CN104685653B

CN104685653B - 用于制造光电子器件的方法和设备

Info

Publication number: CN104685653B
Application number: CN201380049688.6A
Authority: CN
Inventors: 安德鲁·英格尔; 马克·菲利彭斯; 蒂尔曼·施伦克尔
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Ams Osram International GmbH
Priority date: 2012-09-28
Filing date: 2013-09-26
Publication date: 2017-04-05
Anticipated expiration: 2033-09-26
Also published as: WO2014049065A1; US20150270509A1; KR101676684B1; DE102012109207A1; KR20150060950A; US9472781B2; DE102012109207B4; CN104685653A

Abstract

在不同的实施例中提出一种用于制造光电子器件的方法，所述方法具有：提供光电子器件，所述光电子器件在导电层上或上方具有介电层，其中介电层构建用于相对于水基本上严密密封地密封导电层，其中介电层具有扩散通道；并且配合地封闭介电层，其中封闭介电层中的扩散通道中的至少一些扩散通道。

Description

用于制造光电子器件的方法和设备

相关申请

本申请是于2013年9月26日提交的编号为PCT/EP2013/070088的根据中国专利法进入国家阶段的PCT申请，其要求与2012年9月28日提交的德国申请10 2012 109 207.9的优先权，其公开内容通过参引的方式并入本文。

技术领域

在不同的实施方式中提供用于制造光电子器件的方法和设备。

背景技术

例如OLED的有机光电子器件能够具有阳极和阴极以及在其之间的有机功能层系统。有机功能层系统能够具有一个或多个发射体层，在所述一个或多个发射体层中例如产生电磁辐射；一个或多个载流子对生成层结构，所述一个或多个载流子对生成层结构分别由两个或更多个载流子对生成层(“charge generating layer”，CGL)构成以用于产生载流子对；以及一个或多个电子阻挡层，也称作为空穴传输层(“hole transport layer”，HTL)；和一个或多个空穴阻挡层，也称作为电子传输层(“electron transport layer”，ETL)，以便定向电流流动。

有机基础的光电子器件、例如有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)越来越广泛地被应用并且能够用于对表面进行照明。表面在此例如能够理解为台面、壁或地板。然而有机器件的、例如有机光电子器件的有机组成部分通常相对于有害的环境影响是易受影响的。

有害的环境影响能够理解为全部下述影响，所述影响可能能够导致有机材料或材料混合物的退化或老化、例如交联或结晶进而能够限制有机器件的运行持续时间。

有害的环境影响例如能够是有害材料的材料混合物或有机材料，例如氧和/或例如溶剂、例如水。

为了保护免受有害环境影响将有机器件封装。在封装时，将有机器件用对于有害环境影响不可穿透的封装层包围，例如对于水或氧不可穿透的薄膜。

薄膜封装的有机的光电子器件、例如有机发光二极管的封装层应尽可能是无缺陷的。即使所述封装层中的沿着结晶界限的扩散通道或微观的缺陷也能够引起整个OLED的缺陷。借助于湿气作用在此能够在OLED的视域中形成不发光的圆形的点(黑点)，所述点能够随时间生长。

然而，在封装时不能够完全地排除在封装层中还存在缺陷。为了将OLED的损害保持得小，在常规的方法中借助于环氧树脂粘结剂将玻璃覆盖件层压到封装层上。

借助于玻璃覆盖件能够降低水扩散到光电子器件中的速度，使得例如OLED的封装层中的缺陷显著变缓地引起OLED中的可见的缺陷。

在另一常规的方法中，玻璃覆盖件能够例如借助于玻璃焊料连接(英文为glassfrit bonding玻璃焊料接合/glass soldering玻璃焊接/seal glass bonding密封玻璃接合)借助于常规的玻璃料在有机光电子器件的几何的边缘区域中施加到封装层上。

发明内容

在不同的实施方式中，提供用于制造光电子器件的方法和设备，借助其可以将光电子器件的、例如光电子器件的薄膜封装的质量改进成，使得构成无缺陷的光电子器件进而能够排除由于湿气损坏引起的早期失效。

在本说明书的范围内，能够将层中的扩散通道理解为具有至少两个开口的层中的空腔，例如理解为孔、细孔、连接(互联)等。扩散通道例如能够构成在层中，使得通过扩散通道将层的不同侧彼此连接。材料或材料混合物能够穿过扩散通道从扩散通道的开口迁移或扩散到扩散通道的至少一个第二开口，例如借助于渗透压力或以电泳的方式来迁移或扩散。

在本说明书的范围中，能够不考虑相应的聚集态将有机材料理解成呈化学一致的形式存在的、表征特征性的物理和化学特性的碳化合物。此外，在本说明书的范围中，能够不考虑相应的聚集态将无机材料理解成呈化学一致的形式存在的、表征特征性的物理和化学特性的不具有碳的化合物或单碳化合物。在本说明书的范围中，能够不考虑相应的聚集态将有机-无机材料(混合材料)理解成呈化学一致的形式存在的、表征特征性的物理和化学特性的具有包含碳的化合物部分和不包含碳的化合物部分的化合物。在本说明书的范围中，术语“材料”包括全部上述材料，例如有机材料、无机材料和/或混合材料。此外，在本说明书的范围中，能够如下理解材料混合物：组成部分由两种或更多种不同材料构成，其组成部分例如非常精细地分布。将由一种或多种有机材料、一种或多种无机材料或一种或多种混合材料理解为作为材料类。术语“物质”能够与术语“材料”同义地应用。

在本说明书的范围内，当第一材料或第一材料混合物的物理和化学特性与第二材料或第二材料混合物的物理和化学特性相同时，第一材料或第一材料混合物能够是与第二材料或第二材料混合物相同的。

在本说明书的范围内，当第一材料或第一材料混合物和第二材料或第二材料混合物在至少一个变量方面、例如在密度、折射率、化学抗性等方面具有大约相同的化学计量的组分、大约相同的化学特性和/或大约相同的物理特性时，第一材料或第一材料混合物能够与第二材料或第二材料混合物是类似的。

因此，关于化学计量的组分例如能够将结晶的SiO₂(石英)视作为等同于无定形的SiO₂(石英玻璃)和视作为类似于SiO_x。然而，在折射率方面，结晶的SiO₂能够与SiO_x或无定形的SiO₂不同。借助于添加例如掺杂物形式的附加物，例如无定形的SiO₂能够具有与结晶的SiO₂相同的或类似的折射率，然而然后在化学组分方面与结晶的SiO₂不同。

第一材料与第二材料类似的参考变量能够明确地说明或从本文中得出，例如出自材料或材料混合物组的共同的特性。

在本说明书的范围内，将带电的材料理解为如下材料，所述材料具有电荷，即至少暂时地不是电中性的。电荷在此能够借助于偏振或离子化构成。带电的材料例如能够以颗粒或分子的形式构成。

在本说明书的范围内，将电势理解为电荷、例如带电材料相对于相反带电的电子的位置。例如，理解为电场(E-Feld)中的检验电荷的与检验电荷的电荷和E场中的位置相关的电势。

在本说明书的范围内，能够将化学转化理解为由第一材料或材料混合物构成第二材料或第二材料混合物。化学转化能够作为第一材料或第一材料混合物的化学氧化和/或化学还原进行。同时的氧化和还原能够理解为氧化还原反应。

