WO2014049065A1 - Verfahren und vorrichtung zum herstellen eines optoelektronischen bauelementes - Google Patents

Verfahren und vorrichtung zum herstellen eines optoelektronischen bauelementes Download PDF

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WO2014049065A1
WO2014049065A1 PCT/EP2013/070088 EP2013070088W WO2014049065A1 WO 2014049065 A1 WO2014049065 A1 WO 2014049065A1 EP 2013070088 W EP2013070088 W EP 2013070088W WO 2014049065 A1 WO2014049065 A1 WO 2014049065A1
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WO
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chemically active
layer
active substance
dielectric layer
mixture
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PCT/EP2013/070088
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English (en)
French (fr)
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Andrew Ingle
Marc Philippens
Tilman Schlenker
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/861—Repairing

Definitions

  • An organic optoelectronic component for example an OLED, may comprise an anode and a cathode
  • the organic functional layer system may include one or more emitter layers in which electromagnetic radiation is generated, for example, one or more charge carrier pair generation layer structure (s) of two or more each
  • CGL Charge generation pair
  • electron blockade layers also referred to as
  • Hole transport layer and one or more hole block layers, also referred to as electron transport layer (s) (ETL), for directing the flow of current.
  • s electron transport layer
  • organic light emitting diodes organic light emitting diodes
  • OLED emitting diode
  • a surface can be understood, for example, as a table, a wall or a floor.
  • the organic components of organic components are described below.
  • a harmful environmental influence can be understood to mean all influences which can potentially lead to degradation or aging, for example cross-linking or crystallization, of organic substances or substance mixtures and thus limit the operating life of organic components.
  • a harmful environmental influence can be, for example, a substance harmful to organic substances or substance mixtures, for example oxygen and / or, for example, a
  • Solvent for example water.
  • impermeable encapsulation layer Surrounding impermeable encapsulation layer surrounded, for example, a thin film impermeable to
  • the encapsulation layer for thin-film encapsulated organic, optoelectronic device such as organic
  • LEDs should be as defect free as possible. Already a microscopic defect or a diffusion channel along a
  • Grain boundary in this encapsulation layer can become a
  • OLED form non-luminous, circular dots (black spot) that can grow over time.
  • Encapsulation layer a glass cover by means of a
  • the speed at which water diffuses into the optoelectronic component can be reduced so that, for example, a defect in the encapsulation layer of an OLED significantly slowed down leads to a visible defect in the OLED.
  • a defect in the encapsulation layer of an OLED significantly slowed down leads to a visible defect in the OLED.
  • Glass cover for example by means of a frit bonding / glass soldering / seal glass bonding (glass frit bonding) by means of a conventional glass solder in the geometric edge regions of the organic
  • optoelectronic component are applied to the encapsulation layer.
  • a diffusion channel in a layer can be understood as a cavity in the layer having at least two openings, for example as a hole, a pore, a connection or
  • a diffusion channel may be formed in the layer such that different sides of the layer are interconnected by the diffusion channel.
  • Migrate or diffuse mixture of substances from an opening of the diffusion channel to the at least one second opening of the diffusion channel for example by means of an osmotic pressure or electrophoretically.
  • an organic substance irrespective of the respective physical state, in chemically uniform form present, characterized by characteristic physical and chemical properties compound of the carbon are understood.
  • an inorganic substance may be one in a chemically uniform form, regardless of the particular state of matter
  • an organic-inorganic substance can be a
  • the term "substance” encompasses all substances mentioned above, for example an organic substance, an inorganic substance, and / or a hybrid substance
  • Mixture be understood something that consists of two or more different ingredients, whose
  • components are very finely divided.
  • a class of substance is a substance or mixture of one or more organic substance (s), one or more inorganic substance (s) or one or more hybrid
  • first substance or a first substance mixture may be equal to a second substance or a second substance mixture, if the chemical and
  • a first substance or a first substance mixture may be similar to a second substance or a second substance mixture if the first substance or the first substance mixture and the second substance or the second substance mixture
  • composition approximately the same chemical properties and / or approximately the same physical properties
  • crystalline S1O2 (quartz) as equal to amorphous S1O2 (silica glass) and may be considered similar to SiO x with respect to the stoichiometric composition.
  • refractive index ⁇
  • crystalline S1O2 may be different from SiO x or amorphous SiO 2.
  • additives for example in the form of dopants, for example, amorphous SiO 2 may have the same or a similar refractive index as
  • Composition be different from crystalline S1O2.
  • the reference quantity in which a first substance resembles a second substance can be explicitly stated or can be derived from the
  • an electrically charged substance can be understood as meaning a substance which has a
  • the electrical charge has electrical charge, ie at least temporarily, is not electrically neutral.
  • the electrical charge can be formed by means of polarization or ionization.
  • the electrically charged substance may be formed, for example, in the form of particles or molecules.
  • an electrical potential can be understood to mean the position of an electrical charge, for example of an electrically charged substance, with respect to oppositely charged electrodes.
  • E field electric field
  • chemical conversion may be understood to mean the formation of a second substance or a second substance mixture from a first substance or a first substance mixture.
  • Transformation can be as a chemical oxidation and / or a chemical reduction of the first substance or of the first
  • Substance mixture done.
  • a simultaneous oxidation and reduction can be understood as a redox reaction.
  • one chemically active substance can chemically oxidize another substance or chemically
  • a chemically active substance can be any chemically active substance that can be used to reduce and / or even chemically oxidized or chemically reduced.
  • a chemically active substance can be any chemically active substance.
  • an electrically charged material which is chemically oxidized or reduced at an electrode, for example, galvanically or electrolytically.
  • a hermetically sealed substance or a hermetically sealed one may be used
  • an electronic component can be understood as a component which controls, controls or amplifies an electrical component
  • An electronic component can have a component from the group of components:
  • a diode for example, a diode, a transistor, a
  • Thermogenerator an integrated circuit, a thyristor.
  • a thyristor In the context of this description can under a
  • the electronic component can be understood, wherein the optoelectronic component has an optically active region.
  • the optically active region can absorb electromagnetic radiation and form a photocurrent therefrom or emit electromagnetic radiation by means of an applied voltage to the optically active region.
  • the organic optoelectronic component may have an organic substance or an organic substance mixture in the optically active region, which is set up, for example, for receiving or providing electromagnetic radiation.
  • a harmful environmental influence can be, for example, a substance harmful to organic substances or organic substance mixtures, for example oxygen and / or, for example, a solvent, for example water.
  • a harmful environmental influence may, for example, be an environment which is harmful to organic substances or organic substance mixtures, for example a change above or below a critical value, for example the temperature and / or a change in the ambient pressure, thereby contributing to
  • connection of a first body to a second body may be positive, non-positive and / or cohesive.
  • the compounds may be detachable, ie reversible.
  • a reversible, interlocking connection for example as a
  • connections may also be non-detachable, i. irreversible.
  • a non-detachable connection can be separated only by destroying the connecting means.
  • a non-detachable connection can be separated only by destroying the connecting means.
  • first body perpendicular, i. normal, moving in the direction of the restricting surface of the second body.
  • a pin (first body) in a blind hole (second body) may be restricted in motion in five of the six spatial directions.
  • Connection can be realized, for example, as a screw connection, a Velcro fastener, a clamp / a use of brackets.
  • Self-locking a screw in a complementarily shaped thread be.
  • Self-locking can be understood as resistance through friction.
  • Embodiments may be a non-positive connection
  • the first body can be connected to the second body by means of atomic and / or molecular forces.
  • Cohesive compounds can often be non-releasable compounds.
  • a cohesive connection
  • a solder joint such as a glass solder, or a Metalotes, a welded joint be realized.
  • a method for producing an optoelectronic component the
  • a method comprising: providing an optoelectronic component having a dielectric layer on or above an electrically conductive layer, wherein the dielectric layer to a respect to water in the
  • Substantially hermetically sealed sealing of the electrically conductive layer is arranged, wherein the dielectric layer has diffusion channels; and conclusive
  • Diffusion channels are sealed by means of a chemically active substance or a chemically active mixture.
  • the dielectric layer can be surrounded with the chemically active substance or the chemically active substance mixture for conclusive sealing.
  • the dielectric layer may be completely or partially surrounded with the chemically active substance or the chemically active substance mixture, for example in that at least a part of the dielectric layer is not surrounded by the chemically active substance or the chemically active substance mixture, for example by chemically structuring the chemically active substance or the chemically active substance mixture.
  • the surrounding may be formed temporarily or permanently.
  • a temporary surrounding may be considered a dipping of the
  • a permanent surrounding may for example be realized as a formation of a cohesive layer on or above the dielectric layer.
  • the chemically active substance or the chemically active substance mixture may be dissolved in a solution, suspension or dispersion.
  • the chemically active solution, the suspension or the dispersion may be anhydrous, for example propylene carbonate,
  • the chemically active substance or the chemically active substance mixture can be provided in an electrolyte solution or a galvanic bath, which surrounds the dielectric layer.
  • an electrolyte solution or a plating bath may have a mass fraction of chemically active agent or chemically active composition with respect to the bulk of the solution in a range of about 1% to about 70%.
  • the chemically active substance or the chemically active substance mixture can be formed on or above the dielectric layer,
  • the chemically active substance or the chemically active substance mixture can be used as a chemically active layer or in a chemically active
  • Layer can be formed on or above the dielectric layer.
  • the chemically active layer may have a thickness in a range of about 100 nm to about 20 ⁇ m, for example in a range of about
  • the chemically active layer can be configured as a chemically active paste or a chemically active coating.
  • the chemically active paste in addition to the chemically active substance or the chemically active mixture, further, volatile
  • the volatiles may or may not be included in the chemically active layer on or over the dielectric layer, for example, the chemically active paste may be dried for electrolysis, electroplating and / or electrophoresis.
  • At least part of the chemically active substance or of the chemically active substance mixture can be set up in an electrically conductive manner.
  • the chemically active substance or the chemically active substance mixture can be electrically be charged, for example, have ions or
  • the chemically active substance or the chemically active substance mixture may comprise or be formed from a metal, for example copper.
  • the chemically active substance or the chemically active substance mixture can be any organic compound or the chemically active substance mixture.
  • Oxidizing agent or a reducing agent or be formed therefrom for example propylene carbonate,
  • Suspension, dispersion or layer with chemically active substance or chemically active substance mixture for example the oxidizing agent, be free from water and / or hydroxide groups, i. be hydroxide-free, for example, have an organic solvent.
  • the method may include forming an electrical potential difference across the dielectric layer such that an electric field is formed in the diffusion channels.
  • a diffusion channel may have a diameter ranging from about the diameter of a water molecule to about several nm.
  • a diffusion channel in the dielectric layer may be or may be formed by voids, grain boundaries, or the like in the dielectric layer.
  • a dielectric layer may be a layer in an optoelectronic component which is of dielectric construction and has described diffusion channels, for example a barrier thin layer, barrier layer, Encapsulation layer, encapsulation thin layer, adhesive layer, getter layer, optical coupling layer or decoupling layer, scatter layer, phosphor layer, dye layer or the like.
  • the electric field can be formed such that an electric
  • Diffusion channels migrated, for example, electrophoretically, for example, by a chemically active substance or a chemically active mixture is electrically charged by means of the electric field, for example electrolytically.
  • the electrical potential difference can be formed by means of a voltage source, wherein the voltage source has a first electrode and a second electrode, wherein the electrical
  • the electrical potential difference may be at least greater than about the decomposition voltage of the chemically active substance or the chemically active one
  • the electrical potential difference may have an amount in a range of about 0.1V to about 25V.
  • Amount of the electrical voltage curve have an amount in a range of about 0.1 V to 5 V.
  • the maximum amount of electrical voltage waveform can also be used as a peak voltage and / or voltage amplitude
  • the amount of the voltage of the electrical voltage curve in time is designated, wherein the maximum amount of the electrical voltage waveform can be modulated in time.
  • the amount of the voltage of the electrical voltage curve in time is designated, wherein the maximum amount of the electrical voltage waveform can be modulated in time.
  • the electrical voltage profile may have one of the following temporal modulations: sine-shaped, cosine-shaped, sawtooth-shaped, triangular, rectangular, pulsed.
  • An electrical voltage pulse may, for example, have one of the following voltage profiles: Gauss, Lorentz, Voigt,
  • an electrical voltage pulse may have a half-life and / or a pulse duration in a range from approximately 1 ys to approximately 5 s.
  • Voltage curve have a single voltage pulse or a frequency in a range of about 1 Hz to about 1 MHz.
  • the temporal modulation may have a pulse width modulation.
  • the temporal modulation of the voltage curve can be measured with one
  • a measured electrical current through the dielectric layer may be correlated and / or coupled, for example by measuring the electrical conductivity or electrical current of the device after or during a voltage pulse.
  • Peak voltage of a voltage pulse and / or the number of voltage pulses may be a function of the electrical conductivity and / or the electrical current through the dielectric layer, for example the thickness of the dielectric layer not removed in the current path.
  • the concrete amount of the electrical voltage may be dependent on the thickness of the dielectric layer and the
  • the dielectric layer should have a maximum thickness, so that the maximum amount of the voltage is at most so great that further layers, which are in electrical contact with the electrical layer structure, not by means of
  • Electrode of the voltage source are electrically connected to the electrically conductive layer, for example
  • the electrical connection can be made conclusive, for example, materially.
  • the electrical connection can be set up temporarily and / or reversibly.
  • a temporary and reversible electrical connection can be realized, for example, as forming a physical contact of contact pins with the electrically conductive layer and / or the chemically active substance or the chemically active substance mixture, for example a
  • a contact pin may also be referred to as a pin or pin.
  • the chemically active substance may also be referred to as a pin or pin.
  • conductive layer may be referred to as an electrical layer structure.
  • the electrical connection can be set up such that the circuit of the electrical connection through the electrical
  • Electrode are electrically connected to a third electrode, for example, conclusive, for example
  • electromechanical for example by means of a
  • the dielectric layer for example, on or over the dielectric layer as an electrically conductive coating or an electrically conductive paste; or for example as an electrode in a galvanic bath.
  • Diffusion channels for example, on the surface of the electrically conductive layer, a substance or a
  • solubility with respect to water for example, less than or equal to the substance or mixture of
  • the formed substance or the formed substance mixture may be a metal, a metal oxide, for example glass; and / or have a ceramic, for example alumina or copper oxide.
  • the substance or the mixture of substances which is formed in the diffusion channel by the chemically active substance or the chemically active substance mixture, the substance-tight, positive fit and / or non-positively seal the diffusion channel may be a metal, a metal oxide, for example glass; and / or have a ceramic, for example alumina or copper oxide.
  • closing a diffusion channel can also be used as a plug, encapsulation, burial, Hermetizing, sealing, sealing or blocking a diffusion channel are called or understood.
  • the conclusive compound can be formed insoluble with respect to water, for example as a hermetically sealed, cohesive connection, for example by means of a metal oxide,
  • a metal oxide plug For purposes of this description, a plug may also be referred to or understood as a closure, plug, plug, latch, cap, or barrier.
  • the substance or the substance mixture of the plug in the diffusion channel may be the same or a similar substance or the same or a
  • a similar substance or a similar mixture of substances may have a different stoichiometric
  • the electrically conductive layer may be aluminum and the
  • dielectric layer may comprise or be formed from alumina.
  • aluminum of the electrically conductive layer by means of a chemically active material, such as an oxidizing agent, to a
  • Alumina stoppers are oxidized, i. be anodized.
  • the chemically active substance or the chemically active substance mixture can chemically convert the substance or mixture of the electrically conductive layer, for example chemically oxidizing or chemically reducing it, for example forming a metal oxide layer in an electrically conductive layer of a metal.
  • the chemically active substance or the chemically active substance mixture can migrate into the diffusion channels.
  • a part of the substance or of the substance mixture of the electrically conductive layer can, on entering into and / or leaving a diffusion channel, be converted by the chemically active substance or the chemically active substance mixture,
  • the substance or mixture of the electrically conductive layer can migrate into the diffusion channel, and be converted or converted, for example, in the diffusion channel
  • the chemically active substance or the chemically active substance mixture in one embodiment, the chemically active substance or the chemically active substance mixture
  • At least one side of a diffusion channel are chemically converted.
  • a part of the chemically active substance or of the chemically active substance mixture can enter and / or exit from a
  • Diffusion channel to be converted for example, on the wall of the diffusion channel and / or on the surface of the electrically conductive layer.
