CN1934700A - 半导体器件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供具有能高精度地检测出保护膜上生成的缺陷的密封结构的半导体器件及其制造方法。半导体器件(1)具有基板(10)、基板上形成的半导体元件(14)和密封半导体元件(14)的保护膜(17)，而且具有与保护膜(17)的背面相接的第1导电层(16)和与保护膜(17)的表面相接的第2导电层(18)。

Description

半导体器件及其制造方法
技术领域
本发明涉及有机EL(电致发光：electroluminescence)元件、发光二极管或电容元件等半导体元件的密封结构。
背景技术
有机EL面板(panel)具备主要包含有机材料的发光层的有机EL元件，由于当有机EL元件暴露于水分、氧等环境下则劣化，因此应该与外界空气隔断，覆盖整个有机EL元件形成密封的保护膜(钝化膜)。为了提高密封性能，上述保护膜一般是细密的，包含对于杂质的透过阻止性能高的膜。
当在该保护膜上有裂缝或针孔等缺陷时，则通过该缺陷透过的水分或氧等杂质促进元件构成材料的氧化等，使有机EL元件劣化。由于这种劣化导致发光面中的黑点(不发光点)的发生及其扩大、元件的短寿命化以及成品率降低，因此如何防止保护膜缺陷的发生以及当缺陷发生时如何修补该缺陷是重要的问题。为解决这样的问题的密封技术已经在例如专利文献1(日本特开2002-134270号公报)、专利文献2(日本特开2002-164164号公报)、专利文献3(日本特开平6-96858号公报)、专利文献4(日本特开平10-312883号公报)、专利文献5(日本特开2002-260846号公报)以及专利文献6(日本特开2002-329720号公报)中揭示。
另外，检测出在制造工序中发生的保护膜缺陷的技术，对于为了实现成品率的提高而修补缺陷也是重要的。虽然可以用目视或图像处理检测产生在保护膜上的缺陷，但目视或图像处理很难正确地检测出非预期的缺陷或不在保护膜表面上显现的缺陷等，在检测精度上有限制。
鉴于以上等状况，本发明的主要目的是提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件具有高精度地检测出产生在密封有机EL元件等半导体元件的保护膜上的缺陷的密封结构。
发明内容
为了达到上述目的，本发明的半导体器件，具备基板、形成在上述基板上的半导体元件、以及密封上述半导体元件的保护膜，其特征在于：具备与上述保护膜的背面相接的第1导电层、与上述保护膜的表面相接的第2导电层。
另外，本发明的检测出密封形成在基板上的半导体元件的保护膜的缺陷的半导体器件的制造方法，特征在于具备以下工序：(a)形成第1导电层的工序、(b)在上述第1导电层上形成覆盖上述半导体元件的保护膜的工序、(c)在上述保护膜上形成第2导电层的工序、(d)测定上述第1导电层和上述第2导电层之间的电传导，根据该测定结果检测出上述保护膜的缺陷的工序。
附图说明
图1是概略地表示本发明的第1实施例的有机EL面板的剖面图。
图2是概略地表示构成有机EL元件的有机功能层的一个例子的剖面图。
图3是概略地表示第1实施例的有机EL面板的剖面图。
图4是概略地表示保护膜的缺陷被修补的有机EL面板的剖面图。
图5是概略地表示本发明的第2实施例的有机EL面板的平面图。
图6是概略地表示第2实施例的有机EL面板的平面图。
图7A以及图7B是说明第2实施例的缺陷检测处理的曲线图。
图8是概略地表示本发明的第3实施例的有机EL面板的平面图。
图9是概略地表示第3实施例的有机EL面板的平面图。
图10是概略地表示本发明的第4实施例的有机EL面板的剖面图。
图11是概略地表示第4实施例的有机EL面板的平面图。
图12是概略地表示保护膜的缺陷被修补的有机EL面板的剖面图。
具催实施方式
以下，对本发明的各种实施例进行说明。
1.第1实施例
图1是概略地表示本发明的第1实施例的有机EL面板(半导体器件)1的剖面图。该有机EL面板1具备绝缘基板10和形成在该绝缘基板10上的由第1电极层11、有机功能层12、以及第2电极层13构成的有机EL元件(半导体元件)14。作为绝缘基板10例如能够使用玻璃基板、或者以聚碳酸酯等为基材的可挠性的塑料基板。
