WO2015000674A1 - Optoelektronische bauelementevorrichtung und verfahren zum herstellen einer optoelektronischen bauelementevorrichtung - Google Patents

Optoelektronische bauelementevorrichtung und verfahren zum herstellen einer optoelektronischen bauelementevorrichtung Download PDF

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WO2015000674A1
WO2015000674A1 PCT/EP2014/062371 EP2014062371W WO2015000674A1 WO 2015000674 A1 WO2015000674 A1 WO 2015000674A1 EP 2014062371 W EP2014062371 W EP 2014062371W WO 2015000674 A1 WO2015000674 A1 WO 2015000674A1
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WO
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optoelectronic component
region
waveguide
optoelectronic
layer
Prior art date
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PCT/EP2014/062371
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English (en)
French (fr)
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Philipp SCHWAMB
Carola Diez
Original Assignee
Osram Oled Gmbh
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Publication date
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    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0013—Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide
    • G02B6/0015—Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide provided on the surface of the light guide or in the bulk of it
    • G02B6/002—Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide provided on the surface of the light guide or in the bulk of it by shaping at least a portion of the light guide, e.g. with collimating, focussing or diverging surfaces

Definitions

  • Organic-based optoelectronic components for example organic ones
  • Light-emitting diodes are finding widespread use in general lighting, for example as surface light source.
  • a conventional organic optoelectronic device such as an OLED, has an anode and a cathode with an organic functional layer system therebetween.
  • the organic functional layer system has one or more
  • Emitter layer (s) in which electromagnetic radiation is generated may comprise one or more charge carrier pair generation layer structures (s) each of two or more charge generating layer (CGL) for charge carrier pair generation , and one or more electron block layer (s), also referred to as hole transport layer (HTL), of one or more hole block layers, also referred to as electron transport layer (s) (ETL) to direct the flow of current, one or more hole injection layers (HIL) and one or more
  • Electron injection layers (“EIL").
  • Area light sources are limited in the application in their maximum brightness, for example, to avoid dazzling the viewer, for example according to
  • OLED area light sources is made more difficult with respect to the amount of light per unit of total loss c (lm / €), since the manufacture and thus the costs of such light sources in the
  • the luminance of the light-emitting diode may be too low, so that optical amplifiers are necessary.
  • the waveguide may be too thick and / or heavy to couple a desired luminance. This can lead to restrictions on the design freedom of the external appearance of the surface light source.
  • Light emitting diode and the optical coupling of their light into an optical medium having a curved surface are interesting for many applications; For example, in flexible and / or moldable OLEDs. In the case of flexible and / or moldable OLEDs, it may be necessary to mold the OLED in as many places as possible or over the entire surface of the optical medium so that it keeps the desired shape stable. Conventional O LED products do not provide an intrinsic solution to the task. Conventionally, a Connecting a light-emitting diode to a flat surface by gluing-on an optical waveguide (Lightguide). Sticking is conventionally carried out by means of optically transparent or translucent adhesives.
  • an optoelectronic capacitance control comprising the optoelectronic component device; one
  • a waveguide having a first region and a second region, wherein the first region and the second region are optically coupled to each other, and wherein the first region is formed flat; and at least one optoelectronic component having an optically active region, wherein the optically active region is set up for receiving and / or providing electromotive magnetic radiation; wherein the optically active region has a contact surface with the second region and is optically coupled through the second region with the first region; wherein the contact surface of the optically active region with the second region has a kink and / or a curvature such that the density of the electromagnetic radiation is greater at least in a region in the first region than in the second region.
  • the first region is as a planar region of the optoelectronic
  • Component device formed, for example, as a flat area of the
  • Waveguide for example, as a planar area of a surface light source.
  • the second region has a coupling structure, by means of which the at least one optoelectronic component is optically coupled to the planar region.
  • the density of the electromagnetic radiation is greater at least in a region of the planar region than in the region of the coupling structure.
  • Coupling structure is a surface or a spatial structure.
  • the density of the electromagnetic radiation is greater at least in a region of the planar region than in the contact surface of the optically active structure with the coupling structure.
  • the optically active region couple light into the second region and the first region by means of the described arrangement, the injected light having a higher intensity. This allows the density of light in the first range can be increased, which can then be emitted from the first area.
  • the density of electromagnetic radiation can be determined by means of the geometric arrangement of
  • the second region may have a curved surface or be such, for example convex and / or concave.
  • the second region has at least one kink.
  • the optically active region can be formed on or over at least one bend of the second region, for example, transforming it.
  • the first region may have the second region as a geometric edge. In one embodiment, the second region may have two or more end faces of the first region.
  • the second region may be cylindrical. In one embodiment, the first region and the second region may be arranged in a dumbbell-shaped manner with respect to one another.
  • the optoelectronic component device may have two or more optoelectronic components and two or more second regions, one or more optoelectronic components being / are formed on a second region,
  • the optoelectronic component device may further comprise at least one further optoelectronic component, wherein the further optoelectronic component is at least partially optically coupled to the first region.
  • the optoelectronic device may have at least one optoelectronic component which is at least partially formed on or above the first region and is optically coupled to the first region.
  • the optoelectronic component on or above the first region can also be referred to as the first optoelectronic component. Accordingly, the first optoelectronic component has no kink and / or curvature in the contact surface C with the first region.
  • the optoelectronic component which is optically coupled by the second region to the first region, and a kink and / or has a curvature, may also be referred to as a second optoelectronic device.
  • an optoelectronic component which has a bend and / or a curvature in the optically active region can be referred to as a second optoelectronic component.
  • An optoelectronic component which has no kink and / or no curvature in the optically active region can be referred to as the first optoelectronic component.
  • the second region may also be the geometric edge of the waveguide or attach to it.
  • a second region, which is not part of the waveguide, can be formed, for example, by applying the optoelectronic component with the optically active structure by means of a transparent or translucent adhesive to the optical waveguide
  • Waveguide is glued on.
  • the adhesive forms the second area.
  • the first optoelectronic component and the first region and / or the second region; and / or the second optoelectronic component and the second region may be formed an optical coupling structure.
  • the optical coupling structure may be formed as a material connection between an optoelectronic component and the waveguide, for example as an adhesive compound.
  • the optical coupling structure may be formed as a second region.
  • the coupling structure may be formed such that the coupling structure has a refractive index, the same considered
  • the coupling structure may be formed such that the coupling structure has a refractive index which is greater than or equal to
  • the coupling structure may have a matrix in which particles are distributed.
  • the refractive index of the coupling layer of particles and matrix is the coating thickness-average refractive index of the refractive index of the particles weighted with their volume fraction at the coupling structure and the refractive index of the matrix weighted with their volume fraction at the coupling structure.
  • the coupling structure may be formed such that the particles non-scattering with respect to provided and / or recorded
  • Electromagnetic radiation for example, have a mean diameter which is smaller than 100 nm.
  • the coupling structure may be formed such that the particles scattering with respect to provided and / or recorded
  • Electromagnetic radiation for example, have a mean diameter which is greater than 100 nm.
  • the particles may be formed as microlenses.
  • the particles and / or the matrix may be formed thermotropically such that the coupling structure is scattering in the operation of the optoelectronic component.
  • the particles may have a refractive index difference greater than about 0.01 with respect to the matrix in at least one wavelength range of the received or provided electromagnetic radiation. for example, greater than about 0.05; for example, greater than about 0, 1.
  • the rear side of the optically active region can be designed as an at least partially reflecting mirror structure or have such.
  • the optoelectronic component device may have a first device device unit and at least one second device device unit according to one of the above-mentioned embodiments, wherein the first waveguide of the first device device unit optically with the second
  • Bauclementevortechnischmaschine unit is coupled.
  • Component having a first optically active region and at least one second optically active region, wherein the first optically active region is a first
  • the optoelectronic component can have a first optoelectronic component unit and at least one second optoelectronic component unit, wherein the first optoelectronic component unit is set up, a first electromotive magnetic radiation
  • the second optoelectronic component unit is adapted to receive and / or provide a second electromagnetic radiation.
  • the recorded second electromagnetic radiation can
  • the first electromagnetic radiation or be.
  • at least the first region of the waveguide may have a first waveguide region and at least one second waveguide region, wherein the first electromagnetic radiation is guided in the first waveguide region and the second electromagnetic radiation is guided in the second waveguide region.
  • the waveguide can be structured such that the waveguide has a first waveguide unit and at least one second waveguide unit, wherein the first waveguide unit and the second waveguide unit differ in at least one optical property, for example, a different one
  • the refractive index of the waveguide unit may change more than the refractive index of the second waveguide unit during operation of the optoelectronic device. As a result, for example, the scattering and coupling in / out of the waveguide can be changed.
  • the optoelectronic component device may further have a Cyprusvertei distribution structure, wherein the heat distribution structure is at least partially formed on or above the optoelectronic device and having a thermal contact with this.
  • electromagnetic radiation is greater at least in a region in the first region than in the second region.
  • the second region may be curved
  • the second region may have at least one bend or be formed in such a way.
  • the optically active region can be formed on or over at least one bend of the second region, for example transforming it.
  • the second region may be formed as having two or more end faces of the first region.
  • the second region can be formed cylindrical.
  • the first region and the second region can be arranged in a dumbbell-shaped manner with respect to one another.
  • the method may comprise forming two or more optoelectronic components and two or more second regions, one or more optoelectronic components being / are formed on a second region.
  • the method may further comprise forming at least one further optoelectronic component, wherein the further
  • the first optoelectronic component at least partially with the first region optically is coupled.
  • the first optoelectronic component can be formed at least partially on or above the first region and optically coupled to the first region.
  • an optical coupling structure between the optically active region and the second region, the first optoelectronic component and the first region and / or the second region; and / or the second optoelectronic component and the second region an optical coupling structure are formed.
  • the optical coupling structure can be formed as a material connection between an optoelectronic component and the waveguide and / or between the regions of the waveguide, for example as an adhesive compound.
  • the coupling structure may be formed as a second region.
  • the coupling structure can be formed such that the coupling structure has a refractive index which is between the layer thickness-averaged refractive index of the respective optoelectronic component and the refractive index of the respective region of the waveguide.
  • the coupling structure can be formed such that the coupling structure has a matrix in which particles are distributed.
  • the coupling structure can be formed such that the particles are non-scattering in terms of provided and / or
  • the coupling structure can be formed such that the particles are scattering with respect to provided and / or recorded electromagnetic radiation.
  • the coupling structure can be formed such that the particles are designed as microlenses.
  • the coupling structure can be formed such that the particles and / or the matrix are thermotropic / is formed. In one embodiment of the method, the coupling structure may be formed such that the particles have a refractive index difference greater than 0.05 with respect to the matrix in at least one wavelength range of electromagnetism and radiation provided and / or received.
  • the rear side of the optically active region of the optoelectronic components can be designed as an at least partially reflective one
  • the method may further include forming a first device device unit and at least one second device
  • the optoelectronic component can be formed such that the optically active region has a first optically active region and at least one second optically active region, the first optically active region providing and / or receiving a first electromagnetic radiation and the second optically active region A second electromagnetic radiation provides and / or receives, wherein the first electromagnetic radiation and the second
  • Electromagnetic radiation in at least one electromagnetic property is different and wherein the first electromagnetic radiation and the second electromagnetic radiation in the waveguide off / coupled.
  • the optoelectronic component can be formed with a first optoelectronic component unit and at least one second optoelectronic component unit, wherein the first optoelectronic fan unit is set up to receive and / or provide a first electromagnetic radiation and the second optoelectronic component unit is adapted to receive and / or provide a second electromagnetic radiation.
  • the waveguide can be formed such that at least the first region of the waveguide has a first waveguide region and at least one second waveguide region, wherein the first electromagnetic radiation is guided in the first waveguide region and the second electromagnetic radiation in the second waveguide region.
  • the waveguide can be structured in such a way that the waveguide forms a first waveguide. Unit and at least one second waveguide unit, wherein the first waveguide unit and the second waveguide unit differ in at least one optical property.
  • the method may further comprise forming a heat distribution structure, wherein the heat distribution structure is at least partially formed on or above the optoelectronic component and formed with this in a thennischen contact.
  • FIGS. 1a-c show schematic representations of optoelectronic
  • FIGS. 2a-f are schematic representations of optoelectronic
  • FIGS 3 a, b are schematic representations of optoelectronic
  • FIGS. 4a, b are schematic representations of optoelectronic
  • FIGS 5a-c are schematic representations optoelectronic
  • FIGS. 6a, b are schematic representations of optoelectronic
  • connection As used herein, the terms “connected,” “connected,” and “coupled” are used to describe both direct and indirect connection, direct or indirect connection, and direct or indirect coupling.
  • connection As used herein, the terms “connected,” “connected,” and “coupled” are used to describe both direct and indirect connection, direct or indirect connection, and direct or indirect coupling.
  • identical or similar elements are provided with identical reference numerals, as appropriate.
  • the optically active region can absorb electromagnetic radiation and form a photocurrent therefrom or emit electromagnetic radiation by means of an applied voltage to the optically active region.
  • the electromagnetic radiation may have a wavelength range that
  • A-C X-rays, UV radiation (A-C), light and / or infrared radiation (A-C).
  • Wavelength adaptation of the refractive indices can also describe the features of the configurations of the further wavelength ranges of the electromagnets.
  • a planar optoelectronic component which has two flat, optically active sides, can, for example, in the connecting direction of the optically active sides be transparent or translucent, for example, as a transparent or translucent organic light emitting diode.
  • a planar optoelectronic component can, in various embodiments, also be a plane or plane-parallel
  • the optically active region can also have a planar, optically active side and a planar, optically inactive side, for example an organic light-emitting diode which is set up as a top emitter or bottom emitter.
  • the optically inactive side can be provided, for example, with a mirror structure and / or an opaque substance or substance mixture, for example for heat distribution; whereby the beam path of the optoelectronic component can be directed.
  • provision of electromagnetic radiation can be understood as meaning emission of electromagnetic radiation.
  • providing electromagnetic radiation may be considered
  • Emitting electromagnetic radiation by means of an applied voltage to an optically active region are understood.
  • absorption of electromagnetic radiation can be understood to mean absorption of electromagnetic radiation.
  • picking up electromagnetic radiation can be considered
  • An electromagnetic radiation emitting device may be in various
  • Embodiments be a semiconductor device emitting electromagnetic radiation and / or designed as a light emitting diode electrochemically radiation emitting diode, as a diode emitting organic electromagnetic radiation, as a transistor emitting electromotive energy or as an organic electromagnetic radiation emitting transistor be.
  • the radiation may, for example, be light (in the visible range), UV radiation and / or infrared radiation.
  • the component emitting electromagnetic radiation may be formed, for example, as a light emitting diode (LED) as an organic light emitting diode (OLED), as a light emitting transistor or as an organic light emitting transistor.
  • the electromagnetic radiation emitting device may be in various
  • Embodiments be part of an integrated circuit. Furthermore, a plurality of be provided electromagnetic radiation emitting devices, for example housed in a common housing.
  • an optoelectronic component can be used as an organic light emitting diode (OLED), an organic light emitting diode (OLED)
  • Photovoltaic system for example, an organic solar cell, an organic sensor, an organic field effect transistor (organic field effect transistor OFET) and / or an organic electronics to be formed.
  • the organic field-effect transistor can be a so-called "all-OFET" in which all layers are organic
  • An optoelectronic component can have an organic functional layer system, which is also synonymously called an organic functional layer structure comprise or be formed from organic matter or an organic substance mixture, for example, to provide an electromagnetic radiation from a
  • Electromagnetic radiation to be understood which flows in the propagation direction of the electromagnetic radiation through a unit area.
  • the current of electromagnetic radiation is the
  • Luminous flux The density of electromagnetic radiation can be used for light in the
  • Waveguide is described or described as illuminance, specific light emission or approximately as luminance.
  • Waveguide for example, a waveguide of a surface illumination source
  • Waveguide is the propagation direction of the electromagnetic radiation perpendicular to the surface normal to the large-area radiating surface of the waveguide.
  • the unit area of the density of the electromagnetic radiation can be imaged in the cross-sectional area that represents the thickness of a planar waveguide.
  • Propagation direction lie in the plane in which the disc has the smallest geometric dimension.
  • a planar waveguide which is structured i.
  • the unit area for determining the density of the electromagnetic radiation may be oriented perpendicular to the directions of the waveguide that describes the areal dimension of the waveguide.
  • a body which has a curvature may have a deviation from a flat surface in the region of the curvature.
  • a body having a kink can have a sharp bend in the region of the kink with negligibly small kinks
  • Radius of curvature for example, such that at a kink, a radius of curvature is not defined.
  • Radius of curvature may be under a layer thickness average
  • Refractive index of a structure of the refractive index of the structure with respect to the guided in the waveguide and emitted by the optoel ektroni cal device or absorbed electromagnetic radiation are understood.
  • the averaging of the averaged refractive index can take place in the case of a structure composed of a substance mixture via the refractive indices of the substances of the substance mixture in this wavelength range.
  • the averaging may be formed from a mixture of substances in a structure by means of forming the sum of the refractive indices of the substances of the mixture weighted with their respective volume fraction of the structure.
  • an organic substance can be understood as meaning a compound of the carbon characterized by characteristic physical and chemical properties, regardless of the particular state of matter, in chemically uniform form.
  • the term "material” can be used synonymously with the term "substance”.
  • an inorganic substance can be understood as meaning a compound without carbon or a simple carbon compound, characterized by characteristic physical and chemical properties, regardless of the particular state of matter, in chemically uniform form.
  • a substance mixture can be understood to mean something which has constituents of two or more different substances whose constituents are, for example, very finely dispersed.
  • a substance class means a substance or mixture of one or more organic substances, one or more inorganic substances or one or more hybrid substances.
  • the term "translucent”, “translucent layer” or “translucent material can be understood in various embodiments that a layer for electromagnetic radiation, such as light, is permeable, for example, for the light generated by the light emitting device, for example one or more Wavelength ranges, for example at least in a partial region of the wavelength range from 380 nm to 780 nm.
  • the term "translucent layer” in various embodiments is to be understood to mean that substantially all the light quantity coupled into a structure (for example a layer) also originates from the structure (For example, layer) is coupled, whereby a part of the light can be scattered here.
  • the term "transparent", “transparent layer” or “transparent substance” can be understood as meaning that a layer is permeable to electromagnetic radiation, for example light (for example at least in a subregion of the wavelength range from 380 nm to 780 nm), wherein in a structure (for example, a layer) coupled el ektrom agneti see radiation is coupled out substantially without scattering or wavelength conversion from the structure (for example, layer).
  • the connection of a first body to a second body may be positive, non-positive and / or cohesive.
  • the connections may be detachable, i. reversible. In various embodiments, connections may not be detachable, i. irreversible.
  • a non-detachable connection can only by means of
  • connection means.
  • an irreversible, conclusive connection can be realized.
  • the first body can be connected to the second body by means of atomic and / or molecular forces.
  • Cohesive compounds can often be non-releasable compounds.
  • a cohesive connection can be realized, for example, as an adhesive connection, a solder connection, for example a glass solder, or a metal solder, a welded connection.
  • an adhesive may include or be formed from one of the following: a casein, a glutin, a starch, a cellulose, a resin, a tannin, a lignin, an organic oxygenate. Nitrogen, chlorine and / or sulfur; a metal oxide, a silicate, a phosphate, a borate.
  • an adhesive as a hot melt adhesive for example, a solvent-based wet adhesive, a contact adhesive, a
  • Dispersion adhesive a water-based adhesive, a plastisol
  • Polymerization adhesive for example, a cyanoacrylate adhesive, a
  • Methyl methacrylate adhesive an anaerobic adhesive, an unsaturated polyester, a radiation curing adhesive; a polycondensation adhesive, for example, a phenol-formaldehyde resin adhesive, a silicone, a silane crosslinking polymer adhesive, a polyimide adhesive, a polysulfide adhesive; and / or a polyaddition adhesive, for example an epoxy resin adhesive, a polyurethane adhesive, a silicone, a pressure-sensitive adhesive; have or be formed from it.
  • a polycondensation adhesive for example, a phenol-formaldehyde resin adhesive, a silicone, a silane crosslinking polymer adhesive, a polyimide adhesive, a polysulfide adhesive
  • / or a polyaddition adhesive for example an epoxy resin adhesive, a polyurethane adhesive, a silicone, a pressure-sensitive adhesive
  • an adhesive layer may additionally comprise thermally conductive particles.
  • the thermally conductive particles may comprise or be formed from one of the following substances: carbon nanotubes, diamond, copper,
  • Thermal conductivity of the thermally conductive particles may range from about 28 W / mK to about 120 W / mK.
  • a waveguide in various embodiments, is a conductor for conducting electromagnetic radiation.
  • the waveguide is a device which is transmissive to the electromagnetic radiation, for example transparent or translucent, and which extends in at least one elongated extension direction.
  • the optical waveguide is internally in the waveguide, inter alia, due to internal reflection on an outer wall of the waveguide, which may also be referred to as an interface, for example, due to internal total reflection due to an angle of incidence of el ektromagneti see radiation on the interface, which is greater than that Limit angle of total reflection and wherein the waveguide a
  • the waveguide comprises fibers, a tube or a rod, which transport the electromagnetic radiation over a distance.
  • the waveguide may also be referred to as optical fiber, optical fiber, beam conductor or optical fiber.
  • the waveguide may include, for example, plastic such as polymeric fibers, PMMA, polycarbonate and / or hard clad silica waveguide.
  • the waveguide can be designed as a planar waveguide (FLWL).
  • a flat waveguide extends flat in two spatial directions, for example, plane-parallel, so that the dimensions of
  • a spicule structure may reflect electromagnetic radiation.
  • a mirror structure may be formed in various embodiments as an optical grating, a metallic mirror, a photonic crystal or a totally reflecting interface.
  • a mirror structure may be completely or partially reflective for electromagnetic radiation of a wavelength range, for example as a partially transparent mirror structure, for example as a dichroic mirror.
  • the semitransparent mirror structure may be, for example, a divider mirror and / or a disposable mirror.
  • the partially transparent mirror structure may, for example, be a part of the incident on it
  • the partially transparent mirror structure may, for example, on one side a dielectric layer system and / or optionally on the other side a reflection-reducing coating, for example to avoid double images.
  • a very thin metal coating can also be used,
  • Fig.la-c show schematic representations of optoelectronic
  • the optoelectronic component 102 is formed as a mechanically flexible surface light source and is optically coupled to the waveguide 104 (lightguide) - represented by the reference numeral 1 14 in Figure 1 c, for example with this means transparent or translucent adhesive (not shown, see Figures 6a, b).
  • the waveguide 104 represented by the reference numeral 1 14 in Figure 1 c, for example with this means transparent or translucent adhesive (not shown, see Figures 6a, b).
  • FIGS. 6 a, b Various exemplary embodiments of the optoelectronic component 102, the waveguide 104 and the adhesive are shown in more detail in FIGS. 6 a, b.
  • Optoelectronic component described using the example of a light-emitting device Optoelectronic component described using the example of a light-emitting device.
  • FIG. 1 a shows a schematic structure of the optoelectronic B in the Entevomom device 100 according to various embodiments using the example of an organic
  • Light-emitting diodes 102 as Flumblecnlichtario 102, which is arranged around a waveguide 104 such that the surface light source 102 couples light into the waveguide 104.
  • the light provided by the organic light emitting diode 102 can thereby be incorporated in FIG
  • the optoelectronic Bauel ementevorri chtache 100 image planes in different numbers and direction (indicated : two antiparallel image planes).
  • the light emissions 106, 108 are as a schematic, radiant form-independent emission of light, for example, in the entire half space above or below the waveguide 104.
  • the radiation ratio of the first light emission 106 and the second light emission 108 can be adjusted by means of the configuration of the waveguide 104 (see FIG. 2) with regard to the shape, the local refractive index and / or the local structuring.
  • the waveguide 104 may have a first region and a second region (see also FIG. 2c for clarification).
  • the first region has a planar design, for example as a planar waveguide.
  • the second region of the waveguide 104 is the region in which at least one optoelectronic component 102 is optically coupled to the waveguide.
  • the second region may be referred to as an end face of the first region, depending on the configuration of the waveguide 104. In other words, in various embodiments, the second region of the
  • the optoelectronic component 102 may have a kink 16 or a kink 16
  • Curvature 1 16 have. This can, for example, at a
  • electromagnetic radiation 110 (see FIG. 1b), which is coupled into the waveguide 104, for example in the region of the bend 16 (shown).
  • the optoelectronic component may be laterally structured, for example in such a way that the optoelectronic component 102 is free of organic functional layer structure (not shown in the region of the bend 16) (for example, in the region of FIG Knicks 116 in the optoelectronic device 102, a trench structure in the layers of
  • the optoelectronic component 102 is formed.
  • the waveguide 104 can form-fit with the optoelectronic component 102 are transformed.
  • Dadurc can the density of electromagnetic radiation 1 10 in the waveguide 104, for example in the region of Knicks 1 16, by means of reshaping the Knicks with the optoelectronic device
  • one or more end faces of the (planar) first region of waveguide 104 may be optically and / or optically coupled to one or more organic light emitting diodes 102, each of the one or more organic light emitting diodes 102 kinking 116 or 116 has a curvature.
  • one or more organic light emitting diode (s) 102 may be disposed around the waveguide 104 as side surface light sources 102 (shown: an organic light emitting diode 102).
  • the bend 16 or the curvature 116 can be formed, for example, by means of a self-adhesive organic light-emitting diode 102.
  • the waveguide 104 may be transparent or translucent. In various embodiments, the
  • Waveguide 104 as an optical cavity or optical resonator for the optoelectronic device 102 set up or be formed.
  • one or more surfaces of the waveguide 104 may have a mirror structure (not shown), for example in the (areal) first region of the waveguide and / or in the second region.
