DE102012203055B4 - Sputtertarget aus einem galliumdotiertes Zink enthaltenden Material und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents
Sputtertarget aus einem galliumdotiertes Zink enthaltenden Material und Verfahren zu dessen Herstellung Download PDFInfo
- Publication number
- DE102012203055B4 DE102012203055B4 DE102012203055.7A DE102012203055A DE102012203055B4 DE 102012203055 B4 DE102012203055 B4 DE 102012203055B4 DE 102012203055 A DE102012203055 A DE 102012203055A DE 102012203055 B4 DE102012203055 B4 DE 102012203055B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- gallium
- sputtering target
- aluminum
- zinc
- target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000011701 zinc Substances 0.000 title claims abstract description 20
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 18
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 24
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 4
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 16
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 2
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C18/00—Alloys based on zinc
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Sputtertarget aus einem galliumdotierten Zink-Grundmaterial zur Beschichtung von Substraten mit einer transparenten leitfähigen Schicht, dadurch gekennzeichnet, dass das Targetmaterial metallisch ist und nur eine weitere Dotierung mit Aluminium aufweist.
Description
- Die Erfindung betrifft ein Sputtertarget aus einem galliumdotiertes Zink enthaltenden Material, welches zur Beschichtung verschiedener, beschichteter oder unbeschichteter Substrate mit einer transparenten leitfähigen Schicht verwendet wird, sowie das Verfahren zu dessen Herstelllung.
- Derartige TCO-Schichten kommen in verschiedenen Anwendungen zum Einsatz, z. B. als Flächenkontakt in Solarzellen oder Elektroden in Displays oder Touchscreens. Den Anwendungen ist gemeinsam, dass die TCO-Schichten eine hohe sichtbare Transparenz Tv von 85% und mehr und einen geringen Flächenwiderstand Rs von 10 Ω/square und weniger aufweisen. Hinzu kommt, dass insbesondere für die Anwendung in Solarzellen eine mechanische und chemische Beständigkeit der Schicht gegenüber Umwelteinflüssen als auch eine Temperaturbeständigkeit erforderlich sind, um die optischen und elektrischen Eigenschaften langfristig zu erhalten. Für solare Anwendungen kommt noch hinzu, dass geeignete Oberflächenstrukturen mit solchen Strukturgrößen erforderlich sind, die das einfallende Licht durch Streuung effektiv in die Solarzelle einkoppeln und dadurch eine stärkere Absorption in den Siliziumschichten ermöglichen.
- Für TCO-Schichten insbesondere für Solaranwendungen haben sich in den vergangenen Jahren Zinkoxid-Schichten durchgesetzt, da mit diesem Material die oben genannten und bessere optische und elektrische Werte erzielbar sind und zudem ein preisgünstiger Rohstoff vorliegt, der auch für massenhafte Anwendungen verwendbar ist. Zur Optimierung der Eigenschaften ist die Dotierung von Zinkoxid mit Aluminium (ZnO:Al oder AZO) oder mit Gallium (ZnO:Ga oder GZO) bekannt, wobei Letzteres insbesondere dann von Interesse ist, wenn hochtemperaturstabile Anwendungen gefragt sind. ZnO:Ga degradiert erst bei deutlich höheren Temperaturen als das gewöhnlich genutzte ZnO:Al.
- Zur Herstellung der TCO-Schichten können insbesondere Sputterverfahren eingesetzt werden, bei denen das aufzubringende Material der TCO-Schicht durch Zerstäuben von einem Festkörpertarget mittels Beschuss mit energiereichen Edelgasionen in die Gasphase überführt und auf einem Substrat schichtbildend abgeschieden wird.
- Es hat sich gezeigt, dass die Prozessbedingungen während des Sputterns die resultierenden optischen und elektrischen Materialeigenschaften der ZnO-Schichten maßgeblich bestimmen. Auch die Oberflächenstrukturen, die z. B. durch nasschemisches Ätzen erzeugt werden können, werden z. B. durch die Prozessparameter Temperatur und Druck und durch das gewählte Substratmaterial beeinflusst.
