CN109904186A - 一种显示基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

一种显示基板及其制作方法、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN109904186A
CN109904186A CN201910151312.5A CN201910151312A CN109904186A CN 109904186 A CN109904186 A CN 109904186A CN 201910151312 A CN201910151312 A CN 201910151312A CN 109904186 A CN109904186 A CN 109904186A
Authority
CN
China
Prior art keywords
underlay substrate
electrode
emitting diode
tft
thin film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910151312.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109904186B (zh
Inventor
梁志伟
刘英伟
狄沐昕
王珂
曹占锋
焦士搏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201910151312.5A priority Critical patent/CN109904186B/zh
Publication of CN109904186A publication Critical patent/CN109904186A/zh
Priority to US16/632,167 priority patent/US11289464B2/en
Priority to PCT/CN2019/099484 priority patent/WO2020173049A1/en
Application granted granted Critical
Publication of CN109904186B publication Critical patent/CN109904186B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/061—Disposition
    • H01L2224/0618—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
    • H01L2224/06181—On opposite sides of the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，该显示基板包括：衬底基板，所述衬底基板具有第一通孔；设置于所述衬底基板的第一侧的驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管包括第一极和第二极；设置于所述衬底基板的第二侧的无机发光二极管芯片，所述无机发光二极管芯片包括第一引脚和第二引脚，所述无机发光二极管芯片的第一引脚通过填充于所述第一通孔内的第一导电部与对应的所述驱动薄膜晶体管的第一极电连接，所述第二引脚与设置于所述衬底基板的第二侧的第二电极电连接，所述第二电极用于与公共电压连接端电连接。本发明能够提高显示基板的良率。

Description

一种显示基板及其制作方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
Mini-LED(小型发光二极管)/Micro-LED(微发光二极管)显示技术是通过巨量转移技术将数以百万计的微米级别的LED(发光二极管)芯片安装到驱动背板上而实现的一种显示技术。每个LED能够像OLED(有机发光二极管)一样单独驱动发光，由于LED采用无机材料制作，因此克服了OLED烧屏以及寿命短的缺点，同时LED具有响应速度快，高对比度，高色彩饱和度，能够实现超高解析度，结构简单，能够实现轻薄弯曲等优点，因此可广泛应用于智能手机、平板电脑、电视、AR/VR(增强现实/虚拟现实)、可穿戴设备以及超大屏幕显示等场景。
虽然Mini-LED/Micro-LED有如此多的优点，但是其仍然面临巨量转移技术良品率低等问题。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，能够在一定程度上提高现有的显示基板巨量转移技术良品率。
为解决上述技术问题，本发明提供一种显示基板，包括：
衬底基板，所述衬底基板具有第一通孔；
设置于所述衬底基板的第一侧的驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管包括第一极和第二极；
设置于所述衬底基板的第二侧的无机发光二极管芯片，所述无机发光二极管芯片包括第一引脚和第二引脚，所述无机发光二极管芯片的第一引脚通过填充于所述第一通孔内的第一导电部与对应的所述驱动薄膜晶体管的第一极电连接，所述第二引脚与设置于所述衬底基板的第二侧的第二电极电连接，所述第二电极用于与公共电压连接端电连接。
可选的，所述显示基板还包括：
设置于所述无机发光二极管芯片和所述衬底基板之间的第一电极，所述第一引脚通过所述第一电极与第一导电部电连接。
可选的，所述第一电极与所述第一导电部一体成型，且同材料。
可选的，所述第一导电部采用金属材料形成。
可选的，所述金属材料包括Cu。
可选的，所述第一通孔的尺寸为10～200um，所述第一电极和所述第二电极的厚度为10～20um。
可选的，所述驱动薄膜晶体管还包括栅极和有源层，所述栅极设置于所述有源层和所述衬底基板之间，所述有源层在所述衬底基板上的正投影落入所述栅极在所述衬底基板上的正投影区域内。
可选的，所述衬底基板还具有第二通孔；所述显示基板还包括：
填充于所述第二通孔内的第二导电部；
设置于所述衬底基板的第二侧的第三电极，所述第二电极通过所述第三电极与所述第二导电部电连接；
设置于所述驱动薄膜晶体管的远离所述衬底基板的一侧的第四电极，所述第四电极用于与公共电压连接端电连接，所述第四电极与所述第三电极通过填充于所述第二通孔内的第二导电部电连接。
可选的，所述显示基板还包括：
设置于所述驱动薄膜晶体管的远离所述衬底基板的一侧的第五电极和第六电极，所述第五电极用于与数据驱动芯片电连接，所述第六电极用于与栅极驱动芯片电连接，所述第五电极与所述驱动薄膜晶体管的第二极电连接，所述第六电极与所述驱动薄膜晶体管的栅极电连接。
本发明还提供一种显示装置，包括上述显示基板。
本发明还提供一种显示基板的制作方法，包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板的第一侧形成驱动薄膜晶体管；
形成贯通所述衬底基板的第一通孔；
在所述第一通孔内形成第一导电部；
在所述衬底基板的第二侧形成第二电极，所述第二电极用于与公共电压连接端电连接；
