WO2015110428A1 - Optoelektronische bauelemente und verfahren zum herstellen optoelektronischer bauelemente - Google Patents

Optoelektronische bauelemente und verfahren zum herstellen optoelektronischer bauelemente Download PDF

Info

Publication number
WO2015110428A1
WO2015110428A1 PCT/EP2015/051010 EP2015051010W WO2015110428A1 WO 2015110428 A1 WO2015110428 A1 WO 2015110428A1 EP 2015051010 W EP2015051010 W EP 2015051010W WO 2015110428 A1 WO2015110428 A1 WO 2015110428A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
region
electrically conductive
electrode
conductive layer
organic functional
Prior art date
Application number
PCT/EP2015/051010
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Daniel Riedel
Thomas Wehlus
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors Gmbh filed Critical Osram Opto Semiconductors Gmbh
Publication of WO2015110428A1 publication Critical patent/WO2015110428A1/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/221—Static displays, e.g. displaying permanent logos
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes

Definitions

  • OLED organic light-emitting diodes
  • Component for example, an OLED, an anode 602 and a cathode 604 with an organic functional
  • the organic functional layer system may include one or more emitter regions in which electromagnetic radiation is generated, one or more charge carrier pair generation layer structures of each two or more
  • Charge carrier pair generation scarf (Charge generating layer, CGL) for charge carrier pair generation, and one or more Elektronenblockade für / s, also referred to as hole transport layer / s ("hole transport layer” -HTL), and one or more Lochblockade für / s, also referred to as electron transport layer (s) ("Electron transport layer - ETL) to direct the current flow.”
  • CGL Charge carrier pair generation scarf.
  • Area light source is formed with a sheet-like optically active region 606 which emits light - as well
  • the anode 602 and / or the cathode 604 can be made transparent, usually made of a transparent conductive oxide (TCO).
  • TCO transparent conductive oxide
  • a transparent conductive oxide has an electrical Transverse conductivity, which is much lower than the electrical transverse conductivity of a metal. In the case of planar optoelectronic components, this can lead to an inhomogeneous emission of light, in particular when the OLED is scaled to large areas (illustrated in an intensity diagram of a surface light source in FIG.
  • the anode 602 and the cathode 604 may be formed of MgAg or Ag having a sheet resistance of 5 ⁇ / ⁇ .
  • the luminous surface 606 may, for example, a
  • the luminous surface 606 can
  • optoelectronic components and methods for producing optoelectronic components are provided with which it is possible to determine the optical activity of the optically active region
  • this can be done at a
  • Optoelectronic component with stacked, different emitter and / or absorber layers the emitter and / or absorber layers are operated independently laterally structured.
  • the optically active area is provided, the optically active area
  • a first electrode comprising: a first electrode, a second electrode, and an organic functional layered structure, wherein the organic functional layered structure is formed between the first electrode and the second electrode, and wherein the organic functional layered structure converts into an electric field
  • Layer structure comprise an electrically conductive layer, wherein the electrically conductive layer has a first region having a first electrical conductivity; and a second region having a second region
  • the first region may be shaped and / or arranged such that the optically active region has a higher homogeneity with regard to luminance grading and / or chromaticity in the optically active region with respect to an optically active region without second electrically conductive region (s) for example, in one
  • the defined current distribution in the planar electrically conductive layer can, for example, form the higher homogeneity.
  • the second region may be formed in the first region such that a predetermined one
  • Information can be displayed in the optically active area.
  • the higher homogeneity in this embodiment can be realized in the region without representable information in the optically active region.
  • electrical conductivity be different from the first electrical conductivity and thus the defined
  • Electricity distribution in the flow of electricity Have first region, so that a predetermined information in the optically active region can be displayed.
  • the electrical conductivity of the electrically conductive second region may be higher than the electrical conductivity of the first region.
  • Layer may be formed a metallic second region, for example in the form of thin, linear structures with a metal, graphene and / or carbon nanotubes, for example in the form of the given representable
  • the material of the electrically conductive layer may be doped in the region of the second region, so that the electrical conductivity is increased.
  • the second region may have a low sheet electrical resistance than the first region.
  • a second region with higher electrical conductivity than the first region can, for example, be the current distribution in the electrically conductive layer
  • a second region of higher electrical conductivity than the first region may be used to realize a more inhomogeneous luminous area.
  • an electrically conductive layer or structure a layer or structure which is formed such that it at least a portion of the electrical during operation of the optoelectronic component
  • Optoelectronic component is in different
  • Operating conditions can conduct an electric current, i. is electrically conductive or is formed.
  • the electrically conductive layer or structure can be any electrically conductive layer or structure.
  • the electrically conductive layer or structure may comprise or be formed from a dielectric substance and / or a semiconductive substance.
  • an electrically conductive layer or structure of a dielectric substance or mixture the electrically conductive material, for example a metal or a metal alloy, for example Al, Cu, MgAg, or one of the other examples described below.
  • the electrically conductive layer or structure may comprise or be formed from a dielectric substance and / or a semiconductive substance.
  • electrically conductive layer or structure are formed, for example, with a thickness in the direction of current and / or a dielectric length of the current path that a
  • electrical current can be transported through or over the dielectric layer or structure, for example by means of a tunnel current and / or electrically conductive channels in the dielectric layer or structure.
  • a tunnel current and / or electrically conductive channels in the dielectric layer or structure.
  • Crystal direction adapted to be adapted in the current direction.
  • Conduction band the valence band, the permi level and the effective Fermi level, the chemical potential, the lowest unoccupied molecule orbital (LUMO), of the highest occupied
  • Moisture orbital (HOMO), ionization energy and / or electron affinity are considered in forming the semiconducting electrically conductive layer or structure with respect to the
  • Analog is an electrically non-conductive layer or
  • Structure a layer or structure which is designed such that it does not transmit or transmit electrical current during operation of the optoelectronic component.
  • the second region is formed in the electrically conductive layer, i. within the electrically conductive layer.
  • the second area may be partially or completely surrounded by the first area.
  • the current flow takes place in various embodiments along a current path or a plurality of current paths or can be referred to as a family of current paths.
  • the planar first region can form a planar optically active region of the optoelectronic component
  • the optically active area can be furnished.
  • planar optically active region may, for example, a square surface with a
  • planar optically active region can also have a different shape, for example a rectangular or round shape, with a corresponding surface area.
  • the planar electrically conductive layer or the first region can essentially have the areal dimension and shape of the optically active region.
  • the layer structure and the second electrode may form an electrically active region.
  • the optically active region of the optoelectronic component can be determined by means of the planar area of the organic functional
  • the optoelectronic device In the embodiments, the optoelectronic
  • the first region may be formed as a planar first region.
  • the electrically conductive layer may comprise two or more electrically conductive layers.
  • the two or more electrically conductive layers can be any electrically conductive layers.
  • the two or more electrically conductive layers may have a common physical contact or be spatially isolated from each other.
  • the two or more electrically conductive layers may be formed adjacent to one another, one above the other and / or offset from each other.
  • Layers may each have a second region having the same electrical properties; or electrically different second regions.
  • the two or more electrically conductive layers may also have a common second region, for example in that the common second region penetrates the two or more electrically conductive layers, for example in that the second region is electrically nonconductive.
  • the two or more electrically conductive layers may have second regions formed in different regions of the optically active region,
  • the electrically conductive layer may comprise a first electrically conductive layer and a second electrically conductive layer, wherein the first electrically conductive layer has a first first region and a first second region, and wherein the second electrically conductive layer has a second first region and a second second region.
  • the first first region and the second first region may comprise at least partially parallel and / or congruent parts. The parallel and / or
  • Congruent parts can be, for example, partially geometrically covering second regions.
  • first second region and the second second region may be relative to each other
  • first second area and the second second area may have a different shape .
  • the second area may have a
  • Have surface portion of the electrically conductive layer depends on the displayed information to be displayed.
  • Area in an electrically conductive layer may / may be dependent on the application-specific design of the optically active region and, for example, determined by means of optical simulations, for example by means of the software "COMSOL"
  • multilayer structure or in two or more electrically conductive layers, each with second regions, for example, topographically pointed structures and / or very rough surfaces as second regions can lead to an electrode located above the second region Field overshoots occur and / or defects can be caused.
  • first second region and the second second region may be relative to each other
  • the first second region may lead to a greater homogenization of the current distribution in the first electrically conductive layer than the second second region in the second electrically conductive layer.
  • the first area may be
  • translucent electrically conductive material may be an organic substance or an organic substance mixture.
  • translucent electrically conductive material may be or have a metal oxide.
  • translucent electrically conductive material may be a metal or have.
  • the electrically conductive layer and / or the first region may be formed so thin with a metal that it is optically transparent or translucent, for example a silver layer having a thickness of less than 50 nm.
  • the second region may have one or more second regions. Two or more second regions may be spatially and / or electrically isolated from each other. In one embodiment, the second region may be formed electrically non-conductive.
  • the electrically non-conductive second region can comprise or be formed from a dielectric substance.
  • a second region may be formed of a dielectric material or an electrically insulating material.
  • the electrically non-conductive second region may comprise or be formed from an electrically conductive substance.
  • the second region can also be formed from an electrically conductive material, for example a semiconductive material.
  • the range can be such that the band structure of the electrically conductive material no, few or
  • the second region may be an opened region of the electrically conductive layer
  • the opened area can be formed by removing a part of the electrically conductive layer.
  • the opening in the first electrically conductive layer may form the second region in the form of an air-filled cavity or with an electrically non-conductive or otherwise conductive material . ie a material with a different electrical conductivity than the conductivity of the
  • the second region can be designed to be electrically conductive, for example of the substance or substance mixture of the electrically conductive layer.
  • the second region may be formed by the substance or mixture of the electrically conductive layer is converted, for example, doped, removed, degraded, reacted and / or in a chemically different substance or a chemically different mixture
  • the electrical conductivity of the electrically conductive second region may be lower than the electrical conductivity of the first region
  • the material of an electrically conductive layer in the region of the second region may be partially converted into an electrically non-conductive material, for example by means of an oxidation of a metal or degradation of a metal
  • the second region may have a different porosity, crystallinity, and / or crystal orientation than the first
  • the second region may have a higher electrical sheet resistance than the first region
  • the second region may be formed of the first region, for example, in which the material of the electrically conductive layer, i. of which the material of the first region is electrically converted or removed.
  • the optoelectronic component may have one or more electrical layer (s) each having one or more second regions.
  • the multiple second area could be the same or different
  • the first region may surround the second region.
  • the second region is formed at least partially removed from the edge of the electrically conductive layer in the first region.
  • the first region may laterally surround the second region.
  • Area given representable information such as a lettering, an ideogram, a symbol and / or a
  • the second area may be in the form of a lettering, so that the lettering in the optically active area as a color and / or
  • Luminance contrast is perceptible.
  • the representable predetermined information can be visible or perceptible, for example during operation of the optoelectronic component, and not be visible or perceptible in non-operation.
  • the second region may be formed such that a planar current path of a current in the planar first region is influenced in a linear current path of the current.
  • the second region may be formed such that an electric current is deflected from a flat current path into a linear current path.
  • the series resistance of the deflected current path can be increased with respect to the sheet resistance of the planar current path.
  • the second area may be such
  • the internal current path has one of the following geometric shapes: a meander, a spiral, a hyperbola.
  • the optoelectronic component can be used as a photodetector, a solar cell and / or a
  • Be designed LED for example as a
  • the optoelectronic component can be formed flat, for example as a
  • the method comprising: forming a first electrode, forming an organic functional layer structure on or above the first electrode, wherein the organic functional layer structure to a
  • electrically conductive layer having a first region
  • electrical conductivity may be different from the first electrical conductivity, for example higher or lower
  • the methods may in each case furthermore have the following configurations, as far as they are meaningful.
  • the described features of the embodiments of the optoelectronic component apply analogously to the
  • Optoelectronic component as far as this makes sense.
  • the electrically conductive layer may be formed with two or more electrically conductive layers, wherein when forming a second region in one of the two or more electrically conductive layers, a second region is formed in the other or further electrically conductive layers ,
  • the electrically conductive layer may be structured such that the second region is formed with the first region.
  • the second region may be formed after the formation of the first region in the first region.
  • the electrically conductive layer after forming for example
  • the second region may be formed from the first region.
  • the material of the first region can be converted into the material of the second region.
  • the second region can be opened by means of opening a region of the electric
  • the second region can be formed by means of laser ablation and / or UV irradiation of the first region.
  • the second region may be formed by means of a chemical conversion of a region of the electrically conductive layer.
  • the second region can be formed by means of doping a region of the electrically conductive layer.
  • the method may further include forming an encapsulation structure such that the optoelectronic component with respect to at least one harmful substance, for example water and / or oxygen, is hermetically sealed.
  • the second region may be after the formation of the encapsulation structure in the
  • electrically conductive layer are formed.
  • Figures 4A, B are schematic representations of a
  • Figure 5 is a schematic representation of a
  • FIGS 6A, B are schematic representations of conventional
  • FIG. 7A-C are schematic representations of
  • optoelectronic components are described, wherein an optoelectronic
  • Component has an optically active area on it.
  • the optically active region of an optoelectronic component can absorb electromagnetic radiation and form a photocurrent therefrom, ie convert it; or by means of a applied voltage to the optically active region
  • the electromagnetic radiation may have a wavelength range comprising X-radiation, UV radiation (A-C), visible light and / or infrared radiation ⁇ A-C ⁇ .
  • an electromagnetic radiation emitting structure may be an electromagnetic radiation emitting semiconductor structure and / or a diode emitting electromagnetic radiation, a diode emitting organic electromagnetic radiation, a transistor emitting electromagnetic radiation or an organic electromagnetic
  • Radiation may, for example, be light (in the visible range), UV radiation and / or infrared radiation.
  • the electromagnetic radiation may, for example, be light (in the visible range), UV radiation and / or infrared radiation.
  • the electromagnetic radiation may, for example, be light (in the visible range), UV radiation and / or infrared radiation.
  • the electromagnetic radiation may, for example, be light (in the visible range), UV radiation and / or infrared radiation.
  • emitting component for example, as a light emitting diode (light emitting diode, LED) as an organic light emitting diode (organic light emitting diode, OLED), as a light emitting transistor or as an organic light emitting transistor to be formed.
  • LED light emitting diode
  • OLED organic light emitting diode
  • OLED organic light emitting diode
  • electromagnetic emi11 Schlierenden devices for example housed in a common housing.
  • Optoelectronic component as an organic light emitting diode (OLED), an organic
  • Organic field effect transistor (organic effect field effect transistor OFET) and / or an organic electronics to be formed.
  • the organic field-effect transistor may be a so-called "all-OFET" in which all layers are organic have organic funk ionelles layer system, which synonymously also as organic functional layer structure is called.
  • the organic functional parts are a so-called "all-OFET" in which all layers are organic have organic funk ionelles layer system, which synonymously also as organic functional layer structure is called.
  • Layer structure may include or be formed from an organic substance or an organic substance mixture, for example, to provide a
  • An optoelectronic component with an optically active region can have one or more optically active sides
  • a flat component which has two flat, optically active sides, can in the
  • connection direction of the optically active pages for example, be transparent or translucent.
  • a planar component may also be referred to as a planar component.
  • the optically active region can, however, also have a planar, optically active side and a flat, optically inactive side, for example an organic light-emitting diode which serves as a top emitter or bottom emitter
  • optically inactive side can be any optically inactive side.
  • a mirror structure for example, a mirror structure with an electrically switchable
  • An organic light emitting diode may be formed as a top emitter or a bottom emitter. In a bottom emitter, light is emitted from the electrically active region through the
  • top emitter In a top emitter, light is emitted from the top of the electrically active region and not by the carrier.
  • a top emitter and / or bottom emitter may also be optically transparent or optically translucent, for example, any of those described below Layers or structures may be transparent or translucent.
  • translucent or “translucent layer” can be understood in various embodiments that a layer is permeable to light
  • the light generated by the light emitting device for example one or more
  • Wavelength ranges for example, for light in one
  • Wavelength range of the visible light for example, at least in a partial region of the wavelength range of 380 nm to 780 nm.
  • transparent layer in various exemplary embodiments is to be understood to mean that substantially all of them are combined into one
  • Quantity of light is also coupled out of the structure (for example, layer), wherein a portion of the light can be scattered in this case.
  • the term "transparent” or “transparent layer” can be understood in various embodiments that a layer is transparent to light
  • Wavelength range from 380 nm to 780 nm), in which a structure (for example, a layer) coupled light without scattering or light conversion is also coupled out of the structure (for example, layer).
  • Optoelectronic device 100 provided - illustrated in Fig.1.
  • the optoelectronic component 100 can be designed, for example, as a photodetector, a solar cell and / or a light-emitting diode, for example as an organic light-emitting diode. Furthermore, that can
  • Optoelectronic component 100 may be formed flat, for example as a surface light source.
  • the optoelectronic component 100 may comprise a hermetically sealed substrate 102, an active region 106 and an encapsulation structure 326 (see also description below in supplement, for example, FIG. 3).
  • the active region 106 is an electrically active region 106 and / or an optically active region 106.
  • the active region 106 is, for example, the region of the optoelectronic component 100 in which electric current flows for operating the optoelectronic component 100 and / or i the electromagnetic radiation is generated and / or absorbed.
  • the electrically active region 106 may include a first electrode 110, an organic functional layer structure 112, and a second electrode 114.
  • Functional layer structure 112 is electrically formed between the first electrode 110 and the second electrode 114.
  • the organic functional layer structure 112 is configured to convert an electric current into an electromagnetic radiation and / or to convert an electromagnetic radiation into an electric current.
  • the first electrode 110 may be formed as an anode or as a cathode.
  • the first electrode 110 may include or be formed from one of the following electrically conductive material: a metal; a conductive conductive oxide (TCO); a network of metallic
  • Nanowires and particles for example of Ag, the
  • conductive polymers for example, combined with conductive polymers; a network of carbon nanotubes combined, for example, with conductive polymers; Graphene particles and layers; a network of semiconducting nanowires; an electrically conductive polymer; a transition metal oxide;
  • the first electrode 110 from a Having metal or a metal may include or be formed from one of the following materials: Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ca, Sm or Li, and compounds,
  • the first electrode 110 may comprise, as a transparent conductive oxide, one of the following materials: for example
  • Metal oxides include, for example, zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO).
  • binary metal oxygen compounds such as ZnO, SnO 2, or 1 ⁇ 03 also include ternary
  • Metal-oxygen compounds for example, AlZnO, Z ⁇ n Q,!, CdSn03, ZnSnÜ3, Mgl ⁇ C ⁇ , GaInÜ3, ⁇ ⁇ 2 ⁇ 2 ⁇ 5 or I 4 Sn30_2 or mixtures of different transparent conductive oxides to the TCO group and may be in various
  • Embodiments are used. Farther
  • the TCOs do not necessarily correspond to a stoichiometric composition and may also be p-doped or n-doped, or hole-conducting (p-TCO) or electron-conducting (n-TCO).
  • the first electrode 110 may be a layer or a
  • the first electrode 110 may be formed by a stack of layers of a combination of a layer of a metal on a layer of a TCO, or vice versa.
  • Egg example is one
  • the first electrode 110 may, for example, have a layer thickness in a range of 10 nm to 500 nm,
  • the first electrode 110 may be a first electrical
  • the first electrical potential can be from a Power source can be provided, for example, a power source or a voltage source.
  • the first electrical potential can be applied to an electrically conductive carrier 302 and the first electrode 110 can be indirectly electrically supplied by the carrier 302.
  • the first electrical potential can be, for example, the ground potential or another predetermined reference potential.
  • the organic functional layer structure 112 may include one, two or more functional layered structure units and one, two or more interlayer structures between the two
  • the second electrode 114 may be formed.
  • the second electrode 114 may be formed according to any one of the configurations of the first electrode 110, wherein the first electrode 110 and the second electrode 114 may be the same or different.
  • the second electrode 114 may be formed as an anode, that is, as a hole-injecting electrode, or as a cathode, that is, as one
  • the second electrode 114 may have a second electrical connection to which a second electrical connection
  • the second electrical potential can be applied.
  • the second electrical potential may be from the same or another source of energy
  • the second electrical potential may be different than the first electrical. Potential and / or the optional third electrical potential.
  • the second electrical potential may, for example, have a value such that the
  • Difference from the first electrical potential has a value in a range of about 1.5 V to about 20 V, for example, a value in a range of about 2.5 V to about 15 V, for example, a value in a range of about 3 V. up to about 12 V.
  • the first electrode 110, the second electrode 114, and the organic functional layer structure 112 may be
  • the optoelectronic component 100 may have at least one planar electrically conductive layer with a flat first region and a second region 120.
  • the first region has a first electrical conductivity; and the second region has a second electrical conductivity.
  • the second region may be formed in the first region and, due to its second electrical conductivity, a defined current distribution in the electrically conductive region
  • the second electrical conductivity may be less than the first electrical conductivity and thereby the defined current distribution may have a current flow in the first region, so that a more homogeneous current distribution is formed in the first region with respect to an electrically conductive layer without a second region.
  • the second electrical conductivity may be less than the first electrical conductivity and thereby the defined current distribution may have a current flow in the first region, so that a more homogeneous current distribution is formed in the first region with respect to an electrically conductive layer without a second region.
  • the second electrical conductivity may be less than the first electrical conductivity and thereby the defined current distribution may have a current flow in the first region, so that a more homogeneous current distribution is formed in the first region with respect to an electrically conductive layer without a second region.
  • first electrode 110, the second electrode 114, and / or the organic functional layer structure 112 may be or may be an electrically conductive layer
  • the first area may be a transparent or translucent electrically conductive Have material or be formed from it.
  • transparent or translucent electrically conductive material may be an organic substance or an organic substance mixture.
  • the transparent or translucent electrically conductive material may be or comprise a thin metal or a metal oxide (transparent conductive oxide - TCO ⁇ , for example a p-TCO (hole-conducting TCO) or n-TCO (electron-conducting TCO)
  • the organic functional layer structure 112 may include a second region 12OB.
  • the second electrode 114 may include a second region 120A.
  • the electrically conductive layer may include two or more electrically conductive layers.
  • the two or more electrically conductive layers may be electrically connected together.
  • the two or more electrically conductive layers may have a common physical contact or be free of common physical contact.
  • the organic functional group is organic functional
  • Layer structure 112 and the first electrode 110 have a second region 12OD.
  • the organic functional layer structure 112 and the second electrode 114 may include a second region 120.
  • first electrode 110 and the second electrode 114 may iron a second region 120.
  • the first electrode 110, the organic functional layer structure 112, and the second electrode 114 may iron a second region 120E.
  • the electrically conductive layer may comprise a first electrically conductive layer and a second electrically conductive layer, wherein the first electrically conductive layer has a first first region and a first electrically conductive layer second region, and wherein the second electrically conductive layer has a second first region and a second second region.
  • the first second area and the second second area may be the same or
  • first first region and the second first region have at least partially parallel and / or congruent parts.
  • the first second area and the second second area may be such with respect to
  • Region may be formed with respect to each other that the flow of current in the at least partially parallel and / or congruent parts in the first first region is influenced differently than in the second first region.
