JP3808534B2

JP3808534B2 - 画像表示装置

Info

Publication number: JP3808534B2
Application number: JP02371096A
Authority: JP
Inventors: 一郎高山; 三千男荒井
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd; TDK Corp
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd; TDK Corp
Priority date: 1996-02-09
Filing date: 1996-02-09
Publication date: 2006-08-16
Anticipated expiration: 2016-02-09
Also published as: JPH09218664A; US5982345A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は画像表示装置に係り、例えば有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）画像表示装置の如く、整流特性を持つ薄膜表示素子を、スイッチング用の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）回路を使用することなく駆動可能にした画像表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のＴＦＴアクティブマトリックス駆動回路を使用した有機ＥＬ画像表示装置は、図６に示す如く、画素１０−１、１０−２、１０−３、１０−４・・・を有する画面部１０と、Ｘ軸信号が出力されるシフトレジスタ１５と、Ｙ軸信号が出力されるシフトレジスタ１６等を具備している。そして画面部１０には有機ＥＬ用の電源Ｅ₀が印加される。
【０００３】
画素１０−１は、発光用の薄膜である有機ＥＬ素子ＥＬ₁と、この有機ＥＬ₁の発光を制御するバイアスＴＦＴ１１−１と、このバイアスＴＦＴ１１−１のゲート電極に接続されるコンデンサＣ₁と、このコンデンサＣ₁に対し信号を書き込む書き込み用のＹ座標セレクトスイッチ１２−１で構成される。他の画素１０−２、１０−３、１０−４・・・も画素１０−１と同様に構成されている。
【０００４】
Ｙ座標セレクトスイッチ１２−１は、ＴＦＴで構成され、そのゲート電極はシフトレジスタ１６の端子Ｙ₁に接続される。このＹ座標セレクトスイッチ１２−１はまたＸ座標セレクトスイッチ１３に接続されている。そしてＸ座標セレクトスイッチ１３は、これまたＴＦＴで構成され、そのゲート電極はシフトレジスタ１５の端子Ｘ₁に接続されている。なおＸ座標セレクトスイッチ１３には、画像データ信号Ｄｉが入力される。
【０００５】
従って、Ｙ軸用のシフトレジスタ１６において、端子Ｙ₁より同期信号が出力されると、Ｙ座標セレクトスイッチ１２−１、１２−２・・・はオンとなる。このときＸ軸用のシフトレジスタ１５において端子Ｘ₁に同期信号が出力されると、Ｘ座標セレクトスイッチ１３がオンとなり、Ｘ座標セレクトスイッチ１３に入力された画像データ信号Ｄ₁がＹ座標セレクトスイッチ１２−１を経由してコンデンサＣ₁に保持される。
【０００６】
