CN104584254B - 电子器件和用于制造电子器件的方法 - Google Patents

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Abstract

一种电子器件，所述电子器件能够具有：电有源区域，所述电有源区域具有：第一接触盘，第二接触盘，第一接触盘和第二接触盘之间的有机功能层结构；至少一个电端子，所述电端子与第一接触盘或与第二接触盘耦联。第一接触盘和/或第二接触盘能够具有封装件和导电区域。封装件部分地覆盖导电区域，使得第一接触盘的或第二接触盘的一部分露出。露出的区域横向地由封装件完全包围。

Description

电子器件和用于制造电子器件的方法
相关申请
本申请是于2013年4月22日提交的编号为PCT/EP2013/058317的根据中国专利法进入国家阶段的PCT申请，其要求于2012年5月2日提交的德国申请10 2012 207 229.2的优先权，其公开内容通过参引的方式并入本文。
技术领域
在不同的实施例中提出一种电子器件和一种用于制造电子器件的方法。
背景技术
电子器件、例如有机光电子器件具有至少两个接触盘和例如在其之间的有机功能层系统。将电端子联接到接触盘上，所述电端子对有机功能层系统供电。
电端子与接触盘的电连接通常借助于接触部位上的焊接连接来机械地稳固。接触盘的暴露的表面、例如铬和焊锡通常彼此是不兼容的、即是不能混合的。由此，能够造成焊锡在接触盘的暴露的表面上的任意的伸展。伸展的焊锡然后能够使端子在焊接部位上的精确定位变难。
用于限制可焊接的区域的常规的方法应用阻焊漆或焊盘模具(收缩部)。
在制造与器件的电连接时的另一个问题为电子器件在类似成形的极、例如接触盘的情况下的反极性、错误极性或短路。
发明内容
在不同的实施方式中，提供一种光电子器件和一种用于制造光电子器件的方法，借助所述光电子器件和方法可以构成精确的焊接连接和反极性保护。
在本说明书的范围内，将有机物质理解成在不考虑相应的聚集态的情况下以化学一致的形式存在的、特征在于表征性的物理和化学特性的碳化合物。此外，在本说明书的范围内，能够将无机物质理解成在不考虑相应的聚集态的情况下以化学一致的形式存在的、特征在于表征性的物理和化学特性的、没有碳的化合物或者单碳化合物。在本说明书的范围内，将有机无机物质(混合物质)理解为在不考虑相应的聚集态的情况下以化学一致的形式存在的、特征在于表征性的物理和化学特性的、具有包含碳的和不具有碳的化合物部分的化合物。在本说明书的范围内，术语“物质”包括全部上述物质，例如有机物质、无机物质、和/或混合物质。此外，在本说明书的范围内，能够将物质混合物例如理解成：组分由两种或更多种不同物质组成，所述物质混合物的组分例如极其精细地分布。将由一种或多种有机物质、一种或多种无机物质或一种或多种混合物质构成的物质或物质混合物能够理解为物质分级。术语“材料”能够与术语“物质”同义地应用。
在不同的实施方式中，提供一种电子器件，所述器件具有：电有源区域，所述电有源区域具有：第一接触盘；第二接触盘；第一接触盘和第二接触盘之间的有机功能层结构；至少一个电端子，所述电端子与第一接触盘或与第二接触盘耦联；和封装件，所述封装件部分地覆盖导电区域，使得第一接触盘的和第二接触盘的一部分露出。
在一个设计方案中，光电子器件能够具有一个或多个接触盘，例如2个接触盘、3个接触盘、4个接触盘、5个接触盘或者更多。接触盘的数量能够与光电子器件的面积大小和对于有机光电子器件的发射或吸收的电磁辐射的面积均匀性的要求相关。此外，光电子器件的接触盘的数量能够与同光电子器件连接、例如联接或互连的另外的光电子器件的数量相关。
在又一个设计方案中，接触盘中的至少一个接触盘能够具有与相同的接触盘的另外的区域不同的极或极性，或者具有与至少一个另外的接触盘不同的极或极性。
在此，能够将电流源的载流子类型、例如电子或空穴的不同的进入点或离开点理解为极或极性。
在又一个设计方案中，第一接触盘、有机功能层结构和第二接触盘能够面状地彼此相叠地设置。
在又一个设计方案中，第一接触盘、有机功能层结构和第二接触盘能够面状地并排地设置。
在不同的实施例中，第一接触盘、有机功能层结构和第二接触盘能够面状地彼此相叠地设置，或者第一接触盘、有机功能层结构和第二接触盘能够面状地并排地设置。
在又一个设计方案中，第一接触盘和/或第二接触盘能够至少部分地包围有机功能层结构。
在又一个设计方案中，第一接触盘和/或第二接触盘能够至少部分地由有机功能层结构包围。
在又一个设计方案中，第一接触盘和/或第二接触盘能够具有导电区域和电绝缘区域；并且其中第一接触盘的和/或第二接触盘的露出的区域在导电区域上或上方不具有绝缘区域。第一接触盘和/或第二接触盘的导电区域能够与有机功能层系统的电极中的一个电极耦联。
在又一个设计方案中，导电区域能够自承地构成或者施加在载体上。
在又一个设计方案中，第一接触盘的物质或物质混合物和/或第二接触盘的物质或物质混合物能够具有选自下述物质组的物质或由其构成：Cu、Ag、Au、Pt、CuSn、Cr、Al。
在又一个设计方案中，封装件能够构成为第一接触盘的和/或第二接触盘的绝缘区域，并且封装件的物质或物质混合物具有选自下述物质组的物质或物质混合物或由其构成：氧化铝、氧化锌、氧化锆、氧化钛、氧化铪、氧化钽、氧化镧、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝掺杂的氧化锌以及其混合物和合金。
在又一个设计方案中，电绝缘的区域能够构成为导电层上或上方的封装件，其中封装件能够具有与有机功能层结构的薄层封装件相同的或相似的特性，例如能够以相同的工艺沉积。
在又一个设计方案中，为了将电端子与第一接触盘和/或第二接触盘耦联，电端子在第一接触盘的和/或第二接触盘的露出的区域中与接触盘构成物理连接和电连接或者仅构成电连接。
在又一个设计方案中，电端子在与封装件物理接触的情况下不能够具有或构成与第一接触盘和/或与第二接触盘的电连接。
在又一个设计方案中，第一接触盘和/或第二接触盘在封装件中能够具有由两个或更多个露出的区域构成的构造方案。
在又一个设计方案中，用于第一接触盘的封装件的露出的区域的构造方案能够与第二接触盘的封装件的露出的区域的构造方案不同地构成，其中并非每个接触盘都安排露出的区域，而是能够根据需要露出要露出的区域。
在又一个设计方案中，在第一接触盘上和/或在第二接触盘上能够构成一个或多个露出的区域，其中所述露出的区域的形状和两个或更多个露出的区域之间的间距能够不同地构成。接触盘上的至少一个露出的区域的位置能够与其他的接触盘上的露出的区域的位置相同地或不同地构成。
各个露出的区域能够具有相同的或不同的横截面。
露出的区域能够具有选自下述几何体组的几何形状或几何形状的一部分：柱形、锥形、截锥形、球形、半球形、立方体、长方体、棱锥、截棱锥、棱柱或者多面体。
露出接触盘上的导电区域能够在器件的所有侧部上构成并且也能够同时地构成。
在光电子器件中，具有露出的区域的接触盘能够在具有有源表面的侧部上构成，即在吸收或发射电磁辐射并且也能够称作为上侧的侧部上构成，或者在光电子器件的在不可见的和/或光学非活性的区域中的侧面或后侧上的接触盘上构成。