  • first second region and the second second region may be formed one above the other and have the same electrical conductivity.
  • the second region 120 may be formed in the planar first region such that the second region 120 influences the current flow or the current path in the planar first region.
  • the second region 120 can influence, for example interrupt, the conductivity in the area of the first region.
  • Area 120 may be formed electrically non-conductive.
  • the electrically nonconductive second region 120 may include or be formed from a dielectric material.
  • the electrically non-conductive second region 120 may comprise or be formed from an electrically conductive substance.
  • the second region 120 may be formed as an opened region of the electrically conductive layer.
  • the second electrically nonconductive second region 120 may include or be formed from a dielectric material.
  • the electrically non-conductive second region 120 may comprise or be formed from an electrically conductive substance.
  • the second region 120 may be formed as an opened region of the electrically conductive layer.
  • Be region 120 electrically conductive.
  • electrical conductivity of the electrically conductive second region 120 may be higher or lower than that
  • the second region 120 may be formed from the first region, for example, in which a part of the first region is opened, degraded or doped.
  • the first region may surround the second region 120, for example laterally.
  • the second region 120 may be formed in the first region such that predetermined information can be displayed in the optically active region.
  • the displayable predetermined information can be, for example, a lettering, an ideogram, a symbol and / or a pictogram.
  • the second region may be formed such that a flat current path of a current in the planar first region is influenced in a linear current path of the current.
  • the second region can be formed such that the linear current path has one of the following geometric shapes: a meander, a spiral, a hyperbola.
  • a method of making an optoelectronic device 100 is provided (illustrated in FIG. 2).
  • the method may include forming a first electrode 110 and forming an organic functional one
  • the organic functional layer structure 112 on or above the first electrode 110 exhibit .
  • the organic functional layer structure 112 may be formed to convert an electric current into an electromagnetic radiation and / or to convert an electromagnetic radiation into an electric current.
  • the method 110 may include forming a second electrode 114 on or over the organic functional layer structure 114.
  • functional layer structure may include forming 200 an electrically conductive layer.
  • the electrically conductive layer may be formed 202 with a first region.
  • the first region has a first electrical conductivity.
  • forming the electrically conductive layer 200 may include forming 204 a second region 120 on iron (see FIG. 1) having a second electrical conductivity.
  • the second electrical conductivity is different from the first electrical conductivity.
  • the second region 120 may be formed in the first region. Due to the different from the first electrical conductivity second electrical conductivity, a defined
  • Power distribution can be effected in the electrically conductive layer. As a result, the current flow in the first region can be influenced.
  • the second electrical conductivity may be less than the first electrical conductivity and thus the defined one
  • the second electrical conductivity may be different from the first electrical conductivity and thereby the defined
  • the electrically conductive layer may be formed with two or more electrically conductive layers.
  • the electrically conductive layer having a first electrically conductive layer and a second
  • first electrically conductive layer is formed with a first first region and a first second region 120, and wherein the second electrically conductive layer having a second first region and a second second second
  • the first first region and the second first region may be formed to have at least partially parallel and / or congruent parts.
  • the first second region 120 and the second second region 120 may be formed with respect to one another such that the current flow in the first first region is influenced differently than in the second first region.
  • the first second region and the second second region may be formed with respect to one another such that the current flow in the at least partially parallel and / or congruent parts in the first first region is influenced differently than in the second first region.
  • the first region may comprise or be made of a transparent or translucent electrically conductive material
  • the transparent or translucent electrically conductive material may be an organic substance or an organic substance mixture; or a metal oxide.
  • the second region 120 may be formed electrically non-conductive.
  • the electrically non-conductive second region may be a dielectric material; or an electric one have conductive substance or be formed from it.
  • the second region 120 may be formed as an opened region of the electrically conductive layer.
  • the second region 120 may be made electrically conductive.
  • the electrically conductive layer may be formed such that the electrical conductivity of the second region is higher or lower than that
  • Component is useful.
  • the electrically conductive layer may be formed with two or more electrically conductive layers.
  • a second region may be formed in the other electrically conductive layer or other electrically conductive layers.
  • the electrically conductive layer may be patterned such that the second region is formed with the first region, i. simultaneously or in parallel.
  • the second region 120 may be after forming the first
  • the second region 120 may be formed from the first region.
  • the second region may be formed by opening a portion of the electrically conductive layer.
  • the second region 120 may be formed by laser ablation and / or UV irradiation of the first region.
  • the second region may be formed by chemical conversion of a portion of the electrically conductive layer be, for example by means of a degradation of
  • the second region 120 may be formed by doping a portion of the
  • electrically conductive layer are formed.
  • the method may further include forming a
  • Encapsulation structure 328 (see Figure 3 ⁇ have such that the optoelectronic device with respect to at least one harmful substance, such as water and / or
  • the second region 120 may, for example, after forming the
  • Encapsulation structure 328 are formed in the electrically conductive layer.
  • the electrically conductive layer may be formed such that the first region surrounds the second region 120,
  • the second region 120 may be in the first region
  • the representable predetermined information may be a lettering, an ideogram, a symbol and / or a pictogram.
  • the second region 120 may be formed such that a planar current path of a current in the planar first region is influenced into a linear current path of the current.
  • the second region 120 may be formed such that the line-shaped. Rung has one of the following geometric shapes: a meander, a spiral, a hyperbola.
  • the second region 120C may be formed by patterning the first electrode 110 with ITO be formed before the organic functional
  • Layer structure 112 is formed.
  • the second region may be structured by patterning after forming the
  • the second region may be formed by patterning the electrically conductive layer, for example by masking the material of the first region and / or the second region.
  • the method 200 may include a combination of the foregoing methods.
  • the hermetically sealed substrate 102 may include a substrate 302 and a first substrate
  • Barrier layer 304 (illustrated in Figure 3).
  • the carrier 302 may be glass, quartz, and / or a
  • the carrier may comprise or be formed from a plastic film or a laminate with one or more plastic films.
  • the plastic may include or may be formed from one or more polyolefins (eg, high or low density polyethylene or PE) or polypropylene (PP).
  • PE polyethylene
  • PP polypropylene
  • Polyvinyl chloride PVC
  • PS polystyrene
  • PET polyethylene terephthalate
  • the carrier 302 may comprise or be formed of a metal, for example copper, silver, gold, platinum, iron, for example a metal compound, for example steel.
  • the carrier 302 may be opaque, translucent or even transparent.
  • the carrier 302 may be part of or form part of a mirror structure.
  • the carrier 302 may have a mechanically rigid region and / or a mechanically flexible region or be formed in such a way, for example as a foil.
  • the carrier 302 may be formed as a waveguide for electromagnetic radiation, for example, be transparent or translucent with respect to the emitted or
  • the first barrier layer 304 may include or be formed from one of the following materials:
  • Indium zinc oxide aluminum-doped zinc oxide, poly (p-phenylene terephthalamide), nylon 66, and mixtures and
  • the first barrier layer 304 may be by means of one of
  • Atomic layer deposition Atomic Layer Deposition (ALD)
  • ALD Atomic layer deposition
  • PEALD Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition
  • PALD Physical Light Deposition
  • PECVD Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
  • Sublayers all sub-layers can be formed by means of a AtomlagenabscheideVerfahrens. A
  • Nanolaminate Layers that have only ALD layers can also be referred to as "nanolaminate”.
  • Partial layers may have one or more
  • Atomic layer deposition processes are deposited
  • the first barrier layer 304 may have a layer thickness of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 1000 nm
  • a layer thickness of about 10 nm to about 100 nm for example, a layer thickness of about 10 nm to about 100 nm according to an embodiment
  • the first barrier layer 304 may be one or more
  • high refractive index materials for example, one or more materials having a high index of refraction, for example having a refractive index of at least 2.
  • Barrier layer 304 may be omitted, for example, in the event that the carrier 302 hermetically sealed
  • the organic functional layer structure 112 may be, for example, a first organic functional
  • Layer structure unit 316 an interlayer structure 318 and a second organic functional
  • Layer structure unit 320 have.
  • FIG. 3 shows an optoelectronic component 100 having a first organic functional layer structure unit 316 and a second organic functional one
  • Layer structure unit 320 illustrates ..
  • the organic functional layer structure 112 may also have more than two organic functional layer structures, for example 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10 or even more, for example 15 or more, for example 70.
  • Layer structures may be the same or different, for example the same or different
  • the second organic functional layer structure unit 320 may be one of those described below
  • Layer structure unit 316 may be formed.
  • the first organic functional layer structure unit 316 may be formed according to any one of the configuration of the organic functional layer structure 112, and vice versa.
  • the first organic functional layer structure unit 316 may include a hole injection layer, a
  • one or more of said layers may be provided be, wherein the same layers may have a physical contact, only electrically connected to each other or even electrically isolated from each other may be formed, for example, may be formed side by side. Individual layers of said layers may be optional.
  • a hole injection layer may be formed on or above the first electrode 110.
  • the hole injection layer may include or be formed from one or more of the following materials; HAT-CN, Cu (I) pFBz, MoO x, W0 X, VO x, ReO x, F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9, Bi (III) pFBz, F16CuPc; NPB ( ⁇ , ⁇ '- bis (naphthalen-l-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -benzidine); beta-NPB ⁇ , ⁇ ' bis (naphthalen-2-yl) -N, N * bis (phenyl) benzidine); TPD (N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-bis (phenyl) -benzidine) spiro TPD ( ⁇ , ⁇ '-bis (3-methylphenyl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) benzidine); Spiro-
  • the hole injection layer may have a layer thickness in a range of about 10 nm to about 1000 nm, For example, in a range of about 30 nm to about 300 nm, for example in a range of about 50 nm to about 200 nm.
  • a layer thickness in a range of about 10 nm to about 1000 nm, For example, in a range of about 30 nm to about 300 nm, for example in a range of about 50 nm to about 200 nm.
  • a layer thickness in a range of about 10 nm to about 1000 nm, for example, in a range of about 30 nm to about 300 nm, for example in a range of about 50 nm to about 200 nm.
  • Hole transport layer may be formed.
  • Hole transport layer may comprise or be formed from one or more of the following materials: NPB ( ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalen-1-yl) -N, '-bis (phenyl) -benzidine); beta-NPB ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalen-2-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -benzidine); TPD
  • the hole transport layer may have a layer thickness in one. Range from about 5 nm to about 50 nm,
  • an emitter layer may be formed on or above the hole transport layer.
  • an emitter layer may be formed on or above the hole transport layer.
  • functional layer structure units 316, 320 may each have one or more emitter layers
  • An emitter layer may include or be formed from organic polymers, organic oligomers, organic monomers, organic small, non-polymeric molecules ("small molecules”), or a combination of these materials.
  • the optoelectronic component 100 can in a
  • Emitterschient one or more of the following materials include or be formed from: organic or
  • organometallic compounds such as derivatives of polyfluorene, polythiophene and polyphenylene (for example 2- or 2,5-substituted poly-p-phenylenevinylene) and metal complexes, for example iridium complexes such as blue-phosphorescent FIrPic (bis (3,5-difluoro-2 - ( 2-pyridyl) phenyl- (2-carboxypyridy1) iridium III ⁇ , green phosphorescent
  • Such non-polymeric emitters can be deposited by means of thermal evaporation, for example. Furthermore, can
  • Polymer emitter are used, which can be deposited, for example by means of a wet chemical process, such as a spin-on process (also referred to as spin coating).
  • the emitter materials may be suitably embedded in a matrix material, for example one
  • Emitter layer have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 50 nm, for example in a range of about 10 nm to about 30 nm, for example about 20 nm.
  • the emitter layer can be monochrome or different colors ⁇ for example blue and. yellow or blue, green and red) emitting emitter materials.
  • the emitter layer can be monochrome or different colors ⁇ for example blue and. yellow or blue, green and red) emitting emitter materials.
  • Emitter layer have multiple sub-layers that emit light of different colors. By mixing the different colors, the emission of light can result in a white color impression.
  • it can also be provided to arrange a converter material in the beam path of the primary emission generated by these layers, which at least partially absorbs the primary radiation and emits secondary radiation of a different wavelength, resulting in a (not yet white) primary radiation by the combination of primary radiation and secondary radiation Radiation produces a white color impression.
  • the organic functional layer structure unit 316 may include one or more emitter layers configured as a hole transport layer.
  • the organic functional layer structure unit 316 may comprise one or more emitter layers, which is / are embodied as an electron transport layer. On or above the emitter layer, a
  • the electron transport layer may include or be formed from one or more of the following materials: NET- 18; 2, 2 ', 2 "- (1,3,5-benzene triyl) tris (1-phenyl-1H-benzimidazoles); 2- (4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3 , 4-oxadiazoles, 2, 9-dimethyl-4,7-diphenyl-l, 10-phenanthroline (BCP), 8-hydroxyquinolinolato-lithium, 4- (naphthalen-1-yl) -3, 5-diphenyl-4H- l, 2, -triazoles; 1, 3-bis [2- (2,2'-bipyridine-6-yl) -1,3,4-oxadiazol-5-yl] benzene; 4,7-diphenyl-1, 10 -phenanthrolines (BPhen); 3- (4-biphenylyl) -4-phen
  • the electron transport layer may have a layer thickness
  • nm in a range of about 5 nm to about 50 nm, for example, in a range of about 10 nm to about 30 nm, for example about 20 nm.
  • the electron transport layer may be a
  • An electron injection layer may include or may be formed from one or more of the following materials: NDN-26, MgAg, Cs 2 C0 3 , CS 3 PO 4, Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, LiF; 2,2 ', 2 "- (1,3,5-benzene triyl) tris (1-phenyl-1-H-benzimidazole); 2- (4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylpheny1) - 1, 3, 4-oxadiazoles, 2, 9-dimethyl-4, 7-diphenyl-1, 10-phenanthroline (BCP); 8-hydroxyquinolinolato-lithium, 4- (naphthalen-1-yl) -3,5-diphenyl-4H-1,2,4-riazole; 1,3-bis [2- (2,2-bipyridine-6-yl) -1,3-oxadiazol-5-yl] benzene; 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline
  • the electron injection layer may have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 200 nm, for example in a range of about 20 nm to about 50 nm, for example about 30 nm.
  • the second organic functional layer structure unit 320 may be formed over or adjacent to the first functional layer structure unit 316. Electrically between the organic functional layer structure units 316, 320 may be a
  • Interlayer structure 318 may be formed.
  • Interlayer structure 318 may be formed as an intermediate electrode 318, for example according to one of Embodiments of the first electrode 110, a
  • Intermediate electrode 318 may be electrically connected to an external voltage source.
  • the external voltage source may provide, for example, a third electrical potential at the intermediate electrode 318.
  • the intermediate electrode 318 may also have no external electrical connection, for example by the intermediate electrode having a floating electrical potential.
  • the intermediate electrode 318 may also have no external electrical connection, for example by the intermediate electrode having a floating electrical potential.
  • Interlayer structure 318 may be formed as a charge generation layer structure 318 (CGL).
  • a charge carrier pair generation layer structure 318 may be one or more
  • the charge carrier pair generation layer (s) and the hole-conducting charge carrier pair generation layer (s) may each be formed of an intrinsically conductive substance or a dopant in a matrix.
  • the carrier pair generation layer pattern 318 should be formed with respect to the energy levels of the electron-conducting carrier generation layer (s) and the hole-conducting carrier generation layer (s) such that at the interface of an electron-conducting carrier generation pair with a hole-conducting Charge pair generation layer can be a separation of electron and hole.
  • the carrier pair generation layer structure 318 may further include a sandwich between adjacent layers
  • Each organic functional layer structure unit 316, 320 may, for example, have a layer thickness of at most approximately 3 ⁇ m, for example a layer thickness of at most approximately 1 ⁇ m, for example a layer thickness of approximately approximately 300 nm.
  • the optoelectronic component 100 can optionally have further organic functional layers, for example arranged on or above the one or more
  • the further organic functional layers may be, for example, internal or external input / output structures that comprise the
  • Encapsulation structure 328, a second barrier layer 308, a coherent connection layer 322 and a cover 324 have (illustrated in Figure 3).
  • the second barrier layer 308 may be formed on the second electrode 114.
  • the second barrier layer 308 may also be referred to as
  • TFE Thin-film encapsulation
  • the second barrier layer 308 may be formed according to one of the embodiments of the first barrier layer 304.
  • Barrier layer 308 can be dispensed with.
  • the optoelectronic component 100 may, for example, have a further encapsulation structure, as a result of which a second barrier layer 308 may be optional, for example a cover 324, for example one
  • one or more input / output coupling layers may be formed in the optoelectronic component 100, for example an external outcoupling foil on or above the carrier 302 (not shown) or an internal one
  • the input / Auskoppelschient can a matrix and distributed therein
  • one or more antireflection coatings for example, one or more antireflection coatings
  • Connection layer 322 may be provided, for example, an adhesive or a paint.
  • a cover 324 can be connected conclusively to the second barrier layer 308, for example by being glued on.
  • transparent material can be particles
  • the coherent bonding layer 322 can act as a scattering layer and improve the color angle distortion and the
  • dielectric As light-scattering particles, dielectric
  • Metal oxide for example silicon oxide (S1O2), zinc oxide
  • ZnO zirconium carbide
  • ITO indium tin oxide
  • IZO indium zinc oxide
  • GA 20 x gallium
  • Other particles may also be suitable as long as they have a refractive index that is different from the effective refractive index of the matrix of the coherent bonding layer 322, for example air bubbles, acrylate, or glass bubbles.
  • metallic Nanoparticles, metals such as gold, silver, iron nanoparticles, or the like may be provided as light-scattering particles.
  • the conclusive connection splitter 322 can have a layer thickness of greater than 1 ⁇ m, for example one
  • the interlocking tie layer 322 may include or be a lamination adhesive.
  • an electrically insulating layer (not limited to, an electrically insulating layer
  • SiN for example, SiN, for example, with a layer thickness in a range of about 300 nm to about 1, 5 ⁇ , for example, with a layer thickness in a range of about 500 nm to about hr ⁇ to electrically unstable materials
  • a cohesive bonding layer 322 may be optional, for example, if the cover 324 is formed directly on the second barrier layer 308, such as a glass cover 324 formed by plasma spraying.
  • the electrically active region 106 may also be a so-called getter layer or Ge11er- structure,
  • a laterally structured getter layer may be arranged (not shown).
  • a cover 324 may be formed on or above the cohesive connection layer 322.
  • the cover 324 can be connected by means of the coherent connection layer 322 with the electrically active region 106 and protect it against harmful Sto fen.
  • the cover 324 may include, for example, a glass cover 324, a Metal foil cover 324 or a sealed
  • the glass cover 324 can be conclusive, for example, by means of a frit bonding / glass soldering / seal glass bonding using a conventional glass solder in the geometric edge regions of the organic optoelectronic component 100 with the second barrier layer 308 or the electrically active region 106 get connected.
  • the cover 324 and / or the integral interconnect layer 322 may have a refractive index (for example, at a wavelength of 633 nm) of 1.55.
  • Fig.4A is a schematic plan view of a
  • the optically active region 106 may be viewed from the surface
  • second regions 120 may be formed such that the current flow or the current path is influenced in at least one planar, electrically conductive layer.
  • Optoelectronic component 100 may be formed as a planar organic light-emitting diode.
  • the planar organic light emitting diode may, for example, an organic light emitting diode with a four-sided contact with
  • the planar organic light emitting diode may be formed such that the luminance and / or the color locus of the
  • the electric current has an electric current and an electric voltage.
  • the second areas 120 may be used to change the
  • Luminance distribution (illustrated in Figure 4B) and / or the color locus distribution in the optically active region 402 are influenced.
  • a decrease in the luminance from the edge of the optically active area 402 to the center of the optically active area can be seen.
  • the second region 120 may be designed in such a way that the voltage in the optically active surface 402 is redistributed. As a result, an increase in the uniformity or homogeneity of the luminance in the optically active surface 402 can be achieved.
  • the planar organic light emitting diode may, for example, an organic light emitting diode with a four-sided contact with
  • Fig.5 is a
  • Luminance decrease from the edge of the optically active surface 402 to the center of the optically active surface.
  • the first electrode 110 and the second electrode 114 may have second regions 120.
  • a region of the first electrode 110 may be formed in other regions of the optically active surface 402 than the second region of the second electrode.
  • the homogeneity of the luminance distribution of For example, 78% can be achieved compared to the
  • Luminance distribution of an organic light emitting diode without second regions illustrated in Fig. 6B with a
  • the first region and second region electrically conductive layer may be an organic functional layer structure - for example, illustrated in FIG. 7A.
  • the optoelectronic device 100 may include two or more electrically conductive layers having a first region and a second region.
  • the second region may include one or more second regions isolated from each other by the first region.
  • first organic functional layer structure unit 316 having a first organic functional layer structure unit 316 and a second organic functional layer structure unit 318, which by means of an intermediate layer structure 318, for example an intermediate electrode 318, the first electrode 110, the second electrode 114, the first organic functional layer structure Unit 316, the second organic
  • Interlayer structure 318 may be formed as an electrically conductive layer with first region and second region - see also description above.
  • the first organic functional layer unit 316 and the second organic functional layer structure unit 320 may each have a second area, for example
  • the functional layer structure unit 320 may be formed so coordinated that a predetermined information can be represented by means of the structuring of the electrically conductive layers 316, 320, for example a symbol, a logo, a pictogram, an ideogram and / or a font - for example illustrated in Fig. 7C.
  • the second regions 120B of the electrically conductive layers 316, 320 may, for example, be matched to one another such that the light emitted by the optoelectronic component 100 has a color contrast by means of the second regions 120B.
  • Layer structure unit 316 and the second organic functional layer structure unit 320 are generated. In other words: in the optically active surface of the
  • Luminous surface different electromagnetic radiation can be emitted and / or absorbed - in Fig. 7B, C as arrows / reference numerals 702, 704, 706, 708th
  • Layer structure unit 316 emits or absorbs - illustrated by the arrow / reference numeral 702 in Fig. 7B, C, for example, a red-green light;
  • Layer structure unit 320 is a mixture of
  • Layer structure unit 320 emits or absorbs - illustrated by arrow reference numeral 706 in Figure 7B, c, for example, a blue light;
  • Radiation from the opto-electronic device emits or absorbs, for example, a black appearance with arrow 708 in FIG. 7B, C, for example.
  • further color contrasts can be formed with a plurality of organic functional layer structure units.
  • Range at least translucent for example, be transparent, be formed with respect to the emissive of the optoelectronic component and / or absorbable
  • the first electrode 110 is formed over its entire area of ITO. On the first electrode 110 is locally an electrically non-conductive structure formed, for example, a dielectric or
  • the organic functional layer structure 112, 316 can be formed, for example, over the entire surface of the first electrode and the electrically non-conductive structure.
  • the electrically non-conductive structure thus forms the second region in the organic functional layer structure.
  • the optoelectronic component having an electrically conductive layer with first region and second region can be any electrically conductive layer with first region and second region.
  • the second region is formed such that the second region has approximately the same refractive index (refractive index difference less than about 0.05) as the first region, for example, in the wavelength range of visible light
  • the electrically non-conductive structure is formed or comprises a transparent insulating ink or paste.
  • the electrically non-conductive structure may be formed to be visible "off-state,” that is, a color contrast and / or refractive index contrast to the organic
  • Isolation ink or paste with any color pigments, such as colored or black, are formed or have such.
  • the electrically non-conductive structure should be in terms of material quality and shape, for example
  • Thickness be formed so that it does not belong to any
  • highly transparent printable material are formed, for example, "ZEOCOAT ES2110" from ZEON Corporation with a transmission greater than 99% and a
  • freestanding light patterns are formed by the first electrode 110 - for example, formed as an anode, or the
  • Interlayer structure 318 for example, formed as an intermediate electrode 318, by means of a printing process, such as an ink jet printing, a
  • adjustable pattern is printed with / of electrically insulating material, these printed areas in the OLED are electrically isolated and thus may be optically inactive, for example, not light up.
  • the insulating material is, for example, a polymer-based dielectric.
  • the optoelectronic component 100 can then, for example, as in a conventional
  • Layer structure 112, 316 and second electrode 114 are formed, for example, vapor-deposited. This makes it possible to dispense with further structuring or special masking for representing the pattern.
  • An interruption of the conductivity of the first region by means of the second region may lead to an influence of the local current flow in the first region.
  • Arranging the second area may thus result in changing a voltage difference in the first area
  • Absorber layers are independently operated laterally structured.
  • it can be any, for example, free-standing, optically inactive, for example, non-luminous, patterns in the optically active surface of the optoelectronic device, for example in the
  • Luminous surface of an organic light emitting diode are formed.
  • each color unit can be provided with its own pattern, so that, depending on the number of color units, differently colored patterns / logos / graphics / etc. can be produced or represented.
  • the patterns can be
  • Component be higher in terms of optically filtering methods for displaying a pattern, since the areas of the pattern can be completely electrically isolated and thus optically and electrically inactive .
  • Print resolution or track width / drop size of the printer are, for example -30 ⁇ .
  • the representable structures can thus be considerably smaller than this