在本说明书的范围内，化学活性材料能够化学氧化或化学还原其他材料和/或本身化学氧化或化学还原。化学活性材料例如能够是带电材料，所述带电材料在电极处化学氧化或还原、例如以电镀或电泳的方式。

在本说明书的范围内，相对于水严密密封的材料或严密密封的材料混合物能够具有陶瓷、金属和/或金属氧化物或由其形成。水不能够扩撒或迁移穿过严密密封的材料或严密密封的材料混合物。

在本说明书的范围内，将电子器件理解为如下器件，所述器件涉及例如借助于应用半导体器件将电流放大、调节或控制。电子器件能够具有选自下述组的器件：例如二极管、晶体管、热发生器、集成电路、晶闸管。

在本说明书的范围内，将光电子器件能够理解为电子器件的一个构成方案，其中光电子器件具有光学有源区域。光学有源区域能够吸收电磁辐射并且由其构成光流或者借助于施加到光学有源区域上的电压发射电磁辐射。有机光电子器件能够在光学有源区域中具有有机材料或有机材料混合物，所述有机材料或有机材料混合物例如构建用于吸收或提供电磁辐射。

在本说明书的范围内，将有害的环境影响理解为全部下述影响，所述影响可能能够导致有机材料或材料混合物的退化或老化进而能够限制有机器件的运行持续时间。

有害的环境影响例如能够是对于有机材料或有机材料混合物有害的环境，例如变化高于或低于临界值，例如温度的临界值，和/或环境压强的变化，由此能够造成交联、退化和/或结晶化等。

第一本体与第二本体的连接能够是形状配合的、力配合的和/或材料配合的。连接能够可松开地构成，即可逆的。在不同的设计方案中，将可逆的、配合的连接例如能够作为螺旋连接、搭扣连接、夹紧和/或使用夹子来实现。

然而连接也能够不可松开地构成，即是不可逆的。不可松开的连接在此能够仅借助于损坏连接机构来分开。在不同的设计方案中，不可逆的配合的连接例如能够作为铆接连接、粘贴连接或焊接连接来实现。

在形状配合的连接中能够限制第一本体从第二本体的面移动，其中第一本体垂直地、即法向地沿朝第二本体的限制面的方向移动。盲孔(第二本体)中的销(第一本体)例如能够在运动中限制于五个或六个空间方向。在不同的设计方案中，形状配合的连接例如能够作为螺旋连接、搭扣连接、夹紧和/或使用夹子来实现。

在力配合的连接中，除了第一本体施加到第二本体上的法向力之外，即这两个本体在压力下物理接触之外，静摩擦能够限制第一本体平行于第二本体的运动。力配合的连接的实例例如能够是将螺钉自锁在互补成形的螺纹中。在此能够将借助于摩擦形成的阻力理解为自锁。在不同的设计方案中，力配合的连接例如能够作为螺旋连接、铆接来实现。

在材料配合的连接中，第一本体能够与第二本体借助于原子和/或分子力连接。材料配合的连接通常能够是不可松开的连接。在不同的设计方案中，材料配合的连接例如能够作为粘贴连接、焊料连接、例如玻璃焊料连接、或金属焊料连接、熔焊连接实现。

在不同的实施方式中，提出用于制造光电子器件的方法，所述方法具有：提供光电子器件，所述光电子器件在导电层上或上方具有介电层，其中介电层构建用于相对于水基本上严密密封地密封导电层，其中介电层具有扩散通道；并且配合地封闭介电层，其中封闭介电层中的扩散通道中的至少一些扩散通道。

在方法的一个设计方案中，扩散通道能够借助于化学活性材料或化学活性材料混合物配合封闭。

在方法的一个设计方案中，介电层为了配合地封闭而用化学活性材料或化学活性材料混合物包围。介电层例如能够完全地或部分地用化学活性材料或化学活性材料混合物来包围，例如通过介电层的至少一部分不由化学活性材料或化学活性材料混合物包围的方式来进行包围，例如在所述部分中化学地结构化化学活性材料或化学活性材料混合物。

在方法的一个设计方案中，包围能够暂时地或持久地构成。暂时的包围例如能够是介电层浸入到溶液、悬浮液或扩散剂中，其中介电层根据该方法从溶剂、悬浮液或扩散剂中移除。持久的包围例如能够作为将材料配合的层构成在介电层上或上方来实现。

在方法的一个设计方案中，化学活性材料或化学活性材料混合物溶解在溶液、悬浮液或扩散剂中。

在方法的一个设计方案中，化学活性的溶液、悬浮液或扩散剂以无水的方式构建，例如具有碳酸丙烯、过碳酸钠、醌或喹啉或由其形成。

在方法的一个设计方案中，化学活性材料或化学活性材料混合物能够在电解溶液或电镀池中提供，介电层由所述电解溶液或电镀池包围。

在方法的一个设计方案中，电解溶液或电镀池能够具有以溶液的质量计占大约1％至大约70％范围的化学活性材料或化学活性材料混合物的质量份额。

在方法的一个设计方案中，化学活性材料或化学活性材料混合物在介电层上或上方构成、例如施加或沉积。

在方法的一个设计方案中，化学活性材料或化学活性材料混合物在介电层上或上方构成为化学活性层或构成在化学活性层中。

在一个设计方案中，化学活性层具有大约100nm至大约20μm范围中的厚度、例如大约200nm至大约5μm范围中的厚度。

在方法的一个设计方案中，化学活性层能够构建为化学活性的膏或化学活性的覆层。

在方法的一个设计方案中，化学活性的膏除了化学活性材料或化学活性材料混合物之外具有另外的挥发性的组成部分，例如溶剂或胶合剂。挥发性的组成部分还能够包含在介电层上或上方的化学活性层中或者也不包含在其中，例如，能够干燥用于电解液、电镀和/或电泳的化学活性的膏。

在方法的一个设计方案中，化学活性材料或化学活性材料混合物中的至少一部分构建为是导电的。

在方法的一个设计方案中，化学活性材料或化学活性材料混合物能够是带电的，尤其具有或提供离子。

在方法的一个设计方案中，化学活性材料或化学活性材料混合物能够具有金属或由其形成，例如铜。

在方法的一个设计方案中，化学活性材料或化学活性材料混合物能够具有氧化剂或还原剂或由其形成，例如具有碳酸丙烯、过碳酸钠、醌或喹啉或由其形成，例如具有其衍生物。

在方法的一个设计方案中，具有化学活性材料或化学活性材料混合物的层、溶液、悬浮液或扩散剂，例如氧化剂能够以没有水和/或氢氧化物基团的方式构建，即是无氢氧化物的，例如具有有机溶剂。

在方法的一个设计方案中，该方法具有在介电层之上构成电势差，使得在扩散通道中构成电场。

扩散通道例如能够具有大约水分子直径至大约几nm范围中的直径。介电层中的扩散通道例如能够是介电层中的缺陷部位、结晶界限等。在不同的设计方案中，介电层能够是光电子器件中的层，所述层以介电的方式构成并且具有所描述的扩散通道，例如具有阻挡薄层、阻挡层、封装层、封装薄层、粘结材料层、吸气层、光学耦合输入层或耦合输出层、散射层、发光材料层、颜料层等。

在方法的一个设计方案中，电场能够构成为，使得带电的化学活性材料或带电的化学活性材料混合物迁移到扩散通道中，例如以电泳的方式迁移，例如通过借助于电场使化学活性材料或化学活性材料混合物带电、例如电解。

