CN1742518A - 发光装置 - Google Patents
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Abstract
有机EL元件与其他发光元件相比,具有许多优异的特性,然而元件寿命不足是一个问题。另外,想要用于便携式显示装置等应用,提高电力效率便非常重要。本发明提供一种既可提高电力效率,又能延长元件寿命的元件结构,其中,第一阳极302和阴极304夹着第一电场发光膜303,另外,在阴极304上层叠第二电场发光膜305和第二阳极306。此时,第一阳极302和第二阳极306相接触而形成并联电路,使流过各电场发光膜的电流减少。
Description
技术领域
本发明涉及采用具有给阳极和阴极施加电场而发光的有机化合物薄膜(下称“电场发光膜”)的发光元件的发光装置。
背景技术
有机化合物与无机化合物相比,材料系统多种多样,通过适当的分子设计有可能合成具有各种机能的材料。此外,膜等的形成物富有柔性,特别是具有可通过高分子化而使加工性能优异的特点。从这样的优点看,近年来,注意力都集中在采用功能性有机材料的光子学和电子学上。
利用有机材料的光学物理特性的光子学已经在目前工业技术上起重要作用。例如,光刻胶等感光材料是用于半导体精细加工的光刻技术中不可或缺的材料。此外,有机化合物本身具有伴随光吸收而发光(荧光或磷光)的性质,所以作为激光色素等的发光材料大有用途。
另一方面,有机化合物本身是一种没有载流子的材料,所以本质上具有优越的绝缘性。因而,有关利用有机材料的电气特性的电子学,以前主要利用其作为绝缘体的机能,作为绝缘材料、保护材料和覆盖材料使用。
然而,实际上存在使作为绝缘体的有机材料流过大量电流的手段,并且也正在电子学领域得到应用,该手段大体分为两类。
其中之一以导电高分子为代表,通过搀杂π共扼系有机化合物中受主(电子接受者)或施主(电子提供者),使该π共扼系有机化合物具有载流子的手段(参见非专利文献1)。通过增大搀杂量,使载流子增加到一定程度,暗电导率也随之增大,从而可流过大量电流。
其电流量,可以达到比通常的半导体还高的水平,所以呈现这样性状的一类材料可称为有机半导体(某些情况下称为有机导体)。
这样,通过搀杂受主或施主提高暗电导率,使电流流过有机材料的手段,一部分已经应用于电子学领域。例如,使用聚苯胺和聚烯烃的可充电的二次电池、使用聚吡咯的电场电容等。
使大量电流流过有机材料的另一个手段是,利用空间电荷限制电流(SCLC:Space Charge Limited Current)的手段。所谓SCLC是从外部注入空间电荷使其移动而产生电流,其电流密度遵循却尔特定律,用下式表示,式中:J为电流密度,ε为介电常数,ε0为真空介电常数,μ为载流子迁移率,V为电压,d为施加了V的电极间距离(下称厚度)。
另外,上式表示的SCLC,是假定完全没有SCLC流动时载流子捕获的公式。由于载流子捕获而限制的电流称为捕获载流子限制电流(TCLC:Trap Charge Limited Current)与电压的幂成正比,但是它们都是体律速电流,下面同样处理。
这里,为了进行对比,将遵循欧姆定律的欧姆电流流动时的电流密度表达式表示为下式
式(2)中电导率σ,用σ=neμ(n为载流子密度,e为电荷)表示,所以载流子密度包含于流动电流量的支配因子中。因而,对于具有某种程度的载流子迁移率的有机材料,只要不是如上所述地通过搀杂以图增大载流子密度,在几乎不存在载流子的有机材料上是没有欧姆电流的。
但是,正如可从(1)式看到的,确定SCLC的因子是介电常数。载流子迁移率、电压和厚度,与载流子密度无关。就是说,作为不具有载流子的绝缘体的有机材料,使其厚度d变得十分薄,选择载流子迁移率μ大的材料,从外部注入载流子,即可使电流流动。
在采用这一手段时,其电流量也可以达到通常半导体的水平以上,因此,载流子迁移率μ大的有机材料,或者说潜在可输送载流子的有机材料,可称为有机半导体。
然而,特别在利用这样的SCLC的有机半导体元件中,有机电致发光元件(以下称作有机EL元件),作为同时利用功能性有机材料的光学物理特性和电气物理特性的光电子学器件,近年得到了蓬勃发展。