  • the electrically conductive layer may be one or more material
  • the electrically conductive layer may be configured as an electrode, an electrical connection layer, a contact pad or the like of the optoelectronic component.
  • the chemically active substance or the chemically active substance mixture can be chemically activated on or above the dielectric layer.
  • At least one second chemically active substance and / or at least one second chemically active substance mixture can be formed on or above the chemically active layer on or above the dielectric layer.
  • the chemically active substance or the chemically active substance mixture can be chemically activated, for example ionized, on or above the dielectric layer only in combination with at least one further chemically active substance or chemically active substance mixture.
  • the dielectric layer may be configured as an encapsulation of the electrically conductive layer, for example a
  • the dielectric layer may have a layer thickness of a thickness in a range of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 1000 nm
  • the dielectric layer may comprise one of the following substances: aluminum oxide, Zinc oxide, zirconium oxide, titanium oxide, hafnium oxide, tantalum oxide, lanthanum oxide, silicon oxide, silicon nitride,
  • Silicon oxynitride indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum ⁇ doped zinc oxide, and mixtures and alloys
  • the electrically conductive layer may be formed of or be made of an electrically conductive material, such as a
  • TCO conductive transparent oxide
  • Transparent conductive oxides are transparent, conductive substances, for example metal oxides, such as
  • binary oxide Zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO).
  • Metal oxygen compounds such as ZnO, SnO 2, or ⁇ 2 O 3 also include ternary metal oxygen compounds, such as AlZnO, Zn 2 SnO 4, Cd SnO 3, Zn SnO 3, Mgln 2 O 4, GalnO 3, 2 ⁇ 5 or In 4 Sn 3 O 2 or mixtures
  • Embodiments are used. Farther
  • the TCOs do not necessarily correspond to a stoichiometric composition and may also be p-doped or n-doped.
  • the electrically conductive layer may comprise a metal; For example, Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ag, Au, Mg, Ca, Sm or Li, and compounds, combinations or alloys of these substances.
  • the electrically conductive layer may be formed by a stack of layers of a combination of a layer of a metal on one
  • An example is one Silver layer deposited on an indium tin oxide (ITO) layer (Ag on ITO) or ITO-Ag-ITO multilayers.
  • ITO indium tin oxide
  • the electrically conductive layer may comprise one or more of the following substances as an alternative or in addition to the above-mentioned substances: networks of metallic nanowires and particles, for example of Ag; Networks of carbon nanotubes; Graphene particles and layers; Networks of semiconducting nanowires.
  • the electrically conductive layer may be electrically conductive polymers or
  • the electrically conductive layer may have a layer thickness of less than or equal to approximately 25 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 20 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 18 nm.
  • the electrically conductive layer may for example have a layer thickness of greater than or equal to approximately 10 nm, for example a layer thickness of greater than or equal to approximately 15 nm.
  • the electrically conductive layer may have a layer thickness in a range of about 10 nm to about 25 nm, for example a
  • Layer thickness in a range of about 10 nm to about 18 nm, for example, a layer thickness in a range of about 15 nm to about 18 nm.
  • the electrically conductive layer in the event that the electric
  • conductive layer a conductive transparent oxide (TCO) or formed from, the electrically conductive layer, for example, have a layer thickness in a range of about 50 nm to about 500 nm,
  • Layer thickness in a range of about 100 nm to about 150 nm.
  • the electrically conductive layer in the event that the electrically
  • the electrically conductive layer for example, a layer thickness in a range of about 1 nm to about 500 nm, for example, a layer thickness in a range from
  • Layer thickness in a range of about 40 nm to about 250 nm.
  • an optically and / or electrically functional layer can be formed on or above the hermetically sealed dielectric layer, for example a diffusion layer, a dielectric insulation, a lacquer layer, a coupling-out layer, a coupling layer, a phosphor layer, a
  • Reflection layer a heat distribution layer or
  • the method can form another
  • optoelectronic component as an organic solar cell or an organic light emitting diode, wherein the organic
  • LED for example, as a bottom emitter
  • the dielectric layer provided on or above an electrically conductive layer, wherein the dielectric layer is hermetically sealed with respect to water and has diffusion channels, the
  • An apparatus comprising: an apparatus for surrounding the dielectric layer with a chemically active substance or chemically active substance mixture; a voltage source
  • electrically conductive layer and the chemically active substance or the chemically active mixture is electrically connected such that the circuit is electrically closed by the diffusion channels; a control unit configured to control the voltage waveform of the voltage source; a measuring device adapted to measure the electric current through the dielectric layer, wherein the
  • Measuring device is further arranged such that the measured electrical conductivity is transmitted to the control unit; the temporal modulation of the
  • Voltage curve is coupled to the measured electric current.
  • Set DC voltage for example, a
  • the measuring device can be designed to measure the electrical resistance of the electrical layer structure, for example as a resistance bridge, for example a Wheatstone bridge or an impedance spectrometer.
  • the measuring device can be designed to measure the electrical voltage drop across the electrical layer structure, for example as a digital voltage measuring device.
  • the measuring device can be set up to measure the electric current through the electrical layer structure
  • a digital power meter for example, as a digital power meter.
  • control unit can be set up as a phase dimmer, wherein the control signal for phase segment scattering or
  • Phase control is a function of the measured
  • control unit can be configured as a pulse modulator, for example for pulse width modulation or
  • Pulse modulation is a function of the measured conductivity of the electrical layer structure.
  • Figure 1 is a schematic cross-sectional view of a
  • FIG. 2 shows a diagram of the method for producing an optoelectronic component, according to various embodiments
  • Figure 3 is a schematic cross-sectional view of a
  • FIG. 4 shows a schematic cross-sectional view of a region of an optoelectronic component, according to various embodiments.
  • Fig.l shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic component, according to various
  • the optoelectronic component 100 for example, an electronic component 100 providing electromagnetic radiation, for example a light-emitting
  • Component 100 may have a carrier 102.
  • the carrier 102 may serve as a support for electronic elements or layers, such as light-emitting elements.
  • the carrier 102 can be glass,
  • the carrier 102 may comprise or be formed from a plastic film or a laminate with one or more plastic films.
  • the plastic may include or be formed from one or more polyolefins (eg, high or low density polyethylene or PE) or polypropylene (PP).
  • PE polyethylene
  • PP polypropylene
  • Polyvinyl chloride PVC
  • PS polystyrene
  • PC polycarbonate
  • PET polyethylene terephthalate
  • the carrier 102 may comprise one or more of the above-mentioned substances.
  • the carrier 102 may include or be formed from a metal or metal compound, such as copper, silver, gold, platinum, or the like.
  • a carrier 102 comprising a metal or a
  • Metal compound may also be formed as a metal foil or a metal-coated foil.
  • the carrier 102 may be translucent or even transparent.
  • translucent or “translucent layer” can be understood in various embodiments that a layer is permeable to light
  • the light generated by the light emitting device for example one or more
  • Wavelength ranges for example, for light in one
  • Wavelength range of the visible light (for example, at least in a partial region of the wavelength range of 380 nm to 780 nm). For example, is below the term
  • Translucent layer in various embodiments to understand that essentially the whole in one
  • Quantity of light is also coupled out of the structure (for example, layer), wherein a portion of the light can be scattered in this case
  • transparent or “transparent layer” can be understood in various embodiments that a layer is transparent to light
  • Wavelength range from 380 nm to 780 nm), wherein light coupled into a structure (for example a layer) is coupled out of the structure (for example layer) substantially without scattering or light conversion.
  • the optically translucent layer structure at least in a partial region of the wavelength range of the desired monochrome light or for the limited
  • the organic light emitting diode 100 (or else the light emitting devices according to the above or hereinafter described
  • Embodiments may be configured as a so-called top and bottom emitter.
  • a top and / or bottom emitter can also be used as an optically transparent component,
  • a transparent organic light emitting diode For example, a transparent organic light emitting diode, be designated.
  • the carrier 102 may be in different
  • Embodiments optionally be arranged a barrier layer 104.
  • the barrier layer 104 may include or consist of one or more of the following: alumina, zinc oxide, zirconia, titania,
  • Indium zinc oxide aluminum-doped zinc oxide, as well
  • the barrier layer 104 in various embodiments have a layer thickness in a range of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 5000 nm, for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 200 nm, for example, a layer thickness of about 40 nm or over the barrier layer 104, an electrically active region 106 of the light emitting device 100 may be arranged.
  • the electrically active region 106 can be understood as the region of the light-emitting component 100 in which an electric current flows for operation of the light-emitting component 100.
  • the electrically active region 106 may include a first electrode 110, a second electrode 114, and a first electrode 110 have organic functional layer structure 112, as will be explained in more detail below.
  • the first electrode 110 (eg, in the form of a first
  • Electrode layer 110 may be applied.
  • the first electrode 110 (hereinafter also referred to as lower electrode 110) may be formed of or be made of an electrically conductive substance, such as a metal or a conductive conductive oxide (TCO) or a layer stack of multiple layers of the same metal or different metals and / or the same TCO or different TCOs.
  • Transparent conductive oxides are transparent, conductive substances, for example
  • Metal oxides such as zinc oxide, tin oxide,
  • binary metal oxygen compounds such as, for example, ZnO, SnO 2, or ⁇ 2 O 3
  • ternary metal oxygen compounds, such as AlZnO include
  • Zn2SnO4 CdSnO3, ZnSnO3, Mgln204, GalnO3, Zn2In20s or
  • TCOs do not necessarily correspond to one
  • the first stoichiometric composition may also be p-doped or n-doped.
  • the first stoichiometric composition may also be p-doped or n-doped.
  • the first stoichiometric composition may also be p-doped or n-doped.
  • Electrode 110 comprises a metal; For example, Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ca, Sm or Li, as well as compounds,
  • Electrode 110 may be formed by a stack of layers of a combination of a layer of a metal on a layer a TCO, or vice versa.
  • An example is one
  • ITO indium tin oxide
  • Electrode 110 one or more of the following substances
  • networks of metallic nanowires and particles for example of Ag
  • Networks of carbon nanotubes for example of Ag
  • Graphene particles and layers for example of Graphene particles and layers
  • Networks of semiconducting nanowires for example of Ag
  • the first electrode 110 may comprise electrically conductive polymers or transition metal oxides or electrically conductive transparent oxides.
  • Electrode 110 and the carrier 102 may be translucent or transparent.
  • the first electrode 110 comprises or is formed from a metal
  • the first electrode 110 may have, for example, a layer thickness of less than or equal to approximately 25 nm, for example one
  • the first electrode 110 may have, for example, a layer thickness of greater than or equal to approximately 10 nm, for example a layer thickness of greater than or equal to approximately 15 nm
  • the first electrode 110 a the first electrode 110 a
  • Layer thickness in a range of about 10 nm to about 25 nm for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 18 nm, for example, a layer thickness in a range of about 15 nm to about 18 nm.
  • the first electrode 110 may have a layer thickness in a range of about 50 nm to about 500 nm, for example, a layer thickness in a range of about 75 nm to about 250 nm, for example, a layer thickness in a range of
  • the first electrode 110 is made of, for example, a network of metallic nanowires, for example of Ag, which may be combined with conductive polymers, a network of carbon nanotubes, which may be combined with conductive polymers, or of graphene. Layers and composites are formed, the first electrode 110, for example, a
  • Layer thickness in a range of about 1 nm to about 500 nm for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 400 nm,
  • the first electrode 110 can be used as the anode, ie as
  • hole-injecting electrode may be formed or as
  • the first electrode 110 may be a first electrical
  • the first electrical potential may be applied to the carrier 102 and then indirectly applied to the first electrode 110.
  • the first electrical potential may be, for example, the ground potential or another predetermined reference potential.
  • light emitting device 100 is an organic functional layer structure 112, which is applied on or above the first electrode 110 or
  • the organic functional layer structure 112 may comprise one or more emitter layers 118, for example with fluorescent and / or phosphorescent emitters, and one or more hole line layers 116 (also referred to as hole transport layer (s) 120).
  • emitter layers 118 for example with fluorescent and / or phosphorescent emitters
  • hole line layers 116 also referred to as hole transport layer (s) 120.
  • one or more electron conduction layers 116 may be provided.
  • electron conduction layers 116 also referred to as electron transport layer (s) 116
  • emitter materials used in the
  • organometallic compounds such as derivatives of polyfluorene, polythiophene and polyphenylene (eg 2- or 2,5-substituted poly-p-phenylenevinylene) and metal complexes, for example iridium complexes such as blue-phosphorescent FIrPic (bis (3,5-difluoro-2- (bis 2-pyridyl) phenyl- (2-carboxypyridyl) -iridium III), green phosphorescent
  • non-polymeric emitters can be deposited by means of thermal evaporation, for example. Furthermore, can
  • Polymer emitter are used, which in particular by means of a wet-chemical method, such as a Spin-on method (also referred to as spin coating), can be deposited.
  • a wet-chemical method such as a Spin-on method (also referred to as spin coating)
  • spin coating also referred to as spin coating
  • the emitter materials may be suitably embedded in a matrix material.
  • Emitter materials are also provided in other embodiments.
  • light emitting device 100 may be selected so that light emitting device 100 emits white light.
  • the emitter layer (s) 118 may include a plurality of emitter materials of different colors (for example blue and yellow or blue, green and red)
  • the emitter layer (s) 118 may be constructed of multiple sublayers, such as a blue fluorescent emitter layer 118 or blue
  • phosphorescent emitter layer 118 By mixing the different colors, the emission of light can result in a white color impression.
  • a converter material in the beam path of the primary emission generated by these layers, which at least partially absorbs the primary radiation and emits secondary radiation of a different wavelength, so that from a (not yet white) primary radiation by the combination of primary radiation and secondary Radiation produces a white color impression.
  • the organic functional layer structure 112 may generally include one or more electroluminescent layers.
  • the one or more electroluminescent layers may generally include one or more electroluminescent
  • Layers may or may not be organic polymers, organic oligomers, organic monomers, organic small, non-organic
  • the organic functional layer structure 112 may include one or more
  • Hole transport layer 120 is or are, so that, for example, in the case of an OLED an effective
  • the organic functional layer structure 112 may include one or more functional layers, which may be referred to as a
  • Electron transport layer 116 is executed or are, so that, for example, in an OLED an effective
  • Electron injection into an electroluminescent layer or an electroluminescent region is made possible.
  • As a substance for the hole transport layer 120 can be any substance for the hole transport layer 120 .
  • the one or more electroluminescent layers may or may not be referred to as
  • Hole transport layer 120 may be deposited on or over the first electrode 110, for example, deposited, and the emitter layer 118 may be on or above the
  • Hole transport layer 120 may be applied, for example, be deposited.
  • electron transport layer 116 may be deposited on or over the emitter layer 118, for example, deposited.
  • the organic functional layer structure 112 (that is, for example, the sum of the thicknesses of hole transport layer (s) 120 and
  • Emitter layer (s) 118 and electron transport layer (s) 116) have a layer thickness of at most about 1.5 ym, for example, a layer thickness of at most approximately 1.2 ⁇ m, for example a layer thickness of at most approximately 1 ⁇ m, for example a layer thickness of approximately approximately 800 nm, for example a layer thickness of approximately 500 nm, for example a layer thickness of approximately approximately 400 nm, for example a layer thickness of at most about 300 nm.
  • the organic functional layer structure 112 may include, for example, a
  • each OLED may for example have a layer thickness of at most about 1.5 ym, for example, a layer thickness of at most about 1.2 ym, for example, a layer thickness of at most about 1 ym, for example, a layer thickness of about 800 or more nm, for example a layer thickness of at most approximately 500 nm, for example a layer thickness of at most approximately 400 nm, for example a layer thickness of approximately approximately 300 nm.
  • the organic functional layer structure 112 may for example have a layer thickness of at most about 1.5 ym, for example, a layer thickness of at most about 1.2 ym, for example, a layer thickness of at most about 1 ym, for example, a layer thickness of about 800 or more nm, for example a layer thickness of at most approximately 500 nm, for example a layer thickness of at most approximately 400 nm, for example a layer thickness of approximately approximately 300 nm.
  • the organic functional layer structure 112 may for example have a layer thickness of at most about 1.5
  • organic functional layer structure 112 may have a layer thickness of at most about 3 ym.