另外，在有机EL元件14上按照电绝缘性的绝缘膜15、第1导电层16、保护膜(钝化膜)17、以及第2导电层18的顺序层叠它们构成有机EL面板1。第1导电层16被形成为与保护膜17的背面(内侧的面)相接，第2导电层18被形成为与保护膜17的表面(外侧的面)相接。
保护膜17由阻止水分或氧等杂质向有机EL元件14中渗透的单层或者多层的膜构成，夹在第1导电层16和第2导电层18之间，且形成与第1导电层16、第2导电层18之间电绝缘。作为保护膜17的构成材料可列举例如氧化硅(SiO2)等金属氧化物、氮化硅等金属氮化物、氮氧化硅(SiON)等金属氮氧化物、或者聚酰亚胺类树脂等有机绝缘材料。能够通过真空蒸镀法、旋转涂敷法、溅射法、等离子体CVD(Chemical Vapor Deposition，化学蒸镀)法、激光CVD法、热CVD法、离子镀法、或者旋转涂敷法等制造方法，淀积这样的膜材料形成保护膜17。
特别地，为了提高和第1导电层16的密合性，形成针孔少的保护膜17，最好采用离子镀法或CVD法。另外，为了均匀地且以一定厚度形成针孔少且致密的膜，最好使用聚对二甲苯、聚一氯对二甲苯、聚二氯对二甲苯、或者聚一溴对二甲苯等聚对位二甲苯类树脂，通过CVD法形成保护膜17。
进一步，从提高防湿性能的角度看，保护膜17最好包含具有氧化钙、氧化钡等碱金属氧化物、或者具有异氰酸酯基的有机物等水分吸收膜。
作为第1导电层16和第2导电层18的构成材料，可列举从铝(Al)、银(Ag)、铜(Cu)、金(Au)、白金(Pt)、钯(Pd)、铬(Cr)、钼(Mo)、钛(Ti)以及镍(Ni)等金属材料中选择出的一种或者两种以上构成的合金，或者ITO(氧化铟锡，Indium Tin Oxide)、IZO(氧化铟锌，Indium Zinc Oxide)或氧化锡等透明导电材料，或者聚噻吩或聚苯胺等导电性高分子材料。特别地，从精度良好地实行下述保护膜17的缺陷检测的角度看，最好选择具有高导电率的金属材料或透明导电材料。
如图1所示，第1导电层16延长到有机EL元件14的形成区域外的绝缘基板10的周边部上，该周边部上的第1导电层16与第1电极端子19A接连且电连接。该第1电极端子19A具有缺陷检测用的金属制探针(probe)20A能接触的表面积。另外，第2导电层18延长到有机EL元件14的形成区域外的绝缘基板10的周边部上，该周边部上的第2导电层18与第1电极端子19B接连且电连接。该电极端子19B也具有缺陷检测用的金属制探针(probe)20B能接触的表面积。第1以及第2探针20A、20B与实施缺陷检测处理的检测器21接连。对缺陷检测处理以后说明。
绝缘膜15只要是将有机EL元件14与第1导电层16电绝缘的膜即可，对绝缘膜15的构成材料及其制造方法没有特别限制。但是，在绝缘膜15的成膜工序中最好选择对下方的元件结构带来的损伤尽可能小的膜材料。另外，能够通过溅射法、真空蒸镀法、CVD法、旋转涂敷法或丝网印刷法等制造方法形成绝缘膜15。
在图中未明示构成有机EL元件14的第1电极层11和第2电极层13的电极图形，第1电极层11和第2电极层13也可以相互正交地形成为带状。从空穴注入有机功能层12的角度看，第1电极层11最好由具有较大功函数的阳极材料构成。例如，通过在绝缘基板10上利用真空蒸镀法、溅射法、离子镀法或汽相成膜法等淀积ITO(氧化铟锡，Indium Tin Oxide)、IZO(氧化铟锌，Indium Zinc Oxide)、或氧化锡等导电性金属氧化物的阳极材料，以抗蚀剂为掩模构图，能形成第1电极层11。另外，从电子注入有机功能层12的角度看，第2电极层13最好由具有较小功函数且化学性比较稳定的阴极材料构成。例如，通过在有机功能层12上利用真空蒸镀法等成膜MgAg合金、镁、铝或铝合金等阴极材料并进行构图，能形成第2电极层13。
