JP2011091063A - Ｏｌｅｄデバイスの性能を向上させるための改善された透明電極材料 - Google Patents

Abstract

【課題】ＯＬＥＤの用途の要件に適合する透明な導電性層を提供する。
【解決手段】デバイス領域を備えた基板；およびデバイス領域中のＯＬＥＤスタックからなる有機ＬＥＤ（ＯＬＥＤ）デバイスにおいて、このＯＬＥＤスタックが第１の電極として役立つ透明な導電性層、この場合この透明な導電性層は、少なくとも７×１０^２０ｃｍ^−３の高いキャリヤー濃度で達成された４×１０^−４Ωｃｍ以下の固有抵抗を有し、第２の電極として役立つ導電性層および第１の電極と第２の電極を分離する少なくとも１つの有機官能層を備えており、透明な導電性層が透明な導電性材料を基板上にアルゴン水素処理ガス混合物中でスパッタリングすることによって得られたものであり、透明な導電性層の表面が２ｎｍ未満のＲＭＳ表面荒さを有する。
【選択図】なし

Description

本発明は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイスに関する。よりいっそう詳述すれば、本発明は、ＯＬＥＤデバイスに使用するための改善された透明電極材料に関する。

ＯＬＥＤデバイスは、例えばディスプレー、例えばフラットパネルディスプレー（ＦＰＤｓ）を形成させるために使用される。ディスプレーは、多数の異なる製品、例えばポケットベル、携帯電話およびパーソナルオーガナイザー（personal organizers）に使用されている。典型的には、ＯＬＥＤは、２個の電極間に挟まれた１個以上の有機官能層を有する。電荷キャリヤーは、電極によって注入され、官能層中に再結合され、それによって可視放射を放つ。

複数の電極の中の１個は、放射を認めることができる、透明な導電性材料から形成されている。透明な導電性材料は、適当な性能を有するＯＬＥＤデバイスを製造するために、低い固有抵抗、光の高い透過率および適当な仕事関数を有するべきである。

ＯＬＥＤの用途に有用である透明な導電性材料は、可視光線の波長範囲内での高い透過率のためにインジウム−酸化錫（ＩＴＯ）である。ＩＴＯは、液晶ディスプレー（ＬＣＤ）の用途に通常使用されている。しかし、ＬＣＤ用途に使用されるＩＴＯの固有抵抗および仕事関数は、ＯＬＥＤ用途の要件に適合していない。これは、ＯＬＥＤデバイスにおいて低い性能をまねき、電池で作動される携帯の用途を非実用的なものにする。

また、ＬＣＤに使用されたＩＴＯ層の表面形態（荒さ）は、ＯＬＥＤの用途には不適当である。典型的に、ＬＣＤの用途には、ポリイミド被覆の付着を促進させるためにＩＴＯの表面を荒くすることが必要とされる。荒いＩＴＯ表面は、ＯＬＥＤにとって不利になりうる高い電界を生じる。例えば、高い電界は、短絡を誘発しうる。それというのも、電極は、約１００〜２００ｎｍ（有機官能層のスタックの通常の厚さ）の距離で分離されているにすぎないからである。

上記の論議から明らかなように、ＯＬＥＤの用途の要件に適合する透明な導電性層を提供することが望ましい。

本発明には、上記に記載されたような課題が課された。

本発明は、有機ＬＥＤ（ＯＬＥＤ）デバイスに関する。ＯＬＥＤデバイスは、基板のデバイス領域内にＯＬＥＤスタックを含む。ＯＬＥＤスタックは、少なくとも１つの有機官能層によって分離された第１の導電性電極と第２の導電性電極を有する。両電極の一方は、透明な導電性材料から形成されている。本発明によれば、透明な導電性材料は、高いキャリヤー濃度で達成される望ましい固有抵抗を有する。高いキャリヤー濃度で達成される望ましい固有抵抗を有する透明な導電性材料を提供することにより、デバイスの性能が改善されることが見い出された。１つの実施態様において、透明な導電性層のキャリヤー濃度は、少なくとも７×１０^２０ｃｍ^−３である。