  • the light emitting device 100 may generally include other organic functional layers, for example
  • Electron transport layer (s) 116 which serve to further improve the functionality and thus the efficiency of the light-emitting device 100.
  • organic functional layer structure 112 On or above the organic functional layer structure 112 or optionally on or above the one or more further organic functional layers
  • Layer structures may be the second electrode 114 (for example in the form of a second electrode layer 114) may be applied.
  • Electrode 114 have the same substances or be formed from it as the first electrode 110, wherein in
  • metals are particularly suitable.
  • the second metal is particularly suitable.
  • the second metal is particularly suitable.
  • the second metal is particularly suitable.
  • Electrode 114 (for example, in the case of a metallic second electrode 114), for example, have a layer thickness of less than or equal to about 50 nm,
  • a layer thickness of less than or equal to approximately 45 nm for example a layer thickness of less than or equal to approximately 40 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 35 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 30 nm,
  • a layer thickness of less than or equal to about 25 nm for example, a layer thickness of less than or equal to about 20 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to about 15 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to about 10 nm.
  • the second electrode 114 may be general be formed or be similar to the first electrode 110, or different to this.
  • the second electrode 114 may be formed of one or more of the materials and with the respective layer thickness in various embodiments, as described above in connection with the first electrode 110. In different
  • the first electrode 110 and the second electrode 114 are both formed translucent or transparent. Thus, the shown in Fig.l
  • the light emitting device 100 may be formed as a top and bottom emitter (in other words, as a transparent light emitting device 100).
  • the second electrode 114 can be used as the anode, ie as
  • hole-injecting electrode may be formed or as
  • Cathode that is as an electron-injecting electrode.
  • the second electrode 114 may have a second electrical connection to which a second electrical connection
  • the second electric potential may have a value such that the difference from the first electric potential has a value in a range of about 1.5V to about 20V, for example, a value in a range of about 2.5V to about 15V, for example, a value in a range of about 3V to about 12V.
  • an encapsulation 108 for example in the form of a
  • Barrier thin film / thin film encapsulation 108 are formed or be.
  • a “barrier thin film” 108 or a “barrier thin film” 108 can be understood to mean, for example, a layer or a layer structure which is suitable for providing a barrier to chemical contaminants or atmospheric substances, in particular to water (moisture). and oxygen, to form.
  • the barrier film 108 is formed to be resistant to OLED damaging materials such as
  • the barrier thin-film layer 108 may be formed as a single layer (in other words, as
  • the barrier thin-film layer 108 may comprise a plurality of sub-layers formed on one another.
  • the barrier thin-film layer 108 may comprise a plurality of sub-layers formed on one another.
  • Barrier thin film 108 as a stack of layers (stack)
  • the barrier film 108 or one or more sublayers of the barrier film 108 may be formed by, for example, a suitable deposition process, e.g. by means of a
  • Atomic Layer Deposition e.g. plasma-enhanced atomic layer deposition (PEALD) or plasmaless
  • PECVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • plasmaless vapor deposition plasmaless vapor deposition
  • PLCVD Chemical Vapor Deposition
  • ALD atomic layer deposition process
  • Barrier thin film 108 having multiple sub-layers, all sub-layers are formed by an atomic layer deposition process.
  • a layer sequence comprising only ALD layers may also be referred to as "nanolaminate".
  • Barrier thin film 108 having a plurality of sublayers, one or more sublayers of the barrier thin film 108 by a deposition method other than one Atom harshabscheideclar be deposited, for example by means of a gas phase separation method.
  • the barrier film 108 may, in one embodiment, have a film thickness of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 1000 nm, for example, a film thickness of about 10 nm to about 100 nm according to a
  • Embodiment for example, about 40 nm according to an embodiment.
  • all partial layers may have the same layer thickness. According to another embodiment in which the barrier thin-film layer 108 has a plurality of partial layers, all partial layers may have the same layer thickness. According to another embodiment in which the barrier thin-film layer 108 has a plurality of partial layers, all partial layers may have the same layer thickness. According to another embodiment in which the barrier thin-film layer 108 has a plurality of partial layers, all partial layers may have the same layer thickness. According to another
  • Barrier thin layer 108 have different layer thicknesses. In other words, at least one of
  • Partial layers have a different layer thickness than one or more other of the sub-layers.
  • the barrier thin-film layer 108 or the individual partial layers of the barrier thin-film layer 108 may, according to one embodiment, be formed as a translucent or transparent layer.
  • the barrier film 108 (or the individual sub-layers of the barrier film 108) may be made of a translucent or transparent material (or a transparent material)
  • the barrier thin-film layer 108 or (in the case of a layer stack having a plurality of partial layers) one or more of the partial layers of the
  • Barrier thin-film 108 comprising or being formed from any of the following: aluminum oxide, zinc oxide, zirconium oxide, titanium oxide, hafnium oxide, tantalum oxide,
  • Silicon oxynitride indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum ⁇ doped zinc oxide, and mixtures and alloys
  • the Barrier thin layer 108 or (in the case of
  • Layer stack with a plurality of sub-layers one or more of the sub-layers of the barrier layer 108 have one or more high-index materials, in other words, one or more high-level materials
  • Refractive index for example with a refractive index of at least 2.
  • FIG. 2 shows a diagram of the method for producing an optoelectronic component, according to various
  • the method may include encapsulating 202 an electrically active region 106 of an optoelectronic component 100 on or above a
  • Carrier 102 for example, according to one of the embodiment of the descriptions of Fig.l, having a barrier thin layer 108. Furthermore, the method may include surrounding 204 of the
  • the surrounding 204 may be configured as forming a layer of a chemically active or chemically active material mixture on or above the barrier thin layer 108.
  • the surrounding 204 may be configured as a wetted barrier layer 108 with a liquid chemically active substance or chemically active substance mixture, for example a dipping one
  • the method may include forming 206 a
  • the chemically active substance or the chemically active substance mixture can be chemically activated only by means of the electrical potential, i. to a chemically active substance or
  • Mixture be, for example by means of electrolysis.
  • FIG. 3 shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic component, according to various
  • Component 100 for example, according to one embodiment of the description of Figure 2, after surrounding 204 of
  • Barrier thin layer 108 having a layer of a chemically active substance 304 or a chemically active substance mixture 304.
  • a second electrode 114 is formed on or above the organic functional layer structure 112 .
  • a barrier thin film 108 is formed on or above the second electrode 114.
  • a chemically active layer for example a chemically active coating, a chemically active paste or
  • the second electrode 114 is electrically insulated with respect to the first electrode 110 by means of an electrical insulation 302, for example of polyimide.
  • Optoelectronic component contact pads which are used for electrically contacting the organic functional
  • Layers structure 112 are established, i. with the
  • organic functional layer structure 112 are electrically connected.
  • a contact pad 306 may be arranged on or above the carrier 102 for this purpose.
  • the contact pad 306 of the second electrode 114 may be electrically insulated with respect to the first electrode 110, for example by means of the electrical insulation 302.
  • the electrical contacting of the first electrode 110 may extend into the geometric edge region of the carrier 102
  • Forming 206 the electrical potential between an electrode - in the illustrated embodiment, the second electrode 114 can be done by means of an electrical contacting of the contact pad 306 and the chemically active substance 304 or the chemically active mixture 304 by means of electrical contacts 308, for example by means of a
  • an electrical voltage source 310 conclusive connection of the electrodes of an electrical voltage source 310 with the contact pad 306 and the layer of the chemically active substance 304 or the chemically active substance mixture 304, for example by means of contact pins, terminal contacts, electrically conductive adhesive bonds or a solder joint.
  • the electrical potential for example an electrical voltage curve, can be formed by means of the voltage source 310, which is electrically connected to the electrical contacts 308.
  • the voltage waveform should be arranged such that the barrier thin film 108 has dielectric properties, i. is electrically insulated.
  • the barrier thin film 108 such as a barrier thin film 108 of zinc oxide, the barrier thin film 108 may become electrically conductive. This allows the electrical potential above the
  • Barriers thin layer 108 allow electrical current flow of electric charge carriers through the barrier thin layer 108, for example, when the barrier thin layer 108 has electrically conductive channels, for example
  • Diffusion channels 408 (see Figure 4).
  • the voltage curve can, for example, generate a direct current and / or have voltage pulses, for example be pulsed.
  • the voltage pulses can be modulated, for example, by means of a pulse width modulation.
  • Section 100 in view 300 are in different
  • Section 400 in view 300 are in different
  • the layer of the chemically active substance 304 or the chemically active substance mixture 304 is shown on or above the barrier thin layer 108, wherein between the second electrode 114 and the layer of the chemically active substance 304 or of the chemically active substance mixture 304 by means of
  • a diffusion channel 408 in the barrier thin film 108 through which water could diffuse into the organic functional layer structure.
  • the copper layer can, for example, on the
  • Barrier thin layer 108 are deposited, for example, be evaporated.
  • At least a portion of the copper or copper compound of the substance or mixture of the chemically active layer can be ionized, i. form free-moving electrical charge carriers
  • Words By means of the electric potential of the substance or the substance mixture of the chemically active chemically activated.
  • the freely movable, electrically positively charged charge carriers 404 of the layer of the chemically active substance 304 or of the chemically active substance mixture 304 for example
  • Migrate diffusion channel 408 - represented by the
  • the charge carriers 404 of the chemically active substance 304 or of the chemically active substance mixture 304, which are, for example, electrically positively charged, can thereby migrate into the second electrode 114-illustrated by means of the arrow 406.
  • the electrically positively charged charge carriers 404 of the chemically active substance 304 or of the chemically active substance mixture 304 can strike electrically complementary charge carriers 402, for example electrically negatively charged charge carriers 402, for example freely movable electrons, of the second electrode 114.
  • the chemically active substance or the chemically active substance mixture can be chemically converted at the second electrode 114, for example become chemically inactive, for example, be connected conclusively to the second electrode 114. This can lead to a hermetic closure of the
  • Diffusion channels 408 come.
  • the chemically active layer may be formed as an electrically conductive, chemically active paste or the chemically active substance 304 or the chemically active substance mixture 304 distributed therein.
  • Mixture may, for example, be configured as an oxidant 304, for example a source of
  • Oxygen ions for example hydrogen peroxide.
  • the electrical conductivity of the chemically active paste can be formed for example by means of electrically conductive additives in the chemically active paste.
  • chemically active paste may include and electrically contact the second electrode 114 with a negative terminal of the electrical power source 310
  • the second electrode 114 may, for example, comprise or be formed from a metal, for example aluminum. In one embodiment of the voltage curve of the electrical
  • Voltage source 310 may leak from the second electrode 114 metallic cations, for example
  • a chemically active on or above a barrier thin layer 108, a chemically active,
  • electrically conductive layer for example a
  • Metal layer for example an aluminum layer
  • an electrically conductive substance can be formed, for example, by aluminum is vapor-deposited on or over the barrier thin layer 108.
  • a paste with an oxidizing agent can be applied on or over the chemically active, electrically conductive layer.
  • the paste may be designed to be electrically conductive with an oxidizing agent.
  • a metal such as aluminum
  • a metal can be chemically activated by means of an electrical potential and be converted with another chemically active substance, such as an oxidizing agent, such as, for example, to alumina that the
  • Metal layers for example a titanium layer
  • These further electrically conductive layers may, for example, in the anodic oxidation, be stable, hermetically sealed, i. diffusion density, oxides in the diffusion channels 408 or on at least one side of a diffusion channel 408 form.
  • 204 of the barrier film 108 having a chemically active material 304 or a chemically active composition 304 also surrounds 204 as an introduction, such as immersion, of the encapsulated optoelectronic device, i. barrier layer 108, in a chemically active solution, suspension or dispersion.
  • the chemically active substance or the chemically active substance mixture can be dissolved in a solution or Be resolved dispersion and enter the diffusion channels 408 as electrolyte.
  • the chemically active solution, suspension or dispersion may be, for example, a bath for copper electrolysis.
  • the chemically active substance or the chemically active substance mixture can, for example
  • Duration which is the electrical potential or the electric field formed to grow with metal, for example, be filled in a copper electrolysis with copper.
  • aqueous electrolysis solution which has a harmful environmental impact for the optoelectronic
  • Component may, for example, a solution of a hydroxide-free solvent, for example
  • a method and an apparatus for producing an optoelectronic component is provided, with which it is possible that
  • Thin film encapsulation of the optoelectronic component for example an optoelectronic component
  • the application of an electric field between the cathode of the optoelectronic component and the chemically active layer can at possible defects of the
  • Thin-film encapsulation triggered an electrochemical reaction that heals these defects in the thin-film encapsulation. This allows defect-free encapsulated, electrical
  • Components such as optoelectronic devices, such as organic optoelectronic devices be trained and excluded early failures due to moisture damage.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes, das Verfahren aufweisend: Bereitstellen eines optoelektronischen Bauelementes, welches eine dielektrische Schicht (108) auf oder über einer elektrisch leitfähigen Schicht (114) aufweist, wobei die dielektrische Schicht (108) zu einem bezüglich Wasser im Wesentlichen hermetisch dichten Abdichten der elektrisch leitfähigen Schicht (114) eingerichtet ist, wobei die dielektrische Schicht (108) Diffusionskanäle (408) aufweist; und schlüssiges Verschließen der dielektrischen Schicht (108), wobei zumindest einige der Diffusionskanäle (408) in der dielektrischen Schicht (108) verschlossen werden.

Description

Beschreibung
Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines
optoelektronischen Bauelementes
In verschiedenen Ausführungsformen werden ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes bereitgestellt. Ein organisches optoelektronisches Bauelement, beispielsweise eine OLED, kann eine Anode und eine Kathode mit einem
organischen funktionellen Schichtensystem dazwischen
aufweisen. Das organische funktionelle Schichtensystem kann eine oder mehrere Emitterschicht/en aufweisen, in der/denen elektromagnetische Strahlung beispielsweise erzeugt wird, eine oder mehrere Ladungsträgerpaar-Erzeugungs- Schichtenstruktur (en) aus jeweils zwei oder mehr
Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichten („Charge generating layer", CGL) zur Ladungsträgerpaarerzeugung, sowie eine oder mehrere Elektronenblockadeschichten, auch bezeichnet als
Lochtransportschicht (en) („hole transport layer" -HTL) , und eine oder mehrere Lochblockadeschichten, auch bezeichnet als Elektronentransportschicht (en) („electron transport layer" - ETL) , um den Stromfluss zu richten.
Optoelektronische Bauelemente auf organischer Basis,
beispielsweise organische Leuchtdioden (organic light
emitting diode - OLED) , finden zunehmend verbreitete
Anwendung und können für die Beleuchtung von Oberflächen eingesetzt werden. Eine Oberfläche kann dabei beispielsweise als ein Tisch, eine Wand oder ein Fußboden verstanden werden. Die organischen Bestandteile organischer Bauelemente,
beispielsweise organischer optoelektronischer Bauelemente, können jedoch häufig anfällig bezüglich schädlicher
Umwelteinflüsse sein. Unter einem schädlichen Umwelteinfluss können alle Einflüsse verstanden werden, die potenziell zu einem Degradieren bzw. Altern, beispielsweise einem Vernetzten oder Kristallisieren, organischer Stoffe oder Stoffgemische führen können und damit die Betriebsdauer organischer Bauelemente begrenzen können.
Ein schädlicher Umwelteinfluss kann beispielsweise ein für organische Stoffe oder Stoffgemische schädlicher Stoff sein, beispielsweise Sauerstoff und/oder beispielsweise ein
Lösungsmittel, beispielsweise Wasser.
Zum Schutz vor schädlichen Umwelteinflüssen wird das
organische Bauelement verkapselt. Beim Verkapseln wird das organische Bauelement mit einer für schädliche
Umwelteinflüsse undurchlässigen Verkapselungsschicht umgeben, beispielsweise einem dünnen Film, der undurchlässig für
Wasser und Sauerstoff ist.
Die Verkapselungsschicht für dünnfilmverkapselte organische, optoelektronische Bauelement, beispielsweise organische
Leuchtdioden sollte möglichst defekt frei sein. Bereits ein mikroskopischer Defekt oder ein Diffusionskanal entlang einer
Korngrenze in dieser Verkapselungsschicht kann zu einem
Defekt der gesamten OLED führen. Mittels
Feuchtigkeitseinwirkung können sich dabei im Sichtfeld der
OLED nicht leuchtende, kreisförmige Punkte bilden (black spot) , die im Laufe der Zeit wachsen können.
