KR101676684B1 - 광전자 엘리먼트를 생성하기 위한 방법 및 장치 - Google Patents
광전자 엘리먼트를 생성하기 위한 방법 및 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101676684B1 KR101676684B1 KR1020157010966A KR20157010966A KR101676684B1 KR 101676684 B1 KR101676684 B1 KR 101676684B1 KR 1020157010966 A KR1020157010966 A KR 1020157010966A KR 20157010966 A KR20157010966 A KR 20157010966A KR 101676684 B1 KR101676684 B1 KR 101676684B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- chemically active
- layer
- active material
- optoelectronic component
- dielectric layer
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 110
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 73
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 54
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 123
- 239000011149 active material Substances 0.000 claims description 98
- 239000013543 active substance Substances 0.000 claims description 51
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 17
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 12
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 11
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 7
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 348
- 239000000463 material Substances 0.000 description 62
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 61
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 58
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 45
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 29
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 22
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 16
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 12
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 11
- -1 for example Substances 0.000 description 11
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 9
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 9
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 9
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 8
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 8
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 7
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 6
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 6
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002801 charged material Substances 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 4
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 4
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 4
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021486 amorphous silicon dioxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021488 crystalline silicon dioxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 3
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 3
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017911 MgIn Inorganic materials 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910007717 ZnSnO Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- VTIIJXUACCWYHX-UHFFFAOYSA-L disodium;carboxylatooxy carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C(=O)OOC([O-])=O VTIIJXUACCWYHX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000001457 metallic cations Chemical class 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 230000003204 osmotic effect Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 2
- 229940045872 sodium percarbonate Drugs 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- ZNJRONVKWRHYBF-VOTSOKGWSA-N 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4h-pyran Chemical compound O1C(C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(CCCN2CCC3)=C2C3=C1 ZNJRONVKWRHYBF-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 4-methyl-n-[4-[(e)-2-[4-[4-[(e)-2-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]ethenyl]phenyl]phenyl]ethenyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(\C=C\C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(\C=C\C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=CC(C)=CC=3)C=3C=CC(C)=CC=3)=CC=2)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLUYFXPKGZYRDY-UHFFFAOYSA-N C(=O)(O)C1=NC=CC=C1[Ir]C=1C(=NC=CC=1)C(=O)O Chemical compound C(=O)(O)C1=NC=CC=C1[Ir]C=1C(=NC=CC=1)C(=O)O LLUYFXPKGZYRDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005749 Copper compound Substances 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- RQQDJYROSYLPPK-UHFFFAOYSA-N N1=CC=CC2=CC=CC=C21.N1=CC=CC2=CC=CC=C21 Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21.N1=CC=CC2=CC=CC=C21 RQQDJYROSYLPPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000609 carbazolyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000002482 conductive additive Substances 0.000 description 1
- 150000001880 copper compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000012799 electrically-conductive coating Substances 0.000 description 1
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001903 high density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004700 high-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000002503 iridium Chemical class 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001684 low density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004702 low-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000001037 p-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000002028 premature Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H01L51/5253—
-
- H01L51/5237—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H01L2251/568—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/861—Repairing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은 광전자 엘리먼트를 생성하기 위한 방법의 다양한 예시적인 실시예들을 제공하고, 방법은: 전기 전도성 층(114) 상에 또는 위에 유전체 층(108)을 갖는 광전자 엘리먼트를 제공하는 단계 ― 유전체 층(108)은, 실질적으로 밀폐식으로 전기 전도성 층(114)을 물로부터 봉인하도록 설계되고, 유전체 층(108)은 확산 채널들(408)을 가짐; 및 유전체 층(108)을 확실하게 폐쇄(close off)하는 단계를 포함하고, 유전체 층(108)의 확산 채널들(408) 중 적어도 일부는 폐쇄된다.
Description
다양한 실시예들에서, 광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 방법 및 장치가 제공된다.
유기 광전자 컴포넌트, 예를 들어 OLED는 애노드 및 캐소드를 포함할 수 있으며, 애노드와 캐소드 사이에는 유기 기능층 시스템이 존재한다. 유기 기능층 시스템은, 전자기 방사가 발생되는 하나의 또는 복수의 이미터 층/층들, 예를 들어 전하 발생을 위한 둘 또는 셋 이상의 전하 발생층들(CGL)로 각각 이루어진 하나의 또는 복수의 전하 발생층 구조(들), 및 전류 흐름을 지향시키기 위해, 정공 수송층(들)(HTL)으로 또한 지정되는 하나의 또는 복수의 전자 차단층(들), 및 전자 수송층(들)(ETL)으로 또한 지정되는 하나의 또는 복수의 정공 차단층(들)을 포함할 수 있다.
유기 기반 광전자 컴포넌트들, 예를 들어 유기 발광 다이오드들(OLED들)은 점점 더 폭넓게 이용되고 있고, 표면들의 조명을 위해 이용될 수 있다. 이러한 경우, 표면은 예를 들어, 테이블, 벽 또는 플로어로서 이해될 수 있다. 그러나, 유기 컴포넌트들, 예를 들어 유기 광전자 컴포넌트들의 유기 구성 성분들은 종종, 해로운 환경적 영향들에 관하여 민감할 수 있다.
해로운 환경적 영향은, 잠재적으로 열화 또는 노화, 예를 들어 유기 물질들 또는 물질 혼합물들(organic substances or substance mixtures)의 교차결합(crosslink)된 상태 또는 결정화를 초래할 수 있고, 따라서, 유기 컴포넌트들의 동작 기간을 제한할 수 있는 모든 영향들을 의미하는 것으로 이해될 수 있다.
해로운 환경적 영향은, 예를 들어 유기 물질들 또는 물질 혼합물들에 해로운 물질, 예를 들어 산소 및/또는 예를 들어 용매(solvent), 예를 들어 물(water)일 수 있다.
해로운 환경적 영향들로부터의 보호를 위해, 유기 컴포넌트는 캡슐화된다. 캡슐화 동안, 유기 컴포넌트는 해로운 환경적 영향들에 대해 불침투성(impermeable)인 캡슐화 층, 예를 들어 물 및 산소에 대해 불침투성인 박막으로 둘러싸인다.
박막-캡슐화 유기 광전자 컴포넌트(thin-film-encapsulated organic, optoelectronic component), 예를 들어 유기 발광 다이오드들을 위한 캡슐화 층은 가능한 한, 결점들이 없어야 한다. 상기 캡슐화 층의 결정 입계(grain boundary)를 따르는 확산 채널 또는 미시적 결점조차도, 전체 OLED의 결점을 초래할 수 있다. 이러한 경우, 비-발광 원형 포인트(non-luminous, circular point)들(블랙 스팟(black spot))이, 습기(moisture)의 작용에 의해 OLED의 시야(field of view)에 형성될 수 있고, 시간의 경과를 통해 성장될 수 있다.
그러나, 캡슐화의 과정에서, 결점들이 여전히 캡슐화 층에 로케이팅되는 상황은 완전히 배제될 수 없다. OLED에 대한 손상을 최소로 유지하기 위해, 하나의 종래의 방법에서는, 유리 커버가 에폭시 수지 접착제에 의해 캡슐화 층 상에 래미네이트(laminate)된다.
물이 광전자 컴포넌트 내로 확산되는 레이트가 유리 커버에 의해 감소될 수 있어서, 예를 들어 OLED의 캡슐화 층에서의 결점이 상당히 둔화될 수 있지만 이는 OLED에서의 가시적 결점을 초래한다.
다른 종래의 방법에서, 유리 커버는, 예를 들어, 유기 광전자 컴포넌트의 기하학적 에지 구역들에서 종래의 유리 솔더(glass solder)에 의한 프릿 본딩(frit bonding)(유리 프릿 본딩/유리 솔더링/시일 유리 본딩(seal glass bonding))에 의해 캡슐화 층에 적용될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 무결점(defect-free) 광전자 컴포넌트들이 형성될 수 있고 따라서 습기 손상으로 인한 조기의 고장들이 배제될 수 있을 정도로, 광전자 컴포넌트의 박막 캡슐화의, 예를 들어 광전자 컴포넌트의 품질을 개선하는 것을 가능하게 하는, 광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 방법 및 장치가 제공된다.
이러한 설명의 맥락에서, 층의 확산 채널은, 적어도 2개의 개구(opening)들을 갖는 층의 공동(cavity)으로서, 예를 들어 홀(hole), 기공(pore), 상호연결부(interconnect) 등으로서 이해될 수 있다. 확산 채널은, 예를 들어, 층의 상이한 측들이 확산 채널에 의해 서로 연결되는 방식으로 층에 구현될 수 있다. 물질 또는 물질 혼합물은, 예를 들어 삼투압(osmotic pressure)에 의해 또는 전기영동으로(electrophoretically), 확산 채널을 통해 확산 채널의 하나의 개구로부터 확산 채널의 적어도 하나의 제 2 개구로 이동(migrate) 또는 확산될 수 있다.
이러한 설명의 맥락에서, 유기 물질은, 각각의 물질 상태(state of matter)와 무관하게, 화학적으로 균일한 형태로 존재하고, 특징적인 물리적 및 화학적 성질들을 특징으로 하는 탄소 화합물을 의미하는 것으로 이해될 수 있다. 더욱이, 이러한 설명의 맥락에서, 무기 물질은, 각각의 물질 상태와 무관하게, 화학적으로 균일한 형태로 존재하고, 탄소 또는 단순 탄소 화합물을 갖지 않는 특징적인 물리적 및 화학적 성질들을 특징으로 하는 화합물을 의미하는 것으로 이해될 수 있다. 이러한 설명의 맥락에서, 유기-무기 물질(하이브리드 물질)은, 각각의 물질 상태와 무관하게, 화학적으로 균일한 형태로 존재하고, 탄소를 포함하는 그리고 탄소가 전혀 없는 화합물 부분들을 포함하는, 특징적인 물리적 및 화학적 성질들을 특징으로 하는 화합물을 의미하는 것으로 이해될 수 있다. 이러한 설명의 맥락에서, 용어 "물질"은 모든 앞서 언급된 물질들, 예를 들어 유기 물질, 무기 물질, 및/또는 하이브리드 물질을 포괄한다. 더욱이, 이러한 설명의 맥락에서, 물질 혼합물은, 둘 또는 셋 이상의 상이한 물질들로 이루어진 구성 성분들을 갖고, 예를 들어 그 구성 성분들이 매우 미세하게 분산되어 있는 무언가를 의미하는 것으로 이해될 수 있다. 물질 클래스는, 하나 또는 둘 이상의 유기 물질(들), 하나 또는 둘 이상의 무기 물질(들) 또는 하나 또는 둘 이상의 하이브리드 물질(들)을 포함하는 물질 혼합물 또는 물질을 의미하는 것으로 이해되어야 한다. 용어 "재료"는 용어 "물질"과 동의어로 이용될 수 있다.
이러한 설명의 맥락에서, 제 1 물질 또는 제 1 물질 혼합물의 화학적 및 물리적 성질들이 제 2 물질 또는 제 2 물질 혼합물의 화학적 및 물리적 성질들과 각각 동일한 경우, 제 1 물질 또는 제 1 물질 혼합물은 제 2 물질 또는 제 2 물질 혼합물과 각각 동일할 수 있다.
이러한 설명의 맥락에서, 제 1 물질 또는 제 1 물질 혼합물과, 제 2 물질 또는 제 2 물질 혼합물이 각각, 적어도 하나의 변수, 예를 들어 밀도, 굴절률, 화학적 저항성 등에 관하여 거의 동일한 화학양론적 조성, 거의 동일한 화학적 성질들 및/또는 거의 동일한 물리적 성질들을 갖는 경우, 제 1 물질 또는 제 1 물질 혼합물은, 제 2 물질 또는 제 2 물질 혼합물과 각각 유사할 수 있다.
이 점에 있어서, 예로서, 화학양론적 조성에 관하여, 결정질 SiO2(석영)는, 비정질 SiO2(규산 유리)와 동일한 것으로, 그리고 SiOx와 유사한 것으로 간주될 수 있다. 그러나, 굴절률에 관하여, 결정질 SiO2는 SiOx 또는 비정질 SiO2와 상이할 수 있다. 예를 들어, 도핑(doping)들의 형태의 첨가제(additive)들의 부가에 의해, 예로서 비정질 SiO2는 결정질 SiO2의 굴절률과 동일한 또는 유사한 굴절률을 가질 수 있지만, 이때, 화학적 조성에 관해서는 결정질 SiO2와 상이할 수 있다.
기준 변수 ― 기준 변수의 측면에서 제 1 물질은 제 2 물질과 유사함 ― 는, 명시적으로 표시되거나, 맥락으로부터, 예를 들어 물질 혼합물들 또는 물질들의 그룹의 공통 성질들로부터 명백해질 수 있다.
이러한 설명의 맥락에서, 전기적으로 하전된 물질은, 전하(electrical charge)를 갖는, 즉, ― 적어도 일시적으로 ― 전기적으로 중립이 아닌 물질을 의미하는 것으로 이해될 수 있다. 이러한 경우, 전하는 분극(polarization) 또는 이온화에 의해 형성될 수 있다. 전기적으로 하전된 물질은 예를 들어, 입자들 또는 분자들의 형태로 구현될 수 있다.
