WO2015110431A1 - Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelementes - Google Patents

Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelementes Download PDF

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WO2015110431A1
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layer
film encapsulation
conductive layer
optoelectronic component
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • OLEDs Light Emitting Large Area Organic Light Emitting Diodes
  • a surface light source for example as a surface light source.
  • An OLED can have an anode and a cathode with one
  • the organic functional layer system may include one or more emitter layers in which electromagnetic radiation is generated, one or more charge carrier pair generation layer structures each of two or more carrier pair generation layers
  • Charge carrier pair generation and one or more
  • Electron block layers also referred to as
  • Hole transport layer and one or more hole block layers, also referred to as electron transport layer (s) (ETL), for directing the flow of current.
  • s electron transport layer
  • Siiber nanowires (Aganowires) or carbon nanotubes (C nanotubes) are used as the material for the anode or cathode, for example.
  • the anode or cathode is formed therefrom by embedding the nanowires or nanotubes in a binder. This mixture can be applied to a substrate.
  • the binder can be cured and in the cured state, the nanowires or
  • Nanotubes with each other physically and / or electrically connect and fix on the substrate.
  • Binders have the disadvantage that they "soak up" relatively quickly with water and then transport it directly into the OLED, so that the nanowires are not routed to the edge of the OLED in order to reduce their contact with water contacted from the edge to the inside, to the nanowires, metal structure, to protect against harmful environmental influences
  • Encapsulation layer or a barrier film. Also known are conductive Dünnfilmverkapselungen.
  • Optoelectronic component comprising: a first
  • electrically conductive layer having an electrically conductive substance in a matrix; a second electrically conductive layer; and an electrically conductive thin film connection between the first electrically conductive layer and the second electrically conductive layer;
  • Diffusion of water and / or oxygen from the first electrically conductive layer formed by the electrically conductive thin-film encapsulation in the second electrically conductive layer is formed.
  • Component is in various embodiments, electrically conductive, when in operation of the
  • Operating conditions can conduct an electric current.
  • the electrically conductive layer or structure may comprise, for example, an electrically conductive substance or be formed therefrom, for example a
  • Metal or a metal alloy for example Al, Cu,
  • the electrically conductive layer or structure may comprise or be formed from a dielectric substance and / or a semiconducting substance.
  • Structure for example, with a thickness in the direction of current and / or a dielectric length of the current path
  • an electric current can be transported through or over the dielectric layer or structure, for example by means of a tunnel current and / or electrically conductive channels in the dielectric layer or structure.
  • a tunnel current and / or electrically conductive channels in the dielectric layer or structure.
  • Structure of a semiconductive substance or mixture of substances may be the electrically conductive layer or structure with respect to the electrically conductive layer or Structure directly electrically connected layer (s) or
  • Lowest or highest molecular orbital (LUMO), highest occupied molecule orbital (HOMO), ionization energy and / or electron affinity are considered in forming the semiconducting electrically conductive layer or structure with respect to the electrically conductive layer or structure Structure directly electrically connected layer (s) or structure (s) so that a current flow in the
  • Operation of the optoelectronic component can be carried out by the semiconducting electrically conductive layer or structure in operation.
  • the optoelectronic component can be designed as a surface component.
  • the optoelectronic component may be formed as an organic optoelectronic component, for example as an organic photodetector, an organic solar cell and / or an organic light emitting diode.
  • the first electrically conductive layer, the electrically conductive thin film encapsulation and the second electrically conductive layer may be formed as a layer stack.
  • the first electrically conductive layer, the electrically conductive thin-film encapsulation and the second electrically conductive layer may have a Have substantially the same areal dimension
  • the first electrically conductive layer may have a thickness in a range of about 10 nm to about 2 on iron.
  • the electrically conductive substance may be distributed in the matrix in the first electrically conductive layer.
  • the electrically conductive substance may be homogeneously distributed in the matrix.
  • the electrically conductive substance may be distributed in the matrix in such a way that the first electrically conductive layer has a gradient of electrically conductive substance, for example, of one
  • the electrically conductive substance may be formed in at least a first layer and a second layer, wherein the matrix is arranged between the first layer and the second layer and the matrix connects the first layer to the second layer.
  • the electrically conductive substance can form a two-dimensional network on the surface.
  • the matrix may include or be formed from a binder with respect to the electrically conductive substance.
  • the matrix may be formed cohesively reinforcing with respect to the cohesion of the electrically conductive substance.
  • the matrix of the first electrically conductive layer may be hygroscopic.
  • the electrically conductive substance may be formed in particles in one of the following forms: nanowires, nanotubes, flakes or platelets.
  • the particles of electrically conductive material may have a mean diameter in a range from about 5 nm to about 1 ⁇ , for example from about 10 nm to about 150 nm, for example from about 15 nm to about 60 nm, and / or Length in a range from the diameter of the corresponding nanowire to about 1 mm » for example from about 1 ⁇ to about 100 ⁇ , for example from about 20 ⁇ to about 50 ⁇ .
  • the thickness of the layer formed by the nanowires may be, for example, approximately 100 nm to approximately 1 mm, for example approximately 1 ⁇ to approximately 100 ⁇ , for example approximately 20 ⁇ to approximately 50 ⁇ , during the production of the optoelectronic component.
  • the thickness of the layer formed by the nanowires can thus be approximately 10 nm to approximately 2 ⁇ m, for example approximately 20 nm to approximately 300 nm, in the finished optoelectronic component.
  • the electrically conductive substance may be formed in the form of a graphene surface.
  • the electrically conductive substance may comprise or be formed from one of the following substances: carbon, silver, copper, gold, aluminum, zinc, tin.
  • the electrically conductive substance for example in the form of nanowires, may for example comprise or be formed from a metallic material, for example a metal or a semimetal, for example silver, gold, aluminum and / or zinc.
  • the nanowires may comprise an alloy comprising one or more of said materials.
  • the nanotubes can be, for example, carbon on iron or formed therefrom, for example as single wall nanotubes (SWC T), multiwall nanotubes MWCNT, and / or functionalized nanotubes, for example with chemically functional groups the outer skin of the nanotubes.
  • SWC T single wall nanotubes
  • MWCNT multiwall nanotubes
  • functionalized nanotubes for example with chemically functional groups the outer skin of the nanotubes.
  • the nanowires may be at least partially connected to each other atomically.
  • the nanowires can form a two-dimensional network because of their atomic connections.
  • the electrically conductive layer in one embodiment, the electrically conductive
  • formed thin-film encapsulation comprise or be formed from one of the following materials: a metal oxide, a metal nitride, and / or a metal oxynitride, for example a substance of a barrier layer of the optoelectronic component, for example, be formed as a barrier layer of the optoelectronic component.
  • the electrically conductive layer in one embodiment, the electrically conductive
  • the electrically conductive layer thickness in one Range from about 0.1 nra to about 100 nm, for example in a range of about 30 nm to about 50 nra.
  • the electrically conductive layer thickness in one Range from about 0.1 nra to about 100 nm, for example in a range of about 30 nm to about 50 nra.
  • the electrically conductive layer thickness in one Range from about 0.1 nra to about 100 nm, for example in a range of about 30 nm to about 50 nra.
  • formed thin-film encapsulation comprise or be formed from a dopant in a matrix.
  • the matrix of the electrically conductive thin film encapsulation can be transparent
  • the dopant of the electrically conductive thin-film encapsulation may be a metal
  • the electrically conductive member have or be, for example, silver, copper, gold, aluminum, zinc, tin.
  • the electrically conductive material have or be, for example, silver, copper, gold, aluminum, zinc, tin.
  • the electrically conductive member have or be, for example, silver, copper, gold, aluminum, zinc, tin.
  • the electrically conductive layer in one embodiment, the electrically conductive
  • formed thin-film encapsulation include or be formed from an alloy.
  • the electrically conductive layer in one embodiment, the electrically conductive
  • the electrically conductive layer in one embodiment, the electrically conductive
  • conductive material for example a metal or a semiconductor.
  • the electrically conductive layer in one embodiment, the electrically conductive
  • a dielectric material have or be formed therefrom, for example, such that the electrical connection is formed by the electrically conductive thin-film encapsulation by means of a tunnel current.
  • the electrically conductive layer in one embodiment, the electrically conductive
  • formed thin-film encapsulation be formed flat and have a thickness, wherein the electrical conductivity of the electrically conductive thin-film encapsulation may be greater along the thickness than along the surface.
  • the rate of diffusion of water and / or oxygen through the electrically conductive thin-film encapsulation may be less than approximately
  • the first electrically conductive layer may have a higher resistance to water and / or oxygen than the second
  • electrically conductive layer formed, for example, a lower solubility product and / or a low
  • the optoelectronic component may comprise a first electrode, a second electrode and a second electrode
  • organic functional layer structure between the first electrode and the second electrode, wherein the organic functional layer structure for converting an electric current into an electromagnetic
  • electromagnetic radiation is formed in an electric current; the first being electrically conductive
  • formed layer is formed as a first electrode and / or second electrode, for example, respectively; and wherein the second electrically conductive layer is the organic functional layer structure, or a layer or structure in the organic functional
  • the optoelectronic component may further comprise at least one further electrode such that the first electrode and / or the second electrode is / are formed as an intermediate electrode / n.
  • the electrically conductive layer in one embodiment, the electrically conductive
  • formed thin-film encapsulation with the first electrode and the second electrode are electrically conductively connected and structured such that the region of the electrically conductive thin-film encapsulation, which is electrically conductively connected to the first electrode, is electrically insulated from the region of electrically conductive
  • Electrode is electrically connected.
  • the optoelectronic component may further comprise an encapsulation structure, wherein the
  • Encapsulation structure has the electrically conductive thin-film encapsulation, and wherein the
  • Encapsulation structure is formed such that the second electrically conductive layer formed hermetically
  • the optoelectronic component may further comprise at least one charge carrier injection layer between the electrically conductive
  • Thin-film encapsulation and the first electrically conductive layer and / or between the electrically conductive thin-film encapsulation and the second electrically conductive layer have.
  • a method for producing an optoelectronic component provided having the method; Forming a first electrically conductive layer with an electrically conductive material in a matrix such that the first electrically conductive layer in the operation of the optoelectronic component at least a portion of the electrical
  • Operating current directs; Forming a second electrically conductive layer in such a way that, during operation of the optoelectronic component, the second electrically conductive layer conducts at least part of the electrical operating current; and forming an electrically conductive thin film encapsulation between the first electrically conductive layer and the second electrically conductive layer, wherein the electrically conductive thin film encapsulation is formed such that the second electrically conductive layer is electrically conductively connected to the first electrically conductive layer by the electrically conductive thin film encapsulation during operation of the optoelectronic component, and wherein the electrically conductive thin film encapsulation is hermetically sealed with respect to a diffusion of water and / or oxygen from the first electrically conductive layer through the electrically conductive thin film encapsulation into the second electrically conductive layer.
  • conductive layer or structure which is formed such that it conducts at least a portion of the electrical operating current during operation of the optoelectronic component, as an electrically conductive layer or
  • the electrically conductive thin-film encapsulation can be formed over the entire area on or above the first electrically conductive layer or the second electrically conductive layer.
  • the electrically conductive thin-film encapsulation can be structured after the formation, for example by means of a laser.
  • the method may further comprise forming a first electrode and forming a second electrode, wherein the first electrode and / or the second electrode with the electrically conductive thin-film encapsulation are electrically conductive
  • the electrically conductive thin-film encapsulation may be structured in such a way that the region of the electrically conductive thin-film encapsulation, which is electrically conductively connected to the first electrode, is electrically insulated from the latter
  • Figure 1 is a schematic representation of a
  • Figure 2 is a schematic representation of a method for producing an optoelectronic Component according to various
  • Figure 3 is a schematic representation
  • FIGS. 4A, B are schematic illustrations of optoelectronic
  • the optically active region can emit electromagnetic radiation by means of an applied voltage to the optically active region.
  • the optoelectronic component may be designed such that the electromagnetic radiation has a wavelength range of X-radiation, UV radiation (A-C),
  • optically active region for example a
  • Electromagnetic radiation emitting structure may, in various embodiments, an electromagnetic
  • the electromagnetic radiation emitting device may, for example, as a light-emitting diode (light emitting diode, LED), as an organic light-emitting diode (organic light emitting diode, OLED), as a light-emitting diode (LED), as a light-emitting diode (LED), as a light-emitting diode (LED), as a light-emitting diode (LED), as a light-emitting diode, LED, as an organic light-emitting diode (organic light emitting diode, OLED), as a light-emitting
  • Transistor for example an organic one
  • Organic field effect transistor and / or organic electronics may be formed.
  • the organic field-effect transistor may be a so-called "all-OFET" in which all layers are organic
  • the component emitting electromagnetic radiation may, in various embodiments, be part of an integrated circuit be provided, for example, housed in a common housing.
  • An optoelectronic component may have an organic functional layer system, which is synonymous as organic functional
  • the functional layer structure may include or may be formed from an organic substance or an organic substance mixture that is, for example, configured to emit electromagnetic radiation from a provided electrical current.
  • An organic light emitting diode may be formed as a so-called top emitter and / or a so-called bottom emitter. In a bottom emitter becomes electromagnetic
  • top emitter electromagnetic radiation is emitted from the top of the electrically active region and not by the carrier.
  • a top emitter and / or bottora emitter may also be optically transparent or optically translucent, for example, any of those described below
  • Layers or structures are transparent or translucent or are formed with respect to the absorbed or emitted electromagnetic radiation.
  • a planar optoelectronic component which has two flat, optically active sides, can be used in the
  • Connection direction of the optically active pages for example, be transparent or translucent, for example, as a transparent or translucent organic
  • a planar optoelectronic component may also be referred to as a planar optoelectronic component.
  • optically active region can also be so
  • optically active side may be formed such that it has a planar, optically active side and a flat, optically inactive side,
  • an organic light emitting diode configured as a top emitter or bottom emitter.
  • the optically inactive side may be transparent or translucent in various embodiments, or with a
  • Mirror structure and / or an opaque substance or mixture may be provided, for example, for heat distribution.
  • Beam path of the optoelectronic component can be any shape.
  • Component can each be designed over a large area. This allows the optoelectronic component a
  • functional subregions is structured, for example, a segmented into functional areas luminous area or a luminous area, which is formed by a plurality of pixels (pixels). This can be a large area
  • “Large area” may mean that the optically active side of a surface, such as a contiguous area, for example, greater than or equal to some
  • Quadratmil1 imetern for example, greater than or equal to one square centimeter, for example, greater than or equal to one square decimeter.
  • a hermetically dense water and / or oxygen-dense layer or structure can be understood as a substantially hermetically sealed layer.
  • a hermetically sealed layer or structure may, for example, a diffusion rate with respect to water and / or Oxygen of less than about 10 g / (md), for example, have a diffusion rate with respect to water and / or oxygen of less than about 10 g / (md),
  • a hermetically sealed substance with respect to water and / or oxygen
  • Hermetically sealed Stoffgentisch have a ceramic, a metal, a metal oxide, metal nitride and / or metal oxynitride or be formed therefrom.
  • translucent or "trans lucent layer” can be understood in various embodiments that a layer is permeable to light
  • the light generated by the light emitting device for example one or more
  • Wavelength ranges for example, for light in one
  • Wavelength range of the visible light for example, at least in a partial region of the wavelength range of 380 nm to 780 nm.
  • the term "translucent layer” in various embodiments is to be understood to mean that substantially all of them are in one
  • Quantity of light is also coupled out of the structure ⁇ for example, layer), wherein a part of the light can be scattered here.
  • transparent or “transparent layer” can be understood in various embodiments that a layer is transparent to light
  • Wavelength range from 380 nm to 780 nm in which a structure (for example, a layer) coupled light without scattering or light conversion is also coupled out of the structure (for example, layer).
  • atomic layer deposition discloses processes in which the starting materials (precursors) required for producing a layer are not
  • Coating chamber also referred to as a reactor, are supplied with the substrate to be coated therein.
  • Starting materials may alternately deposit on the surface of the substrate to be coated or on the previously deposited starting material and thus enter into a chemical compound. This makes it possible, per cycle repetition, ie the feeding of the necessary starting products in successive steps, each grow a maximum of one monolayer of the applied layer. By means of the number of cycles a good control of the layer thickness is possible.
  • the feed material fed in first settles only on the surface to be coated, and only then the second feed
  • Starting material can undergo chemical reactions with the first starting material.
  • the chemical reactions of the starting products are limited by the number of reactants on the surface, i. self-limited.
  • a similar self-limiting surface reaction can be used for forming organic films, for example polymer films, for example polyamide.
  • This formation of organic films can be referred to as molecular layer deposition (MLD) because each cycle applies a portion of a molecule to the surface.
  • MLD precursors can homobifunctional reactants on iron, in other words the starting materials can each have two identical functional groups.
  • a self-terminating MLD reaction of each layer may be formed with heterobifunctional reactants, i.
  • Each starting product may have two different functional
  • One of the functional groups can react with the chemical group of the surface and the other one does not.
  • the heterobifunctional reactants can thereby be formed only monofunctional and thus a double reaction prevent each other, for example, to a
  • Aspect ratio can be covered evenly.
  • hermetically sealed substrate 128 or carrier 102 see FIG. 3
  • an electrically conductive thin-film encapsulation 106 and a second electrically conductive layer 108 have - for example, illustrated in Fig .1.
  • the carrier 102, the hermetic substrate 128, and / or the encapsulation structure may be optional.
  • the optoelectronic component 100 may be formed, for example, as a surface component.
  • Optoelectronic component 100 which is embodied, for example, as an organic optoelectronic component 100, can, for example, be used as an organic photodetector, an organic solar cell, and / or an organic photodetector
  • the first electrically conductive layer 104 has an electrically conductive substance in a matrix.
  • the first electrically conductive layer 104 may have a thickness in a range of approximately 10 nm to approximately 2 ⁇ m, for example approximately 20 nm to approximately 300 nm, for example approximately 30 nm to approximately 180 nm.
  • the matrix may include or be formed from a binder with respect to the electrically conductive substance. In other words, the matrix can be cohesive-enhancing
  • the matrix of the first electrically conductive layer 104 may be hygroscopic, that is to say water-binding.
  • the electrically conductive substance may be distributed in the matrix, for example homogeneously.
  • the electrically conductive substance may be distributed in the matrix such that the first electrically conductive layer 104 has a
  • the electrically conductive substance may be formed in at least a first layer and a second layer, wherein the matrix is disposed between the first layer and the second layer and the matrix connects the first layer to the second layer.
  • the electrically conductive portion may form a two-dimensional network.
  • the electrically conductive substance may be formed in particles in one of the following forms: nanowires,
  • Nanotubes are flakes or platelets.
  • the particles of the electrically conductive substance can be a ⁇ average diameter in a range from about 5 nm to about 1 ⁇ comprise, for example, from about 10 nm to unge arranty 150 nm, for example from about 15 nm to about 60 nm, and / or a length in a range from the diameter of the corresponding nanowire to approximately 1 mm, for example from approximately 1 ⁇ to approximately 100 ⁇ , for example from approximately 20 ⁇ to approximately 50 ⁇ .
  • the electrically conductive substance may be formed in the form of a graphene surface.
  • the electrically conductive substance may have or be formed from one of the following substances: carbon, silver, copper, gold, aluminum, zinc, inn.
  • the electrically conductive substance for example in the form of nanowires, may for example comprise or be formed from a metallic material, for example a metal or a semimetal, for example silver, gold, aluminum and / or zinc.
  • the nanowires may have a
  • Nanowires may be at least partially connected to each other atomically.
  • the nanowires may become a two-dimensional network because of their atomic connections
  • the electrically conductive substance in the form of nanotubes can for example comprise or be formed from carbon, for example as single wall nanotubes (SWCNT), multiwall nanotubes (MWCNT), and / or radio-localized
  • Nanotubes for example with chemically functional groups on the outer skin of the nanotubes.
  • the electrically conductive thin-film encapsulation 106 is arranged between the first electrically conductive layer 104 and the second electrically conductive layer 108.
  • the electrically conductive thin-film encapsulation 106 is designed such that the second electrically conductive layer 108 is electrically conductively connected to the first electrically conductive layer 104 by means of the electrically conductive thin-film encapsulation 106. Furthermore, the
  • the electrically conductive thin film encapsulation 106 formed such that the electrically conductive thin film encapsulation 106 hermetically sealed with respect to a diffusion of water and / or oxygen from the first electrically conductive layer 104 formed by the electrically conductive thin film encapsulation 106 in the second electrically conductive layer 108 is.
  • the first electrically conductive layer 104, the electrically conductive thin film encapsulation 106 and the second electrically conductive layer 108 may be formed, for example, as a layer stack.
  • the first electrically conductive layer 104, the electrically conductive thin-film encapsulation 106 and the second electrically conductive layer 108 can have a substantially identical areal dimension, for example a same areal dimension in the optically active area of the optoelectronic component 100.
  • the electrically conductive thin-film encapsulation 106 may have a first interface with the first electrically conductive layer 104 and a second interface with the second electrically conductive layer 108.
  • the electrical connection of the first electrically conductive thin-film encapsulation 106 may have a first interface with the first electrically conductive layer 104 and a second interface with the second electrically conductive layer 108.
  • Layer 104 having the second electrically conductive layer 108 may be formed by the first interface and the second interface and / or by the first interface and the second interface.
