JP2000001772A - 低抵抗膜用ｉｔｏターゲット - Google Patents
低抵抗膜用ｉｔｏターゲットInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＩＴＯ焼結体マトリックス相中の酸素原子と
インジウム原子比（酸素原子／インジウム原子）を一定
範囲に抑えた低抵抗膜用ＩＴＯターゲットを提供する。 【解決手段】 1.9〜 9.8原子％の錫を含むＩＴＯ焼結
体のマトリックス相中の酸素原子とインジウム原子比
（酸素原子／インジウム原子）を1.70〜1.95とする。
インジウム原子比（酸素原子／インジウム原子）を一定
範囲に抑えた低抵抗膜用ＩＴＯターゲットを提供する。 【解決手段】 1.9〜 9.8原子％の錫を含むＩＴＯ焼結
体のマトリックス相中の酸素原子とインジウム原子比
（酸素原子／インジウム原子）を1.70〜1.95とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、低抵抗膜用ＩＴＯ
ターゲットに関し、詳細にはＬＣＤ（液晶）、ＥＬ（エ
レクトロルミネセンス）、プラズマディスプレイ等の薄
型ディスプレー用表示デバイス駆動電極、太陽電池の透
明電極、更には窓ガラスへの熱線遮蔽コーティング、高
速交通機関のウインドシールドの防曇・防氷、各種機材
の帯電防止処理及び、静電遮蔽コーティング等に対して
用いられるＩＴＯ透明導電膜をＥＢ（蒸着）、スパッタ
リング法等のＰＶＤ法で作製する際に用いるＩＴＯ透明
導電膜用ターゲット材料に関するものである。なお、Ｉ
ＴＯ（Indium Tin Oxideの略）という物質は、酸化イン
ジウムと酸化錫を出発原料にして酸化インジウム中に錫
が又は酸化錫中にインジウムが固溶したり、複合酸化物
から構成されている材料である。
ターゲットに関し、詳細にはＬＣＤ（液晶）、ＥＬ（エ
レクトロルミネセンス）、プラズマディスプレイ等の薄
型ディスプレー用表示デバイス駆動電極、太陽電池の透
明電極、更には窓ガラスへの熱線遮蔽コーティング、高
速交通機関のウインドシールドの防曇・防氷、各種機材
の帯電防止処理及び、静電遮蔽コーティング等に対して
用いられるＩＴＯ透明導電膜をＥＢ（蒸着）、スパッタ
リング法等のＰＶＤ法で作製する際に用いるＩＴＯ透明
導電膜用ターゲット材料に関するものである。なお、Ｉ
ＴＯ（Indium Tin Oxideの略）という物質は、酸化イン
ジウムと酸化錫を出発原料にして酸化インジウム中に錫
が又は酸化錫中にインジウムが固溶したり、複合酸化物
から構成されている材料である。
【０００２】
【従来の技術】ＩＴＯ透明導電膜の製造方法にはスパッ
タリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法、スプレー熱分解法
などがあるが、特に良質なＩＴＯ透明導電膜（以下ＩＴ
Ｏ膜と言うこともある）が要求される分野ではスパッタ
リング（以下スパッタと言う）法が用いられている。そ
の場合、スパッタガスとしてアルゴン−酸素混合ガスが
用いられているが、酸素ガスは低抵抗で高光透過率なＩ
ＴＯ膜が得られるような量に設定される。また、スパッ
タリングターゲットとしてはＩＴ（In−Sn合金）ターゲ
ットを用いる方法とＩＴＯ焼結体ターゲットを用いる２
つの方法があるが、最近は膜性能、膜の均一性及び成膜
操作の簡便性に有利なＩＴＯ焼結体ターゲット（以下Ｉ
ＴＯターゲットと言う）を用いる方法が主流となってい
る。
タリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法、スプレー熱分解法
などがあるが、特に良質なＩＴＯ透明導電膜（以下ＩＴ
Ｏ膜と言うこともある）が要求される分野ではスパッタ
リング（以下スパッタと言う）法が用いられている。そ
の場合、スパッタガスとしてアルゴン−酸素混合ガスが
用いられているが、酸素ガスは低抵抗で高光透過率なＩ
ＴＯ膜が得られるような量に設定される。また、スパッ
タリングターゲットとしてはＩＴ（In−Sn合金）ターゲ
ットを用いる方法とＩＴＯ焼結体ターゲットを用いる２
つの方法があるが、最近は膜性能、膜の均一性及び成膜
操作の簡便性に有利なＩＴＯ焼結体ターゲット（以下Ｉ
ＴＯターゲットと言う）を用いる方法が主流となってい
る。
【０００３】このＩＴＯターゲットに望まれていること
は、低抵抗なＩＴＯ膜を成膜できることである。そのよ
うな低抵抗なＩＴＯ膜を成膜させる対策としてスパッタ
成膜中の異常放電を減少させ、ＩＴＯ膜への損傷を抑制
することが行われている。この異常放電は、ターゲット
表面上に発生するスパッタにより削り残された黒色突起
物（以下ノジュールと言う）とターゲットから発生する
粉塵（パーティクル）が原因となっており、その対応策
はＩＴＯターゲットを高密度化することで対処してい
る。すなわち、低密度なＩＴＯターゲットをスパッタリ
ング法に使用した場合、低い熱伝導率のために放電電圧
が上昇してターゲット表面温度が上がり、その結果ター
ゲット表面が還元され低級酸化物となってノジュールが
発生する。また低密度ＩＴＯターゲットは結晶粒子の欠
落によってチャンバー内にパーティクルを発生させ、異
常放電が起こると考えられている。
は、低抵抗なＩＴＯ膜を成膜できることである。そのよ
うな低抵抗なＩＴＯ膜を成膜させる対策としてスパッタ
成膜中の異常放電を減少させ、ＩＴＯ膜への損傷を抑制
することが行われている。この異常放電は、ターゲット
表面上に発生するスパッタにより削り残された黒色突起
物（以下ノジュールと言う）とターゲットから発生する
粉塵（パーティクル）が原因となっており、その対応策
はＩＴＯターゲットを高密度化することで対処してい
る。すなわち、低密度なＩＴＯターゲットをスパッタリ
ング法に使用した場合、低い熱伝導率のために放電電圧
が上昇してターゲット表面温度が上がり、その結果ター
ゲット表面が還元され低級酸化物となってノジュールが
発生する。また低密度ＩＴＯターゲットは結晶粒子の欠
落によってチャンバー内にパーティクルを発生させ、異
常放電が起こると考えられている。
【０００４】上記のようなことから、低密度ＩＴＯター
ゲットではＩＴＯ膜特性の劣化（高抵抗、低光透過率）
やターゲット使用効率低下（ノジュールの発生）を招く
ため、相対密度95％以上の高密度なＩＴＯターゲットが
望まれている。
ゲットではＩＴＯ膜特性の劣化（高抵抗、低光透過率）
やターゲット使用効率低下（ノジュールの発生）を招く
ため、相対密度95％以上の高密度なＩＴＯターゲットが
望まれている。
【０００５】そしてこのような高密度なＩＴＯターゲッ
トを作製する方法として、酸素加圧雰囲気高温焼結法や
ホットプレス法がある。
トを作製する方法として、酸素加圧雰囲気高温焼結法や
ホットプレス法がある。
【０００６】酸素加圧雰囲気高温焼結法は、特公平 7−
100852号公報に説明されているように、加圧容器中で16
00〜1700℃の非常に高い温度で焼結を行うため、密度6.