采用巨量转移技术将无机发光二极管芯片设置到所述衬底基板的第二侧，并使得所述无机发光二极管芯片的第一引脚通过所述第一导电部与所述驱动薄膜晶体管的第一极电连接，和，使得所述无机发光二极管芯片的第二引脚与所述第二电极电连接。
可选的，在采用巨量转移技术将无机发光二极管芯片设置到所述衬底基板的第二侧之前，还包括：
在所述衬底基板的第二侧形成与所述第一导电部电连接的第一电极，且所述第一电极用于与所述无机发光二极管芯片的第一引脚电连接。
可选的，所述形成贯通所述衬底基板的所述第一通孔包括：
在所述衬底基板的第一侧形成所述驱动薄膜晶体管之前，采用激光对所述衬底基板需要开设所述第一通孔的位置进行照射，形成改性区域，所述改性区域的刻蚀选择比与所述衬底基板的其他区域的刻蚀选择比不同；
采用刻蚀液对所述衬底基板进行刻蚀，在所述改性区域形成贯通所述衬底基板的所述第一通孔。
可选的，所述采用刻蚀液对所述衬底基板进行刻蚀之前还包括：
在所述显示基板贴附保护膜，所述保护膜覆盖所述衬底基板的第一侧的膜层的正表面和侧表面；
所述采用巨量转移技术将无机发光二极管芯片设置到所述衬底基板的第二侧之后，还包括：
在所述无机发光二极管芯片远离所述衬底基板的一侧形成封装所述无机发光二极管芯片的封装层；
去除所述保护膜。
本发明的上述技术方案的有益效果如下：
本发明实施例中，驱动薄膜晶体管和无机发光二极管芯片分别设置于衬底基板的两侧，衬底基板可以起到隔离驱动薄膜晶体管和无机发光二极管芯片的作用，在无机发光二极管芯片绑定过程中，对无机发光二极管芯片施加力时，可以避免施加的压力控制不当导致驱动薄膜晶体管特性失常的问题，从而提高显示基板的良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例的显示基板的结构示意图；
图2为本发明实施例的显示基板的制作方法示意图；
图3为本发明实施例的玻璃通孔基板的制作方法示意图；
图4为本发明实施例的保护膜的使用方式示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
发明人发现，相关技术中在进行无机发光二极管芯片的绑定时，会施加一定的力将无机发光二极管芯片与绑定电极连接，由于驱动薄膜晶体管和无机发光二极管芯片设置于衬底基板的同一侧，如果绑定过程中施加的压力控制不当，会引起驱动薄膜晶体管特性异常，从而影响显示基板良率。
为解决上述问题，请参考图1，本发明实施例提供一种显示基板，该显示基板包括：
衬底基板100，所述衬底基板100具有第一通孔；
设置于所述衬底基板100的第一侧的驱动薄膜晶体管200A，所述驱动薄膜晶体管200A包括第一极2051和第二极2052；
设置于所述衬底基板100的第二侧的无机发光二极管芯片300，所述无机发光二极管芯片300包括第一引脚301和第二引脚302，所述无机发光二极管芯片300的第一引脚301通过填充于所述第一通孔内的第一导电部4011与对应的驱动薄膜晶体管200A的第一极2051连接，所述第二引脚302与设置于所述衬底基板100的第二侧的第二电极402电连接，所述第二电极402用于与公共电压连接端电连接。
本发明实施例中，驱动薄膜晶体管200A和无机发光二极管芯片300分别设置于衬底基板100的两侧，衬底基板100可以起到隔离驱动薄膜晶体管200A和无机发光二极管芯片300的作用，在无机发光二极管芯片300绑定过程中，对无机发光二极管芯片300施加力时，可以避免施加的压力控制不当导致驱动薄膜晶体管200A特性失常的问题，从而提高显示基板的良率。
本发明实施例中，所述衬底基板100可以为硬质衬底，例如玻璃基板、硅基晶元基板等，从而可有效隔离驱动薄膜晶体管200A和无机发光二极管芯片300，避免无机发光二极管芯片300绑定过程中施加的压力对驱动薄膜晶体管200A造成影响。
本发明实施例中，所述衬底基板100的第一通孔的尺寸可以为10～200um，此处所说的尺寸是指第一通孔的宽度(或者是直径)，第一通孔的尺寸较大，第一通孔内可形成较粗的第一导电部，同时，由于衬底基板的厚度较大，第一导电部也因此很厚，从而可形成良好、可靠的电气导通。
本发明实施例中，所述驱动薄膜晶体管200A中的第一极2051和第二极2052其中之一为源电极，另一为漏电极，所述第一极2051与无机发光二极管芯片的第一引脚301电连接，所述第二极2052用于电连接数据驱动芯片。驱动薄膜晶体管200A的第一极和第二极，以及无机发光二极管芯片300的第一引脚和第二引脚，均采用导电材料形成，例如金属材料。本发明实施例中所说的电连接包括导电的两个部件直接连接，或者通过其他导电部件间接连接。
本发明实施例中，所述驱动薄膜晶体管200A除了包括第一极2051和第二极2052之外，还包括栅极2021和有源层204。为了避免有源层204被无机发光二极管芯片300发射的光线影响，可选的，所述驱动薄膜晶体管200A为底栅型驱动薄膜晶体管，即所述驱动薄膜晶体管200A的栅极设置于所述有源层204和衬底基板100之间，所述有源层204在衬底基板100上的正投影落入所述栅极2021在衬底基板100上的正投影区域内，从而使得栅极2021能够遮挡住有源层204，避免有源层204被无机发光二极管芯片300发射的光线影响。当然，在本发明的其他一些实施例中，所述驱动薄膜晶体管200A也可以是顶栅型驱动薄膜晶体管，此时，可以在衬底基板100与有源层204之间设置遮挡层，以避免有源层204被无机发光二极管芯片300发射的光线影响。
本发明实施例中，所述第一导电部可以采用金属材料制成，以提高导电性能。优选地，所述金属材料包括Cu(铜)。
本发明实施例中，可选的，所述显示基板还可以包括：设置于所述无机发光二极管芯片300和所述衬底基板100之间的第一电极4012，所述第一引脚301通过所述第一电极4012与第一导电部4011电连接。
本发明实施例中，可选的，所述第一电极4012与所述第一导电部4011一体成型，且同材料。即第一电极4012也可以采用Cu形成。同时第二电极402也可以采用Cu形成。
本发明实施例中，可选的，所述第一电极4012和第二电极402的厚度可以为10～20um，厚度较大，从而可以与无机发光二极管芯片300形成可靠的电气连接。
本发明实施例中，所述无机发光二极管芯片300的第一引脚301和第二引脚302，其中之一为P电极，另一为N电极，所述无机发光二极管芯片300的第一引脚301通过第一导电部4011和第一电极4012与驱动薄膜晶体管200A的第一极2051电连接，所述无机发光二极管芯片300的第二引脚302与第二电极402电连接，第二电极402用于连接驱动电路的公共电压(VCOM)连接端。
本发明实施例中，第二电极402可以在衬底基板100的第二侧(即无机发光二极管芯片300所在一侧)与公共电压连接端电连接，也可以在衬底基板100的第一侧(即驱动薄膜晶体管200A所在一侧)与公共电压连接端电连接。
当需要在衬底基板100的第一侧与公共电压连接端电连接时，所述衬底基板100还具有第二通孔，所述显示基板还包括：
填充于所述第二通孔内的第二导电部4031；
设置于所述衬底基板100的第二侧的第三电极4032，所述第二电极402通过所述第三电极4032与所述第二导电部4031电连接。
