116) 위에 또는 그와 나란히 형성될 수 있다. 중간 층(118)이 유기 기능 층 구조물 유닛들(116, 120) 사이에 전기적으로 형성될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 중간 층(118)은 제1 전극(110)의 구성들 중 하나의 구성에 따라 중간 전극(118)으로서 형성될 수 있다. 중간 전극(118)은 외부 전압원에 전기적으로 연결될 수 있다. 외부 전압원은 예컨대 중간 전극(118)에서 제3 전기 전위를 제공할 수 있다. 그러나, 중간 전극(118)은 또한, 예컨대 부동 전기 전위를 갖는 중간 전극에 의해 어떠한 외부 전기 연결도 갖지 않을 수 있다.
다양한 실시예들에서, 중간 층(118)은 전하 생성 층 구조물(118)(전하 생성 층(CGL))로서 형성될 수 있다. 전하 생성 층 구조물(118)은 하나 또는 복수의 전자-전도 전하 생성 층(들) 및 하나 또는 복수의 정공-전도 전하 생성 층(들)을 포함할 수 있다. 전자-전도 전하 생성 층(들) 및 정공-전도 전하 생성 층(들)은 각각의 경우 매트릭스에서 도펀트 또는 본질적으로 전도성의 물질로 형성될 수 있다. 전하 생성 층 구조물(118)은, 전자-전도 전하 생성 층(들) 및 정공-전도 전하 생성 층(들)의 에너지 레벨들에 대하여, 전자-전도 전하 생성 층과 정공-전도 전하 생성 층 사이의 인터페이스에서 전자 및 정공이 분리될 수 있는 방식으로 형성되어야 한다. 또한, 전하 생성 층 구조물(118)은 인접한 층들 사이에 중간 층 구조물을 가질 수 있고, 이 중간 층 구조물은 예컨대 확산 장벽으로서 동작한다.
둘을 초과하는 유기 기능 층 구조물들이 제공되는 실시예들에서는, 개개의 전하 생성 층 구조물이 각각의 경우 두 개의 유기 기능 층 구조물들 사이에 제공될 수 있다.
각각의 유기 기능 층 구조물 유닛(116, 120)은 최대 대략 1.5 ㎛의 층 두께, 예컨대, 최대 대략 1.2 ㎛의 층 두께, 예컨대, 최대 대략 1 ㎛의 층 두께, 예컨대, 최대 대략 800 ㎚의 층 두께, 예컨대, 최대 대략 500 ㎚의 층 두께, 예컨대, 최대 대략 400 ㎚의 층 두께, 예컨대, 최대 대략 300 ㎚의 층 두께를 가질 수 있다.
광전자 컴포넌트(130)는 선택적으로, 예컨대, 하나 또는 복수의 에미터 층들 상에 또는 그 위에, 또는 전자 수송 층(들) 상에 또는 그 위에 배열되는 추가 유기 기능 층들을 포함할 수 있다. 추가 유기 기능 층들은 예컨대, 광전자 컴포넌트(130)의 기능성 및 이에 따라 효율성을 추가로 개선시키는 내부 또는 외부의 커플링-인/커플링-아웃 구조물들일 수 있다.
제2 전극(114)은 유기 기능 층 구조물(112) 상에 또는 그 위에, 또는 적절하다면, 하나 또는 복수의 추가 유기 기능 층들 상에 또는 그 위에 형성될 수 있다.
제2 전극(114)은 제1 전극(110)의 구성들 중 하나의 구성에 따라 형성될 수 있고, 여기서 제1 전극(110) 및 제2 전극(114)은 동일하게 또는 상이하게 형성될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 금속들이 특히 적절하다.
제2 전극(114)은 애노드로서, 다시 말해, 정공-주입 전극으로서, 또는 캐소드로서, 다시 말해, 전자-주입 전극으로서 형성될 수 있다.
제2 전극(114)은 제2 전기 단자를 가질 수 있고, 이 제2 전기 단자에 제2 전기 전위가 인가될 수 있다. 제2 전기 전위는 제1 전기 전위 및/또는 선택적인 제3 전기 전위와 동일한 에너지 소스 또는 상이한 에너지 소스에 의해 제공될 수 있다. 제2 전기 전위는 제1 전기 전위 및/또는 선택적으로 제3 전기 전위와 상이할 수 있다.
제2 전기 전위는 예컨대, 제1 전기 전위에 대한 차이가 대략 1.5 V 내지 대략 20 V 범위의 값, 예컨대, 대략 2.5 V 내지 대략 15 V 범위의 값, 예컨대, 대략 3 V 내지 대략 12 V 범위의 값을 갖게 하는 값을 가질 수 있다.
제2 장벽 층(108)은 또한, 박막 캡슐화부(TFE:thin film encapsulation)로 지칭될 수 있다. 제2 장벽 층(108)은 제1 장벽 층(104)의 구성들 중 하나의 구성에 따라 형성될 수 있다.
또한, 다양한 실시예들에서, 제2 장벽 층(108)이 또한 완전히 생략될 수 있음이 언급되어야 한다. 이러한 구성에서, 광전자 컴포넌트(130)는 예컨대 추가 캡슐화 구조물을 포함할 수 있고, 그 결과, 제2 장벽 층(108)은 선택적이 될 수 있는데, 예컨대, 커버(124), 예컨대, 캐비티 유리 캡슐화부 또는 금속성 캡슐화부가 될 수 있다.
또한, 다양한 실시예들에서, 부가하여, 하나 또는 복수의 커플링-인/커플링-아웃 층들이 또한 광전자 컴포넌트(130)에서 형성될 수 있는데, 예컨대, 외부 커플링-아웃 필름이 캐리어(102) 상에 또는 그 위에 형성되거나 또는 내부 커플링-아웃 층(미 예시)이 광전자 컴포넌트(130)의 층 단면에서 형성될 수 있다. 커플링-인/커플링-아웃 층은 매트릭스 및 그 안에 분산된 산란 센터들을 포함할 수 있고, 여기서 커플링-인/커플링-아웃 층의 평균 굴절률은 전자기 방사선을 제공하는 층의 평균 굴절률을 초과한다. 또한, 다양한 실시예들에서, 부가하여, 하나 또는 복수의 반사방지(antireflection) 층들(예컨대, 제2 장벽 층(108)과 결합됨)이 광전자 컴포넌트(130)에 제공될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 접착제(122)로 구성된 층이 제2 장벽 층(108) 상에 또는 그 위에 제공될 수 있고, 이 접착제에 의하여, 커버(124)가 제2 장벽 층(108) 상에 단단히 연결되는데, 예컨대, 접착력 있게 본딩된다.
접착제(122)로 구성된 층은 투명하거나 또는 반투명한 것으로서 형성될 수 있다.
투명 접착제(122)로 구성된 층은 예컨대, 전자기 방사선을 산란시키는 입자들, 예컨대, 광-산란 입자들을 포함할 수 있다. 그 결과, 접착제(122)로 구성된 층은 산란 층으로서 동작할 수 있고, 색 각도 왜곡 및 커플링-아웃 효율성에서의 개선을 유도할 수 있다.
