JP2015015194A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】外光が非発光領域において反射され難い構成、構造を有する表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、（Ａ）第１電極２１、発光層を備えた有機層２３から構成された発光部２４、及び、第２電極２２が積層されて成る発光素子１０が、複数、形成された第１基板１１、並びに、（Ｂ）第１基板１１と対向して配された第２基板３４を具備し、第１基板は、各発光素子１０からの光を伝播して外部に出射する第１部材５１、及び、第１部材５１と第１部材５１との間を占める第２部材５２を備えており、第２部材５２には光吸収層５４が設けられている。【選択図】 図１

Description

本開示は、表示装置、より具体的には、発光素子を備えた表示装置に関する。

近年、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、単に、有機ＥＬ素子と略称する）を発光素子として用いた照明装置や有機エレクトロルミネッセンス表示装置（以下、単に、有機ＥＬ表示装置と略称する）が普及しつつある。そして、有機ＥＬ表示装置にあっては、効率良く光を取り出す技術の開発が強く求められている。光取出し効率が低いと、有機ＥＬ素子における実際の発光量を有効に活用していないことになり、消費電力等の点で大きな損失を生じる要因となるからである。

光取出し効率の向上を図るために、リフレクタ（反射構造）を有する有機ＥＬ表示装置が、例えば、特開２００４−１７７４８１号公報に開示されている。そして、発光層から前方に向かって出射された光は透明層を通過する。ここで、前方に向かって出射された光の内、角度の大きな光は、透明層に設けられたリフレクタ（反射構造）によって反射され、外部に出射される。また、この特許公開公報に開示された有機ＥＬ表示装置にあっては、発光層に対して透明層と反対側に、外光反射を防止するための低反射層が設けられている。

特開２００４−１７７４８１号公報

ところで、通常の有機ＥＬ表示装置にあっては、実際に発光する発光領域と発光領域との間に、非発光領域が存在する。そして、発光領域及び非発光領域の全体に対する非発光領域の割合は、場合によっては、０．５以上となる。従って、外光が、非発光領域において反射され、有機ＥＬ表示装置から出射されると、コントラスト低下の原因となる。

従って、本開示の目的は、外光が非発光領域において反射され難い構成、構造を有する表示装置を提供することにある。

上記の目的を達成するための本開示の表示装置は、
（Ａ）第１電極、発光層を備えた有機層から構成された発光部、及び、第２電極が積層されて成る発光素子が、複数、形成された第１基板、並びに、
（Ｂ）第１基板と対向して配された第２基板、
を具備し、
第１基板は、
各発光素子からの光を伝播して外部に出射する第１部材、及び、
第１部材と第１部材との間を占める第２部材、
を備えており、
第２部材には、光吸収層が設けられている。

本開示の表示装置において、第１基板は、各発光素子からの光を伝播して外部に出射する第１部材、及び、第１部材と第１部材との間を占める第２部材を備えており、第２部材には光吸収層が設けられているので、第２部材に入射した外光は、光吸収層によって吸収され、表示装置から外部に出射され難い。それ故、表示装置のコントラストの向上を図ることができる。尚、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものでは無く、また、付加的な効果があってもよい。

図１は、実施例１の表示装置の模式的な一部断面図である。 図２は、実施例２の表示装置の模式的な一部断面図である。 図３は、実施例３の表示装置の模式的な一部断面図である。 図４は、実施例４の表示装置の模式的な一部断面図である。 図５は、実施例５の表示装置の模式的な一部断面図である。 図６は、実施例６の表示装置の模式的な一部断面図である。 図７は、実施例７の表示装置の模式的な一部断面図である。 図８は、実施例８の表示装置の模式的な一部断面図である。 図９は、実施例９の表示装置の模式的な一部断面図である。 図１０は、実施例１０の表示装置の模式的な一部断面図である。 図１１は、実施例１０の表示装置の一部平面図である。 図１２は、実施例１の表示装置を構成する発光素子における有機層等の模式図である。 図１３Ａ及び図１３Ｂは、それぞれ、実施例１〜実施例１０の表示装置における副画素の配列を表す模式図である。 図１４は、実施例１〜実施例１０の表示装置における副画素の配列を表す模式図である。 図１５Ａ、図１５Ｂ及び図１５Ｃは、実施例１の表示装置の製造方法を説明するための第１基板等の模式的な一部端面図である。 図１６Ａ及び図１６Ｂは、図１５Ｃに引き続き、実施例１の表示装置の製造方法を説明するための第１基板等の模式的な一部端面図である。 図１７は、図１６Ｂに引き続き、実施例１の表示装置の製造方法を説明するための第１基板等の模式的な一部端面図である。 図１８Ａ、図１８Ｂ、図１８Ｃ及び図１８Ｄは、実施例６の表示装置の別の製造方法の概要を説明するためのガラス基板等の模式的な一部端面図である。 図１９Ａ、図１９Ｂ、図１９Ｃ及び図１９Ｄは、実施例１０の表示装置の別の製造方法の概要を説明するためのガラス基板等の模式的な一部端面図である。 図２０Ａ、図２０Ｂ及び図２０Ｃは、それぞれ、実施例５の表示装置における反射光量、外光反射率及び反射光量のシミュレーション結果を示すグラフである。 図２１は、実施例５の表示装置において、視野角と輝度の関係をシミュレーションした結果を示すグラフである。

以下、図面を参照して、実施例に基づき本開示を説明するが、本開示は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示の表示装置、全般に関する説明
２．実施例１（本開示の表示装置。本開示の第１の形態及び第２の形態の表示装置）
３．実施例２（実施例１の変形）
４．実施例３（実施例１の別の変形）
５．実施例４（実施例１の更に別の変形）
６．実施例５（実施例１の更に別の変形）
７．実施例６（実施例１の更に別の変形。本開示の第１の形態及び第３の形態の表示装置）
８．実施例７（実施例６の変形）
９．実施例８（実施例６の別の変形）
１０．実施例９（実施例６の更に別の変形）
１１．実施例１０（実施例１の更に別の変形。本開示の第１の形態及び第４の形態の表示装置）、その他

［本開示の表示装置、全般に関する説明］
本開示の表示装置にあっては、第１部材と第２部材との界面において、第１部材を伝播した光が、少なくとも一部分、反射される形態とすることができる。尚、このような形態の表示装置を、便宜上、『本開示の第１の形態の表示装置』と呼ぶ。

あるいは又、本開示の表示装置にあっては、第１部材と第２部材との界面には光反射膜が形成されている形態とすることができる。尚、このような形態の表示装置を、便宜上、『本開示の第２の形態の表示装置』と呼ぶ。本開示の第２の形態の表示装置にあっては、光反射膜を構成する材料に依存して、第１部材を伝播した光が、一部分、反射され、あるいは又、全て反射される。

あるいは又、本開示の表示装置にあっては、第１部材を構成する材料の屈折率をｎ₁、光吸収層を含む第２部材を構成する材料の平均屈折率をｎ_2-aveとしたとき、
１．１≦ｎ₁≦１．８
好ましくは、
１．２≦ｎ₁≦１．６
を満足し、且つ、
ｎ₁−ｎ_2-ave≧０．２
好ましくは、
ｎ₁−ｎ_2-ave≧０．３
を満足する形態とすることができる。尚、このような形態の表示装置を、便宜上、『本開示の第３の形態の表示装置』と呼ぶ。また、光吸収層を除く第２部材を構成する材料の屈折率をｎ₂、光吸収層を構成する材料の屈折率をｎ₂’としたとき、
ｎ₁−ｎ₂≧０．２
好ましくは、
ｎ₁−ｎ₂≧０．３
を満足し、
ｎ₁−ｎ₂’≧０．２
好ましくは、
ｎ₁−ｎ₂’≧０．３
を満足することが好ましい。

このように、本開示の第３の形態の表示装置にあっては、屈折率ｎ₁の値、及び、屈折率ｎ₁と平均屈折率ｎ_2-aveとの差の値が規定されているので、第１部材と第２部材との界面に光反射部材等を設けなくとも、発光素子からの外部への光取出し効率の一層の向上を図ることができる。

本開示の第３の形態の表示装置において、第１部材と第２部材との間に、第２電極が形成されている形態とすることができ、あるいは、有機層及び第２電極が形成されている形態とすることができる。このような場合、第２部材と第２電極との界面において、あるいは又、第２部材と有機層との界面において、第１部材を伝播した光が、少なくとも一部分、反射されるが、これらの形態も、「第１部材と第２部材との界面において、第１部材を伝播した光が、少なくとも一部分、反射される」形態に包含される。

本開示の第２の形態の表示装置あるいは本開示の第３の形態の表示装置は、例えば、
第１基板上に層間絶縁層を形成し、層間絶縁層上に第１電極を形成した後、
第１電極及び層間絶縁層上に第２部材形成層（光吸収層を含む）を形成し、次いで、第１電極上の第２部材形成層を選択的に除去することで、開口部の斜面が傾斜した第２部材を得た後、
開口部の底部に露出した第１電極上から開口部の斜面に亙り、有機層及び第２電極を形成し、次いで、本開示の第２の形態の表示装置にあっては、開口部の斜面の上に光反射膜を形成した後、
第２電極上に第１部材を形成する、
各工程に基づき製造することができる。あるいは又、
第１部材と相補的な形状を有するスタンパを準備し、
支持基板上に樹脂材料を塗布した後、
スタンパを用いて樹脂材料を賦形した後、スタンパを取り除き、凸部を有する樹脂材料層を得た後、
樹脂材料層の凸部の頂部を平坦化し、次いで、本開示の第２の形態の表示装置にあっては、光反射膜を凸部上に形成した後、樹脂材料層の凸部と凸部との間を接着剤層で埋め込み、その後、
支持基板から樹脂材料層を剥がし、接着剤層を第１基板に接着し、以て、接着剤層から成る第２部材（光吸収層を含む）、及び、樹脂材料層から成る第１部材を得る、
各工程に基づき製造することができる。

これらの表示装置の製造方法にあっては、第２電極上に、直接、第１部材を形成することができるので、第２電極とリフレクタとの間に接着層が存在することに起因した発光素子から出射された光の取出しロスが無いし、あるいは又、スタンパを用いて接着剤層から成る第２部材及び樹脂材料層から成る第１部材を得ることができるので、簡素な製造方法にて、発光素子からの外部への光取出し効率の一層の向上を図ることができる表示装置を製造することができる。

あるいは又、本開示の表示装置にあっては、発光素子から出射され、第１部材を通過し、第２基板の第１面から第２基板に入射した光の一部を、反射し、第２基板の第２面から出射させる光反射部材が、第２基板に形成されている形態とすることもできる。尚、このような形態の表示装置を、便宜上、『本開示の第４の形態の表示装置』と呼ぶ。光反射部材を備えた第２基板は、構成する材料にも依るが、例えば、第１面に凹部をスタンパを用いて形成し、あるいは又、第１面に凹部を切削加工に基づき形成し、係る凹部の露出した表面に光反射部材を形成した後、凹部を埋め込むといった方法で作製することができる。

本開示の第２の形態の表示装置における光反射膜、本開示の第３の形態の表示装置における第１部材と対向する第２部材の表面（あるいは第１部材と第２部材の界面）、本開示の第４の形態の表示装置における光反射部材を総称して、以下、便宜上、『光反射部』あるいは『リフレクタ部』と呼ぶ場合がある。

以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の表示装置にあっては、
第１部材及び第２部材の上に保護膜及び封止材料層が更に備えられており、
保護膜を構成する材料の屈折率をｎ₃、封止材料層を構成する材料の屈折率をｎ₄としたとき、
｜ｎ₃−ｎ₄｜≦０．３
好ましくは、
｜ｎ₃−ｎ₄｜≦０．２
を満足する形態とすることができ、これによって、保護膜と封止材料層との界面で光が反射又は散乱されることを効果的に防止することができる。尚、第１部材と保護膜を同時に形成し、第１部材と保護膜とが一体となった構造としてもよい。また、このような好ましい形態を含む後述する上面発光型の表示装置において、発光素子の中心部からの光の光量を１としたとき、発光素子から第１部材及び第２基板を介して外部に出射される光の光量は、１．５乃至２．０である形態とすることができる。