Beim Verkapseln kann jedoch nicht vollständig ausgeschlossen werden, dass sich in der Verkapselungsschicht noch Defekte befinden. Um die Schädigung für die OLED klein zu halten, wird in einem herkömmlichen Verfahren auf die
Verkapselungsschicht eine Glasabdeckung mittels eines
Epoxidharzklebstoffes auflaminiert .
Mittels der Glasabdeckung kann die Geschwindigkeit, in der Wasser in das optoelektronische Bauelement diffundiert, reduziert werden, sodass beispielsweise ein Defekt in der Verkapselungsschicht einer OLED deutlich verlangsamt zu einem sichtbaren Defekt in der OLED führt. In einem anderen herkömmlichen Verfahren kann eine
Glasabdeckung, beispielsweise mittels einer Fritten- Verbindung (engl, glass frit bonding/glass soldering/seal glass bonding) mittels eines herkömmlichen Glaslotes in den geometrischen Randbereichen des organischen
optoelektronischen Bauelementes, auf die Verkapselungsschicht aufgebracht werden.
In verschiedenen Ausführungsformen werden ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes bereitgestellt, mit dem es möglich ist die
Qualität der Dünnfilmverkapselung des optoelektronischen Bauelementes, beispielsweise eines optoelektronischen
Bauelementes, soweit zu verbessern, dass defektfreie
optoelektronische Bauelemente ausgebildet und so frühe
Ausfälle aufgrund von Feuchtigkeitsschäden ausgeschlossen werden können.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann ein Diffusionskanal in einer Schicht als ein Hohlraum in der Schicht mit wenigstens zwei Öffnungen verstanden werden, beispielsweise als ein Loch, eine Pore, ein Verbindung (interconnect) oder
ähnliches. Ein Diffusionskanal kann beispielsweise derart in der Schicht ausgebildet sein, dass unterschiedliche Seiten der Schicht durch den Diffusionskanal miteinander verbunden werden. Durch den Diffusionskanal kann ein Stoff oder
Stoffgemisch von einer Öffnung des Diffusionskanals zu der wenigstens einen zweiten Öffnung des Diffusionskanals migrieren oder diffundieren, beispielsweise mittels eines osmotischen Druckes oder elektrophoretisch .
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem organischen Stoff eine, ungeachtet des jeweiligen Aggregatzustandes , in chemisch einheitlicher Form vorliegende, durch charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung des Kohlenstoffs verstanden werden. Weiterhin kann im Rahmen dieser Beschreibung unter einem anorganischen Stoff eine, ungeachtet des jeweiligen Aggregatzustandes , in chemisch einheitlicher Form
vorliegende, durch charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung ohne
Kohlenstoff oder einfacher KohlenstoffVerbindung verstanden werden. Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem organisch-anorganischen Stoff (hybrider Stoff) eine,
ungeachtet des jeweiligen Aggregatzustandes , in chemisch einheitlicher Form vorliegende, durch charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung mit Verbindungsteilen die Kohlenstoff enthalten und frei von Kohlenstoff sind, verstanden werden. Im Rahmen dieser Beschreibung umfasst der Begriff „Stoff" alle oben genannten Stoffe, beispielsweise einen organischen Stoff, einen anorganischen Stoff, und/oder einen hybriden Stoff. Weiterhin kann im Rahmen dieser Beschreibung unter einem
Stoffgemisch etwas verstanden werden, was Bestandteile aus zwei oder mehr verschiedenen Stoffen besteht, deren
Bestandteile beispielsweise sehr fein verteilt sind. Als eine Stoffklasse ist ein Stoff oder ein Stoffgemisch aus einem oder mehreren organischen Stoff (en) , einem oder mehreren anorganischen Stoff (en) oder einem oder mehreren hybrid
Stoff (en) zu verstehen. Der Begriff „Material" kann synonym zum Begriff „Stoff" verwendet werden. Im Rahmen dieser Beschreibung kann ein erster Stoff bzw. ein erstes Stoffgemisch gleich einem zweiten Stoff bzw. einem zweiten Stoffgemisch sein, wenn die chemischen und
physikalischen Eigenschaften des ersten Stoffs bzw. ersten Stoffgemisches identisch mit den chemischen und
physikalischen Eigenschaften des zweiten Stoffs bzw. des zweiten Stoffgemischs sind. Im Rahmen dieser Beschreibung kann ein erster Stoff bzw. ein erstes Stoffgemisch ähnlich einem zweiten Stoff bzw. einem zweiten Stoffgemisch sein, wenn der erste Stoff bzw. das erste Stoffgemisch und der zweite Stoff bzw. das zweite
Stoffgemisch eine ungefähr gleiche stöchiometrische
Zusammensetzung, ungefähr gleiche chemische Eigenschaften und/oder ungefähr gleiche physikalische Eigenschaften
aufweist bezüglich wenigstens einer Größe, beispielsweise der Dichte, dem Brechungsindex, der chemischen Beständigkeit oder ähnliches.
So kann bezüglich der stöchiometrischen Zusammensetzung beispielsweise kristallines S1O2 (Quarz) als gleich zu amorphen S1O2 (Kieselglas) und als ähnlich zu SiOx betrachtet werden. Jedoch kann bezüglich des Brechungsindexes
kristallines S1O2 unterschiedlich sein zu SiOx oder amorphem Si02- Mittels Zugabe von Zusätzen, beispielsweise in Form von Dotierungen, kann beispielsweise amorphes S1O2 den gleichen oder einen ähnlichen Brechungsindex aufweisen wie
kristallines S1O2 jedoch dann bezüglich der chemischen
Zusammensetzung unterschiedlich zu kristallinem S1O2 sein.
Die Bezugsgröße, in der ein erster Stoff einem zweiten Stoff ähnelt, kann explizit angegeben sein oder sich aus dem
Kontext ergeben, beispielsweise aus den gemeinsamen
Eigenschaften einer Gruppe von Stoffen oder Stoffgemischen .
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem elektrisch geladenen Stoff ein Stoff verstanden werden, der eine
elektrische Ladung aufweist, d.h. wenigstens temporär, nicht elektrisch neutral ist. Die elektrische Ladung kann dabei mittels Polarisation oder Ionisation ausgebildet werden. Der elektrisch geladene Stoff kann beispielsweise in Form von Partikeln oder Molekülen ausgebildet sein. Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem elektrischen Potenzial die Lage einer elektrischen Ladung, beispielsweise eines elektrisch geladenen Stoffs, bezüglich gegensätzlich elektrisch geladener Elektroden verstanden werden.
Beispielsweise als elektrisches Potenzial einer Probeladung in einem elektrischen Feld (E-Feld) in Abhängigkeit von der Ladung der Probeladung und der Position im E-Feld.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem chemischen Umwandeln das Ausbilden eines zweiten Stoffs oder eines zweiten Stoffgemisches aus einem ersten Stoff oder einem ersten Stoffgemisch verstanden werden. Das chemische
Umwandeln kann als eine chemische Oxidation und/oder eine chemisch Reduktion des ersten Stoffs oder des ersten
Stoffgemisches erfolgen. Eine gleichzeitige Oxidation und Reduktion kann als Redoxreaktion verstanden werden.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann ein chemisch aktiver Stoff einen anderen Stoff chemisch oxidieren oder chemisch
reduzieren und/oder selbst chemisch oxidiert oder chemisch reduziert werden. Ein chemisch aktiver Stoff kann
beispielsweise ein elektrisch geladener Stoff sein, der an einer Elektrode chemisch oxidiert bzw. reduziert wird, beispielweise galvanisch oder elektrolytisch.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann ein bezüglich Wasser hermetisch dichter Stoff oder ein hermetisch dichtes
Stoffgemisch eine Keramik, ein Metall und/oder ein Metalloxid aufweisen oder daraus gebildet sein. Durch einen hermetisch dichten Stoff oder ein hermetisch dichtes Stoffgemisch kann kein Wasser diffundieren oder migrieren.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem elektronischen Bauelement ein Bauelement verstanden werden, welches die Steuerung, Regelung oder Verstärkung eines elektrischen
Stromes betrifft, beispielsweise mittels Verwendens von
Halbleiterbauelementen. Ein elektronisches Bauelement kann ein Bauelement aus der Gruppe der Bauelemente aufweisen:
beispielsweise eine Diode, ein Transistor, ein
Thermogenerator, eine integrierte Schaltungen, ein Thyristor. Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem
optoelektronischen Bauelement eine Ausführung eines
elektronischen Bauelementes verstanden werden, wobei das optoelektronische Bauelement einen optisch aktiven Bereich aufweist. Der optisch aktive Bereich kann elektromagnetische Strahlung absorbieren und daraus einen Fotostrom ausbilden oder mittels einer angelegten Spannung an den optisch aktiven Bereich elektromagnetische Strahlung emittieren. Ein
organisches optoelektronisches Bauelement kann im optisch aktiven Bereich einen organischen Stoff oder ein organisches Stoffgemisch aufweisen, das beispielsweise zum Aufnehmen oder Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung eingerichtet ist .
Im Rahmen dieser Beschreibung können unter einem schädlichen Umwelteinfluss alle Einflüsse verstanden werden, die
potenziell zu einem Degradieren bzw. Altern organischer Stoff oder Stoffgemische führen können und damit die Betriebsdauer organischer Bauelemente begrenzen können. Ein schädlicher Umwelteinfluss kann beispielsweise ein für organische Stoffe oder organische Stoffgemische schädlicher Stoff sein, beispielsweise Sauerstoff und/oder beispielsweise einem Lösungsmittel, beispielsweise Wasser. Ein schädlicher Umwelteinfluss kann beispielsweise ein für organische Stoffe oder organische Stoffgemische schädliche Umgebung sein, beispielsweise eine Änderung über oder unter einen kritischen Wert, beispielsweise der Temperatur und/oder eine Änderung des Umgebungsdruckes, wodurch es zum
Vernetzten, Degradieren und/oder Kristallisieren oder
ähnlichem kommen kann. Die Verbindung eines ersten Körpers mit einem zweiten Körper kann formschlüssig, kraftschlüssig und/oder stoffschlüssig sein. Die Verbindungen können lösbar ausgebildet sein, d.h. reversibel. In verschiedenen Ausgestaltungen kann eine reversible, schlüssige Verbindung beispielsweise als eine
Schraubverbindung, ein Klettverschluss , eine Klemmung / eine Nutzung von Klammern realisiert sein.
Die Verbindungen können jedoch auch nicht lösbar ausgebildet sein, d.h. irreversibel. Eine nicht lösbare Verbindung kann dabei nur mittels Zerstörens der Verbindungsmittel getrennt werden. In verschiedenen Ausgestaltungen kann eine
irreversible, schlüssige Verbindung beispielsweise als eine Nietverbindung, eine Klebeverbindung oder eine Lötverbindung realisiert sein.
Bei einer formschlüssigen Verbindung kann die Bewegung des ersten Körpers von einer Fläche des zweiten Körpers
beschränkt werden, wobei sich der erste Körper senkrecht, d.h. normal, in Richtung der beschränkenden Fläche des zweiten Körpers bewegt. Ein Stift (erster Körper) in einem Sackloch (zweiter Körper) kann beispielsweise in fünf der sechs Raumrichtungen in der Bewegung beschränkt sein. In verschiedenen Ausgestaltungen kann eine formschlüssige
Verbindung beispielsweise als eine Schraubverbindung, ein Klettverschluss, eine Klemmung / eine Nutzung von Klammern realisiert sein.
Bei einer kraftschlüssigen Verbindung kann zusätzlich zu der Normalkraft des ersten Körpers auf den zweiten Körper, d.h. einem körperlich Kontakt der beiden Körper unter Druck, eine Haftreibung eine Bewegung des ersten Körpers parallel zu dem zweiten Körper beschränken. Ein Beispiel für eine
Kraftschlüssige Verbindung kann beispielsweise die
Selbsthemmung einer Schraube in einem komplementär geformten Gewinde sein. Als Selbsthemmung kann dabei ein Widerstand mittels Reibung verstanden werden. In verschiedenen Ausgestaltungen kann eine kraftschlüssige Verbindung
beispielsweise als eine Schraubverbindung, eine Nietung realisiert sein. Bei einer stoffschlüssigen Verbindung kann der erste Körper mit dem zweiten Körper mittels atomarer und/oder molekularer Kräfte verbunden werden. Stoffschlüssige Verbindungen können häufig nicht lösbare Verbindungen sein. In verschiedenen Ausgestaltungen kann eine Stoffschlüssige Verbindung
beispielsweise als eine Klebeverbindung, eine Lotverbindung, beispielsweise eines Glaslotes, oder eines Metalotes, eine Schweißverbindung realisiert sein.
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes, das
Verfahren aufweisend: Bereitstellen eines optoelektronischen Bauelementes, welches eine dielektrische Schicht auf oder über einer elektrisch leitfähigen Schicht aufweist, wobei die dielektrische Schicht zu einem bezüglich Wasser im
Wesentlichen hermetisch dichten Abdichten der elektrisch leitfähigen Schicht eingerichtet ist, wobei die dielektrische Schicht Diffusionskanäle aufweist; und schlüssiges
Verschließen der dielektrischen Schicht, wobei zumindest einige der Diffusionskanäle in der dielektrischen Schicht verschlossen werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die
Diffusionskanäle mittels eines chemisch aktiven Stoffes oder eines chemisch aktiven Stoffgemisches schlüssig verschlossen werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die dielektrische Schicht zum schlüssigen Verschließen mit dem chemisch aktiven Stoff oder dem chemisch aktiven Stoffgemisch umgeben werden. Die dielektrische Schicht kann beispielsweise vollständig oder nur teilweise mit dem chemisch aktiven Stoff oder dem chemisch aktiven Stoffgemisch umgeben werden, beispielsweise indem wenigstens ein Teil der dielektrischen Schicht nicht von dem chemisch aktiven Stoff oder dem chemisch aktiven Stoffgemisch umgeben wird, beispielsweise in dem der chemisch aktive Stoff oder das chemisch aktive Stoffgemisch chemisch strukturiert wird.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Umgeben temporär oder dauerhaft ausgebildet sein. Ein temporäres Umgeben kann beispielsweise als ein Eintauchen der
dielektrischen Schicht in eine Lösung, Suspension oder
Dispersion sein, wobei die dielektrische Schicht nach dem Verfahren aus der Lösung, Suspension oder Dispersion entfernt wird. Ein dauerhaftes Umgeben kann beispielsweise als ein Ausbilden einer stoffschlüssigen Schicht auf oder über der dielektrischen Schicht realisiert sein.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der chemisch aktive Stoff oder das chemisch aktive Stoffgemisch in einer Lösung, Suspension oder Dispersion gelöst sein.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die chemisch aktive Lösung, die Suspension oder die Dispersion wasserfrei eingerichtet sein, beispielsweise Propylencarbonat ,
Natriumpercarbonat , ein Chinon oder ein Chinolin aufweisen oder daraus gebildet sein.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der chemisch aktive Stoff oder das chemisch aktive Stoffgemisch in einer Elektrolyt-Lösung oder einem galvanischen Bad bereitgestellt werden, von der die dielektrische Schicht umgeben wird.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann eine Elektrolyt- Lösung oder ein galvanisches Bad einen Massenanteil an chemisch aktivem Stoff oder chemisch aktivem Stoffgemisch bezüglich der Masse der Lösung in einem Bereich von ungefähr 1 % bis ungefähr 70 % aufweisen. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der chemisch aktive Stoff oder das chemisch aktive Stoffgemisch auf oder über der dielektrischen Schicht ausgebildet werden,
beispielsweise aufgebracht oder abgeschieden werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der chemisch aktive Stoff oder das chemisch aktive Stoffgemisch als eine chemisch aktive Schicht oder in einer chemisch aktiven
Schicht auf oder über der dielektrischen Schicht ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung kann die chemisch aktive Schicht eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 100 nm bis ungefähr 20 ym aufweisen, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr
200 nm bis ungefähr 5 ym.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die chemisch aktive Schicht als eine chemisch aktive Paste oder eine chemisch aktive Beschichtung eingerichtet sein.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die chemisch aktive Paste zusätzlich zu dem chemisch aktiven Stoff oder dem chemisch aktiven Stoffgemisch weitere, flüchtige
Bestandteile aufweisen, beispielsweise ein Lösungsmittel oder Binder. Die flüchtigen Bestandteile können in der chemisch aktive Schicht auf oder über der dielektrischen Schicht noch enthalten sein oder auch nicht, beispielsweise kann die chemisch aktive Paste für die Elektrolyse, Galvanik und/oder Elektrophorese getrocknet sein.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann wenigstens ein Teil des chemisch aktiven Stoffs oder des chemisch aktiven Stoffgemisches elektrisch leitfähig eingerichtet sein. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der chemisch aktive Stoff oder das chemisch aktive Stoffgemisch elektrisch geladen sein, beispielsweise Ionen aufweisen oder
bereitstellen .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der chemisch aktive Stoff oder das chemisch aktive Stoffgemisch ein Metall aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Kupfer.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der chemisch aktive Stoff oder das chemisch aktive Stoffgemisch ein
Oxidationsmittel oder ein Reduktionsmittel aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Propylencarbonat ,
Natriumpercarbonat , Chinon oder Chinolin aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise ein Derivat davon aufweisen .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Lösung,
Suspension, Dispersion oder Schicht mit chemisch aktivem Stoff oder chemisch aktivem Stoffgemisch, beispielsweise das Oxidationsmittel, frei von Wasser und/oder Hydroxid-Gruppen eingerichtet sein, d.h. hydroxidfrei sein, beispielsweise ein organisches Lösungsmittel aufweisen.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Verfahren ein Ausbilden einer elektrischen Potenzialdifferenz über die dielektrische Schicht aufweisen, sodass ein elektrisches Feld in den Diffusionskanälen ausgebildet wird.