Abstract

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein optoelektronisches Bauelement (100) bereitgestellt, das optoelektronische Bauelement (100) aufweisend; eine erste Elektrode (110), eine zweite Elektrode (114), und eine organische funktionelle Schichtenstruktur (112), wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur (112) zwischen der ersten Elektrode (110) und der zweiten Elektrode (114) ausgebildet ist, und wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur (112) zu einem Umwandeln eines elektrischen Stromes in eine elektromagnetische Strahlung und/oder zu einem Umwandeln einer elektromagnetischen Strahlung in einen elektrischen Strom ausgebildet ist; wobei die erste Elektrode (110), die zweite Elektrode (114) und/oder die organische funktionelle Schichtenstruktur (112) eine elektrisch leitende Schicht aufweisen/t, wobei die elektrisch leitende Schicht einen ersten Bereich aufweist, der eine erste elektrische Leitfähigkeit aufweist; und einen zweiten Bereich (120) aufweist, der eine zweite elektrische Leitfähigkeit aufweist, die unterschiedlich ist zu der ersten elektrischen Leitfähigkeit; wobei der zweite Bereich (120) in dem ersten Bereich ausgebildet ist und aufgrund seiner zweiten elektrischen Leitfähigkeit eine definierte Stromverteilung in der elektrisch leitenden Schicht bewirkt und dadurch den Stromfluss in dem ersten Bereich beeinflusst.

