KR102651060B1 - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents
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- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 90
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 184
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 17
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 11
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 6
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical compound [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- FWLHAQYOFMQTHQ-UHFFFAOYSA-N 2-N-[8-[[8-(4-aminoanilino)-10-phenylphenazin-10-ium-2-yl]amino]-10-phenylphenazin-10-ium-2-yl]-8-N,10-diphenylphenazin-10-ium-2,8-diamine hydroxy-oxido-dioxochromium Chemical compound O[Cr]([O-])(=O)=O.O[Cr]([O-])(=O)=O.O[Cr]([O-])(=O)=O.Nc1ccc(Nc2ccc3nc4ccc(Nc5ccc6nc7ccc(Nc8ccc9nc%10ccc(Nc%11ccccc%11)cc%10[n+](-c%10ccccc%10)c9c8)cc7[n+](-c7ccccc7)c6c5)cc4[n+](-c4ccccc4)c3c2)cc1 FWLHAQYOFMQTHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000001769 aryl amino group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 3
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000005241 heteroarylamino group Chemical group 0.000 description 3
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N octafluorocyclobutane Chemical compound FC1(F)C(F)(F)C(F)(F)C1(F)F BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000019407 octafluorocyclobutane Nutrition 0.000 description 3
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 3
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001055 blue pigment Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001056 green pigment Substances 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000001054 red pigment Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 208000006930 Pseudomyxoma Peritonei Diseases 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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Abstract
유기 발광 표시 장치는 기판, 기판 상에 배치되는 트랜지스터, 발광 영역에 배치되고, 트랜지스터에 전기적으로 연결되는 제1 전극, 발광 영역 및 비발광 영역에 배치되고, 제1 전극에 대향하며, 제1 전극과 전계를 형성하는 제2 전극, 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치되고, 전계에 기초하여 발광하는 유기 발광층을 포함하는 중간층, 그리고 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치되고, 투명 상태 및 불투명 상태 사이에서 가역적으로 변하는 외광 반사 방지층을 포함할 수 있다.
Description
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 외광 반사를 방지할 수 있는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치는 정공 주입 전극, 전자 주입 전극, 그리고 이들 사이에 형성되어 있는 유기 발광층을 포함하는 유기 발광 소자를 구비하며, 정공 주입 전극에서 주입되는 정공과 전자 주입 전극에서 주입되는 전자가 유기 발광층에서 결합하여 생성된 엑시톤(exciton)이 여기 상태(excited state)로부터 기저 상태(ground state)로 떨어지면서 광을 발생시키는 자발광형 표시 장치이다.
자발광형 표시 장치인 유기 발광 표시 장치는 별도의 광원이 불필요하므로 저전압으로 구동이 가능하고, 경량의 박형으로 구성할 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 시야각, 콘트라스트(contrast), 응답 속도 등의 특성이 우수하기 때문에 MP3 플레이어나 휴대전화 등과 같은 개인용 휴대기기에서부터 텔레비전(TV)에 이르기까지 응용 범위가 점차 확대되고 있다.
이러한 유기 발광 표시 장치에 있어서, 표시 장치를 접을 수 있는(foldable) 표시 장치 또는 말 수 있는(rollable) 표시 장치 등과 같은 플렉서블 표시 장치로 구현하기 위한 연구가 이루어지고 있다.
그러나, 종래의 유기 발광 표시 장치의 경우에 시인성을 향상시키기 위해 원편광 필름을 사용하지만, 약 100 마이크로미터(μm) 이상의 두께를 가지는 원편광 필름 때문에 플렉서블 유기 발광 표시 장치를 구현하기 어려운 문제가 있다. 또한, 원편광 필름을 포함하기 때문에, 유기 발광 표시 장치의 두께가 증가하는 문제가 있다.
본 발명의 목적은 외광 반사를 감소시키면서 플렉서블한 특성을 구현할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
다만, 본 발명의 목적이 이와 같은 목적들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 예시적인 실시예들에 따른 발광 영역 및 비발광 영역을 구비하는 유기 발광 표시 장치는 기판, 상기 기판 상에 배치되는 트랜지스터, 상기 발광 영역에 배치되고, 상기 트랜지스터에 전기적으로 연결되는 제1 전극, 상기 발광 영역 및 상기 비발광 영역에 배치되고, 상기 제1 전극에 대향하며, 상기 제1 전극과 전계를 형성하는 제2 전극, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되고, 상기 전계에 기초하여 발광하는 유기 발광층을 포함하는 중간층, 그리고 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되고, 투명 상태 및 불투명 상태 사이에서 가역적으로 변하는 외광 반사 방지층을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 외광 반사 방지층은 무색 또는 검은색으로 변색되는 전기변색 소자를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 전기변색 소자는 기능기를 포함하는 고분자 화합물을 포함할 수 있다. 상기 기능기는 퍼플루오로싸이클로부탄, 하이드록시기, 아미노기, 알킬 아미노기, 아릴 아미노기, 헤테로아릴아미노기, 시아노기, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 아릴기, 아릴 알킬기, 헤테로아릴기 및 헤테로고리기로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 외광 반사 방지층은 상기 전계에 기초하여 상태가 변할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 상기 전계가 형성되는 경우에, 상기 유기 발광층은 발광하고, 상기 외광 반사 방지층은 상기 투명 상태가 될 수 있다. 또한, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 상기 전계가 형성되지 않는 경우에, 상기 유기 발광층은 발광하지 아니하고, 상기 외광 반사 방지층은 상기 불투명 상태가 될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 외광 반사 방지층은 상기 발광 영역에 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 중간층은 상기 제1 전극과 상기 유기 발광층 사이에 배치되는 제1 기능층 및 상기 유기 발광층과 상기 제2 전극 사이에 배치되는 제2 기능층을 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 외광 반사 방지층은 상기 제2 기능층과 상기 제2 전극 사이에 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 외광 반사 방지층은 상기 투명 상태에서 약 90% 이상의 광투과율을 가지고, 상기 불투명 상태에서 약 10% 이하의 광투과율을 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 유기 발광 표시 장치는 상기 제1 전극의 가장자리를 커버하여 상기 발광 영역을 정의하는 화소 정의막을 더 포함할 수 있다. 상기 화소 정의막은 검은색 물질을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 검은색 물질은 카본 블랙(carbon black), 페닐렌 블랙(phenylene black), 아닐린 블랙(aniline black), 시아닌 블랙(cyanine black), 니그로신산 블랙(nigrosine acid black), 블랙 안료(black pigment), 혼합 안료 및 블랙 수지(black resin)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상을 포함할 수 있다.