Ein Diffusionskanal kann beispielsweise einen Durchmesser aufweisen in einem Bereich von ungefähr dem Durchmesser eines Wassermoleküls bis ungefähr einige nm. Ein Diffusionskanal in der dielektrischen Schicht können beispielsweise Fehlstellen, Korngrenzen oder ähnliches in der dielektrischen Schicht sein oder dadurch gebildet werden. In verschiedenen
Ausgestaltungen kann eine dielektrische Schicht eine Schicht in einem optoelektronischen Bauelement sein, die dielektrisch ausgebildet ist und beschriebene Diffusionskanäle aufweist, beispielsweise eine Barrierendünnschicht , Barriereschicht, VerkapselungsSchicht, VerkapselungsdünnSchicht, KlebstoffSchicht , Getterschicht , optische Einkoppelschicht oder Auskoppelschicht, Streuschicht, LeuchtstoffSchicht , FarbstoffSchicht oder ähnliches.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das elektrische Feld derart ausgebildet werden, dass ein elektrisch
geladener, chemisch aktiver Stoff oder ein elektrisch
geladenes, chemisch aktives Stoffgemisch in die
Diffusionskanäle migriert, beispielsweise elektrophoretisch, beispielsweise indem ein chemisch aktiver Stoff oder ein chemisch aktives Stoffgemisch mittels des elektrischen Feldes elektrisch geladen wird, beispielsweise elektrolytisch. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden des elektrischen Feldes das Anlegen einer elektrischen
Potenzialdifferenz über die dielektrische Schicht aufweisen.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die elektrische Potenzialdifferenz mittels einer Spannungsquelle ausgebildet werden, wobei die Spannungsquelle eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode aufweist, wobei die elektrische
Potenzialdifferenz zwischen der ersten Elektrode und der zweite Elektrode ausgebildet ist.
Die elektrische Potenzialdifferenz kann einen Betrag von wenigstens größer ungefähr der Zersetzungsspannung des chemisch aktiven Stoffs oder des chemisch aktiven
Stoffgemisches auf oder über der dielektrischen Schicht aufweisen, beispielsweise des Stoffs oder des Stoffgemisches der elektrisch leitfähigen Schicht oder der Paste oder
Beschichtung auf oder über der dielektrischen Schicht bis ungefähr der Zersetzungsspannung des Stoff oder des
Stoffgemisches der dielektrischen Schicht oder des
Lösungsmittels des chemisch aktiven Stoffs oder des chemisch aktiven Stoffgemisches oder der Durchbruchspannung des Stoff oder des Stoffgemisches der dielektrischen Schicht. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die elektrische Potenzialdifferenz einen Betrag in einem Bereich von ungefähr 0,1 V bis ungefähr 25 V aufweisen.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der maximale
Betrag des elektrischen Spannungsverlaufes einen Betrag in einem Bereich von ungefähr 0,1 V bis 5 V aufweisen. Der maximale Betrag des elektrischen Spannungsverlaufes kann auch als Spitzenspannung und/oder Spannungsamplitude
bezeichnet werden, wobei der maximale Betrag des elektrischen Spannungsverlaufes zeitlich moduliert sein kann. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Betrag der Spannung des elektrischen Spannungsverlaufes zeitlich
moduliert werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der elektrische Spannungsverlauf eine der folgenden zeitlichen Modulationen aufweisen: Sinus-förmig, Cosinus-förmig, Sägezahn-förmig, dreieckig, rechteckig, gepulst.
Ein elektrischer Spannungspuls kann beispielsweise eines der folgenden Spannungsprofile aufweisen: Gauß, Lorentz, Voigt,
Gumbel, Laplace, Levy, Rayleigh, Rossi, Studentsches t-Profil oder ähnliches.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann ein elektrischer Spannungspuls eine Halbwertszeit und/oder eine Pulsdauer in einem Bereich von ungefähr 1 ys bis ungefähr 5 s aufweisen.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der
Spannungsverlauf einen einzelnen Spannungspuls aufweisen oder eine Frequenz in einem Bereich von ungefähr 1 Hz bis ungefähr 1 MHz. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die zeitliche Modulation eine Pulsweitenmodulation aufweisen.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die zeitliche Modulation des Spannungsverlaufes mit einer gemessen
elektrischen Leitfähigkeit der dielektrischen Schicht
und/oder eines gemessenen elektrischen Stromes durch die dielektrische Schicht korreliert und/oder gekoppelt sein, beispielsweise indem die elektrische Leitfähigkeit oder elektrische Strom der Vorrichtung nach oder während eines Spannungspulses gemessen wird.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Spitzenspannung eines Spannungspulses und/oder die Anzahl an Spannungspulsen eine Funktion der elektrischen Leitfähigkeit und oder des elektrischen Stromes durch die dielektrische Schicht sein, beispielsweise der Dicke der nicht entfernten dielektrischen Schicht im Strompfad. Der konkrete Betrag der elektrischen Spannung kann abhängig sein von der Dicke der dielektrischen Schicht und den
dielektrischen Eigenschaften des Stoffs oder des
Stoffgemisches der dielektrischen Schicht. Die dielektrische Schicht sollte jedoch eine maximal Dicke aufweisen, sodass der maximale Betrag der Spannung maximal so groß ist, dass weitere Schichten, die mit der elektrischen Schichtenstruktur in einem elektrischen Kontakt stehen, nicht mittels der
Spannung beschädigt werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die erste
Elektrode der Spannungsquelle mit der elektrisch leitfähigen Schicht elektrisch verbunden werden, beispielsweise
schlüssig, beispielsweise elektromechanisch, beispielswiese mittels eines Kontaktstiftes oder eines Klemmkontaktes;
beispielsweise Stoffschlüssig, beispielsweise mittels eines Lötens oder Klebens . In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die elektrische Verbindung schlüssig ausgebildet werden, beispielsweise stoffschlüssig. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die elektrische Verbindung temporär und/oder reversibel eingerichtet werden. Eine temporäre und reversible elektrische Verbindung kann beispielsweise als Ausbilden eines körperlichen Kontaktes von Kontaktstiften mit der elektrischen leitfähigen Schicht und/oder dem chemisch aktiven Stoff oder dem chemisch aktiven Stoffgemisch realisiert sein, beispielsweise einem
Kontaktieren der Oberfläche der elektrischen
Schichtenstruktur mit Kontaktstiften einer Spannungsquelle oder ein Eintauchen einer Elektrode der Spannungsquelle in eine Lösung, Suspension oder Dispersion eines flüssigen, chemisch aktiven Stoffs oder chemisch aktiven Stoffgemisches . Ein Kontaktstift kann auch als ein Stift oder Pin bezeichnet werden . Im Rahmen dieser Beschreibung können der chemisch aktive
Stoff bzw. das chemisch aktive Stoffgemisch auf oder über der dielektrischen Schicht auf oder über der elektrisch
leitfähigen Schicht als eine elektrische Schichtenstruktur bezeichnet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die elektrische Verbindung derart eingerichtet werden, dass der Stromkreis der elektrischen Verbindung durch die elektrische
Schichtenstruktur geschlossen wird.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die zweite
Elektrode elektrisch mit einer dritten Elektrode verbunden werden, beispielsweise schlüssig, beispielsweise
elektromechanisch, beispielswiese mittels eines
Kontaktstiftes oder eines Klemmkontaktes; beispielsweise stoffschlüssig, beispielsweise mittels eines Lötens oder Klebens . In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die dritte
Elektrode einen elektrisch leitfähigen, chemisch aktiven Stoff oder ein elektrisch leitfähiges, chemisch aktives
Stoffgemisch aufweisen oder daraus gebildet sein,
beispielsweise auf oder über der dielektrischen Schicht als eine elektrisch leitfähige Beschichtung oder eine elektrisch leitfähige Paste; oder beispielsweise als eine Elektrode in einem galvanischen Bad.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die dritte
Elektrode in einer Lösung, Suspension oder Dispersion
eingerichtet sein, in der der chemisch aktive Stoff oder das chemisch aktive Stoffgemisch gelöst ist oder wird,
beispielsweise bei einer Elektrophorese.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der chemisch aktive Stoff oder das chemisch aktive Stoffgemisch in den Diffusionskanälen und/oder an den Seiten der
Diffusionskanälen, beispielsweise an der Oberfläche der elektrisch leitfähigen Schicht, einen Stoff oder ein
Stoffgemisch ausbilden, das keine oder nur eine geringe
Löslichkeit bezüglich Wasser aufweist, beispielsweise kleiner oder ungefähr gleich dem Stoff oder Stoffgemisch der
dielektrischen Schicht, beispielweise kann der ausgebildete Stoff oder das ausgebildete Stoffgemisch ein Metall, ein Metalloxid, beispielsweise Glas; und/oder eine Keramik, beispielsweise Aluminiumoxid oder Kupferoxid aufweisen. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Stoff oder das Stoffgemisch, der/das in dem Diffusionskanal von dem chemisch aktiven Stoff oder dem chemisch aktiven Stoffgemisch gebildet wird, den Diffusionskanal Stoffschlüssig, formschlüssig und/oder kraftschlüssig verschließen.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann ein Verschließen eines Diffusionskanales auch als ein Stopfen, Abkapseln, Vergraben, Hermetisieren, Abdichten, Versiegeln oder ein Sperren eines Diffusionskanals bezeichnet oder verstanden werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die schlüssige Verbindung unlöslich bezüglich Wasser ausgebildet werden, beispielsweise als eine hermetisch dichte, Stoffschlüssige Verbindung, beispielsweise mittels eines Metalloxids,
beispielweise einem Metalloxid-Stopfen. Im Rahmen dieser Beschreibung kann ein Stopfen auch als ein Verschluss, Zapfen, Pfropf, Riegel, Kappe oder eine Sperre bezeichnet oder verstanden werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Stoff oder das Stoffgemisch des Stopfens in dem Diffusionskanal den gleichen oder einen ähnlichen Stoff oder das gleiche oder ein
ähnliches Stoffgemisch aufweisen wie die dielektrische Sicht. Ein ähnlicher Stoff oder ein ähnliches Stoffgemisch kann beispielsweise eine unterschiedliche stöchiometrische
Zusammensetzung gleicher Elemente sein. Beispielsweise kann die elektrisch leitfähige Schicht Aluminium und die
dielektrische Schicht Aluminiumoxid aufweisen oder daraus gebildet sein. In dem Diffusionskanal oder an einer Öffnung des Diffusionskanals kann beispielsweise Aluminium der elektrisch leitfähigen Schicht mittels eines chemisch aktiven Stoffs, beispielsweise einem Oxidationsmittel , zu einem
Aluminiumoxid-Stopfen oxidiert werden, d.h. eloxiert werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der chemisch aktive Stoff oder das chemisch aktive Stoffgemisch den Stoff oder das Stoffgemisch der elektrisch leitfähigen Schicht chemisch umwandeln, beispielsweise chemisch oxidieren oder chemisch reduzieren, beispielsweise bei einer elektrisch leitfähigen Schicht aus einem Metall eine Metalloxidschicht bilden. Mit anderen Worten: der chemisch aktive Stoff oder das chemisch aktive Stoffgemisch kann in die Diffusionskanäle migrieren . In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann ein Teil des
Stoffs oder des Stoffgemisches der elektrisch leitfähigen Schicht an wenigstens einer Seite eines Diffusionskanals von dem chemisch aktiven Stoff oder dem chemisch aktiven
Stoffgemisch umgewandelt werden. Mit anderen Worten: ein Teil des Stoffs oder des Stoffgemisches der elektrisch leitfähigen Schicht kann bei Eintritt in ein und/oder bei Austritt aus einem Diffusionskanal von dem chemisch aktiven Stoff oder dem chemisch aktiven Stoffgemisch umgewandelt werden,
beispielsweise an der Wand des Diffusionskanals und/oder an der Oberfläche des chemisch aktiven Stoffs oder des chemisch aktiven Stoffgemisches .
Mit anderen Worten: der Stoff oder das Stoffgemisch der elektrisch leitfähigen Schicht kann in den Diffusionskanal migrieren, und beispielsweise in dem Diffusionskanal sich umwandeln oder umgewandelt werden
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der chemisch aktive Stoff oder das chemisch aktive Stoffgemisch an
wenigstens einer Seite eines Diffusionskanals chemisch umgewandelt werden. Mit anderen Worten: ein Teil des chemisch aktiven Stoffs oder des chemisch aktiven Stoffgemisches kann bei Eintritt in ein und/oder bei Austritt aus einem
Diffusionskanal umgewandelt werden, beispielsweise an der Wand des Diffusionskanals und/oder an der Oberfläche der elektrisch leitfähigen Schicht.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die elektrisch leitfähige Schicht eine oder mehrere stofflich
unterschiedliche, elektrisch leitfähige Schichten im
Schichtquerschnitt der elektrisch leitfähigen Schichten aufweisen . In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die elektrisch leitfähige Schicht als eine Elektrode, eine elektrische Verbindungsschicht, ein Kontaktpad oder ähnliches, des optoelektronischen Bauelementes eingerichtet sein.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der chemisch aktive Stoff oder das chemisch aktive Stoffgemisch auf oder über der dielektrischen Schicht chemisch aktiviert werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann wenigstens ein zweiter, chemisch aktiver Stoff und/oder wenigstens ein zweites, chemisch aktives Stoffgemisch auf oder über der chemisch aktiven Schicht auf oder über der dielektrischen Schicht ausgebildet werden/wird.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der chemisch aktive Stoff oder das chemisch aktive Stoffgemisch auf oder über der dielektrischen Schicht erst in Kombination mit wenigstens einem weiteren chemisch aktiven Stoff oder chemisch aktiven Stoffgemisch chemisch aktiviert werden, beispielsweise ionisiert werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die dielektrische Schicht als eine Verkapselung der elektrisch leitfähigen Schicht eingerichtet sein, beispielsweise eine
Barrierendünnschicht .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die dielektrische Schicht eine Schichtdicke eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 0,1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm
aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm, beispielsweise ungefähr 40 nm gemäß einer Ausgestaltung.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die dielektrische Schicht einen der folgenden Stoffe aufweisen: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid,
Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminium¬ dotiertes Zinkoxid, sowie Mischungen und Legierungen
derselben.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die elektrisch leitfähige Schicht aus einem elektrisch leitfähigen Stoff gebildet werden oder sein, wie beispielsweise aus einem
Metall oder einem leitfähigen transparenten Oxid (transparent conductive oxide, TCO) oder einem Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben Metalls oder unterschiedlicher Metalle und/oder desselben TCO oder unterschiedlicher TCOs.