20〜7.23g ／cm3 を達成している。またホットプレス法
は、成形体を高圧不活性ガス下で焼結する方法である
が、相対密度95％程度のＩＴＯ焼結体を得ることができ
る。
100852号公報に説明されているように、加圧容器中で16
00〜1700℃の非常に高い温度で焼結を行うため、密度6.
20〜7.23g ／cm3 を達成している。またホットプレス法
は、成形体を高圧不活性ガス下で焼結する方法である
が、相対密度95％程度のＩＴＯ焼結体を得ることができ
る。
【０００７】また、ＩＴＯ膜の低抵抗化に対しては次の
ような提案もある。例えば、特公平 6− 68935号公報で
は、ＩＴＯ焼結体の比抵抗を2mΩ・cm以下（焼結密度5.
3g／cm3 以上、相対密度約75％以上）にすることによ
り、成膜時の放電が非常に安定で低抵抗なＩＴＯ膜を得
ることができると説明されている。
ような提案もある。例えば、特公平 6− 68935号公報で
は、ＩＴＯ焼結体の比抵抗を2mΩ・cm以下（焼結密度5.
3g／cm3 以上、相対密度約75％以上）にすることによ
り、成膜時の放電が非常に安定で低抵抗なＩＴＯ膜を得
ることができると説明されている。
【０００８】特公平 7−9435号公報では、ターゲット表
面比抵抗値が 50mΩ／cm2 未満且つ平均結晶粒径が 7μ
m 以上にすることにより、蒸着の際の蒸発過程で低抵抗
なクラスターが基板に飛来しやすくなり、結晶成長の核
となって低導電膜が得られると説明されている。
面比抵抗値が 50mΩ／cm2 未満且つ平均結晶粒径が 7μ
m 以上にすることにより、蒸着の際の蒸発過程で低抵抗
なクラスターが基板に飛来しやすくなり、結晶成長の核
となって低導電膜が得られると説明されている。
【０００９】特開平 6−158308号公報では、スパッタリ
ング用ターゲットの比抵抗を1mΩ・cm以下にすると抵抗
率が10-4Ω・cm台のＩＴＯ膜を得ることができると報告
されている。
ング用ターゲットの比抵抗を1mΩ・cm以下にすると抵抗
率が10-4Ω・cm台のＩＴＯ膜を得ることができると報告
されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、これ
までのＩＴＯ焼結体ターゲットにおいては、ＩＴＯ焼結
体ターゲットを高密度に形成したり、あるいは比抵抗や
表面の比抵抗値が小さくなるように形成することで、低
抵抗で高光透過率なＩＴＯ膜を得ることの改善がなされ
きたが、本発明者らの研究によれば、高密度化（相対密
度を上げる）だけでは必ずしも安定して低抵抗で高光透
過率なＩＴＯ膜が得られるとは限らないことが判明し、
その原因を調査研究した結果本発明をなしたものであ
る。
までのＩＴＯ焼結体ターゲットにおいては、ＩＴＯ焼結
体ターゲットを高密度に形成したり、あるいは比抵抗や
表面の比抵抗値が小さくなるように形成することで、低
抵抗で高光透過率なＩＴＯ膜を得ることの改善がなされ
きたが、本発明者らの研究によれば、高密度化（相対密
度を上げる）だけでは必ずしも安定して低抵抗で高光透
過率なＩＴＯ膜が得られるとは限らないことが判明し、
その原因を調査研究した結果本発明をなしたものであ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、従来のよう
に、ＩＴＯターゲットの相対密度のみを上げるのではな
く、従来には全く報告のなかった、ＩＴＯ焼結体マトリ
ックス相中の酸素原子とインジウム原子比（酸素原子／