前述したとおり、本開示の表示装置において、第２部材には光吸収層が設けられているが、具体的には、以上に説明した好ましい形態を含む本開示の表示装置において、第２部材は、光吸収層と、それ以外の層（便宜上、『第２部材構成層』と呼ぶ）とが積層された構造を有している構成とすることができ、あるいは又、第２部材は光吸収層から構成された構成（即ち、光吸収層は、第２部材の全体を占めている構成）とすることができる。そして、前者の構成にあっては、光吸収層は、第２部材の下部に設けられている構成とすることができ（即ち、第１基板側から、第２部材、第２部材構成層が積層された構造）、あるいは又、光吸収層は、第２部材の中間部に設けられている構成とすることができ（即ち、第１基板側から、第２部材構成層、光吸収層、第２部材構成層が積層された構造）、あるいは又、光吸収層は、第２部材の頂部に設けられている構成（即ち、第１基板側から、第２部材構成層、第２部材が積層された構造）とすることができる。尚、光吸収層を、２層以上、形成してもよい。

更には、以上に説明した好ましい形態、構成を含む本開示の表示装置は、カラーフィルターを備えている構成とすることができる。

表示装置をカラー表示装置とする場合、１つの画素は、赤色を発光する赤色発光副画素、緑色を発光する緑色発光副画素、及び、青色を発光する青色発光副画素の３つの副画素、あるいは、４つ以上の副画素から構成される。このようなカラー表示装置にあっては、赤色発光副画素を赤色光を発光する発光素子から構成し、緑色発光副画素を緑色光を発光する発光素子から構成し、青色発光副画素を青色光を発光する発光素子から構成してもよいし、上記の好ましい形態、構成を含む後述する上面発光型の表示装置において、第２基板はカラーフィルターを備えている構成とし、発光素子は白色光を発光する構成とし、各色発光副画素を、白色光を発光する発光素子とカラーフィルターとの組合せから構成してもよい。第２基板は遮光膜（ブラックマトリクス）を備えている構成としてもよい。同様に、後述する下面発光型の表示装置において、第１基板は、カラーフィルターや遮光膜（ブラックマトリクス）を備えている構成とすることができる。

更には、以上に説明した好ましい形態、構成を含む本開示の表示装置において、発光素子と第１部材とは接している構成とすることができる。これによって、発光部から出射された光は、必ず、しかも、直接、第１部材に入射するので、光取出し効率の大幅な低下を招くことが無い。

更には、以上に説明した好ましい形態、構成を含む本開示の表示装置において、各発光素子からの光は第２基板を介して外部に出射される構成とすることができる。尚、このような表示装置を『上面発光型の表示装置』と呼ぶ場合がある。但し、このような構成に限定されるものではなく、各発光素子からの光は第１基板を介して外部に出射される構造とすることもできる。尚、このような表示装置を『下面発光型の表示装置』と呼ぶ場合がある。

本開示の第２の形態の表示装置における光反射膜、本開示の第４の形態の表示装置における光反射部材は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）層、アルミニウム合金層（例えば、Ａｌ−Ｎｄ層）、クロム（Ｃｒ）層、銀（Ａｇ）層、銀合金層（例えば、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層、Ａｇ−Ｓｍ−Ｃｕ層）から構成することができ、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法、真空蒸着法を含む蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法やイオンプレーティング法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；レーザアブレーション法；ゾル・ゲル法等によって形成することができる。

あるいは又、本開示の第２の形態の表示装置における光反射膜は、第１部材を構成する材料の屈折率ｎ₁よりも小さな屈折率を有する材料から構成することができる。ここで、このような光反射膜を構成する材料として、次に述べる本開示の第３の形態の表示装置における第２部材を構成する材料を挙げることができるし、この場合の第１部材を構成する材料として、次に述べる本開示の第３の形態の表示装置における第１部材を構成する材料を挙げることができる。尚、このような光反射膜を構成する材料の屈折率をｎ₂”としたとき、
ｎ₁−ｎ₂”≧０．２
好ましくは、
ｎ₁−ｎ₂”≧０．３
を満足することが望ましい。

以上に説明した好ましい形態、構成を含む本開示の第３の形態の表示装置において、第１部材を構成する材料として、Ｓｉ_1-xＮ_x、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＴｉＯ₂、Ｎｂ₂Ｏ₅、臭素含有ポリマー、硫黄含有ポリマー、チタン含有ポリマー、ジルコニウム含有ポリマーを挙げることができるし、光吸収層を除く第２部材を構成する材料として、ＳｉＯ₂、ＭｇＦ、ＬｉＦ、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系ポリマー、シリコーン系ポリマーを挙げることができる。

また、本開示の第３の形態の表示装置を除く、以上に説明した好ましい形態、構成を含む本開示の表示装置において、第１部材を構成する材料として、また、光吸収層を除く第２部材を構成する材料として、ＳｉＯ₂、Ｓｉ_1-xＮ_x、ＴｉＯ₂、Ｎｂ₂Ｏ₅、ＭｇＦ、ＬｉＦ、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系ポリマー、シリコーン系ポリマー、臭素含有ポリマー、硫黄含有ポリマー、チタン含有ポリマー、ジルコニウム含有ポリマーを挙げることができる。

一方、光吸収層を構成する材料として、カーボン、金属薄膜（例えば、クロム、ニッケル、アルミニウム、モリブデン等、あるいは、これらの合金から成る薄膜）、金属酸化物（例えば、酸化クロム）、金属窒化物（例えば、窒化クロム）、有機樹脂、黒色顔料等を含有するガラスペースト、カーボンブラック等の黒色顔料や黒色染料を含む各種樹脂を挙げることができる。具体的には、感光性ポリイミド樹脂、酸化クロムや、酸化クロム／クロム積層膜を例示することができる。光吸収層は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法とエッチング法との組合せ、真空蒸着法やスパッタリング法、スピンコーティング法とリフトオフ法との組合せ、スクリーン印刷法、リソグラフィ技術等、使用する材料に依存して適宜選択された方法にて形成することができる。光吸収層を構成する材料の屈折率ｎ₂’と第２部材構成層を構成する材料の屈折率ｎ₂との差は、出来る限り小さいことが好ましい。光吸収層とは、可視光の吸収率が９０％以上、好ましくは９９％以上である層を意味する。

保護膜を構成する材料として、発光層で発光した光に対して透明であり、緻密で、水分を透過させない材料を用いることが好ましく、具体的には、例えば、アモルファスシリコン（α−Ｓｉ）、アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ）、アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ_1-xＮ_x）、アモルファス酸化シリコン（α−Ｓｉ_1-yＯ_y）、アモルファスカーボン（α−Ｃ）、アモルファス酸化・窒化シリコン（α−ＳｉＯＮ）、Ａｌ₂Ｏ₃を挙げることができる。また、接着層を構成する材料として、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤、ウレタン系接着剤、シリコーン系接着剤、シアノアクリレート系接着剤といった熱硬化型接着剤や、紫外線硬化型接着剤を挙げることができる。

以上に説明した好ましい形態、構成を含む本開示の表示装置（以下、これらを総称して、『本開示の表示装置等』と呼ぶ場合がある）において、１つの発光素子によって１つの画素（あるいは副画素）が構成されている形態にあっては、限定するものではないが、画素（あるいは副画素）の配列として、ストライプ配列、ダイアゴナル配列、デルタ配列、又は、レクタングル配列を挙げることができる。また、複数の発光素子が集合して１つの画素（あるいは副画素）が構成されている形態にあっては、限定するものではないが、画素（あるいは副画素）の配列として、ストライプ配列を挙げることができる。１つの発光素子に対して複数の光反射部（リフレクタ部）が設けられている形態とすることができるし、１つの発光素子に対して１つの光反射部（リフレクタ部）が設けられている形態とすることができる。

本開示の表示装置等において、光反射部は回転体の表面の一部（切頭回転体）から構成されており、回転体の回転軸である光反射部の軸線をｚ軸としたとき、ｚ軸を含む仮想平面で光反射部を切断したときの光反射部の断面形状は、台形、あるいは、放物線の一部から構成されていることが好ましいが、それ以外から構成されていてもよく、回転体として、例えば、球面、回転楕円面、回転放物面とすることもできるし、３次以上の多項式、二葉線、三葉線、四葉線、連珠形、蝸牛線、正葉線、螺獅線、疾走線、公算曲線、引弧線、懸垂線、擺線、餘擺線、星芒形、半３次放物線、リサジュー曲線、アーネシー曲線、外サイクロイド、心臓形、内サイクロイド、クロソイド曲線、螺線に例示される曲線の一部を回転させて得られる曲面とすることもできる。また、場合によっては、１本の線分、あるいは、複数の線分の組合せ、線分と曲線の組合せを回転させて得られる面とすることもできる。あるいは又、光反射部は、切頭角錐（例えば、切頭三角錐、切頭四角錐、切頭六角錐、切頭八角錐等）から構成することができる。更には、光反射部をｘｙ平面で切断したときの光反射部の外形線として、任意の閉曲線を挙げることができる。

あるいは又、本開示に表示装置等において、１つの発光素子によって１つの画素（あるいは副画素）が構成されており、第１部材は切頭円錐形（あるいは切頭回転体）の形状を有し、光入射面の直径をＲ₁、光出射面の直径をＲ₂、高さをＨとしたとき、
０．５≦Ｒ₁／Ｒ₂≦０．８
０．５≦Ｈ／Ｒ₁ ≦２．０
を満足する形態とすることができる。尚、切頭円錐形の斜面の断面形状（切頭円錐形の軸線を含む仮想平面で切頭円錐形を切断したときの断面形状。以下においても同様）は直線状であってもよいし、複数の線分の組合せであってもよいし、曲線から構成されていてもよい。発光部の直径をＲ₀としたとき、
０．５≦Ｒ₀／Ｒ₁≦１．０
を満足することが好ましい。

あるいは又、本開示の表示装置等において、複数の発光素子が集合して１つの画素（あるいは副画素）が構成されており、第１部材は切頭円錐形（あるいは切頭回転体）の形状を有し、光入射面の直径をＲ₁、光出射面の直径をＲ₂、高さをＨとしたとき、
０．５≦Ｒ₁／Ｒ₂≦０．８
０．５≦Ｈ／Ｒ₁ ≦２．０
を満足する形態とすることができる。１つの画素（あるいは副画素）を構成する発光素子の数として、３乃至１０００を例示することができる。尚、切頭円錐形の斜面の断面形状は直線状であってもよいし、複数の線分の組合せであってもよいし、曲線から構成されていてもよい。発光部の直径をＲ₀としたとき、
０．５≦Ｒ₀／Ｒ₁≦１．０
を満足することが好ましい。

隣接する発光素子において、第２部材の頂面の最短距離（便宜上、『構造間距離』と呼ぶ）として、０μｍを挙げることができるし、あるいは又、２μｍ、４μｍを挙げることができるが、これらに限定されるものではなく、表示装置に要求される仕様に依存する。

上面発光型の表示装置における第１電極、あるいは又、下面発光型の表示装置における第２電極（これらの電極を、便宜上、『光反射電極』と呼ぶ場合がある）を構成する材料（光反射材料）として、光反射電極をアノード電極として機能させる場合、例えば、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、タンタル（Ｔａ）といった仕事関数の高い金属あるいは合金（例えば、銀を主成分とし、０．３質量％乃至１質量％のパラジウム（Ｐｄ）と、０．３質量％乃至１質量％の銅（Ｃｕ）とを含むＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金や、Ａｌ−Ｎｄ合金）を挙げることができる。更には、アルミニウム（Ａｌ）及びアルミニウムを含む合金等の仕事関数の値が小さく、且つ、光反射率の高い導電材料を用いる場合には、適切な正孔注入層を設けるなどして正孔注入性を向上させることで、アノード電極として用いることができる。光反射電極の厚さとして、０．１μｍ乃至１μｍを例示することができる。あるいは又、誘電体多層膜やアルミニウム（Ａｌ）といった光反射性の高い反射膜上に、インジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）やインジウムと亜鉛の酸化物（ＩＺＯ）等の正孔注入特性に優れた透明導電材料を積層した構造とすることもできる。一方、光反射電極をカソード電極として機能させる場合、仕事関数の値が小さく、且つ、光反射率の高い導電材料から構成することが望ましいが、アノード電極として用いられる光反射率の高い導電材料に適切な電子注入層を設けるなどして電子注入性を向上させることで、カソード電極として用いることもできる。

