CN106415874B - 光电子器件和用于制造光电子器件的方法 - Google Patents

光电子器件和用于制造光电子器件的方法 Download PDF

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Abstract

一种光电子器件（10）具有载体（12），在所述载体（12）上方构造第一电极（20）。在第一电极（20）上方构造光学功能层结构（22）。在所述光学功能层结构（22）上方构造第二电极（23），所述第二电极（23）平面地延伸到所述光学功能层结构（22）的与所述载体（12）背离的侧的至少一部分上方。在第一和/或第二电极（20，23）上方构造封装部，所述封装部包封所述光学功能层结构（22）。在所述第一和/或第二电极（20，23）上的封装部的凹进部中布置能导电的接触结构（40），并且所述能导电的接触结构（40）延伸穿过所述封装部，用于电接触所述第一和/或第二电极（20，23）。所述接触结构（40）和所述封装部被构造为使得所述接触结构（40）和所述封装部共同作用地包封所述第一和/或第二电极（20，23）。

Description

光电子器件和用于制造光电子器件的方法
技术领域
本发明涉及一种光电子器件和一种用于制造光电子器件的方法。
背景技术
传统的光电子器件（例如OLED）通常由衬底、光学功能层（例如有机功能层）、电极层、防湿气作用的封装层（例如薄膜封装层（TFE））和遮盖体（例如盖板）构建。在很多情况下，还将热沉和/或散热器（Waermeverteiler）（例如金属板或者金属膜）层压到盖玻璃（Deckglas）上。盖玻璃用作机械保护以及用作其他湿气阻挡部（Feuchtebarriere）并且如衬底那样一般由实心玻璃构成。盖玻璃在制造工艺期间通常整面地被层压到衬底上。封装层构造在盖板与衬底之间并且一般延伸到整个衬底上方。
在制造工艺期间，制造在器件复合件（Bauelementverbund）中的多个光电子器件并且紧接着将所述多个光电子器件分割，例如借助将衬底和盖板刻划和断裂来分割。在器件复合件中，衬底和盖板分别一体式地延伸到多个光电子器件上方。刻划和断裂可以进行来使得：在此露出用于电接触电极层的电接触部，或者至少仅还必须将封装层和/或各种不同的中间层（譬如胶粘剂层）去除，以便至少部分露出电接触部并且可由此电接触。例如当接触区域在机械上是敏感的时，对电接触部的机械的、耐环境的（umweltbestaendig）电接触可能是困难的。此外，其中封装层必须局部受损的电接触可能妨碍封装层的效果，因为封装层不再平面地闭合并且污染物可能可侵入到封装层与电接触部之间。这样的污染物接着可深入直至光学功能层并且损伤所述光学功能层。
因而，例如OLED或有机太阳能电池的电接触部例如可被构造在相对应的光电子器件的边缘区域中，例如被构造在光学有源和/或功能区域旁和/或在要接触的电极的末端上并且在那里被电接触。在该区域中可以在相对高的机械和/或热负荷的情况下工作，因为其下没有敏感的层、例如有机功能层。此外，在边缘区域中可以增强电接触部，例如特别厚地实施所述电接触部，因为与在有源区域中的电极相比对在边缘区域中的电接触部的要求可以是不同的。例如，在边缘区域中，较低透明性是可接受的。此外，可以降低机械敏感性，例如因为例如当在边缘区域中的电接触部之下没有布置光学功能层时，电接触部的机械损伤比有源区域中的电极的机械损伤对光电子器件的运行可能有更少的影响。
然而，仅在边缘区域中的电接触可导致在光电子器件中的电流分布方面的缺点，这可要求布置能导电的中间线路、譬如母线（Busbar）。此外，仅在边缘区域中的电接触要求结构化地布置光学功能层结构和电极。
发明内容
在不同的实施例中，提供了一种光电子器件，该光电子器件可以简单地制造和/或可简单地电接触和/或其中在运行时简单地实现光电子器件中的均匀的电流分布。
在不同的实施例中，提供了一种用于制造光电子器件的方法，该方法可以简单地被执行和/或该方法能够有助于在该光电子器件中在运行时简单地实现光电子器件中的均匀的电流分布。
在不同的实施例中，提供了一种光电子器件。该光电子器件具有载体。在该载体之上构造有第一电极。在第一电极之上构造有光学功能层结构。在该光学功能层结构之上构造有第二电极，该第二电极平面地延伸到光学功能层结构的背离载体的侧的至少一部分上。在第二电极之上构造有封装部，该封装部包封（einkapseln）光学功能层结构。为了电接触第一电极和/或第二电极，能导电的接触结构被布置在第一电极和/或第二电极上的封装部的凹进部中并且延伸穿过封装层。接触结构和封装部被构造为使得它们共同作用地包封第一电极和/或第二电极。
如果接触结构被构造在第一电极和第二电极上，则在第一电极上构造有第一接触结构并且在第二电极上构造有另一接触结构、例如第二接触结构。该接触结构能够实现简单电接触相对应的电极。该接触结构可以由一个或多个局部施加到相对应的电极上的能导电的接触元件形成。例如，接触元件可以具有能导电的膏、能导电的粘合剂和/或焊剂。接触结构可以轻柔地被施加到相对应的电极上，尤其是使得相对应的电极和/或其下的结构不被损伤。接触结构可以改善相对应的电极的机械稳定性。这可以有助于光电子器件随后经由接触结构可特别简单且可靠地被电接触。此外，电接触也可以经由光电子器件的光学有源区域、例如经由光学功能层结构进行，因为该光学有源区在接触时受接触结构保护。
此外，可以直接接触光电子器件的机械敏感的部位（例如在光学有源区域中的薄的电极和/或在薄的绝缘层上的薄的接触区域）。该接触结构并且必要时其他接触结构可以近似自由分布地被布置在相对应的电极上，例如也被布置在光电子器件的有源区域中，使得可以减小在相对应的电极的平面中的电压损耗和/或可以更自由地设计相对应的电极中的电流分布。这例如可以有助于获得发光面的更好的均匀性和或光电子器件的更高的效率。这可以有助于：减小用于分配电流的母线的数目和/或大小，或者可以完全省去母线。由于在布置接触结构方面的设计自由度提高，所以接触结构可以被实施为具有小的面，使得可以形成单位制造面的大的有源或者有用面。此外，在（例如用于将接触结构电接触的）另一接触步骤中，可以使用承受机械或者化学负荷的工艺。
接触结构和封装部可以共同作用地包封第一电极或第二电极例如意味着：接触结构以直接物理接触的方式紧贴在封装部的凹进部的壁部上，更确切地说，环绕地紧贴在整个壁部上，以及接触结构本身形成部分封装部。接触结构和封装部因此形成在第一电极和/第二电极之上的闭合的面和/或在有机功能层结构之上的闭合的面。换言之，第一电极和/或第二电极和/或有机功能层结构完全被封装部和接触结构覆盖和/或通过封装部和接触结构保护。接触结构因此尽管形成封装部的中断，但与封装部共同作用地保护相对应的电极和其下的有机功能层免受有害的环境影响。出于该原因，接触结构的材料例如可以类似致密地或者比封装部的材料更致密地被构造。换言之，接触结构这样具有材料和材料密度，使得接触结构有所需的封装效果。
封装部可以具有封装层和/或遮盖体。封装层可以被构造在第二电极上方，例如被构造在第二电极上。对封装层替选地或者除了封装层之外，遮盖体可以用作封装部。例如，遮盖体和黏合剂层可以用于固定作为封装部的遮盖体。
在不同的实施例中，接触结构至少部分被构造在封装部与第一电极和/或第二电极之间。换言之，接触结构至少部分被构造在封装部之下和/或至少部分被封装部覆盖。又换言之，封装部与接触结构至少部分重叠。
在不同的实施例中，接触结构从封装部的凹进部伸出来。例如，接触结构的厚度可以大于封装部的厚度。该厚度在本上下文中可以在垂直于电极的表面的方向上被测量，在该电极上构造有接触结构。
在不同的实施例中，接触结构具有一个、两个或者更多个接触元件，所述接触元件分别能导电地被构造并且所述接触元件至少成对地彼此有直接的物理的和电的接触中。例如，接触结构具有第一接触元件和至少一个第二接触元件，所述至少一个第二接触元件被布置在第一接触元件与相对应的电极之间。第一接触元件在本上下文中例如可以是固体、例如牢固的金属本体，并且第二接触元件例如可以是黏合剂、例如胶粘剂（例如银粘合剂）、焊料和/或导电膏（例如银膏）。此外，例如可以布置第三接触元件，该第三接触元件穿过封装部伸出并且电接触第一接触元件。第三接触元件例如可以是针形的接触元件。
在不同的实施例中，光电子器件具有印制导线结构，该印制导线结构被构造在封装部上方、在封装部之下和/或在封装部之间并且该印制导线结构与接触结构电耦合。印制导线结构例如可以具有一个、两个或者更多个能导电的印制导线。印制导线结构用于将接触结构电接触。印制导线结构例如可以与用于使光电子器件运行的电子电路电耦合。在封装部之间构造有印制导线结构例如可以意味着：印制导线结构被构造在封装层与遮盖体之间。在封装部之下构造有印制导线结构例如可以意味着：印制导线结构被构造在遮盖体之下。
在不同的实施例中，印制导线结构被布置在黏合剂层中。黏合剂层被构造在第二电极上方。例如，借助黏合剂层可以将封装部的遮盖体固定在第二电极上方和/或必要时固定在封装层上方。
