CN111293135A - 一种显示面板及其制造方法、显示装置 - Google Patents

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CN111293135A CN202010106988.5A CN202010106988A CN111293135A CN 111293135 A CN111293135 A CN 111293135A CN 202010106988 A CN202010106988 A CN 202010106988A CN 111293135 A CN111293135 A CN 111293135A
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display panel
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崔强伟
龚林辉
刘超
孟柯
汪楚航
王莉莉
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BOE Jingxin Technology Co Ltd
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BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
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Abstract

本申请提供了一种显示面板及其制造方法、显示装置。该显示面板包括：透明基板，包括显示区；发光器件，位于透明基板上，且在透明基板上的正投影区域位于显示区内；阵列电路，位于发光器件远离透明基板的一侧，与发光器件电连接，用于驱动发光器件发光，发光器件的发光面远离阵列电路；绑定结构，位于阵列电路远离发光器件的一侧，且在透明基板上的正投影区域位于显示区内。由于阵列电路位于发光器件的背部，并且绑定结构位于阵列电路远离发光器件的一侧，能够在发光器件的背部进行弯折绑定工艺，并不会在显示面板的边缘位置进行弯折绑定工艺，能够真正意义上实现无边框全面屏显示，也使得高分辨率拼接显示得以实现。

Description

一种显示面板及其制造方法、显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体为一种显示面板及其制造方法、显示装置。
背景技术
微发光二极管(Micro LED)技术，即发光二极管微缩化和矩阵化技术，指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的发光二极管阵列。微发光二极管由于其自发光、发光效率高、对比度高、工作温度范围宽、功耗低、对水和氧的阻绝性优良，以及较快的响应时间等优良特性，在大尺寸拼接屏应用领域受到越来越多的关注。
随着窄边框甚至无边框全面屏技术的发展，诸多相关技术应运而生，比如侧面绑定(Bonding)，侧面走线(sidewiring)等，但由于侧面走线的限制，显示边框减少仍有一定瓶颈，使得显示面板边缘仍保留一定的边框，不能实现真正意义上的无边框全面屏，对于拼接显示，边框拼缝的限制，使得实现高分辨率显示难度较大。
发明内容
有鉴于此，本申请提供一种显示面板及其制造方法、显示装置，用于解决现有技术中无法实现无边框全面屏的技术问题。
为了解决上述问题，本申请实施例主要提供如下技术方案：
在第一方面中，本申请实施例公开了一种显示面板，包括：
透明基板，包括显示区；
发光器件，位于所述透明基板上，且在所述透明基板上的正投影区域位于所述显示区内；
阵列电路，位于所述发光器件远离所述透明基板的一侧，与所述发光器件电连接，用于驱动所述发光器件发光，所述发光器件的发光面远离所述阵列电路；
绑定结构，位于所述阵列电路远离所述发光器件的一侧，且在所述透明基板上的正投影区域位于所述显示区内。
可选地，所述显示面板还包括反光层，位于所述阵列电路与所述绑定结构之间，用于反射所述发光器件发出的朝向所述阵列电路一侧的光。
可选地，所述显示面板还包括粘合层，位于所述发光器件朝向所述透明基板的一侧，用于粘合所述发光器件和所述透明基板。
可选地，所述显示面板还包括缓冲层和平坦化层；所述缓冲层位于所述发光器件与所述阵列电路之间；所述平坦化层位于所述阵列电路与所述绑定结构之间。
可选地，所述缓冲层的材料包括具有粘性的环氧类材料。
可选地，所述发光器件包括第一电极、第二电极和发光层；所述阵列电路包括公共电极和若干阵列排列的薄膜晶体管；所述第一电极与所述公共电极电连接，所述第二电极与所述薄膜晶体管的源极或漏极电连接。
可选地，所述发光器件为微型发光二极管或有机发光器件。