设置于所述驱动薄膜晶体管200A的远离所述衬底基板100的一侧的第四电极2081，所述第四电极2081用于与公共电压连接端电连接，所述第四电极2081与所述第三电极4032通过所述第二导电部4031电连接。
本发明实施例中，可选的，第二导电部4031与所述第三电极4032一体成型，且同材料。所述第二导电部4031可以与第一导电部4011同材料。
本发明实施例中，所述第二通孔的尺寸可以与第一通孔的尺寸相同。
本发明实施例中，所述显示基板还可以包括：设置于所述驱动薄膜晶体管200A的远离所述衬底基板100的一侧的第五电极2082和第六电极2083，所述第五电极2082用于与数据驱动芯片(Source Driver IC)电连接，所述第六电极2083用于与栅极驱动芯片(GateDriver IC)电连接，所述第五电极2082与所述驱动薄膜晶体管200A的第二极2052电连接，所述第六电极2083与所述驱动薄膜晶体管200A的栅极电连接。
本发明实施例中，显示基板在衬底基板100的第一侧(即驱动薄膜晶体管200A所在一侧)与数据驱动芯片、栅极驱动电极和公共电压连接端电连接，即驱动电路全部放于显示基板的背面(出光面相反的一面)，从而可以实现无边框的显示装置。
本发明实施例中，衬底基板100的第一侧除了包括驱动薄膜晶体管各功能膜层之外，还可以包括其他膜层，下面结合图1进行说明。
图1所示的实施例中，所述显示基板可以包括：
缓冲层(buffer)201，缓冲层201可以采用SiO制成。
栅金属层图形，栅金属层图形包括上述驱动薄膜晶体管200A的栅极201，还可以包括第一连接部2022。
栅绝缘层203；
有源层204，即上述驱动薄膜晶体管的有源层；有源层204可以采用氧化物半导体材料或低温多晶硅(P-Si)半导体材料等制成，例如IGZO(铟镓锌氧化物)。
源漏金属层图形，所述源漏金属层图形包括上述驱动薄膜晶体管的第一极2051和第二极2052，还可以包括：第二连接部2053；从图1中可以看出，驱动薄膜晶体管的第一极2051通过第一连接部2022与第一导电部4011电连接；
钝化层(PVX)206；
平坦化层(PLN)207；
驱动电路绑定电极，所述绑定电极可以包括上述第四电极2081、第五电极2082和第六电极2083。从图1中可以看出，第四电极2081通过第一连接部2022、第二连接部2053与第二导电部4031点连接。
图1中，箭头所指方向为无机发光二极管芯片300的出光方向。
本发明实施例中的无机发光二极管芯片300可以是倒装结构的无机发光二极管芯片，也可以是正装结构的无机发光二极管芯片或者垂直结构的无机发光二极管芯片。
本发明实施例中的无机发光二极管芯片300可以为Mini-LED(迷你LED，尺寸为100-200微米)芯片或者Micro-LED(微LED，尺寸100微米以下)芯片。
本发明实施例还提供一种显示装置，包括上述任一实施例中的显示基板。
请参考图2，本发明实施例还提供一种显示基板的制作方法，包括：
步骤21：提供衬底基板；
步骤22：在所述衬底基板的第一侧形成驱动薄膜晶体管；形成贯通所述衬底基板的第一通孔；在所述第一通孔内形成第一导电部；以及，在所述衬底基板的第二侧形成第二电极，所述第二电极用于与公共电压连接端电连接；
步骤23：采用巨量转移技术将无机发光二极管芯片设置到所述衬底基板的第二侧，并使得所述无机发光二极管芯片的第一引脚通过所述第一导电部与所述驱动薄膜晶体管的第一极电连接，和，使得所述无机发光二极管芯片的第二引脚与所述第二电极电连接。
本发明实施例中，在进行无机发光二极管芯片绑定时，巨量转移设备会将无机发光二极管芯片与衬底基板上的电极对位，然后施加一定的力将无机发光二极管芯片与衬底基板上的电极连接，如果将无机发光二极管芯片和驱动薄膜晶体管放在衬底基板的同一侧，且无机发光二极管芯片绑定过程中施加的压力控制不当的话，会引起驱动薄膜晶体管的特性异常，本发明实施例中，将无机发光二极管芯片和驱动薄膜晶体管分别形成在衬底基板的两侧，在无机发光二极管芯片绑定过程中，可以防止应力不均导致驱动薄膜晶体管特性失常的问题，从而提高显示基板的良率。
本发明实施例中，在形成驱动薄膜晶体管的过程中，制作驱动薄膜晶体管需要采用高温工艺(一般在300℃～400℃之间)，第一通孔中的第一导电部(通常为金属)会在高温下膨胀，这对驱动薄膜晶体管会产生严重的不良影响，因而，本发明实施例的上述步骤22中，可以先形成驱动薄膜晶体管，再形成第一通孔以及第一通孔中的第一导电部，避免第一导电部膨胀对驱动薄膜晶体管的影响，同时，也能够避免驱动薄膜晶体管制作过程中第一导电部氧化问题和防止第一导电部背面划伤的问题。
当然，在本发明的其他一些实施例中，上述步骤22中，也可以直接在形成有第一通孔和第一导电部的衬底基板(此时该种基板TGV(玻璃通孔)基板)上形成驱动薄膜晶体管。即先形成第一通孔和第一导电部，然后形成驱动薄膜晶体管。
本发明实施例中，可选的，在采用巨量转移技术将无机发光二极管芯片设置到所述衬底基板的第二侧之前，还包括：在所述衬底基板的第二侧形成与所述第一导电部电连接的第一电极，且所述第一电极用于与所述无机发光二极管芯片的第一引脚电连接。
本发明实施例中，请参考图3，所述形成贯通所述衬底基板的所述第一通孔可以包括：在所述衬底基板的第一侧形成所述驱动薄膜晶体管之前，采用激光对所述衬底基板100需要开设所述第一通孔的位置进行照射，形成改性区域100A，所述改性区域100A的刻蚀选择比与所述衬底基板100的其他区域(未被激光照射的区域)的刻蚀选择比不同；采用刻蚀液对所述衬底基板100进行刻蚀，在所述改性区域100A形成贯通所述衬底基板的所述第一通孔100B。本发明实施例中，用于衬底基板100改性的激光可以是特定波长的激光。当衬底基板为玻璃基板时，所述腐蚀液可以为HF(氢氟)腐蚀液，被激光照射的改性区域100A在腐蚀液中的腐蚀速度要快于未被激光照射区域的衬底基板的腐蚀速度，从而可以形成通孔。本发明实施例中，将衬底基板100放置在腐蚀液时，只需将衬底基板100浸泡到腐蚀液即可，不用将衬底基板上的膜层泡到腐蚀液中，避免衬底基板上的膜层被腐蚀。
本发明实施例中，先对衬底基板改性，然后再形成驱动薄膜晶体管，可以避免改性过程中激光对驱动薄膜晶体管的影响。
本发明实施例中，所述第一导电部和所述第一电极可以采用金属材料形成，优选的，可以采用Cu形成，以提高导电性能，当第一导电部和所述第一电极采用Cu形成时，在所述衬底基板上形成所述第一导电部和所述第一电极可以包括：采用电镀方式和构图工艺形成第一导电部和所述第一电极。具体的，电镀工艺中，由于Cu很容易扩散，本发明实施例中，在进行电镀工艺时，可以首先在第一通孔内形成扩散阻挡层，避免Cu扩展，可使用Ta(钽)/TaN(氮化钽)来作为扩散阻挡层，然后在扩散阻挡层表面覆盖一层Cu种子层，用于在电镀时进行导电，然后通过电镀工艺在第一通孔内形成第一导电部，并继续电镀在衬底基板表面形成一层Cu膜层，然后通过构图工艺形成第一电极。
本发明实施例中，请参考图4，所述采用刻蚀液对所述衬底基板进行刻蚀之前还可以包括：在所述显示基板贴附保护膜(参见图4中的保护膜500)，所述保护膜覆盖所述衬底基板的第一侧的膜层正表面和侧表面，所述保护膜用于保护衬底基板的第一侧的膜层不被所述刻蚀液腐蚀。