在不同的实施例中，光电子器件在第一电极和/或第二电极上方具有所述接触结构中的两个、三个或者更多个，所述接触结构分布地布置在相对应的电极上方并且所述接触结构被构造在封装部的相对应的凹进部中。这可以有助于在光电子器件中的特别均匀的电流分布。这可以有助于光电子器件的高效率。在OLED的情况下，均匀的电流分布可以有助于均匀的亮度分布。
在不同的实施例中，提供了一种用于制造光电子器件的方法，其中提供了载体。例如构造该载体。在该载体上方构造第一电极。在第一电极上方构造光学功能层结构。在该光学功能层结构上方构造第二电极，使得该第二电极平面地延伸到光学功能层结构的背离载体的侧的至少一部分上方。在第一电极和/或第二电极上构造能导电的接触结构的至少一部分。在第一电极和/或第二电极和接触结构上方构造封装部，使得封装部包封光学功能层结构、第一电极和/或第二电极和接触结构。封装部被处理和/或接触结构被构造为使得接触结构穿过封装部形成到第一电极和/或第二电极的能导电的连接。
在不同的实施例中，第一电极和/或第二电极被接触结构和封装部共同作用地包封。
在不同的实施例中，封装部具有封装层。封装层被处理为使得接触结构穿过封装层形成能导电的连接，其方式是：接触结构至少部分地从封装层释放出来（befreien）。例如，在接触结构上方的封装层可以被去除，例如借助机械工艺（譬如借助刮刻或者研磨）或者借助化学工艺（例如借助刻蚀）或借助激光烧蚀（Laserablation）来进行。
在不同的实施例中，接触结构被构造为使得接触结构在将接触结构从封装层释放出来之后从封装层伸出来。可替选地或附加地，接触结构可以具有第一接触元件和第二接触元件，其中第一接触元件经由第二接触元件与相对应的电极耦合。例如，第一接触元件可以是固体，而第二接触元件可以是黏合剂、例如胶粘剂、导电膏或者焊剂。
在不同的实施例中，接触结构的至少一部分被构造在第一电极和/第二电极上，其方式是：接触结构的第一接触元件被构造在第一电极和/第二电极上。封装部被处理和/或接触结构被构造为使得接触结构穿过封装部形成能导电的连接，其方式是：使另一接触元件运动通过封装部，直至另一接触元件在物理上并且在电学上接触第一接触元件。该另一接触元件例如可以是第三接触元件。
在不同的实施例中，印制导线结构被构造在封装部上方并且与接触结构电耦合。
在不同的实施例中，所述接触结构中的两个、三个或者更多个分布在第一电极和/或第二电极上方地被布置在电极上方。两个、三个或者更多个接触结构例如可以对应于在前面所阐述的接触结构被构造。
在不同的实施例中，在器件复合件中制造多个光电子器件，其中载体延伸到光电子器件的多个上方；在器件复合件中构造光电子器件的光学功能层结构、电极、接触结构和封装层并且随后分割光电子器件。在分割光电子器件之前或者之后，可以处理封装部和/或构造接触结构，使得接触结构穿过相对应的封装部形成到相对应的电极的能导电的连接。
附图说明
本发明的实施例在附图中示出并且以下更详细地予以阐述。
在附图中：
图1示出了传统的光电子器件的剖视图；
图2示出了光电子器件的实施例的剖视图；
图3示出了光电子器件的实施例的俯视图；
图4示出了光电子器件的实施例的详细剖视图；
图5示出了光电子器件的实施例的详细剖视图；
图6示出了在用于制造光电子器件的方法的期间的电极、封装层和接触结构的实施例的详细的剖视图；
图7示出了在用于制造光电子器件的方法的期间的电极、封装层和接触结构的实施例的详细的剖视图；
图8示出了在用于制造光电子器件的方法的期间的电极、封装层和接触结构的实施例的详细的剖视图；
图9示出了在用于制造光电子器件的方法期间的器件复合件的实施例的第一状态；
图10示出了在用于制造光电子器件的方法期间的器件复合件的第二状态；
图11示出了在用于制造光电子器件的方法期间的器件复合件的第三状态；
图12示出了在用于制造光电子器件的方法期间的光电子器件的实施例；
图13示出了用于制造光电子器件的方法的实施例的流程图；
图14示出了用于制造光电子器件的方法的部分的实施例的流程图；
图15示出了光电子器件的层结构的实施例的详细剖视图；
图16示出了光电子器件的实施例的剖视图；
图17示出了光电子器件的实施例的剖视图；
图18示出了光电子器件的实施例的剖视图。
具体实施方式
在以下的详细的描述中，参照所附的附图，这些附图形成该描述的部分并且在附图中为了阐明而示出了特定的实施形式，在所述特定的实施形式中可以实践本发明。在此方面， 参照所描述的（多个）图的取向而使用例如如“上”、“下”、“前”、“后”、“前面的”、“后面的”等等的方向术语。因为实施形式的部件能够以多个不同的取向来定位，所以方向术语用于阐明而决不是限制性的。易于理解的是，可以使用其他的实施形式并且可以进行结构上的或者逻辑上的改变，而不偏离本发明的保护范围。易于理解的是，只要没有特殊地另外说明，就可以将在此描述的不同的示例性的实施形式的特征互相组合。因此，以下的详细的描述不能够理解为限制性的意义，并且本发明的保护范围通过附上的权利要求来限定。
在本描述的范围内，术语“连接”、“连通”以及“耦合”被用于描述不仅直接的而且间接的连接、直接的或者间接的连通以及直接的或者间接的耦合。在附图中，只要这是适宜的，相同的或者相似的元件就配备有相同的附图标记。
光电子器件在不同的实施例中可以是发射电磁辐射的器件或者吸收电磁辐射的器件。吸收电磁辐射的器件例如可以是太阳能电池。发射电磁辐射的器件在不同的实施例中可以是发射电磁辐射的半导体器件和/或被构造为发射电磁辐射的二极管，被构造为发射电磁辐射的有机二极管，被构造为发射电磁辐射的晶体管或者被构造为发射电磁辐射的有机晶体管。辐射例如可以是在可见范围中的光、UV光和/或红外光。在此上下文中，发射电磁辐射的器件例如可以被构造为发光二极管（light emitting diode，LED），被构造为有机发光二极管（organic light emitting diode，OLED），被构造为发光晶体管或者被构造为有机发光晶体管。发光器件在不同的实施例中可以是集成电路的部分。此外，可以设置多个发光器件，例如所述多个发光器件可以被安置在共同的壳体中。
术语“半透明的”或“半透明的层”在不同的实施例中可以被理解为：层对于光而言是透光的，例如对于由发光器件产生的光而言是透光的，例如对于一个或多个波长范围的光而言是透光的，例如对于在可见光的波长范围中（例如至少在380nm到780nm的波长范围的子范围中）的光而言是透光的。例如，术语“半透明的层”在不同的实施例中要被理解为：所有的被耦合输入到结构（例如层）中的光量也基本上从该结构（例如层）被耦合输出，其中光的部分在这种情况下可被散射。
术语“透明的”或者“透明的层”在不同的实施例中可以被理解为：层对于光而言是透光的（例如至少在从380nm到780nm的波长范围的子范围中），其中被耦合输入到结构（例如层）中的光基本上没有散射地或者光转换地也从该结构（例如层）被耦合输出。能导电的连接例如可以是产生电流的（galvanisch）连接。能导电的材料例如可以是产生电流的材料。
图1示出了传统的光电子器件1。传统的光电子器件1具有载体12、例如衬底。载体12可以半透明地或者甚至透明地被构造。在载体12上构造有光电子层结构。
光电子层结构具有第一电极层14，该第一电极层14具有第一接触区段16、第二接触区段18和第一电极20。第二接触区段18与光电子层结构的第一电极20电耦合。第一电极20与第一接触区段16借助电绝缘阻挡部21电绝缘。在第一电极20上方构造有光电子层结构的光学功能层结构22、例如有机功能层结构。光学功能层结构22例如可以具有一个、两个或者更多个子层，如下面参照图15进一步更详细阐述的那样。在光学功能层结构22上方构造有光电子层结构的第二电极23，所述第二电极23与第一接触区段16电耦合。第一电极20例如用作光电子层结构的阳极或者阴极。第二电极23对应于第一电极用作光电子层结构的阴极或阳极。第一接触区段16也可以称作第二电极23的末端。
在第二电极23上方和部分地在第一接触区段16上方并且部分地在第二接触区段18上方构造有光电子层结构的封装层24，该封装层24将该光电子层结构封装。在封装层24中，在第一接触区段16上方构造有封装层24的第一凹进部，而在第二接触区段18上方构造有封装层24的第二凹进部。在封装层24的第一凹进部中露出第一接触区域32，而在封装层24的第二凹进部中露出第二接触区域34。第一接触区域32用于电接触第一接触区段16，而第二接触区域34用于电接触第二接触区段18。
在封装层24上方构造有黏合剂层36。黏合剂层36例如具有黏合剂、例如胶粘剂、例如层压胶粘剂、漆和/或树脂。在黏合剂层36上方构造有遮盖体38。黏合剂层36用于将遮盖体38固定在封装层24上。遮盖体38例如具有玻璃和/或金属。遮盖体38用于保护传统的光电子器件1例如免受外部作用、例如免受来自外部的机械力作用和/或免受环境影响、如湿气或者氧气。遮盖体38例如用作对平面的湿气进入的气密防护部。这例如可以意味着：遮盖体38例如可以具有关于水和/或氧气的小于10-1 g/(m2d)的、例如小于10-4 g/(m2d)、例如小于10-10 g/(m2d)、例如直至大约10-6 g/(m2d)的扩散率。此外，遮盖体38可以用于分散和/或引离在传统的光电子器件1中产生的热。例如，遮盖体38的玻璃可以用作防止外部作用的防护部，而遮盖体38的金属层可以用于分散和/或引离在传统的光电子器件1运行中形成的热量。遮盖体38和/或封装层24可以称作传统的光电子器件1的封装部。尤其是，在缺少封装层24的情况下，例如遮盖体38用作传统的光电子器件1的封装部。