在又一个设计方案中，封装件的露出的区域的构造方案能够构成为，使得在电端子和接触盘的极性、也称作极一致的情况下，能够构成端子与接触盘的电连接。在端子与接触盘的极不一致的情况下，由此能够构成反极性保护。
在又一个设计方案中，用于具有相同极性的接触盘的封装件的露出的区域的构造方案能够相同地构成。
在又一个设计方案中，接触盘的露出的区域的构造方案能够构建为：仅在器件关于固定构成的端子对准的情况下，构成电连接，例如当每个接触盘的露出的区域不同地成形时和/或每个接触盘具有不同数量的露出的区域和/或露出的区域的不同的构造方案时。
在又一个设计方案中，第一接触盘的封装件的与第二接触盘的封装件的层横截面的差异能够具有不同的参数，所述参数选自：物质或物质混合物；均匀性；层数量；层序列和层厚度。
在又一个设计方案中，在第一接触盘和/或第二接触盘与相应的端子极性一致的情况下，封装件的露出的区域的设计方案与端子的设计方案互补地构成。
在又一个设计方案中，互补的设计方案具有至少一个选自下述参数组的互补的参数：形状；拓扑；和表面的化学特性。
在又一个设计方案中，第一接触盘的和/或第二接触盘的露出的区域能够借助于材料配合的连接与电端子耦联。
在又一个设计方案中，材料配合的连接能够至少在露出的区域中具有选自下述材料配合的连接组的材料配合的连接的物质或物质混合物：熔焊；钎焊；或粘接，即例如焊锡、粘接剂等。
在又一个设计方案中，在第一接触盘和/或第二接触盘上存在多个露出的区域的情况下，第一接触盘的和/或第二接触盘的各个露出的区域同时也能够具有彼此不同的形状配合的和/或材料配合的化合物。
在又一个设计方案中，封装件的露出的区域的形状能够对用于材料配合的连接的物质或物质混合物构成对准作用。
要露出的区域例如能够借助于UV激光器、例如借助于脉冲的ns激光器或借助于脉冲的fs激光器来劈开或露出。其他的方法例如能够具有湿化学刻蚀和/或化学和/或机械研磨或抛光。
在又一个设计方案中，封装层的物质或物质混合物能够构成为用于材料配合的连接的物质或物质混合物的扩散阻挡件。
在又一个设计方案中，第一接触盘的和/或第二接触盘的至少一个露出的区域的与电端子的耦联能够借助于形状配合、剪力或弹簧力构成。
在又一个设计方案中，封装件的露出的区域的形状和/或端子的形状能够成形为，使得对连接件与第一接触盘的和/或第二接触盘的露出的区域物理接触构成对准作用。
在又一个设计方案中，电子器件能够具有有机光电子器件，优选为有机发光二极管或有机太阳能电池。
在不同的实施方式中，提供一种用于制造电子器件的方法，所述方法具有：形成电有源区域，具有：形成第一接触盘；形成有机功能层结构；和形成第二接触盘；至少一个电端子，所述电端子与第一接触盘或与第二接触盘耦联，和封装件，将所述封装件部分地从第一接触盘或第二接触盘移除，使得第一接触盘或第二接触盘的一部分露出。
在方法的一个设计方案中，第一接触盘、有机功能层结构和第二接触盘能够面状地彼此叠加地设置。
在方法的又一个设计方案中，第一接触盘、有机功能层结构和第二接触盘能够面状地并排地设置。
在方法的又一个设计方案中，第一接触盘和/或第二接触盘能够至少部分地包围有机功能层结构。
在方法的又一个设计方案中，第一接触盘和/或第二接触盘能够至少部分地由有机功能层结构包围，例如通过多个有机功能层结构共享至少一个共同的接触盘的方式。
在方法的又一个设计方案中，用于形成第一接触盘的物质或物质混合物和/或用于形成第二接触盘的物质或物质混合物能够具有选自下述的物质组中的物质或由其构成：Cu、Ag、Au、Pt、CuSn、Cr、Al。
在方法的又一个设计方案中，第一接触盘和/或第二接触盘能够具有导电区域和电绝缘区域；并且其中第一接触盘的和/或第二接触盘的露出的区域在导电区域上或上方不具有绝缘区域。
在方法的又一个设计方案中，在电绝缘区域下方露出第一接触盘的和/或第二接触盘的导电区域、即在导电区域上或上方移除电绝缘区域能够借助于机械工艺或冲击工艺构成。
机械地露出接触盘的导电区域例如能够借助玻璃纤维刷构成。
冲击地露出接触盘的导电区域例如能够借助于用颗粒、分子、原子、离子、电子和/或光子轰击要露出的区域来实现。
用于借助于光子冲击地露出的设备例如能够构成为激光器，例如具有在大约200nm至大约1500nm范围内的波长，例如以聚焦的方式构成，例如具有在大约10μm至大约2000μm范围内的聚焦直径；例如以脉冲的方式构成，例如具有在大约100fs至大约0.5ms范围内的脉冲持续时间；例如具有在大约50mW至大约1000mW范围内的功率，例如具有100kW/cm2至大约10GW/cm2的功率密度，具有在大约100Hz至大约1000Hz范围内的重复率。
在方法的又一个设计方案中，为了将电端子与第一接触盘和/或第二接触盘耦联，电端子在第一接触盘的和/或第二接触盘的露出的区域中能够与第一接触盘或第二接触盘构成物理连接和电连接或者仅构成电连接。
在此，电端子能够构成为有机光电子器件的保持设备的一部分，例如以用于对有机发光二极管通电。
在方法的又一个设计方案中，封装件能够构成为第一接触盘的和/或第二接触盘的绝缘区域，并且封装件的物质或物质混合物具有选自下述物质组的物质或物质混合物或由其构成：氧化铝、氧化锌、氧化锆、氧化钛、氧化铪、氧化钽、氧化镧、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝掺杂的氧化锌以及其混合物和合金。
在方法的又一个设计方案中，电端子能够在与封装件物理接触的情况下不具有或构成与第一接触盘和/或第二接触盘的电连接。
在方法的又一个设计方案中，在露出第一接触盘的区域时和/或在露出第二接触盘的区域时，能够在第一接触盘的和/或与第二接触盘的封装件中构成由两个或更多个露出的区域构成的构造方案。
在方法的又一个设计方案中，在第一接触盘中和/或在第二接触盘中能够构成不同数量的露出的区域，例如零个、一个、两个、三个或更多个。
露出的区域相互间和/或相对于其他接触盘的露出的区域能够具有彼此不同的间距。
电端子之间的间距和/或电端子的形状在错误对准时、即器件关于电端子反极性的情况下不对应于接触盘的露出的区域的间距。由此，能够构成反极性保护。
一个接触盘上的露出的区域和关于其他接触盘的露出的区域能够具有不同的形状和/或扩展。由此，能够构成反极性保护，借助所述反极性保护能够防止光电子器件的错误的极、反极性或短路，例如在保持设备的、例如插接设备的端子固定的情况下。
在方法的又一个设计方案中，用于第一接触盘的封装件的露出的区域的构造方案能够与第二接触盘的封装件的露出的区域的构造方案不同地构成。
在方法的又一个设计方案中，封装件的露出的区域的构造方案能够构成为，使得在电端子和接触盘的极性一致的情况下，能够构成电端子与接触盘的电连接。
在方法的又一个设计方案中，用于第一接触盘和/或用于第二接触盘的封装件的露出的区域的构造方案在极性相同的情况下能够相同地构成。
在方法的又一个设计方案中，在至少一个接触盘上能够露出封装件的区域，使得仅有机光电子器件相对于电端子的对准引起电连接。
