KR101755606B1 - 광전자 컴포넌트 및 광전자 컴포넌트를 제조하기 위한 방법 - Google Patents
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- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 170
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 137
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 115
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 46
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 46
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 336
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 143
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 126
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 96
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 49
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 48
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 39
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 37
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims description 37
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 10
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 4
- 238000007704 wet chemistry method Methods 0.000 claims description 3
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 claims description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 81
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 56
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 28
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 28
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 28
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 27
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 27
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 26
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 24
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- -1 iron nanoparticles Chemical compound 0.000 description 20
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 19
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 17
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 17
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 11
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 235000014692 zinc oxide Nutrition 0.000 description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 10
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 10
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 10
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 10
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 9
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 9
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 9
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 7
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 7
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 7
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 7
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 7
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 7
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 6
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 6
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 6
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 6
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 6
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 5
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229910021488 crystalline silicon dioxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 4
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021486 amorphous silicon dioxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 3
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 3
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001153 fluoro group Chemical class F* 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001903 high density polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000004700 high-density polyethylene Substances 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 3
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 3
- 229920001684 low density polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000004702 low-density polyethylene Substances 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 3
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 3
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 3
- 230000003678 scratch resistant effect Effects 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000012255 calcium oxide Nutrition 0.000 description 2
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 230000002939 deleterious effect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 2
- 239000012939 laminating adhesive Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013086 organic photovoltaic Methods 0.000 description 2
- 150000002927 oxygen compounds Chemical class 0.000 description 2
- SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);titanium(4+) Chemical class [O-2].[O-2].[Ti+4] SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- RNWHGQJWIACOKP-UHFFFAOYSA-N zinc;oxygen(2-) Chemical class [O-2].[Zn+2] RNWHGQJWIACOKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 4-methyl-n-[4-[(e)-2-[4-[4-[(e)-2-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]ethenyl]phenyl]phenyl]ethenyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(\C=C\C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(\C=C\C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=CC(C)=CC=3)C=3C=CC(C)=CC=3)=CC=2)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 0.000 description 1
- TXNLQUKVUJITMX-UHFFFAOYSA-N 4-tert-butyl-2-(4-tert-butylpyridin-2-yl)pyridine Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=NC(C=2N=CC=C(C=2)C(C)(C)C)=C1 TXNLQUKVUJITMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FWXNJWAXBVMBGL-UHFFFAOYSA-N 9-n,9-n,10-n,10-n-tetrakis(4-methylphenyl)anthracene-9,10-diamine Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C(N(C=2C=CC(C)=CC=2)C=2C=CC(C)=CC=2)=C2C=CC=CC2=1)C1=CC=C(C)C=C1 FWXNJWAXBVMBGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000510678 Falcaria vulgaris Species 0.000 description 1
- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 description 1
- 108010003272 Hyaluronate lyase Proteins 0.000 description 1
- 229910017911 MgIn Inorganic materials 0.000 description 1
- 240000002853 Nelumbo nucifera Species 0.000 description 1
- 235000006508 Nelumbo nucifera Nutrition 0.000 description 1
- 235000006510 Nelumbo pentapetala Nutrition 0.000 description 1
- MVMBITSRQNHOLP-UHFFFAOYSA-N OC(=O)C1=NC=CC=C1[Ir]C1=CC(F)=CC(F)=C1C1=CC=CC=N1 Chemical compound OC(=O)C1=NC=CC=C1[Ir]C1=CC(F)=CC(F)=C1C1=CC=CC=N1 MVMBITSRQNHOLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 102000003978 Tissue Plasminogen Activator Human genes 0.000 description 1
- 108090000373 Tissue Plasminogen Activator Proteins 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007717 ZnSnO Inorganic materials 0.000 description 1
- UUXPDWMZZUJLIY-UHFFFAOYSA-N [Ru].CC(C)(C)c1ccnc(c1)-c1cc(ccn1)C(C)(C)C.CC(C)(C)c1ccnc(c1)-c1cc(ccn1)C(C)(C)C.CC(C)(C)c1ccnc(c1)-c1cc(ccn1)C(C)(C)C Chemical compound [Ru].CC(C)(C)c1ccnc(c1)-c1cc(ccn1)C(C)(C)C.CC(C)(C)c1ccnc(c1)-c1cc(ccn1)C(C)(C)C.CC(C)(C)c1ccnc(c1)-c1cc(ccn1)C(C)(C)C UUXPDWMZZUJLIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000609 carbazolyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 230000001112 coagulating effect Effects 0.000 description 1
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 1
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000007799 cork Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 150000002503 iridium Chemical class 0.000 description 1
- RTRAMYYYHJZWQK-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 RTRAMYYYHJZWQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003204 osmotic effect Effects 0.000 description 1
- 238000007649 pad printing Methods 0.000 description 1
- 239000006072 paste Substances 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000003856 thermoforming Methods 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 238000002211 ultraviolet spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
다양한 실시예들이 광전자 컴포넌트(400, 500, 600)를 제공하고, 상기 광전자 컴포넌트(400, 500, 600)는: 지지부(102); 지지부(102) 상의 또는 그 위의 평면의 전기 액티브 구역(106); 전기 액티브 구역(106) 상의 또는 그 위의 접착 층 ―접착 층은 전기 액티브 구역(106)을 적어도 부분적으로 둘러쌈―; 접착 층 상의 또는 그 위의 커버 ―접착 층의 일부가 노출됨―; 및 노출된 접착 층 상의 또는 그 위의 캡슐화부를 갖는다.
Description
[0001] 다양한 실시예들에서, 광전자 컴포넌트 및 광전자 컴포넌트를 제조하기 위한 방법이 제공된다.
[0002] 유기성의 광전자 컴포넌트(optoelectronic component on an organic basis)들, 예컨대 유기 발광 다이오드(OLED:organic light emitting diode)들 또는 유기 솔라 셀이 점점 더 폭넓게 사용되고 있다.
[0003] OLED는 예컨대 두 개의 전극들, 예컨대 애노드 및 캐소드로서 설계된 두 개의 콘택 금속화부를 포함할 수 있고, 유기 기능 층 시스템이 두 개의 전극들 사이에 있다. 유기 기능 층 시스템은, 전류 흐름을 지향시키기 위하여, 전자기 방사선이 생성되는 하나의 또는 복수의 에미터 층/층들, 예컨대 하나 또는 복수의 전하 생성 층 구조물 ―각각이 전하 생성을 위한 둘 또는 그 초과의 전하 생성 층(CGL:charge generating layer)들로 구성됨―, 및 홀 수송 층(HTL:hole transport layer)(들)으로서도 또한 표시되는 하나 또는 복수의 전자 차단 층들, 및 전자 수송 층(ETL:electron transport layer)(들)으로서도 또한 표시되는 하나 또는 복수의 홀 차단 층들을 포함할 수 있다.
[0004] 유기 기능 층 시스템의 적어도 일 부분은 유기 물질들 및/또는 유기 물질 혼합물들을 포함할 수 있다. 그러나, 유기 물질들 및/또는 유기 물질 혼합물들은 유해한 환경 영향들에 약할 수 있다. 유해한 환경 영향은, 유기 물질들 및/또는 유기 물질 혼합물들의 열화 또는 노화, 예컨대 가교 상태(crosslinked state) 또는 결정화를 잠재적으로 유도할 수 있고 그에 따라 예컨대 OLED의 동작 기간을 제한할 수 있는 모든 영향들을 의미하는 것으로 이해될 수 있다. 유해한 환경 영향은 예컨대 유기 물질들 또는 유기 물질 혼합물들에 유해한 물질, 예컨대 산소 및/또는 물일 수 있다.
[0005] 유해한 환경 영향들로부터의 보호를 위해, OLED는 통상적으로 캡슐화된다. 예로서, OLED의 캡슐화 동안, 유기 기능 층 구조물 및 전극들은 유해한 환경 영향들에 불투과성인 캡슐화 층, 예컨대 물 및 산소에 불투과성인 박막으로 둘러싸인다.
[0006] 박막-캡슐화된 유기 발광 다이오드들에 대한 캡슐화 층은 절대적으로 결함들이 없어야 한다. 그러나, 캡슐화의 과정에서, 결함들이 캡슐화 층에 여전히 위치되는 상황이 완전히 배제되지 못할 수 있다. 심지어, 상기 캡슐화 층의 결정경계(grain boundary)를 따라서 있는 현미경적 결함 또는 확산 채널(diffusion channel)이 전체 OLED의 결함을 유도할 수 있다. 그 결과, 수분의 작용에 의해 OLED의 시야에서 넌-루미너스(non-luminous)의 원형점들(블랙 스팟)이 형성될 수 있고, 시간에 걸쳐 성장할 수 있다.
[0007] OLED에 대한 잠재적 손상이 적게 유지되도록 하기 위하여, 일 통상적인 방법에서는, 유리 커버가 라미네이팅 접착제에 의해 캡슐화 층 상에 라미네이팅된다. 그러나, 예컨대 OLED로 물이 확산되는 속도만이 유리 커버에 의해 감소될 수 있다. 예컨대, 물은 여전히 라미네이팅 접착제를 통해 유기 기능 층 구조물로 확산될 수 있고, 따라서 예컨대 OLED의 캡슐화 층의 결함은 그 결함이 가시적인 결함을 유도함에 따라 단지 둔화된다.
[0008] 다른 통상적인 방법에서는, 캐비티 유리가 OLED에 접착식으로 본딩될 수 있는데, OLED의 기하학적 에지에서는 접착제 본딩이 수행되고 그리고 캐비티에서는 흡수성 재료가 셋업된다.
[0009] 다른 통상적인 방법에서는, 예컨대 기하학적 에지 구역들에서 통상적인 유리 솔더에 의한 프릿 본딩(frit bonding)(유리 프릿 본딩/유리 솔더링/밀봉 유리 본딩)에 의해, 유리 커버가 캡슐화 층에 적용될 수 있다.
[0010] 다양한 실시예들에서, 광전자 컴포넌트 및 광전자 컴포넌트를 제조하기 위한 방법이 제공되며, 이들은, 광전자 컴포넌트, 예컨대 OLED 컴포넌트로의 수분의 확산을 감소시키고 그에 따라 예컨대 OLED의 스토리지 시간을 증가시키는 것을 가능하게 한다.
[0011] 본 설명의 맥락에서, 유기 물질은, 매터(matter)의 개개의 상태와 관계없이 화학적으로 균일한 형태로 존재하고 특징 있는 물리 화학 특성들에 의해 특징지어지는 탄소 화합물을 의미하는 것으로 이해될 수 있다. 또한, 본 설명의 맥락에서, 무기 물질은, 탄소 또는 단순 탄소 화합물 없이, 매터의 개개의 상태와 관계없이 화학적으로 균일한 형태로 존재하고 특징 있는 물리 화학 특성들에 의해 특징지어지는 화합물을 의미하는 것으로 이해될 수 있다. 본 설명의 맥락에서, 유기-무기 물질(하이브리드 물질)은, 탄소를 포함하는 화합물 부분 및 탄소가 없는 화합물 부분을 포함하는, 매터의 개개의 상태와 관계없이 화학적으로 균일한 형태로 존재하고 특징 있는 물리 화학 특성들에 의해 특징지어지는 화합물을 의미하는 것으로 이해될 수 있다. 본 설명의 맥락에서, 용어 "물질"은 모든 전술된 물질들, 예컨대 유기 물질, 무기 물질, 및/또는 하이브리드 물질을 포함한다. 또한, 본 설명의 맥락에서, 물질 혼합물은 둘 또는 그 초과의 상이한 물질들로 구성된 구성성분들을 갖는 어떤 것을 의미하는 것으로 이해될 수 있고, 물질 혼합물의 구성성분들은 예컨대 매우 미세하게 분산된다. 물질 부류는, 하나 또는 그 초과의 유기 물질(들), 하나 또는 그 초과의 무기 물질(들) 또는 하나 또는 그 초과의 하이브리드 물질(들)을 포함하는 물질 또는 물질 혼합물을 의미하는 것으로 이해되어야 한다. 용어 "재료(material)"는 용어 "물질(substance)"과 동의어로 사용될 수 있다.
[0012] 본 설명의 맥락에서, 제1 물질 또는 제1 물질 혼합물의 화학 물리 특성들이 제2 물질 또는 제2 물질 혼합물의 화학 물리 특성들과 각각 동일하다면, 제1 물질 또는 제1 물질 혼합물은 제2 물질 또는 제2 물질 혼합물과 동일할 수 있다.
[0013] 본 설명의 맥락에서, 제1 물질 또는 제1 물질 혼합물 그리고 제2 물질 또는 제2 물질 혼합물이 각각, 적어도 하나의 변수, 예컨대 밀도, 굴절률, 내화학성(chemical resistance) 등등에 대하여 대략 동일한 화학량론 조성(stoichiometric composition), 대략 동일한 화학 특성들 및/또는 대략 동일한 물리 특성들을 갖는다면, 제1 물질 또는 제1 물질 혼합물은 제2 물질 또는 제2 물질 혼합물과 각각 유사할 수 있다.
[0014] 이와 관련하여, 예로서, 화학량론 조성에 대하여는, 결정질 SiO2(석영)가 비결정질 SiO2(실리카 유리)와 동일한 것으로 그리고 SiOx와 유사한 것으로 여겨질 수 있다. 그러나, 굴절률에 대하여는, 결정질 SiO2가 SiOx 또는 비결정질 SiO2와 상이할 수 있다. 예로서, 예컨대 도핑들 형태의 첨가제들의 첨가에 의해, 비결정질 SiO2가 결정질 SiO2의 굴절률과 동일하거나 또는 유사한 굴절률을 가질 수 있지만, 그 다음에 화학 조성 및/또는 내화학성에 대하여는 결정질 SiO2와 상이할 수 있다.
[0015] 제1 물질이 제2 물질과 유사한지 면에서의 기준 변수가 명시적으로 표시될 수 있거나, 또는 맥락, 예컨대 물질들 또는 물질 혼합물들의 그룹의 공통 특성들로부터 명백해진다.
[0016] 치수 안정한 물질이, 가소제들, 예컨대 용제의 첨가에 의해 또는 온도가 높아짐으로써, 가소적으로 성형 가능해질 수 있는데, 예컨대 액화될 수 있다.
[0017] 가소적으로 성형 가능한 물질이, 가교 반응, 가소제들의 회수 및/또는 열에 의해, 치수적으로 안정해질 수 있는데, 예컨대 응고(solidify)될 수 있다.
[0018] 물질 또는 물질 혼합물을 응고시키는 것, 즉 성형 가능성으로부터 치수 안정성으로의 물질의 전이는, 점도를 변경시키는 것, 예컨대 제1 점도 값으로부터 제2 점도 값으로 점도를 증가시키는 것을 포함할 수 있다. 제2 점도 값은, 예컨대 대략 10 내지 대략 106의 범위의 배수만큼, 제1 점도 값보다 더 클 수 있다. 물질은 제1 점도에서는 성형 가능할 수 있고, 제2 점도에서는 치수적으로 안정할 수 있다.
[0019] 물질 또는 물질 혼합물을 응고시키는 것, 즉 성형 가능성으로부터 치수 안정성으로의 물질의 전이는, 저분자량(low molecular weight) 구성성분들, 예컨대 용제 분자들, 또는 물질 또는 물질 혼합물의 저분자량의 비 가교(uncrosslinked) 구성성분들이 물질 또는 물질 혼합물로부터 제거되는 방법 또는 프로세스, 예컨대 물질 또는 물질 혼합물을 건조시키거나 또는 화학적으로 가교결합시키는 것을 포함할 수 있다. 물질 또는 물질 혼합물은, 예컨대, 치수적으로 안정한 상태에서보다 성형 가능한 상태에서 전체 물질 또는 물질 혼합물에서의 더 높은 농도의 저분자량 물질들을 가질 수 있다.
[0020] 그러나, 치수 안정한 물질 또는 물질 혼합물로 구성된 바디는, 바디가 필름, 예컨대 플라스틱 필름, 유리 필름 또는 금속 필름으로서 설계된다면, 성형 가능할 수 있다. 이러한 바디는 예컨대 기계적으로 유연한 것으로 지칭될 수 있는데, 그 이유는 바디의 기하학적 형상의 변화들, 예컨대 필름의 굽힘이 가역적일 수 있기 때문이다. 그러나, 기계적으로 유연한 바디, 예컨대 필름은, 예컨대 변형, 예컨대 플라스틱 필름의 열성형 이후 기계적으로 유연한 바디가 응고됨으로써, 또한 가소적으로 성형 가능할 수 있다.
[0021] 제1 바디의 제2 바디로의 연결은 포지티브 록킹(positively locking) 연결, 힘 록킹(force locking) 연결 및/또는 응집성(cohesive) 연결일 수 있다. 연결들은 릴리싱 가능한(releasable) 것, 즉 가역적인 것으로서 구현될 수 있다. 다양한 구성들에서, 가역적인 응집성 연결은 예컨대 나사 연결, 후크 및 루프 패스너, 클램핑/클립들의 사용으로서 구현될 수 있다.
[0022] 그러나, 연결들은 또한 릴리싱 가능하지 않은 것, 즉 비가역적인 것으로서 구현될 수 있다. 이 경우, 릴리싱 가능하지 않은 연결은, 연결 수단이 파괴됨으로써만 분리될 수 있다. 다양한 구성들에서, 비가역적인 응집성 연결은 예컨대 리벳 연결(riveted connection), 접착식으로 본딩된 연결 또는 솔더링된 연결로서 구현될 수 있다.
