CN104576654A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

一个实施方式所涉及的显示装置具备形成在树脂层(10)表面上的基底绝缘层(11)、及隔着基底绝缘层而形成在树脂层表面的上方的薄膜晶体管。基底绝缘层(11)包括第一硅氧化膜(1)、形成在第一硅氧化膜的上方的硅氮化膜(2)及形成在硅氮化膜的上方的第二硅氧化膜(3)这三层层叠构造。

Description

显示装置
技术领域
本发明的实施方式涉及显示装置。
背景技术
有机电致发光(EL)显示装置、液晶显示装置等的平面显示装置发挥轻量、薄型、低消耗电力等的特长，而并利用在OA(Officeautomation：办公室自动化)设备、信息终端、钟表、电视接收器等各种领域中。尤其是使用了薄膜晶体管(TFT)的显示装置，因为其响应性强，多用作便携终端、计算机等显示较多信息的监视器。
近年来，在手机、PDA(personal digital assistant：个人数字助理)等的便携信息终端设备中，性能方面自不用说，从设计性、便携性等观点看，更薄并且更轻的显示装置的要求提高。例如，提出了实现了更进一步的薄型化构造的显示装置。作为实现薄型化以及轻量化的方法，已知有代替玻璃基板而利用由耐热性比较高的聚酰亚胺构成的树脂层、塑料基板的技术。在用聚酰亚胺形成树脂层时，将利用了聚酰亚胺的树脂层形成在玻璃基板上，在树脂层上形成了TFT等之后进行单元化，最后从玻璃基板将树脂层剥离。由此，能够形成上述树脂层。
专利文献
专利文献1：日本特开2005-202398号公报
发明内容
本发明的实施方式的目的在于，提供可挠性以及产品可靠性优秀的显示装置。
一个实施方式所涉及的显示装置具备：基底绝缘层，形成在树脂层表面上；以及薄膜晶体管，隔着所述基底绝缘层而形成在所述树脂层表面的上方，所述基底绝缘层包括第一硅氧化膜、形成在所述第一硅氧化膜的上方的硅氮化膜、及形成在所述硅氮化膜的上方的第二硅氧化膜这三层层叠构造。
附图说明
图1是对第一实施方式所涉及的显示装置进行概略地表示的剖视图。
图2是对上述显示装置的制造工序中的上述显示装置的一部分进行概略地表示的剖视图，是对在玻璃基板上层叠有树脂层、基底绝缘层以及a-Si层的状态进行表示的图。
图3是用表对第二实施方式所涉及的实施例1至4以及比较例1至3中的被评价物以及最小弯曲R进行表示的图。
图4是对上述第二实施方式所涉及的夹具进行表示的剖视图，是将树脂层、基底绝缘层以及a-Si层的层叠体一并表示的图。
图5是对第三实施方式所涉及的显示装置的一部分进行概略地表示的剖视图，是对玻璃基板、树脂层以及第一硅氧化膜进行表示的图。
具体实施方式
首先，对本发明的实施方式的基本构想进行说明。
显示装置是在玻璃基板或树脂层的上方形成TFT(薄膜晶体管)等而形成的。在玻璃基板或树脂层与TFT之间设置有内涂层。内涂层用于防止TFT的污染(杂质从玻璃基板或树脂层向TFT扩散)。此外，内涂层是基底绝缘层，与TFT电隔离。
例如，在利用玻璃基板形成显示装置并利用Si(硅)形成TFT的情况下，例如内涂层形成在玻璃基板上，TFT隔着内涂层而形成在玻璃基板的上方。内涂层包括2层层叠构造，具有SiNX膜(硅氮化膜)和SiO2膜(硅氧化膜)。SiNX膜形成在玻璃基板上，SiO2膜形成在SiNX膜上。SiNX以及SiO2是无机材料，因此例如SiNX膜以及SiO2膜利用等离子体CVD(chemical vapor deposition：化学气相沉淀)法而形成。
在此，示出SiNX膜的特长和缺点。
特长：离子阻塞性优秀，因此能够防止TFT的污染。
缺点：在SiNX膜的正上方形成有Si层的情况下，有时对TFT的电气特性造成不良影响以及TFT难以作为开关元件使用。这是由于，在将Si层多晶化时，SiNX膜的构成要素的氮原子(过量氮)被供给至Si层中。上述的情况与N型掺杂剂有相同的作用，因此使Si层具有并不希望的排出电子的功能。换言之，在Si层中，氮原子作为施主而起作用，在不希望电流流通时，容易使电流流通。进一步换言之，在应当使Si层的沟道区域为高阻抗的状況下，在沟道区域流动的漏电流增大。