  • Mirror structure may, for example, partially backscattering and / or specular
  • Waveguide 104 (not shown), the radiation characteristic of the optoelectronic component device 100 can be changed. For example, the emission of light from the optoelectronic device separator 100 in the first direction 106 may be shifted in the second direction 108 in favor of increased emission.
  • the at least one optoelectronic component 102 which surrounds the waveguide 104 for example the organic light emitting diode 102, can be embodied in various ways
  • Embodiments one or more optoelectronic component units (see 4b) on a common carrier. In case of isolated
  • Optoelectrical component units on a common carrier the optoelectronic component units in an electrical series and / or parallel circuit can be electrically connected to each other, for example, to allow a Bestromcn the optoelectronic component device 100 via only two external terminals.
  • FIG. 1 b shows an interior view of the optoelectronic component device 100 according to FIG. 1 a without illustration of the waveguide 104. Schematically illustrated are those provided by the optoelectronic component 102 in the waveguide 104
  • optoelectronic component 102 for example an organic light emitting diode 102
  • an organic light emitting diode 102 may be formed as a so-called bottom emitter and / or top emitter.
  • an organic light-emitting diode 102 may be formed as a transparent OLED 102 or as a stacked OLED 102 with a plurality of emitter layers (see FIG. 6), for example an intermediate electrode or a charge generation layer (CGL) generation layer structure between two has adjacent organic functional layer structures (see Figure 6) and emits light in different directions.
  • Table of contents with organic light-emitting diodes which emit light in both directions i. for example, is transparent and / or has two optically active surfaces emitting in the opposite direction; can with the waveguide 104th
  • FIG. 1c shows a schematic representation for forming an optoelectronic component device, according to various exemplary embodiments.
  • the waveguide 104 may, for example, according to one of
  • Embodiments of the description of Figure 1 a, b and / or Figure 2 to Fig.6 be formed.
  • the flexible area lighting 102 may, for example, according to one of Embodiments of the optoelectronic component 102 of the description of Fig. La, b and / or Fig.2 to Fig.6 be formed.
  • the flexibility of the area illumination 102 makes it possible to at least partially surround the waveguide 104 with the optically active area 12 of the flexible area illumination 102, for example to reshape it.
  • Flat surface illumination 102 are formed so that the optoelectronic device at the 1 16, corners 1 16 and / or curves 1 16 of the waveguide 104 can provide electromagnetic radiation in the waveguide 104 or can receive from the waveguide 104.
  • the flexible area illumination 102 can be connected to the waveguide in a conclusive manner (represented by the "+" sign with reference number 114), for example by material bonding, for example, to the waveguide 104.
  • the interlocking connection should be arranged such that the flexible area lighting 102 optically couples to the waveguide 104, for example by the adhesive of the cohesive one
  • Compound is formed at least partially transmissive and, for example, has a refractive index which is greater than the refractive index of the exposed
  • Adhesive are shown in Fig.6.
  • an adhesive layer (see Fig. 6) is already formed on the optoelectronic device 102 prior to coupling to the waveguide, i. on the optically active region 112 of the optoelectronic
  • optoelectronic device 102 are formed, with which an molding to a three-dimensionally shaped waveguide 104 is made possible, for example by means of a
  • the adhesive layer on the optically active region 12 of the optoelectronic component 102 may form part of the optoelectronic assembly 102 before it is formed a peelable cover (not shown).
  • This peelable cover for example, can only be removed from the adhesive film shortly before forming 114. The peelable cover can protect the adhesive layer from particle contamination
  • the optoelectronic component 102 can be attached to this adhesive film in a form-fitting and / or material-locking manner on different waveguides in a space-saving, shapeable, simple and thus cost-effective manner.
  • the adhesive layer can be designed as a coupling structure for optical coupling of the light emitted by the optoelectronic component 102 into the waveguide 104 (see FIG. 6), for example being transparent and / or refractive index-adapted to the OLED.
  • Device devices 100 with specially designed waveguides 104 which may contribute to setting a desired emission characteristic in a radiation-emitting optoelectronic component 102.
  • the radiation characteristic that can be adjusted with the optoelectronic component devices 100 shown can be implemented only with difficulty, for example, with point light sources.
  • the waveguide 104, the flexible area lighting 102 and the coupling structure or the adhesive between the waveguide and the flexible area lighting 102 may be formed in accordance with the embodiments of the descriptions of FIGS. 1 and 3 to 6, for example.
  • Fig. 2a shows a cylindrical waveguide 104 which is in the edge region, i. in the second area, surrounded by a flexible area lighting 102 is the flexible
  • Area illumination 102 may at least partially surround the end faces and / or at least partially the envelope surface of the waveguide 104, wherein the flexible
  • Area illumination 102 has at least one kink 116.
  • the optoelectronic device device 100 can emit electromagnetic radiation 106, 108 in different spatial directions, i. in different
  • Fig. 2b shows a waveguide 104 similar to a cuboid but with the second one
  • Area 204 of the waveguide 104 is formed as rounded side surfaces of the (area) first portion 202 of the waveguide 104.
  • a flexible area lighting 102 is optically coupled to the second area 204 (shown: two).
  • the flexible area lighting 102 may have a curvature 16 (shown) or a bend (not shown).
  • at least one side surface 206 of the waveguide 104 may be at least partially reflective, for example, a mirror structure (not shown).
  • Curvature 1 16 and / or the bend 1 16 the contact surface of the waveguide 104 can be increased with the optoelectronic component 102 with respect to the thickness of the waveguide 104 in the first region 202.
  • the density of electromagnetic radiation in the first area 202 for example, be larger in the first area per unit area than on the optically active area 112.
  • the curvature 16 of the optoelectronic component 102 can have any shape, which is understood as a curvature in the mathematical sense,
  • FIG. 2 c shows a dumbbell waveguide 104 having a planar first region 202 similar to a cuboid and a second region 204 similar to a cylinder.
  • the second area 204 may be partially or completely surrounded by one or more flexible area lights 102.
  • waveguide 104 may have one or more second regions 204 (shown two), with which one or more flexible areal lights 102 are or are optically and conclusively bounded (one each).
  • the thickness of the first region 202 can be reduced at a predetermined density of electromagnetic radiation 110 (see FIG.
  • the cuboid first region 202 of the waveguide 104 may thereby be or be formed as a thin plate region.
  • such a shaped waveguide 104 may be formed by molding a glass or plastic.
  • dumbbell Waveguides 104 may be formed, for example, by means of a volume casting of a liquefied glass, for example a glass solder, or a plastic, for example a resin or a polyacrylic, with a corresponding negative mold.
  • the dumbbell-shaped waveguide can also be formed by gluing the second region 204 on the first region 202, wherein the adhesive is at least partially transparent or translucent.
  • such a shaped waveguide 104 can be formed by means of a
  • the integral connection may be formed as a coupling structure for the first region 202 and the second region 204, for example a refractive index approximately equal to or between the refractive indices of the structures of the first region 202 and the second region 204.
  • FIG. 2 d shows an optoelectronic component device 100 according to various exemplary embodiments. Shown is an optoelectronic component 102, which is optically coupled by means of an adhesive 208 with a waveguide 104, wherein the optoelectronic component 102 has a curvature 116.
  • the second region 204 may be formed by a molded adhesive 208 and a molded optoelectronic device 102.
  • FIG. 2 c shows a dumbbell-shaped waveguide 104 similar to the embodiment of FIG. 2 c, the second region 204 being formed in the form of a polygon, for example with a trapezoidal surface as the side surface of the structure of the second region 204.
  • the area lighting 102 may have a kink 1 16 in this embodiment.
  • the optoelectronic device 102 may be optically coupled to the first region 202 with two or more surfaces of the second region 204.
  • FIG. 2f shows a waveguide 104 in the form of a polyhedron, for example with trapezoidal side surfaces 206.
  • Waveguide 104 and the arrangement of the optoelectronic component 102 on the waveguide 104 can be set in the waveguide 104 different angles of incidence for the regions of the optoelectronic component 102, which adjoin the bend 1 16.
  • the mixing ratio of the emission directions 106, 108 can be set in various exemplary embodiments. This can be done in different ways
  • Exemplary embodiments for example, a multidirectional, for example
  • omnidirectional, radiating optoelectronic component device 100 may be formed.
  • 3a, b show different exemplary embodiments of optoelectronic
  • one or more further (first) optoelectronic components 302 and / or mirror structures 304 may be arranged on one or both optically active surface / s 206 of the waveguide 104. i.e. be optically and conclusively connected to the waveguide 104 - shown in Figure 3a, b.
  • Another optoelectronic component 302 which is to be configured as an optoelectronic component and mirror structure, can
  • the further optoelectronic component 302 which couples electromagnetic radiation directly into the first region 202 and has no kink or curvature, can also be referred to as the first optoelectronic component 302.
  • the optoelectronic component 102 in the second region with kink 16 or bend 116 can also be referred to as a second optoelectronic component.
  • a plurality of first optoelectronic components 302 may be identical or different.
  • An additional optoelectronic component 302 may be formed as an inorganic optoelectronic component 302 or an organic optoelectronic component 302.
  • the first optoelectronic component 302 may be configured to receive and / or provide electromagnetic radiation, for example according to one of the embodiments of the description of the optoelectronic component 102 in the second area 204.
  • the first optoelectronic component 302 may be set up in the first region 202 for providing electrical radiation or may be operated in this manner, while the optoelectronic component 102 in the second region 204 is at least partially adapted to receive the electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic radiation Component 302 is provided in the first area 202, be set up or operated.
  • the optoelectronic component 102 may be set up in the second region 204 for the purpose of providing electromagnetic radiation or operated in such a way, while the optoelectronic component 302 in the first region 202 is at least partially connected to the first region 202
  • Component 102 is provided in the second area 204, be set up or operated.
  • one optoelectronic component can be used as a detector for the other optoelectronic component, for example for measuring aging phenomena of the respective radiation-emitting optoelectronic component.
  • an optoelectronic component device 100 without representation of the waveguide 104 is shown schematically, to the first optoelectronic component 302 and / or the mirror structure 304 on the underside of the waveguide 104 to
  • Mirror structure 304 may be formed, for example, at least partially on an optically active surface of waveguide 104, i. be formed in / on the first portion 202 of the waveguide 104 and thus at least partially cover this.
  • Component 302 and / or mirror structure 304 may be in the region of the first
  • Optoelectronic device 302 and / or the mirror structure 304 optically inactive, for example, by the first optoelectronic device 302 and / or the mirror structure 304 deflect electromagnetic radiation in the second direction 108.
  • the first optoelectronic component 302 may, for example, improve the luminous homogeneity of the optoelectronic component device 100 and / or increase the maximally realizable optically active surface of the waveguide 104 on one side, for example by forming the first optoelectronic component 302 in the portion of the first region 202 in that the density of the electromagnetic radiation of the second optoelectronic component 102 is below a threshold value.
  • Fig. 4 shows optoelectronic component devices according to various
  • FIG. 4 a shows an optoelectronic terminal emptying device 400 according to various exemplary embodiments with a first optoelectronic component device unit
  • the optoelectronic device device units 100a, 100b according to one of the embodiments of the optoelectronic
  • Component device 100 of the descriptions of Fig.l to Fig. 3 may be formed, for example, an optoelectronic device 102a, b and a waveguide 104a, b according to one of the embodiments of the descriptions of Fig.l to Fig.3.
  • Connection structure 402 may be formed.
  • Device device unit 100a, b can the homogeneous luminous area of
  • optoelectronic module 100 is increased and / or - in
  • Device devices may be formed, for example, in that the surface normals of the first regions of the optoelectronic component device units 100a, 100b have different directions.
  • the optoelectronic component 102b may be formed between two adjacent waveguides 104a, b as a single-side emitting optoelectronic component 102b, as a double-sided emitting optoelectronic component 102b or a back-to-back arrangement of two single-sided emitting surface illuminators 102.
  • the optoelectronic components 102a, b of the optoelectronic can be used
  • Units 100a, 100b are designed as single-side emitting optoelectronic components 102a, b, for example as bottom emitter or top emitter (see FIG. 6).
  • the optoelectronic components 102a, b of the optoelectronic component detector units 100a, 100b can be of transmissive design or have a mirror structure.
  • the interconnect structure 402 may be configured to electrically contact an optoelectronic device device unit (see FIG. 6), for example as an electrode of the second
  • connection structure 402 may be formed as a heat distribution structure of an optoelectronic component device unit, for example as a metal layer with a lateral
  • connection structure 402 may be formed as a mirror structure or have such.
  • an optoelectronic component 102a, b which is designed as a bottom emitter or top emitter, the rear side of the optically active surface may be reflective with respect to electromagnetic radiation.
  • reflective back side of the optoelectronic component 102b of the second optoelectronic component device units 100b act as mirror structure 402 of the optoelectronic component 102a of the first optoelectronic component unit 100a.
  • connection structure 402 may also be referred to as a coupling structure 402.
  • connection structure 402 may be formed as a material connection and / or thermal connection.
  • the connection structure 402 may be formed as a material connection and / or thermal connection.
  • Connection structure 402 may be formed as an adhesive 402, for example, according to one embodiment of the adhesive 208 of the description of Figure 6.
  • connection structure 402 can enable an optical coupling of an optoelectronic component in the first waveguide 104a and in the second waveguide 104b.
  • the second region 204 of the waveguides 104a, b may, for example, be designed to be complementary, for example
  • the optoelectronic component device units 100a, b can act as a form-locking connection of the optoelectronic device device units 100a, b.
  • the optoelectronic component device units 100a, b can act as a form-locking connection of the optoelectronic device device units 100a, b.
  • Bauclementevortechnischevoriques- units 100a, 100b have the same or different optical properties, for example light with a different color valence provide or record, for example, different emission spectra
  • Color valencies for example, emit red, green, blue, white light.
  • the optoelectronic device in various embodiments, the optoelectronic
  • Device device units 100a, 100b are controlled individually or in groups.
  • the color valence of the light which of the
  • Waveguide 104a, b is provided by means of the control of optoel ektroni see components 102a, b are set, for example, in an application of the optoelectronic B auelem duck vorri rect as mood light (mood light) or in light therapy.
  • FIG. 4 b shows an optoelectronic component device 410 according to various exemplary embodiments with an optoelectronic component 102, which has two or more optoelectronic component units 102 A, B, C (shown: three), wherein the optoelectronic component 102 and / or the two or more optoelectronic
  • Component units 102A, B, C have / have at least one bend and / or at least one bend.
  • the optoelectronic component units 102A, B, C may have the same or different optoelectronic properties with respect to one another, for example a first electromagnetic radiation 408A, a second electromagnetic radiation 408B, and a third electromagnetic radiation 408C, respectively and / or record.
  • the electromagnetic radiation 408 A, B, C may, for example, have the same or different color location or a different color valence.
  • the first electromagnetic radiation 408A may be associated with a blue light
  • the second electromagnetic radiation 408B may be associated with a green light
  • the third electromagnetic radiation 408C may be associated with a red one
  • Permutation of the illustrated embodiment can be provided or added.
  • a plurality of component units 102A, B, C can be emitted with the optoelectronic component device 410, for example, locally different color light, for example, for playback or display of information, such as a pictogram, an ideogram and / or a lettering.
  • a transparent or translucent waveguide by means of the mixture of the electromagnetic radiation 408A, B, C, for example, a white light can enter the image plane (s) of the
  • the optoelectronic device units 102A, B, C may be driven differently or equally with respect to each other.
  • the first optoelectronic device unit 102A may be operated as a photodetector for the provided electromagnetic radiation 408B, C of the other optoelectronic device units 102B, C.
  • the optoelectronic device units 102A, B, C may be controlled such that the number of light emitting optoelectronic
  • Device units 102A, B, C emit light proportional to a degree of dimming of the optoelectronic component device 410.
  • the waveguide 104 may be patterned, eg, having a plurality of waveguide units 104A, B, C (shown: three).
  • the plurality of waveguide units 104A, B, C may have the same or different optical properties, for example, a different refractive index, a different polarization, different scattering and / or one
  • waveguide units 104 A, B, C can be emitted with the optoelectronic component device 410, for example, locally different color light, for example, for playback or display of information, such as a pictogram, an ideogram and / or a lettering.
  • the first electromagnetic radiation 408A may be carried in the first waveguide unit 104A, the second electromagnetic radiation 408B in the second waveguide unit 104B, and the third electromagnetic radiation 408C in the third waveguide unit 104C.
  • 5a-c show optoelectronic component devices 500, 510, 520 according to various embodiments.
  • the waveguide 104 and / or the surface illumination 102 may be in thermal contact with a heat distribution structure 502, for example at least partially surrounded by a heat distribution structure 502, for example at least partially in the second region (FIGS. 5a-c).
  • the optoelectronic component 102 may be at least partially formed in the second region 204 and the heat distribution structure 502 at least partially in the second region 204 and at least partially in the first region 202 (FIG. 5a).
  • the optoelectronic component 102 may be formed at least partially in the second region 204 and at least partially in the first region 202 and the heat distribution structure 502 at least partially in the second
  • the optoelectronic component 102 may be formed at least partially in the second region 204 and at least partially in the first region 202 and the heat distribution structure 502 at least partially in the second region 204 and at least partially in the first region 202 (Flg.Sc).
  • the heat distribution structure 502 may be used as a heat distributing film, i. as a thennisch highly conductive film (Heatspreader film), be formed.
  • a heat distributing film i. as a thennisch highly conductive film (Heatspreader film)
  • the heat distribution structure 502 may be designed to be reflective and / or backscattering, for example as a mirror structure, for example in which the heat distribution structure 502 is formed as a metal layer at least 100 ⁇ m thick.
  • a one-sided light emission 106 of the optoelectronic component device 500, 510, 520 can be realized,
  • the heat distribution structure 502 may be configured to electrically contact the optoelectronic component 102, for example, be connected to at least one electrode of the optoelectronic component 102 or be formed as such.
  • 6a, b show a schematic cross-sectional view optoelectronic
  • Component management according to various exemplary embodiments. Shown are two embodiments of a surface illumination 102, which is connected to a waveguide 106 and optically coupled. Shown are schematic
  • an optoelectronic Bauelemcntevortechnisch 100 comprising: an optoelectronic component 102 on or above an optical waveguide 104.
  • the optoelectronic device 102 is optically coupled to the waveguide 104, for example, also materially, for example by means of an adhesive layer 612, 208th
  • light-scattering particles can still be embedded, which can lead to an improvement in the color angle distortion and the coupling-out efficiency.
  • scattering particles may be provided as light-scattering particles, for example metal oxides such as e.g.
  • Silica SiCb
  • zinc oxide ZnO
  • zirconia ZrO 2
  • ITO indium-tin oxide
  • IZO indium-zinc oxide
  • gallium oxide Ga 2 O x alumina
  • titanium oxide Other particles may also be suitable, provided that they have a refractive index which is different from the effective refractive index of the matrix of the translucent layer structure, for example air bubbles, acrylate or glass hollow spheres.
  • metallic nanoparticles, metals such as gold, silver, iron nanoparticles, or the like may be provided as light-scattering particles.
  • the adhesive may be configured such that it itself has a refractive index that is less than or greater than that
  • Refractive index of the waveguide 104 or the refractive index as the exposed layer of optoel ektroni see component 102 may be greater than 0.05, for example greater than 0.1, for example, greater than 0.2.
  • An adhesive can be
  • a low-refractive adhesive such as an acrylate having a refractive index of about 1.3.
  • a low-refractive adhesive such as an acrylate having a refractive index of about 1.3.
  • a low-refractive adhesive such as an acrylate having a refractive index of about 1.3.
  • adhesive may be a high-index adhesive
  • a plurality of different adhesives may be provided which form an adhesive layer sequence.
  • particles of a high refractive index metal oxide for example, T1O2, Al2O3; to be added.
  • the particles may, for example, have a mean diameter d50 of less than about 100 nm, for example about 50 nm. This allows the particles to increase the layer thickness average refractive index of the adhesive layer without acting as scattering centers.
  • the particles may act in addition to the increase of the layer thickness average refractive index of the adhesive as scattering centers for light.
  • the proportion of light emerging from the light-emitting component 102 in the waveguide 104 may act in addition to the increase of the layer thickness average refractive index of the adhesive as scattering centers for light.
  • cavities may be added, for example by adding porous particles to the adhesive or by forming voids in the adhesive, for example by means of a sol-gel process.
  • the cavities may, for example, have a mean diameter d50 of less than about 100 nm, for example about 50 nm. This allows the cavities to be layer-thickness averaged
  • Reduce refractive index of the adhesive layer without acting as scattering centers For cavities with a diameter of more than 100 nm, for example with a diameter of about 0.5 ⁇ to about 5 ⁇ the cavities may act in addition to the lowering of the coating thickness-averaged refractive index of the adhesive as scattering centers for light. As a result, for example, the proportion of light which is coupled out of the light-emitting component 102 into the waveguide 104 can be increased. The increase in the light pattern is achieved, for example, by changing the angle of incidence of light at an interface below the amount of total reflection at that interface.
  • the adhesive 208 may be optional
  • the adhesive 208 may be used in a
  • the adhesive 208 in the case of a light-absorbing component 102 may have a refractive index whose magnitude is less than or equal to the magnitude of the refractive index of the waveguide 104.
  • Such an adhesive 208 may also be referred to as a refractive index-adapted adhesive.
  • the reflection of electromagnetic radiation at the interface of the adhesive 208 with the waveguide 104 can be reduced, ie, the coupling in waveguide 104 or in the optoelectronic component 102 can be improved.
  • the efficiency of the optoelectronic B ean ementevorri rect 100 can be improved.
  • the adhesive 208 may also be referred to as
  • Coupling structure 208 or optical coupling structure 208 are identical to Coupling structure 208 or optical coupling structure 208.
  • the adhesive 208 may be formed as a pressure sensitive adhesive (PSA).
  • PSA pressure sensitive adhesive
  • the adhesive 208 may include chromophores that partially convert the light emitted from the optoelectronic device 102 (white or monochrome) to another wavelength region. Thereby, an improvement of the color rendering value (CRI) or spectral regions (such as deep red) can be set, which can not be achieved by commercially available emitter materials.
  • CRI color rendering value
  • spectral regions such as deep red
  • the optoelectronic component may include a carrier 602, and an electrically active region having a first electrode 604, an organic functional layer structure 608, and a second electrode 610, as described in more detail below.
  • Component 102 which can receive or provide electromagnetic radiation can be referred to as optically active region 12 of optoelectronic component 102.
  • the optoelectronic component 102 may be used as an organic light-emitting diode 102 (or else as a light-emitting component 102 according to the embodiments described above or below) as such be set up called top and bottom emitter.
  • a top and bottom emitter can also be designed as an optically transparent component, for example a transparent organic light-emitting diode.
  • the optoelectronic component 102 may be configured as an organic photodetector (or else as a light-absorbing component 102 according to the exemplary embodiments described above or below).
  • the optoelectronic component 102 may be configured as an organic light emitting diode 102 and / or as an organic photodetector 102, for example, an organic light emitting diode in the sudwerts ses as
  • organic photodetector 102 are operated.
  • the optoelectronic component 102 may be configured to receive and / or provide electromagnetic radiation, wherein the optoelectronic component 102 is set up to generate an electrical energy from an external electromagnetic radiation and / or an electromagnetic radiation from one to provide electrical energy.
  • the optoelectronic component 102 will be described below using the example of FIG.
  • the optoelectronic component 102 may have a carrier 602.
  • the carrier 602 may serve, for example, as a support member for electronic elements or layers, for example, emitting elements.
  • the carrier 602 may be transparent, translucent or opaque, for example.
  • a transparent or translucent carrier 102 may, for example, in a
  • transparent optoelectronic device 102 may be used. In various embodiments, however, the carrier 102 may also be referred to as cover 102.
  • the carrier 602 may include, for example, glass, quartz, and / or a semiconductor material, or any other suitable material, or may be formed therefrom. Furthermore, the carrier may comprise or be formed from a plastic film or a laminate with one or more plastic films. The plastic may contain one or more polyolefins
  • the plastic may be polyvinyl chloride (PVC), polystyrene (PS), polyester and / or polycarbonate (PC), pol yethyl enterephthalate (PET), Polyethersulfone (PES) and / or polyethylene naphthalate (PEN) or be formed therefrom.
  • the carrier 602 may comprise one or more of the above-mentioned materials.
  • the carrier 602 may be translucent or even transparent.
  • the carrier 602 may include or be formed from a metal, for example
  • a carrier 602 comprising a metal or a metal compound may also be formed as a metal foil or a metal-coated foil.
  • the carrier 602 may be translucent or even transparent.
  • the metal may be formed as a thin layer of transparent or translucent layer and / or the metal may be part of a mirror structure (not shown).
  • the carrier 602 may have a mechanically rigid region and / or a mechanically flexible region or be formed in such a way.
  • a carrier 602 having a mechanically rigid region and a mechanically flexible region may be patterned, for example, by having the carrier 102 of different thickness in the rigid region and the flexible region.
  • a mechanically flexible carrier 602 or the mechanically flexible region may, for example, be formed as a foil, for example a plastic foil,
  • a barrier layer 606 may optionally be arranged, for example on the side of the organic functional layer structure 608 (shown) and / or on the side facing away from the organic functional layer structure 608 (not shown).
  • the barrier layer 606 may comprise or be formed from one or more of the following materials: alumina, zinc oxide, zirconia, titania, hafhia, tantalum oxide, lanthania, silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride,
  • the barrier layer 606 may be provided by means of a
  • ALD Atomic layer deposition
  • Molecules may be formed by molecular layer deposition (MLD).
  • the barrier layer 606 may comprise two or more identical and / or different layers, or layers, for example next to one another and / or one above the other, for example as a barrier layer structure or
  • the barrier layer 606 may have a layer thickness in a range of about 0.1 nra (one atomic layer) to about 1000 nm, for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 200 nm, for example one
  • barrier layer 606 may be an electrically active region of the
  • the electrically active region can be understood as the region of the borrowing-emitting component 102 in which an electric current flows for the operation of the optoelectronic component 102.
