CN107565057B - 显示面板及其制造方法和显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种显示面板及其制造方法和显示装置。显示面板包括阵列基板、盖板和封框胶，阵列基板被封框胶覆盖的区域设置有第一电源金属线和金属转接层，金属转接层包括多条金属转接线，金属转接线与第一电源金属线电连接，并且金属转接线从封框胶覆盖的区域延伸至显示面板的显示区。按照本申请的方案，通过将第一电源金属线设置在显示面板左右两侧的封装区域，使下边框区域的膜层较为均匀平整，从而提高显示面板的封装可靠性。

Description

显示面板及其制造方法和显示装置

技术领域

本申请一般涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制造方法和显示装置。

背景技术

随着信息技术的发展，液晶显示(LCD，Liquid Crystal Display)设备和有机发光二极管(OLED，Organic Light Emitting Diode)显示设备作为两种主流的显示设备，越来越广泛地被应用于各种便携式电子设备中。

由于液晶材料或有机发光材料易受氧、湿气的影响而导致失效，因此需要提供高可靠性的封装以避免氧、湿气等进入显示面板中。玻璃胶是一种无机封框胶，可通过激光照射熔融并固化，常用于显示面板(尤其是有机发光显示面板)的封装。

然而，在显示面板的下边框区域(即，连接集成电路的一侧)，需要设置有多层布线，例如，数据线、电源线等，并且相对于其他膜层而言，电源线的膜层较厚且不平整，各层布线相互交叠，使得下边框被玻璃胶覆盖的区域表面不平整，这样在进行熔融固化时，不同位置的玻璃胶受热膨胀和收缩引起的形变和应力也不同，玻璃胶在应力较大的位置易产生褶皱，从而导致封装可靠性降低。

发明内容

鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种显示面板及其制造方法和显示装置，以期解决现有技术中存在的技术问题。

根据本申请的一个方面，提供了一种显示面板，包括阵列基板、盖板以及用于将阵列基板和盖板粘合在一起的封框胶；阵列基板被封框胶覆盖的区域设置有第一电源金属线和金属转接层，第一电源金属线用于向显示面板提供第一电源电压信号；金属转接层包括多条金属转接线，金属转接线与第一电源金属线电连接，并且金属转接线从封框胶覆盖的区域延伸至显示面板的显示区。

根据本申请的另一方面，还提供了一种显示装置，包括如上的显示面板。

根据本申请的又一方面，还提供了一种显示面板的制作方法，在衬底基板上形成金属转接层，金属转接层包括多条金属转接线，金属转接线从封框胶覆盖的区域延伸到显示面板的显示区；在衬底基板上覆盖金属转接层形成第一无机绝缘层，并在第一无机绝缘层中形成暴露金属转接线的第一接触孔和第二接触孔；在显示区形成多个薄膜晶体管，薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极，源电极和漏电极中的一个通过第二接触孔与金属转接线电连接；在第一无机绝缘层上形成第一电源金属线，第一电源金属线通过第一接触孔与各金属转接线电连接；在盖板上涂覆封框胶，封框胶覆盖第一电源金属线；贴合盖板并固化封框胶，使盖板和阵列基板粘合在一起，阵列基板包括衬底基板、金属转接层、第一无机绝缘层、多个薄膜晶体管和第一电源金属线。

本申请提供的显示面板及其制造方法和显示装置，通过将第一电源金属线设置在显示面板左右两侧的封装区域，使下边框区域的膜层较为均匀平整，从而提高显示面板的封装可靠性。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1示出了本申请一个实施例的显示面板的示意图；

图2示出了图1中区域SS的放大示意图；

图3为沿图2中的线AB的截面图；

图4示出了本申请另一实施例的显示面板的示意图；

图5示出了图4中区域SS’的放大示意图；

图6为沿图5中的线CD的截面图；

图7示出了第一电源金属线和第二电源金属线的一种可选的实现方式的示意图；

图8示出了第一电源金属线和第二电源金属线的另一可选的实现方式的示意图；

图9示出了本申请又一实施例的显示面板的示意图；

图10示出了本申请再一实施例的显示面板的示意图；

图11为沿图10中的线EF的截面图；

图12示出了图10所示实施例的一个可选的实现方式的示意图；

图13示出了本申请的显示面板的制作方法的一个实施例的示意性流程图；

图14A～图14F示出了本申请一个实施例的显示面板的部分制作工艺的截面图；

图15示出了本申请的显示装置的一个实施例的示意性结构图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。