黏合剂层36例如可以结构化地被施加到封装层24上。黏合剂层36结构化地被施加到封装层24上例如可以意味着：黏合剂层36已直接在施加时具有预给定的结构。例如，黏合剂层36可以借助分配方法或者印刷方法结构化地被施加。
传统的光电子器件1在第一接触区域32和第二接触区域34中对外部作用敏感，因为在这些接触区域32、34中没有设置遮盖体38。
传统的光电子器件1例如可以从器件复合件中被分割，其方式是：载体12沿着其在图1中侧向示出的外棱边被刻划并且接着断裂，而且其方式是：遮盖体38均匀地沿着其在图1中示出的侧向外棱边被刻划并且接着断裂。在刻划和断裂时，使在接触区域32、34上方的封装层24露出。随后，可以在另一方法步骤中使第一接触区域32和第二接触区域34露出，例如借助烧蚀工艺、例如借助激光烧蚀、机械刮刻或者刻蚀方法露出。
图2示出了光电子器件10的实施例的剖视图。光电子器件10例如可以尽可能地对应于在上文中所阐述的传统的光电子器件1。与之不同，光电子器件10具有至少一个接触结构40、例如两个或者更多个接触结构40、例如三个接触结构40。光电子器件10的封装部由封装层24形成。
接触结构40与光电子器件10的第二电极23直接物理接触地被构造。接触结构40具有能导电的材料和/或由能导电的材料形成。接触结构40是通过封装层24到第二电极区段23的能导电的（例如产生电流的）连接。例如，接触结构40延伸穿过封装层24。
接触结构40至少部分地被构造在封装部的凹进部中。可替选地或者附加地，接触结构40可以至少部分地被布置在封装部之下和/或被布置在封装部与第二电极23之间。接触结构40和封装部共同作用地包封第二电极23。这例如可以意味着：接触结构40以直接物理接触的方式紧贴在封装部的凹进部的壁部上，更确切地说，环绕地紧贴在整个壁部上，并且接触结构40本身形成子封装部。接触结构40和封装部因此在第二电极23上方并且在有机功能层结构22上方形成闭合的面。换言之，第二电极23和有机功能层结构22完全被封装部和接触结构40覆盖和/或通过封装部和接触结构保护。接触结构40因此尽管形成封装部的中断，但是与封装部共同作用地保护第二电极23 和其下的有机功能层结构免受有害的环境影响。出于该原因，接触结构40的材料例如可以类似致密地或者比封装部的材料更致密地被构造。换言之，接触结构40这样具有材料和材料密度，使得接触结构40有所需的封装效果。
在接触结构40上构造有第一接触区域32。第二接触区域34延伸到光电子器件10的整个宽度上方。然而，第二接触区域34也可以仅仅延伸到光电子器件10的部分上方。
接触结构40的能导电的材料例如可以具有银、金、铂、镍、锡、铋或者铜或者具有这些材料中的一种或者多种的合金。接触结构40例如可以由焊料或者银膏形成。接触结构40例如可以由薄膜金属结构形成。接触结构40例如可以由接触点和/或接触条形成。
接触结构40的在垂直于第二电极23的其上布置有接触结构40的表面的方向上的厚度可以在例如1μm至10mm的范围中，例如在从10μm到1mm的范围中，例如在从100μm到500μm的范围中。该厚度例如可以大于封装层24的厚度。接触结构40的厚度例如可以仅略微厚于封装层24的厚度地被构造。可替选地或者附加地，接触结构40的厚度可以是封装层的厚度和/或第二电极23的厚度的例如2倍至5倍、例如3倍至4倍。
接触结构40的（例如在平行于第二电极23的其上布置有接触结构40的表面的方向上的）宽度或者直径可以在例如从0.005mm到10mm的范围中、例如在从0.1mm到5mm的范围中，例如为大约2.5mm。如果接触结构40被构造为接触条，则接触结构的（例如在平行于第二电极23的其上布置有接触结构的表面的方向上的和在垂直于宽度的方向上的）长度例如在从宽度直至1m的范围中，例如在从宽度直至10cm的范围中，例如在从宽度直至1cm的范围中，例如在从宽度直至1mm的范围中。
接触结构40能够实现直接地、尤其是在没有第二接触区段18的情况下电接触第二电极23，更确切地说穿过封装层24来电接触第二电极23。这能够实现给光电子器件10在光学功能层结构22的与第一接触区段16背离的侧上构造有仅仅一个切割面，尤其是使得遮盖体38的侧向外棱边与载体12的侧向外棱边平齐地被构造。这可以有助于，简单地构造光电子器件10，因为光电子器件10在相对应的侧面上可以简单地在一个切削和/或锯割工艺中被切削或锯割。此外，在该区域中提高了光电子器件10的稳定性，因为在遮盖体38和载体12的相对应的侧上互相保护，类似于居中地在光电子器件10中是这种情况。此外，如果省去第二接触区段18，在载体12等大的情况下可以利用载体12的较大的面来施加光电子层结构。
可替选地或者附加地，接触结构40与第二电极23和/或第二接触区段18相比可以相对稳定地被构造，例如使得接触结构40的电接触可能简单地实现，而其下的层、尤其是第二电极23和/或光学功能层结构22在此不受损伤，例如由于机械作用、例如由于刮擦而不受损伤。
此外，通过将接触结构40中的多个并排布置可以实现到第二电极23上方和到光学功能层结构22的表面上方的良好的和/或均匀的电流分布。由此，在光电子器件10运行时，光学外表形象可以特别均匀和/或光电子器件10的效率可以特别良好和/或外表形象可以设定为使得其具有亮的和对此相对暗的区域和/或亮度梯度。例如，可以将不同的电压和/或电势施加到接触结构40的不同接触结构上。由此得到有针对性地不均匀的亮度分布。
在黏合剂层36与封装层24之间和/或在黏合剂层36与接触结构40之间可以构造在图2中未示出的印制导线结构，接触结构40经由该印制导线结构是可电接触的。例如，印制导线结构可以与未示出的电子电路、例如控制单元和/或调节单元电耦合。
图3示出了光电子器件10、例如在上面参照图2所阐述的光电子器件10的实施例的俯视图。
由图3得知，在该实施例中，六个接触结构40分布地布置在光电子器件10的有源区域上方。然而也可以构造更多的或者更少的接触结构40。接触结构40圆形地被构造。然而对此可替选地，接触结构40也可以多边形地被构造和/或点形地或者条形地被构造。此外，接触结构40可以被构造为使得这些接触结构40彼此相交，例如使得这些接触结构40形成矩阵，或者使得这些接触结构40具有多个圆形的同心条。
例如在用于制造光电子器件10的方法期间的步骤中，图4示出了光电子器件10的实施例的详细剖视图。光电子器件10例如可以尽可能地对应于在上文中的光电子器件10。载体12由能导电的材料形成，使得可以省去第一电极20并且载体12用作电极。在光电子器件10运行期间的通过电流因此直接从载体12朝向光学功能层结构22进行或者从光电子层结构22朝向载体12进行。在本上下文中，载体12气密密封地被构造并且用作光电子层结构的封装结构和/或与封装层24共同作用地包封光电子层结构。
接触结构40以半球形的本体形式被布置和/或被构造在第二电极23上。例如，接触结构40以接触点的形式被构造。接触结构40例如可以具有第一接触元件、第二接触元件和/或第三接触元件。例如，能导电的本体（例如金属本体）和/或能导电的膏料液滴（Pastentropfen）（例如银膏料液滴）形成第一接触元件。第二接触元件例如可以由黏合剂、尤其是能导电的黏合剂形成。例如，第一接触元件可以借助第二接触元件被固定、例如被粘牢或者被焊牢在第二电极23上。在第二电极23上方和在接触结构40上方或者在接触结构40旁现在可以构造封装层24。
例如在用于制造光电子器件10的方法期间的一个步骤中，图5示出了光电子器件10的实施例的详细剖视图。光电子器件10例如可以尽可能地对应于在上文中所阐述的光电子器件10之一。例如，光电子器件10在载体12与光学功能层结构22之间可以具有第一电极20。此外，光电子器件10可以具有接触结构40，用于电接触第二电极23。此外，光电子器件10具有另一接触结构42，用于电接触第一电极20。
另一接触结构42例如可以根据第一接触结构40的构建方案被构造。尤其是，另一接触结构42可以具有其他接触元件或由这些其他接触元件形成。其他接触结构42例如可以用于简单地和/或可靠地接触第一电极20。例如，其他接触结构42在电接触第一电极20时可以保护该第一电极20免受机械损伤。
在第二电极23上方和在接触结构40或者其他接触结构42上方或者在接触结构40或者其他接触结构42旁现在可以构造封装层24。
图6示出了在用于制造光电子器件10的方法的步骤期间的第二电极23、接触结构40和封装层24的实施例的详细剖视图。第二电极23、接触结构40和/或封装层24例如可以根据在上文中所阐述的第二电极23、接触结构40或封装层24被构造。图6尤其是示出了如下状态：在该状态下，第一接触结构40完全被封装层24覆盖，例如直接在构造封装层24之后被覆盖。
构造接触结构40使得接触结构40是持久耐久的和/或是有抵抗能力的可以与用于接触结构40的材料有关地需要对接触结构40升温和/或加热。如果在提高的温度的情况下施加封装层24，则升温或加热例如可以在施加封装层24的进程中同时进行。例如，如果封装层24借助CVD方法被构造，则在此接触结构40可以被加热到使得该接触结构40硬化和/或变干。
接触结构40在垂直于第二电极23的其上构造有接触结构40的表面的方向上具有比封装层24、例如比在接触结构40之外的封装层24更大的厚度。这例如可以有助于简单地建立到第二电极23的电连接，例如其方式是：去除在接触结构40之上的封装层24，例如以研磨工艺、刮刻工艺、烧蚀工艺或者刻蚀工艺来去除。此外，这可以有助于保护第二电极23免受机械损伤，尤其是在将接触结构40电接触时保护第二电极23。如果布置有其他接触结构42，则该其他接触结构42可以根据接触结构40的构建方案被构造。接触结构40和其他接触结构42可以相同地或者不同地被构造。
图7示出了在用于制造光电子器件10的方法期间的第二电极23、接触结构40和封装层24的另一状态，在该另一状态下，接触结构40具有直接被构造在第二电极23上的第一接触元件41和另一接触元件（例如第三接触元件43）。第三接触元件43曾运动穿过封装层24，直至该第三接触元件43与第一接触元件41直接物理接触。第三接触元件43例如销钉形地或者针形地被构造并且已穿透封装层42。由此，在封装层24中形成凹进部。第三接触元件43现在可以就地保留以用于电接触并且电接触可以经由第一接触元件41和第三接触元件43进行。对此可替选地，第三接触元件43又可以被去除并且随后可以给封装层24中的接着遗留的凹进部填充有能导电的材料，其中能导电的材料接着可以形成第三接触元件43。
换言之，针接触可以进行，其中封装层24利用针被穿透，其中可以去除该针或者该针可以被用作接触结构40的第三接触元件43。如果该针在穿透封装层24之后被去除，则在此形成的凹进部可以被第三接触元件43填充。第一接触元件41在针接触时用作第二电极23和其下的光学功能层结构22以防针的防护部。因此，接触结构40能够实现针接触，其中第二电极23和其下的光学功能层结构22在此不受损伤。
例如在用于制造光电子器件10的方法期间，图8示出了第二电极23、接触结构40和封装层24的实施例的详细剖视图。
接触结构40从封装层24伸出来并且比封装层24具有更大的厚度。可选地，可以布置第二接触元件46，尤其是布置黏合剂，借助该黏合剂将接触结构40、尤其是第一接触元件41固定在第二电极23上。
在准备阶段可以将接触结构40布置在第二电极23上。例如，第二接触元件46可以被布置在第二电极23上，并且第一接触元件41可以被布置在第二接触元件46上。对此可替选地，第一接触元件41可以直接地被布置在第二电极23上。封装层24例如可以被处理为使得该封装层24在接触结构40上方被去除。换言之，可以使接触结构40至少部分露出和/或至少部分地从封装结构24释放出来。对此可替选地，可以首先在封装层24中构造凹进部47，例如借助激光和/或借助刻蚀方法来构造。接触结构40此后可以在第二电极23上被布置和/或被构造在凹进部47中。
图9示出了在用于制造光电子器件10的方法期间处于第二状态下的器件复合件44的实施例。器件复合件44适合于制造多个光电子器件10。器件复合件44具有载体12，该载体12例如可以对应于在上文中所阐述的载体12，其中载体12适合于构造多个光电子器件10。载体12因此可以形成载体复合件。载体复合件例如可以是半导体衬底。在载体12上构造有光学功能层结构22。可选地，在载体12与光学功能层结构22之间可以构造第一电极20。光学功能层结构22与载体12对应地延伸到多个要制造的光电子器件10上方。在光学功能层结构22上方构造有第二电极23。第二电极23对应于载体12和光学功能层结构22地延伸超过多个要制造的光电子器件10。
图10示出了在用于制造光电子器件10的方法期间的器件复合件44的第二状态。在器件复合件44中，光学功能层结构22对于每个光电子器件10而言彼此分开，并且接触结构40被构造在相对应的第二电极23上。接触结构40可以在分离光学功能层结构22之前或者在分离光学功能层结构22之后被构造在第二电极23上。
图11示出了在用于制造光电子器件10的方法期间的器件复合件44的第三状态，在该第三状态下，封装层24被构造在光学功能层结构22、第二电极23和接触结构40上方。封装层24包封光学功能层结构22、第二电极23和接触结构40。尤其是，封装层24与载体12共同作用地包封光学功能层结构22、第二电极23和接触结构40。
图12示出了光电子器件10的两个实施例，所述光电子器件10例如曾由在图1中示出的器件复合件44分割而来。随后，接触结构40可以至少部分地从封装层24释放出来。例如，接触结构40可以在封装层24中露出。例如，封装层24局部地或者在整个光电子器件10上方被剥离到如下范围：接触结构40从封装层24凸出。对此可替选地，封装层24可以被穿孔，例如借助接触结构40的参照图7所阐述的第三接触元件43被穿孔。
光电子器件10的分割例如可以以机械方式借助切削、锯割或者冲压和/或借助激光来进行。
图13示出了用于制造光电子器件、例如在上文中所阐述的光电子器件10的方法的实施例的流程图。该方法用于简单地和/或成本低廉地制造光电子器件10。
在步骤S2中，提供载体、例如在上文中所阐述的载体12，例如作为用于光电子器件10的单载体或者作为多个光电子器件10的载体复合件。
在步骤S4中可选地可以构造第一电极、例如在上文中所阐述的第一电极20。
在步骤S6中，构造光学功能层结构、例如在上文中所阐述的光学功能层结构22。光学功能层结构22可以具有多个子层、例如光学功能层结构单元，所述子层可以相继地和/或相叠地被构造，如在下文参照图15更详细地阐述的那样。
在步骤S8中，构造第二电极、例如第二电极23。第二电极23被构造在光学功能层结构22上方。
在步骤S10中，构造接触结构、例如在上文中所阐述的接触结构40。接触结构40被构造在第二电极23上方，例如直接被构造在第二电极23上。
在步骤S12中，构造封装层、例如在上文中所阐述的封装层24。封装层24被构造在接触结构40和第二电极23上方。
在步骤S14中，使接触结构40至少部分地露出和/或从封装层24释放出来。例如，在接触结构40上方的封装层24可以部分地或完全被去除。
可选地，在步骤S16中，将接触结构40接触，例如借助在上文中所阐述的印制导线结构来接触。
在步骤S18中，可以布置遮盖体，例如布置在上文中所阐述的遮盖体38。遮盖体38例如可以借助黏合剂被布置在封装层24上，例如借助黏合剂层36来布置。
对步骤S10、S12和S14可替选地，可以构造步骤S20、S22和S24。
在步骤S20中，在第二电极23上构造封装层，例如构造在上文中所阐述的封装层24。
在步骤S22中，在封装层24中构造凹进部，例如构造在上文中所阐述的凹进部47。凹进部47例如可以借助刻蚀方法或者激光剥离方法（例如激光烧蚀方法）来构造。
在步骤S24中构造接触结构，例如构造在上文中所阐述的接触结构40。接触结构40在第二电极23上被构造在凹进部47中。随后，在步骤S16和/或S18中可以继续该方法。
光电子器件10例如可以被制造在具有多个例如同类的光电子器件10的复合件中，例如被制造在晶片复合件中。随后，光电子器件10可以从该复合件中被分割出来，例如借助机械分割、借助切削、锯割、冲压和/或借助激光来分割。
图14示出了用于制造光电子器件的子方法的实施例的流程图。例如，在上文中所阐述的方法的进程中，可以完成在图14中所示的步骤S26、S28或S30，而不是步骤S10、S12或S14或者而不是步骤S20、S22或S24。
在步骤S26中，在第二电极区段上构造第一接触元件、例如第一接触元件41。
在步骤S28中，在第二电极23和第一接触元件41上方构造封装层24。
在步骤S30中，布置第三接触元件、例如第三接触元件43。第三接触元件43被布置为使得该第三接触元件43延伸穿过封装层24并且由此形成穿过封装层24朝向第二电极23的能导电的（例如产生电流的）连接。例如，封装层24可以借助第三接触元件43而被穿孔或者被穿透，或者封装层24可以首先被穿孔或者被穿透并且接着可以布置第三接触元件43。因此，接触结构40被构造为使得该接触结构40形成穿过封装层24的电连接。
图15示出了光电子器件、例如光电子器件10的实施例的层结构的详细剖视图，其中接触结构40在该详细视图中未示出。光电子器件10可以被构造为顶部发射器（Top-Emitter）和/或底发射器（Bottom-Emitter）。如果光电子器件10被构造为顶部发射器和底发射器，则光电子器件10可以称作光学透明器件、例如透明有机发光二极管。
