CN106575665A - 光电子器件设备和用于制造光电子器件设备的方法 - Google Patents

光电子器件设备和用于制造光电子器件设备的方法 Download PDF

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Abstract

在不同的实施例中提供一种光电子器件设备。该光电子器件设备具有:第一有机发光二极管(210)和第二有机发光二极管(220),所述第一有机发光二极管(210)和第二有机发光二极管(220)相叠地躯体接触地相互连接。第一有机发光二极管(210)与第二有机发光二极管(220)电并联。第一有机发光二极管(210)和第二有机发光二极管(220)具有至少一个近似相同或相同的电子二极管特征和/或近似相同或相同的电子二极管特性参数。

Description

光电子器件设备和用于制造光电子器件设备的方法
技术领域
本发明涉及一种光电子器件设备和一种用于制造光电子器件设备的方法。
背景技术
通常通过以下方式提高OLED的寿命,即多次堆叠OLED。对此,颜色单元借助所谓的CGL(电荷产生层)连接。所述颜色单元可以说串联。由此,所需的电压提高,可以借助该电压运行OLED。通过堆叠n个单元,其被n倍化。然而,通常合理的是,利用该电压不应该超过一定的界限。例如12V用在汽车车载电网中或35V用在低压电网中。
发明内容
本发明的任务是提供一种具有提高的寿命的更有效的光电子器件设备。
该任务根据本发明的一个方面通过以下光电子器件设备来解决,该光电子器件设备具有第一有机发光二极管和第二有机发光二极管,所述第一有机发光二极管和第二有机发光二极管相叠地躯体接触地相互连接。第一有机发光二极管与第二有机发光二极管电并联。第一有机发光二极管和第二有机发光二极管具有至少一个近似相同或相同的电子二极管特征和/或近似相同或相同的电子二极管特性参数。这能够实现,提供一种具有提高的寿命的更有效的光电子器件设备。
该任务根据本发明的另一方面通过以下光电子器件设备来解决,该光电子器件设备具有第一有机发光二极管和第二有机发光二极管,所述第一有机发光二极管和第二有机发光二极管相叠地躯体接触地相互连接。第一有机发光二极管与第二有机发光二极管电并联。第一有机发光二极管提供具有第一色调的第一光并且第二有机发光二极管提供具有第二色调的第二光。第一色调和第二色调近似相同或相同。这能够实现,提供一种具有提高的寿命的更有效的光电子器件设备。
根据一种改进方案,光电子器件设备具有一个或多个另外的有机发光二极管,其与第一有机发光二极管串联。这能够实现,提供一种具有更高的寿命的光电子器件设备。
根据一种改进方案,光电子器件设备具有一个或多个另外的有机发光二极管,其与第二有机发光二极管串联。这能够实现,提供一种具有更高的寿命的光电子器件设备。
根据一种改进方案,第一有机发光二极管具有第一电极、有机功能层结构和第二电极,其中有机功能层结构被布置在第一电极上或之上,并且其中第二电极被布置在有机功能层结构上或之上。由此可以进一步提高光电子器件设备的寿命。
根据一种改进方案,第二有机发光二极管具有第一电极、有机功能层结构和第二电极,其中有机功能层结构被布置在第一电极上或之上,并且其中第二电极被布置在有机功能层结构上或之上。由此可以进一步提高光电子器件设备的寿命。
根据一种改进方案,第一有机发光二极管的第二电极和第二有机发光二极管的第一电极彼此电连接,使得它们构成一个共同的电极。由此还可以进一步提高光电子器件设备的寿命。
根据一种改进方案,共同的电极由至少半透明的材料构成或具有这样的材料。由此还可以进一步提高光电子器件设备的寿命。
根据一种改进方案,第一有机发光二极管的第二电极是第一有机发光二极管的阳极并且第二有机发光二极管的第一电极是第二有机发光二极管的阳极。由此还可以进一步提高光电子器件设备的寿命。
根据一种改进方案,第一有机发光二极管的第一电极和第二有机发光二极管的第二电极具有共同的电位。由此还可以进一步提高光电子器件设备的寿命。
根据一种改进方案,第一有机发光二极管的第一电极和第二有机发光二极管的第二电极一致相叠地布置并且第一有机发光二极管的第二电极和第二有机发光二极管的第一电极一致相叠地布置。由此还可以进一步提高光电子器件设备的寿命。
该任务根据本发明的另一方面通过一种用于制造光电子器件设备的方法来解决,该方法具有:构成第一有机发光二极管和第二有机发光二极管,使得第一有机发光二极管和第二有机发光二极管相叠地躯体接触地相互连接。第一有机发光二极管与第二有机发光二极管电并联。构造第一有机发光二极管和第二有机发光二极管,使得第一有机发光二极管和第二有机发光二极管具有至少一个近似相同或相同的电子二极管特征和/或近似相同或相同的电子二极管特性参数。这能够实现,制造一种具有提高的寿命的更有效的光电子器件设备。
该任务根据本发明的另一方面通过一种用于制造光电子器件设备的方法来解决,该方法具有:构成第一有机发光二极管和第二有机发光二极管,使得第一有机发光二极管和第二有机发光二极管相叠地躯体接触地相互连接。第一有机发光二极管与第二有机发光二极管电并联。构造第一有机发光二极管,使得第一有机发光二极管提供具有第一色调的第一光,并且构造第二有机发光二极管,使得第二有机发光二极管提供具有第二色调的第二光。构造第一有机发光二极管和第二有机发光二极管,使得第一色调和第二色调近似相同或相同。这能够实现,制造一种具有提高的寿命的更有效的光电子器件设备。
根据一种改进方案,该方法还具有:构造一个或多个另外的有机发光二极管,其与第一有机发光二极管串联。这能够实现,制造一种具有还更高的寿命的光电子器件设备。
根据一种改进方案,该方法还具有:构造一个或多个另外的有机发光二极管,其与第二有机发光二极管串联。这能够实现,制造一种具有还更高的寿命的光电子器件设备。
根据一种改进方案,第一有机发光二极管的构造具有第一电极的构造、有机功能层结构的构造和第二电极的构造,其中有机功能层结构被布置在第一电极上或之上,并且其中第二电极被布置在有机功能层结构上或之上。这能够实现,制造一种具有还更高的寿命的光电子器件设备。
根据一种改进方案,第二有机发光二极管的构造具有第一电极的构造、有机功能层结构的构造和第二电极的构造,其中有机功能层结构被布置在第一电极上或之上,并且其中第二电极被布置在有机功能层结构上或之上。这能够实现,制造一种具有还更高的寿命的光电子器件设备。
根据一种改进方案,第一有机发光二极管的第二电极和第二有机发光二极管的第一电极彼此电连接,使得它们构成一个共同的电极。这能够实现,制造一种具有还更高的寿命的光电子器件设备。
根据一种改进方案,共同的电极由至少半透明的材料构成,或以下这样构成,使得共同的电极具有半透明的材料。这能够实现,制造一种具有还更高的寿命的光电子器件设备。
根据一种改进方案,第一有机发光二极管的第一电极和第二有机发光二极管的第二电极一致相叠地布置并且第一有机发光二极管的第二电极和第二有机发光二极管的第一电极一致相叠地布置。这能够实现,制造一种具有还更高的寿命的光电子器件设备。
附图说明
本发明的实施例在附图中示出并且在下面详细地解释。其中:
图1a示出有机发光二极管的截面图;
图1b示出有机发光二极管的一部分的截面图;
图2示出光电子器件设备的一个实施例的截面图;
图3示出光电子器件设备的一个实施例的等效电路图;
图4示出光电子器件设备的一个实施例的等效电路图;
图5示出光电子器件设备的一个实施例的示意图;并且
图6示出用于制造光电子器件设备的方法的流程图。
具体实施方式
在随后详细的描述中参考所附的附图,所述附图构成说明书的一部分并且在所述附图中为了阐明示出特定的实施例,在所述实施例中可以实施本发明。在此方面,方向术语,诸如“上”、“下”、“前”、“后”、“前面的”、“后面的”等参考所描述的图的定向使用。因为实施例的部件可以以多个不同的定向来定位,所以方向术语用于阐明并且不以任何方式进行限制。易于理解的是,可以使用不同实施例并且进行结构或逻辑的变化,而不偏离本发明的保护范围。易于理解的是,在此描述的不同实施例的特征可以相互组合,只要没有特别其他说明。因此不应该限制性地理解以下详细的描述,并且本发明的保护范围通过所附的权利要求来限定。
在该说明书的范围内,术语“连接”、“联接”以及“耦合”被用于描述直接以及间接的连接、直接或间接的联接以及直接或间接的耦合。在附图中,相同或相似的元件配备相同的附图标记,只要这是适宜的。
有机光电子器件可以具有一个、两个或更多个有机光电子器件。可选地,有机光电子组件也可以具有一个、两个或更多个光电子器件。光电子器件例如可以具有有源和/或无源器件。有源电子器件例如可以具有计算单元、控制单元和/或调节单元和/或晶体管。无源电子器件例如可以具有电容器、电阻、二极管或线圈。
