WO2014187787A1 - Optoelektronische baugruppe, verfahren zum betreiben einer optoelektronischen baugruppe und verfahren zum herstellen einer optoelektronischen baugruppe - Google Patents

Optoelektronische baugruppe, verfahren zum betreiben einer optoelektronischen baugruppe und verfahren zum herstellen einer optoelektronischen baugruppe Download PDF

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WO2014187787A1
WO2014187787A1 PCT/EP2014/060268 EP2014060268W WO2014187787A1 WO 2014187787 A1 WO2014187787 A1 WO 2014187787A1 EP 2014060268 W EP2014060268 W EP 2014060268W WO 2014187787 A1 WO2014187787 A1 WO 2014187787A1
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WO
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light
emitting diode
organic light
sensor element
curvature
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PCT/EP2014/060268
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French (fr)
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Philipp SCHWAMB
Michael Popp
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Osram Oled Gmbh
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    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K65/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element and at least one organic radiation-sensitive element, e.g. organic opto-couplers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • Optoelectronic assembly method of operating an optoelectronic assembly, and method of fabricating an optoelectronic assembly
  • the invention relates to an optoelectronic assembly, to a method for operating an optoelectronic assembly and to a method for producing an optoelectronic assembly »
  • OLEDs Light-emitting diodes
  • OLEDs consist of bendable materials, such as films, contact layers and / or
  • Light intensity in the illuminated solid angle range coupled with each other changed.
  • the light intensity can be kept constant in the illuminated JardinwinkeI Scheme the surface light source at the predetermined location in space by means of manual
  • Dimming or external switched sensors such as photodiodes, phototransistors or photothyristors, with electronic circuit.
  • a parameter for example the illuminated solid angle range, for example due to a deformation of the luminaire with the flexible surface light source,
  • the radiated light quantity to be readjusted in response to the change of the first parameter For example, the luminous flux or the amount of light can be adjusted so that both workplaces are adequately illuminated.
  • Lighting conditions is inaccurate, unnecessary energy can be wasted and / or improper lighting conditions
  • the flexible flexible surface light sources basically consist of materials which may break when a critical bending radius is reached or where excessive bending may cause cracks which cause the bending
  • the storage time can also be reduced due to a mechanically disturbed encapsulation layer, which has, for example, cracks.
  • a mechanically disturbed encapsulation layer which has, for example, cracks.
  • Such fractures or cracks can be detected, for example, by means of visual inspection, in particular with the human eye.
  • these cracks can cause dark areas in the luminous area, which may also be referred to as "dark spots”.
  • Optoelectronic assembly which has a flexible light emitting diode and which allows in a simple manner, a constant or at least approximately constant
  • a method for operating an optoelectronic assembly having a flexible light-emitting diode which makes it possible in a simple manner to ensure a constant or at least approximately constant light intensity at the predetermined location in the illuminated solid angle range, and / or This helps to prevent damage to the flexible
  • a method of manufacturing an optoelectronic assembly having a flexible light emitting diode is provided, which easily allows the device to be manufactured by means of the
  • Optoelectronic assembly a constant or at least approximately constant light intensity at the predetermined location in the illuminated solid angle range can be ensured, and / or helps to prevent damage to the flexible light emitting diode during operation of the optoelectronic assembly.
  • a constant or at least approximately constant light intensity at the predetermined location in the illuminated solid angle range can be ensured, and / or helps to prevent damage to the flexible light emitting diode during operation of the optoelectronic assembly.
  • Optoelectronic assembly comprises a flexible organic light emitting diode for generating and emitting light and a sensor element, which is designed and arranged so that it detects a curvature ert that is representative of a curvature of the flexible organic light emitting diode.
  • the sensor element is directly corporeal with the organic
  • the flexible organic light emitting diode Recognizing the curvature of the flexible organic light emitting diode allows automatic control, for example, an exact automatic control, the flexible organic
  • Light emitting diode with respect to the light intensity at the predetermined location in the illuminated solid angle range depending on the curvature. In this way, for example, in different
  • Curvature states of the flexible organic light emitting diode at the predetermined location in the illuminated solid angle range always a constant or at least approximately constant
  • Critical radius of curvature can be detected and during operation of the flexible organic light emitting diode, an automatic warning can be generated so that the critical Radius of curvature not reached or not exceeded or when the critical radius of curvature is already exceeded.
  • the curvature may be, for example, a luminance value, a luminous intensity value or a brightness value.
  • Optoelectronic assembly on a logic unit which is electrically coupled to the sensor element and in
  • the logic unit may comprise an electronic circuit which relates to the
  • optoelectronic assembly is formed externally or internally in the optoelectronic assembly and / or hybrid with the flexible organic light emitting diode and the
  • the signal d s sensor element is representative of the curvature of the flexible organic light emitting diode.
  • the predefined action is, for example, the automatic generation of the warning and / or relates to the readjustment of the flexible organic light-emitting diode
  • the organic light-emitting diode and the sensor element have a common carrier.
  • the flexible organic light-emitting diode and the sensor element have a common carrier.
  • the flexible organic compound on the support and / or have been made together in the same process based on the carrier.
  • the flexible organic compound for example, the flexible organic compound
  • the sensor element can in this case
  • the internal sensor element contributes to an external Dispense sensor element, whereby the
  • the internal sensor element and possibly an internal display element as a signal generator generate little or no additional cost, since they use the same or a very similar structure as the actual functional part, the flexible organic light emitting diode.
  • the surface of the internal sensor element can be adapted so that a sufficiently stable photovoltage and / or a sufficiently stable electrical resistance arises in operation, without being unstable, for example
  • Luminous intensity at the given location kons ant kept or adjusted to external desired conditions. Furthermore, a plurality of laterally distributed internal sensor elements may be formed. By means of the lateral scattering of the internal
  • Solid angle element associated with the corresponding sensor element Solid angle element associated with the corresponding sensor element.
  • the sensor element can have one or more strain gauges having the outside on a surface of the
  • the sensor element is configured and arranged to be used to detect the
  • organic light emitting diode is.
  • the organic light emitting diode is.
  • the organic light emitting diode is.
  • Sensor element light are detected, which is emitted from the flexible organic light emitting diode and / or which is reflected or scattered toward the sensor element.
  • the light from the flexible organic light-emitting diode can be conducted internally to the internal sensor element, for example
  • an internal optical waveguide for example a transparent carrier for the light or
  • Encapsulating material In bending the flexible organic light emitting diode, in which the curvature state changes, the light intensity of the radiated Lich s, the reflected or scattered light and / or the internally conducted light changes. The change in the light intensity has an effect on the output signal of the sensor element, which thus outputs an altered curvature value, which
  • LED is.
  • a luminance or a brightness can also be detected.
  • Optoelectronic assembly on a display element having the common carrier For example, the flexible organic light-emitting diode, the sensor element and the display element have a common ironing support
  • the flexible organic light-emitting diode, the sensor element and the display element are monolithically integrated in one component.
  • the display element can in this Connection be referred to as an internal display element.
  • the internal display element helps to be able to dispense with an external display element, whereby the
  • Display element can thus serve as a further flexible organic light emitting diode.
  • Display element can thus serve as a further flexible organic light emitting diode.
  • Display element on the common carrier may be provided an external and / or acoustic display element.
  • the display element can be used to signal the curvature and / or the curvature radius of curvature. The default
  • the display element can be used to output a
  • an optically sensitive area of the sensor element and / or an optically active area of the display element have at least one
  • Display element can correspond to a
  • Design of the organic func ionellen layers of the flexible organic light-emitting diode may be formed.
  • the internal sensor element when compared to the flexible organic light emitting diode inverse operation can be used as a photodiode or photoconductor. Depending on the light intensity of the
  • acoustic signal can indicate reaching or exceeding the critical bending radius and / or a
  • Shadow element the sensor element, in particular the internal
  • Light sources are present and the external light also has light that is emitted from the other light sources. That the shadow element and the sensor element a
  • Form overlap area means that in the direction of an optical path of the light, the shadow element, the
  • the shadow element may be formed integrally on the outside of a surface of the sensor element and / or the flexible organic light emitting diode or internally in the layer structure of the sensor element and / or the flexible organic light emitting diode.
  • LED light internally conducts toward the sensor element.
  • the internal conduction of the light may be due in large part to internal total reflection of the light.
  • the internal optical fiber Upon bending of the optoelectronic assembly, the internal optical fiber is also bent, thereby changing the light intensity of the light striking the internal sensor element.
  • the changed light intensity is representative of the curvature of the optoelectronic
  • the internal light pipe and in particular the internal light guide allow independent or at least largely independent of external reflection
  • the light guide is formed by the carrier.
  • the support for the light generated by the flexible organic light emitting diode may be transparent.
  • a substrate comprising the carrier, a cover layer and / or an encapsulating material, by means of which the organic functional layers of the flexible organic light emitting diode and the sensor element are encapsulated, as
  • the layer structure of the optoelectronic assembly functions as an optical waveguide, it being possible to deduce its curvature and thus the curvature of the optoelectronic assembly as a result of the losses of the light waveguide.
  • a method of operating an optoelectronic assembly such as the optoelectronic assembly discussed above, is provided Assembly provided. It is light by means of
  • the curvature value representative of a curvature of the flexible organic light emitting diode is detected by means of the sensor element which is directly corporeal to the flexible organic light emitting diode
  • the predetermined action is coupled, determined and depending on the determined curvature value, the predetermined action is performed.
  • the signal may be the warning signal, for example by means of the flexible organic light emitting diode or by means of
  • the signal warning of overload.
  • the signal can be a readjustment of the flexible organic
  • the operation of the flexible organic light-emitting diode and / or of the display element can be varied, for example, an emitted color can be varied, the flexible organic light-emitting diode can be switched off, switched on, turned on, and / or the emitted luminous flux can be varied. to act as a warning.
  • the hybrid formed display element can be used as a warning display and / or warning light. Additional may be one regarding the
  • the OLED for example, to store electrical energy, and be used to generate the warning if the OLED is not connected to an external power supply.
  • the signal is
  • the predetermined action includes driving the flexible organic light emitting diode.
  • the driving can, for example, in the course of
  • the organic light-emitting diode can be controlled so that the emitted
  • Luminous flux and / or the amount of light emitted increases or decreases.
  • the generated light intensity can be kept constant or approximately constant, for example.
  • the fact that the light intensity is kept approximately constant, in various embodiments may mean, for example, that the light intensity changes so little that a user of the optoelectronic assembly perceives the light intensity or the brightness generated by the optoelectronic assembly as unchanged.
  • the organic compound in various embodiments, the organic
  • the LED controlled so that the light intensity at the predetermined location in the illuminated solid angle range remains approximately constant or constant.
  • Curvature can be adjusted. Furthermore, a constant
  • Lighting be generated at the location of the flexible organic light emitting diode and / or the sensor element.
  • a readjustment of the lighting by an automated electronic circuit as a function of the light intensity and the curvature of the flexible organic light emitting diode is possible.
  • a method for producing an optoelectronic assembly such as the optoelectronic assembly discussed above, is disclosed
  • the sensor element that detects the curvature value that is representative of a curvature of the flexible organic light emitting diode is formed and directly physically coupled to the organic light emitting diode.
  • the sensor element is physically coupled directly to the flexible organic light-emitting diode can mean, for example, that the sensor element is arranged on the outside of the flexible organic light-emitting diode.
  • the sensor element has the one or more
  • the sensor element may be physically directly with the flexible organic light emitting diode
  • the light-emitting diode and the sensor element can, for example, the same or at least a similar layer structure
  • a method of operating an optoelectronic assembly such as the optoelectronic assembly discussed above, is provided
  • Curvature value that is representative of the curvature of the
  • flexible organic light emitting diode is determined depending on a control of the actuator and / or a position of a whiliemen s of the actuator. Depending on the determined curvature erts the default action carried out . This makes it possible to dispense with a sensor for detecting the curvature value, since the curvature value can be derived directly from the actuation and / or position of the actuator. Thus, an "a priori" knowledge of the influence of the shaping, in particular the curvature, on the radiation characteristic of the flexible organic light emitting diode with existing shape information, for example
  • Embodiments of the invention are illustrated in the figures and are explained in more detail below. It shows a flexible organic light-emitting diode according to the prior art in an initial state; the flexible organic light emitting diode according to Figure 1 in a state of curvature; the flexible organic light-emitting diode according to Figure 1 in the initial state; the flexible organic light emitting diode according to Figure 1 in a state of curvature; an embodiment of an optoelectronic assembly in an initial state; the optoelectronic assembly according to Figure 5 in a curvature ustand; Figure 7 shows an embodiment of an optoelectronic
  • FIG. 8 shows the optoelectronic assembly according to FIG. 7 in a curvature state
  • Figure 9 shows an embodiment of an optoelectronic
  • Figure 10 is a sectional view of an embodiment of an optoelectronic assembly
  • Figure 11 is a sectional view of an embodiment of an optoelectronic assembly
  • Figure 12 is a sectional view of an embodiment of an optoelectronic assembly
  • Figure 13 is a sectional view of an embodiment of an optoelectronic assembly
  • FIG. 14 is a sectional view of an exemplary embodiment of an optoelectronic assembly
  • Figure 15 is a sectional view of an embodiment of an optoelectronic assembly
  • Figure 16 is a sectional view of an embodiment of an optoelectronic assembly
  • Figure 17 is a sectional view of an embodiment of an optoelectronic assembly
  • Figure 18 is a sectional view of an embodiment of an optoelectronic assembly
  • Figure 19 is a sectional view of an embodiment of an optoelectronic assembly
  • Figure 20 is a sectional view of an embodiment of an optoelectronic assembly
  • Figure 21 is a sectional view of an embodiment of an optoelectronic assembly
  • Figure 22 is a plan view of an embodiment of an optoelectronic assembly
  • Figure 23 is a plan view of an embodiment of an optoelectronic assembly
  • Figure 24 is a plan view of an embodiment of an optoelectronic assembly
  • Figure 25 is a plan view of an embodiment of an optoelectronic assembly
  • FIG. 26 is a plan view of an embodiment of an optoelectronic assembly.
  • An optoelectronic assembly may comprise one, two or more optoelectronic components.
  • an optoelectronic assembly can also be one, two or more
  • An electronic component may have, for example, an active and / or a passive component.
  • An active electronic component may have, for example, a computing, control and / or regulating unit and / or a transistor.
  • passive electronic component may, for example, a capacitor, a resistor, a diode or a coil.
  • An optoelectronic component may be in different
  • a light-emitting component or a light-absorbing component.
  • absorbent component may, for example, a
  • Photodiode a photoconductor, an optical sensor element and / or a solar cell.
  • Component may, for example, a light-emitting
  • the radiation can, for example, light in the visible
  • the light-emitting device For example, as a light emitting diode (light emitting diode, LED) as an organic light emitting diode (organic light emitting diode, OLED), as light emitting
  • LED light emitting diode
  • OLED organic light emitting diode
  • Component may be part of an integrated circuit in various embodiments. Furthermore, a
  • Fig.l shows a conventional flexible organic light emitting diode 1 according to the prior art, which is hereinafter referred to briefly as conventional light-emitting diode 1, in one
  • the conventional light emitting diode 1 radiates first light 3 in a solid angle range, which is in Figure 1 on the conventional light-emitting diode 1, which can be referred to as the upper half-space and / or over a solid angle of 180 °
  • the illuminated solid angle range depends on a curvature of the conventional light emitting diode i.
  • the conventional light-emitting diode 1 can also be referred to as a top emitter in this context. Alternatively or additionally, the conventional light-emitting diode 1 can also light in one
  • the conventional light-emitting diode 1 can in this context also as a bottom emitter or as a top and bottom emitter and / or transparent
  • FIG. 2 shows the conventional light-emitting diode 1 according to FIG. 1 in a first curvature state in which the conventional light-emitting diode 1 according to FIG.
  • Light emitting diode 1 has a curvature with a non-zero amount. Due to the curvature shown in FIG.
  • Solid angle range in which the first light is emitted, wherein the first light 3 is emitted not only in the upper half-space but also in lateral half-spaces. If the conventional light-emitting diode 1 is driven unchanged, the luminous flux emitted by it and, over time, the amount of light emitted by it remain constant. Due to the increased solid angle range, however, the light intensity and thus the brightness changes at a predetermined location in the illuminated Jardind JardinkeIbereic.
  • FIG. 3 shows the conventional light-emitting diode 1 according to FIG. 1 in the initial state, wherein at least part of the
  • radiated first light 3 is reflected as a second light 5 back to the conventional light-emitting diode 1 and / or scattered.
  • Fig. 4 shows the conventional light emitting diode 1 according to Figure 3 in the curvature state according to Figure 2. Since in the
  • the light intensity of the reflected and / or scattered second light 5 is lower than in the initial state.
  • the optoelectronic assembly 10 has a flexible organic light-emitting diode 7, which is referred to below as light-emitting diode 7, and a sensor element 9.
  • the sensor element 9 is direct physically coupled to the light emitting diode 7. That the
  • LED 7 is flexible, means, for example, that the light emitting diode 7 is bendable nondestructively with a
  • the light-emitting diode 7 generates the first light 1, which is not shown in Figure 5 for reasons of clarity and which is emitted from the light emitting diode 7 to the outside, and third light 6, which is internally conducted in the light emitting diode 7, for example in a light guide and / or a transparent layer or a transparent element of the LED 7.
  • the third light 6 may, for example
  • the LED 7 is reflected internally.
  • the third light 6 can, however, also be reflected on internal boundary surfaces, for example of internal layers or internal elements of the light-emitting diode 7, for example, be totally internally reflected.
  • losses may result, which result, for example, in fourth light 8, which is in the
  • Fiber optic in the LED 7 are internally routed
  • the losses and thus the amount of light of the fourth light 8 depend, for example, on the refractive index, the light guide and the material surrounding it, on the polarization,
  • the sensor element 9 is suitable for detecting a
  • Curvature value that is representative of the curvature of the
  • the sensor element 9 is, for example, an optical sensor element 9, which may be formed, for example, as a photodiode, photoconductor or photodetector.
  • the sensor element 9 is suitable for detecting a light intensity which is formed by the third light 6. A value of
  • Light intensity of the third light 6 may thus be the curvature value which is representative of the curvature of the light emitting diode 7.
  • the fourth light 8 is not detected by the sensor element 9.
  • the sensor element 9 may also be two or more
  • optical sensor elements photodiodes, photoconductors or
  • the detected light intensity can be determined, for example, by means of a logic unit, not shown in FIG. 5, of the optoelectronic assembly.
  • the logic unit can be designed externally or internally with respect to the light-emitting diode 7 and / or the sensor element 9. In other words, the light emitting diode 7 and / or the sensor element 9 and the logic unit to two
  • Optoelectronic components may be distributed or integrated in an optoelectronic component.
  • the sensor element 9 by means of the sensor element 9
  • a luminance or a brightness can be detected.
  • the curvature value is then corresponding to, for example, a luminance value or a brightness value.
  • FIG. 6 shows the optoelectronic assembly 10 according to FIG. 5 in a curvature state.
  • the amount of light of the third light 6 decreases and that of the fourth light 8, since the losses in the bending of the light guide of the
  • Light emitting diode 7 increase. The losses thus depend on the curvature of the light guide in the light-emitting diode 7 and thus on the curvature of the light-emitting diode 7.
  • the sensor element 9 thus detects a lower light intensity in the curvature state with constant activation of the light-emitting diode 7 than in the initial state.
  • the light intensity is representative of the curvature of the light emitting diode 7 and the optoelectronic
  • FIG. 7 shows an embodiment of an optoelectronic assembly 10, for example, a largely
  • Optoelectronic module 10 may correspond.
  • Sensor element 9 is on a center of the light emitting diode. 7
  • FIG. 8 shows the optoelectronic assembly 10 according to FIG. 7 in a bending condition.
  • the sensor element 9 is so
  • the center of the light emitting diode 7 is the position suitable for the sensor element 9 in this context.
  • curvature can be better suited to another position, so that the sensor element 9 does not move, or at least approximately does not move, despite the curvature.
  • Fig. 9 shows an embodiment of an optoelectronic assembly 10, for example, a largely
  • Optoelectronic assembly 10 may correspond, in a state of curvature.
  • the sensor element 9 is physically coupled to the light-emitting diode 7 such that the sensor element 9 can detect the curvature.
  • the sensor element 9 can detect a curvature value that is representative of the
  • the sensor element 9 may be, for example, a strain gauge. In contrast to FIG. 9, the strain gauge can be completely attached to the light-emitting diode 7
  • the sensor element 9 may also be two or more
  • the curvature value may, for example, an electrical resistance of the
  • the electrical resistance can be determined for example by means of a logic unit, not shown.
