CN108878473B - 显示面板及其制造方法、检测方法和显示装置 - Google Patents

显示面板及其制造方法、检测方法和显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN108878473B
CN108878473B CN201810366342.3A CN201810366342A CN108878473B CN 108878473 B CN108878473 B CN 108878473B CN 201810366342 A CN201810366342 A CN 201810366342A CN 108878473 B CN108878473 B CN 108878473B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
fluorescent probe
display panel
light
electrode layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810366342.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108878473A (zh
Inventor
谢蒂旎
李伟
张晓晋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201810366342.3A priority Critical patent/CN108878473B/zh
Publication of CN108878473A publication Critical patent/CN108878473A/zh
Priority to PCT/CN2019/070618 priority patent/WO2019205739A1/zh
Priority to US16/345,937 priority patent/US10868085B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN108878473B publication Critical patent/CN108878473B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
    • G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
    • G01N21/6428—Measuring fluorescence of fluorescent products of reactions or of fluorochrome labelled reactive substances, e.g. measuring quenching effects, using measuring "optrodes"
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/88—Dummy elements, i.e. elements having non-functional features
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/90—Assemblies of multiple devices comprising at least one organic light-emitting element
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/70—Testing, e.g. accelerated lifetime tests
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2203/00—Function characteristic
    • G02F2203/69—Arrangements or methods for testing or calibrating a device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/351—Metal complexes comprising lanthanides or actinides, e.g. comprising europium

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本公开提供了一种显示面板及其制造方法、检测方法和显示装置，涉及显示技术领域。显示面板包括位于基板上的一个或多个检测单元，每个检测单元包括：相对设置的第一电极层和第二电极层；发光层，位于所述第一电极层与所述第二电极层之间；和荧光探针层，位于所述第一电极层和所述发光层之间。

