CN113793859A - 面板和拼接屏 - Google Patents
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Abstract
本公开提供一种面板和拼接屏，属于显示技术领域。本公开的面板包括阵列基板、连接基板和驱动电路板。阵列基板包括第一基底、多条信号线和设置在所述周边区的多条侧边走线，侧边走线沿所述多个侧表面中的至少一个弯折设置，侧边走线和所述信号线一一对应，每条侧边走线的一端和一条信号线连接，每条侧边走线的另一端位于第二表面。连接基板包括第二基底，多个连接垫和多个焊盘，每个连接垫的一端通过连接线与一个焊盘连接，每个连接垫的另一端与一条侧边走线的另一端连接。驱动电路板设置在阵列基板与连接基板之间，驱动电路板与焊盘连接。
Description
技术领域
本公开属于显示技术领域，具体涉及一种面板和拼接屏。
背景技术
目前，微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)显示技术正在日新月异地发展，由于其突出的优点：体积微型、低耗电、高色彩饱和度、反应速度快、寿命长等吸引了广大科技工作者的投入研究。但由于巨量转移技术还没有发展成熟，使得MicroLED显示器在高分辨率、大尺寸上的发展受到了阻碍。针对现有巨量转移技术的能力对应的是电视级及巨幕显示，通过无缝拼接显示技术可以弥补当下巨量转移技术的不足实现大屏显示。在Micro LED拼接显示屏中要实现真正无缝拼接需要通过侧接线(Side wiring)技术将显示面板正面信号例如数据电压信号和源极驱动器的端连接焊盘引接到显示面板背面进行芯片绑定(IC bonding)等连接。
发明内容
本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种面板和拼接屏。
第一方面，本公开实施例提供一种面板，包括阵列基板、连接基板和驱动电路板；其中，所述阵列基板包括相对设置的第一表面和第二表面，以及连接第一表面和第二表面的多个侧表面，第一表面包括功能元件区和环绕所述功能元件区设置的周边区；所述阵列基板包括第一基底、多条信号线和设置在所述周边区的多条侧边走线，所述侧边走线沿所述多个侧表面中的至少一个弯折设置，所述侧边走线和所述信号线一一对应，每条所述侧边走线的一端和一条所述信号线连接，每条所述侧边走线的另一端位于所述第二表面；
所述连接基板包括第二基底，多个连接垫和多个焊盘；其中，每个所述连接垫的一端通过连接线与一个所述焊盘连接，每个所述连接垫的另一端与一条所述侧边走线的另一端连接；
所述驱动电路板设置在所述阵列基板与所述连接基板之间，所述驱动电路板与所述焊盘连接。
可选地，所述第二基底的材料为柔性材料。
可选地，所述第二基底的材料包括聚酰亚胺、聚对苯二甲酸。
可选地，所述连接基板还包括第一缓冲层，所述第一缓冲层位于所述第二基底靠近所述阵列基板的一侧。
可选地，所述连接基板还包括支撑垫，所述支撑垫位于所述第一缓冲层和所述连接垫之间，所述支撑垫在所述第二基底上的正投影覆盖所述连接垫在所述连接基板上的正投影。
可选地，所述支撑垫的厚度等于所述驱动电路板的厚度的0.3-0.8倍。
可选地，所述支撑垫的材料为环氧树脂。
可选地，所述连接基板还包括第二缓冲层，所述第二缓冲层覆盖所述第一缓冲层，所述第二缓冲层和所述支撑垫在所述第一缓冲层的正投影至少部分交叠，所述第二缓冲层的材料包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。
可选地，所述连接基板还包括绝缘层，所述绝缘层位于所述第一缓冲层远离所述第二基底的一侧，所述绝缘层、所述连接垫和所述焊盘在第二基底上的正投影部分交叠。
可选地，所述连接基板还包括绝缘层，所述绝缘层位于所述第二缓冲层远离所述第二基底的一侧，所述绝缘层、所述连接垫和所述焊盘在第二基底上的正投影部分交叠。
可选地，所述面板包括保护层，所述保护层包括覆盖所述阵列基板第一表面的第一保护层，覆盖所述连接基板的第二保护层、以及覆盖所述侧边走线的第三保护层。
可选地，所述连接基板包括补强层，所述补强层位于所述第二基底远离所述阵列基板的一侧。
