WO2016020303A1 - Optoelektronische bauelementevorrichtung und verfahren zum herstellen einer optoelektronischen bauelementevorrichtung - Google Patents

Optoelektronische bauelementevorrichtung und verfahren zum herstellen einer optoelektronischen bauelementevorrichtung Download PDF

Info

Publication number
WO2016020303A1
WO2016020303A1 PCT/EP2015/067743 EP2015067743W WO2016020303A1 WO 2016020303 A1 WO2016020303 A1 WO 2016020303A1 EP 2015067743 W EP2015067743 W EP 2015067743W WO 2016020303 A1 WO2016020303 A1 WO 2016020303A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
organic light
emitting diode
light emitting
electrode
organic
Prior art date
Application number
PCT/EP2015/067743
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Arne FLEISSNER
Daniel Riedel
Nina Riegel
Silke SCHARNER
Johannes Rosenberger
Thomas Wehlus
Original Assignee
Osram Oled Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Oled Gmbh filed Critical Osram Oled Gmbh
Priority to US15/502,519 priority Critical patent/US20170229437A1/en
Priority to CN201580042664.7A priority patent/CN106575665A/zh
Publication of WO2016020303A1 publication Critical patent/WO2016020303A1/de

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/84Parallel electrical configurations of multiple OLEDs
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0203Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0216Coatings
    • H01L31/02161Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02162Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0232Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02325Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements not being integrated nor being directly associated with the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/16Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
    • H01L31/167Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/86Series electrical configurations of multiple OLEDs

