WO2015040104A1 - Bauelement und verfahren zum herstellen eines bauelementes - Google Patents
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
- H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
- H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/81—Electrodes
Definitions
- ALD ⁇ Atomic layer deposition
- Glass cover for example in the form of contact pads; the cathode and / or the anode one
- electromagnetic radiation for example, for components that are configured as a filter, light source and / or photosensor.
- a device and a method for manufacturing a device being represented.
- a device and a method for manufacturing a device being represented.
- the adaptation structure with respect to the electromagnetic radiation is
- the adaptation structure may be formed at least partially electrically conductive.
- Adaptation structure are formed such that the
- Electromagnetic radiation can be understood as absorbing electromagnetic radiation and forming a photocurrent from the absorbed electromagnetic radiation. In other words; absorbing one
- Electro-optical component can be designed as an electrically switchable mirror with tunable reflectivity.
- the tuning of the reflectivity can be carried out electrochromically-electrically, gasochromically and / or thermochromically.
- the matching structure with scattering additives may have a difference in the refractive index of the scattering additives to the refractive index of the matrix of greater than approximately 0.05.
- the adaptation structure can have a
- PECVD Plasma-organic chemical vapor deposition
- ITO indium tin oxide
- the Lochinj can edictions harsh include one or more of the following materials or may be formed from: HAT-CN, Cu (I) pFBz, MoO x, W0 X, VO x, ReO x, F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9, Bi (III) pFBz, F16CuPc; NPB ( ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalen-1-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -benzidine); beta-NPB N, N'-bis (naphthalen-2-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -benzidine); TPD (N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N 1 -bis (phenyl) -benzidine); Spiro TPD ( ⁇ , ⁇ '-bis (3-methylphenyl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) benzidine); Spiro-NPB (N, 1 -bis (n
- the charge carrier pair generation layer (s) and the hole-conducting charge carrier pair generation layer (s) may each be formed of an intrinsically conductive substance or a dopant in a matrix.
- the carrier pair generation layer pattern 118 should be formed with respect to the energy levels of the electron-conducting carrier generation layer (s) and the hole-conducting carrier generation layer (s) such that at the interface of an electron-conducting carrier generation pair with a hole-conducting Charge pair generation layer can be a separation of electron and hole.
- the carrier pair generation layer structure 118 may further include a sandwich between adjacent layers
- transparent material can be particles
- Encapsulation structure 128 may be formed such that a portion of contact strips 202A, B
- the adaptation structure can be different
- Adaptation structure 300 may be on and / or under one
- the material of a matching region can be applied, vapor-deposited,
- Electrode 860 may be arranged.
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Bauelement (500) bereitgestellt, das Bauelement (500) aufweisend: Bauelement (500), aufweisend: einen optisch aktiven Bereich (506), der zu einem elektrisch steuerbaren Transmittieren, Reflektieren, Absorbieren, Emittieren und/oder Umwandeln einer elektromagnetischen Strahlung ausgebildet ist; und einen optisch inaktiven Bereich (504), der neben dem optisch aktiven Bereich (506) ausgebildet ist; wobei der optisch inaktive Bereich (504) und/oder der optisch aktive Bereich (506) eine Anpassungsstruktur (300) aufweisen/aufweist, die ausgebildet ist, einen Wert einer optischen Größe in dem optisch inaktiven Bereich (504) an einen Wert der optischen Größe in dem optisch aktiven Bereich (506) anzupassen.
Description
Beschreibung
Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines Bauelementes In verschiedenen Ausführungsformen werden ein Bauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines Bauelementes
bereitgestellt .
Optoelektronische Bauelemente auf organischer Basis ,
beispielsweise organische Leuchtdioden {organic light
emitting diode - OLED) , finden zunehmend verbreitete
Anwendung in der Allgemeinbeleuchtung, beispielsweise als Flächenlichtquelle, oder zur Darstellung von Informationen, beispielsweise als Hinweisschild.
Ein organisches optoelektronisches Bauelement , beispielsweise eine OLED, kann eine Anode und eine Kathode mit einem
organischen funktionellen Schichtensystem dazwischen
aufweisen . Das organische funktionelle Schichtensystem kann eine oder mehrere EmitterSchicht/en aufweisen, in der/denen elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, eine oder mehrere Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichtenstruktur aus jeweils zwei oder mehr Ladungsträgerpaar- Erzeugungs - Schichten
(„Charge generating layer", CGL) zur
Ladungsträgerpaarerzeugung , sowie einer oder mehrerer
Elektronenblockadeschichten, auch bezeichnet als
Lochtransportschicht (en) („hole transport layer" -HTL) , und einer oder mehrerer Lochblockadeschichten, auch bezeichnet als Elekt onentransporIschicht (en ) („electron t ransport layer" - ETL) , um den Stromfluss zu richten. In einem
herkömmlichen Verfahren wird eine Metallisierung auf einem Glassubstrat aufgebracht und die Elektroden der OLED mittels der Metallisierung elektrisch kontaktiert . Die Metallisierung wird herkömmlich als elektrisch Sammelschiene (busbar) und/oder Kontaktpads ausgebildet . Die Metallisierung kann herkömmlich optisch inaktiv sein, d.h. kein Licht emittieren. Weiterhin werden/wird als Verkapselung auf die Elektrode auf dem organischen funktionellen Schichtensystem eine
Glasabdeckung auflaminiert und/oder eine Dünnfilmverkapselung abgeschieden, beispielsweise mittels chemischer
Gasphasenabscheidung (chemical vapor deposition CVD) oder
Atomlagenabscheidens (atomic layer deposition ALD} .
Bei einer herkömmlichen OLED können die laminierte
Glasabdeckung , die Metallisierung, beispielsweise in Form von Kontaktpads ; die Kathode und/oder die Anode eine
unterschiedliche Transmittivität für elektromagentische
Strahlung aufweisen. Dadurch können herkömmliche transparente OLEDs aufgrund der laminierten Glasabdeckung zur Verkapselung und der Metallisierung zur elektrischen Kontaktierung lateral Variationen in mindestens einer optischen Größe aufweisen, beispielsweise der Transmission, Absorption und/oder
Reflexion von elektromagentischer Strahlung . Eine auf die transparente OLED einfallende elektromagnetische Strahlung wird dadurch beispielsweise im Bereich der Metallisierung anders reflektiert , transmittiert und/oder absorbiert als in dem lichtemittierenden Bereich der OLED . Mittels dieser Variation kann eine darzustellende Information unerwünscht verändert werden, beispielsweise bei einem optoelektronischen Bauelement in Form eines Hinweisschildes .
Weiterhin können einzelne Bereiche eines herkömmlichen optoelektronischen Bauelementes eine e1ektromagnetische Strahlung in unterschiedlichem Maße absorbieren . Dadurch können sich die einzelnen Bereiche unterschiedlich Erwärmen und in dem optoelektronischen Bauelement beispielsweise thermische Verspannungen und/oder thermoelektrische
Spannungen erzeugt werden .
Bisher werden OLEDs mit metallischen Kontaktpads außerhalb des optisch aktiven Bereichs , also in dem optisch inaktiven Bereich hergestellt , um die externe Kontaktierung der Anode und Kathode zu gewährleisten . Alternativ wird bisher auch eine Kombination von Indiumzinnoxid und einer metallischen Schicht verwendet . Die metallischen Kontakte dienen auch zur Stromverteilung außerhalb der OLED damit die Anode und/oder
die Kathode gleichmäßig mit Strom versorgt werden/wird. Für die Stromverteilung wird bei herkömmlichen Bauteilen stets eine metallische Schicht verwendet, um die Anode gleichmäßig zu mit Strom zu versorgen.
In verschiedenen Ausführungsformen werden ein Bauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines Bauelementes
bereitgestellt , mit denen es möglich ist , ein Bauelement mit lateral homogenerer optischer Größe auszubilden,
beispielsweise im optisch inaktiven Zustand .
Dadurch kann beispielsweise eine transparente OLED lateral eine homogenere Transmittivität , Absorption und/oder
Reflektxvität einer elektromagnetischen Strahlung aufweisen und somit einen homogeneren Schattenwurf, d.h. eine
homogenere Feldverteilung, für die transmittierte
elektromagentische Strahlung aufweisen, beispielsweise für Bauelemente, die als Filter, Lichtquelle und/oder Fotosensor eingerichtet sind .
Weiterhin kann eine elektromagnetische Strahlung in dem optoelektronischen Bauelement lateral homogener absorbiert werden und zu einer gleichmäßigeren Erwärmung des
optoelektronischen Bauelementes führen. Dadurch können in dem optoelektronischen Bauelement thermische Verspannungen und/oder thermoelektrische Spannungen reduziert werden.
Weiterhin kann dadurch bei einem optoelektronischen
Bauelement zur Darstellung einer Information, beispielsweise eines Piktogramms , eines Ideogramms , eines Farbverlaufs und/oder eines Schriftzuges ; die Information mittels einer homogeneren Reflektivität und/oder Absorption mit einem höheren Kontrast , einer größeren lichtemittierenden Fläche und./oder mit geringerer Beeinträchtigung des
Informationsgehaltes der darzustellenden Information
dargestellt werden.
In verschiedenen Ausführungsformen werden ein Bauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines Bauelementes
bereitgestellt , mit denen es möglich ist, ein Bauelement mit freistehende Leuchtflächen auf einem Substrat ohne
metallische Kontakte, beispielsweise auch als Metallisierung bezeichnet , auszubilde . In anderen Worten, es werden OLEDs , die auf der gesamten Substratfläche , auch außerhalb der aktiven Fläche , im Wesentlichen transparent sind,
bereitgestellt . Dadurch entstehen neue Design- Freiheiten. Die Metallisierung ist wichtig für die gleichmäßige
Stromverteilung an der Anode und Kathode, aufgrund der hohen Leitfähigkeit vor allem gegenüber einer transparenten
Elektrode . In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Bauelement bereitgestellt , das Bauelement aufweisend : einen optisch aktiven Bereich, wobei eine optische Eigenschaft des optisch aktiven Bereichs elektrisch steuerbar is ; und einen optisch inaktiven Bereich, der neben dem optisch aktiven Bereich ausgebildet ist; wobei der optisch inaktive Bereich und/oder der optisch aktive Bereich eine Anpassungsstruktur
aufweisen/aufweist , die ausgebildet ist, einen Wert einer optischen Größe in dem optisch inaktiven Bereich an einen Wert der optischen Größe in dem optisch aktiven Bereich anzupassen .
In einer Ausgestaltung kann eine optische Eigenschaft ein
Transmittieren, Reflektieren, Absorbieren, Emittieren
und/oder Umwandeln einer elektromagnetischen Strahlung sein .
In einer Ausgestaltung kann das Bauelement als ein
Flächenbauelement mit einem flächigen optisch aktiven Bereich ausgebildet sein, beispielsweise als Flächenbeleuchtung, beispielsweise flächige organische Leuchtdiode; oder
Flächendetektor . Indem der Wert der optischen Größe des optisch inaktiven Bereichs an den Wert der optischen Größe des optisch aktiven Bereichs angepasst wird, weist das
Bauelement flächig einen homogeneren Wert der optischen Größe
auf . Dadurch kann das Bauelement derart ausgebildet werden, dass es beispielsweise ein homogeneres Erscheinungsbild, einen homogenerer Schattenwurf und/oder eine homogenere
Erwärmung aufweist .
In einer Ausgestaltung kann das Bauelement ein
elektrooptisches Bauelement, beispielsweise ein elektrisch schaltbarer optischer Filter, ein elektrisch schaltbarer Spiegel ; und/oder ein optoelektronisches Bauelement,
beispielsweise eine organische Leuchtdiode , ein Display, ein Fotosensor und/oder eine Solarzelle ; aufweisen oder derart ausgebildet sein .
In einer Ausgestaltung kann das Bauelement ferner einen
Träger aufweisen, wobei der optisch aktive Bereich und der optisch inaktive Bereich auf dem Träger ausgebildet sind.
In einer Ausgestaltung können der optisch aktive Bereich und der optisch inaktive Bereich unterschiedliche Bereiche auf dem Träger sein.
In einer Ausgestaltung kann das Bauelement ferner eine
Verkapselung aufweisen, wobei die Verka se1ung derart
ausgebildet ist , dass der optisch aktive Bereich, der optisch inaktive Bereich und/oder die Anpassungsstruktur hermetisch abgedichtet sind hinsichtlich mindestens Wasser und/oder Sauerstoff . Mit anderen Worten: die Anpassungsstruktur kann mit dem optisch inaktiven Bereich und/oder dem optisch aktiven Bereich integriert sein.
In einer Ausgestaltung kann die Verkapselung einen hermetisch dichten Träger, eine hermetisch dichte Dünnfilmverka seiung und/oder eine hermetisch dicht Abdeckung aufweisen. Ein hermetisch dichter Träger kann beispielsweise intrinsisch hermetisch dicht sein oder eine Barriereschicht aufweisen.
In einer Ausgestaltung kann der optisch aktive Bereich eine erste Elektrode, eine zweite Elektrode und eine organische
funktionelle Schichtenstruktur auf eisen, wobei die
organische funktionelle Schichtenstruktur zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode ausgebildet ist, und wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur
ausgebildet ist zum Emittieren der elektromagnetischen
Strahlung und/oder Umwandeln der elektromagnetischen
Strahlung in einen elektrischen Strom und/oder eine
elektrische Spannung . In einer Ausgestaltung kann das Bauelement ferner wenigstens eine Zwischenelektrode auf eisen, wobei die wenigstens eine Zwischenelektrode zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode ausgebildet ist . In einer Ausgestaltung kann der optisch aktive Bereich eine erste Elektrode, eine zweite Elektrode und eine
Kavitätenstruktur aufweisen, wobei die Kavitätenstruktur zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode ausgebildet ist , und wobei die Kavitätenstruktur zu einem elektrisch steuerbaren Transmittieren, Reflektieren und/oder Absorbieren der elektromagnetischen Strahlung ausgebildet ist .
In einer Ausgestaltung kann die Kavitätenstruktur elektrisch polarisierbare Partikel in flüssigkeitsgefüllten Kavitäten aufweisen .
In einer Ausgestaltung kann der optisch aktive Bereich mehrere optisch aktive Bereiche auf eisen .
In einer Ausgestaltung können die mehreren optisch aktiven Bereiche sich in mindestens einem Wert einer optischen Größe bezüglich der elektromagnetischen Strahlung unterscheiden . In einer Ausgestaltung können die mehreren optisch aktiven Bereiche wenigstens teilweise unabhängig voneinander
ansteuerbar ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann der optisch inaktive Bereich eine elektrisch leitfähige Kontaktstruktur aufweisen, wobei die elektrisch leitfähige Kontaktstruktur zu einem Weiterleiten eines Stromes zum Bestromen des optisch aktiven Bereiches ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann die Kontaktstruktur mindestens ein Kontaktpad und/oder mindestens eine elektrische
Sammelschiene aufweisen. Eine Sammelschiene kann auch als Busbar und ein Kontaktpad als Kontaktfläche bezeichnet werden.
In einer Ausgestaltung kann der optisch inaktive Bereich in einem Randbereich des Bauelementes ausgebildet sein,
beispielsweise am Rand der flächigen Seite eines flächigen Trägers. Im optisch inaktiven Bereich kann weiterhin ein Bereich vorgesehen sein, mit dem das Bauelement in eine
Halterung eingepasst wird. In einer Ausgestaltung kann der optisch inaktive Bereich mindestens teilweise von dem optisch aktiven Bereich umgeben sein, beispielsweise als elektrische Sammelschiene innerhalb des optisch aktiven Bereiches ausgebildet sein. In einer Ausgestaltung kann die Anpassungsstruktur eine oder mehrere Schichten aufweisen. Eine Schicht kann mehrere
Bereiche (Anpassungsbereiche) nebeneinander aufweisen, wobei die mehreren Bereich unterschiedlich hinsichtlich des Wertes der optischen Größe ausgebildet sein können.
In einer Ausgestaltung können die mehreren Schichten der Anpassungsstruktur jeweils ein unterschiedliches Material aufweisen oder derart ausgebildet sein. In einer Ausgestaltung kann die Anpassungsstruktur eine oder mehrere lateral strukturierte Schichten aufweisen.
In einer Ausgestaltung kann die Anpassungsstruktur mindestens teilweise auf, über und/oder in dem optisch aktiven Bereich ausgebildet sein. In einer Ausgestaltung kann die Anpassungsstruktur mindestens teilweise auf , über und/oder in dem optisch inaktiven Bereich ausgebildet sein .
In einer Ausgestaltung kann die Anpassungsstruktur mindestens teilweise auf , über und/oder in dem Träger und/oder der
Verkapselung ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann die Anpassungsstruktur wenigstens teilweise die Schichtenstruktur des optisch aktiven Bereiches aufweisen, von denen der optisch inaktive Bereich frei ist . Mit anderen Worten : die Anpassungsstruktur kann wenigstens teilweise die Schichtenstruktur aufweisen, die in dem optisch aktiven Bereich ausgebildet ist und in dem optisch inaktiven Bereich nicht ausgebildet ist . Diese Schichtstruktur kann beispielsweise keine weitere optische Wirkung aufweisen, als das Anpassen des Wertes der optischen Größe , beispielsweise optisch inaktiv sein.
In einer Ausgestaltung kann die Schichtenstruktur der
Anpassungsstruktur optisch inaktiv ausgebildet sein oder elektrisch isoliert ausgebildet sein bezüglich der
elektrischen Ver indung des optisch aktiven Bereiches .
In einer Ausgestaltung kann die Anpassungsstruktur bezüglich der elektromagnetischen Strahlung ein
wellenlängenkonvertierendes Material aufweisen oder daraus gebildet sein .
In einer Ausgestaltung kann die Anpassungs truktur bezüglich der elektromagnetischen Strahlung Streupartikel verteilt in einer Matrix aufweisen oder daraus gebildet sein .
In einer Ausgestaltung kann die Anpassungsstruktur bezüglich der elektromagnetischen Strahlung brechungsindexändernde und/oder farbverändernde Nanopartikel verteilt in einer
Matrix aufweisen oder daraus gebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann die Anpassungsstruktur bezüglich der elektromagnetischen Strahlung einen optisch anisotropen Stoif aufweisen, daraus gebildet sein und/oder derart
ausgebildet sein, beispielsweise doppelbrechend ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann die Anpassungsstruktur einen Getter bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff aufweisen oder daraus gebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann die Anpassungsstruktur wenigstens bereichsweise elektrisch leitfähig ausgebildet sein.
Bereichsweise kann sich auf einen Bereich oder mehrere
Bereiche eine Schicht und/oder eine Schicht oder mehrere Schichten eines Schichtquerschnittes beziehen.
In einer Ausgestaltung kann die Anpassungsstruktur Indiumzinnoxid aufweisen oder daraus gebildet sein. In einer Ausgestaltung kann die Anpassungsstruktur wenigstens bereichsweise elektrisch isolierend oder elektrisch isoliert ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann die Anpassungsstruktur über und/oder unter einem Kontaktpad ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann die Anpassungsstruktur
haftverstärkend und/oder kohäsions erstärkend ausgebildet sein bezüglich der Struktur des optisch inaktiven Bereichs und/oder optisch aktiven Bereiches ohne Anpassungsstruktur, auf/in/über dem die Anpassungsstruktur ausgebildet ist.
