JP5986992B2 - 有機発光素子 - Google Patents
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Description
本発明は、単純な素子構造および単純な製造方法を維持しつつ、向上した外部結合効率を有しているOLEDを提供するという課題を解決する。
光学的に透明な底部電極、
反射性の上部電極、
上記底部電極および上記上部電極の間にあり、それらと電気接続している少なくとも1つの有機発光層を用いて形成されている層構造、
上記上部電極の近傍にある上記層構造に形成されており、上記層構造と対向する面上に上記上部電極の電極面を粗化する、自己結晶化する有機材料からなる有機粗化層を備えている。
底部電極;
上部電極;
層構造;および
粗化構造を備えている。上記層構造は、上記底部電極および上記上部電極の間にあり、それらと電気接続している少なくとも1つの有機発光層を含んでいる。上記粗化構造は、自己結晶化する有機材料から形成されており、当該層構造と対向している上記上部電極の表面に表面粗さをもたらす型板として機能する。
第1の電子輸送層;
上記第1の電子輸送層と隣接する、電子を輸送する有機粗化層;
第2の電子輸送層を備えている。有機半導体層の配列は、本発明に開示されている層構造のいずれかに適用され得る。
本発明に係る好ましい有機発光素子は層構造を好ましく備えている。当該層構造は、特に基板、底部電極および上部電極を含んでいる。上記底部電極は、上記上部電極より上記基板の近くにある。上記底部電極および上記上部電極の間にある領域は、電気的に活性な領域、および電気的に活性な当該領域における少なくとも1つの発光層を規定している。上記有機発光素子は、以下の特性を有している散乱化合物を含んでいる。当該特性は、
40℃未満のガラス転移温度、好ましくは、Tg<RT(300K)(すなわち室温を超える温度において測定可能な任意のガラス転移温度を示さないか、またはTgを有していない)であること;
すべての可視光について低い吸光係数(0.1未満)として規定される高い透明度;
明らかな色のないこと;
少なくとも3eVにおけるHOMO−LUMOギャップ;
上記材料が好ましく可視領域において透明である(光学ギャップ>3eV)こと;
OLEDに使用されるETMにとって典型的な2.0〜4.0eVのLUMO、またはHTMにとって典型的な4.5〜6.0eVのHOMO;
非晶質の層を(例えばVTEまたはOVPDを用いることによって)形成しないこと、より好ましくは測定可能なTgではないこと(すなわち材料が従来の測定のもとにTgを示さないこと);
分子量が200g/molを超えており、400g/mol未満である(<200g/molは非常に高い不安定さを有している化合物であり、>400g/molは十分に結晶化しない化合物である)こと;
互いに縮合されていない3つの芳香族の単位を含んでおり、3つの当該単位のいずれかの独立した回転が可能な化合物である。
本発明の好ましい一実施形態において、有機発光素子は、電気的に活性な領域の外部に式(I)に基づく化合物を含んでいる(当該化合物がETLとして使用されないことを意味する)。この実施形態において、上記化合物は、散乱層において優先的に使用されて、光の混合をもたらすか、および/または光の外部結合を向上させる。一実施形態において、この散乱層は式(I)に基づく化合物によって構成されている。本明細書における“散乱層”は、式(I)に基づく化合物を含んでいる層を指す。
本発明によれば、散乱化合物は、OLEDの上部電極および底部電極の間に形成されている半導体層に使用される。好ましい実施形態において、OLEDの電気的に活性な層は式(I)に基づく化合物を含んでいる。上記化合物は、発光層ではなく電気的に活性な当該層に使用されることが好ましい。
OLEDは、電子−正孔対(いわゆる励起子)が光の放射にしたがって再結合する電界発光の原理に基づいている。この目的のために、OLEDは、サンドイッチ構造の形態に構築されている。当該サンドイッチ構造において、少なくとも1つの有機フィルムが、2つの電極の間に活性材料として配置されており、正電荷キャリアおよび負電荷キャリアが有機材料に注入されており、電荷輸送が有機層内への電子または正孔から再結合領域(発光層)まで生じる。ここで、一重項励起子および/または三重項励起子との電荷キャリアの再結合は光の放射にしたがって生じる。続く励起子の放射再結合は光の放射を引き起こす。少なくとも1つの電極は、透明である必要があり、光がこの構成から出ていくことを可能にする。典型的に、透明電極は、TCO(透明な導電性酸化物)と示される導電性酸化物、または非常に薄い金属電極からなるが、他の材料が使用され得る。OLEDの製造における開始点は、OLEDの個々の層が積層される基板である。基板に対して最も近い電極が透明である場合、その構成は“底部放射型OLED”と示され、他の電極が透明である場合、その構成は“上部放射型OLED”と示される。底部電極は上部電極より基板に近い。底部電極は上部電極の形成前に形成(堆積)される。
この種の1つ以上の素子を備えている照明装置が好ましい。
n−ドープされた有機粗化層/n−ドープされたETL/陰極
ここで、“/”は接触している接続(すなわち、間に層がない)を示している。
本発明は、図面を参照した例示的な実施形態によって、以下に詳細に説明される。図面において、
図1は、基板(10)上に積層の配列を備えているOLEDの層構造の概略図を示し、当該積層は、底部電極(11)、有機層状構造(12)、有機粗化層(13)、上部電極(14)を備えている。