이러한 설명의 맥락에서, 전위(electrical potential)는, 전하의 포지션, 예를 들어, 반대로 전기 하전된 전극들(oppositely electrically charged electrodes)과 관련하여, 전기 하전된 물질의 포지션을 의미하는 것으로 이해될 수 있다. 예를 들어, 전계(E-필드)에서의 포지션 및 샘플 전하의 전하에 따른 E-필드에서의 샘플 전하의 전위로서 이해될 수 있다.
이러한 설명의 맥락에서, 화학적 전환(chemical conversion)은, 제 1 물질 또는 제 1 물질 혼합물로부터 제 2 물질 또는 제 2 물질 혼합물을 형성하는 것을 의미하는 것으로 이해될 수 있다. 화학적 전환은 제 1 물질 또는 제 1 물질 혼합물의 화학적 산화(chemical oxidation) 및/또는 화학적 환원(chemical reduction)으로서 수행될 수 있다. 동시의 산화 및 환원은 산화환원 반응(redox reaction)으로 이해될 수 있다.
이러한 설명의 맥락에서, 화학적 활성 물질은 상이한 물질을 화학적으로 산화시키거나 화학적으로 환원시킬 수 있고 그리고/또는 화학적 활성 물질 자체가 화학적으로 산화되거나 화학적으로 환원될 수 있다. 화학적 활성 물질은 예를 들어 전기적으로 하전된 물질일 수 있고, 전기적으로 하전된 물질은 전극에서, 예를 들어 갈바니 전기에 의해(galvanically) 또는 전기분해로(electrolytically), 화학적으로 산화 또는 환원된다.
이러한 설명의 맥락에서, 물에 관하여 밀폐식으로 불침투성인(hermetically impermeable) 물질 또는 밀폐식으로 불침투성인 물질 혼합물은 세라믹, 금속 및/또는 금속 산화물로 형성되거나 이를 포함할 수 있다. 밀폐식으로 불침투성인 물질 또는 밀폐식으로 불침투성인 물질 혼합물을 통해 어떠한 물도 확산 또는 이동될 수 없다.
이러한 설명의 맥락에서, 전자 컴포넌트는, 예를 들어, 반도체 컴포넌트들의 이용에 의해 전류의 제어, 조절 또는 증폭에 영향을 미치는 컴포넌트를 의미하는 것으로 이해될 수 있다. 전자 컴포넌트는 컴포넌트들: 예를 들어 다이오드, 트랜지스터, 열전력발생기(thermogenerator), 집적 회로들, 사이리스터(thyristor)의 그룹으로부터의 컴포넌트를 포함할 수 있다.
이러한 설명의 맥락에서, 광전자 컴포넌트는 전자 컴포넌트의 실시예를 의미하는 것으로 이해될 수 있고, 광전자 컴포넌트는 광학적 활성 구역을 포함한다. 광학적 활성 구역은, 전자기 방사를 흡수하여 그로부터 광전류(photocurrent)를 형성할 수 있거나, 광학적 활성 구역에 인가된 전압에 의해 전자기 방사를 방출할 수 있다. 유기 광전자 컴포넌트는 광학적 활성 구역에 유기 물질 또는 유기 물질 혼합물을 포함할 수 있고, 광학적 활성 구역은 예를 들어, 전자기 방사를 수용(take up) 또는 제공하도록 설계된다.
이러한 설명의 맥락에서, 해로운 환경적 영향은, 유기 물질 또는 유기 물질 혼합물들의 열화 또는 노화를 잠재적으로 초래할 수 있고, 따라서 유기 컴포넌트들의 동작 기간을 제한할 수 있는 모든 영향들을 의미하는 것으로 이해될 수 있다.
해로운 환경적 영향은 예를 들어, 유기 물질들 또는 유기 물질 혼합물들에 해로운 물질, 예를 들어 산소 및/또는 예를 들어 용매, 예를 들어 물일 수 있다.
해로운 환경적 영향은 예를 들어, 유기 물질들 또는 유기 물질 혼합물들에 해로운 환경들, 예를 들어 온도의, 예를 들어 임계값(critical value) 초과의 또는 미만의 변화 및/또는 주위 압력의 변화일 수 있고, 그 결과로, 교차결합된 상태, 열화 및/또는 결정화 등이 발생할 수 있다.
제 2 몸체에 대한 제 1 몸체의 연결은 포지티브 록킹(positively locking), 포스 록킹(force locking) 및/또는 점착(cohesive)될 수 있다. 연결들은 해제가능(releasable)하게, 즉, 가역적(reversible)으로 구현될 수 있다. 다양한 구성들에서, 가역적 밀접 연결(reversible, close connection)은, 예를 들어 스크루 연결(screw connection), 후크 및 루프 패스너(hook and loop fastener), 클램핑/클립들의 이용으로서 실현될 수 있다.
그러나, 연결들은 또한, 해제불가(non-releasable)하게, 즉, 비가역적(irreversible)으로 구현될 수 있다. 이러한 경우, 해제불가 연결은, 연결 수단이 파괴되는 것에 의해서만 분리될 수 있다. 다양한 구성들에서, 비가역적 밀접 연결(irreversible, close connection)은, 예를 들어 리벳 연결(riveted connection), 접착 본딩 연결(adhesively bonded connection) 또는 솔더링 연결(soldered connection)로서 실현될 수 있다.
포지티브 록킹 연결(positively locking connection)의 경우, 제 1 몸체의 움직임은 제 2 몸체의 표면에 의해 한정될 수 있고, 제 1 몸체는 제 2 몸체의 한정 표면의 방향에서 직각으로(perpendicularly), 즉, 수직으로(normally) 움직인다. 블라인드 홀(제 2 몸체)의 핀(제 1 몸체)은 움직임에 있어서, 예를 들어, 6개의 공간 방향들 중 5개의 공간 방향들에서 한정될 수 있다. 다양한 구성들에서, 포지티브 록킹 연결은, 예를 들어 스크루 연결, 후크 및 루프 패스너, 클램프/클립들의 이용으로서 실현될 수 있다.
포스-록킹 연결의 경우, 제 2 몸체에 대한 제 1 몸체의 수직력(normal force), 즉, 압력 하의 2개의 몸체들의 물리적 접촉에 부가하여, 정지 마찰(static friction)이, 제 2 몸체에 평행한 제 1 몸체의 움직임을 한정할 수 있다. 포스-록킹 연결의 일 예는, 예를 들어, 상보적으로 형상화된 쓰레드에서의 스크루의 셀프-록킹(self-locking)일 수 있다. 이러한 경우, 셀프-록킹은 마찰에 의한 저항을 의미하는 것으로 이해될 수 있다. 다양한 구성들에서, 포스-록킹 연결은, 예를 들어 스크루 연결, 리벳 조인트(riveted joint)로서 실현될 수 있다.
점착 연결(cohesive connection)의 경우, 제 1 몸체는 원자력 및/또는 분자력에 의해 제 2 몸체에 연결될 수 있다. 점착 연결들은 종종 해제불가 연결들일 수 있다. 다양한 구성들에서, 점착 연결은, 예를 들어 접착 본딩 연결, 예를 들어 유리 솔더 또는 금속 솔더의 솔더 연결, 용접 연결로서 실현될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 방법은: 전기 전도성 층 상에 또는 위에 유전체 층을 포함하는 광전자 컴포넌트를 제공하는 단계 ― 유전체 층은, 물에 관하여 실질적으로 밀폐식으로 불침투성으로(hermetically impermeably) 전기 전도성 층을 밀봉하도록 설계되고, 유전체 층은 확산 채널들을 가짐 ―; 및 유전체 층을 빈틈없이 폐쇄(closely closing)하는 단계를 포함하고, 유전체 층의 확산 채널들 중 적어도 일부는 폐쇄된다.
방법의 일 구성에서, 확산 채널들은 화학적 활성 물질(chemically active substance) 또는 화학적 활성 물질 혼합물(chemically active substance mixture)에 의해 빈틈없이 폐쇄될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 유전체 층은, 빈틈없이 폐쇄되게 할 목적으로 화학적 활성 물질 또는 화학적 활성 물질 혼합물로 둘러싸일 수 있다. 유전체 층은, 예를 들어 유전체 층의 적어도 일 부분이 화학적 활성 물질 또는 화학적 활성 물질 혼합물로 둘러싸이지 않는 것에 의해, 예를 들어 화학적 활성 물질 또는 화학적 활성 물질 혼합물이 화학적으로 구조화되는 것에 의해, 예를 들어, 화학적 활성 물질 또는 화학적 활성 물질 혼합물로 완전히 또는 단지 부분적으로만 둘러싸일 수 있다.
방법의 일 구성에서, 환경은 일시적인 것으로 또는 영구적인 것으로 구현될 수 있다. 일시적 환경은, 예를 들어 용액(solution), 현탁액(suspension) 또는 분산액(dispersion)으로의 유전체 층의 담금(immersion)일 수 있고, 유전체 층은 방법 후에 용액, 현탁액 또는 분산액으로부터 제거된다. 영구적인 환경은, 예를 들어 유전체 층 상에 또는 위에 점착 층(cohesive layer)을 형성하는 것으로서 실현될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 화학적 활성 물질 또는 화학적 활성 물질 혼합물은 용액, 현탁액 또는 분산액에서 용해될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 화학적 활성 용액, 현탁액 또는 분산액은 무수성(anhydrous)으로 설계될 수 있고, 예를 들어 프로필렌 카보네이트(propylene carbonate), 과탄산 나트륨(sodium percarbonate), 퀴논(quinone) 또는 퀴놀린(quinoline)으로 형성되거나 이를 포함할 수 있다.
방법의 일 구성에서, 화학적 활성 물질 또는 화학적 활성 물질 혼합물은, 유전체 층을 둘러싸는 도금 배쓰(plating bath) 또는 전해질 용액에 제공될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 전해질 용액 또는 도금 배쓰는, 대략 1% 내지 대략 70%의 범위의, 용액의 질량에 대한 화학적 활성 물질 또는 화학적 활성 물질 혼합물의 질량의 비율을 가질 수 있다.
방법의 일 구성에서, 화학적 활성 물질 또는 화학적 활성 물질 혼합물은 유전체 층 상에 또는 위에 형성, 예를 들어 적용 또는 증착될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 화학적 활성 물질 또는 화학적 활성 물질 혼합물은, 유전체 층 상의 또는 위의 화학적 활성층에 또는 화학적 활성층으로서 형성될 수 있다.
일 구성에서, 화학적 활성층은 대략 100 ㎚ 내지 대략 20 ㎛의 범위, 예를 들어 대략 200 ㎚ 내지 대략 5 ㎛의 범위의 두께를 가질 수 있다.
방법의 일 구성에서, 화학적 활성층은 화학적 활성 페이스트(chemically active paste) 또는 화학적 활성 코팅으로서 설계될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 화학적 활성 페이스트는, 화학적 활성 물질 또는 화학적 활성 물질 혼합물에 부가하여, 휘발성 구성 성분들, 예를 들어 용매 또는 결합제(binder)를 더 포함할 수 있다. 휘발성 구성 성분들은 여전히, 유전체 층 상의 또는 위의 화학적 활성층에 포함될 수 있거나, 그렇지 않으면 포함되지 않을 수 있는데; 예를 들어, 화학적 활성 페이스트는 전기분해(electrolysis), 도금 및/또는 전기영동(electrophoresis)을 위해 건조될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 화학적 활성 물질 또는 화학적 활성 물질 혼합물의 적어도 일 부분은 전기 전도성이도록 설계될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 화학적 활성 물질 또는 화학적 활성 물질 혼합물은 전기적으로 하전될 수 있는데, 예를 들어, 이온들을 갖거나 이온들을 제공할 수 있다.
방법의 일 구성에서, 화학적 활성 물질 또는 화학적 활성 물질 혼합물은 금속, 예를 들어 구리로 형성되거나 이를 포함할 수 있다.
방법의 일 구성에서, 화학적 활성 물질 또는 화학적 활성 물질 혼합물은, 산화제(oxidizing agent) 또는 환원제(reducing agent)로 형성되거나 이를 포함할 수 있고, 예를 들어 프로필렌 카보네이트, 과탄산 나트륨, 퀴논 또는 퀴놀린으로 형성되거나 이를 포함할 수 있고, 예를 들어, 이들의 유도체를 포함할 수 있다.
방법의 일 구성에서, 용액, 현탁액, 분산액 또는 화학적 활성 물질 또는 화학적 활성 물질 혼합물, 예를 들어 산화제를 포함하는 층은, 물 및/또는 수산화물 그룹들이 없도록 설계될 수 있는데, 즉, 무-수산화물(hydroxide-free)일 수 있고, 예를 들어, 유기 용매(organic solvent)를 포함할 수 있다.
방법의 일 구성에서, 방법은, 전계가 확산 채널들에 형성되도록, 유전체 층 양단에 전위차를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
확산 채널들은 예를 들어, 대략 물 분자의 직경 내지 대략 수 ㎚의 범위의 직경을 가질 수 있다. 유전체 층의 확산 채널은 예를 들어, 유전체 층에서 결점들, 결정 입계들 등일 수 있거나 이들에 의해 형성될 수 있다. 다양한 구성들에서, 유전체 층은, 유전체 방식으로 구현되고, 설명된 확산 채널들, 예를 들어 장벽 박막층, 장벽층, 캡슐화 층, 캡슐화 박막층, 접착층(adhesive layer), 게터층(getter layer), 광학 커플링-인 층 또는 커플링-아웃 층(optical coupling-in layer or coupling-out layer), 산란층(scattering layer), 인광체 층(phosphor layer), 착색제 층(colorant layer) 등을 갖는, 광전자 컴포넌트의 층일 수 있다.