在第二方面中，本申请实施例公开了一种显示装置，包括：第一方面所述的显示面板。
在第三方面中，本申请实施例公开了一种显示面板的制造方法，包括：
提供一透明基板，所述透明基板包括显示区；
在所述透明基板上制作发光器件，所述发光器件在所述透明基板上的正投影区域位于所述显示区内；
在所述发光器件远离所述透明基板的一侧制作阵列电路，通过构图工艺使所述发光器件与所述阵列电路电连接；
在所述阵列电路远离所述发光器件的一侧制作绑定结构，所述绑定结构在所述透明基板上的正投影区域位于所述显示区内。
可选地，在所述透明基板上制作发光器件，包括：在所述透明基板上制作一层粘合层；采用微转印工艺将所述发光器件制作在所述粘合层上；
在所述发光器件远离所述透明基板的一侧制作阵列电路，包括：在所述发光器件上制作缓冲层；在所述缓冲层上制作阵列电路；
在所述阵列电路远离所述发光器件的一侧制作绑定结构，包括：在所述阵列电路上制作平坦化层；在所述平坦化层上制作绑定结构。
借由上述技术方案，本申请实施例提供的技术方案至少具有下列优点：
由于本申请实施例中发光器件位于透明基板上，阵列电路位于发光器件远离透明基板的一侧，且发光器件的发光面远离阵列电路，即本申请实施例采用底发光结构，这种设置方式阵列电路并不会对发光器件的发光产生影响，并不影响显示面板的开口率；且本申请实施例中的绑定结构位于阵列电路远离发光器件的一侧，且在透明基板上的正投影区域位于显示区内，因此，本申请实施例进行绑定工艺时，不需要在显示面板的边缘位置进行弯折绑定工艺，也不需要设置额外的绑定区，能够真正意义上实现无边框全面屏显示，也使得高分辨率拼接显示得以实现。另外，由于本申请实施例采用底发光结构，绑定结构的设置方式也不会对发光器件的发光产生影响，不会影响显示面板的开口率。
上述说明仅是本申请实施例技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请实施例的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请实施例的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请实施例的具体实施方式。
附图说明
通过阅读下文可选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出可选实施方式的目的，而并不认为是对本申请实施例的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
图1为本申请实施例的显示面板的结构示意图；
图2为本申请实施例的显示面板的俯视图；
图3为本申请实施例的显示面板的仰视图；
图4为本申请实施例的显示面板的制造方法的流程图；
图5为本申请实施例在透明基板上涂覆粘合层后的结构示意图；
图6为在图5的透明基板上设置发光器件和覆盖缓冲层后的结构示意图；
图7为在图6的透明基板上制作阵列电路后的结构示意图；
图8为阵列电路与发光器件电连接后的结构示意图；
图9为在图8的透明基板上设置平坦化层后的结构示意图；
图10为在图9的透明基板上设置反光层后的结构示意图。
附图标记介绍如下：
1-显示面板；2-透明基板；3-发光器件；31-第一电极；32-第二电极；33-发光层；4-阵列电路；41-薄膜晶体管；411-源极；412-漏极；413-栅极；5-绑定结构；51-绑定电极；52-集成电路；53-柔性电路板；6-反光层；7-粘合层；8-缓冲层；9-平坦化层。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。
本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
在第一方面中，图1为本申请实施例的显示面板1的结构示意图。如图1所示，该显示面板1包括：透明基板2，包括显示区；发光器件3，位于透明基板2上，且在透明基板2上的正投影区域位于显示区内；阵列电路4，位于发光器件3远离透明基板2的一侧，与发光器件3电连接，用于驱动发光器件3发光，发光器件3的发光面远离阵列电路4；绑定结构5，位于阵列电路4远离发光器件3的一侧，且在透明基板2上的正投影区域位于显示区内。
由于本申请实施例中发光器件3位于透明基板2上，阵列电路4位于发光器件3远离透明基板2的一侧，且发光器件3的发光面远离阵列电路4，即本申请实施例采用底发光结构，这种设置方式阵列电路4并不会对发光器件3的发光产生影响，并不影响显示面板的开口率；且本申请实施例中的绑定结构5位于阵列电路4远离发光器件3的一侧，且在透明基板2上的正投影区域位于显示区内，因此，本申请实施例进行绑定工艺时，不需要在显示面板1的边缘位置进行弯折绑定工艺，也不需要设置额外的绑定区，能够真正意义上实现无边框全面屏显示，也使得高分辨率拼接显示得以实现。另外，由于本申请实施例采用底发光结构，绑定结构5的设置方式也不会对发光器件3的发光产生影响，也不会影响显示面板的开口率。
