CN112259703B - 一种硅基oled微显示器的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种硅基OLED微显示器的制备方法，包括：将包含有电极的硅基CMOS驱动电路的基板进行清洗并烘干；对基板进行阳极镀膜并涂覆上第一特性的光刻胶后，使用第一掩膜版对第一特性的光刻胶进行曝光显影，以在基板上形成第一光刻胶保护层；对基板依次进行阳极工艺后，将第一光刻胶保护层和阳极工艺中产生的正性光刻胶均去除，使得电极上存在有阳极保护层；针对包含有阳极保护层的基板执行生产相关加工工序；在基板上涂覆第二特性的光刻胶，并在涂覆完成后使用第二掩膜版进行曝光显影，刻蚀去除阳极保护层；以及在完成去除阳极保护层后，进行盖板玻璃的封装和电路焊接。本发明可以制备出电极无腐蚀现象的硅基OLED微显示器。
Description
技术领域
本发明涉及有机电致发光器件领域，具体地，涉及一种硅基OLED微显示器的制备方法。
背景技术
硅基有机发光二极管(OLED，Organic Light Emitting Diode)微显示器是一种将主动型发光器件OLED制作在硅基CMOS驱动电路基板上的一种新型显示技术，已广泛应用于机戴头盔、枪瞄、夜视仪等军用市场，并且在AR/VR市场的应用前景也极其广泛，被称为下一代显示技术的黑马。
常规的硅基OLED微显示器制备过程中，在制备阳极，阳极绝缘层，OLED蒸镀，阴极蒸镀和薄膜封装时，CMOS电路上的电极都是暴露在基板表面的，阳极、阳极绝缘层、薄膜封装层、平坦层和彩膜制作时，会多次使用显影液等碱性化剂，碱性化剂可能会腐蚀电极区金属，导致电极金属的厚度减薄太多，从而影响电极的连接性，造成电极连接不良。
发明内容
本发明的目的是提供一种硅基OLED微显示器的制备方法，该硅基OLED微显示器的制备方法可以制备出电极无腐蚀现象的硅基OLED微显示器。
为了实现上述目的，本发明提供了一种硅基OLED微显示器的制备方法，所述硅基OLED微显示器的制备方法包括：将包含有电极的硅基CMOS驱动电路的基板进行清洗并烘干；对所述基板进行阳极镀膜并涂覆上第一特性的光刻胶后，使用第一掩膜版对所述第一特性的光刻胶进行曝光显影，以在所述基板上形成与电极的图形一致的用来保护电极的第一光刻胶保护层；对已形成第一光刻胶保护层的基板依次进行阳极工艺后，将第一光刻胶保护层和阳极工艺中产生的正性光刻胶均去除，使得所述电极上存在有阳极保护层；针对包含有阳极保护层的基板执行生产相关加工工序；在完成生产相关加工工序后的基板上涂覆第二特性的光刻胶，并在所述第二特性的光刻胶涂覆完成后使用第二掩膜版进行曝光显影，以在所述基板上形成与电极的图形相反的第二光刻胶保护层后，刻蚀去除所述阳极保护层；以及在完成去除所述阳极保护层后，进行盖板玻璃的封装和电路焊接以得到所述硅基OLED微显示器。
优选地，所述阳极工艺包括依次执行的以下工艺：阳极涂胶、曝光、显影、刻蚀。
优选地，所述生产相关加工工序包括依次制备的以下部件：阳极绝缘层、OLED层、阴极、薄膜封装层、平坦层和彩膜。
优选地，所述第一特性的光刻胶为负性光刻胶；所述第二特性的光刻胶为正性光刻胶。
优选地，所述第一掩膜版与所述第二掩膜版相同。
根据上述技术方案，本发明在微显示器制备过程中，利用设计的第一特性的光刻胶和阳极保护层把电极保护起来，使其不受生产相关加工工序和阳极工艺中的显影液等化剂的腐蚀，在生产相关加工工序中的其他层完成后，通过刻蚀的方法去除所述阳极以将电极重新暴露在基板表面，再进行电极焊接工序，整个过程防止工艺过程中的化剂对电极的腐蚀，保证电极的连接性，提高产品良率、合格率。
本发明的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1是本发明的一种硅基OLED微显示器的制备方法的流程图；
图2是完成步骤S101后的基板的结构示意图；
图3是完成步骤S102后的基板的结构示意图；
图4是完成步骤S103后的基板的结构示意图；以及
图5是完成步骤S105后的基板的结构示意图。
附图标记说明
1 电极 2 阳极
3 第一特性的光刻胶 4 正性光刻胶
5 阳极绝缘层 6 彩膜
7 平坦层
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
在本发明中，在未作相反说明的情况下，“上下左右”等包含在术语中的方位词仅代表该术语在常规使用状态下的方位，或为本领域技术人员理解的俗称，而不应视为对该术语的限制。
图1是本发明的一种硅基OLED微显示器的制备方法，如图1所示，所述硅基OLED微显示器的制备方法包括：