- Die Abscheidung kann von einem keramischen Target erfolgen, bei welchem das Beschichtungsmaterial bereits in der abzuscheidenden Zusammensetzung vorliegt und keine oder nur geringe Anteile von Reaktionsgas (Sauerstoff und/oder Stickstoff) der ansonsten inerten Prozessatmosphäre zugesetzt werden. Alternativ ist die reaktive Abscheidung von einem Festkörpertarget möglich, bei der die Sauerstoffanteile, gegebenenfalls auch andere Gasanteile, als Reaktivgas in der Prozessatmosphäre zugeführt werden. Grundsätzlich gelingt es, sowohl mit DC-Magnetronzerstäubungsverfahren eines keramischen Festkörpertargets sowie mittels reaktivem DC-, Mittelfrequenz- oder Hochfrequenz-Zerstäuben eines metallischen Festkörpertargets die gewünschten Eigenschaften und Oberflächenstrukturen zu erzielen. Neben den Kosten für das Targetmaterial und das Beschichtungsverfahren ist für großtechnische Anwendungen auch die Homogenität und Reproduzierbarkeit der Eigenschaften und Oberflächenstrukturen zu berücksichtigen. Zwar hat sich das reaktive Sputtern von zinkoxidhaltigen Schichten in letzter Zeit als das kostengünstigere erwiesen, jedoch ist die Stabilisierung des Prozesses für industrielle Großanwendungen problematisch.
- Zudem gelingt es derzeit nur, großtechnische metallische Targets für die reaktive Beschichtung von Substraten mit TCO-Schichten mit deutlich unter 1 Gew.-% Galliumanteil zur Verfügung zu stellen, wodurch zu geringe Dotierkonzentrationen erzielt werden, die nicht den gewünschten geringen Flächenwiderstand ermöglichen. Lediglich zur Herstellung von dielektrischen Schichten sind aus der
WO 2012/036720 A1 DE 101 52 211 C1 werden titanhaltige Targets mit einem oder mehreren der Metalle Al, Ga und Sb beschrieben, mit deren Hilfe transparente Schutzschichten erzeugt werden können. - Zur Targetherstellung stehen derzeit verschiedene Verfahren zur Verfügung, z. B. das Gießen aus der Schmelze. Auch verschiedene Spritzverfahren, wie beispielsweise thermisches Spritzen, das Kaltgasspritzen oder das Plasmaspritzen sind bekannt. Beim thermischen Spritzen ist insbesondere ein drahtbasiertes Verfahren geeignet, bei dem das aufzubringende Material in Drahtform vorliegt und zunächst in einen Materialstrahl überführt und schließlich auf dem Targetgrundkörper deponiert wird. Beim Plasmaspritzverfahren wird meist Targetmaterial in Pulverform oder ein Targetmaterialgemisch in Pulverform eingesetzt und mittels des entstehenden Materialstrahls auf den Targetgrundkörper aufgebracht. Mit den bekannten Verfahren führen Galliumzugaben in größeren Mengen zum metallischen Zink zur Segregation und folglich bedingt durch den geringen Schmelzpunkt zum Ausschwitzen des nicht löslichen Galliums.
- Es ist folglich Aufgabe der Erfindung, ein Sputtertarget und ein Verfahren zu dessen Herstellung bereitzustellen, dessen Galliumkonzentration im Zink-Grundmaterial bei deutlich größer als 1 Gew.-% liegt, um einen geringeren Flächenwiderstand und dies möglichst bei verbesserter Temperaturbeständigkeit der mit dem Target sputterbaren TCO-Schichten zu erzielen.
- Die Aufgabe wird mit einem Sputtertarget nach Anspruch 1 und einem Verfahren zu dessen Herstellung nach Anspruch 5 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen des Targets und des Herstellungsverfahrens sind in den Ansprüchen 2 bis 4 bzw. 6 bis 9 beschrieben.