방법의 일 구성에서, 전계는, 전기 하전 화학적 활성 물질 또는 전기 하전 화학적 활성 물질 혼합물이 확산 채널들 내로 이동하는 방식으로, 예를 들어 전기영동으로, 예를 들어 화학적 활성 물질 또는 화학적 활성 물질 혼합물이 전계에 의해, 예를 들어 전기분해로, 전기적으로 하전되는 것에 의해 형성될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 전계를 형성하는 단계는, 유전체 층 양단에 전위차를 인가하는 단계를 포함할 수 있다.
방법의 일 구성에서, 전위차는 전압원에 의해 형성될 수 있고, 전압원은 제 1 전극 및 제 2 전극을 갖고, 전위차는 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 형성된다.
전위차는, 적어도 대략 유전체 층 상의 또는 위의 화학적 활성 물질 또는 화학적 활성 물질 혼합물의 분해 전압(decomposition voltage)보다 더 큰 크기를 가질 수 있는데, 예를 들어 전기 전도성 층의 물질 또는 물질 혼합물의, 또는 유전체 층 상의 또는 위의 페이스트 또는 코팅의 분해 전압보다 더 큰 크기를 가질 수 있으며, 대략 유전체 층의 물질 또는 물질 혼합물의 분해 전압, 또는 화학적 활성 물질 또는 화학적 활성 물질 혼합물의 용매의 분해 전압, 또는 유전체 층의 물질 또는 물질 혼합물의 절연 파괴 전압(breakdown voltage)에 이르는 크기를 가질 수 있다.
방법의 일 구성에서, 전위차는 대략 0.1 V 내지 대략 25 V의 범위의 크기를 가질 수 있다.
방법의 일 구성에서, 전압 프로파일의 최대 크기는 대략 0.1 V 내지 5 V의 범위의 크기를 가질 수 있다.
전압 프로파일의 최대 크기는 또한, 피크 전압 및/또는 전압 진폭으로서 지정될 수 있고, 전압 프로파일의 최대 크기는 일시적으로 변조될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 전압 프로파일의 전압의 크기는 일시적으로 변조될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 전압 프로파일은 시간적 변조들: 사인곡선형(sinusoidal), 코사인곡선형(cosinusoidal), 톱니-형상(sawtooth-shaped), 삼각형(triangular), 직사각형(rectangular), 펄스형(pulsed) 중 하나를 가질 수 있다.
전압 펄스는 예를 들어, 전압 프로파일들: 가우스(Gauss), 로렌츠(Lorentz), 포크트(Voigt), 감벨(Gumbel), 라플라스(Laplace), 레비(Levy), 레일리(Rayleigh), 로시(Rossi), 스튜던트 티-프로파일(Student t profile) 등 중 하나를 가질 수 있다.
방법의 일 구성에서, 전압 펄스는 대략 1 ㎲ 내지 대략 5 s의 범위의 펄스 지속기간 및/또는 하프-라이프(half-life)를 가질 수 있다.
방법의 일 구성에서, 전압 프로파일은 대략 1 ㎐ 내지 대략 1 ㎒의 범위의 주파수 또는 개별 전압 펄스를 가질 수 있다.
방법의 일 구성에서, 시간적 변조는 펄스 폭 변조를 포함할 수 있다.
방법의 일 구성에서, 전압 프로파일의 시간적 변조는, 예를 들어, 장치의 전기 전도율 또는 전류가 전압 펄스 동안 또는 후에 측정되는 것에 의해, 유전체 층을 통하는 측정된 전류 및/또는 유전체 층의 측정된 전기 전도율과 상관 및/또는 커플링(couple)될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 전압 펄스들의 수 및/또는 전압 펄스의 피크 전압은, 유전체 층을 통한 전류의 및/또는 전기 전도율의, 예를 들어 전류 경로의 비-제거 유전체 층(non-removed dielectric layer)의 두께의 함수일 수 있다.
전압의 실제 크기(concrete magnitude)는 유전체 층의 물질 또는 물질 혼합물의 유전체 성질들 및 유전체 층의 두께에 따를 수 있다. 그러나, 유전체 층은 최대 두께를 가져야 하는데, 그 결과, 전압의 최대 크기는, 전기적 층 구조와 전기 접촉되는 추가의 층들이 전압에 의해 손상되지 않도록 하는 최대의 값이다.
방법의 일 구성에서, 전압원의 제 1 전극은 전기 전도성 층에 전기적으로, 예를 들어 접촉 핀 또는 클램핑 접촉에 의해, 예를 들어 빈틈없이, 예를 들어 전기기계적으로; 예를 들어 솔더링 또는 접착 본딩에 의해, 예를 들어 점착성있게 연결될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 전기 연결은 빈틈없이, 예를 들어 점착성있게 구현될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 전기 연결은 일시적이도록 및/또는 가역적이도록 설계될 수 있다. 일시적 및 가역적 전기 연결은, 예를 들어, 전기 전도성 층 및/또는 화학적 활성 물질 또는 화학적 활성 물질 혼합물과 접촉 핀들의 물리적 접촉의 형성, 예를 들어, 전압원의 접촉 핀들과 전기적 층 구조의 표면의 접촉, 또는 액체 화학적 활성 물질 또는 화학적 활성 물질 혼합물의 용액, 현탁액 또는 분산액에서의 전압원의 전극의 담금으로서 실현될 수 있다. 접촉 핀은 또한 핀으로서 지정될 수 있다.
이러한 설명의 맥락에서, 전기 전도성 층 상의 또는 위의 유전체 층 상의 또는 위의 화학적 활성 물질 또는 화학적 활성 물질 혼합물은 전기적 층 구조로서 지정될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 전기 연결은, 전기 연결의 전기 회로가 전기적 층 구조에 의해 폐쇄되는 방식으로 설계될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 제 2 전극은 제 3 전극에 전기적으로, 예를 들어 접촉 핀 또는 클램핑 접촉에 의해, 예를 들어 빈틈없이, 예를 들어 전기기계적으로; 예를 들어 솔더링 또는 접착 본딩에 의해, 예를 들어 점착성있게 연결될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 제 3 전극은, 예를 들어, 도금 배쓰 내의 전극으로서; 또는 예를 들어, 전기 전도성 페이스트 또는 전기 전도성 코팅으로서 유전체 층 상에 또는 위에 전기 전도성의 화학적 활성 물질 또는 전기 전도성의 화학적 활성 물질 혼합물로 형성되거나 이를 포함할 수 있다.
방법의 일 구성에서, 제 3 전극은, 화학적 활성 물질 또는 화학적 활성 물질 혼합물이 예를 들어, 전기영동 동안 용해되는 용액, 현탁액 또는 분산액에서 확립될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 확산 채널들의 및/또는 확산 채널들의 측들 상의, 예를 들어 전기 전도성 층의 표면 상의 화학적 활성 물질 또는 화학적 활성 물질 혼합물은, 물에 관하여 용해성(solubility)을 전혀 갖지 않거나 단지 낮은 가용성만을 갖는 ― 예를 들어, 유전체 층의 물질 또는 물질 혼합물과 거의 동일한 또는 그 미만임 ―, 물질 또는 물질 혼합물을 형성할 수 있고; 예를 들어, 형성된 물질 또는 형성된 물질 혼합물은 금속, 금속 산화물, 예를 들어 유리; 및/또는 세라믹, 예를 들어 알루미늄 산화물 또는 구리 산화물을 포함할 수 있다.
방법의 일 구성에서, 확산 채널에서 화학적 활성 물질 또는 화학적 활성 물질 혼합물에 의해 형성되는 물질 또는 물질 혼합물은, 포지티브 록킹 방식 및/또는 포스-록킹 방식으로, 점착성있게 확산 채널을 폐쇄할 수 있다.
이러한 설명의 맥락에서, 확산 채널을 폐쇄하는 것은 또한, 확산 채널을 플러깅(plugging), 캡슐화, 매립(burying), 밀폐식으로 폐쇄(hermetically closing), 밀봉(sealing) 또는 차단(blocking)하는 것으로 지정되거나 이해될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 밀접 연결은, 예를 들어 금속 산화물, 예를 들어 금속 산화물 플러그(metal oxide plug)에 의해, 물에 관하여 불용성(insoluble)으로, 예를 들어 밀폐식으로 불침투성의 점착 연결(hermetically impermeable, cohesive connection)로서 구현될 수 있다.
이러한 설명의 맥락에서, 플러그는 또한, 클로저(closure), 페그(peg), 스토퍼(stopper), 바아(bar), 캡(cap) 또는 장벽으로서 지정되거나 이해될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 확산 채널의 플러그의 물질 또는 물질 혼합물은, 유전체 뷰(dielectric view)와 동일한 또는 유사한 물질 또는 유전체 뷰와 동일한 또는 유사한 물질 혼합물을 포함할 수 있다. 유사한 물질 또는 유사한 물질 혼합물은, 예를 들어 동일한 엘리먼트들의 상이한 화학량론적 조성일 수 있다. 예로서, 전기 전도성 층은 알루미늄으로 형성되거나 알루미늄을 포함할 수 있고, 유전체 층은 알루미늄 산화물로 형성되거나 알루미늄 산화물을 포함할 수 있다. 확산 채널에서 또는 확산 채널의 개구에서, 예를 들어 전기 전도성 층의 알루미늄은, 알루미늄 산화물 플러그를 형성하기 위해, 화학적 활성 물질, 예를 들어 산화제에 의해 산화, 즉, 양극산화처리될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 화학적 활성 물질 또는 화학적 활성 물질 혼합물은, 예를 들어, 금속으로 이루어진 전기 전도성 층의 경우에서 금속 산화물 층을 형성하기 위해, 화학적 전도성 층의 물질 또는 물질 혼합물을 화학적으로 전환, 예를 들어 화학적으로 산화시키거나 화학적으로 환원시킬 수 있다.
다시 말해: 화학적 활성 물질 또는 화학적 활성 물질 혼합물은 확산 채널들로 이동될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 확산 채널의 적어도 일 측 상의 전기 전도성 층의 물질 또는 물질 혼합물의 일부는, 화학적 활성 물질 또는 화학적 활성 물질 혼합물에 의해 전환될 수 있다. 다시 말해: 전기 전도성 층의 물질 또는 물질 혼합물의 일부는, 확산 채널에 진입할 때 및/또는 확산 채널로부터 나올 때, 예를 들어 화학적 활성 물질 또는 화학적 활성 물질 혼합물의 표면 상에서 및/또는 확산 채널의 벽 상에서, 화학적 활성 물질 또는 화학적 활성 물질 혼합물에 의해 전환될 수 있다.
다시 말해: 전기 전도성 층의 물질 또는 물질 혼합물은 확산 채널로 이동되어, 확산 채널에서 예를 들어, 변환되거나 전환될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 확산 채널의 적어도 일 측 상의 화학적 활성 물질 또는 화학적 활성 물질 혼합물은 화학적으로 전환될 수 있다. 다시 말해: 화학적 활성 물질 또는 화학적 활성 물질 혼합물의 일부는, 확산 채널에 진입할 때 및/또는 확산 채널로부터 나올 때, 예를 들어 전기 전도성 층의 표면 상에서 및/또는 확산 채널의 벽 상에서 전환될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 전기 전도성 층은 전기 전도성 층들의 층 단면에서, 하나의 또는 복수의 물질적으로 상이한 전기 전도성 층(materially different, electrically conductive layer)들을 포함할 수 있다.
방법의 일 구성에서, 전기 전도성 층은 광전자 컴포넌트의 전극, 전기 연결 층, 접촉 패드 등으로서 설계될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 유전체 층 상의 또는 위의 화학적 활성 물질 또는 화학적 활성 물질 혼합물은 화학적으로 활성화될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 적어도 하나의 제 2 화학적 활성 물질 및/또는 적어도 하나의 제 2 화학적 활성 물질 혼합물은, 유전체 층 상의 또는 위의 화학적 활성층 상에 또는 위에 형성될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 유전체 층 상의 또는 위의 화학적 활성 물질 또는 화학적 활성 물질 혼합물은, 적어도 하나의 추가의 화학적 활성 물질 또는 화학적 활성 물질 혼합물과 결합하여서만 화학적으로 활성화, 예를 들어 이온화될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 유전체 층은 전기 전도성 층의 캡슐화부, 예를 들어 장벽 박막층으로서 설계될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 유전체 층은 대략 0.1 ㎚(일 원자층) 내지 대략 1000 ㎚의 범위의 두께의 층 두께, 예를 들어 대략 10 ㎚ 내지 대략 100 ㎚, 예를 들어, 일 구성에 따르면 대략 40 ㎚의 층 두께를 가질 수 있다.
방법의 일 구성에서, 유전체 층은 물질들: 알루미늄 산화물, 아연 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물, 하프늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 란타늄 산화물, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 알루미늄-도핑 아연 산화물, 및 이들의 혼합물들 및 합금들 중 하나를 포함할 수 있다.