  • Fig. 10 shows a sectional view of a
  • Embodiment of an optoelectronic assembly 10 which may correspond, for example, largely a configuration of the above-explained optoelectronic assembly 10.
  • the optoelectronic assembly 10 has the light-emitting diode 7 and the sensor element 9.
  • LED 7 and the sensor element 9 are monolithic in an optoelectronic device and the one
  • the optoelectronic assembly 10 integrated and / or formed of the same layer structure.
  • the light-emitting diode 7 and the sensor element 9 can be formed parallel to each other in the same manufacturing process.
  • the light-emitting diode 7 may be formed as a top and / or bottom emitter.
  • a top and bottom emitter can also be used as an optically transparent or translucent component,
  • the light-emitting diode 7 and the sensor element 9 are formed on or above a common carrier 12.
  • the carrier 12 is mechanically flexible and designed as an optical waveguide of the third light 6, wherein the third light 6, that is, the internally guided in the optoelectronic assembly 10
  • carrier 12 may also be referred to as fifth light 6A. That the carrier 12 mechanically flexible is formed, for example, means that the carrier 12 is non-destructively bendable with a bending radius in a range for example from 1 cm to 100 cm, for example from 2 cm to 50 cm, for example from 3 cm to 10 cm.
  • the carrier 12 may, for example, transparent or
  • the support 12 may serve as a support for electronic elements or layers, such as light-emitting elements.
  • the carrier 12 may comprise or be formed from glass, quartz, and / or a semiconductor material.
  • the carrier 12 may comprise or be formed from a plastic film or a laminate with one or more plastic films.
  • the plastic may contain one or more polyolefins
  • the plastic may be polyvinyl chloride (PVC), polystyrene (PS), polyester and / or polycarbonate (PC),
  • the carrier 12 may comprise or be formed of a metal, for example copper, silver, gold, platinum, iron, for example a metal compound, for example steel.
  • the carrier 12 may be formed as a metal foil or a metal-coated foil.
  • the carrier 12 may be translucent or transparent.
  • the metal can be considered a thin transparent or
  • the mechanically lexible carrier 12 may be formed, for example, as a foil,
  • Barrier layer may be formed, which may comprise or consist of one or more of the following substances: alumina, zinc oxide, zirconium oxide, titanium oxide, Hafnium oxide, tantalum oxide, lanthanum oxide, silicon oxide,
  • the barrier layer can by means of a
  • the barrier layer may have two or more identical and / or different layers, or layers, for example next to one another and / or
  • the barrier layer may have a layer thickness on iron in a range of 0.1 nm (one atomic layer) to 5000 nm,
  • a layer thickness i in a range of 10 nm to 200 nm, for example, a layer thickness of about 40 nm.
  • the light-emitting diode 7 further has a first electrode 14, which is formed on or above the carrier 12 and / or i form a first electrode layer.
  • a first electrode 14 is formed on or above the carrier 12 and / or i form a first electrode layer.
  • an electrical first terminal 16 is formed on one side on or above the carrier 12.
  • Terminal 16 may also be referred to as a first contact pad.
  • an electrical second terminal 18 is formed on or above the carrier 12 on the other side.
  • the second terminal 18 may also be referred to as a second contact pad.
  • the first electrode 14 is physically and electrically connected to the second terminal 18.
  • an organic functional layering structure 24 is formed on or above the first electrode 14.
  • the region of the light-emitting diode 7 with the organic functional layer structure 24 on or above the carrier 12 can be referred to as the optically active region of the light-emitting diode 7.
  • De second terminal 18 is in the geometric edge region of the optically active region of the light emitting diode 7 on or above the Carrier 12 is formed, for example laterally next to the first electrode 14th
  • a second electrode 26 is formed. The second
  • Electrode 26 is electrically insulated from first electrode 14 by means of a first electrical insulation 20.
  • second electrode 26 is connected to the first terminal 16
  • the second terminal 18 is electrically insulated from the second electrode 26 by means of a further first electrical insulation 22.
  • the carrier 12 may be a part of the electrically active
  • the electrically active region can be considered the region of the light-emitting diode 7
  • the electrically active region may, for example, the first electrode 14, the second electrode 26, the terminals 16, 18 and / or the organic
  • the first electrode 14 may optionally be on or above the barrier layer or, if the barrier layer is not
  • the first electrode 14 is present, on or above the carrier 12, for example in the form of a first electrode layer, be applied.
  • the first electrode 14 may be made of an electrically conductive
  • Material may be formed, such as a metal or a conductive transparent oxide (TCO) or a stack of layers of the same metal or different metals and / or the same TCO or different TCOs.
  • TCO conductive transparent oxide
  • Transparent conductive oxides are transparent, conductive substances, for example metal oxides, such as
  • binary oxide Zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO).
  • Metal oxygen compounds such as ZnO, SnO 2, or In 2 O 3 also include ternary metal oxygen compounds such as AlZnO, Zn 2 SnO 4, Cd SnO 3, Zn SnO 3, Mgln 2 O, GalnO 3, Zn 2 In 2 O 5 or In 4 Sn 3 O 12 or mixtures different transparent conductive oxides to the
  • Group of TCOs and can be in different
  • the first electrode 14 may comprise a metal
  • the first electrode 14 may be formed by a
  • the first electrode 14 may comprise one or more of the following materials as an alternative or in addition to the materials mentioned above: networks of metallic nanowires and particles, for example of Ag; Ne twigs of carbon nanotubes; Graphene particles and layers; Networks of semiconducting nanowires.
  • the first electrode 14 can be electrically conductive
  • the first electrode 14 and the carrier 12 may be translucent or transparent.
  • the first electrode 14 may have a layer thickness in a range
  • the first electrode 14 can be used as the anode, ie as
  • hole-injecting electrode may be formed or as
  • the first electrical potential which can be provided by a power source, not shown, for example, a power source or a voltage source, anlegba.
  • the first electrical potential may be applied to the carrier 12 and indirectly to the first electrode 14.
  • the first electrical potential for example, the
  • the organic functional layer structure 24 may have one or more emi tertiken (not shown), for example, with fluorescent and / or
  • Hole line layers also referred to as
  • one or more electron conduction layers also referred to as electron transport layer (s) (not shown) may be provided.
  • Emitter layer (s) may include organic or organometallic compounds, such as derivatives of polyfluorene, polythiophene and polyphenylene (e.g., 2- or 2-, 5-substituted poly-p-phenylenevinylene) as well as
  • Metal complexes for example iridium complexes such as blue phosphorescent FIrPic (bis (3,5-difluoro-2- (2-pyridyl) -hexyl- (2-carboxypyridyl) -iridium III), green
  • non-polymeric emitters are for example by means of a thermal evaporation, an atomic layer deposition method and / or a
  • Polymer emitter are used, which in particular by means of a wet chemical process, such as a spin-on (also referred to as spin coating), are separable.
  • a wet chemical process such as a spin-on (also referred to as spin coating)
  • spin coating also referred to as spin coating
  • the emitter materials of the emitter layer (s) can be any emitter material.
  • the emitter layer (s) can / can
  • the emitter layer (s) may also be composed of several sublayers, such as a blue fluorescent emitter layer or blue phosphorescent emitter layer, a green phosphorescent emitter and a red phosphorescent emitter layer. By mixing the different colors, the emission of light can result in a white color impression. Alternatively, it can also be provided in the beam path through this
  • Layers generated primary emission to arrange a converter material that at least partially absorbs the primary radiation and emits a secondary radiation of different wavelength, so that from a (not yet white)
  • Primary radiation through the combination of primary radiation and secondary radiation gives a white color impression.
  • the organic functional layer structure 24 may be any organic functional layer structure 24.
  • the electroluminescent layer may include organic polymers, organic oligomers, organic monomers,
  • the organic functional layer structure 24 may be an electroluminescent layer on iron configured as a hole transport layer, such that an effective hole injection occurs
  • the organic functional layer structure 24 may comprise a functional layer which may be referred to as a
  • Electron transport layer is designed so that an effective electron injection into a electroluminescent region is made possible.
  • a material for the hole transport layer for example, tertiary amines, Carbazoderivate, conductive polyaniline or
  • Polythylendioxythiophen be used.
  • the hole transport layer may be on or above the first
  • Electrode 14 may be formed, for example, deposited, and the emitter layer may be on or above the
  • the electron transport layer can be formed on or above the emitter layer, for example deposited.
  • the organic functional layer structure 24 may have a layer thickness in a range, for example, of 300 nm to 3 ⁇ m, for example from 500 nm to 2 ⁇ m,
  • the light-emitting diode 7 can optionally further functional parts
  • Have layer structures for example, arranged on or above the emitter layer or on or above the
  • Electron transport layer which serve the
  • the second electrode 26 may be applied, for example in the form of a second electrode layer 26.
  • the second electrode 26 may comprise or be formed from the same materials
  • the second electrode 26 may have a layer thickness in a range, for example, from 10 nm to 200 nm, for example from 25 nm to 100 nm, for example from 30 nm to 50 nm second electrode 26 may be generally similar
  • first electrode 14 In various embodiments, the first electrode 14 and the second electrode 26 are both formed translucent or transparent.
  • the second electrode 26 may be formed as an anode or as a cathode.
  • the second electrode 26 is coupled to the second electrical terminal 18, to which a second electrical
  • the second electrical potential may for example have a value such that the difference to the first electrical potential has a value in a range, for example, from 1.5 V to 20 V, for example from 2.5 V to 15 V, for example from 3 V to 12 V.
  • the terminals 16, 18 may be a material or a
  • Metal layer structure comprising at least one chromium layer and at least one aluminum layer, for example chromium-aluminum-chromium (Cr-Al-Cr), chromium-aluminum-molybdenum ⁇ Cr-Al-Mo), chromium-aluminum-nickel (Cr-Al -Ni), chromium-aluminum-niobium (Cr-Al-Nb) or molybdenum-aluminum-molybdenum (Mo-Al-Mo), syllable-magnesium (Ag-Mg), aluminum.
  • the contact pads 16, 18 may include, for example, a contact pad, a pin, a flexible printed circuit board, a clamp, a clip, or other electrical connection means.
  • Connections 16, 18 may be optically transparent, translucent or opaque.
  • the electrical insulation 20, 22 may be such
  • the material of electrical insulation can be arranged that a direct current flow between two electrically conductive regions, for example, between the first electrode 14 and the second electrode 26 prevents becomes.
  • the material of electrical insulation can be arranged that a direct current flow between two electrically conductive regions, for example, between the first electrode 14 and the second electrode 26 prevents becomes.
  • the lacquer may, for example, have a coating substance which can be applied in liquid or in powder form,
  • the electrical insulation 20, 22 can be applied or formed, for example, lithographically or by means of a printing process, for example, structured.
  • the printing method may be, for example, an ink-jet printing
  • the second electrode 26 may be a
  • Encapsulation layer 28 may be arranged such that the second electrode 26, the electrical insulations 20, 22 and the organic functional layer structure 24 are surrounded by the encapsulation layer 28, i. of the
  • Encapsulation layer 28 are included in connection with the carrier 12.
  • the encapsulation layer 28, which may be formed by a barrier thin film, for example can be understood as meaning, for example, a layer or a layer structure which is suitable for providing a barrier to chemical vapor
  • the encapsulation layer 28 is designed such that it can not be penetrated by OLED-damaging substances such as water, oxygen or solvents, or at most only to very small proportions.
  • the encapsulation layer 28 may be formed as a single layer, for example as a single layer.
  • the encapsulation layer 28 may have a
  • the encapsulation layer 28 may be formed as a stack of layers (stack).
  • Encapsulation layer 28 or one or more sublayers The encapsulation splitter 28 can be formed, for example, by means of a suitable deposition method, for example by means of a molecular layer deposition method (MLD), an atomic layer deposition method (ALD), for example a MLD, an atomic layer deposition method (ALD), for example a MLD, an atomic layer deposition method (ALD), for example a MLD, an atomic layer deposition method (ALD), for example a
  • PEALD plasma-enhanced atomic layer deposition
  • PALD plasma-less Atomic Layer Deposition
  • CVD chemical vapor deposition
  • PECVD Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
  • ALD Atomic Layer Separation Method
  • MLD Molecular deposition
  • a layer sequence comprising only ALD layers and / or MLD layers can also be referred to as "nanolaminate”.
  • the encapsulation layer 28 may have a layer thickness of 0.1 nm (one atomic layer) to 1000 nm, for example from 10 nm to 100 nm, for example approximately 40 nm.
  • an encapsulation layer 28 can be dispensed with and, for example, only a cover, for example a cavity glass encapsulation or a metallic encapsulation, can be formed.
  • the encapsulation layer 28 may be formed as a translucent or transparent layer.
  • the Encapsulation layer 28 may be one of the following
  • Encapsulation layer 28 may comprise a high refractive index material, in other words a high refractive index material, for example, having a refractive index of 2 or more.
  • an adhesion layer 30 may be arranged such that the adhesion layer 30 the
  • Encapsulation layer 28 and the electrically active area and surface hermetically seals with respect to harmful environmental influences and / or reduces the Dif fusionsrate of water and / or oxygen to the encapsulation layer 28 out.
  • the adhesive layer 30 may be translucent and / or transparent
  • the adhesive layer 30 may have a layer thickness in a range, for example, from 0.1 ⁇ m to 10 ⁇ m, for example from 1 ⁇ m to 5 ⁇ m.
  • the adhesive layer 30 may be a lamination adhesive on iron or one such.
  • In the adhesive layer 30 can light scattering particles
  • the light-scattering particles are embedded, which can lead to a further improvement of the color angle erzugs and Auskoppeleffizienz.
  • the light-scattering particles are embedded, which can lead to a further improvement of the color angle erzugs and Auskoppeleffizienz.
  • the light-scattering particles are embedded, which can lead to a further improvement of the color angle erzugs and Auskoppeleffizienz.
  • dielectric scattering particles and, for example
  • Metal oxides such as e.g. Silicon oxide (SiO 2), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrO 2), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), gallium oxide (Ga 2 O x) aluminum oxide, or titanium oxide.
  • the particles have a refractive index that is different from the effective one
  • Refractive index of the matrix of the translucent layer structure is different, such as acrylate or glass bubbles.
  • metallic Nanoparticles metals such as gold, silver or iron
  • Nanoparticles may be provided as light-scattering particles or air bubbles for light scattering.
  • the adhesion layer 30 may have a refractive index that is less than the refractive index of the cover 36.
  • the adhesion layer 30 may comprise, for example, a low refractive index adhesive, for example an acrylate having a refractive index of about 1.3.
  • the adhesive layer 30 may comprise, for example, a high refractive index adhesive comprising, for example, high refractive index non-diffusing particles and having an average refractive index approximately equal to the average refractive index of organic
  • a functional layer structure for example in a range of about 1.7 to about 2.0 or greater.
  • a plurality of different adhesives may be provided in the adhesion layer 30, which form an adhesive layer sequence.
  • between the second electrode 26 and the adhesive layer 30 still another
  • the electrically insulating layer can also serve as an encapsulation layer, as a result of which a robustness of the optoelectronic assembly 10 can be increased, in particular a protection against the penetration of particles can be increased.
  • a cover 36 is arranged on or above the adhesive layer 30, a cover 36 is arranged.
  • the cover 36 may for example be adhered to the encapsulation layer 28 by means of the adhesion layer 30 be, for example, be laminated.
  • the cover 36 may include, for example, glass, metal and / or plastic.
  • the cover 36 may be structured, for example, as a Kavticiansgias.
  • the encapsulant slide 28 and / or the cover 36 may be formed such that the trapped layers are hermetically sealed against harmful environmental influences, for example, with respect to water and / or oxygen.
  • Under the support 12 may optionally a
  • Decoupling layer 58 may be arranged, for example, on the side facing away from the organic functional layer structure 24.
  • the decoupling layer 58 may be formed, for example, as an external AuskoppeI ist 58, for example as Auskoppelfolie, on the support 12.
  • Output layer 58 may be a matrix and distributed therein
  • Refractive index of the layer that emits the light is Refractive index of the layer that emits the light.
  • a getter layer (not shown) may be arranged on or above the electrically active region and / or on or above the optically active region and / or on or above the optically inactive region.
  • the getter layer can hermetically seal the electrically active region with respect to harmful environmental influences.
  • the getter layer can
  • the getter layer may be surrounded by the adhesion layer 30 and / or by the
  • the getter layer may comprise a matrix and distributed therein a getter.
  • the getter layer can be translucent, transparent or opaque.
  • the getter layer may have a layer thickness in a range, for example, from 0.1 ⁇ to 10 ⁇ , for example from 1 to 5 ⁇ . In different
  • Embodiments may be the matrix of the getter layer have a lamination adhesive and / or in one
  • Dispensers are formed ("dispensable getters").
  • the getter layer may have a refractive index that is less than the refractive index of the cover 36.
  • Such a getter layer may include a
  • the getter layer may comprise, for example, a high refractive index adhesive comprising, for example, high refractive, non-diffusing particles and / or a
  • refractive index may correspond approximately to the mean refractive index of the organic functional layer structure and / or may be in a range of, for example, 1.7 to 2.0.
  • several different adhesives may be provided in the getter layer, which form an adhesive layer sequence. In the getter layer can light scattering particles
  • the light-diffusing particles may be formed in the adhesion layer 30, for example, according to one of the foregoing embodiments of the light-diffusing particles.
  • an electrically insulating layer (not shown) comprising, for example, SiN,
  • a cover 36 is arranged on or above the adhesion layer 30 and given all on or above the getter layer.
  • the cover 36 comprises, for example, glass, a metal foil and / or a sealed plastic film.
  • the cover 36 may be adhered to or over the encapsulation layer 28, for example by means of the adhesion layer 30,
  • the cover 36 may, for example by means of a frit connection ⁇ engl. glass bonding or glass soldering / seal glass bonding) are applied by means of a conventional glass solder.
  • the / may
  • Cover 36 and / or the adhesive 124 have a refractive index (for example, at a wavelength of 633 nm) of 1.55.
  • the sensor element 9 is formed.
  • the sensor element 9 may be an optically active region on iron.
  • the light-emitting diode 7 is electrically isolated from the sensor element 9.
  • the light-emitting diode 7 and the sensor element 9 can be optically coupled to an optical waveguide.
  • the sensor element 9 may be formed as an inversely operated organic light emitting diode, for example, similar to an embodiment of the
  • the sensor element 9 has a third electrode 44, which is formed on or above the carrier 12. On or above the third electrode 44, an organically functional layering structure 54 of the sensor element 9 is formed.
  • Sensor element 9 may be formed according to one of the embodiments of the organic functional layer structure 24 of the light-emitting diode 7 explained above.
  • organic functional group is organic functional group
  • an electrical third terminal 46 is formed on an LED 7 side facing the third electrode 44.
  • the third port 46 may also be referred to as a third contact pad.
  • the third connection 48 may be formed on or above the carrier 12 in a geometric edge region of the optically active region of the sensor element 9, for example laterally next to the third electrode 44.
  • the fourth port 48 can also be fourth
  • the fourth connection 48 may be formed on or above the carrier 12 in a geometric edge region of the optically active region of the sensor element 9, for example laterally next to the third electrode 44.
  • the third electrode 44 may be physically and electrically connected to the fourth connection 48.
  • the third electrode 44 is the organic functional layer structure 56 of the sensor element 9
  • a fourth electrode 56 is formed over or on the organic functional layer structure 54 of the sensor element 9.
  • the fourth electrode 56 is electrically insulated from the third electrode 44 by means of a second electrical insulation 50.
  • the fourth connection 48 is electrically insulated from the fourth electrode 56 by means of a further second electrical insulation 52.
  • the fourth electrode 56 is physically and electrically coupled to the third terminal 46.
  • the LED 7 is of the
  • Intermediate insulation 53 may be electrically insulated from the second terminal 18.
  • Encapsulation splitter 28 arranged so that the fourth
  • Electrode 56, the second electrical insulation 50, 52 and the organic functional layer structure 54 of the sensor element 9 surrounded by the encapsulation layer 28 are, that are enclosed by the encapsulation splitter 28 in connection with the carrier 12.
  • the encapsulant layer 28 can hermetically seal the trapped layers with respect to harmful environmental influences.
  • the sensor element 9 may have a surface facing the carrier 12 in a range of 0.5 mm 2 to 250 mm 2 .
  • the light-emitting diode 7 can light in the optical waveguide
  • the couple and / or the sensor element 9 can receive light from the optical waveguide.
  • the optical waveguide may be formed by the carrier 12.
  • the fifth light 6A may be transmitted via the carrier from the light emitting diode 7 to the
  • Sensor element 9 are passed. Alternatively or additionally, from the cover 36 and / or from the
  • Encapsulation layer 28 may be formed of the optical waveguide.
  • sixth light 6B which forms at least part of the third light 6, can then be conducted via the cover 36 or the encapsulation layer 28 to the sensor element 9.
