CN105340103B - 用于制造光电子器件的方法和光电子器件 - Google Patents

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Abstract

在不同的实施例中提供一种用于制造光电子器件(10)的方法。在所述方法中提供载体(12)。在载体上方构成第一电极(20)。在第一电极(20)上方构成光学功能层结构(22)。在光学功能层结构(22)上方构成第二电极(23)。通过导电的纳米线(4)设置在面(2)上的方式并且通过加热纳米线(4)使得其塑性变形的方式，构成这两个电极(20，23)中的至少一个，在所述面上应当构成相应的电极(20，23)。

Description

用于制造光电子器件的方法和光电子器件
技术领域
本发明涉及一种用于制造光电子器件的方法和一种光电子器件。
背景技术
光电子器件例如能够是发射电磁辐射的器件或者吸收电磁辐射的器件。吸收电磁辐射的器件能够例如是光电二极管或者太阳能电池。发射电磁辐射的器件能够例如是LED或者OLED。有机光电子器件能够具有阳极、阴极和在其之间构成的有机功能层系统。
有机功能层系统能够具有发射体层，在所述发射体层中产生电磁辐射；分别由两个或更多个载流子对生成层(“charge generating layer电荷生成层”，CGL)构成的、用于产生载流子对的载流子对生成层结构；以及电子阻挡层，也称作为空穴传输层(“holetransport layer”，HTL)；和空穴阻挡层，也称作为电子传输层(“electron transportlayer电子传输层”，ETL)，以便定向电通流。
阳极和/或阴极例如能够具有含金属的材料、例如金属或者半金属，和/或其他适合引导电流的材料或者由其构成。例如能够使用纳米线、例如银纳米线(Ag-Nanowires Ag纳米线)，或者纳米管、例如碳纳米管(C-Nanotubes碳纳米管)作为用于阳极或者阴极的材料。纳米线或者纳米管能够被嵌入粘合剂中并且与粘合剂一起被施加到面上，在所述面上应当构成相应的电极。粘合剂能够被硬化并且在硬化状态中，纳米线或者纳米管能够彼此物理连接和/或电连接并且固定在面上。纳米线或者纳米管能够在由粘合剂形成的层内在所有三个空间方向上定向，例如也完全地或者部分地垂直于如下面定向，在该面上设置有所述纳米线或者纳米管。由于纳米线或者纳米管的定向的垂直的方向分量，所述纳米线或者纳米管也能够从粘合剂构成的层中突出和/或伸出。这种从由粘合剂构成的层中突出的纳米线或者纳米管能够对于相应的光电子器件而言为大的风险，因为在由粘合剂构成的层上方构成的一个或多个层能够通过纳米线或者纳米管被损害和/或完全地或者部分地短路。
发明内容
在不同的实施方式中提供一种用于制造光电子器件的方法，所述方法能够简单和/或成本适宜地执行和/或所述方法有助于：能够可靠地运行光电子器件。
在不同的实施方式中提供用于制造光电子器件的方法，所述光电子器件能够简单和/或成本适宜地制造和/或能够可靠地运行所述光电子器件。
在不同的实施方式中提供一种用于制造光电子器件的方法。在该方法中提供载体，例如构成载体。第一电极在载体上方构成。光学功能层结构在第一电极上方构成。第二电极在光学功能层结构上方构成。在构成这两个电极的至少一个时，导电的纳米线设置在面上，在所述面上应当构成相应的电极，并且将纳米线加热成，使得其塑性地变形。随后，变形的纳米线形成相应的电极的至少一部分。
纳米线的变形能够有助于：完全地或者部分地垂直于面定向的纳米线在外力作用下，例如地心引力进而其自身重力或者在离心机中的离心力作用的情况下平行于面定向并且例如放倒在面上。这有助于：在相应的电极上方构成的层不能够通过纳米线损坏，这能够有助于光电子器件的可靠的运行。此外，纳米线相互间的交联提高，因为在加热前彼此叠加的且彼此倾斜定向的纳米线现在能够基本上位于一个平面中并且能够彼此相交。由此提高两条纳米线接触的概率，由此提高交联。高的交联有助于良好的和/或均质的电流通过相应的电极并且能够由此有助于光电子器件的可靠的运行。此外，纳米线在随后的冷却中和与冷却关联的硬化中能够与具有该面的层形成固定的、例如材料配合的连接。可选地，因此能够弃用粘合剂，这能够有助于简单和/成本适宜地制造光电子器件。替选于粘合剂，能够将溶剂和/或水作为用于纳米线的载体材料。
如果第一电极由纳米线形成，面能够例如是载体的表面或者层的表面，所述层在载体和第一电极之间构成，例如阻挡层的表面、光学功能层的表面、例如耦合输出层的表面，或者平坦化层的表面。第一电极能够例如是阳极。替选地或者附加地，如果第二电极由纳米线形成，面能够例如是光电子层结构的表面或者层的表面，所述层在光电子层结构和第二电极之间构成。第二电极能够例如是阴极。
纳米线的加热能够借助能量输入例如在炉中、例如通过缓慢升高温度，借助激光辐射和/或借助具有高能辐射的脉冲照射进行。用于加热纳米线的方法的选择与光电子层结构和/或载体的耐热性相关地进行。纳米线仅强烈地加热，使得其软化和塑性地变形，但不完全熔化。
在不同的实施方式中，纳米线在设置在该面上的情况下，首先形成三维网络。将纳米线加热成使得纳米线的材料能够容易塑性地变形并且纳米线由于其质量而放倒在面上进而形成二维网络。网络是二维的例如能够意味着：纳米线在网络中是基本上平行于该面定向。二维网络也能够构成在垂直于该平面的第三维中，例如因为位于该平面中的纳米线具有如下实际厚度，所述实际厚度沿朝垂直于该平面的方向延伸，和/或因为纳米线彼此叠加地位于交叉点、节点和/或交联点上，其中这些交叉点、节点和/或交联点也沿垂直于平面的第三空间延伸。换而言之，二维网络基本上在两个空间方向上延伸，其中由于各个纳米线的厚度，沿垂直于此的第三空间方向的微小的扩展是可行的。在垂直于面的方向上的由纳米线形成的层的厚度能够在加热前明显大于其在加热后。在加热前，所述厚度例如能够大致对应于纳米线中的一个的长度并且在加热后，所述厚度能够对应于纳米线中的一条、两条或几条的直径。