有机EL元件的基本结构,在1987年已有报告(参见非专利文献2)。在该非专利文献2中报告的元件,是一种用电极夹持由空穴输送型的有机化合物与电子输送型有机化合物层叠成的总厚约100nm的电场发光膜而形成的二极管,用发光性材料(荧光材料)作为电子输送型化合物。通过给这样的元件施加电压,就能像发光二极管一样地发出光来。
其发光机制是,对用电极夹持的电场发光膜施加电压,从电极注入空穴及电子在电场发光膜中复合,形成处于受激状态的分子(称作分子激发子),该分子激发子在返回基态时放光。
再有,作为有机化合物形成的分子激发子的种类,可处于一重受激状态和三重受激状态,基态通常是一重受激状态,所以由一重受激状态发光称为荧光,从三重受激状态发光称为磷光。在本说明书中,包含了这两种受激状态对发光作出贡献的情况。
在这样的有机EL元件中,通常电场发光膜形成为100~200nm左右的薄膜。另外,有机EL元件是电场发光膜本身发光的自发光型元件,所以,不必像液晶显示器那样使用背光。因而,有机EL元件具有可以制得极薄极轻的大优点。
另外,例如,在100~200nm的电场发光膜中,从注入载流子到再复合为止的时间,若考虑电场发光膜的载流子迁移率仅为数十纳秒,即使包括从载流子再复合到发光的过程也可在微秒数量级内发光。因此,响应速度快也是它的特长。
从这样的体型薄、重量轻、响应速度高等特点看,有机EL元件作为下一代平板显示器受到注目。另外,它是自发光型,视角宽,因此,视认性较好,作为便携式装置的图像显示用元件是有效的。
但是,尽管具有上述的优异特性,但由于元件寿命不足而尚未实用化。
构成有机EL元件的电场发光膜,由于流过的电流促使有机半导体的功能恶化。已经知道,有机EL元件从初期亮度开始大致成反比地恶化,换句话说,元件的寿命与流过的电流量成反比(发光亮度半衰期)地恶化(非专利文献3)。
因此,减小流过有机EL电场发光膜的电流,不仅从降低电耗的角度说当然必要,就是从元件寿命的观点看也是重要的。
非专利文献1:白川英树等著“导电有机聚合物:聚乙炔卤素衍生物(CH)x的合成”(Synthesis of Electrically Conducting OrganicPolymers:Halogen Derivatives of Polyscetyrene,(CH)x),ChemicalCommunications,1977,16,578-580
非专利文献2:C.W.タン等著“有机电致发光二极管”(Organicelectroluminescent diodes),Applied Physics Letters,Vol.51,No.12,913-915(1987)
非专利文献3:佐藤佳晴“应用物理学会有机分子·生物电子学分科会会志”,Vol.11,No.1,(2000),86-99
发明内容
(本发明要解决的课题)
本发明旨在提供一种可减小流过有机EL元件的电场发光膜的电流,延长元件寿命的元件结构。
(解决该课题的手段)
本发明是一种发光装置,其特征在于,在基板上设有第一电极。接着所述第一电极有第一电场发光膜,接着所述第一电场发光膜有第二电极,接着所述第二电极有第二电场发光膜,接着所述第二电场发光膜有第三电极,上述第一电极和上述第三电极起阳极或阴极中的一方的作用,上述第二电极起阳极或阴极中的另一方的作用。
再有,上述第一电极和上述第三电极可以在电气上连接。
另外,一种发光装置的特征在于,作为另一种结构,在基板上交替形成多个阳极和多个阴极,各阳极和阴极之间有电场发光膜。
在上述发光装置上,可以多个阳极在电气上连接在一起,多个阴极在电气上连接在一起。
另外,在上述发光装置中,从上述阳极及上述阴极任意一个电极中,只有离上述基板最远的位置上的电极是不透明的,这样光可从基板侧取出。
另外,在上述发光装置中,在上述阳极和上述阴极中任选的电极中,只有离基板最近位置上的电极是不透明的,因此,光可从基板的相反侧取出。
此外,在上述发光装置中,上述发光元件包含的所有阳极和阴极都是透明的,因此,光可从基板侧或其相反侧两方取出。
再有,在上述发光装置中,可以将显示不同发光颜色的两种以上的发光元件用作上述多个发光元件。
此外,在上述发光装置中,上述多个发光元件中至少一个是发红光的发光元件,至少一个是发绿光的发光元件,至少一个是发蓝光的发光元件,以能够发出白光。