器件的单义的对准能够在不改变保持设备的或电子器件的外形的情况下构成，例如当每个接触盘或与其互补的每个电端子在距其他露出的区域或电端子的间距和形状方面特定地、即独特地构成时如此。
根据电子器件的设计方案和特性，面状相对置的接触盘例如能够具有相同的极性进而例如能够实现对光电子器件的均匀的通电或多个光电子器件的互连。
在方法的又一个设计方案中，第一接触盘的和/或第二接触盘的封装件的露出的区域与相应端子的形状能够互补地构成。
在方法的又一个设计方案中，封装件的露出的区域的和端子的互补的构成方案具有至少一个选自下述参数组的参数：形状；拓扑；和表面的化学特性。
在方法的又一个设计方案中，端子与第一接触盘的露出的部分或与第二接触盘的露出的部分的耦联能够具有材料配合的连接、
在方法的又一个设计方案中，材料配合的连接能够具有选自下述方法组的接合方法：熔焊、钎焊；或粘接。
在方法的又一个设计方案中，能够露出导电区域，使得在建立端子与接触盘的物理连接时，封装件的露出的区域的形状能够对用于材料配合的连接的物质或物质混合物构成对准作用。
为了将电端子与第一接触盘的和/或第二接触盘的露出的区域中的导电区域以材料配合的方式连接，能够部分地或完全地由用于材料配合的连接的物质或物质混合物填充封装件的露出的区域。
材料配合的连接的物质或物质混合物在连接之前能够处于非固态状态，例如是液态的或粘稠的，例如为非硬化的环氧化物、导热膏、焊锡或者其他液态的或液化的金属或金属化合物，例如金属合金。
封装件的物质或物质混合物能够对于材料配合的连接的物质或物质混合物构成为是不可渗透的，由此封装件构成用于材料配合的连接的物质或物质混合物的扩散阻挡件。
在方法的又一个设计方案中，封装层的物质或物质混合物能够构成为用于材料配合的连接的物质或物质混合物的扩散阻挡件。
当将电端子引导到露出的区域中时，露出的区域的形状、例如截锥的形状能够对于材料配合的连接的物质或物质混合物和电端子具有对准作用，即以位置对准的方式。当电端子与露出的区域互补成形时，对准作用能够加强。
借助于对准作用能够通过修正位置的形状例如以渐缩的方式补偿电端子相对于露出的区域的互补的对准。
在材料配合的连接的物质或物质混合物导电的情况下，借助于仅将电端子与材料配合的连接的物质或物质混合物耦联，能够构成接触盘的露出的导电区域和电端子之间的电连接，即电端子的扩展能够小于露出的区域的扩展。由此，能够简化电端子相对于露出的区域的对准。
因此，露出的区域的扩展能够选择得大至，使得材料配合的连接的物质或物质混合物、例如焊锡在管脚下方流动是可能的，由此能够防止电端子的打滑。电端子例如能够以销(管脚)的形式构成。
妨碍材料配合的连接的物质或物质混合物的流动在此能够借助于匹配封装件的物质或物质混合物的表面应力和材料配合的连接的物质或物质混合物的表面应力来加强或降低。
在材料配合的连接的物质或物质混合物不导电的情况下，电端子和接触盘的导电区域之间的电连接能够借助于物理接触来构成。
在方法的又一个实施方式中，端子与第一接触盘的露出的区域和/或与第二接触盘的露出的区域的耦联能够借助于形状配合、剪力或弹簧力来构成。
在方法的又一个实施方式中，相同极性的接触盘能够借助于电桥彼此电连接，即并联连接，例如通过常规的能够借助材料配合的或形状配合的连接来固定的布线。
借助于露出的区域能够为电桥实现限定的位置。
限定的位置例如能够用于例如借助于机器人自动地构成桥。
借助于露出的区域还能够简化接触盘的并联连接，因为例如为每个焊接部位仅加工/保持一个线缆。
借助于通过露出的区域形成电桥，能够连续地构成形状配合的连接、例如焊接部位，使得能够保持已经构成的焊接部位，即不再松开或改变。
在方法的又一个实施方式中，第一接触盘和/或第二接触盘能够具有多个露出的区域并且与电端子连接，其中借助于具有未占用的、露出的区域的电桥，多于一个的相同极性的接触盘能够并联连接并且通电。
在方法的又一个实施方式中，没有用于通电的露出的区域能够用于对准和/或固定电子器件。
在方法的又一个实施方式中，电子器件能够具有有机光电子器件，优选为有机发光二极管或有机太阳能电池。
附图说明
在附图中，类似的附图标记通常表示在不同的视图中的相同的部件。附图不必是合乎比例的，而是通常将重点放在阐明所公开的实施例的原理。在下面的描述中，通过参考以下附图来说明多个实施例，其中：
图1根据不同的实施例示出光电子器件的示意横截面图；
图2根据不同的实施例示出光电子器件的后侧的示意俯视图；
图3根据不同的实施例示出光电子器件的接触盘的示意横截面图；
图4根据不同的实施例示出光电子器件的接触盘的示意横截面图；
图5根据不同的实施例示出在耦联之前的光电子器件与电接触部的材料配合的电连接的示意横截面图；
图6根据不同的实施例示出在耦联之后的光电子器件与电接触部的材料配合的电连接的示意横截面图；
图7根据不同的实施例示出在耦联之前的光电子器件与电接触部的形状配合的电连接的示意横截面图；
图8根据不同的实施例示出在耦联之后的光电子器件与电接触部的形状配合的电连接的示意横截面图；
图9根据不同的实施例示出具有露出的导电区域的光电子器件的后侧的示意俯视图；
图10根据不同的实施例示出在极错误的情况下的光电子器件的反极性保护的示意图；
图11根据不同的实施例示出在极正确的情况下的光电子器件的反极性保护的示意图；
图12根据不同的实施例示出光电子器件的并联电路的示意图，和
图13示出光电子器件的具体的设计方案的示意图。
具体实施方式
在下面详细的描述中参考附图，所述附图形成所述描述的一部分，并且在所述附图中示出能够实施本公开文献的具体的实施方式以用于说明。在此方面，相关于所描述的一个(多个)附图的定向而使用方向术语例如“上”、“下”、“前”、“后”、“前部”、“后部”等等。因为实施方式的组成部分能够以多个不同的定向来定位，所以方向术语仅用于说明并且不以任何方式受到限制。要理解的是，能够使用其他的实施方式并且能够进行结构上的或逻辑上的改变，而不偏离本公开文献的保护范围。要理解的是，只要没有特殊地另外说明，就能够将在此描述的不同的示例性的实施方式的特征互相组合。因此，下面详细的描述不能够理解为受限制的意义，并且本公开文献的保护范围是由说明书所公开的。
在所述描述的范围内，术语“连接”、“联接”以及“耦联”用于描述直接的和间接的连接、直接的或间接的接触盘以及直接的或间接的耦联。在附图中，只要是适当的，相同的或相似的元件就设有相同的附图标记。
图1根据不同的实施例示出光电子器件的示意横截面图。
有机发光二极管100的形式的发光器件100能够具有载体102。载体102例如能够用作为用于电子元件或层、例如用于发光元件的载体元件。例如，载体102能够具有玻璃、石英和/或半导体材料或任意其他适合的材料或由其形成。此外，载体102能够具有塑料薄膜或具有带有一个或多个塑料薄膜的叠层或者由其形成。塑料能够具有一种或多种聚烯烃(例如具有高密度或低密度的聚乙烯(PE)或聚丙烯(PP))或者由其形成。此外，塑料能够具有聚氯乙烯(PVC)、聚苯乙烯(PS)、聚酯和/或聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜(PES)和/或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或者由其形成。载体102能够具有一种或多种上述材料。载体102能够构成为是半透明的或甚至是透明的。