방법의 일 구성에서, 전기 전도성 층은, 예를 들어 금속 또는 투명 전도성 산화물(TCO), 또는 동일한 금속 또는 상이한 금속들 및/또는 동일한 TCO 또는 상이한 TCO들의 복수의 층들을 포함하는 층 적층체와 같은 전기 전도성 물질로 형성될 수 있다. 투명 전도성 산화물들은 투명 전도성 물질들, 예를 들어 금속 산화물들, 이를 테면, 예를 들어 아연 산화물, 주석 산화물, 카드뮴 산화물, 티타늄 산화물, 인듐 산화물 또는 인듐 주석 산화물(ITO)이다. 이원 금속-산소 화합물(binary metal-oxygen compound)들, 이를 테면, 예를 들어 ZnO, SnO2, 또는 In2O3과 함께, 삼원 금속-산소 화합물(ternary metal-oxygen compound)들, 이를 테면, 예를 들어 AlZnO, Zn2SnO4, CdSnO3, ZnSnO3, MgIn2O4, GaInO3, Zn2In2O5 또는 In4Sn3O12 또는 상이한 투명 전도성 산화물들의 혼합물들이 또한 TCO들의 그룹에 속하고, 다양한 예시적인 실시예들에서 이용될 수 있다. 더욱이, TCO들은 반드시 화학량론적 조성에 대응하지는 않고, 추가로 p-도핑 또는 n-도핑될 수 있다.
방법의 일 구성에서, 전기 전도성 층은 금속; 예를 들어 Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ag, Au, Mg, Ca, Sm 또는 Li, 및 이러한 물질들의 화합물들, 조합들 또는 합금들을 포함할 수 있다.
방법의 일 구성에서, 전기 전도성 층은 TCO 층 상의 금속의 층의 조합의 층 적층체에 의해 형성될 수 있거나, 그 반대도 가능하다. 일 예는, 인듐 주석 산화물 층(ITO) 상에 적용된 은 층(ITO 상의 Ag) 또는 ITO-Ag-ITO 다층(multilayer)들이다.
방법의 일 구성에서, 전기 전도성 층은 앞서 언급된 물질들에 대한 대안으로서 또는 앞서 언급된 물질들에 부가하여, 물질들: 금속성 나노와이어들 및 나노입자들로 이루어진, 예를 들어 Ag로 이루어진 네트워크들; 탄소 나노튜브들로 이루어진 네트워크들; 그래핀 입자(graphene particle)들 및 그래핀 층들; 반전도성 나노와이어들로 이루어진 네트워크들 중 하나의 또는 복수의 물질들을 포함할 수 있다.
방법의 일 구성에서, 전기 전도성 층은 전기 전도성 폴리머들 또는 전이 금속 산화물들 또는 투명 전기 전도성 산화물들을 포함할 수 있다.
방법의 일 구성에서, 전기 전도성 층은 대략 25 ㎚와 동일한 또는 그 미만의 층 두께, 예를 들어 대략 20 ㎚와 동일한 또는 그 미만의 층 두께, 예를 들어 대략 18 ㎚와 동일한 또는 그 미만의 층 두께를 가질 수 있다.
방법의 일 구성에서, 전기 전도성 층은, 예를 들어 대략 10 ㎚와 동일한 또는 그 초과의 층 두께, 예를 들어 대략 15 ㎚와 동일한 또는 그 초과의 층 두께를 가질 수 있다.
방법의 일 구성에서, 전기 전도성 층은 대략 10 ㎚ 내지 대략 25 ㎚의 범위의 층 두께, 예를 들어 대략 10 ㎚ 내지 대략 18 ㎚의 범위의 층 두께, 예를 들어 대략 15 ㎚ 내지 대략 18 ㎚의 범위의 층 두께를 가질 수 있다.
방법의 일 구성에서, 전기 전도성 층이 투명 전도성 산화물(TCO)을 포함하거나 투명 전도성 산화물(TCO)로 형성되는 경우에 있어서, 전기 전도성 층은, 예를 들어 대략 50 ㎚ 내지 대략 500 ㎚의 범위의 층 두께, 예를 들어 대략 75 ㎚ 내지 대략 250 ㎚의 범위의 층 두께, 예를 들어 대략 100 ㎚ 내지 대략 150 ㎚의 범위의 층 두께를 가질 수 있다.
방법의 일 구성에서, 전기 전도성 층이, 예를 들어 전도성 폴리머들과 결합될 수 있는 금속성 나노와이어들로 이루어진, 예를 들어 Ag로 이루어진 네트워크, 전도성 폴리머들과 결합될 수 있는 탄소 나노튜브들로 이루어진 네트워크로 형성되거나, 그래핀 층들 및 복합체들로 형성되는 경우에 있어서, 전기 전도성 층은, 예를 들어 대략 1 ㎚ 내지 대략 500 ㎚의 범위의 층 두께, 예를 들어 대략 10 ㎚ 내지 대략 400 ㎚의 범위의 층 두께, 예를 들어 대략 40 ㎚ 내지 대략 250 ㎚의 범위의 층 두께를 가질 수 있다.
방법의 일 구성에서, 광학적 및/또는 전기적 기능층은, 밀폐식으로 밀봉된 유전체 층, 예를 들어, 산란층, 유전체 절연부, 래커 층(lacquer layer), 커플링-아웃 층, 커플링-인 층, 인광체 층, 반사 층, 열분배 층(heat distribution layer) 등 상에 또는 위에 형성될 수 있다. 다시 말해: 방법은, 밀폐식 밀봉(hermetic sealing) 후에, 밀폐식으로 밀봉된 유전체 층 상에 또는 위에 추가의 유전체 층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
방법의 일 구성에서, 광전자 컴포넌트는 유기 태양 전지 또는 유기 발광 다이오드로서 설계될 수 있고, 유기 발광 다이오드는, 예를 들어 하부 이미터로서 설계될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 전기 전도성 층 상에 또는 위에 적어도 하나의 유전체 층을 포함하는 광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 장치가 제공되고, 유전체 층은 물에 관하여 밀폐식으로 불침투성이도록 설계되고, 확산 채널들을 갖고, 장치는: 화학적 활성 물질 또는 화학적 활성 물질 혼합물로 유전체 층을 둘러싸기 위한 장치; 변조가능 전압 프로파일을 제공하도록 설계된 전압원 ― 전압원은, 전기 회로가 확산 채널들에 의해 전기적으로 폐쇄되는 방식으로, 전기 전도성 층 및 화학적 활성 물질 또는 화학적 활성 물질 혼합물에 전기적으로 연결됨 ―; 전압원의 전압 프로파일을 제어하도록 설계된 제어 유닛; 유전체 층을 통해 전류를 측정하도록 설계된 측정 디바이스를 포함하고, 측정 디바이스는, 측정된 전기 전도율이 제어 유닛에 통신되는 방식으로 추가로 설계되고; 전압 프로파일의 시간적 변조는 측정된 전류에 커플링된다.
컴포넌트 장치의 일 구성에서, 전압원은 DC 정전압을 제공하도록 설계될 수 있고, 예를 들어, 입력 전류를 위한 정류기(rectifier)를 갖는다.
컴포넌트 장치의 일 구성에서, 측정 디바이스는, 예를 들어 저항 브릿지, 예를 들어 휘트스톤 브리지(Wheatstone bridge) 또는 임피던스 분광계(impedance spectrometer)로서, 전기적 층 구조의 전기 저항을 측정하도록 설계될 수 있다.
컴포넌트 장치의 일 구성에서, 측정 디바이스는, 예를 들어 디지털 전압계(digital voltmeter)로서, 전기적 층 구조에 걸친 전압 강하를 측정하도록 설계될 수 있다.
컴포넌트 장치의 일 구성에서, 측정 디바이스는, 예를 들어 디지털 전류계(digital ammeter)로서, 전기적 층 구조를 통하는 전류를 측정하도록 설계될 수 있다.
컴포넌트 장치의 일 구성에서, 제어 유닛은, 페이즈 디머(phase dimmer)로서 설계될 수 있고, 페이즈 초핑 제어(phase chopping control) 또는 페이즈 게이팅 제어(phase gating control)를 위한 제어 신호는 전기적 층 구조의 측정된 전도율의 함수이다.
컴포넌트 장치의 일 구성에서, 제어 유닛은 예를 들어, 펄스 폭 변조 또는 펄스 주파수 변조를 위한 펄스 변조기로서 설계될 수 있고, 펄스 변조를 위한 제어 신호는 전기적 층 구조의 측정된 전도율의 함수이다.
본 발명의 예시적인 실시예들은 도면들에서 도시되고, 아래에서 매우 상세하게 설명된다.
도면들에서:
도 1은 다양한 구성들에 따른 광전자 컴포넌트의 개략적 단면도를 도시하고;
도 2는 다양한 구성들에 따른 광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 방법에 대한 도면을 도시하고;
도 3은 다양한 구성들에 따른 광전자 컴포넌트의 개략적 단면도를 도시하고;
도 4는 다양한 구성들에 따른 광전자 컴포넌트의 구역의 개략적 단면도를 도시한다.
도 1은 다양한 구성들에 따른 광전자 컴포넌트의 개략적 단면도를 도시하고;
도 2는 다양한 구성들에 따른 광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 방법에 대한 도면을 도시하고;
도 3은 다양한 구성들에 따른 광전자 컴포넌트의 개략적 단면도를 도시하고;
도 4는 다양한 구성들에 따른 광전자 컴포넌트의 구역의 개략적 단면도를 도시한다.
다음의 상세한 설명에서, 첨부 도면들에 대한 참조가 이루어지고, 첨부 도면들은 이러한 설명의 부분을 형성하고, 예시 목적들을 위해 본 발명이 구현될 수 있는 특정 실시예들을 도시한다. 이와 관련하여, 예를 들어, "상부에서(at the top)", "하부에서(at the bottom)", "전면에서", "후면에서", "전방", "후방" 등과 같은 방향 용어는, 설명되는 도면(들)의 배향과 관련하여 이용된다. 실시예들의 컴포넌트 부분들이 다수의 상이한 배향들로 포지셔닝될 수 있기 때문에, 방향 용어는 예시의 역할을 하고, 어떠한 방식으로도 전혀 제한적이지 않다. 본 발명의 보호의 범주로부터 벗어남이 없이, 다른 실시예들이 이용될 수 있고, 구조적인 또는 논리적인 변경들이 이루어질 수 있다는 것은 말할 필요가 없다. 본 명세서에 설명된 다양한 실시예들의 특징들은, 구체적으로 달리 지시되지 않는 한, 서로 결합될 수 있다는 것은 말할 필요가 없다. 그러므로, 다음의 상세한 설명은 제한적인 의미로 해석되지 않아야 하고, 본 발명의 보호의 범주는 첨부된 청구항들에 의해 정의된다.
이러한 설명의 맥락에서, 용어들 "연결된" 및 "커플링된"은 직접적인 및 간접적인 연결 그리고 직접적인 또는 간접적인 커플링 모두를 설명하기 위해 이용된다. 도면들에서, 동일한 또는 유사한 엘리먼트들에 동일한 참조 부호들이 제공되는 것이 편리하다면, 동일한 또는 유사한 엘리먼트들에 동일한 참조 부호들이 제공된다.
도 1은 다양한 실시예들에 따른 광전자 컴포넌트의 개략적 단면도를 도시한다.
광전자 컴포넌트(100), 예를 들어, 전자기 방사를 제공하는 전자 컴포넌트(100), 예를 들어, 유기 발광 다이오드(100)의 형태의 예를 들어, 발광 컴포넌트(100)는 캐리어(102)를 가질 수 있다. 캐리어(102)는 예를 들어, 전자 엘리먼트들 또는 층들, 예를 들어, 발광 엘리먼트들을 위한 캐리어 엘리먼트로서 기능할 수 있다. 예로서, 캐리어(102)는 유리, 석영 및/또는 반도체 재료 또는 임의의 다른 적합한 물질로 형성되거나 이를 포함할 수 있다. 더욱이, 캐리어(102)는 플라스틱 막, 또는 하나의 또는 복수의 플라스틱 막들을 포함하는 래미네이트로 형성되거나 이를 포함할 수 있다. 플라스틱은 하나 또는 둘 이상의 폴리올레핀(polyolefin)들(예를 들어, 고밀도 또는 저밀도 폴리에틸렌(PE) 또는 폴리프로필렌(PP))로 형성되거나 이를 포함할 수 있다. 더욱이, 플라스틱은 폴리 염화 비닐(PVC), 폴리스티렌(PS), 폴리에스테르 및/또는 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에테르설폰(PES) 및/또는 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN)로 형성되거나 이를 포함할 수 있다. 캐리어(102)는 앞서 언급된 물질들 중 하나 또는 둘 이상을 포함할 수 있다. 캐리어(102)는 금속 또는 금속 화합물, 예를 들어 구리, 은, 금, 백금 등으로 형성되거나 이를 포함할 수 있다.
금속 또는 금속 화합물을 포함하는 캐리어(102)는 또한, 금속 막 또는 금속-코팅 막으로서 구현될 수 있다.
캐리어(102)는 반투명하게 또는 심지어 투명하게 구현될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 용어 "반투명" 또는 "반투명 층"은, 층이 광에 대해, 예를 들어, 하나 또는 둘 이상의 파장 범위들로, 예를 들어, 발광 컴포넌트에 의해 발생된 광에 대해, 예를 들어, 가시광의 파장 범위(예를 들어, 380 ㎚ 내지 780 ㎚의 파장 범위의 적어도 부분 범위)의 광에 대해 투과성인 것을 의미하는 것으로 이해될 수 있다. 예로서, 다양한 실시예들에서, 용어 "반투명 층"은, 구조(예를 들어, 층)에 커플링 인(coupled into)되는 광의 실질적으로 전체 양이 구조(예를 들어, 층)로부터 또한 커플링 아웃(coupled out)되고, 여기서, 이러한 경우에, 광의 일부는 산란될 수 있는 것을 의미하는 것으로 이해되어야 한다.