図2は、基板(20)上に積層の配列を備えているOLEDの層構造の概略図を示し、当該積層は、底部電極(21)、有機層状構造(22)、粗化層(23)、有機半導体材料の中間層(24)、上部電極(25)を備えている。
図3は、基板(30)上に積層の配列を備えているOLEDの層構造の概略図を示し、当該積層は、底部電極(31)、有機粗化層(32)、有機層状構造(33)、上部電極(34)を備えている。
第1段階:
収量:4.3g(92%)、黄色の粉末
ESI:M+:315および317。
収量:1.99g(87%)、黄白色の固体
昇華:収量の70%が明るい黄色の材料をもたらした。
Mp:351℃
LUMO対Fc:−2.13V(可逆)。
すべての実施例はVTEを用いて製造された。
(1)陽極としての100nmのAg(底部電極)
(2)2,2’−(パーフルオロシクロヘキサ−2,5−ジエン−1,4−ジイリデン)ジアミノニトリル(F4−TCNQ)を用いてドープした60nmのN,N’−ビス(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ビス(フェニル)−ベンジジン(α−NPD)
(3)10nmのα−NPD
(4)それぞれが明るい白色放射を可能にする材料の異なる組合せを有している3つの副層によって構成されている20nmの発光層
(5)10nmの2,7,9−トリフェニル−4−(p−トリル)ピリド[3,2−h]キナゾリン
(6)W(hpp)4(テトラキス(1,3,4,6,7,8−ヘキサヒドロ−2H−ピリミド[1,2−a]ピリミジナト)ジタングステン(II))を用いてドープした30nmの2,7,9−トリフェニル−4−(p−トリル)ピリド[3,2−h]キナゾリン
(7)陰極としての12nmのAg(上部電極)
(8)400nmの化合物(1a)。
(1)陽極としてのITO(底部電極)
(2)60nmのα−NPD F4−TCNQ
(3)10nmのα−NPD
(4)それぞれが明るい白色放射を可能にする材料の異なる組合せを有している3つの副層によって構成されている20nmの発光層
(5)10nmの2,7,9−トリフェニル−4−(p−トリル)ピリド[3,2−h]キナゾリン
(6)20nmの化合物(1b)
(7)W(hpp)4を用いてドープした10nmの2,7,9−トリフェニル−4−(p−トリル)ピリド[3,2−h]キナゾリン
(8)陰極としての100nmのAg(上部電極)。
(1)陽極としての120nmのITO
(2)4%のF4−TCNQを用いてドープした70nmのテトラキス(4−メトキシフェニル)ビフェニル−4,4’−ジアミン
(3)10nmのα−NPD
(4)10%のfac−トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム(Ir(ppy)3)を用いてドープした20nmのTCTA
(5)10nmの2,7,9−トリフェニル−4−(p−トリル)ピリド[3,2−h]キナゾリン
(6)W(hpp)4を用いてドープした20nmの化合物(1c)
(7)W(hpp)4を用いてドープした20nmの2,7,9−トリフェニル−4−(p−トリル)ピリド[3,2−h]キナゾリン
(8)陰極としての100nmのAg。
(1)陰極としてのITO(底部電極)
(2)W(hpp)4を用いてドープした20nmの化合物(1c)
(3)10nmの2,7,9−トリフェニル−4−(p−トリル)ピリド[3,2−h]キナゾリン
(4)10%のfac−トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム(Ir(ppy)3)を用いてドープした10nmのα−NPD
(6)10nmのα−NPD
(7)F4−TCNQを用いてドープした60nmのα−NPD
(8)陽極としての100nmのAg(上部電極)。
ガラス基板上に以下の積層構造を有している白色OLEDを作製した。
(1)陰極としてのITO
(2)2,2’−(パーフルオロシクロヘキサ−2,5−ジエン−1,4−ジイリデン)ジマロノニトリルを用いてドープした60nmのN,N’−ビス(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ビス(フェニル)−ベンジジン(α−NPD)
(3)10nmのα−NPD
(4)白色が生成されるように異なるエミッタドーパントを有している3つの領域からなる20nmのエミッタ層
(5)10nmの2,7,9−トリフェニル−4−(p−トリル)ピリド[3,2−h]キナゾリン
(6)テトラキス(1,3,4,6,7,8−ヘキサヒドロ−2H−ピリミド[1,2−a]ピリミジナト)ジタングステン(II)(W(hpp)4)を用いてドープした10nmの2,7,9−トリフェニル−4−(p−トリル)ピリド[3,2−h]キナゾリン
(7)W(hpp)4を用いてドープしたxnmの1,4−ジ(ベンゾ[d]オキサゾール−2−イル)ベンゼン
(8)W(hpp)4を用いてドープした10nmの2,7,9−トリフェニル−4−(p−トリル)ピリド[3,2−h]キナゾリン
(9)陽極としての100nmのAg。
本発明のさらなる展開において、上部電極に非常に近い層に粗化層を設ける必要はないことが分かった。粗化層は、積層されたOLEDにおける2つの発光ユニット(それぞれが少なくとも1つの発光層を備えている)の間にある、層配列のうち複数の層に設けられ得ることが分かった。
以下の層配列を有している異なるOLEDを作製した(変数X、Y、Zは、以下の表に示されている層厚を指す)。
底部電極としてのITO(陽極);