一方、上面発光型の表示装置における第２電極、あるいは又、下面発光型の表示装置における第１電極（これらの電極を、便宜上、『半光透過電極』と呼ぶ場合がある）を構成する材料（半光透過材料あるいは光透過材料）として、半光透過電極をカソード電極として機能させる場合、発光光を透過し、しかも、有機層に対して電子を効率的に注入できるように仕事関数の値の小さな導電材料から構成することが望ましく、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ナトリウム（Ｎａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、アルカリ金属又はアルカリ土類金属と銀（Ａｇ）［例えば、マグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）との合金（Ｍｇ−Ａｇ合金）］、マグネシウム−カルシウムとの合金（Ｍｇ−Ｃａ合金）、アルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）の合金（Ａｌ−Ｌｉ合金）等の仕事関数の小さい金属あるいは合金を挙げることができ、中でも、Ｍｇ−Ａｇ合金が好ましく、マグネシウムと銀との体積比として、Ｍｇ：Ａｇ＝５：１〜３０：１を例示することができる。あるいは又、マグネシウムとカルシウムとの体積比として、Ｍｇ：Ｃａ＝２：１〜１０：１を例示することができる。半光透過電極の厚さとして、４ｎｍ乃至５０ｎｍ、好ましくは、４ｎｍ乃至２０ｎｍ、より好ましくは６ｎｍ乃至１２ｎｍを例示することができる。あるいは又、半光透過電極を、有機層側から、上述した材料層と、例えばＩＴＯやＩＺＯから成る所謂透明電極（例えば、厚さ３×１０^-8ｍ乃至１×１０^-6ｍ）との積層構造とすることもできる。積層構造とした場合、上述した材料層の厚さを１ｎｍ乃至４ｎｍと薄くすることもできる。また、透明電極のみで構成することも可能である。あるいは又、半光透過電極に対して、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金、銅、銅合金、金、金合金等の低抵抗材料から成るバス電極（補助電極）を設け、半光透過電極全体として低抵抗化を図ってもよい。一方、半光透過電極をアノード電極として機能させる場合、発光光を透過し、しかも、仕事関数の値の大きな導電材料から構成することが望ましい。

光反射電極の平均光反射率は５０％以上、好ましくは８０％以上であり、半光透過電極の平均光透過率は５０％乃至９０％、好ましくは６０％乃至９０％であることが望ましい。

第１電極や第２電極の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法、真空蒸着法を含む蒸着法、スパッタリング法、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）やＭＯＣＶＤ法、イオンプレーティング法とエッチング法との組合せ；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、メタルマスク印刷法といった各種印刷法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；レーザアブレーション法；ゾル・ゲル法等を挙げることができる。各種印刷法やメッキ法によれば、直接、所望の形状（パターン）を有する第１電極や第２電極を形成することが可能である。尚、有機層を形成した後、第１電極や第２電極を形成する場合、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さな成膜方法、あるいは又、ＭＯＣＶＤ法といった成膜方法に基づき形成することが、有機層のダメージ発生を防止するといった観点から好ましい。有機層にダメージが発生すると、リーク電流の発生による「滅点」と呼ばれる非発光画素（あるいは非発光副画素）が生じる虞がある。また、有機層の形成からこれらの電極の形成までを大気に暴露することなく実行することが、大気中の水分による有機層の劣化を防止するといった観点から好ましい。場合によっては、第１電極あるいは第２電極のいずれか一方は、パターニングしなくともよい。

本開示の表示装置等にあっては、複数の発光素子は第１基板上に形成されている。ここで、第１基板として、あるいは又、第２基板として、高歪点ガラス基板、ソーダガラス（Ｎａ₂Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ₂）基板、硼珪酸ガラス（Ｎａ₂Ｏ・Ｂ₂Ｏ₃・ＳｉＯ₂）基板、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ₂）基板、鉛ガラス（Ｎａ₂Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ₂）基板、表面に絶縁膜が形成された各種ガラス基板、石英基板、表面に絶縁膜が形成された石英基板、表面に絶縁膜が形成されたシリコン基板、ポリメチルメタクリレート（ポリメタクリル酸メチル，ＰＭＭＡ）やポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）に例示される有機ポリマー（高分子材料から構成された可撓性を有するプラスチック・フィルムやプラスチック・シート、プラスチック基板といった高分子材料の形態を有する）を挙げることができる。第１基板と第２基板を構成する材料は、同じであっても、異なっていてもよい。但し、上面発光型の表示装置にあっては、第２基板は、発光素子が出射する光に対して透明であることが要求され、下面発光型の表示装置にあっては、第１基板は、発光素子が出射する光に対して透明であることが要求される。

本開示の表示装置等として、有機エレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ表示装置と略称する）を挙げることができ、有機ＥＬ表示装置をカラー表示の有機ＥＬ表示装置としたとき、有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ素子のそれぞれによって、上述したとおり、副画素が構成される。ここで、１画素は、上述したとおり、例えば、赤色を発光する赤色発光副画素、緑色を発光する緑色発光副画素、及び、青色を発光する青色発光副画素の３種類の副画素から構成されている。従って、この場合、有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ素子の数をＮ×Ｍ個とした場合、画素数は（Ｎ×Ｍ）／３である。有機ＥＬ表示装置は、例えば、パーソナルコンピュータを構成するモニター装置として使用することができるし、テレビジョン受像機や携帯電話、ＰＤＡ（携帯情報端末，Personal Digital Assistant）、ゲーム機器に組み込まれたモニター装置として使用することができる。あるいは又、電子ビューファインダー（Electronic View Finder，ＥＶＦ）や頭部装着型ディスプレイ（Head Mounted Display，ＨＭＤ）に適用することができる。あるいは又、本開示の表示装置等として、その他、液晶表示装置用のバックライト装置や面状光源装置を含む照明装置を挙げることができる。

有機層は、発光層（例えば、有機発光材料から成る発光層）を備えているが、具体的には、例えば、正孔輸送層と発光層と電子輸送層との積層構造、正孔輸送層と電子輸送層を兼ねた発光層との積層構造、正孔注入層と正孔輸送層と発光層と電子輸送層と電子注入層との積層構造等から構成することができる。また、これらの積層構造等を『タンデムユニット』とする場合、有機層は、第１のタンデムユニット、接続層、及び、第２のタンデムユニットが積層された２段のタンデム構造を有していてもよく、更には、３つ以上のタンデムユニットが積層された３段以上のタンデム構造を有していてもよく、これらの場合、発光色を赤色、緑色、青色と各タンデムユニットで変えることで、全体として白色を発光する有機層を得ることができる。有機層の形成方法として、真空蒸着法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法といった印刷法；転写用基板上に形成されたレーザ吸収層と有機層の積層構造に対してレーザを照射することでレーザ吸収層上の有機層を分離して、有機層を転写するといったレーザ転写法、各種の塗布法を例示することができる。有機層を真空蒸着法に基づき形成する場合、例えば、所謂メタルマスクを用い、係るメタルマスクに設けられた開口を通過した材料を堆積させることで有機層を得ることができるし、有機層を、パターニングすること無く、全面に形成してもよい。

上面発光型の表示装置において、第１電極は、例えば、層間絶縁層上に設けられている。そして、この層間絶縁層は、第１基板上に形成された発光素子駆動部を覆っている。発光素子駆動部は、１又は複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）から構成されており、ＴＦＴと第１電極とは、層間絶縁層に設けられたコンタクトプラグを介して電気的に接続されている。層間絶縁層の構成材料として、ＳｉＯ₂、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＰｂＳＧ、ＳｉＯＮ、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低融点ガラス、ガラスペーストといったＳｉＯ₂系材料；ＳｉＮ系材料；ポリイミド系樹脂やノボラック系樹脂、アクリル系樹脂、ポリベンゾオキサゾール等の絶縁性樹脂を、単独あるいは適宜組み合わせて使用することができる。層間絶縁層の形成には、ＣＶＤ法、塗布法、スパッタリング法、各種印刷法等の公知のプロセスが利用できる。発光素子からの光が層間絶縁層を通過するような構成、構造の下面発光型の表示装置にあっては、層間絶縁層は、発光素子からの光に対して透明な材料から構成する必要があるし、発光素子駆動部は発光素子からの光を遮らないように形成する必要がある。また、下面発光型の表示装置にあっては、第２電極の上方に発光素子駆動部を設けることも可能である。

有機層の上方には、有機層への水分の到達防止を目的として、上述したとおり、絶縁性あるいは導電性の保護膜を設けることが好ましい。保護膜は、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法、あるいは又、ＣＶＤ法やＭＯＣＶＤ法といった成膜方法に基づき形成することが、下地に対して及ぼす影響を小さくすることができるので好ましい。あるいは又、有機層の劣化による輝度の低下を防止するために、成膜温度を常温に設定し、更には、保護膜の剥がれを防止するために保護膜のストレスが最小になる条件で保護膜を成膜することが望ましい。また、保護膜の形成は、既に形成されている電極を大気に暴露することなく形成することが好ましく、これによって、大気中の水分や酸素による有機層の劣化を防止することができる。更には、表示装置が上面発光型である場合、保護膜は、有機層で発生した光を例えば８０％以上、透過する材料から構成することが望ましく、具体的には、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えば、上述した材料を例示することができる。このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを生成しないため、透水性が低く、良好な保護膜を構成する。尚、保護膜を導電材料から構成する場合、保護膜を、ＩＴＯやＩＺＯのような透明導電材料から構成すればよい。

実施例１は、本開示の表示装置、具体的には、有機ＥＬ表示装置に関し、また、本開示の第１の形態及び第２の形態の表示装置に関する。実施例１の表示装置（以下、有機ＥＬ表示装置と呼ぶ場合がある）の模式的な一部断面図を図１に示し、有機層等の模式図を図１２に示し、副画素の配列を表す模式図を図１３Ａに示す。尚、図１２においては、図面の簡素化のために、１層の有機層を示しているが、実際には、複数の有機層が積層されており、複数段のタンデム構造を有する。

また、実施例１、あるいは、後述する実施例２〜実施例８、実施例１０の有機ＥＬ表示装置は、上面発光型である。即ち、各発光素子１０からの光は、上部電極に相当する第２電極、第２基板３４を介して外部に出射される。一方、後述する実施例９の有機ＥＬ表示装置は、各発光素子１０からの光は第１基板１１を介して外部に出射される下面発光型である。

図１〜図１０に示すように、実施例１、あるいは、後述する実施例２〜実施例１０の有機ＥＬ表示装置は、
（Ａ）第１電極２１、例えば有機発光材料から成る発光層２３Ａを備えた有機層２３から構成された発光部２４、及び、第２電極２２が積層されて成る発光素子１０が、複数、形成された第１基板１１、並びに、
（Ｂ）第１基板１１と対向して配された第２基板３４、
を具備し、
第１基板１１は、
各発光素子１０からの光を伝播して外部に出射する第１部材５１、及び、
第１部材５１と第１部材５１との間を占める第２部材５２、
を備えており、
第２部材５２には、光吸収層５４が設けられている。尚、第１部材５１及び光吸収層５４を含む第２部材５２、全体を、『光反射層５０』と呼ぶ場合がある。

ここで、実施例１、あるいは、後述する実施例２〜実施例１０の有機ＥＬ表示装置における各発光素子（有機ＥＬ素子）１０は、より具体的には、
（ａ）第１電極２１、
（ｂ）開口部２５を有し、開口部２５の底部に第１電極２１が露出した第２部材５２、
（ｃ）開口部２５の底部に露出した第１電極２１の部分の上に少なくとも設けられ、例えば有機発光材料から成る発光層２３Ａを備えた有機層２３、及び、
（ｄ）有機層２３上に形成された第２電極２２、
を具備している。有機層２３は、例えば、正孔注入層及び正孔輸送層２３Ｂ、発光層２３Ａ並びに電子輸送層２３Ｃの積層構造から構成されているが、図面では１層で表す場合がある。

実施例１、あるいは、後述する実施例２〜実施例１０の有機ＥＬ表示装置は、電子ビューファインダー（ＥＶＦ）や頭部装着型ディスプレイ（ＨＭＤ）に適用される、高精細表示装置であり、あるいは又、例えば、テレビジョン受像機といった大型の有機ＥＬ表示装置である。