  • the light-emitting diode 7 and / or the sensor element 9 can be connected to the light waveguide by means of an optical coupling structure
  • the barrier layer for example, the barrier layer, the encapsulation layer 28 and / or the adhesive layer 30th
  • the sensor element 9 can generate the third, fifth and sixth light 6, 6A, 6B and, dependent thereon, generate an electrical voltage across the third and fourth electrodes 44, 56. This can be used as an output signal of the sensor element 9 to a logic unit, not shown in FIG.
  • the sensor element 9 can receive the second light 5, in particular the upper second light 5A and the lower second light 5B, and depending on this, generate the voltage and / or output the output signal.
  • the sensor element 9 may be shadowed by one or more shadow elements with respect to the other parts of the detectable light. For example, that can
  • Encapsulation layer 28, the adhesive layer 30 and / or the cover 36 have a low transmissivity and / or opaque or opal formed and / or by a
  • the organic functional layer structure 54 of the sensor element 9 at least partially surrounds.
  • the organic functional layer structure 54 of the sensor element 9 can be protected from the lower second light 5A and / or from the fifth light 6A by the carrier 12 having a low transmissivity and / or being opaque or opal.
  • the organic functional layer structure 54 of the sensor element 9 can be protected from the lower second light 5A and / or from the fifth light 6A by the carrier 12 having a low transmissivity and / or being opaque or opal.
  • the organic functional layer structure 54 of the sensor element 9 can be protected from the lower second light 5A and / or from the fifth light 6A by the carrier 12 having a low transmissivity and / or being opaque or opal.
  • the organic functional layer structure 54 of the sensor element 9 can be protected from the lower second light 5A and / or from the fifth light 6A by the carrier 12 having a low transmissivity and / or being opaque or opal.
  • the organic functional layer structure 54 of the sensor element 9 can be protected from the lower second light 5A and / or from the fifth light 6A by the carrier
  • Layer structure 54 of the sensor element 9 are protected from the sixth light 6B by the encapsulation layer 28 has a low transmissivity and / or is formed opaque or opal.
  • the first and third electrodes 14, 44 may be therein
  • connections 16, 18, 46, 48 can be produced at least partially in the same work step.
  • organic functional e.g., the organic functional
  • the second and fourth electrodes 26, 56 may be in the same
  • FIG. 11 shows an exemplary embodiment of the optoelectronic assembly 10 which, for example, according to one embodiment of the optoelectronic assembly explained above
  • the sensor element 9 can for shading the lower second light 5A with a
  • Shadow element 60 to be covered which is arranged in Figure 11 on an underside of the carrier 12 on the support 12.
  • the shadow element 60 may, for example, an opaque layer, such as an insulator layer, a
  • the light of the light emitting diode 7 is coupled via the carrier 12 as an optical waveguide in the optically active region of the sensor element 9.
  • the carrier 12 acts as an optical waveguide and should be formed at least partially transmissive.
  • the encapsulation layer 28 and / or the cover body 36 may be formed as an optical waveguide.
  • Fig. 12 shows an embodiment of a
  • the sensor element 9 is as a photoconductor
  • the sensor element 9 may comprise or be formed from a material whose electrical resistance and / or electrical conductivity changes with the luminosity of the incident electromagnetic radiation.
  • the electrical resistance or the electrical conductivity can, for example Mittete the in Figure 12 not
  • Logic unit can be determined.
  • the shadow element 60 is dashed in FIG.
  • Fig. 13 shows an embodiment of a
  • optoelectronic assembly 10 for example can be formed largely according to an embodiment of the above-explained optoelectronic assembly 10.
  • Sensor element 9 can be varied, whereby, for example, affects the internal line of the third light
  • Fig. 14 shows an embodiment of a
  • the decoupling layer 16 is formed between the carrier 12 and the first electrode 14.
  • Fig. 15 shows an embodiment of a
  • the organic functional layer structures 24, 54 are only partially covered by the second electrode 26 and fourth electrode 56, respectively.
  • the second electrode 26 and fourth electrode 56 are only partially covered by the second electrode 26 and fourth electrode 56, respectively.
  • the fourth electrode 56 may direct the organic functional layer structure 54 of the sensor element 9 towards the organic functional one
  • Layer structure 24 of the light emitting diode 7 do not cover, which may contribute to a particularly large proportion of the sixth light 6B via the encapsulation layer 28 can get to the optically active region of the sensor element 9 and detected there.
  • the second electrode 26 and fourth electrode 56 recesses on iron, for example, circular or polygonal, within which the organically functional Layer structures 24, 54 are not covered by the second electrode 26 and fourth electrode 56, respectively.
  • Fig. 16 shows an exemplary embodiment of a
  • the encapsulation layer 28, the adhesion layer 30 and the cover 36 are relative to the light emitting diode 7 and the
  • Encapsulation layer 28, the adhesive layer 30 and the cover 36 of the light-emitting diode 7 and the sensor element 9 may initially be formed together and / or in one piece and then
  • Fig. 17 shows an embodiment of a
  • the decoupling layer 58 extends over the
  • organic functional layer structure 24 facing away from the carrier 12, in Figure 17 over the entire underside of the carrier 12th
  • Fig. 18 shows an embodiment of a
  • the decoupling layer 58 extends over the
  • Fig. 19 shows an embodiment of a
  • optoelectronic assembly 10 for example can be formed largely according to an embodiment of the above-explained optoelectronic assembly 10.
  • the optoelectronic assembly 10 has on the support 12, which is not transparent, a conductor layer 62, which is formed as an optical waveguide for guiding the fourth light 6A.
  • Fig. 20 shows an embodiment of a
  • the optoelectronic assembly 10 has a
  • the optoelectronic assembly 10 has a first output terminal 72 and an input terminal 74.
  • the first and the second connection 16, 18 are via a first electrical line 76 and a second
  • electrical line 78 is electrically coupled to first output terminal 72.
  • the third and fourth terminals 46, 48 are electrically coupled to the input terminal 74 via a third electrical lead 80 and a fourth electrical lead 82, respectively.
  • the logic unit 70 is connected to a not shown
  • Power source such as a power source or a voltage source electrically coupled.
  • the logic unit 70 may comprise a driver circuit, a control unit and / or a
  • the logic unit is to
  • the logic unit 70 may, depending on the detected output signal
  • the Logic unit perform a predetermined action.
  • the predetermined action may include, for example, driving the LED 7.
  • the driving of the light-emitting diode 7 can for example be carried out in the course of readjustment, so that the means of the light emitting diode in a predetermined
  • Solid angle range generated light intensity and / or brightness remains constant or at least approximately constant.
  • the driving of the light-emitting diode 7 can take place such that the light-emitting diode 7 itself can be used as a warning display to warn against excessive bending of the optoelectronic assembly.
  • the light-emitting diode 7 itself can be used as a warning display to warn against excessive bending of the optoelectronic assembly.
  • the LED 7 are turned off, the light intensity can be changed significantly or the LED 7 can be switched to a flashing operation.
  • the sensor element 9 can be operated inversely and used as an optical warning display.
  • Embodiment of the optoelectronic assembly 10 is selected, in which the encapsulation splitter 28, the adhesive layer 30 and the cover 36 are each formed in several pieces and / or not contiguous.
  • the logic unit 70 and the corresponding electrical couplings can readily in one of the embodiments of the
  • optoelectronic assembly 10 are arranged, in which the encapsulation push 28, the adhesive layer 30 and the
  • Cover 36 are each integrally formed.
  • Fig. 21 shows an embodiment of a
  • Display element 79 is formed.
  • the display element 79 may have an optically active region on iron.
  • the light-emitting diode 7 is electrically isolated from the display element 79.
  • Display element 79 may be in the form of an organic light-emitting diode, for example, similar or identical to one
  • the display element 79 has a fifth electrode 81 which is formed on or above the carrier 12. On or above the fifth electrode 81, an organic functional layer structure 84 of the display element 79 is formed. The organic functional layer structure 84 of the
  • Display element 79 may be formed according to one of the above-explained embodiments of the organic functional layer structure 24 of the light-emitting diode 7.
  • organic functional group is organic functional group
  • an electrical fifth terminal 85 is formed on a side facing away from the light emitting diode 7 side of the fifth electrode 81.
  • the fifth electrical connection 85 can also be referred to as the fifth contact pad.
  • Terminal 85 may be formed on or above the support 12 in a geometric edge region of the optically active region of the display element 79, for example laterally next to the fifth electrode 81.
  • a side of the fifth electrode 81 facing the light emitting diode 81 is a
  • the sixth terminal 83 may also be referred to as the sixth contact pad.
  • the sixth connection 83 may be formed on or above the carrier 12 in a geometric edge region of the optically active region of the display element 79.
  • the fifth electrode 81 may be physically and electrically connected to the sixth terminal 33.
  • the organic functional layer structure 56 of the display element 79 is formed on or above the fifth electrode 81.
  • the organic functional layer structure 56 of the display element 79 is formed over or on the organic functional layer structure 84 of the display element 79.
  • a sixth electrode 86 is formed over or on the organic functional layer structure 84 of the display element 79.
  • the sixth electrode 86 is electrically insulated from the fifth electrode 81 by means of a third electrical insulation 80.
  • Terminal 83 is electrically insulated from the sixth electrode 86 by means of another third electrical insulation 82.
  • the sixth electrode 86 is connected to the fifth
  • Connection 85 physically and electrically coupled.
  • LED 7 is electrically isolated from the display element 79, for example, the fifth terminal 85 by means of a not shown further electrical
  • Encapsulation layer 28 is arranged so that the sixth
  • Electrode 86, the third electrical insulation 80, 82 and the organic functional layer structure 84 of the display element 79 are surrounded by the encapsulation layer 28, i. are enclosed by the encapsulation layer 28 in connection with the carrier 12.
  • the encapsulant layer 28 may hermetically seal the trapped layers from harmful environmental influences.
  • the display element 79 may have a surface facing the carrier 12 in a range of 0.5 mm 2 to 250 mm 2 .
  • the first and fifth electrodes 14, 81 may be in the same
  • Layer structures 24, 84 are produced in the same step.
  • the second and sixth electrodes 26, 86 may be in the same
  • the insulator layers 20, 22, 80, 82 can be produced in the same work step.
  • the fifth terminal 85 and the sixth terminal 83 are electrically coupled via a fifth electrical line 97 and a sixth electrical line 98, respectively, to a second output terminal 99 of the logic unit 70.
  • the display element 79 can be controlled with the aid of the logic unit 70, for example for outputting an optical warning signal in response to a corresponding output signal of the
  • the display element 79 can be used, for example, to warn before reaching or fürschr iten the critical curvature state.
  • Embodiment of the optoelectronic assembly 10 is selected, in which the encapsulation layer 28, the adhesive layer 30 and the cover 36 are each formed in several pieces.
  • Embodiment of the optoelectronic assembly 10 are arranged, in which the encapsulation layer 28, the adhesive layer 30 and the cover 36 are each formed in one piece.
  • FIG. 22 shows a plan view of an exemplary embodiment of an optoelectronic assembly 10, which, for example, may be largely designed according to one embodiment of the optoelectronic assembly 10 explained above.
  • the optoelectronic assembly 10 has the LED 7 on.
  • several areas 100 are shown in FIG. Each of the regions 10 may be representative of a sensor element 9 that
  • Previously explained sensor element 9 may be formed, or for a display element 79, which may be formed, for example, according to one embodiment of the above-explained display element 79. It may be at the positions of all areas 100 or only at the positions of isolated or grouped areas 100 each
  • Sensor element 9 or a respective display element 79 arranged and / or be formed.
  • Each display element 79 can emit first light 3 on a first side of the optoelectronic assembly 10, for example in the upper half space, and / or on a second side of the optoelectronic assembly 10, for example in the lower half space.
  • Each sensor element 9 may receive light, for example upper second light 5B, from the first side of the optoelectronic assembly 10, for example from the upper half space, and / or light, for example lower second light 5A, from the second side of FIG
  • Optoelectronic assembly 10 for example, from the lower half space, and / or internal third, fourth and / or fifth light 6, 6A, 6B detect.
  • FIG. 23 shows a plan view of an exemplary embodiment of an optoelectronic subassembly 10 which, for example, may be largely designed according to an embodiment of the optoelectronic subassembly 10 explained above.
  • the optoelectronic assembly 10 has more than one light emitting diode 7, in particular four light emitting diodes 7, on.
  • the above-described areas 100 are representative of display elements 79 or Sensor elements 9 located.
  • a few of the regions 100 are arranged in the outer corner regions of the optoelectronic assembly 10.
  • a few of the regions 100 are arranged centrally in the optoelectronic assembly 10, for example the LEDs 7 overlapping or the LEDs 7 not overlapping.
  • FIG. 24 shows a plan view of an exemplary embodiment of an optoelectronic assembly 10, which, for example, can be largely designed in accordance with one embodiment of the optoelectronic assembly 10 explained above.
  • the optoelectronic assembly 10 has the
  • Previously explained areas 100 representatively drawn for display elements 79 or sensor elements 9.
  • An area 100 is in an outer corner area
  • optoelectronic assembly 10 is arranged.
  • a region 100 is arranged centrally in optoelectronic assembly 10, for example the LED 7 overlapping or
  • One of the regions 100 extends over the entire width of the optoelectronic assembly 10, one of the regions 100 extends over the entire length of the optoelectronic assembly 10, FIG. 25 and FIG. 26 show further top views
  • Embodiments of the optoelectronic assembly 10 which may be formed, for example, largely according to an embodiment of the above-explained optoelectronic assembly 10.
  • the optoelectronic assemblies 10 have at least one of the LEDs 7.
  • the above-explained areas 100 are representative of display elements 79 or
  • the LEDs 7 and the areas 100 are circular.
  • the LEDs 7 and the areas 100 are circular.
  • the light emitting diodes 7 and / or the areas 100 may be polygonal. Furthermore, can the areas 100 in the previously explained
  • Embodiments should be rounded.
  • FIGS. 5 to 9 may refer to the optoelectronic ones shown in FIGS.
  • Modules 10 are transmitted. Furthermore, the sectional views shown in FIGS. 5 to 21 can be combined in conjunction with the plan views shown in FIGS. 22 to 26.

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

In verschiedenen Äusführungsbeispxelen wird eine optoelektronische Baugruppe (10) bereitgestellt, die eine flexible organische Leuchtdiode (7) zum Erzeugen und Abstrahlen von Licht und ein Sensorelement (9), das direkt körperlich mit der organischen Leuchtdiode (7) gekoppelt ist und das einen Krümmungswert erfasst, der repräsentativ für eine Krümmung der flexiblen organischen Leuchtdiode (7) ist, aufweist.

Description

Beschreibung
Optoelektronische Baugruppe, Verfahren zum Betreiben einer optoelektronischen Baugruppe und Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe
Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Baugruppe, ein Verfahren zum Betreiben einer optoelektronischen Baugruppe und ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe»
Flexible Flächenlichtquellen, beispielsweise organische
Leuchtdioden (OLEDs) , bestehen aus biegbaren Materialien, wie beispielsweise aus Folien, Kontaktschichten und/oder
organischen Schichte . Bei einer Veränderung der Form der Leuchtfläche der flexiblen Flächenlichtquellen ändert sich die Lichtstärke an einem vorgegebenen Ort im Raum, da der von der Flächenlichtquelle beleuchtete Raumwinkelbereich
verändert wird, die insgesamt abgestrahlte Lichtmenge bei unveränderter Ansteuerung der Flächenlichtquelle jedoch gleich bleibt . Beim Verbiegen der organischen Leuchtdioden werden somit der beleuchtete Raumwinkelbereich und die
Lichtstärke im beleuchteten Raumwinkelbereich miteinander gekoppelt verändert . Die Lichtstärke kann im beleuchteten RaumwinkeIbereich der Flächenlichtquelle an dem vorgegebenen Ort im Raum konstant gehalten werden mittels manuellen
Dimmens oder externer zugeschalteter Sensoren, beispielsweise Photodioden, Phototransistoren oder Photothyristoren, mit elektronischer Schaltung . Somit muss bei einem unabhängigen Einstellen eines Parameter, beispielsweise des beleuchteten Raumwinkelbereichs , beispielsweise aufgrund einer Verformung der Leuchte mit der flexiblen Flächenlichtquelle ,
beispielsweise um zwei Arbeitsplätze anstatt einem
Arbeitsplatz zu beleuchten, der andere Parameter,
beispielsweise der erzeugte Lichtstrom und/oder die
abgestrahlte Lichtmenge , in Reaktion auf die Veränderung des ersten Parameters nachgeregelt werden . Beispielsweise kann der Lichtstrom bzw. die Lichtmenge so angepasst werden, dass beide Arbeitsplätze ausreichend beleuchtet werden. Dies
erfordert j edoch entweder einen großen Verschaltung- und/oder Verdrahtungssaufwand und damit zusätzliche Kosten oder das Verfahren ist nicht automatisiert , wobei bei der manuellen Nachregelung die Abstimmung auf tatsächlich vorhandene
Lichtbedingungen ungenau ist , unnötig Energie verschwendet werden kann und/oder falsche Beleuchtungsbedingungen
eingestellt werden können . Ferner bestehen die biegbaren flexiblen Flächenlichtquellen grundsätzlich aus Materialien, die bei Erreichen eines kritischen Biegeradius brechen können oder bei denen bei zu starkem Verbiegen Risse entstehen können, die die
optoelektronische Funktionalität einschränken können . In
Folge des zu starken Verbiegens kann auch die Lagerzeit aufgrund einer mechanisch gestörten Verkapselungsschicht , die beispielsweise Risse aufweist , reduziert werden. Derartige Brüche bzw. Risse können beispielsweise mittels visueller Kontrolle , insbesondere mit dem menschlichen Auge , erkannt werden . Beispielsweise können diese Brüche bzw. Risse dunkle Bereiche in der Leuchtfläche verursachen, die auch als „ dark Spots" bezeichnet werden können .
In verschiedenen Ausführungsformen wird eine
optoelektronische Baugruppe bereitgestellt , die eine flexible Leuchtdiode aufweist und die auf einfache Weise ermöglicht , eine konstante oder zumindest näherungsweise konstante
Lichtstärke an einem vorgegebenen Ort im beleuchteten
Raumwinkelbereich zu gewährleisten, und/oder die dazu
beiträgt , eine Beschädigung der flexiblen Leuchtdiode zu verhindern .
I verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Betreiben einer optoelektronischen Baugruppe , die eine flexible Leuchtdiode aufweist, bereitgestellt , das auf einfache Weise ermöglicht , eine konstante oder zumindest näherungsweise konstante Lichtstärke an dem vorgegebenen Ort im beleuchteten Raumwinkelbereich zu gewährleisten, und/oder das dazu beiträgt, eine Beschädigung der flexiblen
Leuchtdiode zu verhindern.
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe, die eine flexible Leuchtdiode aufweist , bereitges ellt , das auf einfache Weise ermöglicht , dass mittels der
optoelektronischen Baugruppe eine konstante oder zumindest näherungsweise konstante Lichtstärke an dem vorgegebenen Ort im beleuchteten Raumwinkelbereich gewährleistbar ist, und/oder das dazu beiträgt , eine Beschädigung der flexiblen Leuchtdiode im Betrieb der optoelektronischen Baugruppe zu verhindern . In verschiedenen Ausführungsformen wird eine
optoelektronische Baugruppe bereitgestellt. Die
optoelektronische Baugruppe weist eine flexible organische Leuchtdiode zum Erzeugen und Abstrahlen von Licht und ein Sensorelement auf , das so ausgebildet und angeordnet ist , dass es einen Krümmungs ert erfasst, der repräsentativ für eine Krümmung der flexiblen organischen Leuchtdiode ist . Das Sensorelement ist direkt körperlich mit der organischen
Leuchtdiode gekoppelt . Das Erfassen des Krümmungswerts und das damit verbundene
Erkennen der Krümmung der flexiblen organischen Leuchtdiode ermöglicht eine automatische Regelung, beispielsweise eine exakte automatische Regelung, der flexiblen organischen
Leuchtdiode bezüglich der Lichtstärke an dem vorgegebenen Ort im beleuchteten Raumwinkelbereich abhängig von der Krümmung . Auf diese Weise kann beispielsweise in verschiedenen
Krümmungszuständen der flexiblen organischen Leuchtdiode an dem vorgegebenen Ort im beleuchteten Raumwinkelbereich immer eine konstante oder zumindest näherungsweise konstante
Lichtstärke gewährleistet werden . Außerdem kann ein
kritischer Krümmungsradius erkannt werden und während des Betriebes der flexiblen organischen Leuchtdiode kann eine automatische Warnung erzeugt werden, damit der kritische Krümmungsradius nicht erreicht oder nicht überschritten wird oder wenn der kritische Krümmungsradius bereits überschritten ist. Beispielsweise kann das Sensorelement außen an der
Leuchtdiode angeordnet sein oder zusammen mit der organischen Leuchtdiode in einem Bauelement integriert sein. Dies kann dazu beitragen, einen Schalcungsaufwand gering zu halten . Der Krümmungs ert kann beispielsweise ein Leuchtdichtewert , ein Lichtstärkewert oder ein Helligkeitswert sein.