제공되는 광-산란 입자들은 예컨대, 금속 산화물, 예컨대, 실리콘 산화물(SiO2), 아연 산화물(ZnO), 지르코늄 산화물(ZrO2), 인듐 주석 산화물(ITO) 또는 인듐 아연 산화물(IZO), 갈륨 산화물(Ga2Ox), 알루미늄 산화물, 또는 티타늄 산화물로 구성된 유전체 산란 입자들일 수 있다. 다른 입자들이 또한, 이 다른 입자들이 접착제(122) 및/또는 보호성 래커(122)로 구성된 층의 매트릭스의 유효 굴절률과 상이한 굴절률을 갖는다면 적절할 수 있는데, 예컨대, 에어 버블들, 아크릴레이트, 또는 중공 유리 비드들일 수 있다. 또한, 예로서, 금속성 나노입자들, 금속들, 예컨대, 금, 은, 철 나노입자들 등이 광-산란 입자들로서 제공될 수 있다.
접착제(122)로 구성된 층은 1 ㎛를 초과하는 층 두께, 예컨대, 복수의 ㎛의 층 두께를 가질 수 있다. 다양한 실시예들에서, 접착제는 라미네이션 접착제일 수 있거나 또는 라미네이션 접착제를 포함할 수 있다.
접착제(122)로 구성된 층은, 이 층이 커버(124)의 굴절률 미만의 굴절률을 갖도록 하는 방식으로 설계될 수 있다. 이러한 접착제는 예컨대, 낮은 굴절률 접착제, 이를테면, 예컨대, 대략 1.3의 굴절률을 갖는 아크릴레이트일 수 있다. 그러나, 접착제(122)는 또한 높은 굴절률 접착제일 수 있고, 이 높은 굴절률 접착제는 예컨대 높은 굴절률의 비-산란 입자들을 포함하고, 그리고 예컨대 대략 1.7 내지 대략 2.0 범위의, 유기 기능 층 구조물(112)의 평균 굴절률에 대략 대응하는 층-두께-평균화된 굴절률을 갖는다.
또한, 접착제 층 시퀀스를 형성하는 복수의 상이한 접착제들이 제공될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 예컨대 습식-화학 프로세스 동안, 전기적으로 불안정한 재료들을 보호하기 위하여, 제2 전극(114)과 접착제(122)로 구성된 층 사이에, 예컨대, 대략 300 ㎚ 내지 대략 1.5 ㎛ 범위의 층 두께를 갖는, 예컨대 대략 500 ㎚ 내지 대략 1 ㎛ 범위의 층 두께를 갖는 전기 절연 층(미도시), 예컨대, SiN가 또한 적용될 수 있다.
또한, 다양한 실시예들에서, 예컨대, 커버(124), 예컨대, 플라즈마 스프레잉에 의하여 형성되는 유리로 구성된 커버(124)가 제2 장벽 층(108)에 적용되는 구성들에서, 접착제(122)가 또한 완전히 생략될 수 있음이 언급되어야 한다.
또한, 소위 게터 층 또는 게터 구조물, 즉, 측방향으로 구조화된 게터 층이 전기 액티브 구역(106) 상에 또는 그 위에 배열(미 예시)될 수 있다.
게터 층은, 전기 액티브 구역(106)에 해로운 물질들을 흡수하고 바인딩하는 재료로 형성되거나 또는 이를 포함할 수 있다. 게터 층은, 예컨대, 제올라이트 유도체로 형성되거나 또는 제올라이트 유도체를 포함할 수 있다. 게터 층은 반투명하거나, 투명하거나 또는 불투명한 것으로서 형성될 수 있다. 게터 층은 대략 1 ㎛를 초과하는 층 두께, 예컨대, 복수의 ㎛의 층 두께를 가질 수 있다.
다양한 실시예들에서, 게터 층은 라미네이션 접착제를 포함할 수 있거나, 또는 접착제(122)로 구성된 층에 임베딩될 수 있다.
커버(124)가 접착제(122)로 구성된 층 상에 또는 그 위에 형성될 수 있다. 커버(124)는 접착제(122)로 구성된 층에 의하여 전기 액티브 구역(106)에 단단히 연결될 수 있고, 상기 구역을 해로운 물질들로부터 보호할 수 있다. 커버(124)는 예컨대, 유리 커버(124), 금속 필름 커버(124) 또는 밀봉된 플라스틱 필름 커버(124)일 수 있다. 유리 커버(124)는 유기 광전자 컴포넌트(130)의 기하학적 에지 구역들에서 예컨대 통상적인 유리 땜납에 의한 프릿 본딩(유리 납땜/밀봉 유리 본딩)에 의하여 제2 장벽 층(108) 또는 전기 액티브 구역(106)에 단단히 연결될 수 있다.
커버(124) 및/또는 접착제(122)로 구성된 층은 (예컨대, 633 ㎚의 파장에서) 1.55의 굴절률을 가질 수 있다.
평면형 구조물(128)은 캐리어(102) 상에 또는 그 위에 형성되는 적어도 하나의 평면형 구조물(128)을 포함한다. 캐리어(102) 위의 평면형 구조물(128)은 예컨대 커버(124) 상에 형성될 수 있다.
평면형 구조물(128)은 둘 또는 그 초과의 평면형 구조물들을 포함할 수 있다. 평면형 구조물(128)은 예컨대, 제1 평면형 구조물 및 제2 평면형 구조물을 포함할 수 있다.
캐리어(102), 커버(124), 전기 액티브 구역(106) 및/또는 광전자 컴포넌트(130)가 제1 평면형 구조물과 제2 평면형 구조물 사이에 형성될 수 있다.
평면형 구조물(128)은 내부 및/또는 외부 커플링-아웃 구조물로서 형성될 수 있다.
평면형 구조물(128)은 캐리어 상에 또는 그 위에 이 평면형 구조물(128)을 적용하고 그리고/또는 형성하는 프로세스 이전에, 그 동안에 또는 그 이후에 구조화될 수 있다.
하나의 구성에서, 평면형 구조물(128)은 캐리어 상에 또는 그 위에 일체로 적용되거나 또는 형성될 수 있다.
하나의 구성에서, 평면형 구조물은 캐리어(102) 상에 또는 그 위에 용액, 현탁액, 분산(dispersion) 또는 페이스트의 형태로 예비 구조물로서 적용될 수 있다. 예비 구조물은, 예컨대, 구조화된 방식으로, 예컨대, 마스크 프로세스에 의하여 적용될 수 있다. 이후, 예비 구조물이 경화되거나 또는 교차결합되어, 예컨대, 래커가 형성될 수 있다. 그 결과, 평면형 구조물(128)은 캐리어(102) 상에 또는 그 위에 형성될 수 있다.
하나의 구성에서, 평면형 구조물(128)은 적용 동안 구조화되거나, 또는 구조화된 적용에 의하여 구조화된다. 예로서, 캐리어(102) 상에 또는 그 위에 적용에 앞서, 필름 형태의 평면형 구조물(128)이 구조화될 수 있는데, 예컨대, 천공될 수 있다. 예로서, 캐리어 상에 또는 그 위에 적용 이후에 경화되고 그리고/또는 교차결합되는 코팅부 형태의 평면형 구조물(128)은, 구조화된 방식으로 형성될 수 있거나, 또는 경화 및/또는 교차결합 이후에만 구조화될 수 있다. 평면형 구조물(128)은, 적용 이후에 예컨대 레이저 또는 마스크 프로세스에 의하여 연속적으로 구조화될 수 있거나, 또는 단단한 연결 동안/이후에 예컨대 교차결합되지 않은 평면형 구조물(128)을 제거함으로써 구조화될 수 있다.