接下来，示出SiO2膜的特长和缺点。
特长1：与Si层的亲和性优秀。
特长2：杂质掺杂时的影响较小。
特长3：能够防止从SiNX膜向Si层中供给氮原子(过量氮)。
缺点：缺乏对于防止TFT的污染的贡献。
接下来，对在玻璃基板上用于形成内涂层和利用了p-Si(多晶硅)的TFT的制造方法进行说明。
在此情况下，内涂层和a-Si(非晶硅)层大多采用同一机会。例如，在玻璃基板的温度为400℃左右的同一CVD反应室内，仅通过供给气体的切换而在玻璃基板上连续地依次形成SiNX膜、SiO2膜以及a-Si层这三层。SiNX膜通过SiH4气体与NH3气体的混合气体的等离子体分解而形成在玻璃基板上。SiO2膜通过SiH4气体与N2O气体的混合气体的等离子体分解而形成在SiNX膜上。a-Si层通过SiH4气体的等离子体分解而形成在SiO2膜上。以下，进行通常的利用低温p-Si的TFT的制造工序。
如上所述，在玻璃基板上方形成TFT的情况下，通过以SiNX膜以及SiO2膜这二层形成内涂层，能够获得产品可靠性优秀的显示装置。
但是，显示装置中的、作为玻璃基板的替代品而具备以可挠性优秀的材料形成的基板的显示装置的开发正在进展。这是由于想要获得产品可靠性优秀并且可挠性优秀的(不易破碎)显示装置。除此以外，还由于不同于具备玻璃基板的显示装置而具有不制约商品的设计等的优点。
作为可挠性优秀的基板的制作方法，有下面举出的大致二种。
(1)作为玻璃基板的替代品而使用塑料基板(树脂基板)。
(2)在玻璃基板上形成树脂层(例如，利用了聚酰亚胺的树脂层)，并从玻璃基板上将树脂层剥离。由此，将上述树脂层用作玻璃基板的替代品。
此外，在利用塑料基板或树脂层形成显示装置的情况下，为了防止TFT的污染，内涂层形成在塑料基板或树脂层上。TFT隔着内涂层而形成在塑料基板或树脂层的上方。此外，在此情况下，考虑以SiNX膜以及SiO2膜这二层形成内涂层。SiNX膜形成在树脂层表面(塑料基板表面或树脂层表面)上，SiO2膜形成在SiNX膜上。
然而，如上所述在树脂层表面上形成了SiNX膜的情况下，会产生树脂层(尤其是树脂层表面)变质的课题。在此，所谓的上述变质，是指树脂层固化，树脂层失去可挠性(柔软性)。若树脂层变质，则树脂层变脆，容易发生破碎(脆性破坏)。为此，即使将玻璃换成树脂来形成显示装置，也难以获得可挠性优秀的显示装置。
这是由于，在形成SiNX膜时，达到了400℃左右的高温的树脂层表面被暴露于还原性高的NH3气体中。另外，即使不使用NH3气体来形成SiNX膜，也会变为树脂层(树脂层表面)发生变质的结果。例如，即使通过SiH4气体与N2气体的混合气体的等离子体分解来形成SiNX膜，树脂层(树脂层表面)也发生变质。除此之外，即使通过仅SiH4气体的等离子体分解形成a-Si膜，树脂层(树脂层表面)也发生变质。根据上述情况可知，若树脂层(树脂层表面)暴露于还原性的气氛时，树脂层(树脂层表面)将发生变质。
如根据上述情况所知那样，通过如上所述的内涂层(基底绝缘层)的形成方法难以获得可挠性优秀的显示装置。
为了解决该问题，在本发明的实施方式中能够获得可挠性以及产品可靠性优秀的显示装置。接下来，对用于解决上述问题的手段以及方法进行说明。
以下，参照附图对第一实施方式所涉及的显示装置进行详细地说明。在本实施方式中，作为片状的显示装置的一例，对有机EL显示装置进行说明。
另外，公开的只不过是一个例子，关于本领域技术人员容易想到的保证发明的主旨的适当变更，当然也包含于本发明的范围。此外，附图使说明更明确，因此存在与实际的形态相比，示意性地表示各部的宽度、厚度、形状等的情况，但只不过是一个例子，并不对本发明的解释进行限定。此外，在本说明书和各图中，对于与对现有的图已表述过的要素同样的要素，有时标注同一符号，并适当省略详细的说明。
如图1所示，有机EL显示装置DA采用有源矩阵驱动方式，具备阵列基板AR和对置基板CT。阵列基板AR使用树脂层10而形成。阵列基板AR在树脂层10的内表面10A侧具备开关元件SW1至SW3、有机EL元件OLED1至OLED3等。