Definitions

  • the invention relates to an optoelectronic
  • the lifetime of an OLED can be increased by stacking an OLED multiple times.
  • color units are connected by means of a so-called CGL (charge generation layer). They are connected in series, so to speak. As a result, the required voltage increases, by means of which the OLED can be operated.
  • Stacking n units will reduce them. However, it often makes sense not to exceed certain limits with the voltage. For example, 12 volts when used in
  • the object of the invention is a more efficient one
  • Optoelectronic device device with an increased lifetime to provide.
  • the object is achieved according to one aspect of the invention by an optoelectronic component device which has a first organic light-emitting diode and a second organic light-emitting diode
  • Light-emitting diode which are connected to each other in physical contact with each other has.
  • the first organic light emitting diode is electrically connected in parallel with the second organic light emitting diode.
  • LED and the second organic light-emitting diode have at least one approximately the same or the same
  • an optoelectronic component device having a first organic light emitting diode and a second
  • organic light-emitting diode which are connected to each other in physical contact with each other, having.
  • the first organic light emitting diode is with the second organic
  • Organic light emitting diode provides a first light with a first hue and the second organic light emitting diode provides a second light with a second hue.
  • the first hue and the second hue are approximately equal to or the same. This makes it possible to provide a more efficient optoelectronic device device with an increased lifetime.
  • Component device one or more other organic compound
  • Light emitting diodes which is connected in series with the first organic light emitting diode. This allows one
  • Device device one or more other organic light-emitting diodes, which is / are connected in series with the second organic light-emitting diode. This allows one
  • Optoelectronic component device can thereby be further increased. According to a development, the second organic compound
  • the organic functional layer structure and a second electrode, wherein the organic functional layer structure is arranged on or above the first electrode and wherein the second electrode on or above the organically functional
  • Optoelectronic component device can thereby be further increased.
  • the second electrode of the first organic light emitting diode and the first electrode of the second organic light emitting diode are electrically connected to each other such that they form a common electrode. This can increase the life of the optoelectronic
  • Device device be further increased.
  • the common electrode is formed from an at least translucent material or has such. This can increase the life of the
  • Optoelectronic device device can be further increased.
  • the second electrode of the first organic light emitting diode is an anode of the first organic light emitting diode and the first electrode of the second
  • organic light emitting diode is an anode of the second
  • Optoelectronic component device can be further increased thereby.
  • the first electrode of the first organic light emitting diode and the second electrode of the second organic light emitting diode have a common electrical Potential up.
  • the life of the optoelectronic component device can be further increased.
  • the first electrode of the first organic light emitting diode and the second electrode of the second organic light emitting diode are arranged congruently one above the other and the second electrode of the first organic light emitting diode and the first electrode of the second organic light emitting diode are arranged congruently one above the other. This allows the
  • Life of the optoelectronic component device can be further increased.
  • the object is achieved according to a further aspect of the invention by a method for producing a
  • An optoelectronic component device comprising forming a first organic light emitting diode and a second organic light emitting diode such that the first organic light emitting diode and the second organic light emitting diode are connected to each other in physical contact with each other.
  • the first organic light emitting diode is electrically connected in parallel with the second organic light emitting diode.
  • Light-emitting diodes are designed such that they have at least one approximately the same or the same electronic
  • Diode characteristic and / or have an approximately same or the same electronic diode characteristic. This allows for a more efficient optoelectronic
  • the object is achieved according to a further aspect of the invention by a method for producing a
  • An optoelectronic component device comprising forming a first organic light emitting diode and a second organic light emitting diode such that the first organic light emitting diode and the second organic light emitting diode are connected to each other in physical contact with each other are.
  • the first organic light emitting diode is electrically connected in parallel with the second organic light emitting diode.
  • the first organic light emitting diode is formed so as to provide a first light having a first hue, and the second organic light emitting diode becomes so
  • the first organic light emitting diode and the second organic light emitting diode are formed such that the first color tone and the second color tone are approximately equal to or the same. This makes it possible to produce a more efficient optoelectronic device device with an increased lifetime.
  • the method further comprises forming one or more further organic compound
  • Light emitting diodes which are connected in series with the first organic light emitting diode on. This makes it possible to produce an optoelectronic component device with an even longer service life.
  • the method further comprises forming one or more further organic compound
  • Light emitting diodes which are connected in series with the second organic light emitting diode on. This makes it possible to produce an optoelectronic component device with an even longer service life.
  • forming the first organic light emitting diode comprises forming a first electrode, forming an organic functional layer structure and forming a second electrode, wherein the organic functional layer structure is arranged on or above the first electrode and wherein the second
  • forming the second organic light emitting diode comprises forming a first electrode, forming an organic functional layer structure and forming a second electrode, wherein the organic functional layer structure is arranged on or above the first electrode and wherein the second
  • Layer structure is arranged. This makes it possible to produce an optoelectronic component device with an even longer service life.
  • the second electrode of the first organic light emitting diode and the first electrode of the second organic light emitting diode are electrically connected to each other such that they form a common electrode. This allows an optoelectronic
  • the common electrode is formed from an at least translucent material or formed such that the common electrode has a translucent material. This makes it possible to produce an optoelectronic component device with an even longer service life.
  • the first electrode of the first organic light emitting diode and the second electrode of the second organic light emitting diode are arranged congruently one above the other and the second electrode of the first organic light emitting diode and the first electrode of the second organic light emitting diode are arranged congruently one above the other.
  • Figure 1a is a sectional view of an organic compound
  • Figure 1b is a sectional view of a part of a
  • Figure 2 is a sectional view of an embodiment of an optoelectronic component device
  • FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of an embodiment
  • Figure 4 is an equivalent circuit diagram of an embodiment
  • Figure 5 is a schematic representation of a
  • FIG. 6 shows a flowchart of a method for producing an optoelectronic component device.
  • An organic optoelectronic component can have one, two or more organic optoelectronic components
  • Component also have one, two or more electronic components.
  • An electronic component may have, for example, an active and / or a passive component.
  • An active electronic component may, for example, a computing, control and / or regulating unit and / or a
  • a passive electronic component may, for example, comprise a capacitor, a resistor, a diode or a coil.
  • An organic optoelectronic component can be
  • An electromagnetic radiation emitting device may in various embodiments.
  • electromagnetic radiation emitting semiconductor device and / or as an electromagnetic
  • Radiation can, for example, light in the visible range, Be UV light and / or infrared light.
  • the light emitting device may be part of an integrated circuit in various embodiments. Furthermore, a
  • translucent or “translucent layer” can be understood in various embodiments that a layer is permeable to light
  • the light generated by the light emitting device for example one or more
  • Wavelength ranges for example, for light in one
  • Wavelength range of the visible light for example, at least in a partial region of the wavelength range of 380 nm to 780 nm.
  • the term "translucent layer” in various embodiments is to be understood to mean that substantially all of them are in one
  • Quantity of light is also coupled out of the structure (for example, layer), wherein a portion of the light can be scattered in this case.
  • the organic light-emitting diode (or the light-emitting components according to the above or hereinafter described
  • Embodiments may be configured as a so-called top and bottom emitter.
  • a top and / or bottom emitter can also be used as an optically transparent component,
  • a transparent organic light emitting diode For example, a transparent organic light emitting diode, be designated.
  • Fig. La shows a sectional view of an organic
  • the organic light-emitting diode 100 has a carrier 102, for example also referred to as substrate 102, on.
  • the carrier 102 serves as a carrier element for
  • a Barrier layer 104 is arranged on or above the carrier 102 .
  • Barrier layer 104 together form a hermetically sealed substrate 130.
  • an active region 106 is arranged on or above the hermetically sealed substrate 130. The active one
  • Area 106 is an electrically active area 106 and / or an optically active area 106.
  • the active area 106 is, for example, the area of the optoelectronic component 100 in which electrical current is used to operate the
  • Opto-electronic device 100 flows and / or in which electromagnetic radiation is generated.
  • an encapsulation structure 128 is arranged on or above the active region 106.
  • the hermetically sealed substrate 102, the active region 106 and the encapsulation structure 128 will be described in detail below.
  • the electrically active region 106 has a first electrode 110, an organic functional layer structure 112 and a second electrode 114.
  • the first electrode 110 is an anode, that is, as hole injecting electrode, the organic light emitting diode 100.
  • the second electrode is a cathode, that is, as an electron injecting electrode, the organic light emitting diode 100.
  • Layer structure has a hole injection layer (not shown) disposed on the first electrode 110.
  • a hole injection layer (not shown) disposed on the first electrode 110.
  • a hole injection layer On the hole injection layer is a
  • Hole transport layer 116 also referred to as
  • Hole line layer 116) is formed. Furthermore, a
  • An electron transport layer 120 (also called
  • electron conduction layer 120 is disposed on the emitter layer 118.
  • Electron transporting layer 120 is a
  • Electron injection layer (not shown) is formed.
  • the carrier 102 may comprise or be formed from glass, quartz, and / or a semiconductor material.
  • the carrier may be a plastic film or a laminate having one or more plastic films have or be formed from it.
  • the plastic may include or be formed from one or more polyolefins (eg, high or low density polyethylene or PE) or polypropylene (PP).
  • PE polyolefins
  • PP polypropylene
  • Polyvinyl chloride PVC
  • PS polystyrene
  • PC polycarbonate
  • PET polyethylene terephthalate
  • the carrier 102 may comprise or be formed from a metal, for example copper, silver, gold, platinum, iron, for example one
  • Metal compound for example steel.
  • the carrier 102 may be opaque,
  • the carrier 102 may be part of or form part of a mirror structure.
  • the carrier 102 a may be any suitable carrier 102 a.
  • the carrier 102 as
  • Waveguide be designed for electromagnetic radiation, for example, be transparent or translucent with respect to the emitted or absorbed
  • Device device may also be formed without carrier 102, for example in the case that one of the electrodes
  • the first barrier layer 104 may comprise or be formed from one of the following materials:
  • Indium zinc oxide aluminum-doped zinc oxide, poly (p-phenylene terephthalamide), nylon 66, and mixtures and
  • the first barrier layer 104 may be formed by one of the following methods: Atomic Layer Deposition (ALD), for example, a plasma enhanced
  • PEALD Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition
  • PALD Physical Light Deposition
  • PECVD Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
  • Barrier layer 104 which has multiple sub-layers, all sub-layers are formed by means of a Atom harshabscheide Kunststoffs.
  • a layer sequence comprising only ALD layers may also be referred to as "nanolaminate”.
  • Barrier layer 104 having multiple sub-layers, one or more sub-layers of the first barrier layer 104 by means of a different deposition method than one
  • Atomic layer deposition processes are deposited
  • the first barrier layer 104 may have a layer thickness of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 1000 nm, for example one
  • the first barrier layer 104 may comprise one or more high-index materials, for example one or more materials having a high refractive index, for example having a refractive index of at least 2.
  • Embodiments also can be dispensed with a first barrier layer 104, for example, in the event that the carrier 102 is hermetically sealed, for example, comprises glass, metal, metal oxide or is formed therefrom.
  • the first electrode 210 may be formed as a cathode.
  • the first electrode 110 may comprise or be formed from one of the following electrically conductive material: a metal; a conductive one
  • TCO transparent oxide
  • the first electrode 110 made of a metal or a metal may comprise or may be formed from one of the following materials: Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ca, Sm or Li, as well as compounds, combinations or alloys of these materials ,
  • the first electrode 110 may as a transparent conductive oxide, one of the following
  • zinc oxide for example, zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO).
  • binary oxide for example, zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO).
  • binary oxide for example, zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO).
  • binary oxide for example, zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO).
  • Metal oxygen compounds such as ZnO, SnO 2 , or ln 2 O 3 also include ternary metal oxygen compounds, for example, AlZnO, Zn 2 SnO 4 , CdSnO 3 , ZnSnO 3 , Mgln 2 O 4 , GalnO 3 , Zn 2 In 2 O 5, or In 4 Sn 3 O 12 or mixtures of different transparent conductive oxides to the group of TCOs and can be used in various embodiments.
  • the TCOs do not necessarily correspond to a stoichiometric composition and may also be p-doped or n-doped, or hole-conducting (p-TCO) or
  • n-TCO electronically conductive
  • the first electrode 110 may comprise a layer or a layer stack of several layers
  • the first electrode 110 may be formed by a stack of layers of a combination of a layer of a metal on a layer of a TCO, or vice versa.
  • An example is a silver layer deposited on an indium tin oxide (ITO) layer (Ag on ITO) or ITO-Ag-ITO multilayers.
  • ITO indium tin oxide
  • the first electrode 110 may have a layer thickness in a range from 10 nm to 500 nm, for example from less than 25 nm to 250 nm, for example from 50 nm to 100 nm.
  • the first electrode 110 may have an electrical connection to which an electrical potential can be applied.
  • the electrical potential may be provided by a power source, such as a power source or a voltage source.
  • the electrical potential may be applied to an electrically conductive carrier 102 and the first electrode 110 may be indirectly electrically supplied by the carrier 102.
  • the electrical potential can be, for example, the ground potential or another predetermined reference potential.
  • the carrier 102 may be formed from or may comprise a conductive substance and / or the carrier 102 may be coated with a conductive substance, for example a conductive substance as described in detail above.
  • the carrier 102 may be the electrode 110.
  • a scattering layer can be arranged on the first electrode 110.
  • the litter layer is formed, for example, from a translucent or transparent material or has such.
  • Litter layer has particles that are electromagnetic
  • the hole injection layer of one or more of the following materials may comprise or be formed from: HAT-CN, Cu (I) pFBz, MoO x, WO x, VO x, ReO x, F4-TCNQ, NDP-2, NDP 9, Bi (III) pFBz, F16CuPc; NPB ( ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalen-1-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -benzidine); beta-NPB ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalen-2-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -benzidine); TPD
  • the hole injection layer may have a layer thickness in a range of about 10 nm to about 1000 nm, for example in a range of about 30 nm to about 300 nm, for example in a range of about 50 nm to about 200 nm.
  • the hole transport layer may comprise or be formed from one or more of the following materials: NPB ( ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalen-1-yl) - ⁇ , ⁇ '- to ⁇ phenyl) -benzidine); beta-NPB ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalen-2-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) benzidine); TPD ( ⁇ , ⁇ '-bis (3-methylphenyl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) benzidine); Spiro TPD ( ⁇ , ⁇ '-bis (3-methylphenyl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) benzidine); Spiro-NPB ( ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalen-1-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -spiro), - DMFL-TPD ⁇ , ⁇ '- bis (3-methylphenyl) - ⁇ , ⁇ '-spiro
  • the hole transport layer may have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 50 nm,
  • the emitter layer 118 may be fluorescent and / or fluorescent
  • the organic light-emitting diode 100 can have several organic light-emitting diode 100.
  • the organic light-emitting diode 100 can have several organic light-emitting diode 100.
  • the emitter layer may comprise organic polymers, organic oligomers, organic monomers,
  • Component 100 in an emitter layer or comprise one or more of the following materials: organic or organometallic compounds, such as derivatives of polyfluorene, polythiophene and polyphenylene
  • Iridium complexes such as blue phosphorescent FIrPic
  • Polymer emitter are used, which can be deposited, for example by means of a wet chemical process, such as a spin-on process (also referred to as spin coating).
  • a wet chemical process such as a spin-on process (also referred to as spin coating).
  • the emitter materials may be embedded in a suitable manner in a matrix material, for example a technical ceramic or a polymer, for example an epoxide; or a silicone.
  • a matrix material for example a technical ceramic or a polymer, for example an epoxide; or a silicone.
  • the emitter layer has a layer thickness in a range of about 5 nm to about 50 nm, for example in a range of about 10 nm to about 30 nm, for example about 20 nm.
  • the emitter layer may be monochrome or different colors (for example blue and blue) yellow or blue, green and red) emitting emitter materials.
  • the emitter layer may comprise a plurality of sub-layers which emit light of different colors.
  • Emission of light with a white color impression result can also be provided in the beam path of the primary emission generated by these layers
  • the organic functional layer structure 121 may comprise one or more emitter layers, which is / are embodied as a hole transport layer.
  • the organic functional layer structure 112 may include one or more emitter layers configured as an electron transport layer.
  • Electron transport layer comprise or be formed from one or more of the following materials: NET- 18;
  • Electron transport layer have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 50 nm
  • the nm for example in a range of about 10 nm to about 30 nm, for example about 20 nm.
  • the nm for example in a range of about 10 nm to about 30 nm, for example about 20 nm.
  • the nm for example in a range of about 10 nm to about 30 nm, for example about 20 nm.
  • Electron injection layer may include or may be formed of one or more of the following materials: NDN-26, MgAg, Cs 2 CO 3 , Cs 3 PO 4 , Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, LiF;
  • Electron injection layer have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 200 nm
  • nm for example, in a range of about 20 nm to about 50 nm, for example about 30 nm.
  • the optoelectronic component 100 can optionally have further organically functional layers, for example arranged on or above the one or more
  • the further organic Functional layers may be, for example, internal or external coupling / decoupling structures, which are the
  • At least one of the layers described above is the organically functional
  • Layer structure optional.
  • at least one of the layers described above may be formed as a mixture of at least two of the layers described above.
  • the second electrode 114 may be formed as an anode.
  • the second electrode 114 may be formed as an anode.
  • organic functional layer structure 112 in which case the first electrode 110 as the cathode and the second
  • Electrode 114 are formed as an anode, have a reverse layer sequence.
  • the second electrode 114 may be formed according to one of the configurations of the first electrode 110, wherein the first electrode 110 and the second electrode 114 may be the same or different.
  • the second electrode 114 may have a further electrical connection, to which another
  • the more electrical potential can be from the same or another
  • Power source be provided as the electric
  • the further electrical potential can be any suitable electrical potential.
  • the further electrical potential can be any suitable electrical potential.
  • the further electrical potential may, for example, have a value such that the difference to the electrical potential has a value in a range from approximately 1.5 V to approximately 20 V, for example a value in a range from approximately 2.5 V to approximately 15 V, for example, a value in a range of about 3V to about
  • the second barrier layer 108 may be referred to as thin film encapsulation (TFE).
  • TFE thin film encapsulation
  • the second barrier layer 108 may be formed according to one of the embodiments of the first barrier layer 104.
  • Barrier layer 108 can be dispensed with.
  • the optoelectronic component 100 may, for example, have a further encapsulation structure, as a result of which a second barrier layer 108 may become optional, for example a cover 124, for example one
  • Embodiments additionally be formed in the optoelectronic component 100, one or more input / output coupling layers, for example, an external Auskoppelfolie on or above the carrier 102 (not shown) or an internal Auskoppel scaffold (not shown) in
  • the input / output coupling layer may have a matrix and scattering centers distributed therein, wherein the average refractive index of the coupling / decoupling layer is greater or less than that
  • one or more antireflection coatings for example, one or more antireflection coatings
  • a conclusive bonding layer 122 may be disposed on or above the second barrier layer 108, for example of an adhesive or a lacquer.
  • a cover 124 on the second barrier layer 108 can be conclusively connected, for example glued on.
  • a conclusive bonding layer 122 may be disposed on or above the second barrier layer 108, for example of an adhesive or a lacquer.
  • Bonding layer 122 of a transparent material for example, have particles that scatter electromagnetic radiation, such as light-scattering particles.
  • the conclusive connection layer 122 can be used as
  • dielectric scattering particles may be provided as light-scattering particles, for example of a metal oxide, for example silicon oxide (SiO 2 ), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrO 2), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO ), Gallium oxide (Ga 2 O x )
  • a metal oxide for example silicon oxide (SiO 2 ), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrO 2), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO ), Gallium oxide (Ga 2 O x )
  • Alumina, or titania may also be suitable as long as they have a refractive index that is different from the effective refractive index of the matrix of the coherent bonding layer 122, for example
  • Air bubbles, acrylate, or glass bubbles Air bubbles, acrylate, or glass bubbles.
  • metallic nanoparticles metals such as gold, silver, iron nanoparticles, or the like as
  • Be provided light scattering particles.
  • Connecting layer 122 have a layer thickness of greater than 1 micron, for example, a layer thickness of several microns.
  • the interfacial tie layer 122 comprises or is a lamination adhesive. Alternatively or additionally, the conclusive
  • Bonding layer 122 may be configured to have an adhesive having a refractive index that is less than the refractive index of the cover 124.
  • an adhesive may be, for example, a low-refractive adhesive, such as an acrylate, which has a
  • the adhesive may also be a high-refractive adhesive
  • high-refractive, non-scattering particles and has a layer thickness average refractive index approximately equal to the average refractive index of the organic functional layer structure 112, for example in a range of about 1.7 to about 2.0.
  • a plurality of different adhesives may be provided which form an adhesive layer sequence.
  • Electrode 114 and the coherent bonding layer 122 may be formed an electrically insulating layer ⁇ not shown), for example SiN, for example with a layer thickness in a range of about 300 nm to about 1.5 microns, for example, with a layer thickness in a range of about 500 nm to about 1 ⁇ m to protect electrically unstable materials, for example, during a wet chemical process.
  • an electrically insulating layer ⁇ not shown for example SiN, for example with a layer thickness in a range of about 300 nm to about 1.5 microns, for example, with a layer thickness in a range of about 500 nm to about 1 ⁇ m to protect electrically unstable materials, for example, during a wet chemical process.
  • Bonding layer 122 may be optional, for example, if the cover 124 is formed directly on the second barrier layer 108, for example, a cover 124 made of glass, which is formed by means of plasma spraying.
  • getter layer Alternatively or additionally, on or above the electrically active region 106, a so-called getter layer or
  • Getter structure for example, a laterally structured getter layer may be arranged (not shown).
  • the getter layer may be
  • Material may be formed or formed that absorbs substances that are harmful to the electrically active region 106, and binds.
  • a getter layer can be formed or formed that absorbs substances that are harmful to the electrically active region 106, and binds.
  • the getter layer can be translucent,
  • the getter layer may have a layer thickness of greater than about 1 ⁇ m, for example a layer thickness of several ⁇ m. Alternatively or additionally, the getter layer may have a
  • Laminating adhesive or the getter layer may be embedded in the coherent bonding layer 122.
  • the cover 124 can be connected to the electrically active region 106 by means of the coherent connection layer 122 and present it in front of it
  • the cover 124 may
  • a glass cover 124 For example, a glass cover 124, a glass cover 124, a glass cover 124, a glass cover 124, a glass cover 124, a glass cover 124, a glass cover 124, a glass cover 124, a glass cover 124, a glass cover 124, a glass cover 124, a glass cover 124, a glass cover 124, a glass cover 124, a glass cover 124, a