[0023] 포지티브 록킹 연결의 경우, 제1 바디의 움직임은 제2 바디의 표면에 의해 제한될 수 있는데, 제1 바디는 제2 바디의 제한 표면 방향으로, 직각으로, 즉 수직으로 움직인다. 블라인드 홀(제2 바디)에 있는 핀(제1 바디)은 예컨대 여섯 개의 공간 방향들 중 다섯 개의 공간 방향들에서 움직임이 제한될 수 있다. 다양한 구성들에서, 포지티브 록킹 연결은 예컨대 나사 연결, 후크 및 루프 패스너, 클램프/클립들의 사용으로서 구현될 수 있다.
[0024] 힘-록킹 연결의 경우, 압력 하에서 두 개의 바디들의 물리적 접촉 때문에, 정지 마찰이 제1 바디의 움직임을 제2 바디에 평행하게 제한할 수 있다. 힘-록킹 연결의 일 예는, 예컨대 보틀 넥에 있는 보틀 코르크, 또는 억지 끼워맞춤으로 대응하는 다월 홀에 있는 다월일 수 있다. 또한, 힘-록킹 연결은 제1 바디와 제2 바디 사이의 프레스 끼워맞춤(press fit)에 의해 형성될 수 있다. 예로서, 홀딩 핀의 지름은, 홀딩 핀이 홀딩 핀 및/또는 대응하는 홀딩 컷아웃의 변형으로 홀딩 컷아웃에 여전히 정확히 삽입될 수 있지만, 증가된 힘 지출로만 대응하는 홀딩 컷아웃으로부터 다시 제거될 수 있도록 선택될 수 있다.
[0025] 응집성 연결의 경우, 제1 바디는 원자력 및/또는 분자력에 의해 제2 바디에 연결될 수 있다. 응집성 연결들은 종종 릴리싱 가능하지 않은 연결들일 수 있다. 다양한 구성들에서, 응집성 연결은 예컨대 접착식으로 본딩된 연결, 예컨대 유리 솔더 또는 금속 솔더의 솔더링된 연결, 용접 연결(welded connection)로서 구현될 수 있다.
[0026] 본 설명의 맥락에서, 전자 컴포넌트는, 예컨대 반도체 컴포넌트들의 사용에 의해, 전기 전류의 제어, 레귤레이션 또는 증폭에 관련되는 컴포넌트를 의미하는 것으로 이해될 수 있다. 전자 컴포넌트는 하기의 컴포넌트들: 예컨대, 다이오드, 트랜지스터, 열발생기(thermogenerator), 집적 회로들, 사이리스터의 그룹으로부터의 컴포넌트를 포함할 수 있다.
[0027] 본 설명의 맥락에서, 전기 접촉이 이루어지게 하는 전자 컴포넌트가 전기 컴포넌트의 실시예로서 이해될 수 있다.
[0028] 본 설명의 맥락에서, 광전자 컴포넌트는 전자 컴포넌트의 실시예를 의미하는 것으로 이해될 수 있는데, 광전자 컴포넌트는 광학 액티브 구역을 포함한다.
[0029] 본 설명의 맥락에서, 광전자 컴포넌트의 광학 액티브 구역은, 전자기 방사선을 흡수할 수 있고 그로부터 광전류를 형성할 수 있거나 또는 광학 액티브 구역에 인가된 전압에 의해 전자기 방사선을 방출할 수 있는, 광전자 컴포넌트의 해당 구역을 의미하는 것으로 이해될 수 있다.
[0030] 본 설명의 맥락에서, 전자기 방사선을 제공하는 것은 전자기 방사선을 방출하는 것을 의미하는 것으로 이해될 수 있다.
[0031] 본 설명의 맥락에서, 전자기 방사선을 잡는 것은 전자기 방사선을 흡수하는 것을 의미하는 것으로 이해될 수 있다.
[0032] 두 개의 평면의 광학 액티브 면(side)들을 포함하는 광전자 컴포넌트는 예컨대 투명한 것으로서, 예컨대 투명한 유기 발광 다이오드로서 구현될 수 있다.
[0033] 그러나, 광학 액티브 구역은 하나의 평면의 광학 액티브 면 및 하나의 평면의 광학 인액티브 면, 예컨대 상단 에미터 또는 하단 에미터로서 설계된 유기 발광 다이오드를 또한 포함할 수 있다.
[0034] 다양한 구성들에서, 전자기 방사선을 방출하는 컴포넌트는, 예컨대 전자기 방사선을 방출하는 반도체 컴포넌트일 수 있거나, 그리고/또는 전자기 방사선을 방출하는 다이오드, 전자기 방사선을 방출하는 유기 다이오드, 전자기 방사선을 방출하는 트랜지스터, 또는 전자기 방사선을 방출하는 유기 트랜지스터로서 구현될 수 있다. 방사선은 예컨대 가시 범위의 광, UV 광 및/또는 적외선 광일 수 있다. 이와 관련하여, 전자기 방사선을 방출하는 컴포넌트는 예컨대 발광 다이오드(LED), 유기 발광 다이오드(OLED), 발광 트랜지스터 또는 유기 발광 트랜지스터로서 구현될 수 있다. 다양한 구성들에서, 발광 컴포넌트는 집적 회로의 일부일 수 있다. 또한, 복수의 발광 컴포넌트들이 예컨대 공통 하우징에 수용되는 방식으로 제공될 수 있다.
[0035] 본 설명의 맥락에서, 예컨대 유기 발광 다이오드(OLED), 유기 기능 층 시스템의 유기 광발전 설비(organic photovoltaic installation), 예컨대 유기 솔라 셀과 같은 다양한 구성들의 유기 광전자 컴포넌트는 유기 물질 또는 유기 물질 혼합물을 포함할 수 있거나 또는 이들로 형성될 수 있고, 이 유기 광전자 컴포넌트는, 예컨대 제공된 전기 전류로부터 전자기 방사선을 제공하기 위해 또는 제공된 전자기 방사선으로부터 전기 전류를 제공하기 위해 설계된다.
[0036] 본 설명의 맥락에서, 유해한 환경 영향은, 예컨대, 유기 물질 또는 유기 물질 혼합물의 열화, 가교 상태, 및/또는 결정화를 잠재적으로 야기할 수 있고 그에 따라 예컨대 유기 컴포넌트들의 동작 기간을 제한할 수 있는 모든 영향들을 의미하는 것으로 이해될 수 있다.
[0037] 유해한 환경 영향은 예컨대 유기 물질들 또는 유기 물질 혼합물들에 유해한 물질, 예컨대 산소 및/또는 예컨대 용제, 예컨대 물일 수 있다.
[0038] 유해한 환경 영향은 예컨대 유기 물질들 또는 유기 물질 혼합물들에 유해한 서라운딩(surrounding)들, 예컨대 온도의 예컨대 임계 값을 초과한 또는 그 미만의 변화, 및/또는 대기압의 변화일 수 있다.
[0039] 본 설명의 맥락에서, 물 및/또는 산소에 대해 밀폐 불투과성인 층은 실질적으로 밀폐 불투과성 층(hermetically impermeable layer)으로서 이해될 수 있는데, 이 층은 확산 채널들을 가질 수 있다. 본 설명의 맥락에서, 층에 있는 확산 채널은 적어도 두 개의 오프닝들, 예컨대 홀, 구멍(pore), 인터커넥트(interconnect) 등등을 갖는, 층에 있는 캐비티로서 이해될 수 있다. 물질 또는 물질 혼합물은, 예컨대 삼투압에 의해 또는 전기 영동적으로(electrophoretically), 확산 채널의 하나의 오프닝으로부터 확산 채널을 통해 확산 채널의 적어도 하나의 제2의 오프닝으로 이동(migrate) 또는 확산될 수 있다. 예컨대, 층의 상이한 면들이 확산 채널에 의해 서로 연결되는 방식으로(인터커넥트), 층에서 확산 채널이 구현될 수 있다. 확산 채널은 예컨대, 대략 물 분자의 지름 내지 대략 수 ㎚ 범위의 지름을 가질 수 있다. 층에 있는 확산 채널은, 예컨대 층에 있는 결함들, 결정경계들 등등일 수 있거나 또는 이들에 의해 형성될 수 있다. 밀폐 불투과성 층은 예컨대 대략 10-1 g/(m2d) 미만의 물 및/또는 산소에 대한 확산율을 가질 수 있고, 그리고 밀폐 불투과성 커버 및/또는 밀폐 불투과성 캐리어는, 예컨대, 대략 10-4 g/(m2d) 미만, 예컨대 대략 10-4 g/(m2d) 내지 대략 10-10 g/(m2d) 범위, 예컨대 대략 10-4 g/(m2d) 내지 대략 10-6 g/(m2d) 범위의 물 및/또는 산소에 대한 확산율을 가질 수 있다.
[0040] 다양한 실시예들에서, 광전자 컴포넌트가 제공되고, 이 광전자 컴포넌트는: 캐리어; 캐리어 상의 또는 그 위의 평면의 전기 액티브 구역; 전기 액티브 구역 상의 또는 그 위의 접착 층 ―접착 층은 전기 액티브 구역을 적어도 부분적으로 둘러쌈―; 접착 층 상의 또는 그 위의 커버 ―접착 층의 일부가 노출됨―; 및 노출된 접착 층 상의 또는 그 위의 캡슐화부를 포함한다.
[0041] 본 설명의 맥락에서, 적어도 부분적 서라운딩은 예컨대 아래로부터의 적어도 부분적 서라운딩, 적어도 부분적 측면 서라운딩 및/또는 위로부터의 적어도 부분적 서라운딩, 예컨대 전체 서라운딩으로서 구현될 수 있다.
[0042] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 예컨대 장벽 박막 층이 전기 액티브 구역 상에 또는 그 위에 형성됨으로써, 장벽 박막 층이 접착 층과 전기 액티브 구역 사이에 형성되어, 예컨대 전기 액티브 구역과 물리적 접촉할 수 있는데, 예컨대 물 및/또는 산소에 대하여 전기 액티브 구역을 밀폐 밀봉(hermetically sealing)시킬 수 있다.
[0043] 다시 말해: 커버 및 전기 액티브 구역/장벽 박막 층과의 접촉 없이, 접착 층의 측면 확산 경로에, 예컨대 접착 층의 노출된 부분에 캡슐화부가 배열될 수 있다. 또한, 캡슐화부는 접착 층의 측면 투과성보다 적어도 물 및/또는 산소에 대하여 더 낮은 투과성을 가질 수 있다. 기하학적으로 링-형상화된 방식으로 접착 층을 둘러싸거나 또는 에워싼다는 의미에서, 그리고/또는 접착 층의 적어도 일 부분이 캡슐화부에 의해 측면으로 둘러싼다는 의미, 즉 예컨대 접착 층의 다른 부분이 캡슐화부를 둘러쌀 수 있다는 의미에서, 캡슐화부는 노출된 접착 층을 적어도 부분적으로 둘러쌀 수 있다. 예로서, 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 추가적인 접착 층이 캡슐화부를 둘러쌀 수 있는데, 캡슐화부는 기하학적으로 링-형상화된 방식으로 접착 층의 장벽 박막 층을 적어도 부분적으로 둘러싼다.
[0044] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 장벽 박막 층은 하기의 물질들: 금속, 금속 산화물, 세라믹 중 하나를 포함할 수 있거나 또는 이들로 형성될 수 있다.
[0045] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 장벽 박막 층은 대략 0.1 ㎚(일 원자 층) 내지 대략 1000 ㎚ 범위, 예컨대 대략 10 ㎚ 내지 대략 100 ㎚ 범위, 예컨대 대략 40 ㎚ 범위의 층 두께를 가질 수 있다.
[0046] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 장벽 박막 층은 복수의 부분 층들을 가질 수 있는데, 부분 층들 전부가 동일한 층 두께를 가질 수 있다.
[0047] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 장벽 박막 층의 개별 부분 층들은 상이한 층 두께들을 가질 수 있다. 다시 말해, 부분 층들 중 적어도 하나가, 하나 또는 복수의 다른 부분 층들과 상이한 층 두께를 가질 수 있다.
[0048] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 장벽 박막 층, 또는 장벽 박막 층의 개별 부분 층들은, 반투명 및/또는 투명 층으로서 구현될 수 있다. 다시 말해: 장벽 박막 층, 또는 장벽 박막 층의 개별 부분 층들은, 반투명 및/또는 투명 물질(또는 반투명한 및/또는 투명한 물질 혼합물)로 형성될 수 있다.
[0049] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 장벽 박막 층, 또는 (복수의 부분 층들을 포함하는 층 스택의 경우) 장벽 박막 층의 하나 또는 복수의 부분 층들은 하기의 물질들: 알루미늄 산화물, 아연 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물, 하프늄 산화물, 탄탈럼 산화물, 란타넘 산화물, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물(silicon oxynitride), 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 알루미늄-도핑된 아연 산화물, 및 그 혼합물들 및 그 합금들 중 하나를 포함할 수 있거나 또는 이들로 형성될 수 있다.
[0050] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 장벽 박막 층, 또는 (복수의 부분 층들을 포함하는 층 스택의 경우) 장벽 박막 층의 하나 또는 복수의 부분 층들은 하나 또는 복수의 고 굴절률 물질들, 다르게 말하면 고 굴절률, 예컨대 적어도 2의 굴절률을 갖는 하나 또는 복수의 물질들을 포함할 수 있다.
[0051] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 접착 층은 반투명한 및/또는 투명한 것으로서 구현될 수 있다.
[0052] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 접착 층은 1 ㎛을 초과하는 층 두께, 예컨대 수 ㎛의 층 두께를 가질 수 있다.
[0053] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 접착 층은 라미네이션 접착제를 포함할 수 있거나 또는 라미네이션 접착제일 수 있다.
[0054] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 접착 층은, 색 각도 왜곡 및 커플링-아웃 효율(coupling-out efficiency)의 개선을 유도할 수 있는 광-산란 입자들, 또는 물을 바인딩(binding)하기 위한 게터(getter), 예컨대 제올라이트(zeolite) 또는 칼슘 산화물을 포함할 수 있다.
[0055] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 제공되는 광-산란 입자들은 예컨대 유전체 산란 입자들, 이를테면 예컨대 금속 산화물들, 이를테면 예컨대 실리콘 산화물(SiO2), 아연 산화물(ZnO), 지르코늄 산화물(ZrO2), 인듐 주석 산화물(ITO) 또는 인듐 아연 산화물(IZO), 갈륨 산화물(Ga2Ox), 알루미늄 산화물, 또는 티타늄 산화물일 수 있다. 또한, 다른 입자들이 접착 층의 매트릭스, 예컨대 에어 버블들, 아크릴레이트(acrylate), 또는 중공 유리 비드(hollow glass bead)들의 유효 굴절률과 상이한 굴절률을 갖는다면, 이러한 다른 입자들이 적절할 수 있다. 또한, 예로서, 금속성 나노입자들, 즉 골드, 실버, 철 나노입자들과 같은 금속들 등등이 광-산란 입자들로서 제공될 수 있다.
[0056] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 접착 층 자체가 커버의 굴절률 미만의 굴절률을 갖는 방식으로, 접착 층이 설계될 수 있다. 이러한 접착 층은 예컨대 저 굴절률 접착제, 이를테면 예컨대 대략 1.3의 굴절률을 갖는 아크릴레이트일 수 있다.
[0057] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 접착 층은 예컨대 고 굴절률 접착제를 포함할 수 있고, 고 굴절률 접착제는 예컨대 고 굴절률의 비-산란 입자들을 포함하고, 그리고 예컨대 대략 1.7 내지 대략 2.0 범위 또는 그 초과의 전기 액티브 구역의 평균(mean) 굴절률에 대략 대응하는 평균 굴절률을 갖는다. 또한, 복수의 상이한 접착제들이 제공될 수 있고, 이러한 복수의 상이한 접착제들은 접착제 층 시퀀스를 형성한다.
[0058] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 접착 층은, 커버의 굴절률을 초과하고 전기 액티브 구역 및/또는 장벽 박막 층의 굴절률 미만의 굴절률을 가질 수 있다.
[0059] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 커버 및/또는 접착 층은 (예컨대, 633 ㎚의 파장에서) 1.55의 굴절률을 가질 수 있다.
[0060] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 커버는 유리 커버, 금속 커버 또는 플라스틱 커버로서 설계될 수 있다.
[0061] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 커버는 밀폐 불투과성인 것으로서, 예컨대 장벽 필름으로서 구현될 수 있다. 장벽 필름은, 예컨대 플라스틱 필름 상에 또는 그 위에 장벽 층을 갖는 그 플라스틱 필름으로서 구현될 수 있다.
[0062] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 노출된 접착 층은 전기 액티브 구역을 적어도 부분적으로 측면으로 둘러쌀 수 있다.
[0063] 다시 말해: 캡슐화부가 전기 액티브 구역을 적어도 부분적으로 측면으로 둘러싸는 방식으로, 접착 층 상에 또는 그 위에, 또는 접착 층 및 커버 상에 또는 그 위에 캡슐화부가 측면으로 형성될 수 있다.