本発明の１つの実施態様を示す略図。 本発明の１つの実施態様によるＯＬＥＤデバイスを製造するための１つの方法を示す略図。 本発明の１つの実施態様によるＯＬＥＤデバイスを製造するための１つの方法を示す略図。 本発明の１つの実施態様によるＯＬＥＤデバイスを製造するための１つの方法を示す略図。 本発明の１つの実施態様によるＯＬＥＤデバイスを製造するための１つの方法を示す略図。 本発明の１つの実施態様によるＯＬＥＤデバイスを製造するための１つの方法を示す略図。

本発明は、一般にＯＬＥＤデバイスに関する。殊に、本発明は、ＯＬＥＤデバイスの性能を向上させる透明な導電性材料を提供する。１つの実施態様において、透明な導電性材料は、インジウム−酸化錫（ＩＴＯ）を有する。透明な導電性材料の他の型、例えばインジウム−酸化亜鉛、酸化亜鉛、酸化錫は、有用である。

所定の固有抵抗に関連して、透明な導電性材料中の電荷キャリヤーの濃度は、ＯＬＥＤデバイスの性能に強い影響を与えうることが見い出された。透明な導電性材料中の電荷キャリヤーの濃度は、ＯＬＥＤデバイスの性能に直接的な関連を有している。１つの実施態様において、透明な導電性材料は、高い電荷キャリヤー濃度を有し、ＯＬＥＤデバイスの性能を改善する。好ましくは、透明な導電性材料は、できるだけ高い電荷キャリヤー濃度を有する。

図１は、本発明の１つの実施態様によるＯＬＥＤデバイス１００を示す。ＯＬＥＤデバイスは、基板１０１上に形成された第１の電極１０５と第２の電極１１５との間に１つ以上の有機官能層１１０を備えている。１つの実施態様において、基板は、透明な材料である。両電極は、例えば複数のＯＬＥＤセルを形成させるためにパターン化され、ピクセル化されたＯＬＥＤデバイスを形成させることができる。第１の電極と第２の電極に結合されている結合パッド１５０は、ＯＬＥＤセルへの電気接続を可能にするために備えられている。キャップ１６０は、デバイスをカプセル封入するために備えられている。

両電極の中の一方は、透明な導電性材料を有する。典型的に、例えば透明な基板１０１上にある第１の電極は、透明である。１つの実施態様において、透明な導電性材料は、ＩＴＯを有する。ＩＴＯ中の固有抵抗は、ＯＬＥＤの用途のための要件を満足させるのに十分な低さである。１つの実施態様において、ＩＴＯの固有抵抗は、約４×１０^−４Ωｃｍ以下である。固有抵抗は、材料のキャリヤー移動度およびキャリヤー濃度に関連している。

本発明によれば、ＩＴＯの望ましい固有抵抗は、高いキャリヤー濃度で達成される。１つの実施態様において、ＩＴＯのキャリヤー濃度は、少なくとも約７×１０^２０ｃｍ^−３である。高いキャリヤー濃度は、ＯＬＥＤデバイスにおける性能を改善することが見い出された。この結果、低い出力消費が生じ、携帯への適用のためにＯＬＥＤ用途をよりいっそう実行可能なものにする。

図２〜図６は、本発明の１つの実施態様によるＯＬＥＤデバイスの製造法を示す。図２に関連して、その上に単数または複数のセルが形成されている基板２０１が提供される。１つの実施態様において、透明な基板が提供される。基板は、通常、ソーダライムまたは硼珪酸塩ガラスを有する。基板として使用するために、ガラス材料の他の型が使用されてもよい。典型的に、基板は、約０．４〜１．１ｍｍの厚さである。また、よりいっそう薄手、例えば約２０〜３００μｍの基板の使用も可能である。

透明な導電性層２０５は、基板表面上に付着されている。１つの実施態様において、透明な導電性材料は、ＩＴＯを有する。他の透明な導電性材料、例えばインジウム−酸化錫、酸化亜鉛、酸化錫も有用である。ＩＴＯの厚さは、典型的には約４０〜４００ｎｍである。加工処理の問題は、ＩＴＯが厚すぎる場合に起こりうる。１つの実施態様において、ＩＴＯは、１５０ｎｍ以下の厚さである。好ましくは、ＩＴＯ層は、約１２０〜１５０ｎｍの厚さである。ＩＴＯの固有抵抗は、約４×１０^−４Ωｃｍ以下である。