インジウム原子）を一定範囲に抑えることでなしたもの
である。すなわち、本発明に係る低抵抗膜用ＩＴＯター
ゲットは、 1.9〜9.8原子％の錫を含むＩＴＯ焼結体の
マトリックス相中の酸素原子とインジウム原子比（酸素
原子／インジウム原子）を1.70〜1.95とするものであ
る。
に、ＩＴＯターゲットの相対密度のみを上げるのではな
く、従来には全く報告のなかった、ＩＴＯ焼結体マトリ
ックス相中の酸素原子とインジウム原子比（酸素原子／
インジウム原子）を一定範囲に抑えることでなしたもの
である。すなわち、本発明に係る低抵抗膜用ＩＴＯター
ゲットは、 1.9〜9.8原子％の錫を含むＩＴＯ焼結体の
マトリックス相中の酸素原子とインジウム原子比（酸素
原子／インジウム原子）を1.70〜1.95とするものであ
る。
【００１２】また、本発明に係る低抵抗膜用ＩＴＯター
ゲットにおいては、相対密度を95％以上とすることが好
ましい。相対密度を95％以上とすることでノジュールや
パーティクルの発生を抑制し異常放電特性を改善するの
で、安定した低抵抗ＩＴＯ膜を長時間成膜する、使用効
率の高いＩＴＯターゲットとすることができる。
ゲットにおいては、相対密度を95％以上とすることが好
ましい。相対密度を95％以上とすることでノジュールや
パーティクルの発生を抑制し異常放電特性を改善するの
で、安定した低抵抗ＩＴＯ膜を長時間成膜する、使用効
率の高いＩＴＯターゲットとすることができる。
【００１３】なお、本発明に係る低抵抗膜用ＩＴＯター
ゲットを製造する具体的な手段としては、本発明者等が
先に特開平 8−283934号公報に提案したものの内、特に
大気又は酸素雰囲気1350〜1500℃で予備焼結を行い、13
50〜1450℃で且つＩＴＯの分解を抑えた雰囲気制御ＨＩ
Ｐ（熱間等方圧加圧）処理を行う製造方法が挙げられ、
この製造方法によれば所望の酸素原子／インジウム原子
比及び相対密度が確保できる。
ゲットを製造する具体的な手段としては、本発明者等が
先に特開平 8−283934号公報に提案したものの内、特に
大気又は酸素雰囲気1350〜1500℃で予備焼結を行い、13
50〜1450℃で且つＩＴＯの分解を抑えた雰囲気制御ＨＩ
Ｐ（熱間等方圧加圧）処理を行う製造方法が挙げられ、
この製造方法によれば所望の酸素原子／インジウム原子
比及び相対密度が確保できる。
【００１４】以下に本発明の構成並びに作用についてさ
らに詳細に説明する。本発明に係るＩＴＯターゲットに
おいて、錫(Sn)の含有量を 1.9〜 9.8原子％とする理由
は、含有量が 1.9原子％未満だとSn添加による過剰電子
量が少ないため電気伝導度の支配因子であるキャリア密
度を低下させ、また含有量が 9.8原子％以上だと過剰添
加Snが格子間に存在するようになるために電気伝導度の
支配因子である移動度を低下させるので電気抵抗を高く
してしまうためである。そして、特に好ましい範囲は
2.6〜 6.5原子％である。また、本発明に係るＩＴＯタ
ーゲットには他の成分が本発明の目的、効果を損なわな
い範囲において含まれてあってもよく、その差し支えな
い可及的な少量としては例えばFe、Al、Si等であれば総
合で100ppm以下に抑えることが望ましい。
らに詳細に説明する。本発明に係るＩＴＯターゲットに
おいて、錫(Sn)の含有量を 1.9〜 9.8原子％とする理由
は、含有量が 1.9原子％未満だとSn添加による過剰電子
量が少ないため電気伝導度の支配因子であるキャリア密
度を低下させ、また含有量が 9.8原子％以上だと過剰添