再有,在本说明书中所谓的发光装置是指,使用具有电场发光膜的发光元件作为发光元件图像显示器件或发光器件。另外,与发光元件连接的部分,例如,装有各向异性导电膜(ACF:AnisotropicConductive Film)或带自动粘贴(TAB:Tape Automated Bonding)胶带或带载封装(TCP:Tape Carrier Package)的模块,在TAB带和TCP之前设在印刷电路板上的模块,或者以玻璃上芯片(COG:Chip OnGlass)方式直接安装了IC(集成电路)的模块,全都包含在发光装置中。
(本发明的效果)
本发明的特征是,可通过使电场发光膜与电极并联,且垂直层叠,使单位面积上的功率效率提高。另外,可减小向电场发光膜提供的电流量,延长元件的寿命。
附图的简要说明
图1表示本发明的基本结构;
图2表示本发明的基本结构;
图3表示本发明的基本结构中的最小结构;
图4表示本发明最小结构中电子和空穴流动的情况;
图5表示本发明与先有技术的比较;
图6表示有源阵列构造的发光装置;
图7是电场发光膜详图(实施例2);
图8是电场发光膜详图(实施例3);
图9表示光的出射方向;而
图10是发光装置的应用示例。
实施本发明的最佳方式
(实施方式1)
图1,图2是本发明的略图。在图1中,基板101上从靠近基板的位置起交替设置第一电极102、第一阴极104、第二阳极106、第二阴极108、…第n阴极109、第n+1阳极111。然后在第一阳极102和第一阴极104之间设置第一电场发光膜103,在第一阴极104和第二阳极106之间设置第二电场发光膜105,在第二阳极106和第二阴极108之间设置第三电场发光膜107、…在第n阴极109和第n+1阳极111之间设置第2n电场发光膜110,在一对阳极和阴极之间夹入电场发光膜而形成一个发光元件。图2是一个示例,在基板201上层叠形成电极:阴极202、阳极204、阴极206……阳极209、阴极211,在它们之间形成电场发光膜203,205,207,210,除电极层叠顺序不同外,其余与图1相同。另外,在图1和图2上,基板上的电极的层叠,若从阳极开始,则以阳极结束;若从阴极开始,则以阴极结束。但也可以从阳极开始层叠而以阴极结束,反之亦然。层叠的阳极和阴极数可按用户的需要而适当设定。
此外,各阳极宜用空穴注入性优异的物质,最好采用功函数大的物质(约4.5-5.5eV)。例如,Ti,TiN,TiSiXNY,Ni,W,WSiX,WNX,WSiXNY,NbN,Mo,Cr,Pt,Se,Pd,Ir,Au等,亦可采用其混合物和合金。用作阴极的材料,最好为电子注入性优异的功函数小的物质(2.5-3.5eV)(其代表是属于第一族或第二族的金属元素)或包含它们的合金。其中,用作阴极的材料,最好为MgAg,MgIn,AlLi等。
(实施形态2)
现以作为本发明中最小结构的图3的结构来说明本发明的基本原理。另外,本发明中的所谓透光性是指透明或充分透过光线的状态。
图3是一个示例,在透明的基板301上形成第一阳极302、第一电场发光膜303、阴极304、第二电场发光膜305和第二阳极306。302,304,306采用透光电极。
在图3所示结构的元件中流过电流的情况的电子和空穴流动的情况示于图4。如图4所示,空穴如401所示,从两个阳极注入,电子如402所示,从中央的阴极注入上下两方的电场发光膜。此时,如图5(B)中箭头501所示,若从外部提供电流1,则对于第一阳极和第二阳极,分别如箭头502所示,分别有I/2电流流过,于是,第一电场发光膜和第二电场发光膜分别有I/2电流流过。一个电场发光膜上流过电流I时,若放出的光子数目为n,从各自的电场发光膜如箭头503所示放出n/2个光子,两个电场发光膜合计放出n个光子。
另一方面,图5(A)所示的一个电场发光膜被阳极和阴极夹持而构成的元件,如箭头501所示从外部电源流过电流I时,与图5(B)时相同地从电场发光膜放出n个光子。
图5(A)和图5(B)比较,放出个数相同的光子时,从外部电源供给的电流量两者都是I,但采用图5(B)的结构时流过一个电场发光膜的电流为I/2,故可减轻电流引起的电场发光膜的退化。