  • the glass cover 124 may, for example by means of a frit bonding / glass soldering / seal glass bonding by means of a conventional glass solder in the geometric edge regions of the organic optoelectronic component 100 with the second barrier layer 108 and the electrically active region 106 conclusive get connected.
  • the cover 124 and / or the interlocking tie layer 122 may have a refractive index (for example, at a wavelength of 633 nm) of 1.55.
  • one or more of the above-mentioned layers disposed between the first electrode 110 and the second electrode 114 are optional.
  • the electrically active region 106 may include one, two or more functional layered structure units 112a, 112b and one, two or more
  • the electric active region 106 may be a first organic functional layer structure unit 112a, which may be on the first
  • Electrode 110 is arranged. Furthermore, the electrically active region 106 may have a charge carrier pair generation layer structure 115, which is arranged on the first organically functional layer structure unit 112a. Furthermore, the electrically active region 106 may be a second organic functional
  • Layer structure unit 112b on the charge carrier pair generation layer structure 115 have. Further, the second electrode 114 may be disposed on the second organic functional layer structure unit 112b. In addition, the electrically active region 106 may be a third organic functional layer structure unit, another
  • Charge pair generation layer structure and a fourth organic functional layer structure unit (not shown).
  • a charge carrier pair generation layer structure may include one or more electron-conducting charge carrier pair generation layer (s) and one or more hole-conducting ones
  • the electron-conducting charge carrier pair generation layer (s) and the hole-conducting charge carrier pair generation layer (s) may each be formed of an intrinsically conductive substance or a dopant in a matrix.
  • the charge carrier pair generation layer (s) and the hole-conducting charge carrier pair generation layer (s) may be formed such that at the interface of an electron-conducting
  • Charge pair generation layer with a hole-conducting carrier pair generation layer can be a separation of electron and hole.
  • the charge carrier pair generation layer structure may further include a diffusion barrier between adjacent layers.
  • An organic light emitting diode comprising the first electrode 110, the second electrode 114 and two functional
  • Layer structure units 112a, 112b, wherein a charge carrier pair generation layer structure 115 is arranged between the two functional layer structure units 112a, 112b, may also be referred to as a double-stacked organic light-emitting diode.
  • a double-stacked organic light-emitting diode may also be considered as two organic light-emitting diodes connected in series, the two series-connected organic light-emitting diodes being connected by means of a charge carrier pair generation layer structure 115.
  • three, four, five, for example 10 organic light emitting diodes can be stacked on top of each other by means of a plurality of charge carrier pair generation layer structures, or be connected in series with one another.
  • Charge pair generation layer structures may be the same or different from each other. Alternatively or additionally, the functional
  • Layer structure units 112a, 112b may each be formed like the organic functional layer structure 112 described above. Alternatively or additionally, the layers of the functional layer structure units 112a, 112b may each have the same material combinations.
  • Light emitting diode has one, two or more charge carrier pair generation layer structure (s), the respective
  • Charge pair generation layer structure (s) are formed so that they have no electrical connection, i. are free of component-external
  • Connections. 2 shows an exemplary embodiment of an optoelectronic component device.
  • the optoelectronic component device The optoelectronic
  • Component device 200 has a first organic light emitting diode 210 (indicated in FIG. 2 with dashed lines) Lines) and a second organic light emitting diode 220 (indicated by dashed lines in Fig. 2) which are connected to each other in physical contact with each other.
  • the first organic light emitting diode 210 is electrically connected in parallel with the second organic light emitting diode 220.
  • the first organic light emitting diode 210 has a first one
  • Electrode 211 an organic functional layer structure 213 and a second electrode 212 on.
  • the first electrode 211 of the first organic light emitting diode 210 is like the second electrode 114 of the organic light emitting diode 100 described above
  • the organically functional layer structure 213 of the first organic light emitting diode 210 according to an embodiment of the organic functional layer structure 112 of the organic light emitting diode 100
  • the second electrode 212 of the first organic light-emitting diode 210 is formed in accordance with an embodiment of the first electrode 110 of the organic light-emitting diode 100 described above. Further, the second electrode 212 is an anode of the first organic
  • Light emitting diode 210 is formed.
  • the second organic light emitting diode 220 has a first electrode 221, an organic functional layer structure 223 and a second electrode 222.
  • the first electrode 221 of the second organic light emitting diode 220 is formed like the second electrode 114 of the organic light emitting diode 100.
  • the organically functional layer structure 223 of the second organic light emitting diode 220 According to one embodiment, the organic functional layer structure 112 of the organic light emitting diode 100 is formed. According to a development, the second electrode 222 of the second organic light emitting diode 220 is formed according to an embodiment of the second electrode 114 of the organic light emitting diode 100 described above. Further, the second electrode 222 is formed as a cathode of the second organic light emitting diode 220.
  • the first organic light emitting diode 210 and the second organic light emitting diode 220 have at least approximately the same or the same
  • An electrical diode characteristic may also be referred to as a current-voltage characteristic, for example also referred to as an Iü characteristic, for example also referred to as an IU characteristic, for example also referred to as an IU curve
  • the first organic light-emitting diode has a current-voltage Characteristic such that the current-voltage characteristic of the first organic light emitting diode has similar values, for example in a range of 10% to 15%, as those of the current-voltage characteristic of the second organic light emitting diode.
  • the first organic light-emitting diode 210 is designed such that in operation it emits light with a first hue
  • the second organic light emitting diode 220 is configured to provide light having a second hue in use.
  • the first hue and the second hue are approximately equal to or the same.
  • the first hue has a similar value, for example in a range of 10% to 15%, as the second hue.
  • the second electrode 212 of the first organic light emitting diode 210 and the first electrode 221 of the second organic light emitting diode 220 are electrically connected to each other such that they have a common
  • the common electrode has a first electrical connection.
  • the first electrical potential 230 can be applied.
  • the first electrical potential 230 may be provided by a power source, such as a power source or a power source
  • the first electrical potential 230 may be, for example, the ground potential or another
  • the common electrode is formed from an at least translucent material or has such.
  • the second electrode 212 of the first organic light emitting diode 210 is an anode of the first organic light emitting diode 210 and the first electrode 221 of the second organic light emitting diode 220 is an anode of the second organic light emitting diode 220.
  • the organic functional layer structure 213 of the first organic light emitting diode 210 according to an embodiment of the organic functional layer structure 112 of the organic
  • Light emitting diode 100 is formed, wherein the layers of the
  • an electron injection layer is disposed on the first electrode 211 and an electron transport layer is disposed on the electron injection layer. Furthermore, an emitter layer is arranged on the electron transport layer and a hole transport layer is arranged on the emitter layer and a hole injection layer on the hole transport layer.
  • Electron injection layer of the organic light emitting diode 100 is formed.
  • the electron transport layer is according to an embodiment described above
  • Electron transport layer 116 of the organic light emitting diode 100 is formed.
  • the emitter layer is formed according to an embodiment of the emitter layer 118 of the organic light emitting diode 100 described above.
  • Hole transport layer is according to an embodiment of the above-described hole transport layer 120 of
  • organic light-emitting diode 100 is formed.
  • Hole injection layer is formed according to an embodiment of the hole injection layer of the organic light emitting diode 100 described above. Further, the first electrode 211 of the first organic light emitting diode 210 is formed as a cathode of the first organic light emitting diode 210, and the second electrode 222 of the second organic light emitting diode 220 is formed as a cathode of the second organic light emitting diode 220.
  • the first electrode 211 of the first organic light emitting diode 210 and the second electrode 222 of the second organic light emitting diode 220 have a common electrical potential 240.
  • the common electrical potential of the first electrode 211 of the first organic light emitting diode 210 and the second electrode 222 of the second organic light emitting diode 220 is also referred to as a second electrical potential 240.
  • the first electrode 211 of the first organic light emitting diode 210 and the second electrode 222 of the second organic light emitting diode 220 are arranged congruently one above the other and the second electrode 212 of the first organic light emitting diode 210 and the first electrode 221 of the second organic light emitting diode 220 are arranged congruently one above the other ,
  • the first light of the first organic light emitting diode 210 and the second light of the second organic light emitting diode 220 may have a white hue.
  • the first light and the second light may have a red, green or blue hue.
  • the IU curve of the first organic light emitting diode 210 may have the same shape as the IU curve of the second organic light emitting diode 220.
  • a diode characteristic for example, a current, a voltage and / or a brightness at an operating point of the organic light emitting diodes 210, 220 may be referred to.
  • a diode characteristic can also further example, a maximum permissible reverse voltage, a maximum peak current in
  • the first organic light-emitting diode 210 has a diode characteristic such that the diode characteristic of the first organic light-emitting diode has a similar value, for example in a range of 10% to 15%, as the value of the diode characteristic of the second organic light-emitting diode 220.
  • the common electrode may be integrally formed.
  • the second electrode 212 of the first organic compound may be integrally formed.
  • Connection means be electrically conductively connected to each other, for example by means of a solder.
  • the first electrode 211 of the first organic light-emitting diode 210 may be mounted on a carrier
  • Light emitting diode 100 may be formed.
  • organic light-emitting diode 210 may be formed self-sustaining according to one of the embodiments of the carrier 102 and / or the first electrode 110 of the organic light emitting diode 100.
  • the second electrical potential 240 may be different from the first electrical potential 230.
  • the second electrical potential 240 may
  • Difference to the electric potential has a value in a range of about 1.5 V to about 20 V, for example, a value in a range of about 2.5 V to about 15 V, for example, a value in a range of about 3 V to about 12 V.
  • a value in a range of about 1.5 V to about 20 V for example, a value in a range of about 2.5 V to about 15 V, for example, a value in a range of about 3 V to about 12 V.
  • the first electrode 211 is the first one
  • Layer structure 223 of the second organic light emitting diode 220 may be formed.
  • the second electrode 212 of the first organic light emitting diode 210 and the first electrode 221 of the second organic light emitting diode 220 are laterally stacked.
  • the formation of two or more stacked organic light-emitting diodes, as described in detail above and below, wherein the organic light-emitting diodes have an approximately equal or identical electrical diode characteristic and / or an approximately identical or identical diode characteristic, for example, has the advantage that the resulting Optoelectronic component device has a longer life. For example, in the case of a failure or a reduced function of one of the organic light-emitting diodes, the same can be overdriven such that the optoelectronic component device continues to be functional.
  • the same can be overdriven such that the optoelectronic component device continues to be functional.
  • organic light emitting diodes with respect to some of their electrical properties in operation, whereby the life of the optoelectronic component device is increased.
  • FIG. 3 shows an equivalent circuit diagram of an exemplary embodiment of an optoelectronic component device
  • Embodiment corresponds.
  • the equivalent circuit 300 shows the first organic one
  • first electrical potential 230 and the second electrical potential 240 can be applied in such a way that the first organic light-emitting diode 210 and the second organic light-emitting diode 220 are each operable in the forward direction or are each operable in the reverse direction.
  • FIG. 4 shows an equivalent circuit diagram of an exemplary embodiment of an optoelectronic component device
  • Device device 400 one or more further
  • organic light emitting diodes which are connected in series with the first organic light emitting diode 210.
  • Device device one or more other organic light-emitting diodes, which is / are connected to the second organic light emitting diode 220 in series.
  • the equivalent circuit 400 shows a third organic one
  • Organic light emitting diode 430 is according to an embodiment of the organic light emitting diode 100 described above
  • the equivalent circuit 400 shows a fourth organic light emitting diode 440, which is connected in series with the second organic light emitting diode 220.
  • the fourth organic light emitting diode 440 is formed according to an embodiment of the organic light emitting diode 100 described above.
  • the first organic light emitting diode 210 and the third organic light emitting diode 430 are formed as a double-stacked organic light-emitting diode, wherein the first organic light emitting diode 210 and the third organic light emitting diode 430 by means of a first
  • the second organic light emitting diode 220 and the fourth organic light emitting diode 440 are formed as a double stacked organic light emitting diode, wherein the second organic light emitting diode 220 and the fourth organic light emitting diode 440 are connected by a second carrier pair generation layer structure.
  • the organically functional layer structure 213 of the first organic light emitting diode 210 is by means of the first charge carrier pair generation layer structure having the organic functional layer structure of the third organic light emitting diode 430 connected. In other words, between the organic
  • the organically functional layer structure 223 of the second organic light emitting diode 220 is the fourth by means of a charge carrier pair generation layer structure having the organic functional layer structure
  • organic light emitting diode 430 connected. In other words, between the organic functional layer structure 223 of the second organic light emitting diode 220 and the organic
  • the second charge carrier pair generation layer structure is arranged. Further, the second electrode 212 of the first organic light emitting diode 210 is an anode
  • Layer structure 213 of the first organic light emitting diode 210 and the organically functional layer structure of the third organic light emitting diode according to the layer sequence described with reference to FIG. 1 is formed. Further, the first electrode 221 of the second organic light emitting diode 220 is formed as an anode. Furthermore, the organically functional layer structure 223 of the second organic light emitting diode 220 and the organically functional layer structure of the fourth organic light emitting diode are formed inversely with respect to the layer sequence described in FIG. 1. Further, the first organic light emitting diode 210 and the second
  • the organic light emitting diode 220 stacked one above the other such that the anode of the first organic light emitting diode 210 with the anode of the second organic light emitting diode 220 are in direct contact with each other.
  • the second electrical potential 240 can be applied to the cathode of the third organic light-emitting diode 430 and to the cathode of the fourth organic light-emitting diode 440.
  • the first electrical potential 230 can be applied at the anode of the first organic light emitting diode 210 and at the anode of the second organic light emitting diode 220.
  • the other organic light emitting diodes which are connected in series with the first organic light emitting diode 210, as the first organic
  • Light emitting diode 210 may be formed.
  • further organic light-emitting diodes for example one, two, three, four or five, for example 10 further organic light-emitting diodes, may be arranged on the first organic light-emitting diode 210, wherein the further organic light-emitting diodes are connected to one another by means of charge carrier pair generation layer structures ,
  • the other organic light-emitting diodes which are connected in series with the second organic light-emitting diode 220, such as the second organic light-emitting diodes
  • Light emitting diode 220 may be formed. Alternatively or additionally, further organic light-emitting diodes 220 may be arranged on the second organic light-emitting diode 220,
  • 10 further organic light-emitting diodes, be arranged, wherein the other organic light emitting diodes are interconnected by means of charge carrier pair-generating layer structures.
  • the cathode, the layer stack can be applied.
  • the outer electrodes that is, for example, in the case of a total of four stacked organic light-emitting diodes 210, 220, 430 and 440, the second electrode of the fourth organic light emitting diode 440 and the first electrode of the third organic light emitting diode 430, may also be formed as anodes.
  • the inner electrodes that is, the second electrode 212 of the first
  • FIG. 5 shows an exemplary embodiment of an optoelectronic component device which largely corresponds, for example, to the exemplary embodiment shown in FIG. 2.
  • the optoelectronic component device 500 has an anode and at least one further anode. Furthermore, the opto-electronic
  • Device device 500 at least one cathode.
  • the optoelectronic component device 500 has an organically functional layer structure and at least one further organically functional layer structure.
  • the organically functional layer structure is arranged on the anode. On the organically functional
  • Layer structure is arranged at least one cathode.
  • the at least one further organically functional layer structure is arranged on the at least one cathode.
  • the at least one further anode is arranged on the at least one further organically functional layer structure.
  • the anodes are each designed such that the same electrical potential
  • the first electrical potential 230 can be applied.
  • the cathodes are each designed such that the same electrical potential at the cathodes,
  • the second electrical potential 240 can be applied.
  • a plurality of organic light-emitting diodes are stacked on top of one another, the plurality of organic light-emitting diodes each having a cathode, an organically functional layer system and an anode. The more organic light-emitting diodes are
  • the opto-electronic Device device 500 includes an anode 511, a cathode 512, and an organic functional layer system 513.
  • the anode 511 is formed according to an embodiment of the first electrode 110.
  • the cathode is according to one
  • Embodiment of the second electrode 114 is formed.
  • organically functional also referred to as organic, is according to an embodiment of the organically functional
  • Single components can be an optoelectronic
  • a stacking sequence of anode 511 / organic 513 / cathode 512 / organic 513 / anode 511 is formed. According to this
  • the organically functional layer structure 513 is arranged on the anode 511.
  • the cathode 512 is arranged on the organic functional layer structure 513.
  • a further organically functional layer structure which is formed like the organically functional layer structure 513 and is therefore also referred to below as the organically functional layer structure 513, is arranged.
  • Cathode 512 / Organics 513 / Anode 511 / Organics 513 / Cathode 512 / Organics 513 / Anode 511 / Organics 513 / Cathode 512 (also referred to as K / A / K / A / K OLED, for example).
  • an OLED can reduce required voltage without losing the benefits of the multiple stacks.
  • an n-stacked OLED can continue to operate with the voltage of an unstacked OLED.
  • Layer system can have any shape.
  • the cathodes, the anodes and the organically functional layer system may have a circular shape or a shape similar to that of a circle.
  • the anode 511, the cathode 512, and the organic functional layer structure 513 may also be
  • the anode 511, the cathode 512 and the organic functional layer structure 513 may have the shape of a circle segment or the shape of a circular ring.
  • the stacking sequence is as often as desired
  • Layer system (s) 513 be formed at least translucent.
  • the carrier 102 may be arranged at one end of the layer stack.
  • an electrode which is arranged at the end of the layer stack, according to a
  • Embodiment of the carrier 102 may be formed.
  • Optoelectronic component device 500 is equal or be formed differently from each other. Alternatively or additionally, the cathodes of the optoelectronic
  • Component device 500 may be the same or different from each other.
  • the organically functional layer structures of the optoelectronic component device 500 may be identical or different from each other.
  • Layer stack can be formed as, for example, two times, for example three times, for example four times, for example ten-stacked organic light-emitting diode. 6 shows a flow chart of a method for
  • the method 600 for producing an optoelectronic component device comprises forming 601 a first organic light emitting diode 210 and a second organic light emitting diode 220 in such a way that the first organic light emitting diode 210
  • Light emitting diode 210 and the second organic light emitting diode 220 are connected to each other in physical contact with each other.
  • the method further includes a parallel switching of the first organic light emitting diode 210 with the second organic light emitting diode 220.
  • the first organic light emitting diode 210 and the second organic light emitting diode 220 become such
  • the method 600 for producing an optoelectronic component device comprises forming 601 a first organic light emitting diode 210 and a second organic light emitting diode 220 in such a way that the first organic light emitting diode 210 Light emitting diode 210 and the second organic light emitting diode 220 are connected to each other in physical contact with each other.
  • the method further includes a parallel switching of the first organic light emitting diode 210 with the second organic light emitting diode 220.
  • the first organic light emitting diode 210 is formed so as to provide a first light having a first hue and the second organic light emitting diode 210
  • Light emitting diode 220 is configured to provide a second light having a second hue.
  • Light emitting diode 220 are formed such that the first hue and the second hue are approximately equal to or the same. This allows an optoelectronic
  • the method 600 further comprises forming one or more further organic
  • Light emitting diodes which is connected in series with the first organic light emitting diode 210.
  • the method 600 further comprises forming one or more further organic
  • Light emitting diodes which are connected in series with the second organic light emitting diode 220.
  • the formation 601 of the first organic light emitting diode 210 and the second organic light emitting diode 220 includes forming the first organic light emitting diode 210 and forming the second organic light emitting diode 220.
  • the first organic light emitting diode 210 is according to one described above
  • Embodiment of the first organic light emitting diode 210 is formed.
  • the second organic light emitting diode 220 is formed according to an embodiment of the second organic light emitting diode 220 described above.
  • forming the first organic light emitting diode 210 comprises forming a first Electrode 211, forming an organic functional layer structure 213 and forming a second
  • Electrode 212 wherein the organically functional organic compound
  • Layered structure 212 is disposed on or above the first electrode 211, and wherein the second electrode 212 is disposed on or above the organically functional layered structure 213.
  • the first electrode 211 is formed according to an embodiment of the first electrode 211 of the first organic light emitting diode 210 described above.
  • the second electrode 212 is described above
  • Embodiment of the second electrode 212 of the first organic light emitting diode 210 is formed.
  • the organically functional layer structure 213 is formed according to an embodiment of the organic functional layer structure 213 of the first organic light emitting diode 210 described above.
  • forming the second organic light emitting diode 220 comprises forming a first
  • Electrode 222 wherein the organically functional organic compound
  • Layer structure 223 is disposed on or above the first electrode 221 and wherein the second electrode 222 is disposed on or above the organic functional layer structure 223.
  • the first electrode 221 is formed according to an embodiment of the first electrode 221 of the second organic light emitting diode 220 described above.
  • the second electrode 222 is described above
  • Embodiment of the second electrode 222 of the second organic light emitting diode 220 is formed.
  • the organically functional layer structure 223 is formed according to an embodiment of the organic functional layer structure 223 of the second organic light emitting diode 220 described above.
  • the second electrode 212 of the first organic light emitting diode 210 and the first Electrode 221 of the second organic light emitting diode 220 electrically connected to each other so that they form a common electrode.
  • the common electrode is formed from an at least translucent material or formed such that the common electrode has a translucent material.
  • the first electrode 211 of the first organic light emitting diode 210 and the second electrode 222 of the second organic light emitting diode 220 are arranged congruently one above the other and the second electrode 212 of the first organic light emitting diode 210 and the first electrode 221 of the second organic light emitting diode 220 are arranged congruently one above the other ,
  • an OLED system can be generated in which the
  • Operation voltage is reduced to the operating voltage of a single diode. That is, an OLED alone has the same operating voltage as two AKA linked OLEDs. In principle, further reductions are possible: in principle, a semitransparent
  • the OLED can be terminated by an opaque anode or, secondly, another semitransparent intermediate electrode
  • the method 600 for producing the optoelectronic component device may include features of the optoelectronic component, and the optoelectronic component device may include features of the method for producing the optoelectronic component