Description

Beschreibung
Optoelektronische Bauelemente und Verfahren zum Herstellen optoelektronischer Bauelemente
In verschiedenen Ausführungsformen werden optoelektronische
Bauelemente und Verfahren zum Herstellen optoelektronischer Bauelemente bereitgestellt. Optoelektronische Bauelemente auf organischer Basis,
beispielsweise organische Leuchtdioden (organic light emitting diode - OLED) , finden zunehmend verbreitete
Anwendung in der Allgemeinbeleuchtung, beispielsweise als Flächenlichtquelle, Ein organisches optoelektronisches
Bauelement, beispielsweise eine OLED kann eine Anode 602 und eine Kathode 604 mit einem organischen funktionellen
Schichtensystem dazwischen, auf einem Substrat aufweisen (veranschaulicht für eine quadratische OLED in Fig.6A und eine rechteckige OLED in Fig.6B) . Das organische funktionell Schichtensystem kann eine oder mehrere Emitterschlich /en aufweisen, in der/denen elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, eine oder mehrere Ladungsträgerpaar- Erzeugungs - Schichtenstruktur/en aus j eweils zwei oder mehr
Ladungsträgerpaar- Erzeugungs -Schi chter. („Charge generating layer", CGL } zur Ladungsträgerpaarerzeugung, sowie einer ode mehrerer Elektronenblockadeschicht/en, auch bezeichnet als Lochtransportschicht/en („hole transport layer" -HTL) , und einer oder mehrerer Lochblockadeschicht/en, auch bezeichnet als Elektronentransportschicht /en („electron transport layer - ETL) , um den Stromfluss zu richten. Die OLED als
Flächenlichtquelle wird mit einem flächigen optisch aktiven Bereich 606 ausgebildet , der Licht emittiert - auch
bezeichnet als Leuchtfläche 606. Die Anode 602 und/oder die Kathode 604 können transparent ausgebildet werden, üblicherweise aus einem transparenten leitfähigen Oxid (transparent conductive oxide - TCO) . Ein transparentes leitfähiges Oxid weist eine elektrische Querleitfähigkeit auf, die sehr viel geringer ist als die elektrische Querleitfähigkeit eines Metalls. Bei flächigen optoelektronischen Bauelementen kann es dadurch zu einer inhomogenen Emission von Licht kommen, insbesondere bei einer Skalierung der OLED auf große Flächen (veranschaulicht in einem Intensitätsdiagramm einer Flächenlichtquelle in Fig .6A,
B) . Beispielsweise können die Anode 602 und die Kathode 604 aus MgAg oder Ag gebildet sein mit einem Flächenwiderstand von 5 □/□. Die Leuchtfläche 606 kann beispielsweise eine
2
Fläche von 20 x 20 cm aufweisen (veranschaulicht in Fig .6A) mit einer Homogenität der Leuchtdichte auf der Leuchtfläche von 28,6 % bei 1000 nits , wobei die Leuchtdichte vom Rand zur
Mitte der Leuchtfläche 606 abnimmt . Die Leuchtfläche 606 kann
- bei zweiseitigen Kontakten - beispielsweise eine Fläche von
2
12 x 20 cm aufv/eisen (veranschaulicht in Fig.6B> mit einer Homogenität der Leuchtdichte auf der Leuchtfläche von 50 % bei 1000 nits , wobei die Leuchtdichte vom Rand zur Mitte der Leuchtfläche 606 abnimmt . Üblicherweise wird zum Reduzieren der Inhomogenität die
Geometrie der Elektroden 602 , 604 optimiert , was j edoch nur beschränkt möglich ist.
Weiterhin können bei einem optoelektronischen Bauelement mit unterschiedlichen, übereinander gestapelten Emitterschichten, freistehende Leuchtmuster i den Emitterschichten nicht oder nur aufwendig mittels herkömmlicher Maskenverfahren mit
Maskieren der zu strukturierenden Bereiche mittels einer Schattenmaske beim Aufdampfen, hergestellt werden . In einem herkömmlichen Verfahren werden die Bereiche der organischen funktionellen Schichtenstruktur, die in der Anwendung nicht leuchten sollen, mit einem Laserprozess „deaktiviert" . Dabei wird nachträglich organische funktionelle Schichtenstruktur lokal mittels eines LaserbeSchusses gezielt hochohmig
ausgebildet . Dadurch wird der beschossene Bereich der
Leucht fläche der OLED deaktiviert . In einem weiteren
herkömmlichen Verfahren wird analog zu einer Schattenmaske eine gemusterte lichtundurchlässige Schicht ausgebildet , um das erzeugte Licht entsprechend des Musters zu filtern und dadurch das Muster abzubilden. I verschiedenen Ausführungsformen werden optoelektronische Bauelemente und Verfahren zum Herstellen optoelektronischer Bauelemente bereitgestellt, mit denen es möglich ist, die optische Aktivität des optisch aktiven Bereiches
einzustellen, beispielsweise die Inhomogenität der optisch aktiven Fläche des optoelektronischen Bauelementes zu
reduzieren und/oder eine vorgegebene Information
darzustellen. Beispielsweise können dadurch bei einem
optoelektronischen Bauelement mit übereinander gestapelten, unterschiedlichen Emitter- und/oder Absorberschichten, die Emitter- und/oder Absorberschichten unabhängig voneinander lateral strukturiert betrieben werden.
In verschiedenen Ausführungsforme wird ein
optoelektronisches Bauelement mit einem optisch aktiven
Bereich bereitgestellt , der optisch aktive Bereich
aufweisend : eine erste Elektrode, eine zweite Elektrode , und eine organische funktionelle Schichtenstruktur, wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode ausgebildet ist , und wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur zu einem Umwandeln eines elektrischen S romes in eine
elektromagnetische Strahlung und/oder zu einem Umwandeln einer elektromagnetischen Strahlung in einen elektrischen Strom ausgebildet ist ; wobei die erste Elektrode , die zweite Elektrode und/oder die organische funktionelle
Schichtenstruktur eine elektrisch leitende Schicht aufweisen, wobei die elektrisch leitende Schicht einen ersten Bereich aufweist , der eine erste elektrische Leitfähigkeit aufweist ; und einen zweiten Bereich aufweist , der eine zweite
elektrische Leitfähigkeit aufweist, wobei der zweite Bereich i dem ersten Bereich ausgebildet ist und aufgrund seiner zweiten elektrischen Leitfähigkeit eine definierte
Stromverteilung in der elektrisch leitenden Schicht bewirkt . In verschiedenen Ausführungsformen kann die zweite
elektrische Leitfähigkeit geringer sein als die erste
elektrische Leitfähigkeit und dadurch die definierte
Stromverteilung einen Stromfluss in dem ersten Bereich aufweisen, so dass eine homogenere Stromverteilung in dem ersten Bereich ausgebildet ist bezüglich einer elektrisch leitenden Schicht ohne zweiten Bereich . Beispielsweise kann der erste Bereich derart geformt und/oder angeordnet sein, dass der optisch aktive Bereich eine höhere Homogenität bezüglich eines Leuchtdichtegradientens und/oder Farbortgradientens in dem optisch aktiven Bereich aufweist bezüglich eines optisch aktiven Bereiches ohne zweite/n elektrisch leitende/n Bereich/e , beispielsweise in einem
Bereich von ungef hr 5 % bis ungef hr 100 % . Die definierte Stromverteilung in der flächigen elektrisch leitenden Schicht kann beispielsweise die höhere Homogenität ausbilden. In einer Ausgestaltung kann der zweite Bereich derart in dem ersten Bereich ausgebildet sein, dass eine vorgegebene
Information in dem optisch aktiven Bereich darstellbar ist . Die höhere Homogenität ist in dieser Ausgestaltung in dem Bereich ohne darstellbare Information in dem optisch aktiven Bereich realisiert sein.
In verschiedenen Ausführungsformen kann die zweite
elektrische Leitfähigkeit unterschiedlich sein zu der ersten elektrischen Leitf higkeit und dadurch die definierte
Stromverteilung einen Stromfluss in dem. ersten Bereich aufweisen, so dass eine vorgegebene Information in dem optisch aktiven Bereich darstellbar ist .
In einer Ausgestaltung kann die elektrische Leitfähigkeit des elektrisch leitenden zweiten Bereiches höher sein als die elektrische Leitfähigkeit des ersten Bereiches . Die
elektrische Leitfähigkeit des zweiten Bereiches kann
beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 5 % bis ungefähr 1000 % höher sein als in dem ersten Bereich. Beispielsweise kann in einer transparenten ersten elektrisch leitenden
Schicht ein metallischer zweiter Bereich ausgebildet sein, beispielsweise in Form von dünnen, linienförmigen Strukturen mit einem Metall , Graphen und/oder Kohlenstoffnanoröhren, beispielsweise in Form der vorgegebenen darstellbaren
Information. In einem anderen Beispiel kann das Material der elektrisch leitenden Schicht im Bereich des zweiten Bereiches dotiert werden, sodass die elektrische Leitfähigkeit erhöht ist . Mit anderen Worten: der zweite Bereich kann einen geringen elektrischen Flächenwiderstand aufweisen als der erste Bereich . Ein zweiter Bereich mit höherer elektrischer Leitf higkeit als der erste Bereich kann beispielweise die Stromverteilung in der elektrisch leitenden Schicht
inhomogener lassen werden . Dadurch können in der optisch aktiven Fläche beispielsweise intensiver elektromagnetische Strahlung emittierende Bereich ausgebildet werden . Somit kann ein zweiter Bereich mit höherer elektrischer Leitfähigkeit als der erste Bereich zum Realisieren einer inhomogeneren Leuchtfläche verwendet werde .
In verschiedenen Ausgestaltungen ist eine elektrisch leitende Schicht bzw. Struktur, eine Schicht bzw. Struktur, die derart ausgebildet wird, dass sie im Betrieb des optoelektronischen Bauelementes wenigstens einen Teil des elektrischen
Betriebsstroms des optoelektronischen Bauelementes leitet . Mit anderen Worten: Eine Schicht oder Struktur eines
optoelektronischen Bauelementes ist in verschiedenen
Ausgestaltungen elektrisch leitend, wenn sie im Betrieb des optoelektronischen Bauelementes bzw. unter
Betriebsbedingungen einen elektrischen Strom leiten kann, d.h. elektrisch leitend ausgebildet ist oder wird.
Die elektrisch leitende Schicht oder Struktur kann
beispielsweise einen elektrisch leitfähigen Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise ein Metall oder eine Metalliegierung, beispielsweise AI, Cu, MgAg, oder eines der weiteren, unten beschriebenen Beispiele . Alternativ oder zusätzlich kann die elektrisch leitende Schicht oder Struktur einen dielektrischen Stoff und/oder einen halbleitenden Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein. Bei einer elektrisch leitenden Schicht oder Struktur aus einem dielektrischen Stoff oder Stoffgemisch kann die
elektrisch leitende Schicht oder Struktur beispielsweise mit einer Dicke in Stromrichtung und/oder einer dielektrischen Länge des Strompfades ausgebildet werden, dass ein
elektrischer Strom durch oder über die dielektrische Schicht oder Struktur transportiert werden kann, beispielsweise mittels eines Tunnelstroms und/oder elektrisch leitfähigen Kanälen in der dielektrischen Schicht oder Struktur. Bei einer elektrisch leitenden Schicht oder Struktur aus einem halbleitenden Stoff oder Stoffgemisch kann die
elektrisch leitende Schicht oder Struktur bezüglich der mit der elektrisch leitenden Schicht oder Struktur direkt
elektrisch verbundenen Schicht/en oder Struktur/en angepasst sein beispielsweise bezüglich der Bandstruktur und/oder
Kristallrichtung in Stromrichtung angepasst ausgebildet sein.
Bezüglich der Bandstruktur und/oder Kristallrichtung in
Stromrichtung der halbleitenden elektrisch leitenden Schicht oder Struktur kann beispielsweise das Energie -Niveau des
Leitungsbandes, des Valenzbandes, des Permi -Niveaus bzw. des effektiven Fermi -Niveaus , des chemischen Potenzials, des niedrigsten unbesetzten Molekülorbitals (lowest unoccupied molecule orbital - LUMO) , des höchsten besetzten
Moiekülorbital (highest occupied molecule orbital - HOMO} , der lonisierungsenergie und/oder der Elektronenaffinität beim Ausbilden der halbleitenden elektrisch leitenden Schicht oder Struktur berücksichtigt werden bezüglich der mit der
elektrisch leitenden Schicht oder Struktur direkt elektrisch verbundenen Schicht/en oder Struktur/en, so dass ein
Stromfluss im Betrieb des optoelektronischen Bauelementes durch die halbleitende elektrisch leitende Schicht oder
Struktur im Betrieb erfolgen kann. Analog ist eine elektrisch nicht- leitende Schicht oder
Struktur eine Schicht oder Struktur, die derart ausgebildet ist, dass sie im Betrieb des optoelektronischen Bauelementes keinen elektrischen Strom transportiert bzw. durchlässt .
In verschiedenen Ausgestaltungen ist der zweite Bereich in der elektrisch leitenden Schicht ausgebildet, d.h. innerhalb der elektrisch leitenden Schicht. In verschiedenen
Ausgestaltungen kan der zweite Bereich die elektrisch leitende Schicht durchdringen, beispielsweise zwei oder mehr unterschiedliche Grenzflächen der elektrisch leitenden
Schicht mit weiteren Schichten ausbilden. Alternativ kann der zweite Bereich teilweise oder vollständig von dem ersten Bereich umgeben sein.
Der Stromfluss erfolgt in verschiedenen Ausführungsbeispielen entlang eines Strompfades oder mehrerer Strompfade oder kann als Schar von Strompfaden, bezeichnet werden. Der flächige erste Bereich kann zu einem Ausbilden eines flächigen optisch aktiven Bereiches des optoelektronischen Bauelementes
eingerichtet sein. Der optisch aktive Bereich kann
beispielsweise eine Leuchtfläche, Detektorfläche und/oder aktive Solarfläche sein. Der flächige optisch aktive Bereich kann beispielsweise eine quadratische Fläche mit einer
Kantenlänge von mehr als 10 cm oder von mehr als 20 cm oder von mehr als 25 cm oder von mehr als 50 cm sein. Weiterhin kann der flächige optisch aktive Bereich auch eine andere Form, beispielsweise eine rechteckige oder runde Form, mit einem entsprechenden Flächeninhalt aufweisen. Die flächige elektrisch leitende Schicht bzw. der erste Bereich können im Wesentlichen die flächige Abmessung und Form des optisch aktiven Bereiches aufweisen.
Die erste Elektrode, die organische funktionelle
Schichtenstruktur und die zweite Elektrode können einen/den elektrisch aktiven Bereich bilden. Der optisch aktive Bereich des optoelektronischen Bauelementes kann mittels des flächigen Bereiches der organischen funktionellen
Schichtstruktur gebildet sein.
In den Ausführungsformen können die optoelektronischen
Bauelemente jeweils ferner nachfolgende Ausgestaltungen
aufweisen, soweit diese sinnvoll sind.
Der erste Bereich kann als ein flächiger erster Bereich ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann die elektrisch leitende Schicht zwei oder mehr elektrisch leitende Schichten aufweisen . Die zwei oder mehr elektrisch leitenden Schichten können
miteinander elektrisch verbunden sein oder elektrisch
voneinander isoliert sein . Die zwei oder mehr elektrisch leitenden Schichten können einen gemeinsamen körperlichen Kontakt aufweisen oder räumlich voneinander isoliert sein . Die zwei oder mehr elektrisch leitenden Schichten können nebeneinander , übereinander und/oder zueinander versetzt ausgebildet sein. Die zwei oder mehr elektrisch leitenden
Schichten können j eweils einen zweiten Bereich aufweisen, die die gleichen elektrischen Eigenschaften aufweisen; oder elektrisch unterschiedliche zweite Bereiche aufweisen . Die zwei oder mehr elektrisch leitenden Schichten können auch einen gemeinsamen zweiten Bereich aufweisen, beispielsweise indem der gemeinsame zweite Bereich die zwei oder mehr elektrisch leitenden Schichten durchdringt , beispielsweise indem der zweite Bereich elektrisch nicht- leitend ausgebildet ist . Die zwei oder mehr elektrisch leitenden Schichten können zweite Bereiche aufweisen, die in unterschiedlichen Bereichen des optisch aktiven Bereiches ausgebildet sind,
beispielsweise bezüglich einander übereinander und lateral versetzt angeordnet sein . In einer Ausgestaltung kann die elektrisch leitende Schicht eine erste elektrisch leitende Schicht und eine zweite elektrisch leitende Schicht aufweisen, wobei die erste elektrisch leitende Schicht einen ersten ersten Bereich und einen ersten zweiten Bereich aufweist, und wobei die zweite elektrisch leitende Schicht einen zweiten ersten Bereich und einen zweiten zweiten Bereich aufweist. In einer Ausgestaltung können der erste erste Bereich und der zweite erste Bereich wenigstens teilweise parallele und/oder kongruente Teile aufweisen. Die parallelen und/oder
kongruenten Teile können beispielsweise sich teilweise geometrisch deckende zweite Bereiche sein.
In einer Ausgestaltung können der erste zweite Bereich und der zweite zweite Bereich derart bezüglich einander
ausgebildet sein, dass der Stromfluss in dem ersten ersten Bereich anders beeinflusst ist als im zweiten ersten Bereich. Beispielsweise können der erste zweite Bereich und der zweite zweite Bereich eine unterschiedliche Form., einen
unterschiedlichen Flächenanteil an der jeweiligen elektrisch leitenden Schicht aufweisen und/oder unterschiedlich
bezüglich einander angeordnet sein, beispielsweise nicht kongruent, geometrisch deckend.
In einer Ausgestaltung kann der zweite Bereich einen
Flächenanteil an der elektrisch leitenden Schicht aufweisen, der beispielsweise abhängig ist von der darzustellenden vorgegebenen Information.
Die Form., der Anteil und/oder die Anordnung des zweiten
Bereiches in einer elektrisch leitenden Schicht können/kann abhängig sein von der anwendungsspezifischen Ausgestaltung des optisch aktiven Bereiches und beispielsweise mittels optischer Simulationen ermittelt werden, beispielsweise mittels der Software „COMSOL" . Bei einer zwei- oder
mehrschichtigen Struktur, bzw. bei zwei oder mehr elektrisch leitenden Schichten mit jeweils zweiten Bereichen können beispielsweise topografisch spitze Strukturen und/oder sehr raue Oberflächen als zweite Bereiche dazu führen, dass an einer über dem zweiten Bereich befindlichen Elektrode Feldüberhöhungen auftreten und/oder Defekte verursacht werden können .
In einer Ausgestaltung können der erste zweite Bereich und der zweite zweite Bereich derart bezüglich einander
ausgebildet sein, dass der Stromfluss in den wenigstens teilweise parallelen und/oder kongruenten Teilen in dem ersten ersten Bereich anders beeinf lusst ist als im zweiten ersten Bereich. Beispielsweise kann der erste zweite Bereich zu einer stärkeren Homogenisierung der Stromverteilung in der ersten elektrisch leitenden Schicht führen als der zweite zweite Bereich in der zweiten elektrisch leitenden Schicht.
In einer Ausgestaltung kann der erste Bereich ein
transparentes oder transluzentes elektrisch leitfähiges Material aufweisen oder daraus gebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann das transparente oder
transluzente elektrisch leitfähige Material ein organischer Stoff oder ein organisches Stoffgemisch sein.
In einer Ausgestaltung kann das transparente oder
transluzente elektrisch leitfähige Material ein Metalioxid sein oder aufweisen.
In einer Ausgestaltung kann das transparente oder
transluzente elektrisch leitfähige Material ein Metall sein oder aufweisen. Beispielsweise kann die elektrisch leitende Schicht und/oder der erste Bereich mit einem Metall derart dünn ausgebildet werden, dass es optisch transparent oder transluzent ist, beispielsweise eine Silberschicht mit einer Dicke unter 50 nm .
In einer Ausgestaltung kann der zweite Bereich ein oder mehrere zweite Bereiche aufweisen. Zwei oder mehr zweite Bereiche können räumlich und/oder elektrisch voneinander isoliert sein. In einer Ausgestaltung kann der zweite Bereich elektrisch nicht-leitend ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann der elektrisch nicht-leitende zweite Bereich einen dielektrischen Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein. Mit anderen Worten; ein zweiter Bereich kann aus einem dielektrischen Material oder einem elektrisch isolierenden Material gebildet sein. In einer Ausgestaltung kann der elektrisch nicht -leitende zweite Bereich einen elektrisch leitfähigen Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein. Mit anderen Worten: der zweite Bereich kann auch aus einem elektrisch leitfähigen Material gebildet sein, beispielsweise einem halbleitenden Material. Die elektronische Bandstruktur und/oder die Betriebsparameter des zweiten Bereiches und deren elektrisch benachbarten
Bereich können jedoch derart sein, dass die Bandstruktur des elektrisch leitfähigen Materials keine, wenige oder
lokalisierte Elektronenzustände in dem zweiten Bereich aufweist, die ein Leiten eines elektrischen Stromes durch die bzw. in dem zweiten Bereich ermöglichen könnten.
In einer Ausgestaltung kann der zweite Bereich als ein geöffneter Bereich der elektrisch leitenden Schicht
ausgebildet sein oder mittels eines Öffnens eines Teils der elektrisch leitenden Schicht ausgebildet werden. Ein
geöffneter Bereich kann mittels eines Entfernens eines Teils der elektrisch leitenden Schicht ausgebildet werden. Die Öffnung in der ersten elektrisch leitenden Schicht kann in Form eines Luft-gefüllten Hohlraums den zweiten Bereich ausbilden oder mit einem elektrisch nicht -leitenden oder anders leitenden Material., d.h. einem Material mit anderer elektrischer Leitf higkeit als die Leitfähigkeit des
Materials der elektrisch leitenden Schicht, gefüllt sein.
In einer Ausgestaltung kann der zweite Bereich elektrisch leitend ausgebildet sein, beispielsweise aus dem Stoff oder Stof fgemisch der elektrisch leitenden Schicht. In einer Ausgestaltung kann der zweite Bereich ausgebildet sein, indem der Stoff oder das Stoffgemisch der elektrisch leitenden Schicht umgewandelt ist, beispielsweise dotiert, entfernt, degradiert, abreagiert und/oder in einen chemisch anderen Stoff oder ein chemisch anderes Stoffgemisch
umgewandelt worden ist. In einer Ausgestaltung kann die elektrische Leitfähigkeit des elektrisch leitenden zweiten Bereiches niedriger sein als die elektrische Leitfähigkeit des ersten Bereiches, Die
elektrische Leitfähigkeit des zweiten Bereiches kann
beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 5 % bis ungefähr 10000 % - bzw. dielektrisch/durchschlagend leitend - niedriger sein als in dem ersten Bereich. Beispielsweise kann das Material einer elektrisch leitenden Schicht im Bereich des zweiten Bereiches teilweise in ein elektrisch nichtleitendes Material umgewandelt sein, beispielsweise mittels einer Oxidation eines Metalls oder Degradation eines
organisch leitenden Materials. In einer andern Ausgestaltung kann der zweite Bereich eine andere Porosität, Kristallinitat und/oder Kristallorientierung aufweisen als der erste
Bereich. Mit anderen Worten: der zweite Bereich kann einen höheren elektrischen Flächenwiderstand aufweisen als der erste Bereich,
In einer Ausgestaltung kann der zweite Bereich aus dem ersten Bereich ausgebildet sein, beispielsweise in dem das Material der elektrisch leitende Schicht, d.h. des das Material des ersten Bereiches elektrisch umgewandelt oder entfernt ist.
In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement eine oder mehrere elektrische Schicht (en) mit jeweils einem oder mehreren zweiten Bereich (en) aufweisen. Die mehreren zweiten Bereich könne gleich oder unterschiedliche
ausgebildet sein, beispielsweise elektrisch nicht-leitend, elektrisch leitend mit höherer Leitfähigkeit und/oder
elektrisch leitend mit niedergier Leitfähigkeit.
In einer Ausgestaltung kann der erste Bereich den zweiten Bereich umgeben. Mit anderen Worten: der zweite Bereich ist von dem Rand der elektrisch leitenden Schicht wenigstens teilweise entfernt in dem ersten Bereich ausgebildet.
In einer Ausgestaltung kann der erste Bereich den zweiten Bereich lateral umgeben.
In einer Ausgestaltung kann die in dem optisch aktiven
Bereich vorgegebene darstellbare Information beispielsweise ein Schriftzug, ein Ideogramm, ein Symbol und/oder ein
Piktogramm sein. Beispielsweise kann der zweite Bereich die Form eines Schriftzuges aufweisen, sodass der Schriftzug in dem optisch aktiven Bereich als ein Färb- und/oder
Leuchtdichtekontrast wahrnehmbar ist. Die definierte
Stromverteilung in der flächigen elektrisch leitenden Schicht kann beispielsweise die darzustellende vorgegebene
Information ausbilden bzw. erzeugen. Die darstellbare vorgegebene Information kann beispielsweise im Betrieb des optoelektronischen Bauelementes sichtbar bzw. wahrnehmbar sein, und im Nicht-Betrieb nicht sichtbar bzw. wahrnehmbar sein.
In einer Ausgestaltung kann der zweite Bereich derart ausgebildet sein, dass ein flächiger Strompfad eines Stromes in dem flächigen ersten Bereich in einen linienförmigen Strompfad des Stromes beeinflusst ist. Mit anderen Worten; der zweite Bereich kann derart ausgebildet sein, dass ein elektrischer Strom von einem flächigen Strompfad in einen linienförmigen Strompfad umgelenkt ist. Dadurch kann der Serienwiderstand des umgelenkten Strompfades erhöht sein bezüglich des Flächenwiderstandes des flächigen Strompfades. Dadurch können/kann die elektrische Spannung und/oder die elektrisch Stromstärke in dem ersten Bereich in der Nähe von zweiten Bereichen abweichen von den Werten in dem ersten Bereich entfernter von den zweiten Bereichen. Dadurch
können/kann der Farbortgradient und/oder der
Leuchtdichtegradient in dem optisch aktiven Bereich
beeinflusst werden, beispielsweise einstellbar sein.
In einer Ausgestaltung kann der zweite Bereich derart
ausgebildet sein, dass der inienförmige Strompfad eine der folgenden geometrisch Formen aufweist : ein Mäander, eine Spirale , eine Hyperbel .
In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement als ein Fotodetektor, eine Solarzelle und/oder eine
Leuchtdiode ausgebildet sein, beispielsweise als eine
organische Leuchtdiode .
