TW202319508A - 主動矩陣oled顯示器 - Google Patents

Abstract

本發明與一種主動矩陣OLED顯示器有關，其包括複數個OLED像素，其中每一像素本身包括有機層堆疊，且有機層堆疊的每一層可以形成共同半導體層，其中 - 至少一第一OLED像素以及第二OLED像素包括 - 陽極層， - 共同陰極層， - 至少一發射層，其為可選的共同發射層， - 至少一有機層堆疊。

Description

主動矩陣OLED顯示器

本發明與一種具有複數個OLED像素的主動式OLED顯示器、以及一種用於製造至少一共同層的方法有關。

自1987年Tang等人展示了低操作電壓（C. W. Tang et al. Appl. Phys. Lett. 51（12）913（1987））以來，有機發光二極體已成為實現大面積顯示器的具潛力的候選者。它們由一系列有機材料薄層（通常為1 nm至1 μm）組成，其可以例如藉由熱真空蒸鍍或溶液處理進行沉積，然後經由金屬層形成電接觸。有機電子裝置提供各式各樣的電子或光電元件，例如二極體、發光二極體、光二極體和薄膜電晶體（TFT），其在特性上可與基於無機材料的已建立的元件競爭。

就有機發光二極體（OLED）來說，由於外部施加的電壓，經由將電荷載子（來自一側的電子，來自另一側的電洞）從接觸處注入至相鄰的有機層中，發光二極體產生並發射光，隨後在主動區中形成激子（電子-電洞對）以及這些激子的輻射重合。

這種有機成分相對於習知無機成分（基於無機半導體，例如，矽或砷化鎵）的優點在於可以選擇生產大面積元件，例如，大型顯示器元件（視覺顯示器、螢幕）或燈具（用於照明應用）。相較於無機材料，有機材料相對地便宜（材料以及能源的消耗較少）。此外，相較於無機材料，因為這些材料的低處理溫度，可以沉積在可撓式基板上，因而在顯示器和照明工程中開啟了一系列嶄新的應用。這種元件的基本結構包括一或多個下列層的排列：載體基板；電洞注入（正接觸）基極電極，通常是透明的；電洞注入層（HIL）；電洞傳輸層（HTL）；發光層（EL）；電子傳輸層（ETL）；電子注入層（EIL）；電子注入（負接觸）覆蓋電極，通常是具有低功函數的金屬；以及封裝，以排除環境影響。

雖然上述代表最典型的情況，通常可以省略若干層（HTL及ETL除外），或者一層可以結合多種性質。

在文件US 5,093,698中，描述了已摻雜之電荷載子傳輸層的使用（藉由類受體分子的混合物對HTL的p型摻雜、藉由類供體分子的混合物對ETL的n型摻雜）。從這個意義來看，摻雜是指將物質的混合物摻入層中，相較於相關的兩種物質之一的本質層相比，增加了此層中的平衡電荷載子濃度，這造成改善的導電率以及從相鄰的接觸層進入這個混合層之更好的電荷載子注入。電荷載子的傳輸仍然發生在基質分子上。根據US 5,093,698，摻雜層是用來作為接觸材料界面處的注入層，發光層位於其間（或者，當僅使用一摻雜層時，緊鄰另一個接觸）。藉由摻雜而增加的平衡電荷載子密度以及相關的能帶彎曲有助於電荷載子注入。根據US 5,093,698，應獲得有機層的能階（HOMO = 最高佔據分子軌域或最高能價帶能量；LUMO = 最低未佔據分子軌域或最低能導帶能量），使得ETL中的電子以及HTL中的電洞可以無礙地被注入至EL（發射層），這需要 HTL材料非常高的游離能以及ETL材料非常低的電子親和力。

對於主動OLED顯示器，顯示器像素之間的所謂串擾（crosstalk）一直是一個主要問題。像素或顏色串擾是指由像素產生的一種顏色的光子錯誤地與從靠近的像素散射的另一種顏色的光子混合。例如，文件GB 2 492 400 A及WO 2002/015292 A2 提供了用於減少OLED裝置中顏色串擾的措施。此外，或作為替代態樣，電氣串擾可能發生。在這種情況下，例如，施加至像素之一的驅動電流可能導致從靠近為其提供驅動電流的像素的另一像素發光。兩者將會對顯示裝置的性能產生負面影響（參見Yamazaki et al., A.(2013), 33.2: Spatial Resolution Characteristics of Organic Light-emitting Diode Displays: A comparative Analysis of MTF for Handheld and Workstation Formats. SID Symposium Digest of Technical Papers, 44: 419-422. doi: 10.1002/j.2168-0159.2013.tb06236.x）。

在典型的商用主動矩陣OLED顯示器中，電氣的像素串擾可能是由於在更多OLED像素共享的電洞傳輸層（HTL）中使用氧化還原p摻雜（從某種意義上，共享的HTL是電連接至存在於顯示器中的複數個像素的陽極）。氧化還原p型摻雜劑的使用藉由將電子從摻雜基質的分子轉移至摻雜劑分子來產生新的電荷載子（電洞）以增加電荷載子密度，這有利於低操作電壓、高操作穩定性以及高產量。另一方面，氧化還原p型摻雜將電洞傳輸層的導電率從沒有p型摻雜劑的小於10 ^-8S/cm（通常從小於10 ^-10S/cm）提高至大於10 ^-6S/cm （通常，p型摻雜劑的濃度在1至5 wt.%之間）。因此，氧化還原摻雜的HTL通常負責主動矩陣顯示器（包括由複數個像素共享的HTL）中的任何電氣的像素串擾。如果使用氧化還原n型摻雜劑進行n型摻雜，ETL也可能顯示出與氧化還原摻雜HTL相似的高導電率，然而，由於具有共同陰極的顯示器佈局，ETL不會引起電氣的像素串擾。

一個目的是為主動矩陣OLED顯示器提供改良的技術，特別是減少主動OLED顯示器的相鄰像素之間的串擾。

在一態樣中，提供了一種主動矩陣OLED顯示器，其包括複數個OLED像素，其中每一像素本身包括有機層堆疊，且該有機層堆疊中的每一層可以形成共同半導體層，其中至少一第一OLED像素以及第二OLED像素包括 - 陽極層， - 共同陰極層， - 至少一發射層，其可選地是共同發射層， - 至少一有機層堆疊，其中該有機層堆疊被設置於陽極層和陰極層之間，其包括 - 複數個半導體層，而且該複數個半導體層包括至少二或更多個共同半導體層，其中該複數個半導體層包括 - 至少一第一共同半導體層，其包括至少一有機p型摻雜劑， - 至少一第二共同半導體層， - 共同半導體層，其在OLED顯示器中的複數個像素的所有像素上延伸或者在複數個像素的至少兩像素上延伸，以及 其中第一共同半導體包括至少一有機p型摻雜劑、以及與第二共同半導體層一起具有 ≥ 每平方50吉歐姆的片電阻。

根據一實施例，其中共同第一半導體層以及共同第二半導體層的片電阻被一起單獨測量。

根據一實施例，其中共同第一半導體層以及共同第二半導體層的片電阻被一起單獨測量，其中對於片電阻的測量，共同第二半導體層直接沉積於共同第一半導體層上，而且共同第一半導體層直接沉積於測量電極（較佳地，ITO電極）上。

根據一實施例，提供了一種主動矩陣OLED顯示器，其包括複數個OLED像素，其中每一像素本身包括有機層堆疊，且該有機層堆疊的每一層可以形成共同半導體層，其中至少一第一OLED像素以及第二OLED像素包括 - 陽極層， - 共同陰極層， - 至少一發射層，其可選地是共同發射層， - 至少一有機層堆疊，其中該有機層堆疊被設置於陽極層和陰極層之間，其包括 - 複數個半導體層，而且該複數個半導體層包括至少二或更多個共同半導體層，其中該複數個半導體層包括 - 至少一第一共同半導體層，其包括至少一有機p型摻雜劑， - 至少一第二共同半導體層， - 共同半導體層，在OLED顯示器中的複數個像素的所有像素上延伸或者在複數個像素的至少兩像素上延伸，以及 其中第一共同半導體包括至少一有機p型摻雜劑、以及與第二共同半導體層一起具有≥ 每平方50吉歐姆的片電阻，其中共同第一半導體層以及共同第二半導體層的片電阻是一起單獨測量的，其中對於片電阻的測量，共同第二半導體層直接沉積於共同第一半導體層上，而且共同第一半導體層直接沉積於測量電極（較佳地，ITO電極）上。

根據一實施例 ，提供了一種主動矩陣OLED顯示器，其包括複數個OLED像素，其中每一像素本身包括有機層堆疊，且該有機層堆疊中的每一層可以形成共同半導體層，其中至少一第一OLED像素以及第二OLED像素包括 - 陽極層， - 共同陰極層， - 至少一發射層，其可選地是共同發射層， - 至少一有機層堆疊，其中該有機層堆疊被設置於陽極層和陰極層之間，其包括 - 複數個半導體層，而且該複數個半導體層包括至少二或更多個共同半導體層，其中該複數個半導體層包括 - 至少一第一共同半導體層，其包括至少一有機p型摻雜劑， - 至少一第一共同半導體層，其包括至少一有機p型摻雜劑， - 共同半導體層，在OLED顯示器中的複數個像素的所有像素上延伸或者在複數個像素的至少兩像素上延伸，以及 其中第一共同半導體包括至少一有機p型摻雜劑、以及與第二共同半導體層一起具有≥ 每平方50吉歐姆的片電阻，其中共同第一半導體層以及共同第二半導體層的片電阻是一起單獨測量的，其中對於片電阻的測量，共同第二半導體層直接沉積於第一共同半導體層上，而且第一共同半導體層直接沉積於測量電極（較佳地，ITO電極）上。

有機半導體裝置的一個性質是其導電率。藉由使用電洞注入材料，可以顯著提高有機半導體裝置的層的導電率。片電阻例如由所謂的「傳輸線法」測定。就此，對薄層施加電壓並測量流過該層的電流。藉由考慮接觸點的幾何形狀以及樣本的層厚度，可以分別得出片電阻及導電率。

片電阻是由傳輸線法測定。

根據實施例，提供了一種主動矩陣OLED顯示器，其包括複數個OLED像素，其中每一像素本身包括有機層堆疊，且該有機層堆疊中的每一層可以形成共同半導體層，其中至少一第一OLED像素以及第二OLED像素包括 - 陽極層， - 共同陰極層， - 至少一發射層，其可選地是共同發射層， - 至少一有機層堆疊，其中該有機層堆疊被設置於陽極層和陰極層之間，其包括 - 複數個半導體層，而且該複數個半導體層包括至少二或更多個共同半導體層，其中該複數個半導體層包括 - 至少一第一共同半導體層，其包括至少一有機p型摻雜劑， - 至少一第二共同半導體層， - 共同半導體層，在OLED顯示器中的複數個像素的所有像素上延伸或者在複數個像素的至少兩像素上延伸，以及 其中第一共同半導體包括至少一有機p型摻雜劑、以及與第二共同半導體層一起具有≥ 每平方50吉歐姆的片電阻，其中片電阻是由傳輸線法測定，其中可選地共同第一半導體層以及共同第二半導體層的片電阻是一起單獨測量的，其中對於片電阻的測量，共同第二半導體層直接沉積於共同第一半導體層上，而且共同第一半導體層直接沉積於測量電極（較佳地，ITO電極）上。

根據實施例，提供了一種主動矩陣OLED顯示器，其包括複數個OLED像素，其中每一像素本身包括有機層堆疊，且該有機層堆疊中的每一層可以形成共同半導體層，其中至少一第一OLED像素以及第二OLED像素包括 - 陽極層， - 共同陰極層， - 至少一發射層，其可選地是共同發射層， - 至少一有機層堆疊，其中該有機層堆疊被設置於陽極層和陰極層之間，其包括 - 複數個半導體層，而且該複數個半導體層包括至少二或更多個共同半導體層，其中該複數個半導體層包括 - 至少一第一共同半導體層，其包括至少一有機p型摻雜劑， - 至少一第二共同半導體層， - 共同半導體層，在OLED顯示器中的複數個像素的所有像素上延伸或者在複數個像素的至少兩像素上延伸，以及 其中第一共同半導體包括至少一有機p型摻雜劑、以及與第二共同半導體層一起具有≥ 每平方50吉歐姆的片電阻，其中片電阻是由傳輸線法測定，其中可選地共同第一半導體層以及共同第二半導體層的片電阻是一起單獨測量的，其中對於片電阻的測量，共同第二半導體層直接沉積於第一共同半導體層上，而且第一共同半導體層直接沉積於測量電極（較佳地，ITO電極）上。

根據實施例，提供了一種主動矩陣OLED顯示器，其包括複數個OLED像素，其中每一像素本身包括有機層堆疊，且該有機層堆疊中的每一層可以形成共同半導體層，其中至少一第一OLED像素以及第二OLED像素包括 - 陽極層， - 共同陰極層， - 至少一發射層，其可選地是共同發射層， - 至少一有機層堆疊，其中該有機層堆疊被設置於陽極層和陰極層之間，其包括 - 複數個半導體層，而且該複數個半導體層包括至少二或更多個共同半導體層，其中該複數個半導體層包括 - 至少一第一共同半導體層，其包括至少一有機p型摻雜劑， - 至少一第二共同半導體層， - 共同半導體層，在OLED顯示器中的複數個像素的所有像素上延伸或者在複數個像素的至少兩像素上延伸，以及 其中第一共同半導體包括至少一有機p型摻雜劑、以及與第二共同半導體層一起具有≥ 每平方50吉歐姆的片電阻，其中片電阻是由傳輸線法測定，其中共同第一半導體層以及共同第二半導體層的片電阻是一起單獨測量的，其中對於片電阻的測量，共同第二半導體層直接沉積於共同第一半導體層上，而且共同第一半導體層直接沉積於測量電極（較佳地，ITO電極）上。

根據實施例，提供了一種主動矩陣OLED顯示器，其包括複數個OLED像素，其中每一像素本身包括有機層堆疊，且該有機層堆疊中的每一層可以形成共同半導體層，其中至少一第一OLED像素以及第二OLED像素包括 - 陽極層， - 共同陰極層， - 至少一發射層，其可選地是共同發射層， - 至少一有機層堆疊，其中該有機層堆疊被設置於陽極層和陰極層之間，其包括 - 複數個半導體層，而且該複數個半導體層包括至少二或更多個共同半導體層，其中該複數個半導體層包括 - 至少一第一共同半導體層，其包括至少一有機p型摻雜劑， - 至少一第二共同半導體層， - 共同半導體層，在OLED顯示器中的複數個像素的所有像素上延伸或者在複數個像素的至少兩像素上延伸，以及 其中第一共同半導體包括至少一有機p型摻雜劑、以及與第二共同半導體層一起具有≥ 每平方50吉歐姆的片電阻，其中片電阻是由傳輸線法測定，其中共同第一半導體層以及共同第二半導體層的片電阻是一起單獨測量的，其中對於片電阻的測量，共同第二半導體層直接沉積於第一共同半導體層上，而且第一共同半導體層直接沉積於測量電極（較佳地，ITO電極）上。

術語「一起單獨測量」是指在沒有OLED顯示器的其他層或共同層的情況下測量各自的層的片電阻。

因此，術語「一起單獨測量」是指測量各自的共同層的結合的片電阻，其中共同層在沒有OLED顯示器的其他層或共同層下彼此堆疊。

例如，在共同第一半導體層以及共同第二半導體層的片電阻被一起單獨測量的情況下，對於片電阻的測量，共同第一半導體層以及共同第二半導體層彼此堆疊且其他層並不存在。

在另一實例中，在共同電洞注入層以及共同第二半導體層的片電阻被一起單獨測量的情況下，對於片電阻的測量，共同電洞注入層以及共同第二半導體層彼此堆疊且其他層並不存在。

在另一實例中，在共同電洞半導體層以及共同電洞傳輸層的片電阻被一起單獨測量的情況下，對於片電阻的測量，共同電洞注入層以及共同電洞傳輸層彼此堆疊且其他層並不存在。

在另一實例中，在共同第一半導體層、共同第二半導體層以及共同第三半導體層的片電阻被一起單獨測量的情況下，對於片電阻的測量，共同第一半導體層、共同第二半導體層以及共同第三半導體層彼此堆疊且其他層並不存在。

在另一實例中，在共同第一半導體層、共同第二半導體層、共同第三半導體層以及共同發射層的片電阻被一起單獨測量的情況下，對於片電阻的測量，共同第一半導體層、共同第二半導體層、共同第三半導體層以及共同發射層彼此堆疊且其他層並不存在。

在另一實例中，在共同第一半導體層、共同第二半導體層、共同第三半導體層以及發射層的片電阻被一起單獨測量的情況下，對於片電阻的測量，共同第一半導體層、共同第二半導體層、共同第三半導體層以及發射層彼此堆疊且其他層並不存在。 傳輸線法

片電阻Rs是針對測試元件組上給定的沉積層堆疊（參見圖 2）測量的，測試元件組由稱為通道（為兩個高導電電極提供了彼此之間的間隙「l」，且每一電極的寬度「w」（參見圖1））的測試元件組成。為了提高雜訊位準，可以使用大的「w」，並在指叉結構中形成電極，以減少面積要求（參見圖 3）。可靠的Rs計算需要具有不同通道長度「l」的至少三個此類通道。 測量是依以下方式進行：

第一電壓在 -5V 至 +5V 之間以小於 1V 的步階掃描並測量電流。此測量期間的基板溫度較佳地為23+/-2°C。使用具有x軸上的電流值與y軸上的電壓值的線性擬合，擬合的斜率給出通道電阻「R」。對每一通道「n」重複此過程，導致通道「n」的「Rn」具有間隙「ln」和寬度「w」。對於Rs 計算，寬度「w」必須在所有通道上保持不變。對於可靠的電阻值，擬合品質指數R ²必須大於0.9。

在第二步驟中，對於具有間隙「ln」通道繪製電阻「Rn」，而且進行線性擬合。此擬合的斜率乘以通道寬度「w」，得出沉積層堆疊的片電阻Rs。此計算消除了測量設置中接觸電阻和串聯電阻的影響。電極間隙應接近目標應用間隙，例如20 µm、40 µm、60 µm。低導電層的通道寬度可為100000 µm。

測量是在具有ITO電極的玻璃基板（Corning Eagle XG）上進行。使用水基界面活性劑溶液進行濕式清潔並以氮吹乾，然後在200°C下在氮氣環境中烘烤120分鐘後，以氮電漿處理基板。在電測量之前、有機層沉積之後，使用包括乾燥劑的封裝玻璃蓋封裝樣本。

傳輸線法是測量片電阻的常用方法，尤其被描述於： - Williams, Ralph (1990). Modern GaAs Processing Methods. Artech House. ISBN 0890063435。 - Schroder, Dieter K. (2006). Semiconductor Material and Device Characterization. John Wiley & Sons. ISBN 0471739065。 - Reeves, G.K., IEEE Electron Device Letters (Volume: 3, Issue: 5, May 1982), pages 113-133 (https://ieeexplore.ieee.org/document/1482607)。 較佳的片電阻測量

如果接觸電阻遠低於電極之間通道區域的電阻，可以使用簡化的片電阻測量方法。在具有例如103500μm的通道寬度w以及80μm的通道長度l的電極對上，施加5V的電壓V並使用Keithley SM2635電源測量單元測量電流I。通道電阻R由公式R=V/I計算得出。在接下來的步驟中，片電阻Rs由Rs=R*w/l計算。片電阻是在23+/-2 °C下測量。以圖6中5V時的80µm通道電流為實例資料，得出R=5V/1.33e.7A=3.76e7Ohm以及Rs=R*w/l=3.76e7Ohm*103500µm/ 80µm=48.6GOhm/sq。 替代的片電阻測量 作為替代，可以依如下方式測量片電阻：

根據圖4，具有90 nm ITO與10 Ohm/sq片電阻的ITO塗佈基板用指叉結構被圖案化。兩電極上的12個ITO指狀結構總共形成23個導電區域：n=23。指叉長度w _e為4.5 mm。因此總通道寬度為103.5mm。通道長度w在20至80 µm 之間以20 µm的步階變化。具有4種不同通道長度的電極對被組合在尺寸為 25x25mm²的一個基板上，如圖5所示。有機層沉積在基板上，覆蓋了完整的指叉圖案。在基板上，第一共同半導體層包括具有10 nm厚度的至少一有機p型摻雜劑，例如，第一共同半導體層是由摻雜的共價基質化合物組成的電洞注入層，適合的共價基質化合物描述於說明書中，藉由共蒸鍍而沉積。溫度範圍取決於材料、並受限於汽化開始時的汽化溫度以及分解溫度。這些值是材料參數，而且對於每種材料都不同。這些值典型地介於50 °C和500 °C之間，大部分介於150 °C和350 °C之間。例如，共價基質化合物沉積以 1Å/s（埃/秒）的固定速率及272 °C的蒸鍍源溫度進行。有機p型摻雜劑源例如選自包括以下者的群組：取代的或未取代的3-軸烯、取代的或未取代的醌、取代的或未取代的醌類（quinoid）、以及包括縮合環的取代的或未取代的芳香族化合物，而且更佳地，有機p型摻雜劑可以選自取代的或未取代的3-軸烯化合物，說明書中描述了其他適合的p型摻雜劑，例如在174℃下以0.068 Å/s操作。在該層上，以2Å/s的沉積速率以及280°C的溫度，沉積厚度為128nm的第二共同半導體層，其為例如共同電洞傳輸層或共同電子阻擋層，其中較佳者為電洞傳輸層。在整個沉積過程期間，腔壓為3e-7 mbar。然而，如上所述，使用的蒸鍍溫度取決於汽化開始的汽化溫度和分解溫度。用於有機材料的蒸鍍溫度取決於材料，通常在80 °C和500 °C之間。在有機層沉積後，使用具有集成乾燥劑的玻璃蓋將獲得的基板層裝置封裝於填充氮氣的手套箱中，以避免樣品降解。