在方法的一个设计方案中，构成电场能够具有在介电层之上施加电势差。

在方法的一个设计方案中，能够借助于电压源构成电势差，其中电压源具有第一电极和第二电极，其中在第一电极和第二电极之间构成电势差。

电势差能够具有至少大于大约介电层上或上方的化学活性材料或化学活性材料混合物的分解电压的数值，例如具有至少大于介电层上或上方的覆层或膏或导电层的材料或材料混合物的分解电压值至大约介电层的材料或材料混合物的击穿电压或化学活性材料或化学活性材料混合物的溶剂或介电层的材料或材料混合物的分解电压的数值。

在方法的一个设计方案中，电势差能够为大约0.1V至大约25V范围中的值。

在方法的一个设计方案中，电压变化的最大值能够具有大约0.1V至5V范围中的数值。

电压变化的最大值也能够称作为峰值电压和/或电压幅值，其中电压变化的最大值能够是时间调制的。

在方法的一个设计方案中，电压变化的电压的数值能够被时间调制。

在方法的一个设计方案中，电压变化能够具有如下时间调制：正弦形、余弦形、锯齿形、三角形、矩形、脉冲形。

电压脉冲例如能够具有下述电压轮廓中的一种：高斯、洛伦兹、沃伊特、冈贝尔、拉普拉斯、拉维(Lévy)、瑞利、罗西、学生t轮廓等。

在方法的一个设计方案中，电压脉冲能够具有大约1μs至大约5s范围中的脉冲持续时间和/或半值时间。

在方法的一个设计方案中，电压变化能够具有唯一的电压脉冲或者大约1Hz至大约1MHz范围中的频率。

在方法的一个设计方案中，时间调制能够具有脉冲宽度调制。

在方法的一个设计方案中，例如通过在电压脉冲期间或之后测量电流或电导率的方式，电压变化的时间调制能够借助介电层的和/或经过介电层的所测量的电流的电导率来关联和/或耦合。

在方法的一个设计方案中，电压脉冲的峰值电压和/或电压脉冲的数量能够是经过介电层的电流或电导率的函数，例如电流路径中的未移除的介电层的厚度。

电压的具体数值能够与介电层的厚度和介电层的材料或材料混合物的介电特性相关。然而，介电层应当具有最大厚度，使得电压的最大值最大大至使得与电层结构处于电接触的另外的层不借助于电压而损坏。

在方法的一个设计方案中，电压源的第一电极能够与导电层电连接，例如配合地、例如机电地、例如借助于接触销或端子接触部来连接；例如材料配合地、例如借助于焊料或粘结剂来连接。

在方法的一个设计方案中，电连接能够配合地构成，例如材料配合地构成。

在方法的一个设计方案中，电连接能够暂时地和/或可逆地构建。暂时的和可逆的电连接能够例如作为构成接触销与导电层和/或化学活性材料或化学活性材料混合物的物理接触来实现，例如电层结构的表面与电压源的接触销的接触或将电压源的电极浸入到液态的化学活性材料或化学活性材料混合物的溶剂、悬浮液或扩散剂中。接触销也能够称作为销或管脚。

在本说明书的范围中，导电层上或上方的介电层上或上方的化学活性材料或化学活性材料混合物能够称作为电层结构。

在方法的一个设计方案中，电连接能够构建为，使得通过电层结构闭合电连接的电流回路。

在方法的一个设计方案中，第二电极能够与第三电极连接，例如配合地、例如机电地、例如借助于接触销或端子接触部来连接；例如借助于材料配合、例如借助于焊接或粘贴来连接。

在方法的一个设计方案中，第三电极能够具有导电的化学活性材料或导电的化学活性材料混合物或由其形成，例如在介电层上或上方作为导电覆层或导电膏；或例如作为电镀池中的电极。

在方法的一个设计方案中，第三电极能够构建在溶液、悬浮液或扩散剂中，化学活性材料或化学活性材料混合物溶解在所述溶液、悬浮液或扩散剂中或是溶解在其中的，例如在电泳时。

在方法的一个设计方案中，化学活性材料或化学活性材料混合物能够在扩散通道中和/或在扩散通道的侧部上，例如在导电层的表面上构成如下材料或材料混合物，所述材料或材料混合物不具有或仅具有小的关于水的可溶性，例如小于或大约等于介电层的材料或材料混合物的可溶性，例如所构成的材料或所构成的材料混合物能够具有金属、金属氧化物、例如玻璃；和/或陶瓷、例如氧化铝或氧化铜。

在方法的一个设计方案中，在化学活性材料或化学活性材料混合物的扩散通道中形成的材料或材料混合物能够材料配合地、形状配合地和/或力配合地封闭扩散通道。

在本说明书的范围内，封闭扩散通道也能够理解为或称作为堵塞、封装、掩埋、严密密封、封上、封闭或阻挡扩散通道。

在方法的一个设计方案中，配合的连接能够关于水不可溶地构成，例如构成为严密密封的、材料配合的连接、例如借助于金属氧化物、例如金属氧化物堵塞物来构成。

在本说明书的范围内，堵塞物也能够称作或理解为封闭件、栓、插塞、锁销、盖帽或阻挡件。

在方法的一个设计方案中，扩散通道中的堵塞物的材料或材料混合物能够具有与介电层相同或类似的材料或相同或类似的材料混合物。类似的材料或类似的材料混合物例如能够是相同元素的不同的化学计量的组分。例如，导电层能够具有铝并且介电层能够具有氧化铝或由其形成。在扩散通道中或在扩散通道的开口处例如能够借助于化学活性材料、例如氧化剂将导电层的铝氧化成氧化铝堵塞物，即阳极氧化。

在方法的一个设计方案中，能够将化学活性的材料或化学活性的材料混合物化学转化成导电层，例如化学氧化或化学还原，例如在由金属构成的导电层中形成金属氧化物层。

换而言之，化学活性材料或化学活性材料混合物能够迁移到扩散通道中。

在方法的一个设计方案中，导电层的材料或材料混合物的一部分在扩散通道的至少一侧上由化学活性材料或化学活性材料混合物转化。换而言之：导电层的材料或材料混合物的一部分能够在进入到扩散通道中时和/或从中离开时由化学活性材料或化学活性材料混合物转化，例如在扩散通道的壁处和/或在化学活性材料或化学活性材料混合物的表面处转化。

换而言之，导电层的材料或材料混合物能够迁移到扩散通道中，并且例如在扩散通道中转化或是已转化的。

在方法的一个设计方案中，化学活性材料或化学活性材料混合物在扩散通道的至少一侧上化学转化。换而言之：化学活性材料或化学活性材料混合物的一部分能够在进入到扩散通道中时和/或在离开其时转化，例如在扩散通道的壁处转化和/或在导电层的表面处转化。

在方法的一个设计方案中，导电层在导电层的层横截面中能够具有一种或多种材料不同的导电层。

在方法的一个设计方案中，导电层能够构建为光电子器件的电极、电连接层、接触盘等。

在方法的一个设计方案中，化学活性材料或化学活性材料混合物在介电层上或上方能够被化学活化。

在方法的一个设计方案中，至少一种第二化学活性材料和/或至少一种第二化学活性材料混合物构成在介电层上或上方的化学活性层上或上方。

在方法的一个设计方案中，介电层上或上方的化学活性材料或化学活性材料混合物能够首先与至少一种另外的化学活性材料或化学活性材料混合物化学结合地化学活化、例如离子化。

在方法的一个设计方案中，介电层能够构建为导电层的封装件、例如阻挡薄层。

在方法的一个设计方案中，介电层能够具有大约0.1nm(原子层)至1000nm范围中的厚度，例如大约10nm至大约100nm的层厚度，例如根据一个设计方案为大约40nm。