In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement flächig ausgebildet sein, beispielsweise als eine
Flächenlichtquelle . In verschiedenen Ausführungs ormen wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
bereitgestellt , das Verfahren aufweisend : Ausbilden einer ersten Elektrode, Ausbilden einer organischen funktionellen Schichtenstruktur auf oder über der ersten Elektrode , wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur zu einem
Umwandeln eines elektrischen Stromes in eine
elektromagnetische Strahlung und/oder zu einem Umwandeln einer elektromagnetischen Strahlung in einen elektrischen Strom ausgebildet wird; Ausbilden einer zweiten Elektrode auf * oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur, und wobei das Ausbilden der ersten Elektrode , das Ausbilden der zweiten Elektrode und/oder das Ausbilden der organischen funktionellen Schichtenstruktu ein Ausbilden einer
elektrisch leitenden Schicht aufweisen/t , wobei die
elektrisch leitende Schicht mit einem ersten Bereich
ausgebildet wird, der eine erste elektrische Leitfähigkeit aufweist ; und einem zweiten Bereich ausgebildet wird, der eine zweite elektrische Leitfähigkeit aufweist, wobei der zweite Bereich in dem ersten Bereich ausgebildet wird und aufgrund seiner zweiten elektrischen Leitfähigkeit eine definierte Stromverteilung in der elektrisch leitenden
Schicht bewirkt.
In verschiedenen Ausführungsformen kann die zweite
elektrische Leitfähigkeit geringer sein als die erste
elektrische Leitfähigkeit und dadurch die definierte
Stromverteilung einen Stromfluss in dem ersten Bereich aufweisen, so dass eine homogenere Stromverteilung i dem ersten Bereich ausgebildet wird bezüglich einer elektrisch leitenden Schicht ohne zweiten Bereich.
In verschiedenen Ausführungsformen kann die zweite
elektrische Leitfähigkeit unterschiedlich sein zu der ersten elektrischen Leitf higkeit , beispielsweise höher oder
niedriger, und dadurch die definierte Stromverteilung einen Stromfluss in dem ersten Bereich auf eisen, so dass eine vorgegebene Informatio in dem optisch aktiven Bereich darstellbar wird.
In den Ausführungsformen können die Verfahren j eweils ferner nachfolgende Ausgestaltungen aufweisen, soweit diese sinnvoll sind . Die beschriebenen Merkmale der Ausführungsformen des optoelektronischen Bauelementes gelten analog für das
Verfahren zum Herstellen des optoelektronischen Bauelementes ; und die Merkmale des Verfahrens zum Herstellen des
optoelektronischen Bauelementes analog für das
optoelektronische Bauelement - soweit dies sinnvoll ist .
In einer Ausgestal ung des Verfahrens kann die elektrisch leitende Schicht mit zwei oder mehr elektrisch leitenden Schichten ausgebildet werden, wobei beim Ausbilden eines zweiten Bereiches in einer der zwei oder mehr elektrisch leitenden Schichten, ein zweiter Bereich in der anderen oder weiteren elektrisch leitenden Schichten ausgebildet wird. In einer Ausgestaltung des Ver ahrens kann die elektrisch leitende Schicht strukturiert ausgebildet werden derart, dass der zweite Bereich mit dem ersten Bereich ausgebildet wird. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der zweite Bereich nach dem Ausbilden des ersten Bereiches in dem ersten Bereich ausgebildet werden. Beispielsweise kann die elektrisch leitende Schicht nach dem Ausbilden, beispielsweise
Aufbringen, des Materials der elektrisch leitenden Schicht auf einem Substrat , strukturiert werden.
In einer Ausgestal ung des Verfahrens kann der zweite Bereich aus dem ersten Bereich ausgebildet werden. Beispielsweise kann das Material des ersten Bereiches in das Material des zweiten Bereiches umgewandelt werden. Beispielswiese kann aus der elektrisch leitenden Schicht mit elektrisch leitendem Bereich ein Bereich entfernt werden, wodurch der zweite
Bereich gebildet wird. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der zweite Bereich mittels eines Öffnens eines Bereiches der elektrisch
leitenden Schicht ausgebildet werden .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der zweite Bereich mittels einer Laserablation und/oder UV- Bestrahlung des ersten Bereiches ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verf hrens kann der zweite Bereich mittels eines chemischen Umwandeins eines Bereiches der elektrisch leitenden Schicht ausgebildet werden .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der zweite Bereich mittels eines Dotierens eines Bereiches der elektrisch leitenden Schicht ausgebildet werden .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Verfahren ferner ein Ausbilden einer Verkapselungsstruktur aufweisen derart , dass das optoelektronische Bauelement bezüglich wenigstens eines schädlichen Stoffs, beispielsweise Wasser und/oder Sauerstoff , hermetisch abgedichtet wird .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der zweite Bereich nach dem Ausbilden der Verkapselungsstruktur in der
elektrisch leitenden Schicht ausgebildet werden.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.
Es zeigen eine schematische Darstellung eines
optoelektronischen Bauelementes gemäß
verschiedenen Ausführungsbeispielen; ein Diagramm zum Herstellen eines
optoelektronischen Bauelementes gemäß
verschiedenen Ausführungsbeispielen; eine schematische Darstellung eines
optoelektronischen Bauelementes gemäß
verschiedenen Ausführungsbeispielen; Figuren 4A, B schematische Darstellungen eines
Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelementes ;
Figur 5 eine schematische Darstellung eines
Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen
Bauelementes ;
Figuren 6A, B schematische Darstellungen üblicher
optoelektronischer Bauelemente; und
Figur 7Ä-C schematische Darstellungen von
Ausführungsbeispielen eines optoelektronischen Bauelementes . In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische
Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann . I dieser Hinsicht wird
Richtungsterminologie wie etwa „oben", „unten", „vorne", „hinten" , „vorderes", „hinteres" , usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet. Da
Komponenten von Aus ührungsformen in einer Anzahl
verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Ve anschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend . Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen . Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben . Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der
Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert . Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe
"verbunden" , "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung . In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.
I verschiedenen Ausführungsformen werden optoelektronische Bauelemente beschrieben, wobei ein optoelektronisches
Bauelement einen optisch aktiven Bereich auf eist . Der optisch aktive Bereich eines optoelektronischen Bauelementes kann elektromagnetische Strahlung absorbieren und daraus einen Fotostrom ausbilden, d.h. umwandeln; oder mittels einer angelegten Spannung an den optisch aktiven Bereich
elektromagnetische Strahlung emittieren. In verschiedenen Ausführungsformen kann die elektromagnetische Strahlung einen Wellenlängenbereich aufweisen, der Röntgenstrahlung , UV- Strahlung (A-C) , sichtbares Licht und/oder Infrarot- Strahlung {A-C} aufweist .
Eine elektromagnetische Strahlung emittierende Struktur kann in verschiedenen Ausgestaltungen eine elektromagne ische Strahlung emittierende Halbleiter- Struktur sein und/oder als eine elektromagnetische Strahlung emittierende Diode , als eine organische elektromagnetische Strahlung emittierende Diode , als ein elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor oder als ein organischer elektromagnetische
Strahlung emittierender Transistor ausgebildet sein. Die
Strahlung kann beispielsweise Licht ( im sichtbaren Bereich) , UV-Strahlung und/oder Infrarot - Strahlung sein . In diesem Zusammenhang kann das elektromagnetische Strahlung
emittierende Bauelement beispielsweise als Licht emittierende Diode { light emitting diode, LED) als organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode , OLED) , als Licht emittierender Transistor oder als organischer Licht emittierender Transistor ausgebildet sein. Das
elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement kann in verschiedenen Ausgestaltungen Teil einer integrierten
Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von
elektromagnetische Strahlung emi11ierenden Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann ein
optoelektronisches Bauelement als eine organische Leuchtdiode (organic light emitting diode - OLED) , ein organischer
Feldeffekttransistor (organic f ield effect transistor OFET) und/oder eine organische Elektronik ausgebildet sein . Bei dem organischen Feldeffekttransistor kann es sich um einen sogenannten „all -OFET" handeln, bei dem alle Schichten organisch sind. Eine optoelektronische Struktur kann ein organisches funk ionelles Schichtensystem aufweisen, welches synonym auch als organische funktionelle Schichtenstruktur bezeichnet wird. Die organische funktioneile
Schichtenstruktur kann einen organischen Stoff oder ein organisches Stoffgemisch aufweisen oder daraus gebildet sein, der/das beispielsweise zum Bereitstellen einer
elektromagnetischen Strahlung aus einem bereitgestellten elektrischen Strom ausgebildet ist . Ein optoelektronisches Bauelement mit einem optisch aktiven Bereich kann eine oder mehrere optisch aktive Seiten
aufweisen . Ein flächiges Bauelement , welches zwei flächige, optisch aktive Seiten aufweist , kann in der
Verbindungsrichtung der optisch aktiven Seiten beispielsweise transparent oder transluzent ausgebildet sein. Ein flächiges Bauelement kann auch als ein planares Bauelement bezeichnet werden. Der optisch aktive Bereich kann j edoch auch eine flächige , optisch aktive Seite und eine flächige , optisch inaktive Seite aufweisen, beispielsweise eine organische Leuchtdiode , die als Top-Emitter oder Bottom-Emitter
ausgebildet st . Die optisch inaktive Seite kann
beispielsweise mit einer Spiegelstruktur, beispielsweise einer Spiegelstruktur mit einer elektrisch schaltbaren
Reflektivität und/oder einem opaken Stoff oder Stoffgemisch versehen sein, beispielsweise zur Wärmeverteilung; wodurch der Strahlengang des Bauelementes gerichtet v/erden kann.
Eine organische Leuchtdiode kann als ein Top-Emitter oder ein Bottom-Emitter ausgebildet sein . Bei einem Bottom-Emitter wird Licht aus dem elektrisch aktiven Bereich durch den
Träger emittiert . Bei einem Top-Emitter wird Licht aus der Oberseite des elektrisch aktiven Bereiches emittiert und nicht durch den Träger . Ein Top-Emitter und/oder Bottom-Emitter kann auch optisch transparent oder optisch transluzent ausgebildet sein, beispielsweise kann jede der nachfolgend beschriebenen Schichten oder Strukturen transparent oder transluzent ausgebildet sein.
Unter dem Begriff „transluzent" bzw. „transluzente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist,
beispielsweise für das von dem Lichtemittierenden Bauelement erzeugte Licht, beispielsweise einer oder mehrerer
Wellenlängenbereiche, beispielsweise für Licht in einem
Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) . Beispielsweise ist unter dem Begriff „trans 1 uzente Schicht" in verschiedenen Ausführungsbeispielen zu verstehen, dass im Wesentlichen die gesamte in eine
Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppe11e
Lichtmenge auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird, wobei ein Teil des Licht hierbei gestreut werden kann. Unter dem Begriff „transparent" oder „transparente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist
(beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des
Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) , wobei in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppeltes Licht ohne Streuung oder Lichtkonversion auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein
optoelektronisches Bauelement 100 bereitgestellt - veranschaulicht in Fig.1. Das optoelektronische Bauelement 100 kann beispielsweise als ein Fotodetektor, eine Solarzelle und/oder eine Leuchtdiode ausgebildet sein, beispielsweise als eine organische Leuchtdiode . Weiterhin kann das
optoelektronische Bauelement 100 flächig ausgebildet sein, beispielsweise als eine Flächenlichtquelle . Das optoelektronische Bauelement 100 kann ein hermetisch dichtes Substrat 102 , einen aktiven Bereich 106 und eine Verkapselungsstruktur 326 aufweisen (siehe auch Beschreibung unten in Ergänzung , beispielsweise Fig.3 ) .
Der aktive Bereich 106 ist ein elektrisch aktiver Bereich 106 und/oder ein optisch aktiver Bereich 106. Der aktive Bereich 106 ist beispielsweise der Bereich des optoelektronischen Bauelements 100 , in dem elektrischer Strom zum Betrieb des optoelektronischen Bauelements 100 fließt und/oder i dem elektromagnetische Strahlung erzeugt und/oder absorbiert wird.
Der elektrisch aktive Bereich 106 kann eine erste Elektrode 110 , eine organische funktionelle Schichtenstruktur 112 und eine zweiten Elektrode 114 aufweisen . Die organische
funktionelle Schichtenstruktur 112 ist elektrisch zwischen der ersten Elektrode 110 und der zweiten Elektrode 114 ausgebildet . Die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 ist zu einem Umwandeln eines elektrischen Stromes in eine elektromagnetische Strahlung und/oder zu einem Umwandeln einer elektromagnetischen Strahlung in einen elektrischen Strom ausgebildet . Die erste Elektrode 110 kann als Anode oder als Kathode ausgebildet sein .
Die erste Elektrode 110 kann eines der folgenden elektrisch leitfähigen Material aufweisen oder daraus gebildet werden : ein Metall; ein leitfähiges transparentes Oxid (transparent conductive oxide , TCO) ; ein Netzwerk aus metallischen
Nanodrähten und - teilchen, beispielsweise aus Ag, die
beispielsweise mit leitfähigen Polymeren kombiniert sind; ein Netzwerk aus Kohlenstoff -Nanoröhren, die beispielsweise mit leitfähigen Polymeren kombiniert sind; Graphen-Tei lchen und - Schichten; ein Netzwerk aus halbleitenden Nanodrähten; ein elektrisch leitfähiges Polymer; ein Übergangsmetalloxid;
und/oder deren Komposite . Die erste Elektrode 110 aus einem Metall oder ein Metall aufweisend kann eines der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: Ag, Pt , Au, Mg, AI, Ba, In, Ca, Sm oder Li , sowie Verbindungen,
Kombinationen oder Legierungen dieser Materialien . Die erste Elektrode 110 kann als transparentes leitfähiges Oxid eines der folgenden Materialien aufweisen: beispielsweise
Metalloxide : beis ielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium- Zinn-Oxid (ITO) . Neben binären Metallsauerstoff erbindungen, wie beispielsweise ZnO, Sn02 , oder 1^03 gehören auch ternäre
MetallsauerstoffVerbindungen, beispielsweise AlZnO, Z ^ nQ,!, CdSn03 , ZnSnÜ3 , Mgl^C^, GaInÜ3 , Ζη2ΐη2θ5 oder I 4Sn30_2 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs und können in verschiedenen
Ausführungsbeispielen eingesetzt werden . Weiterhin
entsprechen die TCOs nicht zwingend einer stöchioraetrisehen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein, bzw. lochleitend (p-TCO) oder elektronenleitend (n-TCO) sein .
Die erste Elektrode 110 kann eine Schicht oder einen
Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben Materials oder unterschiedlicher Materialien aufweisen. Die erste Elektrode 110 kann gebildet werden von einem Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs , oder umgekehrt . Ei Beispiel ist eine
Silberschicht , die auf einer Indium- Zinn-Oxid- Schicht ( ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag- ITO Multischichten . Die erste Elektrode 110 kann beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von 10 nm bis 500 nm,
beispielsweise von kleiner 25 nm bis 250 nm, beispielsweise von 50 nm bis 100 nm. Die erste Elektrode 110 kann einen ersten elektrischen
Anschluss aufweisen, an den ein erstes elektrisches Potential aniegbar ist . Das erste elektrische Potential kann von einer Energiequelle bereitgestellt werden, beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsquelle. Alternativ kann das erste elektrische Potential an einen elektrisch leitfähigen Träger 302 angelegt sein und die erste Elektrode 110 durch den Träger 302 mittelbar elektrisch zugeführt sein, Das erste elektrische Potential kann beispielsweise das Massepotential oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotential sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 ein, zwei oder mehr funktionelle Schichtens ruktur-Einheiten und eine , zwei oder mehr Zwischenschichtstruktur (en) zwischen den
Schichtenstx-uktur-Einheiten aufweisen (veranschaulicht in
Fig.3) .
Auf oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 oder gegebenenfalls auf oder über der einen oder den mehreren weiteren der organischen funk ionellen
Schichtenstruktur und/oder organisch funktionalen Schichten kann die zweite Elektrode 114 ausgebildet sein .
Die zweite Elektrode 114 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 110 ausgebildet sein, wobei die erste Elektrode 110 und die zweite Elektrode 114 gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein können . Die zweite Elektrode 114 kann als Anode , also als löcherinj izierende Elektrode ausgebildet sein oder als Kathode , also als eine
elektroneninj izierende Elektrode . Die zweite Elektrode 114 kann einen zweiten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein zweites elektrisches
Potential anlegbar ist . Das zweite elektrische Potential kann von der gleichen oder einer anderen Energiequelle
bereitgestellt werden wie das ers e elektrische Potential und/oder das optionale dritte elektrische Potential . Das zweite elektrische Potential kann unterschiedlich zu dem ersten elektrischen. Potential und/oder dem optional dritten elektrischen Potential sein. Das zweite elektrische Potential kann beispielsweise einen Wert aufweisen derart, dass die
Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungefähr 20 V aufweist, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2,5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 3 V bis ungefähr 12 V.
Die erste Elektrode 110, die zweite Elektrode 114 und die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 können
elektrisch leitfähig ausgebildet sein, beispielsweise
elektrisch leitend unter Betriebsbedingungen .
Das optoelektronische Bauelement 100 kann wenigstens eine flächige elektrisch leitende Schicht mit einem flächigen ersten Bereich und einem zweiten Bereich 120 aufweisen. Der erste Bereich weist eine erste elektrische Leitfähigkeit auf ; und der zweite Bereich eine zweite elektrische Leitf higkeit . Der zweite Bereich kann in dem ersten Bereich ausgebildet sein und aufgrund seiner zweiten elektrischen Leitfähigkeit eine definierte Stromverteilung in der elektrisch leitenden
Schicht bewirken. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite elektrische Leitfähigkeit geringer sein als die erste elektrische Leitfähigkeit und dadurch die definierte Stromverteilung einen Stromf luss in dem ersten Bereich aufweisen, so dass eine homogenere Stromverteilung in dem ersten Bereich ausgebildet ist bezüglich einer elektrisch leitenden Schicht ohne zweiten Bereich . In verschiedenen Ausführungsbeis ielen kann die zweite elektrische
Leitfähigkeit unterschiedlich sein zu der ersten elektrischen Leitf higkeit und dadurch die definierte Stromverteilung einen Stromf luss in dem ersten Bereich aufweisen, so dass eine vorgegebene Information in dem optisch aktiven Bereich darstellbar ist . In verschiedenen Ausführungsbeispielen können/kann die erste Elektrode 110 , die zweite Elektrode 114 und/ oder die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 die/eine elektrisch leitende Schicht sein oder eine
elektrisch leitende Schicht aufweisen . Der erste Bereich kann ein transparentes oder transluzentes elektrisch ieitfähiges Material aufweisen oder daraus gebildet sein. Das
transparente oder transluzente elektrisch leitfähige Material kann ein organischer Stoff oder ein organisches Stoffgemisch sein. Alternativ kann das transparente oder transluzente elektrisch leitfähige Material ein dünnes Metall oder ein Metalloxid (transparentes leitfähiges Oxid - TCO} sein oder aufweisen, beispielsweise ein p-TCO (lochleitendes TCO) oder n-TCO (elektronenleitendes TCO) . Beispielsweise kann die erste Elektrode 110 einen zweiten Bereich 12OC aufweisen. Beispielsweise kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 einen zweiten Bereich 12 OB aufweisen. Beispielsweise kann die zweite Elektrode 114 einen zweiten Bereich 120A aufweisen.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die elektrisch leitende Schicht zwei oder mehr elektrisch leitende Schichten aufweise . Die zwei oder mehr elektrisch leitenden Schichten können elektrisch miteinander verbunden sein . Die zwei oder mehr elektrisch leitenden Schichten können einen gemeinsamen körperlichen Kontakt aufweisen oder frei sein von einem gemeinsamen körperlichen Kontakt .
Beispielsweise können die organische funktionelle
Schichtenstruktur 112 und die erste Elektrode 110 einen zweiten Bereich 12OD aufweisen . Beispielsweise können die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 und die zweite Elektrode 114 einen zweiten Bereich 120 aufweisen.
Beispielsweise können die erste Elektrode 110 und die zweite Elektrode 114 einen zweiten Bereich 120 auf eisen.
Beispielsweise können die erste Elektrode 110 , die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 und die zweite Elektrode 114 einen zweiten Bereich 120E auf eisen. Mit anderen Worten: die elektrisch leitende Schicht kann eine erste elektrisch leitende Schicht und eine zweite elektrisch leitende Schicht aufweisen, wobei die erste elektrisch leitende Schicht einen ersten ersten Bereich und einen ersten zweiten Bereich aufweist , und wobei die zweite elektrisch leitende Schicht einen zweiten ersten Bereich und einen zweiten zweiten Bereich aufweist. Der erste zweite Bereich und der zweite zweite Bereich können gleich oder
unterschiedlich ausgebildet sein. Der erste erste Bereich und der zweite erste Bereich wenigstens teilweise parallele und/oder kongruente Teile aufweisen. Der erste zweite Bereich und der zweite zweite Bereich können derart bezüglich
einander ausgebildet sein, dass der Stromfluss in dem ersten ersten Bereich anders beeinflusst ist als im zweiten ersten Bereich. Der erste zweite Bereich und der zweite zweite
Bereich können derart bezüglich einander ausgebildet sein, dass der Stromfluss in den wenigstens teilweise parallelen und/oder kongruenten Teilen in dem ersten ersten Bereich anders beeinflusst ist als im zweiten ersten Bereich.
Beispielsweise kann der erste zweite Bereich und der zweite zweite Bereich übereinander ausgebildet sein und eine gleiche elektrisch Leitfähigkeit aufweisen. Mit anderen Worten : der zweite Bereich 120 kann in dem flächigen ersten Bereich ausgebildet sein derart , dass der zweite Bereich 120 den Stromfluss bzw. den Strompfad in dem flächigen ersten Bereich beeinflusst . Beispielsweise kann der zweite Bereich 120 die Leitfähigkeit in der Fläche des ersten Bereiches beeinflussen, beispielsweise unterbrechen,
beispielsweise lateral in der elektrisch leitenden Schicht und/oder im zweiten Bereich durch die elektrisch leitende Schicht. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der zweite
Bereich 120 elektrisch nicht-leitend ausgebildet sein . Der elektrisch nicht - leitende zweite Bereich 120 kann einen dielektrischen Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein. Alternativ kann der elektrisch nicht-leitende zweite Bereich 120 einen elektrisch leitfähigen Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein. Beispielsweise kann der zweite Bereich 120 als ein geöffneter Bereich der elektrisch leitenden Schicht ausgebildet sein . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der zweite
Bereich 120 elektrisch leitend ausgebildet sein. Die
elektrische Leitfähigkeit des elektrisch leitenden zweiten Bereiches 120 kann höher oder niedriger sein als die
elektrische Leitfähigkeit des ersten Bereiches, soweit dies für die eweilige Anwendung des zweiten Bereiches sinnvoll ist . In einem Ausführungsbeispiel kann der zweite Bereich 120 aus dem ersten Bereich ausgebildet sein, beispielsweise in dem ein Teil des ersten Bereiches geöffnet, degradiert oder dotiert wird. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der erste Bereich den zweiten Bereich 120 umgeben, beispielsweise lateral .
In einem Ausführungsbeispiel kann der zweite Bereich 120 derart in dem ersten Bereich ausgebildet sein, dass eine vorgegebene Information in dem optisch aktiven Bereich darstellbar ist . Die darstellbare vorgegebene Information kann beispielsweise ein Schriftzug, ein Ideogramm, ein Symbol und/oder ein Piktogramm sein. Beispielsweise kann der zweite Bereich derart ausgebildet sein, dass ein flächiger Strompfad eines Stromes in dem flächigen ersten Bereich in einen linienförmigen Strompfad des Stromes beeinflusst ist. Beispielsweise kann der zweite Bereich derart ausgebildet sein, dass der linienförmige Strompfad eine der folgenden geometrischen Formen aufweist : ein Mäander, eine Spirale, eine Hyperbel .
