DE10023459A1 - Indium-Zinn-Oxid (ITO)-Schicht und Verfahren zur Herstellung derselben - Google Patents

Indium-Zinn-Oxid (ITO)-Schicht und Verfahren zur Herstellung derselben

Info

Publication number
DE10023459A1
DE10023459A1 DE10023459A DE10023459A DE10023459A1 DE 10023459 A1 DE10023459 A1 DE 10023459A1 DE 10023459 A DE10023459 A DE 10023459A DE 10023459 A DE10023459 A DE 10023459A DE 10023459 A1 DE10023459 A1 DE 10023459A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
sputtering
tin oxide
ito
indium
transparent conducting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE10023459A
Other languages
English (en)
Inventor
Andreas Kloeppel
Jutta Trube
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Balzers Process Systems GmbH
Original Assignee
Balzers Process Systems GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Balzers Process Systems GmbH filed Critical Balzers Process Systems GmbH
Priority to DE10023459A priority Critical patent/DE10023459A1/de
Priority to PCT/EP2001/005060 priority patent/WO2001086731A1/de
Priority to US10/276,202 priority patent/US6849165B2/en
Priority to JP2001582848A priority patent/JP5144868B2/ja
Priority to EP01933932A priority patent/EP1282919A1/de
Priority to KR1020027015177A priority patent/KR100821353B1/ko
Priority to TW090111425A priority patent/TWI253477B/zh
Publication of DE10023459A1 publication Critical patent/DE10023459A1/de
Priority to US10/986,597 priority patent/US7285342B2/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H01L31/022475—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers composed of indium tin oxide [ITO]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
    • Y10T428/264—Up to 3 mils
    • Y10T428/265—1 mil or less

Abstract

Verfahren zur Abscheidung von transparenten und leitfähigen Indium-Zinn-Oxid (ITO)-Schichten mit insbesondere niedrigem Widerstand von vorzugsweise unter 200 muOMEGAcm und geringer Oberflächenrauhigkeit von vorzugsweise weniger als 1 nm auf einem Substrat, wobei ein kombiniertes HF/DC-Sputtern eines Indium-Zinn-Oxid (ITO)-Targets verwendet wird, bei welchem dem Prozessgas beim Sputtern ein Ar/H¶2¶-Gemisch als Reaktionsgas zugegeben wird, sowie (ITO)-Schichten mit den oben angegebenen Eigenschaften.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Indium-Zinn-Oxid (ITO)-Schicht zur Verwendung als transparente, leitfähige Elektrode, insbesondere bei organischen LED-Displays, sowie ein Verfahren zur Abscheidung von transparenten und leit­ fähigen Indium-Zinn-Oxid (ITO)-Schichten auf einem Substrat.
Für flache Monitore und Bildschirme, wie sie beispielsweise bei tragbaren Com­ putern oder bei Displays für Mobiltelefone eingesetzt werden, wie z. B. Flüssig­ kristallanzeigen, organische LED-Displays, TFT-Bildschirme usw. werden trans­ parente und leitfähige Elektroden-Schichten benötigt. Üblicherweise werden da­ zu Indium-Zinn-Oxid-Schichten (ITO-Schichten) eingesetzt, die hinsichtlich Leit­ fähigkeit und Transmissions-Eigenschaften die Anforderungen am besten erfül­ len. Üblicherweise werden diese ITO-Schichten auf transparentem Substratma­ terial, wie insbesondere Glas, transparenten Kunststoffen, kombinierten Glas-/Kunst­ stoff-Laminaten usw. durch Sputter-Abscheidung (Kathodenzerstäubung) eines ITO-Targets aufgebracht.
Beispielsweise beschreiben Ishibashi et al. in "Low Resistivity Indium-Tin Oxide Transparent Conductive Films, I. Effect Of Introducing H2O Gas or H2-Gas Du­ ring Direct Current Magnetron Sputtering", J Vac. Sci. Technol. A 8(3) Mai/Juni 1990, ein Gleichstrom (DC)-Magnetron-Sputter-Verfahren, bei dem durch Zugabe von Wasserdampf oder Wasserstoff zum Prozessgas eine ITO-Schicht bei einer Abscheidetemperatur von weniger als 200°C abgeschieden werden kann, die ei­ nen spezifischen Widerstand von ca. 6 × 10-4 Ωcm aufweist. Die niedrige Abschei­ detemperatur bzw. Substrat-Temperatur von unter 200°C ist in diesem Zusam­ menhang deshalb wichtig, da bei einer höheren Abscheide- bzw. Substrattempe­ ratur zwar das Sputter-Verfahren einfacher zu den gewünschten Resultaten führt, aber sowohl die abgeschiedene Schicht als auch das Substrat beschädigt werden könnte. Dies ist insbesondere für Substrate, wie z. B. Kunststoffsubstra­ te, wie z. B. Polyethylentherephtalat (PET) wichtig, die bei höheren Temperatu­ ren zerstört werden würden.
Ein weiteres Verfahren zur Abscheidung von ITO-Schichten mit niedrigem Wi­ derstand wird von B. H. Lee et al. in "Effect Of Base Pressure in Sputter Deposi­ tion On Characteristics of Indium Tin Oxide Thin Film", Flat panel display Ma­ terials II, Sypmposium San Franciso, CA, USA, 8. bis 12. April 1996, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 424, 1997, beschrieben. Bei diesem Verfahren handelt es sich um ein kombiniertes Radiofrequenz (RF)- und DC-Magnetron-SputterVerfahren, bei dem mit gleichen Anteilen an DC-Sputtern und RF-Sputtern ein ITO-Target zerstäubt und eine Schicht mit einem spezifischen Widerstand von weniger als 1,5 × 10-4 Ωcm erzeugt wird. Als Prozessgas wurde hierbei Argon verwendet.
Obwohl die Schichten, die mit den obigen Verfahren erzeugt wurden, einen niedrigen spezifischen Widerstand aufweisen, besitzen sie jedoch den Nachteil, dass sie eine hohe Oberflächenrauhigkeit aufweisen. Insbesondere ist die Ober­ flächenstruktur derartiger ITO-Schichten durch eine Domänenstruktur mit Kör­ nern unterschiedlicher Kristallorientierung innerhalb der Domänen gekenn­ zeichnet, wobei einzelne Körner aus der Oberfläche herausragende Spitzen auf­ weisen (sog. Spikes). Die rauhe Oberfläche und die sog. ITO-Spikes führen dazu, dass sie bei der Verwendung der ITO-Schicht als Elektrode als Feldspitzen wir­ ken und somit die Lebensdauer beispielsweise von organischen LED-Zellen her­ absetzen, wenn derartige ITO-Schichten als Elektroden bei organischen LED- Displays verwendet werden. Ausserdem führt die erhöhte Oberflächenrauhigkeit zu einer verminderten Effizienz von derartigen organischen LED-Zellen. Ein weiterer Nachteil ist darin zu sehen, dass die ITO-Spikes bei der Herstellung von organischen LED-Displays dazu führen können, dass bei der Abscheidung der organischen Materialien auf der ITO-Schicht die Spitzen nicht mit dem organi­ schen Material bedeckt werden und anschliessend im Einsatz dann zu Kurz­ schlüssen führen können.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es deshalb, ITO-Schichten und ein Ver­ fahren zur Abscheidung von ITO-Schichten bereitzustellen, bei dem ITO- Schichten erzeugt werden können, die eine geringe Oberflächenrauhigkeit, von vorzugsweise unter 1 nm, und einen geringen spezifischen Widerstand, von vor­ zugsweise weniger als 200 µΩcm, aufweisen, wobei die Abscheidetemperatur bzw. Temperatur des Substrats, auf dem die ITO-Schichten abgeschieden werden sol­ len, niedrig sein soll, insbesondere unter 250°C, vorzugsweise unter 200°C, liegen soll. Insbesondere sollen bei einem industriell einsetzbaren Verfahren bzw. ent­ sprechenden ITO-Schichten, d. h., unter Berücksichtigung einer einfachen und kostengünstigen Realisation, insbesondere die sog. ITO-Spikes vermieden wer­ den.
Diese Aufgabe wird gelöst mit dem Verfahren nach Anspruch 1, sowie der ITO- Schicht nach Anspruch 7. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind Gegenstand der Un­ teransprüche.
Das erfindungsgemässe Verfahren zur Abscheidung von transparenten und leit­ fähigen Indium-Zinn-Oxid (ITO)-Schichten, bei denen die Schichten insbesonde­ re einen niedrigen spezifischen Widerstand und eine sehr glatte Oberfläche auf­ weisen, umfasst ein kombiniertes Hochfrequenz/Gleichstrom (HF/DC)-Sputter- Verfahren in einer Atmosphäre, die als Reaktionsgas ein Argon/Wasserstoff- Gemisch aufweist. Durch die Verwendung eines HF-Leistungsanteils im für den Fachmann bekannten Hochfrequenzbereich beim Sputtern wird für das gewählte Reaktivgas-Gemisch Argon/Wasserstoff eine Reaktivgas-Aktivierung im HF- Plasma erzielt, die sich positiv auf die Eigenschaften der abgeschiedenen ITO- Schicht auswirkt. Insbesondere wird die Oberflächenrauhigkeit und der spezifi­ sche Widerstand der Schicht deutlich verringert, wobei die Substrat-Temperatur auf einem niedrigen Wert von weniger als 250°C, vorzugsweise ≦ 200°C gehalten werden kann. Durch die geringere Oberflächenrauhigkeit kann bei Verwendung derartig abgeschiedener ITO-Schichten für organische LED-Zellen eine grössere Effizienz, grössere Ausbeute und höhere Lebensdauer für organische LED- Displays erzielt werden. Ausserdem führt die Verringerung des spezifischen Wi­ derstands dazu, dass für bestimmte Anwendungen bei einem festgesetzten Flä­ chenwiderstand für die ITO-Schicht eine geringere notwendige Schicht-Dicke gewählt werden kann, so dass ein geringerer Materialbedarf an Indium-Zinn- Oxid erforderlich wird.
Zum Sputtern werden üblicherweise bekannte ITO-Targets verwendet, die vor­ zugsweise 90% In2O3 und 10% SnO2 umfassen. Der HF-Leistungsanteil an der Gesamtleistung beim Sputtern, wird vorzugsweise auf mindestens 30%, insbe­ sondere 60% und mehr eingestellt, wobei bevorzugte Bereiche im Bereich von 40 bis 90% HF-Leistungsanteil, insbesondere 60 bis 80% HF-Leistungsanteile lie­ gen.
Das erfindungsgemäss dem Prozessgas zugegebene Ar/H2-Gemisch liegt vor­ zugsweise im Mischungsverhältnis von 80% Argon und 20% Wasserstoff vor. In vorteilhafter Weise wird ein derartiges Ar/H2-Gemisch einem üblicherweise aus Argon bestehenden Prozessgas in der Grössenordnung von 0,1-30%, insbeson­ dere 5-15%, bevorzugt jedoch im Bereich von 8-10% zugegeben.
Für die Abscheidung der ITO-Schichten kann weiterhin auch der Gesamtdruck des Prozessgases eine Rolle spielen. Hier hat sich gezeigt, dass insbesondere im Bereich eines Gesamtdrucks von 0,5 bis 5 µbar, vorzugsweise 1 bis 3 µbar und höchstvorzugsweise von 1,5 bis 2 µbar besonders gute Ergebnisse erzielt werden.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform, die insbesondere bei der Abscheidung von ITO-Schichten auf Kunststoffen gewählt wird, wird die Substrat-Temperatur bei der Abscheidung der ITO-Schicht auf max. 250°C, vorzugsweise jedoch 200°C gesetzt. Dies hat den Vorteil, dass weder das Substrat, noch die Schicht selbst durch eine zu hohe Temperatur beschädigt werden.
Obgleich das beschriebene Verfahren nicht auf die Anwendung von Magnetron- Sputter-Anlagen beschränkt ist, ist es jedoch bevorzugt, die Sputter-Abscheidung durch eine entsprechende Magnetron-Anordnung zu unterstützen.