在方法的一个设计方案中，介电层能够具有下述材料中的一种：氧化铝、氧化锌、氧化锆、氧化钛、氧化铪、氧化钽、氧化镧、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铟锡、氧化铟锌、铝掺杂的氧化锌以及其混合物和合金。

在方法的一个设计方案中，导电层能够由导电材料形成或是由导电层材料形成的，例如由金属或透明导电氧化物(transparent conductive oxide,TCO)形成或由相同金属的或不同金属的和/或相同TCO的或不同TCO的多个层的层堆来形成。透明导电氧化物是透明的、导电的材料，例如金属氧化物，例如氧化锌、氧化锡、氧化镉、氧化钛、氧化铟或铟锡氧化物(ITO)。除了二元的金属氧化物例如ZnO、SnO₂或In₂O₃以外，三元的金属氧化物例如AlZnO、Zn₂SnO₄、CdSnO₃、ZnSnO₃、Mgln₂O₄、GaInO₃、Zn₂In₂O₅或In₄Sn₃O₁₂或不同的透明导电氧化物的混合物也属于TCO族并且能够在不同的设计方案中使用。此外，TCO不强制符合化学计量的组分并且还能够是p型掺杂的或n型掺杂的。

在方法的一个设计方案中，导电层能够具有金属；例如Ag、Pt、Au、Mg、Al、Ba、In、Ag、Au、Mg、Ca、Sm或Li、以及这些材料的化合物、组合或合金。

在方法的一个设计方案中，能够由在TCO层上的金属层的组合的层堆形成导电层，或者反之。一个示例是施加在铟锡氧化物层(ITO)上的银层(ITO上的Ag)或ITO-Ag-ITO复层。

在方法的一个设计方案中，替选于或附加于上述材料，导电层能够设有下述材料中的一种或多种：例如由Ag构成的金属的纳米线和纳米微粒构成的网络；由碳纳米管构成的网络；石墨微粒和石墨层；由半导体纳米线构成的网络。

在方法的一个设计方案中，导电层能够具有导电聚合物或过渡金属氧化物或导电透明氧化物。

在方法的一个设计方案中，导电层能够具有小于或等于大约25nm的层厚度、例如小于或等于大约20nm的层厚度、例如小于或等于大约18nm的层厚度。

在方法的一个设计方案中，导电层例如能够具有大于或等于大约10nm的层厚度、例如大于或等于大约15nm的层厚度。

在方法的一个设计方案中，导电层能够具有在大约10nm至大约25nm范围内的层厚度、例如在大约10nm至大约18nm范围内的层厚度、例如在大约15nm至大约18nm范围内的层厚度。

在方法的一个设计方案中，导电层能够对于导电层由透明导电氧化物(TCO)形成的情况而言，导电层例如具有在大约50nm至大约500nm范围内的层厚度、例如在大约75nm至大约250nm范围内的层厚度、例如在大约100nm至大约150nm范围内的层厚度。

在方法的一个设计方案中，对于导电层例如由Ag构成的能够与导电聚合物组合的金属的纳米线构成的网络形成、由能够与导电聚合物组合的碳纳米管构成的网络形成或者由石墨层和复合材料形成的情况而言，导电层例如能够具有在大约1nm至大约500nm范围内的层厚度、例如在大约10nm至大约400nm范围内的层厚度、例如在大约40nm至大约250nm范围内的层厚度。

在方法的一个设计方案中，光学和/或电学功能层能够构成在严密密封的介电层上或上方，例如散射层、介电绝缘部、漆层、耦合输出层、耦合输出入层、发光材料层、反射层、热分布层等。换而言之：方法能够在严密地密封之后具有在严密密封的介电层上或上方构成的另一介电层。

在方法的一个设计方案中，光电子器件能够构成为有机太阳能电池或有机发光二极管，其中有机发光二极管例如能够构建为底部发射器。

在方法的一个实施方式中，提供一种用于制造光电子器件的设备，所述光电子器件在导电层上或上方具有至少一个介电层，其中介电层相对于水严密密封地构建并且具有扩散通道，所述设备具有：用于用化学活性材料或化学活性材料混合物包围介电层的设备；电压源，其构建用于提供能调制的电压变化，其中电压源与导电层和化学活性材料或化学活性材料混合物导电地连接，使得通过扩散通道的电回路电闭合；控制单元，其构建用于控制电压源的电压变化；测量装置，其构建用于测量经过介电层的电流，其中测量装置还构建为，使得将所测量的电导率传输给控制单元；其中将电压变化的时间调制与所测量的电流耦合。

在器件设备的一个设计方案中，电压源能够构建用于提供恒定的直流电压，例如具有用于输入电流的整流器。

在器件设备的一个设计方案中，测量装置能够构建用于测量电层结构的电阻，例如构建为电阻电桥、例如惠斯通电桥或阻抗光谱计。

在器件设备的一个设计方案中，测量装置能够构建用于测量电层结构之上的电压降，例如构建为数字电压测量仪器。

在器件设备的一个设计方案中，测量装置能够构建用于测量经过电层结构的电流，例如构建为数字电流测量仪器。

在器件设备的一个设计方案中，控制单元能够构建为相位调光器，其中控制信号为了相位斩波控制或相位选通控制而是电层结构的所测量的电导率的函数。

在器件设备的一个设计方案中，控制单元能够构建为脉冲调制器，尤其是构建用于脉冲宽度调制或脉冲频率调制，其中用于脉冲调制的控制信号是电的层结构的所测量的电导率的函数。

附图说明

在附图中，类似的附图标记通常表示在不同的视图中的相同的部件。附图不必是合乎比例的，而是通常将重点放在阐明所公开的实施例的原理。在下文中，通过参考以下附图来描述多个实施例，其中：

图1示出根据不同实施例的光电子器件的示意横截面图；

图2示出根据不同设计方案的用于制造光电子器件的方法的图表；

图3示出根据不同设计方案的光电子器件的示意横截面图；和

图4示出根据不同设计方案的光电子器件的区域的示意横截面图。

具体实施方式

在下面详细的描述中参考附图，所述附图形成所述描述的一部分，并且其中示出能够实施本发明的具体的实施形式以用于说明。在此方面，相关于所描述的一个(多个)附图的定向而使用方向术语例如是“上”、“下”、“前”、“后”、“前部”、“后部”等等。因为实施形式的组成部分能够以多个不同的定向来定位，所以方向术语用于说明并且不以任何方式受到限制。要理解的是，能够使用其他的实施形式并且能够进行结构上的或逻辑上的改变，而不偏离本发明的保护范围。要理解的是，只要没有特殊地另外说明，就能够将在此描述的不同的示例的实施形式的特征互相组合。因此，下面详细的描述不能够理解为受限制的意义，并且本发明的保护范围不通过实施方式来限定。

在本说明书的范围内，术语“连接”、“联接”以及“耦联”用于描述直接的和间接的连接、直接的或间接的联接以及直接的或间接的耦联。在附图中，只要是适当的，相同的或类似的元件就设有相同的附图标记。