実施例１の有機ＥＬ表示装置、あるいは、後述する実施例２〜実施例１０の有機ＥＬ表示装置は、発光素子（具体的には、有機ＥＬ素子）１０を、複数、有する。具体的には、画素数は、例えば、２０４８×１２３６であり、１つの発光素子１０は１つの副画素を構成し、発光素子（具体的には有機ＥＬ素子）１０は画素数の３倍である。そして、アクティブマトリックス型のカラー表示の有機ＥＬ表示装置である。

１つの画素は、赤色を発光する赤色発光副画素、緑色を発光する緑色発光副画素、青色を発光する青色発光副画素の３つの副画素から構成されている。また、第２基板３４はカラーフィルター３３を備えており、発光素子１０は白色光を発光し、各色発光副画素は、白色光を発光する発光素子１０とカラーフィルター３３との組合せから構成されている。カラーフィルター３３は、通過光が赤色となる領域、緑色となる領域、青色となる領域から構成されている。カラーフィルター３３とカラーフィルター３３との間に、遮光膜（ブラックマトリクス）を備えていてもよい。発光素子１０と第１部材５１とは接している。具体的には、第２電極２２と第１部材５１とは、直接、接している。

実施例１、あるいは、後述する実施例２〜実施例１０の有機ＥＬ表示装置において、副画素の配列は、図１３Ａ及び図１３Ｂに示すように、疑似デルタ配列であり、点線で囲んだ１画素の大きさは、例えば５μｍ×５μｍである。尚、図１３Ａ及び図１３Ｂには、４つの画素を示す。図１３Ａあるいは図１３Ｂにおいて、赤色発光副画素を「Ｒ」で示し、緑色発光副画素を「Ｇ」で示し、青色発光副画素を「Ｂ」で示す。図１３Ａに示した例では、構造間距離は０μｍであり、図１３Ｂに示した例では、構造間距離は０μｍを超える値である。

実施例１、あるいは、後述する実施例２〜実施例１０において、各発光素子は、３つのタンデムユニットが積層された３段のタンデム構造を有しており、各タンデムユニットにおける有機層２３は、具体的には、以下に例示する赤色発光有機層、緑色発光有機層及び青色発光有機層から構成されている。但し、これらの限定するものではない。尚、有機層全体の平均屈折率は、（実数部，虚数部）＝（１．８５，０）である。

具体的には、赤色発光有機層は、第１電極側から、
［正孔注入層］（厚さ１０ｎｍ） ：ＬＧケミカル社製 ＬＧＨＩＬ
［正孔輸送層］（厚さ２６ｎｍ） ：出光興産株式会社製 ＨＴ３２０
［発光層］ （厚さ５０ｎｍ） ：出光興産株式会社製 ＲＨ００１ 及び
東レ株式会社製 Ｄ１２５（０．５％ドープ）
［電子輸送層］（厚さ２２０ｎｍ）：出光興産株式会社製 ＥＴ０８５
から構成されている。

また、緑色発光有機層は、第１電極側から、
［正孔注入層］（厚さ１０ｎｍ） ：ＬＧケミカル社製 ＬＧＨＩＬ
［正孔輸送層］（厚さ３５ｎｍ） ：出光興産株式会社製 ＨＴ３２０
［発光層］ （厚さ３０ｎｍ） ：出光興産株式会社製 ＢＨ２３２ 及び
ＧＤ２０６（１０％ドープ）
［電子輸送層］（厚さ１７５ｎｍ）：出光興産株式会社製 ＥＴＳ０８５
から構成されている。

更には、青色発光有機層は、第１電極側から、
［正孔注入層］（厚さ１０ｎｍ） ：ＬＧケミカル社製 ＬＧＨＩＬ
［正孔輸送層］（厚さ２４ｎｍ） ：出光興産株式会社製 ＨＴ３２０
［発光層］ （厚さ３０ｎｍ） ：出光興産株式会社製 ＢＨ２３２ 及び
ＢＤ２１８（１０％ドープ）
［電子輸送層］（厚さ１４１ｎｍ）：出光興産株式会社製 ＥＴ０８５
から構成されている。

実施例１、あるいは、後述する実施例２〜実施例８、実施例１０においては、第１電極２１をアノード電極として用い、第２電極２２をカソード電極として用いる。第１電極２１は、光反射材料、具体的には、Ａｌ−Ｎｄ合金から成り、第２電極２２は、半光透過材料、具体的には、マグネシウム（Ｍｇ）を含む導電材料、より具体的には、厚さ１０ｎｍのＭｇ−Ａｇ合金から成る。第１電極２１は、真空蒸着法とエッチング法との組合せに基づき形成されている。また、第２電極２２は、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法によって成膜されており、パターニングはされていない。第１電極２１の光反射率及び第２電極２２の屈折率、光透過率の測定結果は以下の表１のとおりである。

［表１］
第１電極２１の屈折率
実数部：０．７５５
虚数部：５．４６６
第２電極２２の屈折率
実数部：０．６１７
虚数部：３．９０４
第１電極２１の光反射率：８５
第２電極２２の光透過率：５７％

実施例１、あるいは、後述する実施例２〜実施例８、実施例１０において、有機ＥＬ素子を構成する第１電極２１は、ＣＶＤ法に基づき形成されたＳｉＯＮから成る層間絶縁層１６（より具体的には、上層層間絶縁層１６Ｂ）上に設けられている。そして、この層間絶縁層１６は、第１基板１１上に形成された有機ＥＬ素子駆動部を覆っている。有機ＥＬ素子駆動部は、複数のＴＦＴから構成されており、ＴＦＴと第１電極２１とは、層間絶縁層（より具体的には、上層層間絶縁層１６Ｂ）に設けられたコンタクトプラグ１８、配線１７、コンタクトプラグ１７Ａを介して電気的に接続されている。尚、図面においては、１つの有機ＥＬ素子駆動部につき、１つのＴＦＴを図示した。ＴＦＴは、第１基板１１上に形成されたゲート電極１２、第１基板１１及びゲート電極１２上に形成されたゲート絶縁膜１３、ゲート絶縁膜１３上に形成された半導体層に設けられたソース／ドレイン領域１４、並びに、ソース／ドレイン領域１４の間であって、ゲート電極１２の上方に位置する半導体層の部分が相当するチャネル形成領域１５から構成されている。尚、図示した例にあっては、ＴＦＴをボトムゲート型としたが、トップゲート型であってもよい。ＴＦＴのゲート電極１２は、走査回路（図示せず）に接続されている。

実施例１、あるいは、後述する実施例２〜実施例８、実施例１０において、第１基板１１はシリコン基板から構成されており、第２基板は、無アルカリガラスあるいは石英ガラスから構成されている。一方、後述する実施例９において、第１基板１１及び第２基板は、無アルカリガラスあるいは石英ガラスから構成されている。

そして、実施例１、あるいは、後述する実施例２〜実施例１０の有機ＥＬ表示装置にあっては、第１部材５１と第２部材５２との界面において、第１部材５１を伝播した光が、少なくとも一部分、反射される。

また、実施例１の有機ＥＬ表示装置にあっては、第１部材５１と第２部材５２との界面には光反射膜（光反射部）７１が形成されている。光反射膜７１は、具体的には、Ａｌ−Ｎｄから成り、第２部材５２の傾斜した側壁の上に形成されている。実施例１の有機ＥＬ表示装置にあっては、光反射膜７１の表面において、第１部材５１を伝播した光が、少なくとも一部分（実施例１にあっては、全て）、反射される。

実施例１の有機ＥＬ表示装置において、第２部材５２には光吸収層５４が設けられているが、具体的には、第２部材５２は、光吸収層５４と第２部材構成層５３とが積層された構造を有している。より具体的には、光吸収層５４は、第２部材５２の下部に設けられている。即ち、第１基板側から、第２部材５２、第２部材構成層５３が積層された構造を有する。

実施例１、あるいは、後述する実施例２〜実施例４、実施例６〜実施例１０において、切頭円錐形の第１部材５１は窒化シリコン（Ｓｉ_1-xＮ_x）から成り、第２部材５２を構成する第２部材構成層５３はＳｉＯ₂から成り、光吸収層５４はカーボンブラックを含むアクリル系樹脂から成る。第１部材５１を構成する材料の屈折率ｎ₁、光吸収層５４を含む第２部材５２を構成する材料の平均屈折率ｎ_2-ave、第２部材構成層５３を構成する材料の屈折率ｎ₂、光吸収層を構成する材料の屈折率ｎ₂’を、以下の表２に示す。

更には、実施例１、あるいは、後述する実施例２〜実施例９において、光反射層５０の上（第１部材５１及び第２部材５２の上）には、保護膜３１及び封止材料層３２が更に備えられている。Ｓｉ_1-yＮ_yから成る保護膜３１の屈折率ｎ₃、エポキシ系樹脂から成る封止材料層３２の屈折率ｎ₄を以下の表２に示すが、
｜ｎ₃−ｎ₄｜≦０．３
を満足している。保護膜３１は、有機層２３への水分の到達防止を目的として、プラズマＣＶＤ法に基づき形成されている。尚、第１部材５１と保護膜３１を同時に形成し、第１部材５１と保護膜３１とが一体となった構造としてもよい。また、図１においては、第１部材５１の頂面と、第２部材５２上の第２電極２２の頂面とを同一レベルで示しているが、第１部材５１は第２部材５２の頂面上の第２電極２２を覆っていてもよい。即ち、第１部材５１は全面を覆っていてもよい。

［表２］
実数部 虚数部
ｎ₁ １．８１ ０
ｎ_2-ave １．４８ ０
ｎ₂ １．４６ ０
ｎ₂’ １．５４ ０
ｎ₃ １．８１ ０
ｎ₄ １．６５ ０

以下、実施例１の有機ＥＬ表示装置の製造方法の概要を、図１５Ａ、図１５Ｂ、図１５Ｃ、図１６Ａ、図１６Ｂ及び図１７を参照して説明するが、実施例１の有機ＥＬ表示装置は、
第１基板１１上に層間絶縁層を形成し、層間絶縁層上に第１電極２１を形成した後、
第１電極２１及び層間絶縁層上に第２部材形成層を形成し、次いで、第１電極２１上の第２部材形成層を選択的に除去することで、開口部２５の斜面が傾斜した第２部材５２を得た後、
開口部２５の底部に露出した第１電極２１上から開口部２５の斜面に亙り、発光部２４及び第２電極２２を形成し、次いで、開口部２５の斜面の上に光反射膜７１を形成した後、
第２電極２２上に第１部材５１を形成する、
各工程に基づき製造することができる。

［工程−１００］
先ず、第１基板１１上に、副画素毎にＴＦＴを、周知の方法で作製する。ＴＦＴは、第１基板１１上に形成されたゲート電極１２、第１基板１１及びゲート電極１２上に形成されたゲート絶縁膜１３、ゲート絶縁膜１３上に形成された半導体層に設けられたソース／ドレイン領域１４、並びに、ソース／ドレイン領域１４の間であって、ゲート電極１２の上方に位置する半導体層の部分が相当するチャネル形成領域１５から構成されている。尚、図示した例にあっては、ＴＦＴをボトムゲート型としたが、トップゲート型であってもよい。ＴＦＴのゲート電極１２は、走査回路（図示せず）に接続されている。次に、第１基板１１上に、ＴＦＴを覆うように、ＳｉＯ₂から成る下層層間絶縁層１６ＡをＣＶＤ法にて成膜した後、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、下層層間絶縁層１６Ａに開口１６’を形成する（図１５Ａ参照）。

［工程−１１０］
次いで、下層層間絶縁層１６Ａ上に、真空蒸着法とエッチング法との組合せに基づき、アルミニウムから成る配線１７を形成する。尚、配線１７は、開口１６’内に設けられたコンタクトプラグ１７Ａを介して、ＴＦＴのソース／ドレイン領域１４に電気的に接続されている。配線１７は、信号供給回路（図示せず）に接続されている。そして、全面にＳｉＯ₂から成る上層層間絶縁層１６ＢをＣＶＤ法にて成膜する。次いで、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、上層層間絶縁層１６Ｂ上に開口１８’を形成する（図１５Ｂ参照）。

［工程−１２０］
その後、上層層間絶縁層１６Ｂ上に、真空蒸着法とエッチング法との組合せに基づき、Ａｌ−Ｎｄ合金から成る第１電極２１を形成する（図１５Ｃ参照）。尚、第１電極２１は、開口１８’内に設けられたコンタクトプラグ１８を介して、配線１７に電気的に接続されている。