평면형 구조물(128)은 필름, 또는 교차결합된 코팅부로서 형성될 수 있다.
필름 형태의 평면형 구조물(128)은 예컨대, 플라스틱 필름, 금속 필름 또는 얇은 유리일 수 있다.
플라스틱 필름 형태의 평면형 구조물(128)은 하기의 재료들: 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC), 폴리이미드(PI) 중 하나의 재료를 포함할 수 있다.
금속 필름 형태의 평면형 구조물(128)은 하기의 재료들: 알루미늄, 구리, 주석 (주석 포일) 또는 합금들, 예컨대, 강철, 예컨대, SUS 중 하나의 재료로 형성되거나 또는 이를 포함할 수 있다.
얇은 유리 형태의 평면형 구조물(128)은 예컨대, 최대 대략 125 ㎛의 두께를 갖는 소다 석회 유리일 수 있거나, 또는 얇은 유리 코팅부, 예컨대, 유리-코팅 금속 필름 또는 유리-코팅된 플라스틱 필름을 포함할 수 있다.
평면형 구조물(128)은 열-전도 구조물로서, 예컨대, 열-전도 필름으로서 형성될 수 있다. 열-전도 구조물로서의 평면형 구조물(128)은 열-전도 층을 포함할 수 있거나, 또는 열-전도 재료로 형성될 수 있다. 열-전도부는, 구조물의 두께 d와 구조물의 열 전도율 k의 곱으로서, 대략 1000 μW/K를 초과하는 값, 예컨대, 대략 5000 μW/K를 초과하는 값, 예컨대, 대략 20,000 μW/K를 초과하는 값을 갖는 구조물을 의미하는 것으로 이해될 수 있다. 층의 두께는 예컨대, 대략 10 ㎜ 미만, 예컨대, 대략 2 ㎜ 미만, 예컨대, 대략 100 ㎛ 미만일 수 있다. 열-전도 구조물은 예컨대, 그래핀 층, 예컨대, 그래핀-코팅된 필름, 예컨대, 알루미늄 필름, 구리 필름, 또는 알루미늄 또는 구리로 코팅된 필름을 포함할 수 있다.
평면형 구조물(128)은 광 및/또는 물에 대한 밀폐식 불침투성 구조물로서, 예컨대, 장벽 필름으로서, 예컨대, 금속 필름 또는 장벽 층을 갖는 플라스틱 필름의 형태로 형성될 수 있다. 평면형 구조물의 장벽 층은 예컨대, 제1 장벽 층(104)의 구성들 중 하나의 구성에 따라 형성될 수 있다.
평면형 구조물(128)은 커플링-아웃 필름 또는 커플링-인 필름으로서 형성될 수 있는데, 예컨대, 접착제 층(122)의 구성들 중 하나의 구성에 따라 광-산란 입자들을 포함할 수 있다.
평면형 구조물(128)은, 예컨대, UV-흡수 물질, 예컨대, 하기의 물질들: TiO2, CeO2, Bi2O3, ZnO, SnO2, 인광체, UV-흡수 유리 입자들 및/또는 적절한 UV-흡수 금속성 나노입자들 중 하나를 포함하거나 또는 이로 형성되는 평면형 구조물(128) 때문에, UV 보호부로서 형성될 수 있고, 여기서 인광체, 유리 입자들 및/또는 나노입자들은 UV 범위의 전자기 방사선의 흡수를 갖는다.
평면형 구조물(128)은, 예컨대, 캐리어(102), 커버(124) 및/또는 광전자 컴포넌트(130)보다 더 큰 경도를 갖는 평면형 구조물(128) 때문에, 내스크래치 보호부로서 형성될 수 있다.
평면형 구조물(128)은, 예컨대, 고광택 코팅부 및/또는 색 안료들을 포함하는 평면형 구조물(128) 때문에, 광전자 컴포넌트(130)의 색 외관을 변경할 수 있다.
교차결합된 코팅부로서의 평면형 구조물(128)은 예컨대, 플라스틱으로 형성될 수 있고, 이 플라스틱은 교차결합되고, 그리고 선택적으로, 광전자 컴포넌트(130)에 대한 적용 이후에 구조화된다. 다시 말해: 평면형 구조물(128)은 교차결합된 폴리머 또는 실리콘을 포함할 수 있다.
상이한 재료들을 포함하는 밀폐식 불침투성 캐리어 및 평면형 구조물(128)은 소위 하이브리드 캐리어(126)를 형성한다. 밀폐식 불침투성 캐리어는 본질적으로 밀폐식 불침투성 캐리어, 예컨대, 금속, 유리 또는 세라믹으로 구성된 캐리어(102), 또는 제1 장벽 층(104)을 갖는 캐리어(102)일 수 있다.
도 2는 전자 컴포넌트 어레인지먼트를 프로세싱하기 위한 방법에 대한 다이어그램을 도시한다.
방법은, 하나의 전자 컴포넌트 또는 복수의 전자 컴포넌트 유닛들을 캐리어에 제공하는 단계(202)를 포함할 수 있다.
제공하는 단계는, 예컨대, 도 1의 설명으로부터의 광전자 컴포넌트(130)의 구성들 중 하나의 구성에 따른 광전자 컴포넌트를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 또한, 둘 또는 그 초과의 동일한 또는 상이한 전자 컴포넌트 유닛들, 예컨대, 도 1의 광전자 컴포넌트(130)의 구성들 중 하나의 구성에 따른 광전자 컴포넌트들이 공통 캐리어 상에 또는 그 위에 서로 나란히 형성될 수 있다.
방법은, 캐리어 상에 또는 캐리어 위에 평면형 구조물을 적용하는 단계(204)를 포함할 수 있다. 평면형 구조물을 적용하는 단계(204)는 필름을 적용하는 단계, 또는 교차결합 가능한 평면형 코팅부를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
필름으로서 형성되는 평면형 구조물은, 예컨대, 라미네이션 필름, 예컨대, 플라스틱, 플라스틱 필름, 코팅된 플라스틱 필름, 금속 필름, 열-전도 필름일 수 있다.
평면형 구조물은 적용에 앞서 구조화될 수 있거나, 또는 적용 이후에 구조화될 수 있다. 구조화된 평면형 구조물은, 예컨대, 전자 컴포넌트의 콘택 구역의 구역에서 그리고/또는 두 개의 인접한 전자 컴포넌트 유닛들 사이의 구역에서, 예컨대 미리결정된 분리 위치들을 포함할 수 있다.
평면형 구조물을 적용하는 단계(204)는, 전자 컴포넌트를 등지는 캐리어의 그 면 상에; 또는 전자 컴포넌트 측의 캐리어 위에, 즉, 전자 컴포넌트 상에 평면형 구조물을 적용하는 단계(204)를 포함할 수 있다.
평면형 구조물을 적용하는 단계(204)는, 캐리어 상에 또는 그 위에 전체 영역에 걸쳐 평면형 구조물을 적용하는 단계를 포함할 수 있다.
그러나, 평면형 구조물을 적용하는 단계(204)는 또한, 캐리어의 개별 구역들 상에 또는 그 위에 평면형 구조물을 적용하는 단계를 포함할 수 있다.