可选地，所述补强层具有开口，所述开口在所述第二基底的正投影，位于所述连接垫和所述焊盘在所述第二基底的正投影之间。
可选地，所述功能元件区包括多个阵列排布的发光器件，所述发光器件为毫米发光二极管Mini LED或者微型二极管Micro LED。
第二方面，本公开实施例提供一种拼接屏，由上述的面板拼接而成。
附图说明
图1为一种示例性面板的区域示意图；
图2为一种示例性的面板的结构示意图；
图3为一种示例性的面板中像素电路示意图；
图4为本公开实施例提供的一种面板的俯视图；
图5为图4所示面板沿A-A′方向的截面图；
图6为图5所示面板中连接基板的结构俯视图；
图7为本公开实施例提供的一种面板制造方法的流程图；
图8-图23为本公开实施例提供的另一种面板制造方法中各步骤对应的面板的结构示意图。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本公开的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本公开作进一步详细描述。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
为了清楚本发明实施例中的显示面板的具体结构，首先，如图1所示，给出一种示例性的显示面板的各部分区域分布示意图，显示面板包括显示区AA和侧面走线连接区BA，其中，侧面走线连接区BA位于显示面板的至少一侧，图1中示意图显示面板的显示区AA位于中间区域，侧面走线连接区BA则位于显示面板的上、下两侧；位于显示面板上侧的侧面走线连接区BA用于为设置在显示AA区中的像素单元提供数据电压信号的第一焊盘、第二焊盘；第一焊盘则位于显示面板的基底10的第一表面，第二焊盘则位于基底的第二表面。而位于显示面板下侧的侧面走线连接区BA则设置用于为显示区AA中的移位寄存器提供电源电压信号的第一焊盘和第二焊盘，电源电压信号包括VDD高电源电压、VSS低电源电压，第一焊盘则位于显示面板的基底的第一表面，第二焊盘则位于基底的第二表面。而在本公开的下述实施例中以为设置在显示区AA中的像素单元提供数据电压信号的侧面走线连接区BA的结构进行说明。对于第一焊盘、第二焊盘的连接关系在下面进行介绍。
如图2所示，给出一种示例性的显示面板的结构，以便于更好的理解本发明实施例中的显示面板。但应当理解的是，该显示面板并不构成对发明实施例保护范围的限定。该显示面板划分为显示区AA和侧面走线连接区BA；侧面走线连接区BA位于显示区AA一侧，例如：图1中所示，侧面走线连接区BA位于显示区AA的左侧；其中，位于显示区AA，在基底10之上设置有像素电路；位于侧面走线连接区BA，在基底10之上设置有第一连接焊盘91，在基底的背离第一连接焊盘的一侧设置有第二连接焊盘92，且第一连接焊盘91和第二连接焊盘92通过位于基底10侧面的侧边走线11连接，在基底10上还设置有与的二连接焊盘同层的第三连接焊盘(图中未示)，第三连接焊盘与第二连接焊盘92通过柔性线路板FPC连接，且在第三连接焊盘上绑定有驱动芯片IC(图中未示出)。第一连接焊盘91通过信号引入线与像素电路连接，将驱动芯片IC所提供的外部信号传输给像素电路。其中，像素电路通常包括像素驱动电路和发光器件；对于像素驱动电路而言，其至少包括开关晶体管和驱动晶体管，当然还可以包括阈值补偿晶体管、存储电容等结构，如图3所示，给出一种示例性的像素电路。该像素电路具体包括：其包括：第一复位晶体管T1、阈值补偿晶体管T2、驱动晶体管T3、开关晶体管T4、第一发光控制晶体管T5、第二发光控制晶体管T6、第二复位晶体管T7、第一存储电容C1，以及发光器件D；其中，第一晶体管T1的第一极连接初始电压信号端Vint，第一复位晶体管T1的第二极连接第一存储电容C1的第二端、阈值补偿晶体管T2的第一极和驱动晶体管T3的控制极，第一复位晶体管T1的控制极连接复位信号端Reset；阈值补偿晶体管T2的第二极连接驱动晶体管T3的第二极和第二发光控制晶体管T6的第一极，阈值补偿晶体管T2的控制极连接栅线Gate；驱动晶体管T3的第一极连接第一电源电压端VD；开关晶体管T4的第一极连接数据线Data，开关晶体管T4的第二极连接第一发光控制晶体管T5的第二极、第二复位晶体管T7的第二极和第一存储电容C1的第一极；开关晶体管T4的控制极连接栅线；第一发光控制晶体管T5的第一极连接基准电压信号端Vref，第一发光控制晶体管T5的控制极连接发光控制线EM；第二发光控制晶体管T6的第二极连接发光器件D的第一极，第二发光控制晶体管T6的控制极连接发光控制线EM；第二复位晶体管T7的第一极连接基准电压信号端Vref，第二复位晶体管T7的控制极连接复位信号端Reset，发光器件的第二极连接第二电源电压端VSS。