1mol%p−ドープされた厚さ130nmの1mol%の正孔輸送層。ドーパントは2,2’,2”−(シクロプロパン−1,2,3−トリイリデン)トリス(2−(p−シアノテトラフルオロフェニル)アセトニトリル)(PT1)であり、輸送材料はa−NPDであった;
10nmのa−NPD;
厚さ25nmの青色蛍光エミッタ系;
ドープされていない10nmの4−(ナフタレン−1−イル)−2,7,9−トリフェニルピリド[3,2−h]キナゾリン(ET1);
8mol%のテトラキス(1,3,4,6,7,8−ヘキサヒドロ−2H−ピリミド[1,2−a]ピリミジナト)ジタングステン(II)(NT1)を用いてn−ドープした、n:ETLとしての10nmのET1;
有機粗化層1としてのXnmのRM2;
8mol%のNT1を用いてn−ドープした、n:ETLとしての10nmのET1;
6mol%のPT1を用いてp−ドープした20nmのa−NPD;
50nmの緑色燐光エミッタ系;
HBLとしての10nmの2,4,7,9−テトラフェニル−1,10−フェナントロリン(ET2);
8mol%のNT1を用いてn−ドープしたn:ETLとしての35nmのET1;
有機粗化層2としてのYnmのRM2;
8mol%のNT1を用いてn−ドープしたn:ETLとしての35nmのET1;
6mol%のPT1を用いてドープした20nmのa−NPD;
30nmのオレンジ燐光エミッタ系;
10nmのET2;
8mol%のNT1を用いてn−ドープした、n:ETLとしての40nmのET1;
有機粗化層3としてのZnmのRM2;
8mol%のNT1を用いてn−ドープした、n:ETLとしての15nmのET1;
上部電極としての100nmのAg(陰極)。
Claims (22)
- 層構造を備えている有機発光素子であって、
上記層構造は、
基板、
上部電極、
上記上部電極より上記基板の近くにある底部電極、
上記底部電極および上記上部電極と電気的に接続してこれらの間にある電気的に活性な領域、
電気的に活性な上記領域内に設けられている少なくとも1つの発光層、
電気的にドープされた上部の輸送および/または注入層、
有機粗化層を備えており、
上記有機粗化層は、電気的に活性な上記領域内に設けられており、自己結晶化する有機材料から作られており、50nm未満の厚さを有して設けられており、
電気的にドープされた上部の輸送および/または注入層は、上記有機粗化層および上記上部電極の間に設けられている、有機発光素子。 - 上記有機粗化層は、電気的にドープされた上部の輸送および/または注入層と隣接して設けられている、請求項1に記載の有機発光素子。
- 上記有機粗化層は、少なくとも1つの上記発光層および上記上部電極の間に設けられている、請求項1または2に記載の有機発光素子。
- 上記有機粗化層は、少なくとも1つの発光層および上記底部電極の間に設けられている、請求項1に記載の有機発光素子。
- 上記有機粗化層は10nm以下の厚さを有している、請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機発光素子。
- 上記有機粗化層は電気的なドーパントを含んでいる、請求項1〜5のいずれか1項に記載の有機発光素子。
- 上記有機粗化層は、電気的に活性な上記領域と対向する上部電極の表面に表面粗さを付与する型板としての役割を果たしている、請求項1〜6のいずれか1項に記載の有機発光素子。
- 上記有機粗化層は、第1の電子輸送層および第2の電子輸送層と近接し、直接的に接して設けられている、請求項1〜7のいずれか1項に記載の有機発光素子。
- 上記有機粗化層は、第1の正孔輸送層および第2の正孔輸送層と近接し、直接的に接して設けられている、請求項1〜7のいずれか1項に記載の有機発光素子。
- 電子輸送層が、陰極および上記有機粗化層と近接し、直接的に接して設けられている、請求項1〜7のいずれか1項に記載の有機発光素子。
- 正孔輸送層が、陽極および上記有機粗化層と近接し、直接的に接して設けられている、請求項1〜7および9のいずれか1項に記載の有機発光素子。
- 上記電子輸送層、上記第1の電子輸送層および上記第2の電子輸送層の少なくとも1つは、電気的にn−ドープされた電子輸送層である、請求項8または10に記載の有機発光素子。
- 上記正孔輸送層、上記第1の正孔輸送層および上記第2の正孔輸送層の少なくとも1つは、電気的にp−ドープされた正孔輸送層である、請求項9または11に記載の有機発光素子。
- 上記有機粗化層は、40℃以下のガラス転移温度を有しているか、または室温付近の温度における測定可能な任意のガラス転移温度を示さないか、もしくはTgを有していない、請求項1〜13のいずれか1項に記載の有機発光素子。
- 層構造を備えている有機発光素子であって、
上記層構造は、
基板、
上部電極、
上記上部電極より上記基板の近くにある底部電極、
上記底部電極および上記上部電極と電気的に接続してこれらの間に設けられている電気的に活性な領域、
電気的に活性な上記領域内に設けられている少なくとも1つの発光層、
上記有機発光素子は、式(I):
ArはC6〜C20アリールであり、Rのそれぞれは独立して、H;C1〜C20アルキル、好ましくはC1〜C10アルキル、より好ましくはC1〜C5アルキル;C6〜C20アリール、好ましくはC6〜C12アリール;C5〜C20ヘテロアリール、好ましくはC5〜C12ヘテロアリール;ハロゲン;ニトロ;CNおよびアミンから選択され、
式(I)に基づく化合物を含んでいる有機粗化層が、電気的に活性な上記領域の外部にあり、上記有機粗化層の上部に堆積される層にとっての型板として機能する、有機発光素子。 - 上記基板および上記底部電極の間に式(I)に基づく上記化合物を含んでいる、請求項16に記載の有機発光素子。