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird eine optoelektronische Bauelementevorrichtung bereitgestellt. Die optoelektronische Bauelementevorrichtung weist auf eine erste organische Leuchtdiode (210) und eine zweite organische Leuchtdiode (220), die übereinander in körperlichem Kontakt miteinander verbunden sind. Die erste organische Leuchtdiode (210) ist mit der zweiten organischen Leuchtdiode (220) elektrisch parallel geschaltet. Die erste organische Leuchtdiode (210) und die zweite organische Leuchtdiode (220) weisen wenigstens eine näherungsweise gleiche oder gleiche elektronische Dioden-Charakteristik und/oder eine näherungsweise gleiche oder gleiche elektronische Diodenkermgröße auf.

Description

Beschreibung
Optoelektronische Bauelementevorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung
Die Erfindung betrifft eine optoelektronische
Bauelementevorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung . Herkömmlicherweise kann die Lebensdauer einer OLED dadurch erhöht werden, dass eine OLED mehrfach gestapelt wird. Dazu werden Farbeinheiten mittels einer sogenannten CGL (Charge generation layer) verbunden. Sie werden sozusagen in Reihe geschaltet. Dadurch steigt die benötigte Spannung an, mittels der die OLED betrieben werden kann. Durch das
Stapeln von n Einheiten wird sie ver-n-facht. Es ist jedoch oft sinnvoll, mit der Spannung gewisse Grenzen nicht zu überschreiten. Beispielsweise 12 Volt beim Einsatz in
Automobilbordnetzen oder 35 Volt in Niederstromnetzten.
Die Aufgabe der Erfindung ist es eine effizientere
optoelektronische Bauelementevorrichtung mit einer erhöhten Lebensdauer bereitzustellen. Die Aufgabe wird gemäß einem Aspekt der Erfindung gelöst durch eine optoelektronische Bauelementevorrichtung, die eine erste organische Leuchtdiode und eine zweite organische
Leuchtdiode, die übereinander in körperlichem Kontakt miteinander verbunden sind, aufweist. Die erste organische Leuchtdiode ist mit der zweiten organischen Leuchtdiode elektrisch parallel geschaltet. Die erste organische
Leuchtdiode und die zweite organische Leuchtdiode weisen wenigstens eine näherungsweise gleiche oder gleiche
elektronische Dioden-Charakteristik und/oder eine
näherungsweise gleiche oder gleiche elektronische
Diodenkenngröße auf. Dies ermöglicht es eine effizientere optoelektronische Bauelementevorrichtung mit einer erhöhten Lebensdauer bereitzustellen.
Die Aufgabe wird gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung gelöst durch eine optoelektronische Bauelementevorrichtung, die eine erste organische Leuchtdiode und eine zweite
organische Leuchtdiode, die übereinander in körperlichem Kontakt miteinander verbunden sind, aufweist. Die erste organische Leuchtdiode ist mit der zweiten organischen
Leuchtdiode elektrisch parallel geschaltet. Die erste
organische Leuchtdiode stellt ein erstes Licht mit einem ersten Farbton bereit und die zweite organische Leuchtdiode stellt ein zweites Licht mit einem zweiten Farbton bereit. Der erste Farbton und der zweite Farbton sind näherungsweise gleich oder gleich. Dies ermöglicht es eine effizientere optoelektronische Bauelementevorrichtung mit einer erhöhten Lebensdauer bereitzustellen.
Gemäß einer Weiterbildung weist die optoelektronische
Bauelementevorrichtung eine oder mehrere weitere organische
Leuchtdioden auf, die mit der ersten organischen Leuchtdiode in Serie geschaltet ist/sind. Dies ermöglicht es eine
optoelektronische Bauelementevorrichtung mit einer höheren Lebensdauer bereitzustellen.
Gemäß einer Weiterbildung weist die optoelektronische
Bauelementevorrichtung eine oder mehrere weitere organische Leuchtdioden auf, die mit der zweiten organischen Leuchtdiode in Serie geschaltet ist/sind. Dies ermöglicht es eine
optoelektronische Bauelementevorrichtung mit einer höheren
Lebensdauer bereitzustellen.
Gemäß einer Weiterbildung weist die erste organische
Leuchtdiode eine erste Elektrode, eine organische
funktionelle Schichtenstruktur und eine zweite Elektrode auf, wobei die organisch funktionelle Schichtenstruktur auf oder über der ersten Elektrode angeordnet ist und wobei die zweite Elektrode auf oder über der organisch funktionellen Schichtenstruktur angeordnet ist. Die Lebensdauer der
optoelektronischen Bauelementevorrichtung kann dadurch weiter erhöht werden. Gemäß einer Weiterbildung weist die zweite organische
Leuchtdiode eine erste Elektrode, eine organische
funktionelle Schichtenstruktur und eine zweite Elektrode auf, wobei die organisch funktionelle Schichtenstruktur auf oder über der ersten Elektrode angeordnet ist und wobei die zweite Elektrode auf oder über der organisch funktionellen
Schichtenstruktur angeordnet ist. Die Lebensdauer der
optoelektronischen Bauelementevorrichtung kann dadurch weiter erhöht werden. Gemäß einer Weiterbildung sind die zweite Elektrode der ersten organischen Leuchtdiode und die erste Elektrode der zweiten organischen Leuchtdiode elektrisch miteinander verbunden derart, dass sie eine gemeinsame Elektrode bilden. Dadurch kann die Lebensdauer der optoelektronischen
Bauelementevorrichtung noch weiter erhöht werden.
Gemäß einer Weiterbildung ist die gemeinsame Elektrode aus einem wenigstens transluzenten Material gebildet oder weist ein solches auf. Dadurch kann die Lebensdauer der
optoelektronischen Bauelementevorrichtung noch weiter erhöht werden .
Gemäß einer Weiterbildung ist die zweite Elektrode der ersten organischen Leuchtdiode eine Anode der ersten organischen Leuchtdiode ist und die erste Elektrode der zweiten
organischen Leuchtdiode ist eine Anode der zweiten
organischen Leuchtdiode ist. Die Lebensdauer der
optoelektronischen Bauelementevorrichtung kann dadurch noch weiter erhöht werden.
Gemäß einer Weiterbildung weisen die erste Elektrode der ersten organischen Leuchtdiode und die zweite Elektrode der zweiten organischen Leuchtdiode ein gemeinsames elektrisches Potenzial auf . Dadurch kann die Lebensdauer der optoelektronischen Bauelementevorrichtung noch weiter erhöht werden . Gemäß einer Weiterbildung sind die erste Elektrode der ersten organischen Leuchtdiode und die zweite Elektrode der zweiten organischen Leuchtdiode kongruent übereinander angeordnet und die zweite Elektrode der ersten organischen Leuchtdiode und die erste Elektrode der zweiten organischen Leuchtdiode sind kongruent übereinander angeordnet. Dadurch kann die
Lebensdauer der optoelektronischen Bauelementevorrichtung noch weiter erhöht werden.
Die Aufgabe wird gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung gelöst durch ein Verfahren zum Herstellen einer
optoelektronischen Bauelementevorrichtung, das ein Ausbilden einer ersten organischen Leuchtdiode aufweist und einer zweiten organische Leuchtdiode derart, dass die erste organische Leuchtdiode und die zweite organische Leuchtdiode übereinander in körperlichem Kontakt miteinander verbunden sind. Die erste organische Leuchtdiode wird mit der zweiten organischen Leuchtdiode elektrisch parallel geschaltet. Die erste organische Leuchtdiode und die zweite organische
Leuchtdiode werden derart ausgebildet, dass sie wenigstens eine näherungsweise gleiche oder gleiche elektronische
Dioden-Charakteristik und/oder eine näherungsweise gleiche oder gleiche elektronische Diodenkenngröße aufweisen. Dies ermöglicht es eine effizientere optoelektronische
Bauelementevorrichtung mit einer erhöhten Lebensdauer herzustellen.
Die Aufgabe wird gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung gelöst durch ein Verfahren zum Herstellen einer
optoelektronischen Bauelementevorrichtung, das ein Ausbilden einer ersten organischen Leuchtdiode und einer zweiten organischen Leuchtdiode aufweist derart, dass die erste organische Leuchtdiode und die zweite organische Leuchtdiode übereinander in körperlichem Kontakt miteinander verbunden sind. Die erste organische Leuchtdiode wird mit der zweiten organischen Leuchtdiode elektrisch parallel geschaltet. Die erste organische Leuchtdiode wird derart ausgebildet, dass sie ein erstes Licht mit einem ersten Farbton bereitstellt und die zweite organische Leuchtdiode wird derart
ausgebildet, dass sie ein zweites Licht mit einem zweiten Farbton bereitstellt. Die erste organische Leuchtdiode und die zweite organische Leuchtdiode werden derart ausgebildet, dass der erste Farbton und der zweite Farbton näherungsweise gleich oder gleich sind. Dies ermöglicht es eine effizientere optoelektronische Bauelementevorrichtung mit einer erhöhten Lebensdauer herzustellen.
Gemäß einer Weiterbildung weist das Verfahren ferner ein Ausbilden von einer oder mehreren weiteren organischen
Leuchtdioden, die mit der ersten organischen Leuchtdiode in Serie geschaltet wird/werden, auf. Dies ermöglicht es eine optoelektronische Bauelementevorrichtung mit einer noch höheren Lebensdauer herzustellen.
Gemäß einer Weiterbildung weist das Verfahren ferner ein Ausbilden von einer oder mehreren weiteren organischen
Leuchtdioden, die mit der zweiten organischen Leuchtdiode in Serie geschaltet wird/werden, auf. Dies ermöglicht es eine optoelektronische Bauelementevorrichtung mit einer noch höheren Lebensdauer herzustellen.
Gemäß einer Weiterbildung weist das Ausbilden der ersten organischen Leuchtdiode ein Ausbilden einer ersten Elektrode, ein Ausbilden einer organisch funktionellen Schichtenstruktur und ein Ausbilden einer zweiten Elektrode auf, wobei die organisch funktionelle Schichtenstruktur auf oder über der ersten Elektrode angeordnet wird und wobei die zweite
Elektrode auf oder über der organisch funktionellen
Schichtenstruktur angeordnet wird. Dies ermöglicht es eine optoelektronische Bauelementevorrichtung mit einer noch höheren Lebensdauer herzustellen. Gemäß einer Weiterbildung weist das Ausbilden der zweiten organischen Leuchtdiode das Ausbilden einer ersten Elektrode, ein Ausbilden einer organisch funktionellen Schichtenstruktur und ein Ausbilden einer zweiten Elektrode auf, wobei die organisch funktionelle Schichtenstruktur auf oder über der ersten Elektrode angeordnet wird und wobei die zweite
Elektrode auf oder über der organisch funktionellen
Schichtenstruktur angeordnet wird. Dies ermöglicht es eine optoelektronische Bauelementevorrichtung mit einer noch höheren Lebensdauer herzustellen.
Gemäß einer Weiterbildung werden die zweite Elektrode der ersten organischen Leuchtdiode und die erste Elektrode der zweiten organischen Leuchtdiode elektrisch miteinander verbunden derart, dass sie eine gemeinsame Elektrode bilden. Dies ermöglicht es eine optoelektronische
Bauelementevorrichtung mit einer noch höheren Lebensdauer herzustellen. Gemäß einer Weiterbildung wird die gemeinsame Elektrode aus einem wenigstens transluzenten Material gebildet oder derart gebildet, dass die gemeinsame Elektrode ein transluzentes Material aufweist. Dies ermöglicht es eine optoelektronische Bauelementevorrichtung mit einer noch höheren Lebensdauer herzustellen.
Gemäß einer Weiterbildung werden die erste Elektrode der ersten organischen Leuchtdiode und die zweite Elektrode der zweiten organischen Leuchtdiode kongruent übereinander angeordnet und die zweite Elektrode der ersten organischen Leuchtdiode und die erste Elektrode der zweiten organischen Leuchtdiode werden kongruent übereinander angeordnet. Dies ermöglicht es eine optoelektronische Bauelementevorrichtung mit einer noch höheren Lebensdauer herzustellen.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert. Es zeigen:
Figur 1a eine Schnittdarstellung einer organischen
Leuchtdiode;
Figur 1b eine Schnittdarstellung eines Teils einer
organischen Leuchtdiode;
Figur 2 eine Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung;
Figur 3 ein Ersatzschaltbild eines Ausführungsbeispiels
einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung; Figur 4 ein Ersatzschaltbild eines Ausführungsbeispiels
einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung;
Figur 5 eine schematische Darstellung eines
Ausführungsbeispiels einer optoelektronischen
Bauelementevorrichtung; und
Figur 6 ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung. In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser
Beschreibung bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird
Richtungsterminologie wie etwa „oben*, „unten", „vorne", „hinten", „vorderes", „hinteres", usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet. Da
Komponenten von Ausführungsbeispielen in einer Anzahl
verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsbeispiele benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert . Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe
"verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.
Ein organisch optoelektronisches Bauelement kann ein, zwei oder mehrere organisch optoelektronische Bauelemente
aufweisen. Optional kann ein organisch optoelektronisches
Bauelement auch ein, zwei oder mehr elektronische Bauelemente aufweisen. Ein elektronisches Bauelement kann beispielsweise ein aktives und/oder ein passives Bauelement aufweisen. Ein aktives elektronisches Bauelement kann beispielsweise eine Rechen- , Steuer- und/oder Regeleinheit und/oder einen
Transistor aufweisen. Ein passives elektronisches Bauelement kann beispielsweise einen Kondensator, einen Widerstand, eine Diode oder eine Spule aufweisen. Ein organisch optoelektronisches Bauelement kann ein
elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement sein. Ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen ein
elektromagnetische Strahlung emittierendes Halbleiter- Bauelement sein und/oder als eine elektromagnetische
Strahlung emittierende Diode, als eine organische
elektromagnetische Strahlung emittierende Diode. Die
Strahlung kann beispielsweise Licht im sichtbaren Bereich, UV-Licht und/oder Infrarot-Licht sein. Das Licht emittierende Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine
Mehrzahl von Licht emittierenden Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen
Gehäuse .
Unter dem Begriff „ transluzent" bzw. „ transluzente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist,
beispielsweise für das von dem Lichtemittierenden Bauelement erzeugte Licht, beispielsweise einer oder mehrerer
Wellenlängenbereiche, beispielsweise für Licht in einem
Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) . Beispielsweise ist unter dem Begriff „transluzente Schicht" in verschiedenen Ausführungsbeispielen zu verstehen, dass im Wesentlichen die gesamte in eine
Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppelte
Lichtmenge auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird, wobei ein Teil des Licht hierbei gestreut werden kann.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische Leuchtdiode (oder auch die lichtemittierenden Bauelemente gemäß den oben oder noch im Folgenden beschriebenen
Ausführungsbeispielen) als ein so genannter Top- und Bottom- Emitter eingerichtet sein. Ein Top- und/oder Bottom-Emitter kann auch als optisch transparentes Bauelement,
beispielsweise eine transparente organische Leuchtdiode, bezeichnet werden.
Fig. la zeigt eine Schnittansicht einer organischen
Leuchtdiode 100. Die organische Leuchtdiode 100 weist einen Träger 102, beispielsweise auch bezeichnet als Substrat 102, auf. Der Träger 102 dient als ein Trägerelement für
elektronische Elemente, Schichten und/oder lichtemittierende Elemente. Auf oder über dem Träger 102 ist eine Barriereschicht 104 angeordnet. Der Träger 102 und die
Barriereschicht 104 bilden zusammen ein hermetisch dichtes Substrat 130. Auf oder über dem hermetisch dichten Substrat 130 ist ein aktiver Bereich 106 angeordnet. Der aktive
Bereich 106 ist ein elektrisch aktiver Bereich 106 und/oder ein optisch aktiver Bereich 106. Der aktive Bereich 106 ist beispielsweise der Bereich des optoelektronischen Bauelements 100, in dem elektrischer Strom zum Betreiben des
optoelektronischen Bauelements 100 fließt und/oder in dem elektromagnetische Strahlung erzeugt wird. Auf oder über dem aktiven Bereich 106 ist eine Verkapselungsstruktur 128 angeordnet. Das hermetisch dichte Substrat 102, der aktive Bereich 106 sowie die Verkapselungsstruktur 128 werden im Folgenden ausführlich beschrieben.
Der elektrisch aktive Bereich 106 weist eine erste Elektrode 110, eine organische funktionelle Schichtenstruktur 112 und eine zweiten Elektrode 114 auf. Die erste Elektrode 110 ist eine Anode, also als löcherinjizierende Elektrode, der organischen Leuchtdiode 100. Die zweite Elektrode ist eine Kathode, also als eine elektroneninjizierende Elektrode, der organischen Leuchtdiode 100. Die organisch funktionelle
Schichtenstruktur weist eine Lochinjektionsschicht (nicht gezeigt) auf, die auf der ersten Elektrode 110 angeordnet ist. Auf der Lochinjektionsschicht ist eine
Lochtransportschicht 116 auch bezeichnet als
Lochleitungsschicht 116) ausgebildet. Ferner ist eine
Emitterschicht 118 auf der Lochtransportschicht 116
angeordnet. Eine Elektronentransportschicht 120 (auch
bezeichnet als Elektronenleitungsschicht 120) ist auf der Emitterschicht 118 angeordnet. Auf der
Elektronentransportschicht 120 ist eine
Elektroneninjektionsschicht (nicht gezeigt) ausgebildet. Alternativ oder zusätzlich kann der Träger 102 Glas, Quarz, und/oder ein Halbleitermaterial aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Träger eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine (beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder Polypropylen (PP) ) aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Kunststoff
Polyvinylchlorid (PVC) , Polystyrol (PS) , Polyester und/oder Polycarbonat (PC) , Polyethylenterephthalat (PET) ,
Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen oder daraus gebildet sein. Alternativ oder zusätzlich kann der Träger 102 ein Metall aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Kupfer, Silber, Gold, Platin, Eisen, beispielsweise eine
Metallverbindung, beispielsweise Stahl. Alternativ oder zusätzlich kann der Träger 102 opak,
transluzent oder sogar transparent ausgeführt sein.
Alternativ oder zusätzlich kann der Träger 102 ein Teil einer Spiegelstruktur sein oder diese bilden.
Alternativ oder zusätzlich kann der Träger 102 einen
mechanisch rigiden Bereich und/oder einen mechanisch
flexiblen Bereich aufweisen oder derart ausgebildet sein, beispielsweise als eine Folie.
Alternativ oder zusätzlich kann der Träger 102 als
Wellenleiter für elektromagnetische Strahlung ausgebildet sein, beispielsweise transparent oder transluzent sein hinsichtlich der emittierten oder absorbierten
elektromagnetischen Strahlung des optoelektronischen
Bauelementes 100.
Alternativ oder zusätzlich kann die optoelektronische
Bauelementevorrichtung auch ohne Träger 102 ausgebildet sein, beispielsweise in dem Fall, dass eine der Elektroden
selbsttragend Ausgebildet ist, beispielsweise kann in diesem Fall die selbsttragende Elektrode als Träger 102 dienen. Die erste Barriereschicht 104 kann eines der nachfolgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein:
Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid,
Hafniumoxid, Tantaloxid, Lanthaniumoxid, Siliziumoxid,
Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid,
Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, Poly(p- phenylenterephthalamid) , Nylon 66, sowie Mischungen und
Legierungen derselben. Alternativ oder zusätzlich kann die erste Barriereschicht 104 mittels eines der folgenden Verfahren ausgebildet werden: ein Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD) ) , beispielsweise eines plasmaunterstützten
Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) ) oder ein plasmaloses
Atomlageabscheideverfahren ( Plasma- less Atomic Layer
Deposition (PLALD) ) ; ein chemisches
Gasphasenabscheideverfahren (Chemical Vapor Deposition
(CVD) ) , beispielsweise ein plasmaunterstütztes
Gasphasenabscheideverfahren (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) ) oder ein plasmaloses
Gasphasenabscheideverfahren (Plasma-less Chemical Vapor
Deposition (PLCVD) ) ; oder alternativ mittels anderer
geeigneter Abscheideverfahren.
Alternativ oder zusätzlich können bei einer ersten
Barriereschicht 104, die mehrere Teilschichten aufweist, alle Teilschichten mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden. Eine Schichtenfolge, die nur ALD-Schichten aufweist, kann auch als „Nanolaminat" bezeichnet werden.
Alternativ oder zusätzlich können bei einer ersten
Barriereschicht 104, die mehrere Teilschichten aufweist, eine oder mehrere Teilschichten der ersten Barriereschicht 104 mittels eines anderen Abscheideverfahrens als einem
Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden,