In verschiedenen Ausführungsformen wi d ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes 100 (siehe oben) bereitgestellt (veranschaulicht in Fig.2) . Das
Verfahren kann ein Ausbilden einer ersten Elektrode 110 und ein Ausbilden einer organischen funktionellen
Schichtenstruktur 112 auf oder über der ersten Elektrode 110 aufweisen . Die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 kann zu einem Umwandeln eines elektrischen Stromes in eine elektromagnetische Strahlung und/oder zu einem Umwandeln einer elektromagnetischen Strahlung in einen elektrischen Strom ausgebildet werden . Weiterhin kann das Verfahren 110 ein Ausbilden einer zweiten Elektrode 114 auf oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 114 aufweisen.
Das Ausbilden der ersten Elektrode , das Ausbilden der zweiten Elektrode und/oder das Ausbilden der organischen
funktionellen Schichtenstruktur kann ein Ausbilden 200 einer elektrisch leitenden Schicht aufweisen .
Die elektrisch leitende Schicht kann mit einem ersten Bereich ausgebildet 202 werden . Der erste Bereich weist eine erste elektrische Leitfähigkeit auf . Weiterhin kann das Ausbilden 200 der elektrisch leitenden Schicht ein Ausbilden 204 eines zweiten Bereiches 120 auf eisen (siehe Fig.l), der eine zweite elektrische Leitfähigkeit auf eist . Die zweite elektrische Leitfähigkeit ist unterschiedlich zu der ersten elektrischen Leitfähigkeit . Der zweite Bereich 120 kann in dem ersten Bereich ausgebildet werden. Aufgrund der zu der ersten elektrischen Leitfähigkeit unterschiedlichen zweiten elektrischen Leitfähigkeit kann eine definierte
Stromverteilung in der elektrisch leitenden Schicht bewirkt werden . Dadurch kann der Stromfluss in dem ersten Bereich beeinflusst werden.
I verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite elektrische Leitfähigkeit geringer sei als die erste elektrische Leitfähigkeit und dadurch die definierte
Stromverteilung einen Stromfluss in dem ersten Bereich aufweisen, so dass eine homogenere Stromverteilung in dem ersten Bereich ausgebildet wird bezüglich einer elektrisch leitenden Schicht ohne zweiten Bereich .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite elektrische Leitfähigkeit unterschiedlich sein zu der ersten elektrischen Leitfähigkeit und dadurch die definierte
Stromverteilung einen Stromfluss in dem ersten Bereich aufweisen, so dass eine vorgegebene Information in dem optisch aktiven Bereich darstellbar wird,
Die elektrisch leitende Schicht kann mit zwei oder mehr elektrisch leitenden Schichten ausgebildet werden .
Beispielsweise kann die elektrisch leitende Schicht mit einer ersten elektrisch leitenden Schicht und einer zweiten
elektrisch leitenden Schicht ausgebildet werden, wobei die erste elektrisch leitende Schicht mit einem ersten ersten Bereich und einem ersten zweiten Bereich 120 ausgebildet wird, und wobei die zweite elektrisch leitende Schicht mit einem zweiten ersten Bereich und einem zweiten zweiten
Bereich 120 ausgebildet wird. Der erste erste Bereich und der zweite erste Bereich können derart ausgebildet werden, dass sie wenigstens teilweise parallele und/oder kongruente Teile aufweisen. Der erste zweite Bereich 120 und der zweite zweite Bereich 120 können derart bezüglich einander ausgebildet werden, dass der Stromfluss in dem ersten ersten Bereich anders beeinflusst ist als im zweiten ersten Bereich . In einer Ausgestaltung können der erste zweite Bereich und der zweite zweite Bereich derart bezüglich einander ausgebildet werden, dass der Stromfluss in den wenigstens teilweise parallelen und/oder kongruenten Teilen in dem ersten ersten Bereich anders beeinflusst ist als im zweiten ersten Bereich .
Der erste Bereich kann ein transparentes oder transluzentes elektrisch leitfähiges Material aufweisen oder daraus
gebildet v/erden. Beispielswiese kann das transparente oder transluzente elektrisch leitfähige Material ein organischer Stoff oder ein organisches Stoffgemisch; oder ein Metalloxid sein oder aufweisen . In einem Ausführungsbeispiel des Verfahrens kann der zweite Bereich 120 elektrisch nicht-leitend ausgebildet werden .
Beispielsweise kann der elektrisch nicht- leitende zweite Bereich einen dielektrischen Stoff ; oder einen elektrisch leitfähigen Stoff aufweisen oder daraus gebildet werden.
Beispielsweise kann der zweite Bereich 120 als ein geöffneter Bereich der elektrisch leitenden Schicht ausgebildet werden. In einem Ausführungsbeispiel des Verfahrens kann der zweite Bereich 120 elektrisch leitend ausgebildet werden.
Beispielsweise kann die elektrisch leitende Schicht derart ausgebildet werden, dass die elektrische Leitfähigkeit des zweiten Bereiches höher oder niedriger ist als die
elektrische Leitfähigkeit des ersten Bereiches , soweit dies für die jeweilige Anwendung des optoelektronischen
Bauelementes sinnvoll ist .
Die elektrisch leitende Schicht kann mit zwei oder mehr elektrisch leitenden Schichten ausgebildet werden . Beim
Ausbilden eines zweiten Bereiches in einer der zwei oder mehr elektrisch leitenden Schichten kann ein zweiter Bereich in der anderen elektrisch leitenden Schicht oder weiteren elektrisch leitenden Schichten ausgebildet werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens kann die elektrisch leitende Schicht strukturiert ausgebildet werden derart , dass der zweite Bereich mit dem ersten Bereich ausgebildet wird, d.h. gleichzeitig oder parallel .
In verschiedenen Ausführungsbei pielen des Verfahrens kann der zweite Bereich 120 nach dem Ausbilden des ersten
Bereiches in dem ersten Bereich ausgebildet werden . In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens kann der zweite Bereich 120 aus dem ersten Bereich ausgebildet werden . Beispielsweise kann der zweite Bereich mittels eines Öffnens eines Bereiches der elektrisch leitenden Schicht ausgebildet werden. Alternativ kann der zweite Bereich 120 mittels einer Laserablation und/oder UV-Bestrahlung des ersten Bereiches ausgebildet werden. Beispielsweise kann der zweite Bereich mittels eines chemischen Umwandeins eines Bereiches der elektrisch leitenden Schicht ausgebildet werden, beispielsweise mittels einer Degradation des
Materials des ersten Bereiches. Alternativ kann der zweite Bereich 120 mittels eines Dotierens eines Bereiches der
elektrisch leitenden Schicht ausgebildet werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens kann das Verfahren ferner ein Ausbilden einer
Verkapselungsstruktur 328 (siehe Fig.3} aufweisen derart, dass das optoelektronische Bauelement bezüglich wenigstens eines schädlichen Stoffs, beispielsweise Wasser und/oder
Sauerstoff , hermetisch abgedichtet wird. Der zweite Bereich 120 kann beispielsweise nach dem Ausbilden der
Verkapselungsstruktur 328 in der elektrisch leitenden Schicht ausgebildet werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens kann die elektrisch leitende Schicht derart ausgebildet werden, dass der erste Bereich den zweiten Bereich 120 umgibt,
beispielsweise lateral.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens kann der zweite Bereich 120 derart in dem ersten Bereich
ausgebildet werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens kann die darstellbare vorgegebene Information ein Schriftzug, ein Ideogramm, ein Symbol und/oder ein Piktogramm sein .
Beispielsweise kann der zweite Bereich 120 derart ausgebildet werden, dass ein flächiger Strompfad eines Stromes in dem flächigen ersten Bereich in einen linienförmigen Strompfad des Stromes beein iusst wird . Beispielsweise kann der zweite Bereich 120 derart ausgebildet werden, dass der linienförmige. Strompfad eine der folgenden geometrisch Formen aufweist : ein Mäander, eine Spirale , eine Hyperbel .
In einem Ausführungsbeispiel kann der zweite Bereich 120C mittels eines Strukturierens der ersten Elektrode 110 mit ITO ausgebildet werden, bevor die organische funktionelle
Schichtenstruktur 112 ausgebildet wird.
In einem Ausführungsbeispiel kann der zweite Bereich mittels eines Strukturierens nach dem Ausbilden des
optoelektronischen Bauelementes ausgebildet werden,
beispielsweise mittels einer Laserabiation, einem Ätzen, beispielsweise chemisch oder mittels eines Plasmas; oder mechanisch, beispielsweise mittels eines Kratzens,
In einem Ausführungsbeispiel kann der zweite Bereich mittels eines strukturierten Ausbildens der elektrisch leitenden Schicht ausgebildet werden, beispielsweise indem das Material des ersten Bereiches und/oder des zweiten Bereiches durch Masken erfolgt .
In einem Ausführungsbeispiel kann das Verfahren 200 eine Kombination der genannten Verfahren aufweisen. In verschiedenen Ausführungsbeispielen, kann das hermetisch dichte Substrat 102 einen Träger 302 und eine erste
Barriereschicht 304 aufweisen (veranschaulicht in Fig.3) .
Der Träger 302 kann Glas, Quarz, und/oder ein
Halbleitermaterial aufweisen oder daraus gebildet sein.
Ferner kann der Träger eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolef ine (beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder Polypropylen (PP) ) aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Kunststoff
Polyvinylchlorid (PVC) , Polystyrol (PS) , Polyester und/oder Polycarbonat { PC) , Polyethylenterephthalat (PET) ,
Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Träger 302 kann ein Metall aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Kupfer, Silber, Gold, Platin, Eisen, beispielsweise eine MetallVerbindung, beispielsweise Stahl . Der Träger 302 kann opak, transluzent oder sogar transparent ausgeführt sein.
Der Träger 302 kann ein Teil einer Spiegelstruktur sein oder diese bilden .
Der Träger 302 kann einen mechanisch rigiden Bereich und/oder einen mechanisch flexiblen Bereich aufweisen oder derart ausgebildet sein, beispielsweise als eine Folie . Der Träger 302 kann als Wellenleiter für e1ektromagnetische Strahlung ausgebildet sein, beispielsweise transparent oder transluzent sein hinsichtlich der emittierten oder
absorbierten elektromagnetischen Strahlung des
optoelektronischen Bauelementes 100.
Die erste Barriereschicht 304 kann eines der nachfolgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein :
Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid,
Hafniumoxid, Tantaloxid, Lanthaniumoxid, Siliziumoxid,
Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid,
Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, Poly (p- phenylenterephthalamid) , Nylon 66, sowie Mischungen und
Legierungen derselben. Die erste Barriereschicht 304 kann mittels eines der
folgenden Verfahren ausgebildet werden: ein
Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD) ) , beispielsweise eines plasmaunterstützten
Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) ) oder ein plasmaloses
Atomlageabscheideverfahren (Plasma-less Atomic Layer
Deposition (PLALD) ) ; ein chemisches
Gasphasenabscheideverfahren (Chemical Vapor Deposition (CVD) ) , beispielsweise ein plasmaunterstü ztes
Gasphasenabscheideverfahren (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) ) oder ein plasmaloses
Gasphasenabscheideverfahren ( Plasma- less Chemical Vapor
Deposition (PLCVD) } ; oder alternativ mittels anderer
geeigneter Abscheideverfahren .
Bei einer ersten Barriereschicht 304, die mehrere
Teilschichten aufweist, können alle Teilschichten mittels eines AtomlagenabscheideVerfahrens gebildet werden. Eine
Schichtenfolge, die nur ALD-Schichten aufweist, kann auch als „Nanolaminat" bezeichnet werden.
Bei einer ersten Barriereschicht 304, die mehrere
Teilschichten aufweist, können eine oder mehrere
Teilschichten der ersten Barriereschicht 304 mittels eines anderen Abscheideverfahrens als einem
Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden,
beispielsweise mittels eines Gasphasenabscheideverfahrens .
Die erste Barriereschicht 304 kann eine Schichtdicke von ungefähr 0,1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm
aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm gemäß einer Ausgestaltung ,
beispielsweise ungefähr 40 nm gemäß einer Ausgestaltung .
Die erste Barriereschicht 304 kann ein oder mehrere
hochbrechende Materialien aufweisen, beispielsweise ein oder mehrere Material ( ien) mit einem hohen Brechungs index, beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2.
Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen
Ausführungsbeispielen auch ganz auf eine erste
Barriereschicht 304 verzichtet werden kann, beispielsweise für den Fall, dass der Träger 302 hermetisch dicht
ausgebildet ist, beispielsweise Glas , Metall , Metalloxid aufweist oder daraus gebildet ist . Die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 kann beispielsweise eine erste organische funktionelle
Schichtenstruktur-Einheit 316, eine Zwischenschichtstruktur 318 und eine zweite organische funktionelle
Schichtenstruktur-Einheit 320 aufweisen.
In Fig.3 ist ein optoelektronisches Bauelement 100 mit einer ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 316 und einer zweite organischen funktionellen
Schichtenstruktur-Einheit 320 veranschaulicht.. In
verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 aber auch mehr als zwei organische funktionelle Schichtenstrukturen aufweisen, beispielsweise 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, oder sogar mehr, beispielsweise 15 oder mehr, beispielsweise 70.
Die erste organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 316 und die optional weiteren organischen funktionellen
Schichtenstrukturen können gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein, beispielsweise ein gleiches oder
unterschiedliches Emittermaterial aufweisen. Die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 320, oder die weiteren organischen f nktionellen Schichtenstruktur- Einheiten können wie eine der nachfolgend beschriebenen
Ausgestaltungen der ersten organischen funktionellen
Schichtenstruktur-Einheit 316 ausgebildet sein. Die erste organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 316 kann gemäß einer der Ausgestaltung der organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 ausgebildet sein und umgekehrt.
Die erste organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 316 kann eine Lochinjektionsschicht, eine
Lochtransportschicht, eine Emitterschicht, eine
Elektronentransportschicht und eine
Elektroneninjektionsschicht aufweisen.
In einer organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 112 kann eine oder mehrere der genannten Schichten vorgesehen sein, wobei gleiche Schichten einen körperlichen Kontakt aufweisen können, nur elektrisch miteinander verbunden sein können oder sogar elektrisch voneinander isoliert ausgebildet sein können, beispielsweise nebeneinander ausgebildet sein können. Einzelne Schichten der genannten Schichten können optional sein.
Eine Lochinjektionsschicht kann auf oder über der ersten Elektrode 110 ausgebildet sein. Die Lochinjektionsschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein; HAT-CN, Cu(I)pFBz, MoOx, W0X, VOx, ReOx, F4-TCNQ, NDP-2 , NDP-9, Bi (III)pFBz, F16CuPC; NPB (Ν,Ν' - Bis (naphthalen-l-yl} -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; beta-NPB Ν,Ν' -Bis (naphthalen-2-yl) -N,N* -bis (phenyl) -benzidin) ; TPD (N, N ' -Bis { 3 -methylphenyl) -N, N ' -bis (phenyl) -benzidin) Spiro TPD (Ν,Ν' -Bis (3 -methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -spiro) ; DMFL-TPD Ν,Ν' -Bis ( 3 -methylphenyl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9- dimethyl-fluoren) ; DMFL-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' - bis (phenyl) -9, 9 -dimethyl - fluoren) ; DPFL-TPD (N, N ' -Bis (3- methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl- fluoren) ; DPFL- NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl- fluoren) Spiro-TAD (2,2' ,7,7' -Tetrakis (n, n-diphenylamino) - 9,9 ' -spirobifluoren) ; 9, -Bis [4- (N, N-bis -biphenyl -4 -yl- amino) henyl] -9H- luoren; 9 , 9-Bis [4- (N, N-bis-naphthalen-2 -yl- amino) henyl] - 9H- fluoren; 9 , 9-Bis [4- (N, N 1 -bis-naphthalen-2 - yl-N, ' -bis-phenyl -amino) -phenyl] -9H-fluor ;
N, N ' -bis (phenanthren- -yl ) -N , ' -bis (phenyl) -benzidin
2, 7-Bi [N, -bis (9, 9-spiro-bifluorene-2-yl) -amino] -9, 9-spiro- bifluoren; 2,2' -Bis [N, -bis (biphenyl - -yl) amino] 9, 9-spiro- bifluoren; 2,2' -Bis (N, N-di-phenyl -amino) 9 , 9-spiro-bifluoren; Di- [4 - (N, -ditoly1-amino) -phenyl] cyclohexan;
2 , 2 ' , 7 , 7 ' -tetra (N, N-di-tolyl) amino-spiro-bifluoren; und/oder N, Ν,Ν' ,Ν' - tetra-naphthalen- 2 -yl-benzidin .
Die Lochinjektionsschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 1000 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 30 nm bis ungefähr 300 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 200 nm. Auf oder über der Lochinjektionsschicht kann eine
Lochtransportschicht ausgebildet sein. Die
Lochtransportschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NPB (Ν,Ν'- Bis (naphthalen-l-yl) -N, ' -bis (phenyl) -benzidin) ; beta-NPB Ν,Ν' -Bis (naphthalen-2-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; TPD
(Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -N, N 1 -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro TPD (Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -N, ' -bis (phenyl) -spiro) ; DMFL-TPD Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9,9™ dimethyl-fluoren) ; DMFL-NPB (N, N ' -Bis (naphthalen-l-yl) -N, ' - bis (phenyl) - 9 , 9-dimethyl- fluoren) ; DPFL-TPD (Ν,Ν' -Bis (3- methylpheny1 ) -N, ' -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl- fluoren) ; DPFL- NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bi (phenyl) -9, 9-diphenyl- fluoren) ; Spiro-TAD (2 , 2 ' , 7 , 7 ' -Tetrakis (n, n-diphenylamino) - 9,9 ' -spirobifluoren) 9, 9-Bis [4- (N, N-bis-biphenyl-4 -yl- amino) henyl] -9H-fluoren; 9, 9-Bis [4- (N, N-bis -naphthalen- 2 -yl- amino) phenyl] - 9H- fluoren ; 9, 9-Bis [4- (N, N ' -bis-naphthalen-2 - yl -N, N ' -bis-phenyl-amino) -phenyl] -9H-fluor;
N, N ' -bis (phenanthren- 9 -yl ) -N, N' -bis (phenyl) -benzidin; 2,7- Bis [N( -bis (9, 9 - spiro-bifluorene- 2 -yl ) -amino] -9, 9-spiro- bifluoren; 2,2' -Bis [N, -bis (biphenyl-4-yl) amino] 9 , 9-spiro- bifluoren; 2,2' -Bis (N, N-di-phenyl-amino) 9, 9 -spiro-bifluoren; Di- [4 - (N, -ditolyl -amino) -phenyl] cyclohexan; 2 , 21 , 7 , 7 ' - tetra (N, N-di - tolyl ) amino- spiro-bifluoren; und N,
Ν,Ν' ,Ν' -tetra-naphthalen-2-yl-benzidin, ein tertiäres Amin, ein Carbazolderivat , ein leitendes Polyanilin und/oder
Polyethylendioxythiophen.
Die Lochtransportschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem. Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm,
beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm . Auf oder über der LochtransportSchicht kann eine Emitterschicht ausgebildet sein. Jede der organischen
funktionellen Schichtenstruktur-Einheiten 316, 320 kann jeweils eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen,
beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder
phosphoreszierenden Emitter .
Eine Emitterschicht kann organische Polymere, organische Oligomere , organische Monomere, organische kleine, nicht- polymere Moleküle („small molecules" ) oder eine Kombination dieser Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein.
Das optoelektronische Bauelement 100 kann in einer
Emitterschient eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein : organische oder
organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (beispielsweise 2- oder 2,5- substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe , beispielsweise Iridium- Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis (3 , 5-difluoro-2 - ( 2 -pyridyl) phenyl- (2- carboxypyridy1) - iridium III } , grün phosphoreszierendes
Ir (ppy) 3 (Tris ( 2 -phenylpyridin) iridium III) , rot
phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy) 3*2 (PFg ) (Tris [ , 4 ' -di-tert- butyl- (2,2' 5 -bipyridin] ruthenium (III) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4 , 4-Bis [4- (di-p- tolylamino) styryl] biphenyl) , grün fluoreszierendes T PA
(9, 10-Bis [N, N-di- (p-tolyl) -amino] anthracen) und rot
fluoreszierendes DCM2 (4 -Dicyanomethylen) -2-methyl-6- julolidyl- 9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter .
Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar. Ferner können
Polymeremitter eingesetzt werden, welche beispielsweise mittels eines nasschemischen Verfahrens abscheidbar sind, wie beispielsweise einem Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating) . Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein, beispielsweise einer
technischen Keramik oder einem Polymer, beispielsweise einem Epoxid; oder einem Silikon.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Emitterschicht eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm.
Die Emitterschicht kann einfarbig oder verschiedenfarbig { zum Beispiel blau und. gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien aufweisen. Alternativ kann die
Emitterschicht mehrere Teilschichten aufweisen, die Licht unterschiedlicher Farbe emittieren. Mittels eines Mischens der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren . Alternativ kann auch vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert , so dass sich aus einer (noch nicht weißen) PrimärStrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt .
Die organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 316 kann eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen, die als Lochtransportschicht ausgeführt ist/ sind .
Weiterhin kann die organische funktionelle Schichtenstruktur- Einheit 316 eine oder mehrere Emi terschichten aufweisen, die als Elektronentransportschicht ausgeführt ist/sind. Auf oder über der Emitterschicht kann eine
Elektronentransportschicht ausgebildet sein, beispielsweise abgeschieden sein . Die Elektronentransportschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NET- 18 ; 2, 2', 2" -(1,3, 5-Benzinetriyl) -tris (1-phenyl-l-H- benzimidazole) ; 2- (4 -Biphenylyl) -5- (4 - tert-butylphenyl) - 1,3 , 4 -oxadiazole , 2 , 9-Dimethyl-4 , 7-diphenyl-l, 10 - phenanthroline (BCP) ; 8 -Hydroxyquinolinolato- lithium, 4- (Naphthalen-l-yl) -3 , 5-diphenyl-4H-l, 2 , -triazole ; 1, 3-Bis [2- (2,2' -bipyridine-6 -yl) -1,3, 4 -oxadiazo- 5 -yl] benzene ; 4,7- Diphenyl-1 , 10 -phenanthroline (BPhen) ; 3- (4 -Biphenylyl) -4- phenyl - 5 - tert-butylphenyl -1,2,4- triazole ; Bis ( 2 -methyl - 8 - quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminium; 6 , 61 -Bis [5- (biphenyl-4-yl) -1,3, 4 -oxadiazo- 2 -yl] -2,2' -bipyridyl ; 2- phenyl - 9 , 10-di (naphthalen- 2 -yl } -anthracene ; 2 , 7-Bis [2- (2 , 2 ' - bipyridine - 6 -yl ) -1,3, 4 -oxadiazo- 5 -yl] - 9 , 9 -dimethylfluorene ; 1 , 3 -Bis [2 - (4 -tert-butylphenyl) -1,3 , 4 -oxadiazo- 5 -yl] benzene ; 2 - (naphthalen- 2 -yl ) - , 7-diphenyl-l, 10 -phenanthroline ; 2,9- Bis (naphthalen- 2 -yl ) -4 , 7-diphenyl-l, 10 -phenanthroline ;
Tris (2,4, 6-trimethyl-3- (pyridin- 3 -yl ) phenyl ) borane ; 1 -methyl - 2 - (4 - (naphthalen- 2 -yl) phenyl) - 1H- imidazo [4 , 5- f] [1 , 10] phenanthrolin; Phenyl -dipyrenylphosphine oxide ;
Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide ;
Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide ; und
Stoffen basierend auf Silolen mit einer
Silacyclopentadieneinheit .
Die Elektronentransportschicht kann eine Schichtdicke
aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm.
Auf oder über der Elektronentransportschicht kann eine
Elektroneninj ektionsschicht ausgebildet sein . Die
Elektroneninj ektionsschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein : NDN-26, MgAg, Cs2C03 , CS3PO4, Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, LiF; 2,2' , 2 " -(1,3, 5-Benzinetriyl) -tris ( 1 -phenyl- 1 -H- benzimidazole) ; 2- (4 -Biphenylyl) -5- (4 - tert -butylpheny1 ) - 1, 3 , 4-oxadiazole, 2, 9 -Dimethyl-4 , 7 -diphenyl- I, 10- phenanthroline (BCP) ; 8 -Hydroxyquinolinolato-lithium, 4- (Naphthaien-l-yl) -3 , 5 -diphenyl -4H- 1 , 2 , 4 - riazole ; 1, 3-Bis [2- (2,2· -bipyridine- 6-yl) -1,3, -oxadiazo- 5 -yl] benzene; 4,7- Diphenyl- 1, 10 -phenanthroline (BPhen) ; 3- (4 -Biphenylyl) -4- phenyl-5-tert-butylphenyl- 1 , 2 , 4-triazole; Bis (2 -methyl - 8 - quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminium; 6,6' -Bis [5- (biphenyl-4 -yl) -1,3,4 -oxadiazo-2-yl] -2,2' -bipyridyl; 2- phenyl-9 , 10-di (naphthalen- 2 -y1 ) -anthracene; 2 , 7-Bis [ 2 - ( 2 , 2 ■ - bipyridine - 6 -yl } -1,3 , -oxadiazo- 5 -yl] -9 , 9-dime hylfluorene ; 1, 3-Bis [2 - (4 - tert-butylphenyl) -1,3, 4 -oxadiazo- 5 -yl] benzene; 2- (naphthalen-2-yl) - , -diphenyl- 1 , 10 -phenanthroline ; 2,9- Bis (naphthalen-2 -yl) -4 , 7-diphenyl -1 , 10 -phenanthroline ;
Tris (2,4, 6~trimethyl-3- (pyridin- 3 -yl ) phenyl ) borane ; 1-methyl- 2- (4- (naphthalen-2-yl) henyl) -lH-imidazo [ , 5- f] [1, 10] phenanthroline; Phenyl -dipyrenylphosphine oxide;
Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide ,· Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide; und Stoffen basierend auf Silolen mit einer
Silacyclopentadieneinheit .