  • the electrically conductive thin film encapsulation 106 may comprise or be formed from one of the following: a metal oxide, a metal nitride, and / or a metal oxynitride, for example, a barrier layer material
  • the electrically conductive thin-film encapsulation 106 may have a layer thickness in the range of approximately 0.1 nm to approximately 100 nm, for example in one
  • the electrically conductive thin-film encapsulation 106 may comprise a
  • the matrix may include or be formed from a conductive oxide, for example, zinc oxide, tin oxide, nickel oxide, and / or a copper delafossi; and additionally, for example, be transparent to visible light.
  • the dopant may comprise or be a metal,
  • the electrically conductive material for example, silver, copper, gold, aluminum, zinc, tin.
  • the electrically conductive material for example, silver, copper, gold, aluminum, zinc, tin.
  • the electrically conductive material for example, silver, copper, gold, aluminum, zinc, tin.
  • the electrically conductive wires 106 with aluminum doped zinc oxide or be formed from it in addition or in other words, the electrically conductive
  • the electrically conductive thin-film encapsulation may comprise an atomic proportion of dopant at the atomic sites of the matrix of the electrically conductive thin-film encapsulation 106 in one
  • the electrically conductive thin-film encapsulation may have a
  • Weight fraction of phosphorus on the electrically conductive thin-film encapsulation 106 in a range from about 0.1 to about 20%, for example in a range from about 0.5% to about 10%,
  • the electrically conductive thin film encapsulation 106 may comprise or be formed from a metal, a semiconductive material, and / or a dielectric material. In an electrically conductive
  • Thin film encapsulation 106 with a dielectric material may be electrically conductive
  • Thin-film encapsulation 106 may be formed such that the electrical connection through the electrically conductive
  • the electrically conductive thin film encapsulation 106 may have a planar design and a thickness, wherein the electrical conductivity of the electrically conductive
  • formed thin film encapsulation 106 along the thickness may be greater than along the surface.
  • the electrically conductive thin-film encapsulation 106 should be hermetically sealed with respect to water and / or oxygen, for example a diffusion rate
  • the second electrically conductive layer 108 may generally be a layer or structure formed of a substance or composition having a higher chemical reactivity with respect to a substance than the first electrically conductive layer 104 and the electrically conductive one Thin film encapsulation 106 is impermeable, ie hermetically sealed.
  • the first electrically conductive layer 104 may have higher resistance to water and / or oxygen on iron than the second electrically conductive layer 108, for example
  • the second electrically conductive layer 106 should be protected from water and / or Oxygen are protected, for example, from the direction of the first electrically conductive layer 104,
  • the optoelectronic component 100 may further comprise at least one charge carrier injection layer between the electrically conductive
  • a method 200 for producing an optoelectronic device 100 is provided - illustrated in FIG. 2.
  • optoelectronic component 100 may be formed as a surface component.
  • An optoelectronic component 100 which is used, for example, as an organic optoelectronic
  • Device 100 is formed, for example, as an organic photodetector, an organic solar cell and / or an organic light emitting diode can be formed.
  • the method may include forming 202 a first electrically conductive layer 104 with an electrically conductive substance i of a matrix.
  • the first electrically conductive layer 104 may, during the manufacture of the optoelectronic component 100, have a thickness in the range from approximately 100 nm to approximately 1 mm on iron, for example in a range from approximately 1 ⁇ to approximately 100 ⁇ , for example in one Range from about 20 ⁇ to about 50 be.
  • the thickness of the first electrically conductive layer 104 can change in the course of the method 200 for producing the optoelectronic component 100, for example by reducing, for example, in which volatile constituents, for example organic solvents, are removed from the matrix, for example a binder.
  • the first electrically conductive layer 104 may in
  • a thickness in a range of about 10 nm to about 2 ⁇ m for example about 20 nm to about 300 nm, for example about 30 nm to about 180 nm.
  • Substance mixture are applied with electrically conductive material on or over a substrate, for example in the form of a paste, for example by means of a screen printing or a pad printing process, or deposited,
  • the paste can be sprayed, for example. Subsequently, the paste can be dried, for example by means of a
  • the paste can be cured, for example by means of crosslinking of the electrically conductive substance.
  • the matrix may include or be formed from a binder with respect to the electrically conductive substance.
  • the electrically conductive substance in the binder before the formation of the first electrically conductive layer 104 are distributed, for example, be mixed with.
  • the binder may be a conventional binder for the respective electrically conductive material, for example polymer-based, and volatiles on iron, for example organic solvents.
  • the matrix can be cohesive-enhancing
  • the matrix of the first electrically conductive layer 104 may be hygroscopic, that is, water-binding.
  • the matrix of the paste for forming 202 of the first may be electrically conductive
  • an organic solvent for example, an organic solvent, and other additives on iron.
  • the other additives can be any organic solvent, and other additives on iron.
  • the other additives can be any organic solvent, and other additives on iron.
  • the other additives can be any organic solvent, and other additives on iron.
  • the other additives can be any organic solvent, and other additives on iron.
  • the other additives can be any organic solvent, and other additives on iron.
  • a hardener for example: a hardener, a catalyst, a
  • Corrosion inhibitor an anti-wear additive and / or a stabilizer.
  • a solvent may be, for example, one of the following substances: water, a lower alcohols, for example, ethanol, 2-propanol, n-propanol, methanol; and a polyhydric alcohol, for example, ethylene glycol, glycerol, polymers having hydroxy group, for example
  • a binder may, for example, be one of the following
  • a cellulose-based system for example a cellulose ether, for example methyl cellulose, ethyl cellulose, carboxymethyl cellulose; a cellulose ester, for example cellulose acetate,
  • Cellulose derivatives for example nitrocellulose
  • Acrylate a polyamide, a polyvinyl chloride, a polyethylene, a polyester, a polyurethane and / or an epoxy resin.
  • the matrix may comprise an inorganic binder, for example on an oxidic or silicate basis, for example a silicic acid, a fumed silica; or on a glass-water base,
  • an inorganic binder for example on an oxidic or silicate basis, for example a silicic acid, a fumed silica; or on a glass-water base,
  • PEDOT poly(styrenesulfonate)
  • PSS polyaniline
  • a corrosion inhibitor may be used
  • the first electrically conductive layer may have a weight fraction of electrically conductive substance on the first electrically conductive layer in a range from about 0.1 wt% to about 100 Ge. %, for example in a range of about 1 wt. -% to about 80 wt. %, for example in a range of about 5 wt. % to about 70 wt. %, for example in a range of about 15% by weight to about 50% by weight. %, for example in a range from about 20% to about 40% by weight.
  • the first electrically conductive layer 104 may be such
  • the electrically conductive material can be formed so that the electrically conductive material is distributed in the matrix, for example, homogeneous.
  • the electrically conductive substance can be distributed in the matrix such that the first is electrically conductive
  • the electrically conductive substance i of at least a first layer and a second layer can be formed, wherein the matrix is arranged between the first layer and the second layer and the matrix connects the first layer to the second layer.
  • the electrically conductive substance may be a two-dimensional network
  • the electrically conductive substance may be formed in particles in one of the following forms: nanowires, nanotubes, flakes or platelets.
  • the particles of electrically conductive material may have a mean diameter in a range from about 5 nm to about 1 ⁇ , for example from about 10 nm to about 150 nm, for example from about 15 nm to about 60 nm, and / or a length in a range of the diameter of the corresponding nanowire to hr hr 1 mm, for example, from about 1 ⁇ to about 100 ⁇ , for example, from about 20 ⁇ to about 50 ⁇ on.
  • the electrically conductive substance may be in the form of a graphene surface.
  • the electrically conductive substance may comprise or be formed from one of the following substances: carbon, silver, copper, gold, aluminum, zinc, tin.
  • the electrically conductive substance for example in the form of nanowires, may for example comprise or be formed from a metallic material, for example a metal or a semimetal, for example silver, gold, aluminum and / or zinc.
  • the nanowires may have a
  • Nanowires may be at least partially connected to each other atomically.
  • the nanowires may become a two-dimensional network because of their atomic connections
  • the electrically conductive substance in the form of nanotubes can, for example, comprise or be formed from carbon, for example as single-walled nanotubes (SWCNTs), multi-walled nanotubes (multi-walled nanotubes) carbon nanotube MWC T ⁇ , and / or functionalized
  • Nanotubes for example with chemically functional groups on the outer skin of the nanotubes. Furthermore, the method may include forming 204 a second electrically conductive layer 108 on iron.
  • the method 200 may include forming a first electrode 310, forming a second electrode 31, and forming an organic functional layer structure 312 between the first
  • Electrode and the second electrode 310 have.
  • the organic functional layer structure 312 is converted into an electric current
  • the second electrically conductive layer 108 may be formed as the organic functional layer structure 312, or a layer or structure in the organic functional layer structure 312.
  • the second electrically conductive layer 108 see, for example, the description of the organic functional layer structure en un.
  • the treatment 200 may further comprise at least one further electrode formed such that the first electrode 310 and / or the second electrode 314 are formed as an intermediate electrode (s). Alternatively or additionally, the first electrode 310 or the second electrode 314 and a Intermediate electrode 318 form the first electrode and the second electrode.
  • the method may include forming 206 a
  • Thin-film encapsulation 106 between the first electrically conductive layer 104 and the second electrically conductive layer 108 is formed.
  • the electrically conductive thin-film encapsulation 106 may be on or above the first electrically conductive layer 104
  • formed layer 108 may be formed on or above the electrically conductive Dünnfilmverka se1ung 106.
  • the electrically conductive thin film encapsulation 106 may be formed on or over the second electrically conductive layer 108, and the first electrically conductive
  • the electrically conductive thin-film encapsulation 106 is formed between the first electrically conductive layer 104 and the second electrically conductive layer 108.
  • the electrically conductive thin-film encapsulation 106 may be formed such that the second electrically conductive layer 108 is electrically conductively connected to the first electrically conductive layer 104 by means of the electrically conductive thin-film encapsulation 106.
  • the first electrically conductive layer 104, the electrically conductive thin film encapsulation 106 and the second electrically conductive layer 108 such as
  • the electrically conductive thin-film encapsulation 106 has a first interface with the first electrically conductive layer 104 and a second interface with the second electrical conductor
  • Layer 104 with the second electrically conductive layer 108 may then be formed by the first interface and the second interface and / or by the first interface and the second interface.
  • first electrically conductive layer 104 may have a higher resistance to water and / or oxygen on iron than the second electrically conductive layer 108, for example a
  • the second electrically conductive layer 106 should be protected from water and / or
  • Oxygen are protected, for example, from the direction of the first electrically conductive layer 104,
  • the electrically conductive formed Dünnfilmverkapseiung 106 should be hermetically sealed with respect to water and / or oxygen, for example, a diffusion rate with respect to water and / or
  • the electrically conductive element for example, in one of about 10 4 g / (m 2 d) to about 10 10 g / (m 2 d).
  • the electrically conductive element for example, in one of about 10 4 g / (m 2 d) to about 10 10 g / (m 2 d).
  • Dünnfilmverkapseiung 106 hermetically sealed with respect to a diffusion of water and / or oxygen from the first electrically conductive layer 104 are formed by the electrically conductive Dünnfilmverkapseiung 106 in the second electrically conductive layer 108, for example, in which the electrically formed thin-film encapsulation 106 is formed from a hermetically sealed material.
  • the electrically conductive thin-film encapsulation 106 may have or be formed from one of the following: a ceramic, a metal oxide, a metal, a metal nitride, and / or a metal oxynitride, for example, a substance of the barrier layer of the optoelectronic device 100. as shown in the following description.
  • the electrically conductive thin-film encapsulation 106 can be formed with a layer thickness in a range of approximately 0.1 nm to approximately 100 nm, for example in a range of approximately 10 nm to approximately 100 nm, for example in a range of approximately 20 nm about 50 nm, for example, in a range of about 30 nm to about 50 nm.
  • the electrically conductive thin film encapsulation 106 may include a
  • the matrix may include or be formed from a conductive oxide, for example, zinc oxide, tin oxide, nickel oxide, and / or a copper delafossite; and additionally, for example, be transparent to visible light.
  • the dopant may comprise or be a metal,
  • the electrically conductive material for example, silver, copper, gold, aluminum, zinc, tin.
  • the electrically conductive material for example, silver, copper, gold, aluminum, zinc, tin.
  • the electrically conductive material for example, silver, copper, gold, aluminum, zinc, tin.
  • Thin film encapsulation may include or be formed from zinc oxide doped with aluminum.
  • the electrically conductive material may include or be formed from zinc oxide doped with aluminum.
  • the electrically conductive thin-film encapsulation 106 may comprise a metal, a semiconducting material and / or a metal have or be formed from dielectric material.
  • the electrically conductive thin-film encapsulation 106 may be formed such that the electrical
  • Thin-film encapsulation 106 by means of a tunnel current
  • the electrically conductive thin-film encapsulation 106 can be formed flat and has a thickness on iron, wherein the electrical conductivity of the electrically conductive thin-film encapsulation 106 along the thickness can be greater than along the surface.
  • the electrically conductive thin-film encapsulation 104 may be formed by means of a
  • Koverdampfens an atomic layer deposition method (atomic .layer deposition - ALD) and / or a
  • Molecular layer deposition method (molecular layer deposition - MLD) are formed.
  • an electrically conductive thin-film encapsulation 104 may be formed with or from ZnO.Al by means of ALD.
  • MLD precursors are, for example, in the following
  • the electrically conductive thin-film encapsulation 106 can be formed over the entire area on or above the first electrically conductive layer 104 or the second electrically conductive layer 108.
  • the electric Conductive thin-film encapsulation 106 can be patterned after forming, for example by means of a laser.
  • the method further comprises forming a first electrode 310 and a
  • formed thin-film encapsulation 106 may for example be structured such that the region of the electrically conductive thin-film encapsulation 106, which is or becomes electrically conductively connected to the first electrode 310, is electrically insulated from the region of the electrically conductive thin-film encapsulation 106 which is connected to the second electrode is electrically connected or is.
  • the method 200 may further include forming an encapsulation structure 126
  • the encapsulation structure 126 may be such
  • the encapsulation structure 126 has the electrically conductive thin-film encapsulation 106.
  • the encapsulation structure 126 may be such
  • the method 200 may further comprise at least one
  • Thin-film encapsulation 106 and the second electrically conductive layer 108 have.
  • Ladslicinj emies harsh can, for example, a Hole injection layer or an electron injection layer, see, for example, also descriptions of FIG. 3.
  • the first electrically conductive layer 104, the electrically conductive thin-film encapsulation 106 and the second electrically conductive layer 108 can be formed, for example, as a layer stack.
  • the first electrically conductive layer 104, the electrically conductive thin-film encapsulation 106 and the second electrically conductive layer 108 can have a substantially identical areal dimension, for example a same areal dimension in the optically active area, for example areal light-emitting area, of the optoelectronic component 100 ,
  • the hermetically sealed substrate 128 may include a support 302 and a first barrier layer 304 on iron.
  • the active region 306 is an electrically active region 306 and / or an optically active region 306.
  • the active region 306 is, for example, the region of the optoelectronic component 100 in which electrical current flows for operation of the optoelectronic component 100 and / or in the electromagnetic radiation is generated and / or absorbed.
  • the optoelectronic component 100 for example, the
  • the organic functional layer structure 312 for converting an electric current into a electromagnetic Sthlung and / or for converting an electromagnetic radiation is formed in an electric current;
  • the first electrically conductive layer 104 (illustrated in Fig. 3 by reference numerals 104-1 and 104-2) may be formed as a first electrode 310 and / or a second electrode 314, and wherein the second electrically conductive layer 108 is referred to as the organic functional layer structure 312, or a layer or structure is formed in the organic functional layer structure 312.
  • the optoelectronic component 100 may further comprise at least one further electrode such that the first
  • Electrode and / or the second electrode as
  • the organic functional layer structure 312 may comprise one, two or more functional layer structure units and one, two or more interlayer structures between the layer structure units.
  • Functional layer structure 312 may comprise, for example, a first organic functional layer structure unit 316, an intermediate layer structure 318, and a second organic functional layer structure unit 320.
  • the encapsulation structure 126 may comprise the electrically conductive thin-film encapsulation 106.
  • Encapsulation structure 126 is formed such that the second electrically conductive layer 108 is hermetically sealed with respect to a diffusion of water and / or oxygen through the encapsulation structure 126 into the second electrically conductive layer 108
  • Encapsulation structure 128 may further include the first
  • the first barrier layer 304 may include or be formed from one of the following materials:
  • Indium zinc oxide A uminium-doped Zinko id, poly (p-phenylene terephthalamide), nylon 66, and mixtures and
  • the first barrier layer 304 may be by means of one of
  • Atomic layer deposition Atomic Layer Deposition (ALD)
  • ALD Atomic layer deposition
  • PALD Physical Light Deposition
  • PECVD Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
  • a first barrier layer 304 the more
  • Partial layers all partial layers can be formed by means of a Atom fürabscheidevons.
  • a layer sequence that has only ALD layers can also be called
  • Partial layers may have one or more
  • Atomic layer deposition processes are deposited
  • the first barrier layer 304 may have a layer thickness of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 1000 nm
  • a layer thickness of about 10 nm to about 100 nm for example, a layer thickness of about 10 nm to about 100 nm according to an embodiment
  • the first barrier layer 304 may be one or more
  • having high refractive index materials for example one or more high refractive index materials, for example having a refractive index of at least 2.
  • Barrier layer 304 can be omitted, for example, in the event that the carrier 102 hermetically sealed
  • the first electrode 304 may be formed as an anode or as a cathode.
  • the first electrode 310 may include or may be formed from one of the following electrically conductive material: a metal; a conductive conductive oxide (TCO); a network of metallic
  • Nanowires and particles for example of Ag, which are combined, for example, with conductive polymers; a network of carbon nanotubes that
  • the first electrode 310 made of a metal or a metal may be one of the following materials or formed from: Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ca, Sm or Li, as well as compounds, combinations or alloys of these materials.
  • the first electrode 310 may be one of the following as a transparent conductive oxide
  • zinc oxide for example, zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO).
  • binary oxide for example, zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO).
  • binary oxide for example, zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO).
  • binary oxide for example, zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO).
  • Metal oxygen compounds such as ZnO, S Ü2, or In 2 O 3 also include ternary metal oxygen compounds, for example AIZnO, Zn 2 SnO, CdSnO 3 , ZnSnO 3 , Mgl 2 04,
  • Embodiments are used. Farther
  • the TCOs do not necessarily correspond to a stoichiometric composition and can furthermore be p-doped or n-doped, or hole-conducting (p-TCO) or electron-conducting (n-TCO).
  • the first electrode 310 may be a layer or a
  • the first electrode 310 may be formed by a stack of layers of a combination of a layer of a metal on a layer of a TCO, or vice versa.
  • An example is one
  • ITO indium tin oxide
  • the first electrode 304 may, for example, have a layer thickness in a range from 10 nm to 500 nm,
  • nm for example, from less than 25 nm to 250 nm, for example from 50 nm to 100 nm.
  • the first electrode 310 may be a first electrical
  • the first electrical potential may be provided by a source of energy, such as one Alternatively, the first electrical potential can be applied to an electrically conductive carrier 102 and the first electrode 310 can be indirectly electrically supplied by the carrier 102.
  • the first electrical potential may be, for example, the ground potential or another predetermined reference potential.
  • FIG. 3 shows an optoelectronic component 100 having a first organic functional layer structure unit 316 and a second organic functional one
  • Layer structure unit 320 shown.
  • Layer structure 312 but also more than two organic functional layer structures on iron, for example 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, or even more, for example 15 or more, for example 70.
  • one or more layers of the layers described below may be used
  • Layers and structures may be or form the second electrically conductive layer.
  • Layer structures may be the same or different, for example the same or different
  • the second organic functional layer structure unit 320 may be any of those described below
  • Layer structure unit 316 may be formed.
  • the first organic functional layer structure unit 316 may include a hole injection layer, a
  • one or more of said layers may be provided, wherein like layers may have physical contact, may only be electrically connected to each other, or may even be electrically isolated from each other, for example, formed side by side. Individual layers of said layers may be optional.
  • a hole injection layer may be formed on or above the first electrode 310.
  • the hole injection layer may include or be formed from one or more of the following materials; HAT C, Cu (I) pFBz, MoO x, WO x, X V0, ReO x, F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9, Bi (III) pFBz, F16CuPc; NPB ( ⁇ , ⁇ '- bis (naphthalen-l-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -benzidine) beta-NPB N, N' -bis (naphthalene-2-yl) - ⁇ , ⁇ '- bis (phenyl) benzidine); TPD ( ⁇ , ⁇ '-bis (3-methylphenyl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) benzidine); Spiro TPD ( ⁇ , ⁇ '-bis (3-methylphenyl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) benzidine);
  • the hole injection layer may have a layer thickness in a range of about 10 nm to about 1000 nm, for example in a range of about 30 nm to about 300 nm, for example in a range of about 50 nm to about 200 nm.
  • Hole transport layer may be formed.