beispielsweise mittels eines Gasphasenabscheideverfahrens . Alternativ oder zusätzlich kann die erste Barriereschicht 104 kann eine Schichtdicke von ungefähr 0,1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm aufweisen, beispielsweise eine
Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm gemäß einer Ausgestaltung, beispielsweise ungefähr 40 nm gemäß einer Ausgestaltung.
Alternativ oder zusätzlich kann die erste Barriereschicht 104 ein oder mehrere hochbrechende Materialien aufweisen, beispielsweise ein oder mehrere Material (ien) mit einem hohen Brechungsindex, beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2.
Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen
Ausführungsbeispielen auch auf eine erste Barriereschicht 104 verzichtet werden kann, beispielsweise für den Fall, dass der Träger 102 hermetisch dicht ausgebildet ist, beispielsweise Glas, Metall, Metalloxid aufweist oder daraus gebildet ist. Alternativ kann die erste Elektrode 210 als eine Kathode ausgebildet sein.
Alternativ oder zusätzlich kann die erste Elektrode 110 eines der folgenden elektrisch leitfähigen Material aufweisen oder daraus gebildet werden: ein Metall; ein leitfähiges
transparentes Oxid (transparent conductive oxide, TCO) ; ein Netzwerk aus metallischen Nanodrähten und -teilchen,
beispielsweise aus Ag, die beispielsweise mit leitfähigen Polymeren kombiniert sind; ein Netzwerk aus Kohlenstoff- Nanoröhren, die beispielsweise mit leitfähigen Polymeren kombiniert sind; Graphen-Teilchen und -Schichten; ein
Netzwerk aus halbleitenden Nanodrähten; ein elektrisch leitfähiges Polymer; ein Übergangsmetalloxid; und/oder deren Komposite. Die erste Elektrode 110 aus einem Metall oder ein Metall aufweisend kann eines der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: Ag, Pt, Au, Mg, AI, Ba, In, Ca, Sm oder Li, sowie Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser Materialien. Die erste Elektrode 110 kann als transparentes leitfähiges Oxid eines der folgenden
Materialien aufweisen: beispielsweise Metalloxide:
beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium-Zinn-Oxid (ITO) . Neben binären
Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise ZnO, SnO2, oder ln2O3 gehören auch ternäre MetallsauerstoffVerbindungen, beispielsweise AlZnO, Zn2SnO4, CdSnO3, ZnSnO3, Mgln2O4, Galn03, Zn2In2O5 oder In4Sn3O12 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs und können in verschiedenen Ausführungsbeispielen eingesetzt werden. Weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer stöchiometrischen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein, bzw. lochleitend (p-TCO) oder
elektronenleitend (n-TCO) sein.
Alternativ oder zusätzlich kann die erste Elektrode 110 eine Schicht oder einen Schichtenstapel mehrerer Schichten
desselben Materials oder unterschiedlicher Materialien aufweisen. Die erste Elektrode 110 kann gebildet werden von einem Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs, oder umgekehrt. Ein Beispiel ist eine Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn- Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag- ITO Multischichten.
Alternativ oder zusätzlich kann die erste Elektrode 110 eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von 10 nm bis 500 nm, beispielsweise von kleiner 25 nm bis 250 nm, beispielsweise von 50 nm bis 100 nm.
Alternativ oder zusätzlich kann die erste Elektrode 110 einen elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein elektrisches Potenzial anlegbar ist. Das elektrische Potenzial kann von einer Energiequelle bereitgestellt werden, beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsquelle. Alternativ kann das elektrische Potenzial an einen elektrisch leitfähigen Träger 102 angelegt sein und die erste Elektrode 110 durch den Träger 102 mittelbar elektrisch zugeführt sein. Das elektrische Potenzial kann beispielsweise das Massepotenzial oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotenzial sein.
Alternativ oder zusätzlich kann der Träger 102 aus einem leitfähigen Stoff gebildet sein oder einen solchen aufweisen und/oder der Träger 102 kann mit einem leitfähigen Stoff, beispielsweise mit einem leitfähigen Stoff wie er oben ausführlich beschrieben ist, beschichtet sein. Beispielsweise kann in diesem Fall der Träger 102 die Elektrode 110 sein.
Alternativ oder zusätzlich kann eine Streuschicht auf der ersten Elektrode 110 angeordnet sein. Die Streuschicht ist beispielsweise aus einem transluzenten oder transparentem Material gebildet oder weist ein solches auf. Die
Streuschicht weist Partikel auf, die elektromagnetische
Strahlung streuen, beispielsweise lichtstreuende Partikel. Dadurch kommt es zu einer Verbesserung des Farbwinkelverzugs und der Auskoppeleffizienz. Alternativ oder zusätzlich kann die Lochinjektionsschicht eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: HAT-CN, Cu(I)pFBz, MoOx, WOx, VOx, ReOx, F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9, Bi (III) pFBz , F16CuPc; NPB (Ν,Ν'- Bis (naphthalen-1-yl) -Ν,Ν' -bis(phenyl) -benzidin) ; beta-NPB Ν,Ν' -Bis (naphthalen-2-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; TPD
(Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro TPD {N, N' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-1-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -spiro) ; DMFL-TPD Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9,9- dimethyl-fluoren) ; DMFL-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-1-yl) -N,N' - bis (phenyl) -9, 9-dimethyl-fluoren) ; DPFL-TPD (N,N'-Bis(3- methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl-fluoren) ; DPFL- NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-1-yl) -N, N' -bis (phenyl) - 9 , 9-dipheny1- fluoren) ; Spiro-TAD (2 , 2' , 7 , 7 ' -Tetrakis (n, n-diphenylamino) - 9,9 ' -spirobifluoren) ; 9, 9-Bis [4- (N,N-bis-biphenyl-4-yl- amino) phenyl] -9H-fluoren; 9, 9-Bis [4- (N,N-bis-naphthalen-2-yl- amino) phenyl] -9H-fluoren; 9 , 9-Bis [4- (N, N' -bis-naphthalen-2- yl-N,N' -bis-phenyl-amino) -phenyl] -9H-fluor; Ν,Ν' -bis (phenanthren-9-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin;
2, 7-Bis [N,N-bis (9, 9-spiro-bifluorene-2-yl) -amino] -9, 9-spiro- bifluoren; 2,2' -Bis [N,N-bis (biphenyl-4-yl) amino] 9, 9-spiro- bifluoren; 2,2' -Bis (N,N-di-phenyl-amino) 9, 9-spiro-bifluoren; Di- [4- (Ν,Ν-ditolyl-amino) -phenyl] cyclohexan;
2 , 2 ' , 7, 7 ' -tetra (N, N-di-tolyl) amino-spiro-bifluoren; und/oder N, Ν,Ν' ,Ν' -tetra-naphthalen-2-yl-benzidin.
Alternativ oder zusätzlich kann die Lochinjektionsschicht eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 1000 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 30 nm bis ungefähr 300 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 200 nm. Alternativ oder zusätzlich kann die Lochtransportschicht eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-1-yl) -Ν,Ν' - bis {phenyl) -benzidin) ; beta-NPB Ν,Ν' -Bis (naphthalen-2-yl) - Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; TPD (Ν,Ν' -Bis (3 -methylphenyl) - Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro TPD (Ν,Ν' -Bis (3- methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro-NPB (Ν,Ν'- Bis (naphthalen-1-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -spiro) ,- DMFL-TPD Ν,Ν' - Bis (3 -methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9-dimethyl-fluoren) ; DMFL-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-1-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9,9- dimethyl-fluoren) ; DPFL-TPD (Ν,Ν' -Bis (3 -methylphenyl) -Ν,Ν' - bis (phenyl) -9, 9-diphenyl-fluoren) ; DPFL-NPB (Ν,Ν' - Bis (naphthalen-1-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl-fluoren) ; Spiro-TAD (2 , 2 ' , 7, 7 ' -Tetrakis (n, n-diphenylamino) - 9,9 '- spirobifluoren) ; 9, 9-Bis [4- (N,N-bis-biphenyl-4-yl- amino) phenyl] -9H-fluoren; 9 , 9-Bis [4- (N, N-bis-naphthalen-2-yl- amino) phenyl] -9H-fluoren; 9, 9-Bis [4- (Ν,Ν' -bis-naphthalen-2- yl-Ν,Ν' -bis-phenyl-amino) -phenyl] -9H-fluor;
Ν,Ν' -bis (phenanthren-9-yl) -Ν,Ν' -bis(phenyl) -benzidin; 2,7- Bis [N,N-bis (9, 9-spiro-bifluorene-2-yl) -amino] -9, 9-spiro- bifluoren; 2 , 2 ' -Bis [N,N-bis (biphenyl-4-yl) amino] 9 , 9-spiro- bifluoren; 2,2' -Bis (N,N-di-phenyl-amino) 9, 9-spiro-bifluoren; Di- [4- (Ν,Ν-ditolyl-amino) -phenyl] cyclohexan; 2, 2 ' , 7, 7 ' - tetra (N, N-di-tolyl) amino-spiro-bifluoren,- und N, Ν,Ν' ,Ν' -tetra-naphthalen-2-yl-benzidin, ein tertiäres Amin, ein Carbazolderivat, ein leitendes Polyanilin und/oder
Polyethylendioxythiophen . Die Lochtransportschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm,
beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm. Die Emitterschicht 118 kann fluoreszierenden und/oder
phosphoreszierenden Emitter aufweisen. Alternativ oder zusätzlich kann die organische Leuchtdiode 100 mehrere
Emitterschichten aufweisen. Alternativ oder zusätzlich kann die Emitterschicht organische Polymere, organische Oligomere, organische Monomere,
organische kleine, nicht-polymere Moleküle („small
molecules") oder eine Kombination dieser Materialien
aufweisen oder daraus gebildet sein.
Alternativ oder zusätzlich kann das optoelektronische
Bauelement 100 in einer Emitterschicht eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: organische oder organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen
(beispielsweise 2- oder 2 , 5-substituiertes Poly-p- phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe, beispielsweise
Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic
(Bis (3, 5-difluoro-2- (2-pyridyl) phenyl- (2-carboxypyridyl) - iridium III), grün phosphoreszierendes Ir(ppy)3 (Tris(2- phenylpyridin) iridium III), rot phosphoreszierendes Ru (dtb- bpy)3*2 (PF6) (Tris [4 , 4 ' -di-tert-butyl- (2,2' ) - bipyridin] ruthenium(III) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4 , 4-Bis [4- (di-p-tolylamino) styryl] biphenyl) , grün fluoreszierendes TTPA (9, 10-Bis [N,N-di- (p-tolyl) - amino] anthracen) und rot fluoreszierendes DCM2 (4- Dicyanomethylen) -2-methyl-6- julolidyl-9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter. Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar . Ferner können
Polymeremitter eingesetzt werden, welche beispielsweise mittels eines nasschemischen Verfahrens abscheidbar sind, wie beispielsweise einem Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating) .
Alternativ oder zusätzlich können die Emittermaterialien in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein, beispielsweise einer technischen Keramik oder einem Polymer, beispielsweise einem Epoxid; oder einem Silikon.
Alternativ oder zusätzlich weist in verschiedenen
Ausführungsbeispielen die Emitterschicht eine Schichtdicke auf in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm. Alternativ oder zusätzlich kann die Emitterschicht einfarbig oder verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien aufweisen.
Alternativ kann die Emitterschicht mehrere Teilschichten aufweisen, die Licht unterschiedlicher Farbe emittieren.
Mittels eines Mischens der verschiedenen Farben kann die
Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ kann auch vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein
Konvertermaterial anzuordnen, das die PrimärStrahlung
zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer {noch nicht weißen) Primärstrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer
Farbeindruck ergibt.
Alternativ oder zusätzlich kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 121 eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen, die als Lochtransportschicht ausgeführt ist/sind. Alternativ oder zusätzlich kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen, die als Elektronentransportschicht ausgeführt ist/sind.
Alternativ oder zusätzlich kann die
Elektronentransportschicht eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NET- 18;
2, 2 ' , 2" -(1,3, 5-Benzinetriyl) -tris (1-phenyl-1-H- benzimidazole) ,· 2- (4-Biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) - 1,3 , 4-oxadiazole, 2 , 9-Dimethyl-4 , 7 -diphenyl -1 , 10- phenanthroline (BCP) ; 8-Hydroxyquinolinolato-1ithium, 4- (Naphthalen-1-yl) -3, 5-diphenyl-4H-1, 2, 4-triazole; 1, 3 -Bis [2- (2,2' -bipyridine-6-yl) -1,3 , 4-oxadiazo-5-yl] benzene; 4,7- Diphenyl-1, 10-phenanthroline (BPhen) ; 3- (4-Biphenylyl) -4- phenyl-5-tert-butylphenyl-1, 2 , 4-triazole; Bis (2-methyl-8- quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminium; 6,6' -Bis [5- (biphenyl-4-yl) -1 , 3 , 4-oxadiazo-2-yl] -2,2* -bipyridyl; 2- phenyl-9, 10 -di (naphthalen-2-yl) -anthracene; 2, 7 -Bis [2- (2, 2 ' - bipyridine-6-yl) -1, 3 , 4-oxadiazo-5-yl] -9, 9-dimethylfluorene; 1, 3 -Bis [2- (4-tert-butylphenyl) -1,3 , 4-oxadiazo-5-yl] benzene; 2- (naphthalen-2-yl) -4, 7-diphenyl-1, 10-phenanthroline; 2,9- Bis (naphthalen-2-yl) -4 , 7-diphenyl-1, 10-phenanthroline;
Tris (2,4, 6-trimethyl-3- (pyridin-3-yl) phenyl) borane; 1-methyl- 2- (4- (naphthalen-2-yl)phenyl) -1H-imidazo [4, 5- f] [1, 10]phenanthrolin; Phenyl-dipyrenylphosphine oxide;
Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide;
Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide; und Stoffen basierend auf Silolen mit einer
Silacyclopentadieneinheit .
Alternativ oder zusätzlich kann die
Elektronentransportschicht eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm,
beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm. Alternativ oder zusätzlich kann die
Elektroneninjektionsschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NDN-26, MgAg, Cs2CO3, Cs3PO4, Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, LiF;
2, 2', 2" - (1, 3, 5-Benzinetriyl) -tris (1-phenyl-1-H- benzimidazole) ,· 2- (4-Biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) - 1,3,4-oxadiazole, 2, 9-Dimethyl-4, 7-diphenyl-1, 10- phenanthroline (BCP) ; 8-Hydroxyquinolinolato-lithium, 4- (Naphthalen-1-yl) -3 , 5-diphenyl-4H-1, 2 , 4 -triazole; 1, 3 -Bis [2- (2, 2 ' -bipyridine-6-yl) -1, 3 , 4-oxadiazo-5-yl] benzene; 4,7- Diphenyl-1, 10-phenanthroline (BPhen) ; 3- (4-Biphenylyl) -4- phenyl-5-tert-butylphenyl-1, 2, 4 -triazole; Bis (2-methyl-8- quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminium; 6,6' -Bis [5- (biphenyl-4-yl) -1,3 , 4-oxadiazo-2-yl] -2,2· -bipyridyl; 2- phenyl-9, 10-di (naphthalen-2-yl) -anthracene; 2, 7-Bis [2- (2,2'- bipyridine-6-yl) -1, 3 , 4-oxadiazo-5-yl] -9, 9-dimethylfluorene; 1, 3-Bis [2- (4-tert-butylphenyl) -1,3, 4-oxadiazo-5-yl] benzene; 2- (naphthalen-2-yl) -4 , 7-diphenyl-1, 10-phenanthroline; 2, 9- Bis (naphthalen-2-yl) -4, 7-diphenyl-1, 10-phenanthroline;
Tris (2,4, 6-trimethyl-3- (pyridin-3-yl)phenyl)borane; 1-methyl- 2- (4- (naphthalen-2-yl)phenyl) -1H-imidazo [4,5- f] [1, 10]phenanthroline; Phenyl-dipyrenylphosphine oxide;
Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide;
Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide; und Stoffen basierend auf Silolen mit einer
Silacyclopentadieneinheit .
Alternativ oder zusätzlich kann die
Elektroneninjektionsschicht eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 200 nm,
beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise ungefähr 30 nm.
Das optoelektronische Bauelement 100 kann optional weitere organisch funktionelle Schichten aufweisen, beispielsweise angeordnet auf oder über der einen oder mehreren
Emitterschichten oder auf oder über der oder den
Elektronentransportschicht (en) . Die weiteren organisch funktionellen Schichten können beispielsweise interne oder extern Einkoppel- /Auskoppelstrukturen sein, die die
Funktionalität und damit die Effizienz des optoelektronischen Bauelements 100 weiter verbessern.
Alternativ oder zusätzlich ist wenigstens eine der oben beschriebenen Schichten der organisch funktionellen
Schichtenstruktur optional . Alternativ oder zusätzlich kann wenigstens eine der oben beschriebenen Schichten als Mischung von wenigstens zwei der oben beschriebenen Schichten ausgebildet sein.
Alternativ kann die zweite Elektrode 114 als eine Anode ausgebildet sein. Alternativ oder zusätzlich kann die
organisch funktionelle Schichtenstruktur 112, für den Fall das die erste Elektrode 110 als Kathode und die zweite
Elektrode 114 als Anode ausgebildet sind, eine umgekehrte Schichtenabfolge aufweisen.
Alternativ oder zusätzlich kann die zweite Elektrode 114 gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 110 ausgebildet sein, wobei die erste Elektrode 110 und die zweite Elektrode 114 gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein können. Die zweite Elektrode 114 kann einen weiteren elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein weiteres
elektrisches Potenzial anlegbar ist. Das weitere elektrische Potenzial kann von der gleichen oder einer anderen
Energiequelle bereitgestellt werden wie das elektrische
Potenzial. Das weitere elektrische Potenzial kann
unterschiedlich zu dem elektrischen Potenzial sein. Das weitere elektrische Potenzial kann beispielsweise einen Wert aufweisen derart, dass die Differenz zu dem elektrischen Potenzial einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungefähr 20 V aufweist, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2,5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 3 V bis ungefähr Alternativ oder zusätzlich kann die zweite Barriereschicht 108 als Dünnschichtverkapseiung (thin film encapsulation TFE) bezeichnet werden. Die zweite Barriereschicht 108 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Barriereschicht 104 ausgebildet sein.
Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen
Ausführungsbeispielen auch ganz auf eine zweite
Barriereschicht 108 verzichtet werden kann. In solch einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement 100 beispielsweise eine weitere Verkapselungsstruktur aufweisen, wodurch eine zweite Barriereschicht 108 optional werden kann, beispielsweise eine Abdeckung 124, beispielsweise eine
Kavitätsglasverkapselung oder metallische Verkapselung.
Alternativ oder zusätzlich können in verschiedenen
Ausführungsbeispielen zusätzlich noch eine oder mehrere Ein- /Auskoppelschichten in dem optoelektronischen Bauelement 100 ausgebildet sein, beispielsweise eine externe Auskoppelfolie auf oder über dem Träger 102 (nicht dargestellt) oder eine interne Auskoppelschicht (nicht dargestellt) im
Schichtenquerschnitt der organischen Leuchtdiode 100. Die Ein- /Auskoppelschicht kann eine Matrix und darin verteilt Streuzentren aufweisen, wobei der mittlere Brechungsindex der Ein-/Auskoppelschicht größer oder kleiner ist als der
mittlere Brechungsindex der Schicht, aus der die
elektromagnetische Strahlung bereitgestellt wird. Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen zusätzlich eine oder mehrere Entspiegelungsschichten (beispielsweise
kombiniert mit der zweiten Barriereschicht 108) in der organischen Leuchtdiode 100 vorgesehen sein.
Alternativ oder zusätzlich kann auf oder über der zweiten Barriereschicht 108 eine schlüssige Verbindungsschicht 122 angeordnet sein, beispielsweise aus einem Klebstoff oder einem Lack. Mittels der schlüssigen Verbindungsschicht 122 kann eine Abdeckung 124 auf der zweiten Barriereschicht 108 schlüssig verbunden sein, beispielsweise aufgeklebt sein. Alternativ oder zusätzlich kann eine schlüssige
VerbindungsSchicht 122 aus einem transparenten Material beispielsweise Partikel aufweisen, die elektromagnetische Strahlung streuen, beispielsweise lichtstreuende Partikel. Dadurch kann die schlüssige Verbindungsschicht 122 als
Streuschicht wirken und zu einer Verbesserung des
Farbwinkelverzugs und der Auskoppeleffizienz führen.
Alternativ oder zusätzlich können als lichtstreuende Partikel dielektrische Streupartikel vorgesehen sein, beispielsweise aus einem Metalloxid, beispielsweise Siliziumoxid (SiO2) , Zinkoxid (ZnO) , Zirkoniumoxid (ZrO2) , Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO) , Galliumoxid (Ga2Ox)
Aluminiumoxid, oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der schlüssigen Verbindungsschicht 122 verschieden ist, beispielsweise
Luftblasen, Acrylat, oder Glashohlkugeln. Ferner können beispielsweise metallische Nanopartikel , Metalle wie Gold, Silber, Eisen-Nanopartikel , oder dergleichen als
lichtstreuende Partikel vorgesehen sein.
Alternativ oder zusätzlich kann die schlüssige
Verbindungsschicht 122 eine Schichtdicke von größer als 1 μm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren μm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist die schlüssige Verbindungsschicht 122 einen Laminations-Klebstoff auf oder ist ein solcher. Alternativ oder zusätzlich kann die schlüssige
Verbindungsschicht 122 derart eingerichtet sein, dass sie einen Klebstoff mit einem Brechungsindex aufweist, der kleiner ist als der Brechungsindex der Abdeckung 124. Ein solcher Klebstoff kann beispielsweise ein niedrigbrechender Klebstoff sein wie beispielsweise ein Acrylat, der einen
Brechungsindex von ungefähr 1,3 aufweist. Der Klebstoff kann jedoch auch ein hochbrechender Klebstoff sein der
beispielsweise hochbrechende, nichtstreuende Partikel aufweist und einen schichtdickengemittelten Brechungsindex aufweist, der ungefähr dem mittleren Brechungsindex der organisch funktionellen Schichtenstruktur 112 entspricht, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1,7 bis ungefähr 2,0. Weiterhin können mehrere unterschiedliche Klebstoffe vorgesehen sein, die eine Kleberschichtenfolge bilden.
Alternativ oder zusätzlich kann zwischen der zweiten
Elektrode 114 und der schlüssigen VerbindungsSchicht 122 noch eine elektrisch isolierende Schicht {nicht dargestellt) ausgebildet sein/werden, beispielsweise SiN, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 300 nm bis ungefähr 1,5 μm, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 500 nm bis ungefähr 1 um, um elektrisch instabile Materialien zu schützen, beispielsweise während eines nasschemischen Prozesses.
Alternativ oder zusätzlich kann eine schlüssige
Verbindungsschicht 122 optional sein, beispielsweise falls die Abdeckung 124 direkt auf der zweiten Barriereschicht 108 ausgebildet wird, beispielsweise eine Abdeckung 124 aus Glas, die mittels Plasmaspritzens ausgebildet wird.
Alternativ oder zusätzlich kann auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich 106 eine sogenannte Getter-Schicht oder
Getter-Struktur, beispielsweise eine lateral strukturierte Getter-Schicht , angeordnet sein (nicht dargestellt) .
Alternativ oder zusätzlich kann die Getter-Schicht ein
Material aufweisen oder daraus gebildet sein, dass Stoffe, die schädlich für den elektrisch aktiven Bereich 106 sind, absorbiert und bindet. Eine Getter-Schicht kann
beispielsweise ein Zeolith-Derivat aufweisen oder daraus gebildet sein. Die Getter-Schicht kann transluzent,
transparent oder opak und/oder undurchlässig hinsichtlich der elektromagnetischen Strahlung, die in dem optisch aktiven Bereich emittiert und/oder absorbiert wird, ausgebildet sein. Die Getter-Schicht kann eine Schichtdicke von größer als ungefähr 1 μιη aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren μm. Alternativ oder zusätzlich kann die Getter-Schicht einen
Laminations-Klebstoff aufweisen oder kann die Getter-Schicht in der schlüssigen Verbindungsschicht 122 eingebettet sein.
Alternativ oder zusätzlich kann die Abdeckung 124 mittels der schlüssigen Verbindungsschicht 122 mit dem elektrisch aktiven Bereich 106 schlüssig verbunden sein und diesen vor
schädlichen Stoffen schützen. Die Abdeckung 124 kann
beispielsweise eine Glasabdeckung 124, eine
Metallfolienabdeckung 124 oder eine abgedichtete
Kunststofffolien-Abdeckung 124 sein. Die Glasabdeckung 124 kann beispielsweise mittels einer Fritten-Verbindung (engl, glass frit bonding/glass soldering/seal glass bonding) mittels eines herkömmlichen Glaslotes in den geometrischen Randbereichen des organischen optoelektronischen Bauelementes 100 mit der zweite Barriereschicht 108 bzw. dem elektrisch aktiven Bereich 106 schlüssig verbunden werden.
Alternativ oder zusätzlich können die Abdeckung 124 und/oder die schlüssige Verbindungsschicht 122 einen Brechungsindex (beispielsweise bei einer Wellenlänge von 633 nm) von 1,55 aufweisen.
Es ist darauf hinzuweisen, dass alternativ oder zusätzlich eine oder mehrere der oben genannten Schichten, die zwischen der ersten Elektrode 110 und der zweiten Elektrode 114 angeordnet sind, optional sind.
Alternativ oder zusätzlich kann der elektrisch aktive Bereich 106 ein, zwei oder mehr funktionelle Schichtenstruktur- Einheiten 112a, 112b und eine, zwei oder mehr
Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur (en) 115
zwischen den Schichtenstruktur-Einheiten 112a, 112b
aufweisen, beispielsweise gezeigt in Fig. Ib. Der elektrisch aktive Bereich 106 kann eine erste organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 112a, welche auf der ersten
Elektrode 110 angeordnet ist, aufweisen. Ferner kann der elektrisch aktive Bereich 106 eine Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schichtenstruktur 115, welche auf der ersten organisch funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 112a angeordnet ist, aufweisen. Ferner kann der elektrisch aktive Bereich 106 eine zweite organische funktionelle
Schichtenstruktur-Einheit 112b auf der Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schichtenstruktur 115 aufweisen. Ferner kann die zweite Elektrode 114 auf der zweiten organisch funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 112b angeordnet sein. Zusätzlich kann der elektrisch aktive Bereich 106 eine dritte organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit, eine weitere
Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur und eine vierte organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit aufweisen (nicht dargestellt) .
Eine Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur kann eine oder mehrere elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schicht (en) und eine oder mehrere lochleitende
Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (en) aufweisen. Die elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (en) und die lochleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (en) können jeweils aus einem intrinsisch leitenden Stoff oder einem Dotierstoff in einer Matrix gebildet sein. Die
Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur sollte
hinsichtlich der Energieniveaus der elektronenleitenden
Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (en) und der lochleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (en) derart ausgebildet sein, dass an der Grenzfläche einer elektronenleitenden
Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht mit einer lochleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht ein Trennung von Elektron und Loch erfolgen kann. Die Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schichtenstruktur kann ferner zwischen benachbarten Schichten eine Diffusionsbarriere aufweisen. Eine organische Leuchtdiode, welche die erste Elektrode 110, die zweite Elektrode 114 sowie zwei funktionelle
Schichtenstruktur-Einheiten 112a, 112b aufweist, wobei zwischen den zwei funktionellen Schichtenstruktur-Einheiten 112a, 112b eine Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur 115 angeordnet ist, kann auch als eine zweifach-gestapelte organische Leuchtdiode bezeichnet werden. Eine zweifachgestapelte organische Leuchtdiode kann auch als zwei in Serie geschaltete organische Leuchtdioden betrachtet werden, wobei die zwei in Serie geschaltete organische Leuchtdioden mittels einer Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur 115 verbunden sind. Alternativ oder zusätzlich können auch drei, vier, fünf, beispielsweise 10 organische Leuchtdioden mittels mehrerer Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstrukturen übereinander gestapelt sein, beziehungsweise miteinander in Serie geschaltet sein. Dabei können die jeweiligen
Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstrukturen gleich oder unterschiedlich voneinander ausgebildet sein. Alternativ oder zusätzlich können die funktionellen
Schichtenstruktur-Einheiten 112a, 112b jeweils wie die weiter oben beschriebene organisch funktionelle Schichtenstruktur 112 ausgebildet sein. Alternativ oder zusätzlich können die Schichten der funktionellen Schichtenstruktur-Einheiten 112a, 112b jeweils die gleichen Materialkombinationen aufweisen.
Es ist anzumerken, dass in dem Fall dass die organische
Leuchtdiode eine, zwei oder mehr Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schichtenstruktur (en) aufweist, die jeweiligen
Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur (en) derart ausgebildet sind, dass sie keinen elektrischen Anschluss aufweisen, d.h. frei sind von Bauelement-externen
Anschlüssen. Fig. 2 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung. Die optoelektronische
Bauelementevorrichtung 200 weist auf eine erste organische Leuchtdiode 210 (in Fig. 2 gekennzeichnet mit gestrichelten Linien) und eine zweite organische Leuchtdiode 220 (in Fig. 2 gekennzeichnet mit gestrichelten Linien) , die übereinander in körperlichem Kontakt miteinander verbunden sind. Die erste organische Leuchtdiode 210 ist mit der zweiten organischen Leuchtdiode 220 elektrisch parallel geschaltet.
Die erste organische Leuchtdiode 210 weist eine erste
Elektrode 211, eine organisch funktionelle Schichtenstruktur 213 und eine zweite Elektrode 212 auf.
Gemäß einer Weiterbildung ist die erste Elektrode 211 der ersten organischen Leuchtdiode 210 wie die oben beschriebene zweite Elektrode 114 der organischen Leuchtiode 100
ausgebildet .
Gemäß einer Weiterbildung ist die organisch funktionelle Schichtenstruktur 213 der ersten organischen Leuchtdiode 210 gemäß einem Ausführungsbeispiel der organisch funktionellen Schichtenstruktur 112 der organischen Leuchtdiode 100
ausgebildet.
Gemäß einer Weiterbildung ist die zweite Elektrode 212 der ersten organischen Leuchtdiode 210 ist gemäß einem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel der erste Elektrode 110 der organischen Leuchtiode 100 ausgebildet. Ferner ist die zweite Elektrode 212 als eine Anode der ersten organischen
Leuchtdiode 210 ausgebildet.
Die zweite organische Leuchtdiode 220 weist auf eine erste Elektrode 221, eine organisch funktionelle Schichtenstruktur 223 und eine zweite Elektrode 222.
Gemäß einer Weiterbildung ist die erste Elektrode 221 der zweiten organischen Leuchtdiode 220 wie die zweite Elektrode 114 der organischen Leuchtiode 100 ausgebildet.
Gemäß einer Weiterbildung ist die organisch funktionelle Schichtenstruktur 223 der zweiten organischen Leuchtdiode 220 gemäß einem Ausführungsbeispiel der organisch funktionellen Schichtenstruktur 112 der organischen Leuchtdiode 100 ausgebildet. Gemäß einer Weiterbildung ist die zweite Elektrode 222 der zweiten organischen Leuchtdiode 220 ist gemäß einem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel der zweiten Elektrode 114 der organischen Leuchtiode 100 ausgebildet. Ferner ist die zweite Elektrode 222 als eine Kathode der zweiten organischen Leuchtdiode 220 ausgebildet.
Gemäß einer Ausführungsform weisen die erste organische Leuchtiode 210 und die zweite organische Leuchtdiode 220 wenigstens eine näherungsweise gleiche oder gleiche
elektronische Dioden-Charakteristik und/oder eine
näherungsweise gleiche oder gleiche elektronische
Diodenkenngröße auf. Eine elektrische Dioden-Charakteristik kann ferner auch als Strom-Spannungs-Kennlinie bezeichnet werden, beispielsweise auch bezeichnet als Iü-Kennlinie, beispielsweise auch bezeichnet als IU-Charakteristik, beispielsweise auch bezeichnet als IU-Kurve, Die erste organische Leuchtdiode weist eine Strom-Spannungs-Kennlinie derart auf, dass die Strom-Spannungskennlinie der ersten organischen Leuchtdiode ähnliche Werte, beispielsweise in einem Bereich von 10% bis 15%, aufweist wie die der Strom- Spannungskennlinie der zweiten organischen Leuchtdiode.
Die erste organische Leuchtdiode 210 ist derart ausgebildet, dass sie im Betrieb Licht mit einem ersten Farbton
bereitstellt. Die zweite organische Leuchtdiode 220 ist derart ausgebildet, dass sie im Betrieb Licht mit einem zweiten Farbton bereitstellt. Gemäß einer Ausführungsform sind der erste Farbton und der zweite Farbton näherungsweise gleich oder gleich. Der erste Farbton weist einen ähnlichen Wert, beispielsweise in einem Bereich von 10% bis 15%, auf wie der zweite Farbton. Gemäß einer Weiterbildung sind die zweite Elektrode 212 der ersten organischen Leuchtdiode 210 und die erste Elektrode 221 der zweiten organischen Leuchtdiode 220 elektrisch miteinander verbunden derart, dass sie eine gemeinsame
Elektrode bilden. Ferner weist die gemeinsame Elektrode einen ersten elektrischen Anschluss auf. Mittels des ersten
elektrischen Anschlusses ist ein gemeinsames erstes
elektrisches Potenzial 230 anlegbar. Das erste elektrische Potenzial 230 kann von einer Energiequelle bereitgestellt werden, beispielsweise einer Stromquelle oder einer
Spannungsquelle. Das erste elektrische Potenzial 230 kann beispielsweise das Massepotenzial oder ein anderes
vorgegebenes Bezugspotenzial sein. Gemäß einer Weiterbildung ist die gemeinsame Elektrode aus einem wenigstens transluzenten Material gebildet oder weist ein solches auf .
Gemäß einer Weiterbildung ist die zweite Elektrode 212 der ersten organischen Leuchtdiode 210 eine Anode der ersten organischen Leuchtdiode 210 und die erste Elektrode 221 der zweiten organischen Leuchtdiode 220 ist eine Anode der zweiten organischen Leuchtdiode 220. Ferner ist die organisch funktionellen Schichtenstruktur 213 der ersten organischen Leuchtdiode 210 gemäß einem Ausführungsbeispiel der organisch funktionellen Schichtenstruktur 112 der organischen
Leuchtdiode 100 ausgebildet, wobei die Schichten der
organisch funktionelle Schichtenstruktur 213 der ersten organischen Leuchtdiode 210 umgekehrt angeordnet sind, wie die Schichten der organisch funktionellen Schichtenstruktur 112 der organischen Leuchtdiode 100. Beispielsweise ist auf der ersten Elektrode 211 eine Elektroneninjektionsschicht angeordnet und auf der Elektroneninjektionsschicht eine Elektronentransportschicht angeordnet. Ferner ist auf der Elektronentransportschicht eine Emitterschicht angeordnet und auf der Emitterschicht eine Lochtransportschicht und auf der Lochtransportschicht eine Lochinjektionsschicht. Die
Elektroneninjektionsschicht ist gemäß einem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel der
Elektroneninjektionsschicht der organischen Leuchtdiode 100 ausgebildet. Die Elektronentransportschicht ist gemäß einem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel der
Elektronentransportschicht 116 der organischen Leuchtdiode 100 ausgebildet. Die Emitterschicht ist gemäß einem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel der Emitterschicht 118 der organischen Leuchtdiode 100 ausgebildet. Die
Lochtransportschicht ist gemäß einem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel der Lochtransportschicht 120 der
organischen Leuchtdiode 100 ausgebildet. Die
Lochinjektionsschicht ist gemäß einem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel der Lochinjektionsschicht der organischen Leuchtdiode 100 ausgebildet. Ferner ist die erste Elektrode 211 der ersten organischen Leuchtdiode 210 als eine Kathode der ersten organischen Leuchtdiode 210 ausgebildet und die zweite Elektrode 222 der zweiten organischen Leuchtdiode 220 ist als eine Kathode der zweiten organischen Leuchtdiode 220 ausgebildet .
Gemäß einer Weiterbildung weisen die erste Elektrode 211 der ersten organischen Leuchtdiode 210 und die zweite Elektrode 222 der zweiten organischen Leuchtdiode 220 ein gemeinsames elektrisches Potenzial 240 auf. Das gemeinsame elektrische Potenzial der erste Elektrode 211 der ersten organischen Leuchtdiode 210 und die zweite Elektrode 222 der zweiten organischen Leuchtdiode 220 wird ferner auch als zweites elektrisches Potenzial 240 bezeichnet. Gemäß einer Weiterbildung sind die erste Elektrode 211 der ersten organischen Leuchtdiode 210 und die zweite Elektrode 222 der zweiten organischen Leuchtdiode 220 kongruent übereinander angeordnet und die zweite Elektrode 212 der ersten organischen Leuchtdiode 210 und die erste Elektrode 221 der zweiten organischen Leuchtdiode 220 sind kongruent übereinander angeordnet . Das erste Licht der ersten organischen Leuchtdiode 210 und das zweite Licht der zweiten organischen Leuchtdiode 220 können einen weißen Farbton aufweisen. Alternativ können das erste Licht und das zweite Licht einen roten, grünen oder blauen Farbton aufweisen.
Alternativ oder zusätzlich kann die IU-Kurve der ersten organischen Leuchtdiode 210 dieselbe Form wie die IU-Kurve der zweiten organischen Leuchtdiode 220 aufweisen.
Als Diodenkenngröße kann beispielsweise ein Strom, eine Spannung und/oder eine Helligkeit an einem Betriebspunkt der organischen Leuchtdioden 210, 220 bezeichnet werden. Als Diodenkenngröße kann ferner beispielsweise auch eine maximal zulässige Sperrspannung, ein maximaler Spitzenstrom in
Durchlassrichtung und/oder ein maximaler Dauerstrom in
Durchlassrichtung bezeichnet werden. Die erste organische Leuchtdiode 210 weist eine Diodenkenngröße derart auf, dass die Diodenkenngröße der ersten organischen Leuchtdiode einen ähnlichen Wert, beispielsweise in einem Bereich von 10% bis 15%, aufweist wie der Wert der Diodenkenngröße der zweiten organischen Leuchtdiode 220.
Alternativ oder zusätzlich kann die gemeinsame Elektrode einstückig ausgebildet sein. Alternativ oder zusätzlich können die zweite Elektrode 212 der ersten organischen
Leuchtdiode 210 und die erste Elektrode 221 der zweiten organischen Leuchtdiode 220 mittels eines leitfähigen
Verbindungsmittels miteinander elektrisch leitend verbunden sein, beispielsweise mittels eines Lötzinns.
Alternativ oder zusätzlich kann die erste Elektrode 211 der ersten organischen Leuchtdiode 210 auf einem Träger
ausgebildet sein, wobei der Träger gemäß einem
Ausführungsbeispiel des Trägers 102 der organischen
Leuchtdiode 100 ausgebildet sein kann. Alternativ oder zusätzlich kann die erste Elektrode 211 der ersten
organischen Leuchtdiode 210 selbstragend ausgebildet sein gemäß einem der Ausführungsbeispiele des Trägers 102 und/oder der ersten Elektrode 110 der organischen Leuchtdiode 100.
Alternativ oder zusätzlich kann das zweite elektrische
Potenzial 240 von der gleichen oder einer anderen
Energiequelle bereitgestellt werden wie das erste elektrische Potenzial 230. Das zweite elektrische Potenzial 240 kann unterschiedlich zu dem ersten elektrischen Potenzial 230 sein. Das zweite elektrische Potenzial 240 kann
beispielsweise einen Wert aufweisen derart, dass die
Differenz zu dem elektrischen Potenzial einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungefähr 20 V aufweist, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2,5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 3 V bis ungefähr 12 V. Alternativ oder
zusätzlich sind die erste Elektrode 211 der ersten
organischen Leuchtdiode 210 und die zweite Elektrode 222 der zweiten organischen Leuchtdiode 220 mittels einem elektrisch leitfähigen Verbindungsmittel 250 elektrisch leitend
miteinander verbunden. Alternativ oder zusätzlich kann ein elektrisch isolierender Stoff 260 zwischen dem elektrisch leitfähigen Verbindungsmittel 250 und der organisch
funktionellen Schichtenstruktur 213 und der zweiten Elektrode 212 der ersten organischen Leuchtdiode 210 sowie der ersten Elektrode 221 und der organisch funktionellen
Schichtenstruktur 223 der zweiten organischen Leuchtdiode 220 ausgebildet sein. Mittels des elektrisch isolierenden Stoffs kann ein Kurzschluss zwischen dem ersten elektrischen
Potenzial und dem zweiten elektrischen Potenzial verhindert werden.
Alternativ sind die erste Elektrode 211 der ersten
organischen Leuchtdiode 210 und die zweite Elektrode 222 der zweiten organischen Leuchtdiode 220 lateral versetzt
übereinander angeordnet. Alternativ sind die zweite Elektrode 212 der ersten organischen Leuchtdiode 210 und die erste Elektrode 221 der zweiten organischen Leuchtdiode 220 lateral versetzt übereinander angeordnet. Das Ausbilden zweier oder mehrerer gestapelter organischen Leuchtdioden, wie sie oben und unten ausführlich beschrieben sind, wobei die organischen Leuchtdioden eine näherungsweise gleiche oder gleiche elektrische Dioden-Charakteristik aufweisen und/oder eine näherungsweise gleiche oder gleiche Diodenkenngröße, birgt beispielsweise den Vorteil, dass die resultierende optoelektronische Bauelementevorrichtung eine längere Lebensdauer aufweist. Beispielsweise kann bei einem Ausfall oder bei einer verminderten Funktion einer der organischen Leuchtioden selbige übersteuert werden derart, dass die optoelektronische Bauelementevorrichtung weiterhin funktionsfähig ist. Beispielsweise können sich die
organischen Leuchtdioden bezüglich einiger ihrer elektrischen Eigenschaften im Betrieb anpassen, wodurch die Lebensdauer der optoelektronischen Bauelementevorrichtung erhöht wird.
Fig. 3 zeigt ein Ersatzschaltbild eines Ausführungsbeispiels einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung, das
beispielsweise weitgehend dem in Fig. 2 gezeigten
Ausführungsbeispiel entspricht.
Das Ersatzschaltbild 300 zeigt die erste organische
Leuchtdiode 210 und die zweite organische Leuchtdiode 220, wobei die erste organische Leuchtiode 210 und die zweite organische Leuchtdiode 220 in einer Parallelschaltung
angeordnet sind. Ferner ist das erste elektrische Potenzial 230 und das zweite elektrische Potenzial 240 derart anlegbar, dass die erste organische Leuchtdiode 210 und die zweite organische Leuchtdiode 220 jeweils in Durchlassrichtung betreibbar sind oder jeweils in Sperrrichtung betreibbar sind.
Fig. 4 zeigt ein Ersatzschaltbild eines Ausführungsbeispiels einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung, das
beispielsweise weitgehend dem in Fig. 3 gezeigten
Ersatzschaltbild entspricht. Gemäß einer Weiterbildung weist die optoelektronische
Bauelementevorrichtung 400 eine oder mehrere weitere
organische Leuchtdioden auf, die mit der ersten organischen Leuchtdiode 210 in Serie geschaltet ist/sind.
Gemäß einer Weiterbildung weist die optoelektronische
Bauelementevorrichtung eine oder mehrere weitere organische Leuchtdioden auf, die mit der zweiten organischen Leuchtdiode 220 in Serie geschaltet ist/sind.
Das Ersatzschaltbild 400 zeigt eine dritte organische
Leuchtdiode 430, welche mit der ersten organischen
Leuchtdiode 210 in Serie geschaltet ist. Die dritte
organische Leuchtdiode 430 ist gemäß einem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel der organischen Leuchtdiode 100
ausgebildet. Ferner zeigt das Ersatzschaltbild 400 eine vierte organische Leuchtdiode 440, welche mit der zweiten organischen Leuchtdiode 220 in Serie geschaltet ist. Die vierte organische Leuchtdiode 440 ist gemäß einem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel der organischen Leuchtdiode 100 ausgebildet.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel sind die erste organische Leuchtdiode 210 und die dritte organische Leuchtdiode 430 als eine zweifach-gestapelte organische Leuchtdiode ausgebildet, wobei die erste organische Leuchtdiode 210 und die dritte organische Leuchtdiode 430 mittels einer ersten
Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur verbunden sind. Ferner sind die zweite organische Leuchtdiode 220 und die vierte organische Leuchtdiode 440 als eine zweifachgestapelte organische Leuchtdiode ausgebildet, wobei die zweite organische Leuchtdiode 220 und die vierte organische Leuchtdiode 440 mittels einer zweiten Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schichtenstruktur verbunden sind. Die organisch funktionelle Schichtenstruktur 213 der ersten organischen Leuchtdiode 210 ist mittels der ersten Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schichtenstruktur mit der organisch funktionellen Schichtenstruktur der dritten organischen Leuchtdiode 430 verbunden. Anders ausgedrückt, zwischen der organisch
funktionelle Schichtenstruktur 213 der ersten organischen Leuchtdiode 210 und der organisch funktionellen
Schichtenstruktur der dritten organischen Leuchtdiode 430 ist die erste Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur angeordnet. Die organisch funktionelle Schichtenstruktur 223 der zweiten organischen Leuchtdiode 220 ist mittels einer Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur mit der organisch funktionellen Schichtenstruktur der vierten
organischen Leuchtdiode 430 verbunden. Anders ausgedrückt, zwischen der organisch funktionelle Schichtenstruktur 223 der zweiten organischen Leuchtdiode 220 und der organisch
funktionellen Schichtenstruktur der vierten organischen
Leuchtdiode 440 ist die zweite Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schichtenstruktur angeordnet . Ferner ist die zweite Elektrode 212 der ersten organischen Leuchtdiode 210 als Anode
ausgebildet. Ferner sind die organisch funktionelle
Schichtenstruktur 213 der ersten organischen Leuchtdiode 210 sowie die organisch funktionelle Schichtenstruktur der dritten organischen Leuchtdiode gemäß der bezüglich Fig. 1 beschrieben Schichtenabfolge ausgebildet. Ferner ist die erste Elektrode 221 der zweiten organischen Leuchtdiode 220 als Anode ausgebildet. Ferner ist die organisch funktionelle Schichtenstruktur 223 der zweiten organischen Leuchtdiode 220 sowie die organisch funktionelle Schichtenstruktur der vierten organischen Leuchtdiode umgekehrt bezüglich der in Fig. 1 beschrieben Schichtenabfolge ausgebildet. Ferner sind die erste organische Leuchtdiode 210 und die zweite
organische Leuchtdiode 220 derart übereinander gestapelt, dass die Anode der ersten organischen Leuchtdiode 210 mit der Anode der zweiten organischen Leuchtdiode 220 in direktem Kontakt miteinander stehen. Ferner ist an der Kathode der dritten organischen Leuchtdiode 430 und an der Kathode der vierten organischen Leuchtdiode 440 das zweite elektrische Potenzial 240 anlegbar. Ferner ist an der Anode der ersten organischen Leuchtdiode 210 und an der Anode der zweiten organischen Leuchtdiode 220 das erste elektrische Potenzial 230 anlegbar. Alternativ oder zusätzlich können die weiteren organischen Leuchtdioden, die mit der ersten organischen Leuchtdiode 210 in Serie geschaltet sind, wie die erste organische
Leuchtdiode 210 ausgebildet sein. Alternativ oder zusätzlich können/kann auf der ersten organischen Leuchtdiode 210 weitere organische Leuchtdioden, beispielsweise eine, zwei, drei, vier oder fünf, beispielsweise 10 weitere organische Leuchtdioden, angeordnet sein, wobei die weiteren organischen Leuchtdioden mittels Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schichtenstrukturen miteinander verbunden sind.
Alternativ oder zusätzlich können die weiteren organischen Leuchtdioden, die mit der zweiten organischen Leuchtdiode 220 in Serie geschaltet sind, wie die zweite organische
Leuchtdiode 220 ausgebildet sein. Alternativ oder zusätzlich können/kann auf der zweiten organischen Leuchtdiode 220 weitere organische Leuchtdioden angeordnet sein,
beispielsweise eine, zwei, drei, vier oder fünf,
beispielsweise 10 weitere organische Leuchtdioden, angeordnet sein, wobei die weiteren organischen Leuchtdioden mittels Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstrukturen miteinander verbunden sind.
Alternativ oder zusätzlich ist das zweite elektrische
Potenzial 240 an den jeweils äußersten Elektroden,
beispielsweise den Kathoden, des Schichtenstapels anlegbar.
Alternativ können die äußeren Elektroden, also beispielsweise für den Fall von insgesamt vier aufeinandergestapelten organischen Leuchtdioden 210, 220, 430 und 440 die zweite Elektrode der vierten organischen Leuchtdiode 440 und die erste Elektrode der dritten organischen Leuchtdiode 430, auch als Anoden ausgebildet sein. In diesem Fall sind die inneren Elektroden, also die zweite Elektrode 212 der ersten
organischen Leuchtdiode 210 und die erste Elektrode 221 der zweiten organischen Leuchtdiode 220, als Kathoden
ausgebildet . Fig. 5 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung, das beispielsweise weitgehend dem in Fig. 2 gezeigten Ausführungsbeispiel entspricht. Gemäß einem Ausführungsbeispiel weist die optoelektronische Bauelementevorrichtung 500 eine Anode auf und wenigstens eine weitere Anode. Ferner weist Die optoelektronische
Bauelementevorrichtung 500 wenigstens eine Kathode auf.
Ferner weist die optoelektronische Bauelementevorrichtung 500 eine organisch funktionelle Schichtenstruktur und wenigstens eine weitere organisch funktionelle Schichtenstruktur auf. Die organisch funktionelle Schichtenstruktur ist auf der Anode angeordnet. Auf der organisch funktionellen
Schichtenstruktur ist die wenigstens eine Kathode angeordnet. Auf der wenigstens einen Kathode ist die wenigstens eine weitere organisch funktionelle Schichtenstruktur angeordnet. Auf der wenigstens einen weiteren organisch funktionellen Schichtenstruktur ist die wenigstens eine weitere Anode angeordnet .
Gemäß einer Weiterbildung wird die oben beschriebene
Schichtenabfolge in dem oben beschriebenen Schema
weitergeführt bis zu einer beliebigen Stapelhöhe. Gemäß einer Weiterbildung sind jeweils die Anoden derart ausgebildet, dass an die Anoden dasselbe elektrische Potenzial,
beispielsweise das erste elektrische Potenzial 230, anlegbar ist. Ferner sind jeweils die Kathoden derart ausgebildet, dass an den Kathoden dasselbe elektrische Potenzial,
beispielsweise das zweite elektrische Potenzial 240, anlegbar ist. Mit anderen Worten, gemäß einer Weiterbildung sind mehrere organische Leuchtdioden übereinandergestapelt, wobei die mehreren organischen Leuchtdioden jeweils eine Kathode, ein organisch funktionelles Schichtensystem und eine Anode aufweisen. Die mehreren organischen Leuchtdioden sind
zueinander mittels einer Parallelschaltung verschaltet.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel und wie in Fig. 5
dargestellt, weist die optoelektronische Bauelementevorrichtung 500 eine Anode 511, eine Kathode 512 und ein organisch funktionelles Schichtensystem 513 auf. Die Anode 511 ist gemäß einem Ausführungsbeispiel der ersten Elektrode 110 ausgebildet. Die Kathode ist gemäß einem
Ausführungsbeispiel der zweiten Elektrode 114 ausgebildet. Die organisch funktionelle Schichtenstruktur 513,
beispielsweise auch bezeichnet als Organik, ist gemäß einem Ausführungsbeispiel des organisch funktionellen
Schichtensystems 112 ausgebildet. Aus den genannten
Einzelkomponenten kann eine optoelektronische
Bauelementevorrichtung ausgebildet sein (dargestellt in
Fig. 5 mittels der Pfeile) . Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird eine Stapelfolge Anode 511 / Organik 513 / Kathode 512 / Organik 513 / Anode 511 ausgebildet. Gemäß diesem
Ausführungsbeispiel ist auf der Anode 511 die organisch funktionelle Schichtenstruktur 513 angeordnet. Auf der organisch funktionellen Schichtenstruktur 513 ist die Kathode 512 angeordnet. Auf der Kathode 512 ist wiederum eine weitere organisch funktionelle Schichtenstruktur, welche wie die organisch funktionelle Schichtenstruktur 513 ausgebildet ist und daher im nachfolgenden auch als organisch funktionelle Schichtenstruktur 513 bezeichnet wird, angeordnet.
Im Prinzip ist es möglich diese Stapelfolge beliebig
fortzusetzen, beispielsweise mittels der folgenden
Schichtenabfolge, Anode 511 / Organik 513 / Kathode 512 / Organik 513 / Anode 511 / Organik 513 / Kathode 512
(beispielsweise auch bezeichnet als A/K/A/K OLED) ,
beispielsweise mittels der folgenden Schichtenabfolge,
Kathode 512 / Organik 513 / Anode 511 / Organik 513 / Kathode 512 / Organik 513 / Anode 511 / Organik 513 / Kathode 512 (beispielsweise auch bezeichnet als K/A/K/A/K OLED) .
Das Besondere bei diesem Aufbau ist, dass sich die zum
Betrieb einer OLED benötigte Spannung reduzieren lässt ohne die Vorteile des Mehrfachstapeins zu verlieren. Anders ausgedrückt kann eine n-fach gestapelte OLED weiterhin mit der Spannung eine ungestapelten OLED betrieben werden.
Damit lassen sich langlebige OLEDs herstellen, die trotzdem von üblichen Spannungsquellen versorgt werden können. Es werden keine zusätzlichen Kontakte zur Ansteuerung
benötigt . Die Kathoden, die Anoden und das organisch funktionelle
Schichtensystem können beliebige Formen aufweisen.
Beispielsweise eine rechteckige Form (dargestellt in Fig. 5) . Alternativ oder zusätzlich können die Kathoden, die Anoden und das organisch funktionelle Schichtensystem eine Kreisform oder eine Form, die ähnlich der eines Kreises ist. Alternativ oder zusätzlich können die Anode 511, die Kathode 512 und die organisch funktionelle Schichtenstruktur 513 auch
trapezförmig oder pyramidenförmig ausgebildet sein.
Alternativ oder zusätzlich können die Anode 511, die Kathode 512 und die organisch funktionelle Schichtenstruktur 513 die Form eines Kreissegments oder die Form eines Kreisrings aufweisen.
Wie oben beschrieben ist die Stapelfolge beliebig oft
wiederhohlbar, wobei die einfachste Stapelfolge die folgende Schichtenfolge darstellt: Anode 511 / Organik 513 / Kathode 512 / Organik 513 / Anode 511.
Alternativ oder zusätzlich können die Anode (n) 511, die
Kathode (n) 512 und das/die organisch funktionelle
Schichtensystem (e) 513 wenigstens transluzent ausgebildet sein.
Alternativ oder zusätzlich kann der Träger 102 an einem Ende des Schichtenstapels angeordnet sein.
Alternativ oder zusätzlich kann eine Elektrode, die am Ende des Schichtenstapels angeordnet ist, gemäß einem
Ausführungsbeispiels des Trägers 102 ausgebildet sein.
Alternativ oder zusätzlich können die Anoden der
optoelektronischen Bauelementevorrichtung 500 gleich oder unterschiedlich voneinander ausgebildet sein. Alternativ oder zusätzlich können die Kathoden der optoelektronischen
Bauelementevorrichtung 500 gleich oder unterschiedlich voneinander ausgebildet sein. Alternativ oder zusätzlich können die organisch funktionellen Schichtenstrukturen der optoelektronischen Bauelementevorrichtung 500 gleich oder unterschiedlich voneinander ausgebildet sein.
Alternativ oder zusätzlich kann/können eine oder mehrere organische Leuchtdioden in dem oben beschriebenen
Schichtenstapel als beispielsweise zweifach-, beispielsweise dreifach-, beispielsweise vierfach, beispielsweise zehnfachgestapelte organische Leuchtdiode ausgebildet sein. Fig. 6 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum
Herstellen einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung, beispielsweise der im Vorhergehenden erläuterten
optoelektronischen Bauelementevorrichtung . Das Verfahren 600 zum Herstellen einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung weist ein Ausbilden 601 einer ersten organischen Leuchtdiode 210 und einer zweiten organische Leuchtdiode 220 auf derart, dass die erste organische
Leuchtdiode 210 und die zweite organische Leuchtdiode 220 übereinander in körperlichem Kontakt miteinander verbunden sind. Das Verfahren weist ferner ein parallel Schalten der erste organischen Leuchtdiode 210 mit der zweiten organischen Leuchtdiode 220 auf. Die erste organische Leuchtdiode 210 und die zweite organische Leuchtdiode 220 werden derart
ausgebildet, dass sie wenigstens eine näherungsweise gleiche oder gleiche elektronische Dioden-Charakteristik und/oder eine näherungsweise gleiche oder gleiche elektronische
Diodenkenngröße aufweisen. Das Verfahren 600 zum Herstellen einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung weist ein Ausbilden 601 einer ersten organischen Leuchtdiode 210 und einer zweiten organische Leuchtdiode 220 auf derart, dass die erste organische Leuchtdiode 210 und die zweite organische Leuchtdiode 220 übereinander in körperlichem Kontakt miteinander verbunden sind. Das Verfahren weist ferner ein parallel Schalten der erste organischen Leuchtdiode 210 mit der zweiten organischen Leuchtdiode 220 auf. Die erste organische Leuchtdiode 210 wird derart ausgebildet, dass sie ein erstes Licht mit einem ersten Farbton bereitstellt und die zweite organische
Leuchtdiode 220 wird derart ausgebildet, dass sie ein zweites Licht mit einem zweiten Farbton bereitstellt. Die erste organische Leuchtdiode 210 und die zweite organische
Leuchtdiode 220 werden derart ausgebildet, dass der erste Farbton und der zweite Farbton näherungsweise gleich oder gleich sind. Dies ermöglicht es eine optoelektronische
Bauelementevorrichtung mit einer erhöhten Lebensdauer
herzustellen.
Gemäß einer Weiterbildung weist das Verfahren 600 ferner ein Ausbilden von einer oder mehreren weiteren organischen
Leuchtdioden auf, die mit der ersten organischen Leuchtdiode 210 in Serie geschaltet wird/werden.
Gemäß einer Weiterbildung weist das Verfahren 600 ferner ein Ausbilden von einer oder mehreren weiteren organischen
Leuchtdioden auf, die mit der zweiten organischen Leuchtdiode 220 in Serie geschaltet wird/werden.
Das Ausbilden 601 der ersten organischen Leuchtdiode 210 und der zweiten organischen Leuchtdiode 220 weist ein Ausbilden der ersten organischen Leuchtdiode 210 und ein Ausbilden der zweiten organischen Leuchtdiode 220 auf. Die erste organische Leuchtdiode 210 wird gemäß einem oben beschriebenen
Ausführungsbeispiel der ersten organischen Leuchtdiode 210 ausgebildet. Die zweite organische Leuchtdiode 220 wird gemäß einem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel der zweiten organischen Leuchtdiode 220 ausgebildet.
Gemäß einer Weiterbildung weist das Ausbilden der ersten organischen Leuchtdiode 210 ein Ausbilden einer ersten Elektrode 211, ein Ausbilden einer organisch funktionellen Schichtenstruktur 213 und ein Ausbilden einer zweiten
Elektrode 212 auf, wobei die organisch funktionelle
Schichtenstruktur 212 auf oder über der ersten Elektrode 211 angeordnet wird und wobei die zweite Elektrode 212 auf oder über der organisch funktionellen Schichtenstruktur 213 angeordnet wird- Die erste Elektrode 211 wird gemäß einem oben beschrieben Ausführungsbeispiel der ersten Elektrode 211 der ersten organischen Leuchtdiode 210 ausgebildet. Die zweite Elektrode 212 wird gemäß einem oben beschrieben
Ausführungsbeispiel der zweiten Elektrode 212 der ersten organischen Leuchtdiode 210 ausgebildet. Die organisch funktionelle Schichtenstruktur 213 wird gemäß einem oben beschrieben Ausführungsbeispiel der organisch funktionellen Schichtenstruktur 213 der ersten organischen Leuchtdiode 210 ausgebildet .
Gemäß einer Weiterbildung weist das Ausbilden der zweiten organischen Leuchtdiode 220 ein Ausbilden einer ersten
Elektrode 221, ein Ausbilden einer organisch funktionellen Schichtenstruktur 223 und ein Ausbilden einer zweiten
Elektrode 222 auf, wobei die organisch funktionelle
Schichtenstruktur 223 auf oder über der ersten Elektrode 221 angeordnet wird und wobei die zweite Elektrode 222 auf oder über der organisch funktionellen Schichtenstruktur 223 angeordnet wird. Die erste Elektrode 221 wird gemäß einem oben beschrieben Ausführungsbeispiel der ersten Elektrode 221 der zweiten organischen Leuchtdiode 220 ausgebildet. Die zweite Elektrode 222 wird gemäß einem oben beschrieben
Ausführungsbeispiel der zweiten Elektrode 222 der zweiten organischen Leuchtdiode 220 ausgebildet. Die organisch funktionelle Schichtenstruktur 223 wird gemäß einem oben beschrieben Ausführungsbeispiel der organisch funktionellen Schichtenstruktur 223 der zweiten organischen Leuchtdiode 220 ausgebildet.
Gemäß einer Weiterbildung werden die zweite Elektrode 212 der ersten organischen Leuchtdiode 210 und die erste Elektrode 221 der zweiten organischen Leuchtdiode 220 elektrisch miteinander verbunden derart, dass sie eine gemeinsame Elektrode bilden. Gemäß einer Weiterbildung wird die gemeinsame Elektrode aus einem wenigstens transluzenten Material gebildet oder derart gebildet, dass die gemeinsame Elektrode ein transluzentes Material aufweist. Gemäß einer Weiterbildung werden die erste Elektrode 211 der ersten organischen Leuchtdiode 210 und die zweite Elektrode 222 der zweiten organischen Leuchtdiode 220 kongruent übereinander angeordnet und die zweite Elektrode 212 der ersten organischen Leuchtdiode 210 und die erste Elektrode 221 der zweiten organischen Leuchtdiode 220 werden kongruent übereinander angeordnet .
Alternativ oder zusätzlich kann durch das back-to-back- Prozessieren zweier HalbOLEDs die sich eine Elektrode teilen, ein OLEDsystem erzeugt werden, bei dem die zum
Betrieb benötigte Spannung auf die Betriebsspannung einer Einzeldiode reduziert wird. Das heißt, eine OLED alleine hat die gleiche Betriebsspannung wie zwei AKA verknüpfte OLEDs. Prinzipiell sind auch weitere Reduktionen möglich: Prinzipiell wird dabei zunächst eine semitransparente
Anode aufgebracht. Diese kann aus TCOs (transparent
conductive oxides) oder aus dünnen Metallschichten
aufgebaut sein. Dann wird eine mehrfach gestapelte OLED prozessiert. Es wird nun anstelle einer intransparenten Kathode eine semitransparente Kathode gedampft. Dann wird die untere OLED invertiert erneut aufgedampft. Nun gibt es zwei Möglichkeiten: Erstens kann die OLED durch eine intransparente Anode abgeschlossen werden oder zweitens kann eine weitere semitransparente Zwischenelektrode
gedampft, eine OLED wird dabei in der ursprünglichen
Konfiguration gedampft und dann kann abermals entschieden werden, ob der Prozess fortgesetzt oder unterbrochen
werden soll. Alle Anoden werden dabei nicht lateral getrennt, gleiches gilt für alle Kathoden. Man sieht dem Bauteil von außen somit nicht an, dass es eine
K I A I K I A - OLED ist.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das Verfahren 600 zum Herstellen der optoelektronischen Bauelementevorrichtung Merkmale des optoelektronischen Bauelements aufweisen und die optoelektronische Bauelementevorrichtung kann Merkmale des Verfahrens zum Herstellen der optoelektronischen
Bauelementevorrichtung aufweisen derart und insoweit, als dass die Merkmale jeweils sinnvoll anwendbar sind.
Die Erfindung ist nicht auf die angegebenen
Ausführungsbeispiele beschränkt. Beispielsweise können die in den Figuren 1, 2, 3, 4, 5 und 6 gezeigten
Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert sein.