In einer Ausgestaltung kann die Anpassungsstruktur als eine
Abschirmung bezüglich einer elektromagnetischen Strahlung ausgebildet sein, beispielsweise bezüglich einer UV-Strahlung oder einer Mikrowellenstrahlung .
In einer Ausgestaltung kann die Anpassungsstruktur derart ausgebildet sein, dass der Wert der optischen Größe des optisch aktiven Bereichs und der Wert der optischen Größe des optisch inaktiven Bereichs an einen vorgegebenen Wert
angepasst werden.
In einer Ausgestaltung kann die Anpassungsstruktur derart ausgebildet sein, dass der Wert der optischen Größe des optisch aktiven Bereichs und der Wert der optischen Größe des optisch inaktiven Bereichs einen Unterschied von weniger als ungefähr 10 % aufweisen hinsichtlich des Wertes der optischen Größe des optisch aktiven Bereiches.
In einer Ausgestaltung kann die Anpassungsstruktur derart ausgebildet sein, dass eine vorgegebene Information
darstellbar wird, beispielsweise in Form eines Rahmens oder eines Passepartouts .
In einer Ausgestaltung kann die Anpassungsstruktur derart ausgebildet sein, dass der optisch inaktive Bereich mit
Anpassungsstruktur strahlformend für transmittierte und/oder reflektierte elektromagnetische Strahlung ausgebildet ist , beispielsweise diffus reflektierend oder in Form einer optischen Linse .
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen eines Bauelementes bereitgestellt , das Verfahren aufweisend : Ermitteln des Unterschiedes eines Wertes einer optischen Größe in einem optisch aktiven Bereich zu einem Wert der optischen Größe in einem optisch inaktiven Bereich eines Bauelementes ; Ermitteln einer Anpassungsstruktur aufgrund des ermittelten Unterschiedes derart , dass der Wert der optischen Größe in dem optisch inaktiven Bereich an den
Wert der optischen Größe in dem optisch aktiven Bereich
angepasst wird; Ausbilden der ermittelten Anpassungsstruktur in und/oder auf dem optisch inaktiven Bereich und/oder optisch aktiven Bereich .
Ausbilden eines optisch aktiven Bereiches derart, dass eine optische Eigenschaft des optisch aktiven Bereichs elektrisch steuerbar ist; Ausbilden eines optisch inaktiven Bereiches , wobei der optisch aktive Bereich und der optisch inaktive Bereich nebeneinander ausgebildet werden; Ermitteln des Unterschiedes eines Wertes einer optischen Größe in dem optisch aktiven Bereich zu einem Wert der optischen Größe in dem optisch inaktiven Bereich; Ermitteln einer
Anpassungsstruktur aufgrund des ermittelten Unterschiedes derart, dass der Wert der optischen Größe in dem optisch inaktiven Bereich an den Wert der optischen Größe in dem optisch aktiven Bereich angepasst wird; Ausbilden der ermittelten Anpassungsstruktur in und/oder auf dem optisch inaktiven Bereich und/oder optisch aktiven Bereich.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann eine optische Eigenschaft ein Transmittieren, Reflektieren, Absorbieren, Emittieren und/oder Umwandeln einer elektromagnetischen Strahlung sein.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ermitteln des Unterschiedes ein Ermitteln des Wertes der optischen Größe in dem optisch aktiven Bereich aufweisen. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ermitteln des Unterschiedes ein Ermitteln des Wertes de optischen Größe in dem optisch inaktiven Bereich aufweisen.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ermitteln der Anpassungsstruktur ein Auswählen eines Materials einer
Schicht der Anpassungsstruktur aufweisen.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ermitteln der Anpassungsstruktur ein Auswählen der Position einer Schicht der Anpassungsstruktur in dem Strahlengang durch den optisch aktiven Bereich und/oder den optisch inaktiven Bereich aufweisen .
In einer Ausgestaltung des Verf hrens kann das Ermitteln der Anpassungsstruktur ein Auswählen einer lateralen Position einer Schicht und/oder ein Strukturieren einer Schicht der Anpassungsstruktur in der Anpassungsstruktur aufweisen .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Anpassungsstruktur in dem optisch aktiven Bereich und/oder in dem optisch inaktiven Bereich integriert ausgebildet werden .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ermitteln ein Messen und/oder ein Berechnen des Wertes der optischen Größe des optisch aktiven Bereiches und/oder des optisch inaktiven Bereiches aufweisen .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ermitteln des Wertes der optischen Größe des optisch aktiven Bereiches und/oder des optisch inaktiven Bereiches ein Erfassen
mehrerer Messwerte aufweisen.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die mehreren Mess erte an lokal unterschiedlichen Bereichen des optisch aktiven Bereiches und/oder des optisch inaktiven Bereiches erfasst werden, beispielsweise von der Kontaktstruktur , den Laminierleisten, der organischen funktionellen
Schichtenstruktur und/oder weiteren Bereichen .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die mehreren Messwerte unterschiedliche Wellenlängenspektren,
unterschiedliche Polarisationen, unterschiedliche
Intensitäten und/oder unterschiedliche Einfallswinkel auf das optoelektrische Bauelement aufweisen.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das optoelektrische Bauelement als ein Flächenbauelement mit einem, flächigen optisch aktiven Bereich ausgebildet werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Bauelement als ein elektrooptisches Bauelement, beispielsweise ein
elektrisch schaltbarer optischer Filter, ein elektrisch schaltbarer Spiegel; und/oder ein optoelektronisches
Bauelement, beispielsweise eine organische Leuchtdiode, ein Display, ein Fotosensor und/oder eine Solarzelle; aufweisen oder derart ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Verfahren ferner ein Bereitstellen eines Trägers aufweisen, wobei der optisch aktive Bereich und der optisch inaktive Bereich auf dem Träger ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können der optisch aktive Bereich und der optisch inaktive Bereich als
unterschiedliche Bereiche auf dem Träger ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Verfahren ferner ein Ausbilden einer Verkapselung aufweisen, wobei die Verkapselung derart ausgebildet wird, dass der optisch aktive Bereich, der optisch inaktive Bereich und/oder die
Anpassungsstruktur hermetisch abgedichtet werden hinsichtlich mindestens Wasser und/oder Sauerstoff.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Verkapselung mit einem hermetisch dichten Träger, einer hermetisch dichten Dünnfilmverkapseiung und/oder einer hermetisch dichten
Abdeckung ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der optisch aktive Bereich mit einer ersten Elektrode, einer zweiten Elektrode und einer organischen funktionellen Schichtenstruktur ausgebildet werden, wobei die organische funktionelle
Schichtenstruktur zwischen der ersten Elektrode und der
zweiten Elektrode ausgebildet wird, und wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur ausgebildet wird zum
Emittieren der elektromagnetischen Strahlung und/oder
Umwandeln der elektromagnetischen Strahlung in einen
elektrischen Strom und/oder eine elektrische Spannung .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Verfahren ferner wenigstens ein Ausbilden einer Zwischenelektrode aufweisen, wobei die wenigstens eine Zwischenelektrode zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der optisch aktive Bereich mit einer ersten Elektrode, einer zweiten Elektrode und einer Kavitätenstruktur ausgebildet werden, wobei die Kavitätenstruktur zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode ausgebildet wird und wobei die
Kavitätenstruktur zu einem elektrisch steuerbaren
Transmittieren, Reflektieren und/oder Absorbieren der
elektromagnetischen Strahlung ausgebildet wird .
I einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Kavitätenstruktur derart ausgebildet werden, dass sie
elektrisch polarisierbare Partikel in flüssigkeitsgefüllten Kavitäten aufweist .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der optisch aktive Bereich mit mehreren optisch aktiven Bereichen ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die mehreren optisch aktiven Bereiche derart ausgebildet werden, dass sie sich in mindestens einem Wert einer optischen Größe bezüglich der elektromagnetischen Strahlung unterscheiden .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die mehreren optisch aktiven Bereiche wenigstens teilweise unabhängig voneinander ansteuerbar ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der optisch inaktive Bereich mit einer elektrisch leitfähigen
Kontaktstruktur ausgebildet werden, wobei die elektrisch leitfähige Kontaktstruktur zu einem Weiterleiten eines
Stromes zum Bestromen des optisch aktiven Bereiches
ausgebildet wird .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Kontaktstruktur mit mindestens einem Kontaktpad und/oder mindestens einer elektrischen Sammelschiene ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der optisch inaktive Bereich in einem Randbereich des Bauelementes ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der optisch inaktive Bereich mindestens teilweise von dem optisch aktiven Bereich umgeben ausgebildet werden, beispielsweise als elektrische Sammelschiene innerhalb des optisch aktiven
Bereiches ausgebildet werden .
In einer Ausgestal ung des Verfahrens kann die
Anpassungsstruktur mit einer oder mehreren Schichten
ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die mehreren Schichten der Anpassungsstruktur j eweils aus
unterschied! ichen Materialen ausgebildet werden .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann eine Schicht oder können mehrere Schichten der Anpassungsstruktur lateral strukturiert ausgebildet werden .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Anpassungsstruktur mindestens teilweise auf, über und/oder in dem optisch aktiven Bereich ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Änpassungsstruktur mindestens teilweise auf, über und/oder in dem. optisch inaktiven Bereich ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Anpassungsstruktur mindestens teilweise auf, über und/oder in dem Träger und/oder der Verkapselung ausgebildet werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Anpassungsstruktur derart ausgebildet werden, dass die
Anpassungsstruktur wenigstens teilweise die Schichtenstruktur des optisch aktiven Bereiches aufweist, von denen der optisch inaktive Bereich frei ist,
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Schichtenstruktur der Anpassungsstruktur optisch inaktiv ausgebildet werden oder elektrisch isoliert ausgebildet werden bezüglich der elektrischen Verbindung des optisch aktiven Bereiches.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Änpassungsstruktur bezüglich der elektromagnetischen
Strahlung aus einem wellenlängenkonvertierenden Material gebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Änpassungsstruktur bezüglich der elektromagnetischen
Strahlung Streupartikel verteilt in einer Matrix aufweisen oder daraus gebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Änpassungs truktur bezüglich der elektromagnetischen
Strahlung brechungsindexändernde und/oder farbverändernde Nanopartikel verteilt in einer Matrix aufweisen oder daraus gebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Anpassungsstruktur bezüglich der elektromagnetischen
Strahlung einen optisch anisotropen Stoff aufweisen, daraus gebildet werden und/oder derart ausgebildet werden,
beispielsweise doppelbrechend ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Anpassungsstruktur einen Getter bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff aufweisen oder daraus gebildet werden,
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Anpassungsstruktur wenigstens bereichsweise elektrisch leitfähig ausgebildet werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Anpassungsstruktur wenigstens bereichsweise elektrisch isolierend oder elektrisch isoliert ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Anpassungsstruktur über und/oder unter einem Kontaktpad
ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Anpassungsstruktur haftverstärkend und/oder
kohäsionsverstärkend ausgebildet werden, beispielsweise bezüglich der Schichten des optisch inaktiven Bereichs und/oder des optisch inaktiven Bereichs zum Träger oder jeweiligen Substrat einer Schicht. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Anpassungsstruktur als eine Abschirmung bezüglich einer elektromagnetischen Strahlung ausgebildet werden,
beispielsweise bezüglich einer UV-Strahlung. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Anpassungsstruktur derart ausgebildet werden, dass der Wert der optischen Größe des optisch aktiven Bereichs und der Wert
der optischen Größe des optisch inaktiven Bereichs an einen vorgegebenen Wert angepasst werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Anpassungsstruktur derart ausgebildet werden, dass der Wert der optischen Größe des optisch aktiven Bereichs und der Wert der optischen Größe des optisch inaktiven Bereichs einen Unterschied von weniger als ungefähr 10 % aufweisen
hinsichtlich des Wertes der optischen Größe des optisch aktiven Bereiches .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Anpassungsstruktur derart ausgebildet werden, dass eine vorgegebene Information darstellbar wird, beispielsweise in Form eines Rahmens oder eines Passepartouts .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Anpassungsstruktur derart ausgebildet werden, dass der optisch inaktive Bereich mit Anpassungsstruktur strahlformend für transmittierte und/oder reflektierte e1ektromagnetische Strahlung ausgebildet werden, beispielsweise diffus
reflektierend.
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Bauelement bereitgestellt . Das Bauelement weist auf : einen Träger, einen optisch aktiven Bereich mit einer ersten Elektrode, einer zweiten Elektrode und einer organisch funktionellen
Schichtenstruktur, wobei die organisch funktionelle
Schichtenstruktur zwischen der ersten und der zweiten
Elektrode angeordnet ist; einen optisch inaktiven Bereich, der neben dem optisch aktiven Bereich angeordnet ist ; ein elektrisch leitfähiger Rahmen mit einem ersten Rahmenelement und einem zweiten Rahmenelement , welche den optisch aktiven Bereich teilweise umgeben; wobei der elektrisch leitfähige Rahmen auf dem Träger ausgebildet ist ; wobei die erste
Elektrode derart auf oder über dem Träger angeordnet ist , dass sie den optisch aktiven Bereich teilweise abdeckt ; wobei die erste Elektrode mit dem ersten Rahmenelement verbunden
ist; wobei die zweite Elektrode mit dem zweiten Rahmene1ement verbunden ist; und wobei der elektrisch leitfähige Rahmen aus einem transparenten leitfähigen Oxid gebildet ist. In einer Ausgestaltung kann der elektrisch leitfähige Rahmen und die erste Elektrode Indiumzinnoxid aufweisen oder daraus gebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann eine optisch funktionelle Schicht zwische dem ersten Rahmenelement und dem zweiten
Rahmenelement angeordnet sein.
In einer Ausgestaltung kann die optisch funktionelle Schicht eine Streuschicht sein .
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert .
Es zeigen
Figur 1 eine schematische Querschnittsansicht
optoelektronischen Bauelementes gemäß
verschiedenen Ausführungsbeispielen;
Figuren 2A-G schematische Darstellungen eines Bauelementes gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen;
Figuren 3A-C schematische Darstellungen optoelektronischer
Bauelemente gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen;
Figuren 4A, B schematische Darstellungen optoelektronischer
Bauelemente gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen;
Figuren 5A, B schematische Darstellungen von Bauelementen gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen;
Figur ein Diagramm zu einem Verfahren gemäß
verschieden Ausführungsbeispielen; und
Figur eine Darstellung eines optoelektronischen
Bauelementes gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen und ein herkömmliches optoelektronisches Bauelement.
Figur 8A,C,E schematische Querschnittsansichten
optoelektronischer Bauelemente in einem
Verfahren zum Herstellen eines
optoelektronischen Bauelementes .
Figur 8B,D, F schematische Draufsichten optoelektronischer
Bauelemente in einem Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes .
Figur 8G eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelementes gemäß
verschiedenen Ausführungsbeispielen;
Figur 8H eine schematische Draufsicht eines
optoelektronischen Bauelementes gemäß
verschiedenen Ausführungsbeispielen;
Figur 9 eine tabellarische Darstellung einer
Simulation einer Leuchtdichteverteilung eines optoelektronisches Bauelement gemäß
verschiedenen Ausführungsbeispielen .
Figur 10 eine tabellarische Darstellung einer
Simulation einer Transmission eines
optoelektronisches Bauelement gemäß
verschiedenen Ausführungsbeispielen .
Figur 11 eine graphische Darstellung einer Simulation einer LeuchtdichteVerteilung eines
optoelektronisches Bauelement gemäß
verschiedenen Ausführungsbeispielen,
In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische
Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird
Richtungsterminologie wie etwa „oben", „unten" , „vorne" , „hinten", „vorderes" , „hinteres" , usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet . Da
Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl
verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschau1ichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend . Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzum ang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben . Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der
Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert .
Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe
"verbunden" , "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kop lung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist . Das in verschiedenen Ausführungsbeispielen beschriebene
Bauelement kann ein elektrooptisches Bauelement und/oder ein optoelektronisches Bauelement sein oder aufweisen . Das
Bauelement weist einen optisch aktiven Bereich auf . Der
optisch aktive Bereich ist zu einem elektrisch steuerbaren Transmittieren, Reflektieren, Absorbieren, Emittieren
und/oder Umwandeln einer elektromagnetischen Strahlung ausgebildet .
Ein Bauelement mit einem optisch aktiven Bereich kann eine oder mehrere optisch aktive Seiten aufweisen. Ein flächiges Bauelement, welches zwei flächige, optisch aktive Seiten aufweist, kann in der Verbindungsrichtung der optisch aktiven Seiten beispielsweise transparent oder transluzent
ausgebildet sein. Ein flächiges Bauelement kann auch als ein planares Bauelement bezeichnet werden. Der optisch aktive Bereich kann jedoch auch eine flächige, optisch aktive Seite und eine flächige , optisch inaktive Seite aufweisen,
beispielsweise eine organische Leuchtdiode, die als Top- Emitter oder Bottom-Emitter ausgebildet ist . Die optisch inaktive Seite kann beispielsweise mit einer Spiegelstruktur, beispielsweise einer Spiegelstruktur mit einer elektrisch schaltbaren Reflektivität und/oder einem opaken Stoff oder Stoffgemisch versehen sein, beispielsweise zur
Wärmeverteilung; wodurch der Strahlengang des Bauelementes gerichtet werden kann .
In verschiedenen Aus ührungsformen werden optoelektronische Bauelemente beschrieben, wobei ein optoelektronisches
Bauelement einen optisch aktiven Bereich aufweist . Der optisch aktive Bereich eines optoelektronischen Bauelementes kann elektromagnetische Strahlung absorbieren und daraus einen Fotostrom ausbilden, d.h. umwandeln; oder mittels einer angelegten Spannung an den optisch aktiven Bereich
elektromagnetische Strahlung emittieren. In verschiedenen Ausführungsformen kann die elektromagnetische Strahlung einen Wellenlängenbereich aufweisen, der Röntgenstrahlung, UV- Strahlung (A-C) , sichtbares Licht und/oder Infrarot-Strahlung (A-C) aufweist .
Unter einem Bereitstellen von elektromagne ischer Strahlung kann ein Emittieren von elektromagnetischer Strahlung
verstanden werden. Mit anderen Worten; ein Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung kann als ein Emittieren von elektromagnetischer Strahlung mittels einer angelegten
Spannung an einen optisch aktiven. Bereich verstanden werden. ünter einem Aufnehmen von elektromagnetischer Strahlung kann ein Absorbieren von elektromagnetischer Strahlung verstanden werden, Mit anderen Worten: ein Aufnehmen von
elektromagnetischer Strahlung kann als ein Absorbieren von elektromagnetischer Strahlung und Ausbilden eines Fotostromes aus der absorbierten elektromagnetischen Strahlung verstanden werden. Mit anderen Worten; ein Absorbieren einer
elektromagnetischen Spannung kann als ein Umwandeln einer elektromagnetischen Strahlung in einen elektrischen Strom und/oder eine elektrische Spannung verstanden werden.