术语“半透明”或“半透明层”在不同的实施例中能够理解为：层对于光是可穿透的，例如对于由发光器件所产生的例如一个或多个波长范围的光是可穿透的，例如对于可见光的波长范围中的光是可穿透的(例如至少在380nm至780nm的波长范围的局部范围中)。例如，术语“半透明层”在不同的实施例中理解为：全部的耦合输入到结构(例如层)中的光量基本上也从该结构(例如层)中耦合输出，其中光的一部分在此能够散射。
术语“透明”或“透明层”在不同的实施例中能够理解为：层对于光是可穿透的(例如至少在380nm至780nm的波长范围的局部范围中)，其中耦合输入到结构(例如层)中的光基本上在没有散射或光转换的情况下也从该结构(例如层)中耦合输出。因此，“透明”在不同的实施例中能够视作为“半透明”的特殊情况。
对于例如应当提供单色发光的或发射光谱受限的电子器件的情况而言足够的是：光学半透明的层结构至少在期望的单色光的波长范围的局部范围中或者对于受限的发射光谱是半透明的。
在不同的实施例中，有机发光二极管100(或还有根据在上文中或还要在下文中描述的实施例的发光器件)能够设计成所谓的顶部和底部发射器。顶部和底部发射器也能够称作为光学透明器件，例如透明有机发光二级管。
在不同的实施例中，能够可选地在载体102上或上方设置有阻挡层104。阻挡层104能够具有下述材料中的一种或多种或者由其构成：氧化铝、氧化锌、氧化锆、氧化钛、氧化铪、氧化钽、氧化镧、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝掺杂的氧化锌、以及它们的混合物和合金。此外，阻挡层104在不同的实施例中能够具有在大约0.1nm(原子层)至大约5000nm的范围中的层厚度，例如在大约10nm至大约200nm的范围中的层厚度，例如为大约40nm的层厚度。
在阻挡层104上或上方能够设置有发光器件100的电有源区域106。电有源区域106能够理解为发光器件100的其中有用于运行发光器件100的电流流动的区域。在不同的实施例中，电有源区域106能够具有第一电极110、第二电极114和有机功能层结构112，如其在下面更详细阐明的那样。
因此，在不同的实施例中，能够在阻挡层104上或上方(或者，当不存在阻挡层104时，在载体102上或上方)施加(例如第一电极层110的形式的)第一电极110。第一电极110(下面也称为底部电极110)能够由导电材料形成或者是导电材料，例如由金属或透明导电氧化物(transparent conductive oxide,TCO)形成或由相同金属的或不同金属的和/或相同TCO的或不同TCO的多个层的层堆来形成。透明导电氧化物是透明的、导电的材料，例如金属氧化物，例如氧化锌、氧化锡、氧化镉、氧化钛、氧化铟或铟锡氧化物(ITO)。除了二元的金属氧化物例如ZnO、SnO2或In2O3以外，三元的金属氧化物例如AlZnO、Zn2SnO4、CdSnO3、ZnSnO3、Mgln2O4、GaInO3、Zn2In2O5或In4Sn3O12或不同的透明导电氧化物的混合物也属于TCO族并且能够在不同的实施例中使用。此外，TCO不强制符合化学计量的组分并且还能够是p型掺杂的或n型掺杂的。
在不同的实施例中，第一电极110能够具有金属；例如Ag、Pt、Au、Mg、Al、Ba、In、Ag、Au、Mg、Ca、Sm或Li、以及这些材料的化合物、组合或合金。
在不同的实施例中，能够由在TCO层上的金属层的组合的层堆形成第一电极110，或者反之。一个示例是施加在铟锡氧化物层(ITO)上的银层(ITO上的Ag)或ITO-Ag-ITO复层。
在不同的实施例中，替选于或附加于上述材料，第一电极110能够设有下述材料中的一种或多种：由例如由Ag构成的金属的纳米线和纳米微粒构成的网络；由碳纳米管构成的网络；石墨微粒和石墨层；由半导体纳米线构成的网络。
此外，第一电极110能够具有导电聚合物或过渡金属氧化物或导电透明氧化物。
在不同的实施例中，第一电极110和载体102能够构成为是半透明的或透明的。在第一电极110由金属形成的情况下，第一电极110例如能够具有小于或等于大约25nm的层厚度、例如小于或等于大约20nm的层厚度、例如小于或等于大约18nm的层厚度。此外，第一电极110例如能够具有大于或等于大约10nm的层厚度、例如大于或等于大约15nm的层厚度。在不同的实施例中，第一电极110能够具有在大约10nm至大约25nm范围内的层厚度、例如在大约10nm至大约18nm范围内的层厚度、例如在大约15nm至大约18nm范围内的层厚度。
此外，对于第一电极110由透明导电氧化物(TCO)形成的情况而言，第一电极110例如具有在大约50nm至大约500nm范围内的层厚度、例如在大约75nm至大约250nm范围内的层厚度、例如在大约100nm至大约150nm范围内的层厚度。
此外，对于第一电极110例如由如由Ag构成的能够与导电聚合物组合的金属的纳米线构成的网络形成、由能够与导电聚合物组合的碳纳米管构成的网络形成或者由石墨层和复合材料形成的情况而言，第一电极110例如能够具有在大约1nm至大约500nm范围内的层厚度、例如在大约10nm至大约400nm范围内的层厚度、例如在大约40nm至大约250nm范围内的层厚度。
第一电极110能够构成为阳极、即构成为空穴注入的电极，或者构成为阴极、即构成为电子注入的电极。
第一电极110能够具有第一电端子，第一电势(由能量源(未示出)、例如由电流源或电压源提供)能够施加到所述第一电端子上。替选地，第一电势能够施加到载体102上或者是施加到载体102上的并且然后经由此间接地输送给第一电极110或者是输送给第一电极110的。第一电势例如能够是接地电势或者是不同地预设的参考电势。
此外，发光器件100的电有源区域106能够具有有机电致发光层结构112，所述有机电致发光层结构施加在第一电极110上或上方或是施加在第一电极110上或上方的。
有机电致发光层结构112能够包含一个或多个发射体层118、例如具有发荧光的和/或发磷光的发射体的发射体层，以及一个或多个空穴传导层116(也称作空穴传输层120)。在不同的实施例中，替选地或附加地，能够设有一个或多个电子传导层116(也称作电子传输层116)。
能够在根据不同实施例的发光器件100中用于发射体层118的发射体材料的实例包括：有机的或有机金属的化合物，如聚芴、聚噻吩和聚亚苯基的衍生物(例如2-或2,5-取代的聚-对-亚苯基乙烯撑)；以及金属络合物，例如铱络合物，如发蓝色磷光的FIrPic(双(3,5-二氟-2-(2-吡啶基)苯基-(2-羧基吡啶基)-铱III)、发绿色磷光的Ir(ppy)3(三(2-苯基吡啶)铱III)、发红色磷光的Ru(dtb-bpy)3*2(PF6))(三[4,4’-二-叔-丁基-(2,2’)-联吡啶]钌(III)络合物)、以及发蓝色荧光的DPAVBi(4,4-双[4-(二-对-甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯)、发绿色荧光的TTPA(9,10-双[N,N-二-(对-甲苯基)-氨基]蒽)和发红色荧光的DCM2(4-二氰基亚甲基)-2-甲基-6-久洛尼定基-9-烯基-4H-吡喃)作为非聚合物发射体。这种非聚合物发射体例如能够借助于热蒸镀来沉积。此外，能够使用聚合物发射体，所述聚合物发射体尤其能够借助于湿法化学法、例如旋涂法(也称作Spin Coating)来沉积。