在對應於給定通道長度的每一電極對上，以0.5V的步階施加-5V和+5V之間的電壓並測量電流。這是使用Keithley SM2635電源測量單元完成的。圖6顯示了這種測量的實例圖。計算對應於給定通道長度的每次測量的斜率得到了此通道長度的電阻Rn。在對應的通道長度上繪製Rn，計算斜率並將其乘以103500 µm的通道寬度，得到測量的層堆疊的片電阻Rs。在給定的實例中，斜率470199 Ohm/µm乘以103500µm的通道寬度。結果是 48.7GOhm/square 的片電阻。片電阻是在23 °C和1013 mbar下測量的。 共同層

共同層是指在一個處理步驟中經由一個大遮罩開口沉積在整個顯示區域上的層及/或由在若干連續步驟中沉積的若干重疊區域組成的層，即使重疊層由不同材料組成。

根據一實施例，第一共同半導體包括至少一有機p型摻雜劑。根據一實施例，第一共同半導體包括至少一有機p型摻雜劑，其中第一共同半導體是電洞注入層。 有機p型摻雜劑

在本說明書中，當沒有另外提供定義時，「有機p型摻雜劑」是指能夠促進電洞注入（即較佳地從陽極注入正電荷至有機層中，特別是電洞傳輸層中）的有機化合物，而且其中有機化合物能夠在一定電流密度下降低操作電壓（如果存在）。

有機p型摻雜劑可以提供從陽極至電洞傳輸基質的電洞注入，而不會實質增加自由電荷載子的濃度高於對應於在純基質中觀察到的導電率的位準、或者可能能夠在被添加至半導體中時增加電洞傳輸材料或電洞傳輸層中的正電荷載子的密度。有機p型摻雜劑可以在層內單獨使用或與電洞傳輸材料或電洞傳輸層結合使用。

根據主動矩陣OLED顯示器的一實施例，有機p型摻雜劑可以選自包括以下者的群組：取代的或未取代的3-軸烯、取代的或未取代的醌、取代的或未取代的醌類、以及取代的或未取代的芳香族化合物，其包括縮合環，以及，更佳地，有機p型摻雜劑選自取代的或未取代的3-軸烯化合物。較佳地，有機p型摻雜劑是有機氧化還原p型摻雜劑。

3-軸烯化合物可由式（1）表示：

（1） 其中 A ¹、A ²以及A ³是獨立地選自式（2）：

（2），其中「*」是A ¹、A ²以及A ³至式（1）的雙鍵的鍵結位置， R’  是獨立地選自包括以下者的群組：取代的或未取代的芳基、取代的或未取代的雜芳基、取代的或未取代的烷基、以及較佳地取代的或未取代的C ₆至C ₂₄芳基、取代的或未取代的C ₂至C ₂₀雜芳基、取代的或未取代的C ₁至C ₈烷基； 其中R’’上的取代基獨立地選自包括以下者的群組：拉電子基團、CN、鹵素、Cl、F、部分氟化或全氟化烷基、部分氟化或全氟化烷氧基、以及較佳地部分氟化或全氟化的C ₁至C ₁₀烷基、部分氟化或全氟化的C ₁至C ₆烷氧基、以及更佳地CF ₃、OCF ₃、D或H； R’’ 選自包括以下者的群組：拉電子基團、較佳地CN、取代的或未取代的烷基、取代的或未取代的雜芳基、取代的或未取代的芳基、全氟化烷基、進一步更佳地取代的或未取代的C ₁至C ₈烷基、取代的或未取代的C ₂至C ₂₀雜芳基、取代的或未取代的C ₆至C ₂₄芳基、全氟化C ₁至C ₈烷基、以及更佳地CF ₃、NO ₂或F； 其中R’’上的取代基獨立地選自包括以下者的群組：拉電子基團、CN、鹵素、Cl、F、部分氟化或全氟化烷基、部分氟化或全氟化烷氧基、以及較佳地部分氟化或全氟化C ₁至C ₁₀烷基、部分氟化或全氟化的C ₁至C ₆烷氧基、以及更佳地CF ₃、OCF ₃、D或H； 其中R’以及R’’一起可選地形成取代的或未取代的碳環或取代的或未取代的雜環、較佳地取代的或未取代的雜環； 其中取代基獨立地選自包括以下者的群組：拉電子基團、F、CN、全氟化的C ₁至C ₈烷基、取代的或未取代C ₆至C ₁₈芳基、取代的或未取代的C ₂至C ₁₈雜芳基、取代的或未取代的C ₃至C ₁₈伸碳環（carbocyclene）、取代的或未取代的C ₃至C ₁₈亞碳環（carbocyclidene）、取代的或未取代的C ₁至C ₈伸烷基、取代的或未取代的C ₁至C ₈亞烷基； 其中取代基選自包括拉電子基團、鹵素、F、Cl、CN、全氟化烷基、全氟化C ₁至C ₈烷基、CF ₃、部分氟化或全氟化烷基芳基、部分氟化或全氟化C ₆至C ₁₈烷基芳基的群組。

根據一實施例，取代基R’可以獨立地選自包括以下者的群組：取代的或未取代的C ₆至C ₂₄芳基、取代的或未取代的C ₂至C ₂₀雜芳基。根據一實施例，取代基R’’可以選自包括以下者的群組：拉電子基團，較佳地為R’’是獨立地選自包括以下者的群組：CN、CF ₃、NO ₂、或F，而且更佳地為R’’是CN。

根據另一實施例，其中 R’ 是獨立地選自包括以下者的群組：取代的或未取代的C ₆至C ₂₄芳基、取代的或未取代的C ₂至C ₂₀雜芳基； R’’是拉電子基團，較佳地為R’’是獨立地選自包括以下者的群組：CN、CF ₃、NO ₂、或F，而且更佳地為R’’是CN。

根據另一實施例，其中 R’ 是獨立地選自包括以下者的群組：取代的或未取代的C ₆至C ₁₈芳基、取代的或未取代的C ₂至C ₁₈雜芳基； R’’是獨立地選自包括以下者的群組：CN、CF ₃、NO ₂、或F，而且更佳地R’’是CN。

根據另一實施例，其中 R’ 是獨立地選自包括以下者的群組：取代的或未取代的C ₆至C ₁₂芳基、取代的或未取代的C ₂至C ₁₂雜芳基； R’’是獨立地選自包括以下者的群組：CN、CF ₃或F，而且更佳地R’’是CN。

根據另一實施例，其中A ¹、A ²以及A ³是選擇為 A ¹=A ²≠A ³、或A ¹≠A ²以及A ¹≠A ³以及A ²= A ³。

根據另一實施例，其中A ¹、A ²以及A ³是選自式（3）或（4）：

（3）、

（4），其中 X ¹是選自CR ¹或N； X ²是選自CR ²或N； X ³是選自CR ³或N； X ⁴是選自CR ⁴或N； X ⁵是選自CR ⁵或N； R ¹、R ²、R ³、R ⁴、以及R ⁵是獨立地選自包括以下者的群組：拉電子基團、CN、鹵素、Cl、F、部分氟化或全氟化烷基、部分氟化或全氟化C ₁至C ₁₀烷基，較佳地CF ₃、部分氟化或全氟化烷氧基、部分氟化或全氟化C ₁至C ₆烷氧基、D或H； 其中X ¹至X ⁵中的至少兩者是獨立地選自CR ¹至CR ⁵；而且其中式（3）以及（4）中的「*」是A ¹、A ²以及A ³至式（1）的雙鍵的鍵結位置。

根據另一實施例，其中A ¹是選自式（3）或（4）：

（3）、

（4），其中 X ¹是選自CR ¹或N； X ²是選自CR ²或N； X ²是選自CR ²或N； X ⁴是選自CR ⁴或N； X ⁵是選自CR ⁵或N； R ¹、R ²、R ³、R ⁴、以及R ⁵是獨立地選自包括以下者的群組：拉電子基團、CN、鹵素、Cl、F、部分氟化或全氟化烷基、部分氟化或全氟化C ₁至C ₁₀烷基，較佳地CF ₃、部分氟化或全氟化烷氧基、部分氟化或全氟化C ₁至C ₆烷氧基、D或H； 其中X ¹至X ⁵中的至少兩者是獨立地選自CR ¹至CR ⁵；而且其中式（3）以及（4）中的「*」是A ¹至式（1）的雙鍵的鍵結位置。

根據另一實施例，其中A ¹可以選自包括D1至D210的群組：

其中 基團D1至D210上的取代基

的「*」表示A ¹至式（1）的雙鍵的鍵結位置。

根據另一實施例，其中A ¹、A ²及/或A ³可以選自包括D1至D210的群組。

根據另一實施例，其中有機p型摻雜劑的醌具有式（5），而且有機p型摻雜劑的醌類具有式（6），

（5）、

（6），其中 A ¹以及A ²是獨立地選自式（7）：

（7）或NR’’’，其中「*」是A ¹以及A ²至式（5）以及式（6）的雙鍵的鍵結位置： R’     是選自拉電子基團、取代的或未取代的烷基、取代的或未取代的雜芳基、取代的或未取代的芳基、全氟化烷基，較佳地取代的或未取代的C ₁至C ₈烷基、取代的或未取代的C ₂至C ₂₀雜芳基、取代的或未取代的C ₆至C ₂₄芳基、全氟化C ₁至C ₈烷基、CF ₃、NO ₂、F、CN， 其中R’上的取代基是獨立地選自包括以下者的群組：D、H、拉電子基團、CN、鹵素、Cl、F、部分氟化或全氟化烷基、部分氟化或全氟化C ₁至C ₁₀烷基、CF ₃、部分氟化或全氟化烷氧基、部分氟化或全氟化C ₁至C ₆烷氧基，而且更佳地CN、CF ₃、OCF ₃、D或H； R’’    拉電子基團、取代的或未取代的烷基、取代的或未取代的雜芳基、取代的或未取代的芳基、全氟化烷基，較佳地取代的或未取代的C ₁至C ₈烷基、取代的或未取代的C ₂至C ₂₀雜芳基、取代的或未取代的C ₆至C ₂₄芳基、全氟化C ₁至C ₈烷基、CF ₃、NO ₂、F、CN， 其中R’’上的取代基是獨立地選自包括以下者的群組：拉電子基團、CN、鹵素、Cl、F、部分氟化或全氟化烷基、部分氟化或全氟化C ₁至C ₁₀烷基、CF ₃、部分氟化或全氟化烷氧基、部分氟化或全氟化C ₁至C ₆烷氧基，而且更佳地CN、CF ₃、OCF ₃、D或H； 其中R’以及R’’一起可選地形成取代的或未取代的環，而且其中取代的或未取代的環可以是取代的或未取代的碳環或取代的或未取代的雜環，較佳地為取代的或未取代的雜環； R’’’ 是選自鍵、取代的或未取代的C ₁至C ₁₈烷基、取代的或未取代的C ₆至C ₂₄芳基、取代的或未取代的C ₆至C ₂₄雜芳基、CN， 其中R’’’上的取代基是獨立地選自包括以下者的群組：取代的或未取代的C ₆至C ₂₄芳基、拉電子基團、CN、F、CF ₃、全氟化C ₁至C ₈烷基； R ¹、R ²、R ³、以及R ⁴是獨立地選自包括以下者的群組：拉電子基團、鹵素、取代的或未取代的烷基、部分氟化或全氟化烷基、取代的或未取代的芳基、取代的或未取代的雜芳基、取代的烷氧基、部分氟化或全氟化烷氧基、部分氟化或全氟化烷基芳基、O、S、取代的或未取代的N，較佳地F、Cl、CN、取代的或未取代的C ₁至C ₈烷基、部分氟化或全氟化C ₁至C ₈烷基、CF ₃、取代的或未取代的C ₆至C ₂₄芳基、取代的或未取代的C ₂至C ₂₀雜芳基、取代的或未取代的C ₁至C ₈烷氧基、部分氟化或全氟化C ₁至C ₈烷氧基、OCF ₃、取代的或未取代的C ₁至C ₈烷基、CF ₃、部分氟化或全氟化C ₆至C ₂₄烷基芳基， 其中R ¹、R ²、R ³、以及R ⁴上的取代基是獨立地選自包括以下者的群組：拉電子基團、取代的或未取代的烷基、取代的或未取代的雜芳基、取代的或未取代的芳基、全氟化烷基，較佳地CN、取代的或未取代的C ₁至C ₈烷基、取代的或未取代的C ₂至C ₂₀雜芳基、取代的或未取代的C ₆至C ₂₄芳基、全氟化C ₁至C ₈烷基、CF ₃、NO ₂、F； 其中R ¹以及R ²一起，或R ³以及R ⁴一起可選地形成彼此獨立的取代的或未取代的碳環或取代的或未取代的雜環，較佳地取代的或未取代的雜環； 其中取代基是獨立地選自包括以下者的群組：拉電子基團、F、CN、全氟化C ₁至C ₈烷基（較佳地全氟化C ₁至C ₈烷氧基，較佳地OCF ₃）、取代的或未取代的C ₆至C ₁₈芳基、取代的或未取代的C ₂至C ₁₈雜芳基、取代的或未取代的伸碳環、取代的或未取代的亞碳環、取代的或未取代的伸烷基、取代的或未取代的亞烷基； 其中取代基是獨立地選自包括以下者的群組：拉電子基團、鹵素、F、Cl、CN、全氟化烷基、CF ₃、部分氟化或全氟化烷基芳基、部分氟化或全氟化C ₆至C ₁₈烷基芳基、全氟化C ₁至C ₈烷氧基（較佳地OCF ₃）； 其中A ¹與R ³一起而且A ²與R一起可選地彼此獨立地形成取代的或未取代的雜環； 其中取代基是獨立地選自包括以下者的群組：取代的或未取代的C ₆至C ₁₈芳基、取代的或未取代的伸碳環、取代的或未取代的亞碳環、取代的或未取代的伸烷基、取代的或未取代的亞烷基； 其中取代基是獨立地選自包括以下者的群組：拉電子基團、鹵素、F、Cl、CN、全氟化烷基、CF ₃、部分氟化或全氟化烷基芳基、部分氟化或全氟化C ₆至C ₁₈烷基芳基。

根據另一實施例，其中A ¹、A ²及/或A ³是獨立地選自D1至D8的群組：

（D1）、

（D2）、

（D8）、

（D4）、

（D5）、

（D6）、

（D7）、

（D8），其中 「*」是A ¹、A ²及/或A ³至式（1）的雙鍵、至式（5）的雙鍵、以及至式（6）的雙鍵的鍵結位置。

根據另一實施例，其中A ¹以及A ²是獨立地選自D1至D8的群組：

（D1）、

（D2）、

（D8）、

（D4）、

（D5）、

（D6）、

（D7）、

（D8），其中 「*」是A ¹以及A ²至式（1）的雙鍵、至式（5）的雙鍵以及至式（6）的雙鍵的鍵結位置。

根據另一實施例，其中A ¹、A ²及/或A ³是選自式（8）至（13）：

（8）、

（9）、

（10）、

（11）、

（12）、以及

（13），其中 X ¹是選自CR ¹或N； X ²是選自CR ²或N； X ³是選自CR ³或N； X ⁴是選自CR ⁴或N； X ⁵是選自CR ⁵或N； 其中R ¹、R ²、R ³、R ⁴、以及R ⁵之一是獨立地選自拉電子基團、鹵素、部分氟化或全氟化烷基、部分氟化或全氟化烷氧基、D或H，較佳地CN、Cl、F、部分氟化或全氟化C ₁至C ₁₀烷基、CF ₃、部分氟化或全氟化C ₁至C ₆烷氧基； 其中X ¹至X ⁵之至少二者是獨立地選自CR ¹至CR ⁵。

根據另一實施例，其中A ¹以及 A ²是選自式（8）至（13）：

（8）、

（9）、

（10）、

（11）、

（12）、以及

（13），其中 X ¹是選自CR ¹或N； X ²是選自CR ²或N； X ³是選自CR ³或N； X ⁴是選自CR ⁴或N； X ⁵是選自CR ⁵或N； 其中R ¹、R ²、R ³、R ⁴、以及R ⁵之一是獨立地選自拉電子基團、鹵素、部分氟化或全氟化烷基、部分氟化或全氟化烷氧基、D或H，較佳地CN、Cl、F、部分氟化或全氟化C ₁至C ₁₀烷基、CF ₃、部分氟化或全氟化C ₁至C ₆烷氧基； 其中X ¹至X ⁵中的至少二者是獨立地選自CR ¹至CR ⁵。

根據另一實施例，其中包括醌或醌類的p型摻雜劑的化合物具有以下的結構E1至E11：

（E1）、

（E2）、

（E3）、

（E4）、

（E5）、

（E6）、

（E7）、

（E8）、

（E9）、

（E10）、

（E11）。

根據另一實施例，其中包括縮合環的取代的或未取代的芳香族化合物可以由式（14a）、（14b）、（14c）、（14d）、（14e）以及式（15）表示：

其中 A ¹是選自

或NR’’’，其中「*」是A ¹至式（14）的雙鍵的鍵結位置，其中 R’     是選自拉電子基團、取代的或未取代的烷基、取代的或未取代的雜芳基、取代的或未取代的C ₂至C ₂₀雜芳基、取代的或未取代的芳基、取代的或未取代的C ₆至C ₂₄芳基、全氟化烷基，最佳地取代的或未取代的C ₁至C ₈烷基、CN、取代的或未取代的C ₂至C ₂₀雜芳基、取代的或未取代的C ₆至C ₂₄芳基、C ₁至C ₈烷基、全氟化C ₁至C ₈烷基、CF ₃、NO ₂、F， 其中R’上的取代基是獨立地選自包括以下者的群組：拉電子基團、CN、鹵素、Cl、F、部分氟化或全氟化烷基、部分氟化或全氟化C ₁至C ₁₀烷基、CF ₃、部分氟化或全氟化烷氧基、部分氟化或全氟化C ₁至C ₆烷氧基，最佳地OCF ₃、D或H； R’’    是選自拉電子基團、取代的或未取代的烷基、取代的或未取代的雜芳基、取代的或未取代的C ₂至C ₂₀雜芳基、取代的或未取代的芳基、取代的或未取代的C ₆至C ₂₄芳基、全氟化烷基，最佳地取代的或未取代的C ₁至C ₈烷基、CN、取代的或未取代的C ₂至C ₂₀雜芳基、取代的或未取代的C ₆至C ₂₄芳基、C ₁至C ₈烷基、全氟化C ₁至C ₈烷基、CF ₃、NO ₂、F， 其中R’’上的取代基是獨立地選自包括以下者的群組：拉電子基團、CN、鹵素、Cl、F、部分氟化或全氟化烷基、部分氟化或全氟化C ₁至C ₁₀烷基、CF ₃、部分氟化或全氟化烷氧基、部分氟化或全氟化C ₁至C ₆烷氧基，最佳地OCF ₃、D或H； R’’’  是選自鍵、取代的或未取代的C ₁至C ₁₈烷基、取代的或未取代的C ₆至C ₂₄芳基、取代的或未取代的C ₆至C ₂₄雜芳基、CN， 其中R’’’上的取代基是獨立地選自包括以下者的群組：取代的或未取代的C ₆至C ₂₄芳基、拉電子基團、CN、F、CF ₃、全氟化C ₁至C ₈烷基； R ¹以及R ²是獨立地選自包括以下者的群組：拉電子基團、鹵素、F、Cl、CN、取代的烷基、取代的C ₁至C ₈烷基、部分氟化或全氟化C ₁至C ₈烷基，較佳地CF ₃、取代的或未取代的芳基、取代的或未取代的C ₆至C ₂₄芳基、取代的或未取代的雜芳基、取代的或未取代的C ₂至C ₂₀雜芳基、取代的C ₁至C ₈烷氧基、部分氟化或全氟化C ₁至C ₈烷氧基，較佳地OCF ₃、部分氟化或全氟化烷基芳基、部分氟化或全氟化C ₆至C ₂₄烷基芳基、O、S、N； 其中R ¹以及R ²上的取代基是獨立地選自包括以下者的群組：拉電子基團，較佳地CN、取代的或未取代的烷基、取代的或未取代的C ₁至C ₈烷基、取代的或未取代的雜芳基、取代的或未取代的C ₂至C ₂₀雜芳基、取代的或未取代的芳基、取代的或未取代的C ₆至C ₂₄芳基、全氟化烷基、全氟化C ₁至C ₈烷基，最佳地CF ₃、NO ₂、F； 其中R ¹以及R ²一起可選地形成取代的或未取代的碳環或取代的或未取代的雜環，較佳地為取代的或未取代的碳環； 其中環上的取代基是選自包括以下者的群組：拉電子基團、F、CN、全氟化C ₁至C ₈烷基（較佳地，全氟化C ₁至C ₈烷氧基）、OCF ₃、取代的或未取代的C ₆至C ₁₈芳基、取代的或未取代的C ₂至C ₁₈雜芳基、取代的或未取代的伸碳環、取代的或未取代的亞碳環、取代的或未取代的伸烷基、取代的或未取代的亞烷基； 其中取代基是選自包括以下者的群組：拉電子基團、鹵素、F、Cl、CN、全氟化烷基、全氟化C ₁至C ₈烷基、CF ₃、部分氟化或全氟化烷基芳基、部分氟化或全氟化C ₆至C ₁₈烷基芳基、全氟化C ₁至C ₈烷氧基、OCF ₃； Y    是彼此獨立地選自N或CR ^a，R ^a是獨立地選自包括以下者的群組：H、D、拉電子基團、CN、取代的或未取代的C ₁至C ₈烷基、全氟化C ₁至C ₈烷基、CF ₃、全氟化C ₁至C ₈烷氧基、OCF ₃； 其中R ^a上的取代基是獨立地選自包括以下者的群組：拉電子基團、CN、鹵素、Cl、F、部分氟化或全氟化烷基、部分氟化或全氟化C ₁至C ₁₀烷基、CF ₃、部分氟化或全氟化烷氧基、部分氟化或全氟化C ₁至C ₆烷氧基，最佳地OCF ₃、D或H； 其中兩個R ^a可選地形成取代的或未取代的碳環或取代的或未取代的雜環，較佳地取代的或未取代的碳環； 其中環上的取代基獨立地選自包括以下者的群組：拉電子基團、F、CN、全氟化C ₁至C ₈烷基（較佳地，全氟化C ₁至C ₈烷氧基）、OCF ₃、取代的或未取代的C ₆至C ₁₈芳基、取代的或未取代的C ₂至C ₁₈雜芳基、取代的或未取代的伸碳環、取代的或未取代的亞碳環、取代的或未取代的伸烷基、取代的或未取代的亞烷基； 其中兩個Y可選地形成取代的或未取代的碳環或取代的或未取代的雜環，較佳地取代的或未取代的碳環； 其中環上的取代基可以是拉電子基團、F、CN、全氟化C ₁至C ₈烷基（較佳地，全氟化C ₁至C ₈烷氧基）、OCF ₃、取代的或未取代的C ₆至C ₁₈芳基、取代的或未取代的C ₂至C ₁₈雜芳基、取代的或未取代的伸碳環、取代的或未取代的亞碳環、取代的或未取代的伸烷基、取代的或未取代的亞烷基；