树脂层10是绝缘层，例如通过以聚酰亚胺(PI)为主成分的材料形成。该树脂层10例如具有5至30μm的厚度。作为形成树脂层10的材料，除了聚酰亚胺以外，优选使用聚酰胺酰亚胺、聚酰胺(polyaramid)等富于耐热性的材料。
树脂层10的内表面10A被作为第一绝缘膜的基底绝缘层11所覆盖。即，基底绝缘层11是内涂层，形成在树脂层10的表面上。基底绝缘层11作为对来自树脂层10的离子性的杂质的浸入、经由树脂层10的水分等的浸入进行抑制的内表面阻挡膜而发挥功能。这种基底绝缘层11通过无机类材料形成，例如通过SiNX膜(硅氮化膜)与SiO2膜(硅氧化膜)的层叠体来形成。基底绝缘层11也可以形成为还具有SiON膜(硅氧氮化膜)。另外，关于基底绝缘层11的详细的说明，在后面叙述。
开关元件SW1至SW3形成在基底绝缘层11之上。即，开关元件SW1至SW3隔着基底绝缘层11而形成在树脂层表面的上方。这些开关元件SW1至SW3分别是具备作为活性层的半导体层SC的TFT(薄膜晶体管)。半导体层SC的厚度例如是50nm。开关元件SW1至SW3都是相同构造，但在此着眼于开关元件SW1而对其构造进行更具体地说明。
开关元件SW1是顶栅(top gate)型，但这是一个例子，并不排除底栅型的构成。但是，在顶栅型中，半导体层、尤其是成为沟道区域的部分直接与基底绝缘膜11接触，所以本实施方式示出的基底绝缘层11的构成更优选。在该实施方式中，半导体层SC以p-Si形成。但是，半导体层SC也能够以p-Si以外的材料形成，也可以以a-Si、或通过包含铟(In)、钙(Ga)、锌(Zn)中至少一种的氧化物而形成的氧化物半导体来形成。氧化物半导体与a-Si、p-Si相比，能够以低温工艺形成。尤其是，IGZO等的氧化物半导体也能够原封不动地使用对具备a-Si半导体层的TFT进行制造的制造装置，因此即使在抑制制造设备的投资成本的点上也是优选的。
半导体层SC形成在基底绝缘层11之上，并被第二绝缘膜12所覆盖。第二绝缘膜12是栅极绝缘膜，还配置在基底绝缘层11之上。在第二绝缘膜12之上，形成有开关元件SW1的栅极电极WG。栅极电极WG被第三绝缘膜13所覆盖。第三绝缘膜13还配置在第二绝缘膜12之上。
在第三绝缘膜13之上，形成有开关元件SW1的源极电极WS以及漏极电极WD。源极电极WS以及漏极电极WD分别与半导体层SC接触。上述源极电极WS以及漏极电极WD被第四绝缘膜14覆盖。第四绝缘膜14还配置在第三绝缘膜13之上。
有机EL元件OLED1至OLED3形成在第四绝缘膜14之上。在图示的例子中，有机EL元件OLED1与开关元件SW1电连接，有机EL元件OLED2与开关元件SW2电连接，有机EL元件OLED3与开关元件SW3电连接。
上述有机EL元件OLED1至OLED3的发光色都是白色。此外，有机EL元件OLED1至OLED3都构成为朝向对置基板CT侧放射光的顶部发光型。这种有机EL元件OLED1至OLED3都是相同构造。
有机EL元件OLED1具备形成在第四绝缘膜14之上的阳极PE1。该阳极PE1与开关元件SW1的漏极电极WD接触，并与开关元件SW1电连接。同样地，有机EL元件OLED2具备与开关元件SW2电连接的阳极PE2，有机EL元件OLED3具备与开关元件SW3电连接的阳极PE3。上述阳极PE1至PE3既可以通过例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等的透明的导电材料形成，也可以通过铝(Al)、镁(Mg)、银(Ag)、钛(Ti)、或它们的合金等的金属材料或者层叠材料而形成。顶部发光型的情况下，希望阳极PE1至PE3通过反射性强的金属材料形成。
有机EL元件OLED1至OLED3还具备有机发光层ORG以及阴极CE。有机发光层ORG分别位于阳极PE1至PE3之上。此外，有机发光层ORG遍布有机EL元件OLED1至OLED3而无中断地连续地形成。阴极CE位于有机发光层ORG之上。此外，阴极CE遍布有机EL元件OLED1至OLED3而无中断地连续地形成。这种阴极CE例如通过ITO、IZO等的透明的导电材料形成。
也就是说，有机EL元件OLED1通过阳极PE1、有机发光层ORG以及阴极CE而构成。同样地，有机EL元件OLED2通过阳极PE2、有机发光层ORG以及阴极CE而构成，此外，有机EL元件OLED3通过阳极PE3、有机发光层ORG以及阴极CE而构成。
另外，在有机EL元件OLED1至OLED3中，在阳极PE1至PE3各自与有机发光层ORG之间，还可以夹着空穴注入层或空穴输送层，此外，在有机发光层ORG与阴极CE之间，还可以夹着电子注入层或电子输送层。
有机EL元件OLED1至OLED3分别通过肋15而划分。肋15形成在第四绝缘膜14之上，覆盖阳极PE1至PE3的各自的边缘。另外，关于该肋15，并未详述，但例如在第四绝缘膜14之上形成为栅格状或者条纹状。这种肋15被有机发光层ORG所覆盖。也就是说，有机发光层ORG不仅存在于阳极PE1至PE3之上，还延伸到肋15之上。
对置基板CT使用透明的树脂层30而形成。对置基板CT在树脂层30的内表面30A侧具备第一滤色器31、第二滤色器32以及第三滤色器33等。
树脂层30是透明的绝缘层，例如通过以聚酰亚胺(PI)为主成分的材料而形成。该树脂层30例如具有5至30μm的厚度。作为形成树脂层30的材料，能够应用与树脂层10同样的材料。尤其是，该树脂层30透射从顶部发光型的有机EL元件OLED1至OLED3出射的光，因此希望以透明性强的材料形成。
第一滤色器31与有机EL元件OLED1对置，将白色中的蓝色波长的光透射。第二滤色器32与有机EL元件OLED2对置，将白色中的绿色波长的光透射。第三滤色器33与有机EL元件OLED3对置，将白色中的红色波长的光透射。第一滤色器31与第二滤色器32的边界、第二滤色器32与第三滤色器33的边界、以及第一滤色器31与第三滤色器33的边界位于肋15的上方。
这种阵列基板AR与对置基板CT通过透明的粘接剂40而粘接。也就是说，在有机EL元件OLED1与第一滤色器31之间、有机EL元件OLED2与第二滤色器32之间以及有机EL元件OLED3与第三滤色器33之间，分别夹着粘接剂40。另外，也可以在阴极与粘接剂40之间配置用于将有机EL元件OLED1至OLED3从水分、氧、氢等的污染物质中进行保护的阻挡膜(密封膜)。
根据这种有机EL显示装置DA，在有机EL元件OLED1至OLED3分别发光时，各自的放射光(白色光)经由第一滤色器31、第二滤色器32或者第三滤色器33的任一滤色器而向外部出射。此时，从有机EL元件OLED1放射出的白色光中的、蓝色波长的光将第一滤色器31透射。此外，从有机EL元件OLED2放射出的白色光中的、绿色波长的光将第二滤色器32透射。此外，从有机EL元件OLED3放射出的白色光中的、红色波长的光将第三滤色器33透射。由此，实现彩色显示。
接下来，对基底绝缘层11进行详细地说明。
如图2所示，基底绝缘层11形成在树脂层10的表面上。基底绝缘层11包括第一硅氧化膜1、硅氮化膜2、第二硅氧化膜3这三层层叠构造。在该实施方式中，基底绝缘层11仅以上述3层形成。
第一硅氧化膜1利用SiO2，并形成在树脂层10的表面上。由此，在基底绝缘层11中，与树脂层10接触的层是第一硅氧化膜1。第一硅氧化膜1的厚度是例如50nm。
硅氮化膜2利用SiNX，并形成在第一硅氧化膜1的上方。在该实施方式中，硅氮化膜2形成在第一硅氧化膜1上。硅氮化膜2的厚度是例如50nm。
第二硅氧化膜3利用SiO2，并形成在硅氮化膜2的上方。在该实施方式中，第二硅氧化膜3形成在硅氮化膜2上。由此，在基底绝缘层11中，与作为上述开关元件(TFT)的活性层的半导体层SC接触的层是第二硅氧化膜3。第二硅氧化膜3的厚度是例如300nm。
接下来，对本实施方式所涉及的有机EL显示装置DA的制造方法的一例进行说明。
如图2所示，首先，准备作为支承基板的玻璃基板100。接下来，将玻璃基板100洗净(刷子洗净)。接下来，使用缝隙涂料器等的成膜装置将漆状的组合物即聚酰亚胺前驱体化合物在玻璃基板100上涂敷(缝隙涂敷)5至30μm的厚度后，以480℃进行1小时的加热处理来使之固化，形成树脂层10。