有机光电子器件可以是发射电磁辐射的器件。发射电磁辐射的器件可以在不同的实施例中是发射电磁辐射的半导体器件和/或被构造为发射电磁辐射的二极管、发射电磁辐射的有机二极管。辐射例如可以是可见范围内的光、UV光和/或红外光。发光器件可以在不同的实施例中是集成电路的一部分。此外,可以设置多个发光器件,例如将其安置在共同的壳体中。
术语“半透明的”或“半透明的层”可以在不同的实施例中理解为,层对于光是可透过的,例如对于由发射光的器件产生的例如一个或多个波长范围的光,例如对于在可见光的波长范围内的光(例如至少在380nm至780nm的波长范围的子范围内的)。例如术语“半透明的层”在不同的实施例中理解为,整个耦合输入到结构(例如层)中的光量也基本上从该结构(例如层)中耦合输出,其中光的一部分在此可以被散射。
在不同的实施例中,有机发光二极管(或还有根据上面或下面还要描述的实施例的发光器件)可以被设置为所谓的顶部发射器和底部发射器。顶部和/或底部发射器也可以被称为光学透明的器件、例如透明的有机发光二极管。
图1a示出有机发光二极管100的截面图。有机发光二极管100具有载体102、例如也称为衬底102。载体102用作电子元件、层和/或发光元件的载体元件。在载体102上或之上布置有屏障层104。载体102和屏障层104共同构成严密密封的衬底130。在严密密封的衬底130上或之上布置有有源区106。有源区106是电有源区106和/或光有源区106。有源区例如是光电子器件100的以下区域,在该区域中流动用于运行光电子器件100的电流和/或在该区域中产生电磁辐射。在有源区106上或之上布置有封装结构128。严密密封的衬底102、有源区106以及封装结构128在下面详细描述。
电有源区106具有第一电极110、有机功能层结构112和第二电极114。第一电极110是有机发光二极管100的阳极,即作为空穴注入电极。第二电极是有机发光二极管100的阴极,即作为电子注入电极。有机功能层结构具有空穴注入层(未示出),其布置在第一电极110上。在空穴注入层上构造有空穴传输层116、也称为空穴传导层116。此外,发射体层118布置在空穴传输层116上。电子传输层120(也称为电子传导层120)布置在发射体层118上。在电子传输层120上构造有电子注入层(未示出)。
替代地或附加地,载体102可以具有玻璃、石英和/或半导体材料或由其构成。此外,载体可以具有塑料膜或带有一个或多个塑料膜的层压件或者由其构成。塑料可以具有一种或多种聚烯烃(例如具有高或低密度的聚乙烯(PE)或聚丙烯(PP))或由其构成。此外,塑料可以具有聚氯乙烯(PVC)、聚苯乙烯(PS)、聚酯和/或聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜(PES)和/或聚对萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或由其构成。
替代地或附加地,载体102可以具有金属或由此构成,例如铜、银、金、铂、铁、例如金属化合物、如钢。
替代地或附加地,载体102可以不透明、不透明或甚至透明地实施。
替代地或附加地,载体102可以是镜结构的一部分或构成镜结构。
替代地或附加地,载体102可以具有机械刚性的区域和/或机械柔性的区域或者以下这样构造,例如被构造为膜。
替代地或附加地,载体102可以被构造为用于电磁辐射的波导,例如关于光电子器件100的所发射或吸收的电磁辐射是透明的或半透明的。
替代地或附加地,光电子器件设备也可以没有载体102地构造,例如在电极自己支撑地构造的情况下,例如在该情况下自己支撑的电极可以用作载体102。
第一屏障层104可以具有以下材料中之一或者由其构成:
氧化铝、氧化锌、氧化锆、氧化钛、氧化铪、氧化钽、氧化镧、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铟锡、氧化铟锌、铝掺杂的氧化锌、聚(对苯二甲酰对苯二胺)、尼龙66以及这些的混合物或合金。
替代地或附加地,第一屏障层104可以借助以下方法之一构造:原子层沉积法(Atomic Layer Deposition(ALD))、例如等离子体支持的原子层沉积法(Plasma EnhancedAtomic Layer Deposition(PEALD))或少等离子体的原子层沉积法(Plasma-less AtomicLayer Deposition(PLALD));化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition(CVD))、例如等离子体支持的化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition(CVD))或少等离子体的化学气相沉积法(Plasma-less Chemical Vapor Deposition(CVD));或替代地借助其他合适的沉积方法来构造。
替代地或附加地,在具有多个子层的第一屏障层104中,所有子层可以借助原子层沉积法来形成。仅仅具有ALD层的层序列也可以被称为“纳米层压件”。
替代地或附加地,在具有多个子层的第一屏障层104中,第一屏障层104的一个或多个子层可以借助与原子层沉积法不同的沉积方法来沉积,例如借助化学气相沉积法。
替代地或附加地,第一屏障层104可以具有大约0.1nm(一个原子层)至大约1000nm的层厚、例如根据一种设计方案大约10nm至大约100nm的层厚、例如根据一种设计方案大约40nm的层厚。
替代地或附加地,第一屏障层104可以具有一种或多种高折射的材料,例如一种或多种具有高折射率、例如具有至少2的折射率的材料。
此外应该指出,在不同的实施例中也可以放弃第一屏障层104,例如在载体102严密密封地构造,例如具有玻璃、金属、金属氧化物或由其构成的情况下。
替代地,第一电极210可以被构造为阴极。
替代地或附加地,第一电极110可以具有以下导电材料之一或由其构成:金属;导电透明氧化物(透明导电氧化物,TCO);由例如与导电的聚合物组合的金属纳米线和微粒、例如Ag构成的网络;由例如与导电的聚合物组合的碳纳米管构成的网络和/或石墨烯微粒和石墨烯层;由半导体纳米线构成的网络;导电的聚合物;过渡金属氧化物;和/或其复合物。由金属构成或具有金属的第一电极110可以具有以下材料之一或由其构成:Ag、Pt、Au、Mg、Al、Ba、In、Ca、Sm或Li以及这些材料的化合物、组合或合金。作为透明导电氧化物,第一电极110可以具有以下材料之一:例如金属氧化物:例如氧化锌、氧化锡、氧化镉、氧化钛、氧化铟、铟锡氧化物(ITO)。除了二元金属氧化合物、诸如ZnO、SnO2或In2O3之外,三元金属氧化合物、例如AlZnO、Zn2SnO4、CdSnO3、ZnSnO3、MgIn2O4、GaInO3、Zn2In2O5或In4Sn3O12或不同透明导电氧化物的混合物也属于TCO的组并且可以在不同的实施例中使用。此外,TCO不强制对应于化学计量的组成并且还可以是p掺杂的或n掺杂的,或空穴传导的(p-TCO)或电子传导的(n-TCO)。
替代地或附加地,第一电极110可以具有一层或者相同材料或不同材料的多层的层堆。第一电极110可以由在一层TCO上的一层金属的组合的层堆或在一层金属上的一层TCO的组合的层堆构成。一个示例是施加在铟锡氧化物层(ITO)上的银层(ITO上的Ag)或ITO-Ag-ITO多层。
替代地或附加地,第一电极110可以具有10nm至500nm、例如小于25nm至250nm、例如50nm至100nm范围内的层厚。
替代地或附加地,第一电极110可以具有电端子,在该电端子上可以施加电位。电位可以由能量源来提供,例如由电流源或电压源来提供。替代地,电位可以施加在导电载体102上并且第一电极110通过载体102被间接输送电。电位例如可以是地电位或其他预先给定的参考电位。
替代地或附加地,载体102可以由导电物质构成或具有这样的导电物质和/或载体102可以利用导电物质、例如利用如上面详细描述的导电物质来涂覆。例如在该情况下,载体102可以是电极110。
替代地或附加地,在第一电极110上可以布置散射层。散射层例如由半透明或透明的材料构成或具有这样的材料。散射层具有散射电磁辐射的颗粒、例如散射光的颗粒。由此发生色角延迟和耦合输出效率的改进。
