CN108878677B - 显示面板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示面板和显示装置。显示面板，其特征在于，包括封胶区和封胶区包围的显示区域：阵列基板，包括位于封胶区的低温多晶硅层；显示层，位于阵列基板之上，显示层的显示区域包括多个发光器件；封装胶，位于封胶区，且包围显示层；封装盖板，位于显示层远离阵列基板一侧，封装盖板通过封装胶与阵列基板粘结固定；在封胶区，至少部分低温多晶硅层与封装胶粘结固定。本发明能够有效防止封装胶从阵列基板剥离导致封装盖板与阵列基板剥离，本发明能够保证封装品质，保证显示面板性能可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，更具体地，涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
现有的显示装置技术中，显示面板主要分为液晶显示面板和有机自发光显示面板两种主流的技术。其中，液晶显示面板通过在像素电极和公共电极上施加电压，形成能够控制液晶分子偏转的电场，进而控制光线的透过实现显示面板的显示功能；有机自发光显示面板采用有机电致发光材料，当有电流通过有机电致发光材料时，发光材料就会发光，进而实现了显示面板的显示功能。
有机自发光显示面板由于能够实现自发光，不需要背光源，因此有利于显示装置的轻薄化，同时还具有广视角、低功耗等优点，成为各大厂商争相研究的重点。显示面板制作时通常需要对有机发光器件进行封装。现有技术中包括薄膜封装和刚性封装两种技术，适用于不同的显示面板的设计需求。而显示面板制作时如果封装效果不好，则会导致有机发光器件受到水氧的侵害而影响显示面板使用寿命，降低显示面板使用性能。
因此，提供一种显示面板和显示装置，保证显示面板的封装效果，提高性能可靠性是本领域亟待解决的问题。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种显示面板和显示装置，解决了保证显示面板的封装效果，提高性能可靠性的技术问题。
第一方面，为了解决上述技术问题，本发明提出一种显示面板，包括封胶区和所述封胶区包围的显示区域：
阵列基板，包括位于所述封胶区的低温多晶硅层；
显示层，位于所述阵列基板之上，所述显示层的显示区域包括多个发光器件；
封装胶，位于所述封胶区，且包围所述显示层；
封装盖板，位于所述显示层远离所述阵列基板一侧，所述封装盖板通过所述封装胶与所述阵列基板粘结固定；其中，
在所述封胶区，至少部分所述低温多晶硅层与所述封装胶粘结固定。
第二方面，为了解决上述技术问题，本发明提出一种显示装置，包括本发明提出的任意一种显示面板。
与现有技术相比，本发明的显示面板和显示装置，实现了如下的有益效果：
本发明提供的显示面板和显示装置，封装胶包围显示层，通过封装胶分别与阵列基板和封装盖板的粘结，阵列基板、封装盖板和封装胶共同形成一个密闭的空间，显示层位于上述空间内，能够防止显示层中的发光器件受到水氧的侵害，保证发光器件的使用寿命。本发明中在封胶区至少部分低温多晶硅层与封装胶粘结固定，低温多晶硅层通常由非晶硅经激光照射后得到，低温多晶硅层内晶格中晶面取向各不相同，所以低温多晶硅层的表面凹凸不平，粗糙度较高，封装胶与低温多晶硅层的表面接触面积大，粘结性能好。另外，在激光照射烧结封装胶的工艺中，低温多晶硅层也会由于高温而熔融，部分熔融的低温多晶硅层能够与熔融的封装胶融合，然后固化成一体，从而形成低温多晶硅层中的分子与封装胶中的分子相互镶嵌的结构，进一步提升粘结性能。本发明中低温多晶硅层与封装胶粘结性能好，能够有效防止封装胶从阵列基板剥离导致封装盖板与阵列基板剥离，本发明能够保证封装品质，保证显示面板性能可靠性。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
图1为相关技术中显示面板的局部截面示意图；
图2为相关技术中显示面板的封装区截面示意图；
图3为本发明实施例提供的显示面板的俯视示意图；
图4为本发明实施例提供的显示面板的膜层结构示意图；
图5为本发明实施例提供的显示面板中低温多晶硅层与封装胶接触粘结局部示意图；