发射体材料能够以适合的方式嵌在基体材料中。
需要指出的是，在其他的实施例中同样设有其他适合的发射体材料。
发光器件100的一个或多个发射体层118的发射体材料例如能够选择为，使得发光器件100发射白光。一个或多个发射体层118能够具有多种发射不同颜色(例如蓝色和黄色或者蓝色、绿色和红色)的发射体材料，替选地，发射体层118也能够由多个子层构成，如发蓝色荧光的发射体层118或发蓝色磷光的发射体层118、发绿色磷光的发射体层118和发红色磷光的发射体层118。通过不同颜色的混合，能够得到具有白色的色彩印象的光的发射。替选地，也能够提出，在通过这些层产生的初级发射的光路中设置有转换材料，所述转换材料至少部分地吸收初级辐射并且发射其他波长的次级辐射，使得从(还不是白色的)初级辐射通过将初级辐射和次级辐射组合得到白色的色彩印象。
有机电致发光层结构112通常能够具有一个或多个电致发光层。一个或多个电致发光层能够具有有机聚合物、有机低聚物、有机单体、有机的、非聚合物的小的分子(“小分子(small molecules)”)或这些材料的组合。例如，有机电致发光层结构112能够具有构成为空穴传输层120的一个或多个电致发光层，使得例如在OLED的情况下能够实现将空穴有效地注入到进行电致发光的层或进行电致发光的区域中。替选地，在不同的实施例中，有机电致发光层结构112能够具有构成为电子传输层116的一个或多个功能层，使得例如在OLED中能够实现将电子有效地注入到进行电致发光的层或进行电致发光的区域中。例如能够使用叔胺、咔唑衍生物、导电的聚苯胺或聚乙烯二氧噻吩作为用于空穴传输层120的材料。在不同的实施例中，一个或多个电致发光层能够构成为进行电致发光的层。
在不同的实施例中，空穴传输层120能够施加、例如沉积在第一电极110上或上方，并且发射体层118能够施加、例如沉积在空穴传输层120上或上方。在不同的实施例中，电子传输层116能够施加、例如沉积在发射体层118上或上方。
在不同的实施例中，有机电致发光层结构112(即例如空穴传输层120和发射体层118和电子传输层116的厚度的总和)具有最大为大约1.5μm的层厚度、例如最大为大约1.2μm的层厚度、例如最大为大约1μm的层厚度、例如最大为大约800nm的层厚度、例如最大为大约500nm的层厚度、例如最大为大约400nm的层厚度、例如最大为大约300nm的层厚度。在不同的实施例中，有机电致发光层结构112例如能够具有多个直接彼此相叠设置的有机发光二极管(OLED)的堆，其中每个OLED例如能够具有最大为大约1.5μm的层厚度、例如最大为大约1.2μm的层厚度、例如最大为大约1μm的层厚度、例如最大为大约800nm的层厚度、例如最大为大约500nm的层厚度、例如最大为大约400nm的层厚度、例如最大为大约300nm的层厚度。在不同的实施例中，有机电致发光层结构112例如能够具有两个、三个或四个直接彼此相叠设置的OLED的堆，在此情况下，有机电致发光层结构112例如能够具有最大为大约3μm的层厚度。
发光器件100可选地通常能够具有另外的有机功能层，所述另外的有机功能层例如设置在一个或多个发射体层118上或上方或者设置在一个或多个电子传输层116上或上方，用于进一步改进发光器件100的功能性进而效率。
在有机电致发光层结构110上或上方或者必要时在一个或多个另外的有机功能层上或上方能够施加第二电极114(例如以第二电极层114的形式)。
在不同的实施例中，第二电极114能够具有与第一电极110相同的材料或者由其形成，其中在不同的实施例中金属是尤其适合的。
在不同的实施例中，第二电极114(例如对于金属的第二电极114的情况而言)例如能够具有小于或等于大约50nm的层厚度、例如小于或等于大约45nm的层厚度、例如小于或等于大约40nm的层厚度、例如小于或等于大约35nm的层厚度、例如小于或等于大约30nm的层厚度、例如小于或等于大约25nm的层厚度、例如小于或等于大约20nm的层厚度、例如小于或等于大约15nm的层厚度、例如小于或等于大约10nm的层厚度。
第二电极114通常能够以与第一电极110相似的或不同的方式构成或者是这样构成的。第二电极114在不同的实施例中能够由一种或多种材料并且以相应的层厚度构成或者是这样构成的，如在上面结合第一电极110所描述的那样。在不同的实施例中，第一电极110和第二电极114这两者都透明地或半透明地构成。因此，在图1中示出的发光器件100能够设计成顶部和底部发射器(换言之作为透明的发光器件100)。
第二电极114能够构成为阳极、即构成为空穴注入的电极，或者构成为阴极、即构成为电子注入的电极。
第二电极114能够具有第二电端子，由能量源提供的第二电势(所述第二电势与第一电势不同)能够施加到所述第二电端子上。第二电势例如能够具有一定数值，使得与第一电势的差具有在大约1.5V至大约20V范围内的数值、例如在大约2.5V至大约15V范围内的数值、例如在大约3V至大约12V范围内的数值。
在第二电极114上或上方进而在电有源区域106上或上方可选地还能够形成或形成有封装件108，例如以阻挡薄层/薄层封装件108的形式的封装件。
“阻挡薄层”或“阻挡薄膜”108在本申请的范围中例如能够理解成下述层或层结构，所述层或层结构适合于形成相对于化学杂质或大气物质、尤其相对于水(湿气)和氧气的阻挡。换言之，阻挡薄层108构成为，使得其不能够或至多极其少部分由损坏OLED的物质例如水、氧气或溶剂穿过。
根据一个设计方案，阻挡薄层108能够构成单独的层(换言之，构成为单层)。根据一个替选的设计方案，阻挡薄层108能够具有多个彼此相叠构成的子层。换言之，根据一个设计方案，阻挡薄层108能够构成为层堆(Stack)。阻挡薄层108或阻挡薄层108的一个或多个子层例如能够借助于适合的沉积方法来形成，例如根据一个设计方案借助于原子层沉积方法(Atomic Layer Deposition(ALD))来形成，例如为等离子增强的原子层沉积方法(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition(PEALD))或无等离子的原子层沉积方法(Plasma-less Atomic Layer Deposition(PLALD))，或根据另一个设计方案借助于化学气相沉积方法(Chemical Vapor Deposition(CVD))来形成，例如为等离子增强的气相沉积方法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition(PECVD))或无等离子的气相沉积方法(Plasma-less Chemical Vapor Deposition(PLCVD))，或者替选地借助于另外适合的沉积方法来形成。
