DE102014100747A1

DE102014100747A1 - Optoelektronische Bauelemente und Verfahren zum Herstellen optoelektronischer Bauelemente

Info

Publication number: DE102014100747A1
Application number: DE102014100747.6A
Authority: DE
Inventors: Thomas Wehlus; Daniel Riedel
Original assignee: Osram Oled GmbH
Current assignee: Osram Oled GmbH
Priority date: 2014-01-23
Filing date: 2014-01-23
Publication date: 2015-07-23
Also published as: WO2015110428A1

Abstract

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein optoelektronisches Bauelement (100) bereitgestellt, das optoelektronische Bauelement (100) aufweisend: eine erste Elektrode (110), eine zweite Elektrode (114), und eine organische funktionelle Schichtenstruktur (112), wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur (112) zwischen der ersten Elektrode (110) und der zweiten Elektrode (114) ausgebildet ist, und wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur (112) zu einem Umwandeln eines elektrischen Stromes in eine elektromagnetische Strahlung und/oder zu einem Umwandeln einer elektromagnetischen Strahlung in einen elektrischen Strom ausgebildet ist; wobei die erste Elektrode (110), die zweite Elektrode (114) und/oder die organische funktionelle Schichtenstruktur (112) eine elektrisch leitende Schicht aufweisen/t, wobei die elektrisch leitende Schicht einen ersten Bereich aufweist, der eine erste elektrische Leitfähigkeit aufweist; und einen zweiten Bereich (120) aufweist, der eine zweite elektrische Leitfähigkeit aufweist, die unterschiedlich ist zu der ersten elektrischen Leitfähigkeit; wobei der zweite Bereich (120) in dem ersten Bereich ausgebildet ist und aufgrund seiner zweiten elektrischen Leitfähigkeit eine definierte Stromverteilung in der elektrisch leitenden Schicht bewirkt und dadurch den Stromfluss in dem ersten Bereich beeinflusst.

Description

In verschiedenen Ausführungsformen werden optoelektronische Bauelemente und Verfahren zum Herstellen optoelektronischer Bauelemente bereitgestellt.
Optoelektronische Bauelemente auf organischer Basis, beispielsweise organische Leuchtdioden (organic light emitting diode – OLED), finden zunehmend verbreitete Anwendung in der Allgemeinbeleuchtung, beispielsweise als Flächenlichtquelle. Ein organisches optoelektronisches Bauelement, beispielsweise eine OLED kann eine Anode 602 und eine Kathode 604 mit einem organischen funktionellen Schichtensystem dazwischen, auf einem Substrat aufweisen (veranschaulicht für eine quadratische OLED in 6A und eine rechteckige OLED in 6B). Das organische funktionelle Schichtensystem kann eine oder mehrere Emitterschicht/en aufweisen, in der/denen elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, eine oder mehrere Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichtenstruktur/en aus jeweils zwei oder mehr Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichten („charge generating layer”, CGL) zur Ladungsträgerpaarerzeugung, sowie einer oder mehrerer Elektronenblockadeschicht/en, auch bezeichnet als Lochtransportschicht/en („hole transport layer” – HTL), und einer oder mehrerer Lochblockadeschicht/en, auch bezeichnet als Elektronentransportschicht/en („electron transport layer” – ETL), um den Stromfluss zu richten. Die OLED als Flächenlichtquelle wird mit einem flächigen optisch aktiven Bereich 606 ausgebildet, der Licht emittiert – auch bezeichnet als Leuchtfläche 606.
Die Anode 602 und/oder die Kathode 604 können transparent ausgebildet werden, üblicherweise aus einem transparenten leitfähigen Oxid (transparent conductive oxide – TCO). Ein transparentes leitfähiges Oxid weist eine elektrische Querleitfähigkeit auf, die sehr viel geringer ist als die elektrische Querleitfähigkeit eines Metalls. Bei flächigen optoelektronischen Bauelementen kann es dadurch zu einer inhomogenen Emission von Licht kommen, insbesondere bei einer Skalierung der OLED auf große Flächen (veranschaulicht in einem Intensitätsdiagramm einer Flächenlichtquelle in 6A, B). Beispielsweise können die Anode 602 und die Kathode 604 aus MgAg oder Ag gebildet sein mit einem Flächenwiderstand von 5 Ω/☐. Die Leuchtfläche 606 kann beispielsweise eine Fläche von 20 × 20 cm² aufweisen (veranschaulicht in 6A) mit einer Homogenität der Leuchtdichte auf der Leuchtfläche von 28,6% bei 1000 nits, wobei die Leuchtdichte vom Rand zur Mitte der Leuchtfläche 606 abnimmt. Die Leuchtfläche 606 kann – bei zweiseitigen Kontakten – beispielsweise eine Fläche von 12 × 20 cm² aufweisen (veranschaulicht in 6B) mit einer Homogenität der Leuchtdichte auf der Leuchtfläche von 50% bei 1000 nits, wobei die Leuchtdichte vom Rand zur Mitte der Leuchtfläche 606 abnimmt.
Üblicherweise wird zum Reduzieren der Inhomogenität die Geometrie der Elektroden 602, 604 optimiert, was jedoch nur beschränkt möglich ist.
Weiterhin können bei einem optoelektronischen Bauelement mit unterschiedlichen, übereinander gestapelten Emitterschichten, freistehende Leuchtmuster in den Emitterschichten nicht oder nur aufwendig mittels herkömmlicher Maskenverfahren mit Maskieren der zu strukturierenden Bereiche mittels einer Schattenmaske beim Aufdampfen, hergestellt werden. In einem herkömmlichen Verfahren werden die Bereiche der organischen funktionellen Schichtenstruktur, die in der Anwendung nicht leuchten sollen, mit einem Laserprozess „deaktiviert”. Dabei wird nachträglich organische funktionelle Schichtenstruktur lokal mittels eines Laserbeschusses gezielt hochohmig ausgebildet. Dadurch wird der beschossene Bereich der Leuchtfläche der OLED deaktiviert. In einem weiteren herkömmlichen Verfahren wird analog zu einer Schattenmaske eine gemusterte lichtundurchlässige Schicht ausgebildet, um das erzeugte Licht entsprechend des Musters zu filtern und dadurch das Muster abzubilden.
In verschiedenen Ausführungsformen werden optoelektronische Bauelemente und Verfahren zum Herstellen optoelektronischer Bauelemente bereitgestellt, mit denen es möglich ist, die optische Aktivität des optisch aktiven Bereiches einzustellen, beispielsweise die Inhomogenität der optisch aktiven Fläche des optoelektronischen Bauelementes zu reduzieren und/oder eine vorgegebene Information darzustellen. Beispielsweise können dadurch bei einem optoelektronischen Bauelement mit übereinander gestapelten, unterschiedlichen Emitter- und/oder Absorberschichten, die Emitter- und/oder Absorberschichten unabhängig voneinander lateral strukturiert betrieben werden.
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein optoelektronisches Bauelement mit einem optisch aktiven Bereich bereitgestellt, der optisch aktive Bereich aufweisend: eine erste Elektrode, eine zweite Elektrode, und eine organische funktionelle Schichtenstruktur, wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode ausgebildet ist, und wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur zu einem Umwandeln eines elektrischen Stromes in eine elektromagnetische Strahlung und/oder zu einem Umwandeln einer elektromagnetischen Strahlung in einen elektrischen Strom ausgebildet ist; wobei die erste Elektrode, die zweite Elektrode und/oder die organische funktionelle Schichtenstruktur eine elektrisch leitende Schicht aufweisen, wobei die elektrisch leitende Schicht einen ersten Bereich aufweist, der eine erste elektrische Leitfähigkeit aufweist; und einen zweiten Bereich aufweist, der eine zweite elektrische Leitfähigkeit aufweist, wobei der zweite Bereich in dem ersten Bereich ausgebildet ist und aufgrund seiner zweiten elektrischen Leitfähigkeit eine definierte Stromverteilung in der elektrisch leitenden Schicht bewirkt.
In verschiedenen Ausführungsformen kann die zweite elektrische Leitfähigkeit geringer sein als die erste elektrische Leitfähigkeit und dadurch die definierte Stromverteilung einen Stromfluss in dem ersten Bereich aufweisen, so dass eine homogenere Stromverteilung in dem ersten Bereich ausgebildet ist bezüglich einer elektrisch leitenden Schicht ohne zweiten Bereich.
Beispielsweise kann der erste Bereich derart geformt und/oder angeordnet sein, dass der optisch aktive Bereich eine höhere Homogenität bezüglich eines Leuchtdichtegradientens und/oder Farbortgradientens in dem optisch aktiven Bereich aufweist bezüglich eines optisch aktiven Bereiches ohne zweite/n elektrisch leitende/n Bereich/e, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 5 bis ungefähr 100%. Die definierte Stromverteilung in der flächigen elektrisch leitenden Schicht kann beispielsweise die höhere Homogenität ausbilden.
In einer Ausgestaltung kann der zweite Bereich derart in dem ersten Bereich ausgebildet sein, dass eine vorgegebene Information in dem optisch aktiven Bereich darstellbar ist. Die höhere Homogenität ist in dieser Ausgestaltung in dem Bereich ohne darstellbare Information in dem optisch aktiven Bereich realisiert sein.
In verschiedenen Ausführungsformen kann die zweite elektrische Leitfähigkeit unterschiedlich sein zu der ersten elektrischen Leitfähigkeit und dadurch die definierte Stromverteilung einen Stromfluss in dem ersten Bereich aufweisen, so dass eine vorgegebene Information in dem optisch aktiven Bereich darstellbar ist.
In einer Ausgestaltung kann die elektrische Leitfähigkeit des elektrisch leitenden zweiten Bereiches höher sein als die elektrische Leitfähigkeit des ersten Bereiches. Die elektrische Leitfähigkeit des zweiten Bereiches kann beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 5% bis ungefähr 1000% höher sein als in dem ersten Bereich. Beispielsweise kann in einer transparenten ersten elektrisch leitenden Schicht ein metallischer zweiter Bereich ausgebildet sein, beispielsweise in Form von dünnen, linienförmigen Strukturen mit einem Metall, Graphen und/oder Kohlenstoffnanaröhren, beispielsweise in Form der vorgegebenen darstellbaren Information. In einem anderen Beispiel kann das Material der elektrisch leitenden Schicht im Bereich des zweiten Bereiches dotiert werden, sodass die elektrische Leitfähigkeit erhöht ist. Mit anderen Worten: der zweite Bereich kann einen geringen elektrischen Flächenwiderstand aufweisen als der erste Bereich. Ein zweiter Bereich mit höherer elektrischer Leitfähigkeit als der erste Bereich kann beispielweise die Stromverteilung in der elektrisch leitenden Schicht inhomogener lassen werden. Dadurch können in der optisch aktiven Fläche beispielsweise intensiver elektromagnetische Strahlung emittierende Bereich ausgebildet werden. Somit kann ein zweiter Bereich mit höherer elektrischer Leitfähigkeit als der erste Bereich zum Realisieren einer inhomogeneren Leuchtfläche verwendet werden.
In verschiedenen Ausgestaltungen ist eine elektrisch leitende Schicht bzw. Struktur, eine Schicht bzw. Struktur, die derart ausgebildet wird, dass sie im Betrieb des optoelektronischen Bauelementes wenigstens einen Teil des elektrischen Betriebsstroms des optoelektronischen Bauelementes leitet. Mit anderen Worten: Eine Schicht oder Struktur eines optoelektronischen Bauelementes ist in verschiedenen Ausgestaltungen elektrisch leitend, wenn sie im Betrieb des optoelektronischen Bauelementes bzw. unter Betriebsbedingungen einen elektrischen Strom leiten kann, d. h. elektrisch leitend ausgebildet ist oder wird.
Die elektrisch leitende Schicht oder Struktur kann beispielsweise einen elektrisch leitfähigen Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise ein Metall oder eine Metalllegierung, beispielsweise Al, Cu, MgAg, oder eines der weiteren, unten beschriebenen Beispiele. Alternativ oder zusätzlich kann die elektrisch leitende Schicht oder Struktur einen dielektrischen Stoff und/oder einen halbleitenden Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein.
Bei einer elektrisch leitenden Schicht oder Struktur aus einem dielektrischen Stoff oder Stoffgemisch kann die elektrisch leitende Schicht oder Struktur beispielsweise mit einer Dicke in Stromrichtung und/oder einer dielektrischen Länge des Strompfades ausgebildet werden, dass ein elektrischer Strom durch oder über die dielektrische Schicht oder Struktur transportiert werden kann, beispielsweise mittels eines Tunnelstroms und/oder elektrisch leitfähigen Kanälen in der dielektrischen Schicht oder Struktur.
Bei einer elektrisch leitenden Schicht oder Struktur aus einem halbleitenden Stoff oder Stoffgemisch kann die elektrisch leitende Schicht oder Struktur bezüglich der mit der elektrisch leitenden Schicht oder Struktur direkt elektrisch verbundenen Schicht/en oder Struktur/en angepasst sein beispielsweise bezüglich der Bandstruktur und/oder Kristallrichtung in Stromrichtung angepasst ausgebildet sein.
Bezüglich der Bandstruktur und/oder Kristallrichtung in Stromrichtung der halbleitenden elektrisch leitenden Schicht oder Struktur kann beispielsweise das Energie-Niveau des Leitungsbandes, des Valenzbandes, des Fermi-Niveaus bzw. des effektiven Fermi-Niveaus, des chemischen Potenzials, des niedrigsten unbesetzten Molekülorbitals (lowest unoccupied molecule orbital – LUMO), des höchsten besetzten Molekülorbital (highest occupied molecule orbital – HOMO), der Ionisierungsenergie und/oder der Elektronenaffinität beim Ausbilden der halbleitenden elektrisch leitenden Schicht oder Struktur berücksichtigt werden bezüglich der mit der elektrisch leitenden Schicht oder Struktur direkt elektrisch verbundenen Schicht/en oder Struktur/en, so dass ein Stromfluss im Betrieb des optoelektronischen Bauelementes durch die halbleitende elektrisch leitende Schicht oder Struktur im Betrieb erfolgen kann.
Analog ist eine elektrisch nicht-leitende Schicht oder Struktur eine Schicht oder Struktur, die derart ausgebildet ist, dass sie im Betrieb des optoelektronischen Bauelementes keinen elektrischen Strom transportiert bzw. durchlässt.
In verschiedenen Ausgestaltungen ist der zweite Bereich in der elektrisch leitenden Schicht ausgebildet, d. h. innerhalb der elektrisch leitenden Schicht. In verschiedenen Ausgestaltungen kann der zweite Bereich die elektrisch leitende Schicht durchdringen, beispielsweise zwei oder mehr unterschiedliche Grenzflächen der elektrisch leitenden Schicht mit weiteren Schichten ausbilden. Alternativ kann der zweite Bereich teilweise oder vollständig von dem ersten Bereich umgeben sein.
Der Stromfluss erfolgt in verschiedenen Ausführungsbeispielen entlang eines Strompfades oder mehrerer Strompfade oder kann als Schar von Strompfaden bezeichnet werden. Der flächige erste Bereich kann zu einem Ausbilden eines flächigen optisch aktiven Bereiches des optoelektronischen Bauelementes eingerichtet sein. Der optisch aktive Bereich kann beispielsweise eine Leuchtfläche, Detektorfläche und/oder aktive Solarfläche sein. Der flächige optisch aktive Bereich kann beispielsweise eine quadratische Fläche mit einer Kantenlänge von mehr als 10 cm oder von mehr als 20 cm oder von mehr als 25 cm oder von mehr als 50 cm sein. Weiterhin kann der flächige optisch aktive Bereich auch eine andere Form, beispielsweise eine rechteckige oder runde Form, mit einem entsprechenden Flächeninhalt aufweisen. Die flächige elektrisch leitende Schicht bzw. der erste Bereich können im Wesentlichen die flächige Abmessung und Form des optisch aktiven Bereiches aufweisen.
Die erste Elektrode, die organische funktionelle Schichtenstruktur und die zweite Elektrode können einen/den elektrisch aktiven Bereich bilden. Der optisch aktive Bereich des optoelektronischen Bauelementes kann mittels des flächigen Bereiches der organischen funktionellen Schichtstruktur gebildet sein.
In den Ausführungsformen können die optoelektronischen Bauelemente jeweils ferner nachfolgende Ausgestaltungen aufweisen, soweit diese sinnvoll sind.
Der erste Bereich kann als ein flächiger erster Bereich ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann die elektrisch leitende Schicht zwei oder mehr elektrisch leitende Schichten aufweisen. Die zwei oder mehr elektrisch leitenden Schichten können miteinander elektrisch verbunden sein oder elektrisch voneinander isoliert sein. Die zwei oder mehr elektrisch leitenden Schichten können einen gemeinsamen körperlichen Kontakt aufweisen oder räumlich voneinander isoliert sein. Die zwei oder mehr elektrisch leitenden Schichten können nebeneinander, übereinander und/oder zueinander versetzt ausgebildet sein. Die zwei oder mehr elektrisch leitenden Schichten können jeweils einen zweiten Bereich aufweisen, die die gleichen elektrischen Eigenschaften aufweisen; oder elektrisch unterschiedliche zweite Bereiche aufweisen. Die zwei oder mehr elektrisch leitenden Schichten können auch einen gemeinsamen zweiten Bereich aufweisen, beispielsweise indem der gemeinsame zweite Bereich die zwei oder mehr elektrisch leitenden Schichten durchdringt, beispielsweise indem der zweite Bereich elektrisch nicht-leitend ausgebildet ist. Die zwei oder mehr elektrisch leitenden Schichten können zweite Bereiche aufweisen, die in unterschiedlichen Bereichen des optisch aktiven Bereiches ausgebildet sind, beispielsweise bezüglich einander übereinander und lateral versetzt angeordnet sein.
In einer Ausgestaltung kann die elektrisch leitende Schicht eine erste elektrisch leitende Schicht und eine zweite elektrisch leitende Schicht aufweisen, wobei die erste elektrisch leitende Schicht einen ersten ersten Bereich und einen ersten zweiten Bereich aufweist, und wobei die zweite elektrisch leitende Schicht einen zweiten ersten Bereich und einen zweiten zweiten Bereich aufweist.
In einer Ausgestaltung können der erste erste Bereich und der zweite erste Bereich wenigstens teilweise parallele und/oder kongruente Teile aufweisen. Die parallelen und/oder kongruenten Teile können beispielsweise sich teilweise geometrisch deckende zweite Bereiche sein.
In einer Ausgestaltung können der erste zweite Bereich und der zweite zweite Bereich derart bezüglich einander ausgebildet sein, dass der Stromfluss in dem ersten ersten Bereich anders beeinflusst ist als im zweiten ersten Bereich. Beispielsweise können der erste zweite Bereich und der zweite zweite Bereich eine unterschiedliche Form, einen unterschiedlichen Flächenanteil an der jeweiligen elektrisch leitenden Schicht aufweisen und/oder unterschiedlich bezüglich einander angeordnet sein, beispielsweise nicht kongruent, geometrisch deckend.
In einer Ausgestaltung kann der zweite Bereich einen Flächenanteil an der elektrisch leitenden Schicht aufweisen, der beispielsweise abhängig ist von der darzustellenden vorgegebenen Information.
Die Form, der Anteil und/oder die Anordnung des zweiten Bereiches in einer elektrisch leitenden Schicht können/kann abhängig sein von der anwendungsspezifischen Ausgestaltung des optisch aktiven Bereiches und beispielsweise mittels optischer Simulationen ermittelt werden, beispielsweise mittels der Software „COMSOL”. Bei einer zwei- oder mehrschichtigen Struktur, bzw. bei zwei oder mehr elektrisch leitenden Schichten mit jeweils zweiten Bereichen können beispielsweise topografisch spitze Strukturen und/oder sehr raue Oberflächen als zweite Bereiche dazu führen, dass an einer über dem zweiten Bereich befindlichen Elektrode Feldüberhöhungen auftreten und/oder Defekte verursacht werden können.
In einer Ausgestaltung können der erste zweite Bereich und der zweite zweite Bereich derart bezüglich einander ausgebildet sein, dass der Stromfluss in den wenigstens teilweise parallelen und/oder kongruenten Teilen in dem ersten ersten Bereich anders beeinflusst ist als im zweiten ersten Bereich. Beispielsweise kann der erste zweite Bereich zu einer stärkeren Homogenisierung der Stromverteilung in der ersten elektrisch leitenden Schicht führen als der zweite zweite Bereich in der zweiten elektrisch leitenden Schicht.
In einer Ausgestaltung kann der erste Bereich ein transparentes oder transluzentes elektrisch leitfähiges Material aufweisen oder daraus gebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann das transparente oder transluzente elektrisch leitfähige Material ein organischer Stoff oder ein organisches Stoffgemisch sein.
In einer Ausgestaltung kann das transparente oder transluzente elektrisch leitfähige Material ein Metalloxid sein oder aufweisen.
In einer Ausgestaltung kann das transparente oder transluzente elektrisch leitfähige Material ein Metall sein oder aufweisen. Beispielsweise kann die elektrisch leitende Schicht und/oder der erste Bereich mit einem Metall derart dünn ausgebildet werden, dass es optisch transparent oder transluzent ist, beispielsweise eine Silberschicht mit einer Dicke unter 50 nm.
In einer Ausgestaltung kann der zweite Bereich ein oder mehrere zweite Bereiche aufweisen. Zwei oder mehr zweite Bereiche können räumlich und/oder elektrisch voneinander isoliert sein.
In einer Ausgestaltung kann der zweite Bereich elektrisch nicht-leitend ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann der elektrisch nicht-leitende zweite Bereich einen dielektrischen Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein. Mit anderen Worten: ein zweiter Bereich kann aus einem dielektrischen Material oder einem elektrisch isolierenden Material gebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann der elektrisch nicht-leitende zweite Bereich einen elektrisch leitfähigen Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein. Mit anderen Worten: der zweite Bereich kann auch aus einem elektrisch leitfähigen Material gebildet sein, beispielsweise einem halbleitenden Material. Die elektronische Bandstruktur und/oder die Betriebsparameter des zweiten Bereiches und deren elektrisch benachbarten Bereich können jedoch derart sein, dass die Bandstruktur des elektrisch leitfähigen Materials keine, wenige oder lokalisierte Elektronenzustände in dem zweiten Bereich aufweist, die ein Leiten eines elektrischen Stromes durch die bzw. in dem zweiten Bereich ermöglichen könnten.
In einer Ausgestaltung kann der zweite Bereich als ein geöffneter Bereich der elektrisch leitenden Schicht ausgebildet sein oder mittels eines Öffnens eines Teils der elektrisch leitenden Schicht ausgebildet werden. Ein geöffneter Bereich kann mittels eines Entfernens eines Teils der elektrisch leitenden Schicht ausgebildet werden. Die Öffnung in der ersten elektrisch leitenden Schicht kann in Form eines Luft-gefüllten Hohlraums den zweiten Bereich ausbilden oder mit einem elektrisch nicht-leitenden oder anders leitenden Material, d. h. einem Material mit anderer elektrischer Leitfähigkeit als die Leitfähigkeit des Materials der elektrisch leitenden Schicht, gefüllt sein.
In einer Ausgestaltung kann der zweite Bereich elektrisch leitend ausgebildet sein, beispielsweise aus dem Stoff oder Stoffgemisch der elektrisch leitenden Schicht.
In einer Ausgestaltung kann der zweite Bereich ausgebildet sein, indem der Stoff oder das Stoffgemisch der elektrisch leitenden Schicht umgewandelt ist, beispielsweise dotiert, entfernt, degradiert, abreagiert und/oder in einen chemisch anderen Stoff oder ein chemisch anderes Stoffgemisch umgewandelt worden ist.
In einer Ausgestaltung kann die elektrische Leitfähigkeit des elektrisch leitenden zweiten Bereiches niedriger sein als die elektrische Leitfähigkeit des ersten Bereiches. Die elektrische Leitfähigkeit des zweiten Bereiches kann beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 5% bis ungefähr 10000% – bzw. dielektrisch/durchschlagend leitend – niedriger sein als in dem ersten Bereich. Beispielsweise kann das Material einer elektrisch leitenden Schicht im Bereich des zweiten Bereiches teilweise in ein elektrisch nicht-leitendes Material umgewandelt sein, beispielsweise mittels einer Oxidation eines Metalls oder Degradation eines organisch leitenden Materials. In einer andern Ausgestaltung kann der zweite Bereich eine andere Porosität, Kristallinität und/oder Kristallorientierung aufweisen als der erste Bereich. Mit anderen Worten: der zweite Bereich kann einen höheren elektrischen Flächenwiderstand aufweisen als der erste Bereich.
In einer Ausgestaltung kann der zweite Bereich aus dem ersten Bereich ausgebildet sein, beispielsweise in dem das Material der elektrisch leitenden Schicht, d. h. des das Material des ersten Bereiches elektrisch umgewandelt oder entfernt ist.
In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement eine oder mehrere elektrische Schicht(en) mit jeweils einem oder mehreren zweiten Bereich(en) aufweisen. Die mehreren zweiten Bereich könne gleich oder unterschiedliche ausgebildet sein, beispielsweise elektrisch nicht-leitend, elektrisch leitend mit höherer Leitfähigkeit und/oder elektrisch leitend mit niedergier Leitfähigkeit.
In einer Ausgestaltung kann der erste Bereich den zweiten Bereich umgeben. Mit anderen Worten: der zweite Bereich ist von dem Rand der elektrisch leitenden Schicht wenigstens teilweise entfernt in dem ersten Bereich ausgebildet.
In einer Ausgestaltung kann der erste Bereich den zweiten Bereich lateral umgeben.
In einer Ausgestaltung kann die in dem optisch aktiven Bereich vorgegebene darstellbare Information beispielsweise ein Schriftzug, ein Ideogramm, ein Symbol und/oder ein Piktogramm sein. Beispielsweise kann der zweite Bereich die Form eines Schriftzuges aufweisen, sodass der Schriftzug in dem optisch aktiven Bereich als ein Farb- und/oder Leuchtdichtekontrast wahrnehmbar ist. Die definierte Stromverteilung in der flächigen elektrisch leitenden Schicht kann beispielsweise die darzustellende vorgegebene Information ausbilden bzw. erzeugen. Die darstellbare vorgegebene Information kann beispielsweise im Betrieb des optoelektronischen Bauelementes sichtbar bzw. wahrnehmbar sein, und im Nicht-Betrieb nicht sichtbar bzw. wahrnehmbar sein.
In einer Ausgestaltung kann der zweite Bereich derart ausgebildet sein, dass ein flächiger Strompfad eines Stromes in dem flächigen ersten Bereich in einen linienförmigen Strompfad des Stromes beeinflusst ist. Mit anderen Worten: der zweite Bereich kann derart ausgebildet sein, dass ein elektrischer Strom von einem flächigen Strompfad in einen linienförmigen Strompfad umgelenkt ist. Dadurch kann der Serienwiderstand des umgelenkten Strompfades erhöht sein bezüglich des Flächenwiderstandes des flächigen Strompfades. Dadurch können/kann die elektrische Spannung und/oder die elektrisch Stromstärke in dem ersten Bereich in der Nähe von zweiten Bereichen abweichen von den Werten in dem ersten Bereich entfernter von den zweiten Bereichen. Dadurch können/kann der Farbortgradient und/oder der Leuchtdichtegradient in dem optisch aktiven Bereich beeinflusst werden, beispielsweise einstellbar sein.
In einer Ausgestaltung kann der zweite Bereich derart ausgebildet sein, dass der linienförmige Strompfad eine der folgenden geometrisch Formen aufweist: ein Mäander, eine Spirale, eine Hyperbel.
In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement als ein Fotodetektor, eine Solarzelle und/oder eine Leuchtdiode ausgebildet sein, beispielsweise als eine organische Leuchtdiode.
In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement flächig ausgebildet sein, beispielsweise als eine Flächenlichtquelle.
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes bereitgestellt, das Verfahren aufweisend: Ausbilden einer ersten Elektrode, Ausbilden einer organischen funktionellen Schichtenstruktur auf oder über der ersten Elektrode, wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur zu einem Umwandeln eines elektrischen Stromes in eine elektromagnetische Strahlung und/oder zu einem Umwandeln einer elektromagnetischen Strahlung in einen elektrischen Strom ausgebildet wird; Ausbilden einer zweiten Elektrode auf oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur, und wobei das Ausbilden der ersten Elektrode, das Ausbilden der zweiten Elektrode und/oder das Ausbilden der organischen funktionellen Schichtenstruktur ein Ausbilden einer elektrisch leitenden Schicht aufweisen/t, wobei die elektrisch leitende Schicht mit einem ersten Bereich ausgebildet wird, der eine erste elektrische Leitfähigkeit aufweist; und einem zweiten Bereich ausgebildet wird, der eine zweite elektrische Leitfähigkeit aufweist, wobei der zweite Bereich in dem ersten Bereich ausgebildet wird und aufgrund seiner zweiten elektrischen Leitfähigkeit eine definierte Stromverteilung in der elektrisch leitenden Schicht bewirkt.
In verschiedenen Ausführungsformen kann die zweite elektrische Leitfähigkeit geringer sein als die erste elektrische Leitfähigkeit und dadurch die definierte Stromverteilung einen Stromfluss in dem ersten Bereich aufweisen, so dass eine homogenere Stromverteilung in dem ersten Bereich ausgebildet wird bezüglich einer elektrisch leitenden Schicht ohne zweiten Bereich.
In verschiedenen Ausführungsformen kann die zweite elektrische Leitfähigkeit unterschiedlich sein zu der ersten elektrischen Leitfähigkeit, beispielsweise höher oder niedriger, und dadurch die definierte Stromverteilung einen Stromfluss in dem ersten Bereich aufweisen, so dass eine vorgegebene Information in dem optisch aktiven Bereich darstellbar wird.
In den Ausführungsformen können die Verfahren jeweils ferner nachfolgende Ausgestaltungen aufweisen, soweit diese sinnvoll sind. Die beschriebenen Merkmale der Ausführungsformen des optoelektronischen Bauelementes gelten analog für das Verfahren zum Herstellen des optoelektronischen Bauelementes; und die Merkmale des Verfahrens zum Herstellen des optoelektronischen Bauelementes analog für das optoelektronische Bauelement – soweit dies sinnvoll ist.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die elektrisch leitende Schicht mit zwei oder mehr elektrisch leitenden Schichten ausgebildet werden, wobei beim Ausbilden eines zweiten Bereiches in einer der zwei oder mehr elektrisch leitenden Schichten, ein zweiter Bereich in der anderen oder weiteren elektrisch leitenden Schichten ausgebildet wird.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die elektrisch leitende Schicht strukturiert ausgebildet werden derart, dass der zweite Bereich mit dem ersten Bereich ausgebildet wird.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der zweite Bereich nach dem Ausbilden des ersten Bereiches in dem ersten Bereich ausgebildet werden. Beispielsweise kann die elektrisch leitende Schicht nach dem Ausbilden, beispielsweise Aufbringen, des Materials der elektrisch leitenden Schicht auf einem Substrat, strukturiert werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der zweite Bereich aus dem ersten Bereich ausgebildet werden. Beispielsweise kann das Material des ersten Bereiches in des Material des zweiten Bereiches umgewandelt werden. Beispielswiese kann aus der elektrisch leitenden Schicht mit elektrisch leitendem Bereich ein Bereich entfernt werden, wodurch der zweite Bereich gebildet wird.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der zweite Bereich mittels eines Öffnens eines Bereiches der elektrisch leitenden Schicht ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der zweite Bereich mittels einer Laserablation und/oder UV-Bestrahlung des ersten Bereiches ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der zweite Bereich mittels eines chemischen Umwandelns eines Bereiches der elektrisch leitenden Schicht ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der zweite Bereich mittels eines Dotierens eines Bereiches der elektrisch leitenden Schicht ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Verfahren ferner ein Ausbilden einer Verkapselungsstruktur aufweisen derart, dass das optoelektronische Bauelement bezüglich wenigstens eines schädlichen Stoffs, beispielsweise Wasser und/oder Sauerstoff, hermetisch abgedichtet wird.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der zweite Bereich nach dem Ausbilden der Verkapselungsstruktur in der elektrisch leitenden Schicht ausgebildet werden.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.
Es zeigen
1 eine schematische Darstellung eines optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen;
2 ein Diagramm zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen;
3 eine schematische Darstellung eines optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen;
4A, B schematische Darstellungen eines Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelementes;
3 eine schematische Darstellung eines Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelementes;
6A, B schematische Darstellungen üblicher optoelektronischer Bauelemente; und
7A–C schematische Darstellungen von Ausführungsbeispielen eines optoelektronischen Bauelementes.
In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird Richtungsterminologie wie etwa „oben”, „unten”, „vorne”, „hinten”, „vorderes”, „hinteres”, usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur(en) verwendet. Da Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert.
Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe ”verbunden”, ”angeschlossen” sowie ”gekoppelt” verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.
In verschiedenen Ausführungsformen werden optoelektronische Bauelemente beschrieben, wobei ein optoelektronisches Bauelement einen optisch aktiven Bereich aufweist. Der optisch aktive Bereich eines optoelektronischen Bauelementes kann elektromagnetische Strahlung absorbieren und daraus einen Fotostrom ausbilden, d. h. umwandeln; oder mittels einer angelegten Spannung an den optisch aktiven Bereich elektromagnetische Strahlung emittieren. In verschiedenen Ausführungsformen kann die elektromagnetische Strahlung einen Wellenlängenbereich aufweisen, der Röntgenstrahlung, UV-Strahlung (A-C), sichtbares Licht und/oder Infrarot-Strahlung (A-C) aufweist.
Eine elektromagnetische Strahlung emittierende Struktur kann in verschiedenen. Ausgestaltungen eine elektromagnetische Strahlung emittierende Halbleiter-Struktur sein und/oder als eine elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als eine organische elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als ein elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor oder als ein organischer elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor ausgebildet sein. Die Strahlung kann beispielsweise Licht (im sichtbaren Bereich), UV-Strahlung und/oder Infrarot-Strahlung sein. In diesem Zusammenhang kann das elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement beispielsweise als Licht emittierende Diode (light emitting diode, LED) als organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode, OLED), als Licht emittierender Transistor oder als organischer Licht emittierender Transistor ausgebildet sein. Das elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement kann in verschiedenen Ausgestaltungen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von elektromagnetische Strahlung emittierenden Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann ein optoelektronisches Bauelement als eine organische Leuchtdiode (organic light emitting diode – OLED), ein organischer Feldeffekttransistor (organic field effect transistor OFET) und/oder eine organische Elektronik ausgebildet sein. Bei dem organischen Feldeffekttransistor kann es sich um einen sogenannten „all-OFET” handeln, bei dem alle Schichten organisch sind. Eine optoelektronische Struktur kann ein organisches funktionelles Schichtensystem aufweisen, welches synonym auch als organische funktionelle Schichtenstruktur bezeichnet wird. Die organische funktionelle Schichtenstruktur kann einen organischen Stoff oder ein organisches Stoffgemisch aufweisen oder daraus gebildet sein, der/das beispielsweise zum Bereitstellen einer elektromagnetischen Strahlung aus einem bereitgestellten elektrischen Strom ausgebildet ist.
Ein optoelektronisches Bauelement mit einem optisch aktiven Bereich kann eine oder mehrere optisch aktive Seiten aufweisen. Ein flächiges Bauelement, welches zwei flächige, optisch aktive Seiten aufweist, kann in der Verbindungsrichtung der optisch aktiven Seiten beispielsweise transparent oder transluzent ausgebildet sein. Ein flächiges Bauelement kann auch als ein planares Bauelement bezeichnet werden. Der optisch aktive Bereich kann jedoch auch eine flächige, optisch aktive Seite und eine flächige, optisch inaktive Seite aufweisen, beispielsweise eine organische Leuchtdiode, die als Top-Emitter oder Bottom-Emitter ausgebildet ist. Die optisch inaktive Seite kann beispielsweise mit einer Spiegelstruktur, beispielsweise einer Spiegelstruktur mit einer elektrisch schaltbaren Reflektivität und/oder einem opaken Stoff oder Stoffgemisch versehen sein, beispielsweise zur Wärmeverteilung; wodurch der Strahlengang des Bauelementes gerichtet werden kann.
Eine organische Leuchtdiode kann als ein Top-Emitter oder ein Bottom-Emitter ausgebildet sein. Bei einem Bottom-Emitter wird Licht aus dem elektrisch aktiven Bereich durch den Träger emittiert. Bei einem Top-Emitter wird Licht aus der Oberseite des elektrisch aktiven Bereiches emittiert und nicht durch den Träger.
Ein Top-Emitter und/oder Bottom-Emitter kann auch optisch transparent oder optisch transluzent ausgebildet sein, beispielsweise kann jede der nachfolgend beschriebenen Schichten oder Strukturen transparent oder transluzent ausgebildet sein.
Unter dem Begriff „transluzent” bzw. „transluzente Schicht” kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist, beispielsweise für das von dem Lichtemittierenden Bauelement erzeugte Licht, beispielsweise einer oder mehrerer Wellenlängenbereiche, beispielsweise für Licht in einem Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm). Beispielsweise ist unter dem Begriff „transluzente Schicht” in verschiedenen Ausführungsbeispielen zu verstehen, dass im Wesentlichen die gesamte in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppelte Lichtmenge auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird, wobei ein Teil des Licht hierbei gestreut werden kann.
Unter dem Begriff „transparent” oder „transparente Schicht” kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm), wobei in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppeltes Licht ohne Streuung oder Lichtkonversion auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein optoelektronisches Bauelement 100 bereitgestellt – veranschaulicht in 1. Das optoelektronische Bauelement 100 kann beispielsweise als ein Fotodetektor, eine Solarzelle und/oder eine Leuchtdiode ausgebildet sein, beispielsweise als eine organische Leuchtdiode. Weiterhin kann das optoelektronische Bauelement 100 flächig ausgebildet sein, beispielsweise als eine Flächenlichtquelle.
Das optoelektronische Bauelement 100 kann ein hermetisch dichtes Substrat 102, einen aktiven Bereich 106 und eine Verkapselungsstruktur 326 aufweisen (siehe auch Beschreibung unten in Ergänzung, beispielsweise 3).
Der aktive Bereich 106 ist ein elektrisch aktiver Bereich 106 und/oder ein optisch aktiver Bereich 106. Der aktive Bereich 106 ist beispielsweise der Bereich des optoelektronischen Bauelements 100, in dem elektrischer Strom zum Betrieb des optoelektronischen Bauelements 100 fließt und/oder in dem elektromagnetische Strahlung erzeugt und/oder absorbiert wird.
Der elektrisch aktive Bereich 106 kann eine erste Elektrode 110, eine organische funktionelle Schichtenstruktur 112 und eine zweiten Elektrode 114 aufweisen. Die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 ist elektrisch zwischen der ersten Elektrode 110 und der zweiten Elektrode 114 ausgebildet. Die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 ist zu einem Umwandeln eines elektrischen Stromes in eine elektromagnetische Strahlung und/oder zu einem Umwandeln einer elektromagnetischen Strahlung in einen elektrischen Strom ausgebildet.
Die erste Elektrode 110 kann als Anode oder als Kathode ausgebildet sein.
Die erste Elektrode 110 kann eines der folgenden elektrisch leitfähigen Material aufweisen oder daraus gebildet werden: ein Metall; ein leitfähiges transparentes Oxid (transparent conductive oxide, TCO); ein Netzwerk aus metallischen Nanodrähten und -teilchen, beispielsweise aus Ag, die beispielsweise mit leitfähigen Polymeren kombiniert sind; ein Netzwerk aus Kohlenstoff-Nanoröhren, die beispielsweise mit leitfähigen Polymeren kombiniert sind; Graphen-Teilchen und – Schichten; ein Netzwerk aus halbleitenden Nanodrähten; ein elektrisch leitfähiges Polymer; ein Übergangsmetalloxid; und/oder deren Komposite. Die erste Elektrode 110 aus einem Metall oder ein Metall aufweisend kann eines der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ca, Sm oder Li, sowie Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser Materialien. Die erste Elektrode 110 kann als transparentes leitfähiges Oxid eines der folgenden Materialien aufweisen: beispielsweise Metalloxide: beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium-Zinn-Oxid (ITO). Neben binären Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise ZnO, SnO₂, oder In₂O₃ gehören auch ternäre Metallsauerstoffverbindungen, beispielsweise AlZnO, Zn₂SnO₄, CdSnO₃, ZnSnO₃, MgIn₂O₄, GaInO₃, Zn₂In₂O₅ oder In₄Sn₃O₁₂ oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs und können in verschiedenen Ausführungsbeispielen eingesetzt werden. Weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer stöchiometrischen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein, bzw. lochleitend (p-TCO) oder elektronenleitend (n-TCO) sein.
Die erste Elektrode 110 kann eine Schicht oder einen Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben Materials oder unterschiedlicher Materialien aufweisen. Die erste Elektrode 110 kann gebildet werden von einem Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs, oder umgekehrt. Ein Beispiel ist eine Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO Multischichten.
Die erste Elektrode 110 kann beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von 10 nm bis 500 nm, beispielsweise von kleiner 25 nm bis 250 nm, beispielsweise von 50 nm bis 100 nm.
Die erste Elektrode 110 kann einen ersten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein erstes elektrisches Potential anlegbar ist. Das erste elektrische Potential kann von einer Energiequelle bereitgestellt werden, beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsquelle. Alternativ kann das erste elektrische Potential an einen elektrisch leitfähigen Träger 302 angelegt sein und die erste Elektrode 110 durch den Träger 302 mittelbar elektrisch zugeführt sein. Das erste elektrische Potential kann beispielsweise das Massepotential oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotential sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 ein, zwei oder mehr funktionelle Schichtenstruktur-Einheiten und eine, zwei oder mehr Zwischenschichtstruktur(en) zwischen den Schichtenstruktur-Einheiten aufweisen (veranschaulicht in 3).
Auf oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 oder gegebenenfalls auf oder über der einen oder den mehreren weiteren der organischen funktionellen Schichtenstruktur und/oder organisch funktionalen Schichten kann die zweite Elektrode 114 ausgebildet sein.
Die zweite Elektrode 114 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 110 ausgebildet sein, wobei die erste Elektrode 110 und die zweite Elektrode 114 gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein können. Die zweite Elektrode 114 kann als Anode, also als löcherinjizierende Elektrode ausgebildet sein oder als Kathode, also als eine elektroneninjizierende Elektrode.
Die zweite Elektrode 114 kann einen zweiten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein zweites elektrisches Potential anlegbar ist. Das zweite elektrische Potential kann von der gleichen oder einer anderen Energiequelle bereitgestellt werden wie das erste elektrische Potential und/oder das optionale dritte elektrische Potential. Das zweite elektrische Potential kann unterschiedlich zu dem ersten elektrischen Potential und/oder dem optional dritten elektrischen Potential sein. Das zweite elektrische Potential kann beispielsweise einen Wert aufweisen derart, dass die Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungefähr 20 V aufweist, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2,5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 3 V bis ungefähr 12 V.
Die erste Elektrode 110, die zweite Elektrode 114 und die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 können elektrisch leitfähig ausgebildet sein, beispielsweise elektrisch leitend unter Betriebsbedingungen.
Das optoelektronische Bauelement 100 kann wenigstens eine flächige elektrisch leitende Schicht mit einem flächigen ersten Bereich und einem zweiten Bereich 120 aufweisen. Der erste Bereich weist eine erste elektrische Leitfähigkeit auf; und der zweite Bereich eine zweite elektrische Leitfähigkeit. Der zweite Bereich kann in dem ersten Bereich ausgebildet sein und aufgrund seiner zweiten elektrischen Leitfähigkeit eine definierte Stromverteilung in der elektrisch leitenden Schicht bewirken. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite elektrische Leitfähigkeit geringer sein als die erste elektrische Leitfähigkeit und dadurch die definierte Stromverteilung einen Stromfluss in dem ersten Bereich aufweisen, so dass eine homogenere Stromverteilung in dem ersten Bereich ausgebildet ist bezüglich einer elektrisch leitenden Schicht ohne zweiten Bereich. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite elektrische Leitfähigkeit unterschiedlich sein zu der ersten elektrischen Zeitfähigkeit und dadurch die definierte Stromverteilung einen Stromfluss in dem ersten Bereich aufweisen, so dass eine vorgegebene Information in dem optisch aktiven Bereich darstellbar ist. In verschiedenen Ausführungsbeispielen können/kann die erste Elektrode 110, die zweite Elektrode 114 und/oder die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 die/eine elektrisch leitende Schicht sein oder eine elektrisch leitende Schicht aufweisen. Der erste Bereich kann ein transparentes oder transluzentes elektrisch leitfähiges Material aufweisen oder daraus gebildet sein. Das transparente oder transluzente elektrisch leitfähige Material kann ein organischer Stoff oder ein organisches Stoffgemisch sein. Alternativ kann das transparente oder transluzente elektrisch leitfähige Material ein dünnes Metall oder ein Metalloxid (transparentes leitfähiges Oxid – TCO) sein oder aufweisen, beispielsweise ein p-TCO (lochleitendes TCO) oder n-TCO (elektronenleitendes TCO).
Beispielsweise kann die erste Elektrode 110 einen zweiten Bereich 120C aufweisen. Beispielsweise kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 einen zweiten Bereich 120B aufweisen. Beispielsweise kann die zweite Elektrode 114 einen zweiten Bereich 120A aufweisen.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die elektrisch leitende Schicht zwei oder mehr elektrisch leitende Schichten aufweisen. Die zwei oder mehr elektrisch leitenden Schichten können elektrisch miteinander verbunden sein. Die zwei oder mehr elektrisch leitenden Schichten können einen gemeinsamen körperlichen Kontakt aufweisen oder frei sein von einem gemeinsamen körperlichen Kontakt.
Beispielsweise können die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 und die erste Elektrode 110 einen zweiten Bereich 120D aufweisen. Beispielsweise können die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 und die zweite Elektrode 114 einen zweiten Bereich 120 aufweisen. Beispielsweise können die erste Elektrode 110 und die zweite Elektrode 114 einen zweiten Bereich 120 aufweisen. Beispielsweise können die erste Elektrode 110, die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 und die zweite Elektrode 114 einen zweiten Bereich 120E aufweisen.
Mit anderen Worten: die elektrisch leitende Schicht kann eine erste elektrisch leitende Schicht und eine zweite elektrisch leitende Schicht aufweisen, wobei die erste elektrisch leitende Schicht einen ersten ersten Bereich und einen ersten zweiten Bereich aufweist, und wobei die zweite elektrisch leitende Schicht einen zweiten ersten Bereich und einen zweiten zweiten Bereich aufweist. Der erste zweite Bereich und der zweite zweite Bereich können gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein. Der erste erste Bereich und der zweite erste Bereich wenigstens teilweise parallele und/oder kongruente Teile aufweisen. Der erste zweite Bereich und der zweite zweite Bereich können derart bezüglich einander ausgebildet sein, dass der Stromfluss in dem ersten ersten Bereich anders beeinflusst ist als im zweiten ersten Bereich. Der erste zweite Bereich und der zweite zweite Bereich können derart bezüglich einander ausgebildet sein, dass der Stromfluss in den wenigstens teilweise parallelen und/oder kongruenten Teilen in dem ersten ersten Bereich anders beeinflusst ist als im zweiten ersten Bereich. Beispielsweise kann der erste zweite Bereich und der zweite zweite Bereich übereinander ausgebildet sein und eine gleiche elektrisch Leitfähigkeit aufweisen.
Mit anderen Worten: der zweite Bereich 120 kann in dem flächigen ersten Bereich ausgebildet sein derart, dass der zweite Bereich 120 den Stromfluss bzw. den Strompfad in dem flächigen ersten Bereich beeinflusst. Beispielsweise kann der zweite Bereich 120 die Leitfähigkeit in der Fläche des ersten Bereiches beeinflussen, beispielsweise unterbrechen, beispielsweise lateral in der elektrisch leitenden Schicht und/oder im zweiten Bereich durch die elektrisch leitende Schicht.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der zweite Bereich 120 elektrisch nicht-leitend ausgebildet sein. Der elektrisch nicht-leitende zweite Bereich 120 kann einen dielektrischen Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein. Alternativ kann der elektrisch nicht-leitende zweite Bereich 120 einen elektrisch leitfähigen Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein. Beispielsweise kann der zweite Bereich 120 als ein geöffneter Bereich der elektrisch leitenden Schicht ausgebildet sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der zweite Bereich 120 elektrisch leitend ausgebildet sein. Die elektrische Leitfähigkeit des elektrisch leitenden zweiten Bereiches 120 kann höher oder niedriger sein als die elektrische Leitfähigkeit des ersten Bereiches, soweit dies für die jeweilige Anwendung des zweiten Bereiches sinnvoll ist.
In einem Ausführungsbeispiel kann der zweite Bereich 120 aus dem ersten Bereich ausgebildet sein, beispielsweise in dem ein Teil des ersten Bereiches geöffnet, degradiert oder dotiert wird.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der erste Bereich den zweiten Bereich 120 umgeben, beispielsweise lateral.
In einem Ausführungsbeispiel kann der zweite Bereich 120 derart in dem ersten Bereich ausgebildet sein, dass eine vorgegebene Information in dem optisch aktiven Bereich darstellbar ist. Die darstellbare vorgegebene Information kann beispielsweise ein Schriftzug, ein Ideogramm, ein Symbol und/oder ein Piktogramm sein.
Beispielsweise kann der zweite Bereich derart ausgebildet sein, dass ein flächiger Strompfad eines Stromes in dem flächigen ersten Bereich in einen linienförmigen Strompfad des Stromes beeinflusst ist. Beispielsweise kann der zweite Bereich derart ausgebildet sein, dass der linienförmige Strompfad eine der folgenden geometrischen Formen aufweist: ein Mäander, eine Spirale, eine Hyperbel.
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes 100 (siehe oben) bereitgestellt (veranschaulicht in 2). Das Verfahren kann ein Ausbilden einer ersten Elektrode 110 und ein Ausbilden einer organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 auf oder über der ersten Elektrode 110 aufweisen. Die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 kann zu einem Umwandeln eines elektrischen Stromes in eine elektromagnetische Strahlung und/oder zu einem Umwandeln einer elektromagnetischen Strahlung in einen elektrischen Strom ausgebildet werden. Weiterhin kann das Verfahren 110 ein Ausbilden einer zweiten Elektrode 114 auf oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 114 aufweisen.
Das Ausbilden der ersten Elektrode, das Ausbilden der zweiten Elektrode und/oder das Ausbilden der organischen funktionellen Schichtenstruktur kann ein Ausbilden 200 einer elektrisch leitenden Schicht aufweisen.
Die elektrisch leitende Schicht kann mit einem ersten Bereich ausgebildet 202 werden. Der erste Bereich weist eine erste elektrische Leitfähigkeit auf. Weiterhin kann das Ausbilden 200 der elektrisch leitenden Schicht ein Ausbilden 204 eines zweiten Bereiches 120 aufweisen (siehe 1), der eine zweite elektrische Leitfähigkeit aufweist. Die zweite elektrische Leitfähigkeit ist unterschiedlich zu der ersten elektrischen Leitfähigkeit. Der zweite Bereich 120 kann in dem ersten Bereich ausgebildet werden. Aufgrund der zu der ersten elektrischen Leitfähigkeit unterschiedlichen zweiten elektrischen Leitfähigkeit kann eine definierte Stromverteilung in der elektrisch leitenden Schicht bewirkt werden. Dadurch kann der Stromfluss in dem ersten Bereich beeinflusst werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite elektrische Leitfähigkeit geringer sein als die erste elektrische Leitfähigkeit und dadurch die definierte Stromverteilung einen Stromfluss in dem ersten Bereich aufweisen, so dass eine homogenere Stromverteilung in dem ersten Bereich ausgebildet wird bezüglich einer elektrisch leitenden Schicht ohne zweiten Bereich.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite elektrische Leitfähigkeit unterschiedlich sein zu der ersten elektrischen Leitfähigkeit und dadurch die definierte Stromverteilung einen Stromfluss in dem ersten Bereich aufweisen, so dass eine vorgegebene Information in dem optisch aktiven Bereich darstellbar wird.
Die elektrisch leitende Schicht kann mit zwei oder mehr elektrisch leitenden Schichten ausgebildet werden. Beispielsweise kann die elektrisch leitende Schicht mit einer ersten elektrisch leitenden Schicht und einer zweiten elektrisch leitenden Schicht ausgebildet werden, wobei die erste elektrisch leitende Schicht mit einem ersten ersten Bereich und einem ersten zweiten Bereich 120 ausgebildet wird, und wobei die zweite elektrisch leitende Schicht mit einem zweiten ersten Bereich und einem zweiten zweiten Bereich 120 ausgebildet wird. Der erste erste Bereich und der zweite erste Bereich können derart ausgebildet werden, dass sie wenigstens teilweise parallele und/oder kongruente Teile aufweisen. Der erste zweite Bereich 120 und der zweite zweite Bereich 120 können derart bezüglich einander ausgebildet werden, dass der Stromfluss in dem ersten ersten Bereich anders beeinflusst ist als im zweiten ersten Bereich. In einer Ausgestaltung können der erste zweite Bereich und der zweite zweite Bereich derart bezüglich einander ausgebildet werden, dass der Stromfluss in den wenigstens teilweise parallelen und/oder kongruenten Teilen in dem ersten ersten Bereich anders beeinflusst ist als im zweiten ersten Bereich.
Der erste Bereich kann ein transparentes oder transluzentes elektrisch leitfähiges Material aufweisen oder daraus gebildet werden. Beispielswiese kann das transparente oder transluzente elektrisch leitfähige Material ein organischer Stoff oder ein organisches Stoffgemisch; oder ein Metalloxid sein oder aufweisen.
In einem Ausführungsbeispiel des Verfahrens kann der zweite Bereich 120 elektrisch nicht-leitend ausgebildet werden. Beispielsweise kann der elektrisch nicht-leitende zweite Bereich einen dielektrischen Stoff; oder einen elektrisch leitfähigen Stoff aufweisen oder daraus gebildet werden. Beispielsweise kann der zweite Bereich 120 als ein geöffneter Bereich der elektrisch leitenden Schicht ausgebildet werden.
In einem Ausführungsbeispiel des Verfahrens kann der zweite Bereich 120 elektrisch leitend ausgebildet werden. Beispielsweise kann die elektrisch leitende Schicht derart ausgebildet werden, dass die elektrische Leitfähigkeit des zweiten Bereiches höher oder niedriger ist als die elektrische Leitfähigkeit des ersten Bereiches, soweit dies für die jeweilige Anwendung des optoelektronischen Bauelementes sinnvoll ist.
Die elektrisch leitende Schicht kann mit zwei oder mehr elektrisch leitenden Schichten ausgebildet werden. Beim Ausbilden eines zweiten Bereiches in einer der zwei oder mehr elektrisch leitenden Schichten kann ein zweiter Bereich in der anderen elektrisch leitenden Schicht oder weiteren elektrisch leitenden Schichten ausgebildet werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens kann die elektrisch leitende Schicht strukturiert ausgebildet werden derart, dass der zweite Bereich mit dem ersten Bereich ausgebildet wird, d. h. gleichzeitig oder parallel.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens kann der zweite Bereich 120 nach dem Ausbilden des ersten Bereiches in dem ersten Bereich ausgebildet werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens kann der zweite Bereich 120 aus dem ersten Bereich ausgebildet werden. Beispielsweise kann der zweite Bereich mittels eines Öffnens eines Bereiches der elektrisch leitenden Schicht ausgebildet werden. Alternativ kann der zweite Bereich 120 mittels einer Laserablation und/oder UV-Bestrahlung des ersten Bereiches ausgebildet werden. Beispielsweise kann der zweite Bereich mittels eines chemischen Umwandelns eines Bereiches der elektrisch leitenden Schicht ausgebildet werden, beispielsweise mittels einer Degradation des Materials des ersten Bereiches. Alternativ kann der zweite Bereich 120 mittels eines Dotierens eines Bereiches der elektrisch leitenden Schicht ausgebildet werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens kann das Verfahren ferner ein Ausbilden einer Verkapselungsstruktur 328 (siehe 3) aufweisen derart, dass das optoelektronische Bauelement bezüglich wenigstens eines schädlichen Stoffs, beispielsweise Wasser und/oder Sauerstoff, hermetisch abgedichtet wird. Der zweite Bereich 120 kann beispielsweise nach dem Ausbilden der Verkapselungsstruktur 328 in der elektrisch leitenden Schicht ausgebildet werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens kann die elektrisch leitende Schicht derart ausgebildet werden, dass der erste Bereich den zweiten Bereich 120 umgibt, beispielsweise lateral.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens kann der zweite Bereich 120 derart in dem ersten Bereich ausgebildet werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens kann die darstellbare vorgegebene Information ein Schriftzug, ein Ideogramm, ein Symbol und/oder ein Piktogramm sein.
Beispielsweise kann der zweite Bereich 120 derart ausgebildet werden, dass ein flächiger Strompfad eines Stromes in dem flächigen ersten Bereich in einen linienförmigen Strompfad des Stromes beeinflusst wird. Beispielsweise kann der zweite Bereich 120 derart ausgebildet werden, dass der linienförmige Strompfad eine der folgenden geometrisch Formen aufweist: ein Mäander, eine Spirale, eine Hyperbel.
In einem Ausführungsbeispiel kann der zweite Bereich 120C mittels eines Strukturierens der ersten Elektrode 110 mit ITO ausgebildet werden, bevor die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 ausgebildet wird.
in einem Ausführungsbeispiel kann der zweite Bereich mittels eines Strukturierens nach dem Ausbilden des optoelektronischen Bauelementes ausgebildet werden, beispielsweise mittels einer Laserablation, einem Ätzen, beispielsweise chemisch oder mittels eines Plasmas; oder mechanisch, beispielsweise mittels eines Kratzens.
In einem Ausführungsbeispiel kann der zweite Bereich mittels eines strukturierten Ausbildens der elektrisch leitenden Schicht ausgebildet werden, beispielsweise indem das Material des ersten Bereiches und/oder des zweiten Bereiches durch Masken erfolgt.
In einem Ausführungsbeispiel kann das Verfahren 200 eine Kombination der genannten Verfahren aufweisen.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das hermetisch dichte Substrat 102 einen Träger 302 und eine erste Barriereschicht 304 aufweisen (veranschaulicht in 3).
Der Träger 302 kann Glas, Quarz, und/oder ein Halbleitermaterial aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Träger eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine (beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder Polypropylen (PP)) aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Kunststoff Polyvinylchlorid (PVC), Polystyrol (PS), Polyester und/oder Polycarbonat (PC), Polyethylenterephthalat (PET), Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen oder daraus gebildet sein.
Der Träger 302 kann ein Metall aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Kupfer, Silber, Gold, Platin, Eisen, beispielsweise eine Metallverbindung, beispielsweise Stahl.
Der Träger 302 kann opak, transluzent oder sogar transparent ausgeführt sein.
Der Träger 302 kann ein Teil einer Spiegelstruktur sein oder diese bilden.
Der Träger 302 kann einen mechanisch rigiden Bereich und/oder einen mechanisch flexiblen Bereich aufweisen oder derart ausgebildet sein, beispielsweise als eine Folie.
Der Träger 302 kann als Wellenleiter für elektromagnetische Strahlung ausgebildet sein, beispielsweise transparent oder transluzent sein hinsichtlich der emittierten oder absorbierten elektromagnetischen Strahlung des optoelektronischen Bauelementes 100.
Die erste Barriereschicht 304 kann eines der nachfolgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid, Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, Poly(p-phenylenterephthalamid), Nylon 66, sowie Mischungen und Legierungen derselben.
Die erste Barriereschicht 304 kann mittels eines der folgenden Verfahren ausgebildet werden: ein Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD)), beispielsweise eines plasmaunterstützten Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD)) oder ein plasmaloses Atomlageabscheideverfahren (Plasma-less Atomic Layer Deposition (PLALD)); ein chemisches Gasphasenabscheideverfahren (Chemical Vapor Deposition (CVD)), beispielsweise ein plasmaunterstütztes Gasphasenabscheideverfahren (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)) oder ein plasmaloses Gasphasenabscheideverfahren (Plasma-less Chemical Vapor Deposition (PLCVD)); oder alternativ mittels anderer geeigneter Abscheideverfahren.
Bei einer ersten Barriereschicht 304, die mehrere Teilschichten aufweist, können alle Teilschichten mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden. Eine Schichtenfolge, die nur ALD-Schichten aufweist, kann auch als „Nanolaminat” bezeichnet werden.
Bei einer ersten Barriereschicht 304, die mehrere Teilschichten aufweist, können eine oder mehrere Teilschichten der ersten Barriereschicht 304 mittels eines anderen Abscheideverfahrens als einem Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden, beispielsweise mittels eines Gasphasenabscheideverfahrens.
Die erste Barriereschicht 304 kann eine Schichtdicke von ungefähr 0,1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm gemäß einer Ausgestaltung, beispielsweise ungefähr 40 nm gemäß einer Ausgestaltung.
Die erste Barriereschicht 304 kann ein oder mehrere hochbrechende Materialien aufweisen, beispielsweise ein oder mehrere Material(ien) mit einem hohen Brechungsindex, beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2.
Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen Ausführungsbeispielen auch ganz auf eine erste Barriereschicht 304 verzichtet werden kann, beispielsweise für den Fall, dass der Träger 302 hermetisch dicht ausgebildet ist, beispielsweise Glas, Metall, Metalloxid aufweist oder daraus gebildet ist.
Die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 kann beispielsweise eine erste organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 316, eine Zwischenschichtstruktur 318 und eine zweite organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 320 aufweisen.
In 3 ist ein optoelektronisches Bauelement 100 mit einer ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 316 und einer zweite organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 320 veranschaulicht. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 aber auch mehr als zwei organische funktionelle Schichtenstrukturen aufweisen, beispielsweise 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, oder sogar mehr, beispielsweise 15 oder mehr, beispielsweise 70.
Die erste organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 316 und die optional weiteren organischen funktionellen Schichtenstrukturen können gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein, beispielsweise ein gleiches oder unterschiedliches Emittermaterial aufweisen. Die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 320, oder die weiteren organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheiten können wie eine der nachfolgend beschriebenen Ausgestaltungen der ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 316 ausgebildet sein. Die erste organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 316 kann gemäß einer der Ausgestaltung der organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 ausgebildet sein und umgekehrt.
Die erste organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 316 kann eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht, eine Emitterschicht, eine Elektronentransportschicht und eine Elektroneninjektionsschicht aufweisen.
In einer organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 112 kann eine oder mehrere der genannten Schichten vorgesehen sein, wobei gleiche Schichten einen körperlichen Kontakt aufweisen können, nur elektrisch miteinander verbunden sein können oder sogar elektrisch voneinander isoliert ausgebildet sein können, beispielsweise nebeneinander ausgebildet sein können. Einzelne Schichten der genannten Schichten können optional sein.
Eine Lochinjektionsschicht kann auf oder über der ersten Elektrode 110 ausgebildet sein. Die Lochinjektionsschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: HAT-CN, Cu(I)pFBz, MoO_x, WO_x, VO_x, ReO_x, F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9, Bi(III)pFBz, F16CuPc; NPB (N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin); beta-NPB N,N'-Bis(naphthalen-2-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin); TPD (N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin); Spiro TPD (N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin); Spiro-NPB (N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-spiro); DMFL-TPD N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-dimethyl-fluoren); DMFL-NPB (N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-dimethyl-fluoren); DPFL-TPD (N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-diphenyl-fluoren); DPFL-NPB (N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-diphenyl-fluoren); Spiro-TAD (2,2',7,7'-Tetrakis(n,n-diphenylamina)-9,9'-spirobifluoren); 9,9-Bis[4-(N,N-bis-biphenyl-4-yl-amino)phenyl]-9H-fluoren; 9,9-Bis[4-(N,N-bis-naphthalen-2-yl-amino)phenyl]-9H-fluoren; 9,9-Bis[4-(N,N'-bis-naphthalen-2-yl-N,N'-bis-phenyl-amino)-phenyl]-9H-fluor; N,N'-bis(phenanthren-9-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin; 2,7-Bis[N,N-bis(9,9-spiro-bifluorene-2-yl)-amino]-9,9-spiro-bifluoren; 2,2'-Bis[N,N-bis(biphenyl-4-yl)amino]9,9-spiro-bifluoren; 2,2'-Bis(N,N-di-phenyl-amino)9,9-spiro-bifluoren; Di-[4-(N,N-ditolyl-amino)-phenyl]cyclohexan; 2,2',7,7'-tetra(N,N-di-tolyl)amino-spiro-bifluoren; und/oder N,N,N',N'-tetra-naphthalen-2-yl-benzidin.
Die Lochinjektionsschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 1000 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 30 nm bis ungefähr 300 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 200 nm.
Auf oder über der Lochinjektionsschicht kann eine Lochtransportschicht ausgebildet sein. Die Lochtransportschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NPB (N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin); beta-NPB N,N'-Bis(naphthalen-2-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin); TPD (N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin); Spiro TPD (N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin); Spiro-NPB (N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-spiro); DMFL-TPD N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-dimethyl-fluoren); DMFL-NPB (N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-dimethyl-fluoren); DPFL-TPD (N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-diphenyl-fluoren); DPFL-NPB (N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-diphenyl-fluoren); Spiro-TAD (2,2',7,7'-Tetrakis(n,n-diphenylamino)-9,9'-spirobifluoren); 9,9-Bis[4-(N,N-bis-biphenyl-4-yl amino)phenyl]-9H-fluoren; 9,9-Bis[4-(N,N-bis-naphthalen-2-yl-amino)phenyl]-9H-fluoren; 9,9-Bis[4-(N,N'-bis-naphthalen-2-yl-N,N'-bis-phenyl-amino)-phenyl]-9H-fluor; N,N'-bis(phenanthren-9-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin; 2,7-Bis[N,N-bis(9,9-spiro-bifluorene-2-yl)-amino]-9,9-spiro-bifluoren; 2,2'-Bis[N,N-bis(biphenyl-4-yl)amino]9,9-spiro-bifluoren; 2,2'-Bis(N,N-di-phenyl-amino)9,9-spiro-bifluoren; Di-[4-(N,N-ditolyl-amino)-phenyl]cyclohexan; 2,2',7,7'-tetra(N,N-di-tolyl)amino-spiro-bifluoren; und N,N,N',N'-tetra-naphthalen-2-yl-benzidin, ein tertiäres Amin, ein Carbazolderivat, ein leitendes Polyanilin und/oder Polyethylendioxythiophen.
Die Lochtransportschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm.
Auf oder über der Lochtransportschicht kann eine Emitterschicht ausgebildet sein. Jede der organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheiten 316, 320 kann jeweils eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen, beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder phosphoreszierenden Emittern.
Eine Emitterschicht kann organische Polymere, organische Oligomere, organische Monomere, organische kleine, nicht-polymere Moleküle („small molecules”) oder eine Kombination dieser Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein.
Das optoelektronische Bauelement 100 kann in einer Emitterschicht eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: organische oder organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (beispielsweise 2- oder 2, substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe, beispielsweise Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis(3,5-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl)-iridium III), grün phosphoreszierendes Ir(ppy)₃ (Tris(2-phenylpyridin)iridium III), rot phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy)₃·2(PF₆) (Tris[4,4'-di-tert-butyl-(2,2')-bipyridin]ruthenium(III)komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4,4-Bis[4-(di-p-tolylamino)styryl]biphenyl), grün fluoreszierendes TTPA (9,10-Bis[N,N-di-(p-tolyl)-amino]anthracen) und rot fluoreszierendes DCM2 (4-Dicyanomethylen)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter.
Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar. Ferner können Polymeremitter eingesetzt werden, welche beispielsweise mittels eines nasschemischen Verfahrens abscheidbar sind, wie beispielsweise einem Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating).
Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein, beispielsweise einer technischen Keramik oder einem Polymer, beispielsweise einem Epoxid; oder einem Silikon.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Emitterschicht eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm.
Die Emitterschicht kann einfarbig oder verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien aufweisen. Alternativ kann die Emitterschicht mehrere Teilschichten aufweisen, die Licht unterschiedlicher Farbe emittieren. Mittels eines Mischens der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ kann auch vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen) Primärstrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt.
Die organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 316 kann eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen, die als Lochtransportschicht ausgeführt ist/sind.
Weiterhin kann die organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 316 eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen, die als Elektronentransportschicht ausgeführt ist/sind.
Auf oder über der Emitterschicht kann eine Elektronentransportschicht ausgebildet sein, beispielsweise abgeschieden sein.
Die Elektronentransportschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NET-18; 2,2',2''-(1,3,5-Benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole); 2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole,2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP); 8-Hydroxyquinolinolato-lithium, 4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole; 1,3-Bis[2-(2,2'-bipyridine-6-yl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]benzene; 4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline (BPhen); 3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole; Bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato)aluminium; 6,6'-Bis[5-(biphenyl-4-yl)-1,3,4-oxadiazo-2-yl]-2,2'-bipyridyl; 2-phenyl-9,10-di(naphthalen-2-yl)-anthracene; 2,7-Bis[2-(2,2,-bipyridine-6-yl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]-9,9-dimethylfluorene; 1,3-Bis[2-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]benzene; 2-(naphthalen-2-yl)-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline; 2,9-Bis(naphthalen-2-yl)-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline; Tris(2,4,6-trimethyl-3-(pyridin-3-yl)phenyl)borane; 1-methyl-2-(4-(naphthalen-2-yl)phenyl)-1H-imidazo[4,5-f][1,10]phenanthrolin; Phenyl-dipyrenylphosphine oxide; Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide; Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide; und Stoffen basierend auf Silolen mit einer Silacyclopentadieneinheit.
Die Elektronentransportschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm.
Auf oder über der Elektronentransportschicht kann eine Elektroneninjektionsschicht ausgebildet sein. Die Elektroneninjektionsschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NDN-26, MgAg, Cs₂CO₃, Cs₃PO₄, Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, LiF; 2,2',2''-(1,3,5-Benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole); 2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole,2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP); 8-Hydroxyquinolinolato-lithium, 4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole; 1,3-Bis[2-(2,2'-bipyridine-6-yl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]benzene; 4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline (BPhen); 3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole; Bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato)aluminium; 6,6'-Bis[5-(biphenyl-4-yl)-1,3,4-oxadiazo-2-yl]-2,2'-bipyridyl; 2-phenyl-9,10-di(naphthalen-2-yl)-anthracene; 2,7-Bis[2-(2,2'-bipyridine-6-yl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]-9,9-dimethylfluarene; 1,3-Bis[2-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiaza-5-yllbenzene; 2-(naphthalen-2-yl)-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline; 2,9-Bis(naphthalen-2-yl)-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline; Tris(2,4,6-trimethyl-3-(pyridin-3-yl)phenyl)borane; 1-methyl-2-(4-(naphthalen-2-yl)phenyl)-1H-imidazo[4,5-f] [1,10]phenanthroline; Phenyl-dipyrenylphosphine oxide; Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide; Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide; und Stoffen basierend auf Silolen mit einer Silacyclopentadieneinheit.
Die Elektroneninjektionsschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 200 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise ungefähr 30 nm.
Bei einer organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 mit zwei oder mehr organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheiten 316, 320, kann die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 320 über oder neben der ersten funktionellen Schichtenstruktur-Einheiten 316 ausgebildet sein. Elektrisch zwischen den organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheiten 316, 320 kann eine Zwischenschichtstruktur 318 ausgebildet sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Zwischenschichtstruktur 318 als eine Zwischenelektrode 318 ausgebildet sein, beispielsweise gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 110. Eine Zwischenelektrode 318 kann mit einer externen Spannungsquelle elektrisch verbunden sein. Die externe Spannungsquelle kann an der Zwischenelektrode 318 beispielsweise ein drittes elektrisches Potential bereitstellen. Die Zwischenelektrode 318 kann jedoch auch keinen externen elektrischen Anschluss aufweisen, beispielsweise indem die Zwischenelektrode ein schwebendes elektrisches Potential aufweist.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Zwischenschichtstruktur 318 als eine Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur 318 (charge generation layer CGL) ausgebildet sein. Eine Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur 318 kann eine oder mehrere elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht(en) und eine oder mehrere lochleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht(en) aufweisen. Die elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht(en) und die lochleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht(en) können jeweils aus einem intrinsisch leitenden Stoff oder einem Dotierstoff in einer Matrix gebildet sein. Die Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur 318 sollte hinsichtlich der Energieniveaus der elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht(en) und der lochleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht(en) derart ausgebildet sein, dass an der Grenzfläche einer elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht mit einer lochleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht ein Trennung von Elektron und Loch erfolgen kann. Die Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur 318 kann ferner zwischen benachbarten Schichten eine Diffusionsbarriere aufweisen.
Jede organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 316, 320 kann beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von maximal ungefähr 3 μm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 μm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm.
Das optoelektronische Bauelement 100 kann optional weitere organische funktionalen Schichten aufweisen, beispielsweise angeordnet auf oder über der einen oder mehreren Emitterschichten oder auf oder über der oder den Elektronentransportschicht(en). Die weiteren organischen funktionalen Schichten können beispielsweise interne oder extern Einkoppel-/Auskoppelstrukturen sein, die die Funktionalität und damit die Effizienz des optoelektronischen Bauelements 100 weiter verbessern. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Verkapselungsstruktur 328 eine zweite Barriereschicht 308, eine schlüssige Verbindungsschicht 322 und eine Abdeckung 324 aufweisen (veranschaulicht in 3).
Auf der zweiten Elektrode 114 kann die zweite Barriereschicht 308 ausgebildet sein.
Die zweite Barriereschicht 308 kann auch als Dünnschichtverkapselung (thin film encapsulation TFE) bezeichnet werden. Die zweite Barriereschicht 308 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Barriereschicht 304 ausgebildet sein.
Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen Ausführungsbeispielen auch ganz auf eine zweite Barriereschicht 308 verzichtet werden kann. In solch einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement 100 beispielsweise eine weitere Verkapselungsstruktur aufweisen, wodurch eine zweite Barriereschicht 308 optional werden kann, beispielsweise eine Abdeckung 324, beispielsweise eine Kavitätsglasverkapselung oder metallische Verkapselung.
Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen zusätzlich noch eine oder mehrere Ein-/Auskoppelschichten in dem optoelektronischen Bauelementes 100 ausgebildet sein, beispielsweise eine externe Auskoppelfolie auf oder über dem Träger 302 (nicht dargestellt) oder eine interne Auskoppelschicht (nicht dargestellt) im Schichtenquerschnitt des optoelektronischen Bauelementes 100. Die Ein-/Auskoppelschicht kann eine Matrix und darin verteilt Streuzentren aufweisen, wobei der mittlere Brechungsindex der Ein-/Auskoppelschicht größer oder kleiner ist als der mittlere Brechungsindex der Schicht, aus der die elektromagnetische Strahlung bereitgestellt wird. Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen zusätzlich eine oder mehrere Entspiegelungsschichten (beispielsweise kombiniert mit der zweiten Barriereschicht 308) in dem optoelektronischen Bauelement 100 vorgesehen sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der zweiten Barriereschicht 308 eine schlüssige Verbindungsschicht 322 vorgesehen sein, beispielsweise aus einem Klebstoff oder einem Lack. Mittels der schlüssigen Verbindungsschicht 322 kann eine Abdeckung 324 auf der zweiten Barriereschicht 308 schlüssig verbunden werden, beispielsweise aufgeklebt sein.
Eine schlüssige Verbindungsschicht 322 aus einem transparenten Material kann beispielsweise Partikel aufweisen, die elektromagnetische Strahlung streuen, beispielsweise lichtstreuende Partikel. Dadurch kann die schlüssige Verbindungsschicht 322 als Streuschicht wirken und zu einer Verbesserung des Farbwinkelverzugs und der Auskoppeleffizienz führen.
Als lichtstreuende Partikel können dielektrische Streupartikel vorgesehen sein, beispielsweise aus einem Metalloxid, beispielsweise Siliziumoxid (SiO₂), Zinkoxid (ZnO), Zirkoniumoxid (ZrO₂), Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO), Galliumoxid (Ga₂O_x) Aluminiumoxid, oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der schlüssigen Verbindungsschicht 322 verschieden ist, beispielsweise Luftblasen, Acrylat, oder Glashohlkugeln. Ferner können beispielsweise metallische Nanopartikel, Metalle wie Gold, Silber, Eisen-Nanopartikel, oder dergleichen als lichtstreuende Partikel vorgesehen sein.
Die schlüssige Verbindungsschicht 322 kann eine Schichtdicke von größer als 1 μm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren μm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die schlüssige Verbindungsschicht 322 einen Laminations-Klebstoff aufweisen oder ein solcher sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann zwischen der zweiten Elektrode 114 und der schlüssigen Verbindungsschicht 322 noch eine elektrisch isolierende Schicht (nicht dargestellt) aufgebracht werden oder sein, beispielsweise SiN, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 300 nm bis ungefähr 1,5 μm, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 600 nm bis ungefähr 1 μm, um elektrisch instabile Materialien zu schützen, beispielsweise während eines nasschemischen Prozesses.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine schlüssige Verbindungsschicht 322 optional sein, beispielsweise falls die Abdeckung 324 direkt auf der zweiten Barriereschicht 308 ausgebildet wird, beispielsweise eine Abdeckung 324 aus Glas, die mittels Plasmaspritzens ausgebildet wird.
Auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich 106 kann ferner eine sogenannte Getter-Schicht oder Getter-Struktur, beispielsweise eine lateral strukturierte Getter-Schicht, angeordnet sein (nicht dargestellt).
Auf oder über der schlüssigen Verbindungsschicht 322 kann eine Abdeckung 324 ausgebildet sein. Die Abdeckung 324 kann mittels der schlüssigen Verbindungsschicht 322 mit dem elektrisch aktiven Bereich 106 schlüssig verbunden sein und diesen vor schädlichen Stoffen schützen. Die Abdeckung 324 kann beispielsweise eine Glasabdeckung 324, eine Metallfolienabdeckung 324 oder eine abgedichtete Kunststofffolien-Abdeckung 324 sein. Die Glasabdeckung 324 kann beispielsweise mittels einer Fritten-Verbindung (engl. glass frit bonding/glass soldering/seal glass bonding) mittels eines herkömmlichen Glaslotes in den geometrischen Randbereichen des organischen optoelektronischen Bauelementes 100 mit der zweite Barriereschicht 308 bzw. dem elektrisch aktiven Bereich 106 schlüssig verbunden werden.
Die Abdeckung 324 und/oder die schlüssige Verbindungsschicht 322 können einen Brechungsindex (beispielsweise bei einer Wellenlänge von 633 nm) von 1,55 aufweisen.
In 4A ist schematisch eine Draufsicht auf ein optoelektronisches Bauelement 100 mit einem flächigen optisch aktiven Bereich 106 veranschaulicht. Der optisch aktive Bereich 106 kann bei einer Betrachtung der flächigen Abmessung auch als optisch aktive Fläche 402 bzw. optisch aktiver Bereich 106, 402 bezeichnet werden.
In dem flächigen optisch aktiven Bereich 402 können zweite Bereiche 120 derart ausgebildet sein, dass der Stromfluss bzw. der Strompfad in wenigstens einer flächigen, elektrisch leitenden Schicht beeinflusst ist.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das optoelektronische Bauelement 100 als flächige organische Leuchtdiode ausgebildet sein.
Die flächige organische Leuchtdiode kann beispielsweise eine organische Leuchtdiode mit einem vierseitigen Kontakt mit einer Abmessung von 20 × 20 cm² sein (veranschaulicht in 4A).
Die flächige organische Leuchtdiode kann derart ausgebildet sein, dass die Leuchtdichte und/oder der Farbort der emittierten elektromagnetischen Strahlung lokal abhängig sind/ist von dem lokalen elektrischen Strom durch die organische Leuchtdiode. Der elektrische Strom weist einen elektrisch Stromstärke und eine elektrische Spannung auf. Die zweiten Bereiche 120 können zu einem Ändern der Spannungsverteilung in der optisch aktiven Fläche 402 führen.
Mittels des zweiten Bereiches 120 kann die Leuchtdichteverteilung (veranschaulicht in 4B) und/oder die Farbortverteilung in dem optisch aktiven Bereich 402 beeinflusst werden.
In 4B ist eine Abnahme der Leuchtdichte vom Rand der optisch aktiven Fläche 402 zur Mitte der optisch aktiven Fläche ersichtlich. Der zweite Bereich 120 kann derart ausgebildet sein, dass es zu einer Umverteilung der Spannung in der optisch aktiven Fläche 402 kommt. Dadurch kann eine Steigerung der Uniformität bzw. Homogenität der Leuchtdichte in der optisch aktiven Fläche 402 erzielt werden. Beispielsweise auf eine Homogenität von beispielsweise 48,5% bezüglich der Leuchtdichteverteilung einer organischen Leuchtdiode ohne zweite Bereiche (veranschaulicht in 6A) mit einer Homogenität von lediglich 28,6% (bei 1000 nits).
Die flächige organische Leuchtdiode kann beispielsweise eine organische Leuchtdiode mit einem vierseitigen Kontakt mit einer Abmessung von 12 × 20 cm² sein. In 5 ist eine Abnahme der Leuchtdichte vom Rand der optisch aktiven Fläche 402 zur Mitte der optisch aktiven Fläche ersichtlich. Mittels zweiter Bereiche 120 kann die Leuchtdichteverteilung (veranschaulicht in 5) und/oder die Farbortverteilung in dem optisch aktiven Bereich 402 beeinflusst werden. Beispielsweise kann die erste Elektrode 110 und die zweite Elektrode 114 zweite Bereiche 120 aufweisen. Der zweite Bereich der ersten Elektrode 110 kann in anderen Bereichen der optisch aktiven Fläche 402 ausgebildet werden als der zweite Bereich der zweiten Elektrode. Beispielsweise kann dadurch die Homogenität der Leuchtdichteverteilung von beispielsweise 78% erreicht werden im Vergleich zu der Leuchtdichteverteilung einer organischen Leuchtdiode ohne zweite Bereiche (veranschaulicht in 6B) mit einer Homogenität von lediglich 50% (bei 1000 nits).
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die elektrisch leitende Schicht mit erstem Bereich und zweitem Bereich eine organische funktionelle Schichtenstruktur sein – beispielsweise veranschaulicht in 7A. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das optoelektronische Bauelement 100 zwei oder mehr elektrisch leitende Schichten mit einem ersten Bereich und einem zweiten Bereich aufweisen. Der zweite Bereich kann ein Bereich oder mehrere mittels des ersten Bereiches voneinander isolierte zweite Bereiche aufweisen.
In einem Ausführungsbeispiel mit einer ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 316 und einer zweiten organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 318, die mittels einer Zwischenschichtstruktur 318, beispielsweise einer Zwischenelektrode 318, können die erste Elektrode 110, die zweite Elektrode 114, die erste organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 316, die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 318 und/oder die Zwischenschichtstruktur 318 als elektrisch leitende Schicht mit erstem Bereich und zweitem Bereich ausgebildet sein – siehe auch Beschreibung oben.
In einem Ausführungsbeispiel kann die erste organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 316 und die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 320 jeweils einen zweiten Bereich aufweisen – beispielsweise veranschaulicht in 7B. Die zweiten Bereiche 120B der ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 316 und der zweite Bereich 120E zweiten organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 320 können derart aufeinander abgestimmt ausgebildet sein, dass mittels der Strukturierung der elektrisch leitenden Schichten 316, 320 eine vorgegebene Information darstellbar ist, beispielsweise ein Symbol, ein Logo, ein Piktogramm, ein Ideogramm und/oder ein Schriftzug – beispielsweise veranschaulicht in 7C. Die zweiten Bereiche 120B der elektrisch leitenden Schichten 316, 320 können beispielsweise derart aufeinander abgestimmt sein, dass mittels der zweiten Bereiche 120B das von dem optoelektronischen Bauelement 100 emittierte Licht einen Farbkontrast aufweist. Beispielsweise kann mittels der zweiten Bereiche 120B ein Farbkontrast in dem gemischten Licht aus dem von der ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 316 und der zweiten organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 320 erzeugt werden. Mit anderen Worten: in der optisch aktiven Fläche des optoelektronischen Bauelementes 100, beispielsweise Leuchtfläche, können unterschiedliche elektromagnetische Strahlungen emittiert und/oder absorbiert werden – in 7B, C als Pfeile/Bezugszeichen 702, 704, 706, 708.
Beispielsweise wird im Bereich der Leuchtfläche:

I) mit erstem Bereich in der ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 316 und zweitem Bereich in der zweiten organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 320 die elektromagnetische Strahlung der ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 316 emittiert oder absorbiert veranschaulich mit dem Pfeil/Bezugszeichen 702 in 7B, C, beispielsweise ein rot-grünes Licht;
II) mit erstem Bereich in der ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 316 und erstem Bereich in der zweiten organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 320 eine Mischung der elektromagnetischen Strahlung von erster organischer funktioneller Schichtenstruktur-Einheit 316 und zweiter organischer funktioneller Schichtenstruktur-Einheit 320 emittiert und/oder absorbiert – veranschaulich mit dem Pfeil/Bezugszeichen 704 in 7B, C, beispielsweise ein weißes Licht;
III) mit zweitem Bereich in der ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 316 und erstem Bereich in der zweiten organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 320 die elektromagnetische Strahlung der zweiten organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 320 emittiert oder absorbiert – veranschaulich mit Pfeil Bezugszeichen 706 in 7B, C, beispielsweise ein blaues Licht; und
IV) mit zweitem Bereich in der ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 316 und zweitem Bereich in der zweiten organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 320 keine elektromagnetische Strahlung von dem optoelektronischen Bauelement emittiert oder absorbiert – veranschaulich mit Pfeil Bezugszeichen 708 in 7B, C, beispielsweise ein schwarzes Erscheinungsbild.

Analog können weiter Farbkontraste mit mehreren organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheiten ausgebildet werden.
Weiterhin können mittels unterschiedlich strukturierter organischer funktioneller Schichtstruktur-Einheiten 316, 320 mittels einer unabhängigen Ansteuerung der organischen funktionellen Schichtstruktur-Einheit 316, 320 die unterschiedlichen vorgegebenen Information der unterschiedlich strukturierten organischen funktionellen Schichtstruktur-Einheiten 316, 320 dargestellt werden. Beispielsweise in dem die erste organische funktionelle Schichtstruktur-Einheit 316 und die zweite organische funktionelle Schichtstruktur-Einheit 320 nicht gleichzeitig bestromt werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der zweite Bereich wenigstens transluzent, beispielsweise transparent, ausgebildet sein bezüglich der von dem optoelektronischen Bauelement emittierbaren und/oder absorbierbaren elektromagnetischen Strahlung.
In einem Ausführungsbeispiel ist die erste Elektrode 110 vollflächig aus ITO ausgebildet. Auf die erste Elektrode 110 wird lokal eine elektrisch nichtleitende Struktur ausgebildet, beispielsweise ein Dielektrikum oder elektrischer Isolator aufgebracht, beispielsweise mittels eines Siebdruck-, Tampondruck- und/oder Tintenstrahlverfahrens. Anschließend kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 112, 316 beispielsweise vollflächig auf der ersten Elektrode und der elektrisch nichtleitenden Struktur ausgebildet werden. Die elektrisch nichtleitende Struktur bildet somit den zweiten Bereich in der organischen funktionellen Schichtenstruktur ausgebildet sein.
Das optoelektronische Bauelement mit elektrisch leitender Schicht mit erstem Bereich und zweitem Bereich kann beispielsweise als eine weiße OLED, farbige OLED und/oder transparente OLED ausgebildet sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen ist der zweite Bereich derart ausgebildet, dass der zweite Bereich ungefähr den gleichen Brechungsindex aufweist (Brechungsindexunterschied kleiner ungefähr 0,05) wie der erste Bereich, beispielsweise im Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichtes. Im ausgeschalteten bzw. stromlosen Zustand (off-state) des optoelektronischen Bauelementes kann das mittels des zweiten Bereiches im ersten Bereich ausgebildet Muster dadurch beispielsweise unscheinbar bzw. nicht sichtbar sein, beispielsweise in dem die elektrisch nichtleitende Struktur aus einer transparenten Isolationstinte oder -paste gebildet wird oder aufweist. In einem anderen Ausführungsbeispiel kann die elektrisch nichtleitende Struktur ausgebildet sein, dass sie im „off-state” sichtbar ist, das heißt einen Farbkontrast und/oder Brechungsindexkontrast zu der organischen funktionellen Schichtenstruktur aufweist. Beispielsweise kann die elektrisch nichtleitende Struktur aus einer Isolationstinte oder -paste mit beliebigen Farbpigmenten, beispielsweise farbig oder schwarz, ausgebildet werden oder eine solche aufweisen.
Die elektrisch nichtleitende Struktur sollte bezüglich der stofflichen Beschaffenheit und der Form, beispielsweise Dicke, derart ausgebildet sein, dass es zu keinem elektrischen Durchschlag durch die elektrisch nichtleitende Struktur kommt unter Betriebs- und/oder Lagerbedingungen des optoelektronischen Bauelementes.
In einem Ausführungsbeispiel kann die elektrisch nichtleitende Struktur aus einem hochisolierenden hochtransparenten druckbaren Material ausgebildet werden, beispielsweise „ZEACOAT ES2110” der Firma ZEON Corporation mit einer Transmission von größer als 99% und einer elektrischen Durchbruchspannung von 6,4 MV/cm.
In einem Ausführungsbeispiel werden freistehende Leuchtmuster dadurch ausgebildet, dass auf die erste Elektrode 110 beispielsweise ausgebildet als Anode, oder die Zwischenschichtstruktur 318, beispielsweise ausgebildet. als Zwischenelektrode 318, mittels eines Druckverfahrens, beispielsweise eines Tintenstrahldrucks, das ein einstellbares Muster mit/aus elektrisch isolierenden Material gedruckt wird. Diese bedruckten Bereiche in der OLED sind elektrisch isoliert und können somit optisch inaktiv sein, beispielsweise nicht leuchten. Das isolierende Material ist beispielsweise ein Dielektrikum auf Polymer-Basis. Die Zwischenelektrode 318 sollte eine genügend große Leitfähigkeit aufweisen, um über den optisch inaktiven („deaktivierten”) Bereichen in der ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 316 eine homogene Stromverteilung zu erreichen, damit die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 320 von den elektrisch isolierten, zweiten Bereichen 102B nicht beeinflusst wird. Die für die Zwischenelektrode 318 minimale Leitfähigkeit kann von der lateralen Strukturgröße der elektrisch isolierten, zweiten Bereiche 102 abhängig sein, da diese elektrisch isolierten, zweiten Bereiche 102 in der zweiten organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 320 wieder mit Strom versorgt werden. Das optoelektronische Bauelement 100 kann anschließend beispielsweise wie in einem herkömmlichen Verfahren ganzflächig mit organischer funktioneller Schichtenstruktur 112, 316 und zweiter Elektrode 114, beispielsweise ausgebildet als Kathode, ausgebildet werden, beispielsweise bedampft werden. Dadurch kann auf eine weitere Strukturierung oder spezielle Maskierung zum Darstellen des Musters verzichtet werden.
In verschiedenen Ausführungsformen werden optoelektronische Bauelemente und Verfahren zum Herstellen optoelektronischer Bauelemente bereitgestellt, mit denen es möglich ist, die optische Aktivität des optisch aktiven Bereiches einzustellen, beispielsweise die Inhomogenität der optisch aktiven Fläche des optoelektronischen Bauelementes zu reduzieren.
Eine Unterbrechung der Leitfähigkeit des ersten Bereiches mittels des zweiten Bereiches kann zu einem Beeinflussen des lokalen Stromflusses in dem ersten Bereich führen. Das Anordnen des zweiten Bereiches kann so zu einem Ändern einer Spannungsdifferenz in dem ersten Bereich führen, beispielsweise können mittels zweiter Bereiche lokale Spannungsdifferenzen ausgeglichen werden. Dadurch kann die Inhomogenität der Leuchtfläche einer organischen Leuchtdiode reduziert werden, die Belastung und Alterung von organischen Solarzellen und/oder Fotodetektoren ausgeglichen werden. Zu einer Unterbrechung der Leitfähigkeit in einem ersten Bereich können extrem dünne elektrisch nicht-leitende, linienförmige Bereich ausreichend sein, beispielsweise mit einer Breite von weniger als 500 nm. Die zweiten Bereiche können somit augenscheinlich nicht sichtbar sein.
Weiterhin können dadurch bei einem optoelektronischen Bauelement mit übereinander gestapelten, unterschiedlichen Emitter- und/oder Absorberschichten, die Emitter- und/oder Absorberschichten unabhängig voneinander lateral strukturiert betrieben werden.
Mit anderen Worten: es können dadurch beliebige, beispielsweise freistehende, optisch inaktive, beispielsweise nicht leuchtende, Muster in der optisch aktiven Fläche des optoelektronischen Bauelementes, beispielsweis in der Leuchtfläche einer organischen Leuchtdiode, ausgebildet werden. Beispielsweise kann in einer OLED mit gestapelten Farbeinheiten jede Farbeinheit mit einem eigenen Muster versehen werden, so dass je nach Anzahl der Farbeinheiten verschieden farbige Muster/Logos/Grafiken/etc. hergestellt bzw. dargestellt werden können. Die Muster können beispielsweise ohne einen zusätzlichen Hochvakuum-Prozessschritt vor dem Ausbilden der organischen funktionellen Schichtenstruktur ausgebildet werden. Es sind beliebige Muster möglich, die auch als günstige Einzelanfertigungen möglich sind, da in ein vorhandenes Bauteil-Design beliebige Muster eingebracht werden können. Weiterhin kann die Effizienz des optoelektronischen Bauelementes höher sein bezüglich optisch filternder Methoden zum Darstellen eines Musters, da die Bereiche des Musters vollständig elektrisch isoliert sein können und dadurch optisch und elektrisch inaktiv sind. Weiterhin können die kleinsten Strukturen die lateral ausgebildet und dargestellt werden können, abhängig sein vom Herstellungsverfahren des zweiten Bereiches, beispielsweise im Bereich der Druckauflösung bzw. Spurbreite/Tropfengröße des Druckers liegen, beispielsweise ~30 μm. Die darstellbaren Strukturen können damit erheblich kleiner sein als dies mittels herkömmlicher Schattenmaskenprozesse möglich ist.

Claims

Optoelektronisches Bauelement (100) mit einem optisch aktiven Bereich (106, 402), der optisch aktive Bereich (106, 402) aufweisend: • eine erste Elektrode (110), • eine zweite Elektrode (114), und • eine organische funktionelle Schichtenstruktur (112), – wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur (112) zwischen der ersten Elektrode (110) und der zweiten Elektrode (114) ausgebildet ist, und – wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur (112) zu einem Umwandeln eines elektrischen Stromes in eine elektromagnetische Strahlung und/oder zu einem Umwandeln einer elektromagnetischen Strahlung in einen elektrischen Strom ausgebildet ist; • wobei die erste Elektrode (110), die zweite Elektrode (114) und/oder die organische funktionelle Schichtenstruktur (112) eine elektrisch leitende Schicht aufweisen/t, – wobei die elektrisch leitende Schicht einen ersten Bereich aufweist, der eine erste elektrische Leitfähigkeit aufweist; und einen zweiten Bereich (120) aufweist, der eine zweite elektrische Leitfähigkeit aufweist, wobei der zweite Bereich (120) in dem ersten Bereich ausgebildet ist und aufgrund seiner zweiten elektrischen Leitfähigkeit eine definierte Stromverteilung in der elektrisch leitenden Schicht bewirkt; • wobei die zweite elektrische Leitfähigkeit geringer ist als die erste elektrische Leitfähigkeit und dadurch die definierte Stromverteilung einen Stromfluss in dem ersten Bereich aufweist, so dass eine homogenere Stromverteilung in dem ersten Bereich ausgebildet ist bezüglich einer elektrisch leitenden Schicht ohne zweiten Bereich (120).
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß Anspruch 1, wobei der zweite Bereich (120) derart in dem ersten Bereich (106, 402) ausgebildet ist, dass eine vorgegebene Information in dem optisch aktiven Bereich (106, 402) darstellbar ist.
Optoelektronisches Bauelement (100) mit einem optisch aktiven Bereich (106, 402), der optisch aktive Bereich (106, 402) aufweisend: • eine erste Elektrode (110), • eine zweite Elektrode (114), und • eine organische funktionelle Schichtenstruktur (112), – wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur (112) zwischen der ersten Elektrode (110) und der zweiten Elektrode (114) ausgebildet ist, und – wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur (112) zu einem Umwandeln eines elektrischen Stromes in eine elektromagnetische Strahlung und/oder zu einem Umwandeln einer elektromagnetischen Strahlung in einen elektrischen Strom ausgebildet ist; • wobei die erste Elektrode (110), die zweite Elektrode (114) und/oder die organische funktionelle Schichtenstruktur (112) eine elektrisch leitende Schicht aufweisen/t, – wobei die elektrisch leitende Schicht einen ersten Bereich aufweist, der eine erste elektrische Leitfähigkeit aufweist; und einen zweiten Bereich (120) aufweist, der eine zweite elektrische Leitfähigkeit aufweist, wobei der zweite Bereich (120) in dem ersten Bereich ausgebildet ist und aufgrund seiner zweiten elektrischen Leitfähigkeit eine definierte Stromverteilung in der elektrisch leitenden Schicht bewirkt; • wobei die zweite elektrische Leitfähigkeit unterschiedlich ist zu der ersten elektrischen Leitfähigkeit und dadurch die definierte Stromverteilung einen Stromfluss in dem ersten Bereich aufweist, so dass eine vorgegebene Information in dem optisch aktiven Bereich darstellbar ist.
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der erste Bereich ein transparentes oder transluzentes elektrisch leitfähiges Material aufweist oder daraus gebildet ist.
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß Anspruch 4, wobei das transparente oder transluzente elektrisch leitfähige Material ein organischer Stoff, ein organisches Stoffgemisch, und/oder ein Metalloxid ist oder aufweist.
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei der zweite Bereich (120) elektrisch nicht-leitend ausgebildet ist.
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei der zweite Bereich (120) als ein geöffneter Bereich der elektrisch leitenden Schicht ausgebildet ist.
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei der zweite Bereich (120) elektrisch leitend ausgebildet ist, insbesondere aus dem Stoff oder Stoffgemisch der elektrisch leitenden Schicht.
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 2 bis 8, wobei die vorgegebene Information ein Schriftzug, ein Ideogramm, ein Symbol und/oder ein Piktogramm ist.
Verfahren zu einem Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes (100), das Verfahren aufweisend: • Ausbilden einer ersten Elektrode (110), • Ausbilden einer organischen funktionellen Schichtenstruktur (112) auf oder über der ersten Elektrode (110), – wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur (112) zu einem Umwandeln eines elektrischen Stromes in eine elektromagnetische Strahlung und/oder zu einem Umwandeln einer elektromagnetischen Strahlung in einen elektrischen Strom ausgebildet wird; • Ausbilden einer zweiten Elektrode (114) auf oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur (112), und • wobei das Ausbilden der ersten Elektrode (110), das Ausbilden der zweiten Elektrode (114) und/oder das Ausbilden der organischen funktionellen Schichtenstruktur (112) ein Ausbilden (200) einer elektrisch leitenden Schicht aufweisen/t, – wobei die elektrisch leitende Schicht mit einem ersten Bereich ausgebildet wird, der eine erste elektrische Leitfähigkeit aufweist; und einem zweiten Bereich (120) ausgebildet wird, der eine zweite elektrische Leitfähigkeit aufweist, wobei der zweite Bereich (120) in dem ersten Bereich ausgebildet wird und aufgrund seiner zweiten elektrischen Leitfähigkeit eine definierte Stromverteilung in der elektrisch leitenden Schicht bewirkt; • wobei die zweite elektrische Leitfähigkeit geringer ist als die erste elektrische Leitfähigkeit und dadurch die definierte Stromverteilung einen Stromfluss in dem ersten Bereich aufweist, so dass eine homogenere Stromverteilung in dem ersten Bereich ausgebildet wird bezüglich einer elektrisch leitenden Schicht ohne zweiten Bereich (120).
Verfahren zu einem Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes (100), das Verfahren aufweisend: • Ausbilden einer ersten Elektrode (110), • Ausbilden einer organischen funktionellen Schichtenstruktur (112) auf oder über der ersten Elektrode (110), – wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur (112) zu einem Umwandeln eines elektrischen Stromes in eine elektromagnetische Strahlung und/oder zu einem Umwandeln einer elektromagnetischen Strahlung in einen elektrischen Strom ausgebildet wird; • Ausbilden einer zweiten Elektrode (114) auf oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur (112), und • wobei das Ausbilden der ersten Elektrode (110), das Ausbilden der zweiten Elektrode (114) und/oder das Ausbilden der organischen funktionellen Schichtenstruktur (112) ein Ausbilden (200) einer elektrisch leitenden Schicht aufweisen/t, – wobei die elektrisch leitende Schicht mit einem ersten Bereich ausgebildet wird, der eine erste elektrische Leitfähigkeit aufweist; und einem zweiten Bereich (120) ausgebildet wird, der eine zweite elektrische Leitfähigkeit aufweist, wobei der zweite Bereich (120) in dem ersten Bereich ausgebildet wird und aufgrund seiner zweiten elektrischen Leitfähigkeit eine definierte Stromverteilung in der elektrisch leitenden Schicht bewirkt; • wobei die zweite elektrische Leitfähigkeit unterschiedlich ist zu der ersten elektrischen Leitfähigkeit und dadurch die definierte Stromverteilung einen Stromfluss in dem ersten Bereich aufweist, so dass eine vorgegebene Information in dem optisch aktiven Bereich darstellbar wird.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 10 oder 11, wobei die elektrisch leitende Schicht strukturiert ausgebildet wird derart, dass der zweite Bereich (120) mit dem ersten Bereich ausgebildet wird.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 10 bis 12, wobei der zweite Bereich (120) mittels einer Laserablation und/oder UV-Bestrahlung des ersten Bereiches ausgebildet wird.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 10 bis 12, wobei der zweite Bereich (120) mittels eines chemischen Umwandelns eines Bereiches der elektrisch leitenden Schicht ausgebildet wird.
Verfahren gemäß Anspruch 10 bis 12, wobei der zweite Bereich (120) mittels eines Dotierens eines Bereiches der elektrisch leitenden Schicht ausgebildet wird.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 10 bis 15, ferner aufweisend: Ausbilden einer Verkapselungsstruktur derart, dass das optoelektronische Bauelement (100) bezüglich wenigstens eines schädlichen Stoffs, vorzugsweise Wasser und/oder Sauerstoff, hermetisch abgedichtet wird, wobei der zweite Bereich (120) nach dem Ausbilden der Verkapselungsstruktur in der elektrisch leitenden Schicht ausgebildet wird.