전술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 다른 예시적인 실시예들에 따른 발광 영역 및 비발광 영역을 구비하는 유기 발광 표시 장치는 기판, 상기 기판 상에 배치되는 트랜지스터, 상기 발광 영역에 배치되고, 상기 트랜지스터에 전기적으로 연결되는 제1 전극, 상기 발광 영역 및 상기 비발광 영역의 상기 제1 전극의 상부에 배치되고, 상기 제1 전극에 대향하며, 상기 제1 전극과 제1 전계를 형성하는 제2 전극, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되고, 상기 제1 전계에 기초하여 발광하는 유기 발광층을 포함하는 중간층, 상기 제2 전극의 상부에 배치되고, 상기 제2 전극에 대향하며, 상기 제2 전극과 제2 전계를 형성하는 제3 전극, 그리고, 상기 제2 전극과 상기 제3 전극 사이에 배치되고, 상기 제2 전계에 기초하여 투명 상태 및 불투명 상태 사이에서 가역적으로 변하는 외광 반사 방지층을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 상기 제1 전계가 형성되는 경우에, 상기 유기 발광층은 발광할 수 있다. 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 상기 제1 전계가 형성되지 않는 경우에, 상기 유기 발광층은 발광하지 아니할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 전극과 상기 제3 전극 사이에 상기 제2 전계가 형성되는 경우에, 상기 외광 반사 방지층은 투명 상태가 될 수 있다. 상기 제2 전극과 상기 제3 전극 사이에 상기 제2 전계가 형성되지 않는 경우에, 상기 외광 반사 방지층은 불투명 상태가 될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 전극과 상기 제3 전극은 전기적으로 연결되고, 상기 제1 전계와 상기 제2 전계는 실질적으로 동일할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제3 전극은 상기 발광 영역에 배치되고, 상기 외광 반사 방지층은 상기 발광 영역 및 상기 비발광 영역에 배치될 수 있다.
전술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 다른 예시적인 실시예들에 따른 발광 영역 및 비발광 영역을 구비하는 유기 발광 표시 장치는 기판, 상기 기판 상에 배치되는 트랜지스터, 상기 발광 영역에 배치되고, 상기 트랜지스터에 전기적으로 연결되는 제1 전극, 상기 발광 영역의 상기 제1 전극의 하부에 배치되고, 상기 제1 전극에 대향하며, 상기 제1 전극과 제1 전계를 형성하는 제2 전극, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되고, 상기 제1 전계에 기초하여 발광하는 유기 발광층을 포함하는 중간층, 상기 제1 전극의 상부에 배치되고, 상기 제1 전극에 대향하며, 상기 제1 전극과 제2 전계를 형성하는 제3 전극, 그리고 상기 제1 전극과 상기 제3 전극 사이에 배치되고, 상기 제2 전계에 기초하여 투명 상태 및 불투명 상태 사이에서 가역적으로 변하는 외광 반사 방지층을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 상기 제1 전계가 형성되는 경우에, 상기 유기 발광층은 발광할 수 있다. 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 상기 제1 전계가 형성되지 않는 경우에, 상기 유기 발광층은 발광하지 아니할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 전극과 상기 제3 전극 사이에 상기 제2 전계가 형성되는 경우에, 상기 외광 반사 방지층은 투명 상태가 될 수 있다. 상기 제1 전극과 상기 제3 전극 사이에 상기 제2 전계가 형성되지 않는 경우에, 상기 외광 반사 방지층은 불투명 상태가 될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 전극과 상기 제3 전극은 전기적으로 연결되고, 상기 제1 전계와 상기 제2 전계는 실질적으로 동일할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제3 전극은 상기 발광 영역 및 상기 비발광 영역에 배치되고, 상기 외광 반사 방지층은 상기 발광 영역에 배치될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 투명 상태와 불투명 상태 사이에서 가역적으로 변하는 외광 반사 방지층을 포함함으로써, 외광 반사를 효율적으로 감소시키고, 표시 장치의 두께를 감소시키며, 플렉서블 표시 장치를 용이하게 구현할 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 전술한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 A-A' 선에 따른 도 1의 유기 발광 표시 장치의 일 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 3a 내지 도 3d는 도 2의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 4는 도 1의 A-A' 선에 따른 도 1의 유기 발광 표시 장치의 다른 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 5a 내지 도 5c는 도 4의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 6은 도 1의 A-A' 선에 따른 도 1의 유기 발광 표시 장치의 또 다른 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 7a 내지 도 7e는 도 6의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 2는 도 1의 A-A' 선에 따른 도 1의 유기 발광 표시 장치의 일 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 3a 내지 도 3d는 도 2의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 4는 도 1의 A-A' 선에 따른 도 1의 유기 발광 표시 장치의 다른 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 5a 내지 도 5c는 도 4의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 6은 도 1의 A-A' 선에 따른 도 1의 유기 발광 표시 장치의 또 다른 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 7a 내지 도 7e는 도 6의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치들을 보다 상세하게 설명한다. 첨부된 도면들 상의 동일한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(1)는 발광 영역(EA) 및 비발광 영역(NA)을 포함할 수 있다. 발광 영역(EA)은 서로 다른 색상의 광을 방출하는 제1 발광 영역(EA1), 제2 발광 영역(EA2) 및 제3 발광 영역(EA3)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 내지 제3 발광 영역들(EA1, EA2, EA3)은 각기 적색광, 녹색광 및 청색광을 방출할 수 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 도 1에는 제1 내지 제3 발광 영역들(EA1, EA2, EA3)이 서로 다른 면적을 가지는 것으로 도시되어 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 아니하고, 제1 내지 제3 발광 영역들(EA1, EA2, EA3)은 실질적으로 같은 면적을 가질 수도 있다. 비발광 영역(NA)은 발광 영역(EA)을 둘러쌀 수 있다.
도 2는 도 1의 A-A' 선에 따른 도 1의 유기 발광 표시 장치의 일 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 2를 참조하면, 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(10)는 기판(110), 기판(110) 상에 배치되는 트랜지스터(120a, 120b, 120c), 발광 영역(EA1, EA2, EA3)에 배치되고, 트랜지스터(120a, 120b, 120c)에 전기적으로 연결되는 제1 전극(130a, 130b, 130c), 발광 영역(EA1, EA2, EA3) 및 비발광 영역(NA)에 배치되고, 제1 전극(130a, 130b, 130c)에 대향하며, 제1 전극(130a, 130b, 130c)과 제1 전계를 형성하는 제2 전극(140), 제1 전극(130a, 130b, 130c)과 제2 전극(140) 사이에 배치되고, 상기 제1 전계에 기초하여 발광하는 유기 발광층(151a, 151b, 151c)을 포함하는 중간층(150), 그리고 제1 전극(130a, 130b, 130c)과 제2 전극(140) 사이에 배치되고, 투명 상태 및 불투명 상태 사이에서 가역적으로 변하는 외광 반사 방지층(170a, 170b, 170c)을 포함할 수 있다.
기판(110)은 유리 기판, 플라스틱 기판 등의 투명한 절연 기판일 수 있다. 예를 들면, 기판(110)은 폴리이미드(polyimide), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate; PET), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphtalate), 폴리아릴레이트(polyarylate; PAR) 및 폴리에테르이미드(polyetherimide) 등과 같이 내열성 및 내구성이 우수한 플라스틱을 포함할 수 있다.