另外,从消耗电力上考虑,图5(A)结构的元件中,从电场发光膜放出n个光子所需的电流为I,若使电流I流过所需的电压为V,则该结构的元件消耗的电力Pa为
Pa=I·V (3)
对此,在图5(B)结构的元件中,从两个电场发光膜合计放出n个光子所需的电流合计为I,但电路是并联的,从(1)式可知,必须从外部电源提供的所需电压为V/√2。这里,在图5(B)的元件中,n个光子所需的电力Pb为
这样,采用本发明公开的结构时,与通常的结构的元件相比,放出同样数目的光子所需的电力可减少为I/√2倍。
为了实现上述图3的结构,重要的是不使阳极302和阴极304以及阴极304和阳极306短路,并将阳极302和阳极306连接起来。其手段是适当涂敷金属掩模。
上面叙述了只有两个电场发光膜的情况,但也适用于图1所示包含3个以上的电场发光膜的结构。另外,图2所示的结构也同样适用。
[实施例1]
在本实施例中,首先用图6说明像素部分中具有本发明的电场发光元件的发光装置。另外,图6(A)是表示发光装置的俯视图,图6(B)是沿着图6(A)的B-B’线切开的剖面图。虚线表示的601是驱动电路部(源极侧驱动电路),602是像素部,603是驱动电路部(栅极侧驱动电路)。另外,604是密封基板,605是密封剂,用密封剂605包围的内侧607形成空腔。
再有,608是用以传输向源极侧驱动电路601及栅极侧驱动电路603输入的信号的布线,从构成外部输入端子的FPC(柔性印刷电路板电路)609接收视频信号、模拟信号、启动信号、复位信号等。另外,这里不仅画出FPC,还可以把印刷线路板(PWB)安装在该FPC上。本说明书中的发光装置不仅指发光装置本身,还表示其上被安装了FPC或PWB的状态。
接着,用图6(B)说明断面结构。在基板601上形成驱动电路部和像素部,这里示出了作为驱动电路部的源极驱动电路601和像素部602。
再有,源极侧驱动电路601是n沟道型TFT623和p沟道型TFT624组成的CMOS电路。另外,形成驱动电路的TFT也可以用PMOS电路或NMOS电路形成。另外,在本实施例中,表示了在基板上形成有驱动电路的驱动器一体化的形式,但不一定必须如此,不在基板上而在外部形成亦可。
此外,像素部602由多个像素形成,像素中包含开关用TFT 611和电流控制用的TFT 612及与其漏极电连接的第一阳极613。再有,覆盖第一阳极613的端部而形成绝缘物614。这里,用正型感光性丙烯酸树脂膜形成。
另外,为了达到良好的覆盖率,绝缘物614上端部或下端部形成具有曲率的曲面。例如,作为绝缘物614的材料采用正型感光性丙烯酸酯的情况下,最好仅在绝缘物614上端部具有曲率半径(0.2μm-3μm)的曲面。另外,作为绝缘物614,其感光性可以为因光照射而变得不溶于蚀刻剂的负型或因光照射而变得溶于蚀刻剂的正型,其中任何一种均可。
另外,在绝缘物614上必须有阳极触点621,用以连接第一阳极613和第二阳极619。
在第一阳极613上分别形成第一电场发光膜616、第一阴极617、第二电场发光膜618、第二阳极619。
这里,作为用于第一阳极613和第二阳极619的材料,最好采用功函数大的材料。例如,可以采用ITO(铟锑氧化物)膜、铟锌氧化物(IZO)膜、氮化钛膜、铬膜、钨膜、Zn膜、Pt膜等单层膜,此外,可以采用以氮化钛和铝为主要成分的膜层叠,以及氮化钛膜、以铝为主要成分的膜和氮化钛膜的三层结构。
此外,第一阳极613和第二阳极619中至少一个是为了让光线透过而充分透明的,所以采用为了透光而厚度十分薄的金属薄膜,或者采用透明导电膜,或者用金属薄膜与透明导电膜相层叠。
此外,第一电场发光膜616、第二电场发光膜618,可用蒸镀掩模的蒸镀法,或用注入法形成。用于电场发光膜的材料,往往采用单层或层叠有机化合物,但在本发明也包含在有机化合物组成的膜的一部分中使用无机化合物的结构。
另外,作为第一电场发光膜616和第二电场发光膜618之间保持的第一阴极617上用的材料,可用功函数小的材料(Al,Ag,Li,Ca或由它们形成的合金MgAg,MgIn,AlLi,CaF2或CaN)。