图1示出了本申请一个实施例的显示面板的示意图，图2示出了图1中区域SS的放大示意图，图3为沿图2中的线AB的截面图。

如图1～图3所示，显示面板可包括阵列基板11、盖板12和用于将阵列基板11和盖板12粘合在一起的封框胶13。

显示面板可分为显示区域DA和围绕显示区域DA的周围区域NDA(也称为非显示区域)，周围区域NDA可分为封装区域FA、间隔区域SA和电路区域EA。

封装区域FA围绕显示区域DA，并且可包括沿第一方向D1延伸的左封装区域和右封装区域以及沿第二方向D2延伸的上封装区域和下封装区域，间隔区域SA位于封装区域FA和电路区域EA之间，用于避免电路区域EA中的电路元件在封装过程中受外部光源(例如，激光)的影响。电路区域EA位于间隔区域SA和显示区域DA之间，用于放置电路元件。

阵列基板11包括第一电源金属线PVDD和金属转接层M1，金属转接层M1包括多条金属转接线CNL，金属转接线CNL沿第二方向D2从封装区域FA经由间隔区域SA和电路区域EA延伸到显示区域DA。

第一电源金属线PVDD沿第一方向D1延伸并且位于封装区域FA中，具体地，第一电源金属线PVDD可被设置在左封装区域和右封装区域中。也就是说，封框胶13覆盖第一电源金属线PVDD。

第一电源金属线PVDD与金属转接线CNL位于封装区域FA中的一端电连接，用于向显示面板(例如，显示面板上的各像素PXL)提供第一电源电压信号。

封框胶13位于封装区域FA中，在封装过程中，第一电源金属线PVDD可用作反射层，反射透过封框胶13的光，以提高外部光源(例如，激光)的利用率。

下面具体说明本实施例的有益效果。

首先，由于显示面板的下边框区域通常包括用于排布数据线的扇出区域，数据线用于将集成电路的数据信号传递到显示面板的各像素PXL中，因此，封框胶13与扇出区域交叠。本实施例将表面不平整的第一电源金属线PVDD设置在显示面板两侧的封装区域中，使阵列基板在扇出区域的表面均匀平整，即封框胶13与阵列基板接触的表面均匀平整，因此，在封装过程中，封框胶13在扇出区域的形变和应力均匀，从而提高显示面板的封装可靠性。

其次，当下边框区域的膜层较多并且膜厚也较大时，为了获得较为可靠的封装，需要增加封框胶13与阵列基板11的接触面积，使得下封装区域面积较大(即，封框胶13在第一方向D1上的宽度较大)，不利于显示面板的窄边框化。本实施例将具有较大膜厚的第一电源金属线PVDD设置在显示面板两侧的封装区域中，不仅减少了下封装区域被封框胶13覆盖的膜层数量，更降低了下封装区域的整体膜厚，获得同样可靠性的封装需要的接触面积(封框胶13与阵列基板11的接触面积)较小，相当于减小了封框胶13在第一方向D1上的宽度，从而有利于实现窄边框。

再次，现有技术中，电源线穿过下封装区域，沿第一方向D1的反方向依次向显示面板中的各像素供电，这种底部供电的方式会在电源线上产生压降，使得提供到各像素上的电源电压信号存在差异，尤其是对于电流驱动型的有机发光显示面板，对于压降变化更为敏感，像素间的差异也更加明显，导致显示不均。此外，压降的大小取决于显示面板在第一方向D1上的长度，即，长度越长，压降越大，从而制约了显示面板在第一方向D1上的长度，不利于全面屏技术的发展。本实施例中，通过将第一电源金属线PVDD设置在显示面板的两侧，即从两侧向显示面板中的像素PXL提供电源电压信号(即，第一电源电压信号)，避免了电源电压信号在第一方向D1上产生压降，使显示更加均匀，并且适用于各种显示面板，尤其是应用于有机发光显示面板和全面屏显示面板时，有益效果将更加明显。

本实施例中，通过将第一电源金属线设置在显示面板左右两侧的封装区域中，使下边框区域更加均匀平整，从而提高显示面板的封装可靠性和降低下边框区域的面积。此外，由两侧向显示面板提供电源电压信号，避免产生压降，提高了显示质量。