Eine elektromagnetische Strahlung emittierende Struktur kann in verschiedenen Ausgestaltungen eine elektromagnetische Strahlung emittierende Halbleiter-Struktur sein und/oder als eine elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als eine organische elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als ein elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor oder als ein organischer elektromagnetische
Strahlung emittierender Transistor ausgebildet sein. Die Strahlung kann beispielsweise Licht (im sichtbaren Bereich) , UV-Strahlung und/oder Infrarot-Strahlung sein. In diesem Zusammenhang kann das elektromagnetische Strahlung
emittierende Bauelement beispielsweise als Licht emittierende Diode (light emitting diode, LED) als organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode, OLED) , als Licht emittierender Transistor oder als organischer Licht emittierender Transistor ausgebildet sein. Das
elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement kann in verschiedenen Ausgestaltungen Teil einer integrierten
Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von
elektromagnetische Strahlung emittierenden Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gerneinsamen Gehause .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine optoelektronische Struktur als eine organische Leuchtdiode (organic light emitting diode - OLED) , ein organischer
Feldeffekttransistor (organic field effect transistor OFET) und/oder eine organische Elektronik ausgebildet sein. Bei dem organischen Feldeffekttransistor kann es sich um einen sogenannten „all -OFET" handeln, bei dem alle Schichten organisch sind. Eine optoelektronische Struktur kann ein organisches funktionelles Schichtensystem aufweisen, welches synonym auch als organische funktionelle Schichtenstruktur bezeichnet wird. Die organische funktionelle
Schichtenstruktur kann einen organischen Stoff oder ein organisches Stoffgemisch aufweisen oder daraus gebildet sein, der/das beispielsweise zum Bereitstellen einer
elektromagnetischen Strahlung aus einem bereitgestellten elektrischen Strom ausgebildet ist.
Ein elektrooptisch.es Bauelement kann derart ausgebildet sein, dass es mindestens eine optische Größe unter Einfluss eines elektrischen Feldes ändern kann. Mit anderen Worden: in verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das elektrooptische Bauelement derart ausgebildet sein, dass mittels eines
Anlegens eines Steuersignals an das elektrooptische
Bauelement die optischen Eigenschaften des elektrooptischen Bauelements verändert werden, beispielsweise die
Transmission, die Absorption und/oder die Reflexion von elektromagnetischer Strahlung durch/in/ on dem
elektrooptischen Bauelement. Ein Steuersignal kann
beispielsweise die Änderung einer an das elektrooptische Bauelement angelegten Spannung oder eine Änderung der
Stromstärke durch das elektrooptische Bauelement sein. Die optischen Eigenschaften eines transmittierenden Bauelementes können beispielsweise in einem Bereich von 0 % (keine
Änderung) bis 100 % (vollständige Änderung) verändert werden. Ein Ändern der transmittierenden elektromagnetischen
Strahlung kann auch ein Ändern der Polarisationsrichtung der transmittierenden elektromagnetischen Strahlung sein,
beispielsweise für den Fall , dass die optisch aktive Struktur wenigstens eine Vorzugsrichtung der Polarisation aufweist hinsichtlich einer aufgenommenen elektromagnetischen
Strahlung .
Ein elektrooptisches Bauelement kann derart ausgebildet sein, dass sich die optischen Eigenschaften des elektrooptischen Bauelementes abrupt , d.h. instantan, diskret , unstetig; mit dem Anlegen eines Steuersignals an das elektrooptische
Bauelement ändern. Ein elektrooptisches Bauelement kann
edoch auch derart ausgebildet sein, dass sich die optischen Eigenschaften des elektrooptischen Bauelementes
kontinuierlich , d.h. fließend, stetig ; mit dem Anlegen eines Steuersignals an das elektrooptische Bauelement ändern .
In verschiedenen Aus ührungsbeispielen kann ein
elektrooptisches Bauelement als Folie ausgebildet sein, beispielsweise mit einem Klebstoff oder einer Haftschicht versehen.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann ein
elektrooptisches Bauelement als eine farbige , matte , silberne und/oder diffuse Struktur ausgebildet sein, deren
Transmissionsgrad elektrisch einstellbar ist . Der
Transmissionsgrad kann mittels eines Anderns der
Reflektivität und/oder der Absorption des elektrooptischen Bauelementes eingestellt werden .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann ein
elektrooptisches Bauelement als ein elektrisch schaltbarer Spiegel mit durchstimmbarer Reflektivität ausgebildet sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das Durchstimmen der Reflektivität elektrochrom-elektrisch, gasochrom und/oder thermochrom erfolgen .
Die optische Größe kann in verschiedenen
Ausführungsbeispielen mindestens eine der folgenden optischen Größen hinsichtlich der elektromagnetischen Strahlung
aufweisen: die Absorption, die Reflektivität , die
Transmittivität , der Brechungsinde , der Streuquerschnitt, die Dispersion, die Intensität, die Polarisation. Die elektromagnetische Strahlung kann in verschiedenen
Ausführungsbeispielen eine Intensität in mindestens einem der folgenden Wellenlängenbereiche aufweisen: der UV-Strahlung, des sichtbaren Lichtes, der Infrarot-Strahlung, der
Mikrowellenstrahlung .
In einer Ausgestaltung kann die Anpassungsstruktur eine Matrix und wenigstens eine Art Zusatz aufweisen.
In einer Ausgestaltung kann wenigstens eine Art Zusätze in der Matrix verteilt sein. Die wenigstens eine Art verteilter Zusätze kann als Partikel, d.h. partikelförmigen Zusätze, ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann wenigstens eine Art Zusätze in der Matrix gelöst sein.
In einer Ausgestaltung kann die Anpassungsstruktur - in Abhängigkeit von der konkreten Implementation der
Anpassungsstruktur in/auf/über dem optisch aktiven Bereich und/oder dem optisch inaktiven Bereich - derart ausgebildet sein, dass der thermische Ausdehnungskoeffizient der
Anpassungsstruktur an den thermischen
Ausdehnungskoeffizienten des optisch aktiven Bereiches und/oder des optisch inaktiven Bereiches angepasst ist, beispielsweise innerhalb eines Bereiches von ungefähr 50 %, beispielsweise innerhalb eines Bereiches von ungefähr 40 % , beispielsweise innerhalb eines Bereiches von ungefähr 30 %, beispielsweise innerhalb eines Bereiches von ungefähr 20 %, beispielsweise innerhalb eines Bereiches von ungefähr 10 %, beispielsweise ungefähr gleich bezüglich des thermischen Ausdehnungskoeffizienten des optisch aktiven Bereiches und/oder des optisch inaktiven Bereiches.
In einer Ausgestaltung kann die Matrix der wenigstens einen Schicht mit Matrix der Anpassungsstruktur ein Glaslot
und/oder ein Kunststoff aufweisen oder daraus gebildet sein. In einer Ausgestaltung kann die Anpassungsstruktur
ganzflächig auf/über/in dem optisch aktiven Bereich und/oder dem optisch inaktiven Bereich ausgebildet sein,
beispielsweise angeordnet sein. In einer Ausgestaltung kann die Anpassungsstruktur einen mittleren Brechungsindex größer oder ungefähr gleich dem Brechungs index weiterer Schichten im Schichtquerschnitt des optisch aktiven Bereichs und/oder des optisch inaktiven
Bereichs aufweisen.
In einer Ausgestaltung kann die Anpassungsstruktur einen Brechungsindex aufweisen von mindestens ungefähr 1,5;
beispielsweise einen Brechungsindex von mindestens ungefähr 1,6; beispielsweise einen Brechungsindex von mindestens ungefähr 1,65; beispielsweise einen Bereich von ungefähr 1,5 bis ungefähr 2,1.
In einer Ausgestaltung kann die Anpassungsstruktur eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 0,01 μν bis ungefähr 100 μτχι aufweisen, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr
0,1 μτα bis ungefähr 100 μνα , beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1 μπι bis ungefähr 100 μπι, beispielsweise
ungefähr 2 μτ , In einer Ausgestaltung kann die Matrix der Anpassungsstruktur einen Brechungsindex größer als ungefähr 1,7 aufweisen.
In einer Ausgestaltung kann die Matrix der Anpassungsstruktur amorph ausgebildet sein. Der Stoff oder das Stoffgemisch der Matrix kann auch als Formwerkstoff oder Vergussmaterial eingerichtet sein oder werden.
In einer Ausgestaltung kann die Matrix der Anpassungsstruktur ein Stoff oder Stoffgemisch aufweisen oder daraus gebildet sein aus der Gruppe der Glassysteme : PbO-haltigen Systeme: PbO-B203 f PbO-Si02, PbO-B203 -Si02 , PbO-B203 -Zn02 , PbO-B203- Al203 , wobei das PbO-haltige Glaslot auch Bi203 aufweisen kann; B12O3 -haltige Systeme: Bi 03-B203, Bi203 -B203 -Si02 , Bi203 -B 03 -ZnO, Bi203 -B203 -ZnO-Si02.
Die Bi-haltige Anpassungsstruktur kann zusätzlich einen Stoff oder ein Stoffgemisch aufweisen aus der Gruppe der Stoffe : A1203 , Erdalkalioxide , Alkalioxide, Zr02 , Ti02, Hf02 , Nb205 , Ta205, Te02 , W03 , M03 , Sb203 , Ag20, Sn02 , Selteneerdoxide .
Dem Glas der Matrix können UV- bsorbierende Zusätze als
Glaskomponenten beigefügt werden . Beispielsweise können niedrigschmelzenden Gläsern, beispielsweise Blei-haltigen Gläsern, zum Erhöhen der UV-Absorption, im Prozess der
Glasschmelze , als Glasgemengebestandteile Stoffe oder
Stoffgemische , die Ce- , Fe- , Sn- , Ti- , Pr- , Eu- und/oder V- Verbindungen aufweisen, zugefügt werden .
Als Prozess des Glasschmelzens kann ein thermisches
Verflüssigen, d.h. Aufschmelzen, eines Glases verstanden werden . Die UV-absorbierenden Zusätze können als Bestandteil im Glas gelöst sein. Im Anschluss an den Prozess des
Glasschmelzens kann das Glas pulverisiert, in Form von
Beschichtungen auf einen Träger aufgebracht und anschließend mittels einer Temperaturbehandlung verglast werden . Der Stoff oder das Stoffgemisch der Matrix kann eine
intrinsisch geringere UV-Transmission auf eisen als der optisch aktive Bereich und/oder der optisch inaktive Bereich. Mittels der geringeren UV-Transmission der Matrix kann ein UV-Schutz für Schichten auf oder über der Anpassungsstruktur ausgebildet werden . Die geringere UV-Transmission der Matrix der Anpassungsstruktur bezüglich des Substrates kann
beispielsweise mittels einer höheren Absorption und/oder Reflektion von UV-Strahlung ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann der Stoff oder das Stoffgemisch der Matrix der Anpassungsstruktur bei einer Temperatur bis maximal ungefähr 600 °C verflüssigt werden.
In einer Ausgestaltung kann die Matrix einen der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: ein Silikon, beispielsweise Polydimethylsiloxan,
Polydimethylsiloxan/Polydipheny1siloxan; ein Silazan, ein Epoxid, ein Polyacrylat, ein Polycarbonat , beispielsweise ein Silikon-Hybrid, ein Silikon-Epoxid-Hybrid. In einer Ausgestaltung können die Zusätze der Matrix einer
Schicht der Anpassungsstruktur einen anorganischen Stoff oder ein anorganisches Stoffgemisch aufweisen oder daraus gebildet sein. Die wenigstens eine Art Zusatz kann einen Stoff oder ein Stoffgemisch oder eine stöchiometrische Verbindung aufweisen oder daraus gebildet sein aus mindestens einem der folgenden Stoffe : Ti02 , Ce02 , Bi203 , ZnO, Sn02 , Al203 , Si02 , Y2C>3 , Zr02 , Leuchtstoffe, Farbstoffe, sowie UV-absorbierende Glaspartikel , geeignete UV-absorbierende metallische
Nanopartikel , wobei die Leuchtstoffe zur
Wellenlängenkonvertierung eingerichtet sind.
Die wenigstens eine Art Zusatz kann als Partikel , d.h.
partikelförmigen Zusätze, ausgebildet sein. Die wenigstens eine Art Zusatz kann eine gewölbte Oberfläche aufweisen, beispielsweise ähnlich oder gleich einer optischen Linse . Die wenigstens eine Art partikelförmiger Zusätze können eine der folgenden geometrische Formen und/oder einen Teil einer der folgenden geome rischen Formen aufweisen: sphärisch,
asphärisch beispielsweise prismatisch, ellipsoid, hohl , kompakt , plättchen oder stäbchenförmig . Die partikelförmigen Zusätze können ein Glas aufweisen oder daraus gebildet sein. Die partikelförmigen Zusätze können eine mittlere Korngröße
in einem Bereich von ungefähr 0 , 05 μχα bis ungefähr 10 μ,να, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 0,1 μτχι bis ungefähr 1 μν aufweisen. Die Zusätze können auf/über/ in dem optisch aktiven Bereich und/oder dem optisch inaktiven in der Anpassungsstruktur eine Lage mit einer Dicke von ungefähr 0,1 μν bis ungefähr 100 μτη aufweisen. Die Zusätze der Anpassungsstruktur können mehrere Lagen übereinander auf/über/in dem optisch aktiven Bereich und/oder dem optisch inaktiven Bereich aufweisen, wobei die einzelnen Lagen unterschiedlich ausgebildet sein können. In den Lagen der Zusätze kann die mittlere Größe der
partikelförmigen Zusätze wenigstens einer Art eines
partikelförmigen Zusatzes von der Oberfläche des Substrates her abnehmen. Die einzelnen Lagen der Zusätze können eine unterschiedliche mittlere Größe der partikelförmigen Zusätze und/oder eine unterschiedliche Transmission für
elektromagnetische Strahlung in wenigstens einem
Wellenlängenbereich aufweisen, beispielsweise mit einer
Wellenlänge kleiner ungefähr 400 ntn . Die einzelnen Lagen der Zusätze können eine unterschiedliche mittlere Größe der partikelförmigen Zusätze und/oder einen unterschiedlichen Brechungsindex für elektromagnetische Strahlung aufweisen. In einer Ausgestaltung kann die Anpassungsstruktur als
Streuschicht, d.h. als Auskoppelschicht oder
Einkoppelschicht, eingerichtet sein.
In einer Ausgestaltung kann die Anpassungsstruktur
partikelförmige Zusätze aufweisen, die als Streupartikel für elektromagnetische Strahlung, beispielsweise Licht,
eingerichtet sind, wobei die Streupartikel in der Matrix verteilt sein können. Mit anderen Worten; die Matrix kann wenigstens eine Art streuender Zusätze aufweisen, sodass die Anpassungsstruktur eine streuende Wirkung bezüglich
einfallender elektromagnetischer Strahlung in wenigstens einem Wellenlängenbereich ausbilden kann, beispielsweise mittels eines zur Matrix unterschiedlichen Brechungsindexes
der streuenden Partikel bzw. streuenden Zusätze und/oder eines Durchmessers , der ungefähr wenigstens einem Viertel der Größe der Wellenlänge der zu streuenden Strahlung entspricht . Die streuende Wirkung kann elektromagnetische Strahlung betreffen, die von einem organischen f nktionellen
Schichtensystem auf oder über der Anpassungsstruktur
emittiert oder absorbierten wird, um die Lichtauskopplung oder Lichteinkopplung zu erhöhen . In einer Ausgestaltung kann die Anpassungsstruktur mit streuenden Zusätzen einen Unterschied des Brechungsindexes der streuenden Zusätze zum Brechungsindex der Matrix von größer ungefähr 0 , 05 aufweisen. In einer Ausgestaltung kann die Anpassungsstruktur einen
Farbstoff aufweisen oder daraus gebildet sein. Dadurch kann mittels des Farbstoffes das optische Erscheinungsbild der
Anpassungsstruktur verändert werden. Dadurch kann das
optische Erscheinungsbild des Bereiches des optisch aktiven Bereiches und/oder des optisch inaktiven Bereiches mit
Anpassungsstruktur farblich verändert werden . Mit anderen Worten: die Anpassungsstruktur kann als Farb-Schicht
eingerichtet sein . In einer Ausgestaltung kann eine Anpassungsstruktur einen UV- absorbierender Zusatz aufweisen oder daraus gebildet sein. Mit anderen Worten : die Anpassungsstruktur kann als UV- Schutz-Schicht eingerichtet sein. In einer Ausgestaltung kann eine Anpassungsstruktur einen wellenlängenkonvertierenden Zusatz aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise einen Leuchtstoff aufweisen. Mit anderen Worten : die Anpassungsstruktur kann als
Leuchtstoff -Schicht eingerichtet sein und die Wellenlänge einer elektromagnetischen Strahlung konvertieren,
beispielsweise Stokes- oder Anti-Stokes- förmig .
In einer Ausgestaltung kann ein Zusatz der Anpassungsstruktur als Getter eingerichtet sein. Mit anderen Worten: die
Anpassungsstruktur kann als Getter- Schicht eingerichtet sein oder eine solche aufweisen.
In einer Ausgestaltung können die Zusätze elektromagnetische Strahlung streuen, UV-Strahlung absorbieren, die Wellenlänge von elektromagnetischer Strahlung konvertieren, die
Anpassungsstruktur einfärben und/oder schädliche Stoffe binden.
Zusätze, die beispielsweise elektromagnetische Strahlung streuen können und keine UV- Strahlung absorbieren können, können beispielsweise AI2O3 , S1O2 , Y2O3 oder Zr02 aufweisen oder daraus gebildet sein,
Zusätze, die beispielsweise elektromagnetische Strahlung streuen und die Wellenlänge elektromagnetischer Strahlung konvertieren, können beispielsweise als Glaspartikel mit einem Leuchtstoff eingerichtet sein.
Fig.1 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelementes als ein Ausführungsbeispiel eines Bauelementes gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen.
Das optoelektronische Bauelement 100 kann als eine organische Leuchtdiode 100, ein organischer Fotodetektor 100, ein
Display, und/oder eine organische Solarzelle ausgebildet sein.
Eine organische Leuchtdiode 100 kann als ein Top-Emitter oder ein Bottom-Emitter ausgebildet sein. Bei einem Bottom-Emitter wird Licht aus dem elektrisch aktiven. Bereich durch den
Träger emittiert. Bei einem Top-Emitter wird Licht aus der Oberseite des elektrisch aktiven Bereiches emittiert und nicht durch den Träger.
Ein Top-Emitter und/oder Bottom-Emitter kann auch optisch transparent oder optisch transluzent ausgebildet sein, beispielsweise kann jede der nachfolgend beschriebenen
Schichten oder Strukturen transparent oder transluzent ausgebildet sein.
Das optoelektronische Bauelement 100 weist ein hermetisch dichtes Substrat 126, einen aktiven Bereich 106 und eine Verkapselungsstruktur 128 auf.
Das hermetisch dichte Substrat kann einen Träger 102 und eine erste Barriereschicht 104 aufweisen.
In verschiedenen Ausgestaltungen kann ein bezüglich Wasser hermetisch dichter Stoff oder ein hermetisch dichtes
Stoffgemisch eine Keramik, ein Metall und/oder ein Metalloxid aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise einer Metalloxid-Keramik . Der aktive Bereich 106 ist ein elektrisch aktiver Bereich 106 und/oder ein optisch aktiver Bereich 106. Der aktive Bereich 106 ist beispielsweise der Bereich des optoelektronischen Bauelements 100, in dem elektrischer Strom zum Betrieb des optoelektronischen Bauelements 100 fließt und/oder in dem elektromagnetische Strahlung erzeugt und/oder absorbiert wird.