기판(110) 상에는 트랜지스터(120a, 120b, 120c)가 배치될 수 있고, 기판(110) 상에는 트랜지스터(120a, 120b, 120c)를 커버하는 절연막(125)이 배치될 수 있다. 트랜지스터(120a, 120b, 120c)는 제1 전극(130a, 130b, 130c)에 전기적으로 연결되어 제1 전극(130a, 130b, 130c)에 구동 전류를 공급할 수 있다. 예를 들어, 트랜지스터(120a, 120b, 120c)의 드레인 전극(미도시)이 제1 전극(130a, 130b, 130c)에 접촉될 수 있다.
절연막(125)의 상부에는 제1 전극(130a, 130b, 130c)이 배치될 수 있다. 제1 전극(130a, 130b, 130c)은 발광 영역(EA1, EA2, EA3)에 배치될 수 있다. 제1 전극(130a, 130b, 130c)은 트랜지스터(120a, 120b, 120c)에 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 전극(130a, 130b, 130c)은 반사층을 포함하는 반사 전극일 수 있다. 예를 들면, 상기 반사층은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir) 및 크롬(Cr)을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 상기 반사층 상에는 인듐틴옥사이드(indium tin oxide; ITO), 인듐징크옥사이드(indium zinc oxide; IZO), 징크옥사이드(zinc oxide; ZnO), 인듐옥사이드(indium oxide; In2O3), 인듐갈륨옥사이드(indium galium oxide; IGO) 및 알루미늄징크옥사이드(aluminium zinc oxide; AZO)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 투명 또는 반투명 전극층이 더 배치될 수 있다. 예를 들면, 제1 전극(130a, 130b, 130c)은 ITO/Ag/ITO의 3개의 층으로 구성될 수 있으나, 제1 전극(130a, 130b, 130c)의 구성은 이에 한정되는 것은 아니다.
절연막(125) 상에는 제1 전극(130a, 130b, 130c)의 가장자리를 커버하는 화소 정의막(180)이 배치될 수 있다. 화소 정의막(180)은 발광 영역(EA1, EA2, EA3)을 정의하는 기능을 할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 화소 정의막(180)은 검은색 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 검은색 물질은 카본 블랙(carbon black), 페닐렌 블랙(phenylene black), 아닐린 블랙(aniline black), 시아닌 블랙(cyanine black), 니그로신산 블랙(nigrosine acid black), 블랙 안료(black pigment), 혼합 안료 및 블랙 수지(black resin)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상을 포함할 수 있다. 상기 혼합 안료는 검은색을 형성하기 위하여 복수의 색들이 혼합된 안료로, 예를 들어, 적색, 녹색 및 청색 안료들을 혼합하여 형성될 수 있다. 화소 정의막(180)이 상기 검은색 물질을 포함함으로써, 화소 정의막(180)은 비발광 영역(NA)으로 입사되는 외광의 반사를 방지하는 기능을 할 수 있다.
제1 전극(130a, 130b, 130c)의 상부에는 제1 전극(130a, 130b, 130c)에 대향하는 제2 전극(140)이 배치될 수 있다. 제2 전극(140)은 발광 영역(EA1, EA2, EA3) 및 비발광 영역(NA)에 걸쳐 공통적으로 배치될 수 있다. 제2 전극(140)은 제1 전극(130a, 130b, 130c)과 제1 전계를 형성할 수 있다.
제2 전극(140)은 광의 일부는 투과시키고 일부는 반사시키는 반투명 전극일 수 있다. 예를 들면, 제2 전극(140)은 은(Ag), 알루미늄(Al), 이터븀(Yb), 티타늄(Ti), 마그네슘(Mg), 니켈(Ni), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 구리(Cu), LiF/Ca, LiF/Al, MgAg 및 CaAg에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있으며, 상기 물질을 수 내지 수십 nm의 두께를 갖는 박막으로 형성함으로써 어느 정도의 투과율을 갖도록 구성할 수 있다.
제1 전극(130a, 130b, 130c)과 제2 전극(140) 사이에는 유기 발광층(151a, 151b, 151c)을 포함하는 중간층(150)이 배치될 수 있다. 유기 발광층(151a, 151b, 151c)은 발광 영역(EA1, EA2, EA3)에 배치될 수 있다. 유기 발광층(151a, 151b, 151c)은 제1 유기 발광층(151a), 제2 유기 발광층(151b) 및 제3 유기 발광층(151c)을 포함할 수 있고, 제1 내지 제3 유기 발광층들(151a, 151b, 151c)은 각기 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층에 해당할 수 있다. 유기 발광층(151a, 151b, 151c)은 제1 전극(130a, 130b, 130c)과 제2 전극(140) 사이에 형성되는 상기 제1 전계에 기초하여 발광할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 중간층(150)은 제1 전극(130a, 130b, 130c)과 유기 발광층(151a, 151b, 151c) 사이에 배치되는 제1 기능층(152) 및 유기 발광층(151a, 151b, 151c)과 제2 전극(140) 사이에 배치되는 제2 기능층(153)을 더 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 전극(130a, 130b, 130c)이 양극(anode)이고 제2 전극(140)이 음극(cathode)인 경우에, 제1 기능층(152)은 정공 주입층(hole injection layer; HIL) 및 정공 수송층(hole transport layer; HTL) 중 적어도 하나를 포함할 수 있고, 제2 기능층(153)은 전자 주입층(electron injection layer; EIL) 및 전자 수송층(electron transport layer; ETL) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제1 및 제2 기능층들(152, 153)은 발광 영역(EA1, EA2, EA3) 및 비발광 영역(NA)에 걸쳐 공통적으로 배치될 수 있다.
제1 전극(130a, 130b, 130c)과 제2 전극(140) 사이에는 투명 상태 및 불투명 상태 사이에서 가역적으로 변할 수 있는 외광 반사 방지층(170a, 170b, 170c)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 외광 반사 방지층(170a, 170b, 170c)은 발광 영역(EA1, EA2, EA3)에 배치될 수 있다. 또한, 외광 반사 방지층(170a, 170b, 170c)은 제2 기능층(153)과 제2 전극(140) 사이에 배치될 수 있다. 예를 들면, 외광 반사 방지층(170a, 170b, 170c)은 상기 투명 상태에서 약 90% 이상의 광투과율을 가질 수 있고, 상기 불투명 상태에서 약 10% 이하의 광투과율을 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 외광 반사 방지층(170a, 170b, 170c)은 무색 또는 검은색으로 변색되는 전기변색(electrochromic) 소자를 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 전기변색 소자는 기능기를 포함하는 고분자 화합물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 기능기는 퍼플루오로싸이클로부탄, 하이드록시기, 아미노기, 알킬 아미노기, 아릴 아미노기, 헤테로아릴아미노기, 시아노기, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 아릴기, 아릴 알킬기, 헤테로아릴기 및 헤테로고리기로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 외광 반사 방지층(170a, 170b, 170c)은 유기 발광층(151a, 151b, 151c)과 같이, 제1 전극(130a, 130b, 130c)과 제2 전극(140) 사이에 형성되는 상기 제1 전계에 기초하여 상태가 변할 수 있다. 예를 들면, 제1 전극(130a, 130b, 130c)과 제2 전극(140) 사이에 상기 제1 전계가 형성되는 경우에, 유기 발광층(151a, 151b, 151c)은 발광할 수 있고, 외광 반사 방지층(170a, 170b, 170c)은 상기 투명 상태가 될 수 있다. 또한, 제1 전극(130a, 130b, 130c)과 제2 전극(140) 사이에 상기 제1 전계가 형성되지 않는 경우에, 유기 발광층(151a, 151b, 151c)은 발광하지 않을 수 있고, 외광 반사 방지층(170a, 170b, 170c)은 상기 불투명 상태가 될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 전계가 형성되는 경우에, 유기 발광층(151a, 151b, 151c)에서 방출되는 광이 상대적으로 높은 광투과율을 가지는 투명 상태의 외광 반사 방지층(170a, 170b, 170c)을 통과할 수 있으므로, 유기 발광 표시 장치(10)가 영상을 표시할 수 있다. 또한, 상기 제1 전계가 형성되지 않는 경우에, 발광 영역(EA1, EA2, EA3)으로 입사되는 외광이 상대적으로 낮은 광투과율을 가지는 불투명 상태의 외광 반사 방지층(170a, 170b, 170c)에 의해 흡수되어, 유기 발광 표시 장치(10)의 외광 반사가 방지될 수 있다. 발광 영역(EA1, EA2, EA3)에 투명 상태 및 불투명 상태 사이에서 가역적으로 변하는 외광 반사 방지층(170a, 170b, 170c)이 배치됨으로써, 외광 반사 방지층(170a, 170b, 170c)은 선택적으로 발광 영역(EA1, EA2, EA3)으로 입사되는 외광의 반사를 방지하는 기능을 할 수 있다.