- 上記上部電極の上部に式(I)に基づく上記化合物を含んでいる、請求項16または17に記載の有機発光素子。
- 上記上部電極と直接的に接して式(I)に基づく上記化合物を含んでいる、請求項16〜18のいずれか1項に記載の有機発光素子。
- 式(I)に基づく上記化合物は、100nm〜1μmの厚さを有している層に含まれている、請求項16〜19のいずれか1項に記載の有機発光素子。
- 上部放射型素子および底部放射型素子のいずれか一方である、請求項1〜20のいずれか1項に記載の有機発光素子。
- 接続ユニットによって接続されている第1の発光ユニットおよび第2の発光ユニットを備えている、請求項1〜21のいずれか1項に記載の有機発光素子。
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CN110943177A (zh) * | 2019-11-25 | 2020-03-31 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 发光器件及其制备方法 |
KR20220134125A (ko) * | 2021-03-26 | 2022-10-05 | 주식회사 엘지화학 | 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
Family Cites Families (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5093698A (en) | 1991-02-12 | 1992-03-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Organic electroluminescent device |
JPH07310071A (ja) * | 1994-05-16 | 1995-11-28 | Konica Corp | エレクトロルミネッセンス素子 |
EP1143773A4 (en) * | 1999-10-05 | 2007-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ELECTROLUMINESCENT DEVICE AND CORRESPONDING MANUFACTURING METHOD, AND DISPLAY AND LIGHTING DEVICE COMPRISING SAID DEVICE |
DE10058578C2 (de) | 2000-11-20 | 2002-11-28 | Univ Dresden Tech | Lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten |
JP3933591B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
DE10224021B4 (de) | 2002-05-24 | 2006-06-01 | Novaled Gmbh | Phosphoreszentes lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten |
US6693296B1 (en) | 2002-08-07 | 2004-02-17 | Eastman Kodak Company | OLED apparatus including a series of OLED devices |
DE10357044A1 (de) | 2003-12-04 | 2005-07-14 | Novaled Gmbh | Verfahren zur Dotierung von organischen Halbleitern mit Chinondiiminderivaten |
DE102004010954A1 (de) | 2004-03-03 | 2005-10-06 | Novaled Gmbh | Verwendung eines Metallkomplexes als n-Dotand für ein organisches halbleitendes Matrixmaterial, organisches Halbleitermaterial und elektronisches Bauteil |
JP4758889B2 (ja) | 2004-03-26 | 2011-08-31 | パナソニック電工株式会社 | 有機発光素子 |
DE102004022004B4 (de) | 2004-05-03 | 2007-07-05 | Novaled Ag | Schichtanordnung für eine organische lichtemittierende Diode |
DE102004035965B4 (de) * | 2004-07-23 | 2007-07-26 | Novaled Ag | Top-emittierendes, elektrolumineszierendes Bauelement mit zumindest einer organischen Schicht |
US8653537B2 (en) | 2004-08-13 | 2014-02-18 | Novaled Ag | Layer assembly for a light-emitting component |