Transparente leitfähige Oxide sind transparente, leitfähige Stoffe, beispielsweise Metalloxide, wie beispielsweise
Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium-Zinn-Oxid (ITO). Neben binären
Metallsauerstoff erbindungen, wie beispielsweise ZnO, Sn02, oder Ιη2θ3 gehören auch ternäre MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise AlZnO, Zn2Sn04, CdSn03, ZnSn03, Mgln204, Galn03, Ζη2ΐη2θ5 oder In4Sn30]_2 oder Mischungen
unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs und können in verschiedenen
Ausführungsbeispielen eingesetzt werden. Weiterhin
entsprechen die TCOs nicht zwingend einer stöchiometrischen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die elektrisch leitfähige Schicht ein Metall aufweisen; beispielsweise Ag, Pt, Au, Mg, AI, Ba, In, Ag, Au, Mg, Ca, Sm oder Li, sowie Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser Stoffe.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die elektrisch leitfähige Schicht gebildet werden von einem Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer
Schicht eines TCOs, oder umgekehrt. Ein Beispiel ist eine Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO Multischichten .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die elektrisch leitfähige Schicht eines oder mehrere der folgenden Stoffe alternativ oder zusätzlich zu den oben genannten Stoffen aufweisen: Netzwerke aus metallischen Nanodrähten und - teilchen, beispielsweise aus Ag; Netzwerke aus Kohlenstoff- Nanoröhren; Graphen-Teilchen und -Schichten; Netzwerke aus halbleitenden Nanodrähten.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die elektrisch leitfähige Schicht elektrisch leitfähige Polymere oder
Übergangsmetalloxide oder elektrisch leitfähige transparente Oxide aufweisen.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die elektrisch leitfähige Schicht eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 20 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 18 nm.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die elektrisch leitfähige Schicht beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von größer oder gleich ungefähr 10 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von größer oder gleich ungefähr 15 nm.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die elektrisch leitfähige eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 25 nm, beispielsweise eine
Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 18 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 15 nm bis ungefähr 18 nm. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die elektrisch leitfähige Schicht für den Fall, dass die elektrisch
leitfähige Schicht ein leitfähiges transparentes Oxid (TCO) aufweist oder daraus gebildet ist, die elektrisch leitfähige Schicht beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 500 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von
ungefähr 75 nm bis ungefähr 250 nm, beispielsweise eine
Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 100 nm bis ungefähr 150 nm.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die elektrisch leitfähige Schicht für den Fall, dass die elektrisch
leitfähige Schicht aus beispielsweise einem Netzwerk aus metallischen Nanodrähten, beispielsweise aus Ag, die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sein können, einem
Netzwerk aus Kohlenstoff-Nanoröhren, die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sein können, oder aus Graphen- Schichten und Kompositen gebildet werden, die elektrisch leitfähige Schicht beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von
ungefähr 10 nm bis ungefähr 400 nm, beispielsweise eine
Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 40 nm bis ungefähr 250 nm.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann eine optisch und/oder elektrisch funktionale Schicht auf oder über der hermetisch abgedichteten dielektrischen Schicht ausgebildet werden, beispielsweise eine Streuschicht, eine dielektrische Isolation, eine Lackschicht, eine Auskoppelschicht, eine Einkoppelschicht, eine LeuchtstoffSchicht , eine
Reflexionsschicht, eine Wärmeverteilungsschicht oder
ähnliches. Mit anderen Worten: das Verfahren kann nach dem hermetischen Abdichten ein Ausbilden einer weiteren
dielektrischen Schicht auf oder über der hermetisch
abgedichteten dielektrischen Schicht aufweisen.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das
optoelektronische Bauelement als eine organische Solarzelle oder eine organische Leuchtdiode, wobei die organische
Leuchtdiode beispielsweise als ein Bottom-Emitter
eingerichtet sein kann. In verschiedenen Ausführungsformen wird eine Vorrichtung zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes mit
wenigstens einer dielektrischen Schicht auf oder über einer elektrisch leitfähigen Schicht bereitgestellt, wobei die dielektrische Schicht bezüglich Wasser hermetisch dicht eingerichtet ist und Diffusionskanäle aufweist, die
Vorrichtung aufweisend: eine Vorrichtung zum Umgeben der dielektrischen Schicht mit einem chemisch aktiven Stoff oder chemisch aktiven Stoffgemisch; eine Spannungsquelle
eingerichtet zum Bereitstellen eines modulierbaren
Spannungsverlaufes, wobei die Spannungsquelle mit der
elektrisch leitfähigen Schicht und dem chemisch aktiven Stoff oder dem chemisch aktiven Stoffgemisch elektrisch verbunden ist derart, dass der Stromkreis durch die Diffusionskanäle elektrisch geschlossen wird; eine Steuereinheit eingerichtet zum Steuern des Spannungsverlaufes der Spannungsquelle; eine Messeinrichtung eingerichtet zum Messen des elektrischen Stromes durch die dielektrische Schicht, wobei die
Messeinrichtung ferner derart eingerichtet ist, dass die gemessene elektrische Leitfähigkeit an die Steuereinheit übermittelt wird; wobei die zeitliche Modulation des
Spannungsverlaufes mit dem gemessenen elektrischen Strom gekoppelt ist.
In einer Ausgestaltung der Bauelementevorrichtung kann die Spannungsquelle zum Bereitstellen einer konstanten
Gleichspannung eingerichtet sein, beispielsweise einen
Gleichrichter für einen elektrischen Eingangsstrom aufweisen.
In einer Ausgestaltung der Bauelementevorrichtung kann die Messeinrichtung zum Messen des elektrischen Widerstandes der elektrischen Schichtenstruktur eingerichtet sein, beispielsweise als eine Widerstandsbrücke, beispielsweise ein Wheatstone ' sehe Brücke oder ein Impedanz-Spektrometer .
In einer Ausgestaltung der Bauelementevorrichtung kann die Messeinrichtung zum Messen des elektrischen Spannungsabfalls über die elektrische Schichtenstruktur eingerichtet sein, beispielsweise als ein digitales Spannungsmessgerät.
In einer Ausgestaltung der Bauelementevorrichtung kann die Messeinrichtung zum Messen des elektrischen Stromes durch die elektrische Schichtenstruktur eingerichtet sein,
beispielsweise als ein digitales Strommessgerät.
In einer Ausgestaltung der Bauelementevorrichtung kann die Steuereinheit als ein Phasendimmer eingerichtet sein, wobei das Steuersignal zur Phasenabschnittsstreuerung oder
Phasenanschnittssteuerung eine Funktion der gemessenen
Leitfähigkeit der elektrischen Schichtenstruktur ist. In einer Ausgestaltung der Bauelementevorrichtung kann die Steuereinheit als ein Pulsmodulator eingerichtet sein, beispielsweise zur Pulsweitenmodulation oder
Pulsfrequenzmodulation, wobei das Steuersignal zur
Pulsmodulation eine Funktion der gemessenen Leitfähigkeit der elektrischen Schichtenstruktur ist.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert. Es zeigen
Figur 1 eine schematische Querschnittsansicht eines
optoelektronischen Bauelementes, gemäß verschiedenen Ausgestaltungen; Figur 2 ein Diagramm zum Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes, gemäß verschiedenen Ausgestaltungen; Figur 3 eine schematische Querschnittsansicht eines
optoelektronischen Bauelementes, gemäß verschiedenen Ausgestaltungen; und
Figur 4 eine schematische Querschnittsansicht eines Bereiches eines optoelektronischen Bauelementes, gemäß verschiedenen Ausgestaltungen.
In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische
Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird
Richtungsterminologie wie etwa „oben", „unten", „vorne", „hinten", „vorderes", „hinteres", usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet. Da
Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl
verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der
Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert. Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe
"verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.
Fig.l zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelementes, gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen .
Das optoelektronische Bauelement 100, beispielsweise ein elektromagnetische Strahlung bereitstellendes elektronisches Bauelement 100, beispielsweise ein lichtemittierendes
Bauelement 100, beispielsweise in Form einer organischen Leuchtdiode 100 kann ein Träger 102 aufweisen. Der Träger 102 kann beispielsweise als ein Trägerelement für elektronische Elemente oder Schichten, beispielsweise lichtemittierende Elemente, dienen. Beispielsweise kann der Träger 102 Glas,
Quarz, und/oder ein Halbleitermaterial oder irgendein anderen geeigneten Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Träger 102 eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine (beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder Polypropylen (PP) ) aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Kunststoff
Polyvinylchlorid (PVC) , Polystyrol (PS), Polyester und/oder Polycarbonat (PC), Polyethylenterephthalat (PET),
Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Träger 102 kann eines oder mehrere der oben genannten Stoffe aufweisen.
Der Träger 102 kann ein Metall oder eine Metallverbindung aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Kupfer, Silber, Gold, Platin oder ähnliches. Ein Träger 102 aufweisend ein Metall oder eine
Metallverbindung kann auch als eine Metallfolie oder eine Metallbeschichtete Folie ausgebildet sein.
Der Träger 102 kann transluzent oder sogar transparent ausgeführt sein.
Unter dem Begriff „transluzent" bzw. „transluzente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist,
beispielsweise für das von dem Lichtemittierenden Bauelement erzeugte Licht, beispielsweise einer oder mehrerer
Wellenlängenbereiche, beispielsweise für Licht in einem
Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) . Beispielsweise ist unter dem Begriff
„transluzente Schicht" in verschiedenen Ausführungsbeispielen zu verstehen, dass im Wesentlichen die gesamte in eine
Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppelte
Lichtmenge auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird, wobei ein Teil des Licht hierbei gestreut werden kann
Unter dem Begriff „transparent" oder „transparente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist
(beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des
Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) , wobei in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppeltes Licht im Wesentlichen ohne Streuung oder Lichtkonversion auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird.
Somit ist „transparent" in verschiedenen
Ausführungsbeispielen als ein Spezialfall von „transluzent" anzusehen . Für den Fall, dass beispielsweise ein lichtemittierendes monochromes oder im Emissionsspektrum begrenztes
elektronisches Bauelement bereitgestellt werden soll, ist es ausreichend, dass die optisch transluzente Schichtenstruktur zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs des gewünschten monochromen Lichts oder für das begrenzte
Emissionsspektrum transluzent ist.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische Leuchtdiode 100 (oder auch die lichtemittierenden Bauelemente gemäß den oben oder noch im Folgenden beschriebenen
Ausführungsbeispielen) als ein so genannter Top- und Bottom- Emitter eingerichtet sein. Ein Top- und/oder Bottom-Emitter kann auch als optisch transparentes Bauelement,
beispielsweise eine transparente organische Leuchtdiode, bezeichnet werden.
Auf oder über dem Träger 102 kann in verschiedenen
Ausführungsbeispielen optional eine Barriereschicht 104 angeordnet sein. Die Barriereschicht 104 kann eines oder mehrere der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus bestehen: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid,
Hafniumoxid, Tantaloxid, Lanthaniumoxid, Siliziumoxid,
Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid,
Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, sowie
Mischungen und Legierungen derselben. Ferner kann die
Barriereschicht 104 in verschiedenen Ausführungsbeispielen eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 0,1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 5000 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 200 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 40 nm. Auf oder über der Barriereschicht 104 kann ein elektrisch aktiver Bereich 106 des lichtemittierenden Bauelements 100 angeordnet sein. Der elektrisch aktive Bereich 106 kann als der Bereich des lichtemittierenden Bauelements 100 verstanden werden, in welchem ein elektrischer Strom zum Betrieb des lichtemittierenden Bauelements 100 fließt. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der elektrisch aktive Bereich 106 eine erste Elektrode 110, eine zweite Elektrode 114 und eine organische funktionelle Schichtenstruktur 112 aufweisen, wie sie im Folgenden noch näher erläutert werden.
So kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen auf oder über der Barriereschicht 104 (oder, wenn die Barriereschicht 104 nicht vorhanden ist, auf oder über dem Träger 102) die erste Elektrode 110 (beispielsweise in Form einer ersten
Elektrodenschicht 110) aufgebracht sein. Die erste Elektrode 110 (im Folgenden auch als untere Elektrode 110 bezeichnet) kann aus einem elektrisch leitfähigen Stoff gebildet werden oder sein, wie beispielsweise aus einem Metall oder einem leitfähigen transparenten Oxid (transparent conductive oxide, TCO) oder einem Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben Metalls oder unterschiedlicher Metalle und/oder desselben TCO oder unterschiedlicher TCOs . Transparente leitfähige Oxide sind transparente, leitfähige Stoffe, beispielsweise
Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid,
Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium-Zinn-Oxid (ITO). Neben binären MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise ZnO, Sn02, oder Ιη2θ3 gehören auch ternäre MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise AlZnO,
Zn2Sn04, CdSn03, ZnSn03, Mgln204, Galn03, Zn2ln20s oder
In4Sn30]_2 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs und können in verschiedenen Ausführungsbeispielen eingesetzt werden.
Weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer
stöchiometrischen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode 110 ein Metall aufweisen; beispielsweise Ag, Pt, Au, Mg, AI, Ba, In, Ca, Sm oder Li, sowie Verbindungen,
Kombinationen oder Legierungen dieser Stoffe. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode 110 gebildet werden von einem Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs, oder umgekehrt. Ein Beispiel ist eine
Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO Multischichten . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode 110 eines oder mehrere der folgenden Stoffe
alternativ oder zusätzlich zu den oben genannten Stoffen aufweisen: Netzwerke aus metallischen Nanodrähten und - teilchen, beispielsweise aus Ag; Netzwerke aus Kohlenstoff- Nanoröhren; Graphen-Teilchen und -Schichten; Netzwerke aus halbleitenden Nanodrähten.
Ferner kann die erste Elektrode 110 elektrisch leitfähige Polymere oder Übergangsmetalloxide oder elektrisch leitfähige transparente Oxide aufweisen.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die erste
Elektrode 110 und der Träger 102 transluzent oder transparent ausgebildet sein. In dem Fall, dass die erste Elektrode 110 ein Metall aufweist oder daraus gebildet ist, kann die erste Elektrode 110 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 25 nm, beispielsweise eine
Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 20 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 18 nm. Weiterhin kann die erste Elektrode 110 beispielsweise Schichtdicke aufweisen von größer oder gleich ungefähr 10 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von größer oder gleich ungefähr 15 nm. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrode 110 eine
Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 18 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 15 nm bis ungefähr 18 nm.
Weiterhin kann für den Fall, dass die erste Elektrode 110 ein leitfähiges transparentes Oxid (TCO) aufweist oder daraus gebildet ist, die erste Elektrode 110 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 75 nm bis ungefähr 250 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von
ungefähr 100 nm bis ungefähr 150 nm.
Ferner kann für den Fall, dass die erste Elektrode 110 aus beispielsweise einem Netzwerk aus metallischen Nanodrähten, beispielsweise aus Ag, die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sein können, einem Netzwerk aus Kohlenstoff- Nanoröhren, die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sein können, oder aus Graphen-Schichten und Kompositen gebildet werden, die erste Elektrode 110 beispielsweise eine
Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 400 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von
ungefähr 40 nm bis ungefähr 250 nm.
Die erste Elektrode 110 kann als Anode, also als
löcherinjizierende Elektrode ausgebildet sein oder als
Kathode, also als eine elektroneninjizierende Elektrode. Die erste Elektrode 110 kann einen ersten elektrischen
Kontaktpad aufweisen, an den ein erstes elektrisches
Potenzial (bereitgestellt von einer Energiequelle (nicht dargestellt) , beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsquelle) anlegbar ist. Alternativ kann das erste elektrische Potenzial an den Träger 102 angelegt werden oder sein und darüber dann mittelbar an die erste Elektrode 110 angelegt werden oder sein. Das erste elektrische Potenzial kann beispielsweise das MassePotenzial oder ein anderes vorgegebenes BezugsPotenzial sein.