可选地，阵列基板还可包括第二电源金属线。

具体地，如图2和图3所示，阵列基板还可包括第二电源金属线PVEE，第二电源金属线PVEE沿第一方向D1延伸并且位于显示面板两侧的非显示区域NDA中，用于向显示面板(例如，显示面板上的各像素PXL)提供第二电源电压信号。

另外，第二电源金属线PVEE还具有多个突出部分PVEE_T，突出部分PVEE_T沿第二方向D2至少延伸到间隔区域SA。这里，每个突出部分PVEE_T可对应一行像素。

该实现方式中，将第二电源金属线设置在显示面板两侧的非显示区域中，而不必与扇出区域交叠，从而使阵列基板在扇出区域的表面更加均匀平整，从而提高显示面板的封装可靠性。另外，第二电源金属线也通过两侧供电，从而避免了第二电源电压信号在第一方向D1上产生压降，使显示更加均匀。

继续参考图4～图6，图4示出了本申请另一实施例的显示面板的示意图，图5示出了图4中区域SS’的放大示意图，图6为沿图5中的线CD的截面图。

与图1～图3所示的实施例类似，本实施例中，显示面板同样可包括阵列基板21、盖板22和封框胶23，阵列基板21同样可包括第一电源金属线PVDD、第二电源金属线PVEE、金属转接层M1。

与图1～图3所示的实施例不同的是，本实施例中，对第二电源金属线PVEE进行了进一步的限定。

如图4～图6所示，第二电源金属线PVEE部分地位于封装区域中，突出部分PVEE_T沿第二方向D2从封装区域FA至少延伸到间隔区域SA。也就是说，封框胶23不仅覆盖第一电源金属线PVDD还覆盖第二电源金属线PVEE的部分。这样在封装过程中，第一电源金属线PVDD和第二电源金属线PVEE都可用作反射层。

本实施例，通过将第二电源金属线的部分和第一电源金属线设置在显示面板左右两侧的封装区域中，使下边框区域更加均匀平整，从而提高显示面板的封装可靠性和降低下边框区域的面积。此外，由两侧向显示面板提供电源电压信号，避免产生压降，提高了显示质量。

可选地，阵列基板还包括设置在显示区域的多个薄膜晶体管，金属转接线与薄膜晶体管的源电极或漏电极电连接。

如图3和图6所示，阵列基板11/21还包括第一无机绝缘层IL1和位于显示区域DA的多个第一薄膜晶体管Tr1，第一薄膜晶体管Tr1包括栅电极GE1、源电极SE1和漏电极DE1。

第一无机绝缘层IL1位于第一电源金属线PVDD和金属转接层M1之间，第一无机绝缘层IL1具有暴露金属转接线CNL的第一接触孔CH1和第二接触孔CH2，金属转接线CNL的一端通过第一接触孔CH1与第一电源金属线PVDD电连接，金属转接线CNL的另一端通过第二接触孔CH2与第一薄膜晶体管Tr1的源电极SE和漏电极DE中的一个电连接，例如，金属转接线CNL与源电极SE电连接，从而将第一电源金属线PVDD上的第一电源电压信号传递到第一薄膜晶体管Tr1。

通过设置第一接触孔和第二接触孔，实现了将第一电源金属线上的第一电源电压信号传递到显示区域的各像素。

此外，阵列基板11/21还包括设置在电路区域EA的多个第二薄膜晶体管Tr2，第二薄膜晶体管Tr2包括栅电极GE2、源电极SE2和漏电极DE2。

一般而言，第一薄膜晶体管Tr1和第二薄膜晶体管Tr2具有相同的结构，并且以相同的工艺形成，即，栅电极GE1与栅电极GE2同层，源电极SE1/漏电极DE1与源电极SE2/漏电极DE2同层。由于金属转接线CNL经过电路区域EA但不与第二薄膜晶体管Tr2电连接，因此，金属转接线CNL与第二薄膜晶体管Tr2的栅电极GE2、源电极SE2和漏电极DE2都不同层，例如，金属转接层M1可位于衬底基板SUB和第二薄膜晶体管Tr2之间。

尽管图3和图6示出了第一薄膜晶体管Tr1的栅电极GE1、源电极SE1和漏电极DE1位于半导体层的同一侧，第二薄膜晶体管Tr2的栅电极GE2、源电极SE2和漏电极DE2位于半导体层的同一侧，这仅仅是示意性的。应当理解，栅电极GE1与源电极SE1和漏电极DE1还可位于半导体层的两侧，栅电极GE2与源电极SE2和漏电极DE2还可位于半导体层的两侧，本领域的技术人员可以根据实际应用场景的需要进行设置。