［工程−１３０］
次いで、光吸収層５４を含む第２部材５２を形成する。具体的には、全面に、第２部材形成層５２Ａ（第２部材構成層５３を形成するためのＳｉＯ₂層及び光吸収層５４を形成するためのカーボンブラックを含む樹脂層の積層構造）を形成し、第２部材形成層５２Ａ上にレジスト材料層５２Ｂを形成する。次いで、レジスト材料層５２Ｂを露光、現像することで、レジスト材料層５２Ｂに開口部５２Ｃを形成する（図１６Ａ参照）。その後、ＲＩＥ法に基づき、レジスト材料層５２Ｂ及び第２部材形成層５２Ａをエッチングすることで、テーパー形状を第２部材形成層５２Ａに付与し（図１６Ｂ参照）、最終的に、開口部２５の側壁が傾斜した第２部材５２（第２部材構成層５３及び光吸収層５４の積層構造）を得ることができる（図１７参照）。開口部２５は、切頭円錐形の形状を有する。尚、エッチング条件の制御によってテーパー形状を第２部材形成層５２Ａに付与することができる。但し、第２部材５２の形成方法は、このような形成方法に限定されず、例えば、全面に、アクリル系樹脂あるいはポリイミド系樹脂から成る第２部材形成層を成膜した後、フォトリソグラフィ技術及びウェットエッチング技術に基づき図１７に示す第２部材５２を形成してもよい。

［工程−１４０］
次に、開口部２５の底部に露出した第１電極２１の部分の上を含む第２部材５２上に（即ち、全面に）、有機層２３を形成する。尚、有機層２３は、例えば、有機材料から成る正孔注入層及び正孔輸送層、発光層並びに電子輸送層が順次積層されている。有機層２３は、抵抗加熱に基づき、有機材料を真空蒸着することで得ることができる。

［工程−１５０］
その後、表示領域の全面に第２電極２２を形成する。第２電極２２は、Ｎ×Ｍ個の有機ＥＬ素子を構成する有機層２３の全面を覆っている。第２電極２２は、第２部材５２及び有機層２３によって第１電極２１とは絶縁されている。第２電極２２は、有機層２３に対して影響を及ぼすことのない程度に成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法である真空蒸着法に基づき形成されている。また、有機層２３を大気に暴露することなく、有機層２３の形成と同一の真空蒸着装置内において連続して第２電極２２の形成を行うことで、大気中の水分や酸素による有機層２３の劣化を防止することができる。具体的には、Ｍｇ−Ａｇ（体積比１０：１）の共蒸着膜を厚さ１０ｎｍ成膜することで、第２電極２２を得ることができる。

［工程−１６０］
次に、第２部材５２の傾斜した側壁の上に（具体的には、第２電極２２上に）、Ａｌ−Ｎｄから成る光反射膜７１をスパッタリング法及びエッチング技術に基づき形成する。

［工程−１７０］
次いで、全面に（具体的には、第２電極２２及び光反射膜７１上に）、窒化シリコン（Ｓｉ_1-xＮ_x）から成る第１部材５１を形成し、平坦化処理を施すことで、第１部材５１及び第２部材５２から成る光反射層５０を得ることができる。

［工程−１８０］
その後、光反射層５０上に、窒化シリコン（Ｓｉ_1-yＮ_y）から成る絶縁性の保護膜３１を真空蒸着法に基づき形成する。尚、第１部材５１と保護膜３１を同時に形成し、第１部材５１と保護膜３１とが一体となった構造としてもよい。このような構造にあっては、開口部２５の影響によって保護膜３１の頂面に凹部が形成される場合があるが、上述したとおり｜ｎ₃−ｎ₄｜の値を規定することで、この凹部において発光素子１０から出射された光が散乱されることを効果的に防止することができる。

［工程−１９０］
次いで、カラーフィルター３３が形成された第２基板３４と、保護膜３１が形成された第１基板１１とを、封止材料層３２を用いて接着する。最後に、外部回路との接続を行うことで、有機ＥＬ表示装置を完成させることができる。

このような実施例１の有機ＥＬ表示装置の製造方法にあっては、第２電極２２上に、直接、第１部材５１を形成することができるので、第２電極２２とリフレクタとの間に接着層が存在することに起因した発光素子から出射された光の取出しロスが無い。

実施例１の有機ＥＬ表示装置において、第１基板は、各発光素子からの光を伝播して外部に出射する第１部材（発光領域を占める）、及び、第１部材と第１部材との間を占める第２部材（非発光領域を占める）を備えており、第２部材には光吸収層が設けられているので、第２部材に入射した外光は、光吸収層によって吸収され、有機ＥＬ表示装置から外部に出射され難い。それ故、有機ＥＬ表示装置のコントラストの向上を図ることができる。また、各発光素子からの光が第１部材によって全反射されることを抑制することができる。即ち、発光素子と第１部材とは接しているので、具体的には、第２電極と第１部材とは直接接しているので、各発光素子からの光が第１部材によって全反射されることを抑制することができ、各発光素子からの光を大幅に損失すること無く外部に取り出すことができる。

実施例２は、実施例１の変形である。模式的な一部断面図を図２に示すように、実施例２の有機ＥＬ表示装置において、光吸収層５４は、第２部材５２の中間部に設けられている。即ち、第１基板側から、第２部材構成層５３、光吸収層５４、第２部材構成層５３が積層された構造を有する。以上の点を除き、実施例２の有機ＥＬ表示装置は、実施例１の有機ＥＬ表示装置の同じ構成、構造を有するので、詳細な説明は省略する。

実施例３も、実施例１の変形である。模式的な一部断面図を図３に示すように、実施例３の有機ＥＬ表示装置において、光吸収層５４は、第２部材５２の頂部に設けられている。即ち、第１基板側から、第２部材構成層５３、第２部材５２が積層された構造を有する。以上の点を除き、実施例３の有機ＥＬ表示装置は、実施例１の有機ＥＬ表示装置の同じ構成、構造を有するので、詳細な説明は省略する。

実施例４も、実施例１の変形である。模式的な一部断面図を図４に示すように、実施例４の有機ＥＬ表示装置において、第２部材５２は光吸収層５４から構成されている。即ち、光吸収層５４は、第２部材５２の全体を占めている。以上の点を除き、実施例４の有機ＥＬ表示装置は、実施例１の有機ＥＬ表示装置の同じ構成、構造を有するので、詳細な説明は省略する。

実施例５は、実施例１〜実施例４の変形である。実施例１〜実施例４にあっては、光反射膜７１をＡｌ−Ｎｄから構成した。一方、模式的な一部断面図を図５に示すように、実施例５にあっては、光反射膜（光反射部）７２を樹脂から構成した。ここで、実施例５の有機ＥＬ表示装置における光反射膜７２は、第１部材５１を構成する材料の屈折率ｎ₁よりも小さな屈折率ｎ₂”を有する材料から構成されている。実施例５における第１部材５１、第２部材構成層５３、光吸収層５４、光反射膜７２を構成する材料、屈折率ｎ₁，ｎ₂，ｎ₂’，ｎ₂”の実数部を、以下の表３に例示する。尚、虚数部の値は「０」である。また、
ｎ₁−ｎ₂”≧０．２
を満足している。ｎ_2-aveの値は１．５８である。

［表３］
第１部材５１を構成する材料 窒化シリコン
（屈折率ｎ₁：１．８１）
第２部材構成層５３を構成する材料 アクリル系樹脂
（屈折率ｎ₂：１．５４）
光吸収層５４を構成する材料 カーボンブラックを含むアクリル系樹脂
（屈折率ｎ₂’：１．６６／厚さ：１．７μｍ）
光反射膜７２を構成する材料 低屈折アクリル系樹脂
（屈折率ｎ₂”：１．４０／厚さ：３．０μｍ）

以上の点を除き、実施例５の有機ＥＬ表示装置は、実施例１〜実施例４の有機ＥＬ表示装置の同じ構成、構造を有するので、詳細な説明は省略する。

実施例５において、１ワットの外光が有機ＥＬ表示装置に入射角θ_inで入射したとき、この外光が、光吸収層５４で吸収され、有機ＥＬ表示装置から出射される状態をシミュレーションした。また、光吸収層５４を設けない有機ＥＬ表示装置を比較例として、同様のシミュレーションした。そして、外光光量割合及び外光吸収率を求めた。尚、光吸収層５４を設けた各実施例の有機ＥＬ表示装置に対するこのような比較例を、『対応比較例』と呼ぶ場合がある。

外光光量割合＝（実施例における有機ＥＬ表示装置から出射される外光の光量）
／（対応比較例における有機ＥＬ表示装置から出射される外光の光量）
外光吸収率＝１−外光光量割合

シミュレーションを簡素化するために、保護膜３１及び封止材料層３２の全体を、屈折率１．６０、厚さ３．０μｍの樹脂層にて置き換えてシミュレーションを行った。また、切頭円錐形の第１部材５１の斜面の傾斜角度（θ）を、原則として、７３度とし、切頭円錐形の第１部材の頂部の開口直径を７．０μｍとした。更には、光吸収層５４を含む第２部材５２の全体の厚さを５．０μｍとし、光吸収層５４の厚さを、原則として、（５／３）μｍ、構造間距離を、原則として、０μｍとした。

入射角θ_in＝１５度としたときのシミュレーション結果を、以下の表４に示す。表４には、併せて、輝度効率のシミュレーション結果を示す。ここで、輝度効率とは、発光層から出射された光の光エネルギーを「１」としたとき、有機ＥＬ表示装置の外部に取り出される光エネルギーの割合であり、且つ、対応比較例における輝度効率を「１」としたときの実施例の値である。

更には、実施例５Ａ及び実施例５Ａに対応する対応比較例５Ａの外光光量割合をシミュレーションした結果のグラフを図２０Ａに示す。また、図２０Ａに示す結果を基に、外光吸収率を求めた結果を図２０Ｂに示す。更には、光吸収層５４を、第２部材５２の下部に設ける代わりに、第２部材５２の頂部に設けたときのシミュレーション結果を図２０Ｃに示す。尚、図２０Ａ、図２０Ｂ、図２０Ｃにおける横軸は外光の入射角θ_inであり、図２０Ａ、図２０Ｃにおける縦軸は反射光量（単位：ワット）であり、図２０Ｂにおける縦軸は外光反射率である。また、図２０Ａ、図２０Ｃにおいて、実施例の結果を黒の棒グラフで示し、対応比較例の結果を白抜きの棒グラフで示す。

また、光吸収層５４を第２部材５２の中間部に設けた場合（実施例５Ｅ）、厚さ（５／３）μｍの光吸収層５４を第２部材５２の頂部に設けた場合（実施例５Ｆ）、厚さ５／１２μｍの光吸収層５４を第２部材５２の頂部に設けた場合（実施例５Ｇ）、第２部材５２が光吸収層５４から構成されている場合（実施例５Ｈ）のそれぞれにおけるシミュレーション結果を、表４に示す。

［表４］

表４から、光吸収層５４を設けることで、外光光量割合の値が充分に低下していることが判る。また、外光光量割合の値の、切頭円錐形の第１部材５１の斜面の傾斜角度（θ）に対する依存性（実施例５Ｂ参照）、光吸収層５４を構成する材料の屈折率ｎ₂’に対する依存性（実施例５Ｃ参照）は認められないことが判った。更には、構造間距離を、０μｍから４μｍにすると（実施例５Ｄ参照）、非発光領域を占める第２部材５２の面積、更には、光吸収層５４の面積が増加し、外光光量割合の値は大幅に低下することが判った。また、光吸収層５４を、第２部材５４の下部に設けても（例えば、実施例５Ａ参照）、第２部材５４の中間部に設けても（実施例５Ｅ参照）、第２部材５４の頂部に設けても（実施例５Ｆ及び実施例５Ｇ参照）、更には、光吸収層５４が第２部材５２の全体を占めている構成としても（実施例５Ｈ参照）、充分な外光光量割合の値を得ることができることが判った。更には、実施例５Ａにおいて、光吸収層５４の厚さを、それぞれ、（５／６）μｍ、（５／１２）μｍとしても、実施例５Ａと同程度の外光光量割合の値が得られた。