需要说明的是，本申请实施例中在透明基板2上依次设置有发光器件3、阵列电路4和绑定结构5，本申请实施例采用底发光结构，显示面板的开口率较高，且进行绑定工艺时，不需要在显示面板1的边缘位置进行弯折绑定工艺，也不需要设置额外的绑定区；而现有技术底发光结构的显示面板，其具体结构为：在透明基板上依次设置阵列电路、发光器件，现有技术绑定结构一般与阵列电路位于同一层，需要在显示面板1的边缘位置设置绑定区，或者需要在显示区外设置额外的绑定区，并不能实现无边框全面屏，且这种结构显示面板的开口率较低。
另外，需要说明的是，本申请实施例中发光器件3与阵列电路4可以正对设置，也可以错开设置，具体设置根据实际需要设定，本申请实施例并不做具体限定。本申请实施例提供的显示面板可用于拼接显示技术，也可应用于手机无边框显示，大大降低手机整机边框。
可选地，显示面板1还包括反光层6，位于阵列电路4与绑定结构5之间，用于反射发光器件3发出的朝向阵列电路4一侧的光。由于本申请实施例在阵列电路4远离发光器件3的一侧设置了反光层6，可以用来反射发光器件3所产生的漏光，大大提升发光器件3的发光效果。具体实施时，反光层6可以由可反光的金属材料制成，在本实施例中，反光层6可以由银制成。
可选地，为了增强显示面板1的整体牢固性，避免显示面板1不必要的损害，显示面板1还包括粘合层7，位于发光器件3朝向透明基板2的一侧，用于粘合发光器件3和透明基板2。
可选地，显示面板1还包括缓冲层8和平坦化层9。其中，缓冲层8位于发光器件3与阵列电路4之间，即，覆盖在发光器件3上，以便后续在缓冲层8上更好的制作其他结构，如在缓冲层8上制作阵列电路4；另外，缓冲层8也可以对发光器件3起到很好的固定作用。继续参考图1，平坦化层9位于阵列电路4与绑定结构5之间，即平坦化层9覆盖阵列电路4，以便后续在平坦化层9上更好的制作其他结构，如在平坦化层9上制作反光层6。
可选地，为了进一步增强显示面板1的整体牢固性，缓冲层8的材料包括具有粘性的环氧类材料。同时，平坦化层9可以为例如聚酰亚胺等材料制成。
可选地，继续参考图1，发光器件3包括第一电极31(例如，阳极)、第二电极32(例如，阴极)和发光层33，从粘合层7起依次设置第二电极32、发光层33和第一电极31。另外，阵列电路4包括公共电极(图中未示出)和若干阵列排列的薄膜晶体管。类似于传统薄膜晶体管结构，本申请实施例中的薄膜晶体管包括源极411、漏极412和栅极413，图1中仅是薄膜晶体管的一种示意图，并未具体示出薄膜晶体管的结构，薄膜晶体管还包括半导体有源层以及绝缘层等膜层，由于薄膜晶体管的具体结构与现有技术相同，并不涉及本申请的发明改进点，这里不再赘述。
在电路走线方面，本申请实施例的第一电极31与公共电极(图中未示出)电连接，第二电极32与薄膜晶体管的源极411或漏极412电连接，以实现发光器件3与阵列电路4的电气连接，图1中示出了第二电极32与薄膜晶体管的漏极412电连接的情况，第一电极31与公共电极的连接关系在下面的方法部分进行介绍。
另外，如图1所示，薄膜晶体管的栅极413与扫描线(图中未示出)连接，源极411与数据线(图中未示出)连接；具体实施时，数据线可以位于反光层6与绑定结构5之间，方向可以为垂直于纸面的方向，本申请实施例中数据线以及扫描线的具体走线设置方式与现有技术类似，这里不再赘述。
可选地，在本实施例中，发光器件3为微型发光二极管或有机发光器件，发光器件3的结构可以根据显示面1的不同需求实时进行更换。
进一步地，图2示出了本申请实施例的显示面板1的俯视图。如图1和图2所示，在反光层6远离透明基板1的一侧还设置有绑定结构5。与传统绑定结构5类似，本申请实施例的绑定结构5包括绑定电极51、显示面板的集成电路52和柔性电路板53。绑定电极51在透明基板2上的正投影区域位于显示区内，集成电路52与柔性电路板53电连接，用于驱动阵列电路4。图3示出了本申请实施例的显示面板1的仰视图，如图3所示，发光器件3包括的发光层33阵列排布。
在第二方面中，本申请实施例公开了一种显示装置，包括：第一方面公开的显示面板1。由于第二方面的显示装置包括了第一方面的显示面板1，使得显示装置具有与显示面板1相同的有益技术效果。因此，在此不再重复赘述第二方面的显示装置的有益效果。
在第三方面中，本申请实施例公开了一种显示面板的制造方法，图4示出了本申请实施例的显示面板的制造方法的流程图。如图4所示，该制造方法，包括：
S101：提供一透明基板2，透明基板2包括显示区。
S102：在透明基板2上制作发光器件3，发光器件3在透明基板2上的正投影区域位于显示区内。
S103：在发光器件3远离透明基板2的一侧制作阵列电路4，通过构图工艺使发光器件3与阵列电路4电连接。
S104：在阵列电路4远离发光器件3的一侧制作绑定结构5，绑定结构5在透明基板2上的正投影区域位于显示区内。
在制造出的显示面板1中，由于发光器件3位于透明基板2上，阵列电路4位于发光器件3远离透明基板2的一侧，且发光器件3的发光面远离阵列电路4，即本申请实施例采用底发光结构，这种设置方式阵列电路4并不会对发光器件3的发光产生影响，并不影响显示面板的开口率；且本申请实施例中的绑定结构5位于阵列电路4远离发光器件3的一侧，且在透明基板2上的正投影区域位于显示区内，因此，本申请实施例进行绑定工艺时，不需要在显示面板1的边缘位置进行弯折绑定工艺，也不需要设置额外的绑定区，能够真正意义上实现无边框全面屏显示，也使得高分辨率拼接显示得以实现。另外，由于本申请实施例采用底发光结构，绑定结构5的设置方式也不会对发光器件3的发光产生影响，也不会影响显示面板的开口率。
可选地，在透明基板2上制作发光器件3，包括：在透明基板2上制作一层粘合层7；采用微转印工艺将发光器件3制作在粘合层7上；
在发光器件3远离透明基板2的一侧制作阵列电路4，包括：在发光器件3上制作缓冲层8；在缓冲层8上制作阵列电路4；
在阵列电路4远离发光器件3的一侧制作绑定结构5，包括：在阵列电路4上制作平坦化层9；在平坦化层9上制作绑定结构5。
以下结合图5-图10来详细描述本申请实施例显示面板的制造方法：
如图5所示，首先提供一透明基板2，具体实施时，透明基板2可以选择玻璃基板，接着，在透明基板2上制作一层粘合层7，具体可以通过贴敷等方式制作粘合层7，粘合层7可以选择光透过率强，且粘合性强的光学胶，具体可以选择有机硅胶、环氧树脂等，当然，粘合层7也可以选择其他耐高温胶材；之后，采用预先设定的掩膜版(mask)在粘合层7远离透明基板2的一侧制作标记(mark)图案，该mark图案为后续进行微转印工艺时进行对位所需要的图案，mark图案的具体制作方法与现有技术类似，这里不再赘述。
接着，如图6所示，在粘合层7远离透明基板2的一侧进行微转印工艺，以将发光器件制作在粘合层7上，此时粘合层7上的mark图案可以作为微转印工艺时的对位标记，这样能够很好的将发光器件制作在粘合层7上，微转印工艺包括，但不限于，静电吸附工艺或者范德华力工艺，本申请实施例中微转印的具体工艺过程与现有技术类似，这里不再赘述，由于粘合层7具有粘性，因此能够对发光器件3起到很好的粘合作用。本申请实施例中制作的发光器件3可以为Micro LED，也可以为LED，发光器件的具体制作过程与现有技术类似，这里不再赘述。接着，在发光器件3上制作缓冲层8，可选地，缓冲层8选择具有粘性的环氧类材料。
接着，如图7所示，在缓冲层8上制作阵列电路4，缓冲层8的制作能够为后续制作阵列电路4时起到很好的平坦作用，且能够对发光器件3起到很好的固定作用。阵列电路4包括若干阵列排布的薄膜晶体管41，薄膜晶体管41包括源极411、漏极412和栅极413，阵列电路4的具体制作方法与现有技术类似，这里不再赘述。
接着，如图8所示，在制作完成阵列电路4后，通过构图工艺制作金属连接线以及缓冲层8，以完成发光器件3与阵列电路4的电连接，以及薄膜晶体管41的走线连接，构图工艺包括光刻胶的涂覆，曝光，显影，刻蚀等工艺；具体地，发光器件3包括的第一电极31与阵列电路包括的公共电极电连接，公共电极可以与薄膜晶体管的栅极413或源极411同层设置，也可以单独设置，公共电极的方向垂直于纸面方向，发光器件3包括的第二电极32与薄膜晶体管41包括的漏极412电连接，薄膜晶体管41包括的栅极413与扫描线(图中未示出)连接，源极411与数据线(图中未示出)连接，栅极413与扫描线的具体连接方式，以及源极411与数据线的具体连接方式与现有技术类似，这里不再赘述。
接着，如图9所示，制作平坦化层9，平坦化层9可以采用聚酰亚胺(PI)等材料，平坦化层9既可以对其下方的阵列电路4起到很好的保护作用，也可以为后续制作绑定结构提供一平整面，能够很好的避免绑定结构出现段差从而影响绑定结构的性能，平坦化层9的具体制作方法与现有技术类似，这里不再赘述。
最后，如图10所示，在平坦化层9远离透明基板2的一侧上制作反光层6，反光层6可以用来反射发光器件3所产生的漏光，大大提升发光器件3的发光效果。之后，在反光层6上制作绑定结构5，具体参照图1所示，在反光层6上制作绑定电极51，之后通过绑定工艺，完成显示面板的集成电路52和柔性电路板53的绑定，以提供显示面板工作所需的外部信号，具体绑定过程以及集成电路52和柔性电路板53对显示面板的驱动方法均与现有技术类似，这里不再赘述。