为了使纳米线由于其质量而放倒，如下面能够水平地或者至少近似水平地定向，在所述面上设置纳米线，其中利用重力以在平面中放倒纳米线。替选地或者附加地，能够借助离心机产生离心力，所述离心力能够引起和/或促进纳米线在面上的放倒。
在不同的实施方式中，纳米线设置在相应的电极上，纳米线被加热并且光电子器件设置在离心机中并且借助离心机转动，使得纳米线由于所作用的离心力而放倒在面上。这能够有助于：以及在轻微加热的情况下、尤其当产生的离心力大于重力时，在小的加热的情况下就已经实现纳米线的塑性变形和/或放倒。
在不同的实施方式中，通过加热和与之关联的变形，纳米线的交联度提高。换而言之，在加热的情况下，纳米线直接地物理接触和/或彼此连接，所述纳米线在三维网络中彼此叠加，例如借助其之间的粘合剂，进而最初在三维网络中不接触，并且此后在二维网络中接触。
在不同的实施方式中，纳米线被加热，使其材料配合地相互连接。例如，纳米线由于所作用的重力和/或离心力彼此挤压并且纳米线被加热成，使其是可塑性变形的，以至于它们材料配合地连接。例如，纳米线能够被加热成，使它们至少部分熔化和/或熔接，但不完全熔化。
在不同的实施方式中，纳米线被加热成，使得纳米线的材料不完全熔化，使得保持各个纳米线的线状的结构和纳米线的网络状的结构。如果纳米线在过强加热的情况下完全熔化，所述纳米线则失去其线状的结构。此外，纳米线的材料在过强加热的情况下并且完全熔化的情况下，能够形成球状的液滴，所述球状的液滴不再相互连接，由此在相应的电极中可靠的和/或均匀的电流和/或电通流的分布不再是可行的。
在不同的实施方式中，纳米线嵌入在载体材料中并且载体材料与纳米线被施加到面上。例如，纳米线能够被嵌入在溶剂和/或水中。在具有纳米线的溶剂施加在面上之后和/或在加热纳米线时，能够将载体材料完全地或者部分地蒸发。
在不同的实施方式中，第一电极由纳米线形成并且纳米线设置在载体上方。为了形成第一电极，纳米线能够直接在载体上或者在载体和第一电极之间的层上、例如直接在阻挡层上、直接在光学功能层上、例如耦合输出层上，或者直接在平坦化层上构成。
在不同的实施方式中，第二电极由纳米线形成并且纳米线设置在光学功能层结构上方。为了形成第二电极，纳米线能够直接在光学功能层结构上或者在光学功能层结构和第二电极之间的层上、例如直接在光学功能层上、例如耦合输出层上构成。
在不同的实施方式中提供一种光电子器件，例如制造光电子器件，例如借助上面阐述的方法来制造。光电子器件具有载体，在所述载体上方构成第一电极。光学功能层结构在第一电极上方构成。第二电极在光学功能层结构上方构成。这两个电极中的至少一个具有导电的纳米线，所述纳米线设置在面上，在所述面上构成相应的电极。纳米线平行于面或者至少近似平行于面设置。例如，纳米线基本上平行于面设置。
在不同的实施方式中，纳米线在二维网络的面上形成。
在不同的实施方式中，纳米线至少部分材料配合地彼此连接。例如，纳米线由于其连接形成二维网络。
在不同的实施方式中，纳米线嵌入在载体材料中。载体材料与纳米线设置在面上。
在不同的实施方式中，第一电极由纳米线形成。替选地或者附加地，第二电极由纳米线构成。
在不同的实施方式中，纳米线具有5nm至1μm的、例如10nm至150nm的、例如15nm至60nm的范围中的直径，和/或，相应的纳米线的直径至1mm的范围中，例如1μm至100μm的、例如20μm至50μm的范围中的长度。因此，在制造光电子器件期间，在加热前，由纳米线形成的层的厚度能够为例如100nm至1mm、例如1μm至100μm、例如20μm至50μm。因此，在制成的光电子器件中，由纳米线形成的层的厚度能够为例如10nm至2μm、例如20nm至300nm、例如30nm至180nm。
纳米线例如能够具有含金属的材料，例如金属或者半金属、例如银、金、铝和/或锌或者由其形成。例如，纳米线能够具有合金，所述合金具有上述材料的一种或者多种。
附图说明
在附图中，类似的附图标记通常表示在不同的视图中的相同的部件。附图不必是合乎比例的，而是通常将重点放在阐明所公开的实施例的原理。在下文中，通过参考以下附图来说明多个实施例，其中：
图1示出常规的光电子器件1的衬底12的俯视图；
图2示出根据图1的衬底12的侧视图；
图3示出光电子器件10的一个实施例的剖视图；
图4示出在用于制造光电子器件的方法期间的根据图3的光电子器件10的俯视图；
图5示出根据图4的光电子器件10的侧视图；
图6示出用于制造光电子器件的方法的实施例的步骤的流程图。
具体实施方式
在下面详细的描述中参考附图，所述附图形成所述描述的一部分，并且在所述附图中示出能够实施本发明的具体的实施方式以用于说明。在此方面，相关于所描述的一个(多个)附图的定向而使用方向术语例如“上”、“下”、“前”、“后”、“前部”、“后部”等等。因为实施方式的组成部分能够以多个不同的定向来定位，所以方向术语仅用于说明并且不以任何方式受到限制。要理解的是，能够使用其他的实施方式并且能够进行结构上的或逻辑上的改变，而不偏离本发明的保护范围。要理解的是，只要没有特殊地另外说明，就能够将在此描述的不同的示例性的实施方式的特征互相组合。因此，下面详细的描述不能够理解为受限制的意义，并且本发明的保护范围通过附上的权利要求来限定。
在本说明书的范围中，术语“连接”、“联接”以及“耦联”用于描述直接的和间接的连接、直接的或间接的联接以及直接的或间接的耦联。在附图中，只要是适当的，相同的或相似的元件就设有相同的附图标记。
光电子器件能够是发射电磁辐射的器件或者吸收电磁辐射的器件。吸收电磁辐射的器件能够是例如太阳能电池。发射电磁辐射的器件能够是例如发射电磁辐射的半导体器件和/或能够构成为发射电磁辐射的二极管、发射电磁辐射的有机二级管、发射电磁辐射的晶体管或者发射电磁辐射的有机晶体管。辐射例如能够是在可见范围中的光，例如紫外线和/或红外线。在本文，发射电磁辐射的器件例如能够构成为发光二极管(light emittingdiode，LED)、有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)、发光晶体管或者有机发光晶体管。在不同的实施例中，发射光的器件能够是集成电路的一部分。此外，能够设有多个发射光的器件，例如安装在共同的壳体中。
在材料配合的连接中，第一本体与第二本体能够借助原子间力和/或分子间力连接。材料配合的连接通常能够是不可拆开的连接。在不同的设计方案中，材料配合的连接例如能够作为粘贴连接、焊料连接、例如玻璃焊料或金属焊料连接、或者作为熔焊连接实现。
术语“半透明”或“半透明层”在不同的实施例中能够理解为：层对于电磁辐射是可穿透的，例如对于由发射电磁辐射的器件所发射的辐射、例如一个或多个波长范围的辐射、例如对于可见光的波长范围中的光是可穿透的(例如至少在380nm至780nm的波长范围的子范围中)。例如，术语“半透明层”在不同的实施例中理解为：全部的耦合输入到结构(例如层)中的辐射量基本上也从该结构(例如层)中耦合输出，其中光的一部分在此能够被散射。
图1示出在用于制造常规的光电子器件1的方法期间，常规的光电子器件1的衬底12的俯视图。图1尤其示出用于制造常规的光电子器件1的方法的步骤，在所述步骤中构成常规的光电子器件1的阳极。
在衬底12上设置导电的纳米线4。导电的纳米线4嵌入在未示出的粘合剂中。从图1得出：纳米线4在两个维度中、尤其平行于衬底12的表面伸展，在所述表面上设有纳米线40。衬底12的表面形成面2，其中在所述表面上设有纳米线4，其中在所述面上应当构成阳极。
图2示出根据图1的衬底12与在面2上、尤其在衬底12的表面上的导电的纳米线4的侧视图。从图2中得出：纳米线4由于其自身的刚性和/或由于在图2中未示出的粘合剂能够完全或者至少部分地在第三维度的方向上、尤其垂直于面2的方向上延伸。由此，各个(个别的)纳米线4也能够占据不利的位置。
纳米线4部分地彼此物理接触，由此在纳米线4之间形成导电的连接，其中每个接触点形成节点或者交叉点。纳米线4以这种方式形成网络，其中网络的交联度与节点或者交叉点的数量相关。尽管纳米线4部分地彼此叠置成，使得它们在根据图1的俯视图中交叉，然而实际上它们并不交叉，因为它们未接触并且彼此倾斜地构成。在这样彼此叠置的纳米线4之间能够设有粘合材料。
在常规的光电子器件1中，粘合剂与嵌入在其中的纳米线4被干燥和/或硬化。由此，由纳米线4形成牢固的三维网络。此外，纳米线4和三维网络与载体12牢固地、例如材料配合地连接。
图3示出光电子器件10的一个实施例的剖视图。光电子器件10具有载体12，所述载体例如能够根据上面阐述的载体12构成。在载体12上构成光电子层结构。
光电子层结构具有第一电极层14，所述第一电极层具有第一接触部段16、第二接触部段18和第一电极20。第一接触部段16与光电子层结构的第一电极20电耦联。例如，第一接触部段16和第一电极20能够一件式地构成。第一电极20借助电绝缘阻挡件21与第二接触部段18电绝缘。在第一电极20上方构成光学功能层结构22，例如光电子层结构的有机功能层结构。如更下面详细阐述的那样，光学功能层结构22能够具有例如一个、两个或者更多个子层。在有机功能层结构22上方构成光电子层结构的第二电极23，所述第二电极与第二接触部段18电耦联。第二接触部段18能够与第二电极23一件式地构成。第一电极20例如用作为光电子层结构的阳极或者阴极。对应于第一电极，第二电极23用作为光电子层结构的阴极或者阳极。
在第二电极23上方和部分地在第一接触部段16上方和部分地在第二接触部段18上方构成光电子层结构的封装层24，所述封装层封装光电子层结构。在封装层24中，在第一接触部段16上方构成封装层24的第一凹部并且在第二接触部段18上方构成封装层24的第二凹部。在封装层24的第一凹部中露出第一接触区域32并且在封装层24的第二凹部中露出第二接触区域34。第一接触区域32用于第一接触部段16的电接触并且第二接触区域34用于第二接触部段18的电接触。
在封装层24上方构成增附层36。增附层36例如具有增附剂，例如粘接剂、例如复膜胶、漆和/或树脂。在增附层36上方构成覆盖体38。增附层36用于在封装层24上固定覆盖体38。覆盖体38具有例如玻璃和/或金属。例如覆盖体38基本上能够由玻璃形成并且具有薄的金属层，例如在玻璃体上的金属薄膜。覆盖体38用于保护光电子器件10，例如免受外部的机械力作用影响。此外，覆盖体38能够用于分配和/或导出在光电子器件10中产生的热。例如，覆盖体38的玻璃能够用作保护免于外部作用影响并且覆盖体38的金属层能够用于分配和/或导出在光电子器件10运行中产生的热。
增附层36能够例如以结构化的方式施加到封装层24上。增附层36以结构化的方式施加到封装层24上例如能够表示：增附层36直接在施加时已经具有预设的结构。例如，增附层36能够借助点胶法(Dispensverfahren)或者印刷法以结构化的方式施加。
光电子器件10例如能够通过如下方式从复合器件中分割：即通过载体12沿着其在图1中侧向示出的外棱边划刻并且然后折断并且通过覆盖体38同样地沿着其在图1中示出的侧向的外棱边划刻并且然后被折断。在这种划刻和折断时，露出在接触区域32、34上方的封装层24。随后，第一接触区域32和第二接触区域34能够在进一步的方法步骤中露出，例如借助剥离工艺，例如借助激光剥离、机械刮刻或者刻蚀法。
光电子器件10能够构成为顶部发射器和/或底部发射器。如果光电子器件10构成为顶部发射器和底部发射器，那么光电子器件10能够称作光学透明器件，例如透明有机发光二极管。
光电子器件10具有载体12和在载体12上方的有源区。在载体12和有源区之间能够构成未示出的第一阻挡层，例如第一阻挡薄层。有源区域具有第一电极20、有机功能层结构22和第二电极23。在有源区上方构成封装层24。封装层24能够构成为第二阻挡层，例如第二阻挡薄层。在有源区域上方并且必要时在封装层24上方设有覆盖件38。覆盖件38例如能够借助增附层36设置在封装层24上。
有源区域是电学和/或光学的有源区域。有源区例如是光电子器件10的如下区域，在所述区域中流动有用于光电子器件10运行的电流和/或在所述区域中产生或者吸收电磁辐射。
有机功能层结构22能够在层结构单元之间具有一个、两个或者更多个功能层结构单元和一个、两个或者更多个中间层、例如中间电极。
载体12能够构成为半透明或者透明的。载体12用作为用于电子元件或层的载体元件，例如发光元件。例如，载体12能够具有玻璃、石英和/或半导体材料或任意其他适合的材料或由其形成。此外，载体12能够具有塑料薄膜或具有带有一个或多个塑料薄膜的叠层或由其形成。塑料能够具有一种或多种聚烯烃。此外，塑料能够具有聚氯乙烯(PVC)、聚苯乙烯(PS)、聚酯和/或聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚醚砜(PES)和/或聚萘二甲酸乙二酯(PEN)。载体12能够具有金属或由其形成，例如为铜、银、金、铂、铁，例如金属合金、例如钢。载体12能够构成为金属薄膜或者金属覆层的薄膜。载体12能够是镜结构的一部分或者形成所述镜结构的一部分。载体12能够具有机械刚性区域和/或机械柔性区域或者构成这种区域。
第一电极20能够构成为阳极或者阴极。第一电极20能够构成为半透明或者透明的。第一电极20能够具有导电材料，例如金属和/或透明导电氧化物(transparentconductive oxide，TCO)或者多个层的层堆，所述层具有金属或者TCO。第一电极20例如能具有在TCO的层上的金属层的组合的层堆，或者反之亦然。一个实例是银层，所述银层施加在铟锡氧化物(ITO)上(ITO上的Ag)或者ITO-Ag-ITO复层。例如能够将Ag、Pt、Au、Mg、Al、Ba、In、Ca、Sm或Li以及这些材料的化合物、组合物或合金用作为金属。透明导电氧化物是透明的、导电的材料，例如金属氧化物，例如氧化锌、氧化锡、氧化镉、氧化钛、氧化铟或铟锡氧化物(ITO)。除了二元的金属氧化物，例如ZnO、SnO2或In2O3以外，三元的金属氧化物化合物，例如AlZnO、Zn2SnO4、CdSnO3、ZnSnO3、Mgln2O4、GaInO3、Zn2In2O5或In4Sn3O12或不同的透明导电氧化物的混合物也属于TCO族。
替选于或附加于上述材料，第一电极20具有：至少一种由图3中未示出的导电的纳米线4构成的网络，例如半导电的纳米线或者例如由Ag构成的金属的纳米线，和可选地由碳纳米管、石墨烯微粒以及石墨烯层构成的网络。附加地，由金属纳米线构成的网络能够与一个或者多个导电的聚合物组合。此外，第一电极20能够具有导电的聚合物或者过渡金属氧化物。
第一电极20能够具有例如在10nm至500nm的范围中、例如在小于25nm至250nm的范围中、例如在50nm至100nm的范围中的层厚度。
第一电极20能够具有第一电端子，在所述第一电端子上、例如第一接触部段16上能够施加第一电势。第一电势能够由能量源(未示出)提供，例如由电源或者电压源提供。替选地，第一电势能够施加在载体12上并且经由载体12间接地输送给第一电极20。第一电势例如能够是接地电势或者是不同地预设的参考电势。
有机功能层结构22能够具有空穴注入层、空穴传输层、发射体层、电子传输层和/或电子注入层。
空穴注入层能够在第一电极20上或者上方构成。空穴注入层能够具有一种或多种下述材料或由其构成：HAT-CN、Cu(I)pFBz、MoOx、WOx、VOx、ReOx、F4-TCNQ、NDP-2、NDP-9、Bi(III)pFBz、F16CuPc；NPB(N,N′-双(萘-1-基)-N,N′-双(苯基)-联苯胺)；β-NPB N,N′-双(萘-2-基)-N,N′-双(苯基)-联苯胺)；TPD(N-N′-双(3-甲基苯基)-N,N′-双(苯基)-联苯胺)；Spiro TPD(N,N′-双(3-甲基苯基)-N,N′-双(苯基)-联苯胺)；Spiro-NPB(N,N′-双(萘-1-基)-N,N′-双(苯基)-螺环)；DMFL-TPD N,N′-双(3-甲基苯基)-N,N′-双(苯基)-9,9-二甲基-芴)；DMFL-NPB(N,N′-双(萘-1-基)-N,N′-双(苯基)-9,9-二甲基-芴)；DPFL-TPD(N,N′-双(3-甲基苯基)-N,N′-双(苯基)-9,9-二甲基-芴)；DPEL-NPB(N,N′-双(萘-1-基)-N,N′-双(苯基)-9,9-二苯基-芴)；Spiro-TAD(2,2′,7,7′-四(n，n-二苯基氨基)-9,9′-螺二芴)；9,9-双[4-(N,N-双-联苯-4-基-氨基)苯基]-9Η-芴；9,9-双[4-(N,N-双-萘-2-基-氨基)苯基]-9Η-芴；9,9-双[4-(N,N′-双-萘-2-基-N,N′-双-苯基-氨基)苯基]-9Η-芴；N,N′-双(萘-9-基)-N,N′-双(苯基)-联苯胺；2,7-双[N,N-双(9，9-螺二荷-2-基)氨基]-9,9-螺二芴；2,2′-双[N,N-双(联苯-4-基)氨基]9,9-螺二芴；2,2′-双[N,N-双-苯基-氨基]9,9-螺二芴；双-[4-(N,N-联甲苯-氨基)-苯基]环己烷；2,2′,7,7′-四(N,N-双-甲苯基)氨基-螺二芴，和/或N,N,N′,N′-四-萘-2-基-联苯胺。
空穴注入层能够具有在大约10nm至大约1000nm的范围中、例如在大约30nm至大约300nm的范围中、例如为大约50nm至大约200nm的范围中的层厚度。
在空穴注入层上或者上方能够构成空穴传输层。空穴传输层能够具有一种或多种下述材料或由其构成：NPB(N,N′-双(萘-1-基)-N,N′-双(苯基)-联苯胺)；β-NPB N,N′-双(萘-2-基)-N,N′-双(苯基)-联苯胺)；TPD(N-N′-双(3-甲基苯基)-N,N′-双(苯基)-联苯胺)；Spiro TPD(N,N′-双(3-甲基苯基)-N,N′-双(苯基)-联苯胺)；Spiro-NPB(N,N′-双(萘-1-基)-N,N′-双(苯基)-螺环)；DMFL-TPD N,N′-双(3-甲基苯基)-N,N′-双(苯基)-9,9-二甲基-芴)；DMFL-NPB(N,N′-双(萘-1-基)-N,N′-双(苯基)-9,9-二甲基-芴)；DPFL-TPD(N,N′-双(3-甲基苯基)-N,N′-双(苯基)-9,9-二甲基-芴)；DPEL-NPB(N,N′-双(萘-1-基)-N,N′-双(苯基)-9,9-二苯基-芴)；Spiro-TAD(2,2′,7,7′-四(n，n-二苯基氨基)-9,9′-螺二芴)；9,9-双[4-(N,N-双-联苯-4-基-氨基)苯基]-9Η-芴；9,9-双[4-(N,N-双-萘-2-基-氨基)苯基]-9Η-芴；9,9-双[4-(N,N′-双-萘-2-基-N,N′-双-苯基-氨基)苯基]-9Η-芴；N,N′-双(萘-9-基)-N,N′-双(苯基)-联苯胺；2,7-双[N,N-双(9，9-螺二荷-2-基)氨基]-9,9-螺二芴；2,2′-双[N,N-双(联苯-4-基)氨基]9,9-螺二芴；2,2′-双[N,N-双-苯基-氨基]9,9-螺二芴；双-[4-(N,N-联甲苯-氨基)-苯基]环己烷；2,2′,7,7′-四(N,N-双-甲苯基)氨基-螺二芴，和/或N,N,N′,N′-四-萘-2-基-联苯胺。
空穴传输层能够具有在大约5nm至大约50nm的范围中的、例如在大约10nm至大约30nm的范围中的、例如为大约20nm的层厚度。
在空穴传输层上或者上方能够构成一个或者多个发射体层，例如具有荧光的和/或磷光的发射体。发射体层能够具有有机聚合物、有机低聚物、有机单体、有机的、非聚合物的小的分子(“小分子(small molecules)”)或这些材料的组合。发射体层能够具有一种或者多种下述材料或者由其形成：有机的或有机金属的化合物，如聚芴、聚噻吩和聚亚苯基的衍生物(例如2-或2,5-取代的聚-对-亚苯基乙烯撑)；以及金属络合物，例如铱络合物，如发蓝色磷光的FIrPic(双(3,5-二氟-2-(2-吡啶基)苯基-(2-羧基吡啶基)-铱III)、发绿色磷光的Ir(ppy)3(三(2-苯基吡啶)铱III)、发红色磷光的Ru(dtb-bpy)3*2(PF6))(三[4,4’-二-叔-丁基-(2,2’)-联吡啶]钌(III)络合物)、以及发蓝色荧光的DPAVBi(4,4-双[4-(二-对-甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯)、发绿色荧光的TTPA(9,10-双[N,N-二-(对-甲苯基)-氨基]蒽)和发红色荧光的DCM2(4-二氰基亚甲基)-2-甲基-6-久洛尼定基-9-烯基-4H-吡喃)作为非聚合物发射体。这种非聚合物发射体例如能够借助于热蒸镀来沉积。此外，能够使用聚合物发射体，所述聚合物发射体例如能够借助于湿法化学法、例如旋涂法(也称作SpinCoating)来沉积。发射体材料能够以适合的方式嵌在基体材料中，例如工程陶瓷或者聚合物，例如环氧化物、或者硅酮。
第一发射体层能够具有在大约5nm至大约50nm的范围中的、例如在大约10nm至大约30nm的范围中的、例如为大约20nm的层厚度。
发射体层能够具有单色或者多色(例如蓝色和黄色或者蓝色、绿色和红色)发射的的发射体材料。替选地，发射体层也能够具有多个子层，所述子层发射不同颜色的光。借助不同颜色的混合，能够得到具有白色的色彩印象的光的发射。替选地，也能够提出，在通过这些层产生的初级发射的光路中设置有转换材料，所述转换材料至少部分地吸收初级辐射并且发射其他波长的次级辐射，使得从(还不是白色的)初级辐射通过将初级辐射和次级辐射组合得到白色的色彩印象。
在发射体层上或者上方能够构成，例如沉积电子传输层。电子传输层能够具有一个或者多个下述材料或者由其形成：NET-18；2,2’,2”-(1,3,5-苯取代基)-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)；2-(4-联苯基)-5-(4-叔-丁基)-1,3,4-恶二唑，2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-菲咯啉(BCP)；8-羟基喹啉-锂，4-(萘-1-基)-3,5-联苯-4H-1,2,4-三唑；1,3-双[2-(2,2’-双吡啶-6-基)-1,3,4-恶二唑-5-基]苯；4,7-联苯-1,10-菲咯啉(BPhen)；3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔-丁基苯基-1,2,4-三唑；双(2-甲基-8-喹啉)-4-苯基苯酚)铝；6,6’-双[5-(联苯-4-基)-1,3,4-恶二唑-2-基]-2,2’-双吡啶基；2-苯基-9,10-双(萘-2-基)-蒽；2,7-双[2-(2,2’-双吡啶-6-基)-1,3,4-恶二唑-5-基]-9,9-二甲基芴；1,3-双[2-(4-叔-丁基苯基)-1,3,4-恶二唑-5-基]苯；2-(萘-2-基)-4,7-联苯-1,10-菲咯啉；2,9-双(萘-2-基)-4,7-联苯-1,10-菲咯啉；三(2,4,6-三甲基-3(吡啶-3-基)苯基)硼烷；1-甲基-2-(4-(萘-2-基)苯基)-1H-咪唑[4,5-f][1,10]菲咯啉；苯基-双芘基膦氧化物；萘四碳酸酐或其酰亚胺；芘四碳酸酐或其酰亚胺；和基于具有硅杂环戊二烯的噻咯的材料。
电子传输层能够具有在大约5nm至大约50nm的范围中的、例如在大约10nm至大约30nm的范围中的、例如为大约20nm的层厚度。
在电子传输层上或者上方能够构成电子注入层。电子注入层能够具有一个或者多个下述材料或者由其形成：NDN-26、MgAg、Cs2CO3、Cs3PO4、Na、Ca、K、Mg、Cs、Li、LiF；2,2’,2”-(1,3,5-苯取代基)-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)；2-(4-联苯基)-5-(4-叔-丁基)-1,3,4-恶二唑，2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-菲咯啉(BCP)；8-羟基喹啉-锂，4-(萘-1-基)-3,5-联苯-4H-1,2,4-三唑；1,3-双[2-(2,2’-双吡啶-6-基)-1,3,4-恶二唑-5-基]苯；4,7-联苯-1,10-菲咯啉(BPhen)；3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔-丁基苯基-1,2,4-三唑；双(2-甲基-8-喹啉)-4-苯基苯酚)铝；6,6’-双[5-(联苯-4-基)-1,3,4-恶二唑-2-基]-2,2’-双吡啶基；2-苯基-9,10-双(萘-2-基)-蒽；2,7-双[2-(2,2’-双吡啶-6-基)-1,3,4-恶二唑-5-基]-9,9-二甲基芴；1,3-双[2-(4-叔-丁基苯基)-1,3,4-恶二唑-5-基]苯；2-(萘-2-基)-4,7-联苯-1,10-菲咯啉；2,9-双(萘-2-基)-4,7-联苯-1,10-菲咯啉；三(2,4,6-三甲基-3(吡啶-3-基)苯基)硼烷；1-甲基-2-(4-(萘-2-基)苯基)-1H-咪唑[4,5-f][1,10]菲咯啉；苯基-双芘基膦氧化物；萘四碳酸酐或其酰亚胺；芘四碳酸酐或其酰亚胺；和基于具有硅杂环戊二烯的噻咯的材料。
电子注入层能够具有在大约5nm至大约200nm的范围中的、例如在大约20nm至大约50nm的范围中的、例如为大约30nm的层厚度。
在具有两个或者更多个有机功能层结构单元的有机功能层结构22中，能够在有机功能层结构单元之间构成相应的中间层。有机功能层结构单元能够分别单独地本身根据有机功能层结构22的前面阐述的设计方案构成。中间层能够构成为中间电极。中间电极能够与外部电压源电连接。外部电压源能够例如在中间电极上提供第三电势。然而，例如通过中间电极具有浮动的电势的方式，中间电极也能够不具有任何外部电端子。同样地，中间电极能够根据第一电极的一个设计方案构成。
有机功能层结构单元例如能够具有最大大约3μm的层厚度、例如最大大约1μm的层厚度、例如最大大约300nm的层厚度。
光电子器件10能够可选地具有其他的功能层，例如设置在一个或者多个发射体层上或者上方或者电子传输层上或者上方。其他的功能层能够例如是内部的或者外部的耦合输入/耦合输出结构，所述耦合输入/耦合输出结构能够进一步改进光电子器件10的功能和效率。
第二电极23能够根据第一电极20的一个设计方案构成，其中第一电极20和第二电极23能够构成为相同的或者不同的。第二电极23能够构成为阳极或者阴极。第二电极23能够具有第二电端子，在所述第二电端子上能够施加第二电势，例如第二接触部段18。第二电势能够由第一电势与相同的或者不同的能源提供。第二电势能够不同于第一电势。第二电势能够例如具有一定数值，使得与第一电势的差具有在大约1.5V至大约20V范围内的数值、例如在大约2.5V至大约15V范围内的数值、例如在大约3V至大约12V范围内的数值。
封装层24也能够称作为薄层封装。封装层24能够构成为半透明的或者透明的层。封装层24形成相对于化学污染物或大气物质、尤其相对于水(湿气)和氧气的阻挡。换而言之，封装层24构成为，使得其不能够或至多极其少部分由损坏光电子器件的物质，例如水、氧或溶剂穿过。封装层24能够构成为单层、层堆或者层结构。
封装层24能够具有下述各项或者由下述各项构成：氧化铝、氧化锌、氧化锆、氧化钛、氧化铪、氧化钽、氧化镧、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝掺杂的氧化锌、聚(对苯二胺)、尼龙-66、以及它们的混合物和合金。
封装层24能够具有大约0.1nm(一个原子层)至大约1000nm的层厚度、例如大约10nm至大约100nm的层厚度、例如大约40nm的层厚度。封装层24能够具有高折射的材料，例如一种或者多种具有高折射率的材料，例如具有至少为2的折射率的材料。
必要的话，第一阻挡层能够构成在与封装层24的设计方案相对应的载体12上。
封装层24能够例如借助于适当的沉积方法形成，例如借助于原子层沉积方法(Atomic Layer Deposition(ALD))来形成，例如为等离子增强的原子层沉积方法(PlasmaEnhanced Atomic Layer Deposition(PEALD))或无等离子的原子层沉积方法(Plasma-less Atomic Layer Deposition (PLALD))，或根据借助于化学气相沉积方法(ChemicalVapor Deposition(CVD))来形成，例如为等离子增强的气相沉积方法(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition(PECVD))或无等离子的气相沉积方法(Plasma-lessChemical Vapor Deposition(PLCVD))，或者替选地借助于另外适合的沉积方法来形成。
必要的话，耦合输入层或者耦合输出层能够例如在载体12上构成为外部薄膜(未示出)或者在光电子器件10的层横截面中构成为内部耦合输出层(未示出)。耦合输入层/耦合输出层能够具有基体和分布其中的散射中心，其中耦合输入层/耦合输出层的平均折射率大于层的平均折射率，从所述层提供电磁辐射。此外，也能够附加地构成一个或者多个抗反射层。
增附层36能够具有例如粘接剂和/或漆，借助粘接剂和/或漆，覆盖件38例如设置、如粘贴在封装层24上。增附层36能够是透明或者半透明地构成。增附层36能够具有例如颗粒，所述颗粒，例如散射光的颗粒散射电磁辐射。由此，增附层36能够作用为散射层并且能够引起色角畸变和耦合输出效率的改进。
能够将介电的散射颗粒设为散射光的颗粒，例如金属氧化物，如氧化硅(SiO2)、氧化锌(ZnO)、氧化锆(ZrO2)、铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)、氧化镓(Ga2Ox)、氧化铝或氧化钛。其他颗粒也能够是适合的，只要其具有与增附层36的基体的有效折射率不同的折射率，例如为气泡、丙烯酸盐或玻璃空心球。此外，例如能够将金属的纳米颗粒，金属如金、银，铁纳米颗粒等设为散射光的颗粒。
增附层36能够具有大于1μm的层厚度，例如几μm的层厚度。在不同的实施例中，胶能够是复膜胶。
增附层36能够具有如下折射率，所述折射率小于覆盖件38的折射率。增附层36能够具有例如低折射率的粘接剂，例如丙烯酸盐，所述丙烯酸盐具有大约1.3的折射率。然而，增附层36也能够具有带有例如高折射率的、非散射的颗粒的高折射率的胶并且具有层厚度加权的折射率，所述折射率大约对应于有机功能层结构22的平均折射率，例如在大约1.7至大约2.0的范围中。
在有源区域上或者上方能够设置所谓的除气层或者除气结构，即横向结构化的除气层(未示出)。除气层能够构成为半透明的、透明的或者不透明的。除气层能够具有如下材料或者由其形成，所述材料吸收并且结合对有源区有害的物质。除气层能够具有例如沸石衍生物或者由其形成。除气层能够具有大于大约1μm的层厚度、例如几μm的层厚度。在不同的实施例中，除气层能够具有复膜胶或者嵌入在增附层36中。
覆盖件38能够例如由玻璃覆盖件、金属薄膜或者密封的塑料薄膜覆盖件形成。覆盖件38能够例如借助于玻璃焊料连接(英文为glass frit bonding玻璃焊料接合/glasssoldering玻璃焊接/seal glass bonding密封玻璃接合)借助于常规的玻璃料在有机光电子器件10的几何的边缘区域中施加到封装层24或有源区域上。覆盖件38能够具有例如1.55的折射率(例如在633nm波长的情况下)。
图4示出在用于制造光电子器件10的方法期间的、根据图3的光电子器件10的俯视图。图4尤其示出用于制造光电子器件10的方法的步骤，在所述方法中第一电极20或者第二电极23在光电子器件10的面2上构成。
如果第一电极20在图4示出的步骤中构成，那么面2由衬底12的表面或者由在衬底12和第一电极20之间的层的表面形成，例如由平坦化层的、第一阻挡层的或者耦合输出层的表面形成。如果第二电极20在图4示出的步骤中构成，那么面2由光学功能层结构22的表面或者由在光学功能层结构22和第一电极20之间的层的表面形成，例如由耦合输出层的表面形成。
纳米线4能够例如在没有将纳米线4嵌入其中的粘合剂和/或载体材料的情况下设置在面2上。纳米线4能够根据是否应用载体材料并且必要时根据具有纳米线4的载体材料的粘度借助于旋涂法、刮涂、夹缝式挤压型涂布(Slot-Die-Coating)、喷涂、丝网印刷或者喷墨设置在面2上。如果纳米线嵌入载体材料中，那么能够将溶剂和/或水用作为载体材料。
随后，将纳米线4加热成使得其塑性地变形，但不完全熔化。加热纳米线4能够例如在炉中，借助激光辐射或者借助具有高能辐射的脉冲式照射进行。纳米线4能够具有例如银或者铜，或者由其构成。
如果纳米线4具有银，那么纳米线4能够例如借助在热力平衡中的热处理来加热和/或软化，例如在炉中，或者借助不存在热力平衡的处理,例如借助激光处理。热力平衡中的热处理温度在例如630℃至950℃、例如720℃至945℃、例如860℃至940℃的范围中进行。激光处理能够在例如大约10.0kJ/mol的能量密度的情况下执行。然而，所需的能量密度强烈地与纳米线4的吸收相关。因此，根据可局部产生的温度选择激光能量和/或必需的能量密度，所述温度例如能够位于与在热平衡中的热处理中相同的、上述的温度范围中。
如果纳米线4具有铜，那么纳米线4能够例如借助热力平衡中的热处理来加热和/或软化，例如在炉中，或者借不存助在无热力平衡的处理，例如借助激光处理。热力平衡中的热处理，温度在例如600℃至1320℃、例如920℃至1300℃、例如1150℃至1275℃的范围中进行。激光处理能够在例如大约13.0kJ/mol的能量密度中执行。然而，所需的能量密度强烈地与纳米线4的吸收相关。因此，根据可局部地产生的温度选择激光能量和/或必需的能量密度，所述温度例如能够位于与在热平衡中的热处理中相同的、上述的温度范围中。
纳米线4由于其质量和例如由于其重力变形，并且尤其当面2水平地或者基本上水平地定向时，放倒在面2上和/或平行于面2。在此，纳米线4进入彼此进一步连接，由此形成其他的节点和/或交叉点并且由纳米线4形成的网络的交联度提供。
替选于重力，能够通过如下方式利用离心力将纳米线4放倒在面2上，即通过载体12和/或必要时光学功能层结构22与设置在其上的纳米线4设置在离心机中，使得在转动时离心力将纳米线4超面2挤压。在此，转动速度能够选择得大至使得离心力大于纳米线4的重力。由此，在纳米线4轻度加热的情况下能够实现变形和进而实现纳米线4的放倒。这尤其当纳米线4在层、例如有机功能层结构上方构成时能够有助于已经制造的光电子器件10，其中所述层对热作用敏感。
纳米线例如能够具有含金属的材料，例如金属或者半金属，例如银、金、铝和/或锌。
图5示出在加热纳米线4步骤后的根据图4的光电子器件10的侧视图。纳米线4现在形成二维网络，所述二维网络的扩展在垂直于面2方向上是小的。纳米线4基本上平行于面2延伸并且例如由于其直径，不再或者仅还可忽略不计地在垂直于面2方向上延伸。例如二维网络在垂直于面的方向上的厚度在纳米线4的一个直径至纳米线4的几个直径，例如二个、三个、四个直径的范围中。
例如，纳米线4能够具有例如5nm至1μm的范围中的、例如10nm至150nm的范围中的、例如15nm至60nm的范围中的直径。纳米线4能够具有例如相应的纳米线4的直径至1mm的范围中的、例如在1μm至100μm的范围中的、例如在20μm至50μm的范围中的长度。因此，在制造光电子器件10期间由纳米线4形成的层的厚度在加热前能够为例如100nm至1mm、例如1μm至100μm、例如20μm至50μm。因此，在制成的光电子器件中，由纳米线4形成的层的厚度能够为例如10nm至2μm、例如20nm至300nm、例如30nm至180nm。
纳米线4在加热状态中能够变形和/或轻微熔化，使得尽管基本保上持其线状的结构，但所述纳米线彼此并且与面2的材料牢固地、例如材料配合地连接。
如果纳米线4嵌入在载体材料中，那么所述载体材料在加热纳米线4时能够完全地或者部分地蒸发。
纳米线4能够形成相应的电极20、23的一部分，例如一个子层或者整个相应的电极20、23。
图6示出用于制造光电子器件的方法的步骤、例如前面阐述的步骤和/或例如前面阐述的光电子器件10的流程图。
在图6中示出的步骤是用于制造光电子器件10的方法的一部分，其中提供载体12，构成电极20、23，光学功能层结构22，封装层24和/或增附层36并且设置覆盖体28。
在步骤S2中，纳米线4设置在面2上，例如设置在载体12上方或者光学功能层结构22上方。
在步骤S4中，加热纳米线4。纳米线4加热至使得其塑性地变形，但不完全熔化，并且使得所述纳米线由于重力或者必要时由于离心力，平行于或者至少基本上平行于面2定向和/或放倒在面2上。
在可选的步骤S6中，载体12必要时与光学功能层结构22一起与设置在其上的纳米线4设置在离心机中并且借助离心机转动，使得纳米线4由离心力朝面2挤压。
如果执行步骤S6，那么所述步骤能够与步骤S4同时或者在步骤S6之后不久执行。纳米线4尤其能够在离心机中在转动期间加热，或者首先加热并且然后在加热状态下转动。
本发明不限于上述实施例。例如，必要时能够借助于加热纳米线4构成其他导电的层，例如必要时构成光电子器件的一个、两个或者更多个中间电极。
虽然已经参照具体实施例对所公开的实施例进行了具体展示和说明，但是本领域技术人员应理解：可以在形式和细节上做出各种变化而不会偏离所公开实施例的构思和范围。所公开的实施例的范围因而旨在涵盖这些实施例等同形式的意义和范围之内的全部变化。

Claims (7)

1.一种用于制造光电子器件的方法，所述方法包括：
-提供载体，
-在所述载体上方构成第一电极，
-在所述第一电极上方构成光学功能层结构，并且
-在所述光学功能层结构上方构成第二电极，
其中在构成这两个电极的至少一个时，导电的纳米线设置在面上，在所述面上应当构成相应的所述电极，并且将所述纳米线加热成使得其塑性地变形，并且其中变形的所述纳米线随后形成相应的所述电极的至少一部分，
其中所述纳米线在设置在所述面上的情况下形成三维网络并且在将所述纳米线加热成使得所述纳米线的材料能够容易地塑性变形并且所述纳米线由于其质量而放倒在所述面上进而形成二维的网络，并且
其中所述纳米线设置在相应的所述电极上，将所述纳米线加热并且所述光电子器件设置在离心机中并且借助所述离心机转动，使得所述纳米线由于所作用的离心力而放倒在所述面上。
2.根据权利要求1所述的方法，其中通过加热和与加热关联的变形增加所述纳米线的交联度。
3.根据权利要求1所述的方法，其中将所述纳米线加热成，使得其彼此材料配合地连接。
4.根据权利要求1所述的方法，其中将所述纳米线加热成，使得所述纳米线的材料不完全熔化，以至于整体上保持各个所述纳米线的线状的结构和所述纳米线的网络状的结构。
5.根据权利要求1所述的方法，其中将所述纳米线嵌入在载体材料中，并且其中所述载体材料与所述纳米线施加到所述面上。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一电极由所述纳米线形成，并且在所述方法中所述纳米线设置在所述载体上方。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二电极由所述纳米线形成，并且其中所述纳米线设置在所述光学功能层结构上方。
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