방법은, 캐리어에 평면형 구조물을 단단히 연결시키는 단계(206)를 포함할 수 있다.
필름으로서 형성된 평면형 구조물을 단단히 연결시키는 단계(206)는 예컨대 응집성, 예컨대, 라미네이팅일 수 있다. 라미네이팅은 예컨대, 액체 접착제의 경화 또는 UV-경화성 접착제의 UV 경화에 의하여 이루어질 수 있다.
캐리어 또는 전자 컴포넌트에 필름을 단단히 연결시키는 단계는 구조화된 방식으로, 예컨대, 단단한 연결 수단이 구조화된 방식으로 적용되고 그리고/또는 경화됨으로써 수행될 수 있다. 또한, 평면형 구조물에서, 상이한 단단한 연결 수단 및/또는 상이한 단단한 연결부들에 의하여, 상이한 구역들이 형성될 수 있다. 예컨대, 단단한 연결 수단을 이용하여, 이 단단한 연결 수단이 상이한 정도들로 경화되거나 또는 교차결합될 수 있다면, 상이한 단단한 연결부들이 형성될 수 있다. 그 결과, 단단한 연결부는 평면형 구조물의 구조화된 구역들에서 상이한 응집력 및/또는 접착력을 가질 수 있다. 예로서, 제거 가능한 일부가, 캐리어 상에 그리고/또는 전자 컴포넌트 상에 남아 있도록 의도되는 평면형 구조물의 그 일부보다 캐리어 및/또는 전자 컴포넌트에 대한 더 낮은 응집력을 갖는 방식으로, 제거될 평면형 구조물의 그 일부가 캐리어 및/또는 전자 컴포넌트에 단단히 연결될 수 있다. 이 목적을 위해, 예로서, 추후에 제거되도록 의도되는 구역들에서 필름들이 더욱 쉽게 제거될 수 있도록 하기 위하여, 상이한 구역들의 라미네이팅된 필름들은, 상이한 접착제 강도를 갖는 접착제들로 프린팅될 수 있거나, 또는 이 필름들에는 접착 구역들에만 접착제가 제공될 수 있다.
교차결합 가능한 코팅부로서 형성된 평면형 구조물을 단단히 연결시키는 단계(206)는, 예컨대, 코팅부를 교차결합시키는 단계일 수 있다.
방법은, 적어도 캐리어 위의 구역으로부터 평면형 구조물의 일부를 제거하는 단계(208)를 포함할 수 있다. 제거될 평면형 구조물의 그 일부는, 바깥쪽으로부터의 액세스 또는 어드미션(admission)이 가능하게 되도록 의도되는 구역 위에서 제거될 수 있다. 예로서, 제거될 평면형 구조물의 그 일부는, 전기 콘택 구역이 형성되는 전자 컴포넌트로부터; 싱귤레이션 구역이 제공되는 캐리어로부터 제거될 수 있다.
콘택 구역은 전자 컴포넌트를 외부 전압원과 콘택팅시키기 위해 형성될 수 있다.
싱귤레이션 구역은 전자 컴포넌트 유닛들을 싱귤레이팅하는 목적을 위해 두 개의 전자 컴포넌트 유닛들 사이에 배열될 수 있다. 평면형 구조물의 일부를 제거하는 단계(208)는 미리결정된 분리 위치들을 분리시키거나 또는 용해시키는 단계를 포함할 수 있다.
부가적으로, 평면형 구조물의 일부를 제거하는 단계(208)는, 예컨대, 하나의 프로세스 단계에서, 캐리어 또는 전자 컴포넌트로부터 평면형 구조물의 일부를 일체로 탈착시키는 단계, 예컨대, 평면형 구조물의 일부를 빼내는 단계를 포함할 수 있다.
평면형 구조물의 일부를 제거(208)하는 프로세스를 가능하게 하기 위하여, 제거될 평면형 구조물의 그 일부는, 단단히 연결(206)시키는 프로세스 동안 캐리어 또는 전자 컴포넌트에 단단히 연결되지 않을 수 있다. 이 목적을 위해, 제거될 평면형 구조물의 그 일부의 구역에서는, 예컨대, 이 구역에서 어떠한 접착제도 적용되지 않거나 또는 접착제가 경화되지 않는다는 사실 때문에, 평면형 구조물과, 캐리어 또는 전자 컴포넌트 사이에 어떠한 단단한 연결부도 형성되지 않을 수 있다.
또한, 방법은, 복수의 전자 컴포넌트 유닛들을 싱귤레이팅하는 단계, 및/또는 전자 컴포넌트를 전기적으로 콘택팅시키는 단계를 포함할 수 있다. 복수의 전자 컴포넌트 유닛들을 싱귤레이팅하는 단계는, 평면형 구조물의 일부가 제거되었던 캐리어의 구역에서 수행될 수 있다. 이는, 물질적으로 상이한 캐리어 및 평면형 구조물의 경우, 캐리어의 재료를 절단하기 위해서만 싱귤레이션 디바이스가 셋업될 필요가 있다는 장점을 갖는다 ― 그 이유는 평면형 구조물은 이미 제거되었기 때문이다. 전자 컴포넌트를 전기적으로 콘택팅시키는 단계의 경우, 하나의 장점은 콘택 구역들이 정의된 방식으로 노출된다는 점이다.
도 3a-도 3f는 다양한 실시예들에 따라, 프로세싱하기 위한 방법에서, 광전자 컴포넌트 어레인지먼트들의 개략적인 예시들을 도시한다.
제공된 전자 컴포넌트(300)는 캐리어(102) 상에 하나의 전자 컴포넌트(130) 또는 복수의 전자 컴포넌트 유닛들(130)을 포함할 수 있다. 복수의 전자 컴포넌트 유닛들(130n)을 갖는 전자 컴포넌트(300)는 복수의 동일한 또는 상이한 전자 컴포넌트들을 포함할 수 있고, 여기서 n은 정수이고, 개별 전자 컴포넌트 유닛들은 연속적인 넘버링(도 3a에서는, n = 6으로 예시됨)으로 표기된다.
전자 컴포넌트(130) 또는 전자 컴포넌트 유닛(130n)은, 예컨대, 도 1의 설명들로부터의 구성들 중 하나의 구성에 따라, 예컨대, 유기 발광 다이오드, 유기 솔라 셀, 유기 포토검출기, 유기 발광 셀(OLEC:organic light emitting cell), 디스플레이로서 형성될 수 있다. 또한, 전자 컴포넌트(130)는 마이크로전자기계 시스템(MEMS:microelectromechanical system)일 수 있거나 또는 이를 포함할 수 있다.
전자 컴포넌트(300)는, 예컨대, 소위 하부 에미터들로서 설계된 복수의 발광 유기 발광 다이오드들(130n)을 포함할 수 있다. 캐리어(102)로서, 전자 컴포넌트(300)는 예컨대 유리 캐리어를 포함할 수 있다.
전자 컴포넌트(130)는 전기 콘택 구역들(302)에 의하여 외부 전압원에 전기적으로 연결될 수 있다. 전기 콘택 구역들(302)은, 예컨대, 도 1의 설명으로부터의 광전자 컴포넌트(130)의 구성의 전극들(110, 118, 114)에 연결될 수 있다. 전자 컴포넌트(130)는, 세 개의 전극들(110, 118 및 114)을 갖는 도 1의 하나의 구성에 따라 트랜지스터, 사이리스터 또는 광전자 컴포넌트(130)를 포함하는 회로에 대해, 둘 또는 그 초과의 전기 콘택 구역들(302), 예컨대, 세 개의 콘택 구역들(302)을 포함할 수 있다.
