CN112366218A - 一种显示面板的制作方法及显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种显示面板及其制作方法,在基板的正面形成金属层,所述金属层包括金属垫,然后在基板背面形成绑定电路层,再在对应金属垫的位置形成贯穿所述基板的通孔,最后在通孔内和基板背面形成连接金属垫和绑定电路层的导电层,由此可以通过贯穿基板的通孔,为正面布局节省了fanout布局空间和绑定引脚空间,可以实现真正的超窄边框,进而可以实现两个超窄边框的显示屏之间的“无缝”拼接。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其设计一种显示面板的制作方法及显示面板。
背景技术
MicroLED技术是指在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED整列,如同LED显示屏,每一个像素可定址、单独驱动点亮,可以看成是户外LED显示屏的缩小版,将像素点距离从毫米级降低至微米级,相比于现有的微显示技术如DLP、LCoS、微机电系统扫描等,由于MicroLED自发光,光学系统简单,可以减少整体系统的体积、重量、成本,同时兼顾低功耗、快速反应等特性。
OLED有机发光二极管(0rganic Light Emitting Diode,OLED)显示面板用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板,当电流通过时,有机材料就会发光,而且有机发光二极管显示屏幕可视角度大,并且能够显著节省电能,响应速度快,无需背光灯,色域广,对比度高,整体结构轻薄,因此现在有机发光二极管的应用越来越广泛。有机发光二极管显示面板又分为AMOLED和PMOLED两种。
传统的显示技术,边框需要布设:栅极驱动GOA电路或栅极驱动芯片、像素测试单元电路(Cell Test Unit)、多条ELVSS电源和ELVDD地线、DEMUX数据线到像素电路(RGB红绿蓝三色、RGBG红绿蓝绿四色等不同像素排列机制)的多路分配器、INCELL触摸感应电路的接收电路(RX)和发射电路的线路、ESD电路(信号线ESD、绑定角ESD等),然后在显示面板的周边用封框胶进行密封(Glass Frit Encapsulation);而一般在DEMUX电路侧,还要通过COG或COF方式,用ACF各方异性胶绑定显示驱动芯片,以及绑定显示面板的软排线FPC。
然而这些做法,都加大了显示面板周边的宽度,尤其是显示驱动芯片和FPC绑定侧的边框宽度。而且随着户外影视等商用超大尺寸显示应用的发展,将相对尺寸较小的超窄边框屏幕通过拼接来实现超大尺寸显示成为发展前景广阔的技术,现有的超窄边框技术达到的边框尺寸有限,而且良率低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示面板的制作方法及显示面板,旨在避免良率问题的同时实现一种微米级的超窄边框,进而实现微米级别的超窄边框的“无缝”拼接。
一方面,本发明提供一种显示面板的制作方法,包括:
提供基板;
在所述基板的正面形成金属层,所述金属层包括金属垫;
在所述金属层上形成薄膜晶体管层;
在所述基板的背面形成绑定电路层;
在对应所述金属垫的位置形成贯穿所述基板的通孔;
在所述通孔内和所述基板背面形成连接所述金属垫和绑定电路层的导电层。
进一步优选的,在对应所述金属垫的位置形成贯穿所述基板的通孔的步骤,包括:
在所述基板背面对应所述金属垫的位置涂布光致抗蚀剂;
对所述光致抗蚀剂进行曝光;
对曝光后的所述光致抗蚀剂进行刻蚀;
基于刻蚀后的所述光致抗蚀剂对所述基板进行交替循环的刻蚀处理和保护处理;
剥离所述刻蚀后的光致抗蚀剂。
进一步优选的,所述刻蚀处理的时间为60-100s,所述保护处理的时间为90-120s。
进一步优选的,所述金属层还包括与所述金属垫隔开设置的遮光层,在所述金属层上形成薄膜晶体管层的步骤,包括:
形成覆盖所述金属层的缓冲层;
形成位于所述缓冲层上有源层;
形成位于所述有源层上的栅极绝缘层;
形成位于所述栅极绝缘层上的栅极层;
形成位于所述缓冲层上且覆盖所述有源层、栅极绝缘层、及栅极层的中间层;
形成位于所述有源层两端上方且贯穿所述中间层的源极和漏极,所述源极在其下方通过通孔与所述遮光层连接;
形成位于所述中间层上且覆盖所述源极和漏极的平坦层。
进一步优选的,相邻的所述金属垫交错排列。
进一步优选的,在所述通孔内和所述基板背面形成连接所述金属垫和绑定电路层的导电层的步骤,包括:采用印刷工艺形成位于所述通孔内和基板背面的银浆,所述银浆将所述金属垫和绑定电路层导通。