其中，上述的所采用的晶体管可以为薄膜晶体管或场效应管或其他特性的相同器件，由于采用的晶体管的源极和漏极是对称的，所以其源极、漏极是没有区别的。在本发明实施例中，为区分晶体管的源极和漏极，将其中一极称为第一极，另一极称为第二极，栅极称为控制极。此外按照晶体管的特性区分可以将晶体管分为N型和P型，当采用P型晶体管时，第一极为P型晶体管的源极，第二极为P型晶体管的漏极，栅极输入低电平时，源漏极导通；当采用N型晶体管时，第一极为N型晶体管的源极，第二极为N型晶体管的漏极，栅极输入高电平时，源漏极导通。其中，上述的像素电路中的晶体管均是以N型晶体管为例进行说明的，可以想到的是采用P型晶体管实现是本领域技术人员可以在没有付出创造性劳动前提下轻易想到的，因此也是在本发明实施例的保护范围内的。
以下对图2所示的显示面板的截面图中所示的各膜层的位置关系进行说明，在其中在图2中只是示意了部分器件，例如：开关晶体管T4、驱动晶体管T3等，其中，以开关晶体管T4和驱动晶体管T3为顶栅型薄膜晶体管为例进行说明。
该显示面板包括：基底10，位于基底10之上缓冲层1；位于缓冲层1之上、且同层设置的开关晶体管T4的有源层和驱动晶体管T3的有源层；位于开关晶体管T4的有源层和驱动晶体管T3的有源层所在层之上的栅极绝缘层2，该栅极绝缘层2覆盖显示区AA和侧面走线连接区BA；位于栅极绝缘层2之上、且同层设置的开关晶体管T4的栅极和驱动晶体管T3的栅极；位于开关晶体管T4的栅极和驱动晶体管T3的栅极所在层之上的第一绝缘层3，该第一绝缘层3覆盖显示区AA和侧面走线连接区BA；位于第一绝缘层3之上，且同层设置的开关晶体管T4的源极和漏极，驱动晶体管T3的源极和漏极，以及与开关晶体管T4源极连接的数据线；位于开关晶体管T4的源极和漏极，驱动晶体管T3的源极和漏极，以及与开关晶体管T4源极连接的数据线所在层之上的第一平坦化层61，该第一平坦化层61仅位于显示区AA；位于第一平坦化层61之上的第一钝化层62，该第一钝化层62覆盖显示区AA和侧面走线连接区BA；位于第一平坦化层61至上，且同层设置的第二子信号引入线502和第一连接电极8；第二子信号引入线502通过贯穿第一平坦化层61和第一钝化层62的第一过孔与数据线连接，第一连接电极8通过贯穿第一平坦化层61和第一钝化层62的第三过孔与驱动晶体管T3的漏极连接；位于第二子信号引入线502和第一连接电极8所在层之上的第二平坦化层63，该第二平坦化层63仅位于显示区AA；位于第二平坦化层63之上的第二钝化层64，该第二钝化层64覆盖显示区AA和侧面走线连接区BA；位于第二钝化层64之上，且同层设置的第一子信号引入线501、第一衬垫71、第二衬垫72；第一子信号引入线501由显示区AA延伸至侧面走线连接区BA，且通过贯穿第二平坦化层63和第二钝化层64的第二过孔与第二子信号引入线502连接；第一衬垫71通过贯穿第二平坦化层63和第二钝化层64的第四过孔与第一连接电极8连接；位于第一子信号引入线501、第一衬垫71、第二衬垫72之上的第三钝化层12，该第三钝化层12覆盖显示区AA和侧面走线连接区BA；位于侧面走线连接区BA、且在第三钝化层12之上第一连接焊盘91，第一连接焊盘91通过贯穿第三钝化层12的第五过孔与第一子信号引入线501连接；发光器件D的第一极通过贯穿第三钝化层12的第六过孔与第一衬垫71连接，发光器件D的第二极通过贯穿第三钝化层12的第七过孔与第二衬垫72连接。