  • the electrically active region may include a first electrode 604, a second electrode 610, and an organic functional one
  • Layer structure 608 as will be explained in more detail below.
  • the first electrode 604 (eg, in the form of a first electrode layer 604) may be deposited on or over the barrier layer (or, if the barrier layer is not present (shown) on or above the carrier 602).
  • the first electrode 604 (hereinafter also referred to as lower electrode 604) may be formed of or be made of an electrically conductive material, such as a metal or a conductive conductive oxide (TCO) or a layer stack of multiple layers of the same metal or
  • an electrically conductive material such as a metal or a conductive conductive oxide (TCO) or a layer stack of multiple layers of the same metal or
  • Transparent conductive oxides are transparent, conductive materials, for example metal oxides, such as zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide,
  • binary metal oxygen compounds such as ZnO, SnO 2, or In 2Ü 3 also include ternary Metal oxygen compounds such as AlZnQ, Z 2S 04, CdSnO 3, ZnSnC 3, Mgln 4 O, GalnO 3, Zn 2 In 2 O 5 or In 4 Sn 3 O 2, or mixtures of different transparent conductive oxides into the group of TCOs and can be used in various embodiments.
  • the TCOs do not necessarily correspond to a stoichiometric composition and can also be p-doped or n-doped.
  • the first electrode 604 may comprise a metal; For example, Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ca, Sm or Li, and
  • the first electrode 604 may be formed from a layer stack of a combination of a layer of a metal on a layer of a TCO, or vice versa.
  • An example is a silver layer deposited on an indium tin oxide (ITO) layer (Ag on ⁇ ) or ITO-Ag-ITO multilayers.
  • ITO indium tin oxide
  • the first electrode 604 may provide one or more of the following materials, as an alternative or in addition to the materials mentioned above: networks of metallic nanowires and particles, such as Ag; Networks of carbon nanotubes; Graphene particles and layers;
  • the first electrode 604 may be electrically conductive polymers or
  • the first electrode 604 and the carrier 602 may be translucent or transparent.
  • the first electrode 604 is formed of a metal, the first electrode 604 may, for example, a
  • the first electrode 604 may, for example, have a layer thickness of greater than or equal to approximately 10 nm, For example, a layer thickness of greater than or equal to about 15 nm.
  • the first electrode 604 may have a layer thickness in a range of about 10 nm to about 25 nm, for example a layer thickness in a range of about 10 nm to about 18 nm, for example a layer thickness in a range of about 15 nm to about 18 nm , Furthermore, in the event that the first electrode 604 is made of a conductive
  • the first electrode 604 has a layer thickness in a range of about 50 nm to about 500 nm, for example, a Sehichtdicke in a range of about 75 nm to about 250 nm, for example, a Sehichtdicke in a range of about 100 nm to about 150 nm.
  • TCO transparent oxide
  • the first electrode 604 is made of, for example, a network of metallic nanowires, for example Ag, which may be combined with conductive polymers
  • a network of carbon nanotubes that may be combined with conductive polymers or graphene may be used.
  • the first electrode 604 for example, have a layer thickness in a range of about 1 nm to about 500 nm, for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 400 nm, for example, a layer thickness in a range of about 40 nm to about 250 nm.
  • the first electrode 604 may be formed as an anode, that is to say as a hole-injecting electrode, or as a cathode, that is to say as an electron-injecting electrode.
  • the first electrode 604 may include a first electrical terminal to which a first electrical potential (provided by a power source (not shown), such as a power source or a voltage source) may be applied.
  • a first electrical potential may be applied to the carrier 602 and then indirectly supplied to the first electrode 604.
  • the first electrical potential may, for example, the ground potential or another predetermined
  • the first electrode 604 may be formed, for example, opaque and / or reflective, for example as a metal film with aluminum, silver and / or magnesium, and a thickness of about 100 nm or thicker.
  • the first electrode 604 and / or the carrier 602 may be configured as a heat distribution structure, for example a product of specific thermal conductivity and layer thickness greater than about 0.01 mW / K, for example greater than about 1 mW / K, for example a range of about 10 mW / K to about 100 mW / K.
  • a heat distribution structure for example a product of specific thermal conductivity and layer thickness greater than about 0.01 mW / K, for example greater than about 1 mW / K, for example a range of about 10 mW / K to about 100 mW / K.
  • the first electrode 604 and / or the carrier 602 may be formed as a mirror structure. This can be electromagnetic
  • the electrically active region of the light emitting device 102 may comprise an organic functional layer structure 608, also referred to as an organic electroluminescent layer structure 608, which is or will be applied on or above the first electrode 604.
  • the organic electroluminescent layer structure 608 may include a plurality of organic functional layer structures (not shown). In different
  • the organic electroluminescent Schich structure 608 more than two organic functional layer structures, for example, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, or even more, for example, more than 15.
  • the organic functional for example, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, or even more, for example, more than 15.
  • the organic functional for example, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, or even more, for example, more than 15.
  • Layer structures are the same or different from each other,
  • Charge pair generation layer structure (English: charge generation layer, CGL) and / or an intermediate electrode is arranged.
  • Layer structure 608 have one or more emitter layers, for example with fluorescent and / or phosphorescent emitters, as well as one or more hole-making openings (not shown in FIG.
  • emitter materials that can be used in the light-emitting device 102 according to various exemplary embodiments of the invention include organic or organometallic compounds, such as derivatives of polyfluorene, polythiophene and polyphenylene (for example 2- or 2- substituted poly-p-phenylenevinylene) and metal complexes, for example iridium complexes such as blue-phosphorescent FIrPic (bis (3,5-diiluoro-2- (2-pyridyl) phenyl- (2-carboxvpyridyl) iridium III), green-phosphorescing Ir ( ppy) 3 (tris (2-phenylpyridine) iridium III), red phosphorescent Ru (dtb-bpy) 3 * 2 (PF6) (tris [4,4'-di-tc
  • Polymer emitters are used, which can be deposited, for example by means of a wet-chemical method, such as a spin-on method (also referred to as spin coating).
  • a wet-chemical method such as a spin-on method (also referred to as spin coating).
  • the emitter materials may be suitably embedded in a matrix material.
  • Embodiments are also provided.
  • the emitter layer (s) of the emitter layer (s) of the device (s) 102 may be selected, for example, such that the light emitting device 102
  • the emitter layer (s) may comprise a plurality of emitter materials emitting different colors (for example blue and yellow or blue, gmn and red), alternatively the emitter layer (s) may also be composed of a plurality of sublayers, such as a blue fluorescent emitter layer or blue phosphorescent emitter layer, a green phosphorescent emitter layer and a red
  • the emission of light can result in a white color impression.
  • it can also be provided to arrange a converter material in the beam path of the primary emission generated by these layers, which at least partially absorbs the primary radiation and emits secondary radiation of a different wavelength, so that from a (not yet white) primary radiation by the combination of primary radiation and secondary Radiation produces a white color impression.
  • the organic functional layer structure 608 may generally include one or more electroluminescent layers.
  • the one or more electroluminescent layers may or may comprise organic polymers, organic oligomers, organic monomers, organic small, non-polymeric molecules ("small molecules"), or a combination of these materials
  • electroluminescent layer structure 608 one or more electroluminescent
  • the organic functional layer structures 608 may include one or more functional layers configured as an electron transport layer such that
  • electroluminescent layer or an electroluminescent region is made possible.
  • hole transport layer for example, tertiary amines, Carbazoderivate, conductive polyaniline or Polythylendioxythiophen can be used.
  • the one or more electroluminescent layers may be embodied as an electroluminescent layer.
  • the second electrode 610 may be applied (for example in the form of a second electrode layer 610).
  • the second electrode 610 may be configured according to one of the configurations of the first electrode 604, wherein the first electrode 604 and the second electrode 610 may be the same or different.
  • metals are particularly suitable.
  • the second electrode 610 (for example, in the case of a metallic second electrode 610), for example, have a layer thickness of less than or equal to about 2000 nm, for example, have a layer thickness of less than or equal to about 1000 nm, for example, have a layer thickness of less or equal to approximately 500 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 200 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 100 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 50 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 45 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 40 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 35 nm, for example a layer
  • Layer thickness of less than or equal to about 15 nm for example, a layer thickness of less than or equal to about 10 nm.
  • the second electrode 610 in various embodiments, may be formed from one or more of the materials and with the respective layer die, as described above in connection with the first electrode 604.
  • the first electrode 604 and the second electrode 610 are both translucent or transparent.
  • the light emitting device 102 shown in Fig. 6 may be configured as a top and bottom emitter (in other words, a transparent light emitting device 102).
  • the second electrode 610 may be formed as an anode, that is to say as a hole-injecting electrode, or as a cathode, that is to say as an electron-injecting electrode.
  • the second electrode 610 may include a second electrical terminal to which a second electrical potential (which is different than the first electrical potential) provided by the power source may be applied.
  • the second electrical potential may have a value such that the difference from the first electrical potential has a value in a range of about 1.5V to about 20V, for example, a value in a range of about 2.5V to about 15V, for example, a value in a range of about 3V to about 12V.
  • the second electric potential may have a value proportional to the number of times organic functional layer structures, for example, a value up to mains voltage, for example, 230 volts.
  • 6a shows a schematic representation of an optoelectronic
  • Component device according to various embodiments.
  • an encapsulation is formed on the transparent or translucent second electrode 610, for example in the form of a barrier thin layer / thin-layer encapsulation 612.
  • a “barrier thin film” or a “barrier thin film” 612 may, for example, be understood as a layer or a layer structure which is suitable for providing a barrier to chemical contaminants or atmospheric substances, in particular to water (moisture) and Oxygen, form.
  • the barrier thin layer 612 is designed so that it can not be penetrated by OLED-damaging substances such as water, oxygen or solvent, or at most at very low levels.
  • the barrier film 612 may be formed as a single layer (in other words, as a single layer), according to an alternative
  • the barrier thin film 612 may have a plurality of sublayers formed on one another. In other words, according to a
  • the barrier thin film 612 may be formed as a layer stack (stack).
  • the barrier film 612 or one or more sublayers of the barrier film 612 may be formed by, for example, a suitable deposition process, e.g. by means of a molecular layer deposition (MLD) method of atomic layer deposition (ALD) according to one embodiment, for example, a Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) or a plasmaless plasma enhanced atomic layer deposition method
  • MLD molecular layer deposition
  • ALD atomic layer deposition
  • PEALD Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition
  • PEALD plasmaless plasma enhanced atomic layer deposition
  • PALD Plasma-less Atomic Layer Deposition
  • CVD chemical vapor deposition
  • PECVD Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
  • PLCVD plasma-less chemical vapor deposition
  • all partial layers can be produced by means of an atomic layer deposition method be formed.
  • a layer sequence that has only ALD layers can also be referred to as "nanolaminaf.
  • one or more sublayers of the barrier film 612 may be deposited by a deposition process other than an atomic layer deposition process, for example, by a gas phase deposition process.
  • the barrier film 612 may, according to one embodiment, have a layer thickness of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 1000 nm, for example a layer thickness of about 10 nm to about 100 nm according to an embodiment, for example about 40 nm according to an embodiment.
  • all partial layers can have the same layer thickness.
  • the individual partial layers of the barrier thin film 612 may have different layer thicknesses. In other words, at least one of the partial layers may have a different layer thickness than one or more other of the partial layers.
  • the barrier thin-film 612 or the individual partial layers of the barrier thin-film 612 can, according to one embodiment, be formed as a translucent or transparent layer.
  • the barrier film 612 (or the individual sublayers of the barrier film 612) may be made of a translucent or transparent material (or combination of materials that is translucent or transparent).
  • Partial layers of the barrier film 612 include or be formed from one of the following materials: alumina, zinc oxide, zirconia, titania, hafnia, tantalum lanthania, silica, silicon nitride, silicon oxynitride, indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum doped zinc oxide, and mixtures and alloys thereof.
  • the following materials alumina, zinc oxide, zirconia, titania, hafnia, tantalum lanthania, silica, silicon nitride, silicon oxynitride, indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum doped zinc oxide, and mixtures and alloys thereof.
  • Barrier thin film 612 or (in the case of a layer stack having a plurality of sub-layers) one or more of the sub-layers of the barrier film 612 one or more high-index materials, in other words one or more High refractive index materials, for example having a refractive index of at least 2.
  • the barrier thin film 612 may be formed electrically insulating, for example SiN, for example with a
  • the optoelectronic component can, for example, have a further encapsulation structure, as a result of which a barrier thin layer 612 can be optional, for example a cover, for example a cavity encapsulation.
  • a scratch protection 614 may be formed on or above the barrier film layer 612.
  • the scratch protection 614 may be transparent or translucent.
  • the scratch protection 614 may be formed such that the refractive index has a refractive index that is greater than or equal to the refractive index of the waveguide 104 and / or the adhesive 208.
  • the scratch protection 614 may comprise, for example, a glass, a lacquer or a resin, for example in the form of a layer, a layer structure, a cover and / or a film.
  • the scratch guard 614 may also be optional, i. the optoelectronic component 102 can, for example, with the
  • the optically translucent scratch protection 614 may have a layer thickness of greater than 1 ⁇ m, for example a layer thickness of several ⁇ m.
  • the scratch protection may include or be a lamination adhesive.
  • the scratch protection 614 may be formed according to one of the embodiments of the adhesive 208.
  • the optionally optically functional scratch protection 614 may be provided by means of an adhesive layer, for example according to one of the above-described Embodiments of the adhesive layer 208 may be fixed on or above the electrically active region. In various embodiments, it is possible to dispense with this adhesive, for example in embodiments in which the scratch protection, for example made of glass, is applied to the armor end layer 612 by means of, for example, plasma spraying.
  • the scratch protection 614 for example of glass, for example by means of a frit bonding / glass soldering / seal glass bonding on the B arri ErePlann schi by means of a conventional glass solder in the geometric edge regions of the optoelectronic device 102 schi 612 can be applied.
  • one or more antireflection layers may additionally be provided in the light-emitting component 102.
  • Fig.6b shows a schematic representation of an optoelectronic
  • the second electrode 610 and thus on or above the electrically active region may optionally be an encapsulation 618, for example in the form of a
  • Barrier thin film / thin film encapsulation 618 or be formed.
  • one or more input / output coupling layers may be formed on or above the electrically active region, for example an internal one
  • An outcoupling layer can also be called a coupling-in layer for an inverted beam path.
  • the input / outcoupling layer may have a matrix and scattering centers distributed therein, wherein the layer thickness-averaged refractive index of the input / outcoupling layer is greater than the layer thickness-averaged refractive index of the layer from which the
  • electromagnetic radiation is provided, for example a
  • the matrix can have at least one kind of scattering additives, so that the coupling-out layer 618 can additionally form a scattering effect with respect to incident electromagnetic radiation in at least one wavelength range, for example by means of a refractive index of the scattering particles or scattering additives that differs from the matrix and / or a diameter approximately equal to the size of the wavelength of the radiation to be diffused.
  • the scattering effect may relate to electromagnetic radiation which is emitted or absorbed by an organic functional layer system on or above the coupling-out layer 61 8, for example for light extraction or
  • the portion of the scattering layer above the scattering centers may have a thickness equal to or greater than the roughness of the uppermost layer of the scattering particles without glass, so that at least one smooth surface is formed, i. the surface may have low root mean square (RMS) roughness, for example, less than 10 nm.
  • RMS root mean square
  • a cover 620 can be formed on or above the outer cover 618.
  • the cover 620 may be formed, for example, according to one of the embodiments of the scratch protection 614 or the carrier 602.
  • the cover 620 as scratch protection 614 can be formed, for example, according to one of the embodiments of the scratch protection 614 or the carrier 602.
  • the light emitting device 102 may be formed, for example, as a top emitter.
  • the light-emitting component 102 may be formed, for example, as a bottom emitter.
  • the cover 620 may be optional, for example if the optoelectronic component 102 is formed directly on the waveguide 104 and / or the optoelectronic component 102 has a carrier 602.
  • the outcoupling layer 618 may be formed as an optical grating, wherein the grating is a patterned layer having areas of low
  • a getter layer may be disposed on or above the carrier 602 (not shown) such that the getter layer hermetically seals the electrically active region with respect to harmful environmental influences,
  • the cover 620th and / or the coupling-out layer 618 reduces the diffusion rate of water and / or oxygen towards the electrically active region, for example, in the scratch protection 614, the cover 620th and / or the coupling-out layer 618, for example in an optically inactive region of the optoelectronic component 102.
  • the getter layer may be translucent, transparent or opaque and have a layer thickness of greater than about 1 ⁇ , for example, a layer thickness of several ⁇ .
  • the matrix of the getter layer may comprise a lamination adhesive.
  • the layers and layer structures shown above may be laterally structured to provide information, for example a
  • Pictogram an ideogram and / or a lettering; to represent or reproduce; for example, the first electrode 604, the organic functional layer structure 608, and / or sublayers thereof; the second electrode 610, the decoupling layer 618, the scratch protection 614 and / or the cover 620.
  • Structuring may for example be
  • the electromagnetic radiation emitted by the light-emitting component 102 can be arranged, for example, in the laterally structured one
  • Regions have different optical properties, for example, a different brightness, saturation and / or color.
  • one of the structured layers may be a structured one
  • the structured interface can, for example, by means of
  • Reflecting one of the interfaces or forming a pattern may be formed at one of the interface of the coupling layer.
  • the structured interface may be formed by microlenses. The microins and / or the
  • Interface roughness can be understood, for example, as scattering centers, for example for increasing the light coupling / light extraction.
  • Device device and a method for producing an optoelectronic component device provided with which it is possible to increase the luminance in planar waveguides. Furthermore, by shaped OLEDs on a harmonization and coupling also simplified to modified edge shapes possible. As a result, surface light sources can be operated at higher brightness. Because less
  • the cost per lumen can be reduced, making the OLED more economical in the context of brightness limited applications.
  • Compared to a point light based area light source results a more homogeneous light coupling (area instead of discrete) and intrinsic (with or without a technically simpler heat spreader) areally distributed self-heating and thus an easier cooling with an O LE D-F 1 achen.
  • the driving of the component is simplified because a flat OLED requires fewer connections than several discrete LEDs with the same application.
  • the assembly of the OLED can be simplified technically, since the OLED can be glued example, and not as with multiple discrete LEDs with the same application a variety of wiring and precise Aufbringungsönc necessary.
  • an OLED can be formed with a flat mirror as a reflective back.
  • Waveguide can be saved.
  • the form-fitting shaped connection of the OLED with a waveguide it is possible to efficiently couple surface-wise into a curved surface of the waveguide, wherein the OLED can be fixed to the waveguide by a material fit.
  • This allows an integrated solution for mounting an OLED.
  • the application of the adhesive surface on the waveguide can be easily implemented on a large industrial scale during the manufacturing process, so that a significant simplification and financial relief can be offered especially for small series.
  • an optoelectronic component device can be realized which has a longer service life and a more stable color during operation than conventional ones
  • Optoelectronic component device in which an increase in the density of electromagnetic radiation is set electrically.

Landscapes

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Abstract

In verschiedenen Ausfuhrungsbeispielen wird eine optoelektronische Bauelementevorrichtung bereitgestellt, die optoelektronische Bauelementevorrichtung aufweisend: einen Wellenleiter (104) mit einem ersten Bereich (202) und einem zweiten Bereich (204), wobei der erste Bereich (202) und der zweite Bereich (204) optisch miteinander gekoppelt sind, und wobei der erste Bereich (202) flächig ausgebildet ist; und wenigstens ein optoelektronisches Bauelement (102) mit einem optisch aktiven Bereich (112), wobei der optisch aktive Bereich (112) zum Aufnehmen und/oder Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung eingerichtet ist; wobei der optisch aktive Bereich (112) eine Kontaktfläche mit dem zweiten Bereich (204) aufweist und durch den zweiten Bereich (204) mit dem ersten Bereich (202) optisch gekoppelt ist; wobei die Kontaktfläche des optisch aktiven Bereiches (112) mit dem zweiten Bereich (204) einen Knick und/oder eine Krümmung aufweist, sodass die Dichte der elektromagnetischen Strahlung wenigstens in einem Bereich in dem ersten Bereich (202) größer ist als in dem zweiten Bereich (204).

Description

Beschreibung
Optoelektronische Bauclementevorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Bauclementevorrichtung
In verschiedenen Ausfuhrungsformen werden eine optoelektronische
Bauelementevorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung bereitgestellt. Optoelektronische Bauelemente auf organischer Basis, beispielsweise organische
Leuchtdidode (organic light emitting diode - OLED), finden zunehmend verbreitete Anwendung in der Allgemeinbeleuchtung, beispielsweise als Flächenlichtquelle. Ein herkömmliches organisches optoelektronisches Bauelement, beispielsweise eine OLED, weist eine Anode und eine Kathode mit einem organischen funktionellen Schichtensystem dazwischen auf. Das organische funktionelle Schichtensystem weist eine oder mehrere
Emitterschicht(en) auf, in der/denen elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, kann eine oder mehrere Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur(en) aus jeweils zwei oder mehr Lad ungs rägerpaar- Erzeugung-Schichten („Charge generating layer", CGL) zur Ladungsträgerpaarerzeugung, sowie einer oder mehreren Elektronenblockadeschichte(n), auch bezeichnet als Lochtransportsehicht(en) („hole transport layer" - HTL), einer oder mehrerer Lochblockadeschichten, auch bezeichnet als Elektronentransportschicht(en) („electron transport layer" - ETL), um den Stromfluss zu richten, einer oder mehreren Lochinjektionsschichten („hole injection layer" - HIL) und einer oder mehreren
Elektroneninjektionsschichten („electron injection layer" - EIL).
Flächenlichtquellen sind in der Anwendung in ihrer maximalen Helligkeit begrenzt, beispielsweise um ein Blenden des Betrachters zu vermeiden, beispielsweise gemäß
2
Bürobeleuchtungsnormen maximal 3000 cd/m . Dadurch wird ein ökonomisches Herstellen von OLED-Flächenlichtquellen erschwert bezüglich der Lichtmenge je in v estm entsumm c (lm/€), da das Herstellen und somit die Kosten solcher Lichtquellen im
2
Wesentlichen flächig, d.h. pro Flächeneinheit, beispielsweise je m , erfolgt. Eine höhere Helligkeit würde eine Steigerung der Lumen je Investmentsumme ohne Kostenänderung erbringen, ist jedoch für die Anwendung aufgrund von Blendung ungewollt.
2
Herkömmliche OLEDs können bereits eine Helligkeit von mehr als 3000 cd/m bei
2
typischer lambert 'scher Abstrahlung ergibt diese mehr als 9000 Irn/m erreichen.
Allerdings sind Effizienz und Lebensdauer bei solchen Helligkeiten noch anwendungsrelevant reduziert. Bei stetiger Weiteren twi ck 1 ung der OLEDs werden OLEDs mit hohen Leuchtdichten mit ausreichender Lebensdauer und Effizienz jedoch in absehbarer Zeit realisiert werden können. Aktuelle, kommerziell erwerbliche Bauteile erreichen bereits ungefähr 45 lm/W mit einer Lebenszeit LT70 von größer gleich 10000 h
2
bei einer Leuchtdichte von 3000 cd/m und großer Fläche. Mittels interner Auskopplung könnte eine Effizienzsteigerung auf ungefähr 70 lm/W erreicht werden, ohne den Aufbau der organischen funktionellen Schichten zu ändern. Solche Bauteile können rechnerisch
2
bereits eine Leuchtdichte von ungefähr 4200 cd/m mit einer Lebensdauer von größer gleich 10000 h aufweisen. Weitere technologische Entwicklungen können erwartet
2 werden, so dass Blendung und entsprechende Normen bei beispielsweise 3000 cd/m zukünftig als begrenzend angenommen werden können.
Bei herkömmlichen Lichtquellen werden Blenden verwendet um eine Blendung des Betrachters zu vermeiden. Solche Lösungen können nachteilhaft sein unter Betrachtungen ästhetischer Aspekte, der Kosten und Effizienz der Lichtquelle.
Weiterhin kann bei herkömmlichen optoelektronischen Bauelementen, bei denen Licht einer Leuchtdiode in einem Wellenleiter geführt wird, die Leuchtdichte der Leuchtdiode zu gering sein, sodass optische Verstärker notwendig sind.
Bei einer herkömmlichen Flächenlichtquelle mit einer OLED kann der Wellenleiter zu dick und/oder z schwer sein zum Einkoppeln einer gewünschten Leuchtdichte. Dadurch kann es zu Einschränkungen der Gestaltungfreiheit des äußeren Erscheinungsbildes der Flächenlichtquelle kommen.
In einem herkömmlichen Verfahren wird zum Einstellen einer gewünschten Leuchtdichte die Intensität des Lichtes erhöht, das von einer OLED emittiert wird. Mit einer elektrischen Erhöhung der Leuchtdichte nimmt jedoch die Betriebsdauer der Flächenlichtquelle ab. Ein weiteres Problem zeigt sich bei einem mechanischen Anformen einer organischen
Leuchtdiode an und dem optischen Einkoppeln deren Lichtes in ein optisches Medium mit einer gekrümmten Oberfläche (dreidimensionaler Körper). Ein form schlüssiges Verbinden einer OLED mit einer Oberfläche ist für viele Anwendungen interessant; beispielsweise bei flexiblen und/oder formbaren OLEDs. Bei flexiblen und/oder formbaren OLEDs kann es notwendig sein, die OLED an möglichst vielen Stellen oder vollflächig an das optische Medium anzuformen, damit diese die gewünschte Form stabil hält. Herkömmliche O LED- Produkte liefern keine intrinsische Lösung für die Aufgabe. Herkömmlich erfolgt ein Ankoppeln einer Leuchtdiode an eine flächige Oberfläche mittels eines Aufklebens -auf einen Lichtwellenleiter (Lightguide). Das Aufkleben erfolgt herkömmlich mittels optisch transparenter oder transluzcntcr Klebstoffe.