另一方面,本发明提供了一种显示面板,包括:
基板;
位于所述基板正面的金属层,所述金属层包括金属垫;
位于所述金属层上的薄膜晶体管层;
位于所述基板背面的绑定电路层;
在对应所述金属垫的位置贯穿所述基板的通孔;
位于所述通孔内和所述基板背面的导电层,所述导电层将所述金属垫与所述绑定电路层电连接。
进一步优选的,所述通孔由交替循环进行的刻蚀处理和保护处理所形成,所述刻蚀处理的时间为60-100s,所述保护处理的时间为90-120s。
进一步优选的,所述金属层还包括与所述金属垫隔开设置的遮光层,所述薄膜晶体管层包括:
覆盖所述金属层的缓冲层;
位于所述缓冲层上有源层;
位于所述有源层上的栅极绝缘层;
位于所述栅极绝缘层上的栅极层;
位于所述缓冲层上且覆盖所述有源层、栅极绝缘层、及栅极层的中间层;
位于所述有源层两端上方且贯穿所述中间层的源极和漏极,所述源极在其下方通过通孔与所述遮光层连接;
位于所述中间层上且覆盖所述源极和漏极的平坦层。
进一步优选的,相邻的所述金属垫交错排列。
本发明的有益效果是:提供一种显示面板的制作方法及显示面板,先在基板的正面形成金属层,所述金属层包括金属垫,然后在所述金属层上形成薄膜晶体管层,再在所述基板的背面形成绑定电路层,在对应所述金属垫的位置形成贯穿所述基板的通孔,最后在所述通孔内和所述基板背面形成连接所述金属垫和绑定电路层的导电层,通过贯穿基板的通孔,将原来正面的fanout电路连接至背面,为正面布局节省了fanout空间和绑定引脚空间,可以实现真正的超窄边框,进而可以实现两个超窄边框的显示屏之间的“无缝”拼接。
附图说明
下面结合附图,通过对本发明的具体实施方式详细描述,将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1是本发明实施例提供的显示面板的制作方法的流程示意图;
图2a-2d是图1中显示面板的制作过程中的剖面结构示意图;
图3是图1中的步骤S5的具体流程示意图;
图4a是步骤S51完成后的显示面板的部分剖面结构示意图;
图4b是步骤S53完成后的显示面板的部分剖面结构示意图;
图4c是步骤S54过程中的通孔的结构示意图;
图5是本发明实施例提供的显示面板的俯视结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本发明的描述中,术语“正面”和“背面”仅用来描述位于玻璃基板的两侧不同的面,并不用于限制器件在玻璃基板上的方位。也就是说,当显示面板倒置,基板的“正面”也可以变成“背面”,“背面”也可以变成“正面”。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本发明。此外,本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
研究发现,侧面绑定(bonding)技术,可以实现小于0.88mm的窄边框,但受到fanout Height的限制,难以进一步做窄;而弯折绑定技术,采用玻璃+PI双基底,切掉边缘非显示区玻璃将带线路图案的PI层弯折至背面进行bonding,但是弯折处膜层之间peeling会产生良率的问题。
本发明得益于超薄玻璃技术(<0.1mm)的实现,结合循环干刻工艺原理,在OLED,Mini/MicroLED等显示面板进行背面制程,可以实现微米级别的“无缝”拼接。
本发明实施例提供了一种显示面板100的制作方法,图1是本发明实施例提供的显示面板的制作方法的流程示意图,图2a-2d是图1中显示面板的制作过程中的剖面结构示意图,该显示面板100的制作方法包括如下步骤S1-S6。
首先,请参阅图1中的步骤S1-S3和图2a。
步骤S1:提供基板10。
在本实施例中,基板10优选为玻璃基板,其材料为SiO2。基板10当然也可以为金属、塑料等其他材料。
步骤S2:在基板10的正面形成金属层20,所述金属层20包括金属垫21。
在本实施例中,金属层20的材质可以为Mo、Cu、Al、Ti或ITO其中之一的单层结构,也可以为其中金属的任意组合。优选的,可以先在基板10上形成的Mo,然后在Mo上形成的Cu,这是由于Cu与玻璃基板的亲和性较低,Mo和玻璃基板的亲和性较好。
需要注意的是,在制作金属层20的同时要制作背面制程用的对位mark,以便背面制程的位置对准。
步骤S3:在金属层20上形成薄膜晶体管层30。
本发明适用于顶栅极结构和底栅极结构,在本实施例中,以顶栅极(Thin FilmTransistor,TFT)结构作为示例,该金属层还包括与所述金属垫21隔开设置的遮光层22,遮光层22的材料与金属垫21相同,而且是在同一道金属制程(步骤S2)中形成。形成薄膜晶体管层30的步骤可以包括:
形成覆盖金属层20的缓冲层31;
形成位于缓冲层31上有源层32;
形成位于有源层32上的栅极绝缘层33;
形成位于栅极绝缘层33上的栅极层34;
形成位于缓冲层上31且覆盖有源层32、栅极绝缘层33、及栅极层34的中间层35;
形成位于有源层32两端上方且贯穿中间层35的源极36和漏极37,所述源极36在其下方由过孔38与遮光层22连接;
形成位于中间层35上且覆盖源极32和漏极33的平坦层39。
其中,该缓冲层31为由SiOx、SiNx、SiNO中的一种制备而成的单层结构,或者由SiNx/SiOx制备而成的叠层结构,有源层32采用铟镓锌氧化物或低温多晶硅制备而成,该栅极绝缘层33和中间层35都可以采用无机材料制备而成,该无机材料为SiOx、SiNx、SiNO中的一种,栅极层34可以为Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu等金属及其合金材料中的一种。
接着,请参阅图1中的步骤S4和图2b。
步骤S4:在基板10的背面形成绑定电路层40。
接着,请参阅图1中的步骤S5和图2c。
步骤S5:在对应金属垫21的位置形成贯穿基板10的通孔11。
具体的,请参阅图3,图3是图1中的步骤S5的具体流程示意图,在本实施例中,步骤S5具体包括步骤S51-S55。请同时参阅图4a,图4a是步骤S51完成后的显示面板的部分剖面结构示意图。
步骤S51:在基板10背面对应金属垫21的位置涂布光致抗蚀剂41。
在本实施例中,光致抗蚀剂41优选为聚乙烯醇肉桂酸脂,其为负性胶,含有大量的双键,未感光时遇到HF形成含氟聚合物,不抗刻蚀;感光后抗刻蚀。在其他实施例中,也可以用正性胶,正性胶在未感光时抗刻蚀,感光时不抗刻蚀。光致抗蚀剂41的选择与后续刻蚀选用的刻蚀剂有关,也会影响光罩图案的选择。
步骤S52:对光致抗蚀剂41进行曝光。
在本实施例中,采用光罩对光致抗蚀剂41进行曝光,光罩图案根据实际需求选择。
请同时参阅图4b,图4b是步骤S53完成后的显示面板的部分剖面结构示意图。
步骤S53:对曝光后的光致抗蚀剂41进行刻蚀。
优选的,采用干法刻蚀工艺,刻蚀气体为氢氟酸(HF)和氧气(O2),也可以选用其他合适的刻蚀剂。
在本实施例中,曝光后,由于聚乙烯醇肉桂酸脂含有大量的双键,受光照的部分抗刻蚀,没有受到光照的部分遇到HF形成含氟聚合物,所以不抗刻蚀。因此光致抗蚀剂41的未感光部分被刻蚀掉形成开口,留下的光致抗蚀剂41的图案如图4b所示。
请同时参阅图4c,图4c是步骤S54过程中的通孔的结构示意图。
步骤S54:基于刻蚀后的光致抗蚀剂41对基板10进行交替循环的刻蚀处理和保护处理。
本发明实施例采用循环干法刻蚀工艺,利HF和O2对玻璃(SiO2)(基板10)进行刻蚀,利用C4F8作为保护气体,使刻蚀与侧面保护交替进行,形成深孔的同时可以避免产生底部缺陷。如图5所示,(1)、(3)、(5)、(7)是刻蚀处理的过程,刻蚀处理的时间优选为60-100s,最后会形成的通孔11,(2)、(4)、(6)、(8)是保护处理的过程,保护处理的时间优选为90-120s,最后会在通孔的侧面形成保护层12,保护层12为C4F8形成的聚合物。其中,循环干法刻蚀工艺等关键工艺参数可根据实际进行调整。
步骤S55:剥离刻蚀后的光致抗蚀剂41。
最后,请参阅图1中的步骤S6和图2d。
步骤S6:在通孔11内和基板10背面形成连接金属垫21和绑定电路层40的导电层50。
在本实施例中,可以采用银浆印刷工艺形成导电层50,该银浆将金属垫21和绑定电路层40导通。在其他实施例中,也可以采用别的沉积方法和材料形成导电层50。由此可以实现AA-AA(一个显示屏到另一个显示屏)为小于160um(甚至小于100um)的超载窄边框拼接,即一个显示屏的边框可以小于80um,而且不会产生良率问题。
本发明实施例提供的显示面板100的制作方法还包括:进行背面的COF(Chip onFilm)绑定。
请参阅图5,图5是本发明实施例提供的显示面板的俯视结构示意图。
在本实施例中,相邻的金属垫21交错排列,是为了避免背面打洞时同一条直线上过于密集使玻璃破裂。
本发明实施例提供的显示面板100的制作方法,通过在基板10的正面形成金属垫21以替代原fanout区的线路,在背面形成绑定电路层40,并通过贯穿基板10的通孔11中形成连接金属垫21和绑定电路层40的导电层50,以将现有技术中正面的绑定电路转移到背面,可以在保证产品良率的同时节省正面布线的空间,实现真正的超窄边框。