（15），其中 R ¹、R ²、R ³、R ⁴、R ⁵、以及R ⁶是獨立地選自包括以下者的群組：H、F、CN、CF ₃、以及NO ₂，其中R ¹、R ²、R ³、R ⁴、R ⁵、以及R ⁶的至少一者是F、CN、CF ₃、或NO ₂。

根據另一實施例，其中包括縮合環的取代的或未取代的芳香族化合物具有G1至G4的結構：

（G1）、

（G2）、

（G3）、

（G4）以及

（G5）。

根據另一實施例，其中至少一R ¹以及R ²是獨立地選自包括以下者的群組：CN、OCF ₃、CF ₃、F、全氟化C ₁至C ₈烷基、取代的C ₆至C ₂₄芳基，其中取代基是F、CF ₃、CN、取代的C ₁至C ₈伸烷基。

根據本發明的一實施例，有機p型摻雜劑是非發射的。在本說明書的上下文中，術語「本質上非發射」或「非發射」是指有機p型摻雜劑對於來自有機電子裝置（較佳地為OLED或顯示裝置）的可見光發射光譜的貢獻相對於可見光發射光譜為小於10 %、較佳地小於5 %。可見光發射光譜是波長約≥380nm至約≤780nm的發射光譜。 主動矩陣OLED顯示器

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中第一共同半導體層是共同電洞注入層，較佳地，共同電洞注入層由有機p型摻雜劑組成，或者共同電洞傳輸層包括有機p型摻雜劑以及電洞傳輸材料。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中第一共同半導體層包括與陽極層直接接觸的至少一有機p型摻雜劑，其中第二共同半導體層被設置於第一半導體層與發射層之間。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中第二共同半導體層是共同電洞傳輸層或共同電子阻擋層，較佳地，共同第一電洞注入層與是共同電洞傳輸層或共同電子阻擋層的第二共同半導體層直接接觸。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中複數個共同半導體層還包括共同第三半導體層，其中第一共同半導體層、第二共同半導體層、以及共同第三半導體層一起具有≥ 每平方50吉歐姆的片電阻。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中複數個共同半導體層還包括共同第三半導體層，其中第一共同半導體層、第二共同半導體層、以及共同第三半導體層一起具有≥ 每平方50吉歐姆的片電阻，其中共同第一半導體層、共同第二半導體層、以及共同第三半導體層的片電阻是一起單獨測量的。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中複數個共同半導體層還包括共同第三半導體層，其中第一共同半導體層、第二共同半導體層、以及共同第三半導體層一起具有≥ 每平方50吉歐姆的片電阻，其中共同第一半導體層、共同第二半導體層、以及共同第三半導體層的片電阻是一起單獨測量的，其中對於片電阻的測量，第三共同半導體層直接沉積於第二共同半導體層上，第二共同半導體層直接沉積於第一共同半導體層上，而且第一共同半導體層直接沉積於測量電極（較佳地，ITO電極）上。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中複數個共同半導體層還包括共同第三半導體層，其中第一共同半導體層、第二共同半導體層、以及共同第三半導體層一起具有選自≥ 每平方100吉歐姆、≥ 每平方200吉歐姆、≥ 每平方300吉歐姆、≥每平方400吉歐姆、≥ 每平方500吉歐姆、≥ 每平方1000吉歐姆、≥ 每平方2500吉歐姆、≥ 每平方5000吉歐姆、≥ 每平方10000吉歐姆、≥每平方20000吉歐姆、≥每平方30000吉歐姆、≥ 每平方40000吉歐姆、或 ≥ 每平方50000吉歐姆的片電阻。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中複數個共同半導體層還包括共同第三半導體層，其中第一共同半導體層、第二共同半導體層、以及共同第三半導體層一起具有選自 ≥ 每平方100吉歐姆、≥ 每平方200吉歐姆、≥ 每平方300吉歐姆、≥每平方400吉歐姆、≥ 每平方500吉歐姆、≥ 每平方1000吉歐姆、≥ 每平方2500吉歐姆、≥ 每平方5000吉歐姆、≥ 每平方10000吉歐姆、≥每平方20000吉歐姆、≥每平方30000吉歐姆、≥ 每平方40000吉歐姆、或≥ 每平方50000吉歐姆的片電阻，其中共同第一半導體層、共同第二半導體層、以及共同第三半導體層的片電阻是一起單獨測量的。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中複數個共同半導體層還包括共同第三半導體層，其中第一共同半導體層、第二共同半導體層、以及共同第三半導體層一起具有選自≥ 每平方100吉歐姆、≥ 每平方200吉歐姆、≥ 每平方300吉歐姆、≥每平方400吉歐姆、≥ 每平方500吉歐姆、≥ 每平方1000吉歐姆、≥ 每平方2500吉歐姆、≥ 每平方5000吉歐姆、≥ 每平方10000吉歐姆、≥每平方20000吉歐姆、≥每平方30000吉歐姆、≥ 每平方40000吉歐姆、或 ≥ 每平方50000吉歐姆的片電阻，其中共同第一半導體層、共同第二半導體層、以及共同第三半導體層的片電阻是一起單獨測量的，其中對於片電阻的測量，第三共同半導體層直接沉積於第二共同半導體層上，第二共同半導體層直接沉積於第一共同半導體層上，而且第一共同半導體層直接沉積於測量電極（較佳地，ITO電極）上。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中共同第三半導體層是共同電子阻擋層，其中第一共同半導體層是共同電洞注入層，而且第二共同半導體層是共同電洞傳輸層；而且其中為共同電洞注入層的第一共同半導體層、為共同電洞傳輸層的第二共同半導體層、以及為共同電子阻擋層的共同第三半導體層一起具有≥ 每平方50吉歐姆的片電阻。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中共同第三半導體層是共同電子阻擋層，其中第一共同半導體層是共同電洞注入層，而且第二共同半導體層是共同電洞傳輸層；而且其中為共同電洞注入層的第一共同半導體層、為共同電洞傳輸層的第二共同半導體層、以及為共同電子阻擋層的共同第三半導體層一起具有≥ 每平方50吉歐姆的片電阻，其中共同第一半導體層、共同第二半導體層、以及共同第三半導體層的片電阻是一起單獨測量的。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中共同第三半導體層是共同電子阻擋層，其中第一共同半導體層是共同電洞注入層，而且第二共同半導體層是共同電洞傳輸層；而且其中為共同電洞注入層的第一共同半導體層、為共同電洞傳輸層的第二共同半導體層、以及為共同電子阻擋層的共同第三半導體層一起具有≥ 每平方50吉歐姆的片電阻，其中共同第一半導體層、共同第二半導體層、以及共同第三半導體層的片電阻是一起單獨測量的，其中對於片電阻的測量，第三共同半導體層直接沉積於第二共同半導體層上，第二共同半導體層直接沉積於第一共同半導體層上，而且第一共同半導體層直接沉積於測量電極（較佳地，ITO電極）上。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中共同第三半導體層是共同電子阻擋層，其中第一共同半導體層是共同電洞注入層，而且第二共同半導體層是共同電洞傳輸層；而且其中為共同電洞注入層的第一共同半導體層、為共同電洞傳輸層的第二共同半導體層、以及為共同電子阻擋層的共同第三半導體層一起具有選自≥ 每平方100吉歐姆、≥ 每平方200吉歐姆、≥ 每平方300吉歐姆、≥每平方400吉歐姆、≥ 每平方500吉歐姆、≥ 每平方1000吉歐姆、≥ 每平方2500吉歐姆、≥ 每平方5000吉歐姆、≥ 每平方10000吉歐姆、≥每平方20000吉歐姆、≥每平方30000吉歐姆、≥ 每平方40000吉歐姆、或≥ 每平方50000吉歐姆的片電阻。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中共同第三半導體層是共同電子阻擋層，其中第一共同半導體層是共同電洞注入層，而且第二共同半導體層是共同電洞傳輸層；而且其中為共同電洞注入層的第一共同半導體層、為共同電洞傳輸層的第二共同半導體層、以及為共同電子阻擋層的共同第三半導體層一起具有選自≥ 每平方100吉歐姆、≥ 每平方200吉歐姆、≥ 每平方300吉歐姆、≥每平方400吉歐姆、≥ 每平方500吉歐姆、≥ 每平方1000吉歐姆、≥ 每平方2500吉歐姆、≥ 每平方5000吉歐姆、≥ 每平方10000吉歐姆、≥每平方20000吉歐姆、≥每平方30000吉歐姆、≥ 每平方40000吉歐姆、或≥ 每平方50000吉歐姆的片電阻，其中共同第一半導體層、共同第二半導體層、以及共同第三半導體層的片電阻是一起單獨測量的。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中共同第三半導體層是共同電子阻擋層，其中第一共同半導體層是共同電洞注入層，而且第二共同半導體層是共同電洞傳輸層；而且其中為共同電洞注入層的第一共同半導體層、為共同電洞傳輸層的第二共同半導體層、以及為共同電子阻擋層的共同第三半導體層一起具有選自 ≥ 每平方100吉歐姆、≥ 每平方200吉歐姆、≥ 每平方300吉歐姆、≥每平方400吉歐姆、≥ 每平方500吉歐姆、≥ 每平方1000吉歐姆、≥ 每平方2500吉歐姆、≥ 每平方5000吉歐姆、≥ 每平方10000吉歐姆、≥ 每平方20000吉歐姆、≥ 每平方30000吉歐姆、≥ 每平方40000吉歐姆、或≥ 每平方50000吉歐姆的片電阻，其中共同第一半導體層、共同第二半導體層、以及共同第三半導體層的片電阻是一起單獨測量的，其中對於片電阻的測量，第三共同半導體層直接沉積於第二共同半導體層上，第二共同半導體層直接沉積於第一共同半導體層上，而且第一共同半導體層直接沉積於測量電極（較佳地，ITO電極）上。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中為共同電子阻擋層的共同第三半導體層被設置於為共同電洞傳輸層的第二共同半導體層以及發射層之間。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中每一像素的發射層摻雜有顏色定義發射體摻雜劑，其中顏色定義發射體摻雜劑的顏色是每一像素獨立選擇或選擇為相同。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中片電阻是由傳輸線法測定。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中第一OLED像素的陽極層以及第二OLED像素的陽極層由像素定義層隔開，使得第一OLED像素的陽極層以及第二OLED像素的陽極層不被形成為共同層、而且彼此不接觸，較佳地，複數個OLED像素的陽極層不被形成為共同層、而且彼此不接觸。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中共同第一電洞注入層至少部分地被設置為與陽極層直接接觸、而且第二共同電洞傳輸層被設置於共同發射層以及共同第一電洞注入層之間。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中共同第一電洞注入層、第二共同半導體層、共同第三半導體層、以及共同發射層一起具有≥ 每平方50吉歐姆的片電阻。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中共同第一電洞注入層、第二共同半導體層、共同第三半導體層、以及發射層一起具有≥ 每平方50吉歐姆的片電阻。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中共同第一電洞注入層、第二共同半導體層、共同第三半導體層、以及共同發射層一起具有≥ 每平方50吉歐姆的片電阻，其中共同第一半導體層、共同第二半導體層、共同第三半導體層、以及發射層的片電阻是一起單獨測量的。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中共同第一電洞注入層、第二共同半導體層、共同第三半導體層、以及發射層一起具有≥ 每平方50吉歐姆的片電阻，其中共同第一半導體層、共同第二半導體層、共同第三半導體層、以及發射層的片電阻是一起單獨測量的，其中對於片電阻的測量，發射層直接沉積於共同第三半導體層上，共同第三半導體層直接沉積於第二共同半導體層上，第二共同半導體層直接沉積於共同第一電洞注入層上，而且共同第一電洞注入層直接沉積於測量電極（較佳地，ITO電極）上。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中共同第一電洞注入層、第二共同半導體層、共同第三半導體層、以及共同發射層一起具有≥ 每平方50吉歐姆的片電阻，其中共同第一半導體層、共同第二半導體層、共同第三半導體層、以及共同發射層的片電阻是一起單獨測量的。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中共同第一電洞注入層、第二共同半導體層、共同第三半導體層、以及共同發射層一起具有≥ 每平方50吉歐姆的片電阻，其中共同第一半導體層、共同第二半導體層、共同第三半導體層、以及共同發射層的片電阻是一起單獨測量的，其中對於片電阻的測量，共同發射層直接沉積於共同第三半導體層上，共同第三半導體層直接沉積於第二共同半導體層上，第二共同半導體層直接沉積於共同第一電洞注入層上，而且共同第一電洞注入層直接沉積於測量電極（較佳地，ITO電極）上。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中共同第一電洞注入層、第二共同半導體層、共同第三半導體層、以及共同發射層一起具有選自≥ 每平方100吉歐姆、≥ 每平方200吉歐姆、≥ 每平方300吉歐姆、≥每平方400吉歐姆、≥ 每平方500吉歐姆、≥ 每平方1000吉歐姆、≥ 每平方2500吉歐姆、≥ 每平方5000吉歐姆、≥ 每平方10000吉歐姆、≥每平方20000吉歐姆、≥每平方30000吉歐姆、≥ 每平方40000吉歐姆、或≥ 每平方50000吉歐姆的片電阻。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中共同第一電洞注入層、第二共同半導體層、共同第三半導體層、以及共同發射層一起具有選自≥ 每平方100吉歐姆、≥ 每平方200吉歐姆、≥ 每平方300吉歐姆、≥每平方400吉歐姆、≥ 每平方500吉歐姆、≥ 每平方1000吉歐姆、≥ 每平方2500吉歐姆、≥ 每平方5000吉歐姆、≥ 每平方10000吉歐姆、≥每平方20000吉歐姆、≥每平方30000吉歐姆、≥ 每平方40000吉歐姆、或≥ 每平方50000吉歐姆的片電阻，其中共同第一半導體層、共同第二半導體層、共同第三半導體層、以及發射層的片電阻是一起單獨測量的。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中共同第一電洞注入層、第二共同半導體層、共同第三半導體層、以及發射層一起具有選自≥ 每平方100吉歐姆、≥ 每平方200吉歐姆、≥ 每平方300吉歐姆、≥每平方400吉歐姆、≥ 每平方500吉歐姆、≥ 每平方1000吉歐姆、≥ 每平方2500吉歐姆、≥ 每平方5000吉歐姆、≥ 每平方10000吉歐姆、≥每平方20000吉歐姆、≥每平方30000吉歐姆、≥ 每平方40000吉歐姆、或≥ 每平方50000吉歐姆的片電阻，其中共同第一半導體層、共同第二半導體層、共同第三半導體層、以及發射層的片電阻是一起單獨測量的，其中對於片電阻的測量，共同發射層直接沉積於共同第三半導體層上，共同第三半導體層直接沉積於第二共同半導體層上，第二共同半導體層直接沉積於共同第一電洞注入層上，而且共同第一電洞注入層直接沉積於測量電極（較佳地，ITO電極）上。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中共同第一電洞注入層、第二共同半導體層、共同第三半導體層、以及共同發射層一起具有選自≥ 每平方100吉歐姆、≥ 每平方200吉歐姆、≥ 每平方300吉歐姆、≥每平方400吉歐姆、≥ 每平方500吉歐姆、≥ 每平方1000吉歐姆、≥ 每平方2500吉歐姆、≥ 每平方5000吉歐姆、≥ 每平方10000吉歐姆、≥每平方20000吉歐姆、≥每平方30000吉歐姆、≥ 每平方40000吉歐姆、或≥ 每平方50000吉歐姆的片電阻，其中共同第一半導體層、共同第二半導體層、共同第三半導體層、以及共同發射層的片電阻是一起單獨測量的。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中共同第一電洞注入層、第二共同半導體層、共同第三半導體層、以及共同發射層一起具有選自≥ 每平方100吉歐姆、≥ 每平方200吉歐姆、≥ 每平方300吉歐姆、≥每平方400吉歐姆、≥ 每平方500吉歐姆、≥ 每平方1000吉歐姆、≥ 每平方2500吉歐姆、≥ 每平方5000吉歐姆、≥ 每平方10000吉歐姆、≥每平方20000吉歐姆、≥每平方30000吉歐姆、≥ 每平方40000吉歐姆、或≥ 每平方50000吉歐姆的片電阻，其中共同第一半導體層、共同第二半導體層、共同第三半導體層、以及共同發射層的片電阻是一起單獨測量的，其中對於片電阻的測量，共同發射層直接沉積於共同第三半導體層上，共同第三半導體層直接沉積於第二共同半導體層上，第二共同半導體層直接沉積於共同第一電洞注入層上，而且共同第一電洞注入層直接沉積於測量電極（較佳地，ITO電極）上。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中主動矩陣OLED顯示器包括複數個OLED像素，其中每一像素本身包括有機層堆疊，且該有機層堆疊的每一層可形成共同半導體層，其中至少第一OLED像素以及第二OLED像素之每一者包括陽極層，其中 第一OLED像素以及第二OLED像素的陽極層可選地由像素定義層隔開，而且其中至少第一OLED像素以及至少第二OLED像素包括共同陰極層以及至少一有機層堆疊，該至少一有機層堆疊包括複數個半導體層，而且該複數個半導體層包括至少二或更多共同半導體層，其中 有機層的共同半導體層被設置在共同陰極層以及陽極層之間，且其中 包括至少一第一共同半導體層的複數個共同半導體層包括至少一有機p型摻雜劑、以及至少一第二共同半導體層，其中 第一共同半導體層至少部分地被設置為與陽極層直接接觸，而且第二半導體層被設置於發射層（較佳地為共同發射層）以及第一共同半導體層（較佳地為電洞注入層）之間； 以及其中第一共同半導體層以及第二共同半導體層一起具有≥ 每平方50吉歐姆的片電阻。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中主動矩陣OLED顯示器包括複數個OLED像素，其中每一像素本身包括有機層堆疊，且該有機層堆疊的每一層可形成共同半導體層，其中至少第一OLED像素以及第二OLED像素之每一者包括陽極層，其中 第一OLED像素以及第二OLED像素的陽極層可選地由像素定義層隔開，而且其中至少第一OLED像素以及至少第二OLED像素包括共同陰極層以及至少一有機層堆疊，該至少一有機層堆疊包括複數個半導體層，而且該複數個半導體層包括至少二或更多共同半導體層，其中 有機層的共同半導體層被設置在共同陰極層以及陽極層之間，且其中 包括至少一第一共同半導體層的複數個共同半導體層包括至少一有機p型摻雜劑、以及至少一第二共同半導體層，其中 第一共同半導體層至少部分地被設置為與陽極層直接接觸，而且第二半導體層被設置於發射層（較佳地為共同發射層）以及第一共同半導體層（較佳地為電洞注入層）之間； 以及其中第一共同半導體層以及第二共同半導體層一起具有≥ 每平方50吉歐姆的片電阻，其中第一共同半導體層以及第二共同半導體層的片電阻是一起單獨測量的。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中主動矩陣OLED顯示器包括複數個OLED像素，其中每一像素本身包括有機層堆疊，且該有機層堆疊的每一層可形成共同半導體層，其中至少第一OLED像素以及第二OLED像素之每一者包括陽極層，其中 第一OLED像素以及第二OLED像素的陽極層可選地由像素定義層隔開，而且其中至少第一OLED像素以及至少第二OLED像素包括共同陰極層以及至少一有機層堆疊，該至少一有機層堆疊包括複數個半導體層，而且該複數個半導體層包括至少二或更多共同半導體層，其中 有機層的共同半導體層被設置在共同陰極層以及陽極層之間，且其中 包括至少一第一共同半導體層的複數個共同半導體層包括至少一有機p型摻雜劑、以及至少一第二共同半導體層，其中 第一共同半導體層至少部分地被設置為與陽極層直接接觸，而且第二半導體層被設置於發射層（較佳地為共同發射層）以及第一共同半導體層（較佳地為電洞注入層）之間； 以及其中第一共同半導體層以及第二共同半導體層一起具有≥ 每平方50吉歐姆的片電阻，其中第一共同半導體層以及第二共同半導體層的片電阻是一起單獨測量的，其中對於片電阻的測量，第二共同半導體層直接沉積於第一共同半導體層上，而且第一共同半導體層沉積於測量電極（較佳地，ITO電極）上。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中共同第一電洞注入層以及共同電洞傳輸層一起具有選自≥每平方100吉歐姆、≥每平方200吉歐姆、≥每平方300吉歐姆、≥每平方400吉歐姆、≥ 每平方500吉歐姆、≥每平方1000吉歐姆、≥每平方2500吉歐姆、≥每平方5000吉歐姆、≥每平方10000吉歐姆、≥每平方20000吉歐姆、≥每平方30000吉歐姆、≥每平方40000吉歐姆、或≥每平方50000吉歐姆的片電阻。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中共同第一電洞注入層以及共同電洞傳輸層一起具有選自≥ 每平方100吉歐姆、≥每平方200吉歐姆、≥每平方300吉歐姆、≥每平方400吉歐姆、≥每平方500吉歐姆、≥每平方1000吉歐姆、≥每平方2500吉歐姆、≥ 每平方5000吉歐姆、≥每平方10000吉歐姆、≥每平方20000吉歐姆、≥每平方30000吉歐姆、≥每平方40000吉歐姆、或≥ 每平方50000吉歐姆的片電阻，其中共同第一電洞注入層以及共同電洞傳輸層的片電阻是一起單獨測量的。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中共同第一電洞注入層以及共同電洞傳輸層一起具有選自≥每平方100吉歐姆、≥每平方200吉歐姆、≥每平方300吉歐姆、≥每平方400吉歐姆、≥每平方500吉歐姆、≥每平方1000吉歐姆、≥每平方2500吉歐姆、≥每平方5000吉歐姆、≥每平方10000吉歐姆、≥每平方20000吉歐姆、≥每平方30000吉歐姆、≥每平方40000吉歐姆、或≥每平方50000吉歐姆的片電阻，其中共同第一電洞注入層以及共同電洞傳輸層的片電阻是一起單獨測量的，其中對於片電阻的測量，共同電洞傳輸層直接沉積於共同第一電洞注入層上，而且共同第一電洞注入層沉積於測量電極（較佳地，ITO電極）上。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中共同有機層堆疊還包括共同電子傳輸層，較佳地共同電子傳輸層被設置於發射層以及共同陰極層之間。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中共同有機層堆疊還包括共同有機層，其選自包括共同電子注入層、共同電洞阻擋層及/或電子傳輸層的群組，較佳地共同電子注入層與共同陰極層直接接觸。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中像素定義層不帶正電及/或不是陽極或包括陽極材料，較佳地像素定義層包括Si基化合物、SiN、非帶正電的寡聚物及/或聚合物材料。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中第一共同半導體層（較佳地，共同第一電洞注入層）具有≥ 1 nm且≤100 nm、較佳地≥2 nm且≤50 nm、更佳地≥3 nm且≤40 nm、更佳地≥ 4 nm且≤ 30 nm、更佳地≥5 nm且≤ 20 nm、更佳地≥6 nm且≤15 nm、更佳地≥8 nm且≤10 nm的層厚度。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中第二共同半導體層（較佳地，共同電洞傳輸層）具有≥ 5 nm且≤ 250 nm、較佳地≥10 nm且≤240 nm、更佳地≥15 nm且≤230 nm、更佳地≥ 20 nm且≤ 220 nm、更佳地≥ 25 nm且≤ 210 nm、更佳地≥30 nm且≤200 nm、更佳地≥ 35 nm且≤190 nm、更佳地≥40 nm且≤180 nm、以及更佳地≥50 nm且≤150 nm的層厚度。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中第二共同半導體層（較佳地為 共同電洞傳輸層）包括具有其最高佔據分子軌域的能量的化合物，其以參考真空能階為零的絕對標度表示，在套裝程式TURBOMOLE V6.5中應用具有Gaussian 6–31G*基組的混合功能B3LYP計算出範圍為＜ 4.27 eV 至 ≥ 6.0 eV、＜ 4.3 eV 至 ≥ 5.5 eV、較佳地為＜- 4.5 eV至≥-5.4 eV、更佳地為＜-4.6 eV至≥ 5.3 eV。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中電子阻擋層包括具有其最高佔據分子軌域的能量的化合物，其以參考真空能階為零的絕對標度表示，使用在套裝程式TURBOMOLE V6.5中以具有Gaussian 6–31G*基組的混合功能B3LYP計算出範圍為＜ 4.7 eV 至 ≥ 6.0 eV、＜ 4.8 eV 至 ≥ 5.5 eV、較佳地為＜-4.9 eV 至 ≥- 5.4 eV、更佳地為＜-5.0 eV至≥ 5.3 eV。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中電子阻擋層具有≥1 nm且≤20 nm、較佳地≥ 2 nm且≤ 18 nm、更佳地≥ 3 nm且≤ 16 nm、更佳地≥4 nm且≤ 14 nm、更佳地≥5 nm且≤12 nm、更佳地≥ 6 nm且≤11 nm、更佳地≥7 nm且≤10 nm的層厚度。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中至少一陽極層包括第一陽極子層以及第二陽極子層，其中第一陽極子層包括具有在≥4且≤6eV範圍內的功函數的第一金屬，而且第二陽極子層包括透明導電氧化物；而且第二陽極子層被設置較靠近共同電洞注入層。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中主動矩陣OLED顯示器包括驅動電路，其被配置以分別地驅動複數個有機發光二極體像素的像素。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中第一共同半導體層由複數個OLED像素共用，及/或第二共同半導體層由複數個OLED像素共享，較佳地所有共同半導體層由複數個OLED像素共用。