替代地或附加地,空穴注入层可以具有以下材料中的一个或多个或者由其构成:HAT-CN、Cu(I)pFBz、MoOx、WOx、VOx、ReOx、F4-TCNQ、NDP-2、NDP-9、Bi(III)pFBz、F16CuPc;NPB(N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二(苯基)-联苯胺);β-NPB(N,N’-二(萘-2-基)-N,N’-二(苯基)-联苯胺);TPD(N,N’-二(3-苯基甲基)-N,N’-二(苯基)-联苯胺);螺旋 TPD(N,N’-二(3-苯基甲基)-N,N’-二(苯基)-联苯胺);螺旋 NPB(N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二(苯基)-螺旋);DMFL-TPD(N,N’-二(3-苯基甲基)-N,N’-二(苯基)-9,9-二甲基-芴);DMFL-NPB(N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二(苯基)-9,9-二甲基-芴);DPFL-TPD(N,N’-二(3-苯基甲基)-N,N’-二(苯基)-9,9-二苯基-芴);DPFL-NPB(N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二(苯基)-9,9-二苯基-芴);螺旋-TAD(2,2’,7,7’-四(n,n-二苯胺)-9,9’-螺二芴);9,9-二[4-(N,N-二-二苯基-4-基-氨基)苯基]-9H-芴;9,9-二[4-(N,N-二-萘-2-基-氨基)苯基]-9H-芴;9,9-二[4-(N,N’-二-萘-2-基-N,N’-二-苯基-氨基)-苯基]-9H-氟;N,N’-二(菲-9-基)-N,N’-二(苯基)-联苯胺;2,7-二[N,N-二(9,9-螺旋-二芴-2-基)-氨基]-9,9-螺旋-二芴;2,2’-二[N,N-二(二苯基-4-基)-氨基]-9,9-螺旋-二芴;2,2’-二(N,N-二-苯基-氨基)-9,9-螺旋-二芴;二-[4-(N,N-联甲苯-氨基)-苯基]-环乙烷;2,2’,7,7’-四(N,N-二-甲苯基)氨基-螺旋-二芴;和/或N,N,N’N’-四-萘-2-基-联苯胺。
替代地或附加地,空穴注入层可以具有大约10nm至大约1000nm的范围内、例如大约30nm至大约300nm的范围内、例如大约50nm至大约200nm的范围内的层厚。
替代地或附加地,空穴传输层可以具有以下材料中的一个或多个或者由其构成:NPB(N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二(苯基)-联苯胺);β-NPB(N,N’-二(萘-2-基)-N,N’-二(苯基)-联苯胺);TPD(N,N’-二(3-苯基甲基)-N,N’-二(苯基)-联苯胺);螺旋 TPD(N,N’-二(3-苯基甲基)-N,N’-二(苯基)-联苯胺);螺旋 NPB(N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二(苯基)-螺旋);DMFL-TPD(N,N’-二(3-苯基甲基)-N,N’-二(苯基)-9,9-二甲基-芴);DMFL-NPB(N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二(苯基)-9,9-二甲基-芴);DPFL-TPD(N,N’-二(3-苯基甲基)-N,N’-二(苯基)-9,9-二苯基-芴);DPFL-NPB(N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二(苯基)-9,9-二苯基-芴);螺旋-TAD(2,2’,7,7’-四(n,n-二苯胺)-9,9’-螺二芴);9,9-二[4-(N,N-二-二苯基-4-基-氨基)苯基]-9H-芴;9,9-二[4-(N,N-二-萘-2-基-氨基)苯基]-9H-芴;9,9-二[4-(N,N’-二-萘-2-基-N,N’-二-苯基-氨基)-苯基]-9H-氟;N,N’-二(菲-9-基)-N,N’-二(苯基)-联苯胺;2,7-二[N,N-二(9,9-螺旋-二芴-2-基)-氨基]-9,9-螺旋-二芴;2,2’-二[N,N-二(二苯基-4-基)-氨基]-9,9-螺旋-二芴;2,2’-二(N,N-二-苯基-氨基)-9,9-螺旋-二芴;二-[4-(N,N-联甲苯-氨基)-苯基]-环乙烷;2,2’,7,7’-四(N,N-二-甲苯基)氨基-螺旋-二芴;和N,N,N’N’-四-萘-2-基-联苯胺,三元胺类,咔唑衍生物 ,导电的聚苯胺和/或聚乙烯二氧噻吩。
空穴传输层可以具有大约5nm至大约50nm的范围内、例如大约10nm至大约30nm的范围内、例如大约20nm的层厚。发射体层118可以具有荧光和/或磷光发射体。替代地或附加地,有机发光二极管100可以具有多个发射体层。
替代地或附加地,发射体层可以具有有机聚合物、有机低聚物、有机单体、有机的小的非聚合的分子(“small molecules(小分子)”)或这些材料的组合或者由其构成。
替代地或附加地,光电子器件100在发射体层中可以具有以下材料中的一个或多个或者由其构成:有机化合物或有机金属化合物、如聚芴、聚噻吩和联苯的衍生物(例如2-或2,5-取代的聚-对苯乙炔)以及金属复合物、例如铱复合物、如蓝磷光的FIrPic(二(3,5-二氟-2-(2-吡啶基)苯基-(2-羟基吡啶)-铱) III)、绿磷光的Ir(ppy)3(三(2-苯基吡啶)铱III),红磷光的Ru(dtb-bpy)3*2(PF6)(三[4,4’-二-三-丁基-(2,2’)-联吡啶]钌(III)复合物)以及蓝荧光的DPAVBi(4,4-二[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯),绿荧光的TTPA(9,10-二[N,N-二-(对甲苯基)氨基]蒽)和红荧光的DCM2((4-二氰甲烯基)-2-甲基-6-久洛尼啶-9-烯基-4H-吡喃)作为非聚合的发射体。
这样的非聚合的发射体例如可以借助热蒸发沉积。此外可以使用聚合物发射体,所述聚合物发射体例如可以借助湿法化学方法、诸如离心涂镀法(也称为旋涂)来沉积。
替代地或附加地,发射体材料可以以合适的方式嵌入在基质材料、例如工程陶瓷或聚合物、例如环氧树脂或硅树脂中。
替代地或附加地,在不同实施例中,发射体层具有大约5nm至大约50nm的范围内、例如大约10nm至大约30nm的范围内、例如大约20nm的层厚。
替代地或附加地,发射体层可以具有进行单色或不同色(例如蓝和黄或蓝、绿和红)发射的发射体材料。替代地,发射体层可以具有多个子层,所述子层发射不同颜色的光。借助不同颜色的混合可以产生具有白色印象的光的发射。替代地也可以设置,将转换材料布置在由这些层产生的一次发射的光路中,该转换材料至少部分地吸收一次辐射并且发射其他波长的二次辐射,使得通过一次辐射和二次辐射的组合由(还不是白色的)一次辐射产生白色印象。
替代地或附加地,有机功能层结构121可以具有一个或多个发射体层,所述一个或多个发射体层被实施为空穴传输层。
替代地或附加地,有机功能层结构112可以具有一个或多个发射体层,所述一个或多个发射体层被实施为电子传输层。
替代地或附加地,电子传输层可以具有以下材料中的一个或多个或者由其构成:NET-18;2,2’,2’’-(1,3,5-苯三基)-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑);2-(4-联苯)-5-(4-叔丁苯基)-1,3,4-二唑,2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲(BCP);8-羟基喹啉-锂;4-(萘-1-基)-3,5-联苯-4H-1,2,4-三唑;1,3-二[2-(2,2’-双吡啶-6-基)-1,3,4-二唑-5-基]苯;4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲(BPhen);3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁苯基-1,2,4-三唑;二(2-甲基-8-喹啉)-4-(苯基苯酚)铝;6,6’-二[5-(联苯-4-基)-1,3,4-二唑-2-基]-2,2’-双吡啶;2-苯基-9,10-二(萘-2-基)-蒽;2,7-二[2-(2,2’-双吡啶-6-基)-1,3,4-二唑-5-基]-9,9-二甲基芴;1,3-二[2-(4-叔丁苯基)-1,3,4-二唑-5-基]苯;2-(萘-2-基)-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲;2,9-二(萘-2-基)-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲;三(2,4,6-三甲基-3-(吡啶-3-基)苯基)硼烷;1-甲基-2-(4-(萘-2-基)苯基)-1H-咪唑[4,5-f][1,10]-邻二氮杂菲;苯基-二芘基磷化氢氧化物;萘四甲酸二酐或其酰亚胺;苝四甲酸二酐或其酰亚胺;和基于具有硅杂环戊二烯单元的噻咯的物质。