再有,为了使第一电场发光膜616和第二电场发光膜618上产生的光透过第一阴极617,作为第一阴极617,可采用膜厚薄的金属薄膜,或透明导电膜(ITO(氧化铟氧化锑)合金)、氧化铟氧化锌合金(In2O3-ZnO)、氧化锌(ZnO)等,或者金属薄膜和透明导电膜层叠。
另外,用密封剂605使密封基板604与元件基板610贴合,成为由元件基板610、密封基板604及用密封剂605包围的空间607中设有电场发光元件618的结构。此外,在空间607中填充惰性气体(氮或氩等),此外也包括用密封剂605填充的结构。
另外,作为密封剂宜用环氧树脂类树脂。此外,这些材料最好是尽量不透过水和氧气的材料。另外,作为用作密封基板604的材料,除玻璃基板和石英基板外,可用FRP(玻璃纤维增强树脂)、PVF(聚乙烯氟化物)、聚酯、丙烯酸等形成的塑料基板。
如上所述,可以得到本发明的含有电场发光元件的发光装置。
[实施例2]
在本实施例中,说明用阳极作为离基板最近的位置上的电极时的电场发光元件的结构。
详细说明在第一阳极613上层叠的结构。这里,用蒸镀法制作电场发光膜和第一阴极617,为了透光,第一阴极617采用十分薄的金属薄膜,第二阳极619采用溅射法制作的透明导电膜,它们全部用金属掩模进行图案化而制作。
图7中表示了图6的电场发光元件620的细部结构。下面,空穴注入层702、空穴输送层703、发光层704、电子输送层705、电子注入层706,用金属掩模进行控制,使得在第一阳极613上有选择地成膜,而在阳极触点621上不成膜。另外,利用金属掩模来分开阴极和阳极,不使它们短路。
首先,用蒸镀法在第一阳极701上,以20nm的膜厚使作为空穴注入层有机化合物的铜酞菁素(下面表示为Cu-Pc)成膜,以40nm的膜厚使作为空穴输送层有机化合物的4,4’-双[N-(1-萘)-N-苯胺-二苯(以下表示为α-NPD)成膜,成为空穴输送层703。
接着,用蒸镀法以37.5nm的膜厚使作为电子输送性发光材料的有机化合物的三(8-喹啉醇化物)铝(以下标为Alq3)作为发光层,同样以37.5nm膜厚使Alq3成膜,作为电子输送层705。可以使发光层704和电子输送层705连续成膜。
另外,为提高来自阴极的电子注入性,以1nm膜厚使作为无机化合物的氟化钙(以下表示为CaF2)成膜,作为电子注入层706。
按上述方法可得到第一电场发光膜709。
然后,以5nm膜厚形成铝膜,作为第一阴极707。
然后,在第一阴极707上以1nm膜厚使作为电子注入层706的CaF2成膜,以37.5nm膜厚使作为电子输送层705的Alq3成膜,以37.5nm膜厚使作为发光层704的Alq3成膜,以40nm膜厚使作为空穴输送层703的α-NPD成膜,以20nm膜厚使作为空穴注入层702的Cu-Pc成膜,从而获得第二电场发光膜710。
然后用溅射法制作第二阳极708。此时,用金属掩模来控制成膜,使得第二阳极708通过图6的阳极触点部分621与第一阳极613连接,且不与第一阴极短路。
按上述方法完成电场发光元件620。另外,从该发光元件发出的光由于所有电极都有透光性,如图9(A)所示,从基板侧和与其相反侧两方发出。
[实施例3]
在本实施例中,说明用最靠近基板的位置的电极作为阴极时的电场发光元件的结构。
在用最靠近基板的位置的电极作为阴极的情况下,电场发光元件的结构和电场发光膜和电极的关系示于图8。图中,801是第一阴极,807是第一阳极,808表示第二阴极。另外,构成各电场发光膜的各层的详细情况与上述实施例2相同,用相同符号表示。
在本实施例中表示的元件的动作与上述实施例2的元件相同。
[实施例4]
在本实施例中,说明如图9(B)所示只从基板的相反侧发射光的结构。
如上述实施例3所示,最接近基板的位置上的电极设为阴极。但是,第一阴极907以约200nm膜厚使Al成膜,使之不透光。
除第一阴极907以外,其结构可与实施例2的相同。于是,从发光层发出的光中,射向基板侧的光按箭头905的方向被第一阴极907反射,故如图9(B)所示,按箭头906的方向从基板的相反侧出射。
按上述方法可制得从基板的相反侧出射光的结构。
[实施例5]
在本实施例中,说明如图9(C)所示光从基板侧出射的结构。
如上述实施例3所示,离基板最近位置上的电极设为阴极。其中,如图9(C)所示,离基板最近的阴极910以200nm膜厚使Al成膜,使之不透光。
