CN1886013A - 发光元件及其制造方法和具有其的显示基板 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种改善可靠性和制造效率的发光元件。发光元件包括第一电极、条、发光层和第二电极。第一电极形成于基底基板上。条形成于第一电极上来界定发光区。条具有第一厚度。发光层形成于发光区的第一电极的部分上。第二电极形成于发光层上。第二电极具有第二厚度，第二厚度厚于条的第一厚度。于是，第二电极厚于条。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光元件、一种制造所述发光元件的方法和具有所述发光元件的显示基板。更具体而言，本发明涉及一种能够改善制造效率和可靠性的发光元件，所述发光元件的制造方法和具有所述发光元件的显示基板。
背景技术
一般而言，电致发光显示基板包括排列为像素的多个电致发光元件。每个电致发光元件包括两个电极和设置在两个电极之间的电致发光层。电致发光层响应两个电极之间产生的电场发光。两个电极的至少之一是透明的，允许从电致发光层发射的光逃逸所述电致发光显示基板，由此显示图像。
每个电致发光元件包括形成于基底基板上的阳极、形成于发光区的阳极上的电致发光层和形成于电致发光层上的阴极。条形成于阳极上且界定发光区。阳极和阴极分别对应于像素电极和公共电极。
条相对厚，且阴极相对薄。结果，阴极在条的台阶部分可能是非连续的。阴极形成的非连续是电致发光元件中的缺陷，而且也是构建具有缺陷电致发光元件的电致发光显示基板中的缺陷。
发明内容
本发明避免了以上的问题且因此本发明提供了一种能够改善制造效率和可靠性的发光元件。本发明还提供了一种制造上述的发光元件的方法。本发明还提供了一种具有上述的发光元件的显示基板。
在本发明的一个方面，发光元件包括第一电极、条、发光层和第二电极。第一电极形成于基底基板上。条形成于第一电极上来界定发光区。条具有第一厚度。发光层形成于发光区中的第一电极的部分上。第二电极形成于发光层上。第二电极具有第二厚度，第二厚度厚于条的第一厚度。
在本发明的另一方面，发光元件包括第一电极、条、发光层和第二电极。第一电极形成于基底基板上。条形成于第一电极上来界定发光区。条包括负型光致抗蚀剂。发光层形成于发光区中的第一电极的部分上。第二电极形成于发光层上。
在又一方面，本发明是发光元件的制造方法。本方法包括：在基底基板上形成第一电极；在第一电极上形成具有第一厚度的条来界定发光区，且在发光区中的第一电极的一部分上形成发光层。在发光层上形成具有第二厚度的第二电极，第二厚度厚于第一厚度。
在又一方面中，本发明是一种显示基板，所述显示基板具有由源极线、偏压线和相邻的栅极线界定的像素区。显示基板包括开关元件、第一电极、条、发光层和第二电极。开关元件电连接到偏压线。第一电极形成于像素区中且电连接到开关元件。条形成于部分的第一电极上来在像素区中界定发光区。条具有第一厚度。发光层形成于发光区中的第一电极上。第二电极形成于发光层上。第二电极具有第二厚度，第二厚度厚于条的第一厚度。
根据以上，通过使用金属纳米浆料，第二电极形成以具有厚于条的厚度，从而可以避免第二电极的缺陷。
附图说明
当结合附图考虑时参考以下的详细描述，本发明的以上和其它优点将变得明显，其中：
图1是根据本发明的示范性实施例的电致发光显示基板的部分的平面图；
图2是沿图1的线I-I’所取的剖面图；
图3到8是示出图2所示的电致发光显示基板的制造方法的剖面图；和
图9是示出根据本发明的另一实施例的电致发光显示基板的剖面图。
具体实施方式