之后，向平行平板的等离子体CVD装置的反应室内搬入形成有树脂层10的玻璃基板100。然后，在玻璃基板100的温度达到400℃左右的状态下，边切换对反应室内的供给气体，边在玻璃基板100上连续地并依次地形成具有50nm的厚度的第一硅氧化膜1、具有50nm的厚度的硅氮化膜2、具有300nm的厚度的第二硅氧化膜3以及具有50nm的厚度的a-Si层5这四层。
第一硅氧化膜1通过SiH4气体与N2O气体的混合气体的等离子体分解而形成在树脂层10上。硅氮化膜2通过SiH4气体与NH3气体的混合气体的等离子体分解而形成在第一硅氧化膜1上。第二硅氧化膜3通过SiH4气体与N2O气体的混合气体的等离子体分解而形成在硅氮化膜2上。a-Si层5通过SiH4气体的等离子体分解而形成在第二硅氧化膜3上。
根据上述情况可知，通过使SiH4气体持续流动并更换副气体，能够使上述四层连续地成膜。由此，能够在几乎不增加生成节拍时间(takt time)的情况下进行基底绝缘层11(基底绝缘层11以及a-Si层5)的成膜。
之后，对a-Si层5进行图案化，并对图案化后的a-Si实施激光等的照射，使a-Si多晶化。另外，a-Si层5中的氢量较少的情况由于不会发生突沸等，因此是合适的。通常，成膜后的热工序将氢排出到a-Si层5外。若考虑节拍时间，则初始氢量较少为好。由此，希望在尽可能的高温下进行a-Si层5的成膜。
如图1以及图2所示，以后，利用形成在基底绝缘层11上的p-Si，经过通常的利用低温p-Si的TFT的制造工序，在基底绝缘层11上形成开关元件SW1至SW3。此外，在基底绝缘层11上，不仅形成上述开关元件，还形成第二绝缘膜12、第三绝缘膜13及第四绝缘膜14等，同时还形成各种布线。
然后，在第四绝缘膜14之上形成有机EL元件OLED1至OLED3。即，在第四绝缘膜14之上，在形成了阳极PE1至PE3后形成肋15，并依次形成有机发光层ORG以及阴极CE。根据需要，在有机EL元件OLED1至OLED3之上形成密封膜。
另一方面，虽未图示，但作为支承基板，准备上述玻璃基板100之外的玻璃基板。接下来，将玻璃基板洗净。接下来，使用缝隙涂料器等的成膜装置将漆状的组成物即聚酰亚胺前驱体化合物在玻璃基板上涂敷5至30μm的厚度之后，通过加热处理使之固化，形成树脂层30。
接下来，在树脂层30之上，形成第一滤色器31、第二滤色器32以及第三滤色器33。之后，在第一至第三滤色器31至33的表面涂敷粘接剂40。
接下来，将玻璃基板100与形成有第一至第三滤色器31至33的玻璃基板贴合。即，通过粘接剂40将有机EL元件OLED1至OLED3所处一侧即阵列基板AR的表面与第一至第三滤色器31至33所处一侧即对置基板CT的表面粘接。
之后，从树脂层10剥离玻璃基板100，从树脂层30剥离另一个玻璃基板，将2块玻璃基板去除。
由此，制造出本实施方式所涉及的有机EL显示装置DA。
根据如上所述构成的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置DA，有机EL显示装置DA具备：形成在树脂层10表面上的基底绝缘层11、以及隔着基底绝缘层11而形成在树脂层10表面的上方的开关元件SW1至SW3。
基底绝缘层11具有第一硅氧化膜1。第一硅氧化膜1在基底绝缘层11中与树脂层10接触。在形成第一硅氧化膜1时，对反应室内供给包含N2O气体的混合气体，因此达到400℃左右的高温的树脂层10的表面不易暴露于还原性的气氛中。由此，能够降低树脂层10(尤其是树脂层10的表面)的变质，能够维持树脂层10的可挠性。
基底绝缘层11具有形成在第一硅氧化膜1的上方的硅氮化膜2。在形成硅氮化膜2时，树脂层10被第一硅氧化膜1覆盖，因此能够维持树脂层10的可挠性。硅氮化膜2的离子阻塞性优秀，因此能够防止开关元件SW1至SW3(半导体层SC)的污染。