도 2에는 도시되지 않았지만, 제2 전극(140)의 상부에는 봉지 부재가 배치될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 봉지 부재는 기판(110)과 같이 유리 기판, 플라스틱 기판 등의 투명한 절연 기판일 수 있다. 다른 실시예들에 있어서, 상기 봉지 부재는 박막 봉지층일 수 있다. 상기 박막 봉지층은 적어도 하나의 무기막 및 적어도 하나의 유기막을 포함할 수 있다. 상기 박막 봉지층에 포함된 무기막은 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 탄화물 또는 이들의 화합물 등으로 구성될 수 있으며, 예를 들면, 알루미늄 산화물, 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물 등일 수 있다. 무기막은 외부의 수분 및/또는 산소 등이 유기 발광 표시 장치(10)의 내부로 침투하는 것을 억제하는 기능을 수행할 수 있다. 상기 박막 봉지층에 포함된 유기막은 고분자 유기 화합물일 수 있으며, 에폭시, 아크릴레이트 또는 우레탄아크릴레이트 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 유기막은 무기막의 내부 스트레스를 완화하며, 무기막의 결함을 보완하고 평탄화하는 기능을 수행할 수 있다.
일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(10)는 발광 영역(EA1, EA2, EA3)으로 입사되는 외광의 반사를 선택적으로 방지하는 외광 반사 방지층(170a, 170b, 170c) 및 비발광 영역(NA)으로 입사되는 외광의 반사를 방지하는 화소 정의막(180)을 포함함으로써, 유기 발광 표시 장치(10)의 발광 영역(EA1, EA2, EA3) 및 비발광 영역(NA)으로 입사되는 외광의 반사를 방지할 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 표시 장치(10)는 일정 범위 이상의 두께를 가지는 원편광판이 없어도 외광 반사를 효율적으로 방지할 수 있다.
도 3a 내지 도 3d는 도 2의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 3a를 참조하면, 기판(110) 상에 트랜지스터(120a, 120b, 120c)를 형성하고, 기판(110) 상에 트랜지스터(120a, 120b, 120c)를 커버하는 절연막(125)을 형성할 수 있다. 절연막(125)에 트랜지스터(120a, 120b, 120c)의 일부를 노출시키는 개구를 형성하고, 절연막(125) 상에 상기 개구를 채우는 제1 전극(130a, 130b, 130c)을 형성할 수 있다. 이 경우, 상기 개구에 의해 트랜지스터(120a, 120b, 120c)의 드레인 전극(미도시)이 노출될 수 있고, 제1 전극(130a, 130b, 130c)은 발광 영역(EA1, EA2, EA3)에 아일랜드 형태로 형성될 수 있다. 절연막(125) 상에 제1 전극(130a, 130b, 130c)의 가장자리를 커버하는 화소 정의막(180)을 형성할 수 있다. 화소 정의막(180)은 제1 전극(130a, 130b, 130c)의 중심부를 노출시켜 발광 영역(EA1, EA2, EA3)을 정의할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 화소 정의막(180)은 검은색 물질을 포함할 수 있고, 상기 검은색 물질은, 예를 들면, 카본 블랙(carbon black), 페닐렌 블랙(phenylene black), 아닐린 블랙(aniline black), 시아닌 블랙(cyanine black), 니그로신산 블랙(nigrosine acid black), 블랙 안료(black pigment), 혼합 안료 및 블랙 수지(black resin)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상을 포함할 수 있다. 상기 혼합 안료는 검은색을 형성하기 위하여 복수의 색들이 혼합된 안료로, 예를 들어, 적색, 녹색 및 청색 안료들을 혼합하여 형성될 수 있다.
도 3b를 참조하면, 상기 노출된 제1 전극(130a, 130b, 130c)과 화소 정의막(180) 상에 유기 발광층(151a, 151b, 151c)을 포함하는 중간층(150)을 형성할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 노출된 제1 전극(130a, 130b, 130c)과 화소 정의막(180) 상에 발광 영역(EA1, EA2, EA3)과 비발광 영역(NA)에 걸쳐서 공통적으로 제1 기능층(152)을 형성하고, 제1 기능층(152) 상의 발광 영역(EA1, EA2, EA3)에 유기 발광층(151a, 151b, 151c)을 형성하며, 제1 기능층(152) 상에 유기 발광층(151a, 151b, 151c)을 커버하도록 발광 영역(EA1, EA2, EA3)과 비발광 영역(NA)에 걸쳐서 공통적으로 제2 기능층(153)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 유기 발광층(151a, 151b, 151c)은 프린팅 공정, 스핀 코팅 공정, 레이저를 이용한 열전사 방식, 진공 증착 방법 등에 의해 발광 영역(EA1, EA2, EA3)에 형성될 수 있다.
도 3c를 참조하면, 중간층(150) 상에 외광 반사 방지층(170a, 170b, 170c)을 형성할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 발광 영역(EA1, EA2, EA3)에 외광 반사 방지층(170a, 170b, 170c)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 외광 반사 방지층(170a, 170b, 170c)은 프린팅 공정 등에 의해 발광 영역(EA1, EA2, EA3)에 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 외광 반사 방지층(170a, 170b, 170c)은 무색 또는 검은색으로 변색되는 전기변색(electrochromic) 소자를 포함할 수 있고, 상기 전기변색 소자는 기능기를 포함하는 고분자 화합물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 기능기는 퍼플루오로싸이클로부탄, 하이드록시기, 아미노기, 알킬 아미노기, 아릴 아미노기, 헤테로아릴아미노기, 시아노기, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 아릴기, 아릴 알킬기, 헤테로아릴기 및 헤테로고리기로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상을 포함할 수 있다.
