CN1950960A

CN1950960A - 有机发光二极管的层配置

Info

Publication number: CN1950960A
Application number: CNA2005800142887A
Authority: CN
Inventors: 简·布洛赫维茨-尼莫斯; 简·比尔恩施托克
Original assignee: NovaLED GmbH
Current assignee: NovaLED GmbH
Priority date: 2004-05-03
Filing date: 2005-05-02
Publication date: 2007-04-18
Also published as: DE102004022004B4; DE102004022004A1; KR20070009730A; JP2007536717A; WO2005106987A1

Abstract

本发明涉及顶部发光型的有机发光二极管(OLED)的层配置，和具有上述层配置的显示和照明设备。所述层配置具有下电极(A)、透明上电极(K)、和有机层区域(O)，所述有机层区域配置成在两个电极之间接触下和上电极(A；K)，其中能够通过电子和空穴的复合产生光，所述光通过上电极发出，下电极(A)具有层结构，其中下电极层是金属层。在下电极(A)的层结构中的金属层上配置保护和改性层，其与有机层区域(O)接触。

Description

有机发光二极管的层配置

技术领域

本发明涉及具有有机发光二极管(OLED)的配置，和利用这种配置的显示设备和发光设备。

背景技术

信息的图像显示在日常生活的诸多方面正在起着越来越大的作用。技术设备不断增加地设有各种大小的显示设备，用于与用户通信或向用户通告。对图像输出的质量要求不断提高。

目前使用的多数的显示设备是基于阴极射线管或液晶显示原理。另外，也存在其他的照明显示技术，如等离子，电致发光，真空荧光或场致发射显示。近来，通过使用基于有机发光二级管的显示器，对已建立的技术的显著加剧的竞争正在生长。鲜明的颜色，优良的对比性，自发光的能力，即使在低温下的快速开关时间，宽的视角和大的填充系数在该项技术的优点之列。除了显示器外，OLED也用于照明元件。在该情况下OLED的优点是，在任何希望的颜色中的它们的高能量效率，低操作电压，和生产平发光元件的能力。

与无机发光二极管相比，有机发光二极管是平元件。在OLED的情况，带有一个或多个由有机材料构成的层的有机层区域嵌在两个电极之间，至少其中一个电极必须是透明的。

导电的氧化物，所谓的TCO(透明导电氧化物)通常用于这两个电极中透明的一个。如果在其上设置电极和有机层区域的基片和有机层区域之间的电极(下电极)是透明的，那么这称为“底部发光OLED”，而如果另一电极(上电极)是透明的，这是“顶部发光OLED”。也可以形成其中两个电极都是透明的元件。在各种实施方案中，基于电子和电洞(空穴)的辐射复合，在所谓的发光区产生发射光。光通过透明的电极离开所述元件。

位于基片上的下电极必须具有很多特征。例如，用ITO发现底部发光元件的满意解决办法。相反，对于顶部发光元件，选择适当的电极材料是困难的。需要顶部发光OLED以便能够例如将OLED集成在有源矩阵显示器的所谓的背板(backplane，其形成基片)中。为此，优选地在无定型硅(a-Si)或多晶硅(poly-Si)背板生产的工厂中用它们的TFT电子电路(TFT薄膜晶体管)和最终接点制造背板。然后，它们被运到OLED生产地，优选地通过空运。然后，OLED加到背板的最终的上接点，例如通过真空蒸汽淀积。此时背板的上接点形成OLED的基本接点。借助于结构的隔离层，在这样制造的显示设备的显示元件之间的区域被彼此分开。该隔离层也在无定型硅或多晶硅工厂生产。