而且，在本实施例中，分别说明了第1电极层11作为向有机功能层12注入空穴的阳极，第2电极层13作为向有机功能层12注入电子的阴极，但取而代之，也可以第1电极层11作为阴极，第2电极层13作为阳极。
其次，图2是概略地表示有机功能层12的一个例子的剖面图。参照图2，在绝缘基板10上的第1电极层11上，按照空穴注入层30、空穴传输层31、发光层32以及电子注入层33的顺序层叠它们构成有机功能层12。在电子注入层33上形成第2电极层13。当通过来自外部的电压，空穴从第1电极层11被注入，电子从第2电极层13被注入时，空穴和电子在有机功能层12中移动，以规定的概率在发光层32中再结合(复合)。再结合的能量通过构成发光层32的有机分子的单重激发态以及三重激发态中两者之一或两者释放，发出荧光或磷光、或者荧光和磷光两种。作为空穴注入层30以及空穴传输层31的构成材料，能够采用铜酞菁以及TPD(三苯胺的二聚体)、或者聚噻吩以及聚苯胺。另外，作为构成发光层32的发光材料，可列举Alq3(喹啉醇铝衍生物)、BAlq1(喹啉醇铝衍生物)、DPVBi(二苯乙烯基芳烯衍生物)、EM2(恶二唑衍生物)、BMA-nT(低聚噻吩衍生物，n是正整数)等。然后，作为电子注入层33的构成材料可列举Li2O(氧化锂)等。
而且，上述有机功能层12是4层元件，但取而代之，有机功能层12也可以只是由发光层32构成的单层元件，或者由发光层32、空穴传输层31、空穴注入层30构成的3层元件。
另外，图1所示的构成要素以外，有机EL面板1也可以包含未图示的隔断有机EL元件14的多个隔膜、以及包含TFT(薄膜晶体管)和电容器等的驱动电路的构成要素。
对具有以上构成的有机EL面板1的制造方法的步骤进行如下概要地说明。
参照图1，首先，通过在绝缘基板10上顺序地形成第1电极层11、有机功能层12以及第2电极层13，在绝缘基板10上的元件形成区域形成有机EL元件14。接着，在有机EL元件14上使用金属氮化膜等绝缘材料形成绝缘膜15。
其后，以覆盖有机EL元件14以及绝缘膜15的方式，通过蒸镀法或溅射法等淀积铝等金属材料并进行构图。其结果，形成电极端子19A和第1导电层16。接着，以覆盖第1导电层16的方式，通过CVD法，用淀积氮化硅等绝缘材料形成保护膜17。进一步，以覆盖该保护膜17的方式，通过蒸镀法或溅射法等淀积铝等金属材料并进行构图，形成第2导电层18和电极端子19B。
其后，实施保护膜17的缺陷检测处理。具体地，如图1所示，使一个探针20A接触电极端子19A，使另一个探针20B接触电极端子19B。这样的状态下，检测器21给予电极端子19A、19B电位差，测定电极端子19A、19B之间的电阻率等电传导，根据该测定结果检测保护膜17的缺陷。如图3所示当保护膜17上有缺陷40时，第1导电层16和第2导电层18经由该缺陷40电导通，另一方面，如图1所示当保护膜17上无缺陷时，第1导电层16和第2导电层18几乎无电导通，两层间的电传导度低，两层间的电阻率高。因而，当检测器21判断在电极端子19A、19B之间产生电传导时，判定保护膜17上有缺陷，另一方面，当判断在电极端子19A、19B之间不产生电传导时，判定保护膜17上无缺陷。例如，当测定的电阻率超过预先设定的值时，则能够判定保护膜17上无针孔等缺陷，当上述电阻率在设定的值以下时，则能够判定保护膜17上有缺陷。该缺陷有无的判定结果被显示在LED等显示器上。
通过这样的缺陷检测处理，可以高精度地检测保护膜17上的缺陷。另外，通过在有机EL面板1的制造工序中加入上述缺陷检测处理，能够早期地发现不良品，因此可以提供可靠性高的有机EL面板1。
当通过上述缺陷检测处理检测出保护膜17的缺陷时，在接下来的修补工序中，至少使缺陷部位附近的第2导电层18的凹凸状的表面平坦化后，在缺陷部位附近的第2导电层18上淀积阻挡性高的绝缘材料，成膜如图4所示的修补层(patch layer)41。具体地，通过利用CVD法等干处理形成聚对二甲苯等树脂膜，或是利用湿处理涂敷光固化性或热固化性的树脂并使其固化，来平坦化缺陷部位附近的凹凸状的表面，其后，能够在该平坦化的表面上淀积氮化硅等阻挡性高的绝缘材料。