尚、輝度効率の値が、若干、低下している場合があるが、これは、図２１に視野角に対する輝度のシミュレーション結果（「Ａ」のグラフ参照）を示すように、視野角２０度前後で、対応比較例（「Ｂ」のグラフ参照）に対して輝度が、若干、低下しているためであり、この輝度の若干の低下は、発光層から出射された光が、若干、光吸収層５４で吸収されていることに起因する。但し、実施例における輝度効率の低下は、実用上、問題となる値ではない。

実施例６も、実施例１〜実施例４の変形であるが、本開示の第３の形態の有機ＥＬ表示装置に関する。実施例６の有機ＥＬ表示装置にあっては、模式的な一部断面図を図６に示すように、実施例１〜実施例４の有機ＥＬ表示装置とは異なり、光反射膜７１が形成されておらず、その代わりに、第１部材５１を構成する材料の屈折率ｎ₁、光吸収層５４を含む第２部材５２を構成する材料の平均屈折率ｎ_2-aveに関して、
１．１≦ｎ₁≦１．８
好ましくは、
１．２≦ｎ₁≦１．６
を満足し、且つ、
ｎ₁−ｎ_2-ave≧０．２
好ましくは、
ｎ₁−ｎ_2-ave≧０．３
を満足している。また、光吸収層５４を除く第２部材５２を構成する材料の屈折率ｎ₂、光吸収層５４を構成する材料の屈折率ｎ₂’に関して、
ｎ₁−ｎ₂≧０．２
好ましくは、
ｎ₁−ｎ₂≧０．３
を満足し、
ｎ₁−ｎ₂’≧０．２
好ましくは、
ｎ₁−ｎ₂’≧０．３
を満足している。実施例６の有機ＥＬ表示装置にあっては、第１部材５１と対向する第２部材５２の表面において（即ち、第１部材５１と第２部材５２との界面において）、第１部材５１を伝播した光が、少なくとも一部分、反射される。第１部材５１と対向する第２部材５２の表面（あるいは第１部材５１と第２部材の界面５２）を、光反射部７３と呼ぶ。尚、より具体的には、第１部材５１と第２部材５２との間に有機層２３及び第２電極２２が形成されているので、第２部材５２と有機層２３との界面において、第１部材５１を伝播した光が、少なくとも一部分、反射される。

第１部材５１を構成する材料、第２部材構成層５３を構成する材料、光吸収層５４を構成する材料として、実施例１において挙げた材料を例示することができるし、あるいは又、実施例５において挙げた材料を例示することができる。実施例６にあっては、実施例１、実施例５と異なり、光反射膜７１，７２を形成しないので、製造工程の簡素化を図ることができる。

実施例６及び実施例１の有機ＥＬ表示装置における輝度の放射角分布をシミュレーションした。その結果、実施例６の構成、構造を有する有機ＥＬ表示装置（但し、ｎ₁−ｎ₂＝０．２０）と、実施例１の有機ＥＬ表示装置との間で、輝度の放射角分布に差異は認められなかった。云い換えれば、ｎ₁−ｎ₂≧０．２０とすれば、第１部材５１と対向する第２部材５２の表面に光反射膜７１を形成した実施例１の有機ＥＬ表示装置と同等の輝度向上効果を、実施例６の有機ＥＬ表示装置において得ることができることが判った。

実施例６の有機ＥＬ表示装置にあっては、屈折率ｎ₁の値、及び、屈折率ｎ₁と平均屈折率ｎ_2-aveとの差の値が規定されているので、第１部材５１と第２部材５２との界面（光反射部７３）に光反射部材等を設けなくとも、発光素子１０からの外部への光取出し効率の一層の向上を図ることができる。また、各発光素子１０からの光が第１部材５１によって全反射されることを抑制することができる。即ち、発光素子１０と第１部材５１とは接しているので、具体的には、第２電極２２と第１部材５１とは直接接しているので、各発光素子１０からの光が第１部材５１によって全反射されることを抑制することができ、各発光素子１０からの光を大幅に損失すること無く外部に取り出すことができる。

実施例６の有機ＥＬ表示装置は、例えば、実施例１において説明した有機ＥＬ表示装置の製造方法と同じ製造方法（但し、光反射膜７１を形成する点を除く）で製造することができる。

あるいは又、
第１部材５１と相補的な形状を有するスタンパを準備し、
支持基板上に樹脂材料を塗布した後、
スタンパを用いて樹脂材料を賦形した後、スタンパを取り除き、凸部を有する樹脂材料層を得た後、
樹脂材料層の凸部の頂部を平坦化し、次いで、樹脂材料層の凸部と凸部との間を接着剤層で埋め込み、その後、
支持基板から樹脂材料層を剥がし、接着剤層を第１基板１１に接着し、以て、接着剤層から成る第２部材５２（光吸収層５４を含む）、及び、樹脂材料層から成る第１部材５１を得る、
各工程に基づき製造することができる。このように、スタンパを用いて接着剤層から成る第２部材５２（光吸収層５４を含む）及び樹脂材料層から成る第１部材５１を得ることで、簡素な製造方法にて、発光素子１０からの外部への光取出し効率の一層の向上を図ることができる有機ＥＬ表示装置を製造することができる。

以下、このような製造方法、より具体的には、光反射層５０の作製方法を、図１８Ａ、図１８Ｂ、図１８Ｃ及び図１８Ｄを参照して説明する。

［工程−６００］
先ず、第１部材５１と相補的な形状を有するスタンパを準備する。具体的には、第１部材５１と相補的な形状を有するスタンパ（雌型）６０を、電鋳、エッチング、その他の切削加工等の公知技術を利用して形成する。

［工程−６１０］
一方、支持基板上に樹脂材料を塗布する。具体的には、例えば、光透過性を有するガラス基板から成る支持基板６１上に、紫外線硬化型の樹脂材料６２を塗布（形成）する（図１８Ａ参照）。

［工程−６２０］
そして、スタンパ６０を用いて樹脂材料６２を賦形した後、スタンパ６０を取り除き、凸部６４を有する樹脂材料層６３を得る。具体的には、この樹脂材料６２にスタンパ６０を押し付けた状態で、支持基板６１の側からエネルギー線（具体的には、紫外線）を照射することで樹脂材料６２を硬化させ、樹脂材料層６３を得た後（図１８Ｂ参照）、スタンパ６０を取り除く。こうして、凸部６４を有する樹脂材料層６３を得ることができる（図１８Ｃ参照）。樹脂材料層６３の凸部６４が、第１部材５１に相当する。

［工程−６３０］
その後、樹脂材料層６３の凸部６４の頂部を平坦化し、次いで、樹脂材料層６３の凸部６４と凸部６４との間を接着剤層６５で埋め込む（図１８Ｄ参照）。尚、接着剤層６５は、第２部材構成層５３を形成するための層及び光吸収層５４を形成するための層の積層構造である。

［工程−６４０］
次いで、支持基板６１から樹脂材料層６３を剥がし、発光素子等が形成された第１基板１１に樹脂材料層６３を載置し、即ち、接着剤層６５が発光素子１０からの光の出射を妨げないように接着剤層６５を第２電極２２の上に配置し、接着剤層６５によって接着する。尚、第１基板１１は、［工程−１００］〜［工程−１２０］に引き続き、第１電極２１及び上層層間絶縁層１６Ｂ上において、有機層２３の形成及び第２電極２２の形成を［工程−１４０］〜［工程−１５０］と同様にして実行することで得ることができる。こうして、接着剤層６５から成り、光吸収層５４を含む第２部材５２、及び、樹脂材料層６３から成る第１部材５１から構成された光反射層５０を得ることができる。

［工程−６５０］
その後、光反射層５０上に絶縁性の保護膜３１をプラズマＣＶＤ法に基づき形成する。そして、カラーフィルター３３が形成された第２基板３４と、保護膜３１が形成された第１基板１１とを、封止材料層３２を用いて接着する。最後に、外部回路との接続を行うことで、有機ＥＬ表示装置を完成させることができる。尚、紫外線硬化型の樹脂材料６２の代わりに、熱硬化型の樹脂材料や、熱可塑性樹脂を用いることもできる。

第１部材５１は切頭円錐形（あるいは切頭回転体）の形状を有し、光入射面（実施例６にあっては、第１基板１１に対向する面）の直径をＲ₁、光出射面（実施例６にあっては、第２基板３４に対向する面）の直径をＲ₂、高さをＨとしたとき、これらの値は、例えば、以下の表５に示すとおりであり、
０．５≦Ｒ₁／Ｒ₂≦０．８
０．５≦Ｈ／Ｒ₁ ≦２．０
を満足している構成とすることもできる。尚、切頭円錐形の斜面は直線状である。即ち、第１部材５１の軸線を含む仮想平面で第１部材５１を切断したときの第１部材５１の断面形状は台形である。

［表５］

あるいは又、実施例６の有機ＥＬ表示装置の変形例（実施例６Ａ）にあっては、実施例６の構成、構造を有する有機ＥＬ表示装置において、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｈ、切頭円錐形の第１部材の斜面の傾斜角度（θ）、保護膜３１の厚さ、封止材料層３２の厚さ、カラーフィルター３３の厚さ、発光部２４の直径Ｒ₀（具体的には、第１電極２１の直径）、発光部２４の中心から隣接する発光部２４の中心までの距離（発光部形成ピッチ）、開口率を、表５に示す値とした。このような実施例６Ａの有機ＥＬ表示装置は、例えば、電子ビューファインダー（ＥＶＦ）や頭部装着型ディスプレイ（ＨＭＤ）に好ましくは適用される高精細表示装置である。また、光反射層５０の代わりにＳｉＯ₂層を設けたことを除き、実施例６Ａの有機ＥＬ表示装置と同じ構成、構造を有する有機ＥＬ表示装置を比較例６Ａとした。

そして、実施例６Ａ及び比較例６Ａの有機ＥＬ表示装置における輝度の放射角分布をシミュレーションした。その結果、放射角が±１０度の範囲内にあっては、比較例６Ａに比べて、実施例６Ａの有機ＥＬ表示装置の輝度効率は２倍以上高く、駆動電流密度は０．４倍以下となった。また、カラーフィルターが０．３μｍ水平方向にずれたと想定したとき、比較例６Ａに比べて、実施例６Ａの有機ＥＬ表示装置の輝度効率は２倍以上高く、駆動電流密度は０．４倍以下となり、混色割合は約１％となった。また、発光素子１０の中心部からの光の光量を「１」としたとき、実施例６Ａの有機ＥＬ表示装置において、発光素子１０から第１部材５１及び第２基板３４を介して外部に出射される光の光量は、「１．６」であった。

あるいは又、実施例６Ｂにあっては、有機ＥＬ表示装置をテレビジョン受像機とした。実施例６Ｂにおいては、１副画素の大きさが実施例６の１副画素の大きさよりも大きい。従って、１つの発光素子１０によって１つの副画素を構成すると、必然的に光反射層５０の厚さが厚くなってしまう。それ故、実施例６Ｂにあっては、複数の（具体的には、６４個の）発光素子１０が集合して１つの副画素が構成されている。尚、１つの発光素子１０の大きさは、例えば１０μｍ×１０μｍであり、
０．５≦Ｒ₁／Ｒ₂≦０．８
０．５≦Ｈ／Ｒ₁ ≦２．０
を満足している。切頭円錐形の斜面は直線状である。また、副画素の配列は、図１４に示すように、ストライプ配列である。尚、図１４では、図面の簡素化のため、１つの副画素が３つの発光素子１０の集合体から構成されているように図示している。

実施例６Ｂの有機ＥＬ表示装置にあっては、実施例６と基本的に同様の構成、構造を有する有機ＥＬ表示装置において、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｈ、切頭円錐形の第１部材の斜面の傾斜角度（θ）、保護膜３１の厚さ、封止材料層３２の厚さ、カラーフィルター３３の厚さ、発光部２４の直径Ｒ₀（具体的には、第１電極２１の直径）等を表５に示したとおりとした。実施例３の有機ＥＬ表示装置にあっても、第２電極２２と第１部材５１とは、直接、接している。また、光反射層５０の代わりにＳｉＯ₂層を設けた点、保護膜３１及び封止材料層３２を設ける代わりに接着層を設けた点を除き、実施例６Ｂの有機ＥＬ表示装置と同じ構成、構造を有する有機ＥＬ表示装置を比較例６Ｂとした。