次に端子Ｘ₂に同期信号が出力されると、Ｘ座標セレクトスイッチ１３がオフになると同時にＸ座標セレクトスイッチ１４がオンとなり、このときＸ座標セレクトスイッチ１４に入力された画像データ信号Ｄ₂がＹ座標セレクトスイッチ１２−２を経由してコンデンサＣ₂に保持される。従って、Ｙ座標セレクトスイッチ１２−１、１２−２・・・はコンデンサＣ₁、Ｃ₂・・・に画像データ信号に応じた電荷を蓄積する書き込み用のセレクトスイッチとして機能する。
【０００７】
このようにしてコンデンサＣ₁、Ｃ₂・・・に画像データ信号Ｄ₁、Ｄ₂・・・が保持され、これに応じてバイアスＴＦＴ１１−１、１１−２・・・もオン状態になり有機ＥＬ素子ＥＬ₁、ＥＬ₂・・・を画像データ信号Ｄ₁、Ｄ₂・・・に応じて発光制御する。このようにして端子Ｙ₁に対する画素１０−１、１０−２・・・が発光制御動作したのちに、Ｙ軸用のシフトレジスタ１６では端子Ｙ₂に同期信号が出力され、同様にして画素１０−３、１０−４・・・が発光制御動作する。このようなＥＬ画像表示装置は、例えばＩ．Ｅ．Ｅ．Ｅ．Ｔｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅｓ，Ｖｏｌ．ＥＤ−２２，Ｎｏ．９，Ｓｅｐｔ．１９７５（ｐ７３９〜ｐ７４９）に記載されている。
【０００８】
ところで薄膜表示素子を駆動する場合、図７に示す如き線順次駆動式単純マトリックス駆動回路が使用される事がある。
図７において、有機ＥＬ素子Ｅ₁₁、Ｅ₁₂、Ｅ₂₁、Ｅ₂₂がそれぞれ図示の如く接続され、行１、行２には電流制限抵抗Ｒを介した電圧Ｖボルト又は０ボルトのパルス電圧が印加され、列１、列２には同時に電圧０ボルト又はＶボルトが印加される。
【０００９】
いま時刻ｔ₁において、図７に示す如く、行１に電圧Ｖボルトが印加され、行２はグランド状態に保持され、列１、列２はそれぞれ０ボルトが印加されるとき、有機ＥＬ素子Ｅ₁₁とＥ₁₂は点灯状態となるが有機ＥＬ素子Ｅ₂₁、Ｅ₂₂は消灯状態になる。
【００１０】
次の時刻ｔ₂において、今度は行１がグランド状態に保持され、行２に電圧Ｖボルトが印加され、列１には０ボルトが印加され、列２には電圧Ｖボルトが印加される。これにより有機ＥＬ素子Ｅ₂₁は点灯となり、有機ＥＬ素子Ｅ₁₁とＥ₁₂、Ｅ₂₂は消灯状態になる。
【００１１】
これを例えば人間の眼が追従できない６０Ｈｚで繰り返し制御すれば有機ＥＬ素子Ｅ₂₂のみオフ状態の表示を行うことができる。
このようにして行に順次に電圧Ｖボルトを印加し、列にＶボルト又は０ボルトの電圧を印加することにより有機ＥＬ素子Ｅ₁₁〜Ｅ₂₂を選択表示制御することができる。この時のＥ₂₂以外のＥＬ素子の輝度は点灯時の輝度の時間平均となり、図７のような行数が２であるパネルでは点灯時の輝度の１／２となる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
図６に示すように、有機ＥＬ画像表示装置では、一画素あたり複数のＴＦＴを必要とする。従って有機ＥＬ画像表示装置の大画面化を考えたとき、設備投資や歩留まりの点からＴＦＴを用いることは困難である。
【００１３】
また図７に示す如き線順次駆動式単純マトリックス駆動回路ではパネルの輝度は点灯時の輝度の時間平均になるため行数が増えるほど有機ＥＬ素子に瞬間的に強い光を要求することになるため、大きな印加電圧を必要とし、有機ＥＬ素子の耐圧、及び寿命から最大の行数又はパネルの輝度に限界が生じる。
【００１４】
