CN109300967A - 一种显示基板的制作方法及显示基板、显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种显示基板的制作方法及显示基板、显示装置，该方法包括：提供衬底基板；在衬底基板上形成像素驱动电路；在像素驱动电路上形成同层设置的第一钝化层和第一电极层，第一钝化层具有阵列分布的多个镂空区域，镂空区域对应像素区域设置，第一电极层位于镂空区域内，与第一钝化层之间具有间隙；沉积第二钝化层，第二钝化层的一部分位于第一钝化层和第一电极层上，一部分填充于间隙，并在间隙的位置形成凹槽，凹槽朝向远离衬底基板的方向开口，凹槽的槽底宽度大于凹槽的槽口宽度，在槽底处形成倒角结构。本发明所提供的显示基板的制作方法、显示基板及显示装置，无需专用设备来对第一电极介质层进行图案化处理，简化生产工序，降低成本。

Description

一种显示基板的制作方法及显示基板、显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板的制作方法及显示基板、显示装置。

背景技术

OLED由于具有主动发光，视角广，重量轻，厚度小，使用温度范围广，可挠曲显示等一系列的优点，成为未来的理想显示器，在各种领域有着广泛的应用，尤其硅基有机发光微显示器件(OLEDoS)，结合了集成电路及OLED的优势，作为近眼显示或投影显示，可以满足人们对显示器体积小，屏幕大，功耗低，分辨率高的极限需求。

OLEDoS像素精度通常小于1μm，由于以不透明的硅片为基底，因此多为顶部发光模式，发光器件的阳极一般采用反射率较高的金属，作为COMS电路的顶层金属，由COMS厂制备完成；阴极为透明导电的ITO薄膜，阴极及发光材料均为有机发光厂制备，因此，通常，OLEDoS的工艺需要COMS厂和OLED厂协作完成。

为了改善有机材料发光特性，降低驱动电压，阳极金属与发光层之间需增加一层阳极介质层，阳极介质层与像素阳极图案相似，不同像素内阳极介质层需要相互隔开。而目前标准的COMS工艺无法制备阳极介质层，因此，阳极介质层的制备以及图案化都需要在OLED厂进行，而OLED工艺又无法满足微显示像素的精度要求，因此通常需要引入专用工艺设备(包括光刻机、曝光机等)，开发特殊的工艺流程，来制作阳极介质层，投资规模大，成本大。

发明内容

本发明提供了一种显示基板的制作方法及显示基板、显示装置，能够在满足阳极介质层的图案化精度要求的同时，降低成本，简化流程。

本发明所提供的技术方案如下：

一方面，本发明实施例提供一种显示基板的制作方法，所述方法包括如下步骤：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成像素驱动电路，所述像素驱动电路限定出阵列排布的多个像素区域；

在所述像素驱动电路上形成同层设置的第一钝化层和第一电极层，其中所述第一钝化层具有阵列分布的多个镂空区域，所述镂空区域对应所述像素区域设置，所述第一电极层位于所述镂空区域内，并与所述第一钝化层之间具有间隙；

沉积第二钝化层，所述第二钝化层的一部分位于所述第一钝化层和所述第一电极层上，一部分填充于所述间隙内，且所述第二钝化层在填充于所述间隙的位置形成凹槽，所述凹槽朝向远离所述衬底基板的方向开口，所述凹槽的槽底宽度大于所述凹槽的槽口宽度，以在所述槽底处形成倒角结构。

进一步的，所述方法中，所述间隙在垂直于所述衬底基板方向上的深度值大于所述间隙在平行于所述衬底基板方向上的宽度值，且所述深度值与所述宽度值之比大于或等于2:1。

进一步的，在所述沉积第二钝化层之后，所述方法还包括：

对所述第二钝化层进行研磨，以去除所述第二钝化层的位于所述第一电极层之上的部分，并使所述第一钝化层、所述第一电极层和所述第二钝化层在垂直于所述衬底基板方向上的厚度相同，远离所述衬底基板的表面在同一平面内；

形成第一电极介质层，所述第一电极介质层的第一部分沉积于所述第一钝化层、所述第一电极层和所述第二钝化层的远离所述衬底基板的表面之上，并在对应所述凹槽的位置被所述凹槽的槽口隔绝，以使不同所述像素区域内的所述第一电极介质层相互隔离；所述第一电极介质层的第二部分沉积于所述凹槽的槽底之上，且所述第二部分在平行于所述衬底基板方向上的宽度等于所述凹槽的槽口宽度，以与所述第一部分断开；

在所述第一电极介质层上形成发光层；

在所述发光层上形成第二电极层。

一种显示基板，采用如上所述的方法制作得到，所述显示基板包括：

衬底基板；

形成于所述衬底基板之上的像素驱动电路，所述像素驱动电路限定出阵列排布的多个像素区域；

位于所述像素驱动电路之上的第一钝化层，所述第一钝化层具有阵列分布的多个镂空区域，所述镂空区域对应所述像素区域设置；

与所述第一钝化层同层设置的第一电极层，所述第一电极层位于所述镂空区域内，并与所述第一钝化层之间具有间隙；

以及，填充于所述间隙内的第二钝化层，所述第二钝化层在所述间隙的位置形成凹槽，所述凹槽朝向远离所述衬底基板的方向开口，且所述凹槽的槽底宽度大于所述凹槽的槽口宽度，以在所述槽底处形成倒角结构。

进一步的，所述间隙在垂直于所述衬底基板方向上的深度值大于所述间隙在平行于所述衬底基板方向上的宽度值，且所述深度值与所述宽度值之比大于或等于2:1。

进一步的，所述第一钝化层、所述第一电极层和所述第二钝化层在垂直于所述衬底基板方向上的厚度相同，且所述第一钝化层、所述第一电极层和所述第二钝化层的远离所述衬底基板的表面在同一平面上；

所述显示基板还包括第一电极介质层，所述第一电极介质层的第一部分沉积于所述第一钝化层、所述第一电极层和所述第二钝化层的远离所述衬底基板的表面之上，并在对应所述凹槽的位置被所述凹槽的槽口隔绝，以使不同所述像素区域内的所述第一电极介质层相互隔离；所述第一电极介质层的第二部分沉积于所述凹槽的槽底之上，且所述第二部分在平行于所述衬底基板方向上的宽度等于所述凹槽的槽口宽度，以与所述第一部分断开。

进一步的，所述显示基板还包括：

覆盖于所述第一电极介质层之上的发光层；

及，覆盖于所述发光层之上的第二电极层。

进一步的，所述第一电极层为采用反射率大于预设值的金属制成的金属电极层；所述第二电极层为透明电极层。

进一步的，所述衬底基板为硅基底；

所述像素驱动电路包括：

多根栅线和多根数据线，所述多根栅线和所述多根数据线纵横交叉设置，以限定出多个所述像素区域；

以及，多个CMOS晶体管，每一所述像素区域内设置有至少一个所述CMOS晶体管，所述CMOS晶体管与所述栅线、所述数据线及所述第一电极层连接。

一种显示装置，包括如上所述的显示基板。

本发明所带来的技术效果如下：

上述方案，通过将显示基板上的第一钝化层和第一电极层之间形成间隙，并在所述第一钝化层和所述第一电极层之上再沉积第二钝化层，所述第二钝化层沉积过程中，会在所述第二钝化层对应间隙的位置处形成凹槽，这样，通过设置所述间隙及增加所述第二钝化层，可利用所述第二钝化层在沉积过程中，在所述间隙的顶角处沉积速率最大的原理，还可以通过控制沉积刻蚀比，使得所述第二钝化层填充于所述间隙后，形成凹槽，且凹槽槽底位置处存在一倒角结构，这样，在所述第二钝化层上直接沉积第一电极介质层之后，第一电极介质层即可被所述凹槽的槽口隔绝，而在各像素区域内相互隔离，即实现第一电极介质层图案化的目的，无需再单独对第一电极介质层进行光刻、曝光等图案化处理，由此可见，本发明所提供的显示基板的制作方法、显示基板及显示装置，可无需专用设备(如光刻机、曝光机等)来对第一电极介质层进行图案化处理，简化生产工序，降低成本；此外，所述第二钝化层在沉积于所述第一电极层和所述第一钝化层上之后，会有一部分沉积在第一电极层之上，若此时需要对产品进行转移运输，所述第二钝化层还可以起到对第一电极层进行保护的作用；同时，所述第二钝化层还可以再进行研磨处理，以保证第一电极层具有良好的膜质及平坦度，改善显示基板的发光特性。

附图说明

图1表示本发明实施例所提供的显示基板的制作方法的流程示意图；

图2表示本发明实施例所提供的显示基板的制作方法中步骤S301的示意图；

图3表示本发明实施例所提供的显示基板的制作方法中步骤S302的示意图；

图4表示本发明实施例所提供的显示基板的制作方法中步骤S303的示意图；

图5表示本发明实施例所提供的显示基板的制作方法中步骤S304的示意图；

图6表示本发明实施例所提供的显示基板的制作方法中步骤S305的示意图；

图7表示本发明实施例所提供的显示基板的制作方法中步骤S4的示意图；

图8表示本发明实施例所提供的显示基板的制作方法中步骤S5的示意图；

图9表示本发明实施例所提供的显示基板的制作方法中步骤S6的示意图；

图10表示本发明实施例所提供的显示基板的一种实施例的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获取的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在对本发明所提供的技术方案进行详细说明之前，有必要对现有技术中所存在的问题进行说明。

在现有技术中，对于像素精度高的OLED显示器件来说，以OLEDOS(硅基有机发光微显示器件)为例，其制作工序是，首先，制作以硅片为基底的CMOS集成电路，在COMS集成电路上形成阳极层，并对阳极层进行图案化处理，以得到各像素区内的阳极，这些工序通常是在CMOS工厂阶段完成，然后，将经过这些工序得到的显示基板转运到OLED厂再制作阳极介质层、发光层和阴极层，其中阳极介质层的作用是改善有机发光材料的发光特性，降低驱动电压，阳极介质层的图案与阳极相似，各像素区内的阳极介质层需彼此隔离。而目前的CMOS厂无法制备阳极介质层，而阳极介质层的图案化精度与显示像素精度有关，OLED厂工艺无法满足阳极介质层的微显示像素精度要求，需要专门的设备来对阳极介质层进行图案化，这样，造成制作工序复杂，投资规模大，成本大的问题；此外，在CMOS厂制得的显示基板在运送至OLED厂时，阳极是暴露的，容易造成损伤。

针对现有技术中OLED显示器件中阳极介质层的图案化精度要求高，存在需要专门设备来制作，制作工序复杂，成本高的技术问题，本发明实施例中提供了一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置，能够简化工序，降低成本。

如图1所示，本发明实施例提供一种显示基板的制作方法，所述方法包括如下步骤：

步骤S1、提供一衬底基板100；

步骤S2、在所述衬底基板100上形成像素驱动电路200，所述像素驱动电路200限定出阵列排布的多个像素区域，得到形成有像素驱动电路200的背板；

步骤S3、如图6所示，在所述像素驱动电路200上形成同层设置的第一钝化层300和第一电极层400，其中所述第一钝化层300具有阵列分布的多个镂空区域310，所述镂空区域对应所述像素区域设置，所述第一电极层400位于所述镂空区域310内，并与所述第一钝化层300之间具有间隙500；

步骤S4、如图7所示，沉积第二钝化层600，所述第二钝化层600的一部分位于所述第一钝化层300和所述第一电极层400上，一部分填充于所述间隙500内，且所述第二钝化层600在填充于所述间隙500的位置形成凹槽700，所述凹槽700朝向远离所述衬底基板100的方向开口，所述凹槽700的槽底宽度大于所述凹槽700的槽口宽度，以在所述槽底处形成倒角结构710。

上述方案，在制作显示基板时，首先，在所述衬底基板100之上形成像素驱动电路200，在像素驱动电路200上再制作第一钝化层300和第一电极层400，与现有技术不同的是，第一钝化层300和第一电极层400之间会制造间隙500，并在所述第一钝化层300和所述第一电极层400之上再沉积第二钝化层600，由于间隙500的存在，在所述第二钝化层600沉积过程中，会在所述第二钝化层600对应间隙500的位置处形成凹槽700，这样，通过设置所述间隙500及增加所述第二钝化层600，利用所述第二钝化层600在沉积过程中，在所述间隙500的顶角处沉积速率最大的原理，使得所述第二钝化层600填充于所述间隙500后，在所述凹槽700的槽底位置处存在一倒角结构710，这样，当在所述第二钝化层600上直接沉积第一电极介质层时，所述第一电极介质层即可被所述凹槽700的槽口隔绝，而在各像素区域内相互隔离，即实现第一电极介质层图案化的目的，无需再单独对第一电极介质层进行光刻、曝光等图案化处理。

由此可见，本发明所提供的显示基板的制作方法，可无需专用设备(如光刻机、曝光机等)来对第一电极介质层进行图案化处理，简化生产工序，降低成本；此外，所述第二钝化层600在沉积于所述第一电极层400和所述第一钝化层300上之后，会有一部分沉积在第一电极层400之上，若此时需要对产品进行转移运输，所述第二钝化层600还可以起到对第一电极层400进行保护的作用；同时，所述第二钝化层600还可以再进行研磨处理，以暴露出第一电极层400，同时保证第一电极层400具有良好的膜质及平坦度，改善显示基板的发光特性。

需要说明的是，本发明实施例所提供的显示基板的制作方法，其可以应用于OLED显示器件的制作，尤其是显示像素精度高的OLEDOS(硅基有机发光微显示)显示器件的制作，也可以应用于其他类型显示器件的制作，例如，AMOLED(Active-matrix organiclight-emitting diode，有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体)显示器件，QLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes，量子点发光二极管)显示器件，AMQLED(Active-matrix Quantum Dot Light Emitting Diodes，有源矩阵量子点发光二极管)显示器件等。

此外，还需要说明的是，在上述步骤S1和步骤S2中，优选的，所述衬底基板100为硅基底，所述像素驱动电路200包括：多根栅线和多根数据线，所述多根栅线和所述多根数据线纵横交叉设置，以限定出多个所述像素区域；以及，多个CMOS晶体管，每一所述像素区域内设置有至少一个所述CMOS晶体管，所述CMOS晶体管与所述栅线、所述数据线及所述第一电极层400连接。

上述方案中，所述显示基板为OLEDOS显示基板，所述步骤S1和步骤S2为制作以硅基底为衬底基板100的CMOS集成电路的步骤，其制作工艺可以是采用现有技术中的CMOS集成电路制作工艺制作而成。当然可以理解的是，所述显示基板也可以是其他类型显示基板，例如AMOLED显示基板，此时，上述步骤S1和步骤S2为在衬底基板100上制作有源矩阵像素驱动电路200(包括栅线、数据线和薄膜晶体管等)的步骤，其制作工艺可与现有技术中AMOLED的像素驱动电路200制作工艺相同。

此外，在上述步骤S3中，在所述像素驱动电路200上形成同层设置的第一钝化层300和第一电极层400，具体可有以下两种实现方式：

第一种，先制作第一钝化层300，再制作第一电极层400，具体地，所述步骤S3包括：

步骤S301、如图2所示，在形成有所述像素驱动电路200的衬底基板100之上，沉积第一钝化层300；

步骤S302、如图3所示，采用曝光、刻蚀工艺等构图工艺，在所述第一钝化层300上对应各像素区的位置形成镂空区域；

步骤S303、如图4所示，采用磁控溅射等方式，在所述第一钝化层300上形成第一电极层400；

步骤S304、如图5所示，采用研磨等方式，去除所述第一电极层400覆盖于所述第一钝化层300上的部分，使得所述第一电极层400与所述第一钝化层300的厚度相同；

步骤S305、如图6所示，采用曝光、刻蚀工艺等构图工艺，在所述第一电极层400和所述第一钝化层300之间形成间隙500。

需要说明的是，上述方案中，所述第一钝化层300示例性的可以采用二氧化硅(SiO₂)等制成，步骤S301中，其沉积厚度可以为小于1.5微米，可采用PEVCD(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学的气相沉积法)沉积形成；所述第一电极层400可采用反射率大于预设值的金属膜层，例如：铝(Al)，钨(W)，铬(Cr)，锡(TiN)等，其中反射率大于预设值的金属膜层是指，反射率较高的金属膜层，该预设值可以根据需求来选择合适的金属膜层，例如，该预设值可以为80％，此时，所述金属膜层可以选择反射率大于80％的金属铝膜层；此外，步骤S303中，所述第一电极层400的厚度应大于第一钝化层300的厚度，其厚度示例性的可以是大于2.0微米，以使得所述第一电极层400在研磨后的厚度可以与第一钝化层300相同。

第二种，先制作第一电极层400，再制作第一钝化层300，具体地，所述步骤S3包括：

步骤S311、在形成有所述像素驱动电路200的衬底基板100之上，采用磁控溅射等方式，形成第一电极层400；

步骤S312、采用曝光、刻蚀工艺等构图工艺，在所述第一电极层400上对应各像素区的位置形成相互独立的第一电极；

步骤S313、沉积第一钝化层300；

步骤S314、采用研磨等方式，去除所述第一钝化层300覆盖于所述第一电极层400上的部分，使得所述第一电极层400与所述第一钝化层300的厚度相同；

步骤S315、采用曝光、刻蚀工艺等构图工艺，在所述第一电极层400和所述第一钝化层300之间形成间隙500。

需要说明的是，上述方案中，步骤S311中，所述第一电极层400可采用反射率大于预设值的金属膜层，例如：铝(Al)，钨(W)，铬(Cr)，锡(TiN)等，其中反射率大于预设值的金属膜层是指，反射率较高的金属膜层，该预设值可以根据需求来选择合适的金属膜层，例如，该预设值可以为80％，此时，所述金属膜层可以选择反射率大于80％的金属铝膜层，所述第一电极层400的厚度可以为小于1.5微米；所述第一钝化层300示例性的可以采用二氧化硅(SiO₂)等制成，步骤S301中，可采用PEVCD(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，等离子体增强化学的气相沉积法)沉积形成，且所述第一钝化层300的厚度应大于第一电极层400的厚度，其厚度示例性的可以是大于2.0微米，以使得所述第一钝化层300在研磨后的厚度可以与第一电极层400相同。

此外，还需要说明的是，上述方案所提供的显示基板的方法，所得到的显示基板的结构示意图可以如图7所示，其可以是在衬底基板100上仅形成有像素驱动电路200(如CMOS集成电路)、第一电极层400、第一钝化层300和第二钝化层600，其中该显示基板中第二钝化层600可以一部分覆盖于第一电极层400、第二钝化层600之上，另一部分填充于间隙500内，该显示基板可在CMOS厂制作完成，并作为半成品待运送至OLED厂进行第一电极介质层、发光层和第二电极层的制作(此时所述第二钝化层600可起到对第一电极层400进行保护的作用，可有效防止第一电极层400的膜质变差)，以得到最终的OLED显示器件；上述方案所提供的显示基板的方法，所得到的显示基板的结构示意图还可以如图10所示，其是在在衬底基板100上仅形成有像素驱动电路200(如CMOS集成电路)、第一电极层400、第一钝化层300和第二钝化层600之后，又形成第一电极介质层800、发光层910及第二电极层920等结构层，而得到的整个OLED显示器件，此时，在本发明所提供的方法中，还包括如下步骤：

在步骤S4之后，所述方法还包括：

步骤S5、如图8所示，对所述第二钝化层600进行研磨，以去除所述第二钝化层600中位于所述第一电极层400之上的部分，并使所述第一钝化层300、所述第一电极层400和所述第二钝化层600在垂直于所述衬底基板100方向上的厚度相同，远离所述衬底基板100的表面在同一平面内；

步骤S6、如图9所示，形成第一电极介质层800，所述第一电极介质层800的第一部分沉积于所述第一钝化层300、所述第一电极层400和所述第二钝化层600的远离所述衬底基板100的表面之上，并在对应所述凹槽700的位置被所述凹槽700的槽口隔绝，以使不同所述像素区域内的所述第一电极介质层800相互隔离；所述第一电极介质层800的第二部分沉积于所述凹槽700的槽底之上，且所述第二部分在平行于所述衬底基板100方向上的宽度等于所述凹槽700的槽口宽度，以与所述第一部分断开；

步骤S7、在所述第一电极介质层800上形成发光层910；

步骤S8、在所述发光层910上形成第二电极层920，得到的显示基板如图10所示。

上述方案，在步骤S5中，通过研磨等方式，去除掉第一电极介质层800沉积于所述第一钝化层300、所述第一电极层400和所述第二钝化层600的远离所述衬底基板100的表面之上的部分，即，第一部分，达到去除表层第二钝化层600，使第一电极层400裸露的目的，同时，可使得第一电极层400的平坦度得到改善，提高发光效率，从而既充分利用了成熟的COMS工艺，降低成本，节省投资，又能满足第一电极层400对膜质及平坦度的需求；步骤S6中，沉积第一电极介质层800(第一电极介质层800的厚度示例性的可以为50nm左右)，由于间隙500处凹槽700内的倒角结构710的存在，第一电极介质层800在间隙500处被隔断，形成与第一电极层400图案相似的像素图案，实现不同像素区内的第一电极层400相互隔离的目的。

需要说明的是，在上述方案中，步骤S7中，所述发光层910为有机发光层910时，可选用蒸镀等工艺形成；步骤S8中，所述第二电极层920可采用磁控溅射等方式形成。

此外，以本发明所提供的显示基板的制作方法应用于OLEDOS显示器件为例，其第一电极层400可选用反射率高的金属膜层，第二电极层920可选用透明电极，例如，ITO(氧化铟锡)电极。所述第一电极层可以是阳极，所述第二电极层可以是阴极，所述第一电极介质层可以是阳极介质层。

此外，在本发明所提供的方法中，优选的，所述间隙500在垂直于所述衬底基板100方向上的深度值大于所述间隙500在平行于所述衬底基板100方向上的宽度值，且所述深度值与所述宽度值之比大于或等于2:1。

采用上述方案，所述第一电极层400和所述第一钝化层300之间的间隙500的深宽比大于或等于2:1时，会使得沉积所述第二钝化层600填充于所述间隙500时，在所述间隙500处形成的所述凹槽700，且所述凹槽700的槽口大于所述凹槽700的槽底宽度，而形成所述倒角结构710，基于该倒角结构710的存在，在所述第一电极层400、第一钝化层300和第二钝化层600之上再沉积第一电极介质层800时，才会使得第一电极介质层800在所述凹槽700处被凹槽700的槽口隔绝，也就是说，第一电极介质层800的覆盖于第一电极层400、第一钝化层300和第二钝化层600的远离所述衬底基板100的一侧表面上的第一部分，会与覆盖于凹槽700的槽底的第二部分之间断开，从而形成图9所示的结构。

如图9所示，所述第一钝化层300、所述第一电极层400和所述第二钝化层600在垂直于所述衬底基板100方向上的厚度相同，且所述第一钝化层300、所述第一电极层400和所述第二钝化层600的远离所述衬底基板100的表面在同一平面上；

所述显示基板还包括第一电极介质层800，所述第一电极介质层800的第一部分沉积于所述第一钝化层300、所述第一电极层400和所述第二钝化层600的远离所述衬底基板100的表面之上，并在对应所述凹槽700的位置被所述凹槽700的槽口隔绝，以使不同所述像素区域内的所述第一电极介质层800相互隔离；所述第一电极介质层800的第二部分沉积于所述凹槽700的槽底之上，且所述第二部分在平行于所述衬底基板100方向上的宽度等于所述凹槽700的槽口宽度，以与所述第一部分断开。

需要说明的是，在上述方案中，通过控制所述间隙500的深宽比大于或等于2:1，来使得第二钝化层600上的凹槽700在槽底处形成倒角结构710，而使得第一电极介质层800沉积后，在间隙500处被隔断，在其他实施例中，所述倒角结构710的形成也还可以通过沉积刻蚀比来调整。

此外，本发明实施例还提供了一种显示基板，采用本发明实施例所提供的方法制作得到，如图10所示，所述显示基板包括：

衬底基板100；

形成于所述衬底基板100之上的像素驱动电路200，所述像素驱动电路200限定出阵列排布的多个像素区域；

位于所述像素驱动电路200之上的第一钝化层300，所述第一钝化层300具有阵列分布的多个镂空区域，所述镂空区域对应所述像素区域设置；

与所述第一钝化层300同层设置的第一电极层400，所述第一电极层400位于所述镂空区域内，并与所述第一钝化层300之间具有间隙500；

以及，填充于所述间隙500内的第二钝化层600，所述第二钝化层600在所述间隙500的位置形成凹槽700，所述凹槽700朝向远离所述衬底基板100的方向开口，且所述凹槽700的槽底宽度大于所述凹槽700的槽口宽度，以在所述槽底处形成倒角结构710。

上述方案所提供的显示基板，其在制作时，可采用本发明实施例所提供的方法制作，首先，在所述衬底基板100之上形成像素驱动电路200，在像素驱动电路200上再制作第一钝化层300和第一电极层400，与现有技术不同的是，第一钝化层300和第一电极层400之间会制造间隙500，并在所述第一钝化层300和所述第一电极层400之上再沉积第二钝化层600，由于间隙500的存在，在所述第二钝化层600沉积过程中，会在所述第二钝化层600对应间隙500的位置处形成凹槽700，这样，通过设置所述间隙500及增加所述第二钝化层600，利用所述第二钝化层600在沉积过程中，在所述间隙500的顶角处沉积速率最大的原理，还可以通过控制沉积刻蚀比，使得所述第二钝化层600填充于所述间隙500后，在所述凹槽700的槽底位置处存在一倒角结构710，这样，当在所述第二钝化层600上直接沉积第一电极介质层800时，所述第一电极介质层800即可被所述凹槽700的槽口隔绝，而在各像素区域内相互隔离，即实现第一电极介质层800图案化的目的，无需再单独对第一电极介质层800进行光刻、曝光等图案化处理。

由此可见，本发明所提供的显示基板，可无需专用设备(如光刻机、曝光机等)来对第一电极介质层800进行图案化处理，简化生产工序，降低成本；此外，所述第二钝化层600在沉积于所述第一电极层400和所述第一钝化层300上之后，会有一部分沉积在第一电极层400之上，若此时需要对产品进行转移运输，所述第二钝化层600还可以起到对第一电极层400进行保护的作用；同时，所述第二钝化层600还可以再进行研磨处理，以暴露出第一电极层400，同时保证第一电极层400具有良好的膜质及平坦度，改善显示基板的发光特性。

需要说明的是，本发明实施例所提供的显示基板，其可以应用于OLED显示器件，尤其是显示像素精度高的OLEDOS(硅基有机发光微显示)显示器件，也可以应用于其他类型显示器件，例如，AMOLED(Active-matrix organic light-emitting diode，有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体)显示器件，QLED(Quantum Dot Light EmittingDiodes，量子点发光二极管)显示器件，AMQLED(Active-matrix Quantum Dot LightEmitting Diodes，有源矩阵量子点发光二极管)显示器件等。

示例性的，所述衬底基板100为硅基底；

所述像素驱动电路200包括：多根栅线和多根数据线，所述多根栅线和所述多根数据线纵横交叉设置，以限定出多个所述像素区域；以及，多个CMOS晶体管，每一所述像素区域内设置有至少一个所述CMOS晶体管，所述CMOS晶体管与所述栅线、所述数据线及所述第一电极层400连接。

上述方案中，所述显示基板为OLEDOS显示基板，其衬底基板100为硅基底，像素驱动电路200为CMOS集成电路，其结构可以是采用现有技术中的CMOS集成电路结构相同。当然可以理解的是，所述显示基板也可以是其他类型显示基板，例如AMOLED显示基板，此时，所述衬底基板100上的像素驱动电路200则为有源矩阵像素驱动电路200(包括栅线、数据线和薄膜晶体管等)结构，其结构可与现有技术中AMOLED的像素驱动电路200结构相同。

此外，如图10所示，在本发明所提供的显示基板中，所述第一钝化层300、所述第一电极层400和所述第二钝化层600在垂直于所述衬底基板100方向上的厚度相同，且所述第一钝化层300、所述第一电极层400和所述第二钝化层600的远离所述衬底基板100的表面在同一平面上；所述显示基板还包括第一电极介质层800，所述第一电极介质层800的第一部分沉积于所述第一钝化层300、所述第一电极层400和所述第二钝化层600的远离所述衬底基板100的表面之上，并在对应所述凹槽700的位置被所述凹槽700的槽口隔绝，以使不同所述像素区域内的所述第一电极介质层800相互隔离；所述第一电极介质层800的第二部分沉积于所述凹槽700的槽底之上，且所述第二部分在平行于所述衬底基板100方向上的宽度等于所述凹槽700的槽口宽度，以与所述第一部分断开。

上述方案中，所述第一钝化层300示例性的可以采用二氧化硅(SiO₂)等制成，步骤S301中，其沉积厚度可以为小于1.5微米，可采用PEVCD(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，等离子体增强化学的气相沉积法)沉积形成；所述第一电极层400可采用反射率大于预设值的金属膜层，例如：铝(Al)，钨(W)，铬(Cr)，锡(TiN)等，其中反射率大于预设值的金属膜层是指，反射率较高的金属膜层，该预设值可以根据需求来选择合适的金属膜层，例如，该预设值可以为80％，此时，所述金属膜层可以选择反射率大于80％的金属铝膜层；此外，所述第一电极层400的厚度与第一钝化层300相同。

此外，还需要说明的是，上述方案所提供的显示基板，可以如图7所示，其可以是在衬底基板100上仅形成有像素驱动电路200(如CMOS集成电路)、第一电极层400、第一钝化层300和第二钝化层600，其中该显示基板中第二钝化层600可以一部分覆盖于第一电极层400、第二钝化层600之上，另一部分填充于间隙500内，该显示基板可在CMOS厂制作完成，并作为半成品待运送至OLED厂进行第一电极介质层800、发光层910和第二电极层920的制作(此时所述第二钝化层600可起到对第一电极层400进行保护的作用，可有效防止第一电极层400的膜质变差)，以得到最终的OLED显示器件。

上述方案所提供的显示基板的结构示意图还可以如图10所示，其是在在衬底基板100上仅形成有像素驱动电路200(如CMOS集成电路)、第一电极层400、第一钝化层300和第二钝化层600之后，又形成第一电极介质层800、发光层910及第二电极层920等结构层，而得到的整个OLED显示器件，具体地，如图10所示，所述显示基板还包括：

覆盖于所述第一电极介质层800之上的发光层910；及，覆盖于所述发光层910之上的第二电极层920。

上述方案，可通过研磨等方式，去除掉第一电极介质层800沉积于所述第一钝化层300、所述第一电极层400和所述第二钝化层600的远离所述衬底基板100的表面之上的部分，即，第一部分，达到去除表层第二钝化层600，使第一电极层400裸露的目的，同时，可使得第一电极层400的平坦度得到改善，提高发光效率，从而既充分利用了成熟的COMS工艺，降低成本，节省投资，又能满足第一电极层400对膜质及平坦度的需求；沉积第一电极介质层800(第一电极介质层800的厚度示例性的可以为50nm左右)，由于间隙500处凹槽700内的倒角结构710的存在，第一电极介质层800在间隙500处被隔断，形成与第一电极层400图案相似的像素图案，实现不同像素区内的第一电极层400相互隔离的目的。

需要说明的是，在上述方案中，步骤S7中，所述发光层910为有机发光层910时，可选用蒸镀等工艺形成；步骤S8中，所述第二电极层920可采用磁控溅射等方式形成。

此外，在本发明实施例提供的显示基板中，所述第一电极层400为采用反射率大于预设值的金属制成的金属电极层；所述第二电极层920为透明电极层。

采用上述方案，以本发明所提供的显示基板的制作方法应用于OLEDOS显示器件为例，其第一电极层400可选用反射率高的金属膜层，第二电极层920可选用透明电极，例如，ITO(氧化铟锡)电极。所述第一电极层可以是阳极，所述第二电极层可以是阴极，所述第一电极介质层可以是阳极介质层。

此外，在本发明所提供的实施例中，所述间隙500在垂直于所述衬底基板100方向上的深度值大于所述间隙500在平行于所述衬底基板100方向上的宽度值，且所述深度值与所述宽度值之比大于或等于2:1。

采用上述方案，所述第一电极层400和所述第一钝化层300之间的间隙500的深宽比大于或等于2:1时，会使得沉积所述第二钝化层600填充于所述间隙500时，在所述间隙500处形成的所述凹槽700，且所述凹槽700的槽口大于所述凹槽700的槽底宽度，而形成所述倒角结构710，基于该倒角结构710的存在，在所述第一电极层400、第一钝化层300和第二钝化层600之上再沉积第一电极介质层800时，才会使得第一电极介质层800在所述凹槽700处被凹槽700的槽口隔绝，也就是说，第一电极介质层800的覆盖于第一电极层400、第一钝化层300和第二钝化层600的远离所述衬底基板100的一侧表面上的第一部分，会与覆盖于凹槽700的槽底的第二部分之间断开，从而形成图所示的结构。

需要说明的是，在上述方案中，通过控制所述间隙500的深宽比大于或等于2:1，来使得第二钝化层600上的凹槽700在槽底处形成倒角结构710，而使得第一电极介质层800沉积后，在间隙500处被隔断，在其他实施例中，所述倒角结构710的形成也还可以通过沉积刻蚀比来调整。

此外，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例所提供的显示基板。

以上，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种显示基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成像素驱动电路，所述像素驱动电路限定出阵列排布的多个像素区域；

在所述像素驱动电路上形成同层设置的第一钝化层和第一电极层，其中所述第一钝化层具有阵列分布的多个镂空区域，所述镂空区域对应所述像素区域设置，所述第一电极层位于所述镂空区域内，并与所述第一钝化层之间具有间隙；

沉积第二钝化层，所述第二钝化层的一部分位于所述第一钝化层和所述第一电极层上，一部分填充于所述间隙内，且所述第二钝化层在填充于所述间隙的位置形成凹槽，所述凹槽朝向远离所述衬底基板的方向开口，所述凹槽的槽底宽度大于所述凹槽的槽口宽度，以在所述槽底处形成倒角结构。

2.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述方法中，所述间隙在垂直于所述衬底基板方向上的深度值大于所述间隙在平行于所述衬底基板方向上的宽度值，且所述深度值与所述宽度值之比大于或等于2:1。

3.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法，其特征在于，在所述沉积第二钝化层之后，所述方法还包括：

对所述第二钝化层进行研磨，以去除所述第二钝化层的位于所述第一电极层之上的部分，并使所述第一钝化层、所述第一电极层和所述第二钝化层在垂直于所述衬底基板方向上的厚度相同，远离所述衬底基板的表面在同一平面内；

形成第一电极介质层，所述第一电极介质层的第一部分沉积于所述第一钝化层、所述第一电极层和所述第二钝化层的远离所述衬底基板的表面之上，并在对应所述凹槽的位置被所述凹槽的槽口隔绝，以使不同所述像素区域内的所述第一电极介质层相互隔离；所述第一电极介质层的第二部分沉积于所述凹槽的槽底之上，且所述第二部分在平行于所述衬底基板方向上的宽度等于所述凹槽的槽口宽度，以与所述第一部分断开；

在所述第一电极介质层上形成发光层；

在所述发光层上形成第二电极层。

4.一种显示基板，其特征在于，采用如权利要求1至3任一项所述的方法制作得到，所述显示基板包括：

衬底基板；

形成于所述衬底基板之上的像素驱动电路，所述像素驱动电路限定出阵列排布的多个像素区域；

位于所述像素驱动电路之上的第一钝化层，所述第一钝化层具有阵列分布的多个镂空区域，所述镂空区域对应所述像素区域设置；

与所述第一钝化层同层设置的第一电极层，所述第一电极层位于所述镂空区域内，并与所述第一钝化层之间具有间隙；

以及，填充于所述间隙内的第二钝化层，所述第二钝化层在所述间隙的位置形成凹槽，所述凹槽朝向远离所述衬底基板的方向开口，且所述凹槽的槽底宽度大于所述凹槽的槽口宽度，以在所述槽底处形成倒角结构。

5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，

所述间隙在垂直于所述衬底基板方向上的深度值大于所述间隙在平行于所述衬底基板方向上的宽度值，且所述深度值与所述宽度值之比大于或等于2:1。

6.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，

所述第一钝化层、所述第一电极层和所述第二钝化层在垂直于所述衬底基板方向上的厚度相同，且所述第一钝化层、所述第一电极层和所述第二钝化层的远离所述衬底基板的表面在同一平面上；

所述显示基板还包括第一电极介质层，所述第一电极介质层的第一部分沉积于所述第一钝化层、所述第一电极层和所述第二钝化层的远离所述衬底基板的表面之上，并在对应所述凹槽的位置被所述凹槽的槽口隔绝，以使不同所述像素区域内的所述第一电极介质层相互隔离；所述第一电极介质层的第二部分沉积于所述凹槽的槽底之上，且所述第二部分在平行于所述衬底基板方向上的宽度等于所述凹槽的槽口宽度，以与所述第一部分断开。

7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，

所述显示基板还包括：

覆盖于所述第一电极介质层之上的发光层；

及，覆盖于所述发光层之上的第二电极层。

8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，

所述第一电极层为采用反射率大于预设值的金属制成的金属电极层；

所述第二电极层为透明电极层。

9.根据权利要求4至8任一项所述的显示基板，其特征在于，

所述衬底基板为硅基底；

所述像素驱动电路包括：

多根栅线和多根数据线，所述多根栅线和所述多根数据线纵横交叉设置，以限定出多个所述像素区域；

以及，多个CMOS晶体管，每一所述像素区域内设置有至少一个所述CMOS晶体管，所述CMOS晶体管与所述栅线、所述数据线及所述第一电极层连接。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求4至9任一项所述的显示基板。