通过应用原子层沉积方法(ALD)能够沉积极其薄的层。特别地，能够沉积层厚度位于原子层范围内的层。
根据一个设计方案，在具有多个子层的阻挡薄层108中，能够借助于原子层沉积方法形成全部子层。仅具有ALD层的层序列也能够称作为“纳米叠层(Nanolaminat)”。
根据一个替选的设计方案，在具有多个子层的阻挡薄层108中，能够借助于不同于原子层沉积方法的沉积方法来沉积阻挡薄层108的一个或多个子层，例如借助于气相沉积方法来沉积。
阻挡薄层108根据一个设计方案能够具有大约0.1nm(一个原子层)至大约1000nm的层厚度，例如根据一个设计方案为大约10nm至大约100nm的层厚度、例如根据一个设计方案为大约40nm的层厚度。
根据阻挡薄层108具有多个子层的设计方案，全部子层能够具有相同的层厚度。根据另一个设计方案，阻挡薄层108的各个子层能够具有不同的层厚度。换言之，至少一个子层能够具有不同于一个或多个其他子层的层厚度。
根据一个设计方案，阻挡薄层108或阻挡薄层108的各个子层能够构成为半透明的或透明的层。换言之，阻挡薄层108(或阻挡薄层108的各个子层)能够由半透明的或透明的材料(或半透明的或透明的材料组合)构成。
根据一个设计方案，阻挡薄层108或(在具有多个子层的层堆的情况下)阻挡薄层108的一个或多个子层具有下述材料中的一种或由下述材料中的一种构成：氧化铝、氧化锌、氧化锆、氧化钛、氧化铪、氧化钽、氧化镧、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝掺杂的氧化锌、以及它们的混合物和合金。在不同的实施例中，阻挡薄层108或(在具有多个子层的层堆的情况下)阻挡薄层108的一个或多个子层具有一种或多种高折射率的材料，换言之具有一种或多种具有高折射率的材料，例如具有至少为2的折射率的材料。
在不同的实施例中，能够在封装件108上或上方设有粘接剂和/或保护漆124，借助于所述粘接剂和/或保护漆例如将覆盖件126(例如玻璃覆盖件126)固定、例如粘贴在封装件108上。在不同的实施例中，由粘接剂和/或保护漆124构成的光学半透明层能够具有大于1μm的层厚度，例如几μm的层厚度。在不同的实施例中，粘接剂能够具有层压粘接剂或是层压粘接剂。
在不同的实施例中，还能够将散射光的颗粒嵌入到粘接剂的层(也称作粘接层)中，所述散射光的颗粒能够引起进一步改进色角畸变和耦合输出效率。在不同的实施例中，例如能够将介电的散射颗粒设为散射光的颗粒，例如金属氧化物，如氧化硅(SiO2)、氧化锌(ZnO)、氧化锆(ZrO2)、铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)、氧化镓(Ga2Oa)、氧化铝或氧化钛。其他颗粒也能够是适合的，只要其具有与半透明的层结构的基体的有效折射率不同的折射率，例如为气泡、丙烯酸盐或玻璃空心球。此外，例如能够将金属的纳米颗粒，金属、如金、银，铁纳米颗粒等设为散射光的颗粒。
在不同的实施例中，在第二电极114和由粘接剂和/或保护漆124构成的层之间还能够施加或施加有电绝缘层(未示出)，例如为SiN，例如具有在大约300nm至大约1.5μm范围内的层厚度，例如具有在大约500nm至大约1μm范围内的层厚度，以便例如在湿法化学工艺期间保护电学不稳定的材料。
在不同的实施例中，粘接剂能够设计成，使得其本身具有比覆盖件126的折射率小的折射率。这种粘接剂例如能够是低折射率的粘接剂，例如如丙烯酸盐，丙烯酸盐具有大约1.3的折射率。此外，能够设有形成粘接剂层序列的多种不同的粘接剂。
还需要指出的是，在不同的实施例中也能够完全地弃用粘接剂124，例如在将由玻璃构成的覆盖件126借助于等离子喷射施加到封装件108上的实施例中。
在不同的实施例中，覆盖件126和/或粘接剂124(例如在波长为633nm的情况下)能够具有1.55的折射率。
此外，在不同的实施例中，能够在发光器件100中附加地设有一个或多个抗反射层(例如与封装件108、如薄层封装件108组合)。
图2根据不同的实施例示出光电子器件的后侧的示意俯视图。
在图2中示意地示出具有电接触盘202、204、206、208的光电子器件100的后侧。
在图2中示出的光电子器件100的形状和电接触盘202、204、206、208的位置和形状在没有限制普遍性的情况下作为实例示出。能够构成其他的几何形状和更多或更少的接触盘，例如1个接触盘、2个接触盘、3个接触盘、5个接触盘、6个接触盘或者更多。接触盘的数量能够与光电子器件100的面积大小和对所发射的或所吸收的电磁辐射的面积均匀性的要求相关。此外，光电子器件100的接触盘的数量和形状能够与应当将多少个光电子器件100与所述光电子器件100连接、例如应当互连相关。
接触盘202、204、206、208能够与有机器件100的电极110、114电连接。
接触盘202、204、206、208能够部分地或完全地包围器件200和/或是多层的，使得例如能够由接触盘的下侧和上侧构成电连接，例如接触盘的上侧和下侧能够具有不同的极性。
接触盘中的至少一个接触盘、例如204能够具有与其他的接触盘、例如202、206、208不同的极或极性。在此，能够将电流源的载流子的不同的进入点和离开点理解为极或极性。
图3根据不同的实施例示出光电子器件的接触盘的示意横截面图。
在图3中示出接触盘202、204、206、208的示意横截面图300。导电区域304是接触盘202、204、206、208的组成部分，所述导电区域能够与光电子器件的电极110或114电耦联。
导电区域304能够自承地构成或者施加在载体(未示出)上。
在导电区域304上或上方能够施加封装件302。封装件302能够具有与光电子器件100的封装件108类似的或相同的特性并且能够构成为是不导电的，即构成为是电绝缘的。
图4根据不同的实施例示出光电子器件的接触盘的示意横截面图。
在图4中示出封装件302中的露出的区域402、404。
露出的区域402、404能够在构成光电子器件100之后借助机械工艺或冲击工艺构成。
机械地露出要露出的区域402、404例如能够借助玻璃纤维刷构成。
冲击地露出要露出的区域402、404例如能够借助于用颗粒、分子、原子、离子、电子和/或光子轰击要露出的区域来实现。
用光子轰击例如能够构成为具有在大约200nm至大约1500nm范围内的波长的激光，例如以聚焦的方式构成，具有在大约10μm至大约2000μm范围内的聚焦直径；例如以脉冲的方式构成，例如具有在大约100fs至大约0.5ms范围内的脉冲持续时间，例如具有大约50mW至大约1000mW的功率，例如具有100kW/cm2至大约10GW/cm2的功率密度，并且例如具有在大约100Hz至大约1000Hz范围中的重复率。
在接触盘上能够构成一个或者以间距406间隔开的多个露出的区域402、404，其中露出的区域之间的间距406和接触盘上的露出的区域的位置能够相对于相同的接触盘的其他的露出的区域和/或另外的接触盘不同地构成。