평면형 구조물(128)은 제공된 전자 컴포넌트(300)의 캐리어(102) 상에 또는 캐리어(102) 위에, 즉, 전자 컴포넌트(130) 상에 적용되거나 또는 형성될 수 있다. 평면형 구조물(128)은 구조화될 수 있는데, 예컨대, 미리결정된 분리 위치들(304)(도 3b에서, 대시 라인들(304)에 의하여 예시됨)을 가질 수 있다.
유리 캐리어(102) 상에 유기 발광 다이오드들(130n)의 전술된 예에서, 평면형 구조물(128)은 예컨대, 유기 발광 다이오드들(130n)의 광학 인액티브 후면 상에 내스크래치 보호부로서 형성될 수 있고, 유기 발광 다이오드(130)를 기계적 손상 및 수분의 유입으로부터 보호할 수 있다. 내스크래치 보호부로서의 평면형 구조물(128)은 예컨대, 내스크래치 보호 필름, 예컨대, 금속 필름, 플라스틱 필름 또는 장벽 필름으로서 형성될 수 있다. 평면형 구조물(128)은 예컨대, 제2 장벽 층(108)을 형성하는 프로세스 이후에 제2 장벽 층(108) 상에 전체 영역에 걸쳐 형성될 수 있다(도 1의 설명 참조). 예로서, 내스크래치 보호 필름(128)으로서의 평면형 구조물(128)은 제2 장벽 층(108) 상에 라미네이팅될 수 있다.
내스크래치 보호 필름(128)에서는, 미리결정된 분리 위치들(304)의 프로비전이 이루어질 수 있는데, 예컨대, 유기 발광 다이오드(130n)의 전기 콘택 구역들(302)의 구역에서 그리고/또는 인접한 발광 다이오드들(130n) 사이의 싱귤레이션 구역들에서 미리결정된 분리 위치들(304)의 프로비전이 이루어질 수 있다. 미리결정된 분리 위치들(304)이 설계-특정하게 선택될 수 있어, 내스크래치 보호 필름(128)이 천공 라인들(304)에 의하여 전기 콘택 구역들(302) 상의 구역들 및 유기 발광 다이오드(130)의 발광 구역의 구역들로 분할될 수 있다.
평면형 구조물(128)은, 미리결정된 분리 위치들(304)이 평면형 구조물에서 이미 형성되었다면 이 미리결정된 분리 위치들(304)에 대하여, 그리고 전자 컴포넌트 유닛들(130n)에 대하여 정렬될 수 있고, 이후, 캐리어(102) 및/또는 전자 컴포넌트 유닛들에 단단히 연결될 수 있다(도 3c에서는, 미리결정된 분리 위치들(128)이 인접한 전자 컴포넌트 유닛들(130n) 사이에서 정렬되는 방식으로 예시됨). 그 결과, 전자 컴포넌트 어레인지먼트(310)가 형성된다.
위에서 언급된 예에서, 내스크래치 보호 필름(128)의 라미네이션은 전자 컴포넌트(300)의 평면 상에서, 즉, 플레이트 레벨로, 전체 영역에 걸쳐 수행될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 미리결정된 분리 위치들(304)은, 평면형 구조물(128)이 전자 컴포넌트(300)에 단단히 연결된 이후에만 형성될 수 있다.
위에서 언급된 예에서, 내스크래치 보호 필름(128)이 유기 발광 다이오드(130) 상에 라미네이팅된 이후, 미리결정된 분리 위치들(304)은 예컨대 스탬핑 방법 또는 레이저 구조화(laser structuring)에 의하여 형성될 수 있다.
그 후에, 평면형 구조물(128)의 일부(306)가 캐리어(102) 위의 구역으로부터 제거될 수 있어, 평면형 구조물(128)의 적어도 하나의 일부가 캐리어(102) 위에 남아 있다. 평면형 구조물(128)의 제거되는 일부(306)는 예컨대 일체로(도 3d에서, 평면형 구조물(128)의 옮겨진 일부로서 예시됨) 제거될 수 있는데, 예컨대, 빼내질 수 있다. 평면형 구조물(128)의 일부의 제거는, 예컨대, 제거에 앞서, 미리결정된 분리 위치들(304)이 분리되었다는 사실 때문에, 가능해질 수 있다. 분리는, 예컨대, 탄도 노출, 기계력 작용 또는 화학적 제거에 의하여 수행될 수 있다.
탄도 노출은, 예컨대, 입자들, 분자들, 원자들, 이온들, 전자들 및/또는 광자들을 이용한 노출될 구역의 충격(bombardment)에 의하여 구현될 수 있다. 광자들을 이용한 충격은 예컨대, 대략 200 ㎚ 내지 대략 1700 ㎚ 범위의 파장을 갖는 레이저로서, 예컨대, 포커싱된 방식으로, 예컨대, 대략 10 ㎛ 내지 대략 2000 ㎛ 범위의 포커스 지름으로, 예컨대, 펄스형 방식으로, 예컨대, 대략 100 fs 내지 대략 0.5 ㎳ 범위의 펄스 지속기간으로, 예컨대, 대략 50 ㎽ 내지 대략 1000 ㎽의 전력으로, 예컨대, 대략 100 ㎾/cm2 내지 대략 10 GW/cm2의 전력 밀도로, 그리고 예컨대, 대략 100 ㎐ 내지 대략 1000 ㎐ 범위의 반복률로 형성될 수 있다.
기계력 작용은, 예컨대, 날이 예리한 도구에 의하여 구현될 수 있다.
화학적 제거는, 예컨대, 미리결정된 분리 위치들을 용매를 사용하여 용해시키는 것, 또는 미리결정된 분리 위치들을 에칭하는 것일 수 있다.
전자 컴포넌트 어레인지먼트(310)는, 평면형 구조물(128)의 일부가 캐리어(102) 상에 그리고/또는 전자 컴포넌트 상에 남아 있다는 취지로, 제공된 전자 컴포넌트(300)에 대하여, 평면형 구조물의 일부(306)의 제거 이후 상이하다.
위에서 언급된 예에서, 내스크래치 보호 필름(128)의 미리결정된 분리 위치들(304)의 라미네이션 및 분리 이후, 내스크래치 보호 필름(128)의 일부가 예컨대 콘택 영역들(302) 및/또는 싱귤레이션 구역들(308)로부터 빼내질 수 있다. 유기 발광 다이오드(들)(130)의 광학 액티브 구역의 후면 상의 내스크래치 보호 필름들(128)이 손상되지 않은 채로 남아 있다.
평면형 구조물(128)의 제거된 일부(306)는, 예컨대, 전자 컴포넌트(130) 또는 전자 컴포넌트 유닛들(130n)의 싱귤레이션 구역(308)(도 3e에서, 대시-도트 라인에 의하여 예시됨) 및/또는 콘택 구역(도 5 참조)을 노출시킬 수 있다.
예컨대, 싱귤레이션 구역(308)에 평면형 구조물(128)이 없다는 사실 때문에, 싱귤레이션 디바이스(312)는 캐리어(102)의 재료를 절단하는 것에 대하여 셋업될 수 있다. 그러므로, 싱귤레이션 구역(308)의 노출에 의하여, 싱귤레이션 디바이스(312)의 마모가 감소될 수 있고, 그리고/또는 처음부터 싱귤레이션을 실제로 가능하게 할 수 있다. 싱귤레이션 디바이스(312)는, 예컨대, 레이저 또는 스크라이브 휠(도 3e에서 예시됨)일 수 있거나 또는 이를 포함할 수 있다.
전자 컴포넌트 유닛들(130n)의 싱귤레이션에 의하여, 평면형 구조물(128)을 포함하는 복수의 전자 컴포넌트들(130)이 형성된다(도 3f에서, 분리된 것으로서 예시된 전자 컴포넌트들(314)에 의하여 예시됨). 싱귤레이션은, 예컨대, 싱귤레이션 구역을 따라서 캐리어(102)를 브레이킹 또는 다이싱(dicing)하는 것에 의하여 수행될 수 있다.
위에서 언급된 예에서, 유리 캐리어(102)가 스크라이브 휠(308)에 의하여 스크라이브 앤드 브레이크 방법으로 분할될 수 있어, 복수의 전자 컴포넌트 유닛들(130n)을 포함하는 전자 컴포넌트 어레인지먼트(310)가 개별 디바이스들로 분할된다. 이는, 예컨대, 심지어 두꺼운 유리 캐리어들(102)의 경우에도 가능하다. 유리 커버로 캡슐화된 유기 발광 다이오드들(130)의 경우(도 1의 설명 참조), 이러한 유리 캐리어들(102)은, 필름이 유리들 중 하나의 유리 상에 적용된다면, 다만 겨우 또는 다만 불량한 품질로 스크라이브 휠에 의하여 분할될 수 있다.
도 4a-도 4c는 다양한 실시예들에 따라, 프로세싱하기 위한 방법에서, 광전자 컴포넌트 어레인지먼트들의 개략적인 예시들을 도시한다.
하나의 실시예에서, 평면형 구조물(128)은 필름으로서 형성되고, 캐리어(102) 위의 전자 컴포넌트(130)에 적용되며, 여기서 평면형 구조물(128)의 일부가 추후에 제거된다 ― 도 4a의 측면도에서는, 일체로 제거된 평면형 구조물(128)의 일부(306)에 의하여 예시된다.
평면형 구조물(128)은, 예컨대 위에서 언급된 구성들 중 하나의 구성에 따른, 예컨대 PEN, PET, PC, PI으로 구성된, 선택적으로는 장벽 층을 갖는 예컨대 플라스틱 필름; 금속 필름 및/또는 열-전도 필름일 수 있다.
캐리어(102)는, 예컨대 위에서 언급된 구성들 중 하나의 구성에 따른, 예컨대 대략 1 ㎜을 초과하는 두께를 갖는 유리, 예컨대, 소다 석회 유리일 수 있거나 또는 이를 포함할 수 있다.
광전자 컴포넌트(130)로서, 예컨대, 상부 에미터로서 형성된 전자 컴포넌트 유닛(130n)의 경우, 캐리어(102)는 금속으로 형성될 수 있거나, 또는 금속을 포함할 수 있다. 그럼에도 불구하고, 광을 광전자 컴포넌트 안으로 또는 밖으로 커플링시키기 위하여, 평면형 구조물(128)은 투명하거나 또는 반투명해야 한다.
평면형 구조물(128)은 캐리어(102) 상에 또는 캐리어(102) 위에 구조화된 방식으로 또는 전체 영역에 걸쳐 적용될 수 있다.
평면형 구조물(128)을 캐리어(102) 위에 적용하거나 또는 형성할 때, 평면형 구조물(128)이 캐리어(102) 상에 그리고/또는 전자 컴포넌트(130) 상에 적용되거나 또는 형성되는 것이 가능하다.
전자 컴포넌트(130)는 소위 하부 에미터, 상부 에미터, 또는 투명 컴포넌트로서 형성된 광전자 컴포넌트(130)일 수 있다. 유기 발광 다이오드를 상부 에미터 또는 투명 유기 발광 다이오드로서 프로세싱할 때, 방법은 예컨대, 내스크래치 보호 필름, 장벽 필름 또는 UV 보호 필름을, 예컨대 유기 발광 다이오드의 광학 인액티브 면 상에 적용할 때 사용될 수 있다.
또한, 전자 컴포넌트 유닛들(130n)을 등지는 캐리어(102)의 그 면 상에서, 추가 평면형 구조물이 캐리어(102) 상에 적용될 수 있다(도 4b에서, 참조 부호(402)에 의하여 예시됨). 추가 평면형 구조물은 캐리어(102)에 구조화된 방식으로 또는 전체 영역에 걸쳐 적용될 수 있다. 바깥쪽으로부터의 액세스를 요구하는 구역을 노출시키기 위하여, 일부(도 4b에서, 참조 부호(404)에 의하여 예시됨)가 추가 평면형 구조물(402)로부터 제거될 수 있다.
평면형 구조물(128)의 전술된 구성들에 부가하여, 추가 평면형 구조물(402)이 커플링-아웃 필름(402), 예컨대, 산란 입자들, UV 보호부, 내스크래치 보호부 및/또는 고광택 코팅부를 갖는 전술된 구성들 중 하나의 구성에 따른 플라스틱 필름으로서 형성될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 내스크래치 보호부(도 4c에서, 참조 부호(406)에 의하여 식별됨)가 전자 컴포넌트 유닛들(130n) 위에 적용될 수 있다. 내스크래치 보호부(406)는 예컨대 유리 또는 래커일 수 있고, 예컨대 전자 컴포넌트(130)보다 더 큰 경도를 가질 수 있다. 내스크래치 보호부(406)는 예컨대 커버(124)의 구성들 중 하나의 구성에 따라 형성될 수 있다(도 1의 설명 참조).
내스크래치 보호부(406) 외에도, 전술된 구성들 중 하나의 구성에 따라, 추가 평면형 구조물(402)이 전자 컴포넌트 유닛들(130n)을 등지는 캐리어(102)의 그 면 상에 적용될 수 있다.
방법(200)에 의하여, 유리 캐리어(102) 및 유리 커버(406)를 포함하고, 그리고 산란 및/또는 UV 필름들(402)이 광 커플링-아웃 면 상에 플레이트 레벨로 이미 라미네이팅된 유기 발광 다이오드들(130n)을 싱귤레이팅하는 것이 가능하다. 이 점에 관련하여, 천공된 산란 필름들(402)이 "광 커플링-아웃 면" 상에 플레이트 레벨로, 즉, 전자 컴포넌트(300)의 레벨로 이미 라미네이팅될 수 있다. 싱귤레이션 구역들(도 3의 설명 참조)에서, 산란 필름들(402)이 싱귤레이션에 앞서 다시 제거된다면, 이러한 전자 컴포넌트들(300)은 통상적인 스크라이브 앤드 브레이크 방법들에 의하여 싱귤레이팅될 수 있다. 싱귤레이션 구역으로부터 평면형 구조물(402)의 제거 없이는, 평면형 구조물(402)을 갖는 캐리어(102)는 싱귤레이팅될 수 없다. 이에 대한 하나의 이유는, 도 3의 설명의 예시와 유사하게, 평면형 구조물(402)이 스크라이빙될 수 없다는 점이다.
도 5a-도 5f는 다양한 실시예들에 따라, 프로세싱하기 위한 방법에서, 광전자 컴포넌트 어레인지먼트들의 개략적인 예시들을 도시한다.
다양한 실시예들에서, 전자 컴포넌트를 프로세싱하기 위한 방법(200)에 의하여, 전자 컴포넌트(130)의 전기 콘택 구역들이 예컨대, 전자 컴포넌트(130)의 광학 인액티브 후면 상에서 노출될 수 있다.
이 목적을 위해, 도 3a와 연관되어 설명된 바와 같이, 제공된 전자 컴포넌트(300)는 캐리어 상에 하나의 전자 컴포넌트(130) 또는 복수의 전자 컴포넌트 유닛들(130n) ―도 5a에 예시됨― 을 포함한다. 평면형 구조물(128) 및 전자 컴포넌트(300)는 위에서 설명된 구성들 중 하나의 구성에 따라 형성될 수 있다.
전자 컴포넌트(300)는, 예컨대, 소위 하부 에미터들로서 설계된 복수의 발광 유기 발광 다이오드들(130n)을 포함할 수 있다. 유기 발광 다이오드(130)는, 광학 인액티브 후면 상에, 유기 발광 다이오드(130)를 전기적으로 콘택팅시키기 위해 설계된 콘택 구역들을 포함할 수 있다.
평면형 구조물(128)이 전자 컴포넌트(300) 상에 적용되거나 또는 형성되고, 이 평면형 구조물에서는, 미리결정된 분리 위치들(304)이 형성된다. 평면형 구조물(128)은, 미리결정된 분리 위치들(304)이 제거될 평면형 구조물의 일부(도 5b에서, 참조 부호(306)로 예시됨)를 둘러싸는 방식으로 형성될 수 있다.
평면형 구조물(128)은 예컨대, 유기 발광 다이오드들(130)의 광학 인액티브 후면 상에 내스크래치 보호부로서 형성될 수 있고, 기계적 손상으로부터 유기 발광 다이오드를 보호할 수 있다. 내스크래치 보호부로서의 평면형 구조물(128)은, 예컨대, 내스크래치 보호 필름으로서 형성될 수 있다. 내스크래치 보호 필름에서는, 미리결정된 분리 위치들, 예컨대, 천공 라인들이 유기 발광 다이오드(130n)의 콘택 구역들의 구역에서 제공될 수 있다.
평면형 구조물(128)은, 전자 컴포넌트(130) 또는 전자 컴포넌트 유닛들(130n) 및/또는 콘택 구역들(302)의 구조 및 어레인지먼트에 대하여 형성되거나 또는 적용될 수 있다. 이 목적을 위해, 평면형 구조물(128)은, 제거될 평면형 구조물(128)의 일부(306)가 콘택 구역들(302) 위에 있는 방식으로, 정렬되거나 또는 형성될 수 있다 ―도 5c에서, 콘택 구역들(302) 위에서 제거될 구역(306)에 의하여 예시된다.
제거될 평면형 구조물(128)의 일부(306)는, 전자 컴포넌트(300)로부터의 미리결정된 분리 위치들(128)의 분리 이후에, 예컨대, 각각의 경우 일체로 ―도 5d에서는, 옮겨진 방식으로 예시되는, 제거될 구역들(306)에 의하여 예시됨―, 전자 컴포넌트(130)의 콘택 구역들(302)로부터 제거될 수 있다. 제거될 구역들(306)은 전자 컴포넌트(300)로부터 일체로 예컨대 접착제로 코팅된 롤에 의하여 제거될 수 있다.
콘택 구역들(302) 위에서 평면형 구조물(128)을 제거하는 것 외에도, 평면형 구조물(128)이 선택적으로 또한, 싱귤레이션 구역들(308)로부터 제거되는 것이 가능하다(도 3의 설명 참조). 다시 말해: 캐리어 및 평면형 구조물의 싱귤레이션이 각각의 경우 동일한 위치에서 수행될 수 있다.
몇몇 경우들에서, 캐리어(102)로부터의 싱귤레이션 구역(308)으로부터 평면형 구조물(128)의 제거 없이, 전자 컴포넌트 유닛들(130n)이 싱귤레이팅되는 것이 가능할 수 있다(도 5e에서, 싱귤레이션 구역(308) 위의 평면형 구조물(128)로 예시됨). 이는, 예컨대, 평면형 구조물(128) 및 캐리어(102)가 싱귤레이션 방법에 대하여 대략 유사한 화학적 특성들 및/또는 물리적 특성들을 갖는 경우일 수 있다. 다시 말해: 평면형 구조물(128) 및 캐리어(102)가 이들이 동시에 절단될 수 있는 방식으로 형성될 수 있어, 싱귤레이션 구역(308)으로부터 평면형 구조물(128)의 제거가 선택적이 된다. 싱귤레이션은 위에서 언급된 구성에 따라 수행될 수 있다.
전자 컴포넌트 유닛들(130n)의 싱귤레이션 이후, 노출된 콘택 구역들을 갖는, 싱귤레이팅된 전자 컴포넌트들이 형성된다(도 5f에서, 분리된 전자 컴포넌트들(314)에 의하여 예시됨). 싱귤레이션은 위에서 언급된 구성에 따라 수행될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 전자 컴포넌트들, 예컨대, 유기 발광 다이오드의 하이브리드 캐리어들을 단순한 방식으로 그리고 통상적인/기존의 방법들로 싱귤레이팅하는 것을 가능하게 하는, 전자 컴포넌트를 프로세싱하기 위한 방법 및 전자 컴포넌트 어레인지먼트가 제공된다. 또한, 이로써, 전자 컴포넌트들의 하이브리드 캐리어들 상의 콘택 영역들을 더욱 간단히 노출시키는 것이 가능하다. 또한, 이로써, 예컨대, OLED들의 경우, 유리 기판 및 커버 유리를 포함하고, 그리고 커플링-인/커플링-아웃 산란 필름이 전면 상에 전체 영역에 걸쳐 플레이트 레벨로 이미 적용된 광전자 컴포넌트들을 싱귤레이팅하는 것이 가능하다.
그 결과, 표준 싱귤레이션 방법들에 의하여, 기판 및 후면 기술이, 스크라이브 기술들에 기초한 스크라이브 앤드 브레이크에 의해서는 전혀 싱귤레이팅될 수 없는 상이한 재료들로 구성되는 하이브리드 OLED들을 싱귤레이팅하는 것이 가능하다. 따라서, 레이저 분리 방법들과 비교하면, 예컨대 기판 및 예컨대 기판의 후면 상의 필름이 원하는 위치들에서 선택적으로 싱귤레이팅될 수 있어, 기판의 후면으로부터 필름의 제거 동안 OLED의 콘택 영역들이 손상되지 않는다.
커플링-아웃된 광의 비율을 증가시키기 위한 산란 필름들이 OLED 상에 라미네이팅되는 OLED들에서는, 종전과 같이 개별 디바이스 레벨 대신에 플레이트 레벨로, 산란 필름이 이미 라미네이팅될 수 있다. 그 결과, OLED들의 제조의 산업화 및 자동화에 관해, 비용들의 상당한 감소가 달성될 수 있다.