现将参考显示本发明的实施例的附图在其后更加全面地描述本发明。然而，本发明可以以许多不同的显示实现，且不应解释为限于这里所阐述的实施例，而是提供这些实施例从而本公开将充分和完全，且将全面地向本领域的技术人员传达本发明的范围。在附图中，为了清晰夸大了层和区域的厚度。通篇相似的参考标记参考相似或相同的元件。可以理解当比如层、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”时，其可以直接在另一元件上或还可以存在中间的元件。相反，当元件被称为“直接”在另一元件“上”时，则不存在中间的元件。
图1是根据本发明的示范性实施例的电致发光显示基板的部分的平面图。
参考图1，电致发光显示基板包括由多条源极线DL、多条栅极线GL和多条偏压线VL界定的多个像素区“P”。
源极线DL和偏压线VL在第一方向延伸，且栅极线GL在与第一方向交叉的第二方向延伸。
第一开关元件TFT1、第二开关元件TFT2、存储电容器CST和电致发光元件EL形成于每个像素区“P”中。
第一开关元件TFT1包括电连接到栅极线GL之一的第一栅电极111、电连接到源极线DL之一的第一源电极131、和电连接到存储电容器CST和第二开关元件TFT2的第一漏电极132。第一开关元件TFT1包括形成于第一栅电极111与第一源电极131和第一漏电极132之一之间的第一沟道121。
第二开关元件TFT2包括电连接到第一漏电极132的第二栅电极112、电连接到偏压线VL之一的第二源电极133、和电连接到电致发光元件EL的第二漏电极134。第二开关元件TFT2包括形成于第二栅电极112与第二源电极133和第二漏电极134之一之间的第二沟道122。
存储电容器CST包括电连接到第二开关元件TFT2的第二栅电极112的第一电极113和电连接到偏压线VL之一的第二电极135。
电致发光元件EL包括电连接到第二开关元件TFT2的第二漏电极134的像素电极150、设置于像素电极150和公共电极之间的公共电极(未显示)和电致发光层170。
每个像素如下工作。将栅极信号经由栅线GL之一施加到第一开关元件TFT1来开启第一开关元件TFT1。在第一开关元件TFT1开启的情形，将经由源极线DL的源极信号施加到第二开关元件TFT2来开启第二开关元件TFT2。因为存储电容器CST的第一电极113电连接到第二开关元件TFT2的第二栅电极112，所以被打开的第二开关元件TFT2充电存储电容器CST。
当开启第二开关元件TFT2时，将偏压线VL之一的偏压通过第二开关元件TFT2施加到电致发光元件EL。由此，电致发光元件EL发射预定亮度水平的光。
图2是沿图1的线I-I’所取的剖面图。
参考图1和2，电致发光显示基板包括基底基板101。源极线DL、栅极线GL、偏压线VL、第一开关元件TFT1、第二开关元件TFT2、存储电容器CST和电致发光元件EL形成于基底基板101上。第一和第二开关基板TFT1和TFT2是非晶硅薄膜晶体管。
具体而言，第二开关元件TFT2包括形成于基底基板101上的第二栅电极112、形成于第二栅电极112上的第二沟道122、和形成于第二沟道122上的第二源电极133和漏电极134。
栅极绝缘层102形成于第二栅电极112和第二沟道122之间。钝化层103形成于第二源电极133和漏电极134上。
形成于基底基板101上的第一电极113、形成于第一电极113上的栅极绝缘层102的一部分、和形成于栅极绝缘层102上的第二电极135界定存储电容器CST。钝化层103形成于第二电极135上。
电致发光元件EL包括形成于基底基板101上的像素电极150。栅极绝缘层102和钝化层103连续地形成于基底基板101上，像素电极150形成于钝化层103上，电致发光层170形成于像素电极150上，且公共电极180形成于电致发光层170上。像素电极150和公共电极180分别对应于电致发光元件EL的阳极和阴极。