需要说明的是，本申请实施例制作平坦化层9时的烘烤温度是230℃，这个温度不会对发光器件造成影响。另外，薄膜晶体管制作过程中，非晶硅有源层和氧化物有源层的工艺温度均在250℃以下，且时间较短，同样不会对发光器件造成影响。而绑定工艺的具体温度在170℃左右，同样也不会对发光器件造成影响。因此，本申请实施例先进行发光器件3的制作，然后进行阵列电路以及绑定结构的制作是可行的，并不会对发光器件3的性能产生影响。
应用本申请实施例所获得的有益效果包括：
1、由于本申请实施例中发光器件位于透明基板上，阵列电路位于发光器件远离透明基板的一侧，且发光器件的发光面远离阵列电路，即本申请实施例采用底发光结构，这种设置方式阵列电路并不会对发光器件的发光产生影响，并不影响显示面板的开口率；且本申请实施例中的绑定结构位于阵列电路远离发光器件的一侧，且在透明基板上的正投影区域位于显示区内，因此，本申请实施例进行绑定工艺时，不需要在显示面板的边缘位置进行弯折绑定工艺，也不需要设置额外的绑定区，能够真正意义上实现无边框全面屏显示，也使得高分辨率拼接显示得以实现。另外，由于本申请实施例采用底发光结构，绑定结构的设置方式也不会对发光器件的发光产生影响，也不会影响显示面板的开口率。
2、由于本申请实施例在阵列电路远离显示面板的出光面的一侧设置了反光层，可以用来反射发光器件所产生的漏光，大大提升发光器件的发光效果。
3、显示面板还包括粘合层，位于发光器件朝向透明基板的一侧，用于粘合发光器件和透明基板，从而增强显示面板的整体牢固性，避免显示面板不必要的损害。
以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
透明基板，包括显示区；
发光器件，位于所述透明基板上，且在所述透明基板上的正投影区域位于所述显示区内；
阵列电路，位于所述发光器件远离所述透明基板的一侧，与所述发光器件电连接，用于驱动所述发光器件发光，所述发光器件的发光面远离所述阵列电路；
绑定结构，位于所述阵列电路远离所述发光器件的一侧，且在所述透明基板上的正投影区域位于所述显示区内。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括反光层，位于所述阵列电路与所述绑定结构之间，用于反射所述发光器件发出的朝向所述阵列电路一侧的光。
3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括粘合层，位于所述发光器件朝向所述透明基板的一侧，用于粘合所述发光器件和所述透明基板。
4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，还包括缓冲层和平坦化层；所述缓冲层位于所述发光器件与所述阵列电路之间；所述平坦化层位于所述阵列电路与所述绑定结构之间。
5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述缓冲层的材料包括具有粘性的环氧类材料。
6.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光器件包括第一电极、第二电极和发光层；所述阵列电路包括公共电极和若干阵列排列的薄膜晶体管；所述第一电极与所述公共电极电连接，所述第二电极与所述薄膜晶体管的源极或漏极电连接。
7.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光器件为微型发光二极管或有机发光器件。
8.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求1-7任一项所述的显示面板。
9.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括：
提供一透明基板，所述透明基板包括显示区；
在所述透明基板上制作发光器件，所述发光器件在所述透明基板上的正投影区域位于所述显示区内；
在所述发光器件远离所述透明基板的一侧制作阵列电路，通过构图工艺使所述发光器件与所述阵列电路电连接；
在所述阵列电路远离所述发光器件的一侧制作绑定结构，所述绑定结构在所述透明基板上的正投影区域位于所述显示区内。
10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，在所述透明基板上制作发光器件，包括：在所述透明基板上制作一层粘合层；采用微转印工艺将所述发光器件制作在所述粘合层上；
在所述发光器件远离所述透明基板的一侧制作阵列电路，包括：在所述发光器件上制作缓冲层；在所述缓冲层上制作阵列电路；
在所述阵列电路远离所述发光器件的一侧制作绑定结构，包括：在所述阵列电路上制作平坦化层；在所述平坦化层上制作绑定结构。
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