US2002/0117962AI公开了具有顶部发光型OLED的层配置。OLED的上电极是透明的阴极。借助于两个或多层形成OLED的下阳极(配置在基片上)。在基片上配置金属层，金属层也可以是两个或多个金属层的叠层。对于该金属层提出了能够形成适合于OLED的阳极的不同的金属或合金。金属层具有对于可见光谱的光的良好的反射的能力。可能具有两层或多层的阻挡层加到金属层上。阻挡层的材料可以是导电的或绝缘的。通过阻挡层物理的和化学地将金属层与阳极改性(modification)层分开，阳极改性层配置阻挡层上。阳极改性层的材料也可以是导电的或绝缘的。借助于阳极改性层固定自阳极来的空穴的电离能量，因此，使得能够得到位于其上的有机层区域的稳定的边界表面。US2002/0117962A1公开了金属层、阻挡层和阳极改性层的各种材料和层厚的各种实施例。在已知的OLED中的阳极的多层结构使得生产工艺复杂化。

发明内容

因此，本发明的目的是提供一种能够较简单和经济有效地生产的OLED的改进的层配置，以及使用所述配置的一种改进的显示设备/照明设备。

通过在独立权利要求1所述的层配置，独立权利要求19所述的显示设备，独立权利要求20所述的照明设备和独立权利要求21所述的方法，取得这个目的。

本发明涵盖提供顶部发光型的有机发光二极管(OLED)的层配置的思想，所述OLED具有下电极，透明上电极和在两个电极之间与下和上电极接触配置的有机区域，并且其中通过电子和空穴的复合能够产生光，所述光通过上电极发出，下电极具有层状结构，在下电极中的层结构中，下电极层是金属层，与有机层区域接触的保护和改性层配置在金属层上。

与现有技术相比，通过本发明取得的一个主要优点是，顶部发光OLED的下电极的层结构简单，而且，更好地满足在下文中说明的对这样的接点层的多项要求。

令人惊奇地，业已发现，借助于适当选择下电极层的材料和厚度，下电极的所述的层结构使得能够取得下面的优良特征：

i.在可见光谱带中光的高反射能力

ii.低的电阻

iii.小的粗糙度

iv.对有机层区域注射的电荷载体的电离能的自适应能力

v.避免在通常的环境条件(氧气，水份)中形成表面层，其会降低在该层系统上OLED的特性，例如，作为结果，对从接点层向OLED层的电荷载体注射形成阻挡层，和

vi.构造(structure)电极的能力。

利用根据本发明的层配置和根据本发明的显示设备/照明设备能够取得所有这些优越的特征或任何希望的各个特征的分组合。

本发明的优越的进一步精细特征是从属权利要求的主题。

附图说明

下面将利用示范性的实施例的以下说明和附图详细说明本发明，其中：

图1是顶部发光OLED的下电极的层结构的示意剖视图；

图2是带有利用图1所示的下电极的OLED的显示设备的部分示意剖视图；

图3A和3B示出带呈单一层的有机层区域的通常型和颠倒型的OLED的层结构示意剖视图；

图4A和4B示出带多层有机层区域的，通常型和颠倒型的OLED的层结构的示意剖视图；

图5A和5B示出带有具有p掺杂空穴传输层和n掺杂的电子传输层的有机层区域的，通常型和颠倒型OLED的层结构的示意剖视图；

图6A和6B示出带有具有p掺杂空穴传输层、n掺杂电子传输层以及中间层的有机层区域的通常型和颠倒型OLED的层结构的示意剖视图。

具体实施方式

图1示出在顶部发光OLED中下电极10的层结构的示意剖视图。在图1中示出的层结构的层在下面将予以详细说明。在图1中所示的下电极10的层结构具有以下各层：

(a)金属层

作为最下层设置金属层11a，其厚度为10-500nm，优选为40-150nm，具有以下特征：

-电导率足够高，预定电流能够在没有过高压降的情况下输送。压降为小于约0.2v。

-金属层11a的表面电阻一般小于10Ω/sq，优选地小于1Ω/sq。

-粗糙度级别低。一般小于2nm RMS，优选小于1nm RMS。

通过使用如Cr，Ti，Mo，Ta等金属，或它们的混合物如CrMo，取得这些特征。如果层的厚度小于75nm，铝Al也能够用作该材料。通过溅射，热蒸汽淀积电子束蒸汽淀积处理该金属材料。

当在显示设备或照明设备中使用带有根据本发明设计的下电极的OLED时，层11a优选地由向带该OLED的显示元件输送电流的接点连接的背板中使用的相同材料构成。这些接点连接一般具有约150nm厚。