可选地，阵列基板还包括第一电极和第二电极，第一电极与第一薄膜晶体管的源电极和漏电极中的另一个电连接，第二电极与第二电源金属线电连接。

具体地，参考图6，阵列基板21还包括第一电极AN和第二电极CE。第一电极AN与薄膜晶体管Tr的源电极SE和漏电极DE中的另一个电连接，例如，第一电极AN与漏电极DE电连接。

第二电极CE和第二电源金属线PVEE之间设置有第二绝缘层IL2，第二绝缘层IL2具有多个第三接触孔CH3，第二电极CE通过第三接触孔CH3电连接到第二电源金属线PVEE，更具体地，电连接到第二电源金属线PVEE的突出部分PVEE_T。

通过设置第三接触孔，实现了将第二电源金属线上的第二电源电压信号传递到显示区域的各像素。

可选地，栅电极和源电极中的一个与第一电源金属线位于同一金属层，栅电极和源电极中的另一个与第二电源金属线位于同一金属层。

在一个示例中，如图3所示，第一电源金属线PVDD与源电极SE1/SE2位于同一金属层，第二电源金属线PVEE与栅电极GE1/GE2位于同一金属层。

通过上述设置，第一电源金属线和第二电源金属线可在形成薄膜晶体管(例如，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管)的同时被形成，而不需要增加额外的工艺，从而可简化显示面板的制作工艺和降低生产成本。

尽管没有在附图中示出，本领域技术人员可以明白，第一电源金属线PVDD也可以与栅电极GE1/GE2位于同一金属层，第二电源金属线PVEE也可以与源电极SE1/SE2位于同一金属层。

可选地，第一电源金属线和第二电源金属线中设置有暴露第一无机绝缘层的多个开口，在开口中，第一无机绝缘层与封框胶直接接触。

具体地，参考图7，示出了第一电源金属线和第二电源金属线的一种可选的实现方式的示意图。

如图7所示，第一电源金属线PVDD具有暴露第一无机绝缘层IL1的多个开口OP1，第二电源金属线PVEE具有暴露第一无机绝缘层IL1的多个开口OP1，在开口OP1中，封框胶23与第一无机绝缘层IL1直接接触。

由于第一电源金属线PVDD和第二电源金属线PVEE作为显示面板的封装工艺中的反射层，因此为了保证足够的反射率，第一电源金属线PVDD和第二电源金属线PVEE在封装区域FA中的面积相对较大。

并且，封框胶23可能与第一电源金属线PVDD和/或第二电源金属线PVEE直接接触，由于封框胶23的成分主要为无机物(例如，玻璃粉)，其与金属表面的粘附力不强，封框胶23与金属表面直接接触的面积较大不利于提高显示面板的封装可靠性。设置开口OP1，则可以减小封框胶23与第一电源金属线PVDD和/或第二电源金属线PVEE的接触面积，增大封框胶23与第一无机绝缘层IL1之间的接触面积(相对于金属表面，封框胶23与无机绝缘层之间的粘附力较强)，有利于提高显示面板的封装可靠性。

另外，设置开口OP1，可充分释放第一电源金属线PVDD和第二电源金属线PVEE在封装过程中产生的金属应力，避免第一电源金属线PVDD和第二电源金属线PVEE产生褶皱或翘曲。

尽管图7示出了开口OP1的形状为矩形，但是本申请并不限于此，开口OP1可以具有任意合适的形状，例如，圆形(如图8所示)、三角形、菱形等。

继续参考图9，示出了本申请又一实施例的显示面板的示意图。

与图4～图6所示的实施例类似，本实施例中，显示面板同样可包括阵列基板41、盖板42和封框胶43，阵列基板41同样可包括第一电源金属线PVDD、第二电源金属线PVEE、金属转接层M1、第一电极AN和第二电极CE，第一电源金属线PVDD同样可与第一电极AN电连接，第二电源金属线PVEE同样可与第二电极CE电连接。

与图4～图6所示的实施例不同的是，本实施例中，对第一电源金属线PVDD和第二电源金属线PVEE进行了进一步的限定。

如图9所示，第一电源金属线PVDD和第二电源金属线PVEE位于同一金属层。

通过将第一电源金属线PVDD和第二电源金属线PVEE设置为位于同一金属层，可简化显示面板在封装区域FA的结构，例如，具有更少的膜层数量；并且第一电源金属线PVDD和第二电源金属线PVEE可在同一道图形化工艺中制作形成，从而可简化显示面板的制作工艺。