[0064] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 전기 액티브 구역이 적어도 물 및/또는 산소에 대하여 밀폐 불투과성이 되는 방식으로, 커버, 캐리어 및 캡슐화부가 구현될 수 있다.
[0065] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 캡슐화부는 커버 및/또는 캐리어, 예컨대 밀폐 불투과성 커버 및/또는 밀폐 불투과성 캐리어에 대한 응집성 연결을 가질 수 있다.
[0066] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 캡슐화부는 밀폐 불투과성 물질을 포함할 수 있거나 또는 밀폐 불투과성 물질로 형성될 수 있다.
[0067] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 캡슐화부는 하기의 물질들: 금속, 금속 산화물, 세라믹 등등, 예컨대 유리 중 하나를 포함할 수 있거나 또는 이들로 형성될 수 있다.
[0068] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 캡슐화부는 무기 물질을 포함할 수 있거나 또는 무기 물질로 형성될 수 있다.
[0069] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 캡슐화부는 하기의 물질들: 유리, 석영 유리, 사파이어, 실리콘 카바이드(silicon carbide), 그래핀(graphene), 다이아몬드 등등 중 하나를 포함할 수 있거나 또는 이들로 형성될 수 있다.
[0070] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 캡슐화부, 또는 (복수의 부분 층들을 포함하는 층 스택의 경우) 캡슐화부의 하나 또는 복수의 부분 층들은, 하기의 물질들: 철, 스틸, 알루미늄, 구리, 실버, 골드, 팔라듐, 마그네슘, 티타늄, 백금, 니켈, 주석, 아연, 알루미늄 산화물, 아연 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물, 하프늄 산화물, 탄탈럼 산화물, 란타넘 산화물, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 알루미늄-도핑된 아연 산화물 등등 중 하나로 구성된 물질, 합금 또는 금속 산화물을 포함할 수 있거나 또는 이들로 형성될 수 있다.
[0071] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 캡슐화부는 유기 물질을 포함할 수 있거나 또는 유기 물질로 형성될 수 있다.
[0072] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 캡슐화부는 하기의 물질들: 폴리올레핀(polyolefin)들(예컨대, 고밀도 또는 저밀도 폴리에틸렌(PE:polyethylene) 또는 폴리프로필렌(PP:polypropylene)), 폴리비닐 염화물(PVC:polyvinyl chloride), 폴리스티렌(PS:polystyrene), 폴리에스테르, 폴리카보네이트(PC:polycarbonate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET:polyethylene terephthalate), 폴리에테르 설폰(PES:polyether sulfone), 폴리에틸렌 나프타레이트(PEN:polyethylene naphthalate), 폴리메틸 메타아크릴레이트(PMMA:polymethyl methacrylate), 폴리이미드(PI:polyimide), 폴리에테르 케톤(PEEK:polyether ketone)들, 폴리이미드(PI), 플루오린 유도체(fluorine derivative) 등등 중 하나를 포함할 수 있거나 또는 이들로 형성될 수 있다.
[0073] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 캡슐화부는 대략 0.1 ㎚(일 원자 층) 내지 대략 1 ㎜ 범위의 층 두께, 예컨대 대략 1 ㎛ 내지 대략 100 ㎛ 범위의 층 두께, 예컨대 대략 50 ㎛의 층 두께를 가질 수 있다.
[0074] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 캡슐화부는 복수의 부분 층들을 가질 수 있는데, 부분 층들 전부가 동일한 층 두께를 가질 수 있다.
[0075] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 캡슐화부의 개별 부분 층들은 상이한 층 두께들을 가질 수 있다. 다시 말해: 부분 층들 중 적어도 하나가, 하나 또는 복수의 다른 부분 층들과 상이한 층 두께를 가질 수 있다.
[0076] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 캡슐화부 또는 캡슐화부의 개별 부분 층들은 반투명 및/또는 투명 층으로서 구현될 수 있다.
[0077] 다시 말해: 캡슐화부 또는 캡슐화부의 개별 부분 층들은, 반투명 및/또는 투명 물질(또는 반투명한 및/또는 투명한 물질 혼합물)로 형성될 수 있다.
[0078] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 캡슐화부, 또는 (복수의 부분 층들을 포함하는 층 스택의 경우) 캡슐화부의 하나 또는 복수의 부분 층들은 하나 또는 복수의 고 굴절률 물질들, 다르게 말하면 고 굴절률, 예컨대 적어도 2의 굴절률을 갖는 하나 또는 복수의 물질들을 포함할 수 있다.
[0079] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 캡슐화부의 표면은, 예컨대 연잎 효과(lotus effect)를 형성하기 위하여 구조화될 수 있는데, 예컨대 나노러프니스(nanoroughness) 및/또는 마이크로러프니스를 가질 수 있다.
[0080] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 캡슐화부는 장벽 박막 층과 유사하게 또는 동일하게 설계될 수 있다.
[0081] 다시 말해: 캡슐화부는 장벽 박막 층의 구성들 중 하나와 유사하게 또는 동일하게 설계될 수 있다.
[0082] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 캡슐화부의 물질 또는 물질 혼합물은 장벽 박막 층의 물질 또는 물질 혼합물과 유사하게 또는 동일하게 구현될 수 있다.
[0083] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 접착 층은, 장벽 박막 층을 적어도 물 및/또는 산소에 대하여, 예컨대 장벽 박막 층에 있는 확산 채널들에 대하여 밀봉시키기 위해 설계될 수 있다. 예컨대, 접착 층이 없는 경우, 즉 공기 중에 장벽 박막 층이 있는 경우에 대하여 장벽 박막 층을 향하는 물 및/또는 산소의 확산율이 감소된다는 의미에서, 접착 층은 장벽 박막 층을 밀봉시킨다. 다시 말해: 물 및/또는 산소가 장벽 박막 층에 도달하기 위한 시간 기간이 증가된다는 의미에서, 접착 층은 장벽 박막 층을 밀봉시킨다.
[0084] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 캡슐화부는, 노출된 접착 층을 적어도 물 및/또는 산소에 대하여, 예컨대 접착 층에 있는 확산 채널들에 대하여 밀봉시키기 위해 설계될 수 있다.
[0085] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 물 및/또는 산소의 확산에 대하여, 캡슐화부의 투과성이 접착 층의 측면 투과성보다 더 낮도록, 캡슐화부가 구현될 수 있다.
[0086] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 적어도 물에 대한 캡슐화부의 확산율은 적어도 물에 대한 접착 층의 측면 확산율보다 더 낮을 수 있다.
[0087] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 적어도 물에 대한 캡슐화부의 확산율은 적어도 물에 대한 접착 층의 측면 확산율보다 적어도 대략 10배만큼 더 낮을 수 있다.
[0088] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 캡슐화부를 통한 확산율은 대략 10-1 g/(m2d) 미만, 예컨대 대략 10-2 g/(m2d) 미만, 예컨대 대략 10-3 g/(m2d) 미만, 예컨대 대략 10-6 g/(m2d) 내지 대략 10-10 g/(m2d) 범위일 수 있다.
[0089] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 캡슐화부는 노출된 접착 층을 측면으로 완전히 둘러쌀 수 있다.
[0090] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 캡슐화부는 연속적인 형상을 가질 수 있다.
[0091] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 연속적인 형상은 기하학적 링과 유사하거나 또는 동일한 기하학적 형상, 예컨대 타원, 원, 삼각형, 사각형(quadrilateral) 또는 다각형의 기하학적 형상을 포함할 수 있다. 이 경우, 연속적인 형상은 단면도에서 폐쇄형 기하학적 형상에 관련된다.
[0092] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 접착 층은 전기 액티브 구역과 전기 접촉하기 위한 적어도 하나의 전기 피드스루를 가질 수 있다.
[0093] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 캐리어는 전기 액티브 구역과 전기 접촉하기 위한 적어도 하나의 전기 피드스루를 가질 수 있다.
[0094] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 장벽 박막 층은 전기 액티브 구역에 응집성 있게 연결될 수 있다.
[0095] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 전기 액티브 구역은 적어도 하나의 유기 기능 층 시스템, 제1 전극, 및 적어도 하나의 제2 전극을 가질 수 있는데, 유기 기능 층 시스템이 제1 전극과 제2 전극 사이에 형성되고, 전극들은 유기 기능 층 시스템과 전기 접촉하기 위해 설계된다.
[0096] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 예컨대 커버가 예컨대 접착 층에 의해 전기 액티브 구역 상에 또는 그 위에 배열되고, 커버가 캐리어 주위에서 적어도 부분적으로 폴딩(folding)되고 예컨대 광전자 컴포넌트의 후면에서 예컨대 접착 층에 의해 캐리어에 밀접하게(closely) 연결됨으로써, 커버가 전기 액티브 구역 및 캐리어를 둘러싸는 방식으로, 커버가 구현될 수 있다. 다시 말해: 다양한 구성들에서, 노출된 접착 층은 광전자 컴포넌트의 적어도 하나의 측면 표면(side surface)들 및/또는 후면(rear side) 상에 배열될 수 있다. 다양한 구성들에서, 광전자 컴포넌트의 후면이 또한 캐리어의 후면으로서 표시될 수 있는데, 전기 액티브 구역이 캐리어의 전면(front side) 상에서 형성된다.
[0097] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 캡슐화부가 노출된 접착 층 상에 또는 그 위에, 그리고 적어도 부분적으로는 커버 상에 또는 그 위에 형성될 수 있는데, 예컨대 캡슐화부가 커버를 적어도 부분적으로 둘러쌈으로써, 적어도 물 및/또는 산소에 대하여, 노출된 접착 층과 커버의 연결을 예컨대 밀폐 밀봉시킬 수 있다.
[0098] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 커버는 캐리어의 후면 상에서 구조화될 수 있다.
[0099] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 캐리어의 후면 상의 커버는 적어도 부분적으로 겹칠 수 있다.
[0100] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 커버의 겹쳐진 구역들이 포지티브 록킹식으로 그리고/또는 힘-록킹식으로 서로 연결되는 방식으로, 예컨대 상호 보완적으로 예컨대 잘 맞물리는 방식으로, 커버의 겹쳐진 구역들이 구조화될 수 있다.
[0101] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 광전자 컴포넌트는 또한, 전기 액티브 구역과 접착 층 사이에 배열되는 스크래치 방지 보호 층(anti-scratch protective layer)을 포함할 수 있다.
[0102] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 스크래치 방지 보호 층은, 접착 층의 평균 굴절률을 초과하는 평균 굴절률을 가질 수 있다.
[0103] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 스크래치 방지 보호 층은, 매트릭스 및 그 안에 분산된 산란 센터들로서 구현될 수 있다.
[0104] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 스크래치 방지 보호 층은 광학 필터로서 구현될 수 있다.
[0105] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 스크래치 방지 보호 층은 광학 렌즈로서 구현될 수 있다.
[0106] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 스크래치 방지 보호 층은 게터를 포함할 수 있다.
[0107] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 전기 액티브 구역과 전기 접촉하기 위한 적어도 하나의 전기 피드스루가 커버를 통해 또는 커버 옆에 형성되는 방식으로, 커버가 구조화될 수 있다.
[0108] 다른 구성에서, 커버를 통한 전기 피드스루들은 전기 전도성 재료로 밀폐 밀봉될 수 있다.
[0109] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 광전자 컴포넌트는 유기 광전자 컴포넌트, 예컨대 유기 솔라 셀, 유기 센서 또는 유기 발광 다이오드로서 설계될 수 있다.
[0110] 다양한 실시예들에서, 광전자 컴포넌트를 제조하기 위한 방법이 제공되고, 방법은: 캐리어 상에 또는 그 위에 평면의 전기 액티브 구역을 제공하는 단계; 전기 액티브 구역 상에 또는 그 위에 접착 층을 형성하는 단계 ―접착 층은 전기 액티브 구역을 적어도 부분적으로 둘러쌈―; 접착 층 상에 또는 그 위에 커버를 형성하는 단계 ―접착 층의 일부가 노출됨―; 및 노출된 접착 층 상에 또는 그 위에 캡슐화부를 형성하는 단계를 포함한다.
[0111] 방법의 일 구성에서, 방법은, 예컨대 접착 층을 전기 액티브 구역 상에 또는 그 위에 형성하기 이전에, 예컨대 장벽 박막 층이 전기 액티브 구역 상에 또는 그 위에 형성됨으로써, 전기 액티브 구역 상에 또는 그 위에 장벽 박막 층을 형성하는 단계 ―이 장벽 박막 층은 예컨대 전기 액티브 구역과 물리적 접촉하는데, 예컨대 물 및/또는 산소에 대하여 전기 액티브 구역을 밀폐 밀봉시킴― 를 또한 포함할 수 있다.
[0112] 방법의 일 구성에서, 장벽 박막 층은 하기의 물질들: 금속, 금속 산화물, 세라믹 중 하나를 포함할 수 있거나 또는 이들로 형성될 수 있다.
[0113] 방법의 일 구성에서, 장벽 박막 층은 대략 0.1 ㎚(일 원자 층) 내지 대략 1000 ㎚ 범위, 예컨대 대략 10 ㎚ 내지 대략 100 ㎚ 범위, 예컨대 대략 40 ㎚ 범위의 층 두께를 갖게 구현될 수 있다.
[0114] 방법의 일 구성에서, 장벽 박막 층은 복수의 부분 층들로 형성될 수 있는데, 부분 층들 전부가 동일한 층 두께를 가질 수 있다.
[0115] 방법의 일 구성에서, 장벽 박막 층의 개별 부분 층들은 상이한 층 두께들을 가질 수 있다. 다시 말해, 부분 층들 중 적어도 하나가, 하나 또는 복수의 다른 부분 층들과 상이한 층 두께를 가질 수 있다.
[0116] 방법의 일 구성에서, 장벽 박막 층, 또는 장벽 박막 층의 개별 부분 층들은, 반투명 및/또는 투명 층으로서 구현될 수 있다. 다시 말해: 장벽 박막 층, 또는 장벽 박막 층의 개별 부분 층들은, 반투명 및/또는 투명 물질(또는 반투명한 및/또는 투명한 물질 혼합물)로 형성될 수 있다.
[0117] 방법의 일 구성에서, 장벽 박막 층, 또는 (복수의 부분 층들을 포함하는 층 스택의 경우) 장벽 박막 층의 하나 또는 복수의 부분 층들은 하기의 물질들: 알루미늄 산화물, 아연 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물, 하프늄 산화물, 탄탈럼 산화물, 란타넘 산화물, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 알루미늄-도핑된 아연 산화물, 및 그 혼합물들 및 그 합금들 중 하나를 포함할 수 있거나 또는 이들로 형성될 수 있다.
[0118] 방법의 일 구성에서, 장벽 박막 층, 또는 (복수의 부분 층들을 포함하는 층 스택의 경우) 장벽 박막 층의 하나 또는 복수의 부분 층들은 하나 또는 복수의 고 굴절률 물질들, 다르게 말하면 고 굴절률, 예컨대 적어도 2의 굴절률을 갖는 하나 또는 복수의 물질들을 포함할 수 있다.
[0119] 방법의 일 구성에서, 접착 층은 반투명한 및/또는 투명한 것으로서 구현될 수 있다.
[0120] 방법의 일 구성에서, 접착 층은 대략 1 ㎛을 초과하는 층 두께, 예컨대 수 ㎛의 층 두께를 갖게 구현될 수 있다.
[0121] 방법의 일 구성에서, 접착 층은 라미네이션 접착제를 포함할 수 있거나 또는 라미네이션 접착제일 수 있다.
[0122] 방법의 일 구성에서, 접착 층은 광-산란 입자들을 갖게 형성될 수 있거나 ― 이 입자들은, 색 각도 왜곡 및 커플링-아웃 효율의 개선을 유도할 수 있음―, 또는 예컨대 물 및/또는 산소를 바인딩하기 위해 설계되는 게터 입자들, 예컨대 제올라이트 또는 칼슘 산화물을 포함할 수 있다.
[0123] 방법의 일 구성에서, 제공되는 광-산란 입자들은 예컨대 유전체 산란 입자들, 이를테면 예컨대 금속 산화물들, 이를테면 예컨대 실리콘 산화물(SiO2), 아연 산화물(ZnO), 지르코늄 산화물(ZrO2), 인듐 주석 산화물(ITO) 또는 인듐 아연 산화물(IZO) 갈륨 산화물(Ga2Ox), 알루미늄 산화물, 또는 티타늄 산화물일 수 있다. 또한, 다른 입자들이 접착 층의 매트릭스, 예컨대 에어 버블들, 아크릴레이트, 또는 중공 유리 비드들의 유효 굴절률과 상이한 굴절률을 갖는다면, 이러한 다른 입자들이 적절할 수 있다. 또한, 예로서, 금속성 나노입자들, 즉 골드, 실버, 철 나노입자들과 같은 금속들 등등이 광-산란 입자들로서 제공될 수 있다.
[0124] 방법의 일 구성에서, 접착 층 자체가 커버의 굴절률 미만의 굴절률을 갖는 방식으로, 접착 층이 설계될 수 있다. 이러한 접착 층은 예컨대 저 굴절률 접착제, 이를테면 예컨대 대략 1.3의 굴절률을 갖는 아크릴레이트일 수 있다.