Bei verschiedenen Ausführungsformen weist die
optoelektronische Baugruppe eine Logikeinheit auf , die mit dem Sensorelement elektrisch gekoppelt ist und die in
Abhängigkeit eines Signals des Sensorelements eine
vorgegebene Aktion durchführt . Die Logikeinheit kann eine elektronische Schaltung aufweisen, die bezüglich der
optoelektronischen Baugruppe extern ausgebildet ist oder die intern in der optoelektronischen Baugruppe und/oder hybrid mit der flexiblen organischen Leuchtdiode und dem
Sensorelement ausgebildet ist . Das Signal d s Sensorelements ist repräsentativ für die Krümmung der flexiblen organischen Leuchtdiode . Die vorgegebene Aktion ist beispielweise das automatische Erzeugen der Warnung und/oder bezieht sich auf das Nachregeln der flexible organischen Leuchtdiode
bezüglich der Lichtstärke .
Bei verschiedenen Ausführungsformen weisen die organische Leuchtdiode und das Sensorelement einen gemeinsamen Träger auf . Beispielsweise weisen die flexible organische
Leuchtdiode und das Sensorelement eine gemeinsame
Schichtstruktur auf dem Träger auf und/oder sind in demselben Verfahren basierend auf dem Träger gemeinsam hergestellt worden . Beispielsweise sind die flexible organische
Leuchtdiode und das Sensorelement monolithisch in einem
Bauelement integriert . Das Sensorelement kann in diesem
Zusammenhang als internes Sensorelement bezeichnet werden . Das interne Sensorelement trägt dazu bei , auf ein externes Sensorelement verzichten zu können, wodurch der
Schaltungsaufwand weiter reduziert werden kann. Ferner ermöglicht dies, das Ausbilden des Sensorelements in die Prozessführung zum Herstellen der flexiblen organischen
Leuchtdiode zu integrieren, und zwar ohne wesentliche
Veränderung der Prozessführung verglichen mit herkömmlichen Flächenstrahlern und/oder ohne Mehrauf and und Mehrkosten. Die entsprechende optoelektronische Baugruppe als frei handhabbares Bauteil ohne mechanisch inhärenten Schutz gegen übermäßige Verformung kann vor solcher warnen, so dass
Ausfälle und/oder Beschädigungen vermieden werden können. Besonders das interne Sensorelement und gegebenenfalls ein internes Anzeigeelement als Signalgeber erzeugen dabei geringe oder keine zusätzlichen Mehrkosten, da sie den gleichen oder einen sehr ähnlichen Aufbau wie der eigentliche Funktionalteil , die flexible organische Leuchtdiode, nutzen .
Die Fläche des internen Sensorelements kann so angepasst sein, dass im Betrieb eine ausreichend stabile Photospannung und/oder ein ausreichend stabiler elektrischer Widerstand entsteht , ohne beispielsweise aufgrund instabiler
Rückkopplung eine Instabilität der flexiblen organischen Leuchtdiode zu erzeugen. Damit kann bei einer Änderung der Krümmung der flexiblen organischen Leuchtdiode die
abgestrahlte Lichtmenge pro Raumwinkel und damit die
Lichtstärke an dem vorgegebenen Ort kons ant gehalten bzw. an äußere gewünschte Bedingungen angepasst werden. Ferner können mehrere lateral verteilte interne Sensorelemente ausgebildet sein. Mittels der lateralen Streuung der internen
Sensorelemente über die Leuchtfläche kann j edem
Raumwinkelelement das dazu korrespondierende Sensorelement zugeordnet werden .
Alternativ dazu kann das Sensorelement außerhalb der
flexiblen organischen Leuchtdiode angeordnet und direkt körperlich mit dieser gekoppelt sein . Beispielsweise kann das Sensorelement einen oder mehrere Dehnungsmessstreifen aufweisen, der bzw. die außen an einer Oberfläche der
flexiblen organischen Leuchtdiode angeordnet sind.
Bei verschiedenen Ausführungsformen ist das Sensorelement so ausgebildet und angeordnet , dass es zum Erfassen des
Krümmungswerts zumindest einen Teil des von der organischen Leuchtdiode erzeugten Lichts erfasst, wobei das erfasste Licht repräsentativ für die Krümmung der flexiblen
organischen Leuchtdiode ist. Beispielsweise kann mit dem
Sensorelement Licht erfasst werden, das von der flexiblen organischen Leuchtdiode abgestrahlt wird und/oder das zu dem Sensorelement hin reflektiert oder gestreut wird. Alternativ oder zusätzlich kann bei einem internen Sensorelement , das Licht von der flexiblen organischen Leuchtdiode intern zu dem internen Sensorelement geleitet werden, beispielsweise
mittels eines internen Lichtwellenleiters , beispielsweise eines für das Licht transparenten Trägers oder
Verkapselungsmaterials . Bei dem Verbiegen der flexiblen organischen Leuchtdiode, bei dem sich der Krümmungszustand ändert , verändert sich auch die Lichtstärke des abgestrahlten Lich s , des reflektierten oder gestreuten Lichts und/oder des intern geleiteten Lichts . Die Veränderung der Lichtstärke wirkt sich auf das Ausgangssignal des Sensorelements aus , das somit einen veränderten Krümmungswert ausgibt, was
repräsentativ für die Krümmung der flexiblen organischen
Leuchtdiode ist . Alternativ zu der Lichtstärke kann auch eine Leuchtdichte oder eine Helligkeit erfasst werden .
Bei verschiedenen Ausführungsformen weist die
optoelektronische Baugruppe ein Anzeigeelement auf , das den gemeinsamen Träger aufweist . Beispielsweise weisen die flexible organische Leuchtdiode , das Sensorelement und das Anzeigeelement eine den Träger auf eisende gemeinsame
Schichtstruktur auf und/oder sind in demselben Verfahren basierend auf dem Träger gemeinsam hergestellt worden .
Beispielsweise sind die flexible organische Leuchtdiode , das Sensorelement und das Anzeigeelement monolithisch in einem Bauelement integriert . Das Anzeigeelement kann in diesem Zusammenhang als internes Anzeigeelement bezeichnet werden. Das interne Anzeigeelement trägt dazu bei , auf ein externes Anzeigeelement verzichten zu können, wodurch der
Schaltungsaufwand weiter reduziert werden kann. Das
Anzeigeelement kann somit als weitere flexible organische Leuchtdiode dienen . Alternativ oder zusätzlich zu dem
Anzeigeelement auf dem gemeinsamen Träger kann ein externes und/oder akustisches Anzeigeelement vorgesehen sein. Das Anzeigeelement kann zum Signalisieren der Krümmung und/oder des kri ischen Krümmungsradius dienen. Die vorgegebene
Aktion, die abhängig von dem Krümmungswert durchgeführt wird, kann beispielsweise ein Ansteuern des Anzeigeelements
aufweisen. Das Anzeigeelement kann zum Ausgeben eines
Warnsignals dienen.
Bei verschiedenen Ausführungsformen weisen ein optisch sensitiver Bereich des Sensorelements und/oder ein optisch aktiver Bereich des Anzeigeelements mindestens eine
organische funktionelle Schicht auf . Die organischen
funktionellen Schichten des Sensorelements und/oder des
Anzeigeelements können korrespondierend zu einer
Ausgestaltung der organischen funk ionellen Schichten der flexiblen organischen Leuchtdiode ausgebildet sein.
Beispielsweise können die organischen funktionellen Schichten des Sensorelements und/oder des Anzeigeelements in demselben Verfahren und/oder gleichzeitig wie die organischen
funktionellen Schichten der flexiblen organischen Leuchtdiode ausgebildet werden. Durch die hybride Integration mindestens eines kleinen separierten Flächenbereiches als internes
Sensorelement , das denselben Schichtaufbau haben kann wie die flexible organische Leuchtdiode , für die interne
Lichtdetektion kann das interne Sensorelement bei verglichen mit der flexiblen organischen Leuchtdiode inversem Betrieb (mit oder ohne Vorspannung) als Photodiode oder Photoleiter eingesetzt werden. Abhängig von der Lichtstärke des
einf llenden und/oder intern geleiteten Lichts wird eine Photospannung erzeugt bzw. eine Widerstandsänderung an dem internen Sensorelement erzeugt , die betragsmäßig umso höher ausfällt , je größer die einfallende Lichtstärke ist . Die
Lichtstärke ändert sich mit der Krümmung und somit ist die Photospannung bzw. die WiderStandsänderung abhängig von der Krümmung der flexiblen organischen Leuchtdiode und/oder der Helligkeit des mittels der flexiblen organischen Leuchtdiode beleuchteten Raumwinkelbereichs . Diese Photospannung bzw. dieser veränderte Widerstand ist das Ausgangssignal des Sensorelements , das in der Logikeinheit verarbeitet wird, welche davon abhängig mittels eines optischen oder
akustischen Signals das Erreichen oder Überschreiten des kritischen Biegeradius anzeigen kann und/oder eine
abzugebende LichtIntensität entsprechend anpassen kann .
Bei verschiedenen Ausführungsformen weist die
optoelektronische Baugruppe ein Schattenelement zum
Abschatten von Licht auf , das mit dem Sensorelement einen
Überlappungsbereich bildet . Beispielsweise schattet das
Schattenelement das Sensorelement , insbesondere das interne
Sensorelement , gegenüber externem Licht ab, so dass das Signal des Sensorelements ausschließlich oder zumindest wei gehend von dem intern geleiteten Licht abhängt . Dies kann dazu beitragen, eine Genauigkeit des Erfassens des
Krümmungswerts zu steigern, insbesondere falls mehrere
Lichtquellen vorhanden sind und das externe Licht auch Licht aufweist , das von den anderen Lichtquellen abgegeben wird. Dass das Schattenelement und das Sensorelement einen
Überlappungsbereich bilden, bedeutet, dass in Richtung eines Strahlengangs des Lichts das Schattenelement , das
Sensorelement überlappt, so dass zumindest ein Teil des Lichts , von dem Schattenelement abgeblockt wird und das
Sensorelement dadurch nicht erreich . Das Schattenelement kann außen auf einer Oberfläche des Sensorelements und/oder der flexiblen organischen Leuchtdiode oder intern in die Schichtstruktur des Sensorelements und/oder der flexiblen organischen Leuchtdiode integriert ausgebildet sein.
Bei verschiedenen A sführungsformen weist die
optoelektronische Baugruppe einen internen Lichtleiter auf , der optisch mit der organischen Leuchtdiode und dem
Sensorelement so gekoppelt ist , dass der interne Lichtleiter zumindest einen Teil des von der flexiblen organischen
Leuchtdiode erzeugten Lichts intern hin zu dem Sensorelement leitet . Die interne Leitung des Lichts kann beispielsweise zu einem großen Teil aufgrund von interner Totalreflektion des Lichts erfolgen . Bei einem Verbiegen der optoelektronischen Baugruppe wird auch der interne Lichtleiter verbogen, wodurch sich die Lichtstärke des auf das interne Sensorelement treffenden Lichts ändert . Die veränderte Lichtstärke ist repräsentativ für die Krümmung der optoelektronischen
Baugruppe . Die interne Lichtleitung und insbesondere der interne Lichtleiter ermöglichen unabhängig oder zumindest weitgehend unabhängig von einem externen Reflektieren
und/oder Streuen des von der flexiblen organischen
Leuchtdiode abgestrahlten Lichts den Krümmungswert zu
erfassen und/oder die Krümmung zu erkennen.
Bei verschiedenen Ausfü ungsformen ist der Lichtleiter von dem Träger gebildet . Beispielsweise kann der Träger für das von der flexiblen organischen Leuchtdiode erzeugt Licht transparent sein . Alternativ oder zusätzlich zu dem Träger kann ein Substrat , das den Träger aufweist , eine Deckschicht und/oder ein Verkapselungsmaterial , mittels dessen die organischen funktionellen Schichten der flexiblen organischen Leuchtdiode und des Sensorelements verkapselt sind, als
Lichtleiter ausgebildet sein und/oder transparent für das von der flexiblen organischen Leuchtdiode erzeugte Licht sein. Durch die hybride Integration des Lichtleiters funktioniert zumindest ein Teil der Schichtstruktur der optoelektronischen Baugruppe als Lichtwellenleiter, wobei durch die Verluste des LichtWellenleiters auf dessen Krümmung und damit auf die Krümmung der optoelektronischen Baugruppe geschlossen werden kann.
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Betreiben einer optoelektronische Baugruppe , beispielsweise der im Vorhergehenden erläuterten optoelektronischen Baugruppe, bereitgestellt. Dabei wird Licht mittels der
flexiblen organischen Leuchtdiode der optoelektronischen Baugruppe erzeugt und abgestrahlt . Der Krümmungswert , der repräsentativ für eine Krümmung der flexiblen organischen Leuchtdiode ist , wird mittels des Sensorelements , das direkt körperlich mit der flexiblen organischen Leuchtdiode
gekoppelt ist , ermittelt und in Abhängigkeit des ermittelten Krümmungswerts wird die vorgegebene Aktion durchgeführt . Bei verschiedenen Ausführungsformen weist die vorgegebene
Aktion ein Ausgeben eines Signals auf , das repräsentativ für die Krümmung der flexiblen organischen Leuchtdiode ist . Das Signal kann das Warnsignal sein, das beispielsweise mittels der flexiblen organischen Leuchtdiode oder mittels des
Anzeigeelements angezeigt wird . Somit kann abhängig von der mechanische Belastung, insbesondere der Krümmung , der
flexiblen organischen Leuchtdiode das Signal erzeugt werden, das vor Überbelastung warnt . Alternativ oder zusätzlich kann das Signal eine Nachregelung der flexiblen organischen
Leuchtdiode bewirken . Optional kann abhängig von dem Signal der Betrieb der flexiblen organischen Leuchtdiode und/oder des Anzeigeelements variiert werden, beispielsweise kann eine abgegebene Farbe variiert werden, die flexible organische Leuchtdiode kann Blinken, ausgeschalten werden, eingeschalten werden und/oder der abgegebene Lichtstrom kann variiert werden, um als Warnung zu fungieren . Das hybrid ausgebildete Anzeigeelement kann als Warn-Display und/oder Warnleuchtpunkt genutzt werden . Zusätzliche kann eine bezüglich der
optoelektronischen Baugruppe externe Warninformationsanzeige erfolgen. Ferner kann ein kleiner EnergieSpeicher,
beispielsweise zum Speichern elektrischer Energie, angeordnet werden und dazu genutzt werden, die Warnung zu erzeugen, falls die OLED nicht an eine externe Energieversorgung angeschlossen ist.
Bei verschiedenen Ausführungsformen ist das Signal
repräsentativ dafür, dass eine kritische Krümmung der flexiblen organischen Leuchtdiode nahezu erreicht, erreicht oder überschritten ist.
Bei verschiedenen Ausführungsformen weist die vorgegebene Aktion ein Ansteuern der flexiblen organischen Leuchtdiode auf. Das Ansteuern kann beispielsweise im Zuge der
Nachregelung erfolgen. Beispielsweise kann die organische Leuchtdiode so angesteuert werden, dass der abgegebene
Lichtstrom und/oder die abgegebene Lichtmenge zunimmt oder abnimmt . Auf diese Weise kann die erzeugte Lichtstärke beispielsweise konstant oder näherungsweise konstant gehalten werden. Dass die Lichtstärke näherungsweise konstant gehalten wird, kann in verschiedenen Ausführungsformen beispielsweise bedeuten, dass sich die Lichtstärke so wenig verändert , dass ein Nutzer der optoelektronischen Baugruppe die Lichtstärke oder die mittels der optoelektronischen Baugruppe erzeugte Helligkeit als unverändert empfindet .
Bei verschiedenen Ausführungsformen wird die organische
Leuchtdiode so angesteuert , dass die Lichtstärke an dem vorgegebenen Ort in dem beleuchteten Raumwinkelbereich näherungsweise konstant oder konstant bleibt . Insbesondere kann der Lichtstrom der flexiblen organischen Leuchtdiode an veränderte externe Bedingungen aufgrund der veränderten
Krümmung angepasst werden. Ferner kann eine konstante
Beleuchtung am Ort der flexiblen organischen Leuchtdiode und/oder des Sensorelements erzeugt werden . Somit ist eine Nachregelung der Beleuchtung durch eine automatisierte elektronische Schaltung in Abhängigkeit der Lichtstärke und der Krümmung der flexiblen organischen Leuchtdiode möglich.
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe , beispielsweise der im Vorhergehenden erläuterten optoelektronischen
Baugruppe , bereitgestellt . Dabei wird die flexible organische Leuchtdiode zum Erzeugen und Abstrahlen von Licht
ausgebildet . Das Sensorelemen , d s den Krümmungswert erfasse , der repräsentativ für eine Krümmung der flexiblen organischen Leuchtdiode ist, wird ausgebildet und direkt körperlich mit der organischen Leuchtdiode gekoppelt.
Dass das Sensorelement direkt körperlich mit der flexiblen organischen Leuchtdiode gekoppelt wird, kann beispielsweise bedeuten, dass das Sensorelement außen an der flexiblen organischen Leuchtdiode angeordnet wird. Beispielsweise weist das Sensorelement den einen oder die mehreren
Dehnungsmessstreifen auf, der bzw. die außen auf der
Oberfläche der flexiblen organischen Leuchtdiode angeordnet ist bzw . sind . Alternativ dazu kann das Sensorelement direkt körperlich mit der flexiblen organischen Leuchtdiode
gekoppelt werden, indem es als internes Sensorelement
zusammen mit der flexiblen organischen Leuchtdiode in einem monolithischen optoelektronischen Bauelement ausgebildet wird .
Bei verschiedenen Ausführungsformen werden die flexible organische Leuchtdiode und das Sensorelement auf dem
gemeinsame Träger ausgebildet . Die flexible organische
Leuchtdiode und das Sensorelement können beispielsweise die gleiche oder zumindest eine ähnliche Schichtstruktur
aufweisen . Von der flexiblen organischen Leuchtdiode und dem Sensorelement mit dem gemeinsamen Träger ist das
monolithische optoelektronische Bauelement gebildet .
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Betreiben einer optoelektronische Baugruppe , beispielsweise der im Vorhergehenden erläuterten optoelektronischen
Baugruppe, bereitgestellt . Dabei wird Licht mittels der flexiblen organischen Leuchtdiode der optoelektronischen Baugruppe erzeugt und abgestrahlt . Die flexible organische Leuchtdiode wird mittels eines Aktuators gekrümmt. Der
Krümmungswert , der repräsentativ für die Krümmung der
flexiblen organischen Leuchtdiode ist , wird abhängig von einer Ansteuerung des Aktuators und/oder einer Stellung eines Stelleiemen s des Aktuators ermittelt . In Abhängigkeit des ermittelten Krümmungs erts wird die vorgegebene Aktion durchgeführt . Dies ermöglicht , auf einen Sensor zum Erfassen des Krümmungswerts verzichten zu können, da der Krümmungswert direkt von der Ansteuerung und/oder Stellung des Aktuators abgeleitet werden kann. Somit kann ein „ a priori " -Wissen über den Einfluss der Formung , insbesondere der Krümmung , auf die Abstrahlcharakteristik der flexiblen organischen Leuchtdiode mit vorhandenen Forminformationen, beispielsweise
mechanischen Messgrößen, beis ielsweise von dem Aktuator zum Einstellen der Form kombiniert und zur Regelung genutzt werden.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert . Es zeigen eine flexible organische Leuchtdiode gemäß dem Stand der Technik in einem Ausgangszustand; die flexible organische Leuchtdiode gemäß Figur 1 in einem Krümmungszustand; die flexible organische Leuchtdiode gemäß Figur 1 in dem Ausgangszustand; die flexible organische Leuchtdiode gemäß Figur 1 in einem Krümmungszustand; ein Ausführungsbeispiel einer optoelektronischen Baugruppe in einem Ausgangszustand; die optoelektronische Baugruppe gemäß Figur 5 in einem Krümmungs ustand; Figur 7 ein Ausführungsbeispiel einer optoelektronischen
Baugruppe in einem Ausgangszustand; Figur 8 die optoelektronische Baugruppe gemäß Figur 7 in einem Krümmungszustand;
Figur 9 ein Ausführungsbeispiel einer optoelektronischen
Baugruppe in einem Krümmungszustand;
Figur 10 eine Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels einer optoelektronischen Baugruppe ; Figur 11 eine Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels einer optoelektronischen Baugruppe ;
Figur 12 eine Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels einer optoelektronischen Baugruppe ;
Figur 13 eine Schnittdarsteilung eines Ausführungsbeispiels einer optoelektronischen Baugruppe ;
Figur 14 eine Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels einer optoelektronischen Baugruppe ,-
Figur 15 eine Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels einer optoelektronischen Baugruppe ; Figur 16 eine Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels einer optoelektronischen Baugruppe ;
Figur 17 eine Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels einer optoelektronischen Baugruppe ;
Figur 18 eine Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels einer optoelektronischen Baugruppe ;
Figur 19 eine SchnittdarStellung eines Ausführungsbeispiels einer optoelektronischen Baugruppe ;
Figur 20 eine Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels einer optoelektronischen Baugruppe ; Figur 21 eine Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels einer optoelektronischen Baugruppe ; Figur 22 eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel einer optoelektronischen Baugruppe ;
Figur 23 eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel einer optoelektronischen Baugruppe ;
Figur 24 eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel einer optoelektronischen Baugruppe ;
Figur 25 eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel einer optoelektronischen Baugruppe ;
Figur 26 eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel einer optoelektronischen Baugruppe . In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser
Beschreibung bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann . In dieser Hinsicht wird
Richtungsterminologie wie etwa „oben" , „ unten" , „vorne" , „hinten" , „vorderes " , „hinteres" , usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet . Da
Komponenten von Ausführungsbeispielen i einer Anzahl
verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend . Es versteht sich, dass andere Ausführungsbeispiele benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert . Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe
"verbunden" , "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung . In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist .
Eine optoelektronische Baugruppe kann ein, zwei oder mehr optoelektronische Bauelemente aufweisen. Optional kann eine optoelektronische Baugruppe auch ein, zwei oder mehr
elektronische Bauelemente aufweisen. Ein elektronisches Bauelement kann beispielsweise ein aktives und/oder ein passives Bauelement aufweisen . Ein aktives elektronisches Bauelement kann beispielsweise eine Rechen- , Steuer- und/oder Regeleinheit und/ oder einen Transistor aufweisen. Ein
passives elektronisches Bauelement kann beispielsweise einen Kondensator, einen Widerstand, eine Diode oder eine Spule aufweisen. Ein optoelektronisches Bauelement kann in verschiedenen
Aus führungsbeispielen ein Licht emittierendes Bauelement oder ein Licht absorbierendes Bauelement sein . Ein Licht
absorbierendes Bauelement kann beispielsweise eine
Photodiode , ein Photoleiter, ein optisches Sensorelement und/oder eine Solarzelle sein. Ein Licht emittierendes
Bauelement kann beispielsweise ein Licht emittierendes
Halbleiter-Bauelement sein und/oder als eine Licht
emittierende Diode, als eine organ che Licht emittierende Diode , als ein Licht emittierender Transistor oder als ein organischer Licht emittierender Transistor ausgebildet sein . Die Strahlung kann beispielsweise Licht im sichtbaren
Bereich, UV-Licht und/oder Infrarot- Licht sein. In diesem Zusammenhang kann das Licht emittierende Bauelement beispielsweise als Licht emittierende Diode (light emitting diode, LED) als organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode, OLED) , als Licht emittierender
Transistor oder als organischer Licht emittierender
Transistor ausgebildet sein. Das Licht emittierende
Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine
Mehrzahl von Licht emittierenden Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen
Gehäuse oder ausgebildet auf demselben Träger oder in
derselben Schichtstruktur.
Fig.l zeigt eine herkömmliche flexible organische Leuchtdiode 1 gemäß dem Stand der Technik, die nachfolgend kurz als herkömmliche Leuchtdiode 1 bezeichnet wird, in einem
Ausgangszustand, in dem ein Betrag einer Krümmung der
herkömmlichen Leuchtdiode beispielsweise null ist. Die herkömmliche Leuchtdiode 1 strahlt erstes Licht 3 in einen Raumwinkelbereich ab, der in Figur 1 über der herkömmlichen Leuchtiode 1 liegt, der als oberer Halbraum bezeichnet werden kann und/oder der sich über einen Raumwinkel von 180°
erstreckt. Der beleuchtete Raumwinkelbereich hängt von einer Krümmung der herkömmlichen Leuchtdiode i ab. Die herkömmliche Leuchtdiode 1 kann in diesem Zusammenhang auch als Top- Emitter bezeichnet werden. Alternativ oder zusätzlich kann die herkömmliche Leuchtdiode 1 auch Licht in einen
Raumwinkelbereich abstrahlen, der in Figur 1 unterhalb der herkömmlichen Leuchtdiode 1 liegt und der als unterer
Halbraum bezeichnet werden kann . Die herkömmliche Leuchtdiode 1 kann in diesem Zusammenhang auch als Bottom- Emitter oder als Top- und Bottom-Emitter und/oder als transparente
herkömmliche Leuchtdiode 1 bezeichnet werden.
Fig. 2 zeigt die herkömmliche Leuchtdiode 1 gemäß Figur 1 in einem ersten Krümmungszustand, in dem die herkömmliche
Leuchtdiode 1 einen Krümmung mit einem Betrag ungleich null aufweist. Aufgrund der in Figur 2 gezeigten Krümmung
verändert sich der Raumwinkelbereich, in den das erste Licht 3 abgestrahlt wird. Insbesondere vergrößert sich der
Raumwinkelbereich, in den das erste Licht abgestrahlt wird, wobei das erste Licht 3 nicht nur in den oberen Halbraum sondern auch in seitliche Halbräume abgestrahlt wird. Falls die herkömmliche Leuchtdiode 1 weiter unverändert angesteuert wird, so bleiben der von ihr abgegebene Lichtstrom und über die Zeit die von ihr abgegebene Lichtmenge konstant . Aufgrund des vergrößerten Raumwinkelbereichs ändert sich jedoch die Lichtstärke und damit die Helligkeit an einem vorgegebenen Ort in dem beleuchteten RaumwinkeIbereic .
Bei einer entgegengesetzten Krümmung der herkömmlichen
Leuchtdiode 1 würde sich der Raumwinkeibereich verkleinern und bei konstantem Lichtstrom würde die Lichtstärke größer werden. Diese Überlegungen können entsprechend auf einen Bottom- Emitter und auf einen Top- und Bottom- Emitter
übertragen werden .
Fig. 3 zeigt die herkömmliche Leuchtdiode 1 gemäß Figur 1 in dem Ausgangszustand, wobei zumindest ein Teil des
abgestrahlten ersten Lichts 3 als zweites Licht 5 zurück zu der herkömmlichen Leuchtdiode 1 reflektiert und/oder gestreut wird. Fig. 4 zeigt die herkömmliche Leuchtdiode 1 gemäß Figur 3 in dem Krümmungs zustand gemäß Figur 2. Da in dem
Kr mmungszustand wie im Vorhergehenden erläutert die
Lichtstärke des abgegebenen ersten Lichts 3 an dem
vorgegebenen Ort in dem beleuchteten Raumwinkelbereich geringer als in dem Ausgangszustand ist , ist grundsätzlich auch die Lichtstärke des reflektierten und/oder gestreuten zweiten Lichts 5 geringer als in dem Ausgangszustand.
Fig. 5 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer optoelektronischen Baugruppe 10 in einem Ausgangszustand . Die optoelektronische Baugruppe 10 weist eine flexible organische Leuchtdiode 7, die im Folgenden kurz als Leuchtdiode 7 bezeichnet wird, und ein Sensorelement 9 auf . Das Sensorelement 9 ist direkt körperlich mit der Leuchtdiode 7 gekoppelt . Dass die
Leuchtdiode 7 flexibel ist, bedeutet beispielsweise, dass die Leuchtdiode 7 zerstörungsfrei biegbar ist mit einem
Biegeradius in einem Bereich beispielsweise von 1 cm bis 100 cm, beispielsweise von 2 cm bis 50 cm, beispielsweise von 3 cm bis 10 cm.
Die Leuchtdiode 7 erzeugt das erste Licht 1, das in Figur 5 aus Gründen der Übersichtlichkeit nicht dargestellt ist und das von der Leuchtdiode 7 nach außen abgestrahlt wird, und drittes Licht 6, das intern in der Leuchtdiode 7 geleitet wird, beispielsweise in einem Lichtleiter und/oder einer transparenten Schicht oder einem transparenten Element der Leuchtdiode 7. Das dritte Licht 6 kann beispielsweise
aufgrund interner Totalreflektion in der Leuchtdiode 7 geleitet werden . In Figur 5 ist das dritte Licht 6 so
dargestellt , dass es von einer äußeren Grenzfläche der
Leuchtdiode 7 zu einer anderen äußeren Grenzfläche der
Leuchtdiode 7 intern reflektiert wird . Tatsächlich kann das dritte Licht 6 j edoch auch an innen liegenden Grenzflächen, beispielsweise von internen Schichten oder internen Elementen der Leuchtdiode 7 , reflektiert werden, beispielsweise intern total reflektiert werden . Bei der internen Lichtleitung können Verluste auftreten, die beispielsweise in viertem Licht 8 resultieren, das in dem
Lichtleiter in der Leuchtdiode 7 intern geleitet werden
sollte, j edoch aus dem Lichtleiter austritt und entweder zusätzlich zu dem ersten Licht 3 aus der Leuchtdiode 8 austritt oder von einer anderen internen Schicht oder einem anderen internen Element der Leuchtdiode 7 absorbiert wird . Die Verluste und damit die Lichtmenge des vierten Lichts 8 hängen beispielsweise vom Brechungsindex, des Lichtleiters und des ihn umgebenden Materials, von der Polarisation,
Wellenlänge und Dispersion des dritten Lichts 6 und von dem Krümmungszustand der Leuchtdiode 7 ab . Das Sensorelement 9 eignet sich zum Erfassen eines
Krümmungswerts , der repräsentativ für die Krümmung der
Leuchtdiode 7 ist. Das Sensorelement 9 ist beispielsweise ein optisches Sensorelement 9, das beispielsweise als Photodiode, Photoleiter oder Photodetektor ausgebildet sein kann. Das Sensorelement 9 eignet sich zum Erfassen einer Lichtstärke, die von dem dritten Licht 6 gebildet ist . Ein Wert der
Lichtstärke des dritten Lichts 6 kann somit der Krümmungswert sein, der repräsentativ für die Krümmung der Leuchtdiode 7 is . Das vierte Licht 8 wird nicht von dem Sensorelement 9 erfasst . Das Sensorelement 9 kann auch zwei oder mehr
optische Sensorelemente, Photodioden, Photoleiter oder
Photodetektoren aufweisen . Die erfasste Lichtstärke kann beispielsweise mittels einer in Figur 5 nicht dargestellten Logikeinheit der optoelektronischen Baugruppe ermittelt werden . Die Logikeinheit kann bezüglich der Leuchtdiode 7 und/oder dem Sensorelement 9 extern oder intern ausgebildet sein. In anderen Worten können die Leuchtdiode 7 und/oder das Sensorelement 9 und die Logikeinheit auf zwei
optoelektronische Bauelemente verteilt sein oder in einem optoelektronischen Bauelement integriert sein . Alternativ zu der Lichtstärke kann mittels des Sensorelements 9
beispielsweise eine Leuchtdichte oder eine Helligkeit erfasst werden . Der Krümmungswert ist dann dazu korrespondierend beispielsweise ein Leuchtdichtewert bzw. ein Helligkeitswert .
Fig . 6 zeigt die optoelektronische Baugruppe 10 gemäß Figur 5 in einem Krümmungszustand . In dem Krümmungszustand nimmt die Lichtmenge des dritten Lichts 6 ab und die des vierten Lichts 8 zu, da die Verluste beim Krümmen des Lichtleiters der
Leuchtdiode 7 zunehmen . Die Verluste hängen somit von der Krümmung des Lichtleiters in der Leuchtdiode 7 und damit von der Krümmung der Leuchtdiode 7 ab . Das Sensorelement 9 erfasst somit bei konstanter Ansteuerung der Leuchtdiode 7 in dem Krümmungszustand eine geringere Lichtstärke als in dem Ausgangszustand. Die Lichtstärke ist repräsentativ für die Krümmung der Leuchtdiode 7 und der optoelektronischen
Baugruppe 10. Fig. 7 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer optoelektronischen Baugruppe 10, die beispielsweise weitgehend einer
Ausgestaltung der im Vorhergehenden erläuterten
optoelektronischen Baugruppe 10 entsprechen kann . Das
Sensorelement 9 ist auf einer Mitte der Leuchtdiode 7
angeordnet .
Fig. 8 zeigt die optoelektronische Baugruppe 10 gemäß Figur 7 in einem Krümmungszus and . Das Sensorelement 9 ist so
angeordnet, dass es trotz der Krümmung nicht oder zumindest näherungsweise nicht bewegt wird. Dies kann dazu beitragen, dass ein Messsignal des Sensorelements 9 nicht aufgrund einer Bewegung des Sensorelements 9 verfälscht wird. Bei diesem Ausführungsbeispiel und bei der gezeigten Krümmung ist die Mitte der Leuchtdiode 7 die in diesem Zusammenhang geeignete Position für das Sensorelement 9. Bei einem anderen
Ausführungsbeispiel oder einer anderen zu erwartenden
Krümmung kann j edoch eine andere Position besser geeignet sein, damit sich das Sensorelement 9 trotz der Krümmung nicht oder zumindest näherungsweise nicht bewegt .
Fig. 9 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer optoelektronischen Baugruppe 10, die beispielsweise weitgehend einer
Ausgestaltung der im Vorhergehenden erläuterten
optoelektronischen Baugruppe 10 entsprechen kann, in einem Krümmungszustand . Das Sensorelement 9 ist derart körperlich mit der Leuchtdiode 7 gekoppelt , dass das Sensorelement 9 die Krümmung erfassen kann. Insbesondere kann das Sensorelement 9 einen Krümmungswert erfassen, der repräsentativ für die
Krümmung ist . Das Sensorelement 9 kann beispielsweise ein Dehnungsmessstreifen sein . Der Dehnungsmesstreifen kann abweichend von Figur 9 vollständig an der Leuchtdiode 7
befestigt sein, beispielsweise auf diese flächig aufgeklebt sein . Das Sensorelement 9 kann auch zwei oder mehr
Dehnungsmessstreifen aufweisen . Der Krümmungswert kann beispielsweise ein elektrischer Widerstand des
DehnungsmessStreifens sein . Der elektrische Widerstand kann beispielsweise mittels einer nicht dargestellten Logikeinheit ermittelt werden.
Fig. 10 zeigt eine Schnittdarstellung eines
Ausführungsbeispiels einer optoelektronischen Baugruppe 10 , die beispielsweise weitgehend einer Ausgestaltung der im Vorhergehenden erläuterten optoelektronischen Baugruppe 10 entsprechen kann. Die optoelektronische Baugruppe 10 weist die Leuchtdiode 7 und das Sensorelement 9 auf . Die
Leuchtdiode 7 und das Sensorelement 9 sind monolithisch in einem optoelektronischen Bauelement und der einen
optoelektronischen Baugruppe 10 integriert und/oder von derselben Schichtenstruktur gebildet. Die Leuchtdiode 7 und das Sensorelement 9 können parallel zueinander in demselben Herstellungsverfahren ausgebildet werden.
Das Sensorelement 9 kann als lichtabsorbierendes Bauelement, beispielsweise in Form eines Photodetektors , einer Fotodiode, einer Solarzelle, eines Fotoleiters oder einer unbes romten Leuchtdiode ausgebildet sei . Falls das Sensorelement 9 als unbestromte Leuchtdiode ausgebildet ist und als Leuchtdiode im inversen Betrieb betrieben wird, kann das Sensorelement 9 einen im Wesentlichen gleichen Schichtenquerschnitt aufweisen wie die Leuchtdiode 7. Die Leuchtdiode 7 und das
Sensorelement 9 weisen j eweils einen optisch aktiven Bereich auf . Die Leuchtdiode 7 kann als Top- und/oder Bottom-Emitter ausgebildet sein. Ein Top- und Bottom-Emitter kann auch als optisch transparentes oder transluzentes Bauelement ,
beispielsweise als eine transparente oder transluzente
Leuchtdiode , bezeichnet werden .
Die Leuchtdiode 7 und das Sensorelement 9 sind auf oder über einem gemeinsamen Träger 12 ausgebildet . Der Träger 12 ist mechanisch flexibel und als Lichtwellenleiter des dritten Lichts 6 ausgebilde , wobei das dritte Licht 6, also das intern in der optoelektronischen Baugruppe 10 geleitete
Licht , in dem Träger 12 auch als fünften Licht 6A bezeichnet werden kann . Dass der Träger 12 mechanisch flexibel ausgebildet ist, bedeutet beispielsweise, dass der Träger 12 zerstörungsfrei biegbar ist mit einem Biegeradius in einem Bereich beispielsweise von 1 cm bis 100 cm, beispielsweise von 2 cm bis 50 cm, beispielsweise von 3 cm bis 10 cm.
Der Träger 12 kann beispielsweise transparent oder
transluzent hinsichtlich des fünf en Lichts 6A ausgebildet sein. Der Träger 12 kann beispielsweise als ein Trägerelement für elektronische Elemente oder Schichten, beispielsweise lichtemittierende Elemente , dienen. Beispielsweise kann der Träger 12 Glas, Quarz, und/oder ein Halbleitermaterial aufweisen oder daraus gebildet sein . Ferner kann der Träger 12 eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sei . Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine
(beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder Polypropylen (PP) ) aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Kunststoff Polyvinylchlorid ( PVC) , Polystyrol (PS) , Polyester und/oder Polycarbonat (PC) ,
Polyethylenterephthalat (PET) , Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen oder daraus gebildet sein . Der Träger 12 kann ein Metall aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Kupfer, Silber, Gold, Platin, Eisen, beispielsweise eine Metallverbindung, beispielsweise Stahl . Der Träger 12 kann als eine Metallfolie oder eine metallbeschichtete Folie ausgebildet sein. Der Träger 12 kann transluzent oder transparent ausgebildet sein. Das Metall kann beispielsweise als eine dünne transparente oder
transluzente Schicht ausgebildet sein und/oder ein Teil einer Spiegelstruktur sein. Der mechanisch lexible Träger 12 kann beispielsweise als eine Folie ausgebildet sein,
beispielsweise als eine Kunststofffolie , Metallfolie oder ein dünnes Glas . Optional kann auf dem Träger 12 eine nicht dargestellte
Barriereschicht ausgebildet sein, die eines oder mehrere der folgenden Stoffe aufweisen kann oder daraus bestehen kann: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid,
Siliziumnitrid, Siliziumoxini rid, Indiumzinnoxid,
Indiumzinkoxid , Aluminium-dotiertes Zinkoxid, Poly (p-phenylen terephthalamid) , Nylon 66, SiNCBOx sowie Mischungen und
Legierungen und/oder in beliebiger Zusammensetzung derselben. Die Barriereschicht kann mittels eines
Atomlagenabscheideverfahrens (atomic layer deposition - ALD) , eines CVD-Verf hrens , eines Sputterverfahrens und/oder eines Moleküllagenabscheideverfahrens (molecular layer deposition - MLD) ausgebildet werden. Die Barriereschicht kann zwei oder mehr gleiche und/oder unterschiedliche Schichten, oder Lagen aufweisen, beispielsweise nebeneinander und/oder
übereinander, beispielsweise als eine Barriereschichtstruktur oder ein Barrierestapel , beis ielsweise strukturiert . Ferner kann die Barriereschicht eine Schichtdicke auf eisen in einem Bereich von 0 , 1 nm (eine Atomlage) bis 5000 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke i einem Bereich von 10 nm bis 200 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 40 nm .
Die Leuchtdiode 7 weist weiter eine erste Elektrode 14 auf , die auf oder über dem Träger 12 und/oder i Form einer ersten Elektrodenschicht ausgebildet ist . Neben der ersten Elektrode 14 ist auf einer Seite auf oder über dem Träger 12 ein elektrischer erster Anschluss 16 ausgebildet . Der erste
Anschluss 16 kann auch als erstes Kontaktpad bezeichnet werden . Neben der ersten Elektrode 14 ist auf der anderen Seite auf oder über dem Träger 12 ein elektrischer zweiter Anschluss 18 ausgebildet . Der zweite Anschluss 18 kann auch als zweites Kontaktpad bezeichnet werden . Die erste Elektrode 14 ist mit dem zweiten Anschluss 18 körperlich und elektrisch verbunden. Auf oder über der ersten Elektrode 14 ist eine organische funktionelle Schichtens ruktur 24 ausgebildet . Der Bereich der Leuchtdiode 7 mit der organischen funktionellen Schichtenstruktur 24 auf oder über dem Träger 12 kann als optisch aktiver Bereich der Leuchtdiode 7 bezeichnet werden . De zweite Anschluss 18 ist im geometrischen Randbereich des optisch aktiven Bereichs der Leuchtdiode 7 auf oder über dem Träger 12 ausgebildet, beispielsweise seitlich neben der ersten Elektrode 14.
Über oder auf der organischen funktionellen Schichtenstruktur 24 ist eine zweite Elektrode 26 ausgebildet. Die zweite
Elektrode 26 ist mittels einer ersten elektrischen Isolierung 20 von der ersten Elektrode 14 elektrisch isoliert. Die
zweite Elektrode 26 is mit dem ersten Anschluss 16
körperlich und elektrisch verbunden. Der zweite Anschluss 18 ist mittels einer weiteren ersten elektrischen Isolierung 22 elektrisch von der zweiten Elektrode 26 isoliert . Auf oder über dem Träger 12 kann ein Teil des elektrisch aktiven
Bereiches der Leuchtdiode 7 angeordnet sein . Der elektrisch aktive Bereich kann als der Bereich der Leuchtdiode 7
verstanden werden, in dem ein elektrischer Strom zum Betrieb der Leuchtdiode 7 fließt . Der elektrisch aktive Bereich kann beispielsweise die erste Elektrode 14, die zweite Elektrode 26, die Anschlüsse 16, 18 und/oder die organische
funktionelle Schichtenstruktur 24 aufweisen.
Die erste Elektrode 14 kann gegebenenfalls auf oder über der BarriereSchicht oder, wenn die Barriereschicht nicht
vorhanden ist, auf oder über dem Träger 12 , beispielsweise in Form einer ersten Elektrodenschicht , aufgebracht sein . Die erste Elektrode 14 kann aus einem elektrisch leitfähigen
Material gebildet sein, wie beispielsweise aus einem Metall oder einem leitfähigen transparenten Oxid (transparent conductive oxide, TCO) oder einem Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben Metalls oder unterschiedlicher Metalle und/oder desselben TCO oder unterschiedlicher TCOs .
Transparente leitfähige Oxide sind transparente , leitfähige Stoffe , beispielsweise Metalloxide , wie beispielsweise
Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium- Zinn-Oxid (ITO) . Neben binären
MetalisauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise ZnO, Sn02, oder In203 gehören auch ternäre MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise AlZnO, Zn2Sn04 , CdSn03 , ZnSn03 , Mgln20 , Galn03 , Zn2In205 oder In4Sn3012 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der
Gruppe der TCOs und können in verschiedenen
Ausführungsbeispielen eingesetzt werden. Die erste Elektrode 14 kann ein Metall aufweisen;
beispielsweise Ag, Pt , Au, Mg, AI, Ba, In, Cr, Mo, Ca, Sm oder Li , sowie Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser Metalle , beispielsweise eine dünne Metallschicht . Die erste Elektrode 14 kann gebildet sein von einem
Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs , oder umgekehrt . Ein Beispiel ist eine Silberschicht , die auf einer Indium- Zinn-Oxid- Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO Multischichten. Die erste Elektrode 14 kann eines oder mehrere der folgenden Materialien alternativ oder zusätzlich zu den oben genannten Materialien aufweisen : Netzwerke aus metallischen Nanodrähten und - teilchen, beispielsweise aus Ag; Ne zwerke aus Kohlenstoff -Nanoröhren; Graphen-Teilchen und -Schichten; Netzwerke aus halbleitenden Nanodrähten.
Ferner kann die erste Elektrode 14 elektrisch leit ähige
Polymere oder Übergangsmetal loxide oder elektrisch leitfähige transparente Oxide aufweisen.
Die erste Elektrode 14 und der Träger 12 können transluzent oder transparent ausgebildet sein . Die erste Elektrode 14 kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich
beispielsweise von 1 nm bis 500 nm, beispielsweise von 25 nm bis 250 nm, beispielsweise von 50 nm bis 100 nm. Die erste Elektrode 14 kann als Anode , also als
löcherinjizierende Elektrode ausgebildet sein oder als
Kathode , also als eine elektroneninj izierende Elektrode . An den ersten Anschluss 16 ist ein erstes elektrisches
Potential , das von einer nicht dargestellten Energiequelle , beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsquelle , bereitgestellt werden kann, anlegba . Alternativ kann das erste elektrische Potential an den Träger 12 und darüber mittelbar an die erste Elektrode 14 angelegt werde . Das erste elektrische Potential kann beispielsweise das
Massepotential oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotential sein. Die organische funktionelle Schichtenstruktur 24 kann eine oder mehrere Emi terschichten aufweisen (nicht dargestellt) , beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder
phosphoreszierenden Emittern, sowie eine oder mehrere
Lochleitungsschichten (auch bezeichnet als
Lochtransportschiebt (en) ) (nicht dargestellt}. In
verschiedenen Ausführungsbeispielen können alternativ oder zusätzlich eine oder mehrere Elektronenleitungsschichten (auch bezeichnet als Elektronentransportschicht (en) ) (nicht dargestellt) vorgesehen sein.
Beispiele für Emittermaterialien, die für die
EmitterSchicht (en) eingesetzt werden können, schließen organische oder organometallische Verbindunge , wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (z.B. 2- oder 2 , 5-substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie
Metallkomplexe, beispielsweise Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis (3 , 5-difluoro-2- (2- pyridyl ) henyl- (2-carboxypyridyl) -iridium III) , grün
phosphoreszierendes Ir (ppy) 3 (Tris ( 2 -phenylpyridin) iridium III) , rot phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy) 3*2 (PF6)
(Tris [4,4' -di-tert-butyl- (2,2' ) - bipyridin] ruthenium (III) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4 , -Bis [4 - (di-p-tolylamxno) styryl] biphenyl) , grün fluoreszierendes TTPA (9, 10-Bis [N,N-di- (p-tolyl) - amino] anthracen) und rot fluoreszierendes DCM2 (4-
Dieyanomethy en) -2-methyl-6-julolidyl- 9-enyl-4H-pyran) als nichtpoly ere Emitter ein. Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels eines thermischen Verdampfens , eines Atomlagenabscheideverfahren und/oder eines
MoleküllagenabscheideVerfahrens abscheidbar. Ferner können
Polymeremitter eingesetzt werden, welche insbesondere mittels eines nasschemischen Verfahrens , wie beispielsweise einem Aufschleuderver ahren (auch bezeichnet als Spin Coating) , abscheidbar sind. Die Emittermaterialien können in geeigneter
Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein.
Die Emittermaterialien der Emitterschicht (en) können
beispielsweise so ausgewählt sein, dass die Leuchtdiode 7
Weißlicht emittiert . Die Emitterschicht (en) kann/können
mehrere verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien
aufweisen, alternativ kann/können die Emitterschicht (en) auch aus mehreren Teilschichten aufgebaut sein, wie einer blau fluoreszierenden EmitterSchicht oder blau phosphoreszierenden Emitterschicht , einer grün phosphoreszierenden Emitterschient und einer rot phosphoreszierenden Emitterschicht . Durch die Mischung der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren . Alternativ kann auch vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese
Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die PrimärStrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine SekundärStrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen)
Primärstrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt .
Die organische funktionelle Schichtenstruktur 24 kann
allgemein eine oder mehrere elektrolumineszente Schichten aufweisen . Die elektrolumineszente Schichte kann organische Polymere , organische Oligomere , organische Monomere ,
organische kleine , nicht-pelymere Moleküle („small
molecules " ) oder eine Kombination dieser Materialien
auf eisen . Beispielsweise kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 24 eine elektrolumineszente Schicht auf eisen, die als LochtransportSchicht ausgeführt ist , so dass eine effektive Löcherinj ektion in einen
elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird . Alternativ kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 24 eine f nktionelle Schicht aufweisen, die als
Elektronentransportschicht ausgeführt ist, so dass eine effektive Elektroneninjektion in einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird. Als Material für die LochtransportSchicht können beispielsweise tertiäre Amine, Carbazoderivate , leitendes Polyanilin oder
Polythylendioxythiophen verwende werden .
Die Lochtransportschicht kann auf oder über der ersten
Elektrode 14 ausgebildet, beispielsweise abgeschieden, sein und die Emitterschicht kann auf oder über der
Lochtransportschicht ausgebildet, beispielsweise
abgeschieden, sein . Die ElektronentransportSchicht kann auf oder über der Emitterschicht ausgebildet, beispielsweise abgeschieden, sein.
Die organische funktionelle Schichtenstruktur 24 kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich beispielsweise von 300 nm bis 3 um, beispielsweise von 500 nm bis 2 μπι,
beispielsweise von 800 nm bis 1 μν .
Die Leuchtdiode 7 kann optional weitere funktioneile
Schichtenstrukturen aufweisen, beispielsweise angeordnet auf oder über der Emitterschicht oder auf oder über der
Elektronentransportschicht , die dazu dienen, die
Funktionalität und damit die Effizienz der Leuchtdiode 7 weiter zu verbessern. Die weiteren funktionellen
Schichtenstrukturen können beispielsweise mittels einer
Ladungsträgerpaarerzeugungs- Schichtenstruktur (charge
generating layer CGL) voneinander getrennt sein.
Auf oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 24 oder gegebenenfalls auf oder über der weiteren
funktionellen Schichtenstruktur kann die zweite Elektrode 26, beispielsweise in Form einer zweiten Elektrodenschicht 26 aufgebracht sein. Die zweite Elektrode 26 kann die gleichen Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein wie
verschiedene Ausgestal ungen der ersten Elektrode 14. Die zweite Elektrode 26 kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich beispielsweise von 10 nm bis 200 nm, beispielsweise von 25 nm bis 100 nm, beispielsweise von 30 nm bis 50 nm. Die zweite Elektrode 26 kann allgemein in ähnlicher Weise
ausgebildet sein wie eine Ausgestaltung der ersten Elektrode 14 , In verschiedenen Ausführungsbeispielen sind die erste Elektrode 14 und die zweite Elektrode 26 beide transluzent oder transparent ausgebildet . Die zweite Elektrode 26 kann als Anode oder als Kathode ausgebildet sein.
Die zweite Elektrode 26 ist mit dem zweiten elektrischen Anschluss 18 gekoppelt , an den ein zweites elektrisches
Potential, weiches von dem ersten elektrischen Potential verschieden ist und welches von der Energiequelle
bereitstellbar ist, anlegbar ist. Das zweite elektrische Potential kann beispielsweise einen Wert derart aufweisen, dass die Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich beispielsweise von 1,5 V bis 20 V aufweist , beispielsweise von 2 , 5 V bis 15 V, beispielsweise von 3 V bis 12 V.
Die Anschlüsse 16, 18 können ein Material oder ein
Materialgemisch ähnlich einer Ausgestaltung der ersten
Elektrode 14 und/oder der zweiten Elektrode 26 aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise eine
Metallschichtenstruktur mit wenigstens einer Chrom- Schicht und wenigstens einer Aluminium-Schicht , beispielsweise Chrom- Aluminium-Chrom (Cr-Al-Cr) , Chrom-Aluminium-Molybdän {Cr-Al- Mo) , Chrom-Aluminium-Nickel (Cr-Al-Ni) , Chrom-Aluminium-Niob (Cr-Al-Nb) oder Molybdän-Aluminium-Molybdän (Mo-Al-Mo) , Silbe -Magnesium (Ag-Mg) , Aluminiu . Die Kontaktpads 16 , 18 können beispielsweise eine Kontaktfläche, einen Pin, eine flexible Leiterplatine , eine Klemme , eine Klammer oder ein anderes elektrisches Verbindungsmittel aufweisen. Die
Anschlüsse 16, 18 können optisch transparent , transluzent oder opak ausgebildet sein. Die elektrischen Isolierungen 20, 22 können derart
eingerichtet sein, dass ein direkter Stromfluss zwischen zwei elektrisch leitfähigen Bereichen, beispielsweise zwischen der ersten Elektrode 14 und der zweiten Elektrode 26 verhindert wird. Das Material der elektrischen Isolierung kann
beispielsweise ein Überzug oder ein Beschichtungsmittel , beispielsweise ein Polymer und/oder ein Lack, sein. Der Lack kann beispielsweise einen in flüssiger oder in pulverförmiger Form aufbringbaren BeschichtungsStoff aufweisen,
beispielsweise ein Polyimid, oder daraus gebildet sein. Die elektrischen Isolierungen 20 , 22 können beispielsweise lithografisch oder mittels eines Druckverfahrens aufgebracht oder ausgebildet werden, beispielsweise strukturiert . Das Druckverfahren kann beispielsweise einen Tintenstrahl -Druck
{ Ink et-Printing) , einen Siebdruck und/oder einen Tampondruck {Pad-Printing) auf eisen .
Auf oder über der zweiten Elektrode 26 kann eine
Verkapselungsschicht 28 derart angeordnet sein, dass die zweite Elektrode 26, die elektrischen Isolierungen 20 , 22 und die organische funktionelle Schichtenstruktur 24 von der Verkapselungsschicht 28 umgeben sind, d.h. von der
Verkapselungsschicht 28 in Verbindung mit dem Träger 12 eingeschlossen sind. Unter der Verkapselungsschicht 28 , die beispielsweise von einem Barriere -Dünnfilm gebildet sein kann, kann im Rahmen dieser Beschreibung beispielsweise eine Schicht oder eine Schichtenstruktur verstanden werden, die dazu geeignet ist, eine Barriere gegenüber chemischen
Verunreinigungen und/oder atmosphärischen Stoffen,
insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff , zu bilden. Mit anderen Worten ist die Verkapselungsschicht 28 derart ausgebildet, dass sie von OLED- schädigenden Stoffen wie Wasser, Sauerstoff oder Lösemittel nicht oder höchstens zu sehr geringen Anteilen durchdrungen werden kann.
Die Verkapselungsschicht 28 kann als eine einzelne Schicht, beispielsweise als Einzelschicht , ausgebildet sein .
Alternativ dazu kann die Verkapselungsschicht 28 eine
Mehrzahl von aufeinander ausgebildeten Teilschichten
aufweisen. Mit anderen Worten kann die Verkapselungsschicht 28 als Schichtstapel (Stack) ausgebildet sein . Die
Verkapselungsschicht 28 oder eine oder mehrere Teilschichten der Verkapselungsschient 28 können beispielsweise mittels eines geeigneten Abscheideverfahrens gebildet werden, z.B. mittels eines Moleküllagenabscheideverfahrens (MLD) , eines Atomlagenabscheideverfahrens (ALD) , z.B. eines
plasmaunterstützten Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) ) oder eines
plasmalosen AtomlageabscheideVerfahrens ( Plasma-less Atomic Layer Deposition (PLALD} } , oder mittels eines chemischen Gasphasenabscheideverfahrens (Chemical Vapor Deposition (CVD) ) , z.B. eines plasmaunterstützten
Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) ) oder eines plasmalosen
Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma-less Chemical Vapor Deposition ( PLCVD) ) . Durch Verwendung eines
Atomlagenabscheideverfahrens (ALD) und/oder eines
Moleküllagenabscheideverfahrens (MLD) können sehr dünne Schichten abgeschieden werden . Insbesondere können Schichten abgeschieden werden, deren Schichtdicken im Atomlagenbereich liege . Bei einer Verkapselungsschicht 28, die mehrere
Teilschichten aufweist , können alle Teilschichten mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens und/oder eines
Moleküllagenabscheideverfahrens (MLD) gebildet werden. Eine Schichtenfolge , die nur ALD-Schichten und/oder MLD-Schichten aufweist , kann auch als „Nanolaminat " bezeichnet werden .
Die Verkapselungsschicht 28 kann gemäß einer Ausgestaltung eine Schichtdicke aufweisen von 0,1 nm (eine Atomlage) bis 1000 nm, beispielsweise von 10 nm bis 100 nm, beispielsweise ungefähr 40 nm.
Ferner kann in verschiedenen Ausf hrungsbeispielen auf eine Verkapselungsschicht 28 verzichtet werden und es kann beispielsweise lediglich eine Abdeckung, beispielsweise eine Kavitätsglasverkapselung oder eine metallische Verkapselung, ausgebildet sein.
Die Verkapselungsschicht 28 kann als transluzente oder transparente Schicht ausgebildet sein. Die Verkapselungsschicht 28 kann eines der nachfolgenden
Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein:
Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid,
Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid , Siliziumoxid,
Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid ,
Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, SiNCOB sowie Mischungen und Legierungen derselben. Die
Verkapselungsschicht 28 kann ein hochbrechendes Material aufweisen, anders ausgedrückt ein Material mit einem hohen Brechungsindex, beispielsweise mit einem Brechungsindex von 2 oder meh .
Auf oder über der Verkapselungsschicht 28 und/oder auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich kann eine Haftschicht 30 derart angeordnet sein, dass die Haftschicht 30 die
Verkapselungsschicht 28 bzw. den elektrisch aktiven Bereich flächig und hermetisch bezüglich schädlicher Umwelteinflüsse abdichtet und/oder die Dif fusionsrate von Wasser und/oder Sauerstoff zu der Verkapselungsschicht 28 hin reduziert . Die Haftschicht 30 kann transluzent und/oder transparent
ausgebildet sein. Die Haftschicht 30 kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich beispielsweise von 0 , 1 μτη bis 10 pm, beispielsweise von 1 μπ\ bis 5 m. Die Haftschicht 30 kann einen Laminations -Klebstoff auf eisen oder ein solcher sein.
In die Haftschicht 30 können lichtstreuende Partikel
eingebettet sein, die zu einer weiteren Verbesserung des Farbwinkel erzugs und der Auskoppeleffizienz führen können . Die lichtstreuenden Partikel können beispielsweise
dielektrische Streupartikel sein und beispielsweise
Metalloxide wie z.B. Siliziumoxid (Si02) , Zinkoxid (ZnO) , Zirkoniumoxid (Zr02) , Indium- Zinn- Oxid ( ITO) oder Indium- Zink-Oxid ( IZO) , Galliumoxid (Ga20x) Aluminiumoxid, oder Titanoxid aufweisen. Alternativ oder zusätzlich haben die Partikel einen Brechungs index , der von dem effektiven
Brechungsindex der Matrix der transluzente Schichtenstruktur verschieden ist , wie beispielsweise Acrylatpartikel oder Glashohlkugeln . Ferner können beispielsweise metallische Nanopartikel , Metalle wie Gold, Silber oder Eisen-
Nanopartikel als lichtstreuende Partikel oder Luftblasen zur Lichtstreuung vorgesehen sein . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Haftschicht 30 einen Brechungsindex aufweisen, der kleiner ist als der Brechungsindex der Abdeckung 36. Die Haftschicht 30 kann beispielsweise einen niedrigbrechenden Klebstoff aufweisen, beispielsweise ein Acrylat , der einen Brechungsindex von ungefähr 1,3 auf eist . Alternativ dazu kann die Haftschicht 30 beispielsweise einen hochbrechenden Klebstoff aufweisen, der beispielsweise hochbrechende , nichtstreuende Partikel aufweist und einen mittleren Brechungsindex aufweist, der ungefähr dem mittleren Brechungsindex der organisch
funktionellen Schichtenstruktur entspricht , beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1 , 7 bis ungefähr 2,0 oder größer. Weiterhin können mehrere unterschiedliche Klebstoffe in der Haftschicht 30 vorgesehen sein, die eine Kleberschichtenfolge bilden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann zwischen der zweiten Elektrode 26 und der Haftschicht 30 noch eine
elektrisch isolierende Schicht (nicht dargestellt)
aufgebracht sein, beispielsweise SiN, SiOx, SiNOx,
beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 300 nm bis ungefähr 1 , 5 μιη, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 500 nm bis
ungef hr 1 μτη, beispielsweise um elektrisch instabile Stoffe zu schützen, beispielsweise während eines nasschemischen Prozesses . Ferner kann die elektrisch isolierende Schicht auch als Verkapselungsschicht dienen, wodurch eine Robustheit der optoelektronischen Baugruppe 10 erhöht werden kann, insbesondere ein Schutz gegen ein Eindringen von Partikeln erhöht werden kann .
Auf oder über der Haftschicht 30 ist eine Abdeckung 36 angeordnet . Die Abdeckung 36 kann beispielsweise auf die Verkapselungsschicht 28 mittels der Haftschicht 30 aufgeklebt sein, beispielsweise auflaminiert sein. Die Abdeckung 36 kann beispielsweise Glas , Metall und/oder Kunststoff aufweisen. Die Abdeckung 36 kann beispielsweise strukturiert sein, beispielsweise als ein Kavitätsgias . Die Verkapselungsschiebt 28 und/oder die Abdeckung 36 können derart ausgebildet sein, dass die eingeschlossenen Schichten hermetisch bezüglich schädlicher Umwelteinflüsse abgedichtet sind, beispielsweise hinsichtlich Wasser und/oder Sauerstoff . In Figur 10 unter dem Träger 12 kann optional eine
AuskoppelSchicht 58 angeordnet sein, beispielsweise auf der Seite , die der organischen funktionellen Schichtenstruktur 24 abgewandt is . Die Auskoppelschicht 58 kann beispielsweise als eine externe AuskoppeIschicht 58 , beispielsweise als Auskoppelfolie , an dem Träger 12 ausgebildet sein. Die
AuskoppeIschicht 58 kann eine Matrix und darin verteilt
Streuzentren aufweisen, wobei der mittlere Brechungsindex der AuskoppeIschicht 58 größer ist als der mittlere
Brechungsindex der Schicht , die das Licht emittiert.
Auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich und/oder auf oder über dem optisch aktiven Bereich und/oder auf oder über dem optisch inaktiven Bereich, kann eine nicht dargestellte Getter-Schicht angeordnet sein. Die Getter-Schicht kann den elektrisch aktiven Bereich hermetisch bezüglich schädlicher Umwelteinflüsse abdichten . Die Getter- Schicht kann
beispielsweise die Diffusionsrate von Wasser und/oder
Sauerstoff hin zu der Verkapselungsschicht 28 und/oder dem elektrisch aktive Bereich reduzieren . Die Getter-Schicht kann von der Haftschicht 30 umgeben und/oder von der
Haftschicht eingekapselt sein . Die Getter-Schicht kann eine Matrix und darin verteilt einen Getter aufweisen . Die Getter- Schicht kann transluzent , transparent oder opak ausgebildet sein . Die Getter-Schicht kann eine Schichtdicke in einem Bereich aufweisen beispielsweise von 0,1 μι bis 10 μτη, beispielsweise von 1 bis 5 μυα. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann die Matrix der Getter-Schicht einen Laminations -Klebstoff aufweisen und/oder in einem
Dispensverfahren ausgebildet werden („dispensable Getter") .
Die Getter-Schicht kann einen Brechungsindex aufweisen, der kleiner ist als der Brechungsindex der Abdeckung 36. Eine solche Getter-Schicht kann beispielsweise einen
niedrigbrechenden Klebstoff, beispielsweise ein Acrylat, der einen Brechungsindex von ungefähr 1,3 aufweist, aufweisen. Die Getter-Schicht kann alternativ dazu beispielsweise einen hochbrechenden Klebstoff aufweisen, der beispielsweise hochbrechende , nichtstreuende Partikel und/oder einen
mittleren Brechungsindex aufweist . Der mittlere
Brechungsindex kann beispielsweise ungefähr dem mittleren Brechungsindex der organisch f nktionellen Schichtenstruktur entsprechen und/oder in einem Bereich liegen beispielsweise von 1 , 7 bis 2,0. Weiterhin können mehrere unterschiedliche Klebstoffe in der Getter-Schicht vorgesehen sein, die eine Kleberschichtenfolge bilden. In die Getter-Schicht können lichtstreuende Partikel
eingebettet sein, die zu einer weiteren Verbesserung des Farbwinkelverzugs und der Auskoppeleffizienz führen können . Die lichtstreuenden Partikel können beispielsweise gemäß einer im Vorhergehenden Ausgestaltung der lichtstreuenden Partikel in der Haftschicht 30 ausgebildet sein.
Zwischen der zweiten Elektrode 26 und der Getter-Schicht kann eine elektrisch isolierende Schicht (nicht dargestellt) ausgebildet sein, die beispielsweise SiN aufweist,
beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von 300 nm bis 1 , 5 pm, beispielsweise von 500 nm bis 1 μτη, beispielsweise um elektrisch instabile Stoffe zu schützen, beispielsweise während eines nasschemischen Prozesses . Auf oder über der Haftschicht 30 und gegebenen alls auf oder über der Getter-Schicht ist eine Abdeckung 36 angeordnet . Die Abdeckung 36 weist beispielsweise Glas , eine Metallfolie und/oder eine abgedichtete Kunststofffolie au . Die Abdeckung 36 kann beispielsweise mittels der Haftschicht 30 auf oder über die Verkapselungsschicht 28 au geklebt sein,
beispielsweise auflaminiert sein . Die Abdeckung 36 kann beispielsweise mittels einer Fritten-Verbindung {engl . glass f it bonding/glass soldering/seal glass bonding) mittels eines herkömmlichen Glaslotes aufgebracht werden .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können/kann die
Abdeckung 36 und/oder der Klebstoff 124 einen Brechungsindex (beispielsweise bei einer Wellenlänge von 633 nm) von 1,55 aufweisen .
Neben der Leuchtdiode 7 ist das Sensorelement 9 ausgebildet . Das Sensorelement 9 kann einen optisch aktiven Bereich auf eisen . Die Leuchtdiode 7 ist von dem Sensorelement 9 elektrisch isoliert . In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die Leuchtdiode 7 und das Sensoreiement 9 optisch mit einem Lichtwellenleiter gekoppelt sein . Das Sensorelement 9 kann als invers betriebene organische Leuchtdiode ausgebildet sein, beispielsweise ähnlich einer Ausgestaltung der
Leuchtdiode 7.
Das Sensorelement 9 weist eine dritte Elektrode 44 auf , die auf oder über dem Träger 12 ausgebildet ist . Auf oder über der dritten Elektrode 44 ist eine organisch funktionelle Schichtens ruktur 54 des Sensorelements 9 ausgebildet . Die organische funktionelle Schichtenstruktur 54 des
Sensorelements 9 kann gemäß einer der im Vorhergehenden erläuterten Ausgestaltungen der organischen f nktionellen Schichtenstruktur 24 der Leuchtdiode 7 ausgebildet sein .
Insbesondere kann die organische funktionelle
Schichtenstruktur 54 des Sensorelernents 9 eine
Lochtransportschicht , eine Elektronentransportschicht , eine Ladungsträgerpaar-Erzeugungsschichtstruktur ( Charge
generating layer) , eine Lochinj ektionsschicht und/oder eine Elektroneninj ektionsschicht wie im Vorhergehenden beschrieben aufweisen . Auf einer der Leuchtdiode 7 zugewandten Seite der dritten Elektrode 44 ist ein elektrischer dritter Anschluss 46 ausgebildet . Der dritte Anschluss 46 kann auch als drittes Kontaktpad bezeichnet werden . Der dritte Anschluss 48 kann in einem geometrischen Randbereich des optisch aktiven Bereiches des Sensorelements 9 auf oder über dem Träger 12 ausgebildet sein, beispielsweise seitlich neben der dritten Elektrode 44. Auf einer von der Leuchtdiode 7 abgewandten Seite der dritten Elektrode 44 ist ein elektrischer vierter Anschluss 48 ausgebildet . Der vierte Anschluss 48 kann auch als viertes
Kontaktpad bezeichnet werden. Der vierte Anschluss 48 kann in einem geometrischen Randbereich des optisch aktiven Bereiches des Sensorelements 9 auf oder über dem Träger 12 ausgebildet sein, beispielsweise seitlich neben der dritten Elektrode 44. Die dritte Elektrode 44 kann mit dem vierten Anschluss 48 körperlich und elektrisch verbunden sein .
Auf oder über der dritten Elektrode 44 ist die organische funktionelle Schichtenstruktur 56 des Sensorelements 9
ausgebildet . Über oder auf der organischen funktionellen Schichtenstruktur 54 des Sensorelements 9 ist eine vierte Elektrode 56 ausgebildet . Die vierte Elektrode 56 ist mittels einer zweiten elektrischen Isolierungen 50 von der dritten Elektrode 44 elektrisch isolier . Der vierte Anschluss 48 ist mittels einer weiteren zweiten elektrischen Isolierungen 52 von der vierten Elektrode 56 elektrisch isoliert . Die vierte Elektrode 56 ist mit dem dritten Anschluss 46 körperlich und elektrisch gekoppelt . Die Leuchtdiode 7 ist von dem
Sensorelement 9 elektrisch isoliert , beispielsweise kann der dritte Anschluss 46 mittels einer elektrischen
Zwischenisolierung 53 elektrisch von dem zweiten Anschluss 18 isoliert sein .
Auf oder über der vierten Elektrode 56 ist die
Verkapselungsschient 28 so angeordnet , dass die vierte
Elektrode 56, die zweiten elektrischen Isolierungen 50 , 52 und die organische funktionelle Schichtenstruktur 54 des Sensorelements 9 von der VerkapselungsSchicht 28 umgeben sind, d.h. von der Verkapselungsschient 28 in Verbindung mit dem Träger 12 eingeschlossen sind. Die Verkapselungsschicht 28 kann die eingeschlossenen Schichten hermetisch bezüglich schädlicher Um elteinflüsse abdichten.
Das Sensorelement 9 kann eine Fläche , die dem Träger 12 zugewandt ist , in einem Bereich von 0 , 5 mm2 bis 250 mm2 aufweisen . Die Leuchtdiode 7 kann Licht in den Lichtwellenleiter
einkoppeln und/oder das Sensorelement 9 kann Licht aus dem Lichtwellenleiter aufnehmen. Der Lichtwellenleiter kann von dem Träger 12 gebildet sein. Beispielsweise kann das fünfte Licht 6A über den Träger von der Leuchtdiode 7 zu dem
Sensorelement 9 geleitet werden. Alternativ oder zusätzlich kann von der Abdeckung 36 und/oder von der
Verkapselungsschicht 28 der Lichtwellenleiter gebildet sein. Beispielsweise kann dann sechstes Licht 6B, das zumindest einen Teil des dritten Lichts 6 bildet , über die Abdeckung 36 bzw. die Verkapselungsschicht 28 hin zu dem Sensorelement 9 geleitet werden . In verschiedenen Ausgestaltungen können die Leuchtdiode 7 und/oder der Sensorelement 9 mittels einer optischen Kopplungs-Struktur mit dem LichtWellenleiter
optisch verbunden sein, beispielsweise der Barriereschicht , der Verkapselungsschicht 28 und/oder der Haftschicht 30.
Das Sensorelement 9 kann das dritte , fünfte und sechste Licht 6, 6A, 6B, auf ehmen und davon abhängig eine elektrische Spannung über der dritten und vierten Elektrode 44, 56 erzeugen . Diese kann als Ausgangssignal des Sensorelements 9 an eine in Figur 10 nicht dargestellte Logikeinheit
übermittelt werden. Zusätzlich kann das Sensorelement 9 das zweite Licht 5, insbesondere oberes zweites Licht 5A und unteres zweites Licht 5B , aufnehmen und davon abhängig die Spannung erzeugen und/oder das Ausgangssignal ausgeben .
Abhängig davon, ob nur ein Teil des grundsä zlich erfassbaren Lichts tatsächlich erfasst werden soll und/oder ob die Leuchtdiode 7 als Top- und/oder Bo tom- Emitter ausgebildet ist, kann das Sensorelement 9 mittels einer oder mehrere Schattenelemente gegenüber den anderen Teilen des erfassbaren Lichts abgeschattet sein. Beispielsweise kann das
Sensorelement 9 gegenüber dem zweiten, dritten, fünften, sechsten, oberen zweiten und/oder unteren zweiten Licht 5, 6 , 6A, 6B, 5A, 5B abgeschattet sein. Beispielsweise kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 54 des
Sensorelements 9 vor dem oberen zweiten Licht 5B geschützt werden, indem die vierte Elektrode 56, die
Verkapselungsschicht 28 , die Haftschicht 30 und/oder die Abdeckung 36 eine geringe Transmittivität aufweisen und/oder opak oder opal ausgebildet sind und/oder indem eine
Spiegelstruktur die organische funktionelle Schichtenstruktur 54 des Sensorelements 9 wenigstens teilweise umgibt .
Alternativ oder zusätzlich kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 54 des Sensorelements 9 vor dem unteren zweiten Licht 5A und/oder vor dem fünften Licht 6A geschützt werden, indem der Träger 12 eine geringe Transmittivität aufweist und/oder opak oder opal ausgebildet ist . Alternativ oder zusätzlich kann die organische funktionelle
Schichtenstruktur 54 des Sensorelements 9 vor dem sechsten Licht 6B geschützt werden , indem die Verkapselungsschicht 28 eine geringe Transmittivität aufweist und/oder opak oder opal ausgebildet ist .
Beim Herstellen der optoelektronischen Baugruppe 10 können die erste und die dritte Elektrode 14, 44 in demselben
Arbeitsschritt hergestellt werden . Alternativ oder zusätzlich können die Anschlüsse 16, 18 , 46 , 48 zumindest teilweise in demselben Arbeitsschritt hergestellt werden . Alternativ oder zusätzlich können die organischen funktionellen
Schichtenstrukturen 26, 56 in demselben Arbeitsschritt hergestellt v/erden . Alternativ oder zusätzlich können die zweite und die vierte Elektrode 26, 56 in demselben
Arbeitsschritt hergestellt werden. Alternativ oder zusätzlich können die Isolatorschichten 20, 22 , 50 , 52 in demselben Arbeitsschritt hergestellt werden . Fig. 11 zeigt ein Ausführungsbeispiel der optoelektronischen Baugruppe 10, die beispielsweise gemäß einer Ausgestaltung der im Vorhergehenden erläuterten optoelektronischen
Baugruppe 10 ausgebildet sein kann. Das Sensorelement 9 kann zum Abschatten des unteren zweiten Lichts 5A mit einem
Schattenelement 60 abgedeckt sein, das in Figur 11 auf einer Unterseite des Trägers 12 auf dem Träger 12 angeordnet ist. Das Schattenelement 60 kann beispielsweise von einer opaken Schicht, beispielsweise einer Isolatorschicht, einer
Metallschicht, einer Barrierendünnschicht und/oder einer Glasabdeckungen gebildet sein. Das Licht der Leuchtdiode 7 wird über den Träger 12 als Lichtwellenleiter in den optisch aktiven Bereich des Sensorelements 9 eingekoppelt. Der Träger 12 wirkt dabei als Lichtwellenleiter und sollte wenigstens teilweise transmittierend ausgebildet sein. Alternativ oder zusätzlich können die Verkapselungsschicht 28 und/oder der Abdeckkörper 36 als Lichtwellenleiter ausgebildet sein. Fig. 12 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer
optoelektronischen Baugruppe 10, die beispielsweise
weitgehend gemäß einer Ausgestaltung der im Vorhergehenden erläuterten optoelektronischen Baugruppe 10 ausgebildet sein kann. Das Sensorelement 9 ist als ein Photoleiter
ausgebildet. Das Sensorelement 9 kann ein Material aufweisen oder daraus gebildet sein, dessen elektrischer Widerstand und/oder elektrische Leitfähigkeit sich mit der Leuchtstärke der einfallenden elektromagnetischen Strahlung ändert. Der elektrische Widerstand bzw. die elektrische Leitfähigkeit kann beispielsweis mitteis der in Figur 12 nicht
dargestellten Logikeinheit ermittelt werden.
Das Schattenelement 60 ist in Figur 12 gestrichelt
eingezeichnet, was bedeutet, dass das Schattenelement 60 optional angeordnet ist.
Fig. 13 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer
optoelektronischen Baugruppe 10, die beispielsweise weitgehend gemäß einer Ausgestaltung der im Vorhergehenden erläuterten optoelektronischen Baugruppe 10 ausgebildet sein kann. Beim Herstellen der optoelektronischen Baugruppe 10 kann ein Abstand A zwischen der Leuchtdiode 7 und dem
Sensorelement 9 variiert werden, wodurch beispielsweise die interne Leitung des dritten Lichts beeinflusst ,
beispielsweise verstärkt bei geringerem Abstand A oder verringert bei größerem Abstand A, v/erden kann . Fig. 14 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer
optoelektronischen Baugruppe 10 , die beispielsweise
weitgehend gemäß einer Ausgestaltung der im Vorhergehenden erläuterten optoelektronischen Baugruppe 10 ausgebildet sein kann. Die AuskoppelSchicht 16 ist zwischen dem Träger 12 und der ersten Elektrode 14 ausgebildet .
Fig. 15 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer
optoelektronischen Baugruppe 10 , die beispielsweise
weitgehend gemäß einer Ausgestaltung der im Vorhergehenden erläuterten optoelektronischen Baugruppe 10 ausgebildet sein kann. Die organischen funktionellen Schichtenstrukturen 24, 54 sind lediglich teilweise von der zweiten Elektrode 26 bzw. vierten Elektrode 56 bedeckt . Insbesondere sind die
organischen funktionellen Schichtenstrukturen 24 , 54 in Figur 15 in einem oberen linken Kantenbereich nicht von der zweiten Elektrode 26 bzw. vierten Elektrode 56 bedeckt . Alternativ oder zusätzlich kann die vierte Elektrode 56 die organische f nktionelle Schichtenstruktur 54 des Sensorelements 9 in Richtung hin zu der organischen funktionellen
Schichtenstruktur 24 der Leuchtdiode 7 nicht bedecken, was dazu beitragen kann, dass ein besonders großer Anteil des sechsten Lichts 6B über die VerkapselungsSchicht 28 hin zu dem optisch aktiven Bereich des Sensorelements 9 gelangen und dort erfasst werden kann. Alternativ oder zusätzlich können die zweite Elektrode 26 bzw. vierte Elektrode 56 Ausnehmungen auf eisen, beispielsweise kreisförmige oder polygonale , innerhalb derer die organisch funktionellen Schichtenstrukturen 24 , 54 nicht von der zweiten Elektrode 26 bzw. vierten Elektrode 56 bedeckt sind .
Fig. 16 zeigt ein Ausfuhrungsbeispiel einer
optoelektronischen Baugruppe 10 , die beispielsweise
weitgehend gemäß einer Ausgestaltung der im Vorhergehenden erläuterten optoelektronischen Baugruppe 10 ausgebildet sein kann. Die Verkapselungsschicht 28, die Haftschicht 30 und die Abdeckung 36 sind bezüglich der Leuchtdiode 7 und des
Sensorelements 9 getrennt voneinander ausgebildet . Die
Verkapselungsschicht 28 , die Haftschicht 30 und die Abdeckung 36 der Leuchtdiode 7 und des Sensorelements 9 können zunächst gemeinsam und/oder einstückig ausgebildet und dann
voneinander getrennt werden oder gleich voneinander getrennt ausgebildet werden .
Fig. 17 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer
optoelektronischen Baugruppe 10 , die beispielsweise
weitgehend gemäß einer Ausgestaltung der im Vorhergehenden erläuterten optoelektronischen Baugruppe 10 ausgebildet sein kann. Die AuskoppelSchicht 58 erstreckt sich über den
gesamten Träger 12 , beispielsweise über eine von der
organischen funktionellen Schichtenstruktur 24 abgewandten Seite des Trägers 12 , in Figur 17 über die gesamte Unterseite des Trägers 12.
Fig. 18 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer
optoelektronischen Baugruppe 10 , die beispielsweise
weitgehend gemäß einer Ausgestaltung der im Vorhergehenden erläuterten optoelektronischen Baugruppe 10 ausgebildet sein kann. Die Auskoppelschicht 58 erstreckt sich über den
gesamten Träger 12, beispielsweise über eine der organischen funktionellen Schichtenstruktur 24 zugewandte Seite des Trägers 12 , in Figur 18 über die gesamte Oberseite des
Trägers 12.
Fig. 19 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer
optoelektronischen Baugruppe 10 , die beispielsweise weitgehend gemäß einer Ausgestaltung der im Vorhergehenden erläuterten optoelektronischen Baugruppe 10 ausgebildet sein kann. Die optoelektronische Baugruppe 10 weist auf dem Träger 12 , der nicht transparent ausgebildet ist , eine Leiterschicht 62 auf, die als Lichtwellenleiter zum Leiten des vierten Lichts 6Ä ausgebildet ist.
Fig, 20 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer
optoelektronischen Baugruppe 10 , die beispielsweise
weitgehend gemäß einer Ausgestaltung der im Vorhergehenden erläuterten optoelektronischen Baugruppe 10 ausgebildet sein kann . Die optoelektronische Baugruppe 10 weist eine
Logikeinheit 70 auf . Die optoelektronische Baugruppe 10 weist einen ersten Ausgangsanschluss 72 und einen Eingangsanschluss 74 auf . Der erste und der zweite Anschluss 16, 18 sind über eine erste elektrische Leitung 76 bzw. eine zweite
elektrische Leitung 78 mit dem ersten Ausgangsanschluss 72 elektrisch gekoppelt . Der dritte und der vierte Anschluss 46, 48 sind über eine dritte elektrische Leitung 80 bzw. eine vierte elektrische Leitung 82 mit dem Eingangsanschluss 74 elektrisch gekoppelt.