图1示出根据不同的实施例的光电子器件的示意横截面。

光电子器件100、例如提供电磁辐射的电子器件100、例如发光器件100、例如有机发光二极管100形式的光电子器件能够具有载体102。载体102例如能够用作为载体或用于电子元件或层的载体元件102，例如发光器件。例如，载体102能够具有玻璃、石英和/或半导体材料或任意其他适合的材料或由其形成。此外，载体102能够具有塑料薄膜或具有带有一个或多个塑料薄膜的叠层或由其形成。塑料能够具有一种或多种聚烯烃(例如具有高密度或低密度的聚乙烯(PE)或聚丙烯(PP))或由其形成。此外，塑料能够具有聚氯乙烯(PVC)、聚苯乙烯(PS)、聚酯和/或聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚醚砜(PES)和/或聚萘二甲酸乙二酯(PEN)或由其形成。此外，载体102能够具有一种或多种上述材料。载体102能够具有金属或金属合金或由其形成、例如为铜、银、金、铂等。

具有金属或金属化合物的载体102也能够构成为金属薄膜或金属覆层的薄膜。载体102能够构成为是半透明的或甚至是透明的。

术语“半透明”或“半透明层”在不同的实施例中能够理解为：层对于光是可穿透的，例如对于由发光器件所产生的例如一个或多个波长范围的光是可穿透的，例如对于可见光的波长范围中的光是可穿透的(例如至少在380nm至780nm的波长范围的局部范围中)。例如，术语“半透明层”在不同的实施例中理解为：全部的耦合输入到结构(例如层)中的光量基本上也从该结构(例如层)中耦合输出，其中光的一部分在此能够被散射。

术语“透明”或“透明层”在不同的实施例中能够理解为：层对于光是可穿透的(例如至少在380nm至780nm的波长范围的局部范围中)，其中耦合输入到结构(例如层)中的光基本上在没有散射或光转换的情况下也从该结构(例如层)中耦合输出。因此，“透明”在不同的实施例中能够视作为“半透明”的特殊情况。

对于例如应当提供单色发光的或发射光谱受限的电子器件的情况而言足够的是：光学半透明的层结构至少在期望的单色光的波长范围的局部范围中或者对于受限的发射光谱是半透明的。

在不同的实施例中，有机发光二极管100(或还有根据在上文中或还要在下文中描述的实施例的发光器件)能够设计成所谓的顶部和底部发射器。顶部和底部发射器也能够称作为光学透明器件，例如透明有机发光二级管。

在不同的实施例中，能够可选地在载体102上或上方设置有阻挡层104。阻挡层104能够具有下述材料中的一种或多种或者由其构成：氧化铝、氧化锌、氧化锆、氧化钛、氧化铪、氧化钽、氧化镧、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝掺杂的氧化锌、以及它们的混合物和合金。此外，阻挡层104在不同的实施例中能够具有在大约0.1nm(原子层)至大约5000nm的范围中的层厚度，例如在大约10nm至大约200nm的范围中的层厚度，例如为大约40nm的层厚度。

在阻挡层104上或上方能够设置有发光器件100的电有源区域106。电有源区域106能够理解为发光器件100的其中有用于运行发光器件100的电流流动的区域。在不同的实施例中，电有源区域106能够具有第一电极110、第二电极114和有机功能层系统112，如其在下面更详细阐明。

因此，在不同的实施例中，能够在阻挡层104上或上方(或者，当不存在阻挡层104时，在载体102上或上方)施加(例如第一电极层110的形式的)第一电极110。第一电极110(下面也称为底部电极110)能够由导电材料形成或者是导电材料，例如由金属或透明导电氧化物(transparent conductive oxide,TCO)形成或由相同金属的或不同金属的和/或相同TCO的或不同TCO的多个层的层堆来形成。透明导电氧化物是透明的、导电的材料，例如金属氧化物，例如氧化锌、氧化锡、氧化镉、氧化钛、氧化铟或铟锡氧化物(ITO)。除了二元的金属氧化物例如ZnO、SnO₂或In₂O₃以外，三元的金属氧化物例如AlZnO、Zn₂SnO₄、CdSnO₃、ZnSnO₃、Mgln₂O₄、GaInO₃、Zn₂In₂O₅或In₄Sn₃O₁₂或不同的透明导电氧化物的混合物也属于TCO族并且能够在不同的实施例中使用。此外，TCO不强制符合化学计量的组分并且还能够是p型掺杂的或n型掺杂的。

在不同的实施例中，第一电极110能够具有金属；例如Ag、Pt、Au、Mg、Al、Ba、In、Ca、Sm或Li、以及这些材料的化合物、组合或合金。

在不同的实施例中，能够由在TCO层上的金属层的组合的层堆形成第一电极110，或者反之。一个示例是施加在铟锡氧化物层(ITO)上的银层(ITO上的Ag)或ITO-Ag-ITO复层。

在不同的实施例中，替选于或附加于上述材料，第一电极110能够设有下述材料中的一种或多种：例如由Ag构成的金属的纳米线和纳米微粒构成的网络；由碳纳米管构成的网络；石墨微粒和石墨层；由半导体纳米线构成的网络。

此外，第一电极110能够具有导电聚合物或过渡金属氧化物或导电透明氧化物。

在不同的实施例中，第一电极110和载体102能够构成为是半透明的或透明的。在第一电极110由金属形成的情况下，第一电极110例如能够具有小于或等于大约25nm的层厚度、例如小于或等于大约20nm的层厚度、例如小于或等于大约18nm的层厚度。此外，第一电极110例如能够具有大于或等于大约10nm的层厚度、例如大于或等于大约15nm的层厚度。在不同的实施例中，第一电极110能够具有在大约10nm至大约25nm范围内的层厚度、例如在大约10nm至大约18nm范围内的层厚度、例如在大约15nm至大约18nm范围内的层厚度。

此外，对于第一电极110具有或由透明导电氧化物(TCO)形成的情况而言，第一电极110例如具有在大约50nm至大约500nm范围内的层厚度、例如在大约75nm至大约250nm范围内的层厚度、例如在大约100nm至大约150nm范围内的层厚度。

此外，对于第一电极110例如由Ag构成的能够与导电聚合物组合的金属的纳米线构成的网络形成、由能够与导电聚合物组合的碳纳米管构成的网络形成或者由石墨层和复合材料形成的情况而言，第一电极110例如能够具有在大约1nm至大约500nm范围内的层厚度、例如在大约10nm至大约400nm范围内的层厚度、例如在大约40nm至大约250nm范围内的层厚度。

第一电极110能够构成为阳极、即构成为注入空穴的电极，或者构成为阴极、即构成为注入电子的电极。

第一电极110能够具有第一电接触盘，第一电势(由能量源(未示出)、例如由电流源或电压源提供)能够施加到所述第一电接触盘上。替选地，第一电势能够施加到载体102上或者是施加到载体102上的并且然后经由此间接地输送给第一电极110或者是输送给第一电极110的。第一电势例如能够是接地电势或者是不同地预设的参考电势。

此外，发光器件100的电有源区域106能够具有有机功能层系统112，所述有机功能层系统施加在第一电极110上或上方或是施加在第一电极110上或上方的。

有机功能层结构112能够具有一个或多个发射体层118、例如具有发荧光的和/或发磷光的发射体的发射体层，以及一个或多个空穴传导层116(也称作空穴传输层120)。在不同的实施例中，替选地或附加地，能够设有一个或多个电子传导层116(也称作电子传输层116)。