本发明实施例还提供了一种由上述显示面板的制作方法制作而成的显示面板100,如图2d所示,该显示面板100包括:基板10,位于基板10正面的金属层20,所述金属层包括金属垫21,位于金属层20上的薄膜晶体管层30,位于基板10背面的绑定电路层40,在对应金属垫21的位置贯穿基板10的通孔11,以及位于通孔11内和基板10背面的导电层50,所述导电层50将金属垫21与绑定电路层40电连接。
其中,通孔11由交替循环进行的刻蚀处理和保护处理所形成,所述刻蚀处理的时间优选为60-100s,所述保护处理的时间优选为90-120s。
本发明实施例提供的显示面板100将绑定电路层40设置在基板10的背面,经通孔11及导电层50连接到正面的金属垫21,节省了在正面进行电路绑定的空间,可以减小显示屏的边框,实现真正的超窄边框,进而可以实现超窄边框的显示屏之间的“无缝”拼接。
以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
提供基板;
在所述基板的正面形成金属层,所述金属层包括金属垫;
在所述金属层上形成薄膜晶体管层;
在所述基板的背面形成绑定电路层;
在对应所述金属垫的位置形成贯穿所述基板的通孔;
在所述通孔内和所述基板背面形成连接所述金属垫和绑定电路层的导电层。
2.根据权利要求1所述显示面板的制作方法,其特征在于,在对应所述金属垫的位置形成贯穿所述基板的通孔的步骤,包括:
在所述基板背面对应所述金属垫的位置涂布光致抗蚀剂;
对所述光致抗蚀剂进行曝光;
对曝光后的所述光致抗蚀剂进行刻蚀;
基于刻蚀后的所述光致抗蚀剂对所述基板进行交替循环的刻蚀处理和保护处理;
剥离所述刻蚀后的光致抗蚀剂。
3.根据权利要求2所述显示面板的制作方法,其特征在于,所述刻蚀处理的时间为60-100s,所述保护处理的时间为90-120s。
4.根据权利要求1所述显示面板的制作方法,其特征在于,所述金属层还包括与所述金属垫隔开设置的遮光层,在所述金属层上形成薄膜晶体管层的步骤,包括:
形成覆盖所述金属层的缓冲层;
形成位于所述缓冲层上有源层;
形成位于所述有源层上的栅极绝缘层;
形成位于所述栅极绝缘层上的栅极层;
形成位于所述缓冲层上且覆盖所述有源层、栅极绝缘层、及栅极层的中间层;
形成位于所述有源层两端上方且贯穿所述中间层的源极和漏极,所述源极在其下方通过通孔与所述遮光层连接;
形成位于所述中间层上且覆盖所述源极和漏极的平坦层。
5.根据权利要求1所述显示面板的制作方法,其特征在于,相邻的所述金属垫交错排列。
6.根据权利要求1所述显示面板的制作方法,其特征在于,在所述通孔内和所述基板背面形成连接所述金属垫和绑定电路层的导电层的步骤,包括:采用印刷工艺形成位于所述通孔内和基板背面的银浆,所述银浆将所述金属垫和绑定电路层导通。
7.一种显示面板,其特征在于,包括:
基板;
位于所述基板正面的金属层,所述金属层包括金属垫;
位于所述金属层上的薄膜晶体管层;
位于所述基板背面的绑定电路层;
在对应所述金属垫的位置贯穿所述基板的通孔;
位于所述通孔内和所述基板背面的导电层,所述导电层将所述金属垫与所述绑定电路层电连接。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述通孔由交替循环进行的刻蚀处理和保护处理所形成,所述刻蚀处理的时间为60-100s,所述保护处理的时间为90-120s。
9.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述金属层还包括与所述金属垫隔开设置的遮光层,所述薄膜晶体管层包括:
覆盖所述金属层的缓冲层;
位于所述缓冲层上有源层;
位于所述有源层上的栅极绝缘层;
位于所述栅极绝缘层上的栅极层;
位于所述缓冲层上且覆盖所述有源层、栅极绝缘层、及栅极层的中间层;
位于所述有源层两端上方且贯穿所述中间层的源极和漏极,所述源极在其下方通过通孔与所述遮光层连接;
位于所述中间层上且覆盖所述源极和漏极的平坦层。
10.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,相邻的所述金属垫交错排列。
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- 2020-11-05 CN CN202011222708.3A patent/CN112366218A/zh active Pending
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