Description

显示面板及其制造方法、检测方法和显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制造方法、检测方法和显示装置。
背景技术
在有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示面板的制造过程中，经常会发现OLED显示面板的某些部位会具有亮度偏暗等显示缺陷。
发明内容
显示缺陷的产生原因可能有多种。因此，确定显示缺陷的产生原因会比较困难。
发明人发现，发光层的发光效率容易受到发光层周围环境的影响。例如，高温或高湿的环境会导致发光层的发光效率大幅下降。发明人由此认识到，如果能够得到发光层的环境参数，就能为分析显示缺陷的产生原因提供参考。
因此，本公开实施例提供了如下技术方案。
根据本公开实施例的一方面，提供一种显示面板，包括：位于基板上的一个或多个检测单元，每个检测单元包括：相对设置的第一电极层和第二电极层；发光层，位于所述第一电极层与所述第二电极层之间；和荧光探针层，位于所述第一电极层和所述发光层之间。
在一些实施例中，所述基板包括像素区域和非像素区域，所述显示面板还包括像素单元，其中，所述像素单元位于所述像素区域上，所述一个或多个检测单元中的至少一个位于所述非像素区域上。
在一些实施例中，所述第一电极层位于所述基板和所述发光层之间。
在一些实施例中，所述荧光探针层包括对下列参数之一敏感的荧光探针层：温度、湿度、氧浓度。
在一些实施例中，所述荧光探针层的厚度为1μm-5μm。
根据本公开实施例的另一方面，提供一种显示装置，包括：上述任意一个实施例所述的显示面板。
根据本公开实施例的又一方面，提供一种基于如上述任意一个实施例所述的显示面板的检测方法，包括：利用激发光照射所述显示面板中的检测单元，以使得所述检测单元中的荧光探针层发光；检测所述荧光探针层发出的光的参数；和根据所述荧光探针层发出的光的参数，确定所述检测单元中的发光层的环境参数。
在一些实施例中，根据荧光探针层发出的光的参数与该荧光探针层所处的环境的环境参数之间的对应关系，确定所述检测单元中的发光层的环境参数。
在一些实施例中，所述环境参数包括下列之一：温度、湿度、氧浓度。
在一些实施例中，所述光的参数包括所述光的波长或光强。
根据本公开实施例的再一方面，提供一种显示面板的制造方法，包括：在基板上形成一个或多个检测单元；其中，形成每个检测单元包括：在所述基板上形成第一电极层；在所述第一电极层远离所述基板的一侧形成荧光探针层和发光层；和形成第二电极层，其中，所述荧光探针层和所述发光层位于所述第一电极层和所述第二电极层之间。
在一些实施例中，所述基板包括像素区域和非像素区域，在所述像素区域上形成像素单元，在所述非像素区域上形成所述一个或多个检测单元中的至少一个。
在一些实施例中，在形成所述荧光探针层后，在所述荧光探针层远离所述第一电极层的一侧形成所述发光层。
在一些实施例中，所述荧光探针层包括对下列参数之一敏感的荧光探针层：温度、湿度、氧浓度。
在一些实施例中，所述荧光探针层的厚度为1μm-5μm。
本公开实施例提供的显示面板中设置有包括荧光探针层的检测单元，荧光探针层的发光情况可以反映发光层的环境参数，进而可以根据发光层的环境参数来确定发光层是否为显示面板显示缺陷的产生原因。
通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征、方面及其优点将会变得清楚。
附图说明
附图构成本说明书的一部分，其描述了本公开的示例性实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理，在附图中：
图1是根据本公开一些实施例的显示面板的结构示意图；
图2是根据本公开另一些实施例的显示面板的结构示意图；
图3是根据本公开一些实施例的显示面板的检测方法的流程示意图；
图4是根据本公开一些实施例的显示面板的制造方法的流程示意图；
图5是根据本公开一些实施例的显示装置的结构示意图。
应当明白，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。此外，相同或类似的参考标号表示相同或类似的构件。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。对示例性实施例的描述仅仅是说明性的，决不作为对本公开及其应用或使用的任何限制。本公开可以以许多不同的形式实现，不限于这里所述的实施例。提供这些实施例是为了使本公开透彻且完整，并且向本领域技术人员充分表达本公开的范围。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、材料的组分和数值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。
本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指在该词前的要素涵盖在该词后列举的要素，并不排除也涵盖其他要素的可能。“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
在本公开中，当描述到特定部件位于第一部件和第二部件之间时，在该特定部件与第一部件或第二部件之间可以存在居间部件，也可以不存在居间部件。当描述到特定部件连接其它部件时，该特定部件可以与所述其它部件直接连接而不具有居间部件，也可以不与所述其它部件直接连接而具有居间部件。
本公开使用的所有术语(包括技术术语或者科学术语)与本公开所属领域的普通技术人员理解的含义相同，除非另外特别定义。还应当理解，在诸如通用字典中定义的术语应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义相一致的含义，而不应用理想化或极度形式化的意义来解释，除非这里明确地这样定义。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
图1是根据本公开一些实施例的显示面板的结构示意图。
如图1所示，显示面板包括位于基板101上的一个或多个检测单元102。这里，图1示意性地示出了一个检测单元102。在一些实施例中，多个检测单元102中的不同检测单元102可以由图1所示的像素界定层103间隔开。
基板101中可以形成有驱动电路及各种电路元件(图1中未示出)，例如，薄膜晶体管(TFT)、电容器、电阻器等。这里，基板101也可以称为TFT基板。
每个检测单元102包括相对设置的第一电极层112和第二电极层122、发光层132、以及荧光探针层142。这里，第一电极层112和第二电极层122中的一个为阳极，另一个为阴极。
发光层132位于第一电极层112与第二电极层122之间。发光层132可以包括发光材料层。发光层132还可以包括电子传输层、空穴传输层、电子注入层和空穴注入层中的一种或多种。
荧光探针层142位于第一电极层112和发光层132之间。在一些实施例中，第一电极层112位于基板101和发光层132之间，如图1所示。即，第一电极层112比第二电极层122更靠近基板101。这样的方式可以避免形成荧光探针层142时对发光层132的性能造成不利影响。