[0125] 방법의 일 구성에서, 접착 층은 예컨대 고 굴절률 접착제로 형성될 수 있고, 고 굴절률 접착제는 예컨대 고 굴절률의 비-산란 입자들을 포함하고, 그리고 예컨대 대략 1.7 내지 대략 2.0 범위 또는 그 초과의 전기 액티브 구역의 평균 굴절률에 대략 대응하는 평균 굴절률을 갖는다. 또한, 복수의 상이한 접착제들이 제공될 수 있고, 이러한 복수의 상이한 접착제들은 접착제 층 시퀀스를 형성한다.
[0126] 방법의 일 구성에서, 커버 및/또는 접착 층은 (예컨대, 633 ㎚의 파장에서) 1.55의 굴절률을 가질 수 있다.
[0127] 방법의 일 구성에서, 커버는 유리 커버, 금속 커버 또는 플라스틱 커버로서 설계될 수 있다.
[0128] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 커버는 밀폐 불투과성인 것으로서, 예컨대 장벽 필름으로서 구현될 수 있다. 장벽 필름은, 예컨대 플라스틱 필름 상에 또는 그 위에 장벽 층을 갖는 그 플라스틱 필름으로서 구현될 수 있다.
[0129] 방법의 일 구성에서, 노출된 접착 층 상에 또는 그 위에 커버를 형성하는 프로세스 이후에, 캡슐화부가 형성될 수 있다.
[0130] 방법의 일 구성에서, 캡슐화부를 형성하는 프로세스 이후에, 커버가 형성될 수 있다.
[0131] 방법의 일 구성에서, 접착 층을 형성하는 프로세스 이후에, 캡슐화부가 형성될 수 있다.
[0132] 방법의 일 구성에서, 전기 액티브 구역이 적어도 물 및/또는 산소에 대하여 밀폐 밀봉되는 방식으로, 커버, 캐리어 및 캡슐화부가 설계 또는 형성될 수 있다.
[0133] 다시 말해: 캡슐화부가 접착 층 상에 또는 그 위에, 또는 접착 층 및 커버 상에 또는 그 위에 측면으로 형성될 수 있고, 따라서 캐리어, 커버 및 캡슐화부가 전기 액티브 구역을 둘러싼다.
[0134] 방법의 일 구성에서, 캡슐화부는 커버 및/또는 캐리어, 예컨대 밀폐 불투과성 커버 및/또는 밀폐 불투과성 캐리어에 응집성 있게 연결될 수 있다.
[0135] 방법의 일 구성에서, 캡슐화부는 성형 가능한 상태로 접착 층의 측면 표면들에 적용될 수 있다. 적용 이후, 캡슐화부는 응고될 수 있다. 응고 이후, 캡슐화부는 치수 안정한 상태를 가질 수 있다.
[0136] 일 구성에서, 캡슐화부를 형성하는 프로세스 동안의 온도는 대략 150℃ 미만, 예컨대 대략 120℃ 미만, 예컨대 대략 90℃ 내지 대략 100℃의 온도 범위일 수 있다.
[0137] 일 구성에서, 캡슐화부는 예컨대 페이스트, 겔, 용액(solution), 서스펜션(suspension) 또는 디스퍼전(dispersion)으로부터 습식-화학적으로 형성될 수 있다.
[0138] 일 구성에서, 캡슐화부는 접착제와 유사하게 또는 동일하게 설계 및/또는 적용될 수 있다.
[0139] 방법의 일 구성에서, 캡슐화부는 밀폐 불투과성 물질을 포함할 수 있거나 또는 밀폐 불투과성 물질로 형성될 수 있다.
[0140] 방법의 일 구성에서, 캡슐화부는 하기의 물질들: 금속, 금속 산화물, 세라믹 등등, 예컨대 유리 중 하나를 포함할 수 있거나 또는 이들로 형성될 수 있다.
[0141] 방법의 일 구성에서, 캡슐화부는 무기 물질을 포함할 수 있거나 또는 무기 물질로 형성될 수 있다.
[0142] 방법의 일 구성에서, 캡슐화부는 하기의 물질들: 유리, 석영 유리, 사파이어, 실리콘 카바이드, 그래핀, 다이아몬드 등등 중 하나를 포함할 수 있거나 또는 이들로 형성될 수 있다.
[0143] 방법의 일 구성에서, 캡슐화부, 또는 (복수의 부분 층들을 포함하는 층 스택의 경우) 캡슐화부의 하나 또는 복수의 부분 층들은, 하기의 물질들: 철, 스틸, 알루미늄, 구리, 실버, 골드, 팔라듐, 마그네슘, 티타늄, 백금, 니켈, 주석, 아연, 알루미늄 산화물, 아연 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물, 하프늄 산화물, 탄탈럼 산화물, 란타넘 산화물, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 알루미늄-도핑된 아연 산화물 등등 중 하나로 구성된 물질, 합금 또는 금속 산화물을 포함할 수 있거나 또는 이들로 형성될 수 있다.
[0144] 광전자 컴포넌트의 일 구성에서, 캡슐화부는 유기 물질을 포함할 수 있거나 또는 유기 물질로 형성될 수 있다.
[0145] 방법의 일 구성에서, 캡슐화부는 하기의 물질들: 폴리올레핀들(예컨대, 고밀도 또는 저밀도 폴리에틸렌(PE) 또는 폴리프로필렌(PP)), 폴리비닐 염화물(PVC), 폴리스티렌(PS), 폴리에스테르, 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에테르 설폰(PES), 폴리에틸렌 나프타레이트(PEN), 폴리메틸 메타아크릴레이트(PMMA), 폴리이미드(PI), 폴리에테르 케톤(PEEK)들, 폴리이미드(PI), 플루오린 유도체 등등 중 하나를 포함할 수 있거나 또는 이들로 형성될 수 있다.
[0146] 방법의 일 구성에서, 캡슐화부는 대략 0.1 ㎚(일 원자 층) 내지 대략 1 ㎜ 범위의 층 두께, 예컨대 대략 10 ㎛ 내지 대략 100 ㎛ 범위의 층 두께, 예컨대 대략 50 ㎛ 범위의 층 두께를 갖게 구현될 수 있다.
[0147] 방법의 일 구성에서, 캡슐화부는 복수의 부분 층들로 형성될 수 있는데, 부분 층들 전부가 동일한 층 두께를 가질 수 있다.
[0148] 방법의 일 구성에서, 캡슐화부의 개별 부분 층들은 상이한 층 두께들을 갖게 구현될 수 있다. 다시 말해: 부분 층들 중 적어도 하나가, 하나 또는 복수의 다른 부분 층들과 상이한 층 두께를 가질 수 있다.
[0149] 방법의 일 구성에서, 캡슐화부 또는 캡슐화부의 개별 부분 층들은 반투명 및/또는 투명 층으로서 구현될 수 있다.
[0150] 다시 말해: 캡슐화부 또는 캡슐화부의 개별 부분 층들은, 반투명 및/또는 투명 물질(또는 반투명한 및/또는 투명한 물질 혼합물)로 형성될 수 있다.
[0151] 방법의 일 구성에서, 캡슐화부, 또는 (복수의 부분 층들을 포함하는 층 스택의 경우) 캡슐화부의 하나 또는 복수의 부분 층들은 하나 또는 복수의 고 굴절률 물질들, 다르게 말하면 고 굴절률, 예컨대 적어도 2의 굴절률을 갖는 하나 또는 복수의 물질들을 포함할 수 있거나 또는 이들로 형성될 수 있다.
[0152] 방법의 일 구성에서, 캡슐화부의 표면은, 예컨대 연잎 효과를 형성하기 위하여 구조화될 수 있는데, 예컨대 나노러프니스 및/또는 마이크로러프니스가 형성될 수 있다.
[0153] 방법의 일 구성에서, 캡슐화부는 전기 비-전도성일 수 있거나, 또는 전기 비-전도성 표면들을 가질 수 있다. 그 결과, 캡슐화부에 의해 어떠한 전기 단락도 발생할 수 없다.
[0154] 방법의 일 구성에서, 캡슐화부는 장벽 박막 층과 유사하게 또는 동일하게 형성될 수 있다.
[0155] 방법의 일 구성에서, 캡슐화부의 물질 또는 물질 혼합물은 장벽 박막 층의 물질 또는 물질 혼합물과 유사하게 또는 동일하게 설계될 수 있다.
[0156] 방법의 일 구성에서, 장벽 박막 층이 적어도 물 및/또는 산소에 대하여, 특히 장벽 박막 층에 있는 확산 채널들에 대하여 밀봉되는 방식으로, 접착 층이 형성될 수 있다. 예컨대, 접착 층이 없는 경우, 즉 공기 중에 장벽 박막 층이 있는 경우에 대하여, 장벽 박막 층과 물리적 접촉을 갖는 층의 물 및/또는 산소의 확산율이 감소된다는 의미에서, 접착 층은 장벽 박막 층을 밀봉시킨다. 다시 말해: 물 및/또는 산소가 장벽 박막 층에 도달하기 위한 시간 기간이 증가된다는 의미에서, 접착 층은 장벽 박막 층을 밀봉시킨다.
[0157] 방법의 일 구성에서, 접착 층이 적어도 물 및/또는 산소에 대하여, 특히 접착 층에 있는 확산 채널들에 대하여 밀봉되는 방식으로, 캡슐화부가 형성될 수 있다.
[0158] 방법의 일 구성에서, 물 및/또는 산소의 확산에 대한 캡슐화부의 투과성이 접착 층의 측면 투과성보다 더 낮은 방식으로, 캡슐화부가 형성될 수 있다.
[0159] 방법의 일 구성에서, 적어도 물에 대한 캡슐화부의 확산율이 적어도 물에 대한 접착 층의 측면 확산율보다 더 낮은 방식으로, 캡슐화부가 형성될 수 있다.
[0160] 방법의 일 구성에서, 적어도 물에 대한 캡슐화부의 확산율은 적어도 물에 대한 접착 층의 측면 확산율보다 적어도 대략 10배만큼 더 낮을 수 있다.
[0161] 방법의 일 구성에서, 캡슐화부를 통한 확산율은 대략 10-1 g/(m2d) 미만, 예컨대 대략 10-2 g/(m2d) 미만, 예컨대 대략 10-3 g/(m2d) 미만, 예컨대 대략 10-6 g/(m2d) 내지 대략 10-10 g/(m2d) 범위일 수 있다.
[0162] 방법의 일 구성에서, 캡슐화부가 접착 층을 측면으로 완전히 둘러싸는 방식으로, 캡슐화부가 형성될 수 있다.
[0163] 방법의 일 구성에서, 캡슐화부는 연속적인 형상으로 형성될 수 있다.
[0164] 방법의 일 구성에서, 연속적인 형상은 기하학적 링과 유사하거나 또는 동일한 기하학적 형상, 예컨대 타원, 원, 삼각형, 사각형 또는 다각형의 기하학적 형상을 포함할 수 있다. 이 경우, 연속적인 형상은 단면도에서 폐쇄형 기하학적 형상에 관련된다.
[0165] 방법의 일 구성에서, 방법은 캡슐화부에 적어도 하나의 전기 피드스루를 형성하는 단계를 또한 포함할 수 있는데, 전기 피드스루는 전기 액티브 구역과 전기 접촉하기 위해 설계된다.
[0166] 방법의 일 구성에서, 캡슐화부에 전기 피드스루를 형성하는 단계는, 캡슐화부 아래에 콘택 패드를 노출시키는 단계를 포함할 수 있다.
[0167] 방법의 일 구성에서, 방법은 접착 층에 적어도 하나의 전기 피드스루를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있는데, 전기 피드스루는 전기 액티브 구역과 전기 접촉하기 위해 설계된다.
[0168] 방법의 일 구성에서, 방법은 캐리어에 적어도 하나의 전기 피드스루를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있는데, 전기 피드스루는 전기 액티브 구역과 전기 접촉하기 위해 설계된다.
[0169] 방법의 일 구성에서, 예컨대 복수의 전자 컴포넌트들이 평면으로 하나가 다른 하나 위에 놓이는 식으로 적층됨으로써, 캡슐화부가 복수의 전자 컴포넌트들 상에 동시에 형성될 수 있다. 그 결과, 예컨대 캡슐화부가 반투명한 및/또는 투명한 것이 아니지만, 접착 층 및 캡슐화부가 반투명한 및/또는 투명한 것으로서 구현되도록 의도된다면, 커버 상에 또는 그 위에 캡슐화부를 형성하기에 앞서 전자 컴포넌트들의 평면 표면을 방지하는 것이 동시에 가능하다.
[0170] 방법의 일 구성에서, 장벽 박막 층은 전기 액티브 구역에 응집성 있게 연결될 수 있다.
[0171] 방법의 일 구성에서, 전기 액티브 구역은 적어도 하나의 유기 기능 층 시스템, 적어도 하나의 제1 전극, 및 적어도 하나의 제2 전극을 가질 수 있는데, 유기 기능 층 시스템이 제1 전극과 제2 전극 사이에 형성되고, 전극들은 유기 기능 층 시스템과 전기 접촉하기 위해 설계된다.
[0172] 방법의 일 구성에서, 예컨대 커버가 예컨대 접착 층에 의해 전기 액티브 구역 상에 또는 그 위에 배열되고, 커버가 캐리어 주위에서 적어도 부분적으로 폴딩되고 예컨대 광전자 컴포넌트의 후면에서 접착 층에 의해 캐리어에 밀접하게 연결됨으로써, 커버가 전기 액티브 구역 및 캐리어를 둘러싸는 방식으로, 커버가 구현될 수 있다. 다시 말해: 다양한 구성들에서, 노출된 접착 층은 광전자 컴포넌트의 적어도 하나의 측면 표면들 및/또는 후면 상에 배열될 수 있다.
[0173] 방법의 일 구성에서, 캡슐화부가 노출된 접착 층 상에 또는 그 위에, 그리고 적어도 부분적으로는 커버 상에 또는 그 위에 형성될 수 있는데, 예컨대 캡슐화부가 커버를 적어도 부분적으로 둘러쌈으로써, 적어도 물 및/또는 산소에 대하여, 노출된 접착 층과 커버의 연결을 예컨대 밀폐 밀봉시킬 수 있다.
[0174] 방법의 일 구성에서, 커버의 구역들이 캐리어의 후면 상에서 구조화될 수 있다.
[0175] 방법의 일 구성에서, 캐리어의 후면 상의 커버는 적어도 부분적으로 겹쳐지게 배열될 수 있다.
[0176] 방법의 일 구성에서, 커버의 겹쳐진 구역들이 포지티브 록킹식으로 그리고/또는 힘-록킹식으로 서로 연결되는 방식으로, 예컨대 상호 보완적으로 예컨대 잘 맞물리는 방식으로, 커버의 겹쳐진 구역들이 구조화될 수 있다.
[0177] 방법의 일 구성에서, 또한, 전기 액티브 구역과 접착 층 사이에 스크래치 방지 보호 층이 형성될 수 있다.
[0178] 방법의 일 구성에서, 스크래치 방지 보호 층이 접착 층의 평균 굴절률을 초과하는 평균 굴절률을 갖는 방식으로, 스크래치 방지 보호 층이 형성될 수 있다.
[0179] 방법의 일 구성에서, 스크래치 방지 보호 층은, 매트릭스 및 그 안에 분산된 산란 센터들로서 구현될 수 있다.
[0180] 방법의 일 구성에서, 스크래치 방지 보호 층은 광학 필터로서 구현될 수 있다.
[0181] 방법의 일 구성에서, 스크래치 방지 보호 층은 광학 렌즈로서 구현될 수 있다.
[0182] 방법의 일 구성에서, 스크래치 방지 보호 층은 게터를 포함할 수 있다.
[0183] 방법의 일 구성에서, 전기 액티브 구역과 전기 접촉하기 위한 적어도 하나의 전기 피드스루가 커버를 통해 또는 커버 옆에 형성되는 방식으로, 커버가 구조화될 수 있다.
[0184] 다른 구성에서, 커버를 통한 전기 피드스루들은 전기 전도성 재료로 밀폐 밀봉될 수 있다.
[0185] 방법의 일 구성에서, 광전자 컴포넌트는 유기 광전자 컴포넌트, 예컨대 유기 솔라 셀, 유기 센서 또는 유기 발광 다이오드로서 구현될 수 있다.
[0186] 본 발명의 실시예들이 도면들에서 예시되고, 아래에서 더욱 상세히 설명된다.
도면들에서:
[0187] 도 1은 다양한 실시예들에 따라, 광전자 컴포넌트의 개략적 단면도를 도시한다.
[0188] 도 2a, 도 2b는 다양한 실시예들에 따라, 광전자 컴포넌트의 개략적 단면도들을 도시한다.
[0189] 도 3은 다양한 구성들에 따라, 광전자 컴포넌트를 제조하기 위한 일 방법의 도면을 도시한다.
[0190] 도 4a, 도 4b는 다양한 구성들에 따라, 광전자 컴포넌트를 제조하기 위한 방법에서, 광전자 컴포넌트의 개략적 단면도들을 도시한다.
[0191] 도 5a-도 5c는 다양한 구성들에 따라, 광전자 컴포넌트를 제조하기 위한 방법에서, 광전자 컴포넌트의 개략적 단면도들을 도시한다.
[0192] 도 6은 다양한 실시예들에 따라, 광전자 컴포넌트의 개략적 단면도를 도시한다.