そのため、本発明の目的は、有機ＥＬ素子の選択にＴＦＴのセレクトスイッチを使用しないようにした画像表示装置を提供することである。
かつまた本発明の他の目的は、有機ＥＬ素子を損なうことなく高輝度、高解像度の画像表示装置を提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明の関連技術では、例えば図１（Ａ）に示す如く、行１、行２、列１、列２間に有機ＥＬ素子ＥＬ₁₁、ＥＬ₁₂、ＥＬ₂₁、ＥＬ₂₂を接続し、各有機ＥＬ素子ＥＬ₁₁〜ＥＬ₂₂を、有機ＥＬ素子ＥＬ₁₁に代表的に符号を付した如く、互いに逆極性に並列接続された薄膜素子ｅ₁、ｅ₂により構成する。
【００１６】
この素子を用いても線順次駆動式単純マトリックス駆動回路を用いて選択点灯は可能である。
いま時刻ｔ₁において、図１（Ａ）に示す如く、行１に電流制限抵抗Ｒを介した電圧ｖボルトが印加され、行２はグランド状態に保持され、列１、列２はそれぞれ任意の電圧−ａボルトが印加されるとき、有機ＥＬ素子Ｅ₁₁とＥ₁₂（ｖ＋ａ）が印加されて十分に明るい点灯状態となるが有機ＥＬ素子ＥＬ₂₁、ＥＬ₂₂はａが印加されるのみであり、弱い点灯状態にとどまる。
【００１７】
次の時刻ｔ₂において、今度は行１がグランド状態に保持され、行２に電流制限抵抗Ｒを介した電圧ｖボルトが印加され、列１には−ａボルトが印加され、列２にはａボルトが印加される。これにより有機ＥＬ素子ＥＬ₂₁は（ｖ＋ａ）が印加されて十分明るい点灯状態となるが有機ＥＬ素子ＥＬ₁₁、ＥＬ₁₂にはａが印加されるのみであり、また有機ＥＬ素子ＥＬ₂₂には（ｖ−ａ）が印加されるのみなので、これら有機ＥＬ素子ＥＬ₁₁、ＥＬ₁₂、ＥＬ₂₂は弱い点灯状態にとどまる。
【００１８】
この（ｔ₁＋ｔ₂）の期間を１周期とすれば有機ＥＬ素子ＥＬ₁₁、ＥＬ₁₂、ＥＬ₂₁に印加される実効電圧の二乗値は図１（Ｂ）に示すが如く（ｖ²＋２ａｖ＋２ａ²）／４となり、有機ＥＬ素子ＥＬ₂₂は（ｖ²−２ａｖ＋２ａ²）／４となる。これを例えば人間の眼が追従できない６０Hzで繰り返し制御し、かつ有機ＥＬ素子の（ｖ²＋２ａｖ＋２ａ²）／４の平方根の電圧（即ち実効電圧）の輝度と（ｖ²−２ａｖ＋２ａ²）／４の平方根の電圧との輝度に十分なコントラスト比を持たせられるように電圧ｖボルト、及び電圧ａボルトを調整すれば有機ＥＬ素子ＥＬ₂₂のみ消灯状態の表示を行うことができる。又、瞬間的に有機ＥＬ素子に印加される最大電圧はｖ＋ａである。
【００１９】
そして後述詳記するように、時刻ｔ₁において行１、行２にパルス電源より電流制限抵抗Ｒを介して電圧ｖボルトを印加し、列１に−２ａボルトを、列２に０ボルトを印加する。これにより有機ＥＬ素子ＥＬ₁₁、ＥＬ₂₁は（ｖ＋２ａ）が印加され十分明るい点灯状態となるが、有機ＥＬ素子ＥＬ₁₂、ＥＬ₂₂はｖが印加されるのみであり弱い点灯状態にとどまる。次の時刻ｔ₂において行１にパルス電源より電流制限抵抗Ｒを介して電圧ｖボルトを印加し、行２に電圧−ｖボルトを印加し、列１には０ボルトを、列２には−２ａボルトを印加する。これにより有機ＥＬ素子ＥＬ₁₂は（ｖ＋２ａ）が印加され十分明るい点灯状態となるが有機ＥＬ素子ＥＬ₁₁、ＥＬ₂₁、にはｖが印加されるのみであり、また有機ＥＬ素子ＥＬ₂₂には（ｖ−２ａ）が印加されるのみであるので、これら有機ＥＬ素子ＥＬ₁₁、ＥＬ₂₁、ＥＬ₂₂は弱い点灯状態にとどまる。
【００２０】