在一些实施例中，荧光探针层142可以包括对下列参数之一敏感的荧光探针层：温度、湿度、氧浓度。对温度敏感的荧光探针层例如可以包括三芳基硼化合物等。对湿度敏感的荧光探针层例如可以包括下列中的一种或多种：Eu3+的配合物、Tb3+的配合物。对氧浓度敏感的荧光探针层例如可以包括下列中的一种或多种：钌络合物、铂络合物、钯络合物、铱络合物。
在一些实施例中，荧光探针层的厚度为1μm-5μm，例如，2μm-4μm，例如，3μm等。在这样的厚度范围内，荧光探针层既可以正常受激发光，也不会影响发光层的形成。
上述实施例中，显示面板中设置有包括荧光探针层的检测单元，荧光探针层的发光情况可以反映发光层的环境参数，进而可以根据发光层的环境参数来确定发光层是否为显示面板显示缺陷的产生原因。
图2是根据本公开另一些实施例的显示面板的结构示意图。
如图2所示，显示面板包括位于基板101上的一个或多个检测单元102、以及像素单元104。不同的像素单元104之间、以及检测单元102与像素单元104之间可以由像素界定层103间隔开。
像素单元104包括相对设置的第一电极层114和第二电极层124、以及位于第一电极层114与第二电极层124之间的发光层134。这里，每个像素单元104可以视为一个子像素。三个像素单元104可以组成一个像素。
基板101包括像素区域111和非像素区域121。像素单元104位于像素区域111上，一个或多个检测单元102中的至少一个位于非像素区域121上。
在一些实现方式中，一部分检测单元102位于非像素区域121上，另一部分检测单元102位于像素区域121上。通常来说，一个像素区域111上对应地设置有一个像素单元104。这里，由于显示面板还包括检测单元102，故某些像素区域111上也可以对应地设置检测单元102。换言之，一部分检测单元102可以占据像素单元104的位置。
在另一些实现方式中，全部的检测单元102均位于非像素区域121上。例如，检测单元102可以占据像素界定层103的位置，即，检测单元102可以设置在像素界定层103除用于像素单元104的开口之外的开口中。这样的方式可以避免像素单元104的正常发光受到影响。
由于检测单元102中的发光层132与第一电极层112之间具有荧光探针层142，因此，即便对检测单元102中的第一电极层112和第二电极层122施加电压，检测单元102也是不发光的。故位于非像素区域121上的检测单元102不会对像素单元104的正常发光造成影响。
上述实施例中，至少一个检测单元102位于非像素区域121上，以尽可能减小检测单元102对像素单元104的影响。
以上各实施例的显示面板包括检测单元102。因此，在显示面板出现显示缺陷的情况下，例如，某些部位亮度较暗，可以对显示面板中的荧光探针层142的发光情况进行检测，以确定发光层132是否正常。
以下结合图3详细介绍本公开一些实施例的显示面板的检测方法。
图3是根据本公开一些实施例的显示面板的检测方法的流程示意图。
在步骤302，利用激发光照射显示面板中的检测单元，以使得检测单元中的荧光探针层发光。
这里，激发光可以根据荧光探针层的类型进行选择，以使得荧光探针层被激发光照射后能够发光。
在步骤304，检测荧光探针层发出的光的参数。
在一些实施例中，光的参数可以包括光的光强。在另一些实施例中，光的参数可以包括光的波长。例如，可以利用光谱仪来检测荧光探针层发出的光的光强或波长。
在步骤306，根据荧光探针层发出的光的参数，确定检测单元中的发光层的环境参数。
在检测单元中，荧光探针层发出的光的参数会受到发光层的环境参数的影响。因此，可以根据荧光探针层发出的光的参数来确定发光层的环境参数。
示例性地，发光层的环境参数可以包括下列之一：温度、湿度、氧浓度。例如，如果发光层的温度、湿度或氧浓度超过对应的阈值，则可以认为有可能是由于发光层导致的显示缺陷。
上述实施例中，可以根据检测单元中的荧光探针层发出的光的参数来确定发光层的环境参数，进而可以确定发光层是否为显示面板显示缺陷的产生原因。
在一些实施例中，可以根据荧光探针层发出的光的参数与该荧光探针层所处的环境的环境参数之间的对应关系，确定检测单元中的发光层的环境参数。
下面介绍一种确定上述对应关系的具体实现方式。
首先，在基板(例如玻璃基板)上沉积荧光探针层以制成样品。然后，将样品放置在密闭环境(例如手套箱)中。之后，调节密闭环境中的环境参数，例如将温度、湿度或氧浓度调节至某一数值。然后，测量样品发出的光的参数，例如光强或波长。之后，可以得到样品发出的光的参数与密闭环境当前的环境参数的对应关系。
根据上述方式可以得到样品发出的光的参数与密闭环境的不同环境参数的对应关系，也即，可以得到荧光探针层发出的光的参数与该荧光探针层所处的环境的环境参数之间的对应关系。
下面介绍显示面板的示例性制造方法。
图4是根据本公开一些实施例的显示面板的制造方法的流程示意图。
如图4所示，可以按照步骤402-步骤406来形成每个检测单元，从而在基板上形成一个或多个检测单元。在一些实施例中，基板包括像素区域和非像素区域，可以在基板的像素区域上形成像素单元，在基板的非像素区域上形成至少一个检测单元。
在步骤402，在基板上形成第一电极层。第一电极层例如是阳极。
在步骤404，在第一电极层远离基板的一侧形成荧光探针层和发光层。
例如，荧光探针层可以包括对下列参数之一敏感的荧光探针层：温度、湿度、氧浓度。例如，荧光探针层的厚度可以为1μm-5μm。
在一些实施例中，在第一电极层上形成荧光探针层后，在荧光探针层远离第一电极层的一侧形成发光层。这样的方式可以避免在形成荧光探针层时对发光层的性能造成不利影响。
在步骤406，形成第二电极层。第二电极层例如是阴极。
这里，荧光探针层和发光层位于第一电极层和第二电极层之间。例如，第二电极层可以位于发光层上，或者，第二电极层可以位于荧光探针层上。
上述实施例形成的显示面板中包括具有荧光探针层的检测单元，荧光探针层的发光情况可以反映发光层的环境参数，从而可以根据发光层的环境参数来确定发光层是否为显示面板显示缺陷的产生原因。
图5是根据本公开一些实施例的显示装置的结构示意图。
如图5所示，显示装置500可以包括上述任意一个实施例的显示面板501。显示装置500例如可以是移动终端、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、电子纸等任何具有显示功能的产品或部件。
至此，已经详细描述了本公开的各实施例。为了避免遮蔽本公开的构思，没有描述本领域所公知的一些细节。本领域技术人员根据上面的描述，完全可以明白如何实施这里公开的技术方案。
虽然已经通过示例对本公开的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上示例仅是为了进行说明，而不是为了限制本公开的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本公开的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改或者对部分技术特征进行等同替换。本公开的范围由所附权利要求来限定。