Die erfindungsgemässen ITO-Schichten, die insbesondere mit dem oben be­ schriebenen Verfahren hergestellt werden, weisen eine glatte Oberfläche mit ei­ ner Oberflächenrauhigkeit von weniger als 1 nm auf und besitzen einen spezifi­ schen Widerstand, der unter 200 µΩcm liegt, und zwar insbesondere im Bereich von 140 bis 160 µΩcm.
Weitere Vorteile, Kennzeichen und Merkmale der Erfindung werden anhand der nachfolgenden detaillierten Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele deutlich. Dabei zeigen die Diagramme in
Fig. 1 die Abhängigkeit der Oberflächenrauhigkeit (RMS-Rauhigkeit) von ITO-Schichten vom HF-Leistungsanteil bei der Abscheidung mit einer Leistungsdichte von P = 2 W/cm2 und einer Substrat-Temperatur von Tsub = 200°C;
Fig. 2 die Abhängigkeit des spezifischen Widerstands ρ von ITO-Schichten vom HF-Leistungsanteil bei der Abscheidung mit einer Leistungsdich­ te von P = 2 W/cm2 und einer Substrat-Temperatur von Tsub = 200°C; und in
Fig. 3 rasterkraftmikroskopische (AFM)-Aufnahmen in 60 000facher Ver­ größerung von ITO-Schichten, die mit verschiedenem HF- Leistungsanteil bei einer Substrat-Temperatur von Tsub = 200°C abge­ schieden wurden.
a: ausschließlich DC-Sputtern,
b: 33% HF-Leistungsanteil beim HF/DC-Sputtern
c: 66% HF Leistungsanteil,
d: ausschließlich HF-Sputtern.
Fig. 1 zeigt die Abhängigkeit der Oberflächen-Rauhigkeit vom HF- Leistungsanteil bei der erfindungsgemässen Abscheidung von ITO-Schichten. Mit zunehmendem HF-Leistungsanteil beim kombinierten HF/DC-Sputtern wird eine zunehmend glattere Oberfläche erzielt. Insbesondere ab einem HF- Leistungsanteil von ca. 30% und mehr wird eine signifikante Reduzierung der Oberflächenrauhigkeit beobachtet. Ab einem HF-Leistungsanteil von ca. 65% tritt eine Sättigung bezüglich des Einflusses auf die Oberflächenrauhigkeit ein.
Fig. 2 zeigt die Abhängigkeit des spezifischen Widerstands p von ITO-Schichten, die mit einem zunehmenden HF-Leistungsanteil abgeschieden wurden. Auch hier ist zu erkennen, dass mit zunehmendem HF-Leistungsanteil der spezifische Wi­ derstand abnimmt. Eine besonders deutliche Reduzierung wird bis zu einem HF- Leistungsanteil von ca. 30% beobachtet, während ab diesem Punkt mit zuneh­ mendem HF-Leistungsanteil nur noch eine geringe kontinuierliche Abnahme des spezifischen Widerstands zu beobachten ist.
Fig. 3 zeigt den Einfluss des HF-Leistungsanteils beim kombinierten HF/DC- Sputtern auf Oberflächen von ITO-Schichten, die bei einer Substrat-Temperatur von 200°C abgeschieden werden.
Die in Fig. 3 dargestellten Abbildungen zeigen AFM-Aufnahmen von ITO- Schichten mit einer 60 000fachen Vergrösserung, die ausschließlich durch DC- Sputtern (a), mit kombiniertem HF/DC-Sputtern mit einem HF-Leistungsanteil von 33% (b), mit einem HF-Leistungsanteil von 66% (c) und durch ausschließli­ ches HF-Sputtern abgeschieden worden sind. Die AFM-Aufnahmen zeigen deut­ lich, dass mit zunehmendem HF-Leistungsanteil eine deutlich glattere Oberflä­ chenstruktur erzielt werden kann, wobei insbesondere bei einem HF- Leistungsanteil von 66% ein Optimum bezüglich der Oberflächenrauhigkeit fest­ zustellen ist.
Erfindungsgemäss wurde bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel eine ITO- Schicht auf Floatglas mit den folgenden Parametern abgeschieden:
Target: ITO-Mitsui (90% In2O3/10% SnO2)
Reinheit: 4N, Dichte < 98%
Gesamt-Sputter-Leistung: 860 W (570 W AF/290 W DC)
HF-Leistungsanteil: 66%
Prozessdruck: 1,5 µbar, Ar/H2-Anteil (80%/20%-Gemisch): 8%
Depositionstemperatur: 200°C
Magnetfeldstärke: 1200 G
Substrat: Floatglas
Schichtdicke: 72 nm
Bei einer ITO-Schicht, die mit den obigen Prozessparametern durch Magnetron- Sputtern abgeschieden worden ist, wurde mittels AFM (Rasterkraftmikroskop) eine RMS-Rauhigkeit von 0.623 nm bestimmt. Die RMS-Rauhigkeit (root mean square roughness) ist definiert als die Standardabweichung der Z-Werte (Höhenweite), die bei der Messung mit dem Rasterkraftmikroskop ermittelt wur­ den. Der spezifische Widerstand der Schicht betrug 152 µΩcm. Die Transmission bei 550 nm Wellenlänge betrug gegenüber der Referenz Luft 81%.
Diese Ergebnisse zeigen, dass mit dem oben beschriebenen Verfahren erfin­ dungsgemässe Schichten hergestellt werden können, die insbesondere bezüglich Oberflächenrauhigkeit und spezifischem Widerstand hervorragende Eigenschaf­ ten zur Verwendung in organischen LED-Displays aufweisen.

Claims (8)

1. Verfahren zur Abscheidung von transparenten und leitfähigen Indium- Zinn-Oxid (ITO)-Schichten mit insbesondere niedrigem Widerstand von vorzugsweise unter 200 µΩcm und geringer Oberflächenrauhigkeit von vor­ zugsweise weniger als 1 nm auf einem Substrat, gekennzeichnet durch kombiniertes HF/DC-Sputtern eines Indium-Zinn-Oxid (ITO)-Targets, wo­ bei dem Prozessgas beim Sputtern ein Ar/H2-Gemisch als Reaktionsgas zu­ gegeben wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der HF- Leistungsanteil an der Gesamtleistung beim Sputtern mindestens 30%, vorzugsweise 60% und mehr, insbesondere 40% bis 90%, bevorzugt 60 bis 80%, beträgt.
3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn­ zeichnet, dass das Mischungsverhältnis des Ar/H2-Gemisches 80 : 20 beträgt und der Anteil des Ar/H2-Gemisches am Prozessgas 0,1 bis 30%, insbeson­ dere 5 bis 15%, vorzugsweise 8 bis 10% beträgt.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn­ zeichnet, dass der Druck des Prozessgases beim Sputtern 0,5 bis 5 µbar, vorzugsweise 1 bis 3 µbar, insbesondere 1,5 bis 3 µbar, beträgt.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn­ zeichnet, dass zum Sputtern Magnetron-Sputtern eingesetzt wird.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn­ zeichnet, dass die Substrat-Temperatur bei der Abscheidung der ITO- Schicht 250°C, vorzugsweise 200°C, nicht übersteigt.
7. Indium-Zinn-Oxid (ITO)-Schicht zur Verwendung als transparente, leitfähi­ ge Elektrode, insbesondere bei organischen LED-Displays, auf einem Substrat, insbesondere hergestellt nach dem Verfahren nach einem der vor­ hergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht einen spezifischen Widerstand von weniger als 200 µΩcm und eine Oberflächen­ rauhigkeit von unter 1 nm aufweist.
8. ITO-Schicht nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass der spezifische Widerstand 120 bis 180 µΩcm beträgt.
DE10023459A 2000-05-12 2000-05-12 Indium-Zinn-Oxid (ITO)-Schicht und Verfahren zur Herstellung derselben Withdrawn DE10023459A1 (de)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10023459A DE10023459A1 (de) 2000-05-12 2000-05-12 Indium-Zinn-Oxid (ITO)-Schicht und Verfahren zur Herstellung derselben
PCT/EP2001/005060 WO2001086731A1 (de) 2000-05-12 2001-05-04 Indium-zinn-oxid (ito)-schicht und verfahren zur herstellung derselben
US10/276,202 US6849165B2 (en) 2000-05-12 2001-05-04 Indium-tin oxide (ITO) layer and method for producing the same
JP2001582848A JP5144868B2 (ja) 2000-05-12 2001-05-04 インジウム−スズ酸化物（ｉｔｏ）フィルムの製造方法
EP01933932A EP1282919A1 (de) 2000-05-12 2001-05-04 Indium-zinn-oxid (ito)-schicht und verfahren zur herstellung derselben
KR1020027015177A KR100821353B1 (ko) 2000-05-12 2001-05-04 인듐-주석-산화물 층 및 이의 제조 방법
TW090111425A TWI253477B (en) 2000-05-12 2001-05-14 An indium tin oxide (ITO) layer and a method for the production thereof
US10/986,597 US7285342B2 (en) 2000-05-12 2004-11-11 Indium-tin oxide (ITO) film and process for its production