１つの実施態様において、ＩＴＯ層は、例えば高周波マグネトロンスパッタリング工具を用いて基板上にスパッタリングされる。付着パラメーター、例えば温度、圧力、プロセスガス混合物および付着速度は、付着されたＩＴＯ層の固有抵抗が高いキャリヤー濃度で達成される程度に制御される。１つの実施態様において、ＩＴＯの電荷キャリヤー濃度は、少なくとも約７×１０^２０ｃｍ^−３である。好ましくは、ＩＴＯは、できるだけ高い電荷キャリヤー濃度を有する。高いキャリヤー濃度により正孔注入は改善され、エレクトロルミネセンス効率が増加する。

ＩＴＯは、例えばＩｎ_２Ｏ_３およびＳｎＯ_２を有する酸化ターゲットを用いてスパッタリングされる。ターゲット中のＩｎ_２Ｏ_３およびＳｎＯ_２の質量比は、約９：１である。また、ターゲットの他の組成および型が使用されてもよい。スパッタリング法の付着パラメーターは、次の通りである：
基板の温度：３００〜４００℃
加工処理圧：１０^−３〜１０^−５トル
加工処理ガス混合物：Ａｒ、Ｈ_２
付着速度：１〜１０ｎｍ／分；好ましくは１〜２ｎｍ／分
選択的な付着技術、例えば化学蒸着（ＣＶＤ）、プラズマ強化ＣＶＤまたはレーザー融蝕は、ＩＴＯ層の付着に有用であることができる。

付着されたＩＴＯ層は、良好な光学的特性および適当な仕事関数を有し、ＯＬＥＤの用途の要件を満足させる。１つの実施態様において、ＩＴＯは、８５％を上廻る可視光線波長の範囲内で光の透過率を有する。ＩＴＯの仕事関数は、その後に形成された有機官能層のイオン化電位に密接に適合している。１つの実施態様において、ＩＴＯは、約４．８〜５．２ｅＶの仕事関数を有する。

好ましくは、ＩＴＯの表面は、比較的に平滑であり、短絡をまねきうる電界の存在を減少させる。１つの実施態様において、ＩＴＯ表面の平方二乗平均（ＲＭＳ）荒さは、約２ｎｍ未満であり、強力な電界によって引き起こされる短絡の可能性を減少させる。

図３に関連して、導電性層２０５は、層の一部分を選択的に除去するのに望ましいようにパターン化され、基板の一部分３５６を露出させる。パターン化された導電性層は、例えばＯＬＥＤセルのための陽極として役立つ。１つの実施態様において、導電性層は、パターン化され、ピクセル化されたＯＬＥＤデバイスの陽極に役立つストリップを形成させる。また、パターン化法は、結合パッドのための接続を形成させてもよい。

１つ以上の官能性有機層３１０は、基板上に付着され、露出された基板部分および導電性層を被覆する。官能性有機層は、例えば共役ポリマーまたはＡｌｑ_３を有する。官能性有機層の他の型も有用である。有機相の厚さは、典型的に約２〜２００ｎｍである。

図４に関連して、有機層の一部分は、選択的に除去され、例えば結合パッドの接続のために、領域４７０で下層を露出させる。有機層の選択的な除去は、ポリッシング法によって達成されることができる。他の技術、例えばエッチング、引掻きまたはレーザー融蝕が使用されてもよく、有機層の一部分を選択的に除去することもできる。

図５に関連して、第２の導電性層５１５は、基板上に付着される。この導電性層は、例えばＣａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ａｇ、Ａｌまたはその混合物もしくはその合金を有する。他の導電性材料、特に低い仕事関数を有する導電性材料は、第２の導電性層を形成させるために使用されてもよい。１つの実施態様において、第２の導電性層は、パターン化され、ピクセル化されたＯＬＥＤデバイスのための陰極として役立つ電極ストリップを形成する。また、結合パッドのための接続は、パターン化処理の間に形成されることができる。

また、導電性層は、選択的に付着されることができ、陰極ストリップおよび結合パッドの接続を形成させる。導電性層の選択的な付着は、例えばマスク層を用いて達成されることができる。陰極ストリップは、典型的には陽極ストリップと交叉している。陽極ストリップに対して斜めとなっている陰極ストリップを形成させることも有用である。上面電極ストリップと底面電極ストリップとの交わりにより、有機ＬＥＤピクセルが形成される。