本发明实施例中，在形成第一通孔的过程中，需要采用刻蚀工艺，为避免刻蚀工艺对衬底基板的第一侧的膜层的影响，在刻蚀之前将衬底基板的第一侧的膜层采用保护膜保护起来。
具体的，保护膜500的膜材可以为PVC(聚氯乙烯类，Polyvinylchlorid)，后面两种：PP(聚丙烯类，polypropylene)、F4(聚四氟乙烯类，Polytetrafluoroethylene)，可通过具有粘合层的保护膜在显示面板待保护区域外围进行贴合，并在刻蚀工艺后将其撕除。
本发明实施例中，所述采用巨量转移技术将无机发光二极管芯片设置到所述衬底基板的第二侧之后还可以包括：
步骤24：在所述无机发光二极管芯片远离所述衬底基板的一侧形成封装所述无机发光二极管芯片的封装层；
步骤25：去除所述保护膜。
也就是说，在封装完无机发光二极管芯片之后，才拆除保护膜，可以进一步避免无机发光二极管芯片绑定及封装过程对背板功能层的影响。
本发明实施例中，可选的，衬底基板上还具有第二通孔，所述驱动背板还包括：
填充于所述第二通孔内的第二导电部；
设置于所述衬底基板的第二侧的第三电极，所述第二电极通过所述第三电极与所述第二导电部电连接；
设置于所述驱动薄膜晶体管的远离所述衬底基板的一侧的第四电极，所述第四电极用于与公共电压连接端电连接，所述第四电极与所述第三电极通过所述第二导电部电连接。
本发明实施例中，可选的，所述驱动背板还包括：设置于所述驱动薄膜晶体管的远离所述衬底基板的一侧的第五电极和第六电极，所述第五电极用于与数据驱动芯片电连接，所述第六电极用于与栅极驱动芯片电连接，所述第五电极与所述驱动薄膜晶体管的第二极电连接，所述第六电极与所述驱动薄膜晶体管的栅极电连接。
本发明实施例中，在衬底基板的第一侧(即驱动薄膜晶体管所在一侧)与数据驱动芯片、栅极驱动电极和公共电压连接端绑定，即驱动电路全部放于显示基板的背面(出光面相反的一面)，从而可以实现无边框的显示装置。
本发明实施例中，可选的，所述第一导电部和第一电极采用金属材料形成；所述使得所述无机发光二极管芯片的第一引脚通过所述第一导电部与所述驱动薄膜晶体管的第一极电连接，和，使得所述无机发光二极管芯片的第二引脚与所述第二电极电连接包括：采用金属-金属键合的方式，或者，采用焊料焊接的方式，或者，采用导电胶，连接所述无机发光二极管芯片的第一引脚与所述第一电极，和，所述无机发光二极管芯片的第二引脚与所述第二电极。
本发明实施例中，金属-金属键合的方式，是指对一定温度和第一压力下，金属与金属键合连接，本发明实施例中，所述温度可以为160～200℃，所述压力小于100kPa。
本发明实施例中，采用焊料焊接的方式时，焊料可以采用Sn-Ag-Cu或者In-Sn软焊料。
本发明实施例中，采用导电胶连接时，导电胶可以为各向异性导电胶(ACP)。
相关技术中，用于与无机发光二极管芯片绑定的绑定电极通常采用ITO/Ag/ITO(氧化铟锡/银/氧化铟锡)复合膜层制成，因而无法采用金属-金属键合的方式进行无机发光二极管芯片的绑定，一般采用银浆与ITO/Ag/ITO进行绑定，绑定温度约为100℃，这种绑定方式下，无机发光二极管芯片电气连接性差，很容易受到外力而脱落。同时在对无机发光二极管芯片进行修复时，需要将坏的无机发光二极管芯片移除，由于绑定电极上层ITO粘附性差很容易造成脱落，往往一次修复不成功需要多次修复，但ITO已经脱落，Ag暴露容易氧化，导致后续无法修复。
而，本发明实施例中，由于采用厚的金属电极作为薄膜晶体管与无机发光二极管芯片的连接方法，因此可以采用金属-金属键合的方式或者焊料焊接的方式实现无机发光二极管芯片与驱动薄膜晶体管的连接，可以实现可靠的电气连接，同时在对无机发光二极管芯片进行修复过程中，由于金属电极较厚，而且金属比ITO坚固，不容易脱落，因此便于无机发光二极管芯片的修复。
下面结合图1和4，对本发明实施例的显示基板的制作方法进行说明。
图1是以显示基板中的驱动薄膜晶体管为BCE结构的氧化物(Oxide)TFT为例，但是驱动薄膜晶体管的类型不限于此。图1所示的显示基板的制作过程包括：
步骤41：提供一衬底基板100，采用激光对所述衬底基板100需要开设第一通孔和第二通孔的位置进行照射，形成改性区域，所述改性区域的刻蚀选择比与所述衬底基板100的其他区域(未被激光照射的区域)的刻蚀选择比不同；
步骤42：在改性后的衬底基板100上形成缓冲层201，然后再沉积栅金属层，并对栅金属层进行构图，形成栅金属层图形，栅金属层图形包括：栅极2021和第一连接部2022；
步骤43：沉积栅绝缘层(GI)，并在栅绝缘层的特定位置开孔；
步骤44：沉积IGZO层，并对IGZO层进行构图形成有源层(Active)；
步骤45：沉积源漏金属层，并对源漏金属层进行构图，形成源漏金属层图形，源漏金属层图形包括第一极2051、第二极2052和第二导电连接部2053；
步骤46：沉积钝化层(PVX)206；
步骤47：形成平坦化层(PLN)207；
步骤48：沉积金属层，并对金属层进行构图，形成驱动电路绑定电极(Driver ICbonding Pad)，驱动电路绑定连接电极包括第四电极2081，第五电极2082和第六电极2083，第四电极2081用于与公共电压连接端电连接，第五电极2082用于与数据驱动芯片电连接，第六电极2083用于与栅极驱动芯片电连接；
经过上述步骤，完成了背板功能层的制作。
步骤49：在所述衬底基板100的第一侧贴附保护膜(参见图4中的保护膜500)，所述保护膜覆盖所述衬底基板上的膜层的正表面和侧表面。
步骤410：将完成上述制作的衬底基板100浸泡到一定浓度的氢氟溶液中，氢氟溶液将衬底基板被激光照射的改性区域的位置腐蚀开，形成贯通衬底基板的第一通孔和第二通孔；同时，将衬底基板本身作为硬掩膜(Hard Mask)，采用干刻工艺刻蚀掉缓冲层，形成与衬底基板的第一通孔和第二通孔连接的通孔，然后沉积扩散阻挡层以及Cu种子层，采用电镀工艺在衬底基板100整面电镀10～20um的厚Cu层，并对Cu层进行构图，形成填充于第一通孔内的第一导电部，填充于第二通孔内的第二导电部以及位于衬底基板第二侧的第一电极、第二电极和第三电极。
步骤411：采用巨量转移技术将无机发光二极管芯片300放置到衬底基板100第二侧，并得所述无机发光二极管芯片300的第一引脚通过所述第一导电部与所述驱动薄膜晶体管的第一极电连接，和，使得所述无机发光二极管芯片的第二引脚与所述第二电极电连接。
步骤412：无机发光二极管芯片300绑定完成并且经过封装后，去掉保护膜500。
除非另作定义，本发明中使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也相应地改变。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (14)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：
衬底基板，所述衬底基板具有第一通孔；
设置于所述衬底基板的第一侧的驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管包括第一极和第二极；