Der elektrisch aktive Bereich 106 kann eine erste Elektrode 110 , eine organische funktionelle Schichtenstruktur 112 und eine zweiten Elektrode 114 auf eisen .
Die organische funktionelle Schichtenstruktur 106 kann ein, zwei oder mehr funktionelle Schichtenstruktur-Einheiten und eine , zwei oder mehr Zwischenschichtstruktu (en) zwischen den Schichtenstruktur-Einheiten aufweisen . Die organische
funktionelle Schichtenstruktur 112 , kann beispielsweise eine erste organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 116,
eine Zwischenschichtstruktur 118 und eine zweite organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 120 aufweisen.
Die Verkapselungsstruktur 128 kann eine zweite
Barriereschicht 108, eine schlüssige Verbindungsschicht 122 und eine Abdeckung 124 aufweisen.
Der Träger 102 kann Glas, Quarz, und/oder ein
Halbleitermaterial aufweisen oder daraus gebildet sein.
Ferner kann der Träger eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine (beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder Polypropylen (PP) ) aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Kunststoff
Polyvinylchlorid (PVC) , Polystyrol (PS) , Polyester und/oder Polycarbonat (PC) , Polyethylenterephthalat (PET) ,
Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen oder daraus gebildet sein.
Der Träger 102 kann ein Metall aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Kupfer, Silber, Gold, Platin, Eisen, beispielsweise eine MetallVerbindung, beispielsweise Stahl, Der Träger 102 kann opak, transluzent oder sogar transparent ausgeführt sein.
Der Träger 102 kann ein Teil einer Spiegelstruktur sein oder diese bilden.
Der Träger 102 kann einen mechanisch rigiden Bereich und/oder einen mechanisch flexiblen Bereich aufweisen oder derart ausgebildet sein, beispielsweise als eine Folie . Der Träger 102 kann als Wellenleiter für elektromagnetische Strahlung ausgebildet sein, beispielsweise transparent oder transluzent sein hinsichtlich der emittierten oder
absorbierten elektromagnetischen Strahlung des optoelektronischen Bauelementes 100,
Die erste Barriereschicht 104 kann eines der nachfolgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein:
Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid,
Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid,
Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid,
Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, Poly (p- phenylenterephthalamid) , Nylon 66, sowie Mischungen und
Legierungen derselben.
Die erste Barriereschicht 104 kann mittels eines der
folgenden Verfahren ausgebildet werden: ein
Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD) ) , beispielsweise eines plasmaunterstützten
Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer
Deposition (PEALD) ) oder ein plasmaloses
Atomlageabscheideverfahren ( Plasma- less Atomic Layer
Deposition (PLALD) ) ein chemisches
Gasphasenabscheideverfahren (Chemical Vapor Deposition
(CVD) ) , beispielsweise ein plasmaunterstütztes
Gasphasenabscheideverfahren (Plasma Enhanced Chemical Vapor
Deposition (PECVD) ) oder ein plasmaloses
Gasphasenabscheideverfahren (Plasma- less Chemical Vapor
Deposition (PLCVD) ) oder alternativ mittels anderer
geeigneter Abscheideverfahren .
Bei einer ersten Barriereschicht 10 , die mehrere
Teilschichten aufweist, können alle Teilschichten mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden . Eine Schichtenfolge , die nur ALD-Schichten aufweist , kann auch als
„Nanolaminat" bezeichnet werden . Bei einer ersten Barriereschicht 104 , die mehrere
Teilschichten aufweist , können eine oder mehrere
Teilschichten der ersten Barriereschicht 104 mittels eines anderen Abscheideverfahrens als einem
Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden,
beispielsweise mittels eines Gasphasenabscheideverfahrens .
Die erste Barriereschicht 104 kann eine Schichtdicke von ungefähr 0,1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm
aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm gemäß einer Ausgestaltung,
beispielsweise ungefähr 40 nm gemäß einer Ausgestaltung. Die erste Barriereschicht 104 kann ein oder mehrere
hochbrechende Materialien aufweisen, beispielsweise ein oder mehrere Material ( ien) mit einem hohen Brechungsindex, beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2. Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen
Ausführungsbeispielen auch ganz auf eine erste
Barriereschiebt 104 verzichtet werden kann, beispielsweise für den Fall, dass der Träger 102 hermetisch dicht
ausgebildet ist, beispielsweise Glas, Metall, Metalioxid aufweist oder daraus gebildet ist.
Die erste Elektrode 104 kann als Anode oder als Kathode ausgebildet sein. Die erste Elektrode 110 kann eines der folgenden elektrisch leitfähigen Material aufweisen oder daraus gebildet werden; ein Metall; ein leitfähiges transparentes Oxid (transparent conductive oxide , TCO) ; ein Netzwerk aus metallischen
Nanodrähten und - teilchen, beispielsweise aus Ag, die beispielsweise mit leitfähigen Polymeren kombiniert sind; ein Netzwerk aus Kohlenstoff -Nanoröhren , die
beispielsweise mit leitfähigen Polymeren kombiniert sind; Graphen-Teilchen und -Schichten; ein Netzwerk aus
halbleitenden Nanodrähten; ein elektrisch leitfähiges Polymer; ein Übergangsmeta11o id ; und/oder deren
Komposita. Die erste Elektrode 110 aus einem Metall oder ein Metall aufweisend kann eines der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: Ag, Pt , Au, Mg, AI, Ba,
In, Ca, Sm oder Li, sowie Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser Materialien. Die erste Elektrode 110 kann als transparentes leitfähiges Oxid eines der folgenden
Materialien aufweisen: beispielsweise Metalloxide:
beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium- inn-Oxid (ITO) . Neben binären
MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise ZnO, Sn02 , oder In2Ü3 gehören auch ternäre MetallsauerstoffVerbindungen, beispielsweise AlZnO,
CdSnO , ZnSn03 , MgIn2Ü4 ,
Gal Os , Z ^I^Os oder In4Sn30i2 oder Mischungen
unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs und können in verschiedenen
Ausführungsbeispielen eingesetzt werden. Weiterhin
entsprechen die TCOs nicht zwingend einer stöchiometrischen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein, bzw. lochleitend (p-TCO) oder elektronenleitend (n-TCO) sein .
Die erste Elektrode 110 kann eine Schicht oder einen
Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben Materials oder unterschiedlicher Materialien aufweisen. Die erste Elektrode 110 kann gebildet werden von einem Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs, oder umgekehrt. Ein Beispiel ist eine
Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO Multischichten .
Die erste Elektrode 104 kann beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von 10 nm bis 500 nm,
beispielsweise von kleiner 25 nm bis 250 nm, beispielsweise von 50 nm bis 100 nm.
Die erste Elektrode 110 kann einen ersten elektrischen
Anschluss aufweisen, an den ein erstes elektrisches Potential anlegbar ist . Das erste elektrische Potential kann von einer Energiequelle bereitgestellt werden, beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsquelle . Alternativ kann das
erste elektrische Potential an einen elektrisch leitfähigen Träger 102 angelegt sein und die erste Elektrode 110 durch den Träger 102 mittelbar elektrisch zugeführt sein, Das erste elektrische Potential kann beispielsweise das Massepotential oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotential sein.
In Fig.l ist ein optoelektronisches Bauelement 100 mit einer ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 116 und einer zweite organischen funktionellen
Schichtenstruktur- Einheit 120 dargestellt. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle
Schichtenstruktur 112 aber auch mehr als zwei organische funktionelle Schichtenstrukturen aufweisen, beispielsweise 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, oder sogar mehr, beispielsweise 15 oder mehr, beispielsweise 70.
Die erste organische funktionelle Schichtenstruktur- Einheit 116 und die optional weiteren organischen funktionellen
Schichtenstrukturen können gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein, beispielsweise ein gleiches oder
unterschiedliches Emittermaterial aufweisen. Die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 120, oder die weiteren organischen funktionellen Schichtenstruktur- Einheiten können wie eine der nachfolgend beschriebenen
Ausgestaltungen der ersten organischen funktionellen
Schichtenstruktur-Einheit 116 ausgebildet sein.
Die erste organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 116 kann eine Lochinjektionsschicht, eine
Lochtransportschicht, eine Emitterschicht, eine
Elektronentransportschicht und eine
Elektroneninj ektionsschicht aufweise .
In einer organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 112 kann eine oder mehrere der genannten Schichten vorgesehen sein, wobei gleiche Schichten einen körperlichen Kontakt aufweisen können, nur elektrisch miteinander verbunden sein können oder sogar elektrisch voneinander isoliert ausgebildet
sein können, beispielsweise nebeneinander ausgebildet sein können. Einzelne Schichten der genannten Schichten können optional sein. Eine Lochinjektionsschicht kann auf oder über der ersten Elektrode 110 ausgebildet sein. Die Lochinj ektionsschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: HAT-CN, Cu (I) pFBz , MoOx, W0X, VOx, ReOx, F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9, Bi (III)pFBz, F16CuPc; NPB (Ν,Ν' - Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; beta-NPB N, N' -Bis (naphthalen-2-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; TPD (N, N' -Bis { 3 -methylphenyl ) -N, N 1 -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro TPD (Ν,Ν' -Bis (3 -methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro-NPB (N, 1 -Bis (naphthalen-l-yl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -spiro) ; DMFL-TPD N, » -Bis ( 3 -methylphenyl ) -N,N" -bis (phenyl) -9,9- dimethyl-f luoren) ; DMFL-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' - bis (phenyl) - 9 , -dimethyl-fluoren) ; DPFL-TPD (Ν,Ν' -Bis (3- methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9 , -diphenyl-fluoren) ; DPFL- NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen- 1 -yl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl- fluoren) ; Spiro-TAD (2,2' ,7,7' -Tetrakis (n, n-diphenylamino) - 9 , 9 1 -spirobifluoren) ,- 9, 9 -Bis [4- (N,N-bis-biphenyl-4-yl- amino) phenyl] - 9H- fluoren; 9 , 9-Bis [4 - (N, -bis -naphthalen- 2 -yl- amino) phenyl ] -9H-fluoren; 9 , 9-Bis [4 - (Ν,Ν' -bis -naphthalen- 2 - yl-N, N 1 -bis-phenyl-amino) -phenyl] -9H-fluor;
N, ' -bis (phenanthren- 9 -yl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin;
2, 7 -Bis [N, -bis (9, -spiro-bifluorene-2-yl) -amino] -9, 9-spiro- bifluoren; 2,2' -Bis [N, N-bis (biphenyl-4 -yl) amino] 9, 9-spiro- bifluoren; 2,2' -Bis (N,N-di -phenyl -amino) 9 , 9-spiro-bifluoren; Di- [4 - (N, N-ditolyl -amino) -phenyl] eyelohexan;
2 , 2 ' , 7 , 71 - tetra (N, N-di- tolyl) amino- spiro-bifluoren; und/oder N, N, ' , N ' - tetra-naphthalen- 2 -yl -benzidin .
Die Lochinjektionsschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 1000 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 30 nm bis ungefähr 300 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungef hr 50 nm bis ungefähr 200 nm.
Auf oder über der Lochinjektionsschicht kann eine
Lochtransportschicht ausgebildet sein. Die
Lochtransportschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NPB (N, N ' - Bis (naphthalen-l-yl) -N , N ' -bis (phenyl) -benzidin) ; beta-NPB Ν,Ν' -Bis (naphthalen-2-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; TPD
(Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro TPD (Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -spiro) ; DMFL-TPD Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9,9- dimethyl-fluoren) ; DMFL-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' - bis (phenyl) -9, 9-dimethyl-fluoren) ; DPFL-TPD (Ν,Ν' -Bis (3- methylphenyl ) -N, N 1 -bis (phenyl) -9, 9 -diphenyl - fluoren) DPFL- NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9 , -diphenyl- fluoren) ; Spiro-TAD (2,2' ,7,7' -Tetrakis (n, n-diphenylamino) - 9 , 9 1 -spirobifluoren) ; 9, 9-Bis [4- (N, N-bis -biphenyl -4 -yl - amino) phenyl] - 9H- fluoren; 9 , 9-Bis [4 - (N, N-bis-naphthalen-2-yl- amino) phenyl] - 9H-fluoren; 9 , 9-Bis [4- (N, N ' -bis -naphthalen-2 - yl-Ν,Ν1 -bis -phenyl-amino) -phenyl] -9H-fluor;
N, N ' -bis (phenanthren- 9 -yl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin; 2 , 7- Bis [N, -bis (9, 9 - spiro-bifluorene - 2 -yl) -amino] - 9 , 9 -spirobifluoren; 2,2' -Bis [N, -bis (biphenyl-4 -yl ) amino] 9 , 9-spiro- bifluoren; 2,2' -Bis (N, -di-phenyl-amino) 9 , 9 -spiro-bifluoren; Di- [4- (N, -ditolyl-amino) -phenyl] cyclohexan; 2,2' ,7,7'- tetra (N, N-di- tolyl) amino-spiro-bifluoren; und N,
Ν,Ν' ,Ν' -tetra-naphthalen-2-yl-benzidin, ein tertiäres Amin, ein Carbazolderivat , ein leitendes Polyanilin und/oder
Polyethylendioxythiophen.
Die Lochtransportschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm,
beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm.
Auf oder über der Lochtranspor schicht kann eine
Emitterschicht ausgebildet sein . Jede der organischen
funktionellen Schichtenstruktur-Einheiten 116 , 120 kann
jeweils eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen,
beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder
phosphoreszierenden Emittern. Eine Emitterschicht kann organische Polymere, organische
Oligomere , organische Monomere, organische kleine, nicht - polymere Moleküle („small molecules") oder eine Kombination dieser Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein. Das optoelektronische Bauelement 100 kann in einer
Emitterschicht eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein; organische oder
organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (beispielsweise 2- oder 2,5- substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe, beispielsweise Iridium- Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis (3 , 5 -difluoro-2 - ( 2 -pyridy1 ) pheny1 - <2- carboxypyridyl ) - iridium III) , grün phosphoreszierendes
Ir (ppy) 3 (Tris (2-phenylpyridin) iridium III) , rot
phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy) 3*2 (PFg ) (Tris ί , ' -di- tert- butyl- [ 2 , 2 ' ) -bipyridin] ruthenium (III) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4 , 4-Bis [4- (di-p- tolylamino) styryl] biphenyl) , grün fluoreszierendes TTPA
( 9 , 10-Bis [N, N-di- (p- tolyl) -amino] anthracen) und rot
fluoreszierendes DCM2 (4 -Dicyanomethylen) -2-methyl-6- julolidyl- 9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter .
Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar . Ferner können
Polymeremitter eingesetzt werden, welche beispielsweise mittels eines nasschemischen Verfahrens abscheidbar sind, wie beispielsweise einem Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating) , Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein, beispielsweise, einer
technischen Keramik oder einem Polymer, beispielsweise einem Epoxid; oder einem Silikon.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Emitterschicht eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm. Die Emitterschicht kann einfarbig oder verschiedenfarbig ( zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien aufweisen. Alternativ kann die
Emitterschicht mehrere Teilschichten aufweisen, die Licht unterschiedlicher Farbe emittieren . Mittels eines Mischens der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ kann auch vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine SekundärStrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer {noch nicht weißen) PrimärStrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt . Die organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 116 kann eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen, die als Lochtransportschicht ausgeführt ist/ sind.
Weiterhin kann die organische funktionelle Schichtenstruktur- Einheit 116 eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen, die als Elektronentransportschicht ausgeführt ist/sind.
Auf oder über der Emitterschicht kann eine
Elektronentransportschicht ausgebildet sein, beispielsweise abgeschieden sein.
Die Elektronentransportschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein:
NET- 18 ; 2 , 2 ' , 2" - ( 1 , 3 , 5 -Benzinetriyl ) - tris ( 1 -phenyl- 1-H- benzimidazole) ; 2- (4 -Biphenylyl ) -5- (4 -tert-butylphenyl) - 1, 3, 4-oxadiazole, 2, 9-Dimethyl- , 7-diphenyl-l, 10- phenanthroline (BCP) ; 8 -Hydroxyquinolinolato- 1ithium, 4- (Naphthalen-l-yl) -3 , 5-diphenyl-4H-l, 2 , 4 - triazole ; 1 , 3-Bis [2- (2,2' -bipyridine- 6-yl) -1,3, 4 -oxadiazo- 5 -yl] benzene; 4,7- Diphenyl-1 , 10-phenanthroline (BPhen) 3- (4-Biphenylyl) -4- phenyl- 5- tert-butylphenyl- 1, 2 , 4 -triazole; Bis (2 -methyl - 8 - quinolinolate) -4- (phenylphenolato) luminium; 6,6' -Bis [5 - (biphenyl-4-yl) -1,3, 4 -oxadiazo- 2 -yl] -2,2' -bipyridyl; 2- phenyl - 9 , 10-di (naphthalen- 2 -yl ) -anthracene ; 2, 7-Bis [2- (2,2'- bipyridine-6-yl) -1,3, 4 -oxadiazo- 5 -yl] -9, 9 -dimethylfluorene ; 1, 3-Bis [2- (4 - 1ert-butylpheny1 ) -1,3 , 4 -oxadiazo- 5 -yl] enzene ; 2- (naphthalen- 2 -yl ) -4 , 7-diphenyl-l, 10 -phenanthroline; 2,9- Bis (naphthalen- 2 -y1 ) -4 , 7-diphenyl-l, 10-phenanthro1ine ;
Tris (2,4, 6-trimethyl-3- (pyridin- 3 -yl) phenyl) borane; 1 -methyl - 2- (4- (naphthalen- 2 -yl) henyl) -lH-imidazo [4,5- f] [1,10] henanthrolin; Phenyl -dipyrenylphosphine o ide ;
Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide ;
Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide; und Stoffen basierend auf Silolen mit einer
Silacyclopentadieneinheit .
Die Elektronentransportschicht kann eine Schichtdicke
aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr
50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungef hr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungef hr 20 nm.
Auf oder über der Elektronentransportschicht kann eine
Elektroneninj ektionsschicht ausgebildet sein. Die
Elektroneninjektionsschicht kann eines oder mehrere der
folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NDN-26 , gAg, Cs2C03 , CS3PO4, Na, Ca, K, Mg, Cs , Li, LiF; 2, 2 ' , 2" - (1,3 , 5-Benzinetriyl) -tris (1-phenyl-l-H- benzimidazole) ; 2 - (4-Biphenylyl) -5- (4 -tert-butylphenyl ) - 1, 3 , 4-oxadiazole, 2 , 9-Dimethyl -4 , 7-diphenyl-l, 10- phenanthroline (BCP) ; 8 -Hydroxyquinolinolato- lithium, 4 -
(Naphthalen-l-yl) -3 , 5 -diphenyl-4H- 1 , 2 , 4 - triazole ; 1, 3 -Bis [2- (2,2' -bipyridine-6-yl ) -1,3 , 4 -oxadiazo-5 -yl] benzene; 4,7- Diphenyl-1, 10-phenanthroline (BPhen) ; 3- (4-Biphenylyl) -4- phenyl-5-tert-butylphenyl-l, 2 , 4 -triazole; Bis (2-methyl-8- quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminium; 6,6' -Bis [5- (biphenyl-4-yl) -1 , 3 , 4-oxadiazo-2-yl] -2,2' -bipyridyl ; 2- phenyl-9, 10-di (naphthalen- 2 -yl ) -anthracene; 2 , 7-Bis [ 2 - (2,2'- bipyridine - 6 -yl ) -1 , 3 , 4 -oxadiazo- 5 -yl] -9, 9-dimethylfluorene,- 1, 3-Bis [2- (4 -tert-butylphenyl) -1,3,4 -oxadiazo- 5 -yl] benzene ; 2- (naphthalen-2 -yl) -4, 7-diphenyl-l , 10-phenanthroline; 2,9- Bis (naphthalen- 2 -yl ) -4, 7-diphenyl-l, 10 -phenanthroline ;
Tris (2,4, 6-trimethyl-3- (pyridin-3 -yl) henyl) borane ; 1-methyl- 2- (4 - (naphthalen-2 -y1 ) phenyl ) -lH-imidazo [4 , 5- f] [1, 10] henanthroline; Phenyl-dipyrenylphosphine o ide ;
Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide ;
Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide; und Stoffen basierend auf Silole mit einer
Silacyclopentadieneinheit . Die Elektroneninj ektionsschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis unge ähr 200 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise ungef hr 30 nm. Bei einer organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 mit zwei oder mehr organischen funktionellen Schichtenstruktur- Einheiten 116 , 120 , kann die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 120 über oder neben der ersten funktionellen Schichtenstruktur-Einheiten 116 ausgebildet sein . Elektrisch zwischen den organischen funktionellen
Schichtenstruktur-Einheiten 116 , 120 kann eine
Zwischenschichtstruktur 118 ausgebildet sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Zwischenschichtstruktur 118 als eine Zwischenelektrode 118 ausgebildet sein, beispielsweise gemäß einer der
Ausgestaltungen der ersten Elektrode 110. Eine
Zwischenelektrode 118 kann mit einer externen Spannungsquelle
elektrisch verbunden sein. Die externe Spannungsquelle kann an der Zwischenelektrode 118 beispielsweise ein drittes elektrisches Potential bereitstellen, Die Zwischenelektrode 118 kann jedoch auch keinen externen elektrischen Anschluss aufweisen, beispielsweise indem die Zwischenelektrode ein schwebendes elektrisches Potential aufweist.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Zwischenschichtstruktur 118 als eine Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schichtenstruktur 118 (Charge generation layer CGL) ausgebildet sein. Eine Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schichtenstruktur 118 kann eine oder mehrere
elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (en) und eine oder mehrere lochleitende Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schicht (en) aufweisen. Die elektronenleitende
Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (en) und die lochleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (en) können jeweils aus einem intrinsisch leitenden Stoff oder einem Dotierstoff in einer Matrix gebildet sein. Die Ladungsträgerpaar- Erzeugung- Schichtenstruktur 118 sollte hinsichtlich der Energieniveaus der elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schicht (en) und der lochleitenden Ladungsträgerpaar- Erzeugung- Schicht (en) derart ausgebildet sein, dass an der Grenzfläche einer elektronenleitenden Ladungsträgerpaar- Erzeugung- Schicht mit einer lochleitenden Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schicht ein Trennung von Elektron und Loch erfolgen kann. Die Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur 118 kann ferner zwischen benachbarten Schichten eine
Diffusionsbarriere aufweisen.
Jede organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 116, 120 kann beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von maximal ungefähr 3 μτη, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 μτη , beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm.
Das optoelektronische Bauelement 100 kann optional weitere organische funktionalen Schichten aufweisen, beispielsweise
angeordnet auf oder über der einen oder mehreren
Emitterschichten oder auf oder über der oder den
Elektronentransportschicht (en) . Die weiteren organischen funktionalen Schichten können beispielsweise interne oder extern Einkoppe1-/AuskoppeIstrukturen sein, die die
Funktionalität und damit die Effizienz des optoelektronischen Bauelements 100 weiter verbessern.
Auf oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 oder gegebenenfalls auf oder über der einen oder den mehreren weiteren der organischen funktionellen
Schichtenstruktur und/oder organisch funktionalen Schichten kann die zweite Elektrode 114 ausgebildet sein. Die zweite Elektrode 114 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 110 ausgebildet sein, wobei die erste Elektrode 110 und die zweite Elektrode 114 gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein können . Die zweite Elektrode 114 kann als Anode , also als löcherinj izierende Elektrode ausgebildet sein oder als Kathode , also als eine
elektroneninj izierende Elektrode .
Die zweite Elektrode 114 kann einen zweiten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein zweites elektrisches
Potential anlegbar ist . Das zweite elektrische Potential kann von der gleichen oder einer anderen Energiequelle
bereitgestellt werden wie das erste elektrische Potential und/oder das optionale dritte elektrische Potential . Das zweite elektrische Potential kann unterschiedlich zu dem ersten elektrischen Potential und/oder dem optional dritten elektrischen Potential sein. Das zweite elektrische Potential kann beispielsweise einen Wert aufweisen derart , dass die Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1 , 5 V bis ungefähr 20 V aufweist, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2 , 5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 3 V bis ungefähr 12 V.
Auf der zweiten Elektrode 114 kann die zweite Barriereschicht
108 ausgebildet sein.
Die zweite Barriereschicht 108 kann auch als
Dünnschichtverkapselung ( thin film encapsulation TFE)
bezeichnet werden . Die zweite Barriereschicht 108 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Barriereschicht 104 ausgebildet sein. Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen
Ausführungsbeispielen auch ganz auf eine zweite
Barriereschicht 108 verzichtet werden kann . In solch einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement 100 beispielsweise eine weitere Verkapselungsstruktur aufweisen, wodurch eine zweite Barriereschicht 108 optional werden kann, beispielsweise eine Abdeckung 124 , beispielsweise eine
Kavitätsglasverkapselung oder metallische Verkapselung .
Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen
zusätzlich noch eine oder mehrere Ein- /Auskoppelschichten in dem optoelektronischen Bauelementes 100 ausgebildet sein, beispielsweise eine externe Auskoppelfolie auf oder über dem Träger 102 (nicht dargestellt) oder eine interne
Auskoppelschicht (nicht dargestellt) im Schichtenquerschnitt des optoelektronischen Bauelementes 100. Die Ein-
/AuskoppelSchicht kann eine Matrix und darin verteilt
Streuzentren aufweisen, wobei der mittlere Brechungsindex der Ein- /Auskoppelschicht größer ist als der mittlere
Brechungsindex der Schicht, aus der die elektromagnetische Strahlung bereitgestellt wird. Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen zusätzlich eine oder mehrere
Entspiegelungsschichten (beispielsweise kombiniert mit der zweiten Barriereschicht 108 ) in dem optoelektronischen
Bauelement 100 vorgesehen sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der zweiten Barriereschicht 108 eine schlüssige
VerbindungsSchicht 122 vorgesehen sein, beispielsweise aus
einem Klebstoff oder einem Lack. Mittels der schlüssigen Verbindungsschicht 122 kann eine Abdeckung 124 auf der zweiten Barriereschicht 108 schlüssig verbunden werden, beispielsweise aufgeklebt sein,
Eine schlüssige VerbindungsSchicht 122 aus einem
transparenten Material kann beispielsweise Partikel
aufweisen, die elektromagnetische Strahlung streuen,
beispielsweise Iichtstreuende Partikel. Dadurch kann die schlüssige Verbindungsschicht 122 als Streuschicht wirken und zu einer Verbesserung des Farbwinkelverzugs und der
Auskoppeleffizienz führen.
Als lichtstreuende Partikel können dielektrische
Streupartikel vorgesehen sein, beispielsweise aus einem
Metalloxid, beispielsweise Siliziumoxid (SiC>2 ) , Zinkoxid (ZnO) , Zirkoniumoxid (Zr02) , Indium- inn-Oxid (ITO) oder
Indium-Zink-Oxid (IZO) , Galliumoxid (Ga20x) Aluminiumoxid, oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der schlüssigen VerbindungsSchicht 122 verschieden ist, beispielsweise Luftblasen, Acrylat , oder Glashohlkugeln . Ferner können beispielsweise metallische Nanopartikel , Metalle wie Gold, Silber, Eisen-Nanopartikel , oder dergleichen als lichtstreuende Partikel vorgesehen sein.
Die schlüssige Verbindungsschicht 122 kann eine Schichtdicke von größer als 1 μτη aufweisen, beispielsweise eine
Schichtdicke von mehreren μπι. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann die schlüssige VerbindungsSchicht 122 einen Laminations-Klebstoff aufweisen oder ein solcher sein.
Die schlüssige Verbindungsschicht 122 kann derart
eingerichtet sein, dass sie einen Klebstoff mit einem
Brechungsindex aufweist , der kleiner ist als der
Brechungsindex der Abdeckung 124. Ei solcher Klebstoff kann
beispielsweise ein niedrigbrechender Klebstoff sein wie beispielsweise ein Acrylat , der einen Brechungsindex von ungefähr 1,3 aufweist. Der Klebstoff kann jedoch auch ein hochbrechender Klebstoff sein der beispielsweise
hochbrechende, nichtstreuende Partikel aufweist und einen schichtdickengemittelten Brechungsindex aufweist, der
ungefähr dem mittleren Brechungsindex der organisch
funktionellen Schichtenstruktur 112 entspricht,
beispielsweise in einem. Bereich von ungefähr 1,7 bis ungefähr 2,0. Weiterhin können mehrere unterschiedliche Klebstoffe vorgesehen sein, die eine Kleberschichtenfolge bilden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann zwischen der zweiten Elektrode 114 und der schlüssigen Verbindungsschicht 122 noch eine elektrisch isolierende Schicht (nicht
dargestellt) aufgebracht werden oder sein, beispielsweise SiN, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 300 nra bis ungefähr 1,5 μτ , beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 500· nm bis ungefähr 1 μτη , um elektrisch instabile Materialien zu
schützen, beispielsweise während eines nasschemischen
Prozesses .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine schlüssige Verbindungsschicht 122 optional sein, beispielsweise falls die Abdeckung 124 direkt auf der zweiten Barriereschicht 108 ausgebildet wird, beispielsweise eine Abdeckung 124 aus Glas, die mittels Plasmaspritzens ausgebildet wird. Auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich 106 kann ferner eine sogenannte Getter-Schicht oder Getter-Struktur ,
beispielsweise eine lateral strukturierte Getter- Schicht , angeordnet sein (nicht dargestellt) . Die Getter-Schicht kann ein Material aufweisen oder daraus gebildet sein, dass Stoffe, die schädlich für den elektrisch aktiven Bereich 106 sind, absorbiert und bindet. Eine Getter- Schicht kann beispielsweise ein Zeolith-Derivat aufweisen
oder daraus gebildet sein. Die Getter- Schicht kann
transluzent , transparent oder opak und/oder undurchlässig hinsichtlich der elektromagnetischen Strahlung, die in dem optisch aktiven Bereich emittiert und/oder absorbiert wird, ausgebildet sein.
Die Getter-Schicht kann eine Schichtdicke von größer als ungefähr 1 μττι aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren μτη. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Getter-
Schicht einen Laminations-Klebstoff aufweisen oder in der schlüssigen Verbindungsschicht 122 eingebettet sein.
Auf oder über der schlüssigen Verbindungsschicht 122 kann eine Abdeckung 124 ausgebildet sein. Die Abdeckung 124 kann mittels der schlüssigen Verbindungsschicht 122 mit dem elektrisch aktiven Bereich 106 schlüssig verbunden sein und diesen vor schädlichen Stoffen schützen . Die Abdeckung 124 kann beispielsweise eine Glasabdeckung 124 , eine
Metallfolienabdeckung 124 oder eine abgedichtete
Kunststofffolien-Abdeckung 124 sein. Die Glasabdeckung 124 kann beispielsweise mittels einer Fritten-Verbindung (engl . glass frit bonding/glass soldering/seal glass bonding) mittels eines herkömmlichen Glaslotes in den geometrischen Randbereichen des organischen optoelektronischen Bauelementes 100 mit der zweite Barriereschicht 108 bzw. dem elektrisch aktiven Bereich 106 schlüssig verbunden werden .
Die Abdeckung 124 und/oder die schlüssige Verbindungsschicht 122 können einen Brechungsindex (beispielsweise bei einer Wellenlänge von 633 nm) von 1,55 aufweisen.
Fig .2A-G zeigen schematische Darstellungen eines Bauelementes gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen.
Die Schichten und/oder Strukturen eines Bauelementes können unterschiedliche Werte einer optischen Größe aufweisen . In Fig .2A-G sind die Werte einer optischen Größe für die
Schichten eines optoelektronischen Bauelementes gemäß einer der Ausgestaltungen der Beschreibung der Fig.l
veranschaulicht . In Fig.2A ist ein Träger 102 bzw. ein hermetisch dichtes
Substrat veranschaulicht. Der Träger 102 kann beispielsweise transparent sein.
Auf oder über dem geometrischen Rand des Trägers 102 kann eine Kontaktstruktur ausgebildet werden, beispielsweise kann die Kontaktstruktur 202 zwei oder mehr Kontaktleisten 202A, B und/oder Kontaktpads 202A, B aufweisen. Die Kontaktstruktur kann anschaulich die wesentliche Abmessung des optisch inaktiven Bereiches des optisch inaktiven Bauelementes ausbilden. Die zwei oder mehr Kontaktleisten können
elektrisch voneinander isoliert sein, beispielsweise mittels einer Isolierschicht oder einer Kavität (veranschaulicht mittels des Bezugszeichens 204 in Fig.2B) . Die Kontaktleisten 202A, B können zum elektrischen Verbinden des optisch aktiven Bereiches ausgebildet werden . Die zwei oder mehr
Kontaktleisten 202A, B können mit unterschiedlichen
Elektroden des Bauelementes verbunden sein. Die zwei oder mehr Kontaktleisten 202A, B können als eine Metallschicht, beispielsweise eine Metallisierungsschicht , ausgebildet sein.
Die erste Elektrode 110 {veranschaulicht in Fig.2C) und die zweite Elektrode 114 (veranschaulicht in Fig .2E) werden derart auf oder über dem Träger 102 (veranschaulicht mittels der gestrichelten Linie in Fig .2C, E) ausgebildet , dass sie jeweils mit unterschiedlicher Kontaktleisten 202A, B
elektrisch verbunden sind. Im Bereich horizontal zwischen den Kontaktleisten 202A, B wird vertikal zwischen den Elektroden 110 , 114 die organische funktionelle Schichtenstruktur ausgebildet (veranschaulicht in Fig.2D) , so dass diese mittels der Elektroden 110, 114 mit den Kontaktleisten 202 Ä, B elektrisch verbunden ist und keine direkte elektrische Verbindung mit den Kontaktleisten 202A, B aufweist . Die flächige Abmessung der organischen funktionellen
Schichtenstruktur 112 kann anschaulich die wesentliche
Abmessung des optisch aktiven Bereiches ausbilden.
Über der zweiten Elektrode 114 kann eine
Verkapselungsstruktur 128 ausgebildet sein, beispielsweise eine Dünnfilmverka se1ung und/oder eine aufgeklebte
Abdeckung, beispielsweise ein Laminierglas . Die
Verkapselungsstruktur 128 kann derart ausgebildet sein, das ein Bereich der Kontaktleisten 202A, B
f eiliegt (veranschaulicht in Fig.2F, mittels dessen eine elektrische Kontaktierung des Bauelementes ermöglicht wird.
Die oben genannten Strukturen können jeweils einen
unterschiedlichen Wert der optischen Größe aufweisen. In dem die genannten Strukturen in unterschiedlich Bereichen auf oder über dem Träger ausgebildet werden, wird mittels
Superpos ition der Werte der optischen Größe der einzelnen Strukturen ein bezüglich der optischen Größe inhomogenes Bauelement 210 ausgebildet (veranschaulicht in Fig.2G) .
Beispielsweise kann das Bauelement dadurch eine von dem optisch aktiven Bereich abweichende Transparenz im Bereich der Ecken des Bauelementes und/oder der Kontaktmetallisierung bzw. der Kontaktleisten aufweisen . Das inhomogene Bauelement 210 weist Bereiche mit
unterschiedlichen Werten der optischen Größe auf .
Fig.3A-C zeigen schematische Darstellungen optoelektronischer Bauelemente gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen.
Auf , über und/oder in dem inhomogenen Bauelement kann eine Anpassungsstruktur 300 (veranschaulicht in Fig.3A) integriert werden. Die Anpassungsstruktur 300 kann unterschiedliche Anpassungsbereiche 300A-D aufweisen, die ausgebildet sind in Abhängigkeit der Werte der optischen Größe des inhomogenen Bauelementes , beispielsweise deren laterale Verteilung im optisch aktiven Bereich und optisch inaktiven Bereich (siehe auch Beschreibung der Fig .4 ) . Weiterhin in Fig .3A
veranschaulicht ist, dass der Wert der optischen Größe eine Verteilung von Werten der optischen Größe sein kann.
Mittels des Hinzufügens der Anpassungsstruktur 300 zu dem inhomogenen Bauelement 210 kann ein Bauelement ausgebildet werden, dessen Wert der optischen Größe homogen ist über den optisch aktiven Bereich und den optisch inaktiven Bereich {veranschaulicht in Fig.3B) ( oder der Unterschied des Wertes der optischen Größe im optisch inaktiven Bereich zu dem Wert der optischen Größe im aktiven Bereich mindestens reduziert wird (veranschaulicht in Fig.3C - vergleiche auch mit
Fig.2G) .
Die Anpassungsstruktur kann unterschiedliche
Anpassungsbereiche 300A-G aufweisen (veranschaulicht in
Fig.4A, B; Fig.5A, B) .
Der optisch inaktive Bereich kann Strukturen und/oder
Schichten aufweisen, die im optisch aktiven Bereich nicht ausgebildet sind und bei denen es nicht zweckmäßig ist , diese im optisch aktiven Bereich auszubilden, beispielsweise die flächige Abmessung der Kontaktstruktur .
In einem Ausführungsbeispiel kann die Anpassungsstruktur 300 einen oder mehrere Anpassungsbereich (e) 300A-D aufweisen, die Strukturen und/oder Schichten aufweisen, die im optisch aktiven Bereich ausgebildet sind und im optisch inaktiven Bereich nicht ausgebildet sind (veranschaulicht in Fig.4A) . In diesem Fall kann mittels der Anpassungsstruktur 300 der Unterschied des Wertes der optischen Größe des optisch aktiven Bereiches zum Wert der optischen Größe im optisch inaktiven Bereich reduziert werden (siehe beispielsweise Fig .3C) . Beispielsweise kann die Anpassungsstruktur einen ersten Anpassungsbereich 300A aufweisen, d.h. mehrere
Ergänzungsbereiche an den Ecken auf/über/unter dem Träger 102 bzw. dem Substrat 126. Weiterhin kann die Anpassungsstruktur einen zweiten Anpassungsbereich 300B aufweisen, d.h. mehrere Ergänzungsbereiche lateral zwischen den Ecken und den
Elektroden auf/über/unter dem Träger 102 bzw. dem Substrat 126. Weiterhin kann die Anpassungsstruktur einen dritten Anpassungsbereich 300C aufweisen, d.h. mehrere
Ergänzungsbereiche auf/über/unter den Elektroden,
beispielsweise im optisch inaktiven Bereich. Weiterhin kann die Anpassungsstruktur einen vierten Anpassungsbereich 30 OD aufweisen, d.h. mehrere Ergänzungsbereiche auf/über/unter den Laminierkanten, ohne die Bereiche der Ecken, Der optisch aktive Bereich unterscheidet sich von dem optisch inaktiven Bereich mit Anpassungsstruktur in diesem Fall hinsichtlich der optischen Größe im Wesentlichen um den Wert der
Struktur (en) , die im optisch inaktiven Bereich ausgebildet ist/sind und im optisch aktiven Bereich nicht ausgebildet sind, beispielsweise in Form von Kontaktleisten im optisch inaktiven Bereich.
In einem Ausführungsbeispiel kann die Anpassungsstruktur 300 einen oder mehrere Anpassungsbereich (e) 300E-G aufweisen, die derart ausgebildet sind, das sie den Wert der optischen Größe des optisch inaktive Bereiches auf den Wert der optischen Größe des optisch aktiven Bereiches anpassen (siehe
beispielsweise Fig.3B) » Die Anpassungsbereiche 300E-G können andere Stoffe, andere Schichtdicken; Bereiche in denen einzelne Schichten strukturiert ausgebildet sind und/oder Kavitäten aufweisen als die Schichten des optisch aktiven
Bereichs (veranschaulicht in Fig. B) . Beispielsweise kann die Anpassungsstruktur einen ersten Anpassungsbereich 300E
aufweisen, d.h. Ergänzungsbereich, der auf/über/unter der Laminierkante des Trägers 102 bzw. des Substrates 126 angeordnet wird, beispielsweise der Laminierglaskante bei einem Glasträger. Weiterhin kann die Anpassungsstruktur einen zweiten Anpassungsbereich 300F aufweisen, d.h. mehrere
Ergänzungsbereiche an den Ecken auf/über/unter dem Träger 102 bzw. dem Substrat 126. Weiterhin kann die Anpassungsstruktur einen dritten Anpassungsbereich 300G aufweisen, d.h. mehrere Ergänzungsbereiche auf /über/unter den Kontaktflächen . Die Anpassungsstruktur 300 kann in diesem Fall eine
Schichtenstruktur aufweisen, die von der Schichtenstruktur
des optisch aktiven Bereiches abweicht, beispielsweise in den Schichtdicken einzelner Schichten und/oder der stofflichen Zusammensetzung von Schichten, Die Anpassung des Wertes der optischen Größe des optisch inaktiven Bereiches an den Wert der optischen Größe des optisch aktiven Bereiches kann mitteis der Kombination der mehreren Anpassungsbereiche
300E - G in Summe erfolgen, Dadurch kann ein Bauelement
realisiert werden, dass bezüglich des Wertes der optischen Größe im optisch inaktiven Bereich und im optisch aktiven Bereich lediglich einen geringen Unterschied aufweist (siehe beispielsweise auch Fig.3B) ,
In einem Ausführungsbeispiel kann beispielsweise die
Transparenz des optisch inaktiven Bereiches einer organischen Leuchtdiode, beispielsweise gemäß einer der Ausgestaltungen der Beschreibung der Fig.l, an die Transparenz des optisch aktiven Bereiches angepasst werden, beispielsweise mittels einer Anpassungsstruktur 300 gemäß der Beschreibung der Fig .4B . Die Transparenz des optisch inaktiven Bereiches und des optisch aktiven Bereiches können aufeinander abgestimmt werden, indem die Transparenz der einzelnen Anpassungsbereich 300E-G aufeinander abgestimmt werden. Dabei sollte beachtet werden, dass eine oder mehrere Elektrode (n) , beispielsweise die Kathode, über einen Teil der Kontaktstruktur 202A, B ragt, d.h. diese benetzt, so dass die Anpassungsstruktur auf/über/in der Kontaktstruktur 202A , B wenigstens zwei unterschiedliche Bereiche aufweist.
Um eine organische Leuchtdiode 100 mit homogener Transparenz realisieren zu können, sind Anpassungsstrukturen in/auf/über unterschiedlichen Bereichen des Substrats nötig,
beispielswiese an den Ecken, auf der Laminierglaskante , auf den Kontaktbereichen (siehe auch Beschreibung der Fig. 4B) . Weiterhin kann eine Abstimmung der Einzeltransparenz der Materialien aufeinander notwendig sein, um einen homogenen Gesamteindruck erzielen zu können. Beispielsweise kann die Anpassungsstruktur 300E, G in/über/auf der Kontaktstruktur
202A, B und/oder die Anpassungsstruktur 300F in/über/auf der Eckergänzung gut zum Nach ustieren der Transparenz des optisch inaktiven Bereiches geeignet sein. Als Materialien für die einzelnen Anpassungsstruktur 300E-G können unterschiedliche Materialien mit unterschiedlicher Transparenz in Frage kommen:
In einer Ausgestaltung kann ein Anpassungsbereich oder eine Anpassungsstruktur eine oder mehrere dünne AgMg- Schicht (en) mit einer Dicke einer einzelnen Schicht oder einer
Gesamtdicke mehrerer AgMg-Schichten von maximal ungefähr 20 nm aufweisen. In einer Ausgestaltung kann ein Anpassungsbereich oder eine Anpassungsstruktur eine oder mehrere dünne Ag-Schicht (en) mit einer Dicke einer einzelnen Schicht oder einer Gesamtdicke mehrerer Ag-Schichten von maximal ungefähr 20 nm aufweisen. In einer Ausgestaltung kann ein Anpassungsbereich oder eine Anpassungsstruktur eine oder mehrere dünne GeAg-Schicht (en) mit einer Dicke einer einzelnen Schicht oder einer
Gesamtdicke mehrerer GeAg-Schichten von maximal ungefähr 20 nm aufweisen.
In einer Ausgestaltung kann ein Anpassungsbereich oder eine Anpassungsstruktur eine oder mehrere dünne Ag-Nanodraht
(nanowire) -Schicht (en) mit einer Dicke einer einzelnen
Schicht oder einer Gesamtdicke mehrerer AgMg-Schichten von maximal ungefähr 1000 nm aufweisen.
In einer Ausgestaltung kann ein Anpassungsbereich oder eine Anpassungsstruktur eine oder mehrere dünne Metallschicht (en) , und/oder transparente leitfähige Oxide (p-Typ und/oder n-Typ) aufweisen, beispielsweise ITO, ZnO, ein Delafossit . Mit anderen Worten: in einer Ausgestaltung kann ein
Anpassungsbereich oder eine Anpassungsstruktur einen Stapel aus mindestens einer dünnen Metallschicht und/oder
transparenten , leitfähigen Oxiden aufweisen, beispielsweise ITO + Ag + ITO.
In einer Ausgestaltung kann ein Anpassungsbereich oder eine Anpassungsstruktur derart aus einem TCO, beispielsweise ITO, gebildet sein oder ein TCO aufweisen, dass mittels der Dicke der Änpassungsstruktur die Transparenz oder die Transluzenz des optisch inaktiven Bereichs an die Transparenz oder die Transluzenz des optisch aktiven Bereichs angepasst wird.
Umgekehrt kann auch die Transparenz oder die Transluzenz des optisch aktiven Bereichs an die Transparenz oder die
Transluzenz des optisch inaktiven Bereichs angepasst werden. Alternativ kann die Änpassungsstruktur ein anderes geeignetes transparentes leitfähiges Material aufweisen oder aus einem solchen gebildet sein. Beispielsweise kann die
Änpassungsstruktur als elektrisch leitfähiger Rahmen
ausgebildet sein, wie er weiter unten ausführlich beschrieben ist. In einer Ausgestaltung kann ein Anpassungsbereich oder eine Änpassungsstruktur am Rand des Bauelementes auch elektrisch isolierende ( ichtlextfähige) Materialien wie Oxide, Nitride und/oder weitere semitransparente Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein.
Fig .5A, B zeigen schematische Darstellungen von Bauelementen gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen.
Das in Fig.5A, B veranschaulichte Bauelement 500 kann als ein elektrooptisches Bauelement oder ein optoelektronisches
Bauelement 100 ausgebildet sein, beispielsweise gemäß einer der oben beschriebenen Ausgestaltungen. Das Bauelement 500 weist auf oder über einem Substrat 526, beispielsweise gemäß einer der oben beschriebenen Ausgestaltung des Trägers 102 oder des hermetisch dichten Substrates 126; eine erste
Elektrode 510, beispielsweise gemäß einer der oben
beschriebenen Ausgestaltung der ersten Elektrode 110; eine zweite Elektrode 514, beispielsweise gemäß einer der oben
beschriebenen Ausgestaltung der zweiten Elektrode 114; eine Verkapselung 508, beispielsweise mit einer oben beschriebenen Dünnfilraverkapselung 108 und/oder aufgeklebten Abdeckung 124; und eine optisch aktive Struktur 512 auf.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die optisch aktive Struktur 512 als eine organische funktionelle
Schichtenstruktur 512 ausgebildet sein, beispielsweise gemäß einer oben beschriebenen organischen funktionellen
Schichtenstruktur 112.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die optisch aktive Struktur 512 als eine Kavitätenstruktur 512
ausgebildet sein, beispielsweise mit elektrisch
polarisierbaren Partikeln in flüssigkeitsgefüllten Kavitäten, Die polarisierbaren Partikel können ihre Lage, Verteilung und/oder Ausrichtung in den flüssigkeitsgefüllten Kavitäten mittels eines angelegten elektrischen Feldes verändern und dadurch die optischen Eigenschaften des elektrooptischen Bauelementes elektrisch verändern.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können
Anpassungsbereiche 300H, J der Anpassungsstruktur 300 (in
Fig.5A, B veranschaulicht für die Anpassungsbereiche 300Hf J, K) elektrisch leitfähig ausgebildet sein. Die elektrisch leitfähigen Anpassungsbereiche 300H, J einer
Anpassungsstruktur 300 können auf und/oder unter einer
Kontaktstruktur 502A, B, beispielsweise einer Kontaktleiste, mehreren Kontaktleisten, einem Kontaktpad und/oder mehreren Kontaktpads ausgebildet sein.
Die Anpassungsstruktur 300 mit elektrisch leitfähigen
Anpassungsbereichen kann mittels elektrisch isolierender Strukturen 516 beispielsweise bezüglich der optisch aktiven Struktur 512 und/oder einer oder mehreren Elektroden 510, 514 elektrisch isoliert sein. Die elektrisch isolierende Struktur 516 kann beispielsweise als eine Kavität ausgebildet sein
und/oder einen elektrisch isolierenden Stoff aufweisen, beispielsweise ein Polyimid.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können
Änpassungsbereiche 300K der Anpassungsstruktur 300 elektrisch isolierend ausgebildet sein. Die elektrisch isolierenden Anpassungsbereiche 30 OK einer Anpassungsstruktur 300 können auf und/oder unter einer Kontaktstruktur 502A, B,
beispielsweise einer Kontaktleiste, mehreren Kontaktleisten, einem Kontaktpad und/oder mehreren Kontaktpads ausgebildet sein. Der dielektrische Anpassungsbereich 300K sollte derart ausgebildet sein, dass der Strompfad zwischen Kontaktstruktur 502A, B und Elektroden 110, 114 elektrisch nicht unterbrochen wird; oder als elektrische Kapazität bzw. als Kondensator ausgebildet ist.
Die Anpassungsstruktur 300 kann derart ausgebildet sein, dass sie mit dem optisch inaktiven Bereich 504 und/oder dem optisch aktiven Bereich 506 auf einem Träger 102 bzw.
Substrat 126 integriert ist, beispielsweise monolithisch integriert ist. Beispielsweise kann die Anpassungsstruktur 300 mit dem optisch aktiven Bereich 506 und/oder dem optisch inaktiven Bereich 504 mittels einer gemeinsamen Verkapselung verkapselt sein, beispielsweise von einer
Dünnfilmverkapselung 108 oder Abdeckung bedeckt oder umgeben sein.
Der optisch aktive Bereich 506 und/oder der optisch inaktive Bereich 504 können jeweils eine zusammenhängende Struktur bzw. einen zusammenhängenden Bereich ausbilden oder zwei oder mehr voneinander vereinzelte Bereiche oder Strukturen auf eisen.
Fig.6 zeigt ein Diagramm zu einem Verfahren gemäß verschieden Ausführungsbeispielen.
Das Verfahren 600 zum Herstellen eines oben beschriebenen Bauelementes weist ein Ermitteln 602 des Unterschiedes eines
Wertes einer optischen Größe in einem optisch aktiven Bereich zu einem Wert der optischen Größe in einem optisch inaktiven Bereich auf. Das Ermitteln 602 des Unterschiedes kann ein Ermitteln des Wertes der optischen Größe in dem optisch aktiven Bereich aufweisen.
Weiterhin kann das Ermitteln 602 des Unterschiedes ein
Ermitteln des Wertes der optischen Größe in dem optisch inaktiven Bereich aufweisen.
Das Ermitteln 602 des Unterschiedes kann ein Messen und/oder ein Berechnen des Wertes der optischen Größe des optisch aktiven Bereiches und/oder des optisch inaktiven Bereiches aufweist .
Das Ermitteln des Wertes der optischen Größe des optisch aktiven Bereiches und/oder des optisch inaktiven Bereiches kann ein Erfassen mehrerer Messwerte aufweisen. Die mehreren Messwerte können an lokal unterschiedlichen Bereichen des optisch aktiven Bereiches und/oder des optisch inaktiven Bereiches erfasst werden. Die mehreren Messwerte der
transmittierten, emittierten und/oder reflektierten
elektromagnetischen Strahlung können unterschiedliche
Wellenlängenspektren, unterschiedliche Polarisationen, unterschiedliche Intensitäten und/oder unterschiedliche Einfallswinkel auf das optoelektrische Bauelement aufweisen. Beispielsweise kann zunächst der Wert der optischen Größe, beispielsweise die wellenlängenabhängige Transparenz T (λ) , des optisch aktiven Bereiches und des optisch inaktiven Bereiches ermittelt werden. Beispielsweise wird für eine organische Leuchtdiode (als Wert der optischen Größe) für alle Komponenten der organischen Leuchtdiode in Abhängigkeit von der Position xy auf dem Bauelement T (λ) bestimmt
(TXy ( λ) ) , beispielsweise für den optisch aktiven Bereich mit Elektroden, die Kontaktpads und weitere Bereiche.
Nachfolgend kann ermittelt werden, beispielsweise berechnet werden, welche zusätzliche wellenlängenabhängige Absorption Axy-Anpassung (λ) notwendig ist, um die Transparenz aller Komponenten TXy ( λ) an den Bereich mit der niedrigsten
Transparenz Tmin (λ) anzupassen: γ *■ xy- Anpassung n)= min } , und
^.ψ-Anpassung (^) = ' ~~ ^xy- Anpassung 0^)
Weiterhin weist das Verfahren ein Ermitteln 604 einer
Änpassungsstruktur aufgrund des ermittelten Unterschiedes auf derart, dass der Wert der optischen Größe in dem optisch inaktiven Bereich an den Wert der optischen Größe in dem optisch aktiven Bereich angepasst wird.
Weiterhin kann das Ermitteln 604 der Änpassungsstruktur ein Auswählen eines Materials einer Schicht der
Anpassungsstruktur aufweisen.
Weiterhin kann das Ermitteln 604 der Änpassungsstruktur ein Auswählen der Position einer Schicht der Anpassungsstruktur in dem Strahlengang durch den optisch aktiven Bereich
und/oder den optisch inaktiven Bereich aufweisen.
Weiterhin kann das Ermitteln 604 der Änpassungsstruktur ein Auswählen einer lateralen Position einer Schicht und/oder ein Strukturieren einer Schicht der Änpassungsstruktur in der Änpassungsstruktur aufweisen.
Eine Anpassungsstruktur - beispielsweise im oben genannten Ausführungsbeispiel - kann aus einer Liste von Materialien ein Material oder eine Kombination von Materialien als
Anpassungsstruktur ausgewählt werden, um A^-^pagg^ng (λ) realisieren zu können, beispielsweise :
• eine oder mehrere dünne AgMg-Schicht (en) , mit maximal
ungefähr 20 nm Dicke;
· eine oder mehrere dünne Ag-Schicht (en) , mit maximal 20 nm Dicke ;
• eine oder mehrere dünne GeAg- Schicht (en), mit maximal 20 nm Dicke;
• eine oder mehrere dünne Ag-Nanodraht - Schicht (en) , bis
1000 nm;
• aligemein eine oder mehrere dünne Metallschicht (en) ;
• eine oder mehrere dünne transparente, leitfähige Oxide, beispielsweise ITO, ZnO;
• einen Stapel aus dünnen Metallschichten und/oder
transparenten, leitfähigen Oxiden, beispielsweise ITO + Ag
+ ITO;
• für die Anpassungsbereiche am Rand des Bauelementes auch nichtleitfähige Oxid- oder Nitrid-Verbindungen; und/oder
• weitere semitransparente oder semitransluzente
Materialien.
Weiterhin kann beim Ermitteln 604 der Änpassungsstruktur in Abhängigkeit von der stofflichen Ausgestaltung der
Anpassungsstruktur der Ort auf dem Bauelement ausgewählt werden, an dem das Material in dem Bauelement angeordnet wird (siehe auch Fig.5 mit Beschreibung) . Beispielsweise kann die Anpassungsstruktur in dem Bauelement, d.h. in dem optisch aktiven Bereich und/oder dem optisch inaktiven Bereich integriert werden und/oder darauf aufgebracht wird.
Beispielsweise können elektrisch leitfähige Materialien
(beispielsweise oben genannte Materialien, unbeachtet der nichtleitfähigen Oxid- oder Nitrid-Verbindungen und weiteren semitransparenten oder semitransluzenten Materialien) auf oder unter der Kontaktstruktur angeordnet werden,
beispielsweise auf oder unter Kontaktleisten und/oder
Kontaktpads .
Elektrisch isolierende (nichtleitfähige) Materialien können unter den Kontaktpads ausgebildet werden, beispielsweise abgeschieden werden. In optisch und/oder elektrisch nichtfunktionalen Bereichen, beispielsweise den isolierten Ecken, können beide oben genannten Varianten gewählt werden.
Weiterhin weist das Verfahren ein Ausbilden 606 der
ermittelten Anpassungsstruktur in/auf/über/unter dem optisch inaktiven Bereich und/oder optisch aktiven Bereich auf derart, dass der Wert der optischen Größe in dem optisch inaktiven Bereich an den Wert der optischen Größe in dem optisch aktiven Bereich angepasst wird,
Die Anpassungsstruktur kann in dem optisch aktiven Bereich und/oder in dem optisch inaktiven Bereich integriert
ausgebildet werden, beispielsweise indem die
Anpassungsstruktur und der optisch aktive Bereich und/oder der optisch inaktive Bereich auf oder über einem gemeinsamen Träger ausgebildet sind und/oder eine gemeinsame Verkapselung aufweisen. Das Ausbilden einer Verkapselung kann ein
Ausbilden einer Dünnfilmverkapselung und/oder ein Aufbringen einer selbstragenden Abdeckung aufweisen.
Die Anpassungsstruktur kann mit einer oder mehreren Schichten ausgebildet werden. Die eine Schicht oder die mehreren
Schichten können unterschiedliche Anpassungsbereiche
ausbilden, beispielsweise indem die eine Schicht oder mehreren Schichten strukturiert ausgebildet werden. Die mehreren Schichten der Anpassungsstruktur können
beispielsweise jeweils aus unterschiedlichen Materialen ausgebildet werden, und somit jeweils unterschiedliche Werte der optischen Größe und/oder unterschiedlichen Einfluss auf die optische Größe aufweisen. Ein unterschiedlicher Einfluss kann beispielsweise eine unterschiedliche Vorzeichenrichtung beim Ändern des Wertes der optischen Größe sein, d.h. den Wert vergrößern oder verkleinern; und/oder den Wert in
unterschiedlichem Maße verändern, beispielsweise einen Wert der optischen um einen Faktor 1,2 oder einen Faktor 12 erhöhen. Eine Schicht oder mehrere Schichten der Anpassungsstruktur können lateral strukturiert ausgebildet werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Anpassungsstruktur mindestens teilweise auf, über und/oder in dem optisch aktiven Bereich ausgebildet werden. Weiterhin kann die Anpassungsstruktur mindestens teilweise auf, über und/oder in dem optisch inaktiven Bereich ausgebildet werden. Weiterhin kann die Anpassungsstruktur mindestens teilweise auf, über und/oder in dem Träger und/oder der Verkapselung ausgebildet wird.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Anpassungsstruktur derart ausgebildet werden, dass sie wenigstens teilweise die Schichtenstruktur des optisch aktiven Bereiches aufweisen, von denen der optisch inaktive Bereich frei ist.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Schichtenstruktur der Anpassungsstruktur optisch inaktiv ausgebildet werden oder elektrisch isoliert ausgebildet werden bezüglich der elektrischen Verbindung des optisch aktiven Bereiches.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Anpassungsstruktur bezüglich der elektromagnetischen
Strahlung aus einem wellenlängenkonvertierenden Material gebildet werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Anpassungsstruktur bezüglich der elektromagnetischen
Strahlung Streupartikel verteilt in einer Matrix aufweisen oder aufweisend ausgebildet werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Anpassungsstruktur bezüglich der elektromagnetischen
Strahlung brechungsindexändernde und/oder farbverändernde Nanopartikel verteilt in einer Matrix auf eisen oder aufweisend ausgebildet werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Anpassungsstruktur bezüglich der elektromagnetischen
Strahlung einen optisch anisotropen Stoff aufweisen, daraus gebildet werden und/oder derart ausgebildet werden, beispielsweise doppelbrechend ausgebildet wird.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Anpassungsstruktur einen Getter bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff aufweisen oder daraus gebildet werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Anpassungsstruktur wenigstens bereichsweise elektrisch leitfähig ausgebildet werden .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Anpassungsstruktur wenigstens bereichsweise elektrisch isolierend oder elektrisch isoliert ausgebildet werden . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Anpassungsstruktur über und/oder unter einem Kontaktpad ausgebildet werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Anpassungsstruktur haftverstärkend und/oder
kohäsionsverstärkend ausgebildet werden bezüglich der Struktur des optisch inaktiven Bereichs ohne
Anpassungsstruktur. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Anpassungsstruktur als eine Abschirmung bezüglich einer elektromagnetischen Strahlung ausgebildet werden,
beispielsweise bezüglich einer UV-Strahlung .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Anpassungsstruktur derart ausgebildet werden, dass der Wert der optischen Größe des optisch aktiven Bereichs und der Wert der optischen Größe des optisch inaktiven Bereichs an einen vorgegebenen Wert angepasst werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Anpassungsstruktur derart ausgebildet werden, dass der Wert der optischen Größe des optisch aktiven Bereichs und der Wert der optischen Größe des optisch inaktiven Bereichs einen Unterschied von weniger als ungefähr 10 % aufweisen
hinsichtlich des Wertes der optischen Größe des optisch aktiven Bereiches.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Anpassungsstruktur derart ausgebildet werden, dass eine vorgegebene Information dargestellt wird, beispielsweise in Form eines Rahmens oder eines Passepartouts.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Änpassungsstruktur derart ausgebildet wird, dass der optisch inaktive Bereich mit Änpassungsstruktur strahlformend für transmittierte und/oder reflektierte elektromagnetische Strahlung ausgebildet wird, beispielsweise diffus
reflektierend .
In Abhängigkeit von der konkreten Ausgestaltung des
jeweiligen Anpassungsbereiches der Anpassungsstruktur, kann das Ausbilden der Anpassungsstruktur je nach Ort auf dem Bauelement beispielsweise mittels einer auf das Design abgestimmten Maske ausgebildet, beispielsweise das Material eines Anpassungsbereiches aufgebracht, aufgedampft,
aufgeschleudert, aufgedruckt und/oder aufgesprüht werden.
Das Bauelement, d.h. der Stapel (Stack) von Schichten kann mit der ermittelten Anpassungsstruktur gefertigt werden, sodass die Anpassungsstruktur integriert ist.
Weiterhin kann das Verfahren ein Ausbilden des optisch aktiven Bereiches aufweisen, bevor der Unterschied ermittelt 602 wird. Der optisch aktive Bereich kann jedoch auch
ausgebildet werden, nachdem der Unterschied ermittelt wurde, beispielsweise bei einem Bauelement gleicher Bauart. Dadurch kann wenigstens ein Anpassungsbereich der Anpassungs truktur in dem optisch aktiven Bereich integriert werden. Der optisch aktive Bereich kann zu einem elektrisch steuerbaren
Transmittieren, Reflektieren, Absorbieren, Emittieren
und/oder Umwandeln einer elektromagnetischen Strahlung ausgebildet werden.
Weiterhin kann das Verfahren ein Ausbilden eines optisch inaktiven Bereiches aufweisen, bevor der Unterschied
ermittelt 602 wird. Der optisch inaktive Bereich kann jedoch auch ausgebildet werden, nachdem der Unterschied ermittelt wurde, beispielsweise bei einem Bauelement gleicher Bauart. Dadurch kann wenigstens ein Anpassungsbereich der
Anpassungsstruktur in dem optisch inaktiven Bereich
integriert werden.
Der optisch aktive Bereich und der optisch inaktive Bereich können nebeneinander ausgebildet werden, beispielsweise kann der optisch inaktive Bereich im geometrischen Randbereich des Bauelementes auf oder über dem Träger ausgebildet werden, während der optisch aktive Bereich mittig auf oder über
Träger ausgebildet wird; und umgekehrt. Weiterhin kann das Verfahren ein Bereitstellen eines Trägers aufweisen, wobei der optisch aktive Bereich und der optisch inaktive Bereich auf dem Träger ausgebildet werden. Der optisch aktive Bereich und der optisch inaktive Bereich können als unterschiedliche Bereiche auf dem Träger
ausgebildet werden.
Weiterhin kann das Verfahren ein Ausbilden einer Verkapselung aufweisen, wobei die Verkapselung derart ausgebildet wird,
dass der optisch aktive Bereich, der optisch inaktive Bereich und/oder die Änpassungsstruktur hermetisch abgedichtet werden hinsichtlich mindestens Wasser und/oder Sauerstoff. Die
Verkapselung kann mit einem hermetisch dichten Träger, einer hermetisch dichten Dünnfilmverkapselung und/oder einer hermetisch d chten Abdeckung ausgebildet oder eingerichtet werden .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der optisch aktive Bereich mit einer ersten Elektrode, einer zweiten
Elektrode und einer organische funktionelle Schichtenstruktur ausgebildet werden, wobei die organische funktionelle
Schichtenstruktur zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode ausgebildet wird und wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur ausgebildet wird zum
Emittieren der elektromagnetischen Strahlung und/oder
Umwandeln der elektromagnetischen Strahlung in einen
elektrischen Strom und/oder eine elektrische Spannung .
Weiterhin kann wenigstens eine Zwischenelektrode ausgebildet werden zwischen der ersten Elektrode und der zweiten
Elektrode , wobei die wenigstens eine Zwischenelektrode zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode ausgebildet wird. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der optisch aktive Bereich mit einer ersten Elektrode , einer zweiten Elektrode und einer Kavitätenstruktur ausgebildet werden, wobei die Kavitätenstruktur zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode ausgebildet wird und wobei die
Kavitätenstruktur zu einem elektrisch steuerbaren
Transmittieren, Reflektieren und/oder Absorbieren der elektromagnetischen Strahlung ausgebildet wird . Die
Kavitätenstruktur kann derart ausgebildet werden, dass sie elektrisch polarisierbare Partikel in flüssigkeitsgefüllten Kavitäten aufweist .
In verschiedenen Ausführungsbeispie1en kann der optisch aktive Bereich mit mehreren optisch aktiven Bereichen
ausgebildet werden . Die mehreren optisch aktiven Bereiche können derart ausgebildet werden, dass sie sich in mindestens einem Wert einer optischen Größe bezüglich der
elektromagnetischen Strahlung unterscheiden. Die mehreren optisch aktiven Bereiche können wenigstens teilweise
unabhängig voneinander ansteuerbar ausgebildet werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der optisch
inaktive Bereich mit einer elektrisch leitfähigen
Kontaktstruktur ausgebildet werden, wobei die elektrisch leitfähige Kontaktstruktur zu einem Weiterleiten eines
Stromes zum Bestromen des optisch aktiven Bereiches
ausgebildet wird . Die Kontaktstruktur kann mit mindestens einem Kontaktpad und/oder mindestens einer elektrischen
Sammelschiene ausgebildet werden. Der optisch inaktive
Bereich kann in einem Randbereich des Bauelementes
ausgebildet werden. Der optisch inaktive Bereich kann
beispielsweise mindestens teilweise von dem optisch aktiven Bereich umgeben ausgebildet werden, beispielweise als elektrische Sammelschiene innerhalb des optisch aktiven Bereiches .
In verschiedenen Ausführungsbeis ielen kann das Bauelement als ein Flächenbauelement mi einem flächigen optisch aktiven Bereich ausgebildet werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das Bauelement als ein elektrooptisches Bauelement , beispielsweise ein elektrisch schaltbarer optischer Filter, ein elektrisch schaltbarer Spiegel ; und/oder ein optoelektronisches
Bauelement , beispielsweise eine organische Leuchtdiode , ein Display, ein Fotosensor und/oder eine Solarzelle; aufweisen oder derart ausgebildet werden. Mittels des Verfahrens kann beispielsweise ein
optoelektronisches Bauelement mit Anpassungsstruktur
ausgebildet werden, beispielsweise eine organische
Leuchtdiode mit Anpassungsstruktur .
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Im Vergleich zu einer herkömmlichen organischen Leuchtdiode (Fig.7B) mit metallisch glänzenden oder reflektierenden
Kontakten, weist eine organische Leuchtdiode mit
Anpassungsstruktur (Fig.7A) volltransparente Kontakte auf , wie aus den Vergleichsfotos in Fig.7 ersichtlich ist .
In verschiedenen Ausführungsformen werden ein Bauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines Bauelementes
bereitgestellt, mit denen es möglich ist, ein Bauelement mit lateral homogenerer optischer Größe auszubilden . Dadurch kann mit dem Bauelement eine Information mit geringerer Abweichung zu der darzustellenden Information wiedergegeben werden .
Weiterhin kann dadurch eine OLED realisiert werden, die eine homogenere Transparenz und/oder Reflektivität aufweist, beispielsweise eine OLED mit einem ästhetisch hochwertigeren Eindruck bei homogener Transparenz ohne Randmetallisierung ermöglicht . Fig.8G zeigt ein Bauelement 800, das als ein
optoelektronisches Bauelement 100 ausgebildet sein kann . Das Bauelement 800 weist einen Träger 802 auf , der gemäß einer der oben beschriebenen Ausgestaltung des Trägers 102 oder des hermetisch dichten Substrates 126 ausgebildet sein kann . Der Träger 802 kann in einer Draufsicht die Form eines Rechtecks aufweisen, beispielsweise dargestellt in F1G.8B.
Das Bauelement 800 weist ferner einen optisch aktiven Bereich 850 mit einer ersten Elektrode 841 , einer zweiten Elektrode 860 und einer organisch funktionellen Schichtenstruktur 850 auf , wobei die organisch funktionelle Schichtenstruktur 850 zwischen der ersten Elektrode 841 und der zweiten Elektrode 560 angeordnet ist . Die organisch funktionelle
Schichtenstruktur 850 ist in Fig.8H mittels der gepunkteten Linie dargestellt . Die organisch funktionelle
Schichtenstruktur 850 kann gemäß einem Ausführungsbeispiel der organischen f nktionellen Schichtens ruktur 112 , wie sie weiter oben ausführlich beschrieben ist, ausgebildet sein.
Die erste Elektrode 841 kann gemäß einer weiter oben
beschriebenen Ausgestaltung der ersten Elektrode 110
ausgebildet sein. Die zweite Elektrode 860, in Fig.SH
dargestellt mittels der Strichpunktlinie, kann gemäß einer oben beschriebenen Ausgestaltung der zweiten Elektrode 114 ausgebildet sein. Der optisch aktive Bereich kann gemäß einer oben beschriebenen Ausgestaltung des optisch aktiven Bereichs 506 ausgebildet sein. Das Bauelement 800 weist ferner einen optisch inaktiven
Bereich auf, der neben dem optisch aktiven Bereich angeordnet ist. Der optisch inaktive Bereich kann frei sein von der ersten Elektrode 841 und/oder der zweiten Elektrode 860. Der optisch inaktive Bereich kann frei sein von der organisch f nktionellen Schichtenstruktur 850. Der optisch inaktive
Bereich kann gemäß einer Ausgestaltung des oben beschriebenen optisch inaktiven Bereichs 504 ausgebildet sein.
Das Bauelement 800 weist ferner einen elektrisch leitfähigen Rahmen, der aus einem transparenten leitfähigen Material gebildet ist, auf. Der elektrisch leitfähige Rahmen kann aus einem transparenten leitfähigen Oxid oder einem anderen geeigneten transparenten leitfähigen Material gebildet sein. Der elektrisch leitfähige Rahmen ist auf dem Träger 802 ausgebildet. Der elektrisch leitfähige Rahmen weist ein erstes Rahmenelement 811 und ein zweites Rahmenelement 812 auf, welche den optisch aktiven Bereich teilweise umgeben. Beispielsweise kann, der elektrisch leitfähige Rahmen in einer Draufsicht einen Rahmen um den optisch aktiven Bereich bilden, beispielsweise dargestellt in Fig.8D. Der elektrisch leitfähige Rahmen kann in einem Randbereich des Trägers 802 ausgebildet sein, beispielsweise dargestellt in Fig.8A. Das erste Rahmenelement 811 kann die Form eines Rechtecks aufweisen. Eine Seite des ersten Rahmenelements 811 kann die gleiche Länge aufweisen wie eine Seite des Trägers 802. Das erste Rahmenelement 811 kann längs einer Seite des Trägers 802 ausgebildet sein. Das erste Rahmenelement 811 kann weitere erste Rahmenelemente 811 aufweisen. Das erste
Rahmenelement 811 kann zwei erste Rahmenelemente 811
aufweisen, beispielsweise gezeigt in Fig.8B. Beispielsweise sind die beiden ersten Rahmenelement 811 längs zweier
einander gegenüberliegenden Seiten des Trägers 802
ausgebildet. Das erste Rahmenelement 811 kann drei erste Rahmenelemente 811 aufweisen, beispielsweise gezeigt in
Fig. SB. Die drei ersten Rahmenelemente 811 können jeweils längs dreier unterschiedlicher Seiten des Trägers 802
ausgebildet sein. Die drei ersten Rahmenelemente 811 können elektrisch leitend miteinander verbunden sein. Das zweite Rahmenelernent 812 kann längs einer Seite des Trägers 802 ausgebildet sein, die frei ist von dem ersten Rahmenelement 811. Längs einer Seite des Trägers 802 kann ein Abstand 830 angeordnet sein. Der Abstand 830 kann derart frei von erstem Rahmenelement 811 und zweitem Rahmenelement 812 ausgebildet sein, dass es bei einem Kontaktieren des ersten
Rahmenelements 811 und des zweiten Rahmenelements 812 ein elektrischer Kurzschluss verhindert ist. Das Bauelement 800 kann ferner eine Stromverteilungsschicht 840 aufweisen. Die Stromverteilungsschicht 840 ist auf dem elektrisch leitfähigen Rahmen und auf oder über dem Träger 802 ausgebildet. Die Stromverteilungsschicht 840 kann zu einer lateralen Stromverteilung in dem Bauelement 800 dienen. Die Stromverteilungsschicht 840 kann einen ersten
Stromverteilungsbereich 841 und einen zweiten
Stromverteilungsbereich 842 aufweisen. Der erste
Stromverteilungsbereich 841 kann als die erste Elektrode 841 ausgebildet sein. Die organisch funktionelle
Schichtenstruktur 850 und das erste Rahmenelement 811 können miteinander mittels des ersten Stromverteilungsbereichs 841 verbunden sein. Die erste Elektrode 841 ist derart auf oder über dem Träger 802 angeordnet, dass sie den optisch aktiven Bereich teilweise abdeckt. Die erste Elektrode 841 ist mit dem ersten Rahmenelement 811 verbunden, beispielsweise elektrisch leitend verbunden. Die zweite Elektrode 860 ist mit dem zweiten Rahmenelement 812 verbunden. Der zweite
Stromverteilungsbereich 842 kann auf dem zweiten
Rahmenelement 812 angeordnet sein. Der zweite
Stromverteilungsbereich 842 kann elektrisch leitend mit dem zweiten Rahmenelement 812 und der zweiten Elektrode 860 verbunden sein. Die zweite Elektrode 860 kann einen lateralen Bereich und einen vertikalen Bereich aufweisen, wobei der laterale Bereich auf der organisch funktionellen
Schichtenstruktur 850 ausgebildet ist und wobei der vertikale Bereich den zweiten Stromverteilungsbereich 842 mit dem lateralen Bereich elektrisch leitend verbindet. Der vertikale Bereich der zweiten Elektrode 860 kann derart in einem
Abstand von der organisch f nktionellen Schichtenstruktur 850 angeordnet sein, dass sich zwischen der der organisch
funktionellen Schichtenstruktur 850 und dem vertikalen
Bereich ein Hohlraum 870 befindet, Der Hohlraum 870 kann mit einem elektrisch isolierenden Stoff und/oder einem inerten
Gas gefüllt sein. Der erste Stromverteilungsbereich 841 kann als Anode ausgebildet sein und die zweite Elektrode kann als Kathode ausgebildet sein. Die Stromverteilungsschicht 840 kann aus dem gleichen Stoff oder Stoffgemisch gebildet sein wie der elektrisch leitfähige Rahmen.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der elektrisch leitfähige Rahmen und die erste Elektrode 841 Indiumzinnoxid aufweisen oder daraus gebildet sein. Der elektrisch
leitfähige Rahmen und die erste Elektrode 841 können auch andere geeignete transparente leitfähige Oxide aufweisen oder daraus gebildet sein. Der elektrisch leitfähige Rahmen kann derart ausgebildet sein, dass er einen Schichtwiderstand von kleiner als 2 Ohm/ sq aufweist . Beispielsweise weist ein elektrisch Leitfähiger Rahmen., der aus ITO gebildet ist und eine Schichtdicke von 1200 nm aufweist, einen
Schichtwiderstand von etwa 1,25 ohm/sq und eine Transmission von 0,28 auf. Eine Tabelle der simulierten Transmission von ITO in Abhängigkeit des Schichtwiderstands, bzw. der
Schichtdicke ist in Fig.10 dargestellt. Ferner zeigt Fig.9 eine Simulation der Leuchtdichteverteilung eines Bauelements. Die Angaben in der Tabelle der Fig.9 beziehen sich auf ein Simulationsmodell, welches in Fig.11 gezeigt ist und sich auf
die Auswirkungen einer Leitfähigkeit im Randbereich der OLED bezieht. Beispielsweise ergibt sich bei einer Leitfähigkeit von 0,3667 S*sq eine Uniformity von 92%. Diese wird berechnet aus der Helligkeit am Punkt der minimalen Leuchtdichte (MIN) und der Helligkeit am Punkt der maximalen Leuchtdichte (MAX) mittels der folgenden Formel: 1 - ( (MAX-MIN/MAX+MIN) ) . MIN und MAX werden dabei im Modell aus Fig.11 von einem
Simulationstool ermittelt. Die Abweichung des jeweiligen Werts zu einer gegebenen Referenz wird in der Tabelle der Fig.9 als Differenz zu Referenz bezeichnet, Fig.11 zeigt eine graphische Darstellung einer Simulation der
Leuchtdichteverteilung eines Bauelements gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen dessen elektrisch leitfähiger Rahmen aus ITO gebildet ist. In Fig.11 ist die Leuchtdichte, in cd/m2, bei einer Leitfähigkeit des elektrisch leitfähigen Rahmens von 0,6 ohm/sq in Abhängigkeit der x- und y- Koordinaten des Bauelements dargestellt. Daraus ist
ersichtlich, dass ein Bauelement 800 auch ohne metallische Kontakte mit einem homogenen Leuchtfeld realisiert werden kann.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine optisch funktionelle Schicht 820 zwischen dem ersten Rahmenelement 811 und dem zweiten Rahmenelement 812 angeordnet sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die optisch funktionelle Schicht 820 eine Streuschicht sein. Die
Streuschicht, ferner auch bezeichnet als interne
Lichtauskopplungsschicht , kann zu einer Verbesserung der Lichtauskoppeleffizienz dienen. Die Streuschicht kann
Streupartikel, wie sie weiter oben beschrieben sind,
aufweisen. Die Streuschicht kann reflektiv ausgebildet sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der erste
Stromverteilungsbereich 841 auf dem ersten Rahmenelement 811 und der optisch funktionellen Schicht 820 angeordnet sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organisch funktionelle Schichtenstruktur 850 derart auf dem ersten Stromverteilungsbereich 841 angeordnet sein, dass sie über der optisch funktionellen Schicht 820 angeordnet ist und in Bereichen frei von dem elektrisch leitfähigen Rahmen . Die zweite Elektrode 860 kann derart auf der organisch
funktionelle Schichtenstruktur 850 angeordnet sein, dass sie über der optisch funktionellen Schicht 820 angeordnet ist und in Bereichen frei von dem elektrisch leitfähigen Rahmen . Eine solche Anordnung bietet Toleranzen hinsichtlich der
Abmessungen einzelner Bereiche des Bauelements 800 wodurch Kurzschlüsse vermieden werden können .
In verschiedenen Aus ührungsbeispielen kann eine
Anpassungsstruktur, welche gemäß einem oben beschrieben
Ausführungsbeispiel der Anpassungsstruktur 300 ausgebildet ist , in dem Bauelement 800 angeordnet sein. Beispielsweise kann die Anpassungsstruktur auf oder über des elektrisch leitfähigen Rahmens , der optisch funktionalen Schicht 820 , der Stromverteilungsschicht 840 und/oder der zweiten
Elektrode 860 angeordnet sein.
In dem Fall einer reflektiven Streuschicht und eines
wenigstens transluzenten optisch inaktiven Bereichs , kann die Anpassungsstruktur lediglich in dem optisch inaktiven Bereich ausgebildet sein. Die Anpassungsstruktur kann dazu
eingerichtet sein, Bereiche in dem optisch inaktiven Bereich, die eine unterschiedliche Transluzenz aufweisen, einander hinsichtlich ihrer Transluzenz anzupassen.
Freistehende Leuchtflächen auf einem Substrat ohne
metallische Kontakte können dadurch realisiert werden, dass im äußeren, optisch inaktiven Bereich, in dem normalerweise die Metallisierung aufgebracht ist , eine sehr dicke und damit hochleitfähige ITO-Schicht abgeschieden wird. Es ist möglich im optisch inaktiven Bereich ITO mit deutlich höheren
Schichtdicken abzuscheiden ohne dabei die Effizienz der OLED negativ zu beeinflussen, als in dem optisch aktiven Bereich.
Dabei besteht trotz der höheren Dicke der OLED noch immer eine sehr hohe Transparenz für das Auge. Das ITO besitzt also, über die laterale Ausdehnung des Bauelements
betrachtet, Bereiche mit unterschiedlichen Schichtdicken. Die Übergänge zwischen den Bereichen mit unterschiedlichen Dicken können diskret oder graduell sein. Dadurch ergibt sich der Vorteil neuer Design-Freiheiten für die OLED-Anwendung, da keine metallischen intransparenten Bereiche außerhalb der optisch aktiven OLED-Leuchtfläche mehr nötig sind. Auch voll transparente OLED-Bauteile mit transparenten Elektroden ohne intransparente Bereiche durch metallischen Kontakte sind dadurch realisierbar .
Fig.8A bis Fig.8H zeigen das Bauelement 800 in einem
Verfahren zum Herstellen des Bauelements 800.
Das Verfahren zum Herstellen des Bauelements 800 weist das Bereitstellen eines Trägers 802 auf, wobei der Träger 802 gemäß einem oben beschrieben Ausführungsbeispiels ausgebildet ist. Ferner weist das Verfahren ein Ausbilden eines optisch aktiven Bereits auf. Das Ausbilden des optisch aktiven
Bereichs weist das Ausbilden einer ersten Elektrode 841, einer zweiten Elektrode 860 und einer organisch
funktionellen Schichtenstruktur 850 auf, wobei die organisch funktionelle Schichtenstruktur 850 zwischen der ersten
Elektrode 841 und der zweiten Elektrode 860 angeordnet wird. Ferner weist das Verfahren ein Ausbilden eines optisch inaktiven Bereichs auf, wobei der optisch inaktive Bereich neben dem optisch aktiven Bereich angeordnet wird. Ferner weist das Verfahren das Ausbilden eines elektrisch
leitfähigen Rahmens mit einem ersten Rahmenelement 811 und einem zweiten Rahmenelement 812, welche den optisch aktiven Bereich teilweise umgeben, auf. Der elektrisch leitfähige Rahmen wird auf dem Träger 802 ausgebildet. Die erste
Elektrode 841 wird derart auf oder über dem Träger 802 angeordnet, dass sie den optisch aktiven Bereich teilweise abdeckt. Ferner wird der elektrisch leitfähige Rahmen aus einem transparenten ieitfähigen Oxid gebildet.
Wie in Fig.SA und Fig.8B gezeigt kann der elektrisch
leitfähige Rahmen in einem Randbereich des Trägers 802 ausgebildet werden. Beispielsweise können das erste
Rahmenelement 811 und das zweite Rahmenelement 812
gleichzeitig oder nacheinander auf dem Träger ausgebildet werden. Das erste Rahmenelement 811 und das zweite
Rahmenelement können mit unterschiedlichen oder gleichen Schichtdicken ausgebildet werden. Der elektrisch leitfähige Rahmen kann gemäß einem oben beschrieben Äusführungsbeispiel ausgebildet werden. Der elektrisch leitfähige Rahmen kann Das Ausbilden des elektrisch leitfähigen Rahmens, kann wenigstens eines der folgenden Verfahren aufweisen; Physikalische
Gasphasenabscheidung , Siebdr cken, Tintenstrahldrucken (ink- jet printing) , Rakeln, Aufsprühen, Fotolithografie kann ein Aufdampfen eines TCOs. Mittels eines Druck- und/oder
Sprühverfahrens können dicke Schichten besonders schnell, einfach und kostengünstig abgeschieden werden. Mittels eines Druck- und/oder Sprühverfahrens kann der elektrisch
leitfähige Rahmen besonders schnell, einfach und
kostengünstig ausgebildet werden.
Das Verfahren kann beispielsweise dass Ausbilden einer optisch funktionellen Schicht 820, beispielsweise dargestellt in Fig.8C, aufweisen. Die optisch funktionelle Schicht 820 kann gemäß einem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel der optisch funktionellen Schicht 820 ausgebildet werden. Die optisch funktionelle Schicht 820 kann beispielsweise mittels Tintenstrahldruckens, oder eines anderen geeigneten
Verfahrens, ausgebildet werden.
Das Verfahren kann ferner das Ausbilden einer
Stromverteilungsschicht 840 aufweisen. Die
Stromverteilungsschicht 840 kann gemäß einem oben beschrieben Ausführungsbeispiel ausgebildet werden. Die
Stromverteilungsschicht 840 kann, wie beispielweise in Fig .8E gezeigt, als zusammenhängende Schicht ausgebildet werden, beispielsweise mittels eines der oben beschrieben Verfahren.
Nach dem Ausbilden der zusammenhängenden
Stromverteilungsschicht 840 kann die zusammenhängende
Stromverteilungsschicht 840 in einen ersten
Stromverteilungsbereich 841 und einen zweiten
Stromverteilungsbereich 842 unterteilt werden. Der erste Stromverteilungsbereich 841 und der zweite
Stromverteilungsbereich 842 können aber auch direkt auf dem Bauelement 800 abgeschieden, beispielsweise gezeigt in
Fig.SF, werden, beispielsweise mittels eines Maskenprozesses, In Fig.SF sind der erste Stromverteilungsbereich 841 und der zweite Stromverteilungsbereich. 842 mitteis einer
gestrichelten Linie dargestellt.
Claims
Patentansprüche
Bauelement (500) , aufweisend:
• einen optisch aktiven Bereich {506} , wobei eine
optische Eigenschaft des optisch aktiven Bereichs {506} elektrisch steuerbar ist; und
• einen optisch inaktiven Bereich {504}, der neben dem optisch aktiven Bereich (506) ausgebildet ist;
• eine Verkapselung {108, 508) und einen Träger (102) ;
• wobei der optisch inaktive Bereich (504) und/oder der optisch aktive Bereich (506) eine Anpassungsstruktur (300) aufweisen/aufweist, die ausgebildet ist, einen Wert einer optischen Größe in dem optisch inaktiven Bereich (504) an einen Wert der optischen Größe in dem optisch aktiven Bereich (506) anzupassen,* und
• wobei die Anpassungsstruktur (300) zwischen dem
Träger (102) und der Verkapselung (108, 508) ausgebildet ist .
Bauelement (500) gemäß Anspruch 1,
wobei das Bauelement (500) ein elektrooptisches
Bauelement (500) , vorzugsweise einen elektrisch
schaltbaren optischen Filter., einen elektrisch
schaltbaren Spiegel; und/oder ein optoelektronisches Bauelement (100) , vorzugsweise eine organische
Leuchtdiode, ein Display, ein Fotosensor und/oder eine Solarzelle; aufweist oder derart ausgebildet ist.
Bauelement (500) gemäß einem der Ansprüche 1 oder 2, wobei der optisch aktive Bereich (506) und der optisch inaktive Bereich (504) auf dem Träger (102) ausgebildet sind.
Bauelement (500} gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Verkapselung (508) derart ausgebildet ist, dass der optisch aktive Bereich (506) , der optisch inaktive Bereich (504) und/oder die Anpassungsstrukt
(300) hermetisch abgedichtet sind hinsichtlich
mindestens Wasser und/oder Sauerstoff.
5. Bauelement (500) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4,
wobei der optisch inaktive Bereich (504) eine elektrisch leitfähige Kontaktstruktur (502) aufweist, wobei die elektrisch leitfähige Kontaktstruktur (502) zu einem Weiterleiten eines Stromes zum Bestromen des optisch aktiven Bereiches (506) ausgebildet ist.
6. Bauelement (500) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5,
wobei der optisch inaktive Bereich (504) in einem
Randbereich des Bauelementes (500) ausgebildet ist .
und/oder wobei der optisch inaktive Bereich (504) mindestens teilweise von dem optisch aktiven Bereich (506) umgeben ist, vorzugsweise als elektrische
Sammelschiene innerhalb des optisch aktiven Bereiches (506) ausgebildet ist .
7. Bauelement (500) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6,
wobei die Anpassungsstruktur (300) wenigstens teilweise die Schichtenstruktur des optisch aktiven Bereiches (506) aufweist, von denen der optisch inaktive Bereich (504) frei ist.
8. Bauelement (500) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7,
wobei die Anpassungsstruktur (300) wenigstens
bereichsweise elektrisch isolierend oder elektrisch isoliert ausgebildet ist .
9. Bauelement ( 500 ) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8 ,
wobei die Anpassungsstruktur (300) wenigstens
bereichsweise elektrisch leitf hig ausgebildet ist .
10. Bauelement (500) gemäß Anspruch 9 ,
wobei die Anpassungsstruktur (300) Indiumzinnoxid aufweist oder daraus gebildet ist .
Bauelement (500) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei die Anpassungsstruktur (300) derart ausgebildet ist, dass der Wert der optischen Größe des optisch
aktiven Bereichs (506) und der Wert der optischen Größe des optisch inaktiven Bereichs (504) an einen
vorgegebenen Wert angepasst werden.
Verfahren zum Herstellen eines Bauelementes (500) , das Verfahren (600) aufweisend:
• Ermitteln des Unterschiedes (602) eines Wertes einer optischen Größe in einem optisch aktiven Bereich
(506) zu einem Wert der optischen Größe in einem optisch inaktiven Bereich (504) eines Bauelementes
(500) ;
• Ermitteln (604) einer Anpassungsstruktur (300)
aufgrund des ermittelten Unterschiedes derart, dass der Wert der optischen Größe in dem optisch inaktiven Bereich (504) an den Wert der optischen Größe in dem optisch aktiven Bereich (506) angepasst wird;
• Ausbilden (606) der ermittelten Anpassungsstruktur (300) in und/oder auf dem optisch inaktiven Bereich (504) und/oder optisch aktiven Bereich (506);
• Bereitstellen eines Trägers (102) ;
• Ausbilden einer Verkapselung (108,508);
• wobei die Anpassungsstruktur (300) zwischen dem
Träger (102) und der Verkapselung (108, 508 ) ausgebildet wird.
Verfahren (600) gemäß Anspruch 11,
wobei die Anpassungsstruktur (300) i dem optisch aktiven Bereich (506) und/oder in dem optisch inaktiven Bereich (504) integriert ausgebildet wird. 14. Verfahren (600) gemäß einem der Ansprüche 11 oder 12 , wobei das Ermitteln des Wertes der optischen Größe des optisch aktiven Bereiches (506 ) und/oder des optisch
inaktiven Bereichs (504) ein Erfassen mehrerer Messwerte auf eist .
Verfahren {600) gemäß Anspruch 13,
wobei die mehreren Messwerte an lokal unterschiedlichen Bereichen des optisch aktiven Bereiches (506) und/oder des optisch inaktiven Bereichs (504) erfasst werden.
Verfahren (600) gemäß einem der Ansprüche 13 oder 14, wobei die mehreren Messwerte unterschiedliche
Wellenlängenspektren, unterschiedliche Polarisationen, unterschiedliche Intensitäten und/oder unterschiedliche Einfallswinkel auf das optoelektrische Bauelement (500) aufweisen.
Bauelement ( 8 00 ) , aufweisend:
• einen Träger (802) ;
• einen optisch aktiven Bereich mit einer ersten
Elektrode, einer zweiten Elektrode und einer
organisch funktionellen Schichtenstruktur, wobei die organisch funktionelle Schichtenstruktur zwischen der ersten und der zweiten Elektrode angeordnet ist;
• einen optisch inaktiven Bereich, der neben dem
optisch aktiven Bereich angeordnet ist;
• ein elektrisch leitfähiger Rahmen mit einem ersten Rahmenelement und einem zweiten Rahmenelement, welche den optisch aktiven Bereich teilweise umgeben;
• wobei der elektrisch leitfähige Rahmen auf dem Träger ausgebildet ist;
• wobei die erste Elektrode derart auf oder über dem Träger angeordnet ist, dass sie den optisch aktiven Bereich teilweise abdeckt ;
• wobei die erste Elektrode mit dem ersten
Rahmenelement verbunden ist;
• wobei die zweite Elektrode mit dem zweiten
Rahmenelement verbunden ist und
• wobei der elektrisch leitfähige Rahmen aus einem
transparenten leitfähigen Material gebildet ist.
Bauelement (800) gemäß Anspruch 17,
wobei der elektrisch leitfähige Rahmen und die erste Elektrode (841) Indiumzinnoxid aufweisen oder daraus gebildet sind.
Bauelement (800) gemäß einem der Ansprüche 17 bis 18, wobei eine optisch funktionelle Schicht (820) zwischen dem ersten Rahmenelement und dem zweiten Rahmenelement angeordnet ist.
Bauelement (800) gemäß Anspruch 19,
wobei die optisch funktionelle Schicht (820) eine
Streuschicht ist.
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080093978A1 (en) * | 2006-10-23 | 2008-04-24 | Nec Lighting, Ltd. | Electroluminescent device and electroluminescent panel |
| US20100150513A1 (en) * | 2008-12-17 | 2010-06-17 | 3M Innovative Properties Company | Light extraction film with nanoparticle coatings |
| EP2403317A1 (de) * | 2009-02-26 | 2012-01-04 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Planare lichtemittierende vorrichtung |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB0510282D0 (en) * | 2005-05-20 | 2005-06-29 | Cambridge Display Tech Ltd | Top-electroluminescent devices comprising cathode bus bars |
| DE102006060781B4 (de) * | 2006-09-29 | 2021-09-16 | Pictiva Displays International Limited | Organisches Leuchtmittel |
| DE102011079797A1 (de) * | 2011-07-26 | 2013-01-31 | Ledon Oled Lighting Gmbh & Co. Kg | OLED/QLED-Leuchtmodul mit gleichmäßigem Erscheinungsbild |
-
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- 2014-09-18 US US15/022,992 patent/US9941486B2/en active Active
- 2014-09-18 WO PCT/EP2014/069877 patent/WO2015040104A1/de active Application Filing
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080093978A1 (en) * | 2006-10-23 | 2008-04-24 | Nec Lighting, Ltd. | Electroluminescent device and electroluminescent panel |
| US20100150513A1 (en) * | 2008-12-17 | 2010-06-17 | 3M Innovative Properties Company | Light extraction film with nanoparticle coatings |
| EP2403317A1 (de) * | 2009-02-26 | 2012-01-04 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Planare lichtemittierende vorrichtung |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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