此外，阵列基板41同样可包括具有栅电极GE1、源电极SE1和漏电极DE1的多个第一薄膜晶体管Tr1和具有栅电极GE2、源电极SE2和漏电极DE2的多个第二薄膜晶体管Tr2。

可选地，栅电极和源电极中的一个与第一电源金属线位于同一金属层。

在一个示例中，例如图9所示，源电极SE1/SE1、漏电极DE1/DE2与第一电源金属线PVDD和第二电源金属线PVEE位于同一金属层。

通过上述设置，第一电源金属线和第二电源金属线可在形成薄膜晶体管的同时被形成，而不需要增加额外的工艺，从而可简化显示面板的制作工艺和降低生产成本。

尽管没有在附图中示出，应当理解，第一电源金属线PVDD和第二电源金属线PVEE也可以与栅电极GE1/GE2位于同一金属层。

此外，本实施例中，由于第一电源金属线PVDD和第二电源金属线PVEE都可与封框胶43直接接触，因此为了增加封框胶43与阵列基板41的粘合力，可在第一电源金属线PVDD和第二电源金属线PVEE中设置开口(例如，图7和图8所示的开口OP1)。

继续参考图10和图11，图10示出了本申请再一实施例的显示面板的示意图，图11为沿图10中的线EF的截面图。

与图9所示的实施例类似，本实施例中，显示面板同样可包括阵列基板51、盖板52和封框胶53，阵列基板51同样可包括第一电源金属线PVDD、第二电源金属线PVEE、金属转接层M1、第一电极AN和第二电极CE，第一电源金属线PVDD同样可与第一电极AN电连接，第二电源金属线PVEE同样可与第二电极CE电连接。

与图9所示的实施例不同的是，本实施例中，对第二电源金属线PVEE与第二电极CE的连接方式进行了进一步的限定。

如图10和图11所示，第二绝缘层IL2具有多个第三接触孔CH3，第二电源金属线PVEE的每个突出部分PVEE_T被多个第三接触孔CH3暴露，也就是说，每个突出部分PVEE_T通过多个第三接触孔CH3电连接到第二电极CE。

第三接触孔CH3是通过刻蚀第二绝缘层IL2并且将第二电源金属线PVEE暴露出来而形成。当突出部分PVEE_T通过一个第三接触孔CH3电连接到第二电极CE时，为了保证电性连接，第三接触孔CH3通常设置得比较大，在刻蚀工艺中容易引起刻蚀不均，例如，第二绝缘层IL2刻蚀不充分(有残留)或第二电源金属线PVEE的部分被刻蚀。

本实施例中，突出部分PVEE_T通过多个第三接触孔CH3电连接到第二电极CE，由于第三接触孔CH3的数量多，因此每个第三接触孔CH3可以设置地较小，容易实现对第二绝缘层IL2的完全刻蚀并且基本不会刻蚀掉第二电源金属线PVEE，从而可提高工艺的均一性。

本申请各实施例的显示面板可应用于各种显示面板，例如，液晶显示面板，当本申请的显示面板为液晶显示面板时，盖板可以是彩膜基板。

可选地，显示面板为有机发光显示面板。

当显示面板为有机发光显示面板时，第一电极(例如，图6、图9和图11的第一电极AN)可以是阳极，第一电极(例如，图6、图9和图11的第二电极CE)可以是阴极。另外，阵列基板还可包括设置在阴极和阳极之间的有机层(例如，图6、图9和图11中的有机层EL)，有机层可包括多层结构，例如，空穴传输层、有机发光层、电子传输层等。

当第一电源金属线将第一电源电压施加到阳极上，第二电源金属线将第二电源电压施加到阴极上时，来自空穴传输层的空穴与来自电子传输层的电子在有机发光层结合形成激子，激子跃迁从而发光。

由于有机发光显示面板通常会采用玻璃胶封装方式，因此当本申请的显示面板为有机发光显示面板时，本申请的有益效果将会变得更加明显。

可选地，第一电源金属线和第二电源金属线的材料包括Mo、Ti、W和Al/Nd合金中的至少一种。

由于第一电源金属线和第二电源金属线用于传输电源电压信号，因此需要第一电源金属线和第二电源金属线的导电性较好。金属Mo、Ti、W和金属合金Al/Nd等均具有较好的导电性，当第一电源金属线和第二电源金属线由上述金属材料中的至少一种形成时，可使传输到显示面板上的电源电压信号更稳定。