도 3d를 참조하면, 중간층(150) 상에 외광 반사 방지층(170a, 170b, 170c)을 커버하는 제2 전극(140)을 형성할 수 있다. 제2 전극(140)은 발광 영역(EA1, EA2, EA3)과 비발광 영역(NA)에 걸쳐 공통적으로 형성될 수 있다.
도 4는 도 1의 A-A' 선에 따른 도 1의 유기 발광 표시 장치의 다른 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 4를 참조하면, 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(20)는 기판(210), 기판(210) 상에 배치되는 트랜지스터(220a, 220b, 220c), 발광 영역(EA1, EA2, EA3)에 배치되고, 트랜지스터(220a, 220b, 220c)에 전기적으로 연결되는 제1 전극(230a, 230b, 230c), 발광 영역(EA1, EA2, EA3) 및 비발광 영역(NA)의 제1 전극(230a, 230b, 230c)의 상부에 배치되고, 제1 전극(230a, 230b, 230c)에 대향하며, 제1 전극(230a, 230b, 230c)과 제1 전계를 형성하는 제2 전극(240), 제1 전극(230a, 230b, 230c)과 제2 전극(240) 사이에 배치되고, 상기 제1 전계에 기초하여 발광하는 유기 발광층(251a, 251b, 251c)을 포함하는 중간층(250), 제2 전극(240)의 상부에 배치되고, 제2 전극(240)에 대향하며, 제2 전극(240)과 제2 전계를 형성하는 제3 전극(260a, 260b, 260c), 그리고 제2 전극(240)과 제3 전극(260a, 260b, 260c) 사이에 배치되고, 상기 제2 전계에 기초하여 투명 상태 및 불투명 상태 사이에서 가역적으로 변하는 외광 반사 방지층(270)을 포함할 수 있다.
도 4를 참조하여 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(20)를 설명함에 있어서, 도 2를 참조하여 설명된 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(10)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성에 대해서는 상세한 설명은 생략한다.
제2 전극(240)의 상부에는 제2 전극(240)에 대향하는 제3 전극(260a, 260b, 260c)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제3 전극(260a, 260b, 260c)은 발광 영역(EA1, EA2, EA3)에 배치될 수 있다. 제3 전극(260a, 260b, 260c)은 제2 전극(240)과 제2 전계를 형성할 수 있다.
제3 전극(260a, 260b, 260c)은 광의 일부는 투과시키고 일부는 반사시키는 반투명 전극일 수 있다. 예를 들면, 제3 전극(260a, 260b, 260c)은 은(Ag), 알루미늄(Al), 이터븀(Yb), 티타늄(Ti), 마그네슘(Mg), 니켈(Ni), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 구리(Cu), LiF/Ca, LiF/Al, MgAg 및 CaAg에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있으며, 상기 물질을 수 내지 수십 nm의 두께를 갖는 박막으로 형성함으로써 어느 정도의 투과율을 갖도록 구성할 수 있다.
제2 전극(240)과 제3 전극(260a, 260b, 260c) 사이에는 투명 상태 및 불투명 상태 사이에서 가역적으로 변할 수 있는 외광 반사 방지층(270)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 외광 반사 방지층(270)은 발광 영역(EA1, EA2, EA3) 및 비발광 영역(NA)에 걸쳐 공통적으로 배치될 수 있다. 예를 들면, 외광 반사 방지층(270)은 상기 투명 상태에서 약 90% 이상의 광투과율을 가질 수 있고, 상기 불투명 상태에서 약 10% 이하의 광투과율을 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 외광 반사 방지층(270)은 제2 전극(240)과 제3 전극(260a, 260b, 260c) 사이에 형성되는 상기 제2 전계에 기초하여 상태가 변할 수 있다. 예를 들면, 제2 전극(240)과 제3 전극(260a, 260b, 260c) 사이에 상기 제2 전계가 형성되는 경우에, 외광 반사 방지층(270)은 상기 투명 상태가 될 수 있다. 또한, 제2 전극(240)과 제3 전극(260a, 260b, 260c) 사이에 상기 제2 전계가 형성되지 않는 경우에, 외광 반사 방지층(270)은 상기 불투명 상태가 될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제1 전극(230a, 230b, 230c)과 제3 전극(260a, 260b, 260c)은 전기적으로 연결될 수 있다. 도 4에는 도시되지 않았으나, 예를 들면, 제1 전극(230a, 230b, 230c)과 제3 전극(260a, 260b, 260c) 사이에 배치되는 화소 정의막(280), 중간층(250), 제2 전극(240) 및 외광 반사 방지층(270)에 컨택 홀을 형성하고, 절연 부재 및 상기 절연 부재에 의해 둘러싸이는 도전 부재를 상기 컨택 홀에 충진하여 제1 전극(230a, 230b, 230c)과 제3 전극(260a, 260b, 260c)을 전기적으로 연결시킬 수 있다. 이 경우, 제1 전극(230a, 230b, 230c)과 제2 전극(240) 사이에 형성되는 상기 제1 전계와 제2 전극(240)과 제3 전극(260a, 260b, 260c) 사이에 형성되는 상기 제2 전계는 실질적으로 동일할 수 있다.
이에 따라, 상기 제1 전계가 형성되는 경우에 상기 제1 전계와 실질적으로 동일한 상기 제2 전계가 형성되고, 유기 발광층(251a, 251b, 251c)에서 방출되는 광이 상대적으로 높은 광투과율을 가지는 투명 상태의 외광 반사 방지층(270)을 통과할 수 있으므로, 유기 발광 표시 장치(20)가 영상을 표시할 수 있다. 또한, 상기 제1 전계가 형성되지 않는 경우에 상기 제1 전계와 실질적으로 동일한 상기 제2 전계가 형성되지 않고, 발광 영역(EA1, EA2, EA3)으로 입사되는 외광이 상대적으로 낮은 광투과율을 가지는 불투명 상태의 외광 반사 방지층(270)에 의해 흡수되어, 유기 발광 표시 장치(20)의 외광 반사가 방지될 수 있다. 발광 영역(EA1, EA2, EA3)에 투명 상태 및 불투명 상태 사이에서 가역적으로 변하는 외광 반사 방지층(270)이 배치됨으로써, 외광 반사 방지층(270)은 선택적으로 발광 영역(EA1, EA2, EA3)으로 입사되는 외광의 반사를 방지하는 기능을 할 수 있다.
다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(20)는 발광 영역(EA1, EA2, EA3)으로 입사되는 외광의 반사를 선택적으로 방지하는 외광 반사 방지층(270) 및 비발광 영역(NA)으로 입사되는 외광의 반사를 방지하는 화소 정의막(280)을 포함함으로써, 유기 발광 표시 장치(20)의 발광 영역(EA1, EA2, EA3) 및 비발광 영역(NA)으로 입사되는 외광의 반사를 방지할 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 표시 장치(20)는 일정 범위 이상의 두께를 가지는 원편광판이 없어도 외광 반사를 효율적으로 방지할 수 있다.