加Snが格子間に存在するようになるために電気伝導度の
支配因子である移動度を低下させるので電気抵抗を高く
してしまうためである。そして、特に好ましい範囲は
2.6〜 6.5原子％である。また、本発明に係るＩＴＯタ
ーゲットには他の成分が本発明の目的、効果を損なわな
い範囲において含まれてあってもよく、その差し支えな
い可及的な少量としては例えばFe、Al、Si等であれば総
合で100ppm以下に抑えることが望ましい。
【００１５】次に、酸素原子／インジウム原子比を1.70
〜1.95とした理由を説明する。ＩＴＯ膜はスパッタリン
グ法や蒸着法等のＰＶＤ法で成膜される場合、膜成分は
ターゲットから原子や分子のかたちではなくクラスター
としても放出されるため、これが基板に到着すると結晶
成長の核として役割を果たしエピタキシャル成長してＩ
ＴＯ膜が形成される。そのためＩＴＯターゲット自体
が、低抵抗化に有効なクラスターを得るための酸素原子
／インジウム原子比になることが必要不可欠である。そ
こで、酸素原子／インジウム原子比を1.70〜1.95とする
ものである。酸素原子／インジウム原子比が1.95より高
いと酸素空格子点(vacancy）が少なくなるため、過剰電
子の供給が少なくなって電子密度が低下し、酸素原子／
インジウム原子比が1.70より低いと多くの酸素空格子点
によって結晶格子に乱れが生じ、電子の移動度が低下し
てしまうため、結果としてＩＴＯ膜の電気抵抗値が上が
ってしまう。このため酸素原子／インジウム原子比を1.
70〜1.95とするものである。
〜1.95とした理由を説明する。ＩＴＯ膜はスパッタリン
グ法や蒸着法等のＰＶＤ法で成膜される場合、膜成分は
ターゲットから原子や分子のかたちではなくクラスター
としても放出されるため、これが基板に到着すると結晶
成長の核として役割を果たしエピタキシャル成長してＩ
ＴＯ膜が形成される。そのためＩＴＯターゲット自体
が、低抵抗化に有効なクラスターを得るための酸素原子
／インジウム原子比になることが必要不可欠である。そ
こで、酸素原子／インジウム原子比を1.70〜1.95とする
ものである。酸素原子／インジウム原子比が1.95より高
いと酸素空格子点(vacancy）が少なくなるため、過剰電
子の供給が少なくなって電子密度が低下し、酸素原子／
インジウム原子比が1.70より低いと多くの酸素空格子点
によって結晶格子に乱れが生じ、電子の移動度が低下し
てしまうため、結果としてＩＴＯ膜の電気抵抗値が上が
ってしまう。このため酸素原子／インジウム原子比を1.
70〜1.95とするものである。
【００１６】因みに従来法で作製されたＩＴＯターゲッ
トを分析すると、高温焼結法ではＩＴＯターゲット中の
多くの酸素が欠落（還元）しているため酸素原子／イン
ジウム原子比が1.70より低く、ホットプレス法では低温
で焼結するために酸素原子／インジウム原子比が1.95よ
り高くなっていた。
トを分析すると、高温焼結法ではＩＴＯターゲット中の
多くの酸素が欠落（還元）しているため酸素原子／イン
ジウム原子比が1.70より低く、ホットプレス法では低温
で焼結するために酸素原子／インジウム原子比が1.95よ
り高くなっていた。
【００１７】これに対し本発明では、焼結温度と焼結雰
囲気を適正化して焼結（雰囲気制御ＨＩＰ処理）するこ
とにより、ＩＴＯ焼結体マトリックス相中の酸素原子／
インジウム原子比が1.70〜1.95のＩＴＯターゲットが得
られるとともに、このＩＴＯターゲットを用い、適正な
電子密度と移動度を得ることで低抵抗ＩＴＯ膜を得るこ
とができる。
囲気を適正化して焼結（雰囲気制御ＨＩＰ処理）するこ
とにより、ＩＴＯ焼結体マトリックス相中の酸素原子／
インジウム原子比が1.70〜1.95のＩＴＯターゲットが得
られるとともに、このＩＴＯターゲットを用い、適正な
電子密度と移動度を得ることで低抵抗ＩＴＯ膜を得るこ
とができる。
【００１８】そして更に、ＩＴＯ焼結体マトリックス相
中の酸素原子／インジウム原子比を最適化しつつ相対密
度を95％以上とすれば、スパッタリングターゲットとし
て使用した場合により安定した放電特性が得られるので
低抵抗なＩＴＯ膜を長時間成膜することができる。その
理由は、まず第一に、ターゲットの相対密度を上げると
ターゲットからの粉塵（パーティクル）発生を抑制する
ことができる。第二に熱伝導率が向上するためにターゲ
ット表面に熱がたまらないので、低抵抗ＩＴＯの低級酸
化物化（酸素原子／インジウム原子比の低下）を阻止し
てノジュールを抑えることができる。以上より異常放電
発生が抑えられるので、低抵抗なＩＴＯ膜を長時間成膜
することができる。
中の酸素原子／インジウム原子比を最適化しつつ相対密
度を95％以上とすれば、スパッタリングターゲットとし
て使用した場合により安定した放電特性が得られるので
低抵抗なＩＴＯ膜を長時間成膜することができる。その
理由は、まず第一に、ターゲットの相対密度を上げると
ターゲットからの粉塵（パーティクル）発生を抑制する
ことができる。第二に熱伝導率が向上するためにターゲ
ット表面に熱がたまらないので、低抵抗ＩＴＯの低級酸
化物化（酸素原子／インジウム原子比の低下）を阻止し
てノジュールを抑えることができる。以上より異常放電
発生が抑えられるので、低抵抗なＩＴＯ膜を長時間成膜
することができる。
【００１９】
【実施例】〔実施例１〕In2O3−3.65原子％Sn相当を造
粒した後、下表に示す各焼結方法で様々なＩＴＯ焼結体
マトリックス相中の酸素原子／インジウム原子比(O／I
n）のものを作製した。
粒した後、下表に示す各焼結方法で様々なＩＴＯ焼結体
マトリックス相中の酸素原子／インジウム原子比(O／I
n）のものを作製した。
【００２０】
【表１】
【００２１】表１において、実験１、２は従来からある
高温焼結法であり、酸素フロー雰囲気常圧焼結であるた
めに元々酸素含有量が低く、高温焼結になればなるほど
更に含有量が低くなり、 O／In比が本発明で限定する1.
70より小さな値となった。実験３も従来からある焼結法
である還元雰囲気ホットプレス法であるが、低温焼結で
あるために酸素含有量が高く、 O／In比が本発明で限定
する1.95より大きな値となった。実験４〜６は熱間等方
圧加圧（ＨＩＰ）焼結法で行った。実験５は低温予備焼
結処理であるが、Ar雰囲気下でＩＴＯの分解を抑える雰
囲気制御ＨＩＰ処理したため若干酸素含有量が低くなっ
た。一方、実験４、６は低温予備焼結処理＋酸化雰囲気
下で同様にＩＴＯの分解を抑える雰囲気制御ＨＩＰ処理
を行ったので、酸素含有量が高くなったものの、いずれ
も O／In比は本発明で限定する1.70〜1.95の範囲内とな
った。実験７、８は酸素雰囲気常圧焼結なので、実験
１、２の酸素フロー雰囲気より若干酸素含有量が高くな
ったものの、本発明で限定する1.70より低い値となる。
高温焼結法であり、酸素フロー雰囲気常圧焼結であるた
めに元々酸素含有量が低く、高温焼結になればなるほど
更に含有量が低くなり、 O／In比が本発明で限定する1.