可选地，阵列基板还包括被封框胶覆盖的反射金属层，反射金属层与第一电源金属线和第二电源金属线均不交叠。

具体参考图12，阵列基板51还可包括反射金属层RL，反射金属层RL位于第一无机绝缘层IL1与衬底基板SUB之间，反射金属层RL被封框胶53覆盖，并且反射金属层RL与第一电源金属线和第二电源金属线均不交叠。也就是说，在未设置第一电源金属线和第二电源金属线的封装区域中，设置有反射金属层RL，用于反射透过封框胶53的外部光。

反射金属层RL中具有多个开口OP2，用于释放封装过程中产生的金属应力，第一无机绝缘层IL1在与开口OP2对应的区域具有开口OP3，用于增加封框胶53与第一无机绝缘层IL1之间的接触面积，从而进一步提高显示面板的封装可靠性。

此外，本申请还公开了一种显示面板的制作方法，用于制作上述各实施例的显示面板。

参考图13，示出了本申请的显示面板的制作方法的一个实施例的示意性流程图。

如图13所示，显示面板的制作方法包括：

步骤710，在衬底基板上形成金属转接层，金属转接层包括多条金属转接线，金属转接线从封框胶覆盖的区域延伸到显示面板的显示区。

步骤720，在衬底基板上覆盖金属转接层形成第一无机绝缘层，并在第一无机绝缘层中形成暴露金属转接线的第一接触孔和第二接触孔。

步骤730，在显示区形成多个薄膜晶体管，薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极，源电极和漏电极中的一个通过第二接触孔与金属转接线电连接。

步骤740，在无机绝缘层上形成第一电源金属线，第一电源金属线通过第一接触孔与各金属转接线电连接。

步骤750，在盖板上涂覆封框胶。

步骤760，贴合盖板并固化封框胶，使盖板和阵列基板粘合在一起，封框胶覆盖第一电源金属线，阵列基板包括衬底基板、金属转接层、第一无机绝缘层、多个薄膜晶体管和第一电源金属线。

下面将结合图14A～图14F来描述显示面板的具体制作工艺，图14A～图14F示出了本申请一个实施例的显示面板的部分制作工艺的截面图。

首先，如图14A所示，在衬底基板SUB上形成金属转接层M1，金属转接层M1包括多条金属转接线(未示出)，金属转接线从封装区域FA经由间隔区域SA和电路区域EA延伸到显示区域DA。

然后，如图14B所示，在衬底基板SUB上形成覆盖金属转接层M1的第一无机绝缘层IL1，并且在第一无机绝缘层IL1中形成暴露金属转接层的第一接触孔CH1和第二接触孔CH2。其中，第一接触孔CH1位于封装区域FA中，第二接触孔CH2位于显示区域DA中。

接下来，如图14C所示，在衬底基板SUB的显示区域DA形成多个第一薄膜晶体管Tr1，第一薄膜晶体管Tr1包括栅电极GE1、源电极SE1和漏电极DE1。其中，源电极SE1和漏电极DE1中的一个通过第二接触孔CH2与金属转接线电连接，例如，源电极SE1通过第二接触孔CH2与金属转接线电连接。

本领域技术人员可以明白，第一薄膜晶体管的形成过程包括多个工艺，例如，形成半导体层、形成栅绝缘层、形成栅电极层、形成层间绝缘层以及形成源漏电极层等，为了不模糊本申请的重点，将不再对这些公知的工艺进行进一步描述。

此外，在形成第一薄膜晶体管Tr1的同时，还可在电路区域EA形成多个第二薄膜晶体管Tr2，第二薄膜晶体管Tr2包括栅电极GE2、源电极SE2和漏电极DE2。

随后，如图14D所示，在第一无机绝缘层IL1上形成第一电源金属线PVDD，第一电源金属线PVDD通过第一接触孔CH1与各金属转接线电连接。第一电源金属线PVDD位于封装区域FA中。

应当理解，当阵列基板81还包括第二电源金属线PVEE时，还可在形成第一电源金属线PVDD的同时，在第一无机绝缘层IL1上形成第二电源金属线PVEE，第二电源金属线PVEE部分位于封装区域FA，第二电源金属线PVEE包括突出部分PVEE_T，突出部分PVEE_T沿第二方向至少延伸到间隔区域SA中。