而且，也可以跨越整个有机EL面板1的元件形成区域来形成上述修补层41，或者，也可以以仅局部地覆盖缺陷部位附近的第2导电层18的表面来形成修补层41的膜。例如，能够在真空蒸镀法或溅射法等成膜工序中，在有机EL面板1的前面配有设置了孔或喷嘴的遮蔽板，以该遮蔽板为掩模(mask)，只在缺陷部位附近的区域局部地淀积膜材料。
通过上述修补工序，能够提供如图4所示的修补了保护膜17的缺陷40的有机EL面板1A，因此成品率提高，能提供预防有机EL元件的劣化且寿命长的有机EL面板1。
而且，形成上述修补层41后，为了进一步提高密封性能和加强机械的强度，也可以设置密封整个有机EL面板1A的密封部件。具体地，也可以在惰性气体的环境下，以带着干燥剂的金属制材料为密封部件，通过紫外线固化性树脂等粘接剂与绝缘基板10接合。
2.第2实施例
接着，对本发明的第2实施例进行说明。图5是概略地表示第2实施例的有机EL面板(半导体器件)1的平面图。在图5中，被赋予了与图1所示符号相同的构成要素，与上述第1实施例的构成要素结构相同、且用相同制造方法制造，因此省略其详细说明。
参照图5，在绝缘基板10上的元件形成区域形成有机EL元件14(未图示)，顺序地成膜第1导电层16、保护膜17以及第2导电层18以覆盖整个该元件形成区域。在元件形成区域外的绝缘基板10的一个周边部上，一个电极端子19A在沿着该周边部的X方向上形成为带状，在元件形成区域外的绝缘基板10的另一个周边部上，另一个电极端子19B在沿着该周边部的Y方向，即正交于X方向的方向上形成为带状。
当测定第1导电层16和第2导电层18之间的电传导时，如图6所示，首先，使一个探针20A接触电极端子19A表面的测定点P1。接着，使另一个探针20B接触电极端子19B的表面的同时，使探针20B从电极端子19B的一端向另一端朝Y方向扫描。在该探针20B扫描的期间，检测器21测定表示探针20A和20B之间的电传导的量(例如，电阻率)关于Y方向的分布，且将其记录在内部存储器(未图示)中。接着，对新测定点P2重复实施以上的测定处理。
其后，对全部的测定点P1，P2，…，PN(N为2以上的正整数)的测定处理结束后，检测器21读出存储在内部存储器中的电传导的分布并分析它们，检测出保护膜17的缺陷并且确定缺陷部位。图7A以及图7B是分别概要地表示对某测定点PK(K是1～N的整数)的电阻率的分布曲线的一个例子的曲线图。对于测定点PK，当保护膜17上无缺陷时，如图7A的曲线图所示，电阻率的分布具有大体上固定的值，另一方面，对于测定点PK，当保护膜17上有一个缺陷时，如图7B的曲线图所示，电阻率的分布在对应于缺陷部位的位置YD上形成峰值。检测器21通过在测定的电传导分布中，检测出图7所示的峰值等异常，能够检测出保护膜17的缺陷。
另外，如图6所示，在保护膜17上存在缺陷40时，由于对应于2个探针20A，20B的位置，在测定的电传导分布上出现图7所示的异常，因此检测器21可以确定该缺陷40的位置。其后，通过至少在该缺陷部位附近的第2导电层18的表面上局部地成膜修补层41，来修补缺陷40。
如上所述，在第2实施例中，由于能够确定保护膜17的缺陷部位，因此根据保护膜17中的缺陷的位置以及个数，可以迅速且容易地判断修补层41的成膜范围或有无修补。
3.第3实施例
接着，对本发明的第3实施例进行说明。图8是概略地表示第3实施例的有机EL面板(半导体器件)2的平面图。在图8中，被赋予了与图1所示符号相同的构成要素，与上述第1实施例的构成要素结构相同、且用相同制造方法制造，因此省略其详细说明。
参照图8，在绝缘基板10上的元件形成区域形成有机EL元件14(未图示)，顺序地成膜第1导电层16、保护膜17以及第2导电层18以覆盖整个该元件形成区域。第1导电层16以及第2导电层18相互交叉地形成为带状(strip)。第1导电层16由在沿着绝缘基板10的一个周边部的X方向上以规定间隔排列且在垂直于X方向的Y方向延伸的多个带状导电片161，162，…，16M构成，第2导电层18由在沿着绝缘基板10的另一个周边部的Y方向上以规定间隔排列且在X方向延伸的多个带状导电片181，182，…，18N构成。