  • Hole transport layer can comprise or consist of one or more of the following materials: NPB (N, '- bis (naphthalen-1-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -benzidine), - beta-NPB ⁇ , ⁇ ' Bis (naphthalene-2-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -benzidine); TPD ( ⁇ , ⁇ '-bis (3-methylphenyl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -benzidine) spiro TPD ( ⁇ , ⁇ '-bis (3-methylphenyl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) benzidine);
  • Spiro-NPB ( ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalen-1-yl) -N, '-bis (phenyl) -spiro); DMFL-TPD ⁇ , ⁇ '-bis (3-methylphenyl) -N, N 1 -bis (phenyl) -9,9-dimethyl-fluorene); DMFL-NPB ( ⁇ , 'bis (naphthalen-1-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -9,9-dimethyl-fluoro); DPFL-TPD (N, N'-bis (3-methylphenyl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -9,9-diphenyl-fluorene); DPFL-TPD
  • NPB N 1 -bis (naphthalen-1-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -9, 9-diphenyl-fluorene) spiro-TAD (2,2 ', 7,7' tetrakis ( n, n-diphenylamino) - 9, 9 1 -spirobifluorene); 9,9-bis [4- (N, N-bis-biphenyl-4-yl-amino) -henyl] -9H-fluorene; 9,9-bis [4 - (N, -naphthalen-2-yl-amino) -henyl] -9H-fluorene; 9,9-bis [4- (N, N '-bis -naphthalen-2-yl-N, N'-bis-phenyl-amino) -phenyl] -9H-fluoro;
  • the hole transport layer may have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 50 nm, for example in a range of about 10 nm to about 30 nm, for example about 20 nm.
  • functional layer structure units 316, 320 may each have one or more emitter layers
  • An emitter layer may include or be formed from organic polymers, organic oligomers, organic monomers, organic small, non-polymeric molecules ("small molecules”), or a combination of these materials.
  • the optoelectronic component 100 can in a
  • Emitter layer comprise or be formed from one or more of the following materials, organic or
  • organometallic compounds such as derivatives of polyfluorene, polythiophene and polyphenylene (for example 2- or 2,5-substituted poly-p-phenylenevinylene) and metal complexes, for example iridium complexes such as blue-phosphorescent FIrPic (bis (3,5-difluoro-2- (bis 2-pyridyl) henyl- (2-carboxypyridyl) -iridium III), green phosphorescent
  • Such non-polymeric emitters can be deposited by means of thermal evaporation, for example. Furthermore, can
  • Polymer emitters are used, which can be deposited, for example by means of a wet chemical process, such as for example, a spin coating method (also referred to as spin coating).
  • a spin coating method also referred to as spin coating
  • the emitter materials may be suitably embedded in a matrix material, for example one
  • Emitter layer have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 50 nm, for example in a range of about 10 nm to about 30 nm, for example about 20 nm.
  • the emitter layer may have single-color or different-colored (for example blue and yellow or blue, green and red) emitting emitter materials.
  • the emitter layer may have single-color or different-colored (for example blue and yellow or blue, green and red) emitting emitter materials.
  • Emitte layer has several layers that emit light of different colors. By mixing the different colors, the emission of light can result in a white color impression. Alternatively, it can also be provided to arrange a converter material in the beam path of the primary emission generated by these layers, which at least partially absorbs the primary radiation and emits secondary radiation of a different wavelength, resulting in a (not yet white) primary radiation by the combination of primary radiation and secondary radiation Radiation produces a white color impression.
  • the organic functional layer structure unit 316 may include one or more emitter layers configured as a hole transport layer.
  • the organic functional layer structure unit 316 may include one or more emitter layers configured as an electron transport layer. On or above the emitter layer, a
  • the electron transport layer may include or be formed from one or more of the following materials: NET- 18; 2, 2 ', 2 "- (1,3,5-benzinetriyl) -ris (1-phenyl-1H-benzimidazole), 2 - (4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3 , 4-oxadiazoles, 2, 9-dimethyl, 7-diphenyl-l, 10-phenanthrolines (BCP), 8-hydroxyquinolinolato-lithium, 4-
  • the electron transport layer may have a layer thickness
  • a compound having the following properties for example in a range from about 10 nm to about 30 nm, for example about 20 nm.
  • a compound having the following properties for example in a range from about 10 nm to about 30 nm, for example about 20 nm.
  • Electroneninj edictions harsh may include or be formed from one or more of the following materials: NDN-26, MgAg, Cs 2 C0 3 , Cs 3 P0 4 , Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, LiF;
  • the electron injection layer may have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 200 nm, for example in a range of about 20 nm to about 50 nm, for example about 30 nm.
  • the second organic layered functional unit 320 may be formed over or adjacent to the first functional layered structure units 316. Electrically between the organic functional
  • Layer structure units 316, 320 may be a
  • Interlayer structure 318 may be formed.
  • the first layer 318 may be formed.
  • Interlayer structure 318 as. an intermediate electrode 318 may be formed, for example according to one of
  • Embodiments of the first electrode 310 Embodiments of the first electrode 310.
  • Intermediate electrode 318 may be electrically connected to an external voltage source.
  • the external voltage source may provide, for example, a third electrical potential at the intermediate electrode 318.
  • the intermediate electrode 318 may also have no external electrical connection, for example by the intermediate electrode having a floating electrical potential.
  • Interlayer structure 318 may be formed as a charge generation layer structure 318 (CGL).
  • a charge carrier pair generation layer structure 318 may be one or more
  • Electron-conducting charge carrier pair generation layer (s) and one or more hole-conducting charge carrier pair are Electron-conducting charge carrier pair generation layer (s) and one or more hole-conducting charge carrier pair
  • the charge carrier pair generation layer (s) and the hole-conducting charge carrier pair generation layer (s) may each be formed of an intrinsically conductive substance or a dopant in a matrix.
  • the charge carrier pair generation layer structure 318 should be designed with regard to the energy level of the electron-conducting charge carrier pair formation layer (s) and the hole-conducting charge carrier pair formation layer (s) such that at the interface of an electron-conducting charge carrier pair.
  • the carrier pair generation layer with a hole-conducting charge carrier pair generation layer can be a separation of electron and hole.
  • the carrier pair generation layer structure 318 may further include a sandwich between adjacent layers
  • Each organic functional layer structure unit 316, 320 may, for example, have a layer thickness of at most approximately 3 ⁇ m, for example a layer thickness of at most approximately 1 ⁇ m, for example a layer thickness of approximately approximately 300 nm.
  • the optoelectronic component 100 may optionally have further organic functional layers, for example arranged on or above the one or more
  • the further organic functional layers can be, for example, internal or external coupling / decoupling structures, which are the
  • the second electrode 314 may be formed.
  • the second electrode 314 may be formed according to any one of the configurations of the first electrode 310, wherein the first electrode 310 and the second electrode 314 may be the same or different.
  • the second electrode 314 may be formed as an anode, that is, as a hole-injecting electrode, or as a cathode, that is, as an electrode
  • electrically conductive layer 106 may be formed as a first electrode 310 and / or as a second electrode 314 and / or be electrically connected thereto.
  • the first electrode and / or the second electrode may be the second electrically conductive layer.
  • the second electrode 314 may have a second electrical connection to which a second electrical connection
  • the second electrical potential can be provided by the same or a different energy source as the first electric potential and / or the optional third electric potential.
  • the second electrical potential may be different from the first electrical potential and / or the optionally third electrical potential.
  • the second electrical potential may have a value such that the difference from the first electrical potential has a value in a range of about 1.5V to about 20V, for example, a value in a range of about 2.5V to about 15V, for example, a value in a range of about 3V to about 12V.
  • the second barrier layer 308 may be formed.
  • the second barrier layer 308 may according to one of
  • Embodiments of the first barrier layer 304 may be formed.
  • Thin film encapsulation 106 may be in various ways.
  • Barrier layer 308 may be formed, for example, as a first barrier layer 304 and / or two e barrier layer 308th
  • Barrier layer 308 can be dispensed with.
  • the optoelectronic component 100 may, for example, have a further encapsulation structure, as a result of which a second barrier layer 308 may be optional, for example a cover 324, for example one
  • one or more input / output coupling layers are formed in the optoelectronic component 100, For example, an external Auskoppelfolie on or above the carrier 102 (not shown) or an internal Auskoppelfolie on or above the carrier 102 (not shown) or an internal Auskoppelfolie on or above the carrier 102 (not shown) or an internal Auskoppelfolie on or above the carrier 102 (not shown) or an internal Auskoppelfolie on or above the carrier 102 (not shown) or an internal
  • Decoupling layer (not shown) in the layer cross section of the optoelectronic component 100.
  • the input / output coupling layer can be a matrix and distributed therein
  • Refractive index of the layer from which the electromagnetic radiation is provided is provided. Furthermore, in various embodiments additionally one or more of
  • Antireflection layers for example, combined with the second barrier layer 308) in the optoelectronic
  • Component 100 may be provided.
  • a conclusive one may be on or above the second barrier layer 308
  • Connection layer 322 may be provided, for example, an adhesive or a paint.
  • a cover 324 can be connected conclusively to the second barrier layer 308, for example by being glued on.
  • transparent material can be particles
  • the coherent bonding layer 322 can act as a scattering layer and improve the color angle distortion and the
  • dielectric As light-scattering particles, dielectric
  • Metal oxide such as silicon oxide (S1O2), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (Zr02), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), gallium (GA 20 x) aluminum oxide, or titanium oxide.
  • other particles may be suitable, provided that they have a refractive index, which of the effective Refractive index of the matrix of the cohesive bonding layer 322 is different, for example air bubbles, acrylate, or glass bubbles.
  • metallic nanoparticles, metals such as gold, silver, iron nanoparticles, or the like may be provided as light-scattering particles.
  • the cohesive connection layer 322 may have a layer thickness of greater than 1 ⁇ on iron, for example a
  • the interfacial bonding layer 322 may include or be in a laminating adhesive.
  • the coherent connection layer 322 may be such
  • Such an adhesive may, for example, be a low-refractive adhesive, such as an acrylate, having a refractive index of about 1.3.
  • the adhesive may also be a high refractive adhesive, for example
  • an electrically insulating layer (not limited to, between the second electrode 314 and the interlocking interconnect layer 322, an electrically insulating layer (not shown).
  • SiN for example SiN
  • a layer thickness in a range from about 300 nm to about 1.5 ⁇ for example with a layer thickness in the range from about 500 nm to about 1 ⁇
  • electrically unstable materials protect, for example, during a wet chemical
  • a cohesive interconnect layer 322 may be optional, for example, if the cover 324 is formed directly on the second barrier layer 308, such as a glass cover 324 formed by plasma spraying.
  • the electrically active region 306 may also be a so-called getter layer or getter structure,
  • the getter layer may have a layer thickness of greater than about 1 ⁇ , for example, a layer thickness of several ⁇ ,
  • the getter layer may include a lamination adhesive or may be embedded in the interlocking tie layer 322.
  • a cover 324 may be formed on or above the coherent connection layer 322.
  • the cover 324 can be connected to the electrically active region 306 by means of the coherent connection layer 322 and protect it from harmful substances.
  • the cover 324 may include, for example, a glass cover 324, a
  • Plastic film cover 324 be.
  • the glass cover 324 may, for example, by means of a frit bonding / glass soling / seal glass bonding by means of a conventional glass solder in the geometric Randbere ichen of the organic optoelectronic device 100 with the second barrier layer 308 and the electrically active region 306 be connected conclusively.
  • the cover 324 and / or the cohesive tie layer may, for example, by means of a frit bonding / glass soling / seal glass bonding by means of a conventional glass solder in the geometric Randbere ichen of the organic optoelectronic device 100 with the second barrier layer 308 and the electrically active region 306 be connected conclusively.
  • a hermetically sealed substrate 128, an encapsulation structure 126, and / or a carrier 302; and the first electrically conductive layer 102 further layers
  • the further layers may be, for example, an optical, electrical and / or encapsulating
  • a layer stack comprising a scattering film 402, a
  • Planarization layer 404 and a binder-containing
  • the scattering film 402 may be, for example, a polymer scattering film, for example according to one of the embodiments of the coupling-out layer - see description above.
  • the planarization layer 404 may be formed to smooth the surface, for example, z
  • the binder-containing anode 310/104 may be the first
  • Electrode 310 and first electrically conductive layer 104 may be formed - see description above.
  • the further layers of the optoelectronic component 100 can be formed on the electrically conductive thin-film encapsulation 106 Electrode 314 - illustrated in FIG. B - see also
  • between at least one of the electrodes 310, 314 and the organic functional layer structure 312 is a
  • electrically conductive for example, electrically conductive thin-film encapsulation 106 (CTFE) formed, wherein the electrically conductive formed thin film encapsulation 106 is hermetically sealed with respect to a diffusion of water and / or oxygen by the CTFE; and an electrical current, for example the electrical operating current of the optoelectronic component 100, is conducted through the electrically conductive thin-film encapsulation 106 during operation of the optoelectronic component 100.
  • CTFE electrically conductive thin-film encapsulation 106
  • the electrically conductive thin-film encapsulation 106 may be at least translucent. In other words, the electrically conductive thin-film encapsulation 106 can impermeable to water,
  • Thin-film encapsulation 106 for example, zinc oxide and
  • the electrically conductive thin film encapsulation 106 may have a relatively small
  • Leitf have ability along the flat dimension, for example, have a relatively low Querlei ability, since the Stromvertei ment along the flat dimension in the electrode 310, 314 takes place with the nanowires or nanotubes.
  • the electrically conductive thin film encapsulation 104 should therefore have a sufficiently high electrical conductivity perpendicular to the smoother dimension of the thin film encapsulation 106 - parallel to the
  • the electrode 110, 114 which adjoins the electrically conductive thin-film encapsulation 104, can
  • Binders can be distributed, for example, silver nanowires and / or carbon nanotubes.
  • an electrically conductive and transparent thin-film encapsulation 106 can be formed.
  • the layers of the layer stack can by means of a
  • Thin film encapsulation 106 on the binder-containing anode 310/104 that is, after the binder-containing anode 310/104 by means of the electrically conductive
  • the layer stack can be structured, for example, be structured by means of a laser process.
  • the water-conducting layers for example the
  • Binder-containing anode 310/10 are separated from the organic functional layer structure 312 by means of the electrically conductive thin-film encapsulation 106. This can cause no damage to the organic
  • the silver nanowires or carbon nanotubes, or similar structures embedded in a binder with high electrical conductivity can be any suitable silver nanowires or carbon nanotubes, or similar structures embedded in a binder with high electrical conductivity;
  • the electrically conductive component optionally structured structured. Furthermore, existing processes and layouts can be used for the formation of the optoelectronic component.
  • the electrically conductive component optionally structured structured.
  • Electrode 312 and the second electrode 314 are electrically conductively connected and structured such that the region of the electrically conductive
  • Dünnfilmverkapselung 106 which is electrically conductively connected to the first electrode 312, is electrically isolated from the region of the electrically conductive
  • Dünnfilmverkapselung 106 which is or becomes electrically conductively connected to the second electrode 14.
  • the patterning may be, for example, as a laser ablation or
  • Laser melting may be formed - illustrated in Figure 4B by means of the area 406th
  • optoelectronic components with a binder-containing electrode. Furthermore, existing processes for producing the optoelectronic component and layout of the optoelectronic component can be used.

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Abstract

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein optoelektronisches Bauelement (100) bereitgestellt, das optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend: eine erste elektrisch leitend ausgebildete Schicht (104), die einen elektrisch leitfähigen Stoff in einer Matrix aufweist; eine zweite elektrisch leitend ausgebildete Schicht (108) über der ersten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht (104); und eine elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung (106) zwischen der ersten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht (104) und der zweiten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht (108); wobei die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung (106) derart ausgebildet ist, dass die zweite elektrisch leitend ausgebildete Schicht (108) mittels der elektrisch leitend ausgebildeten Dünnfilmverkapselung (106) mit der ersten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht (104) verbunden ist, und wobei die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung (106) hermetisch dicht bezüglich einer Diffusion von Wasser von der ersten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht (104) durch die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung (106) in die zweite elektrisch leitend ausgebildete Schicht (108) ausgebildet ist.

Description

Beschreibung
Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
In verschiedenen Ausführungsformen werden ein
optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zum
Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
bereitgestellt .
Lichtemittierende großflächige organische Leuchtdioden (OLED) sind effiziente Strahlungsquellen und finden zunehmend verbreitete Anwendung in der Allgemeinbeleuchtung,
beispielsweise als Flächenlichtquelle.
Eine OLED kann eine Anode und eine Kathode mit einem
organischen funktioneilen Schichtensystem dazwischen
aufweisen. Das organische funktionelle Schichtensystem kann eine oder mehrere Emitterschicht/en aufweisen, in der/denen elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, eine oder mehrere Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichtenstruktur aus jeweils zwei oder mehr Ladungsträgerpaar-Erzeugungs- Schichten
(„Charge generating layer", CGL) zur
Ladungsträgerpaarerzeugung, sowie einer oder mehrerer
Elektronenblockadeschichten, auch bezeichnet als
Lochtransportschicht (en) („hole transport layer" -HTL) , und einer oder mehrerer Lochblockadeschichten, auch bezeichnet als Elektronentransportschicht (en) („electron transport layer" - ETL) , um den Stromfluss zu richten.
Als Material für die Anode bzw. Kathode werden beispielsweise Siiber-Nanodrähte (Ag- anowires ) oder Kohlenstoff -Nanoröhren (C-Nanotubes) verwendet . Die Anode bzw. Kathode wird daraus ausgebildet , indem, die Nanodrähte bzw. Nanoröhren in einem Bindemittel eingebettet werden. Diese Mischung kann auf ein Substrat aufgebracht werden . Das Bindemittel kann gehärtet werden und in gehärtetem Zustand die Nanodrähte bzw.
Nanoröhren miteinander körperlich und/oder elektrisch verbinden und auf dem Substrat fixieren. Herkömmliche
Bindemittel weisen den Kachteil auf, dass sie sich relativ schnell mit Wasser „vollsaugen" und dieses dann direkt in die OLED transportieren. Herkömmlich werden die Nanodrahte , um den Kontakt mit Wasser zu reduzieren, daher nicht bis zum Rand der OLED geführt, sondern werden durch eine vom Rand nach innen, zu den Nanodrähten geführten, Metallstruktur kontaktiert . Zum Schutz vor schädlichen Umwelteinflüssen werden
herkömmliche OLEDs mit einer bezüglich Wasser und/oder
Sauerstoff hermetisch dichten Verkapselung umgeben,
beispielsweise einer Dünnfilmverkapselung , einer
Barrierendünnschicht , einer Barriereschicht, einer
Verkapselungsschicht , oder einer Barrierefolie. Bekannt sind weiterhin leitfähige Dünnfilmverkapselungen .
In verschiedenen Ausführungsformen werden ein
optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zum
Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
bereitgestellt, mit denen es möglich ist, stabilere
optoelektronische Bauelemente mit einer bindemittelhaltigen Elektrode auszubilden. In verschiedenen Ausführungsformen wird ein
optoelektronisches Bauelement bereitgestellt, das
optoelektronische Bauelement aufweisend: eine erste
elektrisch leitend ausgebildete Schicht, die einen elektrisch leitfähigen Stoff in einer Matrix aufweist; eine zweite elektrisch leitend ausgebildete Schicht; und eine elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverka seiung zwischen der ersten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht und der zweiten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht; wobei die
elektrisch leitend ausgebildete DünnfiImverkapselung derart ausgebildet ist, dass die zweite elektrisch leitend
ausgebildete Schicht mittels der elektrisch leitend
ausgebildeten Dünnfxlmverkapselung mit der ersten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht elektrisch leitend verbunden ist, und wobei die elektrisch leitend ausgebildete
Dünnfilmverkapselung hermetisch dicht bezüglich einer
Diffusion von Wasser und/oder Sauerstoff von der ersten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht durch die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung in die zweite elektrisch leitend ausgebildete Schicht ausgebildet ist.
Eine Schicht oder Struktur eines optoelektronischen
Bauelementes ist in verschiedenen Ausge taltungen elektrisch leitend ausgebildet, wenn sie im Betrieb des
optoelektronischen Bauelementes bzw. unter
Betriebsbedingungen einen elektrischen Strom leiten kann.
Die elektrisch leitend ausgebildete Schicht oder Struktur kann beispielsweise einen elektrisch leitfähigen Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise ein
Metall oder eine Metalllegierung, beispielsweise AI, Cu,
MgAg, oder eines der weiteren, unten beschriebenen Beispiele.
Alternativ oder zusätzlich kann die elektrisch leitend ausgebildete Schicht oder Struktur ein dielektrischen Stoff und/oder einen halbleitenden Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein.
Bei einer elektrisch leitend ausgebildeten Schicht oder
Struktur aus einem dielektrischen Stoff oder Stoffgemisch kann die elektrisch leitend ausgebildete Schicht oder
Struktur beispielsweise mit einer Dicke in Stromrichtung und/oder einer dielektrischen Länge des Strompfades
ausgebildet werden, dass ein elektrischer Strom durch oder über die dielektrische Schicht oder Struktur transportiert werden kann, beispielsweise mittels eines Tunnelstroms und/oder elektrisch leitfähigen Kanälen in der dielektrischen Schicht oder Struktur. Bei einer elektrisch leitend ausgebildeten Schicht oder
Struktur aus einem halbleitenden Stoff oder Stoffgemisch kann die elektrisch leitend ausgebildete Schicht oder Struktur bezüglich der mit der elektrisch leitenden Schicht oder Struktur direkt elektrisch verbundenen Schicht/en oder
Struktur/en angepasst sein beispielsweise bezüglich der
Bandstruktur und/oder Kristallrichtung in Stromrichtung angepasst ausgebildet sein,
Bezüglich der Bandstruktur und/oder Kristallrichtung in
Stromrichtung der halbleitenden elektrisch leitend
ausgebildeten Schicht oder Struktur kann beispielsweise das Energie-Niveau des Leitungsbandes, des Valenzbandes, des Permi -Niveaus bzw. des effektiven Permi-Niveaus , des
chemischen Potenzials, des niedrigsten unbesetzten
Molekülorbitais { lowest unoccupied molecule orbital - LUMO) , des höchsten besetzten Molekülorbital (highest occupied molecule orbital - HOMO) , der Ionisierungsenergie und/oder der Elektronenaffinität beim Ausbilden der halbleitenden elektrisch leitend ausgebildeten Schicht oder Struktur berücksichtigt werden bezüglich der mit der elektrisch leitenden Schicht oder Struktur direkt elektrisch verbundenen Schicht/en oder Struktur/en, so dass ein Stromf luss im
Betrieb des optoelektronischen Bauelementes durch die halbleitende elektrisch leitend ausgebildete Schicht oder Struktur im Betrieb erfolgen kann.