能够在根据不同实施例的发光器件100中用于发射体层118的发射体材料的实例包括：有机的或有机金属的化合物，如聚芴、聚噻吩和聚亚苯基的衍生物(例如2-或2,5-取代的聚-对-亚苯基乙烯撑)；以及金属络合物，例如铱络合物，如发蓝色磷光的FIrPic(双(3,5-二氟-2-(2-吡啶基)苯基-(2-羧基吡啶基)-铱III)、发绿色磷光的Ir(ppy)₃(三(2-苯基吡啶)铱III)、发红色磷光的Ru(dtb-bpy)₃*2(PF₆))(三[4,4’-二-叔-丁基-(2,2’)-联吡啶]钌(III)络合物)、以及发蓝色荧光的DPAVBi(4,4-双[4-(二-对-甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯)、发绿色荧光的TTPA(9,10-双[N,N-二-(对-甲苯基)-氨基]蒽)和发红色荧光的DCM2(4-二氰基亚甲基)-2-甲基-6-久洛尼定基-9-烯基-4H-吡喃)作为非聚合物发射体。这种非聚合物发射体例如能够借助于热蒸镀来沉积。此外，能够使用聚合物发射体，所述聚合物发射体尤其能够借助于湿法化学法、例如旋涂法(也称作Spin Coating)来沉积。

发射体材料能够以适合的方式嵌在基体材料中。

需要指出的是，在其他的实施例中同样设有其他适合的发射体材料。

发光器件100的一个或多个发射体层118的发射体材料例如能够选择为，使得发光器件100发射白光。一个或多个发射体层118能够具有多种发射不同颜色(例如蓝色和黄色或者蓝色、绿色和红色)的发射体材料，替选地，一个或多个发射体层118也能够由多个子层构成，如发蓝色荧光的发射体层118或发蓝色磷光的发射体层118、发绿色磷光的发射体层118和发红色磷光的发射体层118。通过不同颜色的混合，能够得到具有白色的色彩印象的光的发射。替选地，也能够提出，在通过这些层产生的初级发射的光路中设置有转换材料，所述转换材料至少部分地吸收初级辐射并且发射其他波长的次级辐射，使得从(还不是白色的)初级辐射通过将初级辐射和次级辐射组合得到白色的色彩印象。

有机功能层结构112通常能够具有一个或多个电致发光层。一个或多个电致发光层能够具有有机聚合物、有机低聚物、有机单体、有机的、非聚合物的小的分子(“小分子(small molecules)”)或这些材料的组合。例如，有机电致发光层结构112能够具有构成为空穴传输层120的一个或多个电致发光层，使得例如在OLED的情况下能够实现将空穴有效地注入到进行电致发光的层或进行电致发光的区域中。替选地，在不同的实施例中，有机功能层结构112能够具有构成为电子传输层116的一个或多个功能层，使得例如在OLED中能够实现将电子有效地注入到进行电致发光的层或进行电致发光的区域中。例如能够使用叔胺、咔唑衍生物、导电的聚苯胺或聚乙烯二氧噻吩作为用于空穴传输层120的材料。在不同的实施例中，一个或多个电致发光层能够构成为进行电致发光的层。

在不同的实施例中，空穴运输层120能够施加、例如沉积在第一电极110上或上方，并且发射体层118能够施加、例如沉积在空穴运输层120上或上方。在不同的实施例中，电子运输层116能够施加、例如沉积在发射体层118上或上方。

在不同的实施例中，有机功能层结构112(即例如空穴运输层120和发射体层118和电子运输层116的厚度的总和)具有最大大约1.5μm的层厚度、例如最大大约1.2μm的层厚度、例如最大大约1μm的层厚度、例如最大大约800nm的层厚度、例如最大大约500nm的层厚度、例如最大大约400nm的层厚度、例如最大大约300nm的层厚度。在不同的实施例中，有机功能层结构112例如能够具有由多个直接彼此重叠设置的有机发光二极管(OLED)的堆叠，其中每个OLED例如能够具有最大大约1.5μm的层厚度、例如最大大约1.2μm的层厚度、例如最大大约1μm的层厚度、例如最大大约800nm的层厚度、例如最大大约500nm的层厚度、例如最大大约400nm的层厚度、例如最大大约300nm的层厚度。在不同的实施例中，有机功能层结构112例如能够具有两个、三个或四个直接彼此重叠设置的OLED的堆叠，在此情况下，有机功能层结构112例如能够具有最大大约3μm的层厚度。

发光器件100可选地通常能够具有另外的有机功能层，其例如设置在一个或多个发射体层118上或上方或者电子运输层116上或上方，所述有机功能层用于进一步改进发光器件100的功能性进而改进其效率。

在有机功能层结构112上或上方或者必要时在一个或多个另外的有机功能层上或上方能够施加有第二电极114(例如第二电极层114形式)。

在不同的实施例中，第二电极114能够具有与第一电极110相同的材料或者由其形成，其中在不同的实施例中金属是尤其适合的。

在不同的实施例中，第二电极114(例如对于金属的第二电极114的情况)例如能够具有小于或等于大约50nm的层厚度的金属、例如小于或等于大约45nm的层厚度的金属、例如小于或等于大约40nm的层厚度的金属、例如小于或等于大约35nm的层厚度的金属、例如小于或等于大约30nm的层厚度的金属、例如小于或等于大约25nm的层厚度的金属、例如小于或等于大约20nm的层厚度的金属、例如小于或等于大约15nm的层厚度的金属、例如小于或等于大约10nm的层厚度的金属。

第二电极114通常能够以与第一电极110类似的方式构成或是以与第一电极类似的方式构成的或者与其不同。第二电极114在不同的实施例中能够由一种或多种材料构成并且具有相应的层厚度，如这在上面结合第一电极110来描述。在不同的实施例中，第一电极110和第二电极114这两者都半透明或透明地构成。因此，在图1中示出的发光器件100能够构建为顶部发射器和底部发射器(换而言之构建为透明的发光器件100)。

第二电极114能够构成为阳极、即构成为空穴注入的电极、或者构成为阴极、即构成为电子注入的电极。

第二电极114能够具有第二电端子，能够将由能量源提供的第二电势(与第一电势不同)施加到所述端子上。第二电势例如能够具有下述数值：所述数值使得与第一电势的差具有大约1.5V至大约20V范围内的数值、例如大约2.5V至大约15V范围内的数值、例如大约3V至大约12V范围内的数值。

在第二电极114上或上方进而在具有至少一个电有源区域106上或上方可选地还能够形成或者形成有封装件108、例如以阻挡薄层/薄层封装件108形式形成。

“阻挡薄层”108或“阻挡薄膜”108在本申请的范围中例如能够理解成下述层或层结构，所述层或层结构适合于形成相对于化学杂质或大气物质、尤其相对于水(湿气)和氧气的阻挡。换言之，阻挡薄层108构成为，使得其不能够或至多极其少部分由损坏OLED的物质例如水、氧或溶剂穿过。

根据一个设计方案，阻挡薄层108能够构成单独的层(换言之，构成为单层)。根据一个替选的设计方案，阻挡薄层108能够具有多个彼此相叠构成的子层。换言之，根据一个设计方案，阻挡薄层108能够构成为层堆(Stack)。阻挡薄层108或阻挡薄层108的一个或多个子层例如能够借助于适合的沉积方法来形成，例如根据一个设计方案借助于原子层沉积方法(Atomic Layer Deposition(ALD))来形成，例如为等离子增强的原子层沉积方法(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition(PEALD))或无等离子的原子层沉积方法(Plasma-less Atomic Layer Deposition(PLALD))，或根据另一个设计方案借助于化学气相沉积方法(Chemical Vapor Deposition(CVD))来形成，例如为等离子增强的气相沉积方法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition(PECVD))或无等离子的气相沉积方法(Plasma-less Chemical Vapor Deposition(PLCVD))，或者替选地借助于另外适合的沉积方法来形成。