另外，在元件形成区域外的绝缘基板10的一个周边部上形成连续地与第1导电层16连接的电极端子19A，在另一个周边部上形成连续地与第2导电层18连接的电极端子19B。一个电极端子19A由在沿着绝缘基板10的一个周边部的X方向上排列的多个电极片19A1，19A2，…，19AM构成，电极片19A1，19A2，…，19AM分别与带状导电片161，162，…，16M接连。另一个电极端子19B由在沿着另一个周边部的Y方向上排列的多个电极片19B1，19B2，…，19BN构成，电极片19B1，19B2，…，19BN分别与带状导电片181，182，…，18N接连。
当测定第1导电层16和第2导电层18之间的电传导时，如图9所示，首先，使一个探针20A接触电极片19A1的表面。接着，在使另一个探针20B接触电极片19B1的表面的状态下，检测器21测定表示探针20A和20B之间的电传导的量(例如，电阻率)且把它与探针20A，20B的位置相关联地记录在内部存储器(未图示)中。接着，使另一个探针20B电极片19B2的表面移动并接触。在这样的状态下，测定表示的电传导的量且把它与探针20A，20B的位置相关联地记录在上述内部存储器中。这样，测定在X方向上排列的电极片19A1，19A2，…，19AM和在Y方向上排列的电极片19B1，19B2，…，19BN的全部组合M×N个的电传导，并在内部存储器中存储该测定结果。
其后，检测器21读出存储在内部存储器的M×N个测定量并分析它们，检测出保护膜17的缺陷并且确定缺陷部位。具体地，当保护膜17上有缺陷40时，由于在该缺陷部位交叉2个电极片19AP，19BQ(P是1～M的整数；Q是1～N的整数)导电，或是两个电极片19AP，19BQ之间的电阻率变低，因此当从测定量检测出这样的情况下，检测器21能够判定在2个电极片19AP，19BQ的交叉的区域上包含保护膜17的缺陷40，并确定缺陷部位。检测出保护膜17的缺陷40后，至少在该缺陷部位附近的第2导电层18的表面上通过局部地形成修补层41来修补缺陷40。
如上所述，在第3实施例中与上述第2实施例相同，由于能够确定保护膜17的缺陷部位，因此根据保护膜17中缺陷的位置以及个数，可以迅速且容易地决定修补层41的成膜范围或有无修补。另外，与第2实施例相比，可以更容易地确定缺陷部位。
4.第4实施例
接着，对本发明的第4实施例进行说明。图10是概略地表示第4实施例的有机EL面板(半导体器件)3的剖面图。在图10中，被赋予了与图1所示符号相同的构成要素，与上述第1实施例的构成要素结构相同、且用相同制造方法制造，因此省略其详细说明。
该有机EL面板3具备绝缘基板10和由在该绝缘基板10上形成的第1电极层11、有机功能层12、以及第2电极层13A构成的有机EL元件(半导体元件)14A。第2电极层13A形成有机EL元件14A的最外层。进一步，有机EL面板3在有机EL元件14A上顺序地形成保护膜(钝化膜)17和导电层18。
保护膜17被形成为夹在第2电极层13A和导电层18之间，且与第2电极层13A、导电层18之间电绝缘。这样，在缺陷检测中使用有机EL元件14A的第2电极层13A，这一点，本实施例的结构与上述第1实施例的结构不同。
如图10所示，第2电极层13A延长到有机EL元件14A的形成区域外的绝缘基板10的周边部上，该周边部上的第2电极层13A与第1电极端子50A接连且电连接。该电极端子50A具有检测用的探针20A能接触的表面积。另外，导电层18延长到有机EL元件14A的形成区域外的绝缘基板10的另一个周边部上，该周边部上的导电层18与第2电极端子50B接连且电连接。该电极端子50B具有检测用的探针20B能接触的表面积。
图11是概略地表示上述有机EL面板3的平面图。参照图11，在绝缘基板10上的元件形成区域形成有机EL元件14A(未图示)，沿着绝缘基板10的表面，第2电极层13A形成为带状并构成带状的导电膜13A1，13A2，…，13AM。这些导电膜13A1，13A2，…，13AM分别地延伸到绝缘基板10的周边部上与多个电极片50A1，50A2，…，50AM接连。第1电极端子50A由这些电极片50A1，50A2，…，50AM构成。另外，在电极端子50A上顺序地形成保护膜17以及导电层18。