电致发光层170包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子注入层和电子传输层的至少之一。电致发光层170形成于由条160界定的发光区中的像素电极150上。条160例如通过使用负型光致抗蚀剂来形成，且条160的侧表面被倾斜以相对于条160的上表面形成角度θ，如图2所示。
使用纳米浆料通过喷墨打印方法形成了公共电极180。公共电极180具有第二厚度T2，第二厚度T2大于条160的第一厚度T1。公共电极180的第二厚度T2的范围从约0.3μm到约10μm。
图3到8是示出图2所示的电致发光显示基板的制造方法的剖面图。
参考图1和3，电致发光显示基板包括基底基板101。基底基板101例如包括玻璃、蓝宝石或比如聚酯、聚丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚醚酮等的透明合成树脂。
将栅极金属层沉积在基底基板101上且将其构图来形成栅极金属图案。栅极金属层是导电层，例如包括：铬(Cr)、铝(Al)、钽(Ta)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)、银(Ag)的至少一种。通过溅射工艺来沉积导电层且构图导电层来形成栅极金属图案。
栅极金属图案包括栅极线GL、第一开关元件TFT1的第一栅电极111、第二开关元件TFT2的第二栅电极112、和存储电容器CST的第一电极113。
在具有栅极金属图案的基底基板101上形成栅极绝缘层102。栅极绝缘层102例如包括氧化硅或氮化硅。
参考图1和4，在具有栅极绝缘层102的基底基板101上形成第一和第二沟道121和122。顺序沉积和构图有源层122a和欧姆接触层122b来形成第二沟道122。
具体而言，通过化学气相沉积(CVD)工艺在栅极绝缘层102上顺序沉积非晶硅层和原位掺杂的n+非晶硅层。构图沉积的非晶硅层和n+非晶硅层来分别在第二栅电极112上方形成有源层122a和欧姆接触层122b。
在具有第一和第二沟道121和122的基底基板101上沉积并构图源极金属层来形成源极金属图案。通过溅射工艺沉积源极金属层并将其构图来形成源极金属图案，源极金属层是导电层，例如包括：铬(Cr)、铝(Al)、钽(Ta)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)、银(Ag)的至少一种。
源极金属图案包括：源极线DL、第一和第二源电极131和133、第一和第二漏电极132和134、和存储电容器CST的第二电极135。
在具有源极金属图案的基底基板101上形成钝化层103。去除钝化层103的一部分来形成暴露第二漏电极134的一部分的第二接触孔142。
沉积并构图比如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导电材料来形成像素电极150。在由源极线DL之一、偏压线VL之一和相邻栅极线GL界定的像素区“P”的每个中形成了像素电极150。
像素电极150通过第二接触孔142电连接到第二漏电极134。像素电极150对应于电致发光元件EL的阳极。
参考图1和5，在具有第一和第二开关元件TFT1和TFT2和像素电极150的基底基板101上形成条160。条160例如包括负型光致抗蚀剂且具有第一厚度T1。第一厚度T1在300nm到5000nm的范围内。
通过使用包括开口部分310和光阻挡部分320的掩模300来构图条160。开口部分310和光阻挡部分320分别界定了非发光区和发光区。
由开口部分310界定的条160的部分通过曝光工艺来固化。相反，由光阻挡部分320界定的条160的部分通过曝光工艺没有被固化。由光阻挡部分320界定的条160的部分被蚀刻来在每个像素区“P”中界定发光区LA。
参考图1和6，蚀刻条160的部分来形成发光区LA。因为条160包括负型光致抗蚀剂，所以去除了对应于掩模300的光阻挡部分320的条160的部分，从而条160的侧表面形成相对于条160的上表面的角度θ。角度θ的范围例如是约九十度到约一百七十度。
然后，通过等离子体处理工艺在条160的表面上形成亲液区和疏液区。亲液区具有相对大的表面能，且疏液区具有相对小的表面能。
具体地，等离子体处理工艺包括亲液处理和疏液处理。通过亲液处理将条160的侧表面和像素电极150的上表面亲液化。通过疏液处理将条160的上表面疏液化。为了进行亲液处理，具有条160的基底基板101被加热到预定的温度。接下来，通过使用氧气(O2)作为反应气体在大气环境中进行比如亲液处理的等离子体处理。
然后，通过使用四氟化碳(CF4)作为反应气体在大气环境中进行比如疏液处理的等离子体处理。其后，将先前为了等离子体处理加热的基底基板101冷却。如此，在具有条160的基底基板101上形成亲液区和疏液区。
通过溶液处理在由条160界定的发光区LA中形成电致发光层170。溶液处理的示例可以包括旋涂、浸涂和喷墨打印方法。
电致发光层170包括空穴传输层(HTL)和发光层(EML)。电致发光层170可选地包括电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)、空穴注入层(HIL)和空穴阻挡层(HBL)的至少一种来改善电致发光元件EL的特性。
具体地，通过喷墨打印方法在发光区LA内的像素电极上顺序形成空穴注入/传输层(HIL/HTL)171、发光层(EML)172和电子注入/传输层(ElL/ETL)173。
例如使用聚乙烯二氧噻吩(polyethylene dioxythiophene)、三苯芳基衍生物(triphenyl anyl derivative)、吡唑啉衍生物(pyrazoline derivative)、芳基胺衍生物(aryl amine derivative)、芪衍生物(stilbene derivative)、三苯双胺衍生物(triphenyl diamine derivative)等来形成空穴传输层。
根据本实施例，可以形成空穴注入层来取代空穴传输层，或可以形成空穴注入层和空穴传输层两者。另外，用于改善电致发光元件EL的一层或多层可以与空穴注入层和/或空穴传输层分别或同时形成。
发光层可以包括低分子量有机发光材料或高分子量有机发光材料，比如包含荧光物质或磷光物质的发光材料。高分子量荧光物质的示例包括聚芴和聚1，2亚乙烯基亚苯(polyphenylenevinylene)。低分子量荧光物质的示例包括萘衍生物、蒽衍生物、二萘嵌苯衍生物和聚次甲基族(polymethine group)。
使用例如重氮基衍生物、苯醌及衍生物、萘醌及衍生物等来形成例如电子传输层。
或者，电致发光层170不限于以上的材料，而是可以包括各种材料。
参考图1、7和8，在具有电致发光层170的基底基板101上形成具有第二厚度T2的公共电极180。第二厚度T2厚于条160的第一厚度T1。
具体地，公共电极180包括具有金属纳米颗粒的导电纳米浆料。金属纳米颗粒可以包括银(Ag)、金(Au)、镍(Ni)、铟(In)、锡(Sn)、锌(Zn)、铅(Pb)、钛(Ti)、铜(Cu)、铬(Cr)、钽(Ta)、钨(W)、钯(Pd)、铂(Pt)、铁(Fe)、钴(Co)、硼(B)、硅(Si)、铝(Al)、镁(Mg)、铷(Rb)、铱(Ir)、钒(V)、钌(Ru)、锇(Os)、铌(Nb)、铋(Bi)、钡(Ba)等的至少一种。在一些实施例中，金属纳米颗粒可以包括以上金属的合金。或者，金属纳米颗粒可以包括氧化银、氧化铜等。
将金属纳米颗粒制成浆料的溶剂的示例可以包括去离子水、比如乙醇、丁醇、乙二醇、萜品醇、香草醇(citronelol)、香叶醇、苯乙醇(penethyl alcohol)等的醇、比如醋酸乙酯、油酸甲酯、醋酸丁酯、甘油酯的酯等和其混合物。
通过溶液处理使用金属纳米浆料在具有电致发光层170的基底基板101上形成具有预定的厚度T2’的初步公共电极181，厚度T2’厚于条160的第一厚度T1。
可以通过喷墨打印方法来形成具有预定厚度T2’的初步公共电极181。因此，初步公共电极181厚于通过溅射工艺形成的公共电极。因为初步公共电极181不具有上述结构的溢出问题，所以初步公共电极181借助喷墨打印方法形成。
如上所述，采用喷墨打印方法可以容易地由金属纳米浆料形成厚的初步公共电极181。因为初步公共电极181可以被制备得足够厚来补偿条160和EL层170之间的高度差，所以初步公共电极181即使在条160的台阶部分也可以连续地形成。
用金属纳米浆料制成的初步公共电极181被固化来形成公共电极180。具体地，使用红外光或热风将其上喷射了金属纳米浆料的基底基板101干燥并固化来形成公共电极180。干燥和固化工艺可以在相对低的温度下进行来防止对于形成于基底基板101上的其它元件的任何损伤。
通过上述的干燥和固化工艺在基底基板101上形成具有第二厚度T2的公共电极180，第二厚度T2大于条160的第一厚度。第二厚度T2的范围在约300nm到约10000nm。在具有公共电极180的基底基板101上涂布包括光聚合物的粘结剂材料(未显示)。涂布的粘结剂材料不处于固化的状态。
然后，在公共电极180上沉积氧化硅来形成无机保护层，且在无机保护层上涂布环氧树脂以形成有机保护层。由此，在公共电极180上形成包括无机保护层和有机保护层的保护层190。
图9是示出根据本发明的另一实施例的电致发光显示基板的剖面图。
参考图9，缓冲绝缘层202形成于基底基板201上。缓冲绝缘层202可以包含氮化硅、氧化硅等的一种或更多。第一开关元件(未显示)和第二开关元件TFT2形成于缓冲绝缘层202上。
具体地，第二开关元件TFT2如下形成于基底基板202上。在缓冲绝缘层202上形成非晶硅层。通过退火工艺将该非晶硅层结晶来形成多晶硅层210。结晶的多晶硅层210被构图，且栅极绝缘层203形成于构图的多晶硅层210上。
将栅极金属层在栅极绝缘层203上沉积并构图以形成栅极金属图案。
栅极金属图案包括第一开关元件的第一栅电极(未显示)、第二开关元件TFT2的第二栅电极222、存储电容器CST的第一电极223和栅极线(未显示)。栅极金属图案形成为单层金属层，如图9所示。然而，在其它实施例中，栅极金属图案可以形成为双层或三层金属层的多层金属层。
于是，第二栅电极222形成于栅极绝缘层203上。
通过使用第二栅电极222作为掩模将掺杂剂注入多晶硅层210中。于是，多晶硅层210形成为沟道层212和掺杂层211和213。掺杂层211和213中的掺杂的离子通过退火工艺来被激活。
在具有栅极金属图案的基底基板201上沉积比如氧化硅、氮化硅等的绝缘材料以形成第一绝缘层204。部分地去除栅极绝缘层203和第一绝缘层204，从而部分地暴露掺杂层211和213，由此形成接触孔。
然后，在具有接触孔的第一绝缘层204上沉积并构图源极金属层来形成源极金属图案。源极金属图案包括第一开关元件的第一源电极(未显示)和第一漏电极(未显示)、第二开关元件TFT2的第二源电极233和第二漏电极234、存储电容器CST的第二电极235以及源极线DL。
于是，掺杂层211和213分别电连接到第二源电极233和第二漏电极234。
第二绝缘层205形成于具有源极金属图案的基底基板201上。平面化层可以形成于第二绝缘层205上。
部分地去除第二绝缘层205来形成暴露第二漏电极234的第二接触孔242。将比如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等的透明导电材料在具有第二接触孔242的基底基板201上沉积并构图以形成像素电极250。
像素电极250通过第二接触孔242电连接到第二漏电极234。像素电极250对应于电致发光元件EL的阳极。
通过使用负型光致抗蚀剂在具有第一开关元件、第二开关元件TFT2和像素电极250的基底基板201上形成条260。条260具有范围在约300nm到约5000nn的第一厚度。
条260在形成有像素电极250的区域中界定了发光区LA。因为条260包括负型光致抗蚀剂，所以去除了对应于掩模的光阻挡部分的条260的部分，从而条260的侧表面形成相对于条260的上表面的角度θ。角度θ的范围例如是约九十度到约一百七十度。
通过等离子体处理工艺在条260的表面上形成亲液区和疏液区。
通过溶液处理在由条260界定的发光区LA中形成电致发光层270。溶液处理的示例可以包括旋涂、浸涂和喷墨打印。电致发光层270包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子注入层(EIL)以及电子传输层(ETL)。
在具有电致发光层270的基底基板201上形成具有第二厚度T2的阴极280。第二厚度T2厚于条260的第一厚度T1。第二厚度T2的范围在约300nm到约10000nm。
具体地，阴极280包括具有金属纳米颗粒的导电纳米浆料。金属纳米颗粒可以包括银(Ag)、金(Au)、镍(Ni)、铟(In)、锡(Sn)、锌(Zn)、铅(Pb)、钛(Ti)、铜(Cu)、铬(Cr)、钽(Ta)、钨(W)、钯(Pd)、铂(Pt)、铁(Fe)、钴(Co)、硼(B)、硅(Si)、铝(Al)、镁(Mg)、铷(Rb)、铱(Ir)、钒(V)、钌(Ru)、锇(Os)、铌(Nb)、铋(Bi)、钡(Ba)等的至少一种。在一些实施例中，金属纳米颗粒可以包括以上金属的合金。或者，金属纳米颗粒可以包括氧化银、氧化铜等。
将金属纳米颗粒制成浆料的有机溶剂的示例可以包括去离子水、比如乙醇、丁醇、乙二醇、萜品醇、香草醇(citronelol)、香叶醇、苯乙醇(penethylalcohol)等的醇、比如醋酸乙酯、油酸甲酯、醋酸丁酯、甘油酯的酯等和其混合物。
可以通过喷墨打印方法来在基底基板201上沉积以上的金属纳米浆料。通过使用喷墨打印方法，可以将金属纳米浆料沉积得比条260更厚，由此形成阴极280。通过使用金属纳米浆料，阴极280可以被制备得足够厚来补偿条260和EL层270之间的高度差，允许阴极280即使在条260产生的台阶部分也可以连续地形成。
将金属纳米浆料喷射在基底基板201上，然后使用红外光或热风将其干燥并固化。如此，形成了具有第二厚度T2的阴极，第二厚度大于条260的第一厚度T1。
如上所述，采用喷墨打印方法可以容易地由技术纳米浆料形成足够厚的阴极280。如此，由EL层270和条260之间的高度差形成的有台阶的部分在形成厚阴极181时不引起不连续。
根据本发明，电致发光元件的阴极(或公共电极)形成得比界定电致发光显示基板的发光区的条更厚。
另外，使用金属纳米浆料来形成阴极以实现期望的厚度。
于是，本发明改善了电致发光显示基板的制造效率和可靠性。
虽然已经描述了本发明的示范性实施例，但是可以理解本发明不应限于这些实施例，而是本领域的一般技术人员可以在由权利要求所界定的本发明的精神和范围内进行各种变化和改进。
Claims (24)
1、一种发光元件，包括：
第一电极，形成于基底基板上；
条，形成于所述第一电极上来界定发光区，所述条具有第一厚度；
发光层，形成于所述发光区中的第一电极的部分上；和
第二电极，形成于所述发光层上，所述第二电极具有第二厚度，所述第二厚度大于所述条的第一厚度。
2、根据权利要求1所述的发光元件，其中所述第二电极包括导电纳米浆料，所述导电纳米浆料包含金属纳米颗粒。
3、根据权利要求1所述的发光元件，其中所述条包括负型光致抗蚀剂。
4、根据权利要求1所述的发光元件，其中所述条具有侧壁，所述侧壁相对于所述条的外表面形成约90度到约170度的角度。
5、根据权利要求1所述的发光元件，其中所述条的第一厚度的范围是约300nm到约5000nm。
6、根据权利要求1所述的发光元件，其中所述第二电极的第二厚度的范围是约300nm到约10000nm。
7、根据权利要求1所述的发光元件，其中所述第一电极对应于阳极，且所述第二电极对应于阴极。
8、一种发光元件的制造方法，包括：
在基底基板上形成第一电极；
在所述第一电极上形成具有第一厚度的条来界定发光区；
在所述发光区中的第一电极的部分上形成发光层；以及
在所述发光层上形成具有第二厚度的第二电极，所述第二厚度大于所述条的第一厚度。
9、根据权利要求8所述的方法，其中所述第二电极通过使用包含金属纳米颗粒的纳米浆料形成。
10、根据权利要求9所述的方法，其中所述第二电极通过以下步骤形成：
喷射所述纳米浆料；和
固化所述喷射的纳米浆料。
11、根据权利要求8所述的方法，其中所述条通过使用负型光致抗蚀剂形成。
12、根据权利要求8所述的方法，其中所述条具有侧壁，所述侧壁相对于所述条的外表面形成约90度到约170度的角度。
13、根据权利要求8所述的方法，其中所述条的第一厚度的范围是约300nm到约5000nm。
14、根据权利要求8所述的方法，其中所述第二电极的第二厚度的范围是约300nm到约10000nm。
15、根据权利要求8所述的方法，其中所述发光层通过溶液处理来形成。
16、根据权利要求8所述的方法，其中所述第一电极对应于阳极，且所述第二电极对应于阴极。
17、一种显示基板，所述显示基板具有由源极线、偏压线和相邻的栅极线界定的像素区，所述显示基板包括：
第一开关元件，电连接到所述偏压线；
第一电极，形成于所述像素区中且电连接到所述第一开关元件；
条，形成于部分的第一电极上来在所述像素区中界定发光区，所述条具有第一厚度；
发光层，形成于所述发光区的第一电极上；以及
第二电极，形成于所述发光层上，所述第二电极具有第二厚度，所述第二厚度大于所述条的第一厚度。
18、根据权利要求17所述的显示基板，还包括：第二开关元件，电连接到所述源极线和一条所述栅线，其中所述第一开关元件由所述第二开关元件控制。
19、根据权利要求17所述的显示基板，其中所述第二电极包括包含金属纳米颗粒的导电纳米浆料。
20、根据权利要求17所述的显示基板，其中所述第二电极的第二厚度的范围在约300nm到约10000nm。
21、根据权利要求17所述的显示基板，其中所述条具有侧壁，所述侧壁相对于所述条的外表面形成大于90°的角度。
22、根据权利要求17所述的显示基板，其中所述第一和第二开关元件包括非晶硅薄膜晶体管。
23、根据权利要求17所述的显示基板，其中所述第一开关元件包括多晶硅薄膜晶体管。
24、一种发光元件，包括：
第一电极，形成于基底基板上；
条，形成于所述第一电极上来界定发光区，所述条包括负型光致抗蚀剂；
发光层，形成于所述发光区的第一电极上；以及
第二电极，形成于所述发光层上，所述第二电极包括包含金属纳米颗粒的导电纳米浆料。
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105265024A (zh) * | 2013-06-03 | 2016-01-20 | 住友化学株式会社 | 显示装置 |
| CN105265024B (zh) * | 2013-06-03 | 2018-09-14 | 住友化学株式会社 | 显示装置 |
| WO2016019638A1 (zh) * | 2014-08-07 | 2016-02-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素单元及其制作方法、显示面板、显示装置 |
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