露出的区域402、404的间距406能够在大约100μm至大约10cm范围内、例如在1mm至大约5cm范围内、例如在大约5mm至大约2cm范围内构成。
露出的区域402、404能够具有或接近选自下述几何体的几何形状或几何形状的一部分：柱形、锥形、截锥形、球形、半球形、立方体、长方体、棱锥、截棱锥、棱柱或者多面体。
器件的导电区域304也能够在器件200的在不可见的和/或光学不活跃的区域中、例如在固持器件的区域中的侧部或上侧上露出。因此，露出区域402、404能够在器件的全部侧部上构成并且也能够在多个侧部上同时地构成。
露出的区域能够作为凹陷部，所述凹陷部具有大约100×100μm2至大约1×1cm2的横向扩展和能够对应于封装层的厚度的深度。然而，露出的区域例如对于固持而言也能够更薄地构成或者例如对于形状配合的连接而言也能够更厚地构成。
露出的区域402、404能够具有相同的或不同的横截面、即形状。
图5根据不同的实施例示出在耦联之前的光电子器件与接触部的材料配合的电连接的示意横截面图。
在图5中示出在构成端子502与接触盘400的电连接之前的准备好的材料配合的连接。
封装层302的露出的区域402、404能够由用于材料配合的连接的物质504、506或物质混合物504、506部分地或完全地填充。
材料配合的连接的物质或物质混合物能够具有非固态的状态，例如液态的或粘稠的状态，例如非硬化的环氧化物、导热膏、例如含银的膏、焊锡或者其他液态的金属。
一个或多个电端子502能够直接地在露出的区域上方对准。端子的用于接触的端部能够扁平地或尖锐地伸展地、例如锥形地或球形地构成(未示出)，以便简化电端子502的对准。
封装件的物质或物质混合物对于材料配合的连接的物质或物质混合物能够不可渗透地构成。
图6根据不同的实施例示出在耦联之后的光电子器件与电接触部的材料配合的电连接的示意横截面图。
在图6中示出在将电端子502与材料配合的连接的物质或物质混合物504、506置于物理接触之后的材料配合的连接。
在材料配合的连接的物质504、506或物质混合物504、506导电的情况下，借助于电端子502与材料配合的连接的物质或物质混合物504、506的仅物理的耦联，能够构成电端子502和导电区域304之间的电连接，即电端子502的尺寸能够小于露出的区域402、404的尺寸。由此能够简化电接触部504、506关于露出的区域402、404的对准。
在材料配合的连接的物质504、506或物质混合物504、506不导电的情况下，电端子502和导电区域304之间的电连接能够借助于物理接触来构成。
当电端子接近露出的区域时，露出的区域402、404的形状能够对于材料配合的连接的物质504、506或物质混合物504、506和电端子502具有对准作用。
在此，能够将电端子502的关于相应露出的区域402、404的至少部分互补的形状借助于通过端子和露出的区域的形状引起的横向力作用的对准的偏差的减小理解为对准作用。
关于材料配合的连接的物质或物质混合物，对准作用能够防止物质或物质混合物在封装件302的表面上流动。
防止材料配合的连接的物质或物质混合物的熔化在此能够借助于匹配封装件的物质或物质混合物的表面应力和材料配合的连接的物质或物质混合物的表面应力来实现。
图7根据不同的实施例示出在耦联之前的光电子器件与电接触部的形状配合的电连接的示意横截面图。
在图7中示出在露出的区域710、712之上对准的电接触部702、706。电接触部702、706和露出的区域710、712的扩展和电接触部702、706的和露出的区域710、712的扩展相互间的关系能够与图5中的材料配合的连接不同。
电接触部702、706和导电区域304之间的电连接能够借助于接触部702、706与导电区域304的形状配合和/或剪力和/或弹簧力来构成。
为了简化形状配合的对准，能够将电端子704、708和露出的区域710、712成形为，使得借助于露出的区域的和/或端子的形状构成对准作用。
图8根据不同的实施例示出在耦联之后的光电子器件与电接触部的形状配合的电连接的示意横截面图。
在图8中示出图7中的导电区域304与电接触部702、706的形状配合的电连接802。连接802能够借助于剪力或弹簧力、例如器件的保持设备的剪力或弹簧力来固定。
图9根据不同的实施例示出具有露出的导电区域的光电子器件的后侧的示意俯视图。
在图9中示意地示出具有电端子202、204、206、208和根据图3、图4、图5、图6、图7和/或图8的描述的接触盘202、204、206、208的露出的区域902、904、906、908、910、912、914、916的光电子器件100。
每个接触盘202、204、206、208能够具有封装件302的各接触盘202、204、206、208不同数量的露出的区域，例如零个、一个、两个、三个或更多个；具有各个露出的区域902、904、906、908、910、912、914、916之间的不同的间距406；和各个露出的区域902、904、906、908、910、912、914、916的不同的形状和扩展。
图10根据不同的实施例示出在极错误的情况下的光电子器件的反极性保护的示意图。
在图10中示出光电子器件的反极性保护的设计方案。光电子器件能够对应于图9中的器件900。
在器件900旁边，示出电接触部1002、1004、1006、1008、1010、1012、1014、1016，所述电接触部的间距1018、1020不可变地构成，例如构成为保持设备的固定的接触部。
相对置的接触盘，即202、206和204、208；和电端子，即1002、1004、1010、1012和1006、1008、1014、1016能够具有相同的极性。
电端子1002、1004、1006、1008、1010、1012、1014、1016之间的间距1018、1020能够在器件900错误对准、即反极性的情况下不对应于接触盘902、904、906、908、910、912、914、916的露出的区域。换而言之：不能够构成电连接。
在不限制普遍性的情况下，在接触盘即202、206和204、208或电端子1006、1008、1014、1016或1002、1004、1010、1012的极性相同的情况下，能够假设相同的间距1018、1020、1022或1024。
图11根据不同的实施例示出在极正确的情况下的光电子器件的反极性保护的示意图。
在图11中示出器件900关于图10中的电接触盘的正确的对准，即电端子的间距1018、1020与露出的区域的间距1022、1024一致。能够构成根据图6和/或图8的电连接。
借助电端子1002、1004、1010、1012或1006、1008、1014、1016的和露出的区域902、904、906、908、910、912、914、916的所示出的设计方案，器件900在两个对准下的电连接是可行的。借助于应用电端子1002、1004、1010、1012或1006、1008、1014、1016的或者露出的区域902、904、906、908、910、912、914、916的相互间的不同形状或者各接触盘202、204、206、208的露出的区域902、904、906、908、910、912、914、916的不同数量，能够将对准可能性的数量降低到一个对准可能性(未示出)，而对此没有改变保持设备的或器件的形状。