根據主動矩陣OLED顯示器的另一實施例，其中每個個別像素可以具有其自有的陽極，其可以不接觸其他個別像素的陽極。 半導體層

根據一實施例，至少兩個共同半導體層包括有機半導體層，而且較佳地，至少兩個共同半導體層是非發射的。

在本說明書的上下文中，術語「本質上非發射」或「非發射」是指共同半導體層對於來自有機電子裝置（較佳地為OLED或顯示裝置）的可見光發射光譜的貢獻相對於可見光發射光譜為小於10%、較佳地小於5%。可見光發射光譜是波長約≥380nm至約≤780nm的發射光譜。

根據本發明的一實施例，至少一共同半導體層（較佳地，第一共同半導體層）可以被設置及/或提供為與陽極相鄰，其中陽極不被形成為共同層。

根據本發明的一實施例，至少一共同半導體層（較佳地，第一共同半導體層）與陽極直接接觸，其中陽極不被形成為共同層。每個個別的像素可能具有自有的陽極，其可能不會接觸到其他個別像素的陽極。

根據本發明的一實施例，其中至少兩個共同半導體層的至少第一共同半導體層是共同電洞注入層。

根據本發明的一實施例，其中為共同電洞注入層的至少第一共同半導體層可包括至少一有機p型摻雜劑。 基質化合物

根據一實施例，其中半導體層可包括至少一基質化合物，其中至少一基質化合物是非聚合化合物，較佳地，基質化合物是共價基質化合物或實質共價基質化合物。

較佳地，至少一共同半導體層包括共價基質化合物或實質共價基質化合物。

除了電洞注入材料之外，電洞注入層還可包括至少一基質共價基質化合物及/或至少一實質共價基質化合物。

共價基質化合物的較佳實例是有機化合物，主要由共價鍵結的共價結合C、H、O、N、S組成，其還可以可選地包括共價鍵結的B、P、As、Se。包括共價鍵碳-金屬的有機金屬化合物、包括有機配位子的金屬錯合物以及有機酸的金屬鹽是可作為有機共價基質化合物或實質共價基質化合物的有機化合物的其他實例。

在一實施例中，其中共價基質化合物或實質共價基質化合物缺乏金屬原子，而且其大部分骨架原子選自C、O、S、N。或者，共價基質化合物或實質共價基質化合物缺乏金屬原子，而且其大部分骨架原子選自C 和N。

根據一實施例，實質共價基質化合物可具有≥400且≤2000g/mol的分子量Mw，較佳地為≥ 450以及≤1500 g/mol的分子量Mw，更佳地為≥ 500以及≤1000 g/mol的分子量Mw，再更佳地為≥ 550以及≤ 900g/mol的分子量Mw，再更佳地為≥ 600以及≤800 g/mol的分子量Mw。

在一實施例中，其中共價基質化合物或實質共價基質化合物的HOMO能階可能比在相同條件下測定的N2,N2,N2’,N2’,N7,N7,N7’,N7’-八(4-甲氧苯基)-9,9’-螺二[茀]-2,2’,7,7’-四胺（CAS 207739-72-8）的HOMO能階更負。

在一實施例中，其中共價基質化合物或實質共價基質化合物的計算的HOMO能階可能比-4.27 eV更負，較佳地為比-4.3 eV更負，或者比-4.5 eV更負，或者比-4.6更負eV，或者比-4.65 eV 更負。

根據另一態樣，半導體層更包括具有一氧化電位的共價基質化合物或實質共價基質化合物，當藉由在二氯甲烷中對Fc/Fc+以循環伏安法測量時，該氧化電位比– 0.2 V更正且比1.22 V更負，較佳地比– 0.18 V更正且比1.12 V更負。在這些條件下，螺-MeO-TAD（CAS 207739-72-8）的氧化電位為 -0.07 V。

在一實施例中，其中共價基質化合物或實質共價基質化合物的HOMO能階可能比在相同條件下測定的N2,N2,N2’,N2’,N7,N7,N7’,N7’-八(4-甲氧苯基)-9,9’-螺二[茀]-2,2’,7,7’-四胺（CAS 207739-72-8）的HOMO能階更負、且比 N4,N4'''-二(萘-1-基)-N4,N4'''-聯苯-[1,1':4',1'':4'',1'''-四聯苯]-4,4'''-二胺的HOMO能階更正。

在一實施例中，其中共價基質化合物或實質共價基質化合物可以不含烷氧基。

在一實施例中，其中當使用TURBOMOLE V6.5（TURBOMOLE GmbH, Litzenhardtstrasse 19, 76135 Karlsruhe, Germany）計算時，藉由在氣相中應用具有6–31G*基組的混合功能 B3LYP，以參考真空能階為零的絕對標度表示的共價基質化合物或實質共價基質化合物的HOMO能階可以在＜ -4.27 eV且≥ -5.3 eV的範圍內選擇、或者在 ＜ -4.3 eV且≥ -5.3 eV的範圍內選擇、或者在＜ -4.5 eV且≥ -5.3 eV的範圍內選擇、或者在＜ -4.6 eV和≥ -5.3 eV的範圍內選擇。

在一實施例中，當使用TURBOMOLE V6.5（TURBOMOLE GmbH, Litzenhardtstrasse 19, 76135 Karlsruhe, Germany）計算時，藉由在氣相中應用具有6–31G*基組的混合功能 B3LYP，以參考真空能階為零的絕對標度表示的共價基質化合物或實質共價基質化合物的計算的HOMO能階可以在＜ -4.27 eV且＞ -4.84 eV的範圍內選擇、或者在＜ -4.3 eV且＞ -4.84 eV的範圍內選擇、或者在＜ -4.5 eV且＞ -4.84 eV的範圍內選擇、或者在＜ -4.5 eV且＞ -4.84 eV的範圍內選擇、或者在＜ -4.6 eV且＞ -4.84 eV的範圍內選擇。

在一實施例中，其中當使用TURBOMOLE V6.5（TURBOMOLE GmbH, Litzenhardtstrasse 19, 76135 Karlsruhe, Germany）計算時，藉由在氣相中應用具有6–31G*基組的混合功能 B3LYP，以參考真空能階為零的絕對標度表示的共價基質化合物或實質共價基質化合物的計算的HOMO能階可以在＜ -4.27 eV且＞ -4.8 eV的範圍內選擇、或者在＜ -4.3 eV且＞ -4.8 eV的範圍內選擇、或者在＜ -4.5 eV且＞ -4.8 eV的範圍內選擇、或者在＜ -4.5 eV且＞ -4.8 eV的範圍內選擇、或者在＜ -4.6 eV且＞ -4.8 eV的範圍內選擇、或者在＜ -4.65 eV且＞ -4.8 eV的範圍內選擇。

較佳地，共價基質化合物或實質共價基質化合物包括至少一芳胺化合物、或者二芳胺化合物、或者三芳胺化合物。根據有機電子裝置的一實施例，其中共同電洞注入層及/或共同電洞傳輸層可包括二芳胺化合物、或者三芳胺化合物。

根據有機電子裝置的一實施例，其中共同電洞注入層及/或共同電洞傳輸層可包括式（2）或式（3）的化合物：

（2）、

（3）， 其中 T ¹、T ²、T ³、T ⁴以及T ⁵是獨立地選自單鍵、伸苯基、伸聯苯、伸聯三苯或亞萘基(naphthenylene)，較佳地單鍵或伸苯基； T ⁶是選自取代的或未取代的伸苯基、伸聯苯、伸聯三苯或亞萘基，其中伸苯基上的取代基是選自C ₆至C ₁₈芳基、C ₃至C ₁₈雜芳基、苯基、聯苯、咔唑、苯基咔唑，較佳地聯苯或9-苯基咔唑； Ar ¹、Ar ²、Ar ³、Ar ⁴以及Ar ⁵是獨立地選自取代的或未取代的C ₆至C ₂₀芳基、或取代的或未取代的C ₃至C ₂₀伸雜芳基、取代的或未取代的伸聯苯、取代的或未取代的茀、取代的9-茀、取代的9,9-茀、取代的或未取代的萘、取代的或未取代的蒽、取代的或未取代的菲、取代的或未取代的芘、取代的或未取代的苝、取代的或未取代的伸聯三苯、取代的或未取代的稠四苯、取代的或未取代的四芬、取代的或未取代的二苯并呋喃、取代的或未取代的二苯并噻吩、取代的或未取代的二苯并哌喃、取代的或未取代的咔唑、取代的9-苯基咔唑、取代的或未取代的氮呯、取代的或未取代的二苯并[b,f]氮呯、取代的或未取代的9,9'-螺二[茀] 、取代的或未取代的9,9'-螺二[茀]（具有至少一稠合芳香環）、取代的或未取代的螺[茀-9,9'-二苯并哌喃]、取代的或未取代的芳香稠合環系統（包括兩個芳香6元環以及兩個芳香5元環，其中至少一5元環包括雜原子）、取代的或未取代的芳香稠合環系統（包括兩個芳香6元環以及兩個芳香5元環，其中至少一5元環包括氧原子）、或取代的或未取代的芳香稠合環系統（包括至少三個取代的或未取代的芳香環，選自包括以下者的群組：取代的或未取代的非雜5元環、取代的或未取代的雜5元環、取代的或未取代的6元環及/或取代的或未取代的7元環）、取代的或未取代的茀、取代的或未取代的茀（具有環化的取代的或未取代的雜環系統或非雜環系統，其包括2至6個取代的或未取代的5、6或7元環）、或是包括2至6 個取代的或未取代的5至7元環的稠合環系統，而且這些環是選自包括以下者的群組：（i）不飽和5至7元環的雜環，（ii）5至6元環的芳香雜環，（iii）不飽和5至7元環的非雜環，（iv）6元環的芳香非雜環）； 其中Ar ¹、Ar ²、Ar ³、Ar ⁴以及 Ar ⁵的取代基是從包括以下者的群組中選擇為相同或不同：H、D、F、C(=O)R ²、CN、Si(R ²) ₃、P(=O)(R ²) ₂、OR ²、S(=O)R ²、S(=O) ₂R ²、具有1至20個碳原子的取代的或未取代的直鏈烷基、具有1至20個碳原子的取代的或未取代的支鏈烷基、具有3至20個碳原子的取代的或未取代的環烷基、具有 2至20個碳原子的取代的或未取代的烯基或炔基基團、具有1至20個碳原子的取代的或未取代的烷氧基基團、具有6至40個芳香環原子的取代的或未取代的芳香環系統、以及具有5至40個芳香環原子的取代的或未取代的芳香雜環系統、未取代的C ₆至C ₁₈芳基、未取代的C ₃至C ₁₈雜芳基、稠合環系統（包括2至 6 個未取代的5至7元環，而且這些環是選自包括以下者的群組：不飽和的5至7元環的雜環、5至6元環的芳香雜環、不飽和的5至7元環的非雜環、以及6元環的芳香非雜環）， 其中R ²是選自H、D、具有1至6個碳原子的直鏈烷基、具有1至6個碳原子的支鏈烷基、具有3至6個碳原子的環烷基、具有2至6個碳原子的烯基或炔基基團、C ₆至C ₁₈芳基、或C ₃至C ₁₈雜芳基。

較佳地，如果沒有另外定義，Ar ¹、Ar ²、Ar ³、Ar ⁴以及Ar ⁵的取代基是從包括以下者的群組中選擇為相同或不同：H、具有1至6個碳原子的直鏈烷基、具有1至6個碳原子的支鏈烷基、具有3至6個碳原子的環烷基、具有2至6個碳原子的烯基或炔基基團、具有1至6個碳原子的烷氧基基團、C ₆至C ₁₈芳基、C ₃至C ₁₈雜芳基、稠合環系統（包括2至4個未取代的5至7元環，而且這些環是選自包括以下者的群組：不飽和的5至7元環的雜環、5至6元環的芳香雜環、不飽和的5至7元環的非雜環、以及6元環的芳香非雜環）；更佳地，取代基是從包括以下者的群組中選擇為相同或不同：H、具有1至4個碳原子的直鏈烷基、具有1至4個碳原子的支鏈烷基、具有3至4個碳原子的環烷基及/或苯基。

因此，式（2）或（3）的化合物可以具有適合大量生產的速率起始溫度。

根據有機電子裝置的一實施例，其中共價基質化合物或實質共價基質化合物（較佳地為共同電洞注入層或共同電洞傳輸層的基質化合物）可包括式（2）或式（3）化合物：

（2）、

（3）， 其中 T ¹、T ²、T ³、T ⁴以及T ⁵可獨立地選自單鍵、伸苯基、伸聯苯、伸聯三苯或亞萘基，較佳地為單鍵或伸苯基； T ⁶是伸苯基、伸聯苯、伸聯三苯或亞萘基； Ar ¹、Ar ²、Ar ³、Ar ⁴以及Ar ⁵可獨立地選自未取代的C ₆至C ₂₀芳基、或未取代的C ₃至C ₂₀伸雜芳基、未取代的伸聯苯、未取代的茀、取代的9-茀、取代的9,9-茀、未取代的萘、未取代的蒽、未取代的菲、未取代的芘、未取代的苝、未取代的伸聯三苯、未取代的稠四苯、未取代的四芬、未取代的二苯并呋喃、未取代的二苯并噻吩、未取代的二苯并哌喃、未取代的咔唑、取代的9-苯基咔唑、未取代的氮呯、未取代的二苯并[b，f]氮呯、未取代的9,9'-螺二[茀] 、未取代的螺[茀-9,9'-二苯并哌喃]、或未取代的芳香稠合環系統（包括至少三個未取代的芳香環，其選自包括以下者的群組：未取代的非雜5元環、未取代的雜5元環、未取代的6元環及/或未取代的7元環）、未取代的茀、或稠合環系統（包括2至6個未取代的5至7元環，而且這些環是選自包括以下者的群組：（i）不飽和的5至7元環的雜環，（ii）5至6元的芳香雜環，（iii）不飽和的5至7元環的非雜環，以及（iv）6元環的芳香非雜環）。

根據有機電子裝置的一實施例，其中共價基質化合物或實質共價基質化合物（較佳地為共同電洞注入層或共同電洞傳輸層的共價基質化合物或實質共價基質化合物）可包括式（2）或式（3）化合物：

（2）、

（3）， 其中 T ¹、T ²、T ³、T ⁴以及T ⁵可獨立地選自單鍵、伸苯基、伸聯苯、伸聯三苯或亞萘基，較佳地選自單鍵或伸苯基； T ⁶是伸苯基、伸聯苯、伸聯三苯或亞萘基； Ar ¹、Ar ²、Ar ³、Ar ⁴以及Ar ⁵可獨立地選自未取代的C ₆至C ₂₀芳基、或未取代的C ₃至C ₂₀伸雜芳基、未取代的伸聯苯、未取代的茀、取代的9-茀、取代的9,9-茀、未取代的萘、未取代的蒽、未取代的菲、未取代的芘、未取代的苝、未取代的伸聯三苯、未取代的稠四苯、未取代的四芬、未取代的二苯并呋喃、未取代的二苯并噻吩、未取代的二苯并哌喃、未取代的咔唑、取代的9-苯基咔唑、未取代的氮呯、未取代的二苯并[b,f]氮呯、未取代的9,9'-螺二[茀]、未取代的螺[茀-9,9'-二苯并哌喃]。

因此，式（2）或（3）的化合物可以具有適合大量生產的速率起始溫度。

根據一實施例，其中T ¹、T ²、T ³、T ⁴以及T ⁵可獨立地選自單鍵、伸苯基、伸聯苯或伸聯三苯。根據一實施例，其中T ¹、T ²、T ³、T ⁴以及T ⁵可獨立地選自伸苯基、伸聯苯或伸聯三苯，而且T ¹、T ²、T ³、T ⁴以及T ⁵之一者是單鍵。根據一實施例，其中T ¹、T ²、T ³、T ⁴以及T ⁵可獨立地選自伸苯基或伸聯苯，而且T ¹、T ²、T ³、T ⁴以及T ⁵之一者是單鍵。根據一實施例，其中T ¹、T ²、T ³、T ⁴以及T ⁵可獨立地選自伸苯基或伸聯苯，而且T ¹、T ²、T ³、T ⁴以及T ⁵之二者是單鍵。

根據一實施例，其中T ¹、T ²、T ³、T ⁴以及T ⁵、或T ¹、T ²以及T ³可獨立地選自伸苯基，而且T ¹、T ²、T ³、T ⁴以及T ⁵之一者、或T ¹、T ²以及T ³之一者是單鍵。根據一實施例，其中T ¹、T ²、T ³、T ⁴以及T ⁵、或T ¹、T ²以及T ³可獨立地選自伸苯基，而且T ¹、T ²、T ³、T ⁴以及T ⁵之二者、或T ¹、T ²以及T ³之二者是單鍵。

根據一實施例，其中T ⁶可為伸苯基、伸聯苯、伸聯三苯。根據一實施例，其中 T ⁶可為伸苯基。根據一實施例，其中T ⁶可為伸聯苯。根據一實施例，其中 T ⁶可為伸聯三苯。