In verschiedenen Ausführungsformen werden eine optoelektronische
Bauelementevorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen
Bauelementevorrichtung bereitgestellt, mit denen es möglich ist, die Leuchtdichte eines flächigen Wellenleiterns zu erhöhen.
In verschiedenen Ausführungsformen wird eine optoelektronische B auel ementevorri chtun g bereitgestellt, die optoelektronische Bauelementevorrichtung aufweisend; einen
Wellenleiter mit einem ersten Bereich und einem zweiten Bereich, wobei der erste Bereich und der zweite Bereich optisch miteinander gekoppelt sind, und wobei der erste Bereich flächig ausgebildet ist; und wenigstens ein optoelektronisches Bauelement mit einem optisch aktiven Bereich, wobei der optisch aktive Bereich zum Aufnehmen und/oder Bereitstellen von el ektrom agneti scher Strahlung eingerichtet ist; wobei der optisch aktive Bereich eine Kontaktfläche mit dem zweiten Bereich aufweist und durch den zweiten Bereich mit dem ersten Bereich optisch gekoppelt ist; wobei die Kontaktfläche des optisch aktiven Bereiches mit dem zweiten Bereich einen Knick und/oder eine Krümmung aufweist, sodass die Dichte der elektromagnetischen Strahlung wenigstens in einem Bereich in dem ersten Bereich größer ist als in dem zweiten Bereich.
Der erste Bereich ist als ein flächiger Bereich der optoelektronischen
Bauelementevorrichtung ausgebildet, beispielsweise als flächiger Bereich des
Wellenleiters, beispielsweise als flächiger Bereich einer Flächenlichtquelle.
Der zweite Bereich weist eine Kopplungsstruktur auf, mittels der das wenigstens eine optoelektronische Bauelement mit dem flächigen Bereich optisch gekoppelt ist. In diesem Fall ist die Dichte der elektromagnetischen Strahlung wenigstens in einem Bereich des flächigen Bereichs größer ist als in dem Bereich der Kopplungsstruktur. Die
Kopplungsstruktur ist eine Oberfläche oder eine räumliche Struktur. Im Falle einer räumlichen Struktur ist die Dichte der elektromagnetischen Strahlung wenigstens in einem Bereich des flächigen Bereichs größer ist als in der Kontaktfläche der optisch aktiven Struktur mit der Kopplungsstruktur. In einer Ausgestaltung kann mittels der beschriebenen optoelektronischen
Bauelementevorrichtung der optisch aktive Bereich Licht in den zweiten Bereich einkoppeln und der erste Bereich mittels der beschriebenen Anordnung das eingekoppelte Licht mit einer höheren Intensität aufweisen. Dadurch kann die Dichte des Lichtes in dem ersten Bereich erhöht werden, die dann von dem ersten Bereich emittiert werden kann. Mit anderen Worten: Mittels der optoelektronischen Bauelementevorrichtung kann die Dichte an elektromagnetischer Strahlung mittels der geometrischen Anordnung von
optoelektronischen Bauelement und Wellenleiter in dem Wellenleiter erhöht werden. In einer Ausgestaltung kann der zweite Bereich eine gekrümmte Oberfläche aufweisen oder eine solche sein, beispielsweise konvex und/oder konkav. Alternativ oder zusätzlich weist der zweite Bereich wenigstens einen Knick auf.
In einer Ausgestaltung kann der optische aktive Bereich auf oder über wenigstens einem Knick des zweiten Bereichs ausgebildet sein, beispielsweise diesen umformen.
In einer Ausgestaltung kann der erste Bereich den zweiten Bereich als geometrischen Rand aufweisen. In einer Ausgestaltung kann der zweite Bereich zwei oder mehr Stirnflächen des ersten Bereichs aufweisen.
In einer Ausgestaltung kann der zweite Bereich zylinderförmig ausgebildet sein. In einer Ausgestaltung können der erste Bereich und der zweite Bereich hanteiförmig zueinander angeordnet sein.
In einer Ausgestaltung kann die optoelektronische Bauelementevorrichtung zwei oder mehr optoelektronische Bauelemente und zwei oder mehr zweite Bereiche aufweisen, wobei auf einem zweiten Bereich eines oder mehrere optoelektronische Bauelemente ausgebildet ist/sind,
In einer Ausgestaltung kann die optoelektronische Bauelementevorrichtung ferner wenigstens ein weiteres optoelektronisches Bauelement aufweisen, wobei das weitere optoelektronische Bauele ent wenigstens teilweise mit dem ersten Bereich optisch gekoppelt ist. Mit anderen Worten: in einer Ausgestaltung kann die optoelektronische Bauclementevorrichtung wenigstens ein optoelektronisches Bauelement aufweisen, das wenigstens teilweise auf oder über dem ersten Bereich ausgebildet ist und mit dem ersten Bereich optisch gekoppelt ist. Das optoelektronische Bauelement auf oder über dem ersten Bereich kann auch als erstes optoelektronisches Bauelement bezeichnet werden. Das erste optoelektronische Bauelement weist in der Kontaktflächc mit dem ersten Bereich demnach keinen Knick und/oder Krümmung auf. Das optoelektronische Bauelement, das durch den zweiten Bereich mit dem ersten Bereich optisch gekoppelt ist, und einen Knick und/oder eine Krümmung aufweist, kann auch als zweites optoelektronisches Bauelement bezeichnet werden. Mit anderen Worten: ein optoelektronisches Bauelement, das in dem optisch aktiven Bereich einen Knick und/oder eine Krümmung aufweist kann als zweites optoelektronisches Bauelement bezeichnet werden. Ein optoelektronisches Bauelement, das in dem optisch aktiven Bereich keinen Knick und/oder keine Krümmung aufweist kann als erstes optoelektronisches Bauelement bezeichnet werden. Bei einem flächigen
Wellenleiter kann der zweite Bereich auch der geometrische Rand des Wellenleiters sein oder daran ansetzen. Ein zweiter Bereich, der nicht Bestandteil des Wellenleiters ist, kann beispielsweise gebildet werden, indem das optoelektronische Bauelement mit der optisch aktiven Struktur mittels eines transparenten oder transluzenten Klebstoffes auf den
Wellenleiter aufgeklebt wird. In diesem Fall bildet der Klebstoff den zweiten Bereich.
In einer Ausgestaltung kann zwischen dem optisch aktiven Bereich und dem zweiten Bereich, dem ersten optoelektronischen Bauelement und dem ersten Bereich und/oder dem zweiten Bereich; und/oder dem zweiten optoelektronischen Bauelement und dem zweiten Bereich eine optische Kopplungsstruktur ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann die optische Kopplungsstruktur als eine stoffschlüssige Verbindung zwischen einem optoelektronischen Bauelement und dem Wellenleiter ausgebildet sein, beispielsweise als eine Klebstoff- Verbindung.
In einer Ausgestaltung kann die optische Kopplungsstruktur als zweiter Bereich ausgebildet sein. In einer Ausgestaltung kann die Kopplungsstruktur derart ausgebildet sein, dass die Kopplungsstruktur einen Brechungsindex aufweist, der bei gleicher betrachteter
Wellenlänge zwischen dem schichtdickengemitteltcn Brechungsindex der organischen funktionellen Schichtenstruktur des jeweiligen opto elektroni sehen Bauelementes und dem Brechungsindex des jeweiligen Bereiches des Wellenleiters; und/oder zwischen dem Brechungsindex des ersten Bereichs und des zweiten Bereichs sind/ist.
In einer Ausgestaltung kann die Kopplungsstruktur derart ausgebildet sein, dass die Kopplungsstruktur einen Brechungsindex aufweist, der größer oder gleich dem
schichtdickengcmittelten Brechungsindex der organischen funktionellen Schichtenstruktur des jeweiligen optoelektronischen Bauelementes ist.
In einer Ausgestaltung kann die Kopplungsstruktur eine Matrix aufweisen, in der Partikel verteilt sind. Der Brechungsindex der Kopplungsschicht aus Partikeln und Matrix ist der schichtdickengemittelte Brechungsindex aus dem Brechungsindex der Partikel gewichtet mit deren Volumenanteil an der Kopplungsstruktur und dem Brechungsindex der Matrix gewichtet mit deren Volumenanteil an der Kopplungsstruktur. In einer Ausgestaltung kann die Kopplungsstruktur derart ausgebildet sein, dass die Partikel nichtstreuend hinsichtlich bereitgestellter und/oder aufgenommener
elektromagnetischer Strahlung sind, beispielsweis einen mittleren Durchmesser aufweisen, der kleiner ist als 100 nm. In einer Ausgestaltung kann die Kopplungsstruktur derart ausgebildet sein, dass die Partikel streuend hinsichtlich bereitgestellter und/oder aufgenommener
elektromagnetischer Strahlung sind, beispielsweis einen mittleren Durchmesser aufweisen, der größer ist als 100 nm. In einer Ausgestaltung können die Partikel als Mikrolinsen ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung können die Partikel und/oder die Matrix thermotrop ausgebildet sein derart, dass die Kopplungsstruktur streuend im Betrieb des optoelektronischen Bauelementes ist.
In einer Ausgestaltung können die Partikel hinsichtlich der Matrix in wenigstens einem Wellenlängenbereich der aufgenommenen oder bereitgestellten elektromagnetischen Strahlung einen Brechungsindexunterschied aufweisen, der größer ist als ungefähr 0,01 ; beispielsweise größer als ungefähr 0,05; beispielsweise größer ist als ungefähr 0, 1 .
In einer Ausgestaltung kann die Rückseite des optisch aktiven Bereichs als eine wenigstens teilweise reflektierende Spiegelstruktur eingerichtet sein oder eine solche aufweisen.
In einer Ausgestaltung kann die optoelektronische Bauelementevorrichtung eine erste Bauelementevorrichtung-Einheit und wenigstens eine zweite Bauelementevorrichtung- Einheit gemäß einem der oben genannten Ausgestaltungen aufweisen, wobei der erste Wellenleiter der ersten Bauelementevorrichtung- Einheit optisch mit der zweiten
Bauclementevorrichtung-Einheit gekoppelt ist. In einer Ausgestaltung kann der optische aktive Bereich des optoelektronischen
Bauelementes einen ersten optisch aktiven Bereich und wenigstens einen zweiten optisch aktiven Bereich aufweisen, wobei der erste optisch aktive Bereich eine erste
elektromagnetische Strahlung bereitstellt und/oder aufnimmt und der zweite optisch aktive Bereich eine zweite elektromagnetische Strahlung bereitstellt und/oder aufnimmt, wobei sich die erste elektromagnetische Strahlung und die zweite elektromagnetische Strahlung in wenigstens einer elektromagnetischen Eigenschaft unterscheiden und wobei die erste elektromagnetische Strahlung und die zweite elektromagnetische Strahlung in den
Wellenleiter eingekoppelt sind. Mit anderen Worten: das optoelektronische Bauelement kann eine erste optoelektronische Bauelemente-Einheit und wenigstens eine zweite optoelektronische Bauelemente-Einheit aufweisen, wobei die erste optoelektronische Bauelemente-Einheit eingerichtet ist, eine erste el ektrom agneti sch e Strahlung
aufzunehmen und/oder bereitzustellen und die zweite optoelektronische Bauelemente- Einheit eingerichtet ist, eine zweite elektromagnetische Strahlung aufzunehmen und/Oder bereitzustellen. Die aufgenommene zweite elektromagnetische Strahlung kann
beispielsweise wenigstens teilweise die erste elektromagnetische Strahlung aufweisen oder sein. In einer Ausgestaltung kann wenigstens der erste Bereich des Wellenleiters einen ersten Wellenleiterbereich und wenigstens einen zweiten Wellenleiterbereich aufweisen, wobei die erste elektromagnetische Strahlung in dem ersten Wellenleiterbereich und die zweite elektromagnetische Strahlung in dem zweiten Wellenleiterbereich geführt wird. Mit anderen Worten: der Wellenleiter kann derart strukturiert sein, dass der Wellenleiter eine erste Wellenleiter-Einheit und wenigstens eine zweite Wel 1 enleiter- Einheit aufweist, wobei sich die erste Wellenleiter-Einheit und die zweite Wellenleiter-Einheit in wenigstens einer optischen Eigenschaft unterscheiden, beispielsweise einen unterschiedlichen
wellenlängenabhängigen und/oder temperaturabhängigen Brechungsinde aufweisen. In einer Ausgestaltung kann sich der Brechungsindex der Wellenleiter-Einheit während des Betriebs des optoelektronischen Bauelementes stärker ändern als der Brechungsindex der zweiten Wellenleiter-Einheit. Dadurch kann beispielsweise die Streuung und Ein- /Auskopplung in/aus dem Wellenleiter verändert werden.
In einer Ausgestaltung kann die optoelektronische Bauelementevorrichtung ferner eine Wärmevertei lungsstruktur aufweisen, wobei die Wärmeverteilungsstruktur wenigstens teilweise auf oder über dem optoelektronischen Bauelement ausgebildet ist und mit diesem einen thermischen Kontakt aufweist.
In verschiedenen Ausfuhrungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen einer
optoelektronischen Bauclementevorrichtung bereitgestellt, das Verfahren aufweisend:
Ausbilden eines Wellenleiters mit einem ersten Bereich und einem zweiten Bereich; und wobei der erste Bereich und der zweite Bereich optisch miteinander gekoppelt werden, und wobei der erste Bereich flächig ausgebildet wird; und Ausbilden wenigstens eines optoelektronisches Bauelement mit einem optisch aktiven Bereich auf dem zweiten Bereich derart, dass der optisch aktive Bereich zum Aufnehmen und/oder Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung ausgebildet wird, und der optisch aktive Bereich, eine Kontaktfläche mit dem zweiten Bereich aufweist und durch den zweiten Bereich mit dem ersten Bereich optisch gekoppelt wird; wobei das optoelektronische Bauelement derart ausgebildet wird, dass die Kontaktfläche des optisch aktiven Bereiches mit dem zweiten Bereich einen Knick und/Oder eine Krümmung aufweist, sodass die Dichte der
elektromagnetischen Strahlung wenigstens in einem Bereich in dem ersten Bereich größer ist als in dem zweiten Bereich.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der zweite Bereich eine gekrümmte
Oberfläche aufweisen oder derart ausgebildet werden, beispielsweise konvex und/oder konkav.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der zweite Bereich wenigstens einen Knick aufweisen oder derart ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der optische aktive Bereich auf oder über wenigstens einem Knick des zweiten Bereichs ausgebildet werden, beispielsweise diesen umformen.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der zweite Bereich als zwei oder mehr Stirnflächen des ersten Bereichs aufweisend ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der zweite Bereich zylinderförmig ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können der erste Bereich und der zweite Bereich hanteiförmig zueinander angeordnet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Verfahren ein Ausbilden von zwei oder mehr optoelektronischen Bauelementen und zwei oder mehr zweiten Bereiche aufweisen, wobei auf einem zweiten Bereich eines oder mehrere optoelektronische Bauelemente ausgebildet ist/sind.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Verfahren ferner ein Ausbilden wenigstens eines weiteren optoelektronisches Bauelement aufweisen, wobei das weitere
optoelektronische Bauelement wenigstens teilweise mit dem ersten Bereich optisch gekoppelt wird. Mit anderen Worten: In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das erste optoelektronische Bauelement wenigstens teilweise auf oder über dem ersten Bereich ausgebildet werden und mit dem ersten Bereich optisch gekoppelt werden. In einer Ausgestaltung des V erfahrens kann zwischen dem optisch aktiven Bereich und dem zweiten Bereich, dem ersten optoelektronischen Bauelement und dem ersten Bereich und/oder dem zweiten Bereich; und/oder dem zweiten optoelektronischen Bauelement und dem zweiten Bereich eine optische Kopplungsstruktur ausgebildet werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die optische Kopplungsstruktur als eine stoffschlüssige Verbindung zwischen einem optoelektronischen Bauelement und dem Wellenleiter und/oder zwischen den Bereichen des Wellenleiters ausgebildet werden, beispielsweise als eine Klebstoff- Verbindung. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Kopplungsstruktur als zweiter Bereich ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Kopplungsstruktur derart ausgebildet werden, dass die Kopplungsstruktur einen Brechungsindex aufweist, der zwischen dem schichtdickengemittelten Brechungsindex des jeweiligen optoelektronischen Bauelementes und dem Brechungsindex des jeweiligen Bereiches des Wellenleiters ist.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Kopplungsstruktur derart ausgebildet werden, dass die Kopplungsstruktur eine Matrix aufweist, in der Partikel verteilt sind.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Kopplungsstruktur derart ausgebildet werden, dass die Partikel nichtstreuend hinsichtlich bereitgestellter und/oder
aufgenommener elektromagnetischer Strahlung sind. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Kopplungsstruktur derart ausgebildet werden, dass die Partikel streuend hinsichtlich bereitgestellter und/oder aufgenommener elektromagnetischer Strahlung sind.
In einer Ausgestaltung des V erfahrens kann die Kopplungsstruktur derart ausgebildet werden, dass die Partikel als Mikrolinsen ausgebildet sind.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Kopplungsstruktur derart ausgebildet werden, dass die Partikel und/oder die Matrix therm otrop ausgebildet sind/ist. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Kopplungsstruktur derart ausgebildet werden, dass die Partikel hinsichtlich der Matrix in wenigstens einem Wellenlängenbereich von bereitgestellter und/oder aufgenommener el ektrom agneti scher Strahlung einen Brechungsindexunterschied aufweisen, der größer ist als 0.05.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Rückseite des optisch aktiven Bereichs der optoelektronischen Bauelemente als eine wenigstens teilweise reflektierende
Spiegelstruktur eingerichtet sein oder derart ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Verfahren ferner ein Ausbilden einer ersten Bauclementevorrichtung-Einheit und wenigstens einer zweiten
Bauclementevorrichtung- Einheit gemäß einem der oben genannten Ausgestaltungen aufweisen, wobei der erste Wellenleiter optisch mit der zweiten Bauelementevorrichtung- Einheit gekoppelt wird.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das optoelektronische Bauelement derart ausgebildet werden, dass der optische aktive Bereich einen ersten optisch aktiven Bereich und wenigstens einen zweiten optisch aktiven Bereich aufweist, wobei der erste optisch aktive Bereich eine erste elektromagnetische Strahlung bereitstellt und/oder aufnimmt und der zweite Bereiche eine zweite elektromagnetische Strahlung bereitstellt und/oder aufnimmt, wobei sich die erste elektromagnetische Strahlung und die zweite
elektromagnetische Strahlung in wenigstens einer elektromagnetische Eigenschaft unterscheide und wobei die erste elektromagnetische Strahlung und die zweite elektromagnetische Strahlung in den Wellenleiter aus-/eingekoppelt wird. Mit anderen Worten: das optoelektronische Bauelement kann mit einer ersten optoelektronischen Bauelemente-Einheit und wenigstens einer zweiten optoclektroni ch en Bauelemente- Einheit ausgebildet werden, wobei die erste optoelektronische B auel em ente-Einheit eingerichtet wird, eine erste elektromagnetische Strahlung aufzunehmen und/oder bereitzustellen und die zweite optoelektronische Bauelemente-Einheit eingerichtet wird, eine zweite elektromagnetische Strahlung aufzunehmen und/oder bereitzustellen.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Wellenleiter derart ausgebildet werden, dass wenigstens der erste Bereich des Wellenleiter einen ersten Wellenleiterbereich und wenigstens einen zweiten Wellenleiterbereich aufweist, wobei die erste elektromagnetische Strahlung in dem erste Wellenleiterbereich und die zweite elektromagnetische Strahlung in dem zweiten Wellenleiterbereich geführt wird. Mit anderen Worten: der Wellenleiter kann derart strukturiert ausgebildet werden, dass der Wellenleiter eine erste Wellenleiter- Einheit und wenigstens eine zweite Wellenleiter-Einheit aufweist, wobei sich die erste Wellenleiter-Einheit und die zweite Wellenleiter-Einheit in wenigstens einer optischen Eigenschaft unterscheiden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Verfahren ferner ein Ausbilden einer Wärmeverteilungsstruktur aufweisen, wobei die Wärmeverteilungsstraktur wenigstens teilweise auf oder über dem optoelektronischen Bauelement ausgebildet wird und mit diesem in einem thennischen Kontakt ausgebildet wird. Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.
Es zeigen Figuren la-c schematische Darstellungen optoelektronischer
Bauelementevorrichtungen gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen;
Figuren 2a-f schematische Darstellungen optoelektronischer
Bauelementevorrichtungen gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen;
Figuren 3 a, b schematische Darstellungen optoelektronischer
Bauelementevorrichtungen gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen;
Figuren 4a, b schematische Darstellungen optoelektronischer
Bauelementevorrichtungen gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen;
Figuren 5a-c schematische Darstellungen optoelektronischer
Bauelementevorrichtungen gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen; und Figuren 6a, b schematische Darstellungen optoelektronischer
B auel em entevorri ch tun gen gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen. In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefugten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische
Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird Richtungsterminologie wie etwa„oben",„unten",„vorne",„hinten", „vorderes",„hinteres", usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur(en) verwendet. Da Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur
Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausfuhrungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen
vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert.
Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe "verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.
In verschiedenen Ausführungsformen werden optoelektronische
Bauel em en tevorri chtungen beschrieben, wobei eine optoelektronische
Bauel emen tevorri chtung einen optisch aktiven Bereich aufweist. Der optisch aktive Bereich kann elektromagnetische Strahlung absorbieren und daraus einen Fotostrom ausbilden oder mittels einer angelegten Spannung an den optisch aktiven Bereich elektromagnetische Strahlung emittieren. In verschiedenen Ausführungsformen kann die elektromagnetische Strahlung einen Wellenlängenbereich aufweisen, der
Röntgenstrahlung, UV-Strahlung (A-C), Licht und/oder Infrarot-Strahlung (A-C) aufweist.
Im Rahmen dieser Beschreibung werden verschiedene Ausführungsformen einer opto el ektro ni s ch en Bauel em en tevorri chtung zur Veranschaulichung am Beispiel von Licht beschrieben, wobei die Merkmale der jeweiligen Ausgestaltungen für Licht nach
Wellenlängenanpassung der Brechungsindizes auch die Merkmale der Ausgestaltungen der weiteren Wellenlängenbereiche der el ektrom agn eti sch en Strahlung beschreiben können.
Ein flächiges optoelektronisches Bauelement, welches zwei flächige, optisch aktive Seiten aufweist, kann in der Verbindungsrichtung der optisch aktiven Seiten beispielsweise transparent oder transluzent ausgebildet sein, beispielsweise als eine transparente oder transluzente organische Leuchtdiode. Ein flächiges optoel ektronisches Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen auch als ein planes oder planparalleles
optoelektronisches Bauelement ausgebildet werden,
Der optisch aktive Bereich kann jedoch auch eine flächige, optisch aktive Seite und eine flächige, optisch inaktiven Seite aufweisen, beispielsweise eine organische Leuchtdiode, die als Top-Emitter oder Bottom-Emitter eingerichtet ist. Die optisch inaktive Seite kann beispielsweise mit einer Spiegclstruktur und/oder einem opaken Stoff oder Stoffgemisch versehen sein, beispielsweise zur Wärmeverteilung; wodurch der Strahlengang des optoelektronischen Bauelementes gerichtet werden kann.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung ein Emittieren von elektromagnetischer Strahlung verstanden werden. Mit anderen Worten: ein Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung kann als ein
Emittieren von elektromagnetischer Strahlung mittels einer angelegten Spannung an einen optisch aktiven Bereich verstanden werden.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem Aufnehmen von elektromagnetischer Strahlung ein Absorbieren von elektromagnetischer Strahlung verstanden werden. Mit anderen Worten: ein Aufnehmen von elektromagnetischer Strahlung kann als ein
Absorbieren von elektromagnetischer Strahlung und Ausbilden eines Fotostromes aus der absorbierten elektromagnetischen Strahlung verstanden werden. Ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement kann in verschiedenen
Ausgestaltungen ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Halbleiter-Bauelement sein und/oder als eine elcktrom agn eti sch e Strahlung emittierende Diode, als eine organische elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als ein el ektrom agn eti sehe Strahlung emittierender Transistor oder als ein organischer elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor ausgebildet sein. Die Strahlung kann beispielsweise Licht (im sichtbaren Bereich), UV-Strahlung und/oder Infrarot-Strahlung sein. In diesem
Zusammenhang kann das elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement beispielsweise als Licht emittierende Diode (light emitting diode, LED) als organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode, OLED), als Licht emittierender Transistor oder als organischer Licht emittierender Transistor ausgebildet sein. Das elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement kann in verschiedenen
Ausgestaltungen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von elektromagnetische Strahlung emittierenden Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse.
In verschiedenen Ausfuhrungsbeispielen kann ein optoelektronisches Bauelement als eine organische Leuchtdiode (organic light emitting diode - OLED), eine organische
Photovoltaikanlage, beispielsweise eine organische Solarzelle, ein organischer Sensor, ein organischer Feldeffekttransistor (organic field effect transistor OFET) und/oder eine organische Elektronik ausgebildet sein. Bei dem organischen Feldeffekttransistor kann es sich um einen sogenannten„all-OFET" handeln, bei dem alle Schichten organisch sind. Ein optoelektronisches Bauelement kann ein organisches funktionelles Schichtensystem aufweisen, welches synonym auch als organische funktionelle Schichtenstruktur bezeichnet wird. Die organische funktionelle Schichtenstruktur kann einen organischen Stoff oder ein organisches Stoffgemisch aufweisen oder daraus gebildet sein, der/das beispielsweise zum Bereitstellen einer elektromagnetischer Strahlung aus einem
bereitgestellten elektrischen Strom oder zum Bereitstellen eines elektrischen Stromes aus einer bereitgestellten elektromagnetischen Strahlung eingerichtet ist, und/oder umgekehrt.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter der Dichte einer elektromagnetischen
Strahlung in einem elektromagnetische Strahlung leitenden Körper der Strom
elektromagnetischer Strahlung verstanden werden, der in Ausbreitungsrichtung der elektromagnetischen Strahlung durch eine Einheitsfläche fließt. Im Falle von Licht, das in einem Wellenleiter geführt wird, ist der Strom elektromagnetischer Strahlung der
Lichtstrom. Die Dichte elektromagnetischer Strahlung kann für Licht, das in dem
Wellenleiter geführt wird, als Beleuchtungsstärke, spezifische Lichtausstrahlung oder ungefähr als Leuchtdichte bezeichnet bzw. beschrieben werden. Bei einem flächigen
Wellenleiter, beispielsweise ein Wellenleiter einer Flächenbeleuchtungsquelle, ist die Ausbreitungsrichtung der elektromagnetischen Strahlung senkrecht zu der Fläch ennormale der großflächigen Abstrahlungsfläche des Wellenleiters. Mit anderen Worten: In dieser Ausgestaltung kann die Flächennormale der Einheits fläche senkrecht zu den
Flächennormalen der Flächen orientiert sein, die die flächige Abmessung des Wellenleiters beschreiben. Mit anderen Worten: die Einheitsfläche der Dichte der elektromagnetischen Strahlung kann in der Querschnittsfläche abgebildet sein, die die Dicke eines flächigen Wellenleiters abbildet. Bei einem Wellenleiter in Form einer Scheibe kann die
Ausbreitungsrichtung in der Ebene liegen, in der die Scheibe die geringste geometrische Abmessung aufweist. Bei einem flächigen Wellenleiter der strukturiert ist, d.h.
beispielsweise nicht plan oder planparallel ist, kann die Einheitsfläche zum Bestimmen der Dichte der elektromagnetischen Strahlung senkrecht zu den Richtungen des Wellenleiters orientiert sein, die die flächige Abmessung des Wellenleiters beschreibt. Im Rahmen dieser Beschreibung kann ein Körper, der eine Krümmung aufweist, im Bereich der Krümmung eine Abweichung von einer flächigen Fläche aufweisen. Im Rahmen dieser Beschreibung kann ein Körper, der einen Knick aufweist, im Bereich des Knicks eine scharfe Biegung aufweisen mit vernachlässigbar kleinem
Krümmungsradius, beispielsweise derart, dass bei einem Knick ein Krümmungsradius nicht definiert ist. Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem schichtdickengemittelten
Brechungsindex einer Struktur der Brechungsindex der Struktur hinsichtlich der in dem Wellenleiter geführten und von dem optoel ektroni sch en Bauelement emittierten oder absorbierten elektromagnetischen Strahlung verstanden werden. Die Mittelung des gemittelten Brechungsindexes kann bei einer Struktur aus einem Stoffgemisch über die Brechungsindizes der Stoffe des Stoffgemisches in diesem Wellenlängenbereich erfolgen. Die Mittelung kann bei einer Struktur aus einem Stoffgemisch gebildet werden mittels eines Bildens der Summe der Brechungsindizes der Stoffe des Stoffgemisches gewichtet mit ihrem jeweiligen Volumenanteil an der Struktur. Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem organischen Stoff eine, ungeachtet des jeweiligen Aggregatzustandes, in chemisch einheitlicher Form vorliegende, durch charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung des Kohlenstoffs verstanden werden. Der Begriff„Material" kann synonym zum Begriff „Stoff" verwendet werden.
Weiterhin kann im Rahmen dieser Beschreibung unter einem anorganischen Stoff eine, ungeachtet des jeweiligen Aggregatzustandes, in chemisch einheitlicher Form vorliegende, durch charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung ohne Kohlenstoff oder einfacher Kohlenstoffverbindung verstanden werden.
Weiterhin kann im Rahmen dieser Beschreibung unter einem Stoffgemisch etwas verstanden werden, was Bestandteile aus zwei oder mehr verschiedenen Stoffen aufweist, deren Bestandteile beispielsweise sehr fein verteilt sind. Als eine Stoffklasse ist ein Stoff oder ein Stoffgemisch aus einem oder mehreren organischen Stoff(en), einem oder mehreren anorganischen Stoff(en) oder einem oder mehreren hybrid Stoff(en) zu verstehen. Unter dem Begriff„transluzent",„transluzente Schicht" bzw.„transluzenter Stoff kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für elektromagnetische Strahlung, beispielsweise Licht, durchlässig ist, beispielsweise für das von dem Lichtemittierenden Bauelement erzeugte Licht, beispielsweise einer oder mehrerer Wellenlängenbereiche, beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm. Beispielsweise ist unter dem Begriff „transluzente Schicht" in verschiedenen Ausführungsbeispielen zu verstehen, dass im Wesentlichen die gesamte in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppelte Lichtmenge auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird, wobei ein Teil des Licht hierbei gestreut werden kann.
Unter dem Begriff„transparent",„transparente Schicht" oder„transparenter Stoff kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für elektromagnetische Strahlung, beispielsweise Licht, durchlässig ist (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm), wobei in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppelte el ektrom agneti sehe Strahlung im Wesentlichen ohne Streuung oder Wellenlängenkonversion auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird. Die Verbindung eines ersten Körpers mit einem zweiten Körper kann formschlüssig, kraftschlüssig und/oder stoffschlüssig sein. Die Verbindungen können lösbar ausgebildet sein, d.h. reversibel. In verschiedenen Ausgestaltungen können Verbindungen nicht lösbar ausgebildet sein, d.h. irreversibel. Eine nicht lösbare Verbindung kann nur mittels
Zerstörens der Verb i ndungsm ittel getrennt werden. In verschiedenen Ausgestaltungen kann eine irreversible, schlüssige Verbindung realisiert sein. Bei einer stoffschlüssigen Verbindung kann der erste Körper mit dem zweiten Körper mittels atomarer und/oder molekularer Kräfte verbunden werden. Stoffschlüssige Verbindungen können häufig nicht lösbare Verbindungen sein. In verschiedenen Ausgestaltungen kann eine stoffschlüssige Verbindung beispielsweise als eine Klebeverbindung, eine Lotverbindung, beispielsweise eines Glaslotes, oder eines Metalllotes, eine Schweißverbindung realisiert sein.
In verschiedenen Ausgestaltungen kann ein Klebstoff zum Ausbilden einer
stoffschlüssigen Verbindung verwendet werden. In verschiedenen Ausgestaltungen kann ein Klebstoff einen der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: ein Kasein, ein Glutin, eine Stärke, eine Cellulose, ein Harz, ein Tannin, ein Lignin, einen organischen Stoff mit Sauerstoff. Stickstoff, Chlor und/oder Schwefel; ein Metalloxid, ein Silikat, ein Phosphat, ein Borat. In verschiedenen Ausgestaltungen kann ein Klebstoff als ein Schmelzklebstoff, beispielsweise ein Lösemittelhaitiger Nassklebstoff, ein Kontaktklebstoff, ein
Dispersionsklebstoff, ein wasserbasierter Klebstoff, ein Plastisol; ein
Polymerisationsklebstoff, beispielsweise ein Cyanacrylat-Klebstoff, ein
Methylmethacrylat-Klebstoff, ein anaerob härtender Klebstoff, ein ungesättigter Polyester, ein strahlenhärtender Klebstoff; ein Polykondensationsklebstoff, beispielsweise ein Phenol-Formaldehydharz-Klebstoff, ein Silikon, ein Silan- vernetz ender Polymerklebstoff, ein Polyimidklebstoff, ein Polysulfidklebstoff; und/oder ein Polyadditionsklebstoff, beispielsweise ein Epoxidharz-Klebstoff, ein Polyurethan-Klebstoff, ein Silikon, ein Haftklebstoff; aufweisen oder daraus gebildet sein.
In verschiedenen Ausgestaltungen kann eine Klebstoffschicht zusätzlich wärmeleitende Partikel aufweisen. Die wärmeleitende Partikel können einen der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: Kohlenstoffnanoröhrchen, Diamant, Kupfer,
Bornitrid, Aluminium, Aluminiumnitrid, und/oder Aluminiumoxid. Die
Wärmeleitfähigkeit der wärmeleitenden Partikel kann in einem Bereich von ungefähr 28 W/mK bis ungefähr 1 120 W/mK liegen.
Ein Wellenleiter ist in verschiedenen Ausführungsbeispi el en ein Leiter zum Leiten von elektromagnetischer Strahlung. Der Wellenleiter ist ein Bauelement, das für die elektromagnetische Strahlung transmittierend ist, beispielsweise transparent oder transluzent, und das sich in wenigstens einer länglichen Erstreckungsrichtung erstreckt. Die Lichtwellenleitung erfolgt dabei intern im Wellenleiter unter anderem aufgrund von interner Reflexion an einer Außenwandung des Wellenleiter, die auch als Grenzfläche bezeichnet werden kann, beispielsweise aufgrund von interner Totalreflexion auf Grund eines Einfallswinkels der el ektromagneti sehen Strahlung auf die Grenzfläche, der größer ist als der Grenzwinkel der Totalreflexion und wobei der Wellenleiter einen
Brechungsindex aufweist, der größer ist als der Brechungsindex des Materials des Wellenleiter umgebenden Mediums oder durch Verspiegelung der Außenwandung des Wellenleiters mit einer Spiegelstruktur. Beispielsweise weist der Wellenleiter Fasern, eine Röhre oder einen Stab auf, die die elektromagnetische Strahlung über eine Strecke hinweg transportieren. Der Wellenleiter kann auch als Lichtleiter, Lichtleitfaser, Strahlleiter oder Lichtfaser bezeichnet werden. Der Wellenleiter kann beispielsweise Kunststoff, wie beispielsweise polymere Fasern, PMMA, Polycarbonat und/oder Hart-ummantelter Wellenleiter (hard clad silica) aufweisen. Ferner kann der Wellenleiter als ein flächiger Wellenleiter (FLWL) ausgebildet sein. Ein flächiger Wellenleiter erstreckt sich flächig in zwei Raumrichtungen, beispielsweise planparallel, sodass die Abmessungen des
Wellenleiters in diese zwei Raumrichtungen größer sind als in die dritte Raumrichtung. In verschiedenen Ausfuhrungs formen kann eine Spicgelstruktur elektromagnetische Strahlung reflektieren. Eine Spiegelstruktur kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen als ein optisches Gitter, ein metallischer Spiegel bzw. Spiegel, ein photonischer Kristall oder eine totalreflektierende Grenzfläche ausgebildet sein. Eine Spiegel struktur kann vollständig oder teilweise reflektierend ausgebildet sein für elektromagnetische Strahlung eines Wellenlängenbereiches, beispielsweise als eine teildurchlässige Spiegelstruktur, beispielsweise als ein dichroitischcr Spiegel. Die teildurchlässige Spiegelstruktur kann beispielsweise ein Teilerspiegel und/oder ein Einweg-Spiegel sein. Die teildurchlässige Spiegelstruktur kann beispielsweise einen Teil der auf sie einfallenden
elektromagnetischen Strahlung reflektieren und der andere Teil der einfallenden
elektromagnetischen Strahlung tritt durch die teildurchlässige Spiegelstruktur hindurch. Die teildurchlässige Spiegelstruktur kann beispielsweise auf einer Seite ein dielektrisches Schichtensystem und/oder optional auf der anderen Seite eine refiexionsvermindernde Beschichtung, beispielsweise zum Vermeiden von Doppelbildern aufweisen. Alternativ oder zusätzlich zu dem dielektrischen Schichtensystem kann beispielsweise auch eine sehr dünne Metallbeschichtung zum Einsatz kommen,
Fig.la-c zeigen schematische Darstellungen optoelektronischer
Bauelementevorrichtungen, gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen.
Dargestellt sind ein optoelektronisches Bauelement 102 und ein Wellenleiter 104. Das optoelektronische Bauelement 102 ist als eine mechanisch flexible Flächenlichtquelle ausgebildet und wird mit dem Wellenleiter 104 (lightguide) optisch gekoppelt - dargestellt mittels des Bezugszeichens 1 14 in Fig.1 c, beispielsweise mit diesem mittels eines transparenten oder transluzenten Klebstoffs (nicht dargestellt; siehe Fig,6a, b) verbunden. Verschiedene Ausführungsbeispiele des optoelektronischen Bauelementes 102, des Wellenleiters 104 und des Klebstoffs sind in Fig.6a, b ausführlicher dargestellt.
Im Nachfolgenden werden lediglich zur Veranschaulichung verschiedene Ausgestaltungen eines elektromagnetische Strahlung bereitstellenden und/oder aufnehmenden
optoelektronischen Bauelementes am Beispiel eines lichtemittierenden Bauelementes beschrieben.
Fig.la zeigt einen schematischen Aufbau der optoelektronischen B au el em entevom ch tung 100 gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen am Beispiel einer organischen
Leuchtdioden 102 als Flächcnlichtquelle 102, die um einen Wellenleiter 104 angeordnet ist derart, dass die Flächenlichtquelle 102 Licht in den Wellenleiter 104 einkoppelt. Das Licht, welches von der organischen Leuchtdiode 102 bereitgestellt wird, kann dadurch in Abhängigkeit der Ausgestaltung des Wellenleiters 104 in unterschiedliche Richtungen umgelenkt werden - dargestellt mittels der Pfeile mit den Bezugszeichen 106, 108. Mit anderen Worten: in Abhängigkeit der Ausgestaltung des Wellenleiters 104 kann die optoelektronische Bauel ementevorri chtungen 100 Bildebenen in unterschiedlicher Anzahl und Richtung aufweisen (angedeutet: zwei antiparallele Bildebenen). Die Lichtemissionen 106, 108 sind als ein schematisches, strahlformunabhängiges Abstrahlen von Licht, beispielsweise in den gesamten Halbraum oberhalb bzw. unterhalb des Wellenleiters 104. In Abhängigkeit von der Ausgestaltung des Wellenleiters 102 (siehe Fig.2 bis Fig.5) können mittels der Form und stofflichen Beschaffenheit des Wellenleiters 104 und der Einkopplung des optoelektronischen Bauelementes 102 an den Wellenleiter 104 unterschiedliche Abstrahlverhältnisse und Abstrahlprofile in den Bildebenen der optoelektronischen Bauelementevorrichtung realisiert werden. Mit anderen Worten: In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann mittels der Ausgestaltung des Wellenleiters 104 (siehe Fig.2) hinsichtlich der Form, des lokalen Brechungsindexes und/oder der lokalen Strukturierung das Abstrahlungsverhältnis von erster Lichtemission 106 und zweiter Lichtemission 108 eingestellt werden.
Der Wellenleiter 104 kann einen ersten Bereich und einen zweiten Bereich aufweisen (siehe auch Fig.2c zur Verdeutlichung). Der erste Bereich ist flächig ausgebildet, beispielsweise als flächiger Wellenleiter. Der zweite Bereich des Wellenleiters 104 ist der Bereich, in dem wenigstens ein optoelektronisches Bauelement 102 mit dem Wellenleiter optisch gekoppelt ist. Der zweite Bereich kann abhängig von der Ausgestaltung des Wellenleiters 104, als eine Stirnfläche des ersten Bereichs bezeichnet werden. Mit anderen Worten: in verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der zweite Bereich der
geometrische Rand des ersten Bereichs sein oder diesen aufweisen. In dem zweiten Bereich kann das optoelektronische Bauelement 102 einen Knick 1 16 oder eine
Krümmung 1 16 aufweisen. Dadurch kann beispielsweise bei einem
.Strahlungsemittierenden optoelektronischen Bauelement 102 der Anteil an
elektromagnetischer Strahlung 1 10 (siehe Fig. lb) erhöht werden, der in den Wellenleiter 104 eingekoppelt wird, beispielsweise im Bereich des Knicks 1 16 (dargestellt).
In verschiedenen Ausfuhrungsbeispielen kann das optoelektronische Bauelement lateral strukturiert sein, beispielweise derart, dass das optoelektronische Bauelement 102 in dem Bereich des Knicks 1 16 frei ist von organischer funktioneller Schichtenstruktur (nicht dargestellt; siehe Fig.öa, b), beispielsweise in dem im Bereich des Knicks 116 in dem optoelektronischen Bauelement 102 eine Grabenstruktur in den Schichten des
optoelektronischen Bauelements 102 ausgebildet ist. Mittels eines solchen strukturierten optoelektronischen Bauelementes 102 kann der Wellenleiter 104 formschlüssig mit dem optoelektronischen Bauelement 102 umformt werden. Dadurc kann die Dichte an elektromagnetischer Strahlung 1 10 in dem Wellenleiter 104, beispielsweise im Bereich des Knicks 1 16, mittels des Umformens des Knicks mit dem optoelektronischen Bauelement
102 erhöht werden,
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann/können eine oder mehrere Stirnflächen des (flächigen) ersten Bereichs des Wellenleiters 104 mit einer oder mehreren organischen Leuchtdiode/n 102 optisch und/oder schlüssig optisch gekoppelt sein, wobei jede der einen oder mehreren organischen Leuchtdiode/n 102 einen Knick 116 oder eine Krümmung 116 aufweist. Mit anderen Worten: In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine oder mehrere organische Leuchtdiode(n) 102 als seitliche Flächenlichtquellen 102 um den Wellenleiter 104 angeordnet sein (dargestellt: eine organische Leuchtdiode 102). Der Knick 1 16 oder die Krümmung 116 kann beispielsweise mittels einer selbstklebenden organischen Leuchtdiode 102 ausgebildet werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Wellenleiter 104 transparent oder transluzent ausgebildet sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der
Wellenleiter 104 als optische Kavität oder optischer Resonator für das optoelektronische Bauelement 102 eingerichtet oder ausgebildet sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann können eine oder mehrere Flächen des Wellenleiters 104 eine Spiegelstruktur aufweisen (nicht dargestellt), beispielsweise im (flächigen) ersten Bereich des Wellenleiters und/oder im zweiten Bereich. Die
Spiegelstruktur kann beispielsweise teilweise rückstreuend und/oder spiegelnd
reflektierend sein, beispielsweise teilweise durchlässig; totalreflektierend; beispielsweise ein optisches Gitter, ei photonischer Kristall, beispielsweise mittels einer dielektrischen Schichtenstruktur mit mehreren dielektrischen Schichten unterschiedlicher Brechzahl; und/oder ein Spiegel, beispielsweise eine metallische Beschichtung des Wellenleiters. Mittels einer einseitigen Spiegelstruktur auf dem (flächigen) ersten Bereich des
Wellenleiters 104 (nicht dargestellt) kann die Abstrahlcharakteristik der optoelektronischen Bauelementevorrichtung 100 verändert werden. Beispielsweise kann das Abstrahlen von Lichts von der optoelektronischen Baueleinentevorrichtung 100 in die erste Richtung 106 zu Gunsten erhöhter Emission in die zweite Richtung 108 verschoben werden.
Das wenigstens eine optoelektronische Bauelement 102, das den Wellenleiter 104 umgibt, beispielsweise die organische Leuchtdiode 102, kann in verschiedenen
Ausführungsbeispielen eine oder mehrere optoelektronische Bauelemente-Einheiten (siehe Fig.4b) auf einem gemeinsamen Träger aufweisen. Im Falle von vereinzelten
optoelektromschen Bauelemente- Einheiten auf einem gemeinsamen Träger können die optoelektronischen Bauelemente-Einheiten in einer elektrischen Reihen- und/oder Parallelschaltung elektrisch miteinander verbunden sein, beispielsweise um ein Bestromcn der optoelektronischen Bauelementevorrichtung 100 über nur zwei externe Anschlüsse zu ermöglichen.
Fig.lb zeigt eine Innenansicht der optoelektronischen Bauelementevorrichtung 100 gemäß Fig. l a ohne Darstellung des Wellenleiters 104. Schematisch dargestellt sind die von dem optoelektronischen Bauelement 102 in den Wellenleiter 104 bereitgestellte
elektromagnetische Strahlung 1 10 und der optisch aktive Bereich 112 des
optoelektronischen Bauelementes 102, beispielsweise einer organischen Leuchtdiode 102,
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine organische Leuchtdiode 102 als ein sogenannter Bottom-Emitter und/oder Top-Emitter ausgebildet sein. In verschiedenen
Ausfuhrungsbeispielen kann eine organische Leuchtdiode 102 als eine transparente OLED 102 ausgebildet sein oder als eine gestackte OLED 102 mit mehreren Emitterschichten (siehe Fig.6), die beispielsweise eine Zwischenelektrode oder eine Ladungsträgerp aar- Erzeugungs-Schichtenstruktur (charge generation layer - CGL) zwischen zwei benachbarten organischen funktionellen Schichtenstrukturen (siehe Fig.6) aufweist und Licht in unterschiedliche Richtungen emittiert. Eine optoelektronische
B auel em en tevorri ch tung mit organischen Leuchtdioden, die Licht in beide Richtungen emittieren, d.h. beispielsweise transparent ist und/oder zwei in entgegengesetzte Richtung emittierende optisch aktive Flachen aufweist; kann mit dem Wellenleiter 104
beispielsweise eine dreidimensional geformte Lichtquelle 100 bilden, die Licht im
Wesentlichen (bis auf den Bereich der Halterung und/oder Kontaktierung der
optoelektronischen Bauelementevorrichtung - nicht dargestellt) in alle Richtung abstrahlen kann. Fig.lc zeigt eine schematische Darstellung zum Ausbilden einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung, gemäß verschiedenen Ausführungsbcispielen.
Dargestellt sind ein Wellenleiter 104 und ein optoelektronisches Bauelement 102 in Form einer flexiblen Flächcnbeleuchtung 102, beispielsweise eine flexible organische
Leuchtdiode 102. Der Wellenleiter 104 kann beispielsweise gemäß einer der
Ausgestaltungen der Beschreibung der Fig.1 a, b und/oder Fig.2 bis Fig.6 ausgebildet sein. Die flexible Flächenbeleuchtung 102 kann beispielsweise gemäß einer der Ausgestaltungen des optoelektronischen Bauelementes 102 der Beschreibung der Fig. l a, b und/oder Fig.2 bis Fig.6 ausgebildet sein.
Die Flexibilität der Flächenbeleuchtung 102 ermöglicht es, den Wellenleiter 104 mit dem optisch aktiven Bereich 1 12 der flexiblen Flächenbeleuchtung 102 wenigstens teilweise zu umgeben, beispielsweise zu umformen. Dadurch können beispielsweise die Kanten 116, Ecken 1 16 und/oder Rundungen 1 16 des Wellenleiters 104 mit der flexiblen
Flächenbeleuchtung 102 umformt werden, sodass das optoelektronische Bauelement an den 1 16, Ecken 1 16 und/oder Rundungen 1 16 des Wellenleiters 104 elektromagnetische Strahlung in den Wellenleiter 104 bereitstellen kann oder aus dem Wellenleiter 104 aufnehmen kann.
Zum Ausbilden einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung 100 kann die flexible Flächenbeleuchtung 102 mit dem Wellenleiter schlüssig verbunden werden (dargestellt mitteis des"+" Zeichens mit dem Bezugszeichen 114), beispielsweise stoffschlüssig, beispielsweise auf den Wellenleiter 104 aufgeklebt werden. Die schlüssige Verbindung sollte derart eingerichtet sein, dass die flexible Flächenbeleuchtung 102 optisch an den Wellenleiter 104 koppelt, beispielsweise indem der Klebstoff der stoffschlüssigen
Verbindung wenigstens teilweise transmittierend ausgebildet ist und beispielsweise einen Brechungsindex aufweist, der größer ist als der Brechungsindex der freiliegenden
Oberfläche des optoelektronischen Bauelementes 102 (siehe Fig.6) und größer oder gleich dem Brechungsindex des Wellenleiters 104 ist. Weitere Ausführungsbeispiele des
Klebstoffes sind in Fig.6 gezeigt. In verschiedenen Ausführungsbeispielen ist auf dem optoelektronischen Bauelement 102 vor dem Koppeln mit dem Wellenleiter bereits eine Klebstoffschicht (siehe Fig.6) ausgebildet, d.h. auf dem optisch aktiven Bereich 112 des optoelektronischen
Bauelementes 102. Dadurch kann ein selbstklebendes, mechanisch flexibles,
optoelektronisches Bauelement 102 ausgebildet werden, mit dem ein Anformen an einen dreidimensional geformten Wellenleiter 104 ermöglicht wird, beispielsweise mittels eines
Krümmens oder Knickens des selbstklebenden, mechanisch flexiblen, optoelektronischen Bauelementes 102. In verschiedenen A usfuhrun gsbei spi el en kann die Klebstoffschicht auf dem optisch aktiven Bereich 1 12 des optoelektronischen Bauelementes 102 vor dem Ausbilden 1 14 der optoelektronischen B auel em en tevorri chtun g mit einer abziehbaren Abdeckung (nicht gezeigt) geschützt sein. Diese abziehbare Abdeckung kann beispielweise erst kurz vor dem Ausbilden 114 von dem Klebstofffilm abzogen werden. Die abziehbare Abdeckung kann die Klebstoffschicht vor Partikelkontaminationen schützen,
beispielsweise Staub, die die optischen Eigenschaften (Lichtstreuung) und/oder die Adhäsions- und/oder Kohäsions-Eigenschaften der Klebstoffschicht nachteilig
beeinflussen könnten,
Das optoelektronische Bauelement 102 kann mit diesem Klebstofffilm formschlüssig und/oder stoffschlüssig auf verschiedenen Wellenleitern platzsparend, formbar, einfach und somit kostengünstig angebracht werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Klebstoffschicht als Kopplungsstraktur zur optischen Ankopplung des von dem optoelektronischen Bauelement 102 emittierten Lichtes in den Wellenleiter 104 eingerichtet sein (siehe Fig.6), beispielsweise transparent und/oder Brechungsindex-angepasst zur OLED ausgebildet sein,
Fig.2a-f zeigen unterschiedliche Ausführungsbeispiele optoelektronischer
B auel ementevorri chtungen .