この（ｔ₁＋ｔ₂）の期間を１周期とすれば有機ＥＬ素子ＥＬ₁₁、ＥＬ₁₂、ＥＬ₂₁に印加される実効電圧の二乗値は図１（Ｃ）に示すが如く２（ｖ²＋２ａｖ＋２ａ²）／４となり、有機ＥＬ素子ＥＬ₂₂は２（ｖ²−２ａｖ＋２ａ²）／４となる。ここでｖを１／√２ｖ、−２ａを−√２ａに調節すれば図１（Ｂ）と等しい実効電圧を得ることができる。又、瞬間的に有機ＥＬ素子に印加される最大電圧は１／√２ｖ＋√２ａである。
【００２１】
このアクティブ駆動方式によりｖ、ａの選択をすれば瞬間的に有機ＥＬ素子に印加される電圧の行数の増加による上昇を抑えることができる。これにより高い行数つまり高解像度のパネル又は高い輝度のパネルが作製できる。しかもＴＦＴのセレクトスイッチが不要なため大面積化も容易である。
【００２２】
【発明の実施の形態】
本発明の関連技術の形態を図１及び図２に基づき説明する。図１は本発明の関連技術の形態を示し、図２はこの有機ＥＬ素子を構成する形態の１例である。
【００２３】
本発明の第１の関連技術の形態では、例えば図１に示す如き、アクティブ駆動回路において、例えば図２に示す平面状に配置した有機ＥＬの薄膜表示素子ｅ₁、ｅ₂を逆極性に並列接続したものを有機ＥＬ素子ＥＬ₁₁〜ＥＬ₂₂として使用したものである。
【００２４】
先ず有機ＥＬ素子について説明する。
この例では、図２（Ａ）、（Ｂ）に示す如く、１画素を薄膜表示素子ｅ₁、ｅ₂により構成し、これらをガラス基板１上に平面状に配置したものである。
【００２５】
薄膜表示素子ｅ₁は、図２（Ｂ）に断面図として示す如く、ガラス基板１上に形成された透明電極２上に、ホール輸送層Ｐ、発光層Ｉ、電子輸送層Ｎ、電極Ｅを積層して構成される。また薄膜表示素子ｅ₂は、薄膜表示素子ｅ₁と同様にガラス基板１上に形成された透明電極２上に、ホール輸送層Ｐ、発光層Ｉ、電子輸送層Ｎ、電極Ｅを積層して構成される。そしてこれらの薄膜表示素子ｅ₁、ｅ₂はそれぞれｎ型の電子輸送層Ｎとｐ型のホール輸送層Ｐを有するため、整流特性を有するので、逆極性になるように、薄膜表示素子ｅ₁、ｅ₂を並列接続する。例えば図２（Ａ）に示す如き接続線Ｗ₁、Ｗ₂で前記の如く並列接続する。
【００２６】
ホール輸送層Ｐは、電極からホールを注入し輸送するものであり、発光層Ｉは、ホールと電子とを効率よく再結合させ発光を取り出すものである。そして電子輸送層Ｎは電子を電極から注入して輸送するものである。
【００２７】
図２に示す如く、薄膜表示素子ｅ₁、ｅ₂を逆極性で平面状に並列接続した場合には１画素中の発光する面積が１／２になってしまうためパネルの輝度が１／２になってしまうものの有機材料と電極の材料に対する選択の自由度が大きく、従って特性のよいものを提供することができる。パネルの輝度の減少分は入力する電圧を増やすことで相殺することができる。
【００２８】
次に、このような有機ＥＬ素子ＥＬ₁₁〜ＥＬ₂₂を使用した場合の表示制御について、図１により詳述する。
有機ＥＬ素子ＥＬ₁₁〜ＥＬ₂₂を表示制御する場合、複数のライン（図１（Ａ）の例では、行１、行２の２本のライン）を同時に選択して、これらにパルス電圧を電流制限抵抗Ｒを介して印加し、これに対応して点灯、消灯を制御する電圧を列１、列２に印加する。
【００２９】
まず時刻ｔ₁において行１、行２にパルス電源より電流制限抵抗Ｒを介して電圧ｖボルトを印加し、列１に−２ａボルトを、列２は０ボルトを印加する。これにより有機ＥＬ素子ＥＬ₁₁、ＥＬ₂₁は十分明るい点灯状態となるが、有機ＥＬ素子ＥＬ₁₂、ＥＬ₂₂は弱い点灯状態にとどまる。