光电子器件10具有载体12和在载体12上方的有源区域。在载体12与有源区域之间可以构造未示出的第一阻挡层、例如第一阻挡薄层。在载体12与阻挡层之间可以构造绝缘层和/或平面化层（Planarisierungsschicht）。如果例如载体12的表面对于构造第一电极20而言过于粗糙，则平面化层可以被构造在载体12上。如果例如载体能导电地被构造，则例如绝缘层可以被构造，以便将第一电极20与载体12电绝缘。可选地，可以构造具有平面化和绝缘的双重功能的唯一的层。此外，相对应的层可以横向地、即平行于其他层地被结构化。有源区域具有第一电极20、光学功能层结构22和第二电极23。在有源区域上方构造封装层24。封装层24可以被构造为第二阻挡层，例如被构造为第二阻挡薄层。在有源区域上方并且必要时在封装层24上方布置遮盖部38。遮盖部38例如可以借助黏合剂层36被布置在封装层24上。
有源区域是电学上和/或光学上有源的区域。有源区域例如是光电子器件10的如下区域：在该区域中，电流流动以使光电子器件10运行和/或，在该区域中产生或者吸收电磁辐射。第二电极23的被布置在有源区域上方的部分也可以称作第二电极23的功能部分。
光学功能层结构22可以具有一个、两个或者更多个功能层结构单元并且在所述层结构单元之间具有一个、两个或者更多个中间层。
载体12可以半透明地或者透明地被构造。载体12用作电子元件或者层（例如发射光的元件）的载体元件。载体12例如可以具有玻璃、石英和/或半导体材料或者任何其他合适的材料或者由玻璃、石英和/或半导体材料或者任何其他合适的材料形成。此外，载体12可以具有塑料膜或者带有一个或者多个塑料膜的层压板或者由塑料膜或者带有一个或者多个塑料膜的层压板形成。塑料可以具有一种或多种聚烯烃。此外，塑料可以具有聚氯乙烯（PVC）、聚苯乙烯（PS）、聚酯和/或聚碳酸酯（PC）、聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚醚砜（PES）和/或聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）。载体12可以具有金属或由其形成，例如铜、银、金、铂、铁、例如金属合金、例如钢。载体12可以被构造为金属膜或者金属涂层的膜。载体12可以是镜结构的部分或者形成该镜结构。载体12可以具有机械上刚性的区域和/或机械上柔性的区域或这样被构造。
第一电极20可以被构造为阳极或者被构造为阴极。第一电极20可以半透明地或者透明地被构造。第一电极20具有能导电的材料（例如金属）和/或能导电的透明氧化物（transparent conductive oxide，TCO）或者多个具有金属或者TCO的层的层堆叠。第一电极20例如可以具有在TCO的层上的金属层的组合的层堆叠，或者相反地可以具有在金属的层上的TCO层的组合的层堆叠。实例是银层，该银层被施加在铟锡氧化物层（ITO）（Ag施加在ITO上）或者ITO-Ag-ITO多层。
作为金属例如可以使用Ag、Pt、Au、Mg、Al、Ba、In、Ca、Sm或者Li以及这些材料的化合物、组合物或者合金。
透明导电氧化物是透明的能导电的材料、例如金属氧化物，譬如是氧化锌、氧化锡、氧化镉、氧化钛、氧化铟或者铟锡氧化物（ITO）。除了二元的金属含氧化合物（诸如ZnO、SnO2或者In2O3）以外，三元的金属含氧化合物、诸如AlZnO、Zn2SnO4、CdSnO3、ZnSnO3、Mgln2O4、GaInO3、Zn2In2O5或者In4Sn3O12或者不同的透明导电氧化物的混合物也属于TCO族。
对所述材料可替选地或者附加地，第一电极20可以具有：由金属纳米线和纳米粒子、例如由Ag构成的网络、由碳纳米管、石墨粒子和石墨层构成的网络和/或由半导体的纳米线构成的网络。可替选地或者附加地，第一电极20可以具有如下结构中的一个或者由此形成：由金属纳米线、例如由Ag构成的网络，所述纳米线与能导电的聚合物组合；由碳纳米管构成的网络，所述碳纳米管与能导电的聚合物组合；和/或石墨层和复合材料。此外，第一电极20可以具有能导电的聚合物或者过渡金属氧化物。
第一电极20例如可以具有在从10nm到500nm的范围中的层厚度、例如在小于25nm到250nm的范围中的层厚度、例如在从50nm到100nm的范围中的层厚度。
第一电极20可以与第一电端子（例如第一接触区段16）电耦合，在第一电端子上可施加第一电势。第一电势可以由能量源（未示出）提供，例如由电流源或者电压源提供。可替选地，第一电势可以被施加到载体12上并且经由载体12被间接输送给第一电极20。第一电势例如可以是接地电势或者另外的预给定的参考电势。
光学功能层结构22可以具有空穴注入层、空穴传输层、发射器层、电子传输层和/或电子注入层。
空穴注入层可以被构造在第一电极20上或者被构造在第一电极20上方。空穴注入层可以具有如下材料中的一种或多种或者由其形成：HAT-CN、Cu(I)pFBz、MoOx、WOX、VOX、ReOX、F4-TCNQ、NDP-2、NDP-9、Bi(III)pFBz、F16CuPc、NPB（N,N′-双(萘-1-基)-N,N′-双（苯基）-联苯胺）、β-NPB N,N′-双(萘-2-基)-N,N′-双（苯基）-联苯胺）、TPD（N-N′-双(3-甲基苯基)-N,N′-双（苯基）-联苯胺）、Spiro TPD（N,N′-双(3-甲基苯基)-N,N′-双（苯基）-联苯胺）、Spiro-NPB（N,N′-双(萘-1-基)-N,N′-双（苯基）-螺环）、DMFL-TPD N,N′-双(3-甲基苯基)-N,N′-双（苯基）-9,9-二甲基-芴）、DMFL-NPB（N,N′-双(萘-1-基)-N,N′-双（苯基）-9,9-二甲基-芴）、DPFL-TPD（N,N′-双(3-甲基苯基)-N,N′-双（苯基）-9,9-二甲基-芴）、DPEL-NPB（N,N′-双（萘-1-基）-N,N′-双（苯基）-9,9-二苯基-芴）、Spiro-TAD（2,2′,7,7′-四（n, n-二苯基氨基）-9,9′-螺二芴）、9,9-双[4- (N, N-双-联苯-4-基-氨基）苯基]-9Η-芴、9,9-双[4- (N, N-双-萘-2-基-氨基）苯基]-9Η-芴、9,9-双[4- (N, N′-双-萘-2-基-N,N′-双-苯基-氨基）苯基]-9Η-芴、N,N′-双(菲-9-基)-N,N′-双（苯基）-联苯胺、2,7-双[N, N-双（9,9-螺二芴-2-基)氨基]-9,9-螺二芴、2,2′-双[N, N-双(联苯-4-基)氨基]9,9-螺二芴、2,2′-双[N, N-二-苯基-氨基]9,9-螺二芴、二-[4-（N,N-联甲苯-氨基）-苯基]环己烷、2,2′,7,7′-四（N,N-二-甲苯基）氨基-螺二芴和/或N,N,N′,N′-四-萘-2-基-联苯胺。
空穴注入层可以具有在从大约10nm到大约1000nm的范围中的层厚度、例如在从大约30nm到大约300nm的范围中的层厚度、例如在从大约50nm到大约200nm的范围中的层厚度。
在空穴注入层上或者在空穴注入层上方可以构造空穴传输层。空穴传输层可以具有如下材料中的一种或多种或者由其形成：NPB（N,N′-双(萘-1-基)-N,N′-双（苯基）-联苯胺）；β-NPB N,N′-双(萘-2-基)-N,N′-双（苯基）-联苯胺）；TPD（N-N′-双(3-甲基苯基)-N,N′-双（苯基）-联苯胺）；Spiro TPD（N,N′-双(3-甲基苯基)-N,N′-双（苯基）-联苯胺）；Spiro-NPB（N,N′-双(萘-1-基)-N,N′-双（苯基）-螺环）；DMFL-TPD N,N′-双(3-甲基苯基)-N,N′-双（苯基）-9,9-二甲基-芴）；DMFL-NPB（N,N′-双(萘-1-基)-N,N′-双（苯基）-9,9-二甲基-芴）；DPFL-TPD（N,N′-双(3-甲基苯基)-N,N′-双（苯基）-9,9-二甲基-芴）；DPEL-NPB（N,N′-双（萘-1-基）-N,N′-双（苯基）-9,9-二苯基-芴）；Spiro-TAD（2,2′,7,7′-四（n，n-二苯基氨基）-9,9′-螺二芴）；9,9-双[4- (N, N-双-联苯-4-基-氨基）苯基]-9Η-芴；9,9-双[4-(N, N-双-萘-2-基-氨基）苯基]-9Η-芴；9,9-双[4- (N, N′-双-萘-2-基-N,N′-双-苯基-氨基）-苯基]-9Η-芴；N,N′-双(菲-9-基)-N,N′-双（苯基）-联苯胺；2,7-双[N, N-双（9,9-螺二芴-2-基)-氨基]-9,9-螺二芴；2,2′-双[N, N-双(联苯-4-基)氨基]9,9-螺二芴；2,2′-双(N, N-二-苯基-氨基)9,9-螺二芴；二-[4-（N,N-联甲苯-氨基）-苯基]环己烷；2,2′,7,7′-四（N,N-二-甲苯基）氨基-螺二芴和N,N,N’,N’四-萘-2-基-联苯胺。
空穴传输层可以具有在从大约5nm到大约50nm的范围中的层厚度、例如在从大约10nm到大约30nm的范围中的层厚度、例如大约20nm的层厚度。