In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement als ein Flächenbauelement ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement als ein organisches optoelektronisches Bauelement ausgebildet sein, beispielsweise als ein organischer Fotodetektor, eine organische Solarzelle und/oder eine organische Leuchtdiode.
In einer Ausgestaltung können die erste elektrisch leitend ausgebildete Schicht, die elektrisch leitend ausgebildete Dünnf ilmverkapselung und die zweite elektrisch leitend ausgebildete Schicht als ein Schichtenstapel ausgebildet sein. Die erste elektrisch leitend ausgebildete Schicht, die elektrisch leitend ausgebildete Dünnf ilmverkapselung und die zweite elektrisch leitend ausgebildete Schicht können eine im Wesentlichen gleiche flächige Abmessung aufweisen,
beispielsweise eine gleiche flächige Abmessung im optisch aktiven Bereich des optoelektronischen Bauelementes. In einer Ausgestaltung kann die elektrisch leitend
ausgebildete Dünnfilmverkapselung eine erste Grenzfläche mit der ersten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht und eine zweite Grenzfläche mit der zweiten elektrisch leitend
ausgebildeten Schicht aufweisen, wobei die elektrische
Verbindung der ersten elektrisch leitend ausgebildeten
Schicht mit der zweiten elektrisch leitend ausgebi ldeten Schicht durch die erste Grenzfläche und die zweite
Grenzfläche ausgebildet ist . In einer Ausges altung kann die erste elektrisch leitend ausgebildete Schicht eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 2
Figure imgf000007_0001
auf eisen.
In einer Ausgestaltung kann in der ersten elektrisch leitend ausgeb ldeten Schicht der elektrisch leitfähige Stoff in der Matrix verteilt sein .
In einer Ausgestaltung kann der elektrisch leitfähige Stoff homogen in der Matrix verteilt sein .
I einer Ausgestaltung kann der elektrisch leitfähige Stoff derart in der Matrix verteilt sein, dass die erste elektrisch leitend ausgebildete Schicht einen Gradienten an elektrisch leitfähigem Stoff aufweist , beispielsweise von einer
Grenzfläche der ersten elektrisch leitend ausgebildeten
Schicht her zur Mitte oder einer anderen Grenzfläche zu- oder abnehmend .
In einer Ausgestaltung kann der elektrisch leitf hige Stoff in wenigstens einer ersten Lage und einer zweiten Lage ausgebildet sein, wobei die Matrix zwischen der ersten Lage und der zweiten Lage angeordnet ist und die Matrix die erste Lage mit der zweiten Lage verbindet . In einer Ausgestaltung kann der elektrisch leitfähige Stoff auf der Fläche ein zweidimensionales Netzwerk ausbilden. In einer Ausgestaltung kann die Matrix ein Bindemittel bezüglich des elektrisch leitfähigen Stoffs aufweisen oder daraus gebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann die Matrix kohäsionsverstärkend hinsichtlich der Kohäsion des elektrisch leitfähigen Stoffs ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann die Matrix der ersten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht hygroskopisch sein.
In einer Ausgestaltung kann der elektrisch leitfähige Stoff in Partikeln in einer der folgenden Formen ausgebildet sein: Nanodrähte, Nanoröhren, Flocken oder Plättchen. In einer Ausgestaltung können die Partikel des elektrisch leitfähigen Stoffs einen mittleren Durchmesser in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 1 μν aufweisen, beispielsweise von ungefähr 10 nm bis ungefähr 150 nm, beispielsweise von ungefähr 15 nm bis ungefähr 60 nm, und/oder eine Länge in einem Bereich vom Durchmesser des entsprechenden Nanodrahts bis ungefähr 1 mm» beispielsweise von ungefähr 1 μτα bis ungefähr 100 μνα , beispielsweise von ungefähr 20 μτα bis ungefähr 50 μτ auf. Die Dicke der von den Nanodrähten gebildeten Schicht kann während des Herstellens des optoelektronischen Bauelements beispielsweise ungefähr 100 nm bis ungefähr 1 mm, beispielsweise ungefähr 1 μχα bis ungefähr 100 μτα , beispielsweise ungefähr 20 μτα bis ungefähr 50 μπι betragen. Die Dicke der von den Nanodrähten gebildeten Schicht kann somit beim fertiggestellten optoelektronischen Bauelement beispielsweise ungefähr 10 nm bis ungefähr 2 μτη, beispielsweise ungefähr 20 nm bis ungefähr 300 nm,
beispielsweise ungefähr 30 nm bis ungefähr 180 nm betragen. In einer Ausgestaltung kann der elektrisch leitfähige Stoff in Form einer Graphen- Fläche ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann der elektrisch leitfähige Stoff einen der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: Kohlenstoff, Silber, Kupfer, Gold, Aluminium, Zink, Zinn.
Der elektrisch leitfähige Stoff , beispielsweise in Form von Nanodrähten, kann beispielsweise ein metallisches Material , beispielsweise ein Metall oder ein Halbmetall , beis ielsweise Silber, Gold, Aluminium und/oder Zink aufweisen oder daraus gebildet sein . Beispielsweis können die Nanodrähte eine Legierung aufweisen, die eines oder mehrere der genannten Materialien aufweist .
Die Nanoröhren können beispielsweise Kohlenstoff auf eisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise als Einzelwand- NanorÖhren (Single wall carbon nanotube - SWC T) , Mehrwand- Nanoröhren (multi wall carbon nanotube MWCNT) , und/oder funktionalisierte Nanoröhren, beispielsweise mi chemisch funktionellen Gruppen an der Außenhaut der Nanoröhren .
In einer Ausgestal ung können die Nanodrähte zumindest teilweise atomar miteinander verbunden sein . Beispielsweise können die Nanodrähte aufgrund ihrer atomaren Verbindungen ein zweidimensionales Netzwerk ausbilden.
In einer Ausgestaltung kann die elektrisch leitend
ausgebildete Dünnfilmverkapselung einen der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein : ein Metailoxid, ein Metallnitrid, und/oder ein Metalloxinitrid, beispielsweise einen Stoff einer Barriereschicht des optoelektronischen Bauelementes , beispielsweise als eine Barriereschicht des optoelektronischen Bauelementes ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann die elektrisch leitend
ausgebildete Dünnfilmverkapselung eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 0,1 nra bis ungefähr 100 nm aufweisen, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 30 nm bis ungefähr 50 nra. In einer Ausgestaltung kann die elektrisch leitend
ausgebildete Dünnfilmverkapselung einen Dotierstoff in einer Matrix aufweisen oder daraus gebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann die Matrix der elektrisch leitend ausgebildeten Dünnf ilmverkapselung ein transparentes
leitfähiges Oxid aufweisen oder daraus gebildet sein,
beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Nickeloxid, und/oder ein Kupferdelafossit . In einer Ausgestaltung kann der Dotierstoff der elektrisch leitend ausgebildeten Dünnfilmverkapselung ein Metall
aufweisen oder sein, beispielsweise Silber, Kupfer, Gold, Aluminium, Zink, Zinn. In einer Ausgestaltung kann die elektrisch leitend
ausgebildete Dünnfilmverkapselung mit Aluminium dotiertes Zinkoxid aufweisen oder daraus gebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann die elektrisch leitend
ausgebildete Dünnfilmverkapselung eine Legierung aufweisen oder daraus gebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann die elektrisch leitend
ausgebildete Dünnfilmverkapselung ein transparentes
leitfähiges Oxid aufweisen oder daraus gebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann die elektrisch leitend
ausgebildete Dünnfilmverkapselung einen elektrisch
leitfähigen Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise ein Metall oder einen Halbleiter.
In einer Ausgestaltung kann die elektrisch leitend
ausgebildete Dünnfilmverkapselung ein dielektrisches Material aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise derart, dass die elektrische Verbindung durch die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung mittels eines Tunnelstroms ausgebildet ist.
In einer Ausgestaltung kann die elektrisch leitend
ausgebildete Dünnfilmverkapselung flächig ausgebildet sein und eine Dicke aufweisen, wobei die elektrische Leitfähigkeit der elektrisch leitend ausgebildeten Dünnfilmverkapselung entlang der Dicke größer sein kann als entlang der Fläche.
In einer Ausgestaltung kann die Diffusionsrate bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff durch die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung kleiner sein als ungefähr
-4 2 -4
10 g/ (m d) , beispielsweise in einem von ungefähr 10
2 -10 2
g/ im d) bis ungefähr 10 g/ (m d) .
In einer Ausgestaltung kann die erste elektrisch leitend ausgebildete Schicht eine höhere Beständigkeit bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff aufweisen als die zweite
elektrisch leitend ausgebildete Schicht, beispielsweise ein geringeres Löslichkeitsprodukt und/oder eine geringe
chemische Reaktivität. In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement eine erste Elektrode, eine zweite Elektrode und eine
organische funktionelle Schichtenstruktur zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode aufweisen, wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur zu einem Umwandeln eines elektrischen Stromes in eine elektromagnetische
Strahlung und/oder zu einem Umwandeln einer
elektromagnetischen Strahlung in einen elektrischen Strom ausgebildet ist; wobei die erste elektrisch leitend
ausgebildete Schicht als erste Elektrode und/oder zweite Elektrode ausgebildet ist, beispielsweise jeweils; und wobei die zweite elektrisch leitend ausgebildete Schicht als die organische funktionelle Schichtenstruktur, oder eine Schicht oder Struktur in der organischen funktionellen
Schichtenstruktur ausgebildet ist.
In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement ferner wenigstens eine weitere Elektrode aufweisen derart, dass die erste Elektrode und/oder die zweite Elektrode als Zwischenelektrode/n ausgebildet sind/ist.
In einer Ausgestaltung kann die elektrisch leitend
ausgebildete Dünnfilmverkapselung mit der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode elektrisch leitend verbunden und derart strukturiert sein, dass der Bereich der elektrisch leitend ausgebildeten Dünnfilmverkapselung, der mit der ersten Elektrode elektrisch leitend verbunden ist, elektrisch isoliert ist von dem Bereich der elektrisch leitend
ausgebildeten Dünnfilmverkapselung, der mit der zweiten
Elektrode elektrisch leitend verbunden ist.
In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement ferner eine Verkapselungsstruktur aufweisen, wobei die
Verkapselungsstruktur die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung aufweist, und wobei die
Verkapselungsstruktur derart ausgebildet ist, dass die zweite elektrisch leitend ausgebildete Schicht hermetisch
abgedichtet ist bezüglich einer Diffusion von Wasser und/oder Sauerstoff durch die Verkapselungsstruktur in die zweite elektrisch leitend ausgebildete Schicht.
In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement ferner wenigstens eine Ladungsträgerinj ektionsschicht zwischen der elektrisch leitend ausgebildeten
Dünnfilmverkapselung und der ersten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht und/oder zwischen der elektrisch leitend ausgebildeten Dünnfilmverkapselung und der zweiten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht aufweisen.
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes bereitgestellt, das Verfahren aufweisend; Ausbilden einer ersten elektrisch leitenden Schicht mit einem elektrisch leitfähigen Stoff in einer Matrix derart, dass die erste elektrisch leitende Schicht im Betrieb des optoelektronischen Bauelementes wenigstens einen Teil des elektrischen
Betriebsstroms leitet; Ausbilden einer zweiten elektrisch leitenden Schicht derart, dass die zweite elektrisch leitende Schicht im Betrieb des optoelektronischen Bauelementes wenigstens einen Teil des elektrischen Betriebsstroms leitet; und Ausbilden einer elektrisch leitenden Dünnfilmverkapselung zwischen der ersten elektrisch leitenden Schicht und der zweiten elektrisch leitenden Schicht, wobei die elektrisch leitende Dünnfilmverkapselung derart ausgebildet wird, dass die zweite elektrisch leitende Schicht mittels der elektrisch leitenden Dünnfilmverkapselung mit der ersten elektrisch leitenden Schicht elektrisch leitend verbunden ist wenigstens im Betrieb des optoelektronischen Bauelementes, und wobei die elektrisch leitende Dünn ilmverkapselung hermetisch dicht bezüglich einer Diffusion von Wasser und/oder Sauerstoff von der ersten elektrisch leitenden Schicht durch die elektrisch leitende Dünnfilmverkapselung in die zweite elektrisch leitende Schicht ausgebildet wird.
In verschiedenen Ausgestaltungen wird eine elektrisch
leitende Schicht oder Struktur, die derart ausgebildet wird, dass sie im Betrieb des optoelektronischen Bauelementes wenigstens einen Teil des elektrischen Betriebsstroms leitet, als eine elektrisch leitend ausgebildete Schicht oder
Struktur bezeichnet.
In verschiedenen Ausgestaltungen kann das Verfahren zum
Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes Merkmale des optoelektronischen Bauelementes; und das optoelektronische Bauelement Merkmale des Verfahrens zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes aufweisen, soweit sie jeweils sinnvoll anwendbar sind. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung vollflächig auf oder über der ersten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht oder der zweiten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung nach dem Ausbilden strukturiert werden, beispielsweise mittels eines Lasers.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Verfahre ferner ein Ausbilden einer ersten Elektrode und ein Ausbilden einer zweiten Elektrode aufweisen, wobei die erste Elektrode und/oder die zweite Elektrode mit der elektrisch leitend ausgebildeten Dünnfilmverkapselung elektrisch leitend
verbunden ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung derart strukturiert werden, dass der Bereich der elektrisch leitend ausgebildeten Dünnfilmverkapselung, der mit der ersten Elektrode elektrisch leitend verbunden ist, elektrisch isoliert ist von dem
Bereich der elektrisch leitend ausgebildeten
Dünnfilmverkapselung, der mit der zweiten Elektrode
elektrisch leitend verbunden ist.
Aus ührungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert. Es zeigen
Figur 1 eine schematische Darstellung eines
optoelektronischen Bauelementes gemäß
verschiedenen Ausführungsbeispielen
Figur 2 eine schematische Darstellung eines Verfahrens zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen;
Figur 3 eine schematische Darstellung
optoelektronisches Bauelementes gemäß
verschiedenen Ausführungsbeispielen; und
Figuren 4A, B schematische Darstellungen optoelektronischer
Bauelemente gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen.
In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische
Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird
Richtungsterminologie wie etwa „oben",- „unten", „vorne", „hinten", „vorderes", „hinteres", usw. mit Bezug auf die
Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet. Da
Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl
verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der
Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert, Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe
"verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist. In verschiedenen Ausführungsformen werden optoelektronische Bauelemente beschrieben, wobei ein optoelektronisches
Bauelement einen optisch aktiven Bereich aufweist . Der optisch aktive Bereich kann mittels einer angelegten Spannung an den optisch aktiven Bereich elektromagnetische Strahlung emittieren . In verschiedenen Ausfüh ungsformen kann das optoelektronische Bauelement derart ausgebildet sein, dass die e1ektromagnetische Strahlung einen Wellenlängenbereich aufweist, der Röntgenstrahlung, UV-Strahlung (A-C) ,
sichtbares Licht und/oder Infrarot-Strahlung {A-C} umfasst .
Der optisch aktive Bereich, beispielsweise eine
elektromagnetische Strahlung emittierende Struktur, kann in verschiedenen Ausgestaltungen eine elektromagnetische
Strahlung emittierende Halbleiter-Struktur sein und/oder als eine elektromagne ische Strahlung emittierende Diode , als ei e organische elektromagnetische Strahlung emittierende Diode , als ein elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor oder als ein organischer elektromagnetische
Strahlung emittierender Transis or ausgebildet sein. Das elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement kann beispielsweise als Licht emittierende Diode (light emitting diode , LED) , als organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode , OLED) , als Licht emittierender
Transistor oder als organischer Licht emittierender
Transistor, beispielsweise ein organischer
Feldeffekttransistor (organic field effect transistor OFET) und/oder eine organische Elektronik ausgebildet sein. Bei dem organischen Feldeffekttransistor kann es sich um einen sogenannten „all -OFET" handeln, bei dem alle Schichten organisch sind . Das elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement kann in verschiedenen Ausgestaltungen Teil einer integrierten Schal ung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von elektromagnetische Strahlung emittierenden Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse. Ein optoelektronisches Bauelement kann ein organisches funktionelles Schichtensystem aufweisen, welches synonym auch als organische funktionelle
Schichtenstruktur bezeichnet wird. Die organische
funktionelle Schichtenstruktur kann einen organischen Stoff oder ein organisches S tof fgemisch aufweisen oder daraus gebildet sein, der/das beispielsweise zum Emittieren einer elektromagnetischen Strahlung aus einem bereitgestellten elektrischen Strom eingerichtet ist.
Eine organische Leuchtdiode kann als ein sogenannter Top- Emitter und/oder ein sogenannter Bottom-Emitter ausgebildet sein. Bei einem Bottom-Emitter wird elektromagnetische
Strahlung aus dem elektrisch aktiven Bereich durch den Träger emittiert. Bei einem Top-Emitter wird elektromagnetische Strahlung aus der Oberseite des elektrisch aktiven Bereiches emittiert und nicht durch den Träger. Ein Top-Emitter und/oder Bottora-Emitter kann auch optisch transparent oder optisch transluzent ausgebildet sein, beispielsweise kann jede der nachfolgend beschriebenen
Schichten oder Strukturen transparent oder transluzent sein oder ausgebildet werden bezüglich der absorbierten oder emittierten elektromagnetischen Strahlung.
Ein flächiges optoelektronisches Bauelement, welches zwei flächige, optisch aktive Seiten aufweist, kann in der
Verbindungsrichtung der optisch aktiven Seiten beispielsweise transparent oder transluzent ausgebildet sein, beispielsweise als eine transparente oder transluzente organische
Leuchtdiode. Ein flächiges optoelektronisches Bauelement kann auch als ein planes optoelektronisches Bauelement bezeichnet werde .
Der optisch aktive Bereich kann jedoch auch derart
ausgebildet sein, dass er eine flächige, optisch aktive Seite und eine flächige, optisch inaktive Seite aufweist, beispielsweise eine organische Leuchtdiode, die als ein Top- Emitter oder Bottom-Emitter eingerichtet ist. Die optisch inaktive Seite kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen transparent oder transluzent sein, oder mit einer
Spiegelstruktur und/oder einem opaken Stoff oder Stoffgemisch versehen sein, beispielsweise zur Wärmeverteilung. Der
Strahlengang des optoelektronischen Bauelementes kann
beispielsweise einseitig gerichtet sein. Die erste Elektrode , die zweite Elektrode und die organische funktionelle Schichtenstruktur des optoelektronischen
Bauelementes können jeweils großflächig ausgebildet sein . Dadurch kann das optoelektronische Bauelement eine
zusammenhängende Leuchtfläche auf eisen, die nicht in
funktionale Teilbereiche strukturiert ist , beispielsweise eine in funktionale Bereiche segmentierte Leuchtfläche oder um eine Leuchtfläche, die von einer Vielzahl von Bildpunkten (Pixeln) gebildet wird. Dadurch kann eine großflächige
Abstrahlung oder Absorption von elektromagnetischer Strahlung aus dem optoelektronischen Bauelement ermöglicht werden .
„Großflächig" kann dabei bedeuten, dass die optisch aktive Seite eine Fläche , beispielsweise eine zusammenhängende Fläche, beispielsweise von größer oder gleich einigen
Quadratmil1 imetern , beispielsweise größer oder gleich einem Quadratzentimeter, beispielsweise größer oder gleich einem Quadratdezimeter aufweist . Beispielsweise kann das
optoelektronische Bauelement nur eine einzige
zusammenhängende Leuchtfläche aufweisen, die durch die großflächige und zusammenhängende Ausbildung der Elektroden und der organischen funktionellen Schichtenstruktur bewirkt wird .
Im Rahmen dieser Beschreibung kann eine hermetisch bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff dichte Schicht oder Struktur als eine im Wesentlichen hermetisch dichte Schicht verstanden werden. Eine hermetisch dichte Schicht oder Struktur kann beispielsweise eine Diffusionsrate bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff von kleiner ungefähr 10 g/ {m d) aufweisen, beispielsweise eine Diffusionsrate bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff von kleiner ungefähr 10 g/ (m d) aufweisen,
-4 2 beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 g/ (m d) bis
-10 2
ungefähr 10 g/ (m d) , beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 4 g/ (m2d) bis ungefähr 10 6 g/ (m2d) . In
verschiedenen Ausgestaltungen kann ein bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff hermetisch dichter Stoff oder ein
hermetisch dichtes Stoffgentisch eine Keramik, ein Metall, ein Metalloxid, Metallnitrid und/oder Metalloxinitrid aufweisen oder daraus gebildet sein.