其中，发光器件D可以是微型无机发光二极管，进一步地，可以为电流型发光二极管，如微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)或者迷你发光二极管(Mini Light Emitting Diode，Mini LED)，当然，在本公开实施例中的发光器件D还可以是有机电致发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)。发光器件D的第一极和第二极中的一者为阳极，另一者为阴极；在本发明实施例中以发光器件D的第一极为阳极，第二极为阴极为例进行说明。
在图2所示的显示面板的制备工艺中，显示面板正面的第一连接焊盘91通过侧边走线11与玻璃基底10背面的第二连接焊盘92电连接，从而可以将绑定区域取消，实现无边框设计，但现有侧面引线技术需要在玻璃基底双面进行成膜工艺，目前双面成膜工艺复杂，以及翻面操作会对线路和保护层造成划伤。另外，绑定有驱动芯片IC的第三连接焊盘与第二连接焊盘92通过柔性线路板FPC连接，存在FPC制作公差大，无法满足在背面直接做贴合Bonding的工艺的问题。
基于此，为了至少解决上述的技术问题之一，本公开实施例提供了一种面板和拼接屏，下面将结合附图和具体实施方式对本公开实施例提供的显示面板的面板和拼接屏作进一步详细描述。
第一方面，本公共实施例提供一种面板，图4为本公开实施例提供的一种面板的俯视图，图5为图4所示面板沿A-A′方向的截面图，图6为图5所示面板中连接基板的结构俯视图。如图4-图6所示，面板包括阵列基板41、连接基板42和驱动电路板43。其中，阵列基板41包括相对设置的第一表面和第二表面，以及连接第一表面和第二表面的多个侧表面，第一表面包括功能元件区A1和环绕功能元件区A1设置的周边区B1。
具体的，阵列基板41包括第一基底411、多条信号线和设置在周边区B1的多条侧边走线45，侧边走线45沿多个侧表面中的至少一个弯折设置，侧边走线45和信号线一一对应，每条侧边走线45的一端和一条信号线连接，每条侧边走线45的另一端位于阵列基板41的第二表面。
连接基板42包括第二基底422、多个连接垫46和多个焊盘47，其中，每个连接垫46的一端通过连接线461与一个焊盘47连接，每个连接垫46的另一端与一条侧边走线45的另一端连接。驱动电路板43设置在阵列基板41与连接基板42之间，驱动电路板43与焊盘47连接。
其中，信号线可以是无源驱动，也可以是有源驱动。功能元件区A1包括多个阵列排布的发光器件4131，发光器件4131为毫米发光二极管Mini LED或者微型二极管Micro LED。
第一基底411的材料可以为采用玻璃、树脂、蓝宝石、石英等，第二基底422的材料可以与第一基底411的材料相同也可以不同，本实施是以第一基底411和第二基底422的材料不同为例进行说明，在本实施例中，第二基底422的材料为柔性材料，例如：聚酰亚胺，聚对苯二甲酸。
需要说明的是，本实施例中的“连接”的方式包括接触连接、非接触连接、电连接等。
在本实施例中，连接垫46与焊盘47的数量相同。焊盘的形状也可以根据情况进行选择，例如，焊盘47的形状可以为矩形、四边形、圆形、椭圆形等，本实施例是以焊盘47的形状为矩形为例进行说明。
在本实施中，由于侧边走线45沿多个侧表面中的至少一个弯折设置，侧边走线45和信号线一一对应，每条侧边走线45的一端和一条信号线连接，每条侧边走线45的另一端位于阵列基板41的第二表面，每个连接垫46的一端通过连接线461与一个焊盘47连接，每个连接垫46的另一端与一条侧边走线45的另一端连接，设置在阵列基板41与连接基板42之间的驱动电路板43与焊盘47连接，因此有效避免了现有侧面线路工艺中翻面操作对线路和保护层造成划伤的问题。另外，连接基板42的切割精度和总间距精度都可以到um级别，从而克服了背面贴合Bonding工艺中FPC制程公差较大的问题，从而提了产品的可靠性，进而可以更低的成本应用于拼接应用产品中。
在一些实施例中，如图5所示，连接基板42还包括第一缓冲层423，第一缓冲层423位于第二基底422靠近阵列基板41的一侧。其中，所示第一缓冲层423的材料包括但不限于氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等。在本实施例中，第一缓冲层423的作用是用于隔绝水氧，增加附着力。