Die Logikeinheit 70 ist mit einer nicht dargestellten
Energiequelle , beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsquelle elektrisch gekoppelt . Ferner kann die
Logikeinheit zum Austauschen von Daten mit einer
Recheneinheit gekoppelt sein . Die Logikeinheit 70 kann eine Treiberschaltung, eine Steuerungseinheit und/oder eine
Regelungseinheit aufweisen . Die Logikeinheit ist dazu
eingerichtet , die Leuchtdiode 7 mit Energie zu versorgen und ein Ausgangssignal , beis ielsweise eine Spannung , des
Sensorelements 9 zu erfassen . Die Logikeinheit 70 kann abhängig von dem erfassten Ausgangsignal einen
Krümmungszustand der optoelektronischen Baugruppe 10
ermitteln . Abhängig von dem Krümmungszustand kann die
Logikeinheit eine vorgegebene Aktion durchführen . Die vorgegebene Aktion kann beispielsweise ein Ansteuern der Leuchtdiode 7 umfassen . Das Ansteuern der Leuchtdiode 7 kann beispielsweise im Zuge einer Nachregelung erfolgen, so dass die mittels der Leuchtdiode in einem vorgegebenen
Raumwinkelbereich erzeugte Lichtstärke und/oder Helligkeit konstant oder zumindest näherungsweise konstant bleibt .
Alternativ dazu kann das Ansteuern der Leuchtdiode 7 so erfolgen, dass die Leuchtdiode 7 selbst als Warnanzeige zum Warnen vor einem Übermäßigen Verbiegen der optoelektronischen Baugruppe genutzt werden kann . Beispielsweise kann die
Leuchtdiode 7 abgeschaltet werden, die erzeugt Lichtstärke kann merklich verändert werden oder die Leuchtdiode 7 kann in einen blinkenden Betrieb geschaltet werden . Alternativ oder zusätzlich kann das Sensorelement 9 invers betrieben werden und als optische Warnanzeige genutzt werden .
Aus Gründen der Anschaulichkeit wurde in Figur 20 zum
Verdeu lichen der elektrischen Kopplungen der Logikeinheit 70 mit der Leuchtdiode 7 und dem Sensorelement 9 das
Ausführungsbeispiel der optoelektronischen Baugruppe 10 gewählt , bei dem die Verkapselungsschient 28 , die Haftschicht 30 und die Abdeckung 36 jeweils mehrstückig und/oder nicht zusammenhängend ausgebildet sind. Die Logikeinheit 70 und die entsprechenden elektrischen Kopplungen können jedoch ohne weiteres bei einem der Ausführungsbeispiele der
optoelektronischen Baugruppe 10 angeordnet werden, bei denen die Verkapselungsschiebt 28, die Haftschicht 30 und die
Abdeckung 36 jeweils einstückig ausgebildet sind.
Fig . 21 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer
optoelektronischen Baugruppe 10 , die beispielsweise
weitgehend gemäß einer Ausgestal ung der im Vorhergehenden erläuterten optoelektronischen Baugruppe 10 ausgebildet sein kann. Neben der Leuchtdiode 7 ist auf einer von dem
Sensorelement 9 abgewandten Seite der Leuchtdiode 7 ein
Anzeigeelement 79 ausgebildet . Das Anzeigeelement 79 kann einen optisch aktiven Bereich auf eisen . Die Leuchtdiode 7 ist von dem Anzeigeelement 79 elektrisch isoliert. Das
Änzeigeeletnent 79 kann als organische Leuchtdiode ausgebildet sein, beispielsweise ähnlich oder identisch einer
Ausgestaltung der Leuchtdiode 7 und/oder ohne dass verglichen einer optoelektronischen Baugruppe 10 mit nur einer
Leuchtdiode 7 ohne Sensorelement 9 Mehrkosten entstehen.
Das Anzeigeelement 79 weist eine fünfte Elektrode 81 auf, die auf oder über dem Träger 12 ausgebildet ist. Auf oder über der fünften Elektrode 81 ist eine organische funktionelle Schichtenstruktur 84 des Anzeigeelements 79 ausgebildet. Die organische funktionelle Schichtenstruktur 84 des
Anzeigeelements 79 kann gemäß einer der im Vorhergehenden erläuterten Ausgestaltungen der organischen funktionellen Schichtenstruktur 24 der Leuchtdiode 7 ausgebildet sein.
Insbesondere kann die organische funktionelle
Schichtenstruktur 84 des Anzeigeelements 79 eine
LoOhtransportschicht , eine Elektronentransportschicht , eine Ladungsträgerpaar-Erzeugungsschichtstruktur (Charge
generating layer) , eine Lochinjektionsschicht und/oder eine Elektroneninjektionsschicht wie im Vorhergehenden beschrieben aufweisen.
Auf einer von der Leuchtdiode 7 abgewandten Seite der fünften Elektrode 81 ist ein elektrischer fünfter Anschluss 85 ausgebildet. Der elektrische fünfte Anschluss 85 kann auch als fünftes Kontaktpad bezeichnet werden. Der fünfte
Anschluss 85 kann in einem geometrischen Randbereich des optisch aktiven Bereiches des Anzeigeelements 79 auf oder über dem Träger 12 ausgebildet sein, beispielsweise seitlich neben der fünften Elektrode 81. Auf einer der Leuchtdiode 7 zugewandten Seite der fünften Elektrode 81 ist ein
elektrischer sechster Anschluss 83 ausgebildet. Der sechste Anschluss 83 kann auch als sechstes Kontaktpad bezeichnet werden. Der sechste Anschluss 83 kann in einem geometrischen Randbereich des optisch aktiven Bereiches des Anzeigeelements 79 auf oder über dem Träger 12 ausgebildet sein,
beispielsweise seitlich neben der fünften Elektrode 81. Die fünfte Elektrode 81 kann mit dem sechsten Anschluss 33 körperlich und elektrisch verbunden sein.
Auf oder über der fünften Elektrode 81 ist die organische funktionelle Schichtenstruktur 56 des Anzeigeelements 79 ausgebildet . Über oder auf der organischen funktionellen Schichtenstruktur 84 des Anzeigeelements 79 ist eine sechste Elektrode 86 ausgebildet . Die sechste Elektrode 86 ist mittels einer dritten elektrischen Isolierungen 80 von der fünften Elektrode 81 elektrisch isoliert. Der sechste
Anschluss 83 ist mittels einer weiteren dritten elektrischen Isolierungen 82 von der sechsten Elektrode 86 elektrisch isoliert. Die sechste Elektrode 86 ist mit dem fünften
Anschluss 85 körperlich und elektrisch gekoppelt . Die
Leuchtdiode 7 ist von dem Anzeigeelement 79 elektrisch isoliert , beispielsweise kann der fünfte Anschluss 85 mittels einer nicht dargestellten weiteren elektrischen
Zwischenisolierung elektrisch von dem ersten Anschluss 16 isoliert sein .
Auf oder über der sechsten Elektrode 86 ist die
Verkapselungsschicht 28 so angeordnet, dass die sechste
Elektrode 86, die dritten elektrischen Isolierungen 80, 82 und die organische funktionelle Schichtenstruktur 84 des Anzeigeelements 79 von der Verkapselungsschicht 28 umgeben sind, d.h. von der Verkapselungsschicht 28 in Verbindung mit dem Träger 12 eingeschlossen sind. Die Verkapselungsschicht 28 kann die eingeschlossenen Schichten hermetisch bezüglich schädlicher Umwelteinflüsse abdichten.
Das Anzeigeelement 79 kann eine Fläche , die dem Träger 12 zugewandt ist , in einem Bereich von 0,5 mm2 bis 250 mm2 aufweisen. Beim Herstellen der optoelektronischen Baugruppe 10 können die erste und die fünfte Elektrode 14 , 81 in demselben
Arbeitsschritt hergestellt werden. Alternativ oder zusätzlich können die Anschlüsse 16, 18 , 83, 85 zumindest teilweise in demselben Arbeitsschritt hergestellt werden. Alternativ oder zusätzlich können die organischen funktionellen
Schichtenstrukturen 24, 84 in demselben Arbeitsschritt hergestellt werden. Alternativ oder zusätzlich können die zweite und die sechste Elektrode 26, 86 in demselben
Arbeitsschritt hergestellt werden. Alternativ oder zusätzlich können die Isolatorschichten 20, 22, 80, 82 in demselben Arbeitsschritt hergestellt werden. Der fünfte Anschluss 85 und der sechste Anschluss 83 sind über eine fünfte elektrische Leitung 97 bzw. eine sechste elektrische Leitung 98 mit einem zweiten Ausgangsanschluss 99 der Logikeinheit 70 elektrisch gekoppelt. Das Anzeigeelement 79 kann mit Hilfe der Logikeinheit 70 angesteuert werden, beispielsweise zum Ausgeben eines optischen Warnsignals in Reaktion auf ein entsprechendes AusgangsSignal der
Logikeinheit 70. Das Anzeigeelement 79 kann beispielsweise dazu genutzt werden, vor dem Erreichen oder Überschr iten des kritischen Krümmungszustands zu warnen .
Aus Gründen der Anschaulichkeit wurde in Figur 20 zum
Verdeutlichen der elektrischen Kopplungen der Logikeinheit 70 mit der Leuchtdiode 7 und dem Anzeigeelement 79 das
Ausführungsbeispiel der optoelektronischen Baugruppe 10 gewählt , bei dem die Verkapselungsschicht 28 , die Haftschicht 30 und die Abdeckung 36 jeweils mehrstückig ausgebildet sind. Die Logikeinheit 70 und die entsprechenden elektrischen
Kopplungen können j edoch ohne weiteres bei einem
Ausführungsbeispiel der optoelektronischen Baugruppe 10 angeordnet werden, bei dem die Verkapselungsschicht 28 , die Haftschicht 30 und die Abdeckung 36 jeweils einstückig ausgebildet sind.
Fig . 22 zeigt eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel einer optoelektronischen Baugruppe 10 , die beispielsweise weitgehend gemäß einer Ausgestaltung der im Vorhergehenden erläuterten optoelektronischen Baugruppe 10 ausgebildet sein kann. Die optoelektronische Baugruppe 10 weist die Leuchtdiode 7 auf. Außerdem sind in Figur 22 mehrere Bereiche 100 eingezeichnet. Jeder einzelne der Bereiche 10 kann repräsentativ sein für ein Sensorelement 9, das
beispielsweise gemäß einer Ausgestaltung des im
Vorhergehenden erläuterten Sensorelements 9 ausgebildet sein kann, oder für ein Anzeigeelement 79, das beispielsweise gemäß einer Ausgestaltung des im Vorhergehenden erläuterten Anzeigeelements 79 ausgebildet sein kann . Es können an den Positionen aller Bereiche 100 oder nur an den Positionen vereinzelter oder gruppierter Bereiche 100 je ein
Sensorelement 9 oder je ein Anzeigeelement 79 angeordnet und/oder ausgebildet sein. Insbesondere können die
Sensorelemente 9 und/oder die Anzeigeelemente 79 in
Randbereichen , Eckbereichen und/oder zentralen Bereichen der optoelektronischen Baugruppe 10 angeordnet und/oder
ausgebildet sein .
Jedes Anzeigeelement 79 kann erstes Licht 3 auf einer ersten Seite der optoelektronischen Baugruppe 10 , beispielsweise in den oberen Halbraum, und/oder auf einer zweiten Seite der optoelektronischen Baugruppe 10, beispielsweise in den unteren Halbraum, emittieren . Jedes Sensorelement 9 kann Licht , beispielsweise oberes zweites Licht 5B , von der ersten Seite der optoelektronischen Baugruppe 10 , beispielsweise von dem oberen Halbraum, und/oder Licht , beispielsweise unteres zweites Licht 5A, von der zweiten Seite der
optoelektronischen Baugruppe 10 , beispielsweise von dem unteren Halbraum, und/oder internes drittes , viertes und/oder fünftes Licht 6, 6A, 6B erfassen.
Fig. 23 zeigt eine Draufsicht auf ein Aus führungsbeispie1 einer optoelektronischen Baugruppe 10 , die beispielsweise weitgehend gemäß einer Ausgestaltung der im Vorhergehenden erläuterten optoelektronischen Baugruppe 10 ausgebildet sein kann . Die optoelektronische Baugruppe 10 weist mehr als eine Leuchtdiode 7 , insbesondere vier Leuchtdioden 7 , auf .
Außerdem sind in Figur 23 die im Vorhergehenden erläuterten Bereiche 100 repräsentativ für Anzeigeelemente 79 oder Sensorelemente 9 eingezeichnet. Ein paar der Bereiche 100 sind in äußeren Eckbereichen optoelektronischen Baugruppe 10 angeordnet. Ein paar der Bereiche 100 sind zentral in der optoelektronischen Baugruppe 10 angeordnet, beispielsweise die Leuchtdioden 7 überlappend oder die Leuchtdioden 7 nicht überlappend .
Fig. 24 zeigt eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel einer optoelektronischen Baugruppe 10, die beispielsweise weitgehend gemäß einer /Ausgestaltung der im Vorhergehenden erläuterten optoelektronischen Baugruppe 10 ausgebildet sein kann. Die optoelektronische Baugruppe 10 weist die
Leuchtdiode 7 auf. Außerdem sind in Figur 24 die im
Vorhergehenden erläuterten Bereiche 100 repräsentativ für Anzeigeelemente 79 oder Sensorelemente 9 eingezeichnet. Ein Bereich 100 ist in einem äußeren Eckbereich
optoelektronischen Baugruppe 10 angeordnet. Ein Bereich 100 ist zentral in optoelektronischen Baugruppe 10 angeordnet, beispielsweise die Leuchtdiode 7 überlappend oder die
Leuchtdiode 7 nicht überlappend. Einer der Bereiche 100 erstreckt sich über die gesamte Breite der optoelektronischen Baugruppe 10, Einer der Bereiche 100 erstreckt sich über die gesamte Länge der optoelektronischen Baugruppe 10 , Fig. 25 und Fig. 26 zeigen weitere Draufsichten auf
Ausführungsbeispiele der optoelektronischen Baugruppe 10, die beispielsweise weitgehend gemäß einer Ausgestaltung der im Vorhergehenden erläuterten optoelektronischen Baugruppe 10 ausgebildet sein können. Die optoelektronischen Baugruppen 10 weisen mindestens eine der Leuchtdioden 7 auf. Außerdem sind in den Figuren 25 und 26 die im Vorhergehenden erläuterten Bereiche 100 repräsentativ für Anzeigeelemente 79 oder
Sensorelemente 9 eingezeichnet. Die optoelektronische
Baugruppe 10, die Leuchtdioden 7 und die Bereiche 100 sind kreisförmig ausgebildet. Alternativ dazu können die
optoelektronische Baugruppe 10, die Leuchtdioden 7 und/oder die Bereiche 100 polygonal ausgebildet sein. Ferner können die Bereiche 100 in den vorhergehend erläuterten
Ausführungsbeispielen rundlich ausgebildet sein.
Die Erfindung ist nicht auf die angegebenen
Ausführungsbeispiele beschränkt. Beispielsweise können die
Ausführungsbeispiele kombiniert werden. Beispielsweise können die in den Figuren 5 bis 9 dargestellten Prinzipien auf die in den Figuren 10 bis 26 gezeigten optoelektronischen
Baugruppen 10 übertragen werden. Ferner können die in den Figuren 5 bis 21 gezeigten Schnittdarstellungen in Verbindung mit den in den Figuren 22 bis 26 gezeigten Draufsichten kombiniert werden.

Claims

Patentansprüche 1. Optoelektronisches Bauelement mit
- einem Träger (12) ,
- einer flexiblen organischen Leuchtdiode (7) , die auf dem Träger (12) ausgebildet ist, zum Erzeugen und Abstrahlen von Licht ,
- einem internen Sensorelement (9) , das gemeinsam mit der organischen Leuchtdiode (7) auf dem Träger (12)
ausgebildet ist und das mit der flexiblen organischen
Leuchtdiode (7) monolithisch in dem optoelektronischen
Bauelement integriert ist und das so ausgebildet und
angeordnet ist, dass es zumindest einen Teil des von der organischen Leuchtdiode (7) erzeugten Lichts erfasst , wobei das erfasste Licht repräsentativ für eine Krümmung der flexiblen organischen Leuchtdiode (7) ist.
2. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, das ein Anzeigeelement (79) aufweist, das den gemeinsamen Träger (12) aufweist ,
3. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 2, bei dem ein optisch sensitiver Bereich des
Sensorelements (9) und/oder ein optisch aktiver Bereich des Anzeigeelements (79) mindestens eine organische funktionelle Schicht aufweis ,
4, Optoelektronisches Bauelement nach einem der
vorstehenden Ansprüche, das ein Schattenelement zum
Abschatten von Licht aufweist, das mit dem internen
Sensorelement (9) einen Überlappungsbereich bildet,
5, Optoelektronisches Bauelement nach einem der
vorstehenden Ansprüche, das einen internen Lichtleiter aufweist, der optisch mit der organischen Leuchtdiode (7) und dem internen Sensorelement (9) so gekoppelt ist, dass der interne Lichtleiter zumindest ein Teil des von der
organischen Leuchtdiode (7) erzeugten Lichts intern hin zu dem internen Sensorelement (9) leitet.
6. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 5, bei dem der Lichtleiter von dem Träger (12) gebildet ist.
7. Optoelektronische Baugruppe {10), die mindestens ein optoelektronisches Bauelement nach einem der vorstehenden Ansprüche aufweist.
8. Optoelektronische Baugruppe (10) nach Anspruch 7, mit einer Logikeinheit, die dazu eingerichtet ist, abhängig von dem Krümmungswert eine vorgegebene Aktion durchzuführen.
9. Verfahren zum Betreiben eines optoelektronischen
Bauelements, bei dem
- Licht mittels einer auf einem Träger (12)
ausgebildeten flexiblen organischen Leuchtdiode (7) erzeugt und abgestrahlt wird,
- mittels eines internen Sensorelements (9) , das
gemeinsam mit der organischen Leuchtdiode (7) auf dem Träger (12) ausgebildet ist und das mit der flexiblen organischen Leuchtdiode (7) monolithisch in dem optoelektronischen
Bauelement integriert ist, zumindest ein Teil des von der organischen Leuchtdiode (7} erzeugten Lichts erfasst wird, wobei das erfasste Licht repräsentativ für eine Krümmung der flexiblen organischen Leuchtdiode (7) ist,
- ein Krümmungswert ermittelt wird, der repräsentativ für die Krümmung der flexiblen organischen Leuchtdiode (7) ist, und
- in Abhängigkeit des ermittelten Krümmungs erts eine vorgegebene Aktion durchgeführt wird.
10. Verfahren nach Anspruch 9, bei dem die vorgegebene
Aktion ein Ausgeben eines Signals aufweist, das repräsentativ für die Krümmung der flexiblen organischen Leuchtdiode (7) ist .
11. Verfahren nach Anspruch 10, bei dem das Signal
repräsentativ dafür ist» dass eine kritische Krümmung der flexiblen organischen Leuchtdiode (7) nahezu erreicht, erreicht oder überschritten ist.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 11 , bei dem die vorgegebene Aktion ein Ansteuern der organischen Leuchtdiode (7) aufweist .
13. Verf hren nach Anspruc 12, bei dem die organische
Leuchtdiode (7) so angesteuert wird, dass die Lichtstärke näherungsweise konstant oder konstant bleibt .
14. Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen
Bauelements , bei dem eine flexible organische Leuchtdiode (7) zum Erzeugen und Abstrahlen von Licht auf einem Träger (12) ausgebilde wird und ein internes Sensorelement (9) gemeinsam mit der Leuchtdiode (7) auf dem Träger (12) ausgebildet wird und mit der flexiblen organischen Leuchtdiode (7)
monolithisch in dem optoelektronischen Bauelement integriert wird, wobei das interne Sensorelement (9) so ausgebildet und angeordnet wird, dass mit seiner Hilfe, z mindest ein Teil des von der organischen Leuchtdiode (7) erzeugten Lichts
erfassbar ist , wobei das erfasste Licht repräsentativ für eine Krümmung der flexiblen organischen Leuchtdiode (7) ist.
15. Verfahren zum Betreiben einer optoelektronische
Baugruppe (10) , bei dem
- Licht mittels einer flexiblen organischen Leuchtdiode
(7) erzeugt und abgestrahlt wird,
- die flexible organische Leuchtdiode (7) mittels eines Aktuators gekrümmt wird,
- abhängig von einer Ansteuerung des Aktuators und/oder einer Stellung eines Steilelements des Aktuators ein
Krümmungswert ermittelt wird, der repräsentativ für eine Krümmung der flexiblen organischen Leuchtdiode (7) ist, und - in Abhängigkeit des ermittelten Krümmungswerts eine vorgegebene Aktion durchgeführt wird .
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