Unter dem Begriff „transluzent" bzw. „trans luzente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist,
beispielsweise für das von dem Lichtemittierenden Bauelement erzeugte Licht, beispielsweise einer oder mehrerer
Wellenlängenbereiche, beispielsweise für Licht in einem
Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) . Beispielsweise ist unter dem Begriff „transluzente Schicht" in verschiedenen Ausführungsbeispielen zu verstehen, dass im Wesentlichen die gesamte in eine
Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppelte
Lichtmenge auch aus der Struktur {beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird, wobei ein Teil des Licht hierbei gestreut werden kann.
Unter dem Begriff „transparent" oder „transparente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist
(beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des
Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) , wobei in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppeltes Licht ohne Streuung oder Lichtkonversion auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird. Unter dem Begriff der "Atomlagenabscheidung" sind Verfahren bekannt, bei denen zum Herstellen einer Schicht die dazu notwendigen Ausgangsprodukte (Präkursoren) nicht
gleichzeitig, sondern abwechselnd nacheinander einer
Beschichtungskammer, auch als Reaktor bezeichnet, mit dem zu beschichtenden Substrat darin, zugeführt werden. Die
Ausgangsmaterialien können sich dabei auf der Oberfläche des zu beschichtenden Substrates beziehungsweise auf dem zuvor abgelagerten Ausgangsmaterial abwechselnd ablagern und damit eine chemische Verbindung eingehen . Hierdurch ist es möglich, pro Zykluswiederholung, also dem Zuführen der notwendigen Ausgangsprodukte in nacheinander folgenden Teilschritten, jeweils maximal eine Monolage der aufzubringenden Schicht aufzuwachsen . Mittels der Anzahl der Zyklen ist eine gute Kontrolle der Schichtdicke möglich. Das zuerst zugeführte Ausgangsmaterial lagert sich nur an der zu beschichtenden Oberfläche an und erst das danach zugeführte zweite
Ausgangsmaterial kann chemische Reaktionen mit dem ersten Ausgangsmaterial eingehen . Die chemischen Reaktionen der Ausgangsprodukte sind mittels der Anzahl an Reaktionspartnern an der Oberfläche begrenzt , d.h. selbstbegrenzt .
Eine ähnliche selbstbegrenzende Oberflächenreaktion kann für das Ausbilden organischer Filme , beispielweise Polymerfilme, beispielsweise Polyamid, angewende werden . Dieses Ausbilden organischer Filme kann als Moleküllagenabscheideverfahren (molecular layer deposition MLD) bezeichnet werden, da je Zyklus ein Teil eines Moleküls auf der Oberfläche aufgebracht wird . Die MLD-Präkursoren können homobifunktional Reaktanden auf eisen, mit anderen Worten die Ausgangsprodukte können jeweils zwei gleiche funktionelle Gruppen aufweisen .
Eine selbstterminierende MLD Reaktion jeder Lage kann mit heterobifunktionalen Reaktanden ausgebildet sein, d.h. jedes Ausgangsprodukt kann zwei unterschiedliche funktionelle
Gruppen aufweisen. Eine der funktionellen Gruppen kann mit der chemischen Gruppe der Oberfläche reagieren und die andere nicht . Die heterobifunk ionalen Reaktanden können dadurch nur monofunktional ausgebildet sein und so eine doppelte Reaktion untereinander verhindern, die beispielsweise zu einer
Terminierung der Polymerkette führen könnte .
Mittels ALD und MLD kann ein sehr konformes Schichtwachstum ermöglicht werden, wobei auch Oberflächen mit großem
Aspektverhältnis gleichmäßig bedeckt werden können.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das
optoelektronische Bauelement 100 auf oder über einem
hermetisch dichten Substrat 128 oder Träger 102 (siehe Fig .3 ) und/oder einer Verkapselungsstruktur 126 eine erste
elektrisch leitend ausgebildete Schicht 10 , eine elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung 106 und eine zweite elektrisch leitend ausgebildete Schicht 108 aufweisen - beispielsweise veranschaulicht in Fig .1.
Alternativ können/kann der Träger 102 , das hermetisch dichte Substrat 128 und/oder die Verkapselungsstruktur optional sein. Das optoelektronische Bauelement 100 kann beispielsweise als ein Flächenbauelement ausgebildet sein. Ein
optoelektronisches Bauelement 100 , das beispielsweise als ein organisches optoelektronisches Bauelement 100 ausgebildet is , kann beispie1s/eise als ein organischer Fotodetektor, eine organische Solarzelle und/ode eine organische
Leuchtdiode ausgebildet sein .
Die erste elektrisch leitend ausgebildete Schicht 104 weist einen elektrisch leitfähigen Stoff in einer Matrix auf . Die erste elektrisch leitend ausgebildete Schicht 104 kann eine Dicke in einem Bereich von ungef hr 10 nm bis ungefähr 2 μπι aufweisen, beispielsweise ungefähr 20 nm bis ungefähr 300 nm, beispielsweise ungefähr 30 nm bis ungefähr 180 nm betragen . Die Matrix kann ein Bindemittel bezüglich des elektrisch leitfähigen Stoffs aufweisen oder daraus gebildet sein. Mit anderen Worten: Die Matrix kann kohäsionsverstärkend
hinsichtlich der Kohäsion des elektrisch leitfähigen Stoffs ausgebildet sein . Die Matrix der ersten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht 104 kann hygroskopisch sein, das heißt wasserbindend sei . Der elektrisch leitfähige Stoff kann in der Matrix verteilt sein, beispielsweise homogen . Alternativ kann der elektrisch leitfähige Stoff derart in der Matrix verteilt sein, dass die erste elektrisch leitend ausgebildete Schicht 104 einen
Gradienten an elektrisch leitfähigen Stoff auf eist .
Alternativ kann der elektrisch leitf hige Stoff in wenigstens einer ersten Lage und einer zweiten Lage ausgebildet sein, wobei die Matrix zwischen der ersten Lage und der zweiten Lage angeordnet ist und die Matrix die erste Lage mit der zweiten Lage verbindet .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der elektrisch leitf hige Sto f ein zweidimensionales Netzwerk ausbilden. Der elektrisch leitfähige Stoff kann in Partikeln in einer der folgenden Formen ausgebildet sein: Nanodrähte,
Nanoröhren, Flocken oder Plättchen .
Die Partikel des elektrisch leitfähigen Stoffs können einer¬ mittleren Durchmesser in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 1 μτα aufweisen, beispielsweise von ungefähr 10 nm bis unge ähr 150 nm, beispielsweise von ungefähr 15 nm bis ungefähr 60 nm, und/oder eine Länge in einem Bereich vom Durchmesser des entsprechenden Nanodrahts bis ungef hr 1 mm, beispielsweise von ungefähr 1 μΐΐΐ bis ungefähr 100 μπι, beispielsweise von ungefähr 20 μτη bis ungef hr 50 μιη auf .
In einem Ausführungsbeispiel kann der elektrisch leitfähige Stoff in Form einer Graphen- Fläche ausgebildet sein.
Alternativ oder zusätzlich kann der elektrisch leitf hige Stoff einen der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein : Kohlenstoff , Silber, Kupfer, Gold, Aluminium, Zink, inn . Der elektrisch leitfähige Stoff , beispielsweise in Form von Nanodrähten, kann beispielsweise ein metallisches Material, beispielsweise ein Metall oder ein Halbmetall, beispielsweise Silber, Gold, Aluminium und/oder Zink aufweisen oder daraus gebildet sein. Beispielsweis können die Nanodrähte eine
Legierung aufweisen, die eines oder mehrere der genannten Materialien auf eist. In einer Ausgestaltung können die
Nanodrähte zumindest teilweise atomar miteinander verbunden sein. Beispielsweise können die Nanodrähte aufgrund ihrer atomaren Verbindungen ein zweidimensionales Netzwerk
ausbilden .
Der elektrisch leitfähige Stoff in Form von Nanoröhren kann beispielsweise Kohlenstoff aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise als Einzelwand-Nanoröhren (single wall carbon nanotube - SWCNT) , Mehrwand-Nanoröhren (multi wall carbon nanotube MWCNT) , und/oder funktpönalisierte
Nanoröhren, beispielsweise mit chemisch funktionellen Gruppen an der Außenhaut der Nanoröhren .
Die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung 106 ist zwischen der ersten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht 104 und der zweiten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht 108 angeordnet . Die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung 106 ist derart ausgebildet , dass die zweite elektrisch leitend ausgebildete Schicht 108 mittels der elektrisch leitend ausgebildeten Dünnfilmverkapselung 106 mit der ersten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht 104 elektrisch leitend verbunden ist . Weiterhin ist die
elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung 106 derart ausgebildet , dass die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung 106 hermetisch dicht bezüglich einer Diffusion von Wasser und/oder Sauerstoff von der ersten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht 104 durch die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung 106 in die zweite elektrisch leitend ausgebildete Schicht 108 ausgebildet ist . Die erste elektrisch leitend ausgebildete Schicht 104, die elektrisch leitend ausgebildete Dünnf ilmverkapselung 106 und die zweite elektrisch leitend ausgebildete Schicht 108 können beispielsweise als ein Schichtenstapel ausgebildet sein. Die erste elektrisch leitend ausgebildete Schicht 104 , die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung 106 und die zweite elektrisch leitend ausgebildete Schicht 108 können eine im Wesentlichen gleiche flächige Abmessung aufweisen, beispielsweise eine gleiche flächige Abmessung im optisch aktiven Bereich des optoelektronischen Bauelementes 100.
In einem Ausführungsbeispiel kann die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung 106 eine erste Grenzfläche mit der ersten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht 104 und eine zweite Grenzfläche mit der zweiten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht 108 aufweisen. Die elektrische Verbindung der ersten elektrisch leitend ausgebildeten
Schicht 104 mit der zweiten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht 108 kann durch die erste Grenzfläche und die zweite Grenzfläche und/oder mittels der ersten Grenzfläche und der zweiten Grenzfläche ausgebildet sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung 106 einen der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: ein Metalloxid, ein Metallnitrid, und/oder ein Metalloxinitrid, beispielsweise einen Stoff der Barriereschiebt des
optoelektronischen Bauelementes - wie in der nachfolgenden Beschreibung gezeigt wird.
Die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung 106 kann eine Schichtdicke in einem Bereich von ungef hr 0,1 nm bis ungefähr 100 nm aufweisen, beispielsweise in einem
Bereich von ungef hr 10 nm bis ungef hr 100 nm,
beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 30 nm bis ungefähr 50 nm . In verschiedenen Aus ührungsbeispielen kann die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung 106 einen
Dotierstoff in einer Matrix aufweisen oder daraus gebildet sein. Die Matrix kann ein leitfähiges Oxid aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Nickeloxid, und/oder ein Kupferdelafossi ; und zusätzlich beispielsweise transparent sein für sichtbares Licht . Der Dotierstoff kann ein Metall aufweisen oder sein,
beispielsweise Silber, Kupfer, Gold, Aluminium, Zink, Zinn. Beispielsweise kann die elektrisch leitend ausgebildete
Dünnfilmverkaps lung 106 mit Aluminium dotiertes Zinkoxid aufweisen oder daraus gebildet sein. Alternativ, zusätzlich oder mit anderen Worten kann die elektrisch leitend
ausgebildete Dünnfilmverkapselung 106 eine Legierung
aufweisen oder daraus gebildet sein .
In verschiedenen Ausf hrungsbeispielen kann die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung einen Atomanteil an Dotierstoff an den Atomplätzen der Matrix der elektrisch leitend ausgebildeten Dünnfilmverkapselung 106 in einem
Bereich von ungefähr 0,1 % bis ungefähr 20 % aufweisen, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 0 , 5 % bis ungefähr 10 %, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1 % bis ungefähr 4 % . Beispielsweise 3 % Aluminium in Zinkoxid.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung einen
Gewichtsanteil an Dctierstoff an der elektrisch leitend ausgebildeten Dünnfilmverkapselung 106 in einem Bereich von ungefähr 0 , 1 % bis ungefähr 20 % aufweisen, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 0,5 % bis ungefähr 10 %,
beispielsweise in eine Bereich von ungefähr 1 % bis ungefähr 4 % . Beispielsweise 3 % Aluminium in Zinkoxid. Mit anderen Worten : In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung 106 ein Metall , ein halbleitendes Material und/oder ein dielektrisches Material aufweisen oder daraus gebildet sein. Bei einer elektrisch leitend ausgebildeten
Dünnf ilmverkapselung 106 mit einem dielektrischen Material kann die elektrisch leitend ausgebildeten
Dünnfilmverkapselung 106 derart ausgebildet sein, dass die elektrische Verbindung durch die elektrisch leitend
ausgebildete Dünnfilmverkapselung 106 mittels eines
Tunnelstroms ausgebildet ist. Die elektrisch leitend ausgebildete Dünnf ilmverkapselung 106 kann flächig ausgebildet sein und eine Dicke aufweisen, wobei die elektrische Leitfähigkeit der elektrisch leitend
ausgebildeten Dünnfilmverkapselung 106 entlang der Dicke größer sein kann als entlang der Fläche.
Die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung 106 sollte hermetisch dicht bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff ausgebildet sein, beispi lsweise eine Diffusionsrate
bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff durch die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung 106 aufweisen, die
-4 2
kleiner ist als ungef hr 10 g/ (m d) , beispielsweise in
- 2 - 10 2 einem von ungefähr 10 g/ (m d) bis ungef hr 10 g/ (m d) .
Die zweite elektrisch leitend ausgebildete Schicht 108 kann allgemein eine Schicht oder eine Struktur sein, die aus einem Stoff oder Stoffgemisch gebildet ist, die bezüglich eines Stoffes eine höhere chemische Reaktivität auf eist als die erste elektrisch leitend ausgebildete Schicht 104 und für den die elektrisch leitend ausgebildete Dünnf ilmverkapselung 106 undurchlässig ist , dass heißt hermetisch dicht ist . Mit anderen Worten: Die erste elektrisch leitend ausgebildete Schicht 104 kann eine höhere Beständigkeit bezüglich Wasser und/ oder Sauerstoff auf eisen als die zweite elektrisch leitend ausgebildete Schicht 108 , beispielsw ise ein
geringeres Löslichkeitsprodukt und/oder eine geringe
chemische Reaktivität . Daher sollte die zweite elektrisch leitend ausgebildete Schicht 106 vor Wasser und/oder Sauerstoff beispielsweise aus Richtung der ersten elektrisch lei end ausgebildeten Schicht 104 geschützt werden,
beispielsweise mittels der elektrisch leitend ausgebildeten Dünnf i Imverkapse lung .
In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement 100 ferner wenigstens eine Ladungsträgerinjektionsschicht zwischen der elektrisch leitend ausgebildeten
DünnfiImverkapselung 106 und der ersten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht 104 und/oder zwischen der elektrisch leitend ausgebildeten Dünnf ilmverka selung 106 und der zweiten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht 108
aufv/eisen, wie in der Beschreibung unten noch gezeigt wird. Weitere Ausführungsbeispiele sind beispielsweise in der
Beschreibung der Fig .3 veranschaulicht .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren 200 zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes 100 bereitgestellt - veranschaulicht in Fig .2.
In verschiedenen Aus führungsbeispielen kann das
optoelektronische Bauelement 100 als ein Flächenbauelement ausgebildet werden. Ein optoelektronisches Bauelement 100 , das beispielsweise als ein organisches optoelektronisches
Bauelement 100 ausgebildet wird, kann beispielsweise als ein organischer Fotodetektor, eine organische Solarzelle und/oder eine organische Leuchtdiode ausgebildet werden . Das Verfahren kann ein Ausbilden 202 einer ersten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht 104 mit einem elektrisch leitfähigen Stoff i einer Matrix aufweisen.
Die erste elektrisch leitend ausgebildete Schicht 104 kann während des Herstellens des optoelektronischen Bauelements 100 eine Dicke in einem Bereich von ungef hr 100 nm bis ungefähr 1 mm auf eisen, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1 μτα bis ungefähr 100 μν , beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 20 μνα bis ungefähr 50
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betragen. Die Dicke der ersten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht 104 kan sich im Verlaufe des Verfahren 200 zum Herstellen des optoelektronischen Bauel mentes 100 verändern, beispielsweise reduzieren, beispielsweise in dem flüchtige Bestandteile , beispielsweise organische Lösungsmittel , aus der Matrix, beispielsweise einem Bindemittel , entfernt werden. Die erste elektrisch leitend ausgebildete Schicht 104 kann im
fertiggestellten optoelektronischen Bauelement 100
beispielsweise eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 2 μτ aufweisen, beispielsweise ungefähr 20 nm bis ungefähr 300 nm, beispielsweise ungefähr 30 nm bis ungefähr 180 nm betragen. Mit anderen Worten: In
verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste elektrisch leitend ausgebildete Schicht 104 aus einem binderhaltigen
Stoffgemisch mit elektrisch leitfähigen Stoff auf oder über ein Substrat aufgebracht werden, beispielsweise in Form einer Paste , beispielsweise mittels eines Siebdruck- oder eines Tampondruckverfahrens , oder abgeschieden werden,
beispielsweise aufgesprüht werden . Anschließend kann die Paste getrocknet werden, beispielsweise mittels eines
Erwärmens und/oder Vakuums . Beim Trocknen können flüchtige Bestandteile , beispielsweise ein organisches Lösungsmittel , aus der Paste entfernt werden. Weiterhin kann die Paste ausgehärtet werden, beispielsweise mittels eines Vernetzens des elektrisch leitfähigen Stoffs .
Die Matrix kann ein Bindemittel bezüglich des elektrisch leitfähigen Stoffs aufweisen oder daraus gebildet sein.
Beispielsweise kann der elektrisch leitf hige Stoff in dem Bindemittel vor dem Ausbilden der ersten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht 104 verteilt werden, beispi lsweise unter gemischt werden. Das Bindemittel kann ein herkömmliches Bindemittel für den j eweiligen elektrisch leitfähigen Stoff sein, beispielsweise auf Polymerbasis , und flüchtige Stoff auf eisen, beispielsweise organische Lösungsmittel . Mit anderen Worten: Die Matrix kann kohäsionsverstärkend
hinsichtlich der Kohäsion des elektrisch leitfähigen Stoffes ausgebildet sein. Die Matrix der ersten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht 104 kann hygroskopisch sein, das heißt wasserbindend sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Matrix der Paste zum Ausbilden 202 der ersten elektrisch leitend
ausgebildeten Schicht 104 und/oder die Matrix der ersten elektrisch leitend ausgebildete Schich 104 neben dem
elektrisch leitfähigen Stoff, ein Lösungsmittel ,
beispielsweise ein organisches Lösungsmittel , und weitere Addi ive auf eisen. Die weiteren Additive können
beispielsweise sein : ein Härter, ein Katalysator, ein
Benetzungsmittel , ein Schauminhibitor, ein
Korrosionsinhibitor, ein Antiverschleißaddi iv und/oder ein Stabilisator.
Ein Lösungsmittel kann beispielsweise einer der folgenden Stoffe sein oder aufweisen: Wasser, einen niederen Alkohole , beispielsweise Ethanol , 2-Propanol , n-Propanol, Methanol ; und einen mehrwertigen Alkohol , beispielsweise Ethylenglykol , Glycerin, Polymere mit Hydroxy1-Gruppe , beispielsweise
Polyethylenoxid; Silikonöle , Ether von mehrwertigen AIkoholer¬ beispielsweise Triethylenglykol-mono-n-Butyl-ether . Ein Bindemittel kann beispielsweise einer der folgenden
Stoffe sein oder aufweisen: ein Cellulose-basiertes System, beispielweise ein Celluloseether, beispielsweise Methyl- Cellulose , Ethyl-Cellulose , Carboxymethyl-Cellulose ; ein Celluloseester, beispielsweise Celluloseacetat,
Cellulosepropionat , Celluloseacetatbutyra ; oder andere
Cellulosederivate, beispielsweise Nitrocellulose ; ein
Acrylat, ein Polyamid, ein Polyvinylchlorid, ein Polyethylen, ein Polyester, ein Polyurethan und/oder ein Epoxidharz .