다양한 실시예들에서, 용어 "투명" 또는 "투명 층"은, 층이 (예를 들어, 380 ㎚ 내지 780 ㎚의 파장 범위의 적어도 부분 범위의) 광에 대해 투과성이고, 여기서, 구조(예를 들어, 층)에 커플링 인되는 광은 실질적으로 산란 또는 광 변환 없이 구조(예를 들어, 층)로부터 또한 커플링 아웃되는 것을 의미하는 것으로 이해될 수 있다. 결과적으로, 다양한 실시예들에서, "투명"은 "반투명"의 특수한 경우로서 간주되어야 한다.
예를 들어, 발광 단색성(light-emitting monochromatic) 또는 방출 스펙트럼-제한된(emission spectrum-limited) 전자 컴포넌트가 제공되도록 의도되는 경우에 있어서, 광학적으로 반투명 층 구조가, 원하는 단색성 광의 파장 범위의 적어도 부분 범위에서 또는 제한된 방출 스펙트럼에 대하여 반투명한 것이면 충분하다.
다양한 실시예들에서, 유기 발광 다이오드(100)(또는 그 밖에 위에서 설명되었거나 아래에서 설명될 실시예들에 따른 발광 컴포넌트들)는 이른바 상부 및 하부 이미터(emitter)로서 설계될 수 있다. 상부 및/또는 하부 이미터는 광학적으로 투명한 컴포넌트, 예를 들어, 투명한 유기 발광 다이오드로서 또한 지정될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 장벽층(104)은 선택적으로, 캐리어(102) 상에 또는 위에 배열될 수 있다. 장벽층(104)은 재료들: 알루미늄 산화물, 아연 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물, 하프늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 란타늄 산화물, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 알루미늄-도핑 아연 산화물, 및 이들의 혼합물들 및 합금들 중 하나 또는 둘 이상으로 이루어지거나 이를 포함할 수 있다. 더욱이, 다양한 실시예들에서, 장벽층(104)은 대략 0.1 ㎚(일 원자층) 내지 대략 5000 ㎚의 범위의 층 두께, 예를 들어 대략 10 ㎚ 내지 대략 200 ㎚의 범위의 층 두께, 예를 들어 대략 40 ㎚의 층 두께를 가질 수 있다.
발광 컴포넌트(100)의 전기적 활성 구역(106)은 장벽층(104) 상에 또는 위에 배열될 수 있다. 전기적 활성 구역(106)은, 발광 컴포넌트(100)의 동작을 위해 전류가 흐르는 발광 컴포넌트(100)의 그러한 구역으로서 이해될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 전기적 활성 구역(106)은, 아래에서 훨씬 더 상세하게 설명되는 바와 같이, 제 1 전극(110), 제 2 전극(114) 및 유기 기능층 구조(112)를 포함할 수 있다.
이와 관련하여, 다양한 실시예들에서, (예를 들어, 제 1 전극층(110)의 형태의) 제 1 전극(110)은 장벽층(104) 상에 또는 위에 (또는 장벽층(104)이 존재하지 않는 경우, 캐리어(102) 상에 또는 위에) 적용될 수 있다. 제 1 전극(110)(이하에서 또한 하부 전극(110)으로서 지정됨)은 예를 들어, 금속 또는 투명 전도성 산화물(TCO), 또는 동일한 금속 또는 상이한 금속들 및/또는 동일한 TCO 또는 상이한 TCO들의 복수의 층들을 포함하는 층 적층체와 같은 전기 전도성 물질로 형성될 수 있다. 투명 전도성 산화물들은 투명 전도성 물질들, 예를 들어 금속 산화물들, 이를 테면, 예를 들어 아연 산화물, 주석 산화물, 카드뮴 산화물, 티타늄 산화물, 인듐 산화물 또는 인듐 주석 산화물(ITO)이다. 이원 금속-산소 화합물들, 이를 테면, 예를 들어 ZnO, SnO2, 또는 In2O3과 함께, 삼원 금속-산소 화합물(ternary metal-oxygen compound)들, 이를 테면, 예를 들어 AlZnO, Zn2SnO4, CdSnO3, ZnSnO3, MgIn2O4, GaInO3, Zn2In2O5 또는 In4Sn3O12 또는 상이한 투명 전도성 산화물들의 혼합물들이 또한 TCO들의 그룹에 속하고, 다양한 실시예들에서 이용될 수 있다. 더욱이, TCO들은 반드시 화학량론적 조성에 대응하지는 않고, 추가로 p-도핑 또는 n-도핑될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 제 1 전극(110)은 금속: 예를 들어 Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ca, Sm 또는 Li, 및 이러한 재료들의 화합물들, 조합들 또는 합금들을 포함할 수 있다.
다양한 실시예들에서, 제 1 전극(110)은 TCO의 층 상의 금속의 층의 조합의 층 적층체에 의해 형성될 수 있거나, 그 반대도 가능하다. 일 예는, 인듐 주석 산화물 층(ITO) 상에 적용된 은 층(ITO 상의 Ag) 또는 ITO-Ag-ITO 다층들이다.
다양한 실시예들에서, 제 1 전극(110)은 앞서 언급된 물질들에 대한 대안으로서 또는 앞서 언급된 물질들에 부가하여, 물질들: 금속성 나노와이어들 및 나노입자들로 이루어진, 예를 들어, Ag로 이루어진 네트워크들; 탄소 나노튜브들로 이루어진 네트워크들; 그래핀 입자들 및 그래핀 층들; 반전도성 나노와이어들로 이루어진 네트워크들 중 하나의 또는 복수의 물질들을 포함할 수 있다.
더욱이, 제 1 전극(110)은 전기 전도성 폴리머들 또는 전이 금속 산화물들 또는 투명 전기 전도성 산화물들을 포함할 수 있다.
다양한 실시예들에서, 제 1 전극(110) 및 캐리어(102)는 반투명하게 또는 투명하게 형성될 수 있다. 제 1 전극(110)이 금속으로 형성되거나 금속을 포함하는 경우, 제 1 전극(110)은, 예를 들어 대략 25 ㎚와 동일한 또는 그 미만의 층 두께, 예를 들어 대략 20 ㎚와 동일한 또는 그 미만의 층 두께, 예를 들어 대략 18 ㎚와 동일한 또는 그 미만의 층 두께를 가질 수 있다. 더욱이, 제 1 전극(110)은, 예를 들어 대략 10 ㎚와 동일한 또는 그 초과의 층 두께, 예를 들어 대략 15 ㎚와 동일한 또는 그 초과의 층 두께를 가질 수 있다. 다양한 실시예들에서, 제 1 전극(110)은, 대략 10 ㎚ 내지 대략 25 ㎚의 범위의 층 두께, 예를 들어 대략 10 ㎚ 내지 대략 18 ㎚의 범위의 층 두께, 예를 들어 대략 15 ㎚ 내지 대략 18 ㎚의 범위의 층 두께를 가질 수 있다.
더욱이, 제 1 전극(110)이 투명 전도성 산화물(TCO)로 형성되거나 투명 전도성 산화물(TCO)을 포함하는 경우에 있어서, 제 1 전극(110)은, 예를 들어 대략 50 ㎚ 내지 대략 500 ㎚의 범위의 층 두께, 예를 들어 대략 75 ㎚ 내지 대략 250 ㎚의 범위의 층 두께, 예를 들어 대략 100 ㎚ 내지 대략 150 ㎚의 범위의 층 두께를 가질 수 있다.
더욱이, 제 1 전극(110)이, 예를 들어 전도성 폴리머들과 결합될 수 있는 금속성 나노와이어들로 이루어진, 예를 들어 Ag로 이루어진 네트워크, 전도성 폴리머들과 결합될 수 있는 탄소 나노튜브들로 이루어진 네트워크로 형성되거나, 그래핀 층들 및 복합체들로 형성되는 경우에 있어서, 제 1 전극(110)은, 예를 들어 대략 1 ㎚ 내지 대략 500 ㎚의 범위의 층 두께, 예를 들어 대략 10 ㎚ 내지 대략 400 ㎚의 범위의 층 두께, 예를 들어 대략 40 ㎚ 내지 대략 250 ㎚의 범위의 층 두께를 가질 수 있다.
제 1 전극(110)은 애노드, 다시 말해 정공-주입 전극으로서, 또는 캐소드, 다시 말해 전자-주입 전극으로서 형성될 수 있다.
제 1 전극(110)은 제 1 전기 접촉 패드를 가질 수 있고, 제 1 전기 접촉 패드에, 제 1 전위(에너지원(도시되지 않음), 예를 들어 전류원 또는 전압원에 의해 제공됨)가 인가될 수 있다. 대안적으로, 제 1 전위는, 캐리어(102)에 인가되고, 그 다음으로, 상기 캐리어를 통해 제 1 전극(110)에 간접적으로 인가될 수 있다. 제 1 전위는, 예를 들어 접지 전위 또는 몇몇 다른 미리 정의된 기준 전위일 수 있다.
더욱이, 발광 컴포넌트(100)의 전기적 활성 구역(106)은 유기 기능층 구조(112)를 가질 수 있고, 유기 기능층 구조(112)는 제 1 전극(110) 상에 또는 위에 적용 또는 형성된다.
유기 기능층 구조(112)는, 예를 들어 형광성 및/또는 인광성 이미터들을 포함하는 하나의 또는 복수의 이미터 층들(118), 및 하나의 또는 복수의 정공-전도층들(116)(정공 수송층(들)(120)으로 또한 지정됨)을 포함할 수 있다. 다양한 실시예들에서, 하나의 또는 복수의 전자-전도층들(116)(전자 수송층(들)(116)으로 또한 지정됨)이 대안적으로 또는 부가적으로 제공될 수 있다.
이미터 층(들)(118)을 위한 다양한 실시예들에 따라 발광 컴포넌트(100)에서 이용될 수 있는 이미터 재료들의 예들은, 유기 또는 유기금속성 화합물들, 이를 테면, 폴리플루오렌, 폴리티오펜 및 폴리페닐렌의 유도체들(예를 들어, 2- 또는 2,5-substituted poly-p-phenylene vinylene) 및 금속 착물들, 예를 들어, 이리듐 착물들, 이를 테면, 청색 인광성 FIrPic (bis(3,5-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl(2-carboxypyridyl) iridium III), 녹색 인광성 Ir(ppy)3 (tris(2-phenyl-pyridine)iridium III), 적색 인광성 Ru (dtb bpy)3*2(PF6) (tris[4,4'-di-tert-butyl-(2,2')-bipyridine]-ruthenium(III) complex) 및 청색 형광성 DPAVBi (4,4-bis[4-(di-p-tolylamino)styryl]biphenyl), 녹색 형광성 TTPA (9,10-bis[N,N-di(p-tolyl)-amino]-anthracene) 및 적색 형광성 DCM2 (4 dicyano-methylene)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4H-pyran)을 비-폴리머성 이미터(non-polymeric emitter)들로서 포함한다. 이러한 비-폴리머성 이미터들은 예를 들어, 열적 증발(thermal evaporation)에 의해 증착될 수 있다. 더욱이, 특히, 예를 들어, 스핀 코팅과 같은 습식-화학적 방법에 의해 증착될 수 있는 폴리머 이미터들을 이용하는 것이 가능하다.
이미터 재료들은 적합한 방식으로 매트릭스 재료에 임베딩될 수 있다.
다른 실시예들에서는 다른 적합한 이미터 재료들이 마찬가지로 제공된다는 점에 주목해야 한다.
발광 컴포넌트(100)의 이미터 층(들)(118)의 이미터 재료들은, 예를 들어 발광 컴포넌트(100)가 백색 광을 방출하도록 선택될 수 있다. 이미터 층(들)(118)은, 상이한 색들(예를 들어, 청색 및 황색 또는 청색, 녹색 및 적색)을 방출하는 복수의 이미터 재료들을 포함할 수 있고; 대안적으로, 이미터 층(들)(118)은 또한, 청색 형광성 이미터 층(118) 또는 청색 인광성 이미터 층(118), 녹색 인광성 이미터 층(118) 및 적색 인광성 이미터 층(118)과 같은 복수의 부분 층들로 구성될 수 있다. 상이한 색들을 혼합함으로써, 백색 인상(white color impression)을 갖는 광의 방출이 초래될 수 있다. 대안적으로, 상기 층들에 의해 발생된 1차 방출의 빔 경로에 컨버터 재료를 배열하기 위한 제공(provision)이 또한 이루어질 수 있고, 컨버터 재료는 적어도 부분적으로 1차 방사를 흡수하고, 상이한 파장을 갖는 2차 방사를 방출하여서, 1차 및 2차 방사의 조합에 의해 (아직 백색이 아닌) 1차 방사로부터 백색 인상이 초래된다.