除第一阴极以外,与实施例2相同。于是,从发光层发出的光中,从基板的相反侧出射的光如箭头908所示,被厚膜的阴极910反射,所以如图9(C)所示,光线按箭头909从基板侧出射。
用以上方法实现只从基板侧出射光的结构。
[实施例6]
在本实施例中,说明用两种不同的发光颜色的发光元件来产生白光的发光装置。
本实施例的结构,除发光层以外,与上述实施例2的相同。
在本实施例中,两个层由具有互补色关系的蓝色的发光元件和橙色的发光元件构成。这里,所谓互补色关系是指可合成为白光的两种颜色。
在本实施例的结构中,两个发光层由一个电源系控制,所以两个发光层同时发光,实现白光发光。
[实施例7]
在本实施例中,说明用三个呈现不同发光颜色的发光元件来发出白光的发光装置。
本实施例所示的结构是一种包含三个电场发光元件的结构。相当于图1和图2中的阴极和阳极所夹的电场发光膜有三个的情况。
除发光层外,本实施例的结构与实施例2的相同。
在上述包含三个电场发光元件的结构中,三个发光层分别用作发出红光的发光元件、发出绿光的发光元件和发出蓝光的发光元件等三色发光元件。
这三个电场发光元件由一个电源控制,所以同时发光,可实现白光发光。
[实施例8]
在本实施例中,说明用具有本发明的电场发光元件的发光装置完成的各种电气设备。
使用具有本发明的电场发光元件的发光装置制作的电气设备,可以举出摄像机、数码相机、目镜型显示器(头戴式显示器)导航系统、音响重放装置(汽车音响,组合音响等)、笔记本式个人计算机、游戏机、便携式信息终端(移动式计算机、便携式电话、便携式游戏机以及电子书籍等)、具有记录介质的图像重放装置(具体地说,数字视频光盘(DVD)等重放记录介质,具有显示其画面的显示装置的装置),这些电气设备的具体示例示于图11。
图10(A)是显示装置,包括框体1001、支持台1002、显示部1003、扬声器1004、视频输入端子1005等。把含有本发明的电场发光元件的发光装置用于显示部制作而成。另外,显示装置包括个人计算机用、电视广播接收用、广告显示用等所有显示信息用的装置。
图10(B)是笔记本式个人计算机,包括本体1101、框架1102、显示部1103、键盘1104、外部连接端口1105、指示鼠标1106等。含有本发明的电场发光元件的发光装置用于其显示部1103。
图10(C)是移动式计算机,包括本体1201、显示部1202、开关1203、操作键盘1204、红外线接口1205等。含有本发明的电场发光元件的发光装置用于其显示部1102。
图10(D)是设有记录介质的图像重放装置(具体地说,是DVD重放装置),包括本体1301、框架1302、显示部A1303、显示部B1304、记录介质读入部分1305、操作键盘1306、扬声器1507等。显示部A1303主要显示图像信息,显示部B1304主要显示文字信息。含有本发明的电场发光元件的发光装置用于其显示部A1303,B1304。另外,含有记录介质的图像重放装置中包括家用游戏机等。
图10(E)是目镜型显示器(头戴式显示器)。包括本体1401、显示部1402、臂部1403。含有本发明的电场发光元件的发光装置用于其显示部1402。
图10(F)是摄像机,包括本体1501、显示部1502、框架1503、外部接口1504、遥控接收部分1505、图像接收部分1506、电池1507、声音输入部分1508、操作键1509。目镜部分1510等。含有本发明的电场发光元件的发光装置用于其显示部1502。
这里,图10(G)是便携式电话。包括本体1601、框架1602、显示部1603、声音输入部分1604、操作键1606、外部接口1607、天线1608等。含有本发明的电场发光元件的发光装置用于其显示部1603。另外,显示部1603在黑色背景上显示白色文字,可抑制便携式电话的电力消耗。
如上所述,含有本发明的电场发光元件的发光装置适用范围极广,该发光装置可应用于所有领域的电气设备。
Claims (14)
1.一种发光装置,其特征在于,
在基板上设有第一电极;
接着所述第一电极设有第一电场发光膜;
接着所述第一电场发光膜设有第二电极;
接着所述第二电极设有第二电场发光膜;
接着所述第二电场发光膜设有第三电极;