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10023459A DE10023459A1 (de) 2000-05-12 2000-05-12 Indium-Zinn-Oxid (ITO)-Schicht und Verfahren zur Herstellung derselben

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE10023459A1 true DE10023459A1 (de) 2001-11-15

Family

ID=7641904

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10023459A Withdrawn DE10023459A1 (de) 2000-05-12 2000-05-12 Indium-Zinn-Oxid (ITO)-Schicht und Verfahren zur Herstellung derselben

Country Status (7)

Country Link
US (2) US6849165B2 (de)
EP (1) EP1282919A1 (de)
JP (1) JP5144868B2 (de)
KR (1) KR100821353B1 (de)
DE (1) DE10023459A1 (de)
TW (1) TWI253477B (de)
WO (1) WO2001086731A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004022004A1 (de) * 2004-05-03 2005-12-15 Novaled Gmbh Schichtanordnung für eine organische lichtemittierende Diode

Families Citing this family (81)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5910854A (en) 1993-02-26 1999-06-08 Donnelly Corporation Electrochromic polymeric solid films, manufacturing electrochromic devices using such solid films, and processes for making such solid films and devices
US5668663A (en) 1994-05-05 1997-09-16 Donnelly Corporation Electrochromic mirrors and devices
US6891563B2 (en) * 1996-05-22 2005-05-10 Donnelly Corporation Vehicular vision system
US8294975B2 (en) 1997-08-25 2012-10-23 Donnelly Corporation Automotive rearview mirror assembly
US6172613B1 (en) 1998-02-18 2001-01-09 Donnelly Corporation Rearview mirror assembly incorporating vehicle information display
US6124886A (en) 1997-08-25 2000-09-26 Donnelly Corporation Modular rearview mirror assembly
US6326613B1 (en) * 1998-01-07 2001-12-04 Donnelly Corporation Vehicle interior mirror assembly adapted for containing a rain sensor
US8288711B2 (en) 1998-01-07 2012-10-16 Donnelly Corporation Interior rearview mirror system with forwardly-viewing camera and a control
US6445287B1 (en) * 2000-02-28 2002-09-03 Donnelly Corporation Tire inflation assistance monitoring system
US6693517B2 (en) 2000-04-21 2004-02-17 Donnelly Corporation Vehicle mirror assembly communicating wirelessly with vehicle accessories and occupants
US6329925B1 (en) 1999-11-24 2001-12-11 Donnelly Corporation Rearview mirror assembly with added feature modular display
US6477464B2 (en) 2000-03-09 2002-11-05 Donnelly Corporation Complete mirror-based global-positioning system (GPS) navigation solution
US7195381B2 (en) 2001-01-23 2007-03-27 Donnelly Corporation Vehicle interior LED lighting system
US7370983B2 (en) 2000-03-02 2008-05-13 Donnelly Corporation Interior mirror assembly with display
US7167796B2 (en) 2000-03-09 2007-01-23 Donnelly Corporation Vehicle navigation system for use with a telematics system
WO2001064481A2 (en) 2000-03-02 2001-09-07 Donnelly Corporation Video mirror systems incorporating an accessory module
US7581859B2 (en) 2005-09-14 2009-09-01 Donnelly Corp. Display device for exterior rearview mirror
US7255451B2 (en) 2002-09-20 2007-08-14 Donnelly Corporation Electro-optic mirror cell
KR100810400B1 (ko) * 2001-10-15 2008-03-04 에스케이케미칼주식회사 Ｐｅｔｇ 플라스틱 기판을 이용한 전도성 산화박막의제조방법
WO2003050324A1 (fr) * 2001-12-03 2003-06-19 Nippon Sheet Glass Company, Limited Procede de formation d'un film mince, substrat presentant un film mince forme par ce procede, et dispositif de conversion photoelectrique faisant appel a ce substrat
US7378356B2 (en) * 2002-03-16 2008-05-27 Springworks, Llc Biased pulse DC reactive sputtering of oxide films
US6918674B2 (en) 2002-05-03 2005-07-19 Donnelly Corporation Vehicle rearview mirror system
AU2003237424A1 (en) 2002-06-06 2003-12-22 Donnelly Corporation Interior rearview mirror system with compass
US7329013B2 (en) 2002-06-06 2008-02-12 Donnelly Corporation Interior rearview mirror system with compass
US7310177B2 (en) 2002-09-20 2007-12-18 Donnelly Corporation Electro-optic reflective element assembly
EP1543358A2 (de) 2002-09-20 2005-06-22 Donnelly Corporation Spiegelreflexionselementbaugruppe
JP4524577B2 (ja) * 2003-04-24 2010-08-18 東ソー株式会社 透明導電膜およびスパッタリングターゲット
US7238628B2 (en) * 2003-05-23 2007-07-03 Symmorphix, Inc. Energy conversion and storage films and devices by physical vapor deposition of titanium and titanium oxides and sub-oxides
US8728285B2 (en) * 2003-05-23 2014-05-20 Demaray, Llc Transparent conductive oxides
DE10327897B4 (de) * 2003-06-20 2010-04-01 Applied Materials Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung glatter Indium-Zinn-Oxidschichten auf Substraten, sowie Substratbeschichtung aus Indium-Zinn-Oxid und organische Leuchtdiode
US7446924B2 (en) 2003-10-02 2008-11-04 Donnelly Corporation Mirror reflective element assembly including electronic component
US7308341B2 (en) 2003-10-14 2007-12-11 Donnelly Corporation Vehicle communication system
JP2005175160A (ja) * 2003-12-10 2005-06-30 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力装置
US7864398B2 (en) 2004-06-08 2011-01-04 Gentex Corporation Electro-optical element including metallic films and methods for applying the same
US7959769B2 (en) 2004-12-08 2011-06-14 Infinite Power Solutions, Inc. Deposition of LiCoO2
CN101931097B (zh) * 2004-12-08 2012-11-21 希莫菲克斯公司 LiCoO2的沉积
KR100707960B1 (ko) 2005-03-31 2007-04-16 (주)플라웍스 투명 전극용 아이티오 복합층 형성을 위한 인라인 스퍼터링장치
US7626749B2 (en) 2005-05-16 2009-12-01 Donnelly Corporation Vehicle mirror assembly with indicia at reflective element
JP5138873B2 (ja) 2005-05-19 2013-02-06 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
US7838133B2 (en) * 2005-09-02 2010-11-23 Springworks, Llc Deposition of perovskite and other compound ceramic films for dielectric applications
CN101535087B (zh) 2005-11-01 2013-05-15 唐纳利公司 具有显示装置的内部后视镜
JP4599595B2 (ja) * 2005-12-05 2010-12-15 学校法人金沢工業大学 透明導電膜の製造方法および製造装置
US8845866B2 (en) * 2005-12-22 2014-09-30 General Electric Company Optoelectronic devices having electrode films and methods and system for manufacturing the same
US8368992B2 (en) * 2006-03-03 2013-02-05 Gentex Corporation Electro-optical element including IMI coatings
US7688495B2 (en) * 2006-03-03 2010-03-30 Gentex Corporation Thin-film coatings, electro-optic elements and assemblies incorporating these elements
US8169681B2 (en) * 2006-03-03 2012-05-01 Gentex Corporation Thin-film coatings, electro-optic elements and assemblies incorporating these elements
KR101278371B1 (ko) 2006-03-03 2013-06-25 젠텍스 코포레이션 개선된 박막 코팅, 전기 광학 요소 및 이들 요소를 포함하는 어셈블리
US7746534B2 (en) * 2006-12-07 2010-06-29 Gentex Corporation Thin-film coatings, electro-optic elements and assemblies incorporating these elements
US8274729B2 (en) * 2006-03-03 2012-09-25 Gentex Corporation Thin-film coatings, electro-optic elements and assemblies incorporating these elements
CN101395521B (zh) * 2006-03-03 2010-09-29 金泰克斯公司 改进的薄膜涂层、光电元件和包含这些元件的组件
EP2426552A1 (de) 2006-03-03 2012-03-07 Gentex Corporation Elektrooptische Elemente mit verbesserten Dünnfilmbeschichtungen
US10017847B2 (en) 2007-03-05 2018-07-10 Gentex Corporation Method and apparatus for ion milling
US8649083B2 (en) 2007-03-05 2014-02-11 Gentex Corporation Multi-zone mirrors
US9274394B2 (en) 2007-03-05 2016-03-01 Gentex Corporation Multi-zone mirrors
US8035881B2 (en) * 2007-03-05 2011-10-11 Gentex Corporation Multi-zone mirrors
JP4420932B2 (ja) * 2007-03-09 2010-02-24 株式会社沖データ 可撓性表示体及び可撓性表示体付き物品
US20080233291A1 (en) * 2007-03-23 2008-09-25 Chandrasekaran Casey K Method for depositing an inorganic layer to a thermal transfer layer
US20080138600A1 (en) * 2007-10-26 2008-06-12 National University Of Ireland, Galway Soluble Metal Oxides and Metal Oxide Solutions
DE102008027045A1 (de) * 2008-02-29 2009-09-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterleuchtdiode und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterleuchtdiode
US8154418B2 (en) 2008-03-31 2012-04-10 Magna Mirrors Of America, Inc. Interior rearview mirror system
JP5580972B2 (ja) * 2008-06-06 2014-08-27 デクセリアルズ株式会社 スパッタリング複合ターゲット
WO2010004937A1 (ja) * 2008-07-09 2010-01-14 株式会社アルバック タッチパネルの製造方法及び成膜装置
JP5492479B2 (ja) * 2009-07-10 2014-05-14 ジオマテック株式会社 透明導電膜の製造方法
US10000965B2 (en) 2010-01-16 2018-06-19 Cardinal Cg Company Insulating glass unit transparent conductive coating technology
US10060180B2 (en) 2010-01-16 2018-08-28 Cardinal Cg Company Flash-treated indium tin oxide coatings, production methods, and insulating glass unit transparent conductive coating technology
WO2011088330A2 (en) 2010-01-16 2011-07-21 Cardinal Cg Company High quality emission control coatings, emission control glazings, and production methods
US10000411B2 (en) 2010-01-16 2018-06-19 Cardinal Cg Company Insulating glass unit transparent conductivity and low emissivity coating technology
US9862640B2 (en) 2010-01-16 2018-01-09 Cardinal Cg Company Tin oxide overcoat indium tin oxide coatings, coated glazings, and production methods
US11155493B2 (en) 2010-01-16 2021-10-26 Cardinal Cg Company Alloy oxide overcoat indium tin oxide coatings, coated glazings, and production methods
KR20190018049A (ko) * 2010-03-08 2019-02-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치를 제작하는 방법
JP5976846B2 (ja) * 2013-01-16 2016-08-24 日東電工株式会社 透明導電フィルムおよびその製造方法
JP6261987B2 (ja) * 2013-01-16 2018-01-17 日東電工株式会社 透明導電フィルムおよびその製造方法
JP6261988B2 (ja) 2013-01-16 2018-01-17 日東電工株式会社 透明導電フィルムおよびその製造方法
JP6215062B2 (ja) 2013-01-16 2017-10-18 日東電工株式会社 透明導電フィルムの製造方法
GB201405012D0 (en) * 2014-03-20 2014-05-07 Asociaci N Ct De Investigaci N Cooperativa En Biomateriales Sample slides for laser desorption ionisation (LDI) mass spectrometry and optical microscopy
US9988707B2 (en) 2014-05-30 2018-06-05 Ppg Industries Ohio, Inc. Transparent conducting indium doped tin oxide
CN104109839A (zh) * 2014-07-04 2014-10-22 宜昌南玻显示器件有限公司 Ito薄膜的制备方法及ito薄膜
EP2977202A1 (de) * 2014-07-25 2016-01-27 AGC Glass Europe Beheizbare Verglasung
WO2017170125A1 (ja) 2016-03-29 2017-10-05 株式会社アルバック 透明導電膜付き基板の製造方法、透明導電膜付き基板の製造装置、透明導電膜付き基板、及び太陽電池
US11028012B2 (en) 2018-10-31 2021-06-08 Cardinal Cg Company Low solar heat gain coatings, laminated glass assemblies, and methods of producing same
EP4012004A1 (de) 2020-12-11 2022-06-15 Merck Patent GmbH Flüssigkristallvorrichtung