在一些实施例中，如图5所示，连接基板42还包括支撑垫48，所述支撑垫48位于第一缓冲层423和连接垫46之间，支撑垫48在第二基底422上的正投影覆盖连接垫46在连接基板42上的正投影。在一些实施例中，支撑垫48的厚度等于驱动电路板的厚度的0.3-0.8倍。例如，驱动电路板的厚度为10um，支撑垫48的厚度为5um。在一些实施例中，支撑垫48的材料包括但不限于环氧树脂等。在本实施中，通过设置支撑垫48，为后续连接垫46的绑定连接提供有效的压合高度，消除段差。需要说明的是，在一些实施例中，也可以不设置支撑垫48，可利用ACF导电胶中的导电球连接。
在一些实施例中，如图5所示，连接基板42还包括第二缓冲层424，第二缓冲层424覆盖第一缓冲层423，第二缓冲层424和支撑垫48在第一缓冲层423的正投影至少部分交叠，第二缓冲层424的材料包括但不限于氮化硅、氧化硅、氮氧化硅。在本实施例中国，通过设置第二缓冲层424，可增加连接垫46与支撑垫48附着力，使连接垫46固定的更加牢固，并且可进一步增强水氧的隔绝能力。
在一些实施例中，连接基板还包括绝缘层，绝缘层位于第一缓冲层远离第二基底的一侧，绝缘层、连接垫和焊盘在第二基底上的正投影部分交叠。在一些实施例中，如图5所示，连接基板42还包括绝缘层425，绝缘层425位于第二缓冲层424远离第二基底422的一侧，绝缘层423、连接垫46和焊盘47在第二基底422上的正投影部分交叠。在本实施例中，通过设置绝缘层425，可以防止水氧对连接基板42的侵蚀。
在一些实施中，如图5所示，连接基板42包括补强层421，补强层421位于第二基底422远离阵列基板41的一侧。补强层421具有开口49，开口49在第二基底42的正投影，位于连接垫16和焊盘47在第二基底422的正投影之间。补强层421的材料包括但不限于玻璃或者其他钢化材料。在本实施中，通过在连接基板42包括补强层421上设置第三开口49，可以防止驱动电路板43的高度干涉连接垫46与侧边走线45的绑定连接。
在一些实施例中，如图22所示，面板还包括保护层，保护层包括覆盖阵列基板41第一表面的第一保护层414，覆盖连接基板42的第二保护层51，以及覆盖侧边走线45的第三保护层50。其中，所示保护层的材料包括但不限于黑色树脂材料等。在本实施中，通过设置覆盖连接基板42的第二保护层51和覆盖侧边走线的第三保护层50，可以防止连接基板42和侧边走线45被水氧腐蚀。通过设置覆盖阵列基板41第一表面的第一保护层414，可以防止显示器件4131被水氧腐蚀，延迟了器件的使用寿命。
第二方面，本公开实施例提供一种拼接屏，其由上述的面板拼接而成。
第三方面，本公开实施例提供一种面板的制造方法，图7为本公开实施例提供的一种面板制造方法的流程图，如图7所示，面板的制造方法包括：
S101、在第一基底411上形成显示器件层413。
S102、在面板的周边区B1形成多条侧边走线45，其中，侧边走线45沿多个侧表面中的至少一个弯折设置，侧边走线45和所述一一对应，每条侧边走线45的一端和一条信号线连接，每条侧边走线45的另一端位于阵列基板41的第二表面。
S103、在第二基底422上形成多个连接垫46和多个焊盘47，其中，连接垫46通过扇出连接线与第三连接焊盘47相连接。
S104、通过连接垫46绑定连接侧边走线45，通过接焊盘47绑定连接驱动电路板43。
在本实施例中，由于侧边走线45沿多个侧表面中的至少一个弯折设置，侧边走线45和信号线一一对应，每条侧边走线45的一端和一条信号线连接，每条侧边走线45的另一端位于阵列基板41的第二表面，每个连接垫46的一端通过连接线461与一个焊盘47连接，每个连接垫46的另一端与一条侧边走线45的另一端连接，设置在阵列基板41与连接基板42之间的驱动电路板43与焊盘47连接，因此有效避免了原侧面线路工艺中翻面操作对线路和保护层造成划伤的问题。另外，连接基板42的切割精度和TP精度都可以到um级别，从而克服了背面贴合Bonding工艺中FPC制程公差大问题，从而提了产品的可靠性，进而可以更低的成本应用于拼接应用产品中。