- Überraschenderweise hat sich herausgestellt, dass mit einem bereits dotierten Grundmaterial des Zinks deutlich höhere und segregationsfreie oder zumindest segregationsarme Beimengungen von Gallium in einem metallischen Sputtertarget möglich sind, als bei undotiertem Zink. Es wurden Galliumkonzentrationen von einigen Gewichts-Prozent hergestellt, die im Target gemischt vorlagen. Auch bei höheren Anteilen des Galliums im Vergleich zur ersten Dotierung des metallischen Zinks wurden stabile und reproduzierbare Konzentrationen erzielt.
- Dieser Effekt wurde mit Aluminium als Dotierung des Grundmaterials festgestellt. Als vorteilhaft erweist es sich dabei, dass Zn:Al als ein bekanntes und für das reaktive Sputtern für verschiedenste Anwendungen erprobtes Material als Grundmaterial der Galliumdotierung geeignet ist.
- Diese Dotierungen sind mit den bekannten Herstellungsverfahren von Targets herstellbar.
- Die Erfindung soll nachfolgend anhand eines Ausführungsbeispieles näher erläutert werden.
- Es wurde ein metallisches, galliumdotierten Zinktarget zur reaktiven Beschichtung von Substraten mittels Gießprozess hergestellt. Dazu wurde Zink zunächst mit Aluminium dotiert, indem eine Mischung von Aluminium und Zink mit solchen Gewichtsanteilen gemeinsam geschmolzen wurde, so dass das Zink einen Anteil von 1 Gew.-% Aluminium in der Schmelze aufweist. Anschließend wurden ca. 2 Gew.-% Gallium der Schmelze beigemengt und das Materialgemisch erhärtet. Alternativ kann auch das Zink mit dem Gallium und dem Aluminium in den erforderlichen Gewichtsanteilen gemeinsam geschmolzen werden.
- Eine Analyse des verfestigten Targetmaterials ergab, dass das gesamte hinzugefügte Gallium in der Legierung verblieben ist. Segregationen von Gallium wurden nicht festgestellt. In diesem Ausführungsbeispiel ergab die Analyse ein Zn:Al:Ga-Target mit 1 Gew.-% Al und 2,4 Gew.-% Ga im Zink. Das Verhältnis der Metallanteile wurde auch in der reaktiv abgeschiedenen dotierten Zinkoxidschicht reproduziert, was darauf zurückzuführen ist, dass die Konzentrationen von Al und Ga nicht nur vollständig im Target verbleiben, sondern bei dessen Verwendung zur Schichtabscheidung bestehen bleiben.
Claims (9)
- Sputtertarget aus einem galliumdotierten Zink-Grundmaterial zur Beschichtung von Substraten mit einer transparenten leitfähigen Schicht, dadurch gekennzeichnet, dass das Targetmaterial metallisch ist und nur eine weitere Dotierung mit Aluminium aufweist.
- Sputtertarget nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Targetmaterial Dotierungen mit einem höheren Gewichtsanteil des Galliums als des Aluminiums aufweist.
- Sputtertarget nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Anteile des Galliums im Bereich von 0,5 bis 5 Gew.-% und des Aluminiums im Bereich von > 0 bis 4 Gew.-% liegen.
- Sputtertarget nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Anteile des Galliums bevorzugt im Bereich von 1 bis 3,5 Gew.-% und/oder des Aluminiums im Bereich von 0,5 bis 2,5 Gew.-% liegen.
- Verfahren zur Herstellung eines Sputtertargets, welches durch einen der vorstehenden Ansprüche charakterisiert ist, dadurch gekennzeichnet, dass das Zink-Grundmaterial nur mit Gallium und mit Aluminium dotiert wird.
- Verfahren zur Herstellung eines Sputtertargets nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass Zink zunächst mit Aluminium und danach das derart dotierte Zink mit Gallium dotiert wird.
- Verfahren zur Herstellung eines Sputtertargets nach einem der Ansprüche 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Galliumdotierung mit einem höheren Gewichtsanteil als die Dotierung mit Aluminium vorgenommen wird.
- Verfahren zur Herstellung eines Sputtertargets nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Sputtertarget mittels Gießprozess hergestellt wird, indem Zink und Aluminium geschmolzen und der Schmelze Gallium zugefügt wird.
- Verfahren zur Herstellung eines Sputtertargets nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Sputtertarget mittels Spritzverfahren hergestellt wird.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102012203055.7A DE102012203055B4 (de) | 2011-10-26 | 2012-02-28 | Sputtertarget aus einem galliumdotiertes Zink enthaltenden Material und Verfahren zu dessen Herstellung |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102011085248.4 | 2011-10-26 | ||
| DE102011085248 | 2011-10-26 | ||
| DE102012203055.7A DE102012203055B4 (de) | 2011-10-26 | 2012-02-28 | Sputtertarget aus einem galliumdotiertes Zink enthaltenden Material und Verfahren zu dessen Herstellung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE102012203055A1 DE102012203055A1 (de) | 2013-05-02 |
| DE102012203055B4 true DE102012203055B4 (de) | 2016-09-15 |
Family
ID=48084519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE102012203055.7A Active DE102012203055B4 (de) | 2011-10-26 | 2012-02-28 | Sputtertarget aus einem galliumdotiertes Zink enthaltenden Material und Verfahren zu dessen Herstellung |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE102012203055B4 (de) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10152211C1 (de) * | 2001-10-23 | 2003-05-15 | Saint Gobain | Schichtsystem für transparente Substrate |
| WO2012036720A1 (en) * | 2010-09-17 | 2012-03-22 | Guardian Industries Corp. | Coated article having boron doped zinc oxide based seed layer with enhanced durability under functional layer and method of making the same |
-
2012
- 2012-02-28 DE DE102012203055.7A patent/DE102012203055B4/de active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10152211C1 (de) * | 2001-10-23 | 2003-05-15 | Saint Gobain | Schichtsystem für transparente Substrate |
| WO2012036720A1 (en) * | 2010-09-17 | 2012-03-22 | Guardian Industries Corp. | Coated article having boron doped zinc oxide based seed layer with enhanced durability under functional layer and method of making the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE102012203055A1 (de) | 2013-05-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP2912501B1 (de) | Licht absorbierendes schichtsystem und dessen herstellung sowie dafür geeignetes sputtertarget | |
| DE60029706T2 (de) | Transparentes leitendes laminat, sein herstellungsverfahren, und anzeigevorrichtung mit transparentem leitendem laminat | |
| DE69305794T2 (de) | Transparenter, leitfähiger Film und Target und Material zur Gasphasenabscheidung für seine Herstellung | |
| EP1706519B1 (de) | Verfahren zur herstellung einer transparenten und leitfähigen oxidschicht | |
| DE69909987T2 (de) | Sputtertarget, transparenter leitender film und verfahren zu dessen herstellung | |
| DE102013103679A1 (de) | Licht absorbierende Schicht und die Schicht enthaltendes Schichtsystem, Verfahren zur dessen Herstellung und dafür geeignetes Sputtertarget | |
| DE112011100972T5 (de) | Transparenter leitender Film | |
| DE60037753T2 (de) | Sputtertarget, verfahren für dessen herstellung und verfahren zum bilden eines films | |
| WO2008040502A1 (de) | Verfahren zur abscheidung einer oxidschicht auf absorbern von solarzellen, solarzelle und verwendung des verfahrens | |
| DE102008051921A1 (de) | Mehrschichtsystem mit Kontaktelementen und Verfahren zum Erstellen eines Kontaktelements für ein Mehrschichtsystem | |
| DE102014111935A1 (de) | Zweilagiges Schichtsystem mit teilabsorbierender Schicht sowie Verfahren und Sputtertarget zur Herstellung dieser Schicht | |
| EP2326742B1 (de) | Verwendung eines targets für das funkenverdampfen und verfahren zum herstellen eines für diese verwendung geeigneten targets | |
| WO2015031920A1 (de) | Leitfähiges targetmaterial | |
| KR102166104B1 (ko) | 스퍼터링 타깃, 스퍼터링 타깃의 제조 방법, 비정질막, 비정질막의 제조 방법, 결정질막 및 결정질막의 제조 방법 | |
| DE112014001540T5 (de) | Sinterkörper auf Zinkoxid-Basis, Verfahren zu dessen Herstellung, sowie Sputtertarget und transparenter, elektrisch leitfähiger Film | |
| DE3201783A1 (de) | Verfahren zum herstellen von in der draufsicht und durchsicht weitgehend farbneutralen, einen hohen infrarotanteil der strahlung reflektierenden scheiben durch katodenzerstaeubung von targets sowie durch das verfahren hergestellte glasscheiben | |
| DE102012203055B4 (de) | Sputtertarget aus einem galliumdotiertes Zink enthaltenden Material und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| DE112014006903B4 (de) | Solarzellen mit Kupferelektroden | |
| DE3205919C1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Festelektrolytschichten fuer galvanische Zellen | |
| DE102017009811A1 (de) | Leitpastenzusammensetzung und mit dieser hergestellte Halbleitereinrichtungen | |
| WO2004075212A1 (de) | Pvd-beschichtungsmaterial | |
| WO2013057065A2 (de) | Keramisches erzeugnis zur verwendung als target | |
| DE69820639T2 (de) | Substrat mit einem durchsichtigen, leitfähigen Film beschichtet ist und Sputtertarget zur Abscheidung des Films | |
| EP2300631B1 (de) | Verfahren zur herstellung einer transparenten und leitfähigen metalloxidschicht durch gepulstes, hochionisierendes magnetronsputtern | |
| EP1862563B1 (de) | Sputterabscheidung von Molybdänschichten |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R012 | Request for examination validly filed | ||
| R016 | Response to examination communication | ||
| R016 | Response to examination communication | ||
| R082 | Change of representative |
Representative=s name: PATENTANWAELTE LIPPERT, STACHOW & PARTNER, DE |
|
| R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: VON ARDENNE GMBH, DE Free format text: FORMER OWNER: VON ARDENNE ANLAGENTECHNIK GMBH, 01324 DRESDEN, DE Effective date: 20140716 Owner name: VON ARDENNE ASSET GMBH & CO. KG, DE Free format text: FORMER OWNER: VON ARDENNE ANLAGENTECHNIK GMBH, 01324 DRESDEN, DE Effective date: 20140716 |
|
| R082 | Change of representative |
Representative=s name: PATENTANWAELTE LIPPERT, STACHOW & PARTNER, DE Effective date: 20140716 Representative=s name: LIPPERT STACHOW PATENTANWAELTE RECHTSANWAELTE , DE Effective date: 20140716 |
|
| R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
| R020 | Patent grant now final | ||
| R082 | Change of representative |
Representative=s name: RAU, SCHNECK & HUEBNER PATENTANWAELTE RECHTSAN, DE |
|
| R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: GFE FREMAT GMBH, DE Free format text: FORMER OWNER: VON ARDENNE GMBH, 01324 DRESDEN, DE Owner name: VON ARDENNE ASSET GMBH & CO. KG, DE Free format text: FORMER OWNER: VON ARDENNE GMBH, 01324 DRESDEN, DE |
|
| R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: GFE FREMAT GMBH, DE Free format text: FORMER OWNER: VON ARDENNE ASSET GMBH & CO. KG, 01328 DRESDEN, DE |
|
| R082 | Change of representative |
Representative=s name: RAU, SCHNECK & HUEBNER PATENTANWAELTE RECHTSAN, DE |