CN116868703A - 有源矩阵oled显示器 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种有源矩阵OLED显示器，其包括多个OLED像素，其中每一像素本身包括有机层叠层，且有机层叠层的每一层可以形成共同半导体层，其中‑至少第一OLED像素以及第二OLED像素包括：‑阳极层，‑共同阴极层，‑至少一个发光层，其为任选的共同发光层，‑至少一个有机层叠层。

Description

有源矩阵OLED显示器

技术领域

本发明涉及一种具有多个OLED像素的有源OLED显示器、以及一种用于制造至少一个共同层的方法。

背景技术

自1987年Tang等人已证明了低工作电压(C.W.Tang等人，Appl.Phys.Lett.51(12)913(1987))以来，有机发光二极管已成为实现大面积显示器的具潜力的候选者。它们由一系列有机材料薄层(通常为1nm至1μm)组成，其可以例如通过热真空蒸发或溶液处理进行沉积，然后经由金属层形成电接触。有机电子器件提供各式各样的电子或光电组件，例如二极管、发光二极管、光电二极管和薄膜晶体管(TFT)，其在特性上可与基于无机材料的现有组件竞争。

就有机发光二极管(OLED)来说，由于外部施加的电压，通过发光二极管经由将电荷载流子(来自一侧的电子，来自另一侧的空穴)从接触处注入至相邻的有机层中，随后在活性区中形成激子(电子-空穴对)以及这些激子的辐射重组来产生并发射光。

与传统无机组件(基于诸如硅或砷化镓的无机半导体)相比，此类有机组件的优势在于可选择制造大面积元件，例如，大型显示器元件(视觉显示器、屏幕)或灯具(用于照明应用)。相较于无机材料，有机材料相对地便宜(材料以及能源的消耗较少)。此外，相较于无机材料，因为这些材料的低加工温度，可以沉积在柔性基底上，因而在显示和照明工程中开启了一系列崭新的应用。这种组件的基本结构包括一个或多个下列层的排列：载体基底；空穴注入(正接触)基础电极，通常是透明的；空穴注入层(HIL)；空穴传输层(HTL)；发光层(EL)；电子传输层(ETL)；电子注入层(EIL)；电子注入(负接触)覆盖电极，通常是具有低逸出功的金属；以及封装，以排除环境影响。

虽然上述代表最典型的情况，通常可以省略若干层(HTL及ETL除外)，或者一层可以结合多种性质。

在文件US 5,093,698中，描述了掺杂的电荷-载流子传输层的用途(通过类受体分子的混合物对HTL的p型掺杂、通过类供体分子的混合物对ETL的n型掺杂)。从这个意义来看，掺杂是指将所述掺杂物质的混合物掺入到所述层中，增加了此层中的平衡电荷载流子浓度，相较于相关的两种物质之一的本质层相比，这造成改进的导电率以及更好的电荷-载流子从相邻接触层到该混合层的注入。电荷-载流子的传输仍发生在基质分子上。电荷-载流子的传输仍然发生在基质分子上。根据US 5,093,698，掺杂层是用作接触材料界面处的注入层，发光层位于两者之间(或者，当仅使用一掺杂层时，紧邻另一个接触)。通过掺杂而增加的平衡电荷-载流子密度以及相关的能带弯曲有助于电荷载流子注入。根据US 5,093,698，应获得有机层的能级(HOMO＝最高占据分子轨道或最高能量价带能量；LUMO＝最低未占据分子轨道或最低能量导带能量)，使得ETL中的电子以及HTL中的空穴可以注入至EL(发光层)，而无需进一步的势垒，这需要HTL材料非常高的电离能以及ETL材料非常低的电子亲和力。

对于有源OLED显示器，显示器像素之间的所谓串扰一直是一个主要问题。像素或颜色串扰是指由像素产生的一种颜色的光子与从靠近的像素散射的另一种颜色的光子错误地混合。例如，文件GB 2 492400A及WO 2002/015292 A2提供了用于减少OLED器件中颜色串扰的措施。此外，或作为替代方面，可发生电串扰。在这种情况下，例如，施加至像素之一的驱动电流可导致从靠近为其提供驱动电流的像素的另一像素发光。两者将会对显示器件的性能产生负面影响(参见Yamazaki等人，A.(2013)，33.2：有机发光二极管显示器的空间分辨率性能：手持和工作站格式的MTF对比分析。SID研讨会技术论文摘要，44:419-422。doi:10.1002/j.2168-0159.2013.tb06236.x)(Yamazaki et al.,A.(2013),33.2:SpatialResolution Characteristics of Organic Light-emitting Diode Displays:Acomparative Analysis of MTF for Handheld and Workstation Formats.SIDSymposium Digest of Technical Papers,44:419-422.doi:10.1002/j.2168-0159.2013.tb06236.x)。

在典型的商用有源矩阵OLED显示器中，电像素串扰可通过在由更多OLED像素共享的空穴传输层(HTL)中使用氧化还原p掺杂引起(从某种意义上，共享的HTL是电连接至存在于显示器中的多个像素的阳极)。使用氧化还原p型掺杂剂有利于低工作电压、高工作稳定性以及高产量，所述氧化还原p型掺杂剂通过将电子从掺杂基质的分子转移至掺杂剂分子来产生新的电荷载流子(空穴)以增加电荷载流子密度。另一方面，氧化还原p型掺杂将空穴传输层的导电率从没有p型掺杂剂的小于10^-8S/cm(通常从小于10^-10S/cm)提高至大于10^{- 6}S/cm(通常，p型掺杂剂的浓度在1至5重量％之间)。因此，氧化还原掺杂的HTL通常负责有源矩阵显示器(包括由多个像素共享的HTL)中的任何电像素串扰。如果使用氧化还原n型掺杂剂进行n型掺杂，ETL也可显示出与氧化还原掺杂HTL相似的高导电率，然而，由于具有共同阴极的显示器布局，ETL不会引起电像素串扰。

发明内容

一个目的是为有源矩阵OLED显示器提供改进的技术，特别是减少有源OLED显示器的相邻像素之间的串扰。

一方面，提供了一种有源矩阵OLED显示器，其包括多个OLED像素，其中每一像素本身包括有机层叠层，且所述有机层叠层中的每一层可以形成共同半导体层，其中至少第一OLED像素以及第二OLED像素包括：

阳极层，

共同阴极层，

至少一个发光层，其任选地是共同发光层，

至少一个有机层叠层，其中所述有机层叠层被设置于阳极层和阴极层之间，所述有机层叠层包括：

多个半导体层，所述多个半导体层包括至少两个或更多个共同半导体层，其中所述多个半导体层包括：

至少第一共同半导体层，其包括至少一个有机p型掺杂剂，

至少第二共同半导体层，

共同半导体层，其在OLED显示器中的多个像素的所有像素上延伸或者在多个像素的至少两个像素上延伸，以及

其中第一共同半导体包括至少一个有机p型掺杂剂、以及与第二共同半导体层一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻。

根据一个实施方式，其中共同第一半导体层以及共同第二半导体层的薄层电阻被一起单独测量。

根据一个实施方式，其中共同第一半导体层以及共同第二半导体层的薄层电阻被一起单独测量，其中对于薄层电阻的测量，共同第二半导体层直接沉积于共同第一半导体层上，而且共同第一半导体层直接沉积于测量电极(优选地，ITO电极)上。

根据一个实施方式，提供了一种有源矩阵OLED显示器，其包括多个OLED像素，其中每一像素本身包括有机层叠层，所述有机层叠层的每一层可以形成共同半导体层，其中至少第一OLED像素以及第二OLED像素包括：

阳极层，

共同阴极层，

至少一个发光层，其任选地是共同发光层，

至少一个有机层叠层，其中所述有机层叠层被设置于阳极层和阴极层之间，所述有机层叠层包括：

多个半导体层，所述多个半导体层包括至少两个或更多个共同半导体层，其中所述多个半导体层包括：

至少第一共同半导体层，其包括至少一有机p型掺杂剂，

至少第二共同半导体层，

共同半导体层，在OLED显示器中的多个像素的所有像素上延伸或者在多个像素的至少两个像素上延伸，以及

其中第一共同半导体包括至少一个有机p型掺杂剂、以及与第二共同半导体层一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻，其中共同第一半导体层以及共同第二半导体层的薄层电阻被一起单独测量，其中对于薄层电阻的测量，共同第二半导体层直接沉积于共同第一半导体层上，而且共同第一半导体层直接沉积于测量电极(优选地，ITO电极)上。

根据一个实施方式，提供了一种有源矩阵OLED显示器，其包括多个OLED像素，其中每一像素本身包括有机层叠层，且所述有机层叠层中的每一层可以形成共同半导体层，其中至少第一OLED像素以及第二OLED像素包括：

阳极层，

共同阴极层，

至少一个发光层，其任选地是共同发光层，

至少一个有机层叠层，其中所述有机层叠层被设置于阳极层和阴极层之间，其包括：

多个半导体层，所述多个半导体层包括至少两个或更多个共同半导体层，其中所述多个半导体层包括：

至少第一共同半导体层，其包括至少一有机p型掺杂剂，

至少第二共同半导体层，

共同半导体层，在OLED显示器中的多个像素的所有像素上延伸或者在多个像素的至少两个像素上延伸，以及

其中第一共同半导体包括至少一个有机p型掺杂剂、以及与第二共同半导体层一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻，其中共同第一半导体层以及共同第二半导体层的薄层电阻被一起单独测量，其中对于薄层电阻的测量，共同第二半导体层直接沉积于第一共同半导体层上，而且第一共同半导体层直接沉积于测量电极(优选地，ITO电极)上。

有机半导体器件的一个性质是其导电率。通过使用空穴注入材料，可以显著提高有机半导体器件的层的导电率。薄层电阻例如由所谓的“传输线法”测定。就此，对薄层施加电压并测量流过该层的电流。通过考虑接触点的几何形状以及样品的层厚度，可以分别得出薄层电阻及导电率。

薄层电阻是由传输线法测定。

根据一个实施方式，提供了一种有源矩阵OLED显示器，其包括多个OLED像素，其中每一像素本身包括有机层叠层，且所述有机层叠层中的每一层可以形成共同半导体层，其中至少第一OLED像素以及第二OLED像素包括：

阳极层，

共同阴极层，

至少一个发光层，其任选地是共同发光层，

至少一个有机层叠层，其中所述有机层叠层被设置于阳极层和阴极层之间，其包括：

多个半导体层，所述多个半导体层包括至少两个或更多个共同半导体层，其中所述多个半导体层包括：

至少第一共同半导体层，其包括至少一个有机p型掺杂剂，

至少第二共同半导体层，

共同半导体层，在OLED显示器中的多个像素的所有像素上延伸或者在多个像素的至少两个像素上延伸，以及

其中第一共同半导体包括至少一个有机p型掺杂剂、以及与第二共同半导体层一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻，其中薄层电阻是由传输线法测定，其中任选地共同第一半导体层以及共同第二半导体层的薄层电阻被一起单独测量，其中对于薄层电阻的测量，共同第二半导体层直接沉积于共同第一半导体层上，而且共同第一半导体层直接沉积于测量电极(优选地，ITO电极)上。

根据一个实施方式，提供了一种有源矩阵OLED显示器，其包括多个OLED像素，其中每一像素本身包括有机层叠层，且所述有机层叠层中的每一层可以形成共同半导体层，其中至少第一OLED像素以及第二OLED像素包括：

阳极层，

共同阴极层，

至少一个发光层，其任选地是共同发光层，

至少一个有机层叠层，其中所述有机层叠层被设置于阳极层和阴极层之间，其包括：

多个半导体层，所述多个半导体层包括至少两个或更多个共同半导体层，其中所述多个半导体层包括：

至少第一共同半导体层，其包括至少一个有机p型掺杂剂，

至少第二共同半导体层，

共同半导体层，在OLED显示器中的多个像素的所有像素上延伸或者在多个像素的至少两个像素上延伸，以及

其中第一共同半导体包括至少一个有机p型掺杂剂、以及与第二共同半导体层一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻，其中薄层电阻是由传输线法测定，其中任选地共同第一半导体层以及共同第二半导体层的薄层电阻被一起单独测量，其中对于薄层电阻的测量，共同第二半导体层直接沉积于第一共同半导体层上，而且第一共同半导体层直接沉积于测量电极(优选地，ITO电极)上。

根据一个实施方式，提供了一种有源矩阵OLED显示器，其包括多个OLED像素，其中每一像素本身包括有机层叠层，且所述有机层叠层中的每一层可以形成共同半导体层，其中至少第一OLED像素以及第二OLED像素包括：

阳极层，

共同阴极层，

至少一个发光层，其任选地是共同发光层，

至少一个有机层叠层，其中所述有机层叠层被设置于阳极层和阴极层之间，其包括：

多个半导体层，所述多个半导体层包括至少两个或更多个共同半导体层，其中所述多个半导体层包括：

至少第一共同半导体层，其包括至少一有机p型掺杂剂，

至少第二共同半导体层，

共同半导体层，在OLED显示器中的多个像素的所有像素上延伸或者在多个像素的至少两个像素上延伸，以及

其中第一共同半导体包括至少一有机p型掺杂剂、以及与第二共同半导体层一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻，其中薄层电阻是由传输线法测定，其中共同第一半导体层以及共同第二半导体层的薄层电阻被一起单独测量，其中对于薄层电阻的测量，共同第二半导体层直接沉积于共同第一半导体层上，而且共同第一半导体层直接沉积于测量电极(优选地，ITO电极)上。

根据一个实施方式，提供了一种有源矩阵OLED显示器，其包括多个OLED像素，其中每一像素本身包括有机层叠层，且所述有机层叠层中的每一层可以形成共同半导体层，其中至少第一OLED像素以及第二OLED像素包括：

阳极层，

共同阴极层，

至少一个发光层，其任选地是共同发光层，

至少一个有机层叠层，其中所述有机层叠层被设置于阳极层和阴极层之间，其包括：

多个半导体层，所述多个半导体层包括至少两个或更多个共同半导体层，其中所述多个半导体层包括：

至少第一共同半导体层，其包括至少一有机p型掺杂剂，

至少第二共同半导体层，

共同半导体层，在OLED显示器中的多个像素的所有像素上延伸或者在多个像素的至少两个像素上延伸，以及

其中第一共同半导体包括至少一个有机p型掺杂剂、以及与第二共同半导体层一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻，其中薄层电阻是由传输线法测定，其中共同第一半导体层以及共同第二半导体层的薄层电阻被一起单独测量，其中对于薄层电阻的测量，共同第二半导体层直接沉积于第一共同半导体层上，而且第一共同半导体层直接沉积于测量电极(优选地，ITO电极)上。

术语“一起单独测量”是指在没有OLED显示器的其它层或共同层的情况下测量各自的层的薄层电阻。

因此，术语“一起单独测量”是指测量各自的共同层的结合的薄层电阻，其中所述共同层在没有OLED显示器的其它层或共同层下彼此层叠。

例如，在共同第一半导体层以及共同第二半导体层的薄层电阻被一起单独测量的情况下，对于薄层电阻的测量，共同第一半导体层以及共同第二半导体层彼此层叠且其它层并不存在。

在另一实例中，在共同空穴注入层以及共同第二半导体层的薄层电阻被一起单独测量的情况下，对于薄层电阻的测量，共同空穴注入层以及共同第二半导体层彼此层叠且其它层并不存在。

在另一实例中，在共同空穴半导体层以及共同空穴传输层的薄层电阻被一起单独测量的情况下，对于薄层电阻的测量，共同空穴注入层以及共同空穴传输层彼此层叠且其它层并不存在。

在另一实例中，在共同第一半导体层、共同第二半导体层以及共同第三半导体层的薄层电阻被一起单独测量的情况下，对于薄层电阻的测量，共同第一半导体层、共同第二半导体层以及共同第三半导体层彼此层叠且其它层并不存在。

在另一实例中，在共同第一半导体层、共同第二半导体层、共同第三半导体层以及共同发光层的薄层电阻被一起单独测量的情况下，对于薄层电阻的测量，共同第一半导体层、共同第二半导体层、共同第三半导体层以及共同发光层彼此层叠且其它层并不存在。

在另一实例中，在共同第一半导体层、共同第二半导体层、共同第三半导体层以及发光层的薄层电阻被一起单独测量的情况下，对于薄层电阻的测量，共同第一半导体层、共同第二半导体层、共同第三半导体层以及发光层彼此层叠且其它层并不存在。

传输线法

薄层电阻Rs是针对测试元件组上给定的沉积层叠层(参见图2)测量的，测试元件组由称为通道(为两个高导电电极提供了彼此之间的间隙“l”，且每一电极的宽度“w”(参见图1))的测试元件组成。为了改进噪声水平，可以使用大的“w”，并在指叉结构中形成电极，以减少面积要求(参见图3)。可靠的Rs计算需要具有不同通道长度“l”的至少三个此类通道。

测量是依以下方式进行：

第一电压在-5V至+5V之间以小于1V的步长扫描并测量电流。此测量期间的基底温度优选地为23+/-2℃。使用线性拟合，x轴上的电流值与y轴上的电压值的拟合斜率给出通道电阻“R”。对每一通道“n”重复此程序，导致通道“n”的“Rn”具有间隙“ln”和宽度“w”。对于Rs计算，宽度“w”必须在所有通道上保持不变。对于可靠的电阻值，拟合质量指数R²必须大于0.9。

在第二步骤中，对于具有间隙“ln”通道绘制电阻“Rn”，而且进行线性拟合。此拟合的斜率乘以通道宽度“w”，得出沉积层叠层的薄层电阻Rs。此计算消除了测量设置中接触电阻和串联电阻的影响。电极间隙应接近目标应用间隙，例如20μm、40μm、60μm。低导电层的通道宽度可为100000μm。

测量在具有ITO电极的玻璃基底(Corning Eagle XG)上完成。使用水基界面活性剂溶液进行湿式清洁并以氮气吹干，然后在200℃下在氮气气氛中烘烤120分钟后，以氮等离子体处理基底。在沉积有机层之后，在电测量之前，使用包括干燥剂的封装玻璃盖封装样品。

传输线法是测量薄层电阻的常用方法，尤其被描述于：

Williams,Ralph(1990).Modern GaAs Processing Methods.Artech House.ISBN0890063435。

Schroder,Dieter K.(2006).Semiconductor Material and DeviceCharacterization.John Wiley&Sons.ISBN 0471739065。

Reeves,G.K.,IEEE Electron Device Letters(Volume:3,Issue:5,May 1982),pages 113-133(https://ieeexplore.ieee.org/document/1482607)。

优选的薄层电阻测量

在接触电阻远低于电极之间通道区域的电阻的情况下，可以使用简化的薄层电阻测量方法。在具有例如103500μm的通道宽度w以及80μm的通道长度l的电极对上，施加5V的电压V并使用Keithley SM2635电源测量单元测量电流I。通道电阻R由公式R＝V/I计算得出。在接下来的步骤中，薄层电阻Rs由Rs＝R*w/l计算。薄层电阻是在23+/-2℃下测量。以图6中5V时的80μm通道电流为实施例数据，得出R＝5V/1.33e.7A＝3.76e7Ohm以及Rs＝R*w/l＝3.76e7Ohm*103500μm/80μm＝48.6G欧姆/平方。

替代的薄层电阻测量

作为替代，可以依如下方式测量薄层电阻：

根据图4，具有90nm ITO与10欧姆/平方薄层电阻的ITO涂布基底用指叉结构图案化。两个电极上的12个ITO指叉结构总共形成23个导电区域：n＝23。指叉长度w_e为4.5mm。因此总通道宽度为103.5mm。通道长度w在20至80μm之间以20μm的步长变化。具有4种不同通道长度的电极对被组合在尺寸为25x25mm²的一个基底上，如图5所示。有机层沉积在基底上，覆盖了完整的指叉图案。在基底上，第一共同半导体层包括具有10nm厚度的至少一个有机p型掺杂剂，例如，第一共同半导体层是由掺杂的共价基质化合物组成的空穴注入层，适合的共价基质化合物描述于说明书中，通过共蒸发而沉积。温度范围取决于材料、并受限于汽化开始时的汽化温度以及分解温度。这些值是材料参数，而且对于每种材料都不同。这些值典型地介于50℃和500℃之间，大部分介于150℃和350℃之间。例如，共价基质化合物沉积以(埃/秒)的固定速率及272℃的蒸发源温度进行。有机p型掺杂剂源例如选自以下：取代的或未取代的3-轴烯、取代的或未取代的醌、取代的或未取代的醌类(quinoid)、以及包括缩合环的取代的或未取代的芳族化合物，而且更优选地，有机p型掺杂剂可以选自取代的或未取代的3-轴烯化合物，说明书中描述了其它适合的p型掺杂剂，例如在174℃下以工作。在该层上，以的沉积速率以及280℃的温度，沉积厚度为128nm的第二共同半导体层，其为例如共同空穴传输层或共同电子阻挡层，其中优选地为空穴传输层。在整个沉积工序期间，腔压为3e-7毫巴。然而，如上所述，使用的蒸发温度取决于汽化开始的汽化温度和分解温度。用于有机材料的蒸发温度取决于材料，通常在80℃和500℃之间。在有机层沉积后，使用具有集成干燥剂的玻璃盖将获得的基底层器件封装于填充氮气的手套箱中，以避免样品降解。

在对应于给定通道长度的每一电极对上，以0.5V的步长施加-5V和+5V之间的电压并测量电流。这是使用Keithley SM2635电源测量单元完成的。图6显示了这种测量的实例图。计算对应于给定通道长度的每次测量的斜率得到了此通道长度的电阻Rn。在对应的通道长度上绘制Rn，计算斜率并将其乘以103500μm的通道宽度，得到测量的层叠层的薄层电阻Rs。在给定的实例中，斜率470199欧姆/μm乘以103500μm的通道宽度。结果是48.7G欧姆/平方的薄层电阻。薄层电阻是在23℃和1013毫巴下测量的。

共同层

共同层是指在一个处理步骤中经由一个大掩模开口沉积在整个显示区域上的层和/或由在若干连续步骤中沉积的若干重叠区域组成的层，即使重叠层由不同材料组成。

根据一个实施方式，第一共同半导体包括至少一个有机p型掺杂剂。根据一个实施方式，第一共同半导体包括至少一个有机p型掺杂剂，其中第一共同半导体是空穴注入层。

有机p型掺杂剂

在本说明书中，当没有另外提供定义时，“有机p型掺杂剂”是指能够促进空穴注入(即正电荷从阳极优选地注入至有机层中，特别是空穴传输层中)的有机化合物，而且其中所述有机化合物能够在一定电流密度下(如果存在)降低工作电压。

有机p型掺杂剂可以提供从阳极至空穴传输基质的空穴注入，而不会实质增加自由电荷载流子的浓度至高于对应于在纯基质中观察到的导电率的水平、或者可能能够在被添加至半导体中时增加空穴传输材料或空穴传输层中的正电荷载流子的密度。有机p型掺杂剂可以在层内单独使用或与空穴传输材料或空穴传输层结合使用。

根据有源矩阵OLED显示器的一个实施方式，有机p型掺杂剂可以选自以下：取代的或未取代的3-轴烯、取代的或未取代的醌、取代的或未取代的醌类、以及包括缩合环的取代的或未取代的芳族化合物，以及，优选地，有机p型掺杂剂选自取代的或未取代的3-轴烯化合物。优选地，有机p型掺杂剂是有机氧化还原p型掺杂剂。

3-轴烯化合物可由式(1)表示：

其中A¹、A²以及A³独立地选自式(2)：

其中“*”是A¹、A²以及A³与式(1)的双键的结合位置，

R’独立地选自以下：取代的或未取代的芳基、取代的或未取代的杂芳基、取代的或未取代的烷基、以及优选地取代的或未取代的C₆至C₂₄芳基、取代的或未取代的C₂至C₂₀杂芳基、取代的或未取代的C₁至C₈烷基；

其中R’上的取代基独立地选自以下：吸电子基团、CN、卤素、Cl、F、部分氟化或全氟化烷基、部分氟化或全氟化烷氧基、以及优选地部分氟化或全氟化的C₁至C₁₀烷基、部分氟化或全氟化的C₁至C₆烷氧基、以及更优选地CF₃、OCF₃、D或H；

R”选自以下：吸电子基团、优选地CN、取代的或未取代的烷基、取代的或未取代的杂芳基、取代的或未取代的芳基、全氟化烷基、进一步更优选地取代的或未取代的C₁至C₈烷基、取代的或未取代的C₂至C₂₀杂芳基、取代的或未取代的C₆至C₂₄芳基、全氟化C₁至C₈烷基、以及更优选地CF₃、NO₂或F；

其中R”上的取代基独立地选自以下：吸电子基团、CN、卤素、Cl、F、部分氟化或全氟化烷基、部分氟化或全氟化烷氧基、以及优选地部分氟化或全氟化C₁至C₁₀烷基、部分氟化或全氟化的C₁至C₆烷氧基、以及更优选地CF₃、OCF₃、D或H；

其中R’以及R”一起任选地形成取代的或未取代的碳环或取代的或未取代的杂环、优选地取代的或未取代的杂环；

其中取代基独立地选自以下：吸电子基团、F、CN、全氟化的C₁至C₈烷基、取代的或未取代C₆至C₁₈芳基、取代的或未取代的C₂至C₁₈杂芳基、取代的或未取代的C₃至C₁₈碳环叉基、取代的或未取代的C₃至C₁₈碳环亚基、取代的或未取代的C₁至C₈烷叉基、取代的或未取代的C₁至C₈烷亚基；

其中取代基选自:吸电子基团、卤素、F、Cl、CN、全氟化烷基、全氟化C₁至C₈烷基、CF₃、部分氟化或全氟化烷基芳基、部分氟化或全氟化C₆至C₁₈烷基芳基。

根据一个实施方式，取代基R’可以独立地选自以下：取代的或未取代的C₆至C₂₄芳基、取代的或未取代的C₂至C₂₀杂芳基。根据一个实施方式，取代基R”可以选自以下：吸电子基团，优选地为R”独立地选自以下：CN、CF₃、NO₂、或F，而且更优选地R”是CN。

根据另一个实施方式，其中

R’独立地选自以下：取代的或未取代的C₆至C₂₄芳基、取代的或未取代的C₂至C₂₀杂芳基；

R”是吸电子基团，优选地为R”独立地选自以下：CN、CF₃、NO₂、或F，而且更优选地R”是CN。

根据另一个实施方式，其中

R’独立地选自以下：取代的或未取代的C₆至C₁₈芳基、取代的或未取代的C₂至C₁₈杂芳基；

R”独立地选自以下：CN、CF₃、NO₂、或F，而且更优选地R”是CN。

根据另一个实施方式，其中

R’独立地选自以下：取代的或未取代的C₆至C₁₂芳基、取代的或未取代的C₂至C₁₂杂芳基；

R”独立地选自以下：CN、CF₃或F，而且更优选地R”是CN。

根据另一个实施方式，其中A¹、A²以及A³选择为A¹＝A²≠A³、或A¹≠A²以及A¹≠A³以及A²＝A³。

根据另一个实施方式，其中A¹、A²以及A³选自式(3)或(4)：

其中

X¹选自CR¹或N；

X²选自CR²或N；

X³选自CR³或N；

X⁴选自CR⁴或N；

X⁵选自CR⁵或N；

R¹、R²、R³、R⁴、以及R⁵独立地选自以下：吸电子基团、CN、卤素、Cl、F、部分氟化或全氟化烷基、部分氟化或全氟化C₁至C₁₀烷基，优选地CF₃、部分氟化或全氟化烷氧基、部分氟化或全氟化C₁至C₆烷氧基、D或H；

其中X¹至X⁵中的至少两者独立地选自CR¹至CR⁵；而且其中式(3)以及(4)中的“*”是A¹、A²以及A³与式(1)的双键的结合位置。

根据另一个实施方式，其中A¹选自式(3)或(4)：

其中

X¹选自CR¹或N；

X²选自CR²或N；

X²选自CR²或N；

X⁴选自CR⁴或N；

X⁵选自CR⁵或N；

R¹、R²、R³、R⁴、以及R⁵独立地选自以下：吸电子基团、CN、卤素、Cl、F、部分氟化或全氟化烷基、部分氟化或全氟化C₁至C₁₀烷基，优选地CF₃、部分氟化或全氟化烷氧基、部分氟化或全氟化C₁至C₆烷氧基、D或H；

其中X¹至X⁵中的至少两者独立地选自CR¹至CR⁵；而且其中式(3)以及(4)中的“*”是A¹与式(1)的双键的结合位置。

根据另一个实施方式，其中A¹可以选自包括D1至D210的基团：

以及

其中

基团D1至D210上的取代基的“*”表示A¹与式(1)的双键的结合位置。

根据另一个实施方式，其中A¹、A²及/或A³可以选自包括D1至D210的基团。

根据另一个实施方式，其中有机p型掺杂剂的醌具有式(5)，而且有机p型掺杂剂的醌类具有式(6)，

其中

A¹以及A²独立地选自式(7)：

或NR”’，其中“*”是A¹以及A²与式(5)以及式(6)的双键的结合位置：

R’选自：吸电子基团、取代的或未取代的烷基、取代的或未取代的杂芳基、取代的或未取代的芳基、全氟化烷基，优选地取代的或未取代的C₁至C₈烷基、取代的或未取代的C₂至C₂₀杂芳基、取代的或未取代的C₆至C₂₄芳基、全氟化C₁至C₈烷基、CF₃、NO₂、F、CN，

其中R’上的取代基独立地选自以下：D、H、吸电子基团、CN、卤素、Cl、F、部分氟化或全氟化烷基、部分氟化或全氟化C₁至C₁₀烷基、CF₃、部分氟化或全氟化烷氧基、部分氟化或全氟化C₁至C₆烷氧基，而且更优选地CN、CF₃、OCF₃、D或H；

R”吸电子基团、取代的或未取代的烷基、取代的或未取代的杂芳基、取代的或未取代的芳基、全氟化烷基，优选地取代的或未取代的C₁至C₈烷基、取代的或未取代的C₂至C₂₀杂芳基、取代的或未取代的C₆至C₂₄芳基、全氟化C₁至C₈烷基、CF₃、NO₂、F、CN，

其中R”上的取代基独立地选自以下：吸电子基团、CN、卤素、Cl、F、部分氟化或全氟化烷基、部分氟化或全氟化C₁至C₁₀烷基、CF₃、部分氟化或全氟化烷氧基、部分氟化或全氟化C₁至C₆烷氧基，而且更优选地CN、CF₃、OCF₃、D或H；

其中R’以及R”一起任选地形成取代的或未取代的环，而且其中取代的或未取代的环可以是取代的或未取代的碳环或取代的或未取代的杂环，优选地为取代的或未取代的杂环；

R”’选自键、取代的或未取代的C₁至C₁₈烷基、取代的或未取代的C₆至C₂₄芳基、取代的或未取代的C₆至C₂₄杂芳基、CN，

其中R”’上的取代基独立地选自以下：取代的或未取代的C₆至C₂₄芳基、吸电子基团、CN、F、CF₃、全氟化C₁至C₈烷基；

R¹、R²、R³、以及R⁴独立地选自以下：吸电子基团、卤素、取代的或未取代的烷基、部分氟化或全氟化烷基、取代的或未取代的芳基、取代的或未取代的杂芳基、取代的烷氧基、部分氟化或全氟化烷氧基、部分氟化或全氟化烷基芳基、O、S、取代的或未取代的N，优选地F、Cl、CN、取代的或未取代的C₁至C₈烷基、部分氟化或全氟化C₁至C₈烷基、CF₃、取代的或未取代的C₆至C₂₄芳基、取代的或未取代的C₂至C₂₀杂芳基、取代的或未取代的C₁至C₈烷氧基、部分氟化或全氟化C₁至C₈烷氧基、OCF₃、取代的或未取代的C₁至C₈烷基、CF₃、部分氟化或全氟化C₆至C₂₄烷基芳基，

其中R¹、R²、R³、以及R⁴上的取代基独立地选自以下：吸电子基团、取代的或未取代的烷基、取代的或未取代的杂芳基、取代的或未取代的芳基、全氟化烷基，优选地CN、取代的或未取代的C₁至C₈烷基、取代的或未取代的C₂至C₂₀杂芳基、取代的或未取代的C₆至C₂₄芳基、全氟化C₁至C₈烷基、CF₃、NO₂、F；

其中R¹以及R²一起，或R³以及R⁴一起任选地形成彼此独立的取代的或未取代的碳环或取代的或未取代的杂环，优选地取代的或未取代的杂环；

其中取代基独立地选自以下：吸电子基团、F、CN、全氟化C₁至C₈烷基(优选地全氟化C₁至C₈烷氧基，优选地OCF₃)、取代的或未取代的C₆至C₁₈芳基、取代的或未取代的C₂至C₁₈杂芳基、取代的或未取代的碳环叉基、取代的或未取代的碳环亚基、取代的或未取代的烷叉基、取代的或未取代的烷亚基；

其中取代基独立地选自以下：吸电子基团、卤素、F、Cl、CN、全氟化烷基、CF₃、部分氟化或全氟化烷基芳基、部分氟化或全氟化C₆至C₁₈烷基芳基、全氟化C₁至C₈烷氧基(优选地OCF₃)；

其中A¹与R³一起而且A²与R一起任选地彼此独立地形成取代的或未取代的杂环；

其中取代基独立地选自以下：取代的或未取代的C₆至C₁₈芳基、取代的或未取代的碳环叉基、取代的或未取代的碳环亚基、取代的或未取代的烷叉基、取代的或未取代的烷亚基；

其中取代基独立地选自以下：吸电子基团、卤素、F、Cl、CN、全氟化烷基、CF₃、部分氟化或全氟化烷基芳基、部分氟化或全氟化C₆至C₁₈烷基芳基。

根据另一个实施方式，其中A¹、A²及/或A³独立地选自D1至D8的基团：

其中

“*”是A¹、A²及/或A³与式(1)的双键、与式(5)的双键、以及与式(6)的双键的结合位置。

根据另一个实施方式，其中A¹以及A²独立地选自D1至D8的基团：

其中

“*”是A¹以及A²与式(1)的双键、与式(5)的双键以及与式(6)的双键的结合位置。

根据另一个实施方式，其中A¹、A²及/或A³选自式(8)至(13)：

以及其中

X¹选自CR¹或N；

X²选自CR²或N；

X³选自CR³或N；

X⁴选自CR⁴或N；

X⁵选自CR⁵或N；

其中R¹、R²、R³、R⁴、以及R⁵之一独立地选自吸电子基团、卤素、部分氟化或全氟化烷基、部分氟化或全氟化烷氧基、D或H，优选地CN、Cl、F、部分氟化或全氟化C₁至C₁₀烷基、CF₃、部分氟化或全氟化C₁至C₆烷氧基；

其中X¹至X⁵的至少二者独立地选自CR¹至CR⁵。

根据另一个实施方式，其中A¹以及A²选自式(8)至(13)：

以及其中

X¹选自CR¹或N；

X²选自CR²或N；

X³选自CR³或N；

X⁴选自CR⁴或N；

X⁵选自CR⁵或N；

其中R¹、R²、R³、R⁴、以及R⁵之一独立地选自吸电子基团、卤素、部分氟化或全氟化烷基、部分氟化或全氟化烷氧基、D或H，优选地CN、Cl、F、部分氟化或全氟化C₁至C₁₀烷基、CF₃、部分氟化或全氟化C₁至C₆烷氧基；

其中X¹至X⁵中的至少二者独立地选自CR¹至CR⁵。

根据另一个实施方式，其中包括醌或醌类的p型掺杂剂的化合物具有以下的结构E1至E11：

根据另一个实施方式，其中包括缩合环的取代的或未取代的芳族化合物可以由式(14a)、(14b)、(14c)、(14d)、(14e)以及式(15)表示：

其中

A¹选自或NR”’，其中“*”是A¹与式(14)的双键的结合位置，其中

R’选自吸电子基团、取代的或未取代的烷基、取代的或未取代的杂芳基、取代的或未取代的C₂至C₂₀杂芳基、取代的或未取代的芳基、取代的或未取代的C₆至C₂₄芳基、全氟化烷基，最优选地取代的或未取代的C₁至C₈烷基、CN、取代的或未取代的C₂至C₂₀杂芳基、取代的或未取代的C₆至C₂₄芳基、C₁至C₈烷基、全氟化C₁至C₈烷基、CF₃、NO₂、F，

其中R’上的取代基独立地选自以下：吸电子基团、CN、卤素、Cl、F、部分氟化或全氟化烷基、部分氟化或全氟化C₁至C₁₀烷基、CF₃、部分氟化或全氟化烷氧基、部分氟化或全氟化C₁至C₆烷氧基，最优选地OCF₃、D或H；

R”选自吸电子基团、取代的或未取代的烷基、取代的或未取代的杂芳基、取代的或未取代的C₂至C₂₀杂芳基、取代的或未取代的芳基、取代的或未取代的C₆至C₂₄芳基、全氟化烷基，最优选地取代的或未取代的C₁至C₈烷基、CN、取代的或未取代的C₂至C₂₀杂芳基、取代的或未取代的C₆至C₂₄芳基、C₁至C₈烷基、全氟化C₁至C₈烷基、CF₃、NO₂、F，

其中R”上的取代基独立地选自以下：吸电子基团、CN、卤素、Cl、F、部分氟化或全氟化烷基、部分氟化或全氟化C₁至C₁₀烷基、CF₃、部分氟化或全氟化烷氧基、部分氟化或全氟化C₁至C₆烷氧基，最优选地OCF₃、D或H；

R”’选自键、取代的或未取代的C₁至C₁₈烷基、取代的或未取代的C₆至C₂₄芳基、取代的或未取代的C₆至C₂₄杂芳基、CN，

其中R”’上的取代基独立地选自以下：取代的或未取代的C₆至C₂₄芳基、吸电子基团、CN、F、CF₃、全氟化C₁至C₈烷基；

R¹以及R²独立地选自以下：吸电子基团、卤素、F、Cl、CN、取代的烷基、取代的C₁至C₈烷基、部分氟化或全氟化C₁至C₈烷基，优选地CF₃、取代的或未取代的芳基、取代的或未取代的C₆至C₂₄芳基、取代的或未取代的杂芳基、取代的或未取代的C₂至C₂₀杂芳基、取代的C₁至C₈烷氧基、部分氟化或全氟化C₁至C₈烷氧基，优选地OCF₃、部分氟化或全氟化烷基芳基、部分氟化或全氟化C₆至C₂₄烷基芳基、O、S、N；

其中R¹以及R²上的取代基独立地选自以下：吸电子基团，优选地CN、取代的或未取代的烷基、取代的或未取代的C₁至C₈烷基、取代的或未取代的杂芳基、取代的或未取代的C₂至C₂₀杂芳基、取代的或未取代的芳基、取代的或未取代的C₆至C₂₄芳基、全氟化烷基、全氟化C₁至C₈烷基，最优选地CF₃、NO₂、F；

其中R¹以及R²一起任选地形成取代的或未取代的碳环或取代的或未取代的杂环，优选地为取代的或未取代的碳环；

其中环上的取代基选自以下：吸电子基团、F、CN、全氟化C₁至C₈烷基(优选地，全氟化C₁至C₈烷氧基)、OCF₃、取代的或未取代的C₆至C₁₈芳基、取代的或未取代的C₂至C₁₈杂芳基、取代的或未取代的碳环叉基、取代的或未取代的碳环亚基、取代的或未取代的烷叉基、取代的或未取代的烷亚基；

其中取代基选自以下：吸电子基团、卤素、F、Cl、CN、全氟化烷基、全氟化C₁至C₈烷基、CF₃、部分氟化或全氟化烷基芳基、部分氟化或全氟化C₆至C₁₈烷基芳基、全氟化C₁至C₈烷氧基、OCF₃；

Y彼此独立地选自N或CR^a，

R^a独立地选自以下：H、D、吸电子基团、CN、取代的或未取代的C₁至C₈烷基、全氟化C₁至C₈烷基、CF₃、全氟化C₁至C₈烷氧基、OCF₃；

其中R^a上的取代基独立地选自以下：吸电子基团、CN、卤素、Cl、F、部分氟化或全氟化烷基、部分氟化或全氟化C₁至C₁₀烷基、CF₃、部分氟化或全氟化烷氧基、部分氟化或全氟化C₁至C₆烷氧基，最优选地OCF₃、D或H；

其中两个R^a任选地形成取代的或未取代的碳环或取代的或未取代的杂环，优选地取代的或未取代的碳环；

其中环上的取代基独立地选自以下：吸电子基团、F、CN、全氟化C₁至C₈烷基(优选地，全氟化C₁至C₈烷氧基)、OCF₃、取代的或未取代的C₆至C₁₈芳基、取代的或未取代的C₂至C₁₈杂芳基、取代的或未取代的碳环叉基、取代的或未取代的碳环亚基、取代的或未取代的烷叉基、取代的或未取代的烷亚基；

其中两个Y任选地形成取代的或未取代的碳环或取代的或未取代的杂环，优选地取代的或未取代的碳环；

其中环上的取代基可以是吸电子基团、F、CN、全氟化C₁至C₈烷基(优选地，全氟化C₁至C₈烷氧基)、OCF₃、取代的或未取代的C₆至C₁₈芳基、取代的或未取代的C₂至C₁₈杂芳基、取代的或未取代的碳环叉基、取代的或未取代的碳环亚基、取代的或未取代的烷叉基、取代的或未取代的烷亚基；

其中

R¹、R²、R³、R⁴、R⁵、以及R⁶独立地选自以下：H、F、CN、CF₃、以及NO₂，其中R¹、R²、R³、R⁴、R⁵、以及R⁶的至少一者是F、CN、CF₃、或NO₂。

根据另一个实施方式，其中包括缩合环的取代的或未取代的芳族化合物具有G1至G4的结构：

以及

根据另一个实施方式，其中至少一个R¹以及R²独立地选自以下：CN、OCF₃、CF₃、F、全氟化C₁至C₈烷基、取代的C₆至C₂₄芳基，其中取代基是F、CF₃、CN、取代的C₁至C₈烷亚基。

根据本发明的一个实施方式，有机p型掺杂剂是非发光的。在本说明书的上下文中，术语“本质上非发光”或“非发光”是指有机p型掺杂剂对于来自有机电子器件(优选地为OLED或显示器件)的可见光发光光谱的贡献相对于可见光发光光谱为小于10％、优选地小于5％。可见光发光光谱是波长约≥380nm至约≤780nm的发光光谱。

有源矩阵OLED显示器

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中第一共同半导体层是共同空穴注入层，优选地，共同空穴注入层由有机p型掺杂剂组成，或者共同空穴传输层包括有机p型掺杂剂以及空穴传输材料。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中第一共同半导体层包括与阳极层直接接触的至少一个有机p型掺杂剂，其中第二共同半导体层被设置于第一半导体层与发光层之间。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中第二共同半导体层是共同空穴传输层或共同电子阻挡层，优选地，共同第一空穴注入层与是共同空穴传输层或共同电子阻挡层的第二共同半导体层直接接触。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中多个共同半导体层还包括共同第三半导体层，其中第一共同半导体层、第二共同半导体层、以及共同第三半导体层一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中多个共同半导体层还包括共同第三半导体层，其中第一共同半导体层、第二共同半导体层、以及共同第三半导体层一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻，其中共同第一半导体层、共同第二半导体层、以及共同第三半导体层的薄层电阻被一起单独测量。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中多个共同半导体层还包括共同第三半导体层，其中第一共同半导体层、第二共同半导体层、以及共同第三半导体层一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻，其中共同第一半导体层、共同第二半导体层、以及共同第三半导体层的薄层电阻被一起单独测量，其中对于薄层电阻的测量，第三共同半导体层直接沉积于第二共同半导体层上，第二共同半导体层直接沉积于第一共同半导体层上，而且第一共同半导体层直接沉积于测量电极(优选地，ITO电极)上。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中多个共同半导体层还包括共同第三半导体层，其中第一共同半导体层、第二共同半导体层、以及共同第三半导体层一起具有选自以下的薄层电阻≥100千兆欧姆/平方、≥200千兆欧姆/平方、≥300千兆欧姆/平方、≥400千兆欧姆/平方、≥500千兆欧姆/平方、≥1000千兆欧姆/平方、≥2500千兆欧姆/平方、≥5000千兆欧姆/平方、≥10000千兆欧姆/平方、≥20000千兆欧姆/平方、≥30000千兆欧姆/平方、≥40000千兆欧姆/平方、或≥50000千兆欧姆/平方。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中多个共同半导体层还包括共同第三半导体层，其中第一共同半导体层、第二共同半导体层、以及共同第三半导体层一起具有选自以下的薄层电阻≥100千兆欧姆/平方、≥200千兆欧姆/平方、≥300千兆欧姆/平方、≥400千兆欧姆/平方、≥500千兆欧姆/平方、≥1000千兆欧姆/平方、≥2500千兆欧姆/平方、≥5000千兆欧姆/平方、≥10000千兆欧姆/平方、≥20000千兆欧姆/平方、≥30000千兆欧姆/平方、≥40000千兆欧姆/平方、或≥50000千兆欧姆/平方，其中共同第一半导体层、共同第二半导体层、以及共同第三半导体层的薄层电阻被一起单独测量。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中多个共同半导体层还包括共同第三半导体层，其中第一共同半导体层、第二共同半导体层、以及共同第三半导体层一起具有选自以下的薄层电阻≥100千兆欧姆/平方、≥200千兆欧姆/平方、≥300千兆欧姆/平方、≥400千兆欧姆/平方、≥500千兆欧姆/平方、≥1000千兆欧姆/平方、≥2500千兆欧姆/平方、≥5000千兆欧姆/平方、≥10000千兆欧姆/平方、≥20000千兆欧姆/平方、≥30000千兆欧姆/平方、≥40000千兆欧姆/平方、或≥50000千兆欧姆/平方，其中共同第一半导体层、共同第二半导体层、以及共同第三半导体层的薄层电阻被一起单独测量，其中对于薄层电阻的测量，第三共同半导体层直接沉积于第二共同半导体层上，第二共同半导体层直接沉积于第一共同半导体层上，而且第一共同半导体层直接沉积于测量电极(优选地，ITO电极)上。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中共同第三半导体层是共同电子阻挡层，其中第一共同半导体层是共同空穴注入层，而且第二共同半导体层是共同空穴传输层；而且其中为共同空穴注入层的第一共同半导体层、为共同空穴传输层的第二共同半导体层、以及为共同电子阻挡层的共同第三半导体层一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中共同第三半导体层是共同电子阻挡层，其中第一共同半导体层是共同空穴注入层，而且第二共同半导体层是共同空穴传输层；而且其中为共同空穴注入层的第一共同半导体层、为共同空穴传输层的第二共同半导体层、以及为共同电子阻挡层的共同第三半导体层一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻，其中共同第一半导体层、共同第二半导体层、以及共同第三半导体层的薄层电阻被一起单独测量。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中共同第三半导体层是共同电子阻挡层，其中第一共同半导体层是共同空穴注入层，而且第二共同半导体层是共同空穴传输层；而且其中为共同空穴注入层的第一共同半导体层、为共同空穴传输层的第二共同半导体层、以及为共同电子阻挡层的共同第三半导体层一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻，其中共同第一半导体层、共同第二半导体层、以及共同第三半导体层的薄层电阻被一起单独测量，其中对于薄层电阻的测量，第三共同半导体层直接沉积于第二共同半导体层上，第二共同半导体层直接沉积于第一共同半导体层上，而且第一共同半导体层直接沉积于测量电极(优选地，ITO电极)上。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中共同第三半导体层是共同电子阻挡层，其中第一共同半导体层是共同空穴注入层，而且第二共同半导体层是共同空穴传输层；而且其中为共同空穴注入层的第一共同半导体层、为共同空穴传输层的第二共同半导体层、以及为共同电子阻挡层的共同第三半导体层一起具有选自以下的薄层电阻≥100千兆欧姆/平方、≥200千兆欧姆/平方、≥300千兆欧姆/平方、≥400千兆欧姆/平方、≥500千兆欧姆/平方、≥1000千兆欧姆/平方、≥2500千兆欧姆/平方、≥5000千兆欧姆/平方、≥10000千兆欧姆/平方、≥20000千兆欧姆/平方、≥30000千兆欧姆/平方、≥40000千兆欧姆/平方、或≥50000千兆欧姆/平方。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中共同第三半导体层是共同电子阻挡层，其中第一共同半导体层是共同空穴注入层，而且第二共同半导体层是共同空穴传输层；而且其中为共同空穴注入层的第一共同半导体层、为共同空穴传输层的第二共同半导体层、以及为共同电子阻挡层的共同第三半导体层一起具有选自以下的薄层电阻≥100千兆欧姆/平方、≥200千兆欧姆/平方、≥300千兆欧姆/平方、≥400千兆欧姆/平方、≥500千兆欧姆/平方、≥1000千兆欧姆/平方、≥2500千兆欧姆/平方、≥5000千兆欧姆/平方、≥10000千兆欧姆/平方、≥20000千兆欧姆/平方、≥30000千兆欧姆/平方、≥40000千兆欧姆/平方、或≥50000千兆欧姆/平方，其中共同第一半导体层、共同第二半导体层、以及共同第三半导体层的薄层电阻被一起单独测量。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中共同第三半导体层是共同电子阻挡层，其中第一共同半导体层是共同空穴注入层，而且第二共同半导体层是共同空穴传输层；而且其中为共同空穴注入层的第一共同半导体层、为共同空穴传输层的第二共同半导体层、以及为共同电子阻挡层的共同第三半导体层一起具有选自以下的薄层电阻≥100千兆欧姆/平方、≥200千兆欧姆/平方、≥300千兆欧姆/平方、≥400千兆欧姆/平方、≥500千兆欧姆/平方、≥1000千兆欧姆/平方、≥2500千兆欧姆/平方、≥5000千兆欧姆/平方、≥10000千兆欧姆/平方、≥20000千兆欧姆/平方、≥30000千兆欧姆/平方、≥40000千兆欧姆/平方、或≥50000千兆欧姆/平方，其中共同第一半导体层、共同第二半导体层、以及共同第三半导体层的薄层电阻被一起单独测量，其中对于薄层电阻的测量，第三共同半导体层直接沉积于第二共同半导体层上，第二共同半导体层直接沉积于第一共同半导体层上，而且第一共同半导体层直接沉积于测量电极(优选地，ITO电极)上。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中为共同电子阻挡层的共同第三半导体层被设置于为共同空穴传输层的第二共同半导体层以及发光层之间。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中每一像素的发光层掺杂有颜色定义发光体掺杂剂，其中颜色定义发光体掺杂剂的颜色是每一像素独立选择或选择为相同。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中薄层电阻是由传输线法测定。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中第一OLED像素的阳极层以及第二OLED像素的阳极层由像素定义层隔开，使得第一OLED像素的阳极层以及第二OLED像素的阳极层不被形成为共同层、而且彼此不接触，优选地，多个OLED像素的阳极层不被形成为共同层、而且彼此不接触。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中共同第一空穴注入层至少部分地被设置为与阳极层直接接触、而且第二共同空穴传输层被设置于共同发光层以及共同第一空穴注入层之间。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中共同第一空穴注入层、第二共同半导体层、共同第三半导体层、以及共同发光层一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中共同第一空穴注入层、第二共同半导体层、共同第三半导体层、以及发光层一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中共同第一空穴注入层、第二共同半导体层、共同第三半导体层、以及共同发光层一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻，其中共同第一半导体层、共同第二半导体层、共同第三半导体层、以及发光层的薄层电阻被一起单独测量。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中共同第一空穴注入层、第二共同半导体层、共同第三半导体层、以及发光层一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻，其中共同第一半导体层、共同第二半导体层、共同第三半导体层、以及发光层的薄层电阻被一起单独测量，其中对于薄层电阻的测量，发光层直接沉积于共同第三半导体层上，共同第三半导体层直接沉积于第二共同半导体层上，第二共同半导体层直接沉积于共同第一空穴注入层上，而且共同第一空穴注入层直接沉积于测量电极(优选地，ITO电极)上。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中共同第一空穴注入层、第二共同半导体层、共同第三半导体层、以及共同发光层一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻，其中共同第一半导体层、共同第二半导体层、共同第三半导体层、以及共同发光层的薄层电阻被一起单独测量。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中共同第一空穴注入层、第二共同半导体层、共同第三半导体层、以及共同发光层一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻，其中共同第一半导体层、共同第二半导体层、共同第三半导体层、以及共同发光层的薄层电阻被一起单独测量，其中对于薄层电阻的测量，共同发光层直接沉积于共同第三半导体层上，共同第三半导体层直接沉积于第二共同半导体层上，第二共同半导体层直接沉积于共同第一空穴注入层上，而且共同第一空穴注入层直接沉积于测量电极(优选地，ITO电极)上。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中共同第一空穴注入层、第二共同半导体层、共同第三半导体层、以及共同发光层一起具有选自以下的薄层电阻≥100千兆欧姆/平方、≥200千兆欧姆/平方、≥300千兆欧姆/平方、≥400千兆欧姆/平方、≥500千兆欧姆/平方、≥1000千兆欧姆/平方、≥2500千兆欧姆/平方、≥5000千兆欧姆/平方、≥10000千兆欧姆/平方、≥20000千兆欧姆/平方、≥30000千兆欧姆/平方、≥40000千兆欧姆/平方、或≥50000千兆欧姆/平方。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中共同第一空穴注入层、第二共同半导体层、共同第三半导体层、以及共同发光层一起具有选自以下的薄层电阻≥100千兆欧姆/平方、≥200千兆欧姆/平方、≥300千兆欧姆/平方、≥400千兆欧姆/平方、≥500千兆欧姆/平方、≥1000千兆欧姆/平方、≥2500千兆欧姆/平方、≥5000千兆欧姆/平方、≥10000千兆欧姆/平方、≥20000千兆欧姆/平方、≥30000千兆欧姆/平方、≥40000千兆欧姆/平方、或≥50000千兆欧姆/平方，其中共同第一半导体层、共同第二半导体层、共同第三半导体层、以及发光层的薄层电阻被一起单独测量。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中共同第一空穴注入层、第二共同半导体层、共同第三半导体层、以及发光层一起具有选自以下的薄层电阻≥100千兆欧姆/平方、≥200千兆欧姆/平方、≥300千兆欧姆/平方、≥400千兆欧姆/平方、≥500千兆欧姆/平方、≥1000千兆欧姆/平方、≥2500千兆欧姆/平方、≥5000千兆欧姆/平方、≥10000千兆欧姆/平方、≥20000千兆欧姆/平方、≥30000千兆欧姆/平方、≥40000千兆欧姆/平方、或≥50000千兆欧姆/平方，其中共同第一半导体层、共同第二半导体层、共同第三半导体层、以及发光层的薄层电阻被一起单独测量，其中对于薄层电阻的测量，共同发光层直接沉积于共同第三半导体层上，共同第三半导体层直接沉积于第二共同半导体层上，第二共同半导体层直接沉积于共同第一空穴注入层上，而且共同第一空穴注入层直接沉积于测量电极(优选地，ITO电极)上。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中共同第一空穴注入层、第二共同半导体层、共同第三半导体层、以及共同发光层一起具有选自以下的薄层电阻≥100千兆欧姆/平方、≥200千兆欧姆/平方、≥300千兆欧姆/平方、≥400千兆欧姆/平方、≥500千兆欧姆/平方、≥1000千兆欧姆/平方、≥2500千兆欧姆/平方、≥5000千兆欧姆/平方、≥10000千兆欧姆/平方、≥20000千兆欧姆/平方、≥30000千兆欧姆/平方、≥40000千兆欧姆/平方、或≥50000千兆欧姆/平方，其中共同第一半导体层、共同第二半导体层、共同第三半导体层、以及共同发光层的薄层电阻被一起单独测量。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中共同第一空穴注入层、第二共同半导体层、共同第三半导体层、以及共同发光层一起具有选自以下的薄层电阻≥100千兆欧姆/平方、≥200千兆欧姆/平方、≥300千兆欧姆/平方、≥400千兆欧姆/平方、≥500千兆欧姆/平方、≥1000千兆欧姆/平方、≥2500千兆欧姆/平方、≥5000千兆欧姆/平方、≥10000千兆欧姆/平方、≥20000千兆欧姆/平方、≥30000千兆欧姆/平方、≥40000千兆欧姆/平方、或≥50000千兆欧姆/平方，其中共同第一半导体层、共同第二半导体层、共同第三半导体层、以及共同发光层的薄层电阻被一起单独测量，其中对于薄层电阻的测量，共同发光层直接沉积于共同第三半导体层上，共同第三半导体层直接沉积于第二共同半导体层上，第二共同半导体层直接沉积于共同第一空穴注入层上，而且共同第一空穴注入层直接沉积于测量电极(优选地，ITO电极)上。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中有源矩阵OLED显示器包括多个OLED像素，其中每一像素本身包括有机层叠层，且所述有机层叠层的每一层可形成共同半导体层，其中至少第一OLED像素以及第二OLED像素之每一者包括阳极层，其中

第一OLED像素以及第二OLED像素的阳极层任选地由像素定义层隔开，而且其中至少第一OLED像素以及至少第二OLED像素包括共同阴极层以及至少一个有机层叠层，所述至少一个有机层叠层包括多个半导体层，而且所述多个半导体层包括至少两个或更多共同半导体层，其中

有机层的共同半导体层被设置在共同阴极层以及阳极层之间，且其中

包括至少第一共同半导体层的多个共同半导体层包括至少一个有机p型掺杂剂、以及至少第二共同半导体层，其中

第一共同半导体层至少部分地被设置为与阳极层直接接触，而且第二半导体层被设置于发光层(优选地为共同发光层)以及第一共同半导体层(优选地为空穴注入层)之间；

以及其中第一共同半导体层以及第二共同半导体层一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中有源矩阵OLED显示器包括多个OLED像素，其中每一像素本身包括有机层叠层，且所述有机层叠层的每一层可形成共同半导体层，其中至少第一OLED像素以及第二OLED像素包括阳极层，其中

第一OLED像素以及第二OLED像素的阳极层任选地由像素定义层隔开，而且其中至少第一OLED像素以及至少第二OLED像素包括共同阴极层以及至少一个有机层叠层，所述至少一个有机层叠层包括多个半导体层，而且所述多个半导体层包括至少两个或更多共同半导体层，其中

有机层的共同半导体层被设置在共同阴极层以及阳极层之间，且其中

包括至少第一共同半导体层的多个共同半导体层包括至少一个有机p型掺杂剂、以及至少第二共同半导体层，其中

第一共同半导体层至少部分地被设置为与阳极层直接接触，而且第二半导体层被设置于发光层(优选地为共同发光层)以及第一共同半导体层(优选地为空穴注入层)之间；

以及其中第一共同半导体层以及第二共同半导体层一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻，其中第一共同半导体层以及第二共同半导体层的薄层电阻被一起单独测量。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中有源矩阵OLED显示器包括多个OLED像素，其中每一像素本身包括有机层叠层，且所述有机层叠层的每一层可形成共同半导体层，其中至少第一OLED像素以及第二OLED像素包括阳极层，其中

第一OLED像素以及第二OLED像素的阳极层任选地由像素定义层隔开，而且其中至少第一OLED像素以及至少第二OLED像素包括共同阴极层以及至少一个有机层叠层，所述至少一个有机层叠层包括多个半导体层，而且所述多个半导体层包括至少两个或更多共同半导体层，其中

有机层的共同半导体层被设置在共同阴极层以及阳极层之间，且其中

包括至少第一共同半导体层的多个共同半导体层包括至少一个有机p型掺杂剂、以及至少第二共同半导体层，其中

第一共同半导体层至少部分地被设置为与阳极层直接接触，而且第二半导体层被设置于发光层(优选地为共同发光层)以及第一共同半导体层(优选地为空穴注入层)之间；

以及其中第一共同半导体层以及第二共同半导体层一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻，其中第一共同半导体层以及第二共同半导体层的薄层电阻被一起单独测量，其中对于薄层电阻的测量，第二共同半导体层直接沉积于第一共同半导体层上，而且第一共同半导体层沉积于测量电极(优选地，ITO电极)上。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中共同第一空穴注入层以及共同空穴传输层一起具有选自以下的薄层电阻≥100千兆欧姆/平方、≥200千兆欧姆/平方、≥300千兆欧姆/平方、≥400千兆欧姆/平方、≥500千兆欧姆/平方、≥1000千兆欧姆/平方、≥2500千兆欧姆/平方、≥5000千兆欧姆/平方、≥10000千兆欧姆/平方、≥20000千兆欧姆/平方、≥30000千兆欧姆/平方、≥40000千兆欧姆/平方、或≥50000千兆欧姆/平方。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中共同第一空穴注入层以及共同空穴传输层一起具有选自以下的薄层电阻≥100千兆欧姆/平方、≥200千兆欧姆/平方、≥300千兆欧姆/平方、≥400千兆欧姆/平方、≥500千兆欧姆/平方、≥1000千兆欧姆/平方、≥2500千兆欧姆/平方、≥5000千兆欧姆/平方、≥10000千兆欧姆/平方、≥20000千兆欧姆/平方、≥30000千兆欧姆/平方、≥40000千兆欧姆/平方、或≥50000千兆欧姆/平方，其中共同第一空穴注入层以及共同空穴传输层的薄层电阻被一起单独测量。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中共同第一空穴注入层以及共同空穴传输层一起具有选自以下的薄层电阻≥100千兆欧姆/平方、≥200千兆欧姆/平方、≥300千兆欧姆/平方、≥400千兆欧姆/平方、≥500千兆欧姆/平方、≥1000千兆欧姆/平方、≥2500千兆欧姆/平方、≥5000千兆欧姆/平方、≥10000千兆欧姆/平方、≥20000千兆欧姆/平方、≥30000千兆欧姆/平方、≥40000千兆欧姆/平方、或≥50000千兆欧姆/平方，其中共同第一空穴注入层以及共同空穴传输层的薄层电阻被一起单独测量，其中对于薄层电阻的测量，共同空穴传输层直接沉积于共同第一空穴注入层上，而且共同第一空穴注入层沉积于测量电极(优选地，ITO电极)上。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中共同有机层叠层还包括共同电子传输层，优选地共同电子传输层被设置于发光层以及共同阴极层之间。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中共同有机层叠层还包括共同有机层，所述共同有机层选自：共同电子注入层、共同空穴阻挡层和/或电子传输层，优选地共同电子注入层与共同阴极层直接接触。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中像素定义层不带正电和/或不是阳极或包括阳极材料，优选地像素定义层包括Si基化合物、SiN、非带正电的寡聚物和/或聚合物材料。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中第一共同半导体层(优选地，共同第一空穴注入层)具有≥1nm且≤100nm、优选地≥2nm且≤50nm、更优选地≥3nm且≤40nm、更优选地≥4nm且≤30nm、更优选地≥5nm且≤20nm、更优选地≥6nm且≤15nm、更优选地≥8nm且≤10nm的层厚度。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中第二共同半导体层(优选地，共同空穴传输层)具有≥5nm且≤250nm、优选地≥10nm且≤240nm、更优选地≥15nm且≤230nm、更优选地≥20nm且≤220nm、更优选地≥25nm且≤210nm、更优选地≥30nm且≤200nm、更优选地≥35nm且≤190nm、更优选地≥40nm且≤180nm、以及更优选地≥50nm且≤150nm的层厚度。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中第二共同半导体层(优选地为共同空穴传输层)包括具有其最高占据分子轨道的能量的化合物，其以参考真空能级为零的绝对标度表示，在程序包TURBOMOLE V6.5中应用杂化泛函B3LYP和Gaussian 6-31G*基组的计算出范围为<4.27eV至≥6.0eV、<4.3eV至≥5.5eV、优选地为<-4.5eV至≥-5.4eV、更优选地为<-4.6eV至≥5.3eV。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中电子阻挡层包括具有其最高占据分子轨道的能量的化合物，其以参考真空能级为零的绝对标度表示，使用在程序包TURBOMOLE V6.5中应用杂化泛函B3LYP和Gaussian 6-31G*基组的计算出范围为<4.7eV至≥6.0eV、<4.8eV至≥5.5eV、优选地为<-4.9eV至≥-5.4eV、更优选地为<-5.0eV至≥5.3eV。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中电子阻挡层具有≥1nm且≤20nm、优选地≥2nm且≤18nm、更优选地≥3nm且≤16nm、更优选地≥4nm且≤14nm、更优选地≥5nm且≤12nm、更优选地≥6nm且≤11nm、更优选地≥7nm且≤10nm的层厚度。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中至少一个阳极层包括第一阳极子层以及第二阳极子层，其中第一阳极子层包括具有在≥4且≤6eV范围内的逸出功的第一金属，而且第二阳极子层包括透明导电氧化物；而且第二阳极子层被设置较靠近共同空穴注入层。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中有源矩阵OLED显示器包括驱动电路，其被配置以分别地驱动多个有机发光二极管像素的像素。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中第一共同半导体层由多个OLED像素共享，和/或第二共同半导体层由多个OLED像素共享，优选地所有共同半导体层由多个OLED像素共享。

根据有源矩阵OLED显示器的另一个实施方式，其中每个个别像素可以具有其自有的阳极，其可以不接触其它个别像素的阳极。

半导体层

根据一个实施方式，至少两个共同半导体层包括有机半导体层，而且优选地，至少两个共同半导体层是非发光的。

在本说明书的上下文中，术语“本质上非发光”或“非发光”是指共同半导体层对于来自有机电子器件(优选地为OLED或显示器件)的可见光发光光谱的贡献相对于可见光发光光谱为小于10％、优选地小于5％。可见光发光光谱是波长约≥380nm至约≤780nm的发光光谱。

根据本发明的一个实施方式，至少一个共同半导体层(优选地，第一共同半导体层)可以被设置和/或提供为与阳极相邻，其中阳极不被形成为共同层。

根据本发明的一个实施方式，至少一个共同半导体层(优选地，第一共同半导体层)与阳极直接接触，其中阳极不被形成为共同层。每个个别的像素可以具有其自有的阳极，其可以不接触其它个别像素的阳极。

根据本发明的一个实施方式，其中至少两个共同半导体层的至少第一共同半导体层是共同空穴注入层。

根据本发明的一个实施方式，其中为共同空穴注入层的至少第一共同半导体层可包括至少一个有机p型掺杂剂。

基质化合物

根据一个实施方式，其中半导体层可包括至少一个基质化合物，其中至少一个基质化合物是非聚合化合物，优选地，基质化合物是共价基质化合物或基本共价基质化合物。

优选地，至少一个共同半导体层包括共价基质化合物或基本共价基质化合物。

除了空穴注入材料之外，空穴注入层还可包括至少一个基质共价基质化合物和/或至少一个基本共价基质化合物。

共价基质化合物的优选实例是有机化合物，主要由共价结合的C、H、O、N、S组成，其还可以任选地包括共价结合的B、P、As、Se。包括共价键碳-金属的有机金属化合物、包括有机配体的金属络合物以及有机酸的金属盐是可作为有机共价基质化合物或基本共价基质化合物的有机化合物的其它实例。

在一个实施方式中，其中共价基质化合物或基本共价基质化合物缺乏金属原子，而且其大部分骨架原子选自C、O、S、N。或者，共价基质化合物或基本共价基质化合物缺乏金属原子，而且其大部分骨架原子选自C和N。

根据一个实施方式，基本共价基质化合物可具有≥400且≤2000g/mol的分子量Mw，优选地为≥450以及≤1500g/mol的分子量Mw，更优选地为≥500以及≤1000g/mol的分子量Mw，更加优选地为≥550以及≤900g/mol的分子量Mw，再更优选地为≥600以及≤800g/mol的分子量Mw。

在一个实施方式中，其中共价基质化合物或基本共价基质化合物的HOMO能级可比在相同条件下测定的N2,N2,N2’,N2’,N7,N7,N7’,N7’-八(4-甲氧苯基)-9,9’-螺二[芴]-2,2’,7,7’-四胺(CAS207739-72-8)的HOMO能级更负。

在一个实施方式中，其中共价基质化合物或基本共价基质化合物的计算的HOMO能级可比-4.27eV更负，优选地为比-4.3eV更负，或者比-4.5eV更负，或者比-4.6更负eV，或者比-4.65eV更负。

根据另一方面，半导体层还包括具有氧化电位的共价基质化合物或基本共价基质化合物，当通过在二氯甲烷中对Fc/Fc+以循环伏安法测量时，所述氧化电位比-0.2V更正且比1.22V更负，优选地比-0.18V更正且比1.12V更负。在这些条件下，螺-MeO-TAD(CAS207739-72-8)的氧化电位为-0.07V。

在一个实施方式中，其中共价基质化合物或基本共价基质化合物的HOMO能级可能比在相同条件下测定的N2,N2,N2’,N2’,N7,N7,N7’,N7’-八(4-甲氧苯基)-9,9’-螺二[芴]-2,2’,7,7’-四胺(CAS207739-72-8)的HOMO能级更负、且比N4,N4”'-二(萘-1-基)-N4,N4”'-联苯-[1,1':4',1”:4”,1”'-四联苯]-4,4”'-二胺的HOMO能级更正。

在一个实施方式中，其中共价基质化合物或基本共价基质化合物可以不含烷氧基。

在一个实施方式中，其中当使用TURBOMOLE V6.5(TURBOMOLE GmbH,Litzenhardtstrasse 19,76135Karlsruhe，德国)计算时，通过在气相中应用杂化泛函B3LYP和6-31G*基组，以参考真空能级为零的绝对标度表示的共价基质化合物或基本共价基质化合物的HOMO能级可以在<-4.27eV且≥-5.3eV的范围内选择、或者在<-4.3eV且≥-5.3eV的范围内选择、或者在<-4.5eV且≥-5.3eV的范围内选择、或者在<-4.6eV和≥-5.3eV的范围内选择。

在一个实施方式中，当使用TURBOMOLE V6.5(TURBOMOLE GmbH,Litzenhardtstrasse 19,76135Karlsruhe，德国)计算时，通过在气相中应用杂化泛函B3LYP和6-31G*基组，以参考真空能级为零的绝对标度表示的共价基质化合物或基本共价基质化合物的计算的HOMO能级可以在<-4.27eV且>-4.84eV的范围内选择、或者在<-4.3eV且>-4.84eV的范围内选择、或者在<-4.5eV且>-4.84eV的范围内选择、或者在<-4.5eV且>-4.84eV的范围内选择、或者在<-4.6eV且>-4.84eV的范围内选择。

在一个实施方式中，其中当使用TURBOMOLE V6.5(TURBOMOLE GmbH,Litzenhardtstrasse 19,76135Karlsruhe，德国)计算时，通过在气相中应用杂化泛函B3LYP和6-31G*基组，以参考真空能级为零的绝对标度表示的共价基质化合物或基本共价基质化合物的计算的HOMO能级可以在<-4.27eV且>-4.8eV的范围内选择、或者在<-4.3eV且>-4.8eV的范围内选择、或者在<-4.5eV且>-4.8eV的范围内选择、或者在<-4.5eV且>-4.8eV的范围内选择、或者在<-4.6eV且>-4.8eV的范围内选择、或者在<-4.65eV且>-4.8eV的范围内选择。

优选地，共价基质化合物或基本共价基质化合物包括至少一个芳基胺化合物、或者二芳基胺化合物、或者三芳基胺化合物。根据有机电子器件的一个实施方式，其中共同空穴注入层和/或共同空穴传输层可包括二芳基胺化合物、或者三芳基胺化合物。

根据有机电子器件的一个实施方式，其中共同空穴注入层和/或共同空穴传输层可包括式(2)或式(3)的化合物：

其中

T¹、T²、T³、T⁴以及T⁵独立地选自单键、苯亚基、联苯亚基、三联苯亚基或萘亚基，优选单键或苯亚基；

T⁶选自取代的或未取代的苯亚基、联苯亚基、三联苯亚基或萘亚基，其中苯亚基上的取代基选自C₆至C₁₈芳基、C₃至C₁₈杂芳基、苯基、联苯、咔唑、苯基咔唑，优选地联苯或9-苯基咔唑；

Ar¹、Ar²、Ar³、Ar⁴以及Ar⁵独立地选自取代的或未取代的C₆至C₂₀芳基、或取代的或未取代的C₃至C₂₀杂芳亚基、取代的或未取代的联二苯叉、取代的或未取代的芴、取代的9-芴、取代的9,9-芴、取代的或未取代的萘、取代的或未取代的蒽、取代的或未取代的菲、取代的或未取代的芘、取代的或未取代的苝、取代的或未取代的联三苯叉、取代的或未取代的并四苯、取代的或未取代的苯并蒽、取代的或未取代的二苯并呋喃、取代的或未取代的二苯并噻吩、取代的或未取代的呫吨、取代的或未取代的咔唑、取代的9-苯基咔唑、取代的或未取代的氮杂环庚熳、取代的或未取代的二苯并[b,f]氮杂环庚熳、取代的或未取代的9,9'-螺二[芴]、取代的或未取代的9,9'-螺二[芴](具有至少一个稠合芳族环)、取代的或未取代的螺[芴-9,9'-呫吨]、取代的或未取代的芳族稠合环系(包括两个芳族6元环以及两个芳族5元环，其中至少一个5元环包括杂原子)、取代的或未取代的芳族稠合环系(包括两个芳族6元环以及两个芳族5元环，其中至少一个5元环包括氧原子)、或取代的或未取代的芳族稠合环系(包括至少三个取代的或未取代的芳族环，选自以下：取代的或未取代的非杂5元环、取代的或未取代的杂5元环、取代的或未取代的6元环和/或取代的或未取代的7元环)、取代的或未取代的芴、取代的或未取代的芴(具有增环的取代的或未取代的杂环系或非杂环系，其包括2至6个取代的或未取代的5、6或7元环)、或是包括2至6个取代的或未取代的5至7元环的稠合环系，而且这些环选自以下：(i)不饱和5至7元环的杂环，(ii)5至6元的芳族杂环，(iii)不饱和5至7元环的非杂环，(iv)6元环的芳族非杂环)；

其中Ar¹、Ar²、Ar³、Ar⁴以及Ar⁵的取代基相同或不同地选自：H、D、F、C(＝O)R²、CN、Si(R²)₃、P(＝O)(R²)₂、OR²、S(＝O)R²、S(＝O)₂R²、具有1至20个碳原子的取代的或未取代的直链烷基、具有1至20个碳原子的取代的或未取代的支链烷基、具有3至20个碳原子的取代的或未取代的环状烷基、具有2至20个碳原子的取代的或未取代的烯基或炔基基团、具有1至20个碳原子的取代的或未取代的烷氧基基团、具有6至40个芳族环原子的取代的或未取代的芳族环系、以及具有5至40个芳族环原子的取代的或未取代的杂芳族环系、未取代的C₆至C₁₈芳基、未取代的C₃至C₁₈杂芳基、稠合环系(包括2至6个未取代的5至7元环，而且这些环是选自以下：不饱和的5至7元环的杂环、5至6元的芳族杂环、不饱和的5至7元环的非杂环、以及6元环的芳族非杂环)，

其中R²选自H、D、具有1至6个碳原子的直链烷基、具有1至6个碳原子的支链烷基、具有3至6个碳原子的环状烷基、具有2至6个碳原子的烯基或炔基基团、C₆至C₁₈芳基或C₃至C₁₈杂芳基。

优选地，如果没有另外定义，Ar¹、Ar²、Ar³、Ar⁴以及Ar⁵的取代基相同或不同地选自：H、具有1至6个碳原子的直链烷基、具有1至6个碳原子的支链烷基、具有3至6个碳原子的环状烷基、具有2至6个碳原子的烯基或炔基基团、具有1至6个碳原子的烷氧基基团、C₆至C₁₈芳基、C₃至C₁₈杂芳基、稠合环系(包括2至4个未取代的5至7元环，而且这些环选自以下：不饱和的5至7元环的杂环、5至6元的芳族杂环、不饱和的5至7元环的非杂环、以及6元环的芳族非杂环)；更优选地，取代基相同或不同地选自：H、具有1至4个碳原子的直链烷基、具有1至4个碳原子的支链烷基、具有3至4个碳原子的环状烷基和/或苯基。

因此，式(2)或(3)的化合物可以具有适合大量生产的标准起始温度。

根据有机电子器件的一个实施方式，其中共同空穴注入层和/或共同空穴传输层(优选地为共同空穴注入层或共同空穴传输层的基质化合物)可包括式(2)或式(3)的化合物：

其中

T¹、T²、T³、T⁴以及T⁵可独立地选自单键、苯亚基、联苯亚基、三联苯亚基或萘亚基，优选单键或苯亚基；

T⁶为苯亚基、联苯亚基、三联苯亚基或萘亚基；

Ar¹、Ar²、Ar³、Ar⁴以及Ar⁵可独立地选自未取代的C₆至C₂₀芳基、或未取代的C₃至C₂₀杂芳亚基、未取代的联二苯叉、未取代的芴、取代的9-芴、取代的9,9-芴、未取代的萘、未取代的蒽、未取代的菲、未取代的芘、未取代的苝、未取代的联三苯叉、未取代的并四苯、未取代的苯并蒽、未取代的二苯并呋喃、未取代的二苯并噻吩、未取代的呫吨、未取代的咔唑、取代的9-苯基咔唑、未取代的氮杂环庚熳、未取代的二苯并[b，f]氮杂环庚熳、未取代的9,9'-螺二[芴]、未取代的螺[芴-9,9'-呫吨]、或未取代的芳族稠合环系(包括至少三个未取代的芳族环，其选自以下：未取代的非杂5元环、未取代的杂5元环、未取代的6元环和/或未取代的7元环)、未取代的芴、或稠合环系(包括2至6个未取代的5至7元环，而且这些环选自以下：(i)不饱和的5至7元环的杂环，(ii)5至6元的芳族杂环，(iii)不饱和的5至7元环的非杂环，以及(iv)6元环的芳族非杂环)。

根据有机电子器件的一个实施方式，其中共价基质化合物或基本共价基质化合物(优选地为空穴注入层或共同空穴传输层的共价基质化合物或基本共价基质化合物)可包括式(2)或式(3)的化合物：

其中

T¹、T²、T³、T⁴以及T⁵可独立地选自单键、苯亚基、联苯亚基、三联苯亚基或萘亚基，优选单键或苯亚基；

T⁶为苯亚基、联苯亚基、三联苯亚基或萘亚基；

Ar¹、Ar²、Ar³、Ar⁴以及Ar⁵可独立地选自未取代的C₆至C₂₀芳基、或未取代的C₃至C₂₀杂芳亚基、未取代的联二苯叉、未取代的芴、取代的9-芴、取代的9,9-芴、未取代的萘、未取代的蒽、未取代的菲、未取代的芘、未取代的苝、未取代的联三苯叉、未取代的并四苯、未取代的苯并蒽、未取代的二苯并呋喃、未取代的二苯并噻吩、未取代的呫吨、未取代的咔唑、取代的9-苯基咔唑、未取代的氮杂环庚熳、未取代的二苯并[b,f]氮杂环庚熳、未取代的9,9'-螺二[芴]、未取代的螺[芴-9,9'-呫吨]。

因此，式(2)或(3)的化合物可以具有适合大量生产的标准起始温度。

根据一个实施方式，其中T¹、T²、T³、T⁴以及T⁵可独立地选自单键、苯亚基、联苯亚基、三联苯亚基。根据一个实施方式，其中T¹、T²、T³、T⁴以及T5可独立地选自苯亚基、联苯亚基、三联苯亚基，而且T¹、T²、T³、T⁴以及T⁵之一是单键。根据一个实施方式，其中T¹、T²、T³、T⁴以及T⁵可独立地选自苯亚基、联苯亚基，而且T¹、T²、T³、T⁴以及T⁵之一是单键。根据一个实施方式，其中T¹、T²、T³、T⁴以及T⁵可独立地选自苯亚基或联苯亚基，而且T¹、T²、T³、T⁴以及T⁵中的两个是单键。

根据一个实施方式，其中T¹、T²、T³、T⁴以及T⁵、或T¹、T²以及T³可独立地选自苯亚基，而且T¹、T²、T³、T⁴以及T⁵之一、或T¹、T²以及T³之一是单键。根据一个实施方式，其中T¹、T²、T³、T⁴以及T⁵、或T¹、T²以及T³可独立地选自苯亚基，而且T¹、T²、T³、T⁴以及T⁵中的两个、或T¹、T²以及T³中的两个是单键。

根据一个实施方式，其中T⁶可为苯亚基、联苯亚基、三联苯亚基。根据一个实施方式，其中T⁶可为苯亚基。根据一个实施方式，其中T⁶可为联苯亚基。根据一个实施方式，其中T⁶可为三联苯亚基。

根据一个实施方式，其中Ar¹、Ar²、Ar³、Ar⁴以及Ar⁵可独立地选自D1至D16：

其中星号“*”表示结合位置。

根据一个实施方式，其中Ar¹、Ar²、Ar³、Ar⁴以及Ar⁵可独立地选自D1至D15；可替代地，选自D1至D10以及D13至D15。

根据一个实施方式，其中Ar¹、Ar²、Ar³、Ar⁴以及Ar⁵可独立地选自以下：D1、D2、D5、D7、D9、D10、D13至D16。

当Ar¹、Ar²、Ar³、Ar⁴以及Ar⁵在适合大量生产的范围内选择时，标准起始溫度可以在此范围内。

“式(2)或式(3)的共价基质化合物”可用于共同空穴注入层和/或可用作共同空穴传输化合物的基质化合物。

根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价基质化合物可包括至少≥1至≤6个包括芳族杂环的取代的或未取代的芳族稠合环系。

根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价基质化合物可包括包含芳族杂环的至少≥1至≤6个的取代的或未取代的芳族稠合环系、以及至少≥1至≤3个取代的或未取代的不饱和5至7元环的杂环，优选地包含芳族杂环的≥2至≤5个取代的或未取代的芳族稠合环系。

根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价基质化合物可包括包含芳族杂环的至少≥1至≤6个的取代的或未取代的芳族稠合环系、以及至少≥1至≤3个取代的或未取代的不饱和5至7元环的杂环，优选地包含芳族杂环的≥2至≤5个取代的或未取代的芳族稠合环系、以及至少≥1至≤3个取代的或未取代的不饱和5至7元环的杂环，更优选地包含芳族杂环的3或4个取代的或未取代的芳族稠合环系、以及任选的至少≥1至≤3个取代的或未取代的不饱和5至7元环的杂环，而且进一步优选地，其中包括芳族杂环的芳族稠合环系是未取代的，且任选的至少≥1至≤3个未取代的不饱和5至7元环的杂环。

根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价基质化合物可包括至少≥1至≤6个取代的或未取代的芳族稠合环系，优选地为≥2至≤5个取代的或未取代的芳族稠合环系，而且更优选地为3或4个取代的或未取代的芳族稠合环系。

根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价基质化合物可包括至少≥1至≤6个取代的或未取代的芳族稠合环系，优选地≥2至≤5个取代的或未取代的芳族稠合环系，而且更优选地3或4个取代的或未取代的芳族稠合环系，其包括取代的或未取代的杂芳族环。

根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价基质化合物可包括至少≥1至≤3或2个取代的或未取代的不饱和5至7元环的杂环。

根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价基质化合物可包括至少≥1至≤3或2个取代的或未取代的不饱和7元环的杂环。

根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价基质化合物或基本共价基质化合物的取代的或未取代的芳族稠合环系可包括至少≥1至≤3或2个取代的或未取代的不饱和5至7元环的杂环。

根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价基质化合物或基本共价基质化合物的取代的或未取代的芳族稠合环系可包括至少≥1至≤3或2个取代的或未取代的不饱和7元环的杂环。

根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价基质化合物可包括至少≥1至≤6个取代的或未取代的芳族稠合环系、优选地≥2至≤5个取代的或未取代的芳族稠合环系、以及更优选地3至4个取代的或未取代的芳族稠合环系，以及其中该芳族稠合环系包括取代的或未取代的不饱和5至7元环的杂环。

根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价基质化合物可包括至少≥1至≤6个取代的或未取代的芳族稠合环系，优选地≥2至≤5个取代的或未取代的芳族稠合环系，而且更优选地3或4个取代的或未取代的芳族稠合环系，该芳族稠合环系包括取代的或未取代的杂芳族环，而且其中芳族稠合环系包括取代的或未取代的不饱和5至7元环的杂环。

根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价基质化合物可包括至少≥1至≤6个取代的或未取代的芳族稠合环系，优选地≥2至≤5个取代的或未取代的芳族稠合环系，而且更优选地3或4个取代的或未取代的芳族稠合环系，而且其中芳族稠合环系包括至少≥1至≤3或2个取代的或未取代的不饱和5至7元环的杂环。

根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价基质化合物可包括至少≥1至≤6个取代的或未取代的芳族稠合环系，优选地≥2至≤5个取代的或未取代的芳族稠合环系，而且更优选地3或4个取代的或未取代的芳族稠合环系，其包括取代的或未取代的芳族杂环，而且其中芳族稠合环系包括至少≥1至≤3或2个取代的或未取代的不饱和5至7元环的杂环。

根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价基质化合物可包括：

取代的或未取代的芳族稠合环系，具有至少≥2至≤6(优选地≥3至≤5)、或4个稠合芳族环，其选自以下：取代的或未取代的芳族非杂环、取代的或未取代的杂5元环、取代的或未取代的6元环和/或取代的或未取代的不饱和5至7元环的杂环；或

未取代的芳族稠合环系，具有至少≥2至≤6、优选地≥3至≤5、或4个稠合芳族环，其选自以下：未取代的芳族非杂环、未取代的杂5元环、未取代的6元环和/或未取代的不饱和5至7元环的杂环。

在此应注意，术语“芳族稠合环系”可包括至少一个芳族环以及至少一个取代的或未取代的不饱和5至7元环。在此应注意，取代的或未取代的不饱和5至7元环可以不是芳族环。

根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价基质化合物可包括至少≥1至≤6、优选地≥2至≤5、或更优选地3或4个取代的或未取代的芳族稠合环系，其具有：

至少一个不饱和5元环，和/或

至少一个不饱和6元环，和/或

至少一个不饱和7元环；其中，优选地至少一个不饱和5元环和/或至少一个不饱和7元环包括至少1至3个(优选地1个)杂原子。

根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价基质化合物可包括至少≥1至≤6、优选地≥2至≤5、或更优选地3或4个取代的或未取代的芳族稠合环系，其具有：

至少一个芳族5元环，和/或

至少一个芳族6元环，和/或

至少一个芳族7元环；其中，优选地至少一个芳族5元环和/或至少一个芳族7元环包括至少1至3(优选地1)个杂原子；

其中取代的或未取代的芳族稠合环系包括至少≥1至≤3或2个取代的或未取代的不饱和5至7元环的杂环。

根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价基质化合物可包括：

至少≥6至≤12、优选地≥7至≤11、更优选地≥8至≤10或9个芳族环；和/或

至少≥4至≤11、优选地≥5至≤10、更优选地≥6至≤9、或再更优选地7或8个芳族非杂环，优选地芳族非杂环是芳族C₆环；和/或

至少≥1至≤4、优选地2或3个芳族5元环、优选地杂芳族5元环；和/或

至少1或2个不饱和5至7元环的杂环、优选地至少1或2个不饱和7元环的杂环；

至少≥6至≤12、优选地≥7至≤11、更优选地≥8至≤10或9个芳族环，其中由此

至少≥4至≤11、优选地≥5至≤10、更优选地≥6至≤9、或再更优选地7或8个芳族环是芳族非杂环，以及

至少≥1至≤4、优选地2或3个芳族环是芳族杂环，其中芳族非杂环以及芳族杂环的总数不超过12个芳族环；和/或

至少≥6至≤12、优选地≥7至≤11、更优选地≥8至≤10或9个芳族环，其中由此

至少≥4至≤11、优选地≥5至≤10、更优选地≥6至≤9、或再更优选地7或8个芳族环是芳族非杂环，以及

至少≥1至≤4、优选地2或3个芳族环是芳族杂环，其中芳族非杂环以及芳族杂环的总数不超过12个芳族环；以及

根据式(1)的共同空穴注入层或共同空穴传输层包括至少≥1至≤4、优选地2或3个芳族5元环、优选地杂芳族5元环，和/或

根据式(1)的化合物包括至少1或2个不饱和5至7元环的杂环、优选地至少1或2个不饱和7元环的的杂环。

根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价基质化合物可包括杂原子，其可以选自以下：O、S、N、B或P，优选地，杂原子可选自以下：O、S或N。

根据一个实施方式，式(2)或式(3)的共价基质化合物可包括至少≥1至≤6、优选地≥2至≤5、或更优选地3或4个取代的或未取代的芳族稠合环系，其具有：

至少一个芳族5元环，和/或

至少一个芳族6元环，和/或

至少一个芳族7元环；其中优选地至少一个芳族5元环和/或至少一个芳族7元环包括至少1至3、优选地1个杂原子；

其中取代的或未取代的芳族稠合环系任选地包括至少≥1至≤3或2个取代的或未取代的不饱和5至7元环的杂环；而且其中取代的或未取代的芳族稠合环系包括杂原子，其可以选自以下：O、S、N、B、P或Si，优选地，杂原子可以选自以下：O、S或N。

根据一个实施方式，式(2)或式(3)的基质共价化合物可以不含不是芳族环的一部分和/或不饱和7元环的一部分的杂原子，优选地，除了N原子是芳族环的一部分或不饱和7元环的一部分，根据式(1)的化合物可以不含N原子。

根据一个实施方式，其中根据式(1)的共价基质化合物包括至少一个萘基基团、咔唑基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团和/或取代的芴基基团，其中取代基独立地选自甲基、苯基或芴基。

根据电子器件的一个实施方式，其中共价基质化合物或基本共价基质化合物是选自F1至F21：

基质化合物可适用于选自F22至F25的电子阻挡层：

空穴注入层的共价基质化合物可以不含HTM014、HTM081、HTM163、HTM222、EL-301、HTM226、HTM355、HTM133、HTM334、HTM604以及EL-22T。缩写表示制造商的名称，例如Merck或Lumtec。

根据进一步优选的实施方式，共价基质化合物或基本共价基质化合物具有如表1中所示的式(T-1)至(T-6)。

表1

根据另一方面，至少第一共同半导体层(优选地为共同HIL)以和/或共同第二半导体层(优选地HTL)可包括共价基质化合物或基本共价基质化合物、而且可包括至少约≥0.1重量％至约≤50重量％、优选地约≥1重量％至约≤25重量％、以及更优选地约≥2重量％至约≤15重量％的共价基质化合物或基本共价基质化合物，优选地为式(2)或式(3)的的共价基质化合物或基本共价基质化合物。

根据一个实施方式，其中共同半导体层被设置于阳极层以及发光层之间，优选地共同半导体层是共同空穴注入层，或者共同半导体层是共同空穴注入层以及共同空穴传输层。

另外的层

根据本发明，除了以上已经提到的层之外，有机发光二极管可包括另外的层或共同层。各个层或共同层的示范性实施方式描述如下：

基底

基底可以是任何常用于制造电子器件(优选地为有机发光二极管)的基底。如果经由基底发光，则基底应为透明或半透明材料，例如玻璃基底或透明塑料基底。如果光是经由顶面发出的，则基底可以是透明材料也可以是非透明材料，例如玻璃基底、塑料基底、金属基底、或硅基底。

阳极电极

每个个别像素可以有其自有的阳极，其可不接触至其它个别像素的阳极。

阳极电极也称为阳极层，其可以由沉积或溅射用于形成阳极电极的材料来形成。阳极或阳极层并不形成为共同阳极层。用于形成阳极电极的材料可为高逸出功材料，以便于空穴注入。阳极材料也可以选自低逸出功材料(即铝)。阳极电极可以是透明或反射电极。透明导电氧化物(优选地为氧化锡铟(ITO)、氧化铟锌(IZO)、二氧化锡(SnO₂)、氧化锌铝(AlZO)、以及氧化锌(ZnO))可用于形成阳极电极。阳极电极也可以使用金属(通常是银(Ag)、金(Au))、或金属合金而形成。

根据一个实施方式，其中阳极层可包括第一阳极子层、第二阳极子层和任选地第三阳极子层，第一阳极子层包括Ag或Au或由Ag或Au组成，第二阳极子层包括ITO或IZO或由ITO或IZO组成，以及第三阳极子层包括或由ITO或IZO组成。优选地，第一阳极子层可包括Ag或由Ag组成，第二阳极子层可包括ITO或由ITO组成，而且第三阳极子层可包括ITO或由ITO组成。优选地，第二和第三阳极子层中的透明导电氧化物可以被选择相同。

根据一个实施方式，其中阳极层可包括第一阳极子层、第二阳极子层及第三阳极子层，第一阳极子层包括Ag或Au且具有100至150nm的厚度，第二阳极子层包括ITO或IZO且具有3至20nm的厚度，以及第三阳极子层包括ITO或IZO且具有3至20nm的厚度。

阳极子层

阳极层可包括第一阳极子层以及第二阳极子层，其中第一阳极子层包括逸出功在≥4且≤6eV范围内的第一金属，而且第二阳极子层包括透明导电氧化物(TCO)。

每个个别的像素可有其自己的阳极，该阳极可不接触其它个别像素的阳极。阳极子层不被形成为共同层。

根据一个实施方式，阳极层包括第一阳极子层以及第二阳极子层、以及任选的第三阳极子层，其中第一阳极子层包括具有在≥4且≤6eV范围内的逸出功的第一金属，以及第二阳极子层包括透明导电氧化物(TCO)；其中空穴注入层被设置于第一发光层以及阳极层之间，第一阳极子层被设置为较靠近基底，而且第二阳极子层被设置为较靠近共同空穴注入层。

第一阳极子层

根据一个实施方式，其中第一阳极子层的第一金属可具有在≥4.2且≤6eV范围内的逸出功。第一金属可以选自金属或金属合金。

根据一个实施方式，其中第一阳极子层的第一金属可以选自以下：Ag、Mg、Al、Cr、Pt、Au、Pd、Ni、Nd、Ir，优选地选自Ag、Au或Al，以及更优选地选自Ag。

第一阳极子层可具有在5至200nm、或者8至180nm、或8至150nm、或者100至150nm范围内的厚度。

可通过真空热蒸发沉积第一金属来形成第一阳极子层。

应当理解，第一阳极层不是基底的一部分。

第二阳极子层

根据一个实施方式，其中透明导电氧化物任选自以下：氧化锡铟(ITO)或氧化铟锌(IZO)，优选地为氧化锡铟(ITO)，更优选地为ITO或IZO。

第一阳极子层可具有在3至200nm、或者3至180nm、或者3至150nm、或者3至20nm范围内的厚度。

第二阳极子层可通过透明导电氧化物的溅射而形成。

第三阳极子层

根据一个实施方式，有机发光二极管的阳极层可包括第一阳极子层、第二阳极子层以及第三阳极子层的至少三个阳极子层。根据一个实施方式，除了第一以及第二阳极子层之外，有机发光二极管的阳极层可以包括第三阳极子层，其中第三阳极子层包括透明导电氧化物，其中第三阳极子层可以设置在基底和第一阳极子层之间。

第三阳极子层可以具有在3至200nm、或者3至180nm、或者3至150nm、或者3至20nm范围内的厚度。

第三阳极子层可以通过透明导电氧化物的溅射形成。

应当理解，第三阳极子层不是基底的一部分。

空穴注入层

共同空穴注入层(HIL)(也称为第一共同空穴注入层(HIL))可以为OLED显示器中多个OLED像素而形成。在一个实施方式中，共同HIL可以在OLED显示器中的多个像素中的所有像素上延伸或者在多个像素中的至少两个像素上延伸。

每个个别像素可有其自有的阳极，该阳极可不接触至其它个别像素的阳极。

此外，有源OLED显示器具有驱动电路，所述驱动电路配置以分别地驱动提供于OLED显示器的多个像素的个别像素。在一个实施方式中，分别地驱动的步骤可包括施加至个别像素的驱动电流的分别的控制。

共同HIL可包括有机p型掺杂剂或由有机p型掺杂剂制成，其中有机p型掺杂剂可另外包括有机化合物的基质化合物。根据一个实施方式，空穴注入层包括有机p型掺杂剂以及任选的基质化合物，该基质化合物选自有机化合物和/或金属化合物。

根据另一个实施方式，空穴注入层另外包括可以是有机化合物的基质化合物。

应当理解，HIL材料由一种或多种HIL化合物组成，而术语空穴注入材料是本申请案通篇使用于所有半导体材料的更广泛的术语，所述半导体材料包括至少一种空穴注入材料化合物。空穴注入基质材料可以由一种或多种有机化合物组成。

当使用TURBOMOLE V6.5(TURBOMOLE GmbH,Litzenhardtstrasse 19,76135Karlsruhe，德国)计算时，通过在气相中应用杂化泛函B3LYP和6-31G*基组，以参考真空能级为零的绝对标度表示的有机p型掺杂剂的LUMO能级可选自≤-3.5eV、≤-3.6eV、≤-3.7eV、≤-3.8eV、≤-3.9eV、≤-4.0eV、≤-4.5eV、≤-4.6eV、≤-4.7eV、≤-4.8eV、≤-4.85eV、以及≤-4.9eV。

共同空穴注入层的厚度可为≥1nm且≤100nm、优选地为≥2nm且≤50nm、更优选地为≥3nm且≤40nm、更优选地为≥4nm且≤30nm、更优选地为≥5nm且≤20nm、更优选地为≥6nm且≤15nm、更优选地为≥8nm且≤10nm。

HIL可以被形成为多个像素或至少两个像素的共同HIL。共同HIL可以在OLED显示器中的多个像素中的所有像素上延伸或者在多个像素中的至少两个像素上延伸。

空穴注入层(HIL)可以例如通过真空沉积、旋转涂布、印刷、流延、狭缝式模头涂布、朗缪-布洛杰特((Langmuir-Blodgett，LB)沉积等而被形成为阳极电极上的共同空穴注入层(HIL)，其中阳极电极不被形成为共同阳极电极层。当使用真空沉积形成HIL时，沉积条件可根据用于形成HIL的化合物以及共同HIL的所需结构与热特性而变化。然而，一般而言，真空沉积的条件可包括100℃至500℃的沉积温度、10^-8至10^-3托(1托等于133.322Pa)的压力、以及0.1至10nm/秒的沉积速率。

当使用旋转涂布或印刷形成共同HIL时，涂布条件可根据用于形成共同HIL的化合物以及HIL的所需结构与热特性而变化。例如，涂布条件可包括约2000rpm至约5000rpm的涂布速度、以及约80℃至约200℃的热处理温度。在进行涂布之后，以热处理除去溶剂。

可用于形成共同HIL的化合物的实例包括酞菁化合物(优选地为酞菁铜(CuPc))、4,4',4"-三(3-甲基苯基苯基胺基)三苯胺(m-MTDATA)、TDATA、2T-NATA、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Pani/DBSA)、聚(3,4-乙叉二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(Pani/CSA)、以及聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)。