[0193] 도 7a, 도 7b는 다양한 구성들에 따라, 광전자 컴포넌트들의 개략적 단면도들을 도시한다.
[0187] 도 1은 다양한 실시예들에 따라, 광전자 컴포넌트의 개략적 단면도를 도시한다.
[0188] 도 2a, 도 2b는 다양한 실시예들에 따라, 광전자 컴포넌트의 개략적 단면도들을 도시한다.
[0189] 도 3은 다양한 구성들에 따라, 광전자 컴포넌트를 제조하기 위한 일 방법의 도면을 도시한다.
[0190] 도 4a, 도 4b는 다양한 구성들에 따라, 광전자 컴포넌트를 제조하기 위한 방법에서, 광전자 컴포넌트의 개략적 단면도들을 도시한다.
[0191] 도 5a-도 5c는 다양한 구성들에 따라, 광전자 컴포넌트를 제조하기 위한 방법에서, 광전자 컴포넌트의 개략적 단면도들을 도시한다.
[0192] 도 6은 다양한 실시예들에 따라, 광전자 컴포넌트의 개략적 단면도를 도시한다.
[0193] 도 7a, 도 7b는 다양한 구성들에 따라, 광전자 컴포넌트들의 개략적 단면도들을 도시한다.
[0194] 하기의 상세한 설명에서는, 첨부된 도면들이 참조되고, 도면들은 본 설명의 일부를 형성하고, 예시 목적들을 위해, 본 발명이 구현될 수 있는 특정 실시예들을 도시한다. 이와 관련하여, 방향 용어, 이를테면 예컨대 "상단에", "하단에", "앞에", "뒤에", "앞", "뒤" 등등이 설명된 도면(들)의 방위에 대하여 사용된다. 실시예들의 컴포넌트 부분들이 다수의 상이한 방위들로 포지셔닝될 수 있기 때문에, 방향 용어는 예시를 위해 제공되고, 그리고 어떠한 방식으로도 전혀 제약적이지 않다. 다른 실시예들이 사용될 수 있고, 본 발명의 보호 범위로부터 벗어남 없이, 구조적 또는 논리적 변화들이 이루어질 수 있음은 말할 필요도 없다. 구체적으로 그렇지 않다고 표시되지 않는 한, 본원에 설명된 다양한 실시예들의 피처들이 서로 결합될 수 있음은 말할 필요도 없다. 그러므로, 하기의 상세한 설명은 제한적 의미로 해석되어서는 안되며, 본 발명의 보호 범위는 첨부된 청구항들에 의해 정의된다.
[0195] 본 설명의 맥락에서, 용어들 "연결된" 및 "커플링된"은, 직접 및 간접 연결 그리고 직접 또는 간접 커플링 둘 다를 설명하는데 사용된다. 도면들에서, 이것이 편리한 한, 동일하거나 또는 유사한 엘리먼트들에는 동일한 참조 부호들이 제공된다.
[0196] 도 1은 다양한 실시예들에 따라, 광전자 컴포넌트의 개략적 단면도를 도시한다.
[0197] 광전자 컴포넌트(100), 예컨대 전자기 방사선을 제공하는 전자 컴포넌트(100), 예컨대 유기 발광 다이오드(100) 형태의 예컨대 발광 컴포넌트(100)는 캐리어(102)를 가질 수 있다. 예컨대, 캐리어(102)는 전자 엘리먼트들 또는 층들, 예컨대 발광 엘리먼트들에 대한 캐리어 엘리먼트로서의 역할을 할 수 있다. 예로서, 캐리어(102)는 유리, 석영 및/또는 반도체 재료 또는 임의의 다른 적절한 물질을 포함할 수 있거나 또는 이들로 형성될 수 있다. 또한, 캐리어(102)는 플라스틱 필름, 또는 하나 또는 복수의 플라스틱 필름들을 포함하는 라미네이트를 포함할 수 있거나 또는 이들로 형성될 수 있다. 플라스틱은 하나 또는 그 초과의 폴리올레핀들(예컨대, 고밀도 또는 저밀도 폴리에틸렌(PE) 또는 폴리프로필렌(PP))을 포함할 수 있거나 또는 이들로 형성될 수 있다. 또한, 플라스틱은 폴리비닐 염화물(PVC), 폴리스티렌(PS), 폴리에스테르 및/또는 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에테르설폰(PES) 및/또는 폴리에틸렌 나프타레이트(PEN)를 포함할 수 있거나 또는 이들로 형성될 수 있다. 캐리어(102)는 위에서 언급된 물질들 중 하나 또는 그 초과를 포함할 수 있다. 캐리어(102)는 금속 또는 금속 화합물, 예컨대 구리, 실버, 골드, 백금 등등을 포함할 수 있거나 또는 이들로 형성될 수 있다. 또한, 금속 또는 금속 화합물을 포함하는 캐리어(102)가 금속 필름 또는 금속-코팅된 필름으로서 구현될 수 있다. 캐리어(102)는 반투명한 또는 심지어 투명한 것으로서 구현될 수 있다.
[0198] 다양한 실시예들에서, 용어 "반투명" 또는 "반투명 층"은, 층이 광, 예컨대 하나 또는 그 초과의 파장 범위들에서 예컨대 발광 컴포넌트에 의해 생성된 광, 예컨대 가시광의 파장 범위의 광(예컨대, 적어도, 380 ㎚ 내지 780 ㎚ 파장 범위 중 부분 범위의 광)을 투과시킴을 의미하는 것으로 이해될 수 있다. 예로서, 다양한 실시예들에서, 용어 "반투명 층"은, 구조물(예컨대, 층)로 커플링 인(coupling in)되는 광의 실질적으로 전체 양이 또한 구조물(예컨대, 층)로부터 커플링 아웃(coupling out)됨 ―이 경우 광의 일부가 산란될 수 있음― 을 의미하는 것으로 이해되어야 한다.
[0199] 다양한 실시예들에서, 용어 "투명" 또는 "투명 층"은, 층이 광(예컨대, 적어도, 380 ㎚ 내지 780 ㎚ 파장 범위 중 부분 범위의 광)을 투과시키는데, 실질적으로 산란 또는 광 변환 없이, 구조물(예컨대, 층)로 커플링 인되는 광이 또한 구조물(예컨대, 층)로부터 커플링 아웃됨을 의미하는 것으로 이해될 수 있다. 결과적으로, 다양한 실시예들에서, "투명"은 "반투명"의 특별한 경우로서 여겨져야 한다.
[0200] 예컨대, 발광하는 단색의 또는 방출 스펙트럼-제한된 전자 컴포넌트가 제공되도록 의도되는 경우에 대해, 광학 반투명 층 구조물이 적어도, 원하는 단색광의 파장 범위 중 부분 범위에서, 또는 제한된 방출 스펙트럼에 대해, 반투명하다면 충분하다.
[0201] 다양한 실시예들에서, 유기 발광 다이오드(100)(그렇지 않으면, 위에서 설명되었거나 또는 아래에서 설명될 실시예들에 따른 발광 컴포넌트들)는 소위 상하단 에미터로서 설계될 수 있다. 또한, 상단 및/또는 하단 에미터는 광학 투명 컴포넌트, 예컨대 투명 유기 발광 다이오드로서 표시될 수 있다.
[0202] 다양한 실시예들에서, 장벽 층(104)이 캐리어(102) 상에 또는 그 위에 선택적으로 배열될 수 있다. 장벽 층(104)은 하기의 재료들: 알루미늄 산화물, 아연 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물, 하프늄 산화물, 탄탈럼 산화물, 란타넘 산화물, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 알루미늄-도핑된 아연 산화물, 및 그 혼합물들 및 그 합금들 중 하나 또는 그 초과를 포함할 수 있거나 또는 이들로 구성될 수 있다. 또한, 다양한 실시예들에서, 장벽 층(104)은 대략 0.1 ㎚(일 원자 층) 내지 대략 5000 ㎚ 범위의 층 두께, 예컨대 대략 10 ㎚ 내지 대략 200 ㎚ 범위의 층 두께, 예컨대 대략 40 ㎚의 층 두께를 가질 수 있다.
[0203] 발광 컴포넌트(100)의 전기 액티브 구역(106)이 장벽 층(104) 상에 또는 그 위에 배열될 수 있다. 전기 액티브 구역(106)은, 발광 컴포넌트(100)의 동작을 위한 전기 전류가 흐르는, 발광 컴포넌트(100)의 해당 구역으로서 이해될 수 있다. 아래에서 훨씬 더 상세히 설명되는 바와 같이, 다양한 실시예들에서, 전기 액티브 구역(106)은 제1 전극(110), 제2 전극(114) 및 유기 기능 층 구조물(112)을 포함할 수 있다.
[0204] 이와 관련하여, 다양한 실시예들에서, (예컨대, 제1 전극 층(110) 형태의) 제1 전극(110)은 장벽 층(104) 상에 또는 그 위에(또는, 장벽 층(104)이 존재하지 않는다면, 캐리어(102) 상에 또는 그 위에) 적용될 수 있다. 제1 전극(110)(이후에, 하단 전극(110)으로서도 또한 표시됨)은 전기 전도성 물질, 이를테면, 예컨대, 금속, 또는 투명 전도성 산화물(TCO:transparent conductive oxide), 또는 동일한 금속 또는 상이한 금속들 및/또는 동일한 TCO 또는 상이한 TCO들의 복수의 층들을 포함하는 층 스택으로 형성될 수 있다. 투명 전도성 산화물들은 투명 전도성 물질들, 예컨대 금속 산화물들, 이를테면, 예컨대, 아연 산화물, 주석 산화물, 카드뮴 산화물, 티타늄 산화물, 인듐 산화물, 또는 인듐 주석 산화물(ITO)이다. 이원 금속-산소 화합물들, 이를테면, 예컨대, ZnO, SnO2, 또는 In2O3와 함께, 삼원 금속-산소 화합물들, 이를테면, 예컨대, AlZnO, Zn2SnO4, CdSnO3, ZnSnO3, MgIn2O4, GaInO3, Zn2In2O5 또는 In4Sn3O12, 또는 상이한 투명 전도성 산화물들의 혼합물들이 또한 TCO들의 그룹에 속하고, 그리고 다양한 실시예들에서 사용될 수 있다. 또한, TCO들이 반드시 화학량론 조성에 대응하는 것은 아니며, 또한 p-도핑 또는 n-도핑될 수 있다.
[0205] 다양한 실시예들에서, 제1 전극(110)은 금속; 예컨대, Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ca, Sm 또는 Li, 및 이러한 재료들의 화합물들, 결합들 또는 합금들을 포함할 수 있다.
[0206] 다양한 실시예들에서, 제1 전극(110)은 TCO 층 상에 금속 층의 결합의 층 스택, 또는 그 반대에 의해 형성될 수 있다. 일 예는, 인듐 주석 산화물(ITO) 층 상에 적용된 실버 층(ITO 상의 Ag), 또는 ITO-Ag-ITO 다층들이다.
[0207] 다양한 실시예들에서, 전술된 물질들에 대한 대안으로서 또는 그에 부가하여, 제1 전극(110)은 하기의 물질들: 금속성 나노와이어들 및 나노입자들, 예컨대 Ag로 구성된 네트워크들; 탄소 나노튜브들로 구성된 네트워크들; 그래핀 입자들 및 그래핀 층들; 반도체 나노와이어들로 구성된 네트워크들 중 하나 또는 복수를 포함할 수 있다.
[0208] 또한, 제1 전극(110)은 전기 전도성 폴리머들, 또는 전이 금속 산화물들, 또는 투명 전기 전도성 산화물들을 포함할 수 있다.
[0209] 다양한 실시예들에서, 제1 전극(110) 및 캐리어(102)는 반투명한 또는 투명한 것으로서 형성될 수 있다. 제1 전극(110)이 금속을 포함하거나 또는 금속으로 형성되는 경우, 제1 전극(110)은 예컨대 대략 25 ㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께, 예컨대 대략 20 ㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께, 예컨대 대략 18 ㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께를 가질 수 있다. 또한, 제1 전극(110)은 예컨대 대략 10 ㎚와 동일하거나 또는 그 초과의 층 두께, 예컨대 대략 15 ㎚와 동일하거나 또는 그 초과의 층 두께를 가질 수 있다. 다양한 실시예들에서, 제1 전극(110)은 대략 10 ㎚ 내지 대략 25 ㎚ 범위의 층 두께, 예컨대 대략 10 ㎚ 내지 대략 18 ㎚ 범위의 층 두께, 예컨대 대략 15 ㎚ 내지 대략 18 ㎚ 범위의 층 두께를 가질 수 있다.
[0210] 또한, 제1 전극(110)이 투명 전도성 산화물(TCO)을 포함하거나 또는 투명 전도성 산화물(TCO)로 형성되는 경우에 대해, 제1 전극(110)은 예컨대 대략 50 ㎚ 내지 대략 500 ㎚ 범위의 층 두께, 예컨대 대략 75 ㎚ 내지 대략 250 ㎚ 범위의 층 두께, 예컨대 대략 100 ㎚ 내지 대략 150 ㎚ 범위의 층 두께를 가질 수 있다.
[0211] 또한, 제1 전극(110)이 예컨대, 전도성 폴리머들과 결합될 수 있는 금속성 나노와이어들, 예컨대 Ag로 구성된 네트워크, 전도성 폴리머들과 결합될 수 있는 탄소 나노튜브들로 구성된 네트워크, 또는 그래핀 층들 및 복합물(composite)들로 형성되는 경우에 대해, 제1 전극(110)은 예컨대 대략 1 ㎚ 내지 대략 500 ㎚ 범위의 층 두께, 예컨대 대략 10 ㎚ 내지 대략 400 ㎚ 범위의 층 두께, 예컨대 대략 40 ㎚ 내지 대략 250 ㎚ 범위의 층 두께를 가질 수 있다.
[0212] 제1 전극(110)은 애노드, 다시 말해 홀-주입 전극으로서, 또는 캐소드, 다시 말해 전자-주입 전극으로서 형성될 수 있다.
[0213] 제1 전극(110)은 제1 전기 콘택 패드를 가질 수 있고, 제1 전기 콘택 패드에 제1 전기 전위(에너지 소스(미도시), 예컨대 전류원 또는 전압원에 의해 제공됨)가 인가될 수 있다. 대안적으로, 제1 전기 전위가 캐리어(102)에 인가될 수 있고, 그 다음에 상기 캐리어를 통해, 제1 전극(110)에 간접적으로 인가될 수 있다. 제1 전기 전위는, 예컨대, 접지 전위 또는 어떤 다른 미리정의된 기준 전위일 수 있다.
[0214] 또한, 발광 컴포넌트(100)의 전기 액티브 구역(106)은 제1 전극(110) 상에 또는 그 위에 적용 또는 형성되는 유기 기능 층 구조물(112)을 가질 수 있다.
[0215] 유기 기능 층 구조물(112)은, 예컨대 형광 및/또는 인광 에미터들을 포함하는 하나 또는 복수의 에미터 층들(118), 및 하나 또는 복수의 홀-전도 층들(116)(홀 수송 층(들)(120)으로서도 또한 표시됨)을 포함할 수 있다. 다양한 실시예들에서, 하나 또는 복수의 전자-전도 층들(116)(전자 수송 층(들)(116)으로서도 또한 표시됨)이 대안적으로 또는 부가하여 제공될 수 있다.
[0216] 에미터 층(들)(118)에 대한 다양한 실시예들에 따라 발광 컴포넌트(100)에서 사용될 수 있는 에미터 재료들의 예들은, 넌-폴리메릭(non-polymeric) 에미터들로서, 유기 또는 유기금속성 화합물들, 예컨대 폴리플루오렌(polyfluorene), 폴리티오펜(polythiophene) 및 폴리페닐렌(polyphenylene)의 유도체들(예컨대, 2- 또는 2,5-substituted poly-p-phenylene vinylene) 및 금속 착물들, 예컨대 이리듐 착물들, 예컨대 청색 인광 FIrPic (bis(3,5-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl(2-carboxypyridyl) iridium III), 녹색 인광 Ir(ppy)3 (tris(2-phenylpyridine)iridium III), 적색 인광 Ru (dtb-bpy)3*2(PF6) (tris[4,4'-di-tert-butyl-(2,2')-bipyridine]ruthenium(III) 착물) 및 청색 형광 DPAVBi (4,4-bis[4-(di-p-tolylamino)styryl]biphenyl), 녹색 형광 TTPA (9,10-bis[N,N-di(p-tolyl)amino]anthracene) 및 적색 형광 DCM2 (4-dicyanomethylene)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4H-pyran)을 포함한다. 이러한 넌-폴리메릭 에미터들은 예컨대 열 증착에 의해 증착될 수 있다. 또한, 폴리머 에미터들을 사용하는 것이 가능하고, 폴리머 에미터들은, 특히, 예컨대 스핀 코팅과 같은 습식-화학적 방법에 의해 증착될 수 있다.
[0217] 에미터 재료들은 매트릭스 재료에 적절한 방식으로 임베딩될 수 있다.
[0218] 다른 실시예들에서 다른 적절한 에미터 재료들이 마찬가지로 제공됨이 지적되어야 한다.