替代地或附加地,电子传输层可以具有大约5nm至大约50nm的范围内、例如大约10nm至大约30nm的范围内、例如大约20nm的层厚。
替代地或附加地,电子注入层可以具有以下材料中的一个或多个或者由其构成:NDN-26、MgAg、Cs2Co3、Cs3PO4、Na、Ca、K、Mg、Cs、Li、LiF;2,2’,2’’-(1,3,5-苯三基)-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑);2-(4-联苯)-5-(4-叔丁苯基)-1,3,4-二唑,2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲(BCP);8-羟基喹啉-锂;4-(萘-1-基)-3,5-联苯-4H-1,2,4-三唑;1,3-二[2-(2,2’-双吡啶-6-基)-1,3,4-二唑-5-基]苯;4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲(BPhen);3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁苯基-1,2,4-三唑;二(2-甲基-8-喹啉)-4-(苯基苯酚)铝;6,6’-二[5-(联苯-4-基)-1,3,4-二唑-2-基]-2,2’-双吡啶;2-苯基-9,10-二(萘-2-基)-蒽;2,7-二[2-(2,2’-双吡啶-6-基)-1,3,4-二唑-5-基]-9,9-二甲基芴;1,3-二[2-(4-叔丁苯基)-1,3,4-二唑-5-基]苯;2-(萘-2-基)-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲;2,9-二(萘-2-基)-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲;三(2,4,6-三甲基-3-(吡啶-3-基)苯基)硼烷;1-甲基-2-(4-(萘-2-基)苯基)-1H-咪唑[4,5-f][1,10]-邻二氮杂菲;苯基-二芘基磷化氢氧化物;萘四甲酸二酐或其酰亚胺;苝四甲酸二酐或其酰亚胺;和基于具有硅杂环戊二烯单元的噻咯的物质。
替代地或附加地,电子注入层可以具有大约5nm至大约200nm的范围内、例如大约20nm至大约50nm的范围内、例如大约30nm的层厚。
光电子器件100可以可选地具有其他有机功能层,例如布置在一个或多个发射体层上或之上或者布置在一个或多个电子传输层上或之上。其他有机功能层例如可以是内部的或外部的耦合输入/耦合输出结构,所述耦合输入/耦合输出结构进一步改进光电子器件100的功能进而效率。
替代地或附加地,有机功能层结构的上面描述的层中的至少一个是可选的。
替代地或附加地,上面描述的层中的至少一个可以被构造为上面描述的层中的至少两个的混合。
替代地,第二电极114可以被构造为阳极。替代地或附加地,有机功能层结构112在第一电极110被构造为阴极并且第二电极被构造为阳极的情况下具有相反的层序列。
替代地或附加地,可以根据第一电极110的设计方案之一构造第二电极114,其中第一电极110和第二电极114可以相同或不同地构造。第二电极114可以具有另外的电端子,在另外的电端子上可以施加另外的电位。另外的电位可以由与所述电位相同或不同的能量源来提供。另外的电位可以与所述电位不同。另外的电位例如可以具有一个值,使得与所述电位的差具有大约1.5V至大约20V的范围内的值、例如大约2.5V至大约15V的范围内的值、例如大约3V至大约12V的范围内的值。
替代地或附加地,第二屏障层108可以被称为薄膜封装(thin filmencapsulation TFE)。可以根据第一屏障层104的设计方案之一构造第二屏障层108。
此外应该指出,在不同的实施例中也可以完全放弃第二屏障层108。在这样一种设计法中,光电子器件100例如可以具有另外的封装结构、例如覆盖部124、例如空腔玻璃封装或金属封装,由此第二屏障层108能够变得可选的。
替代地或附加地,在不同的实施例中,附加地还可以在光电子器件100中构造一个或多个耦合输入/输出层、例如在载体102上或之上的外部耦合输出膜(未示出)或在有机发光二极管100的层横截面中的内部耦合输出层(未示出)。耦合输入/输出层可以具有基质和其中分布的散射中心,其中耦合输入/输出层的平均折射率大于或小于提供电磁辐射的层的平均折射率。此外,在不同的实施例中,附加地可以在有机发光二极管100中设置一个或多个防反射层(例如与第二屏障层108组合)。
替代地或附加地,可以在第二屏障层108上或之上布置决定性的例如由粘合剂或漆构成的连接层122。借助决定性的连接层122可以将覆盖部124决定性地连接、例如粘贴在第二屏障层108上。
替代地或附加地,由透明材料构成的决定性的连接层122例如可以具有散射电磁辐射的颗粒、例如散射光的颗粒。由此决定性的连接层122可以用作散射层并且引起色角延迟和耦合输出效率的改进。
替代地或附加地,作为散射光的颗粒可以设置例如由金属氧化物、例如氧化硅(SiO2)、氧化锌(ZnO)、氧化锆(ZrO2)、铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)、氧化镓(Ga2Ox)、氧化铝或氧化钛构成的介电散射颗粒。其他颗粒也能够是合适的,只要所述其他颗粒具有与决定性的连接层122的基质、例如气泡、丙烯酸酯或玻璃空心球的有效折射率不同的折射率。
此外,例如金属纳米颗粒、金属、如金、银、铁纳米颗粒或类似的可以被设置为散射光的颗粒。
替代地或附加地,决定性的连接层122可以具有大于1μm的层厚、例如几微米的层厚。在不同的实施例中,决定性的连接层122具有层压粘合剂或是这样的层压粘合剂。
替代地或附加地,决定性的连接层122可以被设置成,使得其具有以下粘合剂,该粘合剂具有小于覆盖部124的折射率的折射率。这样的粘合剂例如可以是低折射的粘合剂、诸如具有大约1.3的折射率的丙烯酸酯。然而,该粘合剂也可以是高折射的粘合剂,该粘合剂例如具有高折射的不散射的颗粒并且具有层厚平均的折射率,该折射率大约对应于有机功能层结构112的平均折射率,例如在大约1.7至大约2.0的范围内。此外可以设置多个不同的粘合剂,其构成粘合剂层序列。
替代地或附加地,还可以在第二电极114和决定性的连接层122之间构造电绝缘层(未示出)、例如SiN,例如具有大约300nm至大约1.5μm的范围内的层厚,例如具有大约500nm至大约1μm的范围内的层厚,以便例如在湿法化学工艺期间保护电气不稳定的材料。
替代地或附加地,决定性的连接层122可以是可选的,例如在覆盖部124直接构造在第二屏障层108上、例如覆盖部124由借助等离子体喷射构造的玻璃构成的情况下如此。
替代地或附加地,在电有源区106上或之上可以布置有所谓的吸气剂层或吸气剂结构、例如横向结构化的吸气剂层(未示出)。
替代地或附加地,吸气剂层可以具有以下材料或由其构成,所述材料吸收并且化合对于电有源区106有害的物质。吸气剂层例如可以具有沸石衍生物或由其构成。吸气剂层可以关于在光有源区中发射和/或吸收的电磁辐射半透明地、透明地或不透明地和/或不可通过地构造。吸气剂层可以具有大于大约1μm的层厚、例如几微米的层厚。
替代地或附加地,吸气剂层具有具有层压粘合剂或者吸气剂层可以嵌入在决定性的连接层122中。
替代地或附加地,覆盖部124可以借助决定性的连接层122与电有源区106决定性地连接并且保护该电有源区以免有害物质。覆盖部124例如可以是玻璃覆盖部124、金属膜覆盖部124或密封的塑料膜覆盖部124。覆盖部124例如可以借助烧结连接(英文:玻璃粉接合/玻璃焊接/密封玻璃接合)借助常规的玻璃焊料在有机光电子器件100的几何边缘区域中与第二屏障层108或电有源区106决定性地连接。
替代地或附加地,覆盖部124和/或决定性的连接层122可以具有1.55的折射率(例如在633nm的波长的情况下)。
应该指出,替代地或附加地,布置在第一电极110和第二电极114之间的上面提及的层中的一个或多个是可选的。