通过上述工艺，形成显示面板的阵列基板81。

接下来，如图14E所示，在盖板82的封装区域FA涂覆封框胶83。

最后，如图14F所示，将涂覆有封框胶83的盖板82贴合到阵列基板81上，然后使用光源(例如，激光)熔融并固化封框胶83，从而使盖板82与阵列基板81粘合在一起。其中，封框胶83覆盖第一电源金属线PVDD(当显示面板还包括第二电源金属线PVEE时，封框胶83还覆盖第二电源金属线PVEE的部分)。

通过上述工艺形成的显示面板，第一电源金属线PVDD(或，第二电源金属线PVEE的部分和第一电源金属线PVDD)形成在显示面板左右两侧的封装区域中，使显示面板的下边框区域更加均匀平整，从而提高显示面板的封装可靠性和降低下边框区域的面积。

可选地，在涂覆封框胶之前，显示面板的制作方法还可包括：形成第二绝缘层、第一电极和第二电极。

具体如图14D所示：

首先，覆盖第二电源金属线PVEE的部分(例如，突出部分PVEE_T)、多个第一薄膜晶体管Tr1和多个第二薄膜晶体管Tr2形成第二绝缘层IL2，并在第二绝缘层IL2中形成多个第三接触孔CH3和多个第四接触孔CH4，第三接触孔CH3暴露第二电源金属线PVEE的突出部分PVEE_T，并且每个突出部分PVEE_T被多个第三接触孔CH3暴露，第四接触孔CH4暴露第一薄膜晶体管Tr1的源电极SE1和漏电极DE1中的一个，例如，第四接触孔CH4暴露漏电极DE。

然后，在显示区域DA形成第一电极AN，第一电极AN通过第四接触孔CH4与漏电极DE1电连接。

当显示面板为有机发光显示面板时，还可在第二绝缘层IL2上依次形成像素限定层PDL和有机层EL。

接下来，在第二绝缘层IL2上形成第二电极CE，每个突出部分PVEE_T通过多个第三接触孔CH3电连接到第二电极CE。

通过形成多个第三接触孔暴露同一个突出部分，降低了第三接触孔的尺寸，避免第二绝缘层刻蚀不充分或第二电源金属线过刻，提高了工艺的均一性。

本申请还公开了一种显示装置，如图15中所示。其中，显示装置900可包括如上的显示面板。本领域技术人员应当理解，显示装置除了包括如上的显示面板之外，还可以包括一些其它的公知的结构。为了不模糊本申请的重点，将不再对这些公知的结构进行进一步描述。

本申请的显示装置可以是任何包含如上的显示面板的装置，包括但不限于如图15所示的蜂窝式移动电话900、平板电脑、计算机的显示器、应用于智能穿戴设备上的显示器、应用于汽车等交通工具上的显示装置等等。只要显示装置包含了本申请公开的显示面板的结构，便视为落入了本申请的保护范围之内。

本申请提供的显示面板及其制造方法和显示装置，第二电源金属线的部分和第一电源金属线设置在显示面板左右两侧的封装区域，因此显示面板具有均匀平整的下边框区域，从而具有较高的封装可靠性。

以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

Claims (14)

1.一种显示面板，其特征在于，包括阵列基板、盖板以及用于将所述阵列基板和所述盖板粘合在一起的封框胶；

所述阵列基板被所述封框胶覆盖的区域设置有第一电源金属线和金属转接层，所述第一电源金属线用于向所述显示面板提供第一电源电压信号；所述金属转接层包括多条金属转接线，所述金属转接线与所述第一电源金属线电连接，并且所述金属转接线从所述封框胶覆盖的区域延伸至所述显示面板的显示区；

所述显示面板包括显示区和围绕所述显示区的周围区域，所述周围区域分为封装区域、间隔区域和电路区域，所述封装区域围绕所述显示区，所述封装区域包括沿第一方向延伸的左封装区域和右封装区域以及沿第二方向延伸的上封装区域和下封装区域，所述显示面板的下边框区域包括用于排布数据线的扇出区域；其中，所述第一电源金属线设置于所述左封装区域和右封装区域中，并沿所述第一方向延伸；

所述阵列基板还包括第二电源金属线，用于向所述显示面板提供第二电源电压信号，所述第二电源金属线沿所述第一方向延伸并且位于所述显示面板两侧的非显示区中，所述第二电源金属线包括多个突出部分，每个所述突出部分对应一行像素；