또한, 그 결과, OLED의 제조 동안, OLED의 콘택 구역들은 매우 단순한 방식으로 노출될 수 있다. OLED의 기판 및 기판 상의 필름의 싱귤레이션이 동일한 위치에서 이루어질 수 있고, 그 결과, 그렇지 않다면 선택성의 부재로 인해 부적절한 레이저 싱귤레이션이 고려될 수 있다.
Claims (15)
- 전자 컴포넌트(130)를 프로세싱하기 위한 방법(200)으로서,
상기 방법(200)은,
미리결정된 분리 위치들(304)이 제공된 평면형 구조물(128)을 상기 전자 컴포넌트(130)에 적용하는 단계(204); 및
적용된 평면형 구조물(128)의 일부(306, 404)를 제거하는 단계(208)
를 포함하고, 제거하는 단계(208)는 상기 미리결정된 분리 위치들(304)에서 상기 평면형 구조물(128)을 분리시키는 단계를 포함하고; 그리고
상기 전자 컴포넌트(130)는 전기 콘택 구역(302)을 포함하고, 상기 미리결정된 분리 위치들(304)은 상기 평면형 구조물의 제거될 일부를 둘러싸며; 상기 평면형 구조물(128)의 제거될 일부(306)의 적어도 하나의 부분은 상기 전기 콘택 구역(302) 위에 있고; 그리고 상기 적용된 구조물(128)의 제거될 일부(306, 304)는 상기 전기 콘택 구역(302)으로부터 제거되는,
전자 컴포넌트(130)를 프로세싱하기 위한 방법(200). - 제 1 항에 있어서,
상기 평면형 구조물(128)은 플렉서블한 방식으로 형성되는,
전자 컴포넌트(130)를 프로세싱하기 위한 방법(200). - 제 1 항에 있어서,
상기 평면형 구조물(128)은 필름을 포함하거나 또는 필름인,
전자 컴포넌트(130)를 프로세싱하기 위한 방법(200). - 제 1 항에 있어서,
상기 전자 컴포넌트(130)는, 유기 발광 다이오드(130), 솔라 셀(130) 및/또는 포토검출기(130)를 포함하는,
전자 컴포넌트(130)를 프로세싱하기 위한 방법(200). - 제 1 항에 있어서,
상기 전자 컴포넌트(130)는 둘 또는 그 초과의 전자 컴포넌트 유닛들(130n)을 포함하고,
상기 평면형 구조물(128)은 상기 둘 또는 그 초과의 전자 컴포넌트 유닛들(130n) 상에 또는 그 위에 적용되는,
전자 컴포넌트(130)를 프로세싱하기 위한 방법(200). - 제 5 항에 있어서,
적어도 하나의 미리결정된 분리 위치(304)가 두 개의 전자 컴포넌트 유닛들(130n) 사이에 형성되는,
전자 컴포넌트(130)를 프로세싱하기 위한 방법(200). - 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
제거하는 단계(208)는 상기 전자 컴포넌트(130)로부터 상기 적용된 평면형 구조물(128)의 제거될 일부(306, 404)를 빼내는 단계를 더 포함하는,
전자 컴포넌트(130)를 프로세싱하기 위한 방법(200). - 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전자 컴포넌트(130)는 캐리어(102) 상에 형성되고, 그리고
평면형 구조물(128)이 상기 전자 컴포넌트(130) 상에 또는 그 위에 적용되거나, 또는
평면형 구조물(402)이 상기 전자 컴포넌트를 등지는 상기 캐리어(102)의 그 면 상에 또는 그 위에 적용되거나, 또는
평면형 구조물(128)이 상기 전자 컴포넌트(130) 상에 또는 그 위에 적용되고 그리고 평면형 구조물(402)이 상기 전자 컴포넌트를 등지는 상기 캐리어(102)의 그 면 상에 또는 그 위에 적용되는,
전자 컴포넌트(130)를 프로세싱하기 위한 방법(200). - 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 평면형 구조물(128)을 적용하는 단계(204)는 상기 평면형 구조물(128)을 상기 전자 컴포넌트에 재료 맞춤 방식(material-fit)으로 연결시키는 단계(206)를 포함하는,
전자 컴포넌트(130)를 프로세싱하기 위한 방법(200). - 제 9 항에 있어서,
재료 맞춤 연결부를 형성하기 위한 수단이 상기 전자 컴포넌트(130) 및/또는 상기 평면형 구조물(128) 상에 또는 그 위에 구조화된 방식으로 적용되거나, 또는 적용 프로세스 이후에 구조화되는,
전자 컴포넌트(130)를 프로세싱하기 위한 방법(200). - 제 9 항에 있어서,
재료 맞춤 연결부를 형성하기 위한 수단은, 제거되지 않을 상기 평면형 구조물(128)과 상기 전자 컴포넌트(130) 사이의 구역에서와 비교할 때, 상기 평면형 구조물(128)의 제거될 일부(306)와 상기 전자 컴포넌트(130) 사이에 더 낮은 접착력 및/또는 응집력을 갖는,
전자 컴포넌트(130)를 프로세싱하기 위한 방법(200). - 제 9 항에 있어서,
상기 평면형 구조물(128)의 제거될 일부(306, 404)와 상기 전자 컴포넌트(130) 사이의 구역은 재료 맞춤 연결 수단이 없는 채로 남아 있는,
전자 컴포넌트(130)를 프로세싱하기 위한 방법(200). - 전자 컴포넌트 어레인지먼트(100, 310)로서,
캐리어(102) 상의 전자 컴포넌트(130); 및
평면형 구조물(128)
을 포함하고,
상기 평면형 구조물(128)은 상기 캐리어(102) 상의 평면형 구조물(402) 및/또는 상기 전자 컴포넌트(130) 상의 평면형 구조물(128)을 포함하고, 그리고
상기 평면형 구조물(128)은 미리결정된 분리 위치들(304)을 포함하고, 상기 평면형 구조물(128)은, 상기 미리결정된 분리 위치들(304)을 분리시키는 프로세스 이후에 상기 전자 컴포넌트 어레인지먼트(100, 310)로부터 상기 평면형 구조물(128)의 일부(306, 404)가 제거 가능한 방식으로 형성되고;
상기 전자 컴포넌트(130)는 전기 콘택 구역(302)을 포함하고, 상기 미리결정된 분리 위치들(304)은 상기 평면형 구조물의 제거될 일부를 둘러싸며; 상기 평면형 구조물(128)의 제거될 일부(306)의 적어도 하나의 부분은 상기 전기 콘택 구역(302) 위에 있고; 그리고 상기 평면형 구조물(128)의 제거될 일부(306. 304)는 상기 전기 콘택 구역(302) 위에 배치되는,
전자 컴포넌트 어레인지먼트(100, 310). - 제 13 항에 있어서,
상기 전자 컴포넌트(130)는 둘 또는 그 초과의 전자 컴포넌트 유닛들(130n)을 포함하고,
상기 평면형 구조물(128)은 상기 둘 또는 그 초과의 전자 컴포넌트 유닛들(130n) 상에 또는 그 위에 형성되고, 적어도 하나의 미리결정된 분리 위치(304)가 두 개의 전자 컴포넌트 유닛들(130n) 사이에 형성되는,
전자 컴포넌트 어레인지먼트(100, 310). - 삭제
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