CN106537627B - 光电子器件和用于制造光电子器件的方法 - Google Patents

光电子器件和用于制造光电子器件的方法 Download PDF

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Abstract

光电子器件和用于制造光电子器件的方法。在不同的实施例中提供了一种光电子器件（1）。所述光电子器件（1）具有：第一电极（20），所述第一电极（20）具有至少一个外部电极区段（51）和至少一个内部电极区段（53），所述外部电极区段（51）被构造在所述第一电极（20）的侧边缘（55）上，所述内部电极区段（53）与所述第一电极（20）的侧边缘（55）间隔开地来构造；被构造在所述第一电极（20）上方的导电的电流分配结构（60），所述电流分配结构（60）具有至少一个外部子结构（64）和至少一个内部子结构（66），所述外部子结构（64）至少在所述外部电极区段（51）上延伸，所述内部子结构（66）至少在所述内部电极区段（53）上延伸并且所述内部子结构（66）相对于所述外部子结构（64）电绝缘；至少一根馈电线（62），所述馈电线（62）从所述第一电极（20）的侧边缘（55）朝向所述内部子结构（66）延伸，所述馈电线（62）与所述内部子结构（66）电耦合，所述馈电线（62）与所述外部子结构（64）电绝缘并且所述馈电线（62）的结构与所述电流分配结构（60）相符；绝缘结构，所述绝缘结构覆盖所述电流分配结构（60）和所述馈电线（62）；有机功能层结构（22），所述有机功能层结构（22）在所述第一电极（20）、所述电流分配结构（60）、所述馈电线（62）和所述绝缘结构（84）上方；和在所述有机功能层结构（22）上方的第二电极（23）。

Description

光电子器件和用于制造光电子器件的方法
技术领域
本发明涉及一种光电子器件和一种用于制造光电子器件的方法。
背景技术
光电子器件发射或者吸收光。该光电子器件例如是发光二极管（例如有机发光二极管（OLED））、光电探测器或者太阳能电池。OLED具有阳极和阴极，所述阳极和阴极在它们之间具有有机功能层系统。所述有机功能层系统可具有：一个或多个发射体层，在所述一个或多个发射体层中产生电磁辐射；一个载流子对产生层结构，所述载流子对产生层结构分别由两个或多个载流子对产生层（“电荷产生层（charge generating layer）”，CGL）构成，用于产生载流子对；以及一个或多个电子阻挡层，也被称作空穴传输层（“hole transportlayer”，HTL）；和一个或多个空穴阻挡层，也被称作电子传输层（“electron transportlayer”，ETL），以便调整（richten）通过电流。
目前，在OLED研发中可看出分段的发光面的趋势。OLED可以被分段并且因而可以具有多个OLED元件。所述OLED元件例如可以电并联和/或可以共享至少一个共同的电极。例如，两个OLED元件具有相同的阴极，然而具有彼此分开的有机功能层结构和相对应地彼此分开的阳极。在这种情况下，所述OLED元件可以作为同一发光面被操控并且被使用。然而，所述OLED元件也可以在功能上是彼此无关的和/或彼此无关地被操控。在此，困难在于：操控在内部的OLED元件，而对这些在内部的OLED元件的馈电线（Stromzuleitung）不干扰发光图像和/或在外部的发光面的外观。到目前为止，在内部的发光区域已经在至少一个部位上被引导至边缘，所述在内部的发光区域应该借助于在内部的OLED元件来呈现并且与在外部的发光区域无关地来发光。只有当在相对应的发光面之外不再有其它的发光面时，独立的（freistehend）在内部的发光面才是可能的。
在连在一起的（zusammenhaengend）发光面的领域中公知的是：在所述电极之一中构造有导电的电流分配结构（Stromverteilungsstruktur），所述电流分配结构如电网那样在相对应的发光面上延伸并且有助于均匀地分配电流。所述电流分配结构例如可具有多个笔直的（geradlinig）导线部分（Stromleitungsabschnitt），所述多个笔直的导线部分一体化地连在一起并且彼此包围出预先给定的角度。例如，公知一种电流分配结构，所述电流分配结构具有一种由六边形、例如正六边形组成的结构，其中所述六边形的侧面是所述导线部分，而所包围出的角度例如可以分别是120°。所述电流分配结构也可以被称作母线结构（Busbar-Struktur），而所述导线部分也可以被称作母线。
发明内容
本发明的任务是：提供一种光电子器件，所述光电子器件具有一个或多个内部功能表面、例如发射面或吸收面，所述内部功能表面不接触所述光电子器件的侧边缘、与所述侧边缘间隔开和/或被外部功能表面包围，所述外部功能表面满足所希望的功能性、例如在所述光电子器件运行时发光（例如均匀地发光），和/或在所述内部功能表面中，简单地供给（Zufuehren）或者排出（Abfuehren）电流是可能的。
本发明的另一任务是提供一种用于制造光电子器件的方法，所述方法能简单地和/或成本有利地来执行和/或所述方法能够实现提供所述光电子器件，使得所述光电子器件具有一个或多个内部功能表面、例如发射面或者吸收面，所述内部功能表面不接触所述光电子器件的侧边缘、与所述侧边缘间隔开和/或被外部功能表面包围，所述外部功能表面满足所希望的功能性、例如在所述光电子器件运行时发光（例如均匀地发光），和/或在所述内部功能表面中，简单地供给或者排出电流是可能的。
按照本发明的一个方面，该任务通过具有第一电极的光电子器件来解决，所述第一电极具有：至少一个外部电极区段（Elektrodensegment），所述外部电极区段被构造在所述第一电极的侧边缘上；和至少一个内部电极区段，所述内部电极区段与所述第一电极的侧边缘间隔开地来构造。在第一电极上方构造有导电的电流分配结构，所述电流分配结构具有：至少一个外部子结构，所述外部子结构至少在所述外部电极区段上延伸；和至少一个内部子结构，所述内部子结构至少在所述内部电极区段上延伸而且所述内部子结构相对于所述外部子结构电绝缘。至少一根馈电线从所述第一电极的侧边缘延伸至所述内部子结构、与所述内部子结构电耦合并且与所述外部子结构电绝缘，其中所述馈电线的结构与所述电流分配结构相符（korrespondieren）。绝缘结构覆盖所述电流分配结构和所述馈电线。有机功能层结构被构造在所述第一电极、所述电流分配结构、所述馈电线和所述绝缘结构上方。第二电极被构造在所述有机功能层结构上方。
其结构与电流分配结构相符的馈电线能够实现：从外部给所述内部子结构供给电流或者将电流从所述内部子结构向外排出。所述馈电线的结构与所述电流分配结构相符可以有助于：将所述馈电线和所述电流分配结构引导到所述内部子结构并且隐藏在所述绝缘结构下面，使得没有其它的结构能从外部被看作用于使所述电流分配结构电绝缘的绝缘结构。所述内部子结构是所述光电子器件的内部功能表面（例如一个或多个OLED元件）的一个元件，而且能够实现：相对应的内部功能表面满足所述内部功能表面所希望的功能性、例如在所述光电子器件运行时发光（例如均匀地发光）；和/或简单地将电流供给到所述内部功能表面或者将电流从所述内部功能表面排出是可能的。尤其是，借助于其结构与所述电流分配结构相符的馈电线可以限定不同的、均匀环流的、独立的发光面，而这从外部是不可见的。
所述电流分配结构被用于在两个或者多个功能表面上分配电流，而所述馈电线被用于将电流供给到内部功能表面或者将电流从内部功能表面排出。在此，首先可以将属于电流分配结构的电流分配部分用作用于引导电流的馈电线。换句话说，母线不仅被用于电流分配而且被用于有针对性地将电流传导到在器件内部的深处实施的发光面。替换于此地，除了所述电流分配部分之外还可以构造馈电线，其中所述馈电线由于其结构而不能被所述光电子器件的使用者从外部与所述导线部分区别。
按照一扩展方案，所述馈电线的结构在几何结构上类似于所述电流分配结构。也就是说，所述馈电线的结构可以借助于旋转、镜像、平移、扩张（Streckung）和/或压缩（Stauchung）被投影到所述电流分配结构上。例如出现在电流分配结构中的角度对应于出现在馈电线中的角度，和/或所述电流分配结构的导线部分的长度对应于所述馈电线的馈电部分的长度。在几何结构上的相似性可以有助于：所述馈电线不能从外部与所述电流分配结构区别，和/或所述馈电线可以简单地和/或成本有利地来构造，和/或所述馈电线可以与所述电流分配结构共同被构造在所述绝缘结构下面。
按照一扩展方案，所述外部子结构一体化地来构造而且具有多个笔直的电流分配部分，其中所述馈电线与所述电流分配部分相邻地走向。尤其是，所述馈电部分与所述电流分配部分相邻地走向。以简单的方式，这可以有助于：所述馈电线的结构与所述电流分配结构相符，和/或所述馈电线不能从外部与所述电流分配结构区别，和/或所述馈电线可以与所述电流分配结构共同被构造在所述绝缘结构下面。
按照一扩展方案，所述馈电线在侧面在所述电流分配部分旁边或者在所述电流分配部分上方地走向。尤其是，所述馈电部分在侧面在所述电流分配部分旁边或者在所述电流分配部分上方地走向。以简单的方式，这可以有助于：所述馈电线的结构与所述电流分配结构相符，和/或所述馈电线不能从外部与所述电流分配结构区别，和/或所述馈电线可以与所述电流分配结构共同被构造在所述绝缘结构下面。
按照一扩展方案，所述馈电线平行于所述电流分配部分地走向。尤其是，所述馈电部分平行于所述电流分配部分地走向。以简单的方式，这可以有助于：所述馈电线的结构与所述电流分配结构相符，和/或所述馈电线不能从外部与所述电流分配结构区别，和/或所述馈电线可以与所述电流分配结构共同被构造在所述绝缘结构下面。
按照一扩展方案，所述馈电线与所述内部子结构一体化地来构造。例如，所述馈电线最初可以被构造为所述电流分配结构的部分并且接着与所述外部子结构电绝缘。这可有助于：所述馈电线可以简单地来构造。
按照一扩展方案，所述外部电极区段被构造在所述第一电极的侧边缘与所述内部电极区段之间。这能够实现：使具有所述内部电极区段的内部功能表面与具有所述外部电极区段的外部功能表面无关地运行。
按照一扩展方案，所述内部电极区段沿侧面方向被外部电极区段、另一外部电极区段和/或多个外部电极区段包围。这能够实现：使具有所述内部电极区段的独立的、即在所有方向上都与边缘间隔开的内部功能表面与具有所述外部电极区段的外部功能表面无关地运行。
按照一扩展方案，所述电流分配结构的电流分配部分和所述馈电线的与所述电流分配部分最接近的馈电部分都被所述绝缘结构的一体化的绝缘结构部分覆盖。尤其是，在与所述电流分配部分和所述馈电部分的延伸方向垂直的截面（Schnitt）中，一体化地构造有所述绝缘结构部分的相对应的截面。换句话说，被构造用于使所述电流分配结构绝缘的绝缘结构也被用于使所述馈电线绝缘并且覆盖所述馈电线，其中所述馈电部分如此近地在所述电流分配部分旁边走向，使得这些馈电部分和那些电流分配部分都被相同的绝缘结构部分绝缘和覆盖。以简单的方式，这可有助于：所述馈电线的结构与所述电流分配结构相符和/或所述馈电线不能从外部与所述电流分配结构区别。
按照一扩展方案，所述电流分配结构的导线部分被所述绝缘结构的第一绝缘结构部分覆盖，而所述馈电线的与所述导线部分最接近的馈电部分被所述绝缘结构的第二绝缘结构部分覆盖，其中所述第一和第二绝缘结构部分在实体上（koerperlich）彼此分开。尤其是，在与所述电流分配部分和所述馈电部分的延伸方向垂直的截面中，两部分地（zweistueckig）构造有所述绝缘结构部分的相对应的截面。换句话说，馈电部分和相邻的电流分配部分被两个不同的绝缘结构部分绝缘和覆盖，其中然而所述两个不同的绝缘结构部分可以如此近地靠近彼此，使得使用者从外部将它们看作唯一的绝缘结构部分。以简单的方式，这可以有助于：所述馈电线的结构与所述电流分配结构相符和/或所述馈电线不能从外部与所述电流分配结构区别。
按照另一方面，该任务通过一种用于制造光电子器件的方法来解决。在所述方法中提供第一电极，所述第一电极具有：具有至少一个外部电极区段，所述外部电极区段被构造在所述第一电极的侧边缘上；和至少一个内部电极区段，所述内部电极区段与所述第一电极的边缘间隔开地来构造。在所述第一电极上方构造有导电的电流分配结构，所述电流分配结构具有：至少一个外部子结构，所述外部子结构至少在所述外部电极区段上延伸；和至少一个内部子结构，所述内部子结构至少在所述内部电极区段上延伸而且所述内部子结构相对于所述外部子结构电绝缘。构造至少一根馈电线，所述馈电线从所述外部电极的边缘延伸至所述内部子结构，所述馈电线与所述内部子结构电耦合，所述馈电线与所述外部子结构电绝缘而且所述馈电线的结构与所述电流分配结构相符。绝缘结构被构造在所述电流分配结构和所述馈电线上方。有机功能层结构被构造在所述第一电极、所述电流分配结构、所述馈电线和所述绝缘结构上方。第二电极被构造在所述有机功能层结构上方。
按照一扩展方案，所述第一电极首先一体化地来构造并且接着被切开（durchrennen），使得所述电极区段被构造。以简单的方式，这可以有助于简单地和/或成本有利地来构造具有所述电极区段的光电子器件。
按照一扩展方案，构造所述电流分配结构，其方式是所述电流分配结构首先一体化地来构造并且接着被切开，使得所述子结构被构造。以简单的方式，这可以有助于简单地和/或成本有利地来构造具有所述子结构的光电子器件。
按照一扩展方案，馈电线由电流分配结构形成。例如，首先构造所述电流分配结构，使得所述电流分配结构在光电子器件的整个活性区域上延伸。随后，所述电流分配结构的电流分配部分与其余的电流分配结构电绝缘、例如所述电流分配结构的连接被切开，使得形成所述子结构和所述馈电线，其中所述馈电线和所述内部子结构彼此保持连接并且相对于所述外部子结构电绝缘。以简单的方式，这可以有助于简单地和/或成本有利地来构造具有所述馈电线和/或所述子结构的光电子器件。尤其是，可以以简单的方式和/或成本有利地来构造所述馈电线。
按照一扩展方案，除了所述电流分配结构之外还构造有馈电线。以简单的方式，这可以有助于：如下其它的内部功能表面可以被构造和/或无关地运行，所述其它的内部功能表面被另外的内部功能表面包围。
附图说明
本发明的实施例在附图中被示出并且在下文进一步被解释。
图1示出了光电子器件的实施例的截面图，
图2示出了对光电子器件的实施例的光活性区域的俯视图，
图3示出了对光电子器件的实施例的光活性区域的俯视图，
图4示出了对光电子器件在用于制造光电子器件的方法期间的第一状态下的实施例的光活性区域的俯视图，
图5示出了对按照图4的光电子器件在用于制造光电子器件的方法期间的第二状态下的光活性区域的俯视图，
图6示出了对光电子器件在用于制造光电子器件的方法期间的第三状态下的光活性区域的俯视图，
图7示出了对光电子器件在用于制造光电子器件的方法期间的可替换的第三状态下的光活性区域的俯视图，
图8示出了电流分配结构的实施例的详细的截面图；
图9示出了对按照图8的电流分配结构的俯视图；
图10示出了电流分配结构的实施例的详细的截面图；
图11示出了电流分配结构的实施例的详细的截面图；
图12示出了对按照图11的电流分配结构的俯视图；
图13示出了光电子器件的实施例的详细的截面图。
在随后详细的描述中参考随附的附图，所述随附的附图构成所述描述的部分，而且在所述附图中示出了特定的实施例用来阐明，在所述特定的实施例中可以执行本发明。在这方面，关于所描述的附图的定向（Orientierung）使用方向术语，比如“在上面”、“在下面”、“在前面”、“在后面”、“前面的”、“后面的”等等。因为实施例的部件可以以多个不同的定向来定位，所以所述方向术语用于阐明并且不以任何方式是限制性的。易于理解的是：可以使用其它的实施例并且进行结构上的或者逻辑上的改变，而不偏离本发明的保护范围。易于理解的是：只要不另作特定说明，在这里所描述的不同的实施例的特征就可以相互组合。因此，随后的详细的描述不能在限制性的意义上被理解，而本发明的保护范围通过附加的权利要求书来限定。
在所述描述的范围内，将术语“被连接”、“被接线”以及“被耦合”用于不仅描述直接的连接而且描述间接的连接、描述直接的或者间接的接线以及描述直接的或者间接的耦合。在附图中，相同的或者类似的要素配备有相同的附图标记，只要这是适宜的。
具体实施方式
光电子器件可以是发射电磁辐射的器件或者吸收电磁辐射的器件。吸收电磁辐射的器件例如可以是太阳能电池或者光电探测器。在不同的实施例中，发射电磁辐射的器件可以是发射电磁辐射的半导体器件和/或可以被构造为发射电磁辐射的二极管、被构造为发射电磁辐射的有机二极管、被构造为发射电磁辐射的晶体管或者被构造为发射电磁辐射的有机晶体管。所述辐射例如可以是在可见光范围内的光、紫外线（UV-Licht）和/或红外线。在该上下文中，所述发射电磁辐射的器件例如可以被构造为发光二极管（lightemitting diode，LED）、被构造为有机发光二极管（organic light emitting diode，OLED）、被构造为发光晶体管或者被构造为有机发光晶体管。在不同的实施例中，所述发光器件可以是集成电路的部分。此外，还可以设置多个发光器件、例如以被安放在共同的外壳中的方式来设置多个发光器件。
图1示出了光电子器件1、尤其是有机发光二极管（OLED）的实施例。
光电子器件1具有载体12。在载体12上构造有光电子层结构。所述光电子层结构具有第一导电层14，所述第一导电层14具有第一接触部分16、第二接触部分18和第一电极20。具有第一导电层14的载体12可以被称作衬底。第二接触部分18与所述光电子层结构的第一电极20电耦合。第一电极20借助于电绝缘阻挡层21与第一接触部分16电绝缘。在所述第一电极20上方构造有所述光电子层结构的光功能层结构、例如有机功能层结构22。所述有机功能层结构22例如可以具有一个、两个或者更多个相叠地构造的子层，如在下面参考图13进一步解释的那样。在所述有机功能层结构22上方构造有第二导电层、尤其是所述光电子层结构的第二电极23，所述第二电极23与第一接触部分16电耦合。
第一电极20例如用作所述光电子层结构的阳极或阴极。对应于第一电极20，第二电极23用作所述光电子层结构的阴极或阳极。
光电子器件1被分段并且具有一个外部区段和一个内部区段。所述外部区段形成外部功能表面，而所述内部区段形成内部功能表面。所述外部区段由外部发光二极管元件50形成。所述内部区段由内部发光二极管元件52形成。外部发光二极管元件50形成光电子器件1的光活性区域的侧边缘。内部发光二极管元件52与所述侧边缘间隔开。外部发光二极管元件50被构造在所述内部发光二极管元件52与所述侧边缘之间。所述发光二极管元件50、52具有所述有机功能层结构22的彼此分开的区段和所述第一电极20的彼此分开的区段。尤其是，第一电极20具有所述外部发光二极管元件50的外部电极区段51和所述内部发光二极管元件52的内部电极区段53。如果光电子器件1或多或少地具有区段，那么第一电极20相对应地或多或少地具有电极区段51、53。所述发光二极管元件50、52共享未被分段的第二电极23。所述电极区段51、53与第二接触部分18的未被示出的不同的、彼此电绝缘的区域电耦合，使得所述发光二极管元件50、52可以彼此无关地运行。所述发光二极管元件50、52电并联。
在第一电极20上方构造有导电的电流分配结构60。所述电流分配结构60以与第一电极20直接的实体的（koerperlich）接触地来构造。所述电流分配结构60用于在光电子器件的光活性区域上分配电流。所述电流分配结构60也可以被称作母线结构。
在电流分配结构60上方构造有绝缘结构61。所述绝缘结构61覆盖电流分配结构60并且使所述电流分配结构60相对于有机功能层结构22电绝缘。所述绝缘结构61透明地来构造。透明材料，例如光敏的（photoaktiv）聚酰亚胺漆、酚醛树脂、和/或环氧树脂，可以被用于所述绝缘结构61。所述透明材料仅能在有些波长范围内是透明的，而在其它波长范围内是不透明的和/或进行吸收的。在图1中，为了关于整个光电子器件1更好地阐明，所述电流分配结构60和所述绝缘结构61相对大地被绘出。实际上，所述电流分配结构60和/或所述绝缘结构61可以明显更小地来构造。
在第二电极23上方并且部分地在第一接触部分16上方并且部分地在第二接触部分18上方，构造有所述光电子层结构的封装层24，所述封装层24将所述光电子层结构封装。在封装层24中，在第一接触部分16上方构造有所述封装层24的第一留空部，而在第二接触部分18上方构造有所述封装层24的第二留空部。在所述封装层24的第一留空部中露出（freilegen）第一接触区32，而在所述封装层24的第二留空部中露出第二接触区34。
第一接触区32用于电接触所述第一接触部分16，而第二接触区34用于电接触所述第二接触部分18。
在封装层24上方构造有粘合剂层（Haftmittelschicht）36。在所述粘合剂层36上方构造有覆盖体38。
所述粘合剂层36用于将覆盖体38固定在封装层24上。覆盖体38用于保护光电子器件1例如防止外部的机械力作用。此外，所述覆盖体38还可以用于分配和/或排出在光电子器件1中产生的热。所述衬底在所述覆盖体38下面侧向地凸出（hervorstehen）。
可替换地，光电子器件1可具有两个或者更多个外部发光二极管元件50和相对应的外部电极区段51和/或两个或者更多个内部发光二极管元件52和相对应的内部电极区段53。所述发光二极管元件50、52例如可以被构造为使得借助于所述发光二极管元件50、52可示出标记、符号、号码、字母或者图像。此外，还可以构造如下内部发光二极管元件52，所述内部发光二极管元件52完全被其它的内部发光二极管元件52包围。此外，在所述发光二极管元件50、52中，还可以将第二电极23而不是第一电极20分段，和/或所述第一电极20可以不分段和/或可以一体化地被构造。此外，所述发光二极管元件50、52还可具有相同的有机功能层结构22。换句话说，所述有机功能层结构22不能被分段而且不能具有分开的区段。例如，所述有机功能层结构22可以与如下发光二极管元件50、52不分开，所述发光二极管元件50、52在它们的颜色和亮度方面是类似的和/或只是独立地、即彼此无关地被接通和被关断。而如果所述发光二极管元件50、52在它们的颜色和/或亮度方面明显不同地、例如在亮度偏差大于20%的情况下来实施，那么被分段的有机功能层结构22变得优选。此外，所述绝缘结构61还可以不透明地来构造。此外，所述衬底和所述覆盖体38还可以在它们的侧边上齐平地（buendig）或者几乎齐平地来构造，其中例如可以通过在覆盖体38中和/或在载体12中的留空部和/或孔来实现对所述接触区32、34的接触。此外，还可以省去载体12，而且可以将第一导电层14用作载体。此外，还可以省去覆盖体38。所述光电子器件1例如可以柔性地（flexibel）来构造。
图2示出了对光电子器件1的实施例的光活性区域的俯视图。所述光电子器件1例如可以尽可能地根据在图1中所示出的光电子器件1来构造。所述光活性区域是如下区域，光电子器件1将电磁辐射（例如光）辐射在所述区域中。所述光活性区域在俯视图中矩形地来构造。所述光活性区域的侧边缘55由外部发光二极管元件50并且尤其是由外部电极区段51来形成。内部电极区段53矩形地来构造。内部发光二极管元件52和尤其是所述内部电极区段53完全被外部发光二极管元件50或外部电极51包围。换句话说，所述外部电极51被构造在内部电极53与侧边缘55之间。
绝缘结构61一体化地在光电子器件1的整个光活性区域上延伸。在图2中被绝缘结构61覆盖的电流分配结构60非一体化地在所述光电子器件1的整个光活性区域上延伸。尤其是，所述电流分配结构60具有彼此电绝缘的子结构，如在下面进一步解释的那样。此外，在绝缘结构61下面还构造有一个或者多个馈电线（Stromzuleitung），如在下面进一步解释的那样。因此，光电子器件1的使用者从外部只看见所述绝缘结构61，如所述绝缘结构61在图2中所示出的那样。
绝缘结构61形成具有多个正六边形的六角形格栅。所述绝缘结构61例如可以由透明的或者至少部分透明的、即在部分波长范围内透明的材料形成或者具有所述材料。所述材料例如可具有光敏的聚酰亚胺漆、酚醛树脂和/或环氧树脂。内部发光二极管元件52和/或内部电极区段53的结构与所述绝缘结构61无关。换句话说，所述内部电极区段53的结构与所述绝缘结构61彼此不相符。
外部发光二极管元件50形成外部功能表面。内部发光二极管元件52形成内部功能表面，所述内部功能表面在图2中以阴影线的方式（schraffiert）来示出。在光电子器件1运行时，所述外部功能表面和所述内部功能表面用于发射电磁辐射、例如光。在光电子器件1运行时，所述光电子器件1的使用者看见作为发光面的所述内部功能表面和/或所述外部功能表面。在光电子器件1运行时，所述内部功能表面可以与所述外部功能表面区域无关地来运行、例如被操控和/或被调节。例如，所述光电子器件1可以被操控为使得仅仅所述内部功能表面发光或者仅仅所述外部功能表面发光或者两个表面同时地或者有偏差地（例如交替地或者时间上重叠地）发光。
可替换地，所述绝缘结构61可具有如下多边形，所述多边形具有少于六个边（例如三个、四个或者五个边）或者具有多于六个边。此外，所述内部发光二极管元件52和/或所述外部发光二极管元件50还可具有其它形状，例如具有多于或者少于四个边的多边形或者略带圆形的形状、例如椭圆形或者圆形。此外，所述内部发光二极管元件52和/或所述内部电极区段53还可具有标记、符号、字母、号码和/或图像的形状。此外，还可以构造多个内部发光二极管元件52，借助于所述多个内部发光二极管元件52可示出标志（Schriftzug）和/或数字。此外，在光电子器件1运行时，所述外部功能表面和/或所述内部功能表面还可用于吸收电磁辐射、例如用于探测光或者用于产生能量。
图3示出了对光电子器件的实施例的光活性区域的俯视图，所述光电子器件例如尽可能地根据在上文中所解释的光电子器件1来构造。在所述光电子器件1中，内部电极区段53的结构与绝缘结构61相符。尤其是，所述内部电极区段53的边缘沿着绝缘结构61和/或平行于绝缘结构61地走向。因此，内部功能表面的结构与所述绝缘结构61相符。
图4示出了对光电子器件在用于制造所述光电子器件1的方法期间的实施例的光活性区域的俯视图，所述光电子器件例如尽可能地对应于在上文中所解释的光电子器件1。尤其是，图4示出了所述光电子器件1的第一状态，在所述第一状态下，第一电极20平面地（flaechig）并且没有被分段地来构造。电流分配结构60被构造在所述第一电极20上方、尤其是被构造在所述第一电极20上。在所述第一状态下，所述电流分配结构60在第一电极20上方形成连在一起的网络。所述电流分配结构60也可以被称作六角形母线格栅。
所述电流分配结构60由多个电流分配部分80形成。所述电流分配部分80是笔直的并且成对地包围出各120°的角度。所述电流分配部分80形成六角形格栅，所述六角形格栅具有多个正六边形。所述电流分配结构60的结构被反映（wiederspiegeln）在绝缘结构61中，因为所述绝缘结构61覆盖所述电流分配结构60。所述电流分配结构60和所述绝缘结构61彼此相符。
所述电流分配部分80具有金属或者由金属构成。所述金属例如可具有银、铜、金和/或铝。可替换地或者附加地，所述电流分配部分80可以具有碳纳米管（例如单臂碳纳米管或者多臂碳纳米管），和/或导电的金属氧化物（例如氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌，和/或氧化镍）或者可以由以上材料构成。所述电流分配结构60可以被实施为对第一电极20的金属喷镀（Metallisierung）。垂直于绘图平面（Zeichenebene），所述电流分配结构60可具有例如为700nm的高度。平行于绘图平面，所述电流分配结构60可具有例如为…的宽度。必要时，垂直于绘图平面，绝缘结构可以具有10μm的高度。平行于标绘图平面，所述绝缘结构可以具有例如为…的宽度。
随后，所述绝缘结构61可以被构造在所述电流分配结构60上方。
图5示出了对按照图4的光电子器件1在用于制造所述光电子器件1的方法期间、也就是在第二状态下的光活性区域的俯视图。尤其是，图5示出了具有按照图4的电流分配结构60的第一电极20，其中所述电流分配结构60以及必要时所述绝缘结构61在有些部位（stellenweise）被切开、例如被切割。
所述电流分配结构60被切开为使得由最初的电流分配结构60来形成馈电线62、外部子结构64和内部子结构66。所述内部子结构66本身连接一起地、一体化地并且必要时在绝缘结构61下面地来构造。所述外部子结构64本身连接一起地、一体化地并且必要时在绝缘结构61下面地来构造。所述馈电线62本身连接一起地、一体化地并且必要时在绝缘结构61下面地来构造。所述馈电线62和所述内部子结构66连接一起地并且一体化地来构造。所述馈电线62和所述内部子结构66彼此电耦合。所述馈电线62和所述内部子结构66与所述外部子结构64电绝缘。
所述馈电线62具有多个馈电部分82或者由所述多个馈电部分82形成。所述馈电部分82最初、即在切开电流分配结构60之前由所述电流分配部分80形成，并且在切开之后被称作馈电部分82。所述馈电线62的结构与所述电流分配结构60相符。尤其是，所述馈电线62的结构在几何结构上类似于所述电流分配结构60。尤其是，所述馈电线62的结构可以在数学上借助于旋转、镜像和/或平移被投影到所述电流分配结构60上。尤其是，所述馈电部分82笔直地来构造并且成对地包围出各120°的角度。尤其是，所述馈电部分82平行于所述电流分配部分80地来构造。
如果绝缘结构61还没有被构造，那么现在可以在所述电流分配结构60上方、尤其是在所述内部子结构66和所述外部子结构64上方，并且在所述馈电线62上方构造所述绝缘结构61。
图6示出了按照图5的光电子器件1在所述方法期间的第三状态下的光活性区域。第一电极20沿着路径90被切开、尤其是被切割。在馈电线62的区域内，所述路径90的结构与所述馈电线62和所述电流分配结构60的结构相符。尤其是，在所述馈电线62的区域内，所述路径90的结构在几何结构上类似于所述馈电线62和所述电流分配结构60的结构。尤其是，在所述馈电线62的区域内，所述路径90在侧面在所述馈电线62旁边地、与所述馈电线62相邻地并且平行于所述馈电线62地走向。
在内部电极53与外部电极51之间，所述路径90的结构与所述馈电线62和所述电流分配结构60的结构不相符。尤其是，在内部电极53与外部电极51之间，所述路径90的结构在几何结构上与所述馈电线62和所述电流分配结构60的结构并不类似。在内部电极53与外部电极51之间，所述路径90与所述电流分配结构60无关地走向。
对第一电极20的切开也可以被称作对第一电极20的分段。由于所述切开，外部电极51与内部电极53彼此电绝缘。此外，馈电线62与所述外部电极51电绝缘。此外，所述分段还限定了内部功能表面的结构和外部功能表面的结构。借助于在图6中示出的结构来产生在图2中所示出的功能表面。可选地，对所述第一电极20的切开和对所述电流分配结构60的切开可以以工作刀具进给（Arbeitsdurchgang）、即利用走刀来执行。
如果绝缘结构61还没有被构造，那么现在可以在所述电流分配结构60上方、尤其是在所述内部子结构66和所述外部子结构64上方、并且在所述馈电线62上方构造所述绝缘结构61。
图7示出了按照图5的光电子器件1在所述方法期间的可替换的第三状态下的光活性区域，在所述方法中，从在图5中所示出的第二状态开始，第一电极20沿着路径90被切开。在馈电线62的区域内并且在内部电极53与外部电极51之间，所述路径90的结构与所述馈电线62和所述电流分配结构60的结构相符。尤其是，在所述馈电线62的区域内和在内部电极53与外部电极51之间，所述路径90的结构在几何结构上类似于所述馈电线62和所述电流分配结构60的结构。尤其是，在所述馈电线62的区域内和在内部电极53与外部电极51之间，所述路径90在侧面在所述馈电线62或所述电流分配结构60旁边地、与所述馈电线62或所述电流分配结构60相邻地并且平行于所述馈电线62或所述电流分配结构60地走向。
对第一电极20的切开也可以被称作对第一电极20的分段。由于所述切开，外部电极51与内部电极53彼此电绝缘。此外，馈电线62与所述外部电极51电绝缘。此外，所述分段还限定了内部功能表面的结构和外部功能表面的结构。借助于在图7中示出的结构来产生在图3中所示出的功能表面。可选地，对所述第一电极20的切开和对所述电流分配结构60的切开可以以工作刀具进给、即利用走刀来执行。
如果绝缘结构61还没有被构造，那么现在可以在所述电流分配结构60上方、尤其是在所述内部子结构66和所述外部子结构64上方、并且在所述馈电线62上方构造所述绝缘结构61。
在上文中所解释的用于制造所述光电子器件1的方法中，只要所述馈电线62由最初属于所述电流分配结构60的电流分配部分80来形成，所述电流分配结构60就被用于制造所述馈电线62。这自动地造成了所述馈电线62的结构与所述电流分配结构60相符。不同于此，在随后被描述的图8至12中描述了所述光电子器件1的如下实施例：在所述实施例中，除了电流分配结构60之外还构造有馈电线62。即使在这些实施例中，所述馈电线62也被构造为使得所述馈电线62的结构与所述电流分配结构60相符。
所述馈电线62的结构与所述电流分配结构60相符例如意味着：所述馈电线62的结构在几何结构上类似于所述电流分配结构60的结构；所述馈电线62的馈电部分82与所述电流分配结构60的电流分配部分80相邻地来构造；所述馈电部分82平行于所述电流分配部分80地来构造；所述馈电部分82在侧面在所述电流分配部分80旁边或者垂直地在所述电流分配部分80上方地来构造；所述馈电部分82在所述电流分配部分80旁边如此近地来构造，使得所述光电子器件1的使用者不能从外部将所述馈电部分82作为单个元件分辨出来和/或所述馈电部分82被布置在所述绝缘结构61的绝缘结构部分下面和/或所述馈电线62被用于使所述电流分配结构60电绝缘的绝缘结构61覆盖。
图8示出了电流分配结构60的实施例的详细的截面图。所述电流分配结构60可以以例如按照在图2、3和4中示出的电流分配结构60的俯视图来构造。所述电流分配结构60具有电流分配部分80。所述电流分配部分80被绝缘结构部分84覆盖。所述绝缘结构部分84是绝缘结构61的部分，所述绝缘结构61在整个电流分配结构60上延伸。所述电流分配部分80被构造在电极层14上。垂直于绘图平面，所述绝缘结构部分84具有如下长度，所述长度小于所述绝缘结构部分84在绘图平面中的宽度。
所述馈电线62具有馈电部分82，所述馈电部分82由导电材料构成。除了电流分配部分80之外还构造有所述馈电部分82。所述馈电部分82被构造在所述电极层14上。所述馈电部分82在侧面在所述电流分配部分80旁边地来布置、也就是与所述电流分配部分80相邻地来布置并且如此近地来布置，使得所述馈电部分82和所述电流分配部分80被相同的绝缘结构部分84覆盖。此外，所述馈电部分82和所述电流分配部分80相邻地并且彼此平行地来构造。因此，所述馈电线62的结构与所述电流分配结构60相符地来构造。
在完成的光电子器件1中，从外部仅仅可看出通常不透明的绝缘结构61。所述绝缘结构61与馈电线62无关地被构造用于使电流分配结构60电绝缘。因而，将馈电线62构造在与电流分配结构60相同的绝缘结构84下面没有呈现出对光电子器件1的相对应的功能表面的其它的光学限制。
可选地，还可以将一个、两个或者更多根电线（例如馈电线）并排地布置并且布置在相同的绝缘结构部分84下面。
图9示出了对按照图8的电流分配结构60的俯视图。
垂直于绘图平面，所述电流分配结构60可具有例如为700nm的高度。平行于绘图平面，所述电流分配结构60可具有例如为…的宽度。必要时，垂直于绘图平面，所述绝缘结构可具有10μm的高度。所述绝缘结构61例如可以由透明的或者至少部分透明的、即在部分波长范围内透明的材料形成或者可以具有所述材料。所述材料例如可具有光敏的聚酰亚胺漆、酚醛树脂和/或环氧树脂。
图10示出了电流分配结构60的实施例的详细的截面图。所述电流分配结构60可以相对应地以例如按照在图2、3和4中示出的电流分配结构60的俯视图来构造。所述电流分配结构60和所述馈电线62尽可能地根据在图8中所示出的输电线和馈电线62来构造，其中电流分配部分80被第一绝缘结构部分86覆盖并且电绝缘，而馈电部分82被第二绝缘结构部分88覆盖并且电绝缘。所述第一和所述第二绝缘结构部分86、88在实体上彼此分开。然而，所述第一和所述第二绝缘结构部分86、88在彼此旁边如此近地来布置，使得所述光电子器件1的使用者可能从外部将所述第一和所述第二绝缘结构部分86、88看作一体化的结构并且不能将它们作为分开的结构分辨出来。此外，所述馈电部分82和所述电流分配部分80彼此相邻地并且彼此平行地来构造。因此，所述馈电线62的结构与所述电流分配结构60相符地来构造。
可选地，还可将一个、两个或者更多根电线（例如馈电线）并排地布置并且布置在其它的绝缘结构部分下面。
图11示出了电流分配结构60的实施例的详细的截面图。所述电流分配结构60可以以例如按照在图2、3和4中示出的电流分配结构60的俯视图来构造。所述电流分配结构60和所述馈电线62尽可能地根据在图8中示出的电流分配结构60或馈电线62来构造，其中所述馈电部分82垂直地被构造在所述电流分配部分80上方。此外，所述馈电部分82和所述电流分配部分80还彼此相邻地并且彼此平行地来构造。因此，所述馈电线62的结构与所述电流分配结构60相符地来构造。在对所述光活性区域的俯视图中，所述馈电线62不能被识别为除了所述电流分配结构60之外的结构。
例如可以借助于印刷（Drucken）来将所述馈电线62构造在所述电流分配结构60上方。例如，所述电流分配部分80、接着所述绝缘结构部分84的材料以及接着所述馈电部分82都可以借助于印刷、例如借助于喷墨打印、丝网印刷或者刮墨刀连续地并且相叠地来构造。
可选地，还可以将一个、两个或者更多根电线（例如馈电线）相叠地布置并且布置在相同的绝缘结构部分84下面。
图12示出了对按照图11的电流分配结构60的俯视图。
垂直于绘图平面，所述电流分配结构60可具有例如为700nm的高度。平行于绘图平面，所述电流分配结构60可具有例如为…的宽度。必要时，垂直于绘图平面，所述绝缘结构可具有10μm的高度。所述绝缘结构61例如可以由透明的或者至少部分透明的、即在部分波长范围内透明的材料形成或者可以具有所述材料。所述材料例如可具有光敏的聚酰亚胺漆、酚醛树脂和/或环氧树脂。
如果从如下情况出发：所述内部功能表面具有大约10cm2并且需要2.5mA/cm2的电流密度，那么所述馈电线62应该可以在6V的情况下毫无问题地传输25mA的电流。如果容许例如为0.125伏特的电压降，那么得到4欧姆（R=U/I；125V/25A=5欧姆）的最大容许电阻。印制导线（Leiterbahn）的电阻可以借助于R=rho*长度/横截面面积 来计算，其中rho是印制导线材料的电阻率。对于铝来说，rho_Alu=2.6510*10-2Ω mm2/m。
具有70μm的宽度、4.5μm的高度和5cm的长度的馈电线62具有4.2欧姆的电阻并且能够实现对内部功能表面、例如在内部的发光面的环流（Bestromen），所述馈电线62由铝构成并且所述馈电线62的馈电部分82被构造在与相对应的电流分配部分80相同的绝缘结构部分84下面。
最初的电流分配结构60、尤其是母线，例如具有700nm的金属喷镀高度，而相对应的绝缘结构61在电流分配结构60上方具有大约10μm的高度。如果所述绝缘结构61在所述电流分配结构60上方的高度稍微被减小而对所述电流分配结构的金属喷镀相对于此被实施得更厚，那么毫无疑问地可能要以相同的外形尺寸（Aussendimension）来安放所需的导电层。
如果发光面通过多个隐藏在绝缘结构61下面的馈电线62来环流，那么出现所述情况的另一种缓和方法（Entspannung）。如果例如四根馈电线62而不是一根馈电线62被用于内部功能表面，那么所述情况明显被缓和。接着，因为这是所述馈电线62的并联，所以每根馈电线62都可以规定（ansetzen）20欧姆的电阻，以便总体上达到所允许的5欧姆。对于铝来说，这一点已经在1.4μm的高度和5μm的宽度的情况下被实现。通过使用铜（1.678*10-2 mm2/m）或者银（1.587*10-2 mm2/m），可以将所需的横截面面积进一步降低60%。
图13示出了光电子器件（例如在上文中所解释的光电子器件1）的实施例、例如所述发光二极管元件50、52之一的层结构的详细的截面图，其中在图13中未示出电流分配结构60、绝缘结构61和馈电线62。所述光电子器件1可以被构造为顶部发射体（Top-Emitter）和/或底部发射体（Bottom-Emitter）。如果光电子器件1被构造为顶部发射体和底部发射体，那么所述光电子器件1可以被称作光透明器件、例如透明有机发光二极管。
所述光电子器件1具有载体12和在所述载体12上方的活性区域。在所述载体12与所述活性区域之间可构造有未示出的第一阻挡层、例如第一阻挡薄膜。所述活性区域具有第一电极20、有机功能层结构22和第二电极23。在所述活性区域上方构造有封装层24。所述封装层24可以被构造为第二阻挡层、例如被构造为第二阻挡薄膜。在所述活性区域上方并且必要时在所述封装层24上方布置有覆盖体38。所述覆盖体38例如可以借助于粘合剂层36被布置在所述封装层24上。
所述活性区域是光活性区域的部分和/或电活性区域。所述活性区域例如是光电子器件1的如下区域，用于运行所述光电子器件1的电流在所述区域中流动，和/或电磁辐射在所述区域中产生或者被吸收。
有机功能层结构22可具有一个、两个或者更多个功能层结构单元和在所述层结构单元之间的一个、两个或者更多个中间层。
载体12可以半透明地或者透明地来构造。所述载体12用作针对电子元件或者层、例如发光元件的支承元件。所述载体12例如可具有玻璃、石英和/或半导体材料或者某个其它适当的材料或者由以上所述材料来构成。此外，所述载体12还可具有塑料膜或者具有带有一个或带有多个塑料膜的层压部（Laminat）或者由以上所述材料构成。所述塑料可具有一种或多种聚烯烃。此外，所述塑料还可具有聚氯乙烯（PVC）、聚苯乙烯（PS）、聚酯和/或聚碳酸酯（PC）、聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚醚砜树脂（PES）和/或聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）。所述载体12可具有金属或者由所述金属构成，例如铜、银、金、铂、铁、例如金属化合物、例如钢。所述载体12可以被构造为金属箔或者金属镀层箔（metallbeschichteteFolie）。所述载体12可以是镜面结构（Spiegelstruktur）的部分或者构成所述镜面结构。所述载体12可具有机械上刚性的区域和/或机械上柔性的区域或者如此被构造。
第一电极20可以被构造为阳极或者被构造为阴极。所述第一电极20可以半透明地或者透明地来构造。第一电极20具有导电材料、例如金属和/或透明导电氧化物（transparent conductive oxide，TCO）或者如下多个层的层堆（Schichtenstapel），所述多个层具有金属或TCO。所述第一电极20例如可具有金属层在TCO层上的组合的层堆，或者反之亦然。例子是被涂覆在氧化铟锡层（ITO）上的银层（Ag在ITO上）或者是ITO-Ag-ITO多层。
例如Ag、Pt、Au、Mg、Al、Ba、In、Ca、Sm或者Li以及这些材料的化合物、组合物或者合金可以作为金属来使用。
透明导电氧化物是透明的导电材料，例如金属氧化物，诸如氧化锌、氧化锡、氧化镉、氧化钛、氧化铟或者氧化铟锡（ITO）。除了二元金属氧化物（诸如ZnO、SnO2或者In2O3）之外，三元金属氧化物（诸如AlZnO、Zn2SnO4、CdSnO3、ZnSnO3、MgIn2O4、GaInO3、Zn2InO5或In4Sn3O12或者不同的透明导电氧化物的混合物）也属于ITO的族。
替换于所提到的材料或者除了所提到的材料之外，第一电极20可具有：由例如由银构成的金属纳米线和金属纳米颗粒组成的网络；由碳纳米管、图像颗粒（Graphen-Teilchen）和图像层（Graphenschichten）组成的网络；和/或由半导纳米线组成的网络。例如，第一电极20可具有如下结构之一或者由如下结构之一来构成：由例如由银构成的金属纳米线组成的网络，所述金属纳米线与导电聚合物结合；由碳纳米管和/或图像层和复合材料组成的网络，所述碳纳米管与导电聚合物结合。此外，所述第一电极20还可具有导电聚合物或者过渡金属氧化物。
所述第一电极20例如可具有如下层厚度，所述层厚度在从10nm到500nm、例如从25nm到250nm、例如从50nm到100nm的范围内。
所述第一电极20可具有第一电连接端子，第一电位能被施加到所述第一电连接端子上。所述第一电位可以由能量源（未示出）来提供，例如由电流源或者电压源来提供。可替换地，所述第一电位可以被施加到载体12上并且可以通过载体12直接被供给给所述第一电极20。所述第一电位例如可以是接地电位或者另一预先给定的参考电位。
有机功能层结构22可具有空穴注入层、空穴传输层、发射体层、电子传输层和/或电子注入层。
所述空穴注入层可以被构造在第一电极20上或者被构造在第一电极20上方。所述空穴注入层可具有如下材料中的一种或多种或者由如下材料中的一种或多种构成：HAT-CN、Cu(I)pFBz、MoOx、WOx、VOx、ReOx、F4-TCNQ、NDP-2、NDP-9、Bi(III)pFBz、F16CuPc；NPB(N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)- 联苯胺)；β-NPB(N,N'-双(萘-2-基)-N,N'-双(苯基)-联苯胺)；TPD(N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-双(苯基)-联苯胺)；螺TPD(N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-双(苯基)-联苯胺)；螺-NPB(N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)-螺)；DMFL-TPD(N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-双(苯基)-9,9-二甲基-芴)；DMFL-NPB(N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)-9,9-二甲基-芴)；DPFL-TPD(N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-双(苯基)-9,9-二苯基-芴)；DPFL-NPB((N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)-9,9-二苯基-芴)；螺-TAD(2,2',7,7'-四(n,n-二苯基氨基)-9,9'-螺双芴)；9,9-双[4-(N,N-双-联苯-4-基-氨基)苯基]-9H-芴；9,9-双[4-(N,N-双-萘-2-基-氨基)苯基]-9H-芴；9,9-双[4-(N,N'-双-萘-2-基-N,N'-双-苯基-氨基)-苯基]-9H-芴；N,N'双(菲-9-基)-N,N'-双(苯基)-联苯胺；2,7双[N,N-双(9,9-螺-双芴-2-基)-氨基]-9,9-螺-双芴；2,2'-双[N,N-双(联苯-4-基)氨基]9,9-螺-双芴；2,2'-双(N,N-二-苯基-氨基)9,9-螺-双芴；二-[4-(N,N-二-甲苯基-氨基)-苯基]环己烷；2,2',7,7'四(N,N-二-甲苯基)氨基-螺-双芴；和/或N,N,N',N'-四-萘-2-基-联苯胺。
所述空穴注入层可具有如下层厚度，所述层厚度在从大约10nm到大约1000nm的范围内、例如在从大约30nm到大约300nm的范围内、例如在从大约50nm到大约200nm的范围内。
空穴传输层可以被构造在所述空穴注入层上或者被构造在所述空穴注入层上方。所述空穴传输层可具有如下材料中的一种或多种或者由如下材料中的一种或多种构成：NPB(N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)- 联苯胺)；β-NPB(N,N'-双(萘-2-基)-N,N'-双(苯基)- 联苯胺)；TPD(N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-双(苯基)-联苯胺)；螺TPD(N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-双(苯基)-联苯胺)；螺-NPB(N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)-螺)；DMFL-TPD(N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-双(苯基)-9,9-二甲基-芴)；DMFL-NPB(N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)-9,9-二甲基-芴)；DPFL-TPD(N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-双(苯基)-9,9-二苯基-芴)；DPFL-NPB((N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)-9,9-二苯基-芴)；螺-TAD(2,2',7,7'-四(n,n-二苯基氨基)-9,9'-螺双芴)；9,9-双[4-(N,N-双-联苯-4-基-氨基)苯基]-9H-芴；9,9-双[4-(N,N-双-萘-2-基-氨基)苯基]-9H-芴；9,9-双[4-(N,N'-双-萘-2-基-N,N'-双-苯基-氨基)-苯基]-9H-芴；N,N'双(菲-9-基)-N,N'-双(苯基)-联苯胺；2,7双[N,N-双(9,9-螺-双芴-2-基)-氨基]-9,9-螺-双芴；2,2'-双[N,N-双(联苯-4-基)氨基]9,9-螺-双芴；2,2'-双(N,N-二-苯基-氨基)9,9-螺-双芴；二-[4-(N,N-二-甲苯基-氨基)-苯基]环己烷；2,2',7,7'四(N,N-二-甲苯基)氨基-螺-双芴；和N,N,N',N'-四-萘-2-基-联苯胺。
所述空穴传输层可具有如下层厚度，所述层厚度在从大约5nm到大约50nm的范围内、例如在从大约10nm到大约30nm的范围内、例如大约20nm。
例如具有发荧光和/或发磷光的发射体的一个或多个发射体层可以被构造在所述空穴传输层上或者被构造在所述空穴传输层上方。所述发射体层可具有有机聚合物、有机低聚物、有机单体、小的有机非聚合分子（“小分子（small molecules）”）或者这些材料的组合。所述发射体层可具有如下材料中的一种或多种或者由如下材料中的一种或多种构成：有机的或者有机金属的化合物，如聚芴、聚噻吩和聚亚苯基的衍生物（例如2-或2,5-取代的聚-对-亚苯基亚乙烯基），以及金属配合物，例如铱配合物，如发蓝色磷光的FIrPic(双(3,5-二氟-2-(2-吡啶基)苯基-(2-羧基吡啶基)-铱III))、发绿色磷光的Ir(ppy)3(三(2-苯基吡啶)铱III)、发红色磷光的Ru(dtbbpy)3*2(PF6)(三[4,4'-二-叔丁基-(2,2')-联吡啶]钌(III)配合物)以及发蓝色荧光的DPAVBi(4,4-双[4-(二-对-甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯)、发绿色荧光的TTPA(9,10-双[N,N-二-(对-甲苯基)-氨基]蒽)和发红色荧光的DCM2((4-二氰基亚甲基)-2-甲基-6-久洛尼定-9-烯基-4H-吡喃)作为非聚合的发射体。这种非聚合的发射体例如可借助于热蒸发来沉积。此外，还可以采用聚合物发射体，所述聚合物发射体例如可借助于湿化学方法，诸如离心涂镀方法（也被称作旋涂（Spin Coating））来沉积。所述发射体材料可以以适当的方式嵌入在基质材料例如工业陶瓷或者聚合物例如环氧化物或者硅酮中。
第一发射体层可具有如下层厚度，所述层厚度在从大约5nm到大约50nm的范围内、例如在从大约10nm到大约30nm的范围内、例如大约20nm。
发射体层可具有发射单色光或者多色光（例如蓝色和黄色或者蓝色、绿色和红色）的发射材料。可替换地，所述发射体层可具有多个子结构，所述多个子结构发射不同颜色的光。借助于不同颜色的混合，可以导致发射具有白色色觉（Farbeindruck）的光。可替换地或者附加地，可以规定：将转换材料布置在由所述层产生的一次发射的辐射通道中，所述转换材料至少部分地吸收一次辐射并且发射其它波长的二次辐射，使得从（还不是白色的）一次辐射通过一次辐射与二次辐射的组合而得到白色色觉。
在所述发射体层上或者在所述发射体层上方可构造、例如可沉积电子传输层。所述电子传输层可具有如下材料中的一种或多种或者由如下材料中的一种或多种构成：NET-18；2,2',2"-(1,3,5-苯三基（Benzinetriyl）)-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)；2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)；8-羟基喹啉锂、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑；1,3-双[2-(2,2'-联吡啶-6-基)-1,3,4-噁二唑（oxadiazo）-5-基]苯；4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BPhen)；3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑；双(2-甲基-8-喹啉)-4-(苯基苯酚)铝；6,6'-双[5-(联苯-4-基)-1,3,4-噁二唑-2-基]-2,2'-联吡啶；2-苯基-9,10-二(萘-2-基)-蒽；2,7-双[2-(2,2'-联吡啶-6-基)-1,3,4-噁二唑-5-基]-9,9-二甲基芴；1,3-双[2-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-5-基]苯；2-(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉；2,9-双(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉；三(2,4,6-三甲基-3(吡啶-3-基)苯基)硼烷；1-甲基-2-(4-(萘-2-基)苯基)-1H-咪唑并[4,5-f][1,10]菲咯啉；苯基-二芘基膦氧化物；萘四甲酸二酐或其酰亚胺；苝四甲酸二酐或其酰亚胺；和基于具有硅杂环戊二烯单元的噻咯的物质。
所述电子传输层可具有如下层厚度，所述层厚度在从大约5nm到大约50nm的范围内、例如在从大约10nm到大约30nm的范围内、例如大约20nm。
在所述电子传输层上或者在所述电子传输层上方可构造电子注入层。所述电子注入层可具有如下材料中的一种或多种或者由如下材料中的一种或多种构成：NDN-26、MaAg、Cs2CO3、Cs3PO4、Na、Ca、K、Mg、Cs、Li、LiF；2,2',2"-(1,3,5-苯三基)-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)；2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)；8-羟基喹啉锂、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑；1,3-双[2-(2,2'-联吡啶-6-基)-1,3,4-噁二唑-5-基]苯；4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BPhen)；3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑；双(2-甲基-8-喹啉)-4-(苯基苯酚)铝；6,6'-双[5-(联苯-4-基)-1,3,4-噁二唑-2-基]-2,2'-联吡啶；2-苯基-9,10-二(萘-2-基)-蒽；2,7-双[2-(2,2'-联吡啶-6-基)-1,3,4-噁二唑-5-基]-9,9-二甲基芴；1,3-双[2-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-5-基]苯；2-(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉；2,9-双(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉；三(2,4,6-三甲基-3(吡啶-3-基)苯基)硼烷；1-甲基-2-(4-(萘-2-基)苯基)-1H-咪唑并[4,5-f][1,10]菲咯啉；苯基-二芘基膦氧化物；萘四甲酸二酐或其酰亚胺；苝四甲酸二酐或其酰亚胺；和基于具有硅杂环戊二烯单元的噻咯的物质。
所述电子注入层可具有如下层厚度，所述层厚度在从大约5nm到大约50nm的范围内、例如在从大约10nm到大约30nm的范围内、例如大约30nm。
在具有两个或者更多个有机功能层结构单元的有机功能层结构22中，相对应的中间层可以被构造在所述有机功能层结构单元之间。所述有机功能层结构单元分别可以本身单独地按照在上文中所解释的有机功能层结构22的设计方案来构造。所述中间层可以被构造为中间电极。所述中间电极可以与外部电压源电连接。所述外部电压源例如可以将第三电位提供给所述中间电极。然而，所述中间电极也可不具有外部的电连接端子，例如其方式是所述中间电极具有浮动电位。
所述有机功能层结构单元例如可具有最大约为3μm的层厚度、例如最大约为1μm的层厚度、例如最大约为300nm的层厚度。
可选地，光电子器件1可具有其它的功能层、例如被布置在所述一个或多个发射体层上或被布置在所述一个或多个发射体层上方或者被布置在所述电子传输层上或被布置在所述电子传输层上方的功能层。所述其它的功能层例如可以是内部耦合输入/耦合输出结构或者外部耦合输入/耦合输出结构，所述内部耦合输入/耦合输出结构或者外部耦合输入/耦合输出结构可以进一步改善所述光电子器件1的功能性并且借此进一步改善所述光电子器件1的效率。
第二电极23可以按照所述第一电极20的设计方案之一来构造，其中所述第一电极20和所述第二电极23可以相同地或者不同地来构造。第二电极23可以被构造为阳极或者被构造为阴极。第二电极23可具有第二电连接端子，第二电位能被施加到所述第二电连接端子上。所述第二电位可以由与所述第一电位相同的能量源来提供或者由不同于所述第一电位的能量源来提供。所述第二电位可以不同于所述第一电位。所述第二电位例如可以如此地具有值，使得与所述第一电位的差具有在从大约1.5V到大约20V的范围内的值、例如在从大约2.5V到大约15V的范围内的值、例如在从大约3V到大约12V的范围内的值。
封装层24也可以被称作薄膜封装。所述封装层24可以被构造为半透明的或者透明的层。所述封装层24形成相对于化学污染（Verureinigung）或大气物质、尤其是相对于水（湿气）和氧气的阻挡物。换句话说，所述封装层24被构造为使得所述封装层24不能被可能损坏光电子器件的物质（例如水、氧气或者溶剂）透过或者最高可以透过非常小的份额。所述封装层24可以被构造为单个的层、层堆或者层结构。
所述封装层24可具有如下材料或者由如下材料构成：氧化铝、氧化锌、氧化锆、氧化钛、氧化铪、氧化钽、氧化镧、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铟锡、氧化铟锌、铝掺杂氧化锌、聚（对-苯二甲酰对苯二胺）、尼龙66，以及诸如此类的物质的混合物和合金。
所述封装层24可具有从大约0.1nm（一个原子层）到大约1000nm的层厚度、例如从大约10nm到大约100nm的层厚度、例如大约40nm。所述封装层24可具有高折射率的（hochbrechend）材料、例如一种或多种具有高折射率（例如具有从1.5到3、例如从1.7到2.5、例如从1.8到2的折射率）的材料。
必要时，第一阻挡层可以被构造在与所述封装层24的设计方案相符的载体12上。
所述封装层24例如可借助于适当的沉积方法来形成，例如借助于原子层沉积方法（Atomic Layer Deposition（ALD））、例如等离子体增强原子层沉积方法（Plasma EnhancedAtomic Layer Deposition（PEALD））或者无等离子体原子层沉积方法（Plasma-lessAtomic Layer Deposition（PLALD）），或者借助于化学汽相淀积方法（Chemical VaporDeposition（CVD））、例如等离子体增强化学汽相淀积方法（Plasma Enhanced ChemicalVapor Deposition（PECVD））或者无等离子体化学汽相淀积方法（Plasma-less ChemicalVapor Deposition（PLCVD）），或者可替换地借助于其它适当的沉积方法。
可选地，耦合输入/耦合输出层例如可以被构造为在载体12上的外部膜（未示出）或者被构造为在光电子器件1的层横截面中的内部耦合输出层（未示出）。所述耦合输入/耦合输出层可具有基质和分布在所述基质中的散射中心，其中所述耦合输入/耦合输出层的平均折射率大于由其来提供电磁辐射的层的平均折射率。此外，附加地可以构造一个或多个增透层。
粘合剂层36例如可具有粘结剂和/或清漆，借助于所述粘结剂和/或清漆，覆盖体38例如被布置、例如被粘贴在所述封装层24上。所述粘合剂层36可以透明地或者半透明地来构造。所述粘合剂层36例如可具有使电磁辐射进行散射的颗粒、例如散光的（lichtstreuend）颗粒。由此，所述粘合剂层36可以作为散射层起作用并且可以导致对色散角变形（Farbwinkelverzug）和耦合输出效率的改善。
介电的散射颗粒可以被设置为散光的颗粒，所述介电的散射颗粒例如由如下金属氧化物构成，例如氧化硅（SiO2）、氧化锌（ZnO）、氧化锆（ZrO2）、氧化铟锡（ITO）或者氧化铟锌（IZO）、氧化钙（Ga2Ox）、氧化铝或者氧化钛。只要其它的颗粒具有与所述粘合剂层36的基质（例如气泡、丙烯酸盐或者玻璃空心球（Glashohlkugel））的有效折射率不同的折射率，所述其它的颗粒就也可以是适当的。此外，例如可以将金属纳米颗粒，如金、银那样的金属，铁纳米颗粒或者诸如此类的用作散光的颗粒。
所述粘合剂层36可具有大于1μm的层厚度、例如几μm的层厚度。在不同的实施例中，所述粘结剂可以是分层粘结剂。
所述粘合剂层36可具有如下折射率，所述折射率小于覆盖体38的折射率。所述粘合剂层36例如可具有低折射率的粘结剂（诸如丙烯酸盐），所述低折射率的粘结剂具有大约1.3的折射率。然而，所述粘合剂层36也可具有高折射率的粘结剂，所述高折射率的粘结剂例如具有高折射率的、不散射的颗粒而且所述高折射率的粘结剂具有层厚度平均的（schichtdickengemittelt）折射率，所述层厚度平均的折射率大约对应于所述有机功能层结构22的例如在从大约1.6到2.5、例如从1.7到大约2.0的范围内的平均折射率。
在所述活性区域上或者在所述活性区域上方可以（未示出地）布置所谓的吸气层（Getter-Schicht）或者吸气结构、也就是说在侧面构造的吸气层。所述吸气层可以透明地、半透明地或者不透明地来构造。所述吸气层可具有如下材料或者由如下材料构成：所述材料吸收并且粘合（binden）对于所述活性区域有害的物质。吸气层例如可具有沸石衍生物（Zeolith-Derivat）或者由所述沸石衍生物来构成。所述吸气层可具有大于1μm的层厚度、例如几μm的层厚度。在不同的实施例中，所述吸气层可具有分层粘结剂或者被嵌入在所述粘合剂层36中。
覆盖体38例如可以由玻璃体、金属箔或者密封的塑料膜覆盖体来构成。所述覆盖体38例如可以借助于浆料键合（英文：glass frit bonding（玻璃浆料键合）/glasssoldering（玻璃焊）/seal glass bonding（密封玻璃键合））借助于在光电子器件1的几何结构的边缘区域中的最初的玻璃焊料（Glaslot）而被布置在所述封装层24或所述活性区域上。所述覆盖体38例如可具有（例如在633nm的波长的情况下的）例如1.3到3、例如1.4到2、例如1.5到1.8的折射率。
本发明并不限于所说明的实施例。例如，在图8、10和11中示出的实施例可以相互组合。例如，两个或者更多个馈电部分82和/或电流分配部分80可以彼此靠近地、相邻地、在侧面并排地、垂直于彼此地和/或平行于彼此地来构造。例如，还可以将其它的馈电部分82构造在相同的绝缘结构部分84下面或者至少按照图10彼此靠近地来构造。这一点例如可以被用于实现两个或者更多个内部功能表面，其中所述内部功能表面可以在侧面在彼此并排地和/或彼此交错地被插入（schachteln）。例如，利用不同于彼此的馈电线62或相对应的馈电部分83可以实现如下内部功能表面，所述内部功能表面沿侧面方向完全被一个或多个其它的内部功能表面包围。

Claims (15)

1.光电子器件（1），其具有：
第一电极（20），所述第一电极（20）具有至少一个外部电极区段（51）和至少一个内部电极区段（53），所述外部电极区段（51）被构造在所述第一电极（20）的侧边缘（55）上，所述内部电极区段（53）与所述第一电极（20）的侧边缘（55）间隔开地来构造，
被构造在所述第一电极（20）上方的导电的电流分配结构（60），所述电流分配结构（60）具有至少一个外部子结构（64）和至少一个内部子结构（66），所述外部子结构（64）至少在所述外部电极区段（51）上延伸，所述内部子结构（66）至少在所述内部电极区段（53）上延伸并且所述内部子结构（66）相对于所述外部子结构（64）电绝缘，
至少一根馈电线（62），所述馈电线（62）从所述第一电极（20）的侧边缘（55）朝向所述内部子结构（66）延伸，所述馈电线（62）与所述内部子结构（66）电耦合，所述馈电线（62）与所述外部子结构（64）电绝缘并且所述馈电线（62）的结构与所述电流分配结构（60）相符，
绝缘结构（84），所述绝缘结构（84）覆盖所述电流分配结构（60）和所述馈电线（62），
有机功能层结构（22），所述有机功能层结构（22）在所述第一电极（20）、所述电流分配结构（60）、所述馈电线（62）和所述绝缘结构（84）上方，
第二电极（23），所述第二电极（23）在所述有机功能层结构（22）上方。
2.根据权利要求1所述的光电子器件（1），其中，所述馈电线（62）的结构在几何结构上类似于所述电流分配结构（60）。
3.根据权利要求1或2所述的光电子器件（1），其中，所述电流分配结构（60）一体化地来构造并且具有多个笔直的电流分配部分（80），而且其中，所述馈电线（62）与所述电流分配部分（80）相邻地走向。
4.根据权利要求3所述的光电子器件（1），其中，所述馈电线（62）在侧面在所述电流分配部分（80）旁边地走向或者在所述电流分配部分（80）上方垂直地走向。
5.根据权利要求3所述的光电子器件（1），其中，所述馈电线（62）平行于所述电流分配部分（80）地走向。
6.根据权利要求1或2所述的光电子器件（1），其中，所述馈电线（62）与所述内部子结构（66）一体化地来构造。
7.根据权利要求1或2所述的光电子器件（1），其中，所述外部电极区段（53）被构造在所述第一电极（20）的侧边缘（55）与所述内部电极区段（53）之间。
8.根据权利要求7所述的光电子器件（1），其中，所述内部电极区段（53）沿侧面方向被所述一个或多个外部电极区段（51）包围。
9.根据权利要求3所述的光电子器件（1），其中，所述电流分配结构（60）的电流分配部分（80）和所述馈电线（62）的与所述电流分配部分（80）最接近的馈电部分（82）都被所述绝缘结构（84）的一体化的绝缘结构部分覆盖。
10.根据权利要求3所述的光电子器件（1），其中，所述电流分配结构（60）的电流分配部分（80）被所述绝缘结构（84）的第一绝缘结构部分覆盖，而且所述馈电线（62）的与所述电流分配部分（80）最接近的馈电部分（82）被所述绝缘结构（84）的第二绝缘结构部分覆盖，其中所述第一绝缘结构部分和所述第二绝缘结构部分在实体上彼此分开。
11.用于制造光电子器件（1）的方法，其中，
提供第一电极（20），所述第一电极（20）具有至少一个外部电极区段（51）和至少一个内部电极区段（53），所述外部电极区段（51）被构造在所述第一电极（20）的侧边缘（55）上，所述内部电极区段（53）与所述第一电极（20）的侧边缘（55）间隔开地来构造，
在所述第一电极（20）上方构造导电的电流分配结构（60），所述电流分配结构（60）具有至少一个外部子结构（64）和至少一个内部子结构（66），所述外部子结构（64）至少在所述外部电极区段（51）上延伸，所述内部子结构（66）至少在所述内部电极区段（53）上延伸并且所述内部子结构（66）相对于所述外部子结构（64）电绝缘，
构造至少一根馈电线（62），所述馈电线（62）从所述第一电极（20）的侧边缘（55）朝向所述内部子结构（66）延伸，所述馈电线（62）与所述内部子结构（66）电耦合，所述馈电线（62）与所述外部子结构（64）电绝缘并且所述馈电线（62）的结构与所述电流分配结构（60）相符，
在所述电流分配结构（60）和所述馈电线（62）上方构造绝缘结构（84），
在所述第一电极（20）、所述电流分配结构（60）、所述馈电线（62）和所述绝缘结构（84）上方构造有机功能层结构（22），并且
在所述有机功能层结构（22）上方构造第二电极。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述外部电极区段（51）和所述内部电极区段（53）被构造，其方式是所述第一电极（20）首先一体化地来构造并且接着被切开，使得所述外部电极区段（51）和所述内部电极区段（53）被构造。
13.根据权利要求11或12所述的方法，其中，所述电流分配结构（60）被构造，其方式是所述电流分配结构（60）首先一体化地来构造并且接着被切开，使得所述外部子结构（64）和所述内部子结构（66）被构造。
14.根据权利要求11或12所述的方法，其中，所述馈电线（62）由所述电流分配结构（60）形成。
15.根据权利要求11或12所述的方法，其中，除了所述电流分配结构（60）之外还构造所述馈电线（62）。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102491877B1 (ko) * 2015-12-18 2023-01-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
DE102016108262A1 (de) * 2016-05-04 2017-11-09 Osram Oled Gmbh Lichtemittierende baugruppe und verfahren zum betreiben einer lichtemittierenden baugruppe
KR102652261B1 (ko) * 2016-12-07 2024-03-27 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자를 이용한 조명장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006030536B3 (de) * 2006-06-26 2008-02-21 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung flächiger elektromagnetische Strahlung emittierender Elemente mit organischen Leuchtdioden
CN102064285A (zh) * 2007-02-16 2011-05-18 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 用于检修电致发光的有机半导体元件的方法
EP2698836A1 (en) * 2012-08-17 2014-02-19 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Foil, electro-optic component and method of manufacturing these

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10324880B4 (de) 2003-05-30 2007-04-05 Schott Ag Verfahren zur Herstellung von OLEDs
DE102004013449B3 (de) * 2004-03-11 2005-12-29 Samsung SDI Co., Ltd., Suwon OLED-Display mit Elektroden hoher Leitfähigkeit und Verfahren zu dessen Herstellung
FR2909223B1 (fr) * 2006-11-24 2009-04-10 Commissariat Energie Atomique Electrode de dispositif emissif lumineux de type oled
DE102008045948A1 (de) * 2008-09-04 2010-03-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines organischen strahlungsemittierenden Bauelements und organisches strahlungsemittierendes Bauelement
KR101707991B1 (ko) * 2010-10-04 2017-02-20 주성엔지니어링(주) 유기 발광 장치 및 이를 이용한 조명 장치
DE102011017383A1 (de) * 2011-04-18 2012-10-18 Ident Technology Ag OLED-Interface
JP5724581B2 (ja) * 2011-04-22 2015-05-27 大日本印刷株式会社 導電性基板、太陽電池、及び表示装置
KR20130015099A (ko) * 2011-08-02 2013-02-13 한국전자통신연구원 유기 발광 소자
JP6223360B2 (ja) * 2012-02-03 2017-11-01 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． Ｏｌｅｄ素子及びその製造

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006030536B3 (de) * 2006-06-26 2008-02-21 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung flächiger elektromagnetische Strahlung emittierender Elemente mit organischen Leuchtdioden
CN102064285A (zh) * 2007-02-16 2011-05-18 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 用于检修电致发光的有机半导体元件的方法
EP2698836A1 (en) * 2012-08-17 2014-02-19 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Foil, electro-optic component and method of manufacturing these

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