根據一實施例，其中Ar ¹、Ar ²、Ar ³、Ar ⁴以及Ar ⁵可獨立地選自 D1至D16：

其中星號「*」表示鍵結位置。

根據一實施例，其中Ar ¹、Ar ²、Ar ³、Ar ⁴以及Ar ⁵可獨立地選自 D1至D15；可替代地，選自D1至D10以及D13至D15。

根據一實施例，其中Ar ¹、Ar ²、Ar ³、Ar ⁴以及Ar ⁵可獨立地選自由以下者所組成的群組：D1、D2、D5、D7、D9、D10、D13至D16。

當Ar ¹、Ar ²、Ar ³、Ar ⁴以及Ar ⁵在適合大量生產的範圍內選擇時，速率起始溫度可以在此範圍內。

「式（2）或式（3）的共價基質化合物 」可用於共同電洞注入層及/或可用來作為共同電洞傳輸化合物的基質化合物。

根據一實施例，式（2）或式（3）的共價基質化合物可包括至少≥1至≤ 6個包括芳香雜環的取代的或未取代的芳香稠合環系統。

根據一實施例，式（2）或式（3）的共價基質化合物可包括至少≥1至≤ 6個包括芳香雜環的取代的或未取代的芳香稠合環系統、以及雜環的至少≥1至≤ 3個取代的或未取代的不飽和5至7元環的雜環，較佳地包括≥2至≤5個包括芳香雜環的取代的或未取代的芳香稠合環系統。

根據一實施例，式（2）或式（3）的共價基質化合物可包括至少≥1至≤ 6個包括芳香雜環的取代的或未取代的芳香稠合環系統、以及至少≥1至≤ 3個取代的或未取代的不飽和5至7元環的雜環，較佳地包括≥2至≤5個包括芳香雜環的取代的或未取代的芳香稠合環系統、以及至少≥1至≤3個取代的或未取代的不飽和5至7元環的雜環，更佳地包括3或4個包括芳香雜環的取代的或未取代的芳香稠合環系統、以及可選的雜環的至少≥1至≤3個取代的或未取代的不飽和5至7元環的雜環，而且進一步較佳地，其中包括芳香雜環的芳香稠合環系統是未取代的，且可選的至少≥1至≤3個未取代的不飽和5至7元環的雜環。

根據一實施例，式（2）或式（3）的共價基質化合物可包括至少≥1至≤6個取代的或未取代的芳香稠合環系統，較佳地為≥2至≤5個取代的或未取代的芳香稠合環系統，而且更佳地為3或4個取代的或未取代的芳香稠合環系統。

根據一實施例，式（2）或式（3）的共價基質化合物可包括至少≥1至≤6個取代的或未取代的芳香稠合環系統，較佳地≥2至≤5個取代的或未取代的芳香稠合環系統，而且更佳地3或4個取代的或未取代的芳香稠合環系統，其包括取代的或未取代的雜芳香環。

根據一實施例，式（2）或式（3）的共價基質化合物可包括至少≥1至≤3或2個取代的或未取代的不飽和5至7元環的雜環。

根據一實施例，式（2）或式（3）的共價基質化合物可包括至少≥1至≤3或2個取代的或未取代的不飽和7元環的雜環。

根據一實施例，式（2）或式（3）的共價基質化合物或實質共價基質化合物的取代的或未取代的芳香稠合環系統可包括至少≥1至≤3或2個取代的或未取代的不飽和5至7元環的雜環。

根據一實施例，式（2）或式（3）的共價基質化合物或實質共價基質化合物的取代的或未取代的芳香稠合環系統可包括至少≥1至≤3或2個取代的或未取代的不飽和7元環的雜環。

根據一實施方式，式（2）或式（3）的共價基質化合物可包括至少 ≥ 1至 ≤ 6個取代的或未取代的芳香稠合環系統、較佳地 ≥ 2至 ≤ 5個取代的或未取代的芳香稠合環系統、以及更佳地3至4個取代的或未取代的芳香稠合環系統，以及其中該芳香稠合環系統包括取代的或未取代的不飽和5至7元環的雜環。

根據一實施例，式（2）或式（3）的共價基質化合物可包括至少≥1至≤6個取代的或未取代的芳香稠合環系統，較佳地≥2至≤5個取代的或未取代的芳香稠合環系統，而且更佳地3或4個取代的或未取代的芳香稠合環系統，該芳香稠合環系統包括取代的或未取代的雜芳香環，而且其中芳香稠合環系統包括取代的或未取代的不飽和5至7元環的雜環。

根據一實施例，式（2）或式（3）的共價基質化合物可包括至少≥1至≤6個取代的或未取代的芳香稠合環系統，較佳地≥2至≤5個取代的或未取代的芳香稠合環系統，而且更佳地3或4個取代的或未取代的芳香稠合環系統，而且其中芳香稠合環系統包括至少≥1至≤3或2個取代的或未取代的不飽和5至7元環的雜環。

根據一實施例，式（2）或式（3）的共價基質化合物可包括至少 ≥1至≤6個取代的或未取代的芳香稠合環系統，較佳地≥2至≤5個取代的或未取代的芳香稠合環系統，而且更佳地3或4個取代的或未取代的芳香稠合環系統，其包括取代的或未取代的芳香雜環，而且其中芳香稠合環系統包括至少≥1至≤3或2個取代的或未取代的不飽和5至7元環的雜環。

根據一實施例，式（2）或式（3）的共價基質化合物可包括： - 取代的或未取代的芳香稠合環系統，具有至少≥2至≤6（較佳地≥3至≤5）、或4個稠合芳香環，其選自包括以下者的群組：取代的或未取代的芳香非雜環、取代的或未取代的雜5元環、取代的或未取代的6元環及/或雜環的取代的或未取代的不飽和5至7元環；或 - 未取代的芳香稠合環系統，具有至少≥2至≤6、較佳地≥3至≤5、或4個稠合芳香環，其選自包括以下者的群組：未取代的芳香非雜環、未取代的雜5元環、未取代的6元環及/或未取代的不飽和5至7元環的雜環。

在此應注意，術語「芳香稠合環系統」可包括至少一芳香環以及至少一取代的或未取代的不飽和5至7元環。在此應注意，取代的或未取代的不飽和5至7元環可以不是芳香環。

根據一實施例，式（2）或式（3）的共價基質化合物可包括至少≥1至≤6、較佳地≥2至≤5、或更佳地3或4個取代的或未取代的芳香稠合環系統，其具有： - 至少一不飽和5元環，及/或 - 至少一不飽和6元環，及/或 - 至少一不飽和7元環；其中，較佳地至少一不飽和5元環及/或至少一不飽和7元環包括至少1至3個（較佳地1個）雜原子。

根據一實施例，式（2）或式（3）的共價基質化合物可包括至少≥1至≤6、較佳地≥2至≤5、或更佳地3或4個取代的或未取代的芳香稠合環系統，其具有： - 至少一芳香5元環，及/或 - 至少一芳香6元環，及/或 - 至少一芳香7元環；其中，較佳地至少一芳香5元環及/或至少一芳香7元環包括至少1至3（較佳地1）個雜原子； 其中取代的或未取代的芳香稠合環系統包括至少≥1至≤3或2個取代的或未取代的不飽和5至7元環的雜環。

根據一實施例，式（2）或式（3）的共價基質化合物可包括： - 至少≥6至≤12、較佳地≥7至≤11、更佳地≥8至≤10或9個芳香環；及/或 - 至少≥4至≤11、較佳地≥5至≤10、更佳地≥6至≤9、或再更佳地7或8個芳香非雜環，較佳地芳香非雜環是芳香C ₆環；及/或 - 至少≥1至≤4、較佳地2或3個芳香5元環、較佳地雜芳香5元環；及/或 - 至少1或2個不飽和5至7元環的雜環、較佳地至少1或2個不飽和7元環的雜環； - 至少≥6至≤12、較佳地≥7至≤11、更佳地≥8至≤10或9個芳香環，其中由此 至少≥4至≤11、較佳地≥5至≤10、更佳地≥6至≤9、或再更佳地7或8個芳香環是芳香非雜環，以及 至少≥1至≤4、較佳地2或3個芳香環是芳香雜環，其中芳香非雜環以及芳香雜環的總數不超過12個芳香環；及/或 - 至少≥6至≤12、較佳地≥7至≤11、更佳地≥8至≤10或9個芳香環，其中由此 至少≥ 4至≤11、較佳地≥5至≤10、更佳地≥6至≤9、或再更佳地7或8個芳香環是芳香非雜環，以及 至少≥1至≤4、較佳地2或3個芳香環是芳香雜環，其中芳香非雜環以及芳香雜環的總數不超過12個芳香環；以及 根據式（1）的共同電洞注入層或共同電洞傳輸層包括至少≥1至≤4、較佳地2或3個芳香5元環、較佳地雜芳香5元環，及/或 根據式（1）的化合物包括至少1或2個不飽和5至7元環的雜環、較佳地至少1或2個不飽和7元環的的雜環。

根據一實施例，式（2）或式（3）的共價基質化合物可包括雜原子，其可以選自包括以下者的群組：O、S、N、B或P，較佳地，雜原子可選自包括以下者的群組：O、S或N。

根據一實施例，式（2）或式（3）的共價基質化合物可包括至少≥1至≤6、較佳地≥2至≤ 5、或更佳地3或4個取代的或未取代的芳香稠合環系統，其具有： - 至少一芳香5元環，及/或 - 至少一芳香6元環，及/或 - 至少一芳香7元環；其中較佳地至少一芳香5元環及/或至少一芳香7元環包括至少1至3、較佳地1個雜原子； 其中取代的或未取代的芳香稠合環系統可選地包括至少≥1至≤3或2個取代的或未取代的不飽和5至7元環的雜環；而且其中取代的或未取代的芳香稠合環系統包括雜原子，其可以選自包括以下者的群組：O、S、N、B、P或Si，較佳地，雜原子可以選自包括以下者的群組：O、S或N。

根據一實施例，式（2）或式（3）的基質共價化合物可以不含不是芳香環的一部分及/或不飽和7元環的一部分的雜原子，較佳地，根據式（1）的化合物可以不含N原子，除了是芳香環的一部分或不飽和7元環的一部分的N原子。

根據一實施例，其中根據式（1）的共價基質化合物包括至少一萘基基團、咔唑基團、二苯并呋喃基團、二苯并噻吩基團及/或取代的茀基基團，其中取代基是獨立地選自甲基、苯基或茀基。

根據電子裝置的一個實施例，其中共價基質化合物或實質共價基質化合物是選自F1至F21：

基質化合物可適用於選自F22至F25的電子阻擋層：

(F22)、

(F23)、

(F24)、

(F25)。

電洞注入層的共價基質化合物可以不含HTM014、HTM081、HTM163、HTM222、EL-301、HTM226、HTM355、HTM133、HTM334、HTM604以及EL-22T。縮寫表示製造商的名稱，例如Merck或Lumtec。

根據進一步較佳的實施例，共價基質化合物或實質共價基質化合物具有如表1中所示的式（T-1）至（T-6）。 表1

名稱	化學式	計算的HOMO（eV）
N,N'-雙-(3-甲基苯基)-N,N'-雙-(苯基)-聯苯胺 （T-1）		-4.69
聯苯-4-基(9,9-二苯基-9H-茀-2-基)-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-胺 （T-2）		-4.69
N,N'-雙(萘-1-基)-N,N'-雙(苯基)-聯苯胺 （T-3）		-4.72
N4,N4,N4',N4'-四(聯苯-4-基)聯苯-4,4'-二胺 （T-4）		-4.73
N4,N4''-二(萘-1-基)-N4,N4''-二苯基-[1,1':4',1''-三聯苯]-4,4''-二胺 （T-5）		-4.81
9,9-二甲基-N,N-雙(4-(萘-1-基)苯基)-9H-茀-2-胺 （T-6）		-4.84

根據另一態樣，至少第一共同半導體層（較佳地為共同HIL）以及/或共同第二半導體層（較佳地HTL）可包括共價基質化合物或實質共價基質化合物、而且可包括至少約 ≥ 0.1 wt.-%至約 ≤ 50 wt.-%、較佳地約≥ 1 wt.-%至約≤ 25 wt.-%、以及更佳地約≥ 2 wt.-%至約≤ 15 wt.-%的共價基質化合物或實質共價基質化合物，較佳地為式（2）或式（3）的的共價基質化合物或實質共價基質化合物。

根據一實施例，其中共同半導體層被設置於陽極層以及發光層之間，較佳地共同半導體層是共同電洞注入層，或者共同半導體層是共同電洞注入層以及共同電洞傳輸層。 另外的層

根據本發明，除了以上已經提到的層之外，有機發光二極體可包括另外的層或共同層。各個層或共同層的示範性實施例描述如下： 基板

基板可以是任何常用於製造電子裝置（較佳地為有機發光二極體）的基板。如果光經由基板發射，則基板應為透明或半透明材料，例如玻璃基板或透明塑膠基板。如果光是經由頂表面發出的，則基板可以是透明材料也可以是非透明材料，例如玻璃基板、塑膠基板、金屬基板、或矽基板。 陽極電極

每個個別像素可能有其自有的陽極，其可能不會接觸至其他個別像素的陽極。

陽極電極也稱為陽極層，其可以由沉積或濺鍍用於形成陽極電極的材料來形成。陽極或陽極層並不形成為共同陽極層。用於形成陽極電極的材料可為高功函數材料，以便於電洞注入。陽極材料也可以選自低功函數材料（即鋁）。陽極電極可以是透明或反射電極。透明導電氧化物（較佳地為氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅（IZO）、二氧化錫（SnO ₂）、氧化鋁鋅（AlZO）、以及氧化鋅（ZnO））可用於形成陽極電極。陽極電極也可以使用金屬（通常是銀（Ag）、金（Au）、或金屬合金）而形成。

根據一實施例，其中陽極層可包括第一陽極子層、第二陽極子層及可選地第三陽極子層，第一陽極子層包括Ag或Au或由Ag或Au組成，第二陽極子層包括ITO或IZO或由ITO或IZO組成，以及第三陽極子層包括或由ITO 或 IZO組成。較佳地，第一陽極子層可包括Ag或由Ag組成， 第二陽極子層可包括ITO或由ITO組成，而且第三陽極子層可包括ITO或由ITO組成。較佳地，第二和第三陽極子層中的透明導電氧化物可以被選擇相同。

根據一實施例，其中陽極層可包括第一陽極子層、第二陽極子層及第三陽極子層，第一陽極子層包括Ag或Au且具有100至150nm的厚度，第二陽極子層包括ITO或IZO且具有3至20nm的厚度，以及第三陽極子層包括ITO或IZO且具有3至20nm的厚度。 陽極子層

陽極層可包括第一陽極子層以及第二陽極子層，其中第一陽極子層包括功函數在≥4且≤6eV範圍內的第一金屬，而且第二陽極子層包括透明導電氧化物（TCO）。

每個個別的像素可能有其自己的陽極，該陽極可不接觸其他個別像素的陽極。陽極子層不被形成為共同層。

根據一實施例，陽極層包括第一陽極子層以及第二陽極子層、以及可選的第三陽極子層，其中第一陽極子層包括具有在≥4且≤6eV範圍內的功函數的第一金屬，以及第二陽極子層包括透明導電氧化物（TCO）；其中電洞注入層被設置於第一發光層以及陽極層之間，第一陽極子層被設置為較靠近基板，而且第二陽極子層被設置為較靠近共同電洞注入層。 第一陽極子層

根據一實施例，其中第一陽極子層的第一金屬可具有在≥4.2且≤6eV範圍內的功函數。第一金屬可以選自金屬或金屬合金。

根據一實施例，其中第一陽極子層的第一金屬可以選自包括以下者的群組：Ag、Mg、Al、Cr、Pt、Au、Pd、Ni、Nd、Ir，較佳地選自Ag、Au或Al，以及更佳地選自Ag。

第一陽極子層可具有在5至200nm、或者8至180nm、或8至150nm、或者100至150nm範圍內的厚度。

可藉由真空熱蒸鍍沉積第一金屬來形成第一陽極子層。

應當理解，第一陽極層不是基板的一部分。 第二陽極子層

根據一實施例，其中透明導電氧化物可選自包括以下者的群組：氧化銦錫（ITO）或氧化銦鋅（IZO），較佳地為氧化銦錫（ITO），更佳地為 ITO或IZO。

第一陽極子層可具有在3至200nm、或者3至180nm、或者3至150nm、或者3至20nm範圍內的厚度。

第二陽極子層可藉由透明導電氧化物的濺鍍而形成。 第三陽極子層

根據一實施例，有機發光二極體的陽極層可包括第一陽極子層、第二陽極子層以及第三陽極子層的至少三個陽極子層。根據一實施例，除了第一以及第二陽極子層之外，有機發光二極體的陽極層可以包括第三陽極子層，其中第三陽極子層包括透明導電氧化物，其中第三陽極子層可以設置在基板和第一陽極子層之間。

第三陽極子層可以具有在3至200nm、或者3至180nm、或者3至150nm、或者3至20nm範圍內的厚度。

第三陽極子層可以藉由透明導電氧化物的濺鍍形成 。

應當理解，第三陽極子層不是基板的一部分。 電洞注入層

共同電洞注入層（HIL）（也稱為第一共同電洞注入層（HIL））可以為OLED顯示器中複數個OLED像素而形成。在一實施例中，共同HIL可以在OLED顯示器中的複數個像素中的所有像素上延伸或者在複數個像素中的至少兩個像素上延伸。

每個個別像素可能有其自有的陽極，該陽極可能不會接觸至其他個別像素的陽極。

此外，主動OLED顯示器具有驅動電路，其配置以分別地驅動提供於OLED顯示器的複數個像素的個別像素。在一實施例中，分別地驅動的步驟可包括施加至個別像素的驅動電流的分別的控制。

共同HIL可包括有機p型摻雜劑或由有機p型摻雜劑製成，其中有機p型摻雜劑可另外包括有機化合物的基質化合物。根據一實施例，電洞注入層包括有機p型摻雜劑以及可選的基質化合物，該基質化合物是選自有機化合物及/或金屬化合物。

根據另一實施例，電洞注入層另外包括可以是有機化合物的基質化合物。

應當理解，HIL材料由一或多種HIL化合物組成，而術語電洞注入材料是本申請案通篇使用於所有半導體材料的更廣泛的術語，半導體材料包括至少一種電洞注入材料化合物。電洞注入基質材料可以由一或多種有機化合物組成。

當使用TURBOMOLE V6.5（TURBOMOLE GmbH, Litzenhardtstrasse 19, 76135 Karlsruhe, Germany）計算時，藉由在氣相中應用具有6–31G*基組的混合功能 B3LYP，以參考真空能階為零的絕對標度表示的共價基質化合物或實質共價基質化合物的計算的HOMO能階可選自≤ -3.5 eV、≤ -3.6 eV、≤ -3.7 eV、≤ -3.8 eV、≤ -3.9 eV、 ≤ -4.0 eV、 ≤ -4.5 eV、≤ -4.6 eV、≤ -4.7 eV、≤ -4.8 eV、≤ -4.85 eV、以及≤ -4.9 eV。

共同電洞注入層的厚度可為≥ 1 nm且≤ 100 nm、較佳地為≥ 2 nm且≤ 50 nm、更佳地為≥ 3 nm且≤ 40 nm、更佳地為≥ 4 nm且≤ 30 nm、更佳地為≥ 5 nm且≤ 20 nm、更佳地為≥ 6 nm且≤ 15 nm、更佳地為≥ 8 nm且≤ 10 nm。

HIL可以被形成為複數個像素或至少兩個像素的共同HIL。共同HIL可以在OLED顯示器中的複數個像素中的所有像素上延伸或者在複數個像素中的至少兩個像素上延伸。

電洞注入層（HIL）可以例如藉由真空沉積、旋轉塗佈、印刷、澆鑄、狹縫式塗佈、朗繆-布洛傑特（（Langmuir-Blodgett，LB）沉積或類似者而被形成為陽極電極上的共同電洞注入層（HIL），其中陽極電極不被形成為共同陽極電極層。當使用真空沉積形成HIL時，沉積條件可根據用於形成HIL的化合物以及共同HIL的所需結構與熱特性而變化。然而，一般而言，真空沉積的條件可包括100°C至500°C的沉積溫度、10 ^-8至10 ^-3Torr（1 Torr等於133.322 Pa）的壓力、以及0.1至10 nm/sec的沉積速率。

當使用旋轉塗佈或印刷形成共同HIL時，塗佈條件可根據用於形成共同HIL的化合物以及HIL的所需結構與熱特性而變化。例如，塗佈條件可包括約2000rpm至約5000rpm的塗佈速度、以及約80° C至約200° C的熱處理溫度。在進行塗佈之後，以熱處理除去溶劑。

可用於形成共同HIL的化合物的實例包括酞菁化合物（較佳地為酞菁銅（CuPc））、4,4',4"-三(3-甲基苯基苯基胺基)三苯胺（m-MTDATA）、TDATA、2T-NATA、聚苯胺/十二烷基苯磺酸（Pani/DBSA）、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸鹽)（PEDOT/PSS）、聚苯胺/樟腦磺酸（Pani/CSA）、以及聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸鹽)（PANI/PSS）。

共同HIL包括p型摻雜劑或由p型摻雜劑組成，而且p型摻雜劑可以選自四氟四氰基醌二甲烷（F4TCNQ）、2,2'-(全氟萘-2,6-二亞甲基)二丙二腈或2,2',2 ''-(環丙烷-1,2,3-三亞甲基)三(2-(對氰基四氟苯基)乙腈)，但不限於此。共同HIL可以選自摻雜有p型摻雜劑的電洞傳輸共價基質化合物。已知的摻雜的電洞傳輸材料的典型實例為：酞菁銅（CuPc）（摻雜有四氟四氰基醌二甲烷（F4TCNQ）），其LUMO能階約為-5.2 eV；摻雜有F4TCNQ的酞菁鋅（ZnPc）（HOMO = -5.2 eV）；摻雜有F4TCNQ的α-NPD(N,N'-雙(萘-1-基)-N,N'-雙(苯基)-聯苯胺)；摻雜有2,2'-(全氟萘-2,6-二亞甲基)二丙二腈的α-NPD。p型摻雜劑濃度可選自1至20wt.-％，較佳地為3wt.-％至10wt.-％。