图12根据不同的实施例示出光电子器件的并联电路的示意图。
在图12中示出具有相同极性的多个端子的器件的电连接的设计方案，其中并非为每个电接触盘202、204、206、208需要电端子1002、1004、1006、1008、1010、1012、1014、1016。
在不限制普遍性的情况下，能够在图9的光电子器件900上说明所需要的电接触部的数量的降低。
相同极性的电接触盘、即例如202、206和204、208能够借助于电刷1202、1204彼此电连接，例如通过借助光学非活性的器件下侧(如此存在的话)或器件的非活性的边缘区域处的材料配合的或形状配合的连接进行常规的互连。
借助于露出的区域902、908、912、914能够实现用于电桥1202、1204的限定的位置。限定的位置例如能够用于自动地构成桥1202、1204和/或简化接触桥的并联连接，因为对于每个焊接部位始终仅处理或保持一个互连元件、例如一个线缆。
为了对器件900通电，能够构成与露出的区域202或206和204或208的电连接1206、1208。
借助上面设有与电接触部1206、1208连接的端子204或206的多个露出的区域，借助于电桥1202或1204也能够分别借助电端子1206或1208对相同极性的多于一个的接触盘202或208通电。
电子器件900的不需要的露出的区域902、916能够用于电子器件900的对准和/或固定，例如当部分地移除封装件时；或者在电子器件900中取消露出未应用的露出的导电区域904、916。
图13示出光电子器件的具体的设计方案的示意图。
在图13中示出作为光电子器件200的具体的第一设计方案的有机发光二级管1300的后侧。
在细节放大图1302中，例如示出接触盘206。激光束1304能够在接触盘206上聚焦。
用于借助于光子冲击地露出的设备例如能够构成为激光器，例如具有大约248nm的波长和大约400μm的聚焦直径和大约15ns的脉冲持续时间和大约18mJ的能量。
借助于照射1306能够移除封装件302(见图3)并且露出导电区域304。露出的区域404的扩展和形状能够借助于聚焦度、即激光束的焦点的直径和其会聚、和辐射源的功率来设定。
接触盘206与电端子1308、例如电机械端子管脚1308的电连接能够根据图6和/或图8构成为材料配合的电连接和/或形状配合的电连接、
器件1300能够具有大约15×15cm2的扩展。
在不同的实施方式中，提供一种电子器件、一种用于其制造的方法，借助所述器件和方法可以精确地构成焊接连接和反极性保护。在有机发光二级管或其他的电子器件中的接触盘还能够大面积地构成进而提供用于不同的接触情况的空间。借助于接触位置的露出的区域能够构成用于不同的应用情况的不同的接触位置。由此，能够在制造期间放弃可能引起电流缺口的接触盘的附加的阻焊漆或结构部。
虽然已经参照具体实施例对所公开的实施例进行了具体展示和说明，但是本领域技术人员应理解：可以在形式和细节上做出各种变化而不会偏离所公开的实施例的构思和范围。所公开的实施例的范围因而旨在涵盖这些实施例等同形式的意义和范围之内的全部变化。

Claims (11)

1.一种电子器件，所述电子器件具有：
电有源区域，所述电有源区域具有：
第一接触盘；
第二接触盘；
在所述第一接触盘和所述第二接触盘之间的有机功能层结构；
其中所述电有源区域以薄层封装件覆盖，其中所述薄层封装件包括直接在第一接触盘和/或第二接触盘上的第一薄层封装件和在有机功能层结构上方的第二薄层封装件；
其中所述第一接触盘和/或第二接触盘包括导电区域；
其中所述第一薄层封装件和所述第二薄层封装件具有相似或相同的特性；
至少一个电端子，所述电端子与所述第一接触盘或与所述第二接触盘耦联，并且
其中所述第一薄层封装件部分地覆盖所述导电区域，使得所述第一接触盘的一部分或所述第二接触盘的一部分露出，其中露出的区域横向地由所述第一薄层封装件完全包围并且借助形成材料配合连接的物质或物质混合物与电端子耦联。
2.一种电子器件，所述电子器件具有：
电有源区域，所述电有源区域具有：
第一接触盘；
第二接触盘；
在所述第一接触盘和所述第二接触盘之间的有机功能层结构；
其中所述电有源区域以薄层封装件覆盖，其中所述薄层封装件包括直接在第一接触盘和/或第二接触盘上的第一薄层封装件和在有机功能层结构上方的第二薄层封装件；
其中所述第一接触盘和/或第二接触盘包括导电区域；
其中所述第一薄层封装件和所述第二薄层封装件具有相似或相同的特性；
至少一个电端子，所述电端子与所述第一接触盘或与所述第二接触盘耦联，并且
其中所述第一薄层封装件部分地覆盖所述导电区域，使得所述第一接触盘的一部分或所述第二接触盘的一部分露出，其中露出的区域横向地由所述第一薄层封装件完全包围并且借助形状配合与电端子耦联。
3.根据权利要求1或2所述的电子器件，其中所述第一接触盘、所述有机功能层结构和所述第二接触盘面状地相叠地设置，或者其中所述第一接触盘、所述有机功能层结构和所述第二接触盘面状地并排地设置。
4.根据权利要求1或2所述的电子器件，其中所述第一接触盘和/或所述第二接触盘至少部分地包围所述有机功能层结构。
5.根据权利要求1或2所述的电子器件，其中为了将所述电端子与所述第一接触盘和/或所述第二接触盘耦联，所述电端子在所述第一接触盘的和/或所述第二接触盘的所述露出的区域中与所述第一接触盘和/或与所述第二接触盘构成物理连接和电连接或者仅构成电连接。
6.根据权利要求1或2所述的电子器件，其中所述电端子在与所述第一薄层封装件物理接触的情况下不具有或不构成与所述第一接触盘和/或所述第二接触盘的电连接。
7.根据权利要求1或2所述的电子器件，其中在所述第一接触盘和/或所述第二接触盘和端子极性一致的情况下，所述第一薄层封装件的所述露出的区域的设计方案与所述端子的设计方案互补地构成。
8.根据权利要求7所述的电子器件，其中互补的设计方案具有至少一个选自下述参数组的互补的参数：
形状；
拓扑；和
表面的化学特性。
9.根据权利要求1或2所述的电子器件，其中所述电子器件具有有机光电子器件。
10.根据权利要求9所述的电子器件，
其中所述有机光电子器件是有机发光二极管或有机太阳能电池。
11.一种用于制造电子器件的方法，所述方法具有：
形成电有源区域，形成所述电有源区域具有：
形成第一接触盘；
形成有机功能层结构；以及
形成第二接触盘；
以薄层封装件形式形成封装件，其中所述薄层封装件包括直接在第一接触盘和/或第二接触盘上的第一薄层封装件和在有机功能层结构上方的第二薄层封装件；
其中所述第一薄层封装件和所述第二薄层封装件具有相似或相同的特性；
将至少一个电端子与所述第一接触盘或与所述第二接触盘耦联，
和
其中将所述第一接触盘和/或所述第二接触盘构成为具有导电区域和所述第一薄层封装件，其中将所述第一薄层封装件从所述第一接触盘或所述第二接触盘部分地移除，其中使所述第一接触盘的一部分或所述第二接触盘的一部分露出，使得由所述第一薄层封装件横向地完全包围露出的区域。
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