そして、実施例６Ｂの有機ＥＬ表示装置と、比較例６Ｂの有機ＥＬ表示装置とにおいてシミュレーションを行い、正面輝度、光取出し効率、視野角４５度及び視野角６０度における正面輝度に対する輝度比の値を求めた。その結果、実施例６Ｂにあっては、比較例６Ｂに比べて、正面輝度及び光取出し効率は２倍以上、向上した。また、実施例６Ｂ、比較例６Ｂにおける輝度の放射角分布をシミュレーションした。比較例６Ｂにおける視野角０度での輝度を「１」としたとき、正面輝度に対する視野角４５度における輝度割合は０．８７、正面輝度に対する視野角６０度における輝度割合は０．７９となり、非常に高い値が得られた。

実施例６Ｂの有機ＥＬ表示装置にあっても、第２電極２２と第１部材５１とが、直接、接しているので、発光素子１０から出射された光を大幅に損失することが無く、格段に優れた特性を有している。また、実施例６Ｂの有機ＥＬ表示装置は、比較例６Ｂの有機ＥＬ表示装置よりも、正面輝度の値が高いだけでなく、大きな視野角において高い輝度相対値を有している。即ち、実施例６Ｂの有機ＥＬ表示装置は、観察者が有機ＥＬ表示装置をどの角度から眺めても、より高い輝度を有していることが判り、実施例６Ｂの有機ＥＬ表示装置は、テレビジョン受像機のための有機ＥＬ表示装置として好ましい有機ＥＬ表示装置である。

実施例７は、実施例６の変形である。実施例６においては、第１部材５１の頂面と第２部材５２の頂面を、略同一平面に位置させた。即ち、第２部材５２と第２部材５２との間を第１部材５１で充填した。一方、実施例７にあっては、図７に模式的な一部断面図を示すように、第２部材５２と第２部材５２との間に、層状の第１部材５１Ａを形成する。具体的には、第２電極２２上に、１．８０６の屈折率ｎ₁を有し、平均厚さ０．２μｍの層状の第１部材５１Ａを形成する。尚、第１電極２１の上方であって、第２部材５２及びその上に形成された層状の第１部材５１Ａによって囲まれた領域を、『領域５１Ｂ』と呼ぶ。そして、全面に、即ち、領域５１Ｂ、及び、第２部材５２の頂面の上方の領域には、窒化シリコン（Ｓｉ_1-yＮ_y）から成る絶縁性の保護膜３１が形成されている。更には、保護膜３１の上には、封止材料層３２、カラーフィルター３３が形成されている。尚、領域５１Ｂ内には封止材料層３２の一部が延在している。

以上の点を除き、実施例７の有機ＥＬ表示装置は、実施例６の有機ＥＬ表示装置と同様の構成、構造を有するので、詳細な説明は省略する。

実施例７Ａとして、層状の第１部材５１Ａの屈折率ｎ₁と保護膜３１の屈折率ｎ₃との差（｜ｎ₁−ｎ₃｜）を一定（＝０．２）とし、第１部材５１Ａの屈折率ｎ₁を変化させたときの光量比をシミュレーションした。ここで、比較例６Ｂの光量を「１．００」としている。また、第２部材５２の屈折率ｎ₂を１．６１としている。尚、この実施例７Ａの有機ＥＬ表示装置の光反射層のパラメータは、実施例６Ｂの有機ＥＬ表示装置の光反射層等のパラメータ（表５参照）及び副画素の配列と同じである。

シミュレーションの結果、層状の第１部材５１Ａの屈折率ｎ₁と保護膜３１の屈折率ｎ₃との差が０．２あれば、層状の第１部材５１Ａは光反射部（リフレクタ部）としての機能を十分に発揮し得ることが判った。また、保護膜３１の屈折率ｎ₃よりも層状の第１部材５１Ａの屈折率ｎ₁の方が高い場合、光量比が減少することが判った。更には、視野角と輝度相対値（比較例６Ｂにおける視野角０度での輝度を「１」として正規化した値）との関係を調べたところ、（n₃−ｎ₁）が０．２未満では、視野角−９０度から視野角約−４０度までは輝度相対値は増加し、視野角約−４０度から視野角０度まで輝度相対値は減少し、視野角０度から視野角約４０度まで輝度相対値は再び増加し、視野角約４０度から視野角９０度まで輝度相対値は再び減少するという、即ち、２つのピークが輝度相対値に存在するという結果が得られ、正面から有機ＥＬ表示装置を眺めたとき輝度が低下することが判った。以上のシミュレーション結果から、保護膜３１の屈折率ｎ₃から層状の第１部材５１Ａの屈折率ｎ₁を減じた値（＝n₃−ｎ₁）は０．２以上であることが好ましいとの結論を得ることができた。

また、実施例７Ｂとして、保護膜３１の屈折率ｎ₃を１．８、一定とし、領域５１Ｂ内に延在している封止材料層３２の屈折率ｎ₄を変化させたときの光量比をシミュレーションした。ここで、第２部材５２の屈折率ｎ₂を１．６１、層状の第１部材５１Ａの屈折率ｎ₁を１．８０６としている。また、視野角と輝度相対値（視野角０度での輝度を「１」として正規化した値）との関係を調べた。この実施例７Ｂの有機ＥＬ表示装置の光反射層のパラメータは、実施例６Ｂの有機ＥＬ表示装置の光反射層のパラメータ（表５参照）及び副画素の配列と同じである。

シミュレーションの結果、保護膜３１の屈折率ｎ₃と封止材料層３２の屈折率ｎ₄との差が大きくなるに従い、光量比の値は減少する一方、大きな視野角の値における輝度相対値は、視野角０度の場合よりも高くなることが判った。そして、保護膜３１の屈折率ｎ₃を１．８としたとき、封止材料層３２の屈折率ｎ₄は１．５以上であることが好ましいことが判った。即ち、｜ｎ₃−ｎ₄｜≦０．３を満足することが好ましいことが判った。

更には、実施例７Ｃ及び実施例７Ｄとして、実施例６Ｂの有機ＥＬ表示装置の光反射層のパラメータ（表５参照）と同じパラメータを有し、また、副画素の配列と同じ配列を有する有機ＥＬ表示装置において、Ｒ₂の値を変化させたときの光量比をシミュレーションした。

シミュレーションの結果、Ｒ₂／Ｒ₁の値が大きくなるに従い、光量比の値は増加するが、Ｒ₂／Ｒ₁の値が「２．００」に近づくに従い、光量比の増加割合が低下することが判った。また、視野角と輝度相対値（比較例６Ｂにおける視野角０度での輝度を「１」として正規化した値）との関係を調べたところ、Ｒ₂／Ｒ₁の値が１．５あるいはそれ以下では、視野角−９０度から視野角が増加するに従い、輝度相対値は増加して第１の極大値を取った後、減少し、視野角０度で極小値を取り、増加して、第２の極大値を取った後、減少することが判った。以上の結果から、Ｒ₂／Ｒ₁の値は１．６以上、２．０以下であることが好ましいことが判った。

実施例８も、実施例６の変形である。図８に実施例８の有機ＥＬ表示装置の模式的な一部断面図を示すように、領域５１Ｂ内に、封止材料層３２の一部を延在させる代わりに、保護膜３１の屈折率ｎ₃よりも高い屈折率ｎ₅を有する高屈折率領域５１Ｃを設ける。これによって、保護膜３１から高屈折率領域５１Ｃに侵入し、保護膜３１と高屈折率領域５１Ｃとの界面である斜面５１Ｄに衝突した光の多くは、高屈折率領域５１Ｃに戻される結果、発光素子からの外部への光取出し効率の一層の向上を図ることができる。尚、例えば、
ｎ₅−ｎ₃≧０．３
を満足することが好ましい。以上の点を除き、実施例８の有機ＥＬ表示装置は、実施例６の有機ＥＬ表示装置と同様の構成、構造を有するので、詳細な説明は省略する。

実施例９も、実施例６の変形であるが、実施例９にあっては、各発光素子１０からの光は第１基板１１を介して外部に出射される。即ち、実施例９の表示装置は、下面発光型の表示装置である。実施例９の表示装置（アクティブマトリックス型のカラー表示の有機ＥＬ表示装置）の模式的な一部断面図を図９に示す。尚、副画素の配列状態は、図１３Ａ、図１３Ｂに示したと同様である。

第１部材５１は切頭円錐形（あるいは切頭回転体）の形状を有し、光入射面（実施例９にあっては、第２基板３４に対向する面）の直径をＲ₁、光出射面（実施例９にあっては、第１基板１１に対向する面）の直径をＲ₂、高さをＨとしたとき、例えば、
Ｒ₁ ＝２．３μｍ
Ｒ₂ ＝３．８μｍ
Ｒ₁／Ｒ₂＝０．６１
Ｈ ＝１．５μｍ
Ｒ₀ ＝２．０μｍ
であり、
０．５≦Ｒ₁／Ｒ₂≦０．８
０．５≦Ｈ／Ｒ₁ ≦２．０
を満足している。尚、切頭円錐形の斜面は直線状である。即ち、第１部材５１の軸線を含む仮想平面で第１部材５１を切断したときの第１部材５１の断面形状は台形である。

実施例９においては、第２電極２２をアノード電極として用い、第１電極２１をカソード電極として用いる。第２電極２２は、光反射材料、具体的には、Ａｌ−Ｎｄ合金から成り、第１電極２１は、半光透過材料、具体的には、マグネシウム（Ｍｇ）を含む導電材料、より具体的には、厚さ１０ｎｍのＭｇ−Ａｇ合金から成る。第２電極２２は、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法によって成膜されている。また、第１電極２１は、真空蒸着法とエッチング法との組合せに基づき形成されている。第１電極２１及び第２電極２２の屈折率測定結果、第１電極２１の平均光反射率測定結果、第２電極２２の平均光透過率測定結果は、実施例１に示したと同様である。但し、実施例１の測定値において、「第１電極２１」を『第２電極２２』と読み替え、「第２電極２２」を『第１電極２１』と読み替える。

実施例９において、有機ＥＬ素子を構成する第１電極２１は、第１部材５１及び第２部材５２から成る光反射層５０上に設けられている。そして、この光反射層５０は、第１基板１１上に形成された有機ＥＬ素子駆動部（図示せず）を覆っている。有機ＥＬ素子駆動部は、複数のＴＦＴから構成されており、ＴＦＴと第１電極２１とは、第２部材５２に設けられたコンタクトプラグ、配線（これらも図示せず）を介して電気的に接続されている。場合によっては、有機ＥＬ素子駆動部を発光部２４の上方に設けてもよい。

実施例９において、発光部２４の上には、実施例１と同様に、保護膜３１及び封止材料層３２が更に備えられている。また、発光部２４は、絶縁層２６によって囲まれている。

実施例９の構成、構造を有する有機ＥＬ表示装置において、
Ｒ₁ ＝２．３μｍ
Ｒ₂ ＝３．８μｍ
Ｈ ＝１．５μｍ
切頭円錐形の第１部材の斜面の傾斜角度：６３度
とし、保護膜３１の厚さを３．０μｍ、封止材料層３２の厚さを１０μｍ、カラーフィルター３３の厚さを２．０μｍとし、発光部２４の直径（具体的には、第１電極２１の直径）を２．０μｍとしたときの実施例９Ａの有機ＥＬ表示装置と、光反射層５０の代わりにＳｉＯ₂層を設けたことを除き、実施例９Ａの有機ＥＬ表示装置と同じ構成、構造を有する比較例９Ａの有機ＥＬ表示装置における輝度の放射角分布をシミュレーションした。その結果、放射角が±１０度の範囲内にあっては、比較例９Ａに比べて、実施例９Ａの有機ＥＬ表示装置の輝度効率は２．２倍高かった。また、駆動電流密度は０．４倍となった。また、カラーフィルターが０．３μｍ水平方向にずれたと想定したときには、実施例９Ａの有機ＥＬ表示装置の輝度効率は２．３倍高く、駆動電流密度は０．５倍となり、混色割合は１．３％となった。