而且，在图11所示的例中，导电层18跨越整个元件形成区域连续地形成。取而代之，导电层18也可以与带状的导电膜13A1，13A2，…，13AM交叉地形成为带状。另外，在图11所示的例中第2电极层13A形成为带状，但取而代之，第2电极层13A也可以跨越整个元件形成区域连续地形成。
对具有以上构成的有机EL面板3的制造方法的步骤进行如下概要说明。
参照图10，首先，在绝缘基板10上顺序地成膜第1电极层11以及有机功能层12，接着，在有机功能层12上淀积导电材料并构图，成膜电极端子50A和导电层18。其后，淀积氮化硅等绝缘材料形成保护膜17以覆盖第1导电层16。进一步，以覆盖该保护膜17的方式，通过蒸镀法或溅射法等淀积铝等金属材料并构图，成膜导电层18和电极端子50B。
其后，实施测定第2电极层13A和电极端子50A之间的电传导且分析它们的缺陷检测处理，但由于该缺陷检测处理方法与上述第1～第3实施例的缺陷检测法大致相同，故省略其详细说明。
当如图12所示在保护膜17上有缺陷51时，检测器21对与电极端子50A相接触的探针20A和与电极端子50B相接触的探针20B之间的电阻率等，检测出异常。这样的情况下，在接下来的修补工序中，以至少覆盖缺陷部位附近的导电层18的表面的方式，在导电层18上淀积金属氮化物等绝缘材料来成膜修补层(补丁层)52。其结果，如图12所示，能够提供修补了保护膜17的缺陷51的有机EL面板3A。
而且，形成上述修补层52后，为了进一步提高密封性能和加强机械的强度，也可以设置密封整个有机EL面板3A的密封部件。具体地，也可以在惰性气体的环境下，以带着干燥剂的金属制材料为密封部件，通过紫外线固化性树脂等粘接剂与绝缘基板10结合。
通过以上说明，在第4实施例中，由于检测将构成有机EL元件14A的第2电极层13A兼用作保护膜17的缺陷，因此可以提供空间效率高的有机EL面板，由于减少制造工序数，故可以抑制制造成本。
以上对本发明的第1～第4的实施例进行了说明。上述的各实施例的密封结构以及制造方法不仅可以适用于有机EL元件，也可以适用于激光二极管或电容元件等需要保护膜的所有半导体元件。

Claims (23)

1.一种半导体器件，具备基板、形成在上述基板上的半导体元件、以及密封上述半导体元件的保护膜，其特征在于具备：
与上述保护膜的背面相接的第1导电层；以及
与上述保护膜的表面相接的第2导电层。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还具备形成在上述半导体元件上的电绝缘性的绝缘膜，上述第1导电层形成在上述绝缘膜上。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，上述半导体元件包含形成最外层的电极层，作为上述第1导电层。
4.如权利要求1至3中任意一项所述的半导体器件，其特征在于，上述第1导电层以及上述第2导电层中的至少一方形成为带状。
5.如权利要求1至3中任意一项所述的半导体器件，其特征在于，上述第1导电层以及上述第2导电层相互交叉地形成为带状。
6.如权利要求1至5中任意一项所述的半导体器件，其特征在于，具备与上述第1导电层连接的第1电极端子和与上述第2导电层连接的第2电极端子。
7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，上述第1以及第2电极端子设置在上述半导体元件的形成区域外的上述基板的周边部上。
8.如权利要求6或7所述的半导体器件，其特征在于，上述第1电极端子以及上述第2电极端子中的至少一方，由沿着上述基板的周边部以规定间隔排列的多个电极片构成。
9.如权利要求1至权利要求8中任意一项所述的半导体器件，其特征在于，上述半导体元件由电致发光元件构成。
10.一种检测对在基板上形成的半导体元件进行密封的保护膜的缺陷的半导体器件的制造方法，其特征在于具备以下工序，