[0219] 발광 컴포넌트(100)의 에미터 층(들)(118)의 에미터 재료들은, 예컨대, 발광 컴포넌트(100)가 백색광을 방출하도록 선택될 수 있다. 에미터 층(들)(118)은 상이한 색들(예컨대, 청색 및 황색, 또는 청색, 녹색 및 적색)로 방출하는 복수의 에미터 재료들을 포함할 수 있고; 대안적으로, 에미터 층(들)(118)은 또한 복수의 부분 층들, 예컨대 청색 형광 에미터 층(118) 또는 청색 인광 에미터 층(118), 녹색 인광 에미터 층(118) 및 적색 인광 에미터 층(118)으로 구성될 수 있다. 상이한 색들을 혼합함으로써, 백색 인상(white color impression)을 갖는 광의 방출이 야기될 수 있다. 대안적으로, 상기 층들에 의해 생성되는 일차 방출의 빔 경로에 컨버터 재료를 배열시키는 것이 또한 제공될 수 있고, 이 컨버터 재료는 일차 방사선을 적어도 부분적으로 흡수하고 그리고 상이한 파장을 갖는 이차 방사선을 방출하며, 따라서 일차 방사선 및 이차 방사선의 결합 때문에 (아직 백색이 아닌) 일차 방사선으로부터 백색 인상이 야기된다.
[0220] 유기 기능 층 구조물(112)은 일반적으로 하나 또는 복수의 전자발광 층(electroluminescent layer)들을 포함할 수 있다. 하나 또는 복수의 전자발광 층들은 유기 폴리머들, 유기 올리고머(organic oligomer)들, 유기 단위체들, 유기 소형 넌-폴리메릭 분자들("소분자들") 또는 이러한 재료들의 결합을 포함할 수 있다. 예로서, 유기 기능 층 구조물(112)은, 예컨대 OLED의 경우 전자발광 층 또는 전자발광 구역으로의 유효 홀 주입을 인에이블링하기 위하여, 홀 수송 층(120)으로서 구현된 하나 또는 복수의 전자발광 층들을 포함할 수 있다. 대안적으로, 다양한 실시예들에서, 유기 기능 층 구조물(112)은, 예컨대 OLED에서 전자발광 층 또는 전자발광 구역으로의 유효 전자 주입을 인에이블링하기 위하여, 전자 수송 층(116)으로서 구현된 하나 또는 복수의 기능 층들을 포함할 수 있다. 예로서, 홀 수송 층(120)에 대한 재료로서, 삼차 아민(tertiary amine)들, 카르바졸 유도체(carbazole derivative)들, 전도성 폴리아닐린(conductive polyaniline) 또는 폴리에틸렌 다이옥시티오펜(polyethylene dioxythiophene)이 사용될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 하나 또는 복수의 전자발광 층들은 일 전자발광 층으로서 구현될 수 있다.
[0221] 다양한 실시예들에서, 홀 수송 층(120)은 제1 전극(110) 상에 또는 그 위에 적용, 예컨대 증착될 수 있고, 에미터 층(118)은 홀 수송 층(120) 상에 또는 그 위에 적용, 예컨대 증착될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 전자 수송 층(116)은 에미터 층(118) 상에 또는 그 위에 적용, 예컨대 증착될 수 있다.
[0222] 다양한 실시예들에서, 유기 기능 층 구조물(112)(다시 말해, 예컨대, 홀 수송 층(들)(120) 및 에미터 층(들)(118) 및 전자 수송 층(들)(116)의 두께들의 합)은 최대 대략 1.5 ㎛의 층 두께, 예컨대 최대 대략 1.2 ㎛의 층 두께, 예컨대 최대 대략 1 ㎛의 층 두께, 예컨대 최대 대략 800 ㎚의 층 두께, 예컨대 최대 대략 500 ㎚의 층 두께, 예컨대 최대 대략 400 ㎚의 층 두께, 예컨대 최대 대략 300 ㎚의 층 두께를 가질 수 있다. 다양한 실시예들에서, 유기 기능 층 구조물(112)은 예컨대 하나가 다른 하나 위에 바로 놓이는 식으로 배열된 복수의 유기 발광 다이오드(OLED)들의 스택을 가질 수 있는데, 각각의 OLED는 예컨대 최대 대략 1.5 ㎛의 층 두께, 예컨대 최대 대략 1.2 ㎛의 층 두께, 예컨대 최대 대략 1 ㎛의 층 두께, 예컨대 최대 대략 800 ㎚의 층 두께, 예컨대 최대 대략 500 ㎚의 층 두께, 예컨대 최대 대략 400 ㎚의 층 두께, 예컨대 최대 대략 300 ㎚의 층 두께를 가질 수 있다. 다양한 실시예들에서, 유기 기능 층 구조물(112)은 예컨대 하나가 다른 하나 위에 바로 놓이는 식으로 배열된 두 개, 세 개 또는 네 개의 OLED들의 스택을 가질 수 있는데, 이 경우, 예컨대, 유기 기능 층 구조물(112)은 최대 대략 3 ㎛의 층 두께를 가질 수 있다.
[0223] 발광 컴포넌트(100)는 선택적으로, 예컨대, 하나 또는 복수의 에미터 층들(118) 상에 또는 그 위에, 또는 전자 수송 층(들)(116) 상에 또는 그 위에 배열된 추가 유기 기능 층들을 일반적으로 포함할 수 있고, 추가 유기 기능 층들은 발광 컴포넌트(100)의 기능 및 그에 따른 효율을 추가로 개선시키기 위해 제공된다.
[0224] (예컨대, 제2 전극 층(114) 형태의) 제2 전극(114)이 유기 기능 층 구조물(112) 상에 또는 그 위에, 또는 적절하다면, 하나 또는 복수의 추가 유기 기능 층 구조물들 상에 또는 그 위에 적용될 수 있다.
[0225] 다양한 실시예들에서, 제2 전극(114)은 제1 전극(110)과 동일한 물질들을 포함할 수 있거나 또는 동일한 물질들로 형성될 수 있는데, 다양한 실시예들에서 금속들이 특히 적절하다.
[0226] 다양한 실시예들에서, 제2 전극(114)은 (예컨대, 금속성 제2 전극(114)의 경우에 대해) 예컨대 대략 50 ㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께, 예컨대 대략 45 ㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께, 예컨대 대략 40 ㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께, 예컨대 대략 35 ㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께, 예컨대 대략 30 ㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께, 예컨대 대략 25 ㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께, 예컨대 대략 20 ㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께, 예컨대 대략 15 ㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께, 예컨대 대략 10 ㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께를 가질 수 있다.
[0227] 제2 전극(114)은 일반적으로, 제1 전극(110)과 유사한 방식으로, 또는 제1 전극(110)과 상이하게 형성될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 제2 전극(114)은, 제1 전극(110)과 관련하여 위에서 설명된 바와 같이, 물질들 중 하나 또는 그 초과로부터 그리고 개개의 층 두께를 갖게 형성될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 제1 전극(110) 및 제2 전극(114) 둘 다는 반투명한 또는 투명한 것으로서 형성된다. 결과적으로, 도 1에 예시된 발광 컴포넌트(100)는 상하단 에미터(다르게 말하면, 투명 발광 컴포넌트(100))로서 구현될 수 있다.
[0228] 제2 전극(114)은 애노드, 다시 말해 홀-주입 전극으로서, 또는 캐소드, 다시 말해 전자-주입 전극으로서 형성될 수 있다.
[0229] 제2 전극(114)은 제2 전기 단자를 가질 수 있고, 제2 전기 단자에는 에너지 소스에 의해 제공되는 제2 전기 전위(제1 전기 전위와 상이함)가 인가될 수 있다. 제2 전기 전위는, 예컨대, 제1 전기 전위에 대한 차이가 대략 1.5 V 내지 대략 20 V 범위의 값, 예컨대 대략 2.5 V 내지 대략 15 V 범위의 값, 예컨대 대략 3 V 내지 대략 12 V 범위의 값을 갖도록 하는 값을 가질 수 있다.
[0230] 예컨대 장벽 박막 층/박막 캡슐화부(108) 형태의 캡슐화부(108)는, 선택적으로 또한, 제2 전극(114) 상에 또는 그 위에, 그리고 그에 따라 전기 액티브 구역(106) 상에 또는 그 위에 형성될 수 있다.
[0231] 본 출원의 맥락에서, "장벽 박막 층"(108) 또는 "장벽 박막"(108)은, 예컨대, 화학 불순물들 또는 대기 물질들, 특히 물(수분) 및 산소에 대한 장벽을 형성하기에 적절한 층 또는 층 구조물을 의미하는 것으로 이해될 수 있다. 다시 말해, OLED-손상 물질들, 예컨대 물, 산소 또는 용제가 장벽 박막 층(108)을 통해 관통할 수 없거나 또는 상기 물질들 중 기껏해야 매우 소량의 비율들이 장벽 박막 층(108)을 통해 관통할 수 있는 방식으로, 장벽 박막 층(108)이 형성된다.
[0232] 일 구성에 따라, 장벽 박막 층(108)은 개별 층(다르게 말하면, 단일 층)으로서 형성될 수 있다. 대안적 구성에 따라, 장벽 박막 층(108)은 하나가 다른 하나 위에 놓이는 식으로 형성된 복수의 부분 층들을 포함할 수 있다. 다시 말해, 일 구성에 따라, 장벽 박막 층(108)은 층 스택으로서 형성될 수 있다. 장벽 박막 층(108), 또는 장벽 박막 층(108)의 하나 또는 복수의 부분 층들은 예컨대 적절한 증착 방법, 예컨대 일 구성에 따라 ALD(atomic layer deposition) 방법, 예컨대 PEALD(plasma enhanced atomic layer deposition) 방법 또는 PLALD(plasmaless atomic layer deposition) 방법, 또는 다른 구성에 따라 CVD(chemical vapor deposition) 방법, 예컨대 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition) 방법 또는 PLCVD(plasmaless chemical vapor deposition) 방법, 또는 대안적으로 다른 적절한 증착 방법들에 의해 형성될 수 있다.
[0233] ALD(atomic layer deposition) 방법을 이용함으로써, 매우 얇은 층들이 증착되는 것이 가능하다. 특히, 원자 층 범위의 층 두께들을 갖는 층들이 증착될 수 있다.
[0234] 일 구성에 따라, 복수의 부분 층들을 갖는 장벽 박막 층(108)의 경우, 부분 층들 전부가 ALD 방법에 의해 형성될 수 있다. ALD 층들만을 포함하는 층 시퀀스는 또한 "나노라미네이트"로서도 표시될 수 있다.
[0235] 대안적 구성에 따라, 복수의 부분 층들을 포함하는 장벽 박막 층(108)의 경우, 장벽 박막 층(108)의 하나 또는 복수의 부분 층들이 ALD 방법과 상이한 증착 방법, 예컨대 기상 증착 방법에 의해 증착될 수 있다.
[0236] 일 구성에 따라, 장벽 박막 층(108)은 대략 0.1 ㎚(일 원자 층) 내지 대략 1000 ㎚의 층 두께, 예컨대 일 구성에 따라 대략 10 ㎚ 내지 대략 100 ㎚의 층 두께, 예컨대 일 구성에 따라 대략 40 ㎚의 층 두께를 가질 수 있다.
[0237] 장벽 박막 층(108)이 복수의 부분 층들을 포함하는 일 구성에 따라, 부분 층들 전부가 동일한 층 두께를 가질 수 있다. 다른 구성에 따라, 장벽 박막 층(108)의 개별 부분 층들은 상이한 층 두께들을 가질 수 있다. 다시 말해, 부분 층들 중 적어도 하나가, 하나 또는 그 초과의 다른 부분 층들과 상이한 층 두께를 가질 수 있다.
[0238] 일 구성에 따라, 장벽 박막 층(108) 또는 장벽 박막 층(108)의 개별 부분 층들은 반투명 또는 투명 층으로서 형성될 수 있다. 다시 말해, 장벽 박막 층(108)(또는 장벽 박막 층(108)의 개별 부분 층들)은 반투명 또는 투명 물질(또는 반투명한 또는 투명한 물질 혼합물)로 구성될 수 있다.
[0239] 일 구성에 따라, 장벽 박막 층(108), 또는 (복수의 부분 층들을 갖는 층 스택의 경우) 장벽 박막 층(108)의 하나 또는 복수의 부분 층들은 하기의 물질들: 알루미늄 산화물, 아연 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물, 하프늄 산화물, 탄탈럼 산화물, 란타넘 산화물, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 알루미늄-도핑된 아연 산화물, 및 그 혼합물들 및 그 합금들 중 하나를 포함할 수 있거나 또는 이들로 형성될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 장벽 박막 층(108), 또는 (복수의 부분 층들을 갖는 층 스택의 경우) 장벽 박막 층(108)의 하나 또는 복수의 부분 층들은 하나 또는 복수의 고 굴절률 재료들, 다르게 말하면 고 굴절률, 예컨대 적어도 2의 굴절률을 갖는 하나 또는 복수의 재료들을 포함할 수 있다.
[0240] 일 구성에서, 유기 광전자 컴포넌트(100)의 기하학적 에지 구역들에서 통상적인 유리 솔더에 의해 장벽 박막 층(108)에는, 예컨대 프릿 본딩(유리 프릿 본딩/유리 솔더링/밀봉 유리 본딩)에 의해, 예컨대 유리로 구성된 커버(126)가 적용될 수 있다.
[0241] 다양한 실시예들에서, 장벽 박막 층(108) 상에 또는 그 위에, 접착제 및/또는 보호 래커(124)를 제공하는 것이 가능하고, 접착제 및/또는 보호 래커(124)에 의해, 예컨대, 커버(126)(예컨대, 유리 커버(126), 금속 필름 커버링(126), 밀봉된 플라스틱 필름 커버(126))가 장벽 박막 층(108)에 고정, 예컨대 접착식으로 본딩된다. 다양한 실시예들에서, 접착제 및/또는 보호 래커(124)로 구성된 광학 반투명 층은 1 ㎛을 초과하는 층 두께, 예컨대 수 ㎛의 층 두께를 가질 수 있다. 다양한 실시예들에서, 접착제는 라미네이션 접착제를 포함할 수 있거나 또는 라미네이션 접착제일 수 있다.
[0242] 다양한 실시예들에서, 광-산란 입자들이 또한 접착제의 층(접착제 층으로서도 또한 표시됨)에 임베딩될 수 있고, 이 입자들은 색 각도 왜곡 및 커플링-아웃 효율의 추가적인 개선을 유도할 수 있다. 다양한 실시예들에서, 제공되는 광-산란 입자들은 유전체 산란 입자들, 예컨대 이를테면 금속 산화물들, 예컨대, 이를테면, 예컨대 실리콘 산화물(SiO2), 아연 산화물(ZnO), 지르코늄 산화물(ZrO2), 인듐 주석 산화물(ITO) 또는 인듐 아연 산화물(IZO), 갈륨 산화물(Ga2Oa), 알루미늄 산화물, 또는 티타늄 산화물일 수 있다. 또한, 다른 입자들이 반투명 층 구조물의 매트릭스, 예컨대 에어 버블들, 아크릴레이트, 또는 중공 유리 비드들의 유효 굴절률과 상이한 굴절률을 갖는다면, 이러한 다른 입자들이 적절할 수 있다. 또한, 예로서, 금속성 나노입자들, 즉 골드, 실버, 철 나노입자들과 같은 금속들 등등이 광-산란 입자들로서 제공될 수 있다.
[0243] 다양한 실시예들에서, 예컨대 습식-화학적 프로세스 동안, 전기적으로 불안정한 재료들을 보호하기 위하여, 예컨대 대략 300 ㎚ 내지 대략 1.5 ㎛ 범위의 층 두께, 예컨대 대략 500 ㎚ 내지 대략 1 ㎛ 범위의 층 두께를 갖는 전기 절연 층(미도시), 예컨대 SiN이 제2 전극(114)과, 접착제 및/또는 보호 래커(124)로 구성된 층 사이에 또한 적용될 수 있다.
[0244] 다양한 실시예들에서, 접착제 자체가 커버(126)의 굴절률 미만의 굴절률을 갖는 방식으로, 접착제가 설계될 수 있다. 이러한 접착제는 예컨대 저 굴절률 접착제, 이를테면, 예컨대, 대략 1.3의 굴절률을 갖는 아크릴레이트일 수 있다. 일 구성에서, 접착제는 예컨대 고 굴절률의 비-산란 입자들을 포함하는 예컨대 고 굴절률 접착제일 수 있고, 그리고 예컨대 대략 1.7 내지 대략 2.0 범위의 유기 기능 층 구조물의 평균 굴절률에 대략 대응하는 평균 굴절률을 갖는다. 또한, 복수의 상이한 접착제들이 제공될 수 있고, 이러한 복수의 상이한 접착제들은 접착제 층 시퀀스를 형성한다.
[0245] 또한, 다양한 실시예들에서, 예컨대, 예컨대 유리로 구성된 커버(126)가 예컨대 플라즈마 스프레잉에 의해 장벽 박막 층(108)에 적용되는 구성들에서는, 접착제(124)가 또한 완전히 생략될 수 있음이 지적되어야 한다.
[0246] 다양한 실시예들에서, 커버(126) 및/또는 접착제(124)는 (예컨대, 633 ㎚의 파장에서) 1.55의 굴절률을 가질 수 있다.