通过应用原子层沉积方法(ALD)能够沉积极其薄的层。特别地，能够沉积层厚度位于原子层范围内的层。

根据一个设计方案，在具有多个子层的阻挡薄层108中，能够借助于原子层沉积方法形成全部子层。仅具有ALD层的层序列也能够称作为“纳米叠层(Nanolaminat)”。

根据一个替选的设计方案，在具有多个子层的阻挡薄层108中，能够借助于不同于原子层沉积方法的沉积方法来沉积阻挡薄层108的一个或多个子层，例如借助于气相沉积方法来沉积。

阻挡薄层108根据一个设计方案能够具有大约0.1nm(一个原子层)至大约1000nm的层厚度，例如根据一个设计方案为大约10nm至大约100nm的层厚度、例如根据一个设计方案为大约40nm的层厚度。

根据阻挡薄层108具有多个子层的设计方案，全部子层能够具有相同的层厚度。根据另一个设计方案，阻挡薄层108的各个子层能够具有不同的层厚度。换言之，至少一个子层能够具有不同于一个或多个其他子层的层厚度。

根据一个设计方案，阻挡薄层108或阻挡薄层108的各个子层能够构成为半透明的或透明的层。换言之，阻挡薄层108(或阻挡薄层108的各个子层)能够由半透明的或透明的材料(或半透明的或透明的材料组合物)构成。

根据一个设计方案，阻挡薄层108或(在具有多个子层的层堆的情况下)阻挡薄层108的一个或多个子层具有下述材料中的一种或由下述材料中的一种构成：氧化铝、氧化锌、氧化锆、氧化钛、氧化铪、氧化钽、氧化镧、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝掺杂的氧化锌、以及它们的混合物和合金。在不同的实施例中，阻挡薄层108或(在具有多个子层的层堆的情况下)阻挡薄层108的一个或多个子层具有一种或多种高折射率的材料，换言之具有一种或多种具有高折射率的材料，例如具有至少为2的折射率的材料。

图2示出根据不同设计方案的用于制造光电子器件的方法的图表。

根据不同设计方案的方法能够具有封装202载体102上或上方的光电子器件100的电有源区域106，例如根据图1的描述的设计方案，所述光电子器件具有阻挡薄层108。

此外，方法能够包括用化学活性材料或化学活性材料混合物包围204具有阻挡薄层108的光电子器件100。

在一个设计方案中，包围204能够构建为在阻挡薄层108上或上方由化学活性材料或化学活性材料混合物构成层。

在一个设计方案中，包围204能够构建为用液态的化学活性材料或化学活性材料混合物润湿阻挡薄层108，例如将光电子器件100浸入到具有化学活性材料或化学活性材料混合物的溶液中，其中阻挡薄层108完全地由溶液包围、即润湿。

此外，方法能够具有在光电子器件100的电极110、114中的一个电极和化学活性材料或化学活性材料混合物之间构成206电势。

在方法的一个设计方案中，化学活性材料或化学活性材料混合物首先能够借助于电势来化学活化，即活化成化学活性材料或化学活性材料混合物，例如借助于电泳来活化。

图3示出根据不同设计方案的光电子器件的示意横截面。

所示出的是，在例如根据图2的描述的设计方案的用于制造光电子器件100的方法中，在用由化学活性材料304或化学活性材料混合物304构成的层包围204阻挡薄层108之后，例如根据图1的描述的设计方案中的一个来示出光电子器件100的示意横截面。

所示出的是载体102上或上方的第一电极110。在第一电极110上或上方构成有机功能层结构112。在有机功能层结构112上或上方构成第二电极114。在第二电极114上或上方构成阻挡薄层108。在阻挡薄层108上或上方构成和/或设置化学活性的层、例如化学活性材料304或化学活性材料混合物304的化学活性的覆层、化学活性的膏等。

此外示出，第二电极114相对于第一电极110借助于例如由聚酰亚胺构成的电绝缘部302来电绝缘。

在光电子器件100的载体102的几何边缘的区域中，光电子器件能够具有接触盘，所述接触盘构建用于电接触有机功能层结构112，即与有机功能层结构112电连接。对于第二电极114而言，在载体102上或上方的接触盘能够构建用于此。第二电极114的接触盘306能够相对于第一电极110电绝缘，例如借助于电绝缘部302。

第一电极110的电接触部能够至载体102的几何边缘区域构成(在图3右侧示出)。

在电极(在所示出的设计方案中为第二电极114)之间构成206电势能够借助于接触盘306和化学活性材料304或化学活性材料混合物304借助于电接触部308的电接触来进行，例如借助于电压源310的电极与化学活性材料304或化学活性材料混合物304的层和接触盘306的配合的连接，例如借助于接触销、端子接触件、导电粘结连接或焊接连接进行。

电势、例如电压变化能够借助于电压源310构成，所述电压源与电接触部308电连接。

电压变换应当构建为，使得阻挡薄层108具有介电特性、即电绝缘地构成。

在超过最大电压值时，在阻挡薄层108、例如由氧化锌构成的阻挡薄层108的一些设计方案中，阻挡薄层108能够变得导电。

由此，例如当阻挡薄层108具有导电通道、例如扩散通道408(见图4)时，阻挡薄层108之上的电势能够实现经过阻挡薄层108的载流子的电流流动。

电压变化例如能够产生直流电流和/或电压脉冲，例如是脉冲的。电压脉冲例如能够借助于脉冲宽度调制来调制。

图300中的部分100中的光电子器件的层在不同的实施例中在图1中描述。

图300中的部分400中的光电子器件的层在不同的实施例中在图4中描述。

图4示出根据不同设计方案的光电子器件的区域的示意横截面。

所示出的是具有第二电极114上或上方的阻挡薄层108的图3的描述的设计方案中的一个的示意横截面的放大图。此外示出阻挡薄层108上或上方的化学活性材料304或化学活性材料混合物304的层，其中在第二电极114和化学活性材料304或化学活性材料混合物304的层之间借助于电压源310构成电势。

此外示出阻挡薄层108中的扩散通道408，水能够穿过所述扩散通道扩散到有机功能层结构中，例如借助于渗透压力。

在第二电极114和化学活性材料304或化学活性材料混合物304的层之间构成206电势能够引起化学活性材料304或化学活性材料混合物304的离子化。

在一个设计方案中，化学活性材料304或化学活性材料混合物304的化学活性的层能够具有铜或由其形成。铜层例如能够沉积、例如蒸镀在阻挡薄层108上。

借助于电势能够离子化化学活性层的材料或材料混合物的铜或铜化合物的一部分，即形成可自由移动的载流子，例如可自由移动的铜离子。换而言之：借助于电势能够激活化学活性层的材料或材料混合物。

借助于电场，例如，化学活性材料304或化学活性材料混合物304的层的带正电的可自由移动的载流子404、例如带正电的铜离子404能够迁移到扩散通道408中(其借助于箭头410示出)。