(a)形成第1导电层的工序；
(b)在上述第1导电层上形成覆盖上述半导体元件的保护膜的工序；
(c)在上述保护膜上形成第2导电层的工序；以及
(d)测定上述第1导电层和上述第2导电层之间的电传导，根据该测定结果检测出上述保护膜的缺陷的工序。
11.如权利要求10所述半导体器件的制造方法，其特征在于，还具备：在上述工序(d)中检测出上述保护膜的缺陷后，至少形成对上述保护膜的缺陷部位附近的上述第2导电层的表面进行覆盖的修补层的工序。
12.如权利要求10或11所述半导体器件的制造方法，其特征在于，还具备在上述半导体元件上形成电绝缘性的绝缘膜的工序，在上述工序(a)中，上述第1导电层形成在上述绝缘膜上。
13.如权利要求10或11所述半导体器件的制造方法，其特征在于，上述半导体元件包含形成最外层的电极层，作为上述第1导电层。
14.如权利要求10至13中任意一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在上述工序(a)中，上述第1导电层形成为带状。
15.如权利要求10至14中任意一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在上述工序(c)中，上述第2导电层形成为带状。
16.如权利要求10至13中任意一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在上述工序(a)以及(c)中，包括将上述第1导电层以及上述第2导电层相互交叉地形成为带状的工序。
17.如权利要求10至16中任意一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，上述工序(a)包含形成与上述第1导电层连接的第1电极端子的工序，上述工序(c)包含形成与上述第2导电层连接的第2电极端子的工序。
18.如权利要求17所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，上述工序(d)包含：在使第1探针接触上述第1电极端子以及上述第2电极端子中的一方的表面，而使第2探针边接触上述第1电极端子以及上述第2电极端子中的另一方的表面边扫描时，测定上述第1以及第2探针间的电传导，根据该测定结果确定上述保护膜的缺陷部位的工序。
19.如权利要求17所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，上述工序(d)包含：在使第1探针接触上述第1电极端子以及上述第2电极端子中的一方的表面，而使第2探针顺序接触上述第1电极端子以及上述第2电极端子中的另一方的表面上的规定的多个点时，测定上述第1以及第2探针间的电传导，根据该测定结果确定上述保护膜的缺陷部位的工序。
20.如权利要求17至19中任意一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在上述工序(a)以及(c)中，上述第1以及第2电极端子分别设置在上述半导体元件的形成区域外的上述基板的周边部上。
21.如权利要求17至20中任意一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，上述工序(a)包含：沿着上述基板的周边部以规定间隔排列地形成多个电极片，作为上述第1电极端子的工序。
22.如权利要求17至21中任意一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，上述工序(c)包含：沿着上述基板的周边部以规定间隔排列地形成多个电极片，作为上述第2电极端子的工序。
23.如权利要求10至22中任意一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，上述半导体元件由电致发光元件构成。
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