Die Elektroneninj ektionsschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 200 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungef hr 20 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise ungef hr 30 nm.
Bei einer organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 mit zwei oder mehr organischen funktionellen Schichtenstruktur- Einheiten 316, 320, kann die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 320 über oder neben der ersten funktionellen Schichtenstruktur-Einheiten 316 ausgebildet sein. Elektrisch zwischen den organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheiten 316 , 320 kann eine
Zwischenschichtstruktur 318 ausgebildet sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Zwischenschichtstruktur 318 als eine Zwischenelektrode 318 ausgebildet sein, beispielsweise gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 110 , Eine
Zwischenelektrode 318 kann mit einer externen Spannungsquelle elektrisch verbunden sein. Die externe Spannungsquelle kann an der Zwischenelektrode 318 beispielsweise ein drittes elektrisches Potential bereitstellen. Die Zwischenelektrode 318 kann jedoch auch keinen externen elektrischen Anschluss aufweisen, beispielsweise indem die Zwischenelektrode ein schwebendes elektrisches Potential aufweist. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Zwischenschichtstruktur 318 als eine Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schichtenstruktur 318 (charge generation layer CGL) ausgebildet sein. Eine Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schichtenstruktur 318 kann eine oder mehrere
elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (en) und eine oder mehrere lochleitende Ladungsträgerpaar- Erzeugung- Schicht (en) aufweisen. Die elektronenleitende
Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (en) und die lochleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (en) können jeweils aus einem intrinsisch leitenden Stoff oder einem Dotierstoff in einer Matrix gebildet sein. Die Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schichtenstruktur 318 sollte hinsichtlich der Energieniveaus der elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schicht (en) und der lochleitenden Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schicht (en) derart ausgebildet sein, dass an der Grenzfläche einer elektronenleitenden Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schicht mit einer lochleitenden Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schicht ein Trennung von Elektron und Loch erfolgen kann. Die Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur 318 kann ferner zwischen benachbarten Schichten eine
Diffusionsbarriere aufweisen.
Jede organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 316, 320 kann beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von maximal ungefähr 3 μτπ, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 μτη, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm. Das optoelektronische Bauelement 100 kann optional weitere organische funktionalen Schichten aufweisen, beispielsweise angeordnet auf oder über der einen oder mehreren
Emitterschichten oder auf oder über der oder den
Elektronentransportschicht (en) . Die weiteren organischen funktionalen Schichten können beispielsweise interne oder extern Einkoppe1- /AuskoppeIstrukturen sein, die die
Funktionalität und damit die Effizienz des optoelektronischen Bauelements 100 weiter verbessern.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Verkapselungsstruktur 328 eine zweite Barriereschicht 308, eine schlüssige Verbindungsschicht 322 und eine Abdeckung 324 aufweisen (veranschaulicht in Fig.3). Auf der zweiten Elektrode 114 kann die zweite Barriereschicht 308 ausgebildet sein.
Die zweite Barriereschicht 308 kann auch als
Dünnschichtverkapselung (thin film encapsula ion TFE)
bezeichnet werden. Die zweite Barriereschicht 308 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Barriereschicht 304 ausgebildet sein.
Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen
Ausführungsbeispielen auch ganz auf eine zweite
Barriereschicht 308 verzichtet werden kann. In solch einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement 100 beispielsweise eine weitere Verkapselungsstruktur aufweisen, wodurch eine zweite Barriereschicht 308 optional werden kann, beispielsweise eine Abdeckung 324, beispielsweise eine
Kavitätsglasverkapselung oder metallische Verkapselung.
Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen
zusätzlich noch eine oder mehrere Ein-/Auskoppelschichten in dem optoelektronischen Bauelementes 100 ausgebildet sein, beispielsweise eine externe Auskoppelfolie auf oder über dem Träger 302 (nicht dargestellt ) oder eine interne
Auskoppelschicht (nicht dargestellt) im Schichtenquerschnitt des optoelektronischen Bauelementes 100. Die Ein- /Auskoppelschient kann eine Matrix und darin verteilt
Streuzentren aufweisen, wobei der mittlere Brechungsindex der Ein- /Auskoppelschicht größer oder kleiner ist als der
mittlere Brechungsindex der Schicht, aus der die
elektromagnetische Strahlung bereitgestellt wird. Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen zusätzlich eine oder mehrere Entspiegelungsschichten (beispielsweise
kombiniert mit der zweiten Barriereschicht 308) in dem optoelektronischen Bauelement 100 vorgesehen sein.
In verschiedenen Ausführungsbei spielen kann auf oder über der zweiten Barriereschicht 308 eine schlüssige
Verbindungsschicht 322 vorgesehen sein, beispielsweise aus einem Klebstoff oder einem Lack. Mittels der schlüssigen VerbindungsSchicht 322 kann eine Abdeckung 324 auf der zweiten Barriereschicht 308 schlüssig verbunden werden, beispielsweise aufgeklebt sein. Eine schlüssige Verbindungsschicht 322 aus einem
transparenten Material kann beispielsweise Partikel
aufweisen, die elektromagnetische Strahlung streuen,
beispielsweise lichtstreuende Partikel. Dadurch kann die schlüssige Verbindungsschicht 322 als Streuschicht wirken und zu einer Verbesserung des Farbwinkelverzugs und der
Auskoppeleffizienz führen.
Als lichtstreuende Partikel können dielektrische
Streupartikel vorgesehen sein, beispielsweise aus einem
Metalloxid, beispielsweise Siliziumoxid (S1O2) , Zinkoxid
(ZnO) , Zirkoniumoxid (ZrC>2) , Indium- Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid ( IZO) , Galliumoxid (Ga20x) Aluminiumoxid, oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der schlüssigen Verbindungsschicht 322 verschieden ist, beispielsweise Luftblasen, Acrylat, oder Glashohlkugeln. Ferner können, beispielsweise metallische Nanopartikel , Metalle wie Gold, Silber, Eisen-Nanopartikel , oder dergleichen als lichtstreuende Partikel vorgesehen sein.
Die schlüssige Verbindungsschient 322 kann eine Schichtdicke von größer als 1 μτη aufweisen, beispielsweise eine
Schichtdicke von mehreren μπι. In verschiedenen
Äusführungsbeispielen kann die schlüssige Verbindungsschicht 322 einen Laminations- Klebstoff aufweisen oder ein solcher sein.
In verschiedenen Ausführungsbeis elen kann zwischen der zweiten Elektrode 114 und der schlüssigen VerbindungsSchicht 322 noch eine elektrisch isolierende Schicht (nicht
dargestellt) aufgebracht werden oder sein, beispielsweise SiN, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 300 nm bis ungefähr 1 , 5 μπι, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 500 nm bis ungef hr 1 τη, um elektrisch instabile Materialien zu
schützen, beispielsweise während eines nasschemischen
Prozesses .
In verschiedenen Ausführungsbei spielen kann eine schlüssige VerbindungsSchicht 322 optional sein, beispielsweise falls die Abdeckung 324 direkt auf der zweiten Barriereschicht 308 ausgebildet wird, beispielsweise eine Abdeckung 324 aus Glas , die mittels Plasmaspritzens ausgebildet wird .
Auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich 106 kann ferner eine sogenannte Getter-Schicht oder Ge11er- Struktur ,
beispielsweise eine lateral strukturierte Getter- Schicht , angeordnet sein (nicht dargestellt ) .
Auf oder über der schlüssigen VerbindungsSchicht 322 kann eine Abdeckung 324 ausgebildet sein . Die Abdeckung 324 kann mittels der schlüssigen Verbindungsschicht 322 mit dem elektrisch aktiven Bereich 106 schlüssig verbunden sein und diesen vor schädlichen Sto fen schützen. Die Abdeckung 324 kann beispielsweise eine Glasabdeckung 324 , eine Metallfolienabdeckung 324 oder eine abgedichtete
Kunststofffolien-Abdeckung 324 sein. Die Glasabdeckung 324 kann beispielsweise mittels einer Fritten-Verbindung (engl . glass frit bonding/glass soldering/ seal glass bonding) mittels eines herkömmlichen Glaslotes in den geometrischen Randbereichen des organischen optoelektronischen Bauelementes 100 mit der zweite Barriereschicht 308 bzw. dem elektrisch aktiven Bereich 106 schlüssig verbunden werden. Die Abdeckung 324 und/oder die schlüssige Verbindungsschicht 322 können einen Brechungsindex (beispielsweise bei einer Wellenlänge von 633 nm) von 1,55 aufweisen.
In Fig.4A ist schematisch eine Draufsicht auf ein
optoelektronisches Bauelement 100 mit einem flächigen optisch aktiven Bereich 106 veranschaulicht. Der optisch aktive Bereich 106 kann bei einer Betrachtung der flächigen
Abmessung auch als optisch aktive Fläche 402 bzw. optisch aktiver Bereich 106, 402 bezeichnet werden.
In dem flächigen optisch aktiven Bereich 402 können zweite Bereiche 120 derart ausgebildet sein, dass der Stromf luss bzw. der Strompfad in wenigstens einer flächigen, elektrisch leitenden Schicht beeinflusst ist.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das
optoelektronische Bauelement 100 als flächige organische Leuchtdiode ausgebildet sein. Die flächige organische Leuchtdiode kann beispielsweise eine organische Leuchtdiode mit einem vierseitigen Kontakt mit
2
einer Abmessung von 20 x 20 cm sein (veranschaulicht in
Fig.4A) . Die flächige organische Leuchtdiode kann derart ausgebildet sein, dass die Leuchtdichte und/oder der Farbort der
emittierten elektromagnetischen Strahlung lokal abhängig sind/ ist von dem lokalen elektrischen Strom durch die
organische Leuchtdiode . Der elektrische Strom weist einen elektrisch Stromstärke und eine elektrische Spannung auf . Die zweiten Bereiche 120 können zu einem Ändern der
Spannungsvertei lung in der optisch aktiven Fläche 402 führen.
Mittels des zweiten Bereiches 120 kann die
Leuchtdichteverteilung (veranschaulicht in Fig.4B) und/oder die Farbortverteilung in dem optisch aktiven Bereich 402 beeinflusst werden.
In Fig.4B ist eine Abnahme der Leuchtdichte vom Rand der optisch aktiven Fläche 402 zur Mitte der optisch aktiven Fläche ersichtlich. Der zweite Bereich 120 kann derart ausgebildet sein, dass es zu einer Umverteilung der Spannung in der optisch aktiven Fläche 402 kommt. Dadurch kann eine Steigerung der Uniformität bzw. Homogenität der Leuchtdichte in der optisch aktiven Fläche 402 erzielt werden .
Beispielsweise auf eine Homogenität von beispielsweise 48,5 % bezüglich der Leuchtdichteverteilung einer organischen
Leuchtdiode ohne zweite Bereiche {veranschaulicht in Fig .6A) mit einer Homogenität von lediglich 28,6 % (bei 1000 nits) .
Die flächige organische Leuchtdiode kann beispielsweise eine organische Leuchtdiode mit einem vierseitigen Kontakt mit
2 , . , einer Abmessung von 12 20 cm sein . In Fig.5 ist eine
Abnahme der Leuchtdichte vom Rand der optisch aktiven Fläche 402 zur Mitte der optisch aktiven Fläche ersichtlich . Mittels zweiter Bereiche 120 kann die Leuchtdichteverteilung
(veranschaulicht in Fig .5) und/oder die Farbortverteilung in dem optisch aktiven Bereich 402 beeinf lusst werden .
Beispielsweise kann die erste Elektrode 110 und die zweite Elektrode 114 zweite Bereiche 120 aufweisen. Der zweite
Bereich der ersten Elektrode 110 kann in anderen Bereichen der optisch aktiven Fläche 402 ausgebildet werden als der zweite Bereich der zweiten Elektrode . Beispielsweise kann dadurch die Homogenität der Leuchtdichteverteilung von beispielsweise 78 % erreicht werden im Vergleich zu der
Leuchtdichteverteilung einer organischen Leuchtdiode ohne zweite Bereiche (veranschaulicht in Fig .6B) mit einer
Homogenität von lediglich 50 % (bei 1000 nits} .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die elektrisch leitende Schicht mit erstem Bereich und zweitem Bereich eine organische funktionelle Schichtenstruktur sein - beispielsweise veranschaulicht in Fig.7A . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das optoelektronische Bauelement 100 zwei oder mehr elektrisch leitende Schichten mit einem ersten Bereich und einem zweiten Bereich aufweisen. Der zweite Bereich kann ein Bereich oder mehrere mittels des ersten Bereiches voneinander isolierte zweite Bereiche aufweisen.
In einem Ausführungsbeispiel mit einer ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 316 und einer zweiten organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 318, die mittels einer Zwischenschichtstruktur 318, beispielsweise einer Zwischenelektrode 318, können die erste Elektrode 110, die zweite Elektrode 114, die erste organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 316, die zweite organische
funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 318 und/oder die
Zwischenschichtstruktur 318 als elektrisch leitende Schicht mit erstem Bereich und zweitem Bereich ausgebildet sein - siehe auch Beschreibung oben.
In einem Ausführungsbeispiel kann die erste organische funktionelle Schichtenst uktu - Einheit 316 und die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 320 jeweils einen zweite Bereich aufweisen - beispielsweise
veranschaulicht in Fig.7B . Die zweiten Bereiche 12 OB der ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 316 und der zweite Bereich 120B zweiten organischen
funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 320 können derart aufeinander abgestimmt ausgebildet sein, dass mittels der Strukturierung der elektrisch leitenden Schichten 316, 320 eine vorgegebene Information darstellbar ist, beispielsweise ein Symbol , ein Logo, ein Piktogramm, ein Ideogramm und/oder ein Schrif zug - beispielsweise veranschaulicht in Fig.7C. Die zweiten Bereiche 120B der elektrisch leitenden Schichten 316, 320 können beispielsweise derart aufeinander abgestimmt sein, dass mittels der zweiten Bereiche 120B das von dem optoelektronischen Bauelement 100 emittierte Licht einen Farbkontrast aufweist . Beispielsweise kann mittels der zweiten Bereiche 12 OB ein Farbkontrast in dem gemischten Licht aus dem von der ersten organischen funktionellen
Schichtenstruktur-Einheit 316 und der zweiten organischen funktionellen Schichtenstruktur -Einheit 320 erzeugt werden. Mit anderen Worten: in der optisch aktiven Fläche des
optoelektronischen Bauelementes 100 , beispielsweise
Leuchtfläche, können unterschiedliche elektromagnetische Strahlungen emittiert und/oder absorbiert werden - in Fig .7B, C als Pfeile/Bezugszeichen 702 , 704 , 706, 708.
Beispielsweise wird im Bereich der Leuchtfläche:
1} mi erstem Bereich in der ersten organischen
funktionellen Schichtenstruktur -Einheit 316 und zweitem
Bereich in der zweiten organischen funktionellen
Schichtenstruktur- Einheit 320 die elektromagnetische
Strahlung der ersten organischen funktionellen
Schichtenstruktur- Einheit 316 emittiert oder absorbiert - veranschaulich mit dem Pfeil/Bezugszeichen 702 in Fig.7B, C, beispielsweise ein rot-grünes Licht ;
II) mit erstem Bereich in der ersten organischen
funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 316 und erstem
Bereich in der zweiten organischen f nktionellen
Schichtenstruktur- Einheit 320 eine Mischung der
elektromagnetischen Strahlung von erster organischer
funktioneller Schichtenstruktur- Einheit 316 und zweiter organischer funktioneller Schichtenstruktur-Einheit 320 emittiert und/oder absorbiert - veranschaulich mit dem Pfeil/ Bezugszeichen 704 in Fig.7B, C, beispielsweise ein weißes Licht ;
III) mit zweitem Bereich in der ersten organischen
funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 316 und erstem Bereich in der zweiten organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 320 die elektromagnetische
Strahlung der zweiten organischen funktionellen
Schichtenstruktur-Einheit 320 emittiert oder absorbiert - veranschaulich mit Pfeil Bezugszeichen 706 in Fig.7B, c, beispielsweise ein blaues Licht; und
IV) mit zweitem Bereich in der ersten organischen
funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 316 und zweitem
Bereich in der zweiten organischen funktionellen
Schichtenstruktur-Einheit 320 keine elektromagnetische
Strahlung von dem optoelektronischen Bauelement emittiert oder absorbiert - veranschaulich mit Pfeil Bezugszeichen 708 in Fig .7B , C, beispielsweise ein schwarzes Erscheinungsbild. Analog können weiter Farbkontraste mit mehreren organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheiten ausgebildet werden.
Weiterhin können mittels unterschiedlich strukturierter organischer f nktioneller Schichtstruktur-Einheiten 316, 320 mittels einer unabhängigen Ansteuerung der organischen funktionellen Schichtstruktur-Einheit 316, 320 die
unterschiedlichen vorgegebenen Information der
unterschiedlich strukturierten organischen funktionellen Schichtstruktur-Einheiten 316, 320 dargestellt werden,
Beispielsweise in dem die erste organische funktionelle
Schichtstruktur-Einheit 316 und die zweite organische
funktionelle Schichtstruktur-Einheit 320 nicht gleichzeitig beströmt werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der zweite
Bereich wenigstens transluzent, beispielsweise transparent, ausgebildet sein bezüglich der von dem optoelektronischen Bauelement emittierbaren und/oder absorbierbaren
elektromagnetischen Strahlung.
In einem Ausführungsbeispiel ist die erste Elektrode 110 vollflächig aus ITO ausgebildet. Auf die erste Elektrode 110 wird lokal eine elektrisch nichtleitende Struktur ausgebildet, beispielsweise ein Dielektrikum oder
elektrischer Isolator aufgebracht, beispielsweise mittels eines Siebdruck-, Tampondruck- und/oder
Tintenstrahlverfahrens . Anschließend kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 112, 316 beispielsweise vollflächig auf der ersten Elektrode und der elektrisch nichtleitenden Struktur ausgebildet werden. Die elektrisch nichtleitende Struktur bildet somit den zweiten Bereich in der organischen funktionellen Schichtenstruktur ausgebildet sein.
Das optoelektronische Bauelement mit elektrisch leitender Schicht mit erstem Bereich und zweitem Bereich kann
beispielsweise als eine weiße OLED , farbige OLED und/oder transparente OLED ausgebildet sein.
In verschiedenen Äusführungsbeispielen ist der zweite Bereich derart ausgebildet, dass der zweite Bereich ungefähr den gleichen Brechungsindex aufweist (Brechungsindexunterschied kleiner ungefähr 0,05} wie der erste Bereich, beispielsweise im Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichtes. Im
ausgeschalteten bzw. stromlosen Zustand (off -State) des optoelektronischen Bauelementes kann das mittels des zweiten Bereiches im ersten Bereich ausgebildet Muster dadurch beispielsweise unscheinbar bzw. nicht sichtbar sein,
beispielsweise in dem die elektrisch nichtleitende Struktur aus einer transparenten Isolationstinte oder --paste gebildet wird oder aufweist. In einem anderen Ausführungsbeispiel kann die elektrisch nichtleitende Struktur ausgebildet sein, dass sie im „off-state" sichtbar ist, das heißt einen Farbkontrast und/oder Brechungsindexkontrast zu der organischen
funktionellen Schichtenstruktur aufweist. Beispielsweise kann die elektrisch nichtleitende Struktur aus einer
Isolationstinte oder -paste mit beliebigen Farbpigmenten, beispielsweise farbig oder schwarz, ausgebildet werden oder eine solche aufweisen. Die elektrisch nichtleitende Struktur sollte bezüglich der stofflichen Beschaffenheit und der Form, beispielsweise
Dicke, derart ausgebildet sein, dass es zu keinem
elektrischen Durchschlag durch die elektrisch nichtleitende Struktur kommt unter Betriebs- und/oder Lagerbedingungen des optoelektronischen Bauelementes.
In einem Ausführungsbeispiel kann die elektrisch
nichtleitende Struktur aus einem hochisolierenden
hochtransparenten druckbaren Material ausgebildet werden, beispielsweise „ZEOCOAT ES2110" der Firma ZEON Corporation mit einer Transmission von größer als 99 % und einer
elektrischen Durchbruchspannung von 6,4 MV/cm, In einem Ausführungsbeispiel werden freistehende Leuchtmuster dadurch ausgebildet, dass auf die erste Elektrode 110 - beispielsweise ausgebildet als Anode, oder die
Zwischenschichtstruktur 318, beispielsweise ausgebildet als Zwischenelektrode 318, mittels eines Druckverfahrens, beispielsweise eines Tintenstrahldrucks , das ein
einstellbares Muster mit/aus elektrisch isolierenden Material gedruckt wird, Diese bedruckten Bereiche in der OLED sind elektrisch isoliert und können somit optisch inaktiv sein, beispielsweise nicht leuchten. Das isolierende Material ist beispielsweise ein Dielektrikum auf Polymer-Basis. Die
Zwischenelektrode 318 sollte eine genügend große
Leitfähigkeit aufweisen, um über den optisch inaktiven
(„deaktivierten") Bereichen in der ersten organischen
funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 316 eine homogene Stromverteilung zu erreichen, damit die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 320 von den elektrisch isolierten, zweiten Bereichen 102B nicht beeinfiusst wird. Die für die Zwischenelektrode 318 minimale Leitfähigkeit kann von der lateralen Strukturgröße der elektrisch isolierten, zweiten Bereiche 102 abhängig sein, da diese elektrisch isolierten, zweiten Bereiche 102 in der zweiten organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 320 wieder mit Strom versorgt werden. Das optoelektronische Bauelement 100 kann anschließend beispielsweise wie in einem herkömmlichen
Verfahren ganzfiächig mit organischer unktioneller
Schichtenstruktur 112, 316 und zweiter Elektrode 114, beispielsweise ausgebildet als Kathode, ausgebildet werden, beispielsweise bedampft werden. Dadurch kann auf eine weitere Strukturierung oder spezielle Maskierung zum Darstellen des Musters verzichtet werden.
In verschiedenen Ausführung formen werden optoelektronische Bauelemente und Verfahren zum Herstellen optoelektronischer Bauelemente bereitgestellt, mit denen es möglich ist, die optische Aktivität des optisch aktiven Bereiches
einzustellen, beispielsweise die Inhomogenität der optisch aktiven Fläche des optoelektronischen Bauelementes zu
reduzieren.
Eine Unterbrechung der Leitfähigkeit des ersten Bereiches mittels des zweiten Bereiches kann zu einem Beeinflussen des lokalen Stromflusses in dem ersten Bereich führen. Das
Anordnen des zweiten Bereiches kann so zu einem Ändern einer Spannungsdifferenz in dem ersten Bereich führen,
beispielsweise können mittels zweiter Bereiche lokale
Spannungsdifferenzen ausgeglichen werden. Dadurch kann die Inhomogenität der Leuchtfläche einer organischen Leuchtdiode reduziert werden, die Belastung und Alterung von organischen Solarzellen und/oder Fotodetektoren ausgeglichen werden. Zu einer Unterbrechung der Leitfähigkeit in einem ersten Bereich können extrem dünne elektrisch nicht-leitende, linienförmige Bereich ausreichend sein, beispielsweise mit einer Breite von weniger als 500 nm . Die zweiten Bereiche können somit augenscheinlich nicht sichtbar sein.
Weiterhin können dadurch bei einem optoelektronischen
Bauelement mit übereinander gestapelten, unterschiedlichen Emitter- und/oder Absorberschichten, die Emitter- und/oder
Absorberschichten unabhängig voneinander lateral strukturiert betrieben werden. Mit anderen Worten: es können dadurch beliebige, beispielsweise freistehende, optisch inaktive, beispielsweise nicht leuchtende, Muster in der optisch aktiven Fläche des optoelektronischen Bauelementes, beispielsweis in der
Leuchtfläche einer organischen Leuchtdiode, ausgebildet werden. Beispielsweise kann in einer OLED mit gestapelten Farbeinheiten jede Farbeinheit mit einem eigenen Muster versehen werden, so dass je nach Anzahl der Farbeinheiten verschieden farbige Muster/Logos/Graf iken/etc . hergestellt bzw. dargestellt werden können. Die Muster können
beispielsweise ohne einen zusätzlichen Hochvakuum- Prozessschritt vor dem Ausbilden der organischen
funktionellen Schichtenstruktur ausgebildet werden. Es sind beliebige Muster möglich, die auch als günstige
Einzelanfertigungen möglich sind, da in ein vorhandenes
Bauteil -Design beliebige Muster eingebracht werden können. Weiterhin kann die Effizienz des optoelektronischen
Bauelementes höher sein bezüglich optisch filternder Methoden zum Darstellen eines Musters, da die Bereiche des Musters vollständig elektrisch isoliert sein können und dadurch optisch und elektrisch inaktiv sind.. Weiterhin können die kleinsten Strukturen die lateral ausgebildet und dargestellt werden können, abhängig sein vom Herstellungsverfahren des zweiten Bereiches, beispielsweise im Bereich der
Druckauflösung bzw. Spurbreite/Tropfengröße des Druckers liegen, beispielsweise -30 μπι. Die darstellbaren Strukturen können damit erheblich kleiner sein als dies mittels
herkömmlicher Schattenmaskenprozesse möglich ist.