Alternativ oder zusätzlich kann die Matrix ein anorganisches Bindemittel aufweisen, beispielsweise auf oxidischer oder silikatischer Basis , beispielsweise eine Kieselsäure, eine pyrogene Kieselsäure ; oder auf Wasserglas-Basis ,
beispielsweise ein gering alkalisches Glas . Weiterhin kann die Matrix und/oder die Oberfläche der
Partikel aus elektrisch leitfähigem Stoff chemisorbierende, konjugierte Pi-Elektronensysteme enthaltende Verbindungen aufweisen, beispielsweise elektrisch leitfähige Polymere, beispielsweise Poly {3 , 4 -Ethylendioxithiophen)
Poly (styrolsuifonat) ( PEDOT : PSS) und Polyanilin (Pani) , und deren Monomere oder Oligomere . Ein Korrosionsinhibitor kann beispielsweise
Mercaptober.zooxazol , Mercaptobenzthiazole aufweisen oder sein .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste elektrisch leitend ausgebildete Schicht einen Gewichtsanteil an elektrisch leitfähigem Stoff an der ersten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht aufweisen in einem Bereich von ungef hr 0 , 1 Gew.-% bis unge hr 100 Ge . - % , beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1 Gew . - % bis ungefähr 80 Gew . - % , beispielsweise in einem Bereich von ungef hr 5 Gew . - % bis ungefähr 70 Gew . - % , beispielsweise in einem Bereich von ungef hr 15 Gew. -% bis ungefähr 50 Gew . - % , beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 20 Gew. -% bis ungefähr 40 Gew. -% . I verschiedenen Aus ührungsbeispielen kann die erste elektrisch leitend ausgebildete Schicht 104 derart
ausgebildet werden, dass der elektrisch leitfähige Stoff in der Matrix verteilt wird, beispielsweise homogen . Alternativ kann der elektrisch leitfähige Stoff derart in der Matrix verteilt werden, dass die erste elektrisch leitend
ausgebildete Schicht 104 einen Gradienten an elektrisch leitf higen Stoff auf eist . Alternativ kann der elektrisch leitfähige Stoff i wenigstens einer ersten Lage und einer zweiten Lage ausgebildet werden, wobei die Matrix zwischen der ersten Lage und der zweiten Lage angeordnet wird und die Matrix die erste Lage mit der zweiten Lage verbindet . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der elektrisch leitfähige Stoff als ein zweidimensionales Netzwerk
ausgebildet werden. Der elektrisch leitfähige Stoff kann in Partikeln in einer der folgenden Formen ausgebildet sein: Nanodrähte , Nanoröhren, Flocken oder Plättchen.
Die Partikel des elektrisch leitfähigen Stoffs können einen mittleren Durchmesser in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 1 μνα aufweisen, beispielsweise von ungefähr 10 nm bis ungefähr 150 nm, beispielsweise von ungef hr 15 nm bis ungefähr 60 nm, und/oder eine Länge in einem Bereich vom Durchmesser des entsprechenden Nanodrahts bis ungef hr 1 mm, beispielsweise von ungefähr 1 μτ bis ungefähr 100 μιτι, beispielsweise von ungefähr 20 μχη bis ungefähr 50 μπι auf.
In einem Ausführungsbeispiel kann der elektrisch leitf hige Stoff in Form einer Graphen- Fläche ausgebildet sein.
Alternativ oder zusätzlich kann der elektrisch leitfähige Stoff einen der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: Kohlenstoff, Silber, Kupfer, Gold, Aluminium, Zink, Zinn .
Der elektrisch leitfähige Stoff , beispielsweise in Form von Nanodrähten, kann beispielsweise ein metallisches Material , beispielsweise ein Metall oder ein Halbmetall, beispielsweise Silber, Gold, Aluminium und/oder Zink aufweisen oder daraus gebildet sein. Beispielsweis können die Nanodrähte eine
Legierung aufweisen, die eines oder mehrere der genannten Materialien aufweist . In einer Ausgestaltung können die
Nanodrähte zumindest teilweise atomar miteinander verbunden sein . Beispielsweise können die Nanodrähte aufgrund ihrer atomaren Verbindungen ein zweidimensionales Netzwerk
ausbilden. Der elektrisch leitfähige Stoff in Form von Nanoröhren kann beispielsweise Kohlenstoff aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise als Einzelwand-Nanoröhren ( Single wall carbon nanotube - SWCNT) , Mehrwand-Nanoröhren (multi wall carbon nanotube MWC T} , und/oder funktionalisierte
Nanoröhren, beispielsweise mit chemisch funktionellen Gruppen an der Außenhaut der Nanoröhren . Weiterhin kann das Verfahren ein Ausbilden 204 einer zweiten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht 108 auf eisen .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das Verfahren 200 ein Ausbilden einer ersten Elektrode 310 , ein Ausbilden einer zweiten Elektrode 31 , und ein Ausbilden einer organischen funktionellen Schichtenstruktur 312 zwischen der ersten
Elektrode und der zweiten Elektrode 310 aufweisen.
Die organische funktionelle Schichtenstruktur 312 wird zu einem Umwandeln eines elektrischen Stromes in eine
elektromagnetische Strahlung und/oder zu einem Umwandeln einer elektromagnetischen Strahlung in einen elektrischen Strom ausgebildet In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
elektrisch leitend ausgebildete Schicht 104 (in Fig.3 veranschaulicht mit den Bezugszeichen 104-1 und 104-2) als erste Elektrode 310 und/oder zweite Elektrode 314 ausgebildet werden. Die zweite elektrisch leitend ausgebildete Schicht 108 kann als die organische funktionelle Schichtenstruktur 312 , oder eine Schicht oder Struktur in der organischen funktionellen Schichtenstruktur 312 ausgebildet werden .
Bezüglich der Ausgestaltungen der zweiten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht 108 siehe beispielsweise auch die Beschreibung der organischen funktionellen Schichtenstruktur en un en .
Das Ver ahren 200 kann ferner wenigstens ein Ausbilden einer weiteren Elektrode aufweisen derart, dass die erste Elektrode 310 und/oder die zweite Elektrode 314 als Zwischenelektrode/n ausgebildet werden/wird. Alternativ oder zusätzlich kann die erste Elektrode 310 oder die zweite Elektrode 314 und eine Zwischenelektrode 318 die erste Elektrode und die zweite Elektrode bilden.
Weiterhin kann das Verfahren ein Ausbilden 206 einer
elektrisch leitend ausgebildeten Dünnfilmverkapselung 106 aufweisen, wobei die elektrisch leitend ausgebildete
Dünnfilmverkapselung 106 zwischen der ersten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht 104 und der zweiten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht 108 ausgebildet wird.
In einem Ausführungsbeispielen kann die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung 106 auf oder über der ersten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht 104
ausgebildet werden, und die zweite elektrisch leitend
ausgebildete Schicht 108 auf oder über der elektrisch leitend ausgebildeten Dünnfilmverka se1ung 106 ausgebildet werden. In einem anderen Ausführungsbeis ielen kann die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung 106 auf oder über der zweiten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht 108 ausgebildet werden, und die erste elektrisch leitend
ausgebildete Schicht 104 auf oder über der elektrisch leitend ausgebildeten Dünnfilmverkapselung 106 ausgebildet werden . Mit anderen Worten: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung 106 zwischen der ersten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht 104 und zweiten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht 108 ausgebilde .
Die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung 106 kann derart ausgebildet werden, dass die zweite elektrisch leitend ausgebildete Schicht 108 mittels der elektrisch leitend ausgebildeten Dünnfilmverkapselung 106 mit der ersten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht 104 elektrisch leitend verbunden ist .
In einem Ausführungsbeispiel können die erste elektrisch leitend ausgebildete Schicht 104, die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung 106 und die zweite elektrisch leitend ausgebildete Schicht 108 derart
ausgebildet werden, dass die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapseiung 106 eine erste Grenzfläche mit der ersten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht 104 und eine zweite Grenzfläche mit der zweiten elektrisch leitend
ausgebildeten Schicht 108 aufweist. Die elektrische
Verbindung der ersten elektrisch leitend ausgebildeten
Schicht 104 mit der zweiten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht 108 kann dann durch die erste Grenzfläche und die zweite Grenzfläche und/oder mittels der ersten Grenzfläche und der zweiten Grenzfläche ausgebildet sein .
Weiterhin kann die erste elektrisch leitend ausgebildete Schicht 104 eine höhere Beständigkeit bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff auf eisen als die zweite elektrisch leitend ausgebildete Schicht 108 , beispielsweise ein
geringeres Löslichkeitsprodukt und/oder eine geringe
chemische Reaktivität . Daher sollte die zweite elektrisch leitend ausgebildete Schicht 106 vor Wasser und/oder
Sauerstoff beispielsweise aus Richtung der ersten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht 104 geschützt werden,
beispielsweise mittels der elektrisch leitend ausgebildeten Dünnfilmverka selung 106. Die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapseiung 106 sollte dazu hermetisch dicht bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff ausgebildet werden, beispielsweise eine Diffusionsrate bezüglich Wasser und/oder
Sauerstoff durch die elektrisch leitend ausgebildete
Dünnfilmverkapseiung 106 aufweisen, die kleiner ist als
- 2
ungef hr 10 g/ (m d) , beispielsweise in einem von ungefähr 10 4 g/ (m2d) bis ungefähr 10 10 g/ (m2d) . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die elektrisch leitend
ausgebildete Dünnfilmverkapseiung 106 hermetisch dicht bezüglich einer Diffusion von Wasser und/oder Sauerstoff von der ersten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht 104 durch die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapseiung 106 in die zweite elektrisch leitend ausgebildete Schicht 108 ausgebildet werden, beispielsweise in dem die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung 106 aus einem hermetisch dichten Stoff gebildet wird.
In verschiedenen Ausführungsbeis ielen kann die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung 106 einen der folgenden Sto fe aufweisen oder daraus gebildet werden: eine Keramik, ein Metalloxid, ein Metall, ein Metallnitrid, und/oder ein Metalloxinitrid, beispielsweise einen Stoff der Barriereschicht des optoelektronischen Bauelementes 100 - wie in der nachfolgenden Beschreibung gezeigt wird.
Die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung 106 kann mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 0 , 1 nm bis ungefähr 100 nm ausgebildet werden, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungef hr 100 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungef hr 20 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 30 nm bis ungef hr 50 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung 106 einen
Dotierstoff in einer Matrix aufweisen oder daraus gebildet werden. Die Matrix kann ein leitfähiges Oxid aufweisen oder daraus gebildet werden, beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Nickeloxid, und/oder ein Kupferdelafossit ; und zusätzlich beispielsweise transparent sein für sichtbares Licht . Der Dotierstoff kann ein Metall aufweisen oder sein,
beispielsweise Silber, Kupfer, Gold , Aluminium, Zink, Zinn . Beispielsweise kann die elektrisch leitend ausgebildete
DünnfiImverkapselung 106 mit Aluminium dotiertes Zinkoxid aufweisen oder daraus gebildet werden. Alternativ, zusätzlich oder mit anderen Worten kann die elektrisch leitend
ausgebildete DünnfiImverkapselung 106 eine Legierung
aufweisen oder daraus gebildet werden.
Mit anderen Worten: In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die elektrisch leitend ausgebildete DünnfiImverkapselung 106 ein Metall, ein halbleitendes Material und/oder ein dielektrisches Material aufweisen oder daraus gebildet werden.
Bei einer elektrisch leitend ausgebildeten
Dünnfilmverkapselung 106 mit einem dielektrischen Material kann die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung 106 derart ausgebildet werden , dass die elektrische
Verbindung durch die elektrisch leitend ausgebildete
Dünnfilmverkapselung 106 mittels eines Tunnelstroms
ausgebildet wird .
Die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung 106 kann flächig ausgebildet werden und eine Dicke auf eisen, wobei die elektrische Leitfähigkeit der elektrisch leitend ausgebildeten Dünnfilmverkapselung 106 entlang der Dicke größer sein kann als entlang der Fläche .
In einem Ausführungsbeispiel kann die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung 104 mittels eines
Koverdampfens , eines AtomlagenabscheideVerfahrens (atomic .layer deposition - ALD) und/oder eines
Moleküllagenabscheideverfahrens {molecular layer deposition - MLD) ausgebildet werden . Beispielsweise kann eine elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung 104 mit oder aus ZnO-.Al mittels ALD ausgebildet werde .
Präkursor Präkursor -Komplement resultierende
Verbindung
Trimethylaluminium H20; Ethylenglykol; Alucone (Al203 ) (AI (CH3) 3 - T A) O3 ; 02-Plasma, OH- Gruppen
BBr3 H20 B203
Tris (dimethylamino) H2O2 Si02
silan
Cd{CH3}2 H2S CdS
Hf [N(Me2) ] 4 H20 Hf02
Pd(hfac) 2 H2 ; H2 Plasma Pd MeCpPtMe3 C>2 plasma Pt02
MeCpPtMe3 02 plasma; 02 plasma Pt
+ H2
Si (NCO) 4 ; SiCl4 H20 Si02
TDMASn H202 Sn02
Cl2H26N2Sn H202 SnOx
TaCl5 H20 Ta205
Ta [N{CH3) 2] 5 02 Plasma Ta205
TaCl5 H Plasma Ta
TiCl4 H Plasma Ta
Ti [OCH(CH3) ] 4; TiCl4 H20 Ti02
VO (OC3H9) 3 o2 V205
Zn(CH2CH3)2 Η2θ; H202 ZnO
Zr(N{CH3)2)4)2 H20 Zr02
Bis (ethylcyclopenta H20 MgO
dienyl) magnesium
Tris (diethylamido) N2H4 TaN
{tert-butylimido)
tantalum
Eine als nicht einschränkend anzusehende Auswahl an Stoffen als MLD- Präkursor ist beispielsweise in nachfolgender
Übersicht dargestellt.
Präkursor Präkursor -Komplement resultierende
Verbindung
p-Phenylendiamine Terephtaloylchlorid Poly (p-phenylen terephthalamid)
1, 6-Hexandiamin C6H8C1202 Nylon 66
{Adipolychlorid)
In einem Ausführungsbeispielen des Verfahrens 200 kann die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfxlmverkapselung 106 vollflächig auf oder über der ersten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht 104 oder der zweiten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht 108 ausgebildet werden. Die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung 106 kann nach dem Ausbilden strukturiert werden, beispielsweise mittels eines Lasers. In einem Ausfuhrungsbeispiel , in dem das Verfahren ferner ein Ausbilden einer ersten Elektrode 310 und ein
Ausbilden einer zweiten Elektrode 314 aufweist, kann die erste Elektrode und die zweite Elektrode mit der elektrisch leitend ausgebildeten Dünnfilmverkapselung elektrisch leitend verbunden ausgebildet werden. Die elektrisch leitend
ausgebildete Dünnfilmverkapselung 106 kann beispielsweise derart strukturiert werden, dass der Bereich der elektrisch leitend ausgebildeten Dünnfilmverkapselung 106 , der mit der ersten Elektrode 310 elektrisch leitend verbunden ist oder wird, elektrisch isoliert ist von dem Bereich der elektrisch leitend ausgebildeten Dünnfilmverkapselung 106 , der mit der zweiten Elektrode elektrisch leitend verbunden ist oder wird.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das Verfahren 200 ferner ein Ausbilden eine Verkapselungss ruktur 126
aufweisen. Die Verkapselungsstruktur 126 kann derart
ausgebildet werden, dass die Verkapselungsstruktur 126 die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung 106 aufweist . Die Verkapselungsstruktur 126 kann derart
ausgebildet werden, dass die zweite elektrisch leitend ausgebildete Schicht 108 hermetisch abgedichtet wird
bezüglich einer Diffusion von Wasser und/oder Sauerstoff durch die Verkapselungsstruktur 126 in die zweite elektrisch leitend ausgebildete Schicht 108.
In verschiedenen Ausfuhrungsbeispielen kann das Verfahren 200 ferner wenigstens ein Ausbilden einer
Ladungsträgerinjektionsschicht zwischen der elektrisch leitend ausgebildeten Dünn ilmverkapselung 106 und der ersten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht 104 und/oder
zwischen der elektrisch leitend ausgebildeten
Dünnfilmverkapselung 106 und der zweiten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht 108 aufweisen . Die
Ladungsträgerinj ektionsschicht kann beispielsweise eine Lochinjektionsschicht oder eine Elektroneninjektionsschicht sein, siehe beispielsweise auch Beschreibungen der Fig. 3.
Die erste elektrisch leitend ausgebildete Schicht 104, die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung 106 und die zweite elektrisch leitend ausgebildete Schicht 108 können beispielsweise als ein Schichtenstapel ausgebildet werden. Die erste elektrisch leitend ausgebildete Schicht 104, die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung 106 und die zweite elektrisch leitend ausgebildete Schicht 108 können eine im Wesentlichen gleiche flächige Abmessung aufweisen, beispielsweise eine gleiche flächige Abmessung im optisch aktiven Bereich, beispielsweise flächigen lichtemittierenden Bereich, des optoelektronischen Bauelementes 100.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist das
optoelektronische Bauelement 100 das hermetisch dichte
Substrat 126 , einen aktiven Bereich 306 und die
Verkapselungsstruktur 128 auf - beispielsweise
veranschaulicht in Fig.3.
Das hermetisch dichte Substrat 128 kann einen Träger 302 und eine erste Barriereschicht 304 auf eisen . Der aktive Bereich 306 ist ein elektrisch aktiver Bereich 306 und/oder ein optisch aktiver Bereich 306. Der aktive Bereich 306 ist beispielsweise der Bereich des optoelektronischen Bauelements 100 , in dem elektrischer Strom zum Betrieb des optoelektronischen Bauelements 100 fließt und/oder in dem elektromagnetische Strahlung erzeugt und/oder absorbiert wird. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das optoelektronische Bauelement 100 , beispielsweise der
elektrisch aktive Bereich 106, eine erste Elektrode 310 , eine zweite Elektrode 314 und eine organische funktionelle
Schichtenstruktur 312 zwischen der ersten Elektrode 310 und der zweiten Elektrode 314 aufweisen (veranschaulicht in
Fig.3 ) , wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur 312 zu einem Umwandeln eines elektrischen Stromes in eine elektromagnetische St ahlung und/oder zu einem Umwandeln einer elektromagnetischen Strahlung in einen elektrischen Strom ausgebildet ist; wobei die erste elektrisch leitend ausgebildete Schicht 104 (in Fig.3 veranschaulicht mit den Bezugszeichen 104-1 und 104-2} als erste Elektrode 310 und/oder zweite Elektrode 314 ausgebildet sein kann; und wobei die zweite elektrisch leitend ausgebildete Schicht 108 als die organische funktionelle Schichtenstruktur 312 , oder eine Schicht oder Struktur in der organischen funktionellen Schichtenstruktur 312 ausgebildet ist .
Das optoelektronische Bauelement 100 kann ferner wenigstens eine weitere Elektrode aufweisen derart , dass die erste
Elektrode und/oder die zweite Elektrode als
Zwischenelektrode/n ausgebildet sein/ist. Alternativ oder zusätzlich kann die erste Elektrode oder die zweite Elektrode und eine Zwischenelektrode 318 die erste Elektrode und die zweite Elektrode bilden. Die organische funktionelle Schichtenstruktur 312 kann ein, zwei oder mehr funktionelle Schichtenstruktur-Einheiten und eine, zwei oder mehr Zwischenschichtstruktur (en) zwischen den Schichtenstruktur- Einheiten aufweisen . Die organische
funktionelle Schichtenstruktur 312 kann beispielsweise eine erste organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 316 , eine Zwischenschichtstruktur 318 und eine zweite organische funktionelle Schichtenstruktur- Einheit 320 aufweisen .
Die Verkapselungsstruktur 126 kann die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung 106 aufweisen. Die
Verkapselungsstruktur 126 ist derart ausgebildet, dass die zweite elektrisch leitend ausgebildete Schicht 108 hermetisch abgedichtet ist bezüglich einer Diffusion von Wasser und/oder Sauerstoff durch die Verkapselungsstruktur 126 in die zweite elektrisch leitend ausgebildete Schicht 108. Die
Verkapselungsstruktur 128 kann weiterhin die erste
BarriereSchicht , eine zweite Barriereschicht 308, eine schlüssige Verbindungsschicht 322 und eine Abdeckung 324 aufweisen, wobei elektrisch leitend ausgebildete Dünnfxlmverka seiung als erste oder zweite Barriereschicht 304, 308 ausgebildet sein kann und umgekehrt. Die erste Barriereschicht 304 kann eines der nachfolgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein:
Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid,
Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid,
Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid,
Indiumzinkoxid, A uminium-dotiertes Zinko id, Poly (p- phenylenterephthalamid) , Nylon 66, sowie Mischungen und
Legierungen derselben .
Die erste Barriereschicht 304 kann mittels eines der
folgenden Verfahren ausgebildet werde : ein
Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD) ) , beispielsweise eines plasmaunterstützten
Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition ( EALD) ) oder ein plasmaloses
Atomlageabscheide erfahren {Plasma- less Atomic Layer
Deposition (PLALD) ) ; ein chemisches
Gasphasenabscheideverfahren (Chemical Vapor Deposition
(CVD) ) , beispielsweise ein plasmaunterstütztes
Gasphasenabscheideverfahren (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) ) oder ein plasmaloses
Gasphasenabscheideverfahren (Plasma- less Chemical Vapor
Deposition (PLCVD) ) ; oder alternativ mittels anderer
geeigneter Abscheideverfahren. Bei einer ersten Barriereschicht 304 , die mehrere
Teilschichten aufweis , können alle Teilschichten mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden. Eine Schichtenfolge , die nur ALD-Schichten aufweist, kann auch als
„Nanolaminat" bezeichnet werden .
Bei einer ersten Barriereschicht 304 , die mehrere
Teilschichten aufweist , können eine oder mehrere
Teilschichten der ersten Barriereschicht 304 mittels eines anderen AbscheideVerfahrens als einem
Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden,
beispielsweise mittels eines Gasphasenabscheideverfahrens . Die erste Barriereschicht 304 kann eine Schichtdicke von ungefähr 0,1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm
aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm gemäß einer Ausgestaltung,
beispielsweise ungefähr 40 nm gemäß einer Ausgestaltung .
Die erste Barriereschicht 304 kann ein oder mehrere
hochbrechende Materialien aufweisen, beispielsweise ein oder mehrere Material (ien) mit einem hohen Brechungsindex , beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2.