化学活性材料304或化学活性材料混合物304的示例的带正电的载流子404由此能够迁移到第二电极114中(借助于箭头406示出)。

在第二电极114中，化学活性材料304或化学活性材料混合物304的带正电的载流子404能够与第二电极114的互补带电的载流子402、例如带负电的载流子402、例如可自由移动的电子相遇。

由此，能够引起化学活性材料304或化学活性材料混合物304的载流子404的还原。换而言之：化学活性材料或化学活性材料混合物能够在第二电极114处化学转化，例如变得化学非活性，例如配合地与第二电极114连接。由此能够引起严密密封地封闭扩散通道408。

在一个设计方案中(未示出)，化学活性层能够构成为导电的化学活性的膏或者化学活性材料304或者化学活性材料混合物304分布在其中。

化学活性材料304或化学活性材料混合物例如能够构建为氧化剂304，例如氧离子的源、例如过氧化氢。化学活性膏的导电性例如能够借助于导电添加物在化学活性的膏中构成。

在第二电极114和带导电的化学活性的膏之间构成206电势例如能够具有将第二电极114与电压源310的负极电接触并且具有将导电的化学活性的膏与电压源310的正极接触，例如借助于接触销。第二电极114例如能够具有金属、例如铝或由其形成。在电压源310的电压变化的一个设计方案中，能够从第二电极114中排出金属阳离子，例如铝离子，并且通过扩散通道408迁移。金属阳离子与导电的化学活性的膏的还原剂304的接触能够引起形成金属氧化物，例如氧化铝。由此能够封闭扩散通道408的开口。

在一个设计方案(未示出)中，在阻挡薄层108上或上方能够构成化学活性的导电层、例如金属层、例如铝层，例如通过将铝蒸镀到阻挡薄层108上或上方的方式来构成。在化学活性的导电的层上或上方能够施加具有氧化剂的膏。在一个设计方案中，具有氧化剂的膏能够构建为是导电的。在例如第二电极114和化学活性的导电的层之间构成206电势能够借助于具有还原剂的膏将化学活性的导电的层的可自由移动的离子转化成氧化物衍生物。换而言之：导电材料、例如金属、例如铝能够借助于电势来化学活化并且能够借助其他化学活性的材料、例如氧化剂转化、例如转化成氧化铝，使得能封闭阻挡薄层108中的扩散通道408。

在一个设计方案(未示出)中，在第二电极114上或上方、即在第二电极114和阻挡薄层108之间能够构成另外的导电的层、例如另外的金属层、例如钛层、另外的导电层在阳极氧化中例如能够在扩散通道408中或在扩散通道408的至少一侧上形成例如稳定的、严密密封的、即防扩散的氧化物。

在一个设计方案(未示出)中，用化学活性材料304或化学活性材料混合物304包围204阻挡薄层108也能够构成为将例如用阻挡薄层108封装的光电子器件引入、例如浸入到化学活性的溶液、悬浮液或扩散剂中。

换而言之：化学活性材料或化学活性材料混合物能够溶解在溶液或扩散剂中并且作为电解液到达扩散通道408中。化学活性的溶液、悬浮液或扩散剂例如能够是用于铜电解液的池。化学活性材料或化学活性材料混合物例如能够具有金属离子或由其形成，例如铜离子，所述金属离子例如在例如由铝制成的第二电极114处能够还原成金属、例如铜。由此，扩散通道408能够随时间、即随着持续时间用金属来生长、例如在铜电解液中用铜填充，在所述持续时间期间构成电势或电场。

代替能够为对于光电子器件有害的环境影响的水状的电解溶液例如能够使用由无氢氧化物的溶剂、例如碳酸丙烯、醌或喹啉。

在不同的实施例中，提供用于制造光电子器件的方法和设备，借助所述设备和方法可以改进光电子器件的薄膜封装的质量。借助于将化学活性层施加到光电子器件的薄膜封装件上或上方、例如为光电子器件和借助于在光电子器件的阴极和化学活性层之间施加电场能够在薄膜封装件的可能的缺陷部位处触发电化学反应，所述电化学反应消除薄膜封装件中的所述缺陷。由此能够构成无缺陷封装的电器件、例如光电子器件、例如有机光电子器件，并且能够排除由于湿气损坏引起的早期失效。

虽然已经参照具体实施例对所公开的实施例进行了具体展示和说明，但是本领域技术人员应理解：可以在形式和细节上做出各种变化而不会偏离所公开的实施例的构思和范围。所公开的实施例的范围因而旨在涵盖这些实施例的等同形式的意义和范围之内的全部变化。

Claims

1.一种用于制造光电子器件的方法，所述方法具有：

·提供光电子器件，所述光电子器件在导电层上或上方具有介电层，其中所述介电层构建用于相对于水基本上严密密封地密封所述导电层，其中所述介电层具有扩散通道；

·封闭所述介电层，其中封闭所述介电层中的所述扩散通道中的至少一些扩散通道，并且其中通过在相应的所述扩散通道中的化学活性材料或化学活性材料混合物和所述介电层之间形成配合的连接来封闭所述扩散通道，其中所述化学活性材料或所述化学活性材料混合物是带电的。

2.根据权利要求1所述的方法，其中为了配合地封闭，用所述化学活性材料或所述化学活性材料混合物包围所述介电层。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述化学活性材料或所述化学活性材料混合物在溶液、悬浮液或扩散剂中溶解。

4.根据权利要求3所述的方法，其中化学活性的所述溶液、悬浮液或扩散剂以无水的方式构建。

5.根据权利要求1所述的方法，其中将所述化学活性材料或所述化学活性材料混合物在所述介电层上或上方作为化学活性的层或在化学活性的层中构成。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述化学活性材料或所述化学活性材料混合物中的至少一部分构建为是导电的。

7.根据权利要求1或2所述的方法，所述方法还具有：在所述介电层上方构成电势差，使得在所述扩散通道中构成电场。

8.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述光电子器件构建为有机电子器件。

9.根据权利要求6所述的方法，其中所述化学活性材料或者所述化学活性材料混合物具有或提供离子。

10.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述光电子器件构建为有机光电子器件。

11.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述光电子器件构建为有机太阳能电池或有机发光二极管。

12.一种用于制造光电子器件的设备，所述光电子器件在导电层上或上方具有至少一个介电层，其中所述介电层相对于水严密密封地构建并且具有扩散通道，所述设备具有：

·用于用化学活性材料或化学活性材料混合物包围所述介电层的设备，其中通过在相应的所述扩散通道中的化学活性材料或化学活性材料混合物和所述介电层之间形成配合的连接来封闭所述扩散通道，并且其中所述化学活性材料或所述化学活性材料混合物是带电的；

·电压源，所述电压源构建用于提供能调制的电压变化，其中所述电压源与所述导电层和所述化学活性材料或所述化学活性材料混合物导电地连接，使得电回路通过所述扩散通道而电闭合；

·控制单元，所述控制单元构建用于控制所述电压源的电压变化；

·测量装置，所述测量装置构建用于测量经过所述介电层的电流，其中所述测量装置还构建为，使得将测量到的电导率传输给所述控制单元；其中将所述电压变化的时间调制与测量到的电流耦合。

13.根据权利要求12所述的设备，其中所述电压源构建用于提供恒定的直流电压。

14.根据权利要求12或13所述的设备，其中所述控制单元构建为脉冲调制器，其中用于脉冲调制的控制信号是电的层结构的测量到的电导率的函数。

15.根据权利要求12所述的设备，其中所述电压源具有用于输入电流的整流器。