(b)金属的另外层

从图1可见，设置由约5-80nm厚，优选约为15-40nm的金属构成的另外层11b。该另外层11b，与层11a叠层在一起，形成下电极10的金属层12。金属层12具有下面的特征：

-反射能力大于约50％，优选大于约80％。

-电导率足够高，以致预定的电流能够在没有过高电压降的情况下输送。电压降为小于约0.2v。由层11a和11b形成的金属层12的表面电阻一般小于约10Ω/sq，优选地小于约1Ω/sq。

-粗糙度级别低，一般小于约2nm RMS，优选小于约1nm RMS。

金属构成的另外层具有高反射能力。适当的金属如为Al，Ag或带高组分(＞50％)反射材料的合金，如AlTi合金。通过溅射，热蒸汽淀积或电子束蒸汽淀积处理另外层11b的材料。另外层11b较薄的情况确保，重叠的金属层12的整个粗糙度仍小于约2nm RMS，优选小于约1nm RMS。

(c)保护和改性层

从图1可见，设置保护和改性层13，其由金属，氧化物或氮化物构成，具有约2-50nm厚度，优选厚度在5-30nm。带有金属层12和保护改性层13的叠层具有以下特征：

-例如，通过腐蚀能够构造带有金属层12和保护改性层13的层结构。

-通过适当选择保护和改性层13的材料，该叠层的电离能匹配于随后的有机层区域。

-通过防止氧化，保护和改性层13保护在其下面的层11a和11b。

-反射能力大于约50％，优选大于约80％。

-该层的电导率足够高，使得能够输送预定电流而没有过高的电压降。该电压降小于约0.2v。叠层的表面电阻一般约小于10Ω/sq，优选地小于1Ω/sq。

-粗糙度级别低。一般小于2nm RMS，优选小于1nm RMS。

因此，保护和改性层13在背板的运输当中保护在其下的层11a和11b不受氧化，在进一步处理时不退化。例如，对于保护和改性层13，通过使用下面的材料能够取得这些特征：Ti_yN_x，ITO，Cr，Mo，Ta，Ti，Ni，Ni_yO_x，Ti_yO_x，Ni_yN_x，Pd_yO_x，Pt_yO_x，Pd_yN_x，Pt_yN_x和其他材料，其中如果适当，x和y在1-4范围。通过溅射，热蒸汽淀积或电子束蒸汽淀积来处理该材料。

在优选实施例中，层11a由Mo或Cr构成，另外层11b由Al或Ag构成，保护和改性层13由TiN或TiO_x构成。

在图1所示的实施例中，金属层12包括上面详细说明的层11a和11b。下电极10的替代的实施例(未示出)与此不同的是金属层12呈单一层形式。此时，通过适当选择使用的材料和厚度设计单一层金属层，使得作为单一层，它具有对金属层12所述的特征，例如关于反射能力，电导率和粗糙度。

在用于显示设备或照明设备中的一个实施例中，带有层11a和11b的叠层在施加保护和改性层13前构造。然后，在未构造的(unstructured)形式中加上保护和改性层13。

在保护和改性层13未构造之下，也能够保持下电极10的功能。此时，保护和改性层13的横向电导率必须充分的低，在显示或照明设备中使用OLED的该下电极时，它不造成在两个相邻显示/照明元件(象素)之间的任何短路(低串扰)。

在生产显示或照明设备的背板制造过程中，带有层11a，另外层11b及保护和改性层13的叠层的在大的面积上施加，然后，例如通过蚀刻方法横向构造。保护和改性层13会保护层11a和11b在进一步处理过程中不受损坏。如果没有能够同时构成带有层11a和11b及保护和改性层13的叠层的蚀刻方法，那么可以变通地提供以下的变体方法：