Claims (11)

1.一种显示面板，包括位于基板上的一个或多个检测单元，每个检测单元包括：
相对设置的第一电极层和第二电极层；
发光层，位于所述第一电极层与所述第二电极层之间；和
荧光探针层，位于所述第一电极层和所述发光层之间；
其中，所述基板包括像素区域和非像素区域，所述显示面板的像素单元位于所述像素区域上，所述一个或多个检测单元中的至少一个位于所述非像素区域上。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第一电极层位于所述基板和所述发光层之间。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述荧光探针层包括对下列参数之一敏感的荧光探针层：温度、湿度、氧浓度。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述荧光探针层的厚度为1μm-5μm。
5.一种显示装置，包括：如权利要求1-4任意一项所述的显示面板。
6.一种基于如权利要求1-4任意一项所述的显示面板的检测方法，包括：
利用激发光照射所述显示面板中的检测单元，以使得所述检测单元中的荧光探针层发光；
检测所述荧光探针层发出的光的参数；和
根据所述荧光探针层发出的光的参数，确定所述检测单元中的发光层的环境参数。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，根据荧光探针层发出的光的参数与该荧光探针层所处的环境的环境参数之间的对应关系，确定所述检测单元中的发光层的环境参数。
8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述环境参数包括下列之一：温度、湿度、氧浓度。
9.根据权利要求6所述的方法，其中，所述光的参数包括所述光的波长或光强。
10.一种显示面板的制造方法，包括在基板上形成一个或多个检测单元，其中，形成每个检测单元包括：
在所述基板上形成第一电极层；
在所述第一电极层远离所述基板的一侧形成荧光探针层和发光层；和
形成第二电极层，其中，所述荧光探针层和所述发光层位于所述第一电极层和所述第二电极层之间；
其中，所述基板包括像素区域和非像素区域，在所述像素区域上形成像素单元，在所述非像素区域上形成所述一个或多个检测单元中的至少一个。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，在形成所述荧光探针层后，在所述荧光探针层远离所述第一电极层的一侧形成所述发光层。
CN201810366342.3A 2018-04-23 2018-04-23 显示面板及其制造方法、检测方法和显示装置 Active CN108878473B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810366342.3A CN108878473B (zh) 2018-04-23 2018-04-23 显示面板及其制造方法、检测方法和显示装置
PCT/CN2019/070618 WO2019205739A1 (zh) 2018-04-23 2019-01-07 显示面板及其制造方法、检测方法和显示装置
US16/345,937 US10868085B2 (en) 2018-04-23 2019-01-07 Display panel with a fluorescent probe layer between a first electrode layer and light emitting layer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810366342.3A CN108878473B (zh) 2018-04-23 2018-04-23 显示面板及其制造方法、检测方法和显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108878473A CN108878473A (zh) 2018-11-23
CN108878473B true CN108878473B (zh) 2021-01-26