【００３０】
次に時刻ｔ₂において行１にパルス電源より電流制限抵抗Ｒを介して電圧ｖボルトを印加し、行２に電圧−ｖボルトを印加し、列１には０ボルトを、列２には−２ａボルトを印加する。これにより有機ＥＬ素子ＥＬ₁₂は十分明るい点灯状態となるが有機ＥＬ素子ＥＬ₁₁、ＥＬ₂₁、ＥＬ₂₂は弱い点灯状態にとどまる。
【００３１】
従って（ｔ₁＋ｔ₂）の時間を１周期とすれば有機ＥＬ素子ＥＬ₁₁、ＥＬ₁₂、ＥＬ₂₁に印加される実効電圧の二乗値は図１（Ｃ）に示すが如く２（ｖ²＋２ａｖ＋２ａ²）／４となり、有機ＥＬ素子ＥＬ₂₂は２（ｖ²−２ａｖ＋２ａ²）／４となる。これを例えば人間の眼が追従できない６０Hzで繰り返し制御し、且つ有機ＥＬ素子（ｖ²＋２ａｖ＋２ａ²）／４の平方根の電圧の輝度と（ｖ²−２ａｖ＋２ａ²）／４の平方根の電圧との輝度に十分なコントラスト比を持たせられるようにｖ、及びａを調整すれば有機ＥＬ素子ＥＬ₂₂のみ消灯状態の表示を行うことができる。ここでｖを１／√２ｖ、−２ａを−√２ａに調節すれば図１（Ｂ）と等しい実効電圧を得ることができる。
【００３２】
以下このように薄膜表示素子ｅ₁、ｅ₂を逆極性に並列接続し、且つアクティブ駆動を用いる理由について説明する。
いま、ラインバッファを用いて線順次走査で任意の画素を表示すべき発光強度がＸcd/m２の場合、垂直走査数（行の数）がＮ本とすると任意の画素が１フィールド毎に要求される発光強度Ｌcd/m²は
Ｌｍａｘ＝Ｘ・Ｎ
となる。
【００３３】
例えば表示すべき発光強度が１５０cd/m²、垂直走査線が６４０本では任意の画素が１フィールド毎に要求される発光強度Ｌｍａｘは、
Ｌｍａｘ＝１５０×６４０＝９６０００cd/m²
になる。
【００３４】
今、図７に示すような垂直走査線数が２本の回路に電流制限抵抗Ｒを介してＶ＝５ボルトを入力したとすると、このパネルの発光輝度は有機ＥＬ素子に電流制限抵抗Ｒを介して２．５ボルトの定電圧を加えたときと同じ明るさになる。この時有機ＥＬ素子Ｅ₁₁又はＥ₁₂、Ｅ₂₁には電流制限抵抗Ｒを介して瞬間最大で５ボルトが印加されることになる。
【００３５】
これと同じく輝度を図１（ａ）に示す回路で線順次駆動方式で実現するには電流制限抵抗Ｒを介してｖ＝３ボルトを入力し、ａ＝１ボルトで上述のように線順次駆動方式により制御されればよい。この時は有機ＥＬ素子ＥＬ₁₁又はＥＬ₁₂、ＥＬ₂₁には電流制限抵抗Ｒを介して瞬間最大で４（３＋１＝４）ボルトが印加されることになる。
【００３６】
又、これと同じ輝度を図１（ａ）に示す回路でアクティブ駆動方式で実現するには電流制限抵抗Ｒを介してｖ＝約２．１ボルトを入力し、ａ＝約１．４ボルトで上述のようにアクティブ駆動方式により制御されればよい。この時は素子ＥＬ₁₁又はＥＬ₁₂、ＥＬ₂₁には電流制限抵抗Ｒを介して瞬間最大で約３．５ボルトが印加されることになる。
【００３７】
以上説明してきたように同じ輝度を実現するのに図７の様な従来の駆動方法より図１（ａ）の様な回路で線順次駆動方式が、またそれより図１（ａ）の様な回路でアクティブ駆動方式の方が瞬間に印加される最大の電圧を下げる事ができる。
【００３８】
今の例ではＮ＝２を取り上げたがこれらの関係は任意のＮで成り立つ。いま、図１（ａ）の回路で線順次駆動を行ったとき、任意の画素に印加された点灯時の実効電圧Ｅｏｎは
【００３９】
【数１】

【００４０】
に示す（１）式となる。ここでｖは走査線側の駆動電圧の絶対値、ａはデータ線側の駆動電圧の絶対値、Ｎは走査線の本数である。この式は（２）式の様に表すことができる。一方、従来方式の回路での線順次駆動方式の実効電圧はＶ／Ｎで表せる。ここでＶはパルス電源より印加される電圧を表す。今Ｎ＞１であるのでこの２つの実効電圧を等しくするにはこれらの関係よりＶ＞（ｖ＋ａ）の関係が成り立つ。この時の（ｖ＋ａ）は図１（ａ）の回路で線順次駆動を行ったときの最大瞬間の印加電圧に他ならない。
【００４１】
又、全走査線が常に選択される条件でのアクティブ駆動は前述したようにｖを（１／√Ｎ）ｖ、ａを√Ｎ・ａに調節すれば図１（ａ）における線順次駆動の場合と等しい実効電圧を得ることができるのでｖ＞√Ｎ・ａとなるようにｖ、ａを選択すれば
【００４２】
【数２】

【００４３】
という関係が成り立ち、図１（ａ）の回路を用いた線順次駆動よりアクティブ駆動の方が瞬間の最大電圧を低く抑える事ができる。
ここで問題になるのはアクティブ駆動は一種の交流駆動であるため、通常は整流素子であるＥＬを用いることができないことである。しかし、本発明では一画素を２つの表示素子を逆極性で接続して構成し、正の電圧のとき一方の表示素子が発光し負の電圧のときには他方の表示素子が発光するように構成し、その整流性を打ち消すことができる。但し図２で示す本発明の第１の関連技術では１画素中の発光面積が１／２になってしまうので任意の画素の発光強度を２倍にして発光面積の縮小による平均輝度の減少を打ち消す必要がある。
【００４４】
本発明の第２の関連技術の形態を図３に基づき説明する。図３においては、ガラス基板１上に形成した透明電極２上に、有機ＥＬの薄膜表示素子ｅ₁の電子輸送層Ｎ及び有機ＥＬの薄膜表示素子ｅ₂のホール輸送層Ｐをその透明電極２により接続したものである。これによりその接続を容易に行うことができ、逆極性にこれらを容易に接続することができる。駆動回路は、前記図１に示す如き、アクティブ駆動回路を使用する。
【００４５】
本発明の実施の形態を図４に基づき説明する。図４（Ａ）は２つの有機ＥＬの薄膜表示素子ｅ₁、ｅ₂を立体的に積層したものである。この場合薄膜表示素子ｅ₁及びｅ₂の接続部分も透明電極２で構成する。これにより有機ＥＬ素子ＥＬ₁、ＥＬ₂の発光層からの発光を、ガラス基板１側から有効に取り出すことができる。なお図４（Ｂ）の電気回路は、有機ＥＬの薄膜表示素子ｅ₁、ｅ₂をパルス電源ＰＥで駆動するときの電気的接続図である。駆動回路は、前記図１に示す如き、アクティブ駆動回路を使用する。
【００４６】
図４に示す如く、立体的に配置することにより、画素中の発光面積の縮小をさけることができ第１、第２の関連技術の形態のように任意の画素の発光強度を２倍にして発光面積の縮小による平均輝度の減少を打ち消す必要がなくなり、印加電圧の増大を抑制することができる。又、各画素を小面積で構成できることにより、より高密度のパネルが形成できる。
【００４７】
前記説明は有機ＥＬ素子の２×２の状態について説明したが、図５に基づき、本発明の関連技術の形態を４×４の例におけるアクティブ駆動方式について説明する。この場合データフォーマットは、図５（Ｂ）に示す如く、「−１−１−１−１」（明）と「００００」（暗）を組み合わせた、明暗の横縞模様を示すものである。
【００４８】