(1)施加和构造层11a。然后施加和一起构造另外层11b及保护和改性层13。

(2)施加和一起构造层11a和另外层11b。然后在未构造之下施加保护和改性层。此时，保护和改性层13的横向电导率必须低。

(3)施加和一起构造层11a和另外层11b。然后施加和构造保护和改性层13。

下OLED接点部分，特别是下电极10也用于形成外电子装置的接点焊盘是有优越性的。这能够以下面可能的方法取得：

a)构造层11a使得它也形成用于显示器与外部驱动电子装置连接的侧显示器连接。通常通过焊接扁平电缆产生这些连接。

b)一旦层11a和另外层11b(即金属层12)施加上，也可以进行在a)中说明的构造类型。

c)另外也可以，施加和单独或一起构造金属层12与保护和改性层13，使得层的结合也形成外部电子装置的连接。

基于变体方法(2)和(3)的过程取决于在构造层11a和另外层11b时产生的对另外层11b的损坏足够的小，使得电荷载体仍能够有效地从另外层11b向保护和改性层12注射。而且，在保护和改性层13构造时(变体3)，另外层11b必须不被损坏。

参照图1说明的下电极10的层结构既可以与通常型的OLED结合使用，其中下电极是阳极形式的，并且通过在顶部的透明的阴极发光，也可以用于颠倒的OLED，其中阴极是通过下电极形成，光是通过位于顶部的透明阳极发射。带以此方式设计的下电极的OLED特别是可以用于如图2所示的带有显示元件20a，20b的显示设备20。

图2示出显示元件20的示意剖视图，其中后层22配置在基片21上，一方面，后层22用作钝化层，并且其中另一方面，形成电子元件用于驱动OLED 23，24。例如，后层22是基于已知的硅电子装置设计的，即带有由掺杂或未掺杂硅构成的构造或未构造的层，和由硅的氧化物或氮化物构成的构造或未构造的钝化层。OLED 23和24的下电极23a和24a施加到后层22。下电极23a和24a是根据上面结合图1详细说明的实施例之一设计的。下电极23a和24a连接发射光25的各自的有机区域23b和24b。上电极26在有机区域23b和24b上延伸。另外，在图2中提供构成造隔离层27。

在图2中说明了下电极10用于显示设备20的情况。该陈述以相应的方式适用于使用带如图1所示的下电极的两个或多个OLED的照明设备。

参见图3-6，下文说明带有OLED配置的实施例，其中基于参照图1说明的实施例之一，特别是如带有可以呈一层或多层的金属层12及保护和改性层13的层结构，形成下电极10。在图3-6中，通过在各下电极的纵向中的线示意表示层结构。在图3-6中说明的配置可以与作为例子参照图2说明的显示设备或照明设备结合使用。图3-6的各种实施例是对通常型和颠倒型的OLED在每种情况中进行说明的。业已发现，下电极10的层结构使得既能够生产通常型的顶部发光OLED，其中阳极配置在有机层区域下，阴极配置在有机层区域上；又能生产颠倒型的，其中阴极配置在有机层区域下，阳极配置在有机层区域上。

与通常型的相比，颠倒型的优点是，它允许，例如通过CMOS技术或使用无定型n沟道Si-TFT简单地将OLED与相关的驱动器电子装置集成。另外，在有机层区域下配置阴极的优点是，该阴极更好地被保护以防止环境影响，如氧或水。例如，如上电极的明显分开的结果那样，对在顶部上的阴极材料的环境影响具有对元件的长期稳定性的不利影响。如局部插脚孔造成的结果那样，这能够导致长期稳定性的问题。

图3A和3B示出具有通常型(图3A)和颠倒型(3B)的层结构的示意剖视图。在图3A和3B示出的实施例中，通过电子和空穴复合发光的有机区域O具有单一层，并且相应于OLED的最简单的形式，在阳极A和阴极K之间配置。带有阳极A、阴极K和有机层区域O的叠层配置在基片S上。

图4A和4B示出具有通常型(4A)和颠倒型(4B)的OLED的层结构的示意剖视图。在图4A和4B示出的实施例中，有机层区域O具有两个或多个层。电子传输层40进行电子传输功能。空穴传输层41进行空穴传输功能。基于以有机材料形成的电子传输层40和空穴传输层41之间的边界区域中的电子和空穴的复合发光。该边界区也可以呈利用另外的有机材料的额外附加层的形式。