Family

ID=64327130

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810366342.3A Active CN108878473B (zh) 2018-04-23 2018-04-23 显示面板及其制造方法、检测方法和显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10868085B2 (zh)
CN (1) CN108878473B (zh)
WO (1) WO2019205739A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108878473B (zh) 2018-04-23 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、检测方法和显示装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007250254A (ja) * 2006-03-14 2007-09-27 Seiko Epson Corp 発光装置、及び発光装置の製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100446226C (zh) * 2004-01-21 2008-12-24 先锋株式会社 半导体器件及其制造方法
US7534615B2 (en) * 2004-12-03 2009-05-19 Cryovac, Inc. Process for detecting leaks in sealed packages
WO2010050454A1 (ja) * 2008-10-29 2010-05-06 パナソニック電工株式会社 検知素子、検知装置及び酸素濃度検査装置
EP2929577B1 (en) * 2012-12-05 2018-01-10 Koninklijke Philips N.V. Electrical device, in particular organic light emitting device.
CN106024842B (zh) * 2016-07-26 2019-07-23 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示装置及其封装效果的检修方法
CN107369701A (zh) 2017-07-19 2017-11-21 京东方科技集团股份有限公司 封装结构、显示面板、显示装置和用于检测封装结构的方法
CN107785406B (zh) * 2017-11-03 2020-04-14 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示面板及其驱动方法、显示装置
CN108878473B (zh) * 2018-04-23 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、检测方法和显示装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007250254A (ja) * 2006-03-14 2007-09-27 Seiko Epson Corp 発光装置、及び発光装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019205739A1 (zh) 2019-10-31
US10868085B2 (en) 2020-12-15
CN108878473A (zh) 2018-11-23
US20200243619A1 (en) 2020-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20070216426A1 (en) Method and structures for detecting moisture in electroluminescence display devices
US7474115B1 (en) Organic electronic device display defect detection
KR101612190B1 (ko) 유기 el 표시 장치
US11238767B2 (en) Array substrate, display device and method for detecting the same
US6144162A (en) Controlling polymer displays
US20090289202A1 (en) Integrated Encapsulation Status Indicator
JP2004530284A (ja) Ｅｌ装置の漏洩検査を行う方法及び装置。
CN103247667A (zh) Oled面板及其制作方法与封装效果的检测方法
US7710365B2 (en) Determining leakage in matrix-structured electronic devices
US20220352264A1 (en) Display panel motherboard and manufacturing method thereof
CN108878473B (zh) 显示面板及其制造方法、检测方法和显示装置
WO2010137452A1 (ja) 有機ｅｌパネル検査方法、有機ｅｌパネル検査装置及び有機ｅｌパネル
CN109781674B (zh) 一种气体检测装置及其制备方法、气体监控系统
JP2008021441A (ja) 検査装置と検査方法
US11373566B2 (en) Electronic device and manufacturing process thereof
JP2007080633A (ja) エレクトロルミネッセンス装置の製造方法と検査方法とエレクトロルミネッセンス装置
CN101853876A (zh) 一种主动矩阵有机发光二极体面板结构
KR20110018783A (ko) 표시 패널 검사 장치 및 표시 패널 검사 방법
US9696259B2 (en) Optode sensor with integrated reference
KR102640472B1 (ko) 디스플레이를 포함하는 전자 장치 및 이의 얼룩 검출 방법
KR100842863B1 (ko) 평면표시장치의 화소상태 검사장치
JP2010169552A (ja) 点灯検査装置および点灯検査方法
JP5589472B2 (ja) 有機ｅｌ基板検査装置及び検査方法
JP4609349B2 (ja) 発光装置、及び発光装置の製造方法
KR102180216B1 (ko) 유기전자소자의 보호층 결함 검출 방법 및 이를 이용한 유기전자소자의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant