JP3298055B2 - 透明導電膜の形成方法 - Google Patents
透明導電膜の形成方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、透明導電膜の形成方法
に関し、更に詳しくは、少なくともＩｎ，Ｓｎ，Ｏを含
む透明導電膜の形成方法に関する。
に関し、更に詳しくは、少なくともＩｎ，Ｓｎ，Ｏを含
む透明導電膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ系透明導電膜（以
下ＩＴＯ膜と称す）はスパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法等
により基板上に形成していた。
下ＩＴＯ膜と称す）はスパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法等
により基板上に形成していた。
【０００３】このうち、スパッタ法ではＩｎ−Ｓｎの合
金ターゲットを用いる場合と、Ｉｎ2Ｏ3にＳｎＯ2を混
入した酸化物ターゲットを用いる場合とがある。
金ターゲットを用いる場合と、Ｉｎ2Ｏ3にＳｎＯ2を混
入した酸化物ターゲットを用いる場合とがある。
【０００４】ＩＴＯ膜はｎ型半導体の導電性を示し、ド
ナーはＩｎの位置を置換してイオン化したＳｎ4+と、Ｉ
ｎ2Ｏ3から酸素が欠損した酸素欠損ドナーの２つから成
る。そしてスパッタ法でＩＴＯ膜を形成する場合、スパ
ッタ室内に導入するスパッタガス中のＯ2量を調整する
ことにより、この酸素欠損ドナーの量を制御することが
出来る。例えば、導入Ｏ2量を減らすと酸素欠損ドナー
が増加するため、キャリア密度は増加する反面、ドナー
による電子の散乱も増加するため電子の移動度は逆に低
下する。従って、ＩＴＯ膜の抵抗率は導入Ｏ2量に対し
て最適値をとることになる。
ナーはＩｎの位置を置換してイオン化したＳｎ4+と、Ｉ
ｎ2Ｏ3から酸素が欠損した酸素欠損ドナーの２つから成
る。そしてスパッタ法でＩＴＯ膜を形成する場合、スパ
ッタ室内に導入するスパッタガス中のＯ2量を調整する
ことにより、この酸素欠損ドナーの量を制御することが
出来る。例えば、導入Ｏ2量を減らすと酸素欠損ドナー
が増加するため、キャリア密度は増加する反面、ドナー
による電子の散乱も増加するため電子の移動度は逆に低
下する。従って、ＩＴＯ膜の抵抗率は導入Ｏ2量に対し
て最適値をとることになる。
【０００５】そのため、スパッタガスとしては、スパッ
タを行うためのＡｒ等の不活性ガスの導入量と、膜の酸
化度を調整して最適な導電性と光透過性を得るために、
Ｏ2などの酸化性のガス量を調整しながら導入するよう
にしていた。
タを行うためのＡｒ等の不活性ガスの導入量と、膜の酸
化度を調整して最適な導電性と光透過性を得るために、
Ｏ2などの酸化性のガス量を調整しながら導入するよう
にしていた。
【０００６】また、例えばＩｎ−Ｓｎの合金ターゲット
を用いる場合には、一般的に１０- 3Torr台のＡｒに対し
て１０- 4Torr台のＯ2を、また、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏの酸化
物ターゲットを用いる場合には、一般的に１０- 3Torr
台のＡｒに対して１０- 5Torr台のＯ2を導入するように
していた。
を用いる場合には、一般的に１０- 3Torr台のＡｒに対し
て１０- 4Torr台のＯ2を、また、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏの酸化
物ターゲットを用いる場合には、一般的に１０- 3Torr
台のＡｒに対して１０- 5Torr台のＯ2を導入するように