DE102004041371B4 (de) | 2004-08-25 | 2007-08-02 | Novaled Ag | Bauelement auf Basis einer organischen Leuchtdiodeneinrichtung und Verfahren zur Herstellung |
DE502005002342D1 (de) | 2005-03-15 | 2008-02-07 | Novaled Ag | Lichtemittierendes Bauelement |
US7276848B2 (en) * | 2005-03-29 | 2007-10-02 | Eastman Kodak Company | OLED device having improved light output |
ATE381117T1 (de) | 2005-04-13 | 2007-12-15 | Novaled Ag | Anordnung für eine organische leuchtdiode vom pin-typ und verfahren zum herstellen |
EP1739765A1 (de) | 2005-07-01 | 2007-01-03 | Novaled AG | Organische Leuchtdiode und Anordnung mit mehreren organischen Leuchtdioden |
JP2007165284A (ja) * | 2005-11-18 | 2007-06-28 | Seiko Instruments Inc | エレクトロルミネッセンス素子及びこれを用いた表示装置 |
CN1967901A (zh) * | 2005-11-18 | 2007-05-23 | 精工电子有限公司 | 电致发光元件及使用该电致发光元件的显示装置 |
EP1804309B1 (en) | 2005-12-23 | 2008-07-23 | Novaled AG | Electronic device with a layer structure of organic layers |
EP1804308B1 (en) | 2005-12-23 | 2012-04-04 | Novaled AG | An organic light emitting device with a plurality of organic electroluminescent units stacked upon each other |
EP1808909A1 (de) | 2006-01-11 | 2007-07-18 | Novaled AG | Elekrolumineszente Lichtemissionseinrichtung |
WO2008077615A1 (de) * | 2006-12-22 | 2008-07-03 | Novaled Ag | Elektronisches bauelement mit mindestens einer organischen schichtanordnung |
EP1837927A1 (de) | 2006-03-22 | 2007-09-26 | Novaled AG | Verwendung von heterocyclischen Radikalen zur Dotierung von organischen Halbleitern |
US20070247061A1 (en) | 2006-04-20 | 2007-10-25 | Vadim Adamovich | Multiple dopant emissive layer OLEDs |
JP2008242060A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Kyocera Corp | 光散乱体の製造方法、発光素子の製造方法、光散乱体、発光素子および発光装置 |
EP3457451B1 (de) | 2007-04-30 | 2019-07-17 | Novaled GmbH | Die verwendung von oxokohlenstoff-, pseudooxokohlenstoff- und radialenverbindungen |
US7777416B2 (en) | 2007-06-14 | 2010-08-17 | Global Oled Technology Llc | Light emitting device with microlens array |
US8502208B2 (en) | 2008-05-21 | 2013-08-06 | Pioneer Corporation | Organic light-emitting device |
JP2010118381A (ja) | 2008-11-11 | 2010-05-27 | Konica Minolta Holdings Inc | 白色有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置 |
JP5458554B2 (ja) * | 2008-11-19 | 2014-04-02 | ソニー株式会社 | 有機電界発光素子および表示装置 |
DE102008061843B4 (de) | 2008-12-15 | 2018-01-18 | Novaled Gmbh | Heterocyclische Verbindungen und deren Verwendung in elektronischen und optoelektronischen Bauelementen |
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