所述第一电极和所述第三电极作为阳极和阴极中的一方;
所述第二电极作为阳极和阴极中的另一方。
2.一种发光装置,其特征在于,
在基板上设有第一电极;
接着所述第一电极设有第一电场发光膜;
接着所述第一电场发光膜设有第二电极;
接着所述第二电极设有第二电场发光膜;
接着所述第二电场发光膜设有第三电极;
所述第一电极和所述第三电极电气上连接在一起作为阳极和阴极中的一方;
所述第二电极作为阳极和阴极中的另一方。
3.一种发光装置,其特征在于,
在基板上设有第一阳极;
接着所述第一阳极设有第一电场发光膜;
接着所述第一电场发光膜设有阴极;
接着所述阴极设有第二电场发光膜;
接着所述第二电场发光膜设有第二阳极。
4.一种发光装置,其特征在于,
在基板上设有第一阴极;
接着所述第一阴极设有第一电场发光膜;
接着所述第一电场发光膜设有阳极;
接着所述阳极设有第二电场发光膜;
接着所述第二电场发光膜设有第二阴极。
5.一种发光装置,其特征在于,
在基板上交替形成多个阳极和多个阴极,各阳极和阴极之间设有电场发光膜。
6.如权利要求1至5中任何一项所述的发光装置,其特征在于,
从所述阳极和所述阴极中任选的电极中,只有离所述基板最远的位置上的电极是不透光的,从而光可从基板侧取出。
7.如权利要求1至5中任何一项所述的发光装置,其特征在于,
从所述阳极和所述阴极中任选的电极中,只有离所述基板最近的位置上的电极是不透光的,从而光可从基板的相反侧取出。
8.如权利要求1至5中任何一项所述的发光装置,其特征在于,
所述发光元件中包含的所有阳极和阴极都设为具有透光性,光可从基板侧和基板的相反侧这两方取出。
9.如权利要求1至5中任何一项所述的发光装置,其特征在于,所述电场发光膜由显示不同颜色光的两种以上的电场发光膜构成。
10.如权利要求1至5中任何一项所述的发光装置,其特征在于,所述电场发光膜由至少一种发出红光的电场发光膜、至少一种发出绿光的电场发光膜、至少一种发出蓝光的电场发光膜构成。
11.如权利要求1至5中任何一项所述的发光装置,其特征在于,所述阳极是功函数为4.5eV至5.5eV的物质,所述阴极是功函数为2.5eV至3.5eV的物质。
12.如权利要求1至5中任何一项所述的发光装置,其特征在于,所述阳极是从Ti、TiN、TiSiXNY、Ni、W、WSiX、WNX、WSiXNY、NbN、Mo、Cr、Pt、Se、Pd、Ir、Au中选择的物质,或含有从中选出的物质的混合物,或含有从中选出的物质的合金;所述阴极是属于周期表第一族或第二族的物质,或含有属于周期表第一族或第二族的物质的混合物,或含有属于周期表第一族或第二族的物质的合金。
13.一种电子设备,装有权利要求1至5中任何一项所述的发光装置作为显示部。
14.如权利要求13所述的电子设备,其特征在于,所述电子设备是摄像机、数码相机、目镜型显示器、导航系统、音响重放装置、笔记本式个人计算机、游戏机、便携式信息终端或配有记录介质的图像重放装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP020152/2003 | 2003-01-29 | ||
JP2003020152 | 2003-01-29 | ||
PCT/JP2004/000206 WO2004068911A1 (ja) | 2003-01-29 | 2004-01-14 | 発光装置 |
Publications (2)
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CN1742518A true CN1742518A (zh) | 2006-03-01 |
CN1742518B CN1742518B (zh) | 2010-09-29 |
Family
ID=32820621
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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CN2004800028410A Expired - Fee Related CN1742518B (zh) | 2003-01-29 | 2004-01-14 | 发光装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