実施例９の有機ＥＬ表示装置にあっても、第１部材５１の屈折率ｎ₁の値、及び、第１部材５１の屈折率ｎ₁と第２部材５２の平均屈折率ｎ_2-aveとの差を規定することで、第１部材５１と対向する第２部材５２の表面において（即ち、第１部材５１と第２部材５２との界面において）、即ち、光反射部７３において、光反射部材等を設けなくとも、第１部材５１を伝播した光を、少なくとも一部分、確実に反射することができるし、各発光素子１０からの光が第１部材５１によって全反射されることを確実に防止することができる。尚、実施例９の有機ＥＬ表示装置の構造を実施例６Ｂの有機ＥＬ表示装置に適用し、有機ＥＬ表示装置をテレビジョン受像機とすることもでき、この場合には、実施例６Ｂと同様に、複数の発光素子１０が集合して１つの副画素を構成すればよい。

また、実施例９の下面発光型の表示装置に対して、実施例１〜実施例５において説明した光反射膜７１，７２を適用することもできる。

実施例１０も、実施例１〜実施例４の変形であるが、本開示の第４の形態の有機ＥＬ表示装置に関する。実施例１０の本開示の有機ＥＬ表示装置にあっては、模式的な一部断面図を図１０に示すように、発光素子１０から出射され、第１部材５１を通過し、第２基板３５の第１面３５Ａから第２基板３５に入射した光の一部を、反射し、第２基板３５の第２面３５Ｂから出射させる光反射部材（光反射膜）７４が、第２基板３５に形成されている。ここで、第２基板３５は第２電極２２の上方に固定されており、第１面３５Ａは第２電極２２と対向し、第２面３５Ｂは第１面３５Ａと対向する。

より具体的には、第２基板３５の第１面３５Ａから内部に亙り、発光層２３から第２電極２２を介して出射され、第２基板３５に入射した光の一部を反射して、第２基板３５の第２面３５Ｂから出射する光反射部材（光反射膜）７４が形成されている。図１１に模式的な配置図を示すように、複数の発光素子１０の配列はストライプ配列であり、１つの発光素子１０に対して複数の光反射部材７４が設けられている。

光反射部材を備えた第２基板は、構成する材料にも依るが、例えば、第１面に凹部をスタンパを用いて形成し、あるいは又、第１面に凹部を切削加工に基づき形成し、係る凹部の露出した表面に光反射部材を形成した後、凹部を埋め込むといった方法で作製することができる。

即ち、光反射部材７４は、図１０に示すように、例えば、第２基板３５の第１面３５Ａに凹部４１を切削加工に基づき形成し、係る凹部４１の露出した表面に、例えば、真空蒸着法に基づき光反射部材７４を形成した後、凹部４１を、例えば、アクリル系樹脂から成る充填材料４２で埋め込むといった方法で作製することができる。尚、充填材料４２を用いる代わりに、接着層３２によって、第２基板３５を貼り合わせると同時に凹部４１を埋め込んでもよい。

光反射部材（光反射膜）７４を有する例えば第２基板３５の別の作製方法を、以下、図１９Ａ、図１９Ｂ、図１９Ｃ及び図１９Ｄを参照して説明する。具体的には、先ず、光反射部材７４と相補的な形状を有するスタンパ（雌型）６６を、電鋳、エッチング、その他の切削加工等の公知技術を利用して形成する。そして、例えば、光透過性を有するガラス基板から成る支持基板６７上に、紫外線硬化型の樹脂組成物６８を塗布して（図１９Ａ参照）、この樹脂組成物６８をスタンパ６６を用いて賦形する。具体的には、この樹脂組成物６８にスタンパ６６を押し付けた状態で紫外線を照射することで、樹脂組成物硬化物６８Ａを得た後（図１９Ｂ参照）、スタンパ６６を取り除くことで、樹脂組成物硬化物６８Ａの表面に光反射部材の形状を有する凹凸部を形成することができる。その後、樹脂組成物硬化物６８Ａの表面に、ＡｌやＡｇ等の光反射率の高い金属反射層（又は多層薄膜）７４’を、例えば真空蒸着法によって形成する（図１９Ｃ参照）。そして、金属反射層７４’が積層された樹脂組成物硬化物６８Ａの一部（凸部）を、例えばラッピング加工によって切削削除する（図１９Ｄ参照）。その後、凹部４１を充填材料４２で埋め込むことで、光反射部材７４を有する第２基板３５を得ることができる。

以上、好ましい実施例に基づき本開示を説明したが、本開示はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例における有機ＥＬ表示装置や有機ＥＬ素子の構成、構造、有機ＥＬ表示装置や有機ＥＬ素子を構成する材料等は例示であり、適宜変更することができる。

尚、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。
［Ａ０１］《表示装置》
（Ａ）第１電極、発光層を備えた有機層から構成された発光部、及び、第２電極が積層されて成る発光素子が、複数、形成された第１基板、並びに、
（Ｂ）第１基板と対向して配された第２基板、
を具備し、
第１基板は、
各発光素子からの光を伝播して外部に出射する第１部材、及び、
第１部材と第１部材との間を占める第２部材、
を備えており、
第２部材には、光吸収層が設けられている表示装置。
［Ａ０２］第１部材と第２部材との界面において、第１部材を伝播した光が、少なくとも一部分、反射される［Ａ０１］に記載の表示装置。
［Ａ０３］第１部材と第２部材との界面には光反射膜が形成されている［Ａ０１］に記載の表示装置。
［Ａ０４］第１部材を構成する材料の屈折率をｎ₁、光吸収層を含む第２部材を構成する材料の平均屈折率をｎ_2-aveとしたとき、
１．１≦ｎ₁≦１．８
ｎ₁−ｎ_2-ave≧０．２
を満足する［Ａ０１］に記載の表示装置。
［Ａ０５］第１部材は、Ｓｉ_1-xＮ_x、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＴｉＯ₂、Ｎｂ₂Ｏ₅、臭素含有ポリマー、硫黄含有ポリマー、チタン含有ポリマー、又は、ジルコニウム含有ポリマーから成り、光吸収層を除く第２部材は、ＳｉＯ₂、ＭｇＦ、ＬｉＦ、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系ポリマー、又は、シリコーン系ポリマーから成る［Ａ０４］に記載の表示装置。
［Ａ０６］発光素子から出射され、第１部材を通過し、第２基板の第１面から第２基板に入射した光の一部を、反射し、第２基板の第２面から出射させる光反射部材が、第２基板に形成されている［Ａ０１］に記載の表示装置。
［Ａ０７］第１部材及び第２部材の上に保護膜及び封止材料層が更に備えられており、
保護膜を構成する材料の屈折率をｎ₃、封止材料層を構成する材料の屈折率をｎ₄としたとき、
｜ｎ₃−ｎ₄｜≦０．３
を満足する［Ａ０１］乃至［Ａ０６］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ａ０８］発光素子の中心部からの光の光量を１としたとき、発光素子から第１部材及び第２基板を介して外部に出射される光の光量は、１．５乃至２．０である［Ａ０７］に記載の表示装置。
［Ａ０９］光吸収層は、第２部材の下部に設けられている［Ａ０１］乃至［Ａ０８］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ａ１０］光吸収層は、第２部材の中間部に設けられている［Ａ０１］乃至［Ａ０８］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ａ１１］光吸収層は、第２部材の頂部に設けられている［Ａ０１］乃至［Ａ０８］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ａ１２］光吸収層は、第２部材の全体を占めている［Ａ０１］乃至［Ａ０８］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ａ１３］カラーフィルターを備えている［Ａ０１］乃至［Ａ１２］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ａ１４］発光素子と第１部材とは接している［Ａ０１］乃至［Ａ１３］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ａ１５］各発光素子からの光は第２基板を介して外部に出射される［Ａ０１］乃至［Ａ１４］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ａ１６］１つの発光素子によって１つの画素が構成されている［Ａ０１］乃至［Ａ１５］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ａ１７］第１部材は切頭円錐形の形状を有し、光入射面の直径をＲ₁、光出射面の直径をＲ₂、高さをＨとしたとき、
０．５≦Ｒ₁／Ｒ₂≦０．８
０．５≦Ｈ／Ｒ₁ ≦２．０
を満足する［Ａ１６］に記載の表示装置。
［Ａ１８］複数の発光素子が集合して１つの画素が構成されている［Ａ０１］乃至［Ａ１５］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ａ１９］第１部材は切頭円錐形の形状を有し、光入射面の直径をＲ₁、光出射面の直径をＲ₂、高さをＨとしたとき、
０．５≦Ｒ₁／Ｒ₂≦０．８
０．５≦Ｈ／Ｒ₁ ≦２．０
を満足する［Ａ１８］に記載の表示装置。

１０・・・発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）、１１・・・第１基板、１２・・・ゲート電極、１３・・・ゲート絶縁膜、１４・・・ソース／ドレイン領域、１５・・・チャネル形成領域、１６・・・層間絶縁層、１６’，１８’・・・開口、１６Ａ・・・下層層間絶縁層、１６Ｂ・・・上層層間絶縁層、１７・・・配線、１７Ａ，１８・・・コンタクトプラグ、２１・・・第１電極、２２・・・第２電極、２３・・・有機層、２３Ａ・・・発光層、２３Ｂ・・・正孔注入層及び正孔輸送層、２３Ｃ・・・電子輸送層、２４・・・発光部、２５・・・開口部、２６・・・絶縁層、３１・・・保護膜、３２・・・封止材料層、３３・・・カラーフィルター、３４，３５・・・第２基板、３５Ａ・・・第２基板の第１面、３５Ｂ・・・第２基板の第２面、４１・・・凹部、４２・・・充填材料、５０・・・光反射層、５１・・・第１部材、５１Ｂ・・・第１電極の上方であって、第２部材及びその上に形成された層状の第１部材によって囲まれた領域、５１Ｃ・・・高屈折率領域、５１Ｄ・・・保護膜と高屈折率領域との界面である斜面、５２・・・第２部材、５２Ａ・・・第２部材形成層、５３・・・第２部材構成層、５４・・・光吸収層、６０，６６・・・スタンパ（雌型）、６１，６７・・・支持基板、６２，６８・・・樹脂材料、６３・・・樹脂材料層、６４・・・凸部、６５・・・接着剤層、７１，７２・・・光反射膜（光反射部）、７３・・・光反射部、７４・・・光反射膜、７４’・・・金属反射層（又は多層薄膜）

Claims (13)

1. （Ａ）第１電極、発光層を備えた有機層から構成された発光部、及び、第２電極が積層されて成る発光素子が、複数、形成された第１基板、並びに、
   （Ｂ）第１基板と対向して配された第２基板、
   を具備し、
   第１基板は、
   各発光素子からの光を伝播して外部に出射する第１部材、及び、
   第１部材と第１部材との間を占める第２部材、
   を備えており、
   第２部材には、光吸収層が設けられている表示装置。
2. 第１部材と第２部材との界面において、第１部材を伝播した光が、少なくとも一部分、反射される請求項１に記載の表示装置。
3. 第１部材と第２部材との界面には光反射膜が形成されている請求項１に記載の表示装置。
4. 第１部材を構成する材料の屈折率をｎ₁、光吸収層を含む第２部材を構成する材料の平均屈折率をｎ_2-aveとしたとき、
   １．１≦ｎ₁≦１．８
   ｎ₁−ｎ_2-ave≧０．２
   を満足する請求項１に記載の表示装置。
5. 発光素子から出射され、第１部材を通過し、第２基板の第１面から第２基板に入射した光の一部を、反射し、第２基板の第２面から出射させる光反射部材が、第２基板に形成されている請求項１に記載の表示装置。
6. 第１部材及び第２部材の上に保護膜及び封止材料層が更に備えられており、
   保護膜を構成する材料の屈折率をｎ₃、封止材料層を構成する材料の屈折率をｎ₄としたとき、
   ｜ｎ₃−ｎ₄｜≦０．３
   を満足する請求項１に記載の表示装置。
7. 光吸収層は、第２部材の下部に設けられている請求項１に記載の表示装置。
8. 光吸収層は、第２部材の中間部に設けられている請求項１に記載の表示装置。
9. 光吸収層は、第２部材の頂部に設けられている請求項１に記載の表示装置。
10. 光吸収層は、第２部材の全体を占めている請求項１に記載の表示装置。
11. カラーフィルターを備えている請求項１に記載の表示装置。
12. 発光素子と第１部材とは接している請求項１に記載の表示装置。
13. 各発光素子からの光は第２基板を介して外部に出射される請求項１に記載の表示装置。