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1992017620A1 (en) * 1991-04-08 1992-10-15 Minnesota Mining And Manufacturing Company Light transmissive electrically conductive oxide
EP0947602A2 (de) * 1998-03-18 1999-10-06 Matsushita Electronics Corporation Verfahren zum Herstellen einer Dünnschicht

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54127598A (en) * 1978-03-27 1979-10-03 Sharp Corp Process for fabricating transparent conductive film
JPS62254793A (ja) * 1986-04-28 1987-11-06 ジューキ株式会社 ミシンの布送り量自動変更装置
JPH0726195B2 (ja) * 1988-08-19 1995-03-22 日本真空技術株式会社 透明導電膜の製造方法
JP2881425B2 (ja) * 1989-07-31 1999-04-12 京セラ株式会社 透明導電膜の形成方法
JP2936276B2 (ja) * 1990-02-27 1999-08-23 日本真空技術株式会社 透明導電膜の製造方法およびその製造装置
JPH059724A (ja) * 1991-07-09 1993-01-19 Shinkuron:Kk 透明導電膜の形成方法
JPH05239635A (ja) * 1992-02-26 1993-09-17 Shimadzu Corp 透明導電膜の製造方法
JPH05239636A (ja) 1992-02-28 1993-09-17 Sony Corp スパッタリング装置
JP3298055B2 (ja) * 1992-05-01 2002-07-02 株式会社アルバック 透明導電膜の形成方法
JP2912506B2 (ja) * 1992-10-21 1999-06-28 シャープ株式会社 透明導電膜の形成方法
JPH06330283A (ja) * 1993-05-20 1994-11-29 Hitachi Ltd 透明導電膜の成膜装置および成膜方法
JPH09293693A (ja) * 1996-04-25 1997-11-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 透明導電膜の成膜方法
JP2000128698A (ja) * 1998-10-22 2000-05-09 Toyota Motor Corp Ｉｔｏ材、ｉｔｏ膜及びその形成方法、並びにｅｌ素子
US6787989B2 (en) * 2000-06-21 2004-09-07 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Substrate with transparent conductive film and organic electroluminescence device using the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1992017620A1 (en) * 1991-04-08 1992-10-15 Minnesota Mining And Manufacturing Company Light transmissive electrically conductive oxide
EP0947602A2 (de) * 1998-03-18 1999-10-06 Matsushita Electronics Corporation Verfahren zum Herstellen einer Dünnschicht

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
BENDER,M., et.al.: Deposition of transparent and conducting indium-tin-oxide films by the r.f.-superimposed DC sputtering technology. In: Thin Solid Films 354, 1999, S.100-105 *
Oberflächentechnik, Vorträge des SURTEC- Kongresses, 1981, VDI-Verlag, Berlin, S.47-54 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004022004A1 (de) * 2004-05-03 2005-12-15 Novaled Gmbh Schichtanordnung für eine organische lichtemittierende Diode
DE102004022004B4 (de) * 2004-05-03 2007-07-05 Novaled Ag Schichtanordnung für eine organische lichtemittierende Diode

Also Published As

Publication number Publication date
TWI253477B (en) 2006-04-21
EP1282919A1 (de) 2003-02-12
US7285342B2 (en) 2007-10-23
WO2001086731A1 (de) 2001-11-15
KR100821353B1 (ko) 2008-04-10
JP2003532997A (ja) 2003-11-05
JP5144868B2 (ja) 2013-02-13
US20030170449A1 (en) 2003-09-11
US6849165B2 (en) 2005-02-01
KR20030024665A (ko) 2003-03-26
US20050175862A1 (en) 2005-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10023459A1 (de) Indium-Zinn-Oxid (ITO)-Schicht und Verfahren zur Herstellung derselben
DE102012112739A1 (de) Licht absorbierendes Schichtsystem und dessen Herstellung sowie dafür geeignetes Sputtertarget
JP2003532997A5 (de)
DE112011100972T5 (de) Transparenter leitender Film
DE69734023T2 (de) Oxidfilm, Laminate und Verfahren zu deren Herstellung
EP3180403B1 (de) Zusammensetzung enthaltend silbernanodrähte und dispergierte polymerteilchen für die herstellung von elektrisch leitenden schichten
CN1250984C (zh) 改善了光学性能和电性能的功能薄膜
CN104051100B (zh) 一种氧化钛多层薄膜压敏电阻器及其制备方法
DE4226593B4 (de) Elektrolumineszenz- (EL) - Anzeigetafel und Verfahren zu deren Herstellung
DE112014001540T5 (de) Sinterkörper auf Zinkoxid-Basis, Verfahren zu dessen Herstellung, sowie Sputtertarget und transparenter, elektrisch leitfähiger Film
CN102187476B (zh) 透明导电氧化锌显示器膜及该膜的制造方法
KR20020079422A (ko) Ｉｔｏ 스퍼터링 타겟 및 이의 제조 방법
DE69816604T2 (de) Metall-kohlenstoff-sauerstoff-feldemissionsanordnungen
Miśta et al. Varistor performance of nanocrystalline Zn–Bi–O thin films prepared by reactive RF magnetron sputtering at room temperature
DE102015113542B4 (de) Verfahren zum Ausbilden einer Schicht mit hoher Lichttransmission und/oder niedriger Lichtreflexion
KR20140007221A (ko) 은 나노와이어 시인성이 개선된 광학 필름
DE102008028140B3 (de) Verfahren zur Herstellung einer transparenten und leitfähigen Metalloxidschicht durch gepulstes, hochionisierendes Magnetronsputtern
DE112009000156T5 (de) Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung
WO2003004571A2 (de) Partikuläre beschichtung
CN108546922A (zh) 薄膜晶体管
DE102008009339A1 (de) Verfahren zur Beschichtung mit leitfähigen und transparenten Zinkoxid-Schichten
DE102021115551B3 (de) Verfahren zur Herstellung einer transparenten und leitfähigen Beschichtung, Beschichtung und Verwendung der Beschichtung
CN114815362B (zh) 一种具有宽工作温度范围的pdlc调光膜及其制备方法
DE102012103018B4 (de) Zusammengesetzte Isolierschicht und Verfahren zu deren Herstellung
DE102012203055B4 (de) Sputtertarget aus einem galliumdotiertes Zink enthaltenden Material und Verfahren zu dessen Herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
OM8 Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
8141 Disposal/no request for examination