[0247] 또한, 다양한 실시예들에서, (예컨대, 캡슐화부(108), 예컨대 장벽 박막 층(108)과 결합된) 하나 또는 복수의 반사방지 층들이 발광 컴포넌트(100)에 부가하여 제공될 수 있다.
[0248] 다양한 실시예들에서, 장벽 박막 층(108), 접착제 층(124) 및/또는 커버(126)는 평면 캡슐화 구조물(128)로서 표시될 수 있다.
[0249] 도 2a, 도 2b는 다양한 실시예들에 따라, 광전자 컴포넌트의 개략적 단면도들을 도시한다.
[0250] 도 2a의 개략적 단면도는, 도 1의 설명으로부터의 구성들 중 하나에 따른 광전자 컴포넌트의 일 실시예 ―발췌 100으로서 식별됨― 를 예시한다.
[0251] 도면은: 캐리어(102) 상에 또는 그 위에 형성된 제1 전극(110)을 도시한다. 유기 기능 층 구조물(112)이 제1 전극(110) 상에 또는 그 위에 형성된다. 제2 전극(114)이 유기 기능 층 구조물(112) 상에 또는 그 위에 형성된다. 제2 전극(114)은 제1 전극(110)으로부터 전기 절연부(204)에 의해 전기 절연된다. 제2 전극(114)은 전기 연결 층(202)에 물리적으로 그리고 전기적으로 연결될 수 있다. 캐리어(102)의 기하학적 에지 구역에서, 예컨대 제1 전극(110) 옆에 측면으로, 캐리어(102) 상에 또는 그 위에 전기 연결 층(202)이 형성될 수 있다. 전기 연결 층(202)은 제1 전극(110)으로부터 추가 전기 절연부(204)에 의해 전기 절연된다. 제2 전극(114), 전기 절연부들(204) 및 유기 기능 층 구조물(112)이 장벽 박막 층(108)에 의해 둘러싸이는 방식으로, 다시 말해 캐리어(102)와 장벽 박막 층(108)의 결합에 에워싸이는 방식으로, 장벽 박막 층(108)이 제2 전극(114) 상에 또는 그 위에 배열된다. 장벽 박막 층(108)은 에워싸인 층들을 유해한 환경 영향들에 대하여 밀폐 밀봉시킬 수 있다. 접착제 층(124)이 장벽 박막 층(108)을 유해한 환경 영향들에 대하여 면적으로 그리고 밀폐적으로 밀봉시키는 방식으로, 접착제 층(124)이 장벽 박막 층(108) 상에 또는 그 위에 배열된다. 커버(126)가 접착제 층(124) 상에 또는 그 위에 배열된다. 예컨대, 커버는 접착제(124)에 의해 장벽 박막 층(108)에 접착식으로 본딩, 예컨대 라미네이팅된다.
[0252] 대략, 캐리어(102) 상에 또는 그 위에 유기 기능 층 구조물(112)을 갖는 광전자 컴포넌트(100)의 구역은 광학 액티브 구역으로서 표시될 수 있다. 대략, 캐리어(102) 상에 또는 그 위에 유기 기능 층 구조물(112)을 갖지 않는 광전자 컴포넌트(100)의 구역은 광학 인액티브 구역으로서 표시될 수 있다.
[0253] 투명한 것으로서 구현된 광전자 컴포넌트(100) ―예컨대, 투명 캐리어(102), 투명 전극들(110, 114) 및 투명 장벽 박막 층(108)을 포함함― 는 예컨대, 두 개의 평면의 광학 액티브 면들 ―개략적 단면도에서, 광전자 컴포넌트(100)의 상단면 및 밑면― 을 갖는 광학 액티브 구역을 포함할 수 있다.
[0254] 그러나, 예컨대 상단 에미터 또는 하단 에미터로서 설계된 광전자 컴포넌트(100)의 경우, 예컨대 제2 전극(100) 또는 장벽 박막 층(108)이 제공되는 전자기 방사선에 대한 반사부로서 구현됨으로써, 광전자 컴포넌트(100)의 광학 액티브 구역은 또한, 단지 하나의 광학 액티브 면 및 하나의 광학 인액티브 면을 가질 수 있다.
[0255] 예컨대, 도 1의 설명들로부터의 구성 중 하나에 따라, 캐리어(102), 제1 전극(110), 유기 기능 층 구조물(112), 제2 전극(114), 장벽 박막 층(108), 접착제 층(124) 및 커버(126)가 설계될 수 있다.
[0256] 두 개의 전기 전도성 구역들 사이, 예컨대 제1 전극(110)과 제2 전극(114) 사이의 전류 흐름을 방지하기 위한 방식으로, 전기 절연부들(204)이 설계된다. 전기 절연부의 물질 또는 물질 혼합물은 예컨대 커버링 또는 코팅 에이전트, 예컨대 폴리머 및/또는 래커일 수 있다. 래커는, 예컨대, 액체 형태로 또는 분말 형태로 적용될 수 있는 코팅 물질을 포함할 수 있는데, 예컨대 폴리이미드를 포함할 수 있거나 또는 폴리이미드로 형성될 수 있다. 전기 절연부들(204)은 예컨대 프린팅 방법에 의해, 예컨대 구조화된 방식으로 적용 또는 형성될 수 있다. 프린팅 방법은 예컨대 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅 및/또는 패드 프린팅을 포함할 수 있다.
[0257] 전기 연결 층(202)은, 물질 또는 물질 혼합물로서, 도 1의 설명들로부터의 구성들 중 하나에 따른 전극들(110, 114)의 물질 또는 물질 혼합물과 유사한 물질 또는 물질 혼합물을 포함하거나 또는 이들로 형성될 수 있다.
[0258] 기하학적 에지 구역에서는, 예컨대 전기 전도성 층들에 의해, 예컨대 전기 연결 층들(202), 전극들(110, 114) 등등이 콘택 패드들의 구역에서 적어도 부분적으로 노출됨으로써(미도시), 콘택 패드들(206, 208)이 광전자 컴포넌트(200)와 전기 접촉하기 위해 형성되는 방식으로, 광전자 컴포넌트(200)가 구현될 수 있다.
[0259] 도 2b의 개략적 단면도는, 도 1의 설명으로부터의 구성들 중 하나에 따른 광전자 컴포넌트의 추가적인 실시예 ―발췌 100으로서 식별됨― 를 예시한다.
[0260] 단면도는, 콘택 패드들(202)이 없는 경우에 예컨대 도 2a의 설명으로부터의 구성과 유사한 통상적인 광전자 컴포넌트의 구역을 예시하는데, 즉 상이한 섹션 평면이 예시된다.
[0261] 또한, 접착 층(124)은 예컨대 커버(126)보다 더 크거나 또는 더 작은 (도시된) 측면 치수를 가질 수 있다. 상이한 폭 또는 깊이는 예컨대 최대 대략 2 ㎜의 크기(magnitude), 예컨대 대략, 대략 100 ㎛ 내지 대략 500 ㎛ 범위의 크기를 가질 수 있다.
[0262] 측면으로, 장벽 박막 층(108), 접착제 층(124) 및 커버(126)로 구성된 평면 캡슐화 구조물(128)은 예컨대 물 ―화살표들(216)로 표시됨― 에 대한 확산 채널들을 가질 수 있다. 그 결과, 물은 전기 액티브 구역(106)으로 확산될 수 있다.
[0263] 도 3은 다양한 구성들에 따라, 광전자 컴포넌트를 제조하기 위한 방법의 도면을 도시한다.
[0264] 광전자 컴포넌트, 예컨대 도 1 또는 도 2의 설명들로부터의 구성 중 하나에 따른 광전자 컴포넌트를 제조하기 위한 방법은, 캐리어(102) 상에 또는 그 위에 전기 액티브 구역(106)을 형성하는 것을 포함할 수 있다. 다시 말해: 방법을 위해, 캐리어(102) 상의 또는 그 위의 전기 액티브 구역(106)이 제공될 수 있다.
[0265] 또한, 방법은, 전기 액티브 구역(106) 상에 또는 그 위에 평면 캡슐화 구조물(128)을 형성하는 단계(302)를 포함할 수 있다.
[0266] 일 실시예들에서, 평면 캡슐화 구조물(128)을 형성하는 단계(302)는 전기 액티브 구역(106) 상에 또는 그 위에, 예컨대 평면의 제1 캡슐화 층(108), 예컨대 장벽 박막 층(108)을 형성하는 것을 포함할 수 있다. 예컨대, 평면 접착 층(124), 예컨대 접착제 층(124)이 제1 캡슐화 층(108) 상에 또는 그 위에 형성될 수 있다. 예컨대, 추가 캡슐화 층들이 접착 층(124) 상에 또는 그 위에 형성 또는 배열될 수 있는데, 예컨대 추가 장벽 박막 층이 커버(126) 상에 또는 그 위에 형성 또는 배열될 수 있다(미도시). 접착 층(124), 다시 말해 접착제 층(124)은 커버(126)를 장벽 박막 층(108)에 응집성 있게 연결시킬 수 있다. 접착 층(124)은 예컨대 확산 장벽으로서 동작할 수 있고, 장벽 박막 층(108)으로의 확산율을 감소시킬 수 있다.
[0267] 또한, 방법은, 노출된 접착 층(128) 상에 또는 그 위에 측면으로 캡슐화부를 형성하는 단계(304)를 포함할 수 있다. 평면 캡슐화 구조물(128)이 캡슐화부에 의해 측면으로 적어도 부분적으로 둘러싸이는 방식으로, 캡슐화부가 구현될 수 있다.
[0268] 캡슐화부는 평면 캡슐화 구조물(128)에 대하여 부가적인 장벽 효과를 형성할 수 있고, 예컨대 측면으로 접착 층(124)으로의 확산율을 감소시킬 수 있다.
[0269] 일 실시예에서, 얇은 금속 층이 광전자 컴포넌트, 예컨대 OLED의 측면 표면들 상에, 예컨대 광전자 컴포넌트의 기하학적 에지 구역에서 적용됨으로써, 부가적인 장벽 효과가 구현될 수 있다.
[0270] 금속의 수분 투과성이 접착제들의 수분 투과성보다 더 낮을 수 있고, 이로써 측면으로 접착제 층(124)으로의 물의 확산이 감소된다.
[0271] 그러나, 캡슐화부는 또한, 측면으로 평면 캡슐화 구조물로의 확산율을 감소시키는 상이한 물질 또는 상이한 물질 혼합물, 예컨대 세라믹 또는 금속 산화물 등등을 포함할 수 있거나 또는 이들로 형성될 수 있다.
[0272] 캡슐화부는, 접착제 층(124) 또는 장벽 박막 층(108)으로의 확산 경로에서 물, 예컨대 수증기, 수분, 습기에 대한 확산 장벽 또는 이동 장벽을 구성할 수 있다.
[0273] 평면 캡슐화 구조물(128)의 적어도 하나의 측면 표면(lateral surface) 상에 또는 그 위에 캡슐화부를 형성하는 단계(304)는 저온들에서 수행되어야 한다. 이는, 캡슐화부를 형성하기 위한 프로세스 동안 전기 액티브 구역(106), 예컨대 유기 기능 층 구조물(112)에 입력되는 온도가 국부적으로 낮고 유해한 환경 영향을 구성하지 않음을 보장하는 것을 가능하게 한다.
[0274] 본 설명의 맥락에서, 저온은 예컨대, 플라스틱 기판들의 연화 온도 미만, 예컨대 대략 150℃ 미만, 예컨대 자동차 섹터의 허용 온도 미만, 예컨대 대략 120℃ 미만, 예컨대 대략 90℃ 내지 대략 100℃ 온도 범위의 온도 값을 포함할 수 있다.
[0275] 캡슐화부를 형성하기 위한 방법들은 예컨대, 파우더 코팅(저온 파우더 코팅); 콤플렉스 플라즈마 또는 플라즈마 먼지, 에어로졸 제트 프린팅, 무수 습식-화학적 프로세스, 예컨대 무수 용액에서의 전기도금 또는 전기분해; 예컨대 실버 전도성 페이스트에 의한 응집성 본딩, 예컨대 접착제 본딩 등등을 포함할 수 있다.
[0276] 캡슐화부는, 예컨대 금속: 구리, 실버 및/또는 이들의 유도체들 및 이들의 물질 혼합물들로서, 예컨대 플루오린 유도체, 금속 등등에 의해, 예컨대 세라믹, 금속 산화물, 밀봉된 플라스틱을 포함할 수 있다.
[0277] 또한, 방법은 콘택 패드들(202)을 노출시키는 단계(306)를 포함할 수 있으며, 노출된 콘택 패드들은 광전자 컴포넌트와 전기 접촉하기 위해 설계될 수 있는데, 예컨대 전기 액티브 구역(106)의 전극에 전기 연결될 수 있거나, 그리고/또는 광전자 컴포넌트의 전극으로서 설계될 수 있다.
[0278] 도 4a, 도 4b는 다양한 구성들에 따라, 광전자 컴포넌트를 제조하기 위한 방법에서, 광전자 컴포넌트의 개략적 단면도들을 도시한다.
[0279] 도면은 발췌 100으로서 식별된, 도 1 및 도 2b의 설명으로부터의 구성들 중 하나에 따른 광전자 컴포넌트(200)의 일 실시예를 도시한다.
[0280] 도 4a는, 예컨대 도 3의 설명에 따라, 지향성의, 예컨대 포커싱된 매터 제트(focused matter jet)(402)에 의해 캡슐화부(404)를 형성하는 단계(304)의 일 실시예를 개략적으로 도시한다.
[0281] 매터 제트(402)의 폭은 예컨대 대략 1 ㎜ 내지 대략 2 ㎜ 범위의 폭을 포함할 수 있는데, 즉 예컨대 평면 캡슐화 구조물(128) 및 전기 액티브 구역(106)의 두께보다 훨씬 더 넓을 수 있다. 그 결과, 캡슐화부를 형성하는 단계(304)는 예컨대 단일 코팅 프로세스에 의해 구현될 수 있다.
[0282] 마스크, 예컨대 다이어프램(diaphragm)(미도시)에 의해, 예컨대 매터 제트(402)의 폭이 감소될 수 있거나, 또는 예컨대 매터 제트(402)가 포커싱될 수 있다. 마스크에 의해, 폭이 대략 50 ㎛ 내지 대략 200 ㎛ 범위의 크기까지, 예컨대 대략 100 ㎛까지 감소될 수 있다.
[0283] 도 4b는, 캡슐화부를 형성하는 단계(404)의 프로세스 이후, 도 4a로부터의 광전자 컴포넌트(400)를 개략적으로 도시한다. 도면은 평면 캡슐화 구조물(128)의 측면 표면 상의 또는 그 위의 캡슐화부를 도시한다.
[0284] 도 5a-도 5c는 다양한 구성들에 따라, 광전자 컴포넌트를 제조하기 위한 방법에서, 광전자 컴포넌트의 개략적 단면도들을 도시한다.
[0285] 도 5a 및 도 5b는, 도 4a, 도 4b의 설명으로부터의 구성들 중 하나에 따라, 광전자 컴포넌트를 제조하기 위한 방법(300)에서 광전자 컴포넌트를 예시한다. 그러나, 도면은 전기 접촉하기 위한 콘택 패드들(202)을 갖는 다양한 구성들에 따른 광전자 컴포넌트의 섹션 평면을 도시한다.
[0286] 콘택 패드(202)와 전기 접촉하기 위해, 콘택 패드는 캡슐화부(404)를 형성하는 단계(304)의 프로세스 동안 노출되어야 한다 ―도 5c에서는, 광전자 컴포넌트(500)의 구역(502)으로서 도시됨―.
[0287] 일 실시예에서, 노출시키는 단계(306)는, 어떠한 캡슐화부(404)도 콘택 패드(202) 상에 또는 그 위에 형성되지 않는다는 사실 때문에 구현된다.
[0288] 다른 실시예에서, 캡슐화부(404)를 형성하는 단계(304)의 프로세스 이후 콘택 패드(202) 상의 또는 그 위의 캡슐화부(404)가 제거되는데(306), 예컨대 콘택 패드(202)가 노출된다.
[0289] 캡슐화부(404) 아래의 콘택 패드(202)를 노출시키는 단계(306)는 예컨대 기계적으로 또는 탄도로(ballistically) 수행될 수 있다.
[0290] 노출될 구역들을 탄도로 노출시키는 것은, 예컨대, 입자들, 분자들, 원자들, 이온들, 전자들 및/또는 광자들을 이용한, 노출될 구역의 충격(bombardment)에 의해 구현될 수 있다.
[0291] 광자들을 이용한 충격은 예컨대 대략 200 ㎚ 내지 대략 1700 ㎚ 범위의 파장을 이용한 레이저 절제(laser ablation)로서 구현될 수 있는데, 예컨대 포커싱된 방식으로, 예컨대 대략 10 ㎛ 내지 대략 2000 ㎛ 범위의 초점 지름을 이용하여, 예컨대 펄싱(pulsing)된 방식으로, 예컨대 대략 100 fs 내지 대략 0.5 ㎳ 범위의 펄스 지속기간을 이용하여, 예컨대 대략 50 ㎽ 내지 대략 1000 ㎽의 전력을 이용하여, 예컨대 대략 100 ㎾/㎠ 내지 대략 10 GW/㎠의 전력 밀도를 이용하여, 그리고 예컨대 대략 100 ㎐ 내지 대략 1000 ㎐ 범위의 반복률을 이용하여 구현될 수 있다.