在空穴传输层上或者在空穴传输层上方可以构造其中一个或者多个发射器层、例如具有发荧光的和/或发磷光的发射器的发射器层。发射器层可以具有有机聚合物、有机低聚物、有机单体、非聚合物的有机小分子（“small molecules”）或者这些材料的组合。发射器层可以具有如下材料中的一种或多种或者由其形成：有机或者有机金属化合物、如聚芴、聚噻吩和聚亚苯基的衍生物（例如2或2.5取代的聚对苯乙炔）以及金属络合物、例如铱络合物、如发蓝色磷光的FIrPic（双（3,5-二氟-2-（2-吡啶基）苯基-（2-羧基吡啶基）-铱 III））、发绿色磷光的Ir（ppy）3（三（2-苯基吡啶）-铱 （III））、发红色磷光的Ru（dtb-bpy）3*2（PF6）（三[4,4’-二-叔-丁基-（2,2’）-二嘧啶] 钌（III）络合物）以及发蓝色荧光的DPAVBi （4,4-双[4-（二-对甲苯氨基）苯乙烯基]联苯、发绿色荧光的TTPA(9,10-双[N,N-二(p-甲苯基)-氨基]蒽)和发红色荧光的DCM2（4-二氰甲烯基）-2-甲基-6-喹嗪（julolidyl）-9-烯基-4H-吡喃）作为非聚合物的发射器。这种非聚合物的发射器例如可以借助热蒸镀来沉积。此外，可以采用聚合物发射器，所述聚合物发射器例如借助湿化学方法是可沉积的，譬如旋涂方法（也称作Spin Coating）来沉积。发射器材料可以以合适的方式被嵌入在基质材料中，被嵌入在例如技术陶瓷或者聚合物、例如环氧树脂或者硅树脂中。
第一发射器层可以具有在从大约5nm到大约50nm的范围中的层厚度、例如在从大约10nm到大约30nm的范围中的层厚度、例如大约20nm的层厚度。
发射器层可以具有发射单色或者不同颜色（例如蓝色和黄色或者蓝色、绿色和红色）的发射器材料。可替选地，发射器层可以具有多个子层，所述子层发射不同颜色的光。借助不同颜色的混合可以引起具有白色色觉的光的发射。可替选地，也可以设置，在通过这些层产生的一次发射的光路中布置转换器材料，该转换器材料至少部分地吸收一次辐射并且发射另外的波长的二次辐射，使得由（尚不是白色的）一次辐射通过一次辐射和二次辐射的组合得到白色色觉。
在发射器层上或者在发射器层上方可以构造电子传输层，例如沉积电子传输层。电子传输层可以具有如下材料中的一种或多种或者由其形成：NET-18、2,2’,2’’- (1,3,5-三苯基（Benzinetriyl）)-三 (1-苯基-1-H-苯并咪唑)、2-（4-联苯基）-5-（4-叔-丁基）-1,3,4-恶二唑、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-菲咯啉（BCP）、8-羟基喹啉-锂、4-（萘-1-基）-3,5-联苯-4H-1,2,4-三唑、1,3-双[2-（2,2’-二吡啶-6-基）-1,3,4-恶二唑-5-基]苯、4,7-联苯-1,10-菲咯啉（BPhen）、3-（4-联苯基）-4-苯基-5-叔-丁基苯基-1,2,4-三唑、双（2-甲基-8-喹啉）-4-苯基苯酚）铝、6,6’-双[5-（联苯-4-基）-1,3,4-恶二唑-2-基]-2,2’-双吡啶基、2-苯基-9,10-双（萘-2-基）-蒽、2,7-双[2-（2,2’-二吡啶-6-基）-1,3,4-恶二唑-5-基]-9,9-二甲基芴、1,3-双[2-（4-叔-丁基苯基）-1,3,4-恶二唑-5-基]苯、2-（萘-2-基）-4,7-联苯-1,10-菲咯啉、2,9-双（萘-2-基）-4,7-联苯-1,10-菲咯啉、三（2,4,6-三甲基-3-（吡啶-3-基）苯基）硼烷、1-甲基-2-（4-（萘-2-基）苯基）-1H-咪唑[4,5-f][1,10]菲咯啉、苯基-二芘基膦氧化物、萘四碳酸酐或其酰亚胺、芘四碳酸酐或其酰亚胺以及基于具有硅杂环戊二烯单元的噻咯的物质。
电子传输层可以具有在从大约5nm到大约50nm的范围中的层厚度、例如在从大约10nm到大约30nm的范围中的层厚度、例如大约20nm的层厚度。
在电子传输层上或者在电子传输层上方可以构造电子注入层。电子注入层可以具有如下材料中的一种或多种或者由其形成：NDN-26、MgAg、Cs2CO3、Cs3PO4、Na、Ca、K、Mg、Cs、Li、LiF、2,2’,2’’- (1,3,5-三苯基)-三 (1-苯基-1-H-苯并咪唑)、2-（4-联苯基）-5-（4-叔-丁基）-1,3,4-恶二唑、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-菲咯啉（BCP）、8-羟基喹啉-锂、4-（萘-1-基）-3,5-联苯-4H-1,2,4-三唑、1,3-双[2-（2,2’-双吡啶-6-基）-1,3,4-恶二唑-5-基]苯、4,7-联苯-1,10-菲咯啉（BPhen）、3-（4-联苯基）-4-苯基-5-叔-丁基苯基-1,2,4-三唑、双（2-甲基-8-喹啉）-4-（苯基苯酚）铝、6,6’-双[5-（联苯-4-基）-1,3,4-恶二唑-2-基]-2,2’-联吡啶、2-苯基-9,10-二（萘-2-基）-蒽、2,7-双[2-（2,2’-二吡啶-6-基）-1,3,4-恶二唑-5-基]-9,9-二甲基芴、1,3-双[2-（4-叔-丁基苯基）-1,3,4-恶二唑-5-基]苯、2-（萘-2-基）-4,7-联苯-1,10-菲咯啉、2,9-双（萘-2-基）-4,7-联苯-1,10-菲咯啉、三（2,4,6-三甲基-3（吡啶-3-基）苯基）硼烷、1-甲基-2-（4-（萘-2-基）苯基）-1H-咪唑[4,5-f][1,10]菲咯啉、苯基-二芘基膦氧化物、萘四碳酸酐或其酰亚胺、芘四碳酸酐或其酰亚胺以及基于具有硅杂环戊二烯单元的噻咯的物质。
电子注入层可以具有在从大约5nm到大约200nm的范围中的层厚度、例如在从大约20nm到大约50nm的范围中的层厚度、例如大约30nm的层厚度。
在具有两个或者更多个光学功能层结构单元的光学功能层结构22中，相对应的中间层可以被构造在光学功能层结构单元之间。光学功能层结构单元可以分别单个地独自根据在上文中所阐述的光学功能层结构22的构建方案被构造。中间层可以被构造为中间电极。中间电极可以与外部电压源电连接。外部电压源可以在中间电极上例如提供第三电势。然而，中间电极也可以没有外部电端子，例如其方式是中间电极具有浮置的电势。
光学功能层结构单元例如可以具有最大大约3μm的层厚度、例如最大大约1μm的层厚度、例如最大大约300nm的层厚度。
光电子器件10可选地可以具有其他功能层，例如被布置在一个或者多个发射器层上或者在一个或者多个发射器层上方或者在电子传输层上或者在电子传输层上方。其他功能层例如可以是内部的或者外部耦合输入/输出结构，所述内部的或者外部耦合输入/输出结构可以进一步改善光电子器件10的功能并且由此进一步改进光电子器件10的效率。
第二电极23可以根据第一电极20的构建方案之一来构造，其中第一电极20和第二电极23可以相同地或者不同地被构造。第二电极23可以被构造为阳极或者被构造为阴极。第二电极23可以与第二电端子（例如第二接触区段18）电耦合，在该第二电端子上可施加第二电势。第二电势可以由与第一电势相同的能量源或者不同于第一电势的能量源提供。第二电势可以与第一电势不同。第二电势例如可以具有值来使得与第一电势的差具有在从大约1.5V到大约20V的范围中的值、例如在从大约2.5V到大约15V的范围中的值、例如在从大约3V到大约12V的范围中的值。
封装层24也可以称作薄层封装部。封装层24可以被构造为半透明的或者透明的层。封装层24相对于化学污染物或大气物质、尤其是相对于水（湿气）和氧气形成了阻挡部。换言之，封装层24被构造为使得该封装层24不能够被会损伤光电子器件的物质、例如水、氧气或者溶剂透过或者最多非常小份额地被透过。封装层24可以被构造为单个层、层堆叠或者层结构。
封装层24可以具有或由其形成：氧化铝、氧化锌、氧化锆、氧化钛、氧化铪、氧化钽、氧化镧、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铟锡、氧化铟锌、铝掺杂的氧化锌、聚对亚苯基对苯二酰胺、尼龙66以及它们的混合物和合金。
封装层24可以具有从大约0.1nm（原子层）到大约1000nm的层厚度、例如从大约10nm到大约100nm的层厚度、例如大约40nm的层厚度。封装层24可以具有高折射的材料、例如具有高折射率的一种或者多种材料、例如折射率为1.5到3的一种或者多种材料、例如折射率为1.7到2.5的一种或者多种材料、例如折射率为1.8到2的一种或者多种材料。
必要时，第一阻挡层可以对应于封装层24的构建方案被构造在载体12上。
封装层24例如可以借助于合适的沉积方法被形成，例如借助原子层沉积方法（Atomic Layer Deposition （ALD））、例如等离子体增强的原子层沉积方法（PlasmaEnhanced Atomic Layer Deposition （PEALD））或者无等离子体的原子层沉积方法（Plasma-less Atomic Layer Deposition （PLALD））被形成；或者借助化学气相沉积方法（Chemical Vapor Deposition （CVD））、例如等离子体增强的气相沉积方法（PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition （PECVD））或者无等离子体的气相沉积方法（Plasma-less Chemical Vapor Deposition（PLCVD））被形成，或者替选地借助于另外的适合的沉积方法被形成。
必要时，耦合输入或者耦合输出层例如可以作为外部薄膜（未示出）被构造在载体12上，或者作为内部耦合输出层（未示出）被构造在光电子器件10的层横截面中。耦合输入/耦合输出层可以具有基质和分布于其中的散射中心，其中耦合输入/耦合输出层的平均折射率大于从中提供电磁辐射的层的平均折射率。此外，附加地可以构造一个或者多个防反射层（Entspiegelungsschicht）。
黏合剂层36例如可以具有胶粘剂和/或漆，借助所述胶粘剂和/或漆将遮盖部38例如布置、例如粘贴在封装层24上。黏合剂层36可以透明地或者半透明地被构造。黏合剂层36例如可以具有散射电磁辐射的颗粒、例如光散射的颗粒。由此，黏合剂层36可以用作散射层并且可导致颜色角变形（Farbwinkelverzug）和耦合输出效率的改善。
作为光散射的颗粒可以设置介电的散射颗粒，例如由金属氧化物、例如氧化硅（SiO2）、氧化锌（ZnO）、氧化锆（ZrO2）、氧化铟锡（ITO）或者氧化铟锌（IZO）、氧化镓（Ga2Ox）、氧化铝或者氧化钛构成的介电的散射颗粒。另外的颗粒也是合适的，只要这些颗粒具有不同于黏合剂层36的基质（例如气泡、丙烯酸盐或酯或玻璃空球体）的有效折射率的折射率。此外例如可以设置金属纳米颗粒、金属如金、银、铁纳米颗粒等作为光散射的颗粒。
黏合剂层36可以具有大于1μm的层厚度、例如为数微米的层厚度。在不同的实施例中，胶粘剂可以是层压胶粘剂。
黏合剂层36可以具有小于遮盖部38的折射率的折射率。黏合剂层36例如可以具有低折射的胶粘剂、譬如有为大约1.3的折射率的丙烯酸盐或酯。然而，黏合剂层36也可以具有高折射的胶粘剂，该高折射的胶粘剂例如具有高折射的、非散射的颗粒并且具有经过层厚度平均的折射率，该经过层厚度平均的折射率大约对应于光学功能层结构22的平均折射率，例如在大约1.6到2.5、例如1.7到大约2.0的范围中。
在有源区域上或者在有源区域上方可以布置有所谓的吸气剂（Getter）层或者吸气剂结构、即横向结构化的吸气剂层（未示出）。吸气剂层可以半透明地、透明地或者不透明地被构造。吸气剂层可以具有如下材料或者由其形成：该材料吸收和约束对有源区域有害的物质。吸气剂层例如可以具有泡沸石衍生物或者由其形成。吸气剂层可以具有大于大约1μm的层厚度、例如为数微米的层厚度。在不同的实施例中，吸气剂层可以具有层压胶粘剂或者被嵌入在黏合剂层36中。
对封装层24可替选地或者附加地，遮盖体38可以用作光电子器件10的封装部。例如，封装部可以由遮盖体38形成，或者封装部可以由遮盖体38和封装层24形成。遮盖体38例如可以由玻璃遮盖部、金属膜或者密封的塑料膜遮盖部形成。例如，塑料膜遮盖部的密封可以根据在上文中所阐述的封装层24的构建方案而被构造。遮盖体38例如可以借助玻璃料化合物（英语glass frit bonding（玻璃浆料接合）/glass soldering（玻璃焊接）/sealglass bonding（密封玻璃接合））借助常规的玻璃焊料在封装层24或有源区域上方布置在光电子器件10的几何形状的边缘区域中。在这种情况下，可以省去封装层24并且遮盖体38可以与玻璃料化合物一起形成光电子器件10的封装部。遮盖部38例如可以具有为1.3到3、例如1.4到2、例如1.5到1.8的折射率（例如在633nm的波长的情况下）。
图16示出了光电子器件10的实施例的剖面图，该光电子器件10例如可以尽可能地对应于在上文中所阐述的光电子器件10、例如参照图2所阐述的光电子器件10。光电子器件10具有遮盖体38，其中该遮盖体38延伸直至载体12的侧向外棱边。例如，遮盖体38的侧向外棱边可以与载体12的侧向外棱边平齐。在本上下文中，载体12和遮盖体38例如在唯一的切削或者锯割步骤中被切削或被锯割。
遮盖体38具有凹进部、尤其是第一接触凹进部48，所述凹进部延伸穿过遮盖体38并且在该凹进部中使第二接触区域18露出并且是可电接触的。因此，第一电极20经由第一接触凹进部48是可电接触的。
图17示出了光电子器件10的实施例的剖面图，该光电子器件10例如可以尽可能地对应于在上文中所阐述的光电子器件10、例如参照图2所阐述的光电子器件10。光电子器件的封装部由遮盖体38和黏合剂层36形成。光电子器件10具有光电子器件10的多个第二接触凹进部50，所述第二接触凹进部50延伸穿过遮盖体38。在第一接触凹进部40中，构造和/或布置接触结构40，更确切地说使得第二电极23经由接触结构40在第二接触凹进部50中是可电接触的。
在该实施例中，可选地可以省去封装层24。例如，遮盖体38可以借助黏合剂层36直接与载体12和/或第二接触区段18连接。在本上下文中，黏合剂层36例如可以由玻璃料形成和/或封装部可以称作腔体封装部。
图18示出了光电子器件10的实施例的剖面图，该光电子器件例如可以尽可能地对应于在上文中所阐述的光电子器件10、例如参照图2所阐述的光电子器件10。接触结构40的电接触例如可以通过如下方式进行：黏合剂层36导电地被构造。例如，接触结构40可以与印制导线结构和/或线网连接，所述线网紧接着用液体粘合剂浇注。黏合剂层36例如可以在尚为液体的状态下与遮盖体38连接，例如遮盖体38可以借助黏合剂层36被层压并且黏合剂层36可以紧接着被硬化。印制导线结构或线网例如可以与接触结构40中的两个或者更多个电连接和/或特别自支承地（selbsttragend）被构造成。印制导线结构或线网的线的厚度例如可以在为10μm到200μm的范围中。印制导线结构或线网例如可以仅仅在接触结构40上处于与光电子器件10的其余部分直接物理连接，例如印制导线结构或线网可以被构造为使得他们不接触封装层24。对印制导线结构可替选地或者附加地，印制导线结构或线网可以被构造在遮盖部上方。
本发明并不限于所说明的实施例。例如，在该光电子器件10中可以构造所示出的接触结构40中的更多的或者更少的接触结构。此外，接触结构40在所有实施例中可以一件式、两件式或者更多件式地被构造。此外，接触结构40可以具有不同于所示出的形状的形状。此外，光电子器件10可以具有所示出的层中的更多的或者更少的层。例如，光电子器件10可以具有各种不同的功能层、例如耦合输出层、散射层、聚焦层、平面化层等。此外，尤其是如果相对应构造更多的或者更少的层，则所示出的方法可以具有更多的或者更少的步骤。此外，这些实施例可以彼此组合。例如，所示出的实施例中的每个都可以具有根据图15的光电子层结构。此外，不仅封装层24而且遮盖体都可以具有凹进部、尤其是第二接触凹进部50，接触结构40延伸通过所述凹进部。此外，在所有实施例中，对第一电极20的电接触可以经由在遮盖体38中的第一接触凹进部48进行和/或在所有实施例中遮盖体38可以侧向地延伸直至载体12的侧向外棱边。

Claims (10)

1.一种用于制造光电子器件（10）的方法，其中
- 提供载体（12），
- 在所述载体（12）上方构造第一电极（20），
- 在所述第一电极（20）上方构造光学功能层结构（22），
- 在所述光学功能层结构（22）上方构造第二电极（23），使得所述第二电极（23）平面地延伸到所述光学功能层结构（22）的与所述载体（12）背离的侧的至少一部分上方，
- 在第二电极（23）上构造能导电的接触结构（40）的至少一部分，
- 在所述第二电极（23）以及所述能导电的接触结构（40）上方构造封装层（24），使得所述封装层（24）包封所述光学功能层结构（22）、所述第二电极（23）和所述能导电的接触结构（40），以及
- 所述能导电的接触结构（40）至少部分地从所述封装层（24）释放出来，使得所述能导电的接触结构（40）穿过所述封装层（24）形成到所述第二电极（23）的能导电的连接，并且
- 所述能导电的接触结构（40）被构造为，使得所述能导电的接触结构（40）在使所述能导电的接触结构（40）从所述封装层（24）释放出来之后从所述封装层（24）伸出来。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二电极（23）被所述能导电的接触结构（40）和所述封装层（24）共同作用地包封。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，印制导线结构被构造在所述封装层（24）上方并且与所述能导电的接触结构（40）电耦合。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在所述第二电极（23）上方分布在所述第二电极（23）上方地布置所述能导电的接触结构（40）中的两个、三个或者更多个。
5.根据权利要求1或2所述的方法，其中，多个光电子器件（10）在器件复合件（44）中被制造，其中所述载体（12）延伸到所述光电子器件（10）中的多个光电子器件上方，在所述器件复合件（44）中构造所述光电子器件（10）的光学功能层结构（22）、电极（20，23）、能导电的接触结构（40）和封装层（24）并且随后分割所述光电子器件（10）。
6.一种用于制造光电子器件（10）的方法，其中
- 提供载体（12），
- 在所述载体（12）上方构造第一电极（20），
- 在所述第一电极（20）上方构造光学功能层结构（22），
- 在所述光学功能层结构（22）上方构造第二电极（23），使得所述第二电极（23）平面地延伸到所述光学功能层结构（22）的与所述载体（12）背离的侧的至少一部分上方，
- 通过将能导电的接触结构（40）的第一接触元件（41）构造在所述第二电极（23）上，在所述第二电极（23）上构造所述能导电的接触结构（40）的至少一部分，
- 在所述第二电极（23）以及所述能导电的接触结构（40）上方构造封装层（24），使得所述封装层（24）包封所述光学功能层结构（22）、所述第二电极（23）和所述能导电的接触结构（40），以及
- 所述能导电的接触结构（40）的其他接触元件（43）运动通过所述封装层（24），直至所述其他接触元件（43）物理地并且电地接触所述第一接触元件（41），使得所述能导电的接触结构（40）穿过所述封装层（24）形成到所述第二电极（23）的能导电的连接。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第二电极（23）被所述能导电的接触结构（40）和所述封装层（24）共同作用地包封。
8.根据权利要求6或7所述的方法，其中，印制导线结构被构造在所述封装层（24）上方并且与所述能导电的接触结构（40）电耦合。
9.根据权利要求6或7所述的方法，其中，在所述第二电极（23）上方分布在所述第二电极（23）上方地布置所述能导电的接触结构（40）中的两个、三个或者更多个。
10.根据权利要求6或7所述的方法，其中，多个光电子器件（10）在器件复合件（44）中被制造，其中所述载体（12）延伸到所述光电子器件（10）中的多个光电子器件上方，在所述器件复合件（44）中构造所述光电子器件（10）的光学功能层结构（22）、电极（20，23）、能导电的接触结构（40）和封装层（24）并且随后分割所述光电子器件（10）。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017111927A1 (de) * 2017-05-31 2018-12-06 Osram Oled Gmbh Organisches optoelektronisches Bauelement, Bauelementanordnung, Verfahren zum Herstellen einer Bauelementanordnung und Verfahren zum Herstellen eines organischen optoelektronischen Bauelements
KR102450339B1 (ko) * 2017-11-28 2022-10-04 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 장치
CN109499984B (zh) * 2018-10-13 2022-03-18 广东嗨学云教育科技有限公司 一种集成电路通用制造装置
DE102019129832A1 (de) * 2019-11-05 2021-05-06 Heliatek Gmbh Optoelektronisches Bauelement, sowie Verfahren zur Kontaktierung eines optoelektronischen Bauelements

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0982476A (ja) * 1995-09-14 1997-03-28 Casio Comput Co Ltd 有機電界発光素子
WO2007036850A2 (en) * 2005-09-28 2007-04-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. A large area organic diode device and a method of manufacturing it
WO2010136963A1 (en) * 2009-05-29 2010-12-02 Koninklijke Philips Electronics N. V. Electroluminescent devices
CN102971882A (zh) * 2010-03-05 2013-03-13 应用科学研究Tno荷兰组织 光电设备及制造其的方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4367346B2 (ja) * 2005-01-20 2009-11-18 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器
DE102006033713A1 (de) 2006-05-30 2007-12-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches lichtemittierendes Bauelement, Vorrichtung mit einem organischen lichtemittierenden Bauelement und Beleuchtungseinrichtung sowie Verfahren zur Herstellung eines organischen lichtemittierenden Bauelements
KR100833738B1 (ko) * 2006-11-30 2008-05-29 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
GB2464111B (en) * 2008-10-02 2011-06-15 Cambridge Display Tech Ltd Organic electroluminescent device
JP5820295B2 (ja) * 2011-02-21 2015-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 照明装置
DE102011005612A1 (de) * 2011-03-16 2012-09-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Optoelektronischen Bauelements
WO2013015384A1 (ja) * 2011-07-27 2013-01-31 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、および、その製造方法
US9647229B2 (en) * 2011-10-26 2017-05-09 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Color filter for organic electroluminescence display device, and organic electroluminescence display device
DE102012203637B4 (de) * 2012-03-08 2020-06-04 Osram Oled Gmbh Organisches optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines organischen optoelektronischen Bauelements
JP2015022914A (ja) * 2013-07-19 2015-02-02 ソニー株式会社 表示装置およびその製造方法、並びに電子機器

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0982476A (ja) * 1995-09-14 1997-03-28 Casio Comput Co Ltd 有機電界発光素子
WO2007036850A2 (en) * 2005-09-28 2007-04-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. A large area organic diode device and a method of manufacturing it
WO2010136963A1 (en) * 2009-05-29 2010-12-02 Koninklijke Philips Electronics N. V. Electroluminescent devices
CN102971882A (zh) * 2010-03-05 2013-03-13 应用科学研究Tno荷兰组织 光电设备及制造其的方法

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