根據有機電子裝置的一實施例，其中共同電洞注入層可包括第一共同電洞注入子層以及第二共同電洞注入子層，第一共同電洞注入子層包括有機p型摻雜劑以及可選的金屬化合物，第二共同電洞注入子層包括共價基質化合物或實質共價基質化合物。

根據有機電子裝置的另一實施例，其中共同電洞注入層可包括共同第一電洞注入子層以及共同第二電洞注入子層，共同第一電洞注入子層包括有機p型摻雜劑以及可選的金屬化合物，共同第二電洞注入子層包括共價基質化合物或實質共價基質化合物，其中共同第一電洞注入子層被設置為更靠近包括第一陽極子層以及第二陽極子層的陽極層，而且第二共同電洞注入子層被設置為更靠近至少一發光層。

根據有機電子裝置的一實施例，其中共同電洞注入層可包括第一共同電洞注入子層以及第二共同電洞注入子層，第一共同電洞注入子層包括有機p型摻雜劑以及可選的金屬化合物，第二共同電洞注入子層包括共價基質化合物，共價基質化合物包括至少一芳胺化合物、二芳胺化合物、三芳胺化合物，其中第一共同電洞注入子層被設置為更靠近陽極層，而且第二共同電洞注入子層被設置為更靠近至少一發光層。

根據一實施例，電洞注入層材料可以選自式H1至H12的化合物：

（H1）、

（H2）、

（H3）、

（H4）、

（H5）、

（H6）、

（H7）、

（H8）、

（H9）、

（H10）、

（H11）、

（H12）。 電洞傳輸層（HTL）

HTL可以被形成為複數個像素或至少兩個像素的共同HTL。共同HTL可以在OLED顯示器中的複數個像素中的所有像素上延伸或者在複數個像素中的至少兩個像素上延伸。

電洞傳輸層（HTL）可藉由真空沉積、旋轉塗佈、狹縫式塗佈、印刷、澆鑄、朗繆-布洛傑特沉積或類似者形成在共同HIL上。

電洞傳輸層可以被形成為共同電洞傳輸層。

當電洞傳輸層（HTL）或共同電洞傳輸層（HTL）藉由真空沉積或旋轉塗佈形成時，沉積及塗佈條件可與用於形成HIL的條件相似。然而，根據用於形成電洞傳輸層（HTL）或共同電洞傳輸層（HTL）的化合物，用於真空或溶液沉積的條件可能會改變。

在一實施例中，其中有機發光二極體更包括電洞傳輸層（HTL）或共同電洞傳輸層（HTL），其中電洞傳輸層（HTL）或共同電洞傳輸層（HTL）被設置於共同電洞注入層以及至少一發射層之間。

在一實施例中，其中電洞傳輸層（HTL）或共同電洞傳輸層（HTL）包括共價基質化合物或實質共價基質化合物。

在一實施例中，其中至少一共同電洞注入層以及電洞傳輸層（HTL）或共同電洞傳輸層（HTL）包括共價基質化合物或實質共價基質化合物，其中共價基質化合物或實質共價基質化合物在兩層中被選擇為相同。

HTL的厚度可以在約5 nm至約250 nm的範圍內、較佳地約10 nm至約200 nm的範圍內、更佳地約20 nm至約190 nm的範圍內、更佳地約40 nm至約180 nm的範圍內、更佳地約60 nm至約170 nm的範圍內、更佳地約80 nm至約160 nm的範圍內、更佳地約100 nm至約160 nm的範圍內、更佳地約120 nm至約140 nm的範圍內。

當HTL 的厚度在此範圍內時，HTL可具有優異的電洞傳輸特性，而沒有驅動電壓的實質損失。

可以針對OLED顯示器中複數個OLED像素形成共同電洞傳輸層（HTL）。在一實施例中，共同HIL可以在OLED顯示器中的複數個像素中的所有像素上延伸或者在複數個像素中的至少兩個像素上延伸。類似地，陰極可以被形成為針對複數個像素或至少兩個像素的共同陰極。共同陰極可以在OLED顯示器中的複數個像素中的所有像素上延伸或者在複數個像素中的至少兩個像素上延伸。每個個別像素可能有其自有的陽極，該陽極可能不會接觸至其他個別像素的陽極。此外，主動OLED顯示器具有驅動電路，驅動電路被配置以分別地驅動提供於OLED顯示器的複數個像素的個別像素。在一實施例中，分別地驅動的步驟可包括施加至個別像素的驅動電流的分別控制。

共同HTL可以由摻雜有電洞注入材料的電洞傳輸基質（HTM）材料製成。電洞傳輸基質材料可以摻雜有多於一種電洞注入材料。應當理解，HTM材料是由一或多種HTM化合物組成，而術語電洞傳輸材料是本申請案通篇使用於包括至少一種HTM化合物的所有半導體材料的更廣泛的術語。電洞傳輸基質材料可以由一或多種有機化合物組成。

HTM可以包括或由具有其最高佔據分子軌域的能量的化合物組成，其以參考真空能階為零的絕對標度表示，在套裝程式TURBOMOLE V6.5中應用具有Gaussian 6–31G*基組的混合功能B3LYP計算出範圍為＜ ‑4.27 eV至≥ ‑6.0 eV、＜ ‑4.3 eV 至 ≥ ‑5.5 eV、較佳為＜-4.5 eV 至 ≥-5.4 eV、更較佳為從 ＜-4.6 eV至≥ 5.3 eV。

共同電洞傳輸層可以具有小於50nm、小於40nm、小於30nm、小於20nm或小於15nm的厚度。共同電洞傳輸層可以具有大於3nm、大於5nm、大於8nm或大於10nm的厚度。陽極可由透明導電氧化物（TCO）（例如氧化銦錫（ITO））製成。或者，陽極可由一層或多層薄金屬層製成，形成半透明陽極。在另一實施例，陽極可以由對可見光不透明的厚金屬層製成。

在一實施例中，以參照真空能階為零的絕對標度標示，陽極的功函數可以比形成共同電洞注入層中的電洞注入材料之化合物的最高 LUMO 能階高出不到500meV、不到450meV、不到400meV、不到350meV或不到300meV。

已知的摻雜的電洞傳輸材料的典型實例是：酞菁銅（CuPc），其HOMO能階約為-5.2 eV且摻雜有四氟四氰基醌二甲烷（F4TCNQ），其LUMO能階約為-5.2 eV；摻雜有F4TCNQ的酞菁鋅（ZnPc）（HOMO = -5.2 eV）；摻雜有F4TCNQ的α-NPD(N,N'-雙(萘-1-基)-N,N'-雙(苯基)-聯苯胺)；摻雜有2,2'-(全氟萘-2,6-二亞甲基)二丙二腈的α-NPD。電洞注入材料濃度可選自1至20wt.-％，較佳地3wt.-％至10wt.-％。 電子阻擋層

電子阻擋層（EBL）可以被形成為共同電子阻擋層（EBL）或作為不是共同電子阻擋層（EBL）的分離層。EBL可以被形成為複數個像素或至少兩個像素的共同EBL。共同EBL可以在OLED顯示器中的複數個像素中的所有像素上延伸或者在複數個像素中的至少兩個像素上延伸。較佳地，每個個別像素可具有其自有的EBL，其可不接觸其他個別像素的EBL。

電子阻擋層（EBL）的功用是避免電子從發光層轉移至電洞傳輸層，從而將電子限制於發光層。EBL可以與共同HTL以及EML直接接觸。電子阻擋層可以是由有機電洞傳輸基質材料製成的非摻雜層（或者換句話說，它可以不含電洞注入材料）。共同電洞傳輸層的有機電洞傳輸基質材料的組成可以與電子阻擋層的有機電洞傳輸基質材料的組成相同。在本發明的另一實施例中，兩種電洞傳輸基質材料的組成可以不同。

因此，效率、操作電壓及/或使用期限可獲得改善。通常，電子阻擋層包括三芳胺化合物。三芳胺化合物可具有比電洞傳輸層的LUMO能階更接近真空能階的LUMO能階。形成電子阻擋層的每一化合物可以具有以參照真空能階為零的絕對標度表示的HOMO能階，其高於形成共同電洞傳輸層的電洞傳輸基質材料的任何化合物的HOMO能階。相較於電洞傳輸層的HOMO能階，電子阻擋層可具有更遠離真空能階的HOMO能階。

電子阻擋層的有機基質材料具有的電洞遷移率可等於或高於電洞傳輸層的基質材料的電洞遷移率。共同HTL及/或EBL的電洞傳輸基質（HTM）材料可以選自包括非定域電子的共軛系統的化合物，共軛系統包括至少兩個三級胺氮原子的孤電子對。

如果電子阻擋層具有高的三重態能階，其也可被稱為三重態控制層。如果使用綠色或藍色磷光的發光層，三重態控制層的功用是減少三重態的淬滅。因此，能夠達到來自磷光發光層更高的發光效率。三重態控制層是選自三重態能階高於相鄰發光層中磷光發射體的三重態能階的三芳胺化合物。用於三重態控制層的適合化合物（特別是三芳胺化合物）描述於EP 2 722 908 A1中。

電子阻擋層的厚度可以在2與20 nm之間選擇。EBL可以具有大於30 nm、大於50 nm、大於70 nm、大於100 nm或大於110 nm的層厚度。EBL的厚度可以小於200 nm、小於170 nm、小於140 nm或小於130 nm。相較於EBL，共同HTL 可能會較薄約一個數量級。

電子阻擋層可包括一種化合物，其中該化合物具有其最高佔據分子軌域的能量，其以參照真空能階為零的絕對標度標示，在套裝程式TURBOMOLE V6.5中應用具有Gaussian 6–31G*基組的混合功能B3LYP計算出範圍為＜ ‑4.27 eV至≥ ‑6.0 eV、＜ ‑4.3 eV至≥ ‑5.5 eV、較佳地為＜-4.5 eV至≥-5.4 eV、更較佳為＜-4.6 eV至≥ 5.3 eV。 光活性層（PAL）

光活性層將電流轉換為光子或將光子轉換為電流。光活性層可以形成為共同光活性層或形成為並非共同光活性層的分離層。PAL可以形成為複數個像素或至少兩個像素的共同PAL。共同PAL可以在OLED顯示器中的複數個像素中的所有像素上延伸或者在複數個像素中的至少兩個像素上延伸。

PAL可藉由真空沉積、旋轉塗佈、狹縫式塗佈、印刷、澆鑄、LB沉積或類似者形成在HTL上。當PAL使用真空沉積或旋轉塗佈形成時，沉積及塗佈條件可能與用於形成HIL的條件相似。然而，根據用於形成PAL的化合物，沉積及塗佈的條件可能會改變。

前提可以是，光活性層不包括本發明的有機p型摻雜劑。 發光層（EML）

EML 層可以被形成為共同EML層或被形成為不是EML層的分離層。對於RGB顯示器，較佳地，EML被形成為不是EML層的分離層。EML可以被形成為複數個像素或至少兩個像素的共同EML。共同EML可以在OLED顯示器中的複數個像素中的所有像素上延伸或者在複數個像素中的至少兩個像素上延伸。

EML可藉由真空沉積、旋轉塗佈、狹縫式塗佈、印刷、澆鑄、LB沉積或類似者形成在HTL上。當EML使用真空沉積或旋轉塗佈形成時，沉積及塗佈條件可能與用於形成HIL的條件相似。然而，根據用於形成EML的化合物，沉積及塗佈的條件可能會改變。

共同電子傳輸層可包括有機電子傳輸基質（ETM）材料。此外，共同電子傳輸層可包括一或多種n型摻雜劑，用於ETM的適合的化合物包括芳香或雜芳香結構部分，例如揭露於文件EP 1 970 371 A1 或 WO 2013/079217 A1 中。

前提可以是，發光層不包括如本發明所述的用於HIL及/或HTL的有機p型摻雜劑。

發光層（EML）可由主體（host）及發射體摻雜劑的結合而形成。主體的實例為Alq3、4,4'-N,N'-二咔唑-聯苯（CBP）、聚(n-乙烯基咔唑)（PVK）、9,10-二(萘-2-基)蒽（ADN）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)-三苯胺（TCTA）、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）、3-三級丁基-9,10-二-2-萘基蒽（TBADN）、二苯乙烯伸芳基（DSA）及雙(2-(2-羥基苯基)苯并噻唑合)鋅（Zn（BTZ）2）。

發射體摻雜劑可以是磷光或螢光發射體。磷光發射體與經由熱活化延遲螢光（TADF）機制發光的發射體可為較佳的，因為其較高的效率。發射體可以是小分子或聚合物。

紅色發射體摻雜劑的實例為PtOEP、Ir(piq)3及Btp2lr(acac)，但不限於此。這些化合物是磷光發射體；然而，螢光紅色發射體摻雜劑亦可被使用。

磷光綠色發射體摻雜劑的實例是Ir(ppy)3（ppy = 苯吡啶）、Ir(ppy)2(acac)、Ir(mpyp)3。

磷光藍色發射體摻雜劑的實例是F2Irpic、(F2ppy)2Ir(tmd)、Ir(dfppz）3及三茀。4,4'-雙(4-二苯基胺基苯乙烯基)聯苯（DPAVBi）、2,5,8,11-四-三級丁基苝（TBPe）是螢光藍色發射體摻雜劑的實例。

基於100重量份的主體，發射體摻雜劑的量可在約0.01至約50重量份的範圍內。替代地，發射層可由發光聚合物組成。EML可具有約10 nm至約100 nm的厚度，例如約20 nm至約60 nm的厚度。當EML的厚度在此範圍內時，EML可具有優異的光發射性，而沒有驅動電壓的實質損失。 電洞阻擋層（HBL）

電洞阻擋層（HBL）可以被形成為共同電洞阻擋層（HBL）或形成為不是共同電洞阻擋層（HBL）的分離的電洞阻擋層（HBL）。HBL可以被形成為複數個像素或至少兩個像素的共同HBL。共同HBL可以在OLED顯示器中的複數個像素中的所有像素上延伸或者在複數個像素中的至少兩個像素上延伸。

電洞阻擋層（HBL）可藉由使用真空沉積、旋轉塗佈、狹縫式塗佈、印刷、澆鑄、LB沉積或類似者形成於EML上，以避免電洞擴散至ETL中。當EML包括磷光摻雜劑時，HBL亦可具有三重態激子阻擋功能。

HBL也可以稱為輔助ETL或a-ETL。

當HBL使用真空沉積或旋轉塗佈形成時，沉積及塗佈的條件可與用於形成HIL的條件相似。然而，根據用於形成HBL的化合物，沉積及塗佈的條件可能會改變。可以使用通常用於形成HBL的任何化合物。用於形成HBL的化合物的實例包括㗁二唑衍生物、三唑衍生物、啡啉衍生物及三嗪衍生物。

HBL可具有約5 nm至約 100 nm的厚度，例如約10 nm至約30 nm的厚度。當HBL的厚度在此範圍內時，HBL可具有優異的電洞阻擋性能，而沒有驅動電壓的實質損失。 電子傳輸層（ETL）

電子傳輸層（ETL）可以被形成為共同電子傳輸層（ETL）或被形成為不是共同電子傳輸層（ETL）的分離的電子傳輸層（ETL）。

ETL可以被形成為複數個像素或至少兩個像素的共同ETL。共同ETL可以在OLED顯示器中的複數個像素中的所有像素上延伸或者在複數個像素中的至少兩個像素上延伸。

每個個別像素可能具有其自有的ETL，該ETL可能不會接觸其他個別像素的ETL。

根據本發明的有機發光二極體可更包括電子傳輸層（ETL）。

根據另一實施例，電子傳輸層可更包括吖嗪化合物，較佳地三嗪化合物。

在一實施例中，其中電子傳輸層可更包括選自鹼性有機錯合物（較佳地為LiQ）的摻雜劑。

ETL的厚度可以在約15 nm至約 50 nm的範圍內，例如，約20 nm至約40 nm的範圍內。當ETL的厚度在此範圍內時，ETL可具有令人滿意的電子注入特性，而沒有驅動電壓的實質損失。

根據另一實施例，有機發光二極體可更包括電洞阻擋層及電子傳輸層，其中電洞阻擋層及電子傳輸層包括吖嗪化合物。較佳地，吖嗪化合物是三嗪化合物。 電子注入層（EIL）

EIL可以被形成為共同EIL層或被形成為不是共同EIL層的分離的EIL層。

EIL可以被形成為複數個像素或至少兩個像素的共同EIL。共同EIL可以在OLED顯示器中的複數個像素中的所有像素上延伸或者在複數個像素中的至少兩個像素上延伸。

可促進電子從陰極注入的可選的EIL可形成於ETL上，較佳地為直接形成於電子傳輸層上。用於形成EIL的材料的實例包括本領域已知的8-羥基喹啉鋰（LiQ）、LiF、NaCl、CsF、Li ₂O、BaO、Ca、Ba、Yb、Mg。用於形成EIL的沉積及塗佈條件與用於形成HIL的條件相似，儘管根據用於形成EIL的材料，沉積及塗佈條件可能會改變。

EIL的厚度可以在約0.1 nm至約10nm的範圍內，例如，約0.5nm至約9nm的範圍內。當EIL的厚度在此範圍內時，EIL可具有令人滿意的電子注入特性，而沒有驅動電壓的實質損失。 陰極電極

陰極電極可以被形成為共同陰極電極層或被形成為不是共同陰極電極層的分離的陰極電極層。

陰極可以被形成為複數個像素或至少兩個像素的共同陰極。共同陰極可以在OLED顯示器中的複數個像素中的所有像素上延伸或者在複數個像素中的至少兩個像素上延伸。

陰極電極（也稱為陰極層）形成在ETL或可選的EIL上。

陰極可以由具有低功函數的金屬或金屬合金製成。由TCO製成的透明陰極在本領域中也是眾所周知的。較佳地，陰極電極可以由金屬、合金、導電化合物或其混合物形成。陰極電極可具有低功函數。例如，陰極電極可由鋰(Li)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鋁(Al)－鋰(Li)、鈣(Ca)、鋇(Ba)、鐿(Yb)、鎂(Mg)－銦(In)、鎂(Mg)－銀(Ag)或類似者形成。替代地，陰極電極可由透明導電氧化物（較佳地為 ITO或IZO）形成。

陰極電極的厚度可以在約5nm至約1000nm的範圍內，例如，在約10nm至約100nm的範圍內。當陰極電極的厚度在約 5 nm至約 50 nm的範圍內時，即使是由金屬或金屬合金形成，陰極電極可以是透明或半透明的。

應理解，陰極電極不是電子注入層或電子傳輸層的一部分。 有機層堆疊

有機層堆疊可由分子量小於2000g/mol的有機化合物製成。在一替代實施例中，有機化合物可具有小於1000g/mol的分子量。

可以是HIL以及HTL的至少兩個共同半導體層各在OLED顯示器中的複數個像素中的所有像素上延伸或者在複數個像素中的至少兩個像素上延伸。

根據一實施例，有機層堆疊的HIL以及HTL在OLED顯示器中的複數個像素中的所有像素上延伸或者在複數個像素中的至少兩個像素上延伸。

根據一實施例，有機層堆疊的HIL、HTL以及HBL被形成為共同半導體層、而且在OLED顯示器中的複數個像素中的所有像素上延伸或者在複數個像素中的至少兩個像素上延伸。

根據一實施例，有機層堆疊的HIL、HTL以及EBL被形成為共同半導體層、而且在OLED顯示器中的複數個像素中的所有像素上延伸或者在複數個像素中的至少兩個像素上延伸。

根據一實施例，有機層堆疊的HIL、HTL、EBL、以及ETL被形成為共同半導體層、而且在OLED顯示器中的複數個像素中的所有像素上延伸或者在複數個像素中的至少兩個像素上延伸。

根據一實施例，有機層堆疊的HIL、HTL、以及n型側被形成為共同半導體層、而且在OLED顯示器中的複數個像素中的所有像素上延伸或者在複數個像素中的至少兩個像素上延伸。

根據一實施例，有機層堆疊的HIL、HTL、HBL、以及n型側形成為共同半導體層、而且在OLED顯示器中的複數個像素中的所有像素上延伸或者在複數個像素中的至少兩個像素上延伸。

根據一實施例，有機層堆疊的HIL、HTL、EBL以及n型側被形成為共同半導體層、而且在OLED顯示器中的複數個像素中的所有像素上延伸或者在複數個像素中的至少兩個像素上延伸。

根據一實施例，有機層堆疊的HIL、HTL、EBL、ETL以及n型側被形成為共同半導體層、而且在OLED顯示器中的複數個像素中的所有像素上延伸或者在複數個像素中的至少兩個像素上延伸。

較佳地，每個個別像素可具有其自有的ETL，該ETL可以不接觸其他個別像素的ETL。

較佳地，每個個別像素可具有其自有的EML或PAL，該EML或PAL可以不接觸其他個別像素的EML或PAL。

較佳地，每個個別像素可能具有其自有的EBL，該EBL可以不接觸其他個別像素的EBL。

較佳地，每個個別像素可能具有其自有的HBL，該HBL可以不接觸其他個別像素的HBL。

較佳地，每個個別像素可具有其自有的n型側，該n型側可以不接觸其他個別像素的n型側。 製造方法

另一態樣涉及一種用於製造至少一共同層的方法。

用於製造至少一共同層的方法包括，其中，該製造至少一共同層的方法包括在一製程步驟中經由一個大的遮罩開口將每一共同層沉積在整個顯示區域上。

在下文中，將參考實例對實施例進行更詳細的說明。然而，本揭露不限於以下實例。現在將詳細參考示範性態樣。

本發明藉由以下實例進一步說明，這些實例僅是說明性的並且不具有約束力。

化合物可以如文獻中描述的方式製備，或者替代的化合物可以如文獻中描述的類似化合物的方式來製備。 計算的HOMO以及LUMO

使用套裝程式TURBOMOLE V6.5（TURBOMOLE GmbH，Litzenhardtstrasse 19，76135 Karlsruhe，Germany）計算HOMO及LUMO能階。藉由在氣相中應用具有6–31G*基組的混合功能B3LYP來確定分子結構的最佳化的幾何形狀和HOMO及LUMO能階。如果多於一個構形是可行的，則選擇具有最低總能量的構形。HOMO和LUMO能階以電子伏特（eV）記錄。 更詳細地描述傳輸線法