共同HIL包括p型掺杂剂或由p型掺杂剂组成，而且p型掺杂剂可以选自四氟四氰基醌二甲烷(F4TCNQ)、2,2'-(全氟萘-2,6-二亚甲基)二丙二腈或2,2',2”-(环丙烷-1,2,3-三亚甲基)三(2-(对氰基四氟苯基)乙腈)，但不限于此。共同HIL可以选自掺杂有p型掺杂剂的空穴传输共价基质化合物。已知的掺杂的空穴传输材料的典型实例为：酞菁铜(CuPc)，其HOMO能级为约-5.2eV，掺杂有四氟四氰基醌二甲烷(F4TCNQ)，其LUMO能级约为-5.2eV；掺杂有F4TCNQ的酞菁锌(ZnPc)(HOMO＝-5.2eV)；掺杂有F4TCNQ的α-NPD(N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)-联苯胺)；掺杂有2,2'-(全氟萘-2,6-二亚甲基)二丙二腈的α-NPD。p型掺杂剂浓度可选自1至20重量％，优选地为3重量％至10重量％。

根据有机电子器件的一个实施方式，其中共同空穴注入层可包括第一共同空穴注入子层以及第二共同空穴注入子层，第一共同空穴注入子层包括有机p型掺杂剂以及任选的金属化合物，第二共同空穴注入子层包括共价基质化合物或基本共价基质化合物。

根据有机电子器件的另一个实施方式，其中共同空穴注入层可包括共同第一空穴注入子层以及共同第二空穴注入子层，共同第一空穴注入子层包括有机p型掺杂剂以及任选的金属化合物，共同第二空穴注入子层包括共价基质化合物或基本共价基质化合物，其中共同第一空穴注入子层被设置为更靠近包括第一阳极子层以及第二阳极子层的阳极层，而且第二共同空穴注入子层被设置为更靠近至少一个发光层。

根据有机电子器件的一个实施方式，其中共同空穴注入层可包括第一共同空穴注入子层以及第二共同空穴注入子层，第一共同空穴注入子层包括有机p型掺杂剂以及任选的金属化合物，第二共同空穴注入子层包括共价基质化合物，共价基质化合物包括至少一个芳基胺化合物、二芳基胺化合物、三芳基胺化合物，其中第一共同空穴注入子层被设置为更靠近阳极层，而且第二共同空穴注入子层被设置为更靠近至少一个发光层。

根据一个实施方式，空穴注入层材料可以选自式H1至H12的化合物：

空穴传输层(HTL)

HTL可以形成为多个像素或至少两个像素的共同HTL。共同HTL可以在OLED显示器中的多个像素中的所有像素上延伸或者在多个像素中的至少两个像素上延伸。

空穴传输层(HTL)可通过真空沉积、旋转涂布、狭缝式模头涂布、印刷、流延、朗缪-布洛杰特沉积等形成在共同HIL上。

空穴传输层可以被形成为共同空穴传输层。

当空穴传输层(HTL)或共同空穴传输层(HTL)通过真空沉积或旋转涂布形成时，沉积及涂布条件可与用于形成HIL的条件相似。然而，根据用于形成空穴传输层(HTL)或共同空穴传输层(HTL)的化合物，用于真空或溶液沉积的条件可能会改变。

在一个实施方式中，其中有机发光二极管更包括空穴传输层(HTL)或共同空穴传输层(HTL)，其中空穴传输层(HTL)或共同空穴传输层(HTL)被设置于共同空穴注入层以及至少一个发光层之间。

在一个实施方式中，其中空穴传输层(HTL)或共同空穴传输层(HTL)包括共价基质化合物或基本共价基质化合物。

在一个实施方式中，其中至少一个共同空穴注入层以及空穴传输层(HTL)或共同空穴传输层(HTL)包括共价基质化合物或基本共价基质化合物，其中共价基质化合物或基本共价基质化合物在两层中被选择为相同。

HTL的厚度可以在约5nm至约250nm的范围内、优选地约10nm至约200nm的范围内、更优选地约20nm至约190nm的范围内、更优选地约40nm至约180nm的范围内、更优选地约60nm至约170nm的范围内、更优选地约80nm至约160nm的范围内、更优选地约100nm至约160nm的范围内、更优选地约120nm至约140nm的范围内。

当HTL的厚度在此范围内时，HTL可具有优异的空穴传输特性，而没有驱动电压的实质损失。

可以针对OLED显示器中多个OLED像素形成共同空穴传输层(HTL)。在一个实施方式中，共同HIL可以在OLED显示器中的多个像素中的所有像素上延伸或者在多个像素中的至少两个像素上延伸。类似地，阴极可以被形成为针对多个像素或至少两个像素的共同阴极。共同阴极可以在OLED显示器中的多个像素中的所有像素上延伸或者在多个像素中的至少两个像素上延伸。每个个别像素可有其自有的阳极，该阳极可不接触至其它个别像素的阳极。此外，有源OLED显示器具有驱动电路，驱动电路被配置以分别地驱动提供于OLED显示器的多个像素的个别像素。在一个实施方式中，分别地驱动的步骤可包括施加至个别像素的驱动电流的分别控制。

共同HTL可以由掺杂有空穴注入材料的空穴传输基质(HTM)材料制成。空穴传输基质材料可以掺杂有多于一种空穴注入材料。应当理解，HTM材料是由一种或多种HTM化合物组成，而术语空穴传输材料是本申请案通篇使用于包括至少一种HTM化合物的所有半导体材料的更广泛的术语。空穴传输基质材料可以由一种或多种有机化合物组成。

HTM可以包括或由具有其最高占据分子轨道的能量的化合物组成，其以参考真空能级为零的绝对标度表示，在程序包TURBOMOLE V6.5中应用杂化泛函B3LYP和Gaussian 6-31G*基组计算出范围为<-4.27eV至≥-6.0eV、<-4.3eV至≥-5.5eV、优选为<-4.5eV至≥-5.4eV、更优选为从<-4.6eV至≥5.3eV。

共同空穴传输层可以具有小于50nm、小于40nm、小于30nm、小于20nm或小于15nm的厚度。共同空穴传输层可以具有大于3nm、大于5nm、大于8nm或大于10nm的厚度。阳极可由透明导电氧化物(TCO)(例如氧化锡铟(ITO))制成。或者，阳极可由一层或多层薄金属层制成，形成半透明阳极。在另一个实施方式，阳极可以由对可见光不透明的厚金属层制成。

在一个实施方式中，以参照真空能级为零的绝对标度标示，阳极的逸出功可以比形成共同空穴注入层中的空穴注入材料的化合物的最高LUMO能级高出不到500meV、不到450meV、不到400meV、不到350meV或不到300meV。

已知的掺杂的空穴传输材料的典型实例是：酞菁铜(CuPc)，其HOMO能级约为-5.2eV，掺杂有四氟四氰基醌二甲烷(F4TCNQ)，其LUMO能级约为-5.2eV；掺杂有F4TCNQ的酞菁锌(ZnPc)(HOMO＝-5.2eV)；掺杂有F4TCNQ的α-NPD(N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)-联苯胺)；掺杂有2,2'-(全氟萘-2,6-二亚甲基)二丙二腈的α-NPD。空穴注入材料浓度可选自1至20重量％，优选地3重量％至10重量％。

电子阻挡层

电子阻挡层(EBL)可以被形成为共同电子阻挡层(EBL)或作为不是共同电子阻挡层(EBL)的单独层。EBL可以被形成为多个像素或至少两个像素的共同EBL。共同EBL可以在OLED显示器中的多个像素中的所有像素上延伸或者在多个像素中的至少两个像素上延伸。优选地，每个个别像素可具有其自有的EBL，其可不接触其它个别像素的EBL。

电子阻挡层(EBL)的功用是避免电子从发光层转移至空穴传输层，从而将电子限制于发光层。EBL可以与共同HTL以及EML直接接触。电子阻挡层可以是由有机空穴传输基质材料制成的非掺杂层(或者换句话说，它可以不含空穴注入材料)。共同空穴传输层的有机空穴传输基质材料的组成可以与电子阻挡层的有机空穴传输基质材料的组成相同。在本发明的另一个实施方式中，两种空穴传输基质材料的组成可以不同。

因此，效率、工作电压和/或寿命可获得改进。通常，电子阻挡层包括三芳基胺化合物。三芳基胺化合物可具有比空穴传输层的LUMO能级更接近真空能级的LUMO能级。形成电子阻挡层的每一化合物可以具有以参照真空能级为零的绝对标度表示的HOMO能级，其高于形成共同空穴传输层的空穴传输基质材料的任何化合物的HOMO能级。相较于空穴传输层的HOMO能级，电子阻挡层可具有更远离真空能级的HOMO能级。

电子阻挡层的有机基质材料具有的空穴迁移率可等于或高于空穴传输层的基质材料的空穴迁移率。共同HTL和/或EBL的空穴传输基质(HTM)材料可以选自包括离域电子的共轭系统的化合物，共轭系统包括至少两个三级胺氮原子的孤电子对。

如果电子阻挡层具有高的三重态能级，其也可被称为三重态控制层。如果使用绿色或蓝色磷光的发光层，三重态控制层的功用是减少三重态的淬灭。因此，能够达到来自磷光发光层更高的发光效率。三重态控制层选自三重态能级高于相邻发光层中磷光发光体的三重态能级的三芳基胺化合物。用于三重态控制层的适合化合物(特别是三芳基胺化合物)描述于EP 2 722 908 A1中。

电子阻挡层的厚度可以在2与20nm之间选择。EBL可以具有大于30nm、大于50nm、大于70nm、大于100nm或大于110nm的层厚度。EBL的厚度可以小于200nm、小于170nm、小于140nm或小于130nm。相较于EBL，共同HTL可能会较薄约一个数量级。

电子阻挡层可包括一种化合物，其中该化合物具有其最高占据分子轨道的能量，其以参照真空能级为零的绝对标度标示，在程序包TURBOMOLE V6.5中应用杂化泛函B3LYP和Gaussian 6-31G*基组计算出范围为<-4.27eV至≥-6.0eV、<-4.3eV至≥-5.5eV、优选地为<-4.5eV至≥-5.4eV、更优选为<-4.6eV至≥5.3eV。

光活性层(PAL)

光活性层将电流转换为光子或将光子转换为电流。光活性层可以形成为共同光活性层或形成为并非共同光活性层的分离层。PAL可以形成为多个像素或至少两个像素的共同PAL。共同PAL可以在OLED显示器中的多个像素中的所有像素上延伸或者在多个像素中的至少两个像素上延伸。

PAL可通过真空沉积、旋转涂布、狭缝式模头涂布、印刷、流延、LB沉积或类似者形成在HTL上。当PAL使用真空沉积或旋转涂布形成时，沉积及涂布条件可能与用于形成HIL的条件相似。然而，根据用于形成PAL的化合物，沉积及涂布的条件可能会改变。

前提可以是，光活性层不包括本发明的有机p型掺杂剂。

发光层(EML)

EML层可以被形成为共同EML层或被形成为不是共同EML层的分离层。对于RGB显示器，优选地，EML被形成为不是共同EML层的分离层。EML可以被形成为多个像素或至少两个像素的共同EML。共同EML可以在OLED显示器中的多个像素中的所有像素上延伸或者在多个像素中的至少两个像素上延伸。

EML可通过真空沉积、旋转涂布、狭缝式模头涂布、印刷、流延、LB沉积等形成在HTL上。当EML使用真空沉积或旋转涂布形成时，沉积及涂布条件可能与用于形成HIL的条件相似。然而，根据用于形成EML的化合物，沉积及涂布的条件可能会改变。

共同电子传输层可包括有机电子传输基质(ETM)材料。此外，共同电子传输层可包括一种或多种n型掺杂剂，用于ETM的适合的化合物包括芳族或杂芳族结构部分，例如公开于文件EP 1 970 371 A1或WO 2013/079217A1中的。

前提可以是，发光层不包括如本发明所述的用于HIL和/或HTL的有机p型掺杂剂。

发光层(EML)可由主体和发光体掺杂剂的结合而形成。主体的实例为Alq3、4,4'-N,N'-二咔唑-联苯(CBP)、聚(n-乙烯基咔唑)(PVK)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)-三苯胺(TCTA)、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)、3-叔丁基-9,10-二-2-萘基蒽(TBADN)、二苯乙烯芳亚基(DSA)和双(2-(2-羟基苯基)苯并噻唑)锌(Zn(BTZ)₂)。

发光体掺杂剂可以是磷光或荧光发光体。磷光发光体与经由热活化延迟荧光(TADF)机制发光的发光体因为其较高的效率可为优选的。发光体可以是小分子或聚合物。

红色发光体掺杂剂的实例为PtOEP、Ir(piq)3和Btp2lr(acac)，但不限于此。这些化合物是磷光发光体；然而，荧光红色发光体掺杂剂亦可被使用。

磷光绿色发光体掺杂剂的实例是Ir(ppy)3(ppy＝苯吡啶)、Ir(ppy)2(acac)、Ir(mpyp)3。

磷光蓝色发光体掺杂剂的实例是F2Irpic、(F2ppy)2Ir(tmd)、Ir(dfppz)3和三芴。4,4'-双(4-二苯基胺基苯乙烯基)联苯(DPAVBi)、2,5,8,11-四-叔丁基苝(TBPe)是荧光蓝色发光体掺杂剂的实例。

基于100重量份的主体，发光体掺杂剂的量可在约0.01至约50重量份的范围内。替代地，发光层可由发光聚合物组成。EML可具有约10nm至约100nm的厚度，例如约20nm至约60nm的厚度。当EML的厚度在此范围内时，EML可具有优异的光发光性，而没有驱动电压的实质损失。

空穴阻挡层(HBL)

空穴阻挡层(HBL)可以被形成为共同空穴阻挡层(HBL)或形成为不是共同空穴阻挡层(HBL)的分离的空穴阻挡层(HBL)。HBL可以被形成为多个像素或至少两个像素的共同HBL。共同HBL可以在OLED显示器中的多个像素中的所有像素上延伸或者在多个像素中的至少两个像素上延伸。

空穴阻挡层(HBL)可通过使用真空沉积、旋转涂布、狭缝式涂布、印刷、流延、LB沉积等形成于EML上，以避免空穴扩散至ETL中。当EML包括磷光掺杂剂时，HBL亦可具有三重态激子阻挡功能。

HBL也可以称为辅助ETL或a-ETL。

当HBL使用真空沉积或旋转涂布形成时，沉积和涂布的条件可与用于形成HIL的条件相似。然而，根据用于形成HBL的化合物，沉积及涂布的条件可能会改变。可以使用通常用于形成HBL的任何化合物。用于形成HBL的化合物的实例包括二唑衍生物、三唑衍生物、菲咯啉衍生物和三嗪衍生物。

HBL可具有约5nm至约100nm的厚度，例如约10nm至约30nm的厚度。当HBL的厚度在此范围内时，HBL可具有优异的空穴阻挡性能，而没有驱动电压的实质损失。

电子传输层(ETL)

电子传输层(ETL)可以被形成为共同电子传输层(ETL)或被形成为不是共同电子传输层(ETL)的分离的电子传输层(ETL)。

ETL可以被形成为多个像素或至少两个像素的共同ETL。共同ETL可以在OLED显示器中的多个像素中的所有像素上延伸或者在多个像素中的至少两个像素上延伸。

每个个别像素可能具有其自有的ETL，该ETL可能不会接触其它个别像素的ETL。

根据本发明的有机发光二极管还可包括电子传输层(ETL)。

根据另一个实施方式，电子传输层还可包括吖嗪化合物，优选地三嗪化合物。

在一个实施方式中，其中电子传输层还可包括选自碱性有机络合物(优选地为LiQ)的掺杂剂。

ETL的厚度可以在约15nm至约50nm的范围内，例如，约20nm至约40nm的范围内。当ETL的厚度在此范围内时，ETL可具有令人满意的电子注入特性，而没有驱动电压的实质损失。

根据另一个实施方式，有机发光二极管还可包括空穴阻挡层及电子传输层，其中空穴阻挡层及电子传输层包括吖嗪化合物。优选地，吖嗪化合物是三嗪化合物。

电子注入层(EIL)

EIL可以被形成为共同EIL层或被形成为不是共同EIL层的分离的EIL层。

EIL可以被形成为多个像素或至少两个像素的共同EIL。共同EIL可以在OLED显示器中的多个像素中的所有像素上延伸或者在多个像素中的至少两个像素上延伸。

可促进电子从阴极注入的任选的EIL可形成于ETL上，优选地为直接形成于电子传输层上。用于形成EIL的材料的实例包括本领域已知的8-羟基喹啉锂(LiQ)、LiF、NaCl、CsF、Li₂O、BaO、Ca、Ba、Yb、Mg。用于形成EIL的沉积和涂布条件与用于形成HIL的条件相似，尽管根据用于形成EIL的材料，沉积及涂布条件可能会改变。

EIL的厚度可以在约0.1nm至约10nm的范围内，例如，约0.5nm至约9nm的范围内。当EIL的厚度在此范围内时，EIL可具有令人满意的电子注入特性，而没有驱动电压的实质损失。

阴极电极

阴极电极可以被形成为共同阴极电极层或被形成为不是共同阴极电极层的分离的阴极电极层。

阴极可以被形成为多个像素或至少两个像素的共同阴极。共同阴极可以在OLED显示器中的多个像素中的所有像素上延伸或者在多个像素中的至少两个像素上延伸。

阴极电极(也称为阴极层)形成在ETL或任选的EIL上。

阴极可以由具有低逸出功的金属或金属合金制成。由TCO制成的透明阴极在本领域中也是众所周知的。优选地，阴极电极可以由金属、合金、导电化合物或其混合物形成。阴极电极可具有低逸出功。例如，阴极电极可由锂(Li)、镁(Mg)、铝(Al)、铝(Al)－锂(Li)、钙(Ca)、钡(Ba)、镱(Yb)、镁(Mg)－铟(In)、镁(Mg)－银(Ag)等形成。替代地，阴极电极可由透明导电氧化物(优选地为ITO或IZO)形成。

阴极电极的厚度可以在约5nm至约1000nm的范围内，例如，在约10nm至约100nm的范围内。当阴极电极的厚度在约5nm至约50nm的范围内时，即使是由金属或金属合金形成，阴极电极可以是透明或半透明的。

应理解，阴极电极不是电子注入层或电子传输层的一部分。

有机层叠层

有机层叠层可由分子量小于2000g/mol的有机化合物制成。在一个替代实施方式中，有机化合物可具有小于1000g/mol的分子量。

可以是HIL以及HTL的至少两个共同半导体层各在OLED显示器中的多个像素中的所有像素上延伸或者在多个像素中的至少两个像素上延伸。

根据一个实施方式，有机层叠层的HIL以及HTL在OLED显示器中的多个像素中的所有像素上延伸或者在多个像素中的至少两个像素上延伸。

根据一个实施方式，有机层叠层的HIL、HTL以及HBL被形成为共同半导体层、而且在OLED显示器中的多个像素中的所有像素上延伸或者在多个像素中的至少两个像素上延伸。

根据一个实施方式，有机层叠层的HIL、HTL以及EBL被形成为共同半导体层、而且在OLED显示器中的多个像素中的所有像素上延伸或者在多个像素中的至少两个像素上延伸。

根据一个实施方式，有机层叠层的HIL、HTL、EBL、以及ETL被形成为共同半导体层、而且在OLED显示器中的多个像素中的所有像素上延伸或者在多个像素中的至少两个像素上延伸。

根据一个实施方式，有机层叠层的HIL、HTL、以及n型侧形成为共同半导体层、而且在OLED显示器中的多个像素中的所有像素上延伸或者在多个像素中的至少两个像素上延伸。

根据一个实施方式，有机层叠层的HIL、HTL、HBL、以及n型侧形成为共同半导体层、而且在OLED显示器中的多个像素中的所有像素上延伸或者在多个像素中的至少两个像素上延伸。