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US (3) | US7199521B2 (zh) |
JP (1) | JPWO2004068911A1 (zh) |
KR (1) | KR101156971B1 (zh) |
CN (1) | CN1742518B (zh) |
WO (1) | WO2004068911A1 (zh) |
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-
2004
- 2004-01-14 KR KR1020057013803A patent/KR101156971B1/ko active IP Right Grant
- 2004-01-14 JP JP2005504667A patent/JPWO2004068911A1/ja not_active Withdrawn
- 2004-01-14 CN CN2004800028410A patent/CN1742518B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-01-14 WO PCT/JP2004/000206 patent/WO2004068911A1/ja active Application Filing
- 2004-01-22 US US10/763,101 patent/US7199521B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-03-29 US US11/729,925 patent/US7548022B2/en not_active Expired - Fee Related
-
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- 2009-06-09 US US12/480,963 patent/US8207665B2/en not_active Expired - Lifetime
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---|---|---|---|---|
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CN109920928A (zh) * | 2019-02-26 | 2019-06-21 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板以及显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2004068911A1 (ja) | 2006-05-25 |
WO2004068911A1 (ja) | 2004-08-12 |
US20050184659A1 (en) | 2005-08-25 |
US7199521B2 (en) | 2007-04-03 |
CN1742518B (zh) | 2010-09-29 |
US7548022B2 (en) | 2009-06-16 |
KR20050098265A (ko) | 2005-10-11 |
US20100051990A1 (en) | 2010-03-04 |
US8207665B2 (en) | 2012-06-26 |
US20070182315A1 (en) | 2007-08-09 |
KR101156971B1 (ko) | 2012-06-20 |
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Legal Events
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20100929 Termination date: 20200114 |