根據本發明，用於測量包括有機p型摻雜劑的第一共同半導體層以及在第一共同半導體上的第二共同半導體層的片電阻的傳輸線法可以如下所述地進行。 基板與樣品製備

根據圖 4，具有90 nm ITO與10 Ohm/sq片電阻的ITO塗佈基板用叉指結構被圖案化。兩個電極上的12個ITO指形成總共23個導電區域：n=23。指叉長度w _e為4.5 mm。因此，總通道寬度為103.5mm。通道長度w在20至80 µm之間以20 µm的步階變化。具有四種不同通道長度的電極對被組合在尺寸為25x25mm²的一個基板上，如圖 5 所示。有機層沉積在基板上，覆蓋了完整的叉指圖案。在基板上，第一共同半導體層包括具有10 nm厚度的至少一有機p型摻雜劑，例如，第一共同半導體層為由摻雜的共價基質化合物組成的電洞注入層，說明書所述之適合的共價基質化合物藉由共蒸鍍而沉積。溫度範圍取決於材料、並且受限於汽化開始時的汽化溫度以及分解溫度。這些值是材料參數、且對於每種材料都不同。這些值通常介於50 °C與500 °C之間，大部分介於150 °C與350 °C之間。例如，共價基質化合物沉積以1Å/s（埃/秒）的固定速率及272 °C的蒸鍍源溫度進行。有機p型摻雜劑源例如選自包括以下者的群組：取代的或未取代的3-軸烯、取代的或未取代的醌、取代的或未取代的醌類、以及包括縮合環的取代的或未取代的芳香族化合物，而且更佳地有機p型摻雜劑可以選自取代的或未取代的3-軸烯化合物。說明書中描述了其他適合的p型摻雜劑，例如在174℃下以0.068 Å/s操作。在此層上，以2 Å/s的沉積速率及280°C的溫度沉積厚度為128 nm的第二共同半導體層，其為例如共同電洞傳輸層或共同電子阻擋層，其中電洞傳輸層是較佳的。在整個沉積過程期間，腔室壓力為3e-7 mbar。然而，如上所述，所使用的蒸鍍溫度取決於汽化開始時的汽化溫度以及分解溫度。有機材料的蒸鍍溫度取決於材料，而且通常在50°C與500°C之間。在有機層沉積後，所獲得的基板層裝置被封裝在填充氮氣的手套箱中，其使用具有集成乾燥劑的玻璃蓋以避免樣品降解。

根據本發明，用於測量包括有機p型摻雜劑的共同第一半導體層、共同第一半導體上的共同第二半導體層、以及共同第二半導體層上的共同第三半導體層的片電阻的傳輸線法可以如下所述地進行。

根據圖4，具有90 nm ITO與10 Ohm/sq 片電阻的ITO塗佈基板用指叉結構被圖案化。兩個電極上的12個ITO指形成總共23個導電區域：n=23。指叉長度w _e為4.5 mm。因此總通道寬度為103.5mm。通道長度w在20至80 µm之間以20 µm的步階變化。具有四種不同通道長度的電極對被組合在具有25x25 mm²尺寸的基板上，如圖5所示。有機層沉積在基板上，覆蓋了完整的叉指圖案。在基板上，第一共同半導體層包括具有10 nm厚度的至少一有機p型摻雜劑，例如，第一共同半導體層是由摻雜的共價基質化合物組成的電洞注入層，說明書所述之適合的共價基質化合物藉由共蒸鍍而沉積。溫度範圍取決於材料，並且受限於汽化開始時的汽化溫度以及分解溫度。這些值是材料參數，而且對於每種材料都不同。這些值通常介於50 °C與500 °C之間，大部分介於150 °C與350 °C之間。例如，共價基質化合物沉積以1Å/s（埃/秒）的固定速率及272 °C的蒸鍍源溫度進行。有機p型摻雜劑源例如選自包括以下者的群組：取代的或未取代的3-軸烯、取代的或未取代的醌、取代的或未取代的醌類、以及包括縮合環的取代的或未取代的芳香族化合物，而且更佳地有機p型摻雜劑可以選自取代的或未取代的3-軸烯化合物。說明書中描述了其他適合的p型摻雜劑，例如在174℃以0.068 Å/s操作。在此層上，以2 Å/s的沉積速率及280°C的溫度沉積厚度為128 nm的第二共同半導體層，其為例如共同電洞傳輸層或共同電子阻擋層，其中電洞傳輸層是較佳的。在此層上，以1 Å/s的沉積速率及244°C的溫度沉積厚度為5 nm的第三共同半導體層，其為例如共同電子阻擋層。在整個沉積過程期間，腔室壓力為3e-7 mbar。然而，如上所述，所使用的蒸鍍溫度取決於汽化開始時的汽化溫度以及分解溫度。有機材料的蒸鍍溫度取決於材料，而且通常在50°C與500°C之間。在有機層沉積後，所獲得的基板層裝置被封裝在填充氮氣的手套箱中，其使用具有集成乾燥劑的玻璃蓋以避免樣品降解。

根據本發明，用於測量包括有機p型摻雜劑的共同第一半導體層、共同第一半導體上的共同第二半導體層、共同第二半導體層上的共同第三半導體層、以及共同第三半導體層上的共同發光層（EML）的片電阻的傳輸線法可以如下所述地進行。

根據圖4，具有90 nm ITO與10 Ohm/sq片電阻的ITO塗佈基板用指叉結構被圖案化。兩個電極上的12個ITO指狀結構形成總共23個導電區域：n=23。指叉長度w _e為4.5 mm。因此總通道寬度為103.5 mm。通道長度w在20與80 µm之間以20 µm的步階變化。具有四種不同通道長度的電極對被組合在尺寸為25x25mm²的一個基板上，如圖5所示。有機層被沉積在基板上，覆蓋了完整的指叉圖案。在基板上，第一共同半導體層包括厚度為10 nm的至少一有機p型摻雜劑，例如，第一共同半導體層是由摻雜的共價基質化合物組成的電洞注入層，說明書所述之適合的共價基質化合物藉由共蒸鍍而被沉積。溫度範圍取決於材料、並且受限於汽化開始時的汽化溫度以及分解溫度。這些值是材料參數、而且對於每種材料都不同。這些值通常介於50 °C與500 °C之間，大部分介於150 °C與350 °C之間。例如，共價基質化合物沉積以1Å/s（埃/秒）的固定速率進行，其蒸鍍源溫度為272 °C。有機p型摻雜劑源例如選自包括以下者的群組：取代的或未取代的3-軸烯、取代的或未取代的醌、取代的或未取代的醌類、以及包括縮合環的取代的或未取代的芳香族化合物，而且更佳地有機p型摻雜劑可以選自取代的或未取 _代的3-軸烯化合物。說明書中描述了其他適合的p型摻雜劑，例如在174℃下以0.068 Å/s操作。在此層上，在280°C的溫度下以2Å/s的沉積速率沉積厚度為128nm的第二共同半導體層，其為例如共同電洞傳輸層或共同電子阻擋層，其中較佳地為電洞傳輸層。在此層上，在244°C的溫度下以1Å/s的沉積速率沉積厚度為5nm的第三共同半導體層，其為例如共同電子阻擋層。在此層上，在183 °C的溫度下以1Å/s的沉積速率沉積主體化合物以及在197 °C的溫度下以0.03Å/s的沉積速率沉積發射體摻雜劑，而沉積厚度為20 nm的發射層，例如藍色發射層，其為例如藍色發射層。在整個沉積過程中，腔室壓力為3e-7 mbar。然而，如上所述，所使用的蒸鍍溫度取決於汽化開始時的汽化溫度以及分解溫度。有機材料的蒸鍍溫度取決於材料，而且通常在50°C與500°C之間。在有機層沉積後，所獲得的基板層裝置被封裝在充滿氮氣的手套箱中，其使用具有集成乾燥劑的玻璃蓋以避免樣品降解。 用於製造OLED的一般程序

對於實例1至18以及比較實例1，具有陽極層（陽極層包括120 nm Ag的第一陽極子層、8 nm ITO的第二陽極子層、以及10 nm ITO的第三陽極子層）的玻璃基板被切割成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，以水超音波清洗60分鐘，並且接著以異丙醇超音波清洗20分鐘。

然後，於真空中在陽極層上共沉積實質共價基質化合物以及電洞注入材料，以形成電洞注入層（HIL）。接著，將實質共價基質化合物真空沉積在HIL上，以形成具有128 nm厚度的HTL。HTL中實質共價基質化合物的分子式與HIL中使用的實質共價基質化合物相同。

然後，在HTL上進行真空沉積，以形成具有5 nm厚度的電子阻擋層（EBL）。

接著，將作為EML主體的97 vol.-% H09（Sun Fine Chemicals, Korea）以及作為螢光藍色發射體摻雜劑的3 vol.-% BD200（Sun Fine Chemicals, Korea）沉積在EBL上，以形成厚度為20 nm的發射藍光的第一發射層（EML）。

接著，藉由沉積2-(3'-(9,9-二甲基-9H-茀-2-基)-[1,1'-聯苯]-3-基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪於發射層（EML）上，以形成厚度為5nm的電洞阻擋層。

然後，藉由沉積50 wt.-% 的4'-(4-(4-(4,6-聯苯-1,3,5-三嗪-2-基)苯基)萘-1-基)-[1,1'-聯苯]-4-甲腈以及50 wt.-%的LiQ於電洞阻擋層上，以形成厚度為31nm的電子傳輸層。

然後，藉由在10 ^-7mbar下以0.01至1 Å/s的速率沉積鐿，以在電子傳輸層上形成厚度為2 nm的電子注入層。

接著，在10 ^-7mbar下以0.01至1 Å/s的速率蒸鍍Ag:Mg（90:10 vol.-%），以在電子注入層上形成厚度為100 nm的陰極層。

藉由使用載玻片的裝置封裝來保護OLED堆疊免受環境條件的影響。因此，形成空腔，其包括用於進一步保護的吸氣材料。

為了評估本發明實例相較於習知技藝的性能，在 20°C 測量電流效率。電流-電壓特性是使用Keithley 2635電源測量單元測定的，其藉由提供以 V 為單位的操作電壓 U，並且測量流過待測裝置的電流（以mA為單位）。施加至裝置的電壓在0V和10V之間以0.1V的步階變化。同樣地，亮度-電壓特性以及CIE 坐標是藉由使用 Instrument Systems CAS-140CT 陣列光譜儀（由 Deutsche Akkreditierungs­stelle（DAkkS）校準）測量每一電壓值的亮度（單位為cd/m²）來確定的。

在環境條件（20 ^oC）及30 mA/cm²下，使用Keithley 2400電源電表（Keithley 2400 sourcemeter）測量裝置的使用期限LT，並以小時為單位進行記錄。裝置的亮度是使用經校正的光電二極體來測量。使用期限LT被定義為裝置的亮度降低至其初始值的97%前的時間。

為了測定電壓隨時間的穩定性U（10h-1h），向裝置施加30 mA/cm ²的電流密度。在1小時後以及50小時後測量操作電壓U，接著計算1小時至50小時期間的電壓穩定性。

表2顯示了較佳的HTL基質材料，其中一些使用於表4。 表2：HTL基質材料

F3	F2
F9	F4
F21	F19
F5	F18
F11	F6
F1	F20

表3顯示了較佳的EBL基質材料，其中一些使用於表4。 表3：EBL基質材料

F22	F23
F24	F25

表4

	HIL結構	HIL (p型摻雜劑濃度 [wt%])	HIL (主體)	HIL厚度 [nm]	HTL	EBL	HIL + HTL的Rs [GΩ/s]**	HIL、HTL、以及EBL的Rs [GΩ/s]**	HIL、HTL、EBL、EML的Rs [GΩ/s]**	15 mA /cm的 電壓 [V]	15 mA /cm的EQE [%]	15 mA /cm的LT97
比較實例  1	H1	100 wt%	---	10	F3	F22	2	2	2	3.99	13.6	100
發明實例  1	H2	2.9 wt%	F9	10	F9	F23	958	952	949	3.84	12.4	224
發明實例  2	H2	2 wt%	F5	10	F5	F22	386	383	380	3.70	13.8	129
發明實例 3	H3	1.9 wt%	F9	10	F9	F23	5481	5474	5470	3.85	12.6	182
發明實例  4	H3	1.8 wt%	F5	10	F5	F22	96	96	96	3.68	13.8	134
發明實例  5	H4	10 wt%	F19	10	F19	F22	319	316	314	3.82	13.8	45
發明實例  6	H5	10.6 wt%	F3	10	F3	F22	298474	296470	295477	3.85	14.7	292
發明實例  7	H5	100 wt%	---	2	F3	F22	25981	25731	25619	3.89	15.0	81
發明實例  8	H6	100 wt%	---	5.1	F3	F22	158	157	156	3.89	14.0	88
發明實例  9	H7	1.69 wt%	F18	10	F18	F24	556	555	553	3.61	19.8	74
發明實例 10	H7	8.19	F9	10	F9	F24	236	234	232	3.68	17.8	76
發明實例  11	H8	5 wt%	F11	11	F11	F24	257	255	254	3.72	13.0	217
發明實例 12	H8	9.7 wt%	F5	10	F6	F24	555	553	549	3.88	12.8	81
發明實例 13	H9	11.8 wt%	F3	10	F3	F25	285	285	284	3.82	14.3	104
發明實例 14	H9	100 wt%	--	0.5	F3	F25	62	62	62	3.90	13.1	64
發明實例 15	H10	100 wt%	----	0.6	F3	F22	138	138	137	3.83	14.5	---
發明實例 16	H11	100 wt%	---	1	F3	F22	204	204	202	3.83	13.5	83
發明實例 17	H11	100 wt%	---	2	F18	F22	405	404	401	3.82	14.3	80
發明實例 18	H12	20.8 wt.-%	F3	12	F3	F22	570	565	562	3.88	13.6	92

本發明的技術效果

如圖4中可見，因為操作電壓低，而且同時片電阻高或更高達每平方50吉歐姆，裝置具有有益的操作電壓。此外，除了操作電壓之外，EQE及/或使用期限也獲得改善。

以上詳細說明的具體實施例中的元件以及特徵的特定組合僅是示例性的；這些教示與本文中的其他教示和藉由引用併入的專利/申請的交換和替代也被明確考慮。如本領域技術人員將體認到的，本領域普通一般技藝者可以想到本文所述內容的變化、修改和其他實施，而不背離所請求保護的本發明的精神和範圍。因此，前述描述僅作為實例，並不旨在作為限制。在請求項中，「包括」一詞不排除其他元件或步驟，而且不定冠詞「一」或「一個」並不排除複數。在相互不同的附屬請求項中列舉了某些措施這一事實並不表明這些措施的組合不能有利地使用。本發明的範圍由以下請求項及其等同物限定。此外，說明書和請求項中使用的參考符號不限制所請求保護的本發明的範圍。

100、200:像素 110:基板 120:陽極層 121:第一陽極子層 122:第二陽極子層 123:第三陽極子層 125:像素定義層 130:電洞注入層（HIL）、半導體層 140:電洞傳輸層（HTL） 145:電子阻擋層（EBL） 150:發光層（EML） 155:電洞阻擋層（EBL） 160:電子傳輸層（ETL） 190:陰極層 300:分隔部

前述元素、以及所請元素及在所述實施例中根據本發明所使用的元素組件在其尺寸、形狀、材料選擇以及技術概念方面沒有任何特殊例外，使得可以不受限制地應用相關領域中已知的選擇準則。 本發明目的的額外細節、特徵及優點揭露於附屬項及對應圖式的以下描述中，這些圖式以示範性方式顯示了根據本發明較佳的實施例。然而，任何實施例不一定代表本發明的全部範圍，且因此參考申請專利範圍和本文以闡釋本發明的範圍。應理解，前面的一般描述與以下的詳細描述僅為實例性和解釋性的，並且旨在對所請提供進一步解釋。 圖1至圖9 圖1是具有兩個像素以及共同HIL、共同HTL與共同陰極層的顯示器的示意截面圖； 圖2 是測試元件的示意截面圖； 圖3 是沉積層堆疊的示意截面圖； 圖4 是測試元件的示意截面圖； 圖5顯示塗佈ITO的基板； 圖6是電流-電壓測量圖； 圖7是電阻的實例圖； 圖8是有機發光二極體的示意截面圖； 圖9是有機發光二極體的示意截面圖。 在下文中，將參照實例更詳細地說明圖1至圖4。然而，本揭露不限於以下圖式。 在此，當第一元件被稱為形成或設置在第二元件「上」或「之上」時，第一元件可直接設置於第二元件上，或者一或更多其他元件可設置在其間。當第一元件被稱為「直接地」形成或設置在第二元件「上」或「之上」時，沒有其他元件設置在其間。 圖1是根據示範性實施例的具有兩個像素（100；200）的顯示器的示意截面圖。第一像素（100）包括陽極層（120），而且第二像素包括陽極層（120）。第一像素（100）具有其自有的陽極層（120），而且第二像素（200）具有其自有的陽極（120），其中第一像素（100）的陽極（120）不接觸其他第二像素（200）的陽極層（120）。在第一像素（100）的陽極（120）以及第二像素（200）的陽極（120）之間可以設置像素定義層（125）。共同電洞注入層（HIL）（130）被設置在從第一像素（100）延伸至第二像素（200）的陽極層（120）上。共同電洞傳輸層（HTL）（140）設置在共同HIL（130）之上、且從第一像素（100）延伸至第二像素（200）。電子阻擋層（EBL）（145）設置在電洞傳輸層（HTL）（140）之上，使得第一像素（100）具有其自有的電子阻擋層（EBL）（145），而且第二像素（200）具有其自有的電子阻擋層（EBL）（145），第一像素（100）的電子阻擋層（EBL）（145）可以接觸其他第二像素（200）的電子阻擋層（EBL）（145）。發光層（EML）（150）設置在電子阻擋層（EBL）（145）之上，使得第一像素（100）具有其自有的發光層（EML）（150），而且第二像素（200）具有其自有的發光層（EML）（150），其中第一像素（100）的發光層（EML）（150）可以接觸其他第二像素（200）的發光層（EML）（150）。電子傳輸層（ETL）（160）設置在發光層（EML）（150）之上，使得第一像素（100）具有其自有的電子傳輸層（ETL）（160），而且第二像素（200）具有其自有的電子傳輸層（ETL）（160）。共同陰極層（190）設置在電子傳輸層（ETL）（160）之上、且從第一像素（100）延伸至第二像素（200）。在第一像素（100）以及第二像素（200）之間，設置有分隔部（300），其不具有陽極層（120），但像素定義層（125）用作不是陽極（120）的片電阻層。 如圖1中可見，分隔部（300）包括至少一層，其是共同電洞注入層（HIL）（130）而且作為共同層從像素（100）延伸通過分隔部（300）至像素（200）。分隔部（300）包括至少兩層，即電子阻擋層（EBL）（145）以及發光層 （EML）（150），其每一者從像素（100）和像素（200）延伸至分隔部（300）。分隔部（300）的電子傳輸層（ETL）（160）以及電洞傳輸層（HTL）（140）不延伸至像素（100）以及像素（200）中。 圖1只是一個實例，而且本發明不限於此實施例。可能有複數個層的配置，其中一層例如從一像素延伸至分隔部（300）中或不延伸。此外，複數個像素以及分隔部（例如像素（100）、（200）以及分隔部（300））的每一非共同層的材料組成可以個別地選擇不同或相同。 圖2顯示了包括兩個高導電電極的測試元件，兩個高導電電極之間具有間隙「I」，而且各個高導電電極的寬度為「w」。 圖3顯示了用於測定片電阻的測試元件組上的沉積層堆疊的示意圖。測試元件由一通道（測試元件）組成。沉積層（300）位於電極的頂部。 圖 4 顯示了包括具有指叉圖案的兩個高導電電極的測試元件，電極指之間的間隙為「l」，而且總寬度「w」為指叉寬度「we」 以及指叉區域數量的乘積。 圖 5 顯示了具有90nm ITO與10 Ohm/sq片電阻的ITO塗佈基板，其圖案在一個25x25mm²尺寸的基板上組合了具有 4 種不同通道長度的電極對。 圖6顯示了在圖5中所示的基板上的電流-電壓測量的實例圖。 圖7顯示了從圖6中顯示的電流-電壓測量得到的電阻的實例圖，其繪製在對應的通道長度上並且計算其斜率。 圖8是根據本發明示範性實施例的有機發光二極體（OLED）100的示意截面圖。OLED 100包括基板（110）、包括第一陽極子層（121）以及第二陽極子層（122）的陽極層（120）、包括式（1）化合物的半導體層（130）、電洞傳輸層（HTL）（140）、電子阻擋層（EBL）（145）、發射層（EML）（150）、電洞阻擋層（EBL）（155）、電子傳輸層（ETL）（160）以及陰極層（190）。這些層完全按照之前提及的順序排列。 圖9是根據本發明示範性實施例的有機發光二極體（OLED）100的示意截面圖。OLED 100包括基板（110）、包括第一陽極子層（121）、第二陽極子層（122）和第三陽極子層（123）的陽極層（120）、包括式（1）化合物的半導體層（130）、電洞傳輸層（HTL）（140）、電子阻擋層（EBL）（145）、發射層（EML）（150）、電洞阻擋層（EBL）（155）、電子傳輸層（ETL）（160）以及陰極層（190）。這些層完全按照之前提及的順序排列。 在下文中，將參考實例而對具體實施例進行更詳細的說明。然而，本揭露不限於以下實例。

100、200:像素

120:陽極層

125:像素定義層

130:電洞注入層(HIL)