根据一个实施方式，有机层叠层的HIL、HTL、EBL以及n型侧形成为共同半导体层、而且在OLED显示器中的多个像素中的所有像素上延伸或者在多个像素中的至少两个像素上延伸。

根据一个实施方式，有机层叠层的HIL、HTL、EBL、ETL以及n型侧形成为共同半导体层、而且在OLED显示器中的多个像素中的所有像素上延伸或者在多个像素中的至少两个像素上延伸。

优选地，每个个别像素可具有其自有的ETL，该ETL可以不接触其它个别像素的ETL。

优选地，每个个别像素可具有其自有的EML或PAL，该EML或PAL可以不接触其它个别像素的EML或PAL。

优选地，每个个别像素可能具有其自有的EBL，该EBL可以不接触其它个别像素的EBL。

优选地，每个个别像素可能具有其自有的HBL，该HBL可以不接触其它个别像素的HBL。

优选地，每个个别像素可具有其自有的n型侧，该n型侧可以不接触其它个别像素的n型侧。

制造方法

另一方面涉及一种用于制造至少一个共同层的方法。

用于制造至少一个共同层的方法包括，其中，所述制造至少一个共同层的方法包括在一个处理步骤中经由一个大的掩模开口将每一共同层沉积在整个显示区域上。

在下文中，将参考实施例对实施方式进行更详细的示例。然而，本公开不限于以下实施例。现在将详细参考示例性方面。

附图说明

在所述实施方式中上述组件以及所要求保护的组件和根据本发明的使用的组件在其尺寸、形状、材料选择和技术概念方面不受任何特殊例外的限制，从而能够无限制地应用相关领域中已知的选择标准。

本发明目的的附加细节、特征及优点公开于从属权利要求和以下对相应附图的描述中，这些附图以示范性方式显示了根据本发明优选的实施方式。然而，任何实施方式不一定代表本发明的全部范围，且因此参考申请专利范围和本文以解释本发明的范围。应理解，前面的一般描述与以下的详细描述仅为示例性和解释性的，并且旨在对所请提供进一步解释。

图1至图9

图1是具有两个像素以及共同HIL、共同HTL与共同阴极层的显示器的一个示意截面图；

图2是测试元件的一个示意截面图；

图3是沉积层叠结构的一个示意截面图；

图4是测试元件的一个示意截面图；

图5显示一个涂布ITO的基底；

图6是电流-电压测量图；

图7是电阻的一个实例图；

图8是有机发光二极管的一个示意截面图；

图9是有机发光二极管的一个示意截面图。

在下文中，将参照实施例更详细地说明图1至图4。然而，本发明不限于以下附图。

在此，当第一组件被称为形成或设置在第二组件“上”或“之上”时，第一组件可直接设置于第二组件上，或者可在它们之间设置一个或多个其它元件。当第一元件是指“直接在第二元件上”或“直接在第二元件之上”形成或设置时，在它们之间没有设置其它元件。

图1是根据一个示例性实施方式的具有两个像素(100；200)的显示器的示意截面图。第一像素(100)包括阳极层(120)，而且第二像素包括阳极层(120)。第一像素(100)具有其自有的阳极层(120)，而且第二像素(200)具有其自有的阳极(120)，其中第一像素(100)的阳极(120)不接触其它第二像素(200)的阳极层(120)。在第一像素(100)的阳极(120)以及第二像素(200)的阳极(120)之间可以设置像素定义层(125)。共同空穴注入层(HIL)(130)被设置在从第一像素(100)延伸至第二像素(200)的阳极层(120)上。共同空穴传输层(HTL)(140)设置在共同HIL(130)之上、且从第一像素(100)延伸至第二像素(200)。电子阻挡层(EBL)(145)设置在空穴传输层(HTL)(140)之上，使得第一像素(100)具有其自有的电子阻挡层(EBL)(145)，而且第二像素(200)具有其自有的电子阻挡层(EBL)(145)，第一像素(100)的电子阻挡层(EBL)(145)可以接触其它第二像素(200)的电子阻挡层(EBL)(145)。发光层(EML)(150)设置在电子阻挡层(EBL)(145)之上，使得第一像素(100)具有其自有的发光层(EML)(150)，而且第二像素(200)具有其自有的发光层(EML)(150)，其中第一像素(100)的发光层(EML)(150)可以接触其它第二像素(200)的发光层(EML)(150)。电子传输层(ETL)(160)设置在发光层(EML)(150)之上，使得第一像素(100)具有其自有的电子传输层(ETL)(160)，而且第二像素(200)具有其自有的电子传输层(ETL)(160)。共同阴极层(190)设置在电子传输层(ETL)(160)之上、且从第一像素(100)延伸至第二像素(200)。在第一像素(100)以及第二像素(200)之间，设置有分隔部(300)，其不具有阳极层(120)，但像素定义层(125)用作不是阳极(120)的薄层电阻层。

如图1中可见，分隔部(300)包括至少一层，其是共同空穴注入层(HIL)(130)而且作为共同层从像素(100)延伸通过分隔部(300)至像素(200)。分隔部(300)包括至少两层，即电子阻挡层(EBL)(145)以及发光层(EML)(150)，其每一者从像素(100)和像素(200)延伸至分隔部(300)。分隔部(300)的电子传输层(ETL)(160)以及空穴传输层(HTL)(140)不延伸至像素(100)以及像素(200)中。

图1只是一个实施例，而且本发明不限于此实施方式。存在多个层的配置，其中一层例如从一个像素延伸至分隔部(300)中或不延伸。此外，多个像素以及分隔部(例如像素(100)、(200)以及分隔部(300))的每一非共同层的材料组成可以个别地选择不同或相同。

图2显示了包括两个高导电电极的测试元件，两个高导电电极之间具有间隙“l”，而且各个高导电电极的宽度为“w”。

图3显示了用于测定薄层电阻的测试元件组上的沉积层叠结构的示意图。测试元件由一通道(测试元件)组成。沉积层(300)位于电极的顶部。

图4显示了包括具有指叉图案的两个高导电电极的测试元件，电极指之间的间隙为“l”，而且总宽度“w”为指叉宽度“we”以及指叉区域数量的乘积。

图5显示了具有90nm ITO与10欧姆/平方薄层电阻的ITO涂布基底，其图案为在一个25x25mm²尺寸的基底上组合了具有4种不同通道长度的电极对。

图6显示了在图5中所示的基底上的电流-电压测量的一个实例图。

图7显示了从图6中显示的电流-电压测量得到的电阻的一个实例图，其绘制在对应的通道长度上并且计算其斜率。

图8是根据本发明的一个示例性实施方式的有机发光二极管(OLED)100的示意截面图。OLED 100包括基底(110)、包括第一阳极子层(121)以及第二阳极子层(122)的阳极层(120)、包括式(I)化合物的半导体层(130)、空穴传输层(HTL)(140)、电子阻挡层(EBL)(145)、发光层(EML)(150)、空穴阻挡层(EBL)(155)、电子传输层(ETL)(160)以及阴极层(190)。这些层完全按照之前提及的顺序排列。

图9是根据本发明的一个示例性实施方式的有机发光二极管(OLED)100的示意截面图。OLED 100包括基底(110)、包括第一阳极子层(121)、第二阳极子层(122)和第三阳极子层(123)的阳极层(120)、包括式(I)化合物的半导体层(130)、空穴传输层(HTL)(140)、电子阻挡层(EBL)(145)、发光层(EML)(150)、空穴阻挡层(EBL)(155)、电子传输层(ETL)(160)以及阴极层(190)。这些层完全按照之前提及的顺序排列。

在下文中，将参考实施例而对具体实施方式进行更详细的示例。然而，本发明不限于以下实施例。

具体实施方式

本发明通过以下实施例进一步示例，这些实施例仅是示例性的并且不具有约束力。

化合物可以如文献中描述的方式制备，或者替代的化合物可以如文献中描述的类似化合物的方式来制备。

计算的HOMO以及LUMO

使用程序包TURBOMOLE V6.5(TURBOMOLE GmbH，Litzenhardtstrasse 19，76135Karlsruhe，德国)计算HOMO及LUMO能级。通过在气相中应用杂化泛函B3LYP和6-31G*基组来确定分子结构的优化的几何形状和HOMO及LUMO能级。如果多于一个构形是可行的，则选择具有最低总能量的构形。HOMO和LUMO能级以电子伏特(eV)记录。

更详细地描述传输线法

根据本发明，用于测量包括有机p型掺杂剂的第一共同半导体层以及在第一共同半导体上的第二共同半导体层的薄层电阻的传输线法可以如下所述地进行。

基底与样品制备

根据图4，具有90nm ITO与10欧姆/平方薄层电阻的ITO涂布基底用指叉结构图案化。两个电极上的12个ITO指形成总共23个导电区域：n＝23。指叉长度w_e为4.5mm。因此，总通道宽度为103.5mm。通道长度w在20至80μm之间以20μm的步长变化。具有四种不同通道长度的电极对被组合在尺寸为25x25mm²的一个基底上，如图5所示。有机层沉积在基底上，覆盖了完整的指叉图案。在基底上，第一共同半导体层包括具有10nm厚度的至少一个有机p型掺杂剂，例如，第一共同半导体层为由掺杂的共价基质化合物组成的空穴注入层，说明书中描述的适合的共价基质化合物通过共蒸发而沉积。温度范围取决于材料、并且受限于汽化开始时的汽化温度以及分解温度。这些值是材料参数、且对于每种材料都不同。这些值通常介于50℃与500℃之间，大部分介于150℃与350℃之间。例如，共价基质化合物沉积以(埃/秒)的固定速率及272℃的蒸发源温度进行。有机p型掺杂剂源例如选自以下：取代的或未取代的3-轴烯、取代的或未取代的醌、取代的或未取代的醌类、以及包括缩合环的取代的或未取代的芳族化合物，而且更优选地有机p型掺杂剂可以选自取代的或未取代的3-轴烯化合物。说明书中描述了其它适合的p型掺杂剂，例如在174℃下以工作。在此层上，以的沉积速率及280℃的温度沉积厚度为128nm的第二共同半导体层，其为例如共同空穴传输层或共同电子阻挡层，其中空穴传输层是优选的。在整个沉积工序期间，腔室压力为3e-7毫巴。然而，如上所述，所使用的蒸发温度取决于汽化开始时的汽化温度以及分解温度。有机材料的蒸发温度取决于材料，而且通常在50℃与500℃之间。在有机层沉积后，所获得的基底层器件被封装在填充氮气的手套箱中，其使用具有集成干燥剂的玻璃盖以避免样品降解。

根据本发明，用于测量包括有机p型掺杂剂的共同第一半导体层、共同第一半导体上的共同第二半导体层、以及共同第二半导体层上的共同第三半导体层的薄层电阻的传输线法可以如下所述地进行。

根据图4，具有90nm ITO与10欧姆/平方薄层电阻的ITO涂布基底用指叉结构图案化。两个电极上的12个ITO指形成总共23个导电区域：n＝23。指叉长度w_e为4.5mm。因此总通道宽度为103.5mm。通道长度w在20至80μm之间以20μm的步长变化。具有四种不同通道长度的电极对被组合在具有25x25 mm2尺寸的基底上，如图5所示。有机层沉积在基底上，覆盖了完整的叉指图案。在基底上，第一共同半导体层包括具有10nm厚度的至少一个有机p型掺杂剂，例如，第一共同半导体层是由掺杂的共价基质化合物组成的空穴注入层，说明书中描述的共价基质化合物通过共蒸发而沉积。温度范围取决于材料，并且受限于汽化开始时的汽化温度以及分解温度。这些值是材料参数，而且对于每种材料都不同。这些值通常介于50℃与500℃之间，大部分介于150℃与350℃之间。例如，共价基质化合物沉积以(埃/秒)的固定速率及272℃的蒸发源温度进行。有机p型掺杂剂源例如选自以下：取代的或未取代的3-轴烯、取代的或未取代的醌、取代的或未取代的醌类、以及包括缩合环的取代的或未取代的芳族化合物，而且更优选地有机p型掺杂剂可以选自取代的或未取代的3-轴烯化合物。说明书中描述了其它适合的p型掺杂剂，例如在174℃以工作。在此层上，以的沉积速率及280℃的温度沉积厚度为128nm的第二共同半导体层，其为例如共同空穴传输层或共同电子阻挡层，其中空穴传输层是优选的。在此层上，以的沉积速率及244℃的温度沉积厚度为5nm的第三共同半导体层，其为例如共同电子阻挡层。在整个沉积工序期间，腔室压力为3e-7毫巴。然而，如上所述，所使用的蒸发温度取决于汽化开始时的汽化温度以及分解温度。有机材料的蒸发温度取决于材料，而且通常在50℃与500℃之间。在有机层沉积后，所获得的基底层器件被封装在填充氮气的手套箱中，其使用具有集成干燥剂的玻璃盖以避免样品降解。

根据本发明，用于测量包括有机p型掺杂剂的共同第一半导体层、共同第一半导体上的共同第二半导体层、共同第二半导体层上的共同第三半导体层、以及共同第三半导体层上的共同发光层(EML)的薄层电阻的传输线法可以如下所述地进行。

根据图4，具有90nm ITO与10欧姆/平方薄层电阻的ITO涂布基底用指叉结构图案化。两个电极上的12个ITO指叉结构形成总共23个导电区域：n＝23。指叉长度w_e为4.5mm。因此总通道宽度为103.5mm。通道长度w在20与80μm之间以20μm的步长变化。具有四种不同通道长度的电极对被组合在尺寸为25x25mm²的一个基底上，如图5所示。有机层被沉积在基底上，覆盖了完整的指叉图案。在基底上，第一共同半导体层包括厚度为10nm的至少一个有机p型掺杂剂，例如，第一共同半导体层是由掺杂的共价基质化合物组成的空穴注入层，说明书中描述的适合的共价基质化合物通过共蒸发而被沉积。温度范围取决于材料、并且受限于汽化开始时的汽化温度以及分解温度。这些值是材料参数、而且对于每种材料都不同。这些值通常介于50℃与500℃之间，大部分介于150℃与350℃之间。例如，共价基质化合物沉积以(埃/秒)的固定速率进行，其蒸发源温度为272℃。有机p型掺杂剂源例如选自以下：取代的或未取代的3-轴烯、取代的或未取代的醌、取代的或未取代的醌类、以及包括缩合环的取代的或未取代的芳族化合物，而且更优选地有机p型掺杂剂可以选自取代的或未取代的3-轴烯化合物。说明书中描述了其它适合的p型掺杂剂，例如在174℃下以工作。在此层上，在280℃的温度下以的沉积速率沉积厚度为128nm的第二共同半导体层，其为例如共同空穴传输层或共同电子阻挡层，其中优选地为空穴传输层。在此层上，在244℃的温度下以的沉积速率沉积厚度为5nm的第三共同半导体层，其为例如共同电子阻挡层。在此层上，在183℃的温度下以的沉积速率沉积主体化合物以及在197℃的温度下以的沉积速率沉积发光体掺杂剂，而沉积厚度为20nm的发光层，例如蓝色发光层，其为例如蓝色发光层。在整个沉积过程中，腔室压力为3e-7毫巴。然而，如上所述，所使用的蒸发温度取决于汽化开始时的汽化温度以及分解温度。有机材料的蒸发温度取决于材料，而且通常在50℃与500℃之间。在有机层沉积后，所获得的基底层器件被封装在充满氮气的手套箱中，其使用具有集成干燥剂的玻璃盖以避免样品降解。

制造OLED的一般程序

对于实施例1至18以及比较实施例1，具有阳极层(阳极层包括120nm Ag的第一阳极子层、8nm ITO的第二阳极子层、以及10nm ITO的第三阳极子层)的玻璃基底被切割成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，以水超声清洗60分钟，并且接着以异丙醇超声清洗20分钟。

然后，在真空中在阳极层上共沉积基本共价基质化合物以及空穴注入材料，以形成空穴注入层(HIL)。接着，将基本共价基质化合物真空沉积在HIL上，以形成具有128nm厚度的HTL。HTL中基本共价基质化合物的分子式与HIL中使用的基本共价基质化合物相同。

然后，在HTL上进行真空沉积，以形成具有5nm厚度的电子阻挡层(EBL)。

接着，将作为EML主体的97体积％H09(Sun Fine Chemicals，韩国)以及作为荧光蓝色发光体掺杂剂的3体积％BD200(Sun Fine Chemicals，韩国)沉积在EBL上，以形成厚度为20nm的发光蓝光的第一发光层(EML)。

接着，通过沉积2-(3'-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-[1,1'-联苯]-3-基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪在发光层(EML)上，以形成厚度为5nm的空穴阻挡层。

然后，通过沉积50重量％的4'-(4-(4-(4,6-联苯-1,3,5-三嗪-2-基)苯基)萘-1-基)-[1,1'-联苯]-4-甲腈以及50重量％的LiQ在空穴阻挡层上，以形成厚度为31nm的电子传输层。

然后，通过在10^-7毫巴下以0.01至的速率沉积镱，以在电子传输层上形成厚度为2nm的电子注入层。

接着，在10^-7毫巴下以0.01至的速率蒸发Ag:Mg(90:10体积％)，以在电子注入层上形成厚度为100nm的阴极层。

通过使用载玻片的器件封装来保护OLED叠层免受环境条件的影响。因此，形成空腔，其包括用于进一步保护的吸气材料。

为了评估本发明实施例相较于现有技术的性能，在20℃测量电流效率。电流-电压特性是使用Keithley 2635电源测量单元测定的，其通过提供以V为单位的工作电压U，并且测量流过待测器件的电流(以mA为单位)。施加至器件的电压在0V和10V之间以0.1V的步长变化。同样地，亮度-电压特性以及CIE坐标是通过使用Instrument Systems CAS-140CT阵列光谱仪(由Deutsche Akkreditierungs-stelle(DAkkS)校准)测量每一电压值的亮度(单位为cd/m²)来确定的。

在环境条件(20℃)和30mA/cm²下，使用Keithley 2400电源电表测量器件的寿命LT，并以小时为单位进行记录。器件的亮度是使用经校正的光电二极管来测量。寿命LT被定义为器件的亮度降低至其初始值的97％为止的时间。

为了测定电压随时间的稳定性U(100h-1h)，向器件施加30mA/cm²的电流密度。在1小时后以及50小时后测量工作电压U，接着计算1小时至50小时期间的电压稳定性。

表2显示了更优选的HTL基质材料，其中一些在表4中使用。

表2：HTL基质材料

表3显示了更优选的EBL基质材料，其中一些在表4中使用。

表3：EBL基质材料

本发明的技术效果

如图4中可见，因为工作电压低，而且同时薄层电阻高或更高达50千兆欧姆/平方，从而器件具有有益的工作电压。此外，除了工作电压之外，EQE和/或寿命也获得改进。

上述详细实施方式中的元件和特征的特定组合仅是示例性的；还明确预期将这些教导与本文中的其它教导以及通过引用并入的专利/申请进行交换和替代。在不脱离所要求保护的本发明的主旨和范围的情况下，本领域技术人员可以想到本文中所描述的变化、修改和其它实现方式。因此，上述描述仅作为示例而不旨在是限制性的。在权利要求中，词语“包含”不排除其它元件或步骤，并且不定冠词“一个”或“一种”不排除复数。在互不相同的从属权利要求中列举的特定措施这一事实并不表示这些措施的组合不能被有利地使用。本发明的范围由权利要求及其等同物来限定。此外，说明书和权利要求中使用的附图标记不限制要求保护的本发明的范围。

Claims (21)

1.一种有源矩阵OLED显示器，所述有源矩阵OLED显示器包括多个OLED像素，其中每一像素本身包括一个有机层叠层，所述有机层叠层的每一层可形成一个共同半导体层，其中，

-至少第一OLED像素以及第二OLED像素，其包括：

-阳极层，

-共同阴极层，

-至少一个发光层，其任选地是一个共同发光层，

-至少一个有机层叠层，其中所述有机层叠层被设置于所述阳极层与所述阴极层之间，所述至少一个有机层叠层包括：

-多个半导体层，所述多个半导体层包括至少两个或更多个共同半导体层，其中所述多个半导体层包括：

-至少第一共同半导体层，其包括至少一个有机p型掺杂剂，

-至少第二共同半导体层，

-共同半导体层，在所述OLED显示器中的所述多个像素的所有像素上延伸或者在所述多个像素的至少两个像素上延伸，以及

其中所述第一共同半导体包括至少一个有机p型掺杂剂，而且与所述第二共同半导体层一起具有≥50千兆欧姆/平方的薄层电阻。

2.根据前述权利要求1中的任一项所述的有源矩阵OLED显示器，其中所述有机p型掺杂剂选自以下：取代的或未取代的3-轴烯、取代的或未取代的醌、取代的或未取代的醌类、以及包括缩合环的取代的或未取代的芳族化合物，并且更优选所述有机p型掺杂剂选自取代的或未取代的3-轴烯化合物。

3.根据前述权利要求1或2中的任一项所述的有源矩阵OLED显示器，其中所述3-轴烯化合物是由式(1)表示：

其中A¹、A²以及A³独立地选自式(2)：

其中“*”是A¹、A²以及A³与式(1)的双键的结合位置，

R’独立地选自以下：取代的或未取代的芳基、取代的或未取代的杂芳基、取代的或未取代的烷基，并且优选地取代的或未取代的C₆至C₂₄芳基、取代的或未取代的C₂至C₂₀杂芳基、以及取代的或未取代的C₁至C₈烷基；

其中R’上的取代基独立地选自以下：吸电子基团、CN、卤素、Cl、F、部分氟化或全氟化的烷基、部分氟化或全氟化的烷氧基，并且优选地部分氟化或全氟化的C₁至C₁₀烷基、部分氟化或全氟化的C₁至C₆烷氧基，并且更优选CF₃、OCF₃、D或H；

R”选自以下：吸电子基团、优选CN、取代的或未取代的烷基、取代的或未取代的杂芳基、取代的或未取代的芳基、全氟化烷基，还优选取代的或未取代的C₁至C₈烷基、取代的或未取代的C₂至C₂₀杂芳基、取代的或未取代的C₆至C₂₄芳基、全氟化C₁至C₈烷基，并且更优选CF₃、NO₂或F；

其中R”上的取代基独立地选自以下：吸电子基团、CN、卤素、Cl、F、部分氟化或全氟化的烷基、部分氟化或全氟化的烷氧基，并且优选地部分氟化或全氟化的C₁至C₁₀烷基、部分氟化或全氟化的C₁至C₆烷氧基，并且更优选CF₃、OCF₃、D或H；

其中R’以及R”一起任选地形成取代的或未取代的碳环或者取代的或未取代的杂环，优选地取代的或未取代的杂环；

其中取代基独立地选自以下：吸电子基团、F、CN、全氟化C₁至C₈烷基、取代的或未取代的C₆至C₁₈芳基、取代的或未取代的C₂至C₁₈杂芳基、取代的或未取代的C₃至C₁₈碳环叉基、取代的或未取代的C₃至C₁₈碳环亚基、取代的或未取代的C₁至C₈烷叉基、取代的或未取代的C₁至C₈烷亚基；

其中取代基选自以下：吸电子基团、卤素、F、Cl、CN、全氟化烷基、全氟化C₁至C₈烷基、CF₃、部分氟化或全氟化的烷基芳基、部分氟化或全氟化的C₆至C₁₈烷基芳基。

4.根据前述权利要求1至3中的任一项所述的有源矩阵OLED显示器，其中

R’独立地选自以下：取代的或未取代的C₆至C₂₄芳基、取代的或未取代的C₂至C₂₀杂芳基；

R”是吸电子基团，优选地R”独立地选自以下：CN、CF₃、NO₂、或F，更优选地R”是CN。

5.根据前述权利要求1至4中的任一项所述的有源矩阵OLED显示器，其中A¹、A²以及A³选择为：A¹＝A²≠A³，或A¹≠A²且A¹≠A³且A²＝A³。

6.根据前述权利要求1至5中的任一项所述的有源矩阵OLED显示器，其中A¹选自式(3)或(4)：

其中

X¹选自CR¹或N；

X²选自CR²或N；

X³选自CR³或N；

X⁴选自CR⁴或N；

X⁵选自CR⁵或N；

R¹、R²、R³、R⁴以及R⁵独立地选自以下：吸电子基团、CN、卤素、Cl、F、部分氟化或全氟化的烷基、部分氟化或全氟化的C₁至C₁₀烷基，优选CF₃、部分氟化或全氟化的烷氧基、部分氟化或全氟化的C₁至C₆烷氧基、D或H；

其中X¹至X⁵中的至少两者独立地选自CR¹至CR⁵；以及

其中式(3)以及(4)上的“*”是A¹与式(1)的双键的结合位置。

7.根据前述权利要求1至6中的任一项所述的有源矩阵OLED显示器，其中A¹选自包括D1至D210的基团：

以及

其中

D1至D210基团上的取代基的“*”是指A¹与式(1)的双键的结合位置。

8.根据前述权利要求1至7中的任一项所述的有源矩阵OLED显示器，其中所述有机p型掺杂剂的所述醌具有式(5)，而且所述有机p型掺杂剂的所述醌类具有式(6)，

其中

A¹以及A²独立地选自式(7)：

或NR”’，其中“*”是A¹以及A²与式(5)以及式(6)的双键的结合位置：

R’选自吸电子基团、取代的或未取代的烷基、取代的或未取代的杂芳基、取代的或未取代的芳基、全氟化烷基，优选取代的或未取代的C₁至C₈烷基、取代的或未取代的C₂至C₂₀杂芳基、取代的或未取代的C₆至C₂₄芳基、全氟化C₁至C₈烷基、CF₃、NO₂、F、CN，

其中R’上的取代基独立地选自以下：D、H、吸电子基团、CN、卤素、Cl、F、部分氟化或全氟化的烷基、部分氟化或全氟化的C₁至C₁₀烷基、CF₃、部分氟化或全氟化的烷氧基、部分氟化或全氟化的C₁至C₆烷氧基，以及更优选地CN、CF₃、OCF₃、D或H；

R”为吸电子基团、取代的或未取代的烷基、取代的或未取代的杂芳基、取代的或未取代的芳基、全氟化烷基，优选取代的或未取代的C₁至C₈烷基、取代的或未取代的C₂至C₂₀杂芳基、取代的或未取代的C₆至C₂₄芳基、全氟化C₁至C₈烷基、CF₃、NO₂、F、CN，

其中R”上的取代基独立地选自以下：吸电子基团、CN、卤素、Cl、F、部分氟化或全氟化的烷基、部分氟化或全氟化的C₁至C₁₀烷基、CF₃、部分氟化或全氟化的烷氧基、部分氟化或全氟化的C₁至C₆烷氧基，以及更优选地CN、CF₃、OCF₃、D或H；

其中R’以及R”一起任选地形成取代的或未取代的环，而且其中所述取代的或未取代的环可以是取代的或未取代的碳环或者取代的或未取代的杂环，优选取代的或未取代的杂环；

R”’选自键、取代的或未取代的C₁至C₁₈烷基、取代的或未取代的C₆至C₂₄芳基、取代的或未取代的C₆至C₂₄杂芳基、CN，

其中R”’上的取代基独立地选自以下：取代的或未取代的C₆至C₂₄芳基、吸电子基团、CN、F、CF₃、全氟化C₁至C₈烷基；

R¹、R²、R³以及R⁴独立地选自以下：吸电子基团、卤素、取代的或未取代的烷基、部分氟化或全氟化的烷基、取代的或未取代的芳基、取代的或未取代的杂芳基、取代的烷氧基、部分氟化或全氟化的烷氧基、部分氟化或全氟化的烷基芳基、O、S、取代的或未取代的N，优选地F、Cl、CN、取代的或未取代的C₁至C₈烷基、部分氟化或全氟化的C₁至C₈烷基、CF₃、取代的或未取代的C₆至C₂₄芳基、取代的或未取代的C₂至C₂₀杂芳基、取代的或未取代的C₁至C₈烷氧基、部分氟化或全氟化的C₁至C₈烷氧基、OCF₃、取代的或未取代的C₁至C₈烷基、CF₃、部分氟化或全氟化的C₆至C₂₄烷基芳基，

其中R¹、R²、R³以及R⁴上的取代基独立地选自以下：吸电子基团、取代的或未取代的烷基、取代的或未取代的杂芳基、取代的或未取代的芳基、全氟化烷基，优选地CN、取代的或未取代的C₁至C₈烷基、取代的或未取代的C₂至C₂₀杂芳基、取代的或未取代的C₆至C₂₄芳基、全氟化C₁至C₈烷基、CF₃、NO₂、F；

其中R¹以及R²一起、或R³以及R⁴一起任选地彼此独立地形成取代的或未取代的碳环或者取代的或未取代的杂环，优选地取代的或未取代的杂环；

其中取代基独立地选自以下：吸电子基团、F、CN、全氟化C₁至C₈烷基，优选地全氟化C₁至C₈烷氧基、优选地OCF₃，取代的或未取代的C₆至C₁₈芳基、取代的或未取代的C₂至C₁₈杂芳基、取代的或未取代的碳环叉基、取代的或未取代的碳环亚基、取代的或未取代的烷叉基、取代的或未取代的烷亚基；

其中取代基独立地选自以下：吸电子基团、卤素、F、Cl、CN、全氟化烷基、CF₃、部分氟化或全氟化的烷基芳基、部分氟化或全氟化的C₆至C₁₈烷基芳基、全氟化C₁至C₈烷氧基，优选地OCF₃；

其中A¹和R³一起以及A²和R一起任选地彼此独立地形成取代的或未取代的杂环；

其中取代基独立地选自以下：取代的或未取代的C₆至C₁₈芳基、取代的或未取代的碳环叉基、取代的或未取代的碳环亚基、取代的或未取代的烷叉基、取代的或未取代的烷亚基；

其中取代基独立地选自以下：吸电子基团、卤素、F、Cl、CN、全氟化烷基、CF₃、部分氟化或全氟化的烷基芳基、部分氟化或全氟化的C₆至C₁₈烷基芳基。

9.根据前述权利要求1至8中的任一项所述的有源矩阵OLED显示器，其中A¹以及A²独立地选自D1至D8的基团：

其中

“*”是A¹、A²以及A³与式(1)的双键的结合位置，而且是A¹以及A²与式(5)以及式(6)的双键的结合位置。

10.根据前述权利要求1至9中的任一项所述的有源矩阵OLED显示器，其中A¹以及A²选自式(8)至(13)：

以及其中

X¹选自CR¹或N；

X²选自CR²或N；

X³选自CR³或N；

X⁴选自CR⁴或N；

X⁵选自CR⁵或N；

其中R¹、R²、R³、R⁴以及R⁵之一独立地选自吸电子基团、卤素、部分氟化或全氟化的烷基、部分氟化或全氟化的烷氧基、D或H，优选地CN、Cl、F、部分氟化或全氟化的C₁至C₁₀烷基、CF₃、部分氟化或全氟化的C₁至C₆烷氧基；

其中X¹至X⁵中的至少两个独立地选自CR¹至CR⁵。

11.根据前述权利要求1至10中的任一项所述的有源矩阵OLED显示器，其中包括醌或醌类的p型掺杂剂的化合物具有以下结构E1至E11：

12.根据前述权利要求1至11中的任一项所述的有源矩阵OLED显示器，其中包括缩合环的所述取代的或未取代的芳族化合物是由式(14a)、(14b)、(14c)、(14d)、(14e)以及式(15)所表示：

其中

A¹选自或NR”’，其中“*”是A¹与式(14)的双键的结合位置，其中

R’选自吸电子基团、取代的或未取代的烷基、取代的或未取代的杂芳基、取代的或未取代的C₂至C₂₀杂芳基、取代的或未取代的芳基、取代的或未取代的C₆至C₂₄芳基、全氟化烷基，最优选地取代的或未取代的C₁至C₈烷基、CN、取代的或未取代的C₂至C₂₀杂芳基、取代的或未取代的C₆至C₂₄芳基、C₁至C₈烷基、全氟化C₁至C₈烷基、CF₃、NO₂、F，

其中R’上的取代基独立地选自以下：吸电子基团、CN、卤素、Cl、F、部分氟化或全氟化的烷基、部分氟化或全氟化的C₁至C₁₀烷基、CF₃、部分氟化或全氟化的烷氧基、部分氟化或全氟化的C₁至C₆烷氧基，最优选地OCF₃、D或H；

R”选自吸电子基团、取代的或未取代的烷基、取代的或未取代的杂芳基、取代的或未取代的C₂至C₂₀杂芳基、取代的或未取代的芳基、取代的或未取代的C₆至C₂₄芳基、全氟化烷基，最优选地取代的或未取代的C₁至C₈烷基、CN、取代的或未取代的C₂至C₂₀杂芳基、取代的或未取代的C₆至C₂₄芳基、C₁至C₈烷基、全氟化C₁至C₈烷基、CF₃、NO₂、F，

其中R”上的取代基独立地选自以下：吸电子基团、CN、卤素、Cl、F、部分氟化或全氟化的烷基、部分氟化或全氟化的C₁至C₁₀烷基、CF₃、部分氟化或全氟化的烷氧基、部分氟化或全氟化的C₁至C₆烷氧基，最优选地OCF₃、D或H；

R”’选自单键、取代的或未取代的C₁至C₁₈烷基、取代的或未取代的C₆至C₂₄芳基、取代的或未取代的C₆至C₂₄杂芳基、CN，

其中R”’上的取代基独立地选自以下：取代的或未取代的C₆至C₂₄芳基、吸电子基团、CN、F、CF₃、全氟化C₁至C₈烷基；

R¹以及R²独立地选自以下：吸电子基团、卤素、F、Cl、CN、取代的烷基、取代的C₁至C₈烷基、部分氟化或全氟化的C₁至C₈烷基，优选地CF₃、取代的或未取代的芳基、取代的或未取代的C₆至C₂₄芳基、取代的或未取代的杂芳基、取代的或未取代的C₂至C₂₀杂芳基、取代的C₁至C₈烷氧基、部分氟化或全氟化的C₁至C₈烷氧基，优选地OCF₃、部分氟化或全氟化的烷基芳基、部分氟化或全氟化的C₆至C₂₄烷基芳基、O、S、N；

其中R¹以及R²上的取代基独立地选自以下：吸电子基团、优选地CN、取代的或未取代的烷基、取代的或未取代的C₁至C₈烷基、取代的或未取代的杂芳基、取代的或未取代的C₂至C₂₀杂芳基、取代的或未取代的芳基、取代的或未取代的C₆至C₂₄芳基、全氟化烷基、全氟化C₁至C₈烷基，最优选地CF₃、NO₂、F；

其中R¹以及R²一起任选地形成取代的或未取代的碳环或者取代的或未取代的杂环，优选地取代的或未取代的碳环；

其中所述环上的取代基选自以下：吸电子基团、F、CN、全氟化C₁至C₈烷基、优选地全氟化C₁至C₈烷氧基、OCF₃；取代的或未取代的C₆至C₁₈芳基、取代的或未取代的C₂至C₁₈杂芳基、取代的或未取代的碳环叉基、取代的或未取代的碳环亚基、取代的或未取代的烷叉基、取代的或未取代的烷亚基；

其中取代基选自以下：吸电子基团、卤素、F、Cl、CN、全氟化烷基、全氟化C₁至C₈烷基、CF₃、部分氟化或全氟化的烷基芳基、部分氟化或全氟化的C₆至C₁₈烷基芳基、全氟化C₁至C₈烷氧基、OCF₃；

Y彼此独立地选自N或CR^a，

R^a独立地选自以下：H、D、吸电子基团、CN、取代的或未取代的C₁至C₈烷基、全氟化C₁至C₈烷基、CF₃、全氟化C₁至C₈烷氧基、OCF₃；

其中R^a上的取代基独立地选自以下：吸电子基团、CN、卤素、Cl、F、部分氟化或全氟化的烷基、部分氟化或全氟化的C₁至C₁₀烷基、CF₃、部分氟化或全氟化的烷氧基、部分氟化或全氟化的C₁至C₆烷氧基，最优选地OCF₃、D或H；

其中两个R^a任选地形成取代的或未取代的碳环或者取代的或未取代的杂环，优选地取代的或未取代的碳环；

其中所述环上的取代基独立地选自以下：吸电子基团、F、CN、全氟化C₁至C₈烷基、优选地全氟化C₁至C₈烷氧基、OCF₃；取代的或未取代的C₆至C₁₈芳基、取代的或未取代的C₂至C₁₈杂芳基、取代的或未取代的碳环叉基、取代的或未取代的碳环亚基、取代的或未取代的烷叉基、取代的或未取代的烷亚基；

其中两个Y任选地形成取代的或未取代的碳环或者取代的或未取代的杂环，优选地取代的或未取代的碳环；

其中所述环上的取代基可以是吸电子基团、F、CN、全氟化C₁至C₈烷基、优选地全氟化C₁至C₈烷氧基、OCF₃；取代的或未取代的C₆至C₁₈芳基、取代的或未取代的C₂至C₁₈杂芳基、取代的或未取代的碳环叉基、取代的或未取代的碳环亚基、取代的或未取代的烷叉基、取代的或未取代的烷亚基；

其中

R¹、R²、R³、R⁴、R⁵以及R⁶独立地选自以下：H、F、CN、CF₃以及NO₂，其中R¹、R²、R³、R⁴、R⁵以及R⁶中的至少一者是F、CN、CF₃或NO₂。

13.根据前述权利要求1至12中的任一项所述的有源矩阵OLED显示器，其中包括缩合环的所述取代的或未取代的芳族化合物具有G1至G4的结构：

以及

14.根据前述权利要求1至13中的任一项所述的有源矩阵OLED显示器，其中至少一个R¹以及R²独立地选自以下：CN、OCF₃、CF₃、F、全氟化C₁至C₈烷基、取代的C₆至C₂₄芳基，其中所述取代基是F、CF₃、CN、取代的C₁至C₈烷亚基。

15.根据权利要求1至14所述的有源矩阵OLED显示器，其中所述第一共同半导体层是共同空穴注入层，优选由所述有机p型掺杂剂组成的共同空穴注入层、或包括所述有机p型掺杂剂以及空穴传输材料的共同空穴传输层。

16.根据权利要求1至15所述的有源矩阵OLED显示器，其中包括至少一个有机p型掺杂剂的所述第一共同半导体层是直接与所述阳极层接触，其中所述第二共同半导体层被设置于所述第一半导体层以及所述发光层之间。

17.根据前述权利要求1至16中的任一项所述的有源矩阵OLED显示器，其中所述第二共同半导体层是共同空穴传输层或共同电子阻挡层，优选地所述共同第一空穴注入层是与所述第二共同半导体层直接接触，所述第二共同半导体层为共同空穴传输层或共同电子阻挡层。

18.根据前述权利要求1至17中的任一项所述的有源矩阵OLED显示器，其中所述薄层电阻是由传输线法测定。

19.根据前述权利要求1至20中的任一项所述的有源矩阵OLED显示器，其中所述共同有机层叠层包括另外的共同有机层，所述共同有机层选自共同电子注入层、共同空穴阻挡层和/或电子传输层，优选地所述共同电子注入层是与所述共同阴极层直接接触。

20.根据前述权利要求1至21中的任一项所述的有源矩阵OLED显示器，其中所述有源矩阵OLED显示器包括驱动电路，所述驱动电路被配置以分别地驱动所述多个有机发光二极管像素的像素。

21.根据前述权利要求1至22中的任一项所述的有源矩阵OLED显示器，其中所述第一共同半导体层由所述多个OLED像素共享，和/或所述第二共同半导体层由所述多个OLED像素共享，优选地所有共同半导体层由所述多个OLED像素共享。