70より小さな値となった。実験３も従来からある焼結法
である還元雰囲気ホットプレス法であるが、低温焼結で
あるために酸素含有量が高く、 O／In比が本発明で限定
する1.95より大きな値となった。実験４〜６は熱間等方
圧加圧（ＨＩＰ）焼結法で行った。実験５は低温予備焼
結処理であるが、Ar雰囲気下でＩＴＯの分解を抑える雰
囲気制御ＨＩＰ処理したため若干酸素含有量が低くなっ
た。一方、実験４、６は低温予備焼結処理＋酸化雰囲気
下で同様にＩＴＯの分解を抑える雰囲気制御ＨＩＰ処理
を行ったので、酸素含有量が高くなったものの、いずれ
も O／In比は本発明で限定する1.70〜1.95の範囲内とな
った。実験７、８は酸素雰囲気常圧焼結なので、実験
１、２の酸素フロー雰囲気より若干酸素含有量が高くな
ったものの、本発明で限定する1.70より低い値となる。
【００２２】〔実施例２〕次に、上記実施例１で得られ
たＩＴＯ焼結体を、直径 100mmのＩＴＯターゲットに加
工してスパッタリング成膜実験を行った。スパッタリン
グはＤＣマグネトロンスパッタ装置を用い、2mTorrのAr
＋0.3 ％O2雰囲気、スパッタ出力 150Ｗ、基板温度 200
℃の条件で膜厚1500ÅのＩＴＯ膜を成膜した。成膜後、
ＩＴＯ膜の膜抵抗率を４端子法を用いて測定した。その
測定結果を図１に示す。なお、図における符号（１〜
８）は表１の実験番号と符合する。
たＩＴＯ焼結体を、直径 100mmのＩＴＯターゲットに加
工してスパッタリング成膜実験を行った。スパッタリン
グはＤＣマグネトロンスパッタ装置を用い、2mTorrのAr
＋0.3 ％O2雰囲気、スパッタ出力 150Ｗ、基板温度 200
℃の条件で膜厚1500ÅのＩＴＯ膜を成膜した。成膜後、
ＩＴＯ膜の膜抵抗率を４端子法を用いて測定した。その
測定結果を図１に示す。なお、図における符号（１〜
８）は表１の実験番号と符合する。
【００２３】図１から分かるように、酸素原子／インジ
ウム原子（ O／In）比を1.70〜1.95の適正量にすること
で1.5 ×10-4Ω・cm以下の低抵抗ＩＴＯ膜が成膜するこ
とができることがわかる。
ウム原子（ O／In）比を1.70〜1.95の適正量にすること
で1.5 ×10-4Ω・cm以下の低抵抗ＩＴＯ膜が成膜するこ
とができることがわかる。
【００２４】〔実施例３〕成形圧力と実験５のAr−ＨＩ
Ｐ処理圧力（予備焼結、ＨＩＰ温度一定）を変えなが
ら、表２に示す相対密度のみが異なる直径100mm のＩＴ
Ｏターゲットを作製した。このとき処理温度を一定にし
たので、酸素原子／インジウム原子比は1.87である。な
お、相対密度の測定はアルキメデス法によった。
Ｐ処理圧力（予備焼結、ＨＩＰ温度一定）を変えなが
ら、表２に示す相対密度のみが異なる直径100mm のＩＴ
Ｏターゲットを作製した。このとき処理温度を一定にし
たので、酸素原子／インジウム原子比は1.87である。な
お、相対密度の測定はアルキメデス法によった。
【００２５】次にターゲット寿命試験として、上記各Ｉ
ＴＯターゲットを用い、ＤＣマグネトロンスパッタ装置
を用いてスパッタガス2.0mTorrのAr＋0.3 ％O2雰囲気、
スパッタ出力 150Ｗで30時間放電を行った。寿命試験後
の成膜には基板温度 200℃で膜厚1500ÅのＩＴＯ膜を得
た。得られたＩＴＯ膜の特性（抵抗率、可視光透過率）
を測定した。その測定結果を表２に併せて示す。
ＴＯターゲットを用い、ＤＣマグネトロンスパッタ装置
を用いてスパッタガス2.0mTorrのAr＋0.3 ％O2雰囲気、
スパッタ出力 150Ｗで30時間放電を行った。寿命試験後
の成膜には基板温度 200℃で膜厚1500ÅのＩＴＯ膜を得
た。得られたＩＴＯ膜の特性（抵抗率、可視光透過率）
を測定した。その測定結果を表２に併せて示す。
【００２６】
【表２】
【００２７】表２より明らかなように、実験９、10のも
のは何れもＩＴＯ膜の特性（抵抗率、可視光透過率）に
優れているのに対して、実験11は抵抗率が高く、可視光
透過率が小さくなった。その理由は考察するに、相対密
度が91.6％と低かったためにスパッタ成膜中に高温の異
常放電が多く発生し、このためＩＴＯ膜にダメージを与
え膜特性を劣化させたためと考える。
のは何れもＩＴＯ膜の特性（抵抗率、可視光透過率）に
優れているのに対して、実験11は抵抗率が高く、可視光
透過率が小さくなった。その理由は考察するに、相対密
度が91.6％と低かったためにスパッタ成膜中に高温の異