设置于所述衬底基板的第二侧的无机发光二极管芯片，所述无机发光二极管芯片包括第一引脚和第二引脚，所述无机发光二极管芯片的第一引脚通过填充于所述第一通孔内的第一导电部与对应的所述驱动薄膜晶体管的第一极电连接，所述第二引脚与设置于所述衬底基板的第二侧的第二电极电连接，所述第二电极用于与公共电压连接端电连接。
2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，还包括：
设置于所述无机发光二极管芯片和所述衬底基板之间的第一电极，所述第一引脚通过所述第一电极与第一导电部电连接。
3.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一电极与所述第一导电部一体成型，且同材料。
4.如权利要求1-3任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第一导电部采用金属材料形成。
5.如权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述金属材料包括Cu。
6.如权利要求2或3所述的显示基板，其特征在于，所述第一通孔的尺寸为10～200um，所述第一电极和所述第二电极的厚度为10～20um。
7.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述驱动薄膜晶体管还包括栅极和有源层，所述栅极设置于所述有源层和所述衬底基板之间，所述有源层在所述衬底基板上的正投影落入所述栅极在所述衬底基板上的正投影区域内。
8.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述衬底基板还具有第二通孔；所述显示基板还包括：
填充于所述第二通孔内的第二导电部；
设置于所述衬底基板的第二侧的第三电极，所述第二电极通过所述第三电极与所述第二导电部电连接；
设置于所述驱动薄膜晶体管的远离所述衬底基板的一侧的第四电极，所述第四电极用于与公共电压连接端电连接，所述第四电极与所述第三电极通过所述第二导电部电连接。
9.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，还包括：
设置于所述驱动薄膜晶体管的远离所述衬底基板的一侧的第五电极和第六电极，所述第五电极用于与数据驱动芯片电连接，所述第六电极用于与栅极驱动芯片电连接，所述第五电极与所述驱动薄膜晶体管的第二极电连接，所述第六电极与所述驱动薄膜晶体管的栅极电连接。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的显示基板。
11.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板的第一侧形成驱动薄膜晶体管；
形成贯通所述衬底基板的第一通孔；
在所述第一通孔内形成第一导电部；
在所述衬底基板的第二侧形成第二电极，所述第二电极用于与公共电压连接端电连接；
采用巨量转移技术将无机发光二极管芯片设置到所述衬底基板的第二侧，并使得所述无机发光二极管芯片的第一引脚通过所述第一导电部与所述驱动薄膜晶体管的第一极电连接，和，使得所述无机发光二极管芯片的第二引脚与所述第二电极电连接。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，在采用巨量转移技术将无机发光二极管芯片设置到所述衬底基板的第二侧之前，还包括：
在所述衬底基板的第二侧形成与所述第一导电部电连接的第一电极，且所述第一电极用于与所述无机发光二极管芯片的第一引脚电连接。
13.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述形成贯通所述衬底基板的所述第一通孔包括：
在所述衬底基板的第一侧形成所述驱动薄膜晶体管之前，采用激光对所述衬底基板需要开设所述第一通孔的位置进行照射，形成改性区域，所述改性区域的刻蚀选择比与所述衬底基板的其他区域的刻蚀选择比不同；
采用刻蚀液对所述衬底基板进行刻蚀，在所述改性区域形成贯通所述衬底基板的所述第一通孔。
14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，
所述采用刻蚀液对所述衬底基板进行刻蚀之前还包括：
在所述显示基板贴附保护膜，所述保护膜覆盖所述衬底基板的第一侧的膜层的正表面和侧表面；
所述采用巨量转移技术将无机发光二极管芯片设置到所述衬底基板的第二侧之后，还包括：
在所述无机发光二极管芯片远离所述衬底基板的一侧形成封装所述无机发光二极管芯片的封装层；
去除所述保护膜。
CN201910151312.5A 2019-02-28 2019-02-28 一种显示基板及其制作方法、显示装置 Active CN109904186B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910151312.5A CN109904186B (zh) 2019-02-28 2019-02-28 一种显示基板及其制作方法、显示装置
US16/632,167 US11289464B2 (en) 2019-02-28 2019-08-06 Display substrate, method for fabricating the same, and display device
PCT/CN2019/099484 WO2020173049A1 (en) 2019-02-28 2019-08-06 Display substrate, method for fabricating the same, and display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910151312.5A CN109904186B (zh) 2019-02-28 2019-02-28 一种显示基板及其制作方法、显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109904186A true CN109904186A (zh) 2019-06-18
CN109904186B CN109904186B (zh) 2021-10-29

Family

ID=66945707

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910151312.5A Active CN109904186B (zh) 2019-02-28 2019-02-28 一种显示基板及其制作方法、显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11289464B2 (zh)
CN (1) CN109904186B (zh)
WO (1) WO2020173049A1 (zh)

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110416244A (zh) * 2019-07-30 2019-11-05 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及其制作方法