していた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前記のＩＴＯ膜の抵抗
率と、光透過率が最適値となる最適Ｏ2導入量条件は、
下記のいくつかの成膜パラメータにより、低導入量側に
シフトし、特にＩＴＯの酸化物ターゲットを用いた場合
は、場合によってはＯ2を導入しないでＡｒのみでスパ
ッタを行ってＩＴＯ膜を形成しても、ＩＴＯ膜が最適組
成よりも過酸化状態となり低抵抗値のＩＴＯ膜が得られ
ないという問題がある。
率と、光透過率が最適値となる最適Ｏ2導入量条件は、
下記のいくつかの成膜パラメータにより、低導入量側に
シフトし、特にＩＴＯの酸化物ターゲットを用いた場合
は、場合によってはＯ2を導入しないでＡｒのみでスパ
ッタを行ってＩＴＯ膜を形成しても、ＩＴＯ膜が最適組
成よりも過酸化状態となり低抵抗値のＩＴＯ膜が得られ
ないという問題がある。
【０００８】最適なＯ2の導入条件をシフトさせるパラ
メータとしては次のものがある。
メータとしては次のものがある。
【０００９】 基板温度 高温で形成する程、低抵抗値のＩＴＯ膜が得られるが、
基板温度が高くなる程、基板表面での反応性がよくな
り、少ないＯ2導入量でもＩＴＯ膜が酸化されやすくな
るため、基板温度の上昇に伴い最適Ｏ2導入量は少ない
方にシフトする。
基板温度が高くなる程、基板表面での反応性がよくな
り、少ないＯ2導入量でもＩＴＯ膜が酸化されやすくな
るため、基板温度の上昇に伴い最適Ｏ2導入量は少ない
方にシフトする。
【００１０】 スパッタ電圧 低抵抗値のＩＴＯ膜を得る方法として、本出願人が先に
特開平２−２３２３５８号（特願平１−５００８６号）
で提案した透明導電膜の製造方法があり、該方法による
と低電圧でＩＴＯ膜を形成することにより、従来より大
幅に低抵抗値のＩＴＯ膜を形成することが出来るもので
ある。この場合、スパッタ電圧を低下させる手段とし
て、スパッタ時にプラズマ密度を増加させているため、
この場合も基板表面での酸素との反応性が良くなる。従
って、スパッタ電圧を低下させた場合も最適Ｏ2導入量
は少ない方にシフトする。
特開平２−２３２３５８号（特願平１−５００８６号）
で提案した透明導電膜の製造方法があり、該方法による
と低電圧でＩＴＯ膜を形成することにより、従来より大
幅に低抵抗値のＩＴＯ膜を形成することが出来るもので
ある。この場合、スパッタ電圧を低下させる手段とし
て、スパッタ時にプラズマ密度を増加させているため、
この場合も基板表面での酸素との反応性が良くなる。従
って、スパッタ電圧を低下させた場合も最適Ｏ2導入量
は少ない方にシフトする。
【００１１】 ターゲット材質 前記のように、スパッタ法でＩＴＯ膜を形成する場合の
ターゲットとしてはＩｎ−Ｓｎの合金ターゲットを用い
る場合と、ＩＴＯの酸化物ターゲットを用いる場合とが
あるが、合金ターゲットよりも酸化物ターゲットを用い
た方が一般的に低抵抗値のＩＴＯ膜を得ることが出来
る。この場合も当然合金ターゲットを用いるよりも酸化
物ターゲットを用いた場合の方が最適Ｏ2導入量は少な
くなる。
ターゲットとしてはＩｎ−Ｓｎの合金ターゲットを用い
る場合と、ＩＴＯの酸化物ターゲットを用いる場合とが
あるが、合金ターゲットよりも酸化物ターゲットを用い
た方が一般的に低抵抗値のＩＴＯ膜を得ることが出来
る。この場合も当然合金ターゲットを用いるよりも酸化
物ターゲットを用いた場合の方が最適Ｏ2導入量は少な
くなる。
【００１２】 ターゲットの設置台数 量産用スパッタ装置でＩＴＯ膜を形成する場合、ターゲ
ットの設置台数を増加することにより、装置１台当りの
生産量を増加させることが出来る。しかし、ターゲット
の設置台数を増加させることによっても最適Ｏ2導入量
は少ない方へシフトする。ＩＴＯ酸化物ターゲットを用
いてＩＴＯ膜を形成する場合、ターゲット自体の分解に
より発生した酸素が抜けていくため、不足した酸素分を
補うために外部からのＯ2ガスの導入が必要となる。し
かし、複数台のターゲットがスパッタ装置内に配置され
た場合は夫々のＩＴＯ酸化物ターゲットの分解により発
生する酸素のためにターゲットの設置台数が増加するに
従って、スパッタ装置内の雰囲気は酸素過剰になってく
る。
ットの設置台数を増加することにより、装置１台当りの
生産量を増加させることが出来る。しかし、ターゲット
の設置台数を増加させることによっても最適Ｏ2導入量
は少ない方へシフトする。ＩＴＯ酸化物ターゲットを用
いてＩＴＯ膜を形成する場合、ターゲット自体の分解に
より発生した酸素が抜けていくため、不足した酸素分を
補うために外部からのＯ2ガスの導入が必要となる。し
かし、複数台のターゲットがスパッタ装置内に配置され
た場合は夫々のＩＴＯ酸化物ターゲットの分解により発
生する酸素のためにターゲットの設置台数が増加するに
従って、スパッタ装置内の雰囲気は酸素過剰になってく
る。
【００１３】上記のように低抵抗値のＩＴＯ膜の生産性
を高めて効率よく量産するためには、複数台のＩＴＯ酸
化物ターゲットを設置したスパッタ装置を用いて、低電
圧スパッタ法で高温基板上に形成することが有効であ
る。しかし、前記のように高温基板、低電圧スパッタ
法、ＩＴＯ酸化物ターゲット、ターゲットの設置台数の
いずれも抵抗率が最小となる最適Ｏ2導入量を小さい方
へシフトさせる要因であり、これらを組み合わせた場合
には、Ｏ2を導入しないでＡｒのみでスパッタしても基
板上のＩＴＯ膜が過酸化状態になり最適条件で得られる
はずの低抵抗値のＩＴＯ膜が得られないという問題があ
る。
を高めて効率よく量産するためには、複数台のＩＴＯ酸
化物ターゲットを設置したスパッタ装置を用いて、低電
圧スパッタ法で高温基板上に形成することが有効であ
る。しかし、前記のように高温基板、低電圧スパッタ
法、ＩＴＯ酸化物ターゲット、ターゲットの設置台数の
いずれも抵抗率が最小となる最適Ｏ2導入量を小さい方
へシフトさせる要因であり、これらを組み合わせた場合
には、Ｏ2を導入しないでＡｒのみでスパッタしても基
板上のＩＴＯ膜が過酸化状態になり最適条件で得られる
はずの低抵抗値のＩＴＯ膜が得られないという問題があ
る。
【００１４】本発明はかかる問題点を解消し、低抵抗値
のＩＴＯ膜を形成する方法を提供することを目的とす
る。
のＩＴＯ膜を形成する方法を提供することを目的とす
る。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の透明導電膜の形
成方法は、スパッタガスとしてＡｒ及びＨ 2 の混合ガス
を用い、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ系の酸化物ターゲットを用いて
スパッタ法により２００℃よりも高温の基板上にＩｎ−
Ｓｎ−Ｏ系の透明導電膜を形成することを特徴とする。
成方法は、スパッタガスとしてＡｒ及びＨ 2 の混合ガス
を用い、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ系の酸化物ターゲットを用いて
スパッタ法により２００℃よりも高温の基板上にＩｎ−
Ｓｎ−Ｏ系の透明導電膜を形成することを特徴とする。
【００１６】
【作用】スパッタ法によりスパッタされたＩｎ−Ｓｎ−
Ｏ系の酸化物ターゲットは基板上でＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系透
明導電膜を形成する。その際、スパッタガスをＡｒ及び
Ｈ 2 の混合ガスとすることにより、スパッタ時の雰囲気
が酸素過剰となることを防止して、基板上に形成される
透明導電膜の組成が最適組成となり、より低抵抗値の透
明導電膜となる。
Ｏ系の酸化物ターゲットは基板上でＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系透
明導電膜を形成する。その際、スパッタガスをＡｒ及び
Ｈ 2 の混合ガスとすることにより、スパッタ時の雰囲気
が酸素過剰となることを防止して、基板上に形成される
透明導電膜の組成が最適組成となり、より低抵抗値の透
明導電膜となる。
【００１７】
【実施例】本発明の実施例について説明する。
【００１８】先ず、本発明を実施するに際し、用いるス
パッタ装置の概要を説明する。
パッタ装置の概要を説明する。
【００１９】スパッタ室内の下方に３台のカソードを並
べて設置し、夫々のカソードにはＩｎ2Ｏ3に１０ｗｔ％
のＳｎＯ2を混入したＩＴＯ焼結体ターゲットを配設し
た。また、夫々のカソードにはマグネトロン放電を行う
ための磁石を設置し、夫々ＤＣ電源に接続した。また、
磁石とターゲット間の距離は可変とし、放電インピーダ
ンスを変えられるようにした。
べて設置し、夫々のカソードにはＩｎ2Ｏ3に１０ｗｔ％
のＳｎＯ2を混入したＩＴＯ焼結体ターゲットを配設し
た。また、夫々のカソードにはマグネトロン放電を行う
ための磁石を設置し、夫々ＤＣ電源に接続した。また、
磁石とターゲット間の距離は可変とし、放電インピーダ
ンスを変えられるようにした。
【００２０】スパッタガスは夫々のカソードの近傍から
Ａｒ、Ｏ2、Ｈ2をマスフローコントローラーと電離真空
計により夫々流量と分圧を制御しながら任意に混合した
混合ガスとして導入されるようにした。また、スパッタ
室に接続せる真空排気系にはターボ分子ポンプを使用し
た。
Ａｒ、Ｏ2、Ｈ2をマスフローコントローラーと電離真空
計により夫々流量と分圧を制御しながら任意に混合した
混合ガスとして導入されるようにした。また、スパッタ
室に接続せる真空排気系にはターボ分子ポンプを使用し
た。
【００２１】また、スパッタ室内の上方に配置された基
板ホルダーに基板（例コーニング社製のガラスNo. ７０
５９）を保持させると共に、ターゲット上を等速で搬送
させて、基板上に均質なＩＴＯ膜が形成されるようにし
た。また、基板の背面にはシースヒータを配設し、成膜
中の基板温度を制御出来るようにした。
板ホルダーに基板（例コーニング社製のガラスNo. ７０
５９）を保持させると共に、ターゲット上を等速で搬送
させて、基板上に均質なＩＴＯ膜が形成されるようにし
た。また、基板の背面にはシースヒータを配設し、成膜
中の基板温度を制御出来るようにした。
【００２２】次に、前記装置を用いて、ＤＣマグネトロ
ンスパッタ法で透明導電膜（ＩＴＯ膜）の形成の具体的
実施例について説明する。
ンスパッタ法で透明導電膜（ＩＴＯ膜）の形成の具体的
実施例について説明する。
【００２３】成膜条件は、Ａｒガス圧は５×１０- 3Tor
rとし、各カソードの成膜速度は約８００Å／ｍｉｎと
し、また、基板搬送速度を調整して基板上に膜厚約１０
００ÅのＩＴＯ膜を形成するようにした。
rとし、各カソードの成膜速度は約８００Å／ｍｉｎと
し、また、基板搬送速度を調整して基板上に膜厚約１０
００ÅのＩＴＯ膜を形成するようにした。
【００２４】そして、基板上に形成されるＩＴＯ膜の抵
抗値について、カソード台数の影響、基板温度の影響、
スパッタ電圧の影響との関係を夫々について調べた。
抗値について、カソード台数の影響、基板温度の影響、
スパッタ電圧の影響との関係を夫々について調べた。
【００２５】１） カソード台数の影響について スパッタ電圧−２５０Ｖとし、基板温度３５０℃とし、
使用するカソード台数を１台、２台、３台と変えてＩＴ
Ｏ膜を形成し、夫々の台数における導入Ｏ2分圧、導入