基底绝缘层11具有形成在硅氮化膜2的上方的第二硅氧化膜3。第二硅氧化膜3在基底绝缘层11中与开关元件SW1至SW3的活性层(半导体层SC)接触。半导体层SC不是设置在硅氮化膜2的正上方，而是隔着第二硅氧化膜3设置在硅氮化膜2的上方。第二硅氧化膜3能够防止从硅氮化膜2向半导体层SC中供给氮原子(过量氮)。由此，能够避免对开关元件SW1至SW3(半导体层SC)的电气特性造成不良影响。
根据上述情况可知，能够获得可挠性以及产品可靠性优秀的有机EL显示装置DA。
接下来，对第二实施方式所涉及的显示装置进行说明。在本实施方式中，对与上述的第一实施方式相同的功能部分标注同一符号，其详细的说明省略。
如图3以及图2所示，在该实施方式中，对实施例1至4的有机EL显示装置DA进行说明。
(实施例1)
实施例1的有机EL显示装置DA与上述第一实施方式所涉及的有机EL显示装置DA同样地形成。另外，第一硅氧化膜1的厚度是50nm。
(实施例2)
实施例2的有机EL显示装置DA除了第一硅氧化膜1的厚度以外，与上述第一实施方式所涉及的有机EL显示装置DA同样地形成。另外，第一硅氧化膜1的厚度是10nm。
(实施例3)
实施例3的有机EL显示装置DA除了第一硅氧化膜1的厚度以外，与上述第一实施方式所涉及的有机EL显示装置DA同样地形成。另外，第一硅氧化膜1的厚度是30nm。
(实施例4)
实施例4的有机EL显示装置DA除了第一硅氧化膜1的厚度以外，与上述第一实施方式所涉及的有机EL显示装置DA同样地形成。另外，第一硅氧化膜1的厚度是100nm。
接下来，对实施例1至4的有机EL显示装置DA的可挠性进行评价。在该实施方式中，上述可挠性的评价在制造有机EL显示装置DA达到中途(a-Si层5的成膜)的阶段进行。这是由于，只要制造工序进行到上述阶段，上述可挠性的评价就是充分的。此外，为了与实施例1至4的有机EL显示装置DA的可挠性进行比较，也对比较例1至3的有机EL显示装置的可挠性进行了评价。
在实施例1至4中，在玻璃基板100上形成了树脂层10、基底绝缘层11以及a-Si层5的层叠体的时刻，从树脂层10将玻璃基板100剥离，对取出的层叠体的可挠性进行了评价。
在比较例1中，在玻璃基板100上形成了上述的第一实施方式所涉及的树脂层10的时刻，从树脂层10将玻璃基板100剥离，仅对取出的树脂层10的可挠性进行了评价。
在比较例2中，在玻璃基板100上形成了上述的第一实施方式所涉及的树脂层10以及第二硅氧化膜3的层叠体的时刻，从树脂层10将玻璃基板100剥离，对取出的层叠体的可挠性进行了评价。另外，比较例2的层叠体形成为无第一硅氧化膜1以及硅氮化膜2。
在比较例3中，在玻璃基板100上形成了上述的第一实施方式所涉及的树脂层10、硅氮化膜2、第二硅氧化膜3以及a-Si层5的层叠体的时刻，从树脂层10将玻璃基板100剥离，对取出的层叠体的可挠性进行了评价。另外，比较例3的层叠体形成为无第一硅氧化膜1。
接下来，对上述层叠体等的被评价物的评价中使用的夹具进行说明。
如图4所示，夹具200具备一对棒201、202。棒201、202隔开规定的间隔而平行地设置。棒201、202的剖面形状是圆(正圆)。棒201、202的间隔能够调整，能够调整成将上述被评价物固定的状态或调整成能够使上述被评价物在棒201、202之间通过的状态。此外，作为棒201、202，能够将直径不同的多种棒替换而使用。在此，设棒201、202的直径为2R。
在使用图4所示的夹具200来对被评价物的可挠性进行评价时，使被评价物在棒201、202之间通过，并用棒201、202夹着并固定被评价物。然后，将被评价物弯曲180°，将被评价物未塑性变形时的被评价物的最小的弯曲半径(bend radius)定义为最小弯曲R。然后，基于最小弯曲R的值，对被评价物的可挠性进行评价。
此外，在评价(测量)最小弯曲R时，以图的朝向，向上方向或下方向施加初始应力F等而进行。在评价朝下的最小弯曲R时，向下方向施加初始应力F等，而使被评价物与棒201的半圈密接，由此能够使被评价物向下方向弯曲180°。同样地，在评价朝上的最小弯曲R时，向上方向施加初始应力F等，使被评价物与棒202的半圈密接，由此能够使被评价物向上方向弯曲180°。此时，通过逐渐减小棒201、202的直径并对被评价物中有无塑性变形进行评价(调查)，由此能够求出最小弯曲R。
如图3所示，实施例1至4的层叠体的各自的最小弯曲R在朝下以及朝上的情况下都至少是2mm。由此，可知实施例1至4的层叠体的可挠性都优秀。
此外，比较例1的树脂层10以及比较例2的层叠体的各自的最小弯曲R在朝下以及朝上的情况下都至少是2mm。由此，可知比较例1的树脂层10以及比较例2的层叠体的可挠性都优秀。
然而，在比较例3的层叠体中，朝下的最小弯曲R是25mm，朝上的最小弯曲R是30mm。由此，可知比较例3的层叠体可挠性丧失。此外，与朝下的最小弯曲R相比，朝上的最小弯曲R是更大的值，由此可知主要原因是，树脂层10(尤其是树脂层10的表面)发生变质，树脂层10的可挠性丧失。
根据如上所述构成的第二实施方式所涉及的有机EL显示装置DA，有机EL显示装置DA具备形成在树脂层10表面上的基底绝缘层11、以及开关元件SW1至SW3。基底绝缘层11具有第一硅氧化膜1、硅氮化膜2以及第二硅氧化膜3。
不限于第一硅氧化膜1的厚度是50nm的情况，即使是上述厚度为10nm、30nm以及100nm的某一个的情况，也能够维持树脂层10的可挠性。为此，为了维持树脂层10(有机EL显示装置DA)的可挠性，优选第一硅氧化膜1的厚度为10nm以上100nm以下。
另外，为了维持树脂层10(有机EL显示装置DA)的可挠性，第一硅氧化膜1的厚度也可以超过100nm。但是，如果增厚第一硅氧化膜1，则导致成膜的长期化，结果丧失了厚度的均匀性。
另外，在第二实施方式中，能够获得与上述第一实施方式获得的效果同样的效果。
根据上述情况可知，能够获得可挠性以及产品可靠性优秀的有机EL显示装置DA。
接下来，对第三实施方式所涉及的显示装置进行说明。在本实施方式中，对与上述的第一实施方式相同的功能部分标注同一符号，其详细的说明省略。
如图5所示，有机EL显示装置DA与上述的第一实施方式同样地形成。制造有机EL显示装置DA时，第一硅氧化膜1形成为完全覆盖树脂层10。另外，虽未图示，但不仅仅是第一硅氧化膜1，第一硅氧化膜1、硅氮化膜2以及第二硅氧化膜3全部形成为完全覆盖树脂层10。第一硅氧化膜1的周缘部位于玻璃基板100上，并粘接于玻璃基板100。以第一硅氧化膜1的外周缘与玻璃基板100的外周缘隔开规定的间隔(例如，数mm)的方式，第一硅氧化膜1被设置在玻璃基板100上。
根据如上所述构成的第三实施方式所涉及的有机EL显示装置DA，有机EL显示装置DA具备形成在树脂层10表面上的基底绝缘层11、以及开关元件SW1至SW3。基底绝缘层11具有第一硅氧化膜1、硅氮化膜2以及第二硅氧化膜3。第三实施方式所涉及的有机EL显示装置DA与上述的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置DA同样地形成。为此，在第三实施方式中，能够获得与上述第一实施方式获得的效果同样的效果。
第一硅氧化膜1形成为完全覆盖树脂层10。为此，在树脂层10的周缘部也能够降低变质。
第一硅氧化膜1的周缘部位于玻璃基板100上。SiO2与玻璃的密接性优秀。为此，能够降低树脂层10在制造工序中从玻璃基板100不期望的剥离。
第一硅氧化膜1形成为其外周缘与玻璃基板100的外周缘隔开规定的间隔。为此，能够减少在使第一硅氧化膜1等形成到玻璃基板100的外周缘或其附近的情况下容易产生的第一硅氧化膜1等的剥离物(尘埃)的产生。
根据上述情况，能够获得可挠性以及产品可靠性优秀的有机EL显示装置DA。
对本发明的几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子而提示的，意图不在于限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他各种方式实施，在不脱离发明的主旨的范围，能够进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形包含于发明的范围及主旨，并且包含于权利要求书记载的发明及其等同的范围
例如，第二硅氧化膜3的厚度并不限定于300nm，能够进行各种变形。为了避免对开关元件SW1至SW3(半导体层SC)的电气特性造成不良影响，优选第二硅氧化膜3的厚度为100nm以上且500nm以下。此外，对第二硅氧化膜3照射激光或加热。根据上述情况，第二硅氧化膜3的厚度优选也为100nm以上。
另外，第二硅氧化膜3的厚度也可以小于100nm。但是，使第二硅氧化膜3越薄，则越容易对开关元件SW1至SW3(半导体层SC)的电气特性带来不良影响。
此外，第二硅氧化膜3的厚度也可以超过500nm。但是，使第二硅氧化膜3越厚，则越导致成膜的长期化，结果丧失厚度的均匀性。
基底绝缘层11如果包括与树脂层10接触的第一硅氧化膜1、形成在第一硅氧化膜1的上方的硅氮化膜2及形成在硅氮化膜2的上方的与开关元件SW1至SW3的活性层(半导体层SC)接触的第二硅氧化膜3这三层层叠构造，则能够获得上述的效果。为此，基底绝缘层11也可以不是连续地层叠上述三层而形成。例如，基底绝缘层11也可以由第一硅氧化膜1、形成在第一硅氧化膜1上的硅氮化膜2、形成在硅氮化膜2上的适当的其他的膜(例如，硅氮氧化膜)、及形成在上述适当的其他的膜上的第二硅氧化膜3而形成。
基底绝缘层11只要形成在树脂层10的表面上等、树脂层表面上即可。例如，有机EL显示装置DA也可以还具备玻璃基板100。在此情况下，只要在不从玻璃基板100将树脂层10剥离的情况下形成有机EL显示装置DA即可。另外，有机EL显示装置DA也可以具备代替树脂层10的塑料基板(树脂基板)。在此情况下，基底绝缘层11只要形成在塑料基板的表面上即可。
半导体层SC也可以用p-Si以外的半导体材料形成。例如，半导体层SC也可以用a-Si形成。
有机EL元件OLED1至OLED3的发光色并不限定于白色，例如也可以是红色、绿色、蓝色。在此情况下，有机EL显示装置DA能够在无第一滤色器31、第二滤色器32以及第三滤色器33的情况下发出(显示)红色、绿色、蓝色的光。
本发明的实施方式并不限定于对上述的有机EL显示装置DA的应用，也能够应用在其他的有机EL显示装置(例如，底部发光型有机EL显示装置、通过分开涂敷RGB各自的发光层而形成的有机EL装置)、有机EL显示装置以外的显示装置(例如，使用了液晶元件、电泳元件的显示装置)。例如，作为自发光元件，并不限定于二极管(有机EL二极管)，也能够利用能够自发光的各种显示元件。此外，不言而喻，从中小型的显示装置到大型的显示装置，在无特别限定的情况下都能够应用上述的实施方式。

Claims (6)

1.一种显示装置，其特征在于，具备：
基底绝缘，形成在树脂层表面上；以及
薄膜晶体管，隔着所述基底绝缘层而形成在所述树脂层表面的上方，
所述基底绝缘层包括第一硅氧化膜、形成在所述第一硅氧化膜的上方的硅氮化膜、及形成在所述硅氮化膜的上方的第二硅氧化膜这三层的层叠构造。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
在所述基底绝缘层中，与所述树脂层接触的层是所述第一硅氧化膜。
3.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
在所述基底绝缘层中，与所述薄膜晶体管的活性层接触的层是所述第二硅氧化膜。
4.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述薄膜晶体管的活性层由多晶硅形成。
5.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第一硅氧化膜的厚度为10nm以上且100nm以下。
6.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第二硅氧化膜的厚度为100nm以上且500nm以下。
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