CN110429098A (zh) * 2019-07-31 2019-11-08 云谷（固安）科技有限公司 一种显示面板及其制作方法、显示装置
CN110571224A (zh) * 2019-08-05 2019-12-13 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置及其制备方法
CN110737137A (zh) * 2019-10-31 2020-01-31 厦门天马微电子有限公司 Led基板及制作方法、背光模组及显示装置
CN110752209A (zh) * 2019-10-28 2020-02-04 京东方科技集团股份有限公司 一种显示用驱动背板及其制备方法、显示面板
CN110853531A (zh) * 2019-11-21 2020-02-28 京东方科技集团股份有限公司 显示用驱动背板及其制备方法、显示面板
CN111293135A (zh) * 2020-02-20 2020-06-16 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制造方法、显示装置
WO2020173049A1 (en) * 2019-02-28 2020-09-03 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate, method for fabricating the same, and display device
CN111653645A (zh) * 2020-06-15 2020-09-11 京东方科技集团股份有限公司 一种探测面板、其制作方法及射线探测装置
CN111755418A (zh) * 2019-09-23 2020-10-09 友达光电股份有限公司 显示面板及其制作方法
CN111951697A (zh) * 2020-08-10 2020-11-17 Tcl华星光电技术有限公司 拼接显示屏
CN112018143A (zh) * 2019-05-28 2020-12-01 云谷（固安）科技有限公司 微发光二极管显示基板、显示面板及其制作方法、显示装置
CN112289819A (zh) * 2019-07-25 2021-01-29 李蕙如 主动式rgb发光二极管显示器载板
CN112349747A (zh) * 2019-08-07 2021-02-09 北京小米移动软件有限公司 一种oled屏幕组件及其生产方法和电子设备
WO2021147759A1 (zh) * 2020-01-20 2021-07-29 北京芯海视界三维科技有限公司 显示单元和显示器
CN113394325A (zh) * 2021-06-09 2021-09-14 京东方科技集团股份有限公司 电路基板及其制备方法、发光基板
WO2021204071A1 (zh) * 2020-04-08 2021-10-14 北京芯海视界三维科技有限公司 端子连接结构、显示单元及显示器
WO2021217718A1 (zh) * 2020-04-28 2021-11-04 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN113725269A (zh) * 2021-08-27 2021-11-30 京东方科技集团股份有限公司 一种发光器件的制备方法、发光器件及发光装置
CN114665000A (zh) * 2022-03-28 2022-06-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示基板、显示面板以及制备方法
CN114792701A (zh) * 2021-01-24 2022-07-26 张葳葳 一种主动驱动无机发光二极管显示和照明器件及其制作方法
CN115117225A (zh) * 2022-06-28 2022-09-27 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 发光基板及其制作方法以及显示装置
WO2023226127A1 (zh) * 2022-05-24 2023-11-30 惠州华星光电显示有限公司 一种显示面板及其制备方法、拼接显示装置
WO2023240497A1 (zh) * 2022-06-15 2023-12-21 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置
JP7510820B2 (ja) 2020-08-31 2024-07-04 シャープ福山レーザー株式会社 画像表示素子

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110634839B (zh) * 2019-09-26 2021-11-26 京东方科技集团股份有限公司 微发光二极管显示基板、装置及制备方法
CN113270437A (zh) 2020-02-17 2021-08-17 京东方科技集团股份有限公司 背板及其制备方法、显示装置
US11462282B2 (en) * 2020-04-01 2022-10-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor memory structure
CN114203733B (zh) * 2021-12-10 2023-07-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置及其制造方法
CN115241359A (zh) * 2022-08-12 2022-10-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 半导体器件及其制作方法、显示面板
TWI823665B (zh) * 2022-11-04 2023-11-21 友達光電股份有限公司 顯示組件、包含其之顯示裝置及其製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150054008A1 (en) * 2013-08-20 2015-02-26 Lg Electronics Inc. Display device using semiconductor light emitting device
US20160293586A1 (en) * 2015-03-30 2016-10-06 Emagin Corporation Method of integrating inorganic light emitting diode with oxide thin film transistor for display applications
CN106486492A (zh) * 2015-08-31 2017-03-08 三星显示有限公司 显示设备及其制造方法
CN106795044A (zh) * 2014-10-03 2017-05-31 日本板硝子株式会社 带贯通电极玻璃基板的制造方法以及玻璃基板