图6为本发明实施例提供的显示面板的一种可选实施方式膜层结构示意图；
图7为本发明实施例提供的显示面板的另一种可选实施方式局部示意图；
图8为本发明实施例提供的显示面板的另一种可选实施方式局部示意图；
图9为本发明实施例提供的显示面板的另一种可选实施方式局部示意图；
图10为本发明实施例提供的显示面板的另一种可选实施方式局部示意图；
图11为本发明实施例提供的显示面板的另一种可选实施方式局部示意图；
图12为本发明实施例提供的显示面板的阵列基板的一种可选实施方式膜层结构示意图；
图13为本发明实施例提供的显示面板的另一种可选实施方式局部示意图；
图14为本发明实施例提供的显示面板的另一种可选实施方式俯视示意图；
图15为本发明实施例提供的显示面板的另一种可选实施方式俯视示意图；
图16为本发明实施例提供的显示装置示意图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
在有机发光显示面板中，为了保证发光器件的使用寿命，避免水氧的侵害，需要对发光器件进行封装。图1为相关技术中显示面板的局部截面示意图。如图1所示，在采用刚性封装的显示面板中，通过封装胶103′将阵列基板101′与盖板102′粘结固定形成一个密闭的腔室，发光器件104′位于腔室内。为了实现刚性封装，在阵列基板101′中与封装胶103′对应的位置需要包括封装金属1011′和无机层1012′，在相关技术的封装工艺中通过激光照射熔化封装胶103′后，使得封装胶103′与阵列基板101′表层的无机层1012′粘合，而封装金属1011′则在激光照射时作为激光的反射层。
图2为相关技术中显示面板的封装区截面示意图，如图2所示，在封装金属1011′所在的膜层上具有多个开口K′(图中个数仅是示意性表示)，位于开口K′内的无机层1012′刻蚀后形成多个凹槽C′，其中凹槽C′的底部可以暴露封装金属1011′下方的膜层，或者凹槽C′的底部仍为无机层1012′，在封装工艺中，封装胶103′经激光照射熔化后能够填充凹槽C′从而增大了封装胶103′与无机层1012′的接触面积。而在显示面板制作过程中，对无机层1012′刻蚀后形成多个凹槽C′的工艺之后，在无机层1012′之上还有多个膜层的制作工艺，在后序工艺中会导致部分有机层的刻蚀残留或者刻蚀残夜留存在凹槽C′内。在凹槽C′内的刻蚀残留物中包括有机物残留，有机物残留在激光照射烧结封装胶103′工艺中会因高温反应产生气体，气体无法排出，会导致封装胶103′爆开，从而影响封装品质。另外，现有技术中，无机层与封装胶的粘着力有限，为了保证封装性能，可以采取加宽封装胶，增大封装胶与无机层的接触面积的方式来增加粘结性能，而此种方案也需要同时加宽封装金属，从而会导致封胶区在非显示区占用的面积增大，不利于窄边框的需求。
针对上述问题，发明人提出一种显示面板和显示装置，在不加宽封胶区的宽度下，能够保证封装品质，提高性能可靠性。
本发明提供一种显示面板，图3为本发明实施例提供的显示面板的俯视示意图。图4为本发明实施例提供的显示面板的膜层结构示意图。图5为本发明实施例提供的显示面板中低温多晶硅层与封装胶接触粘结局部示意图。
同时参考图3和图4所示，显示面板包括封胶区Z和封胶区Z包围的显示区域AA：如图4所示，显示面板包括：阵列基板101，阵列基板101包括位于封胶区Z的低温多晶硅层1011；显示层102，位于阵列基板101之上，显示层102的显示区域包括多个发光器件1021；封装胶J，位于封胶区Z，且包围显示层102；封装盖板103，位于显示层102远离阵列基板101一侧，封装盖板103通过封装胶J与阵列基板101粘结固定；其中，在封胶区Z，至少部分低温多晶硅层1011与封装胶J粘结固定。至少部分低温多晶硅层1011与封装胶J粘结固定应当理解为包括多种情况，在封胶区Z内，可以是封装胶J远离封装盖板103一侧的表面均与低温多晶硅层1011接触粘结，或者封装胶J远离封装盖板103一侧的表面仅有部分表面与低温多晶硅层1011接触粘结，图4中仅是示意性表示出低温多晶硅层1011与封装胶J接触粘结。