유기 기능층 구조(112)는 일반적으로, 하나의 또는 복수의 전계발광 층(electroluminescent layer)들을 포함할 수 있다. 하나의 또는 복수의 전계발광 층들은 유기 폴리머들, 유기 올리고머(organic oligomer)들, 유기 모노머(organic monomer)들, 유기 소형 비-폴리머성 분자(organic small, non-polymeric molecule)들("소분자(small molecule)들") 또는 이러한 재료들의 조합을 포함할 수 있다. 예로서, 유기 기능층 구조(112)는, 예를 들어 OLED의 경우에, 전계발광 층 또는 전계발광 구역으로의 효과적인 정공 주입을 가능하게 하기 위해, 정공 수송층(120)으로서 구현된 하나의 또는 복수의 전계발광 층들을 포함할 수 있다. 대안적으로, 다양한 실시예들에서, 유기 기능층 구조(112)는, 예를 들어 OLED에서, 전계발광 층 또는 전계발광 구역으로의 효과적인 전자 주입을 가능하게 하기 위해, 전자 수송층(116)으로서 구현된 하나의 또는 복수의 기능층들을 포함할 수 있다. 예로서, 3차 아민들, 카바졸 유도체들, 전도성 폴리아닐린 또는 폴리에틸렌 디옥시티오펜이 정공 수송층(120)을 위한 재료로서 이용될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 하나의 또는 복수의 전계발광 층들이 전계발광 층으로서 구현될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 정공 수송층(120)이 제 1 전극(110) 상에 또는 위에 적용, 예를 들어 증착될 수 있고, 이미터 층(118)이 정공 수송층(120) 상에 또는 위에 적용, 예를 들어 증착될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 전자 수송층(116)은 이미터 층(118) 상에 또는 위에 적용, 예를 들어 증착될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 유기 기능층 구조(112)(다시 말해, 예를 들어 정공 수송층(들)(120) 및 이미터 층(들)(118) 및 전자 수송층(들)(116)의 두께들의 합)는 최대 대략 1.5 ㎛의 층 두께, 예를 들어 최대 대략 1.2 ㎛의 층 두께, 예를 들어 최대 대략 1 ㎛의 층 두께, 예를 들어 최대 대략 800 ㎚의 층 두께, 예를 들어 최대 대략 500 ㎚의 층 두께, 예를 들어 최대 대략 400 ㎚의 층 두께, 예를 들어 최대 대략 300 ㎚의 층 두께를 가질 수 있다. 다양한 실시예들에서, 유기 기능층 구조(112)는, 예를 들어 하나의 유기 발광 다이오드가 다른 유기 발광 다이오드의 위에 바로 배열되는 식으로 배열된 복수의 유기 발광 다이오드들(OLED들)의 적층체를 가질 수 있고, 각각의 OLED는, 예를 들어 최대 대략 1.5 ㎛의 층 두께, 예를 들어 최대 대략 1.2 ㎛의 층 두께, 예를 들어 최대 대략 1 ㎛의 층 두께, 예를 들어 최대 대략 800 ㎚의 층 두께, 예를 들어 최대 대략 500 ㎚의 층 두께, 예를 들어 최대 대략 400 ㎚의 층 두께, 예를 들어 최대 대략 300 ㎚의 층 두께를 가질 수 있다. 다양한 실시예들에서, 유기 기능층 구조(112)는, 예를 들어 하나의 OLED가 다른 OLED 위에 바로 배열되는 식으로 배열된 2개, 3개 또는 4개의 OLED들의 적층체를 가질 수 있고, 이러한 경우, 예를 들어 유기 기능층 구조(112)는 최대 대략 3 ㎛의 층 두께를 가질 수 있다.
선택적으로, 발광 컴포넌트(100)는 일반적으로, 예를 들어 하나의 또는 복수의 이미터 층들(118) 상에 또는 위에, 또는 전자 수송층(들)(116) 상에 또는 위에 배열된 추가의 유기 기능층들을 포함할 수 있고, 추가의 유기 기능층들은 기능성 및 따라서 발광 컴포넌트(100)의 효율성을 추가로 개선하는 역할을 한다.
(예를 들어, 제 2 전극층(114)의 형태의) 제 2 전극(114)은, 유기 기능층 구조(112) 상에 또는 위에, 또는 적합한 경우, 하나의 또는 복수의 추가의 유기 기능층 구조들 상에 또는 위에 적용될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 제 2 전극(114)은 제 1 전극(110)과 동일한 물질들로 형성되거나 이를 포함할 수 있는데, 다양한 실시예들에서 금속들이 특히 적합하다.
다양한 실시예들에서, (예를 들어, 금속성 제 2 전극(114)의 경우에 있어서) 제 2 전극(114)은, 예를 들어 대략 50 ㎚와 동일한 또는 그 미만의 층 두께, 예를 들어 대략 45 ㎚와 동일한 또는 그 미만의 층 두께, 예를 들어 대략 40 ㎚와 동일한 또는 그 미만의 층 두께, 예를 들어 대략 35 ㎚와 동일한 또는 그 미만의 층 두께, 예를 들어 대략 30 ㎚와 동일한 또는 그 미만의 층 두께, 예를 들어 대략 25 ㎚와 동일한 또는 그 미만의 층 두께, 예를 들어 대략 20 ㎚와 동일한 또는 그 미만의 층 두께, 예를 들어 대략 15 ㎚와 동일한 또는 그 미만의 층 두께, 예를 들어 대략 10 ㎚와 동일한 또는 그 미만의 층 두께를 가질 수 있다.
제 2 전극(114)은 일반적으로, 제 1 전극(110)과 동일한 방식으로, 또는 제 1 전극(110)과 상이하게 형성될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 제 2 전극(114)은, 제 1 전극(110)과 관련하여 앞서 설명된 바와 같은, 각각의 층 두께로 그리고 물질들 중 하나 또는 둘 이상으로 형성될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 제 1 전극(110) 및 제 2 전극(114) 양쪽 모두는 반투명하게 또는 투명하게 형성된다. 결과적으로, 도 1에 도시된 발광 컴포넌트(100)는 상부 및 하부 이미터로서(달리 말하면, 투명 발광 컴포넌트(100)로서) 설계될 수 있다.
제 2 전극(114)은 애노드로서, 다시 말해 정공-주입 전극으로서, 또는 캐소드로서, 다시 말해 전자-주입 전극으로서 형성될 수 있다.
제 2 전극(114)은 제 2 전기 단자를 가질 수 있고, 에너지원에 의해 제공된 (제 1 전위와 상이한) 제 2 전위가 제 2 전기 단자에 인가될 수 있다. 제 2 전위는 예를 들어, 제 1 전위에 대한 차이가 대략 1.5 V 내지 대략 20 V의 범위의 값, 예를 들어 대략 2.5 V 내지 대략 15V의 범위의 값, 예를 들어 대략 3 V 내지 대략 12 V의 범위의 값을 갖도록 하는 값을 가질 수 있다.
예를 들어, 장벽 박막층/박막 캡슐화부(108)의 형태의 캡슐화부(108)는 선택적으로 또한, 제 2 전극(114) 상에 또는 위에 그리고 따라서, 전기적 활성 구역(106) 상에 또는 위에 형성될 수 있다.
본원의 맥락에서, "장벽 박막층"(108) 또는 "장벽 박막"(108)은 예를 들어, 화학적 불순물들 또는 대기 물질(atmospheric substance)들에 대하여, 특히 물(습기) 및 산소에 대하여 장벽을 형성하기에 적합한 층 또는 층 구조를 의미하는 것으로 이해될 수 있다. 다시 말해, 장벽 박막층(108)은, 물, 산소 또는 용매와 같은 OLED-손상 물질들이 장벽 박막층(108)을 통해 침투할 수 없거나, 기껏해야 상기 물질들의 매우 작은 비율들만이 장벽 박막층(108)을 통해 침투할 수 있는 방식으로 형성된다.
일 구성에 따르면, 장벽 박막층(108)은 개개의 층으로서(달리 말하면, 단일 층으로서) 형성될 수 있다. 대안적인 구성에 따르면, 장벽 박막층(108)은 하나의 부분 층이 다른 부분 층의 상부에 형성되는 방식으로 형성된 복수의 부분 층들을 포함할 수 있다. 다시 말해, 일 구성에 따르면, 장벽 박막층(108)은 층 적층체로서 형성될 수 있다. 장벽 박막층(108), 또는 장벽 박막층(108)의 하나의 또는 복수의 부분 층들은, 예를 들어 적합한 증착 방법에 의해, 예를 들어, 일 구성에 따르면 ALD(atomic layer deposition) 방법, 예를 들어 PEALD(plasma enhanced atomic layer deposition) 방법 또는 PLALD(plasmaless atomic layer deposition) 방법에 의해, 또는 다른 구성에 따르면 CVD(chemical vapor deposition) 방법, 예를 들어 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition) 방법 또는 PLCVD(plasmaless chemical vapor deposition) 방법에 의해, 또는 대안적으로, 다른 적합한 증착 방법들에 의해 형성될 수 있다.
ALD(atomic layer deposition) 방법을 이용함으로써, 매우 얇은 층들이 증착되는 것이 가능하다. 특히, 원자층 범위의 층 두께들을 갖는 층들이 증착될 수 있다.
일 구성에 따르면, 복수의 부분 층들을 갖는 장벽 박막층(108)의 경우, 모든 부분 층들은 ALD(atomic layer deposition) 방법에 의해 형성될 수 있다. 단지 ALD 층들만을 포함하는 층 시퀀스는 또한, "나노래미네이트(nanolaminate)"로서 지정될 수 있다.
대안적인 구성에 따르면, 복수의 부분 층들을 포함하는 장벽 박막층(108)의 경우, 장벽 박막층(108)의 하나의 또는 복수의 부분 층들은 ALD(atomic layer deposition) 방법과 상이한 증착 방법에 의해, 예를 들어 기상 증착 방법에 의해 증착될 수 있다.
일 구성에 따르면, 장벽 박막층(108)은 대략 0.1 ㎚(일 원자층) 내지 대략 1000 ㎚의 층 두께, 예를 들어 일 구성에 따르면 대략 10 ㎚ 내지 대략 100 ㎚의 층 두께, 예를 들어 일 구성에 따르면 대략 40 ㎚의 층 두께를 가질 수 있다.
장벽 박막층(108)이 복수의 부분 층들을 포함하는 일 구성에 따르면, 모든 부분 층들은 동일한 층 두께를 가질 수 있다. 다른 구성에 따르면, 장벽 박막층(108)의 개개의 부분 층들은 상이한 층 두께들을 가질 수 있다. 다시 말해, 부분 층들 중 적어도 하나의 부분 층은, 하나 또는 둘 이상의 다른 부분 층들과 상이한 층 두께를 가질 수 있다.
일 구성에 따르면, 장벽 박막층(108) 또는 장벽 박막층(108)의 개개의 부분 층들은 반투명 층 또는 투명 층으로서 형성될 수 있다. 다시 말해, 장벽 박막층(108)(또는 장벽 박막층(108)의 개개의 부분 층들)은 반투명 또는 투명 물질(또는 반투명 또는 투명한 물질 혼합물)로 이루어질 수 있다.
일 구성에 따르면, 장벽 박막층(108) 또는 (복수의 부분 층들을 갖는 층 적층체의 경우의) 장벽 박막층(108)의 하나의 또는 복수의 부분 층들은 물질들: 알루미늄 산화물, 아연 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물, 하프늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 란타늄 산화물, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 알루미늄-도핑 아연 산화물, 및 이들의 혼합물들 및 합금들 중 하나로 형성되거나 이를 포함할 수 있다. 다양한 실시예들에서, 장벽 박막층(108) 또는 (복수의 부분 층들을 갖는 층 적층체의 경우의) 장벽 박막층(108)의 하나의 또는 복수의 부분 층들은, 하나의 또는 복수의 고굴절률 재료들, 달리 말하면, 고굴절률을 갖는, 예를 들어 적어도 2의 굴절률을 갖는 하나의 또는 복수의 재료들을 포함할 수 있다.
도 2는 다양한 구성들에 따른 광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 방법에 대한 도면을 도시한다.
다양한 구성들에 따른 방법은, 예를 들어 도 1의 설명들로부터의 구성들 중 하나에 따라, 장벽 박막층(108)으로, 캐리어(102) 상의 또는 위의, 광전자 컴포넌트(100)의 전기적 활성 구역(106)을 캡슐화하는 단계(202)를 포함할 수 있다.
더욱이, 방법은, 화학적 활성 물질 또는 화학적 활성 물질 혼합물을 갖는 장벽 박막층(108)으로 광전자 컴포넌트(100)를 둘러싸는 단계(204)를 포함할 수 있다.
일 구성에서, 둘러싸는 단계(204)는, 장벽 박막층(108) 상에 또는 위에 화학적 활성 물질 또는 화학적 활성 물질 혼합물로 이루어진 층을 형성하는 단계로서 설계될 수 있다.
일 구성에서, 둘러싸는 단계(204)는, 액체 화학적 활성 물질 또는 화학적 활성 물질 혼합물로 장벽 박막층(108)을 습윤(wetting)시키는 단계, 예를 들어 화학적 활성 물질 또는 화학적 활성 물질 혼합물을 포함하는 용액에 광전자 컴포넌트(100)를 담그는 단계로서 설계될 수 있고, 장벽 박막층(108)은 용액에 의해 완전히 둘러싸이는데, 즉, 습윤된다.
더욱이, 방법은 광전자 컴포넌트(100)의 전극들(110, 114) 중 하나의 전극과 화학적 활성 물질 또는 화학적 활성 물질 혼합물 사이에 전위를 형성하는 단계(206)를 포함할 수 있다.
방법의 일 구성에서, 화학적 활성 물질 또는 화학적 활성 물질 혼합물은, 전위에 의해서만 화학적으로 활성화될 수 있는데, 즉, 예를 들어, 전기분해에 의해 화학적 활성 물질 또는 물질 혼합물이 된다.
도 3은 다양한 구성들에 따른 광전자 컴포넌트의 개략적인 단면도를 도시한다.
도면은, 화학적 활성 물질(304) 또는 화학적 활성 물질 혼합물(304)로 이루어진 층으로 장벽 박막층(108)을 둘러싸는 단계(204) 이후의, 예를 들어 도 1의 설명들로부터의 구성 중 하나에 따른, 예를 들어 도 2의 설명으로부터의 일 구성에 따른 광전자 컴포넌트(100)를 생성하기 위한 방법에서의 광전자 컴포넌트(100)의 개략적인 단면도를 도시한다.
도면은 캐리어(102) 상의 또는 위의 제 1 전극(110)을 도시한다. 유기 기능층 구조(112)는 제 1 전극(110) 상에 또는 위에 형성된다. 제 2 전극(114)은 유기 기능층 구조(112) 상에 또는 위에 형성된다. 장벽 박막층(108)은 제 2 전극(114) 상에 또는 위에 형성된다. 화학적 활성 물질(304) 또는 화학적 활성 물질 혼합물(304)의 화학적 활성층, 예를 들어, 화학적 활성 코팅, 화학적 활성 페이스트 등이 장벽 박막층(108) 상에 또는 위에 형성 및/또는 배열된다.
더욱이, 도면은 제 2 전극(114)이, 예를 들어 폴리이미드로 이루어진 전기 절연부(302)에 의해 제 1 전극(110)으로부터 전기적으로 절연되는 것을 도시한다.
광전자 컴포넌트(100)의 캐리어(102)의 기하학적 에지의 구역에서, 광전자 컴포넌트는, 유기 기능층 구조(112)와의 전기 접촉을 이루도록 설계된, 즉, 유기 기능층 구조(112)에 전기 연결되는 접촉 패드들을 포함할 수 있다. 제 2 전극(114)에 있어서, 이러한 목적을 위해, 접촉 패드(306)가 캐리어(102) 상에 또는 위에 확립될 수 있다. 제 2 전극(114)의 접촉 패드(306)는, 예를 들어 전기 절연부(302)에 의해 제 1 전극(110)으로부터 전기적으로 절연될 수 있다.
제 1 전극(110)의 전기 접촉-연결은 캐리어(102)의 기하학적 에지 구역 우측에 형성될 수 있고, 이는 도 3의 우측에 도시된다.
전극 ― 도시된 구성에서 제 2 전극(114) ― 사이에 전위를 형성하는 단계(206)는, 전기 접촉부들(308)에 의해, 예를 들어 화학적 활성 물질(304) 또는 화학적 활성 물질 혼합물(304)의 층과 접촉 패드(306)에 대한 전압원(310)의 전극들의 밀접 연결에 의해, 예를 들어 접촉 핀들, 클램핑 접촉들, 전기 전도성 접착-본딩 연결들 또는 솔더링 연결에 의해, 화학적 활성 물질(304) 또는 화학적 활성 물질 혼합물(304) 및 접촉 패드(306)와 전기 접촉을 이루는 것에 의해 실시될 수 있다.
전위, 예를 들어 전압 프로파일은, 전기 접촉부들(308)에 전기 연결되는 전압원(310)에 의해 형성될 수 있다.
전압 프로파일은, 장벽 박막층(108)이 유전체 성질들을 갖는 방식으로 설계되어야 하는데, 즉, 전기적으로 절연되도록 설계된다.
장벽 박막층(108)의 몇몇 구성들, 예를 들어 아연 산화물로 이루어진 장벽 박막층(108)의 경우에, 최대 전압값이 초과될 때, 장벽 박막층(108)은 전기 전도성이 될 수 있다.
결과적으로, 장벽 박막층(108) 양단의 전위는, 예를 들어 장벽 박막층(108)이 전기 전도성 채널들, 예를 들어 확산 채널들(408)(도 4 참조)을 갖는 경우에, 장벽 박막층(108)을 통한 전하 캐리어들의 전류 흐름을 가능하게 할 수 있다.
전압 프로파일은, 예를 들어 DC 전류를 발생시키고 그리고/또는 전압 펄스들을 가질 수 있는데, 예를 들어 펄싱될 수 있다. 전압 펄스들은, 예를 들어 펄스 폭 변조에 의해 변조될 수 있다.
뷰(300)에서의 발췌부분(excerpt)(100)의 광전자 컴포넌트의 층들은 도 1의 다양한 실시예들에서 설명된다.
뷰(300)에서의 발췌부분(400)의 광전자 컴포넌트의 층들은 도 4의 다양한 실시예들에서 설명된다.
도 4는 다양한 구성들에 따른 광전자 컴포넌트의 구역의 개략적인 단면도를 도시한다.
도면은, 제 2 전극(114) 상에 또는 위에 장벽 박막층(108)을 갖는, 도 3의 설명들로부터의 구성 중 하나의 개략적인 단면도의 확대를 도시한다. 더욱이, 도면은 장벽 박막층(108) 상의 또는 위의 화학적 활성 물질(304) 또는 화학적 활성 물질 혼합물(304)의 층을 도시하고, 전압원(310)에 의해 제 2 전극(114)과 화학적 활성 물질(304) 또는 화학적 활성 물질 혼합물(304)의 층 사이에 전위가 형성된다.
더욱이, 도면은 장벽 박막층(108)의 확산 채널(408)을 도시하고, 이 확산 채널(408)을 통해, 물이, 예를 들어 삼투압에 의해 유기 기능층 구조로 확산될 수 있다.
제 2 전극(114)과 화학적 활성 물질(304) 또는 화학적 활성 물질 혼합물(304)의 층 사이에 전위를 형성하는 단계(206)는, 화학적 활성 물질(304) 또는 화학적 활성 물질 혼합물(304)의 이온화를 초래할 수 있다.
일 구성에서, 화학적 활성 물질(304) 또는 화학적 활성 물질 혼합물(304)의 화학적 활성층은 구리로 형성되거나 구리를 포함할 수 있다. 구리 층은, 예를 들어 장벽 박막층(108) 상에 증착, 예를 들어 기상-증착될 수 있다.
전위에 의해, 화학적 활성층의 물질 혼합물의 또는 화학적 활성층의 물질의 구리 화합물 또는 구리의 적어도 일부가 이온화될 수 있는데, 즉, 자유롭게 이동가능한 전하 캐리어(freely mobile electrical charge carrier)들, 예를 들어, 자유롭게 이동가능한 구리 이온들을 형성할 수 있다. 다시 말해: 화학적으로 활성인 물질 또는 물질 혼합물은 전위에 의해 화학적으로 활성화될 수 있다.
전계에 의해, 예를 들어 화학적 활성 물질(304) 또는 화학적 활성 물질 혼합물(304)의 층의 자유롭게 이동가능한 전기적으로 포지티브로 하전된 전하 캐리어(freely mobile, electrically positively charged charge carrier)들(404), 예를 들어 전기적으로 포지티브로 하전된 구리 이온들(404)은 확산 채널(408)로 이동될 수 있고, 이는 화살표들(410)에 의해 도시된다.
예를 들어, 화학적 활성 물질(304) 또는 화학적 활성 물질 혼합물(304)의 전기적으로 포지티브로 하전된 전하 캐리어들(404)은 이에 의해 제 2 전극(114)으로 이동될 수 있고, 이는 화살표(406)에 의해 도시된다.
제 2 전극(114)에서, 화학적 활성 물질(304) 또는 화학적 활성 물질 혼합물(304)의 전기적으로 포지티브로 하전된 전하 캐리어들(404)은, 제 2 전극(114)의, 전기적으로 상보적으로 하전된 전하 캐리어들(402), 예를 들어 전기적으로 네거티브로 하전된 전하 캐리어들(402), 예를 들어 자유롭게 이동가능한 전자들과 만날 수 있다.
결과적으로, 화학적 활성 물질(304) 또는 화학적 활성 물질 혼합물(304)의 전하 캐리어들(404)의 환원이 발생될 수 있다. 다시 말해: 화학적 활성 물질 또는 화학적 활성 물질 혼합물은 제 2 전극(114)에서 화학적으로 전환될 수 있는데, 예를 들어 화학적으로 비활성화될 수 있고, 예를 들어 제 2 전극(114)에 빈틈없이 연결될 수 있다. 결과적으로, 확산 채널들(408)의 밀폐식 폐쇄(hermetic closure)가 발생될 수 있다.
일 구성에서(도시되지 않음), 화학적 활성층은 전기 전도성으로 구현될 수 있고, 화학적 활성 페이스트 또는 화학적 활성 물질(304) 또는 화학적 활성 물질 혼합물(304)은 화학적 활성층에 분포될 수 있다. 화학적 활성 물질(304) 또는 화학적 활성 물질 혼합물은, 예를 들어 산화제(304), 예를 들어 산소 이온들의 소스, 예를 들어 과산화수소(hydrogen peroxide)로서 설계될 수 있다. 화학적 활성 페이스트의 전기 전도율은, 예를 들어 화학적 활성 페이스트에서 전기 전도성의 첨가제들에 의해 형성될 수 있다.
제 2 전극(114)과 전기 전도성의 화학적 활성 페이스트 사이에 전위를 형성하는 단계(206)는 예를 들어, 제 2 전극(114)을 전압원(310)의 네거티브 폴(negative pole)에 전기적으로 접촉-연결하는 단계 및 전기 전도성의 화학적 활성 페이스트를, 예를 들어 접촉 핀들에 의해, 전압원(310)의 포지티브 폴에 접촉-연결하는 단계를 포함할 수 있다. 제 2 전극(114)은, 예를 들어 금속, 예를 들어 알루미늄으로 형성되거나 이를 포함할 수 있다. 전압원(310)의 전압 프로파일의 일 구성에서, 금속성 양이온들, 예를 들어 알루미늄 이온들이 제 2 전극(114)으로부터 나타나서, 확산 채널(408)을 통해 이동될 수 있다. 전기 전도성의 화학적 활성 페이스트의 산화제(304)와 금속성 양이온들의 접촉은, 금속 산화물, 예를 들어 알루미늄 산화물의 형성을 초래할 수 있다. 결과적으로, 금속 산화물은 확산 채널(408)의 개구를 폐쇄할 수 있다.
일 구성에서(도시되지 않음), 화학적 활성의 전기 전도성 층, 예를 들어 금속 층, 예를 들어 알루미늄 층은, 예를 들어 알루미늄이 장벽 박막층(108) 상으로 또는 위로 기상-증착되는 것에 의해, 장벽 박막층(108) 상에 또는 위에 형성될 수 있다. 산화제를 포함하는 페이스트가 화학적 활성의 전기 전도성 층에 또는 위에 적용될 수 있다. 일 구성에서, 산화제를 포함하는 페이스트는 전기 전도성이도록 설계될 수 있다. 예를 들어, 제 2 전극(114)과 화학적 활성의 전기 전도성 층 사이에 전위를 형성하는 단계(206) 후에, 화학적 활성의 전기 전도성 층의 자유롭게 이동가능한 이온들은, 산화제를 포함하는 페이스트에 의해 산화물 유도체로 전환될 수 있다. 다시 말해: 전기 전도성 물질, 예를 들어 금속, 예를 들어 알루미늄은 전위에 의해 화학적으로 활성화될 수 있고, 장벽 박막층(108)의 확산 채널들(408)이 폐쇄될 수 있는 방식으로, 추가의 화학적 활성 물질, 예를 들어 산화제에 의해, 예를 들어 알루미늄 산화물을 형성하도록 전환될 수 있다.
일 구성에서(도시되지 않음), 추가의 전기 전도성 층들, 예를 들어 추가의 금속 층들, 예를 들어 티타늄 층은 제 2 전극(114) 상에 또는 위에, 다시 말해, 제 2 전극(114)과 장벽 박막층(108) 사이에 형성될 수 있다. 상기 추가의 전기 전도성 층들은, 양극 산화(anodic oxidation) 동안, 예를 들어 안정된 밀폐식으로 불침투성의, 즉, 확산-불침투성의 산화물들을 확산 채널들(408)에 또는 확산 채널(408)의 적어도 일 측 상에 형성할 수 있다.
일 구성에서(도시되지 않음), 화학적 활성 물질(304) 또는 화학적 활성 물질 혼합물(304)로 장벽 박막층(108)을 둘러싸는 단계(204)는 또한, 캡슐화된 ― 즉, 장벽 박막층(108)을 이용하여 ― 광전자 컴포넌트를 화학적 활성 용액, 현탁액 또는 분산액에 도입하는, 예를 들어 담그는 단계로서 설계될 수 있다.
다시 말해: 화학적 활성 물질 또는 화학적 활성 물질 혼합물은 용액 또는 분산액에서 용해되어, 전해질로서 확산 채널들(408)에 전달될 수 있다. 화학적 활성 용액, 현탁액 또는 분산액은, 예를 들어 구리 전기분해를 위한 배쓰일 수 있다. 화학적 활성 물질 또는 화학적 활성 물질 혼합물은, 예를 들어 금속 이온들, 예를 들어 구리 이온들로 형성되거나 이를 포함할 수 있고, 이는 금속, 예를 들어 구리를 형성하기 위해, 예를 들어 알루미늄으로 이루어진, 예를 들어 제 2 전극(114)에서 환원될 수 있다. 결과적으로, 시간에 걸쳐, 다시 말해, 전위 또는 전계가 형성되는 지속기간에 걸쳐, 금속의 성장이 확산 채널(408)에서 빌드업(build up)될 수 있는데, 예를 들어 확산 채널(408)은 구리 전기분해 동안 구리로 채워질 수 있다.