도 5a 내지 도 5c는 도 4의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 5a 내지 도 5c를 참조하여 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(20)의 제조 방법을 설명함에 있어서, 도 3a 내지 도 3d를 참조하여 설명된 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(10)의 제조 방법과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성에 대해서는 상세한 설명은 생략한다.
도 5a를 참조하면, 중간층(250) 상에 제2 전극(240)을 형성할 수 있다. 제2 전극(240)은 발광 영역(EA1, EA2, EA3)과 비발광 영역(NA)에 걸쳐 공통적으로 형성될 수 있다.
도 5b를 참조하면, 제2 전극(240) 상에 외광 반사 방지층(270)을 형성할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 발광 영역(EA1, EA2, EA3)과 비발광 영역(NA)에 걸쳐 공통적으로 외광 반사 방지층(270)을 형성할 수 있다.
도 5c를 참조하면, 외광 반사 방지층(270) 상에 제3 전극(260a, 260b, 260c)을 형성할 수 있다. 제3 전극(260a, 260b, 260c)은 발광 영역(EA1, EA2, EA3)에 형성될 수 있다.
도 6은 도 1의 A-A' 선에 따른 도 1의 유기 발광 표시 장치의 또 다른 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 6을 참조하면, 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(30)는 기판(310), 기판(310) 상에 배치되는 트랜지스터(320a, 320b, 320c), 발광 영역(EA1, EA2, EA3)에 배치되고, 트랜지스터(320a, 320b, 320c)에 전기적으로 연결되는 제1 전극(330a, 330b, 330c), 발광 영역(EA1, EA2, EA3)의 제1 전극(330a, 330b, 330c)의 하부에 배치되고, 제1 전극(330a, 330b, 330c)에 대향하며, 제1 전극(330a, 330b, 330c)과 제1 전계를 형성하는 제2 전극(340a, 340b, 340c), 제1 전극(330a, 330b, 330c)과 제2 전극(340a, 340b, 340c) 사이에 배치되고, 상기 제1 전계에 기초하여 발광하는 유기 발광층(351a, 351b, 351c)을 포함하는 중간층(350), 제1 전극(330a, 330b, 330c)의 상부에 배치되고, 제1 전극(330a, 330b, 330c)에 대향하며, 제1 전극(330a, 330b, 330c)과 제2 전계를 형성하는 제3 전극(360), 그리고 제1 전극(330a, 330b, 330c)과 제3 전극(360) 사이에 배치되고, 상기 제2 전계에 기초하여 투명 상태 및 불투명 상태 사이에서 가역적으로 변하는 외광 반사 방지층(370a, 370b, 370c)을 포함할 수 있다.
도 6을 참조하여 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(30)를 설명함에 있어서, 도 2를 참조하여 설명된 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(10) 또는 도 4를 참조하여 설명된 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(20)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성에 대해서는 상세한 설명은 생략한다.
제1 전극(330a, 330b, 330c)은 광의 일부는 투과시키고 일부는 반사시키는 반투명 전극일 수 있다. 예를 들면, 제1 전극(330a, 330b, 330c)은 은(Ag), 알루미늄(Al), 이터븀(Yb), 티타늄(Ti), 마그네슘(Mg), 니켈(Ni), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 구리(Cu), LiF/Ca, LiF/Al, MgAg 및 CaAg에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있으며, 상기 물질을 수 내지 수십 nm의 두께를 갖는 박막으로 형성함으로써 어느 정도의 투과율을 갖도록 구성할 수 있다.
제1 전극(330a, 330b, 330c)의 하부에는 제1 전극(330a, 330b, 330c)에 대향하는 제2 전극(340a, 340b, 340c)이 배치될 수 있다. 제2 전극(340a, 340b, 340c)은 발광 영역(EA1, EA2, EA3)에 배치될 수 있다. 제2 전극(340a, 340b, 340c)은 제1 전극(330a, 330b, 330c)과 제1 전계를 형성할 수 있다.
제2 전극(340a, 340b, 340c)은 반사층을 포함하는 반사 전극일 수 있다. 예를 들면, 상기 반사층은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir) 및 크롬(Cr)을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 상기 반사층 상에는 인듐틴옥사이드(ITO), 인듐징크옥사이드(IZO), 징크옥사이드(ZnO), 인듐옥사이드(In2O3), 인듐갈륨옥사이드(IGO) 및 알루미늄징크옥사이드(AZO)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 투명 또는 반투명 전극층이 더 배치될 수 있다. 예를 들면, 제2 전극(340a, 340b, 340c)은 ITO/Ag/ITO의 3개의 층으로 구성될 수 있으나, 제2 전극(340a, 340b, 340c)의 구성은 이에 한정되는 것은 아니다.
절연막(325) 상에는 제2 전극(340a, 340b, 340c)의 가장자리를 커버하는 화소 정의막(380)이 배치될 수 있다. 화소 정의막(380)은 발광 영역(EA1, EA2, EA3)을 정의하는 기능을 할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 중간층(350)은 제2 전극(340a, 340b, 340c)과 유기 발광층(351a, 351b, 351c) 사이에 배치되는 제1 기능층(352) 및 유기 발광층(351a, 351b, 351c)과 제1 전극(330a, 330b, 330c) 사이에 배치되는 제2 기능층(353)을 더 포함할 수 있다. 예를 들면, 제2 전극(340a, 340b, 340c)이 양극(anode)이고 제1 전극(330a, 330b, 330c)이 음극(cathode)인 경우에, 제1 기능층(352)은 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL) 중 적어도 하나를 포함할 수 있고, 제2 기능층(353)은 전자 주입층(EIL) 및 전자 수송층(ETL) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제1 및 제2 기능층(352, 353)은 발광 영역(EA1, EA2, EA3) 및 비발광 영역(NA)에 걸쳐 공통적으로 배치될 수 있다.
제1 전극(330a, 330b, 330c)의 상부에는 제1 전극(330a, 330b, 330c)에 대향하는 제3 전극(360)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제3 전극(360)은 발광 영역(EA1, EA2, EA3) 및 비발광 영역(NA)에 걸쳐 공통적으로 배치될 수 있다. 제3 전극(360)은 제1 전극(330a, 330b, 330c)과 제2 전계를 형성할 수 있다.