Claims

Patentansprüche 1. Optoelektronische Bauelementevorrichtung, aufweisend:
• eine erste organische Leuchtdiode (210) und eine
zweite organische Leuchtdiode (220) , die übereinander in körperlichem Kontakt miteinander verbunden sind;
• wobei die erste organische Leuchtdiode (210) mit der zweiten organischen Leuchtdiode (220) elektrisch parallel geschaltet ist; und
• wobei die erste organische Leuchtdiode (210) und die zweite organische Leuchtdiode (220) wenigstens eine näherungsweise gleiche oder gleiche elektronische Dioden-Charakteristik und/oder eine näherungsweise gleiche oder gleiche elektronische Diodenkenngröße aufweisen.
2. Optoelektronische Bauelementevorrichtung, aufweisend:
• eine erste organische Leuchtdiode (210) und eine
zweite organische Leuchtdiode (220) , die übereinander in körperlichem Kontakt miteinander verbunden sind;
• wobei die erste organische Leuchtdiode (210) mit der zweiten organischen Leuchtdiode (220) elektrisch parallel geschaltet ist; und
• wobei die erste organische Leuchtdiode (210) ein
erstes Licht mit einem ersten Farbton bereitstellt und die zweite organische Leuchtdiode (220) ein zweites Licht mit einem zweiten Farbton bereitstellt; und
• wobei der erste Farbton und der zweite Farbton
näherungsweise gleich oder gleich sind.
3. Optoelektronische Bauelementevorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 oder 2, ferner aufweisend,
eine oder mehrere weitere organische Leuchtdioden, die mit der ersten organischen Leuchtdiode (210) in Serie geschaltet ist/sind.
4. Optoelektronische Bauelementevorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, ferner aufweisend,
eine oder mehrere weitere organische Leuchtdioden, die mit der zweiten organischen Leuchtdiode (220) in Serie geschaltet ist/sind.
5. Optoelektronische Bauelementevorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4,
wobei die erste organische Leuchtdiode (210) eine erste Elektrode (211) , eine organische funktionelle
Schichtenstruktur (213) und eine zweite Elektrode (212) aufweist, wobei die organisch funktionelle
Schichtenstruktur (213) auf oder über der ersten
Elektrode (211) angeordnet ist und wobei die zweite Elektrode (212) auf oder über der organisch
funktionellen Schichtenstruktur (213) angeordnet ist.
6. Optoelektronische Bauelementevorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5,
wobei die zweite organische Leuchtdiode (220) eine erste Elektrode (221) , eine organische funktionelle
Schichtenstruktur (223) und eine zweite Elektrode (222) aufweist, wobei die organisch funktionelle
Schichtenstruktur (223) auf oder über der ersten
Elektrode (221) angeordnet ist und wobei die zweite Elektrode (222) auf oder über der organisch
funktionellen Schichtenstruktur (223) angeordnet ist.
7. Optoelektronische Bauelementevorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6,
wobei die zweite Elektrode (212) der ersten organischen Leuchtdiode (210) und die erste Elektrode (221) der zweiten organischen Leuchtdiode (220) elektrisch
miteinander verbunden sind derart, dass sie eine gemeinsame Elektrode bilden.
8. Optoelektronische Bauelementevorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die gemeinsame Elektrode aus einem wenigstens transluzenten Material gebildet ist oder ein solches aufweist .
9. Optoelektronische Bauelementevorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8,
wobei die zweite Elektrode (212) der ersten organischen Leuchtdiode (210) eine Anode der ersten organischen Leuchtdiode (210) ist und wobei die erste Elektrode (221) der zweiten organischen Leuchtdiode (220) eine Anode der zweiten organischen Leuchtdiode (220) ist.
10. Optoelektronische Bauelementevorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9,
wobei die erste Elektrode (211) der ersten organischen Leuchtdiode (210) und die zweite Elektrode (222) der zweiten organischen Leuchtdiode (220) ein gemeinsames elektrisches Potenzial aufweisen.
11. Optoelektronische Bauelementevorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10,
wobei die erste Elektrode (211) der ersten organischen Leuchtdiode (210) und die zweite Elektrode (222) der zweiten organischen Leuchtdiode (220) kongruent
übereinander angeordnet sind und wobei die zweite
Elektrode (212) der ersten organischen Leuchtdiode (210) und die erste Elektrode (221) der zweiten organischen Leuchtdiode (220) kongruent übereinander angeordnet sind.
12. Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen
Bauelementevorrichtung mit einer ersten organischen Leuchtdiode (210) und einer zweiten organischen
Leuchtdiode (220) , das Verfahren aufweisend:
• Ausbilden einer ersten organischen Leuchtdiode (210) und einer zweiten organische Leuchtdiode (220) derart, dass die erste organische Leuchtdiode (210) und die zweite organische Leuchtdiode (220) übereinander in körperlichem Kontakt miteinander verbunden sind;
● wobei die erste organischen Leuchtdiode (210) mit der zweiten organischen Leuchtdiode (220) elektrisch parallel geschaltet wird; und
● wobei die erste organische Leuchtdiode (210) und die zweite organische Leuchtdiode (220) derart
ausgebildet werden, dass sie wenigstens eine näherungsweise gleiche oder gleiche elektronische Dioden-Charakteristik und/oder eine näherungsweise gleiche oder gleiche elektronische Diodenkenngröße aufweisen.
13. Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen
Bauelementevorrichtung mit einer ersten organischen Leuchtdiode (210) und einer zweiten organischen
Leuchtdiode (220) , das Verfahren aufweisend:
• Ausbilden einer ersten organischen Leuchtdiode (210) und einer zweiten organische Leuchtdiode (220) derart, dass die erste organische Leuchtdiode (210) und die zweite organische Leuchtdiode (220)
übereinander in körperlichem Kontakt miteinander verbunden sind;
• wobei die erste organischen Leuchtdiode (210) mit der zweiten organischen Leuchtdiode (220) elektrisch parallel geschaltet wird;
• wobei die erste organische Leuchtdiode (210) derart ausgebildet wird, dass sie ein erstes Licht mit einem ersten Farbton bereitstellt und wobei die zweite organische Leuchtdiode (220) derart ausgebildet wird, dass sie ein zweites Licht mit einem zweiten Farbton bereitstellt; und
• wobei die erste organische Leuchtdiode (210) und die zweite organische Leuchtdiode (220) derart
ausgebildet werden, dass der erste Farbton und der zweite Farbton näherungsweise gleich oder gleich sind.
14. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 12 oder 13, ferner aufweisend,
Ausbilden von einer oder mehreren weiteren organischen Leuchtdioden, die mit der ersten organischen Leuchtdiode (210) in Serie geschaltet wird/werden.
15. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 12 bis 14, ferner aufweisend,
Ausbilden von einer oder mehreren weiteren organischen Leuchtdioden, die mit der zweiten organischen
Leuchtdiode {220) in Serie geschaltet wird/werden.
16. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 12 bis 15, ferner aufweisend,
wobei das Ausbilden der ersten organischen Leuchtdiode (210) ein Ausbilden einer ersten Elektrode (211) , ein Ausbilden einer organisch funktionellen
Schichtenstruktur (213) und ein Ausbilden einer zweiten Elektrode (212) aufweist, wobei die organisch
funktionelle Schichtenstruktur (213) auf oder über der ersten Elektrode (211) angeordnet wird und wobei die zweite Elektrode (212) auf oder über der organisch funktionellen Schichtenstruktur (213) angeordnet wird.
17. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 12 bis 16, ferner aufweisend,
wobei das Ausbilden der zweiten organischen Leuchtdiode (220) das Ausbilden einer ersten Elektrode (221) , ein Ausbilden einer organisch funktionellen
Schichtenstruktur (223) und ein Ausbilden einer zweiten Elektrode (222) aufweist, wobei die organisch
funktionelle Schichtenstruktur (223) auf oder über der ersten Elektrode (221) angeordnet wird und wobei die zweite Elektrode (222) auf oder über der organisch funktionellen Schichtenstruktur (223) angeordnet wird.
18. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 12 bis 17, ferner aufweisend, wobei die zweite Elektrode (212) der ersten organischen Leuchtdiode (210) und die erste Elektrode (221) der zweiten organischen Leuchtdiode (220) elektrisch
miteinander verbunden werden derart, dass sie eine gemeinsame Elektrode bilden.
19. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 12 bis 18, ferner aufweisend,
wobei die gemeinsame Elektrode aus einem wenigstens transluzenten Material gebildet wird oder derart
gebildet wird, dass die gemeinsame Elektrode ein
transluzentes Material aufweist.
20. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 12 bis 18, ferner aufweisend,
wobei die erste Elektrode (212) der ersten organischen Leuchtdiode (210) und die zweite Elektrode (222) der zweiten organischen Leuchtdiode (220) kongruent
übereinander angeordnet werden und wobei die zweite Elektrode (212) der ersten organischen Leuchtdiode (210) und die erste Elektrode (221) der zweiten organischen Leuchtdiode (220) kongruent übereinander angeordnet werden .
PCT/EP2015/067743 2014-08-08 2015-07-31 Optoelektronische bauelementevorrichtung und verfahren zum herstellen einer optoelektronischen bauelementevorrichtung WO2016020303A1 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/502,519 US20170229437A1 (en) 2014-08-08 2015-07-31 Optoelectronic component device and method for producing an optoelectronic component device
CN201580042664.7A CN106575665A (zh) 2014-08-08 2015-07-31 光电子器件设备和用于制造光电子器件设备的方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014111346.2 2014-08-08
DE102014111346.2A DE102014111346B4 (de) 2014-08-08 2014-08-08 Optoelektronische Bauelementevorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2016020303A1 true WO2016020303A1 (de) 2016-02-11

Family

ID=53879477

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2015/067743 WO2016020303A1 (de) 2014-08-08 2015-07-31 Optoelektronische bauelementevorrichtung und verfahren zum herstellen einer optoelektronischen bauelementevorrichtung

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20170229437A1 (de)
CN (1) CN106575665A (de)
DE (1) DE102014111346B4 (de)
WO (1) WO2016020303A1 (de)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102642304B1 (ko) * 2016-11-28 2024-02-28 삼성전자주식회사 광전자 소자 및 전자 장치
CN106898707A (zh) * 2017-04-28 2017-06-27 深圳市华星光电技术有限公司 一种顶发射oled器件及制备方法、显示面板

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1351558A1 (de) * 2002-03-26 2003-10-08 Junji Kido Organische elektrolumineszente Vorrichtungen
US20050184659A1 (en) * 2003-01-29 2005-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electroluminescence device
US20110095702A1 (en) * 2009-10-27 2011-04-28 Electronics And Telecommunications Research Institute Stacked organic light-emitting device
US20120126723A1 (en) * 2010-11-19 2012-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting Device
US20130240847A1 (en) * 2010-05-21 2013-09-19 Solarno, Inc. Monolithic parallel multijunction oled with independent tunable color emission

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7049757B2 (en) 2002-08-05 2006-05-23 General Electric Company Series connected OLED structure and fabrication method
EP1784055A3 (de) * 2005-10-17 2009-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Beleuchtungssystem
DE102009022900A1 (de) * 2009-04-30 2010-11-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US20110248244A1 (en) * 2009-10-05 2011-10-13 Emagin Corporation Independently controlled stacked inverted organic light emitting diodes and a method of manufacturing same
JP4844685B1 (ja) * 2010-06-23 2011-12-28 大日本印刷株式会社 有機薄膜太陽電池モジュール

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1351558A1 (de) * 2002-03-26 2003-10-08 Junji Kido Organische elektrolumineszente Vorrichtungen
US20050184659A1 (en) * 2003-01-29 2005-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electroluminescence device
US20110095702A1 (en) * 2009-10-27 2011-04-28 Electronics And Telecommunications Research Institute Stacked organic light-emitting device
US20130240847A1 (en) * 2010-05-21 2013-09-19 Solarno, Inc. Monolithic parallel multijunction oled with independent tunable color emission
US20120126723A1 (en) * 2010-11-19 2012-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting Device

Also Published As

Publication number Publication date
US20170229437A1 (en) 2017-08-10
DE102014111346A1 (de) 2016-02-11
DE102014111346B4 (de) 2022-11-03
CN106575665A (zh) 2017-04-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102012214021B4 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
WO2013139660A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements
WO2013131826A1 (de) Optoelektronisches bauelement
WO2015107103A1 (de) Organisches lichtemittierendes bauelement und verfahren zum herstellen eines organischen lichtemittierenden bauelements
DE102014102565B4 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
WO2013135765A1 (de) Elektronisches bauelement mit feuchtigkeit-barriereschicht
DE102011084437A1 (de) Lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Bauelements
WO2013007443A1 (de) Lichtemittierende bauelemente und verfahren zum herstellen eines lichtemittierenden bauelements
DE102014103747B4 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
WO2016020298A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zu dessen herstellung
WO2015032810A1 (de) Optoelektronisches bauelement, optoelektronische bauelementevorrichtung und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelementes
WO2015039835A1 (de) Optoelektronische bauelementevorrichtung und verfahren zum betreiben eines optoelektronischen bauelementes
WO2013171031A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements
WO2013007446A1 (de) Lichtemittierendes bauelement und verfahren zum herstellen eines lichtemittierenden bauelements
WO2016008743A1 (de) Optoelektronische baugruppe und verfahren zum herstellen einer optoelektronischen baugruppe
DE102014111346B4 (de) Optoelektronische Bauelementevorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung
WO2013007444A1 (de) Lichtemittierendes bauelement und verfahren zum herstellen eines lichtemittierenden bauelements
WO2016008994A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements
WO2015110428A1 (de) Optoelektronische bauelemente und verfahren zum herstellen optoelektronischer bauelemente
WO2016012364A1 (de) Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements
DE102014111484A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines organisch optoelektronischen Bauelements
DE102014102255B4 (de) Organisches lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines organischen lichtemittierenden Bauelements
DE102014102281B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines organischen optoelektronischen Bauelements und organisches optoelektronisches Bauelement
WO2015124729A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelementes
WO2015059200A1 (de) Organische lichtemittierende diode und verfahren zum herstellen einer organischen lichtemittierenden diode

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 15750966

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 15750966

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1