S101，将包含有电极1的硅基CMOS驱动电路的基板进行清洗并烘干。基板可以通过清洗装置来清洗，然后可以通过烘箱来进行烘干。其烘干后的基板的结构如图2所示。
S102，对所述基板进行阳极2镀膜并涂覆上第一特性的光刻胶3后，使用第一掩膜版对所述第一特性的光刻胶3进行曝光显影，以在所述基板上形成与电极1的图形一致的用来保护电极1的第一光刻胶保护层。其中，所述形成有第一光刻胶保护层的基板的结构图如图3所示。
其中，所述第一特性的光刻胶3为负性光刻胶，所述第一掩膜版可以将所述光刻胶曝光显影成预设定的形状，其中电极1上的阳极2上也形成有第一光刻胶保护层，作用是保护阳极2不被腐蚀。
S103，对已形成第一光刻胶保护层的基板依次进行阳极2工艺后，将第一光刻胶保护层和阳极2工艺中产生的正性光刻胶4均去除，使得所述电极1上存在有阳极2保护层。其中，所述阳极2工艺包括依次执行的阳极2涂胶、曝光、显影和刻蚀，执行完阳极2工艺后，再去除正性光刻胶4和第一光刻胶保护层，使得所述电极1上具有阳极2保护层。如图4所示。
S104，针对包含有阳极2保护层的基板执行生产相关加工工序。
其中，所述S104的加工工序包括依次制备的以下层：阳极绝缘层5、OLED层、阴极、薄膜封装层、平坦层7和彩膜6，所述OLED层和阴极是蒸镀上的。需要强调的是，上述的加工工序需要用到多次显影液等碱性化剂，碱性化剂可能会腐蚀电极1区金属，导致电极1金属的厚度减薄太多，从而影响电极1的连接性，造成电极1连接不良。本发明的上述阳极2保护层将电极1保护起来，不受显影液等化剂的腐蚀；在其他层完成后，通过刻蚀的方法，将电极1重新暴露在基板表面，再进行电极1焊接工序。
S105，在完成生产相关加工工序后的基板上涂覆第二特性的光刻胶，并在所述第二特性的光刻胶涂覆完成后使用第二掩膜版进行曝光显影，以在所述基板上形成与电极1的图形相反的第二光刻胶保护层后，刻蚀去除所述阳极2保护层。具体的在去除所述阳极2保护层后，所述基板的结构如图5所示。其中，所述第二特性的光刻胶为正性光刻胶4，所述第一掩膜版与所述第二掩膜版相同。
S106，在完成去除所述阳极2保护层后进行盖板玻璃的封装和电路焊接以得到所述硅基OLED微显示器。
其中，上述的盖板玻璃的封装和电路焊接可按照电路图和现有的封装工序来执行。
本发明采用上述的硅基OLED微显示器的制备方法，通过先在电极处形成阳极保护层，再在形成平坦层后刻蚀去除阳极保护层进而保护了整个生产制造过程中的电极不接触碱性化剂，确保了电极的连接性，提高产品的良率，进而提高了产品的合格率。
以上仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请。对于本领域技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的权利要求范围之内。
Claims (5)
1.一种硅基OLED微显示器的制备方法，其特征在于，所述硅基OLED微显示器的制备方法包括：
将包含有电极的硅基CMOS驱动电路的基板进行清洗并烘干；
对所述基板进行阳极镀膜并涂覆上第一特性的光刻胶后，使用第一掩膜版对所述第一特性的光刻胶进行曝光显影，以在所述基板上形成与电极的图形一致的用来保护电极的第一光刻胶保护层；
对已形成第一光刻胶保护层的基板依次进行阳极工艺后，将第一光刻胶保护层和阳极工艺中产生的正性光刻胶均去除，使得所述电极上存在有阳极保护层；
针对包含有阳极保护层的基板执行生产相关加工工序；
在完成生产相关加工工序后的基板上涂覆第二特性的光刻胶，并在所述第二特性的光刻胶涂覆完成后使用第二掩膜版进行曝光显影，以在所述基板上形成与电极的图形相反的第二光刻胶保护层后，刻蚀去除所述阳极保护层；以及
在完成去除所述阳极保护层后进行盖板玻璃的封装和电路焊接以得到所述硅基OLED微显示器。
2.根据权利要求1所述的硅基OLED微显示器的制备方法，其特征在于，所述阳极工艺包括依次执行的以下工艺：阳极涂胶、曝光、显影、刻蚀。
3.根据权利要求1所述的硅基OLED微显示器的制备方法，其特征在于，所述生产相关加工工序包括依次制备的以下部件：阳极绝缘层、OLED层、阴极、薄膜封装层、平坦层和彩膜。
4.根据权利要求1所述的硅基OLED微显示器的制备方法，其特征在于，所述第一特性的光刻胶为负性光刻胶；所述第二特性的光刻胶为正性光刻胶。
5.根据权利要求1所述的硅基OLED微显示器的制备方法，其特征在于，所述第一掩膜版与所述第二掩膜版相同。
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