Dargestellt sind unterschiedliche Ausführungsbeispiele optoelektronischer
Bauelementevorrichtungen 100 mit speziell ausgestalteten Wellenleitern 104, die bei einem Strahlungsemittierenden optoelektronischen Bauelement 102 zu einem Einstellen einer gewünschten Abstrahlcharakteristik beitragen können. Die Abstrahlcharakteristik, die mit den gezeigten optoelektronischen Bauelementevorrichtungen 100 eingestellt werden kann, kann beispielsweise mit Punktlichtquellen nur schwierig umgesetzt werden.
Der Wellenleiter 104, die flexible Flächenbeleuchtung 102 und die Kopplungsstruktur bzw. der Klebstoff zwischen dem Wellenleiter und der flexiblen Flächenbeleuchtung 102 können beispielsweise gemäß der Ausgestaltungen der Beschreibungen der Fig.l und Fig.3 bis Fig.6 ausgebildet sein.
Fig.2a zeigt einen zylinderförmigen Wellenleiter 104, der im Randbereich, d.h. im zweiten Bereich, von einer flexiblen Flächenbeleuchtung 102 umgeben ist Die flexible
Flächenbeleuchtung 102 kann wenigstens teilweise die Stirnflächen und/oder wenigstens teilweise die Mantelfläche des Wellenleiters 104 umgeben, wobei die flexible
Flächenbeleuchtung 102 wenigstens einen Knick 116 aufweist. In Abhängigkeit der Ausgestaltung der Oberflächen des Wellenleiters 104 (ohne flexible Flächenbeleuchtung 102) kann die optoelektronischen Bauelementevorrichtung 100 elektromagnetische Strahlung 106, 108 in unterschiedlicher Raumrichtungen, d.h. in unterschiedliche
Bildebenen, bereitstellen (siehe Fig.la). Fig.2b zeigt einen Wellenleiter 104 ähnlich einem Quader, wobei jedoch der zweite
Bereich 204 des Wellenleiters 104 als abgerundete Seitenflächen des (flächigen) ersten Bereichs 202 des Wellenleiters 104 ausgebildet ist. Mit dem zweiten Bereich 204 ist wenigstens teilweise eine flexible Flächenbeleuchtung 102 optisch gekoppelt (dargestellt: zwei). Die flexible Flächenbeleuchtung 102 kann eine Krümmung 1 16 (dargestellt) oder einen Knick (nicht dargestellt) aufweisen. In einem Aus uhrungsbeispiel kann wenigstens eine Seitenfläche 206 des Wellenleiters 104 wenigstens teilweise reflektierend ausgebildet sein, beispielsweise eine Spiegelstruktur aufweisen (nicht dargestellt). Mittels der
Krümmung 1 16 und/oder dem Knick 1 16 kann die Kontaktfläche des Wellenleiters 104 mit dem optoelektronischen Bauelement 102 vergrößert werden hinsichtlich der Dicke des Wellenleiters 104 im ersten Bereich 202. Dadurch kann mittels der Ausgestaltung des zweiten Bereichs 204 die Dichte an elektromagnetischer Strahlung in dem ersten Bereich 202 vergrößert werden, beispielsweise im ersten Bereich je Einheitsfläche größer sein als auf dem optisch aktiven Bereich 112.
Die Krümmung 1 16 des optoelektronischen Bauelementes 102 kann eine beliebige Form aufweisen, die als eine Krümmung im mathematischen Sinne verstanden wird,
beispielsweise wenigstens teilweise: konkav, konvex oder eine Mischformen. Fig.2c zeigt einen hanteiförmigen Wellenleiter 104 mit einem flächigen ersten Bereich 202 ähnlich einem Quader und einem zweiten Bereich 204 ähnlich einem Zylinder. Der zweite Bereich 204 kann teilweise oder vollständig von einer oder mehreren flexiblen Flächenbeleuchtungen 102 umgeben sein. Der Wellenleiter 104 kann in verschiedenen Ausfuhrungsbeispielen einen oder mehrere zweite Bereiche 204 aufweisen (dargestellt zwei), mit denen eine oder mehrere flexible Flächenbeleuchtung en 102 optisch und schlüssig gebunden ist/sind (dargestellt jeweils eine). Mittels eines hanteiförmigen Wellenleiters 104 kann beispielsweise die Dicke des ersten Bereichs 202 reduziert werden bei einer vorgegebenen Dichte an elektromagnetischer Strahlung 110 (siehe Fig.lb), die von einem optoelektronischen Bauelement 102 in den Wellenleiter 104 eingekoppelt werden soll. Dies wird dadurch erreicht, dass die optische Kontaktfläche des Wellenleiters 104 mit dem optoelektronischen Bauelement 102 im zweiten Bereich 204 mittels der zylinderförmigen Ausgestaltung der Kontaktfläche größer ist als dies bei einer
Kontakt fläche der Fall wäre, die die Abmessungen des Querschnitts des ersten Bereichs 202 hätte. Der quaderförmige erste Bereich 202 des Wellenleiters 104 kann dadurch als ein dünner Plattenbereich ausgebildet sein oder werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann ein derart geformter Wellenleiter 104 mittels eines Formguss eines Glases oder Kunststoffes ausgebildet werden. Hanteiförmige Wellenleiter 104 können beispielsweise mittels eines Volumenverguss eines verflüssigten Glases, beispielsweise eines Glaslotes, oder eines Kunststoffes, beispielsweise eines Harzes oder eines Polyacryls, mit einer entsprechenden Negativform ausgebildet werden. Der hantel förmige Wellenleiter kann jedoch auch mittels eines Aufklebens des zweiten Bereiches 204 auf den ersten Bereich 202 ausgebildet werden, wobei der Klebstoff wenigstens teilweise transparent oder transluzent ist. In verschiedenen
Aus lührun gsb ei spi el en kann ein derart geformter Wellenleiter 104 mittels einer
stoffschlüssigen Verbindung der Struktur des ersten Bereiches 202 mit der Struktur des zweiten Bereiches 204 ausgebildet werden, beispielsweise einer Klebstoffverbindung. Die stoffschlüssige Verbindung kann dabei als Kopplungsstruktur für den ersten Bereich 202 und den zweiten Bereich 204 ausgebildet sein, beispielsweise einen Brechungsindex ungefähr gleich oder zwischen den Brechungsindizes der Strukturen des ersten Bereichs 202 und des zweiten Bereichs 204.
Fig.2d zeigt eine optoelektronische Bauelementevorrichtung 100 gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. Dargestellt ist ein optoelektronisches Bauelement 102, das mittels eines Klebstoffes 208 mit einem Wellenleiter 104 optisch gekoppelt ist, wobei das optoelektronische Bauelement 102 eine Krümmung 116 aufweist. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der zweite Bereich 204 mittels eines geformten Klebstoffes 208 und eines geformten optoelektronischen Bauelementes 102 gebildet werden.
Fig.2e zeigt ähnlich der Ausgestaltung der Fig.2c einen hantel form igen Wellenleiter 104, wobei der zweite Bereich 204 in diesem Ausführungsbeispiel in Form eines Vielecks gebildet ist, beispielsweise mit einer trapezförmigen Fläche als Seitenfläche der Struktur des zweiten Bereiches 204.
Die Flächenbeleuchtung 102 kann in diesem Ausführungsbeispiel einen Knick 1 16 aufweisen. Das optoelektronische Bauelement 102 kann beispielsweise mit zwei oder mehr Flächen des zweiten Bereichs 204 optisch mit dem ersten Bereich 202 gekoppelt sein.
Fig.2f zeigt einen Wellenleiter 104 in Form eines Polyeders, beispielsweise mit trapezförmigen Seitenflächen 206. Mittels der Innenwinkel der Seitenflächen des
Wellenleiters 104 und der Anordnung des optoelektronischen Bauelementes 102 auf dem Wellenleiter 104 können für die Bereiche des optoelektronischen Bauelementes 102, die an den Knick 1 16 angrenzen, in dem Wellenleiter 104 unterschiedliche Einfallswinkel eingestellt werden. Dadurch kann in verschiedenen Ausfuhrungsbeispielen das Mischungsverhältnis der Emissionsrichtungen 106, 108 eingestellt werden. Dadurch kann in verschiedenen
Ausfuhrungsbeispielen beispielsweise eine multidirektional, beispielsweise
omnidirektional, abstrahlende optoelektronische Bauelementevorrichtung 100 ausgebildet werden.
Fig.3a, b zeigen unterschiedliche Ausfuhrungsbeispiele optoelektronischer
Bauelementevorrichtungen. Zusätzlich zu einer der Ausgestaltung der optoelektronischen Bauelementevorrichtung der Beschreibungen der Fig.l und Fig.2 kann im ersten Bereich 202, d.h. beispielsweise auf einer oder beiden optisch aktiven Fläche/n 206 des Wellenleiters 104, jeweils ein oder mehrere weitere (erste) optoelektronische Bauelemente 302 und/oder Spiegelstrukturen 304 angeordnet sein. d.h. optisch und schlüssig mit dem Wellenleiter 104 verbunden sein - dargestellt in Fig.3a, b. Ein weiteres optoelektronisches Bauelement 302, das als optoel ektron isches Bauelement und Spiegel struktur eingerichtet sein soll, kann
beispielsweise eine Spiegelstruktur auf der Rückseite des optoelektronischen Bauelementes aufweisen, d.h. der Seite, die nicht mit dem ersten Bereich schlüssig verbunden ist. Das weitere optoelektronische Bauelement 302, das elektromagnetische Strahlung direkt in den ersten Bereich 202 einkoppelt, und keinen Knick oder keine Krümmung aufweist, kann auch als erstes optoelektronisches Bauelement 302 bezeichnet werden. Das optoelektronische Bauelement 102 im zweiten Bereich mit Knick 1 16 oder Krümmung 116 kann auch als zweites optoelektronisches Bauelement bezeichnet werden.
Mehrere erste optoelektronische Bauelemente 302 können gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein. Ein zusätzliches optoelektronisches Bauelement 302 kann als eine anorganisches optoelektronisches Bauelement 302 ode ein organisches optoelektronisches Bauelement 302 ausgebildet sein, Das erste optoelektronische Bauelement 302 kann zum Aufnehmen und/oder Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung eingerichtet sein, beispielsweise gemäß einer der Ausgestaltungen der Beschreibung des optoelektronischen Bauelementes 102 im zweiten Bereich 204.
In einem Ausfuhrungsbeispiel kann das erste optoelektronische Bauelement 302 im ersten Bereich 202 zum Bereitstellen von el cktrom agn eti scher Strahlung eingerichtet sein oder derart betrieben werden, während das optoelektronische Bauelement 102 im zweiten Bereich 204 wenigstens teilweise zum Aufnehmen der elektromagnetischen Strahlung, die von dem optoelektronischen Bauelement 302 in dem ersten Bereich 202 bereitgestellt wird, eingerichtet sein oder betrieben werden. In einem Ausfuhrungsbeispiel kann das optoelektronische Bauelement 102 im zweiten Bereich 204 zum Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung eingerichtet sein oder derart betrieben werden, während das optoelektronische Bauelement 302 im ersten Bereich 202 wenigstens teilweise zum
Aufnehmen der elektromagnetischer Strahlung, die von dem opto el ektroni sch en
Bauelement 102 in dem zweiten Bereich 204 bereitgestellt wird, eingerichtet sein oder betrieben werden. Dadurch kann das eine optoelektronische Bauelement als Detektor für das andere optoelektronische Bauelement verwendet werden, beispielsweise zum Messen von Alterungserscheinungen des jeweiligen Strahlungsemittierenden optoelektronischen Bauelementes.
In Fig. 3b ist schematisch eine optoelektronische Bauelementevorrichtung 100 ohne Darstellung des Wellenleiters 104 gezeigt, um das erste optoelektronische Bauelement 302 und/oder die Spiegelstruktur 304 auf der Unterseite des Wellenleiters 104 zu
veransch aul i chen . Das erste optoelektronische Bauelement 302 und/oder die
Spiegelstruktur 304 können/kann beispielsweise wenigstens teilweise au einer optisch aktiven Fläche des Wellenleiters 104 ausgebildet sein, d.h. in/auf dem ersten Bereich 202 des Wellenleiters 104 ausgebildet sein und diesen somit wenigstens teilweise bedecken. Der erste Bereich 202 des Wellenleiters 104 mit erstem optoelektronischen
Bauelement 302 und/oder Spiegelstruktur 304 kann im Bereich des ersten
optoelektronischen Bauelementes 302 und/oder der Spiegelstruktur 304 optisch inaktiv werden, beispielsweise indem das erste optoelektronische Bauelement 302 und/oder die Spiegel struktur 304 elektromagnetische Strahlung in die zweite Richtung 108 umlenken. Das erste optoelektronische Bauelement 302 kann beispielsweise die Leuchthomogenität der optoelektronischen Bauelementevorrichtung 100 verbessern und/oder die maximal realisierbare optisch aktive Fläche des Wellenleiters 104 auf einer Seite erhöhen, beispielsweise indem das erste optoel ektron i sehe Bauelement 302 in dem Teil des ersten Bereiches 202 ausgebildet wird, indem die Dichte der elektrom agnetischen Strahlung des zweiten optoelektronischen Bauelementes 102 unterhalb eines Schwellwertes ist.
Fig.4 zeigt optoelektronische Bauelementevorrichtungen, gemäß verschiedenen
Ausfuhrungsbeispielen.
Fig.4a zeigt eine optoelektronische B auel em en t ev orri ch tung 400 gemäß verschiedenen Ausführungsbcispielen mit einer ersten optoelektronische Bauelementevorrichtung-Einheit
100a und wenigstens eine zweite optoelektronische Bauelementevorrichtung-Einheit 100b (Fig.4a), wobei zwei benachbarte optoelektronische Bauelementevorrichtung- Einheiten 100a, 100b miteinander schlüssig verbunden sind, beispielsweise optisch in Reihe, beispielsweise formschlüssig und/oder stoffschlüssig. In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die optoelektronischen Bauelementevorrichtung-Einheiten 100a, 100b gemäß einer der Ausgestaltungen der optoelektronischen
Bauelementevorrichtung 100 der Beschreibungen der Fig.l bis Fig.3 ausgebildet sein, beispielsweise ein optoelektronisches Bauelement 102a, b und einen Wellenleiter 104a, b gemäß einer der Ausgestaltungen der Beschreibungen der Fig.l bis Fig.3 aufweisen.
Zwischen der ersten optoelektronischen Bauelementevorrichtung-Einheit 100a und der zweiten optoelektronischen Bauelementevorrichtung-Einheit 100b kann eine
Verbindungsstruktur 402 ausgebildet sein.
Mittels der optischen Reihenschaltung mehrerer optoelektronische
Bauelementevorrichtung-Einheit 100a, b kann die homogene Leuchtfläche der
optoelektronischen B auel ementevorri chtung 100 vergrößert werden und/oder - in
Abhängigkeit der Ausgestaltung des zweiten Bereichs des Wellenleiters und/oder der Verbindungsstruktur 402 - dreidimensional geformte optoelektronische
Bauelementevorrichtungen ausgebildet werden, beispielsweise indem die Fläch ennormalcn der ersten Bereiche der optoelektronischen Bauelementevorrichtung-Einheiten 100a, 100b unterschiedliche Richtungen aufweisen. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das optoelektronische Bauelement 102b zwischen zwei benachbarten Wellenleitern 104a, b als ein einseitig emittierendes optoelektronisches Bauelement 102b, als ein beidseitig emittierendes optoelektronisches Bauelement 102b oder eine Rücken-an-Rücken Anordnung zweier einseitig emittierender Flächenbeleuchtungen 102 ausgebildet sein. In einem Ausführungsbeispiel können die optoelektronischen Bauelemente 102a, b der opto elektron i sehen B auel em en tevorri chtung-
Einheiten 100a, 100b als einseitig emittierende optoelektronischen Bauelemente 102a, b ausgebildet sein, beispielsweise als Bottom-Emitter oder Top-Emitter (siehe Fig.6). In einem Ausführungsbeispiel können die optoelektronischen Bauelemente 102a, b der optoelektronischen Bauelemcntevorrichtung-Einheiten 100a, 100b transmittierend ausgebildet sein oder eine Spiegelstruktur aufweisen.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die V erbindungsstruktur 402 zum elektrischen Kontaktieren einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung-Einheit eingerichtet sein (siehe Fig.6), beispielsweise als eine Elektrode der zweiten
optoelektronischen Bauelementevorrichtung-Einheiten 100b ausgebildet sein oder mit dieser elektrisch verbunden sein. In verschiedenen Ausführungsbeispiclen kann die Verbindungsstruktur 402 als eine Wärmeverteilungsstruktur einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung-Einheit ausgebildet sein, beispielsweise als eine Metallschicht mit einem lateralen
Wärmeleitwiderstand kleiner als 1000 K/W, beispielsweise eine wenigstens 100 μιη dicke Metallschicht, beispielsweise aus Gold, Silber, Aluminium, Kupfer, Chrom und/oder einem Material einer der Elektroden des optoelektronischen Bauelementes 102 (siehe Fig.6).
In verschiedenen Ausführungsbeispiclen kann die Verbindungsstruktur 402 als eine Spiegelstruktur ausgebildet sein oder eine solche aufweisen. Bei einem optoelektronischen Bauelement 102a, b, das als ein Bottom-Emitter oder Top-Emitter ausgebildet ist kann die Rückseite der optisch aktiven Fläche reflektierend hinsichtlich elektromagnetischer Strahlung ausgebildet sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
reflektierende Rückseite des optoelektronischen Bauelementes 102b der zweiten optoelektronischen Bauelementevorrichtung-Einheiten 100b als Spiegclstruktur 402 des optoelektronischen Bauelementes 102a der ersten optoelektronischen Bauelemente-Einheit 100a wirken.
In verschiedenen Ausführungsbeispiclen kann die Verbindungsstruktur 402 auch als Kopplungsstruktur 402 bezeichnet werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Verbindungsstruktur 402 als eine stoffschlüssige Verbindung und/oder thermische Verbindung ausgebildet sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Verbindungsstruktur 402 als ein Klebstoff 402 ausgebildet sein, beispielsweise gemäß einer Ausgestaltung des Klebstoffs 208 der Beschreibung der Fig.6. Bei einem
optoelektronischen Bauelement 102a, b, das elektromagnetische Strahlung in beide Richtungen emittiert oder absorbiert, kann die Verbindungsstruktur 402 eine optische Kopplung eines optoelektronischen Bauelementes in den ersten Wellenleiter 104a und in den zweiten Wellenleiter 104b ermöglichen. Die zweiten Bereich 204 der Wellenleiter 104a, b können beispielsweise komplementär ausgebildet sein, beispielsweise
komplementäre Knicke und/oder komplementäre Krümmungen aufweisen. Dadurch können die zweiten Bereiche der optoelektronischen Bauelementevorrichtung-Einheiten 100a, b als formschlüssige Verbindung der optoelektronischen B auelementevorrichtung- Einheiten 100a, b wirken. In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die optoelektronischen
Bauclementevorrichtung- Einheiten 100a, 100b gleiche oder unterschiedliche optische Eigenschaften aufweisen, beispielsweise Licht mit einer unterschiedlichen Farbvalenz bereitstellen oder aufnehmen, beispielsweise unterschiedliche Emissionsspektren
(Farbvalenzen) aufweisen, beispielsweise rotes, grünes, blaues, weißes Licht emittieren.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die optoelektronischen
Bauelementevorrichtung- Einheiten 100a, 100b bauelementeindividuell oder in Gruppen angesteuert werden. Dadurch kann die Farbvalenz des Lichtes, welches von den
Wellenleiter 104a, b bereitgestellt wird, mittels der Ansteuerung der optoel ektroni sehen Bauelemente 102a, b eingestellt werden, beispielsweise in einer Anwendung der optoelektronischen B auelem ente vorri chtung als Stimmungslicht (Mood-Light) oder in der Lichttherapie.
Fig.4b zeigt eine optoelektronische Bauelementevorrichtung 410 gemäß verschiedenen Ausfuhrungsbeispielen mit einem optoelektronischen Bauelement 102, das zwei oder mehr optoelektronische Bauelement-Einheiten 102A, B, C aufweist (dargestellt: drei), wobei das optoelektronischen Bauelement 102 und/oder die zwei oder mehr optoelektronischen
Bauelement-Einheiten 102A, B, C wenigstens eine Krümmung und/oder wenigstens einen Knick aufweisen/aufweist.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die optoelektronischen Bauelement- Einheiten 102A, B, C hinsichtlich einander gleiche oder unterschiedliche optoelektronische Eigenschaften aufweisen, beispielsweise eine erste el ektrom agneti sehe Strahlung 408A, eine zweite el ektrom agn eti sehe Strahlung 408B bzw. eine dritte elektromagnetische Strahlung 408C bereitstellen und/oder aufnehmen. Die elektromagnetische Strahlung 408 A, B, C können beispielsweise einen gleichen oder unterschiedlichen Farbort oder eine unterschiedliche Farbvalenz aufweisen. In einem Ausführungsbeispiel kann die erste elektromagnetische Strahlung 408A mit einem blauen Licht, die zweite elektromagnetische Strahlung 408B mit einem grünen Licht und die dritte elektromagnetische Strahlung 408C mit einem roten assoziiert werden, wobei die
Reihenfolge der elektromagnetischen Strahlung 408 A, B, C in einer beliebigen
Permutation der dargestellten Ausgestaltung bereitgestellt oder aufgenommen werden kann. Mittels mehrerer Bauelement-Einheiten 102A, B, C kann mit der optoel ektronischen Bauelementevorrichtung 410 beispielsweise lokal farblich unterschiedliches Licht emittiert werden, beispielsweise zur Wiedergabe oder Darstellung einer Information, beispielsweise eines Piktogramms, eines Ideogramms und/oder eines Schriftzugs. Bei einem transparenten oder transluzenten Wellenleiter kann mittels der Mischung der elektromagnetischen Strahlung 408A, B, C beispielsweise ein weißes Licht in die Bildebene(n) der
optoelektronischen B auel em entevorri chtung emittiert werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die optoelektronischen Bauelement- Einheiten 102A, B, C hinsichtlich einander unterschiedlich oder gleich angesteuert werden. In einem Ausführungsbeispiel kann die erste optoelektronische Bauelement-Einheit 102A als Fotodetektor für die bereitgestellte elektromagnetische Strahlung 408B, C der anderen optoelektronischen Bauelement-Einheiten 102B, C betrieben werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die optoelektronischen Bauelement-Einheiten 102A, B, C derart gesteuert werden, dass die Anzahl der lichtemittierenden optoelektronischen
Bauelement-Einheiten 102A, B, C und/oder die Zeit, in der die optoelektronischen
Bauelement-Einheiten 102A, B, C Licht emittieren, proportional zu einem Dimmgrad der optoelektronischen Bauelementevorrichtung 410 sind/ist.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Wellenleiter 104 strukturiert sein, beispielsweise mehrere Wellenleiter-Einheiten 104A, B, C aufweisen (dargestellt: drei). Die mehreren Wellenleiter- Einheiten 104A, B, C können gleiche oder unterschiedliche optische Eigenschaften aufweisen, beispielsweise einen unterschiedlichen Brechungsindex, eine unterschiedliche Polarisation, unterschiedliche Streuung und/oder eine
unterschiedliche Strukturierung. Mittels mehrerer Wellenleiter-Einheiten 104 A, B, C kann mit der optoelektronischen Bauelementevorrichtung 410 beispielsweise lokal farblich unterschiedliches Licht emittiert werden, beispielsweise zur Wiedergabe oder Darstellung einer Information, beispielsweise eines Piktogramms, eines Ideogramms und/oder eines Schriftzugs.
In einem Ausführungsbeispiel kann die erste elektromagnetische Strahlung 408A in der ersten Wellenleiter-Einheiten 104A, die zweite elektromagnetische Strahlung 408B in der zweiten Wellenleiter-Einheiten 104B und die dritte elektromagnetische Strahlung 408C in der dritten Wellenleiter-Einheiten 104C geführt werden.
Fig.5a-c zeigen optoelektronische Bauelementevorrichtungen 500, 510, 520 gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können/kann der Wellenleiter 104 und/oder die Flächenbeleuchtung 102 mit einer Wärmeverteilungsstruktur 502 in einem thermischen Kontakt stehen, beispielsweise von einer Wärmeverteilungsstruktur 502 wenigstens teilweise umgeben sein, beispielsweise wenigstens teilweise im zweiten Bereich (Fig.Sa- c). In einem Ausfuhrungsb ei spi el kann das optoelektronische Bauelement 102 wenigstens teilweise im zweiten Bereich 204 ausgebildet sein und die Wärmeverteilungsstruktur 502 wenigstens teilweise im zweiten Bereich 204 und wenigstens teilweise im ersten Bereich 202 (Fig,5a).
In einem Ausfuhrungsbei spiel kann das optoelektronische Bauelement 102 wenigstens teilweise im zweiten Bereich 204 und wenigstens teilweise im ersten Bereich 202 ausgebildet sein und die Wärmeverteilungsstruktur 502 wenigstens teilweise im zweiten
Bereich 204 und wenigstens teilweise im ersten Bereich 202, wobei wenigstens ein Teil des ersten Bereiches einen direkten thermischen Kontakt mit der Wärmeverteilungs struktur 502 aufweist (Fig.5b).