CN107302011A (zh) * 2016-04-14 2017-10-27 群创光电股份有限公司 显示装置
CN107424935A (zh) * 2017-05-08 2017-12-01 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管、显示基板及其制作方法、显示装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7576364B2 (en) * 2007-02-15 2009-08-18 Chi Mei Optoelectronics Corp. Display device and method of manufacturing the same
JP2009049001A (ja) * 2007-07-20 2009-03-05 Canon Inc 有機発光装置及びその製造方法
JP5129284B2 (ja) * 2010-03-09 2013-01-30 日本電波工業株式会社 圧電振動子及び圧電振動子の製造方法
KR102028680B1 (ko) 2013-03-20 2019-11-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102486876B1 (ko) * 2015-07-07 2023-01-11 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN107564928B (zh) * 2016-06-30 2020-04-14 群创光电股份有限公司 显示装置
KR102614612B1 (ko) * 2016-10-25 2023-12-19 엘지디스플레이 주식회사 관통홀을 통해 기판의 앞면과 배면을 연결한 평판 표시장치
CN109904186B (zh) * 2019-02-28 2021-10-29 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150054008A1 (en) * 2013-08-20 2015-02-26 Lg Electronics Inc. Display device using semiconductor light emitting device
CN106795044A (zh) * 2014-10-03 2017-05-31 日本板硝子株式会社 带贯通电极玻璃基板的制造方法以及玻璃基板
US20160293586A1 (en) * 2015-03-30 2016-10-06 Emagin Corporation Method of integrating inorganic light emitting diode with oxide thin film transistor for display applications
CN106486492A (zh) * 2015-08-31 2017-03-08 三星显示有限公司 显示设备及其制造方法
CN107302011A (zh) * 2016-04-14 2017-10-27 群创光电股份有限公司 显示装置
CN107424935A (zh) * 2017-05-08 2017-12-01 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管、显示基板及其制作方法、显示装置

Cited By (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020173049A1 (en) * 2019-02-28 2020-09-03 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate, method for fabricating the same, and display device
US11289464B2 (en) 2019-02-28 2022-03-29 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate, method for fabricating the same, and display device
CN112018143A (zh) * 2019-05-28 2020-12-01 云谷（固安）科技有限公司 微发光二极管显示基板、显示面板及其制作方法、显示装置
CN112289819A (zh) * 2019-07-25 2021-01-29 李蕙如 主动式rgb发光二极管显示器载板
CN110416244A (zh) * 2019-07-30 2019-11-05 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及其制作方法
CN110429098A (zh) * 2019-07-31 2019-11-08 云谷（固安）科技有限公司 一种显示面板及其制作方法、显示装置
CN110429098B (zh) * 2019-07-31 2021-07-23 成都辰显光电有限公司 一种显示面板及其制作方法、显示装置
WO2021022635A1 (zh) * 2019-08-05 2021-02-11 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置及其制备方法
CN110571224A (zh) * 2019-08-05 2019-12-13 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置及其制备方法
CN110571224B (zh) * 2019-08-05 2021-12-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置及其制备方法
CN112349747A (zh) * 2019-08-07 2021-02-09 北京小米移动软件有限公司 一种oled屏幕组件及其生产方法和电子设备
CN111755418B (zh) * 2019-09-23 2022-02-01 友达光电股份有限公司 显示面板及其制作方法
TWI759632B (zh) * 2019-09-23 2022-04-01 友達光電股份有限公司 顯示面板及顯示面板製作方法
CN111755418A (zh) * 2019-09-23 2020-10-09 友达光电股份有限公司 显示面板及其制作方法
US11532264B2 (en) 2019-10-28 2022-12-20 Beijing Boe Technology Development Co., Ltd. Driving backplane and method for manufacturing the same, and display panel
CN110752209B (zh) * 2019-10-28 2021-04-30 京东方科技集团股份有限公司 一种显示用驱动背板及其制备方法、显示面板