替代地或附加地,电有源区106可以具有一个、两个或更多个功能层结构单元112a、112b和在层结构单元112a、112b之间的一个、两个或更多个载流子对产生层结构115,例如在图1b中示出。电有源区106可以具有第一有机功能层结构单元112a,其布置在第一电极110上。此外,电有源区106可以具有载流子对产生层结构115,其布置在第一有机功能层结构单元112a上。此外,电有源区106可以具有在载流子对产生层结构115上的第二有机功能层结构单元112b。此外,第二电极114可以布置在第二有机功能层结构单元112b上。附加地,电有源区106可以具有第三有机功能层结构单元、另外的载流子对产生层结构和第四有机功能层结构单元(未示出)。
载流子对产生层结构可以具有一个或多个传导电子的载流子对产生层和一个或多个传导空穴的载流子对产生层。传导电子的载流子对产生层和传导空穴的载流子对产生层可以分别由基质中的本征导电的物质或掺杂物质构成。载流子对产生层结构应该关于传导电子的载流子对产生层和传导空穴的载流子对产生层的能级来构造,使得在传导电子的载流子对产生层与传导空穴的载流子对产生层的界面处能够实现电子和空穴的分离。载流子对产生层结构还可以在两个相邻的层之间具有扩散屏障。
具有第一电极110、第二电极114以及两个功能层结构单元112a、112b的有机发光二极管也可以被称为双重堆叠的有机发光二极管,其中在两个功能层结构单元112a、112b之间布置有载流子对产生层结构115。双重堆叠的有机发光二极管也可以被视为两个串联的有机发光二极管,其中两个串联的有机发光二极管借助载流子对产生层结构115连接。替代地或附加地,也可以三个、四个、五个、例如10个有机发光二极管借助多个载流子对产生层结构相叠地堆叠或彼此串联。在此,相应的载流子对产生层结构可以彼此相同或不同地构造。
替代地或附加地,功能层结构单元112a、112b可以分别如更上面描述的有机功能层结构112那样构造。替代地或附加地,功能层结构单元112a、112b的层可以分别具有相同的材料组合。
应该注意,在有机发光二极管具有一个、两个极品更多个载流子对产生层结构的情况下,相应的载流子对产生层结构被构造成使得其不具有电端子,即没有器件外部端子。
图2示出光电子器件设备的一个实施例。光电子器件设备200具有第一有机发光二极管210(在图2中以虚线标记)和第二有机发光二极管220(在图2中以虚线标记),所述第一有机发光二极管210和第二有机发光二极管220相叠地躯体接触地相互连接。第一有机发光二极管210与第二有机发光二极管220电并联。
第一有机发光二极管210具有第一电极211、有机功能层结构213和第二电极212。
根据一种改进方案,第一有机发光二极管210的第一电极211如有机发光二极管100的上面描述的第二电极114那样构造。
根据一种改进方案,第一有机发光二极管210的有机功能层结构213根据有机发光二极管100的有机功能层结构112的一个实施例来构造。
根据一种改进方案,第一有机发光二极管210的第二电极212根据有机发光二极管100的第一电极110的上面描述的实施例来构造。此外,第二电极212被构造为第一有机发光二极管210的阳极。
第二有机发光二极管220具有第一电极221、有机功能层结构223和第二电极222。
根据一种改进方案,第二有机发光二极管220的第一电极221如有机发光二极管100的第二电极114那样构造。
根据一种改进方案,第二有机发光二极管220的有机功能层结构223根据有机发光二极管100的有机功能层结构112的一个实施例来构造。
根据一种改进方案,第二有机发光二极管220的第二电极222根据有机发光二极管100的第二电极114的上面描述的实施例来构造。此外,第二电极222被构造为第二有机发光二极管220的阴极。
根据一种实施方式,第一有机发光二极管210和第二有机发光二极管220具有至少一个近似相同或相同的电子二极管特征和/或近似相同或相同的电子二极管特性参数。电子二极管特征此外也可以被称为电流电压特性曲线,例如也称为IU特性曲线,例如也称为IU特征,例如也称为IU曲线。第一有机发光二极管具有电流电压特性曲线,使得第一有机发光二极管的电流电压特性曲线具有与第二有机发光二极管的电流电压特性曲线的值相似的值,例如在10%至15%的范围内。
构造第一有机发光二极管210,使得其在运行中提供具有第一色调的光。构造第二有机发光二极管220,使得其在运行中提供具有第二色调的光。根据一种实施方式,第一色调和第二色调近似相同或相同。第一色调具有与第二色调相似的值,例如在10%至15%的范围内。
根据一种改进方案,第一有机发光二极管210的第二电极212和第二有机发光二极管220的第一电极221彼此电连接,使得它们构成一个共同的电极。此外,该共同的电极具有第一电端子。借助第一电端子可以施加共同的第一电位230。第一电位230可以由能量源来提供,例如由电流源或电压源来提供。第一电位230例如可以是地电位或其他预先给定的参考电位。
根据一种改进方案,共同的电极由至少半透明的材料构成或具有这样的材料。
根据一种改进方案,第一有机发光二极管210的第二电极212是第一有机发光二极管210的阳极并且第二有机发光二极管220的第一电极221是第二有机发光二极管220的阳极。此外,根据有机发光二极管100的有机功能层结构112的一个实施例构造第一有机发光二极管210的有机功能层结构213,其中第一有机发光二极管210的有机功能层结构213的层与有机发光二极管100的有机功能层结构112的层相反地布置。例如在第一电极211上布置电子注入层并且在电子注入层上布置电子传输层。此外,在电子传输层上布置发射体层并且在发射体层上布置空穴传输层并且在空穴传输层上布置空穴注入层。根据有机发光二极管100的电子注入层的一个上面描述的实施例构造电子注入层。根据有机发光二极管100的电子传输层的一个上面描述的实施例构造电子传输层。根据有机发光二极管100的发射体层的一个上面描述的实施例构造发射体层。根据有机发光二极管100的空穴传输层120的一个上面描述的实施例构造空穴传输层。根据有机发光二极管100的空穴注入层的一个上面描述的实施例构造空穴注入层。此外,第一有机发光二极管210的第一电极211被构造为第一有机发光二极管210的阴极并且第二有机发光二极管220的第二电极222被构造为第二有机发光二极管220的阴极。
根据一种改进方案,第一有机发光二极管210的第一电极211和第二有机发光二极管220的第二电极222具有共同的电位240。第一有机发光二极管210的第一电极211和第二有机发光二极管220的第二电极222的共同的电位此外也被称为第二电位240。
根据一种改进方案,第一有机发光二极管210的第一电极211和第二有机发光二极管220的第二电极222一致相叠地布置并且第一有机发光二极管210的第二电极212和第二有机发光二极管220的第一电极221一致相叠地布置。
第一有机发光二极管210的第一光和第二有机发光二极管220的第二光可以具有白色色调。替代地,第一光和第二光可以具有红色、绿色或蓝色色调。
替代地或附加地,第一有机发光二极管210的IU曲线可以具有与第二有机发光二极管220的IU曲线相同的形状。
例如有机发光二极管210、220的工作点处的电流、电压和/或亮度可以被称为二极管特性参数。此外,例如最大允许的截止电压、在通流方向上的最大峰值电流和/或在通流方向上的最大持续电流也可以被称为二极管特性参数。第一有机发光二极管210具有二极管特性参数,使得第一有机发光二极管的二极管特性参数具有与第二有机发光二极管220的二极管特性参数的值相似的值,例如在10%至15%的范围内。
替代地或附加地,共同的电极可以一体地构造。替代地或附加地,第一有机发光二极管210的第二电极212和第二有机发光二极管220的第一电极221可以借助导电的连接剂、例如焊锡彼此导电连接。
替代地或附加地,第一有机发光二极管210的第一电极211可以构造在载体上,其中可以根据有机发光二极管100的载体102的一个实施例构造该载体。替代地或附加地,根据载体102和/或有机发光二极管100的第一电极110的实施例之一,第一有机发光二极管210的第一电极211可以自己支撑地构造。
替代地或附加地,第二电位240可以由与第一电位230相同或不同的能量源来提供。第二电位240可以与第一电位230不同。第二电位240例如可以具有一个值,使得与第一电位的差具有大约1.5V至大约20V的范围内的值、例如大约2.5V至大约15V的范围内的值、例如大约3V至大约12V的范围内的值。替代地或附加地,第一有机发光二极管210的第一电极211和第二有机发光二极管220的第二电极222借助导电的连接剂250彼此导电连接。替代地或附加地,电绝缘物质260可以构造在导电的连接剂250与第一有机发光二极管210的有机功能层结构213和第二电极212以及第二有机发光二极管220的第一电极221和有机功能层结构223之间。借助电绝缘物质可以防止第一电位和第二电位之间的短路。
替代地,第一有机发光二极管210的第一电极211和第二有机发光二极管220的第二电极222横向错位地相叠地布置。替代地,第一有机发光二极管210的第二电极212和第二有机发光二极管220的第一电极221横向错位地相叠地布置。
两个或更多个堆叠的如上面和下面详细描述的有机发光二极管的构造例如具有以下优点,即所产生的光电子器件设备具有更长的寿命,其中有机发光二极管具有近似相同或相同的电二极管特征和/或近似相同或相同的二极管特性参数。例如在有机发光二极管之一失效或减弱的功能的情况下,同一有机发光二极管可能被过激励,使得光电子器件设备是继续可运转的。例如有机发光二极管可以在运行中关于其一些电特性进行适配,由此提高光电子器件设备的寿命。
图3示出光电子器件设备的一个实施例的等效电路图,该实施例例如在很大程度上对应于在图2中示出的实施例。
等效电路图300示出第一有机发光二极管210和第二有机发光二极管220,其中第一有机发光二极管210和第二有机发光二极管220以并联电路来布置。此外可以施加第一电位230和第二电位240,使得第一有机发光二极管210和第二有机发光二极管220分别能够以通流方向运行或分别能够以截止方向运行。
图4示出光电子器件设备的一个实施例的等效电路图,该实施例例如在很大程度上对应于在图3中示出的等效电路图。
根据一种改进方案,光电子器件设备400具有一个或多个另外的有机发光二极管,其与第一有机发光二极管210串联。
根据一种改进方案,光电子器件设备具有一个或多个另外的有机发光二极管,其与第二有机发光二极管220串联。
等效电路图400示出第三有机发光二极管430,其与第一有机发光二极管210串联。根据有机发光二极管100的一个上面描述的实施例构造第三有机发光二极管430。此外,等效电路图400示出第四有机发光二极管440,其与第二有机发光二极管220串联。根据有机发光二极管100的一个上面描述的实施例构造第四有机发光二极管440。
根据一个实施例,第一有机发光二极管210和第三有机发光二极管430被构造为双重堆叠的有机发光二极管,其中第一有机发光二极管210和第三有机发光二极管430借助第一载流子对产生层结构连接。此外,第二有机发光二极管220和第四有机发光二极管440被构造为双重堆叠的有机发光二极管,其中第二有机发光二极管220和第四有机发光二极管440借助第二载流子对产生层结构连接。第一有机发光二极管210的有机功能层结构213借助第一载流子对产生层结构与第三有机发光二极管430的有机功能层结构连接。换句话说,在第一有机发光二极管210的有机功能层结构213和第三有机发光二极管430的有机功能层结构之间布置有第一载流子对产生层结构。第二有机发光二极管220的有机功能层结构223借助载流子对产生层结构与第四有机发光二极管430的有机功能层结构连接。换句话说,在第二有机发光二极管220的有机功能层结构223和第四有机发光二极管440的有机功能层结构之间布置有第二载流子对产生层结构。此外,第一有机发光二极管210的第二电极212被构造为阳极。此外,根据关于图1描述的层序列构造第一有机发光二极管210的有机功能层结构213以及第三有机发光二极管的有机功能层结构。此外,第二有机发光二极管220的第一电极221被构造为阳极。此外,关于图1描述的层序列相反地构造第二有机发光二极管220的有机功能层结构223以及第四有机发光二极管的有机功能层结构。此外,第一有机发光二极管210和第二有机发光二极管220相叠地堆叠,使得第一有机发光二极管210的阳极与第二有机发光二极管220的阳极彼此直接接触。此外,可以在第三有机发光二极管430的阴极上并且在第四有机发光二极管440的阴极上施加第二电位240。此外,可以在第一有机发光二极管210的阳极上并且在第二有机发光二极管220的阳极上施加第一电位230。
替代地或附加地,可以如第一有机发光二极管210那样构造与第一有机发光二极管210串联的另外的有机发光二极管。替代地或附加地,可以在第一有机发光二极管210上布置另外的有机发光二极管、例如一个、两个、三个、四个或五个、例如10个另外的有机发光二极管,其中所述另外的有机发光二极管借助载流子对产生层结构相互连接。
替代地或附加地,可以如第二有机发光二极管220那样构造与第二有机发光二极管220串联的另外的有机发光二极管。替代地或附加地,可以在第二有机发光二极管220上布置另外的有机发光二极管、例如一个、两个、三个、四个或五个、例如10个另外的有机发光二极管,其中所述另外的有机发光二极管借助载流子对产生层结构相互连接。
替代地或附加地,可以将第二电位240施加在层堆的分别最外面的电极、例如阴极上。
替代地,最外面的电极、即例如对于总共四个依次堆叠的有机发光二极管210、220、430和440的情况为第四有机发光二极管440的第二电极和第三有机发光二极管430的第一电极也可以被构造为阳极。在该情况下,内部电极、即第一有机发光二极管210的第二电极212和第二有机发光二极管220的第一电极221被构造为阴极。
图5示出光电子器件设备的一个实施例,该实施例例如在很大程度上对应于在图2中示出的实施例。
根据一个实施例,光电子器件设备500具有阳极和至少一个另外的阳极。此外,光电子器件设备500具有至少一个阴极。此外,光电子器件设备500具有有机功能层结构和至少一个另外的有机功能层结构。有机功能层结构布置在阳极上。在有机功能层结构上布置有所述至少一个阴极。在所述至少一个阴极上布置有至少一个另外的有机功能层结构。在至少一个另外的有机功能层结构上布置有至少一个另外的阳极。
根据一种改进方案,上述层序列以上述样式继续进行直至任意堆高度。根据一种改进方案,分别构造阳极,使得能够将相同电位、例如第一电位230施加在所述阳极上。此外,分别构造阴极,使得能够将相同电位、例如第二电位240施加在所述阴极上。换句话说,根据一种改进方案,多个有机发光二极管相叠堆叠,其中所述多个有机发光二极管分别具有阴极、有机功能层系统和阳极。多个有机发光二极管彼此借助并联电路互连。
根据一个实施例并且如在图5中所示,光电子器件设备500具有阳极511、阴极512和有机功能层系统513。根据第一电极110的一个实施例构造阳极511。根据第二电极114的一个实施例构造阴极。根据有机功能层系统112的一个实施例构造例如也称为有机物的有机功能层结构513。由所提到的单个部件可以构造光电子器件设备(在图5中借助箭头示出)。根据一个实施例,构造堆序列:阳极511/有机物513/阴极512/有机物513/阳极511。根据该实施例,在阳极511上布置有有机功能层结构513。在有机功能层结构513上布置有阴极512。在阴极512上又布置有另外的有机功能层结构,其如所述有机功能层结构513那样构造并且因此在下面也称为有机功能层结构513。原则上所述堆序列可以任意继续,例如借助以下层序列:阳极511/有机物513/阴极512 /有机物513/阳极511 /有机物513/阴极512(例如也称为A/K/A/K OLED),例如借助以下层序列:阴极512/有机物513/阳极511/有机物513 /阴极512/有机物513/阳极511/有机物513/阴极512(例如也称为K/A/K/A/K OLED)。
在该构造下的特殊性在于,可以减小为了运行OLED所需的电压,而不失去多重堆叠的优点。换句话说,n重堆叠的OLED此外可以利用未堆叠的OLED的电压运行。因此可以制造耐用的OLED,其尽管如此仍能够由常用的电压源供电。不需要附加的接触部来进行控制。
阴极、阳极和有机功能层系统可以具有任意形状。例如矩形形状(在图5中示出)。替代地或附加地,阴极、阳极和有机功能层系统可以具有圆形形状或与圆的形状相似的形状。替代地或附加地,阳极511、阴极512和有机功能层结构513也可以梯形或金字塔形地构造。替代地或附加地,阳极511、阴极512和有机功能层结构513可以具有圆弓的形状或圆环的形状。
如上所述,堆序列经常能够任意重复,其中最简单的堆序列是以下层序列:阳极511/有机物513/阴极512/有机物513/阳极511。
替代地或附加地,阳极511、阴极512和有机功能层系统513可以至少半透明地构造。
替代地或附加地,载体102可以布置在层堆的末端处。
替代地或附加地,可以根据载体102的一个实施例构造布置在层堆的末端处的电极。
替代地或附加地,光电子器件设备500的阳极可以彼此相同或不同地构造。替代地或附加地,光电子器件设备500的阴极可以彼此相同或不同地构造。替代地或附加地,光电子器件设备500的有机功能层结构可以彼此相同或不同地构造。
替代地或附加地,在上述层堆中的一个或多个有机发光二极管可以被构造为例如两重、例如三重、例如四重、例如十重堆叠的有机发光二极管。
图6示出用于制造光电子器件设备、例如在前面解释的光电子器件设备的方法的流程图。
用于制造光电子器件设备的方法600具有:构造601第一有机发光二极管210和第二有机发光二极管220,使得第一有机发光二极管210和第二有机发光二极管220相叠地躯体接触地相互连接。该方法还具有将第一有机发光二极管210与第二有机发光二极管220并联。构造第一有机发光二极管210和第二有机发光二极管220,使得第一有机发光二极管和第二有机发光二极管具有至少一个近似相同或相同的电子二极管特征和/或近似相同或相同的电子二极管特性参数。
用于制造光电子器件设备的方法600具有:构造601第一有机发光二极管210和第二有机发光二极管220,使得第一有机发光二极管210和第二有机发光二极管220相叠地躯体接触地相互连接。该方法还具有将第一有机发光二极管210与第二有机发光二极管220并联。构造第一有机发光二极管210,使得第一有机发光二极管提供具有第一色调的第一光,并且构造第二有机发光二极管220,使得第二有机发光二极管提供具有第二色调的第二光。构造第一有机发光二极管210和第二有机发光二极管220,使得第一色调和第二色调近似相同或相同。这能够实现,制造一种具有提高的寿命的光电子器件设备。
根据一种改进方案,该方法600还具有:构造一个或多个另外的有机发光二极管,其与第一有机发光二极管210串联。
根据一种改进方案,该方法600还具有:构造一个或多个另外的有机发光二极管,其与第二有机发光二极管220串联。
第一有机发光二极管210和第二有机发光二极管220的构造601具有第一有机发光二极管210的构造和第二有机发光二极管220的构造。根据第一有机发光二极管210的一个上面描述的实施例构造第一有机发光二极管210。根据第二有机发光二极管220的一个上面描述的实施例构造第二有机发光二极管220。
根据一种改进方案,第一有机发光二极管210的构造具有第一电极211的构造、有机功能层结构213的构造和第二电极212的构造,其中有机功能层结构213被布置在第一电极211上或之上,并且其中第二电极212被布置在有机功能层结构213上或之上。根据第一有机发光二极管210的第一电极211的一个上面描述的实施例构造第一电极211。根据第一有机发光二极管210的第二电极212的一个上面描述的实施例构造第二电极212。根据第一有机发光二极管210的有机功能层结构213的一个上面描述的实施例构造有机功能层结构213。
根据一种改进方案,第二有机发光二极管220的构造具有第一电极221的构造、有机功能层结构223的构造和第二电极222的构造,其中有机功能层结构223被布置在第一电极221上或之上,并且其中第二电极222被布置在有机功能层结构223上或之上。根据第二有机发光二极管220的第一电极221的一个上面描述的实施例构造第一电极221。根据第二有机发光二极管220的第二电极222的一个上面描述的实施例构造第二电极222。根据第二有机发光二极管220的有机功能层结构223的一个上面描述的实施例构造有机功能层结构223。
根据一种改进方案,第一有机发光二极管210的第二电极212和第二有机发光二极管220的第一电极221彼此电连接,使得它们构成一个共同的电极。
根据一种改进方案,共同的电极由至少半透明的材料构成,或以下这样构成,使得共同的电极具有半透明的材料。
根据一种改进方案,第一有机发光二极管210的第一电极211和第二有机发光二极管220的第二电极222一致相叠地布置并且第一有机发光二极管210的第二电极212和第二有机发光二极管220的第一电极221一致相叠地布置。
替代地或附加地,通过分享一个电极的两个半导体OLED的背靠背处理,可以产生OLED系统,其中为了运行所需的电压被减小到单个二极管的运行电压上。即一个OLED单独具有与两个AKA连接的OLED相同的运行电压。原则上还可以实现进一步的减小:原则上,在此首先施加一个半透明的阳极。该阳极可以由TCO(透明导电氧化物)或由薄的金属层构造。然后处理多重堆叠的OLED。现在代替不透明的阴极而蒸镀半透明的阴极。然后,反转地重新蒸镀下面的OLED。现在存在两种可能性:第一,OLED可以通过半透明的阳极结束,或第二,可以蒸镀另外的半透明的中间电极,OLED在此以原始的配置蒸镀并且然后可以再一次地决定,工艺应该继续还是中断。所有阳极在此不横向分离,同样适用于阴极。因此从外部看部件看不出,是 K | A | K | A - OLED。
在不同的实施例中,用于制造光电子器件设备的方法600可以具有光电子器件的特征并且光电子器件设备可以具有用于制造光电子器件设备的方法的特征,只要特征可以分别合理地应用。
本发明不受所说明的实施例限制。例如在图1、2、3、4、5和6中示出的实施例可以相互组合。

Claims (20)

1.一种光电子器件设备,具有:
•第一有机发光二极管(210)和第二有机发光二极管(220),所述第一有机发光二极管(210)和第二有机发光二极管(220)相叠地躯体接触地相互连接;
•其中第一有机发光二极管(210)与所述第二有机发光二极管(220)电并联;并且
•其中所述第一有机发光二极管(210)和第二有机发光二极管(220)具有至少一个近似相同或相同的电子二极管特征和/或近似相同或相同的电子二极管特性参数。
2.一种光电子器件设备,具有:
•第一有机发光二极管(210)和第二有机发光二极管(220),所述第一有机发光二极管(210)和第二有机发光二极管(220)相叠地躯体接触地相互连接;
•其中第一有机发光二极管(210)与所述第二有机发光二极管(220)电并联;并且
•其中所述第一有机发光二极管(210)提供具有第一色调的第一光并且第二有机发光二极管(220)提供具有第二色调的第二光;并且
•其中第一色调和第二色调近似相同或相同。
3.根据权利要求1或2所述的光电子器件设备,还具有:
一个或多个另外的有机发光二极管,其与第一有机发光二极管(210)串联。
4.根据权利要求1至3之一所述的光电子器件设备,还具有:
一个或多个另外的有机发光二极管,其与第二有机发光二极管(220)串联。
5.根据权利要求1至4之一所述的光电子器件设备,
其中第一有机发光二极管(210)具有第一电极(211)、有机功能层结构(213)和第二电极(212),其中有机功能层结构(213)被布置在第一电极(211)上或之上,并且其中第二电极(212)被布置在有机功能层结构(213)上或之上。
6.根据权利要求1至5之一所述的光电子器件设备,
其中第二有机发光二极管(220)具有第一电极(221)、有机功能层结构(223)和第二电极(222),其中有机功能层结构(223)被布置在第一电极(221)上或之上,并且其中第二电极(222)被布置在有机功能层结构(223)上或之上。
7.根据权利要求1至6之一所述的光电子器件设备,其中第一有机发光二极管(210)的第二电极(212)和第二有机发光二极管(220)的第一电极(221)彼此电连接,使得第一有机发光二极管(210)的第二电极(212)和第二有机发光二极管(220)的第一电极(221)构成一个共同的电极。
8.根据权利要求1至7之一所述的光电子器件设备,其中所述共同的电极由至少半透明的材料构成或具有这样的材料。
9.根据权利要求1至8之一所述的光电子器件设备,其中第一有机发光二极管(210)的第二电极(212)是第一有机发光二极管(210)的阳极并且其中第二有机发光二极管(220)的第一电极(221)是第二有机发光二极管(220)的阳极。
10.根据权利要求1至9之一所述的光电子器件设备,其中第一有机发光二极管(210)的第一电极(211)和第二有机发光二极管(220)的第二电极(222)具有共同的电位。
11.根据权利要求1至10之一所述的光电子器件设备,其中第一有机发光二极管(210)的第一电极(211)和第二有机发光二极管(220)的第二电极(222)一致相叠地布置并且其中第一有机发光二极管(210)的第二电极(212)和第二有机发光二极管(220)的第一电极(221)一致相叠地布置。