図６に関連して、キャップ６６０は、基板上に取り付けられ、デバイスをカプセル封入する。キャップ層は、例えば金属またはガラスを有する。活性成分を環境から保護する他の型のキャップ、例えばセラミック箔または金属箔も有用である。キャップ層の取付けのために種々の技術を使用することができる。１つの実施態様において、接着剤は、キャップ層の取付けのために使用される。接着剤、例えば自硬化接着剤、ＵＶ硬化性接着剤もしくは熱硬化性接着剤またはホットメルト接着剤は、有用である。また、低温ロウ材料を使用する端縁シールの技術、超音波結合またはインダクタンスもしくはレーザー溶接を用いる溶接技術も有用である。キャップは、取り付けた場合には、キャップとＯＬＥＤセルとの分離を提供するキャビティー６４５を形成する。結合パッド６５０は、ＯＬＥＤセルへの電気的アクセスを提供するために形成される。

試験
第１のＯＬＥＤデバイスを弗素を基礎とするポリマー有機官能性材料を用いて二次加工した。有機官能性材料を透明な導電性陽極と金属陰極との間に挟んだ。金属陰極は、２００ｎｍの厚さのＡｇ層によって被覆された５０ｎｍの厚さのＣａ層から形成されていた。透明な導電性陽極は、２．７×１０^−４Ωｃｍの固有抵抗および９×１０^２０ｃｍ^−３の電荷キャリヤー濃度を有するＩＴＯから形成されていた。

ＩＴＯをアルゴン水素混合物中での高周波マグネトロンスパッターを用いてガラス基板上に付着させた。９：１の質量比を有するＩｎ_２Ｏ_３およびＳｎＯ_２を用いて酸化されたターゲットを使用した。系のベース圧力は、約５．０×１０^−８トルであった。スパッタリングガス混合物の全圧力を、付着の間、３．０×１０^−３トルに調節した。水素分圧は、約７〜９×１０^−５トルであった。ＩＴＯを約３００〜４００℃の温度で付着させた。

第２のＯＬＥＤデバイスを二次加工した。第２のＯＬＥＤデバイスを第１のＯＬＥＤデバイスと同一であるが、しかし、ＩＴＯは、３．２×１０^−４Ωｃｍの固有抵抗および５×１０^２０ｃｍ^−３の電荷キャリヤー濃度を有していた。このＩＴＯフィルムをスパッタリング処理の間にアルゴンだけを用いて製造した。付着パラメーターの残りは、第１のＯＬＥＤデバイスの製造に使用されたパラメーターと同じものであった。

２個のＯＬＥＤデバイスの効率を比較するために、１つの試験を行なった。ＯＬＥＤ電流ならびに輝度を同時に監視しながら、線形バイアスランプをデバイスに印加した。デバイスの効率を輝度と電流密度を除することによって測定した。９×１０^２０ｃｍ^−３の高い電荷キャリヤー濃度を有する第１のデバイスは、４．１４ｃｄ／Ａの最大の効率を達成した。これは、５×１０^２０ｃｍ^−３の低い電荷キャリヤー濃度を有する第２のデバイスで達成される最大効率よりも１．５倍高かった。

本発明は、種々の実施態様に関連して詳細に示されかつ記載されたが、しかし、当業者であれば、本発明の精神および範囲を逸脱することなく本発明の変更および変法を作成することができることが認められるであろう。それ故、本発明の範囲は、上記記載に関連して定められるのではなく、等価の全範囲に沿って係属された請求項の記載に関連して定められるべきである。

１００ ＯＬＥＤデバイス、 １０１ 基板、 １０５ 第１の電極、 １１０ 有機官能層、 １１５ 第２の電極、 １５０ 結合パッド、 １６０ キャップ、 ２０１ 基板、 ２０５ 透明な導電性層、 ３１０ 官能性有機層、 ３５６ 基板の一部分、 ４７０ 領域、 ５１５ 第２の導電性層、 ６４５ キャビティー、 ６５０ 結合パッド、 ６６０ キャップ

Claims (32)

1. デバイス領域を備えた基板；および
   デバイス領域中のＯＬＥＤスタックからなる有機ＬＥＤ（ＯＬＥＤ）デバイスにおいて、このＯＬＥＤスタックが
   第１の電極として役立つ透明な導電性層、この場合この透明な導電性層は、少なくとも７×１０^２０ｃｍ^−３の高いキャリヤー濃度で達成された４×１０^−４Ωｃｍ以下の固有抵抗を有し、
   第２の電極として役立つ導電性層および
   第１の電極と第２の電極を分離する少なくとも１つの有機官能層を備えており、
   透明な導電性層が透明な導電性材料を基板上にアルゴン水素処理ガス混合物中でスパッタリングすることによって得られたものであり、
   透明な導電性層の表面が２ｎｍ未満のＲＭＳ表面荒さを有することを特徴とする、有機ＬＥＤ（ＯＬＥＤ）デバイス。
2. 透明な導電性層がインジウム−酸化錫を有する、請求項１記載のデバイス。
3. 透明な導電性層がインジウム−酸化錫、酸化亜鉛または酸化錫からなる群から選択された材料を有する、請求項１記載のデバイス。
4. 透明な導電性層が８５％を上廻る可視光線波長の範囲内の光の透過率を有する、請求項１から３までのいずれか１項に記載のデバイス。
5. 透明な導電性層が有機官能層のイオン化電位に密接に適合した仕事関数を有する、請求項１から３までのいずれか１項に記載のデバイス。
6. 透明な導電性層の表面が２ｎｍ未満のＲＭＳ表面荒さを有する、請求項１から４までのいずれか１項に記載のデバイス。
7. 透明な導電性層が８５％を上廻る可視光線波長の範囲内の光の透過率、有機官能層のイオン化電位に密接に適合した仕事関数、２ｎｍ未満のＲＭＳ表面荒さを有する、請求項１から３までのいずれか１項に記載のデバイス。
8. キャリヤー濃度が７×１０^２０ｃｍ^−３〜９×１０^２０ｃｍ^−３である、請求項１から３までのいずれか１項に記載のデバイス。
9. 透明な導電性層が８５％を上廻る可視光線波長の範囲内の光の透過率を有する、請求項８記載のデバイス。
10. 透明な導電性層が有機官能層のイオン化電位に密接に適合した仕事関数を有する、請求項８記載のデバイス。
11. 透明な導電性層が８５％を上廻る可視光線波長の範囲内の光の透過率、有機官能層のイオン化電位に密接に適合した仕事関数、２ｎｍ未満のＲＭＳ表面荒さを有する、請求項８記載のデバイス。
12. 透明な導電性層が４０〜４００ｎｍ、有利に１２０〜１５０ｎｍの厚さを有する、請求項１から３までのいずれか１項に記載のデバイス。
13. 第１の電極が陽極である、請求項１から１２までのいずれか１項に記載のデバイス。
14. 基板がガラスを有する、請求項１から１３までのいずれか１項に記載のデバイス。
15. デバイス領域を備えた基板；および
    デバイス領域中のＯＬＥＤスタックからなる有機ＬＥＤ（ＯＬＥＤ）デバイスにおいて、このＯＬＥＤスタックが
    第１の電極として役立つ透明な導電性層、この場合この透明な導電性層は、少なくとも７×１０^２０ｃｍ^−３の高いキャリヤー濃度で達成された４×１０^−４Ωｃｍ以下の固有抵抗を有し、
    第２の電極として役立つ導電性層および
    第１の電極と第２の電極を分離する少なくとも１つの有機官能層を備えており、
    透明な導電性層が透明な導電性材料を基板上にアルゴン水素処理ガス混合物中でスパッタリングすることによって得られたものであり、
    透明な導電性層が４．８〜５．２ｅＶの仕事関数を有することを特徴とする、有機ＬＥＤ（ＯＬＥＤ）デバイス。
16. デバイス領域を備えた基板；および
    デバイス領域中のＯＬＥＤスタックからなる有機ＬＥＤ（ＯＬＥＤ）デバイスにおいて、このＯＬＥＤスタックが
    第１の電極として役立つ透明な導電性層、この場合この透明な導電性層は、少なくとも７×１０^２０ｃｍ^−３の高いキャリヤー濃度で達成された４×１０^−４Ωｃｍ以下の固有抵抗を有し、
    第２の電極として役立つ導電性層および
    第１の電極と第２の電極を分離する少なくとも１つの有機官能層を備えており、
    透明な導電性層が透明な導電性材料を基板上にアルゴン水素処理ガス混合物中でスパッタリングすることによって得られたものであり、
    透明な導電性層の表面が２ｎｍ未満のＲＭＳ表面荒さを有し、
    透明な導電性層が４．８〜５．２ｅＶの仕事関数を有することを特徴とする、有機ＬＥＤ（ＯＬＥＤ）デバイス。
17. 基板を準備し；
    透明な導電性層を基板上にアルゴン水素処理ガス混合物中でスパッタリングすることにより、有機ＬＥＤ（ＯＬＥＤ）デバイスを製造する方法において、透明な導電性層が少なくとも７×１０^２０ｃｍ^−３の高いキャリヤー濃度で達成された４×１０^−４Ωｃｍ以下の固有抵抗を有し；
    基板を加工処理し、ＯＬＥＤデバイスを形成させ；
    透明な導電性層の表面が２ｎｍ未満のＲＭＳ表面荒さを有することを特徴とする、有機ＬＥＤ（ＯＬＥＤ）デバイスを製造する方法。
18. 加工処理により
    第１の電極として役立たせるために透明な導電性層を付着してパターン化し；
    官能性有機層を第１の電極上に付着し；
    導電性層を有機官能層上に付着し；
    導電性層をパターン化し、第２の電極を形成し、その際パターン化された第１の電極と第２の電極との間の官能性有機層は、ＯＬＥＤセルを形成し；
    キャップを基板上に取り付け、ＯＬＥＤデバイスをカプセル封入する、請求項１７記載の方法。
19. 透明な導電性層がインジウム−酸化錫を有する、請求項１７または１８記載の方法。
20. 透明な導電性層がインジウム−酸化錫、酸化亜鉛または酸化錫からなる群から選択された材料を有する、請求項１７または１８記載の方法。
21. 透明な導電性層が８５％を上廻る可視光線波長の範囲内の光の透過率を有する、請求項１７記載の方法。
22. 透明な導電性層が有機官能層のイオン化電位に密接に適合した仕事関数を有する、請求項１７記載の方法。
23. 透明な導電性層の表面が２ｎｍ未満のＲＭＳ表面荒さを有する、請求項１７記載の方法。
24. 透明な導電性層が８５％を上廻る可視光線波長の範囲内の光の透過率、有機官能層のイオン化電位に密接に適合した仕事関数、２ｎｍ未満のＲＭＳ表面荒さを有する、請求項１７記載の方法。
25. キャリヤー濃度が７×１０^２０ｃｍ^−３〜９×１０^２０ｃｍ^−３である、請求項１７から２０までのいずれか１項に記載の方法。
26. 透明な導電性層が４０〜４００ｎｍ、有利に１２０〜１５０ｎｍの厚さを有する、請求項１７から２０までのいずれか１項に記載の方法。
27. 第１の電極が陽極である、請求項１７から２６までのいずれか１項に記載のデバイス。
28. 透明な導電性層が４．８〜５．２ｅＶの仕事関数を有する、請求項１７から２７までのいずれか１項に記載のデバイス。
29. 基板がガラスを有する、請求項１７から２８までのいずれか１項に記載のデバイス。
30. 透明な導電性層のスパッタリングが３００〜４００℃の温度で実施される、請求項１７から２８までのいずれか１項に記載の方法。
31. 基板を準備し；
    透明な導電性層を基板上にアルゴン水素処理ガス混合物中でスパッタリングすることにより、有機ＬＥＤ（ＯＬＥＤ）デバイスを製造する方法において、透明な導電性層が少なくとも７×１０^２０ｃｍ^−３の高いキャリヤー濃度で達成された４×１０^−４Ωｃｍ以下の固有抵抗を有し；
    基板を加工処理し、ＯＬＥＤデバイスを形成させ；
    透明な導電性層が４．８〜５．２ｅＶの仕事関数を有することを特徴とする、有機ＬＥＤ（ＯＬＥＤ）デバイスを製造する方法。
32. 基板を準備し；
    透明な導電性層を基板上にアルゴン水素処理ガス混合物中でスパッタリングすることにより、有機ＬＥＤ（ＯＬＥＤ）デバイスを製造する方法において、透明な導電性層が少なくとも７×１０^２０ｃｍ^−３の高いキャリヤー濃度で達成された４×１０^−４Ωｃｍ以下の固有抵抗を有し；
    基板を加工処理し、ＯＬＥＤデバイスを形成させ；
    透明な導電性層の表面が２ｎｍ未満のＲＭＳ表面荒さを有し、
    透明な導電性層が４．８〜５．２ｅＶの仕事関数を有することを特徴とする、有機ＬＥＤ（ＯＬＥＤ）デバイスを製造する方法。

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