图5A和5B示出具有通常型(5A)和颠倒型(5B)的OLED的层结构的示意剖视图。有机层区域O具有两个或多个层。P掺杂空穴传输层50、n掺杂电子传输层51和发光层52设置在有机层区域O中。在本说明中，以无机半导体的通常方式，用掺杂这个术语表示通过外原子/分子的加入人为地影响半导体层的电导率。掺杂的电荷载体传输层例如在DE 102 15 210 A1的文献等的各种实施例中所说明的那样。

在OLED中的层顺序可以颠倒(见图5B)，使得空穴注射接点(阳极A)呈顶部电极形式。通常，这意味着，在颠倒有机发光二极管的情况，操作电压比在可比的非颠倒结构的操作电压显著高。这是因为从接点向有机层区域O的不佳的注射，因为接点的电离能不再能够被特定地优化。当使用n掺杂空穴传输层和/或p掺杂电子传输层时，这个缺点能够被克服，这是由于掺杂意味着从电极A，K向有机层区域O的电荷载体注射，不再很重地依赖于电极A，K的电离能本身，而不论这是空穴和/或电子传输层50，51。掺杂意即，在不提高操作电压下，电荷载体传输层50，51可以形成得较厚。

在电极A，K的掺杂的电荷载体传输层50，51中产生薄空间电荷区，电荷载体(电子/空穴)能够通过它有效地注射。隧道方式注射和很薄的空间电荷区意味着，即使在高能量势垒的情况，也不再阻碍注射过程。通过加有机或无机物质(杂质)，各电荷载体传输层50，51有利地被掺杂。这些大的分子以稳定的形式结合在电荷载体传输层50，51的母体分子结构中。在OLED操作时(无扩散)和受到热负荷时，这产生高稳定性。受主型分子用作空穴传输层的掺杂，施主型分子用于电子传输层的掺杂。

提高电导率的原因是在掺杂的层中平衡电荷载体的密度增加。此时，电子传输层51可具有比未掺杂层可能有的(一般未掺杂层的厚度约在20-40nm)更大的厚度，而不必急剧增加操作电压。在不导致操作电压增加的情况下，空穴传输层50也能够形成得比带未掺杂层时可能有的厚度厚。因此，两层的厚度足以保护在它们下的层在生产过程中不受损坏。

与图5A和5B示出的实施例比，图6A和6B示出，在OLED在有机层区域O中附加具有中间层的情况，通常型(图6A)和颠倒型(图6B)OLED的层结构。

文献DE 100 58 578.7 A1(还见X.zhou等的文献Appl.Phys.Lett.78，410(2001))说明了，当掺杂的电荷载体传输层适当地与中间层结合时，如参照图5A和5B说明的，带掺杂的电荷载体传输层的有机发光二极管是如何产生最佳的光辐射的。因此，在图6A和6B所示的实施例中，掺杂的电荷载体传输层60，61与在有机层区域O中的中间层62，63结合。每个情况中，该中间层在电荷载体传输层60，61和发光层64之间，其中作为电流通过该元件流动的结果注射的电荷载体的电能转换成光。

选择中间层62、63的物质使得，在操作电压的方向施加电压时，它们的能级不造成主要电荷载体(空穴或电子)在掺杂电荷载体传输层和中间层之间的边界层上过度受阻(低势垒)，而少数的电荷载体在光发射层64和中间层62，63之间的边界层上有效地被保持(高势垒)。另外，从中间层62，63向发光层64的注射电荷载体的势垒高度应充分地小，使得在该边界表面上的电荷载体对向在发光层64的激子的转变是强有力地便利。这防止在发光层64的边界表面上激基复合物(exciplex)的形成，它降低发光效率。由于电荷载体传输层60，61优选地具有大的带隙，可以选择中间层62，63为很薄的，因为，尽管这样，电荷载体不可能从发光层64通过隧道到电荷载体传输层60，61的能量状态。这使得能够使用低的操作电压，尽管有中间层62，63。在一些情况，中间层62，63也可以由与电荷载体传输层60，61的母体材料相同的材料构成。