Claims

Patentansprüche
1. Optoelektronisches Bauelement (100) mit einem optisch aktiven Bereich {106, 402) , der optisch aktive Bereich (106, 402} aufweisend:
• eine erste Elektrode (110) ,
• eine zweite Elektrode (114) , und
• eine organische funktionelle Schichtenstruktur (112) , o wobei die organische funktionelle
Schichtenstruktur (112) zwischen der ersten
Elektrode (110) und der zweiten Elektrode (114) ausgebildet ist, und
o wobei die organische funktionelle
Schichtenstruktur (112) zu einem Umwandeln eines elektrischen Stromes in eine elektromagnetische Strahlung und/oder zu einem Umwandeln einer elektromagnetischen Strahlung in einen elektrischen Strom ausgebildet ist ;
• wobei die erste Elektrode (110) , die zweite Elektrode (114) und/oder die organische funktionelle
Schichtenstruktur (112) eine elektrisch leitende Schicht aufweisen/ t ,
o wobei die elektrisch leitende Schicht einen ersten Bereich aufweist, der eine erste elektrische Leitfähigkeit aufweist; und einen zweiten Bereich (120) aufweist, der eine zweite elektrische Leitfähigkeit aufweist, wobei der zweite Bereich (120) in dem ersten Bereich ausgebildet ist und aufgrund seiner zweiten elektrischen Leitfähigkeit eine definierte Stromverteilung in der elektrisch leitenden Schicht bewirkt;
• wobei die zweite elektrische Leitfähigkeit geringer ist als die erste elektrische Leitf higkeit und dadurch die definierte Stromverteilung einen
Stromf luss in dem ersten Bereich aufweist, so dass eine homogenere Stromverteilung in dem ersten Bereich ausgebildet ist bezüglich einer elektrisch leitenden Schicht ohne zweiten Bereich (120) .
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß Anspruch 1, wobei der zweite Bereich (120) derart in dem ersten Bereich (106, 402) ausgebildet ist, dass eine
vorgegebene Information in dem optisch aktiven Bereich (106, 402) darstellbar ist.
Optoelektronisches Bauelement (100) mit einem optisch aktiven Bereich (106, 402), der optisch aktive Bereich (106, 402) aufweisend:
• eine erste Elektrode (110) ,
• eine zweite Elektrode (114) , und
• eine organische funktionelle Schichtenstruktur (112) , o wobei die organische funktionelle
Schichtenstruktur (112) zwischen der ersten Elektrode (110) und der zweiten Elektrode (114 ) ausgebildet ist, und
o wobei die organische funktionelle
Schichtenstruktur (112) zu einem Umwandeln eines elektrischen Stromes in eine
elektromagnetische Strahlung und/oder zu einem Umwandeln einer elektromagnetischen Strahlung in einen elektrischen Strom ausgebildet ist;
• wobei die erste Elektrode (110) , die zweite Elektrode (114) und/oder die organische funktionelle
Schichtenstruktur (112) eine elektrisch leitende Schicht aufweisen/t,
o wobei die elektrisch leitende Schicht einen
ersten Bereich aufweist, der eine erste elektrische Leitfähigkeit aufweist; und einen zweiten Bereich (120) aufweist, der eine zweite elektrische Leitfähigkeit aufweist, wobei der zweite Bereich (120) in dem ersten Bereich ausgebildet ist und aufgrund seiner zweiten elektrischen Leitfähigkeit eine definierte Stromverteilung in der elektrisch leitenden
Schicht bewirkt ;
wobei die zweite elektrische Leitfähigkeit
unterschiedlich ist zu der ersten elektrischen
Leitfähigkeit und dadurch die definierte
Stromverteilung einen Stromf luss in dem ersten
Bereich aufweist, so dass eine vorgegebene
Information in dem optisch aktiven Bereich
darstellbar ist.
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3,
wobei der erste Bereich ein transparentes oder
transluzentes elektrisch leitfähiges Material aufweist oder daraus gebildet ist.
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß Anspruch 4, wobei das transparente oder transluzente elektrisch leitfähige Material ein organischer Stoff, ein
organisches Stoffgemisch, und/oder ein Metalloxid ist oder aufweist.
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5,
wobei der zweite Bereich (120) elektrisch nicht-leitend ausgebildet ist.
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6,
wobei der zweite Bereich (120) als ein geöffneter Bereich der elektrisch leitenden Schicht ausgebildet
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5,
wobei der zweite Bereich (120) elektrisch leitend ausgebildet ist, insbesondere aus dem Stoff oder
Stoifgemisch der elektrisch leitenden Schicht. Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 2 bis 8,
wobei die vorgegebene Information ein Schriftzug, ein Ideogramm, ein Symbol und/oder ein Piktogramm ist,
Verfahren zu einem Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes (100) , das Verfahren aufweisend:
Ausbilden einer ersten Elektrode (110) ,
Ausbilden einer organischen funktionellen
Schichtenstruktur (112) auf oder über der ersten
Elektrode (110) ,
o wobei die organische funktionelle
Schichtenstruktur (112) zu einem Umwandeln eines elektrischen Stromes in eine elektromagnetische Strahlung und/oder zu einem Umwandeln einer elektromagnetischen Strahlung in einen
elektrischen Strom ausgebildet wird;
Ausbilden einer zweiten Elektrode (114) auf oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur (112) , und
wobei das Ausbilden der ersten Elektrode (110) , das Ausbilden der zweiten Elektrode (114) und/oder das
Ausbilden der organischen funktionellen
Schichtenstruktur (112) ein Ausbilden (200) einer elektrisch leitenden Schicht aufweisen/t,
o wobei die elektrisch leitende Schicht mit
einem ersten Bereich ausgebildet wird, der eine erste elektrische Leitfähigkeit aufweist ; und einem zweiten Bereich (120) ausgebildet wird, der eine zweite elektrische
Leitfähigkeit aufweist, wobei der zweite
Bereich (120) in dem ersten Bereich ausgebildet wird und aufgrund seiner zweiten elektrischen Leitfähigkeit eine definierte Stromverteilung in der elektrisch leitenden Schicht bewirkt ; • wobei die zweite elektrische Leitfähigkeit geringer ist als die erste elektrische Leitfähigkeit und dadurch die definierte Stromverteilung einen
Stromfluss in dem ersten Bereich aufweist, so dass eine homogenere Stromverteilung in dem ersten Bereich ausgebildet wird bezüglich einer elektrisch leitenden Schicht ohne zweiten Bereich {120} .
Verfahren zu einem Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes (100) , das Verfahren aufweisend :
Ausbilden einer ersten Elektrode (110) ,
Ausbilden einer organischen funktionellen
Schichtenstruktur (112) auf oder über der ersten
Elektrode (110) ,
o wobei die organische funktionelle
Schichtenstruktur (112) zu einem Umwandeln eines elektrischen Stromes in eine elektromagnetische Strahlung und/oder zu einem Umwandeln einer elektromagnetischen Strahlung in einen
elektrischen Strom ausgebildet wird;
Ausbilden einer zweiten Elektrode (114) auf oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur (112) , und
wobei das Ausbilden der ersten Elektrode (110) , das Ausbilden der zweiten Elektrode (114 ) und/oder das
Ausbilden der organischen funktionellen
Schichtenstruktur ( 112 ) ein Ausbilden (200 ) einer elektrisch leitenden Schicht aufweisen/t ,
o wobei die elektrisch leitende Schicht mit
einem ersten Bereich ausgebildet wird, der eine erste elektrische Leitfähigkeit aufweist ; und einem zweiten Bereich ( 120) ausgebildet wird , der eine zweite elektrische
Leitf higkeit aufweist , wobei der zweite
Bereich (120) in dem ersten Bereich ausgebildet wird und aufgrund seiner zweiten elektrischen Leitfähigkeit eine definierte Stromverteilung in der elektrisch leitenden
Schicht bewirkt ;
wobei die zweite elektrische Leitfähigkeit
unterschiedlich ist zu der ersten elektrischen
Leitfähigkeit und dadurch die definierte
Stromverteilung einen Stromfluss in dem ersten
Bereich aufweist, so dass eine vorgegebene
Information in dem optisch aktiven Bereich
darstellbar wird.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 10 oder 11, wobei die elektrisch leitende Schicht strukturiert ausgebildet wird derart, dass der zweite Bereich (120) mit dem ersten Bereich ausgebildet wird.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 10 bis 12,
wobei der zweite Bereich (120) mittels einer
Laserablation und/oder ÜV-Bestrahlung des ersten
Bereiches ausgebildet wird,
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 10 bis 12,
wobei der zweite Bereich (120) mittels eines chemischen Umwandeins eines Bereiches der elektrisch leitenden Schicht ausgebildet wird.
Verfahren gemäß Anspruch 10 bis 12,
wobei der zweite Bereich (120) mittels eines Dotierens eines Bereiches der elektrisch leitenden Schicht ausgebildet wird.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 10 bis 15, ferner aufweisend;
Ausbilden einer Verkapselungsstruktur derart, dass das optoelektronische Bauelement (100) bezüglich wenigstens eines schädlichen Stoffs, vorzugsweise Wasser und/oder Sauerstoff, hermetisch abgedichtet wird, wobei der zweite Bereich (120) nach dem Ausbilden der Verkapselungsstruktur in der elektrisch leitenden Schicht ausgebildet wird.
PCT/EP2015/051010 2014-01-23 2015-01-20 Optoelektronische bauelemente und verfahren zum herstellen optoelektronischer bauelemente WO2015110428A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014100747.6 2014-01-23
DE102014100747.6A DE102014100747A1 (de) 2014-01-23 2014-01-23 Optoelektronische Bauelemente und Verfahren zum Herstellen optoelektronischer Bauelemente

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2015110428A1 true WO2015110428A1 (de) 2015-07-30

Family

ID=52468980

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2015/051010 WO2015110428A1 (de) 2014-01-23 2015-01-20 Optoelektronische bauelemente und verfahren zum herstellen optoelektronischer bauelemente

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE102014100747A1 (de)
WO (1) WO2015110428A1 (de)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015114167A1 (de) * 2015-08-26 2017-03-02 Osram Oled Gmbh Leuchtdiode und Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode
DE102015114844A1 (de) * 2015-09-04 2017-03-09 Osram Oled Gmbh Organische Leuchtdiode und Fahrzeugaußenbeleuchtung
DE102015118717A1 (de) * 2015-11-02 2017-05-04 Osram Oled Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060033428A1 (en) * 2004-08-12 2006-02-16 Gang Yu Organic electronic device and process forming the same
EP1684550A1 (de) * 2003-10-02 2006-07-26 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki Lichtemissionselement mit elektrischem feld
EP1953846A1 (de) * 2007-01-31 2008-08-06 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Verfahren zur Strukturierung elektrolumineszenter organischer Halbleiterelemente, elektrolumineszentes organisches Halbleiterelement sowie Anordnung zur Strukturierung eines solchen Elements
US20080197371A1 (en) * 2005-01-20 2008-08-21 Schott Ag Electro-Optical Element with Controlled, in Particular Uniform Functionality Distribution
WO2010070563A2 (en) * 2008-12-19 2010-06-24 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Transparent organic light emitting diode
CN201859896U (zh) * 2010-10-26 2011-06-08 四川虹视显示技术有限公司 Oled照明面板

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013105154A1 (de) * 2013-05-21 2014-12-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1684550A1 (de) * 2003-10-02 2006-07-26 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki Lichtemissionselement mit elektrischem feld
US20060033428A1 (en) * 2004-08-12 2006-02-16 Gang Yu Organic electronic device and process forming the same
US20080197371A1 (en) * 2005-01-20 2008-08-21 Schott Ag Electro-Optical Element with Controlled, in Particular Uniform Functionality Distribution
EP1953846A1 (de) * 2007-01-31 2008-08-06 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Verfahren zur Strukturierung elektrolumineszenter organischer Halbleiterelemente, elektrolumineszentes organisches Halbleiterelement sowie Anordnung zur Strukturierung eines solchen Elements
WO2010070563A2 (en) * 2008-12-19 2010-06-24 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Transparent organic light emitting diode
CN201859896U (zh) * 2010-10-26 2011-06-08 四川虹视显示技术有限公司 Oled照明面板

Also Published As

Publication number Publication date
DE102014100747A1 (de) 2015-07-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112013001553B4 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
WO2014023478A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelementes
DE102013106508A1 (de) Elektrode und optoelektronisches Bauelement sowie ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
WO2014023807A2 (de) Bauelemente und verfahren zum herstellen von bauelementen
WO2015059278A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelementes
WO2013007443A1 (de) Lichtemittierende bauelemente und verfahren zum herstellen eines lichtemittierenden bauelements
WO2015040104A1 (de) Bauelement und verfahren zum herstellen eines bauelementes
WO2015032810A1 (de) Optoelektronisches bauelement, optoelektronische bauelementevorrichtung und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelementes
DE102012208235B4 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
WO2015039835A1 (de) Optoelektronische bauelementevorrichtung und verfahren zum betreiben eines optoelektronischen bauelementes
WO2015110428A1 (de) Optoelektronische bauelemente und verfahren zum herstellen optoelektronischer bauelemente
WO2015140004A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements
WO2014207039A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelementes
WO2014195116A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelementes
DE102014110052B4 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
WO2013007444A1 (de) Lichtemittierendes bauelement und verfahren zum herstellen eines lichtemittierenden bauelements
DE102014111346B4 (de) Optoelektronische Bauelementevorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung
DE102013106942A1 (de) Elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines elektromagnetische Strahlung emittierenden Bauelements
WO2016012364A1 (de) Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements
DE102014111484A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines organisch optoelektronischen Bauelements
DE102014102255B4 (de) Organisches lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines organischen lichtemittierenden Bauelements
WO2015124729A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelementes
DE102014110271B4 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
WO2014048917A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelementes
WO2015062866A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zum betreiben eines optoelektronischen bauelementes

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 15703896

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 15703896

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1