Weiterhin kann der elektrisch aktive Bereich 106 des
lichtemittierenden Bauelements 100 eine organische funktionelle Schichtenstruktur 112 aufweisen, die auf oder über der ersten Elektrode 110 aufgebracht ist oder
ausgebildet wird. Die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 kann eine oder mehrere Emitterschichten 118 aufweisen, beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder phosphoreszierenden Emittern, sowie eine oder mehrere Lochleitungsschichten 116 (auch bezeichnet als Lochtransportschicht (en) 120). In
verschiedenen Ausführungsbeispielen können alternativ oder zusätzlich eine oder mehrere Elektronenleitungsschichten 116 (auch bezeichnet als Elektronentransportschicht (en) 116) vorgesehen sein. Beispiele für Emittermaterialien, die in dem
lichtemittierenden Bauelement 100 gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen für die Emitterschicht (en) 118
eingesetzt werden können, schließen organische oder
organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (z.B. 2- oder 2,5- substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe, beispielsweise Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis (3, 5-difluoro-2- (2-pyridyl) phenyl- (2- carboxypyridyl ) -iridium III), grün phosphoreszierendes
Ir (ppy) 3 (Tris (2-phenylpyridin) iridium III), rot
phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy) 3*2 (PFg) (Tris [4, 4' -di-tert- butyl- (2, 2 ' ) -bipyridin] ruthenium (III) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4, 4-Bis [4- (di-p- tolylamino) styryl] biphenyl) , grün fluoreszierendes TTPA
( 9, 10-Bis [N, -di- (p-tolyl) -amino] anthracen) und rot
fluoreszierendes DCM2 (4-Dicyanomethylen) -2-methyl-6- j ulolidyl- 9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter ein. Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar. Ferner können
Polymeremitter eingesetzt werden, welche insbesondere mittels eines nasschemischen Verfahrens, wie beispielsweise einem Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating) , abscheidbar sind.
Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein.
Es ist darauf hinzuweisen, dass andere geeignete
Emittermaterialien in anderen Ausführungsbeispielen ebenfalls vorgesehen sind.
Die Emittermaterialien der Emitterschicht (en) 118 des
lichtemittierenden Bauelements 100 können beispielsweise so ausgewählt sein, dass das lichtemittierende Bauelement 100 Weißlicht emittiert. Die Emitterschicht (en) 118 kann/können mehrere verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien
aufweisen, alternativ kann/können die Emitterschicht (en) 118 auch aus mehreren Teilschichten aufgebaut sein, wie einer blau fluoreszierenden Emitterschicht 118 oder blau
phosphoreszierenden Emitterschicht 118 , einer grün
phosphoreszierenden Emitterschicht 118 und einer rot
phosphoreszierenden Emitterschicht 118. Durch die Mischung der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ kann auch vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen) Primärstrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt.
Die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 kann allgemein eine oder mehrere elektrolumineszente Schichten aufweisen. Die eine oder mehreren elektrolumineszenten
Schichten kann oder können organische Polymere, organische Oligomere, organische Monomere, organische kleine, nicht- polymere Moleküle („small molecules") oder eine Kombination dieser Stoffe aufweisen. Beispielsweise kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 eine oder mehrere
elektrolumineszente Schichten aufweisen, die als
Lochtransportschicht 120 ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in dem Fall einer OLED eine effektive
Löcherinjektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird.
Alternativ kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 eine oder mehrere funktionelle Schichten aufweisen, die als
Elektronentransportschicht 116 ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in einer OLED eine effektive
Elektroneninjektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird. Als Stoff für die Lochtransportschicht 120 können
beispielsweise tertiäre Amine, Carbazolderivate, leitendes Polyanilin oder Polyethylendioxythiophen verwendet werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann oder können die eine oder die mehreren elektrolumineszenten Schichten als
elektrolumineszierende Schicht ausgeführt sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Lochtransportschicht 120 auf oder über der ersten Elektrode 110 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein, und die Emitterschicht 118 kann auf oder über der
Lochtransportschicht 120 aufgebracht sein, beispielsweise abgeschieden sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann dir Elektronentransportschicht 116 auf oder über der Emitterschicht 118 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 (also beispielsweise die Summe der Dicken von Lochtransportschicht (en) 120 und
Emitterschicht (en) 118 und Elektronentransportschicht (en) 116) eine Schichtdicke aufweisen von maximal ungefähr 1,5 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1,2 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 beispielsweise einen
Stapel von mehreren direkt übereinander angeordneten
organischen Leuchtdioden (OLEDs) aufweisen, wobei jede OLED beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 1,5 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1,2 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 112
beispielsweise einen Stapel von zwei, drei oder vier direkt übereinander angeordneten OLEDs aufweisen, in welchem Fall beispielsweise organische funktionelle Schichtenstruktur 112 eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 3 ym. Das lichtemittierende Bauelement 100 kann optional allgemein weitere organische Funktionsschichten, beispielsweise
angeordnet auf oder über der einen oder mehreren
Emitterschichten 118 oder auf oder über der oder den
Elektronentransportschicht (en) 116 aufweisen, die dazu dienen, die Funktionalität und damit die Effizienz des lichtemittierenden Bauelements 100 weiter zu verbessern.
Auf oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 oder gegebenenfalls auf oder über der einen oder den mehreren weiteren organischen funktionellen
Schichtenstrukturen kann die zweite Elektrode 114 (beispielsweise in Form einer zweiten Elektrodenschicht 114) aufgebracht sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite
Elektrode 114 die gleichen Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein wie die erste Elektrode 110, wobei in
verschiedenen Ausführungsbeispielen Metalle besonders geeignet sind. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite
Elektrode 114 (beispielsweise für den Fall einer metallischen zweiten Elektrode 114) beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 50 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 45 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 40 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 35 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 30 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 20 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 15 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 10 nm. Die zweite Elektrode 114 kann allgemein in ähnlicher Weise ausgebildet werden oder sein wie die erste Elektrode 110, oder unterschiedlich zu dieser. Die zweite Elektrode 114 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen aus einem oder mehreren der Stoffe und mit der jeweiligen Schichtdicke ausgebildet sein oder werden, wie oben im Zusammenhang mit der ersten Elektrode 110 beschrieben. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen sind die erste Elektrode 110 und die zweite Elektrode 114 beide transluzent oder transparent ausgebildet. Somit kann das in Fig.l dargestellte
lichtemittierende Bauelement 100 als Top- und Bottom-Emitter (anders ausgedrückt als transparentes lichtemittierendes Bauelement 100) ausgebildet sein. Die zweite Elektrode 114 kann als Anode, also als
löcherinjizierende Elektrode ausgebildet sein oder als
Kathode, also als eine elektroneninjizierende Elektrode.
Die zweite Elektrode 114 kann einen zweiten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein zweites elektrisches
Potenzial (welches unterschiedlich ist zu dem ersten
elektrischen Potenzial) , bereitgestellt von der
Energiequelle, anlegbar ist. Das zweite elektrische Potenzial kann beispielsweise einen Wert aufweisen derart, dass die Differenz zu dem ersten elektrischen Potenzial einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungefähr 20 V aufweist, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2,5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 3 V bis ungefähr 12 V.
Auf oder über der zweiten Elektrode 114 und damit auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich 106 kann optional noch eine Verkapselung 108, beispielsweise in Form einer
Barrierendünnschicht/Dünnschichtverkapselung 108 gebildet werden oder sein.
Unter einer „Barrierendünnschicht" 108 bzw. einem „Barriere- Dünnfilm" 108 kann im Rahmen dieser Anmeldung beispielsweise eine Schicht oder eine Schichtenstruktur verstanden werden, die dazu geeignet ist, eine Barriere gegenüber chemischen Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff, zu bilden. Mit anderen Worten ist die Barrierendünnschicht 108 derart ausgebildet, dass sie von OLED-schädigenden Stoffen wie
Wasser, Sauerstoff oder Lösemittel nicht oder höchstens zu sehr geringen Anteilen durchdrungen werden kann. Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 108 als eine einzelne Schicht (anders ausgedrückt, als
Einzelschicht) ausgebildet sein. Gemäß einer alternativen Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 108 eine Mehrzahl von aufeinander ausgebildeten Teilschichten aufweisen. Mit anderen Worten kann gemäß einer Ausgestaltung die
Barrierendünnschicht 108 als Schichtstapel (Stack)
ausgebildet sein. Die Barrierendünnschicht 108 oder eine oder mehrere Teilschichten der Barrierendünnschicht 108 können beispielsweise mittels eines geeigneten Abscheideverfahrens gebildet werden, z.B. mittels eines
Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD) ) gemäß einer Ausgestaltung, z.B. eines plasmaunterstützten Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) ) oder eines plasmalosen
Atomlageabscheideverfahrens (Plasma-less Atomic Layer
Deposition (PLALD) ) , oder mittels eines chemischen
Gasphasenabscheideverfahrens (Chemical Vapor Deposition
(CVD) ) gemäß einer anderen Ausgestaltung, z.B. eines
plasmaunterstützten Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) ) oder eines plasmalosen Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma-less
Chemical Vapor Deposition (PLCVD) ) , oder alternativ mittels anderer geeigneter Abscheideverfahren.
Durch Verwendung eines Atomlagenabscheideverfahrens (ALD) können sehr dünne Schichten abgeschieden werden. Insbesondere können Schichten abgeschieden werden, deren Schichtdicken im Atomlagenbereich liegen.
Gemäß einer Ausgestaltung können bei einer
Barrierendünnschicht 108, die mehrere Teilschichten aufweist, alle Teilschichten mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden. Eine Schichtenfolge, die nur ALD-Schichten aufweist, kann auch als „Nanolaminat" bezeichnet werden.
Gemäß einer alternativen Ausgestaltung können bei einer
Barrierendünnschicht 108, die mehrere Teilschichten aufweist, eine oder mehrere Teilschichten der Barrierendünnschicht 108 mittels eines anderen Abscheideverfahrens als einem Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden, beispielsweise mittels eines Gasphasenabscheideverfahrens .
Die Barrierendünnschicht 108 kann gemäß einer Ausgestaltung eine Schichtdicke von ungefähr 0.1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm gemäß einer
Ausgestaltung, beispielsweise ungefähr 40 nm gemäß einer Ausgestaltung .
Gemäß einer Ausgestaltung, bei der die Barrierendünnschicht 108 mehrere Teilschichten aufweist, können alle Teilschichten dieselbe Schichtdicke aufweisen. Gemäß einer anderen
Ausgestaltung können die einzelnen Teilschichten der
Barrierendünnschicht 108 unterschiedliche Schichtdicken aufweisen. Mit anderen Worten kann mindestens eine der
Teilschichten eine andere Schichtdicke aufweisen als eine oder mehrere andere der Teilschichten. Die Barrierendünnschicht 108 oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht 108 können gemäß einer Ausgestaltung als transluzente oder transparente Schicht ausgebildet sein. Mit anderen Worten kann die Barrierendünnschicht 108 (oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht 108) aus einem transluzenten oder transparenten Stoff (oder einem
Stoffgemisch, die transluzent oder transparent ist) bestehen.
Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 108 oder (im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der
Barrierendünnschicht 108 einen der nachfolgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid,
Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid,
Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminium¬ dotiertes Zinkoxid, sowie Mischungen und Legierungen
derselben. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Barrierendünnschicht 108 oder (im Falle eines
Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der Barrierendünnschicht 108 ein oder mehrere hochbrechende Stoffe aufweisen, anders ausgedrückt ein oder mehrere Stoffe mit einem hohen
Brechungsindex, beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2.
Fig.2 zeigt ein Diagramm zum Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes, gemäß verschiedenen
Ausgestaltungen .
Das Verfahren gemäß verschiedenen Ausgestaltungen kann ein Verkapseln 202 eines elektrisch aktiven Bereiches 106 eines optoelektronischen Bauelementes 100 auf oder über einem
Träger 102, beispielsweise gemäß einer der Ausgestaltung der Beschreibungen der Fig.l, mit einer Barrierendünnschicht 108 aufweisen . Weiterhin kann das Verfahren ein Umgeben 204 des
optoelektronischen Bauelementes 100 mit Barrierendünnschicht 108 mit einem chemisch aktiven Stoff oder chemisch aktiven Stoffgemisch aufweisen. In einer Ausgestaltung kann das Umgeben 204 als ein Ausbilden einer Schicht aus einem chemisch aktiven Stoff oder chemisch aktiven Stoffgemisch auf oder über der Barrierendünnschicht 108 eingerichtet sein. In einer Ausgestaltung kann das Umgeben 204 als ein Benetzten der Barrierendünnschicht 108 mit einem flüssigen chemisch aktiven Stoff oder chemisch aktiven Stoffgemisch eingerichtet sein, beispielsweise einem Eintauchen eines
optoelektronischen Bauelementes 100 in eine Lösung mit chemisch aktiven Stoff oder chemisch aktiven Stoffgemisch, wobei die Barrierendünnschicht 108 vollständig von der Lösung umgeben wird, d.h. benetzt wird. Weiterhin kann das Verfahren ein Ausbilden 206 eines
elektrischen Potenzials zwischen einer der Elektroden 110, 114 des optoelektronischen Bauelementes 100 und dem chemisch aktiven Stoff oder den chemisch aktive Stoffgemisch
aufweisen .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der chemisch aktive Stoff oder das chemisch aktive Stoffgemisch erst mittels des elektrischen Potenzials chemisch aktiviert werden, d.h. zu einem chemisch aktiven Stoff oder
Stoffgemisch werden, beispielweise mittels Elektrolyse.
Fig.3 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelementes, gemäß verschiedenen
Ausgestaltungen .
Dargestellt ist eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelementes 100, beispielsweise gemäß einer der Ausgestaltung der Beschreibungen der Fig.l, im Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen
Bauelementes 100, beispielsweise gemäß einer Ausgestaltung der Beschreibung der Fig.2, nach dem Umgeben 204 der
Barrierendünnschicht 108 mit einer Schicht aus einem chemisch aktiven Stoff 304 oder einem chemisch aktive Stoffgemisch 304.
Dargestellt ist eine erste Elektrode 110 auf oder über einem Träger 102. Auf oder über der ersten Elektrode 110 ist eine organische funktionelle Schichtenstruktur 112 ausgebildet.
Auf oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 ist eine zweite Elektrode 114 ausgebildet. Auf oder über der zweiten Elektrode 114 ist eine Barrierendünnschicht 108 ausgebildet. Auf oder über der Barrierendünnschicht 108 ist ein chemisch aktive Schicht, beispielweise eine chemisch aktive Beschichtung, eine chemisch aktive Paste oder
ähnliches, eines chemisch aktiven Stoffs 304 oder eines chemisch aktiven Stoffgemisches 304 ausgebildet und/oder angeordnet .
Weiterhin dargestellt ist, dass die zweite Elektrode 114 bezüglich der ersten Elektrode 110 mittels einer elektrischen Isolation 302, beispielsweise aus Polyimid, elektrisch isoliert ist.
Im Bereich des geometrischen Randes des Trägers 102 des optoelektronischen Bauelementes 100 kann das
optoelektronische Bauelement Kontaktpads aufweisen, die zum elektrischen Kontaktieren der organischen funktionellen
Schichtenstruktur 112 eingerichtet sind, d.h. mit der
organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 elektrisch verbunden sind. Für die zweite Elektrode 114 kann dazu ein Kontaktpad 306 auf oder über dem Träger 102 eingerichtet sein. Das Kontaktpad 306 der zweiten Elektrode 114 kann elektrisch bezüglich der ersten Elektrode 110 isoliert sein, beispielsweise mittels der elektrischen Isolation 302.
Die elektrische Kontaktierung der ersten Elektrode 110 kann bis in den geometrischen Randbereich des Trägers 102
ausgebildet werden - dargestellt rechts in Fig.3. Das Ausbilden 206 des elektrischen Potenzials zwischen einer Elektrode - in der dargestellten Ausgestaltung die zweite Elektrode 114, kann mittels eines elektrischen Kontaktierens des Kontaktpads 306 und des chemisch aktiven Stoffs 304 oder des chemisch aktiven Stoffgemisches 304 mittels elektrischer Kontakte 308 erfolgen, beispielsweise mittels einer
schlüssigen Verbindung der Elektroden einer elektrischen Spannungsquelle 310 mit dem Kontaktpad 306 und der Schicht des chemisch aktiven Stoffs 304 oder des chemisch aktiven Stoffgemisches 304, beispielsweise mittels Kontaktstiften, Klemmkontakten, elektrisch leitfähigen Klebeverbindungen oder einer Lötverbindung. Das elektrische Potenzial, beispielsweise ein elektrischer Spannungsverlauf, kann mittels der Spannungsquelle 310 ausgebildet werden, die mit den elektrischen Kontakten 308 elektrisch verbunden ist.
Der Spannungsverlauf sollte derart eingerichtet sein, dass die Barrierendünnschicht 108 dielektrisch Eigenschaften aufweist, d.h. elektrisch isolierend eingerichtet ist. Bei Überschreiten eines maximalen Spannungswertes kann bei einigen Ausgestaltungen der Barrierendünnschicht 108, beispielsweise eine Barrierendünnschicht 108 aus Zinkoxid, die Barrierendünnschicht 108 elektrisch leitend werden. Dadurch kann das elektrische Potenzial über der
Barrierendünnschicht 108 einen elektrischen Stromfluss elektrischer Ladungsträger durch die Barrierendünnschicht 108 ermöglichen, beispielsweise wenn die Barrierendünnschicht 108 elektrisch leitfähige Kanäle aufweist, beispielsweise
Diffusionskanäle 408 (siehe Fig.4).