通常型的一个实施例(见图6A)包括以下层配置：

1.固定基片S，

2.下电极(阳极A)，

3.注射和传输空穴的p掺杂层60，

4.在空穴侧上的薄中间层62，由能带等级与包围它们的层的能带等级匹配的材料构成，

5.发光层64(可能用发光体染料掺杂)，

6.薄电子侧中间层63，由能带等级与包围它们的层的能带等级匹配的材料构成，

7.n掺杂层61，用于注射和传输电子，

8.上电极(阴极K)，以及

9.封装，防止环境影响。

颠倒型的另一实施例(见6B)具有以下层配置：

1.固定基片S，

2.下电极(阴极K)，

3.注射和传输电子的n掺杂层61，

4.电子侧上的薄中间层63，由能带等级与包围它们的层的能带等级匹配的材料构成，

5.发光层64(可能用发光体染料掺杂)，

6.空穴侧薄中间层63，由能带等级与包围它们的层的能带等级匹配的材料构成，

7.p掺杂层60，用于注射和传输空穴，

8.上电极(阳极A)，以及

9.封装，防止环境影响。

也能够设置仅使用中间层62，63中的一个，因为电荷载体传输层60，61和发光层64的带隙在一侧上已经彼此匹配。而且，在载体传输层60，61中的电荷载体注射和电荷载体传输的功能可以在两层或多层之间分开，掺杂至少它们之一，以使得最靠近各电极A，K的层精确。如果掺杂的层不直接与各电极A，K相邻，那么在掺杂的层和各电极A，K之间的所有层必须充分薄(例如小于10nm)，使得电荷载体能够有效的以隧道方式通过它们。如果这些层具有很高的电导率，也可以较厚，这些层的路径电阻必须比相邻掺杂的层低。此时，中间层应被当作电极A，K的一部分。该摩尔掺杂浓度一般在1∶10-1∶10000。杂质是具有约200g/mol以上的分子量的有机分子。

在上述说明，权利要求和附图中公开的本发明特征对于单独和任何结合地实施本发明各种实施例是重要的。

Claims

1.一种顶部发光型的有机发光二极管(OLED)的层配置，其具有下电极(A；K)、透明的上电极(K；A)和在两个电极(A；K)之间与下和上电极(A；K)接触配置的有机层区域(O)，其中通过电子和空穴的复合能够产生光，所述光通过上电极(K；A)发出，下电极(A；K)具有层结构，其中下电极层是金属层(12)，其特征在于：在下电极(A；K)的层结构中在所述金属层(12)上配置保护和改性层(13)，其与所述有机层区域(O)接触。

2.如权利要求1所述的层配置，其特征在于：所述保护和改性层(13)由金属，氧化物或氮化物材料构成。

3.如权利要求1或2所述的层配置，其特征在于：所述保护和改型层(13)的厚度约为2-50nm，优选约为5-30nm。

4.如上述权利要求任何一项所述的层配置，其特征在于：所述保护和改性层(13)由下列材料的一种或下列材料的两种或多种结合形成：Ti_yN_x，ITO，Cr，Mo，Ta，Ti，Ni，Ni_yO_x，Ti_yO_x，Ni_yN_x，Pd_yO_x，Pt_yO_x，Pd_yN_x和Pt_yN_x。

5.如上述权利要求任何一项所述的层配置，其特征在于：金属层(12)与保护和改性层(13)的叠层具有约10-500nm的厚度。

6.如上述权利要求任何一项所述的层配置，其特征在于：金属层(12)与保护和改性层(13)的叠层是高反射的。

7.如上述权利要求任何一项所述的层配置，其特征在于：金属层(12)与保护和改性层(13)的叠层具有小于约2nm RMS的粗糙度，优选为小于约1nm RMS。

8.如上述权利要求任何一项所述的层配置，其特征在于：金属层(12)是由两层或多层单独金属层(11a，11b)构成的多层结构。

9.如权利要求8所述的层配置，其特征在于：金属层(12)具有层厚度约为10-500nm的下单独金属层(11a)，其优选层厚度约为40-150nm；和另外单独金属层(11b)，其配置在所述下单独金属层(11a)之上，是高反射的，层厚约为5-80nm，优选约为15-40nm。