常放電が多く発生し、このためＩＴＯ膜にダメージを与
え膜特性を劣化させたためと考える。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る低抵
抗膜用ＩＴＯターゲットによれば、低抵抗なＩＴＯ膜を
安定して得ることができる。また更に相対密度95％以上
の高密度に成形することで、1.5 ×10-4Ω・cm以下の低
抵抗なＩＴＯ膜を安定して得ることができるとともに、
成膜時の異常放電を抑制させ、長時間安定した低抵抗、
高光透過率ＩＴＯ膜を得ることができる。
抗膜用ＩＴＯターゲットによれば、低抵抗なＩＴＯ膜を
安定して得ることができる。また更に相対密度95％以上
の高密度に成形することで、1.5 ×10-4Ω・cm以下の低
抵抗なＩＴＯ膜を安定して得ることができるとともに、
成膜時の異常放電を抑制させ、長時間安定した低抵抗、
高光透過率ＩＴＯ膜を得ることができる。
【図１】ＩＴＯターゲットマトリックス相中の酸素原子
／インジウム原子比とＩＴＯ膜抵抗率との関係を示す図
である。
／インジウム原子比とＩＴＯ膜抵抗率との関係を示す図
である。
Claims (2)
- 【請求項１】 1.9〜 9.8原子％の錫を含むＩＴＯ焼結
体のマトリックス相中の酸素原子とインジウム原子比
（酸素原子／インジウム原子）が1.70〜1.95であること
を特徴とする低抵抗膜用ＩＴＯターゲット。 - 【請求項２】 相対密度が95％以上である請求項１に記
載の低抵抗膜用ＩＴＯターゲット
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16830598A JP2000001772A (ja) | 1998-06-16 | 1998-06-16 | 低抵抗膜用ｉｔｏターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16830598A JP2000001772A (ja) | 1998-06-16 | 1998-06-16 | 低抵抗膜用ｉｔｏターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000001772A true JP2000001772A (ja) | 2000-01-07 |
Family
ID=15865568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16830598A Pending JP2000001772A (ja) | 1998-06-16 | 1998-06-16 | 低抵抗膜用ｉｔｏターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000001772A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007176706A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-12 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 酸化物焼結体及びその製造方法並びにスパッタリングターゲット及び透明導電膜 |
| JP2007238365A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 酸化物焼結体及びその製造方法並びにスパッタリングターゲット及び透明導電膜 |
-
1998
- 1998-06-16 JP JP16830598A patent/JP2000001772A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007176706A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-12 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 酸化物焼結体及びその製造方法並びにスパッタリングターゲット及び透明導電膜 |
| JP2007238365A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 酸化物焼結体及びその製造方法並びにスパッタリングターゲット及び透明導電膜 |
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