WO2015086226A2 - Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelementes - Google Patents

Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelementes Download PDF

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WO2015086226A2
WO2015086226A2 PCT/EP2014/073585 EP2014073585W WO2015086226A2 WO 2015086226 A2 WO2015086226 A2 WO 2015086226A2 EP 2014073585 W EP2014073585 W EP 2014073585W WO 2015086226 A2 WO2015086226 A2 WO 2015086226A2
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capacitor
layer
optically active
optoelectronic component
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Kilian REGAU
Philipp SCHWAMB
Karsten Diekmann
Erwin Lang
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Osram Oled Gmbh
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    • H10K59/873—Encapsulations

Definitions

  • OLED ⁇ organic light emitting diode
  • Organic light-emitting diodes are sensitive electronic components which may only be connected polarized in one direction, reverse operation is usually not provided and can lead to a permanent failure of the OLED. Likewise, undefined electrostatic discharges
  • electrostatic discharge - ESD burden the OLED
  • the electrostatic discharges can lead to errors in the operation of the OLED or to a phn transition of the pn junction with irreversible damage, such as damage the OLED and / or lead to a permanent failure, for example in electrical Shorts.
  • a conventional OLED may include on an support 502 an anode 506 and a cathode 508 having an organic functional layer system 506
  • Layer system 506 has one or more
  • CGL charge carrier pair generation layer structure
  • HTL hole transport layer
  • - ETL electron transport layer
  • the OLED can be surrounded with a hermetically sealed encapsulation with respect to the harmful environmental impact.
  • the encapsulation can conventionally a
  • Cavity encapsulation (cavity encapsulation) have.
  • ESD loads are puffed off by means of a protective diode, wherein the protective diode is formed electrically antiparallel to the OLED.
  • organic light-emitting diodes are operated with the drivers of inorganic light-emitting diodes (standard LED driver).
  • the current provided by standard LED drivers also referred to as ripple current or pulsating direct current, has a DC component and an AC component.
  • the AC component can be referred to as a current ripple.
  • standard LED drivers are usually not optimized for low current ripple, as this is of minor importance given the high lifetime of inorganic LEDs.
  • Standard LED drivers conventionally provide an electrical current that has a high current ripple for OLEDS that reduces the life of the OLED.
  • Drivers specially optimized for OLEDs could reduce the current ripple, but with an increase in the cost
  • Optoelectronic component comprising a layer stack comprising: an optically active structure having a first
  • Electrode an organic functional layer structure; and a second electrode; where the organic
  • functional layer structure has a planar optically active region, which is for converting an electric current into an electromagnetic radiation and / or for converting an electromagnetic
  • a capacitor structure comprising at least one capacitor comprising: a third electrode, a dielectric, and a fourth electrode, wherein the third electrode with the first electrode or the second electrode, and the fourth
  • Electrode electrically connected to the first electrode or the second electrode are such that the
  • Capacitor structure is formed electrically parallel to the optically active structure.
  • An electrical connection of a first electrically conductive layer to a second electrically conductive layer can be formed directly or indirectly.
  • a direct connection may be formed by the first electrically conductive layer on the second electrically conductive layer
  • An indirect electrical connection may also be referred to as an electrical coupling, wherein the first electrically conductive layer is electrically connected to the second electrically conductive layer by a third electrically conductive layer.
  • the first electrically conductive layer is electrically connected to the second electrically conductive layer by a third electrically conductive layer.
  • the layer and the second electrically conductive layer may be free of common interfaces in the case of an indirect electrical connection.
  • the first electrode and the third electrode may directly communicate with each other
  • the optoelectronic component may be formed as an organic optoelectronic component, for example as an organic photodetector, an organic solar cell and / or an organic light emitting diode.
  • the optoelectronic component can be designed as a planar optoelectronic component. In one embodiment, the optoelectronic component can be designed such that the capacitor structure
  • the capacitor can be formed.
  • the capacitor can be formed.
  • the optically active structure and the capacitor structure may be monolithically integrated. In other words, the optically active structure and the capacitor structure form a layer stack.
  • a layer stack can be used with a single layer
  • the layer stack may be formed by the
  • Capacitor structure is arranged or formed on the encapsulation and / or the carrier of the optically active structure.
  • the layer stack may be formed on a single substrate or over one
  • a capacitor structure can be arranged on the optically active structure by the capacitor structure being formed or glued on or above the optically active structure.
  • the optically active structure and the capacitor structure may have a common electrode, for example as a common electrically conductive
  • the optoelectronic component may further comprise an encapsulation structure on or above the
  • the optoelectronic component may further comprise an encapsulation structure on or above the
  • Encapsulation structure are / is formed, for example, as a cover or barrier layer.
  • the optoelectronic component may further comprise an encapsulation structure between the optically active structure and the capacitor structure, wherein the encapsulation structure is formed such that the optically active structure is hermetically sealed with respect to water and / or oxygen.
  • the dielectric may be used as a
  • Barrier layer be formed for the optically active
  • the dielectric may have an open region, wherein the second electrode is electrically connected in the open region with the fourth electrode.
  • the optoelectronic component may further comprise a carrier and / or a hermetically sealed substrate, wherein the optically active structure is formed on or above the carrier and / or hermetically sealed substrate, and wherein the third electrode or the fourth electrode as carrier and / or or hermetically sealed substrate is formed; or the carrier and / or the hermetically sealed substrate has these.
  • the capacitor structure may comprise two or more capacitors. In one embodiment, the capacitor structure may comprise two or more plate capacitors. In one embodiment, two or more capacitors of the capacitor structure may comprise a stack of capacitors
  • two or more capacitors of the capacitor structure may be formed side by side.
  • the capacitor structure may comprise a second capacitor having a fifth electrode, a second dielectric and a sixth electrode, wherein the fifth electrode is electrically connected to the first electrode or the second electrode, and the sixth electrode is electrically connected to the first electrode or the second electrode are such that the second capacitor is formed electrically parallel to the optically active structure.
  • the second capacitor may be formed electrically parallel to the first capacitor. In one embodiment, the second capacitor may be formed electrically in series with the first capacitor.
  • the first capacitor and the second capacitor may have a common electrode, for example as a common electrically conductive
  • the capacitor structure may be formed such that the first capacitor and the second capacitor have an approximately equal capacitance.
  • the optically active structure may be formed on or above the first capacitor and the second capacitor.
  • the first capacitor and the second capacitor may be formed on or above the optically active structure.
  • the optically active structure may be formed between the first capacitor and the second capacitor.
  • the third electrode the third electrode
  • Dielectric and / or the fourth electrode at least
  • the capacitor structure may be formed translucent. In one embodiment, the capacitor structure
  • the method comprising: forming a
  • a layer stack comprising: an optically active structure having a first electrode; an organic functional
  • the organic functional layer structure comprises a sheet-like optically active region capable of converting an electric current into an electromagnetic one
  • Layer structure is formed electrically between the first electrode and the second electrode in the layer stack; and a capacitor structure having at least one capacitor comprising: a third electrode, a dielectric, and a fourth electrode, wherein the third electrode is formed electrically connected to the first electrode or the second electrode, and the fourth electrode to the first electrode or the second electrode is such that the capacitor structure is formed electrically parallel to the optically active structure.
  • FIGS. 1A-F show schematic representations of optoelectronic
  • Figure 2 is a schematic representation of a
  • Figure 3 is a schematic diagram of a method
  • Figures 4A-K are schematic representations of various components
  • Figure 5 is a schematic representation of a
  • optoelectronic components are described, wherein an optoelectronic
  • the optically active structure can by means of an applied voltage to the optically active structure electromagnetic radiation
  • the electromagnetic radiation may have a wavelength range of X-radiation, UV radiation (A-C),
  • a planar optoelectronic component which has two flat, optically active sides, can be used in the
  • Connection direction of the optically active pages for example, be transparent or translucent, for example, as a transparent or translucent organic
  • a planar optoelectronic component can also be referred to as a planar optoelectronic device.
  • the optoelectronic component can also have a planar, optically active side and a flat, optically inactive side, for example an organic light-emitting diode which is set up as a so-called top emitter or bottom emitter.
  • the optically inactive side can be transparent or in various embodiments
  • the beam path of the optoelectronic component can be directed, for example, on one side.
  • emitting electromagnetic radiation can emit
  • providing electromagnetic radiation may be understood as emitting electromagnetic radiation by means of an electric current through an optically active structure.
  • An optically active structure for example a
  • Electromagnetic radiation emitting structure may, in various embodiments, an electromagnetic
  • Transistor for example an organic one Field effect transistor (organic field effect transistor OFET) and / or organic electronics may be formed.
  • the organic field effect ransistor can be a
  • the electromagnetic-radiation-emitting component may in various embodiments be part of an integrated circuit Furthermore, a plurality of components emitting electromagnetic radiation may be provided, for example housed in a common housing Optoelectronic component may have an organic functional layer system, which synonymously as organic functional
  • a functional layered structure may include or be formed from an organic substance or mixture of organic substances, for example, configured to provide electromagnetic radiation from a provided electrical current.
  • An organic light emitting diode may be formed as a top emitter or a bottom emitter. In a bottom emitter, light is emitted from the electrically active region through the
  • Carrier emitted.
  • light is emitted from the top of the electrically active region and not by the carrier.
  • a top emitter and / or bottom emitter may also be optically transparent or optically translucent, for example, any of those described below
  • Layers or structures may be transparent or translucent.
  • translucent or “translucent layer” can be understood in various embodiments that a layer is permeable to light
  • the light generated by the light emitting device for example one or more
  • Wavelength ranges for example, for light in one Wavelength range of the visible light (for example, at least in a partial region of the wavelength range of 380 nm to 780 nm).
  • the term "translucent layer” in various embodiments is to be understood to mean that substantially all of them are in one
  • Quantity of light is also coupled out of the structure (for example, layer), wherein a portion of the light can be scattered in this case
  • transparent or “transparent layer” can be understood in various embodiments that a layer is transparent to light
  • Wavelength range from 380 nm to 780 nm), wherein in a structure (for example, a layer) coupled light without scattering or light conversion also from the structure
  • a hermetically water- and / or oxygen-tight layer or structure can be understood as a layer or structure substantially impermeable to diffusion of water and / or oxygen through this layer or structure.
  • a hermetically sealed layer or structure can be any material that can be used to form A hermetically sealed layer or structure.
  • a hermetically sealed cover and / or a hermetically sealed support may, for example, have a diffusion rate with respect to water and / or oxygen of less than or equal to about
  • a hermetically sealed substance or a hermetically sealed one may be used
  • Optoelectronic device 100 on a stack of layers has an optically active structure 106 and a capacitor structure 104 - illustrated in FIG.
  • the optically active structure 106 may include at least a first electrode 110, an organic functional one
  • the optoelectronic component can be a
  • planar optically active structure for example by means of a corresponding embodiment of the organic functional layer structure, which converts an electric current into an electromagnetic radiation and / or to convert an electromagnetic
  • the organic functional layer structure 112 is electrically formed between the first electrode 110 and the second electrode 114 in the layer stack.
  • the capacitor structure 104 has at least one
  • Capacitor on The capacitor has at least a third electrode, a dielectric, and a fourth electrode.
  • the third electrode is electrically connected to the first electrode or the second electrode
  • the fourth electrode is electrically connected to the first electrode or the second electrode such that the capacitor structure is formed electrically parallel to the optically active structure.
  • Capacitor structure 104 may be formed as a support or substrate for the optically active structure 106 - for example, illustrated in Fig.lF.
  • the optically active structure 106 and the capacitor structure 104 are formed on different sides of the carrier 102 and the substrate 128, for example, illustrated in FIG. 1B.
  • Capacitor structure 104 formed with respect to the carrier 102 and the substrate 128 on the optically active structure - Fig. IC.
  • the optically active structure 106 is relative to the carrier 102 and the
  • Capacitor structure 104 two or more capacitors 104 -n, where n is an integer and the respective
  • Capacitor marks For example, that can be
  • Opto-electronic device 100 having a first capacitor 104-1 and a second capacitor 104-2 - for example, illustrated in Fig. ID.
  • the optically active structure 106 may be on or above the first capacitor 104-1 and the second capacitor 104-2
  • the optically active structure 106 may be adjacent to or between ⁇ vertical and / or horizontal) the first capacitor 104-1 and the second capacitor 104-2
  • dielectric layer of the optically active structure 106 and the optoelectronic component as a dielectric of the at least one capacitor
  • the barrier layer 208 on or below the optically active structure 106.
  • a further electrically conductive layer for example a metallization layer, may be formed, and this electrically conductive layer may be electrically connected to one of the electrodes 110, 114 of the optically active structure 106
  • a metallization layer on or over a thin film encapsulation of the optically active structure 106 may be electrically connected to the ITO anode.
  • a capacitance which is formed electrically parallel to the optically active structure 106 can be realized.
  • the capacitance can be a permanent capacitance, which means that it can also be present during operation of the optoelectronic component.
  • the optoelectronic device itself is operated and is substantially free of capacitance.
  • the capacitance of the capacitor structure 104 can be electrically charged and, following the electrostatic discharge, again via one of the electrodes of the optoelectronic component Unload component 100. This can prevent the
  • optoelectronic component 100 itself is directly electrically charged, for example by a high voltage pulse of an electrostatic discharge.
  • the capacitor structure 104 the total impedance for high frequencies, so that in operation of the optoelectronic component 100, the same electrostatic discharge current causes a lower voltage drop across the optically active structure 106 and thus a lower electric field in the optically active structure 106 is formed.
  • the load on the optically active structure 106 can thereby be reduced since the capacitance of the capacitor structure 104 with respect to the capacitance of the optically active structure 106 is also present during operation of the optoelectronic component 100.
  • Capacitor structure 104 can thus also form a low-impedance parallel current path for a high-frequency ripple current, wherein the high-frequency ridge current is impressed into the optoelectronic component 100, for example by an LED driver.
  • a Rippeistrom is a flowing in the supply line of the optoelectronic component 100 mixed stream of pure direct current and superimposed
  • the rib stream may be in the optoelectronic component 100 on the optically active structure 106 and the capacitor structure 104
  • Ripple current can flow through the optically active structure 106 alone.
  • the high-frequency AC component may affect the optically active structure 106 and the
  • the AC component can, with a correspondingly high capacitance of the capacitor structure 104, find a significantly lower current path than through the optically active structure 106.
  • the optically active structure 106 of the optoelectronic component 100 is loaded with a smaller proportion of high-frequency alternating current than with an optoelectronic component 100 without capacitor structure 104.
  • Capacitor structure 104 an electrical connection of the
  • Metallization layer to one of the electrodes in the optical active structure 106, for example to the
  • Electrode with greater electrical conductivity can be achieved in various embodiments by means of suitable
  • Insulating materials for example, high relative
  • dielectric layer of a conventional optoelectronic device 100 may be used as the dielectric of the capacitor structure 104.
  • the metal of the substrate may be formed as one of the electrodes of the capacitor structure 104.
  • optoelectronic components 100 at metal sub-rates for example also flexible optoelectronic components 100, for example flexible organic light-emitting diodes 100, the function of
  • Metallization for example, be realized by means of the metal substrate.
  • Ballast for controlling or regulating the operating current of the optoelectronic component 100 is formed and is electrically connected thereto.
  • the capacitor structure 104 of the optoelectronic component 100 may also be the high current ripple which is usually present in a standard electrical ballast, for example in one
  • the current ripple can thus be connected to the optically active structure 106
  • the optoelectronic component 100 may be formed as a planar optoelectronic component 100.
  • the optoelectronic component 100 may be formed such that the capacitor structure 104 is at least translucent with respect to the electromagnetic radiation of the optically active structure 106.
  • electromagnetic radiation of the optically active structure 106 may be formed.
  • the optically active structure 106 and the capacitor structure 104 are identical to each other.
  • the optically active structure 106 and the capacitor structure 104 may have a common electrode, for example, be formed as a common electrically conductive layer.
  • this may be
  • Optoelectronic component 100 also has a
  • Encapsulation structure 226 (illustrated in FIG. 2) on or over the layer stack, which is formed such that the layer stack is hermetically sealed with respect to water and / or oxygen.
  • the optoelectronic component 100 further comprise an encapsulation structure 226 on or above the layer stack, wherein the third electrode, the dielectric and / or the fourth electrode as part of
  • Encapsulation structure are / is formed, for example as ⁇ cover 224 or barrier layer 208 - illustrated in FIG.
  • Optoelectronic component 100 also has a
  • Encapsulation structure 226 between the optically active structure having the capacitor structure 106 and 104 which is configured such iQ that the optically active structure is water hermetically sealed and / or oxygen with respect to the 106th
  • the dielectric of the at least one capacitor and / or the dielectric of the capacitor structure 104 may be formed as a barrier layer
  • Capacitor structure may be formed as a hermetically sealed layer with respect to water and / or oxygen for the optically active structure.
  • Optoelectronic device 100 further comprise a carrier 102 and / or a hermetically sealed substrate 128, wherein the third electrode or the fourth electrode of the
  • Kondensato structure is designed as a carrier
  • Capacitor structure 104 two or more capacitors
  • Capacitor structure 104 may be used as a stack of
  • the two or more Capacitors of the capacitor structure 104 may alternatively be formed side by side.
  • the capacitor structure 104 has at least one (first) capacitor 104-1.
  • the capacitor 104-1 has at least a third electrode, a dielectric, and a fourth electrode.
  • the third electrode is the first one
  • Electrode electrically connected to the first electrode or the second electrode such that the capacitor structure is electrically parallel to the optically active structure
  • the capacitor structure 104 may include a second capacitor 104-2 having a fifth electrode, a second dielectric, and a sixth electrode, the fifth
  • Electrode with the first electrode or the second electrode Electrode with the first electrode or the second electrode
  • Electrode, and the sixth electrode electrically connected to the first electrode or the second electrode are such that the capacitor structure is formed electrically parallel to the optically active structure.
  • Capacitor 104-2 may be electrically parallel or electrically in series with first capacitor 104-1.
  • the first capacitor 104-1 and the second capacitor may have a common layer or by means of at least one intermediate layer or a layer stack,
  • optically active structure 106 for example, the optically active structure 106, in one
  • first capacitor 104-1 and the second capacitor 104-2 may have a common electrode.
  • the common electrode may, for example, as a common electrically conductive
  • the capacitor structure may be configured such that the first capacitor 104-1 and the second capacitor 104-2 have an approximately equal capacitance.
  • the optically active structure 106 is formed on or above the first capacitor 104-1 and the second capacitor 104-2. In another Embodimenterl the first capacitor 104-1 and the second capacitor 104-2 are formed on or above the optically active structure 106. In another
  • the optically active structure 106 is formed between and / or next to the first capacitor 104-1 and the second capacitor 104-2, for example in a plane.
  • the third electrode, the dielectric and / or the fourth electrode may / at least be made translucent.
  • FIG. 2 shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic component according to various
  • the optoelectronic component 100 may, in various embodiments, a hermetically sealed substrate 128, an optically active structure 106 and a
  • Encapsulation structure 226 have.
  • the hermetically sealed substrate 128 may include a carrier 102 and a first barrier push 204. In one
  • the carrier 102 may be hermetically sealed, for example, a metal, glass and / or have a ceramic, for example in the form of a metal sheet.
  • a hermetically sealed carrier 102 may thus be a hermetically sealed substrate 128 and be free of first
  • the organic functional layer structure 112 may include one, two or more functional layered structure units and one, two or more interlayer structures between the layered structure units.
  • the organic functional layer structure 112 may comprise, for example, a first organic functional layer structure unit 216, an intermediate layer structure 218, and a second organic functional layer structure unit 220.
  • the encapsulation structure 226 may be a second
  • Barrier layer 208 a key connection layer 222 and a cover 224 have.
  • the carrier 102 may be glass, quartz, and / or a
  • the carrier may comprise or be formed from a plastic film or a laminate with one or more plastic films.
  • the plastic may include or be formed from one or more polyolefins (eg, high or low density polyethylene or PE) or polypropylene (PP).
  • PE polyethylene
  • PP polypropylene
  • Polyvinyl chloride PVC
  • PS polystyrene
  • PC polycarbonate
  • PET polyethylene terephthalate
  • PES Polyethersulfone
  • PEN polyethylene naphthalate
  • the carrier 102 may comprise or be formed of a metal, for example copper, silver, gold, platinum, iron, for example a metal compound, for example steel.
  • the carrier 102 may be opaque, translucent or even transparent.
  • the carrier 102 may be part of or form part of a mirror structure.
  • the carrier 102 may have a mechanically rigid region and / or a mechanically flexible region or be formed in such a way, for example as a foil.
  • the carrier 102 may be formed as a waveguide for electromagnetic radiation, for example, be transparent or translucent with respect to the emitted or
  • the first barrier layer 204 may include or be formed from one of the following materials:
  • Indium zinc oxide aluminum-doped zinc oxide, poly (p-phenylene terephthalamide), nylon 66, and mixtures and
  • the first barrier layer 204 may be formed by means of one of
  • PEALD Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition
  • PECVD Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
  • Sublayers all sublayers can be formed by means of a Atom fürabscheidevons.
  • a layer sequence comprising only ALD layers may also be referred to as "nanolaminate”.
  • Partial layers may have one or more
  • Atomic layer deposition processes are deposited
  • the first barrier layer 204 may have a layer thickness of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 1000 nm
  • the first barrier layer 204 may be one or more
  • high refractive index materials on iron for example one or more high refractive index materials, for example having a refractive index of at least 2.
  • Barrier layer 204 may be omitted, for example, in the event that the carrier 102 hermetically sealed
  • the first electrode 204 may be formed as an anode or as a cathode.
  • the first electrode 110 may include or be formed from one of the following electrically conductive material: a metal; a conductive conductive oxide (TCO); a network of metallic
  • Nanowires and particles for example of Ag, which are combined, for example, with conductive polymers; a network of carbon nanotubes that
  • the first electrode 110 made of a metal or a metal may comprise or may be formed from one of the following materials: Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ca, Sm or Li, as well as compounds, combinations or alloys of these materials ,
  • the first electrode 110 may be one of the following as a transparent conductive oxide Have materials: for example, metal oxides:
  • zinc oxide for example, zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO).
  • binary oxide for example, zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO).
  • binary oxide for example, zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO).
  • binary oxide for example, zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO).
  • Metal-oxygen compounds such as Eno, Sn02, or ⁇ ⁇ 213 ternary metal-oxygen compounds, for example, AlZnO, n2Sn04, CdSnOs, ZnSn03, MgIn2Ü4,
  • Embodiments are used. Farther
  • the TCOs do not necessarily correspond to a stoichiometric composition and may furthermore be p-doped or n-doped, or hole-conducting (p-TCO) or electron-conducting ⁇ n-TCO).
  • the first electrode 110 may be a layer or a
  • the first electrode 110 may be formed by a stack of layers of a combination of a layer of a metal on a layer of a TCO, or vice versa.
  • An example is one
  • the first electrode 204 may, for example, have a layer thickness on iron in a range of 10 nm to 500 nm,
  • the first electrode 110 may be a first electrical
  • the first electrical potential may be provided by a power source, such as a power source or a voltage source.
  • the first electrical potential can be applied to an electrically conductive carrier 102 and the first electrode 110 can be indirectly electrically supplied by the carrier 102.
  • the first electrical potential may be, for example, the ground potential or another predetermined reference potential.
  • FIG. 2 shows an optoelectronic component 100 having a first organic functional layer structure unit 216 and a second organic functional one
  • Layer structure unit 220 is shown. In various embodiments, the organic functional
  • Layer structure 112 but also more than two organic functional layer structures, for example, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, or even more, for example 15 or more, for example, 70th
  • Layer structures may be the same or different, for example the same or different
  • the second organic functional layered structure unit 220, or the other organic functional layered structure units may be one of those described below
  • the first organic functional layer structure unit 216 may include a hole injection layer, a
  • an organic functional layer structure unit 216 one or more of said layers may be provided, wherein like layers may have physical contact, may only be electrically connected to each other, or may even be formed electrically insulated from each other, for example, side by side. Individual layers of said layers may be optional.
  • a hole injection layer may be formed on or above the first electrode 110.
  • the hole injection layer may include one or more of the following materials exhibit or can be formed therefrom: HAT-CN, Cu (I) pFBz, MoO x, W0 X, VO x, ReO x, F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9, Bi (III) pFBz, F16 CuPC; NPB ( ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalen-1-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -benzidine); beta-NPB N, N'-bis (naphthalene-2-yl) -N, 1 -bis (phenyl) -benzidine); TPD (, N 1 -bis (3-methylphenyl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -benzidine); Spiro TPD ( ⁇ , ⁇ '-bis (3-methylphenyl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) benzidine);
  • NPB ( ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalen-l-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -9, -diphenyl-fluorene); Spiro-TAD (2,2 ', 7,7' tetrakis (N, N-diphenylamino) - 9, 1 spirobifluorene) of 9,9-bis [4- (N, N-bis-biphenyl-4-yl amino) phenyl] - 9H-fluorene; 9,9-bis [4 - (N, -naphthalen-2-ylamino) phenyl] -9H-fluorene; 9,9-bis [4- (N, N'-bis-naphthalen-2-yl-N, '-bis-phenyl-amino) -phenyl] -9H-fluoro;
  • the hole injection layer may have a layer thickness in a range of about 10 nm to about 1000 nm, for example in a range of about hr 30 nm to about 300 nm, for example in a range of about 50 nm to about 200 nm.
  • Hole transport layer be formed.
  • the Hole transport layer may comprise or be formed from one or more of the following materials: NPB ( ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalen-1-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) benzidine); beta-NPB ( ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalen-1-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) benzidine); beta-NPB ( ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalen-1-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) benzidine); beta-NPB
  • Spiro-NPB N, '-Bis (naphthalen-1-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -spiro); DMFL-TPD N, N'-bis (3-methylpheny1) -N, '-bis (phenyl) -9, 9-dimethyl-fluorene); DMFL-NPB ( ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalen-1-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -9,9-dimethyl-fluorene); DPFL-TPD (N, '-Bis (3-methylphenyl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -9,9-diphenyl-fluorene); DPFL-NPB ( ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalen-1-yl) -N, N 1 -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl-fluorene); Spiro-TAD (2, 2 '
  • the hole transport layer may have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 50 nm,
  • nm for example, in a range of about 10 nm to about 30 nm, for example about 20 nm.
  • Func ionellen Schichtfigured- units 216, 220 may each have one or more emitter layers, for example with fluorescent and / or
  • the optoelectronic component 100 can in a
  • Emitter layer comprise or be formed from one or more of the following materials: organic or
  • organometallic compounds such as derivatives of polyfluorene, polythiophene and polyphenylene (for example 2- or 2,5-substituted poly-p-phenylenevinylene) and metal complexes, for example iridium complexes such as blue-phosphorescent FIrPic (bis (3,5-difluoro-2- (bis 2-pyridyl) phenyl - (2-carboxypyridyl) iridium III), green phosphorescent
  • non-polar emitter fluorescent DCM2 (4-dicyanomethylene) -2-methyl-6-glulolidyl-9-enyl-4H-pyran) as a non-polar emitter.
  • non-polymeric emitters can be deposited by means of thermal evaporation, for example. Furthermore, can
  • Polymer emitter used which can be deposited, for example by means of a wet chemical process, such as a spin-on process (also referred to as spin coating).
  • Emitter layer have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 50 nm, for example in a range of about 10 nm to about 30 nm, for example about 20 nm.
  • the emitter layer may have single-color or different-colored (for example blue and yellow or blue, green and red) emitting emitter materials.
  • the emitter layer may have single-color or different-colored (for example blue and yellow or blue, green and red) emitting emitter materials.
  • Emitter layer have multiple sub-layers that emit light of different colors. By mixing the different colors, the emission of light can result in a white color impression.
  • a converter material in the beam path of the primary emission generated by these layers, which at least partially absorbs the primary radiation and emits a secondary radiation of a different wavelength, so that from a (not yet white) primary radiation by the combination of primary radiation and secondary radiation gives a white color impression.
  • the organic functional layer structure unit 216 may include one or more emitter layers configured as a hole transport layer. Furthermore, the organic functional layer structure unit 216 may include one or more emitter layers configured as an electron transport layer.
  • Be formed electron transport layer for example, be deposited.
  • the electron transport layer may include or be formed from one or more of the following materials: NET- 18; 2,2 ', 2 "- (1,3,5-benzinetriyl) tris (1-phenyl-1H-benzimidazole), 2- (biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3, 4-oxadiazoles, 2, 9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP), 8-hydroxyquinolinolato-lithium, 4- (naphthalen-1-yl) -3,5-diphenyl-H-1 1,2,4-triazoles; 1,3-bis [2- (2,2'-bipyridine-6-yl) -1,3,4-oxadiazol-5-yl] benzene; 4,7-diphenyl-1, 10-henanthrolines (BPhen); 3 - (4-biphenylyl) -4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,
  • the electron transport layer may have a layer thickness
  • a first electron transport layer 50 nm, for example in a range of about 10 nm to about 30 nm, for example about 20 nm.
  • a second electron transport layer 50 nm, for example in a range of about 10 nm to about 30 nm, for example about 20 nm.
  • Electron injection layer may be formed.
  • Electron injection layer may include or may be formed of one or more of the following materials: NDN-26, MgAg, Cs 2 C0 3 , CS 3 PO 4, Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, LiF; 2, 2 ', 2 "- (1,3,5-benzene triyl) tris (1-phenyl-1H-benzimidazoles); 2- (4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3 , 4-oxadiazoles, 2, 9-dimethyl-4,7-diphenyl-l, 10-phenanthrolines (BCP), 8-hydroxyquinolinolato-1ithium, 4- (naphthalen-1-yl) -3, 5-diphenyl-4H- l, 2, 4-triazoles; 1, 3-bis [2 - (2,2'-bipyridines-6-yl) -1,3,4-oxadiazo-5-yl] benzene; 4,7-dipheny
  • the electron injection layer may have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 200 nm, for example in a range of about 20 nm to about 50 nm, for example about 30 nm.
  • the second organic functional layer structure unit 220 may be formed above or next to the first functional layer structure units 216. Electrically between the organic functional
  • Layer structure units 216, 220 may be a
  • Interlayer structure 218 may be formed.
  • the first layer 218 may be formed.
  • Interlayer structure 218 may be formed as an intermediate electrode 218, for example according to one of
  • Intermediate electrode 218 may be electrically connected to an external voltage source.
  • the external voltage source may provide, for example, a third electrical potential at the intermediate electrode 218.
  • the intermediate electrode 218 may also have no external electrical connection, for example by the intermediate electrode having a floating electrical potential.
  • a charge carrier pair generation layer structure 218 may include one or more
  • the charge carrier pair generation layer (s) and the hole-conducting charge carrier pair generation layer (s) may each be formed of an intrinsically conductive substance or a dopant in a matrix.
  • the charge carrier pair generation layer pattern 218 should be formed with respect to the energy levels of the electron-conducting carrier generation layer (s) and the hole-carrier charge generation pair (s) such that at the interface of an electron-conducting carrier generation pair hole-conducting charge carrier pair generation layer can be a separation of electron and hole.
  • the carrier pair generation layer structure 218 may further include a sandwich between adjacent layers
  • Each organic functional layer structure unit 216, 220 may, for example, have a layer thickness of at most approximately 3 ⁇ m, for example a layer thickness of at most approximately 1 ⁇ m, for example a layer thickness of approximately approximately 300 nm.
  • the optoelectronic component 100 can optionally have further organic functional layers, for example arranged on or above the one or more
  • the further organic functional layers can be, for example, internal or external coupling-in / coupling-out structures, which are the
  • the second electrode 114 may be formed.
  • the second electrode 114 may be formed according to any one of the configurations of the first electrode 110, wherein the first electrode 110 and the second electrode 114 may be the same or different.
  • the second electrode 114 may be formed as an anode, that is, as a hole-injecting electrode or as a cathode, that is as a
  • the second electrode 114 may have a second electrical
  • the second electrical potential may be different from the first electrical potential and / or the optionally third electrical potential.
  • the second electrical potential may have a value such that the difference from the first electrical potential has a value in a range of about 1.5V to about 20V, for example, a value in a range of about 2.5V to about 15V, for example, a value in a range of about 3V to about 12V.
  • the second barrier layer 208 may be formed.
  • the second barrier layer 208 may also be referred to as
  • the second barrier layer 208 may be formed according to one of the embodiments of the first barrier layer 204. It should also be noted that in various combinations of the first barrier layer 204.
  • Barrier layer 208 can be dispensed with.
  • the optoelectronic component 100 may, for example, have a further encapsulation structure, as a result of which a second barrier layer 208 may become optional, for example a cover 224, for example one
  • one or more input / output coupling layers may be formed in the optoelectronic component 100, for example an external outcoupling foil on or above the carrier 102 (not shown) or an internal one
  • Decoupling layer (not shown) in the layer cross section of the optoelectronic component 100.
  • the input / output coupling layer can be a matrix and distributed therein
  • Refractive index of the layer from which the electromagnetic radiation is provided is provided. Furthermore, in various embodiments additionally one or more of
  • Antireflection layers for example, combined with the second barrier layer 208) in the optoelectronic
  • Component 100 may be provided.
  • a conclusive one may be on or above the second barrier layer 208
  • Bonding layer 222 may be provided, for example, an adhesive or a paint.
  • a cover 224 on the second barrier layer 208 can be connected conclusively, for example by being glued on.
  • transparent material can be particles
  • the coherent bonding layer 222 can act as a scattering layer and improve the color angle distortion and the
  • dielectric As light-scattering particles, dielectric
  • Metal oxide such as silicon oxide (S1O2), zinc oxide (nO), zirconia ⁇ Zr02), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), gallium (GA 20 x) aluminum oxide, or titanium oxide.
  • Other particles may also be suitable as long as they have a refractive index which is different from the effective refractive index of the matrix of the coherent bonding layer 222, for example air bubbles, acrylate or glass bubbles.
  • metallic oxide such as silicon oxide (S1O2), zinc oxide (nO), zirconia ⁇ Zr02), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), gallium (GA 20 x) aluminum oxide, or titanium oxide.
  • Other particles may also be suitable as long as they have a refractive index which is different from the effective refractive index of the matrix of the coherent bonding layer 222, for example air bubbles, acrylate or glass bubbles.
  • metallic oxide such as silicon oxide (S1O2), zinc oxide (n
  • Nanoparticles metals such as gold, silver, iron nanoparticles, or the like may be provided as light-scattering particles.
  • the coherent connection layer 222 may have a layer thickness of greater than 1 ⁇ , for example a
  • the interlocking tie layer 222 may include or be a lamination adhesive.
  • the coherent connection layer 222 may be so
  • functional layer structure 112 corresponds, for example, in a range of about i . , 7 to about 2.0. Furthermore, a plurality of different adhesives may be provided which form an adhesive layer sequence. In various embodiments, between the second electrode 114 and the interlocking connecting layer 222, an electrically insulating layer (not
  • SiN for example, having a layer thickness in a range of about 300 nm to about 1.5 ⁇ , for example, having a layer thickness in a range of about 500 nm to about 1 ⁇ to electrically unstable materials
  • a cohesive tie layer 222 may be optional, for example, if the cover 224 is formed directly on the second barrier layer 208, such as a glass cover 224 formed by plasma spraying.
  • the electrically active structure 106 may also be a so-called getter layer or getter structure,
  • a laterally structured getter layer may be arranged ⁇ not shown).
  • a cover 224 may be formed on or above the coherent connection layer 222.
  • the cover 224 may be connected to the electrically active structure 106 by means of the coherent connection layer 222 and protect it from harmful substances.
  • the cover 224 may include, for example, a glass cover 224, a
  • the glass cover 224 may, for example, by means of a frit bonding / glass soldering / seal glass bonding by means of a conventional glass solder in the geometric edge regions of the organic optoelectronic component 100 with the second barrier layer 208 and the electrically active structure 106 are connected conclusively.
  • the cover 224 and / or the bonding compound layer 222 may have a refractive index (for example, at a wavelength of 633 nm) of 1.55.
  • the optically active structure may be provided with at least one first electrode 110, an organic functional one
  • Layer structure 112 and a second electrode 114 are formed.
  • Layer structure 112 may be formed flat.
  • the organic functional layer structure 112 may be electrically formed between the first electrode 110 and the second electrode 114 in the layer stack.
  • the optoelectronic component 100 may be formed as an organic optoelectronic component
  • the optoelectronic component can be formed as a planar optoelectronic component 100.
  • the optoelectronic component 100 may be formed such that the capacitor structure 104 at least
  • the capacitor may be formed in the beam path of the electromagnetic radiation of the optically active structure 106.
  • the optically active structure 106 In various embodiments of the method 300, the optically active structure 106 and the
  • Capacitor structure 104 may be formed monolithically integrated. In various embodiments of the method 300, the optically active structure 106 and the
  • the method 300 may further include forming a
  • Encapsulation structure 226 on or above the layer stack such that the layer stack is hermetically sealed with respect to water and / or oxygen.
  • the method 300 may further include forming a
  • Encapsulation structure 226 on or above the layer stack, wherein the third electrode, the dielectric and / or the fourth electrode as part of the
  • Encapsulation structure 226 is / are formed
  • method 300 may further include forming a
  • the dielectric may be formed as a barrier layer with respect to the optically active structure 106 and water and / or oxygen.
  • the method 300 may further include providing a carrier 102 or hermetically sealed substrate 128, wherein the third electrode or the fourth electrode is formed as a carrier 102 or hermetically sealed substrate 128 or the carrier 102 or the hermetically sealed substrate this has.
  • the capacitor structure 104 may be two or more
  • Capacitors 104 -n are formed, where n den
  • the capacitor structure 104 may be two or more
  • Plate capacitors are formed.
  • two or more capacitors of the capacitor structure 104 may be formed as a stack of capacitors.
  • two or more capacitors of the capacitor structure 104 may be formed side by side.
  • the capacitor structure 104 may be connected to a second
  • Capacitor 104-2 are formed with a fifth electrode, a second dielectric and a sixth electrode, wherein the fifth electrode is formed with the first electrode or the second electrode, and the sixth electrode with the first electrode or the second electrode is electrically connected such the second capacitor 104-2 is formed electrically parallel to the optically active structure 106.
  • the second capacitor 104-2 may be electrically connected in parallel or electrically in series with the first capacitor 104-1.
  • the first capacitor 104-1 and the second capacitor 104-2 may be formed with a common electrode, for example as and / or be formed from a common electrically conductive layer.
  • the capacitor structure 104 may be formed such that the first capacitor 104-1 and the second capacitor 104-2 have an approximately equal capacitance.
  • the optically active structure 106 is on or above the first
  • Method 300 the first capacitor 104-1 and the second capacitor 104-2 are formed on or above the optically active structure 106.
  • the optically active structure 106 is formed between the first capacitor 104-1 and the second capacitor 104-2.
  • the third electrode, the dielectric and / or the fourth electrode may be formed at least translucent.
  • the first capacitor 104 has at least a third one
  • Electrode 110 Electrode 110, a dielectric 406, 404, and a fourth electrode 402.
  • the electrodes of a capacitor of the capacitor structure may in each case be formed as an electrically conductive layer 402, for example in the case where the third electrode and the fourth electrode are in their
  • Embodiment are interchangeable, for example, the same design, for example, illustrated in Fig. 4C, D, F-K.
  • a design for example, illustrated in Fig. 4C, D, F-K.
  • the third Electrode 110 of the first capacitor 104-1 be equal to the first electrode 110 of the optically active structure 106,
  • one electrode of the capacitor may be formed as an electrically conductive layer 402.
  • the fourth electrode 402 of the first capacitor may be electrically connected to the second electrode 114 of the optically active structure 106 such that the capacitor structure 104 is formed electrically parallel to the optically active structure 106,
  • the third electrode and the fourth electrode of the capacitor 104-1 may be formed according to any of the configurations of the first electrode 110 and / or the second electrode 114, as described above.
  • the optically active structure 106 may be electrically energized by means of a first electrical connection 412 and a second electrical connection 414, for example, connectable to and connectable to an electronic ballast (ECG).
  • ECG electronic ballast
  • the dielectric of the first capacitor 104-1 comprises a single dielectric layer, such as a barrier layer - for example, illustrated in FIG. 4B.
  • the dielectric of the first capacitor 104-1 may comprise two or more dielectric layers, for example as illustrated in FIG.
  • the dielectric may include or be formed from a barrier layer 406 and an electrically insulating layer 404 made of an electrically non-conductive and / or a dielectric material.
  • the capacitor structure 104 with respect to the
  • Barrier layer 406 may be part of an encapsulation structure or have.
  • the barrier layer 406 of the capacitor 104-1 may be hermetically sealed with respect to water and / or oxygen, and thereby hermetically seal the optically active structure 106 with respect to diffusion of the substances from the side of the carrier 102.
  • the barrier layer 406 of the capacitor 104-1 may
  • Layer 404 can be set to a predetermined capacity. Furthermore, the electrically insulating layer 404 and / or the barrier layer 406 may be formed as an adhesion-promoting layer, for example with respect to the third electrode 110 and / or the fourth electrode 402. For example, the electrically insulating layer 404 may be provided with a technically simpler, faster, and / or
  • the electrically insulating layer 404 may have a greater porosity.
  • the encapsulation structure may be formed according to one of the embodiments described above.
  • the barrier layer 406 or the electrically insulating layer 404 may be optional.
  • the fourth electrode 402 may be formed on or over a support 102 and / or a hermetically sealed substrate 128, for example, illustrated in FIG. 4A.
  • the carrier 102 and the hermetically sealed substrate 128 may be formed as a fourth electrode, for example, illustrated in FIG. B and Figure 4E as an electrically conductive support 408, or the fourth electrode.
  • the dielectric may have an open region, wherein, for example, the second electrode 114 is electrically connected to the fourth electrode 408 in the opened region.
  • the second electrode 114 is electrically connected to the fourth electrode 408 in the opened region.
  • the hermetically sealed substrate 128 may include the fourth electrode and the dielectric of the first capacitor 104-1.
  • the first capacitor 104 - 1 may then consist of first electrode 110 and hermetically sealed substrate 128 with electrically conductive carrier or an electrically conductive carrier 408 and
  • a dielectric layer for example barrier layer 204, may be formed on an electrically conductive carrier 102.
  • the first electrode 110 of the optically active structure 106 is formed on the dielectric layer.
  • the first electrode 110 is electrically insulated from the electrically conductive carrier 102 by means of the dielectric layer.
  • On the first electrode 110 are the organic functional
  • the second electrode is guided electrically insulated from the first electrode 110 into a contact region (contact pad region) on the electrically conductive carrier 102.
  • the dielectric layer is opened (opened region) so that the second electrode 114 is directly electrically connected to the electrically conductive carrier in the opened region of the dielectric layer.
  • the second electrode 114 may be energized in the contact pad region or through the electrically conductive carrier.
  • a capacitor 104-1 is realized electrically parallel to the optically active structure 106.
  • the first electrode 110 may be electrically connected to an electrically conductive cover 224 in an opened region of the second barrier layer 208.
  • Barrier layer 208, the electrically conductive cover 224 and possibly the adhesive layer 222 form a capacitor which is electrically parallel to the optically active structure 106.
  • the capacitance of the first capacitor 104-1 is independent of the operating state of the optically active structure 106
  • the optically active structure 106 may be formed on the two or more capacitors - for example, illustrated in FIGS. 4A to 4E.
  • the optoelectronic component 100 can
  • top emitter for example, as a top emitter or bottom emitter
  • the one or more capacitors should be at least translucent, for example transparent.
  • Embodiments of an at least translucent electrically conductive or electrically non-conductive layer may be formed.
  • the one or more capacitors may, for example, be opaque, for example, reflective.
  • Capacitor structure 104 may be formed on the optically active structure 106 (for example
  • the capacitor structure 104 may further be formed in this embodiment as a mirror structure and / or encapsulation structure 226,
  • the dielectric of the first capacitor 104 - 1 may be formed as a second barrier layer 208 according to one of the embodiments described above.
  • a barrier layer 208 serving as the dielectric of a capacitor 10 -n of the
  • Capacitor structure 104 is formed, a so-called “high-k dielectric", with a higher
  • the barrier layer may comprise or be formed from one of the following materials:
  • Silicon nitride silicon nitride, alumina, yttria, zirconia, hafnia, lanthana, tantalum, praseodymia, and / or titania.
  • the one or more capacitors should be at least translucent, for example transparent.
  • the third electrode and the fourth electrode or the dielectric according to one of the above
  • Capacitor structure 104 a first capacitor 104-1, a second capacitor 104-2 (for example, illustrated in FIG. C), a third capacitor 104-3 (for example 4D) and / or more capacitors 104-n (illustrated, for example, in FIG. 1D).
  • the two or more capacitors of the capacitor structure 104 may be adjacent, for example sharing a common electrode or an electrically conductive layer
  • the two or more capacitors of the capacitor structure 104 are with respect to the electrical coupling or electrical
  • the two or more capacitors may be electrically parallel with respect to each other and / or formed in series such that the capacitor structure is formed electrically parallel to the optically active structure 106.
  • the breakdown probability of a capacitor can be reduced; and / or the capacity
  • Capacitors have equal capacities.
  • the optically active structure 106 may be sandwiched between two or more capacitors and / or adjacent one or more capacitors
  • Capacitor structure 104 may be formed.
  • the described capacitor structure 104 may be formed in the optically inactive edge region of the optoelectronic component, for example under or onto the electrical
  • Terminals 412, 414 are Terminals 412, 414.
  • Capacitor structure 104 formed as a film or a film stack - illustrated in Fig. 4H, J, K.
  • a film may be, for example, a metal-coated plastic film or a plastic-coated metal foil.
  • the metal of the foil may form an electrode 402 or part of an electrode 402 of the capacitor structure 104.
  • the film may be arranged on or above the optically active structure 106, for example, connected to the optically active region by means of a coherent " connection layer 222,
  • a foil may be an electrode 402 or more of the
  • Have electrodes 402 of a capacitor of the capacitor structure For example, a plastic film may be coated on one or both sides with a metal layer.
  • the capacitor structure 104 or a capacitor 104-1 of the capacitor structure 104 is arranged on the barrier film 208 or the encapsulation structure 226 of the optically active region 106,
  • the capacitor structure 104 or a capacitor 104-1 of the capacitor structure 104 is arranged on the carrier 102 or an encapsulation 226, for example glued-illustrated in FIG.
  • the optically active structure 106 is formed on the capacitor structure 104 or a capacitor 104-1 of the capacitor structure 104 - illustrated in FIG. 4K.
  • a barrier layer 208 and / or a planarization layer 416 may be interposed between the
  • Capacitor 104-1 and the optically active region 106 may be formed.
  • Capacitor structure 104 or a capacitor 104-1 of Capacitor structure 104 may be formed, for example, by the metal layers of the films are contacted electrically parallel to the optically active structure 106.
  • the film for example a film metallized on one or both sides, with one of the electrodes of the optically active structure 106 may be the one or more electrodes
  • Capacitor structure 104 or a capacitor 104-1 of the capacitor structure 104 form.
  • Dielectric of a capacitor of the capacitor structure 104 form.
  • plastic-coated metal foil one of the following
  • Polypropylene a polytetrafluoroethylene, a polystyrene, a polyimide, a polyamide and / or a polycarbonate.
  • the polypropylene a polytetrafluoroethylene, a polystyrene, a polyimide, a polyamide and / or a polycarbonate.
  • Capacitor structure 104 one or more capacitors
  • Two or more capacitors may be electrically formed in the capacitor structure in series or in parallel with each other.
  • a capacitor of the capacitor structure may comprise or be formed of at least one of the following materials: a polyethylene terephthalate or polyester
  • Polypropylene a polytetrafluoroethylene, a polystyrene, a polyimide, a polyamide, a polycarbonate, a polyacrylate, a polyalcohol, for example a polyvinyl alcohol and / or a polysiloxane; a metal oxide, for example zinc oxide, Tin oxide, indium zinc oxide, indium tin oxide, silica; an etalloxinitride, for example the materials mentioned; a so-called "high-k-Di elektrikum", for example
  • Silicon nitride silicon nitride, alumina, yttria, zirconia,
  • Lime natron silicate glass a metal or a metal alloy, for example, copper, aluminum, steel;
  • a metal or a metal alloy for example, copper, aluminum, steel
  • Planarization layer foil, carrier, cover and / or barrier layer.
  • the capacitance of the capacitor structure can be adjusted by means of the material selection of the dielectric (a higher dielectric constant leads to a higher capacitance), the area of the dielectric between the electrodes of a capacitor (a higher area leads to a higher
  • Capacitance the thickness of the dielectric (a smaller thickness leads to a higher capacitance) and / or the number
  • Capacitor structure be designed such that the
  • Capacitor has a capacitance in a range of about 1 nF to about 100 mF, for example, in a range of about 100 nF to 10 mF, for example in a range of about
  • 110 nF to 7 mF for example in a range of about 120 nF to 50 F, for example in a range of about 120 nF to 50 ⁇ , for example in a range of about 10 ⁇ ⁇ to 50 ⁇ , ⁇ ; for example, in a range of about 1 nF to 1 ⁇ ⁇ ; for example in a range of about 1 ⁇ F to 100 ⁇ , for example in a range of about 100 ⁇ to 1 mF, for example in a range of about 1 mF to 10 mF.
  • the surface may have the shape of the surface or part of the surface of the optically active structure 106, for example a round, square, angular, polygonal shape on iron.
  • a capacitor may have two or more dielectrics isolated spatially from one another.
  • the dielectric may in various embodiments, for example, have a thickness in a range of a few nm to some ⁇ , for example in a range of about 5 nm to about 20 ⁇ , for example in a range of about 10 nm to about hr 10 ⁇ , for example in a range of about 20 nm to about 5 ⁇ ;

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein optoelektronisches Bauelement (100) bereitgestellt, das optoelektronische Bauelement (100) aufweisend: einen Schichtenstapel mit: einer optisch aktiven Struktur (106) mit einer ersten Elektrode (110); einer organischen funktionellen Schichtenstruktur (112); und einer zweiten Elektrode (114); wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur (112) einen flächigen optisch aktiven Bereich aufweist, der zu einem Umwandeln eines elektrischen Stromes in eine elektromagnetische Strahlung und/oder zu einem Umwandeln einer elektromagnetischen Strahlung in einen elektrischen Strom ausgebildet ist, und wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur (112) elektrisch zwischen der ersten Elektrode (110) und der zweiten Elektrode (114) in dem Schichtenstapel ausgebildet ist; und einer Kondensatorstruktur (104), mit wenigstens einem Kondensator mit: einer dritten Elektrode, einem Dielektrikum, und einer vierten Elektrode, wobei die dritte Elektrode mit der ersten Elektrode (110) oder der zweiten Elektrode (114), und die vierte Elektrode mit der ersten Elektrode (110) oder der zweiten Elektrode (114) elektrisch verbunden sind derart, dass die Kondensatorstruktur (104) elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur (106) ausgebildet ist.

Description

Beschreibung
Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
In verschiedenen Ausführungsformen werden ein
optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zum
Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
bereitgestellt .
Optoelektronische Bauelemente auf organischer Basis ,
beispielsweise organische Leuchtdiode (organic light emitting diode - OLED} , finden zunehmend verbreitete Anwendung in der Allgemeinbeleuchtung, beispielsweise als Flächenlichtquelle .
Organische Leuchtdioden sind empfindliche elektronische Bauteile , welche nur in eine Richtung gepolt angeschlossen werden dürfen, Rückwärtsbetrieb ist meist nicht vorgesehen und kann zu einem dauerhaften Ausfall der OLED führen. Ebenso können Undefinierte elektrostatische Entladungen
(electrostatic discharge - ESD) die OLED belasten, wobei die elektrostatischen Entladungen zu Fehler im Betrieb der OLED oder zu einem Durschlagen des pn-Überganges mit irreversiblen Schäden führen können, beispielsweise die OLED schädigen und/oder zu einem dauerhaften Ausfall führen, beispielsweise bei elektrischen Kurzschlüssen (Shorts) .
Herkömmliche OLEDs werden in einem Ersatzschaltbild als eine Parallelschaltung eines nichtlinearen Widerstandes und einer Kapazität beschrieben (Fig.5) . Eine herkömmliche OLED kann auf einem Träger 502 eine Anode 506 und eine Kathode 508 mit einem organischen funktionellen Schichtensystem 506
dazwischen aufweisen. Das organische funktionelle
Schichtensystem 506 weist eine oder mehrere
Emitterschicht (en) auf, in der/denen elektromagnetische
Strahlung erzeugt wird, eine oder mehrere Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schichtenstruktur (en) aus jeweils zwei oder mehr Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schichten („Charge generating layer", CGL) zur Ladungsträgerpaarerzeugung, sowie einer oder mehreren Elektronenblockadeschichte (n) , auch bezeichnet als Lochtransportschicht (en) („hole transport layer" - HTL) , und einer oder mehrerer Lochblockadeschichten, auch bezeichnet als Elektronentransportschicht (en) („electron transport layer" - ETL) , um den Stromfluss zu richten.
Die OLED wird mittels elektrischer Anschlüsse 518 , 520 elektrisch kontaktiert . Zum Schutz vor schädlichen
Umwelteinflüssen kann die OLED mit einer bezüglich des schädlichen Umwelteinflusses hermetisch dichten Verkapselung umgeben werden. Die Verkapselung kann herkömmlich eine
Dünnfilmverka selung 510 , Barrierendünnschicht 510 ,
Barriereschicht , Verkapselungsschicht , Barrierefolie einem intrinsisch hermetisch dichtem Stoff oder Stoffgemisch oder ähnlichem, eine Abdeckung 512 und/oder eine
Kavitätsglasverkapselung (Cavity-Verkapselung) aufweisen.
Im nicht- leitenden Zustand weist die OLED eine Kapazität 516 auf . Im leitenden Zustand verschwindet die Kapazität 516 und eine Stromleitung erfolgt durch den nichtlinearen Widerstand 514 (veranschaulicht als Diode) . Der kapazitive Anteil ist hilfreich ESD-Belastungen abzupuffern. Allerdings verliert die OLED im Betrieb ihren kapazitiven Charakter, so dass die Empfindlichkeit gegenüber ESD-Belastungen im Betrieb steigt .
Um optoelektronische Bauelemente verarbeiten zu können, wird herkömmlich bei der Verarbeitung in einer ESD-freien Umgebung gearbeitet , was hohe Kosten für die Ausstattung der
Produktions1inien nach sich zieht . Die Aufrüstung von
Verarbeitungslinien zum Erzeugen einer ESD-freien Umgebung kommt aus Kostengründen für Verarbeiter optoelektronischer Bauelemente nur im Ausnahmefall in Betracht . Herkömmlich werden ESD-Belastungen mittels einer Schutzdiode abgepuf ert , wobei die Schutzdiode elektrisch antiparallel zu der OLED ausgebildet ist . Weiterhin werden organische Leuchtdioden mit den Treibern von anorganischen Leuchtdioden (Standard-LED-Treiber) betrieben. Der von Standard-LED-Treiber bereitgestellte Strom - auch bezeichnet als Ripplestrom oder pulsierender Gleichstrom weist einen Gleichstromanteil und einen WechselStromanteil auf . Der Wechselstromanteil kann als Stromripple bezeichnet werden. Standard-LED-Treiber sind aus Kostengründen meist nicht auf niedrige Stromripple optimiert , da dieser bei der hohen Lebensdauer von anorganischen LEDs von untergeordneter Bedeutung ist . Von Standard-LED-Treibern wird herkömmlich ein elektrischer Strom bereitgestellt , der einen für OLEDS hohen Stromripple aufweist , der die Lebensdauer der OLED reduziert . Speziell für OLEDs optimierte Treiber könnten den Stromripple reduzieren, was j edoch mit einer Erhöhung der Kosten
verbunden ist .
In verschiedenen Ausführungsformen werden ein
optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zum
Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
bereitgestellt , mit denen es möglich ist, mittels einer
Verlängerung der Lebenszeit und/oder einer kostengünstigeren Treiberstruktur effizientere optoelektronische Bauelemente auszubilden. In verschiedenen Ausführungsformen wird ein
optoelektronisches Bauelement bereitgestellt , das
optoelektronische Bauelement aufweisend einen Schichtenstapel mit : einer optisch aktiven Struktur mit einer ersten
Elektrode ; einer organischen funktionellen Schichtenstruktur; und einer zweiten Elektrode ; wobei die organische
funktionelle Schichtenstruktur einen flächigen optisch aktiven Bereich aufweist, der zu einem Umwandeln eines elektrischen Stromes in eine elektromagnetische Strahlung und/oder zu einem Umwandeln einer elektromagnetischen
Strahlung in einen elektrischen Strom ausgebildet ist , und wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur
elektrisch zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode in dem Schichtenstapel ausgebildet ist ; und einer Kondensatorstruktur, mit wenigstens einem Kondensator mit : einer dritten Elektrode, einem Dielektrikum, und einer vierten Elektrode, wobei die dritte Elektrode mit der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode, und die vierte
Elektrode mit der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode elektrisch verbunden sind derart , dass die
Kondensatorstruktur elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur ausgebildet ist . Eine elektrische Verbindung einer ersten elektrisch leitenden Schicht mit einer zweiten elektrisch leitenden Schicht kann direkt oder indirekt ausgebildet . Eine direkte Verbindung kann ausgebildet sein, indem die erste elektrisch leitende Schicht auf der zweiten elektrisch leitenden Schicht
ausgebildet ist und ein gemeinsame Grenzfläche aufweisen. Eine indirekte elektrische Verbindung kann auch als eine elektrische Kopplung bezeichnet werden, wobei die erste elektrisch leitende Schicht durch eine dritte elektrisch leitende Schicht mit der zweiten elektrisch leitenden Schicht elektrisch verbunden ist . Die erste elektrisch leitende
Schicht und die zweite elektrisch leitende Schicht können im Fall einer indirekten elektrischen Verbindung frei sein von gemeinsamen Grenzflächen. Beispielsweise können die erste Elektrode und die dritte Elektrode direkt miteinander
verbunden sein bzw. als eine gemeinsame Elektrode ausgebildet sein und die vierte Elektrode mit der zweiten Elektrode direkt oder indirekt elektrisch verbunden sein.
In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement als ein organisches optoelektronisches Bauelement ausgebildet sein, beispielsweise als ein organischer Fotodetektor, eine organische Solarzelle und/oder eine organische Leuchtdiode .
In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement als ein flächiges optoelektronisches Bauelement ausgebildet sein. In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement derart ausgebildet sein, dass die Kondensatorstruktur
wenigstens transluzent bezüglich der elektromagnetischen Strahlung der optisch aktiven Struktur ist .
In einer Ausgestaltung kann der Kondensator im Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung der optisch aktiven
Struktur ausgebildet sein. Der Kondensator kann
beispielsweise wenigstens transluzent ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung können die optisch aktive Struktur und die Kondensatorstruktur monolithisch integriert ausgebildet sein. Mit anderen Worten: die optisch aktive Struktur und die Kondensatorstruktur bilden einen Schichtenstapel . Der
Schichtenstapel kann beispielsweise mit einer einzigen
Verkapselung verkapselt sein. Alternativ oder zusätzlich kann der Schichtenstapel ausgebildet sein, indem die
Kondensatorstruktur auf der Verkapselung und/oder dem Träger der optisch aktiven Struktur angeordnet oder ausgebildet ist . Alternativ oder zusätzlich kann der Schichtenstapel auf einem einzigen Substrat ausgebildet sein oder über einem
gemeinsamen Substrat angeordnet sein. Beispielsweise kann eine Kondensatorstruktur auf der optisch aktiven Struktur angeordnet sein, indem die Kondensatorstruktur auf oder über der optisch aktiven Struktur ausgebildet oder aufgeklebt ist .
In einer Ausgestaltung können die optisch aktive Struktur und die Kondensatorstruktur eine gemeinsame Elektrode aufweisen, beispielsweise als eine gemeinsame elektrisch leitende
Schicht ausgebildet sind.
In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement ferner eine Verkapselungsstruktur auf oder über dem
Schichtenstapel aufweisen, wobei die Verkapselungsstruktur derart ausgebildet ist , dass der Schichtenstapel bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff hermetisch abgedichtet ist . In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement ferner eine Verkapselungsstruktur auf oder über dem
Schichtenstapel aufweisen, wobei die dritte Elektrode, das Dielektrikum und/oder die vierte Elektrode als Teil der
Verkapselungsstruktur ausgebildet sind/ist, beispielsweise als Abdeckung oder Barriereschicht .
In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement ferner eine Verkapselungsstruktur zwischen der optisch aktiven Struktur und der Kondensatorstruktur aufweisen, wobei die Verkapselungsstruktur derart ausgebildet ist, dass die optisch aktive Struktur bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff hermetisch abgedichtet ist . In einer Ausgestaltung kann das Dielektrikum als eine
Barriereschicht ausgebildet sein für die optisch aktive
Struktur bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff .
In einer Ausgestaltung kann das Dielektrikum einen geöffneten Bereich aufweisen, wobei die zweite Elektrode im geöffneten Bereich mit der vierten Elektrode elektrisch verbunden ist .
In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement ferner einen Träger und/oder ein hermetisch dichtes Substrat aufweisen, wobei die optisch aktive Struktur auf oder über dem Träger und/oder hermetisch dichtem Substrat ausgebildet ist und wobei die dritte Elektrode oder die vierte Elektrode als Träger und/oder hermetisch dichtes Substrat ausgebildet ist ; oder der Träger und/oder das hermetisch dichte Substrat diese aufweist .
In einer Ausgestaltung kann die Kondensatorstruktur zwei oder mehr Kondensatoren aufweisen. In einer Ausgestaltung kann die Kondensatorstruktur zwei oder mehr Plattenkondensatoren aufweisen. In einer Ausgestaltung können zwei oder mehr Kondensatoren der Kondensatorstruktur einen Stapel von Kondensatoren
ausbilden. In einer Ausgestaltung können zwei oder mehr Kondensatoren der Kondensatorstruktur nebeneinander ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann die Kondensatorstruktur einen zweiten Kondensator mit einer fünften Elektrode, einem zweiten Dielektrikum und einer sechsten Elektrode aufweisen, wobei die fünfte Elektrode mit der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode, und die sechste Elektrode mit der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode elektrisch verbunden sind derart , dass der zweite Kondensator elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur ausgebildet ist .
In einer Ausgestaltung kann der zweite Kondensator elektrisch parallel zu dem ersten Kondensator ausgebildet sein. In einer Ausgestaltung kann der zweite Kondensator elektrisch in Reihe zu dem ersten Kondensator ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung können der erste Kondensator und der zweite Kondensator eine gemeinsame Elektrode aufweisen, beispielsweise als eine gemeinsame elektrisch leitende
Schicht ausgebildet sind.
In einer Ausgestaltung kann die Kondensatorstruktur derart ausgebildet sein, dass der erste Kondensator und der zweite Kondensator eine ungefähr gleiche Kapazität aufweisen.
In einer Ausgestaltung kann die optisch aktive Struktur auf oder über dem ersten Kondensator und dem zweiten Kondensator ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung können der erste Kondensator und der zweite Kondensator auf oder über der optisch aktiven Struktur ausgebildet sein . In einer Ausgestaltung kann die optisch aktive Struktur zwischen dem ersten Kondensator und dem zweiten Kondensator ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann die dritte Elektrode, das
Dielektrikum und/oder die vierte Elektrode wenigstens
transluzent ausgebildet sein. In einer Ausgestaltung kann die Kondensatorstruktur
wenigstens transluzent ausgebildet sein.
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
bereitgestellt, das Verfahren aufweisend: Ausbilden eines
Schichtenstapel mit : einer optisch aktiven Struktur mit einer ersten Elektrode; einer organischen funktionellen
Schichtenstruktur ; und einer zweiten Elektrode; wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur einen flächigen optisch aktiven Bereich aufweist , der zu einem Umwandeln eines elektrischen Stromes in eine elektromagnetische
Strahlung und/oder zu einem Umwandeln einer
e1ektromagnetischen Strahlung in einen elektrischen Strom ausgebildet wird, und wobei die organische funktionelle
Schichtenstruktur elektrisch zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode in dem Schichtenstapel ausgebildet wird; und einer Kondensatorstruktur, mit wenigstens einem Kondensator mit : einer dritten Elektrode , einem Dielektrikum, und einer vierten Elektrode, wobei die dritte Elektrode mit der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode, und die vierte Elektrode mit der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode elektrisch verbunden ausgebildet wird derart , dass die Kondensatorstruktur elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur ausgebildet wird.
In verschiedenen Ausgestaltungen kann das Verfahren zum
Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes Merkmale des optoelektronischen Bauelementes ; und das optoelektronische Bauelement Merkmale des Verfahrens zum Herstellen eines
optoelektronischen Bauelementes aufweisen, soweit sie jeweils sinnvoll anwendbar sind. Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren
dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.
Es zeigen Figuren 1A-F schematische Darstellungen optoelektronischer
Bauelemente gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen;
Figur 2 eine schematische Darstellung eines
optoelektronischen Bauelementes gemäß
verschiedenen Ausführungsbeispielen;
Figur 3 ein schematisches Diagramm zu einem Verfahren
zum Herstellen eines optoelektronischen
Bauelementes gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen;
Figuren 4A-K schematische Darstellungen verschiedener
Ausführungsbeispiele des optoelektronischen Bauelementes ; und
Figur 5 eine schematische Darstellung eines
herkömmlichen optoelektronischen Bauelementes . In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische
Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird
Riehtungsterminologie wie etwa „oben" , „unten" , „vorne" , „hinten" , „vorderes" , „hinteres", usw. mit Bezug auf die
Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet . Da
Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschau1ichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend . Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erf indung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden könne , sofern nicht spezifisch anders angegeben . Die folgende aus ührliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der
Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert . Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe
"verbunden" , "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten ode indirekten Kopplung . In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist .
In verschiedenen Ausführungsformen werden optoelektronische Bauelemente beschrieben, wobei ein optoelektronisches
Bauelement eine optisch aktive Struktur aufweist . Die optisch aktive Struktur kann mittels einer angelegten Spannung an die optisch aktive Struktur elektromagnetische Strahlung
emittieren . In verschiedenen Ausführungsformen kann die elektromagnetische Strahlung einen Wellenlängenbereich aufweisen, der Röntgenstrahlung, UV-Strahlung (A-C) ,
sichtbares Licht und/oder Infrarot-Strahlung (A-C) aufweist .
Ein flächiges optoelektronisches Bauelement, welches zwei flächige , optisch aktive Seiten aufweist, kann in der
Verbindungsrichtung der optisch aktiven Seiten beispielsweise transparent oder transluzent ausgebildet sein, beispielsweise als eine transparente oder transluzente organische
Leuchtdiode . Ein flächiges optoelektronisches Bauelement kann auch als ein planes optoelektronisches Bauelement bezeichnet werden.
Das optoelektronische Bauelement kann jedoch auch eine flächige , optisch aktive Seite und eine flächige, optisch inaktive Seite aufweisen, beispielsweise eine organische Leuchtdiode , die als ein sogenannter Top-Emitter oder Bottom- Emitter eingerichtet ist . Die optisch inaktive Seite kann in verschiedenen Aus ührungsbeispielen transparent oder
transluzent sein, oder mit einer Spiegelstruktur und/oder einem opaken Stoff oder Stoffgemisch versehen sein,
beispielsweise zur Wärmeverteilung . Der Strahlengang des optoelektronischen Bauelementes kann beispielsweise einseitig gerichtet sein.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung ein Emittieren von
elektromagnetischer Strahlung verstanden werden. Mit anderen Worten : ein Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung kann als ein Emittieren von elektromagnetischer Strahlung mittels eines elektrischen Stromes durch eine optisch aktive Struktur verstanden werden.
Eine optisch aktive Struktur, beispielsweise eine
elektromagnetische Strahlung emittierende Struktur, kann in verschiedenen Ausgestaltungen eine elektromagnetische
Strahlung emittierende Halbleiter- Struktur sein und/oder als eine elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als eine organische e1ektro agnetische Strahlung emittierende Diode, als ein elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor oder als ein organischer elektromagnetische
Strahlung emittierender Transistor ausgebildet sein . Das e1ektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement kann beispielsweise als Licht emittierende Diode (light emitting diode , LED) , als organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode, OLED) , als Licht emittierender
Transistor oder als organischer Licht emittierender
Transistor, beispielsweise ein organischer Feldeffekttransistor (organic field effect transistor OFET) und/oder eine organische Elektronik ausgebildet sein. Bei dem organischen Feldeffekt ransistor kann es sich um einen
sogenannten „all -OFET" handeln, bei dem alle Schichten organisch sind . Das elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement kann in verschiedenen Ausgestaltungen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von elektromagnetische Strahlung emittierenden Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse . Ein optoelektronisches Bauelement kann ein organisches funktionelles Schichtensystem aufweisen, welches synonym auch als organische funktionelle
Schichtenstruktur bezeichnet wird . Die organische
funktionelle Schichtenstruktur kann einen organischen Stoff oder ein organisches Stoffgemisch aufweisen oder daraus gebildet sein, der/das beispielsv/eise zum Bereitstellen einer elektromagnetischen Strahlung aus einem bereitgestellten elektrischen Strom eingerichtet ist . Eine organische Leuchtdiode kann als ein Top-Emitter oder ein Bottom-Emitter ausgebildet sein. Bei einem Bottom-Emitter wird Licht aus dem elektrisch aktiven Bereich durch den
Träger emittiert . Bei einem Top-Emitter wird Licht aus der Oberseite des elektrisch aktiven Bereiches emittiert und nicht durch den Träger .
Ein Top-Emitter und/oder Bottom-Emitter kann auch optisch transparent oder optisch transluzent ausgebildet sein, beispielsweise kann jede der nachfolgend beschriebenen
Schichten oder Strukturen transparent oder transluzent ausgebildet sein.
Unter den Begriff „transluzent" bzw. „transluzente Schicht^ kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist ,
beispielsweise für das von dem Lichtemittierenden Bauelement erzeugte Licht, beispielsweise einer oder mehrerer
Wellenlängenbereiche, beispielsweise für Licht in einem Wellenlängenbereich des sichtbare Lichts (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) . Beispielsweise ist unter dem Begriff „transluzente Schicht" in verschiedenen Aus führungsbei spielen zu verstehen, dass im Wesentlichen die gesamte in eine
Struktur {beispielsweise eine Schicht) eingekoppelte
Lichtmenge auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird, wobei ein Teil des Licht hierbei gestreut werden kann
Unter dem Begriff „transparent" oder „transparente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist
(beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des
Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) , wobei in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppeltes Licht ohne Streuung oder Lichtkonversion auch aus der Struktur
(beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird . Im Rahmen dieser Beschreibung kann eine hermetisch bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff dichte Schicht oder Struktur als eine im Wesentlichen bezüglich einer Diffusion von Wasser und/oder Sauerstoff durch diese Schicht oder Struktur undurchlässige Schicht oder Struktur verstanden werden.
Eine hermetisch dichte Schicht oder Struktur kann
beispielsweise eine Diffusionsrate bezüglich Wasser und/oder
-1 2
Sauerstoff von kleiner ungefähr 10 g/ (m d) aufweisen, eine hermetisch dichte Abdeckung und/oder ein hermetisch dichter Träger kann/können beispielsweise eine Diffusionsrate bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff von kleiner ungefähr
- 4 2
10 g/ (m d) aufweisen, beispielsweise i einem Bereich von
_4 2 -10 2
ungefähr 10 g/ (m d) bis ungefähr 10 g/ (m d) ,
_ 2 beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 g/ (m d) bis ungefähr 10 g/ (m d) . In verschiedenen Ausgestaltungen kann ein bezüglich Wasser hermetisch dichter Stoff oder ein hermetisch dichtes
Stoffgemisch eine Keramik, ein Metall und/oder ein Metalloxid aufweisen oder daraus gebildet sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist ein
optoelektronisches Bauelement 100 einen Schichtenstapel auf . Der Schichtenstapel weist eine optisch aktive Struktur 106 und eine Kondensatorstruktur 104 auf - veranschaulicht in
Fig.lA-F.
Die optisch aktive Struktur 106 kann wenigstens eine erste Elektrode 110 , eine organischen funktionellen
Schichtenstruktur 112 und eine zweite Elektrode 114
aufweisen . Das optoelektronische Bauelement kann eine
flächige optisch aktive Struktur aufweisen, beispielsweise mittels einer entsprechenden Ausgestaltung der organischen funktionellen Schichtenstruktur , die zu einem Umwandeln eines elektrischen Stromes in eine elektromagnetische Strahlung und/oder zu einem Umwandeln einer elektromagnetischen
Strahlung in einen elektrischen Strom ausgebildet ist . Die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 ist elektrisch zwischen der ersten Elektrode 110 und der zweiten Elektrode 114 in dem Schichtenstapel ausgebildet .
Die Kondensatorstruktur 104 weist wenigstens einen
Kondensator auf . Der Kondensator weist wenigstens eine dritte Elektrode, ein Dielektrikum, und eine vierte Elektrode auf . Die dritte Elektrode ist mit der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode , und die vierte Elektrode mit der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode elektrisch verbunden derart, dass die Kondensatorstruktur elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur ausgebildet ist . In verschiedenen Ausführungsbeispielen ist der
Schichtenstapel auf oder über einem hermetisch dichten
Substrat 128 oder einem Träger 102 ausgebildet - beispielsweise veranschaulicht in Fig.1A-E . In anderen Ausführungsbeispielen kann wenigstens ein Teil der
Kondensatorstruktur 104 als Träger oder Substrat für die optisch aktive Struktur 106 ausgebildet sein - beispielsweise veranschaulicht in Fig.lF.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen sind die optisch aktive Struktur 106 und die Kondensatorstruktur 104 auf unterschiedlichen Seiten des Trägers 102 bzw. des Substrates 128 ausgebildet - beispielsweise veranschaulicht in Fig. IB.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen ist die
Kondensatorstruktur 104 bezüglich des Trägers 102 bzw. des Substrates 128 auf der optisch aktiven Struktur ausgebildet - Fig. IC. In anderen Ausführungsbeispielen ist die optisch aktive Struktur 106 bezüglich des Trägers 102 bzw. des
Substrates 128 auf der Kondensatorstruktur 104 ausgebildet - beispielsweise veranschaulicht in Fig. 1A.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist die
Kondensatorstruktur 104 zwei oder mehr Kondensatoren 104 -n auf, wobei n eine ganze Zahl ist und den jeweiligen
Kondensator kennzeichnet. Beispielsweise kann das
optoelektronische Bauelement 100 einen ersten Kondensator 104-1 und einen zweiten Kondensator 104-2 aufweisen - beispielsweise veranschaulicht in Fig. ID. Beispielsweise kann die optisch aktive Struktur 106 auf oder über dem ersten Kondensator 104-1 und dem zweiten Kondensator 104-2
ausgebildet sein, oder umgekehrt. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann die optisch aktive Struktur 106 neben oder zwischen {vertikal und/oder horizontal) dem ersten Kondensator 104-1 und dem zweiten Kondensator 104-2
ausgebildet sein - beispielsweise veranschaulicht in Fig. IE.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine
dielektrische Schicht der optisch aktiven Struktur 106 bzw. des optoelektronischen Bauelementes als Dielektrikum des wenigstens einen Kondensators ausgebildet sein,
beispielsweise die Barriereschicht 208 auf oder unter der optisch aktiven Struktur 106. Auf der der optisch aktiven Struktur 106 abgewandten Seite der dielektrischen Schicht kann eine weitere elektrisch leitende Schicht, beispielsweise eine Metallisierungsschicht ausgebildet sein, und diese elektrisch leitende Schicht mit einer der Elektroden 110 , 114 der optisch aktiven Struktur 106 elektrisch verbunden sein, beispielsweise kann eine Metallisierungsschicht auf oder über einer DünnfiImverkapselung der optisch aktiven Struktur 106 mit der ITO-Anode elektrisch verbunden sein. Dadurch kann eine Kapazität , die elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur 106 ausgebildet ist , realisiert sein. Die Kapazität kann eine permanente Kapazität sein, dass heißt auch im Betrieb des optoelektronischen Bauelementes vorhanden sein . Sie ist auch in Funktion, wenn das optoelektronische Bauelement selbst betrieben wird und im Wesentlichen frei von Kapazität ist . Bei einer elektrostatischen Entladung über den elektrischen Anschlüssen 412 , 414 (siehe auch Fig .4A-G) des optoelektronischen Bauelementes 100 kann die Kapazität der Kondensatorstruktur 104 elektrisch aufgeladen v/erden und sich im Nachgang zu der elektrostatischen Entladung wieder über eine der Elektroden des optoelektronischen Bauelementes 100 entladen. Dadurch kann verhindert werden dass das
optoelektronische Bauelement 100 selbst direkt elektrisch belastet wird, beispielsweise durch einen hohen Spannungspuls einer elektrostatischen Entladung .
Weiterhin kann die Kondensatorstruktur 104 als elektrisch parallel zum optoelektronischen Bauelement 100 geschaltete niederohmige Impedanz für Pulse hoher Frequenz wirken, beispielsweise können elektrostatische Entladungsströme sehr schnell aber kurz sein, das heißt eine hohe Frequenz
aufweisen. Wird eine elektrostatische Entladung als
hochfrequenter kurzzeitiger Strom über das optoelektronische Bauelement 100 getrieben, so kann an der Impedanz des optoelektronischen Bauelementes 100 herkömmlich eine
kurzzeitige hohe Spannung bzw. ein hohes elektrisches Feld anliegen. Dieses elektrische Feld kann das optoelektronische Bauelement 100 irreversibel schädigen . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann mittels der Kondensatorstruktur 104 die GesamtImpedanz für hohe Frequenzen reduziert werden, so dass im Betrieb des optoelektronischen Bauelementes 100 derselbe elektrostatische Entladungsstrom einen geringeren Spannungsabfall über die optisch aktive Struktur 106 bewirkt und somit ein geringeres elektrisches Feld in der optisch aktiven Struktur 106 ausgebildet wird. Die Belastung der optisch aktiven Struktur 106 kann dadurch verringert werden, da die Kapazität der Kondensatorstruktur 104 bezüglich der Kapazität der optisch aktiven Struktur 106 auch im Betrieb des optoelektronischen Bauelementes 100 vorliegt. Die
Kondensatorstruktur 104 kann somit auch einen niederohmigen parallelen Strompfad für einen hochfrequenten Ripplestrom ausbilden, wobei der hochfrequente Rippeistrom beispielsweise durch einen LED-Treiber in das optoelektronische Bauelement 100 eingeprägt wird. Ein Rippeistrom ist dabei ein in der Zuleitung des optoelektronischen Bauelementes 100 fließender Mischstrom aus reinem Gleichstrom und überlagertem
hochfrequentem Wechselstrom (Ripple) . Der Rippeistrom kann sich in dem optoelektronischen Bauelement 100 auf die optisch aktive Struktur 106 und die Kondensatorstruktur 104
aufteilen. Über einen Kondensator kann herkömmlich kein
Gleichstrom fließen, so dass der Gleichstrom-Anteil des
Rippelstromes allein durch die optisch aktive Struktur 106 fließen kann. Der hochfrequente Wechselstrom-Anteil kann sich auf die optisch aktive Struktur 106 und die
Kondensatorstruktur 104 aufteilen. Der Wechselstrom-Anteil kann bei entsprechend hoher Kapazität der Kondensatorstruktur 104 einen deutlich niederohmigeren Strompfad vorfinden als durch die optisch aktive Struktur 106. Somit wird die optisch aktive Struktur 106 des optoelektronischen Bauelementes 100 mit einem geringeren Anteil an hochfrequenten Wechselstrom belastet als bei einem, optoelektronischen Bauelement 100 ohne Kondensatorstruktur 104.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Kondensatorstruktur 104 eine elektrische Verbindung der
Metallisierungsschicht zu einer der Elektroden in der optisch aktiven Struktur 106 aufweisen, beispielsweise zu der
Elektrode mit der größeren elektrischen Leitfähigkeit . Eine höhere Gesamtkapazität der Kondensatorstruktur 104 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen mittels geeigneter
Isoliermaterialien, beispielsweise hoher relativer
Permittivität , oder dünneren Isolierschichten - das heißt einem geringen Abstand zwischen den Elektroden des
Kondensators der Kondensatorstruktur 104 , erreicht werden . In verschiedenen Ausführungsbeispielen können mehrere Stapel von Dielektrika und elektrisch leitenden Schichten in der Kondensatorstruktur 104 übereinander gestapelt ausgebildet sein und mittels geeigneter Schaltungen elektrisch parallel geschaltet sein bezüglich der optisch aktiven Struktur 106. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine
dielektrische Schicht eines herkömmlichen optoelektronischen Bauelementes 100 als Dielektrikum der Kondensatorstruktur 104 verwendet werden . Weiterhin kann bei einem optoelektronischen Bauelement mit Metallsubstrat das Metall des Substrates als eine der Elektroden der Kondensatorstruktur 104 ausgebildet sein . Mit anderen Worten: bei optoelektronischen Bauelementen 100 auf MetallsubStraten, beispielsweise auch flexible optoelektronischen Bauelemente 100 , beispielsweise flexible organische Leuchtdioden 100 , kann die Funktion der
Metallisierungsschicht , beispielsweise auch mittels des Metallsubstrates realisiert werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist eine
optoelektronische BauelementeVorrichtung das
optoelektronische Bauelement 100 und ein elektrisches
Vorschaltgerät (EVG) auf , wobei das elektrische
Vorschaltgerät zum Steuern oder Regeln des Betriebsstromes des optoelektronischen Bauelementes 100 ausgebildet ist und mit diesem elektrisch verbunden ist . Die Kondensatorstruktur 104 des optoelektronischen Bauelementes 100 kann auch den üblicherweise bei einem elektrischen Standard-Vorschaltgerat vorhandenen hohen Stromrippel , beispielsweise in einem
Bereich von ungef hr 30 % bis ungefähr 50 %, beispielsweise bezüglich der Stromstärke des Gleichstromanteils, glätten. Innerhalb des optoelektronischen Bauelementes 100 kann der Stromrippel somit an der optisch aktiven Struktur 106
vorbeigeleitet werden. Dadurch kann eine
Lebensdauerverbesserung des optoelektronischen Bauelementes 100 erreicht werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das
optoelektronische Bauelement 100 als ein organisches
optoelektronisches Bauelement ausgebildet sein,
beispielsweise als ein organischer Fotodetektor , eine
organische Solarzelle und/oder eine organische Leuchtdiode . Das optoelektronische Bauelement 100 kann als ein flächiges optoelektronisches Bauelement 100 ausgebildet sein. Das optoelektronische Bauelement 100 kann derart ausgebildet sein, dass die Kondensatorstruktur 104 wenigstens transluzent bezüglich der elektromagnetischen Strahlung der optisch aktiven Struktur 106 ausgebildet ist . In verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann der wenigstens eine Kondensator der Kondensatorstruktur 104 im Strahlengang der
elektromagnetischen Strahlung der optisch aktiven Struktur 106 ausgebildet sein .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die optisch aktive Struktur 106 und die Kondensatorstruktur 104
monolithisch integriert ausgebildet sein. Die optisch aktive Struktur 106 und die Kondensatorstruktur 104 können eine gemeinsame Elektrode aufweisen, beispielsweise als eine gemeinsame elektrisch leitende Schicht ausgebildet sein.
In verschiedenen Ausführungsbeis ielen kann das
optoelektronische Bauelement 100 ferner eine
Verkapselungsstruktur 226 (veranschaulicht in Fig . 2 ) auf oder über dem Schichtenstapel aufweisen, die derart ausgebildet ist , dass der Schichtenstapel bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff hermetisch abgedichtet ist . In verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann das optoelektronische Bauelement 100 ferner eine Verkapselungsstruktur 226 auf oder über dem Schichtenstapel aufweisen, wobei die dritte Elektrode, das Dielektrikum und/oder die vierte Elektrode als Teil der
Verkapselungsstruktur ausgebildet sind/ist , beispielsweise als ^ Abdeckung 224 oder Barriereschicht 208 - veranschaulicht in
Fig.2. I verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das
optoelektronische Bauelement 100 ferner eine
Verkapselungsstruktur 226 zwischen der optisch aktiven Struktur 106 und der Kondensatorstruktur 104 aufweisen, die derart iQ ausgebildet ist , dass die optisch aktive Struktur 106 bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff hermetisch abgedichtet ist . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das Dielektrikum des wenigstens einen Kondensators und/oder das Dielektrikum der Kondensatorstruktur 104 als eine Barriereschicht ausgebildet
^ sein für die optisch aktive Struktur 106 bezüglich einer
Diffusion von Wasser und/oder Sauerstoff in die optisch ak ive Struktur . Mit anderen Worten : ein Dielektrikum der
Kondensatorstruktur kann als eine hermetisch dichte Schicht bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff für die optisch aktive S ruktur ausgebildet sein.
20
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das
optoelektronische Bauelement 100 ferner einen Träger 102 und/oder ein hermetisch dichtes Substrat 128 aufweisen, wobei 25 die dritte Elektrode oder die vierte Elektrode der
Kondensato struktur als Träger ausgebildet ist ,
beispielsweise aus einem elektrisch leitenden Material , siehe auch Ausgestaltungen in der Beschreibung der Fig .2
30 In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Kondensatorstruktur 104 zwei oder mehr Kondensatoren
aufweisen, beispielsweise zwei oder mehr
Plattenkondensatoren. Zwei oder mehr Kondensatoren der
Kondensatorstruktur 104 können als ein Stapel von
35 Kondensatoren ausgebildet sein . Die zwei oder mehr Kondensatoren der Kondensatorstruktur 104 können alternativ nebeneinander ausgebildet sein.
Die Kondensatorstruktur 104 weist wenigstens einen (ersten) Kondensator 104-1 auf. Der Kondensator 104-1 weist wenigstens eine dritte Elektrode, ein Dielektrikum, und eine vierte Elektrode auf . Die dritte Elektrode ist mit der ersten
Elektrode oder der zweiten Elektrode, und die vierte
Elektrode mit der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode elektrisch verbunden derart , dass die Kondensatorstruktur elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur
ausgebildet ist . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Kondensatorstruktur 104 einen zweiten Kondensator 104-2 mit einer fünften Elektrode, einem zweiten Dielektrikum und einer sechsten Elektrode aufweisen, wobei die fünfte
Elektrode mit der ersten Elektrode oder der zweiten
Elektrode, und die sechste Elektrode mit der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode elektrisch verbunden sind derart , dass die Kondensatorstruktur elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur ausgebildet ist . Der zweite
Kondensator 104-2 kann elektrisch parallel oder elektrisch in Reihe zu dem ersten Kondensator 104-1 ausgebildet sein . Der erste Kondensator 104-1 und der zweite Kondensator können eine gemeinsame Schicht aufweisen oder mittels wenigstens einer Zwischenschicht oder einem Schichtenstapel ,
beispielsweise der optisch aktiven Struktur 106 , in einem
Abstand voneinander ausgebildet sein . Der erste Kondensator 104-1 und der zweite Kondensator 104-2 können beispielsweise eine gemeinsame Elektrode aufweisen . Die gemeinsame Elektrode kann beispielsweise als eine gemeinsame elektrisch leitende
Schicht ausgebildet sein. In einem Ausführungsbeispielen kann die Kondensatorstruktur derart ausgebildet sein, dass der erste Kondensator 104-1 und der zweite Kondensator 104-2 eine ungefähr gleiche Kapazität aufweisen .
In einem Ausführungsbeispiel ist die optisch aktive Struktur 106 auf oder über dem ersten Kondensator 104-1 und dem zweiten Kondensator 104-2 ausgebildet . In einem anderen Ausführungsbeispielerl sind der erste Kondensator 104-1 und der zweite Kondensator 104-2 auf oder über der optisch aktiven Struktur 106 ausgebildet . In einem weiteren
Ausführungsbeispielen ist die optisch aktive Struktur 106 zwischen und/oder neben dem ersten Kondensator 104-1 und dem zweiten Kondensator 104-2 ausgebildet, beispielsweise in einer Ebene .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können/kann die dritte Elektrode , das Dielektrikum und/oder die vierte Elektrode wenigstens transluzent ausgebildet sein.
Fig .2 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen.
Das optoelektronische Bauelement 100 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen ein hermetisch dichtes Substrat 128 , eine optisch aktive Struktur 106 und eine
Verkapselungsstruktur 226 aufweisen.
Das hermetisch dichte Substrat 128 kann einen Träger 102 und eine erste Barriereschiebt 204 aufweisen . In einem
Ausführungsbeispiel kann der Träger 102 hermetisch dicht sein, beispielsweise ein Metall , Glass und/oder eine Keramik aufweisen, beispielsweise in Form eines Metallbleches . Ein hermetisch dichter Träger 102 kann somit ein hermetisch dichtes Substrat 128 sein und frei sein von erster
Barriereschicht 204.
Die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 kann ein, zwei oder mehr funktionelle Schichtenstruktur-Einheiten und eine, zwei oder mehr Zwischenschichtstruktur (en) zwischen den Schichtenstruktur-Einheiten aufweisen . Die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 kann beispielsweise eine erste organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 216 , eine Zwischenschichtstruktur 218 und eine zweite organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 220 aufweisen. Die Verkapselungsstruktur 226 kann eine zweite
Barriereschicht 208, eine schlüssige VerbindungsSchicht 222 und eine Abdeckung 224 aufweisen.
Der Träger 102 kann Glas, Quarz, und/oder ein
Halbleitermaterial aufweisen oder daraus gebildet sein.
Ferner kann der Träger eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine (beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder Polypropylen (PP) ) aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Kunststoff
Polyvinylchlorid (PVC) , Polystyrol (PS) , Polyester und/oder Polycarbonat (PC) , Polyethylenterephthalat ( PET) ,
Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen oder daraus gebildet sein.
Der Träger 102 kann ein Metall aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Kupfer, Silber, Gold, Platin, Eisen, beispielsweise eine Metallverbindung, beispielsweise Stahl.
Der Träger 102 kann opak, transluzent oder sogar transparent ausgeführt sein.
Der Träger 102 kann ein Teil einer Spiegelstruktur sein oder diese bilden.
Der Träger 102 kann einen mechanisch rigiden Bereich und/oder einen mechanisch flexiblen Bereich aufweisen oder derart ausgebildet sein, beispielsweise als eine Folie .
Der Träger 102 kann als Wellenleiter für elektromagnetische Strahlung ausgebildet sein, beispielsweise transparent oder transluzent sein hinsichtlich der emittierten oder
absorbierten elektromagnetischen Strahlung des
optoelektronischen Bauelementes 100. Die erste Barriereschicht 204 kann eines der nachfolgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein:
Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid,
Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid,
Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid,
Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, Poly (p- phenylenterephthalamid) , Nylon 66, sowie Mischungen und
Legierungen derselben . Die erste BarriereSchicht 204 kann mittels eines der
folgenden Verfahren ausgebildet werden : ein
Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD) ) , beispielsweise eines plasmaunterstützten
Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) ) oder ein plasmaloses
Atomlageabscheideverfahren ( Plasma- less Atomic Layer
Deposition ( PLALD) } ; ein chemisches
Gasphasenabscheideverfahren (Chemical Vapor Deposition
(CVD) ) , beispielsweise ein plasmaunterstütztes
Gasphasenabscheideverfahren (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ( PECVD) ) oder ein plasmaloses
Gasphasenabscheideverfahren (Plasma-less Chemical Vapor
Deposition ( PLCVD) ) ; oder alternativ mittels anderer
geeigneter Abscheideverfahren .
Bei einer ersten Barriereschicht 204 , die mehrere
Teilschichten aufweist , können alle Teilschichten mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden. Eine Schichtenfolge , die nur ALD-Schichten aufweist , kann auch als „Nanolaminat" bezeichnet werden.
Bei einer ersten Barriereschicht 204 , die mehrere
Teilschichten aufweist, können eine oder mehrere
Teilschichten der ersten Barriereschicht 204 mittels eines anderen Abscheideverfahrens als einem
Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden,
beispielsweise mittels eines Gasphasenabscheideverfahrens . Die erste Barriereschicht 204 kann eine Schichtdicke von ungefähr 0,1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm
aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm gemäß einer Ausgestaltung ,
beispielsweise ungefähr 40 nm gemäß einer Ausgestaltung.
Die erste Barriereschicht 204 kann ein oder mehrere
hochbrechende Materialien auf eisen, beispielsweise ein oder mehrere Material (ien) mit einem hohen Brechungsinde , beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2.
Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen
Ausführungsbeispielen auch ganz auf eine erste
Barriereschicht 204 verzichtet werden kann, beispielsweise für den Fall , dass der Träger 102 hermetisch dicht
ausgebildet ist, beispielsweise Glas , Metall , Metalloxid aufweist oder daraus gebildet ist .
Die erste Elektrode 204 kann als Anode oder als Kathode ausgebildet sein.
Die erste Elektrode 110 kann eines der folgenden elektrisch leitfähigen Material aufweisen oder daraus gebildet werden : ein Metall ; ein leitfähiges transparentes Oxid (transparent conductive oxide, TCO) ; ein Netzwerk aus metallischen
Nanodrähten und -teilchen, beispielsweise aus Ag, die beispielsweise mit leitfähigen Polymeren kombiniert sind; ein Netzwerk aus Kohlenstoff -Nancröhren, die
beispielsweise mit leitfähigen Polymeren kombiniert sind ; Graphen-Teilchen und -Schichten; ein Netzwerk aus
halbleitenden Nanodrähten; ein elektrisch leitf higes Polymer ; ein Übergangsmetalloxid; und/oder deren
Komposita . Die erste Elektrode 110 aus einem Metall oder ein Metall aufweisend kann eines der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: Ag, Pt , Au, Mg, AI , Ba, In, Ca, Sm oder Li , sowie Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser Materialien. Die erste Elektrode 110 kann als transparentes leitfähiges Oxid eines der folgenden Materialien aufweisen: beispielsweise Metalloxide:
beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium-Zinn-Oxid (ITO) . Neben binären
Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise EnO, Sn02 , oder Ιη213 gehören auch ternäre Metallsauerstoffverbindungen, beispielsweise AlZnO, n2Sn04 , CdSnOs , ZnSn03 , MgIn2Ü4 ,
Galn03 , Ζη2ΐη2θ5 oder In4Sn30]_2 oder Mischungen
unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs und können in verschiedenen
Ausführungsbeispielen eingesetzt werden. Weiterhin
entsprechen die TCOs nicht zwingend einer stöchiometrischen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein, bzw. lochleitend (p-TCO) oder elektronenlei end {n-TCO) sein.
Die erste Elektrode 110 kann eine Schicht oder einen
Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben Materials oder unterschiedlicher Materialien aufweisen. Die erste Elektrode 110 kann gebildet werden von einem Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs , oder umgekehrt . Ein Beispiel ist eine
Silberschicht, die auf einer Indium- Zinn-Oxid-Schicht { ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag- ITO Multischichten . Die erste Elektrode 204 kann beispielsweise eine Schichtdicke auf eisen in einem Bereich von 10 nm bis 500 nm,
beispielsweise von kleiner 25 nm bis 250 nm, beispielsweise von 50 nm bis 100 nm. Die erste Elektrode 110 kann einen ersten elektrischen
Anschluss aufweisen, an den ein erstes elektrisches Potential anlegbar ist . Das erste elektrische Potential kann von einer Energiequelle bereitgestellt werden, beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsquelle . Alternativ kann das erste elektrische Potential an einen elektrisch leitfähigen Träger 102 angelegt sein und die erste Elektrode 110 durch den Träger 102 mittelbar elektrisch zugeführt sein. Das erste elektrische Potential kann beispielsweise das Massepotential oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotential sein.
In Fig .2 ist ein optoelektronisches Bauelement 100 mit einer ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 216 und einer zweite organischen funktionellen
Schichtenstruktur-Einheit 220 dargestellt. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle
Schichtenstruktur 112 aber auch mehr als zwei organische funktionelle Schichtenstrukturen aufweisen, beispielsweise 3 , 4, 5 , 6, 7 , 8, 9 , 10 , oder sogar mehr, beispielsweise 15 oder mehr, beispielsweise 70.
Die erste organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 216 und die optional weiteren organischen funktionellen
Schichtenstrukturen können gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein, beispielsweise ein gleiches oder
unterschiedliches Emittermaterial aufweisen. Die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 220 , oder die weiteren organischen funktionellen Schichtenstruktur- Einheiten können wie eine der nachfolgend beschriebenen
Ausgestaltungen der ersten organischen unktionellen
Schichtenstruktur-Einheit 216 ausgebildet sein. Die erste organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 216 kann eine Lochinj ektionsschicht , eine
Lochtransportschicht , eine Emitterschicht , eine
Elektronentransportschicht und eine
Elektroneninj ektionsschicht aufweisen .
In einer organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 216 kann eine oder mehrere der genannten Schichten vorgesehen sein, wobei gleiche Schichten einen körperlichen Kontakt aufweisen können, nur elektrisch miteinander verbunden sein können oder sogar elektrisch voneinander isoliert ausgebildet sein können, beispielsweise nebeneinander ausgebildet sein können . Einzelne Schichten der genannten Schichten können optional sein . Eine Lochinjektionsschicht kann auf oder über der ersten Elektrode 110 ausgebildet sein. Die Lochinjektionsschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: HAT-CN, Cu(I)pFBz, MoOx, W0X, VOx, ReOx, F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9, Bi (III)pFBz, F16CuPC; NPB (Ν,Ν' - Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; beta-NPB N, N ' -Bis (naphthalen-2 -y1 ) -N, 1 -bis (phenyl) -benzidin) ; TPD ( , N 1 -Bis ( 3 -methylphenyl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro TPD (Ν,Ν' -Bis (3 -methylphenyl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ;
Spiro-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen- 1 -yl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -spiro) ; DMFL-TPD Ν,Ν' -Bis ( -methylphenyl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9,9- dimethyl-fluoren) DMFL-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' - bis (phenyl) -9 , 9-dimethyl-fluoren) ; DPFL-TPD (N, ' -Bis (3- methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl-fluoren) ; DPFL-
NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, -diphenyl- fluoren) ; Spiro-TAD (2,2' ,7,7' -Tetrakis (n, n-diphenylamino) - 9 , 1 -spirobifluoren) 9,9-Bis[4-(N, N-bis-biphenyl-4-yl- amino) phenyl] - 9H- fluoren; 9 , 9-Bis [4 - (N, -bis-naphthalen-2 -yl- amino) phenyl] - 9H- fluoren; 9,9-Bis[4-(N,N' -bis-naphthalen-2 - yl-N, ' -bis-phenyl-amino) -phenyl] -9H~fluor;
N, ' -bis (phenanthren- 9-yl) - , N ' -bis (phenyl) -benzidin;
2, 7-Bis [N, N-bis (9, 9-spiro-bifluorene-2 -yl) -amino] - 9 , 9-spiro- bifluoren; 2,2' -Bis [N, -bis (biphenyl-4-yl) amino] 9, 9-spiro- bifluoren; 2,2' -Bis (N, N-di-phenyl-amino) 9 , 9-spiro-bifluoren; Di- [4- (N, N-ditolyl-amino) -phenyl] cyclohexan;
2,2' ,7,7' - tetra (N, N-di-tolyl) amino-spiro-bifluoren;
und/oder N, Ν,Ν' ,Ν' -tetra-naphthalen-2-yl-benzidin.. Die Lochinj ektionsschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 1000 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungef hr 30 nm bis ungef hr 300 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 200 nm.
Auf oder über der Lochinj ektionsschicht kann eine
LochtransportSchicht ausgebildet sein. Die Lochtransportschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NPB (Ν,Ν' - Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; beta-NPB
N, ' -Bis ( naphthalen- 2 -yl ) -N, ' -bis (phenyl) -benzidin) ; TPD (Ν,Ν' -Bis (3 -methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro TPD (N, N ' -Bis ( 3 -methylphenyl ) -N, N' -bis (phenyl) -benzidin) ;
Spiro-NPB (N, ' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -Spiro) ; DMFL-TPD N, N' -Bis ( 3 -methylpheny1 ) -N, ' -bis (phenyl) -9, 9- dimethyl-fluoren) ; DMFL-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' - bis (phenyl) -9, 9 -dimethyl - fluoren) ; DPFL-TPD (N, ' -Bis (3 - methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9 -diphenyl - fluoren) ; DPFL- NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl ) -N, N 1 -bis (phenyl) -9, 9 -diphenyl - fluoren) ; Spiro-TAD (2 , 2 ' , 7 , 7 ' -Tetrakis (n, n-diphenylamino) - 9,9 ' -spirobifluoren) ; , 9-Bis [4- (N, N-bis-biphenyl-4 -yl- amino) henyl] -9H-fluoren; 9, 9-Bis [4- (N, -bis -naphthalen- 2 -yl- amino) phenyl] - 9H- fluoren; 9, 9-Bis [4- (N, N' -bis-naphthalen-2 - yl-N, ' -bis -phenyl -amino) -phenyl] -9H-fluor;
N, N ' -bis (phenanthren- 9 -yl ) -N, 1 -bis (phenyl) -benzidin; 2,7- Bis [N, N-bis (9, 9-spiro-bifluorene-2-yl) -amino] -9 , 9-spiro- bif luoren; 2,2' -Bis [N, -bis (biphenyl-4-yl) amino] , 9-spiro- bif luoren; 2,2' -Bis (N, N-di -phenyl -amino) , 9-spiro-bifluoren; Di- [4- (N, -ditolyl-amino) -phenyl] cyclohexan; 2,2' ,7,7'- tetra (N, N-di- tolyl) amino- spiro-bifluoren und N,
Ν,Ν' ,Ν' -tetra-naphthalen-2-yl-benzidin, ein tertiäres Amin, ein Carbazolderivat , ein leitendes Polyanilin und/oder
Polyethylendioxythiophen .
Die Lochtransportschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungef hr 50 nm,
beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungef hr 20 nm.
Auf oder über der Lochtransportschicht kann eine
Emitterschicht ausgebildet sein . Jede der organischen
funk ionellen Schichtenstruktur- Einheiten 216 , 220 kann jeweils eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen, beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder
phosphoreszierenden Emittern. Eine Emitterschicht kann organische Polymere, organische Oligomere, organische Monomere, organische kleine, nicht- polymere Moleküle („small molecules" } oder eine Kombination dieser Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein.
Das optoelektronische Bauelement 100 kann in einer
Emitterschicht eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: organische oder
organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (beispielsweise 2 - oder 2,5- substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe , beispielsweise Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis (3 , 5-difluoro-2- ( 2 -pyridyl ) phenyl - (2- carboxypyridyl ) - iridium III) , grün phosphoreszierendes
Ir (ppy) 3 (Tris (2-phenyipyridin) iridium III) , rot
phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy) 3*2 (PFg) (Tris [ 4 , ' -di-tert- butyl- (2,2' ) -bipyridin] ruthenium (III) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4 , 4-Bis [4- (di-p- tolylamino) styryl] biphenyl) , grün fluoreszierendes TTPA
(9, 10-Bis [ ,N-di- (p-tolyl) -amino] anthracen) und rot
fluoreszierendes DCM2 (4 -Dicyanomethylen) -2-methyl-6- julolidyl-9-enyl-4H-pyran) als nichtpoly ere Emitter . Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar . Ferner können
Polymeremitter eingesetzt v/erden, welche beispielsweise mittels eines nasschemischen Verfahrens abscheidbar sind, wie beispielsweise einem Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating) .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Emitterschicht eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm . Die Emitterschicht kann einfarbig oder verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien aufweisen. Alternativ kann die
Emitterschicht mehrere Teilschichten aufweisen, die Licht unterschiedlicher Farbe emittieren. Mittels eines Mischens der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren . Alternativ kann auch vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine SekundärStrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen) Primä Strahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt .
Die organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 216 kann eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen, die als Lochtransportschicht ausgeführt ist/ sind. Weiterhin kann die organische funktionelle Schichtenstruktur- Einheit 216 eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen, die als Elektronentransportschicht ausgeführt ist/sind .
Auf oder über der Emitterschicht kann eine
Elektronentransportschicht ausgebildet sein, beispielsweise abgeschieden sein .
Die Elektronentransportschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NET- 18; 2,2' , 2 " -(1,3 , 5 -Benzinetriyl ) -tris (1-phenyl-l-H- benzimidazole) ; 2- ( -Biphenylyl) -5- (4 -tert-butylphenyl) - 1 , 3 , 4-oxadiazole, 2 , 9-Dimethyl-4 , 7 -diphenyl- 1 , 10- phenanthroline (BCP) ; 8 -Hydroxyquinolinolato- lithium, 4- (Naphthalen- 1 -yl ) -3 , 5 -diphenyl - H- 1 , 2 , 4 -triazole ; 1, 3 -Bis [2- (2,2' -bipyridine-6-yl) -1,3, 4 -oxadiazo- 5 -yl] benzene ; 4,7- Diphenyl-1 , 10- henanthroline (BPhen) ; 3 - (4 -Biphenylyl) -4 - pheny1- 5 -tert-butylphenyl - 1 , 2, 4-triazole; Bis (2-methyl-8- quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminium; 6,6' -Bis [5- (biphenyl-4-yl) -1, 3, 4 -oxadiazo-2 -yl] -2,21 -bipyridyl ; 2- phenyl-9, 10-di {naphthalen- 2 -yl ) -anthracene; 2, 7-Bis [2- (2,2'- bipyridine- 6 -yl ) -1,3, 4 -oxadiazo- 5 -yl] -9, 9-dimethylfluorene ; 1, 3 -Bis [2- (4 -1ert-butyIpheny1 ) -1,3, -oxadiazo- 5 -yl] benzene; 2- (naphthalen- 2 -yl) -4 , 7-diphenyl-l, 10-phenanthroline; 2,9- Bis (naphthalen-2-yl) - , 7-diphenyl-l, 10-phenanthroline;
Tris (2,4, 6-trimethyl-3- (pyridin-3-yl) phenyl ) borane ; 1-methyl- 2- (4- (naphthalen-2-yl) henyl) -lH-imidazo [4 , 5- f] [1 , 10] phenanthrolin,· Phenyl-dipyrenylphosphine oxide;
Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide ;
Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide; und Stoffen basierend auf Silolen mit einer
Silacyclopentadieneinheit . Die Elektronentransportschicht kann eine Schichtdicke
aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr
50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm. Auf oder über der Elektronentransportschicht kann eine
Elektroneninjektionsschicht ausgebildet sein. Die
Elektroneninjektionsschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NDN-26, MgAg, Cs2C03, CS3PO4, Na, Ca, K, Mg, Cs , Li, LiF; 2 , 2 ',2" -(1,3, 5-Benzinetriyl) -tris (1-phenyl-l-H- benzimidazole) ; 2- (4 -Biphenylyl) -5- (4 - tert -butylphenyl ) - 1 , 3 , 4-oxadiazole, 2 , 9-Dimethyl-4 , 7-diphenyl-l , 10- phenanthroline (BCP) ; 8 -Hydroxyquinolinolato- 1ithium, 4- (Naphthalen-l-yl) -3 , 5-diphenyl-4H-l, 2, 4-triazole; 1, 3-Bis [ 2 - (2,2' -bipyridine-6-yl) -1,3, 4 -oxadiazo- 5 -yl] benzene ; 4,7- Diphenyl-1, 10-phenanthroline (BPhen) ; 3- (4 -Biphenylyl) -4- phenyl- 5 - tert -butylphenyl - 1 , 2, -triazole; Bis (2-methyl-8- quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminium; 6,6' -Bis [5- (biphenyl-4-yl) -1,3,4 -oxadiazo- 2 -yl] -2,2' -bipyridyl ; 2- phenyl- 9, 10-di (naphthalen- 2-yl) -anthracene; 2, 7-Bis [2- (2, 2 ' - bipyridine-6-yl) -1,3, 4 -oxadiazo-5 -yl] -9, 9-dimethylfluorene ; 1 , 3-Bis [2- ( -tert-butylphenyl) -1,3, 4 -oxadiazo- 5 -yl] benzene 2- (naphthalen-2 -yl) -4 , 7-diphenyl-l , 10 -phenanthroline ; 2,9- Bis (naphthalen-2 -yl) -4 , 7-diphenyl-l, 10 -phenanthroline ;
Tris (2,4, 6-trimethyl-3- (pyridin-3 -yl) henyl) orane ; 1-methyl- 2- (4- (naphthalen-2 -yl) henyl) -lH-imidazo [ , 5- f] [1, 10] phenanthroline; Phenyl-dipyrenylphosphine oxide;
Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide ;
Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide ; und Stoffen basierend auf Silolen mit einer
Silacyclopentadieneinheit .
Die Elektroneninjektionsschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 200 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise ungefähr 30 nm .
Bei einer organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 mit zwei oder mehr organischen funktionellen Schichtenstruktur- Einheiten 216 , 220 , kann die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 220 über oder neben der ersten funktionellen Schichtenstruktur-Einheiten 216 ausgebildet sein. Elektrisch zwischen den organischen funktionellen
Schichtenstruktur-Einheiten 216 , 220 kann eine
Zwischenschichtstruktur 218 ausgebildet sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Zwischenschichtstruktur 218 als eine Zwischenelektrode 218 ausgebildet sein, beispielsweise gemäß einer der
Ausgestaltungen der ersten Elektrode 110. Eine
Zwischene1ektrode 218 kann mit einer externen Spannungsquelle elektrisch verbunden sein. Die externe Spannungsquelle kann an der Zwischenelektrode 218 beispielsweise ein drittes elektrisches Potential bereitstellen . Die Zwischenelektrode 218 kann jedoch auch keinen externen elektrischen Anschluss aufweisen, beispielsweise indem die Zwischenelektrode ein schwebendes elektrisches Potential aufweist .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Zwischenschichtstruktur 218 als eine Ladungsträgerpaar- Erzeugung- Schichtenstruktur 218 ( Charge generation layer CGL) ausgebildet sein . Eine Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schichtenstruktur 218 kann eine oder mehrere
elektronenleitende Ladungsträgerpaar- Erzeugung- Schicht (en) und eine oder mehrere lochleitende Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schicht (en) aufweisen. Die elektronenleitende
Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (en) und die lochleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (en) können jeweils aus einem intrinsisch leitenden Stoff oder einem Dotierstoff in einer Matrix gebildet sein. Die Ladungs rägerpaar- Erzeugung- Schichtenstruktur 218 sollte hinsichtlich der Energieniveaus der elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schicht (en) und der lochleitenden Ladungsträgerpaar- Erzeugung- Schicht (en) derart ausgebildet sein, dass an der Grenzfläche einer elektronenleitenden Ladungsträgerpaar- Erzeugung- Schicht mit einer lochleitenden Ladungsträgerpaar- Erzeugung- Schicht ein Trennung von Elektron und Loch erfolgen kann. Die Ladungsträgerpaar- Erzeugung- Schichtenstruktur 218 kann ferner zwischen benachbarten Schichten eine
Diffusionsbarriere aufweisen.
Jede organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 216, 220 kann beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von maximal ungefähr 3 μχα, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 μιη, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm.
Das optoelektronische Bauelement 100 kann optional weitere organische funktionalen Schichten aufweisen, beispielsweise angeordnet auf oder über der einen oder mehreren
Emitterschichten oder auf oder über der oder den
Elektronentransportschicht (en) . Die weiteren organischen funktionalen Schichten können beispielsweise interne oder extern Einkoppel - /Auskoppelstrukturen sein, die die
Funktionalität und damit die Effizienz des optoelektronischen Bauelements 100 weiter verbessern. Auf oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 oder gegebenenfalls auf oder über der einen oder den mehreren weiteren der organischen funktionellen
Schichtenstruktur und/oder organisch funktionalen Schichten kann die zweite Elektrode 114 ausgebildet sein.
Die zweite Elektrode 114 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 110 ausgebildet sein, wobei die erste Elektrode 110 und die zweite Elektrode 114 gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein können. Die zweite Elektrode 114 kann als Anode, also als löcherinjizierende Elektrode ausgebildet sein oder als Kathode, also als eine
elektroneninj izierende Elektrode .
Die zweite Elektrode 114 kann einen zweiten elektrischen
Anschluss aufweisen, an den ein zweites elektrisches
Potential anlegbar ist. Das zweite elektrische Potential kann von der gleichen oder einer anderen Energiequelle
bereitgestellt werden wie das erste elektrische Potential und/oder das optionale dritte elektrische Potential. Das zweite elektrische Potential kann unterschiedlich zu dem ersten elektrischen Potential und/oder dem optional dritten elektrischen Potential sein. Das zweite elektrische Potential kann beispielsweise einen Wert aufweisen derart, dass die Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungefähr 20 V aufweist, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2,5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 3 V bis ungefähr 12 V.
Auf der zweiten Elektrode 114 kann die zweite Barriereschicht 208 ausgebildet sein.
Die zweite Barriereschicht 208 kann auch als
Dünnschichtverkapselung (thin film encapsulation TEE) bezeichnet werden. Die zweite Barriereschicht 208 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Barriereschicht 204 ausgebildet sein. Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen
Ausführungsbeispielen auch ganz auf eine zweite
Barriereschicht 208 verzichtet werden kann. In solch einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement 100 beispielsweise eine weitere Verkapselungsstruktur aufweisen, wodurch eine zweite Barriereschicht 208 optional werden kann, beispielsweise eine Abdeckung 224 , beispielsweise eine
Kavitätsglasverkapselung oder metallische Verkapselung .
Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen
zusätzlich noch eine oder mehrere Ein- /Auskoppelschichten in dem optoelektronischen Bauelementes 100 ausgebildet sein, beispielsweise eine externe Auskoppelfolie auf oder über dem Träger 102 (nicht dargestellt) oder eine interne
Auskoppelschicht (nicht dargestellt) im Schichtenquerschnitt des optoelektronischen Bauelementes 100. Die Ein- /Auskoppelschicht kann eine Matrix und darin verteilt
Streuzentren auf eisen, wobei der mittlere Brechungsindex der Ein- /Auskoppelschicht größer ist als der mittlere
Brechungsindex der Schicht , aus der die elektromagnetische Strahlung bereitgestellt wird. Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen zusätzlich eine oder mehrere
Entspiegelungsschichten (beispielsweise kombiniert mit der zweiten Barriereschicht 208) in dem optoelektronischen
Bauelement 100 vorgesehen sein .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der zweiten Barriereschicht 208 eine schlüssige
Verbindungsschicht 222 vorgesehen sein, beispielsweise aus einem Klebstoff oder einem Lack . Mittels der schlüssigen Verbindungsschicht 222 kann eine Abdeckung 224 auf der zweiten Barriereschicht 208 schlüssig verbunden werden, beispielsweise aufgeklebt sein.
Eine schlüssige Verbindungsschicht 222 aus einem
transparenten Material kann beispielsweise Partikel
aufweisen, die elektromagnetische Strahlung streuen, beispielsweise lichtstreuende Partikel. Dadurch kann die schlüssige Verbindungsschicht 222 als Streuschicht wirken und zu einer Verbesserung des Farbwinkelverzugs und der
Auskoppeleffizienz führen.
Als lichtstreuende Partikel können dielektrische
Streupartikel vorgesehen sein, beispielsweise aus einem
Metalloxid, beispielsweise Siliziumoxid (S1O2) , Zinkoxid ( nO) , Zirkoniumoxid {Zr02 ) , Indium- Zinn-Oxid (ITO) oder Indium- Zink-Oxid (IZO) , Galliumoxid (Ga20x) Aluminiumoxid , oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der schlüssigen Verbindungsschicht 222 verschieden ist , beispielsweise Luftblasen, Acrylat , oder Glashohlkugeln . Ferner können beispielsweise metallische
Nanopartikel , Metalle wie Gold, Silber , Eisen-Nanopartikel , oder dergleichen als lichtstreuende Partikel vorgesehen sein .
Die schlüssige Verbindungsschicht 222 kann eine Schichtdicke von größer als 1 μν aufweisen, beispielsweise eine
Schichtdicke von mehreren μχη. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann die schlüssige Verbindungsschicht 222 einen Laminations- Klebstoff aufweisen oder ein solcher sein .
Die schlüssige Verbindungsschicht 222 kann derart
eingerichtet sein, dass sie einen Klebstoff mit einem
Brechungsindex aufweist , der kleiner ist als der
Brechungs index der Abdeckung 224. Ein solcher Klebstoff kann beispielsweise ein niedrigbrechender Klebsto f sein wie beispielsweise ein Acrylat , der einen Brechungsindex von ungefähr 1 , 3 aufweist. Der Klebstoff kann j edoch auch ein hochbrechender Klebstoff sein der beispielsweise
hochbrechende , nichtstreuende Partikel aufweist und einen schichtdickengemittelten Brechungsindex aufweist, der
ungefähr dem mittleren Brechungsindex der organisch
funktionellen Schichtenstruktur 112 entspricht, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr i.,7 bis ungefähr 2,0. Weiterhin können mehrere unterschiedliche Klebstoffe vorgesehen sein, die eine Kleberschichtenfolge bilden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann zwischen der zweiten Elektrode 114 und der schlüssigen Verbindungsschicht 222 noch eine elektrisch isolierende Schicht (nicht
dargestellt) aufgebracht werden oder sein, beispielsweise SiN, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 300 nm bis ungefähr 1,5 μχ , beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 500 nm bis ungefähr 1 μτα, um elektrisch instabile Materialien zu
schützen, beispielsweise während eines nasschemischen
Prozesses .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine schlüssige Verbindungsschicht 222 optional sein, beispielsweise falls die Abdeckung 224 direkt auf der zweiten Barriereschicht 208 ausgebildet wird, beispielsweise eine Abdeckung 224 aus Glas , die mittels Plasmaspritzens ausgebildet wird .
Auf oder über der elektrisch aktiven Struktur 106 kann ferner eine sogenannte Getter-Schicht oder Getter-Struktur,
beispielsweise eine lateral strukturierte Getter-Schicht , angeordnet sein {nicht dargestellt) .
Auf oder über der schlüssigen Verbindungsschicht 222 kann eine Abdeckung 224 ausgebildet sein. Die Abdeckung 224 kann mittels der schlüssigen Verbindungsschicht 222 mit der elektrisch aktiven Struktur 106 schlüssig verbunden sein und diesen vor schädlichen Stoffen schützen. Die Abdeckung 224 kann beispielsweise eine Glasabdeckung 224 , eine
Metallfolienabdeckung 224 oder eine abgedichtete
Kunststofffolien-Abdeckung 224 sein. Die Glasabdeckung 224 kann beispielsweise mittels einer Fritten-Verbindung (engl . glass frit bonding/glass soldering/seal glass bonding) mittels eines herkömml ichen Glaslotes in den geometrischen Randbereichen des organischen optoelektronischen Bauelementes 100 mit der zweite Barriereschicht 208 bzw. der elektrisch aktiven Struktur 106 schlüssig verbunden werden.
Die Abdeckung 224 und/oder die schlüssige VerbindungsSchicht 222 können einen Brechungsindex (beispielsweise bei einer Wellenlänge von 633 nm) von 1,55 aufweisen.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes 100 ein Ausbilden eines Schichtenstapels auf. Das Ausbilden des Schichtenstapels weist ein Ausbilden 302 einer optisch aktiven Struktur 106 und ein Ausbilden 304 einer
Kondensatorstruktur 104 auf - veranschaulicht in Fig.3. Die optisch aktive Struktur kann mit wenigstens einer ersten Elektrode 110, einer organischen funktionellen
Schichtenstruktur 112 und einer zweiten Elektrode 114 ausgebildet werden. Die organische funktionelle
Schichtenstruktur 112 kann flächig ausgebildet werden. Die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 kann elektrisch zwischen der ersten Elektrode 110 und der zweiten Elektrode 114 in dem Schichtenstapel ausgebildet werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens kann das optoelektronische Bauelement 100 als ein organisches optoelektronisches Bauelement ausgebildet werden,
beispielsweise als ein organischer Fotodetektor, eine organische Solarzelle und/oder eine organische Leuchtdiode. In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 kann das optoelektronische Bauelement als ein flächiges optoelektronisches Bauelement 100 ausgebildet werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 kann das optoelektronische Bauelement 100 derart ausgebildet werden, dass die Kondensatorstruktur 104 wenigstens
transluzent bezüglich der elektromagnetischen Strahlung der optisch aktiven Struktur 106 ausgebildet werden. In verschiedenen Ausführungsbeispieien des Verfahrens 300 kann der Kondensator im Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung der optisch aktiven Struktur 106 ausgebildet werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispieien des Verfahrens 300 kann die optisch aktive Struktur 106 und die
Kondensatorstruktur 104 monolithisch integriert ausgebildet werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 kann die optisch aktive Struktur 106 und die
Kondensatorstruktur 104 mit einer gemeinsamen Elektrode
ausgebildet werden, beispielsweise als eine gemeinsame elektrisch leitende Schicht ausgebildet werden. In verschiedenen Ausführungsbeispieien des Ver ahrens 300 kann das Verfahren 300 ferner ein Ausbilden einer
Verkapselungsstruktur 226 auf oder über dem Schichtenstapel aufweisen derart, dass der Schichtenstapel bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff hermetisch abgedichtet wird . In
verschiedenen Ausführungsbeispieien des Verfahrens 300 kann das Verfahren 300 ferner ein Ausbilden einer
Verkapselungsstruktur 226 auf oder über dem Schichtenstapel aufweisen, wobei die dritte Elektrode, das Dielektrikum und/oder die vierte Elektrode als Teil der
Verkapselungsstruktur 226 ausgebildet werden/wird,
beispielsweise als Abdeckung 224 oder Barriereschicht 208. In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 kann das Verfahren 300 ferner ein Ausbilden einer
Verkapselungsstruktur 226 zwischen der optisch aktiven
Struktur 106 und der Kondensatorstruktur 104 aufweisen, die derart ausgebildet wird, dass die optisch aktive Struktur 106 bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff hermetisch abgedichtet ist. In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 kann das Dielektrikum als eine BarriereSchicht ausgebildet werden bezüglich der optisch aktiven Struktur 106 und Wasser und/oder Sauerstoff . In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 kann das Verfahren 300 ferner ein Bereitstellen eines Trägers 102 oder hermetisch dichten Substrates 128 aufweisen, wobei die dritte Elektrode oder die vierte Elektrode als Träger 102 oder hermetisch dichtes Substrat 128 ausgebildet werden oder der Träger 102 oder das hermetisch dichte Substrat diese aufweist .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 kann die Kondensatorstruktur 104 mit zwei oder mehr
Kondensatoren 104 -n ausgebildet werden, wobei n den
Kondensator kennzeichnet und eine natürliche Zahl ist . In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 kann die Kondensatorstruktur 104 mit zwei oder mehr
Plattenkondensatoren ausgebildet werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 können zwei oder mehr Kondensatoren der Kondensatorstruktur 104 als ein Stapel von Kondensatoren ausgebildet werden. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 können zwei oder mehr Kondensatoren der Kondensatorstruktur 104 nebeneinander ausgebildet werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 kann die Kondensatorstruktur 104 mit einem zweiten
Kondensator 104-2 mit einer fünften Elektrode , einem zweiten Dielektrikum und einer sechsten Elektrode ausgebildet werden, wobei die fünfte Elektrode mit der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode, und die sechste Elektrode mit der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode elektrisch verbunden ausgebildet wird derart, dass der zweite Kondensator 104-2 elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur 106 ausgebildet wird. In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 kann der zweite Kondensator 104-2 elektrisch parallel oder elektrisch in Reihe zu dem ersten Kondensator 104-1 ausgebildet werden. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 können der erste Kondensator 104-1 und der zweite Kondensator 104-2 mit einer gemeinsamen Elektrode ausgebildet werden, beispielsweise als und/oder aus einer gemeinsamen elektrisch leitenden Schicht ausgebildet werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 kann die Kondensatorstruktur 104 derart ausgebildet werden, dass der erste Kondensator 104-1 und der zweite Kondensator 104-2 eine ungefähr gleiche Kapazität aufweise .
In einem Ausführungsbeispiel des Verfahrens 300 wird die optisch aktive Struktur 106 auf oder über dem ersten
Kondensator 104-1 und dem zweiten Kondensator 104-2
ausgebildet . In einem anderen Ausführungsbeispiel des
Verfahrens 300 wird der erste Kondensator 104-1 und der zweite Kondensator 104-2 auf oder über der optisch aktiven Struktur 106 ausgebildet . In einem anderen
Ausführungsbeispiel des Verfahrens 300 wird die optisch aktive Struktur 106 zwischen dem ersten Kondensator 104-1 und dem zweiten Kondensator 104-2 ausgebildet .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 kann die dritte Elektrode, das Dielektrikum und/oder die vierte Elektrode wenigstens transluzent ausgebildet werden .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist die
Kondensatorstruktur 104 einen ersten Kondensator 104-1 auf . Der erste Kondensator 104 weist wenigstens eine dritte
Elektrode 110 , ein Dielektrikum 406 , 404 , und eine vierte Elektrode 402 auf .
Die Elektroden eines Kondensators der Kondensatorstruktur können j eweils als eine elektrisch leitende Schicht 402 ausgebildet sein, beispielsweise für den Fall , dass die dritte Elektrode und die vierte Elektrode in ihrer
Ausgestaltung austauschbar sind, beispielsweise gleich ausgebildet sind, beispielsweise veranschaulicht in Fig .4C, D, F-K. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine
Elektrode eines Kondensators als eine gemeinsame elektrisch leitende Schicht einer arideren elektrisch funktionalen
Struktur ausgebildet sein. Beispielsweise kann die dritte Elektrode 110 des ersten Kondensators 104-1 gleich der ersten Elektrode 110 der optisch aktiven Struktur 106 sein,
beispielsweise mit dieser identisch sein - beispielsweise veranschaulich i Fig.4A. Alternativ kann eine Elektrode des Kondensators als eine elektrisch leitende Schicht 402 ausgebildet sein. Beispielsweise kann die vierte Elektrode 402 des ersten Kondensators mit der zweiten Elektrode 114 der optisch aktiven Struktur 106 elektrisch verbunden sein derart, dass die Kondensatorstruktur 104 elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur 106 ausgebildet ist ,
beispielsweise veranschaulicht in Fig.4C, D, F-K. Die dritte Elektrode bzw. die vierte Elektrode des Kondensators 104-1 können gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 110 und/oder der zweiten Elektrode 114 ausgebildet sein, siehe Beschreibung oben.
Die optisch aktive Struktur 106 kann mittels eines ersten elektrischen Anschluss 412 und eines zweiten elektrischen Anschlusses 414 elektrisch bestrombar sein, beispielsweise mit einem elektronischen Vorschaltgerätes (EVG) verbindbar und bestrombar.
In einem Ausführungsbeispiel weist das Dielektrikum des ersten Kondensators 104-1 eine einzige dielektrische Schicht auf , beispielsweise eine Barriereschicht - beispielsweise veranschaulicht in Fig.4B .
In einem anderen Aus ührungsbeispiel kann das Dielektrikum des ersten Kondensators 104-1 zwei oder mehr dielektrische Schichten aufweisen - beispielsweise veranschaulicht in
Fig.4A und Fig.4E. Beispielsweise kann das Dielektrikum eine Barriereschicht 406 und eine elektrisch isolierende Schicht 404 aus einem elektrisch nichtleitenden und/oder einem dielektrischen Material aufweisen oder daraus gebildet sein. Somit kann die Kondensatorstruktur 104 bezüglich der
Barriereschicht 406 ein Teil einer Verkapselungsstruktur sein oder aufweisen. Die Barriereschicht 406 des Kondensators 104-1 kann beispielsweise hermetisch dicht bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff ausgebildet sein und die optisch aktive Struktur 106 dadurch hinsichtlich einer Diffusion der Stoffe von der Seite des Trägers 102 aus hermetisch abdichten. Die Barriereschicht 406 des Kondensators 104-1 kann
beispielsweise gemäß einer der Ausgestaltungen der
Barriereschicht 208 der optisch aktiven Struktur 106
ausgebildet sein. Mittels der elektrisch isolierenden
Schicht 404 kann eine vorgegebene Kapazität eingestellt werden. Weiterhin kann die elektrisch isolierende Schicht 404 und/oder die Barriereschicht 406 als eine haftvermittelnde Schicht ausgebildet sein, beispielsweise bezüglich der dritten Elektrode 110 und/oder der vierten Elektrode 402. Beispielsweise kann die elektrisch isolierende Schicht 404 mit einem technisch einfacheren, schnelleren und/oder
kostengünstigeren Verfahren ausgebildet werden als die
Barriereschicht 406, beispielsweise kann die elektrisch isolierende Schicht 404 eine größere Porosität aufweisen. Weiterhin kann die Verkapselungsstruktur gemäß einer der oben beschriebenen Ausgestaltungen ausgebildet sein . In
verschiedenen Ausführungsbexspielen kann die Barriereschicht 406 oder die elektrisch isolierende Schicht 404 optional sein.
In einem Ausführungsbeispiel kann die vierte Elektrode 402 auf oder über einem Träger 102 und/oder einem hermetisch dichten Substrat 128 ausgebildet sein - beispielsweise veranschaulicht in Fig.4A. In einem anderen
Ausführungsbeispiel kann der Träger 102 bzw. das hermetisch dichte Substrat 128 als vierte Elektrode ausgebildet sein, beispielsweise veranschaulicht in Fig . B und Fig.4E als elektrisch leitender Träger 408 , oder die vierte Elektrode aufweisen.
In einem Ausf hrungsbeispiel kann das Dielektrikum einen geöffneten Bereich aufweisen, wobei beispielsweise die zweite Elektrode 114 im geöffneten Bereich mit der vierten Elektrode 408 elektrisch verbunden ist . Beispielsweise kann ein
hermetisch dichtes Substrat 128 einen elektrisch leitenden Träger 102 und eine Barriereschicht 204 gemäß einer der oben beschriebenen Ausgestaltungen aufweisen. Somit kann das hermetisch dichte Substrat 128 die vierte Elektrode und das Dielektrikum des ersten Kondensators 104-1 aufweisen. Der erste Kondensator 104-1 kann dann aus erster Elektrode 110 und hermetisch dichtem Substrat 128 mit elektrisch leitendem Träger bzw. einem elektrisch leitenden Träger 408 und
wenigstens einer dielektrischen Schicht 406 gebildet werden, beispielsweise insofern der elektrisch leitende Träger elektrisch mit der zweiten Elektrode 114 elektrisch verbunden ist. Mit anderen Worten: in einem Ausführungsbeispiel kann auf einem elektrisch leitenden Träger 102 eine dielektrische Schicht , beispielsweise Barriereschicht 204 , ausgebildet sein. Auf der dielektrischen Schicht ist die erste Elektrode 110 der optisch aktiven Struktur 106 ausgebildet . Die erste Elektrode 110 ist mittels der dielektrischen Schicht von dem elektrisch leitenden Träger 102 elektrisch isoliert . Auf der ersten Elektrode 110 sind die organische funktionelle
Schichtenstruktur 112 und die zweite Elektrode 114
ausgebildet . Die zweite Elektrode ist elektrisch isoliert von der ersten Elektrode 110 in einen Kontaktbereich (Kontaktpad- Bereich) auf den elektrisch leitenden Träger 102 herunter geführt . Im Kontaktpad-Bereich der zweiten Elektrode 114 ist die dielektrische Schicht geöffnet (geöffneter Bereich) , sodass die zweite Elektrode 114 direkt mit dem elektrisch leitenden Träger elektrisch verbunden ist in dem geöffneten Bereich der dielektrischen Schicht . Die zweite Elektrode 114 kann in dem Kontaktpad-Bereich oder durch den elektrisch leitenden Träger bestromt werden. Dadurch wird mittels des elektrisch leitenden Trägers 102 , der dielektrischen Schicht auf dem Träger 102 und der ersten Elektrode 110 mittels der elektrischen Verbindung von zweiter Elektrode 114 und
elektrisch leitendem Träger im geöffneten Bereich der
dielektrischen Schicht ein Kondensator 104-1 elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur 106 realisiert .
Analog kann die erste Elektrode 110 mit einer elektrisch leitenden Abdeckung 224 in einem geöffneten Bereich der zweiten Barriereschicht 208 elektrisch verbunden sein. Dadurch können die zweite Elektrode 114 ; die zweite
Barriereschicht 208, die elektrisch leitende Abdeckung 224 und ggfs. die Haftschicht 222 einen Kondensator ausbilden, der elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur 106 ist .
Die Kapazität des ersten Kondensators 104-1 ist unabhängig vom Betriebszustand der optisch aktiven Struktur 106
ausgebildet .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die optisch aktive Struktur 106 auf den zwei oder mehr Kondensatoren ausgebildet sein ~ beispielsweise veranschaulicht in Fig.4A bis Fig.4E. Das optoelektronische Bauelement 100 kann
beispielsweise als Top-Emitter oder Bottom- Emitter
ausgebildet sein.
Bei einem beispielsweise als Bottom-Emitter ausgebildeten optoelektronischen Bauelement 100 mit einem Kondensator oder mehreren Kondensatoren zwischen der optisch aktiven Struktur 106 und dem Träger 102 , sollten der eine Kondensator oder die mehreren Kondensatoren wenigstens transluzent ausgebildet sein, beispielsweise transparent . Beispielsweise können die dritte Elektrode und die vierte Elektrode bzw. das
Dielektrikum gemäß einer der oben beschriebenen
Ausgestaltungen einer wenigstens transluzenten elektrisch leitenden bzw. elektrisch nicht- leitenden Schicht ausgebildet sein. Bei einem beispielsweise als Top -Emitter ausgebildeten optoelektronischen Bauelement 100 mit einem Kondensator oder mehreren Kondensatoren zwischen der optisch aktiven Struktur 106 und dem Träger 102 , können der eine Kondensator oder die mehreren Kondensatoren beispielsweise opak ausgebildet sein, beispielsweise spiegelnd.
Bei einer wenigstens teilweise opaken Kondensatorstruktur 104 und einem optoelektronischen Bauelement 100 das beispielsweise Bottom-Emitter ausgebildet ist, kann die
Kondensatorstruktur 104 beispielsweise auf der optisch aktiven Struktur 106 ausgebildet sein (beispielsweise
veranschaulicht in Fig.4F) . Die Kondensatorstruktur 104 kann in diesem Ausführungsbeispiel weiterhin als Spiegelstruktur und/oder Verkapselungsstruktur 226 ausgebildet sein,
beispielsweise ein Teil der Verkapse1ungsstruktur 226 sein, beispielsweise kann das Dielektrikum des ersten Kondensators 104-1 als zweite Barriereschicht 208 gemäß einer der oben beschriebenen Ausgestaltungen ausgebildet sein.
In ein Ausführungsbeispiel kann eine Barriereschicht 208 , die als Dielektrikum eines Kondensators 10 -n der
Kondensatorstruktur 104 ausgebildet ist , ein sogenanntes „high-k- Dielektrikum" sein, mit einer höheren
Dielektrizitätszahl als ein Siliziumoxid oder ein Oxinitrid. Beispielsweise kann die Barriereschicht eines der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein:
Siliziumnitrid, Aluminiumoxid , Yttriumoxid, Zirkonoxid, Hafniumoxid, Lanthanoxid, Tantaloxid, Praseodymoxid und/oder Titanoxid.
Bei einem beispielsweise als Top-Emitter ausgebildeten optoelektronischen Bauelement 100 mit einem Kondensator oder mehreren Kondensatoren auf der optisch aktiven Struktur 106 , beispielsweise veranschaulicht in Fig.4G, sollten der eine Kondensator oder die mehreren Kondensatoren wenigstens transluzent ausgebildet sein, beispielsweise transparent . Beispielsweise können die dritte Elektrode und die vierte Elektrode bzw. das Dielektrikum gemäß einer der oben
beschriebenen Ausgestaltungen einer wenigstens transluzenten elektrisch leitenden bzw. elektrisch nicht- leitenden Schicht ausgebildet sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Kondensatorstruktur 104 einen ersten Kondensator 104-1, einen zweiten Kondensator 104-2 (beispielsweise veranschaulicht in Fig . C) , einen dritten Kondensator 104-3 (beispielsweise veranschaulicht in Fig.4D) und/oder mehr Kondensatoren 104 -n (beispielsweise veranschaulicht in Fig .1D) aufweisen. Die zwei oder mehr Kondensatoren der Kondensatorstruktur 104 können benachbart sein, beispielsweise sich eine gemeinsame Elektrode bzw. eine elektrisch leitende Schicht teilen
(beispielsweise veranschaulicht in Fig.4C und Fig.4D) . Die zwei oder mehr Kondensatoren der Kondensatorstruktur 104 sind bezüglich der elektrischen Kopplung bzw. elektrischen
Verbindung mit der ersten Elektrode 110 und/oder der zweiten Elektrode 114 derart ausgebildet, dass die zwei oder mehr Kondensatoren elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur sind (beispielsweise veranschaulicht in Fig .4C und Fig.4D) . Die zwei oder mehr Kondensatoren können bezüglich einander elektrisch parallel und/oder in Reihe ausgebildet sein derart , dass die Kondensatorstruktur elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur 106 ausgebildet ist . Dadurch kann beispielsweise die Durchbruchwahrscheinlichkeit eines Kondensators reduziert werden; und/oder die Kapazität
und/oder Impedanz der Kondensatorstruktur 104 eingestellt werden. Beispielsweise können die zwei oder mehr
Kondensatoren gleich Kapazitäten aufweisen .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die optisch aktive Struktur 106 zwischen zwei oder mehr Kondensatoren und/oder neben einem oder mehreren Kondensatoren der
Kondensatorstruktur 104 ausgebildet sein. Beispielsweise kann die beschriebene Kondensatorstruktur 104 im optisch inaktiven Randbereich des optoelektronischen Bauelementes ausgebildet sein, beispielsweise unter oder auf den elektrischen
Anschlüssen 412 , 414.
In verschiedenen Aus führungsbeispielen kann die
Kondensatorstruktur 104 als eine Folie oder ein Folienstapel ausgebildet - veranschaulicht in Fig. 4H, J, K. Eine Folie kann beispielsweise eine metallbeschichtete Kunststoff folie oder eine kunststoffbeschichtete Metallfolie sein . Der
Kunststoff der Folie kann das Dielektrikum 404 oder einen Teil des Dielektrikums 404 der Kondensatorstruktur 104 ausbilden. Das Metall der Folie kann eine Elektrode 402 oder einen Teil einer Elektrode 402 der Kondensatorstruktur 104 ausbilden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Folie auf oder über der optisch aktiven Struktur 106 angeordnet sein, beispielsweise mittels einer schlüssigen "Verbindungsschicht 222 mit dem optisch aktiven Bereich verbunden sein,
beispielsweise mittels einer oben beschriebenen
Klebstoffschiebt .
Eine Folie kann eine Elektrode 402 oder mehrere der
Elektroden 402 eines Kondensators der Kondensatorstruktur aufweisen. Beispielsweise kann eine Kunststofffolie einseitig oder beidseitig mit einer Metallschicht beschichtet sein.
In einem Ausführungsbeispiel ist die Kondensatorstruktur 104 oder ein Kondensator 104-1 der Kondensatorstruktur 104 auf der Barrieredünnschicht 208 bzw. der Verkapselungsstruktur 226 des optisch aktiven Bereiches 106 angeordnet ,
beispielsweise aufgeklebt - veranschaulicht in Fig.4H.
In einem Ausführungsbeispiel ist die Kondensatorstruktur 104 oder ein Kondensator 104-1 der Kondensatorstruktur 104 auf dem Träger 102 bzw. einer Verkapselung 226 angeordnet , beispielsweise aufgeklebt - veranschaulicht in Fig.4J .
In einem Ausführungsbeispiel ist die optisch aktive Struktur 106 auf der Kondensatorstruktur 104 oder einem Kondensator 104-1 der Kondensatorstruktur 104 ausgebildet - veranschaulicht in Fig.4K. Zur Planarisierung und/oder hermetischen Abdichtung kann eine Barriereschicht 208 und/oder eine Planarisierungsschicht 416 zwischen dem
Kondensator 104-1 und dem optisch aktiven Beriech 106 ausgebildet sein.
In verschiedenen Ausfuhrungsbeispielen mit einer beidseitig metallbeschichten Kunststofffolie , kann die Folie die
Kondensatorstruktur 104 oder einen Kondensator 104-1 der Kondensatorstruktur 104 ausgebildet werden, beispielsweise indem die Metallschichten der Folien elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur 106 kontaktiert werden.
Alternativ oder zusätzlich kann die Folie , beispielweise eine einseitig oder beidseitig metallbeschichtete Folie, mit einer der Elektroden der optisch aktiven Struktur 106 die
Kondensatorstruktur 104 oder einen Kondensator 104-1 der Kondensatorstruktur 104 ausbilden. Beispielsweise kann der Kunststoff der metallbeschichteten Kunststofffolie und die Verkapselungsstruktur 226 bzw. ein Teil der
Verkapselungsstruktur 226 , beispielsweise die
Barrieredünnschicht 208 und/oder der Träger 102 das
Dielektrikum eines Kondensators der Kondensatorstruktur 104 ausbilden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Kunststoff einer metallbeschichteten Kunststofffolie oder
kunststoffbeschichteten Metallfolie eines der folgenden
Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: ein
Polyethylenterephthalat bzw. Polyester, ein
Polyethylennaphthalat , ein Polyphenylensulfid, ein
Polypropylen, ein Polytetrafluorethylen, ein Polystyrol , ein Polyimid, ein Polyamid und/oder ein Polycarbonat . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Kondensatorstruktur 104 einen Kondensator oder mehrere
Kondensatoren aufweisen. Zwei oder mehrere Kondensatoren können in der Kondensatorstruktur elektrisch in Reihe oder parallel zueinander ausgebildet sein .
Ein Kondensator der Kondensatorstruktur kann wenigstens eines der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein : ein Polyethylenterephthalat bzw. Polyester, ein
Polyethylennaphthalat , ein Polyphenylensulfid, ein
Polypropylen, ein Polytetrafluorethylen, ein Polystyrol, ein Polyimid, ein Polyamid, ein Polycarbonat, ein Polyacrylat , ein Polyalkohol, beispielsweise ein Polyvinylalkohol und/oder ein Polysiloxan; ein Metalloxid, beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Indiumzinkoxid, Indiumz innoxid, Siliziumoxid; ein etalloxinitrid, beispielsweise der genannten Materialien; ein sogenanntes „high-k-Di elektrikum" , beispielsweise
Siliziumnitrid, Aluminiumoxid , Yttriumoxid, Zirkonoxid,
Hafniumoxid, Lanthanoxid, Tantaloxid, Praseodymoxid und/oder Titanoxid ; ein Glas , beispielsweise ein
Kalknatronsilikatglas ; ein Metall oder eine Metall legierung, beispielsweise Kupfer, Aluminium, Stahl ; - beispielsweise j eweils zusätzlich in der Funktion als Klebstoff ,
Planarisierungsschicht , Folie , Träger, Abdeckung und/oder Barriereschicht .
Weiterhin kann das Dielektrikum in verschiedenen
Ausführungsbeispielen ein Material der oben genannten
Materialien der organischen funktionellen Schichtenstruktur aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise eine der oben genannten Matrix-Materialien einer dotierten Schicht . Dies weist den Vorteil auf , dass die Materialien und die Handhabung der Materialien bereits aus dem Herstellen des optoelektronischen Bauelementes bekannt sind
Die Kapazität der Kondensatorstruktur kann eingestellt werden mittels der Materialauswahl des Dielektrikums (eine höhere Dielektrizitätskonstante führt zu einer höheren Kapazität) , der Fläche des Dielektrikums zwischen den Elektroden eines Kondensators (eine höhere Fläche führt zu einer höheren
Kapazität) , der Dicke des Dielektrikums (eine geringere Dicke führt zu einer höheren Kapazität) und/oder der Anzahl
elektrisch parallel oder in Reihe geschalteter Kondensatoren . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das Dielektrikum eines Kondensators der Kondensatorstruktur bzw. die
Kondensatorstruktur derart ausgebildet sein, dass der
Kondensator bzw. die Kondensatorstruktur eine Kapazität auf eist in einem Bereich von ungef hr 1 nF bis ungefähr 100 mF, beispielsweise in einem Bereich von ungef hr 100 nF bis 10 mF, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr
110 nF bis 7 mF, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 120 nF bis 50 F , beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 120 nF bis 50 μΡ, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 μ¥ bis 50 μ,Έ ; beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1 nF bis 1 μ¥ ; beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1 ^F bis 100 μ , beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 100 μΡ bis 1 mF, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1 mF bis 10 mF.
Das Dielektrikum kann in verschieden Ausführungsbeispielen
2 beispielsweise eine Fläche in einem Bereich von einigen mm
2
bis zu einige 10000 cm auf eisen, beispielsweise in einem
2 2
Bereich von ungef hr 700 cm bis ungef hr 10000 cm ,
2
beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 750 cm bis
2
ungefähr 9000 cm , beispielsweise in einem Bereich von
2 2
ungefähr 1100 cm bis ungefähr 9000 cm . Die Fläche kann die Form der Fläche oder eines Teils der Fläche der optisch aktiven Struktur 106 aufweisen, beispielsweise ein runde , quadratische eckige, vieleckig Form auf eisen. Weiterhin kann ein Kondensator zwei oder mehr räumlich voneinander isolierte Dielektrika aufweisen.
Das Dielektrikum kann in verschieden Ausführungsbeispielen beispielsweise eine Dicke in einem Bereich von einigen nm bis zu einige μτχι aufweisen, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 20 μπι, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungef hr 10 μπι, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis ungefähr 5 μΐΐΐ;
beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 2 μπΐ; beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis ungefähr 50 nm; beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 0 , 1 μν bis ungefähr 7 μτα,
beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1 μνα bis ungefähr 5 μττι, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 2 bis ungefähr 4 μπι.
Die weiteren der in den Fig . A-K veranschaulichten Schichten und Bezugszeichen siehe Beschreibung oben . In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die Merkmale der beschriebenen Ausgestaltungen miteinander kombiniert sein, soweit dies sinnvoll ist bezüglich der
Parallelschaltung der Kondensatorstruktur 104 zu der optisch aktiven Struktur 106.
In verschiedenen Ausführungsformen werden ein
optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zum
Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
bereitgestellt , mit denen es möglich ist , mittels einer
Ver1ängerung der Lebenszeit und/oder einer kostengünstigeren
Treiberstruktur effizientere optoelektronische Bauelemente auszubilden.

Claims

Patentansprüche
1. Optoelektronisches Bauelement (100) , aufweisend
einen Schichtenstapel mit:
• einer optisch aktiven Struktur (106) mit
• einer ersten Elektrode (110) ;
• einer organischen funktionellen Schichtenstruktur (112) ; und
• einer zweiten Elektrode (114 ) ;
• wobei die organische funktionelle
Schichtenstruktur (112 ) einen flächigen optisch aktiven Bereich aufweist , der zu einem Umwandeln eines elektrischen Stromes in eine
elektromagnetische Strahlung und/oder zu einem Umwandeln einer elektromagnetischen Strahlung in einen elektrischen Strom ausgebildet ist, und
• wobei die organische funktionelle
Schichtenstruktur (112 ) elektrisch zwischen der ersten Elektrode (110) und der zweiten Elektrode ( 114 ) in dem Schichtenstapel ausgebildet ist; und
• einer Kondensatorstruktur (104) , mit wenigstens einem Kondensator mit :
• einer dritten Elektrode,
• einem Dielektrikum, und
• einer vierten Elektrode ,
• wobei die dritte Elektrode mit der ersten Elektrode (110) oder der zweiten Elektrode (114) , und die vierte Elektrode mit der ersten Elektrode (110) oder der zweiten Elektrode (114) elektrisch
verbunden sind derart, dass die Kondensatorstruktur (104) elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur (106) ausgebildet ist . Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß Anspruch 1, wobei das optoelektronische Bauelement (100) als ein organisches optoelektronisches Bauelement (100)
ausgebildet ist , vorzugsweise als ein organischer
Fotodetektor, eine organische Solarzelle und/oder eine organische Leuchtdiode .
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 oder 2,
wobei das optoelektronische Bauelement (100) derart ausgebildet ist , dass die Kondensatorstruktur (104) wenigstens transluzent bezüglich der elektromagnetischen Strahlung der optisch aktiven Struktur (106) ist .
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3,
wobei der Kondensator im Strahlengang der
elektromagnetischen Strahlung der optisch aktiven
Struktur (106) ausgebildet ist .
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4,
wobei die optisch aktive Struktur (106) und die
Kondensatorstruktur (10 ) monolithisch integriert ausgebildet sind .
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5,
wobei die optisch aktive Struktur (106) und die
Kondensatorstruktur (104 ) eine gemeinsame Elektrode aufweisen, vorzugsweise ist die gemeinsame Elektrode als eine gemeinsame elektrisch leitende Schicht ausgebildet .
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6 ,
ferner aufweisend eine Verkapselungsstruktur (226) auf oder über dem Schichtenstapel derart, dass der Schichtenstapel bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff hertn.eti.sch abgedichtet ist .
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der
Ansprüche 1 bis 7,
ferner aufweisend eine Verkapselungsstruktur (226) auf oder über dem Schichtenstapel , wobei die dritte
Elektrode , das Dielektrikum und/oder die vierte
Elektrode als Teil der Verkapselungsstruktur (226 ) ausgebildet sind/ist, vorzugsweise als Abdeckung (22 ) oder Barriereschicht (208) .
Optoelektronisches Bauelement {100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8,
wobei das Dielektrikum als eine Barriereschicht für die optisch aktive Struktur (106) bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff ausgebildet ist oder eine solche aufweist .
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9 ,
wobei das Dielektrikum einen, geöffneten Bereich
aufweist , wobei die zweite Elektrode (114) im geöffneten Bereich mit der vierten Elektrode elektrisch verbunden ist .
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10 ,
ferner aufweisend einen Träger (102) , wobei die optisch aktive Struktur (106 ) auf oder über dem Träger (102) ausgebildet ist und wobei die dritte Elektrode oder die vierte Elektrode als Träger (102) ausgebildet ist .
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11,
wobei die Kondensatorstruktur (104) zwei oder mehr Kondensatoren (104-n) aufweist . Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß Anspruch 12, wobei die Kondensatorstruktur (104) einen zweiten
Kondensator (104-2) aufweist, wobei der zweite
Kondensator (104-2) elektrisch in Reihe oder parallel zu dem ersten Kondensator (104-1) ausgebildet ist.
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem' der Ansprüche 1 bis 13 ,
wobei die dritte Elektrode, das Dielektrikum und/oder die vierte Elektrode wenigstens transluzent ausgebildet sind.
Verfahren (300) zum Herstellen eines optoelektronischen
Bauelementes (100) , das Verfahren (300) aufweisend:
Ausbilden eines Schichtenstapel mit :
• einer optisch aktiven Struktur (106) mit
• einer ersten Elektrode (110) ;
• einer organischen funktionellen Schichtenstruktur (112) ; und
• einer zweiten Elektrode (114) ;
• wobei die organische funktionelle
Schichtenstruktur (112) einen flächigen optisch aktiven Bereich aufweis , der zu einem Umwandeln eines elektrischen Stromes in eine
e1ektromagnetische Strahlung und/oder zu einem Umwandeln einer elektromagnetischen Strahlung in einen elektrischen Strom ausgebildet wird, und
• wobei die organische funktionelle
Schichtenstruktur (112) elektrisch zwischen der ersten Elektrode (110) und der zweiten Elektrode (114 ) in dem Schichtenstapel ausgebildet wird; und
• einer Kondensatorstruktur (104) , mit wenigstens einem Kondensator mit :
• einer dritten Elektrode,
• einem Dielektrikum, und
• einer vierten Elektrode, wobei die dritte Elektrode mit der ersten Elektrode
(110) oder der zweiten Elektrode (114) , und die vierte Elektrode mit der ersten Elektrode (110} oder der zweiten Elektrode (114) elektrisch
verbunden ausgebildet wird derart , dass die
Kondensatorstruktur (104) elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur (106) ausgebildet wird.
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