Ferner ist darauf hinzuweisen, dass i verschiedenen
Ausführungsbeispielen auch ganz auf eine erste
Barriereschicht 304 verzichtet werden kann, beispielsweise für den Fall , dass der Träger 102 hermetisch dicht
ausgebildet ist , beispielsweise Glas , Metall , Metalloxid aufweist oder daraus gebildet ist .
Die erste Elektrode 304 kann als Anode oder als Kathode ausgebildet sein.
Die erste Elektrode 310 kann eines der folgenden elektrisch leitfähigen Material aufweisen oder daraus gebildet werden : ein Metall ; ein leitfähiges transparentes Oxid (transparent conductive oxide , TCO) ; ein Netzwerk aus metallischen
Nanodrähten und - teilchen, beis ielsweise aus Ag, die beispielsweise mit leitfähigen Polymeren kombiniert sind; ein Netzwerk aus Kohlenstoff -Nanoröhren, die
beispielswe se mit leitfähigen Polymeren kombiniert sind; Graphen- Teilchen und -Schichten; ein Netzwerk aus
halbleitenden Nanodrähten; ein elektrisch leit fähiges Polymer; ein Übergangsmetalloxid; und/oder deren
Komposite . Die erste Elektrode 310 aus einem Metall oder ein Metall aufweisend kann eines der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: Ag, Pt, Au, Mg, AI, Ba, In, Ca, Sm oder Li, sowie Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser Materialien. Die erste Elektrode 310 kann als transparentes leitfähiges Oxid eines der folgenden
Materialien aufweisen: beispielsweise Metalloxide:
beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium-Zinn-Oxid (ITO) . Neben binären
MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise ZnO, S Ü2 , oder In203 gehören auch ternäre MetallsauerstoffVerbindungen, beispielsweise AIZnO, Zn2Sn0 , CdSn03 , ZnSn03 , Mgl 204,
Galn03 , Zn2ln2Ü5 oder Ι 3η3θχ2 oder Mischungen
unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs und können in verschiedenen
Ausführungsbeispielen eingesetzt werden . Weiterhin
entsprechen die TCOs nicht zwingend einer stöchiometrischen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein, bzw. lochleitend (p-TCO) oder elektronenleitend (n-TCO) sein . Die erste Elektrode 310 kann eine Schicht oder einen
Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben Materials oder unterschiedlicher Materialien aufweisen . Die erste Elektrode 310 kann gebildet werden von einem Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs, oder umgekehrt . Ein Beispiel ist eine
Silberschicht , die auf einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO Multischichte .
Die erste Elektrode 304 kann beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von 10 nra bis 500 nm,
beispielsweise von kleiner 25 nm bis 250 nm, beispielsweise von 50 nm bis 100 nm.
Die erste Elektrode 310 kann einen ersten elektrischen
Anschluss auf eisen, an den ein erstes elektrisches Potential anlegbar is . Das erste elektrische Potential kann von einer Energiequelle bereitgestellt werden, beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsquelle, Alternativ kann das erste elektrische Potential an einen elektrisch leitfähigen Träger 102 angelegt sein und die erste Elektrode 310 durch den Träger 102 mittelbar elektrisch zugeführt sein. Das erste elektrische Potential kann beispielsweise das Massepotential oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotential sein.
In Fig.3 ist ein optoelektronisches Bauelement 100 mit einer ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur- Einheit 316 und einer zweite organischen funktionellen
Schichtenstruktur-Einheit 320 dargestellt . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle
Schichtenstruktur 312 aber auch mehr als zwei organische funktionelle Schichtenstrukturen auf eisen, beispielsweise 3, 4, 5, 6, 7 , 8 , 9 , 10, oder sogar mehr, beispielsweise 15 oder mehr, beispielsweise 70.
In verschiedenen Aus ührungsbeispielen kann eine Schicht oder können mehrere Schichten der nachfolgend beschriebenen
Schichten und Strukturen die zweite elektrisch leitend ausgebildete Schicht sein oder bilden.
Die erste organische funktionelle Schichtenstruktur- Einheit 316 und die optional weiteren organischen funktionellen
Schichtenstrukturen können gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein, beispielsweise ein gleiches oder
unterschiedliches Emittermaterial aufweisen. Die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur -Einheit 320 , oder die weiteren organischen funktionellen Schichtenstruktur- Einheiten können wie eine der nachfolgend beschriebenen
Ausgestaltungen der ersten organischen funktionellen
Schichtenstruktur-Einheit 316 ausgebildet sein.
Die erste organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 316 kann eine Lochinjektionsschicht, eine
Lochtransportschicht , eine Emitterschicht , eine
Elektronentransportschicht und eine
Elektroneninjektionsschicht aufweisen. In einer organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 312 kann eine oder mehrere der genannten Schichten vorgesehen sein, wobei gleiche Schichten einen körperlichen Kontakt aufweisen können, nur elektrisch miteinander verbunden sein können oder sogar elektrisch voneinander isoliert ausgebildet sein können, beispielsweise nebeneinander ausgebildet sein können. Einzelne Schichten der genannten Schichten können optional sein .
Eine Lochinjektionsschicht kann auf oder über der ersten Elektrode 310 ausgebildet sein . Die Lochinj ektionsschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein; HAT- C , Cu(I)pFBz, MoOx, WOx, V0X, ReOx, F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9, Bi (III)pFBz, F16CuPc; NPB (Ν,Ν' - Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) beta-NPB N, N ' -Bis (naphthalen-2 -y1 ) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; TPD (Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro TPD (Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -spiro) ; DMFL-TPD Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -N, N ' -bis (phenyl) -9, 9- dimethyl-fluoren) ,· DMFL-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' - bis (phenyl) - 9 , 9-dimethyl-fluoren) ,- DPFL-TPD (Ν,Ν' -Bis (3- methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9 -diphenyl - fluoren) ; DPFL- NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl- fluoren) ; Spiro-TAD (2,2' ,7,7' -Tetrakis (n, n-diphenylamino) - 9,9 ' -spirobifluoren) ,- 9 , 9-Bis [4 - (N, N-bis-biphenyl-4-yl- amino) henyl] -9H-fluoren; 9 , 9-Bis [4- (N, N-bis-naphthalen- 2 -yl- amino) phenyl] - 9H- fluoren; 9, 9-Bis [4- (Ν,Ν' -bis-naphthalen-2- yl-N,N' -bis-pheny1-amino) -phenyl] -9H-fluor;
N, ' -bis (phenanthren- 9-yl ) -N, 1 -bis (phenyl) -benzidin;
2 , 7-Bis [N, -bis (9 , 9-spiro-bifluorene-2-yl) -amino] -9, 9-spiro- bifluoren; 2,2' -Bis [N, N-bis (biphenyl-4-yl) mino] 9 , 9-spiro- bifluoren; 2,2' -Bis (N, -di-phenyl -amino) 9 , 9-spiro-bifluoren,· Di- [4- (N, -ditolyl-amino) -phenyl] eyelohexan;
2 , 21 , 7 , 7 ' -tetra (N, N-di-tolyl) amino- spiro-bifluoren; und/oder N, N, N' , N ' -tetra-naphthalen- 2 -yl -benzidin. Die Lochinjektionsschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 ran bis ungefähr 1000 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 30 nm bis ungefähr 300 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 200 nm.
Auf oder über der Lochinj ektionsschicht kann eine
Lochtransportschicht ausgebildet sein. Die
Lochtransportschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NPB (N, ' - Bis (naphthalen- 1 -yl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ,- beta-NPB Ν,Ν' -Bis (naphthalen- 2 -yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; TPD (Ν,Ν' -Bis ( 3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) Spiro TPD (Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ;
Spiro-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen- 1 -yl ) -N, ' -bis (phenyl) -spiro) ; DMFL-TPD Ν,Ν' -Bis ( 3-methylphenyl) -N, N 1 -bis (phenyl) -9,9- dimethyl-fluoren) ; DMFL-NPB (Ν, ' -Bis (naphthalen- 1-yl ) -Ν,Ν' - bis (phenyl) -9, 9-dimethyl-fiuoren) ; DPFL-TPD (N, N ' -Bis ( 3 - methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9 -diphenyl - fluoren) ; DPFL-
NPB (N, N 1 -Bis (naphthalen- 1-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl - fluoren) Spiro-TAD (2,2' ,7,7' -Tetrakis (n, n-diphenylamino) - 9 , 9 1 -spirobifluoren) ; 9, 9-Bis [4- (N, N-bis-biphenyl-4-yl- amino) henyl] -9H-fluoren; 9 , 9-Bis [4 - (N, -bis -naphthalen- 2 -yl - amino) henyl] - 9H- fluoren; 9,9-Bis[4-(N,N' -bis -naphthalen-2- yl-N,N' -bis-phenyl-amino) -phenyl] -9H-fluor;
N, ' -bis ( henanthren- -y1 ) -N, ' -bis (phenyl) -benzidin; 2 , 7- Bis [N, -bis (9, 9-spiro-bifluorene-2-yl) -amino] - 9 , 9-spiro- bifluoren; 2,2' -Bis [N, N-bis (biphenyl - -yl ) amino] 9, 9-spiro- bifluoren; 2,2 ' -Bis (N, -di -phenyl -amino) 9 , 9-spiro-bifluoren; Di- [4 - (N, -ditolyl-amino) -phenyl] cyclohexan; 2 , 2 ' , 7 , 7 ' - tetra (N, N-di- tolyl) amino-Spiro-bifluoren; und N,
Ν,Ν' ,Ν' -tetra-naphthalen-2-yl-benzidin, ein tertiäres Amin, ein Carbazolderivat , ein leitendes Polyanilin und/oder
Polyethylendioxythiophen .
Die Lochtransportschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungef hr 5 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm.
Auf oder über der Lochtransportschiebt kann eine
Emitterschicht ausgebildet sein. Jede der organischen
funktionellen Schichtenstruktur-Einheiten 316, 320 kann jeweils eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen,
beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder
phosphoreszierenden Emittern.
Eine Emitterschicht kann organische Polymere, organische Oligomere , organische Monomere, organische kleine, nicht- polymere Moleküle („small molecules" } oder eine Kombination dieser Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein.
Das optoelektronische Bauelement 100 kann in einer
Emitterschicht eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein-, organische oder
organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (beispielsweise 2- oder 2,5- substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe, beispielsweise Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis (3, 5-difluoro-2- (2-pyridyl) henyl- (2- carboxypyridyl) -iridium III) , grün phosphoreszierendes
Ir (ppy) 3 (Tris (2-phenylpyridin) iridium III) , rot
phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy) 3*2 (PFg) (Tris [ 4 , 4 ' -di-tert- butyl- (2,2' ) -bipyridin] ruthenium (III) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi ( , 4 -Bis [4 - (di-p- tolylamino) styryl] biphenyl) , grün fluoreszierendes T PA
(9, 10-Bis [N,N-di- (p-tolyl) -amino] nthracen) und rot
fluoreszierendes DCM2 (4 -Dicyanomethylen) -2-methyl~6- julolidyl- 9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter.
Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar . Ferner können
Polymeremitter eingesetzt werden, welche beispielsweise mittels eines nasschemischen Verfahrens abscheidbar sind, wie beispielsweise einem Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating) .
Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein, beispielsweise einer
technischen Keramik oder einem Polymer, beispielsweise einem Epoxid; oder einem Silikon.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Emitterschicht eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm . Die EmitterSchicht kann einfarbig oder verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien aufweisen . Alternativ kann die
Emitte schicht mehrere Teilschichten aufweisen, die Licht unterschiedlicher Farbe emittieren. Mittels eines Mischens der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ kann auch vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die PrimärStrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen) PrimärStrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt . Die organische funktioneile Schichtenstruktur-Einheit 316 kann eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen, die als Lochtransportschicht ausgeführt ist/ ind .
Weiterhin kann die organische funktionelle Schichtenstruktur- Einheit 316 eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen, die als Elektronentransportschicht ausgeführt ist/sind. Auf oder über der Emitterschicht kann eine
Elektronentransportschicht ausgebildet sein, beispielsweise abgeschieden sein . Die Elektronentransportschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NET- 18 ; 2, 2', 2" -(1,3, 5 -Benzinetriyl ) - ris (1-phenyl-l-H- benzimidazole) ; 2 - (4-Biphenylyl) -5- (4 - tert-butylphenyl ) - 1,3, 4-oxadiazole, 2, 9~Dimethyl- , 7-diphenyl-l , 10- phenanthroline (BCP) ; 8-Hydroxyquinolinolato-lithium, 4-
(Naphthalen-l-yl) -3,5 - diphenyl - 4H- 1 , 2 , 4 - iazole ; 1, 3-Bis [2- (2,2' -bipyridine - 6 -yl } -1,3, 4 -oxadiazo- 5 -yl] enzene ; 4,7- Diphenyl-1, 10-phenanthroline (BPhen) ; 3- (4-Biphenylyl) -4- phenyl -5 -tert-butylphenyl- 1 , 2 , 4 - triazole ; Bis (2-methyl-8- quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminium; 6,6' -Bis [5- (biphenyl-4 -yl) -1,3,4 -oxadiazo-2 -yl] -2,2' -bipyridyl ; 2- phenyl - 9 , 10-di (naphthalen- 2 -yl ) -anthracene ; 2 , 7-Bis [2 - (2,2 ' - bipyridine- 6 -yl ) -1,3, 4 -oxadiazo- 5 -yl] -9, 9 -dimethylf luorene ; 1, 3-Bis [2- (4 - tert-butylphenyl ) -1,3 , 4 -oxadiazo- 5 -yl] benzene ; 2- (naphthalen-2-yl) -4 , 7-diphenyl-l, 10-phenanthroline; 2,9- Bis (naphthalen-2 -yl) -4 , 7-diphenyl-l , 10 -phenanthroline. ;
Tris (2,4, 6-trimethyl-3- (pyridin- 3 -yl ) phenyl ) borane ; 1-methyl- 2 - (4 - (naphthalen- 2 -yl) henyl) -lH-imidazo [4,5- f] [1,10] henanthrolin; Phenyl -dipyrenyIphosphine oxide ,- Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide ;
Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide; und Stoffen basierend auf Silolen mit einer
Silacyclopentadieneinheit . Die Elektronentransportschicht kann eine Schichtdicke
aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr
50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungef hr 30 nm, beispielsweise ungef hr 20 nm. Auf oder über der Elektronentransportschicht kann eine
Elektroneninj ektionsschicht ausgebildet sein. Die
Elektroneninj ektionsschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sei : NDN-26, MgAg, Cs2C03 , Cs3P04 , Na, Ca, K, Mg, Cs , Li, LiF;
2,2' ,2" - (1,3, 5-Benzinetriyl) -tris (1-phenyl-l-H- benzimidazole) ; 2- ( -Biphenylyl ) -5- (4 -tert-fautylphenyl ) - 1, 3 , 4-oxadiazole, 2 , 9-Dimethyl-4 , 7-diphenyl-l, 10- phenanthroline (BCP) ; 8-Hydroxyquinolinolato- lithium, 4-
(Naphthalen- 1-yl } -3, 5-diphenyl-4H-l , 2 , 4-tnazole ; 1, 3 -Bis [2- (2,2' -bipyridine-6-yl) -1,3, 4 -oxadiazo- 5 -yl] benzene ; 4,7- Diphenyl-l, 10 -phenanthroline (BPhen) ; 3- ( -Biphenylyl) -4- phenyl - 5 - 1ert-butylphenyl - 1 , 2 , -triazole; Bis (2-methyl-8- quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminium; 6,6' -Bis [5- (bipheny1 - -yl ) -1 , 3 , 4 -oxadiazo-2 ~yl] -2,2' -bipyridyl ; 2- phenyl-9 , 10 -di (naphthalen- 2-yl) -anthracene; 2 , 7-Bis [2- (2 , 2 ' - bipyridine - 6 -yl ) -1, 3 , 4-oxadiazo-5-yl] -9, -dimethylfluorene ; 1, 3 -Bis [2- (4 - tert-butylphenyl) -1,3, 4 -oxadiazo- 5 -yl] benzene ,· 2- (naphthalen-2-yl) -4 , 7-diphenyl-l, 10 -phenanthroline ; 2,9- Bis (naphthalen- 2 -yl ) -4 , 7-diphenyl-l , 10 -phenanthroline ;
Tris (2,4, 6-trimethyl-3- (pyridin-3 -yl) henyl) borane; 1-methyl- 2 - (4- (naphthalen-2-yl) phenyl) -lH-imidazo [4 , 5- f] f1 , 10] phenanthroline ; Phenyl-dipyrenylphosphine o ide ,- Naphtahlintetracarbonsauredianhydrid bzw. dessen Imide ;
Perylentetracarbonsauredianhydrid bzw. dessen Imide; und Stoffen basierend auf Silolen mit einer
Silacyclopentadieneinheit . Die Elektroneninj ektionsschicht kann eine Schichtdicke aufweisen i einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 200 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise ungefähr 30 nm. Bei einer organischen funk ionellen Schichtenstruktur 312 mit zwei oder mehr organischen funktionellen Schichtenstruktur- Einheiten 316, 320 , kann die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 320 über oder neben der ersten funktionellen Schichtenstruktur-Einheiten 316 ausgebildet sein . Elektrisch zwischen den organischen funktionellen
Schichtenstruktur-Einheiten 316 , 320 kann eine
Zwischenschichtstruktur 318 ausgebildet sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Zwischenschichtstruktur 318 als. eine Zwischenelektrode 318 ausgebildet sein, beispielsweise gemäß einer der
Ausgestaltungen der ersten Elektrode 310. Eine
Zwischenelektrode 318 kann mit einer externen Spannungsquelle elektrisch verbunden sein . Die externe Spannungsquelle kann an der Zwischenelektrode 318 beispielsweise ein drittes elektrisches Potential bereitstellen. Die Zwischenelektrode 318 kann jedoch auch keinen externen elektrischen Anschluss aufweisen, beispielsweise indem die Zwischenelektrode ein schwebendes elektrisches Potential aufweist .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Zwischenschichtstruktur 318 als eine Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schichtenstruktur 318 (charge generation layer CGL) ausgebildet sein . Eine Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schichtenstruktur 318 kann eine oder mehrere
elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schicht (en) und eine oder mehrere lochleitende Ladungsträgerpaar-
Erzeugung- Schicht (en) aufweisen. Die elektronenleitende
Ladungstragerpaar-Erzeugung-Schicht(en) und die lochleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schich (en) können j ewei1s aus einem intrinsisch leitenden Stoff oder einem Dotierstoff in einer Matrix gebildet sein. Die Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schichtenstruktur 318 sollte hinsichtlich de Energieniveaus der elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schich (en) und der lochleitenden Ladungstrage paar- Erzeugung- Schicht (en) derart ausgebildet sein, dass an der Grenzfläche einer elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-
Erzeugung-Schicht mit einer lochleitenden Ladungsträgerpaar- Erzeugung- Schicht ein Trennung von Elektron und Loch erfolgen kann. Die Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schichtenstruktur 318 kann ferner zwischen benachbarten Schichten eine
Diffusionsbarriere aufweisen.
Jede organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 316 , 320 kann beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von maximal ungefähr 3 μιη, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 μχ , beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm. Das optoelektronische Bauelement 100 kann optional weitere organische funktionalen Schichten aufweisen, beispielsweise angeordnet auf oder über der einen oder mehreren
Emitterschichten oder auf oder über der oder den
Elektronentransport chicht (en) . Die weiteren organischen funktionalen Schichten können beispielsweise interne oder extern Einkoppel- /Auskoppelstrukturen sein, die die
Funktionalität und damit die Effizienz des optoelektronischen Bauelements 100 weiter verbessern. Auf oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 312 oder gegebenenfalls auf oder über der einen oder den mehreren weiteren der organischen funktionellen
Schichtenstruktur und/ oder organisch f nktionalen Schichten kann die zweite Elektrode 314 ausgebildet sein .
Die zweite Elektrode 314 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 310 ausgebildet sein, wobei die erste Elektrode 310 und die zweite Elektrode 314 gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein können . Die zweite Elektrode 314 kann als Anode , also als löcherinj izierende Elektrode ausgebildet sein oder als Kathode , also als eine
elektroneninj izierende Elektrode .
I verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
elektrisch leitend ausgebildete Schicht 106 kann als erste Elektrode 310 und/oder als zweite Elektrode 314 ausgebildet sein und/oder mit dieser elektrisch verbunden sein. In einem Ausführungsbeispiel kann die erste Elektrode und/oder die zweite Elektrode die zweite elektrisch leitend ausgebildete Schicht sein.
Die zweite Elektrode 314 kann einen zweiten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein zweites elektrisches
Potential anlegbar ist . Das zweite elektrische Potential kann von der gleichen oder einer anderen Energiequelle bereitgestellt werden wie das erste elektrische Potential und/oder das optionale dritte elektrische Potential. Das zweite elektrische Potential kann unterschiedlich zu dem ersten elektrischen Potential und/oder dem optional dritten elektrischen Potential sein. Das zweite elektrische Potential kann beispielsweise einen Wert aufweisen derart, dass die Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungefähr 20 V aufweist , beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2,5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 3 V bis ungefähr 12 V.
Auf der zweiten Elektrode 314 kann die zweite Barriereschicht 308 ausgebildet sein.
Die zweite Barriereschicht 308 kann gemäß einer der
Ausgestaltungen der ersten Barriereschicht 304 ausgebildet sein . Die elektrisch leitend ausgebildete
DünnfiImverkapselung 106 kann in verschiedenen
Ausführungsbeispielen gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten BarriereSchicht 304 und/oder der zweiten
Barriereschicht 308 ausgebildet sein, beispielsweise als erste Barriereschicht 304 und/oder zwei e Barriereschicht 308.
Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen
Ausführungsbeispielen auch ganz auf eine zweite
Barriereschicht 308 verzichtet werden kann. In solch einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement 100 beispielsweise eine weitere Verkapselungsstruktur aufweisen, wodurch eine zweite Barriereschicht 308 optional werden kann, beispielsweise eine Abdeckung 324 , beispielsweise eine
Kavitätsglasverkapselung oder metallische Verkapseiung .
Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen
zusätzlich noch eine oder mehrere Ein-/Auskoppelschichten in dem optoelektronischen Bauelementes 100 ausgebildet sein, beispielsweise eine externe Auskoppelfolie auf oder über dem Träger 102 (nicht dargestellt) oder eine interne
Auskoppelschicht (nicht dargestellt) im Schichtenquerschnitt des optoelektronischen Bauelementes 100. Die Ein- /Auskoppelschicht kann eine Matrix und darin verteilt
Streuzentren aufweisen, wobei der mittlere Brechungsindex der Ein- /Auskoppelschicht größer ist als der mittlere
Brechungs index der Schicht , aus der die elektromagnetische Strahlung bereitgestellt wird. Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen zusätzlich eine oder mehrere
Entspiegelungsschichten (beispielsweise kombiniert mit der zweiten BarriereSchicht 308 ) in dem optoelektronischen
Bauelement 100 vorgesehen sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der zweiten Barriereschicht 308 eine schlüssige
Verbindungsschicht 322 vorgesehen sein, beispielsweise aus einem Klebstoff oder einem Lack . Mittels der schlüssigen Verbindungsschicht 322 kann eine Abdeckung 324 auf der zweiten Barriereschicht 308 schlüssig verbunden werden, beispielsweise aufgeklebt sein.
Eine schlüssige Verbindungsschicht 322 aus einem
transparenten Material kann beispielsweise Partikel
auf eisen, die elektromagnetische Strahlung streuen,
beispielsweise Iichtstreuende Partikel . Dadurch kann die schlüssige Verbindungsschicht 322 als Streuschicht wirken und zu einer Verbesserung des Farbwinkelverzugs und der
Auskoppeleffizienz führen.
Als lichtstreuende Partikel können dielektrische
Streupartikel vorgesehen sein, beispielsweise aus einem
Metalloxid, beispielsweise Siliziumoxid (S1O2) , Zinkoxid (ZnO) , Zirkoniumoxid (Zr02) , Indium- Zinn-Oxid (ITO) oder Indium- Zink -Oxid ( IZO) , Galliumoxid (Ga20x) Aluminiumoxid , oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen Brechungs index haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der schlüssigen Verbindungsschicht 322 verschieden ist , beispielsweise Luftblasen, Acrylat , oder Glashohlkugeln . Ferner können beispielsweise metallische Nanopartikel , Metalle wie Gold, Silber , Eisen-Nanopartikel , oder dergleichen als lichtstreuende Partikel vorgesehen sein.
Die schlüssige VerbindungsSchicht 322 kann eine Schichtdicke von größer als 1 μνα auf eisen, beispielsweise eine
Schichtdicke von mehreren μιτι. In verschiedenen
Aus ührungsbeispielen kann die schlüssige VerbindungsSchicht 322 inen Laminations-Klebstoff aufweisen oder ein solcher sein .
Die schlüssige Verbindungsschicht 322 kann derart
eingerichtet sein, dass sie einen Klebstof mit einem
Brechungsindex aufweist, der kleiner ist als der
Brechungsindex der Abdeckung 324. Ein solcher Klebstoff kann beispielsweise ein niedrigbrechender Klebstoff sein wie beispielsweise ein Acryla , der einen Brechungsindex von ungefähr 1 , 3 aufweist . Der Klebstoff kann jedoch auch ein hochbrechender Klebstoff sein der beispielsweise
hochbrechende, nichtstreuende Partikel aufweist und einen schichtdickengemittelten Brechungsindex aufweist , der
ungefähr dem mittleren Brechungsindex der organisch
funktionellen Schichtenstruktur 312 entspricht ,
beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1 , 7 bis ungefähr 2,0. Weiterhin können mehrere unterschiedliche Klebstoffe vorgesehen sein, die eine Kleberschichtenfolge bilden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann zwischen der zweiten Elektrode 314 und der schlüssigen Verbindungsschicht 322 noch eine elektrisch isolierende Schicht (nicht
dargestellt) aufgebracht werden oder sein, beispielsweise SiN, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 300 nm bis ungefähr 1 , 5 μχη, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungef hr 500 nm bis ungefähr 1 μχα, um elektrisch instabile Materialien zu schützen, beispielsweise während eines nasschemischen
Prozesses .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine schlüssige Verbindungsschicht 322 optional sein, beispielsweise falls die Abdeckung 324 direkt auf der zweiten Barriereschicht 308 ausgebildet wird, beispielsweise eine Abdeckung 324 aus Glas, die mittels Plasmaspritzens ausgebildet wird . Auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich 306 kann ferner eine sogenannte Getter-Schicht oder Getter - Struktur ,
beispielsweise eine lateral strukturierte Getter-Schich , angeordnet sein (nicht dargestellt) . Die Getter-Schicht kann eine Schichtdicke von größer als ungefähr 1 μτα aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren μπι ,
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Getter- Schicht einen Laminations -Klebstoff aufweisen oder in der schlüssigen Verbindungsschicht 322 eingebettet sein.
Auf oder über der schlüssigen Verbindungsschicht 322 kann eine Abdeckung 324 ausgebildet sein . Die Abdeckung 324 kann mittels der schlüssigen Verbindungsschicht 322 mit dem elektrisch aktiven Bereich 306 schlüssig verbunden sein und diesen vor schädlichen Stoffen schützen. Die Abdeckung 324 kann beispielsweise eine Glasabdeckung 324 , eine
Metallfolienabdeckung 324 oder eine abgedichtete
Kunststoff folien-Abdeckung 324 sein. Die Glasabdeckung 324 kann beispielsweise mittels einer Fritten-Verbindung (engl . glass frit bonding/glass solde ing/seal glass bonding) mittels eines herkömmlichen Glaslotes in den geometrischen Randbere ichen des organischen optoelektronischen Bauelementes 100 mit der zweite Barriereschicht 308 bzw. dem elektrisch aktiven Bereich 306 schlüssig verbunden werden. Die Abdeckung 324 und/oder die schlüssige Verbindungsschicht
322 können einen Brechungsindex (beispielsweise bei einer Wellenlänge von 633 ran) von 1,55 aufweisen, In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann zwischen einem hermetisch dichten Substrat 128, einer Verkapselungsstruktur 126 und/oder einem Träger 302; und der ersten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht 102 weitere Schichten
angeordnet sein. Die weiteren Schichten können beispielsweise eine optische, elektrische und/oder verkapselnde
Funktionalität aufweisen.
In einem Au führungsbei piel (veranschaulicht in Fig .4A) ist ein Schichtenstapel mit einem Streufilm 402, einer
Planarisierungsschicht 404 und einer bindemittelhaltigen
Anode 310/104 auf oder über einem Träger 302 bzw. hermetisch dichtem Substrat 128 {siehe Beschreibung oben) ausgebildet , beispielsweise abgeschieden, beispielsweise vollflächig . Der Streufilm 402 kann beispielsweise ein polymerer Streufilm sein, beispielsweise gemäß einer der Ausgestaltungen der Auskoppelschicht - siehe Beschreibung oben .
Die Planarisierungsschicht 404 kann zu einem Glätten der Oberfläche ausgebildet sein, beispielsweise z einem
Reduzieren der Oberflächenrauheit des Streufilmes 402.
beispielsweise gemäß einer der Ausgestaltungen einer
BarriereSchicht - siehe Beschreibung oben . Die bindemittelhaltigen Anode 310/104 kann als erste
Elektrode 310 und erste elektrisch leitend ausgebildete Schicht 104 ausgebildet sein- siehe Beschreibung oben .
Auf der elektrisch leitend ausgebildeten Dünnfilmverkapseiung 106 können die weiteren Schichten des optoelektronischen Bauelementes 100 ausgebildet werden, beispielsweise die organische funktionelle Schichtenstruktur 312 und die zweite Elektrode 314 - veranschaulicht in Fig . B - siehe auch
Beschreibung oben .
Anschaulich ist in verschiedenen Ausführungsbeispielen zwischen wenigstens einer der Elektroden 310, 314 und der organischen funktionellen Schicht.enstruktur 312 eine
elektrisch leitfähige, beispielsweise elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung 106 (conductive/conducting thin film encapsulation - CTFE) ausgebildet, wobei die elektrisch leitend ausgebildete Dünnf ilmverkapselung 106 hermetisch dicht ist bezüglich einer Diffusion von Wasser und/oder Sauerstoff durch die CTFE; und ein elektrischer Strom, beispielsweise der elektrische Betriebsstrom des optoelektronischen Bauelementes 100 , durch die elektrisch leitend ausgebildete Dünnf i lmverkapselung 106 im Betrieb des optoelektronischen Bauelementes 100 geleitet wird. In einem Ausführungsbeispiel kann die elektrisch leitend ausgebildete Dünnf ilmverkapselung 106 wenigstens transluzent ausgebildet sein. Mit anderen Worten: die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung 106 kann wasserundurchlässig,
transparent und leitf hig sein . In einem Aus führungsbe ispiel weist die elektrisch leitend ausgebildete
Dünnfilmverkapselung 106 beispielsweise Zinkoxid und
Aluminium auf , beispielsweise eine Mischung von inkoxid und Aluminium ( ZnO : AI ) . Die elektrisch leitend ausgebildete Dünnf ilmverkapselung 106 kann eine relativ geringe
Leitf higkeit entlang der flächigen Abmessung aufweisen, beispielsweise eine relativ geringe Querlei fähigkeit aufweisen, da die Stromvertei lung entlang der flächigen Abmessung in den Elektrode 310 , 314 mit den Nanodrähten bzw. Nanoröhren erfolgt . Die elektrisch leitend ausgebildete Dünnf ilmverkapselung 104 sollte daher eine ausreichend hohe elektrisch Leitfähigkeit senkrecht zur lächigen Ausdehnung der Dünnf i lmverkapselung 106 aufweisen - parallel zur
Flächennormale der Dünnfilmverkapselung 106.
Die Elektrode 110 , 114 , die an die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung 104 angrenzt , kann
beispielsweise einen Bindemittel aufweisen . In dem Bindemittel können beispielsweise Silber-Nanodrähte und/oder Kohlenstoffnanoröhrchen verteilt sein.
Nachdem der Schichtenstapel aus Schichten, in denen Wasser und/oder Sauerstoff diffundieren kann und der zumindest an der Oberfläche elektrisch leitfähig ist , ausgebildet wurde , kann eine elektrisch leitfähige j edoch wasserdichte und transparente DünnfiImverkapselung 106 ausgebildet werden . Die Schichten des Schichtenstapels können mittels eines
Laserprozesses beliebig strukturiert werden. In die
wasserleitenden Schichten eindringendes Wasser kann
horizontal diffundieren, den SchichtStapel vertikal jedoch nicht verlassen. Damit kann im weiteren Verlauf des
Verfahrens beispielsweise eine OLED nach herkömmlichen
Verfahren hergestellt werden.
Nach dem Ausbilden der elektrisch leitend ausgebildeten
DünnfiImverkapselung 106 auf der bindemittelhaltigen Anode 310/104 , dass heißt nachdem die bindemittelhaltigen Anode 310/104 mittels der elektrisch leitend ausgebildeten
DünnfiImverkapselung 106 elektrisch leitend verkapselt wurde , kann der Schichtenstapel strukturiert werden, beispielsweise mittels eines Laserprozesses strukturiert werden . Die wasserleitenden Schichten, beispielsweise die
bindemittelhaltige Anode 310/10 , sind mittels der elektrisch leitend ausgebildeten DünnfiImverkapselung 106 von der organischen funktionellen Schichtenstruktur 312 getrennt . Dadurch kann es zu keiner Schädigung der organischen
funktionellen Schichtenstruktur 312 durch Wasser und./oder Sauerstoff mehr kommen . Ein strukturiertes Abscheiden der ersten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht 104 ,
beispielsweise der Silber-Nanodrähte oder Kohlenstoff- Nanoröhren, oder ähnlicher in einem Bindemittel eingebetteten Strukturen mit hoher elektrischer Leitfähigkei ; kann
optional strukturiert ausgebildet werden . Weiterhin können für das Ausbilden des optoelektronischen Bauelementes bestehende Prozesse und Layouts verwendet werden . In einer Ausgestaltung kann die elektrisch leitend
ausgebildete Dünnfilmverkapselung 106 mit der ersten
Elektrode 312 und der zweiten Elektrode 314 elektrisch leitend verbunden und derart strukturiert sein, dass der Bereich der elektrisch leitend ausgebildeten
Dünnfilmverkapselung 106, der mit der ersten Elektrode 312 elektrisch leitend verbunden ist, elektrisch isoliert ist von dem Bereich der elektrisch leitend ausgebildeten
Dünnfilmverkapselung 106 , der mit der zweiten Elektrode 14 elektrisch leitend verbunden ist oder wird. Das Strukturieren kann beispielsweise als eine Laserabiation oder
Laserschmelzen ausgebildet sein - veranschaulicht in Fig.4B mittels des Bereiches 406.
In verschiedenen Ausführungsformen werden ein
optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zum
Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
bereitgestellt , mit denen es möglich ist , stabilere
optoelektronische Bauelemente mit einer bindemittelhaltigen Elektrode auszubilden. Weiterhin können bestehende Prozesse zum Herstellen des optoelektronische Bauelements und Layouts des optoelektronischen Bauelements verwendet werden .

Claims

Patentansprüche
Optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend:
• eine erste elektrisch leitend ausgebildete Schicht (104 ) , die einen elektrisch leitfähigen Stoff in einer Matrix aufweist ;
• eine zweite elektrisch leitend ausgebildete Schicht (108) ; und
• eine elektrisch leitend ausgebildete
Dünnfilmverkapselung (106 ) zwischen der ersten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht (104) und der zweiten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht (108) ;
• wobei die elektrisch leitend ausgebildete
Dünnfilmverkapselung (106) derart ausgebildet ist , dass die zweite elektrisch leitend ausgebildete Schicht (108) mittels der elektrisch leitend ausgebildeten Dünnfilmverkapselung (106) mit der ersten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht (104 ) elektrisch leitend verbunden ist , und
• wobei die elektrisch leitend ausgebildete
Dünnfilmverkapselung (106) hermetisch dicht bezüglich einer Diffusion von Wasser und/oder
Sauerstoff von der ersten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht (104 ) durch die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverka selung (106) in die zweite elektrisch leitend ausgebildete Schicht ( 108 ) ausgebildet ist .
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß Anspruch 1, wobei das optoelektronische Bauelement ( 100 ) als ein organisches optoelektronisches Bauelement (100)
ausgebildet sein, vorzugsweise als ein organischer Fotodetektor, eine organische Solarzelle und/oder eine organische Leuchtdiode .
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem de Ansprüche 1 oder 2 , wobei die erste elektrisch leitend ausgebildete Schicht (104) , die elektrisch leitend ausgebildete
Dünnfilmverkapselung (106) und die zweite elektrisch leitend ausgebildete Schicht (108) als ein
Schichtenstapel ausgebildet sind.
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3,
wobei die Matrix ein Bindemittel bezüglich des
elektrisch leitfähigen Stoffs aufweist oder daraus gebildet ist.
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4 ,
wobei die Matrix kohäsionsverstärkend hinsichtlich der
Kohäsion des elektrisch leitfähigen Stoffes ausgebildet ist.
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der
Ansprüche 1 bis 5,
wobei die Matrix der ersten elektrisch leitend
ausgebildeten Schicht (104) hygroskopisch ist.
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6 ,
wobei der elektrisch leitfähige Stoff als Partikel i einer Form ausgebildet ist aus einer der Formen aus de Gruppe von Formen : Nanodrähte , Nanoröhren, Flocken ode Plättchen.
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7,
wobei die elektrisch leitend ausgebildete
DünnfiImverkapse1ung (106 ) einen Dotierstoff in einer
Matrix auf eist oder daraus gebildet ist .
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die elektrisch leitend ausgebildete
Dünnfilmverkapseiung (106) eine Legierung aufweist oder daraus gebildet ist . 10. Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der
Ansprüche 1 bis 9,
wobei die Diffusionsrate bezüglich Wasser und/oder
Sauerstoff durch die elektrisch leitend ausgebildete
DünnfiImverkapse1ung (106) kleiner ist als ungefähr 10
2 -4 2 g/ (m d) , vorzugsweise in einem von ungefähr 10 g/ (m d)
- 10 2
bis ungefähr 10 g/ (m d) .
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10,
wobei das optoelektronische Bauelement (100) eine erste Elektrode (310 ) , eine zweite Elektrode (314) und eine organische funktionelle Schichtenstruktur ( 312 ) zwischen der ersten Elektrode (310) und der zweiten Elektrode
(314) aufweis , wobei die organische funktionelle
Schichtenstruktur (312) zu einem Umwandeln eines
elektrischen Stromes in eine elektromagnetische
Strahlung und/oder zu einem Umwandeln einer
elektromagnetischen Strahlung in einen elektrischen Strom ausgebildet ist ; wobei die erste elektrisch leitend ausgebildete Schicht (104) als erste Elektrode
(310) und./oder zweite Elektrode (314) ausgebildet ist; und wobei die zweite elektrisch leitend ausgebildete Schicht (108) als die organische funktionelle
Schichtenstruktur (312) , oder eine Schicht oder Struktur in der organischen funktionellen Schichtenstruktur (312 ) ausgebildet ist .
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11 ,
ferner aufweisend eine Verkapselungsstruktur (126) , wobei die Verkapselungsstruktur (126) die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapseiung (106) aufweist , und wobei die Verkapselungsstruktur (126) derart ausgebildet ist, dass die zweite elektrisch leitend ausgebildete Schicht (108) hermetisch
abgedichtet ist bezüglich einer Diffusion von Wasser durch die Verkapselungsstruktur (126) in die zweite elektrisch leitend ausgebildete Schicht (108) .
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der
Ansprüche 1 bis 12 ,
ferner aufweisend wenigstens eine
Ladungsträgerinjektionsschicht zwischen der elektrisch leitend ausgebildeten Dünnfilmverkapselung (106 ) und der ersten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht (104 ) und/oder zwischen der elektrisch leitend ausgebildeten Dünnfilmverkapselung (106) und der zweiten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht (108 ) .
Verfahren (200) zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes (100) , das Verfahren (200 ) aufweisend:
• Ausbilden (202) einer ersten elektrisch leitenden Schicht (10 ) mit einem elektrisch leitfähigen Stoff in einer Matrix derart , dass die erste elektrisch leitende Schicht (104) im Betrieb des
optoelektronischen Bauelementes (100) wenigstens einen Teil des elektrischen Betriebsstroms leitet ;
• Ausbilden (204 ) einer zweiten elektrisch leitenden Schicht ( 108 ) derart , dass die zweite elektrisch leitende Schicht (108) im Betrieb des
optoelektronischen Bauelementes (100) wenigstens einen Teil des elektrischen BetriebsStroms leitet ; und
• Ausbilden (206) einer elektrisch leitenden
Dünnfilmverkapselung (106) zwischen der ersten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht (104 ) und der zweiten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht (108) ,
• wobei die elektrisch leitend ausgebildete
Dünnfilmverkapselung (106) derart ausgebildet wird, dass die zweite elektrisch leitend ausgebildete
Schicht (108) mittels der elektrisch leitend
ausgebildeten Dünnfilmverkapselung (106) mit der ersten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht
(104) elektrisch leitend verbunden ist wenigstens im Betrieb des optoelektronischen Bauelementes (100) , und
• wobei die elektrisch leitende Dünnfilmverkapselung
(106) hermetisch dicht bezüglich einer Diffusion von Wasser und/oder Sauerstoff von der ersten elektrisch leitend ausgebildeten Schicht (104 ) durch die elektrisch leitend ausgebildete Dünnfilmverkapselung (106) in die zweite elektrisch leitend ausgebildete Schicht (108) ausgebildet wird.
Verfahren (200) gemäß Anspruch 14, ferner aufweisend : ein Ausbilden einer ersten Elektrode (310) und ein
Ausbilden einer zweiten Elektrode (31 ) , wobei die erste Elektrode (310) und die zweite Elektrode (314) mit de elektrisch leitenden Dünnfilmverkapselung (106)
elektrisch leitend verbunden ausgebildet werden; und wobei die elektrisch leitende Dünnfilmverkapselung (106) derart strukturiert wird, dass der Bereich der
elektrisch leitenden Dünnfilmverkapselung (106) , der mit der ersten Elektrode (310 ) elektrisch leitend verbunden ist oder wird, elektrisch isoliert ist von dem Bereich der elektrisch leitend ausgebildeten
Dünnfilmverkapselung (106) , der mit der zweiten
Elektrode (314 ) elektrisch leitend verbunden ist oder wird.
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