本发明提供的显示面板，封装胶包围显示层，通过封装胶分别与阵列基板和封装盖板的粘结，阵列基板、封装盖板和封装胶共同形成一个密闭的空间，显示层位于上述空间内，能够防止显示层中的发光器件受到水氧的侵害，保证发光器件的使用寿命。本发明中在封胶区至少部分低温多晶硅层与封装胶粘结固定，低温多晶硅层通常由非晶硅经激光照射后得到，低温多晶硅层内晶格中晶面取向各不相同，所以低温多晶硅层的表面凹凸不平，粗糙度较高，可参考图5中的示意，封装胶与低温多晶硅层的表面接触面积大，粘结性能好。另外，在激光照射烧结封装胶的工艺中，低温多晶硅层也会由于高温而熔融，部分熔融的低温多晶硅层能够与熔融的封装胶融合，然后固化成一体，从而形成低温多晶硅层中的分子与封装胶中的分子相互镶嵌的结构，进一步提升粘结性能。本发明中低温多晶硅层与封装胶粘结性能好，能够有效防止封装胶从阵列基板剥离导致封装盖板与阵列基板剥离，本发明能够保证封装品质，保证显示面板性能可靠性。
本发明提供的显示面板中，可以在封胶区单独制作低温多晶硅层，或者，低温多晶硅层与薄膜晶体管的有源层采用同一膜层制备。具体可根据封胶区中阵列基板的具体的膜层结构进行选择。
在一些可选的实施方式中，图6为本发明实施例提供的显示面板的一种可选实施方式膜层结构示意图。如图6所示，显示层102包括多个发光器件1021，发光器件1021包括位于阵列基板101之上的阳极层a、发光层b和阴极层c，发光器件1021可以是光线从顶部出射的结构，或者光线从底部出射的结构，图6中仅以光线从顶部出射的发光器件结构为例。阵列基板101为多膜层堆叠结构，包括多个薄膜晶体管B，薄膜晶体管包括有源层B1、源极B2、漏极B3和栅极B4，图6中仅以顶栅结构的薄膜晶体管进行示例性表示，需要说明的是本发明中薄膜晶体管也可以是底栅结构，阳极a与薄膜晶体管B的源极B2或者漏极B3电连接，图6中示意性表示阳极a与薄膜晶体管B的漏极B3电连接的情况。
在一些可选的实施方式中，图7为本发明实施例提供的显示面板的另一种可选实施方式局部示意图。如图7所示，在封胶区Z，低温多晶硅层1011为阵列基板101表面的膜层结构。封装胶J远离封装盖板103一侧的表面均与低温多晶硅层1011接触粘结。封装胶与低温多晶硅层的表面接触面积大，粘结性能好，同时，在激光照射烧结封装胶的工艺中，部分熔融的低温多晶硅层能够与熔融的封装胶融合，然后固化成一体，进一步提升粘结性能。该实施方式中，低温多晶硅层1011可以作为激光照射烧结封装胶的工艺中反射层，用来反射激光，低温多晶硅层1011在经激光照射后受到的应力较小，因此不需要对低温多晶硅层1011做图形化处理，与相关技术相比减少了对反射层(相关技术中封装金属)的图形化工艺制程，同时也不存在图形化形成的开口影响封装品质的问题。
在一些可选的实施方式中，图8为本发明实施例提供的显示面板的另一种可选实施方式局部示意图。如图8所示，在封胶区，阵列基板还包括金属反射层1012，金属反射层1012位于低温多晶硅层1011远离封装胶J一侧。低温多晶硅层可以作为激光照射烧结工艺中的反射层，但低温多晶硅层对激光的反射率有限，该实施方式中，设置的金属反射层位于低温多晶硅层远离封装胶一侧，低温多晶硅层仍然作为与封装胶直接接触粘结的膜层，保证粘结性能。金属对激光的反射率大于低温多晶硅层对激光的反射率，该实施方式中金属反射层的设置能够增加在激光烧结工艺中对激光的利用率，能够相应减少激光烧结工艺制程的时间，节约能耗，有利于节约成本。
该实施方式中，低温多晶硅层可以与薄膜晶体管的有源层采用同一个工艺制程制作，即在制作低温多晶硅层之前，完成封胶区金属反射层的制作。若金属反射层与阵列基板中现有的金属膜层同层制作(例如可以与薄膜晶体管的栅极采用同一层金属制作或与薄膜晶体管的源极采用同一层金属制作)，然后在封胶区的金属反射层之上再制作一层低温多晶硅层(即低温多晶硅层不与有源层采用同一个工艺制程制作)，实际制作时应当为在显示面板整面铺设一层低温多晶硅层，然后对低温多晶硅层进行图形化处理形成位于封胶区的低温多晶硅层，在显示面板的显示区膜层结构复杂，存在多个过孔连接的工艺，在对低温多晶硅层进行图形化处理时可能会导致显示区内的过孔位置处存在刻蚀液的残留，而导致潜在不良影响。因此，本发明中设置低温多晶硅层与薄膜晶体管的有源层采用同一个工艺制程制作，封胶区的低温多晶硅层共用现有工艺中的工艺制程制作，简化工艺制程，同时不会对显示区造成不良影响。
在一些可选的实施方式中，图9为本发明实施例提供的显示面板的另一种可选实施方式局部示意图。如图9所示，在封胶区，阵列基板还包括金属反射层1012，金属反射层1012位于低温多晶硅层1011远离封装胶J一侧。金属反射层1012具有第一开口K1，在垂直于显示面板板面方向上，第一开口K1的高度小于等于金属反射层1012的厚度。在金属反射层1012上设置第一开口K1，第一开口K1可以贯穿金属反射层1012，或者第一开口K1仅在金属反射层1012上形成凹槽，而不贯穿金属反射层1012，图9中仅是示意性表示。该实施方式中，在金属反射层1012上设置第一开口K1，第一开口K1的设置预留出金属反射层在激光烧结工艺中热胀冷缩的空间，避免金属反射层产生膨胀收缩较大的形变而影响封装效果。
在一些可选的实施方式中，图10为本发明实施例提供的显示面板的另一种可选实施方式局部示意图。如图10所示，在封胶区，阵列基板还包括金属反射层1012，金属反射层1012位于低温多晶硅层1011远离封装胶J一侧；绝缘层1013，绝缘层1013位于金属反射层1012靠近低温多晶硅层1011一侧。可选的，该实施方式中，金属反射层1012也可以设置如图9实施例所述的第一开口K1，预留出金属反射层热胀冷缩的空间。该实施方式中，低温多晶硅层可以与薄膜晶体管的有源层采用同一膜层制备。阵列基板包括衬底基板，衬底基板通常为玻璃基板，薄膜晶体管的有源层制作在衬底基板之上，而玻璃基板中通常包括硅类的碱性离子，有源层也采用硅类材料(低温多晶硅)制作时，为了防止衬底基板中的硅类碱性离子对有源层产生不良影响，需要在有源层和衬底基板之间制作一层绝缘层，在对有源层的膜层进行图形化刻蚀时，绝缘层与有源层采用同一个掩膜板刻蚀，从而在有源层与衬底基板之间保留有绝缘层。
该实施方式中，首先在衬底基板上制作封胶区的金属反射层，然后制作绝缘层和低温多晶硅层的工艺制程，低温多晶硅层与薄膜晶体管的有源层采用同一膜层制备时，能够保证显示区内薄膜晶体管的有源层与衬底基板之间有绝缘层的隔离，保证了薄膜晶体管的性能可靠性。且仅在绝缘层之前增加了一个金属反射层的制作工艺，不改变阵列基板中其他膜层的制作工艺，工艺相对简单。
在一些可选的实施方式中，图11为本发明实施例提供的显示面板的另一种可选实施方式局部示意图。如图11所示，在封胶区，阵列基板101还包括金属反射层1012，金属反射层1012位于低温多晶硅层1011靠近封装胶J一侧，其中，金属反射层1012具有第二开口K2，第二开口K2暴露低温多晶硅层1011。低温多晶硅层的表面凹凸不平，粗糙度较高，则在低温多晶硅层之上成膜的其他膜层表面的粗糙度与低温多晶硅层的粗糙度基本一致，位于低温多晶硅层之上的金属反射层的表面粗糙度也比较高。在封胶区设置低温多晶硅层，低温多晶硅层能够影响位于低温多晶硅层之上的膜层的表面粗糙度，能够增加与封装胶接触的膜层的粗糙度，从而增强阵列基板与封装胶的粘结强度。另外，该实施方式中，在激光烧结封装胶的工艺中，金属反射层和低温多晶硅层都能够反射激光，在金属反射层上设置的第二开口能够预留出金属反射层热胀冷缩的空间，同时第二开口能够暴露低温多晶硅层，从而在第二开口处封装胶也能够与部分低温多晶硅层粘结，在激光烧结工艺中，部分熔融的低温多晶硅层能够与熔融的封装胶融合，然后固化成一体，封装胶与低温多晶硅层粘结强度较高，能够进一步提高封装品质，保证封装性能可靠性。
本发明实施例提供的显示面板中，阵列基板包括多个薄膜晶体管，可参照图6所示，薄膜晶体管B包括有源层B1、源极B2、漏极B3和栅极B4。在一些可选的实施方式中，图12为本发明实施例提供的显示面板的阵列基板的一种可选实施方式膜层结构示意图。如图12所示，阵列基板101包括半导体有源层111、第一金属层112、第二金属层113和电容极板层114，在各个膜层之间还设置有绝缘膜层，图12中并未示出，图12中膜层叠加顺序也仅是示意性表示，不作为对本发明的限定。本发明实施例中低温多晶硅层1011与薄膜晶体管的有源层B1采用同一膜层制备，位于半导体有源层111；薄膜晶体管的栅极B4位于第一金属层112、薄膜晶体管的源极B2和漏极B3位于第二金属层113，电容极板层114用于制作像素电容的极板；金属反射层1012位于第一金属层112、第二金属层113或者电容极板层114中的至少一层。该实施方式中，金属反射层可以位于第一金属层，金属反射层与薄膜晶体管的栅极在同一个刻蚀工艺中制作完成；或者金属反射层可以位于第二金属层，金属反射层与薄膜晶体管的源极和漏极在同一个刻蚀工艺中制作完成；或者金属反射层可以位于电容极板层，在制作像素电容的极板时，同时刻蚀形成金属反射层。或者金属反射层也可以为两层金属层的结构或者三层金属层的结构。总之，金属反射层可以采用阵列基板中现有的膜层结构制作，不增加新的工艺制程，工艺简单。
在一些可选的实施方式中，图13为本发明实施例提供的显示面板的另一种可选实施方式局部示意图。如图13所示，在封胶区，阵列基板101还包括金属反射层1012，金属反射层1012位于低温多晶硅层1011靠近封装胶J一侧，其中，金属反射层1012具有第二开口K2，第二开口K2暴露低温多晶硅层1011。阵列基板还包括封装绝缘层1014，封装绝缘层1014位于金属反射层1012远离低温多晶硅层1011一侧，封装绝缘层1014具有第三开口K3，在垂直于显示面板板面方向上，第三开口K3与第二开口K2重叠。该实施方式中，在金属反射层之上还设置有封装绝缘层，封装绝缘层远离金属反射层一侧的表面与封装胶接触粘结，封装胶的制作材料通常包括硅基材料，与无机材料的粘结性能较好。所以在封装金属层上方设置封装绝缘层，封胶胶与封装绝缘层直接接触，保证粘结性能。可选的封装绝缘层的制作材料可以包括SiNx或者SiO2等材料。另外，该实施方式中，在激光烧结封装胶的工艺中，金属反射层和低温多晶硅层都能够反射激光，在金属反射层上设置的第二开口能够预留出金属反射层热胀冷缩的空间，同时，在封装绝缘层上设置的第三开口与第二开口重合，从而能够保证在第三开口和第二开口的位置处封装胶能够与部分低温多晶硅层粘结，在激光烧结工艺中，部分熔融的低温多晶硅层能够与熔融的封装胶融合，然后固化成一体，封装胶与低温多晶硅层粘结强度较高，能够进一步提高封装品质，保证封装性能可靠性。
需要说明的是，低温多晶硅层的表面凹凸不平，粗糙度较高，并且低温多晶硅层表面的粗糙度能够影响在其之上制作的其他膜层的粗糙度。图13中并未示出低温多晶硅层的表面的凹凸不平结构。
在一些可选的实施方式中，图14为本发明实施例提供的显示面板的另一种可选实施方式俯视示意图。如图14所示，封胶区Z包围显示区域AA，在封胶区Z，多个第二开口K2分散设置。第二开口K2分散在显示区域AA的四周，能够保证在封胶区内的封装胶在显示区域AA的四周的粘结性能都比较好，能够有效的隔离水氧，保证显示区内发光器件的使用寿命。
在一些可选的实施方式中，图15为本发明实施例提供的显示面板的另一种可选实施方式俯视示意图。如图15所示，在垂直于显示面板板面的方向上，第二开口K2的形状与封胶区Z的形状相同。显示面板中，封胶区Z包围显示区域AA，第二开口K2也包围显示区域AA。在金属反射层上制作的包围显示区域AA的第二开口K2，第二开口K2暴露低温多晶硅层，在第二开口K2内封装胶与低温多晶硅层粘结，在激光烧结封装胶工艺中，第二开口内部分熔融的低温多晶硅层能够与熔融的封装胶融合，然后固化成一体，具有较高的粘结强度，能够保证显示区域的四周的封装效果都比较好。可选的，该实施方式中在金属反射层的上方可以设置如图13对应的实施例中的封装绝缘层，进一步增加封装效果。本发明对该实施方式中第二开口的个数不做限定。
本发明还提供一种显示装置，图16为本发明实施例提供的显示装置示意图。如图16所示，显示装置包括显示面板100，显示面板100为本发明任意实施例提供的显示面板。本发明实施例提供的显示装置可以是任何具有显示功能的电子产品，包括但不限于以下类别：电视机、笔记本电脑、桌上型显示器、平板电脑、数码相机、手机、智能手环、智能眼镜、车载显示器、医疗设备、工控设备、触摸交互终端等。
通过上述实施例可知，本发明的显示面板和显示装置，达到了如下的有益效果：
本发明提供的显示面板和显示装置，封装胶包围显示层，通过封装胶分别与阵列基板和封装盖板的粘结，阵列基板、封装盖板和封装胶共同形成一个密闭的空间，显示层位于上述空间内，能够防止显示层中的发光器件受到水氧的侵害，保证发光器件的使用寿命。本发明中在封胶区至少部分低温多晶硅层与封装胶粘结固定，低温多晶硅层通常由非晶硅经激光照射后得到，低温多晶硅层内晶格中晶面取向各不相同，所以低温多晶硅层的表面凹凸不平，粗糙度较高，封装胶与低温多晶硅层的表面接触面积大，粘结性能好。另外，在激光照射烧结封装胶的工艺中，低温多晶硅层也会由于高温而熔融，部分熔融的低温多晶硅层能够与熔融的封装胶融合，然后固化成一体，从而形成低温多晶硅层中的分子与封装胶中的分子相互镶嵌的结构，进一步提升粘结性能。本发明中低温多晶硅层与封装胶粘结性能好，能够有效防止封装胶从阵列基板剥离导致封装盖板与阵列基板剥离，本发明能够保证封装品质，保证显示面板性能可靠性。
虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。
Claims (9)
1.一种显示面板，其特征在于，包括封胶区和所述封胶区包围的显示区域：
阵列基板，包括位于所述封胶区的低温多晶硅层；
显示层，位于所述阵列基板之上，所述显示层的显示区域包括多个发光器件；
封装胶，位于所述封胶区，且包围所述显示层；
封装盖板，位于所述显示层远离所述阵列基板一侧，所述封装盖板通过所述封装胶与所述阵列基板粘结固定；其中，
在所述封胶区，至少部分所述低温多晶硅层与所述封装胶粘结固定；
在所述封胶区，所述阵列基板还包括金属反射层，所述金属反射层位于所述低温多晶硅层远离所述封装胶一侧，其中，所述金属反射层具有第一开口，在垂直于所述显示面板板面方向上，所述第一开口的高度小于等于所述金属反射层的厚度；或者，所述金属反射层位于所述低温多晶硅层靠近所述封装胶一侧，其中，所述金属反射层具有第二开口，所述第二开口暴露所述低温多晶硅层。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
在所述封胶区，所述低温多晶硅层为所述阵列基板表面的膜层结构。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
在所述封胶区，所述阵列基板还包括绝缘层，所述绝缘层位于所述金属反射层靠近所述低温多晶硅层一侧。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述阵列基板包括多个薄膜晶体管，所述低温多晶硅层与所述薄膜晶体管的有源层采用同一膜层制备。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述阵列基板还包括封装绝缘层，所述封装绝缘层位于所述金属反射层远离所述低温多晶硅层一侧，所述封装绝缘层具有第三开口，在垂直于所述显示面板板面方向上，所述第三开口与所述第二开口重叠。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
在所述封胶区，多个所述第二开口分散设置。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
在垂直于所述显示面板板面的方向上，所述第二开口的形状与所述封胶区的形状相同。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述阵列基板包括多个薄膜晶体管，所述低温多晶硅层与所述薄膜晶体管的有源层采用同一膜层制备；
阵列基板包括第一金属层、第二金属层和电容极板层，其中，所述薄膜晶体管的栅极位于所述第一金属层、所述薄膜晶体管的源极和漏极位于所述第二金属层，所述电容极板层用于制作像素电容的极板；
所述金属反射层位于所述第一金属层、所述第二金属层或者所述电容极板层中的至少一层。
9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至8任意一项所述的显示面板。
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