[0292] 도 6은 다양한 구성들에 따라, 광전자 컴포넌트의 개략적 단면도를 도시한다.
[0293] 도 6은 도 1의 설명으로부터의 구성들 중 하나에 따른 광전자 컴포넌트(600)의 일 실시예 ―발췌 100으로서 식별됨― 의 개략적 단면도를 예시하고, 여기서 커버(126)가 접착제 층(124)에 또는 그 위에 적용되기 이전에, 캡슐화부를 형성하는 단계(304)가 구현된다. 다시 말해: 캡슐화부를 형성하는 단계(304)의 프로세스 이후에, 커버(126)가 접착제 층(124)에 또는 그 위에 적용될 수 있다.
[0294] 도 7a, 도 7b는 다양한 구성들에 따라, 광전자 컴포넌트들의 개략적 단면도들을 도시한다.
[0295] 다양한 실시예들에서, 커버(126)가 상부 표면(700c)의 구역, 적어도 하나의 측면 표면(700b), 및 하부 표면(700a)의 구역에서 전기 액티브 구역(106) 및 캐리어(102)를 둘러싸고 그리고 적어도 하부 표면(700a)에서 접착 층(124)에 의해 예컨대 응집성 있게 캐리어(102)에 연결되도록, 커버(126)가 배열될 수 있다.
[0296] 다시 말해: 아마도 하나 또는 복수의 전기 피드스루들(미도시) 및 캐리어(102)의 하부 표면(102a)의 작은 부분을 제외하고, 캐리어(102) 및 전기 액티브 구역(106)이 커버(126)에 의해 완전히 둘러싸이도록, 커버(126)가 캐리어(102) 및 전기 액티브 구역(106) 주위에서 폴딩 및/또는 형상화될 수 있다.
[0297] 다양한 실시예들에서, 커버(126)는 통합 방식으로, 예컨대 밀폐 불투과성 장벽 필름(126)으로서 구현될 수 있다.
[0298] 다양한 실시예들에서, 접착 층(124)은 접착제, 예컨대 물리적 큐어링(curing) 접착제, 예컨대 UV 조사 또는 가열에 의해 큐어링되는 접착제, 화학적 큐어링 접착제 또는 PSA(pressure sensitive adhesive)를 포함할 수 있다.
[0299] 다양한 실시예들에서, 장벽 필름 형태의 커버(126)는, PSA를 포함하는 접착 층(124)에 의해, 적어도 캐리어(102)의 하부 표면(700a), 대안적으로 부가하여 캐리어(102)의 측면 표면들(700b) 및/또는 캐리어(102)의 상부 표면(700c) 및/또는 전기 액티브 구역(106)에 응집성 있게 연결될 수 있다.
[0300] 커버를 적용시키기 위한 PSA의 사용은 재성형을 위해 매우 적절한데, 그 이유는 큐어링 단계, 예컨대 UV 큐어링 또는 열 응고 없이 커버가 바로 접착되기 때문이다.
[0301] 다양한 실시예들에서, 커버(126)를 캐리어(102)에 연결시키는 것 또는 커버(126)를 캐리어(102) 및 전기 액티브 구역(106)에 연결시키는 것 외에, 접착 층이 추가적인 기능들을 갖도록, 예컨대, 접착 층(124)에 게터 입자들의 제공, UV 방사선에 대한 보호 또는 열 전도 때문에, 관통된 물 또는 산소를 흡수하거나 또는 잡거나 또는 가두는 기능들을 갖도록, 상기 접착 층(124)이 구현될 수 있다.
[0302] 다양한 실시예들에서, 접착 층(124)은 WVTR < 100 g m-2 d-1의 수증기 전송률을 가질 수 있다.
[0303] 다양한 실시예들에서, 하부 표면(700a)의 구역에 커버(126)가 바로 배치되는 덕분에, 광학 액티브 구역(106)의 후면에, 노출된 접착 층(124)이 생기고, 노출된 접착 층(124) 상에 또는 그 위에, 캡슐화부(404)가 형성될 수 있다.
[0304] 다양한 실시예들에서, 예컨대, 금속 페이스트들, 실버 전도성 접착제들, 캐리어(102)의 적절한 하부 표면들(700a), 예컨대 Cu 필름 후면의 경우 또한 솔더링, 전자화학 증착, 또는 후속 후면 박막 캡슐화, 예컨대 화학 또는 물리 기상 증착에 의해, 캡슐화부(404)는 노출된 접착 층(124) 상에 또는 그 위에 형성될 수 있다.
[0305] 다양한 실시예들에서, 부가 캡슐화부(404)가 노출된 접착 층(124) 및 인접 커버(126) 상에 또는 그 위에 형성될 수 있다 ―도 7a에 도시됨―. 다양한 실시예들에서, 캐리어(106)의 후면(700a) 상의 커버(126)는 적어도 부분적으로 상호 보완적으로 구조화될 수 있고 ―도 7b에 도시됨―, 이는 폴딩된 상태에서 잘 맞물린다.
[0306] 다르게 말하면, 폴딩 이후, 커버(126)의 상호 보완적으로 구조화된 구역들이 하나가 다른 하나 위에 놓이는 식으로 위치되어, 겹침에도 불구하고 커버(126)가 예컨대 평면으로 구현되는 방식으로, 커버(126)는 구현될 수 있다.
[0307] 커버(126)를 적용하는 것은 전기 액티브 구역(106)의 민감 층(sensitive layer)들이 기계적으로 손상을 입게 유도할 수 있고; 예로서, 압력 민감 접착제를 이용하여 커버(126)를 적용하는 프로세스 동안, 압력은 입자들을 전기 액티브 구역(106)으로 압박할 수 있다. 이것을 방지 또는 최소화하기 위하여, 민감 층들에는 스크래치 방지 보호 층(702)이 사전에 제공될 수 있다. 상기 스크래치 방지 보호 층은 예컨대 블레이드 코팅 또는 스텐실 프린팅에 의해 서서히 기계적으로 적용될 수 있다.
[0308] 다양한 실시예들에서, 스크래치 방지 보호 층(702)은 래커 또는 접착제를 포함할 수 있다.
[0309] 다양한 실시예들에서, 스크래치 방지 보호 층(702)은 반투명한 또는 투명한 것으로서 구현될 수 있다.
[0310] 다양한 실시예들에서, 스크래치 방지 보호 층(702)은 또한, 예컨대 광학적으로 또는 화학적으로, 추가 기능적일 수 있거나 또는 추가로 기능화될 수 있다.
[0311] 다양한 실시예들에서, 스크래치 방지 보호 층(702)은, 스크래치 방지 보호 층(702)이 산란되는 광의 비율을 증가시키도록 하기 위해 만들어진 층 또는 입자들을 포함할 수 있다.
[0312] 다양한 실시예들에서, 스크래치 방지 보호 층(702)은 예컨대 소위 임프린트 방법에 의해 형성된 렌즈들을 포함할 수 있다.
[0313] 다양한 실시예들에서, 스크래치 방지 보호 층(702)이 하나 또는 복수의 파장들 또는 파장 범위들, 예를 들면, 예컨대 100 ㎚ 내지 380 ㎚의 UV 스펙트럼 범위 또는 가시광 범위의 파장들에 대한 필터로서의 역할을 하도록, 스크래치 방지 보호 층(702)은 구성될 수 있다.
[0314] 다양한 실시예들에서, 스크래치 방지 보호 층(702)은, 예컨대 관통된 물 또는 산소를 잡기에 적절한 게터 입자들을 포함할 수 있다.
[0315] 도 1 내지 도 6의 설명으로부터의 구성들 중 하나에 따라, 커버(126), 접착 층(124), 캐리어(102), 전기 액티브 구역(106) 및 캡슐화부(404)가 구현될 수 있다.
[0316] 다양한 실시예들에서, 광전자 컴포넌트, 예컨대 유기 광전자 컴포넌트, 예컨대 OLED 컴포넌트로의 수분의 확산을 가능하게 하는 광전자 컴포넌트 및 광전자 컴포넌트를 제조하기 위한 방법이 제공된다. 광전자 컴포넌트에 측면으로 부가하여 적용된 밀봉부에 의해, 부가하여 매우 효과적인 수분 장벽을 구현하는 것이 가능하고, 그에 따라 컴포넌트에 대한 늘어난 스토리지 시간을 달성하는 것이 가능하다. 부가적인 수분 장벽의 낮은 높이 때문에, 기존 컴포넌트 기하구조들을 변경하지 않고, 부가적인 수분 장벽은 기존 컴포넌트 기하구조들에 적용될 수 있다.
Claims (19)
- 광전자 컴포넌트로서,
캐리어;
상기 캐리어 상의 또는 그 위의(on or above) 평면형의 전기적 액티브 구역;
상기 전기적 액티브 구역과 전기 접촉을 형성하도록 설계된 콘택 패드(contact pad);
상기 전기적 액티브 구역 상의 또는 그 위의 접착 층 ― 상기 접착 층은 상기 전기적 액티브 구역을 적어도 부분적으로 둘러쌈 ―;
상기 접착 층 상의 또는 그 위의 커버 ― 상기 접착 층의 일부가 노출됨 ―; 및
노출된 접착 층 상의 또는 그 위의 캡슐화부
를 포함하고,
상기 캡슐화부는 무기 물질 또는 무기 물질 혼합물로 형성되고,
상기 캡슐화부는 적어도 하나의 전기적 피드스루(feedthrough)를 포함하고, 상기 전기적 피드스루는 상기 전기적 액티브 구역과 전기 접촉을 형성하도록 설계되고, 그리고
상기 피드스루는 상기 콘택 패드 위에 배열되는,
광전자 컴포넌트. - 제 1 항에 있어서,
상기 접착 층과 상기 전기적 액티브 구역 사이에 장벽 박막 층이 형성되는,
광전자 컴포넌트. - 제 1 항에 있어서,
상기 접착 층은 접착제를 포함하거나 또는 접착제로 형성되는,
광전자 컴포넌트. - 제 1 항에 있어서,
상기 노출된 접착 층은 상기 전기적 액티브 구역을 적어도 부분적으로 측면으로 둘러싸는,
광전자 컴포넌트. - 제 1 항에 있어서,
상기 커버, 상기 캐리어 및 상기 캡슐화부는, 상기 전기적 액티브 구역이 적어도 물 및/또는 산소에 대하여 밀폐 불투과성(hermetically impermeable)이 되도록 구현되는,
광전자 컴포넌트. - 제 2 항에 있어서,
상기 커버, 상기 캐리어 및 상기 캡슐화부는, 상기 전기적 액티브 구역이 적어도 물 및/또는 산소에 대하여 밀폐 불투과성이 되도록 구현되는,
광전자 컴포넌트. - 제 6 항에 있어서,
상기 캡슐화부는 상기 장벽 박막 층과 유사하게 또는 동일하게 설계되는,
광전자 컴포넌트. - 제 1 항에 있어서,
상기 캡슐화부는, 물 및/또는 산소의 확산(diffusion)에 대한 상기 접착 층의 측면 투과성보다 상기 캡슐화부의 투과성이 더 낮도록 구현되는,
광전자 컴포넌트. - 제 1 항에 있어서,
상기 전기적 액티브 구역은 적어도 하나의 유기 기능 층 시스템, 제1 전극, 및 적어도 하나의 제2 전극을 포함하고, 상기 유기 기능 층 시스템은 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 형성되고, 상기 전극들은 상기 유기 기능 층 시스템과 전기 접촉을 형성하도록 설계되는,
광전자 컴포넌트. - 제 1 항에 있어서,
상기 광전자 컴포넌트는 유기 광전자 컴포넌트로서 설계되는,
광전자 컴포넌트. - 제 1 항에 있어서,
상기 광전자 컴포넌트는 유기 솔라 셀 또는 유기 발광 다이오드로서 설계되는,
광전자 컴포넌트. - 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 따른 광전자 컴포넌트를 제조하기 위한 방법으로서,
캐리어 상에 또는 그 위에(on or above) 평면형의 전기적 액티브 구역을 제공하는 단계;
상기 전기적 액티브 구역과 전기 접촉을 형성하기 위한 콘택 패드를 형성하는 단계;
상기 전기적 액티브 구역 상에 또는 그 위에 접착 층을 형성하는 단계 ― 상기 접착 층은 상기 전기적 액티브 구역을 적어도 부분적으로 둘러쌈 ―;
상기 접착 층 상에 또는 그 위에 커버를 형성하는 단계 ― 상기 접착 층의 일부가 노출됨 ―;
노출된 접착 층 상에 또는 그 위에 캡슐화부를 형성하는 단계 ― 상기 캡슐화부는 무기 물질 또는 무기 물질 혼합물로 형성됨 ―;
상기 캡슐화부에 적어도 하나의 전기적 피드스루를 형성하는 단계
를 포함하고,
상기 전기적 피드스루는 상기 전기적 액티브 구역과 전기 접촉을 형성하도록 설계되고,
상기 피드스루는 상기 콘택 패드 위에 배열되고, 그리고
상기 캡슐화부의 형성은, 파우더 코팅, 콤플렉스 플라즈마 또는 플라즈마 먼지, 에어로졸 제트 프린팅, 무수 습식-화학적 프로세스의 방법들 중 적어도 하나를 포함하는,
광전자 컴포넌트를 제조하기 위한 방법. - 제 12 항에 있어서,
상기 전기적 액티브 구역 상에 또는 그 위에 장벽 박막 층을 형성하는 단계
를 더 포함하는,
광전자 컴포넌트를 제조하기 위한 방법. - 제 12 항에 있어서,
상기 접착 층은 접착제를 포함하거나 또는 접착제로 형성되는,
광전자 컴포넌트를 제조하기 위한 방법. - 제 12 항에 있어서,
상기 커버, 상기 캐리어 및 상기 캡슐화부는, 상기 전기적 액티브 구역이 적어도 물 및/또는 산소에 대하여 측면으로 밀폐 밀봉되도록 설계 또는 구현되는,
광전자 컴포넌트를 제조하기 위한 방법. - 제 12 항에 있어서,
상기 전기적 액티브 구역 상에 또는 그 위에 장벽 박막 층을 형성하는 단계
를 더 포함하고,
상기 접착 층은, 상기 장벽 박막 층이 적어도 물 및/또는 산소에 대하여 밀봉되도록 형성되는,
광전자 컴포넌트를 제조하기 위한 방법. - 제 12 항에 있어서,
상기 전기적 액티브 구역은 적어도 하나의 유기 기능 층 시스템, 적어도 하나의 제1 전극, 및 적어도 하나의 제2 전극을 포함하고, 상기 유기 기능 층 시스템은 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 형성되고, 상기 전극들은 상기 유기 기능 층 시스템과 전기 접촉을 형성하도록 설계되는,
광전자 컴포넌트를 제조하기 위한 방법. - 제 12 항에 있어서,
상기 광전자 컴포넌트는 유기 광전자 컴포넌트로서 구현되는,
광전자 컴포넌트를 제조하기 위한 방법. - 제 12 항에 있어서,
상기 광전자 컴포넌트는 유기 솔라 셀 또는 유기 발광 다이오드로서 구현되는,
광전자 컴포넌트를 제조하기 위한 방법.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102012109140.4 | 2012-09-27 | ||
| DE102012109140.4A DE102012109140B4 (de) | 2012-09-27 | 2012-09-27 | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes |
| PCT/EP2013/069939 WO2014048971A1 (de) | 2012-09-27 | 2013-09-25 | Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelementes |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20150060951A KR20150060951A (ko) | 2015-06-03 |
| KR101755606B1 true KR101755606B1 (ko) | 2017-07-07 |
Family
ID=49231490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020157010968A KR101755606B1 (ko) | 2012-09-27 | 2013-09-25 | 광전자 컴포넌트 및 광전자 컴포넌트를 제조하기 위한 방법 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9716247B2 (ko) |
| KR (1) | KR101755606B1 (ko) |
| CN (1) | CN104685655B (ko) |
| DE (1) | DE102012109140B4 (ko) |
| WO (1) | WO2014048971A1 (ko) |
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2012
- 2012-09-27 DE DE102012109140.4A patent/DE102012109140B4/de active Active
-
2013
- 2013-09-25 US US14/430,954 patent/US9716247B2/en active Active
- 2013-09-25 WO PCT/EP2013/069939 patent/WO2014048971A1/de active Application Filing
- 2013-09-25 CN CN201380050885.XA patent/CN104685655B/zh active Active
- 2013-09-25 KR KR1020157010968A patent/KR101755606B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010004041A (ja) | 2000-10-10 | 2010-01-07 | Microemissive Displays Ltd | 光電子デバイス |
| JP2009117178A (ja) * | 2007-11-06 | 2009-05-28 | Hitachi Displays Ltd | 有機ｅｌ表示装置とその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104685655A (zh) | 2015-06-03 |
| US20150228923A1 (en) | 2015-08-13 |
| WO2014048971A1 (de) | 2014-04-03 |
| CN104685655B (zh) | 2017-05-24 |
| US9716247B2 (en) | 2017-07-25 |
| DE102012109140B4 (de) | 2021-06-24 |
| DE102012109140A1 (de) | 2014-03-27 |
| KR20150060951A (ko) | 2015-06-03 |
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