Ｈ2分圧とＩＴＯ膜の抵抗率との関係を調べ、その結果
を図１に曲線Ａ（カソード１台）、曲線Ｂ（カソード２
台）、曲線Ｃ（カソード３台）として示す。図１から明
らかなように、使用するカソード台数の増加に伴い、タ
ーゲット自体の分解により発生する酸素が増加するた
め、雰囲気が酸素過剰となることが分かる。
使用するカソード台数を１台、２台、３台と変えてＩＴ
Ｏ膜を形成し、夫々の台数における導入Ｏ2分圧、導入
Ｈ2分圧とＩＴＯ膜の抵抗率との関係を調べ、その結果
を図１に曲線Ａ（カソード１台）、曲線Ｂ（カソード２
台）、曲線Ｃ（カソード３台）として示す。図１から明
らかなように、使用するカソード台数の増加に伴い、タ
ーゲット自体の分解により発生する酸素が増加するた
め、雰囲気が酸素過剰となることが分かる。
【００２６】例えばカソードが１台の場合には、ＩＴＯ
膜の抵抗率が最小となる最適Ｏ2導入分圧は１．０×１
０- 5Torrであるのに対し、カソードが２台になるとＯ2
導入なしが最適条件となる。更に、カソードが３台とな
るとＯ2を導入しなくとも膜組成が酸素過剰となってＩ
ＴＯ膜の抵抗率が上昇してしまう。この場合はＯ2の代
わりにＨ2を導入することによって、最適条件をとるこ
とが出来る。このようにカソードを３台用い、Ｈ2を最
適条件の１．０×１０- 5Torr導入して形成されたＩＴ
Ｏ膜の抵抗率は、カソード１台でＯ2を導入して形成さ
れたＩＴＯ膜の抵抗率と同等である。
膜の抵抗率が最小となる最適Ｏ2導入分圧は１．０×１
０- 5Torrであるのに対し、カソードが２台になるとＯ2
導入なしが最適条件となる。更に、カソードが３台とな
るとＯ2を導入しなくとも膜組成が酸素過剰となってＩ
ＴＯ膜の抵抗率が上昇してしまう。この場合はＯ2の代
わりにＨ2を導入することによって、最適条件をとるこ
とが出来る。このようにカソードを３台用い、Ｈ2を最
適条件の１．０×１０- 5Torr導入して形成されたＩＴ
Ｏ膜の抵抗率は、カソード１台でＯ2を導入して形成さ
れたＩＴＯ膜の抵抗率と同等である。
【００２７】２） 基板温度の影響について スパッタ電圧を−２５０Ｖとし、基板温度を室温から３
５０℃の範囲で変化させ、更に、カソード台数を１台、
２台、３台と変えてＩＴＯ膜を形成した時のＩＴＯ膜の
抵抗率の最適値が得られる導入Ｏ2分圧またはＨ2分圧と
基板温度との関係を調べ、その結果を図２に曲線Ｄ（カ
ソード１台）、曲線Ｅ（カソード２台）、曲線Ｆ（カソ
ード３台）として示す。図２から明らかなように、基板
温度が室温のときは、カソード台数に関係なくＯ2の導
入によりＩＴＯ膜の抵抗率の最適値をとることが出来る
が、基板温度が２００℃より高い領域では、カソード台
数の増加に伴って、特にカソード台数が３台以上になる
と、Ｏ2のみの導入ではＩＴＯ膜の抵抗率の最適値が得
られないので、Ｈ2の導入が必要となることが分かる。
５０℃の範囲で変化させ、更に、カソード台数を１台、
２台、３台と変えてＩＴＯ膜を形成した時のＩＴＯ膜の
抵抗率の最適値が得られる導入Ｏ2分圧またはＨ2分圧と
基板温度との関係を調べ、その結果を図２に曲線Ｄ（カ
ソード１台）、曲線Ｅ（カソード２台）、曲線Ｆ（カソ
ード３台）として示す。図２から明らかなように、基板
温度が室温のときは、カソード台数に関係なくＯ2の導
入によりＩＴＯ膜の抵抗率の最適値をとることが出来る
が、基板温度が２００℃より高い領域では、カソード台
数の増加に伴って、特にカソード台数が３台以上になる
と、Ｏ2のみの導入ではＩＴＯ膜の抵抗率の最適値が得
られないので、Ｈ2の導入が必要となることが分かる。
【００２８】３） スパッタ電圧の影響について 基板温度を３５０℃とし、スパッタ電圧を−１１０Ｖ、
−２５０Ｖ、−４００Ｖと変化させ、更に、カソード台
数を１台、２台、３台と変えてＩＴＯ膜を形成した時の
ＩＴＯ膜の抵抗率の最適値が得られる導入Ｏ2分圧また
はＨ2分圧とスパッタ電圧との関係を調べ、その結果を
図３に曲線Ｇ（カソード１台）、曲線Ｈ（カソード２
台）、曲線Ｉ（カソード３台）として示す。図３から明
らかなように、各カソード台数においてはスパッタ電圧
が低いほど、最適Ｏ2分圧が小さくなり、更に、Ｈ2の導
入が必要となってくる。これはスパッタ電圧が低いほど
プラズマが高密度化しているため、ターゲット自体の分
解で発生する酸素の活性化により雰囲気が酸性化になっ
ていくためである。従って、スパッタ電圧が低いほどＨ
2の導入が必要となってくる。
−２５０Ｖ、−４００Ｖと変化させ、更に、カソード台
数を１台、２台、３台と変えてＩＴＯ膜を形成した時の
ＩＴＯ膜の抵抗率の最適値が得られる導入Ｏ2分圧また
はＨ2分圧とスパッタ電圧との関係を調べ、その結果を
図３に曲線Ｇ（カソード１台）、曲線Ｈ（カソード２
台）、曲線Ｉ（カソード３台）として示す。図３から明
らかなように、各カソード台数においてはスパッタ電圧
が低いほど、最適Ｏ2分圧が小さくなり、更に、Ｈ2の導
入が必要となってくる。これはスパッタ電圧が低いほど
プラズマが高密度化しているため、ターゲット自体の分
解で発生する酸素の活性化により雰囲気が酸性化になっ
ていくためである。従って、スパッタ電圧が低いほどＨ
2の導入が必要となってくる。
【００２９】前述のように、スパッタ室内に２００℃よ
りも高温に加熱した基板と、複数台のＩＴＯ酸化物ター
ゲットを配設し、スパッタ電圧が３００Ｖ以下の低電圧
スパッタ法で基板上にＩＴＯ膜を形成する際、Ａｒガス
のみを用いてスパッタを行っても、ターゲット自体の分
解により発生する酸素によりスパッタ時の雰囲気が酸素
過剰となり、基板上に形成されるＩＴＯ膜の組成が最適
組成よりも酸素が過剰な組成になる。そのため、酸素欠
損ドナーの低下によりキャリア濃度が低下して低抵抗膜
が形成されなくなる。
りも高温に加熱した基板と、複数台のＩＴＯ酸化物ター
ゲットを配設し、スパッタ電圧が３００Ｖ以下の低電圧
スパッタ法で基板上にＩＴＯ膜を形成する際、Ａｒガス
のみを用いてスパッタを行っても、ターゲット自体の分
解により発生する酸素によりスパッタ時の雰囲気が酸素
過剰となり、基板上に形成されるＩＴＯ膜の組成が最適
組成よりも酸素が過剰な組成になる。そのため、酸素欠
損ドナーの低下によりキャリア濃度が低下して低抵抗膜
が形成されなくなる。
【００３０】その改善のために、本発明法ではスパッタ
ガスにＨ2を導入することにより、キャリアの密度と移
動度を最適化することが出来るため、より低抵抗のＩＴ
Ｏ膜が形成されることとなる。
ガスにＨ2を導入することにより、キャリアの密度と移
動度を最適化することが出来るため、より低抵抗のＩＴ
Ｏ膜が形成されることとなる。
【００３１】本発明方法におけるＨ2導入は、Ａｒのみ
でスパッタを行う際、ＩＴＯ膜が過酸化状態になる場合
に有効な方法である。
でスパッタを行う際、ＩＴＯ膜が過酸化状態になる場合
に有効な方法である。
【００３２】
【発明の効果】このように本発明の透明導電膜の形成方
法によるときは、スパッタガスにＡｒ及びＨ 2 の混合ガ
スを用いるようにしたので、形成される透明導電膜の酸
素過剰を防止して透明導電膜の組成を最適化することが
出来て、基板上に導電性および光透過性の優れた透明導
電膜を形成することが出来る効果を有する。
法によるときは、スパッタガスにＡｒ及びＨ 2 の混合ガ
スを用いるようにしたので、形成される透明導電膜の酸
素過剰を防止して透明導電膜の組成を最適化することが
出来て、基板上に導電性および光透過性の優れた透明導
電膜を形成することが出来る効果を有する。
【図１】 各カソード台数におけるスパッガス中に導入