제1 전극(330a, 330b, 330c)과 제3 전극(360) 사이에는 투명 상태 및 불투명 상태 사이에서 가역적으로 변할 수 있는 외광 반사 방지층(370a, 370b, 370c)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 외광 반사 방지층(370a, 370b, 370c)은 발광 영역(EA1, EA2, EA3)에 배치될 수 있다. 이 경우, 제1 전극(330a, 330b, 330c)과 제3 전극(360) 사이의 비발광 영역(NA)에는 절연막(미도시)이 배치되어 제1 전극(330a, 330b, 330c)과 제3 전극(360)을 절연시킬 수 있다. 예를 들면, 외광 반사 방지층(370a, 370b, 370c)은 상기 투명 상태에서 약 90% 이상의 광투과율을 가질 수 있고, 상기 불투명 상태에서 약 10% 이하의 광투과율을 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 외광 반사 방지층(370a, 370b, 370c)은 제1 전극(330a, 330b, 330c)과 제3 전극(360) 사이에 형성되는 상기 제2 전계에 기초하여 상태가 변할 수 있다. 예를 들면, 제1 전극(330a, 330b, 330c)과 제3 전극(360) 사이에 상기 제2 전계가 형성되는 경우에, 외광 반사 방지층(370a, 370b, 370c)은 상기 투명 상태가 될 수 있다. 또한, 제1 전극(330a, 330b, 330c)과 제3 전극(360) 사이에 상기 제2 전계가 형성되지 않는 경우에, 외광 반사 방지층(370a, 370b, 370c)은 상기 불투명 상태가 될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제2 전극(340a, 340b, 340c)과 제3 전극(360)은 전기적으로 연결될 수 있다. 도 6에는 도시되지 않았으나, 예를 들면, 제2 전극(340a, 340b, 340c)에 연결되는 배선들이 유기 발광 표시 장치(30)의 주변부에서 제3 전극(360)과 접촉하여 제2 전극(340a, 340b, 340c)과 제3 전극(360)을 전기적으로 연결시킬 수 있다. 이 경우, 제1 전극(330a, 330b, 330c)과 제2 전극(340a, 340b, 340c) 사이에 형성되는 상기 제1 전계와 제1 전극(330a, 330b, 330c)과 제3 전극(360) 사이에 형성되는 상기 제2 전계는 실질적으로 동일할 수 있다.
이에 따라, 상기 제1 전계가 형성되는 경우에 상기 제1 전계와 실질적으로 동일한 상기 제2 전계가 형성되고, 유기 발광층(351a, 351b, 351c)에서 방출되는 광이 상대적으로 높은 광투과율을 가지는 투명 상태의 외광 반사 방지층(370a, 370b, 370c)을 통과할 수 있으므로, 유기 발광 표시 장치(30)가 영상을 표시할 수 있다. 또한, 상기 제1 전계가 형성되지 않는 경우에 상기 제1 전계와 실질적으로 동일한 상기 제2 전계가 형성되지 않고, 발광 영역(EA1, EA2, EA3)으로 입사되는 외광이 상대적으로 낮은 광투과율을 가지는 불투명 상태의 외광 반사 방지층(370a, 370b, 370c)에 의해 흡수되어, 유기 발광 표시 장치(30)의 외광 반사가 방지될 수 있다. 발광 영역(EA1, EA2, EA3)에 투명 상태 및 불투명 상태 사이에서 가역적으로 변하는 외광 반사 방지층(370a, 370b, 370c)이 배치됨으로써, 외광 반사 방지층(370a, 370b, 370c)은 선택적으로 발광 영역(EA1, EA2, EA3)으로 입사되는 외광의 반사를 방지하는 기능을 할 수 있다.
또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(30)는 발광 영역(EA1, EA2, EA3)으로 입사되는 외광의 반사를 선택적으로 방지하는 외광 반사 방지층(370a, 370b, 370c) 및 비발광 영역(NA)으로 입사되는 외광의 반사를 방지하는 화소 정의막(380)을 포함함으로써, 유기 발광 표시 장치(30)의 발광 영역(EA1, EA2, EA3) 및 비발광 영역(NA)으로 입사되는 외광의 반사를 방지할 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 표시 장치(30)는 일정 범위 이상의 두께를 가지는 원편광판이 없어도 외광 반사를 효율적으로 방지할 수 있다.
도 7a 내지 도 7e는 도 6의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 7a 내지 도 7e를 참조하여 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(30)의 제조 방법을 설명함에 있어서, 도 3a 내지 도 3d를 참조하여 설명된 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(10)의 제조 방법 또는 도 5a 내지 도 5c를 참조하여 설명된 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(20)의 제조 방법과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성에 대해서는 상세한 설명은 생략한다.
도 7a를 참조하면, 기판(310) 상에 트랜지스터(320a, 320b, 320c)를 형성하고, 기판(310) 상에 트랜지스터(320a, 320b, 320c)를 커버하는 절연막(325)을 형성할 수 있다. 절연막(325) 상에 제2 전극(340a, 340b, 340c)을 형성할 수 있다. 제2 전극(340a, 340b, 340c)은 발광 영역(EA1, EA2, EA3)에 아일랜드 형태로 형성될 수 있다. 절연막(325) 상에 제2 전극(340a, 340b, 340c)의 가장자리를 커버하는 화소 정의막(380)을 형성할 수 있다. 화소 정의막(380)은 제2 전극(340a, 340b, 340c)의 중심부를 노출시켜 발광 영역(EA1, EA2, EA3)을 정의할 수 있다.
도 7b를 참조하면, 상기 노출된 제2 전극(340a, 340b, 340c)과 화소 정의막(380) 상에 유기 발광층(351a, 351b, 351c)을 포함하는 중간층(350)을 형성할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 노출된 제2 전극(340a, 340b, 340c)과 화소 정의막(380) 상에 발광 영역(EA1, EA2, EA3)과 비발광 영역(NA)에 걸쳐서 공통적으로 제1 기능층(352)을 형성하고, 제1 기능층(352) 상의 발광 영역(EA1, EA2, EA3)에 유기 발광층(351a, 351b, 351c)을 형성하고, 제1 기능층(352) 상에 유기 발광층(351a, 351b, 351c)을 커버하도록 발광 영역(EA1, EA2, EA3)과 비발광 영역(NA)에 걸쳐서 공통적으로 제2 기능층(353)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 유기 발광층(351a, 351b, 351c)은 프린팅 공정, 스핀 코팅 공정, 레이저를 이용한 열전사 방식, 진공 증착 방법 등에 의해 발광 영역(EA1, EA2, EA3)에 형성될 수 있다.
도 7c를 참조하면, 중간층(350), 화소 정의막(380), 절연막(325)에 트랜지스터(320a, 320b, 320c)의 일부를 노출시키는 개구를 형성하고, 중간층(350) 상에 상기 개구를 채우는 제1 전극(330a, 330b, 330c)을 형성할 수 있다. 이 경우, 상기 개구에 의해 트랜지스터(320a, 320b, 320c)의 드레인 전극이 노출될 수 있고, 제1 전극(330a, 330b, 330c)은 발광 영역(EA1, EA2, EA3)에 아일랜드 형태로 형성될 수 있다.
도 7d를 참조하면, 제1 전극(330a, 330b, 330c) 상에 외광 반사 방지층(370a, 370b, 370c)을 형성할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 발광 영역(EA1, EA2, EA3)에 외광 반사 방지층(370a, 370b, 370c)을 형성할 수 있다. 이 경우, 제1 전극(330a, 330b, 330c) 상의 비발광 영역(NA)에는 절연막(미도시)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 외광 반사 방지층(370a, 370b, 370c)은 프린팅 공정 등에 의해 발광 영역(EA1, EA2, EA3)에 형성될 수 있다.
도 7e를 참조하면, 외광 반사 방지층(370a, 370b, 370c) 상에 제3 전극(360)을 형성할 수 있다. 제3 전극(360)은 발광 영역(EA1, EA2, EA3)과 비발광 영역(NA)에 걸쳐 공통적으로 형성될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 컴퓨터, 노트북, 휴대폰, 스마트폰, 스마트패드, 피엠피(PMP), 피디에이(PDA), MP3 플레이어 등에 포함되는 표시 장치에 적용될 수 있다.
이상, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치들에 대하여 도면들을 참조하여 설명하였지만, 설시한 실시예들은 예시적인 것으로서 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 수정 및 변경될 수 있을 것이다.
1, 10, 20, 30: 유기 발광 표시 장치
110, 210, 310: 기판
120, 220, 320: 트랜지스터
130, 230, 330: 제1 전극
140, 240, 340: 제2 전극
150, 250, 350: 중간층
151, 251, 351: 유기 발광층
152, 252, 352: 제1 기능층
153, 253, 353: 제2 기능층
260, 360: 제3 전극
170, 270, 370: 외광 반사 방지층
180, 280, 380: 화소 정의막
110, 210, 310: 기판
120, 220, 320: 트랜지스터
130, 230, 330: 제1 전극
140, 240, 340: 제2 전극
150, 250, 350: 중간층
151, 251, 351: 유기 발광층
152, 252, 352: 제1 기능층
153, 253, 353: 제2 기능층
260, 360: 제3 전극
170, 270, 370: 외광 반사 방지층
180, 280, 380: 화소 정의막
Claims (20)
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 발광 영역 및 비발광 영역을 포함하는 유기 발광 표시 장치에 있어서,
기판;
상기 기판 상에 배치되는 트랜지스터;
상기 발광 영역에 배치되고, 상기 트랜지스터에 전기적으로 연결되는 제1 전극;
상기 발광 영역 및 상기 비발광 영역의 상기 제1 전극의 상부에 배치되고, 상기 제1 전극에 대향하며, 상기 제1 전극과 제1 전계를 형성하는 제2 전극;
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되고, 상기 제1 전계에 기초하여 발광하는 유기 발광층을 포함하는 중간층;
상기 제2 전극의 상부에 배치되고, 상기 제2 전극에 대향하며, 상기 제2 전극과 제2 전계를 형성하는 제3 전극; 및
상기 제2 전극과 상기 제3 전극 사이에 배치되고, 상기 제2 전계에 기초하여 투명 상태 및 불투명 상태 사이에서 가역적으로 변하는 외광 반사 방지층을 포함하고,
상기 제1 전극과 상기 제3 전극은 전기적으로 연결되고,
상기 제1 전계와 상기 제2 전계는 동일한 유기 발광 표시 장치. - 제11항에 있어서, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 상기 제1 전계가 형성되는 경우에, 상기 유기 발광층은 발광하고,
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 상기 제1 전계가 형성되지 않는 경우에, 상기 유기 발광층은 발광하지 아니하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제12항에 있어서, 상기 제2 전극과 상기 제3 전극 사이에 상기 제2 전계가 형성되는 경우에, 상기 외광 반사 방지층은 투명 상태가 되고,
상기 제2 전극과 상기 제3 전극 사이에 상기 제2 전계가 형성되지 않는 경우에, 상기 외광 반사 방지층은 불투명 상태가 되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 삭제
- 제11항에 있어서, 상기 제3 전극은 상기 발광 영역에 배치되고,
상기 외광 반사 방지층은 상기 발광 영역 및 상기 비발광 영역에 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제1 발광 영역, 제2 발광 영역, 제3 발광 영역, 및 비발광 영역을 포함하는 유기 발광 표시 장치에 있어서,
기판;
상기 기판 상에 배치되는 트랜지스터;
상기 제1 내지 제3 발광 영역들 각각에 배치되고, 상기 트랜지스터의 상부에 배치되며, 상기 트랜지스터에 전기적으로 연결되는 제1 전극;
상기 제1 내지 제3 발광 영역들 각각의 상기 제1 전극의 하부에 배치되고, 상기 제1 전극에 대향하며, 상기 제1 전극과 제1 전계를 형성하는 제2 전극;
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되고, 상기 제1 전계에 기초하여 발광하는 유기 발광층을 포함하는 중간층;
상기 제1 전극의 상부에 배치되고, 상기 제1 전극에 대향하며, 상기 제1 전극과 제2 전계를 형성하는 제3 전극; 및
상기 제1 전극과 상기 제3 전극 사이에 배치되고, 상기 제2 전계에 기초하여 투명 상태 및 불투명 상태 사이에서 가역적으로 변하는 외광 반사 방지층을 포함하고,
상기 제3 전극은 상기 제1 내지 제3 발광 영역들 및 상기 비발광 영역에 걸쳐 공통적으로 배치되며,
상기 외광 반사 방지층은 상기 제1 내지 제3 발광 영역들 각각에 배치되는 유기 발광 표시 장치. - 제16항에 있어서, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 상기 제1 전계가 형성되는 경우에, 상기 유기 발광층은 발광하고,
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 상기 제1 전계가 형성되지 않는 경우에, 상기 유기 발광층은 발광하지 아니하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제17항에 있어서, 상기 제1 전극과 상기 제3 전극 사이에 상기 제2 전계가 형성되는 경우에, 상기 외광 반사 방지층은 투명 상태가 되고,
상기 제1 전극과 상기 제3 전극 사이에 상기 제2 전계가 형성되지 않는 경우에, 상기 외광 반사 방지층은 불투명 상태가 되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제18항에 있어서, 상기 제2 전극과 상기 제3 전극은 전기적으로 연결되고,
상기 제1 전계와 상기 제2 전계는 동일한 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 삭제
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160102410A KR102651060B1 (ko) | 2016-08-11 | 2016-08-11 | 유기 발광 표시 장치 |
US15/615,559 US10770513B2 (en) | 2016-08-11 | 2017-06-06 | Display device |
CN201710684135.8A CN107732024B (zh) | 2016-08-11 | 2017-08-11 | 显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160102410A KR102651060B1 (ko) | 2016-08-11 | 2016-08-11 | 유기 발광 표시 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180018942A KR20180018942A (ko) | 2018-02-22 |
KR102651060B1 true KR102651060B1 (ko) | 2024-03-26 |
Family
ID=61159338
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020160102410A KR102651060B1 (ko) | 2016-08-11 | 2016-08-11 | 유기 발광 표시 장치 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10770513B2 (ko) |
KR (1) | KR102651060B1 (ko) |
CN (1) | CN107732024B (ko) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200075379A (ko) * | 2018-12-18 | 2020-06-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광소자를 이용한 조명장치 |
CN111384284B (zh) | 2018-12-29 | 2021-06-25 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板、电子设备及显示面板的制作方法 |
CN110518148A (zh) * | 2019-08-30 | 2019-11-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板的制备方法、显示基板、显示面板及控制方法 |
CN110676300B (zh) * | 2019-10-30 | 2022-02-22 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及其驱动方法、显示装置 |
CN111029390B (zh) | 2019-12-23 | 2022-05-27 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板、其驱动方法及显示装置 |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20180018942A (ko) | 2018-02-22 |
US10770513B2 (en) | 2020-09-08 |
US20180047790A1 (en) | 2018-02-15 |
CN107732024B (zh) | 2021-07-30 |
CN107732024A (zh) | 2018-02-23 |
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