12.用于制造具有第一有机发光二极管(210)和第二有机发光二极管(220)的光电子器件设备的方法,所述方法具有:
•构造第一有机发光二极管(210)和第二有机发光二极管(220),使得所述第一有机发光二极管(210)和第二有机发光二极管(220)相叠地躯体接触地相互连接;
•其中第一有机发光二极管(210)与所述第二有机发光二极管(220)电并联;并且
•其中所述第一有机发光二极管(210)和第二有机发光二极管(220)被构造成,使得所述第一有机发光二极管(210)和第二有机发光二极管(220)具有至少一个近似相同或相同的电子二极管特征和/或近似相同或相同的电子二极管特性参数。
13.用于制造具有第一有机发光二极管(210)和第二有机发光二极管(220)的光电子器件设备的方法,所述方法具有:
•构造第一有机发光二极管(210)和第二有机发光二极管(220),使得所述第一有机发光二极管(210)和第二有机发光二极管(220)相叠地躯体接触地相互连接;
•其中第一有机发光二极管(210)与所述第二有机发光二极管(220)电并联;
•其中构造第一有机发光二极管(210),使得所述第一有机发光二极管(210)提供具有第一色调的第一光,并且其中构造第二有机发光二极管(220),使得第二有机发光二极管(220)提供具有第二色调的第二光;并且
•其中构造第一有机发光二极管(210)和第二有机发光二极管(220),使得第一色调和第二色调近似相同或相同。
14.根据权利要求12或13所述的方法,还具有:
构造一个或多个另外的有机发光二极管,其与第一有机发光二极管(210)串联。
15.根据权利要求12至14之一所述的方法,还具有:
构造一个或多个另外的有机发光二极管,其与第一有机发光二极管(220)串联。
16.根据权利要求12至15之一所述的方法,还具有:
其中第一有机发光二极管(210)的构造具有第一电极(211)的构造、有机功能层结构(213)的构造和第二电极(212)的构造,其中有机功能层结构(213)被布置在第一电极(211)上或之上,并且其中第二电极(212)被布置在有机功能层结构(213)上或之上。
17.根据权利要求12至16之一所述的方法,还具有:
其中第二有机发光二极管(220)的构造具有第一电极(221)的构造、有机功能层结构(223)的构造和第二电极(222)的构造,其中有机功能层结构(223)被布置在第一电极(221)上或之上,并且其中第二电极(222)被布置在有机功能层结构(223)上或之上。
18.根据权利要求12至17之一所述的方法,还具有:
其中第一有机发光二极管(210)的第二电极(212)和第二有机发光二极管(220)的第一电极(221)彼此电连接,使得第一有机发光二极管(210)的第二电极(212)和第二有机发光二极管(220)的第一电极(221)构成一个共同的电极。
19.根据权利要求12至18之一所述的方法,还具有:
其中所述共同的电极由至少半透明的材料构成,或以下这样构成,使得所述共同的电极具有半透明的材料。
20.根据权利要求12至18之一所述的方法,其中第一有机发光二极管(210)的第一电极(212)和第二有机发光二极管(220)的第二电极(222)一致相叠地布置并且其中第一有机发光二极管(210)的第二电极(212)和第二有机发光二极管(220)的第一电极(221)一致相叠地布置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018196127A1 (zh) * 2017-04-28 2018-11-01 深圳市华星光电技术有限公司 一种顶发射oled器件及制备方法、显示面板

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102642304B1 (ko) * 2016-11-28 2024-02-28 삼성전자주식회사 광전자 소자 및 전자 장치

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1447629A (zh) * 2002-03-26 2003-10-08 城户淳二 有机电致发光元件
CN1742518A (zh) * 2003-01-29 2006-03-01 株式会社半导体能源研究所 发光装置
CN1953625A (zh) * 2005-10-17 2007-04-25 株式会社半导体能源研究所 照明系统
US20110095702A1 (en) * 2009-10-27 2011-04-28 Electronics And Telecommunications Research Institute Stacked organic light-emitting device
US20120126723A1 (en) * 2010-11-19 2012-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting Device
CN102947965A (zh) * 2010-06-23 2013-02-27 大日本印刷株式会社 有机薄膜太阳能电池模块
US20130240847A1 (en) * 2010-05-21 2013-09-19 Solarno, Inc. Monolithic parallel multijunction oled with independent tunable color emission

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7049757B2 (en) 2002-08-05 2006-05-23 General Electric Company Series connected OLED structure and fabrication method
DE102009022900A1 (de) * 2009-04-30 2010-11-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US20110248244A1 (en) * 2009-10-05 2011-10-13 Emagin Corporation Independently controlled stacked inverted organic light emitting diodes and a method of manufacturing same

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1447629A (zh) * 2002-03-26 2003-10-08 城户淳二 有机电致发光元件
CN1742518A (zh) * 2003-01-29 2006-03-01 株式会社半导体能源研究所 发光装置
CN1953625A (zh) * 2005-10-17 2007-04-25 株式会社半导体能源研究所 照明系统
US20110095702A1 (en) * 2009-10-27 2011-04-28 Electronics And Telecommunications Research Institute Stacked organic light-emitting device
US20130240847A1 (en) * 2010-05-21 2013-09-19 Solarno, Inc. Monolithic parallel multijunction oled with independent tunable color emission
CN102947965A (zh) * 2010-06-23 2013-02-27 大日本印刷株式会社 有机薄膜太阳能电池模块
US20120126723A1 (en) * 2010-11-19 2012-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting Device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018196127A1 (zh) * 2017-04-28 2018-11-01 深圳市华星光电技术有限公司 一种顶发射oled器件及制备方法、显示面板

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