Der Spannungsverlauf kann beispielsweise einen Gleichstrom erzeugen und/oder Spannungspulse aufweisen, beispielsweise gepulst sein. Die Spannungspulse können beispielsweise mittels einer Pulsweitenmodulation moduliert werden.
Die Schichten des optoelektronischen Bauelementes im
Ausschnitt 100 in Ansicht 300 sind in verschiedenen
Ausführungsbeispielen in Fig.l beschrieben.
Die Schichten des optoelektronischen Bauelementes im
Ausschnitt 400 in Ansicht 300 sind in verschiedenen
Ausführungsbeispielen in Fig.4 beschrieben. Fig.4 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines
Bereiches eines optoelektronischen Bauelementes, gemäß verschiedenen Ausgestaltungen. Dargestellt ist eine Vergrößerung der schematischen
Querschnittsansicht einer der Ausgestaltung der
Beschreibungen der Fig. 3 mit einer Barrierendünnschicht 108 auf oder über der zweiten Elektrode 114. Weiterhin
dargestellt ist die Schicht des chemisch aktiven Stoffs 304 oder des chemisch aktiven Stoffgemisches 304 auf oder über der Barrierendünnschicht 108, wobei zwischen der zweiten Elektrode 114 und der Schicht des chemisch aktiven Stoffs 304 oder des chemisch aktiven Stoffgemisches 304 mittels der
Spannungsquelle 310 ein elektrisches Potenzial ausgebildet wird .
Weiterhin dargestellt ist ein Diffusionskanal 408 in der Barrierendünnschicht 108, durch den Wasser in die organische funktionelle Schichtenstruktur diffundieren könnte,
beispielsweise mittels eines osmotischen Druckes.
Das Ausbilden 206 des elektrischen Potenzials zwischen der zweiten Elektrode 114 und der Schicht des chemisch aktiven
Stoffs 304 oder des chemisch aktiven Stoffgemisches 304 kann zu einem Ionisieren des chemisch aktiven Stoffs 304 oder des chemisch aktiven Stoffgemisches 304 führen. In einer Ausgestaltung kann die chemisch aktive Schicht des chemisch aktiven Stoffs 304 oder des chemisch aktiven
Stoffgemisches 304 Kupfer aufweisen oder daraus gebildet sein. Die Kupferschicht kann beispielsweise auf der
Barrierendünnschicht 108 abgeschieden werden, beispielsweise aufgedampft werden.
Mittels des elektrischen Potenzials kann wenigstens ein Teil des Kupfers oder der Kupferverbindung des Stoffs oder des Stoffgemisches der chemisch aktiven Schicht ionisiert werden, d.h. freibewegliche elektrische Ladungsträger bilden,
beispielsweise freibewegliche Kupferionen. Mit anderen
Worten: Mittels des elektrischen Potenzials kann der Stoff oder das Stoffgemisch der chemisch aktiven chemisch aktiviert werden .
Mittels des elektrischen Feldes können beispielsweise die freibeweglichen, elektrisch positiv geladenen Ladungsträger 404 der Schicht des chemisch aktiven Stoffs 304 oder des chemisch aktiven Stoffgemisches 304, beispielsweise
elektrisch positiv geladene Kupferionen 404, in den
Diffusionskanal 408 migrieren - dargestellt mittels der
Pfeile 410.
Die beispielsweise elektrisch positiv geladenen Ladungsträger 404 des chemisch aktiven Stoffs 304 oder des chemisch aktiven Stoffgemisches 304 können dadurch in die zweite Elektrode 114 migrieren - dargestellt mittels des Pfeiles 406.
In der zweiten Elektrode 114 können die elektrisch positiv geladenen Ladungsträger 404 des chemisch aktiven Stoffs 304 oder des chemisch aktive Stoffgemisches 304 auf elektrisch komplementär geladene Ladungsträger 402, beispielsweise elektrisch negativ geladene Ladungsträger 402, beispielsweise freibewegliche Elektronen, der zweiten Elektrode 114 treffen.
Dadurch kann es zu einer Reduktion der Ladungsträger 404 des chemisch aktiven Stoffs 304 oder des chemisch aktiven
Stoffgemisches 304 kommen. Mit anderen Worten: der chemisch aktive Stoff oder das chemisch aktive Stoffgemisch kann an der zweiten Elektrode 114 chemisch umgewandelt werden, beispielsweise chemisch inaktiv werden, beispielsweise schlüssig mit der zweiten Elektrode 114 verbunden werden. Dadurch kann es zu einem hermetischen Verschließen der
Diffusionskanäle 408 kommen.
In einer Ausgestaltung (nicht dargestellt) kann die chemisch aktive Schicht als eine elektrisch leitfähige, chemisch aktive Paste ausgebildet sein oder der chemisch aktive Stoff 304 oder das chemisch aktive Stoffgemisch 304 darin verteilt. Der chemisch aktive Stoff 304 oder das chemisch aktive
Stoffgemisch kann beispielsweise als ein Oxidationsmittel 304 eingerichtet sein, beispielsweise eine Quelle von
Sauerstoffionen, beispielsweise Wasserstoffperoxid. Die elektrische Leitfähigkeit der chemisch aktiven Paste kann beispielsweise mittels elektrisch leitfähiger Zusätze in der chemisch aktiven Paste ausgebildet werden.
Das Ausbilden 206 des elektrischen Potenzials zwischen der zweiten Elektrode 114 und der elektrisch leitfähigen,
chemisch aktiven Paste kann beispielsweise ein elektrisches Kontaktieren der zweiten Elektrode 114 mit einem Minuspol der elektrischen Spannungsquelle 310 aufweisen und ein
Kontaktieren der elektrisch leitfähigen, chemisch aktiven Paste mit einem Pluspol der elektrischen Spannungsquelle 310 aufweisen, beispielweise mittels Kontaktstiften. Die zweite Elektrode 114 kann beispielsweise ein Metall, beispielsweise Aluminium, aufweisen oder daraus gebildet sein. In einer Ausgestaltung des Spannungsverlaufes der elektrischen
Spannungsquelle 310 können aus der zweiten Elektrode 114 metallische Kationen austreten, beispielsweise
Aluminiumionen, und durch einen Diffusionskanal 408
migrieren. Ein Kontakt der metallischen Kationen mit dem Oxidationsmittel 304 der elektrisch leitfähigen, chemisch aktiven Paste kann zu einem Bilden eines Metalloxides führen, beispielsweise einem Aluminiumoxid. Dadurch kann das
Metalloxid eine Öffnung des Diffusionskanals 408
verschließen . In einer Ausgestaltung (nicht dargestellt) kann auf oder über einer Barrierendünnschicht 108 eine chemisch aktive,
elektrisch leitfähige Schicht, beispielsweise eine
Metallschicht, beispielsweise eine Aluminiumschicht
ausgebildet werden, beispielsweise indem Aluminium auf oder über die Barrierendünnschicht 108 aufgedampft wird. Auf oder über die chemisch aktive, elektrisch leitfähige Schicht kann eine Paste mit einem Oxidationsmittel aufgebracht werden. In einer Ausgestaltung kann die Paste mit einem Oxidationsmittel elektrisch leitfähig eingerichtet sein. Nach dem Ausbilden 206 eines elektrischen Potenzials zwischen beispielsweise der zweiten Elektrode 114 und der chemisch aktiven , elektrisch leitfähigen Schicht können freibewegliche Ionen der chemisch aktiven, elektrisch leitfähigen Schicht mittels der Paste mit Oxidationsmittel in ein Oxid-Derivat umgewandelt werden. Mit anderen Worten: ein elektrisch leitfähiger Stoff,
beispielsweise ein Metall, beispielsweise Aluminium, kann mittels eines elektrischen Potenzials chemisch aktiviert werden und mit einem weiteren chemisch aktivem Stoff, beispielsweise einem Oxidationsmittel, derart umgewandelt werden, beispielsweise zu Aluminiumoxid, dass die
Diffusionskanäle 408 in der Barrierendünnschicht 108
verschlossen werden können.
In einer Ausgestaltung (nicht dargestellt) können auf oder über die zweite Elektrode 114, das heißt zwischen der zweiten Elektrode 114 und der Barrierendünnschicht 108 weitere elektrisch leitfähige Schichten, beispielsweise weitere
Metallschichten, beispielsweise eine Titanschicht,
ausgebildet werden. Diese weiteren elektrisch leitfähigen Schichten können bei der anodischen Oxidation beispielsweise stabile, hermetisch dichte, d.h. diffusionsdichte, Oxide in den Diffusionskanälen 408 oder an wenigstens einer Seite eines Diffusionskanales 408 bilden.
In einer Ausgestaltung (nicht dargestellt) kann das
Umgeben 204 der Barrierendünnschicht 108 mit einem chemisch aktiven Stoff 304 oder einem chemisch aktiven Stoffgemisch 304 auch als ein Einbringen, beispielsweise ein Eintauchen, des verkapselten optoelektronischen Bauelementes, d.h. mit Barrierendünnschicht 108, in eine chemisch aktive Lösung, Suspension oder Dispersion ausgebildet sein.
Mit anderen Worten: der chemisch aktive Stoff oder das chemisch aktive Stoffgemisch kann in einer Lösung oder Dispersion gelöst sein und als Elektrolyt in die Diffusionskanäle 408 gelangen. Die chemisch aktive Lösung, Suspension oder Dispersion kann beispielsweise ein Bad für die Kupferelektrolyse sein. Der chemisch aktive Stoff bzw. des chemisch aktive Stoffgemisch kann beispielsweise
Metallionen aufweisen oder daraus gebildet sein,
beispielweise Kupferionen, die beispielsweise an der zweiten Elektrode 114, beispielsweise aus Aluminium, zu einem Metall, beispielsweise Kupfer, reduziert werden können. Dadurch kann der Diffusionskanal 408 mit der Zeit, das heißt mit der
Dauer, die das elektrische Potenzial bzw. das elektrischen Feld ausgebildet ist, mit Metall zuwachsen, beispielsweise bei einer Kupferelektrolyse mit Kupfer aufgefüllt werden. Anstelle einer wässrigen Elektrolyselösung, welche einen schädlichen Umwelteinfluss für das optoelektronische
Bauelement darstellen kann, kann beispielsweise eine Lösung aus einem hydroxidfreien Lösungsmittel beispielsweise
Propylencarbonat , einem Chinon oder einem Chinolin verwendet werden.
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes bereitgestellt, mit dem es möglich ist die
Qualität der Dünnfilmverkapselung des optoelektronischen Bauelementes zu verbessern. Mittels des Aufbringens einer chemisch aktiven Schicht auf oder über die
Dünnfilmverkapselung des optoelektronischen Bauelementes, beispielsweise ein optoelektronisches Bauelement, und dem Anlegen eines elektrischen Feldes zwischen der Kathode des optoelektronischen Bauelementes und der chemisch aktiven Schicht kann an möglichen Defektstellen der
Dünnfilmverkapselung eine elektrochemische Reaktion ausgelöst werden, die diese Defekte in der Dünnfilmverkapselung heilt. Dadurch können defektfreie verkapselte, elektrische
Bauelemente, beispielsweise optoelektronische Bauelemente, beispielweise organische optoelektronische Bauelemente ausgebildet werden und frühe Ausfälle aufgrund von Feuchtigkeitsschäden ausgeschlossen werden.

Claims

Patentansprüche
Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen
Bauelementes, das Verfahren aufweisend:
• Bereitstellen eines optoelektronischen Bauelementes, welches eine dielektrische Schicht (108) auf oder über einer elektrisch leitfähigen Schicht (114) aufweist, wobei die dielektrische Schicht (108) zu einem bezüglich Wasser im Wesentlichen hermetisch dichten Abdichten der elektrisch leitfähigen Schicht (114) eingerichtet ist, wobei die dielektrische Schicht (108) Diffusionskanäle (408) aufweist; und
• schlüssiges Verschließen der dielektrischen Schicht (108), wobei zumindest einige der Diffusionskanäle (408) in der dielektrischen Schicht (108)
verschlossen werden.
Verfahren gemäß Anspruch 1,
wobei die Diffusionskanäle (408) mittels eines chemisch aktiven Stoffes (304) oder eines chemisch aktiven
Stoffgemisches (304) schlüssig verschlossen werden.
Verfahren gemäß Anspruch 2,
wobei die dielektrische Schicht (108) zum schlüssigen Verschließen mit dem chemisch aktiven Stoff (304) oder dem chemisch aktiven Stoffgemisch (304) umgeben wird.
Verfahren gemäß Anspruch 3,
wobei der chemisch aktive Stoff (304) oder das chemisch aktive Stoffgemisch (304) in einer Lösung, Suspension oder Dispersion gelöst ist.
5. Verfahren gemäß Anspruch 4,
wobei die chemisch aktive Lösung, Suspension oder
Dispersion wasserfrei eingerichtet ist.
6. Verfahren gemäß Anspruch 3, wobei der chemisch aktive Stoff (304) oder das chemisch aktive Stoffgemisch (304) als eine chemisch aktive
Schicht (304) oder in einer chemisch aktiven Schicht (304) auf oder über der dielektrischen Schicht (108) ausgebildet wird.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6,
wobei wenigstens ein Teil des chemisch aktiven Stoffes (304) oder des chemisch aktiven Stoffgemisches (304) elektrisch leitfähig eingerichtet ist.
Verfahren gemäß Anspruch 7,
wobei der chemisch aktive Stoff (304) oder das chemisch aktive Stoffgemisch (304) elektrisch geladen ist, insbesondere Ionen aufweist oder bereitstellt.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 2 bis 8, ferner aufweisend :
ein Ausbilden einer elektrischen Potenzialdifferenz über die dielektrische Schicht (108), so dass ein
elektrisches Feld in den Diffusionskanälen (408) ausgebildet wird.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9,
wobei das elektronische Bauelement als ein organisches elektronisches Bauelement eingerichtet ist, insbesondere ein organisches optoelektronisches Bauelement (100) insbesondere eine organische Solarzelle oder eine organische Leuchtdiode (100).
Vorrichtung zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes mit wenigstens einer dielektrischen Schicht auf oder über einer elektrisch leitfähigen Schicht, wobei die dielektrische Schicht bezüglich Wasser
hermetisch dicht eingerichtet ist und Diffusionskanäle aufweist, die Vorrichtung aufweisend: eine Vorrichtung zum Umgeben der dielektrischen Schicht mit einem chemisch aktiven Stoff oder chemisch aktiven Stoffgemisch;
eine Spannungsquelle eingerichtet zum Bereitstellen eines modulierbaren Spannungsverlaufes, wobei die Spannungsquelle mit der elektrisch leitfähigen Schicht und dem chemisch aktiven Stoff oder dem chemisch aktiven Stoffgemisch elektrisch verbunden ist derart, dass der Stromkreis durch die
Diffusionskanäle elektrisch geschlossen wird;
eine Steuereinheit eingerichtet zum Steuern des Spannungsverlaufes der Spannungsquelle;
eine Messeinrichtung eingerichtet zum Messen des elektrischen Stromes durch die dielektrische
Schicht, wobei die Messeinrichtung ferner derart eingerichtet ist, dass die gemessene elektrische Leitfähigkeit an die Steuereinheit übermittelt wird; wobei die zeitliche Modulation des
Spannungsverlaufes mit dem gemessenen elektrischen Strom gekoppelt ist.
Bauelementevorrichtung gemäß Anspruch 11,
wobei die Spannungsquelle zum Bereitstellen einer konstanten Gleichspannung eingerichtet ist, insbesondere einen Gleichrichter für einen elektrischen Eingangsstrom aufweist .
Bauelementevorrichtung gemäß einem der Ansprüche 11 oder 12,
wobei die Steuereinheit als ein Pulsmodulator
eingerichtet ist, insbesondere zur Pulsweitenmodulation oder Pulsfrequenzmodulation, wobei das Steuersignal zur Pulsmodulation eine Funktion der gemessenen
Leitfähigkeit der elektrischen Schichtenstruktur ist.
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