所述显示面板为有机发光显示面板，所述第一电源金属线与所述有机发光显示面板的阳极连接，所述第二电源金属线与所述有机发光显示面板的阴极连接。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二电源金属线至少部分被所述封框胶覆盖。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括第一无机绝缘层和位于所述显示区的多个薄膜晶体管，所述第一无机绝缘层位于所述第一电源金属线和所述金属转接层之间，所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极；

所述第一无机绝缘层具有暴露所述金属转接线的第一接触孔和第二接触孔，所述第一电源金属线通过所述第一接触孔与各所述金属转接线电连接，所述源电极和所述漏电极中的一个与通过所述第二接触孔与所述金属转接线电连接。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一电源金属线和所述第二电源金属线中设置有暴露所述第一无机绝缘层的多个开口；

在所述开口中，所述第一无机绝缘层与所述封框胶直接接触。

5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述栅电极和所述源电极中的一个与所述第一电源金属线位于同一金属层，所述栅电极和所述源电极中的另一个与所述第二电源金属线位于同一金属层。

6.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一电源金属线和所述第二电源金属线位于同一金属层。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述栅电极和所述源电极中的一个与所述第一电源金属线位于同一金属层。

8.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板包括阳极和阴极，所述阳极与所述源电极和所述漏电极中的另一个电连接，所述第二电源金属线从所述封框胶覆盖的区域延伸以与所述阴极电连接。

9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述阴极与所述第二电源金属线之间设置有第二绝缘层，所述第二绝缘层具有多个第三接触孔；

所述阴极通过多个所述第三接触孔与所述第二电源金属线电连接。

10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一电源金属线的材料包括Mo、Ti、W和Al/Nd合金中的至少一种。

11.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括被所述封框胶覆盖的反射金属层，所述反射金属层与所述第一电源金属线不交叠。

12.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1-11任一项所述的显示面板。

13.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成金属转接层，所述金属转接层包括多条金属转接线，所述金属转接线从封框胶覆盖的区域延伸到显示区，所述显示面板包括显示区和围绕所述显示区的周围区域，所述周围区域分为封装区域、间隔区域和电路区域，所述封装区域围绕所述显示区，所述封装区域包括沿第一方向延伸的左封装区域和右封装区域以及沿第二方向延伸的上封装区域和下封装区域，所述显示面板的下边框区域包括用于排布数据线的扇出区域；

在所述衬底基板上覆盖所述金属转接层形成第一无机绝缘层，并在所述第一无机绝缘层中形成暴露所述金属转接线的第一接触孔和第二接触孔；

在所述显示区形成多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极中的一个通过所述第二接触孔与所述金属转接线电连接；

在所述第一无机绝缘层上形成第一电源金属线，所述第一电源金属线通过所述第一接触孔与各所述金属转接线电连接，且所述第一电源金属线设置于所述左封装区域和右封装区域中，并沿所述第一方向延伸；

在形成所述第一电源金属线的同时，还在所述第一无机绝缘层上形成第二电源金属线，用于向所述显示面板提供第二电源电压信号；其中，所述第二电源金属线的部分被所述封框胶覆盖，且所述第二电源金属线沿所述第一方向延伸并且位于所述显示面板两侧的非显示区中，所述第二电源金属线包括多个突出部分，每个所述突出部分对应一行像素；

所述显示面板为有机发光显示面板，所述第一电源金属线与所述有机发光显示面板的阳极连接，所述第二电源金属线与所述有机发光显示面板的阴极连接；

在盖板上涂覆所述封框胶；

贴合所述盖板并固化所述封框胶，使所述盖板和阵列基板粘合在一起，所述封框胶覆盖所述第一电源金属线，所述阵列基板包括所述衬底基板、所述金属转接层、所述第一无机绝缘层、所述多个薄膜晶体管和所述第一电源金属线。

14.根据权利要求13所述的制作方法，其特征在于，在涂覆所述封框胶之前，所述制作方法还包括：

覆盖所述第二电源金属线的部分和所述薄膜晶体管形成第二绝缘层，在所述第二绝缘层中形成多个第三接触孔和多个第四接触孔，所述第三接触孔暴露所述第二电源金属线的部分，所述第四接触孔暴露所述源电极和所述漏电极中的另一个；

形成阳极，所述阳极通过所述第四接触孔与所述源电极和所述漏电极中的另一个电连接；

形成阴极，所述阴极通过多个所述第三接触孔与所述第二电源金属线电连接。

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