CN110752209A (zh) * 2019-10-28 2020-02-04 京东方科技集团股份有限公司 一种显示用驱动背板及其制备方法、显示面板
CN110737137A (zh) * 2019-10-31 2020-01-31 厦门天马微电子有限公司 Led基板及制作方法、背光模组及显示装置
CN110853531A (zh) * 2019-11-21 2020-02-28 京东方科技集团股份有限公司 显示用驱动背板及其制备方法、显示面板
WO2021147759A1 (zh) * 2020-01-20 2021-07-29 北京芯海视界三维科技有限公司 显示单元和显示器
CN111293135A (zh) * 2020-02-20 2020-06-16 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制造方法、显示装置
WO2021204071A1 (zh) * 2020-04-08 2021-10-14 北京芯海视界三维科技有限公司 端子连接结构、显示单元及显示器
WO2021217718A1 (zh) * 2020-04-28 2021-11-04 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN111653645A (zh) * 2020-06-15 2020-09-11 京东方科技集团股份有限公司 一种探测面板、其制作方法及射线探测装置
CN111951697A (zh) * 2020-08-10 2020-11-17 Tcl华星光电技术有限公司 拼接显示屏
US11979984B2 (en) 2020-08-10 2024-05-07 Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Splicing display screen
US12034105B2 (en) 2020-08-31 2024-07-09 Sharp Fukuyama Laser Co., Ltd. Image display element
JP7510820B2 (ja) 2020-08-31 2024-07-04 シャープ福山レーザー株式会社 画像表示素子
CN114792701A (zh) * 2021-01-24 2022-07-26 张葳葳 一种主动驱动无机发光二极管显示和照明器件及其制作方法
CN113394325A (zh) * 2021-06-09 2021-09-14 京东方科技集团股份有限公司 电路基板及其制备方法、发光基板
CN113725269B (zh) * 2021-08-27 2024-03-05 京东方科技集团股份有限公司 一种发光器件的制备方法、发光器件及发光装置
CN113725269A (zh) * 2021-08-27 2021-11-30 京东方科技集团股份有限公司 一种发光器件的制备方法、发光器件及发光装置
CN114665000A (zh) * 2022-03-28 2022-06-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示基板、显示面板以及制备方法
WO2023226127A1 (zh) * 2022-05-24 2023-11-30 惠州华星光电显示有限公司 一种显示面板及其制备方法、拼接显示装置
WO2023240497A1 (zh) * 2022-06-15 2023-12-21 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN115117225A (zh) * 2022-06-28 2022-09-27 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 发光基板及其制作方法以及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20210225823A1 (en) 2021-07-22
WO2020173049A1 (en) 2020-09-03
CN109904186B (zh) 2021-10-29
US11289464B2 (en) 2022-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109904186A (zh) 一种显示基板及其制作方法、显示装置
CN103427048B (zh) 制造有机发光显示面板的方法
CN109786421A (zh) 一种显示装置、显示背板及制作方法
US10254603B2 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
CN108258007B (zh) Oled阵列基板、显示装置及其暗点修复方法
US9553156B2 (en) Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
KR101611376B1 (ko) 칩 온 글라스 본딩 구조체
CN104518002B (zh) 显示装置和显示装置的制造方法
CN103839834B (zh) 半导体装置及其制造方法
JP4629072B2 (ja) 表示装置及び表示装置の製造方法
CN110268804A (zh) 使用半导体发光元件的显示装置及其制造方法
US8502333B2 (en) Display device utilizing conductive adhesive to electrically connect IC substrate to non-display region and manufacturing method of the same
CN110024484A (zh) 使用半导体发光器件的显示装置及其制造方法
CN106486524B (zh) 显示装置
TW201501282A (zh) 可撓式顯示面板及其製造方法
CN108269829A (zh) 显示装置以及制造该显示装置的方法
CN110335874A (zh) 一种显示基板、其制备方法及其显示装置
CN104393001A (zh) 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置
US11908841B2 (en) Back emission display
CN108122881A (zh) 膜上芯片以及包括该膜上芯片的显示装置
CN106816547B (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
TW201528495A (zh) 可撓式顯示面板及可撓式顯示面板之製作方法
CN107978690A (zh) 显示装置
CN110459505A (zh) 过孔连接结构及阵列基板的制造方法、阵列基板
CN109860143A (zh) 阵列基板、显示装置及制备方法、拼接显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant