KR20160012167A - 광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 방법 및 광전자 컴포넌트 - Google Patents
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- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 94
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 5
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims abstract description 180
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 45
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 33
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 20
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 claims description 17
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 16
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 16
- 230000006855 networking Effects 0.000 claims description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 186
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 36
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 20
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 17
- -1 e.g. Substances 0.000 description 12
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 10
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 8
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 8
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 5
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- MQRCTQVBZYBPQE-UHFFFAOYSA-N 189363-47-1 Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3(C4=CC(=CC=C4C2=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC(=CC=C1C1=CC=C(C=C13)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 MQRCTQVBZYBPQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PQCAURRJHOJJNQ-UHFFFAOYSA-N 2-n,7-n-dinaphthalen-1-yl-2-n,7-n,9,9-tetraphenylfluorene-2,7-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C(=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C2(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)C2=C1 PQCAURRJHOJJNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YUBXDAMWVRMLOG-UHFFFAOYSA-N 9,9-dimethyl-2-n,7-n-bis(3-methylphenyl)-2-n,7-n-diphenylfluorene-2,7-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C(C)(C)C4=CC(=CC=C4C3=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 YUBXDAMWVRMLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KJEQVQJWXVHKGT-UHFFFAOYSA-N 9,9-dimethyl-2-n,7-n-dinaphthalen-1-yl-2-n,7-n-diphenylfluorene-2,7-diamine Chemical compound C1=C2C(C)(C)C3=CC(N(C=4C=CC=CC=4)C=4C5=CC=CC=C5C=CC=4)=CC=C3C2=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=CC=C1 KJEQVQJWXVHKGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 4
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N borane Chemical compound B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 238000013532 laser treatment Methods 0.000 description 4
- BLFVVZKSHYCRDR-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-2-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C=CC=CC2=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C=CC=CC3=CC=2)C=C1 BLFVVZKSHYCRDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 3
- 125000001622 2-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C(*)C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- WMZCREDANYEXRT-UHFFFAOYSA-N 1-[phenyl(pyren-1-yl)phosphoryl]pyrene Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1P(C=1C2=CC=C3C=CC=C4C=CC(C2=C43)=CC=1)(=O)C1=CC=CC=C1 WMZCREDANYEXRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XESMNQMWRSEIET-UHFFFAOYSA-N 2,9-dinaphthalen-2-yl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC(C=2C=C3C=CC=CC3=CC=2)=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=C(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)N=C21 XESMNQMWRSEIET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SRFFBQASROQQJB-UHFFFAOYSA-N 2-N',2-N',7-N',7-N'-tetrakis(9,9'-spirobi[fluorene]-2-yl)-9,9'-spirobi[fluorene]-2',7'-diamine Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1(C1=C2)C3=CC=CC=C3C1=CC=C2N(C=1C=C2C3(C4=CC=CC=C4C4=CC=CC=C43)C3=CC=CC=C3C2=CC=1)C(C=C1C2(C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C2=C3)=CC=C1C2=CC=C3N(C=1C=C2C3(C4=CC=CC=C4C4=CC=CC=C43)C3=CC=CC=C3C2=CC=1)C(C=C12)=CC=C2C2=CC=CC=C2C21C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C21 SRFFBQASROQQJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QZTQQBIGSZWRGI-UHFFFAOYSA-N 2-n',7-n'-bis(3-methylphenyl)-2-n',7-n'-diphenyl-9,9'-spirobi[fluorene]-2',7'-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C4(C5=CC=CC=C5C5=CC=CC=C54)C4=CC(=CC=C4C3=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 QZTQQBIGSZWRGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZDAWFMCVTXSZTC-UHFFFAOYSA-N 2-n',7-n'-dinaphthalen-1-yl-2-n',7-n'-diphenyl-9,9'-spirobi[fluorene]-2',7'-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C(=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C23C4=CC=CC=C4C4=CC=CC=C43)C2=C1 ZDAWFMCVTXSZTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOSISXPKNIMGRP-UHFFFAOYSA-N 2-n,2-n,2-n',2-n'-tetraphenyl-9,9'-spirobi[fluorene]-2,2'-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3(C4=CC(=CC=C4C4=CC=CC=C43)N(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)C3=CC=CC=C3C2=CC=1)C1=CC=CC=C1 ZOSISXPKNIMGRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NFZUWPDINLFCGG-UHFFFAOYSA-N 2-n,7-n-bis(3-methylphenyl)-2-n,7-n,9,9-tetraphenylfluorene-2,7-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C(C4=CC(=CC=C4C3=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 NFZUWPDINLFCGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CELPGKFEUDCZOU-UHFFFAOYSA-N 2-naphthalen-2-yl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=C(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)N=C21 CELPGKFEUDCZOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BSVILDUORGWESI-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-2-(4-naphthalen-2-ylphenyl)imidazo[4,5-f][1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C3=CC=C(C=C3)C=3N(C4=C(C5=CC=CN=C5C5=NC=CC=C54)N=3)C)=CC=C21 BSVILDUORGWESI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SNFCXVRWFNAHQX-UHFFFAOYSA-N 9,9'-spirobi[fluorene] Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C21C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C21 SNFCXVRWFNAHQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FWXNJWAXBVMBGL-UHFFFAOYSA-N 9-n,9-n,10-n,10-n-tetrakis(4-methylphenyl)anthracene-9,10-diamine Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C(N(C=2C=CC(C)=CC=2)C=2C=CC(C)=CC=2)=C2C=CC=CC2=1)C1=CC=C(C)C=C1 FWXNJWAXBVMBGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LBFXFIPIIMAZPK-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-phenanthren-9-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylphenanthren-9-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C=2)C=C1 LBFXFIPIIMAZPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N naphthalenetetracarboxylic dianhydride Chemical compound C1=CC(C(=O)OC2=O)=C3C2=CC=C2C(=O)OC(=O)C1=C32 YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N pigment red 224 Chemical compound C=12C3=CC=C(C(OC4=O)=O)C2=C4C=CC=1C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C4=CC=C3C1=C42 CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 2
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003967 siloles Chemical group 0.000 description 2
- 125000003003 spiro group Chemical group 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJXYCXDXANGDIK-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-phenanthroline Chemical compound C1=C(C)C=C2C3=CC(C)=CN=C3C=CC2=N1 IJXYCXDXANGDIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRGSMSNUTNRNQM-UHFFFAOYSA-N 2-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=CO1 CRGSMSNUTNRNQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-(4-tert-butylphenyl)-5-[3-[5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl]phenyl]-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=C(C=CC=2)C=2OC(=NN=2)C=2C=CC(=CC=2)C(C)(C)C)O1 FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQCCGZKERKQMQR-UHFFFAOYSA-N 2-pyridin-2-ylpyridine;ruthenium(3+) Chemical compound [Ru+3].N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 WQCCGZKERKQMQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNJRONVKWRHYBF-VOTSOKGWSA-N 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4h-pyran Chemical compound O1C(C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(CCCN2CCC3)=C2C3=C1 ZNJRONVKWRHYBF-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 4-methyl-n-[4-[(e)-2-[4-[4-[(e)-2-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]ethenyl]phenyl]phenyl]ethenyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(\C=C\C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(\C=C\C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=CC(C)=CC=3)C=3C=CC(C)=CC=3)=CC=2)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 0.000 description 1
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OIUXFBGYUQQJDR-UHFFFAOYSA-N 4-naphthalen-1-yl-3,5-diphenyl-2,4-dihydrotriazole Chemical compound C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)C1N(NN=C1C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 OIUXFBGYUQQJDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXNLQUKVUJITMX-UHFFFAOYSA-N 4-tert-butyl-2-(4-tert-butylpyridin-2-yl)pyridine Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=NC(C=2N=CC=C(C=2)C(C)(C)C)=C1 TXNLQUKVUJITMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RFVBBELSDAVRHM-UHFFFAOYSA-N 9,10-dinaphthalen-2-yl-2-phenylanthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C(C=2C=C3C=CC=CC3=CC=2)=C2C(C=CC=C2)=C2C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C2=C1 RFVBBELSDAVRHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017911 MgIn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015711 MoOx Inorganic materials 0.000 description 1
- BGCXCUMDCTYFJY-UHFFFAOYSA-N N,N-bis(2-methylphenyl)-1,1'-spirobi[fluorene]-2'-amine Chemical compound C1(=C(C=CC=C1)N(C1=C(C=CC=C1)C)C=1C2(C3=CC4=CC=CC=C4C3=CC1)C=CC=C1C3=CC=CC=C3C=C12)C BGCXCUMDCTYFJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002302 Nylon 6,6 Polymers 0.000 description 1
- MVMBITSRQNHOLP-UHFFFAOYSA-N OC(=O)C1=NC=CC=C1[Ir]C1=CC(F)=CC(F)=C1C1=CC=CC=N1 Chemical compound OC(=O)C1=NC=CC=C1[Ir]C1=CC(F)=CC(F)=C1C1=CC=CC=N1 MVMBITSRQNHOLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021293 PO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002042 Silver nanowire Substances 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 102000003978 Tissue Plasminogen Activator Human genes 0.000 description 1
- 108090000373 Tissue Plasminogen Activator Proteins 0.000 description 1
- 229910007717 ZnSnO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical class O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile Chemical compound C12=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=C1N=C(C#N)C(C#N)=N2 DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000003995 emulsifying agent Substances 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- FJAOBQORBYMRNO-UHFFFAOYSA-N f16cupc Chemical compound [Cu+2].[N-]1C(N=C2C3=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C3C(N=C3C4=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C4C(=N4)[N-]3)=N2)=C(C(F)=C(F)C(F)=C2F)C2=C1N=C1C2=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C2C4=N1 FJAOBQORBYMRNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 150000002503 iridium Chemical class 0.000 description 1
- RTRAMYYYHJZWQK-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 RTRAMYYYHJZWQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PKQHEBAYOGHIPX-UHFFFAOYSA-N n-[4-[9-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]fluoren-9-yl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC=C(C=C3)C3(C=4C=CC(=CC=4)N(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)C4=CC=CC=C4C=4C3=CC=CC=4)=CC=C21 PKQHEBAYOGHIPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002972 p-tolylamino group Chemical group [H]N(*)C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003366 poly(p-phenylene terephthalamide) Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
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-
- H01L51/56—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
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-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
- H01L29/0665—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body the shape of the body defining a nanostructure
- H01L29/0669—Nanowires or nanotubes
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/413—Nanosized electrodes, e.g. nanowire electrodes comprising one or a plurality of nanowires
-
- H01L51/5203—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/81—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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-
- H01L2251/5369—
-
- H—ELECTRICITY
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Abstract
다양한 작동 실시예들에서, 광전자 컴포넌트(10)를 생성하기 위한 방법이 생성된다. 방법에서, 기판(12)이 생성된다. 제 1 전극(20)은 기판 위에 배치된다. 광학 기능 층 구조(22)는 제 1 전극(20) 위에 배치된다. 제 2 전극(23)은 광학 기능 층 구조(22) 위에 배치된다. 2개의 전극들(20, 23) 중 적어도 하나는 전기 전도 나노와이어들(4)을 대응하는 전극(20, 23)이 배치될 표면(2) 상에 배열하고, 그리고 소성 변형되도록 나노와이들(4)을 가열함으로써 설계된다.
Description
본 발명은 광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 프로세스 및 광전자 컴포넌트에 관한 것이다.
광전자 컴포넌트는 예를 들어, 전자기 조사선을 방사하는 컴포넌트 또는 전자기 조사선을 흡수하는 컴포넌트일 수 있다. 전자기 조사선을 흡수하는 컴포넌트는 예를 들어 포토다이오드 또는 태양 전지일 수 있다. 전자기 조사선을 방사하는 컴포넌트는 예를 들어, LED 또는 OLED일 수 있다. 유기 광전자 컴포넌트는 애노드, 캐소드 및 그 사이에 형성된 유기 기능 층 시스템을 가질 수 있다.
유기 기능 층 시스템은 전자기 조사선이 생성되는 방사기 층, 전하 캐리어 쌍 생성을 위한 각각의 경우에 2 또는 그 초과의 전하 캐리어 쌍 생성 층들("전하 생성 층"(CGL))로 구성된 전하 캐리어 생성 층 구조, 및 전류를 흐름을 지향시키기 위하여 또한 홀 수송 층(HTL)으로서 지칭되는 전자 차단 층, 및 또한 전자 수송 층(ETL)으로서 지칭되는 홀 차단 층을 가질 수 있다.
애노드 및/또는 캐소드는 예를 들어, 금속 재료, 예를 들어 금속 또는 반금속, 및/또는 전류를 전도하기에 적당한 다른 재료를 포함할 수 있고 이들로부터 형성될 수 있다. 예를 들어, 애노드 또는 캐소드에 대한 재료로서 나노와이어들, 예를 들어 은 나노와이어들(Ag 나노와이어들), 또는 나노튜브들, 예를 들어 탄소 나노튜브들(C 나노튜브들)을 사용하는 것이 가능하다. 나노와이어들 또는 나노튜브들은 바인더(bnder)들에 임베드될 수 있고 바인더와 함께 대응하는 전극이 형성될 표면에 적용될 수 있다. 바인더는 경화될 수 있고 경화된 상태에서, 나노와이어들 또는 나노튜브들은 물리적으로 및/또는 전기적으로 서로 연결되고 및 표면상에 고정될 수 있다. 나노와이어들 또는 나노튜브들은 예를 들어 그들이 배치되는 표면에 대해 완전히 또는 부분적으로 직각들을 포함하여, 바인더에 의해 형성된 층 내에서 모두 3개의 공간 방향들로 정렬될 수 있다. 나노와이어들 또는 나노튜브들의 정렬 중 수직 방향 컴포넌트로 인해, 이들은 또한 바인더의 층으로부터 돌출하고 및/또는 튀어 나올 수 있다. 바인더의 층에서 돌출하는 그런 나노와이어들 또는 나노튜브들은 대응하는 광전자 컴포넌트에 대해 중대한 위험이 되는 것으로 여겨지는데, 그 이유는 바인더의 층상에 형성된 층(들)이 나노와이어들 또는 나노튜브들에 의해 손상되고 및/또는 완전히 또는 부분적으로 단락될 수 있기 때문이다.
다양한 실시예들에서, 광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 프로세스가 제공되고, 프로세스는 간단하고 및/또는 값싼 방식으로 수행 가능하고 및/또는 광전자 컴포넌트의 신뢰성 있는 동작성에 기여한다.
다양한 실시예들에서, 광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 프로세스들이 제공되고, 상기 프로세스들은 간단하고 및/또는 값싼 방식으로 생성 가능하고 및/또는 신뢰성 있게 동작 가능하다.
다양한 실시예들에서, 광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 프로세스가 제공된다. 프로세스에서 캐리어가 제공되고; 예를 들어, 캐리어는 형성된다. 제 1 전극은 캐리어위에 형성된다. 광학 기능 층 구조는 제 1 전극위에 형성된다. 제 2 전극은 광학 기능 층 구조위에 형성된다. 2개의 전극들 중 적어도 하나를 형성할 때, 전기 전도 나노와이어들은 대응하는 전극이 형성될 표면상에 배치되고, 나노와이어들은 그들이 소성 변형하도록 가열된다. 추후, 변형된 나노와이어들은 대응하는 전극의 적어도 일부를 형성한다.
나노와이어들의 변형은, 표면에 직각들로 완전히 또는 부분적으로 정렬되는 나노와이어들이 표면에 평행하게 정렬되고 예를 들어, 외부 힘, 예를 들어 중력 및 따라서 그 자신의 무게 또는 원심 분리기에서 원심력하에서 표면상에 레이 다운(lay down)하는 효과에 기여할 수 있다. 이것은 대응하는 전극위에 형성된 층이 나노와이어들에 의해 손상되지 않을 수 있는 효과에 기여하고, 이는 광전자 컴포넌트의 신뢰성 있는 동작의 효과를 가질 수 있다. 게다가, 나노와이어들의 서로 네트워킹은 증가되는데, 그 이유는 가열 전에 서로 가로지르고 서로에 관하여 비스듬하게 정렬되는 나노와이어들이 이제 필수적으로 하나의 평면에 있고 서로 교차할 수 있기 때문이다. 이것은 2개의 나노와이어들이 콘택하게 할 가능성을 증가시키고, 이는 네트워킹을 증가시킨다. 높은 네트워킹은 대응하는 전극을 통한 우수하고 및/또는 균질한 전류 흐름에 기여하고 따라서 광전자 컴포넌트의 신뢰성 있는 동작에 기여한다. 게다가, 추후 냉각 및 연관된 경화 과정 중 나노와이어들은 단단한 본드, 예를 들어 점착 본드에 진입할 수 있고, 이때 층은 표면을 가진다. 그러므로, 선택적으로, 광전자 컴포넌트의 간단하고 및/또는 값싼 생성에 기여할 수 있는 바인더를 생략하는 것이 가능하다. 바인더에 대한 대안으로서, 나노와이어들에 대한 캐리어 재료로서 용매 및/또는 물을 사용하는 것이 가능하다.
제 1 전극이 나노와이어들에 의해 형성되면, 표면은 예를 들어, 캐리어의 표면 또는 캐리어와 제 1 전극 사이에 형성된 표면, 예를 들어 배리어 층의 표면, 광학 기능 층의 표면, 예를 들어 방사 층, 또는 평탄화 층의 표면일 수 있다. 제 1 전극은 예를 들어 애노드일 수 있다. 대안적으로 또는 부가적으로, 표면은, 제 2 전극이 나노와이어들에 의해 형성되면, 예를 들어 광전자 층 구조의 표면 또는 광전자 층 구조와 제 2 전극 사이에 형성된 층의 표면일 수 있다. 제 2 전극은 예를 들어 캐소드일 수 있다.
나노와이어들은 에너지 입력에 의해, 예를 들어, 오븐에서, 예를 들어 레이저 조사에 의해 및/또는 고 에너지 조사선에 대한 펄스화된 노출에 의해 온도를 점차로 상승시킴으로써 가열될 수 있다. 나노와이어들을 가열하기 위한 방법은 캐리어 및/또는 광전자 층 구조의 열적 안정성에 따라 선택될 수 있다. 나노와이어들은 그들이 연화되고 소성 변형되지만 완전히 용융하지 않는 그런 범위까지만 가열된다.
다양한 실시예들에서, 처음에 표면상에 배치될 때 나노와이어들은 3차원 네트워크를 형성한다. 나노와이어들은 나노와이어들의 재료가 간단히 소성 변형으로 수정할 수 있게 가열되고 나노와이어들은 자신의 무게로 인해 표면상에 레이 다운하고 따라서 2차원 네트워크를 형성한다. 네트워크가 2차원이라는 사실은 예를 들어, 네트워크 내 나노와이어들이 필수적으로 표면에 평행하게 정렬되는 것을 의미할 수 있다. 예를 들어 평면에 레이 다운하는 나노와이어들이 평면에 직각 방향으로 연장되는 실 두께를 가지며, 및/또는 나노와이어들이 교차 지점들에, 노드 지점들 및/또는 네트워킹 지점들에서 하나가 다른 것의 상부에 레이 다운하기 때문에, 2차원 네트워크는 또한 평면에 직각들로 3차원으로 형성될 수 있고, 여기서 이들 교차 지점들, 노드 지점들 및/또는 네트워킹 지점들은 또한 평면에 직각으로 제 3 공간 방향으로 연장될 수 있다. 다른 말로, 2차원 네트워크는 개별 나노와이어들의 두께로 인해 약간의 팽창 가능성과 함께 필수적으로 2개의 공간 방향들로 연장되고, 제 3 공간 방향은 이들 2개의 공간 방향들에 직각이다. 표면에 직각 방향으로 나노와이어들에 의해 형성된 층의 두께는 가열 후보다 가열 전에 매우 클 수 있다. 가열 전 두께는 예를 들어 최대 약 나노와이어들의 하나의 길이에 대응할 수 있고 가열 후 나노와이어들의 하나, 둘 또는 그 보다 작은 직경의 두께에 대응할 수 있다.
자신의 질량으로 인해 나노와이어들이 레이 다운하도록, 나노와이어들이 배치되는 표면은 수평으로 또는 적어도 대략 수평으로 정렬될 수 있고, 상기 경우 중력은 평면의 나노와이들의 레이다운을 위해 이용된다. 대안적으로 또는 부가적으로, 원심력은 원심 분리기에 의해 생성되고, 원심 분리기는 표면상에 나노와이어들의 레이다운을 초래하고 및/또는 촉진할 수 있다.
다양한 실시예들에서, 나노와이어들은 대응하는 전극상에 배치되고, 나노와이어들은 가열되고 광전자 컴포넌트는 원심 분리기에 배치되고 나노와이어들이 원심력의 동작으로 인해 표면상에 레이 다운하도록 원심 분리기에 의해 회전된다. 이것은, 특히 달성된 원심력이 중력보다 클 때 나노와이어들의 소성 변형 및/또는 레이다운이 심지어 약간의 가열로도 달성될 수 있는 효과에 기여할 수 있다.
다양한 실시예들에서, 나노와이어들의 네트워킹 정도는 가열 및 연관된 변형의 결과로서 증가한다. 다른 말로, 가열 과정 중에, 예를 들어 사이에 바인더를 가지는 3차원 네트워크로 하나 위에 다른 하나가 배열된 나노와이어들(그러므로 처음에 3차원 네트워크로 콘택하지 않음)은 직접적으로 물리적 콘택하고 및/또는 서로 본드되고, 그리고 그 후 2차원 네트워크로 콘택한다.
다양한 실시예들에서, 나노와이어들은, 그들이 서로 점착 본드되도록 가열된다. 예를 들어, 나노와이어들은 중력 및/또는 원심력의 동작으로 인해 서로 가압되고, 나노와이어들은, 그들이 소성 변형하도록 가열되고, 점착 본드로 진입한다. 예를 들어, 나노와이어들은, 그들이 완전히 용융되는 것이 아니고 적어도 부분적으로 용융되고 및/또는 표면 용융되도록 가열될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 나노와이어들은, 나노와이어들의 재료가 완전히 용융되지 않도록 가열되고, 개별 나노와이어들의 와이어 형 구조 및 나노와이어들의 네트워크 형 구조가 보존된다. 과도한 가열의 경우에 나노 와이어들이 완전히 용융되면, 나노와이어들은 자신의 와이어형 구조를 잃는다. 게다가, 과도한 가열 및 완전한 용융의 경우 나노와이어들의 재료는 둥근 용융 방울(round droplet)들을 형성할 수 있고, 그 중 몇몇은 서로 더 이상 연결되지 않고, 그 결과 대응하는 전극에서 신뢰성 있고 및/또는 균질한 전류 및/또는 전류 흐름의 분배가 더 이상 가능하지 않다.
다양한 실시예들에서, 나노와이어들은 캐리어 재료에 임베드되고 나노와이어들과 함께 캐리어 재료는 표면에 적용된다. 예를 들어, 나노와이어들은 용매 및/또는 물에 임베드될 수 있다. 용매가 나노와이어들과 함께 및/또는 나노와이어들의 가열 과정 중에 표면에 적용된 후, 캐리어 재료는 완전히 또는 부분적으로 증발할 수 있다.
다양한 실시예들에서, 제 1 전극은 나노와이어들에 의해 형성되고 나노와이어들은 캐리어위에 배치된다. 제 1 전극을 형성하기 위하여, 나노와이어들은 캐리어상에 직접 또는 캐리어와 제 1 전극 사이의 층상에, 예를 들어 배리어 층상에 직접, 광학 기능 층, 예를 들어 방사 층상에, 또는 평탄화 층상에 직접 형성될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 제 2 전극은 나노와이어들에 의해 형성되고 나노와이어들은 광학 기능 층 구조위에 배치된다. 제 2 전극을 형성하기 위하여, 나노와이어들은 광학 기능 층 구조상 또는 광학 기능 층 구조와 제 2 전극 사이 층상에, 예를 들어 광학 기능 층, 예를 들어 방사 층상에 직접 형성될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 광전자 컴포넌트가 제공되고, 예를 들어 광전자 컴포넌트는 예를 들어 상기 설명된 방법의 도움으로 생성된다. 광전자 컴포넌트는 제 1 전극이 형성된 캐리어를 포함한다. 광학 기능 층 구조는 제 1 전극위에 형성되었다. 제 2 전극은 광학 기능 층 구조위에 형성되었다. 2개의 전극들 중 적어도 하나는 대응하는 전극이 형성된 표면상에 배치된 전기 전도 나노와이어들을 가진다. 나노와이어들은 표면에 평행하거나 적어도 대략적으로 표면에 평행하게 배열된다. 예를 들어 나노와이어들은 필수적으로 표면에 평행하게 배열된다.
다양한 실시예들에서, 나노와이어들은 표면상에서 2차원 네트워크를 형성한다.
다양한 실시예들에서, 나노와이어들은 적어도 부분적으로 서로 점착 본드된다. 예를 들어, 나노와이어들은 자신의 본드들로 인해 2차원 네트워크를 형성한다.
다양한 실시예들에서, 나노와이어들은 캐리어 재료에 임베드되었다. 나노와이어들과 함께 캐리어 재료는 표면상에 배치된다.
다양한 실시예들에서, 제 1 전극은 나노와이어들에 의해 형성되었다. 대안적으로 또는 부가적으로, 제 2 전극은 나노와이어들에 의해 형성되었다.
다양한 실시예들에서, 나노와이어들은 5 nm 내지 1 μm, 예를 들어 10 nm 내지 150 nm, 예를 들어 15 nm 내지 60 nm 범위 내의 직경, 및/또는 대응하는 나노와이어의 직경 내지 1 mm, 예를 들어 1 μm 내지 100 μm, 예를 들어 20 μm 내지 50 μm 범위 내의 길이를 가진다. 따라서, 나노와이어들에 의해 형성된 층의 두께는 가열 전 광전자 컴포넌트의 생성 동안, 예를 들어 100 nm 내지 1 mm, 예를 들어 1 μm 내지 100 μm, 예를 들어 20 μm 내지 50 μm일 수 있다. 따라서, 나노와이어들에 의해 형성된 층의 두께는 마무리된 광전자 컴포넌트에서, 예를 들어 10 nm 내지 2 μm, 예를 들어 20 nm 내지 300 nm, 예를 들어 30 nm 내지 180 nm일 수 있다.
나노와이어들은 예를 들어, 금속 재료, 예를 들어 금속 또는 반금속, 예를 들어 은, 금, 알루미늄 및/또는 아연을 포함하거나 이들로부터 형성될 수 있다. 예를 들어, 나노와이어들은 언급된 재료들 중 하나 또는 그 초과를 포함하는 합금을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들은 도면들에 도시되고 이후 상세히 설명된다.
도 1은 종래의 광전자 컴포넌트(1)의 기판(12)의 평면도이다.
도 2는 도 1에 따른 기판(12)의 측면도이다.
도 3은 광전자 컴포넌트(10)의 작동 예의 단면도이다.
도 4는 광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 방법 동안 도 3에 따른 광전자 컴포넌트(10)의 평면도이다.
도 5는 도 4에 따른 광전자 컴포넌트(10)의 측면도이다.
도 6은 광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 방법의 작동 예의 단계들의 흐름도이다.
도 2는 도 1에 따른 기판(12)의 측면도이다.
도 3은 광전자 컴포넌트(10)의 작동 예의 단면도이다.
도 4는 광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 방법 동안 도 3에 따른 광전자 컴포넌트(10)의 평면도이다.
도 5는 도 4에 따른 광전자 컴포넌트(10)의 측면도이다.
도 6은 광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 방법의 작동 예의 단계들의 흐름도이다.
뒤따르는 상세한 설명에서, 본 설명의 일부를 형성하고, 예시를 위해 본 발명이 실행하게 할 수 있는 특정 작업 예들이 도시된 첨부된 도면들이 참조된다. 이에 관하여, 방향 용어, 예를 들어 "상단", "하단", "전면", "후면", "최전면", "최후면" 등은 설명된 도면(들)의 방향을 참조하여 설명된다. 작동 예들의 컴포넌트들이 다수의 상이한 배향들로 포지션될 수 있기 때문에, 방향 용어는 예시를 위한 역할을 하고 어떻든 전혀 제한하지 않는다. 다른 작동 예들이 이용될 수 있고 구조적 또는 논리적 대안들이 본 발명의 보호 범위에서 벗어남이 없이 착수될 수 있다는 것이 명백할 것이다. 다르게 특정하게 언급되지 않으면, 본원에 설명된 다양한 작동 예들의 피처들이 서로 결합될 수 있다는 것이 명백할 것이다. 그러므로, 뒤따르는 상세한 설명은 제한적인 방식으로 여겨지지 않아야 하고, 본 발명의 보호 범위는 첨부된 청구항들에 의해 정의된다.
본 설명의 맥락에서, 용어들 "본드된", "연결된" 및 "커플된"은 직접적 또는 간접적 본드, 직접적 또는 간접적 연결 및 직접적 또는 간접적 커플링을 설명하기 위하여 사용된다. 도면들에서, 동일하거나 유사한 엘리먼트들은, 적당하다면 동일한 참조 번호들이 주어진다.
광전자 컴포넌트는 전자기 조사선-방사 컴포넌트 또는 전자기 조사선-흡수 컴포넌트일 수 있다. 전자기 조사선-흡수 컴포넌트는 예를 들어 태양 전지일 수 있다. 광전자 조사선-방사 컴포넌트는 예를 들어, 광전자 조사선-방사 반도체 컴포넌트일 수 있고 및/또는 전자기 조사선-방사 다이오드, 유기 전자기 조사선-방사 다이오드, 전자기 조사선-방사 트랜지스터 또는 유기 광전자 조사선-방사트랜지스터의 형태를 취할 수 있다. 조사선은 예를 들어, 가시구역 광, UV 광 및/또는 적외선 광일 수 있다. 이와 관련하여, 전자기 조사선-방사 컴포넌트는 예를 들어, 발광 다이오드(LED), 유기 발광 다이오드(OLED), 발광 트랜지스터 또는 유기 발광 트랜지스터의 형태를 취할 수 있다. 발광 컴포넌트는 다양한 작동 예들에서, 집적 회로의 일부일 수 있다. 게다가, 다수의 발광 컴포넌트들은 제공되고, 예를 들어 공통 하우징에 수용될 수 있다.
점착 본드에서, 제 1 바디는 원자 및/또는 분자력들에 의해 제 2 바디에 본드될 수 있다. 점착 본드들은 빈번하게 분리 불가능한 본드들일 수 있다. 다양한 구성들에서, 점착 본드는 예를 들어, 접착 본드, 땜납 본드, 예를 들어 유리 땜납 또는 금속 땜납, 또는 용접 본드로서 구현될 수 있다.
용어 "반투명" 또는 "반투명 층"은, 다양한 작동 예들에서, 층이 전자기 조사선, 예를 들어 전자기 조사선-방사 컴포넌트에 의해 방사된 조사선, 예를 들어 하나 또는 그 초과의 파장 범위들 내의, 예를 들어 가시 광의 파장 범위 내의 광(예를 들어 적어도 380 nm 내지 780 nm 파장 범위 부분 내의)에 반투명한것으로 이해될 수 있다. 예를 들어, 용어 "반투명 층"은 다양한 작동 예들에서, 구조(예를 들어 층)에 흡수된 조사선의 전체 양이 필수적으로 또한 구조(예를 들어 층)로부터, 광의 적어도 일부의 산란과 함께 방사되는 것을 의미하는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 종래 광전자 컴포넌트(1)를 생성하기 위한 방법 동안 종래의 광전자 컴포넌트(1)의 기판(12)의 평면도를 도시한다. 보다 구체적으로, 도 1은 종래의 광전자 컴포넌트(1)의 애노드가 형성되는 종래의 광전자 컴포넌트(1)를 생성하기 위한 방법 단계를 도시한다.
기판(12) 상에는 전기 전도 나노와이어들(4)이 배치된다. 전기 전도 나노와이어들(4)은 바인더(도시되지 않음)에 임베드된다. 도 1로부터, 나노와이어들(4)이 2차원들로, 특히 나노와이어들(4)이 배치된 기판(12)의 표면에 평행하게 연장되는 것이 명백하다. 나노와이어들(4)이 배치된 기판(12)의 표면은 애노드가 형성될 표면(2)을 형성한다.
도 2는 표면(2), 특히 기판(12)의 표면상에 전기 전도 나노와이어들(4)을 가진 도 1에 따른 기판(12)의 측면도를 도시한다. 도 2로부터, 나노와이어들(4)이 도 2에 도시되지 않은 그 자신의 강도 및/또는 바인더로 인해, 제 3 차원 방향으로, 특히 표면(2)에 직각으로 완전히 또는 적어도 부분적으로 연장될 수 있다는 것이 명백하다. 결과로서, 개별 나노와이어들(4)은 또한 불리한 포지션들을 차지할 수 있다.
나노와이어들(4)은 부분적으로 서로 물리적 콘택하고, 그 결과 전기 전도 본드들은 나노와이어들(4) 사이에 형성되고, 각각의 콘택 지점은 노드 지점 또는 크로싱 지점을 형성한다. 이런 방식으로, 나노와이어들(4)은 네트워크를 형성하고, 네트워크의 네트워킹 레벨은 노드 지점들 또는 크로싱 지점들의 수에 따른다. 몇몇 경우들에서, 나노와이어들(4)은, 그들이 도 1에 따른 평면도에서 크로스하지만, 그들이 콘택하지 않고, 서로에 관하여 비스듬하기 때문에 실제로 크로스하지 않도록 하나가 다른 하나의 상부에 놓인다. 바인더 재료는 그런 중첩된 나노와이어들(4) 사이에 배치될 수 있다.
종래의 광전자 컴포넌트(1)의 경우, 나노와이어들(4)이 사이에 임베드된 바인더는 건조 및/또는 경화된다. 결과적으로, 나노와이어들(4)은 고정된 3차원 네트워크를 형성한다. 게다가, 나노와이어들(4) 및 3차원 네트워크는 예를 들어 점착 방식으로 캐리어(12)에 단단하게 본드된다.
도 3은 광전자 컴포넌트(10)의 작동 예의 단면도를 도시한다. 광전자 컴포넌트(10)는 예를 들어 상기 설명된 캐리어(12)의 형태를 취할 수 있는 캐리어(12)를 가진다. 캐리어(12) 상에는 광전자 층 구조가 형성된다.
광전자 층 구조는 제 1 콘택 섹션(16), 제 2 콘택 섹션(18) 및 제 1 전극(20)을 가진 제 1 전극 층(14)을 가진다. 제 1 콘택 섹션(16)은 광전자 층 구조의 제 1 전극(20)에 전기적으로 커플된다. 예를 들어, 제 1 콘택 섹션(16) 및 제 1 전극(20)은 원피스(one-piece) 형태일 수 있다. 제 1 전극(20)은 전기 절연 배리어(21)에 의해 제 2 콘택 섹션(18)으로부터 전기 절연된다. 제 1 전극(20) 위에는 광전자 층 구조의 광학 기능 층 구조(22), 예를 들어 유기 기능 층 구조가 형성된다. 광학 기능 층 구조(22)는 예를 들어 하기 추가로 상세히 설명된 바와 같은 예를 들어 1, 2 또는 그 초과의 컴포넌트 층들을 가질 수 있다. 유기 기능 층 구조(22) 위에는 제 2 콘택 섹션(18)에 전기적으로 커플된 광전자 층 구조의 제 2 전극(23)이 형성된다. 제 2 콘택 섹션(18)은 제 2 전극(23)과 함께 원피스 형태일 수 있다. 제 1 전극(20)은 예를 들어 광전자 층 구조의 애노드 또는 캐소드로서 역할을 한다. 제 2 전극(23)은 제 1 전극에 대응하게, 광전자 층 구조의 캐소드 또는 애노드로서 역할을 한다.
제 2 전극(23) 및 부분적으로 제 1 콘택 섹션(16) 및 부분적으로 제 2 콘택 섹션(18) 상에는 광전자 층 구조를 캡슐화하는 광전자 층 구조의 캡슐화 층(24)이 형성된다. 캡슐화 층(24)에서, 제 1 콘택 섹션(16) 상에는 캡슐화 층(24) 내의 제 1 리세스가 형성되고, 제 2 콘택 섹션(18) 상에는 캡슐화 층(24) 내의 제 2 리세스가 형성된다. 캡슐화 층(24) 내의 제 1 리세스에서, 제 1 콘택 구역(32)이 노출되고, 캡슐화 층(24)의 제 2 리세스에서 제 2 콘택 구역(34)이 노출된다. 제 1 콘택 구역(32)은 제 1 콘택 섹션(16)의 전기 콘택팅을 위한 역할을 하고 제 2 콘택 구역(34)은 제 2 콘택 섹션(18)의 전기 콘택팅을 위한 역할을 한다.
캡슐화 층(24) 상에는 결합제(bonding agent) 층(36)이 형성된다. 결합제 층(36)은 예를 들어 결합제, 예를 들어 접착제, 예를 들어 라미네이션 접착제, 코팅 재료 및/또는 수지를 포함한다. 결합제 층(36) 상에는 커버 바디(38)가 형성된다. 결합제 층(36)은 캡슐화 층(24) 상에 커버 바디(38)를 고착하는 역할을 한다. 커버 바디(38)는 예를 들어 유리 및/또는 금속을 포함한다. 예를 들어, 커버 바디(38)는 필수적으로 유리로 형성될 수 있고 얇은 금속 층, 예를 들어 유리 바디 상에 금속 포일을 가질 수 있다. 커버 바디(38)는 예를 들어 외부 기계적 힘들로부터 광전자 컴포넌트(10)를 보호하는 역할을 한다. 게다가, 커버 바디(38)는 광전자 컴포넌트(10)에 생성된 열의 분배 및/또는 제거하는 역할을 할 수 있다. 예를 들어, 커버 바디(38)의 유리는 외부 힘들로부터 보호하는 역할을 할 수 있고 커버 바디(38)의 금속 층은 광전자 컴포넌트(10)의 동작시 발생하는 열의 분배 및/또는 제거하는 역할을 할 수 있다.
결합제 층(36)은 예를 들어 구조화된 형태로 캡슐화 층(24)에 적용될 수 있다. 캡슐화 층(24)에 구조화된 형태의 결합제 층(36)의 적용은 예를 들어, 직접 적용시 결합제 층(36)이 이미 주어진 구조를 가지는 것을 의미한다. 예를 들어, 결합제 층(36)은 디스펜싱(dispensing) 또는 프린팅 방법에 의해 구조화된 형태로 적용될 수 있다.
광전자 컴포넌트(10)는 예를 들어 도 1의 측면에 도시된 자신의 외부 에지들을 다라 캐리어(12)에 금을 긋고 그리고 도 1의 자신의 측면 외부 에지들을 따라 커버링 바디(38)에 금을 긋고 이를 쪼갬으로써 컴포넌트 컴포지트(composite)로부터 개별화될 수 있다. 이런 금 긋기 및 쪼갬은 콘택 구역들(32, 34)에 걸쳐 캡슐화 층(24)을 노출시킨다. 추후, 제 1 콘택 구역(32) 및 제 2 콘택 구역(34)은 예를 들어 제거 프로세스, 예를 들어 레이저 제거, 기계적 스크래칭(scratching) 또는 에칭 방법에 의해 추가 방법 단계에서 노출될 수 있다.
광전자 컴포넌트(10)는 상단 방사기 및/또는 하단 방시의 형태를 취할 수 있다. 광전자 컴포넌트(10)는 상단 방사기 및 하단 방사기의 형태를 취하고, 광전자 컴포넌트는 광학적으로 투명한 컴포넌트, 예를 들어 투명 유기 발광 다이오드로 지칭될 수 있다.
광전자 컴포넌트(10)는 캐리어(12) 및 캐리어(12) 위 액티브 구역을 가진다. 캐리어(12)와 액티브 구역 사이에, 제 1 배리어 층(도시되지 않음), 예를 들어 제 1 얇은 배리어 층이 형성될 수 있다. 액티브 구역은 제 1 전극(20), 유기 기능 층 구조(22) 및 제 2 전극(23)을 가진다. 액티브 구역 위에는 캡슐화 층(24)이 형성된다. 캡슐화 층(24)은 예를 들어 제 2 얇은 배리어 층의 제 2 배리어 층 형태를 취할 수 있다. 액티브 구역 및 선택적으로 캡슐화 층(24) 위에는 커버(38)가 배치된다. 커버(38)는 예를 들어 결합제 층(36)에 의해 캡슐화 층(24) 상에 배치될 수 있다.
액티브 구역은 전기적으로 및/또는 광학적으로 액티브 구역이다. 액티브 구역은 예를 들어 광전자 컴포넌트(10)의 동작을 위해 전기 전류가 흐르고 및/또는 전자기 조사선이 생성되거나 흡수되는 광전자 컴포넌트(10)의 구역이다.
유기 기능 층 구조(22)는 1, 2 또는 그 초과의 기능 층 구조 유닛들 및 층 구조 유닛들 사이에 1, 2 도는 그 초과의 중간 층들, 예를 들어 중간 전극들을 가질 수 있다.
캐리어(12)는 반투명이거나 투명일 수 있다. 캐리어(12)는 전자 엘리먼트들 또는 층들, 예를 들어 발광 엘리먼트들에 대한 캐리어 엘리먼트로서 역할을 한다. 캐리어(12)는 예를 들어 유리, 석영 및/또는 반도체 재료 또는 임의의 다른 적당한 재료를 포함하거나 이들로부터 형성될 수 있다. 게다가, 캐리어(12)는 폴리머 필름 또는 하나 또는 그 초과의 폴리머 필름들을 포함하는 라미네이트를 포함하거나 이들로부터 형성될 수 있다. 플라스틱은 하나 또는 그 초과의 폴리올레핀들을 포함할 수 있다. 게다가, 플라스틱은 폴리비닐 염화물(PVC), 폴리스티렌(PS), 폴리에스테르 및/또는 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에테르 술폰(PES) 및/또는 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN)을 포함할 수 있다. 캐리어(12)는 금속, 예를 들어 구리, 은, 금, 백금, 철, 예를 들어 금속 화합물, 예를 들어 강철을 포함하거나 이들로부터 형성될 수 있다. 캐리어(12)는 금속 포일 또는 금속 코팅 필름의 형태를 취할 수 있다. 캐리어(12)는 미러 구조의 부분일 수 있거나 이를 형성할 수 있다. 캐리어(12)는 기계적으로 견고한 구역 및/또는 기계적으로 유연한 구역을 가질 수 있거나 그런 방식으로 형성될 수 있다.
제 1 전극(20)은 애노드 또는 캐소드 형태를 취할 수 있다. 제 1 전극(20)은 반투명하거나 투명할 수 있다. 제 1 전극(20)은 전기 전도 재료, 예를 들어 금속 및/또는 투명 전도 산화물(TCO) 또는 금속들 또는 TCO들을 포함하는 몇몇 층들의 스택을 가진다. 제 1 전극(20)은 예를 들어 하나의 TCO 층 상에 하나의 금속의 결합의 층 스택일 수 있거나, 그 반대이다. 일 예는 인듐 주석 산화물 층(ITO)(ITO 상 은) 또는 다수의 ITO-Ag-ITO 층들에 적용된 은 층이다. 사용된 금속은 예를 들어, Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ca, Sm 또는 Li, 그렇지 않으면 이들 재료들의 화합물들, 결합물들 또는 합금들일 수 있다. 투명한 전도 산화물들은 투명한 전도 재료들, 예를 들어 금속 산화물들, 예를 들어 아연 산화물, 주석 산화물, 카드뮴 산화물, 티타늄 산화물, 인듐 산화물 또는 인듐 주석 산화물(ITO)이다. 2원 금속-산소 화합물들, 예를 들어 ZnO, SnO2 또는 In2O3뿐 아니라, 3원 금속-산소 화합물들, 예를 들어 AlZnO, Zn2SnO4, CdSnO3, ZnSnO3, MgIn2O4, GaInO3, Zn2In2O5 또는 In4Sn3O12 또는 상이한 투명 전도 산화물들의 혼합물들은 또한 TCO들의 그룹의 부분을 형성한다.
제 1 전극(20)은 대안적으로 또는 부가적으로 언급된 재료들: 전기 전도 나노와이어들(4)의 적어도 하나의 네트워크(도 3에 도시되지 않음), 예를 들어 Ag로 구성된 예를 들어 반도체 나노와이어들 또는 금속 나노와이어들, 및 선택적으로 탄소 나노튜브들의 네트워크, 그래핀 입자들 및 그래핀 층들을 가진다. 게다가, 금속 나노와이어들의 네트워크는 하나 또는 그 초과의 전기 전도 폴리머들과 결합될 수 있다. 게다가, 제 1 전극(20)은 전기 전도 폴리머들 또는 전이 금속 산화물들을 포함할 수 있다.
제 1 전극(20)은 예를 들어, 10 nm 내지 500 nm, 예를 들어 25 nm 미만 내지 250 nm, 예를 들어 50 nm 내지 100 nm 범위 내의 층 두께를 가질 수 있다.
제 1 전극(20)은 제 1 전기 전위가 인가될 수 있는 제 1 전기 연결부, 예를 들어 제 1 콘택 섹션(16)을 가질 수 있다. 제 1 전기 전위는 에너지 소스(도시되지 않음), 예를 들어 전력원 또는 전압원에 의해 제공될 수 있다. 대안적으로, 제 1 전기 전위는 캐리어(12)에 인가되고 캐리어(12)를 통하여 간접적으로 제 1 전극(20)에 공급될 수 있다. 제 1 전기 전위는 예를 들어 접지 전위 또는 또 다른 미리 정의된 기준 전위일 수 있다.
유기 기능 층 구조(22)는 홀 주입 층, 홀 수송 층, 방사기 층, 전자 수송 층 및/또는 전자 주입 층을 가질 수 있다.
홀 주입 층은 제 1 전극(20)상에 또는 위에 형성될 수 있다. 홀 주입 층은 다음 재료들 중 하나 또는 그 초과를 포함하거나 이들로부터 형성될 수 있다: HAT-CN, Cu(I)pFBz, MoOx, WOx, VOx, ReOx, F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9, Bi(III)pFBz, F16CuPc; NPB (N,N'-bis(나프탈렌(naphthalen)-1-yl)-N,N'-bis(페닐(phenyl))벤지딘(benzidine)); 베타(beta)-NPB (N,N'-bis(나프탈렌(naphthalen)-2-yl)-N,N'-bis(페닐(phenyl))벤지딘(benzidine)); TPD (N,N'-bis(3-메틸페닐(methylphenyl))-N,N'-bis(페닐(phenyl))벤지딘(benzidine)); 스피로(spiro)-TPD (N,N'-bis(3-메틸(methyl)-페닐(phenyl))-N,N'-bis(페닐(phenyl))벤지딘(benzidine)); 스피로(spiro)-NPB (N,N'-bis-(나프탈렌(naphthalen)-1-yl)-N,N'-bis(페닐(phenyl))스피로(spiro)); DMFL-TPD (N,N'-bis(3-메틸페닐(methylphenyl))-N,N'-bis(페닐(phenyl))-9,9-디메틸플루오렌(dimethylfluorene)); DMFL-NPB (N,N'-bis(나프탈렌(naphthalen)-1-yl)-N,N'-bis(페닐(phenyl))-9,9-디메틸플루오렌(dimethylfluorene)); DPFL-TPD (N,N'-bis(3-메틸페닐(methylphenyl))-N,N'-bis(페닐(phenyl))-9,9-디페닐풀루오렌(diphenylfluorene)); DPFL-NPB (N,N'-bis-(나프탈렌(naphthalen)-1-yl)-N,N'-bis(페닐(phenyl))-9,9-디페닐플루오렌(diphenylfluorene)); 스피로(spiro)-TAD (2,2',7,7'-테트라키스(tetrakis)(N,N-디페닐아미노(diphenylamino))-9,9'스피로-비풀루오렌(spiro-bifluorene)); 9,9-bis[4-(N,N-bis(비페닐(biphenyl)-4-yl)아미노(amino))페닐(phenyl)]-9H-플루오렌(fluorene); 9,9-bis[4-(N,N-bis(나프탈렌(naphthalen)-2-yl)-아미노(amino))-페닐(phenyl)]-9H-플루오렌(fluorene); 9,9-bis[4-(N,N'-bis(나프탈렌(naphthalen)-2-yl)-N,N'-비스페닐아미노(bisphenylamino))페닐(phenyl)]-9H-플루오린(fluorine); N,N'-bis-(페난트렌(phenanthren)-9-yl)-N,N'-bis(페닐(phenyl))벤지딘(benzidine); 2,7 bis[N,N-bis(9,9-스피로비플루오렌(spirobifluoren)-2-yl)아미노(amino)]-9,9-스피로비플루오렌(spirobifluorene); 2,2'-bis[N,N-bis(비페닐(biphenyl)-4-yl)아미노(amino)]9,9-스피로비플루오렌(spirobifluorene); 2,2'-bis(N,N-디페닐아미노(diphenylamino))9,9-스피로비플루오렌(spirobifluorene); di[4-(N,N-디톨릴(ditolyl)-아미노(amino))페닐(phenyl)]사이클로헥산(cyclohexane); 2,2',7,7'-테트라(tetra)(N,N-디톨릴(ditolyl))아미노-스피로플루오렌(amino-spirobifluorene); 및/또는 N,N,N',N'-테트라나프탈렌(tetranaphthalen)-2-yl-벤지딘(benzidine).
홀 주입 층은 약 10 nm 내지 약 1000 nm, 예를 들어 약 30 nm 내지 약 300 nm, 예를 들어 약 50 nm 내지 약 200 nm 범위 내의 층 두께를 가질 수 있다.
홀 주입 층 상에 또는 위에는 홀 수송 층이 형성될 수 있다. 홀 수송 층은 다음 재료들 중 하나 또는 그 초과를 포함하거나 이들로부터 형성될 수 있다: NPB (N,N'-bis(나프탈렌(naphthalen)-1-yl)-N,N'-bis(페닐(phenyl))벤지딘(benzidine)); 베타(beta)-NPB (N,N'-bis(나프탈렌(naphthalen)-2-yl)-N,N'-bis(페닐(phenyl))벤지딘(benzidine)); TPD (N,N'-bis(3-메틸페닐(methylphenyl))-N,N'-bis(페닐(phenyl))벤지딘(benzidine)); 스피로(spiro)-TPD (N,N'-bis(3-메틸페닐(methylphenyl))-N,N'-bis(페닐(phenyl))-벤지딘(benzidine)); 스피로(spiro)-NPB (N,N'-bis(나프탈렌(naphthalen)-1-yl)-N,N'-bis(페닐(phenyl))스피로(spiro)); DMFL-TPD (N,N'-bis(3-메틸페닐(methylphenyl))-N,N'-bis(페닐(phenyl))-9,9-디메틸플루오렌(dimethylfluorene)); DMFL-NPB (N,N'-bis-(나프탈렌(naphthalen)-1-yl)-N,N'-bis(페닐(phenyl))-9,9-디메틸플루오렌(dimethylfluorene)); DPFL-TPD (N,N'-bis(3-메틸페닐(methylphenyl))-N,N'-bis(페닐(phenyl))-9,9-디페닐플루오렌(diphenylfluorene)); DPFL-NPB (N,N'-bis(나프탈렌(naphthalen)-1-yl)-N,N'-bis(페닐(phenyl))-9,9-디페닐플루오렌(diphenylfluorene)); 스피로(spiro)-TAD (2,2',7,7'-테트라키스(tetrakis)(N,N-디페닐아미노(diphenylamino))-9,9'-스피로비플루오렌(spirobifluorene)); 9,9-bis[4-(N,N-bis(비페닐(biphenyl)-4-yl)아미노(amino))페닐(phenyl)]-9H-플루오렌(fluorene); 9,9-bis[4-(N,N-bis(나프탈렌(naphthalen)-2-yl)아미노(amino))페닐(phenyl)]-9H-플루오렌(fluorene); 9,9-bis[4-(N,N'-bis(나프탈렌(naphthalen)-2-yl)-N,N'-비스페닐아미노(bisphenylamino))-페닐(phenyl)]-9H-플루오린(fluorine); N,N' bis(페난트렌(phenanthren)-9-yl)-N,N'-bis-(페닐(phenyl))벤지딘(benzidine); 2,7-bis[N,N-bis(9,9-스피로플루오렌(spirobifluoren)-2-yl)아미노(amino)]-9,9-스피로비플루오렌(spirobifluorene); 2,2'-bis[N,N-bis(비페닐(biphenyl)-4-yl)아미노(amino)]9,9-스피로비플루오렌(spirobifluorene); 2,2'-bis(N,N-디페닐아미노(diphenylamino))-9,9-스피로비플루오렌(spirobifluorene); di[4-(N,N-디톨릴아미노(ditolylamino))페닐(phenyl)]-사이클로헥산(cyclohexane); 2,2',7,7'-테트라(tetra)(N,N-ditolyl)아미노스피로-비플루오렌(aminospiro-bifluorene); 및 N,N,N',N'-테트라나플라텐(tetranaphthalen)-2-일벤지딘(ylbenzidine).
홀 수송 층은 약 5 nm 내지 약 50 nm, 예를 들어 약 10 nm 내지 약 30 nm, 예를 들어 약 20 nm 범위 내의 층 두께를 가질 수 있다.
홀 수송 층 상 또는 위에는 예를 들어 형광성 및/또는 인광성 방사기들을 가진 하나 또는 그 초과의 방사 층들이 형성될 수 있다. 방사기 층은 유기 폴리머들, 유기 올리고머들, 유기 단량체들, 작은 유기 비-폴리머 분자들("작은 분자들") 또는 이들 재료들의 결합을 포함할 수 있다. 방사기 층은 다음 재료들 중 하나 또는 그 초과를 포함할 수 있거나 이들로부터 형성될 수 있다: 비폴리머 방사기들로서 유기 또는 유기금속 화합물들, 이를 테면 폴리플루오렌, 폴리시오펜 및 폴리페닐렌(예를 들어, 2- 또는 2,5-치환 폴리-p-페닐렌비닐렌(phenylenevinylene) 및 금속 복합물들, 예를 들어 이리듐 복합물들 이를테면 청색-인광성 FIrPic (bis(3,5-디플루오로(difluoro)-2-(2-피리딜(pyridyl))페닐(phenyl)-(2-카르복시피리딜(carboxypyridyl))이리듐(iridium)(Ⅲ), 녹색 인광성(green-phosphorescing) Ir(ppy)3 (tris(2-페닐피리딘(phenylpyridin))이리듐(iridium)(Ⅲ)), 적색-인광성(red-phosphorescing) Ru(dtb-bpy)3*2(PF6) (tris[4,4’-di-tert-부틸(butyl)-(2,2’)-비피리딘(bipyridin)]루테늄(ruthenium)(Ⅲ) 복합물) 및 청색-인광성(blue-fluorescing) DPAVBi (4,4-bis[4-(di-p-톨릴아미노(tolylamino))스티릴(styryl)]비페닐(biphenyl)), 녹색 형광성(green-fluorescing) TTPA (9,10-bis[N,N-di-(p-tolyl)아미노(amino)]안트라센(anthracene)) 및 적색-형광성(red-fluorescing) DCM2 (4-디시아노메틸렌(dicyanomethylene))-2-메틸(methyl)-6-줄로리딜(julolidyl)-9-엔일(enyl)-4H-피란(pyran)). 이런 종류의 비폴리머 방사기들은 예를 들어 열 증착에 의해 증착될 수 있다. 게다가, 예를 들어 습식-화학 방법, 예를 들어 스핀-코팅 방법에 의해 증착될 수 있는 폴리머 방사기들을 사용하는 것이 가능하다. 방사기 재료들은 매트릭스 재료, 예를 들어 산업적 세라믹 또는 폴리머, 예를 들어 에폭시드, 또는 실리콘에 적당히 임베드될 수 있다.
제 1 방사기 층은 약 5 nm 내지 약 50 nm, 예를 들어 약 10 nm 내지 약 30 nm, 예를 들어 약 20 nm 범위 내의 층 두께를 가질 수 있다.
방사 층은 하나의 컬러 또는 다양한 컬러들(예를 들어 청색 및 황색 또는 청색, 녹색 및 적색)로 방사하는 방사기 재료들을 포함할 수 있다. 대안적으로, 방사기 층은 상이한 컬러들의 광을 방사하는 복수의 컴포넌트 층들을 포함할 수 있다. 상이한 컬러들의 혼합은 백색 컬러 인상을 가진 광의 방사를 초래할 수 있다. 다른 대안은 1차 조사선(아직 백색이 아님)이 1차 조사선 및 2차 조사선의 결합을 통해 컬러 인상을 제공하는 것과 같은, 1차 조사선을 적어도 부분적으로 흡수하고 다른 파장의 2차 조사선을 방사하는 이들 층들에 의해 생성된 1차 방사의 빔 경로에 컨버터 재료를 배치하는 것일 수 있다.
예를 들어 방사기 층 상 또는 위에는 전자 수송 층이 형성, 예를 들어 증착될 수 있다. 전자 수송 층은 다음 재료들 중 하나 또는 그 초과를 포함하거나 이들로 형성될 수 있다: NET-18; 2,2',2"-(1,3,5-벤젠트릴(benzenetriyl))tris(1-페닐(phenyl)-1H-벤즈이미다졸(benzimidazole)); 2-(4-비페닐일(biphenylyl))-5-(4-tert-부틸페닐(butylphenyl))-1,3,4-옥사디아졸(oxadiazole), 2,9-디메틸(dimethyl)-4,7-디페닐(diphenyl)-1,10-페난트로린(phenanthroline) (BCP); 8-하이드록시퀴놀리노라토리튬(hydroxyquinolinolatolithium), 4-(나프탈렌(naphthalen)-1-yl)-3,5-디페닐(diphenyl)-4H-1,2,4-트리아졸(triazole); 1,3-bis[2-(2,2'-비피리딘(bipyridin)-6-yl)-1,3,4-옥사디아졸(oxadiazol)-5-yl]벤젠(benzene); 4,7-디페닐(diphenyl)-1,10-페난드로린(phenanthroline) (BPhen); 3-(4-비페닐일(biphenylyl))-4-페닐(phenyl)-5-tert-부틸페닐(butylphenyl)-1,2,4-트리아졸(triazole); bis(2-메틸(methyl)-8-퀴놀리노라토(quinolinolato))-4-(페닐페놀라토(phenylphenolato))알루미늄(aluminum); 6,6'-bis[5-(비페닐(biphenyl)-4-yl)-1,3,4-옥사디아졸(oxadiazol)-2-yl]-2,2'-비피리딜(bipyridyl); 2-페닐(phenyl)-9,10-di(나프탈렌(naphthalen)-2-yl)안트라센(anthracene); 2,7-bis[2-(2,2'-비피리딘(bipyridin)-6-yl)-1,3,4-옥사디아졸(oxadiazol)-5-yl]-9,9-디메틸플루오렌(dimethylfluorene); 1,3-bis[2-(4-tert-부틸페닐(butylphenyl))-1,3,4-옥사디아졸(oxadiazol)-5-yl]벤젠(benzene); 2-(나프탈렌(naphthalen)-2-yl)-4,7-디페닐(diphenyl)-1,10-페난트로린(phenanthroline); 2,9-bis(나프탈렌(naphthalen)-2-yl)-4,7-디페닐(diphenyl)-1,10-페난트로린(phenanthroline); tris(2,4,6-트리메틸(trimethyl)-3-(피리딘(pyridin)-3-yl)페닐(phenyl))보란(borane); 1-메틸(methyl)-2-(4-(나프탈렌(naphthalen)-2-yl)-페닐(phenyl))-1H-이미다조(imidazo)[4,5-f][1,10]페난트로린(phenanthroline); 페닐(phenyl)-다이피레닐포스핀 옥사이드(dipyrenylphosphine oxide); 나프탈렌테트라카르복실릭 무수물(naphthalenetetracarboxylic dianhydride) 또는 이들의 이미지들; 페릴렌테트라카르복실릭 무수물(perylenetetracarboxylic dianhydride) 또는 이들의 이미지들; 및 실라사이클로펜타디엔(silacyclopentadiene) 유닛을 가진 사일로(siloe)들에 기초한 재료들.
전자 수송 층은 약 5 nm 내지 약 50 nm, 예를 들어 약 10 nm 내지 약 30 nm, 예를 들어 약 20 nm 범위 내의 층 두께를 가질 수 있다.
전자 수송 층 상 또는 위에는 전자 주입 층이 형성될 수 있다. 전자 주입 층은 다음 재료들 중 하나 또는 그 초과를 포함할 수 있거나 이들로부터 형성될 수 있다: NDN-26, MgAg, Cs2CO3, Cs3PO4, Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, LiF; 2,2',2" -(1,3,5-벤젠트릴일(benzenetriyl))-tris(1-페닐(phenyl)-1H-벤즈이미다졸(benzimidazole)); 2-(4-비페닐일(biphenylyl))-5-(4-tert-부틸페닐(butylphenyl))-1,3,4-옥사디아졸(oxadiazole), 2,9-디메틸(dimethyl)-4,7-디페닐(diphenyl)-1,10-페난트로린(phenanthroline) (BCP); 8-하이드록시퀴놀리노라토리튬(hydroxyquinolinolatolithium), 4-(나프탈렌(naphthalen)-1-yl)-3,5-디페닐(diphenyl)-4H-1,2,4-트리아졸(triazole); 1,3-bis[2-(2,2'-비피리딘(bipyridin)-6-yl)-1,3,4-옥사디아졸(oxadiazol)-5-yl]벤젠(benzene); 4,7-디페닐(diphenyl)-1,10-페난트로린(phenanthroline) (BPhen); 3-(4-비페닐일(biphenylyl))-4-페닐(phenyl)-5-tert-부틸페닐(butylphenyl)-1,2,4-트리아졸(triazole); bis(2-메틸(methyl)-8-퀴놀리노라토(quinolinolato))-4-(페닐페놀라토(phenylphenolato))알루미늄(aluminum); 6,6'-bis[5-(비페닐(biphenyl)-4-yl)-1,3,4-옥사디아졸(oxadiazol)-2-yl]-2,2'-비피리딜(bipyridyl); 2-페닐(phenyl)-9,10-di(나프탈렌(naphthalen)-2-yl)안트라센(anthracene); 2,7-bis[2-(2,2'-비피리딘(bipyridine)-6-yl)-1,3,4-옥사디아졸(oxadiazol)-5-yl]-9,9-디메틸플루오렌(dimethylfluorene); 1,3-bis[2-(4-tert-부틸페닐(butylphenyl))-1,3,4-옥사디아졸(oxadiazol)-5-yl]벤젠(benzene); 2-(나프탈렌(naphthalen)-2-yl)-4,7-디페닐(diphenyl)-1,10-페난트로린(phenanthroline); 2,9-bis(나프탈렌(naphthalen)-2-yl)-4,7-디페닐(diphenyl)-1,10-페난트로린(phenanthroline); tris(2,4,6-트리메틸(trimethyl)-3-(피리딘(pyridin)-3-yl)페닐(phenyl))보레인(borane); 1-메틸(methyl)-2-(4-(나프탈렌(naphthalen)-2-yl)페닐(phenyl))-1H-이미다조(imidazo)[4,5-f][1,10]-페난트로린(phenanthroline); 페닐디피레일포스핀 옥사이드(phenyldipyrenylphosphine oxide); 나프탈렌테트라카르복실릭 디안하이드라이드(naphthalenetetracarboxylic dianhydride) 또는 이들의 이미지들; 페릴렌테트라카르복실릭 디안하이드라이드(perylenetetracarboxylic dianhydride) 또는 이들의 이미드들; 및 실라사이클로펜타디엔(silacyclopentadiene) 유닛을 가진 사일로(siloe)들에 기초한 재료들.
전자 주입 층은 약 5 nm 내지 약 200 nm, 예를 들어 약 20 nm 내지 약 50 nm, 예를 들어 약 30 nm 범위 내의 층 두께를 가질 수 있다.
2 또는 그 초과의 유기 기능 층 구조 유닛들을 가진 유기 기능 층 구조(22)에서, 대응하는 중간 층들은 유기 기능 층 구조 유닛들 사이에 형성될 수 있다. 유기 기능 층 구조 유닛들은 상기 설명된 유기 기능 층 구조(22)의 일 구성으로 개별적으로 각각 형성될 수 있다. 중간 층은 중간 전극 형태를 취할 수 있다. 중간 전극은 외부 전압원에 전기적으로 연결될 수 있다. 외부 전압원은 예를 들어 중간 전극에 제 3 전기 전위를 제공할 수 있다. 그러나, 중간 전극은 또한 예를 들어 플로팅 전기 전위를 가진 중간 전극에 의해 어떠한 외부 전기 연결도 가지지 않을 수 있다. 선택적으로, 중간 전극은 제 1 전극의 일 구성으로 형성될 수 있다.
유기 기능 층 구조 유닛은 예를 들어 약 3 μm보다 크지 않은 층 두께, 예를 들어 약 1 μm보다 크지 않은 층 두께, 예를 들어 약 300 nm보다 크지 않은 층 두께를 가질 수 있다.
광전자 컴포넌트(10)는 선택적으로 예를 들어 하나 또는 그 초과의 방사기 층들 상 또는 위 또는 전자 수송 층 상 또는 위에 배치된 추가 기능 층들을 가질 수 있다. 추가 기능 층들은 예를 들어, 기능성을 추가로 개선할 수 있고 따라서 광전자 컴포넌트(10)의 효율성을 개선할 수 있는 내부 또는 외부 흡수/방사 구조들일 수 있다.
제 2 전극(23)은 제 1 전극(20)의 구성들 중 하나로 형성될 수 있고, 상기 경우 제 1 전극(20) 및 제 2 전극(23)은 동일하거나 상이할 수 있다. 제 2 전극(23)은 애노드 또는 캐소드 형태를 취할 수 있다. 제 2 전극(23)은 제 2 전기 전위가 인가될 수 있는 제 2 전기 연결부, 예를 들어 제 2 콘택 섹션(18)을 가질 수 있다. 제 2 전기 전위는 제 1 전기 전위와 동일한 에너지 소스 또는 상이한 에너지 소스에 의해 제공될 수 있다. 제 2 전기 전위는 제 1 전기 전위와 상이할 수 있다. 제 2 전기 전위는 예를 들어, 제 1 전기 전위로부터의 차가 약 1.5 V 내지 약 20 V 내의 값, 예를 들어 약 2.5 V 내지 약 15 V 범위 내의 값, 예를 들어 약 3 V 내지 약 12 V 내의 값을 가지도록 값을 가질 수 있다.
캡슐화 층(24)은 또한 얇은 층 캡슐화부로서 지칭될 수 있다. 캡슐화 층(24)은 반투명 또는 투명 층의 형태를 취할 수 있다. 캡슐화 층(24)은 화학 오염물들 또는 대기 물질들, 특히 물(습기) 및 산소에 대한 배리어를 형성한다. 다른 말로, 캡슐화 층(24)은, 만약 있다면, 기껏해야 광전자 컴포넌트를 손상시킬 수 있는 물질들, 예를 들어 물, 산소 또는 용매들의 매우 작은 비율들만큼만 침투될 수 있도록 한다. 캡슐화 층(24)은 단일 층, 층 스택 또는 층 구조의 형태를 취할 수 있다.
캡슐화 층(24)은 알루미늄 산화물, 아연 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물, 하프늄 산화물, 탄탈런 산화물, 란타넘 산화물, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 인듐 주속 산화물, 인듐 아연 산화물, 알루미늄-도핑 아연 산화물, 폴리(p-페닐렌테레프탈아미드(phenyleneterephthalamide)), 나일론(nylon)-6,6, 및 이들의 혼합물들 및 합금들을 포함할 수 있거나 이들로부터 형성될 수 있다.
캡슐화 층(24)은 약 0.1 nm(원자들의 하나의 층) 내지 약 1000 nm의 층 두께, 예를 들어 약 10 nm 내지 약 100 nm의 층 두께, 예를 들어 약 40 nm를 가질 수 있다.
캡슐화 층(24)은 높은 굴절률의 재료, 예를 들어 높은 굴절률, 예를 들어 적어도 2의 굴절률을 가진 하나 또는 그 초과의 재료(들)를 포함할 수 있다.
선택적으로, 캐리어(12) 상의 제 1 배리어 층은 캡슐화 층(24)의 구성과 대응하도록 형성될 수 있다.
캡슐화 층(24)은 예를 들어 적당한 증착 방법, 예를 들어 원자 층 증착(ALD) 방법, 예를 들어 플라즈마-강화 원자 층 증착(PEALD) 또는 무플라즈마 원자 층 증착(PLALD), 또는 화학 가스 상 증착 방법(화학 기상 증착(CVD)), 예를 들어 플라즈마 강화 가스 상 증착 방법(플라즈마-강화 화학 기상 증착(PECVD)) 또는 무플라즈마 가스상 증착 방법(무플라즈마 화학 기상 증착(PLCVD)), 또는 대안적으로 다른 적당한 증착 방법들에 의해 형성될 수 있다.
선택적으로, 흡수 또는 방사 층은 광전자 컴포넌트(10)의 층 단면에서 예를 들어 캐리어(12) 상 외부 필름(도시되지 않음) 또는 내부 방사 층(도시되지 않음)으로서 형성될 수 있다. 흡수/방사 층은 매트릭스 및 그 내부에 분포된 산란 사이트들을 가질 수 있고, 흡수/방사 층의 평균 굴절률은 전자기 조사선이 제공되는 층의 평균 굴절률보다 크다. 게다가, 또한 하나 또는 그 초과의 반사 방지 층들이 제공되는 것이 가능하다.
결합제 층(36)은 예를 들어 커버(38)가 캡슐화 층(24) 상에 배치되고, 예를 들어 접착-본드되게 하는 예를 들어 접착 및/또는 코팅 재료를 포함할 수 있다. 결합제 층(36)은 투명하거나 반투명일 수 있다. 결합제 층(36)은 예를 들어, 전자기 조사선, 예를 들어 광 산란 입자들을 산란시키는 입자들을 포함할 수 있다. 이런 방식으로, 결합제(36)는 산란 층으로서 작용할 수 있고 컬러 각 왜곡 및 방사 효율성의 개선을 유도할 수 있다.
제공된 광 산란 입자들은 예를 들어 금속 산화물, 예를 들어 실리콘 산화물(SiO2), 아연 산화물(ZnO), 지르코늄 산화물(ZrO2), 인듐 주석 산화물(ITO) 또는 인듐 아연 산화물(IZO), 갈륨 산화물(Ga2Ox), 알루미늄 산화물 또는 티타늄 산화물로 구성된 유전체 산란 입자들일 수 있다. 다른 입자들은 또한, 그들이 결합제 층(36)의 매트릭스, 예를 들어 공기 버블들, 아크릴레이트 또는 중공 유리 비드(bead)들의 유효 굴절률과 상이한 굴절률을 가지면 적당할 수 있다. 게다가, 예를 들어, 금, 은, 철 나노입자들 같은 금속 나노입자들, 금속들 등이 광 산란 입자들로서 제공되는 것이 가능하다.
결합제 층(36)은 1 μm보다 큰 층 두께, 예를 들어 몇 μm의 층 두께를 가질 수 있다. 다양한 작동 예들에서, 접착제는 라미네이션 접착제일 수 있다.
결합제 층(36)은 커버(38)의 굴절률보다 작은 굴절률을 가질 수 있다. 결합제 층(36)은 예를 들어 낮은 굴절률의 플라스틱, 예를 들어 약 1.3의 굴절률을 가진 아크릴레이트를 포함할 수 있다. 그러나, 결합제 층(36)은 또한, 예를 들어 높은 굴절률의 비산란 입자들을 포함하고 예를 들어 약 1.7 내지 약 2.0 범위 내의 유기 기능 층 구조(22)의 평균 굴절률에 대략 대응하는 층 두께 평균 굴절률을 가진 높은 굴절률의 접착제를 포함할 수 있다.
액티브 구역 상 또는 위에는 소위 게터 층 또는 게터 구조, 즉 측면으로 구조화된 게터 층(도시되지 않음)이 배치될 수 있다. 게터 층은 반투명, 투명 또는 불투명일 수 있다. 게터 층은 액티브 구역에 해로운 물질들을 흡수하고 구속하는 재료를 포함하거나 형성될 수 있다. 게터 층은 예를 들어, 제올라이트 유도체를 포함하거나 형성될 수 있다. 게터 층은 약 1 μm보다 큰 층 두게, 예를 들어 몇 μm의 층 두께를 가질 수 있다. 다양한 작동 예들에서, 게터 층은 라미네이션 접착제를 포함할 수 있거나 결합제 층(36)에 임베드될 수 있다.
커버(38)는 예를 들어 유리 커버, 금속 포일 또는 밀봉된 폴리머 필름 커버에 의해 형성될 수 있다. 커버(38)는 예를 들어 종래의 유리 땜납에 의한 프리트(frit)(유리 프리트 본딩/유리 납땜/밀봉 가스 본딩) 본드에 의해, 유기 광전자 컴포넌트(10)의 기하학적 에지 구역들에서 액티브 구역 또는 캡슐화 층(24) 상에 배치될 수 있다. 커버(38)는 예를 들어, 1.55의 굴절률(예를 들어, 633 nm의 파장에서)을 가질 수 있다.
도 4는 광전자 컴포넌트(10)를 생성하기 위한 방법 동안 도 3에 따른 광전자 컴포넌트(10)의 평면도를 도시한다. 보다 구체적으로 도 4는 광전자 컴포넌트(10)를 생성하기 위한 방법 단계를 도시하고, 여기서 제 1 전극(20) 또는 제 2 전극(23)은 광전자 컴포넌트(10)의 표면(2) 상에 형성된다.
제 1 전극(20)이 도 4에 도시된 단계에서 형성되면, 표면(2)은 기판(12)의 표면에 의해 또는 기판(12)과 제 1 전극(20) 사이의 층의 표면에 의해, 예를 들어 평탄화 층, 제 1 배리어 층 또는 방사 층의 표면에 의해 형성된다. 제 2 전극(20)이 도 4에 도시된 단계에서 형성되면, 표면(2)은 광학 기능 층 구조(22)의 표면에 의해 또는 광학 기능 층 구조(22)와 제 1 전극(20) 사이의 층의 표면에 의해, 예를 들어 방사 층의 표면에 의해 형성된다.
나노와이어들(4)은 예를 들어, 나노와이어들(4)이 임베드되는 바인더 없이 및/또는 캐리어 재료 없이 표면(2) 상에 배치될 수 있다. 캐리어 재료가 사용되는지 여부에 따라 및 적당하다면 나노와이어들(4)을 포함하는 캐리어 재료의 임의의 점성에 따라, 나노와이어들(4)은 스핀 코팅, 나이프(knife) 코팅, 슬롯 다이(slot die) 코팅, 스프레이 코팅, 스크린 프린팅 또는 잉크-제팅(ink-jetting)에 의해 표면(2) 상에 배치될 수 있다. 나노와이어들이 캐리어 재료에 임베드되면, 사용된 캐리어 재료는 예를 들어, 용매 및/또는 물일 수 있다.
추후, 나노와이어들(4)은, 그들이 완전히 용융되지 않고 소성 변형하도록 가열된다. 나노와이어들(4)은 레이저 조사선에 의해 또는 고에너지 조사선에 대한 펄스 노출에 의해 예를 들어 오븐에서 가열될 수 있다. 나노와이어들(4)은 예를 들어, 은 또는 구리를 포함할 수 있거나 이들로부터 형성될 수 있다.
나노와이어들(4)이 은을 포함하면, 나노와이어들(4)은 예를 들어, 오븐에서 열역학적 평형의 열 처리에 의해, 또는 예를 들어 레이저 처리에 의해 열역학적 평형이 없는 처리에 의해 예를 들어 가열 및/또는 연화된다. 열역학적 평형의 열 처리는 예를 들어 630℃ 내지 950℃, 예를 들어 720℃ 내지 945℃, 예를 들어 860℃ 내지 940℃ 범위 내의 온도로 이루어질 수 있다. 레이저 처리는 예를 들어 약 10.0 kJ/mol의 에너지 밀도들로 수행될 수 있다. 그러나, 필요한 에너지 밀도는 나노와이이들(4)의 흡수에 크게 좌우된다. 그러므로, 레이저 에너지들 및/또는 필요한 에너지 밀도들은 예를 들어 열 평형의 열 처리의 경우에서 처럼 동일한 상기 언급된 온도 범위들 내에 있을 수 있는 로컬적으로 생성될 온도의 함수로서 선택될 수 있다.
나노와이어들(4)이 구리를 포함하면, 나노와이어들(4)은 예를 들어 오븐에서 열역학적 평형의 열 처리에 의해, 또는 예를 들어 레이저 처리에 의한 열역학적 평형이 없는 처리에 의해 예를 들어 가열 및/또는 연화된다. 열역학적 평형의 열 처리는 예를 들어, 600℃ 내지 1320℃, 예를 들어 920℃ 내지 1300℃, 예를 들어 1150℃ 내지 1275℃ 범위 내에서 이루어질 수 있다. 레이저 처리는 약 13.0 kJ/mol의 에너지 밀도들에서 수행될 수 있다. 그러나, 필요한 에너지 밀도는 나노와이어들(4)의 흡수에 크게 좌우된다. 그러므로, 레이저 에너지들 및/또는 필요한 에너지 밀도들은 예를 들어 열 평형의 열 처리의 경우에서 처럼 동일한 상기 언급된 온도 범위들 내에 있을 수 있는 로컬적으로 생성될 온도의 함수로서 선택될 수 있다.
자신의 질량 및 예를 들어 자신의 무게로 인해, 나노와이어들(4)은 변형되고, 특히 표면(2)가 수평으로 또는 필수적으로 수평으로 정렬될 때, 표면(2) 상에 및/또는 표면(2)에 평행하게 레이 다운한다. 이 경우, 나노와이어들(4)은 서로 추가 연결하게 되고, 그 결과 추가 노드 지점들 및/또는 크로싱 지점들은 형성되고 나노와이어들(4)에 의해 형성된 네트워크의 네트워킹 레벨은 증가한다.
무게에 대한 대안으로서, 원심력은, 회전에 의해 원심력이 나노와이어들(4)을 표면(2) 쪽으로 강제하도록, 원심 분리기에 배치되어 있는 그 위에 배열된 나노와이어들(4)과 함께 임의의 광학 기능 층 구조(22) 및/또는 캐리어(12)에 의해 표면(2) 상에 나노와이어들(4)이 레이 다운을 위하여 이용될 수 있다. 이 경우, 선택된 회전 속도는, 원심력이 나노와이어들(4)의 무게보다 크게 충분히 클 수 있다. 이런 방식으로, 나노와이어들(4)의 약간의 가열의 경우에서도, 변형 및 따라서 나노와이어들(4)의 레이다운이 달성될 수 있다. 이것은, 특히 나노와이어들(4)이 열 효과들에 민감한 예를 들어 유기 기능 층 구조의 층 위에 형성될 때, 광전자 컴포넌트(10)의 부드러운 생성에 기여할 수 있다.
나노와이어들은 예를 들어, 금속 재료, 예를 들어 금속 또는 반금, 예를 들어 은, 금, 알루미늄 및/또는 아연을 포함할 수 있다.
도 5는 나노와이어들(4)의 가열 단계 후 도 4에 따른 광전자 컴포넌트(10)의 측면도를 도시한다. 그 다음 나노와이어들(4)은 표면(2)에 직각 방향으로 작은 크기를 가진 2차원 네트워크를 형성한다. 나노와이어들(4)은, 표면(2)에 대한 직각 방향으로, 예를 들어 자신의 직경으로 인해, 필수적으로 표면(2)에 평행하게 그리고 만약 있다면 무시 가능한 정도로만 연장한다. 예를 들어, 표면에 대해 직각 방향으로 2차원 네트워크의 두께는 나노와이어들(4)의 하나의 직경 내지 나노와이어들(4)의 몇 개의 직경들, 예를 들어, 2, 3 또는 4개의 직경의 범위 내에 있다.
나노와이어들(4)은 예를 들어 5 nm 내지 1 μm, 예를 들어 10 nm 내지 150 nm, 예를 들어 15 nm 내지 60 nm 범위 내의 직경을 예를 들어 가질 수 있다. 나노와이어들(4)은 예를 들어 대응하는 나노와이어(4)의 직경 내지 1 mm, 예를 들어 1 μm 내지 100 μm, 예를 들어 20 μm 내지 50 μm 범위 내의 길이를 가질 수 있다. 따라서 가열 이전 광전자 컴포넌트(10)의 생성 동안 나노와이어들(4)에 의해 형성된 층의 두께는 예를 들어 100 nm 내지 1 mm, 예를 들어 1 μm 내지 100 μm, 예를 들어 20 μm 내지 50 μm일 수 있다. 따라서 마무리된 광전자 컴포넌트에서 나노와이어들(4)에 의해 형성된 층의 두께는 예를 들어 10 nm 내지 2 μm, 예를 들어 20 nm 내지 300 nm, 예를 들어 30 nm 내지 180 nm일 수 있다.
가열된 상태에서 나노와이어들(4)은, 자신의 와이어 형상 구조가 기본적으로 보존되지만, 자신이 예를 들어 점착 방식으로 표면(2)의 재료에 및 서로 단단하게 본드되는 그런 약간의 정도까지 변형 및/또는 용융될 수 있다.
나노와이어들(4)이 캐리어 재료에 임베드되면, 캐리어 재료는 나노와이어들(4)의 가열 과정 중에 완전히 또는 부분적으로 증발할 수 있다.
나노와이어들(4)은 대응하는 전극(20, 23) 또는 전체 대응하는 전극(20, 23)의 일부, 예를 들어 컴포넌트 층을 형성할 수 있다.
도 6은 예를 들어 상기 설명된 단계들의 광전자 컴포넌트 및/또는 예를 들어 상기 설명된 광전자 컴포넌트(10)의 생성을 위한 방법에서 단계들의 흐름도를 도시한다.
도 6에 도시된 단계들은 캐리어(12)가 제공되고, 전극들(20, 23), 광학 기능 층 구조(22), 캡슐화 층(24) 및/또는 결합제 층(36)이 형성되고 커버링 바디(28)가 배치되는 광전자 컴포넌트(10)를 생성하기 위한 방법의 일부이다.
단계(S2)에서, 나노와이어들(4)은 표면(2) 상, 예를 들어 캐리어(12) 또는 광학 기능 층 구조(22) 위에 배치된다.
단계(S4)에서, 나노와이어들(4)은 가열된다. 나노와이어들(4)은 소성 변형하지만 완전히 용융되지 않고, 중력 또는 적당하다면 원심력으로 인해, 표면(2)에 평행하거나 적어도 필수적으로 평행하게 정렬되고 및/또는 표면(2) 상에 레이 다운되도록 가열된다.
선택적 단계(S6)에서, 나노와이어들(4)이 그 위에 배치되어 있는, 선택적으로 광학 기능 층 구조(22)를 가진 캐리어(12)는 원심 분리기에 배치될 수 있고 나노와이어들(4)이 원심력에 의해 표면(2) 쪽으로 강제되도록 원심 분리기에 의해 회전될 수 있다.
단계(S6)가 수행되면, 이것은 단계(S4)와 동시에 또는 단계(S6) 직후 수행될 수 있다. 보다 구체적으로, 나노와이어들(4)은 회전 동안 원심 분리기에서 가열되거나 먼저 가열되고 그 다음 가열된 상태에서 회전될 수 있다.
본 발명은 특정 작동 예들로 제한되지 않는다. 예를 들어, 선택적으로 나노와이어들(4)의 가열에 의해 다른 전기 전도 층들, 예를 들어 선택적으로 광전자 컴포넌트의 1, 2 또는 그 초과의 중간 전극들을 형성하는 것이 가능하다.
Claims (15)
- 광전자 컴포넌트(10)를 생성하기 위한 프로세스로서,
캐리어(12)가 제공되고,
제 1 전극(20)이 상기 캐리어(12) 위에 형성되고,
광학 기능 층 구조(22)가 상기 제 1 전극(20) 위에 형성되고, 그리고
제 2 전극(23)이 상기 광학 기능 층 구조(22) 위에 형성되고,
2개의 전극들(20, 23) 중 적어도 하나를 형성하는 것은 대응하는 전극(20, 23)이 형성될 표면(2) 상에 전기 전도 나노와이어들(4)을 배치하고, 그리고 나노와이어들(4)이 소성 변형하도록 상기 나노와이어들(4)을 가열하는 것을 포함하고 변형된 나노와이어들(4)은 추후 상기 대응하는 전극(20, 23)의 적어도 일부를 형성하는,
광전자 컴포넌트(10)를 생성하기 위한 프로세스. - 제 1 항에 있어서,
상기 표면(2) 상에 배치될 때 상기 나노와이어들(4)은 3차원 네트워크를 형성하고 상기 나노와이어들(4)은 상기 나노와이어들(4)의 재료가 간단한 소성 변형으로 수정 가능하고 상기 나노와이어들(4)이 자신의 질량으로 인해 상기 표면(2) 상에 레이 다운(lay down)하고 따라서 2차원 네트워크를 형성하도록 가열되는,
광전자 컴포넌트(10)를 생성하기 위한 프로세스. - 제 2 항에 있어서,
상기 나노와이어들(4)은 상기 대응하는 전극(20, 23) 상에 배치되고, 상기 나노와이어들(4)은 가열되고 상기 광전자 컴포넌트는, 원심 분리기에 배치되고 상기 나노와이어들(4)이 원심력의 작용으로 인해 상기 표면(2) 상에 레이 다운하도록 상기 원심 분리기에 의해 회전되는,
광전자 컴포넌트(10)를 생성하기 위한 프로세스. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 나노와이어들(4)의 네트워킹 정도는 상기 가열 및 연관된 변형의 결과로서 증가하는,
광전자 컴포넌트(10)를 생성하기 위한 프로세스. - 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 나노와이어들(4)은 자신들이 서로 점착 본드되도록 가열되는,
광전자 컴포넌트(10)를 생성하기 위한 프로세스. - 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 나노와이어들(4)은 상기 나노와이어들(4)의 재료가 완전히 용융되지 않도록 가열되어, 개별 나노와이어들(4)의 와이어 형 구조 및 상기 나노와이어들(4)의 네트워크 형 구조 전체는 보존되는,
광전자 컴포넌트(10)를 생성하기 위한 프로세스. - 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 나노와이어들(4)은 캐리어 재료에 임베드되고 상기 나노와이어들과 함께 상기 캐리어 재료는 상기 표면(2)에 적용되는,
광전자 컴포넌트(10)를 생성하기 위한 프로세스. - 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 전극(20)은 상기 나노와이어들에 의해 형성되고 상기 나노와이어들(4)은 상기 캐리어(12) 위에 배치되는,
광전자 컴포넌트(10)를 생성하기 위한 프로세스. - 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 2 전극(23)은 상기 나노와이어들에 의해 형성되고 상기 나노와이어들(4)은 상기 광학 기능 층 구조(22) 위에 배치되는,
광전자 컴포넌트(10)를 생성하기 위한 프로세스. - 광전자 컴포넌트로서,
캐리어(12),
상기 캐리어(12) 위에 형성된 제 1 전극(20),
상기 제 1 전극(20) 위에 형성된 광학 기능 층 구조(22), 및
상기 광학 기능 층 구조(22) 위에 형성된 제 2 전극(23)
을 포함하고,
2개의 전극들(20, 23) 중 적어도 하나는 상기 대응하는 전극(20, 23)이 형성되는 표면(2) 상에 배치된 전기 전도 나노와이어들(4)을 포함하고, 상기 나노와이어들(4)은 상기 표면(2)에 평행하게 또는 상기 표면(2)에 적어도 대략적으로 평행하게 배치되는,
광전자 컴포넌트. - 제 10 항에 있어서,
상기 표면(2) 상의 상기 나노와이어들(4)은 2차원 네트워크를 형성하는,
광전자 컴포넌트. - 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,
상기 나노와이어들(4)은 적어도 부분적으로 서로 점착 본드되는,
광전자 컴포넌트. - 제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 나노와이어들(4)은 캐리어 재료(12)에 임베드되고 상기 나노와이어들과 함께 상기 캐리어 재료(12)는 상기 표면(2) 상에 배치되는,
광전자 컴포넌트. - 제 10 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 전극(20)은 상기 나노와이어들(4)에 의해 형성되고 및/또는 상기 제 2 전극(23)은 상기 나노와이어들(40)에 의해 형성되는,
광전자 컴포넌트. - 광전자 컴포넌트로서,
나노와이어들(4) 각각은 1 nm 내지 1 μm 범위 내의 직경 및/또는 상기 직경 내지 1 mm 범위 내의 길이를 가지는,
광전자 컴포넌트.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102013105364.5A DE102013105364B4 (de) | 2013-05-24 | 2013-05-24 | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement |
| DE102013105364.5 | 2013-05-24 | ||
| PCT/EP2014/060294 WO2014187798A1 (de) | 2013-05-24 | 2014-05-20 | Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160012167A true KR20160012167A (ko) | 2016-02-02 |
| KR102147518B1 KR102147518B1 (ko) | 2020-08-24 |
Family
ID=50928070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020157035817A KR102147518B1 (ko) | 2013-05-24 | 2014-05-20 | 광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 방법 및 광전자 컴포넌트 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9825246B2 (ko) |
| KR (1) | KR102147518B1 (ko) |
| CN (1) | CN105340103B (ko) |
| DE (1) | DE102013105364B4 (ko) |
| WO (1) | WO2014187798A1 (ko) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102010055901A1 (de) * | 2010-12-23 | 2012-06-28 | Merck Patent Gmbh | Organische Elektrolumineszenzvorrichtung |
| CN104576968A (zh) * | 2015-02-10 | 2015-04-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled器件及其制备方法、显示基板和显示装置 |
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Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| FI20075482L (fi) | 2007-06-25 | 2008-12-26 | Canatu Oy | Kuituverkostot sekä menetelmä ja laite kuituverkostojen jatkuvasti tai erinä tapahtuvaan tuotantoon |
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| WO2011106730A2 (en) | 2010-02-27 | 2011-09-01 | Innova Dynamics, Inc . | Structures with surface-embedded additives and related manufacturing methods |
| EP2598942A4 (en) * | 2010-07-30 | 2014-07-23 | Univ Leland Stanford Junior | CONDUCTIVE FILMS |
| WO2013029028A2 (en) * | 2011-08-24 | 2013-02-28 | Arjun Daniel Srinivas | Patterned transparent conductors and related manufacturing methods |
| DE102011086689B4 (de) | 2011-11-21 | 2017-02-16 | Osram Oled Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines opto-elektronischen Bauelements |
| WO2014150577A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Sinovia Technologies | Photoactive transparent conductive films, method of making them and touch sensitive device comprising said films |
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2013
- 2013-05-24 DE DE102013105364.5A patent/DE102013105364B4/de active Active
-
2014
- 2014-05-20 WO PCT/EP2014/060294 patent/WO2014187798A1/de active Application Filing
- 2014-05-20 US US14/892,617 patent/US9825246B2/en active Active
- 2014-05-20 KR KR1020157035817A patent/KR102147518B1/ko active IP Right Grant
- 2014-05-20 CN CN201480029981.0A patent/CN105340103B/zh active Active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105340103A (zh) | 2016-02-17 |
| DE102013105364B4 (de) | 2024-02-01 |
| CN105340103B (zh) | 2018-05-08 |
| DE102013105364A1 (de) | 2014-11-27 |
| US20160126486A1 (en) | 2016-05-05 |
| US9825246B2 (en) | 2017-11-21 |
| WO2014187798A1 (de) | 2014-11-27 |
| KR102147518B1 (ko) | 2020-08-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
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