10.如权利要求8或9所述的层配置，其特征在于：单独的金属层(11a，11b)之一或所有是由Al，Ag，Al或Ag的合金，Cr，Ti，Mo，Ta，或Cr，Ti，Mo和/或Ta的混合物形成的。

11.如权利要求8-10任何一项所述的层配置，其特征在于：下单独金属层(11a)和/或另外单独金属层(11b)具有小于约2nm RMS的粗糙度，优选小于约1nm RMS。

12.如上述权利要求任何一项所述的层配置，其特征在于：下电极(10)施加到基片(S)。

13.如权利要求12所述的层配置，其特征在于：驱动下电极和上电极(A；K)的电路形成在基片(S)中，并且该电路通过连接接点而连接到下和上电极(A；K)。

14.如权利要求13和8-11之一所述的层配置，其特征在于：所述下单独金属层(11a)由也形成连接到下电极(10)的连接接点的材料构成。

15.如上述权利要求任何一项所述的层配置，其特征在于：所述下电极(10)的层结构具有小于约10Ω/sq的表面电阻，优选小于约1Ω/sq。

16.如上述权利要求任何一项所述的层配置，其特征在于：所述下电极(10)是阳极(A)，所述上电极是透明阴极(K)。

17.如权利要求1-15任何一项所述的层配置，其特征在于：所述下电极(10)是阴极(K)，所述上电极是阳极(A)。

18.如上述权利要求任何一项所述的层配置，其特征在于：所述有机层区域(O)包括p掺杂空穴传输层(50；60)。

19.如上述权利要求任何一项所述的层配置，其特征在于：所述有机层区域(O)包括n掺杂电子传输层(51；61)。

20.如权利要求20或21所述的层配置，其特征在于：所述有机区域(O)包括空穴侧中间层(62)和/或电子侧中间层(63)。

21.一种在基片(S)上的显示设备，其具有一个或多个显示元件，所述显示元件每个具有至少一个带有如权利要求1-20之一所述的层配置的顶部发光型有机发光二极管(OLED)。

22.一种在基片(S)上的照明设备，其具有一个或多个照明元件，所述照明元件每个具有至少一个带有如权利要求1-20之一所述的层配置的顶部发光型有机发光二极管(OLED)。

23.一种生产显示设备或照明设备的方法，其中用包括下述步骤的方法在基片(S)上形成一个或多个显示元件/照明元件，所述元件每个具有至少一个带有如权利要求1-20之一所述的层配置的顶部发光型的有机发光二极管(OLED)：

(a)在所述基片(S)上形成下电极(A；K)，其中：

a1)在所述基片(S)上形成金属层(12)；

a2)在所述金属层(12)上形成保护和改性层(13)；

(b)在所述下电极(A；K)上形成有机层区域(O)，使得所述有机层区域(O)与所述下电极(A；K)接触；以及

(c)在所述有机层区域(O)上形成上透明电极(K；A)，使得所述有机层区域(O)与所述上电极(K；A)接触。

24.如权利要求23所述的方法，其特征在于：施加两个或多个单独金属层(11a，11b)，以便形成所述金属层(12)。

25.如权利要求23或24所述的方法，其特征在于：在形成所述保护和改性层(13)前构造所述金属层(12)。

26.如权利要求24和25所述的方法，其特征在于：施加和构造下单独金属层(11a)，然后施加和构造另外的单独金属层(11b)。

27.如权利要求25或26所述的方法，其特征在于：然后施加和构造所述保护和改性层(13)。

28.如权利要求25或26所述的方法，其特征在于：然后以未构造方式形成所述保护和改性层(13)。

29.如权利要求24所述的方法，其特征在于：在施加和构造所述下单独金属层(11a)后，然后形成和构造所述另外单独金属层(11b)和所述保护和改性层(13)。

30.如权利要求23所述的方法，其特征在于：所述金属层(12)和所述保护和改性层(13)施加到所述基片(S)的大面积上，并然后构造。