図５（Ｃ）に示す如く、時刻ｔ₁では、行１〜行４のすべてにｖボルトが印加され、列１〜列４のすべてに−２ａボルトが印加されるので、図５（Ａ）において有機ＥＬ素子ＥＬ₁₁〜ＥＬ₄₄はすべて十分明るい点灯状態となる。
【００４９】
時刻ｔ₂では、行１と行３にｖボルトが印加され、行２と行４に−ｖボルトが印加され、列１〜列４のすべてに−２ａボルトが印加されるので、図５（Ａ）において行１と行３の有機ＥＬ素子ＥＬ₁₁〜ＥＬ₁₄及び有機ＥＬ素子ＥＬ₃₁〜ＥＬ₃₄は十分明るい点灯状態となるが行２と行４の有機ＥＬ素子ＥＬ₂₁〜ＥＬ₂₄及び有機ＥＬ素子ＥＬ₄₁〜ＥＬ₄₄は弱い点灯状態となる。
【００５０】
時刻ｔ₃では、行１と行２にｖボルトが印加され、行３と行４に−ｖボルトが印加され、列１〜列４のすべてに０ボルトが印加されるので、有機ＥＬ素子ＥＬ₁₁〜ＥＬ₄₄はすべて弱い点灯状態となる。
【００５１】
時刻ｔ₄では行１と行４にｖボルトが印加され、行２と行３に−ｖボルトが印加され、列１〜列４のすべてに０ボルトが印加されるので、有機ＥＬ素子ＥＬ₁₁〜ＥＬ₄₄はすべて弱い点灯状態となる。
【００５２】
このようにして明暗の横縞模様を表示することができる。
本発明の表示素子は、これら２×２、４×４等のサイズに限定されるものではない。なおアクティブ駆動方式は、例えば日経エレクトロニクス１９９４，９，２６（ｐ１７９〜ｐ１９１）に記載のように公知のものである。
【００５３】
【発明の効果】
本発明の関連技術によれば、整流特性を持つ薄膜表示素子を逆方向に接続して表示画素を構成したのでアクティブ駆動回路により駆動することができ、ＴＦＴ等のアクティブ素子を用いることなく有機ＥＬ素子を損なうことなく大面積、高解像度のパネルを提供することができる。
【００５４】
本発明の関連技術によれば、薄膜表示素子を平面状に配置したので、有機ＥＬ素子を構成する有機材料及び電極材料の選択の自由度が大となり、特性のよい画像表示装置を提供することができる。
【００５５】
本発明によれば、薄膜表示素子を立体的に配置したので、発光源を小さく配置した、しかも発光源が強く発光する画像表示装置を提供することができる。しかも発光有効面積を広くするこができる。
【００５６】
請求項２に記載された発明によれば、複数ライン選択式のアクティブ駆動回路により画像表示装置を駆動するので、その選択されている長時間の間発光を続けるため印加電圧を高めなくても必要とする実効電圧を得るので長寿命のものを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の関連技術の形態図（その１）である。
【図２】本発明の関連技術の形態図（その２）である。
【図３】本発明の関連技術の形態図（その３）である。
【図４】本発明の実施の形態図である。
【図５】本発明の関連技術の形態図（その４）である。
【図６】従来のＴＦＴアクティブマトリックス駆動回路図である。
【図７】線順次駆動式駆動回路図である。
【符号の説明】
１ガラス基板
２透明電極

Claims

ガラス基板上に形成された第１の薄膜表示素子及び該第１の薄膜表示素子上に積層された第２の薄膜表示素子が互いに逆極性に並列接続してなる有機ＥＬ素子を有し、
前記第１の薄膜表示素子及び前記第２の薄膜表示素子はそれぞれ整流特性を有し、
前記第１の薄膜表示素子及び前記第２の薄膜表示素子は透明電極を介して接続してなることを特徴とする画像表示装置。