するＯ2分圧またはＨ2分圧と透明導電膜の抵抗率との関
係を示す特性線図、
するＯ2分圧またはＨ2分圧と透明導電膜の抵抗率との関
係を示す特性線図、
【図２】 透明導電膜の最適抵抗率を得るためのスパッ
ガス中に導入するＯ2分圧またはＨ2分圧と基板温度との
関係を示す特性線図、
ガス中に導入するＯ2分圧またはＨ2分圧と基板温度との
関係を示す特性線図、
【図３】 透明導電膜の最適抵抗率を得るためのスパッ
タガス中に導入するＯ2分圧またはＨ2分圧とスパッタ電
圧との関係を示す特性線図。
タガス中に導入するＯ2分圧またはＨ2分圧とスパッタ電
圧との関係を示す特性線図。
フロントページの続き (72)発明者 中村 久三 千葉県山武郡山武町横田523 日本真空 技術株式会社千葉超材料研究所内 (56)参考文献 特開 平２−54755（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−64450（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−227082（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 14/00 - 14/58 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (1)
- 【請求項１】 スパッタガスとしてＡｒ及びＨ 2 の混合
ガスを用い、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ系の酸化物ターゲットを用
いてスパッタ法により２００℃よりも高温の基板上にＩ
ｎ−Ｓｎ−Ｏ系の透明導電膜を形成することを特徴とす
る透明導電膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11288092A JP3298055B2 (ja) | 1992-05-01 | 1992-05-01 | 透明導電膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11288092A JP3298055B2 (ja) | 1992-05-01 | 1992-05-01 | 透明導電膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05306457A JPH05306457A (ja) | 1993-11-19 |
| JP3298055B2 true JP3298055B2 (ja) | 2002-07-02 |
Family
ID=14597843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11288092A Expired - Fee Related JP3298055B2 (ja) | 1992-05-01 | 1992-05-01 | 透明導電膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3298055B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001045182A1 (en) * | 1999-12-17 | 2001-06-21 | Institute Of Materials Research & Engineering | Improved transparent electrode material for quality enhancement of oled devices |
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