광전자 컴포넌트에 대한 해로운 환경적 영향을 구성할 수 있는 전기분해 수용액(aqueous electrolysis solution) 대신에, 예를 들어 무-수산화물 용매(hydroxide-free solvent), 예를 들어 프로필렌 카보네이트, 퀴논 또는 퀴놀린으로 이루어진 용액을 이용하는 것이 가능하다.
다양한 실시예들에서, 광전자 컴포넌트의 박막 캡슐화의 품질을 개선하는 것을 가능하게 하는, 광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 방법 및 장치가 제공된다. 광전자 컴포넌트, 예를 들어 광전자 컴포넌트의 박막 캡슐화부에 또는 위에 화학적 활성층을 적용하는 것 및 광전자 컴포넌트의 캐소드와 화학적 활성층 사이에 전계를 인가하는 것에 의해, 박막 캡슐화부의 결점 가능 사이트들에서, 박막 캡슐화부의 상기 결점들을 치유하는 전기화학 반응을 개시하는 것이 가능하다. 결과적으로, 무결점 캡슐화 전기 컴포넌트들, 예를 들어 광전자 컴포넌트들, 예를 들어 유기 광전자 컴포넌트들이 형성될 수 있고, 습기 손상으로 인한 조기의 고장들이 배제될 수 있다.
Claims (17)
- 광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 방법으로서,
● 전기 전도성 층(114) 상에 또는 위에 유전체 층(108)을 포함하는 광전자 컴포넌트를 제공하는 단계 ― 상기 유전체 층(108)은, 물에 관하여 실질적으로 밀폐식으로 불침투성으로(hermetically impermeably) 상기 전기 전도성 층(114)을 밀봉하도록 설계되고, 상기 유전체 층(108)은 확산 채널들(408)을 가짐 ―;
● 상기 유전체 층(108)을 빈틈없이 폐쇄(closely closing)하는 단계 ― 상기 유전체 층(108)의 확산 채널들(408) 중 적어도 일부는 폐쇄되고, 상기 확산 채널들(408)은 화학적 활성 물질(chemically active substance)(304) 또는 화학적 활성 물질 혼합물(chemically active substance mixture)(304)에 의해 빈틈없이 폐쇄됨 ― 를 포함하고,
상기 화학적 활성 물질(304) 또는 상기 화학적 활성 물질 혼합물(304)은 전기적으로 하전되는,
광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 방법. - 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 유전체 층(108)은, 빈틈없이 폐쇄되게 할 목적으로 상기 화학적 활성 물질(304) 또는 상기 화학적 활성 물질 혼합물(304)로 둘러싸이는,
광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 화학적 활성 물질(304) 또는 상기 화학적 활성 물질 혼합물(304)은 용액(solution), 현탁액(suspension) 또는 분산액(dispersion)에서 용해되는,
광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 방법. - 제 4 항에 있어서,
상기 화학적 활성 용액, 현탁액 또는 분산액은 무수성(anhydrous)으로 설계되는,
광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 화학적 활성 물질(304) 또는 상기 화학적 활성 물질 혼합물(304)은, 상기 유전체 층(108) 상에서 또는 위에서 화학적 활성층(304)으로서 또는 화학적 활성층(304)에 형성되는,
광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 방법. - 제 1 항 및 제 3 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 화학적 활성 물질(304) 또는 상기 화학적 활성 물질 혼합물(304)의 적어도 일 부분은 전기 전도성이도록 설계되는,
광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 방법. - 삭제
- 제 1 항 및 제 3 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 확산 채널들(408)에 전계가 형성되도록, 상기 유전체 층(108) 양단에 전위차를 형성하는 단계
를 더 포함하는,
광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 방법. - 제 1 항 및 제 3 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 광전자 컴포넌트는 유기 전자 컴포넌트로서 설계되는,
광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 방법. - 광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 장치로서,
상기 광전자 컴포넌트는, 전기 전도성 층 상에 또는 위에 적어도 하나의 유전체 층을 포함하고, 상기 유전체 층은 물에 관하여 밀폐식으로 불침투성이도록 설계되고, 확산 채널들을 가지며,
상기 장치는,
● 화학적 활성 물질 또는 화학적 활성 물질 혼합물로 상기 유전체 층을 둘러싸기 위한 장치 ― 상기 화학적 활성 물질(304) 또는 상기 화학적 활성 물질 혼합물(304)은 전기적으로 하전됨 ―;
● 변조가능 전압 프로파일을 제공하도록 설계된 전압원 ― 상기 전압원은, 전기 회로가 상기 확산 채널들에 의해 전기적으로 폐쇄되는 방식으로, 상기 전기 전도성 층 및 상기 화학적 활성 물질 또는 상기 화학적 활성 물질 혼합물에 전기적으로 연결됨 ―;
● 상기 전압원의 전압 프로파일을 제어하도록 설계된 제어 유닛;
● 상기 유전체 층을 통해 전류를 측정하도록 설계된 측정 디바이스
를 포함하고,
상기 측정 디바이스는, 측정된 전기 전도율이 상기 제어 유닛에 통신되는 방식으로 추가로 설계되고,
상기 전압 프로파일의 시간적 변조(temporal modulation)는 상기 측정된 전류에 커플링되는,
광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 장치. - 제 11 항에 있어서,
상기 전압원은 DC 정전압을 제공하도록 설계되는,
광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 장치. - 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
상기 제어 유닛은 펄스 폭 변조 또는 펄스 주파수 변조를 위한 펄스 변조기로서 설계되고,
펄스 변조를 위한 제어 신호는 전기적 층 구조의 측정된 전도율의 함수인,
광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 장치. - 제 7 항에 있어서,
상기 화학적 활성 물질(304) 또는 상기 화학적 활성 물질 혼합물(304)은 이온들을 갖거나 이온들을 제공하는,
광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 방법. - 제 1 항 및 제 3 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 광전자 컴포넌트는 유기 광전자 컴포넌트(100)로서 설계되는,
광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 방법. - 제 1 항 및 제 3 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 광전자 컴포넌트는 유기 태양 전지 또는 유기 발광 다이오드(100)로서 설계되는,
광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 방법. - 제 11 항에 있어서,
상기 전압원은 입력 전류를 위한 정류기(rectifier)를 갖는,
광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 장치.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102012109207.9A DE102012109207B4 (de) | 2012-09-28 | 2012-09-28 | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes |
| DE102012109207.9 | 2012-09-28 | ||
| PCT/EP2013/070088 WO2014049065A1 (de) | 2012-09-28 | 2013-09-26 | Verfahren und vorrichtung zum herstellen eines optoelektronischen bauelementes |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20150060950A KR20150060950A (ko) | 2015-06-03 |
| KR101676684B1 true KR101676684B1 (ko) | 2016-11-16 |
Family
ID=49253302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020157010966A KR101676684B1 (ko) | 2012-09-28 | 2013-09-26 | 광전자 엘리먼트를 생성하기 위한 방법 및 장치 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9472781B2 (ko) |
| KR (1) | KR101676684B1 (ko) |
| CN (1) | CN104685653B (ko) |
| DE (1) | DE102012109207B4 (ko) |
| WO (1) | WO2014049065A1 (ko) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102012208932A1 (de) * | 2012-05-29 | 2013-12-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines Bauelementes und Vorrichtung zum Herstellen eines Bauelementes |
| DE102013109814A1 (de) * | 2013-09-09 | 2015-03-12 | Osram Oled Gmbh | Optoelektronisches Bauelement, optoelektronische Bauelementevorrichtung und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes |
| DE102013112253A1 (de) * | 2013-11-07 | 2015-05-07 | Osram Oled Gmbh | Optoelektronisches Bauelement, Verfahren zum Betreiben eines optoelektronischen Bauelementes und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes |
| FR3032065A1 (fr) * | 2015-01-28 | 2016-07-29 | Astron Fiamm Safety | Procede de realisation d'un contact par pulverisation |
| US11133359B2 (en) * | 2016-09-27 | 2021-09-28 | Inuru Gmbh | Integrated layered electronic display sheets for placement on product packaging and in printed media |
| US10811636B2 (en) | 2016-11-10 | 2020-10-20 | Int Tech Co., Ltd. | Light emitting device manufacturing method and apparatus thereof |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050285521A1 (en) | 2004-06-17 | 2005-12-29 | Tohoku Pioneer Corporation | Organic EL element and organic EL display panel |
| WO2008057045A1 (en) | 2006-11-06 | 2008-05-15 | Agency For Science, Technology And Research | Nanoparticulate encapsulation barrier stack |
| US20080237872A1 (en) | 2004-01-21 | 2008-10-02 | Kenichi Nagayama | Semiconductor Device and Method For Manufacturing Same |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7829147B2 (en) * | 2005-08-18 | 2010-11-09 | Corning Incorporated | Hermetically sealing a device without a heat treating step and the resulting hermetically sealed device |
| DE102005050561A1 (de) | 2005-10-17 | 2007-04-19 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Element zur flächigen Beleuchtung |
| CN102057750B (zh) | 2008-04-09 | 2013-06-05 | 新加坡科技研究局 | 用于封装对氧气和/或湿气敏感的电子器件的多层膜 |
| US20120028011A1 (en) * | 2010-07-27 | 2012-02-02 | Chong Pyung An | Self-passivating mechanically stable hermetic thin film |
-
2012
- 2012-09-28 DE DE102012109207.9A patent/DE102012109207B4/de active Active
-
2013
- 2013-09-26 KR KR1020157010966A patent/KR101676684B1/ko active IP Right Grant
- 2013-09-26 US US14/431,793 patent/US9472781B2/en active Active
- 2013-09-26 CN CN201380049688.6A patent/CN104685653B/zh active Active
- 2013-09-26 WO PCT/EP2013/070088 patent/WO2014049065A1/de active Application Filing
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080237872A1 (en) | 2004-01-21 | 2008-10-02 | Kenichi Nagayama | Semiconductor Device and Method For Manufacturing Same |
| US20050285521A1 (en) | 2004-06-17 | 2005-12-29 | Tohoku Pioneer Corporation | Organic EL element and organic EL display panel |
| WO2008057045A1 (en) | 2006-11-06 | 2008-05-15 | Agency For Science, Technology And Research | Nanoparticulate encapsulation barrier stack |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20150270509A1 (en) | 2015-09-24 |
| US9472781B2 (en) | 2016-10-18 |
| DE102012109207B4 (de) | 2018-05-09 |
| CN104685653B (zh) | 2017-04-05 |
| WO2014049065A1 (de) | 2014-04-03 |
| DE102012109207A1 (de) | 2014-04-03 |
| CN104685653A (zh) | 2015-06-03 |
| KR20150060950A (ko) | 2015-06-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9716247B2 (en) | Optoelectronic component including exposed contact pad | |
| KR101676684B1 (ko) | 광전자 엘리먼트를 생성하기 위한 방법 및 장치 | |
| US9887379B2 (en) | Electrode and optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component | |
| US9831465B2 (en) | Optoelectronic component and method for producing same | |
| KR20150041116A (ko) | 컴포넌트들 및 컴포넌트들을 생성하기 위한 방법 | |
| US9671556B2 (en) | Optoelectronic component device, method for producing an optoelectronic component device and method for operating an optoelectronic component device | |
| US9698387B2 (en) | Method for producing an optoelectronic component and method for patterning an organic, optoelectronic component | |
| KR20140021052A (ko) | 광전자 컴포넌트 및 광전자 컴포넌트를 생산하기 위한 방법 | |
| US9741965B2 (en) | Method for processing an electronic component and electronic component arrangement | |
| US9451670B2 (en) | Optoelectronic component apparatus, method for producing an optoelectronic component apparatus and method for operating an optoelectronic component apparatus | |
| US20150236294A1 (en) | Organic optoelectronic component, method for producing an organic optoelectronic component and method for cohesive electrical contacting | |
| US10014488B2 (en) | Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component | |
| KR101884283B1 (ko) | 전자 컴포넌트 및 전자 컴포넌트를 생산하기 위한 방법 | |
| US9859524B2 (en) | Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component | |
| US9941473B2 (en) | Method for closely connecting an organic optoelectronic component to a connection piece, connection structure for force-locking connecting, and optoelectronic component device | |
| US20160372699A1 (en) | Optoelectronic component and method for the production thereof | |
| US9806243B2 (en) | Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component | |
| US9888576B2 (en) | Method for working an apparatus having at least one electrical layer structure, and component arrangement for working an apparatus having at least one electrical layer structure | |
| DE102014104099A1 (de) | Elektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelementes | |
| Kang et al. | Investigation of improved performance for organic rectifying diodes via electrical annealing | |
| WO2014049046A1 (de) | Verfahren zum ermitteln der permeabilität einer dielektrischen schicht eines optoelektronischen bauelementes; vorrichtung zum ermitteln der permeabilität einer dielektrischen schicht eines optoelektronischen bauelementes; optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelementes |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| GRNT | Written decision to grant |