在一些实施中，在第二基底421上形成多个连接垫46和多个焊盘47之前，还包括：在第二基底422上形成支撑垫48，支撑垫48设置在连接垫46与第二基底422之间。在本实施例中，在第二基底422上形成的支撑垫48起到垫高作用，为后续焊盘47的绑定连接提供有效的压合高度。
在一些实施中，在第二基底422上形成支撑垫48之后还包括：在支撑垫48背离第二基底422的一侧形成第二缓冲层424，第二缓冲层424在第二基底421上的正投影覆盖支撑垫48在第二基底422上的正投影。
在本实施例中，通过在支撑垫48背离第二基底422的一侧形成第二缓冲层424，可增加连接垫46与支撑垫48附着力，使连接垫46固定的更加牢固。
在一些实施例中，在第二基底422上形成多个连接垫46和多个焊盘47之后，还包括：在连接垫46和焊盘47所在层背离第二基底422的一侧形成绝缘层425。
在本实施例中，通过在连接垫46和焊盘47所在层背离第二基底422的一侧形成绝缘层425，可以防止水氧对连接基板42的侵蚀。
下面例举一个面板制造方法的具体实施例进行说明：
步骤1、在第一玻璃基底411上依次形成显示器件层413，并且在面板41的周边区B1形成连接焊盘44和侧边走线45，其中，侧边走线45沿多个侧表面中的至少一个弯折设置，连接焊盘44与信号线一一对应设置，侧边走线45和连接焊盘44一一对应连接，每条侧边走线45的一端和一个连接焊盘44连接，每条侧边走线45的另一端位于阵列基板41的第二表面，然后，利用侧面防护OC胶50覆盖侧边走线45。之后，对LED进行焊接和在LED上涂覆黑胶414(如图8-图10，其中，图9为图8所示结构的截面图)。其中，第一玻璃基底411背面涂覆的OC胶50宽度约0.2～1mm。侧边走线45在阵列基板41的第二表面的引出长度1mm～4mm。
步骤2、在补强层421上形成第二基底422，在第二基底422背离补强层421的一侧形成上形成第一缓冲层423，第二基底422的材料为柔性材料，该柔性材料包括但不限于聚酰亚胺(PI)等，第一缓冲层423的材料为SiN、SiO或者SiON。之后，在第一缓冲层423上形成支撑垫层，并通过构图工艺形成支撑垫48(如图11和图12所示，其中图12为图11所示结构的俯视图)。其中，支撑垫层的材料可选用环氧树脂类材料，支撑垫48的厚度约5～10um。需要说明的是，“构图工艺”是指形成具有特定的图形的结构的步骤，其可为光刻工艺，光刻工艺包括形成材料层、涂布光刻胶、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等步骤中的一步或多步；当然，“构图工艺”也可为压印工艺、喷墨打印工艺等其它工艺。
步骤3、在支撑垫48背离第二玻璃基底421的一侧形成第二缓冲层424(如图13和图14所示，图14为图13所示结构的俯视图)，第二缓冲层424的材料包括但不限于SiN、SiO或者SiON。
步骤4、在第二缓冲层424背离第二基底422的一侧形成第一金属层，通过构图工艺形成连接垫46和焊盘47；然后，在连接垫46和焊盘47所在层背离第二基底422的一侧形成第二金属层，通过构图工艺形成连接连接垫和焊盘47的扇出连接线461(如图15和16所示，图16为图15所示结构的俯视图)。其中，第一金属层和第二金属层的材料为Cu、Ti、Al或者Mo，连接垫46和焊盘47的厚度为0.6um～2um。
步骤5、在连接垫46和焊盘47所在层背离第二基底422的一侧形成绝缘层425(如图17)，绝缘层425的材料为SiN，绝缘层425的厚度为0.6um～1um。
步骤6、利用异方向性导电胶80(ACF)将焊盘47与驱动电路板43绑定连接(如图18和图6，图6为图18所示结构的俯视图)，其中，驱动电路板43可以是驱动IC+FPC设计，也可以是COF+FPC设计，或者单FPC设计。
步骤7、利用激光切割工艺在补强层421上形成第三开口49，第三开口49在第二基底422上的正投影位于连接垫46和焊盘47之间，第三开口49处露出第二基底422(如图19和图20，图20为图19所示结构的背面示意图)。
步骤8、用异方向性导电胶80(ACF)将连接基板42绑定至阵列基板41背面，其中，连接垫46通过异方向性导电胶与侧边走线45绑定连接(如图21和图22所示)。
步骤9、对面板进行喷涂或沉积防水氧材料51进行防护(如图22和图23，图23为图22所示结构的背面示意图)，如氟化剂或者超低粘度的底部填充环氧树脂胶。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本公开的原理而采用的示例性实施方式，然而本公开并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本公开的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本公开的保护范围。
Claims (15)
1.一种面板，其特征在于，包括阵列基板、连接基板和驱动电路板；其中，所述阵列基板包括相对设置的第一表面和第二表面，以及连接第一表面和第二表面的多个侧表面，第一表面包括功能元件区和环绕所述功能元件区设置的周边区；所述阵列基板包括第一基底、多条信号线和设置在所述周边区的多条侧边走线，所述侧边走线沿所述多个侧表面中的至少一个弯折设置，所述侧边走线和所述信号线一一对应，每条所述侧边走线的一端和一条所述信号线连接，每条所述侧边走线的另一端位于所述第二表面；
所述连接基板包括第二基底、多个连接垫和多个焊盘；其中，每个所述连接垫的一端通过连接线与一个所述焊盘连接，每个所述连接垫的另一端与一条所述侧边走线的另一端连接；
所述驱动电路板设置在所述阵列基板与所述连接基板之间，所述驱动电路板与所述焊盘连接。
2.根据权利要求1所述的面板，其特征在于，所述第二基底的材料为柔性材料。
3.根据权利要求2所述的面板，其特征在于，所述第二基底的材料包括聚酰亚胺或者聚对苯二甲酸。
4.根据权利要求3所述的面板，其特征在于，所述连接基板还包括第一缓冲层，所述第一缓冲层位于所述第二基底靠近所述阵列基板的一侧。
5.根据权利要求4所述的面板，其特征在于，所述连接基板还包括支撑垫，所述支撑垫位于所述第一缓冲层和所述连接垫之间，所述支撑垫在所述第二基底上的正投影覆盖所述连接垫在所述连接基板上的正投影。
6.根据权利要求5所述的面板，其特征在于，所述支撑垫的厚度等于所述驱动电路板的厚度的0.3-0.8倍。
7.根据权利要求5所述的面板，其特征在于，所述支撑垫的材料为环氧树脂。
8.根据权利要求5所述的面板，其特征在于，所述连接基板还包括第二缓冲层，所述第二缓冲层覆盖所述第一缓冲层，所述第二缓冲层和所述支撑垫在所述第一缓冲层的正投影至少部分交叠，所述第二缓冲层的材料包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。
9.根据权利要求4所述的面板，其特征在于，所述连接基板还包括绝缘层，所述绝缘层位于所述第一缓冲层远离所述第二基底的一侧，所述绝缘层、所述连接垫和所述焊盘在第二基底上的正投影部分交叠。
10.根据权利要求8所述的面板，其特征在于，所述连接基板还包括绝缘层，所述绝缘层位于所述第二缓冲层远离所述第二基底的一侧，所述绝缘层、所述连接垫和所述焊盘在第二基底上的正投影部分交叠。
11.根据权利要求1所述的面板，其特征在于，所述面板包括保护层，所述保护层包括覆盖所述阵列基板第一表面的第一保护层，覆盖所述连接基板的第二保护层、以及覆盖所述侧边走线的第三保护层。
12.根据权利要求1-11任一项所述的面板，其特征在于，所述连接基板包括补强层，所述补强层位于所述第二基底远离所述阵列基板的一侧。
13.根据权利要求12所述的面板，其特征在于，所述补强层具有开口，所述开口在所述第二基底的正投影位于所述连接垫和所述焊盘在所述第二基底的正投影之间。
14.根据权利要求1所述的面板，其特征在于，所述功能元件区包括多个阵列排布的发光器件，所述发光器件为毫米发光二极管Mini LED或者微型二极管Micro LED。
15.一种拼接屏，其特征在于，由多个权利要求1-14所述的面板拼接而成。
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