140:電洞傳輸層(HTL)

145:電子阻擋層(EBL)

150:發光層(EML)

160:電子傳輸層(ETL)

190:陰極層

300:分隔部

Claims (21)

1. 一種主動矩陣OLED顯示器，其包括複數個OLED像素，其中每一像素本身包括一有機層堆疊，而且該有機層堆疊的每一層可形成一共同半導體層，其中 ， - 至少一第一OLED像素以及一第二OLED像素，其包括 - 一陽極層， - 一共同陰極層， - 至少一發射層，其可選地是一共同發射層， - 至少一有機層堆疊，其中該有機層堆疊被設置於該陽極層與該陰極層之間，其包括 - 複數個半導體層，而且該複數個半導體層包括至少二或更多個共同半導體層，其中該複數個半導體層包括 - 至少一第一共同半導體層，其包括至少一有機p型摻雜劑， - 至少一第二共同半導體層， - 一共同半導體層，在該OLED顯示器中的該複數個像素的所有像素上延伸或者在該複數個像素的至少兩像素上延伸，以及 其中該第一共同半導體包括至少一有機p型摻雜劑，而且與該第二共同半導體層一起具有≥每平方50吉歐姆的一片電阻。
2. 如請求項1所述的主動矩陣OLED顯示器，其中該有機p型摻雜劑是選自包括以下者的群組：一取代的或未取代的3-軸烯、一取代的或未取代的醌、一取代的或未取代的醌類、以及包括縮合環的一取代的或未取代的芳香族化合物。
3. 如請求項1所述的主動矩陣OLED顯示器，其中該3-軸烯化合物是由式（1）表示：

   

   （1） 其中A ¹、A ²以及A ³是獨立地選自式（2）：

   

   （2），其中「*」是A ¹、A ²以及A ³至式（1）的雙鍵的鍵結位置， R’    是獨立地選自包括以下者的群組：取代的或未取代的芳基、取代的或未取代的雜芳基、取代的或未取代的烷基、取代的或未取代的C ₆至C ₂₄芳基、取代的或未取代的C ₂至C ₂₀雜芳基、以及取代的或未取代的C ₁至C ₈烷基； 其中R’上的取代基是獨立地選自包括以下者的群組：一拉電子基團、CN、鹵素、Cl、F、部分氟化或全氟化烷基、部分氟化或全氟化烷氧基、部分氟化或全氟化C ₁至C ₁₀烷基、部分氟化或全氟化C ₁至C ₆烷氧基、CF ₃、OCF ₃、D或H； R’’  是選自包括以下者的群組：一拉電子基團、CN、取代的或未取代的烷基、取代的或未取代的雜芳基、取代的或未取代的芳基、全氟化烷基、取代的或未取代的C ₁至C ₈烷基、取代的或未取代的C ₂至C ₂₀雜芳基、取代的或未取代的C ₆至C ₂₄芳基、全氟化C ₁至C ₈烷基、CF ₃、NO ₂或F； 其中R’’上的取代基是獨立地選自包括以下者的群組：一拉電子基團、CN、鹵素、Cl、F、部分氟化或全氟化烷基、部分氟化或全氟化烷氧基、部分氟化或全氟化C ₁至C ₁₀烷基、部分氟化或全氟化C ₁至C ₆烷氧基、CF ₃、OCF ₃、D或H； 其中R’以及R’’一起可選地形成一取代的或未取代的碳環或取代的或未取代的雜環、取代的或未取代的雜環； 其中該取代基是獨立地選自包括以下者的群組：一拉電子基團、F、CN、全氟化C ₁至C ₈烷基、取代的或未取代的C ₆至C ₁₈芳基、取代的或未取代的C ₂至C ₁₈雜芳基、取代的或未取代的C ₃至C ₁₈伸碳環、取代的或未取代的C ₃至C ₁₈亞碳環、取代的或未取代的C ₁至C ₈伸烷基、取代的或未取代的C ₁至C ₈亞烷基； 其中該取代基是獨立地選自包括以下者的群組：一拉電子基團、鹵素、F、Cl、CN、全氟化烷基、全氟化C ₁至C ₈烷基、CF ₃、部分氟化或全氟化烷基芳基、部分氟化或全氟化C ₆至C ₁₈烷基芳基。
4. 如請求項1所述的主動矩陣OLED顯示器，其中 R’    是獨立地選自包括以下者的群組：取代的或未取代的C ₆至C ₂₄芳基、取代的或未取代的C ₂至C ₂₀雜芳基； R’’   是一拉電子基團，或者R’’是獨立地選自包括以下者的群組：CN、CF ₃、NO ₂、或F。
5. 如請求項1所述的主動矩陣OLED顯示器，其中A ¹、A ²、以及A ³是選自A ¹=A ²≠A ³、或A ¹≠A ²以及A ¹≠A ³以及A ²= A ³。
6. 如請求項1所述的主動矩陣OLED顯示器，其中 A ¹是選自式（3）或（4）：

   

   （3），

   

   （4），其中 X ¹是選自CR ¹或N； X ²是選自CR ²或N； X ³是選自CR ³或N； X ⁴是選自CR ⁴或N； X ⁵是選自CR ⁵或N； R ¹、R ²、R ³、R ⁴、以及R ⁵是獨立地選自包括以下者的群組：一拉電子基團、CN、鹵素、Cl、F、部分氟化或全氟化烷基、部分氟化或全氟化C ₁至C ₁₀烷基、CF ₃、部分氟化或全氟化烷氧基、部分氟化或全氟化C ₁至C ₆烷氧基、D或H； 其中X ¹至X ⁵中的至少兩者是獨立地選自CR ¹至CR ⁵；以及 其中式（3）以及（4）的「*」是A ¹至式（1）的雙鍵的鍵結位置。
7. 如請求項1所述的主動矩陣OLED顯示器，其中A ¹是選自包括D1至D210的群組：

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   其中 D1至D210基團上的取代基

   

   的「*」是指A ¹至式（1）的雙鍵的鍵結位置。
8. 如請求項1所述的主動矩陣OLED顯示器，其中該有機p型摻雜劑的醌具有式（5），而且該有機p型摻雜劑的醌類具有式（6），

   

   （5），

   

   （6），其中 A ¹以及A ²是獨立地選自式（7）：

   

   （7）或NR’’’，其中「*」是A ¹以及A ²至式（5）以及式（6）的雙鍵的鍵結位置： R’    是選自一拉電子基團、取代的或未取代的烷基、取代的或未取代的雜芳基、取代的或未取代的芳基、全氟化烷基、取代的或未取代的C ₁至C ₈烷基、取代的或未取代的C ₂至C ₂₀雜芳基、取代的或未取代的C ₆至C ₂₄芳基、全氟化C ₁至C ₈烷基、CF ₃、NO ₂、F、CN， 其中R’上的取代基是獨立地選自包括以下者的群組：D、H、一拉電子基團、CN、鹵素、Cl、F、部分氟化或全氟化烷基、部分氟化或全氟化C ₁至C ₁₀烷基、CF ₃、部分氟化或全氟化烷氧基、部分氟化或全氟化C ₁至C ₆烷氧基、或OCF ₃； R’’   一拉電子基團、取代的或未取代的烷基、取代的或未取代的雜芳基、取代的或未取代的芳基、全氟化烷基、取代的或未取代的C ₁至C ₈烷基、取代的或未取代的C ₂至C ₂₀雜芳基、取代的或未取代的C ₆至C ₂₄芳基、全氟化C ₁至C ₈烷基、CF ₃、NO ₂、F、CN， 其中R’’上的取代基是獨立地選自包括以下者的群組：一拉電子基團、CN、鹵素、Cl、F、部分氟化或全氟化烷基、部分氟化或全氟化C ₁至C ₁₀烷基、CF ₃、部分氟化或全氟化烷氧基、部分氟化或全氟化C ₁至C ₆烷氧基、OCF ₃、D或H； 其中R’以及R’’一起可選地形成一取代的或未取代的環，而且其中該取代的或未取代的環可以是取代的或未取代的碳環或取代的或未取代的雜環、取代的或未取代的雜環； R’’’ 是選自一鍵、取代的或未取代的C ₁至C ₁₈烷基、取代的或未取代的C ₆至C ₂₄芳基、取代的或未取代的C ₆至C ₂₄雜芳基、CN， 其中R’’’上的取代基是獨立地選自包括以下者的群組：取代的或未取代的C ₆至C ₂₄芳基、拉電子基團、CN、F、CF ₃、全氟化C ₁至C ₈烷基； R ¹、R ²、R ³、以及R ⁴是獨立地選自包括以下者的群組：拉電子基團、鹵素、取代的或未取代的烷基、部分氟化或全氟化烷基、取代的或未取代的芳基、取代的或未取代的雜芳基、取代的烷氧基、部分氟化或全氟化烷氧基、部分氟化或全氟化烷基芳基、O、S、取代的或未取代的N、F、Cl、CN、取代的或未取代的C ₁至C ₈烷基、部分氟化或全氟化C ₁至C ₈烷基、CF ₃、取代的或未取代的C ₆至C ₂₄芳基、取代的或未取代的C ₂至C ₂₀雜芳基、取代的或未取代的C ₁至C ₈烷氧基、部分氟化或全氟化C ₁至C ₈烷氧基、OCF ₃、取代的或未取代的C ₁至C ₈烷基、CF ₃、部分氟化或全氟化C ₆至C ₂₄烷基芳基、 其中R ¹、R ²、R ³、以及R ⁴上的取代基是獨立地選自包括以下者的群組：一拉電子基團、取代的或未取代的烷基、取代的或未取代的雜芳基、取代的或未取代的芳基、全氟化烷基、CN、取代的或未取代的C ₁至C ₈烷基、取代的或未取代的C ₂至C ₂₀雜芳基、取代的或未取代的C ₆至C ₂₄芳基、全氟化C ₁至C ₈烷基、CF ₃、NO ₂、F； 其中R ¹以及R ²一起、或R ³以及R ⁴一起可選地彼此獨立地形成取代的或未取代的碳環或取代的或未取代的雜環、取代的或未取代的雜環； 其中該取代基是獨立地選自包括以下者的群組：一拉電子基團、F、CN、全氟化C ₁至C ₈烷基、全氟化C ₁至C ₈烷氧基、OCF ₃；取代的或未取代的C ₆至C ₁₈芳基、取代的或未取代的C ₂至C ₁₈雜芳基、取代的或未取代的伸碳環、取代的或未取代的亞碳環、取代的或未取代的伸烷基、取代的或未取代的亞烷基； 其中該取代基是獨立地選自包括以下者的群組：一拉電子基團、鹵素、F、Cl、CN、全氟化烷基、CF ₃、部分氟化或全氟化烷基芳基、部分氟化或全氟化C ₆至C ₁₈烷基芳基、全氟化C ₁至C ₈烷氧基或OCF ₃； 其中A ¹以及R ³一起以及A ²以及R一起可選地彼此獨立地形成一取代的或未取代的雜環； 其中該取代基是獨立地選自包括以下者的群組：取代的或未取代的C ₆至C ₁₈芳基、取代的或未取代的伸碳環、取代的或未取代的亞碳環、取代的或未取代的伸烷基、取代的或未取代的亞烷基； 其中該取代基是獨立地選自包括以下者的群組：拉電子基團、鹵素、F、Cl、CN、全氟化烷基、CF ₃、部分氟化或全氟化烷基芳基、部分氟化或全氟化C ₆至C ₁₈烷基芳基。
9. 如請求項1所述的主動矩陣OLED顯示器，其中A ¹以及A ²是獨立地選自D1至D8的基團：

   

   （D1）、

   

   （D2）、

   

   （D8）、

   

   （D4）、

   

   （D5）、

   

   （D6）、

   

   （D7）、

   

   （D8），其中 「*」是A ¹、A ²以及A ³至式（1）的雙鍵的鍵結位置，而且是A ¹以及A ²至式（5）以及式（6）的雙鍵的鍵結位置。
10. 如請求項1所述的主動矩陣OLED顯示器，其中 A ¹以及A ²是選自式（8）至（13）：

    

    （8）、

    

    （9）、

    

    （10）、

    

    （11）、

    

    （12）、以及

    

    （13），其中 X ¹是選自CR ¹或N； X ²是選自CR ²或N； X ³是選自CR ³或N； X ⁴是選自CR ⁴或N； X ⁵是選自CR ⁵或N； 其中R ¹、R ²、R ³、R ⁴以及R ⁵之一是獨立地選自拉電子基團、鹵素、部分氟化或全氟化烷基、部分氟化或全氟化烷氧基、D或H、CN、Cl、F、部分氟化或全氟化C ₁至C ₁₀烷基、CF ₃、部分氟化或全氟化C ₁至C ₆烷氧基； 其中X ¹至X ⁵的至少兩個是獨立地選自CR ¹至CR ⁵。
11. 如請求項1所述的主動矩陣OLED顯示器，其中包括醌或醌類的p型摻雜劑的化合物具有以下結構E1至E11：

    

    （E1）、

    

    （E2）、

    

    （E3）、

    

    （E4）、

    

    （E5）、

    

    （E6）、

    

    （E7）、

    

    （E8）、

    

    （E9）、

    

    （E10）、

    

    （E11）。
12. 如請求項1所述的主動矩陣OLED顯示器，其中包括縮合環的該取代的或未取代的芳香族化合物是由式（14a）、（14b）、（14c）、（14d）、（14e）以及式（15）所表示：

    

    （14a）、

    

    （14b）、

    

    （14c）、

    

    （14d）、

    

    （14e），其中 A ¹是選自

    

    或NR’’’，其中「*」是A ¹至式（14）的雙鍵的鍵結位置，其中 R’    是選自一拉電子基團、取代的或未取代的烷基、取代的或未取代的雜芳基、取代的或未取代的C ₂至C ₂₀雜芳基、取代的或未取代的芳基、取代的或未取代的C ₆至C ₂₄芳基、全氟化烷基、取代的或未取代的C ₁至C ₈烷基、CN、取代的或未取代的C ₂至C ₂₀雜芳基、取代的或未取代的C6至C ₂₄芳基、C ₁至C ₈烷基、全氟化C ₁至C ₈烷基、CF ₃、NO ₂、F， 其中R’ 的取代基是獨立地選自包括以下者的群組：拉電子基團、CN、鹵素、Cl、F、部分氟化或全氟化烷基、部分氟化或全氟化C ₁至C ₁₀烷基、CF ₃、部分氟化或全氟化烷氧基、部分氟化或全氟化C ₁至C ₆烷氧基、OCF ₃、D或H； R’’   是選自一拉電子基團、取代的或未取代的烷基、取代的或未取代的雜芳基、取代的或未取代的C ₂至C ₂₀雜芳基、取代的或未取代的芳基、取代的或未取代的C ₆至C ₂₄芳基、全氟化烷基、取代的或未取代的C ₁至C ₈烷基、CN、取代的或未取代的C ₂至C ₂₀雜芳基、取代的或未取代的C ₆至C ₂₄芳基、C ₁至C ₈烷基、全氟化C ₁至C ₈烷基、CF ₃、NO ₂、F， 其中R’’的取代基是獨立地選自包括以下者的群組：拉電子基團、CN、鹵素、Cl、F、部分氟化或全氟化烷基、部分氟化或全氟化C ₁至C ₁₀烷基、CF ₃、部分氟化或全氟化烷氧基、部分氟化或全氟化C ₁至C ₆烷氧基、OCF ₃、D或H； R’’’ 是選自一雙鍵、取代的或未取代的C ₁至C ₁₈烷基、取代的或未取代的C ₆至C ₂₄芳基、取代的或未取代的C ₆至C ₂₄雜芳基、CN， 其中R’’’上的取代基是獨立地選自包括以下者的群組：取代的或未取代的C ₆至C ₂₄芳基、拉電子基團、CN、F、CF ₃、全氟化C ₁至C ₈烷基； R ¹以及R ²是獨立地選自包括以下者的群組：拉電子基團、鹵素、F、Cl、CN、取代的烷基、取代的C ₁至C ₈烷基、部分氟化或全氟化C ₁至C ₈烷基、CF ₃、取代的或未取代的芳基、取代的或未取代的C ₆至C ₂₄芳基、取代的或未取代的雜芳基、取代的或未取代的C ₂至C ₂₀雜芳基、取代的C ₁至C ₈烷氧基、部分氟化或全氟化C ₁至C ₈烷氧基、OCF ₃、部分氟化或全氟化烷基芳基、部分氟化或全氟化C ₆至C ₂₄烷基芳基、O、S、N； 其中R ¹以及R ²的取代基 on是獨立地選自包括以下者的群組：一拉電子基團、CN、取代的或未取代的烷基、取代的或未取代的C ₁至C ₈烷基、取代的或未取代的雜芳基、取代的或未取代的C ₂至C ₂₀雜芳基、取代的或未取代的芳基、取代的或未取代的C ₆至C ₂₄芳基、全氟化烷基、全氟化C ₁至C ₈烷基、CF ₃、NO ₂、F； 其中R ¹以及R ²一起可選地形成一取代的或未取代的碳環或取代的或未取代的雜環、取代的或未取代的碳環； 其中該環上的取代基是選自包括以下者的群組：拉電子基團、F、CN、全氟化C ₁至C ₈烷基、全氟化C ₁至C ₈烷氧基、OCF ₃；取代的或未取代的C ₆至C ₁₈芳基、取代的或未取代的C ₂至C ₁₈雜芳基、取代的或未取代的伸碳環、取代的或未取代的亞碳環、取代的或未取代的伸烷基、取代的或未取代的亞烷基； 其中該取代基是選自包括以下者的群組：一拉電子基團、鹵素、F、Cl、CN、全氟化烷基、全氟化C ₁至C ₈烷基、CF ₃、部分氟化或全氟化烷基芳基、部分氟化或全氟化C ₆至C ₁₈烷基芳基、全氟化C ₁至C ₈烷氧基、OCF ₃； Y     是彼此獨立地選自N或CR ^a， R ^a是獨立地選自包括以下者的群組：H、D、拉電子基團、CN、取代的或未取代的C ₁至C ₈烷基、全氟化C ₁至C ₈烷基、CF ₃、全氟化C ₁至C ₈烷氧基、OCF ₃； 其中R ^a上的取代基是獨立地選自包括以下者的群組：拉電子基團、CN、鹵素、Cl、F、部分氟化或全氟化烷基、部分氟化或全氟化C ₁至C ₁₀烷基、CF ₃、部分氟化或全氟化烷氧基、部分氟化或全氟化C ₁至C ₆烷氧基、OCF ₃、D或H； 其中兩個R ^a可選地形成一取代的或未取代的碳環或取代的或未取代的雜環、取代的或未取代的碳環； 其中該環上的取代基獨立地選自包括以下者的群組：拉電子基團、F、CN、全氟化C ₁至C ₈烷基、全氟化C ₁至C ₈烷氧基、OCF ₃；取代的或未取代的C ₆至C ₁₈芳基、取代的或未取代的C ₂至C ₁₈雜芳基、取代的或未取代的伸碳環、取代的或未取代的亞碳環、取代的或未取代的伸烷基、取代的或未取代的亞烷基； 其中兩個Y可選地形成一取代的或未取代的碳環或取代的或未取代的雜環、取代的或未取代的碳環； 其中該環上的取代基可以是拉電子基團、F、CN、全氟化C ₁至C ₈烷基、全氟化C ₁至C ₈烷氧基、OCF ₃；取代的或未取代的C ₆至C ₁₈芳基、取代的或未取代的C ₂至C ₁₈雜芳基、取代的或未取代的伸碳環、取代的或未取代的亞碳環、取代的或未取代的伸烷基、取代的或未取代的亞烷基；

    

    （15），其中 R ¹、R ²、R ³、R ⁴、R ⁵、以及R ⁶是獨立地選自包括以下者的群組：H、F、CN、CF ₃、以及NO ₂，其中R ¹、R ²、R ³、R ⁴、R ⁵、以及R ⁶中的至少一者是F、CN、CF ₃、或NO ₂。
13. 如請求項1所述的主動矩陣OLED顯示器，其中包括縮合環的該取代的或未取代的芳香族化合物具有G1至G4的一結構：

    

    （G1）、

    

    （G2）、

    

    （G3）、

    

    （G4），以及

    

    （G5）。
14. 如請求項1所述的主動矩陣OLED顯示器，其中至少一R ¹以及R ²是獨立地選自包括以下者的群組：CN、OCF ₃、CF ₃、F、全氟化C ₁至C ₈烷基、取代的C ₆至C ₂₄芳基，其中該取代基是F、CF ₃、CN、取代的C ₁至C ₈伸烷基。
15. 如請求項1所述的主動矩陣OLED顯示器，其中該第一共同半導體層是選自一共同電洞注入層、由該有機p型摻雜劑組成的一共同電洞注入層、或包括該有機p型摻雜劑以及一電洞傳輸材料的一共同電洞傳輸層。
16. 如請求項1所述的主動矩陣OLED顯示器，其中包括至少一有機p型摻雜劑的該第一共同半導體層是直接與該陽極層接觸，其中該第二共同半導體層被設置於該第一半導體層以及該發射層之間。
17. 如請求項1所述的主動矩陣OLED顯示器，其中該第二共同半導體層是一共同電洞傳輸層或一共同電子阻擋層。
18. 如請求項1所述的主動矩陣OLED顯示器，其中該片電阻是由一傳輸線法測定。
19. 如請求項1所述的主動矩陣OLED顯示器，其中該共同有機層堆疊更包括一共同有機層，該共同有機層選自包括一共同電子注入層、一共同電洞阻擋層及/或一電子傳輸層的群組。
20. 如請求項1所述的主動矩陣OLED顯示器，其中該主動矩陣OLED顯示器包括一驅動電路，該驅動電路被配置以分別地驅動該複數個OLED像素。
21. 如請求項1所述的主動矩陣OLED顯示器，其中該第一共同半導體層由該複數個OLED像素共用，及/或該第二共同半導體層由該複數個OLED像素共用。

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