In einem Ausfuhrungsbeispiel kann das optoelektronische Bauelement 102 wenigstens teilweise im zweiten Bereich 204 und wenigstens teilweise im ersten Bereich 202 ausgebildet sein und die Wärmeverteilungsstruktur 502 wenigstens teilweise im zweiten Bereich 204 und wenigstens teilweise im ersten Bereich 202 (Flg.Sc).
In verschiedenen Ausfuhrungsbeispielen kann die Wärmeverteilungsstruktur 502 als eine wärmeverteilende Folie, d.h. als eine thennisch hochleitfähige Folie (Heatspreader-Folie), ausgebildet sein. Dadurch kann die Wärme von dem optoelektronischen Bauelement 102 an einer Seite des Wellenleiters 104 über einen größeren Bereich des Wellenleiters 104 verteilt werden, beispielsweise über den gesamten Wellenleiter.
In einem Ausführungsbeispiel kann die Wärmeverteilungsstruktur 502 spiegelnd und/oder rückstreuend ausgebildet sein, beispielsweise als eine Spiegelstruktur, beispielsweise in dem die Wärmeverteilungsstruktur 502 als eine wenigstens 100 μηι dicke Metallschicht ausgebildet ist. Dadurch kann beispielsweise eine einseitige Lichtemission 106 der optoelektronischen Bauelementevorrichtung 500, 510, 520 realisiert werden,
beispielsweise ohne eine zusätzliche Spiegelfläche oder Spiegelstruktur zu benötigen.
In einem Ausführungsbeispiel kann die Wärmeverteilungsstruktur 502 zum elektrischen Kontaktieren des optoelektronischen Bauelementes 102 eingerichtet sein, beispielsweise mit wenigstens einer Elektrode des optoelektronischen Bauelementes 102 verbunden sein oder als eine solche ausgebildet sein.
Fig.6a, b zeigen schematische Querschnittsansicht optoelektronische
Bauel ementevorri chtung, gemäß verschiedenen Ausfuhrungsbeispielen. Dargestellten sind zwei Ausführungsbeispiele einer Flächenbeleuchtung 102, die an einen Wellenleiter 106 schlüssig und optisch gekoppelt ist. Dargestellt sind schematische
Querschnittsansichten einer optoelektronischen Bauelemcntevorrichtung 100 aufweisend: ein optoel ektronisches Bauelement 102 auf oder über einem Lichtwellenleier 104. Das optoelektronische Bauelement 102 ist optisch mit dem Wellenleiter 104 gekoppelt, beispielsweise außerdem stoffschlüssig, beispielsweise mittels einer Klebstoffschicht 612, 208.
In die Schicht des Klebstoffs 612, 208 (auch bezeichnet als Klebstoffschicht) können in verschiedenen Ausführungsbeispielen noch lichtstreuende Partikel eingebettet sein, die zu einer V erbesserung des Farbwinkelverzugs und der Auskoppeleffizienz führen können. In verschiedenen Ausfuhrungsbeispielen können als lichtstreuende Partikel beispielsweise dielektrische Streupartikel vorgesehen sein wie beispielsweise Metalloxide wie z.B.
Siliziumoxid (SiCb), Zinkoxid (ZnO), Zirkoniumoxid (Zr02), Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO), Galliumoxid (Ga20x) Aluminiumoxid, oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der transluzenten Schichtenstruktur verschieden ist, beispielsweise Luftblasen, Acrylat, oder Glashohlkugeln. Ferner können beispielsweise metallische Nanopartikel, Metalle wie Gold, Silber, Eisen-Nanopartikel, oder dergleichen als lichtstreuende Partikel vorgesehen sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff derart eingerichtet sein, dass er selbst einen Brechungsindex aufweist, der kleiner oder größer ist als der
Brechungsindex des Wellenleiters 104 oder der Brechungsindex als die freiliegende Schicht des optoel ektroni sehen Bauelementes 102. Der Unterschied des Brechungsindex des Klebstoffes zu dem Brechungsindex des Wellenleiters 104 oder der freiliegenden Schicht des optoelektronischen Bauelementes 102 kann beispielsweise größer als 0,05 sein, beispielsweise größer als 0,1 , beispielsweise größer als 0,2. Ein Klebstoff kann
beispielsweise ein niedrigbrechender Klebstoff sein wie beispielsweise ein Acrylat, der einen Brechungsindex von ungefähr 1 ,3 aufweist. In einer Ausgestaltung kann ein
Klebstoff beispielsweise ein hochbrechender Klebstoff sein der beispielsweise
hochbrechende, nichtstreuende Partikel aufweist und einen schichtdickengemittelten Brechungsindex aufweist, der ungefähr dem schichtdickengemittelten Brechungsindex der organisch funktionellen Schichtenstruktur entspricht, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1 ,7 bis ungefähr 2,0. Weiterhin können mehrere unterschiedliche Klebstoffe vorgesehen sein, die eine Klebstoffschichten folge bilden. Zum Erhöhen des Brechungsindexes des Klebstoffes können dem Klebstoff beispielsweise Partikel aus einem hochbrechenden Metalloxid, beispielsweise T1O2, AI2O3; hinzugefügt werden. Die Partikel können beispielsweise einen mittleren Durchmesser d50 von kleiner als ungefähr 100 nm aufweisen, beispielsweise ungefähr 50 nm. Dadurch können die Partikel den schichtdickengemitteltcn Brechungsindex der Klebstoffschicht erhöhen, ohne als Streuzentren zu wirken. Bei Partikeln mit einem Durchmesser von mehr als 100 nm, beispielsweise mit einem Durchmesser von ungefähr 0,5 μιη bis ungefähr 5 μηι können die Partikel zusätzlich zu der Erhöhung des schichtdickengemittelten Brechungsindexes des Klebstoffes als Streuzentren für Licht wirken. Dadurch kann beispielsweise der Anteil an Licht, der aus dem lichtemittierenden Bauelement 102 in den Wellenleiter 104
ausgekoppelt wird, erhöht werden. Die Erhöhung der Lichtauskopplung wird
beispielsweise mittels eines Ändems des Einfallswinkels von Licht an einer Grenzfläche unter den Betrag der Totalreflexion an dieser Grenzfläche erreicht. Zum Erniedrigen des Brechungsindexes des Klebstoffes können dem Klebstoff
beispielsweise Hohlräume hinzugefügt werden, beispielsweise indem dem Klebstoff poröse Partikel zugefügt werden oder Hohlräume in dem Klebstoff ausgebildet werden, beispielsweise mittels eines Sol-Gel-Prozess. Die Hohlräume können beispielsweise einen mittleren Durchmesser d50 von kleiner als ungefähr 100 nm aufweisen, beispielsweise ungefähr 50 nm. Dadurch können die Hohlräume den schichtdickengemittelten
Brechungsindex der Klebstoffschicht erniedrigen, ohne als Streuzentren zu wirken. Bei Hohlräume mit einem Durchmesser von mehr als 100 nm, beispielsweise mit einem Durchmesser von ungefähr 0,5 μιη bis ungefähr 5 μιη können die Hohlräume zusätzlich zu der Erniedrigung des schichtdickengemittelten Brechungsindexes des Klebstoffes als Streuzentren für Licht wirken. Dadurch kann beispielsweise der Anteil an Licht, der aus dem lichtemittierenden Bauelement 102 in den Wellenleiter 104 ausgekoppelt wird, erhöht werden. Die Erhöhung der Lichtau skoppl ung wird beispielsweise mittels eines Änderns des Einfallswinkels von Licht an einer Grenzfläche unter den Betrag der Totalreflexion an dieser Grenzfläche erreicht.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff 208 optional sein,
beispielsweise indem das optoelektronische Bauelement 102 auf dem Wellenleiter 104 ausgebildet wird. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff 208 bei einem
lichtemittierenden Bauelement 102 einen Brechungsindex aufweisen, dessen Betrag größer oder gleich dem Betrag des Brechungsindexes des Wellenleiters 104 ist. In verschiedenen Ausfuhrungsbeispielen kann der Klebstoff 208 bei einem lichtabsorbierenden Bauelement 102 einen Brechungsindex aufweisen, dessen Betrag kleiner oder gleich dem Betrag des Brechungsindexes des Wellenleiters 104 ist. Ein solcher Klebstoff 208 kann auch als Brechungsindex angepasster Klebstoff bezeichnet werden. Dadurch kann die Reflexion von elektromagnetischer Strahlung an der Grenzfläche des Klebstoffes 208 mit dem Wellenleiter 104 reduziert werden, d.h. die Einkopplung in Wellenleiter 104 oder in das optoelektronische Bauelement 102 verbessert werden. Dadurch kann die Effizienz der optoelektronischen B auel ementevorri chtung 100 verbessert werden. In verschiedenen Ausfuhrungsbeispielen kann der Klebstoff 208 auch als
Kopplungsstruktur 208 oder optische Kopplungsstruktur 208 bezeichnet werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff 208 beispielsweise als ein Druck empfindlicher Klebstoff (pressure sensitive adhesive - PSA) ausgebildet sein.
Dadurch ist eine Verklebung mittels eines Ausübens eines Drucks auf die zu verklebenden Bauelemente (102, 104) möglich. Dadurch kann ein Erhitzen der Klebstoffverbindung oder ein Bestrahlen der Klebstoffverbindung mit UV-Strahlung vermieden, wodurch die organischen Schichten des optoelektronischen Bauelementes 102 beschädigt werden könnten.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff 208 Chromophore aufweisen, die partiell das von dem optoelektronischen Bauelement 102 emittierte (weiße oder monochrome) Licht in einen anderen Wellenlängenbereich konvertieren. Dadurch kann eine Verbesserung des Farbwiedergabewertes (CRI) oder spektrale Bereiche (wie bspw. Tiefrot) eingestellt werden, die durch kommerziell erhältliche Emittermaterialien nicht erreicht werden können.
Das optoelektronische Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbcispielen einen Träger 602, und einen elektrisch aktiver Bereich mit einer ersten Elektrode 604, einer organischen funktionellen Schichtenstruktur 608 und einer zweiten Elektrode 610 wie sie im Folgenden näher beschrieben werden. Der Bereich des optoelektronischen
Bauelementes 102, der elektromagnetische Strahlung aufnehmen oder bereitstellen kann, kann als optisch aktiver Bereich 1 12 des optoelektronischen Bauelementes 102 bezeichnet werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das optoelektronische Bauelement 102 als eine organische Leuchtdiode 102 (oder auch als lichtemittierendes Bauelemente 102 gemäß den oben oder noch im Folgenden beschriebenen Ausführungsbeispielen) als ein so genannter Top- und Bottom-Emitter eingerichtet sein. Ein Top- und Bottom-Emitter kann auch als optisch transparentes Bauelement, beispielsweise eine transparente organische Leuchtdiode, ausgebildet werden. In verschiedenen Ausfuhrungsbeispielen kann das optoelektronische Bauelement 102 als ein organischer Fotodetektor (oder auch als lichtabsorbierendes Bauelement 102 gemäß den oben oder noch im Folgenden beschriebenen Ausführungsbeispielen) eingerichtet sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das optoelektronische Bauelement 102 als eine organische Leuchtdiode 102 und/oder als organischer Fotodetektor 102 eingerichtet sein, beispielsweise kann eine organische Leuchtdiode im Rückwertsbetrieb als
organischer Fotodetektor 102 betrieben werden.
Allgemein kann das optoelektronische Bauelement 102 zu einem Aufnehmen und/oder Bereitstellen elektromagnetischer Strahlung eingerichtet sein, wobei das optoelektronische Bauelement 102 eingerichtet ist, eine elektrische Energie aus einer au fgenomm enen elektromagenti sehen Strahlun zu erzeugen und/oder eine elektrom agn eti sehe Strahlung aus einer bereitgestellten elektrischen Energie zu erzeugen. Nachfolgend wird das optoelektronische Bauelement 102 am Beispiel eines
lichtemittierenden Bauelementes 102 veranschaulicht.
Das optoelektronische Bauelement 102 kann einen Träger 602 aufweisen. Der Träger 602 kann beispielsweise als ein Trägerelement für elektronische Elemente oder Schichten, beispielsweise Ii cht emittierende Elemente, dienen.
Der Träger 602 kann beispielsweise transparent, transluzent oder opak ausgebildet sein. Ein transparenter oder transluzenter Träger 102 kann beispielsweise bei einem
transparenten optoelektronischen Bauelement 102 verwendet werden. In verschiedenen Ausfuhrungsbeispiclen kann der Träger 102 jedoch auch als Abdeckung 102 bezeichnet werden.
Der Träger 602 kann beispielsweise Glas, Quarz, und/oder ein Halbleitcrmatcrial oder irgendein anderes geeignetes Material aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Träger eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine
(beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder Polypropylen (PP)) aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Kunststoff Polyvinylchlorid (PVC), Polystyrol (PS ), Polyester und/oder Polycarbonat (PC), P ol yethyl enterephthal at (PET), Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Träger 602 kann eines oder mehrere der oben genannten Materialien aufweisen. Der Träger 602 kann transluzent oder sogar transparent ausgeführt sein. Der Träger 602 kann ein Metall aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise
Kupfer, Silber, Gold, Platin, Eisen, beispielsweise eine Metall Verbindung, beispielsweise Stahl.
Ein Träger 602 aufweisend ein Metall oder eine Metaliverbindung kann auch als eine Metallfolie oder eine metallbeschichtete Folie ausgebildet sein.
Der Träger 602 kann transluzent oder sogar transparent ausgeführt sein. Bei einem Träger 602, der ein Metall aufweist, kann das Metall beispielsweise als eine dünne Schicht transparente oder transluzente Schicht ausgebildet sein und/oder das Metall ein Teil einer Spiegelstruktur sein (nicht dargestellt).
Der Träger 602 kann einen mechanisch rigiden Bereich und/oder einen mechanisch flexiblen Bereich aufweisen oder derart ausgebildet sein. Ein Träger 602, der einen mechanisch rigiden Bereich und einen mechanisch flexiblen Bereich aufweist, kann beispielsweise strukturiert sein, beispielsweise indem der Träger 102 im rigiden Bereich und im flexiblen Bereich eine unterschiedliche Dicke aufweist.
Ein mechanisch flexibler Träger 602 oder der mechanisch flexible Bereich kann beispielsweise als eine Folie ausgebildet sein, beispielsweise eine Kunststofffolie,
Metallfolie oder ein dünnes Glas.
Auf oder über dem Träger 602 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen optional eine Barriereschicht 606 angeordnet sein, beispielsweise auf der Seite der organischen funktionellen Schichtenstruktur 608 (dargestellt) und/oder auf der Seite, die der organischen funktionellen Schichtenstruktur 608 abgewandt ist (nicht dargestellt).
Die Barriereschicht 606 kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafhiumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid,
Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, Poly(p- phenylenterephthalamid), Nylon 66, sowie Mischungen und Legierungen derselben. In verschiedenen Ausgestaltungen kann die Barriereschicht 606 mittels eines
Atomlagenabscheideverfahrens (atomic layer deposition - ALD) und/oder einem
Moleküll agen abschcidev erf ahrens (molecular layer deposition -MLD) ausgebildet werden. In verschiedenen Ausgestaltungen kann die Barriereschicht 606 zwei oder mehr gleiche und/oder unterschiedliche Schichten, oder Lagen aufweisen, beispielsweise nebeneinander und/oder übereinander, beispielsweise als eine Barriereschichtstruktur oder ein
Barrierestapel, beispielsweise strukturiert. Ferner kann die Barriereschicht 606 in verschiedenen Ausfuhrungsbeispielen eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 0,1 nra (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 200 nm, beispielsweise eine
Schichtdicke von ungefähr 40 nm.
Auf oder über der Barriereschicht 606 (oder, wenn die Barriereschicht 606 nicht vorhanden ist, auf oder über dem Träger 602) kann ein elektrisch aktiver Bereich des
lichtemittierenden Bauelements 102 angeordnet sein. Der elektrisch aktive Bereich kann als der Bereich des liehtemittierenden Bauelements 102 verstanden werden, in dem ein elektrischer Strom zum Betrieb des optoelektronischen Bauelements 102 fließt. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der elektrisch aktive Bereich eine erste Elektrode 604, eine zweite Elektrode 610 und eine organische funktionelle
Schichtenstruktur 608 aufweisen, wie es im Folgenden noch näher erläutert wird.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der Barriereschicht (oder, wenn die Barriereschicht nicht vorhanden ist (dargestellt), auf oder über dem Träger 602) die erste Elektrode 604 (beispielsweise in Form einer ersten Elektrodenschicht 604) aufgebracht sein.
Die erste Elektrode 604 (im Folgenden auch als untere Elektrode 604 bezeichnet) kann aus einem elektrisch leitfähigen Material gebildet werden oder sein, wie beispielsweise aus einem Metall oder einem leitfähigen transparenten Oxid (transparent conduetive oxide, TCO) oder einem Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben Metalls oder
unterschiedlicher Metalle und/oder desselben TCO oder unterschiedlicher TCOs.
Transparente leitfähige Oxide sind transparente, leitfähige Materialien, beispielsweise Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid,
Indiumoxid, oder Indium-Zinn-Oxid (ITO). Neben binären Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise ZnO, Sn02, oder In2Ü3 gehören auch ternäre Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise AlZnQ, Z 2S 04, CdSnOß, ZnSnC«3, Mgln?04, GalnOß, Zn2ln2Ü5 oder In4Sn30i2 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs und können in verschiedenen Ausführungsbeispielen eingesetzt werden. Weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer stöchiometri sehen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n- dotiert sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrode 604 ein Metall aufweisen; beispielsweise Ag, Pt, Au, Mg, AI, Ba, In, Ca, Sm oder Li, sowie
Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser Materialien.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrode 604 gebildet werden von einem Schichten Stapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs, oder umgekehrt. Ein Beispiel ist eine Silberschicht, die auf einer Indium- Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ΠΌ) oder ITO-Ag-ITO Multischichten.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrode 604 eines oder mehrere der folgenden Materialien vorsehen alternativ oder zusätzlich zu den oben genannten Materialien: Netzwerke aus metallischen Nanodrähten und -teilchen, beispielsweise aus Ag; Netzwerke aus Kohlenstoff-Nanoröhrcn; Graphen-Teilchen und -Schichten;
Netzwerke aus halbleitenden Nanodrähten.
Ferner kann die erste Elektrode 604 elektrisch leitfähige Polymere oder
Übergangsmetalloxide oder elektrisch leitfähige transparente Oxide aufweisen.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die erste Elektrode 604 und das Träger 602 transluzent oder transparent ausgebildet sein. In dem Fall, dass die erste Elektrode 604 aus einem Metall gebildet wird, kann die erste Elektrode 604 beispielsweise eine
Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 20 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 18 nm. Weiterhin kann die erste Elektrode 604 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von größer oder gleich ungefähr 10 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von größer oder gleich ungefähr 15 nm. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrode 604 eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 18 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 15 nm bis ungefähr 18 nm. Weiterhin kann für den Fall, dass die erste Elektrode 604 aus einem leitfähigen
transparenten Oxid (TCO) gebildet wird, die erste Elektrode 604 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Sehichtdicke in einem Bereich von ungefähr 75 nm bis ungefähr 250 nm, beispielsweise eine Sehichtdicke in einem Bereich von ungefähr 100 nm bis ungefähr 150 nm.
Ferner kann für den Fall, dass die erste Elektrode 604 aus beispielsweise einem Netzwerk aus metallischen Nanodrähtcn, beispielsweise aus Ag, die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sein können, einem Netzwerk aus Kohlenstoff-Nanoröhren, die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sein können, oder von Graphen-Schichten und Kompositen gebildet wird, die erste Elektrode 604 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 40 nm bis ungefähr 250 nm.
Die erste Elektrode 604 kann als Anode, also als löcherinjizierende Elektrode ausgebildet sein oder als Kathode, also als eine elektroneninjizierende Elektrode.
Die erste Elektrode 604 kann einen ersten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein erstes elektrisches Potential (bereitgestellt von einer Energiequelle (nicht dargestellt), beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsquelle) anlegbar ist. Alternativ kann das erste elektrische Potential an den Träger 602 angelegt werden oder sein und darüber dann mittelbar der ersten Elektrode 604 zugeführt werden oder sein. Das erste elektrische Potential kann beispielsweise das Massepotential oder ein anderes vorgegebenes
Bezugspotential sein.
Für den Fall, dass der Träger 602 opak und/oder reflektierend ausgebildet ist, kann die erste Elektrode 604 beispielsweise opak und/oder reflektierende ausgebildet sein, beispielsweise als ein Metallfilm mit Aluminium, Silber und/oder Magnesium, und einer Dicke von ungefähr 100 nm oder dicker.
In verschiedenen Ausfdhrungsbeispielen können kann die erste Elektrode 604 und/oder der Träger 602 als Wärmeverteilungsstruktur eingerichtet sein, beispielsweise ein Produkt aus spezifischer Wärmeleitfähgikeit und Schichtdicke von größer als ungefähr 0,01 mW/K, beispielsweise größer als ungefähr 1 mW/K, beispielswiese in einem Bereich von ungefähr 10 mW/K bis ungefähr 100 mW/K aufweisen. Dadurch kann die Abwärmeverteilung des optoelektronischen Bauelementes 102 verbessert werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können kann die erste Elektrode 604 und/oder der Träger 602 als Spiegelstruktur ausgebildet sein. Dadurch kann elektromagnetische
Strahlung, die aus Richtung der organischen funktionellen Schichtenstruktur 608 kommt, in Richtung dieser umgelenkt werden.
Weiterhin kann der elektrisch aktive Bereich des lichtemittierenden Bauelements 102 eine organische funktionelle Schichtenstruktur 608, auch bezeichnet als eine organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 608, aufweisen, die auf oder über der ersten Elektrode 604 aufgebracht ist oder wird.
Die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 608 kann mehrere organische funktionelle Schichtenstrukturen aufweisen (nicht dargestellt). In verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann die organische elektrolumineszente Schi chten struktur 608 mehr als zwei organische funktionelle Schichtenstrukturen aufweisen, beispielsweise 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, oder sogar mehr, beispielsweise mehr als 15. In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die organischen funktionellen
Schichtenstrukturen gleich oder unterschiedlich zueinander ausgebildet sein,
beispielsweise ein gleiches oder unterschiedliches Emittermaterial aufweisen.
Bei mehreren organischen funktionellen Schichtenstrukturen können zwischen zwei direkt benachbarten organischen funktionellen Schichtenstrukturen eine jeweilige
Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichtenstruktur (engl.: Charge Generation Lay er, CGL) und/oder eine Zwischenelektrode angeordnet ist.
Wie im Folgenden noch näher erläutert wird kann die organische funktionelle
Schichtenstruktur 608 eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen, beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder phosphoreszierenden Emittern, sowie eine oder mehrere Loch I ei tungs schi chten (in Fig.6 nicht dargestellt) (auch bezeichnet als
Lochtransportschi cht(en)) . In verschiedenen Ausführungsbeispielen können alternativ oder zusätzlich eine oder mehrere Elektronenleitungsschichten (auch bezeichnet als Elektronentransportschicht(en)) vorgesehen sein. Beispiele für Emittermaterialien, die in dem lichtemittierenden Bauelement 102 gemäß verschiedenen Ausfuhrungsbeispielen für die Em i ttersch i cht (en) eingesetzt werden können, schließen organische oder organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (z.B. 2- oder 2,5-substituiertes Poly-p- phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe, beispielsweise Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis(3,5-diiluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxvpyridyl)- iridium III), grün phosphoreszierendes Ir(ppy)3 (Tris(2-phenylpyridin)iridium III), rot phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy)3*2(PF6) (Tris[4,4'-di-tcrt-butyl-(2,2')- bip idin]ruthenium(III)komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4,4-Bis[4-(di-p- tolylamino)styryl]biphenyl), grün fluoreszierendes TTPA (9,10-Bis[N,N-di-(p~tolyl)- amino]anthracen) und rot fluoreszierendes DCM2 (4-Dicyanomethylen)-2-methyl-6- julolidyl-9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter ein. Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar. Ferner können
Polymeremitter eingesetzt werden, welche beispielsweise mittels eines nasschemischen Verfahrens, wie beispielsweise einem Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating), abscheidbar sind.
Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein.
Es ist darauf hinzuweisen, dass andere geeignete Emittermaterialien in anderen
Ausführungsbeispielen ebenfalls vorgesehen sind.
Die Emittcrmaterialien der Emitterschicht(en) des 1 i chtem itti erend en Bauelements 102 können beispielsweise so ausgewählt sein, dass das lichtemittierende Bauelement 102
Weißlicht emittiert. Die Emitterschicht(en) kann/können mehrere verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, gmn und rot) emittierende Emittermaterialien aufweisen, alternativ kann/können die Emitterschicht(en) auch aus mehreren Teil schichten aufgebaut sein, wie einer blau fluoreszierenden Emitterschicht oder blau phosphoreszierenden Emitterschicht, einer grün phosphoreszierenden Emitterschicht und einer rot
phosphoreszierenden Emitterschicht. Durch die Mischung der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ kann auch vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen) Primärstrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt. Auch können die Emittermaterialien verschiedener organischer funktioneller
Schichtenstrukturen so gewählt sein oder werden, dass zwar die einzelnen
Emittermaterialien Licht unterschiedlicher Farbe (beispielsweise blau, grün oder rot oder beliebige andere Farbkombinationen, beispielsweise beliebige andere Komplementär- Farbkombinationen) emittieren, dass aber beispielsweise das Gesamtlicht, das insgesamt von allen organischen funktionellen Schichtenstrukturen emittiert wird und von der OLED nach außen emittiert wird, ein Licht vorgegebener Farbe, beispielsweise Weißlicht, ist. Die organische funktionelle Schichtenstruktur 608 können allgemein eine oder mehrere elektrolumineszente Schichten aufweisen. Die eine oder mehreren elektrolumineszenten Schichten kann oder können organische Polymere, organische Oligomere, organische Monomere, organische kleine, nicht-polymere Moleküle („small molecules") oder eine Kombination dieser Materialien aufweisen. Beispielsweise kann die organische
elektrolumineszente Schichtenstruktur 608 eine oder mehrere elektrolumineszente
Schichten aufweisen, die als Lochtransportschicht ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in dem Fall einer OLED eine effektive Löcherinjektion in eine
elektrolumineszicrende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird. Alternativ können in verschiedenen Ausführangsbeispielen die organischen funktionellen Schichtenstrukturen 608, eine oder mehrere funktionelle Schichten aufweisen, die als Elektronentransportschicht ausgeführt ist oder sind, so dass
beispielsweise in einer OLED eine effektive Elektroneninjektion in eine
elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird. Als Material für die Lochtransportschicht können beispielsweise tertiäre Amine, Carbazoderivate, leitendes Polyanilin oder Polythylendioxythiophen verwendet werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann oder können die eine oder die mehreren elektrolumineszenten Schichten als elektrolumineszierende Schicht ausgeführt sein.
Auf oder über der organischen elektrolumineszenten Schichtenstruktur 608 kann die zweite Elektrode 610 (beispielsweise in Form einer zweiten Elcktrodenschicht 610) aufgebracht sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite Elektrode 610 gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 604 ausgebildet sein, wobei die erste Elektrode 604 und die zweite Elektrode 610 gleich oder unterschiedlich sein können. In verschiedenen Ausführungsbeispielen sind Metalle besonders geeignet. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite Elektrode 610 (beispielsweise für den Fall einer metallischen zweiten Elektrode 610), beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 2000 nm, beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 1000 nm, beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 200 nm, beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 100 nm beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 50 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 45 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 40 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 35 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 30 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 20 nm, beispielsweise eine
Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 15 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 10 nm.
Die zweite Elektrode 610 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen aus einem oder mehreren der Materialien und mit der jeweiligen Schichtdieke ausgebildet sein oder werden, wie oben im Zusammenhang mit der ersten Elektrode 604 beschrieben.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen sind die erste Elektrode 604 und die zweite Elektrode 610 beide transluzent oder transparent ausgebildet. Somit kann das in Fig.6 dargestellte lichtemittierende Bauelement 102 als Top- und Bottom-Emitter (anders ausgedrückt als transparentes licht emittierendes Bauelement 102) eingerichtet sein.
Die zweite Elektrode 610 kann als Anode, also als löcherinjizierende Elektrode ausgebildet sein oder als Kathode, also als eine elektroneninjizierende Elektrode.
Die zweite Elektrode 610 kann einen zweiten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein zweites elektrisches Potential (welches unterschiedlich ist zu dem ersten elektrischen Potential), bereitgestellt von der Energiequelle, anlegbar ist. Das zweite elektrische Potential kann beispielsweise einen Wert aufweisen derart, dass die Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungefähr 20 V aufweist, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2,5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 3 V bis ungefähr 12 V. Bei mehreren organischen funktionellen Schichtenstrukturen, die mittels einer Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichtenstruktur verbunden sind, kann das zweite elektrische Potential einen Wert aufweisen, der proportional zu der Anzahl der organischen funktionellen Schichtenstrukturen ist, beispielsweise einen Wert bis zu Netzspannung, beispielsweise 230 V .
Fig.6a zeigt eine schematischc Darstellung einer optoelektronischen
Bauelementevorrichtung gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen.
Bei der optoelektronischer Bauelementevorrichtung ist auf der transparenten oder transluzenten zweiten Elektrode 610 eine Verkapselung ausgebildet, beispielsweise in Form einer Barrierendünnschicht/Dünnschichtverkapselung 612.
Unter einer„Barrierendünnschicht" bzw. einem„Barriere-Dünnfilm" 612 kann im Rahmen dieser Anmeldung beispielsweise eine Schicht oder eine Schichtenstruktur verstanden werden, die dazu geeignet ist, eine Barriere gegenüber chemischen Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff, zu bilden. Mit anderen Worten ist die Barrierendünnschicht 612 derart ausgebildet, dass sie von OLED-schädigenden Stoffen wie Wasser, Sauerstoff oder Lösemittel nicht oder höchstens zu sehr geringen Anteilen durchdrungen werden kann.
Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 612 als eine einzelne Schicht (anders ausgedrückt, als Einzelschicht) ausgebildet sein, Gemäß einer alternativen
Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 612 eine Mehrzahl von aufeinander ausgebildeten Teilschichten aufweisen. Mit anderen Worten kann gemäß einer
Ausgestaltung die Barrierendünnschicht 612 als Schichtstapel (Stack) ausgebildet sein. Die Barrierendünnschicht 612 oder eine oder mehrere Teilschichten der Barrierendünnschicht 612 können beispielsweise mittels eines geeigneten Abscheideverfahrens gebildet werden, z.B. mittels eines Moleküllagenabseheideverfahrens (molecular layer deposition (MLD); eines Atomlagenabscheideverfahrcns (Atomic Layer Deposition (ALD)) gemäß einer Ausgestaltung, z.B. eines plasmaunterstützten Atomlagenabschcidcverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD)) oder eines plasmalosen
Atomlageabscheideverfahrens (Plasma-less Atomic Layer Deposition (PLALD)), oder mittels eines chemischen Gasphasenabscheideverfahrens (Chemical Vapor Deposition (CVD)) gemäß einer anderen Ausgestaltung, z.B. eines plasmaunterstützten
Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)) oder eines plasmalosen Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma-less Chemical Vapor Deposition (PLCVD)), oder alternativ mittels anderer geeigneter Abscheideverfahren.
Gemäß einer Ausgestaltung können bei einer Barrierendünnschicht 612, die mehrere Teilschichten aufweist, alle Teilschichten mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden. Eine Schichtenfolge, die nur ALD-Schichten aufweist, kann auch als „Nanolaminaf bezeichnet werden.
Gemäß einer alternativen Ausgestaltung können bei einer Barrierendünnschicht 612, die mehrere Teilschichten aufweist, eine oder mehrere Teilschichten der Barrierendünnschicht 612 mittels eines anderen Abseheideverfahrens als einem Atomlagenabschei deverfahren abgeschieden werden, beispielsweise mittels eines Gasphasen abschei d e verfahren s .
Die Barrierendünnschicht 612 kann gemäß einer Ausgestaltung eine Schicht dicke von ungefähr 0.1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm gemäß einer Ausgestaltung, beispielsweise ungefähr 40 nm gemäß einer Ausgestaltung.
Gemäß einer Ausgestaltung, bei der die Barrierendünnschicht 612 mehrere Teilschichten aufweist, können alle Teil schichten dieselbe Schichtdicke aufweisen. Gemäß einer anderen Ausgestaltung können die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht 612 unterschiedliche Schichtdicken aufweisen. Mit anderen Worten kann mindestens eine der Teilschichten eine andere Schichtdicke aufweisen als eine oder mehrere andere der Teilschichten.
Die Barrierendünnschicht 612 oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht 612 können gemäß einer Ausgestaltung als transluzente oder transparente Schicht ausgebildet sein. Mit anderen Worten kann die Barrierendünnschicht 612 (oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht 612) aus einem transluzenten oder transparenten Material (oder einer Materialkombination, die transluzent oder transparent ist) bestehen.
Gemäß einer Ausgestaltung kann die B arrj erendünnschicht 612 oder (im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der
Teil schichten der Barrierendünnschicht 612 eines der nachfolgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, sowie Mischungen und Legierungen derselben. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Barrierendünnschicht 612 oder (im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teil schichten) eine oder mehrere der Teilschichten der Barrierendünnschicht 612 ein oder mehrere hochbrechende Materialien aufweisen, anders ausgedrückt ein oder mehrere Materialien mit einem hohen Brechungsindex, beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Barrierendünnschicht 612 elektrisch isolierend ausgebildet sein, beispielsweise SiN aufweisen, beispielsweise mit einer
Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 300 nm bis ungefähr 1 ,5 μιη, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 500 nm bis ungefähr 1 μιη, um elektrisch instabile Materialien zu schützen, beispielsweise während eines nasschemischen Prozesses.
Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen Ausführungsbeispielen auch ganz auf eine Barrierendünnschicht 612 verzichtet werden kann. In solch einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement beispielsweise eine weitere Verkapselungsstruktur aufweisen, wodurch eine Barrierendünnschicht 612 optional werden kann, beispielsweise eine Abdeckung, beispielsweise eine Kavitätsgl asverkapselung.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der Barrierendünnschicht 612 ein Kratzschutz 614 ausgebildet sein. Der Kratzschutz 614 kann transparent oder transluzent ausgebildet sein. Der Kratzschutz 614 kann beispielsweise derart ausgebildet sein, dass der Brechungsindex einen Brechungsindex aufweist, der größer oder gleich dem Brechungsindex des Wellenleiters 104 und/oder des Klebstoffes 208 ist. Der Kratzschutz 614 kann beispielsweise ein Glas, einen Lack oder ein Harz aufweisen, beispielsweise in Form einer Schicht, einer Schichtenstruktur, einer Abdeckung und/oder einer Folie. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Kratzschutz 614 jedoch auch optional sein, d.h. das optoelektronische Bauelement 102 kann beispielswiese mit der
Barrierendünnschicht 612 als freiliegende Oberfläche auf den Wellenleiter 104 aufgeklebt oder auflaminiert werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der optisch transluzente Kratzschutz 614 eine Schichtdicke von größer als 1 μιη aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren μιη. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Kratzschutz einen Laminations-Klebstoff aufweisen oder ein solcher sein. In verschiedenen
Ausfuhrungsbeispielen kann der Kratzschutz 614 gemäß einer der Ausgestaltungen des Klebstoffes 208 ausgebildet sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der optional optisch funktionale Kratzschutz 614 mittels einer Klebstoffschicht, beispielsweise gemäß einer der oben beschriebenen Ausgestaltungen der Klebstoffschicht 208, auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich fixiert sein. In verschiedenen Ausfuhrungsbcispiclcn kann auf diesen Klebstoff verzichtet werden, beispielsweise in Ausgestaltungen, in denen der Kratzschutz, beispiel weise aus Glas, mittels beispielsweise Plasmaspritzens auf die B arri er endünnschi cht 612 aufgebracht wird.
In einer Ausgestaltung kann der Kratzschutz 614, beispielsweise aus Glas, beispielsweise mittels einer Fritten- Verbindung (engl, glass frit bonding/glass soldering/seal glass bonding) mittels eines herkömmlichen Glaslotes in den geometrischen Randbereichen des optoelektronischen Bauelementes 102 auf der B arri eredünn schi cht 612 aufgebracht werden.
Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen zusätzlich eine oder mehrere Entspiegelungsschichten (beispielsweise kombiniert mit der B arri er endünn schi cht 612) in dem lichtemittierenden Bauelement 102 vorgesehen sein.
Fig.6b zeigt eine schematische Darstellung einer optoelektronischen
B auel ementevorri chtun gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen.
Auf oder über der zweiten Elektrode 610 und damit auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich kann optional noch eine Verkapselung 618, beispielsweise in Form einer
Barrierendünnschicht/Dünnschichtverkapselung 618 gebildet werden oder sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann zusätzlich oder anstatt der
Barrierendünnschicht 612 in Fig.6a eine oder mehrere Ein-/Auskoppelschichten auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich ausgebildet sein, beispielsweise eine interne
Auskoppelschicht 618 auf oder über der zweiten Elektrode 610.
Eine Auskoppelschicht kann für einen invertierten Strahlengang auch als Einkoppelschicht bezeichnet werden.
Die Ein-/ Auskoppelschicht kann eine Matrix und darin verteilt Streuzentren aufweisen, wobei der schichtdickengemittelte Brechungsindex der Ein-/ Auskoppelschicht größer ist als der schichtdickengemittelte Brechungsindex der Schicht, aus der die
elektromagnetische Strahlung bereitgestellt wird, beispielsweise einen
Brechungsindexunterschied aufweist, der größer ist als ungefähr 0,01 ; beispielsweise größer als ungefähr 0,05; beispielsweise größer ist als ungefähr 0,1. Mit anderen Worten: die Matrix kann wenigstens eine Art streuender Zusätze aufweisen, sodass die Auskoppelschicht 618 zusätzlich eine streuende Wirkung bezüglich einfallender elektromagnetischer Strahlung in wenigstens einem Wellenlängenbereich ausbilden kann, beispielsweise mittels eines zur Matrix unterschiedlichen Brechungsindex der streuenden Partikel bzw. streuenden Zusätze und/oder eines Durchmessers, der ungefähr der Größe der Wellenlänge der zu streuenden Strahlung entspricht.
Die streuende Wirkung kann elektromagnetische Strahlung betreffen, die von einem organischen funktionellen Schichtensystem auf oder über der Auskoppelschicht 61 8 emittiert oder absorbierten wird, beispielsweise um die Lichtauskopplung oder
Lichteinkopplung zu erhöhen.
In einer Ausgestaltung kann der Teil der Streuschicht oberhalb der Streuzentren eine Dicke gleich oder größer der Rauheit der obersten Lage der Streupartikel ohne Glas aufweisen, so dass wenigstens eine glatte Oberfläche ausgebildet wird, d.h. die Oberfläche kann eine geringe RMS -Rauheit (root mean Square - Betrag der mittlere Abweichung) aufweisen, beispielsweise kleiner als 10 nm.
In verschiedenen Ausführungsb ei spi elen kann auf oder über der Au skopp el schi cht 618 eine Abdeckung 620 ausgebildet sein. Die Abdeckung 620 kann beispielsweise gemäß einer der Ausgestaltungen des Kratzschutzes 614 oder des Trägers 602 ausgebildet sein. Bei einer Ausgestaltung der Abdeckung 620 als Kratzschutz 614 kann das
lichtemittierende Bauelement 102 beispielsweise als Top- Emitter ausgebildet sein. Bei einer Ausgestaltung der Abdeckung 620 als Träger 602 kann das lichtemittierende Bauelement 102 beispielsweise als Bottom-Emitter ausgebildet sein. In verschiedenen Ausfuhrungsbeispielen kann die Abdeckung 620 optional sein, beispielsweise falls das optoelektronische Bauelement 102 direkt auf dem Wellenleiter 104 ausgebildet ist und/oder das optoelektronische Bauelement 102 einen Träger 602 aufweist. In einer Ausgestaltung kann die Auskoppelschicht 618 als ein optisches Gitter ausgebildet sein, wobei das Gitter eine strukturierte Schicht mit Bereichen mit niedrigem
Brechungsinde aufweist.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über dem Träger 602 eine Getter- Schicht angeordnet sein (nicht dargestellt) derart, dass die Getter-Schicht den elektrisch aktiven Bereich hermetisch bezüglich schädlicher Umwelteinflüsse abdichtet,
beispielsweise die Diffusionsrate von Wasser und/oder Sauerstoff zu dem elektrisch aktiven Bereich hin reduziert, beispielsweise im Kratzschutz 614, der Abdeckung 620 und/oder der Auskoppelschicht 618, beispielsweise in einem optisch inaktiven Bereich des optoelektronischen Bauelementes 102.
In verschiedenen Ausfuhrungsbeispielen kann die Getter-Schicht transluzent, transparent oder opak ausgebildet sein und eine Schichtdicke von größer als ungefähr 1 μη aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren μηι. In verschiedenen
Ausf hrungsbeispielen kann die Matrix der Getter-Schicht einen Laminations-Klebsto f aufweisen. In verschiedenen Ausfuhrungsbeispielen können die oben dargestellten Schichten und Schichtstrukturen lateral strukturiert sein, um eine Information, beispielsweise ein
Piktogramm, ein Ideogramm und/oder ein Schriftzug; darzustellen oder wiederzugeben; beispielsweise die erste Elektrode 604, die organische funktionelle Schichtenstruktur 608 und/oder Teilschichten dieser; die zweite Elektrode 610, die Auskoppelschicht 618, der Kratzschutz 614 und/oder der Deckel 620. Ein Strukturieren kann beispielsweise ein
Entfernen einer Schicht in einem Bereich aufweisen, ein Ausbilden einer Schicht mit einer anderen Schichtdicke und/oder stofflichen Zusammensetzung in einem Bereich als in einem anderen Bereich. Dadurch kann die von dem lichtemittierenden Bauelement 102 emittierte elektromagnetische Strahlung beispielsweise in den lateral strukturierten
Bereichen unterschiedliche optische Eigenschaften aufweisen, beispielswiese eine unterschiedliche Helligkeit, Sättigung und/oder Farbe.
In einer Ausgestaltung kann eine der strukturierten Schichten eine strukturierte
Grenzfläche aufweisen. Die strukturierte Grenzfläche kann beispielsweise mittels
Aufrauens einer der Grenzflächen oder Ausbilden eines Musters an einer der Grenzfläche der Kopplungsschicht ausgebildet sein. In einer Ausgestaltung kann die strukturierte Grenzfläche von Mikrolinsen gebildet sein. Die MikroImsen und/oder die
Grenzflächenrauheit können beispielsweise als Streuzentren verstanden werden, beispielsweise zum Erhöhen der Lichteinkopplung/Lichtauskopplung.
In verschiedenen Ausführungsformen werden eine optoelektronische
Bauelementevorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung bereitgestellt, mit denen es möglich ist, die Leuchtdichte in flächigen Wellenleitern zu erhöhen. Weiterhin ist durch geformte OLEDs eine An ormung und Einkopplung auch an modifizierte Kantenformen vereinfacht möglich. Dadurch können flächige Lichtquellen bei höheren Helligkeiten betrieben werden. Da weniger
OLED-Fläche pro Flächenlichtkachel benötigt wird, können die Kosten je Lumen reduziert werden, wodurch die OLED im Rahmen von helligkeitsbegrenzten Anwendungen ökonomischer wird. Im Vergleich zu einer Punktlicht basierten Flächenlichtquelle ergibt sich mit einer O LE D- F 1 ächen 1 i chtquell e eine homogenere Lichteinkopplung (flächig statt diskret) und intrinsisch (ohne oder mit technisch einfacherem Wärmeverteiler) flächig verteilte Selbsterwärmung und somit eine einfachere Kühlung. Weiterhin wird das Ansteuern des Bauelementes vereinfacht, da eine flächige OLED weniger Anschlüsse benötigt als mehrere diskrete Leuchtdioden bei gleicher Anwendung. Weiterhin kann die Montage der OLED technisch vereinfacht werden, da die OLED beispielsweise aufgeklebt werden kann und nicht wie bei mehreren diskreten Leuchtdioden bei gleicher Anwendung eine Vielzahl an Verdrahtungen und präzise Aufbringungsschrittc notwendig sind.
Außerdem kann eine OLED mit einem flächigen Spiegel als reflektierende Rückseite ausgebildet werden. Somit kann eine sonst notwendige Verspiegelung der Kanten des
Wellenleiters eingespart werden. Mit der formschlüssig geformten Verbindung der OLED mit einem Wellenleiter kann flächig Lieht in eine gebogene Oberfläche des Wellenleiters effizient eingekoppelt werden, wobei die OLED stoffschlüssig an dem Wellenleiter fixiert werden kann. Dadurch kann eine integrierte Lösung zum Befestigung einer OLED ermöglicht werden. Das Aufbringen der Klebstoffoberfläche auf dem Wellenleiter kann während des Herstellungsprozesses einfach großindustriell umgesetzt werden, so dass speziell bei Kleinserien eine wesentliche Vereinfachung und finanzielle Entlastung angeboten werden kann. Weiterhin kann mittels der geometrischen Anordnung eine optoelektronische Bauelementevorrichtung realisiert werden, die eine höhere Lebensdauer und einen während des Betriebs stabileren Farbort aufweist, als herkömmliche
optoelektronische Bauelementevorrichtung, in denen eine Erhöhung der Dichte elektromagnetischer Strahlung elektrisch eingestellt wird.

Claims

Patentansprüche
1. Optoelektronische Bauelementevomchtung (100, 400, 410, 500, 510, 520),
aufweisend:
• einen Wellenleiter (104) mit einem flächigen Bereich (202);
• wenigstens ein optoel ektron i sches Bauelement (102) mit einem optisch
aktiven Bereich (1 12), wobei der optisch aktive Bereich (1 12) zum Aufnehmen und/oder Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung eingerichtet ist und wobei der optisch aktive Bereich einen Knick und/oder eine Krümmung aufweist; und
• eine optische Kopplungsstruktur (204, 208) zum optischen Koppeln des
wenigstens einen optoelektronischen Bauelementes (102) mit dem flächigen Bereich (202);
• wobei der optisch aktive Bereich (1 12) eine Kontaktfläche mit der
Kopplungsstruktur (204, 208) aufweist und durch die Kopplungsstruktur (204, 208) mit dem flächigen Bereich (202) optisch gekoppelt ist;
• wobei die Kontaktfläche des optisch aktiven Bereiches (1 12) mit der
Kopplungsstruktur (204, 208) einen Knick und/oder eine Krümmung aufweist, sodass die Dichte der elektromagnetischen Strahlung wenigstens in einem Bereich in dem flächigen Bereich (202) größer ist als in der Kontaktfläche.
2. Optoelektronische Bauelementevorrichtung (100, 400, 410, 500, 510, 520) gemäß Anspruch 1 ,
wobei die Kontaktfläche eine gekrümmte Oberfläche aufweist oder eine solche ist, insbesondere konvex und/oder konkav.
3. Optoelektronische B auel em entevorri ch tung (100, 400, 410, 500, 510, 520) gemäß einem der Ansprüche 1 oder 2,
wobei die Kontaktfläche wenigstens einen Knick (116) aufweist.
4. Optoelektronische Bauelementevorrichtung (100, 400, 410, 500, 510, 520) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3,
wobei der optisch aktive Bereich (112) auf oder über wenigstens einem Knick (116) der Kontaktfläche ausgebildet ist.
5. Optoelektronische Bauelementevorrichtung (100, 400, 410, 500, 510, 520) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die Kontaktfläche an zwei oder mehr Stirnflächen des ersten Bereichs (202) angeordnet ist.
Optoelektronische Bauelementevorrichtung (100, 400, 410, 500, 510, 520) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5,
wobei die Kontaktfläche) zylinderförmig ausgebildet ist.
Optoelektronische Bauelementcvorrichtung (100, 400, 410, 500, 510, 520) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6,
wobei der flächige Bereich (202) und die Kontakt fläche hanteiförmig zueinander angeordnet sind.
Optoelektronische Bauelementevorrichtung ( 100, 400, 410, 500, 510, 520) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7,
wobei das optoelektronische Bauelement ( 102) wenigstens teilweise auf oder über dem flächigen Bereich (202) ausgebildet ist und mit dem flächigen Bereich (202) optisch gekoppelt ist.
Optoelektronische Bauelementcvorrichtung (100, 400, 410, 500, 510, 520) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8,
wobei die optische Kopplungsstruktur (208) als eine stoffschlüssige Verbindung zwischen dem optoelektronischen Bauelement ( 102) und dem Wellenleiter (104) ausgebildet ist.
Optoelektronische Bauel em entevorrichtung (100, 400, 410, 500, 510, 520) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9,
ferner aufweisend wenigstens ein weiteres optoelektronisches Bauelement (302), wobei das weitere optoelektronische Bauelement (302) wenigstens teilweise mit dem flächigen Bereich (202) optisch gekoppelt ist.
Optoelektronische Bauclementevorrichtung (100, 400, 410, 500, 510, 520) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10,
wobei die Rückseite des optisch aktiven Bereichs (1 12) als eine wenigstens teilweise reflektierende Spiegel struktur (402) eingerichtet ist oder eine solche aufweist. Optoelektronische Bauelementevomchtung (100, 400, 410, 500, 510, 520) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11,
ferner aufweisend wenigstens eine weitere Bauelementevorrichtung-Einheit (100b) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 12, wobei der Wellenleiter (104) der ersten Bauelementevorrichtung-Einheit (100a) optisch mit der zweiten
Bauelementevomchtung-Einheit (100b) gekoppelt ist.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 12,
wobei die optoelektronische B auelementevorrichtung (100, 400, 410, 500, 510, 520) als eine Flächenlichtquelle (100, 400, 410, 500, 510, 520) ausgebildet ist.
Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung (100), das Verfahren aufweisend:
• Ausbilden eines Wellenleiters (104) mit einem flächigen Bereich (202); und
• Ausbilden wenigstens eines optoelektronisches Bauelement (102) mit einem optisch aktiven Bereich (1 12) derart, dass der optisch aktive Bereich (112) zum Aufnehmen und/oder Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung ausgebildet wird, wobei der optisch aktive Bereich einen Knick und/oder eine Krümmung aufweist; und
• Ausbilden einer optische Kopplungsstruktur (204, 208) zum optisch Koppeln des wenigstens einen optoelektronischen Bauelementes (102) mit dem flächigen Bereich (202);
• Ausbilden einer optisch Kopplung des wenigstens einen optoelektronischen Bauelements (102) mit dem flächigen Bereich (202) mittels der
Kopplungsstruktur derart, dass
o der optisch aktive Bereich (1 12) eine Kontaktfläche mit der
Kopplungsstruktur (204, 208) aufweist und durch die Kopplungsstruktur (204, 208) mit dem flächigen Bereich (202) optisch gekoppelt ist, und o die Kontaktfläche des optisch aktiven Bereiches (1 12) mit der
Kopplungsstruktur (204, 208) einen Knick und/oder eine Krümmung aufweist, sodass die Dichte der elektromagnetischen Strahlung wenigstens in einem Bereich in dem flächigen Bereich (202) größer ist als in der Kontaktfläche.
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